JP5402317B2 - 偏光素子および偏光素子の製造方法、投写型表示装置、液晶装置、電子機器 - Google Patents
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Description
また、本発明においては、前記金属細線の上端から前記第2誘電体層の上端までの高さよりも、前記金属細線の下端から前記第1誘電体層間の領域の底部までの高さのほうが大きいこととすることもできる。
この構成によれば、金属細線の周囲に配置される基板や第2誘電体層の存在量を変化させることができ、必要とする光学特性に適した設計が可能となる。
また、本発明においては、前記第2誘電体層を挟んで隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、前記第2誘電体層を挟まずに隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、が異なることとすることもできる。
この構成によれば、金属細線の間隔の自由度が高くなり、必要とする光学特性に適した金属細線の設計が容易となる。
この方法によれば、製造工程を簡略化することができ製造が容易となる。
この構成によれば、優れた光学特性を有する偏光素子を備えるため、信頼性が高く優れた表示特性を有する投写型表示装置とすることができる。
この構成によれば、複数の色光に対応して設計された偏光素子を用いるため、色光ごとに透過率を制御し、優れた表示が可能な投写型表示装置とすることができる。
この構成によれば、光学特性に優れた偏光素子を具備し、優れた表示特性を有する液晶装置を提供できる。
この構成によれば、表示品質及び信頼性に優れる表示部ないし光変調手段を備えた電子機器を提供することができる。
図1(a)に示すように、偏光素子1は、基板11と、基板11上に一方向に延在して形成された金属細線14と、を備えている。
図2は偏光素子1の製造方法の説明図である。図2は図1(b)の断面図に対応する図となっている。
以上のようにして、本実施形態の偏光素子1が完成する。
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図4に示すプロジェクター800は、光源810、ダイクロイックミラー813、814、反射ミラー815、816、817、入射レンズ818、リレーレンズ819、射出レンズ820、光変調部822、823、824、クロスダイクロイックプリズム825、投写レンズ826、を有している。
図5は、本発明にかかる偏光素子を備えた液晶装置300の一例を示した断面模式図である。本実施形態の液晶装置300は、素子基板210,対向基板320の間に液晶層350が挟持され構成されている。
次に、本発明の電子機器に係る他の実施形態について説明する。図6は、図5に示した液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図6に示す携帯電話(電子機器)1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。これにより、信頼性に優れ、高品質な表示が可能な表示部を具備した携帯電話1300を提供することができる。
以下に、本発明の実施例について説明する。本実施例では、発明の効果を確認するため、シミュレーション解析により評価を行った。本実施例では、モデル化した偏光素子についてのシミュレーション解析により評価をおこなった。以下の実施例の説明においては、図1に示した符号を適宜用いるものとする。
まず、第1溝部12の深さについて、第1溝部12の底部12xが金属細線14の下端14aよりも下側に位置するまで掘り下げた偏光素子(以下、この構造を構造Aとする)と、第1溝部12の底部12xが金属細線14の下端14aと同じ高さである偏光素子(以下、この構造を構造Bとする)と、について光学特性の比較を行い、第1溝部12の掘り下げ深さの偏光素子の光学特性への影響を検証した。比較した光学特性は、TM光に対する光透過率(Tp)、TE光に対する光透過率(Tc)、TM光に対する反射率(Rp)、TE光に対する反射率(Rc)である。
次に、構造Aの偏光素子について、L2とL4の値を異ならせたモデルについて検証した。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に平面視略ストライプ状に設けられた複数の第1誘電体層と、
各々の前記第1誘電体層上において、該第1誘電体層の延在方向と同方向に平面視略ストライプ状に延在して設けられた一対の金属細線と、
各々の前記第1誘電体層上であって、前記一対の金属細線の間の領域を該金属細線の上端よりも低く埋没させて設けられた第2誘電体層と、を備え、
前記一対の金属細線は、下端が前記第1誘電体層に接するとともに、側面が前記第2誘電体層に接していることを特徴とする偏光素子。 - 前記金属細線の上端から前記第2誘電体層の上端までの高さと、前記金属細線の下端から前記第1誘電体層間の領域の底部までの高さと、が等しいことを特徴とする請求項1に記載の偏光素子。
- 前記金属細線の上端から前記第2誘電体層の上端までの高さよりも、前記金属細線の下端から前記第1誘電体層間の領域の底部までの高さのほうが大きいことを特徴とする請求項1に記載の偏光素子。
- 前記第2誘電体層を挟んで隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、前記第2誘電体層を挟まずに隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、が等しいことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 前記第2誘電体層を挟んで隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、前記第2誘電体層を挟まずに隣り合う2つの前記金属細線の間隔と、が異なることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 基板の一面側に平面視略ストライプ状に設けられた複数の仮設凸条部の上面および側面を覆って、前記基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の一部であって、前記仮設凸条部の上面および隣り合う前記仮設凸条部の間の領域に設けられた前記金属膜を除去し、前記仮設凸条部の両側に複数の金属細線を形成する工程と、
前記金属膜の一部を除去した領域から露出する前記仮設凸条部、および前記金属膜の一部を除去した前記仮設凸条部の間の領域から露出する前記基板を掘り下げ、凸条部を形成する工程と、を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。 - 前記仮設凸条部および前記基板を同時に掘り下げることを特徴とする請求項6に記載の偏光素子の製造方法。
- 光を射出する照明光学系と、
前記光を変調する液晶ライトバルブと、
前記液晶ライトバルブで変調された光が入射する請求項1から5のいずれか1項に記載の偏光素子と、
前記偏光素子を透過した偏光光を被投写面に投写する投写光学系と、を備えることを特徴とする投写型表示装置。 - 前記照明光学系は、波長が異なる複数の色光を含む光を射出し、
前記液晶ライトバルブは、前記複数の色光の各々に対応して設けられ、
前記偏光素子は、該偏光素子が有する複数の金属細線間に設けられた溝部の掘り下げ深さが、前記液晶ライトバルブで変調された色光に対応して異なっていることを特徴とする請求項8に記載の投写型表示装置。 - 前記溝部の掘り下げ深さは、前記偏光素子に入射する前記色光の波長が長いほど深いことを特徴とする請求項9に記載の投写型表示装置。
- 一対の基板間に液晶層を挟持してなり、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記液晶層側に請求項1から5のいずれか1項に記載の偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
- 請求項11に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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