TWI683169B - 堆疊結構體、輸入／輸出裝置、資訊處理裝置及堆疊結構體的製造方法 - Google Patents

堆疊結構體、輸入／輸出裝置、資訊處理裝置及堆疊結構體的製造方法 Download PDF

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TWI683169B
TWI683169B TW104123093A TW104123093A TWI683169B TW I683169 B TWI683169 B TW I683169B TW 104123093 A TW104123093 A TW 104123093A TW 104123093 A TW104123093 A TW 104123093A TW I683169 B TWI683169 B TW I683169B
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伊佐敏行
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Abstract

提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。還提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體的製造方法。此外，提供一種新穎的半導體裝置。堆疊結構體包括依序的第一區域至第五區域。第一區域至第五區域的每一者包括第一基材及第二基材。第一區域、第三區域及第五區域各包括在第一基材和第二基材之間形成預定的距離的間隔件。

Description

堆疊結構體、輸入/輸出裝置、資訊處理裝置及堆疊結構體的製造方法
本發明的一個實施方式係關於堆疊結構體、輸入/輸出裝置、資訊處理裝置或堆疊結構體的製造方法。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、製造(manufacture)或者組成物(composition of matter)。更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子包括半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、用於驅動這些裝置的方法以及用於製造這些裝置的方法。
具備大螢幕的顯示裝置可顯示很多資訊。因 此，這種顯示裝置在瀏覽性方面為優異的，且適用於資訊處理裝置。
用於傳送資訊的社會基礎設施越來越充實。藉由資訊處理裝置的使用，不僅在家中或辦公室且在離開家中或辦公室時也能夠獲得、處理及發送各式各樣廣泛的資訊。在上述背景下，對可攜式資訊處理裝置展開了積極的開發。
由於可攜式資訊處理裝置經常在室外被使用，因此資訊處理裝置以及被包含於其中的顯示裝置可能因掉落而受到意外的外力衝擊。作為不容易破損的顯示裝置的一個已知例子在使發光層分離的結構體與第二電極層之間具有高的黏合性的顯示裝置(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2012-190794號公報
本發明的一個實施方式的目的是提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。本發明的一個實施方式的另一目的是提供一種用於製造方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體的方法。本發明的一個實施方式的另一目的是提供一種新穎的堆疊結構體、用於製造新穎的堆疊結構體的方法、新穎的顯示裝置或新穎的半導體裝置。
注意，上述目的的記載並不妨礙其他目的的 存在。注意，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載看出並衍生其他的目的為顯而易見的。
本發明的一個實施方式是一種堆疊結構體，包括：第一區域；在第一區域的外側的第二區域；在第二區域的外側的第三區域；在第三區域的外側的第四區域；以及在第四區域的外側的第五區域。
第一區域至第五區域包括第一基材、以及與第一基材重疊的第二基材。
第一區域、第三區域及第五區域在第一基材與第二基材之間包括間隔件。
第四區域包括接合層，且接合層貼合第一基材和第二基材。
本發明的一個實施方式是上述堆疊結構體，其中，在第一區域、第三區域及第五區域中，間隔件具有能在第一基材與第二基材之間形成預定的距離的尺寸。
本發明的一個實施方式的堆疊結構體從第一區域依序包括第一區域至第五區域。第一區域至第五區域的每一者包括第一基材及第二基材。第一區域、第三區域及第五區域在第一基材與第二基材之間各包括形成預定的距離的間隔件。由此，可以在第一基材與第二基材之間形成預定的距離，而不用在第二區域及第四區域配置間隔件。結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
本發明的一個實施方式是上述堆疊結構體，其中，在第四區域中，接合層具有圍繞第一區域的形狀並接觸於第一基材及第二基材。
本發明的一個實施方式的堆疊結構體包括第四區域，在第四區域中，接合層接觸於第一基材及第二基材。由此，接合層防止雜質經由第四區域擴散到第三區域。結果，能夠提供方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
本發明的一個實施方式是上述堆疊結構體，其中，第一區域至第五區域在第一基材與第二基材之間包括接合層。
此外，在本發明的一個實施方式中，第一區域至第三區域在第一基材與間隔件之間包括絕緣層。
第五區域在第一基材與間隔件之間包括絕緣層。此外，在上述堆疊結構體中，第五區域中的絕緣層在不重疊於間隔件的部分包括比重疊於間隔件的部分薄的區域。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體中，第五區域包括絕緣層，其部分比重疊於間隔件的部分薄。因此，在不重疊於間隔件的部分可以增加距離。例如，可以增加絕緣層與要被分離的第二層之間的距離。在具有增加的距離的區域中，材料能夠容易地移動，這使得可以輕易地此在形成接合層時將第一基材與第二基材之間的距離設定為指定長度。結果，可以提供方便性或可靠性優異的 新穎的堆疊結構體。
本發明的一個實施方式是上述堆疊結構體，其包括位在第四區域與第五區域之間的第六區域。第一區域包括發光元件。第一區域至第四區域及第六區域包括與發光元件電連接的佈線。第一區域至第三區域包括與佈線接觸的絕緣層。第六區域包括與佈線電連接的端子。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體中，第一區域包括發光元件，第一區域至第四區域及第六區域包括與發光元件電連接的佈線，且第六區域包括與佈線電連接的端子。由此，可以藉由佈線將第一區域的發光元件與第六區域的端子電連接。結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
本發明的一個實施方式是包括下面的四個步驟的用於製造堆疊結構體的方法。
在第一步驟中，準備上面形成有間隔件的第一基材、以及第二基材。接著，在第一基材或/及第二基材上形成具備流動性的接合層。
在第二步驟中，在減壓的環境下，以其中間夾著間隔件及接合層的方式配置第一基材及第二基材。
在第三步驟中，環境中的壓力被增加到大氣壓力，以使接合層在第一基材、第二基材及間隔件之間擴張。
在第四步驟中，使接合層硬化。
本發明的一個實施方式的堆疊結構體的製造 方法包括如下步驟，將環境的壓力增加到大氣壓力，從而在第一基材、第二基材及間隔件之間擴張具備流動性的接合層。因此，藉由使用接合層，第一基材和第二基材可以在其中間具有預定的距離的狀態下被相互貼合。結果，可以提供用於製造方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體的方法。
注意，在本說明書中，根據情況或狀態，可以互相調換詞語“膜”和“層”。例如，有時可以將詞語“導電層”變換為詞語“導電膜”。此外，有時可以將詞語“絕緣膜”變換為詞語“絕緣層”。
發光裝置在其範疇內包括以下的裝置：附接有撓性印刷電路(Flexible printed circuit，FPC)或捲帶式封裝(Tape Carrier Package，TCP)等連接器的模組、具有在其端部設置有印刷線路板的TCP的模組、以及藉由玻璃上晶片(Chip On Glass，COG)方式安裝有積體電路(IC)且形成有發光元件的基板。
此外，在本說明書中，電晶體的第一電極和第二電極中的其中一個指得是源極電極，而另一個指得是汲極電極。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。根據本發明的另一個實施方式，可以提供一種用於製造方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體的方法。根據本發明的另一個實施方式，可以提供一種新穎的顯示裝置或新穎的半導體裝 置等。根據本發明的另一個實施方式，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的輸入/輸出裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並抽出這些效果外的效果。
VPI(i)‧‧‧佈線
CS‧‧‧佈線
RES(i)‧‧‧佈線
VRES(i)‧‧‧佈線
DL(j)‧‧‧信號線
D‧‧‧間隔
D1‧‧‧間隔
D2‧‧‧間隔
G1(i)‧‧‧掃描線
K01‧‧‧外殼
K02‧‧‧鉸鏈
K10‧‧‧算術裝置
K10A‧‧‧天線
K10B‧‧‧電池
K20‧‧‧輸入/輸出裝置
K30‧‧‧顯示部
K31‧‧‧區域
K40‧‧‧輸入裝置
K41‧‧‧感測器
K45‧‧‧按鈕
K100‧‧‧資訊處理裝置
M1‧‧‧電晶體
M2‧‧‧電晶體
M3‧‧‧電晶體
FPC1‧‧‧撓性印刷電路板
FPC2‧‧‧撓性印刷電路板
11‧‧‧基材
13‧‧‧要被分離的層
21‧‧‧基材
23‧‧‧要被分離的層
31‧‧‧黏合層
32‧‧‧黏合層
41‧‧‧基材
42‧‧‧基材
90‧‧‧堆疊結構體
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧第一區域
101C‧‧‧第二區域
101D‧‧‧第三區域
101S‧‧‧第四區域
101R‧‧‧第五區域
101T‧‧‧第六區域
111‧‧‧佈線
119‧‧‧端子
121‧‧‧絕緣層
121a‧‧‧絕緣層
121b‧‧‧絕緣層
128‧‧‧分隔壁
150‧‧‧發光元件
160‧‧‧接合層
160F‧‧‧接合層
180‧‧‧發光模組
500‧‧‧顯示部
500TP‧‧‧輸入/輸出裝置
501‧‧‧表示區域
501C‧‧‧區域
501D‧‧‧區域
501S‧‧‧密封區域
501T‧‧‧區域
502‧‧‧像素
502B‧‧‧子像素
502G‧‧‧子像素
502R‧‧‧子像素
502t‧‧‧電晶體
502Y‧‧‧子像素
503c‧‧‧電容器
503G‧‧‧驅動電路
503t‧‧‧電晶體
510‧‧‧基材
510a‧‧‧障壁膜
510b‧‧‧基材
510c‧‧‧樹脂層
511‧‧‧佈線
519G‧‧‧端子
519SL‧‧‧端子
519SR‧‧‧端子
521‧‧‧絕緣膜
528‧‧‧分隔壁
550R‧‧‧發光元件
551‧‧‧下部電極
551R‧‧‧下部電極
552‧‧‧上部電極
553‧‧‧包含發光有機化合物的層
560‧‧‧接合層
580R‧‧‧發光模組
600‧‧‧輸入部
601‧‧‧輸入區域
602‧‧‧感測單元
603D‧‧‧驅動電路
603G‧‧‧驅動電路
605‧‧‧感測單元
610‧‧‧基材
610a‧‧‧障壁膜
610b‧‧‧基材
610c‧‧‧樹脂層
632‧‧‧介電層
650‧‧‧感測元件
651‧‧‧電極
652‧‧‧電極
667‧‧‧開口部
670‧‧‧保護層
3000A‧‧‧資訊處理裝置
3000B‧‧‧資訊處理裝置
3000C‧‧‧資訊處理裝置
3101‧‧‧外殼
3101b‧‧‧外殼
3120‧‧‧輸入/輸出部
3120b‧‧‧輸入/輸出部
KB‧‧‧間隔件
CF‧‧‧著色層
BM‧‧‧遮光層
在圖式中：圖1A至1D說明根據實施方式的堆疊結構體的結構；圖2A至2D說明根據實施方式的用於製造堆疊結構體的方法；圖3A和3B說明根據實施方式的輸入/輸出裝置的結構；圖4說明根據實施方式的輸入/輸出裝置的結構；圖5A和5B說明根據實施方式的輸入/輸出裝置中所包括的感測單元的結構；圖6A至6C說明根據實施方式的資訊處理裝置的結構；以及圖7A1、7A2和7A3、7B1及7B2、以及7C1及7C2說明根據實施方式的資訊處理裝置的結構。
本發明的一個實施方式的堆疊結構體從第一區域依序包括第一區域至第五區域。第一區域至第五區域的每一者包括第一基材及第二基材。第一區域、第三區域及第五區域在第一基材與第二基材之間各包括形成預定的距離的間隔件。
由此，可以在第一基材與第二基材之間形成預定的距離，而不在第二區域及第四區域配置間隔件。結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
將參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，且所屬技術領域的技術人員可以很容易地理解到，在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下，可做成各種變化及修改。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反覆說明。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至1D說明本發明的一個實施方式的堆疊結構體的結構。
圖1A至1D是說明本發明的一個實施方式的堆疊結構體的結構的示意圖。圖1A是本發明的一個實施 方式的堆疊結構體的俯視圖，且圖1B是沿著圖1A中的線Z1-Z2-Z3-Z4的剖面圖。圖1C是圖1B的部分的放大剖面圖，且圖1D是圖1B的部分的放大投影圖。
〈堆疊結構體的結構例子〉
在本實施方式中說明的堆疊結構體90包括第一區域101、位在第一區域101的外側的第二區域101C、位在第二區域101C的外側的第三區域101D、位在第三區域101D的外側的第四區域101S、以及位在第四區域101S的外側的第五區域101R(參照圖1A)。
第一區域101至第五區域101R各包括第一基材11、以及重疊於第一基材11的第二基材21(參照圖1B)。
第一區域101、第三區域101D及第五區域101R在第一基材11與第二基材21之間各包括間隔件KB。
第四區域101S包括接合層160。藉由接合層160，第一基材11被貼合到第二基材21。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體90中的間隔件KB具備能在第一區域101、第三區域101D及第五區域101R中於第一基材11與第二基材21之間形成預定的距離D的尺寸。
在本實施方式中說明的堆疊結構體90包括以從第一區域101的遞升次序的第一區域101至第五區域 101R。第一區域101至第五區域101R各包括第一基材11及第二基材21。第一區域101、第三區域101D及第五區域101R在第一基材11和第二基材21之間各包括形成預定的距離D的間隔件KB。由此，可以在第一基材與第二基材之間形成預定的距離，而不在第二區域及第四區域中配置間隔件。結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
此外，本發明的一個實施方式的堆疊結構體90的第四區域101S圍繞第一區域101且包括接觸於第一基材11及第二基材21的接合層160(參照圖1A及1B)。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體90中的第四區域101S包括接觸於第一基材11及第二基材21的接合層160。由此，接合層防止雜質經由第四區域擴散到第三區域。結果，能夠提供方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體90中的第一區域101至第五區域101R在第一基材11與第二基材21之間亦包括接合層160。
另外，在本發明的一個實施方式的堆疊結構體90中的第一區域101及第三區域101D在第一基材11與間隔件KB之間包括絕緣層121。例如，絕緣層121包括第一絕緣層121a及第二絕緣層121b。
第五區域101R在第一基材11與間隔件KB之間包括絕緣層121。第五區域101R中的絕緣層121在 不重疊於間隔件KB的部分包括比重疊於間隔件KB的部分薄的區域。
例如，重疊於間隔件KB的部分包括第一絕緣層121a及第二絕緣層121b，且不重疊於間隔件KB的部分包括第一絕緣層121a。
在本發明的一個實施方式的堆疊結構體90中的第五區域101R包括絕緣層121，其部分比重疊於間隔件KB的部分薄。因此，可以在不重疊於間隔件KB的部分增加距離。例如，可以增加絕緣層121與要被分離的第二層23之間的距離。在具有增加的距離的區域中，材料能夠容易地移動，使得在形成接合層160時能夠輕易地將第一基材11與第二基材21之間的距離設定成預定的長度。結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
此外，本發明的一個實施方式的堆疊結構體90包括位在第四區域101S與第五區域101R之間的第六區域101T。
第一區域101包括發光元件150。
第一區域101至第四區域101S及第六區域101T包括與發光元件150電連接的佈線111。
第一區域101至第三區域101D包括接觸於佈線111的絕緣層121。
第六區域101T包括與佈線111電連接的端子119。
在本實施方式所說明的堆疊結構體90中，第一區域101包括發光元件150，第一區域101至第四區域101S及第六區域101T包括與發光元件150電連接的佈線111，且第六區域101T包括與佈線111電連接的端子119。由此，可以藉由佈線111將第一區域中的發光元件150與第六區域中的端子119電連接。結果，可以提供一種方便性或可靠性優異的新穎的堆疊結構體。
此外，堆疊結構體90在間隔件KB與第二基材21之間包括構件。
構件的例子包括著色層CF以及遮光層BM(參照圖1B及1D)。
堆疊結構體90在間隔件KB與絕緣層121之間還包括其它的構件。此構件的例子包括具備開口部的分隔壁128。
此外，堆疊結構體90在第一基材11與第二基材21之間具有預定的距離D。
絕緣層121、分隔壁128、間隔件KB、著色層CF及遮光層BM按上述順序堆疊並配合預定的距離D。
此外，堆疊結構體90在不重疊於間隔件KB的位置包括功能元件。
例如，也可以將發光元件150用作功能元件。注意，也可以以重疊於發光元件150的方式配置著色層CF而構成發光模組180。
堆疊結構體90亦包括與功能元件電連接的端子119。
下面，對堆疊結構體的個別構件進行說明。注意，這些構件無法被明確地區別，且在某些情況下，一個構件亦作用為另一個構件或包括另一個構件的部分。
例如，將與間隔件KB重疊的分隔壁128用作間隔件，也用作分隔壁。
〈〈整體結構〉〉
在本實施方式中的堆疊結構體90包括第一區域101、第二區域101C、第三區域101D、第四區域101S或第五區域101R。
堆疊結構體90包括第一基材11、第二基材21或接合層160。
堆疊結構體90包括絕緣層121、間隔件KB或各種類型的構件。
堆疊結構體90包括發光元件150或端子119。
〈〈第一區域101〉〉
第一區域101包括第一基材11、第二基材21或接合層160。此外，第一區域101在第一基材11與第二基材21之間具備預定的距離D。
第一區域101包括絕緣層121、間隔件KB、 各種類型的構件或發光元件150。
〈〈第二區域101C〉〉
第二區域101C包括第一基材11、第二基材21或接合層160。
第二區域101C包括絕緣層121或接合層160。
〈〈第三區域101D〉〉
第三區域101D包括第一基材11、第二基材21或接合層160。此外，第三區域101D在第一基材11與第二基材21之間具有預定的距離D。
第三區域101D包括絕緣層121或間隔件KB。
〈〈第四區域101S〉〉
第四區域101S包括第一基材11、第二基材21或接合層160。此外，在第四區域101S中，接合層160接觸於第一基材11及第二基材21。
第四區域101S圍繞第一區域101。
〈〈第五區域101R〉〉
第五區域101R包括第一基材11、第二基材21或接合層160。此外，第五區域101R在第一基材11與第二基 材21之間具備預定的距離D。
在第五區域101R包括絕緣層121或間隔件KB。
在第五區域101R中的絕緣層121在不重疊於間隔件的部分中包括比重疊於間隔件的部分薄的區域。
〈〈第一基材11〉〉
第一基材11具有能夠耐受製程的耐熱性以及可適用於製造設備的厚度及尺寸。
例如，可以將有機材料或無機材料用於第一基材11。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等的有機材料用於第一基材11。明確而言，可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的薄膜或板。
例如，可以將玻璃、陶瓷、金屬等的無機材料用於第一基材11。明確而言，可以使用包含無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等的板。明確而言，可以適用包含不鏽鋼(SUS)、鋁或鎂等的金屬箔或金屬板。
例如，可以將無機氧化物、無機氮化物或無機氧氮化物等用於第一基材11。明確而言，可以使用包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁等的薄膜。
例如，可以將一個材料或多個材料的複合材 料用於第一基材11。明確而言，可以使用堆疊有多個材料的複合材料或將纖維狀或粒子狀的材料分散於其它材料中的複合材料。
例如，也可以將堆疊有基材及用來防止包含在基材中的雜質擴散的絕緣膜的材料用於第一基材11。明確而言，可以使用堆疊有玻璃及用來防止包含在玻璃中的雜質擴散的選自氧化矽、氮化矽或氧氮化矽等中的一個或多個材料的材料。亦可以使用堆疊有樹脂及用來防止經由樹脂的雜質擴散的選自氧化矽、氮化矽或氧氮化矽等中的一個或多個材料的材料。
例如，第一基材11可以使用金屬板、薄玻璃板或無機材料的膜被貼合的樹脂薄膜等的複合材料。
例如，可以在第一基材11一個表面上設置具有能夠輕易移除後面所說明的要被分離的第一層13的功能的分離層12。
〈〈要被分離的第一層13〉〉
另外，可以使用能夠從第一基材11被移除的要被分離的第一層13。
例如，可以使用包括與在第一基材11的表面上所形成的分離層12接觸之其中堆疊有要被分離的第一層層13的材料。此結構使得要被分離的第一層13能夠在後面的步驟中從從第一基材11被移除。明確而言，可以將包含鎢的層用作分離層12，且可以將與包含鎢的層接 觸且包含無機氧化物或無機氧氮化物的層用作要被分離的第一層13。以此結構，可以從第一基材11移除要被分離的第一層13。注意，可以將在包含無機氧化物或無機氧氮化物的層上還堆疊其它材料的複合材料用作要被分離的第一層13。
另外，第一基材11的表面可包括玻璃板，且可使用包含聚醯亞胺的層作為要被分離的第一層13。明確而言，可以將玻璃板用於分離層，並且將接觸於玻璃板的表面的包含聚醯亞胺的層用作要被分離的第一層13。此結構可使得要被分離的第一層13在後面的步驟中從第一基材11被移除。注意，可以將在包含聚醯亞胺的層上還堆疊其它材料的複合材料用作要被分離的第一層13。
〈〈第二基材21〉〉
第二基材21可使用與第一基材11相同的材料來形成。
另外，第二基材21的表面可設置有分離層22，其具有輕易移除後面所說明的要被分離的第二層23的功能。
〈〈要被分離的第二層23〉〉
可以使用能夠從第二基材21被移除的要被分離的第二層23。可以使用與要被分離的第一層13相同的材料來形成要被分離的第二層23。
例如，可以使用與第二基材21的表面上所形成的分離層22接觸的要被分離的第二層23。
〈〈接合層160〉〉
接合層160具有貼合第二基材21和第一基材11的功能。
可以將無機材料、有機材料或無機材料與有機材料的複合材料等用於接合層160。
例如，可以將具有400℃以下、較佳為300℃以下的熔點的玻璃層或黏合劑等用於接合層160。
例如，可以將光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或/及厭氧型黏合劑等有機材料用於接合層160。
明確而言，可以將包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、亞胺樹脂、聚氯乙烯(PVC)樹脂、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)樹脂等的黏合劑用於接合層160。
〈〈構件〉〉
例如，可以將絕緣層121、著色層CF、遮光層BM或分隔壁128用於構件。注意，遮光層BM與分隔壁128部分重疊。
注意，要被分離的第一層13可包括構件的部分。明確而言，要被分離的第一層13可包括絕緣層 121、分隔壁128、間隔件KB、發光元件150、佈線111及端子119。
另外，要被分離的第二層23可包括構件的部分。明確而言，要被分離的第二層23可包括著色層CF及遮光層BM。
〈〈絕緣層121〉〉
例如，可以將有機材料或無機材料用於絕緣層121。
例如，可以將樹脂等有機材料用於絕緣層121。明確而言，可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂或包含感光性聚合物的材料等的薄膜。
例如，可以將無機氧化物、無機氮化物或無機氧氮化物等用於絕緣層121。明確而言，可以使用包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁等的薄膜。
例如，可以將一個材料或多個材料的複合材料用於絕緣層121。明確而言，可以使用堆疊有多個材料的複合材料或將纖維狀或粒子狀的材料分散於其它材料中的複合材料。
例如，可以將絕緣層121a及絕緣層121b的堆疊體用於絕緣層121。明確而言，可以將其厚度為2μm的丙烯酸樹脂用於絕緣層121a及121b的每一者。
另外，絕緣層121不需要具有均勻的厚度。例如，絕緣層121可以在不重疊於間隔件KB的部分包括 比重疊於間隔件KB的部分薄的區域。明確而言，在第五區域101R中的絕緣層121在重疊於間隔件KB的部分具有厚度T2，以及在不重疊於間隔件KB的部分具有厚度T1。由此，在不重疊於間隔件KB的部分中作成長於距離D2的距離D1。
〈〈著色層CF〉〉
著色層CF具有使預定顏色的光透過的功能。
例如，可以將使紅色光透過的層、使綠色光透過的層或使藍色光透過的層用作著色層CF。或者，也可以將使黃色光透過的層、使青色(cyan)光透過的層或使洋紅色(magenta)光透過的層用作著色層CF。
例如，也可以選擇來配置使彼此不同顏色的光透過的多個著色層CF。例如，也可以帶狀地配置著色層CF。另外，也可以以成為方格圖案的方式配置著色層CF(參照圖1D)。
明確而言，可以配置使紅色光透過的層、使綠色光透過的層、使藍色光透過的層、以及使黃色光透過的層。
例如，可以將包含顏料或染料的層用作著色層CF。明確而言，可以將包含顏料或染料等的聚合物用於著色層CF。
〈〈遮光層BM〉〉
遮光層BM具有遮蔽可見光的功能。
遮光層BM具有，例如，帶狀或格子狀的形狀(參照圖1D)。
例如，可以將具有遮光性的材料用於遮光層BM。分散有顏料的樹脂、包含染料的樹脂或像是黑色鉻膜的無機膜可用於遮光層BM。明確而言，可以使用碳黑、無機氧化物、包含多個無機氧化物的固溶體(solid solution)的複合氧化物。
〈〈分隔壁128〉〉
分隔壁128具有開口部。例如，分隔壁128可具備帶狀的開口部或方格圖案的開口部(參照圖1D)。明確而言，分隔壁128可以具備被劃分為方形的開口部。
注意，例如，開口部可以配置有功能元件。
例如，可以將具有絕緣性的有機材料、具有絕緣性的無機材料用於分隔壁128。
例如，可以將樹脂等的有機材料用於分隔壁128。明確而言，可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂或包含感光性聚合物的材料等的薄膜。
例如，可以將無機氧化物、無機氮化物或無機氧氮化物等用於分隔壁128。明確而言，可以使用包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁等的薄膜。
例如，可以將一個材料或多個材料的複合材 料用於分隔壁128。明確而言，可以使用堆疊有多個材料的複合材料或將纖維狀或粒子狀的材料分散於其它材料中的複合材料。
明確而言，可以將厚度為0.8μm的聚醯亞胺用於分隔壁128。
〈〈間隔件KB〉〉
間隔件KB具有能夠作成預定的距離D的尺寸。注意，具有間隔件KB重疊於遮光層BM及分隔壁128的區域。
例如，可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的複合材料用於間隔件KB。
明確而言，可以將無機氧化物、無機氮化物或無機氧氮化物等用於間隔件KB。例如，可以將氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁等用於間隔件KB。
明確而言，可以將樹脂、塑膠等有機材料用於間隔件KB。明確而言，可以使用包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂或包含感光性聚合物的材料等用於間隔件KB。
〈〈功能元件〉〉
堆疊結構體90具備一個或多個功能元件。例如，堆疊結構體90可以具備配置為矩陣狀的多個功能元件。
例如，可以將電元件或生物晶片等用作功能 元件。明確而言，可以使用電晶體、電容器、電阻器、記憶元件、發光元件或顯示元件等。
例如，可以將顯示元件及用於驅動顯示元件的像素電路用作功能元件。
例如，可以將發光元件150用作功能元件。明確而言，可以將有機電致發光元件用作發光元件150。
〈〈佈線111及端子119〉〉
堆疊結構體90具備佈線111及端子119。例如，端子119藉由佈線111與發光元件150電連接。
佈線111及端子119包含具有導電性的材料。
例如，可以將無機導電材料、有機導電材料、金屬材料或導電陶瓷材料等用於端子119。
明確而言，可以使用選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、鈀和錳中的金屬元素、包含上述金屬元素的合金或包含上述金屬元素的組合的合金等來用作佈線等。
或者，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵的氧化鋅等的導電氧化物。
或者，可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜可以，例如，藉由使包含氧化石墨烯的膜還原而被形成。作為還原方法的例子包括加熱的方法以及使用還原劑的方法等。
或者，可以使用導電聚合物。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，將參照圖2A至2D說明本發明的一個實施方式的用於製造堆疊結構體的方法。
圖2A至2D說明本發明的一個實施方式的用於製造堆疊結構體的方法。圖2A是說明本發明的一個實施方式的用於製造堆疊結構體90的方法的第一步驟的剖面圖，以及圖2B是說明第二步驟至第四步驟的剖面圖。
〈堆疊結構體的製造方法的例子〉
在本實施方式中說明的用於製造堆疊結構體的方法包括下面的四個步驟。
〈〈第一步驟〉〉
在第一步驟中，所準備為包括形成有間隔件KB的要被分離的第一層13被形成於其上的第一基材11、以及要被分離的第二層23被形成於其上的第二基材21。接著，在第一基材11或/及第二基材21上形成具備流動性的接合層160F(參照圖2A)。
明確而言，可以將依次堆疊有厚度為0.7mm的玻璃板、厚度為200nm的氧氮化矽膜、厚度為30nm的 鎢膜、以及要被分離的層13(或23)的材料用於第一基材11及第二基材21。
可以將包含從鎢膜一側依次堆疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜及厚度為200nm的氮化矽膜的材料的膜用作為要被分離的第一層13及要被分離的第二層23。另外，可以將包含從鎢膜一側依次堆疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜、厚度為200nm的氮化矽膜、厚度為200nm的氧氮化矽膜、厚度為140nm的氮氧化矽膜及厚度為100nm的氧氮化矽膜的材料的膜用作為要被分離的第一層13及要被分離的第二層23。注意，氧氮化矽膜中的氧的組成比氮的組成多，而氮氧化矽膜中的氮的組成比氧的組成多。
另外，可以將依次堆疊有0.7mm厚的玻璃板、聚醯亞胺膜及包含氧化矽或氮化矽等的膜於其中的膜用於第一基材11及第二基材21。
此外，要被分離的第一層13可以包括具有4μm的厚度的絕緣層121、具有0.8μm的厚度的分隔壁128、以及具有0.8μm的厚度的間隔件KB。注意，在第五區域中，將4μm厚度的絕緣層121設置在與間隔件KB重疊的部分，且將2μm厚度的第一絕緣層121a設置在沒有與間隔件KB重疊的部分。
另外，可以將具有1μm的厚度的遮光層BM及具有0.8μm以上且2μm以下的厚度的著色層CF用於要被分離的第二層23。
例如，可以利用網版印刷法、噴墨法或使用塗佈機的塗佈方法來形成具備流動性的接合層160F。
明確而言，在第二基材21之設置有遮光層BM及著色層CF一側上，藉由網版印刷法形成具備流動性的包含熱硬化型環氧樹脂類黏合劑的厚度為10μm的接合層160F。
〈〈第二步驟〉〉
在第二步驟中，在減壓的環境下，以其中間夾著間隔件KB及接合層160F的方式配置第一基材11及第二基材21(參照圖2B)。
例如，在具有被減少到1Pa的壓力的環境下，在第一基材11與第二基材21之間設置間隔件KB及接合層160F。注意，環境的壓力較佳為1Pa以下。在此情況下，環境的壓力可在後續的步驟中被回復到大氣壓力，而不會有氣泡殘留在第一基材11與第二基材21之間。
〈〈第三步驟〉〉
在第三步驟中，環境中的壓力被增加到大氣壓力，以使接合層160F在第一基材11、第二基材21及間隔件KB之間擴張。
當將環境中的壓力從減壓狀態增加到大氣壓力時，可以將第二基材21壓向第一基材11。由此，位在 第一基材11與第二基材21之間的具備流動性的接合層160F在第一基材11、第二基材21及間隔件KB之間擴張。
注意，間隔件KB具有使得預定的距離D能夠在第一基材11與第二基材21之間被形成的尺寸。
接合層160F在包括構件的區域中較不容易移動。
因此，不重疊於間隔件KB的絕緣層121的部分被作成為比其重疊於間隔件KB的其他部分更薄。這允許接合層160F在不重疊於間隔件KB的部分中輕易地移動。
明確而言，將堆疊有第一絕緣層121a及第二絕緣層121b的絕緣層121用於與間隔件KB重疊的部分，且將僅包括第一絕緣層121a的絕緣層121用於沒有與間隔件KB重疊的部分。
第二區域101C、第四區域101S及第六區域101T中未設置有間隔件KB。以此結構，相較於被配置在其他區域中的間隔件KB，較大的力被施加到配置在與第二區域101C鄰接的第一區域101的邊緣、與第二區域101C鄰接的第三區域101D的邊緣、與第四區域101S鄰接的第三區域101D的邊緣、與第四區域101S鄰接的第五區域101R的邊緣及與第六區域101T鄰接的第五區域101R的邊緣的間隔件KB。
大於預定力量的力可能會將間隔件KB壓壞。 被壓壞的間隔件KB有時會使得第一基材11與第二基材21之間的距離小於預定的距離。此外，有時會破壞圍繞間隔件KB的其他構件或功能元件。明確而言，有時會破壞絕緣層121、著色層CF、遮光層BM、分隔壁128或發光元件150。
因此，縮小無間隔件KB的區域的寬度。這將導致施加到與未配置間隔件KB的區域鄰接的間隔件KB的力量的減少。
例如，當縮小第二區域101C的寬度時，可以減少施加到配置在第一區域101的邊緣的間隔件KB的力量。明確而言，在將第二區域101C的寬度縮小到3mm以下，較佳的是縮小到1mm以下時，可以減少施加到配置在第一區域101的邊緣的間隔件KB的力量。
〈〈第四步驟〉〉
在第四步驟中，使接合層160F硬化。
例如，在將熱硬化性材料用於接合層160F的情況下，接合層160F被加熱，使得接合層160被形成。
在本實施方式中說明的堆疊結構體90的製造方法包括將環境的壓力增加到大氣壓力，從而在第一基材11、第二基材21及間隔件KB之間擴張具備流動性的接合層160的步驟。因此，藉由接合層的使用，可以在其中間有預定的距離的狀態下貼合第一基材與第二基材。結果，可以提供一種用於製造方便性或可靠性優異的新穎的 堆疊結構體的方法。
〈發光裝置的製造方法的例子〉
接著，參照圖2C及2D說明用於製造包括堆疊結構體90的發光裝置100的方法。
圖2C是說明本發明的一個實施方式的堆疊結構體的結構的剖面圖。圖2D是說明本發明的一個實施方式的發光裝置的結構的剖面圖。
〈〈第五步驟〉〉
在第五步驟中，將要被分離的第一層13被從第一基材11移除。使用黏合層31將被移除的要被分離的第一層13與第一基材41貼合。
此外，將要被分離的第二層23被從第二基材21移除。使用黏合層32將被移除的要被分離的第二層23與第二基材42貼合(參照圖2C)。
注意，可以將具有撓性的材料用於第一基材41及第二基材42。在此情況下，可以提供撓性的發光裝置100。例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於第一基材41及第二基材42。明確而言，可以使用聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等。或者，在不需要透光性的情況下，例如，可以使用不具有透光性的金屬等的無機材料。明確而言，可以使用SUS或鋁等。
〈〈第六步驟〉〉
在第六步驟中，切除第五區域101R(參照圖2D)。
注意，第四區域101S與具備間隔件KB的第五區域101R鄰接；因此，第四區域101S在第一基材41與第二基材42之間具有預定的距離。這可以防止第一區域101中的間隔件KB及第三區域101D中的間隔件KB被壓壞。
〈〈第七步驟〉〉
在第七步驟中，移除重疊於端子119的第二基材42及接合層160，以使端子119露出。
由此，電力被供應到端子119，且端子119能夠供應電力。另外，發光元件150能夠被供應電力。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖3A及3B、圖4及圖5A和圖5B對本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置的結構進行說明。
圖3A及3B、圖4及圖5A和圖5B說明本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置500TP的結構。
圖3A是本發明的一個實施方式的輸入/輸出 裝置500TP的俯視圖，以及圖3B是沿著圖3A中的線Z1-Z2及線Z3-Z4-Z5-Z6的剖面圖。
圖4是本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置500TP的投影圖。
圖5A及5B是本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置500TP中所包括的感測單元602(i，j)的投影圖及電路圖。
〈輸入/輸出裝置的結構例子〉
在本實施方式中說明的輸入/輸出裝置500TP包括顯示部500、重疊於顯示部500的輸入部600、在顯示部500中的顯示區域501、設置在輸入部600中且與顯示區域501重疊的輸入區域601、以及圍繞顯示區域501及輸入區域601的密封區域501S(參照圖3A及3B)。
顯示區域501、輸入區域601及密封區域501S包括第一基材510及第二基材610(參照圖3B)。
顯示區域501及輸入區域601在第一基材510及第二基材610之間包括間隔件KB。
密封區域501S包括貼合第一基材510和第二基材610的接合層560。
顯示區域501包括多個像素502(參照圖4)。
像素502包括配置為2列及2行的四個子像素(子像素502R、子像素502G、子像素502B及子像素502Y)。
子像素502R包括顯示元件、以及與顯示元件電連接的像素電路。例如，可以將發光元件550R用作顯示元件。
輸入區域601包括多個感測單元602(i，j)。注意，在本說明書中，構件(i，j)指得是在m×n矩陣中的配置在第i列及第j行的構件。將配置在第i列及第j行的感測單元記載為感測單元602(i，j)。m及n中之一個是1以上的自然數，且另一個是2以上的自然數。此外，i是m以下的自然數，且j是n以下的自然數。
感測單元602(i，j)包括具備與子像素502R重疊的開口部667的遮光層BM、與遮光層BM重疊的感測電路、以及與感測電路電連接的感測元件650(i，j)(參照圖3A及3B、圖4及圖5A和圖5B)。
在本實施方式中的上述輸入/輸出裝置500TP包括顯示部500、重疊於顯示部500的輸入部600、在顯示部500中的顯示區域501、在輸入部600中且與顯示區域501重疊的輸入區域601、以及圍繞顯示區域501及輸入區域601的密封區域501S。顯示區域501、輸入區域601及密封區域501S包括第一基材510及第二基材610，且顯示區域501及輸入區域601在第一基材510與第二基材610之間包括間隔件KB。因此，可以在第一基材與第二基材之間形成預定的距離，而不需在密封區域中配置間隔件。結果，可以提供方便性或可靠性優異的新穎的輸入/輸出裝置。
此外，輸入/輸出裝置500TP包括在顯示區域501的外側的區域501C、在區域501C的外側的區域501D、以及在區域501D的外側的區域501T(參照圖3A)。
輸入/輸出裝置500TP包括具有重疊於顯示區域501及輸入區域601的區域的保護層670。
下面說明輸入/輸出裝置500TP的各個構件。注意，這些構件無法被明確地區別，且在某些情況下一個構件亦作用為另一個構件或包括另一個構件的部分。
例如，在與多個開口部667重疊的位置上具備著色層的輸入部600亦作用為濾色片。
另外，例如，輸入部600與顯示部500重疊的輸入/輸出裝置500TP作用為輸入部600及顯示部500。注意，顯示部500與輸入部600重疊的輸入/輸出裝置500TP亦被稱為觸控面板。
〈〈整體的結構〉〉
輸入/輸出裝置500TP包括顯示部500、輸入部600、顯示區域501、輸入區域601、密封區域501S、第一基材510或第二基材610。
輸入/輸出裝置500TP也可以包括區域501C、區域501D、區域501T或保護層670。
區域501C及區域501D包括第一基材510及第二基材610。
區域501C包括設置在絕緣膜521中的開口。
區域501D包括驅動電路503G、驅動電路603G及驅動電路603D。
區域501T包括端子519G、端子519SL及端子519SR。
〈〈輸入部〉〉
輸入部600包括感測單元602(i，j)或第二基材610。
輸入部600亦包括佈線VPI(i)、佈線CS、掃描線G1(i)、佈線RES(i)、佈線VRES(i)或信號線DL(j)(參照圖5A和5B)。在本說明書中，佈線(i)指得是配置在第i列的佈線，且佈線(j)指得是配置在第j行的佈線。
注意，也可以使用在第二基材610上沉積用來形成輸入部600的膜且對該膜進行加工的方法來形成輸入部600。
另外，也可以使用在其它基材上形成輸入部600的一部分且將該一部分轉置到第二基材610的方法來形成輸入部600。
〈〈感測單元〉〉
感測單元602(i，j)感測靠近或接觸感測單元602的物體並供應感測信號。例如，感測單元602(i，j)感測電容、照度、磁力、無線電波、壓力等，且基於所感測的物理量 供應資料。明確而言，可以將電容器、光電轉換元件、磁力感測元件、壓電元件、諧振器等用作感測元件。
例如，感測單元602(i，j)感測感測單元602(i，j)和靠近或接觸感測單元602(i，j)的物體之間的電容的變化。明確而言，也可以使用導電膜及與該導電膜電連接的感測電路。
注意，當具有高於空氣的介電常數之物體，例如，手指，靠近空氣中的導電膜時，手指與導電膜之間的靜電電容發生變化。感測單元602(i，j)可感測電容的變化，並供應感測資料。明確而言，作為感測單元602(i，j)，可以使用包括導電膜及其一個電極連接於導電膜的電容器的感測電路。
例如，電容的變化引起導電膜與電容器之間的電荷的分配，而使得跨越電容器的電壓發生變化。可以將此電壓變化用於感測信號。
明確而言，可以將電容器用作感測元件650(i，j)。第一電極651(i，j)的電位被用作感測信號，其隨著感測元件650(i，j)的第二電極652的電位的變化、與第一電極651(i，j)電連接的導電膜和靠近於導電膜的物體之間的距離等而變化。
注意，感測元件650(i，j)包括第一電極651(i，j)、與第一電極651(i，j)重疊的第二電極652、以及第一電極651(i，j)與第二電極652之間的介電層653。
〈〈感測電路、開關、電晶體〉〉
可以將各種類型的電路用作感測電路。明確而言，可以使用包括開關或電晶體的感測電路(參照圖5B)。注意，開關或電晶體並非必需被設置的，且電容器可被使用在感測電路或觸控感測器中。
注意，作為被包含在觸控感測器中的佈線或電極的材料，較佳係使用低電阻材料。例如，可以使用銀、銅、鋁、碳奈米管、石墨烯、或鹵化金屬(鹵化銀等)等。再者，可以使用包括多個具有極小的寬度(例如，直徑為幾奈米)的導電體的金屬奈米線。或者，也可以使用具有導電體的網狀的金屬絲網。這種材料的例子包括Ag奈米線、Cu奈米線、Al奈米線、Ag絲網、Cu絲網、以及Al絲網等。在使用Ag奈米線的情況下，可以實現89%以上的光穿透率，40Ω/平方以上且100Ω/平方以下的片電阻。因為這種材料提供高的光穿透率，作為顯示元件的電極(例如，像素電極或共用電極)，可以使用金屬奈米線、金屬絲網、碳奈米管、以及石墨烯等。
感測單元602(i，j)包括可以根據控制信號被轉換到導通狀態或非導通狀態的開關。
例如，開關可以是根據第二控制信號能夠被轉換到導通狀態或非導通狀態的電晶體M2(i，j)及根據第三控制信號能夠被轉換到導通狀態或非導通狀態的電晶體M3。
可以將放大感測信號的電晶體M1(i，j)用於 感測單元602中。
可以將可經由相同製程被形成的電晶體用於放大感測信號的電晶體M1(i，j)及開關。這允許經由簡化的製程製造輸入部600。
電晶體包括半導體層。例如，可以將14族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以將包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等用於半導體層。另外，可以將有機半導體等用於半導體層。有機半導體的例子包括稠四苯(tetracene)、稠五苯(pentacene)等的并苯類(acenes)。
電晶體可包括具有各種結晶性的半導體層。例如，可以使用包含非晶的半導體層、包含微晶的半導體層、包含多晶的半導體層或者包含單晶的半導體層等。明確而言，可以使用包含非晶矽的半導體層、包含經由雷射退火等的晶化處理得到的多晶矽的半導體層、利用SOI(Silicon On Insulator)技術形成的半導體層等。
用於半導體層的氧化物半導體較佳係包括，例如，至少包含銦(In)、鋅(Zn)及M(Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金屬)的以In-M-Zn氧化物表示的材料。或者，較佳為包含In和Zn的兩者。
作為被包含在氧化物半導體膜中的氧化物半導體，下列各者的任一者可被使用，例如，In-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In- Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物、以及In-Ga類氧化物。
注意，在此，In-Ga-Zn類氧化物是指作為主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，且對In：Ga：Zn的比率沒有限制。In-Ga-Zn類氧化物也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
〈〈佈線〉〉
輸入部600包括佈線。佈線包括佈線VPI(i)、佈線CS、掃描線G1(i)、佈線RES(i)、佈線VRES(i)、信號線DL(j)等。
例如，信號線DL(j)具備供應感測信號的功能；佈線VPI(i)具備供應接地電位的功能；佈線CS具備供應第一控制信號的功能；掃描線G1(i)具備供應第二控制信號的功能；佈線RES(i)具備供應第三控制信號的功能；且佈線VRES(i)具備供應接地電位的功能。
可以將具有導電性的材料用於佈線等。
例如，可以將無機導電材料、有機導電材 料、金屬材料或導電陶瓷材料等用於佈線。
明確而言，可以將選自鋁、金、鉑、銀、鉻、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、鐵、鈷、釔、鋯、鈀和錳中的金屬元素、包含上述金屬元素的合金、或包括上述金屬元素的組合的合金等用於佈線等。尤其是，較佳為包含選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬及鎢中的一個以上的元素。尤其是，銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻的微細加工。
具體地，可能使用在鋁膜上堆疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上堆疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上堆疊鎢膜的雙層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上堆疊鎢膜的雙層結構、依次堆疊鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。
具體地，還可以使用鋁和選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一個或多個元素在其中被組合的合金膜或氮化膜。
或者，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或添加鎵的氧化鋅等的導電氧化物。
或者，可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜可以，例如，藉由使包含氧化石墨烯的膜還原而被形成。還原方法的例子包括進行加熱的方法以及使用還原劑的方法等。
或者，可以使用導電聚合物。
〈〈驅動電路〉〉
驅動電路603G例如可以以預定的時序供應控制信 號。明確而言，驅動電路603G分別以預定的順序對掃描線G1(i)和佈線RES(i)供應第二控制信號和第三控制信號。
可以將各種電路用於驅動電路603G。例如，也可以採用移位暫存器、正反電路、或組合電路。例如，驅動電路603G可供應選擇信號，以根據顯示部500的預定操作使輸入部600運作。明確而言，在顯示部500的回掃期間，可供應選擇信號使輸入部600運作。因此，能夠緩解輸入部600因顯示部500的操作而感測到噪音的問題。
驅動電路603D根據感測單元602(i，j)所供應的感測信號供應感測資訊。
可以將各種電路用於驅動電路603D。例如，藉由與設置在感測單元602(i，j)中的感測電路電連接，可作為源極隨耦電路或電流鏡電路的電路可被用於驅動電路603D。此外，將感測信號轉換成數位信號的類比/數位轉換電路亦可被包含於其中。
〈〈基材)〉
只要基材610具備耐受製程的耐熱性及可以適用於製造設備的厚度及尺寸，對基材610的材料就沒有特別的限制。尤其是，當將具有撓性的材料用於基材610時，可以使輸入部600能夠被折疊或展開。注意，在輸入部600位在顯示部500進行顯示的一側的情況下，將具有透光性的 材料用於基材610。
可以將有機材料、無機材料或有機材料與無機材料的複合材料等用於基材610。
例如，可以將玻璃、陶瓷或金屬等的無機材料用於基材610。
明確而言，可以將無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、水晶玻璃等用於基材610。
明確而言，可以將金屬氧化物膜、金屬氮化物膜或金屬氧氮化物膜等用於基材610。例如，可以將包含氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁等的薄膜用於基材610。
例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠等有機材料用於基材610。
具體地，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板用於基材610。
例如，可以將薄的玻璃板或無機材料的膜貼合於樹脂薄膜的複合材料用於基材610。
例如，可以將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂薄膜的複合材料用於基材610。
例如，可以將纖維狀或粒子狀的樹脂或者有機材料等分散到無機材料的複合材料用於基材610。
可以將單層材料或包括多個層的堆疊材料用於基材610。例如，也可以將包括基材及用來防止包含在 基材中的雜質擴散的絕緣層的堆疊材料用於基材610。
明確而言，可以將包括玻璃與選自防止包含在玻璃中的雜質擴散的膜(例如，氧化矽膜、氮化矽膜和氧氮化矽膜等)中的一種或多種膜的堆疊材料用於基材610。
或者，可以將包括樹脂與防止透過樹脂的雜質的擴散的膜(例如，氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮化矽膜等)的堆疊材料用於基材610。
具體地，可以使用包括撓性基材610b、防止雜質擴散的障壁膜610a及將基材610b貼合到障壁膜610a的樹脂層610c的堆疊體(參照圖3B)。
〈〈撓性印刷電路板〉〉
撓性印刷電路板FPC1供應時序信號、電源電位等且被供應感測信號。
〈〈顯示部〉〉
顯示部500包括像素502、掃描線、信號線或基材510(參照圖4)。
注意，也可以在基材510上沉積用來形成顯示部500的膜且對該膜進行加工的方式來形成顯示部500。
也可以在另一基材上形成顯示部500的一部分且將該一部分轉置到基材510的方式來形成顯示部 500。
〈〈像素〉〉
像素502包括子像素502B、子像素502G及子像素502R，並且各子像素具備顯示元件及用於驅動顯示元件的像素電路。
〈〈像素電路〉〉
在顯示部中可以採用在像素中具有主動元件的主動矩陣方式或在像素中沒有主動元件的被動矩陣方式。
在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)，除電晶體外還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用金屬-絕緣體-金屬(Metal Insulator Metal，MIM)或薄膜二極體(Thin Film Diode，TFD)等。由於這些元件可以較小數量的製程步驟來形成，因此能夠降低製造成本或者提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化。
作為除了主動矩陣方式以外的方式，也可以採用不使用主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程步驟的數量少，從而可以降低製造成本或者提高良率。另外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化等。
像素電路包括，例如，電晶體502t。
顯示部500具備覆蓋電晶體502t的絕緣膜521。可以將絕緣膜521用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。可以將包含能夠抑制雜質的擴散的層的堆疊膜用於絕緣膜521。這可以抑制發生由於雜質的擴散之電晶體502t等的可靠性的減少。
〈〈顯示元件〉〉
可以將各種各樣的顯示元件用於顯示部500。例如，可以使用利用電泳方式、電子粉流體(日本的註冊商標)方式或電潤濕方式等進行顯示的顯示元件(也稱為電子墨水)、MEMS快門顯示元件、光干涉型MEMS顯示元件、以及液晶元件等。
另外，也可以使用可用於透射式液晶顯示器、半透射式液晶顯示器、反射式液晶顯示器、直視型液晶顯示器等的顯示元件。此外，顯示部500包括LED(例如，白色LED、紅色LED、綠色LED或藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射器、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示面板(PDP)、數位微鏡裝置(DMD)、數位微快門(DMS)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、干涉測量調節顯示(IMOD)元件、壓電陶瓷顯示器、以及包括碳奈米管的顯示元件中的至少一個。除此之外，也可以包括其對比度、亮度、反射率、透射率等藉由電作用或磁作用來改變的顯示介質。具有EL元件的顯示裝置的例子包括EL顯示器。作為具有電子發射器的 顯示裝置的例子包括場發射顯示器(FED)或SED型平面顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)。包括電子墨水、電子液態粉末(electronic liquid powder)(在日本的註冊商標)或電泳元件的顯示裝置的例子包括電子紙。注意，在使用LED的情況下，也可以在LED的電極或氮化物半導體下設置石墨烯或石墨。石墨烯或石墨可為堆疊有多個層的多層膜。石墨烯或石墨的這種設置使得容易在其上形成氮化物半導體層，例如，具有晶體的n型GaN半導體層。此外，也可以在其上設置具有晶體的p型GaN半導體層，且因此可形成LED。注意，也可以在石墨烯或石墨與具有晶體的n型GaN半導體層之間設置AlN層。可以藉由MOCVD形成被包含在LED中的GaN半導體層。注意，當設置石墨烯時，也可以利用濺射法形成被包含在LED中的GaN半導體層。
例如，也可以將發出不同顏色的光的的有機電致發光元件包含於各子像素中。
例如，可以使用發射白色光的有機電致發光元件。
例如，發光元件550R包括下部電極551R、上部電極552、以及在下部電極551R與上部電極552之間包含發光有機化合物的層553。
子像素502R具備發光模組580R。子像素502R具備發光元件550R以及能夠對發光元件550R供應 電力且包括電晶體502t的像素電路。發光模組580R具備發光元件550R及光學元件(例如，著色層CFR)。
注意，為了高效地提取具有特定波長的光，可以在發光模組580R中設置微諧振器。明確而言，也可以在設置來高效地提取具有特定波長的光的反射可見光的膜及部分反射與部分透射可見光的膜之間設置包含發光有機化合物的層。
發光模組580R在光提取側上具有著色層CFR。著色層透射具有特定波長的光，且可為，例如，選擇性地使紅色光、綠色光或藍色光透射的層。注意，其他子像素也可以被設置為重疊於沒有設置著色層的窗戶部，使得來自發光元件的光可以不經由著色層而被發射。
著色層CFR與發光元件550R重疊。由此，從發光元件550R所發射的光的一部分通過著色層CFR，且發射到發光模組580R的外部，如圖3B中的箭頭所示。
遮光層BM被定位來圍繞著色層(例如，著色層CFR)。
注意，在提取光的一側上設置有接合層560的情況下，接合層560也可以與發光元件550R及著色層CFR接觸。
下部電極551R設置在絕緣膜521上。設置有包括與下部電極551R重疊的開口的分隔壁528。注意，分隔壁528的一部分與下部電極551R的端部重疊。
下部電極551R、上部電極552、以及包含設置在下部電極551R與上部電極552之間的發光有機化合物的層553形成發光元件(例如，發光元件550R)。像素電路對發光元件供應電力。
另外，在分隔壁528上設置有控制基材610與基材510之間的距離的間隔件KB。
注意，可以將具有反射可見光的功能的層用於像素電極的部分或全部。這提供了半透射式液晶顯示器或反射式液晶顯示器。明確而言，可以將鋁、銀等用於像素電極的部分或全部。
也可以將SRAM等的記憶體電路設置在反射電極下，在此情況下可以進一步降低功耗。適用於所採用的顯示元件的結構可以從像素電路的各種結構中被選擇。
〈〈基材〉〉
撓性材料可被用於基材510。例如，也可以將與能夠用於基材610的材料相同的材料用於基材510。
注意，在基材510不需要具有透光性的情況下，例如，可以使用非透光材料，例如，SUS或鋁。
例如，基材510較佳可以使用包括撓性基材510b、防止雜質擴散的障壁膜510a、以及貼合基材510b與障壁膜510a的樹脂層510c的堆疊體(參照圖3B)。
〈〈接合層〉〉
接合層560貼合基材610與基材510。接合層560具有高於大氣的折射率。在光被提取到接合層560一側的情況下，接合層560較佳亦作為光學黏合層。明確而言，將具有與基材510的折射率的差異為0.2以下的折射率的材料用於接合層560。此外，將具有與基材610的折射率的差異為0.2以下的折射率的材料用於接合層560。
〈〈驅動電路的結構〉〉
驅動電路503G供應選擇信號。例如，驅動電路503G對掃描線供應選擇信號。
例如，可以將移位暫存器、正反電路、或組合電路用於驅動電路503G等。
另外，可以將經由與像素電路相同的製程且在相同的基板上形成的電晶體用於驅動電路。
另外，可以具備供應影像信號的驅動電路。 例如，可將可以經由與電晶體503t或電容器503c相同的製程所形成的構件用於供應影像信號的驅動電路。
〈〈佈線〉〉
顯示部500包括掃描線、信號線及電源線等的佈線。可以將各種導電膜用於佈線。例如，可以使用類似於可用於輸入部600的導電膜之導電膜。
顯示部500具備信號可經由其被供應的佈線511。佈線511設置有端子519G。注意，電源電位、同步 信號等可經由其被供應的撓性印刷電路板FPC2與端子519G電連接。
注意，印刷線路板(PWB)可被貼合到撓性印刷電路板FPC2。
此外，設置端子519SL及端子519SR，以供應影像信號及同步信號、電源電位等。
〈〈保護層〉〉
輸入/輸出裝置500TP包括與顯示區域501及輸入區域601重疊的保護層670。
例如，可以將抗反射層(具體而言，圓偏光板)用作保護層670。
例如，可以將陶瓷塗層或硬塗層用作保護層670。明確而言，可以將包含氧化鋁的層或可被紫外線或電子束固化的樹脂用於保護層670。這能夠防止在輸入/輸出裝置500TP中的顯示區域501及輸入區域601被損傷。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖6A至6C說明具備本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置的資訊處理裝置的結構。
圖6A至6C說明本發明的一個實施方式的資 訊處理裝置。
圖6A是說明在本發明的一個實施方式的資訊處理裝置K100中的輸入/輸出裝置K20被展開的投影圖，圖6B是沿著圖6A的線X1-X2的資訊處理裝置K100的剖面圖。圖6C是說明輸入/輸出裝置K20被折疊的投影圖。
〈資訊處理裝置的結構例子〉
在本實施方式中說明的資訊處理裝置K100包括輸入/輸出裝置K20、算術裝置K10、或外殼K01(1)至外殼K01(3)(參照圖6A至6C)。
〈〈輸入/輸出裝置〉〉
輸入/輸出裝置K20具備顯示部K30及輸入裝置K40。輸入/輸出裝置K20被供應影像資料V並供應感測資料S(參照圖6B)。
顯示部K30被供應影像資料V，且輸入裝置K40供應感測資料S。
輸入裝置K40與顯示部K30相互一體地重疊的輸入/輸出裝置K20不僅作為顯示部K30，還作為輸入裝置K40。
使用觸控感測器作為輸入裝置K40且使用顯示面板作為顯示部K30的輸入/輸出裝置K20亦稱為觸控面板。
〈〈顯示部〉〉
顯示部K30具有第一區域K31(11)、第一可彎曲區K31(21)、第二區域K31(12)、第二可彎曲區K31(22)以及第三區域K31(13)以此順序配置為條狀的區域K31(參照圖6A)。
顯示部K30可以沿著形成在第一可彎曲區K31(21)的第一折痕及形成在第二可彎曲區K31(22)的第二折痕而被折疊和展開(參照圖6A及6C)。
〈〈算術裝置〉〉
算術裝置K10包括運算部及儲存由運算部執行的程式的記憶部。算術裝置K10供應影像資料V且被供應感測資料S。
〈〈外殼〉〉
外殼包括依此順序放置的外殼K01(1)、鉸鏈K02(1)、外殼K01(2)、鉸鏈K02(2)或外殼K01(3)。
外殼K01(3)容納算術裝置K10。外殼K01(1)至外殼K01(3)保持輸入/輸出裝置K20且使輸入/輸出裝置K20能夠被折疊或展開(參照圖6B)。
在本實施方式中，給出具備三個外殼及連接三個外殼的兩個鉸鏈的資訊處理裝置作為例子。在此資訊處理裝置中的輸入/輸出裝置K20可以在具有兩個鉸鏈之處被折疊。
注意，n(n為2以上的自然數)個外殼可以使用(n-1)個鉸鏈來連接。具備該結構的資訊處理裝置可以在(n-1)處折疊輸入/輸出裝置K20。
外殼K01(1)與第一區域K31(11)重疊，並且包括按鈕K45(1)。
外殼K01(2)與第二區域K31(12)重疊。
外殼K01(3)與第三區域K31(13)重疊，並且容納算術裝置K10、天線K10A以及電池K10B。
鉸鏈K02(1)與第一可彎曲區域K31(21)重疊，且將外殼K01(1)以可轉動的方式連接到外殼K01(2)。
鉸鏈K02(2)與第二可彎曲區K31(22)重疊，且將外殼K01(2)以可轉動的方式連接到外殼K01(3)。
天線K10A與算術裝置K10電連接，並供應信號或被供應信號。
另外，天線K10A從外部裝置以無線方式被供應電力，並將電力供應到電池K10B。
電池K10B與算術裝置K10電連接，並供應電力或被供應電力。
〈〈折疊感測器〉〉
折疊感測器K41感測外殼是否被折疊或展開，並供應顯示出外殼的狀態的資料。
顯示出外殼的狀態的資料被供應到算術裝置K10。
在顯示出外殼K01的狀態的資料為顯示出折疊狀態的資料時，算術裝置K10對第一區域K31(11)供應包含第一影像的影像資料V(參照圖6C)。
在顯示出外殼K01的狀態的資料為顯示出展開狀態的資料時，算術裝置K10對顯示部K30的區域K31供應影像資料V(參照圖6A)。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，將參照圖7A1、7A2、7A3、7B1、7B2、7C1及7C2說明將本發明的一個實施方式的輸入/輸出裝置用於輸入/輸出部的資訊處理裝置的結構。
圖7A1、7A2、7A3、7B1、7B2、7C1及7C2說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置。
圖7A1至7A3是說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的投影圖。
圖7B1及7B2是說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的投影圖。
圖7C1及7C2是說明本發明的一個實施方式的資訊處理裝置的俯視圖及仰視圖。
〈〈資訊處理裝置A〉〉
資訊處理裝置3000A包括輸入/輸出部3120及支撐輸 入/輸出部3120的外殼3101(參照圖7A1至7A3)。
資訊處理裝置3000A還包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部、以及供應使運算部驅動的電力的電池等的電源。
注意，外殼3101容納運算部、記憶部、電池等。
資訊處理裝置3000A可以在其側面或/及頂面顯示資訊。
資訊處理裝置3000A的使用者可以藉由使用接觸於該側面或/及頂面的手指頭提供操作指令。
〈〈資訊處理裝置B〉〉
資訊處理裝置3000B包括輸入/輸出部3120及輸入/輸出部3120b(參照圖7B1及7B2)。
資訊處理裝置3000B還包括支撐輸入/輸出部3120的外殼3101及帶狀的撓性外殼3101b。
資訊處理裝置3000B還包括支撐輸入/輸出部3120b的外殼3101。
資訊處理裝置3000B還包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部、以及供應使運算部驅動的電力的電池等的電源。
注意，外殼3101容納運算部、記憶部、電池等。
資訊處理裝置3000B可以在由帶狀的撓性外 殼3101b所支撐的輸入/輸出部3120上顯示資料。
資訊處理裝置3000B的使用者可以藉由使用接觸於輸入/輸出部3120的手指頭提供操作指令。
〈〈資訊處理裝置C〉〉
資訊處理裝置3000C包括輸入/輸出部3120、以及支撐輸入/輸出部3120的外殼3101及外殼3101b(參照圖7C1及7C2)。
輸入/輸出部3120及外殼3101b具有撓性。
資訊處理裝置3000C還包括運算部、儲存由運算部執行的程式的記憶部、以及供應使運算部驅動的電力的電池等的電源。
注意，外殼3101容納運算部、記憶部、電池等。
資訊處理裝置3000C可以在外殼3101b處折疊成對折。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
例如，在本說明書等中，“X與Y連接”的明確說明指得是X與Y電連接、X與Y在功能上連接、以及X與Y直接連接。因此，不侷限於，例如，圖式及文中所說明的連接關係之預定的連接關係，在具有圖式或文中所說明的連接關係的元件之間可能設置有其他的元件。
在此，X和Y分別為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
X與Y直接連接的情況的例子包括允許在X與Y之間的電連接的元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件和負載)未被連接於X與Y之間的情況，以及X與Y在沒有於其間設置允許X與Y之間的電連接的元件下被連接的情況。
例如，在X和Y電連接的情況下，可以在X和Y之間連接一個或多個能夠電連接X和Y的元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示元件、發光元件、或負載)。開關被控制為開啟或關閉。換言之，開關為導通或非導通(被開啟或關閉)以決定電流是否從其流動經過。或者，開關具有選擇及改變電流路徑的功能。注意，X和Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
例如，在X和Y在功能上連接的情況下，可以在X和Y之間連接一個或多個能夠在功能上連接X和Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽馬校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(例如，升壓電路、降壓電路等)、或用於改變信號的電位位準的位準轉移器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅、電流量等的電路、運算放大器、差動放 大電路、源極隨耦電路、或緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、及/或控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間設有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，也可以說X與Y為在功能上連接。注意，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
注意，在本說明書等中，“X與Y電連接”的明確說明指得是X與Y電連接(亦即，X與Y以中間設有其他元件或其他電路的方式連接的情況)、X與Y在功能上連接(亦即，X與Y以中間設有其他電路的方式在功能上連接的情況)、以及X與Y直接連接(亦即，X與Y以中間不設有其他元件或其他電路的方式連接的情況)。換言之，在本說明書等中，“X與Y電連接”的明確表達與“X與Y連接”的明確簡單表達為相同的。
例如，對於電晶體的源極(或第一端子等)經由(或未經由)Z1與X電連接且電晶體的汲極(或第二端子等)經由(或未經由)Z2與Y電連接的情況、以及電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接且Z1的另一部分與X直接連接，同時電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接且Z2的另一部分與Y直接連接的情況，可使用以下的表現方式的任一者。
表現方式的例子包括“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)及電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，且X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極 (或第二端子等)及Y依此順序相互電連接”、“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，且X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依此順序相互電連接”、以及“X經由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，且X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依此順序設置為被連接的”。當以類似於上述例子的表現方式定義電路結構中的連接順序時，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)並確定技術範圍。
表現方式的其他例子包括“電晶體的源極(或第一端子等)至少經由第一連接路徑與X電連接，第一連接路徑不包括第二連接路徑，第二連接路徑電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，Z1在第一連接路徑上，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經由第三連接路徑與Y電連接，第三連接路徑不包括第二連接路徑，且Z2在第三連接路徑上”。亦可以使用“電晶體的源極(或第一端子等)在第一連接路徑上至少經由Z1與X電連接，第一連接路徑不包括第二連接路徑，第二連接路徑包括通過電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)在第三連接路徑上至少經由Z2與Y電連接，第三連接路徑不包括第二連接路徑”的表達方式。表達方式的又一個例子為“電晶體的源極(或第一端子等)在第一電路徑上至少經由Z1與X電連接，第一電路徑不包 括第二電路徑，第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)在第三電路徑上至少經由Z2與Y電連接，第三電路徑不包括第四電路徑，第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑”。當電路結構中的連接路徑藉由類似於上述例子的表達方式被定義出來時，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)並確定技術範圍。
注意，本發明的一個實施方式不侷限這些表現方式，這些表現方式僅為例子。在此，X、Y、Z1及Z2的每一者為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜或層)。
即使當獨立的構件在電路圖中彼此電連接時，在一些情況下一個構件具有多個構件的功能。例如，當佈線的一部分亦作用為電極時，一個導電膜作用為佈線和電極。因此，本說明書中的“電連接”的其範疇內包括一個導電膜具有多個構件的功能的這種情況。
本申請案係根據2014年7月25日對日本專利局提出的日本專利申請第2014-151604號，其全部內容在此藉由引用被併入。
11‧‧‧基材
12‧‧‧分離層
13‧‧‧要被分離的層
21‧‧‧基材
22‧‧‧分離層
23‧‧‧要被分離的層
90‧‧‧堆疊結構體
101‧‧‧第一區域
101C‧‧‧第二區域
101D‧‧‧第三區域
101S‧‧‧第四區域
101R‧‧‧第五區域
101T‧‧‧第六區域
111‧‧‧佈線
119‧‧‧端子
121‧‧‧絕緣層
121a‧‧‧絕緣層
121b‧‧‧絕緣層
128‧‧‧分隔壁
150‧‧‧發光元件
160‧‧‧接合層
180‧‧‧發光模組
BM‧‧‧遮光層
CF‧‧‧著色層
D‧‧‧間隔
KB‧‧‧間隔件
Z1-Z2-Z3-Z4‧‧‧線

Claims (12)

  1. 一種堆疊結構體，包括第一區域、第二區域、第三區域、第四區域、第五區域、以及第六區域，其中，該第一區域包含第一基材、第二基材及間隔件，其中，該第二基材重疊於該第一基材，其中，該第一區域中的該間隔件位在該第一基材與該第二基材之間，其中，該第二區域位在該第一區域的外側，其中，該第二區域包含該第一基材及該第二基材，其中，該第三區域位在該第二區域的外側，其中，該第三區域包含該第一基材、該第二基材及間隔件，其中，該第三區域中的該間隔件位在該第一基材與該第二基材之間，其中，該第四區域位在該第三區域的外側，其中，該第四區域包含該第一基材、該第二基材及其間的接合層，其中，該第五區域位在該第四區域的外側，其中，該第五區域包含該第一基材、該第二基材及間隔件，其中，該第五區域中的該間隔件位在該第一基材與該第二基材之間，其中，該第六區域位在該第四區域與該第五區域之 間，其中，該第六區域包含端子部，其中，該第一區域、該第二區域、以及該第三區域包含絕緣層，且該絕緣層位在該第一基材與該第一區域中的該間隔件和該第三區域中的該間隔件中的至少一個該間隔件之間，其中，該第五區域在該第一基材與該間隔件之間包含絕緣層，其中，該第五區域中的該絕緣層包含重疊於該間隔件的第一部分及不重疊於該間隔件的第二部分，並且其中，該第二部分比該第一部分薄。
  2. 根據申請專利範圍第1項之堆疊結構體，其中，在該第一區域、該第三區域及該第五區域的每一者中的該間隔件係能夠隔開該第一基材與該第二基材。
  3. 根據申請專利範圍第1項之堆疊結構體，其中，該接合層圍繞該第一區域並接觸於該第一基材及該第二基材。
  4. 根據申請專利範圍第1項之堆疊結構體，其中，該接合層還被包含在該第一基材與該第二基材之間的該第一區域、該第二區域、該第三區域、以及該第五區域中。
  5. 根據申請專利範圍第1項之堆疊結構體，其中，該第一區域還包含發光元件，其中，該第一區域、該第二區域、該第三區域、以及該第四區域包含與該發光元件電連接的佈線， 其中，該端子部與該發光元件電連接，並且其中，該第一區域、該第二區域、以及該第三區域包含接觸於該佈線的絕緣層。
  6. 一種用於製造堆疊結構體的方法，包括：準備形成有第一間隔件及第二間隔件於上的第一基材、以及第二基材，且在該第一基材及該第二基材中的至少一個上形成接合層的第一步驟；在第一環境下以其中間夾著該第一間隔件、該第二間隔件、以及該接合層的方式配置該第一基材及該第二基材的第二步驟；在該第二步驟之後設定第二環境的第三步驟，其中，該第二環境下的壓力比該第一環境下的壓力高；以及使該接合層硬化的第四步驟，其中，該堆疊結構體包括第一區域、第二區域、以及第三區域，其中，該第二區域位在該第一區域的外側，其中，該第三區域位在該第二區域的外側，其中，該第一間隔件被包含在該第一區域中，其中，該第二間隔件被包含在該第三區域中，並且其中，該第二區域包含端子部。
  7. 根據申請專利範圍第6項之方法，其中，該第二環境下的該壓力為大氣壓力。
  8. 根據申請專利範圍第6項之方法，其中，在該第三步驟中該接合層在該第一基材與該第二基材之間被擴張。
  9. 根據申請專利範圍第6項之方法，還包括：從該第二區域分離該第三區域的第五步驟。
  10. 根據申請專利範圍第9項之方法，還包括：使該端子部露出的第六步驟。
  11. 根據申請專利範圍第10項之方法，其中，該堆疊結構體包括發光元件及與該發光元件及該端子部電連接的佈線。
  12. 根據申請專利範圍第6項之方法，其中，該接合層在該第三步驟中或在該第三步驟之後接觸於該第一基材及該第二基材。
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