JP2022088473A - 発光装置及び発光装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物の作製方法を提供する。また、新規な半導体装置を提供する。【解決手段】第１の領域乃至第５の領域をこの順に有する。そして、第１の領域乃至第５の領域は、いずれも第１の基材と第２の基材を備え、第１の領域、第３の領域および第５の領域は、第１の基材と第２の基材の間に所定の間隔を形成するスペーサを有する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、積層構造物、入出力装置、情報処理装置または積層構造物の作製方法
に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

大きな画面を備える表示装置は多くの情報を表示することができる。よって、一覧性に優
れ、情報処理装置に好適である。

また、情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を
職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるよう
になっている。このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されてい
る。

例えば、携帯可能な情報処理装置は屋外で使用されることが多く、落下により思わぬ力が
情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示
装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成
が知られている（特許文献１）。

特開２０１２－１９０７９４号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物の作製方法を提供す
ることを課題の一とする。または、新規な積層構造物、新規な積層構造物の作製方法、新
規な表示装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の領域と、第１の領域より外側に配置される第２の領域と、第２
の領域より外側に配置される第３の領域と、第３の領域より外側に配置される第４の領域
と、第４の領域より外側に配置される第５の領域と、を有する積層構造物である。

そして、第１の領域乃至第５の領域は、第１の基材と、第１の基材と重なる第２の基材と
、を備える。

第１の領域、第３の領域および第５の領域は、第１の基材と第２の基材の間にスペーサを
備える。

第４の領域は、接合層を備え、接合層は、第１の基材と第２の基材を貼り合わせる。

また、本発明の一態様は、第１の領域、第３の領域および第５の領域において、スペーサ
が第１の基材および第２の基材の間に所定の間隔を形成する大きさを備える、上記の積層
構造物である。

上記本発明の一態様の積層構造物は、第１の領域乃至第５の領域をこの順に第１の領域か
ら有する。そして、第１の領域乃至第５の領域は、いずれも第１の基材と第２の基材を備
え、第１の領域、第３の領域および第５の領域は、第１の基材と第２の基材の間に、所定
の間隔を形成するスペーサを含む。これにより、第２の領域および第４の領域にスペーサ
を配置することなく、第１の基材と第２の基材の間に、所定の間隔を形成することができ
る。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を提供できる。

また、本発明の一態様は、第４の領域において、接合層が、第１の領域を囲む形状を備え
且つ第１の基材および第２の基材に接する、上記の積層構造物である。

上記本発明の一態様の積層構造物は、第４の領域が、第１の基材と第２の基材に接する接
合層を備える。これにより、不純物が第４の領域を透過して第３の領域に拡散する現象を
、接合層を用いて抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
積層構造物を提供できる。

また、本発明の一態様は、第１の領域乃至第５の領域が、第１の基材と第２の基材の間に
接合層を備える上記の積層構造物である。

また、本発明の一態様は、第１の領域乃至第３の領域が、絶縁層を第１の基材とスペーサ
の間に備える。

第５の領域が第１の基材とスペーサの間に絶縁層を備える。また、第５の領域の絶縁層が
スペーサと重ならない部分にスペーサと重なる部分より薄い領域を備える、上記の積層構
造物である。

上記本発明の一態様の積層構造物は、スペーサと重なる部分より厚さが薄い領域を備える
絶縁層を、第５の領域が備える。これにより、スペーサと重ならない部分において、間隔
を広げることができる。例えば、絶縁層と第２の被剥離層の間隔を広げることができる。
間隔が広げられた部分においては材料が容易に移動できるため、接合層の形成時に第１の
基材と第２の基材の間隔を所定の長さに容易にすることができる。その結果、利便性また
は信頼性に優れた新規な積層構造物を提供できる。

また、本発明の一態様は、第４の領域と第５の領域の間に配置される第６の領域を有する
上記の積層構造物である。そして、第１の領域が発光素子を備える。第１の領域乃至第４
の領域および第６の領域が、発光素子と電気的に接続される配線を備える。第１の領域乃
至第３の領域が、配線と接する絶縁層を備える。第６の領域が、配線と電気的に接続され
る端子を備える。

上記本発明の一態様の積層構造物は、第１の領域が発光素子を備え、第１の領域乃至第４
の領域および第６の領域が発光素子と電気的に接続される配線を備え、第６の領域が配線
と電気的に接続される端子を備える。これにより、第１の領域の発光素子と第６の領域の
端子を、配線を用いて電気的に接続できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な積層構造物を提供できる。

また、本発明の一態様は、以下の４つのステップを有する積層構造物の作製方法である。

第１のステップにおいて、スペーサが形成された第１の基材と第２の基材を準備して、第
１の基材または／および第２の基材に流動性を備える接合層を形成する。

第２のステップにおいて、減圧された環境で、スペーサおよび接合層を挟むように第１の
基材と第２の基材を配置する。

第３のステップにおいて、接合層が、第１の基材、第２の基材およびスペーサの間に押し
広げられるように環境の圧力を大気圧に近づける。

第４のステップにおいて、接合層を硬化する。

上記本発明の一態様の積層構造物の作製方法は、環境の圧力を大気圧に近づけて、流動性
を備える接合層を、第１の基材、第２の基材およびスペーサの間に押し広げるステップを
含んで構成される。これにより、接合層を用いて、第１の基材と第２の基材をその間に所
定の間隔が設けられた状態で貼り合わせることができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な積層構造物の作製方法を提供できる。

なお、本明細書において、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては
、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」とい
う用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、
「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＣＰ（Ｔ
ａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール
、当該モジュールのＴＣＰの先にプリント配線板が取り付けられたものもしくはＣＯＧ（
Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が実装され且つ発光素子が形
成された基板も、発光装置に含まれる。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を提供できる。
または、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物の作製方法を提供できる。または
、新規な表示装置もしくは新規な半導体装置などを提供できる。または、利便性または信
頼性に優れた新規な入出力装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る積層構造物の構成を説明する図。 実施の形態に係る積層構造物の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る入出力装置が備える検知ユニットの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。

本発明の一態様の積層構造物は、第１の領域乃至第５の領域をこの順に第１の領域から有
する。そして、第１の領域乃至第５の領域は、いずれも第１の基材と第２の基材を備え、
第１の領域、第３の領域および第５の領域は、第１の基材と第２の基材の間に所定の間隔
を形成するスペーサを含む。

これにより、第２の領域および第４の領域にスペーサを配置することなく、第１の基材と
第２の基材の間に、所定の間隔を形成することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な積層構造物を提供できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の積層構造物の構成について、図１を参照しながら説
明する。

図１は本発明の一態様の積層構造物の構成を説明する模式図である。図１（Ａ）は本発明
の一態様の積層構造物の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｚ１－Ｚ２－Ｚ
３－Ｚ４における断面図である。また、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）の一部を拡大して説明
する断面図であり、図１（Ｄ）は、図１（Ｂ）の一部を拡大して説明する投影図である。

＜積層構造物の構成例＞
本実施の形態で説明する積層構造物９０は、第１の領域１０１と、第１の領域１０１より
外側に配置される第２の領域１０１Ｃと、第２の領域１０１Ｃより外側に配置される第３
の領域１０１Ｄと、第３の領域１０１Ｄより外側に配置される第４の領域１０１Ｓと、第
４の領域１０１Ｓより外側に配置される第５の領域１０１Ｒと、を有する（図１（Ａ）参
照）。

そして、第１の領域１０１乃至第５の領域１０１Ｒは、第１の基材１１と、第１の基材１
１と重なる第２の基材２１と、を備える（図１（Ｂ）参照）。

第１の領域１０１、第３の領域１０１Ｄおよび第５の領域１０１Ｒは、スペーサＫＢを第
１の基材１１と第２の基材２１の間に備える。

第４の領域１０１Ｓは、接合層１６０を備える。そして、接合層１６０は第１の基材１１
と第２の基材２１を貼り合わせる。

また、本発明の一態様の積層構造物９０のスペーサＫＢは、第１の領域１０１、第３の領
域１０１Ｄおよび第５の領域１０１Ｒにおいて、第１の基材１１および第２の基材２１の
間に所定の間隔Ｄを形成する大きさを備える。

本実施の形態で説明する積層構造物９０は、第１の領域１０１乃至第５の領域１０１Ｒを
序数詞が増える順に第１の領域１０１から有する。そして、第１の領域１０１乃至第５の
領域１０１Ｒは、いずれも第１の基材１１と第２の基材２１を備え、第１の領域１０１、
第３の領域１０１Ｄおよび第５の領域１０１Ｒは、第１の基材１１と第２の基材２１の間
に、所定の間隔Ｄを形成するスペーサＫＢを含む。これにより、第２の領域および第４の
領域にスペーサを配置することなく、第１の基材と第２の基材の間に所定の間隔を形成す
ることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を提供できる
。

また、本発明の一態様の積層構造物９０の第４の領域１０１Ｓは、第１の領域１０１を囲
む形状を備え且つ第１の基材１１および第２の基材２１に接する接合層１６０を備える（
図１（Ａ）および図１（Ｂ）参照）。

本発明の一態様の積層構造物９０は、第４の領域１０１Ｓが、第１の基材１１と第２の基
材２１に接する接合層１６０を備える。これにより、不純物が第４の領域を透過して第３
の領域に拡散する現象を、接合層を用いて抑制することができる。その結果、利便性また
は信頼性に優れた新規な積層構造物を提供できる。

また、本発明の一態様の積層構造物９０の第１の領域１０１乃至第５の領域１０１Ｒが、
第１の基材１１と第２の基材２１の間に接合層１６０を備える。

また、本発明の一態様の積層構造物９０の第１の領域１０１および第３の領域１０１Ｄは
、第１の基材１１とスペーサＫＢの間に絶縁層１２１を備える。例えば、絶縁層１２１は
、第１の絶縁層１２１ａと第２の絶縁層１２１ｂとを備える。

第５の領域１０１Ｒが、第１の基材１１とスペーサＫＢの間に絶縁層１２１を備える。第
５の領域１０１Ｒの絶縁層１２１は、スペーサＫＢと重ならない部分にスペーサＫＢと重
なる部分より薄い領域を備える。

例えば、スペーサＫＢと重なる部分に第１の絶縁層１２１ａおよび第２の絶縁層１２１ｂ
を備え、スペーサＫＢと重ならない部分に第１の絶縁層１２１ａを備える。

本発明の一態様の積層構造物９０は、第５の領域１０１Ｒが、スペーサＫＢと重なる部分
より厚さが薄い領域を備える絶縁層１２１を備える。これにより、スペーサＫＢと重なら
ない部分において、間隔を広げることができる。例えば、絶縁層１２１と第２の被剥離層
２３の間隔を広げることができる。間隔が広げられた部分においては材料が容易に移動で
きるため、接合層１６０の形成時に第１の基材１１と第２の基材２１の間隔を所定の長さ
に容易にすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物を
提供できる。

また、本発明の一態様の積層構造物９０は、第４の領域１０１Ｓと第５の領域１０１Ｒの
間に配置される第６の領域１０１Ｔを有する。

そして、第１の領域１０１が、発光素子１５０を備える。

第１の領域１０１乃至第４の領域１０１Ｓおよび第６の領域１０１Ｔが、発光素子１５０
と電気的に接続される配線１１１を備える。

第１の領域１０１乃至第３の領域１０１Ｄが、配線１１１と接する絶縁層１２１を備える
。

第６の領域１０１Ｔが、配線１１１と電気的に接続される端子１１９を備える。

本実施の形態で説明する積層構造物９０は、第１の領域１０１が発光素子１５０を備え、
第１の領域１０１乃至第４の領域１０１Ｓおよび第６の領域１０１Ｔが発光素子１５０と
電気的に接続される配線１１１を備え、第６の領域１０１Ｔが配線１１１と電気的に接続
される端子１１９を備える。これにより、第１の領域の発光素子１５０と第６の領域の端
子１１９を、配線１１１を用いて電気的に接続できる。その結果、利便性または信頼性に
優れた新規な積層構造物を提供できる。

また、積層構造物９０は、スペーサＫＢと第２の基材２１の間に構造物を備える。

例えば、着色層ＣＦや遮光層ＢＭを構造物に用いることができる（図１（Ｂ）および図１
（Ｄ）参照）。

また、積層構造物９０は、スペーサＫＢと絶縁層１２１の間に他の構造物を備える。例え
ば、開口部を備える隔壁１２８を構造物に用いることができる。

また、積層構造物９０は、所定の間隔Ｄを第１の基材１１と第２の基材２１の間に有する
。

絶縁層１２１、隔壁１２８、スペーサＫＢ、着色層ＣＦおよび遮光層ＢＭはこの順で重ね
られ、所定の間隔Ｄに配置される。

また、積層構造物９０は、スペーサＫＢに重ならない位置に機能素子を備える。

例えば、発光素子１５０を機能素子に用いることができる。なお、発光素子１５０に重な
るように着色層ＣＦを配置して、発光モジュール１８０を構成してもよい。

また、積層構造物９０は、機能素子と電気的に接続する端子１１９を備える。

以下に、積層構造物を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確
に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、スペーサＫＢが重ねられた隔壁１２８は、スペーサであるとともに隔壁でもある
。

《全体の構成》
本実施の形態で積層構造物９０は、第１の領域１０１、第２の領域１０１Ｃ、第３の領域
１０１Ｄ、第４の領域１０１Ｓまたは第５の領域１０１Ｒを有する。

また、積層構造物９０は、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える
。

また、積層構造物９０は、絶縁層１２１、スペーサＫＢまたはさまざまな構造物を備える
。

また、積層構造物９０は、発光素子１５０または端子１１９を備える。

《第１の領域１０１》
第１の領域１０１は、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える。ま
た、第１の領域１０１において、第１の基材１１と第２の基材２１の間に、所定の間隔Ｄ
を備える。

また、第１の領域１０１は、絶縁層１２１、スペーサＫＢ、さまざまな構造物または発光
素子１５０を備える。

《第２の領域１０１Ｃ》
第２の領域１０１Ｃは、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える。

また、第２の領域１０１Ｃは、絶縁層１２１または接合層１６０を備える。

《第３の領域１０１Ｄ》
第３の領域１０１Ｄは、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える。
また、第３の領域１０１Ｄにおいて、第１の基材１１と第２の基材２１の間に、所定の間
隔Ｄを備える。

また、第３の領域１０１Ｄは、絶縁層１２１またはスペーサＫＢを備える。

《第４の領域１０１Ｓ》
第４の領域１０１Ｓは、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える。
また、第４の領域１０１Ｓにおいて、接合層１６０が第１の基材１１および第２の基材２
１に接する。

また、第４の領域１０１Ｓは、第１の領域１０１を囲む。

《第５の領域１０１Ｒ》
第５の領域１０１Ｒは、第１の基材１１、第２の基材２１または接合層１６０を備える。
また、第５の領域１０１Ｒにおいて、第１の基材１１と第２の基材２１の間に、所定の間
隔Ｄを備える。

また、第５の領域１０１Ｒは、絶縁層１２１またはスペーサＫＢを備える。

また、第５の領域１０１Ｒにおいて、絶縁層１２１は、スペーサが重ならない部分にスペ
ーサが重なる部分に比べて厚さが薄い領域を有する。

《第１の基材１１》
第１の基材１１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さ
ならびに大きさを備える。

例えば、有機材料、無機材料を第１の基材１１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基材１１に用いる
ことができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等を含む薄膜または板を用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基材１１に用いることができ
る。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガ
ラス等を含む板を用いることができる。具体的には、ＳＵＳ、アルミニウムまたはマグネ
シウム等を含む金属箔または金属板を用いることができる。

例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を第１の基材１１に用いることが
できる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いる
ことができる。

例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を第１の基材１１に用いることができる。
具体的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材
料に分散された複合材料を用いることができる。

例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜が積層された材料を、第１の基
材１１に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防
ぐ酸化珪素、窒化珪素または酸化窒化珪素等から選ばれた一または複数の材料が積層され
た材料を用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪
素、窒化珪素または酸化窒化珪素等から選ばれた一または複数の材料が積層された材料を
用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラスまたは無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた
複合材料を第１の基材１１に用いることができる。

例えば、後に説明する第１の被剥離層１３を分離しやすくする機能を有する剥離層１２を
一方の表面に備えることができる。

《第１の被剥離層１３》
なお、第１の基材１１から分離することができる第１の被剥離層１３を用いることができ
る。

例えば、一方の表面に剥離層１２を備える第１の基材１１と共に、剥離層１２に接して第
１の被剥離層１３が積層された材料を用いることができる。これにより、後の工程で第１
の被剥離層１３を第１の基材１１から分離することができる。具体的には、タングステン
を含む層を剥離層１２に用い、当該タングステンを含む層に接する無機酸化物または無機
酸化窒化物を含む層を第１の被剥離層１３に用いることができる。これにより、第１の被
剥離層１３を第１の基材１１から分離することができる。なお、無機酸化物または無機酸
化窒化物を含む層にさらに他の材料を積層した複合材料を、第１の被剥離層１３に用いる
ことができる。

また、一方の表面にガラス板を含む第１の基材１１と共に、第１の被剥離層１３にポリイ
ミドを含む層を用いることができる。具体的には、ガラス板を剥離層に用い、ガラス板の
表面に接するポリイミドを含む層を第１の被剥離層１３に用いることができる。これによ
り、後の工程で第１の被剥離層１３を第１の基材１１から分離することができる。なお、
ポリイミドを含む層にさらに他の材料を積層した複合材料を、第１の被剥離層１３に用い
ることができる。

《第２の基材２１》
第１の基材１１に用いることができる材料を、第２の基材２１に用いることができる。

また、後に説明する第２の被剥離層２３を分離しやすくする機能を有する剥離層２２を一
方の表面に備えることができる。

《第２の被剥離層２３》
なお、第２の基材２１から分離することができる第２の被剥離層２３を用いることができ
る。第１の被剥離層１３に用いることができる材料を、第２の被剥離層２３に用いること
ができる。

例えば、一方の表面に剥離層２２を備える第２の基材２１と共に、剥離層２２に接する第
２の被剥離層２３を用いることができる。

《接合層１６０》
接合層１６０は、第２の基材２１と第１の基材１１を貼り合わせる機能を有する。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層１６０に用いること
ができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を接合層
１６０に用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層１６０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を接合層１６０に用
いることができる。

《構造物》
例えば、絶縁層１２１、着色層ＣＦ、遮光層ＢＭまたは隔壁１２８を構造物に用いること
ができる。なお、遮光層ＢＭが隔壁１２８と重なる領域がある。

なお、第１の被剥離層１３に構造物の一部を含めることができる。具体的には、絶縁層１
２１、隔壁１２８、スペーサＫＢ、発光素子１５０、配線１１１および端子１１９を第１
の被剥離層１３に含めることができる。

また、第２の被剥離層２３に構造物の一部を含めることができる。具体的には、着色層Ｃ
Ｆおよび遮光層ＢＭを第２の被剥離層２３に含めることができる。

《絶縁層１２１》
例えば、有機材料、無機材料を絶縁層１２１に用いることができる。

例えば、樹脂等の有機材料を絶縁層１２１に用いることができる。具体的には、ポリエス
テル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂また
は感光性高分子から形成された材料等を含む薄膜を用いることができる。

例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を絶縁層１２１に用いることがで
きる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いるこ
とができる。

例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を絶縁層１２１に用いることができる。具
体的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材料
に分散された複合材料を用いることができる。

例えば、絶縁層１２１ａと絶縁層１２１ｂの積層体を絶縁層１２１に用いることができる
。具体的には、厚さ２μｍのアクリル樹脂を絶縁層１２１ａに用い、厚さ２μｍのアクリ
ル樹脂を絶縁層１２１ｂに用いることができる。

また、絶縁層１２１の一部に厚さが異なる部分を設けることができる。例えば、絶縁層１
２１のスペーサＫＢと重ならない部分に、絶縁層１２１のスペーサＫＢと重なる部分より
薄い領域を設けることができる。具体的には、第５の領域１０１Ｒにある絶縁層１２１の
厚さは、スペーサＫＢと重なる部分においてＴ２であり、スペーサＫＢと重ならない部分
においてＴ１である。これにより、スペーサＫＢと重ならない部分において、間隔Ｄ２よ
り長い間隔Ｄ１が形成される。

《着色層ＣＦ》
着色層ＣＦは、所定の色の光を透過する機能を有する。

例えば、赤色の光を透過する層、緑色の光を透過する層もしくは青色の光を透過する層を
着色層ＣＦに用いることができる。または、黄色の光を透過する層、シアンの光を透過す
る層もしくはマゼンタの光を透過する層を着色層ＣＦに用いることができる。

例えば、互いに異なる色の光を透過する複数の着色層ＣＦを選択して配置してもよい。例
えば、帯状に着色層ＣＦを配置してもよい。または、市松模様になるように着色層ＣＦを
配置してもよい（図１（Ｄ）参照）。

具体的には、赤色の光を透過する層と緑色の光を透過する層と青色の光を透過する層と黄
色の光を透過する層を配置してもよい。

例えば、顔料または染料を含む層を着色層ＣＦに用いることができる。具体的には、顔料
または染料を含む高分子を、着色層ＣＦに用いることができる。

《遮光層ＢＭ》
遮光層ＢＭは、可視光の透過を遮る機能を有する。

遮光層ＢＭは、例えば帯状または格子状の形状を備える（図１（Ｄ）参照）。

例えば、遮光性を有する材料を遮光層ＢＭに用いることができる。顔料を分散した樹脂、
染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層ＢＭに用いることができる。具体
的には、カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等
を用いることができる。

《隔壁１２８》
隔壁１２８は開口部を有する。例えば帯状の開口部または市松模様の開口部を備える構造
を隔壁１２８に用いることができる（図１（Ｄ）参照）。具体的には、升目状に区切られ
た開口部を備える構造を隔壁１２８に用いることができる。

なお、開口部に例えば機能素子を配置することができる。

例えば、絶縁性の有機材料、絶縁性の無機材料を隔壁１２８に用いることができる。

例えば、樹脂等の有機材料を隔壁１２８に用いることができる。具体的には、ポリエステ
ル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂または
感光性高分子から形成された材料等を含む薄膜を用いることができる。

例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を隔壁１２８に用いることができ
る。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いること
ができる。

例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を隔壁１２８に用いることができる。具体
的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材料に
分散された複合材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．８μｍのポリイミドを隔壁１２８に用いることができる。

《スペーサＫＢ》
スペーサＫＢは、間隔Ｄを所定の長さにする大きさを有する。なお、スペーサＫＢが遮光
層ＢＭおよび隔壁１２８に重なる領域がある。

例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料をスペーサＫＢに用い
ることができる。

具体的には、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を、スペーサＫＢに用いるこ
とができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を、スペーサＫＢに
用いることができる。

具体的には、樹脂、プラスチック等の有機材料をスペーサＫＢに用いることができる。具
体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート
またはアクリル樹脂、感光性高分子から形成された材料等を、スペーサＫＢに用いること
ができる。

《機能素子》
積層構造物９０は、単数または複数の機能素子を備える。例えば、マトリクス状に配置さ
れた複数の機能素子を備えてもよい。

例えば、電気素子またはバイオチップ等を機能素子に用いることができる。具体的には、
トランジスタ、容量素子、抵抗素子、記憶素子、発光素子または表示素子等を用いること
ができる。

例えば、表示素子と表示素子を駆動する画素回路を機能素子に用いることができる。

例えば、発光素子１５０を機能素子に用いることができる。具体的には、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を発光素子１５０に用いることができる。

《配線１１１および端子１１９》
積層構造物９０は、配線１１１および端子１１９を備える。例えば、端子１１９は配線１
１１を介して発光素子１５０と電気的に接続される。

配線１１１および端子１１９は導電性を有する材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを端子１
１９に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の積層構造物の作製方法について、図２を参照しなが
ら説明する。

図２は本発明の一態様の積層構造物の作製方法を説明する図である。図２（Ａ）は本発明
の一態様の積層構造物９０の作製方法の第１のステップを説明する断面図であり、図２（
Ｂ）は第２のステップ乃至第４のステップを説明する断面図である。

＜積層構造物の作製方法の例＞
本実施の形態で説明する積層構造物の作製方法は、以下の４つのステップを備える。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、スペーサＫＢを含む第１の被剥離層１３が形成された第１の基
材１１と第２の被剥離層２３が形成された第２の基材２１を準備して、第１の基材１１ま
たは／および第２の基材２１に流動性を備える接合層１６０Ｆを形成する（図２（Ａ）参
照）。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎ
ｍのタングステン膜および被剥離層１３（または２３）がこの順に積層された材料を第１
の基材１１および第２の基材２１に用いることができる。

タングステン膜から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪
素膜が積層された材料を含む膜を第１の被剥離層１３および第２の被剥離層２３に用いる
ことができる。または、タングステン膜から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ
２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化
珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜が積層された材料を含む膜を第１の被剥離
層１３および第２の被剥離層２３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素
の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

または、厚さ０．７ｍｍのガラス板、ポリイミド膜および酸化珪素または窒化珪素等を含
む膜がこの順に積層された材料を含む膜を第１の基材１１および第２の基材２１に適用で
きる。

また、厚さ４μｍの絶縁層１２１と、厚さ０．８μｍの隔壁１２８と、厚さ０．８μｍの
スペーサＫＢと、を第１の被剥離層１３に含めることができる。なお、第５の領域におい
て、厚さの４μｍの絶縁層１２１をスペーサＫＢと重なる部分に用い、厚さの２μｍの第
１の絶縁層１２１ａをスペーサＫＢと重ならない部分に用いる。

また、厚さ１μｍの遮光層ＢＭと、厚さ０．８μｍ以上２μｍ以下の着色層ＣＦを、第２
の被剥離層２３に用いることができる。

例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、コーターを用いる塗布方法を用いて、流
動性を備える接合層１６０Ｆを形成することができる。

具体的には、第２の基材２１の遮光層ＢＭおよび着色層ＣＦが設けられた側に、流動性を
備える熱硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を含む厚さ１０μｍの接合層１６０Ｆを、スクリ
ーン印刷法を用いて形成する。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、減圧された環境で、スペーサＫＢおよび接合層１６０Ｆを挟む
ように第１の基材１１と第２の基材２１を配置する（図２（Ｂ）参照）。

例えば、圧力が１Ｐａになるように減圧された環境において、スペーサＫＢおよび接合層
１６０Ｆを第１の基材１１と第２の基材２１の間に挟む。なお、環境の圧力は１Ｐａ以下
が好ましい。これにより、後のステップにおいて環境の圧力を大気圧に戻した際に、第１
の基材１１と第２の基材２１の間に気泡が残留する不具合を防止できる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、接合層１６０Ｆが、第１の基材１１、第２の基材２１およびス
ペーサＫＢの間に押し広げられるように、環境の圧力を大気圧に近づける。

環境の圧力を減圧された状態から大気圧に近づけると、第２の基材２１を第１の基材１１
に押し当てることができる。これにより、第１の基材１１と第２の基材２１に挟まれた流
動性を備える接合層１６０Ｆは、第１の基材１１、第２の基材２１およびスペーサＫＢの
間に押し広げられる。

なお、スペーサＫＢは、第１の基材１１と第２の基材２１の間に所定の間隔Ｄが形成され
るような大きさを備える。

また、接合層１６０Ｆは、構造物があるところで移動し難い。

そこで、スペーサＫＢと重ならない部分の絶縁層１２１に、スペーサＫＢと重なる部分よ
り薄い部分を設ける。これにより、スペーサＫＢと重ならない部分において接合層１６０
Ｆの移動をし易くできる。

具体的には、第１の絶縁層１２１ａと第２の絶縁層１２１ｂが積層された絶縁層１２１を
、スペーサＫＢと重なる部分に用い、第１の絶縁層１２１ａのみの絶縁層１２１をスペー
サＫＢと重ならない部分に用いる。

また、第２の領域１０１Ｃ、第４の領域１０１Ｓおよび第６の領域１０１ＴはスペーサＫ
Ｂを備えない。これにより、第２の領域１０１Ｃに隣接する第１の領域１０１の周辺部、
第２の領域１０１Ｃに隣接する第３の領域１０１Ｄの周辺部、第４の領域１０１Ｓに隣接
する第３の領域１０１Ｄの周辺部、第４の領域１０１Ｓに隣接する第５の領域１０１Ｒの
周辺部および第６の領域１０１Ｔに隣接する第５の領域１０１Ｒの周辺部に配置されるス
ペーサＫＢに、他の部分に配置されるスペーサＫＢより大きな力が加えられる。

スペーサＫＢは、所定の力より大きな力が加えられると、潰れる場合がある。スペーサＫ
Ｂが潰れると、第１の基材１１と第２の基材２１の間の間隔が所定の長さより短くなる場
合がある。また、スペーサＫＢの周辺にある他の構造物や機能素子を破壊してしまう場合
がある。具体的には、絶縁層１２１、着色層ＣＦ、遮光層ＢＭまたは隔壁１２８や発光素
子１５０を破壊してしまう場合がある。

そこで、スペーサＫＢが配置されない領域の幅を狭くする。これにより、スペーサＫＢが
配置されない領域に隣接するスペーサＫＢに加わる力を低減することができる。

例えば、第２の領域１０１Ｃの幅を狭くすると、第１の領域１０１の周辺部に配置される
スペーサＫＢに加わる力を低減できる。具体的には、第２の領域１０１Ｃの幅を３ｍｍ以
下、好ましくは１ｍｍ以下にすると、第１の領域１０１の周辺部に配置されるスペーサＫ
Ｂに加わる力を低減できる。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、接合層１６０Ｆを硬化する。

例えば、熱硬化性の材料を接合層１６０Ｆに用いる場合は、接合層１６０Ｆを加熱する。
これにより、接合層１６０を形成することができる。

本実施の形態で説明する積層構造物９０の作製方法は、環境の圧力を大気圧に近づけて、
流動性を備える接合層１６０を、第１の基材１１、第２の基材２１およびスペーサＫＢの
間に押し広げるステップを含んで構成される。これにより、接合層を用いて、第１の基材
と第２の基材をその間に所定の間隔が設けられた状態で貼り合わせることができる。その
結果、利便性または信頼性に優れた新規な積層構造物の作製方法を提供できる。

＜発光装置の作製方法の例＞
次に、積層構造物９０から発光装置１００を作製する方法について、図２（Ｃ）および図
２（Ｄ）を参照しながら説明する。

図２（Ｃ）は本発明の一態様の積層構造物の構成を説明する断面図である。図２（Ｄ）は
本発明の一態様の発光装置の構成を説明する断面図である。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第１の被剥離層１３を第１の基材１１から分離する。分離した
第１の被剥離層１３と第１の基材４１を、接着層３１を用いて貼り合わせる。

また、第２の被剥離層２３を第２の基材２１から分離する。分離した第２の被剥離層２３
と第２の基材４２を、接着層３２を用いて貼り合わせる（図２（Ｃ）参照）。

なお、可撓性を有する材料を、第１の基材４１および第２の基材４２に用いることができ
る。これにより、可撓性の発光装置１００を提供できる。例えば、樹脂、樹脂フィルムま
たはプラスチック等の有機材料を第１の基材４１および第２の基材４２に用いることがで
きる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカー
ボネートまたはアクリル樹脂等を用いることができる。または、透光性を必要としない場
合は、例えば透光性を有しない金属などの無機材料を用いることができる。具体的にはＳ
ＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、第５の領域１０１Ｒを切除する（図２（Ｄ）参照）。

なお、第４の領域１０１Ｓは、スペーサＫＢを備える第５の領域１０１Ｒに隣接していた
。これにより、第４の領域１０１Ｓは所定の間隔を第１の基材４１と第２の基材４２の間
に備える。その結果、第１の領域１０１のスペーサＫＢおよび第３の領域１０１Ｄのスペ
ーサＫＢが潰れてしまう現象を防止することができる。

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、端子１１９と重なる第２の基材４２および接合層１６０を除去
して、端子１１９を露出させる。

これにより、端子１１９は電力を供給され、電力を供給することができる。また、発光素
子１５０は電力を供給されることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図３乃至図５を参照し
ながら説明する。

図３乃至図５は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの構成を説明する図である。

図３（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの上面図であり、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）の切断線Ｚ１－Ｚ２、切断線Ｚ３－Ｚ４－Ｚ５－Ｚ６における断面図である。

図４は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰの投影図である。

図５は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰが備える検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）の
投影図および回路図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、表示部５００と、表示部５００に重な
る入力部６００と、表示部５００に設けられた表示領域５０１と、入力部６００の表示領
域５０１と重なる位置に設けられた入力領域６０１と、表示領域５０１および入力領域６
０１を囲む封止領域５０１Ｓと、を有する（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

そして、表示領域５０１、入力領域６０１および封止領域５０１Ｓは、第１の基材５１０
と第２の基材６１０を備える（図３（Ｂ）参照）。

表示領域５０１および入力領域６０１は、第１の基材５１０および第２の基材６１０の間
にスペーサＫＢを備える。

封止領域５０１Ｓは第１の基材５１０と第２の基材６１０を貼り合わせる接合層５６０を
備える。

表示領域５０１は、複数の画素５０２を備える（図４参照）。

画素５０２は、２行２列に配置された４つの副画素（副画素５０２Ｒ、副画素５０２Ｇ、
副画素５０２Ｂおよび副画素５０２Ｙ）を備える。

副画素５０２Ｒは、表示素子および表示素子と電気的に接続される画素回路を備える。例
えば発光素子５５０Ｒを表示素子に用いることができる。

入力領域６０１は、複数の検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）を備える。なお、本明細書にお
いて、ｍ行ｎ列の行列のｉ行ｊ列に配置された要素を（ｉ，ｊ）と表記する。また、ｉ行
ｊ列に配置された検知ユニットを検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）と表記する。また、ｍま
たはｎの一方は１以上の自然数であり、他方は２以上の自然数である。ｉはｍ以下の自然
数であり、ｊはｎ以下の自然数である。

検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）は、副画素５０２Ｒに重なる開口部６６７を備える遮光層
ＢＭ、遮光層ＢＭに重なる検知回路および検知回路と電気的に接続される検知素子６５０
（ｉ，ｊ）を備える（図３乃至図５参照）。

上記本実施の形態の入出力装置５００ＴＰは、表示部５００と、表示部５００に重なる入
力部６００と、表示部５００に設けられた表示領域５０１と、入力部６００の表示領域５
０１と重なる位置に設けられた入力領域６０１と、表示領域５０１および入力領域６０１
を囲む封止領域５０１Ｓと、を有する。そして、表示領域５０１、入力領域６０１および
封止領域５０１Ｓは、第１の基材５１０と第２の基材６１０を備え、表示領域５０１およ
び入力領域６０１は、第１の基材５１０および第２の基材６１０の間にスペーサＫＢを備
える。これにより、封止領域にスペーサを配置することなく、第１の基材と第２の基材の
間に所定の間隔を形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
入出力装置を提供できる。

また、入出力装置５００ＴＰは、表示領域５０１より外側に領域５０１Ｃと、領域５０１
Ｃより外側に領域５０１Ｄと、領域５０１Ｄより外側に領域５０１Ｔと、を有する（図３
（Ａ）参照）。

入出力装置５００ＴＰは、表示領域５０１および入力領域６０１に重なる領域を有する保
護層６７０を備える。

以下に、入出力装置５００ＴＰを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。

例えば、複数の開口部６６７に重なる位置に着色層を備える入力部６００は、入力部６０
０であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力部６００が表示部５００に重ねられた入出力装置５００ＴＰは、入力部
６００であるとともに表示部５００でもある。なお、表示部５００に入力部６００が重ね
られた入出力装置５００ＴＰをタッチパネルともいう。

《全体の構成》
入出力装置５００ＴＰは、表示部５００、入力部６００、表示領域５０１、入力領域６０
１、封止領域５０１Ｓ、第１の基材５１０または第２の基材６１０を有する。

また、領域５０１Ｃ、領域５０１Ｄ、領域５０１Ｔまたは保護層６７０を有してもよい。

領域５０１Ｃおよび領域５０１Ｄは、第１の基材５１０および第２の基材６１０を備える
。

領域５０１Ｃは、絶縁膜５２１に設けられた開口部を備える。

領域５０１Ｄは、駆動回路５０３Ｇ、駆動回路６０３Ｇおよび駆動回路６０３Ｄを備える
。

領域５０１Ｔは端子５１９Ｇ、端子５１９ＳＬおよび端子５１９ＳＲを備える。

《入力部》
入力部６００は、検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）または第２の基材６１０を備える。

また、配線ＶＰＩ（ｉ）、配線ＣＳ、走査線Ｇ１（ｉ）、配線ＲＥＳ（ｉ）、配線ＶＲＥ
Ｓ（ｉ）または信号線ＤＬ（ｊ）を備える（図５参照）。なお、本明細書において、ｉ行
目に配設された配線を符号に（ｉ）を付して示し、ｊ列目に配設された配線を符号に（ｊ
）を付して示す。

なお、第２の基材６１０に入力部６００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する
方法を用いて、入力部６００を形成してもよい。

または、入力部６００の一部を他の基材に形成し、当該一部を第２の基材６１０に転置す
る方法を用いて、入力部６００を形成してもよい。

《検知ユニット》
検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）は近接または接触するものを検知して検知信号を供給する
。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく
情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または
共振器等を検知素子に用いることができる。

検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）は、例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の
変化を検知する。具体的には、導電膜および導電膜と電気的に接続された検知回路を用い
てもよい。

なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を備えるものが導電膜に近接する
と、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供
給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容
量素子を含む検知回路を検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、静電容量の変化に伴い容量素子との間で電荷の分配が引き起こされ、容量素子の
一対の電極間の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。

具体的には、容量素子を検知素子６５０（ｉ，ｊ）に用い、検知素子６５０（ｉ，ｊ）の
第２の電極６５２の電位の変化と、第１の電極６５１（ｉ，ｊ）に電気的に接続された導
電膜とそれに近接するものの距離等と、に基づいて変化する、第１の電極６５１（ｉ，ｊ
）の電位を検知信号に用いることができる。

なお、検知素子６５０（ｉ，ｊ）は第１の電極６５１（ｉ，ｊ）、第１の電極６５１（ｉ
，ｊ）に重なる第２の電極６５２および第１の電極６５１（ｉ，ｊ）と第２の電極６５２
の間に誘電体層６５３を備える。

《検知回路、スイッチ、トランジスタ》
様々な回路を検知回路に用いることができる。具体的には、スイッチまたはトランジスタ
を備える検知回路を用いることができる（図５（Ｂ）参照）。ただし、スイッチまたはト
ランジスタを有さず、容量素子で検知回路やタッチセンサを構成してもよい。

なお、タッチセンサを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵
抗値が低いものが望ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ
、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常
に細くした（例えば、直径が数ナノメール）多数の導電体を用いて構成されるような金属
ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい
。一例としては、Ａｇナノワイヤや、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュや
、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。Ａｇナノワイヤの場合、光透過率は
８９％以上、シート抵抗値は４０以上１００Ω／□以下を実現することができる。なお、
透過率が高いため、表示素子に用いる電極、例えば、画素電極や共通電極に、金属ナノワ
イヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどを用いてもよい。

検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）は、制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にする
ことができるスイッチを備える。

例えば、第２の制御信号に基づいて、導通状態または非導通状態にすることができるトラ
ンジスタＭ２（ｉ，ｊ）および第３の制御信号に基づいて、導通状態または非導通状態に
することができるトランジスタＭ３をスイッチに用いることができる。

また、検知信号を増幅するトランジスタＭ１（ｉ，ｊ）を検知ユニット６０２に用いるこ
とができる。

同一の工程で作製することができるトランジスタを、検知信号を増幅するトランジスタＭ
１（ｉ，ｊ）およびスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化され
た入力部６００を提供できる。

トランジスタは半導体層を備える。例えば、１４族の元素、化合物半導体または酸化物半
導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ
素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また
、有機半導体などを半導体層に用いることができる。テトラセンやペンタセンなどのアセ
ン類などを有機半導体に用いることができる。

様々な結晶性を備える半導体層をトランジスタに用いることができる。例えば、非結晶を
含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体
層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなど
の処理により結晶化したポリシリコンまたはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ）技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。

例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物で表記される
材料を含む酸化物半導体を、好適に半導体層に用いることができる。または、ＩｎとＺｎ
の双方を含むことが好ましい。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈ
ｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。

《配線》
入力部６００は配線を備える。配線は配線ＶＰＩ（ｉ）、配線ＣＳ、走査線Ｇ１（ｉ）、
配線ＲＥＳ（ｉ）、配線ＶＲＥＳ（ｉ）または信号線ＤＬ（ｊ）などを含む。

例えば、信号線ＤＬ（ｊ）は検知信号を供給する機能を備え、配線ＶＰＩ（ｉ）は接地電
位を供給する機能を備え、配線ＣＳは第１の制御信号を供給する機能を備え、走査線Ｇ１
（ｉ）は第２の制御信号を供給する機能を備え、配線ＲＥＳ（ｉ）は第３の制御信号を供
給する機能を備え、配線ＶＲＥＳ（ｉ）は接地電位を供給することができる機能を備える
。

導電性を有する材料を、配線などに用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線
に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたは
マンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅
、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含む
と好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適
である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。

具体的には、アルミニウムにチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネ
オジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜
を用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《駆動回路》
駆動回路６０３Ｇは例えば所定のタイミングで制御信号を供給することができる。具体的
には、第２の制御信号を走査線Ｇ１（ｉ）に所定の順番で供給し、第３の制御信号を配線
ＲＥＳ（ｉ）に所定の順番で供給する。

さまざまな回路を駆動回路６０３Ｇに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フ
リップフロップ回路、組み合わせ回路などを用いることができる。例えば、入力部６００
が表示部５００の所定の動作に基づいて動作するように、駆動回路６０３Ｇが選択信号を
供給してもよい。具体的には、表示部５００の帰線期間中に入力部６００が動作するよう
に選択信号を供給してもよい。これにより、入力部６００が表示部５００の動作に伴う雑
音を検知してしまう不具合を軽減できる。

駆動回路６０３Ｄは、検知ユニット６０２（ｉ，ｊ）が供給する検知信号に基づいて検知
情報を供給する。

さまざまな回路を駆動回路６０３Ｄに用いることができる。例えば、検知ユニット６０２
（ｉ，ｊ）に配設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路や
カレントミラー回路を構成することができる回路を、駆動回路６０３Ｄに用いることがで
きる。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を備えていて
もよい。

《基材》
基材６１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよ
び大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材６
１０に用いると、入力部６００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができ
る。なお、表示部５００が表示をする側に入力部６００を配置する場合は、透光性を備え
る材料を基材６１０に用いる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材６１０に用いること
ができる。

例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材６１０に用いることができ
る。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材６１０に用
いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を
、基材６１０に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材６１０に用いること
ができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材６１０に用いることがで
きる。

例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材
料を基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散し
た複合材料を、基材６１０に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
基材６１０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材６１０に用いることがで
きる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料
を、基材６１０に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜また
は酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、基材６１０
に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒
化珪素膜等が積層された積層材料を、基材６１０に適用できる。

具体的には、可撓性を有する基材６１０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜６１０ａおよび
基材６１０ｂとバリア膜６１０ａを貼り合わせる樹脂層６１０ｃの積層体を用いることが
できる（図３（Ｂ）参照）。

《フレキシブルプリント基板》
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号
を供給される。

《表示部》
表示部５００は、画素５０２、走査線、信号線または基材５１０を備える（図４参照）。

なお、基材５１０に表示部５００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工して表示部
５００を形成してもよい。

または、表示部５００の一部を他の基材に形成し、当該一部を基材５１０に転置して、表
示部５００を形成してもよい。

《画素》
画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの
副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

《画素回路》
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しない
パッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。

画素回路は、例えば、トランジスタ５０２ｔを含む。

表示部５００はトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素
回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡
散を抑制できる層を含む積層膜を絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、ト
ランジスタ５０２ｔ等の信頼性が不純物の拡散により低下してしまう不具合の発生を抑制
できる。

《表示素子》
さまざまな表示素子を表示部５００に用いることができる。例えば、電気泳動方式や電子
粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子
（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表
示素子、液晶素子などを用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイなどに用いることができる表示素子を用いることができる。また
は、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（
電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、電子インク、電気泳動素子、グレ
ーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイク
ロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳ
ＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、圧電セ
ラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子の少なくとも一つを有し
ている。これらの他にも、電気な作用または磁気的な作用により、コントラスト、輝度、
反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた表示装置
の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例と
しては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプ
レイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔ
ｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳
動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、ＬＥＤを用い
る場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよ
い。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように
、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結
晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜することができる。さらに、その上に、
結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成することができる。なお、
グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設
けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。た
だし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で
成膜することも可能である。

例えば、射出する光の色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用し
てもよい。

例えば、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を適用できる。

例えば、発光素子５５０Ｒは、下部電極５５１Ｒ、上部電極５５２、下部電極５５１Ｒと
上部電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３を有する。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。副画素５０２Ｒは、発光素子５５０
Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画
素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例
えば着色層ＣＦＲ）を備える。

なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光モジュール５８０Ｒに微小共振
器構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置
された可視光を反射する膜および半反射・半透過する膜の間に発光性の有機化合物を含む
層を配置してもよい。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等の光を選択
的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない
窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させても
よい。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが
発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８
０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

なお、光を取り出す側に接合層５６０が設けられている場合、接合層５６０は発光素子５
５０Ｒと着色層ＣＦＲに接してもよい。

下部電極５５１Ｒは絶縁膜５２１の上に配設される。下部電極５５１Ｒに重なる開口部が
設けられた隔壁５２８を備える。なお、隔壁５２８の一部は下部電極５５１Ｒの端部に重
なる。

下部電極５５１Ｒは、上部電極５５２との間に発光性の有機化合物を含む層５５３を挟持
して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給
する。

また、隔壁５２８上に、基材６１０と基材５１０の間隔を制御するスペーサＫＢを有する
。

なお、可視光を反射する機能を有する層を画素電極の一部または全部に用いてもよい。こ
れにより、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現することができる
。具体的には、アルミニウム、銀、などを画素電極の一部または全部に用いる。

また、ＳＲＡＭなどの記憶回路を反射電極の下に設けることも可能である。これにより、
消費電力をさらに低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な
画素回路から選択して用いることができる。

《基材》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材６１０に用いるこ
とができる材料と同様の材料を基材５１０に適用することができる。

なお、基材５１０が透光性を必要としない場合は、例えば透光性を有しない材料を用いる
ことができる。具体的にはＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材
５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体
を基材５１０に好適に用いることができる（図３（Ｂ）参照）。

《接合層》
接合層５６０は基材６１０と基材５１０を貼り合わせる。接合層５６０は空気より大きい
屈折率を備える。また、接合層５６０側に光を取り出す場合は、接合層５６０は光学的に
接合する機能を有する層を兼ねるとよい。具体的には、基材５１０の屈折率との差が０．
２以下である屈折率を備える材料を接合層５６０に用いる。または、基材６１０の屈折率
との差が０．２以下である屈折率を備える材料を接合層５６０に用いる。

《駆動回路の構成》
駆動回路５０３Ｇは選択信号を供給する。例えば、走査線に選択信号を供給する。

例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路、組み合わせ回路などを駆動回路５０３
Ｇなどに用いることができる。

また、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回
路に用いることができる。

また、画像信号を供給する駆動回路を備えていてもよい。例えば、トランジスタ５０３ｔ
または容量５０３ｃと同一の工程で形成することができる素子を、画像信号を供給する駆
動回路に用いることができる。

《配線》
表示部５００は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を配
線に用いることができる。例えば、入力部６００に用いることができる導電膜と同様の材
料を用いることができる。

表示部５００は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９Ｇが配線５
１１に設けられている。なお、電源電位または同期信号等を供給することができるフレキ
シブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９Ｇに電気的に接続されている。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けら
れていても良い。

また、画像信号および同期信号または電源電位等を供給することができる端子５１９ＳＬ
および端子５１９ＳＲが配設される。

《保護層》
入出力装置５００ＴＰは、保護層６７０を表示領域５０１および入力領域６０１に重なる
位置に備える。

例えば、反射防止層を保護層６７０に用いることができる。具体的には円偏光板を用いる
ことができる。

例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層６７０に用いることができる
。具体的には、酸化アルミニウムを含む層または紫外線硬化もしくは電子線硬化された樹
脂を保護層６７０に用いることができる。これにより、傷が入出力装置５００ＴＰの表示
領域５０１および入力領域６０１に発生してしまう不具合を防ぐことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を備える情報処理装置の構成について、
図６を参照しながら説明する。

図６は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図６（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状
態を説明する投影図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２における情報処
理装置Ｋ１００の断面図である。図６（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説
明する投影図である。

＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０、演算装置Ｋ１０ま
たは筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）を有する（図６参照）。

《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は
、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する（図６（Ｂ）参照）。

表示部Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する。

入力装置Ｋ４０と表示部Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０で
あるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。

なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力
装置Ｋ２０は、タッチパネルである。

《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第
２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１
（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図６（Ａ）参照）。

表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および
第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態およ
び展開された状態にすることができる（図６（Ａ）および図６（Ｃ）参照）。

《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。

《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２
）または筐体Ｋ０１（３）を含み、この記載の順に配置される。

筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０
１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる（図６（Ｂ）参照）。

本実施の形態では、２つのヒンジを用いて接続される３つの筐体を備える情報処理装置を
例示する。この情報処理装置の入出力装置Ｋ２０は、２つのヒンジがある場所で折り畳む
ことができる。

なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ－１）個のヒンジを用いて接続してもよ
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ－１）箇所で折って折り
畳むことができる。

筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。

筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。

筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ
１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。

ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１
）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。

ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２
）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。

アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される
。

また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１
０Ｂに供給する。

バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給する
。

《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。

演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。

筐体Ｋ０１の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０
は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む画像情報Ｖを供給する（図６（Ｃ）参照
）。

また、筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ
１０は表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図６（Ａ））。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を入出力部に用いた情報処理装置の構成
について、図７を参照しながら説明する。

図７は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図７（Ａ－１）乃至図７（Ａ－３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。

図７（Ｂ－１）および図７（Ｂ－２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である
。

図７（Ｃ－１）および図７（Ｃ－２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および
底面図ある。

《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３
１０１を有する（図７（Ａ－１）乃至図７（Ａ－３）参照）。

また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる
。

情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命
令を供給することができる。

《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図７
（Ｂ－１）および図７（Ｂ－２）参照）。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性
を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。

また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｂは、可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出
力部３１２０に表示情報を表示することができる。

情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供
給することができる。

《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体
３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図７（Ｃ－１）および図７（Ｃ－２）参照）。

入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。

また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。

なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。

情報処理装置３０００Ｃは、筐体３１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。

ＶＰＩ（ｉ） 配線
ＣＳ 配線
ＲＥＳ（ｉ） 配線
ＶＲＥＳ（ｉ） 配線
ＤＬ（ｊ） 信号線
Ｄ 間隔
Ｄ１ 間隔
Ｄ２ 間隔
Ｇ１（ｉ） 走査線
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示部
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４１ センサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
１１ 基材
１３ 被剥離層
２１ 基材
２３ 被剥離層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 基材
４２ 基材
９０ 積層構造物
１００ 発光装置
１０１ 第１の領域
１０１Ｃ 第２の領域
１０１Ｄ 第３の領域
１０１Ｓ 第４の領域
１０１Ｒ 第５の領域
１０１Ｔ 第６の領域
１１１ 配線
１１９ 端子
１２１ 絶縁層
１２１ａ 絶縁層
１２１ｂ 絶縁層
１２８ 隔壁
１５０ 発光素子
１６０ 接合層
１６０Ｆ 接合層
１８０ 発光モジュール
５００ 表示部
５００ＴＰ 入出力装置
５０１ 表示領域
５０１Ｃ 領域
５０１Ｄ 領域
５０１Ｓ 封止領域
５０１Ｔ 領域
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０２Ｙ 副画素
５０３ｃ 容量
５０３Ｇ 駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９Ｇ 端子
５１９ＳＬ 端子
５１９ＳＲ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５５１ 下部電極
５５１Ｒ 下部電極
５５２ 上部電極
５５３ 発光性の有機化合物を含む層
５６０ 接合層
５８０Ｒ 発光モジュール
６００ 入力部
６０１ 入力領域
６０２ 検知ユニット
６０３Ｄ 駆動回路
６０３Ｇ 駆動回路
６０５ 検知ユニット
６１０ 基材
６１０ａ バリア膜
６１０ｂ 基材
６１０ｃ 樹脂層
６３２ 誘電体層
６５０ 検知素子
６５１ 電極
６５２ 電極
６６７ 開口部
６７０ 保護層
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部

Claims (6)

1. 第１のステップにおいて、第１乃至第５の領域を有する第１の基材を準備し、前記第１乃至第５の領域上に、流動性を備える接合層を形成し、
   前記第１のステップに続く第２のステップにおいて、減圧された環境で、前記第１の基材と、第２の基材とが、前記接合層を挟むように、前記第１の基材と前記第２の基材を接して配置し、
   前記第２のステップに続く前記第３のステップにおいて、前記環境を大気圧に戻し、
   前記第３のステップに続く前記第４のステップにおいて、前記接合層を硬化させる積層構造物の作製方法であって、
   前記第１の領域は、発光素子を有し、
   前記第２乃至第５の領域は、発光素子を有さず、
   前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように配置され、
   前記第３の領域は、前記第２の領域を囲むように配置され、
   前記第４の領域は、前記第３の領域を囲むように配置され、
   前記第５の領域は、前記第４の領域を囲むように配置され、
   前記第１の領域と前記第３の領域と前記第５の領域は、絶縁層上に複数のスペーサを有し、
   前記第２の領域と前記第４の領域は、スペーサを有さない、発光装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第４の領域は、前記絶縁層を有さない、発光装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層を有し、
   前記第１の領域と前記第３の領域と前記第５の領域において、前記スペーサと前記第１の絶縁層の間には、前記第２の絶縁層を有し、
   前記第２の領域は、前記絶縁層を有し、
   前記第５の領域は、前記第２の絶縁層を有さない領域を有する、発光装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第５のステップに続く第６のステップにおいて、前記第５の領域を切除する、発光装置の作製方法。
5. 第１乃至第４の領域を有する発光装置であって、
   前記第１の領域は、発光素子を有し、
   前記第２乃至第４の領域は、発光素子を有さず、
   前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように配置され、
   前記第３の領域は、前記第２の領域を囲むように配置され、
   前記第４の領域は、前記第３の領域を囲むように配置され、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、絶縁層上に複数のスペーサを有し、
   前記第２の領域と前記第４の領域は、スペーサを有さず、
   前記第４の領域は、前記絶縁層を有さない、発光装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の領域と前記第３の領域は、隔壁を有し、
   前記第１の領域と前記第３の領域において、前記スペーサと前記絶縁層の間には前記隔壁を有し、
   前記隔壁は、前記発光素子の画素電極の一部と重なる領域を有し、
   前記第３の領域は、前記隔壁を有さない領域を有する、発光装置。

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