JP2021012377A - 電子機器 - Google Patents
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
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-
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Abstract
Description
表示装置に関する。また、本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、
記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることがで
きる。
えば、携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。
機EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている
。
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途では、表示装置を大型化させ
ると可搬性(ポータビリティともいう)が低下してしまう。そのため表示の高い一覧性と
高い可搬性を両立することは困難であった。
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い電子
機器を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または電子機器を提供
することを課題の一とする。
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
、を有する電子機器であって、表示パネルは、可撓性を有し、表示パネルは、第1の表示
面と、第2の表示面と、を有し、第1のヒンジは、第1の回転軸を中心にして回転するこ
とができる機能を有し、第1のヒンジは、第1の支持体と第2の支持体とを接続すること
ができる機能を有し、第1の支持体と第2の支持体は、第1の回転軸を中心に相対的に回
転することができる機能を有し、表示パネルは、第1の部分と、第2の部分と、第3の部
分と、を有し、第1の部分は、第1の支持体に支持される部分を有し、第2の部分は、第
2の支持体に支持される部分を有し、第3の部分は、第1の支持体および第2の支持体に
固定されない部分を有し、第1の表示面は、第1の表示面と、第1の部分とが、互いに重
なる領域を有し、第2の表示面は、第2の表示面と、第2の部分とが、互いに重なる領域
を有し、第1の平面は、第1の回転軸と平行である領域を有し、第1の平面は、第1の表
示面と同一平面に位置し、第1の平面は、第1の表示面と平行な方向に、第1の表示面を
引き伸ばした平面であり、第1の平面は、第1の平面と第1の回転軸とが、互いに重なる
領域を有し、第2の平面は、第1の回転軸と平行である領域を有し、第2の平面は、第2
の表示面と同一平面に位置し、第2の平面は、第2の表示面と平行な方向に、第2の表示
面を引き伸ばした平面であり、第2の平面は、第2の平面と第1の回転軸とが、互いに重
なる領域を有し、第1の平面と第1の回転軸との距離が0より大きく、第2の平面と第1
の回転軸との距離が0より大きいことを特徴とする。
ネルと、を有する電子機器である。表示パネルは、第1の支持体に支持される第1の部分
と、第2の支持体に支持される第2の部分と、第1の部分と第2の部分の間に位置し、可
撓性を有する第3の部分と、を有する。表示パネルは、第1の部分、第2の部分、及び第
3の部分と重なる表示面を有する。第1のヒンジは、第1の回転軸を有し、且つ第1の支
持体と第2の支持体とを接続する機能を有する。第1の支持体と第2の支持体とは、第1
の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有する。第1の部分と重なる表示面を含む第1
の平面と、第1の回転軸とが平行であり、第2の部分と重なる表示面を含む第2の平面と
、第1の回転軸とが平行であり、第1の平面と、第1の回転軸との距離が、0より大きく
、第2の平面と、第1の回転軸との距離が、0より大きいことを特徴とする。
り、第2の平面と第1の回転軸との距離が0.1mm以上20mm以下であることが好ま
しい。
との距離とが概略等しいことが好ましい。
よりも大きい角度で相対的に回転可能であることが好ましい。
表示面の法線ベクトルの向き側に位置し、第3の部分と互いに重なる第3の表示面が凹面
になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。または、第1の平面及び第
2の平面が一致するとき、第1の回転軸が第1の表示面の法線ベクトルの向きとは反対側
に位置し、第3の部分と互いに重なる第3の表示面が凸面になるように、表示パネルを折
り曲げ可能なことが好ましい。
は、第2の回転軸を中心にして回転することができる機能を有し、第2のヒンジは、第2
の支持体と第3の支持体とを接続することができる機能を有し、第2の支持体と第3の支
持体は、第2の回転軸を中心に相対的に回転することができる機能を有し、表示パネルは
、第4の部分と、第5の部分と、を有し、表示パネルは、第4の表示面を有し、第4の部
分は、第3の支持体に支持される部分を有し、第5の部分は、第2の支持体および第3の
支持体に固定されない部分を有し、第4の表示面は、第4の表示面と、第4の部分とが互
いに重なる領域を有し、第2の平面は、第2の回転軸と平行である領域を有し、第3の平
面は、第2の回転軸と平行である領域を有し、第3の平面は、第4の表示面と同一平面に
位置し、第3の平面は、第4の表示面と平行な方向に、第4の表示面を引き伸ばした平面
であり、第3の平面は、第3の平面と第2の回転軸とが、互いに重なる領域を有し、第2
の平面と第2の回転軸との距離が0より大きく、第3の平面と第2の回転軸との距離が0
より大きいことが好ましい。
、第2の回転軸を有し、且つ第2の支持体と第3の支持体とを接続する機能を有し、第2
の支持体と第3の支持体とは、第2の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有し、表示
パネルは、第3の支持体に支持される第4の部分と、第2の部分と第4の部分との間に位
置し、可撓性を有する第5の部分と、を有し、表示面は、第4の部分、及び第5の部分と
重なる部分を有し、第4の部分と重なる表示面を含む第3の平面と、第2の回転軸とが平
行であり、第2の平面と、第2の回転軸とが平行であり、第2の平面と、第2の回転軸と
の距離が0より大きく、第3の平面と、第2の回転軸との距離が0より大きいことが好ま
しい。
であり、第3の平面と第2の回転軸との距離が0.1mm以上20mm以下であることが
好ましい。
との距離とが概略等しいことが好ましい。
よりも大きい角度で相対的に回転可能であることが好ましい。
平面が一致するとき、第2の回転軸が第2の表示面の法線ベクトルの向き側に位置し、第
5の部分と互いに重なる第5の表示面が凹面になるように、表示パネルを折り曲げ可能な
ことが好ましい。または、第2の平面及び第3の平面が一致するとき、第2の回転軸が第
2の表示面の法線ベクトルの向きとは反対側に位置し、第5の部分と互いに重なる第5の
表示面が凸面になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。
。または、信頼性の高い電子機器を提供できる。または、新規な表示装置、または電子機
器を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。
なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、こ
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであ
り、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能であ
る。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
が−20°以上20°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、C面が
B面と垂直とは、C面の法線とB面の法線がなす角度が70°以上110°以下の状態を
指すものとする。また、本明細書等において、D線がB面に垂直とはD線とB面の法線が
なす角度が−20°以上20°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において
、E線がB面に平行とはE線とB面の法線がなす角度が70°以上110°以下の状態を
指すものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明
する。
図1(A)は、本構成例で示す電子機器100の斜視図である。電子機器100は、表
示パネル101、支持体102a、支持体102b、及びヒンジ103を備える。
2aと支持体102bとは、ヒンジ103の回転軸111を中心に、相対的に回転させる
ことが可能である。図1(A)に示す構成例では、支持体102aと支持体102bを水
平にした状態から、回転軸111を中心に180°以上の角度で支持体102aと支持体
102bとを相対的に回転させることができる。
一致する直線とする。例えば、ヒンジ103が有体物である心棒などの軸を中心に回転す
る機構を有する場合には、軸の延長方向と一致する直線を回転軸111とする。
細書等において、表示面とは表示パネルの表面のうち、画像等が表示される側の面をいう
。
面である状態から、曲面を有する状態に可逆的に表示パネル101を変形することが可能
である。表示パネル101は、2つの支持体の相対位置の変化に伴って変形する部分が少
なくとも可撓性を有していればよく、他の部分は可撓性を有していなくてもよい。
02bに支持されている。
体によって支持された構成を有する。表示パネル101は曲げるなどの変形を加えること
が可能である。例えば表示パネル101を表示面が内側になるように曲げる(内曲げ)こ
とができる。また、表示パネル101を曲げることで折り畳むことができる。本発明の一
態様の電子機器100は、表示パネル101を折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、一覧性に優れる。
パネル101は、支持体102aと重なる部分において、支持体102aに支持されてい
る部分101aを有する。また表示パネル101は支持体102bと重なる部分において
、支持体102bに支持されている部分101bを有する。また、表示パネル101は部
分101aと部分101bとの間に、いずれの支持体にも固定されていない部分101c
を有する。
01が支持体102aに支持されていることが好ましい。また同様に部分101bにおい
て、表示パネル101の表示面が水平になるように、表示パネル101が支持体102b
に支持されていることが好ましい。
支持されていることが好ましい。例えば、表示パネル101は厚さ方向の位置が固定され
るように、各支持体に支持されていることが好ましい。このとき、表示パネル101は表
示面に平行な方向のうち曲がる方向にはスライドし、これとは垂直な方向の位置が固定さ
れていることが好ましい。このような支持方法を用いることで、例えば表示パネル101
を平面にした状態から180°曲げた状態に各支持体を相対的に回転させる際に、2つの
状態の間で生じる表示パネル101の長さのわずかなずれをスライド動作により補い、表
示パネル101が破損してしまうことを抑制できる。また、複数の支持体のうちの1つと
表示パネル101とは、表示パネル101がスライドしないように固定されていてもよい
。また、表示パネル101はその一部に伸縮性を有していてもよい。表示パネル101の
一部が伸縮することで、上記長さのずれを補うことができる。また表示パネル101を展
開した状態において表示パネル101の部分101cがたわむように、表示パネル101
を各支持体に固定していてもよい。表示パネル101にたわみを持たせることで上記長さ
のずれを補うことができる。
ル101が収まる溝部が形成されるように加工された2つの部材で表示パネル101を挟
持する方法などを用いると、表示パネル101がスライドするように支持することができ
る。また表示パネル101と各支持体とを固定する場合には、例えば接着する方法、ねじ
等で固定する方法、部材により表示パネル101を挟んで機械的に固定する方法等が挙げ
られる。
101は各々の支持体に支持されている2つの領域と、これらの間にいずれの支持体にも
支持(固定)されていない1以上の領域を有していればよい。例えば各々の支持体の縁と
重なる領域で表示パネル101が支持され、視認できる領域全てが支持体に支持されてい
ない部分101cであってもよい。
(C)には各構成とヒンジ103との位置関係を示すため、ヒンジ103を破線で示して
いる。
102aと支持体102bとが位置している場合を示している。言い換えると、表示パネ
ル101の部分101aにおける表示面を含む第1の平面110aと、表示パネル101
の部分101bにおける表示面を含む第2の平面110bとが平行である場合を示してい
る。
うに(すなわち、部分101c上に位置するように)設けられている。さらに図1(C)
に示すように、ヒンジ103の回転軸111と、表示パネル101の表示面とが一致しな
いように(すなわち、表示面を含む平面内に回転軸111が位置しないように)、回転軸
111と表示面との距離が距離r0だけ離れて設けられていることが好ましい。すなわち
、上記第1の平面110aと回転軸111との距離、及び上記第2の平面110bと回転
軸111との距離のそれぞれが、いずれも0よりも大きい値となるように、ヒンジ103
が設けられていることが好ましい。また、第1の平面110a及び第2の平面110bが
一致する(すなわち、同一平面上に位置する)とき、回転軸111が表示パネル101の
表示面側(具体的には表示面の法線ベクトルの向き側)に、表示面とは離れて位置するよ
うに設けられている。
であることが好ましい。すなわち、上記第1の平面110aと回転軸111とが平行であ
り、且つ、上記第2の平面110bと回転軸111とが平行であることが好ましい。
1の平面110a及び第2の平面110bを含む平面)と、回転軸111とが厳密に平行
ではない場合があってもよい。このとき、少なくとも表示パネル101の表示面と重なる
領域において、第1の平面110aまたは第2の平面110bと、回転軸111とが交差
しなければよい。なお、表示面を含む平面と回転軸111とが厳密に平行ではない場合(
すなわち表示面の法線方向と回転軸111との角度が厳密に90°ではない場合)、回転
軸111と表示面(または第1の平面110a、第2の平面110b)の距離r0は、回
転軸111を含む直線のうち表示パネル101の表示面と重なる線分と、表示面(または
第1の平面110a、第2の平面110b)との距離のうち、最も小さい値を距離r0と
することができる。
0°回転させた状態における、電子機器100の斜視概略図である。また、図2(B)は
図2(A)中の切断線B1−B2における断面概略図である。また図2(C)は図2(B
)に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。
状になるように180°湾曲した部分を有する。また表示パネル101の部分101aに
おける表示面の一部を含む第1の平面110aと、部分101bにおける表示面の一部を
含む平面110bとは平行である。
軸111との距離とが同じ距離(r0)となるように設定することが好ましい。これらの
距離を等しくすると、図1に示したように2つの支持体を開いた状態のときに、支持体と
支持体の間に位置する表示パネル101の表面に段差(高低差)が生じず、表示パネル1
01の表示面の全体を平坦(平面)にすることが可能となる。その結果、視認性に優れた
電子機器100を実現できる。
さらに2つの支持体は、各々がヒンジ103に支持された状態で回転軸111を中心に回
転する。そのため、2つの支持体の角度を変化させたときに表示パネル101の部分10
1cが受ける力の向きは、支持体の回転方向に平行な向き、言い換えると各々の支持体と
表示パネル101とが接している面に垂直な向きとなる。つまり、表示パネル101の部
分101cにかかる力の成分のほとんどが、表示パネル101の厚さ方向に平行な方向、
すなわち表示パネル101を湾曲させる方向となる。したがって、表示パネル101に無
理な力がかかることがないため、表示パネル101の湾曲部が破損してしまうことを効果
的に抑制することができる。
あるとき、表示パネル101の湾曲部における曲率半径r1は、距離r0と概略等しくな
る。
0°よりも大きな角度で回転させた状態における、電子機器100の斜視概略図である。
また図3(B)は図3(A)中の切断線C1−C2における断面概略図である。また図3
(C)は図3(B)に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。
端部が接するように、2つの支持体を回転させた状態を示している。
な角度で2つの支持体を回転させたとき、表示パネル101の部分101cにおける曲率
半径r1は、ヒンジ110の回転軸111と第1の平面110a(または第2の平面11
0b)との距離r0よりも小さくなる。
曲率半径のうち、最も小さい値をいう。
半径r1の大きさが小さくなる。例えば、回転角が185°の時に曲率半径r1は距離r
0の約0.93倍となり、回転角が190°の時に曲率半径r1は距離r0の約0.87
倍となり、回転角が195°の時に曲率半径r1は距離r0の約0.82倍となる。
持体を折り畳んだ状態における電子機器100の厚さを部分的に薄くすることが可能であ
るため、携帯性に優れた電子機器を実現できる。例えば、当該回転角の最大値を180°
よりも大きく200°以下、好ましくは180°よりも大きく195°以下、より好まし
くは180°よりも大きく190°以下の範囲に設定すればよい。
距離r0を、上記回転角の最大の大きさと、表示パネル101が許容できる最小の曲率半
径とを考慮して設定することで、表示パネル101が湾曲部で破損してしまうことを抑制
できる。
111との距離が等しくr0であるとき、r0の値が0.1mm以上20mm以下、好ま
しくは0.5mm以上15mm以下、より好ましくは1mm以上10mm以下に設定する
ことが好ましく、代表的には4mmに設定することが好ましい。r0が小さいほど、支持
体同士を折り畳んだ状態における電子機器100の厚さを低減することができるため、携
帯性に優れた電子機器100を実現できる。
1000μm以下、より好ましくは10μm以上500μm以下、さらに好ましくは20
μm以上300μm以下とすることが好ましい。表示パネル101の厚さが薄いほど、許
容できる最小の曲率半径を小さくすることができ、電子機器100の厚さを薄くすること
が可能となる。
ル101の少なくとも湾曲する部分に可撓性を有するシート等を貼り付け、強度を補って
もよい。例えば、硬質ゴムなどの弾性体のほか、プラスチック、アルミニウムなどの金属
、ステンレスやチタン合金などの合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができ
る。当該シートには、表示パネル101よりも可撓性の低い材料を用いることが好ましい
。また、当該シートが透光性を有さない場合には、表示パネル101の裏面側または表示
面の表示領域よりも外側の領域に配置すればよい。表示面と重なる部分に開口を有するシ
ートを表示面側に配置し、2枚のシートで表示パネルを挟持する構成としてもよい。
半径で湾曲している状態における、曲率半径r1は、0.1mm以上20mm以下、好ま
しくは0.5mm以上15mm以下、より好ましくは1mm以上10mm以下に設定する
ことが好ましく、代表的には4mm以下に設定することが好ましい。
られていることが好ましい。このとき、タッチセンサを備えるモジュールは少なくとも一
部が可撓性を有し、表示パネル101に沿って湾曲可能であることが好ましい。このとき
、タッチセンサを備えるモジュールと表示パネル101とは接着剤等で接着されていても
よいし、これらの間に偏光板や緩衝材(セパレータ)を設けてもよい。また、タッチセン
サを備えるモジュールの厚さは、表示パネル101の厚さ以下とすることが好ましい。
101として、オンセル型のタッチパネル、またはインセル型のタッチパネルの構成を適
用としてもよい。オンセル型またはインセル型のタッチパネルの構成を用いることで、表
示パネル101にタッチパネルの機能を付加しても、厚さを低減することができる。
ことができる。また、支持体102aや支持体102bの一部がヒンジ103として機能
する形態を有していてもよい。また、図1等ではヒンジ103を一対設ける構成としたが
、1個でもよいし、3以上のヒンジを設けてもよい。
算装置や駆動回路などの各種ICが実装されたプリント配線基板、無線受信器、無線送信
機、無線受電器、加速度センサなどを含む各種センサなどの電子部品を適宜組み込むこと
により、電子機器100を携帯端末、携帯型の画像再生装置、携帯型の照明装置などとし
て機能させることができる。また支持体102aと支持体102bのいずれか一方、また
は両方には、カメラ、スピーカ、電源供給端子や信号供給端子等を含む各種入出力端子、
光学センサなどを含む各種センサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。
以下では、上記構成例1とは一部の構成が異なる電子機器120の構成例について説明
する。なお、構成例1と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
図である。また、図4(C)は図4(A)中の切断線D1−D2における断面概略図であ
る。
支持体102bの形状が異なる点で、上記構成例1で例示した電子機器100と相違して
いる。
体によって支持された構成を有する。表示パネル101は曲げるなどの変形を加えること
が可能である。例えば表示パネル101を表示面が外側になるように曲げる(外曲げ)こ
とができる。また、表示パネル101を曲げることで折り畳むことができる。本発明の一
態様の電子機器120は、表示パネル101を折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れる。
ように設けられている。図4に示す構成では、ヒンジ103が支持体102a及び支持体
102bの表示パネル101が設けられる面とは反対側の面に設けられている。また、表
示パネル101の部分101aにおける表示面を含む第1の平面110aと、表示パネル
101の部分101bにおける表示面を含む第2の平面110bが一致するとき、回転軸
111が表示パネル101の表示面とは反対側に(具体的には表示面の法線ベクトルの向
きとは反対側に)、表示面とは離れて位置するように設けられている。
cと重なる領域に切欠き部を有している。図4(C)では表示パネル101の支持体10
2aと重なる部分を部分101a、支持体102bと重なる部分を部分101b、切欠き
部と重なる部分を部分101cとしている。なお、表示パネル101は、支持体102a
(または支持体102b)と重なる部分の全部が支持体102a(または支持体102b
)に支持されている必要はなく、構成例1と同様に一部が支持されていればよい。
面が凸状になるように、回転軸111を中心に相対的に180°以上の角度で回転させる
ことができる。
0°回転させた状態における、電子機器120の斜視概略図である。また図5(B)は図
5(A)中の切断線E1−E2における断面概略図である。また図5(C)は図5(B)
に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。
状に変形するように、湾曲している。このとき、支持体102a及び支持体102bに設
けられた切欠き部により、表示パネル101と各支持体とが物理的に干渉することなく、
表示パネル101を湾曲させることができる。
支持体102bの各々の裏面側が接する構成としてもよい。
0°よりも大きな角度で回転させた状態における、電子機器120の斜視概略図である。
また図7(B)は図7(A)中の切断線F1−F2における断面概略図である。また図7
(C)は図7(B)に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。
の支持体を回転させることで、2つの支持体を折り畳んだ状態における電子機器120の
厚さを部分的に薄くすることが可能であるため、携帯性に優れた電子機器を実現できる。
な角度で2つの支持体を回転させたとき、表示パネル101の部分101cにおける曲率
半径r1は、ヒンジ110の回転軸111と第1の平面110a(または第2の平面11
0b)との距離r0よりも小さくなる。
以下では、上記構成例とは一部の構成が異なる電子機器130の構成例について説明す
る。なお、上記構成例と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
図である。
する点で主に相違している。
持体102bと支持体102cとは、ヒンジ103bにより接続されている。表示パネル
101は、支持体102a、支持体102b及び支持体102cのそれぞれに支持されて
いる領域を有する。また表示パネル101は、支持体102aに支持される領域と支持体
102bに支持される領域との間、及び支持体102bに支持される領域と支持体102
cに支持される領域との間のそれぞれに、支持体に支持されない領域を有する。
の支持体によって支持された構成を有する。電子機器130は表示パネル101を表示面
が内側になるように曲げる(内曲げ)ことができる領域と、表示面が外側になるように曲
げる(外曲げ)ことができる領域を有する。また表示パネル101を曲げることで折り畳
むことができる。本発明の一態様の電子機器130は、表示パネル101を折り畳んだ状
態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧
性に優れる。
の回転軸111aは構成例2と同様に表示面とは反対側に位置するように設けられている
。またこのとき、ヒンジ103bの回転軸111bは、構成例1と同様に表示面側に位置
するように設けられている。
が凸状になるように、ヒンジ103aの回転軸111aを中心に相対的に180°以上の
角度で回転させることができる。
が凹状になるように、ヒンジ103bの回転軸111bを中心に相対的に180°以上の
角度で回転させることができる。
子機器130は、図8(C)に示すような形態を経て、図8(D)に示すように折り畳ん
だ状態に変形することができる。
び支持体102bと支持体102cの対向する面のなす角が、共に等しくなるように電子
機器130を折り畳むことで、支持体102aと支持体102cとを平行にすることがで
きる。こうすることで電子機器130を折り畳んだ状態の厚さが均一となるため好ましい
。
折り畳むことで、3つの支持体を平行にした場合に比べて電子機器130の厚さを低減す
ることが可能となる。
01を展開した状態とすることで継ぎ目のない広い表示面全体を用いてもよいし、図8(
D)に示すように折り畳んだ状態で表示面の一部を用いてもよい。表示パネル101を内
側に折り畳むことで使用者に見えない表示面の一部を非表示(非動作)とすることで、表
示パネル101の消費電力を抑制できる。
なる表示面の一部を用いてもよい。このとき、表示面の支持体102aと重なる部分は、
画像等を表示してもよいし、非表示(非動作)としてもよい。また、この部分をタッチパ
ッドとして使用することもできる。
ーキング・サービス)や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやSNSなどの題名
、電子メールやSNSなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強
度などを表示できる。または、操作ボタンや、アイコン、スライダーなどの機能を有する
画像を表示してもよい。
態)で所定の縦横比となるように設定することが好ましい。例えば、縦横比が9:16な
どとなるように設定する。また、表示パネル101を折り畳んだ状態(例えば図8(D)
に示す状態)のとき、展開した状態における縦横比と近い値になるように設定することが
好ましい。こうすることで、展開した状態と折り畳んだ状態とで、表示される画像の縦横
比を概略等しくすることが可能となる。その結果、展開した状態と折り畳んだ状態とで視
認される表示面全体に同じ画像を拡大または縮小して表示する場合、いずれかの状態で不
自然な余白部分が生じてしまうことを抑制することができる。
以下では、より具体的な構成例について説明する。なお、上記構成例と重複する部分に
ついては、説明を省略する場合がある。
図9(B)は表示パネル101を折り畳んだ状態の斜視概略図である。
支持体142c、ヒンジ143a、ヒンジ143bを有する。
51bのそれぞれを中心に、各支持体を相対的に回転することで、図9(A)の状態から
図9(B)の状態に可逆的に変形することができる。
45は、表示パネル101の表示面に表示する画像を切り替える機能、電源のオン、オフ
を制御する機能、表示パネル101を折り畳んだ状態から展開した状態に変形させる機能
などを有していてもよい。
C)に示すように、筐体141の内部には、プリント基板144、バッテリ149等を有
している。
4が有する複数の端子接続部148に接続される。またプリント基板144にはバッテリ
149から電力が供給される。
また、バッテリ149はアンテナ及び充放電を制御する回路を有し、無線により充電可能
な構成を有していることが好ましい。
いる。また図示しないが、筐体141内に無線受信器、無線送信機、無線受電器、加速度
センサなどを含む各種センサなどの電子部品を適宜組み込むことにより、電子機器140
を携帯端末、携帯型の画像再生装置、携帯型の照明装置などとして機能させることができ
る。筐体141には、カメラ、スピーカ、電源供給端子や信号供給端子等を含む各種入出
力端子、光学センサなどを含む各種センサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。
ならない支持体142b及び支持体142cは、その厚さが薄いことが好ましい。例えば
、図9(C)に示すように、支持体142b及び支持体142cの厚さtが等しく、また
筐体141の厚さよりも薄いことが好ましい。例えば支持体142b及び支持体142c
の厚さtは0.3mm以上10mm以下、好ましくは0.3mm以上5mm以下とするこ
とが好ましく、代表的には1mmに設定することが好ましい。支持体142b及び支持体
142cの厚さを低減することで、電子機器140の重量を低減することができ、携帯性
をより向上させることができる。また支持体142b及び支持体142cの厚さを筐体1
41よりも薄くすると、展開した状態と折り畳んだ状態での重心位置の変化が小さくなる
ため、いずれの状態でも筐体141のみを片手で支持したまま使用することが容易となり
、利便性が向上する。
図10(A)に、電子機器160の斜視概略図を示す。電子機器160は、図9で例示
した電子機器140における筐体141、及び支持体142bの構成が主に相違している
。
って電子機器160を片手で把持することが容易な構成となっている。
距離を変化させることができるように、その両端の長さが変化する機構(スライド機構と
もいう)を有する。
は、板状の部材162aと、板状の部材162bと、板状の部材162cと、ネジ163
と、を有する。
と接続されている。また部材162cは、開口部164を有している。部材162cの開
口部164を挟持するように、部材162aと部材162bが、部材162cの一部と重
ねて設けられている。また、部材162aと部材162bとは、ネジ163によって固定
されている。また部材162aと部材162c、及び部材162bと部材162cとは、
固定されていない。
、図中に示す矢印の方向にスライドさせることができる。したがって、ヒンジ143aと
ヒンジ143bとの距離を可変にできる。また支持体142aと支持体142cとの距離
を変化させる、とも言える。
され、且つ支持体142bには固定されないように設けることが好ましい。
じる長さのわずかなずれを、支持体142bのスライド動作によって補うことができる。
3の位置と開口部164の大きさによって決定される。部材162cをスライドさせる際
、開口部164の端部がネジ163と接触するとスライドが止まる。
化させることのできる機構であれば、この構成に限定されない。ヒンジ143aとヒンジ
143bとの距離を変化させることのできる機構を電子機器160に設ければよい。また
は、支持体142aと支持体142cの間の距離を変化させることのできる機構を、電子
機器160に設ければよい。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パ
ネルの構成例及び作製方法例について説明する。
図11(A)に発光パネルの平面図を示し、図11(A)における一点鎖線A1−A2
間の断面図の一例を図11(C)に示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パ
ネルは、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構
成や、R(赤)、G(緑)、B(青)、W(白)の4色の副画素で1つの色を表現する構
成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBW以外の色を用いてもよく、
例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。
xible Printed Circuit)808を有する。発光部804及び駆動
回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板801、基板803、及び封止層
823によって封止されている。
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、オーバーコート849、着色層845、遮光層847、絶縁層84
3、接着層841、及び基板803を有する。封止層823、オーバーコート849、絶
縁層843、接着層841、及び基板803は可視光を透過する。
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
る遮光層847と、を有する。着色層845及び遮光層847はオーバーコート849で
覆われている。発光素子830とオーバーコート849の間は封止層823で充填されて
いる。
する。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。
スタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
843と基板803は接着層841によって貼り合わされている。絶縁層813や絶縁層
843に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
タート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
825は、基板803、接着層841、絶縁層843、封止層823、絶縁層817、及
び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体8
25はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857
は電気的に接続する。導電層857と基板803とが重なる場合には、基板803を開口
する(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びF
PC808を電気的に接続させることができる。
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層843、着色層845
及び遮光層847を作製し、該作製基板を剥離し、接着層841を用いて基板803上に
絶縁層843、着色層845及び遮光層847を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801や基板803へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。
図11(B)に発光パネルの平面図を示し、図11(B)における一点鎖線A3−A4
間の断面図の一例を図11(D)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異
なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは
、具体例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
。
サ827を設けることで、基板801と基板803の間隔を調整することができる。
接続体825が絶縁層843上に位置し、基板803と重ならない。接続体825は、絶
縁層843、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して
導電層857と接続している。基板803に開口を設ける必要がないため、基板803の
材料が制限されない。
図12(A)に発光パネルの平面図を示し、図12(A)における一点鎖線A5−A6
間の断面図の一例を図12(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。
有する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板8
01、基板803、枠状の封止層824、及び封止層823によって封止されている。
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、枠状の封止層824、及び基板803を有する。封止層823及び
基板803は可視光を透過する。
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。
れる。したがって、封止層823は、枠状の封止層824に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
スタを複数有する。図12(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。
825は、基板803、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開
口を介して導電層857と接続している。また、接続体825はFPC808に接続して
いる。接続体825を介してFPC808と導電層857は電気的に接続する。
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。
図12(B)に発光パネルの平面図を示し、図12(B)における一点鎖線A7−A8
間の断面図の一例を図12(D)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層8
17b、導電層816、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、及び基板803
を有する。基板801、接着層811、絶縁層813、絶縁層815、絶縁層817a、
及び絶縁層817bは可視光を透過する。
820、トランジスタ822、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層
817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上
部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている
。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過す
る。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設ければ
よい。
スタを複数有する。図12(D)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
2つのトランジスタを示している。
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、822に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、導電層816と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。
子830等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層
813やトランジスタ820、発光素子830等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。
図12(E)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
814、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、封止層82
3、及び基板803を有する。
電気的に接続させることができる。
部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831
と電気的に接続する。
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電
気的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに
設けてもよい。
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は
、例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0
.5μm以下である。
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、EL層833が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813や発光素子83
0等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い絶縁層813等を形成し、基板801へと転置するこ
とで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又
は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であ
ることがより好ましい。
ム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好
適に用いることができる。
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構
造としてもよい。
T)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹
脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱
膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド
樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリ
プレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用する
こともできる。
コート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラ
ミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好
ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、1
0μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂
、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
どの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバン
ドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャ
ップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態
における電流を低減できるため好ましい。
亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはA
l、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される
酸化物を含む。
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。
高いトランジスタを実現できる。
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD
法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD
(Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層813がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機
EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITO
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
ると、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発
光する。
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
機化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
]以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×1
0−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m2・d
ay)]以下とする。
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、
及び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶
縁層821の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが
好ましい。
、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印
刷等)等を用いればよい。
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ827と上部電極835とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ8
27は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等
)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(I
n2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。
透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属
膜を用いることが好ましい。
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。
次に、発光パネルの作製方法を図13及び図14を用いて例示する。ここでは、具体例
1(図11(C))の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
成する。次に、絶縁層813上に複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶
縁層817、複数の発光素子、及び絶縁層821を形成する。なお、導電層857が露出
するように、絶縁層821、絶縁層817、及び絶縁層815は開口する(図13(A)
)。
成する。次に、絶縁層843上に遮光層847、着色層845、及びオーバーコート84
9を形成する(図13(B))。
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(
BaO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
ることが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
子230等が設けられた面に封止層823となる材料を塗布し、封止層823を介して該
面同士が対向するように、作製基板201及び作製基板205を貼り合わせる(図13(
C))。
1を用いて貼り合わせる。また、作製基板205を剥離し、露出した絶縁層843と基板
803を、接着層841を用いて貼り合わせる。図14(A)では、基板803が導電層
857と重ならない構成としたが、導電層857と基板803が重なっていてもよい。
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF
3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹
脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、
作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で
剥離を行ってもよい。
(図14(B))。なお、基板803が導電層857と重なる構成の場合は、導電層85
7を露出させるために、基板803及び接着層841も開口する(図14(C))。開口
の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビーム
スパッタリング法などを用いればよい。また、導電層857上の膜に鋭利な刃物等を用い
て切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り
曲げ可能なタッチパネルの構成について、図15〜図18を用いて説明する。なお、各層
の材料については実施の形態2を参照することができる。
図15(A)はタッチパネルの上面図である。図15(B)は図15(A)の一点鎖線
A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図15(C)は図15(A)の一点鎖線
E−F間の断面図である。
は表示部301に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素308を用
いてタッチセンサを構成することができる。
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
る配線と電気的に接続される。
回路303g(1)と、画像信号を画素302に供給することができる画像信号線駆動回
路303s(1)を備える。
できる配線と電気的に接続される。
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
回路303g(2)と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路303s(2)を備える
。
する基板570を有する。
る。例えば、水蒸気の透過率が10−5g/(m2・day)以下、好ましくは10−6
g/(m2・day)以下である材料を好適に用いることができる。
。例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、より好
ましくは1×10−5/K以下である材料を好適に用いることができる。
、及び可撓性基板510bと絶縁層510aを貼り合わせる接着層510cが積層された
積層体である。
、及び可撓性基板570bと絶縁層570aを貼り合わせる接着層570cの積層体であ
る。
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂を含む材料を接着層に用いることができる。
大きい屈折率を備える。また、封止層560側に光を取り出す場合は、封止層560は封
止層560を挟む2つの部材(ここでは基板570と基板510)を光学的に接合する層
(以下、光学接合層ともいう)としても機能する。画素回路及び発光素子(例えば第1の
発光素子350R)は基板510と基板570の間にある。
(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを備え、副画素302Gは発
光モジュール380Gを備え、副画素302Bは発光モジュール380Bを備える。
とができるトランジスタ302tを含む画素回路を備える(図15(B))。また、発光
モジュール380Rは発光素子350R及び光学素子(例えば着色層367R)を備える
。
極352の間のEL層353を有する(図15(C))。
53aと第2のEL層353bの間の中間層354を備える。
長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選
択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過
する領域を設けてもよい。
層360を有する。
Rが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層360及び着色層367Rを透過して
、図中の矢印に示すように発光モジュール380Rの外部に射出される。
、着色層(例えば着色層367R)を囲むように設けられている。
射防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
を覆っている。なお、絶縁層321は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
る。
に有する。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサ329を、隔壁32
8上に有する。
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図15
(B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有し
ていてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
2のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ308tを
含む。
配線311に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるFPC309(1)が端子319に電気的に接続されている。なお、FPC309(
1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
t、トランジスタ308t等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成について
は、実施の形態2を参照できる。
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−
アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造
、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタ
ン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタ
ン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その
モリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらに
その上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化イ
ンジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含
む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
図16(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代
表的な構成要素を示す。図17は、図16(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図で
ある。
。また、タッチパネル505は、基板510、基板570及び基板590を有する。なお
、基板510、基板570及び基板590はいずれも可撓性を有する。
ることができる複数の配線511を備える。複数の配線511は、基板510の外周部に
まで引き回され、その一部が端子519を構成している。端子519はFPC509(1
)と電気的に接続する。
の配線598を備える。複数の配線598は基板590の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2)と電気的に接続される。なお
、図16(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(基板510側)に設けられるタ
ッチセンサ595の電極や配線等を実線で示している。
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
を用いて説明する。
用することができる。
591は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598
の他のいずれかと電気的に接続する。
の四辺形が角部で接続された形状を有する。
されている。
極592と配線594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ595を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
ば、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極5
92を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
び電極592、電極591及び電極592を覆う絶縁層593ならびに隣り合う電極59
1を電気的に接続する配線594を備える。
板570に貼り合わせている。
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極59
1及び電極592を形成することができる。
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。
591を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めること
ができるため、配線594に好適に用いることができる。また、電極591及び電極59
2より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることが
できる。
。
を電気的に接続している。
はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
部は、端子として機能する。配線598としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
することができる。
Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotr
opic Conductive Paste)などを用いることができる。
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。
示素子を駆動する画素回路を備える。
て説明するが、表示素子はこれに限られない。
画素毎に適用してもよい。
きるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール580Rは発
光素子550R及び光学素子(例えば着色層567R)を備える。
。
子550Rと着色層567Rに接する。
Rが発する光の一部は着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュー
ル580Rの外部に射出される。
、着色層(例えば着色層567R)を囲むように設けられている。
pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
ている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適
用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ502t等の信頼性
の低下を抑制できる。
、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサを、隔壁528上に有する。
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
11に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるF
PC509(1)が端子519に電気的に接続されている。
い。
を配線に用いることができる。
タを表示部501に適用する場合の構成を、図17(A)、(B)に図示する。
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
層を、図17(B)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用す
ることができる。
(C)に図示する。
等を含む半導体層を、図17(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ5
03tに適用することができる。
図18は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネ
ル505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部
501を備える点及びタッチセンサが表示部の基板510側に設けられている点が、構成
例2のタッチパネル505とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
光素子550Rは、トランジスタ502tが設けられている側に光を射出する。これによ
り、発光素子550Rが発する光の一部は着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
、着色層(例えば着色層567R)を囲むように設けられている。
)。
95を貼り合わせる。
タを表示部501に適用する場合の構成を、図18(A)、(B)に図示する。
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
02t及びトランジスタ503tに適用することができる。
(C)に図示する。
(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができ
る。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図19(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図19
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお図19
(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそ
れぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図19(
A)は、電極121および電極122が重畳することで形成される容量603を図示して
いる。なお、電極121と電極122とはその機能を互いに置き換えてもよい。
路である。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量603を形成する電
極121と電極122との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容
量603の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を
検出することができる。
電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。
出力波形のタイミングチャートを示す。図19(B)では、1フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図19(B)では、被検知体を検出しない場合(
非タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。な
おY1−Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6
の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
することができる。
ッシブマトリクス方式のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えた
アクティブマトリクス方式のタッチセンサとしてもよい。図20にアクティブマトリクス
方式のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
スタ613とを有する。トランジスタ613はゲートに信号G2が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧VRESが与えられ、他方が容量603の一方の電極およびトラン
ジスタ611のゲートと電気的に接続する。トランジスタ611はソース又はドレインの
一方がトランジスタ612のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧V
SSが与えられる。トランジスタ612はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線MLと電気的に接続する。容量603の他方の電極には電圧VSSが与
えられる。
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ611のゲートが接続されるノ
ードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次いで信号G2としてトランジスタ
613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持される。
とに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
ドnの電位に応じてトランジスタ611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(
リフレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
図21(A)は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図21(A)で
はゲート駆動回路GD、ソース駆動回路SD、画素pixを示している。なお図21(A
)では、ゲート駆動回路GDに電気的に接続されるゲート線x_1〜x_m(mは自然数
)、ソース駆動回路SDに電気的に接続されるソース線y_1〜y_n(nは自然数)に
対応して、画素pixではそれぞれに(1,1)〜(n,m)の符号を付している。
線に与える信号のタイミングチャート図である。図21(B)では、1フレーム期間ごと
にデータ信号を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示してい
る。なお図21(B)では、帰線期間等の期間を考慮していない。
順に走査信号が与えられる。走査信号がHレベルの期間である水平走査期間1Hでは、各
列のソース線y_1〜y_nにデータ信号Dが与えられる。
る走査信号を停止する。また水平走査期間1Hでは、各列のソース線y_1〜y_nに与
えるデータ信号を停止する。
タとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に特に有効である
。酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトランジス
タに比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、1フレーム期間ご
とにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータを保持させることがで
き、例えば1秒以上、好ましくは5秒以上に亘って画素の階調を保持することもできる。
図22(A)〜(D)は、一例として図19(A)、(B)で説明したタッチセンサと
、図21(A)、(B)で説明した表示装置とを1sec.(1秒間)駆動する場合に、
連続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図22(A)では、表示装
置の1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)、タッチセンサの1フ
レーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とした場合について示している
。
ており、表示期間と平行してタッチ検知期間とすることができる。そのため図22(A)
に示すように、表示装置およびタッチセンサの1フレーム期間を共に16.7ms(フレ
ーム周波数:60Hz)と設定することができる。タッチセンサと表示装置のフレーム周
波数を異ならせてもよい。例えば図22(B)に示すように、表示装置の1フレーム期間
を8.3ms(フレーム周波数:120Hz)と設定し、タッチセンサの1フレーム期間
を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とすることもできる。また、図示しないが
、表示装置のフレーム周波数を33.3ms(フレーム周波数:30Hz)としてもよい
。
ーム周波数を大きく(例えば60Hz以上または120Hz以上)し、静止画像の表示の
際にはフレーム周波数を小さく(例えば60Hz以下、30Hz以下、または1Hz以下
)することで、表示装置の消費電力を抑えることができる。またタッチセンサのフレーム
周波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を
異ならせてもよい。
行わずに、前の期間に書き換えたデータを保持することで、表示装置の1フレーム期間を
16.7msよりも長い期間とすることができる。そのため、図22(C)に示すように
、表示装置の1フレーム期間を1sec.(フレーム周波数:1Hz)と設定し、タッチ
センサの1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とすることもでき
る。
続してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図22(D)に示すようにタ
ッチセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで、表示装置のデー
タ信号を書き換えることもできる。
と、表示装置を駆動させるときのノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの
感度を低下させてしまう恐れがある。したがって特に、表示装置のデータ信号の書き換え
期間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。
を交互に行う例を示している。また、図23(B)では、表示装置のデータ信号の書き換
え動作を2回行うごとに、タッチセンサのセンシングを1回行う例を示している。なお、
これに限られず3回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを1回行
う構成としてもよい。
化物半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書
き換えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行っ
た後、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能
となる。休止期間は、例えば0.5秒以上、1秒以上、または5秒以上とすることができ
る。休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によっ
て制限されるが、例えば1分以下、10分以下、1時間以下、または1日以下程度とする
ことができる。
示している。図23(C)では表示装置はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号
の書き換え動作までの期間は動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間では、
タッチセンサがフレーム周波数iHz(iは表示装置のフレーム周波数以上、ここでは0
.2Hz以上)で駆動することができる。また図23(C)に示すように、タッチセンサ
のセンシングを休止期間に行い、表示装置のデータ信号の書き換え期間には行わないよう
にすると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図23(D)に
示すように、表示装置のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行う
と、駆動のための信号を簡略化することができる。
号のみの供給を停止してもよいし、これに加えて電源電位の供給も停止することで、より
消費電力を低減することができる。
チセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることが
できる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッ
チセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用
することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの構成と、駆動方法の一例について、図面を参照して説明する。
図24は、以下で例示するタッチパネルの構成例を示すブロック図である。図24に示
すように、タッチパネル90は表示装置900、制御回路910、カウンタ回路920、
タッチセンサ950を有する。
置900の画面の書き換えを制御するための同期信号(SYNC)が入力される。同期信
号としては、例えば水平同期信号(Hsync)、垂直同期信号(Vsync)、および
基準クロック信号(CLK)等がある。
3を有する。表示部901は、複数の画素PIXを有する。同じ行の画素PIXは、共通
のゲート線L_Xによりゲートドライバ902に接続され、同じ列の画素PIXは共通の
ソース線L_Yによりソースドライバ903に接続されている。
源電圧として高電源電圧(VDD)および低電源電圧(VSS)が供給される。ハイレベ
ル電圧(VH)は、配線L_Hを介して、表示部901の各画素PIXに供給される。ま
た、ローレベル電圧(VL)は、配線L_Lを介して、表示部901の各画素PIXに供
給される。
線L_Yにデータ信号を出力する。ゲートドライバ902は、データ信号が書き込まれる
画素PIXを選択する走査信号をゲート線L_Xに出力する。
ング素子を有する。スイッチング素子がオンとなると、ソース線L_Yから画素PIXに
データ信号が書き込まれる。
構成する回路の制御信号を生成する回路を備える。
ライバ903の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。ゲートドライバ902の
制御信号として、スタートパルス(GSP)、クロック信号(GCLK)等があり、ソー
スドライバ903の制御信号として、スタートパルス(SSP)、クロック信号(SCL
K)等がある。例えば、制御回路910は、クロック信号(GCLK、SCLK)として
、周期が同じで位相がシフトされた複数のクロック信号を生成する。
)のソースドライバ903への出力を制御する。
ch)が入力され、該センサ信号に応じた画像信号への補正を行う。画像信号の補正は、
センサ信号に応じて異なるが、タッチに応じた画像処理を施すことになる。
904と呼ぶ。)を有する。D−A変換回路904は、画像信号をアナログ変換し、デー
タ信号を生成する。
910でデジタル信号に変換し、表示装置900へ出力する。
理し、その処理で得られた情報を元に、ソースドライバ903への画像信号の出力を制御
する機能を有する。そのため、制御回路910は、画像データを画像処理して、フレーム
毎の画像データから動きを検出する動き検出部911を備える。またセンサ信号が入力さ
れる場合は、センサ信号に従って画像データを元にした画像信号の補正を行うことになる
。
イバ903への画像信号の出力を継続する。逆に、動きが無いと判定されると、制御回路
910はソースドライバ903への画像信号の出力を停止する。また再度、動きが有ると
判定すると画像信号の出力を再開する。
示)を行うための第1のモードと、動きのない画像の表示(静止画表示)を行うための第
2のモードを切り替えて、表示部901の表示を制御することができる。第1のモードは
、例えば垂直同期信号(Vsync)が60Hzとすると、フレーム周波数を60Hz以
上とするモードである。また第2のモードは、例えば垂直同期信号(Vsync)が60
Hzとすると、フレーム周波数を60Hz未満とするモードである。
設定することが好ましい。例えば、動き検出部911において一定期間動きが無いと判定
され、ソースドライバ903への画像信号の出力を停止する場合、画素PIXに書き込ん
だ画像信号の階調に対応する電圧が低下することになる。そのため、同一画像の画像信号
の階調に対応する電圧を、フレーム周波数の周期毎に書き込む(リフレッシュするともい
う)ことが望ましい。このリフレッシュするタイミング(リフレッシュレートともいう)
は、例えばカウンタ回路920において垂直同期信号(VsyncのHレベルをカウント
して得られる信号)をもとに、一定期間毎に行う構成とすればよい。
信号(Vsync)の周波数が60Hzであるとすると、垂直同期信号(Vsync)の
Hレベルを60回カウントして得られるカウント信号(Count)をもとに、リフレッ
シュを行えばよい。リフレッシュレートを5秒間に1回の頻度とする場合、垂直同期信号
(Vsync)の周波数が60Hzであるとすると、垂直同期信号(Vsync)のHレ
ベルを300回カウントして得られるカウント信号(Count)をもとに、リフレッシ
ュを行えばよい。またカウンタ回路920は、タッチセンサ950から入力されるセンサ
信号が入力される場合、該センサ信号に応じて強制的に第2のモードから第1のモードに
切り換える構成としてもよい。
。例えば、動き検出方法としては、例えば、連続する2つフレーム間の画像データから差
分データを得る方法がある。得られた差分データから動きの有無を判断することができる
。また、動きベクトルを検出する方法等もある。
る。
行うことができるため、表示期間と平行してタッチ感知期間と設けることができる。その
ため、制御回路910で第1のモード又は第2のモードを切り換える構成であっても、タ
ッチセンサの動作を独立して制御可能である。また、表示装置900とタッチセンサ95
0の動作を同期させ、表示装置900のデータ信号の書き換え動作とタッチセンサ950
のセンシング動作を異なる期間に行うことでセンシングの感度を高めることができる。
図25(A)は、画素PIXの構成例を示す回路図である。画素PIXはトランジスタ
TR1、トランジスタTR2、発光素子EL、容量素子CAPを有する。
を制御するスイッチング素子として機能し、そのゲートに入力される走査信号によりオン
、オフが制御される。トランジスタTR2は、発光素子ELに流す電流を制御するための
スイッチング素子として機能する。
酸化物半導体を適用することが好ましい。
2つの電極間に流れる電流により、発光素子から発する発光の輝度が変化する。発光素子
の一方の電極は配線L_Lからローレベル電位が与えられ、他方の電極にはトランジスタ
TR2を介して配線L_Hからハイレベル電位が与えられる。
タTR、液晶素子LC、容量素子CAPを有する。
御するスイッチング素子であり、そのゲートに入力される走査信号によりオン、オフが制
御される。
ことが好ましい。
用により配向が変化する。液晶素子LCの2つの電極のうち、トランジスタTRを介して
ソース線L_Yに接続されている一方の電極が画素電極に相当し、Vcomが印加される
コモン線L_comに接続されている他方の電極がコモン電極に相当する。
極はトランジスタTRのソース又はドレインと接続され、容量素子の他方の電極は容量線
電圧が印加される容量線L_capと接続されている。
示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。
素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々
な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えばE
L(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子
、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、
トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子イ
ンク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイパ
ネル(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表
示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シ
ャッター)、MIRASOL(登録商標)、干渉変調(IMOD)素子、シャッター方式
のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレクトロウェッティング素子、
圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも
一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝
度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。EL素子を用いた表示
装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一
例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディ
スプレイ(SED:Surface−conduction Electron−emi
tter Display)などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液
晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディ
スプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク
又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半
透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部
、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極
の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、
その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これに
より、さらに、消費電力を低減することができる。
るアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方
式を用いることができる。
な能動素子を用いることができる。例えば、MIM(Metal Insulator
Metal)、又はTFD(Thin Film Diode)などを用いることも可能
である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向
上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を
向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開口率
を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。
以下、図26に示すタイミングチャートを用いて、動画表示を行う第1のモードと、静
止画表示を行う第2のモードによる表示を行うタッチパネル90の動作を説明する。図2
6には、垂直同期信号(Vsync)、およびソースドライバ903からソース線L_Y
に出力されるデータ信号(Vdata)の信号波形を示す。
のタッチパネル90のタイミングチャートである。ここでは、始めの1フレーム目からk
フレーム目までの画像データには動きがあるとする。次いで(k+1)フレーム目から(
k+3)フレーム目まで画像データには動きが無いとする。次いで(k+4)フレーム目
以降の画像データには動きがあるとする。なお、kは2以上の整数である。
があると判定される。従ってタッチパネル90は、第1のモードで動作する。制御回路9
10では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数f1と
して、画像信号(Video)をソースドライバ903に出力する。そしてソースドライ
バ903は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を連続的に行うものと
する。なお動画表示期間での1フレーム期間の長さは、1/f1(秒)で表される。
行い、第k+1フレーム目の画像データに動きが無いと判定する。従ってタッチパネル9
0は、第2のモードで動作する。制御回路910では、フレーム周波数を垂直同期信号の
周波数未満、ここではフレーム周波数f2として、ソースドライバ903に出力する。そ
してソースドライバ903は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を間
欠的に行うものとする。なお静止画表示期間での1フレーム期間の長さは、1/f2(秒
)で表される。
ため、ゲートドライバ902およびソースドライバ903への制御信号(スタートパルス
信号、クロック信号等)の供給も併せて間欠的に行えばよく、定期的にゲートドライバ9
02およびソースドライバ903を停止することができる。
ついて、具体的に説明する。一例としては、図26に示すように、第(k+1)フレーム
目になると、制御回路910は、ゲートドライバ902およびソースドライバ903へ制
御信号を出力し、フレーム周波数をf2としてソースドライバ903へ画像信号Vide
oを出力する。ソースドライバ903は、前の期間に書き込んだデータ信号(Vdata
)、すなわち第kフレーム目においてソース線L_Yに出力されたデータ信号(Vdat
a)をソース線L_Yに出力する。このようにして静止画表示期間では、前の期間に書き
込んだデータ信号(Vdata)が、期間1/f2(秒)毎に、ソース線L_Yに繰り返
し書き込まれる。そのため、同一画像の画像信号の階調に対応する電圧をリフレッシュす
ることができる。定期的にリフレッシュをすることで、電圧が低下して起こる階調のずれ
に起因するちらつき(フリッカー)を低減でき、表示品位の向上したタッチパネルとする
ことができる。
果、又はセンサ信号の入力が得られるまで、第2のモードで動作する。
があると判定すると、タッチパネル90は再び第1のモードで動作する。制御回路910
では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数f1として
、画像信号(Video)をソースドライバ903に出力する。そしてソースドライバ9
03は、データ信号(Vdata)のソース線L_Yへの出力を連続的に行うものとする
。
チセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることが
できる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッ
チセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用
することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。
み合わせて実施することができる。
離層(タングステン膜)を形成し、剥離層上にトランジスタ、発光素子などを含む被剥離
層を形成した後、作製基板と被剥離層を分離し、接着剤を用いて可撓性基板を当該被剥離
層に貼り付けることで作製した。
line Oxide Semiconductor)を用いたトランジスタを適用した
。CAAC−OSは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、CAAC−OSは結晶粒界が確認されないという特徴を有するた
め、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する発光装置を湾
曲させたときの応力によってCAAC−OS膜にクラックが生じにくい。
のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体である
nano−crystal(nc)など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが
確認されている。CAAC−OSは、単結晶よりも結晶性が低く、ncに比べて結晶性が
高い。
用いた。該トランジスタは、ガラス基板上で500℃未満のプロセスで作製した。
子の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例で
は、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラ
ス基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ
、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。
子はトップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを通して表示パネ
ルの外部に取り出される。
0、画素サイズが102μm×102μm、解像度が249ppi、開口率が45.2%
である。またフレーム周波数は60Hzであり、スキャンドライバを内蔵し、ソースドラ
イバはCOF方式により実装した。作製した表示パネルの厚さは100μm以下であり、
重量は約3gであった。
ネルの表示面が平面である状態であり、図27(B)は表示パネルを折り畳む途中の状態
であり、図27(C)は、表示パネルを折り畳んだ状態を示している。なお、明瞭化のた
め図27(B)(C)には符号等を省略している。
b、支持体142c、ヒンジ143a、ヒンジ143bを有する。また支持体142bは
、その両端の長さが変化する機構(スライド機構165)を有している。
態から、折り畳んだ状態へと表示パネル101が破損してしまうことなく容易に変形させ
ることができる。
て実施することができる。
101 表示パネル
101a 部分
101b 部分
101c 部分
102a 支持体
102b 支持体
102c 支持体
103 ヒンジ
103a ヒンジ
103b ヒンジ
110 ヒンジ
110a 平面
110b 平面
111 回転軸
111a 回転軸
111b 回転軸
120 電子機器
121 電極
122 電極
130 電子機器
140 電子機器
141 筐体
142a 支持体
142b 支持体
142c 支持体
143a ヒンジ
143b ヒンジ
144 プリント基板
145 操作ボタン
147 FPC
148 端子接続部
149 バッテリ
151a 回転軸
151b 回転軸
160 電子機器
161 筐体
162a 部材
162b 部材
162c 部材
163 ネジ
164 開口部
201 作製基板
203 剥離層
205 作製基板
207 剥離層
230 発光素子
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 封止層
367BM 遮光層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
501 表示部
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
510 基板
510a 絶縁層
510b 可撓性基板
510c 接着層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止層
567BM 遮光層
567p 反射防止層
567R 着色層
570 基板
570a 絶縁層
570b 可撓性基板
570c 接着層
580R 発光モジュール
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
801 基板
803 基板
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
811 接着層
813 絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
816 導電層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 トランジスタ
823 封止層
824 封止層
825 接続体
827 スペーサ
830 発光素子
831 下部電極
833 EL層
835 上部電極
841 接着層
843 絶縁層
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
90 タッチパネル
900 表示装置
901 表示部
902 ゲートドライバ
903 ソースドライバ
904 D−A変換回路
910 制御回路
911 検出部
920 カウンタ回路
950 タッチセンサ
Claims (1)
- 第1の支持体と、第2の支持体と、第1のヒンジと、表示パネルと、を有する電子機器であって、
前記表示パネルは、前記第1の支持体に支持される第1の部分と、前記第2の支持体に支持される第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分の間に位置し、可撓性を有する第3の部分と、を有し、
前記表示パネルは、前記第1の部分、前記第2の部分、及び前記第3の部分と重なる表示面を有し、
前記第1のヒンジは、第1の回転軸を有し、且つ前記第1の支持体と前記第2の支持体とを接続する機能を有し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とは、前記第1の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有し、
前記第1の部分と重なる前記表示面を含む第1の平面と、前記第1の回転軸とが平行であり、
前記第2の部分と重なる前記表示面を含む第2の平面と、前記第1の回転軸とが平行であり、
前記第1の平面と、前記第1の回転軸との距離が、0より大きく、
前記第2の平面と、前記第1の回転軸との距離が、0より大きい、
電子機器。
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