JPWO2015136411A1

JPWO2015136411A1 - 電子機器

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Publication number: JPWO2015136411A1
Application number: JP2016507110A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; 舜平山崎; 竹村　保彦; 保彦竹村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2014-03-12
Filing date: 2015-03-04
Publication date: 2017-04-06
Also published as: WO2015136411A1; JP6922036B2; JP2021185419A; US10228729B2; JP7148682B2; US20170023979A1; JP2020154328A

Abstract

透過型表示領域と非透過型表示領域を有するフレキシブル表示基板を有する電子機器であり、フレキシブル表示基板は一または複数の筐体に固定されている。筐体の一部は透明であり、透過型表示領域はこの透明な部分と重なる。また、非透過型表示領域は、筐体内に格納された演算処理装置やバッテリー等の不透明な部材と重なる。透過型表示領域と非透過型表示領域とで、表示内容や表示方式を使い分けることで、多彩な表示を実現できる。他の実施形態も請求される。

Description

１つの実施形態は、電子機器に関する。

携帯可能な電子機器（情報処理装置）が盛んに開発されている。

特開２０１２−１９０７９４号公報

新規な表示装置あるいは新規な表示装置を有する電子機器、情報処理装置又は、それらに関することを提供する。

第１の表示領域と第２の表示領域を有するフレキシブル表示基板と、演算処理装置と、筐体と、を有し、第１の表示領域は透過型表示領域であり、第２の表示領域は非透過型表示領域であり、演算処理装置はフレキシブル表示基板に画像信号を供給する機能を有し、筐体には演算処理装置が格納されていることを特徴とする電子機器である。

新規な表示装置あるいは表示装置を有する電子装置、又は、それらに関することを提供できる。

電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の断面構造の例を示す図。電子機器の製造工程例を示す図。電子機器の製造工程例を示す図。電子機器の製造工程例を示す図。フレキシブル表示基板の構造例を示す図。フレキシブル表示基板の構造例を示す図。フレキシブル表示基板の構造例を示す図。フレキシブル表示基板の構造例を示す図。

以下では、実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。また、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではなく、また、固有の名称を示すものでもない。

（実施の形態１）
開示される電子機器（表示装置を含む）は、透過型表示領域と非透過型表示領域を有するフレキシブル表示基板を有し、フレキシブル表示基板は一または複数の筐体に固定されている。筐体の一部は透明であり、透過型表示領域はこの透明な部分と重なるように設計されている。また、非透過型表示領域は、筐体内に格納された演算処理装置やバッテリー等の不透明な部材と重なるように設計されており、フレキシブル表示基板において表示をおこなう際に、前記第１の表示領域の背景が視認できるように設計されている。透過型表示領域と非透過型表示領域とで、表示内容や表示方式を使い分けることで、多彩な表示を実現できる。なお、透過型表示領域および非透過型表示領域は、いずれも表示装置を視認する際に、肉眼で認識できる程度の広がりを有する。

図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）に表示装置の例を示す。表示装置１００ａはフレキシブル表示基板１０１と、それに接続するフレキシブル印刷回路１０２（ＦＰＣ）とフレキシブル印刷回路１０２に接続するＩＣチップ１０３を有する。ＩＣチップ１０３は、表示装置１００ａに画像信号を供給する機能を有する。また、フレキシブル表示基板１０１には非透過型表示領域１０４と透過型表示領域１０５が設けられている。なお、一例では、非透過型表示領域１０４と透過型表示領域１０５はそれらの境界が互いに接している。

なお、非透過型表示とは、表示装置の向こう側の風景（背景）が表示時に全く視認できない表示方式である。例えば、表示していないときには、表示装置の向こう側の風景が視認できるが、表示中はほとんど視認できないような表示を含む。非透過型表示の例としては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置における、ボトムエミッション表示方式あるいはトップエミッション表示方式等がある。透過型表示とは、表示装置の向こう側の風景が、くっきりと、あるいは、ぼやけて、常時、あるいは一時的に視認できる表示方式である。例えば、表示中は、表示装置の向こう側の風景がほとんど視認できないが、表示していないときには視認できるような表示を含む。透過型表示の例としては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置における半透過型（シースルー）表示方法が挙げられる。

図１（Ａ）には、フレキシブル印刷回路１０２を展開した状態が示されている。図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）には、フレキシブル印刷回路１０２を折り畳んだ状態が示されている。図１（Ｂ）は、ＩＣチップ１０３がフレキシブル表示基板１０１の裏側にある状態を示し、図１（Ｃ）は、ＩＣチップ１０３が手前にある状態（すなわち、図１（Ｂ）をひっくり返した状態）を示す。ＩＣチップ１０３のような不透明物は、表示装置１００ａの動作に不可欠であるが、表示装置をコンパクトにするには、折り畳む必要がある。しかし、透過型表示領域１０５と重なるように折り畳むと、表示の妨げとなるので、一例では、透過型表示領域１０５と重ならないように折り畳む。一例では、非透過型表示領域１０４とＩＣチップ１０３が重なるように折り畳む。また、そのように折り畳めるように、非透過型表示領域１０４と透過型表示領域１０５とフレキシブル印刷回路１０２、ＩＣチップ１０３の配置を設定する。

図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）は他の表示装置の例を示す。表示装置１００ｂはフレキシブル表示基板１０１と、それに接続するフレキシブル印刷回路１０２とフレキシブル印刷回路１０２に接続するＩＣチップ１０３を有する。なお、ＩＣチップ１０３は、図２（Ａ）において、フレキシブル印刷回路１０２の裏側に設けられている。また、フレキシブル表示基板１０１には非透過型表示領域１０４ａと非透過型表示領域１０４ｂと透過型表示領域１０５が設けられている。なお、一例では、非透過型表示領域１０４ａと透過型表示領域１０５はそれらの境界が互いに接し、非透過型表示領域１０４ｂと透過型表示領域１０５はそれらの境界が互いに接している。

図２（Ａ）には、フレキシブル印刷回路１０２を展開した状態が示される。図２（Ｂ）には、フレキシブル印刷回路１０２を折り畳んだ状態が示される。図２（Ｃ）には、フレキシブル印刷回路１０２を折り畳んだ状態での表示装置１００ｂの断面の模式図を示す。図２（Ｃ）に示されるように、表示装置１００ｂはその端部が一定の曲率半径で湾曲させられる。図２（Ｂ）は、ＩＣチップ１０３がフレキシブル表示基板１０１の裏側にある状態を示す。この例では、ＩＣチップ１０３等の不透明物とフレキシブル表示基板１０１が重なる部分や、フレキシブル表示基板１０１同士が重なる部分は、透過型表示領域１０５とならないように、あるいは、そのような部分は、非透過型表示領域１０４ａあるいは、非透過型表示領域１０４ｂと重なるように折り畳む。ただ、そのような部分が完全に透過型表示領域１０５とならないようにする必要は無く、視認性に問題が生じない程度に、例えば、図２（Ｃ）に示されるように、左端のフレキシブル表示基板１０１同士が重なる部分の一部が、非透過型表示領域１０４ａとなってもよい。また、そのように折り畳めるように、非透過型表示領域１０４ａ、非透過型表示領域１０４ｂと透過型表示領域１０５とフレキシブル印刷回路１０２、ＩＣチップ１０３の配置を設定する。

図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は、上記のような表示装置を有する電子機器の例を示す。図３（Ａ）に示す電子機器１１０ａは第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂを有する。第１筐体１１１ａは、開口部１１２を有し、また、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂの接合部分には操作ボタン１１３が設けられる。第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂは、透明な部分を有し、それぞれの透明な部分は一部あるいは全部が互いに重なる。このため、透明な部分が重なる箇所では。第１筐体１１１ａ側から第２筐体１１１ｂの向こう側が視認可能である。第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂは組み合わされて一体となる。なお、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂの内部には、何らかの電子部品、ＩＣチップ、バッテリー、ボード（基板）等を有してもよく、これらの一部あるいは全部は、互いに電気的に接続される。

電子機器１１０ａでは、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂにフレキシブル表示基板１０１が固定される。フレキシブル表示基板１０１は、その上に設けられたＩＣチップ１０３ａとＩＣチップ１０３ｂを有する。一例では１つは画像信号を作成し、それをフレキシブル表示基板１０１に供給し、その表示を制御するためのものであり、他方は、その他の演算処理を行うものである。もちろん、これに限られない。また、３つ以上のＩＣチップが設けられてもよい。フレキシブル表示基板１０１は、表示装置１００ｂと同様に、非透過型表示領域１０４ａ、非透過型表示領域１０４ｂと透過型表示領域１０５を有する。

図３（Ｂ）は、フレキシブル表示基板１０１が、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂに固定された状態の電子機器１１０ａを示す。ＩＣチップ１０３ａとＩＣチップ１０３ｂは、開口部１１２に収納される。また、図２（Ｃ）で示したように、フレキシブル表示基板１０１同士が重なる部分（つまり、折り曲げられた端部）には、非透過型表示領域１０４ａ、非透過型表示領域１０４ｂが位置する。

図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）に示された電子機器１１０ａを裏返した状態を示す。フレキシブル表示基板１０１がＩＣチップ１０３ａとＩＣチップ１０３ｂ（すなわち開口部１１２）と重なる部分には、透過型表示領域１０５が位置する。

図４は、電子機器１１０ａの断面の例を示す。第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂの内部には、バッテリー１１５、透明充填剤１１６、ボード１１７等を有する。ＩＣチップ１０３ａ、ＩＣチップ１０３ｂはボード１１７に固定される。

図５（Ａ）及び図５（Ｂ）には、他の構造の電子機器１１０ｂの例を示す。電子機器１１０ｂは、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂを有し、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂは組み合わされて一体となる。また、電子機器１１０ｂは、一部が、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂに固定されたフレキシブル表示基板１０１を有する。

図５（Ａ）はフレキシブル表示基板１０１を展開したところ、図５（Ｂ）はフレキシブル表示基板１０１を収納したところを示す。フレキシブル表示基板１０１は、非透過型表示領域１０４と透過型表示領域１０５を有する。

一例では、第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂの一部あるいは全部は不透明であり、非透過型表示領域１０４のほとんどの部分は、第１筐体１１１ａに重なるように固定される。また、一例では、非透過型表示領域１０４のほとんどの部分が、第１筐体１１１ａに固定される。一方、透過型表示領域１０５は、第１筐体１１１ａや第２筐体１１１ｂと常に固定されているわけではない。

図６は、電子機器１１０ｂの断面の例を示す。第１筐体１１１ａと第２筐体１１１ｂの内部に、ＩＣチップ１０３ｂ、ＩＣチップ１０３ｃ、ＩＣチップ１０３ｄ、バッテリー１１５、ボード１１７ａ、ボード１１７ｂ、電子部品１１８等を有する。電子機器１１０ａの場合と同様に、ＩＣチップ１０３ｂは、第１筐体１１１ａの開口部に収納され、ボード１１７ａに固定される。

図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）には、他の構造の電子機器１１０ｃの例を示す。電子機器１１０ｃは、第１筐体１１１ｃと第２筐体１１１ｄを有し、第１筐体１１１ｃと第２筐体１１１ｄは、軸支持部１２１ａと軸支持部１２１ｂで接続され、開閉できるようになっている。また、電子機器１１０ｃは、一部が、第１筐体１１１ｃと第２筐体１１１ｄに固定されたフレキシブル表示基板１０１を有する。フレキシブル表示基板１０１は、非透過型表示領域１０４と透過型表示領域１０５を有する。軸支持部１２１ａと軸支持部１２１ｂの間には軸１１９が設けられ、フレキシブル表示基板１０１は、軸１１９にそって折り曲げられる。そのため、フレキシブル表示基板１０１が、極端に小さな曲率半径で折られることによる破損を防止することができる。なお、一例では、第２筐体１１１ｄには、軸１１９の直径と同程度の高さのストッパー１２０が設けられる。ストッパー１２０と第１筐体１１１ｃとの間を安定に固定するため、マグネット式あるいは機械式の固定具を設けてもよい。

図７（Ａ）は電子機器１１０ｃを展開したところ、図７（Ｂ）は電子機器１１０ｃを折り畳んだ状態を示す。また、図７（Ｃ）は、電子機器１１０ｃを折り畳んだ状態の断面の様子を示す。

一例では、第１筐体１１１ｃは、一部あるいは全部が透明であり、第２筐体１１１ｄの一部あるいは全部は不透明である。非透過型表示領域１０４のほとんどの部分は、第２筐体１１１ｄに重なるように配置され、透過型表示領域１０５のほとんどの部分は、第１筐体１１１ｃに重なるように配置される。

例えば、第１筐体１１１ｃが全面的に透明であり、また、透過型表示領域１０５が、デュアルエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置により構成されているとすれば、電子機器１１０ｃを折り畳んだ状態であっても、透過型表示領域１０５に画像を表示させることにより、第１筐体１１１ｃ越しに画像を視認することができる。あるいは、透過型表示領域１０５が、デュアルエミッション型の表示装置により構成されていなかったとしても、非透過型表示領域１０４に表示させることにより、透過型表示領域１０５及び第１筐体１１１ｃを通して、画像を視認することができる。

したがって、表示画面が小さくてもよい場合は、電子機器１１０ｃを折り畳んだ状態で使用し、より大きな表示画面が必要な場合は、電子機器１１０ｃを展開して使用することができる。

図８乃至図１０には別の構成の電子機器を示す。図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）に電子機器１１０ｄの概念図を示す。図８（Ａ）は電子機器１１０ｄを展開した状態を示す。図８（Ｂ）は電子機器１１０ｄを展開した状態又は折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態を示す。図８（Ｃ）は電子機器１１０ｄを折り畳んだ状態を示す。電子機器１１０ｄは非透過型表示領域１０４ａ、非透過型表示領域１０４ｂと透過型表示領域１０５を有するフレキシブル表示基板１０１を有する。図９は電子機器１１０ｄを展開した状態における、電子機器１１０ｄの積層構造を示す。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は電子機器１１０ｄを折り畳んだ状態であり、図８（Ｃ）のＣＤ断面を示す。

電子機器１１０ｄには、電子機器１１０ｄの状態（折り曲がっているか、展開しているか等）を通知・検知するためのスイッチやセンサ（図示せず）などの手段を設けてもよい。そして、図８（Ｃ）に示すように、電子機器１１０ｄを折り畳んだ状態においては、最上面の領域と、その領域につながる側面の領域（即ち、図面において最上面の表示領域の右側の側面領域）のみを選択的に表示領域として使用し、残りの部分には表示領域として使用しないような駆動を行ってもよい。これにより折り畳んだ状態において余計な電力を消費することを避けることができる。

図９に示すように、フレキシブル表示基板１０１の下側（裏側）には、表示パネルを支持する第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉがある。これらの筐体は、内部に回路や電子部品、バッテリーなどを格納することが可能である。また、筐体は打撃や落下などによる衝撃から表示パネル又は内部に格納した回路や電子部品を保護する機能を持たすために、メタル、樹脂、ゴムなどの材料もしくはこれの組み合わせなどにより構成してもよい。また、第３筐体１１１ｇは可視光に透明な材料（可視光の各波長に対して平均透過率が５０％以上の材料）で構成する。

フレキシブル表示基板１０１の周辺部の上側（表示面側）には、第２筐体１１１ｆ、第４筐体１１１ｈ、第６筐体１１１ｊが設けられている。フレキシブル表示基板１０１は、下側の筐体（第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉ）と対応する上側の筐体（第２筐体１１１ｆ、第４筐体１１１ｈ、第６筐体１１１ｊ）の間に挟まれるように支持されている。第２筐体１１１ｆ、第４筐体１１１ｈ、第６筐体１１１ｊの材料は、第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉと同じ材料を使ってもよい。

各筐体は接着剤やネジなどの固定手段により固定されていてもよいが、これらの部材は同じ材料で形成して一つの材料として構成してもよい。その場合、フレキシブル表示基板１０１を保持するための隙間を設け、そこに挟み込むような構成としてもよい。また、図１０（Ａ）に示すように側部フレーム材１２４ａ、側部フレーム材１２４ｂを設けてもよい。側部フレーム材１２４ａ、側部フレーム材１２４ｂは、金属、樹脂、ゴムなどの材料を用いてもよい。

折り曲げ部における曲率半径は、１ｍｍ以上かつ１００ｍｍ以下としてもよい。

第１筐体１１１ｅと第５筐体１１１ｉの少なくとも一方には制御部、電源部、蓄電池、又はアンテナなどの回路や電子部品が格納されている。これらの回路や電子部品と表示パネルの接続はフレキシブル印刷回路１０２を用いてもよい。

電子機器１１０ｄでは、表示パネルと第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉの間に透明なフレキシブル基板１２２ａを設ける。フレキシブル基板１２２ａはフレキシブル表示基板１０１と概略同じ大きさを持ち、第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉの間を連結する役割も持つ。フレキシブル表示基板１０１から延びるフレキシブル印刷回路１０２を第１筐体１１１ｅ、第３筐体１１１ｇ、第５筐体１１１ｉに接続するためにフレキシブル基板１２２ａの一部を切り取ってもよいし、フレキシブル基板１２２ａをフレキシブル表示基板１０１より少し小さくしてもよい。フレキシブル基板１２２ａの材料は樹脂やゴムなどを用いてもよい。これにより、折り曲げ部の機械的強度を補強することができる。また、フレキシブル基板１２２ａの内部や表面には第１筐体１１１ｅや第５筐体１１１ｉに設けられた回路や電子部品同士を接続するための配線が設けられてもよい。

表示パネルと第２筐体１１１ｆ、第４筐体１１１ｈ、第６筐体１１１ｊの間にフレキシブル基板１２２ｂを設けてもよい。図９に示されるように、フレキシブル基板１２２ｂは、中央の部分が切り取られているが、透明な材料で構成される場合は、フレキシブル基板１２２ａと同様な構造でもよい。なお、フレキシブル基板１２２ａ及びフレキシブル基板１２２ｂの両方もしくは一方を省略してもよい。

フレキシブル表示基板１０１にはフレキシブル印刷回路１０２が接続され、第１筐体１１１ｅや第５筐体１１１ｉに設けられた制御部１２５などに接続されている。これに限定する必要はないが、フレキシブル印刷回路１０２は第１筐体１１１ｅや第５筐体１１１ｉに設けられた開口部１２３を通して筐体内に設けられた駆動回路に接続されてもよい。

図１０（Ｂ）に示す電子機器１１０ｅは変形例であり、第３筐体１１１ｇを第１筐体１１１ｅや第５筐体１１１ｉに較べて薄くした状態を示す。

なお、電子機器１１０ｄ、電子機器１１０ｅは、折り曲げる部分が２箇所の三つ折りに限定される必要はなく、例えば、折り曲げる部分を１箇所、３箇所、４箇所等にして、二つ折り、４つ折り、５つ折り等にすることも可能である。また、電子機器１１０ｄ、電子機器１１０ｅを折り畳む方法も実施の形態に限定されるものではなく、例えば、左ではなく一番右の部分が最上面になるようにしてもよいし、中央の部分が最上面に折り畳むことも可能である。

電子機器の他の構成について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。

図１１は電子機器１１０ｆの表示部が展開された状態を説明する６面図である。

図１２は電子機器１１０ｆの表示部が折り畳まれた状態を説明する図であり、図１２（Ａ）は６面図、図１２（Ｂ）は切断線Ａ−Ａ’における断面図である。

フレキシブル表示基板１０１は、非透過型表示領域１０４ａ、透過型表示領域１０５、非透過型表示領域１０４ｂがこの順で配置され、非透過型表示領域１０４ａと透過型表示領域１０５の間に形成される第１の畳み目および透過型表示領域１０５と非透過型表示領域１０４ｂの間に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる表示部を有する（図１１および図１２参照）。

また、電子機器１１０ｆは、電源電位を供給され画像情報を供給する演算装置が装着されたボード１１７、電源電位を供給するバッテリー１１５並びにそれらを収納する筐体１１１を有する（図１２（Ｂ）参照）。

画像情報が供給されたフレキシブル表示基板１０１は画像情報を表示する。

フレキシブル表示基板１０１は、筐体１１１の側面に沿って屈曲するように設けられ、電子機器１１０ｆの側面および背面に画像情報を表示することができる（図１２（Ａ）参照）。なお、非透過型表示領域１０４ｂのほとんどの部分は筐体１１１に固定されている。

フレキシブル表示基板１０１は、非透過型表示領域１０４ａ、透過型表示領域１０５、非透過型表示領域１０４ｂの外側に額縁１２６（非表示領域）を有していてもよい。額縁１２６には表示素子が配置されていなくてもよいし、表示素子が配置されていてもよい。後者の場合には、非表示となるような画像信号が供給されてもよい。

また、非透過型表示領域１０４ａ、透過型表示領域１０５、非透過型表示領域１０４ｂにタッチセンサを重ねて設けることができる。タッチセンサが重ねて設けられた表示部はタッチパネルということができる。

タッチパネルは位置情報を供給することができ、演算装置はタッチパネルより位置情報を供給される。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
図１３に、上記の実施の形態でフレキシブル表示基板１０１に用いることのできる表示装置２００を示す。もちろん、フレキシブル表示基板１０１にはその他の構造の装置を用いることもできる。表示装置２００は、フレキシブル基板２０１とフレキシブル基板２１０が接着層２１３で接合された構造を有する。なお、フレキシブル基板２０１は、全体としてフレキシブルであればよく、例えば、有機樹脂フィルムに無機絶縁膜が形成されたものであってもよい。フレキシブル基板２１０も同様である。

フレキシブル基板２０１には、画素２０２（図１３では、画素２０２（１）と画素２０２（２）を示す。）が設けられる。画素２０２は、トランジスタ２０３と、それに接続する透明電極２０６を有する。また、透明電極を覆って、発光材料層２０８、電極層２０９が設けられる。画素２０２間は隔壁２０７により電気的に分離できる。なお、フレキシブル基板２０１上には、絶縁層２０５等の絶縁層も設けられる。

なお、画素２０２（１）は反射型の画素であり、画素２０２（１）にある発光材料層２０８からの発光は、反射層２０４により反射されるため、フレキシブル基板２１０側からのみ視認できる。一方、画素２０２（２）は透過型の画素であり、画素２０２（２）にある発光材料層２０８からの発光は、フレキシブル基板２０１側及びフレキシブル基板２１０側のいずれからも視認できる。また、画素２０２（２）にある発光材料層２０８が発光していない、あるいは、発光強度が低い場合には、フレキシブル基板２０１を通してフレキシブル基板２１０の向こう側の風景を視認できる。

フレキシブル基板２１０には遮光層２１１、カラーフィルタ２１２が設けられる。なお、透過型の画素（画素２０２（２）等）では、遮光層２１１の占有面積は最小限とするとよい。また、遮光層２１１とカラーフィルタ２１２が重ならない領域を設けるとよい。なお、遮光層２１１あるいはそれと同等な機能を有する物体は、フレキシブル基板２０１側に設けてもよい。例えば、トランジスタ２０３を覆うような金属膜のパターンを設けて、これを遮光層とすることでトランジスタ２０３に外光が入射しない構造とできる。この金属膜のパターンを適切な電位に保持すること、あるいは、信号を印加することで、トランジスタ２０３の特性を向上させることもできる。

反射型の画素は図１３の画素２０２（１）に限られない。図１４（Ａ）乃至図１４（Ｃ）は反射型の画素の他の例を示す。図１４（Ａ）に示す画素は、反射電極２１４を透明電極２０６と発光材料層２０８の間に設けたものである。図１４（Ｂ）に示す画素は、図１３の反射層２０４と発光材料層２０８の間にある絶縁層２０５や透明電極２０６を設けない構造のものである。図１４（Ｃ）に示す画素は、図１３の反射層２０４と発光材料層２０８の間にある絶縁層２０５を設けない構造のものである。

トランジスタ２０３の構造の例について、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）を用いて説明する。図１３及び図１４（Ａ）に示した画素に用いられるトランジスタ２０３は、図１５（Ａ）に示す構造を有する。トランジスタ２０３はゲート配線２１５、絶縁層２１６（層間絶縁物やゲート絶縁物として機能する）、半導体層２１７、電極２１８、電極２１９を有し、絶縁層２０５に設けられた孔を通して、電極２１８が透明電極２０６に接続する。図１４（Ｂ）や図１４（Ｃ）に示す画素に用いるには、絶縁層２０５を設けなければよい。また、図１５（Ｂ）に示すトランジスタ２０３ａのように第２ゲート配線２２０を設けてもよい。なお、画素に用いられるトランジスタの構造はこれらに限定されない。

図１６（Ａ）は他の構造の画素の例を示す。ここに示す画素は、フレキシブル基板２２１上に設けられたトップゲート型のトランジスタ２２２とそれを覆う絶縁層２２３、絶縁層２２３上の反射層２２４とそれを覆う絶縁層２２５、絶縁層２２５上に設けられ、トランジスタ２２２と接続する透明電極２２６、透明電極２２６上に選択的に設けられる隔壁２２７、透明電極２２６と隔壁２２７の上に設けられる発光材料層２２８と電極層２２９を有する。

トランジスタ２２２の構造の詳細例は、図１６（Ｂ）に示される。トランジスタ２２２は、ゲート配線２３０、絶縁層２３１、半導体層２３２、絶縁層２３１と絶縁層２２３に設けられた孔を介して半導体層２３２に接続する電極２３３と電極２３４を有する。

次に、図１７（Ａ）乃至図１７（Ｄ）、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｃ）、図１９（Ａ）乃至図１９（Ｃ）を用いて、上記の実施の形態で示した電子機器１１０ａ乃至電子機器１１０ｆのいずれかを作製する方法を説明する。

図１７（Ａ）に示すように、第１の基板２５１の上に第１の剥離層２５２を形成し、その上に第１の素子層２５３を形成する。第１の素子層２５３には、薄膜トランジスタ等の能動素子や発光ダイオード等の表示素子、画素電極、カラーフィルタ、遮光層等を有する素子層が形成されてもよい。また、第１の素子層２５３の上にも何らかの層や膜が設けられてもよい。

第１の基板２５１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。

第１の基板２５１にガラス基板を用いる場合、第１の基板２５１と第１の剥離層２５２との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、第１の基板２５１からの汚染を防止できる。

第１の剥離層２５２としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、これらの元素を含む合金材料、又はこれらの元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

第１の剥離層２５２は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

第１の剥離層２５２が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、第１の剥離層２５２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素、あるいはこれらのガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、第１の剥離層２５２の表面状態を変えることにより、第１の剥離層２５２とその上に形成される第１の素子層２５３等との密着性を制御することが可能である。

なお、第１の素子層２５３と第１の剥離層２５２との間に無機絶縁層を設けてもよい。無機絶縁層としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多層で形成することが好ましい。無機絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

一方、第２の基板２５５の一表面に第２の剥離層２５７を形成し、さらに、第２の素子層２５６を形成する。第２の基板２５５としては、第１の基板２５１と同様なものを用いればよいが、第２の素子層２５６形成の際の処理温度が高い場合には、処理温度に耐えられるものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱性が得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。第２の剥離層２５７としては、第１の剥離層２５２と同様な材料を用いることができる。

第２の基板２５５にガラス基板を用いる場合、第２の基板２５５と第２の剥離層２５７との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、第２の基板２５５からの汚染を防止できる。

なお、第２の素子層２５６と第２の剥離層２５７との間に無機絶縁層を設けてもよい。無機絶縁層としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多層で形成することが好ましい。無機絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

第２の素子層２５６には、薄膜トランジスタ等の能動素子や発光ダイオード等の表示素子、画素電極、カラーフィルタ、遮光層等を形成してもよい。第２の素子層２５６の上には第１の接着層２５４を形成し、図１７（Ｂ）のように、第１の基板２５１の第１の素子層２５３に貼り付ける。なお、第１の素子層２５３の上に何らかの素子を有する層が形成されている場合には、その層に貼り付ける。

第１の接着層２５４には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。なお、水分や大気にさらされると劣化する材料等が第２の素子層２５６に含まれている場合には第１の接着層２５４で封止できる。

以上の結果、図１７（Ｃ）に示すように、第１の基板２５１と第２の基板２５５が間に第２の素子層２５６を挟んで接合される。

その後、図１７（Ｄ）に示すように、第２の剥離層２５７で、第２の基板２５５を第１の基板２５１から剥離する（第１の剥離工程）。

剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、第２の剥離層２５７として、第２の素子層２５６と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、第２の素子層２５６を第２の基板２５５から剥離することができる。あるいは、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することもできる。

また、第２の基板２５５と第２の素子層２５６の間に、第２の剥離層２５７として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合は、エッチングにより非晶質珪素膜を除去することで、第２の素子層２５６を第２の基板２５５から剥離することができる。

さらには、第２の剥離層２５７として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、第２の剥離層２５７にレーザ光を照射して第２の剥離層２５７に含有される窒素、酸素や水素をガスとして放出させ第２の素子層２５６と第２の基板２５５との剥離を促進する方法を用いてもよい。

また、第２の素子層２５６が形成された第２の基板２５５を機械的に削除する方法や溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、第２の剥離層２５７を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離を行うことができる。例えば、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる第２の剥離層２５７へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる第２の剥離層２５７の機械的な削除を行い、第２の剥離層２５７と第２の素子層２５６とを剥離しやすい状態にしてから、機械等による物理的な力によって剥離を行うこともできる。

また、第２の剥離層２５７と第２の素子層２５６との界面に液体を浸透させて第２の基板２５５から第２の素子層２５６を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、第２の剥離層２５７をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により第２の剥離層２５７をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、第２の基板２５５と第２の素子層２５６の界面で剥離が可能な場合には、第２の剥離層２５７を設けなくてもよい。例えば、第２の基板２５５としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に第２の素子層２５６を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、第２の基板２５５と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、第２の基板２５５と有機樹脂の間に金属層を設け、金属層に電流を流すことで金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

図１８（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２５９の一表面に第２の接着層２５８を形成する。一方、第２の基板２５５から剥離された第２の素子層２５６の表面を洗浄し、第２の剥離層２５７の残渣等を除去してから、第１のフレキシブル基板２５９を接合する。第２の接着層２５８は、第１の接着層２５４と同様な材料を用いればよい。第１のフレキシブル基板２５９は、各種の有機樹脂材料を用いればよい。

第１の基板２５１と第１のフレキシブル基板２５９が接合されたものを接合基板２５０と呼ぶ（図１８（Ｂ）参照）。接合基板２５０は、第１の基板２５１、第１の剥離層２５２、第１の素子層２５３、第１の接着層２５４、第２の素子層２５６、第２の接着層２５８、第１のフレキシブル基板２５９を有する。

図１８（Ｃ）に示すように、第１のフレキシブル基板２５９が吸着チャック２６０に接するように接合基板２５０を吸着チャック２６０上に配置し、これを吸着固定させる。

図１９（Ａ）に示すように、第１の基板２５１の一端を持ち上げると、第１の基板２５１と第１のフレキシブル基板２５９が、第１の剥離層２５２付近で分離する（第２の剥離工程）。

第１の素子層２５３上の表面の第１の剥離層２５２の残差を除去し、さらに、第１の素子層２５３上に第３の接着層２６１を形成する。第３の接着層２６１に用いる材料は、第１の接着層２５４あるいは第２の接着層２５８と同様なものでよい。そして、図１９（Ｂ）に示されるように、第２のフレキシブル基板２６２を第３の接着層２６１に接合する。このようにして、第１のフレキシブル基板２５９と第２のフレキシブル基板２６２が貼り合わされ、フレキシブル表示基板２６３が得られる。吸着チャック２６０上で、フレキシブル表示基板２６３にフレキシブル印刷回路やＩＣチップ等を取り付けてもよい。

吸着チャック２６０の真空を解除すると、フレキシブル表示基板２６３を吸引する力が失われるので、これを取り出すことができる。その後、さらに、フレキシブル表示基板２６３に加工を施してもよい。

上記の例で、第１のフレキシブル基板２５９と第２のフレキシブル基板２６２はともにフレキシブルな材料であるため、張り合わせ等の加工の際に、位置あわせの不良等が生じやすい。これに対し、上記に示した方法では、第１のフレキシブル基板２５９を吸着チャック２６０の上に固定した状態で第２のフレキシブル基板２６２を張り合わせることで、位置あわせの精度が増し、不良品の発生を抑制できる。なお、上記では、真空吸着を利用したが、その他の方法の吸着方法を用いてもよい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１あるいは実施の形態２で説明した電子機器の一部に用いることのできるフレキシブル表示基板や表示素子（発光素子）の構造について図２０乃至図２３を用いて説明する。

図２０（Ａ）にフレキシブル表示基板３００装置の平面図を示し、図２０（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面模式図の一例を図２０（Ｂ）に示す。フレキシブル表示基板３００は透過型表示領域３０３ａと非透過型表示領域３０３ｂと駆動回路部３０４を有する。

図２０（Ｂ）に示すフレキシブル表示基板３００は、図２０（Ｂ）に示すように、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５、遮光層３２６、カラーフィルタ３２７及び絶縁層３２８を有する。素子層３０１は、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、隔壁３１５、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。

導電層３０７は、接続体３１８を介してフレキシブル印刷回路３０５と電気的に接続する。

発光素子３２０は、下部電極３２１、発光材料層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１は、トランジスタ３２４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極３２１の端部は、隔壁３１５で覆われている。発光素子３２０はトップエミッション表示方式のための構造を有する。上部電極３２３は透光性を有し、発光材料層３２２が発する光を透過する。

発光素子３２０と重なる位置に、カラーフィルタ３２７が設けられ、隔壁３１５と重なる位置に遮光層３２６が設けられている。カラーフィルタ３２７及び遮光層３２６は絶縁層３２８で覆われている。発光素子３２０と絶縁層３２８の間は接着層３１７で充填されている。

フレキシブル表示基板３００は、駆動回路部３０４に、複数のトランジスタを有する。トランジスタは、絶縁層３１１上に設けられている。絶縁層３１１とフレキシブル基板３０８は接着層３１０によって貼り合わされている。絶縁層３１１や接着層３２５に透水性の低い材料を用いると、発光素子３２０やトランジスタ３２４に水等の不純物が侵入することを抑制でき、フレキシブル表示基板の信頼性が高くなるため好ましい。

フレキシブル表示基板の作製方法の例を以下に述べる。耐熱性の高い作製基板（第１の作製基板）上で絶縁層３１１やトランジスタ３２４、発光素子３２０を作製し、また、別の耐熱性の高い作製基板（第２の作製基板）上で、カラーフィルタ３２７及び遮光層３２６を作製する。そして、第１の作製基板と第２の作製基板を、接着層３１７を用いて貼り合せた後、第１の作製基板をはがし、接着層３１０を用いて、絶縁層３１１やトランジスタ３２４、発光素子３２０の上にフレキシブル基板３０８を貼り合せる。また、第２の作製基板をはがし、接着層３２５を用いて、カラーフィルタ３２７及び遮光層３２６の上にフレキシブル基板３０２を貼り合せる。このようにして、フレキシブル表示基板を作製できる。

フレキシブル基板に、透水性が高く耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板を高温にすることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板はフレキシブルではないものの、耐熱性が十分に高いのでトランジスタ等の作製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それらをフレキシブル基板３０８に貼り付けることで、信頼性の高いフレキシブル表示基板を作製できる。これにより、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高いフレキシブル表示基板を実現できる。

フレキシブル基板３０２及びフレキシブル基板３０８には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、フレキシブル基板３０２を有機樹脂基板とし、フレキシブル基板３０８を薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすることで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくいフレキシブル表示基板を実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、フレキシブル表示基板の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

また、フレキシブル基板３０８に、熱放射率が高い材料を用いるとフレキシブル表示基板の表面あるいは内部の温度が高くなることを抑制でき、フレキシブル表示基板の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、フレキシブル基板３０８を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

図２１（Ａ）にフレキシブル表示基板における非透過型表示領域３０３ｂの別の例を示す。図２１（Ａ）のフレキシブル表示基板は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各例では、上記例と同様の構成については説明を省略する。

図２１（Ａ）に示すフレキシブル表示基板は、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５、遮光層３２６、カラーフィルタ３２７、絶縁層３２８、複数の受光素子、導電層３３８、導電層３３９、絶縁層３４０、絶縁層３４２及び絶縁層３４４を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、隔壁３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。

ここでは、隔壁３１５上にスペーサー３１９を有する。スペーサー３１９を設けることで、フレキシブル基板３０２とフレキシブル基板３０８の間隔を調整することができる。

図２１（Ａ）では、接着層３２５及び接着層３１７の間に受光素子を有する例を示す。フレキシブル基板３０８側の非発光領域（例えばトランジスタ３２４や配線が設けられた領域）に重ねて受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開口率を低下させることなくフレキシブル表示基板にタッチセンサを設けることができる。

フレキシブル表示基板が有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層３３０、ｉ型半導体層３３２、及びｎ型半導体層３３４を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。

なお、ｉ型半導体層３３２は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純物がそれぞれ１×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００倍以上である。ｉ型半導体層３３２には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元素を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層３３２は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的に添加されたものをその範疇に含む。

遮光層３２６は、フレキシブル基板３０２に近い面側で受光素子と重なる。受光素子と接着層３１７との間に位置する遮光層３２６によって、発光素子３２０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。

導電層３３８及び導電層３３９は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層３３８は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層３３９は、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。

光学式タッチセンサをフレキシブル基板３０２と接着層３１７の間に有すると、発光素子３２０の発光の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。

図２１（Ｂ）に本フレキシブル表示基板における非透過型表示領域３０３ｂの別の例を示す。図２１（Ｂ）のフレキシブル表示基板は、タッチ操作が可能な発光装置である。

図２１（Ｂ）に示すフレキシブル表示基板は、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５、遮光層３２６、カラーフィルタ３２７を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４ａ、絶縁層３１４ｂ、隔壁３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、複数の受光素子、導電層３３７及び導電層３３８を有する。

図２１（Ｂ）では、絶縁層３１１及び接着層３１７の間に受光素子を有する例を示す。受光素子を絶縁層３１１及び接着層３１７の間に設けることで、トランジスタ３２４を構成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させることなく、タッチ操作が可能なフレキシブル表示基板を作製できる。

図２２（Ａ）にフレキシブル表示基板の別の例を示す。図２２（Ａ）のフレキシブル表示基板は、タッチ操作が可能な発光装置である。

図２２（Ａ）に示すフレキシブル表示基板は、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５、遮光層３２６、カラーフィルタ３２７、導電層３３１、導電層３３３、絶縁層３３５、絶縁層３３６を有する。素子層３０１は、導電層３０６、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、隔壁３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、導電層３４３及び導電層３４５を有する。

図２２（Ａ）では、接着層３２５及び接着層３１７の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層３３１及び導電層３３３を有する。

導電層３０６及び導電層３０７は、接続体３１８を介してフレキシブル印刷回路３０５と電気的に接続する。導電層３４３及び導電層３４５は、導電性粒子３４１を介して導電層３３３と電気的に接続する。したがって、フレキシブル印刷回路３０５を介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。

図２２（Ｂ）にフレキシブル表示基板の別の例を示す。図２２（Ｂ）のフレキシブル表示基板は、タッチ操作が可能な発光装置である。

図２２（Ｂ）に示すフレキシブル表示基板は、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５、遮光層３２６、カラーフィルタ３２７、導電層３２９、導電層３３１、導電層３３３、絶縁層３３５、及び絶縁層３３６を有する。素子層３０１は、導電層３０６、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、隔壁３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。

図２２（Ｂ）では、接着層３２５及び接着層３１７の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層３３１及び導電層３３３を有する。

導電層３０６及び導電層３０７は、接続体３１８ａを介してフレキシブル印刷回路３０５ａと電気的に接続する。導電層３２９は、接続体３１８ｂを介してフレキシブル印刷回路３０５ｂと電気的に接続する。したがって、フレキシブル印刷回路３０５ａを介して発光素子３２０やトランジスタ３２４を駆動し、フレキシブル印刷回路３０５ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。

図２３（Ａ）にフレキシブル表示基板における非透過型表示領域３０３ｂの別の例を示す。

図２３（Ａ）に示す非透過型表示領域３０３ｂは、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０９、接着層３１７よりなり、素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、導電層３１３、絶縁層３１４ａ、絶縁層３１４ｂ、隔壁３１５、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、及びカラーフィルタ３２７を有する。

発光素子３２０は、下部電極３２１、発光材料層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１は、導電層３１３を介してトランジスタ３２４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極３２１の端部は、隔壁３１５で覆われている。発光素子３２０はボトムエミッション表示方式のための構造を有する。下部電極３２１は透光性を有し、発光材料層３２２が発する光を透過する。

発光素子３２０と重なる位置に、カラーフィルタ３２７が設けられ、発光素子３２０が発する光は、カラーフィルタ３２７を介してフレキシブル基板３０２側に取り出される。発光素子３２０とフレキシブル基板３０９の間は接着層３１７で充填されている。フレキシブル基板３０９は、前述のフレキシブル基板３０８と同様の材料を用いて作製できる。

図２３（Ｂ）に示すフレキシブル表示基板は、素子層３０１、フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０９、接着層３１７を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、隔壁３１５、導電層３１６、発光素子３２０を含む複数の発光素子、導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂを有する。

導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂは、フレキシブル表示基板の外部接続電極であり、フレキシブル印刷回路等と電気的に接続させることができる。

発光素子３２０は、下部電極３２１、発光材料層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１の端部は、隔壁３１５で覆われている。発光素子３２０はボトムエミッション表示方式のための構造を有する。下部電極３２１は透光性を有し、発光材料層３２２が発する光を透過する。導電層３１６は、下部電極３２１と電気的に接続する。

フレキシブル基板３０２に、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を接合してもよい。例えば、フレキシブル基板３０２上に上記レンズやフィルムを、フレキシブル基板３０２又は上記レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層３１６は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極３２１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極３２３と電気的に接続する導電層を隔壁３１５上に設けてもよい。

導電層３１６は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層３１６の膜厚は、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、代表的には、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

上部電極３２３と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、発光材料層３２２が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

次に、フレキシブル表示基板に用いることができる材料等を説明する。フレキシブル基板３０２、フレキシブル基板３０８、フレキシブル基板３０９、及び接着層３１０、接着層３１７、接着層３２５については実施の形態２の第１のフレキシブル基板２５９、第２のフレキシブル基板２６２、第１の接着層２５４、第２の接着層２５８、第３の接着層２６１等の記載を参酌できるため説明を省略する。

フレキシブル表示基板が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。又は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

フレキシブル表示基板が有する発光素子は、下部電極３２１、上部電極３２３とそれらの間に設けられた発光材料層３２２とを有する。下部電極３２１、上部電極３２３の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。

発光素子は、トップエミッション表示方式、ボトムエミッション表示方式、デュアルエミッション表示方式のいずれかの方式で発光する。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。例えば、図２０（Ａ）のフレキシブル表示基板３００の透過型表示領域３０３ａには、デュアルエミッション表示方式で発光する発光素子を、非透過型表示領域３０３ｂには、トップエミッション表示方式、ボトムエミッション表示方式で発光する発光素子を設けるとよい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

下部電極３２１及び上部電極３２３の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、発光材料層３２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は発光材料層３２２において再結合し、発光材料層３２２に含まれる発光物質が発光する。

発光材料層３２２は少なくとも発光層を有する。発光材料層３２２は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

発光材料層３２２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光材料層３２２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

絶縁層３１１、絶縁層３１２には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高いフレキシブル表示基板を実現できるため好ましい。

絶縁層３１２は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。絶縁層３１２としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３１４、絶縁層３１４ａ、及び絶縁層３１４ｂとしては、それぞれ、トランジスタ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積層させてもよい。

隔壁３１５は、下部電極３２１の端部を覆って設けられている。隔壁３１５の上層に形成される発光材料層３２２や上部電極３２３の被覆性を良好なものとするため、隔壁３１５の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。

隔壁３１５の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、隔壁３１５の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。

隔壁３１５の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

スペーサー３１９は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、又は金属材料等を用いて形成することができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。スペーサー３１９に導電材料を用い、スペーサー３１９と上部電極３２３とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極３２３の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサー３１９は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

絶縁層３３５、絶縁層３３６、絶縁層３４０、絶縁層３４２、絶縁層３４４は、それぞれ、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層３３６や絶縁層３４４は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いることが好ましい。

接着層３１７には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることができる。接着層３１７に乾燥剤が含まれていてもよい。また、接着層３１７を通過して発光素子３２０の光が発光装置の外に取り出される場合は、接着層３１７に屈折率の高いフィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材については、接着層３１０に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。

導電層３０６、導電層３０７、導電層３４３、及び導電層３４５は、それぞれ、トランジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電層３３７は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。

例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

また、導電層３１３、導電層３１６、導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂも、それぞれ、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。

導電層３３１及び導電層３３３、並びに、導電層３３８及び導電層３３９は、透光性を有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層３２９は導電層３３１と同一の材料、同一の工程で形成できる。

導電性粒子３４１は、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。

接続体３１８としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。

カラーフィルタ３２７は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

また、隣接するカラーフィルタ３２７の間に、遮光層３２６が設けられている。遮光層３２６は隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ３２７の端部を、遮光層３２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層３２６は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図２０（Ａ）に示すように、遮光層３２６を駆動回路部３０４などの透過型表示領域３０３ａおよび非透過型表示領域３０３ｂ以外の領域にも設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、カラーフィルタ３２７と遮光層３２６を覆う絶縁層３２８を設けると、カラーフィルタ３２７や遮光層３２６に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ましい。絶縁層３２８は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることができる。絶縁層３２８に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１００ａ表示装置
１００ｂ表示装置
１０１フレキシブル表示基板
１０２フレキシブル印刷回路
１０３ＩＣチップ
１０３ａＩＣチップ
１０３ｂＩＣチップ
１０３ｃＩＣチップ
１０３ｄＩＣチップ
１０４非透過型表示領域
１０４ａ非透過型表示領域
１０４ｂ非透過型表示領域
１０５透過型表示領域
１１０ａ電子機器
１１０ｂ電子機器
１１０ｃ電子機器
１１０ｄ電子機器
１１０ｅ電子機器
１１０ｆ電子機器
１１１筐体
１１１ａ第１筐体
１１１ｂ第２筐体
１１１ｃ第１筐体
１１１ｄ第２筐体
１１１ｅ第１筐体
１１１ｆ第２筐体
１１１ｇ第３筐体
１１１ｈ第４筐体
１１１ｉ第５筐体
１１１ｊ第６筐体
１１２開口部
１１３操作ボタン
１１５バッテリー
１１６透明充填剤
１１７ボード
１１７ａボード
１１７ｂボード
１１８電子部品
１１９軸
１２０ストッパー
１２１ａ軸支持部
１２１ｂ軸支持部
１２２ａフレキシブル基板
１２２ｂフレキシブル基板
１２３開口部
１２４ａ側部フレーム材
１２４ｂ側部フレーム材
１２５制御部
１２６額縁
２００表示装置
２０１フレキシブル基板
２０２画素
２０３トランジスタ
２０３ａトランジスタ
２０４反射層
２０５絶縁層
２０６透明電極
２０７隔壁
２０８発光材料層
２０９電極層
２１０フレキシブル基板
２１１遮光層
２１２カラーフィルタ
２１３接着層
２１４反射電極
２１５ゲート配線
２１６絶縁層
２１７半導体層
２１８電極
２１９電極
２２０第２ゲート配線
２２１フレキシブル基板
２２２トランジスタ
２２３絶縁層
２２４反射層
２２５絶縁層
２２６透明電極
２２７隔壁
２２８発光材料層
２２９電極層
２３０ゲート配線
２３１絶縁層
２３２半導体層
２３３電極
２３４電極
２５０接合基板
２５１第１の基板
２５２第１の剥離層
２５３第１の素子層
２５４第１の接着層
２５５第２の基板
２５６第２の素子層
２５７第２の剥離層
２５８第２の接着層
２５９第１のフレキシブル基板
２６０吸着チャック
２６１第３の接着層
２６２第２のフレキシブル基板
２６３フレキシブル表示基板
３００フレキシブル表示基板
３０１素子層
３０２フレキシブル基板
３０３ａ透過型表示領域
３０３ｂ非透過型表示領域
３０４駆動回路部
３０５フレキシブル印刷回路
３０５ａフレキシブル印刷回路
３０５ｂフレキシブル印刷回路
３０６導電層
３０７導電層
３０８フレキシブル基板
３０９フレキシブル基板
３１０接着層
３１１絶縁層
３１２絶縁層
３１３導電層
３１４絶縁層
３１４ａ絶縁層
３１４ｂ絶縁層
３１５隔壁
３１６導電層
３１７接着層
３１８接続体
３１８ａ接続体
３１８ｂ接続体
３１９スペーサー
３２０発光素子
３２１下部電極
３２２発光材料層
３２３上部電極
３２４トランジスタ
３２５接着層
３２６遮光層
３２７カラーフィルタ
３２８絶縁層
３２９導電層
３３０ｐ型半導体層
３３１導電層
３３２ｉ型半導体層
３３３導電層
３３４ｎ型半導体層
３３５絶縁層
３３６絶縁層
３３７導電層
３３８導電層
３３９導電層
３４０絶縁層
３４１導電性粒子
３４２絶縁層
３４３導電層
３４４絶縁層
３４５導電層
３４６ａ導電層
３４６ｂ導電層

Claims

第１の表示領域と第２の表示領域を有するフレキシブル表示基板と、
演算処理装置と、
筐体と、を有し、
前記第１の表示領域は透過型表示領域であり、
前記第２の表示領域は非透過型表示領域であり、
前記演算処理装置は前記フレキシブル表示基板に画像信号を供給する機能を有し、
前記筐体には前記演算処理装置を格納されていることを特徴とする電子機器。
前記フレキシブル表示基板において表示をおこなう際に、前記演算処理装置と前記第１の表示領域が重ならず、前記第１の表示領域の背景が視認できるように設計されていることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
前記第２の表示領域が前記筐体に固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
前記第２の表示領域と前記演算処理装置が重なるように固定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子機器。
前記筐体の一部が透明であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子機器。