KR102138191B1 - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR102138191B1
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슌뻬이 야마자끼
šœ뻬이 야마자끼
준 고야마
야스유끼 아라이
이꾸꼬 가와마따
아쯔시 미야구찌
요시따까 모리야
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 가요성을 갖는 패널을 취급하는 때에, 구동 회로의 파손에 대한 위험성이 적고, 간략한 구조를 가진 전자 장치(예를 들어, 전자 서적)에 관한 것이다. 전자 장치는, 표시부(4301, 4307) 및 주사선 구동 회로(4321a, 4321b, 4322a, 4322b)를 각각 포함하는 복수의 가요성 표시 패널(4311, 4322)과, 신호선 구동 회로(4323)와, 상기 복수의 가요성 표시 패널을 고정하는 바인딩부(4308)를 포함하고, 상기 신호선 구동 회로는 상기 바인딩부 내측에 구비된다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE}
기술 분야는 전자 서적에 관한 것이다.
최근, 디지털화 기술의 진보에 수반하여, 신문, 잡지 등의 문자 정보나 화상 정보를 전자 데이터로 해서 제공하는 형태가 채용되고 있다. 이러한 종류의 전자 데이터는 일반적으로, 개인용 컴퓨터 등이 구비하는 표시 장치에 표시됨으로써, 그 내용이 열람되는 특징을 갖고 있다.
상술한 전자 데이터를 표시하는 표시 장치로서는 구비형의 표시 장치 이외에 휴대형의 것이 존재한다. 휴대형의 표시 장치로서는 전자 서적이 대표적이다. 전자 서적은 통상 본체 전방면에 표시부를 구비하고, 본체 외주부에 구비된 페이지의 전환 키를 조작함으로써 다음 페이지나 전 페이지의 데이터를 표시부에 표시하도록 동작된다.
그러나, 이와 같은 구성을 채용한 전자 서적은 신문 및 잡지 등의 종이 매체와는 취급하는 방법이 크게 상이하다. 특히, 전자 서적은 키 조작으로 페이지의 전환을 행한다는 점에서 종이 서적과 크게 상이하다. 이로 인해, 이러한 취급의 차이에 기인하여 전자 서적은 문자의 판독 효율이나 문장 이해의 효율 또는 화상의 인식 효율 등이 종이 매체보다 낮은 문제가 있다.
상술한 종이 매체와의 차이점을 해소하기 위해, 양면 표시 장치를 사용한 전자 서적이 제안된다(예를 들어, 특허문헌1 및 특허문헌2 참조).
일본 특허 공개 제2005-38608호 공보 일본 특허 공개 제2003-58081호 공보
개시하는 발명의 일 형태에서는 가요성을 갖는 패널을 취급하는 때에, 구동 회로의 파손을 저감하는 전자 서적을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또는 개시하는 발명의 일 형태에서는 구조를 간략화한 전자 서적을 제공하는 것을 목적으로 한다.
개시된 발명의 일 형태는 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로에 의해 표시 제어가 행해지는 표시부를 갖는 복수의 가요성 표시 패널과, 복수의 표시 패널을 고정하는 바인딩부를 갖고, 바인딩부에는 신호선 구동 회로가 구비되고, 표시 패널에는 바인딩부와 수직 방향의 단부(edge)에 주사선 구동 회로가 구비되어 있는 전자 서적이다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로는 트랜지스터를 갖고, 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터와 신호선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 구조가 다를 수 있다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 채널층은 비단결정 반도체로 형성되며, 신호선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 채널층은 단결정 반도체로 형성된다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 비단결정 반도체는 아몰퍼스 실리콘, 미세결정 실리콘, 폴리실리콘 또는 산화물 반도체이다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 표시부는 트랜지스터를 갖고, 또한 표시부를 구성하는 트랜지스터와 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 채널층이 동일한 재료로 형성된다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 바인딩부는 신호선 구동 회로 외에, 배터리, 안테나, CPU, 메모리 중 어느 하나를 갖는다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 주사선 구동 회로는 서로 이격해서 구비된 복수의 회로부를 갖는다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 복수의 회로부의 사이에 응력 집중 영역을 갖는다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 복수의 표시 패널은 제1 표시부를 갖는 제1 표시 패널과, 제2 표시부를 갖는 제2 표시 패널과, 제1 표시 패널과 제2 표시 패널의 사이에 구비되고 제1 면에 제3 표시부를 갖고 또한 제1 면과 반대측의 제2 면에 제4 표시부를 갖는 제3 표시 패널을 갖고, 제3 표시 패널은 제1 표시 패널 및 제2 표시 패널보다 구부러지기 쉽다.
개시된 발명의 일 형태의 전자 서적에 따르면, 제1 표시 패널은 제1 표시부 및 제3 표시부의 표시의 유무를 제어하는 제1 광 센서를 갖고, 제2 표시 패널은 제2 표시부 및 제4 표시부의 표시의 유무를 제어하는 제2 광 센서를 갖고, 제3 표시 패널은 제1 광 센서 및 제2 광 센서와 겹치는 영역에 차광부를 갖는 전자 서적에서도 좋다.
또한, 본 명세서 등에서 "반도체 장치"는 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 나타내고, 전기 광학 장치, 반도체 회로 및 전자 기기는 모두 반도체 장치에 포함된다.
또한, 본 명세서 등에서 "표시 장치"는 발광 장치나 액정 표시 장치를 포함한다. 발광 장치는 발광 소자를 포함하고, 액정 표시 장치는 액정 소자를 포함한다. 발광 소자는 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 소자를 그 범주에 포함하고 있고, 구체적으로는 무기 EL(Electro Luminescence) 소자, 유기 EL 소자 등이 있다.
개시하는 발명의 일 형태에 따르면, 구동 회로의 파손을 저감하고 튼튼한 전자 서적을 제공할 수 있다.
개시하는 발명의 일 형태에 따르면, 구조를 간략화해서 전자 서적의 저비용화가 가능하다.
첨부된 도면에서,
도 1a 내지 도 1c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 5는 전자 서적의 바인딩부(binding portion) 내에 포함되는 회로의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10c는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 12는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 14a 및 도 14b는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 15a 및 도 15b는 전자 서적의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 16은 전자 서적의 일 형태의 블록도를 설명하는 도면이다.
도 17a 내지 도 17c는 표시 패널의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 18a 및 도 18b는 표시 패널의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 19는 표시 패널의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 20은 표시 패널의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 21a 내지 도 21d는 전자 서적에 적용할 수 있는 트랜지스터의 일 형태를 설명하는 도면이다.
도 22는 표시 패널의 일 형태를 설명하는 도면이다.
이하, 실시 형태에 대해서, 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 단, 발명은 이하에 나타내는 실시 형태의 기재 내용에 한정되지 않고, 본 명세서 등에서 개시하는 발명의 사상 내에서 형태 및 상세를 다양하게 변경할 수 있는 것은 당업자에서 자명하다. 또한, 다른 실시 형태의 구성은 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다. 또한, 도면을 참조하는 발명의 설명 중에서, 동일 부분을 나타내는 참조 부호는 상이한 도면 전체에 걸쳐 동일하게 사용되고, 그 부분의 설명은 생략한다.
또한, 각 실시 형태의 도면 등에서 나타내는 각 구성의 크기, 층의 두께 또는 영역은 명료화를 위해서 과장되어서 표기하고 있는 경우가 있다. 따라서, 본 발명의 실시 형태는 반드시 그 스케일에 한정되지 않는다.
또한, 본 명세서에서 사용하는 "제1", "제2", "제3" 등의 용어는 구성 요소들 사이의 혼동을 피하기 위한 것이며, 수적으로 한정하는 것은 아니다.
(실시 형태1)
실시 형태1에서는 전자 서적의 일례에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태에서 나타내는 전자 서적은 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로에 의해 표시 제어가 행해지는 표시부를 갖는 복수의 표시 패널과, 상기 복수의 표시 패널을 고정하는 바인딩부를 포함한다. 바인딩부의 내측에 신호선 구동 회로가 구비되고, 복수의 표시 패널에 각각 주사선 구동 회로가 구비된다.
도 1a 내지 도 1c는 복수의 표시 패널을 갖는 전자 서적의 일례로서, 2매의 표시 패널(제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312))의 단부에 바인딩부(4308)를 구비한 서적을 도시한다. 이하에 도 1a 내지 도 1c를 참조하여, 제1 표시 패널과 제2 표시 패널을 포함하는 전자 서적에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 도 1a는 전자 서적을 개방한 상태를 나타내고, 도 1b는 전자 서적을 폐쇄한 상태를 나타내고, 도 1c는 전자 서적을 절반 개방한 상태를 나타내고 있다.
도 1a 내지 도 1c에 나타내는 전자 서적은 제1 표시부(4301)를 갖는 제1 표시 패널(4311)과, 제2 표시부(4307)를 갖는 제2 표시 패널(4312)과, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 일단부에 구비된 바인딩부(4308)와, 제1 표시부(4301)의 표시 제어를 행하는 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)와, 제2 표시부(4307)의 표시 제어를 행하는 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)와, 제1 표시부(4301) 및 제2 표시부(4307)의 표시 제어를 행하는 신호선 구동 회로(4323)를 갖고 있다.
주사선 구동 회로(4321a, 4321b)는 제1 표시 패널(4311)에 구비되고, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)는 제2 표시 패널(4312)에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323)는 바인딩부(4308)의 내부에 구비된다.
제1 표시 패널(4311)은 가요성을 가질 수 있다. 이 경우, 플라스틱 등의 가요성을 갖는 기판 위에 제1 표시부(4301)에 포함되는 화소 회로와, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 구비하면 좋다.
제2 표시 패널(4312)도, 제1 표시 패널(4311)과 마찬가지로 가요성을 가질 수 있다. 이 경우도, 플라스틱 등의 가요성을 갖는 기판 위에 제2 표시부(4307)에 포함되는 화소 회로와, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)를 구비하면 좋다.
바인딩부(4308)는 적어도 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)보다 가요성이 적은(강성이 높은) 구성으로 하는 것이 바람직하다. 일례로서, 바인딩부(4308)를 구성하는 하우징을, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)보다 두꺼운 플라스틱이나 금속 등으로 형성할 수 있다. 이 경우, 전자 서적은 바인딩부(4308) 이외의 부분에서 구부러질 수(만곡될 수) 있다.
바인딩부(4308)를 구비하는 장소는 특별히 한정되지 않는다. 일례로서, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)의 일단부를 따라 바인딩부(4308)를 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c에 도시한 바와 같이, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)을 직사각 형상으로 하는 경우에는 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)의 소정의 측면을 따라서(측면을 고정하도록) 바인딩부(4308)를 구비할 수 있다. 또한, 여기에서 말하는 "직사각 형상"은 직사각형의 코너부가 둥근 형상을 포함한다.
신호선 구동 회로(4323)는 바인딩부(4308)의 내부에 구비된다. 예를 들어, 바인딩부(4308)를 중공을 갖는 기둥 형상 또는 중공을 갖는 원기둥 형상의 하우징을 사용하여 형성하고, 그 중공 부분에 신호선 구동 회로(4323)를 구비할 수 있다. 신호선 구동 회로(4323)를 바인딩부(4308)의 내부에 구비함으로써, 표시 패널의 굽힘에 기인하는 신호선 구동 회로(4323)의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 도 1a 내지 도 1c에 도시한 바와 같이, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를, 제1 표시 패널(4311)에서, 바인딩부(4308)와 수직 방향 또는 대략 수직 방향의 단부에 구비하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)를, 제2 표시 패널(4312)에서, 바인딩부(4308)와 수직 방향 또는 대략 수직 방향의 단부에 구비하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로를 1 개소(예를 들어, 바인딩부(4308)의 내부)에 구비하는 경우에 비해, 배선의 리딩(leading)을 저감하고, 구조를 간략화할 수 있다.
또한, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)와 제1 표시부(4301)를 구성하는 화소 회로를 같은 프로세스를 통해 가요성을 갖는 기판 위에 형성함으로써, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)의 만곡을 가능하게 하고, 저비용화를 도모할 수 있다. 마찬가지로, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)와 제2 표시부(4307)를 구성하는 화소 회로를 같은 프로세스를 통해 가요성을 갖는 기판 위에 형성함으로써, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)의 만곡을 가능하게 하고, 저비용화를 도모할 수 있다.
제1 표시부(4301)를 구성하는 화소 회로, 제2 표시부(4307)를 구성하는 화소 회로 및 주사선 구동 회로(4321a, 4321b, 4322a, 4322b)를 구성하는 소자로서는 박막 트랜지스터 등으로 형성할 수 있다. 한편, 신호선 구동 회로(4323) 등의 고속으로 동작하는 회로는 실리콘 기판 등의 반도체 기판이나 SOI 기판을 사용해서 형성된 집적 회로(IC)를 사용해서 형성하고, IC를 바인딩부(4308)의 내부에 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이, 주사선 구동 회로 등의 고속으로 동작시키는 회로가 형성된 IC를 바인딩부의 내부에 구비하고, 주사선 구동 회로와 표시부를 구성하는 화소 회로를 가요성을 갖는 기판 위에 박막 트랜지스터 등의 소자로 형성함으로써, 신호선 구동 회로 및 주사선 구동 회로를 IC에서 구비하는 경우에 비해, 표시 패널을 구부리는 것을 용이하게 하고, 표시 패널의 굽힘에 기인하는 IC의 파괴를 억제하고, 또한 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 주사선 구동 회로를, 표시 패널에서 바인딩부와 수직 방향의 단부에 구비함으로써, 배선의 리딩을 억제하고 구조를 간략화할 수 있다.
또한, 도 1a 내지 도 1c에서는 주사선 구동 회로를 제1 표시 패널(4311)의 양단부에 형성하는 경우를 나타냈지만, 한쪽의 단부에만 주사선 구동 회로(주사선 구동 회로(4321a)와 주사선 구동 회로(4321b) 중 어느 한쪽만) 구비하는 구성으로 해도 좋다. 마찬가지로, 주사선 구동 회로를 제2 표시 패널(4312)의 양단부에 형성하는 경우를 나타냈지만, 주사선 구동 회로를 한쪽의 단부에만 구비하는 구성으로 해도 좋다.
실시 형태1은 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
(실시 형태2)
실시 형태2에서는 상기 도 1a 내지 도 1c에 나타낸 전자 서적의 구체적인 구성에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서 나타내는 구성은 많은 부분에서 상기 실시 형태1과 공통되고, 따라서, 이하에서는 공통된 부분의 설명은 생략하고, 상이한 점에 대해서 상세하게 설명한다.
우선, 전자 서적의 구체적인 구성의 일례에 대해서, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한다. 또한, 도 2a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 2b는 도 2a의 A-B간의 단면을 나타내고, 도 2C는 단면의 상세한 개략도를 나타내고 있다.
도 2a 내지 도 2c에 도시하는 전자 서적은 바인딩부(4308)가 중공을 갖는 하우징으로 형성되고, 상기 하우징의 내부에 신호선 구동 회로(4323)가 구비된다. 여기에서는 신호선 구동 회로(4323)가 IC로 형성되고, 상기 IC가 바인딩부(4308)의 내부에 구비된다. IC는 실리콘 등의 반도체 기판이나 SOI 기판 등을 사용해서 형성할 수 있다. 물론, 신호선 구동 회로 이외의 회로(예를 들어, CPU 또는 메모리 등)를 IC에 구비할 수 있다.
또한, 도 2a 내지 도 2c에서는 바인딩부(4308)의 내부에 구비되는 IC를, TAB(Tape Automated Bonding) 방식을 사용해서 가요성 인쇄 회로(FPC)에 실장할 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로는 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323a)가 FPC(4324a) 위에 구비되고, 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323b)가 FPC(4324b) 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323a)와 신호선 구동 회로(4323b)가 인쇄 기판(4325)을 통해서 전기적으로 접속된다. FPC(4324a)는 제1 표시 패널(4311) 및 인쇄 기판(4325)과 전기적으로 접속된다. FPC(4324b)는 제2 표시 패널(4312) 및 인쇄 기판(4325)과 전기적으로 접속된다.
또한, 도 2a 내지 도 2c에서, 인쇄 기판(4325)을, 바인딩부(4308)를 구성하는 하우징에 접해서 구비할 수 있다. 이 경우, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)은 바인딩부(4308)에 의해 고정된다.
도 2a 내지 도 2c에 도시한 바와 같이, FPC 위에 신호선 구동 회로를 구비하는 경우, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 한쪽 또는 양쪽에 응력 집중 영역(4326)을 구비하는 것이 바람직하다. 응력 집중 영역(4326)을 표시 패널에 구비함으로써, 전자 서적을 개방할 경우(제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312)을 절곡할 경우)에 FPC에 가해지는 응력을 저감하고, FPC 위에 구비된 신호선 구동 회로의 파괴를 억제할 수 있다.
또한, "응력 집중 영역"은 절단 등에 의한 부재의 변형이나, 부재의 부착 등에 의한 굽힘 또는 신장에 대한 강도의 변경에 의해 형성되는 응력이 집중하는 영역을 말한다. 구체적으로는 제1 표시 패널(4311) 또는 제2 표시 패널(4312)이 절곡되는 제1 표시 패널(4311) 또는 제2 표시 패널(4312)의 부분에, 절단부(오목부 또는 홈)를 구비함으로써 응력 집중 영역(4326)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 제1 표시 패널(4311)을, 소자 기판(4331a)과 밀봉 기판(4332a)을 사용해서 형성하고, 소자 기판(4331a)과 밀봉 기판(4332a)의 한쪽 또는 양쪽에 절단부를 구비한 구성으로 할 수 있다. 도 2a 내지 도 2c는 밀봉 기판(4332a)에 절단부를 구비함으로써 응력 집중 영역(4326)을 형성하는 경우를 나타내고 있다. 또한, 여기서 나타내는 구조에서, 소자 기판(4331a)에는 제1 표시부(4301)를 구동하는 화소 회로와 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 형성하여, FPC(4324a)에 전기적으로 접속할 수 있다.
마찬가지로, 제2 표시 패널(4312)을, 소자 기판(4331b)과 밀봉 기판(4332b)을 사용해서 형성하고, 소자 기판(4331b)과 밀봉 기판(4332b)의 한쪽 또는 양쪽에 절단부를 구비한 구성으로 할 수 있다. 또한, 소자 기판(4331b)에는 제2 표시부(4307)를 구동하는 화소 회로와 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)를 형성하여, FPC(4324b)에 전기적으로 접속할 수 있다.
또한, 응력 집중 영역(4326)은 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)이 절곡되는 방향을 따라서 구비하면 좋다. 예를 들어, 도 2a에서, 바인딩부(4308)에 평행 또는 대략 평행한 방향을 따라서 제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312)의 상단부로부터 하단부까지 절단부를 구비함으로써, 표시 패널을 절곡하는 방향을 제어할 수 있고(바인딩부와 수직인 방향으로 표시 패널을 선택적으로 절곡할 수 있고), FPC 위에 구비된 신호선 구동 회로의 파괴를 억제할 수 있다.
응력 집중 영역(4326)은 바인딩부(4308)의 내부 또는 외부에 구비할 수 있다. 예를 들어, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)을 폐쇄한 상태에서, 바인딩부(4308)를 제1 표시 패널(4311) 또는 제2 표시 패널(4312)에 근접하도록 구비하는 경우 바인딩부(4308)의 외측(예를 들어, 바인딩부(4308)와 표시부 사이)에 응력 집중 영역(4326)을 구비하는 것이 바람직하다.
도 2a 내지 도 2c에서는 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323a)와 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323b)를 상이한 IC를 사용해서 형성하고, 인쇄 기판(4325)을 통해서 신호선 구동 회로(4323a)와 신호선 구동 회로(4323b)를 전기적으로 접속하는 경우를 나타낸다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 신호선 구동 회로(4323a)와 신호선 구동 회로(4323b)를 1개의 IC에 합체할 수 있다.
이어서, 도 2a 내지 도 2c와 다른 전자 서적의 구성에 대해서, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 설명한다. 도 3a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 3b는 도 3a의 A-B간의 단면을 나타내고, 도 3c는 단면의 상세한 개략도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3c는 바인딩부(4308)에 구비되는 IC를, COG(Chip On Glass) 방식을 사용하여, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)에 실장할 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323a)가 제1 표시 패널(4311)을 구성하는 소자 기판(4331a) 위에 구비되고, 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323b)가 제2 표시 패널(4312)을 구성하는 소자 기판(4331b) 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323a)와 신호선 구동 회로(4323b)가 FPC(4324a, 4324b) 및 인쇄 기판(4325)을 통해서 전기적으로 접속된다.
도 3a 내지 도 3c에 도시한 바와 같이, 표시 패널 위에 신호선 구동 회로를 구비하는 경우, 상기 도 2a 내지 도 2c와 마찬가지로, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 한쪽 또는 양쪽에 응력 집중 영역(4326)을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 응력 집중 영역(4326)은 신호선 구동 회로가 구비된 영역과 다른 영역(신호선 구동 회로가 구비된 영역을 피한 영역)에 구비한다. 예를 들어, 밀봉 기판측에 응력 집중 영역(4326)을 구비함으로써, 전자 서적을 개방할 경우(제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312)을 절곡할 경우)에 신호선 구동 회로에 가해지는 응력을 저감하고, 신호선 구동 회로의 파괴를 억제할 수 있다.
이어서, 도 2a 내지 도 2c 및 도 3a 내지 도 3c와 다른 전자 서적의 구성에 대해서, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한다. 도 4a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 4b는 도 4a의 A-B간의 단면을 나타내고, 도 4c는 단면의 상세한 개략도를 나타내고 있다.
도 4a 내지 도 4c에 도시하는 전자 서적은 신호선 구동 회로 등의 회로가 형성된 IC를 인쇄 기판에 구비하고, 상기 인쇄 기판과 표시 패널을 FPC를 사용해서 접속하는 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로 설명하면 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323a)가 인쇄 기판(4327a) 위에 구비되고, 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323b)가 인쇄 기판(4327b) 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323a)와 신호선 구동 회로(4323b)가 FPC(4329)를 통해서 전기적으로 접속된다. FPC(4329)는 인쇄 기판(4327a)과 인쇄 기판(4327b)에 전기적으로 접속되고,FPC(4324a)는 제1 표시 패널(4311) 및 인쇄 기판(4327a)에 전기적으로 접속되고, FPC(4324b)는 제2 표시 패널(4312) 및 인쇄 기판(4327b)에 전기적으로 접속된다.
도 4a 내지 도 4c에서는 표시 패널의 절곡을 FPC(4324a), FPC(4324b)로 행할 수 있기 때문에, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)에 응력 집중 영역을 형성하지 않는 구성으로 할 수 있다.
이어서, 바인딩부(4308)와 상기 바인딩부(4308)에 구비할 수 있는 회로의 구성의 일례에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5에서는 바인딩부(4308)에 신호선 구동 회로를 포함하는 표시 제어부(200)를 내장할 경우에 대해서 설명한다. 회로는 상술한 바와 같이 실리콘 기판 등의 반도체 기판이나 SOI 기판을 사용해서 형성된 IC를 사용해서 형성할 수 있다.
표시 제어부(200)는 CPU 201, 기억부(203), 급전부(205), 전원 공급 회로(207), 영상 신호 발생 회로(215), 신호선 구동 회로(4323a, 4323b), 조작부(219) 등을 갖는 구성으로 할 수 있고, 이들 각 구성은 인터페이스 등을 통해서 접속할 수 있다. 또한, 표시 제어부(200)는 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)에 전기적으로 접속된다. 여기에서는 조작부(219)를 바인딩부(4308)에 구비하는 경우를 나타내고 있지만, 조작부(219)를 제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312) 위에 구비할 수도 있다.
CPU 201은 전자 서적 전체의 동작을 제어한다.
데이터 입력부(211)에는 외부 기기로부터 제1 표시부(4301) 및/또는 제2 표시부(4307)에 표시되는 정보가 입력된다. 또한, 데이터 입력부(211)는 외부 기기와의 데이터의 송수신을 행하기 위해서, 안테나(216)를 가져도 좋다. 이 경우, 데이터 입력부(211)는 안테나(216)에 의해 수신된 데이터나 기록 매체(외부 메모리(213))에 기억된 데이터를 내부 메모리(209)에 전송하는 기능을 갖는다.
기억부(203)는 내부 메모리(209), 데이터 입력부(211) 및 외부 메모리(213)를 갖는 구성으로 할 수 있다. 내부 메모리(209), 데이터 입력부(211) 및 외부 메모리(213)에는 제1 표시부(4301) 및/또는 제2 표시부(4307)에 표시되는 정보나 전자 서적을 동작시키는 프로그램 등을 기록할 수 있다.
내부 메모리(209)는 급전부(205), 조작부(219) 등으로부터의 신호에 기초하여 영상 신호 발생 회로(215) 및/또는 전원 공급 회로(207)에 출력하는 신호를 CPU 201로 처리하기 위한 프로그램이나, 데이터 입력부(211)로부터 전송되는 데이터 등을 기억하는 기억부를 갖는다. 내부 메모리(209)의 일례로서, DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 마스크 ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable Read Only Memory) 등으로 구성되는 것이다.
외부 메모리(213)의 예로서는 IC 카드, 메모리 카드 등의 기억 매체가 있다.
급전부(205)는 2차 전지 및 캐패시터 등으로 구성된다. 2차 전지로서는 예를 들어 리튬 전지, 바람직하게는 겔 상태 전해질을 사용하는 리튬 중합체 전지, 리튬 이온 전지 등을 사용함으로써 급전부(205)의 소형화가 가능하다. 물론, 충전 가능한 전지이면 임의의 전지가 사용될 수 있고, 니켈 금속 하이브리드 전지, 니켈 카드뮴 전지, 유기 라디칼 전지, 연축 전지, 공기 이차 전지, 니켈 아연 전지, 은 아연 전지 등의 충전 방전가능한 전지에도 좋다. 캐패시터로서는 전기 이중층 캐패시터, 리튬 이온 캐패시터나 다른 대용량의 캐패시터 등을 사용할 수 있다. 캐패시터는 충방전의 횟수가 증가해도 열화가 작고, 급속 충전 특성에도 우수하기 때문에 적합이다. 급전부(205)의 형상으로서는 시트 형상, 원기둥 형상, 각기둥 형상, 판상, 코인 형상 등을 적절히 선택하면 좋다.
또한, 급전부(205)를, 무선에 의해 전력이 공급되는 구성으로 할 수 있다. 이 경우, 급전부(205)에 안테나를 구비하면 좋다.
전원 공급 회로(207)는 CPU 201의 제어에 따라, 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)의 표시 및 비표시를 행하기 위해서, 표시 소자에의 전원 공급을 제어하기 위한 회로이다.
조작부(219)는 키보드, 조작 버튼 등에서 구비할 수 있다. 또한, 조작부(219)를 제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312)에 구비하는 경우에는 제1 표시부(4301) 및/또는 제2 표시부(4307)를 터치 디스플레이로서 기능시키고, 따라서 상기 표시부를 조작부로서도 기능시킬 수 있다.
도 5에서는 바인딩부(4308)에 표시 제어부(200)를 내장한 구성을 나타냈지만, 또한 스위칭 전원이나 DC-DC 컨버터 등의 소위 파워 디바이스를 구비해도 좋다.
또한, 도 5에 도시한 전자 서적에서는 조작부(219)를 조작함으로써, 전원 입력이나 표시 전환을 행할 수 있다. 또한, 제1 표시부(4301) 및/또는 제2 표시부(4307)를 터치 디스플레이로서 취급되는 손가락이나 입력 펜등으로 터치하는 방식으로 전자 서적을 조작할 수 있다.
이와 같이, 표시 제어부(200)를 바인딩부(4308)에 내장함으로써, 표시 제어부(200)를 하우징에 의해 보호할 수 있다. 또한, 전자 서적을 박형으로 할 수 있다.
또한, 실시 형태1, 2에서는 제1 표시 패널(4311)에서, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를, 바인딩부(4308)의 수직 방향으로 제1 표시부(4301)에 따라 구비하고, 제2 표시 패널(4312)에서, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)를, 바인딩부(4308)의 수직 방향으로 제2 표시부(4307)에 따라 구비하는 경우를 나타냈다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
예를 들어, 도 6a에 도시한 바와 같이, 제1 표시 패널(4311)에서, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)는 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)와 바인딩부(4308) 사이의 거리가 제1 표시부(4301)와 바인딩부(4308) 사이의 거리보다 크도록 구비될 수 있다. 일반적으로, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)는 화소 회로보다 소자의 집약도가 높기 때문에, 제1 표시 패널(4311)이 절곡되는 부분에 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 구비하지 않는다. 이에 의해, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)의 파손을 억제할 수 있다.
또한, 도 6b 및 도 6c에 도시한 바와 같이, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 각각 복수의 회로부로 분할해서 구비하고, 복수의 회로부를 서로 이격해서 구비할 수 있다. 이에 의해, 제1 표시 패널(4311)을 만곡시킨 경우에도, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)에 가해지는 응력을 저감하고, 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)의 파손을 억제할 수 있다. 도 6b는 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 각각 2개의 회로부로 분할한다. 도 6c는 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)를 각각 4개의 회로부로 분할한다. 그러나, 주사선 구동 회로를 분할하는 수는 이것에 한정되지 않는다.
또한, 도 6d에 도시한 바와 같이, 제1 표시 패널(4311)에서, 한쪽의 단부에만(주사선 구동 회로(4321a)와 주사선 구동 회로(4321b) 중 어느 한쪽만) 구비하는 구성으로 해도 좋다. 이에 의해, 전자 서적의 프레임 크기 협소화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한, 도 6a 내지 도 6d에서 나타낸 구조는 제2 표시 패널(4312)에도 적용할 수 있다.
실시 형태2는 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
(실시 형태3)
실시 형태3에서는 복수의 가요성 표시 패널을 갖는 전자 서적을 개방하여, 만곡시켜서 사용할 경우 상기 실시 형태의 작용의 일례를 도 7a, 도 7b 및 도 8a 내지 도 8c, 도 9a 내지 도 9c 및 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 설명한다.
처음에, 도 7a는 유저가 전자 서적을 개방하여 사용하는 경우를 나타내는 정면 평면도, 도 7b는 도 7a의 경우의 평면도를 설명한다.
도 7a에 나타내는 전자 서적은 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312), 바인딩부(4308)를 갖는다. 제1 표시 패널(4311)은 제1 표시부(4301)를 갖고, 제1 표시부(4301)는 제1 표시부(4301)에 주사 신호를 공급하는 주사선 구동 회로(4321), 제1 표시부(4301)에 화상 신호를 공급하는 신호선 구동 회로(4323a)에 의해 표시의 제어가 행해진다. 또한 제2 표시 패널(4312)은 제2 표시부(4307)를 갖고, 제2 표시부(4307)는 제2 표시부(4307)에 주사 신호를 공급하는 주사선 구동 회로(4322), 제2 표시부(4307)에 화상 신호를 공급하는 신호선 구동 회로(4323b)에 의해 표시의 제어가 행해진다. 또한 도 7a에서는 유저의 손(4350a, 4350b)에 의해 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)의 단부를 파지하는 모습에 대해서 도시하고 있다. 또한 도 7a에 나타내는 정면 평면도에서는 도 7b에 나타내는 상면 평면도에 도시한 전자 서적을 위로부터 볼 때의 시선에 대해서 도시한다.
도 7b에 나타내는 상면 평면도는 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312), 바인딩부(4308)를 나타내고 있다. 도 7b에 도시한 바와 같이, 유저가 손(4350a, 4350b)으로 전자 서적을 개방하여 사용할 때, 가요성을 갖는 표시 패널에는 도면 중 C로 나타내는 화살표의 범위에 절곡부(bending portion)(이하, "절곡부 C"라고 한다), 도면 중 D로 나타내는 화살표의 범위에 비절곡부(이하, "비절곡부 D"라고 한다)를 형성한다.
또한 도 7b에서는 일례로서, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)의 절곡부 C는 바인딩부(4308)에 근접하는 측에 위치하고, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)의 비절곡부 D는 바인딩부(4308)로부터 먼 측에 위치하는 경우가 설명된다. 절곡부 C와 비절곡부 D 사이에 바인딩부(4308)의 구성 및 표시 패널을 구성하는 기판의 재질에 따라, 표시 패널의 만곡 상태가 상이하다. 그로 인해, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)의 절곡부 C는 바인딩부(4308)로부터 먼 쪽에 위치될 수 있고, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)의 절곡부 B는 바인딩부(4308)에 근접한 측에 위치될 수 있다.
또한 전자 서적은 바인딩부(4308)에 의해 표시 패널을 고정하는 구성이기 때문에, 바인딩부(4308)가 연장되는 방향과 수직 방향(도 7b 중 화살표(7002))이 되는 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312) 각각의 단부에 절곡부 C 및 비절곡부 D가 형성된다. 그로 인해, 신호선 구동 회로(4323a), 신호선 구동 회로(4323b)는 바인딩부(4308)에 의해, 표시 패널의 굽힘에 기인한 파손을 방지할 수 있다. 또한 도 7a및 도 7b에서 비절곡부 D에 구비되는 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)는 표시부와 동일 프로세스에서 제작될 수 있어서, 저비용화를 도모할 수 있고, 표시부의 배선의 리딩을 저감할 수 있다. 또한 절곡부 C 및/또는 비절곡부 D는 복수 형성되어도 좋고, 절곡부 C와 비절곡부 D는 교대로 형성되어 있어도 좋다. 또한 표시 패널에 응력 집중 영역을 형성하고, 인위적으로 절곡부 C 및 비절곡부 D를 형성해도 좋다.
도 8a 내지 도 8c에서는 도 7a와 마찬가지로, 전자 서적을 개방해서 사용했을 때의 정면 평면도를 나타낸다. 절곡부 C 및 비절곡부 D에 대한, 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)의 배치는 도 8a 내지 도 8c를 참조하여 설명한다.
도 8a에서는 바인딩부(4308)에 근접한 측에 절곡부 C가 위치되고, 바인딩부(4308)로부터 먼 쪽에 비절곡부 D가 위치된다. 그로 인해, 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)는 각각 바인딩부(4308)로부터 먼 쪽의 비절곡부 D에 위치된다. 또한, 표시부에서의 화소 TFT 4352로의 주사 신호의 공급은 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)로부터 연장하는 배선을 표시부의 각 주사선에 리딩함으로써 행한다. 또한 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)를 구동하기 위한 클록 신호 등의 제어 신호의 공급은 바인딩부(4308) 내의 영상 신호 발생 회로로부터 연장하는 배선을 통해서 행해진다. 회로간의 전기적인 접속을 행하기 위한 배선은 금속막 등의 미세 가공에 의해 형성되고, 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 반도체막은 실리콘막 등의 반도체 재료로 형성된다. 금속막은 반도체 재료에 비해, 연성이 우수하고, 만곡에 의한 손상이 작다. 그로 인해, 절곡부 C에 대응하는 개소에 주사선 구동 회로에 접속되는 배선을 배치하고, 비절곡부 D에 대응하는 개소에 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터를 배치함으로써, 만곡에 의한 트랜지스터의 반도체막에의 손상을 작게 할 수 있다. 그 결과, 도 8a와 같이 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)를 배치함으로써, 유저가 손(4350a, 4350b)으로 전자 서적을 개방해서 사용할 때, 회로의 파손을 억제할 수 있다.
도 8b에서는 바인딩부(4308)에 근접하는 측으로부터 먼 쪽을 향해서 절곡부 C와 비절곡부 D를 교대로 구비하는 구성에 대해서 나타내고 있다. 그로 인해, 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)는 비절곡부 B에서, 각각의 구동 회로를 복수로 분할하고, 복수의 회로를 서로 이격시킨다. 또한, 표시부에서의 화소 TFT 4352로의 주사 신호의 공급은 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)로부터 연장하는 배선을 리딩하는 것에 의해 행하면 된다. 또한 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)를 구동하기 위한 클록 신호 등의 제어 신호의 공급은 바인딩부(4308) 내의 영상 신호 발생 회로로부터 연장하는 배선을 통해서 행해진다. 또한, 주사선 구동 회로를 구성하는 플립 플롭 등의 펄스 신호 생성 회로간에 전송되는 신호의 공급은 배선을 통해서 행해진다. 회로간의 전기적인 접속을 행하기 위한 배선은 금속막 등의 미세 가공에 의해 형성되고, 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터의 반도체막은 실리콘막 등의 반도체 재료로 형성된다. 금속막은 반도체 재료에 비해, 연성이 우수하고, 만곡에 의한 손상이 작다. 그로 인해, 절곡부 C에 대응하는 개소에 주사선 구동 회로에 접속되는 배선을 배치하고, 비절곡부 D에 대응하는 개소에 주사선 구동 회로를 구성하는 트랜지스터를 배치함으로써, 만곡에 의한 트랜지스터의 반도체막에의 손상을 작게 할 수 있다. 또한 도 8b에서는 구동 회로를 복수로 분할하고, 복수의 회로를 서로 이격해서 구비하고 있어서, 만곡시킬 때에 주사선 구동 회로에 가해지는 응력을 분산시킬 수 있다. 그 결과, 도 8b와 같이 주사선 구동 회로(4321), 주사선 구동 회로(4322)를 배치함으로써, 유저가 손(4350a, 4350b)으로 전자 서적을 개방해서 사용할 때, 더 효과적으로, 회로의 파손을 억제할 수 있다.
또한, 도 8b에서, 주사선 구동 회로(4321)를 표시부의 대향측에, 주사선 구동 회로(4321a), 주사선 구동 회로(4321b)로서 구비하고, 주사선 구동 회로(4322)를 표시부의 대향측에, 주사선 구동 회로(4322a), 주사선 구동 회로(4322b)로서 구비하여, 중복 구성(redundant structure) 또는 주사 신호를 출력하는 기능을 분산시키는 구성으로 해도 좋다. 도 8c에서는 도 8b에서 설명한 주사선 구동 회로를 표시 패널의 대향 측면에 배치한 도면이다. 화소 TFT 4352에 공급하는 주사 신호를, 대향 측면에 구비된 주사선 구동 회로(4321a)와 주사선 구동 회로(4321b) 및 대향 측면에 구비된 주사선 구동 회로(4322a)와 주사선 구동 회로(4322b)에 의해 공급함으로써, 주사선 구동 회로를 구성하는 플립 플롭 등의 펄스 신호 생성 회로를 저감 할 수 있기 때문에, 유저가 손(4350a, 4350b)으로 전자 서적을 개방해서 사용할 때, 회로의 파손을 억제할 수 있다.
이상 도 8b 및 도 8c에서는 구체적인 일례를 사용하여, 절곡부 C가 되는 영역에 주사선 구동 회로를 배치하지 않고, 비절곡부 D가 되는 영역에 주사선 구동 회로를 배치하는 이점에 대해서 설명하고 있다. 상기 구성에 의해, 만곡시킬 때에 주사선 구동 회로에 걸리는 응력을 분산시킬 수 있고, 유저가 손(4350a, 4350b)으로 전자 서적을 개방해서 사용할 때, 회로의 파손을 억제할 수 있다.
계속해서 도 8b 및 도 8c에서 설명한 바와 같이 구동 회로를 복수로 분할하고, 서로 이격해서 구비했을 때, 표시 패널에서의 절곡부 C 및 비절곡부 D를 인위적으로 형성하기 위한 응력집중 영역을 제공하는 일례에 대해서, 도 9a 내지 도 9c 및 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 설명한다.
도 9a에서는 제1 표시 패널(4311), 바인딩부(4308), 제1 표시부(4301), 주사선 구동 회로(4321) 및 신호선 구동 회로(4323a)에 대해서 나타내고 있다. 주사선 구동 회로(4321)는 2개로 분할해서 나타내고, 배선(920)을 통해서 서로 이격해서 구비된다. 응력 집중 영역(921)은 배선(920)과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 도 9b에는 바인딩부(4308)와 수직 방향의 단면도의 일례에 대해서 나타내고 있다. 도 9b에서, 배선(920)과 중첩하는 응력 집중 영역(921)에서는 밀봉 기판(923)에 절단부(922a)를 구비하고, 소자 기판(924)에 절단부(922b)를 구비하면 좋다. 또한, 도 9c에 도시한 바와 같이, 소자 기판(924) 및 밀봉 기판에(923)의 주사선 구동 회로(4321) 위에 보강판(925)을 부착함으로써, 절단부(922a) 및 절단부(922b)를 형성하는 구성으로 해도 좋다. 또한 절단부(922a) 및 절단부(922b)는 바인딩부(4308)의 장축 방향에 평행하게 구비해도 좋고, 또는 일부에만 구비하는 구성으로 해도 좋다.
또한 응력 집중 영역은 절단 등에 의한 부재의 변형이나, 부재의 부착 등에 의한 굽힘, 신장에 대한 강도의 변경에 의해 형성되는 응력이 집중하는 영역을 말한다.
또한 주사선 구동 회로의 분할은 TFT 등의 회로 소자와 배선이 혼재해서 주사선 구동 회로의 반복되는 영역이 배선 리딩용으로 사용되는 영역에 의해 분할되는 것을 말한다.
또한 도 10a에서는 도 9a와 마찬가지로, 제1 표시 패널(4311), 바인딩부(4308), 제1 표시부(4301), 주사선 구동 회로(4321), 신호선 구동 회로(4323a)에 대해서 나타내고 있다. 주사선 구동 회로(4321)는 4개의 회로로 분할되고, 4개의 회로는 복수의 배선(920)을 통해서 서로 이격해서 구비된다. 응력 집중 영역(921)은 복수의 배선(920)과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 도 10b에는 바인딩부(4308)와 수직 방향의 단면도의 일례에 대해서 나타낸다. 도 10b에서, 배선(920)과 중첩하는 응력 집중 영역(921)에는 밀봉 기판(923)에 복수의 절단부(922a)를 구비하고, 소자 기판(924)에 복수의 절단부(922b)를 구비하면 좋다. 또한, 도 10c에 도시한 바와 같이, 소자 기판(924) 및 밀봉 기판에(923)의 주사선 구동 회로(4321) 위에 보강판(925)을 부착함으로써, 복수의 절단부(922a) 및 복수의 절단부(922b)를 형성하는 구성으로 해도 좋다. 또한 복수의 절단부(922a) 및 복수의 절단부(922b)는 바인딩부(4308)의 장축 방향에 평행하게 구비해도 좋고, 일부에만 구비하는 구성으로 해도 좋다.
또한, 도 9a 내지 도 9c 및 도 10a 내지 도 10c에 도시한 주사선 구동 회로의 분할수는 설명을 위한 일례이며, 주사선 구동 회로는 적절히 임의의 수로 분할해서 구비하면 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 구성에 의해, 유저가 전자 서적을 개방해서 사용할 때에 주사선 구동 회로의 파손을 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한 본 실시 형태의 구성에 의하면, 표시 패널에 대하여 미리 절단부 등에 의한 응력 집중 영역을 형성하는 것으로, 더 효과적으로, 주사선 구동 회로의 파손을 억제할 수 있다.
실시 형태3은 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
(실시 형태4)
실시 형태4에서는 상기 실시 형태1에서 설명한 복수의 표시 패널을 갖는 전자 서적의 구성 외에, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 사이에, 양면 표시형의 제3 패널을 탑재한 예에 대해서 설명한다. 도 11a는 전자 서적을 개방한 상태이며, 도 11b는 전자 서적을 폐쇄한 상태이다. 또한, 도 12는 전자 서적의 가로 방향의 단면도이다.
도 11a 및 도 11b에 나타내는 전자 서적은 제1 표시부(4301)를 갖는 제1 표시 패널(4311)과, 조작부(4304) 및 제2 표시부(4307)를 갖는 제2 표시 패널(4312)과, 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 갖는 제3 표시 패널(4313)과, 제1 표시 패널(4311)과, 제2 표시 패널(4312)과, 제3 표시 패널(4313)과의 일단부에 구비된 바인딩부(4308)를 갖고 있다. 제3 표시 패널(4313)은 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 사이에 삽입되고 있다. 도 11a 및 도 11b의 전자 서적은 제1 표시부(4301), 제2 표시부(4307), 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)의 4개의 표시 화면을 갖고 있다.
제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312) 및 제3 표시 패널(4313)은 가요성을 갖고 있으며, 구부러지기 쉽다. 또한, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)에 플라스틱 기판을 사용하고, 제3 표시 패널(4313)에 얇은 필름을 사용하면, 박형의 전자 서적을 얻을 수 있다. 즉, 도 12에 일례로서 전자 서적의 가로 방향의 단면도를 도시한 바와 같이, 제3 표시 패널(4313)이 제1 표시 패널(4311) 및 제2 표시 패널(4312)보다 구부러지기 쉬운 전자 서적을 얻을 수 있다. 제3 표시 패널(4313) 외측에 단단한 표시 패널을 구비함으로써, 서적과 같이 전자 서적을 취급할 수 있고, 제3 표시 패널(4313)의 파손을 억제할 수 있다.
제3 표시 패널(4313)은 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 갖는 양면 표시형 패널이다. 제3 표시 패널(4313)은 양면 사출형의 표시 패널을 사용해도 좋고, 단면 사출형의 표시 패널을 접합해서 사용해도 좋다. 또한, 사이에 백라이트(적합하게는 박형의 EL 발광 패널)를 끼운 2개의 액정 표시 패널을 사용해도 좋다.
또한 도 11a 및 도 11b에 나타내는 전자 서적은 제1 표시부(4301)의 표시 제어를 행하는 주사선 구동 회로(도시하지 않음)와, 제2 표시부(4307)의 표시 제어를 행하는 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)와, 제3 표시부(4302) 및/또는 제4 표시부(4310)의 표시 제어를 행하는 주사선 구동 회로(도시하지 않음)와, 제1 표시부(4301), 제2 표시부(4307), 제3 표시부(4302) 및/또는 제4 표시부(4310)의 표시 제어를 행하는 신호선 구동 회로(4323)를 갖고 있다. 또한 주사선 구동 회로(4321a, 4321b)는 제1 표시 패널(4311)에 구비되고, 주사선 구동 회로(4322a, 4322b)는 제2 표시 패널(4312)에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323)는 바인딩부(4308)의 내부에 구비된다.
또한 도 11a 및 도 11b에 나타내는 전자 서적에서, 제2 표시 패널(4312)은 조작부(4304)를 갖고, 이는 전원 입력 스위치나, 표시 전환 스위치 등으로서 기능한다.
또한 도 11a 및 도 11b에 나타내는 전자 서적의 입력 조작은 제1 표시부(4301)나 제2 표시부(4307)에 손가락이나 입력 펜 등으로 터치하는 것, 또는 조작부(4304)의 조작에 의해 행해진다. 또한, 도 11a에서는 제2 표시부(4307)에 표시된 표시 버튼(4309)을 도시하고, 손가락 등으로 터치하는 것에 의해 데이터 입력을 행할 수 있다.
또한 도 11a 및 도 11b에 나타내는 제3 표시 패널(4313)을 삽입한 전자 서적의 사용 방법의 예로서는 제1 표시부(4301) 및 제4 표시부(4310)로 문장을 읽고, 제2 표시부(4307) 및 제3 표시부(4302)로 도면을 보는 것이 편리하다. 이때, 제3 표시부(4302)와 제4 표시부(4310) 상의 화상을 동시에 표시할 수는 없기 때문에, 페이지를 넘기기 시작했을 때에, 제3 표시부(4302)의 표시로부터 제4 표시부(4310)의 표시로 전환된다.
또한, 제1 표시부(4301) 및 제3 표시부(4302)의 데이터를 이 순서대로 읽은 후, 제4 표시부(4310) 및 제2 표시부(4307)는 제3 표시부(4313)가 임의의 각도로 전환될 때 다음 페이지의 표시를 행한다. 또한, 제4 표시부(4310) 및 제2 표시부(4307)의 데이터를 읽은 후, 제3 표시 패널(4313)이 임의의 각도로 전환될 때, 제3 표시부(4302) 및 제1 표시부(4301)는 다음 페이지를 표시한다. 이에 의해, 화면의 절환을 눈으로 볼 수 없어서, 시각적인 위화감 등을 억제하는 것이 가능하게 된다.
계속해서 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312) 및 제3 표시 패널(4313)을 갖는 전자 서적의 구체적인 구성의 일례에 대해서, 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로, 도 13a 및 도 13b를 참조하여 설명한다. 또한, 도 13a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 13b는 도 13a의 A-B간의 단면을 나타내고 있다.
도 13a 및 도 13b에 나타내는 전자 서적은 바인딩부(4308)가 중공을 갖는 하우징을 사용하여 형성되고, 상기 하우징의 내부에 신호선 구동 회로가 구비된다. 여기에서는 신호선 구동 회로(4323)가 IC를 사용하여 형성되고, 상기 IC가 바인딩부(4308)의 내부에 구비된다. IC는 실리콘 기판 등의 반도체 기판이나 SOI 기판 등을 사용해서 형성할 수 있다. 물론, 신호선 구동 회로 이외의 회로(예를 들어, CPU, 메모리 등)를 IC에 구비할 수 있다.
또한, 도 13a 및 도 13b에서는 바인딩부(4308)의 내부에 구비되는 IC를, TAB(Tape Automated Bonding) 방식을 사용해서 가요성 인쇄 회로(FPC)에 실장할 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로는 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 FPC(4324) 위에 구비되고, 마찬가지로 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 FPC(4324) 위에 구비되고, 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 FPC(4324) 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323)가 인쇄 기판(4325)을 통해서 전기적으로 접속된다. FPC(4324)는 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312) 및 인쇄 기판(4325)과 전기적으로 접속된다.
또한, 도 13a 및 도 13b에서, 인쇄 기판(4325)은 바인딩부(4308)를 구성하는 하우징에 접착하도록 구비될 수 있다.
도 13a 및 도 13b에 도시한 바와 같이, FPC 위에 신호선 구동 회로를 구비하는 경우, 상기 도 2c에서 설명한 바와 같이, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 한쪽 또는 양쪽에 응력 집중 영역(4326)을 구비하는 것이 바람직하다. 응력 집중 영역(4326)을 표시 패널에 구비함으로써, 전자 서적을 개방할 경우(제1 표시 패널(4311) 및/또는 제2 표시 패널(4312)을 절곡할 경우)에 FPC(4324)에 가해지는 응력을 저감하고, FPC(4324) 위에 구비된 신호선 구동 회로(4323)의 파괴를 억제할 수 있다. 또한 제3 표시 패널(4313)은 얇은 필름으로 형성되어 있기 때문에, 전자 서적을 개방해서 사용할 때에 충분한 가요성을 갖고 있으며, 서적과 같은 감각으로 전자 서적을 취급할 수 있다.
이어서, 도 13a 및 도 13b와 다른 전자 서적의 구성에 대해서, 도 14a 및 도 14b를 참조하여 설명한다. 도 14a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 14b는 도 14a의 A-B간의 단면을 나타내고 있다.
도 14a 및 도 14b에 도시하는 전자 서적은 바인딩부(4308)에 구비되는 IC를, COG(Chip On Glass) 방식을 사용하여, 제1 표시 패널(4311), 제2 표시 패널(4312)에 실장할 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로는 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 제1 표시 패널(4311)을 구성하는 소자 기판 위에 구비되고, 마찬가지로 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 제2 표시 패널(4313)을 구성하는 소자 기판 위에 구비되고, 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 제3 표시 패널(4313)을 구성하는 소자 기판 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323)가 FPC(4324) 및 인쇄 기판(4325)을 통해서 전기적으로 접속된다.
이어서, 도 13a 및 도 13b 및 도 14a 및 도 14b와 다른 전자 서적의 구성에 대해서, 도 15a 및 도 15b를 참조하여 설명한다. 도 15a는 전자 서적을 폐쇄한 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 15b는 도 15a의 A-B간의 단면을 나타내고 있다.
도 15a 및 도 15b에 도시하는 전자 서적은 신호선 구동 회로 등의 회로가 형성된 IC를 인쇄 기판에 구비하고, 상기 인쇄 기판과 표시 패널을 FPC를 사용해서 접속하는 경우를 나타내고 있다.
보다 구체적으로는 제1 표시부(4301)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 인쇄 기판(4325) 위에 구비되고, 마찬가지로 제2 표시부(4307)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 인쇄 기판 위에 구비되고, 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 제어하는 신호선 구동 회로(4323)가 형성된 IC가 제3 표시 패널(4313)을 구성하는 소자 기판 위에 구비되고, 신호선 구동 회로(4323)가 FPC(4324)를 통해서 전기적으로 접속된다. FPC(4324)는 각각 인쇄 기판(4325)에 전기적으로 접속된다.
도 15a 및 도 15b에서는 표시 패널의 절곡을 FPC(4324)로 행할 수 있기 때문에, 절곡부를 구비하지 않는 구성으로 할 수 있다.
계속해서, 제1 표시 패널(4311)과 제2 표시 패널(4312)의 사이에, 양면 표시형의 제3 패널을 탑재한 전자 서적의 구성 및 그 기능에 대해서, 블록도 등을 사용해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서의 전자 서적은 표시 패널에 사용하는 표시 소자로서, 자발광형의 발광 소자 또는 백라이트 등의 광의 투과를 제어하는 액정 소자 등의 경우에 특히 적합하다. 또한 전자 서적의 표시 소자로서는 전기 영동 소자 등의 다른 표시 소자에도 적용 가능하다.
도 16에 본 실시 형태에서 설명하는 전자 서적의 블록도를 나타낸다. 도 16에 나타내는 전자 서적은 제1 표시 패널(701)과, 제2 표시 패널(702)과, 제3 표시 패널(703)과, 제4 표시 패널(704)과, 표시 제어부(705)를 갖는다. 제1 표시 패널(701)은 주사선 구동 회로(706A), 제1 표시부(707A)를 갖는다. 제2 표시 패널(702)은 주사선 구동 회로(706B), 제2 표시부(707B)를 갖는다. 제3 표시 패널(703)은 주사선 구동 회로(706C), 제3 표시부(707C)를 갖는다. 제4 표시 패널(704)은 주사선 구동 회로(706D), 제4 표시부(707D)를 갖는다.
또한, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 제1 표시 패널(701) 내지 제4 표시 패널(704)은 각각 가요성을 갖고, 상기 실시 형태에서 설명한 신호선 구동 회로를 포함하는 표시 제어부를 구비한 바인딩부에 의해 고정되어 있다.
또한, 제3 표시 패널(703)과, 제4 표시 패널(704)로서 양면 사출형의 표시 패널을 사용함으로써, 제3 표시부(707C)와 제4 표시부(707D) 양쪽을 제3 표시 패널(703)이포함할 수 있고, 전자 서적의 박형화, 저비용화를 도모할 수 있다.
제1 표시부(707A) 내지 제4 표시부(707D)는 각각 복수의 화소(708)를 갖고 있으며, 각각 복수의 화소(708)에는 표시 소자를 제어하기 위한 화소 회로(710)를 포함한다. 화소 회로(710)에는 박막 트랜지스터 등이 포함된다. 화소 회로(710)는 일괄로 형성하면 저비용화가 도모된다. 또한, 제1 표시부(707A)는 광 센서(709A)를 갖고, 제2 표시부(707B)는 광 센서(709B)를 갖고, 제3 표시부(707C)는 광 센서(709C)를 갖고, 제4 표시부(707D)는 광 센서(709D)를 갖는다.
또한 주사선 구동 회로(706A) 내지 주사선 구동 회로(706D)는 화소(708)에서의 화소 회로(710)에 주사 신호를 공급한다.
광 센서(709A) 내지 광 센서(709D)는 제1 표시 패널(701) 및 제3 표시 패널(703)의 데이터를 시인하고 있는 상태 또는 제2 표시 패널(702) 및 제4 표시 패널(704)의 데이터를 시인하고 있는 상태를 검지하는 기능을 갖는다. 그로 인해, 표시 패널 등에 구비된 기울어 검출부 또는 다른 개폐 검출 수단에 의해, 본 실시 형태에서 설명하는 기능을 실현하는 것도 가능하다.
또한, 광 센서(709C) 및/또는 광 센서(709D)는 광 센서(709A) 및/또는 광 센서(709B)의 조도의 정밀도를 높임으로써, 생략할 수 있다. 또한 광 센서(709C) 및/또는 광 센서(709D) 대신에 차광부를 배치함으로써 광 센서(709A) 및/또는 광 센서(709B)의 조도의 정밀도를 높일 수 있고 투광성의 기판을 사용한 경우에도 광 센서에 의해 검출할 수 있어서 바람직하다.
또한 광 센서(709A) 내지 광 센서(709D)는 화소 회로(710)가 갖는 박막 트랜지스터가 형성되는 기판 위에, 포토다이오드 또는 포토 트랜지스터 등에 의한 광 센서로 형성해도 좋다. 광 센서(709A) 내지 광 센서(709D)를 박막 트랜지스터와 함께 형성함으로써 전자 서적의 저비용화를 도모할 수 있다.
바인딩부(4308) 내에 위치하는 표시 제어부(705)는 광강도 비교 회로(711), CPU 712, 내부 메모리(713), 영상 신호 발생 회로(714), 전원 공급 회로(715), 신호 송수신부(716), 급전부(717), 조작부(718), 신호선 구동 회로(714A) 내지 신호선 구동 회로(714D)를 갖고, 각 구성은 인터페이스 등을 통해서 접속된다. 또한 신호 송수신부(716)는 외부 기기와의 데이터의 송수신을 행하기 위한 안테나부(719)를 구비하는 구성여도 좋다.
광강도 비교 회로(711)는 광 센서(709A) 내지 광 센서(709D)로부터의 신호를 검지하고, 조도에 따른 신호의 강도를 비교하는 회로이다. 광강도 비교 회로(711)는 얻어지는 각 광 센서의 강도에 따른 신호를 부호화한다. 그리고 광강도 비교 회로(711)는 제1 표시 패널(701) 및/또는 제3 표시 패널(703)이갖는 광 센서(709A) 및/또는 광 센서(709C)와, 제2 표시 패널(702) 및/또는 제4 표시 패널(704)이 갖는 광 센서(709B) 및/또는 광 센서(709D) 사이의 조도에 따른 신호를 비교한다. 비교한 결과의 신호는 CPU 712에 보내져, CPU 712는 상기 신호에 따른 처리를 행하는 것이 된다. 또한, CPU 712는 조작부(718)에서의 조작에 따른 처리 등도 행한다.
신호 송수신부(716)는 안테나부(719)에 의해 수신한 데이터 또는 기록 매체에 기억된 데이터를 내부 메모리(713)에 전송하는 기능을 갖는다. 내부 메모리(713)에는 인터페이스 등을 통해서 데이터가 기억된다. 또한 신호 송수신부(716)로부터 내부 메모리(713)에 전송되는 데이터로서는 표시 패널에서 표시하기 위한 영상 신호 외에, 유저 ID 등의 정보를 기억하는 것이어도 좋다.
내부 메모리(713)는 광강도 비교 회로(711), 급전부(717), 조작부(718) 등으로부터의 신호에 기초하여 영상 신호 발생 회로(714) 및/또는 전원 공급 회로(715)에 출력하는 신호를 CPU 712에서 처리하기 위한 프로그램이나, 및/또는 신호 송수신부(716)로부터 전송되는 데이터를 기억하는 기억부를 갖는다. 일례로서는 내부 메모리(713)는 ROM(Read Only Memory)이나 RAM(Random Access Memory)을 포함한다.
급전부(717)는 무선 또는 유선에 의한 전력의 급전 또는 전지, 콘덴서 등의 축전 수단에 의한 전력의 급전을 행하는 기능을 갖는다. 또한, 조작부(718)는 터치 패널, 가동부를 조작할 수 있는 조작 버튼 등에 기초하는 유저에 의한 조작을 부호화하고, 부호화된 조작을 CPU 712에 전송하는 수단을 갖는다.
영상 신호 발생 회로(714)는 CPU 712의 제어에 따라, 제1 표시 패널(701) 내지 제4 표시 패널(704)의 표시 및 비표시를 행하기 위해서, 주사선 구동 회로를 구동하기 위한 클록 신호, 스타트 펄스 등을 각 주사선 구동 회로(706A) 내지 주사선 구동 회로(706D)에 공급 및 바인딩부 내에 구비된 신호선 구동 회로를 구동하기 위한 클록 신호, 스타트 펄스, 영상 신호 등을 각 신호선 구동 회로(714A) 내지 신호선 구동 회로(714D)에 공급하기 위한 회로이다.
또한 신호선 구동 회로(714A) 내지 신호선 구동 회로(714D)는 화소(708)에서의 화소 회로(710)에 신호선을 통해서 화상 신호를 공급한다.
전원 공급 회로(715)는 CPU 712의 제어에 따라, 제1 표시 패널(701) 내지 제4 표시 패널(704)의 표시, 비표시를 행하기 위해서, 표시 소자에의 전원 공급을 제어하기 위한 회로이다. 도 16에서는 설명을 위해, 전원 공급 회로(715) 내에, 제1 표시부(707A)에 전원 공급을 행하는 전원 공급 회로(715A), 제2 표시부(707B)에 전원 공급을 행하는 전원 공급 회로(715B), 제3 표시부(707C)에 전원 공급을 행하는 전원 공급 회로(715C), 제4 표시부(707D)에 전원 공급을 행하는 전원 공급 회로(715D)를 나타내고 있다.
도 16에 나타내는 전자 서적의 동작에 대해서 일례를 사용해서 설명한다. 우선 광 센서(709A) 내지 광 센서(709D)에 의해 얻어지는 각 표시 패널의 표시면의 조도를 광강도 비교 회로(711)에서 비교한다. CPU 712는 광강도 비교 회로(711)로 비교한 결과 또는 조작부(718)로부터의 신호에 의해, 유저가 어느 표시 패널을 시인하고 있을지를 판정한다. 예를 들어 CPU 712는 광 센서(709A) 및/또는 광 센서(709C)의 조도와, 광 센서(709B) 및/또는 광 센서(709D) 사이의 조도를 비교하고, 광 센서(709A) 및/또는 광 센서(709C) 사이의 조도가 광 센서(709B) 및/또는 광 센서(709D)의 조도보다 크면, 유저가 제1 표시부(707A) 및/또는 제3 표시부(707C)를 시인하고 있다고 판정한다. 유저가 어느 표시 패널을 시인하고 있을지의 판정에 의해, 영상 신호 발생 회로(714)가 제1 표시 패널(701) 내지 제4 표시 패널(704)에 공급하는 영상 신호 및 제어 신호 및/또는 전원 공급 회로(715)가 제1 표시 패널(701) 내지 제4 표시 패널(704)에 공급하는 전원 공급을 제어한다. 구체적으로는 유저가 시인하지 않고 있는 제2 표시부(707B) 및 제4 표시부(707D)를 구비하는 제2 표시 패널(702) 및 제4 표시 패널(704)에의 전원 공급을 정지함으로써, 저소비 전력화, 표시 패널의 장기 수명화를 도모할 수 있다.
도 16에 나타내는 전자 서적은 유저가 시인하고 있는 페이지를 광 센서 및 광강도 비교 회로에서 판정함으로써, 표시 패널에의 화상 신호의 공급, 전원 공급 등의 선택적인 전환을 행할 수 있다. 그 때문에 저소비 전력화, 표시 패널의 장기 수명화를 실현한 전자 서적을 제공할 수 있다.
실시 형태4는 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
(실시 형태5)
실시 형태5에서는 전자 서적에 구비하는 표시 패널의 예를 나타낸다. 표시 패널은 다양한 표시 소자를 갖는 표시 패널을 적용할 수 있고, 패시브 매트릭스형 또는 액티브 매트릭스형이라도 좋다.
표시 패널로서는 전자 페이퍼, 발광 표시 패널(일렉트로 루미네센스 패널), 액정 표시 패널 등을 사용할 수 있다. 표시 패널은 표시 소자가 밀봉된 상태에 있는 패널이며, 커넥터, 예를 들어 가요성 인쇄 회로(FPC) 또는 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 구비되어 신호선 구동 회로를 포함하는 외부 회로와 전기적으로 접속한다. 신호선 구동 회로를 포함하는 IC가, COG(Chip On Glass) 방식에 의해 표시 패널에 직접 실장되어도 좋다.
표시 패널은 양면에 표시를 행하는 양면 표시형 또는 단면에만 표시를 행하는 단면 표시 패널을 사용해도 좋다.
실시 형태4에서, 제3 표시 패널(4313)은 제3 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)를 갖는 양면 표시형 패널이다. 제3 표시 패널(4313)은 양면 사출형의 표시 패널을 사용해도 좋고, 두 개의 단면 사출형의 표시 패널을 접합해서 사용해도 좋다. 또한, 사이에 백라이트(적합하게는 박형의 EL 패널)를 끼운 2개의 액정 표시 패널을 사용해도 좋다.
양면 표시형 패널 예를 제3 표시 패널(4313)을 사용해서 도 17a 내지 도 17c에 나타낸다. 또한, 도 17a 내지 도 17c에서, 화살표는 광의 사출 방향을 나타내고 있다.
도 17a는 표시 소자(102)를 기판(100)과 기판(101) 사이에 구비한 제3 표시 패널(4313)을 도시하고, 기판(100)측에 제3 표시부(4302), 기판(101)측에 제4 표시부(4310)가 구비된다. 표시 소자(102)에 의해, 제1 표시부(4302) 및 제4 표시부(4310)가 표시되기 때문에, 기판(100) 및 기판(101)은 투광성을 갖는다. 표시 소자(102)는 자발광형의 발광 소자인 EL 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제3 표시 패널(4313)에 입사하는 광을 이용하는 경우, 표시 소자(102)로서 액정 표시 소자나 전기 영동 표시 소자를 사용할 수도 있다.
도 17b는 기판(110)과 기판(112) 사이에 구비된 표시 소자(114)를 포함하는 단면 표시 패널 및 기판(111)과 기판(113) 사이에 구비된 표시 소자(115)를 포함하는 단면 표시 패널을 적층한 제3 표시 패널(4313)을 도시하며, 기판(100)측에 제3 표시부(4302), 기판(101)측에 제4 표시부(4310)가 구비된다. 표시 소자(114)에 의해 제3 표시부(4302)가 표시되고, 표시 소자(115)에 의해 제4 표시부(4310)가 표시되기 때문에, 기판(110) 및 기판(111)은 투광성을 갖는다. 한편, 기판(112) 및 기판(113)은 투광성을 가질 필요는 없지만, 광반사성을 가져도 된다. 또한, 단면 표시 패널끼리는 기판(112) 및 기판(113)을 접착층에 의해 접착해서 접합하면 좋다. 또한, 기판(112) 및 기판(113) 중 어느 한쪽만을 사용해도 좋다.
표시 소자(114) 및 표시 소자(115)는 EL 소자를 사용하면 바람직하다. 또한, 제3 표시 패널(4313)에 입사하는 광을 이용하는 경우 표시 소자(114) 및 표시 소자(115)로서 액정 표시 소자나 전기 영동 표시 소자를 사용할 수도 있다. 광의 추출 효율을 향상시키기 위해서, 단면 표시형의 표시 패널로서 반사형의 표시 패널을 사용하면 바람직하다.
투광 형 액정 표시 패널 사이에 백라이트를 구비하고, 제3 표시 패널(4313)을 형성해도 좋다. 도 17c는 기판(120)과 기판(122) 사이에 구비된 표시 소자(124)를 포함하는 투광 형 액정 표시 패널 및 기판(121)과 기판(123) 사이에 구비된 표시 소자(125)를 포함하는 투광 형 액정 표시 패널을, 광원으로 기능하는 백라이트(126)를 개재하여 적층한 제3 표시 패널(4313)을 도시하고, 기판(120)측에 제3 표시부(4302), 기판(121)측에 제4 표시부(4310)가 구비된다. 백라이트(126)의 광 및 표시 소자(124)에 의해 제3 표시부(4302)가 표시되고, 백라이트(126)의 광 및 표시 소자(125)에 의해 제4 표시부(4310)가 표시되기 때문에 기판(120), 기판(121), 기판(122) 및 기판(123)은 투광성을 갖는다.
또한, 단면 표시 패널 및 백라이트는 접착층에 의해 접착해서 접합하면 좋다. 또한, 기판(122) 및 기판(123) 중 어느 한쪽만을 사용해도 좋다. 백라이트(126)로서는 박형의 EL 패널을 사용하면, 표시 패널(4313)을 박형화할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 단면 표시형 패널로 하는 경우에는 표시부를 구비하지 않는 면에 비투광성 또는 반사성의 하우징을 구비하면, 표시 패널의 강도를 향상할 수 있기 때문에 바람직하다.
표시 패널의 일 형태에 대해서, 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20을 참조하여 이하에서 설명한다. 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20은 도 4a의 M-N에서의 단면도에 상당한다. 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20은 화소 회로를 갖는 제1 표시부(4301) 및 주사선 구동 회로(4321a)를 갖는 제1 표시 패널(4311)에 FPC(4324)가 부착된 경우의 예이며, 소자 기판(4331a) 위에 구비된 제1 표시부(4301) 및 주사선 구동 회로(4321a)는 시일재(4005)에 의해 밀봉 기판(4332a)으로 밀봉된다.
도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20에 도시한 바와 같이, 제1 표시 패널(4311)은 접속 단자 전극(4015) 및 단자 전극(4016)을 갖고, 접속 단자 전극(4015) 및 단자 전극(4016)은 FPC(4324)에 포함되는 단자에 이방성 도전막(4019)을 통해서 전기적으로 접속된다.
접속 단자 전극(4015)은 제1 전극층(4030)과 같은 도전막으로 형성되고, 단자 전극(4016)은 박막 트랜지스터(4010, 4011)의 소스 전극층 및 드레인 전극층과 동일한 도전막을 사용해서 형성된다.
또한, 상기 도 4a 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4323)는 FPC에 의해 실장되어, 바인딩부(4308) 내에 구비된다. 신호선 구동 회로(4323), 주사선 구동 회로(4321a) 및 제1 표시부(4301)에 부여되는 각종 신호 및 전위는 FPC(4324)로부터 공급된다.
또한, 신호선 구동 회로(4323)의 접속 방법은 특별히 한정되는 것이 아니라, COG 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법 등을 사용할 수 있다.
또한 소자 기판(4331a) 위에 구비된 제1 표시부(4301)와, 주사선 구동 회로(4321a)는 박막 트랜지스터를 복수 포함한다. 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20에서는 제1 표시부(4301)에 포함되는 박막 트랜지스터(4010)와, 주사선 구동 회로(4321a)에 포함되는 박막 트랜지스터(4011)를 예시하고 있다. 박막 트랜지스터(4010, 4011) 위에는 절연층(4020, 4021)이 구비된다. 또한, 절연막(4023)은 베이스막으로서 기능하는 절연막이다.
박막 트랜지스터(4010, 4011)는 특별히 한정되지 않고 여러가지 박막 트랜지스터를 적용할 수 있다. 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20에서는 박막 트랜지스터(4010, 4011)로서, 보텀 게이트 구조의 역 스태거 박막 트랜지스터를 사용하는 예를 나타낸다. 박막 트랜지스터(4010, 4011)는 도면에 채널 에치형 박막 트랜지스터를 나타내지만, 반도체층위로 채널 보호막을 구비한 채널 보호형의 역 스태거 박막 트랜지스터를 사용해도 좋다.
제1 표시부(4301)에 구비된 박막 트랜지스터(4010)는 표시 소자와 전기적으로 접속하고, 표시 패널을 구성한다. 표시 소자는 표시를 행할 수 있으면 특별히 한정되지 않고 여러가지 표시 소자를 사용할 수 있다.
표시 패널로서 전자 페이퍼를 사용할 수 있다. 전자 페이퍼에서는 상 기입 수단으로서 전계, 자계, 광, 또는 열 등에 의한 표시 매체의 형상 및 위치 변화, 물리적 변화 등에 따라 여러가지 방식이 있다. 예를 들어, 트위스트 볼 방식, 전기 영동 방식, 분말계 방식(토너 디스플레이라고도 불린다), 액정 방식 등을 들 수 있다.
도 18a, 도 18b 및 도 22에 제1 표시 패널(4311)로서 액티브 매트릭스형의 전자 페이퍼를 사용한 예를 나타낸다. 전자 페이퍼는 종이 매체와 같은 판독성이 우수하고, 다른 표시 패널에 비해 저소비 전력, 얇고 가벼운 형상과 같은 이점을 갖고 있다.
도 18a, 도 18b 및 도 22는 표시 패널의 예로서 액티브 매트릭스형의 전자 페이퍼를 나타낸다.
도 18a의 전자 페이퍼는 트위스트 볼 표시 방식을 사용한 표시 장치의 예다. 트위스트 볼 표시 방식은 백색과 흑색으로 채색된 구형 입자를 표시 소자에 포함된 전극 층간에 배치하고, 전극 층간에 전위차를 발생시켜서 구형 입자의 방향을 제어함으로써, 표시를 행하는 방법이다.
박막 트랜지스터(4010)와 접속하는 제1 전극층(4030)과 밀봉 기판(4332a)에 구비된 제2 전극층(4031) 사이에는 흑색 영역(4615a) 및 백색 영역(4615b)을 갖고, 흑색 영역(4615a) 및 백색 영역(4615b)의 둘레에 액체로 충전된 캐비티(4612)를 포함하는 구형 입자(4613)가 구비된다. 구형 입자(4613)의 주위는 수지 등의 충전재(4614)로 충전된다. 제2 전극층(4031)은 공통 전극(대향 전극)에 상당한다. 제2 전극층(4031)은 공통 전위선과 전기적으로 접속된다.
또한, 트위스트 볼 대신에 전기 영동 소자를 사용하는 것도 가능하다. 표시 소자로서 전기 영동 소자를 사용하는 예를 도 18b에 나타낸다. 투명한 액체(4712)와, 제1 입자로서 음으로 대전한 흑색 미립자(4715a)와, 제2 입자로서 양으로 대전한 백색 미립자(4715b)를 봉입한 직경 10㎛ 내지 200㎛정도의 마이크로 캡슐(4713)을 사용한다.
제1 전극층(4030)과 제2 전극층(4031) 사이에 구비되는 마이크로 캡슐(4713)은 제1 전극층(4030)과 제2 전극층(4031)에 의해 전기장이 인가되면, 백색 미립자(4715b)와, 흑색 미립자(4715a)가 역방향으로 이동하여, 백색 또는 흑색을 표시할 수 있다. 이 원리를 응용한 표시 소자가 전기 영동 표시 소자이다. 전기 영동 표시 소자는 반사율이 높기 때문에, 보조 라이트는 불필요하고, 또한 소비 전력이 작고, 어둑어둑한 장소에서도 표시부를 인식하는 것이 가능하다. 또한, 표시부에 전원이 공급되지 않은 경우에도, 한번 표시한 상을 유지하는 것이 가능하다. 이 때문에, 전파 발신원으로부터 표시 패널이 멀어졌을 경우에도, 표시된 상을 보존해 두는 것이 가능하게 된다.
또한, 제1 입자 및 제2 입자는 임의의 염료를 포함하고, 전계가 없을 경우에 이동하지 않는다. 또한, 제1 입자 및 제2 입자의 색은 서로 상이하다(입자는 무색을 포함한다).
상기 마이크로 캡슐을 용매 중에 분산시킨 용액이 전자 잉크라고 불린다. 전자 잉크는 유리, 플라스틱, 천, 종이 등의 표면에 인쇄할 수 있다. 또한, 컬러 필터나 염료를 갖는 입자를 사용함으로써 컬러 표시도 가능하다.
또한, 마이크로 캡슐 중의 제1 입자 및 제2 입자는 도전체 재료, 절연체 재료, 반도체 재료, 자성 재료, 액정 재료, 강유전성 재료, 일렉트로루미네슨트 재료, 일렉트로크로믹 재료 및 자기 영동 재료로부터 선택된 1종의 재료 또는 이들 복합 재료를 사용하면 좋다.
또한, 분립체(Liquid Powder)를 사용하는 전자 분류체(Electronic Liquid Powder; 등록 상표)를 사용하는 것도 가능하다. 표시 소자로서 전자 분류체를 사용하는 예를 도 22에 나타낸다. 제1 전극층(4030), 제2 전극층(4031) 및 리브(4814)에 의해 구획된 공간(4812)에, 양으로 대전한 흑색 분립체(4815a)와 음으로 대전한 백색 분립체(4815b)를 충전한다. 또한 공간(4812)은 공기로 충전된다.
제1 전극층(4030)과 제2 전극층(4031)에 의해 전기장이 인가되면, 흑색 분립체(4815a)와, 백색 분립체(4815b)는 역방향으로 이동하고, 백색 또는 흑색을 표시할 수 있다. 분립체로서 적, 황 및/또는 청과 같은 컬러 분체(powder)를 사용해도 좋다.
또한, 표시 소자로서는 일렉트로 루미네센스를 이용하는 발광 소자(EL 소자)를 사용해도 좋다. 일렉트로 루미네센스를 이용하는 발광 소자는 발광 재료가 유기 화합물인지, 또는 무기 화합물인지에 따라 구별되며, 일반적으로, 전자는 유기 EL 소자, 후자는 무기 EL 소자라고 부른다.
유기 EL 소자는 발광 소자에 전압을 인가함으로써, 한 쌍의 전극으로부터 전자 및 정공이 각각 발광성의 유기 화합물을 포함하는 층에 주입되어, 전류가 흐른다. 그리고, 캐리어(전자 및 정공)가 재결합함으로써, 발광성 유기 화합물이 여기 된다. 발광성 유기 화합물이 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀될 때에 발광한다. 이러한 메커니즘으로부터, 이러한 발광 소자는 전류 여기형의 발광 소자라고 불린다.
무기 EL 소자는 그 소자 구성에 의해, 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL 소자로 분류된다. 분산형 무기 EL 소자는 발광 재료의 입자를 바인더 중에 분산시킨 발광층을 갖는 것이며, 발광 메커니즘은 도너 준위와 억셉터 준위를 이용하는 도너-억셉터 재결합형 발광이다. 박막형 무기 EL 소자는 발광층을 유전체층 사이에 끼워 넣고, 또한 그것을 전극에 사이에 끼운 구조이며, 발광 메커니즘은 금속 이온의 내각 전자 천이를 이용하는 국지형 발광이다. 또한, 여기에서는 발광 소자로서 유기 EL 소자를 사용해서 설명한다.
발광 소자로부터 발광을 추출하기 위해서 양극과 음극 중 적어도 하나가 투명하면 좋다. 발광 소자는 기판과는 반대측의 면으로부터 발광을 추출하는 상면 사출 구조나, 기판측의 면으로부터 발광을 추출하는 하면 사출 구조나, 기판측 및 기판과는 반대측의 면으로부터 발광을 추출하는 양면 사출 구조의 발광 소자를 가질 수 있다.
도 19에 제1 표시 패널(4311)로서 발광 표시 패널(EL 패널)을 사용한 예를 나타낸다. 표시 소자인 발광 소자(4513)는 표시부(4301)에 구비된 박막 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속하고 있다. 또한 발광 소자(4513)의 구성은 도 19에 도시된 제1 전극층(4030), 전계 발광층(4511), 제2 전극층(4031)을 포함하는 적층 구조에 한정되지 않는다. 발광 소자(4513)로부터 추출하는 광의 방향 등에 따라, 발광 소자(4513)의 구성은 적절히 바꿀 수 있다.
격벽(4510)은 유기 수지막, 무기 절연막 또는 유기 폴리실록산을 사용해서 형성한다. 특히 격벽(4510)은 감광성의 재료를 사용하고, 제1 전극층(4030) 위에 개구부를 형성하고, 그 개구부의 측벽이 연속한 곡률을 갖는 경사면으로 형성하는 것이 바람직하다.
전계 발광층(4511)은 단일 층으로 구성되어 있어도, 복수의 층으로 적층되게 구성되어 있어도 좋다.
발광 소자(4513)에 산소, 수소, 수분, 이산화탄소 등이 침입하지 않도록, 제2 전극층(4031) 및 격벽(4510) 위에 보호막을 형성해도 좋다. 보호막으로서는 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, DLC막 등을 형성할 수 있다. 또한, 소자 기판(4331a), 밀봉 기판(4332a) 및 시일재(4005)에 의해 밀봉된 공간에는 충전재(4514)가 구비되어 완전히 밀봉된다. 이렇게 패널이 외부 공기에 노출되지 않도록 기밀성이 높고, 탈가스가 적은 보호 필름(접합 필름, 자외선 경화 수지 필름 등)이나 커버재로 패널을 패키징(밀봉)하는 것이 바람직하다.
충전재(4514)로서는 질소나 아르곤 등의 불활성 기체 이외에, 자외선 경화 수지 또는 열경화 수지를 사용할 수 있다. PVC(폴리비닐 클로라이드), 아크릴, 폴리이미드, 에폭시 수지, 실리콘 수지, PVB(폴리비닐 부티랄) 또는 EVA(에틸렌 비닐아세테이트)를 사용할 수 있다. 예를 들어 충전재로서 질소를 사용하면 좋다.
또한, 필요하면, 발광 소자의 사출면에 편광판, 또는 원편광판(타원 편광판을 포함한다), 위상차판(1/4 파장판, 1/2 파장판), 컬러 필터 등의 광학 필름을 적절히 구비해도 좋다. 또한, 편광판 또는 원편광판에 반사 방지막을 구비해도 좋다. 예를 들어, 표면의 요철에 의해 반사광을 확산하고, 투영을 저감할 수 있는 안티글레어 처리를 실시할 수 있다.
도 20에 제1 표시 패널(4311)로서 액정 표시 패널을 사용한 예를 나타낸다. 도 20에서, 표시 소자인 액정 소자(4013)는 제1 전극층(4030), 제2 전극층(4031) 및 액정층(4008)을 포함한다. 또한, 액정층(4008)을 사이에서 끼움 지지하도록 배향막으로서 기능하는 절연막(4032, 4033)이 구비된다. 제2 전극층(4031)은 밀봉 기판(4332a) 측에 구비되고, 제1 전극층(4030)과 제2 전극층(4031)은 액정층(4008)을 개재하여 적층된다.
또한 참조 번호 4035는 절연막을 선택적으로 에칭함으로써 얻어지는 기둥 형상의 스페이서를 나타낸다. 기둥 형상의 스페이서(4035)는 액정층(4008)의 막 두께(셀 갭)를 제어하기 위해서 구비된다. 또한 구 형상의 스페이서를 사용하고 있어도 좋다.
또한, 도 20의 액정 표시 장치에서는 도시하지 않지만, 컬러 필터(착색층), 블랙 매트릭스(차광층), 편광 부재, 위상차 부재, 반사 방지 부재 등의 광학 부재(광학 기판) 등은 적절히 구비한다. 예를 들어, 편광 기판 및 위상차 기판을 사용하여 원편광을 사용해도 좋다. 또한, 광원으로서 백라이트, 사이드 라이트 등을 사용해도 좋고, 백라이트로서는 EL 패널을 사용하면 박형화할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 배향막이 불필요한 블루상(blue phase)을 나타내는 액정을 사용해도 좋다. 블루상은 액정상의 하나이며, 콜레스테릭 액정의 온도를 높여가면서, 콜레스테릭상이 등방상으로 전이하기 직전에 발생하는 상이다. 블루상은 좁은 온도 범위에서만 발생하지 않기 때문에, 온도 범위를 개선하기 위해서 5wt% 이상의 키랄제(chiral agent)를 혼합시킨 액정 조성물을 사용해서 액정층(4008)에 사용한다. 블루상을 포함하는 액정과 키랄제를 포함하는 액정 조성물은 응답 속도가 10㎲ 내지 100㎲와 같이 짧고, 광학적 등방성이기 때문에, 배향 처리가 불필요하고, 시야각 의존성이 작다.
또한 도 20은 투과형 액정 표시 패널의 예이지만, 반사형 액정 표시 패널 또는 반투과 형 액정 표시 패널에도 적용할 수 있다.
또한, 도 18a, 도 18b, 도 19, 도 20 및 도 22에서, 소자 기판(4331), 밀봉 기판(4332)으로서는 투광성을 갖는 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 플라스틱으로서는 FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)판, PVF(폴리비닐 플루오라이드) 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에스테르 필름 또는 아크릴 수지 필름을 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄 호일을 PVF 필름 또는 폴리에스테르 필름 사이에 끼운 구조의 시트를 사용할 수도 있다.
절연층(4020)은 박막 트랜지스터의 보호막으로서 기능한다.
또한, 보호막은 대기 중에 존재하는 유기물이나 금속물, 수증기 등의 오염 불순물의 침입을 방지하기 위한 것이고, 치밀한 막이 바람직하다. 보호막은 스퍼터법을 사용하여, 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화알루미늄 막, 산화 질화알루미늄 막, 또는 질화 산화 알루미늄막의 단층, 또는 적층으로 형성하면 좋다.
또한, 평탄화 절연막으로서 기능하는 절연층(4021)은 평탄화 절연막으로 형성된다. 절연층(4021)은 폴리이미드, 아크릴, 벤조시클로부텐, 폴리아미드, 에폭시 등의 내열성을 갖는 유기 재료로 형성될 수 있다. 또한 상기 유기 재료의 이외에, 저유전율 재료(low-k 재료), 실록산계 수지, PSG(인 글라스), BPSG(보로포스포실리케이트 글라스) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료로 형성되는 절연막을 복수 적층시킴으로써, 절연층을 형성해도 좋다.
절연층(4020), 절연층(4021)의 형성법은 특별히 한정되지 않는다. 절연층(4021)의 재료에 따라, 스퍼터법, SOG법, 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 액적 토출법(잉크젯법, 스크린 인쇄 또는 오프셋 인쇄), 닥터 나이프, 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터 등 상기 방법이 사용될 수 있다. 절연층을 재료 액을 사용해서 형성하는 경우, 소정 공정(step of baking)과 동시에, 반도체층의 어닐(200℃ 내지 400℃)을 행해도 된다. 절연층의 소성 공정과 반도체층의 어닐을 동시에 행하면, 효율적으로 표시 패널을 제작하는 것이 가능하게 된다.
표시 패널은 광원 또는 표시 소자로부터의 광을 투과시켜서 표시를 행한다. 따라서, 광이 투과하는 표시부에 구비되는 기판과, 절연막과 도전막 등의 박막은 가시광의 파장 영역의 광에 대하여 투광성을 갖는다.
표시 소자에 전압을 인가하는 제1 전극층(4030) 및 제2 전극층(4031)(화소 전극층, 공통 전극층, 대향 전극층 등이라고도 한다)에서는 추출하는 광의 방향, 전극층이 구비되는 장소 및 전극층의 패턴 구조 등에 의해 투광성, 반사성을 선택하면 좋다.
제1 전극층(4030), 제2 전극층(4031)은 산화텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐 산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(이하,ITO로 나타낸다),인듐 아연 산화물, 산화실리콘을 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
또한, 제1 전극층(4030), 제2 전극층(4031)은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속, 또는 그 합금, 또는 그 금속 질화물로부터 하나 또는 복수종을 사용해서 형성할 수 있다.
또한, 제1 전극층(4030), 제2 전극층(4031)으로서, 도전성 고분자(도전성 중합체라고도 한다)를 포함하는 도전성 조성물을 사용해서 형성할 수 있다. 도전성 고분자로서는 소위 π-전자 공액계 도전성 고분자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체 등을 들 수 있다.
또한, 박막 트랜지스터는 정전기 등에 의해 파괴되기 쉽기 때문에, 구동 회로 보호용의 보호 회로를 구비하는 것이 바람직하다. 보호 회로는 비선형 소자를 사용해서 구성하는 것이 바람직하다.
실시 형태5는 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
(실시 형태6)
실시 형태6에서는 전자 서적을 구성하는 재료나 소자 구조의 예를 상세하게 설명한다.
신호선 구동 회로는 바인딩부에 구비되기 때문에, 특별히 가요성을 가질 필요는 없다. 따라서, 신호선 구동 회로로서, 고속 동작이 가능한 반도체 기판(반도체 웨이퍼)을 사용한 반도체 집적 회로 칩(IC)를 사용하는 것이 바람직하다. 반도체 기판으로서, 단결정 반도체 기판 및 다결정 반도체 기판을 사용할 수 있고, 실리콘 웨이퍼나 게르마늄 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼, 갈륨 비소나 인듐 인 등의 화합물 반도체 웨이퍼를 적용한다.
또한, 신호선 구동 회로에 대해, 절연 표면에 단결정 반도체층을 구비한 SOI구조를 갖는 기판(SOI 기판)을 사용해도 좋다. SOI 기판은 주입 산화(SIMOX)법이나, Smart-Cut(등록 상표)법을 사용해서 형성할 수 있다. SIMOX법은 단결정 실리콘 기판에 산소 이온을 주입하고, 소정의 깊이에 산소 함유층을 형성한 후, 열처리를 행하고, 표면으로부터 일정한 깊이에 매립 절연층을 형성하고, 매립 절연층 위에 단결정 실리콘층을 형성하는 방법이다. 또한,Smart-Cut법은 산화된 단결정 실리콘 기판에 수소 이온 주입을 행하고, 원하는 깊이에 상당하는 곳에 수소 함유층을 형성하고, 다른 반도체 기판(표면에 접합용의 산화 실리콘막을 갖는 단결정 실리콘 기판 등)에 접합하는 가열 처리를 행함으로써 수소 함유층에서 단결정 실리콘 기판을 분리하고, 반도체 기판 위에 산화 실리콘막과 단결정 실리콘층의 적층을 형성하는 방법이다.
전자 서적의 회로부에 구비되는 반도체 소자로서는 전계 효과 트랜지스터는 물론, 반도체층을 사용하는 메모리(기억) 소자 등도 적용할 수 있어서, 다용도에 걸쳐서 요구되는 기능을 만족하는 반도체 집적 회로를 구비할 수 있다.
주사선 구동 회로 및 표시부는 표시 패널의 가요성 기판 위에 구비되기만 하면 그 방법은 특별히 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로 및 표시부는 가요성 기판에 직접 형성해도 좋다. 또는, 주사선 구동 회로 및 표시부를 다른 제작 기판 위에 제작하고, 그 후 제작 기판으로부터 박리법을 사용해서 소자층만을 가요성 기판에 전사해서 좋다. 예를 들어, 주사선 구동 회로 및 표시부를 동일 공정으로 제작 기판에 형성하고, 주사선 구동 회로 및 표시부를 표시 패널의 가요성 기판에 전사해서 구비할 수 있다. 이 경우, 주사선 구동 회로 및 표시부는 동일 공정으로 형성되기 때문에, 동일한 구조 및 재료를 가진 트랜지스터로 바람직하게 형성되고, 이 경우 저비용화를 실현할 수 있다. 따라서, 주사선 구동 회로 및 표시부를 구성하는 트랜지스터의 채널층이 동일한 재료로 형성된다.
또한, 제작 기판으로부터 가요성 기판으로 전사한 후, 가요성 기판 위에 표시 패널의 기판에 구성요소를 접착해서 형성해도 좋다. 예를 들어, 제작 기판 위에 주사선 구동 회로를 복수 형성하고, 가요성 지지 기판으로 전사한 후, 가요성 지지 기판을 분할하여 개개의 주사선 구동 회로로 분리하고, 1개의 표시 패널에 필요한 만큼 가요성 지지 기판 위에 구비된 주사선 구동 회로를 부착해서 구비해도 좋다. 이 경우, 주사선 구동 회로와 표시부는 별도의 공정으로 제작되기 때문에, 각각 다양한 구성 및 재료의 트랜지스터를 사용할 수 있다.
또한, 상기 전사법과 직접 형성법을 조합해도 좋다. 예를 들어, 인쇄법 등을 사용하여, 표시부, 주사선 구동 회로부, FPC 등을 전기적으로 접속하는 배선을 표시 패널의 가요성 기판에 직접 형성하면 좋다.
제작 기판은 소자층의 제작 공정에 따라 제작 기판을 적절히 선택하면 좋다. 예를 들어, 제작 기판으로서는 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 표면에 절연층이 형성된 금속 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 처리 온도에 대해 내열성을 갖는 플라스틱 기판을 사용해도 좋다.
가요성 기판으로서, 아라미드 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 폴리페닐렌술피드(PPS) 수지, 폴리이미드(PI) 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 섬유에 유기 수지가 함침된 구조체인 프리프레그를 사용해도 좋다.
제작 기판으로부터 소자층을 다른 기판에 전사하는 방법은 특별히 한정되지 않고 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 제작 기판과 소자층 사이에 박리층을 형성하면 좋다.
또한, 본 명세서에서 소자층은 소자 기판측에 구비하는 반도체 소자층뿐만 아니라, 대향 기판측에 구비하는 대향 전극층 등도 포함한다. 따라서 박리 공정은 모소자 기판과 밀봉 기판측 양측에 사용할 수 있다. 또한, 제조 공정의 간편성을 고려하여, 소자층을 제작 기판으로부터 가요성 기판에 전치한 후, 제작 공정에서 상기 가요성 기판을 유리 기판 등에 임시 접착해서 제작 공정을 진행시킬 수도 있다.
박리층은 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법, 코팅법, 인쇄법 등에 의해, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 실리콘(Si)으로부터 선택된 원소, 또는 원소를 주성분으로 하는 합금 재료, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 화합물 재료로 이루어지는 층을, 단층 또는 적층으로 형성한다. 실리콘을 포함하는 층의 결정 구조는 비정질, 미세결정, 다결정의 모든 경우에서도 좋다. 또한, 여기에서는 코팅법은 스핀코팅법, 액적 토출법, 디스펜스법을 포함한다.
박리층이 단층 구조를 가질 경우, 바람직하게는 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성한다. 또는 텅스텐의 산화물 또는 산화 질화물을 포함하는 층, 몰리브덴의 산화물 또는 산화 질화물을 포함하는 층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물 또는 산화 질화물을 포함하는 층을 형성한다. 또한, 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물은 예를 들어 텅스텐과 몰리브덴의 합금에 상당한다.
박리층이 적층 구조를 가질 경우 바람직하게는 1층째로서 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성하고, 2층째로서, 텅스텐, 몰리브덴 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물, 질화물, 산화 질화물 또는 질화 산화물을 형성한다.
박리층으로서, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 형성하는 경우, 텅스텐을 포함하는 층을 먼저 형성하고, 그 상층에 산화물로 형성되는 절연층을 형성함으로써, 텅스텐층과 절연층 사이의 계면에, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 형성되는 것을 활용해도 좋다. 나아가, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을, 열산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 오존수 등의 산화력에 강한 용액에서의 처리 등을 행해서 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성해도 좋다. 또한 플라즈마 처리나 가열 처리는 산소, 질소, 일산화 이질소 단체, 또는 상기 가스와 그 밖의 가스와의 혼합 기체 분위기 하에서 행해도 된다. 이것은 텅스텐의 질화물, 산화 질화물 및 질화 산화물을 포함하는 층을 형성하는 경우도 마찬가지이다. 텅스텐을 포함하는 층을 형성한 후, 그 상층에 질화 실리콘층, 산화 질화 실리콘층, 질화 산화 실리콘층을 형성하면 좋다.
또한, 소자층을 다른 기판에의 전치 공정은 기판과 소자층 사이에 박리층을 형성하고, 박리층과 소자층 사이에 금속 산화막을 구비하고, 상기 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화시켜, 상기 소자층을 박리하는 방법, 내열성이 높은 기판과 소자층 사이에 수소를 포함하는 비정질 실리콘막을 구비하고, 레이저광의 조사 또는 에칭에 의해 상기 비정질 실리콘막을 제거함으로써, 상기 소자층을 박리하는 방법, 기판과 소자층 사이에 박리층을 형성하고, 박리층과 소자층 사이에 금속 산화막을 구비하고, 상기 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화시키고, 박리층의 일부를 용액이나 NF3, BrF3, ClF3등의 불화 할로겐 가스에 의해에칭에서 제거한 후, 취약화된 금속 산화막에서 박리하는 방법, 소자층이 형성된 기판을 기계적으로 삭제 또는 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등의 불화 할로겐 가스에 의한 에칭으로 제거하는 방법 등을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 박리층으로서 질소, 산소나 수소 등을 포함하는 막(예를 들어, 수소를 포함하는 비정질 실리콘막, 수소 함유 합금막, 산소 함유 합금막 등)을 사용하고, 박리층에 레이저광을 조사해서 박리 층 내에 함유하는 질소, 산소나 수소를 가스로서 방출시켜 소자층과 기판 사이의 박리를 촉진하는 방법을 사용해도 좋다.
상기 박리 방법을 조합하는 것에 의해 용이하게 전사 공정을 행할 수 있다. 즉, 레이저광의 조사, 가스나 용액 등에 의한 박리층으로의 에칭, 날카로운 나이프나 메스(scalpel) 등에 의한 기계적인 제거를 행하고, 박리층과 소자층을 박리하기 쉬운 상태로 한 후, 물리적인 힘(예를 들어, 기계 등에 의해)에 의해 박리를 행할 수도 있다.
또한, 박리층과 소자층 사이의 계면에 액체를 침투시켜서 기판으로부터 소자층을 박리해도 좋다. 액체로서는 물 등을 사용할 수 있다.
본 명세서에서 개시하는 전자 서적에 포함되는 트랜지스터는 특별히 한정되지 않는다. 따라서 트랜지스터의 구조와 사용하는 반도체 재료는 여러가지 사용할 수 있다.
박막 트랜지스터의 구조의 예를, 도 21a 내지 도 21d를 참조하여 설명한다. 도 21a 내지 도 21d는 실시 형태5에서의 박막 트랜지스터(4010)에 적용할 수 있는 박막 트랜지스터의 예이다.
도 21a 내지 21d에서, 소자 기판(4331a) 위에 절연막(4023)이 형성되고, 절연막(4023) 위에 박막 트랜지스터(4010a, 4010b, 4010c, 4010d)가 구비된다. 박막 트랜지스터(4010a, 4010b, 4010c, 4010d) 위에 절연층(4020) 및 절연층(4021)이 형성되고, 박막 트랜지스터(4010a, 4010b, 4010c, 4010d)와 전기적으로 접속하는 제1 전극층(4030)이 구비된다.
박막 트랜지스터(4010a)는 도 18a, 도 18b, 도 19 및 도 20에 도시된 박막 트랜지스터(4010)의 다른 구조를 갖고, 소스 전극층 및 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)과 반도체층(403)이 n+층을 사이에 개재하지 않고 접하는 구성이다.
박막 트랜지스터(4010a)는 역 스태거형의 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판인 소자 기판(4331a), 절연막(4023) 위에 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 반도체층(403), 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)을 포함한다. n+층(404a, 404b)은 반도체층(403)보다 저저항의 반도체층이다.
박막 트랜지스터(4010b)는 보텀 게이트형의 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판인 소자 기판(4331a), 절연막(4023) 위에 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b), 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능하는 n+층(404a, 404b) 및 반도체층(403)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(4010b)를 덮도록 반도체층(403)에 접하는 절연층(4020)이 구비된다.
또한, n+층(404a, 404b)을, 게이트 절연층(402)과 배선층(405a, 405b) 사이에 구비하는 구조도 좋다. 또한, n+층을 게이트 절연층과 배선층 사이와, 배선층과 반도체층 사이 양쪽에 구비하는 구조도 좋다.
박막 트랜지스터(4010b)를 포함하는 전체 영역에 게이트 절연층(402)이 존재하고, 게이트 절연층(402)과 절연 표면을 갖는 소자 기판(4331a) 사이에 게이트 전극층(401)이 구비된다. 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b) 및 n+층(404a, 404b)이 구비된다. 그리고, 게이트 절연층(402), 배선층(405a, 405b) 및n+층(404a, 404b) 위에 반도체층(403)이 구비된다. 또한, 도시하지 않지만, 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b) 외에 배선층을 갖고, 상기 배선층은 반도체층(403)의 외주부보다 외측으로 연장되고 있다.
박막 트랜지스터(4010c)는 박막 트랜지스터(4010b)의, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 반도체층이 n+층을 통하지 않고 접하는 구성을 갖는다.
박막 트랜지스터(4010c)를 포함하는 전체 영역에서 게이트 절연층(402)이 존재하고, 게이트 절연층(402)과 절연 표면을 갖는 소자 기판(4331a) 사이에 게이트 전극층(401)이 구비된다. 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b)이 구비된다. 그리고, 게이트 절연층(402), 배선층(405a, 405b) 위에 반도체층(403)이 구비된다. 또한, 도시하지 않지만, 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b) 외에 배선층을 갖고, 상기 배선층은 반도체층(403)의 외주부보다 외측으로 연장되고 있다.
박막 트랜지스터(4010d)는 톱 게이트형의 박막 트랜지스터이고, 평면형의 박막 트랜지스터의 예이다. 절연 표면을 갖는 소자 기판(4331a) 및 절연막(4023) 위에 소스 영역 및 드레인 영역으로서 기능하는 n+층(404a, 404b)을 포함하는 반도체층(403)이 형성된다. 반도체층(403) 위에 게이트 절연층(402)이 형성되고, 게이트 절연층(402)위에 게이트 전극층(401)이 형성된다. 또한 n+층(404a, 404b)과 접해서 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)이 형성된다. n+층(404a, 404b)은 반도체층(403)보다 저저항의 반도체 영역이다.
박막 트랜지스터로는 톱 게이트형의 순방향 스태거 박막 트랜지스터를 사용해도 좋다.
본 실시 형태에서는 싱글 게이트 구조를 설명했지만, 더블 게이트 구조 등의 멀티 게이트 구조에도 사용할 수 있다. 이 경우, 반도체층의 상방 및 하방에 게이트 전극층을 구비하는 구조여도 좋고, 반도체층의 한쪽 측(상방 또는 하방)에만 복수 게이트 전극층을 구비하는 구조여도 좋다.
반도체층에 사용되는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 박막 트랜지스터의 반도체층에 사용할 수 있는 재료의 예를 아래에서 설명한다.
반도체 소자에 포함되는 반도체층을 형성하는 재료는 실란이나 게르만으로 대표되는 반도체 재료 가스를 사용하는 기상 성장법이나 스퍼터링 법으로 제작되는 비정질 반도체(이하 "AS"라고도 한다), 상기 비정질 반도체를 광에너지나 열에너지를 이용해서 결정화시킨 다결정 반도체, 또는 미세결정 반도체("SAS"라고도 한다) 등을 사용할 수 있다. 반도체층은 스퍼터법, LPCVD법 또는 플라즈마 CVD법 등에 의해 성막할 수 있다.
미세결정 반도체막은 깁스(Gibbs)의 자유에너지를 고려하면 비정질과 단결정의 중간적인 준안정 상태에 속하는 것이다. 즉, 미세결정 반도체막은 자유 에너지적으로 안정된 제3 상태를 갖는 반도체이며, 쇼트-레인지 오더를 갖고 격자 왜곡을 갖는다. 기둥 형상 또는 바늘 형상 결정은 기판 표면에 대하여 법선 방향으로 성장하고 있다. 미세결정 반도체의 대표예인 미세결정 실리콘은 단결정 실리콘의 라만(Raman) 스펙트럼의 피크를 나타내는 520cm-1보다 저파수 수치에 위치하고 있다. 즉, 단결정 실리콘의 피크를 나타내는 520cm-1과 아몰퍼스 실리콘의 피크를 나타내는 480cm-1 사이에 미세결정 실리콘의 라만 스펙트럼의 피크가 존재한다. 또한, 미세결정 실리콘은 미결합손(댕글링 본드)을 끝내기 위해서 수소 또는 할로겐을 적어도 1 원자% 이상을 포함한다. 또한, 미세결정 실리콘은 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온 등의 희가스 원소를 포함시켜서 격자 왜곡을 더 조장시킴으로써, 안정성이 증가한 양호한 미세결정 반도체막이 얻어진다.
미세결정 반도체막은 주파수가 몇십 MHz 내지 몇백 MHz의 고주파 플라즈마 CVD법 또는 주파수가 1GHz이상의 마이크로파 플라즈마 CVD 장치에 의해 형성할 수 있다. 미세결정 반도체막은 대표적으로는 SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, SiF4 등의 수소화 실리콘을 수소로 희석해서 형성할 수 있다. 또한, 수소화 실리콘 및 수소 외에, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온으로부터 선택된 1종 또는 복수 종의 희가스 원소로 희석해서 미세결정 반도체막을 형성할 수 있다. 이 경우, 수소화 실리콘에 대한 수소의 유량비를 5:1 내지 200:1로, 바람직하게는 50:1 내지 150:1, 더 바람직하게는 100:1로 한다.
아몰퍼스 반도체로서 대표적으로는 수소화 아몰퍼스 실리콘이고, 결정성 반도체로서 대표적으로는 폴리실리콘 등을 들 수 있다. 폴리실리콘(다결정 실리콘)에는 800℃ 이상의 프로세스 온도를 거쳐서 형성되는 폴리실리콘을 주 재료로서 포함하는 소위 고온 폴리실리콘, 600℃ 이하의 프로세스 온도로 형성되는 폴리실리콘을 주 재료로서 포함하는 소위 저온 폴리실리콘, 및 결정화를 촉진하는 원소 등을 사용하여 비정질 실리콘을 결정화시킨 폴리실리콘 등을 포함하고 있다. 물론, 전술한 바와 같이, 미세결정 반도체 또는 반도체층의 일부에 결정상을 포함하는 반도체를 사용할 수도 있다.
또한, 반도체의 재료로서는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge) 단체 이외에 GaAs, InP, SiC, ZnSe, GaN 또는 SiGe 등과 같은 화합물 반도체도 사용할 수 있다.
반도체층에, 결정성 반도체막을 사용하는 경우, 그 결정성 반도체막의 제작 방법은 다양한 방법(예를 들어, 레이저 결정화법, 열 결정화법 또는 니켈 등의 결정화를 조장하는 원소를 사용한 열 결정화법 등)을 사용하면 좋다. 또한, SAS인 미세결정 반도체를 레이저 조사해서 결정화하면, 결정성을 높일 수도 있다. 결정화를 조장하는 원소를 도입하지 않는 경우에는 비정질 실리콘막에 레이저광을 조사 하기 전에, 질소 분위기 하의 500℃에서 1시간 가열함으로써 비정질 실리콘막의 함유 수소 농도를 1x1020atoms/cm3 이하까지 방출시킨다. 이것은 수소를 많이 포함한 비정질 실리콘막에 레이저광을 조사하면 비정질 실리콘막이 파괴되어 버리기 때문이다.
비정질 반도체막으로의 금속 원소의 도입 방법으로서는 상기 금속 원소를 비정질 반도체막의 표면이나 그 내부에 존재시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 스퍼터법, CVD법, 플라즈마 처리법(플라즈마 CVD법도 포함한다), 흡착법, 금속염의 용액을 도포하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 방법 중, 용액을 사용하는 방법은 금속 원소의 농도 조정이 용이하다고 하는 점에서 유용하다. 이때, 비정질 반도체막의 표면의 습윤성을 개선하고, 비정질 반도체막의 표면 전체에 수용액을 널리 퍼지게 하기 위해서, 산소 분위기에서의 UV 광의 조사, 열산화법, 히드록시 라디칼을 포함하는 오존수 또는 과산화수소에 의한 처리 등에 의해, 산화막을 성막하는 것이 바람직하다.
또한, 비정질 반도체막을 결정화하여 결정성 반도체막을 형성하는 결정화 공정에서, 비정질 반도체막에 결정화를 촉진하는 원소(촉매 원소 또는 금속 원소라고도 한다)를 첨가하고, 열처리(550℃ 내지 750℃로 3분 내지 24시간)에 의해 결정화를 행해도 된다. 결정화를 조장(촉진)하는 원소로서는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au)으로부터 선택된 1종 또는 복수 종류를 사용할 수 있다.
결정화를 조장하는 원소를 결정성 반도체막으로부터 제거 또는 감소시키기 위해서, 결정성 반도체막에 접하고, 불순물 원소를 포함하는 반도체막을 형성하고, 게터링 싱크로서 기능시킨다. 불순물 원소로서는 n형을 부여하는 불순물 원소, p형을 부여하는 불순물 원소 또는 희가스 원소 등을 사용할 수 있다. 예를 들어 인(P), 질소(N), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 붕소(B), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe)으로부터 선택된 1종 또는 복수 종을 사용할 수 있다. 결정화를 촉진하는 원소를 포함하는 결정성 반도체막에, 희가스 원소를 포함하는 반도체막을 형성하고, 그 후 열처리(550℃ 내지 750℃로 3분 내지 24시간)를 행한다. 결정성 반도체막 중에 포함되는 결정화를 촉진하는 원소는 희가스 원소를 포함하는 반도체막으로 이동하여, 결정성 반도체막 중에 포함된 결정화를 촉진하는 원소는 제거 또는 감소된다. 그 후, 게터링 싱크로서 기능하는 희가스 원소를 포함하는 반도체막을 제거한다.
비정질 반도체막은 열처리와 레이저광 조사의 조합에 의해 결정화될 수 있다. 또한, 열처리나 레이저광 조사를 단독으로 복수회 행해도 좋다.
또한, 결정성 반도체막을, 직접 기판 위에 플라즈마법에 의해 형성해도 좋다. 또한, 플라즈마법을 사용하여, 결정성 반도체막을 선택적으로 기판 위에 형성해도 좋다.
또한 반도체층에, 산화물 반도체를 사용해도 좋다. 예를 들어, 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 등도 사용할 수 있다. ZnO를 반도체층에 사용하는 경우, 게이트 절연층용으로 Y2O3, Al2O3, TiO2, 및 이들의 적층 등을 사용하고, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층으로서는 ITO, Au, Ti 등을 사용할 수 있다. 또한, ZnO에 In이나 Ga 등을 첨가할 수도 있다.
산화물 반도체로서 InMO3(ZnO)m(m>0)로 표기되는 박막을 사용할 수 있다. 또한, M은 갈륨(Ga), 철(Fe), 니켈(Ni), 망간(Mn) 및 코발트(Co)로부터 선택된 하나 이상의 금속 원소를 나타낸다. 예를 들어 M은 어떤 경우 갈륨(Ga)이고, 다른 경우에, M은 Ga와 Ni 또는 Ga와 Fe 등 Ga 이외의 다른 금속 원소가 포함되는 경우가 있다. 또한, 상기 산화물 반도체에서, M으로서 포함되는 금속 원소의 이외에, 불순물 원소로서 Fe 또는 Ni와 같은 전이 금속 원소, 또는 상기 전이 금속의 산화물이 포함될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체층으로서 In-Ga-Zn-O계 비단결정막을 사용할 수 있다.
산화물 반도체층(InMO3(ZnO)m(m>0)막)로서 In-Ga-Zn-O계 비단결정막 대신에, M을 다른 금속 원소로 하는 InMO3(ZnO)m(m>0)막을 사용해도 좋다. 또한, 산화물 반도체층에 적용하는 산화물 반도체로서 상기 이외에도, In-Sn-Zn-O계 산화물 반도체, In-Al-Zn-O계 산화물 반도체, Sn-Ga-Zn-O계 산화물 반도체, Al-Ga-Zn-O계 산화물 반도체, Sn-Al-Zn-O계 산화물 반도체, In-Zn-O계 산화물 반도체, Sn-Zn-O계 산화물 반도체, Al-Zn-O계 산화물 반도체, In-O계 산화물 반도체, Sn-O계 산화물 반도체, Zn-O계 산화물 반도체를 적용할 수 있다.
실시 형태6은 다른 실시 형태에 기재한 구성과 적절히 조합해서 실시하는 것이 가능하다.
본 출원은 2009년 5월 2일 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 일련번호 제2009-112375를 기초로 하며, 그 전체 내용은 본 명세서에 참조로 원용된다.
100 기판
101 기판
102 표시 소자
110 기판
111 기판
112 기판
113 기판
114 표시 소자
115 표시 소자
120 기판
121 기판
122 기판
123 기판
124 표시 소자
125 표시 소자
126 백라이트
200 표시 제어부
201 CPU
203 기억부
205 급전부
207 전원 공급 회로
209 내부 메모리
211 데이터 입력부
213 외부 메모리
215 영상 신호 발생 회로
216 안테나
219 조작부
401 게이트 전극층
402 게이트 절연층
403 반도체층
404a n+층
405a 배선층
407 절연막
421 박막 트랜지스터
701 제1 표시 패널
702 제2 표시 패널
703 제3 표시 패널
704 제4 표시 패널
705 표시 제어부
706A 주사선 구동 회로
706B 주사선 구동 회로
706C 주사선 구동 회로
706D 주사선 구동 회로
707A 제1 표시부
707B 제2 표시부
707C 제3 표시부
707D 제4 표시부
708 화소
709A 광 센서
709B 광 센서
709C 광 센서
709D 광 센서
710 화소 회로
711 광강도 비교 회로
712 CPU
713 내부 메모리
714 영상 신호 발생 회로
714A 신호선 구동 회로
714B 신호선 구동 회로
714C 신호선 구동 회로
714D 신호선 구동 회로
715 전원 공급 회로
715A 전원 공급 회로
715B 전원 공급 회로
715C 전원 공급 회로
715D 전원 공급 회로
716 신호 송수신부
717 급전부
718 조작부
719 안테나부
920 배선
921 응력 집중 영역
922a 절단부
922b 절단부
923 밀봉 기판
924 소자 기판
925 보강판
4005 시일재
4008 액정층
4010 박막 트랜지스터
4011 박막 트랜지스터
4013 액정 소자
4015 접속 단자 전극
4016 단자 전극
4019 이방성 도전막
4020 절연층
4021 절연층
4023 절연막
4030 전극층
4031 전극층
4032 절연막
4301 제1 표시부
4302 제3 표시부
4304 조작부
4307 제2 표시부
4308 바인딩부
4309 표시 버튼
4310 제4 표시부
4311 제1 표시 패널
4312 제2 표시 패널
4313 제3 표시 패널
4321 주사선 구동 회로
4322 주사선 구동 회로
4323 신호선 구동 회로
4324 FPC
4325 인쇄 기판
4326 응력 집중 영역
4329 FPC
4352 화소 TFT
4507 표시부
4510 격벽
4511 전계 발광층
4513 발광 소자
4514 충전재
4612 캐비티
4613 구형 입자
4614 충전재
4712 액체
4713 마이크로 캡슐
4812 공간
4814 리브
7002 화살표
4010a 박막 트랜지스터
4010b 박막 트랜지스터
4010c 박막 트랜지스터
4010d 박막 트랜지스터
4321a 주사선 구동 회로
4321b 주사선 구동 회로
4321c 주사선 구동 회로
4321d 주사선 구동 회로
4323a 신호선 구동 회로
4323b 신호선 구동 회로
4324a FPC
4324b FPC
4327a 인쇄 기판
4327b 인쇄 기판
4331a 소자 기판
4331b 소자 기판
4332a 밀봉 기판
4332b 밀봉 기판
4350a 손
4350b 손
4615a 흑색 영역
4615b 백색 영역
4715a 미립자
4715b 미립자
4815a 분립체
4815b 분립체

Claims (6)

  1. 표시 장치로서,
    제1 플레이트와,
    상기 제1 플레이트의 상방의 제1 수지와,
    상기 제1 수지의 상방의 표시부와,
    상기 제1 수지의 상방의 구동 회로와,
    상기 표시부의 상방의 제2 수지와,
    상기 제2 수지의 상방의 제2 플레이트를 포함하고,
    상기 표시부는, 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 플레이트는, 상기 구동 회로와 중첩하는 영역을 갖고,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제2 플레이트와 중첩하는 영역을 갖고,
    상기 제1 수지는, 상기 제1 플레이트의 단부를 넘어 연장된 영역을 갖고,
    상기 제1 수지는, 상기 제1 플레이트의 단부를 넘어 연장된 영역에 있어서 접어 구부러지는 기능을 갖는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제1 수지에 부착되어 있는, 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 트랜지스터는, 산화물 반도체를 포함하는, 표시 장치.
  4. 전자 기기로서,
    제1 플레이트와,
    상기 제1 플레이트의 상방의 제1 수지와,
    상기 제1 수지의 상방의 표시부와,
    상기 제1 수지의 상방의 구동 회로와,
    상기 표시부의 상방의 제2 수지와,
    상기 제2 수지의 상방의 제2 플레이트를 포함하고,
    상기 표시부는, 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 플레이트는, 상기 구동 회로와 중첩하는 영역을 갖고,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제2 플레이트와 중첩하는 영역을 갖고,
    상기 제1 수지는, 상기 제1 플레이트의 단부를 넘어 연장된 영역을 갖고,
    상기 제1 수지는, 상기 제1 플레이트의 단부를 넘어 연장된 영역에 있어서 접어 구부러지는 기능을 갖는, 전자 기기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제1 수지에 부착되어 있는, 전자 기기.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터는, 산화물 반도체를 포함하는, 전자 기기.
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