JP5870219B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

技術分野は、電子書籍に関する。
近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子データ
として提供するという提供態様が採られるようになっている。この種の電子データは、一
般に、ＰＣなどが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧されるという特徴
を有している。
上述の電子データを表示する表示装置としては、設置型の表示装置以外に携帯型のものが
存在する。携帯型の表示装置としては、電子書籍が代表的である。電子書籍は通常、本体
前面に表示部を備え、本体外周部に備えられたページの切替キーを操作することで次ペー
ジや前ページのデータを表示部に表示する構成が採用されている。
しかしながら、このような構成を採用した電子書籍は、新聞、雑誌などの紙媒体とは取り
扱い方が大きく異なっている。特に、キー操作でページの切替を行うという行為は、紙媒
体の書籍の取り扱い習慣からはかけ離れたものである。このため、このような取り扱い方
の違いに起因して、文字の読み取り効率や文章理解の効率、画像の認識効率などが低下す
るという問題がある。
上述の紙媒体との相違点を解消すべく、両面表示装置を用いた電子書籍が提案されている
（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
特開２００５−３８６０８号公報 特開２００３−５８０８１号公報
開示する発明の一態様では、可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れるこ
とを低減する電子書籍を提供することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様
では、構造を簡略化した電子書籍を提供することを目的の一とする。
開示する発明の一態様は、走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる
表示部を有する複数の可撓性の表示パネルと、複数の表示パネルを固定する綴じ部とを有
し、綴じ部には、信号線駆動回路が設けられ、表示パネルには、綴じ部と垂直方向の端部
に走査線駆動回路が設けられている電子書籍である。
開示する発明の一態様において、走査線駆動回路及び信号線駆動回路はトランジスタを有
し、走査線駆動回路を構成するトランジスタと信号線駆動回路を構成するトランジスタの
構造が異なる電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、走査線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層は
、非単結晶半導体であり、信号線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層は、単結
晶半導体である電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、非単結晶半導体は、アモルファスシリコン、微結晶シリ
コン、ポリシリコン又は酸化物半導体である電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、表示部はトランジスタを有し、且つ表示部を構成するト
ランジスタと走査線駆動回路を構成するトランジスタのチャネル層が同じ材料で設けられ
ている電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、綴じ部は、信号線駆動回路に加えて、バッテリー、アン
テナ、ＣＰＵ、メモリのいずれか一を有する電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、走査線駆動回路は、複数の回路部を有し、複数の回路部
は互いに離間して設けられている電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、複数の回路部の間に応力集中領域を有する電子書籍でも
よい。
開示する発明の一態様において、複数の表示パネルは、第１の表示部を有する第１の表示
パネルと、第２の表示部を有する第２の表示パネルと、第１の表示パネルと第２の表示パ
ネルの間に設けられ、第１の面に第３の表示部を有し且つ第１の面と反対側の第２の面に
第４の表示部を有する第３の表示パネルとを有し、第３の表示パネルは、第１の表示パネ
ル及び第２の表示パネルより曲がりやすい電子書籍でもよい。
開示する発明の一態様において、第１の表示パネルは、第１の表示部及び第３の表示部の
表示の有無を制御する第１の光センサを有し、第２の表示パネルは、第２の表示部及び第
４の表示部の表示の有無を制御する第２の光センサを有し、第３の表示パネルは、第１の
光センサ及び第２の光センサと重なる領域に遮光部を有する電子書籍でもよい。
また、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置に含まれる。
また、本明細書等において表示装置とは、発光装置や液晶表示装置を含む。発光装置は発
光素子を含み、液晶表示装置は液晶素子を含む。発光素子は、電流または電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌ
ｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等がある。
開示する発明の一態様によれば、駆動回路が壊れることを低減し丈夫な電子書籍を提供す
ることができる。
開示する発明の一態様によれば、構造を簡略化し電子書籍の低コスト化することができる
。
電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の綴じ部内に構成される回路の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態を説明する図である。 電子書籍の一形態のブロック図を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。 電子書籍に適用できるトランジスタの一形態を説明する図である。 表示パネルの一形態を説明する図である。
以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱するこ
となく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異な
る実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に
説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を
用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。
なお、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」等などの用語は、構成要素の混
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、電子書籍の一例について、図面を参照して説明する。
本実施の形態で示す電子書籍は、走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行
われる表示部を有する複数の表示パネルと、当該複数の表示パネルを固定する綴じ部とを
有し、綴じ部の内側に信号線駆動回路が設けられ、複数の表示パネルにそれぞれ走査線駆
動回路が設けられている。
図１は、複数の表示パネルを有する電子書籍の一例として、２枚の表示パネル（第１の表
示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２）の端部に綴じ部４３０８を設けて書籍と
する場合を示している。以下に図１を参照して、第１の表示パネルと第２の表示パネルか
ら構成される電子書籍について、具体的に説明する。なお、図１（Ａ）は電子書籍を開い
た状態を示し、図１（Ｂ）は電子書籍を閉じた状態を示し、図１（Ｃ）は電子書籍を半分
開いた状態を示している。
図１に示す電子書籍は、第１の表示部４３０１を有する第１の表示パネル４３１１と、第
２の表示部４３０７を有する第２の表示パネル４３１２と、第１の表示パネル４３１１と
第２の表示パネル４３１２の一端部に設けられた綴じ部４３０８と、第１の表示部４３０
１の表示制御を行う走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂと、第２の表示部４３０７の
表示制御を行う走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂと、第１の表示部４３０１及び第
２の表示部４３０７の表示制御を行う信号線駆動回路４３２３とを有している。
走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂは第１の表示パネル４３１１に設けられ、走査線
駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂは第２の表示パネル４３１２に設けられ、信号線駆動回
路４３２３は綴じ部４３０８の内部に設けられている。
第１の表示パネル４３１１は、可撓性を有する構成とすることができる。この場合、プラ
スチック等の可撓性を有する基板上に第１の表示部４３０１を構成する画素回路と、走査
線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを設ければよい。
第２の表示パネル４３１２も、第１の表示パネル４３１１と同様に可撓性を有する構成と
することができる。この場合も、プラスチック等の可撓性を有する基板上に第２の表示部
４３０７を構成する画素回路と、走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂを設ければよい
。
綴じ部４３０８は、少なくとも第１の表示パネル４３１１及び第２の表示パネル４３１２
より曲がりにくい（剛性が高い）構成とすることが好ましい。一例として、綴じ部４３０
８を構成する筐体を、第１の表示パネル４３１１及び第２の表示パネル４３１２より厚い
プラスチックや金属等で形成することができる。この場合、電子書籍を綴じ部４３０８以
外の部分で曲がる（湾曲する）構成とすることができる。
綴じ部４３０８を設ける場所は特に限定されないが、一例として、第１の表示パネル４３
１１及び第２の表示パネル４３１２の一端部に沿って綴じ部４３０８を設けることができ
る。例えば、図１に示すように、第１の表示パネル４３１１及び第２の表示パネル４３１
２を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って（一辺を固定するように）綴じ部４３０
８を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸まっている場合も含む
ものとする。
信号線駆動回路４３２３は、綴じ部４３０８の内部に設けられる。例えば、綴じ部４３０
８を中空を有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線駆動回路４３２
３を設けることができる。信号線駆動回路４３２３を綴じ部４３０８の内部に設けること
により、表示パネルの曲げに起因する信号線駆動回路４３２３の破損を防止できる。
また、図１に示すように、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを、第１の表示パネル
４３１１において、綴じ部４３０８と概略垂直方向の端部に設けることが好ましい。同様
に、走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂを、第２の表示パネル４３１２において、綴
じ部４３０８と概略垂直方向の端部に設けることが好ましい。これにより、走査線駆動回
路及び信号線駆動回路を一箇所（例えば、綴じ部４３０８の内部）に設ける場合と比較し
て、配線の引き回しを低減し、構造を簡略化することができる。
また、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂと第１の表示部４３０１を構成する画素回
路を同じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、走査線駆動回路４３２
１ａ、４３２１ｂの湾曲を可能とすると共に、低コスト化を図ることができる。同様に、
走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂと第２の表示部４３０７を構成する画素回路を同
じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、走査線駆動回路４３２２ａ、
４３２２ｂの湾曲を可能とすると共に、低コスト化を図ることができる。
第１の表示部４３０１を構成する画素回路、第２の表示部４３０７を構成する画素回路及
び走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂ、４３２２ａ、４３２２ｂを構成する素子とし
ては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線駆動回路４３２３等
の高速動作する回路は、珪素（シリコン）等の半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成され
たＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いて形成し、当該ＩＣを綴じ部４
３０８の内部に設けることができる。
このように、信号線駆動回路等の高速動作させる回路が形成されたＩＣを綴じ部の内部に
設け、走査線駆動回路と表示部を構成する画素回路を可撓性を有する基板上に薄膜トラン
ジスタ等の素子で形成することにより、信号線駆動回路及び走査線駆動回路をＩＣで設け
る場合と比較して、表示パネルを曲げることを容易にする共に表示パネルの曲げに起因す
るＩＣの破壊を抑制し、さらに低コスト化を図ることができる。また、走査線駆動回路を
、表示パネルにおいて綴じ部と垂直方向の端部に設けることにより、配線の引き回しを抑
止し構造を簡略化することができる。
なお、図１では、走査線駆動回路を第１の表示パネル４３１１の両端部に形成する場合を
示したが、一方の端部にのみ（走査線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂの
いずれか一方のみ）設ける構成としてもよい。同様に、走査線駆動回路を第２の表示パネ
ル４３１２の両端部に形成する場合を示したが、一方の端部にのみ設ける構成としてもよ
い。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記図１に示した電子書籍の具体的な構成について、図面を参照して
説明する。なお、本実施の形態で示す構成は多くの部分で上記実施の形態１と共通してい
る。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる点について詳細
に説明する。
まず、電子書籍の具体的な構成の一例について、図２を参照して説明する。なお、図２（
Ａ）は電子書籍を閉じた状態での平面図を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ｂ間の断
面を示し、図２（Ｃ）は断面の詳細な模式図を示している。
図２に示す電子書籍は、綴じ部４３０８が中空を有する筐体で形成され、当該筐体の内部
に信号線駆動回路４３２３が設けられている。ここでは、信号線駆動回路４３２３がＩＣ
で形成され、当該ＩＣが綴じ部４３０８の内部に設けられている。ＩＣは、シリコン等の
半導体基板やＳＯＩ基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線駆動回路以
外の回路（例えば、ＣＰＵ、メモリ等）をＩＣに設けることができる。
また、図２では、綴じ部４３０８の内部に設けられるＩＣを、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を用いてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装する場合を示している。
より具体的には、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３ａがＦＰＣ４
３２４ａ上に設けられ、第２の表示部４３０７を制御する信号線駆動回路４３２３ｂがＦ
ＰＣ４３２４ｂ上に設けられ、信号線駆動回路４３２３ａと信号線駆動回路４３２３ｂが
プリント基板４３２５を介して電気的に接続されている。ＦＰＣ４３２４ａは第１の表示
パネル４３１１及びプリント基板４３２５と電気的に接続され、ＦＰＣ４３２４ｂは第２
の表示パネル４３１２及びプリント基板４３２５と電気的に接続されている。
また、図２において、プリント基板４３２５を綴じ部４３０８を構成する筐体に接して設
けることができる。この場合、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２が
綴じ部４３０８により固定される。
図２に示すように、ＦＰＣ上に信号線駆動回路を設ける場合、第１の表示パネル４３１１
と第２の表示パネル４３１２の一方又は双方に応力集中領域４３２６を設けることが好ま
しい。応力集中領域４３２６を表示パネルに設けることにより、電子書籍を開く場合（第
１の表示パネル４３１１及び／又は第２の表示パネル４３１２を折り曲げる場合）にＦＰ
Ｃに加わる応力を低減し、ＦＰＣ上に設けられた信号線駆動回路の破壊を抑制することが
できる。
なお、応力集中領域とは、切り込み等による部材の変形や、部材の貼付等による曲げ、延
びに対する強度の変更により形成される、応力の集中する領域のことをいう。具体的には
、第１の表示パネル４３１１又は第２の表示パネル４３１２の折り曲げたい部分に、切り
込み部（凹部、溝）を設けることにより応力集中領域４３２６を形成することができる。
例えば、第１の表示パネル４３１１を、素子基板４３３１ａと封止基板４３３２ａを用い
て形成し、素子基板４３３１ａと封止基板４３３２ａの一方又は双方に切り込み部を設け
た構成とすることができる。図２では、封止基板４３３２ａに切り込み部を設けることに
より応力集中領域４３２６を形成する場合を示している。また、ここで示す構造において
、素子基板４３３１ａには第１の表示部４３０１を駆動する画素回路と走査線駆動回路４
３２１ａ、４３２１ｂを形成し、これらの回路とＦＰＣ４３２４ａを電気的に接続するこ
とができる。
同様に、第２の表示パネル４３１２を、素子基板４３３１ｂと封止基板４３３２ｂを用い
て形成し、素子基板４３３１ｂと封止基板４３３２ｂの一方又は双方に入り込み部を設け
た構成とすることができる。なお、素子基板４３３１ｂには第２の表示部４３０７を駆動
する画素回路と走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂを形成し、これらの回路とＦＰＣ
４３２４ｂを電気的に接続することができる。
また、応力集中領域４３２６は、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２
を折り曲げたい方向に沿って設ければよい。例えば、図２（Ａ）において、綴じ部４３０
８に概略平行な方向に沿って第１の表示パネル４３１１及び／又は第２の表示パネル４３
１２の上端から下端まで切り込み部を設けることにより、表示パネルを折り曲げる方向を
制御できる（綴じ部４３０８と垂直な方向に表示パネルを選択的に折り曲げることができ
る）と共に、ＦＰＣ上に設けられた信号線駆動回路の破壊を抑制することができる。
応力集中領域４３２６は、綴じ部４３０８の内部又は外部に設けることができる。例えば
、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２を閉じた状態において、綴じ部
４３０８を第１の表示パネル４３１１又は第２の表示パネル４３１２に接するように設け
る場合には、綴じ部４３０８の外側（例えば、綴じ部４３０８と表示部との間）に応力集
中領域４３２６を設けることが好ましい。
図２では、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３ａと第２の表示部４
３０７を制御する信号線駆動回路４３２３ｂを別々のＩＣを用いて形成し、プリント基板
４３２５を介して信号線駆動回路４３２３ａと信号線駆動回路４３２３ｂを電気的に接続
する場合を示しているがこれに限られない。信号線駆動回路４３２３ａと信号線駆動回路
４３２３ｂを１つのＩＣに作り込んだ構成としてもよい。
次に、図２と異なる電子書籍の構成について、図３を参照して説明する。図３（Ａ）は電
子書籍を閉じた状態での平面図を示し、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ｂ間の断面を示し
、図３（Ｃ）は断面の詳細な模式図を示している。
図３は、綴じ部４３０８に設けられるＩＣを、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方
式を用いて、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２に実装する場合を示
している。
より具体的に説明すると、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３ａが
第１の表示パネル４３１１を構成する素子基板４３３１ａ上に設けられ、第２の表示部４
３０７を制御する信号線駆動回路４３２３ｂが第２の表示パネル４３１２を構成する素子
基板４３３１ｂ上に設けられ、信号線駆動回路４３２３ａと信号線駆動回路４３２３ｂが
ＦＰＣ４３２４ａ、４３２４ｂ及びプリント基板４３２５を介して電気的に接続されてい
る。
図３に示すように、表示パネル上に信号線駆動回路を設ける場合、上記図２と同様に、第
１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の一方又は双方に応力集中領域４３
２６を設けることが好ましい。この場合、応力集中領域４３２６は、信号線駆動回路が設
けられた領域と異なる領域（信号線駆動回路が設けられた領域を避けた領域）に設ける。
例えば、封止基板側に設けることにより、電子書籍を開く場合（第１の表示パネル４３１
１又は第２の表示パネル４３１２を折り曲げる場合）に信号線駆動回路に加わる応力を低
減し、信号線駆動回路の破壊を抑制することができる。
次に、図２、図３と異なる電子書籍の構成について、図４を参照して説明する。図４（Ａ
）は電子書籍を閉じた状態での平面図を示し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ｂ間の断面
を示し、図４（Ｃ）は断面の詳細な模式図を示している。
図４に示す電子書籍は、信号線駆動回路等の回路が形成されたＩＣをプリント基板に設け
、当該プリント基板と表示パネルをＦＰＣを用いて接続する場合を示している。
より具体的に説明すると、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３ａが
プリント基板４３２７ａ上に設けられ、第２の表示部４３０７を制御する信号線駆動回路
４３２３ｂがプリント基板４３２７ｂ上に設けられ、信号線駆動回路４３２３ａと信号線
駆動回路４３２３ｂがＦＰＣ４３２９を介して電気的に接続されている。ＦＰＣ４３２９
はプリント基板４３２７ａとプリント基板４３２７ｂに電気的に接続され、ＦＰＣ４３２
４ａは第１の表示パネル４３１１及びプリント基板４３２７ａと電気的に接続され、ＦＰ
Ｃ４３２４ｂは第２の表示パネル４３１２及びプリント基板４３２７ｂと電気的に接続さ
れている。
図４では、表示パネルの折り曲げをＦＰＣ４３２４ａ、ＦＰＣ４３２４ｂで行うことがで
きるため、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２に応力集中領域を設け
ない構成とすることができる。
次に、綴じ部４３０８と当該綴じ部４３０８に設けることができる回路の構成の一例につ
いて、図５を参照して説明する。
図５では、綴じ部４３０８に信号線駆動回路を含む表示制御部２００を内蔵する場合につ
いて説明する。これらの回路は、上述したようにシリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板を
用いて形成されたＩＣを用いて形成することができる。
表示制御部２００は、ＣＰＵ２０１、記憶部２０３、給電部２０５、電源供給回路２０７
、映像信号発生回路２１５、信号線駆動回路４３２３ａ、４３２３ｂ、操作部２１９等を
有する構成とすることができる。また、各構成はインターフェース等を介して接続するこ
とができる。また、表示制御部２００は、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル
４３１２と電気的に接続されている。ここでは、操作部２１９を綴じ部４３０８に設ける
場合を示しているが、操作部２１９を第１の表示パネル４３１１及び／又は第２の表示パ
ネル４３１２上に設けることもできる。
ＣＰＵ２０１は、電子書籍全体の動作を制御する。
データ入力部２１１は、外部機器から第１の表示部４３０１及び／又は第２の表示部４３
０７で表示する情報が入力される。なお、データ入力部２１１は、外部機器とのデータの
送受信を行うために、アンテナ２１６を有してもよい。この場合、データ入力部２１１は
、アンテナ２１６で受信したデータや記録媒体（外部メモリ２１３）に記憶されたデータ
を内部メモリ２０９に転送する機能を有する。
記憶部２０３は、内部メモリ２０９、データ入力部２１１及び外部メモリ２１３を有する
構成とすることができる。内部メモリ２０９、データ入力部２１１及び外部メモリ２１３
には、第１の表示部４３０１及び第２の表示部４３０７に表示する情報や電子書籍を動作
させるプログラム等を記録することができる。
内部メモリ２０９は、給電部２０５、操作部２１９等からの信号に基づいて映像信号発生
回路２１５及び／または電源供給回路２０７に出力する信号をＣＰＵ２０１で処理するた
めのプログラムや、データ入力部２１１から転送されるデータ等を記憶する記憶部を有す
る。内部メモリ２０９の一例として、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃ
ｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅ
ｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇ
ｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等で構成されるものである。
外部メモリ２１３としては、ＩＣカード、メモリカード等の記憶媒体がある。
給電部２０５は、２次電池、キャパシタ等で構成される。二次電池としては、例えばリチ
ウム電池、好ましくはゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池、リチウムイオン電池
等を用いることで、小型化が可能である。勿論、充電可能な電池であればなんでもよく、
ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル
亜鉛電池、銀亜鉛電池などの充電放電可能な電池であってもよい。キャパシタとしては、
電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタや他の大容量のキャパシタなどを用い
ることができる。キャパシタは、充放電の回数が増えても劣化が小さく、急速充電特性に
も優れているため好適である。給電部２０５の形状としては、シート状、円柱状、角柱状
、板状、コイン状等を適宜選択すればよい。
また、給電部２０５を、無線により電力が供給される構成とすることができる。この場合
、給電部２０５にアンテナを設ければよい。
電源供給回路２０７は、ＣＰＵ２０１の制御に応じて、第１の表示パネル４３１１及び第
２の表示パネル４３１２の表示、非表示を行うために、表示素子への電源供給を制御する
ための回路である。
操作部２１９は、キーボード、操作ボタン等で設けることができる。また、操作部２１９
を第１の表示パネル４３１１及び／又は第２の表示パネル４３１２に設ける場合には、第
１の表示部４３０１及び／又は第２の表示部４３０７をタッチディスプレイとして、該表
示部を操作部としても機能させることができる。
図５では、綴じ部４３０８に表示制御部２００を内蔵した構成を示したが、さらにスイッ
チング電源やＤＣ−ＤＣコンバータ等のいわゆるパワーデバイスを設けてもよい。
また、図５に示した電子書籍では、操作部２１９を操作することにより、電源入力や表示
切り替えを行うことができる。また、第１の表示部４３０１及び／又は第２の表示部４３
０７をタッチディスプレイとして、第１の表示部４３０１や第２の表示部４３０７に指や
入力ペンなどで触れることにより操作する構成としてもよい。
このように、表示制御部２００を綴じ部４３０８に内蔵することで、表示制御部２００を
筐体で保護することができる。また、電子書籍を薄型にすることができる。
なお、実施の形態１、２では、第１の表示パネル４３１１において、走査線駆動回路４３
２１ａ、４３２１ｂを、綴じ部４３０８の垂直方向であって第１の表示部４３０１に沿っ
て設け、第２の表示パネル４３１２において、走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂを
、綴じ部４３０８の垂直方向であって第２の表示部４３０７に沿って設ける場合を示した
が、これに限られない。
例えば、図６（Ａ）に示すように、第１の表示パネル４３１１において、走査線駆動回路
４３２１ａ、４３２１ｂを第１の表示部４３０１と比較して綴じ部４３０８から離間する
ように設けることができる。一般的に、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを構成す
る素子は、画素回路を構成する素子より集約して設けられるため、第１の表示パネル４３
１１が折り曲げられる部分に走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを設けないことによ
り、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂの破損を抑制することができる。
また、図６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂをそれ
ぞれ複数の回路部に分割して設け、複数の回路部を互いに離間して設けることができる。
これにより、第１の表示パネル４３１１を湾曲させた場合であっても、走査線駆動回路４
３２１ａ、４３２１ｂに加わる応力を低減し、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂの
破損を抑制することができる。図６（Ｂ）は、走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂを
それぞれ２つの回路部に分割して設け、図６（Ｃ）は、走査線駆動回路４３２１ａ、４３
２１ｂをそれぞれ４つの回路部に分割して設ける場合を示しているが、走査線駆動回路を
分割する数はこれに限られない。
また、図６（Ｄ）に示すように、第１の表示パネル４３１１において、一方の端部にのみ
（走査線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂのいずれか一方のみ）設ける構
成としてもよい。これにより、電子書籍の狭額縁化を図ることが可能となる。
なお、図６で示した構造は、第２の表示パネル４３１２にも適用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、複数の可撓性の表示パネルを有する電子書籍を見開きにし、湾曲させ
て使用する際に関し、上記実施の形態の作用効果について一例を示し、図７乃至図１０を
参照して説明する。
はじめに、図７（Ａ）において、ユーザが電子書籍を見開きにして使用した際の正面平面
図、図７（Ｂ）において、ユーザが電子書籍を見開きにして使用した際の上面平面図、に
ついて示し説明する。
図７（Ａ）に示す電子書籍は、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２、
綴じ部４３０８を有する。第１の表示パネル４３１１は、第１の表示部４３０１を有し、
第１の表示部４３０１は、第１の表示部４３０１に走査信号を供給する走査線駆動回路４
３２１、第１の表示部４３０１に画像信号を供給する信号線駆動回路４３２３ａによって
表示の制御が行われることとなる。また第２の表示パネル４３１２は、第２の表示部４３
０７を有し、第２の表示部４３０７は、第２の表示部４３０７に走査信号を供給する走査
線駆動回路４３２２、第２の表示部４３０７に画像信号を供給する信号線駆動回路４３２
３ｂによって表示の制御が行われることとなる。また図７（Ａ）では、ユーザの手４３５
０ａ、４３５０ｂによって第１の表示パネル４３１１及び第２の表示パネル４３１２の端
部を握持する様子について併せて図示している。また図７（Ａ）に示す正面平面図では、
図７（Ｂ）に示す上面平面図を見る際の視線について併せて付記している。
図７（Ｂ）に示す上面平面図は、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２
、綴じ部４３０８を示している。図７（Ｂ）に示すように、ユーザが手４３５０ａ、４３
５０ｂで電子書籍を見開きにして使用する際、可撓性を有する表示パネルには、図中Ｃに
示す矢印の範囲に折曲部（以下、折曲部Ｃという）、図中Ｄに示す矢印の範囲に非折曲部
（以下、非折曲部Ｄという）形成されることとなる。
なお図７（Ｂ）では、一例として、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１
２の折曲部Ｃ、非折曲部Ｄについて、綴じ部４３０８に近接する側を折曲部Ｃとし、綴じ
部４３０８から離れた側を非折曲部Ｄとして説明している。折曲部Ｃ、非折曲部Ｄの位置
は、綴じ部４３０８の構成及び表示パネルを構成する基板の材質に応じて、表示パネルの
湾曲の仕方が異なるものである。そのため、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネ
ル４３１２の折曲部Ｃ、非折曲部Ｄについて、綴じ部４３０８から離れた側が折曲部Ｃと
なり、綴じ部４３０８に近接する側が非折曲部Ｄとなることもある。
なお電子書籍は、綴じ部４３０８によって表示パネルを固定する構成であるため、綴じ部
４３０８の延在する方向と垂直方向（図７（Ｂ）中矢印７００２）となる第１の表示パネ
ル４３１１及び第２の表示パネル４３１２に折曲部Ｃ、非折曲部Ｄが形成されることとな
る。そのため、信号線駆動回路４３２３ａ、信号線駆動回路４３２３ｂは、綴じ部４３０
８によって、表示パネルの曲げに起因する破損を防止できる。また走査線駆動回路４３２
１、走査線駆動回路４３２２を表示パネルの垂直方向の端部に設けることにより表示部と
同プロセスで作製することも可能になるため、低コスト化を図ることができ、綴じ部４３
０８に設ける場合と比較して表示部への配線の引き回しを低減できる。なお折曲部Ｃ、非
折曲部Ｄは、複数形成されても良いし、交互に形成されていてもよい。また表示パネルに
応力集中領域を設け、人為的に折曲部Ｃ、非折曲部Ｄを形成してもよい。
次いで、図８（Ａ）乃至（Ｃ）では、図７（Ａ）と同様に、電子書籍を見開きにして使用
した際の正面平面図を示し、折曲部Ｃ及び非折曲部Ｄに対する、走査線駆動回路４３２１
、走査線駆動回路４３２２の配置について説明する。
図８（Ａ）では、綴じ部４３０８に近接する側を折曲部Ｃとし、綴じ部４３０８から離れ
た側を非折曲部Ｄとして説明している。そのため、走査線駆動回路４３２１、走査線駆動
回路４３２２は、それぞれ綴じ部４３０８から離れた側の非折曲部Ｄに設けるようにする
。なお、表示部における画素ＴＦＴ４３５２への走査信号の供給は、走査線駆動回路４３
２１、走査線駆動回路４３２２から延びる配線を表示部の各走査線に引き回すことによっ
て行えばよい。なお走査線駆動回路４３２１、走査線駆動回路４３２２を駆動するための
クロック信号等の制御信号の供給は、綴じ部４３０８内の映像信号発生回路から延びる配
線を通して行われる。回路間の電気的な接続を行うための配線は、金属膜等の微細加工に
より形成されており、走査線駆動回路を構成するトランジスタの半導体膜は、珪素膜等の
半導体材料で形成される。金属膜は半導体材料に比べ、延性に優れ、湾曲によるダメージ
が小さい。そのため、折曲部Ｃにあたる箇所に走査線駆動回路に接続される配線を配設し
、非折曲部Ｄにあたる箇所に走査線駆動回路を構成するトランジスタを配設することによ
り、湾曲によるトランジスタの半導体膜へのダメージを小さくすることができる。その結
果、図８（Ａ）のように走査線駆動回路４３２１、走査線駆動回路４３２２を配置するこ
とで、ユーザが手４３５０ａ、４３５０ｂで電子書籍を見開きにして使用する際、回路の
破損を抑制することができる。
図８（Ｂ）では、綴じ部４３０８に近接する側から離れた側に向けて折曲部Ｃと非折曲部
Ｄとを交互に設ける構成について示している。そのため、走査線駆動回路４３２１、走査
線駆動回路４３２２の配置は、非折曲部Ｄにおいて、それぞれの駆動回路を複数に分割し
、互いに離間して設けるようにする。なお、表示部における画素ＴＦＴ４３５２への走査
信号の供給は、第１の走査線駆動回路４３２１、第２の走査線駆動回路４３２２から延び
る配線を引き回すことによって行えばよい。なお走査線駆動回路４３２１、走査線駆動回
路４３２２を駆動するためのクロック信号等の制御信号の供給は、綴じ部４３０８内の映
像信号発生回路から延びる配線を通して行われる。また、走査線駆動回路を構成するフリ
ップフロップ等のパルス信号生成回路間を伝搬する信号の供給は、配線を通して行われる
。回路間の電気的な接続を行うための配線は、金属膜等の微細加工により形成されており
、走査線駆動回路を構成するトランジスタの半導体膜は、珪素膜等の半導体材料で形成さ
れる。金属膜は半導体材料に比べ、延性に優れ、湾曲によるダメージが小さい。そのため
、折曲部Ｃにあたる箇所に走査線駆動回路に接続される配線を配設し、非折曲部Ｄにあた
る箇所に走査線駆動回路を構成するトランジスタを配設することにより、湾曲によるトラ
ンジスタの半導体膜へのダメージを小さくすることができる。また図８（Ｂ）では、駆動
回路を複数に分割し、互いに離間して設けており、湾曲させた際に走査線駆動回路に掛か
る応力を分散させることが出来る。その結果、図８（Ｂ）のように走査線駆動回路４３２
１、走査線駆動回路４３２２を配置することで、ユーザが手４３５０ａ、４３５０ｂで電
子書籍を見開きにして使用する際、より効果的に、回路の破損を抑制することができる。
なお、図８（Ｂ）において、走査線駆動回路４３２１、走査線駆動回路４３２２を表示部
の上下に、走査線駆動回路４３２１ａ、走査線駆動回路４３２１ｂ、走査線駆動回路４３
２２ａ、走査線駆動回路４３２２ｂとして配置し、冗長化する構成、または走査信号を出
力する機能を分散させる構成としてもよい。図８（Ｃ）では、図８（Ｂ）で説明した構成
を表示パネルの上下に配置した図である。画素ＴＦＴ４３５２に供給する走査信号を、走
査線駆動回路４３２１ａと走査線駆動回路４３２１ｂを上下に、及び走査線駆動回路４３
２２ａと走査線駆動回路４３２２ｂを上下に配置して供給することで、走査線駆動回路を
構成するフリップフロップ等のパルス信号生成回路を削減することができるため、ユーザ
が手４３５０ａ、４３５０ｂで電子書籍を見開きにして使用する際、回路の破損を抑制す
ることができる。
以上図８（Ｂ）、（Ｃ）では、具体的な一例を示すことにより、折曲部Ｃとなる領域に走
査線駆動回路を配置せず、非折曲部Ｄとなる領域に走査線駆動回路を配置する利点につい
て説明している。当該構成により、湾曲させた際に走査線駆動回路に掛かる応力を分散さ
せることができ、ユーザが手４３５０ａ、４３５０ｂで電子書籍を見開きにして使用する
際、回路の破損を抑制することができる。
次いで図８（Ｂ）、（Ｃ）に説明するように駆動回路を複数に分割し、互いに離間して設
けた際、表示パネルにおける折曲部Ｃ及び非折曲部Ｄを人為的に形成するための応力集中
領域を設ける一例について、図９、図１０で説明する。
図９（Ａ）では第１の表示パネル４３１１、綴じ部４３０８、第１の表示部４３０１、走
査線駆動回路４３２１、信号線駆動回路４３２３ａについて示している。走査線駆動回路
４３２１は２つに分割して示しており、配線９２０を介して互いに離間して設けられてい
る。応力集中領域９２１は、配線９２０と重畳するように形成することが好ましい。図９
（Ｂ）には、綴じ部４３０８と垂直方向の断面図の一例について示しており、配線９２０
と重畳する応力集中領域９２１では、封止基板９２３に切り込み部９２２ａを設け、素子
基板９２４に切り込み部９２２ｂを設ければよい。なお、図９（Ｃ）に示すように、素子
基板９２４及び封止基板に９２３の走査線駆動回路４３２１上に、補強板９２５を貼付す
ることで、切り込み部９２２ａ及び切り込み部９２２ｂを形成する構成としてもよい。な
お切り込み部９２２ａ及び切り込み部９２２ｂは、綴じ部４３０８の長軸方向に平行に設
けても良いし、一部にのみ設ける構成としてもよい。
なお応力集中領域とは、切り込み等による部材の変形や、部材の貼付等による曲げ、延び
に対する強度の変更により形成される、応力の集中する領域のことをいう。
なお走査線駆動回路の分割とは、ＴＦＴ等の回路素子と配線とが混在して繰り返しのレイ
アウトとなる領域が、配線引き回しに充てられる領域によって分割される状態のことをい
う。
また図１０（Ａ）では、図９（Ａ）と同様に、第１の表示パネル４３１１、綴じ部４３０
８、第１の表示部４３０１、走査線駆動回路４３２１、信号線駆動回路４３２３ａについ
て示している。走査線駆動回路４３２１は４つに分割され、配線９２０を介して互いに離
間して設けられている。応力集中領域９２１は、複数の配線９２０と重畳するように形成
することが好ましい。図１０（Ｂ）には、綴じ部と垂直方向の断面図の一例について示し
ており、配線９２０と重畳する応力集中領域９２１では、封止基板９２３に複数の切り込
み部９２２ａを設け、素子基板９２４に複数の切り込み部９２２ｂを設ければよい。なお
、図１０（Ｃ）に示すように、素子基板９２４及び封止基板に９２３の走査線駆動回路４
３２１上に、補強板９２５を貼付することで、複数の切り込み部９２２ａ及び複数の切り
込み部９２２ｂを形成する構成としてもよい。なお複数の切り込み部９２２ａ及び複数の
切り込み部９２２ｂは、綴じ部４３０８の長軸方向に平行に設けても良いし、一部にのみ
設ける構成としてもよい。
なお、図９，図１０に示した走査線駆動回路の分割数は、説明のための一例であり、適宜
任意の数に分割して設ければよい。
以上説明したように、本実施の形態の構成により、ユーザが電子書籍を見開きにして使用
する際に走査線駆動回路の破損をより効果的に抑制できる。また本実施の形態の構成によ
ると、表示パネルに対し予め切り込み部等による応力集中領域を設けることで、より効果
的に、走査線駆動回路の破損を抑制できる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態１で説明した複数の表示パネルを有する電子書籍の構
成に加えて、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間に、両面表示型
の第３のパネルを搭載した例について説明する。図１１（Ａ）は、電子書籍を見開きにし
た状態であり、図１１（Ｂ）は電子書籍を閉じた状態である。また、図１２は電子書籍の
横方向の断面図である。
図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す電子書籍は、第１の表示部４３０１を有する第１の表示パネ
ル４３１１と、操作部４３０４及び第２の表示部４３０７を有する第２の表示パネル４３
１２と、第３の表示部４３０２及び第４の表示部４３１０を有する第３の表示パネル４３
１３と、第１の表示パネル４３１１と、第２の表示パネル４３１２と、第３の表示パネル
４３１３との一端部に設けられた綴じ部４３０８と、を有している。第３の表示パネル４
３１３は、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間に挿入されている
。図１１（Ａ）、（Ｂ）の電子書籍は第１の表示部４３０１、第２の表示部４３０７、第
３の表示部４３０２、及び第４の表示部４３１０の４つの表示画面を有している。
第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２、及び第３の表示パネル４３１３
は可撓性を有しており、曲がりやすい。また、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パ
ネル４３１２にプラスチック基板を用い、第３の表示パネル４３１３に薄いフィルムを用
いると、薄型な電子書籍とすることができる。すなわち、図１２に一例として電子書籍の
横方向の断面図を示すと、第３の表示パネル４３１３は、第１の表示パネル４３１１及び
第２の表示パネル４３１２より曲がりやすい電子書籍とすることができる。そのため、第
３の表示パネル４３１３より外側の表示パネルを硬くすることにより、書籍のような感覚
で取り扱えることができると共に、第３の表示パネル４３１３の破損を抑制できる。
第３の表示パネル４３１３は第３の表示部４３０２及び第４の表示部４３１０を有する両
面表示型パネルである。第３の表示パネル４３１３は、両面射出型の表示パネルを用いて
もよいし、片面射出型の表示パネルを貼り合わせて用いてもよい。また、間にバックライ
ト（好適には薄型のＥＬ発光パネル）を挟んだ２つの液晶表示パネルを用いてもよい。
また図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す電子書籍は、第１の表示部４３０１の表示制御を行う走
査線駆動回路（図示せず）と、第２の表示部４３０７の表示制御を行う走査線駆動回路４
３２２ａ、４３２２ｂと、第３の表示部４３０２及び／または第４の表示部４３１０の表
示制御を行う走査線駆動回路（図示せず）と、第１の表示部４３０１、第２の表示部４３
０７、第３の表示部４３０２、及び／または第４の表示部４３１０の表示制御を行う信号
線駆動回路４３２３とを有している。なお走査線駆動回路４３２１ａ、４３２１ｂは第１
の表示パネル４３１１に設けられ、走査線駆動回路４３２２ａ、４３２２ｂは第２の表示
パネル４３１２に設けられ、信号線駆動回路４３２３は綴じ部４３０８の内部に設けられ
ている。
また図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す電子書籍において、第２の表示パネル４３１２は、操作
部４３０４を有し、電源入力スイッチや、表示切り替えスイッチなど、各機能を対応づけ
ることができる。
また図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す電子書籍の入力操作は、第１の表示部４３０１や第２の
表示部４３０７に指や入力ペンなどで触れること、又は操作部４３０４の操作により行わ
れる。なお、図１１（Ａ）では、第２の表示部４３０７に表示された表示ボタン４３０９
を図示しており、指などで触れることにより入力を行うことができる。
また図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す第３の表示パネル４３１３を挿入した電子書籍の使い方
の例としては、第１の表示部４３０１及び第４の表示部４３１０で文章を読み、第２の表
示部４３０７及び第３の表示部４３０２で図を参照するのは便利である。このとき、第３
の表示パネル４３１３は、第３の表示部４３０２と第４の表示部４３１０を同時に表示す
ることはできないため、ページをめくり始めたときに、第３の表示部４３０２の表示から
第４の表示部４３１０の表示に切り替わるものとする。
また、第１の表示部４３０１から第３の表示部４３０２を読んで、次のページ、第３の表
示パネル４３１３をめくり始めた時に、ある角度で第４の表示部４３１０及び第２の表示
部４３０７は次のページの表示を行い、また、第４の表示部４３１０及び第２の表示部４
３０７を使い終わり、第３の表示パネル４３１３をめくり始めると、ある角度で第３の表
示部４３０２及び第１の表示部４３０１が次のページを表示する。これにより、画面の切
り替わりを目に見えないようにし、視覚的な違和感等を抑えることが可能となる。
次いで第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２、及び第３の表示パネル４
３１３を有する電子書籍の具体的な構成の一例について、図２（Ａ）、（Ｂ）と同様に、
図１３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。なお、図１３（Ａ）は電子書籍を閉じた状態
での平面図を示し、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＡ−Ｂ間の断面を示している。
図１３に示す電子書籍は、綴じ部４３０８が中空を有する筐体で形成され、当該筐体の内
部に信号線駆動回路４３２３が設けられている。ここでは、信号線駆動回路４３２３がＩ
Ｃで形成され、当該ＩＣが綴じ部４３０８の内部に設けられている。ＩＣは、シリコン等
の半導体基板やＳＯＩ基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線駆動回路
以外の回路（例えば、ＣＰＵ、メモリ等）をＩＣに設けることができる。
また、図１３では、綴じ部４３０８の内部に設けられるＩＣを、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を用いてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装する場合を示している。
より具体的には、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３が形成された
ＩＣがＦＰＣ４３２４上に設けられ、同様に第２の表示部４３０７を制御する信号線駆動
回路４３２３が形成されたＩＣがＦＰＣ４３２４上に設けられ、第３の表示部４３０２及
び第４の表示部４３１０を制御する信号線駆動回路４３２３が形成されたＩＣがＦＰＣ４
３２４上に設けられ、信号線駆動回路４３２３がプリント基板４３２５を介して電気的に
接続されている。ＦＰＣ４３２４は第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１
２、及びプリント基板４３２５と電気的に接続されている。
また、図１３において、プリント基板４３２５を綴じ部４３０８を構成する筐体に接着す
るように設けることができる。
図１３に示すように、ＦＰＣ上に信号線駆動回路を設ける場合、上記図２（Ｃ）で説明し
たように、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の一方又は双方に応力
集中領域４３２６を設けることが好ましい。応力集中領域４３２６を表示パネルに設ける
ことにより、電子書籍を開く場合（第１の表示パネル４３１１及び／又は第２の表示パネ
ル４３１２を折り曲げる場合）にＦＰＣ４３２４に加わる応力を低減し、ＦＰＣ４３２４
上に設けられた信号線駆動回路４３２３の破壊を抑制することができる。なお第３の表示
パネル４３１３に薄いフィルムに形成されており、電子書籍を見開きにして使用する際に
十分なフレキシビリティを有しており、書籍のような感覚で取り扱えることができる。
次に、図１３と異なる電子書籍の構成について、図１４を参照して説明する。図１４（Ａ
）は電子書籍を閉じた状態での平面図を示し、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＡ−Ｂ間の
断面を示している。
図１４に示す電子書籍は、綴じ部４３０８に設けられるＩＣを、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）方式を用いて、第１の表示パネル４３１１、第２の表示パネル４３１２に
実装する場合を示している。
より具体的には、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３が形成された
ＩＣが第１の表示パネル４３１１を構成する素子基板上に設けられ、同様に第２の表示部
４３０７を制御する信号線駆動回路４３２３が形成されたＩＣが第２の表示パネル４３１
２を構成する素子基板上に設けられ、第３の表示部４３０２及び第４の表示部４３１０を
制御する信号線駆動回路４３２３が形成されたＩＣが第３の表示パネル４３１３を構成す
る素子基板上に設けられ、信号線駆動回路４３２３がＦＰＣ４３２４及びプリント基板４
３２５を介して電気的に接続されている。
次に、図１３、図１４と異なる電子書籍の構成について、図１５を参照して説明する。図
１５（Ａ）は電子書籍を閉じた状態での平面図を示し、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＡ
−Ｂ間の断面を示している。
図１５に示す電子書籍は、信号線駆動回路等の回路が形成されたＩＣをプリント基板に設
け、当該プリント基板と表示パネルをＦＰＣを用いて接続する場合を示している。
より具体的には、第１の表示部４３０１を制御する信号線駆動回路４３２３が形成された
ＩＣがプリント基板４３２５上に設けられ、同様に第２の表示部４３０７を制御する信号
線駆動回路４３２３が形成されたＩＣがプリント基板上に設けられ、第３の表示部４３０
２及び第４の表示部４３１０を制御する信号線駆動回路４３２３が形成されたＩＣが第３
の表示パネル４３１３を構成する素子基板上に設けられ、信号線駆動回路４３２３がＦＰ
Ｃ４３２４を介して電気的に接続されている。ＦＰＣ４３２４はそれぞれプリント基板４
３２５に電気的に接続される。
図１５では、表示パネルの折り曲げをＦＰＣ４３２４で行うことができるため、折り曲げ
部を設けない構成とすることができる。
次いで、第１の表示パネル４３１１と第２の表示パネル４３１２の間に、両面表示型の第
３のパネルを搭載した電子書籍の構成及びその機能について、ブロック図等を用いて説明
する。なお、本実施形態における電子書籍は、表示パネルに用いる表示素子として、自発
光型の発光素子、またはバックライト等の光の透過を制御する液晶素子等の場合に特に好
適である。なお電子書籍が表示素子としては、電気泳動素子等の他の表示素子であっても
適用可能であることを付記する。
図１６に本実施の形態で説明する電子書籍のブロック図を示す。図１６に示す電子書籍は
、第１の表示パネル７０１と、第２の表示パネル７０２と、第３の表示パネル７０３と、
第４の表示パネル７０４と、表示制御部７０５を有する。第１の表示パネル７０１は、走
査線駆動回路７０６Ａ、第１の表示部７０７Ａを有する。第２の表示パネル７０２は、走
査線駆動回路７０６Ｂ、第２の表示部７０７Ｂを有する。第３の表示パネル７０３は、走
査線駆動回路７０６Ｃ、第３の表示部７０７Ｃを有する。第４の表示パネル７０４は、走
査線駆動回路７０６Ｄ、第４の表示部７０７Ｄを有する。
なお、上記実施の形態で説明したように、第１の表示パネル７０１乃至第４の表示パネル
７０４はそれぞれ可撓性を有し、上記実施の形態で述べた信号線駆動回路を含む表示制御
部７０５を内設する綴じ部によって固定されているものである。
なお、第３の表示パネル７０３と、第４の表示パネル７０４とは、両面射出型の表示パネ
ルを用いることにより、第３の表示部７０７Ｃと、第４の表示部７０７Ｄとを兼備した第
３の表示パネル７０３とすることができ、電子書籍の薄型化、低コスト化を図ることが出
来る。
第１の表示部７０７Ａ乃至第４の表示部７０７Ｄは、それぞれ複数の画素７０８を有して
おり、それぞれ複数の画素７０８には表示素子を制御するための画素回路７１０がある。
画素回路７１０には薄膜トランジスタ等が含まれており、それらを一括で形成すると低コ
スト化を図れる。また、第１の表示部７０７Ａは光センサ７０９Ａを有し、第２の表示部
７０７Ｂは光センサ７０９Ｂを有し、第３の表示部７０７Ｃは光センサ７０９Ｃを有し、
第４の表示部７０７Ｄは光センサ７０９Ｄを有する。
なお走査線駆動回路７０６Ａ乃至走査線駆動回路７０６Ｄは、画素７０８における画素回
路７１０に走査信号を供給するものである。
光センサ７０９Ａ乃至７０９Ｄは、上記実施の形態で説明したように、第１の表示パネル
７０１及び第３の表示パネル７０３を視認している状態、または第２の表示パネル７０２
及び第４の表示パネル７０４を視認している状態を検知する機能を有する。そのため、表
示パネル等に傾き検出部、または別の開閉検出手段によって、本実施の形態で説明する機
能を実現することも可能である。
なお、光センサ７０９Ｃ、及び／または光センサ７０９Ｄは、光センサ７０９Ａ、及び／
または光センサ７０９Ｂの照度の精度を高めることによって、省略することができる。な
お光センサ７０９Ｃ、及び／または光センサ７０９Ｄの代わりに、遮光部を配設すること
により光センサ７０９Ａ、及び／または光センサ７０９Ｂの照度の精度を高めることがで
き、また透光性の基板を用いた場合であっても光センサで検出することができ、好適であ
る。
なお光センサ７０９Ａ乃至７０９Ｄは、画素回路７１０が有する薄膜トランジスタが形成
される基板上に、フォトダイオードまたはフォトトランジスタ等によるフォトセンサとし
て形成してもよい。光センサ７０９Ａ乃至７０９Ｄを薄膜トランジスタと共に形成するこ
とで電子書籍の低コスト化を図ることが出来る。
綴じ部４３０８内に位置する表示制御部７０５は、光強度比較回路７１１、ＣＰＵ７１２
、内部メモリ７１３、映像信号発生回路７１４、電源供給回路７１５、信号送受信部７１
６、給電部７１７、操作部７１８、信号線駆動回路７１４Ａ乃至信号線駆動回路７１４Ｄ
を有し、各構成はインターフェース等を介して接続されている。なお信号送受信部７１６
は、外部機器とのデータの送受信を行うためのアンテナ部７１９を具備する構成であって
もよい。
光強度比較回路７１１は、光センサ７０９Ａ乃至光センサ７０９Ｄからの信号を検知し、
照度に応じた信号の強度を比較する回路である。光強度比較回路７１１は、得られる各光
センサの強度に応じた信号を符号化する。そして第１の表示パネル７０１及び／または第
３の表示パネル７０３が有する光センサ７０９Ａ及び／または光センサ７０９Ｃと、第２
の表示パネル７０２及び／または第４の表示パネル７０４が有する光センサ７０９Ｂ及び
／または光センサ７０９Ｄと、で照度に応じた信号を比較する。比較した結果の信号はＣ
ＰＵ７１２に送られ、ＣＰＵ７１２は当該信号に応じた処理を行うこととなる。なお、Ｃ
ＰＵ７１２は操作部７１８での操作に応じた処理等も行うこととなる。
信号送受信部７１６は、アンテナ部７１９で受信したデータ、または記録媒体に記憶され
たデータを内部メモリ７１３に転送する機能を有する。内部メモリ７１３には、インター
フェース等を介してデータが記憶される。なお信号送受信部７１６より内部メモリ７１３
に転送するデータとしては、表示パネルで表示するための映像信号の他、ユーザＩＤ等の
情報を記憶するものであってもよい。
内部メモリ７１３は、光強度比較回路７１１、給電部７１７、操作部７１８等からの信号
に基づいて映像信号発生回路７１４、及び／または電源供給回路７１５に出力する信号を
ＣＰＵ７１２で処理するためのプログラムや、信号送受信部７１６から転送されるデータ
、を記憶する記憶部を有する。一例としては、内部メモリ７１３は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）で構
成されるものである。
給電部７１７は、無線、または有線による電力の給電、または電池、コンデンサ等の蓄電
手段による電力の給電を行う機能を有する。また、操作部７１８は、タッチパネル、可動
部を操作できる操作ボタン等に基づくユーザによる操作を符号化し、ＣＰＵ７１２に転送
する手段を有する。
映像信号発生回路７１４は、ＣＰＵ７１２の制御に応じて、第１の表示パネル７０１乃至
第４の表示パネル７０４の表示、非表示を行うために、走査線駆動回路を駆動するための
クロック信号、スタートパルス等を各走査線駆動回路７０６Ａ乃至走査線駆動回路７０６
Ｄに供給、及び綴じ部内に設けられた信号線駆動回路を駆動するためのクロック信号、ス
タートパルス、映像信号等を各信号線駆動回路７１４Ａ乃至信号線駆動回路７１４Ｄに供
給、するための回路である。
なお信号線駆動回路７１４Ａ乃至信号線駆動回路７１４Ｄは、画素７０８における画素回
路７１０に信号線を介して画像信号を供給するものである。
電源供給回路７１５は、ＣＰＵ７１２の制御に応じて、第１の表示パネル７０１乃至第４
の表示パネル７０４の表示、非表示を行うために、表示素子への電源供給を制御するため
の回路である。図１６では説明のため、電源供給回路７１５内に、第１の表示部７０７Ａ
に電源供給を行う電源供給回路７１５Ａ、第２の表示部７０７Ｂに電源供給を行う電源供
給回路７１５Ｂ、第３の表示部７０７Ｃに電源供給を行う電源供給回路７１５Ｃ、第４の
表示部７０７Ｄに電源供給を行う電源供給回路７１５Ｄ、を示している。
図１６に示す電子書籍の動作について一例を用いて説明する。まず光センサ７０９Ａ乃至
７０９Ｄによって得られる各表示パネルの表示面の照度を光強度比較回路７１１にて比較
する。ＣＰＵ７１２は、光強度比較回路７１１で比較した結果、または操作部７１８から
の信号によって、ユーザがどの表示パネルを視認しているかを判定する。例えば光センサ
７０９Ａ及び／または光センサ７０９Ｃの照度と、光センサ７０９Ｂ及び／または光セン
サ７０９Ｄの照度と、を比較し、光センサ７０９Ａ及び／または光センサ７０９Ｃの照度
が光センサ７０９Ｂ及び／または光センサ７０９Ｄの照度より大きければ、ユーザが第１
の表示部７０７Ａ及び／または第３の表示部７０７Ｃを視認していると判定する。ＣＰＵ
７１２でのユーザがどの表示パネルを視認しているかの判定により、映像信号発生回路７
１４が第１の表示パネル７０１乃至第４の表示パネル７０４に供給する映像信号及び制御
信号、及び／または電源供給回路７１５が第１の表示パネル７０１乃至第４の表示パネル
７０４に供給する電源供給を制御する。具体的には、ユーザが視認していない第２の表示
部７０７Ｂ及び第４の表示部７０７Ｄを具備する第２の表示パネル７０２及び第４の表示
パネル７０４への電源供給を停止することにより、低消費電力化、表示パネルの長寿命化
を図ることができる。
図１６に示す電子書籍は、ユーザが視認しているページを光センサ及び光強度比較回路に
て判定することで、表示パネルへの画像信号の供給、電源供給等の選択的な切り替えを行
うことができる。そのため低消費電力化、表示パネルの長寿命化を実現した電子書籍を提
供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、電子書籍に設ける表示パネルの例を示す。表示パネルは様々の表示素
子を有する表示パネルを適用することができ、パッシブマトリクス型でもアクティブマト
リクス型でもよい。
表示パネルとしては、電子ペーパー、発光表示パネル（ＥＬ（エレクトロルミネッセンス
）パネル）、液晶表示パネルなどを用いることができる。表示パネルは、表示素子が封止
された状態にあるパネルであり、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉ
ｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付
けられ信号線駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。信号線駆動回路であるＩＣが
、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により表示パネルに直接実装されてもよい
。
表示パネルは、両面に表示を行う両面表示型でも片面のみに表示を行う片面表示パネルを
用いてもよい。
実施の形態４において、第３の表示パネル４３１３は第３の表示部４３０２及び第４の表
示部４３１０を有する両面表示型パネルである。第３の表示パネル４３１３は、両面射出
型の表示パネルを用いてもよいし、片面射出型の表示パネルを貼り合わせて用いてもよい
。また、間にバックライト（好適には薄型のＥＬパネル）を挟んだ２つの液晶表示パネル
を用いてもよい。
両面表示型パネル例を第３の表示パネル４３１３を用いて図１７（Ａ）乃至（Ｃ）に示す
。なお、図１７（Ａ）乃至（Ｃ）において、矢印は光の射出方向を示している。
図１７（Ａ）は表示素子１０２を基板１００及び基板１０１に挟持した第３の表示パネル
４３１３であり、基板１００側に第３の表示部４３０２、基板１０１側に第４の表示部４
３１０が設けられている。表示素子１０２によって、第３の表示部４３０２及び第４の表
示部４３１０が表示されるため、基板１００及び基板１０１は透光性を有する。表示素子
１０２は、自発光型の発光素子であるＥＬ素子を用いると好ましい。なお、第３の表示パ
ネル４３１３に入射する光を利用する場合、表示素子１０２として液晶表示素子や電気泳
動表示素子を用いることもできる。
図１７（Ｂ）は、基板１１０及び基板１１２に挟持された表示素子１１４を含む片面表示
パネル、及び基板１１１と基板１１３に挟持された表示素子１１５とを含む片面表示パネ
ルを積層した第３の表示パネル４３１３であり、基板１１０側に第３の表示部４３０２、
基板１１１側に第４の表示部４３１０が設けられている。表示素子１１４によって第３の
表示部４３０２が表示され、表示素子１１５によって第４の表示部４３１０が表示される
ため基板１１０及び基板１１１は透光性を有する。一方、基板１１２及び基板１１３は透
光性を有する必要はなく、反射性を有していてもよい。なお、片面表示パネル同士は、基
板１１２及び基板１１３を接着層によって接着して貼り合わせればよい。また、基板１１
２及び基板１１３のどちらか一方のみを用いてもよい。
表示素子１１４及び表示素子１１５は、ＥＬ素子を用いると好ましい。なお、第３の表示
パネル４３１３に入射する光を利用する場合表示素子１１４及び表示素子１１５として液
晶表示素子や電気泳動表示素子を用いることもできる。光の取り出し効率を向上させるた
め、片面表示型の表示パネルとして反射型の表示パネルを用いると好ましい。
透光型液晶表示パネルの間にバックライトを設け、第３の表示パネル４３１３としてもよ
い。図１７（Ｃ）は、基板１２０及び基板１２２に挟持された表示素子１２４を含む透光
型液晶表示パネル、及び基板１２１と基板１２３に挟持された表示素子１２５とを含む透
光型液晶表示パネルを、光源となるバックライト１２６を介して積層した第３の表示パネ
ル４３１３であり、基板１２０側に第３の表示部４３０２、基板１２１側に第４の表示部
４３１０が設けられている。バックライト１２６の光及び表示素子１２４によって第３の
表示部４３０２が表示され、バックライト１２６の光及び表示素子１２５によって第４の
表示部４３１０が表示されるため基板１２０、基板１２１、基板１２２及び基板１２３は
透光性を有する。
なお、片面表示パネル、及びバックライトは、接着層によって接着して貼り合わせればよ
い。また、基板１２２及び基板１２３のどちらか一方のみを用いてもよい。バックライト
１２６としては、薄型のＥＬパネルを用いると、第３の表示パネル４３１３を薄型化でき
るため好ましい。
なお、片面表示型パネルとする場合は表示部を設けない面に非透光性又は反射性の筐体を
設けると、表示パネルの強度を向上できるため好ましい。
表示パネルの一形態について、図１８乃至図２０を用いて説明する。図１８乃至図２０は
、図４（Ａ）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。図１８乃至図２０、及び図２２は、画
素回路を有する第１の表示部４３０１及び走査線駆動回路４３２２ａを有する第１の表示
パネル４３１１にＦＰＣ４３２４が取り付けられた例であり、素子基板４３３１ａ上に設
けられた第１の表示部４３０１及び走査線駆動回路４３２２ａは、シール材４００５によ
って封止基板４３３２ａで封止されている。
図１８乃至図２０、及び図２２で示すように、第１の表示パネル４３１１は接続端子電極
４０１５及び端子電極４０１６を有しており、接続端子電極４０１５及び端子電極４０１
６はＦＰＣ４３２４が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して、電気的に接続されて
いる。
接続端子電極４０１５は、第１の電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４
０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同
じ導電膜で形成されている。
また、上記図４に示すように、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体
膜で形成された信号線駆動回路４３２３ａはＦＰＣによって実装され、綴じ部４３０８内
に設けられている。信号線駆動回路４３２３ａ、走査線駆動回路４３２２ａ及び第１の表
示部４３０１に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４３２４から供給される。
なお、信号線駆動回路４３２３ａの接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方
法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。
また素子基板４３３１ａ上に設けられた第１の表示部４３０１と、走査線駆動回路４３２
１ａは、薄膜トランジスタを複数有しており、図１８乃至２０では、第１の表示部４３０
１に含まれる薄膜トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４３２１ａに含まれる薄膜ト
ランジスタ４０１１とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁
層４０２０、４０２１が設けられている。なお、絶縁膜４０２３は下地膜として機能する
絶縁膜である。
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用
することができる。図１８乃至２０では、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１として、
ボトムゲート構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜トランジスタ４０
１０、４０１１はチャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護膜を設けたチャ
ネル保護型の逆スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。
第１の表示部４３０１に設けられた薄膜トランジスタ４０１０は表示素子と電気的に接続
し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な
表示素子を用いることができる。
表示パネルとして電子ペーパーを用いることができる。電子ペーパーにおいては像書き込
み手段として電界、磁界、光、又は熱の利用、表示媒体の変化については形状や位置変化
の利用、物理的変化の利用など様々な組み合わせで多くの方式がある。例えば、ツイスト
ボール方式、電気泳動方式、粉体系方式（トナーディスプレイとも呼ばれる）、液晶方式
などが挙げられる。
図１８及び図２２に第１の表示パネル４３１１としてアクティブマトリクス型の電子ペー
パーを用いた例を示す。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ、他の表示パネルに比べ低
消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
図１８（Ａ）（Ｂ）及び図２２は、表示パネルの例としてアクティブマトリクス型の電子
ペーパーを示す。
図１８（Ａ）の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。
ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極
層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、
表示を行う方法である。
薄膜トランジスタ４０１０と接続する第１の電極層４０３０と、封止基板４３３２ａに設
けられた第２の電極層４０３１との間には黒色領域４６１５ａ及び白色領域４６１５ｂを
有し、周りに液体で満たされているキャビティ４６１２を含む球形粒子４６１３が設けら
れており、球形粒子４６１３の周囲は樹脂等の充填材４６１４で充填されている。第２の
電極層４０３１が共通電極（対向電極）に相当する。第２の電極層４０３１は、共通電位
線と電気的に接続される。
また、ツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。表示素子と
して電気泳動素子を用いる例を図１８（Ｂ）に示す。透明な液体４７１２と、第１の粒子
として負に帯電した黒い微粒子４７１５ａと、第２の粒子として正に帯電した白い微粒子
４７１５ｂとを封入した直径１０μｍ〜２００μｍ程度のマイクロカプセル４７１３を用
いる。
第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１との間に設けられるマイクロカプセル４７
１３は、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１によって、電場が与えられると、
白い微粒子４７１５ｂと、黒い微粒子４７１５ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示
することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表
示素子は、反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い
場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合で
あっても、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示パネル
を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
なお、第１の粒子および第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないも
のである。また、第１の粒子および第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、こ
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
また、粉体系方式として電子粉流体（登録商標）を用いることも可能である。表示素子と
して電子粉流体を用いる例を図２２に示す。第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３
１、及びリブ４８１４に区切られた空間４８１２に、正に帯電した黒い粉粒体４８１５ａ
と負に帯電した白い粉粒体４８１５ｂとを充填する。なお空間４８１２は空気である。
第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１によって、電場が与えられると、黒い粉粒
体４８１５ａと、白い粉粒体４８１５ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示すること
ができる。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
また、表示素子としては、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（ＥＬ素子）を
用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物
であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者
は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そし
て、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。
図１９に第１の表示パネル４３１１として発光表示パネル（ＥＬパネル）を用いた例を示
す。表示素子である発光素子４５１３は、表示部４３０１に設けられた薄膜トランジスタ
４０１０と電気的に接続している。なお発光素子４５１３の構成は、第１の電極層４０３
０、電界発光層４５１１、第２の電極層４０３１の積層構造であるが、示した構成に限定
されない。発光素子４５１３から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子４５１３の
構成は適宜変えることができる。
隔壁４５１０は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。
特に感光性の材料を用い、第１の電極層４０３０上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
電界発光層４５１１は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成
されていてもどちらでも良い。
発光素子４５１３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層
４０３１及び隔壁４５１０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、素子基板４３３１ａ、封止
基板４３３２ａ、及びシール材４００５によって封止された空間には充填材４５１４が設
けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少な
い保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。
充填材４５１４としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂また
は熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エ
チレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
図２０に第１の表示パネル４３１１として液晶表示パネルを用いた例を示す。図２０にお
いて、表示素子である液晶素子４０１３は、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３
１、及び液晶層４００８を含む。なお、液晶層４００８を挟持するように配向膜として機
能する絶縁膜４０３２、４０３３が設けられている。第２の電極層４０３１は封止基板４
３３２ａ側に設けられ、第１の電極層４０３０と第２の電極層４０３１とは液晶層４００
８を介して積層する構成となっている。
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のス
ペーサを用いていても良い。
また、図２０の液晶表示装置では図示しないが、カラーフィルタ（着色層）、ブラックマ
トリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）
などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また
、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとしてはＥ
Ｌパネルを用いると薄型化できるために好ましい。
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層４００８に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１０μｓ〜
１００μｓと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さ
い。
なお図２０は透過型液晶表示パネルの例であるが、反射型液晶表示パネルでも半透過型液
晶表示パネルでも適用できる。
なお、図１８乃至図２０、及び図２２において、素子基板４３３１ａ、封止基板４３３２
ａとしては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチックとし
ては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、
ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィ
ルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰ
ＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
絶縁層４０２０は薄膜トランジスタの保護膜として機能する。
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウ
ム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成す
ればよい。
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層４０２１は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシ
クロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる
。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳ
Ｇ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これ
らの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
絶縁層４０２０、絶縁層４０２１の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパ
ッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェッ
ト法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテ
ンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する
場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行っても
よい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示パネルを作製
することが可能となる。
表示パネルは光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する表
示部に設けられる基板、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対
して透光性とする。
表示素子に電圧を印加する第１の電極層４０３０及び第２の電極層４０３１（画素電極層
、共通電極層、対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設け
られる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。
）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。
また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタ
ン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、
又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することがで
きる。
また、第１の電極層４０３０、第２の電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリ
マーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若
しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護
回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい
。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、電子書籍を構成する材料や素子構造の例を詳細に説明する。
信号線駆動回路は綴じ部に設けられるために、特に可撓性を有する必要はない。よって、
信号線駆動回路として、高速動作が可能な半導体基板（半導体ウエハー）を用いた半導体
集積回路チップ（ＩＣ）を用いることが好ましい。半導体基板として単結晶半導体基板及
び多結晶半導体基板を用いることができ、シリコンウエハーやゲルマニウムウエハーなど
の半導体ウエハー、ガリウムヒ素やインジウムリンなどの化合物半導体ウエハーを適用す
る。
また、信号線駆動回路に、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ構造を有する基板（
ＳＯＩ基板）を用いてもよい。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ
ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成するこ
とができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに
酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋
込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は
、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水
素含有層を形成し、他の半導体基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結
晶シリコン基板など）と貼り合わせる、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶
シリコン基板を分断し、半導体基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形
成する方法である。
電子書籍の回路部に設けられる半導体素子としては電界効果トランジスタはもちろん、半
導体層を用いるメモリ（記憶）素子なども適用することができ、多用途に渡って要求され
る機能を満たす半導体集積回路を設けることができる。
走査線駆動回路及び表示部は表示パネルの可撓性基板上に設けられればその方法は特に限
定されない。走査線駆動回路及び表示部は可撓性基板に直接形成してもよいし、他の作製
基板上に作製し、その後作製基板から剥離法を用いて素子層のみを可撓性基板へ転置して
設けてもよい。例えば、走査線駆動回路及び表示部を同一工程で作製基板に形成し、走査
線駆動回路及び表示部を表示パネルの可撓性基板に転置して設けることができる。この場
合、走査線駆動回路及び表示部は同工程で形成されるため、同じ構造及び材料のトランジ
スタとすると低コスト化できて好ましい。よって、走査線駆動回路及び表示部を構成する
トランジスタのチャネル層が同じ材料で設けられる。
また、作製基板から可撓性の支持基板へ転置し、可撓性の支持基板ごと表示パネルの基板
へ接着して設けてもよい。例えば、作製基板に走査線駆動回路のみを複数形成し、可撓性
の支持基板に転置した後、可撓性の支持基板ごと個々の走査線駆動回路に分断して、１つ
の表示パネルに必要なだけ可撓性の支持基板上に設けられた走査線駆動回路を接着して設
けてもよい。この場合、走査線駆動回路と表示部とは別工程で作製されるため、それぞれ
種々の構成及び材料のトランジスタを選択できる。
また、上記転置法と直接形成法とを組み合わせてもよい。例えば、印刷法などを用いて、
表示部、走査線駆動回路部、ＦＰＣなどを電気的に接続する配線を表示パネルの可撓性基
板に直接形成すればよい。
作製基板は、素子層の作製工程に合わせて作製基板を適宜選択すればよい。例えば、作製
基板としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表面に絶縁層
が形成された金属基板などを用いることができる。また、処理温度に耐えうる耐熱性を有
するプラスチック基板を用いてもよい。
可撓性基板として、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエー
テルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミ
ド（ＰＩ）樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機樹脂が含浸された構造体で
あるプリプレグを用いてもよい。
作製基板より素子層を他の基板へ転置する方法は、特に限定されず種々の方法を用いるこ
とができる。例えば作製基板と素子層との間に剥離層を形成すればよい。
なお、本明細書において素子層とは、素子基板側に設ける半導体素子層はもちろん、対向
基板側で設ける対向電極層なども含む。よって剥離工程は、素子基側及び封止基板側どち
らにも用いることができる。また、工程の簡便性を考慮し、作製基板より可撓性基板へ転
置した後、作製工程において該可撓性基板をガラス基板等に仮接着して作製工程を進める
こともできる。
剥離層は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステ
ン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、
ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム
（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は前
記元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗
布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化
窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンと
モリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステ
ンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
剥離層が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又
はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、
モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒
化酸化物を形成する。
剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成
する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成
することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成
されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、
酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸
化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、一酸化二
窒素単体、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。これ
は、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様で
あり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸
化珪素層を形成するとよい。
なお、他の基板への転置工程は、基板と素子層の間に剥離層を形成し、剥離層と素子層と
の間に金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、当該素子層を剥離
する方法、耐熱性の高い基板と素子層の間に水素を含む非晶質珪素膜を設け、レーザ光の
照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、当該素子層を剥離する
方法、基板と素子層の間に剥離層を形成し、剥離層と素子層との間に金属酸化膜を設け、
当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、剥離層の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、Ｃｌ
Ｆ３等のフッ化ハロゲンガスによりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜に
おいて剥離する方法、素子層が形成された基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ
３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等を適宜用いるこ
とができる。また、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶
質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して
剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ素子層と基板との剥離を促進
する方法を用いてもよい。
上記剥離方法を組み合わすことでより容易に転置工程を行うことができる。つまり、レー
ザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる
機械的な削除を行い、剥離層と素子層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機
械等による）によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と素子層との界面に液体を浸透させて基板から素子層を剥離してもよい。液
体としては水などを用いることができる。
本明細書で開示する電子書籍が有するトランジスタは特に限定されない。よってトランジ
スタの構造や用いる半導体材料は種々用いることができる。
薄膜トランジスタの構造の例を、図２１を用いて説明する。図２１は、実施の形態５にお
ける薄膜トランジスタ４０１０に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。
図２１（Ａ）乃至（Ｄ）において、素子基板４３３１ａ上に絶縁膜４０２３が形成され、
絶縁膜４０２３上に薄膜トランジスタ４０１０ａ、４０１０ｂ、４０１０ｃ、４０１０ｄ
が設けられている。薄膜トランジスタ４０１０ａ、４０１０ｂ、４０１０ｃ、４０１０ｄ
上に絶縁層４０２０、絶縁層４０２１が形成され、薄膜トランジスタ４０１０ａ、４０１
０ｂ、４０１０ｃ、４０１０ｄと電気的に接続する第１の電極層４０３０が設けられてい
る。
薄膜トランジスタ４０１０ａは、図１８乃至図２０における薄膜トランジスタ４０１０に
おいて、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂと半
導体層４０３とがｎ＋層を介さずに接する構成である。
薄膜トランジスタ４０１０ａは逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する
基板である素子基板４３３１ａ、絶縁膜４０２３上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁
層４０２、半導体層４０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０
５ａ、４０５ｂを含む。ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂは、半導体層４０３より低抵抗な半導
体層である。
薄膜トランジスタ４０１０ｂはボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有
する基板である素子基板４３３１ａ、絶縁膜４０２３上に、ゲート電極層４０１、ゲート
絶縁層４０２、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５
ｂ、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ、及び半導体
層４０３を含む。また、薄膜トランジスタ４０１０ｂを覆い、半導体層４０３に接する絶
縁層４０２０が設けられている。
なお、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂを、ゲート絶縁層４０２と配線層４０５ａ、４０５ｂの
間に設ける構造としてもよい。また、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂをゲート絶縁層及び配線
層の間と、配線層と半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。
薄膜トランジスタ４０１０ｂは、薄膜トランジスタ４０１０ｂを含む領域全てにおいてゲ
ート絶縁層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である素子基板
４３３１ａの間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線
層４０５ａ、４０５ｂ、及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂが設けられている。そして、ゲー
ト絶縁層４０２、配線層４０５ａ、４０５ｂ、及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ上に半導体
層４０３が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４０２上には配線層４０
５ａ、４０５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３の外周部より外側に延
在している。
薄膜トランジスタ４０１０ｃは、薄膜トランジスタ４０１０ｂにおいて、ソース電極層及
びドレイン電極層と半導体層とが、ｎ＋層を介さずに接する構成である。
薄膜トランジスタ４０１０ｃは、薄膜トランジスタ４０１０ｃを含む領域全てにおいてゲ
ート絶縁層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である素子基板
４３３１ａの間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線
層４０５ａ、４０５ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層４０２、配線層４０５ａ
、４０５ｂ上に半導体層４０３が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４
０２上には配線層４０５ａ、４０５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３
の外周部より外側に延在している。
薄膜トランジスタ４０１０ｄは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。薄膜トラン
ジスタ４０１０ｄはプラナー型の薄膜トランジスタの例である。絶縁表面を有する基板で
ある素子基板４３３１ａ、絶縁膜４０２３上に、ソース領域又はドレイン領域として機能
するｎ＋層４０４ａ、４０４ｂを含む半導体層４０３、半導体層４０３上にゲート絶縁層
４０２が形成され、ゲート絶縁層４０２上にゲート電極層４０１が形成されている。また
ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂと接してソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線
層４０５ａ、４０５ｂが形成されている。ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂは、半導体層４０３
より低抵抗な半導体領域である。
薄膜トランジスタとしてトップゲート型の順スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。
本実施の形態では、シングルゲート構造を説明したが、ダブルゲート構造などのマルチゲ
ート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも
良く、半導体層の片側（上方又は下方）にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。
半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用
いることのできる材料の例を説明する。
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材
料ガスを用いる気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下
「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体
層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる
。
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ
−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダング
リングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られ
る。
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、ま
たは周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる
。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、Ｓ
ｉＦ４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び
水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の
希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪
素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、
更に好ましくは１００倍とする。
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体と
しては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には
、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂
高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料と
して用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリ
コンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶
半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほか
ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用
いることができる。
半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方
法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。
非晶質半導体膜への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ
法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導
体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０
℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）す
る元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ
）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）
、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いること
ができる。
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に
接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（
Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用
いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半
導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体
膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性
半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシン
クとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ
法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ
（ＳｎＯ２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層
をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電
極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、
ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることが
できる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍ
ｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えば
Ｍとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記
金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金
属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸
化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
非単結晶膜を用いることができる。
酸化物半導体層（ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜を
用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−
Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚ
ｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体を適用することができる
。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
１００ 基板
１０１ 基板
１０２ 表示素子
１１０ 基板
１１１ 基板
１１２ 基板
１１３ 基板
１１４ 表示素子
１１５ 表示素子
１２０ 基板
１２１ 基板
１２２ 基板
１２３ 基板
１２４ 表示素子
１２５ 表示素子
１２６ バックライト
２００ 表示制御部
２０１ ＣＰＵ
２０３ 記憶部
２０５ 給電部
２０７ 電源供給回路
２０９ 内部メモリ
２１１ データ入力部
２１３ 外部メモリ
２１５ 映像信号発生回路
２１６ アンテナ
２１９ 操作部
４０１ ゲート電極層
４０２ ゲート絶縁層
４０３ 半導体層
４０４ａ ｎ＋層
４０５ａ 配線層
４０７ 絶縁膜
４２１ 薄膜トランジスタ
７０１ 第１の表示パネル
７０２ 第２の表示パネル
７０３ 第３の表示パネル
７０４ 第４の表示パネル
７０５ 表示制御部
７０６Ａ 走査線駆動回路
７０６Ｂ 走査線駆動回路
７０６Ｃ 走査線駆動回路
７０６Ｄ 走査線駆動回路
７０７Ａ 第１の表示部
７０７Ｂ 第２の表示部
７０７Ｃ 第３の表示部
７０７Ｄ 第４の表示部
７０８ 画素
７０９Ａ 光センサ
７０９Ｂ 光センサ
７０９Ｃ 光センサ
７０９Ｄ 光センサ
７１０ 画素回路
７１１ 光強度比較回路
７１２ ＣＰＵ
７１３ 内部メモリ
７１４ 映像信号発生回路
７１４Ａ 信号線駆動回路
７１４Ｂ 信号線駆動回路
７１４Ｃ 信号線駆動回路
７１４Ｄ 信号線駆動回路
７１５ 電源供給回路
７１５Ａ 電源供給回路
７１５Ｂ 電源供給回路
７１５Ｃ 電源供給回路
７１５Ｄ 電源供給回路
７１６ 信号送受信部
７１７ 給電部
７１８ 操作部
７１９ アンテナ部
９２０ 配線
９２１ 応力集中領域
９２２ａ 切り込み部
９２２ｂ 切り込み部
９２３ 封止基板
９２４ 素子基板
９２５ 補強板
４００５ シール材
４００８ 液晶層
４０１０ 薄膜トランジスタ
４０１１ 薄膜トランジスタ
４０１３ 液晶素子
４０１５ 接続端子電極
４０１６ 端子電極
４０１９ 異方性導電膜
４０２０ 絶縁層
４０２１ 絶縁層
４０２３ 絶縁膜
４０３０ 電極層
４０３１ 電極層
４０３２ 絶縁膜
４３０１ 第１の表示部
４３０２ 第３の表示部
４３０４ 操作部
４３０７ 第２の表示部
４３０８ 綴じ部
４３０９ 表示ボタン
４３１０ 第４の表示部
４３１１ 第１の表示パネル
４３１２ 第２の表示パネル
４３１３ 第３の表示パネル
４３２１ 走査線駆動回路
４３２２ 走査線駆動回路
４３２３ 信号線駆動回路
４３２４ ＦＰＣ
４３２５ プリント基板
４３２６ 応力集中領域
４３２９ ＦＰＣ
４３５２ 画素ＴＦＴ
４５０７ 表示部
４５１０ 隔壁
４５１１ 電界発光層
４５１３ 発光素子
４５１４ 充填材
４６１２ キャビティ
４６１３ 球形粒子
４６１４ 充填材
４７１２ 液体
４７１３ マイクロカプセル
４８１２ 空間
４８１４ リブ
７００２ 矢印
４０１０ａ 薄膜トランジスタ
４０１０ｂ 薄膜トランジスタ
４０１０ｃ 薄膜トランジスタ
４０１０ｄ 薄膜トランジスタ
４３２１ａ 走査線駆動回路
４３２１ｂ 走査線駆動回路
４３２２ａ 走査線駆動回路
４３２２ｂ 走査線駆動回路
４３２３ａ 信号線駆動回路
４３２３ｂ 信号線駆動回路
４３２４ａ ＦＰＣ
４３２４ｂ ＦＰＣ
４３２７ａ プリント基板
４３２７ｂ プリント基板
４３３１ａ 素子基板
４３３１ｂ 素子基板
４３３２ａ 封止基板
４３３２ｂ 封止基板
４３５０ａ 手
４３５０ｂ 手
４６１５ａ 黒色領域
４６１５ｂ 白色領域
４７１５ａ 微粒子
４７１５ｂ 微粒子
４８１５ａ 粉粒体
４８１５ｂ 粉粒体

Claims (5)

  1. 走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有する表示パネルと、前記表示パネルの一端部に設けられた筐体と、バッテリーと、を有し、
    前記表示パネルは、可撓性を有し、
    前記筐体は、前記表示パネルより剛性が高く、
    前記信号線駆動回路は、前記筐体の内部に設けられ、
    前記信号線駆動回路は、ＩＣに設けられ、
    前記走査線駆動回路は、前記筐体の外に設けられ、
    前記表示部は、第１のトランジスタを有し、
    前記走査線駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、同じ半導体材料を有し、
    前記バッテリーは、前記筐体の内部に設けられることを特徴とする電子機器。
  2. 走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有する表示パネルと、前記表示パネルの一端部に設けられた筐体と、バッテリーと、を有し、
    前記表示パネルは、可撓性を有し、
    前記筐体は、前記表示パネルより剛性が高く、
    前記信号線駆動回路は、前記筐体の内部に設けられ、
    前記信号線駆動回路は、ＩＣに設けられ、
    前記走査線駆動回路は、前記筐体の外に設けられ、
    前記表示部は、第１のトランジスタを有し、
    前記走査線駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、同じ基板上に設けられ、
    前記バッテリーは、前記筐体の内部に設けられることを特徴とする電子機器。
  3. 請求項１において、
    前記半導体材料は、酸化物半導体を有することを特徴とする電子機器。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記表示部は、タッチディスプレイとしての機能を有することを特徴とする電子機器。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記バッテリーは、シート状の形状を有することを特徴とする電子機器。
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