JP2019148815A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019148815A
JP2019148815A JP2019079327A JP2019079327A JP2019148815A JP 2019148815 A JP2019148815 A JP 2019148815A JP 2019079327 A JP2019079327 A JP 2019079327A JP 2019079327 A JP2019079327 A JP 2019079327A JP 2019148815 A JP2019148815 A JP 2019148815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display
display panel
light
region
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019079327A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6785912B2 (ja
Inventor
池田 寿雄
Toshio Ikeda
寿雄 池田
希 杉澤
Mare Sugisawa
希 杉澤
悠一 柳澤
Yuichi Yanagisawa
悠一 柳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2019148815A publication Critical patent/JP2019148815A/ja
Priority to JP2020179451A priority Critical patent/JP6974575B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6785912B2 publication Critical patent/JP6785912B2/ja
Priority to JP2021180069A priority patent/JP2022020747A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/18Tiled displays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13336Combining plural substrates to produce large-area displays, e.g. tiled displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrophonic Musical Instruments (AREA)

Abstract

【課題】表示装置を大型にする。表示装置の表示ムラを抑制する。曲面に沿って表示することの可能な表示装置を提供する。【解決手段】第1の表示パネルと第2の表示パネルを、透光層103を介して重ねる。透光層は、第1の表示パネルの表示面側に位置し、第2の表示パネルの表示面と対向する面側に位置する。透光層は、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の平均値が80%以上であり、屈折率が空気よりも高い。第1の表示パネルの表示領域101aは、透光層を介して、第2の表示パネルの可視光を透過する領域110bと重なる。第1の表示パネルの表示領域は、第2の表示パネルの可視光を遮る領域120bと重ならないことが好ましい。【選択図】図4

Description

本発明の一態様は、表示装置、電子機器、又はそれらの作製方法に関する。特に、エレク
トロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELとも記す)現
象を利用した表示装置、電子機器、又はそれらの作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。より具体的に本明細書で開示
する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、
記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置(例えば、タッチセンサなど)、入出力装置(
例えば、タッチパネルなど)、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
近年、表示装置の大型化が求められている。大型の表示装置の用途としては、例えば、家
庭用のテレビジョン装置(テレビ又はテレビジョン受信機ともいう)、デジタルサイネー
ジ(Digital Signage:電子看板)、PID(Public Infor
mation Display)等が挙げられる。表示装置の表示領域が広いほど、一度
に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示領域が広いほど、人の目につきや
すく、例えば、広告の宣伝効果を高めることが期待される。
また、携帯機器用途においても、表示装置の大型化が求められている。表示領域を広くす
ることで一度に表示する情報量を増やし、一覧性の向上を図ることが検討されている。
EL現象を利用した発光素子(EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、表示装置への応用が検討されている。例えば、有機EL素子を用いた表示装置の一例が
、特許文献1に開示されている。
また、特許文献2には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
特開2002−324673号公報 特開2003−174153号公報
本発明の一態様は、表示装置の大型化を目的の一とする。または、本発明の一態様は、表
示装置の表示ムラや輝度ムラの抑制を目的の一とする。または、本発明の一態様は、表示
装置の薄型化もしくは軽量化を目的の一とする。または、本発明の一態様は、曲面に沿っ
て表示することが可能な表示装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一
態様は、一覧性に優れた表示装置を提供することを目的の一とする。
または、本発明の一態様は、新規な表示装置や電子機器などを提供することを目的の一と
する。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請
求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、少なくとも一部が可撓性を有する表示装置であって、第1の表示パネ
ル、第2の表示パネル、及び透光層を有し、第1の表示パネルは、第1の領域を有し、第
1の領域は、表示を行う機能を有し、第2の表示パネルは、第2の領域及び第3の領域を
有し、第2の領域は、表示を行う機能を有し、第3の領域は、第2の領域と隣接し、かつ
、可視光を透過する機能を有し、透光層は、波長450nm以上700nm以下の範囲の
光の透過率の平均値が80%以上であり、透光層は、屈折率が空気よりも高く、透光層は
、第1の表示パネルと第2の表示パネルの間に位置し、透光層は、第1の表示パネルの表
示面側に位置し、かつ、第2の表示パネルの表示面と対向する面側に位置し、第3の領域
は、透光層を介して第1の領域と重なる部分を有する表示装置である。
なお、本発明の一態様では、透光層の少なくとも一部分において、波長450nm以上7
00nm以下の範囲の光の透過率の平均値が80%以上、より好ましくは90%以上であ
ればよい。同様に、本発明の一態様では、透光層の少なくとも一部分において、屈折率が
空気よりも高ければよく、屈折率が1.3以上1.8以下であると好ましい。
上記各構成において、第1の領域及び第2の領域は、それぞれ発光素子を有していてもよ
い。
上記各構成において、第3の領域は、接着層を有していてもよい。このとき、接着層は、
第2の領域の外周の一部に沿って配置されていてもよい。
上記各構成において、第2の表示パネルは、第4の領域を有していてもよい。第4の領域
は、第2の領域と隣接し、可視光を遮る機能を有する。第4の領域は、第1の領域と重な
る部分を有さないことが好ましい。第4の領域は、配線を有していてもよい。このとき、
配線は、第2の領域が有する発光素子と電気的に接続されていてもよい。また、配線は、
第2の領域の外周の他の一部に沿って配置されていてもよい。
上記構成において、透光層は、第1の表示パネル又は第2の表示パネルの少なくとも一方
と、着脱自在に接することが好ましい。
上記各構成において、透光層は、不活性の材料を有することが好ましい。
上記各構成において、透光層は、不揮発性の材料を有することが好ましい。
上記各構成において、透光層は、粘度が1mPa・s以上1000Pa・s以下の材料を
有していてもよい。該材料の粘度は、1Pa・s以上が好ましく、10Pa・s以上がよ
り好ましく、100Pa・s以上がさらに好ましい。
上記各構成において、FPC(Flexible Printed Circuit)を
有していてもよい。このとき、FPCは、第1の表示パネルと電気的に接続されていても
よい。また、FPCは、第2の領域と重なる部分を有することが好ましい。
また、上記いずれかの構成の表示装置を用いた電子機器や照明装置も本発明の一態様であ
る。例えば、本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ
、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器であ
る。
本発明の一態様により、表示装置の大型化が可能となる。または、本発明の一態様により
、表示装置の表示ムラや輝度ムラの抑制が可能となる。または、本発明の一態様により、
表示装置の薄型化もしくは軽量化が可能となる。または、本発明の一態様により、曲面に
沿って表示することが可能な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様
により、一覧性に優れた表示装置を提供することができる。
または、本発明の一態様により、新規な表示装置や電子機器などを提供することができる
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一例を示す図。 表示パネルの一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示パネルの一例を示す図。 表示パネルの一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 発光パネルの一例を示す図。 発光パネルの一例を示す図。 発光パネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 電子機器及び照明装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 実施例1の表示装置を示す図。 実施例1の表示パネルと、可視光を透過する領域の積層構造を示す図。 実施例1の可視光を透過する領域の光の透過率の測定結果。 実施例2の表示装置及び表示パネルを示す写真。 実施例2の発光素子を示す図。 実施例2の表示パネルの輝度の測定結果。 実施例2の表示装置の表示写真。 実施例3の表示パネルとその重ね方を説明する図。 実施例3の曲げ試験を説明する写真と、表示パネルの表示写真。 実施例3の表示パネルの表示写真及び実施例3の表示装置の駆動方法を説明する図。 実施例3の表示装置の表示写真。 実施例3の表示装置の表示写真。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じ
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。
なお、本明細書中において、XとYが電気的に接続されている場合の一例としては、Aと
Bが他の素子を介さずに直接接続されている場合や、XとYの電気的な接続を可能とする
素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード
、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYの間に1つ以上接続されている場合等が挙
げられる。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッ
チは、導通状態(オン状態)又は非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さない
かを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替
える機能を有している。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1〜図8を用いて説明する。
複数の表示パネルを一以上の方向(例えば、一列又はマトリクス状等)に並べることで、
広い表示領域を有する表示装置を作製することができる。
複数の表示パネルを用いて大型の表示装置を作製する場合、1つの表示パネルの大きさは
大型である必要がない。したがって、該表示パネルを作製するための製造装置を大型化し
なくてもよく、省スペース化が可能である。また、中小型の表示パネルの製造装置を用い
ることができ、表示装置の大型化のために新規な製造装置を利用しなくてもよいため、製
造コストを抑えることができる。また、表示パネルの大型化に伴う歩留まりの低下を抑制
できる。
表示パネルの大きさが同じである場合、1つの表示パネルを有する表示装置に比べ、複数
の表示パネルを有する表示装置の方が、表示領域が広く、一度に表示できる情報量が多い
等の効果を有する。
しかし、各表示パネルは表示領域を囲むように非表示領域を有する。したがって、例えば
、複数の表示パネルの出力画像を合わせて一つの画像を表示する場合、当該一つの画像は
、表示装置の使用者にとって分離したように視認されてしまう。
各表示パネルの非表示領域を狭くする(狭額縁な表示パネルを用いる)ことで、各表示パ
ネルの表示が分離して見えることを抑制できるが、非表示領域を完全になくすことは困難
である。
また、非表示領域の面積が狭いと、表示パネルの端部と表示パネル内の素子との距離が短
くなり、表示パネルの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化しやすくなる場合が
ある。
そこで、本発明の一態様の表示装置は、複数の表示パネルの一部が重なるように配置する
。重ねた2つの表示パネルのうち、少なくとも表示面側(上側)に位置する表示パネルは
、可視光を透過する領域を表示領域と隣接して有する。本発明の一態様の表示装置では、
下側に配置される表示パネルの表示領域と、上側に配置される表示パネルの可視光を透過
する領域とが重なっている。したがって、重ねた2つの表示パネルの表示領域の間の非表
示領域を縮小すること、さらには無くすことができる。これにより、使用者から表示パネ
ルの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる。
また、本発明の一態様において、上側に位置する表示パネルの非表示領域の少なくとも一
部は、可視光を透過する領域であり、下側に位置する表示パネルの表示領域と重ねること
ができる。また、本発明の一態様において、下側に位置する表示パネルの非表示領域の少
なくとも一部は、上側に位置する表示パネルの表示領域や、可視光を遮る領域と重ねるこ
とができる。これらの部分については、表示装置の狭額縁化(表示領域以外の面積の縮小
化)に影響しないため、面積の縮小化をしなくてもよい。
非表示領域の面積が広いと、表示パネルの端部と表示パネル内の素子との距離が長くなり
、表示パネルの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化することを抑制できる。例
えば、表示素子として有機EL素子を用いる場合は、表示パネルの端部と有機EL素子と
の距離を長くするほど、表示パネルの外部から水分や酸素等の不純物が有機EL素子に侵
入しにくくなる(又は到達しにくくなる)。本発明の一態様の表示装置では、非表示領域
の面積を十分に確保できるため、有機EL素子等を用いた表示パネルを適用しても、信頼
性が高い大型の表示装置を実現できる。
ここで、上側に位置する表示パネルの可視光を透過する領域と、下側に位置する表示パネ
ルの表示領域との間に空気が存在すると、表示領域から取り出される光の一部は、表示領
域と大気の界面、並びに、大気と可視光を透過する領域の界面で、それぞれ反射し、表示
の輝度の低下の原因となる場合がある。これにより、複数の表示パネルが重なっている領
域の光取り出し効率が低下してしまう。また、上側に位置する表示パネルの可視光を透過
する領域と重なる部分と、重ならない部分とで、下側に位置する表示パネルの表示領域の
輝度に差が出てしまい、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識されやすくなる場合がある
本発明の一態様の表示装置では、表示領域と可視光を透過する領域の間に、空気よりも屈
折率が高く、可視光を透過する透光層を有する。これにより、表示領域と可視光を透過す
る領域の間に空気が入ることを抑制でき、屈折率の差による界面での反射を低減すること
ができる。そして、表示装置における表示ムラや輝度ムラの抑制が可能となる。
具体的には、本発明の一態様は、第1の表示パネル、第2の表示パネル、及び透光層を有
し、第1の表示パネルは、第1の領域を有し、第1の領域は、表示を行う機能を有し、第
2の表示パネルは、第2の領域及び第3の領域を有し、第2の領域は、表示を行う機能を
有し、第3の領域は、第2の領域と隣接し、かつ、可視光を透過する機能を有し、透光層
は、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の平均値が80%以上であり
、透光層は、屈折率が空気よりも高く、透光層は、第1の表示パネルと第2の表示パネル
の間に位置し、透光層は、第1の表示パネルの表示面側に位置し、かつ、第2の表示パネ
ルの表示面と対向する面側に位置し、第3の領域は、透光層を介して第1の領域と重なる
部分を有する表示装置である。
表示装置の少なくとも一部が可撓性を有していてもよい。また、表示パネルの少なくとも
一部が可撓性を有していてもよい。本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する表示パ
ネルを有することが好ましい。これにより、湾曲した大型の表示装置や、可撓性を有する
表示装置を実現でき、用途が拡大される。このとき、有機EL素子を表示素子として好適
に用いることができる。
なお、透光層の可視光の透過率が高いほど、表示装置の光取り出し効率を高められるため
、好ましい。例えば、透光層は、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率
の平均値が80%以上、より好ましくは90%以上であればよい。
また、透光層と、透光層と接する層は、屈折率の差が小さいほど、光の反射を抑制するこ
とができるため、好ましい。例えば、透光層の屈折率は、空気よりも高ければよく、1.
3以上1.8以下であると好ましい。透光層と、透光層と接する層(例えば、表示パネル
を構成する基板)は、屈折率の差が0.30以下であると好ましく、0.20以下である
とより好ましく、0.15以下であるとさらに好ましい。
透光層は、第1の表示パネル又は第2の表示パネルの少なくとも一方と、着脱自在に接す
ることが好ましい。表示装置を構成する表示パネルをそれぞれ独立に取り外しできると、
例えば、一つの表示パネルの表示に不具合が生じた場合、当該表示不良となった表示パネ
ルのみを、新しい表示パネルに交換することができる。他の表示パネルは継続して使用す
ることで、表示装置をより長く、低コストに使用することができる。
なお、表示パネルが着脱自在である必要がない場合は、透光層に接着性を有する材料(接
着剤等)を用いて表示パネル同士を固定してもよい。
透光層には、無機材料又は有機材料のいずれも用いることができる。透光層には、液状物
質、ゲル状物質、又は固体状物質を用いることができる。
透光層には、例えば、水、水溶液、フッ素系不活性液体、屈折液、シリコーンオイル等の
液状物質を用いることができる。
表示装置を、水平面(重力が働く方向に垂直な面)に傾けて配置する場合や、水平面と垂
直になるように配置する場合等において、液状物質の粘度は、1mPa・s以上が好まし
く、1Pa・s以上がより好ましく、10Pa・s以上がさらに好ましく、100Pa・
s以上が特に好ましい。なお、表示装置を水平面と平行になるように配置する場合等にお
いては、これに限られない。
透光層は不活性であると、表示装置を構成する他の層にダメージ等を与えることを抑制で
き、好ましい。
透光層に含まれる材料は不揮発性であることが好ましい。これにより、透光層に用いた材
料が揮発することで界面に空気が入ってしまうことを抑制することができる。
また、透光層には、高分子材料を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビ
ニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルア
セテート)樹脂等の樹脂が挙げられる。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。これら
樹脂のいずれか一以上を含む、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱
硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤や接着シート等を用いてもよい。表
示パネル同士を固定したくない場合等は、接着剤は硬化させなくてもよい。
透光層は、被着体に対する自己吸着性が高い層であると好ましい。また、透光層は、被着
体に対する剥離性が高い層であると好ましい。表示パネルに貼り付けた透光層を剥離した
後、表示パネルと再び貼り合わせることができることが好ましい。
また、透光層は粘着性を有さない、又は粘着性が低いことが好ましい。これにより被着体
の表面を傷つける、又は汚すことなく、被着体への透光層の吸着、及び、被着体からの透
光層の剥離を、繰り返すことができる。
透光層には、例えば、吸着性を有するフィルムや、粘着性を有するフィルムを用いること
ができる。また、吸着層又は粘着層と、基材と、の積層構造を有する吸着フィルムを用い
る場合、吸着層又は粘着層が、本発明の一態様の表示装置における透光層として機能し、
基材が、表示パネルを構成する基板として機能してもよい。吸着フィルムは、アンカー層
を、吸着層又は粘着層と、基材との間に有していてもよい。アンカー層は、吸着層又は粘
着層と、基材との接着力を向上させる機能を有する。また、アンカー層は、基材の吸着層
又は粘着層の塗工面を平滑にする機能を有する。これにより、被着体と透光層の間の気泡
を発生しにくくすることができる。
例えば、本発明の一態様の表示装置には、シリコーン樹脂層とポリエステルフィルムとが
積層されたフィルムを好適に用いることができる。このとき、シリコーン樹脂層が吸着性
を有し、透光層として機能する。また、ポリエステルフィルムは、表示パネルを構成する
基板として機能する。なお、ポリエステルフィルムとは別に、表示パネルを構成する基板
を設けてもよい。
なお、吸着層と、基材と、粘着層もしくは接着層と、が積層されたフィルムを用いる場合
、吸着層が、本発明の一態様の表示装置における透光層として機能し、基材が、表示パネ
ルを構成する基板として機能し、粘着層もしくは接着層が、表示パネルの素子層と基板を
貼り合わせる層として機能してもよい。
透光層の厚さに特に限定はない。例えば、1μm以上50μm以下としてもよい。透光層
の厚さは50μmより厚くてもよいが、可撓性を有する表示装置を作製する場合には、表
示装置の可撓性を損なわない程度の厚さとすることが好ましい。例えば、透光層の厚さは
、10μm以上30μm以下が好ましい。また、透光層の厚さは、1μm未満であっても
よい。
以下では、図面を用いて、本発明の一態様の表示装置の具体例を説明する。
なお、以降では各々の表示パネル同士、各々の表示パネルに含まれる構成要素同士、又は
各々の表示パネルに関連する構成要素同士を区別するために、符号の後にアルファベット
を付記して説明する。特に説明のない限り、最も下側(表示面側とは反対側)に配置され
る表示パネル又は構成要素に対して「a」を付記し、その上側に配置される一以上の表示
パネル及びその構成要素に対しては、下側から順に「b」、「c」、とアルファベット順
に付記することとする。また、特に説明のない限り、複数の表示パネルを備える構成を説
明する場合であっても、各々の表示パネル又は構成要素に共通する事項を説明する場合に
は、アルファベットを省略して説明する。
本発明の一態様の表示装置は、一以上の方向に複数の表示パネルを有する。
図1(A)に表示装置10の上面図を示す。図1(A)に示す表示装置10は、図2(B
)に示す表示パネル100を一方向(横方向)に3つ有する。
図1(B)、(C)に、図1(A)とは異なる表示装置10の斜視図を示す。図1(B)
、(C)に示す表示装置10は、図2(C)に示す表示パネル100を2×2のマトリク
ス状に(縦方向及び横方向にそれぞれ2つずつ)計4つ有する。図1(B)は、表示装置
10の表示面側の斜視図であり、図1(C)は、表示装置10の表示面側とは反対側の斜
視図である。
また、図1(A)〜(C)では、各表示パネルがFPCと電気的に接続されている例を示
す。
表示装置10に用いることができる表示パネルについて、図2(A)〜(D)を用いて説
明する。図2(A)〜(D)は、表示パネル100の上面図の一例である。
表示パネル100は、表示領域101及び領域102を有する。ここで、領域102は、
表示パネル100の上面図における、表示領域101以外の部分を指す。領域102は、
非表示領域と呼ぶこともできる。
例えば、表示パネル100は、図2(A)に示すように、表示領域101を囲む枠状の領
域102を有していてもよい。
図2(B)〜(D)では、領域102の構成を具体的に示している。領域102は、可視
光を透過する領域110及び可視光を遮る領域120を有する。可視光を透過する領域1
10及び可視光を遮る領域120は、それぞれ、表示領域101と隣接する。可視光を透
過する領域110及び可視光を遮る領域120は、それぞれ、表示領域101の外周の一
部に沿って設けられていてもよい。
図2(B)に示す表示パネル100では、可視光を透過する領域110が、表示領域10
1の1辺に沿って配置されている。また、図2(C)に示す表示パネル100では、可視
光を透過する領域110が、表示領域101の2辺に沿って配置されている。可視光を透
過する領域110は、表示領域101の3辺以上に沿って配置されていてもよい。可視光
を透過する領域110は、図2(B)〜(D)等に示すように、表示領域101と接して
、表示パネルの端部にまで設けられていることが好ましい。
図2(B)〜(D)に示す表示パネル100では、可視光を遮る領域120が、表示領域
101の2辺に沿って配置されている。可視光を遮る領域120は、表示パネルの端部近
傍にまで設けられていてもよい。
なお、図2(B)、(C)に示す領域102のうち、可視光を透過する領域110及び可
視光を遮る領域120以外の領域における、可視光の透過性は問わない。例えば、図2(
D)に示すように、表示パネルの全周にわたって可視光を透過する領域110が設けられ
ていてもよい。可視光を透過する領域110は少なくとも一部が表示領域101と隣接し
ていればよい。可視光を透過する領域110と表示領域101の間に可視光を遮る領域1
20が位置する部分があってもよい。
表示領域101は、マトリクス状に配置された複数の画素を含み、画像を表示することが
可能である。各画素には一つ以上の表示素子が設けられている。表示素子としては、例え
ば、有機EL素子などの発光素子、電気泳動素子、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メ
カニカル・システム)を用いた表示素子、又は液晶素子等を用いることができる。
可視光を透過する領域110には、可視光を透過する材料を用いる。例えば、表示パネル
100を構成する基板、接着層等を含んでいてもよい。可視光を透過する領域110の可
視光の透過率は高いほど、下に重なる表示パネルの光取り出し効率を高められるため、好
ましい。例えば、可視光を透過する領域110は、波長450nm以上700nm以下の
範囲の光の透過率の平均値が70%以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは
90%以上であればよい。
可視光を遮る領域120には、例えば表示領域101に含まれる画素(又は表示素子)に
電気的に接続する配線が設けられている。また、このような配線に加え、画素を駆動する
ための駆動回路(走査線駆動回路、信号線駆動回路等)が設けられていてもよい。また、
可視光を遮る領域120にはFPC等と電気的に接続する端子(接続端子ともいう)や、
当該端子と電気的に接続する配線等を含んでいてもよい。
ここで、図2(B)、(C)に示す可視光を透過する領域110の幅Wは、0.5mm以
上150mm以下であると好ましく、1mm以上100mm以下がより好ましく、2mm
以上50mm以下がさらに好ましい。可視光を透過する領域110は封止領域としての機
能を有するため、可視光を透過する領域110の幅Wが大きいほど表示パネル100の端
部と表示領域101との距離を長くすることができ、外部から水などの不純物が表示領域
101にまで侵入することを抑制することが可能となる。なお、可視光を透過する領域1
10の幅Wは、表示領域101から表示パネル100の端部までの最短距離に相当する場
合がある。
例えば、表示素子として有機EL素子を用いた場合には可視光を透過する領域110の幅
Wを1mm以上とすることで、有機EL素子の劣化を効果的に抑制することができ、信頼
性を高めることができる。なお、可視光を透過する領域110以外の部分においても、表
示領域101の端部と表示パネル100の端部との距離が上述の範囲になるように設定す
ることが好ましい。
図1(A)に示す表示装置10は、表示パネル100a、100b、100cを備える。
表示パネル100bは、その一部が表示パネル100aの上側(表示面側)に重ねて配置
されている。具体的には、表示パネル100aの表示領域101a上に表示パネル100
bの可視光を透過する領域110bが重なるように配置されている。また、表示パネル1
00aの表示領域101a上に表示パネル100bの可視光を遮る領域120bが重なら
ないように配置されている。また、表示パネル100aの領域102aや可視光を遮る領
域120a上に表示パネル100bの表示領域101bが重なるように配置されている。
同様に、表示パネル100cは、その一部が表示パネル100bの上側(表示面側)に重
ねて配置されている。具体的には、表示パネル100bの表示領域101b上に表示パネ
ル100cの可視光を透過する領域110cが重なるように配置されている。また、表示
パネル100bの表示領域101b上に表示パネル100cの可視光を遮る領域120c
が重ならないように配置されている。また、表示パネル100bの領域102bや可視光
を遮る領域120b上に表示パネル100cの表示領域101cが重なるように配置され
ている。
表示領域101a上には可視光を透過する領域110bが重なるため、表示パネル100
bが表示パネル100aの表示面上に重なっていても、表示装置10の使用者は、表示領
域101aの表示全体を視認することが可能となる。同様に、表示領域101bも可視光
を透過する領域110cが重なるため、表示パネル100cが表示パネル100bの表示
面上に重なっていても、表示装置10の使用者は、表示領域101bの表示全体を視認す
ることが可能となる。
また、領域102aや可視光を遮る領域120aの上側に、表示パネル100bの表示領
域101bが重なることで、表示領域101a及び表示領域101bの間に非表示領域が
存在しない。同様に、領域102bや可視光を遮る領域120bの上側に、表示パネル1
00cの表示領域101cが重なることで、表示領域101b及び表示領域101cの間
に非表示領域が存在しない。したがって、表示領域101a、101b、101cが継ぎ
目なく配置された領域を表示装置10の表示領域11とすることが可能となる。
図1(B)、(C)に示す表示装置10は、表示パネル100a、100b、100c、
100dを備える。
図1(B)、(C)において、表示パネル100a、100bの短辺同士が重なり、表示
領域101aの一部と、可視光を透過する領域110bの一部が重なっている。また、表
示パネル100a、100cの長辺同士が重なり、表示領域101aの一部と、可視光を
透過する領域110cの一部が重なっている。
また、図1(B)、(C)において、表示領域101bの一部は、可視光を透過する領域
110cの一部、及び可視光を透過する領域110dの一部と重なっている。また、表示
領域101cの一部は、可視光を透過する領域110dの一部と重なっている。
したがって、図1(B)に示すように、表示領域101a〜101dが継ぎ目なく配置さ
れた領域を表示装置10の表示領域11とすることが可能となる。
ここで、表示パネル100が可撓性を有していることが好ましい。例えば、表示パネル1
00を構成する一対の基板は可撓性を有することが好ましい。
これにより、例えば、図1(B)、(C)に示すように、表示パネル100aのFPC1
12aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する表示パネル100bの表示領域10
1bの下側に、表示パネル100aの一部、及びFPC112aの一部を配置することが
できる。その結果、FPC112aを表示パネル100bの裏面と物理的に干渉すること
なく配置することができる。また、表示パネル100aと表示パネル100bとを重ねて
固定する場合に、FPC112aの厚さを考慮する必要がないため、可視光を透過する領
域110bの上面と、表示パネル100aの上面との高さの差を低減できる。その結果、
表示領域101a上に位置する表示パネル100bの端部を目立たなくすることができる
さらに、各表示パネル100に可撓性を持たせることで、表示パネル100bの表示領域
101bにおける上面の高さを、表示パネル100aの表示領域101aにおける上面の
高さと一致するように、表示パネル100bを緩やかに湾曲させることができる。そのた
め、表示パネル100aと表示パネル100bとが重なる領域近傍を除き、各表示領域の
高さを揃えることが可能で、表示装置10の表示領域11に表示する画像の表示品位を高
めることができる。
上記では、表示パネル100aと表示パネル100bの関係を例に説明したが、他の隣接
する2つの表示パネル間でも同様である。
また、隣接する2つの表示パネル100間の段差を軽減するため、表示パネル100の厚
さは薄い方が好ましい。例えば表示パネル100の厚さを1mm以下、好ましくは300
μm以下、より好ましくは100μm以下とすることが好ましい。また、表示パネルが薄
いと、表示装置全体の薄型化や軽量化にもつながるため、好ましい。
図3(A)は、図1(B)、(C)に示す表示装置10を表示面側から見た上面図である
ここで、表示パネル100における可視光を透過する領域110の可視光(例えば450
nm以上700nm以下の波長の光)に対する透過率が十分高くない場合には、表示領域
101と重なる表示パネル100の枚数に応じて、表示する画像の輝度が低下してしまう
恐れがある。
例えば、図3(A)中の領域Aでは、表示パネル100aの表示領域101a上に、1枚
の表示パネル100cが重なっている。また、領域Bでは、表示パネル100bの表示領
域101b上に、表示パネル100c、100dの計2枚の表示パネル100が重なって
いる。そして、領域Cでは、表示パネル100aの表示領域101a上に、表示パネル1
00b、100c、100dの計3枚の表示パネル100が重なっている。
このような場合に、表示領域101上に重なる表示パネル100の枚数に応じて、画素の
階調を局所的に高めるような補正を、表示させる画像データに対して施すことが好ましい
。こうすることで、表示装置10の表示領域11に表示される画像の表示品位の低下を抑
制することが可能となる。
また、上部に配置する表示パネル100の端部の位置を他の表示パネル100の端部とず
らすことで、下部の表示パネル100の表示領域101上に重なる表示パネル100の枚
数を減らすことができる。
図3(B)では、表示パネル100a、100b上に配置する表示パネル100c、10
0dを一方向にずらして配置した場合を示す。具体的には、表示パネル100a、100
bに対して表示パネル100c、100dをX方向の正方向に可視光を透過する領域11
0の幅Wの距離だけ相対的にずらした場合を示している。このとき、表示領域101上に
1つの表示パネル100が重ねられた領域Dと、表示領域101上に2つの表示パネル1
00が重ねられた領域Eとが存在する。
また、表示パネルをX方向に対して直交する方向(Y方向)にずらして配置してもよい。
図3(C)では、表示パネル100a、100cに対して、表示パネル100b、100
dを、Y方向の正方向に可視光を透過する領域110の幅Wの距離だけ相対的にずらして
配置した場合を示している。
なお、上部に位置する表示パネル100を下部に位置する表示パネル100に対してずら
して配置する場合には、各表示パネル100の表示領域101を組み合わせた領域の輪郭
が矩形形状とは異なる形状となる。そのため、図3(B)、(C)に示すように表示装置
10の表示領域11を矩形にする場合には、これよりも外側に位置する表示パネル100
の表示領域101に画像を表示しないように表示装置10を駆動すればよい。このとき、
画像を表示しない領域における画素の数を考慮し、矩形の表示領域11の全画素数を表示
パネル100の枚数で割った数よりも多くの画素を、表示パネル100の表示領域101
に設ければよい。
なお、上記では、各々の表示パネル100を相対的にずらす場合の距離を、可視光を透過
する領域110の幅Wの整数倍としたがこれに限られず、表示パネル100の形状やこれ
を組み合わせた表示装置10の表示領域11の形状などを考慮して適宜設定すればよい。
図4及び図5は、それぞれ、2つの表示パネルを貼り合わせた際の断面図の一例である。
図4(A)〜(D)の各図において、下側の表示パネルは、表示領域101a、可視光を
透過する領域110a、及び可視光を遮る領域120aを有する。下側の表示パネルには
、FPC112aが電気的に接続されている。上側(表示面側)の表示パネルは、表示領
域101b、可視光を透過する領域110b、及び可視光を遮る領域120bを有する。
上側の表示パネルには、FPC112bが電気的に接続されている。
図4(A)では、FPC112aが下側の表示パネルの表示面(おもて面)側に接続され
、FPC112bが上側の表示パネルの表示面側に接続されている例を示す。
表示領域101aは、透光層103を介して、可視光を透過する領域110bと重なる。
したがって、表示領域101aと可視光を透過する領域110bの間に空気が入ることを
抑制でき、屈折率の差による界面での反射を低減することができる。
これにより、可視光を透過する領域110bと重なる部分と重ならない部分とで、表示領
域101aの輝度に差が生じることを抑制し、表示装置の使用者に表示パネルの継ぎ目が
認識されにくくすることができる。また、表示装置における表示ムラや輝度ムラの抑制が
可能となる。
可視光を遮る領域120aやFPC112aは、表示領域101bと重なる。したがって
、非表示領域の面積を十分に確保し、かつ、継ぎ目のない表示領域の大型化を図ることが
でき、信頼性が高い大型の表示装置を実現できる。
図4(B)では、FPC112aが下側の表示パネルの表示面とは反対側の面(裏面)側
に接続され、FPC112bが上側の表示パネルの表示面とは反対側の面(裏面)側に接
続されている例を示す。
図4(B)に示すように、透光層103は、下側の表示パネルの可視光を遮る領域120
aと上側の表示パネルの表示領域101bとの間にまで設けられていてもよい。
FPCが表示パネルの裏面側に接続される構成とすることで、下側の表示パネルの端部を
上側の表示パネルの裏面に貼り付けることが可能なため、これらの接着面積を大きくでき
、貼り合わせ部分の機械的強度を高めることができる。
図4(C)に示すように、表示領域101aの、上側の表示パネルと重ならない領域と、
透光層103とが重なっていてもよい。さらに、可視光を透過する領域110aと透光層
103とが重なっていてもよい。
また、図4(D)に示すように、上側の表示パネルの、表示領域101aと重ならない領
域と、透光層103とが重なっていてもよい。
例えば、図4(E)に示すように、下側の表示パネルが、基板151a、基板152a、
素子層153aを有し、上側の表示パネルが、基板151b、基板152b、素子層15
3bを有していてもよい。
素子層153aは、表示素子を含む領域155a、表示素子と電気的に接続する配線を含
む領域156aを有する。領域156aに含まれる配線は、FPC112aと電気的に接
続される。
上側の表示パネルが有する素子層153bも同様に、表示素子を含む領域155b、表示
素子と電気的に接続する配線を含む領域156bを有する。領域156bに含まれる配線
は、FPC112bと電気的に接続される。
基板152a上には透光層103aが設けられている。例えば、上述の、吸着層と、基材
とを積層して有する吸着フィルムを用いて、基板152a及び透光層103aの積層構造
を構成することができる。基板152b及び透光層103bも同様の構成とすることがで
きる。
ここで、透光層の材質によっては、大気中のほこりなど細かなゴミが吸着してしまう場合
がある。このような場合は、表示領域101aの、上側の表示パネルと重ならない領域と
、透光層103とが重ならない方が好ましい。これにより、透光層103に付着したゴミ
等により、表示装置の表示が不鮮明になることを抑制できる。
図4(F)に示すように、基板151aと接して透光層103aが設けられていてもよい
。例えば、上述の、吸着層と、基材とを積層して有する吸着フィルムを用いて、基板15
1a及び透光層103aの積層構造を構成することができる。基板151b及び透光層1
03bも同様の構成とすることができる。
図4(F)の構成では、表示装置の表示面側の最表面に透光層が位置しないため、透光層
103に付着したゴミ等により、表示装置の表示が不鮮明になることを防止できる。また
、表示装置の裏面に吸着性を有する透光層を配置すると、表示パネルと接していない面を
用いて、表示装置を所望の位置に着脱自在に貼り付けることができる。
また、図5(A)、(B)に示すように、表示パネル100a及び表示パネル100bの
おもて面を覆う樹脂層131を設けてもよい。具体的には、表示パネル100a及び表示
パネル100bの各々の表示領域と、表示パネル100aと表示パネル100bとが重畳
する領域とを覆って、樹脂層131を設けることが好ましい。
樹脂層131を複数の表示パネル100にわたって設けることで、表示装置10の機械的
強度を高めることができる。また、樹脂層131の表面が平坦になるように形成すると、
表示領域11に表示される画像の表示品位を高めることができる。例えば、スリットコー
タ、カーテンコータ、グラビアコータ、ロールコータ、スピンコータなどのコーティング
装置を用いると、平坦性の高い樹脂層131を形成することができる。
また、樹脂層131の屈折率は、表示パネル100の表示面側に用いる基板の屈折率の0
.8倍以上1.2倍以下であると好ましく、0.9倍以上1.1倍以下であるとより好ま
しく、0.95倍以上1.15倍以下であるとさらに好ましい。表示パネル100と樹脂
層131の屈折率の差が小さいほど、光を効率よく外部に取り出すことができる。また、
このような屈折率を有する樹脂層131を表示パネル100aと表示パネル100bとの
段差部を覆うように設けることで、当該段差部が視認しにくくなるため、表示領域11に
表示される画像の表示品位を高めることができる。
樹脂層131は、可視光を透過する層である。樹脂層131には、例えば、エポキシ樹脂
、アラミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂等の有機樹脂を用いることができる。
また、図5(C)、(D)に示すように、樹脂層131を介して表示装置10上に保護基
板132を設けることが好ましい。このとき、樹脂層131は表示装置10と保護基板1
32とを接着する接着層としての機能を有していてもよい。保護基板132により、表示
装置10の表面を保護するだけでなく、表示装置10の機械的強度を高めることができる
。保護基板132としては、少なくとも表示領域11と重なる領域に透光性を有する材料
を用いる。また、保護基板132は表示領域11と重なる領域以外の領域が視認されない
ように、遮光性を備えていてもよい。
保護基板132は、タッチパネルとしての機能を有していてもよい。また、表示パネル1
00が可撓性を有し、湾曲可能な場合には、保護基板132も同様に可撓性を有している
ことが好ましい。
また、保護基板132は、表示パネル100の表示面側に用いる基板、又は樹脂層131
との屈折率の差が20%以下であると好ましく、10%以下であるとより好ましく、5%
以下であるとさらに好ましい。
保護基板132としては、フィルム状のプラスチック基板を用いることができる。例えば
、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポ
リエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレー
ト樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリア
ミド樹脂(ナイロン、アラミド等)、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹
脂、ポリスルホン(PSF)樹脂、ポリエーテルイミド(PEI)樹脂、ポリアリレート
(PAR)樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン(PTFE)樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、繊維体に樹脂を含浸した
基板(プリプレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基
板を使用することもできる。また、保護基板132は、樹脂フィルムに限定されず、パル
プを連続シートに加工した透明な不織布や、フィブロインと呼ばれるたんぱく質を含む人
工くも糸繊維を含むシートや、これらと樹脂とを混合させた複合体、繊維幅が4nm以上
100nm以下のセルロース繊維からなる不織布と樹脂膜の積層体、人工くも糸繊維を含
むシートと樹脂膜の積層体を用いてもよい。なお、本発明の一態様の表示装置又は表示パ
ネルをアクリル板、ガラス板、木板、金属板等に貼り付けて用いてもよい。表示装置又は
表示パネルは、これらの板に、表示面側を貼り付けてもよい(この場合は可視光を透過す
る板を用いる)し、表示面と対向する面側を貼り付けてもよい。また、表示装置又は表示
パネルは、これらの板に着脱自在に貼り付けてあることが好ましい。
また、保護基板132として、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルム等の少な
くともいずれか一を用いてもよい。
また、図5(E)に示すように、表示パネル100a及び表示パネル100bの表示面と
は反対側の面に樹脂層133及び保護基板134を設けてもよい。表示パネルの裏面に、
表示パネルを支持する基板を配置することで、表示パネルに意図しない反りや曲げが生じ
ることを抑制し、表示面を平滑に保つことで、表示領域11に表示される画像の表示品位
を高めることができる。
なお、表示面とは反対側に設けられる樹脂層133及び保護基板134は、必ずしも透光
性を有している必要はなく、可視光を吸収又は反射する材料を用いてもよい。
また、図5(F)に示すように、表示パネルのおもて面に、樹脂層131及び保護基板1
32を、裏面に、樹脂層133及び保護基板134を設けてもよい。このように、表示パ
ネル100a及び表示パネル100bを2枚の保護基板によって挟むことで、表示装置1
0の機械的強度をさらに高めることができる。
また、樹脂層131及び保護基板132の厚さの合計と、樹脂層133及び保護基板13
4の厚さの合計と、が、概略同一であると好ましい。例えば、樹脂層131及び樹脂層1
33を同等の厚さとし、保護基板132及び保護基板134に同一の厚さの材料を用いる
ことが好ましい。これにより、複数の表示パネル100をこれら積層体の厚さ方向におけ
る中央部に配置することができる。例えば、表示パネル100を含む積層体を湾曲させる
際には、表示パネル100が厚さ方向における中央部に位置することで、湾曲に伴って表
示パネル100にかかる横方向の応力が緩和され、表示パネル100の破損を防止するこ
とができる。
なお、樹脂層及び保護基板の厚さが、表示装置の端部と中央部とで異なる場合などは、平
均の厚さ、最大の厚さ、最小の厚さ等を適宜選択し、同じ条件で、樹脂層131及び保護
基板132の厚さの合計と、樹脂層133及び保護基板134の厚さの合計を比較すれば
よい。
図5(F)において、樹脂層131と樹脂層133に同一の材料を用いると、作成コスト
を低減でき、好ましい。同様に、保護基板132と保護基板134に同一の材料を用いる
と、作製コストを低減でき、好ましい。
また、図5(E)、(F)に示すように、表示パネル100a及び表示パネル100bの
裏面側に配置される樹脂層133及び保護基板134には、FPC112aを取り出すた
めの開口部を設けることが好ましい。特に、図5(F)に示すように、FPC112aの
一部を覆うように樹脂層133を設けると、表示パネル100aとFPC112aとの接
続部における機械的強度を高めることができ、FPC112aが剥がれてしまうなどの不
具合を抑制できる。同様に、FPC112bの一部を覆うように樹脂層133を設けるこ
とが好ましい。
次に、表示パネル100の構成例について説明する。図6(A)は、図2(C)における
領域Pを拡大した上面図の一例であり、図6(B)は、図2(C)における領域Qを拡大
した上面図の一例である。
図6(A)に示すように、表示領域101には複数の画素141がマトリクス状に配置さ
れている。赤色、青色、緑色の3色を用いてフルカラー表示が可能な表示パネル100と
する場合では、複数の画素141は、それぞれ、上記3色のうちいずれかを表示すること
のできる副画素に対応する。また、上記3色に加えて白色や黄色を表示することのできる
副画素を設けてもよい。画素141を含む領域が表示領域101に相当する。
一つの画素141には配線142a及び配線142bが電気的に接続されている。複数の
配線142aのそれぞれは配線142bと交差し、回路143aと電気的に接続されてい
る。また、複数の配線142bは回路143bと電気的に接続されている。回路143a
及び回路143bのうち一方が走査線駆動回路として機能する回路であり、他方が信号線
駆動回路として機能する回路である。なお、回路143a又は回路143bのいずれか一
方、又は両方を設けない構成としてもよい。
図6(A)では、回路143a又は回路143bに電気的に接続する複数の配線145が
設けられている。配線145は、図示しない領域でFPC123と電気的に接続され、外
部からの信号を回路143a及び回路143bに供給する機能を有する。
図6(A)において、回路143a、回路143b、複数の配線145等を含む領域が、
可視光を遮る領域120に相当する。
図6(B)において、最も端に設けられる画素141よりも外側の領域が可視光を透過す
る領域110に相当する。可視光を透過する領域110は、画素141、配線142a及
び配線142b等の可視光を遮る部材を有していない。なお、画素141の一部、配線1
42a又は配線142bが可視光を透過する場合には、可視光を透過する領域110にま
で延在して設けられていてもよい。
可視光を透過する領域110の幅Wが表示パネルによって異なる場合や、1つの表示パネ
ルの中でも場所によって異なる場合には、最も短い長さを幅Wとすることができる。なお
、図6(B)では画素141から基板の端部までの距離(すなわち可視光を透過する領域
110の幅W)が、図面縦方向と横方向とで同一である場合を示しているが、本発明の一
態様はこれに限られない。
図6(C)は、図6(B)中の切断線A1−A2における断面図である。表示パネル10
0は、それぞれ可視光を透過する一対の基板(基板151、基板152)を有する。また
、基板151と基板152は接着層154によって接着されている。ここで、画素141
や配線142b等が形成されている側の基板を基板151とする。
図6(B)、(C)に示すように、画素141が表示領域101の最も端に位置する場合
には、可視光を透過する領域110の幅Wは、基板151又は基板152の端部から画素
141の端部までの長さとなる。
なお、画素141の端部とは、画素141に含まれる可視光を遮る部材のうち、最も端に
位置する部材の端部を指す。または、画素141として一対の電極間に発光性の有機化合
物を含む層を備える発光素子(有機EL素子ともいう)を用いた場合には、画素141の
端部は下部電極の端部、発光性の有機化合物を含む層の端部、上部電極の端部のいずれか
であってもよい。
図7(A)は、領域Qを拡大した上面図の一例であり、配線142aの位置が図6(B)
とは異なる。また、図7(A)中の切断線B1−B2における断面図を図7(B)、切断
線C1−C2における断面図を図7(C)に示す。
図7(A)〜(C)に示すように、表示領域101の最も端に配線142aが位置する場
合には、可視光を透過する領域110の幅Wは、基板151又は基板152の端部から配
線142aの端部までの長さとなる。なお、配線142aが可視光を透過する場合、配線
142aが設けられる領域は可視光を透過する領域110に含まれていてもよい。
ここで、表示パネル100の表示領域101に設けられる画素の密度が高い場合、2つの
表示パネル100を貼り合わせた際に、位置ずれが生じてしまう場合がある。
図8(A)〜(C)は、それぞれ、下部に設けられる表示パネル100aの表示領域10
1aと、上部に設けられる表示パネル100bの表示領域101bとの、表示面側から見
たときの位置関係を示す図である。図8(A)〜(C)では、表示領域101a及び表示
領域101bのそれぞれの角部近傍を示している。表示領域101aの一部が、可視光を
透過する領域110bによって覆われている。
図8(A)では、隣接する画素141aと画素141bとが相対的に一方向(Y方向)に
ずれた場合を示している。図中に示す矢印は、表示パネル100aが表示パネル100b
に対してずれた方向を示している。
図8(B)では、隣接する画素141aと画素141bとが相対的に縦方向及び横方向(
X方向及びY方向)の両方にずれた場合を示している。
図8(A)、(B)に示す例では、横方向にずれた距離と縦方向にずれた距離がそれぞれ
1画素分よりも小さい。このような場合は、表示領域101a又は表示領域101bのい
ずれか一方に表示する画像の画像データに対し、当該ずれの距離に応じた補正をかけるこ
とで表示品位を保つことが可能となる。具体的には、画素間の距離が小さくなるずれの場
合には画素の階調(輝度)を低くするように補正し、画素間の距離が大きくなるずれの場
合には、画素の階調(輝度)を高めるように補正すればよい。また、2つの画素が重なる
場合には、下部に位置する画素を駆動しないように画像データを一列分シフトさせるよう
に補正すればよい。
図8(C)では、本来隣接するはずであった画素141aと画素141bとが、相対的に
一方向(Y方向)に1画素分以上の距離でずれた例を示している。このように、1画素分
の距離以上のずれが生じた場合には、突出した画素(ハッチングを付加した画素)を表示
しないように駆動すればよい。なお、ずれの方向がX方向の場合でも同様である。
なお、複数の表示パネル100を貼り合わせる際の位置ずれを抑制するために、各表示パ
ネル100に位置合わせのためのマーカー等を設けることが好ましい。または、表示パネ
ル100の表面に凸部及び凹部を形成し、2つの表示パネル100が重なる領域で当該凸
部と凹部とをはめ合わせる(嵌合させる)構成としてもよい。
また、位置ずれの精度を考慮して、表示パネル100の表示領域101にはあらかじめ使
用する画素よりも多くの画素を配置しておくことが好ましい。例えば走査線に沿った画素
列、又は信号線に沿った画素列のうち、少なくとも一方を、1列以上、好ましくは3列以
上、より好ましくは5列以上、表示に用いる画素列よりも余分に設けておくことが好まし
い。
以上のように、本発明の一態様の表示装置は、下側に配置される表示パネルの表示領域と
、上側に配置される表示パネルの可視光を透過する領域とが重なっている。これにより、
重ねた2つの表示パネルの表示領域の間の非表示領域を縮小することができる。さらに、
表示領域と可視光を透過する領域の間に、空気よりも屈折率が高く、可視光を透過する透
光層を有する。これにより、表示領域と可視光を透過する領域の間に空気が入ることを抑
制でき、屈折率の差による界面での反射を低減することができる。したがって、表示パネ
ルの継ぎ目が認識されにくく、表示ムラや輝度ムラが抑制された、大型の表示装置を実現
することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光パネルについて
図面を用いて説明する。
本実施の形態では、主に有機EL素子を用いた発光パネルを例示するが、本発明の一態様
の表示装置に用いることができるパネルはこれに限られない。
<具体例1>
図9(A)に発光パネルの平面図を示し、図9(A)における一点鎖線A1−A2間の断
面図の一例を図9(C)に示す。図9(C)には可視光を透過する領域110の断面図の
一例も示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッシ
ョン型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは、例えば、R(赤)、
G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構成や、R、G、B、W(白)
の4色の副画素で1つの色を表現する構成、R、G、B、Y(黄)の4色の副画素で1つ
の色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBWY以外の
色を用いてもよく、例えば、シアンやマゼンタ等を用いてもよい。
図9(A)に示す発光パネルは、可視光を透過する領域110、発光部804、駆動回路
部806、FPC808を有する。可視光を透過する領域110は、発光部804に隣接
し、発光部804の2辺に沿って配置されている。
図9(C)に示す発光パネルは、基板701、接着層703、絶縁層705、複数のトラ
ンジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層821
、接着層822、着色層845、遮光層847、絶縁層715、接着層713、及び基板
711を有する。接着層822、絶縁層715、接着層713、及び基板711は可視光
を透過する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基
板701、基板711、及び接着層822によって封止されている。
発光部804は、接着層703、及び絶縁層705を介して基板701上にトランジスタ
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
また、発光部804は、発光素子830と重なる着色層845と、絶縁層821と重なる
遮光層847と、を有する。発光素子830と着色層845の間は接着層822で充填さ
れている。
絶縁層815は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。
駆動回路部806は、接着層703及び絶縁層705を介して基板701上にトランジス
タを複数有する。図9(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、1つ
のトランジスタを示している。
絶縁層705と基板701は接着層703によって貼り合わされている。また、絶縁層7
15と基板711は接着層713によって貼り合わされている。絶縁層705や絶縁層7
15に防湿性の高い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物
が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐ
ため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工
程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成す
る電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
図9(C)に示す発光パネルでは、FPC808が基板711上に位置する。接続体82
5は、基板711、接着層713、絶縁層715、接着層822、絶縁層817、及び絶
縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体825
はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857は電
気的に接続する。導電層857と基板711とが重なる場合には、基板711を開口する
(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びFPC
808を電気的に接続させることができる。
図9(B)に示す発光パネルを2枚重ねて有する表示装置の断面図の一例を図20に示す
。図20では、下側の発光パネルの表示領域101a(図9(B)に示す発光部804と
対応)及び可視光を遮る領域120a(図9(B)に示す駆動回路部806等に対応)、
並びに、上側の発光パネルの表示領域101b(図9(B)に示す発光部804と対応)
及び可視光を透過する領域110b(図9(B)に示す可視光を透過する領域110に対
応)を示す。
図20に示す表示装置において、表示面側(上側)に位置する発光パネルは、可視光を透
過する領域110bを表示領域101bと隣接して有する。下側の発光パネルの表示領域
101aと、上側の発光パネルの可視光を透過する領域110bとが重なっている。した
がって、重ねた2つの発光パネルの表示領域の間の非表示領域を縮小すること、さらには
無くすことができる。これにより、使用者から発光パネルの継ぎ目が認識されにくい、大
型の表示装置を実現することができる。
また、図20に示す表示装置は、表示領域101aと可視光を透過する領域110bの間
に、空気よりも屈折率が高く、可視光を透過する透光層103を有する。これにより、表
示領域101aと可視光を透過する領域110bの間に空気が入ることを抑制でき、屈折
率の差による界面での反射を低減することができる。そして、表示装置における表示ムラ
や輝度ムラの抑制が可能となる。
透光層103は、下側の発光パネルの基板711や上側の発光パネルの基板701の表面
全体に重なっていてもよいし、表示領域101a及び可視光を透過する領域110bのみ
と重なっていてもよい。また、基板711や透光層103は、可視光を遮る領域120a
に含まれていてもよい。
例えば、吸着層と、基材とを積層して有する吸着フィルムを用いて、上側の発光パネルの
基板701及び透光層103の積層構造を構成することができる。
<具体例2>
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図10(A)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異なる、
カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体
例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
図9(B)では、発光パネルの3辺にわたって可視光を透過する領域110を有する例を
示す。そのうち、2辺において、可視光を透過する領域110は、発光部804と隣接し
ている。
図10(A)に示す発光パネルは、図9(C)に示す発光パネルと下記の点で異なる。
図10(A)に示す発光パネルは、絶縁層817a及び絶縁層817bを有し、絶縁層8
17a上に導電層856を有する。トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と
、発光素子830の下部電極と、が、導電層856を介して、電気的に接続される。
図10(A)に示す発光パネルは、絶縁層821上にスペーサ823を有する。スペーサ
823を設けることで、基板701と基板711の間隔を調整することができる。
図10(A)に示す発光パネルは、着色層845及び遮光層847を覆うオーバーコート
849を有する。発光素子830とオーバーコート849の間は接着層822で充填され
ている。
また、図10(A)に示す発光パネルは、基板701と基板711とで大きさが異なる。
FPC808が絶縁層715上に位置し、基板711と重ならない。接続体825は、絶
縁層715、接着層822、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して
導電層857と接続している。基板711に開口を設ける必要がないため、基板711の
材料が制限されない。
なお、図10(B)に示すように、発光素子830は、下部電極831とEL層833の
間に、光学調整層832を有していてもよい。光学調整層832には、透光性を有する導
電性材料を用いることが好ましい。カラーフィルタ(着色層)とマイクロキャビティ構造
(光学調整層)との組み合わせにより、本発明の一態様の表示装置からは、色純度の高い
光を取り出すことができる。光学調整層の膜厚は、各副画素の発光色に応じて変化させれ
ばよい。
<具体例3>
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図10(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いた
トップエミッション型の発光パネルである。
図10(C)に示す発光パネルは、基板701、接着層703、絶縁層705、複数のト
ランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層82
1、スペーサ823、接着層822、及び基板711を有する。接着層822及び基板7
11は可視光を透過する。
図10(C)に示す発光パネルでは、接続体825が絶縁層815上に位置する。接続体
825は、絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、
接続体825はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電
層857は電気的に接続する。
<具体例4>
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図11(A)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
図11(A)に示す発光パネルは、基板701、接着層703、絶縁層705、複数のト
ランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層81
7b、導電層856、複数の発光素子、絶縁層821、接着層822、及び基板711を
有する。基板701、接着層703、絶縁層705、絶縁層815、絶縁層817a、及
び絶縁層817bは可視光を透過する。
発光部804は、接着層703、及び絶縁層705を介して基板701上にトランジスタ
820、トランジスタ824、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層
817b上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の
上部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又は
ドレイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われてい
る。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過
する。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、
絶縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設けれ
ばよい。
駆動回路部806は、接着層703及び絶縁層705を介して基板701上にトランジス
タを複数有する。図11(A)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、2
つのトランジスタを示している。
絶縁層705と基板701は接着層703によって貼り合わされている。絶縁層705に
防湿性の高い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、トランジスタ824
に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層857を、導電層856と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
<具体例5>
図11(B)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
図11(B)に示す発光パネルは、基板701、接着層703、絶縁層705、導電層8
14、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、接着層822
、及び基板711を有する。
導電層857a及び導電層857bは、発光パネルの外部接続電極であり、FPC等と電
気的に接続させることができる。
発光素子830は、下部電極831、EL層833、及び上部電極835を有する。下部
電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッショ
ン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電
極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831と
電気的に接続する。
光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、
凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板
上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を
有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することが
できる。
導電層814は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極831の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電気
的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに設
けてもよい。
導電層814は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は、
例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.
5μm以下である。
<材料の一例>
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明
した構成については説明を省略する場合がある。
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光
素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。
特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚
さのガラス、金属、合金を用いることができる。
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損
しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしく
は合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにく
い発光パネルを実現できる。
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネ
ルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基
板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下である
ことがより好ましい。
金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム
、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適
に用いることができる。
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを抑
制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放
射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構造
としてもよい。
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、実施の形態1で例示した保護基板13
2の材料が挙げられる。
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミ
ド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることがで
きる。
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板
を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ま
しくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対
する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10
μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機
樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、
機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基
板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることがで
きる。
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着
する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入
することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
絶縁層705や絶縁層715としては、防湿性の高い絶縁膜を用いることが好ましい。ま
たは、絶縁層705や絶縁層715は、不純物の発光素子への拡散を防ぐ機能を有してい
ることが好ましい。
防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/(m・day)]
以下、好ましくは1×10−6[g/(m・day)]以下、より好ましくは1×10
−7[g/(m・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m・da
y)]以下とする。
発光パネルにおいて、絶縁層705又は絶縁層715の少なくとも一方は、発光素子の発
光を透過する必要がある。絶縁層705又は絶縁層715のうち、発光素子の発光を透過
する側の絶縁層は、他方の絶縁層よりも、波長400nm以上800nm以下における光
の透過率の平均が高いことが好ましい。
絶縁層705や絶縁層715は、酸素、窒素、及びシリコンを有することが好ましい。例
えば、絶縁層705や絶縁層715は、酸化窒化シリコンを有することが好ましい。また
、絶縁層705や絶縁層715は、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを有することが好
ましい。また、絶縁層705や絶縁層715は、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜
の積層構造を有し、該酸化窒化シリコン膜及び該窒化シリコン膜は接することが好ましい
。酸化窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、を交互に積層し、逆位相の干渉が可視領域
で多く起こるようにすることで、積層体の可視光の透過率を高めることができる。
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラン
ジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半
導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体等が挙げられ
る。又は、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少
なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD法
、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD(
Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよく、この場合、絶縁層705が
トランジスタの下地膜を兼ねることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機E
L素子、無機EL素子等を用いることができる。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型の
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:I
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛(ZnO)、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグ
ネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウ
ム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒
化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いること
ができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマ
グネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好
ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウ
ム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(
アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、
APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することがで
きる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に
接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制する
ことができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げ
られる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。
例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いるこ
とができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
下部電極831及び上部電極835の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発光
する。
EL層833は少なくとも発光層を有する。EL層833は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
EL層833には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
発光素子830は、2以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発
光の発光素子を実現することができる。例えば2以上の発光物質の各々の発光が補色の関
係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、
R(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、又はO(橙)等の発光を示す発光物質や、R
、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることがで
きる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。こ
のとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含む
ことが好ましい。また、発光素子830の発光スペクトルは、可視領域(例えば350n
m以上750nm以下、又は400nm以上800nm以下など)の範囲内に2以上のピ
ークを有することが好ましい。
EL層833は、複数の発光層を有していてもよい。EL層833において、複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介して積層されていてもよい。例
えば、蛍光発光層と、燐光発光層との間に、分離層を設けてもよい。
分離層は、例えば、燐光発光層中で生成する燐光材料の励起状態から蛍光発光層中の蛍光
材料へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重項エネルギー移動)を防ぐため
に設けることができる。分離層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、0.1n
m以上20nm以下、あるいは1nm以上10nm以下、あるいは1nm以上5nm以下
である。分離層は、単一の材料(好ましくはバイポーラ性の物質)、又は複数の材料(好
ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料)を含む。
分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これにより
、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が、
ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料(ゲスト材料)からなる場合、分離層を、該ホ
スト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光材
料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、分
離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような構
成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。こ
れにより、製造コストを削減することができる。
また、発光素子830は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生
層を介して積層されたEL層を複数有するタンデム素子であってもよい。
発光素子は、一対の防湿性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これによ
り、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性の低下を抑
制できる。具体的には、上記のように、絶縁層705及び絶縁層715として、防湿性の
高い絶縁膜を用いると、発光素子が一対の防湿性の高い絶縁膜の間に位置し、発光パネル
の信頼性の低下を抑制できる。
絶縁層815としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、及
び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低
誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させる
ことで、各絶縁層を形成してもよい。
絶縁層821としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、下部
電極831上に開口部を形成し、絶縁層821の側壁が曲率を持って形成される傾斜面と
なるように形成することが好ましい。
絶縁層821の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
スペーサ823は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ823と上部電極835とを電気的に接続させる構成とす
ることで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ82
3は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに用
いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用
いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物
を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In等)
、酸化スズ(SnO等)、ZnO、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In−Zn
O等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は
黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、
様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチ
ング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。また、白色の副画素では、発光素子と重
ねて透明の樹脂を配置してもよい。
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を
遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層
と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発
光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む
樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部な
どの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため
好ましい。
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オー
バーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いる
ことができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として
接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
トとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜
を用いることが好ましい。
接続体としては、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Con
ductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic
Conductive Paste)などを用いることができる。
前述の通り、本発明の一態様の表示装置には、発光パネル、表示パネル、タッチパネル等
の各種パネルを適用することができる。
なお、本発明の一態様の発光パネルは、表示パネルとして用いてもよいし、照明パネルと
して用いてもよい。例えば、バックライトやフロントライトなどの光源、つまり、表示パ
ネルのための照明パネルとして活用してもよい。
以上のように、本実施の形態で例示した、可視光を透過する領域を有する発光パネルを用
いることで、発光パネルの継ぎ目が認識されにくく、表示ムラが抑制された、大型の表示
装置を実現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができるタッチパネルについ
て図面を用いて説明する。なお、タッチパネルが有する構成要素のうち、実施の形態2で
説明した発光パネルと同様の構成要素については、先の記載も参照することができる。ま
た、本実施の形態では、発光素子を用いたタッチパネルを例示するが、これに限られない
<構成例1>
図12(A)はタッチパネルの上面図である。図12(B)は図12(A)の一点鎖線A
−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図12(C)は図12(A)の一点鎖線E
−F間の断面図である。
図12(A)に示すタッチパネル390は、表示部301(入力部も兼ねる)、走査線駆
動回路303g(1)、撮像画素駆動回路303g(2)、画像信号線駆動回路303s
(1)、及び撮像信号線駆動回路303s(2)を有する。
表示部301は、複数の画素302と、複数の撮像画素308と、を有する。
画素302は、複数の副画素を有する。各副画素は、発光素子及び画素回路を有する。
画素回路は、発光素子を駆動する電力を供給することができる。画素回路は、選択信号を
供給することができる配線と電気的に接続される。また、画素回路は、画像信号を供給す
ることができる配線と電気的に接続される。
走査線駆動回路303g(1)は、選択信号を画素302に供給することができる。
画像信号線駆動回路303s(1)は、画像信号を画素302に供給することができる。
撮像画素308を用いてタッチセンサを構成することができる。具体的には、撮像画素3
08は、表示部301に触れる指等を検知することができる。
撮像画素308は、光電変換素子及び撮像画素回路を有する。
撮像画素回路は、光電変換素子を駆動することができる。撮像画素回路は、制御信号を供
給することができる配線と電気的に接続される。また、撮像画素回路は、電源電位を供給
することができる配線と電気的に接続される。
制御信号としては、例えば、記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
撮像画素駆動回路303g(2)は、制御信号を撮像画素308に供給することができる
撮像信号線駆動回路303s(2)は、撮像信号を読み出すことができる。
図12(B)、(C)に示すように、タッチパネル390は、基板701、接着層703
、絶縁層705、基板711、接着層713、及び絶縁層715を有する。また、基板7
01及び基板711は、接着層360で貼り合わされている。
基板701と絶縁層705は接着層703で貼り合わされている。また、基板711と絶
縁層715は接着層713で貼り合わされている。
基板、接着層、及び絶縁層に用いることができる材料については実施の形態2を参照する
ことができる。
画素302は、副画素302R、副画素302G、及び副画素302Bを有する(図12
(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを有し、副画素302Gは発
光モジュール380Gを有し、副画素302Bは発光モジュール380Bを有する。
例えば副画素302Rは、発光素子350R及び画素回路を有する。画素回路は、発光素
子350Rに電力を供給することができるトランジスタ302tを含む。また、発光モジ
ュール380Rは、発光素子350R及び光学素子(例えば赤色の光を透過する着色層3
67R)を有する。
発光素子350Rは、下部電極351R、EL層353、及び上部電極352をこの順で
積層して有する(図12(C))。
EL層353は、第1のEL層353a、中間層354、及び第2のEL層353bをこ
の順で積層して有する。
なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光モジュール380Rにマイクロ
キャビティ構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるよ
うに配置された可視光を反射する膜及び半反射・半透過する膜の間にEL層を配置しても
よい。
例えば、発光モジュール380Rは、発光素子350Rと着色層367Rに接する接着層
360を有する。
着色層367Rは発光素子350Rと重なる位置にある。これにより、発光素子350R
が発する光の一部は、接着層360及び着色層367Rを透過して、図中の矢印に示すよ
うに発光モジュール380Rの外部に射出される。
タッチパネル390は、遮光層367BMを有する。遮光層367BMは、着色層(例え
ば着色層367R)を囲むように設けられている。
タッチパネル390は、反射防止層367pを表示部301に重なる位置に有する。反射
防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
タッチパネル390は、絶縁層321を有する。絶縁層321はトランジスタ302t等
を覆っている。なお、絶縁層321は画素回路や撮像画素回路に起因する凹凸を平坦化す
るための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散
を抑制することができる絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
タッチパネル390は、下部電極351Rの端部に重なる隔壁328を有する。また、基
板701と基板711の間隔を制御するスペーサ329を、隔壁328上に有する。
画像信号線駆動回路303s(1)は、トランジスタ303t及び容量303cを含む。
なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図12(
B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有して
いてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続されて
いてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第2
のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
撮像画素308は、光電変換素子308p及び撮像画素回路を有する。撮像画素回路は、
光電変換素子308pに照射された光を検知することができる。撮像画素回路は、トラン
ジスタ308tを含む。
例えばpin型のフォトダイオードを光電変換素子308pに用いることができる。
タッチパネル390は、信号を供給することができる配線311を有し、端子319が配
線311に設けられている。画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるFP
C309が端子319に電気的に接続されている。FPC309にはプリント配線基板(
PWB)が取り付けられていてもよい。
なお、トランジスタ302t、トランジスタ303t、トランジスタ308t等のトラン
ジスタは、同一の工程で形成することができる。又は、それぞれ異なる工程で形成しても
よい。
<構成例2>
図13(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素を示す。図14は、図13(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図であ
る。
図13(A)、(B)に示すように、タッチパネル505は、表示部501、走査線駆動
回路303g(1)、及びタッチセンサ595等を有する。また、タッチパネル505は
、基板701、基板711、及び基板590を有する。
タッチパネル505は、複数の画素及び複数の配線311を有する。複数の配線311は
、画素に信号を供給することができる。複数の配線311は、基板701の外周部にまで
引き回され、その一部が端子319を構成している。端子319はFPC509(1)と
電気的に接続する。
タッチパネル505は、タッチセンサ595及び複数の配線598を有する。複数の配線
598は、タッチセンサ595と電気的に接続される。複数の配線598は基板590の
外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2
)と電気的に接続される。なお、図13(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(
基板701と対向する面側)に設けられるタッチセンサ595の電極や配線等を実線で示
している。
タッチセンサ595には、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方
式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。ここでは、投影型静電
容量方式のタッチセンサを適用する場合を示す。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、タッチセンサ595には、指等の検知対象の近接又は接触を検知することができる
さまざまなセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ595は、電極591と電極592を有する。電極5
91は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598の
他のいずれかと電気的に接続する。
電極592は、図13(A)、(B)に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の
四辺形が角部で接続された形状を有する。
電極591は四辺形であり、電極592が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置さ
れている。なお、複数の電極591は、一の電極592と必ずしも直交する方向に配置さ
れる必要はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
配線594は電極592と交差して設けられている。配線594は、電極592を挟む二
つの電極591を電気的に接続する。このとき、電極592と配線594の交差部の面積
ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面
積を低減でき、光の透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ595を透過す
る光の輝度ムラを低減することができる。
なお、電極591、電極592の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば
、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極59
2を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい
。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電
極を設けると、光の透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
図14(A)に示すように、タッチパネル505は、基板701、接着層703、絶縁層
705、基板711、接着層713、及び絶縁層715を有する。また、基板701及び
基板711は、接着層360で貼り合わされている。
接着層597は、タッチセンサ595が表示部501に重なるように、基板590を基板
711に貼り合わせている。接着層597は、透光性を有する。
電極591及び電極592は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有す
る導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお
、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成
された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては
、熱を加える方法等を挙げることができる。
また、電極591、電極592、配線594などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成
する配線や電極に用いる材料の抵抗値が低いことが望ましい。一例として、ITO、イン
ジウム亜鉛酸化物、ZnO、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン
などを用いてもよい。さらに、非常に細くした(例えば、直径が数ナノメートル)、多数
の導電体を用いて構成される金属ナノワイヤを用いてもよい。一例としては、Agナノワ
イヤ、Cuナノワイヤ、又はAlナノワイヤ等を用いてもよい。Agナノワイヤの場合、
例えば、89%以上の光透過率、40Ω/□以上100Ω/□以下のシート抵抗値を実現
することができる。なお、光の透過率が高いため、表示素子に用いる電極、例えば、画素
電極や共通電極に、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどを用いても
よい。
透光性を有する導電性材料を基板590上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極591
及び電極592を形成することができる。
電極591及び電極592は絶縁層593で覆われている。また、電極591に達する開
口が絶縁層593に設けられ、配線594が隣接する電極591を電気的に接続する。透
光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線594に好
適に用いることができる。また、電極591及び電極592より導電性の高い材料は、電
気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることができる。
なお、絶縁層593及び配線594を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ595を保護す
ることができる。
また、接続層599は、配線598とFPC509(2)を電気的に接続する。
表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。画素は、構成例1と同
様であるため、説明を省略する。
なお、様々なトランジスタをタッチパネルに適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を適用する場合の構成を、図14(A)、(B)に示す。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図14(A)に示す
トランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図14(B)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用すること
ができる。
また、トップゲート型のトランジスタを適用する場合の構成を、図14(C)に示す。
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を
含む半導体層を、図14(C)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに
適用することができる。
<構成例3>
図15は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル
505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する点及びタ
ッチセンサが表示部の基板701側に設けられている点が、構成例2のタッチパネル50
5とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることがで
きる部分は、上記の説明を援用する。
着色層367Rは発光素子350Rと重なる位置にある。また、図15(A)に示す発光
素子350Rは、トランジスタ302tが設けられている側に光を射出する。これにより
、発光素子350Rが発する光の一部は着色層367Rを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール380Rの外部に射出される。
タッチパネル505Bは、光を射出する方向に遮光層367BMを有する。遮光層367
BMは、着色層(例えば着色層367R)を囲むように設けられている。
タッチセンサ595は、基板711側でなく、基板701側に設けられている(図15(
A))。
接着層597は、タッチセンサ595が表示部に重なるように、基板590を基板701
に貼り合わせている。接着層597は、透光性を有する。
なお、ボトムゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図15(
A)、(B)に示す。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図15(A)に示す
トランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図15(B)に示すトランジスタ302t
及びトランジスタ303tに適用することができる。
また、トップゲート型のトランジスタを適用する場合の構成を、図15(C)に示す。
例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図15(
C)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
<構成例4>
図16に示すように、タッチパネル500TPは、表示部500及び入力部600を重ね
て有する。図17は、図16に示す一点鎖線Z1−Z2間の断面図である。
以下に、タッチパネル500TPを構成する個々の要素について説明する。なお、これら
の構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む
場合がある。なお、表示部500に入力部600が重ねられたタッチパネル500TPを
タッチパネルともいう。
入力部600は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット602を有する。また、
入力部600は、選択信号線G1、制御線RES、信号線DLなどを有する。
選択信号線G1や制御線RESは、行方向(図中に矢印Rで示す)に配置される複数の検
知ユニット602と電気的に接続される。信号線DLは、列方向(図中に矢印Cで示す)
に配置される複数の検知ユニット602と電気的に接続される。
検知ユニット602は近接又は接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静電
容量、照度、磁力、電波又は圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する
。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子又は共振器等を検知素
子に用いることができる。
検知ユニット602は、例えば、近接又は接触するものとの間の静電容量の変化を検知す
る。
なお、大気中において、指などの大気より大きな誘電率を有するものが導電膜に近接する
と、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供
給することができる。
例えば、静電容量の変化に伴い容量素子との間で電荷の分配が引き起こされ、容量素子の
両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。
検知ユニット602は検知回路を有する。検知回路は、選択信号線G1、制御線RES又
は信号線DLなどに電気的に接続される。
検知回路は、トランジスタ又は/及び検知素子等を有する。例えば、導電膜と、当該導電
膜に電気的に接続される容量素子と、を検知回路に用いることができる。また、容量素子
と、当該容量素子に電気的に接続されるトランジスタと、を検知回路に用いることができ
る。
検知回路には、例えば、絶縁層653と、絶縁層653を挟持する第1の電極651及び
第2の電極652と、を有する容量素子650を用いることができる(図17(A))。
容量素子650の電極間の電圧は一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接す
ることにより変化する。
検知ユニット602は、制御信号に基づいて導通状態又は非導通状態にすることができる
スイッチを有する。例えば、トランジスタM12をスイッチに用いることができる。
また、検知信号を増幅するトランジスタを検知ユニット602に用いることができる。
同一の工程で作製することができるトランジスタを、検知信号を増幅するトランジスタ及
びスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力部600を
提供できる。
また、検知ユニットはマトリクス状に配置された複数の窓部667を有する。窓部667
は可視光を透過し、複数の窓部667の間に遮光性の層BMを配設してもよい。
タッチパネル500TPは、窓部667に重なる位置に着色層を有する。着色層は、所定
の色の光を透過する。なお、着色層はカラーフィルタということができる。例えば、青色
の光を透過する着色層367B、緑色の光を透過する着色層367G、又は赤色の光を透
過する着色層367Rを用いることができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の
光を透過する着色層を用いてもよい。
表示部500は、マトリクス状に配置された複数の画素302を有する。画素302は入
力部600の窓部667と重なるように配置されている。画素302は、検知ユニット6
02に比べて高い精細度で配設されてもよい。画素は、構成例1と同様であるため、説明
を省略する。
タッチパネル500TPは、可視光を透過する窓部667及びマトリクス状に配設される
複数の検知ユニット602を有する入力部600と、窓部667に重なる画素302を複
数有する表示部500と、を有し、窓部667と画素302の間に着色層を含んで構成さ
れる。また、それぞれの検知ユニットに他の検知ユニットへの干渉を低減することができ
るスイッチが配設されている。
これにより、各検知ユニットが検知する検知情報を検知ユニットの位置情報と共に供給す
ることができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて検知情報を供給する
ことができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にする
ことで、検知信号を供給させる検知ユニットへの干渉を低減することができる。その結果
、利便性又は信頼性に優れたタッチパネル500TPを提供することができる。
例えば、タッチパネル500TPの入力部600は検知情報を検知して位置情報と共に供
給することができる。具体的には、タッチパネル500TPの使用者は、入力部600に
触れた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプ又はピ
ンチイン等)をすることができる。
入力部600は、入力部600に近接又は接触する指等を検知して、検知した位置又は軌
跡等を含む検知情報を供給することができる。
演算装置は供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し
、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。
これにより、入力部600の使用者は、指等を用いて所定のジェスチャーを供給し、所定
のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。
例えば、タッチパネル500TPの入力部600は、まず、一の信号線に検知情報を供給
することができる複数の検知ユニットから一の検知ユニットXを選択する。そして、検知
ユニットXを除いた他の検知ユニットと当該一の信号線を非導通状態にする。これにより
、他の検知ユニットがもたらす検知ユニットXへの干渉を低減することができる。
具体的には、他の検知ユニットの検知素子がもたらす検知ユニットXの検知素子への干渉
を低減できる。
例えば、容量素子及び当該容量素子の一の電極が電気的に接続された導電膜を検知素子に
用いる場合において、他の検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、検知ユニットXの導
電膜の電位への干渉を低減することができる。
これにより、タッチパネル500TPはその大きさに依存することなく、検知ユニットを
駆動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることが
できる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさのタッ
チパネル500TPを提供することができる。
また、タッチパネル500TPは、折り畳まれた状態及び展開された状態にすることがで
きる。そして、折り畳まれた状態と展開された状態とで、他の検知ユニットがもたらす検
知ユニットXへの干渉が異なる場合においても、タッチパネル500TPの状態に依存す
ることなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。
また、タッチパネル500TPの表示部500は表示情報を供給されることができる。例
えば、演算装置は表示情報を供給することができる。
以上の構成に加えて、タッチパネル500TPは以下の構成を有することもできる。
タッチパネル500TPは、駆動回路603g又は駆動回路603dを有してもよい。ま
た、FPC1と電気的に接続されてもよい。
駆動回路603gは例えば所定のタイミングで選択信号を供給することができる。具体的
には、選択信号を選択信号線G1ごとに所定の順番で供給する。また、さまざまな回路を
駆動回路603gに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回
路、組み合わせ回路などを用いることができる。
駆動回路603dは、検知ユニット602が供給する検知信号に基づいて検知情報を供給
する。また、さまざまな回路を駆動回路603dに用いることができる。例えば、検知ユ
ニットに配設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路やカレ
ントミラー回路を構成することができる回路を、駆動回路603dに用いることができる
。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を有していてもよ
い。
FPC1は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号を供給される。
タッチパネル500TPは、駆動回路503g、駆動回路503s、配線311、又は端
子319を有してもよい。また、タッチパネル500TP(又は駆動回路)は、FPC2
と電気的に接続されてもよい。
また、傷の発生を防いでタッチパネル500TPを保護する保護層670を有していても
よい。例えば、セラミックコート層又はハードコート層を保護層670に用いることがで
きる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層又はUV硬化樹脂を用いることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明
する。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁
もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能であ
る。
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用
いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池(リチウムイオ
ンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信する
ことで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池を
有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
本発明の一態様の表示装置は、表示パネルの数を増やすことにより、表示領域の面積を上
限なく大きくすることが可能である。したがって、本発明の一態様の表示装置はデジタル
サイネージやPIDなどに好適に用いることができる。また、本発明の一態様の表示装置
は、表示パネルの配置方法を変えることで、表示装置の外形を様々な形状にすることがで
きる。
図18(A)では、柱15や壁16に、本発明の一態様の表示装置10を適用した例を示
している。表示装置10に用いる表示パネル100として、可撓性を有する表示パネルを
用いることで、曲面に沿って表示装置10を設置することが可能となる。
ここで特に、デジタルサイネージやPIDに本発明の一態様の表示装置を用いる場合には
、表示パネルにタッチパネルを適用することで、表示領域に画像や動画を表示するだけで
なく観察者が直感的に操作することが可能となるため好ましい。また、路線情報や交通情
報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリテ
ィを高めることができる。なお、ビルや公共施設などの壁面に設置する場合などは、表示
パネルにタッチパネルを適用しなくてもよい。
図18(B)〜(E)に、湾曲した表示部7000を有する電子機器の一例を示す。表示
部7000はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことが
できる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。
図18(B)〜(E)に示す各電子機器が有する表示部7000は、本発明の一態様の表
示装置を用いて作製される。
図18(B)に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機7100は、筐体7101、表示部
7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク7
106等を有する。
図18(B)に示す携帯電話機7100は、表示部7000にタッチセンサを備える。電
話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部
7000に触れることで行うことができる。
また、操作ボタン7103の操作により、電源のON、OFF動作や、表示部7000に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
図18(C)にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置7200は、筐体72
01に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7203により筐体72
01を支持した構成を示している。
図18(C)に示すテレビジョン装置7200の操作は、筐体7201が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機7211により行うことができる。又は、表示部7000
にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作してもよ
い。リモコン操作機7211は、当該リモコン操作機7211から出力する情報を表示す
る表示部を有していてもよい。リモコン操作機7211が備える操作キー又はタッチパネ
ルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映像
を操作することができる。
なお、テレビジョン装置7200は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
図18(D)に携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7300は、筐体7301及び
表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、ア
ンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部7000にはタッチセンサを備える
。携帯情報端末7300の操作は、指やスタイラスなどで表示部7000に触れることで
行うことができる。
図18(D)は、携帯情報端末7300の斜視図であり、図18(E)は携帯情報端末7
300の上面図である。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から
選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用い
ることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メー
ル、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々
のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末7300は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例え
ば、図18(D)に示すように、3つの操作ボタン7302を一の面に表示し、矩形で示
す情報7303を他の面に表示することができる。図18(D)、(E)では、携帯情報
端末の上側に情報が表示される例を示す。または、携帯情報端末の横側に情報が表示され
てもよい。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよい。
なお、情報の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)の通知、
電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、
日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されて
いる位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
例えば、携帯情報端末7300の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末7300を
収納した状態で、その表示(ここでは情報7303)を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末7300の上
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末7300をポケットから取り
出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図18(F)に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。
図18(F)に示す照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製
される。
図18(F)に示す照明装置7400は、波状の発光面を有する発光部7402を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
また、照明装置7400の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可
塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在
に湾曲可能な構成としてもよい。
照明装置7400は、操作スイッチ7403を備える台部7401と、台部7401に支
持される発光部を有する。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
図19(A1)、(A2)、(B)〜(I)に、可撓性を有する表示部7001を有する
携帯情報端末の一例を示す。
表示部7001は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。例えば、曲率半径0
.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置を適用できる。また、表示
部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7001に触れることで携
帯情報端末を操作することができる。
図19(A1)は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図19(A2)は、携帯情
報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末7500は、筐体7501、表示部70
01、引き出し部材7502、操作ボタン7503等を有する。
携帯情報端末7500は、筐体7501内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部7
001を有する。
また、携帯情報端末7500は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部7001に表示することができる。また、携帯情報端末7500にはバッ
テリが内蔵されている。また、筐体7501にコネクターを接続する端子部を備え、映像
信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン7503によって、電源のON、OFF動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。なお、図19(A1)、(A2)、(B)では、携帯情報端末7
500の側面に操作ボタン7503を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端
末7500の表示面と同じ面(おもて面)や、裏面に配置してもよい。
図19(B)には、表示部7001を引き出した状態の携帯情報端末7500を示す。こ
の状態で表示部7001に映像を表示することができる。また、表示部7001の一部が
ロール状に巻かれた図19(A1)の状態と表示部7001を引き出し部材7502によ
り引き出した図19(B)の状態とで、携帯情報端末7500が異なる表示を行う構成と
してもよい。例えば、図19(A1)の状態のときに、表示部7001のロール状に巻か
れた部分を非表示とすることで、携帯情報端末7500の消費電力を下げることができる
なお、表示部7001を引き出した際に表示部7001の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部7001の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
図19(C)〜(E)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図19(C)で
は、展開した状態、図19(D)では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他
方に変化する途中の状態、図19(E)では、折りたたんだ状態の携帯情報端末7600
を示す。携帯情報端末7600は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態で
は、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
表示部7001はヒンジ7602によって連結された3つの筐体7601に支持されてい
る。ヒンジ7602を介して2つの筐体7601間を屈曲させることにより、携帯情報端
末7600を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
図19(F)、(G)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図19(F)で
は、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図19(G)では、表示部7
001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携帯情報端
末7650は表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7650を使
用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部7001の
汚れや傷つきを抑制できる。
図19(H)に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7700は、
筐体7701及び表示部7001を有する。さらに、入力手段であるボタン7703a、
7703b、音声出力手段であるスピーカ7704a、7704b、外部接続ポート77
05、マイク7706等を有していてもよい。また、携帯情報端末7700は、可撓性を
有するバッテリ7709を搭載することができる。バッテリ7709は例えば表示部70
01と重ねて配置してもよい。
筐体7701、表示部7001、及びバッテリ7709は可撓性を有する。そのため、携
帯情報端末7700を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末7700に捻りを加
えることが容易である。例えば、携帯情報端末7700は、表示部7001が内側又は外
側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末7700をロール
状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体7701及び表示部7001
を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末7700は、落下した場合、又は
意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
また、携帯情報端末7700は軽量であるため、筐体7701の上部をクリップ等で把持
してぶら下げて使用する、又は、筐体7701を磁石等で壁面に固定して使用するなど、
様々な状況において利便性良く使用することができる。
図19(I)に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7800は、バンド
7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バン
ド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を有
するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は例えば表示部700
1やバンド7801と重ねて配置してもよい。
バンド7801、表示部7001、及びバッテリ7805は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末7800を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン7803は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部7001に表示されたアイコン7804に指等で触れることで、アプリケー
ションを起動することができる。
また、携帯情報端末7800は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能で
ある。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで
通話することもできる。
また、携帯情報端末7800は入出力端子7802を有していてもよい。入出力端子78
02を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うこと
ができる。また入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形
態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行
ってもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
本実施例では、本発明の一態様の表示装置を作製した結果について説明する。本実施例で
作製した表示装置の作製方法は、瓦を用いた日本の伝統的な屋根の作製方法に似ている。
このことから、本明細書中では、本実施例で作製する表示装置のように、複数の表示パネ
ルを重ね合わせて作製したマルチディスプレイを、kawara−type multi
displayと呼ぶ場合がある。
本実施例で作製した表示装置を図21(A)、(B)に示す。図21(A)は、表示装置
の表示面の反対側の写真である。図21(B)は、画像を表示している状態の表示装置の
表示面側の写真である。
図21(A)、(B)に示す表示装置は、表示パネルを2×2のマトリクス状に計4つ有
する。具体的には、表示装置は、表示パネル100a、100b、100c、100dを
有する。
図22(A)に表示パネルの概略図を示す。表示パネルの発光部250のサイズは、対角
3.4インチ、有効画素数が960×540×RGB、精細度が326ppi、開口率が
44.4%である。表示パネルには、デマルチプレクサ(DeMUX)253が内蔵され
ており、ソースドライバとして機能する。また、表示パネルには、スキャンドライバ25
5も内蔵されている。表示パネルは、アクティブマトリクス型の有機ELディスプレイで
あり、画素回路は3つのトランジスタと1つの容量を有する。発光部250の2辺は、可
視光を透過する領域251と接する。残りの2辺の周りには、引き回し配線257が設け
られている。
図21(C)に、表示装置を構成する表示パネル100a、100bを貼り合わせた際の
断面模式図を示す。
図21(A)〜(C)に示す表示装置は、接着層157を有する点、及び、表示パネルの
表示面側に透光層を有する点において、図4(F)に示す表示装置と異なる。
各表示パネルは、表示面と、表示面とは反対側の面と、の両方に、透光層を有する。例え
ば、図21(C)に示すように、表示パネル100aは、表示面側に透光層103a1を
有し、表示面とは反対側に透光層103a2を有する。また、表示パネル100bは、表
示面側に透光層103b1を有し、表示面とは反対側に透光層103b2を有する。本実
施例では、吸着層と基材とを積層して有する吸着フィルムを、各透光層に用いた。
各表示パネルは、基板と素子層を接着層で貼り合わせることで作製した。例えば、図21
(C)に示すように、基板151aと素子層153a、基板152aと素子層153a、
基板151bと素子層153b、並びに、基板152bと素子層153bが、それぞれ接
着層157で貼り合わされている。
本実施例の表示装置は、4つの表示パネルを、互いの表示領域の間の非表示領域が小さく
なるように重ねることで構成されている。具体的には、表示パネルの可視光を透過する領
域が、透光層を介して、他の表示パネルの表示領域と重なる。これにより、使用者から表
示パネルの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる(図21(
B))。
また、表示パネルが、表示面と、表示面とは反対側の面と、の両面に吸着層を有すること
で、表示装置の該両面のいずれも平坦な面に吸着又は固定することができる。例えば、表
示装置の表示面の反対側の面を壁に吸着させることができる。また、例えば、表示装置の
表示面をガラス基板等の透明な板に吸着させることができる。吸着層を有することで、表
示装置の表面に傷がつくことや、表示装置が撓むことを抑制し、表示の視認性を向上させ
ることができる。
また、4つの表示パネルは可撓性を有する。例えば、図21(A)、(C)に示すように
、表示パネル100aのFPC112aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する表
示パネル100bの表示領域の下側に、表示パネル100aの一部及びFPC112aの
一部を配置することができる。その結果、FPC112aを表示パネル100bの裏面と
物理的に干渉することなく配置することができる。
また、各表示パネルは、吸着層と基材とを積層して有する吸着フィルムを用いているため
、表示装置を構成する他の表示パネルと着脱自在に取り付けることができる。
図21(A)に示す表示パネル100a〜100dは、図10(A)、(B)に示す発光
パネルの構成と以下の点を除いて対応している。第一に、表示パネル100a乃至100
dは、絶縁層817b及び導電層856を有さず、トランジスタ820のソース電極又は
ドレイン電極と、発光素子830の下部電極831とが直接接続している。第二に、表示
パネル100a〜100dは、遮光層847を有していない。なお、表示パネル100a
〜100dの発光素子830の構成は、図10(B)を参照することができる。
本実施例では、発光素子には、白色の光を呈するタンデム(積層)型の有機EL素子を用
いた。発光素子は、トップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを
通して発光パネルの外部に取り出される。
トランジスタには、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystall
ine Oxide Semiconductor)を用いたトランジスタを適用した。
CAAC−OSは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高める
ことができる。また、CAAC−OSは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため
、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する表示パネル又は
表示装置を湾曲させたときの応力によってCAAC−OS膜にクラックが生じにくい。
CAAC−OSは、膜面に対して、結晶のc軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体の
ことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるn
ano−crystal(nc)など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確
認されている。CAAC−OSは、単結晶よりも結晶性が低く、ncに比べて結晶性が高
い。
本実施例では、In−Ga−Zn系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で500℃未満のプロセスで作製した。
ここで、本実施例で用いた表示パネルにおける可視光を透過する領域110の積層構造を
図22(B)に示す。
図22(B)に示すように、可視光を透過する領域110では、基板701、接着層70
3、絶縁層705、ゲート絶縁層813、絶縁層815、接着層822、絶縁層715、
接着層713、及び基板711がこの順で積層されている。可視光を透過する領域110
の可視光の透過率が高いほど、表示装置の光取り出し効率を高めることができる。実施例
では、これらの積層構造のうち、無機絶縁膜の膜種とその膜厚を光学シミュレーションに
より最適化することで、光の透過率の向上を図った。
光学シミュレーションを行う際には、トランジスタの良好な特性(又は信頼性)を確保す
るため、ゲート絶縁層813及びトランジスタの保護膜として機能する絶縁層815の膜
種とその膜厚は変更しないものとした。ただし、可視光を透過する領域110のみこれら
の膜を開口することは可能であるため、ゲート絶縁層813又は絶縁層815を構成する
層の一部のみを形成することは可能とした。
具体的には、発光部等では、絶縁層815は、酸化窒化シリコン膜と窒化シリコン膜の積
層構造からなるが、計算結果から、可視光を透過する領域110では、窒化シリコン膜を
設けない構成とした。
また、本実施例の表示パネルは、作製基板上に剥離層を介して被剥離層を形成した後、被
剥離層を作製基板から剥離して、被剥離層を別の基板に転置することで作製する。
そのため、光学シミュレーションを行う際には、剥離性を確保するため、絶縁層705に
含まれる、剥離層と接する層(表示パネルにおいて、絶縁層705に含まれる、接着層7
03と接する層)と、絶縁層715に含まれる、剥離層と接する層(表示パネルにおいて
、絶縁層715に含まれる、接着層713と接する層)の膜種とその膜厚は変更しないも
のとした。
具体的には、絶縁層705及び絶縁層715に含まれる、剥離層と接する層は、それぞれ
、膜厚600nmの酸化窒化シリコン膜とした。
また、表示パネルの可撓性を確保するため、計算結果により、特定の膜に応力が集中しな
いような構造とした。
屈折率約1.5の層(酸化窒化シリコン膜に相当)と、屈折率約1.9の層(窒化シリコ
ン膜に相当)を交互に積層し、逆位相の干渉が可視領域で多く起こるようにすることで、
可視光を透過する領域110の可視光の透過率を高めることができる。
実際に作製した表示パネルにおける可視光を透過する領域110の光の透過率の測定結果
を図23に示す。光の透過率は分光光度計を用いて測定した。
図23に示すように、作製した表示パネルの可視光を透過する領域110の光の透過率は
、有機EL素子の発光スペクトルのピークの範囲である450nm以上650nm以下の
範囲で、70〜80%程度と高い値を示すことがわかった。なお、測定結果には、基板7
01と空気間、及び基板711と空気間の反射率計約8%分が含まれている。また、基板
701と基板711の吸収率がそれぞれ約4〜8%程度である。したがって、光学最適化
を行った無機絶縁膜の光の透過率に関しては、約95%以上まで高めることができたとい
える。
以上のように、表示パネルの可視光を透過する領域が、透光層を介して、他の表示パネル
の表示領域と重なる構成とすること、さらには、可視光を透過する領域を構成する無機絶
縁膜の光学最適化を行うことで、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識されにくい、大型
の表示装置を作製することができた。
本実施例では、本発明の一態様の表示装置を作製した結果について説明する。本実施例で
作製した表示装置は、kawara−type multidisplayである。
図24(A)は、本実施例で作製した表示装置の画像を表示している状態の写真である。
図24(A)に示す表示装置は、表示パネルを2×2のマトリクス状に計4つ有する。表
示パネルの可視光を透過する領域の幅は約2mmとした。該可視光を透過する領域が、透
光層を介して、別の表示パネルの表示領域上に重なるように配置することで、一つの表示
装置を作製した。表示装置を構成する2枚の表示パネルを貼り合わせた状態の断面模式図
は図4(A)となる。
図24(A)に示す表示装置は、発光部のサイズが対角27インチ(1枚の表示パネルの
発光部のサイズは対角13.5インチ)、有効画素数が2560×1440、画素サイズ
が234μm×234μm、精細度が108ppi、開口率が61.0%である。スキャ
ンドライバは内蔵であり、ソースドライバはCOF(Chip On Film)を用い
て外付けした。
また、図24(B)は、1つの表示パネルの画像を表示している状態の写真である。表示
パネルの2辺においては、発光部の端部から表示パネルの端部までに、引き回し配線やド
ライバ等の可視光を遮る構造は全く配置されていなく、可視光を透過する領域となってい
る。図24(B)の拡大図に示すように、可視光を透過する領域の幅は約2mmである。
可視光を透過する領域の厚さは100μm未満と非常に薄い。そのため、本実施例の表示
装置では、最大4つの表示パネルが重なる部分があるが、表示面側に生じる段差は非常に
小さく、継ぎ目が目立ちにくい構成となっている。また、表示パネルは可撓性を有するた
め、FPCが接続されている部分の近傍を曲げることで、隣接する表示パネルの発光部の
下側に、FPCの一部を配置することができる。これにより、表示パネルの四方に他の表
示パネルを並べられ、大面積化が容易となる。
図24(B)に示す表示パネルは、発光部のサイズが対角13.5インチ、有効画素数が
1280×720×RGBY、精細度が108ppi、開口率が61.0%である、アク
ティブマトリクス型の有機ELディスプレイである。
本実施例の表示装置は、複数の表示パネル間での輝度のばらつきが少ないほど好ましい。
本実施例の表示パネルのように、2辺に引き回し配線等がない構成は、配線から遠い領域
での輝度の低下が生じる場合がある。そこで、本実施例の表示パネルでは、画素回路に6
つのトランジスタと2つの容量を有し、内部補正ができる構成とした。さらに、電流効率
の高い黄色(Y)の副画素を有する、2×2のマトリクス状に4つの副画素(RGBY)
を有する画素配置を採用し、表示パネルに流れる電流量を低減して、電圧降下を抑制させ
た。
本実施例では、発光素子には、青色の発光ユニット205と、黄色の発光ユニット209
を有し、白色の光を呈するタンデム(積層)型の有機EL素子を用いた(図25)。2つ
の発光ユニットの間には、中間層207を設けた。発光素子は、積層体201上に形成し
た。積層体201は、基板やトランジスタを含む。発光素子は、トップエミッション構造
である。発光素子の光は、カラーフィルタ(黄色のカラーフィルタCFY、青色のカラー
フィルタCFB、緑色のカラーフィルタCFG、又は赤色のカラーフィルタCFR)を通
して発光パネルの外部に取り出される。また、発光素子の陽極203には反射電極を、陰
極211には半透過電極を使用し、マイクロキャビティ構造を採用した。そのため、白色
(W)の副画素を有するRGBWの画素配置よりも、RGBYの方が、視野角での色度変
化を小さくすることができる。
本実施例の表示パネルの全面に白色(輝度300cd/m)を表示させた際の、輝度の
測定結果を図26に示す。図26は、パネルの2か所の輝度を測定した結果であり、1か
所は、図24(B)の左上側に相当する、引き回し配線に近い領域であり、もう1か所は
、図24(B)の右下側に相当する、可視光を透過する領域に近い領域である。4つの表
示パネルを測定した結果、パネルの2か所の輝度に大きなばらつきは見られなかった。引
き回し配線から遠く可視光を透過する領域に近い領域でも、輝度の低下は見られなかった
。このように、本実施例の表示装置に用いる複数の表示パネル間では、輝度のばらつきが
少ないことが示された。
なお、本実施例で用いたトランジスタは、実施例1で用いた構成と同様のため、詳細は省
略する。
さらに、本実施例では、図24(B)に示す表示パネルを36個組み合わせることで、図
27に示す81インチの表示装置を作製した。有効画素数が7680×4320であり、
8k4kの高解像度な表示装置を作製することができた。
本実施例で示した通り、本発明の一態様によって、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識
されにくい、大型の表示装置を実現することができた。
本実施例では、本発明の一態様の表示装置を作製した結果について説明する。本実施例で
作製した表示装置は、kawara−type multidisplayである。
まず、本実施例の表示装置に用いた表示パネルの詳細を示す。
図28(A)に本実施例の表示パネルの概略図を示す。図28(A)に示す表示パネルは
、発光部250のサイズが対角13.5インチ、有効画素数が1280×720、精細度
が108ppi、開口率が61.0%である、アクティブマトリクス型の有機ELディス
プレイである。表示パネルには、デマルチプレクサ(DeMUX)253が内蔵されてお
り、ソースドライバとして機能する。また、表示パネルには、スキャンドライバ255も
内蔵されている。発光部250の2辺は、可視光を透過する領域251と接する。残りの
2辺の周りには、引き回し配線257が設けられている。
トランジスタには、CAAC−OSを用いたチャネルエッチ型のトランジスタを適用した
。酸化物半導体には、In−Ga−Zn系酸化物を用いた。
発光素子には、白色の光を呈するタンデム(積層)型の有機EL素子を用いた。発光素子
は、トップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを通して発光パネ
ルの外部に取り出される。
図28(B)に、表示パネルを2×2のマトリクス状に4枚重ねた場合の概略図を示す。
また、図28(B)における一点鎖線X−Y断面の模式図を図28(C)に示す。
本実施例の表示装置は、複数の表示パネルを、互いの表示領域の間の非表示領域が小さく
なるように重ねることで構成されている。具体的には、上側の表示パネルにおける可視光
を透過する領域251と、下側の表示パネルにおける発光部250の間には、透光層10
3が設けられている。
表示パネルの2辺においては、発光部250の端部から表示パネルの端部までに、引き回
し配線やドライバ等の可視光を遮る構造は全く配置されていなく、可視光を透過する領域
251となっている。表示パネルの可視光を透過する領域251の幅は約2mmとした。
可視光を透過する領域251の厚さ(1枚の表示パネルの厚さともいえる)は100μm
未満と非常に薄い。そのため、本実施例の表示装置では、最大4つの表示パネルが重なる
部分があるが、表示面側に生じる段差は非常に小さく、継ぎ目が目立ちにくい構成となっ
ている。
4つの表示パネルは可撓性を有する。例えば、図28(C)に示すように、下側の表示パ
ネルのFPC112aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する上側の表示パネルの
発光部250の下側に、下側の表示パネルの一部及びFPC112aの一部を配置するこ
とができる。その結果、FPC112aを上側の表示パネルの裏面と物理的に干渉するこ
となく配置することができる。これにより、表示パネルの四方に他の表示パネルを並べら
れ、大面積化が容易となる。
本実施例では、基材の両面に吸着層を有する吸着フィルムを透光層103として用いた。
該吸着フィルムを用いることで、表示装置を構成する2つの表示パネルを着脱自在に貼り
合わせることができる。透光層103の一方の面の吸着層は、基板152aに吸着するこ
とができ、透光層103の他方の面の吸着層は、基板151bに吸着することができる。
図28(B)において、透光層103は、可視光を透過する領域251と重なる部分だけ
でなく、発光部250と重なる部分も有する。図28(C)では、透光層103は、基板
151bの端部から可視光を透過する領域251全体に重なり、さらには表示素子を含む
領域155bの一部にまで重なる。なお、図28(C)におけるFPCが接続されている
部分の近傍の、表示パネルの曲がっている部分には、透光層103を設けていない。ただ
し、透光層103の厚さや可撓性の高さによっては、透光層103を設けても構わない。
各表示パネルは、基板と素子層を接着層で貼り合わせることで作製した。例えば、図28
(C)に示すように、基板151aと素子層153a、基板152aと素子層153a、
基板151bと素子層153b、並びに、基板152bと素子層153bが、それぞれ接
着層157で貼り合わされている。各素子層は、表示素子を含む領域155と、表示素子
と電気的に接続する配線を含む領域156とを有する。
また、作製した表示パネルの曲げ試験を行った。図29(A)〜(C)は、曲げ試験の様
子を示す写真である。曲げた部分は、図28(A)に点線で示す部分であり、発光部25
0とFPCの圧着部との間の領域であり、電源電位が供給される配線がある。図29(A
)に示す状態から、図29(B)に示す状態に変形して、図29(A)に示す状態に戻す
までを1回として、10万回繰り返した。表示パネルを曲げる際の曲率半径は5mmとし
た。曲げ試験は1回あたり約2秒の速さで行った。図29(C)は、図29(B)におけ
る矢印の方向から見た場合の写真である。
図29(D)に試験前の表示パネルの表示写真を示し、図29(E)に試験後の表示パネ
ルの表示写真を示す。試験後も、表示パネルには表示不良は見られなかった。
なお、発光部250は、可視光を透過する領域251を介して視認される部分と、介さず
に視認される部分とで、輝度が異なって見える場合がある。そのため、図30(A)に示
すように、可視光を透過する領域251と重なる部分のみ、他の部分よりも高い輝度で表
示を行う(例えば、他よりもデータ電圧を高く設定する)ことで、発光部250全体の輝
度を均一にすることができ、好ましい。
本実施例では、図28(A)に示す表示パネルを36個用い、6×6のマトリクス状に配
置することで、図31に示す81インチの表示装置を作製した。
本実施例では、各表示パネルを、それぞれの駆動回路で駆動した。図30(B)に示すよ
うに、8Kレコーダから出力される信号を36分割し、それぞれの駆動回路に入力した。
また、各表示パネルにおける1段目のスキャンのタイミングが同時刻となるようにした。
本実施例では、図31に示す、有効画素数が7680×4320であり、8k4kの高解
像度な表示装置を作製することができた。なお、1枚の表示パネルの重さは、FPCを含
めても、約26gであり、36枚でも1kg以下である(ここでは、表示パネル及びFP
Cの重さのみを示し、表示パネルを固定するためのフレーム等の重さは含んでいない)。
また、図32に、表示パネルの継ぎ目を観察した結果を示す。ただし、図31と図32で
は表示されている画像が異なる。図32には、表示パネルの重なっている部分(幅2mm
)を示す。このように、本発明の一態様を適用することで、至近距離では、表示パネルの
継ぎ目が確認できる場合があっても、使用者が視聴する距離では、表示パネルの継ぎ目が
ほとんど視認できない、又は気にならない表示装置を作製することができる。
以上、本発明の一態様によって、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識されにくい、大型
の表示装置を実現することができた。
10 表示装置
11 表示領域
15 柱
16 壁
100 表示パネル
100a 表示パネル
100b 表示パネル
100c 表示パネル
100d 表示パネル
101 表示領域
101a 表示領域
101b 表示領域
101c 表示領域
101d 表示領域
102 領域
102a 領域
102b 領域
103 透光層
103a 透光層
103a1 透光層
103a2 透光層
103b 透光層
103b1 透光層
103b2 透光層
110 可視光を透過する領域
110a 可視光を透過する領域
110b 可視光を透過する領域
110c 可視光を透過する領域
110d 可視光を透過する領域
112a FPC
112b FPC
120 可視光を遮る領域
120a 可視光を遮る領域
120b 可視光を遮る領域
120c 可視光を遮る領域
123 FPC
131 樹脂層
132 保護基板
133 樹脂層
134 保護基板
141 画素
141a 画素
141b 画素
142a 配線
142b 配線
143a 回路
143b 回路
145 配線
151 基板
151a 基板
151b 基板
152 基板
152a 基板
152b 基板
153a 素子層
153b 素子層
154 接着層
155 領域
155a 領域
155b 領域
156 領域
156a 領域
156b 領域
157 接着層
201 積層体
203 陽極
205 青色の発光ユニット
207 中間層
209 黄色の発光ユニット
211 陰極
250 発光部
251 可視光を透過する領域
253 デマルチプレクサ
255 スキャンドライバ
257 引き回し配線
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 接着層
367B 着色層
367BM 遮光層
367G 着色層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
500 表示部
500TP タッチパネル
501 表示部
503g 駆動回路
503s 駆動回路
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
600 入力部
602 検知ユニット
603d 駆動回路
603g 駆動回路
650 容量素子
651 電極
652 電極
653 絶縁層
667 窓部
670 保護層
701 基板
703 接着層
705 絶縁層
711 基板
713 接着層
715 絶縁層
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
813 ゲート絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 接着層
823 スペーサ
824 トランジスタ
825 接続体
830 発光素子
831 下部電極
832 光学調整層
833 EL層
835 上部電極
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
856 導電層
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ

Claims (10)

  1. 保護基板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネルは、前記第2の表示パネルと固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。
  2. 保護基板と、樹脂層と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記樹脂層は、前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルに渡って設けられ、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。
  3. 保護基板と、アクリル板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記アクリル板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。
  4. 保護基板と、ガラス板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記ガラス板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。
  5. 保護基板と、プラスチック板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記プラスチック板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。
  6. 保護基板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネルは、前記第2の表示パネルと固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
    前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
  7. 保護基板と、樹脂層と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記樹脂層は、前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルに渡って設けられ、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
    前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
  8. 保護基板と、アクリル板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記アクリル板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
    前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
  9. 保護基板と、ガラス板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記ガラス板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
    前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
  10. 保護基板と、プラスチック板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
    前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
    前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記プラスチック板に固定され、
    前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
    前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
    前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
    前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
    前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
    前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
JP2019079327A 2014-07-31 2019-04-18 表示装置 Active JP6785912B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020179451A JP6974575B2 (ja) 2014-07-31 2020-10-27 表示装置
JP2021180069A JP2022020747A (ja) 2014-07-31 2021-11-04 表示装置

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014156168 2014-07-31
JP2014156168 2014-07-31
JP2014219131 2014-10-28
JP2014219131 2014-10-28
JP2014243195 2014-12-01
JP2014243195 2014-12-01
JP2015109642 2015-05-29
JP2015109642 2015-05-29

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015147526A Division JP6517617B2 (ja) 2014-07-31 2015-07-27 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020179451A Division JP6974575B2 (ja) 2014-07-31 2020-10-27 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019148815A true JP2019148815A (ja) 2019-09-05
JP6785912B2 JP6785912B2 (ja) 2020-11-18

Family

ID=55181587

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015147526A Active JP6517617B2 (ja) 2014-07-31 2015-07-27 表示装置
JP2019079327A Active JP6785912B2 (ja) 2014-07-31 2019-04-18 表示装置
JP2020179451A Active JP6974575B2 (ja) 2014-07-31 2020-10-27 表示装置
JP2021180069A Withdrawn JP2022020747A (ja) 2014-07-31 2021-11-04 表示装置
JP2023072010A Active JP7472365B2 (ja) 2014-07-31 2023-04-26 表示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015147526A Active JP6517617B2 (ja) 2014-07-31 2015-07-27 表示装置

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020179451A Active JP6974575B2 (ja) 2014-07-31 2020-10-27 表示装置
JP2021180069A Withdrawn JP2022020747A (ja) 2014-07-31 2021-11-04 表示装置
JP2023072010A Active JP7472365B2 (ja) 2014-07-31 2023-04-26 表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10159135B2 (ja)
JP (5) JP6517617B2 (ja)
KR (2) KR102380645B1 (ja)
CN (2) CN106537486B (ja)
TW (3) TWI681234B (ja)
WO (1) WO2016016765A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7396856B2 (ja) 2019-10-31 2023-12-12 JDI Design and Development 合同会社 表示装置

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102380645B1 (ko) * 2014-07-31 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
KR102445185B1 (ko) 2014-10-08 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9942979B2 (en) * 2014-11-03 2018-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible printed circuit board
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
KR102356841B1 (ko) * 2014-11-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2016116833A1 (ja) 2015-01-22 2016-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
CN111769154A (zh) 2015-09-08 2020-10-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
US10069100B2 (en) * 2015-09-24 2018-09-04 Apple Inc. Flexible device with decoupled display layers
US10516118B2 (en) 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
JP6367848B2 (ja) * 2016-02-10 2018-08-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN106297576B (zh) * 2016-10-08 2023-04-11 杭州美卡乐光电有限公司 Led箱体、led显示屏及其组装方法
KR20180054965A (ko) * 2016-11-14 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈 및 이를 포함하는 표시장치
DE112017006074T5 (de) * 2016-11-30 2019-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät
KR20190091457A (ko) * 2016-12-20 2019-08-06 스파이버 가부시키가이샤 섬유 강화 수지재 및 적층체
TWI748035B (zh) 2017-01-20 2021-12-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示系統及電子裝置
JP7079239B2 (ja) * 2017-03-03 2022-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 車両
WO2018211350A1 (en) 2017-05-19 2018-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Machine learning method, machine learning system, and display system
CN107332958A (zh) * 2017-06-15 2017-11-07 捷开通讯(深圳)有限公司 移动终端及其多功能后盖
US11037525B2 (en) * 2017-06-27 2021-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and data processing method
US11296176B2 (en) 2017-07-27 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
CN110998703A (zh) 2017-08-24 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 图像处理方法
CN114497170A (zh) 2017-08-25 2022-05-13 株式会社半导体能源研究所 显示面板及显示装置
TWI790297B (zh) 2017-10-16 2023-01-21 美商康寧公司 具有邊緣包覆之導體的無框顯示圖塊及製造方法
US11672152B2 (en) 2017-11-30 2023-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, and display device, display module, and electronic device including display panel
CN107742499B (zh) * 2017-11-30 2021-02-19 武汉天马微电子有限公司 一种异形显示面板及显示装置
US11637269B2 (en) * 2018-05-23 2023-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and manufacturing method therefor
JP7054808B2 (ja) * 2018-06-26 2022-04-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 突板を用いた表示装置
KR102465746B1 (ko) * 2018-07-03 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 다중 패널 표시 장치
CN108920010B (zh) * 2018-07-27 2021-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触摸屏及oled显示面板
CN110827762B (zh) 2018-08-14 2021-07-09 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示屏及其控制方法以及显示终端
WO2020039291A1 (ja) 2018-08-21 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR20200041408A (ko) 2018-10-11 2020-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102618812B1 (ko) * 2018-10-31 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
CN111831240B (zh) * 2019-04-17 2022-02-22 北京小米移动软件有限公司 终端屏幕的显示控制方法、装置及存储介质
KR102628165B1 (ko) * 2019-04-23 2024-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11342386B2 (en) * 2019-05-27 2022-05-24 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and display device each having a data line connecting sub-pixels of different colors
CN110444123B (zh) * 2019-08-19 2022-10-14 京东方科技集团股份有限公司 拼接显示装置及电子设备
CN110752311B (zh) * 2019-10-29 2022-03-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114550604A (zh) * 2019-12-02 2022-05-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210076299A (ko) 2019-12-13 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 입력 센서
RU199341U1 (ru) * 2020-03-24 2020-08-28 Акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (АО "ЭЛАРА") Световое табло
CN111640377B (zh) * 2020-06-30 2022-06-03 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
TWI737520B (zh) * 2020-08-14 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN113284416B (zh) * 2020-08-14 2023-03-10 友达光电股份有限公司 显示面板
TWI768725B (zh) * 2020-09-16 2022-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 分離式顯示系統
CN112103320A (zh) * 2020-09-22 2020-12-18 维信诺科技股份有限公司 显示面板和显示装置
KR20220049643A (ko) * 2020-10-14 2022-04-22 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
KR20220091278A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN112736145B (zh) * 2020-12-29 2022-09-13 正泰新能科技有限公司 一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池
CN113160711A (zh) * 2021-04-29 2021-07-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
EP4325473A1 (en) 2021-07-14 2024-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
WO2023287069A1 (ko) * 2021-07-14 2023-01-19 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11747858B2 (en) * 2021-09-21 2023-09-05 International Business Machines Corporation Wearable device with expandable display strips
WO2023062472A1 (ja) * 2021-10-15 2023-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および当該表示装置を有する電子機器
KR20230069535A (ko) * 2021-11-12 2023-05-19 엘지디스플레이 주식회사 대면적 표시장치 및 대면적 표시장치 구동 시스템
TW202332072A (zh) * 2022-01-19 2023-08-01 友達光電股份有限公司 感測裝置
KR20230119529A (ko) 2022-02-07 2023-08-16 실리콘 디스플레이 (주) 표시 장치
CN114778339B (zh) * 2022-04-11 2022-11-25 江苏鼎盛检测中心有限公司 一种基于大数据的可降低误差的高低温耐久测试分析方法
TWI817830B (zh) * 2022-11-16 2023-10-01 宏碁股份有限公司 顯示裝置與其顯示方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5971083A (ja) * 1982-10-18 1984-04-21 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2004251981A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Seiko Epson Corp 複合型表示装置
JP2008545164A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート 電子標識のためのタイル状ディスプレイ
JP2009020141A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器
WO2011068158A1 (ja) * 2009-12-03 2011-06-09 シャープ株式会社 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法
JP2013504092A (ja) * 2009-09-08 2013-02-04 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 重なり合うフレキシブル基板を用いるタイル型ディスプレイ
JP2013156452A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Fujitsu Ltd マルチディスプレイ素子、マルチディスプレイ装置およびマルチディスプレイ素子の駆動方法
JP2014026290A (ja) * 2004-04-28 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置

Family Cites Families (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH09311344A (ja) 1996-03-18 1997-12-02 Toshiba Corp 画像表示装置
US5801797A (en) 1996-03-18 1998-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display apparatus includes an opposite board sandwiched by array boards with end portions of the array boards being offset
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7362046B2 (en) * 2001-11-10 2008-04-22 Image Portal Limited Partial overlapping display tiles of organic light emitting device
GB0127090D0 (en) 2001-11-10 2002-01-02 Image Portal Ltd Display
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP3937945B2 (ja) 2002-07-04 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びこれを備えた電子機器
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004038145A (ja) * 2003-03-06 2004-02-05 Seiko Epson Corp 表示装置及びこれを備えた電子機器
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006010811A (ja) 2004-06-23 2006-01-12 Sony Corp 表示装置
KR101030537B1 (ko) * 2004-06-30 2011-04-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그를 이용한 휘도 편차 보상방법
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US20060091794A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Eastman Kodak Company Passive matrix OLED display having increased size
AU2005302962B2 (en) 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7872259B2 (en) 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006220786A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Sharp Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2006220789A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Nikon Corp 微小光学素子作成方法
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
US8223087B2 (en) * 2006-09-25 2012-07-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-display apparatus and method of manufacturing the same
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
KR101217558B1 (ko) * 2006-09-29 2013-01-02 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP2009003436A (ja) * 2007-05-18 2009-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7719745B2 (en) 2007-07-10 2010-05-18 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
CN101868814B (zh) * 2007-11-22 2013-06-05 夏普株式会社 显示装置
JP2009139463A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Rohm Co Ltd 有機el発光装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
KR101551882B1 (ko) 2008-11-07 2015-09-10 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
KR101457563B1 (ko) * 2008-11-11 2014-11-04 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
US8576209B2 (en) * 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
CN102576508A (zh) 2009-10-08 2012-07-11 夏普株式会社 将具有发光部的多个面板连接而成的发光面板装置、具备该装置的图像显示装置和照明装置
JP5370944B2 (ja) 2010-03-17 2013-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネルおよびその製造方法
JP5471728B2 (ja) 2010-03-31 2014-04-16 凸版印刷株式会社 表示パネル、この表示パネルを利用した大型表示パネル
JP5541984B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-09 双葉電子工業株式会社 有機el表示装置
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101680765B1 (ko) 2010-11-17 2016-11-30 삼성전자주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 접이식 디스플레이 장치
JP5757083B2 (ja) 2010-12-01 2015-07-29 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
JP5858367B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-10 シャープ株式会社 有機el表示ユニット、有機el表示装置、及び有機el表示ユニットの製造方法
US20120274542A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5927476B2 (ja) 2011-10-03 2016-06-01 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9469080B2 (en) * 2012-01-06 2016-10-18 Prysm, Inc. Portable display
JP5501393B2 (ja) * 2012-02-13 2014-05-21 キヤノン株式会社 画像処理装置
JP5979218B2 (ja) * 2012-02-29 2016-08-24 コニカミノルタ株式会社 発光パネルおよびその製造方法
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) * 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
GB2511549B (en) * 2013-03-07 2020-04-22 Plastic Logic Ltd Tiled Displays
WO2015038684A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Polyera Corporation Attachable article with signaling, split display and messaging features
JP2016029464A (ja) * 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102380645B1 (ko) * 2014-07-31 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6602585B2 (ja) * 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR102445185B1 (ko) * 2014-10-08 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6823927B2 (ja) * 2015-01-21 2021-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102272470B1 (ko) * 2015-03-18 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102383737B1 (ko) * 2015-04-01 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111769154A (zh) * 2015-09-08 2020-10-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
US10424632B2 (en) * 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
DE112017006074T5 (de) * 2016-11-30 2019-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5971083A (ja) * 1982-10-18 1984-04-21 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2004251981A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Seiko Epson Corp 複合型表示装置
JP2014026290A (ja) * 2004-04-28 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2008545164A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート 電子標識のためのタイル状ディスプレイ
JP2012238001A (ja) * 2005-07-01 2012-12-06 Ind Technol Res Inst 電子標識のためのタイル状ディスプレイ
JP2009020141A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器
JP2013504092A (ja) * 2009-09-08 2013-02-04 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 重なり合うフレキシブル基板を用いるタイル型ディスプレイ
WO2011068158A1 (ja) * 2009-12-03 2011-06-09 シャープ株式会社 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法
JP2013156452A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Fujitsu Ltd マルチディスプレイ素子、マルチディスプレイ装置およびマルチディスプレイ素子の駆動方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7396856B2 (ja) 2019-10-31 2023-12-12 JDI Design and Development 合同会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022020747A (ja) 2022-02-01
TW201629586A (zh) 2016-08-16
US20200396807A1 (en) 2020-12-17
JP6785912B2 (ja) 2020-11-18
WO2016016765A1 (en) 2016-02-04
TWI681234B (zh) 2020-01-01
KR20170040205A (ko) 2017-04-12
US20190008014A1 (en) 2019-01-03
US20160037608A1 (en) 2016-02-04
CN112349211A (zh) 2021-02-09
TW202014773A (zh) 2020-04-16
JP2016206630A (ja) 2016-12-08
JP6517617B2 (ja) 2019-05-22
KR102533396B1 (ko) 2023-05-26
KR20220045237A (ko) 2022-04-12
TW202201088A (zh) 2022-01-01
US11659636B2 (en) 2023-05-23
JP6974575B2 (ja) 2021-12-01
US10159135B2 (en) 2018-12-18
JP7472365B2 (ja) 2024-04-22
US10764973B2 (en) 2020-09-01
TWI785611B (zh) 2022-12-01
JP2023099073A (ja) 2023-07-11
CN112349211B (zh) 2023-04-18
CN106537486B (zh) 2020-09-15
JP2021039353A (ja) 2021-03-11
KR102380645B1 (ko) 2022-03-31
CN106537486A (zh) 2017-03-22
TWI730518B (zh) 2021-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6974575B2 (ja) 表示装置
JP2021002036A (ja) 表示装置の画像処理方法
JP6602585B2 (ja) 表示装置および電子機器
TWI696284B (zh) 顯示裝置
JP6596224B2 (ja) 発光装置及び入出力装置
JP6727762B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP2017211630A (ja) 表示装置及び電子機器
JP2016027559A (ja) 発光装置、モジュール、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190515

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200303

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200630

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6785912

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250