JP2019148815A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 215
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 88
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 88
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 525
- 239000010408 film Substances 0.000 description 128
- 239000000463 material Substances 0.000 description 79
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003043 Cellulose fiber Polymers 0.000 description 1
- 108010022355 Fibroins Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Abstract
Description
トロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELとも記す)現
象を利用した表示装置、電子機器、又はそれらの作製方法に関する。
する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、
記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置(例えば、タッチセンサなど)、入出力装置(
例えば、タッチパネルなど)、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
庭用のテレビジョン装置(テレビ又はテレビジョン受信機ともいう)、デジタルサイネー
ジ(Digital Signage:電子看板)、PID(Public Infor
mation Display)等が挙げられる。表示装置の表示領域が広いほど、一度
に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示領域が広いほど、人の目につきや
すく、例えば、広告の宣伝効果を高めることが期待される。
ることで一度に表示する情報量を増やし、一覧性の向上を図ることが検討されている。
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、表示装置への応用が検討されている。例えば、有機EL素子を用いた表示装置の一例が
、特許文献1に開示されている。
EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
示装置の表示ムラや輝度ムラの抑制を目的の一とする。または、本発明の一態様は、表示
装置の薄型化もしくは軽量化を目的の一とする。または、本発明の一態様は、曲面に沿っ
て表示することが可能な表示装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一
態様は、一覧性に優れた表示装置を提供することを目的の一とする。
する。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請
求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
ル、第2の表示パネル、及び透光層を有し、第1の表示パネルは、第1の領域を有し、第
1の領域は、表示を行う機能を有し、第2の表示パネルは、第2の領域及び第3の領域を
有し、第2の領域は、表示を行う機能を有し、第3の領域は、第2の領域と隣接し、かつ
、可視光を透過する機能を有し、透光層は、波長450nm以上700nm以下の範囲の
光の透過率の平均値が80%以上であり、透光層は、屈折率が空気よりも高く、透光層は
、第1の表示パネルと第2の表示パネルの間に位置し、透光層は、第1の表示パネルの表
示面側に位置し、かつ、第2の表示パネルの表示面と対向する面側に位置し、第3の領域
は、透光層を介して第1の領域と重なる部分を有する表示装置である。
00nm以下の範囲の光の透過率の平均値が80%以上、より好ましくは90%以上であ
ればよい。同様に、本発明の一態様では、透光層の少なくとも一部分において、屈折率が
空気よりも高ければよく、屈折率が1.3以上1.8以下であると好ましい。
い。
第2の領域の外周の一部に沿って配置されていてもよい。
は、第2の領域と隣接し、可視光を遮る機能を有する。第4の領域は、第1の領域と重な
る部分を有さないことが好ましい。第4の領域は、配線を有していてもよい。このとき、
配線は、第2の領域が有する発光素子と電気的に接続されていてもよい。また、配線は、
第2の領域の外周の他の一部に沿って配置されていてもよい。
と、着脱自在に接することが好ましい。
有していてもよい。該材料の粘度は、1Pa・s以上が好ましく、10Pa・s以上がよ
り好ましく、100Pa・s以上がさらに好ましい。
有していてもよい。このとき、FPCは、第1の表示パネルと電気的に接続されていても
よい。また、FPCは、第2の領域と重なる部分を有することが好ましい。
る。例えば、本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ
、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器であ
る。
、表示装置の表示ムラや輝度ムラの抑制が可能となる。または、本発明の一態様により、
表示装置の薄型化もしくは軽量化が可能となる。または、本発明の一態様により、曲面に
沿って表示することが可能な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様
により、一覧性に優れた表示装置を提供することができる。
。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。
Bが他の素子を介さずに直接接続されている場合や、XとYの電気的な接続を可能とする
素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード
、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYの間に1つ以上接続されている場合等が挙
げられる。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッ
チは、導通状態(オン状態)又は非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さない
かを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替
える機能を有している。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図1〜図8を用いて説明する。
広い表示領域を有する表示装置を作製することができる。
大型である必要がない。したがって、該表示パネルを作製するための製造装置を大型化し
なくてもよく、省スペース化が可能である。また、中小型の表示パネルの製造装置を用い
ることができ、表示装置の大型化のために新規な製造装置を利用しなくてもよいため、製
造コストを抑えることができる。また、表示パネルの大型化に伴う歩留まりの低下を抑制
できる。
の表示パネルを有する表示装置の方が、表示領域が広く、一度に表示できる情報量が多い
等の効果を有する。
、複数の表示パネルの出力画像を合わせて一つの画像を表示する場合、当該一つの画像は
、表示装置の使用者にとって分離したように視認されてしまう。
ネルの表示が分離して見えることを抑制できるが、非表示領域を完全になくすことは困難
である。
くなり、表示パネルの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化しやすくなる場合が
ある。
。重ねた2つの表示パネルのうち、少なくとも表示面側(上側)に位置する表示パネルは
、可視光を透過する領域を表示領域と隣接して有する。本発明の一態様の表示装置では、
下側に配置される表示パネルの表示領域と、上側に配置される表示パネルの可視光を透過
する領域とが重なっている。したがって、重ねた2つの表示パネルの表示領域の間の非表
示領域を縮小すること、さらには無くすことができる。これにより、使用者から表示パネ
ルの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる。
部は、可視光を透過する領域であり、下側に位置する表示パネルの表示領域と重ねること
ができる。また、本発明の一態様において、下側に位置する表示パネルの非表示領域の少
なくとも一部は、上側に位置する表示パネルの表示領域や、可視光を遮る領域と重ねるこ
とができる。これらの部分については、表示装置の狭額縁化(表示領域以外の面積の縮小
化)に影響しないため、面積の縮小化をしなくてもよい。
、表示パネルの外部から侵入する不純物によって、素子が劣化することを抑制できる。例
えば、表示素子として有機EL素子を用いる場合は、表示パネルの端部と有機EL素子と
の距離を長くするほど、表示パネルの外部から水分や酸素等の不純物が有機EL素子に侵
入しにくくなる(又は到達しにくくなる)。本発明の一態様の表示装置では、非表示領域
の面積を十分に確保できるため、有機EL素子等を用いた表示パネルを適用しても、信頼
性が高い大型の表示装置を実現できる。
ルの表示領域との間に空気が存在すると、表示領域から取り出される光の一部は、表示領
域と大気の界面、並びに、大気と可視光を透過する領域の界面で、それぞれ反射し、表示
の輝度の低下の原因となる場合がある。これにより、複数の表示パネルが重なっている領
域の光取り出し効率が低下してしまう。また、上側に位置する表示パネルの可視光を透過
する領域と重なる部分と、重ならない部分とで、下側に位置する表示パネルの表示領域の
輝度に差が出てしまい、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識されやすくなる場合がある
。
折率が高く、可視光を透過する透光層を有する。これにより、表示領域と可視光を透過す
る領域の間に空気が入ることを抑制でき、屈折率の差による界面での反射を低減すること
ができる。そして、表示装置における表示ムラや輝度ムラの抑制が可能となる。
し、第1の表示パネルは、第1の領域を有し、第1の領域は、表示を行う機能を有し、第
2の表示パネルは、第2の領域及び第3の領域を有し、第2の領域は、表示を行う機能を
有し、第3の領域は、第2の領域と隣接し、かつ、可視光を透過する機能を有し、透光層
は、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の平均値が80%以上であり
、透光層は、屈折率が空気よりも高く、透光層は、第1の表示パネルと第2の表示パネル
の間に位置し、透光層は、第1の表示パネルの表示面側に位置し、かつ、第2の表示パネ
ルの表示面と対向する面側に位置し、第3の領域は、透光層を介して第1の領域と重なる
部分を有する表示装置である。
一部が可撓性を有していてもよい。本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する表示パ
ネルを有することが好ましい。これにより、湾曲した大型の表示装置や、可撓性を有する
表示装置を実現でき、用途が拡大される。このとき、有機EL素子を表示素子として好適
に用いることができる。
、好ましい。例えば、透光層は、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率
の平均値が80%以上、より好ましくは90%以上であればよい。
とができるため、好ましい。例えば、透光層の屈折率は、空気よりも高ければよく、1.
3以上1.8以下であると好ましい。透光層と、透光層と接する層(例えば、表示パネル
を構成する基板)は、屈折率の差が0.30以下であると好ましく、0.20以下である
とより好ましく、0.15以下であるとさらに好ましい。
ることが好ましい。表示装置を構成する表示パネルをそれぞれ独立に取り外しできると、
例えば、一つの表示パネルの表示に不具合が生じた場合、当該表示不良となった表示パネ
ルのみを、新しい表示パネルに交換することができる。他の表示パネルは継続して使用す
ることで、表示装置をより長く、低コストに使用することができる。
着剤等)を用いて表示パネル同士を固定してもよい。
質、ゲル状物質、又は固体状物質を用いることができる。
液状物質を用いることができる。
直になるように配置する場合等において、液状物質の粘度は、1mPa・s以上が好まし
く、1Pa・s以上がより好ましく、10Pa・s以上がさらに好ましく、100Pa・
s以上が特に好ましい。なお、表示装置を水平面と平行になるように配置する場合等にお
いては、これに限られない。
き、好ましい。
料が揮発することで界面に空気が入ってしまうことを抑制することができる。
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビ
ニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルア
セテート)樹脂等の樹脂が挙げられる。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。これら
樹脂のいずれか一以上を含む、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱
硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤や接着シート等を用いてもよい。表
示パネル同士を固定したくない場合等は、接着剤は硬化させなくてもよい。
体に対する剥離性が高い層であると好ましい。表示パネルに貼り付けた透光層を剥離した
後、表示パネルと再び貼り合わせることができることが好ましい。
の表面を傷つける、又は汚すことなく、被着体への透光層の吸着、及び、被着体からの透
光層の剥離を、繰り返すことができる。
ができる。また、吸着層又は粘着層と、基材と、の積層構造を有する吸着フィルムを用い
る場合、吸着層又は粘着層が、本発明の一態様の表示装置における透光層として機能し、
基材が、表示パネルを構成する基板として機能してもよい。吸着フィルムは、アンカー層
を、吸着層又は粘着層と、基材との間に有していてもよい。アンカー層は、吸着層又は粘
着層と、基材との接着力を向上させる機能を有する。また、アンカー層は、基材の吸着層
又は粘着層の塗工面を平滑にする機能を有する。これにより、被着体と透光層の間の気泡
を発生しにくくすることができる。
積層されたフィルムを好適に用いることができる。このとき、シリコーン樹脂層が吸着性
を有し、透光層として機能する。また、ポリエステルフィルムは、表示パネルを構成する
基板として機能する。なお、ポリエステルフィルムとは別に、表示パネルを構成する基板
を設けてもよい。
、吸着層が、本発明の一態様の表示装置における透光層として機能し、基材が、表示パネ
ルを構成する基板として機能し、粘着層もしくは接着層が、表示パネルの素子層と基板を
貼り合わせる層として機能してもよい。
の厚さは50μmより厚くてもよいが、可撓性を有する表示装置を作製する場合には、表
示装置の可撓性を損なわない程度の厚さとすることが好ましい。例えば、透光層の厚さは
、10μm以上30μm以下が好ましい。また、透光層の厚さは、1μm未満であっても
よい。
各々の表示パネルに関連する構成要素同士を区別するために、符号の後にアルファベット
を付記して説明する。特に説明のない限り、最も下側(表示面側とは反対側)に配置され
る表示パネル又は構成要素に対して「a」を付記し、その上側に配置される一以上の表示
パネル及びその構成要素に対しては、下側から順に「b」、「c」、とアルファベット順
に付記することとする。また、特に説明のない限り、複数の表示パネルを備える構成を説
明する場合であっても、各々の表示パネル又は構成要素に共通する事項を説明する場合に
は、アルファベットを省略して説明する。
)に示す表示パネル100を一方向(横方向)に3つ有する。
、(C)に示す表示装置10は、図2(C)に示す表示パネル100を2×2のマトリク
ス状に(縦方向及び横方向にそれぞれ2つずつ)計4つ有する。図1(B)は、表示装置
10の表示面側の斜視図であり、図1(C)は、表示装置10の表示面側とは反対側の斜
視図である。
す。
明する。図2(A)〜(D)は、表示パネル100の上面図の一例である。
表示パネル100の上面図における、表示領域101以外の部分を指す。領域102は、
非表示領域と呼ぶこともできる。
域102を有していてもよい。
光を透過する領域110及び可視光を遮る領域120を有する。可視光を透過する領域1
10及び可視光を遮る領域120は、それぞれ、表示領域101と隣接する。可視光を透
過する領域110及び可視光を遮る領域120は、それぞれ、表示領域101の外周の一
部に沿って設けられていてもよい。
1の1辺に沿って配置されている。また、図2(C)に示す表示パネル100では、可視
光を透過する領域110が、表示領域101の2辺に沿って配置されている。可視光を透
過する領域110は、表示領域101の3辺以上に沿って配置されていてもよい。可視光
を透過する領域110は、図2(B)〜(D)等に示すように、表示領域101と接して
、表示パネルの端部にまで設けられていることが好ましい。
101の2辺に沿って配置されている。可視光を遮る領域120は、表示パネルの端部近
傍にまで設けられていてもよい。
視光を遮る領域120以外の領域における、可視光の透過性は問わない。例えば、図2(
D)に示すように、表示パネルの全周にわたって可視光を透過する領域110が設けられ
ていてもよい。可視光を透過する領域110は少なくとも一部が表示領域101と隣接し
ていればよい。可視光を透過する領域110と表示領域101の間に可視光を遮る領域1
20が位置する部分があってもよい。
可能である。各画素には一つ以上の表示素子が設けられている。表示素子としては、例え
ば、有機EL素子などの発光素子、電気泳動素子、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メ
カニカル・システム)を用いた表示素子、又は液晶素子等を用いることができる。
100を構成する基板、接着層等を含んでいてもよい。可視光を透過する領域110の可
視光の透過率は高いほど、下に重なる表示パネルの光取り出し効率を高められるため、好
ましい。例えば、可視光を透過する領域110は、波長450nm以上700nm以下の
範囲の光の透過率の平均値が70%以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは
90%以上であればよい。
電気的に接続する配線が設けられている。また、このような配線に加え、画素を駆動する
ための駆動回路(走査線駆動回路、信号線駆動回路等)が設けられていてもよい。また、
可視光を遮る領域120にはFPC等と電気的に接続する端子(接続端子ともいう)や、
当該端子と電気的に接続する配線等を含んでいてもよい。
上150mm以下であると好ましく、1mm以上100mm以下がより好ましく、2mm
以上50mm以下がさらに好ましい。可視光を透過する領域110は封止領域としての機
能を有するため、可視光を透過する領域110の幅Wが大きいほど表示パネル100の端
部と表示領域101との距離を長くすることができ、外部から水などの不純物が表示領域
101にまで侵入することを抑制することが可能となる。なお、可視光を透過する領域1
10の幅Wは、表示領域101から表示パネル100の端部までの最短距離に相当する場
合がある。
Wを1mm以上とすることで、有機EL素子の劣化を効果的に抑制することができ、信頼
性を高めることができる。なお、可視光を透過する領域110以外の部分においても、表
示領域101の端部と表示パネル100の端部との距離が上述の範囲になるように設定す
ることが好ましい。
されている。具体的には、表示パネル100aの表示領域101a上に表示パネル100
bの可視光を透過する領域110bが重なるように配置されている。また、表示パネル1
00aの表示領域101a上に表示パネル100bの可視光を遮る領域120bが重なら
ないように配置されている。また、表示パネル100aの領域102aや可視光を遮る領
域120a上に表示パネル100bの表示領域101bが重なるように配置されている。
ねて配置されている。具体的には、表示パネル100bの表示領域101b上に表示パネ
ル100cの可視光を透過する領域110cが重なるように配置されている。また、表示
パネル100bの表示領域101b上に表示パネル100cの可視光を遮る領域120c
が重ならないように配置されている。また、表示パネル100bの領域102bや可視光
を遮る領域120b上に表示パネル100cの表示領域101cが重なるように配置され
ている。
bが表示パネル100aの表示面上に重なっていても、表示装置10の使用者は、表示領
域101aの表示全体を視認することが可能となる。同様に、表示領域101bも可視光
を透過する領域110cが重なるため、表示パネル100cが表示パネル100bの表示
面上に重なっていても、表示装置10の使用者は、表示領域101bの表示全体を視認す
ることが可能となる。
域101bが重なることで、表示領域101a及び表示領域101bの間に非表示領域が
存在しない。同様に、領域102bや可視光を遮る領域120bの上側に、表示パネル1
00cの表示領域101cが重なることで、表示領域101b及び表示領域101cの間
に非表示領域が存在しない。したがって、表示領域101a、101b、101cが継ぎ
目なく配置された領域を表示装置10の表示領域11とすることが可能となる。
100dを備える。
領域101aの一部と、可視光を透過する領域110bの一部が重なっている。また、表
示パネル100a、100cの長辺同士が重なり、表示領域101aの一部と、可視光を
透過する領域110cの一部が重なっている。
110cの一部、及び可視光を透過する領域110dの一部と重なっている。また、表示
領域101cの一部は、可視光を透過する領域110dの一部と重なっている。
れた領域を表示装置10の表示領域11とすることが可能となる。
00を構成する一対の基板は可撓性を有することが好ましい。
12aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する表示パネル100bの表示領域10
1bの下側に、表示パネル100aの一部、及びFPC112aの一部を配置することが
できる。その結果、FPC112aを表示パネル100bの裏面と物理的に干渉すること
なく配置することができる。また、表示パネル100aと表示パネル100bとを重ねて
固定する場合に、FPC112aの厚さを考慮する必要がないため、可視光を透過する領
域110bの上面と、表示パネル100aの上面との高さの差を低減できる。その結果、
表示領域101a上に位置する表示パネル100bの端部を目立たなくすることができる
。
101bにおける上面の高さを、表示パネル100aの表示領域101aにおける上面の
高さと一致するように、表示パネル100bを緩やかに湾曲させることができる。そのた
め、表示パネル100aと表示パネル100bとが重なる領域近傍を除き、各表示領域の
高さを揃えることが可能で、表示装置10の表示領域11に表示する画像の表示品位を高
めることができる。
する2つの表示パネル間でも同様である。
さは薄い方が好ましい。例えば表示パネル100の厚さを1mm以下、好ましくは300
μm以下、より好ましくは100μm以下とすることが好ましい。また、表示パネルが薄
いと、表示装置全体の薄型化や軽量化にもつながるため、好ましい。
。
nm以上700nm以下の波長の光)に対する透過率が十分高くない場合には、表示領域
101と重なる表示パネル100の枚数に応じて、表示する画像の輝度が低下してしまう
恐れがある。
の表示パネル100cが重なっている。また、領域Bでは、表示パネル100bの表示領
域101b上に、表示パネル100c、100dの計2枚の表示パネル100が重なって
いる。そして、領域Cでは、表示パネル100aの表示領域101a上に、表示パネル1
00b、100c、100dの計3枚の表示パネル100が重なっている。
階調を局所的に高めるような補正を、表示させる画像データに対して施すことが好ましい
。こうすることで、表示装置10の表示領域11に表示される画像の表示品位の低下を抑
制することが可能となる。
らすことで、下部の表示パネル100の表示領域101上に重なる表示パネル100の枚
数を減らすことができる。
0dを一方向にずらして配置した場合を示す。具体的には、表示パネル100a、100
bに対して表示パネル100c、100dをX方向の正方向に可視光を透過する領域11
0の幅Wの距離だけ相対的にずらした場合を示している。このとき、表示領域101上に
1つの表示パネル100が重ねられた領域Dと、表示領域101上に2つの表示パネル1
00が重ねられた領域Eとが存在する。
図3(C)では、表示パネル100a、100cに対して、表示パネル100b、100
dを、Y方向の正方向に可視光を透過する領域110の幅Wの距離だけ相対的にずらして
配置した場合を示している。
して配置する場合には、各表示パネル100の表示領域101を組み合わせた領域の輪郭
が矩形形状とは異なる形状となる。そのため、図3(B)、(C)に示すように表示装置
10の表示領域11を矩形にする場合には、これよりも外側に位置する表示パネル100
の表示領域101に画像を表示しないように表示装置10を駆動すればよい。このとき、
画像を表示しない領域における画素の数を考慮し、矩形の表示領域11の全画素数を表示
パネル100の枚数で割った数よりも多くの画素を、表示パネル100の表示領域101
に設ければよい。
する領域110の幅Wの整数倍としたがこれに限られず、表示パネル100の形状やこれ
を組み合わせた表示装置10の表示領域11の形状などを考慮して適宜設定すればよい。
透過する領域110a、及び可視光を遮る領域120aを有する。下側の表示パネルには
、FPC112aが電気的に接続されている。上側(表示面側)の表示パネルは、表示領
域101b、可視光を透過する領域110b、及び可視光を遮る領域120bを有する。
上側の表示パネルには、FPC112bが電気的に接続されている。
、FPC112bが上側の表示パネルの表示面側に接続されている例を示す。
したがって、表示領域101aと可視光を透過する領域110bの間に空気が入ることを
抑制でき、屈折率の差による界面での反射を低減することができる。
域101aの輝度に差が生じることを抑制し、表示装置の使用者に表示パネルの継ぎ目が
認識されにくくすることができる。また、表示装置における表示ムラや輝度ムラの抑制が
可能となる。
、非表示領域の面積を十分に確保し、かつ、継ぎ目のない表示領域の大型化を図ることが
でき、信頼性が高い大型の表示装置を実現できる。
に接続され、FPC112bが上側の表示パネルの表示面とは反対側の面(裏面)側に接
続されている例を示す。
aと上側の表示パネルの表示領域101bとの間にまで設けられていてもよい。
上側の表示パネルの裏面に貼り付けることが可能なため、これらの接着面積を大きくでき
、貼り合わせ部分の機械的強度を高めることができる。
透光層103とが重なっていてもよい。さらに、可視光を透過する領域110aと透光層
103とが重なっていてもよい。
域と、透光層103とが重なっていてもよい。
素子層153aを有し、上側の表示パネルが、基板151b、基板152b、素子層15
3bを有していてもよい。
む領域156aを有する。領域156aに含まれる配線は、FPC112aと電気的に接
続される。
素子と電気的に接続する配線を含む領域156bを有する。領域156bに含まれる配線
は、FPC112bと電気的に接続される。
とを積層して有する吸着フィルムを用いて、基板152a及び透光層103aの積層構造
を構成することができる。基板152b及び透光層103bも同様の構成とすることがで
きる。
がある。このような場合は、表示領域101aの、上側の表示パネルと重ならない領域と
、透光層103とが重ならない方が好ましい。これにより、透光層103に付着したゴミ
等により、表示装置の表示が不鮮明になることを抑制できる。
。例えば、上述の、吸着層と、基材とを積層して有する吸着フィルムを用いて、基板15
1a及び透光層103aの積層構造を構成することができる。基板151b及び透光層1
03bも同様の構成とすることができる。
103に付着したゴミ等により、表示装置の表示が不鮮明になることを防止できる。また
、表示装置の裏面に吸着性を有する透光層を配置すると、表示パネルと接していない面を
用いて、表示装置を所望の位置に着脱自在に貼り付けることができる。
おもて面を覆う樹脂層131を設けてもよい。具体的には、表示パネル100a及び表示
パネル100bの各々の表示領域と、表示パネル100aと表示パネル100bとが重畳
する領域とを覆って、樹脂層131を設けることが好ましい。
強度を高めることができる。また、樹脂層131の表面が平坦になるように形成すると、
表示領域11に表示される画像の表示品位を高めることができる。例えば、スリットコー
タ、カーテンコータ、グラビアコータ、ロールコータ、スピンコータなどのコーティング
装置を用いると、平坦性の高い樹脂層131を形成することができる。
.8倍以上1.2倍以下であると好ましく、0.9倍以上1.1倍以下であるとより好ま
しく、0.95倍以上1.15倍以下であるとさらに好ましい。表示パネル100と樹脂
層131の屈折率の差が小さいほど、光を効率よく外部に取り出すことができる。また、
このような屈折率を有する樹脂層131を表示パネル100aと表示パネル100bとの
段差部を覆うように設けることで、当該段差部が視認しにくくなるため、表示領域11に
表示される画像の表示品位を高めることができる。
、アラミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂等の有機樹脂を用いることができる。
板132を設けることが好ましい。このとき、樹脂層131は表示装置10と保護基板1
32とを接着する接着層としての機能を有していてもよい。保護基板132により、表示
装置10の表面を保護するだけでなく、表示装置10の機械的強度を高めることができる
。保護基板132としては、少なくとも表示領域11と重なる領域に透光性を有する材料
を用いる。また、保護基板132は表示領域11と重なる領域以外の領域が視認されない
ように、遮光性を備えていてもよい。
00が可撓性を有し、湾曲可能な場合には、保護基板132も同様に可撓性を有している
ことが好ましい。
との屈折率の差が20%以下であると好ましく、10%以下であるとより好ましく、5%
以下であるとさらに好ましい。
、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポ
リエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレー
ト樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリア
ミド樹脂(ナイロン、アラミド等)、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹
脂、ポリスルホン(PSF)樹脂、ポリエーテルイミド(PEI)樹脂、ポリアリレート
(PAR)樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン(PTFE)樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、繊維体に樹脂を含浸した
基板(プリプレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基
板を使用することもできる。また、保護基板132は、樹脂フィルムに限定されず、パル
プを連続シートに加工した透明な不織布や、フィブロインと呼ばれるたんぱく質を含む人
工くも糸繊維を含むシートや、これらと樹脂とを混合させた複合体、繊維幅が4nm以上
100nm以下のセルロース繊維からなる不織布と樹脂膜の積層体、人工くも糸繊維を含
むシートと樹脂膜の積層体を用いてもよい。なお、本発明の一態様の表示装置又は表示パ
ネルをアクリル板、ガラス板、木板、金属板等に貼り付けて用いてもよい。表示装置又は
表示パネルは、これらの板に、表示面側を貼り付けてもよい(この場合は可視光を透過す
る板を用いる)し、表示面と対向する面側を貼り付けてもよい。また、表示装置又は表示
パネルは、これらの板に着脱自在に貼り付けてあることが好ましい。
くともいずれか一を用いてもよい。
は反対側の面に樹脂層133及び保護基板134を設けてもよい。表示パネルの裏面に、
表示パネルを支持する基板を配置することで、表示パネルに意図しない反りや曲げが生じ
ることを抑制し、表示面を平滑に保つことで、表示領域11に表示される画像の表示品位
を高めることができる。
性を有している必要はなく、可視光を吸収又は反射する材料を用いてもよい。
32を、裏面に、樹脂層133及び保護基板134を設けてもよい。このように、表示パ
ネル100a及び表示パネル100bを2枚の保護基板によって挟むことで、表示装置1
0の機械的強度をさらに高めることができる。
4の厚さの合計と、が、概略同一であると好ましい。例えば、樹脂層131及び樹脂層1
33を同等の厚さとし、保護基板132及び保護基板134に同一の厚さの材料を用いる
ことが好ましい。これにより、複数の表示パネル100をこれら積層体の厚さ方向におけ
る中央部に配置することができる。例えば、表示パネル100を含む積層体を湾曲させる
際には、表示パネル100が厚さ方向における中央部に位置することで、湾曲に伴って表
示パネル100にかかる横方向の応力が緩和され、表示パネル100の破損を防止するこ
とができる。
均の厚さ、最大の厚さ、最小の厚さ等を適宜選択し、同じ条件で、樹脂層131及び保護
基板132の厚さの合計と、樹脂層133及び保護基板134の厚さの合計を比較すれば
よい。
を低減でき、好ましい。同様に、保護基板132と保護基板134に同一の材料を用いる
と、作製コストを低減でき、好ましい。
裏面側に配置される樹脂層133及び保護基板134には、FPC112aを取り出すた
めの開口部を設けることが好ましい。特に、図5(F)に示すように、FPC112aの
一部を覆うように樹脂層133を設けると、表示パネル100aとFPC112aとの接
続部における機械的強度を高めることができ、FPC112aが剥がれてしまうなどの不
具合を抑制できる。同様に、FPC112bの一部を覆うように樹脂層133を設けるこ
とが好ましい。
領域Pを拡大した上面図の一例であり、図6(B)は、図2(C)における領域Qを拡大
した上面図の一例である。
れている。赤色、青色、緑色の3色を用いてフルカラー表示が可能な表示パネル100と
する場合では、複数の画素141は、それぞれ、上記3色のうちいずれかを表示すること
のできる副画素に対応する。また、上記3色に加えて白色や黄色を表示することのできる
副画素を設けてもよい。画素141を含む領域が表示領域101に相当する。
配線142aのそれぞれは配線142bと交差し、回路143aと電気的に接続されてい
る。また、複数の配線142bは回路143bと電気的に接続されている。回路143a
及び回路143bのうち一方が走査線駆動回路として機能する回路であり、他方が信号線
駆動回路として機能する回路である。なお、回路143a又は回路143bのいずれか一
方、又は両方を設けない構成としてもよい。
設けられている。配線145は、図示しない領域でFPC123と電気的に接続され、外
部からの信号を回路143a及び回路143bに供給する機能を有する。
可視光を遮る領域120に相当する。
る領域110に相当する。可視光を透過する領域110は、画素141、配線142a及
び配線142b等の可視光を遮る部材を有していない。なお、画素141の一部、配線1
42a又は配線142bが可視光を透過する場合には、可視光を透過する領域110にま
で延在して設けられていてもよい。
ルの中でも場所によって異なる場合には、最も短い長さを幅Wとすることができる。なお
、図6(B)では画素141から基板の端部までの距離(すなわち可視光を透過する領域
110の幅W)が、図面縦方向と横方向とで同一である場合を示しているが、本発明の一
態様はこれに限られない。
0は、それぞれ可視光を透過する一対の基板(基板151、基板152)を有する。また
、基板151と基板152は接着層154によって接着されている。ここで、画素141
や配線142b等が形成されている側の基板を基板151とする。
には、可視光を透過する領域110の幅Wは、基板151又は基板152の端部から画素
141の端部までの長さとなる。
位置する部材の端部を指す。または、画素141として一対の電極間に発光性の有機化合
物を含む層を備える発光素子(有機EL素子ともいう)を用いた場合には、画素141の
端部は下部電極の端部、発光性の有機化合物を含む層の端部、上部電極の端部のいずれか
であってもよい。
とは異なる。また、図7(A)中の切断線B1−B2における断面図を図7(B)、切断
線C1−C2における断面図を図7(C)に示す。
合には、可視光を透過する領域110の幅Wは、基板151又は基板152の端部から配
線142aの端部までの長さとなる。なお、配線142aが可視光を透過する場合、配線
142aが設けられる領域は可視光を透過する領域110に含まれていてもよい。
表示パネル100を貼り合わせた際に、位置ずれが生じてしまう場合がある。
1aと、上部に設けられる表示パネル100bの表示領域101bとの、表示面側から見
たときの位置関係を示す図である。図8(A)〜(C)では、表示領域101a及び表示
領域101bのそれぞれの角部近傍を示している。表示領域101aの一部が、可視光を
透過する領域110bによって覆われている。
ずれた場合を示している。図中に示す矢印は、表示パネル100aが表示パネル100b
に対してずれた方向を示している。
X方向及びY方向)の両方にずれた場合を示している。
1画素分よりも小さい。このような場合は、表示領域101a又は表示領域101bのい
ずれか一方に表示する画像の画像データに対し、当該ずれの距離に応じた補正をかけるこ
とで表示品位を保つことが可能となる。具体的には、画素間の距離が小さくなるずれの場
合には画素の階調(輝度)を低くするように補正し、画素間の距離が大きくなるずれの場
合には、画素の階調(輝度)を高めるように補正すればよい。また、2つの画素が重なる
場合には、下部に位置する画素を駆動しないように画像データを一列分シフトさせるよう
に補正すればよい。
一方向(Y方向)に1画素分以上の距離でずれた例を示している。このように、1画素分
の距離以上のずれが生じた場合には、突出した画素(ハッチングを付加した画素)を表示
しないように駆動すればよい。なお、ずれの方向がX方向の場合でも同様である。
ネル100に位置合わせのためのマーカー等を設けることが好ましい。または、表示パネ
ル100の表面に凸部及び凹部を形成し、2つの表示パネル100が重なる領域で当該凸
部と凹部とをはめ合わせる(嵌合させる)構成としてもよい。
用する画素よりも多くの画素を配置しておくことが好ましい。例えば走査線に沿った画素
列、又は信号線に沿った画素列のうち、少なくとも一方を、1列以上、好ましくは3列以
上、より好ましくは5列以上、表示に用いる画素列よりも余分に設けておくことが好まし
い。
、上側に配置される表示パネルの可視光を透過する領域とが重なっている。これにより、
重ねた2つの表示パネルの表示領域の間の非表示領域を縮小することができる。さらに、
表示領域と可視光を透過する領域の間に、空気よりも屈折率が高く、可視光を透過する透
光層を有する。これにより、表示領域と可視光を透過する領域の間に空気が入ることを抑
制でき、屈折率の差による界面での反射を低減することができる。したがって、表示パネ
ルの継ぎ目が認識されにくく、表示ムラや輝度ムラが抑制された、大型の表示装置を実現
することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光パネルについて
図面を用いて説明する。
の表示装置に用いることができるパネルはこれに限られない。
図9(A)に発光パネルの平面図を示し、図9(A)における一点鎖線A1−A2間の断
面図の一例を図9(C)に示す。図9(C)には可視光を透過する領域110の断面図の
一例も示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッシ
ョン型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは、例えば、R(赤)、
G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構成や、R、G、B、W(白)
の4色の副画素で1つの色を表現する構成、R、G、B、Y(黄)の4色の副画素で1つ
の色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBWY以外の
色を用いてもよく、例えば、シアンやマゼンタ等を用いてもよい。
部806、FPC808を有する。可視光を透過する領域110は、発光部804に隣接
し、発光部804の2辺に沿って配置されている。
ンジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層821
、接着層822、着色層845、遮光層847、絶縁層715、接着層713、及び基板
711を有する。接着層822、絶縁層715、接着層713、及び基板711は可視光
を透過する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基
板701、基板711、及び接着層822によって封止されている。
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
遮光層847と、を有する。発光素子830と着色層845の間は接着層822で充填さ
れている。
る。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。
タを複数有する。図9(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、1つ
のトランジスタを示している。
15と基板711は接着層713によって貼り合わされている。絶縁層705や絶縁層7
15に防湿性の高い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物
が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
ート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐ
ため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工
程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成す
る電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
5は、基板711、接着層713、絶縁層715、接着層822、絶縁層817、及び絶
縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体825
はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857は電
気的に接続する。導電層857と基板711とが重なる場合には、基板711を開口する
(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びFPC
808を電気的に接続させることができる。
。図20では、下側の発光パネルの表示領域101a(図9(B)に示す発光部804と
対応)及び可視光を遮る領域120a(図9(B)に示す駆動回路部806等に対応)、
並びに、上側の発光パネルの表示領域101b(図9(B)に示す発光部804と対応)
及び可視光を透過する領域110b(図9(B)に示す可視光を透過する領域110に対
応)を示す。
過する領域110bを表示領域101bと隣接して有する。下側の発光パネルの表示領域
101aと、上側の発光パネルの可視光を透過する領域110bとが重なっている。した
がって、重ねた2つの発光パネルの表示領域の間の非表示領域を縮小すること、さらには
無くすことができる。これにより、使用者から発光パネルの継ぎ目が認識されにくい、大
型の表示装置を実現することができる。
に、空気よりも屈折率が高く、可視光を透過する透光層103を有する。これにより、表
示領域101aと可視光を透過する領域110bの間に空気が入ることを抑制でき、屈折
率の差による界面での反射を低減することができる。そして、表示装置における表示ムラ
や輝度ムラの抑制が可能となる。
全体に重なっていてもよいし、表示領域101a及び可視光を透過する領域110bのみ
と重なっていてもよい。また、基板711や透光層103は、可視光を遮る領域120a
に含まれていてもよい。
基板701及び透光層103の積層構造を構成することができる。
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図10(A)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異なる、
カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体
例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
示す。そのうち、2辺において、可視光を透過する領域110は、発光部804と隣接し
ている。
17a上に導電層856を有する。トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と
、発光素子830の下部電極と、が、導電層856を介して、電気的に接続される。
823を設けることで、基板701と基板711の間隔を調整することができる。
849を有する。発光素子830とオーバーコート849の間は接着層822で充填され
ている。
FPC808が絶縁層715上に位置し、基板711と重ならない。接続体825は、絶
縁層715、接着層822、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して
導電層857と接続している。基板711に開口を設ける必要がないため、基板711の
材料が制限されない。
間に、光学調整層832を有していてもよい。光学調整層832には、透光性を有する導
電性材料を用いることが好ましい。カラーフィルタ(着色層)とマイクロキャビティ構造
(光学調整層)との組み合わせにより、本発明の一態様の表示装置からは、色純度の高い
光を取り出すことができる。光学調整層の膜厚は、各副画素の発光色に応じて変化させれ
ばよい。
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図10(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いた
トップエミッション型の発光パネルである。
ランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層82
1、スペーサ823、接着層822、及び基板711を有する。接着層822及び基板7
11は可視光を透過する。
825は、絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、
接続体825はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電
層857は電気的に接続する。
図9(B)に発光パネルの平面図を示し、図9(B)における一点鎖線A3−A4間の断
面図の一例を図11(A)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
ランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層81
7b、導電層856、複数の発光素子、絶縁層821、接着層822、及び基板711を
有する。基板701、接着層703、絶縁層705、絶縁層815、絶縁層817a、及
び絶縁層817bは可視光を透過する。
820、トランジスタ824、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層
817b上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の
上部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又は
ドレイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われてい
る。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過
する。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、
絶縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設けれ
ばよい。
タを複数有する。図11(A)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、2
つのトランジスタを示している。
防湿性の高い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、トランジスタ824
に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい
。
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層857を、導電層856と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
図11(B)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
14、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、接着層822
、及び基板711を有する。
気的に接続させることができる。
電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッショ
ン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電
極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831と
電気的に接続する。
凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板
上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を
有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することが
できる。
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電気
的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに設
けてもよい。
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は、
例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.
5μm以下である。
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明
した構成については説明を省略する場合がある。
素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。
さのガラス、金属、合金を用いることができる。
ラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。
しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしく
は合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにく
い発光パネルを実現できる。
ルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基
板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下である
ことがより好ましい。
、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適
に用いることができる。
制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放
射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構造
としてもよい。
2の材料が挙げられる。
ート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミ
ド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることがで
きる。
を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ま
しくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対
する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10
μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機
樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、
機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基
板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることがで
きる。
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着
する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入
することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
たは、絶縁層705や絶縁層715は、不純物の発光素子への拡散を防ぐ機能を有してい
ることが好ましい。
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×10
−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m2・da
y)]以下とする。
光を透過する必要がある。絶縁層705又は絶縁層715のうち、発光素子の発光を透過
する側の絶縁層は、他方の絶縁層よりも、波長400nm以上800nm以下における光
の透過率の平均が高いことが好ましい。
えば、絶縁層705や絶縁層715は、酸化窒化シリコンを有することが好ましい。また
、絶縁層705や絶縁層715は、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを有することが好
ましい。また、絶縁層705や絶縁層715は、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜
の積層構造を有し、該酸化窒化シリコン膜及び該窒化シリコン膜は接することが好ましい
。酸化窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、を交互に積層し、逆位相の干渉が可視領域
で多く起こるようにすることで、積層体の可視光の透過率を高めることができる。
ジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半
導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体等が挙げられ
る。又は、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少
なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD法
、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD(
Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよく、この場合、絶縁層705が
トランジスタの下地膜を兼ねることができる。
が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機E
L素子、無機EL素子等を用いることができる。
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛(ZnO)、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグ
ネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウ
ム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒
化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いること
ができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマ
グネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好
ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウ
ム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(
アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、
APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することがで
きる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に
接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制する
ことができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げ
られる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。
例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いるこ
とができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
と、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発光
する。
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
光の発光素子を実現することができる。例えば2以上の発光物質の各々の発光が補色の関
係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、
R(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、又はO(橙)等の発光を示す発光物質や、R
、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることがで
きる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。こ
のとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含む
ことが好ましい。また、発光素子830の発光スペクトルは、可視領域(例えば350n
m以上750nm以下、又は400nm以上800nm以下など)の範囲内に2以上のピ
ークを有することが好ましい。
層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介して積層されていてもよい。例
えば、蛍光発光層と、燐光発光層との間に、分離層を設けてもよい。
材料へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重項エネルギー移動)を防ぐため
に設けることができる。分離層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、0.1n
m以上20nm以下、あるいは1nm以上10nm以下、あるいは1nm以上5nm以下
である。分離層は、単一の材料(好ましくはバイポーラ性の物質)、又は複数の材料(好
ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料)を含む。
、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が、
ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料(ゲスト材料)からなる場合、分離層を、該ホ
スト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光材
料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、分
離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような構
成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。こ
れにより、製造コストを削減することができる。
層を介して積層されたEL層を複数有するタンデム素子であってもよい。
り、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性の低下を抑
制できる。具体的には、上記のように、絶縁層705及び絶縁層715として、防湿性の
高い絶縁膜を用いると、発光素子が一対の防湿性の高い絶縁膜の間に位置し、発光パネル
の信頼性の低下を抑制できる。
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、及
び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低
誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させる
ことで、各絶縁層を形成してもよい。
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、下部
電極831上に開口部を形成し、絶縁層821の側壁が曲率を持って形成される傾斜面と
なるように形成することが好ましい。
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ823と上部電極835とを電気的に接続させる構成とす
ることで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ82
3は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用
いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物
を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等)
、酸化スズ(SnO2等)、ZnO、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In2O3−Zn
O等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる
。
黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、
様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチ
ング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。また、白色の副画素では、発光素子と重
ねて透明の樹脂を配置してもよい。
遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層
と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発
光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む
樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部な
どの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため
好ましい。
ことで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オー
バーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いる
ことができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
トとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜
を用いることが好ましい。
ductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic
Conductive Paste)などを用いることができる。
の各種パネルを適用することができる。
して用いてもよい。例えば、バックライトやフロントライトなどの光源、つまり、表示パ
ネルのための照明パネルとして活用してもよい。
いることで、発光パネルの継ぎ目が認識されにくく、表示ムラが抑制された、大型の表示
装置を実現することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができるタッチパネルについ
て図面を用いて説明する。なお、タッチパネルが有する構成要素のうち、実施の形態2で
説明した発光パネルと同様の構成要素については、先の記載も参照することができる。ま
た、本実施の形態では、発光素子を用いたタッチパネルを例示するが、これに限られない
。
図12(A)はタッチパネルの上面図である。図12(B)は図12(A)の一点鎖線A
−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図12(C)は図12(A)の一点鎖線E
−F間の断面図である。
動回路303g(1)、撮像画素駆動回路303g(2)、画像信号線駆動回路303s
(1)、及び撮像信号線駆動回路303s(2)を有する。
供給することができる配線と電気的に接続される。また、画素回路は、画像信号を供給す
ることができる配線と電気的に接続される。
08は、表示部301に触れる指等を検知することができる。
給することができる配線と電気的に接続される。また、撮像画素回路は、電源電位を供給
することができる配線と電気的に接続される。
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
。
、絶縁層705、基板711、接着層713、及び絶縁層715を有する。また、基板7
01及び基板711は、接着層360で貼り合わされている。
縁層715は接着層713で貼り合わされている。
ことができる。
(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを有し、副画素302Gは発
光モジュール380Gを有し、副画素302Bは発光モジュール380Bを有する。
子350Rに電力を供給することができるトランジスタ302tを含む。また、発光モジ
ュール380Rは、発光素子350R及び光学素子(例えば赤色の光を透過する着色層3
67R)を有する。
積層して有する(図12(C))。
の順で積層して有する。
キャビティ構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるよ
うに配置された可視光を反射する膜及び半反射・半透過する膜の間にEL層を配置しても
よい。
360を有する。
が発する光の一部は、接着層360及び着色層367Rを透過して、図中の矢印に示すよ
うに発光モジュール380Rの外部に射出される。
ば着色層367R)を囲むように設けられている。
防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
を覆っている。なお、絶縁層321は画素回路や撮像画素回路に起因する凹凸を平坦化す
るための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散
を抑制することができる絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
板701と基板711の間隔を制御するスペーサ329を、隔壁328上に有する。
なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図12(
B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有して
いてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続されて
いてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第2
のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
光電変換素子308pに照射された光を検知することができる。撮像画素回路は、トラン
ジスタ308tを含む。
線311に設けられている。画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるFP
C309が端子319に電気的に接続されている。FPC309にはプリント配線基板(
PWB)が取り付けられていてもよい。
ジスタは、同一の工程で形成することができる。又は、それぞれ異なる工程で形成しても
よい。
図13(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素を示す。図14は、図13(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図であ
る。
回路303g(1)、及びタッチセンサ595等を有する。また、タッチパネル505は
、基板701、基板711、及び基板590を有する。
、画素に信号を供給することができる。複数の配線311は、基板701の外周部にまで
引き回され、その一部が端子319を構成している。端子319はFPC509(1)と
電気的に接続する。
598は、タッチセンサ595と電気的に接続される。複数の配線598は基板590の
外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2
)と電気的に接続される。なお、図13(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(
基板701と対向する面側)に設けられるタッチセンサ595の電極や配線等を実線で示
している。
式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。ここでは、投影型静電
容量方式のタッチセンサを適用する場合を示す。
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
さまざまなセンサを適用することができる。
91は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598の
他のいずれかと電気的に接続する。
四辺形が角部で接続された形状を有する。
れている。なお、複数の電極591は、一の電極592と必ずしも直交する方向に配置さ
れる必要はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
つの電極591を電気的に接続する。このとき、電極592と配線594の交差部の面積
ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面
積を低減でき、光の透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ595を透過す
る光の輝度ムラを低減することができる。
、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極59
2を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい
。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電
極を設けると、光の透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
705、基板711、接着層713、及び絶縁層715を有する。また、基板701及び
基板711は、接着層360で貼り合わされている。
711に貼り合わせている。接着層597は、透光性を有する。
る導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお
、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成
された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては
、熱を加える方法等を挙げることができる。
する配線や電極に用いる材料の抵抗値が低いことが望ましい。一例として、ITO、イン
ジウム亜鉛酸化物、ZnO、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン
などを用いてもよい。さらに、非常に細くした(例えば、直径が数ナノメートル)、多数
の導電体を用いて構成される金属ナノワイヤを用いてもよい。一例としては、Agナノワ
イヤ、Cuナノワイヤ、又はAlナノワイヤ等を用いてもよい。Agナノワイヤの場合、
例えば、89%以上の光透過率、40Ω/□以上100Ω/□以下のシート抵抗値を実現
することができる。なお、光の透過率が高いため、表示素子に用いる電極、例えば、画素
電極や共通電極に、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどを用いても
よい。
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極591
及び電極592を形成することができる。
口が絶縁層593に設けられ、配線594が隣接する電極591を電気的に接続する。透
光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線594に好
適に用いることができる。また、電極591及び電極592より導電性の高い材料は、電
気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることができる。
ることができる。
様であるため、説明を省略する。
を適用する場合の構成を、図14(A)、(B)に示す。
トランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
を、図14(B)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用すること
ができる。
含む半導体層を、図14(C)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに
適用することができる。
図15は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル
505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する点及びタ
ッチセンサが表示部の基板701側に設けられている点が、構成例2のタッチパネル50
5とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることがで
きる部分は、上記の説明を援用する。
素子350Rは、トランジスタ302tが設けられている側に光を射出する。これにより
、発光素子350Rが発する光の一部は着色層367Rを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール380Rの外部に射出される。
BMは、着色層(例えば着色層367R)を囲むように設けられている。
A))。
に貼り合わせている。接着層597は、透光性を有する。
A)、(B)に示す。
トランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
及びトランジスタ303tに適用することができる。
C)に示すトランジスタ302t及びトランジスタ303tに適用することができる。
図16に示すように、タッチパネル500TPは、表示部500及び入力部600を重ね
て有する。図17は、図16に示す一点鎖線Z1−Z2間の断面図である。
の構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む
場合がある。なお、表示部500に入力部600が重ねられたタッチパネル500TPを
タッチパネルともいう。
入力部600は、選択信号線G1、制御線RES、信号線DLなどを有する。
知ユニット602と電気的に接続される。信号線DLは、列方向(図中に矢印Cで示す)
に配置される複数の検知ユニット602と電気的に接続される。
容量、照度、磁力、電波又は圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する
。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子又は共振器等を検知素
子に用いることができる。
る。
と、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供
給することができる。
両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。
は信号線DLなどに電気的に接続される。
膜に電気的に接続される容量素子と、を検知回路に用いることができる。また、容量素子
と、当該容量素子に電気的に接続されるトランジスタと、を検知回路に用いることができ
る。
第2の電極652と、を有する容量素子650を用いることができる(図17(A))。
容量素子650の電極間の電圧は一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接す
ることにより変化する。
スイッチを有する。例えば、トランジスタM12をスイッチに用いることができる。
びスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力部600を
提供できる。
は可視光を透過し、複数の窓部667の間に遮光性の層BMを配設してもよい。
の色の光を透過する。なお、着色層はカラーフィルタということができる。例えば、青色
の光を透過する着色層367B、緑色の光を透過する着色層367G、又は赤色の光を透
過する着色層367Rを用いることができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の
光を透過する着色層を用いてもよい。
力部600の窓部667と重なるように配置されている。画素302は、検知ユニット6
02に比べて高い精細度で配設されてもよい。画素は、構成例1と同様であるため、説明
を省略する。
複数の検知ユニット602を有する入力部600と、窓部667に重なる画素302を複
数有する表示部500と、を有し、窓部667と画素302の間に着色層を含んで構成さ
れる。また、それぞれの検知ユニットに他の検知ユニットへの干渉を低減することができ
るスイッチが配設されている。
ることができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて検知情報を供給する
ことができる。また、検知情報を供給させない検知ユニットと信号線を非導通状態にする
ことで、検知信号を供給させる検知ユニットへの干渉を低減することができる。その結果
、利便性又は信頼性に優れたタッチパネル500TPを提供することができる。
給することができる。具体的には、タッチパネル500TPの使用者は、入力部600に
触れた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプ又はピ
ンチイン等)をすることができる。
跡等を含む検知情報を供給することができる。
、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。
のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。
することができる複数の検知ユニットから一の検知ユニットXを選択する。そして、検知
ユニットXを除いた他の検知ユニットと当該一の信号線を非導通状態にする。これにより
、他の検知ユニットがもたらす検知ユニットXへの干渉を低減することができる。
を低減できる。
用いる場合において、他の検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、検知ユニットXの導
電膜の電位への干渉を低減することができる。
駆動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることが
できる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさのタッ
チパネル500TPを提供することができる。
きる。そして、折り畳まれた状態と展開された状態とで、他の検知ユニットがもたらす検
知ユニットXへの干渉が異なる場合においても、タッチパネル500TPの状態に依存す
ることなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる。
えば、演算装置は表示情報を供給することができる。
た、FPC1と電気的に接続されてもよい。
には、選択信号を選択信号線G1ごとに所定の順番で供給する。また、さまざまな回路を
駆動回路603gに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回
路、組み合わせ回路などを用いることができる。
する。また、さまざまな回路を駆動回路603dに用いることができる。例えば、検知ユ
ニットに配設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路やカレ
ントミラー回路を構成することができる回路を、駆動回路603dに用いることができる
。また、検知信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を有していてもよ
い。
子319を有してもよい。また、タッチパネル500TP(又は駆動回路)は、FPC2
と電気的に接続されてもよい。
よい。例えば、セラミックコート層又はハードコート層を保護層670に用いることがで
きる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層又はUV硬化樹脂を用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明
する。
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能であ
る。
いて、二次電池を充電することができると好ましい。
ンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。
ことで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池を
有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
限なく大きくすることが可能である。したがって、本発明の一態様の表示装置はデジタル
サイネージやPIDなどに好適に用いることができる。また、本発明の一態様の表示装置
は、表示パネルの配置方法を変えることで、表示装置の外形を様々な形状にすることがで
きる。
している。表示装置10に用いる表示パネル100として、可撓性を有する表示パネルを
用いることで、曲面に沿って表示装置10を設置することが可能となる。
、表示パネルにタッチパネルを適用することで、表示領域に画像や動画を表示するだけで
なく観察者が直感的に操作することが可能となるため好ましい。また、路線情報や交通情
報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリテ
ィを高めることができる。なお、ビルや公共施設などの壁面に設置する場合などは、表示
パネルにタッチパネルを適用しなくてもよい。
部7000はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことが
できる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。
示装置を用いて作製される。
7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク7
106等を有する。
話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部
7000に触れることで行うことができる。
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
01に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7203により筐体72
01を支持した構成を示している。
ッチや、別体のリモコン操作機7211により行うことができる。又は、表示部7000
にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作してもよ
い。リモコン操作機7211は、当該リモコン操作機7211から出力する情報を表示す
る表示部を有していてもよい。リモコン操作機7211が備える操作キー又はタッチパネ
ルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映像
を操作することができる。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、ア
ンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部7000にはタッチセンサを備える
。携帯情報端末7300の操作は、指やスタイラスなどで表示部7000に触れることで
行うことができる。
300の上面図である。
選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用い
ることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メー
ル、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々
のアプリケーションを実行することができる。
ば、図18(D)に示すように、3つの操作ボタン7302を一の面に表示し、矩形で示
す情報7303を他の面に表示することができる。図18(D)、(E)では、携帯情報
端末の上側に情報が表示される例を示す。または、携帯情報端末の横側に情報が表示され
てもよい。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよい。
電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、
日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されて
いる位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
収納した状態で、その表示(ここでは情報7303)を確認することができる。
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末7300をポケットから取り
出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
される。
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在
に湾曲可能な構成としてもよい。
持される発光部を有する。
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
携帯情報端末の一例を示す。
.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置を適用できる。また、表示
部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7001に触れることで携
帯情報端末を操作することができる。
報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末7500は、筐体7501、表示部70
01、引き出し部材7502、操作ボタン7503等を有する。
001を有する。
た映像を表示部7001に表示することができる。また、携帯情報端末7500にはバッ
テリが内蔵されている。また、筐体7501にコネクターを接続する端子部を備え、映像
信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
等を行うことができる。なお、図19(A1)、(A2)、(B)では、携帯情報端末7
500の側面に操作ボタン7503を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端
末7500の表示面と同じ面(おもて面)や、裏面に配置してもよい。
の状態で表示部7001に映像を表示することができる。また、表示部7001の一部が
ロール状に巻かれた図19(A1)の状態と表示部7001を引き出し部材7502によ
り引き出した図19(B)の状態とで、携帯情報端末7500が異なる表示を行う構成と
してもよい。例えば、図19(A1)の状態のときに、表示部7001のロール状に巻か
れた部分を非表示とすることで、携帯情報端末7500の消費電力を下げることができる
。
定するため、表示部7001の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
て音声を出力する構成としてもよい。
は、展開した状態、図19(D)では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他
方に変化する途中の状態、図19(E)では、折りたたんだ状態の携帯情報端末7600
を示す。携帯情報端末7600は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態で
は、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
る。ヒンジ7602を介して2つの筐体7601間を屈曲させることにより、携帯情報端
末7600を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
は、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図19(G)では、表示部7
001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携帯情報端
末7650は表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7650を使
用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部7001の
汚れや傷つきを抑制できる。
筐体7701及び表示部7001を有する。さらに、入力手段であるボタン7703a、
7703b、音声出力手段であるスピーカ7704a、7704b、外部接続ポート77
05、マイク7706等を有していてもよい。また、携帯情報端末7700は、可撓性を
有するバッテリ7709を搭載することができる。バッテリ7709は例えば表示部70
01と重ねて配置してもよい。
帯情報端末7700を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末7700に捻りを加
えることが容易である。例えば、携帯情報端末7700は、表示部7001が内側又は外
側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末7700をロール
状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体7701及び表示部7001
を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末7700は、落下した場合、又は
意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
してぶら下げて使用する、又は、筐体7701を磁石等で壁面に固定して使用するなど、
様々な状況において利便性良く使用することができる。
7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バン
ド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を有
するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は例えば表示部700
1やバンド7801と重ねて配置してもよい。
携帯情報端末7800を所望の形状に湾曲させることが容易である。
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。
ションを起動することができる。
ある。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで
通話することもできる。
02を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うこと
ができる。また入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形
態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行
ってもよい。
作製した表示装置の作製方法は、瓦を用いた日本の伝統的な屋根の作製方法に似ている。
このことから、本明細書中では、本実施例で作製する表示装置のように、複数の表示パネ
ルを重ね合わせて作製したマルチディスプレイを、kawara−type multi
displayと呼ぶ場合がある。
の表示面の反対側の写真である。図21(B)は、画像を表示している状態の表示装置の
表示面側の写真である。
する。具体的には、表示装置は、表示パネル100a、100b、100c、100dを
有する。
3.4インチ、有効画素数が960×540×RGB、精細度が326ppi、開口率が
44.4%である。表示パネルには、デマルチプレクサ(DeMUX)253が内蔵され
ており、ソースドライバとして機能する。また、表示パネルには、スキャンドライバ25
5も内蔵されている。表示パネルは、アクティブマトリクス型の有機ELディスプレイで
あり、画素回路は3つのトランジスタと1つの容量を有する。発光部250の2辺は、可
視光を透過する領域251と接する。残りの2辺の周りには、引き回し配線257が設け
られている。
断面模式図を示す。
表示面側に透光層を有する点において、図4(F)に示す表示装置と異なる。
ば、図21(C)に示すように、表示パネル100aは、表示面側に透光層103a1を
有し、表示面とは反対側に透光層103a2を有する。また、表示パネル100bは、表
示面側に透光層103b1を有し、表示面とは反対側に透光層103b2を有する。本実
施例では、吸着層と基材とを積層して有する吸着フィルムを、各透光層に用いた。
(C)に示すように、基板151aと素子層153a、基板152aと素子層153a、
基板151bと素子層153b、並びに、基板152bと素子層153bが、それぞれ接
着層157で貼り合わされている。
なるように重ねることで構成されている。具体的には、表示パネルの可視光を透過する領
域が、透光層を介して、他の表示パネルの表示領域と重なる。これにより、使用者から表
示パネルの継ぎ目が認識されにくい、大型の表示装置を実現することができる(図21(
B))。
で、表示装置の該両面のいずれも平坦な面に吸着又は固定することができる。例えば、表
示装置の表示面の反対側の面を壁に吸着させることができる。また、例えば、表示装置の
表示面をガラス基板等の透明な板に吸着させることができる。吸着層を有することで、表
示装置の表面に傷がつくことや、表示装置が撓むことを抑制し、表示の視認性を向上させ
ることができる。
、表示パネル100aのFPC112aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する表
示パネル100bの表示領域の下側に、表示パネル100aの一部及びFPC112aの
一部を配置することができる。その結果、FPC112aを表示パネル100bの裏面と
物理的に干渉することなく配置することができる。
、表示装置を構成する他の表示パネルと着脱自在に取り付けることができる。
パネルの構成と以下の点を除いて対応している。第一に、表示パネル100a乃至100
dは、絶縁層817b及び導電層856を有さず、トランジスタ820のソース電極又は
ドレイン電極と、発光素子830の下部電極831とが直接接続している。第二に、表示
パネル100a〜100dは、遮光層847を有していない。なお、表示パネル100a
〜100dの発光素子830の構成は、図10(B)を参照することができる。
いた。発光素子は、トップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを
通して発光パネルの外部に取り出される。
ine Oxide Semiconductor)を用いたトランジスタを適用した。
CAAC−OSは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高める
ことができる。また、CAAC−OSは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため
、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する表示パネル又は
表示装置を湾曲させたときの応力によってCAAC−OS膜にクラックが生じにくい。
ことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるn
ano−crystal(nc)など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確
認されている。CAAC−OSは、単結晶よりも結晶性が低く、ncに比べて結晶性が高
い。
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で500℃未満のプロセスで作製した。
図22(B)に示す。
3、絶縁層705、ゲート絶縁層813、絶縁層815、接着層822、絶縁層715、
接着層713、及び基板711がこの順で積層されている。可視光を透過する領域110
の可視光の透過率が高いほど、表示装置の光取り出し効率を高めることができる。実施例
では、これらの積層構造のうち、無機絶縁膜の膜種とその膜厚を光学シミュレーションに
より最適化することで、光の透過率の向上を図った。
るため、ゲート絶縁層813及びトランジスタの保護膜として機能する絶縁層815の膜
種とその膜厚は変更しないものとした。ただし、可視光を透過する領域110のみこれら
の膜を開口することは可能であるため、ゲート絶縁層813又は絶縁層815を構成する
層の一部のみを形成することは可能とした。
層構造からなるが、計算結果から、可視光を透過する領域110では、窒化シリコン膜を
設けない構成とした。
剥離層を作製基板から剥離して、被剥離層を別の基板に転置することで作製する。
含まれる、剥離層と接する層(表示パネルにおいて、絶縁層705に含まれる、接着層7
03と接する層)と、絶縁層715に含まれる、剥離層と接する層(表示パネルにおいて
、絶縁層715に含まれる、接着層713と接する層)の膜種とその膜厚は変更しないも
のとした。
、膜厚600nmの酸化窒化シリコン膜とした。
いような構造とした。
ン膜に相当)を交互に積層し、逆位相の干渉が可視領域で多く起こるようにすることで、
可視光を透過する領域110の可視光の透過率を高めることができる。
を図23に示す。光の透過率は分光光度計を用いて測定した。
、有機EL素子の発光スペクトルのピークの範囲である450nm以上650nm以下の
範囲で、70〜80%程度と高い値を示すことがわかった。なお、測定結果には、基板7
01と空気間、及び基板711と空気間の反射率計約8%分が含まれている。また、基板
701と基板711の吸収率がそれぞれ約4〜8%程度である。したがって、光学最適化
を行った無機絶縁膜の光の透過率に関しては、約95%以上まで高めることができたとい
える。
の表示領域と重なる構成とすること、さらには、可視光を透過する領域を構成する無機絶
縁膜の光学最適化を行うことで、使用者から表示パネルの継ぎ目が認識されにくい、大型
の表示装置を作製することができた。
作製した表示装置は、kawara−type multidisplayである。
図24(A)に示す表示装置は、表示パネルを2×2のマトリクス状に計4つ有する。表
示パネルの可視光を透過する領域の幅は約2mmとした。該可視光を透過する領域が、透
光層を介して、別の表示パネルの表示領域上に重なるように配置することで、一つの表示
装置を作製した。表示装置を構成する2枚の表示パネルを貼り合わせた状態の断面模式図
は図4(A)となる。
発光部のサイズは対角13.5インチ)、有効画素数が2560×1440、画素サイズ
が234μm×234μm、精細度が108ppi、開口率が61.0%である。スキャ
ンドライバは内蔵であり、ソースドライバはCOF(Chip On Film)を用い
て外付けした。
パネルの2辺においては、発光部の端部から表示パネルの端部までに、引き回し配線やド
ライバ等の可視光を遮る構造は全く配置されていなく、可視光を透過する領域となってい
る。図24(B)の拡大図に示すように、可視光を透過する領域の幅は約2mmである。
可視光を透過する領域の厚さは100μm未満と非常に薄い。そのため、本実施例の表示
装置では、最大4つの表示パネルが重なる部分があるが、表示面側に生じる段差は非常に
小さく、継ぎ目が目立ちにくい構成となっている。また、表示パネルは可撓性を有するた
め、FPCが接続されている部分の近傍を曲げることで、隣接する表示パネルの発光部の
下側に、FPCの一部を配置することができる。これにより、表示パネルの四方に他の表
示パネルを並べられ、大面積化が容易となる。
1280×720×RGBY、精細度が108ppi、開口率が61.0%である、アク
ティブマトリクス型の有機ELディスプレイである。
本実施例の表示パネルのように、2辺に引き回し配線等がない構成は、配線から遠い領域
での輝度の低下が生じる場合がある。そこで、本実施例の表示パネルでは、画素回路に6
つのトランジスタと2つの容量を有し、内部補正ができる構成とした。さらに、電流効率
の高い黄色(Y)の副画素を有する、2×2のマトリクス状に4つの副画素(RGBY)
を有する画素配置を採用し、表示パネルに流れる電流量を低減して、電圧降下を抑制させ
た。
を有し、白色の光を呈するタンデム(積層)型の有機EL素子を用いた(図25)。2つ
の発光ユニットの間には、中間層207を設けた。発光素子は、積層体201上に形成し
た。積層体201は、基板やトランジスタを含む。発光素子は、トップエミッション構造
である。発光素子の光は、カラーフィルタ(黄色のカラーフィルタCFY、青色のカラー
フィルタCFB、緑色のカラーフィルタCFG、又は赤色のカラーフィルタCFR)を通
して発光パネルの外部に取り出される。また、発光素子の陽極203には反射電極を、陰
極211には半透過電極を使用し、マイクロキャビティ構造を採用した。そのため、白色
(W)の副画素を有するRGBWの画素配置よりも、RGBYの方が、視野角での色度変
化を小さくすることができる。
測定結果を図26に示す。図26は、パネルの2か所の輝度を測定した結果であり、1か
所は、図24(B)の左上側に相当する、引き回し配線に近い領域であり、もう1か所は
、図24(B)の右下側に相当する、可視光を透過する領域に近い領域である。4つの表
示パネルを測定した結果、パネルの2か所の輝度に大きなばらつきは見られなかった。引
き回し配線から遠く可視光を透過する領域に近い領域でも、輝度の低下は見られなかった
。このように、本実施例の表示装置に用いる複数の表示パネル間では、輝度のばらつきが
少ないことが示された。
略する。
27に示す81インチの表示装置を作製した。有効画素数が7680×4320であり、
8k4kの高解像度な表示装置を作製することができた。
されにくい、大型の表示装置を実現することができた。
作製した表示装置は、kawara−type multidisplayである。
、発光部250のサイズが対角13.5インチ、有効画素数が1280×720、精細度
が108ppi、開口率が61.0%である、アクティブマトリクス型の有機ELディス
プレイである。表示パネルには、デマルチプレクサ(DeMUX)253が内蔵されてお
り、ソースドライバとして機能する。また、表示パネルには、スキャンドライバ255も
内蔵されている。発光部250の2辺は、可視光を透過する領域251と接する。残りの
2辺の周りには、引き回し配線257が設けられている。
。酸化物半導体には、In−Ga−Zn系酸化物を用いた。
は、トップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを通して発光パネ
ルの外部に取り出される。
また、図28(B)における一点鎖線X−Y断面の模式図を図28(C)に示す。
なるように重ねることで構成されている。具体的には、上側の表示パネルにおける可視光
を透過する領域251と、下側の表示パネルにおける発光部250の間には、透光層10
3が設けられている。
し配線やドライバ等の可視光を遮る構造は全く配置されていなく、可視光を透過する領域
251となっている。表示パネルの可視光を透過する領域251の幅は約2mmとした。
可視光を透過する領域251の厚さ(1枚の表示パネルの厚さともいえる)は100μm
未満と非常に薄い。そのため、本実施例の表示装置では、最大4つの表示パネルが重なる
部分があるが、表示面側に生じる段差は非常に小さく、継ぎ目が目立ちにくい構成となっ
ている。
ネルのFPC112aの近傍を湾曲させ、FPC112aに隣接する上側の表示パネルの
発光部250の下側に、下側の表示パネルの一部及びFPC112aの一部を配置するこ
とができる。その結果、FPC112aを上側の表示パネルの裏面と物理的に干渉するこ
となく配置することができる。これにより、表示パネルの四方に他の表示パネルを並べら
れ、大面積化が容易となる。
該吸着フィルムを用いることで、表示装置を構成する2つの表示パネルを着脱自在に貼り
合わせることができる。透光層103の一方の面の吸着層は、基板152aに吸着するこ
とができ、透光層103の他方の面の吸着層は、基板151bに吸着することができる。
でなく、発光部250と重なる部分も有する。図28(C)では、透光層103は、基板
151bの端部から可視光を透過する領域251全体に重なり、さらには表示素子を含む
領域155bの一部にまで重なる。なお、図28(C)におけるFPCが接続されている
部分の近傍の、表示パネルの曲がっている部分には、透光層103を設けていない。ただ
し、透光層103の厚さや可撓性の高さによっては、透光層103を設けても構わない。
(C)に示すように、基板151aと素子層153a、基板152aと素子層153a、
基板151bと素子層153b、並びに、基板152bと素子層153bが、それぞれ接
着層157で貼り合わされている。各素子層は、表示素子を含む領域155と、表示素子
と電気的に接続する配線を含む領域156とを有する。
子を示す写真である。曲げた部分は、図28(A)に点線で示す部分であり、発光部25
0とFPCの圧着部との間の領域であり、電源電位が供給される配線がある。図29(A
)に示す状態から、図29(B)に示す状態に変形して、図29(A)に示す状態に戻す
までを1回として、10万回繰り返した。表示パネルを曲げる際の曲率半径は5mmとし
た。曲げ試験は1回あたり約2秒の速さで行った。図29(C)は、図29(B)におけ
る矢印の方向から見た場合の写真である。
ルの表示写真を示す。試験後も、表示パネルには表示不良は見られなかった。
に視認される部分とで、輝度が異なって見える場合がある。そのため、図30(A)に示
すように、可視光を透過する領域251と重なる部分のみ、他の部分よりも高い輝度で表
示を行う(例えば、他よりもデータ電圧を高く設定する)ことで、発光部250全体の輝
度を均一にすることができ、好ましい。
置することで、図31に示す81インチの表示装置を作製した。
うに、8Kレコーダから出力される信号を36分割し、それぞれの駆動回路に入力した。
また、各表示パネルにおける1段目のスキャンのタイミングが同時刻となるようにした。
像度な表示装置を作製することができた。なお、1枚の表示パネルの重さは、FPCを含
めても、約26gであり、36枚でも1kg以下である(ここでは、表示パネル及びFP
Cの重さのみを示し、表示パネルを固定するためのフレーム等の重さは含んでいない)。
は表示されている画像が異なる。図32には、表示パネルの重なっている部分(幅2mm
)を示す。このように、本発明の一態様を適用することで、至近距離では、表示パネルの
継ぎ目が確認できる場合があっても、使用者が視聴する距離では、表示パネルの継ぎ目が
ほとんど視認できない、又は気にならない表示装置を作製することができる。
の表示装置を実現することができた。
11 表示領域
15 柱
16 壁
100 表示パネル
100a 表示パネル
100b 表示パネル
100c 表示パネル
100d 表示パネル
101 表示領域
101a 表示領域
101b 表示領域
101c 表示領域
101d 表示領域
102 領域
102a 領域
102b 領域
103 透光層
103a 透光層
103a1 透光層
103a2 透光層
103b 透光層
103b1 透光層
103b2 透光層
110 可視光を透過する領域
110a 可視光を透過する領域
110b 可視光を透過する領域
110c 可視光を透過する領域
110d 可視光を透過する領域
112a FPC
112b FPC
120 可視光を遮る領域
120a 可視光を遮る領域
120b 可視光を遮る領域
120c 可視光を遮る領域
123 FPC
131 樹脂層
132 保護基板
133 樹脂層
134 保護基板
141 画素
141a 画素
141b 画素
142a 配線
142b 配線
143a 回路
143b 回路
145 配線
151 基板
151a 基板
151b 基板
152 基板
152a 基板
152b 基板
153a 素子層
153b 素子層
154 接着層
155 領域
155a 領域
155b 領域
156 領域
156a 領域
156b 領域
157 接着層
201 積層体
203 陽極
205 青色の発光ユニット
207 中間層
209 黄色の発光ユニット
211 陰極
250 発光部
251 可視光を透過する領域
253 デマルチプレクサ
255 スキャンドライバ
257 引き回し配線
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 接着層
367B 着色層
367BM 遮光層
367G 着色層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
500 表示部
500TP タッチパネル
501 表示部
503g 駆動回路
503s 駆動回路
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
600 入力部
602 検知ユニット
603d 駆動回路
603g 駆動回路
650 容量素子
651 電極
652 電極
653 絶縁層
667 窓部
670 保護層
701 基板
703 接着層
705 絶縁層
711 基板
713 接着層
715 絶縁層
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
813 ゲート絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 接着層
823 スペーサ
824 トランジスタ
825 接続体
830 発光素子
831 下部電極
832 光学調整層
833 EL層
835 上部電極
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
856 導電層
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
Claims (10)
- 保護基板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネルは、前記第2の表示パネルと固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。 - 保護基板と、樹脂層と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記樹脂層は、前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルに渡って設けられ、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。 - 保護基板と、アクリル板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記アクリル板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。 - 保護基板と、ガラス板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記ガラス板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。 - 保護基板と、プラスチック板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記プラスチック板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有する、表示装置。 - 保護基板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネルは、前記第2の表示パネルと固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。 - 保護基板と、樹脂層と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記樹脂層は、前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルに渡って設けられ、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。 - 保護基板と、アクリル板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記アクリル板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。 - 保護基板と、ガラス板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記ガラス板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。 - 保護基板と、プラスチック板と、可撓性を有する第1の表示パネルと、可撓性を有する第2の表示パネルと、透光層と、を有し、
前記保護基板は、偏光板、円偏光板、位相差板、又は光学フィルムを有し、
前記第1の表示パネル及び前記第2の表示パネルは、前記プラスチック板に固定され、
前記第1の表示パネルは、第1の表示部と、第1の領域と、を有し、
前記第2の表示パネルは、第2の表示部と、FPCと、を有し、
前記第1の表示部及び前記第2の表示部はそれぞれ、発光素子を有し、
前記第2の表示部は、前記透光層を介して、前記第1の領域と重なる第2の領域を有し、
前記第2の表示パネルは、前記第2の領域の外側に湾曲領域を有し、
前記FPCは、ソースドライバより外側であって、前記透光層を越えた領域に配置されている、表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020179451A JP6974575B2 (ja) | 2014-07-31 | 2020-10-27 | 表示装置 |
JP2021180069A JP2022020747A (ja) | 2014-07-31 | 2021-11-04 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014156168 | 2014-07-31 | ||
JP2014156168 | 2014-07-31 | ||
JP2014219131 | 2014-10-28 | ||
JP2014219131 | 2014-10-28 | ||
JP2014243195 | 2014-12-01 | ||
JP2014243195 | 2014-12-01 | ||
JP2015109642 | 2015-05-29 | ||
JP2015109642 | 2015-05-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015147526A Division JP6517617B2 (ja) | 2014-07-31 | 2015-07-27 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020179451A Division JP6974575B2 (ja) | 2014-07-31 | 2020-10-27 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019148815A true JP2019148815A (ja) | 2019-09-05 |
JP6785912B2 JP6785912B2 (ja) | 2020-11-18 |
Family
ID=55181587
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015147526A Active JP6517617B2 (ja) | 2014-07-31 | 2015-07-27 | 表示装置 |
JP2019079327A Active JP6785912B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-04-18 | 表示装置 |
JP2020179451A Active JP6974575B2 (ja) | 2014-07-31 | 2020-10-27 | 表示装置 |
JP2021180069A Withdrawn JP2022020747A (ja) | 2014-07-31 | 2021-11-04 | 表示装置 |
JP2023072010A Active JP7472365B2 (ja) | 2014-07-31 | 2023-04-26 | 表示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015147526A Active JP6517617B2 (ja) | 2014-07-31 | 2015-07-27 | 表示装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020179451A Active JP6974575B2 (ja) | 2014-07-31 | 2020-10-27 | 表示装置 |
JP2021180069A Withdrawn JP2022020747A (ja) | 2014-07-31 | 2021-11-04 | 表示装置 |
JP2023072010A Active JP7472365B2 (ja) | 2014-07-31 | 2023-04-26 | 表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10159135B2 (ja) |
JP (5) | JP6517617B2 (ja) |
KR (2) | KR102380645B1 (ja) |
CN (2) | CN106537486B (ja) |
TW (3) | TWI681234B (ja) |
WO (1) | WO2016016765A1 (ja) |
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- 2015-07-21 KR KR1020177002208A patent/KR102380645B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-21 KR KR1020227010096A patent/KR102533396B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-21 WO PCT/IB2015/055505 patent/WO2016016765A1/en active Application Filing
- 2015-07-21 CN CN201580041378.9A patent/CN106537486B/zh active Active
- 2015-07-21 CN CN202010836809.3A patent/CN112349211B/zh active Active
- 2015-07-23 US US14/806,950 patent/US10159135B2/en active Active
- 2015-07-24 TW TW104124130A patent/TWI681234B/zh active
- 2015-07-24 TW TW108143784A patent/TWI730518B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-24 TW TW110117338A patent/TWI785611B/zh active
- 2015-07-27 JP JP2015147526A patent/JP6517617B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-05 US US16/121,702 patent/US10764973B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-18 JP JP2019079327A patent/JP6785912B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-28 US US17/005,714 patent/US11659636B2/en active Active
- 2020-10-27 JP JP2020179451A patent/JP6974575B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-04 JP JP2021180069A patent/JP2022020747A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-04-26 JP JP2023072010A patent/JP7472365B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022020747A (ja) | 2022-02-01 |
TW201629586A (zh) | 2016-08-16 |
US20200396807A1 (en) | 2020-12-17 |
JP6785912B2 (ja) | 2020-11-18 |
WO2016016765A1 (en) | 2016-02-04 |
TWI681234B (zh) | 2020-01-01 |
KR20170040205A (ko) | 2017-04-12 |
US20190008014A1 (en) | 2019-01-03 |
US20160037608A1 (en) | 2016-02-04 |
CN112349211A (zh) | 2021-02-09 |
TW202014773A (zh) | 2020-04-16 |
JP2016206630A (ja) | 2016-12-08 |
JP6517617B2 (ja) | 2019-05-22 |
KR102533396B1 (ko) | 2023-05-26 |
KR20220045237A (ko) | 2022-04-12 |
TW202201088A (zh) | 2022-01-01 |
US11659636B2 (en) | 2023-05-23 |
JP6974575B2 (ja) | 2021-12-01 |
US10159135B2 (en) | 2018-12-18 |
JP7472365B2 (ja) | 2024-04-22 |
US10764973B2 (en) | 2020-09-01 |
TWI785611B (zh) | 2022-12-01 |
JP2023099073A (ja) | 2023-07-11 |
CN112349211B (zh) | 2023-04-18 |
CN106537486B (zh) | 2020-09-15 |
JP2021039353A (ja) | 2021-03-11 |
KR102380645B1 (ko) | 2022-03-31 |
CN106537486A (zh) | 2017-03-22 |
TWI730518B (zh) | 2021-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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