KR20220045237A - 표시 장치 및 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
곡면을 따라 화상을 표시할 수 있는 표시 장치가 제공된다. 표시 장치에서는, 제 1 표시 패널과 제 2 표시 패널은 투광층(103)을 개재하여 서로 중첩한다. 투광층(103)이 제 1 표시 패널의 표시면 측 및 제 2 표시 패널의 표시면 측과 반대 측에 위치한다. 투광층(103)은 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광에 대한 평균 80% 이상의 투과율 및 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는다. 제 1 표시 패널의 표시 영역(101a)은 투광층(103)을 개재하여 제 2 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩한다.
Description
본 발명의 일 형태는 표시 장치, 전자 장치, 또는 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히, electroluminescence(이하에서 EL이라고도 말함)을 이용한 표시 장치 또는 전자 장치, 또는 이들의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 기술 분야에 한정되지 않는다. 구체적으로, 본 명세서에 개시(開示)되는 본 발명의 일 형태의 기술 분야의 예는, 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 장치, 조명 장치, 입력 장치(예를 들어, 터치 센서), 입출력 장치(예를 들어, 터치 패널), 이들의 구동 방법, 및 이들의 제조 방법을 포함한다.
근년에 들어, 더 큰 표시 장치가 요구된다. 큰 표시 장치의 사용예는 가정용 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 말함), 디지털 사이니지(digital signage), 및 PID(public information display)를 포함한다. 표시 장치의 표시 영역이 더 크면 한 번에 대량의 정보를 제공할 수 있다. 또한, 표시 영역이 더 크면 더 눈에 띄기 때문에, 예를 들어, 광고의 효과가 높아질 것이 기대된다.
또한, 휴대 장치로의 응용을 위하여, 더 큰 표시 장치가 요구된다. 근년에 들어, 표시 장치의 표시 영역이 커지면서, 한 번에 표시되는 정보량이 증가됨으로써, 일람성(browsability)이 향상된다고 생각된다.
EL을 이용한 발광 소자(EL 소자라고도 말함)는 박형 및 경량화의 용이성, 입력 신호에 대한 고속 응답, 및 직류 저 전압원에 의한 구동 등의 특징을 갖는다; 그러므로, 표시 장치에 대한 발광 소자의 응용이 제안되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 유기 EL 소자를 포함하는 표시 장치의 예가 개시된다.
또한, 특허문헌 2에는 유기 EL 소자 및 스위칭 소자로서 기능하는 트랜지스터가 필름 기판 위에 제공된 플렉시블 액티브 매트릭스 발광 장치가 개시된다.
본 발명의 일 형태의 목적은 표시 장치의 사이즈를 증가시키는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 목적은 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 목적은 표시 장치의 두께 또는 무게를 축소하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 목적은 곡면을 따라 화상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 목적은 일람성이 높은 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태의 다른 목적은 신규 표시 장치 또는 신규 전자 장치 등을 제공하는 것이다.
또한, 이들 목적의 기재는 다른 목적의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태에서는, 모든 목적을 달성할 필요는 없다. 다른 목적을 명세서, 도면, 및 청구항의 기재로부터 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 적어도 일부가 가요성을 갖는 표시 장치이다. 표시 장치는 제 1 표시 패널, 제 2 표시 패널, 및 투광층을 포함한다. 제 1 표시 패널은 제 1 영역을 포함한다. 제 1 영역은 표시를 수행하는 기능을 갖는다. 제 2 표시 패널은 제 2 영역 및 제 3 영역을 포함한다. 제 2 영역은 표시를 수행하는 기능을 갖는다. 제 3 영역은 제 2 영역과 인접되고, 가시광을 투과시키는 기능을 갖는다. 투광층에서는, 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광에 대한 투과율은 평균적으로 80% 이상이다. 투광층의 굴절률은 공기의 굴절률보다 높다. 투광층은 제 1 표시 패널과 제 2 표시 패널 사이에 있다. 투광층은 제 1 표시 패널의 표시면 측 및 제 2 표시 패널의 표시면 측과 반대 측 양쪽에 위치한다. 제 3 영역은 투광층을 개재(介在)하여 제 1 영역과 중첩되는 영역을 포함한다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는, 투광층의 적어도 일부에서, 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광에 대한 투과율은 80% 이상이어도 좋고, 90% 이상인 것이 바람직하다. 마찬가지로, 투광층의 적어도 일부에서의 굴절률은 공기보다 높은 굴절률이어도 좋고, 1.3 이상 1.8 이하인 것이 바람직하다.
상술한 구조 각각에서는, 제 1 영역 및 제 2 영역은 각각 발광 소자를 포함하여도 좋다.
상술한 구조 각각에서는, 제 3 영역은 접합층을 포함하여도 좋다. 여기서는, 접합층을 제 2 영역의 외주의 일부를 따라 위치시켜도 좋다.
상술한 구조 각각에서는, 제 2 표시 패널은 제 4 영역을 포함하여도 좋다. 제 4 영역은 제 2 영역과 인접되고, 가시광을 차단하는 기능을 갖는다. 제 4 영역은 제 1 영역과 중첩되는 영역을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 제 4 영역은 배선을 포함하여도 좋다. 여기서는, 배선을 제 2 영역에 포함되는 발광 소자와 전기적으로 접속시켜도 좋다. 배선을 제 2 영역의 외주의 다른 일부를 따라 위치시켜도 좋다.
상술한 구조 각각에서는, 투광층은 제 1 표시 패널 및 제 2 표시 패널 중 적어도 한쪽과 착탈 가능하게 접촉되는 것이 바람직하다.
상술한 구조 각각에서는, 투광층은 불활성 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 구조 각각에서는, 투광층은 비휘발성 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 구조 각각에서는, 투광층은 1mPas 이상 1000Pas 이하의 점도를 갖는 재료를 포함하여도 좋다. 재료의 점도는 1Pas 이상인 것이 바람직하고, 10Pas 이상인 것이 더 바람직하고, 100Pas 이상인 것이 더욱 바람직하다.
상술한 구조 각각에서는, FPC(flexible printed circuit)를 포함하여도 좋다. 여기서는, FPC를 제 1 표시 패널과 전기적으로 접속시켜도 좋다. FPC는 제 2 영역과 중첩되는 영역을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태는 상술한 어느 구조를 갖는 표시 장치를 포함하는 전자 장치 또는 조명 장치도 포함한다. 예를 들어, 본 발명의 일 형태는 상술한 어느 구조를 갖는 표시 장치, 및 안테나, 전지, 하우징, 스피커, 마이크로폰, 조작 스위치, 또는 조작 버튼을 포함하는 전자 장치이다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 표시 장치의 사이즈를 증가시킬 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 표시 장치를 박형 또는 경량화할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 곡면을 따라 화상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 일람성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 신규 표시 장치 또는 신규 전자 장치 등을 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태는 상술한 모든 효과를 반드시 달성할 필요는 없다. 다른 효과를 명세서, 도면, 및 청구항의 기재로부터 추출할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 도 1의 (C)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 2의 (A) 내지 도 2의 (D)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 3의 (A) 내지 도 3의 (C)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (F)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 5의 (A) 내지 도 5의 (F)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 6의 (A) 내지 도 6의 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 7의 (A) 내지 도 7의 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 8의 (A) 내지 도 8의 (C)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 9의 (A) 내지 도 9의 (C)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 10의 (A) 내지 도 10의 (C)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 11의 (A) 및 도 11의 (B)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 12의 (A) 내지 도 12의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 13의 (A) 및 도 13의 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 14의 (A) 내지 도 14의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 15의 (A) 내지 도 15의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 16은 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 17은 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 18의 (A) 내지 도 18의 (E)는 전자 장치의 예를 도시한 것이고, 도 18의 (F)는 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 19의 (A1), 도 19의 (A2), 도 19의 (B), 도 19의 (C), 도 19의 (D), 도 19의 (E), 도 19의 (F), 도 19의 (G), 도 19의 (H), 및 도 19의 (I)는 전자 장치의 예를 도시한 것이다.
도 20은 표시 장치의 예를 도신한 것이다.
도 21의 (A) 및 도 21의 (B)는 실시예 1에서의 표시 장치의 사진이고, 도 21의 (C)는 실시예 1에서의 표시 장치를 도시한 것이다.
도 22의 (A)는 실시예 1에서의 표시 패널을 도시한 것이고, 도 22의 (B)는 실시예 1에서의 가시광을 투과시키는 영역의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 23은 가시광을 투과시키는 영역의 광에 대한 투과율의 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 24의 (A)는 실시예 2에서의 표시 장치의 사진이고, 도 24의 (B)는 실시예 2에서의 표시 패널의 사진이다.
도 25는 실시예 2에서의 발광 소자를 나타낸 것이다.
도 26은 실시예 2에서의 표시 패널의 휘도의 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 27은 실시예 2에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 나타낸 것이다.
도 28의 (A)는 실시예 3에서의 표시 패널을 도시한 것이고, 도 28의 (B) 및 도 28의 (C)는 표시 패널을 중첩시키는 방법을 도시한 것이다.
도 29의 (A) 내지 도 29의 (C)는 실시예 3에서의 굴곡 시험을 도시한 사진이고, 도 29의 (D) 및 도 29의 (E)는 실시예 3에서의 표시 패널에 표시되는 화상의 사진을 나타낸 것이다.
도 30의 (A)는 실시예 3에서의 표시 패널에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이고, 도 30의 (B)는 실시예 3에서의 표시 장치를 구동하기 위한 방법을 도시한 것이다.
도 31은 실시예 3에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이다.
도 32는 실시예 3에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이다.
도 2의 (A) 내지 도 2의 (D)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 3의 (A) 내지 도 3의 (C)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (F)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 5의 (A) 내지 도 5의 (F)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 6의 (A) 내지 도 6의 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 7의 (A) 내지 도 7의 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 것이다.
도 8의 (A) 내지 도 8의 (C)는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
도 9의 (A) 내지 도 9의 (C)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 10의 (A) 내지 도 10의 (C)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 11의 (A) 및 도 11의 (B)는 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 12의 (A) 내지 도 12의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 13의 (A) 및 도 13의 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 14의 (A) 내지 도 14의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 15의 (A) 내지 도 15의 (C)는 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 16은 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 17은 터치 패널의 예를 도시한 것이다.
도 18의 (A) 내지 도 18의 (E)는 전자 장치의 예를 도시한 것이고, 도 18의 (F)는 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 19의 (A1), 도 19의 (A2), 도 19의 (B), 도 19의 (C), 도 19의 (D), 도 19의 (E), 도 19의 (F), 도 19의 (G), 도 19의 (H), 및 도 19의 (I)는 전자 장치의 예를 도시한 것이다.
도 20은 표시 장치의 예를 도신한 것이다.
도 21의 (A) 및 도 21의 (B)는 실시예 1에서의 표시 장치의 사진이고, 도 21의 (C)는 실시예 1에서의 표시 장치를 도시한 것이다.
도 22의 (A)는 실시예 1에서의 표시 패널을 도시한 것이고, 도 22의 (B)는 실시예 1에서의 가시광을 투과시키는 영역의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 23은 가시광을 투과시키는 영역의 광에 대한 투과율의 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 24의 (A)는 실시예 2에서의 표시 장치의 사진이고, 도 24의 (B)는 실시예 2에서의 표시 패널의 사진이다.
도 25는 실시예 2에서의 발광 소자를 나타낸 것이다.
도 26은 실시예 2에서의 표시 패널의 휘도의 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 27은 실시예 2에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 나타낸 것이다.
도 28의 (A)는 실시예 3에서의 표시 패널을 도시한 것이고, 도 28의 (B) 및 도 28의 (C)는 표시 패널을 중첩시키는 방법을 도시한 것이다.
도 29의 (A) 내지 도 29의 (C)는 실시예 3에서의 굴곡 시험을 도시한 사진이고, 도 29의 (D) 및 도 29의 (E)는 실시예 3에서의 표시 패널에 표시되는 화상의 사진을 나타낸 것이다.
도 30의 (A)는 실시예 3에서의 표시 패널에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이고, 도 30의 (B)는 실시예 3에서의 표시 장치를 구동하기 위한 방법을 도시한 것이다.
도 31은 실시예 3에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이다.
도 32는 실시예 3에서의 표시 장치에 의하여 표시되는 사진을 도시한 것이다.
실시형태에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하겠다. 또한, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양하게 변경 및 수정할 수 있는 것은 당업자에 의하여 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 내용에 한정하여 해석되지 않는다.
또한, 이하에서 설명되는 발명의 구조에서는, 동일한 부분 또는 비슷한 기능을 갖는 부분은 상이한 도면에서 동일한 부호에 의하여 나타내어지고, 이러한 부분의 설명은 반복되지 않는다. 또한, 동일한 해칭 패턴은 비슷한 기능을 갖는 부분에 적용되고, 그 부분은 부호에 의하여 특별히 나타내어지지 않는 경우가 있다.
또한, 도면에 도시된 각 구조의 위치, 사이즈, 또는 범위 등은 이해를 용이하게 하기 위하여 정확히 나타내어지지 않는 경우가 있다. 그러므로, 개시되는 발명은 도면에 개시된 위치, 사이즈, 또는 범위 등에 반드시 한정되지 않는다.
또한, "막" 및 "층"이라는 용어는 경우 또는 상황에 따라 서로 교체할 수 있다. 예를 들어, "도전층"이라는 용어는 "도전막"이라는 용어로 변경할 수 있다. 또한, "절연막"이라는 용어는 "절연층"이라는 용어로 변경할 수 있다.
또한, 본 명세서에서는, X와 Y가 전기적으로 접속되는 경우의 예는 A와 B가 다른 소자를 개재하지 않고 직접 접속되는 경우 및 X와 Y 사이를 전기적으로 접속시킬 수 있는 하나 이상의 소자(예를 들어, 스위치, 트랜지스터, 용량 소자, 인덕터, 저항 소자, 다이오드, 표시 소자, 발광 소자, 또는 부하)가 X와 Y 사이에 접속되는 경우를 포함한다. 스위치는 온 또는 오프가 되도록 제어된다. 즉, 스위치가 전도 또는 비전도가 되어(온 또는 오프가 되어) 전류를 흘릴지 여부를 결정한다. 또는, 스위치는 전류 경로를 선택 및 변경하는 기능을 갖는다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 대하여 도 1의 (A) 내지 도 1의 (C), 도 2의 (A) 내지 도 2의 (D), 도 3의 (A) 내지 도 3의 (C), 도 4의 (A) 내지 도 4의 (F), 도 5의 (A) 내지 도 5의 (F), 도 6의 (A) 내지 도 6의 (C), 도 7의 (A) 내지 도 7의 (C), 및 도 8의 (A) 내지 도 8의 (C)를 참조하여 설명하겠다.
복수의 표시 패널들은 하나 이상의 방향(예를 들어, 일렬로 또는 매트릭스로)으로 배치됨으로써, 큰 표시 영역을 갖는 표시 장치를 제조할 수 있다.
복수의 표시 패널들을 사용하여 큰 표시 장치가 제조되는 경우, 각각의 표시 패널은 큰 것이 요구되지 않는다. 그러므로, 표시 패널을 제조하기 위한 장치는 사이즈를 증가시킬 필요가 없기 때문에, 공간 절약화를 달성할 수 있다. 또한, 중소형의 표시 패널을 제조하기 위한 장치를 사용할 수 있어, 표시 장치의 사이즈를 증가시키기 위하여 신규 제조 장치를 사용할 필요가 없기 때문에, 제조 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 표시 패널의 사이즈를 증가시킴으로써 발생되는 수율의 저하를 억제할 수 있다.
표시 패널의 사이즈가 동일하면, 복수의 표시 패널들을 갖는 표시 장치는 하나의 표시 패널을 갖는 표시 장치보다 큰 표시 영역을 갖기 때문에, 복수의 표시 패널들을 갖는 표시 장치는 하나의 스크린에 더 많은 정보를 표시하는 효과 등을 갖는다.
그러나, 각각의 표시 패널은 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 갖는다. 따라서, 예를 들어, 복수의 표시 패널들의 출력 화상이 하나의 화상을 표시하기 위하여 사용되는 경우, 화상은 표시 장치의 사용자에는 분리되는 것과 같이 보인다.
표시 패널의 비표시 영역을 좁히면(더 슬림한 프레임을 갖는 표시 패널을 사용하면), 표시 패널의 화상이 분리되는 것과 같이 보이는 것을 방지할 수 있지만, 비표시 영역을 완전히 제거하는 것은 어렵다.
또한, 더 작은 비표시 영역은 표시 패널의 단부와 표시 패널에서의 소자 사이의 거리를 저감시키기 때문에, 표시 패널의 외측으로부터 침입되는 불순물에 의하여 소자가 용이하게 열화되는 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 복수의 표시 패널들이 서로 부분적으로 중첩되도록 배치된다. 서로 중첩되는 2개의 표시 패널에서는, 적어도 표시면 측(위 측)에 위치하는 표시 패널은 표시 영역과 인접되는, 가시광을 투과시키는 영역을 포함한다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역과 위 측에 위치하는 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역은 서로 중첩한다. 그러므로, 서로 중첩한 2개의 표시 패널의 표시 영역들 사이의 비표시 영역을 축소 또는 제거할 수도 있다. 따라서, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는, 위 측에 위치하는 표시 패널의 비표시 영역의 적어도 일부는 가시광을 투과시키는 영역이고, 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역과 중첩시킬 수 있다. 본 발명의 일 형태에서는, 아래 측에 위치하는 표시 패널의 비표시 영역의 적어도 일부는 위 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역 또는 이들 가시광을 차단하는 영역과 중첩시킬 수 있다. 표시 장치의 프레임의 면적에서의 축소(표시 영역을 제외한 면적에서의 축소)는 이들 영역에 영향을 받지 않기 때문에, 이들 영역의 면적을 반드시 축소할 필요는 없다.
또한, 더 큰 비표시 영역은 표시 패널의 단부와 표시 패널에서의 소자 사이의 거리를 증가시키기 때문에, 표시 패널의 외측으로부터 침입되는 불순물로 인한 소자의 열화를 억제할 수 있다. 예를 들어, 유기 EL 소자가 표시 소자로서 사용되는 경우, 표시 패널의 단부와 표시 패널에서의 유기 EL 소자 사이의 거리가 증가할수록, 수분 또는 산소 등의 불순물이 표시 패널의 외측으로부터 유기 EL 소자에 침입되기 어렵다(또는 도달하기 어렵다). 비표시 영역의 충분한 면적을 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서 확보할 수 있기 때문에, 유기 EL 소자 등을 포함하는 표시 패널이 사용되더라도 신뢰성이 높고 큰 표시 장치를 실현할 수 있다.
위 측에 위치하는 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역 사이에 공기가 존재하면, 표시 영역으로부터 추출되는 광의 일부가 표시 영역과 공기 사이의 계면 및 공기와 가시광을 투과시키는 영역 사이의 계면에서 반사되어, 표시의 휘도가 저하된다는 결과가 될 수 있다. 그러므로, 복수의 표시 패널들이 서로 중첩되는 영역의 광 추출 효율이 저하된다. 또한, 위 측에 위치하는 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 중첩되는 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역의 일부와 위 측에 위치하는 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 중첩하지 않는 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역의 일부 사이에서 휘도의 차이가 발생되기 때문에, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 용이하게 인식되는 경우가 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖고, 가시광을 투과시키는 투광층이 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에 제공된다. 따라서, 공기가 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에 침입되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률에서의 차이로 인한 계면의 반사를 억제할 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 형태는 제 1 표시 패널, 제 2 표시 패널, 및 투광층을 포함하는 표시 장치이다. 제 1 표시 패널은 제 1 영역을 포함한다. 제 1 영역은 화상을 표시하는 기능을 갖는다. 제 2 표시 패널은 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는다. 제 2 영역은 화상을 표시하는 기능을 갖는다. 제 3 영역은 제 2 영역과 인접되고, 가시광을 투과시키는 기능을 갖는다. 투광층에서는, 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광의 투과율은 평균적으로 80% 이상이다. 투광층은 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는다. 투광층은 제 1 표시 패널과 제 2 표시 패널 사이에 제공된다. 투광층은 제 1 표시 패널의 표시면 측 및 제 2 표시 패널의 표시면 측과 반대 측 양쪽에 위치한다. 제 3 영역은 투광층을 개재하여 제 1 영역과 중첩되는 영역을 포함한다.
표시 장치의 적어도 일부는 가용성을 가져도 좋다. 표시 패널의 적어도 일부는 가용성을 가져도 좋다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 플렉시블 표시 패널을 포함하는 것이 바람직하다. 그 경우, 크고 만곡된 표시 장치 또는 플렉시블 표시 장치를 제공할 수 있고, 응용처가 확대된다. 여기서는, 유기 EL 소자가 표시 소자로서 적절히 사용된다.
또한, 표시 장치의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있기 때문에, 투광층에서의 가시광에 대한 투과율은 높을수록 바람직하다. 예를 들어, 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광에 대한 투광층의 투과율은 80% 이상이어도 좋고, 90% 이상인 것이 바람직하다.
광의 반사를 억제할 수 있기 때문에, 투광층과, 투광층과 접촉되는 층 사이의 굴절률에서의 차이는 작을수록 바람직하다. 예를 들어, 투광층의 굴절률이 공기의 굴절률보다 높고, 1.3 이상 1.8 이하인 것이 바람직하다. 투광층과, 투광층과 접촉되는 층(예를 들어, 표시 패널에 포함되는 기판) 사이의 굴절률에서의 차이는, 0.30 이하인 것이 바람직하고, 0.20 이하인 것이 더 바람직하고, 0.15 이하인 것이 더욱 바람직하다.
투광층은 제 1 표시 패널 및 제 2 표시 패널 중 적어도 한쪽과 착탈 가능하게 접촉되는 것이 바람직하다. 표시 장치에 포함되는 각각의 표시 패널이 착탈 가능한 경우, 하나의 표시 패널에 문제가 발생되면, 예를 들어, 결함이 있는 표시 패널만을 새로운 표시 패널과 용이하게 교환할 수 있다. 연속적으로 다른 표시 패널을 사용함으로써, 표시 장치를 더 길고, 더 낮은 비용으로 사용할 수 있다.
표시 패널을 착탈할 필요가 없으면, 표시 패널은 접착성을 갖는 재료(접착제 등)를 포함하는 투광층으로 서로 고정된다.
무기 재료 및 유기 재료 중 어느 것을 투광층에 사용할 수 있다. 액체 물질, 겔상 물질, 또는 고체 물질을 투광층에 사용할 수 있다.
투광층에는, 예를 들어, 물, 용액, 플루오린계 불활성 액체, 굴절액, 또는 실리콘(silicone) 오일 등의 액체 물질을 사용할 수 있다.
표시 장치가 수평면(중력이 작용하는 방향으로 수직인 면)으로 기우는 경우 또는 표시 장치가 수평면으로 수직이 되도록 배치되는 경우, 액체 물질의 점도는 1mPas 이상인 것이 바람직하고, 1Pas 이상인 것이 더 바람직하고, 10Pas 이상인 것이 더 바람직하고, 100Pas 이상인 것이 더 바람직하다. 표시 장치가 수평면에 평행해지도록 배치되는 경우 등에는, 액체 물질의 점도는 이들에 한정되지 않는다.
표시 장치에 포함되는 다른 층이 대미지 등을 받을 것을 방지할 수 있기 때문에, 투광층은 불활성인 것이 바람직하다.
투광층에 포함되는 재료는 비휘발성인 것이 바람직하다. 따라서, 투광층에 사용된 재료의 휘발로 인한 계면으로의 공기의 침입을 방지할 수 있다.
투광층에는, 고분자 재료를 사용할 수 있다. 이러한 고분자 재료의 예는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, 폴리바이닐클로라이드(PVC) 수지, 폴리바이닐뷰티랄(PVB) 수지, 및 에틸렌바이닐아세테이트(EVA) 수지 등의 수지를 포함한다. 또는, 2성분 혼합형(two-component-mixture-type) 수지를 사용하여도 좋다. 이들 수지 중 적어도 하나를 함유하는 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제, 및 자외선 경화형 접착제 등의 광 경화형 접착제 등의 다양한 경화형 접착제를 사용하여도 좋다. 표시 패널이 서로 고정되지 않는 경우 등에는, 접착제를 반드시 경화시킬 필요는 없다.
투광층은 물체에 대한 높은 자기 부착성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 투광층은 물체에 대하여 높은 분리성을 갖는 것이 바람직하다. 표시 패널에 부착된 투광층을 표시 패널로부터 분리한 후, 투광층을 다시 표시 패널에 부착시킬 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 투광층은 접착성을 갖지 않는 것 또는 낮은 접착성을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 물체에 대한 투광층의 부착 및 물체로부터의 투광층의 분리를 물체의 표면이 대미지 등을 받지 않고 또는 표면을 더럽히지 않고, 반복할 수 있다.
투광층으로서는, 예를 들어, 부착성을 갖는 필름 또는 접착성을 갖는 필름을 사용할 수 있다. 부착층 또는 접착층과 기재의 적층 구조를 갖는 부착 필름이 사용되는 경우, 부착층 또는 접착층은 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 투광층으로서 기능하여도 좋고, 기재는 표시 패널에 포함되는 기판으로서 기능하여도 좋다. 부착 필름은 부착층 또는 접착층과 기재 사이에 앵커층을 포함하여도 좋다. 앵커층은 부착층 또는 접착층과 기재 사이에서 접착성을 높이는 기능을 갖는다. 또한, 앵커층은 기재의 부착층이 도포된 면 또는 기재의 접착층이 도포된 면을 매끄럽게 하는 기능을 갖는다. 이 방법으로, 물체와 투광층 사이에 거품이 생성되기 어렵게 할 수 있다.
예를 들어, 실리콘(silicone) 수지층과 폴리에스터 필름이 적층된 필름을 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 사용할 수 있는 것이 바람직하다. 여기서는, 실리콘(silicone) 수지층은 부착성을 갖고, 투광층으로서 기능한다. 폴리에스터 필름은 표시 패널에 포함되는 기판으로서 기능한다. 또한, 폴리에스터 필름에 더하여 표시 패널에 포함되는 기판을 더 제공하여도 좋다.
부착층, 기재, 및 접착층 또는 접합층이 적층된 필름이 사용되는 경우, 부착층은 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 투광층으로서 기능한다; 기재는 표시 패널에 포함되는 기판으로서 기능한다; 접착층 또는 접합층은 표시 패널의 소자층과 기판을 부착하기 위한 층으로서 기능한다.
투광층의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 두께는 1μm 이상 50μm 이하이어도 좋다. 투광층의 두께는 50μm보다 커도 좋다; 그러나, 플렉시블 표시 장치가 제조되는 경우, 표시 장치의 두께는 표시 장치의 가요성을 감소시키지 않도록 설정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 투광층의 두께는 10μm 이상 30μm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 투광층의 두께는 1μm보다 작아도 좋다.
이하에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구체예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
이하에서는, 표시 패널끼리, 표시 패널에 포함되는 동일한 구성 요소끼리, 또는 표시 패널에 관련지은 동일한 구성 요소끼리를 구별하기 위하여, 부호에 문자가 부기된다. 특별히 언급하지 않는 한, 가장 아래 측(표시면 측과 반대 측)에 배치되는 표시 패널 및 구성 요소의 부호에 "a"가 부기되고, 그 위에 배치되는 하나 이상의 표시 패널 및 구성 요소에는 아래 측으로부터 "b" 및 "c" 등이 알파벳순으로 부기된다. 또한 특별히 언급하지 않는 한, 복수의 표시 패널들이 포함되는 구조에 대한 설명에는, 표시 패널 또는 구성 요소의 공통 부분에 대하여 설명할 때에 문자가 부기되지 않는다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 하나 이상의 방향으로 복수의 표시 패널들을 포함한다.
도 1의 (A)는 표시 장치(10)의 상면도이다. 도 1의 (A)에 도시된 표시 장치(10)는 하나의 방향으로(가로 방향으로) 배치되는, 도 2의 (B)에 도시된 3개의 표시 패널(100)을 포함한다.
도 1의 (B) 및 도 1의 (C)는 도 1의 (A)와 상이한 표시 장치(10)의 사시도이다. 도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에서의 표시 장치(10)는 2개의 행 및 2개의 열의 매트릭스로 배치되는, 도 2의 (C)에 도시된 4개의 표시 패널(100)(세로 방향으로의 2개의 표시 패널 및 가로 방향으로의 2개의 표시 패널)을 포함한다. 도 1의 (B)는 표시면 측에서의 표시 장치(10)의 사시도이다. 도 1의 (C)는 표시면 측과 반대 측에서의 표시 장치(10)의 사시도이다.
도 1의 (A) 내지 도 1의 (C)는 각각의 표시 패널이 FPC와 전기적으로 접속되는 예를 도시한 것이다.
표시 장치(10)에 사용할 수 있는 표시 패널에 대하여 도 2의 (A) 내지 도 2의 (D)를 참조하여 설명한다. 도 2의 (A) 내지 도 2의 (D)는 표시 패널(100)의 상면도의 예를 도시한 것이다.
표시 패널(100)은 표시 영역(101) 및 영역(102)을 포함한다. 여기서는, 영역(102)은 표시 패널(100)의 상면도에서의 표시 영역(101) 이외의 부분을 말한다. 영역(102)은 비표시 영역이라고도 말할 수 있다.
예를 들어, 표시 패널(100)은 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101)을 둘러싸는 프레임 형상의 영역(102)을 포함하여도 좋다.
도 2의 (B) 내지 도 2의 (D)는 영역(102)의 구조를 구체적으로 도시한 것이다. 영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)은 각각 표시 영역(101)과 인접된다. 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 각각 표시 영역(101)의 외주의 일부를 따라 제공하여도 좋다.
도 2의 (B)에서의 표시 패널(100)에는, 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시 영역(101)의 하나의 변을 따라 제공된다. 도 2의 (C)에서의 표시 패널(100)에는, 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시 영역(101)의 2개의 변을 따라 제공된다. 가시광을 투과시키는 영역(110)을 표시 영역(101)의 3개 이상의 변을 따라 제공하여도 좋다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 도 2의 (B) 내지 도 2의 (D) 등에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101)과 접촉하고, 표시 패널의 단부까지 연장되도록 제공되는 것이 바람직하다.
도 2의 (B) 내지 도 2의 (D)에서의 표시 패널(100)에는, 가시광을 차단하는 영역(120)이 표시 영역(101)의 2개의 변을 따라 제공된다. 가시광을 차단하는 영역(120)은 표시 패널의 단부의 가까이까지 연장하여도 좋다.
또한, 도 2의 (B) 및 도 2의 (C)에 도시된 영역(102)에서의 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120) 이외의 영역은 반드시 가시광을 투과시키는 성질을 가질 필요는 없다. 예를 들어, 가시광을 투과시키는 영역(110)을 도 2의 (D)에 도시된 바와 같이, 표시 패널의 전주(全周) 위에 제공하여도 좋다. 가시광을 투과시키는 영역(110)의 적어도 일부를 표시 영역(101)과 인접시켜도 좋다. 가시광을 차단하는 영역(120)을 가시광을 투과시키는 영역(110)과 표시 영역(101) 사이에 부분적으로 제공하여도 좋다.
표시 영역(101)은 매트릭스로 배치된 복수의 화소들을 포함하고, 화상을 표시할 수 있다. 하나 이상의 표시 소자는 각각의 화소에 제공된다. 표시 소자로서는, 예를 들어, 유기 EL 소자 등의 발광 소자, 전기 영동 소자, MEMS(micro electro mechanical system)를 사용한 표시 소자, 또는 액정 소자 등을 사용할 수 있다.
가시광을 투과시키는 재료가 가시광을 투과시키는 영역(110)에 사용된다. 예를 들어, 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 패널(100)에 포함되는 기판 또는 접합층 등을 포함하여도 좋다. 가시광을 투과시키는 영역(110) 아래의 표시 패널의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있기 때문에, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 가시광에 대한 투과율은 높을수록 바람직하다. 예를 들어, 가시광을 투과시키는 영역(110)에서는, 450nm 내지 700nm의 파장 범위에서의 광에 대한 투과율은 평균적으로 70% 이상이고, 80% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 더 바람직하다.
가시광을 차단하는 영역(120)에는, 예를 들어, 표시 영역(101)에 포함되는 화소(또는 표시 소자)와 전기적으로 접속되는 배선이 제공된다. 배선에 더하여, 화소를 구동하기 위한 구동 회로(주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로 등)를 제공하여도 좋다. 또한, 가시광을 차단하는 영역(120)은 FPC 등과 전기적으로 접속되는 단자(접속 단자라고도 함) 및 단자와 전기적으로 접속되는 배선 등을 포함하여도 좋다.
여기서는, 도 2의 (B) 및 도 2의 (C)에 도시된 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)은 0.5mm 이상 150mm 이하인 것이 바람직하고, 1mm 이상 100mm 이하인 것이 더 바람직하고, 2mm 이상 50mm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 밀봉 영역으로서 기능하고, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)이 클수록 표시 패널(100)의 단부와 표시 영역(101) 사이의 거리를 길게 할 수 있기 때문에, 외측으로부터 표시 영역(101)으로의 물 등의 불순물의 침입을 억제할 수 있다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)은 표시 영역(101)과 표시 패널(100)의 단부 사이의 가장 짧은 거리에 상당하는 경우가 있다.
예를 들어, 유기 EL 소자가 표시 소자로서 사용되는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)이 1mm 이상으로 설정됨으로써, 유기 EL 소자의 열화를 효율적으로 억제할 수 있어, 신뢰성을 향상시킨다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110) 이외의 일부에서도, 표시 영역(101)의 단부와 표시 패널(100)의 단부 사이의 거리가 상술한 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
도 1의 (A)에서의 표시 장치(10)는 표시 패널(100a), 표시 패널(100b), 및 표시 패널(100c)을 포함한다.
표시 패널(100b)의 일부가 표시 패널(100a)의 위 측(표시면 측)과 중첩되도록 표시 패널(100b)이 배치된다. 구체적으로, 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되도록 제공된다. 표시 패널(100b)의 가시광을 차단하는 영역(120b)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되지 않도록 제공된다. 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)이 표시 패널(100a)의 영역(102a) 및 표시 패널(100a)의 가시광을 차단하는 영역(120a)과 중첩되도록 제공된다.
마찬가지로, 표시 패널(100c)의 일부가 표시 패널(100b)의 위 측(표시면 측)과 중첩되도록 표시 패널(100c)이 배치된다. 구체적으로, 표시 패널(100c)의 가시광을 투과시키는 영역(110c)이 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)과 중첩되도록 제공된다. 표시 패널(100c)의 가시광을 차단하는 영역(120c)이 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)과 중첩되지 않도록 제공된다. 표시 패널(100c)의 표시 영역(101c)이 표시 패널(100b)의 영역(102b) 및 표시 패널(100b)의 가시광을 차단하는 영역(120b)과 중첩되도록 제공된다.
가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 영역(101a)과 중첩되도록 제공된다; 따라서, 표시 패널(100b)이 표시 패널(100a)의 표시면과 중첩되더라도, 표시 장치(10)의 사용자는 표시 영역(101a)의 화상 전체를 시각적으로 인식할 수 있다. 마찬가지로, 가시광을 투과시키는 영역(110c)이 표시 영역(101b)과 중첩되도록 제공된다; 따라서, 표시 패널(100c)이 표시 패널(100b)의 표시면과 중첩되더라도, 표시 장치(10)의 사용자는 표시 영역(101b)의 화상 전체를 시각적으로 인식할 수 있다.
표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)이 영역(102a) 및 가시광을 차단하는 영역(120a)의 위 측과 중첩되도록 제공됨으로써, 비표시 영역이 표시 영역(101a)과 표시 영역(101b) 사이에 제공되지 않는다. 마찬가지로, 표시 패널(100c)의 표시 영역(101c)이 영역(102b) 및 가시광을 차단하는 영역(120b)의 위 측과 중첩됨으로써, 비표시 영역이 표시 영역(101b)과 표시 영역(101c) 사이에 존재하지 않는다. 그러므로, 표시 영역(101a), 표시 영역(101b), 및 표시 영역(101c)이 이음매 없이 배치된 영역을 표시 장치(10)의 표시 영역(11)으로서 기능시킬 수 있다.
도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에서의 표시 장치(10)는 표시 패널(100a), 표시 패널(100b), 표시 패널(100c), 및 표시 패널(100d)을 포함한다.
도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에서는, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 짧은 변들이 서로 중첩되기 때문에, 표시 영역(101a)의 일부와 가시광을 투과시키는 영역(110b)의 일부가 서로 중첩된다. 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100c)의 긴 변들이 서로 중첩되기 때문에, 표시 영역(101a)의 일부와 가시광을 투과시키는 영역(110c)의 일부가 서로 중첩된다.
도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에서는, 표시 영역(101b)의 일부는 가시광을 투과시키는 영역(110c)의 일부 및 가시광을 투과시키는 영역(110d)의 일부와 중첩한다. 또한, 표시 영역(101c)의 일부는 가시광을 투과시키는 영역(110d)의 일부와 중첩한다.
그러므로, 도 1의 (B)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101a) 내지 표시 영역(101d)이 이음매 없이 배치된 영역을 표시 장치(10)의 표시 영역(11)으로서 기능시킬 수 있다.
여기서는, 표시 패널(100)이 가요성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시 패널(100)에 포함되는 한 쌍의 기판이 가요성을 갖는 것이 바람직하다.
따라서, 도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에 나타낸 바와 같이, 표시 패널(100a)의 FPC(112a)에 가까운 영역을 굴곡시킬 수 있기 때문에, 표시 패널(100a)의 일부 및 FPC(112a)의 일부를 FPC(112a)와 인접되는 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b) 아래에 배치할 수 있다. 결과적으로, FPC(112a)를 표시 패널(100b)의 배면과 물리적으로 간섭되지 않고 배치할 수 있다. 또한, 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)은 서로 중첩하고 고정되면, FPC(112a)의 두께를 반드시 고려할 필요는 없다; 따라서, 가시광을 투과시키는 영역(110b)의 상면과 표시 패널(100a)의 상면 사이의 높이에서의 차이를 저감시킬 수 있다. 이것은 표시 영역(101a) 위의 표시 패널(100b)의 단부를 눈에 띄지 않게 할 수 있다.
또한, 각 표시 패널(100)이 가요성을 가짐으로써, 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)의 상면 및 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)의 상면의 높이가 서로 같게 하도록 표시 패널(100b)을 완만히 만곡시킬 수 있다. 따라서, 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 서로 중첩되는 영역 부근을 제외하여 표시 영역의 높이를 서로 같게 할 수 있기 때문에, 표시 장치(10)의 표시 영역(11)에 표시되는 화상의 표시의 질을 향상시킬 수 있다.
표시 패널(100a)과 표시 패널(100b) 사이의 관계를 상술한 설명에서의 예로서 들지만, 동일한 예를 다른 인접되는 어느 2개의 표시 패널들 사이의 관계에 응용할 수 있다.
또한, 인접되는 2개의 표시 패널들(100) 사이의 단차를 저감시키기 위하여, 표시 패널(100)의 두께가 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시 패널(100)의 두께는 1mm 이하인 것이 바람직하고, 300μm 이하인 것이 더 바람직하고, 100μm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 표시 장치 전체의 두께 또는 무게를 저감시킬 수도 있기 때문에, 표시 패널이 얇은 것이 바람직하다.
도 3의 (A)는 표시면 측으로부터 봤을 때의 도 1의 (B) 및 도 1의 (C)에서의 표시 장치(10)의 상면도이다.
여기서는, 표시 패널(100)의 가시광을 투과시키는 영역(110)이 충분히 높은 가시광에 대한 투과율(예를 들어, 450nm 이상 700nm 이하의 파장을 갖는 광)을 갖지 않으면, 표시되는 화상의 휘도가 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수에 따라 감소될 수 있다.
예를 들어, 도 3의 (A)에서의 영역(A)에서는, 하나의 표시 패널(100c)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩한다. 영역(B)에서는, 2개의 표시 패널(100)(표시 패널(100c) 및 표시 패널(100d))이 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)과 중첩한다. 영역(C)에서는, 3개의 표시 패널(100)(표시 패널(100b), 표시 패널(100c), 및 표시 패널(100d))이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩한다.
이 경우, 화소의 그레이스케일이 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수에 따라 국소적으로 증가되도록, 표시되는 화상의 데이터가 수정되는 것이 바람직하다. 이 방법으로, 표시 장치(10)의 표시 영역(11)에 표시되는 화상의 표시의 질의 감소를 억제할 수 있다.
또는, 위 측에 배치되는 표시 패널(100)의 단부의 위치를 다른 표시 패널(100)의 단부의 위치로부터 시프트하여도 좋고, 이로써, 아래의 표시 패널(100)의 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수를 저감시킬 수 있다.
도 3의 (B)에서는, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b) 상에 배치되는 표시 패널(100c) 및 표시 패널(100d)이 하나의 방향으로 시프트된다. 구체적으로, 표시 패널(100c) 및 표시 패널(100d)은 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)의 거리만큼 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)로부터 X 방향으로 상대적으로 시프트된다. 이때, 2종류의 영역이 있다: 하나의 표시 패널(100)이 표시 영역(101)과 중첩되는 영역(D) 및 2개의 표시 패널(100)이 표시 영역(101)과 중첩되는 영역(E)이다.
표시 패널을 X 방향에 수직인 방향(Y 방향)으로 시프트하여도 좋다. 도 3의 (C)에서는, 표시 패널(100b) 및 표시 패널(100d)은 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)의 거리만큼 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100c)로부터 Y 방향으로 상대적으로 시프트된다.
위 측에 배치되는 표시 패널(100)이 아래 측에 배치되는 표시(100)로부터 시프트되는 경우, 표시 패널(100)의 표시 영역(101)이 조합된 영역의 윤곽의 형상이 직사각형 형상과 상이하다. 따라서, 표시 장치(10)의 표시 영역(11)의 형상이 도 3의 (B) 또는 도 3의 (C)에 도시된 바와 같이, 직사각형 형상으로 설정되는 경우, 표시 영역(11) 외측에 배치되는 표시 패널(100)의 표시 영역(101)에 화상이 표시되지 않도록 표시 장치(10)를 구동하여도 좋다. 여기서는, 화상이 표시되지 않는 영역에서의 화소의 수를 고려하여, 직사각형의 표시 영역(11)에서의 모든 화소의 수를 표시 패널(100)의 수에 의하여 나눔으로써 얻어진 수보다 많은 화소를 표시 패널(100)의 표시 영역(101)에 제공하여도 좋다.
상술한 예에서는, 각 표시 패널(100)의 상대적인 시프트의 거리가 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)의 정수배(整數倍)로 설정되었지만, 거리는 이들에 한정되지 않고, 표시 패널(100)의 형상 및 표시 패널(100)이 조합된 표시 장치(10)의 표시 영역(11)의 형상 등을 고려하여 거리를 적절히 설정하여도 좋다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (F) 및 도 5의 (A) 내지 도 5의 (F)는 서로 부착된 2개의 표시 패널의 단면도의 예이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (D)에서는, 아래의 표시 패널은 표시 영역(101a), 가시광을 투과시키는 영역(110a), 및 가시광을 차단하는 영역(120a)을 포함한다. 아래의 표시 패널은 FPC(112a)와 전기적으로 접속된다. 위 측에서의(표시면 측에서의) 표시 패널은 표시 영역(101b), 가시광을 투과시키는 영역(110b), 및 가시광을 차단하는 영역(120b)을 포함한다. 위 측에서의 표시 패널은 FPC(112b)와 전기적으로 접속된다.
도 4의 (A)에서는, FPC(112a) 및 FPC(112b)는 각각 아래의 표시 패널의 표시면 측(전면) 및 위의 표시 패널의 표시면 측과 접속된다.
표시 영역(101a)은 투광층(103)을 개재하여 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩한다. 그러므로, 공기가 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 침입되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률에서의 차이로 인한 계면의 반사를 억제할 수 있다.
따라서, 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 표시 영역(101a)의 일부와 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되지 않는 표시 영역(101a)의 일부 사이에서 발생하는 휘도의 차이를 억제할 수 있기 때문에, 표시 장치의 표시 패널들 사이의 이음매가 표시 장치의 사용자에 의하여 인식되기 어렵게 할 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
가시광을 차단하는 영역(120a) 및 FPC(112a)는 표시 영역(101b)과 중첩한다. 그러므로, 비표시 영역의 충분한 면적을 확보할 수 있고, 이음매가 없는 표시 영역의 사이즈를 증가시킬 수 있기 때문에, 신뢰성이 높고 큰 표시 장치를 실현할 수 있다.
도 4의 (B)에서는, FPC(112a) 및 FPC(112b)는 각각 아래의 표시 패널의 표시면과 반대 측의 면(배면) 및 위의 표시 패널의 표시면과 반대 측의 면(배면)과 접속된다.
도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 투광층(103)을 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이 및 가시광을 차단하는 영역(120a)과 표시 영역(101b) 사이 양쪽에 제공하여도 좋다.
FPC가 표시 패널의 배면 측과 접속되면, 아래의 표시 패널의 단부를 위의 표시 패널의 배면에 부착시킬 수 있다; 따라서, 부착 면적을 증가시킬 수 있어, 부착된 부분의 기계적 강도를 증가시킬 수 있다.
도 4의 (C)에 도시된 바와 같이, 투광층(103)을 위의 표시 패널과 중첩되지 않는 표시 영역(101a)의 영역과 중첩시켜도 좋다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110a)과 투광층(103)을 서로 중첩시켜도 좋다.
도 4의 (D)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101a)과 중첩되지 않는 위의 표시 패널의 영역과 투광층(103)을 서로 중첩시켜도 좋다.
예를 들어, 도 4의 (E)에 도시된 바와 같이, 아래의 표시 패널은 기판(151a), 기판(152a), 및 소자층(153a)을 포함하여도 좋고, 위의 표시 패널은 기판(151b), 기판(152b), 및 소자층(153b)을 포함하여도 좋다.
소자층(153a)은 표시 소자를 함유하는 영역(155a) 및 표시 소자와 전기적으로 접속되는 배선을 포함하는 영역(156a)을 포함한다. 영역(156a)에 포함되는 배선은 FPC(112a)와 전기적으로 접속된다.
위의 표시 패널에 포함되는 소자층(153b)도 표시 소자를 함유하는 영역(155b) 및 표시 소자와 전기적으로 접속되는 배선을 포함하는 영역(156b)을 포함한다. 영역(156b)에 포함되는 배선은 FPC(112b)와 전기적으로 접속된다.
투광층(103a)은 기판(152a) 위에 제공된다. 예를 들어, 기판(152a)과 투광층(103a)의 적층을 상술한 부착층과 기재의 적층을 갖는 부착 필름을 사용하여 형성할 수 있다. 기판(152b) 및 투광층(103b)은 기판(152a)과 투광층(103a)의 적층과 비슷한 구조를 가질 수 있다.
여기서는, 공기에서의 먼지 등의 작은 쓰레기가 투광층의 재료에 따라 부착되는 경우가 있다. 이러한 경우, 위의 표시 패널과 중첩되지 않는 표시 영역(101a)의 영역과 투광층(103)은 서로 중첩하지 않는 것이 바람직하다. 이것은 투광층(103)에 부착된 쓰레기 등으로 인한 표시 장치의 불선명한 표시를 방지할 수 있다.
도 4의 (F)에 도시된 바와 같이, 투광층(103a)을 기판(151a)과 접촉시켜도 좋다. 예를 들어, 기판(151a)과 투광층(103a)의 적층을 상술한 부착층과 기재의 적층을 갖는 부착 필름을 사용하여 형성할 수 있다. 기판(151b) 및 투광층(103b)은 기판(151a)과 투광층(103a)의 적층과 비슷한 구조를 가질 수 있다.
도 4의 (F)에 나타내어진 구조에서는, 투광층은 표시 장치의 표시면의 가장 외측의 표면에 제공되지 않는다; 따라서, 투광층(103)에 부착된 쓰레기 등으로 인한 표시 장치의 불선명한 표시를 방지할 수 있다. 또한, 부착성을 갖는 투광층이 표시 장치의 배면에 제공되면, 표시 패널과 접촉되지 않는 투광층의 표면을 사용함으로써 표시 장치를 원하는 부분에 착탈 가능하게 접촉시킬 수 있다.
또는, 도 5의 (A) 및 도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 전면을 덮는 수지층(131)을 제공하여도 좋다. 구체적으로, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 표시 영역, 및 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 중첩되는 영역을 덮도록 수지층(131)이 제공되는 것이 바람직하다.
복수의 표시 패널들(100) 위에 수지층(131)을 제공함으로써, 표시 장치(10)의 기계적 강도를 증가시킬 수 있다. 또한, 수지층(131)이 평탄한 표면을 갖도록 형성됨으로써, 표시 영역(11)에 표시되는 화상의 표시의 질을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 슬릿 코터, 커튼 코터, 그라비어 코터, 롤 코터, 또는 스핀 코터 등의 코팅 장치가 사용되면, 높은 평탄성을 갖는 수지층(131)을 형성할 수 있다.
수지층(131)의 굴절률이 표시 패널(100)의 표시면 측에서의 기판의 굴절률의 0.8배 내지 1.2배인 것이 바람직하고, 표시 패널(100)의 표시면 측에서의 기판의 굴절률의 0.9배 내지 1.1배인 것이 더 바람직하고, 표시 패널(100)의 표시면 측에서의 기판의 굴절률의 0.95배 내지 1.15배인 것이 더욱 바람직하다. 표시 패널(100)과 수지층(131) 사이의 굴절률에서의 차이가 작을수록, 광을 더 효율적으로 외측으로 추출할 수 있다. 또한, 이러한 굴절률을 갖는 수지층(131)이 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b) 사이의 단차 부분을 덮도록 제공됨으로써, 단차 부분이 시각적으로 인식되기 어려워, 표시 영역(11)에 표시되는 화상의 표시의 질을 증가시킬 수 있다.
수지층(131)은 가시광을 투과시키는 층이다. 수지층(131)으로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 아라미드 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 또는 폴리아마이드이미드 수지 등의 유기 수지를 사용할 수 있다.
또는, 도 5의 (C) 및 도 5의 (D)에 도시된 바와 같이, 수지층(131)을 개재하여 표시 장치(10) 위에 보호 기판(132)이 제공되는 것이 바람직하다. 여기서는, 표시 장치(10)에 보호 기판(132)을 접합하기 위한 접합층으로서 수지층(131)을 기능시켜도 좋다. 보호 기판(132)으로, 표시 장치(10)의 표면을 보호할 수 있고, 또한 표시 장치(10)의 기계적 강도를 증가시킬 수 있다. 적어도 표시 영역(11)과 중첩되는 영역에서의 보호 기판(132)에는, 투광성 재료가 사용된다. 또한, 표시 영역(11)과 중첩되는 영역 이외의 영역에서의 보호 기판(132)은 시각적으로 인식되지 않도록 차광성을 가져도 좋다.
보호 기판(132)은 터치 패널의 기능을 가져도 좋다. 표시 패널(100)이 가요성을 갖고, 굴곡시킬 수 있는 경우, 보호 기판(132)도 가요성을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 보호 기판(132)과 표시 패널(100)의 표시면 측에서의 기판 또는 수지층(131) 사이의 굴절률의 차이가 20% 이하인 것이 바람직하고, 10% 이하인 것이 더 바람직하고, 5% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
보호 기판(132)으로서는, 필름과 같이 형성된 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 플라스틱 기판의 예는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지(예를 들어, 나일론, 아라미드), 폴리사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리바이닐클로라이드 수지, 폴리에터에터케톤(PEEK) 수지, 폴리설폰(PSF) 수지, 폴리에터이미드(PEI) 수지, 폴리아릴레이트(PAR) 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트(PBT) 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지, 및 실리콘(silicone) 수지를 포함한다. 섬유체가 수지에 함침(含浸)된 기판(프리프레그라고도 말함) 또는 무기 필러와 갖는 유기 수지를 혼합시킴으로써 선팽창률이 저감된 기판도 사용할 수 있다. 또한, 보호 기판(132)은 수지막에 한정되지 않고, 펄프를 연속 시트로 가공함으로써 형성된 투명한 부직포, 피브로인이라고 불리는 단백질을 함유하는 인공 거미줄 섬유를 포함하는 시트, 투명한 부직포 또는 시트와 수지가 혼합된 복합체, 수지막과 섬유 폭이 4nm 이상 100nm 이하인 셀룰로스 섬유를 함유하는 부직포의 적층, 또는 수지막과 인공 거미줄 섬유를 포함하는 시트의 적층을 사용하여도 좋다. 또한, 본 발명의 일 형태의 표시 장치 또는 표시 패널을 아크릴판, 유리판, 목판, 또는 금속판 등에 부착시켜도 좋다. 표시 장치의 표시면 또는 표시 패널의 표시면 또는 이들 표시면과 반대의 면을 이들 판에 부착시켜도 좋다(표시면이 이들 판 중 어느 것에 부착되는 경우, 가시광을 투과시키는 판이 사용된다). 표시 장치 또는 표시 패널은 이들 판 중 어느 것에 착탈 가능하게 접촉되는 것이 바람직하다.
보호 기판(132)으로서는, 편광판, 원 편광판, 위상차판, 및 광학 필름 등 중 적어도 하나를 사용하여도 좋다.
도 5의 (E)에 도시된 바와 같이, 수지층(133) 및 보호 기판(134)을 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 표시면과 반대의 면에 제공하여도 좋다. 표시 패널을 지지하는 기판이 표시 패널의 배면에 제공되면, 표시 패널의 의도하지 않는 휨 또는 굴곡을 억제할 수 있고, 이로써, 표시면의 매끄러움이 유지된다. 따라서, 표시 영역(11)에 표시되는 화상의 표시의 질을 향상시킬 수 있다.
또한, 표시면과 반대 측에 제공되는 수지층(133) 및 보호 기판(134)은 반드시 투광성을 가질 필요는 없고, 가시광을 흡수 또는 반사하는 재료를 사용하여도 좋다.
도 5의 (F)에 도시된 바와 같이, 수지층(131) 및 보호 기판(132)을 표시 패널의 전면에 제공하여도 좋고, 수지층(133) 및 보호 기판(134)을 표시 패널의 배면에 제공하여도 좋다. 이 방법으로, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)이 2개의 보호 기판들 사이에 끼워짐으로써, 표시 장치(10)의 기계적 강도를 더 증가시킬 수 있다.
수지층(131) 및 보호 기판(132)의 총 두께가 수지층(133) 및 보호 기판(134)의 총 두께와 거의 동일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지층(131) 및 수지층(133)의 두께가 서로 실질적으로 같고, 보호 기판(132) 및 보호 기판(134)에 동일한 두께를 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 복수의 표시 패널들(100)을 두께 방향에서의 적층의 중심에 위치시킬 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)을 포함하는 적층이 굴곡되면, 두께 방향에서의 중심에 표시 패널(100)을 위치시킴으로써, 굴곡에 의하여 표시 패널(100)에 인가되는 가로 방향에서의 응력을 완화할 수 있어, 표시 패널(100)이 대미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
수지층 및 보호 기판의 두께가 표시 장치의 단부와 중심 사이에서 상이한 경우, 예를 들어, 평균의 두께, 최대의 두께, 또는 최소의 두께 등의 조건으로부터 적절히 선택된 동일한 조건에서 수지층(131) 및 보호 기판(132)의 총 두께 및 수지층(133) 및 보호 기판(134)의 총 두께를 비교할 수 있다.
도 5의 (F)에서는, 제조 비용을 저감시킬 수 있기 때문에, 동일한 재료가 수지층(131) 및 수지층(133)에 사용되는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 제조 비용을 저감시킬 수 있기 때문에, 동일한 재료가 보호 기판(132) 및 보호 기판(134)에 사용되는 것이 바람직하다.
도 5의 (E) 및 도 5의 (F)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 배면 측에 위치하는 수지층(133) 및 보호 기판(134)에 FPC(112a)를 추출하기 위한 개구가 제공되는 것이 바람직하다. 특히, 도 5의 (F)에 도시된 바와 같이, FPC(112a)의 일부를 덮도록 수지층(133)을 제공함으로써, 표시 패널(100a)과 FPC(112a) 사이의 접속 부분에서의 기계적 강도를 증가시킬 수 있어, FPC(112a)의 분리 등의 결함을 억제할 수 있다. 마찬가지로, 수지층(133)이 FPC(112b)의 일부를 덮도록 제공되는 것이 바람직하다.
다음에, 표시 패널(100)의 구조예에 대하여 설명한다. 도 6의 (A)는 도 2의 (C)에서의 영역(P)이 확대된 상면도의 예이고, 도 6의 (B)는 도 2의 (C)에서의 영역(Q)이 확대된 상면도의 예이다.
도 6의 (A)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101)에서는, 복수의 화소들(141)이 매트릭스로 배치된다. 적색, 청색, 및 녹색의 3개의 색으로 풀컬러를 표시할 수 있는 표시 패널(100)이 형성되는 경우, 각각의 복수의 화소들(141)은 3개의 색 중 어느 것을 표시할 수 있는 서브 화소에 상당한다. 또는, 3개의 색에 더하여, 백색 또는 황색을 표시할 수 있는 서브 화소를 제공하여도 좋다. 화소(141)를 포함하는 영역은 표시 영역(101)에 상당한다.
배선(142a) 및 배선(142b)은 하나의 화소(141)와 전기적으로 접속된다. 복수의 배선들(142a)은 각각 배선(142b)과 교차하고, 회로(143a)와 전기적으로 접속된다. 복수의 배선들(142b)은 회로(143b)와 전기적으로 접속된다. 회로(143a) 및 회로(143b) 중 한쪽을 주사선 구동 회로로서 기능시킬 수 있고, 다른 쪽을 신호선 구동 회로로서 기능시킬 수 있다. 회로(143a) 및 회로(143b) 중 한쪽 또는 양쪽이 없는 구조를 사용하여도 좋다.
도 6의 (A)에서는, 회로(143a) 또는 회로(143b)와 전기적으로 접속되는 복수의 배선들(145)이 제공된다. 배선(145)은 도시되지 않은 영역에서의 FPC(123)와 전기적으로 접속되고, 외측으로부터 회로(143a) 및 회로(143b)에 신호를 공급하는 기능을 갖는다.
도 6의 (A)에서는, 회로(143a), 회로(143b), 및 복수의 배선들(145) 등을 포함하는 영역이 가시광을 차단하는 영역(120)에 상당한다.
도 6의 (B)에서는, 끝의 가장 가까이에 제공되는 화소(141)의 외측의 영역은 가시광을 투과시키는 영역(110)에 상당한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 화소(141), 배선(142a), 및 배선(142b) 등의 가시광을 차단하는 부재를 포함하지 않는다. 또한, 화소(141)의 일부, 배선(142a), 또는 배선(142b)이 가시광을 투과시키는 경우, 화소(141)의 일부, 배선(142a), 또는 배선(142b)을 가시광을 투과시키는 영역(110)까지 연장시키도록 제공하여도 좋다.
가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)이 표시 패널에 따라 상이한 경우, 또는 폭이 동일한 표시 패널의 위치에 따라 상이한 경우, 가장 짧은 길이를 폭(W)이라고 말할 수 있다. 도 6의 (B)에서는, 세로 방향에서의 화소(141)와 기판의 단부 사이의 거리(즉, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W))와 가로 방향에서의 화소(141)와 기판의 단부 사이의 거리가 동일하지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다.
도 6의 (C)는 도 6의 (B)에서의 선(A1-A2)을 따른 단면도이다. 표시 패널(100)은 가시광을 투과시키는 한 쌍의 기판(기판(151) 및 기판(152))을 포함한다. 기판(151) 및 기판(152)은 접합층(154)으로 서로 접합된다. 여기서는, 화소(141) 및 배선(142b) 등이 형성되는 기판을 기판(151)이라고 말한다.
도 6의 (B) 및 도 6의 (C)에 도시된 바와 같이, 화소(141)가 표시 영역(101)의 끝의 가장 가까이에 위치하는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)은 기판(151) 또는 기판(152)의 단부와 화소(141)의 단부 사이의 거리이다.
또한, 화소(141)의 단부는 끝의 가장 가까이에 위치하고 화소(141)에서의 가시광을 차단하는 부재의 단부를 말한다. 또는, 한 쌍의 전극들 사이에 발광 유기 화합물을 함유하는 층을 포함하는 발광 소자(유기 EL 소자라고도 말함)가 화소(141)로서 사용되는 경우, 화소(141)의 단부는 하부 전극의 단부, 발광 유기 화합물을 함유하는 층의 단부, 및 상부 전극의 단부 중 어느 것이어도 좋다.
도 7의 (A)는 영역(Q)이 확대된 상면도의 예이고, 배선(142a)의 위치가 도 6의 (B)에서의 배선(142a)의 위치와 상이하다. 도 7의 (B)는 도 7의 (A)에서의 선(B1-B2)을 따른 단면도이고, 도 7의 (C)는 도 7의 (A)에서의 선(C1-C2)을 따른 단면도이다.
도 7의 (A) 내지 도 7의 (C)에 도시된 바와 같이, 배선(142a)이 표시 영역(101)의 끝의 가장 가까이에 위치하는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W)은 기판(151) 또는 기판(152)의 단부와 배선(142a)의 단부 사이의 거리이다. 배선(142a)이 가시광을 투과시키는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)은 배선(142a)이 제공되는 영역을 포함하여도 좋다.
여기서는, 표시 패널(100)의 표시 영역(101)에 제공되는 화소의 밀도가 높은 경우, 2개의 표시 패널(100)이 접합되면, 위치 어긋남이 발생될 수 있다.
도 8의 (A) 내지 도 8의 (C)는 표시면 측으로부터 본, 아래 측에 제공되는 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 위 측에 제공되는 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b) 사이의 위치 관계를 나타낸 것이다. 도 8의 (A) 내지 도 8의 (C)는 표시 영역(101a) 및 표시 영역(101b)의 코너 부분의 부근을 나타낸 것이다. 표시 영역(101a)의 일부는 가시광을 투과시키는 영역(110b)으로 덮인다.
도 8의 (A)는 인접되는 화소(141a) 및 화소(141b)가 하나의 방향(Y 방향)으로 상대적으로 어긋난 경우를 나타낸 것이다. 도면에서의 화살표는 표시 패널(100a)이 표시 패널(100b)로부터 어긋난 방향을 나타낸다.
도 8의 (B)는 인접되는 화소(141a) 및 화소(141b)가 세로 방향 및 가로 방향(X 방향 및 Y 방향)으로 상대적으로 어긋난 예를 나타낸 것이다.
도 8의 (A) 및 도 8의 (B)의 예에서는, 세로 방향 및 가로 방향으로 어긋난 거리는 각각 하나의 화소의 길이보다 짧다. 이 경우, 표시 영역(101a) 및 표시 영역(101b) 중 어느 한쪽에 표시되는 화상의 화상 데이터가 어긋난 거리에 따라 수정됨으로써, 표시의 질을 유지할 수 있다. 구체적으로, 어긋남이 화소들 사이의 거리를 더 작게 하는 경우, 화소의 계조 레벨(휘도)이 낮아지도록 데이터가 수정되고, 어긋남이 화소들 사이의 거리를 더 크게 하는 경우, 화소의 계조 레벨(휘도)이 높아지도록 데이터가 수정된다. 또는 2개의 화소가 중첩되면, 아래 측에 위치하는 화소가 구동되지 않고 화상 데이터가 일렬만큼 시프트되도록 데이터가 수정된다.
도 8의 (C)는 인접되어 있어야 할 화소(141a) 및 화소(141b)가 하나의 화소의 거리를 초과할 만큼 하나의 방향(Y 방향)으로 상대적으로 어긋난 예를 나타낸 것이다. 하나의 화소를 초과하는 어긋남이 발생되면, 돌출된 화소(해칭된 화소)가 표시되지 않도록 화소가 구동된다. 또한, 어긋난 방향이 X 방향인 경우도 마찬가지이다.
복수의 표시 패널들(100)이 접합되면, 위치 어긋남을 억제하기 위하여, 각각의 표시 패널(100)에 얼라인먼트 마커 등이 제공되는 것이 바람직하다. 또는, 볼록부 및 오목부를 표시 패널(100)의 표면에 형성하여도 좋고, 볼록부 및 오목부를 2개의 표시 패널(100)이 중첩되는 영역에서 서로 부착시켜도 좋다.
또한, 얼라인먼트 정밀도를 고려하여, 사용되는 화소보다 많은 화소가 표시 패널(100)의 표시 영역(101)에 미리 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 주사선 및 신호선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 따른, 일렬 이상, 바람직하게는 3열 이상, 더 바람직하게는 5열 이상의 화소열이 표시에 사용되는 화소열에 더하여 제공되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 아래 측에 위치하는 표시 패널의 표시 영역과 위 측에 위치하는 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 서로 중첩된다. 따라서, 2개의 중첩되는 표시 패널의 표시 영역들 사이의 비표시 영역을 축소할 수 있다. 또한, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖고, 가시광을 투과시키는 투광층이 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에 제공된다. 그 경우, 공기가 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에 침입되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률에서의 차이로 인한 계면의 반사를 저감시킬 수 있다. 따라서, 표시 패널들 사이의 이음매가 인식되기 어렵고, 표시 불균일 또는 휘도 불균일이 억제되는 큰 표시 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 사용할 수 있는 발광 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 유기 EL 소자를 포함하는 발광 패널을 예로서 주로 설명하지만, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 사용할 수 있는 패널은 이 예에 한정되지 않는다.
<구체예 1>
도 9의 (A)는 발광 패널의 평면도이고, 도 9의 (C)는 도 9의 (A)에서의 일점 쇄선(A1-A2)을 따른 단면도의 예이다. 도 9의 (C)는 가시광을 투과시키는 영역(110)의 단면도의 예를 도시한 것이다. 구체예 1에서 설명되는 발광 패널은 컬러 필터 방법을 사용한 톱 이미션 발광 패널이다. 본 실시형태에서는, 발광 패널은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 3개의 색의 서브 화소로 하나의 색을 표현하는 구조, R, G, B, 및 백색(W)의 4개의 색의 서브 화소로 하나의 색을 표현하는 구조, 또는 R, G, B, 및 황색(Y)의 4개의 색의 서브 화소로 하나의 색을 표현하는 구조 등을 가질 수 있다. 색 요소는 특별히 한정되지 않고, R, G, B, W, 및 Y 이외의 색을 사용하여도 좋다. 예를 들어, 시안 또는 마젠타 등을 사용하여도 좋다.
도 9의 (A)에 도시된 발광 패널은 가시광을 투과시키는 영역(110), 발광 부분(804), 구동 회로 부분(806), 및 FPC(808)를 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 발광 부분(804)과 인접되고, 발광 부분(804)의 2개의 변을 따라 배치된다.
도 9의 (C)에 도시된 발광 패널은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 복수의 트랜지스터들, 도전층(857), 절연층(815), 절연층(817), 복수의 발광 소자들, 절연층(821), 접합층(822), 착색층(845), 차광층(847), 절연층(715), 접합층(713), 및 기판(711)을 포함한다. 접합층(822), 절연층(715), 접합층(713), 및 기판(711)은 가시광을 투과시킨다. 발광 부분(804) 및 구동 회로 부분(806)에 포함되는 발광 소자 및 트랜지스터는 기판(701), 기판(711), 및 접합층(822)으로 밀봉된다.
발광 부분(804)은 접합층(703) 및 절연층(705)을 개재하여 기판(701) 위에 트랜지스터(820) 및 발광 소자(830)를 포함한다. 발광 소자(830)는 절연층(817) 위의 하부 전극(831), 하부 전극(831) 위의 EL층(833), 및 EL층(833) 위의 상부 전극(835)을 포함한다. 하부 전극(831)은 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속된다. 하부 전극(831)의 단부는 절연층(821)으로 덮인다. 하부 전극(831)은 가시광을 반사하는 것이 바람직하다. 상부 전극(835)은 가시광을 투과시킨다.
발광 부분(804)은 발광 소자(830)와 중첩되는 착색층(845) 및 절연층(821)과 중첩되는 차광층(847)도 포함한다. 발광 소자(830)와 착색층(845) 사이의 공간은 접합층(822)으로 충전시킨다.
절연층(815)은 트랜지스터에 포함되는 반도체로의 불순물의 확산을 억제하는 효과를 갖는다. 절연층(817)으로서는, 트랜지스터로 인한 표면의 불균일을 저감시키기 위하여, 평탄화 기능을 갖는 절연층이 선택되는 것이 바람직하다.
구동 회로 부분(806)은 접합층(703) 및 절연층(705)을 개재하여 기판(701) 위에 복수의 트랜지스터들을 포함한다. 도 9의 (C)에서는, 구동 회로 부분(806)에 포함되는 하나의 트랜지스터를 도시하였다.
절연층(705)과 기판(701)이 접합층(703)으로 서로 부착된다. 절연층(715)과 기판(711)이 접합층(713)으로 서로 부착된다. 절연층(705) 및 절연층(715)의 수분에 대한 저항이 높은 경우, 물 등의 불순물이 발광 소자(830) 또는 트랜지스터(820)에 침입되는 것을 방지할 수 있어, 발광 패널의 신뢰성이 더 높아지기 때문에 바람직하다.
도전층(857)은 신호(예를 들어, 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 및 리셋 신호) 또는 전위를 외측으로부터 구동 회로 부분(806)에 전달하는 외부 입력 단자와 전기적으로 접속된다. 여기서는, FPC(808)가 외부 입력 단자로서 제공되는 예에 대하여 설명한다. 제작 단계의 수의 증가를 방지하기 위하여, 발광 부분 또는 구동 회로 부분에서의 전극 또는 배선과 동일한 재료 및 단계를 사용하여 도전층(857)이 형성되는 것이 바람직하다. 여기서는, 도전층(857)이 트랜지스터(820)에 포함되는 전극과 동일한 재료 및 단계를 사용하여 형성되는 예에 대하여 설명한다.
도 9의 (C)에 도시된 발광 패널에서는, FPC(808)는 기판(711) 위에 위치한다. 커넥터(825)는 기판(711), 접합층(713), 절연층(715), 접합층(822), 절연층(817), 및 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 커넥터(825)는 FPC(808)와도 접속된다. FPC(808)와 도전층(857)은 커넥터(825)를 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 도전층(857)이 기판(711)과 중첩되는 경우, 도전층(857), 커넥터(825), 및 FPC(808)를 기판(711)에 개구를 형성함으로써(또는 개구 부분을 갖는 기판을 사용함으로써) 서로 전기적으로 접속할 수 있다.
도 20은 서로 중첩되는, 도 9의 (B)에 도시된 2개의 발광 패널을 포함하는 표시 장치의 단면도의 예이다. 도 20은 아래의 발광 패널의 표시 영역(101a)(도 9의 (B)에 도시된 발광 부분(804)에 상당함), 아래의 발광 패널의 가시광을 차단하는 영역(120a)(도 9의 (B)에 도시된 구동 회로 부분(806) 등에 상당함), 위의 발광 패널의 표시 영역(101b)(도 9의 (B)에 도시된 발광 부분(804)에 상당함), 및 위의 발광 패널의 가시광을 투과시키는 영역(110b)(도 9의 (B)에 도시된 가시광을 투과시키는 영역(110)에 상당함)을 도시한 것이다.
도 20에 도시된 표시 장치에서는, 표시면 측(위 측)에 위치하는 발광 패널은 표시 영역(101b)과 인접되는 가시광을 투과시키는 영역(110b)을 포함한다. 아래의 발광 패널의 표시 영역(101a)과 위의 발광 패널의 가시광을 투과시키는 영역(110b)은 서로 중첩한다. 그러므로, 서로 중첩되는 2개의 발광 패널의 표시 영역들 사이의 비표시 영역을 축소 또는 제거할 수 있다. 따라서, 발광 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 실현할 수 있다.
도 20에 도시된 표시 장치는 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖고, 가시광을 투과시키는 투광층(103)을 포함한다. 그 경우, 공기가 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 침입되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률에서의 차이로 인한 계면의 반사를 저감시킬 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
투광층(103)을 아래의 발광 패널의 기판(711)의 표면 전체 또는 위의 발광 패널의 기판(701)의 표면 전체와 중첩시켜도 좋고, 표시 영역(101a) 및 가시광을 투과시키는 영역(110b)과만 중첩시켜도 좋다. 또한, 기판(711) 및 투광층(103)을 가시광을 차단하는 영역(120a)에 포함시켜도 좋다.
예를 들어, 위의 발광 패널의 기판(701)과 투광층(103)의 적층을 부착층과 기재의 적층을 갖는 부착 필름으로 형성할 수 있다.
<구체예 2>
도 9의 (B)는 발광 패널의 평면도이고, 도 10의 (A)는 도 9의 (B)에서의 일점 쇄선(A3-A4)을 따른 단면도의 예이다. 구체예 2에서 설명되는 발광 패널은 구체예 1에서 설명되는 발광 패널과 상이한 컬러 필터 방법을 사용한 톱 이미션 발광 패널이다. 여기서는, 구체예 1에서의 부분과 상이한 부분에 대하여 상세히 설명하고, 구체예 1에서의 부분과 공통되는 부분의 설명은 생략하겠다.
도 9의 (B)는 가시광을 투과시키는 영역(110)이 발광 패널의 3개의 변을 따라 제공되는 예를 도시한 것이다. 3개의 변 중 2개의 변을 따른 가시광을 투과시키는 영역(110)이 발광 부분(804)과 인접된다.
도 10의 (A)에 도시된 발광 패널은 이하의 점에서 도 9의 (C)에 도시된 발광 패널과 상이하다.
도 10의 (A)에 도시된 발광 패널은 절연층(817a) 및 절연층(817b), 및 절연층(817a) 위의 도전층(856)을 포함한다. 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 발광 소자(830)의 하부 전극은 도전층(856)을 통하여 서로 전기적으로 접속된다.
도 10의 (A)에 도시된 발광 패널은 절연층(821) 위에 스페이서(823)를 포함한다. 스페이서(823)는 기판(701)과 기판(711) 사이의 거리를 조정할 수 있다.
도 10의 (A)에서의 발광 패널은 착색층(845) 및 차광층(847)을 덮는 오버코트(849)를 포함한다. 발광 소자(830)와 오버코트(849) 사이의 공간은 접합층(822)으로 충전시킨다.
또한, 도 10의 (A)에서의 발광 패널에서, 기판(701)의 사이즈는 기판(711)의 사이즈와 상이하다. FPC(808)는 절연층(715) 위에 위치하고, 기판(711)과 중첩하지 않는다. 커넥터(825)는 절연층(715), 접합층(822), 절연층(817), 및 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 기판(711)에 개구를 제공할 필요가 없기 때문에, 기판(711)의 재료에 제한은 없다.
또한, 도 10의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(830)는 하부 전극(831)과 EL층(833) 사이에 광학 조정층(832)을 포함하여도 좋다. 투광 도전 재료가 광학 조정층(832)에 사용되는 것이 바람직하다. 컬러 필터(착색층)와 마이크로캐비티 구조(광학 조정층)의 조합에 의하여, 높은 색 순도를 갖는 광을 본 발명의 일 형태의 표시 장치로부터 추출할 수 있다. 광학 조정층의 두께를 서브 화소의 발광색에 따라 변화시켜도 좋다.
<구체예 3>
도 9의 (B)는 발광 패널의 평면도이고, 도 10의 (C)는 도 9의 (B)에서의 일점 쇄선(A3-A4)을 따른 단면도의 예이다. 구체예 3에서 설명되는 발광 패널은 분리 도포 방법을 사용한 톱 이미션 발광 패널이다.
도 10의 (C)에서의 발광 패널은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 복수의 트랜지스터들, 도전층(857), 절연층(815), 절연층(817), 복수의 발광 소자들, 절연층(821), 스페이서(823), 접합층(822), 및 기판(711)을 포함한다. 접합층(822) 및 기판(711)은 가시광을 투과시킨다.
도 10의 (C)에 도시된 발광 패널에서는, 커넥터(825)가 절연층(815) 위에 위치한다. 커넥터(825)는 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 커넥터(825)는 FPC(808)와도 접속된다. FPC(808)와 도전층(857)은 커넥터(825)를 통하여 서로 전기적으로 접속된다.
<구체예 4>
도 9의 (B)는 발광 패널의 평면도이고, 도 11의 (A)는 도 9의 (B)에서의 일점 쇄선(A3-A4)을 따른 단면도의 예이다. 구체예 4에서 설명되는 발광 패널은 컬러 필터 방법을 사용한 보텀 이미션 발광 패널이다.
도 11의 (A)에서의 발광 패널은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 복수의 트랜지스터들, 도전층(857), 절연층(815), 착색층(845), 절연층(817a), 절연층(817b), 도전층(856), 복수의 발광 소자들, 절연층(821), 접합층(822), 및 기판(711)을 포함한다. 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 절연층(815), 절연층(817a), 및 절연층(817b)은 가시광을 투과시킨다.
발광 부분(804)은 접합층(703) 및 절연층(705)을 개재하여 기판(701) 위에 트랜지스터(820), 트랜지스터(824), 및 발광 소자(830)를 포함한다. 발광 소자(830)는 절연층(817b) 위의 하부 전극(831), 하부 전극(831) 위의 EL층(833), 및 EL층(833) 위의 상부 전극(835)을 포함한다. 하부 전극(831)은 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속된다. 하부 전극(831)의 단부는 절연층(821)으로 덮인다. 상부 전극(835)은 가시광을 반사하는 것이 바람직하다. 하부 전극(831)은 가시광을 투과시킨다. 발광 소자(830)와 중첩되는 착색층(845)을 어디에서도 제공할 수 있다; 예를 들어, 착색층(845)을 절연층(817a)과 절연층(817b) 사이 또는 절연층(815)과 절연층(817a) 사이에 제공하여도 좋다.
구동 회로 부분(806)은 접합층(703) 및 절연층(705)을 개재하여 기판(701) 위에 복수의 트랜지스터들을 포함한다. 도 11의 (A)에서는, 구동 회로 부분(806)에 포함되는 2개의 트랜지스터를 도시하였다.
절연층(705)과 기판(701)이 접합층(703)으로 서로 부착된다. 절연층(705)의 수분에 대한 저항이 높은 경우, 물 등의 불순물이 발광 소자(830), 트랜지스터(820), 또는 트랜지스터(824)에 침입되는 것을 방지할 수 있어, 발광 패널의 신뢰성이 더 높아지기 때문에 바람직하다.
도전층(857)은 신호 또는 전위가 외측으로부터 구동 회로 부분(806)에 전달되는 외부 입력 단자와 전기적으로 접속된다. 여기서는, FPC(808)가 외부 입력 단자로서 제공되는 예에 대하여 설명한다. 여기서는, 도전층(857)이 도전층(856)과 동일한 재료 및 단계를 사용하여 형성되는 예에 대하여 설명한다.
<구체예 5>
도 11의 (B)는 구체예 1 내지 구체예 4에서의 발광 패널과 상이한 발광 패널의 예를 도시한 것이다.
도 11의 (B)에서의 발광 패널은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 도전층(814), 도전층(857a), 도전층(857b), 발광 소자(830), 절연층(821), 접합층(822), 및 기판(711)을 포함한다.
발광 패널의 외부 접속 전극인 도전층(857a) 및 도전층(857b)을 각각 FPC 등과 전기적으로 접속할 수 있다.
발광 소자(830)는 하부 전극(831), EL층(833), 및 상부 전극(835)을 포함한다. 하부 전극(831)의 단부가 절연층(821)으로 덮인다. 발광 소자(830)는 보텀 이미션, 톱 이미션, 또는 듀얼 이미션 발광 소자이다. 광을 추출하는 측에서의 전극, 기판, 및 절연층 등은 가시광을 투과시킨다. 도전층(814)은 하부 전극(831)과 전기적으로 접속된다.
광이 추출되는 기판은 광 추출 구조로서 반구(半球) 렌즈, 마이크로 렌즈 어레이, 요철 표면 구조가 제공된 필름, 또는 광 확산 필름 등을 가져도 좋다. 예를 들어, 기판, 렌즈, 또는 필름과 실질적으로 동일한 굴절률을 갖는 접착제 등으로 상술한 렌즈 또는 필름을 수지 기판에 접합함으로써 광 추출 구조를 갖는 기판을 형성할 수 있다.
반드시 제공할 필요는 없지만, 하부 전극(831)의 저항으로 인한 전압 강하를 방지할 수 있기 때문에, 도전층(814)이 제공되는 것이 바람직하다. 또한, 비슷한 목적으로, 상부 전극(835)과 전기적으로 접속되는 도전층을 절연층(821), EL층(833), 또는 상부 전극(835) 등 위에 제공하여도 좋다.
도전층(814)을 구리, 타이타늄, 탄탈럼, 텅스텐, 몰리브데넘, 크로뮴, 네오디뮴, 스칸듐, 니켈, 또는 알루미늄으로부터 선택된 재료, 또는 이들 재료 중 어느 것을 주성분으로서 함유하는 합금 재료 등을 사용하여 형성된 단층 또는 적층으로 할 수 있다. 도전층(814)의 두께는, 예를 들어, 0.1μm 이상 3μm 이하이고, 0.1μm 이상 0.5μm 이하인 것이 바람직하다.
<재료의 예>
다음에, 발광 패널에 사용할 수 있는 재료 등에 대하여 설명한다. 또한, 본 명세서에서 이미 설명된 구성 요소에 대한 설명이 생략되는 경우가 있다.
각각의 기판에는, 유리, 석영, 유기 수지, 금속, 또는 합금 등의 재료를 사용할 수 있다. 발광 소자로부터의 광이 추출되는 측에서의 기판이 광을 투과시키는 재료를 사용하여 형성된다.
특히, 플렉시블 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 유기 수지; 또는 가요성을 가질 정도로 충분히 얇은 유리 재료, 금속, 또는 합금 등을 사용할 수 있다.
유리의 비중보다 작은 비중을 갖는 유기 수지가 플렉시블 기판에 사용되는 경우, 유리가 사용되는 경우와 비교하여 발광 패널을 더 경량화할 수 있어 바람직하다.
기판이 높은 인성(靭性)을 갖는 재료를 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 그 경우, 파손되기 어려운, 높은 내충격성을 갖는 발광 패널을 제공할 수 있다. 예를 들어, 유기 수지 기판, 얇은 금속 기판, 또는 얇은 합금 기판이 사용되면, 발광 패널을 유리 기판이 사용되는 경우보다 가볍고, 튼튼하게 할 수 있다.
높은 열 전도성을 갖는 금속 재료 및 합금 재료는, 기판 전체에 열을 용이하게 전도할 수 있기 때문에, 발광 패널에서의 국소적인 온도 상승을 방지할 수 있어 바람직하다. 금속 재료 또는 합금 재료를 사용한 기판의 두께는 10μm 이상 200μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이상 50μm 이하인 것이 더 바람직하다.
금속 기판 또는 합금 기판의 재료에 특별한 제한은 없지만, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 니켈, 알루미늄 합금 또는 스테인리스 강 등의 금속 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 높은 열 방사율을 갖는 재료가 기판에 사용되면, 발광 패널의 표면 온도의 상승을 방지할 수 있기 때문에, 발광 패널의 파손 또는 신뢰성에서의 저하를 방지할 수 있다. 예를 들어, 기판은 금속 기판과 높은 열 방사율을 갖는 층(이 층은 예를 들어, 금속 산화물 또는 세라믹 재료를 사용하여 형성할 수 있음)의 적층 구조를 가져도 좋다.
가요성 및 투광성을 갖는 재료의 예는 실시형태 1에서 설명된 보호 기판(132)에 사용되는 재료를 포함한다.
플렉시블 기판은 상술한 재료 중 어느 것의 층 위에, 발광 장치의 표면을 대미지로부터 보호하는 하드 코트층(질화 실리콘층 등), 또는 압력을 분산할 수 있는 층(아라미드 수지층 등) 등이 적층되는 적층 구조를 가져도 좋다.
플렉시블 기판을 복수의 층들을 적층함으로써 형성하여도 좋다. 유리층이 사용되면, 물 및 산소에 대한 배리어성을 향상시킬 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 발광 패널을 제공할 수 있다.
유리층, 접합층, 및 유기 수지층이 발광 소자에 가까운 측으로부터 적층된 플렉시블 기판이 사용되는 것이 바람직하다. 유리층의 두께는 20μm 이상 200μm 이하이고, 25μm 이상 100μm 이하인 것이 바람직하다. 이러한 두께로, 유리층은 물 및 산소에 대한 높은 배리어성 및 높은 가요성의 양쪽을 가질 수 있다. 유기 수지층의 두께는 10μm 이상 200μm 이하이고, 20μm 이상 50μm 이하인 것이 바람직하다. 이러한 유기 수지층을 유리층 외측에 제공함으로써, 유리층에서의 금 또는 파손의 발생을 억제할 수 있어, 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 이러한 유리 재료 및 유기 수지의 복합 재료를 포함하는 기판으로, 신뢰성이 높고 가요성을 갖는 발광 패널을 제공할 수 있다.
예를 들어, UV 경화형 접착제 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 및 혐기형 접착제의 다양한 경화형 접착제 중 어느 것을 접착층에 사용할 수 있다. 이들 접착제의 예는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, 폴리바이닐클로라이드(PVC) 수지, 폴리바이닐뷰티랄(PVB) 수지, 및 에틸렌바이닐아세테이트(EVA) 수지를 포함한다. 특히, 에폭시 수지 등의 낮은 투습성을 갖는 재료가 바람직하다. 또는, 2성분 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또는, 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
또한, 수지는 건조제를 포함하여도 좋다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(예를 들어, 산화 칼슘 또는 산화 바륨) 등의 화학 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트 또는 실리카 겔 등의 물리 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용하여도 좋다. 수분 등의 불순물이 기능 소자에 침입되는 것을 방지할 수 있고, 이로써, 발광 패널의 신뢰성을 향상시키기 때문에, 건조제가 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 수지에 높은 굴절률을 갖는 필러 또는 광 산란 부재를 혼합하는 경우, 발광 소자로부터의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있어 바람직하다. 예를 들어, 산화 타이타늄, 산화 바륨, 제올라이트, 또는 지르코늄 등을 사용할 수 있다.
수분에 대한 높은 저항을 갖는 절연막이 절연층(705) 및 절연층(715)에 사용되는 것이 바람직하다. 또는, 절연층(705) 및 절연층(715)이 발광 소자로의 불순물의 확산을 방지하는 기능을 갖는 것이 바람직하다.
뛰어난 방습성을 갖는 절연막으로서는, 질소 및 실리콘을 함유하는 막(예를 들어, 질화 실리콘막 또는 질화산화 실리콘막 등), 질소 및 알루미늄을 함유하는 막(예를 들어, 질화 알루미늄막 등) 등을 사용할 수 있다. 또는, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 또는 산화 알루미늄막 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 수분에 대한 높은 저항을 갖는 절연막의 수증기 투과율은, 1×10-5[g/(m2ㆍday)] 이하이고, 1×10-6[g/(m2ㆍday)] 이하인 것이 바람직하고, 1×10-7[g/(m2ㆍday)] 이하인 것이 더 바람직하고, 1×10-8[g/(m2ㆍday)] 이하인 것이 더욱 바람직하다.
발광 패널에서는, 절연층(705) 및 절연층(715) 중 적어도 한쪽이 발광 소자로부터 발해지는 광을 투과시킬 필요가 있다. 절연층(705) 및 절연층(715) 중 발광 소자로부터 발하는 광을 투과시키는 한쪽이 다른 쪽보다 400nm 이상 800nm 이하의 파장을 갖는 광의 투과율의 평균이 높은 것이 바람직하다.
절연층(705) 및 절연층(715)은 각각 산소, 질소, 및 실리콘을 포함하는 것이 바람직하다. 절연층(705) 및 절연층(715)은 각각 예를 들어, 산화질화 실리콘을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 절연층(705) 및 절연층(715)은 각각 질화 실리콘 또는 질화산화 실리콘을 포함하는 것이 바람직하다. 절연층(705) 및 절연층(715)은 각각 서로 접촉되는 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 역위상의 간섭이 가시 영역에서 더 많이 발생되도록 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막이 교대로 적층됨으로써, 적층이 가시 영역에서 더 높은 투광률을 가질 수 있다.
발광 패널에서의 트랜지스터의 구조에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 순 스태거(forward staggered) 트랜지스터 또는 역 스태거(inverted staggered) 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 또한, 톱 게이트 트랜지스터 또는 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 트랜지스터에 사용되는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 실리콘, 저마늄, 또는 유기 반도체를 사용할 수 있다. 또는, In-Ga-Zn계 금속 산화물 등의 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 함유하는 산화물 반도체를 사용하여도 좋다.
트랜지스터에 사용되는 반도체 재료의 결정성에 특별한 제한은 없고, 비정질 반도체 또는 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 부분적으로 결정 영역을 포함하는 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체가 사용되는 경우, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.
트랜지스터의 안정적인 특성을 위하여, 하지막이 제공되는 것이 바람직하다. 하지막은 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 또는 질화산화 실리콘막 등의 무기 절연막을 사용하여 단층 구조 또는 적층 구조를 갖도록 형성할 수 있다. 하지막을 스퍼터링법, CVD(chemical vapor deposition)법(예를 들어, 플라스마 CVD법, 열 CVD법, 또는 MOCVD(metal organic CVD)법), ALD(atomic layer deposition)법, 도포법, 또는 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 또한, 하지막은 반드시 제공할 필요는 없다. 상술한 각각의 구조예에서는, 절연층(705)을 트랜지스터의 하지막으로서 기능시킬 수 있다.
발광 소자로서는, 자발광(self-luminous) 소자를 사용할 수 있고, 전류 또는 전압에 의하여 휘도가 제어되는 소자가 발광 소자의 범주에 포함된다. 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 EL 소자, 또는 무기 EL 소자 등을 사용할 수 있다.
발광 소자는 톱 이미션 구조, 보텀 이미션 구조, 및 듀얼 이미션 구조 중 어느 것을 가져도 좋다. 가시광을 투과시키는 도전막이 광이 추출되는 전극으로서 사용된다. 가시광을 반사하는 도전막이 광이 추출되지 않는 전극으로서 사용되는 것이 바람직하다.
가시광을 투과시키는 도전막을, 예를 들어, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물, 산화 아연(ZnO), 또는 갈륨이 첨가된 산화 아연을 사용하여 형성할 수 있다. 또는, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 타이타늄 등의 금속 재료; 이들 금속 재료 중 어느 것을 함유하는 합금; 이들 금속 재료 중 어느 것의 질화물(예를 들어, 질화 타이타늄) 등의 막을 투광성을 갖도록 얇게 형성할 수 있다. 또는, 상술한 재료 중 어느 것의 적층막을 도전층으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층이 사용되는 경우, 도전성을 증가시킬 수 있어 바람직하다. 또는, 그래핀 등을 사용하여도 좋다.
가시광을 반사하는 도전막에는, 예를 들어, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료 중 어느 것을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 란타넘, 네오디뮴, 또는 저마늄 등을 상기 금속 재료 또는 합금에 첨가하여도 좋다. 또한, 알루미늄과 타이타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금, 또는 알루미늄, 니켈, 및 란타넘의 합금(Al-Ni-La) 등의 알루미늄을 함유하는 합금(알루미늄 합금), 또는 은과 구리의 합금, 은, 팔라듐, 및 구리의 합금(Ag-Pd-Cu, APC라고도 말함), 또는 은과 마그네슘의 합금 등의 은을 함유하는 합금을 도전막에 사용할 수 있다. 높은 내열성을 갖기 때문에, 은과 구리의 합금이 바람직하다. 또한, 금속막 또는 금속 산화물막이 알루미늄 합금막에 적층됨으로써, 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 금속막 또는 금속 산화물막의 재료의 예는 타이타늄 및 산화 타이타늄이다. 또는, 가시광을 투과시키는 성질을 갖는 도전막과 상술한 금속 재료 중 어느 것을 함유하는 막을 적층하여도 좋다. 예를 들어, 은과 ITO의 적층막, 또는 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막을 사용할 수 있다.
전극을 각각 증착법 또는 스퍼터링법에 의하여 형성하여도 좋다. 또는, 잉크젯법 등의 토출법(discharging method), 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여도 좋다.
하부 전극(831)과 상부 전극(835) 사이에 발광 소자의 문턱 전압보다 높은 전압이 인가되면, 정공이 양극 측으로부터 EL층(833)에 주입되고, 전자가 음극 측으로부터 EL층(833)에 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층(833)에서 재결합되어, EL층(833)에 함유되는 발광 물질이 광을 발한다.
EL층(833)은 적어도 발광층을 포함한다. 발광층에 더하여, EL층(833)은 높은 정공 주입성을 갖는 물질, 높은 정공 수송성을 갖는 물질, 정공 블로킹 재료, 높은 전자 수송성을 갖는 물질, 높은 전자 주입성을 갖는 물질, 및 바이폴라(bipolar)성을 갖는 물질(높은 전자 및 정공 수송성을 갖는 물질) 등 중 어느 것을 함유하는 하나 이상의 층을 더 포함하여도 좋다.
EL층(833)에는, 저분자 화합물 및 고분자 화합물 중 어느 쪽을 사용할 수 있고, 무기 화합물을 사용하여도 좋다. EL층(833)에 포함되는 각각의 층을 이하의 방법 중 어느 것에 위하여 형성할 수 있다: 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법(transfer method), 인쇄법, 잉크젯법, 및 도포법 등이다.
발광 소자(830)는 2종류 이상의 발광 물질을 함유하여도 좋다. 따라서, 예를 들어, 백색의 광을 발하는 발광 소자를 실현할 수 있다. 예를 들어, 2종류 이상의 발광 물질이 보색의 광을 발하도록 발광 물질을 선택함으로써, 백색 발광을 얻을 수 있다. 예를 들어, 적색(R)의 광, 녹색(G)의 광, 청색(B)의 광, 황색(Y)의 광, 또는 주황색(O)의 광을 발하는 발광 물질 또는 R의 광, G의 광, 및 B의 광 중 2개 이상의 스펙트럼 성분을 함유하는 광을 발하는 발광 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 청색의 광을 발하는 발광 물질 및 황색의 광을 발하는 발광 물질을 사용하여도 좋다. 이때, 황색의 광을 발하는 발광 물질의 발광 스펙트럼은 G의 광 및 R의 광의 스펙트럼 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 발광 소자(830)의 발광 스펙트럼이 가시 영역에서의 파장 범위(예를 들어, 350nm 이상 750nm 이하 또는 400nm 이상 800nm 이하)에 2개 이상의 피크를 갖는 것이 바람직하다.
EL층(833)은 복수의 발광층들을 포함하여도 좋다. EL층(833)에서는, 복수의 발광층들을 서로 접촉시켜 적층하여도 좋고, 분리층을 개재하여 적층하여도 좋다. 분리층을 예를 들어, 형광 발광층과 인광 발광층 사이에 제공하여도 좋다.
예를 들어, 인광 발광층에서 생성되는 여기 상태에서의 인광 재료 등으로부터 형광 발광층에서의 형광 재료 등으로의 덱스터 기구에 의한 에너지의 이동(특히, 3중항 에너지 이동)을 방지하기 위하여, 분리층을 제공할 수 있다. 분리층의 두께는 수nm이어도 좋다. 구체적으로, 분리층의 두께는 0.1nm 이상 20nm 이하, 1nm 이상 10nm 이하, 또는 1nm 이상 5nm 이하이어도 좋다. 분리층은 단일 재료(바람직하게는, 바이폴라 물질) 또는 복수의 재료들(바람직하게는, 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료)을 함유한다.
분리층을 분리층과 접촉되는 발광층에 함유되는 재료를 사용하여 형성하여도 좋다. 이것은 발광 소자의 제조를 용이하게 하고, 구동 전압을 저감시킨다. 예를 들어, 인광 발광층이 호스트 재료, 어시스트 재료, 및 인광 재료(게스트 재료)를 포함하는 경우, 분리층을 호스트 재료 및 어시스트 재료를 사용하여 형성하여도 좋다. 바꿔 말하면, 상술한 구조에서, 분리층은 인광 재료를 함유하지 않는 영역을 포함하고, 인광 발광층은 인광 재료를 함유하는 영역을 포함한다. 따라서, 분리층 및 인광 발광층을 인광 재료를 사용하는지 여부에 따라 각각 증착시킬 수 있다. 이러한 구조로, 분리층 및 인광 발광층을 동일한 체임버에서 형성할 수 있다. 따라서, 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 발광 소자(830)는 하나의 EL층을 포함하는 싱글 소자이어도 좋고, 전하 생성층을 개재하여 EL층이 적층된 탠덤 소자이어도 좋다.
발광 소자가 뛰어난 방습성을 갖는 한 쌍의 절연막들 사이에 제공되는 것이 바람직하다. 그 경우, 발광 소자로의 수분 등의 불순물의 침입을 억제할 수 있기 때문에, 발광 장치의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 구체적으로, 수분에 대한 높은 저항을 갖는 절연막의 절연층(705) 및 절연층(715)으로의 사용은 수분에 대한 높은 저항을 갖는 한 쌍의 절연막들 사이에 발광 소자를 위치시킴으로써, 발광 장치의 신뢰성에서의 저하를 방지할 수 있다.
절연층(815)으로서는, 예를 들어, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 또는 산화 알루미늄막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다. 예를 들어, 절연층(817), 절연층(817a), 및 절연층(817b)으로서는, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아마이드, 폴리이미드아마이드, 또는 벤조사이클로뷰텐계 수지 등의 유기 재료를 사용할 수 있다. 또는, 저유전율 재료(low-k 재료) 등을 사용할 수 있다. 또한, 복수의 절연막들을 적층함으로써 각 절연층을 형성하여도 좋다.
절연층(821)이 유기 절연 재료 또는 무기 절연 재료를 사용하여 형성된다. 수지로서는, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 에폭시 수지, 또는 페놀 수지를 사용할 수 있다. 특히, 감광성 수지 재료를 사용하여, 하부 전극(831) 위에 개구부를 갖고 곡률이 있는 경사된 측벽을 갖도록 절연층(821)이 형성되는 것이 바람직하다.
절연층(821)을 형성하기 위한 방법에 특별한 제한은 없고, 포토리소그래피법, 스퍼터링법, 증착법, 액적 토출법(예를 들어, 잉크젯법), 또는 인쇄법(예를 들어, 스크린 인쇄법 또는 오프셋 인쇄법) 등을 사용하여도 좋다.
스페이서(823)는 무기 절연 재료, 유기 절연 재료, 또는 금속 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 무기 절연 재료 및 유기 절연 재료로서는, 예를 들어, 절연층에 사용할 수 있는 다양한 재료를 사용할 수 있다. 금속 재료로서는, 타이타늄 또는 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 도전 재료를 함유하는 스페이서(823)가 상부 전극(835)과 전기적으로 접속되면, 상부 전극(835)의 저항으로 인한 전위 강하를 억제할 수 있다. 스페이서(823)는 테이퍼 형상 및 역 테이퍼 형상 중 어느 쪽을 가져도 좋다.
예를 들어, 발광 장치에 사용되는, 트랜지스터의 전극 또는 배선, 또는 발광 소자의 보조 전극 등으로서 기능하는 도전층은, 몰리브데넘, 타이타늄, 크로뮴, 탄탈럼, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 및 스칸듐 등의 금속 재료 중 어느 것, 및 이들 원소 중 어느 것을 함유하는 합금 재료를 사용하여 단층 구조 또는 적층 구조를 갖도록 형성할 수 있다. 또는, 도전층은 도전성 금속 산화물을 사용하여 형성하여도 좋다. 도전성 금속 산화물로서는, 산화 인듐(예를 들어, In2O3), 산화 주석(예를 들어, SnO2), ZnO, ITO, 인듐 아연 산화물(예를 들어, In2O3-ZnO), 또는 산화 실리콘이 함유된 이들 금속 산화물 재료 중 어느 것을 사용할 수 있다.
착색층은 특정한 파장 범위에서의 광을 투과시키는 착색된 층이다. 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 또는 황색의 파장 범위에서의 광을 투과시키기 위한 컬러 필터를 사용할 수 있다. 각 착색층이 인쇄법, 잉크젯법, 또는 포토리소그래피법을 사용한 에칭법 등에 의하여 다양한 재료 중 어느 것으로 원하는 부분에 형성된다. 백색의 서브 화소에는, 투명한 수지 등의 수지를 발광 소자와 중첩하도록 제공하여도 좋다.
차광층이 인접되는 착색층들 사이에 제공된다. 인접되는 발광 소자들 사이의 혼색을 억제하기 위하여, 차광층은 인접되는 발광 소자로부터 발하는 광을 차단한다. 여기서는, 착색층은 그 단부가 차광층과 중첩되도록 제공됨으로써, 광 누설을 저감시킬 수 있다. 차광층으로서는, 발광 소자로부터의 광을 차단할 수 있는 재료를 사용할 수 있다; 예를 들어, 블랙 매트릭스는 금속 재료 또는 안료나 염료를 함유하는 수지 재료를 사용하여 형성된다. 또한, 차광층이 구동 회로 부분 등의, 발광 부분 이외의 영역에 제공되는 경우, 도파광 등의 원하지 않는 누설을 억제할 수 있어 바람직하다.
또한, 착색층 및 차광층을 덮는 오버코트를 제공하여도 좋다. 오버코트는 착색층에 함유된 불순물 등이 발광 소자로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 오버코트는 발광 소자로부터 발하는 광을 투과시키는 재료로 형성된다; 예를 들어, 질화 실리콘막 또는 산화 실리콘막 등의 무기 절연막, 아크릴막 또는 폴리이미드막 등의 유기 절연막을 사용할 수 있고, 또한, 유기 절연막과 무기 절연막의 적층 구조를 사용하여도 좋다.
착색층 및 차광층의 상면이 접합층의 재료로 도포되는 경우, 접합층의 재료에 대하여 높은 습윤성을 갖는 재료가 오버코트의 재료로서 사용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO막 등의 산화물 도전막 또는 광을 투과시킬 정도로 충분히 얇은 Ag막 등의 금속막이 오버코트로서 사용되는 것이 바람직하다.
커넥터로서는, 다양한 ACF(anisotropic conductive film) 및 ACP(anisotropic conductive paste) 등 중 어느 것을 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광 패널, 표시 패널, 및 터치 패널 등의 다양한 패널을 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 발광 패널을 표시 장치 또는 조명 패널로서 사용하여도 좋다. 예를 들어, 백라이트 또는 프런트 라이트 등의 광원, 즉, 표시 패널을 위한 조명 장치로서 사용하여도 좋다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서 설명된 가시광을 투과시키는 영역을 포함하는 발광 패널로, 발광 패널들 사이의 이음매가 인식되기 어렵고, 표시 불균일이 억제된 큰 표시 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 사용할 수 있는 플렉시블 표시 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 실시형태 2에서 설명된 발광 패널의 구성 요소와 비슷한 터치 패널의 구성 요소에는 상술한 설명을 참조할 수 있다. 발광 소자를 포함하는 터치 패널이 본 실시형태에서 예로서 설명되지만, 본 발명의 일 형태는 이 예에 한정되지 않는다.
<구조예 1>
도 12의 (A)는 터치 패널의 상면도이다. 도 12의 (B)는 도 12의 (A)에서의 일점 쇄선(A-B) 및 일점 쇄선(C-D)을 따른 단면도이다. 도 12의 (C)는 도 12의 (A)에서의 일점 쇄선(E-F)을 따른 단면도이다.
도 12의 (A)에 도시된 터치 패널(390)은 표시 부분(301)(입력 부분으로서도 기능함), 주사선 구동 회로(303g(1)), 촬상 화소 구동 회로(303g(2)), 화상 신호선 구동 회로(303s(1)), 및 촬상 신호선 구동 회로(303s(2))를 포함한다.
표시 부분(301)은 복수의 화소들(302) 및 복수의 촬상 화소들(308)을 포함한다.
화소(302)는 복수의 서브 화소들을 포함한다. 각 서브 화소는 발광 소자 및 화소 회로를 포함한다.
화소 회로는 발광 소자를 구동하기 위한 전력을 공급할 수 있다. 화소 회로는 선택 신호가 공급되는 배선과 전기적으로 접속된다. 화소 회로는 화상 신호가 공급되는 배선과도 전기적으로 접속된다.
주사선 구동 회로(303g(1))는 화소(302)에 선택 신호를 공급할 수 있다.
화상 신호선 구동 회로(303s(1))는 화소(302)에 화상 신호를 공급할 수 있다.
터치 센서를 촬상 화소(308)를 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 촬상 화소(308)는 표시 부분(301)에서의 손가락 등의 접촉을 검지할 수 있다.
촬상 화소(308)는 광전 변환 소자 및 촬상 화소 회로를 포함한다.
촬상 화소 회로는 광전 변환 소자를 구동할 수 있다. 촬상 화소 회로는 제어 신호가 공급되는 배선과 전기적으로 접속된다. 촬상 화소 회로는 전원 전위가 공급되는 배선과도 전기적으로 접속된다.
제어 신호의 예는 기록된 촬상 신호가 판독되는 촬상 화소 회로를 선택하기 위한 신호, 촬상 화소 회로를 초기화하기 위한 신호, 및 촬상 화소 회로가 광을 검지하기 위한 시간을 결정하기 위한 신호를 포함한다.
촬상 화소 구동 회로(303g(2))는 촬상 화소(308)에 제어 신호를 공급할 수 있다.
촬상 신호선 구동 회로(303s(2))는 촬상 신호를 판독할 수 있다.
도 12의 (B) 및 도 12의 (C)에 도시된 바와 같이, 터치 패널(390)은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 기판(711), 접합층(713), 및 절연층(715)을 포함한다. 기판(701)과 기판(711)은 접합층(360)으로 서로 접합된다.
기판(701)과 절연층(705)은 접합층(703)으로 서로 부착된다. 기판(711)과 절연층(715)은 접합층(713)으로 서로 부착된다.
기판, 접합층, 및 절연층에 사용되는 재료는 실시형태 2를 참조할 수 있다.
각각의 화소(302)는 서브 화소(302R), 서브 화소(302G), 및 서브 화소(302B)를 포함한다(도 12의 (C)). 서브 화소(302R)는 발광 모듈(380R)을 포함하고, 서브 화소(302G)는 발광 모듈(380G)을 포함하고, 서브 화소(302B)는 발광 모듈(380B)을 포함한다.
예를 들어, 서브 화소(302R)는 발광 소자(350R) 및 화소 회로를 포함한다. 화소 회로는 발광 소자(350R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(302t)를 포함한다. 또한, 발광 모듈(380R)은 발광 소자(350R) 및 광학 소자(예를 들어, 적색의 광을 투과시키는 착색층(367R))를 포함한다.
발광 소자(350R)는 하부 전극(351R), EL층(353), 및 상부 전극(352)을 이 순서대로 적층하여 포함한다(도 12의 (C) 참조).
EL층(353)은 제 1 EL층(353a), 중간층(354), 및 제 2 EL층(353b)을 이 순서대로 적층하여 포함한다.
또한, 특정한 파장을 효율적으로 추출할 수 있도록 마이크로캐비티 구조를 발광 모듈(380R)에 제공할 수 있다. 구체적으로, 특정한 파장을 효율적으로 추출할 수 있도록 제공되는 가시광을 반사하는 막과 가시광을 부분적으로 반사하며 가시광을 부분적으로 투과시키는 막 사이에 EL층을 제공하여도 좋다.
예를 들어, 발광 모듈(380R)은 발광 소자(350R) 및 착색층(367R)과 접촉되는 접합층(360)을 포함한다.
착색층(367R)은 발광 소자(350R)와 중첩되는 영역에 위치한다. 따라서, 발광 소자(350R)로부터 발하는 광의 일부는 접합층(360) 및 착색층(367R)을 통과하고, 도 12의 (C)에서의 화살표에 의하여 가리키도록 발광 모듈(380R)의 외측으로 사출된다.
터치 패널(390)은 차광층(367BM)을 포함한다. 차광층(367BM)은 착색층(예를 들어, 착색층(367R))을 둘러싸도록 제공된다.
터치 패널(390)은 표시 부분(301)과 중첩되는 영역에 위치하는 반사 방지층(367p)을 포함한다. 반사 방지층(367p)으로서는, 예를 들어, 원 편광판을 사용할 수 있다.
터치 패널(390)은 절연층(321)을 포함한다. 절연층(321)은 트랜지스터(302t) 등을 덮는다. 또한, 절연층(321)을 화소 회로 및 촬상 화소 회로에 의하여 발생되는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 트랜지스터(302t) 등으로의 불순물의 확산을 억제할 수 있는 절연층을 절연층(321)으로서 사용할 수 있다.
터치 패널(390)은 하부 전극(351R)의 단부와 중첩되는 격벽(328)을 포함한다. 기판(701)과 기판(711) 사이의 거리를 제어하는 스페이서(329)가 격벽(328) 상에 제공된다.
화상 신호선 구동 회로(303s(1))는 트랜지스터(303t) 및 용량 소자(303c)를 포함한다. 또한, 구동 회로를 화소 회로와 동일한 공정으로, 동일한 기판 위에 형성할 수 있다. 도 12의 (B)에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(303t)는 절연층(321) 위에 제 2 게이트(304)를 포함하여도 좋다. 제 2 게이트(304)를 트랜지스터(303t)의 게이트와 전기적으로 접속시켜도 좋고, 상이한 전위를 이들 게이트에 공급하여도 좋다. 또는, 필요하면, 제 2 게이트(304)를 트랜지스터(308t) 및 트랜지스터(302t) 등에 제공하여도 좋다.
촬상 화소(308)는 각각 광전 변환 소자(308p) 및 촬상 화소 회로를 포함한다. 촬상 화소 회로는 광전 변환 소자(308p)에 의하여 받은 광을 검지할 수 있다. 촬상 화소 회로는 트랜지스터(308t)를 포함한다.
예를 들어, PIN 포토다이오드를 광전 변환 소자(308p)로서 사용할 수 있다.
터치 패널(390)은 신호가 공급되는 배선(311)을 포함한다. 단자(319)가 배선(311)에 제공된다. 화상 신호 또는 동기 신호 등의 신호가 공급되는 FPC(309)는 단자(319)와 전기적으로 접속된다. PWB(printed wiring board)를 FPC(309)에 부착시켜도 좋다.
또한, 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 및 트랜지스터(308t) 등의 트랜지스터를 동일한 공정으로 형성할 수 있다. 또는, 트랜지스터를 상이한 공정으로 형성하여도 좋다.
<구조예 2>
도 13의 (A) 및 도 13의 (B)는 터치 패널(505)의 사시도이다. 도 13의 (A) 및 도 13의 (B)에는 간략화를 위하여 주된 구성 요소만을 도시하였다. 도 14의 (A) 내지 도 14의 (C)는 각각 도 13의 (A)에서의 일점 쇄선(X1-X2)을 따른 단면도이다.
도 13의 (A) 및 도 13의 (B)에 도시된 바와 같이, 터치 패널(505)은 표시 부분(501), 주사선 구동 회로(303g(1)), 및 터치 센서(595) 등을 포함한다. 또한, 터치 패널(505)은 기판(701), 기판(711), 및 기판(590)을 포함한다.
터치 패널(505)은 복수의 화소들 및 복수의 배선들(311)을 포함한다. 복수의 배선들(311)은 화소에 신호를 공급할 수 있다. 복수의 배선들(311)이 기판(701)의 주변 부분에 배치되고, 복수의 배선들(311)의 일부는 단자(319)를 형성한다. 단자(319)는 FPC(509(1))와 전기적으로 접속된다.
터치 패널(505)은 터치 센서(595) 및 복수의 배선들(598)을 포함한다. 복수의 배선들(598)은 터치 센서(595)와 전기적으로 접속된다. 복수의 배선들(598)은 기판(590)의 주변 부분에 배치되고, 복수의 배선들(598)의 일부는 단자를 형성한다. 단자는 FPC(509(2))와 전기적으로 접속된다. 또한, 도 13의 (B)에서, 기판(590)의 뒤 측(기판(701)과 대향하는 측)에 제공되는 터치 센서(595)의 전극 및 배선 등을 명료화를 위하여 실선에 의하여 가리킨다.
터치 센서(595)로서는, 예를 들어, 용량성 터치 센서를 사용할 수 있다. 용량성 터치 센서의 예는 표면 용량성 터치 센서 및 투영된 용량성 터치 센서를 포함한다. 투영된 용량성 터치 센서를 사용하는 예에 대하여 여기서 설명한다.
투영된 용량성 터치 센서의 예에는 주로 구동 방법이 상이한 자기 용량성 터치 센서 및 상호 용량성 터치 센서가 있다. 다수의 점을 동시에 검지할 수 있기 때문에, 상호 용량형을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 손가락 등의 검지하는 타깃의 접근 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 터치 센서(595)로서 사용할 수 있다.
투영된 용량성 터치 센서(595)는 전극(591) 및 전극(592)을 포함한다. 전극(591)은 복수의 배선들(598) 중 어느 것과 전기적으로 접속되고, 전극(592)은 다른 배선(598) 중 어느 것과 전기적으로 접속된다.
전극(592)은 각각 도 13의 (A) 및 도 13의 (B)에 도시된 바와 같이, 사각형의 하나의 모서리와 다른 사각형의 하나의 모서리가 접속되는, 한 방향으로 배치된 복수의 사각형의 형상을 갖는다.
전극(591)은 각각 사각형의 형상을 갖고, 전극(592)이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 배치된다. 또한, 복수의 전극들(591)을 반드시 전극(592)과 직교하는 방향으로 배치할 필요는 없고, 90도 미만의 각도로 하나의 전극(592)과 교차하도록 배치하여도 좋다.
배선(594)은 전극(592)과 교차한다. 배선(594)은 전극(592)이 사이에 위치하는 2개의 전극(591)과 전기적으로 접속한다. 전극(592)과 배선(594)의 교차 면적은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 이러한 구조는 전극이 제공되지 않는 영역의 면적을 축소시킬 수 있어, 투과율에서의 불균일을 저감시킨다. 결과적으로, 터치 센서(595)로부터의 광의 휘도에서의 불균일을 저감시킬 수 있다.
또한, 전극(591) 및 전극(592)의 형상은 상술한 형상에 한정되지 않고, 다양한 형상 중 어느 것으로 할 수 있다. 예를 들어, 복수의 전극들(591)을 전극들(591) 사이의 공간이 가능한 한 축소되도록 제공하여도 좋고, 복수의 전극들(592)을 전극(591)과 전극(592) 사이에 절연층을 끼우고, 전극(591)과 중첩되지 않는 영역을 형성하기 위하여 서로 이격하여 제공하여도 좋다. 그 경우, 인접되는 2개의 전극들(592) 사이에 이들 전극으로부터 전기적으로 절연된 더미 전극을 제공하는 것이 바람직하고, 이로써, 상이한 투과율을 갖는 영역의 면적을 축소할 수 있다.
도 14의 (A)에 도시된 바와 같이, 터치 패널(505)은 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 기판(711), 접합층(713), 및 절연층(715)을 포함한다. 기판(701)과 기판(711)은 접합층(360)으로 서로 접합된다.
터치 센서(595)가 표시 부분(501)과 중첩되도록 접합층(597)은 기판(590)을 기판(711)에 부착시킨다. 접합층(597)은 투광성을 갖는다.
전극(591) 및 전극(592)이 투광 도전 재료를 사용하여 형성된다. 투광 도전 재료로서는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 또는 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 그래핀을 포함하는 막도 사용하여도 좋다. 예를 들어, 산화 그래핀을 포함하는 막을 환원함으로써, 그래핀을 포함하는 막을 형성할 수 있다. 환원 방법으로서는, 가열 등을 사용할 수 있다.
전극(591), 전극(592), 및 배선(594) 등의 도전막, 즉, 터치 패널에서의 배선 및 전극에 사용되는 재료의 저항이 낮은 것이 바람직하다. 재료의 예는 ITO, 인듐 주석 산화물, ZnO, 은, 구리, 알루미늄, 카본 나노 튜브, 및 그래핀을 포함한다. 또는, 매우 작은 폭(예를 들어, 수nm의 직경)을 갖는 다수의 도전체를 포함하는 금속 나노 와이어를 사용하여도 좋다. 이러한 금속 나노 와이어의 예는 Ag 나노 와이어, Cu 나노 와이어, 및 Al 나노 와이어를 포함한다. Ag 나노 와이어를 사용하는 경우, 89% 이상의 투광률 및 40ohm/square 이상 100ohm/square 이하의 시트 저항률을 달성할 수 있다. 또한, 투과율이 높기 때문에, 금속 나노 와이어, 카본 나노 튜브, 또는 그래핀 등을 표시 소자의 전극, 예를 들어, 화소 전극 또는 공통 전극에 사용하여도 좋다.
전극(591) 및 전극(592)은 투광 도전 재료를 스퍼터링법에 의하여 기판(590)에 퇴적시키고, 그리고, 포토리소그래피 등의 다양한 패터닝 기술에 의하여 불필요한 부분을 제거함으로써 형성할 수 있다.
전극(591) 및 전극(592)은 절연층(593)으로 덮인다. 또한, 전극(591)에 도달하는 개구가 절연층(593)에 형성되고, 배선(594)은 인접되는 전극들(591)을 전기적으로 접속한다. 터치 패널의 개구율을 증가시킬 수 있기 때문에, 투광 도전 재료를 배선(594)으로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 전기 저항을 저감시킬 수 있기 때문에, 전극(591) 및 전극(592)의 도전성보다 높은 도전성을 갖는 재료를 배선(594)으로서 적합하게 사용할 수 있다.
또한, 터치 센서(595)를 보호하기 위하여 절연층(593) 및 배선(594)을 덮는 절연층을 제공하여도 좋다.
또한, 접속층(599)은 배선(598)을 FPC(509(2))와 전기적으로 접속한다.
표시 부분(501)은 매트릭스로 배치된 복수의 화소들을 포함한다. 각 화소가 구조예 1과 동일한 구조를 갖는다; 따라서, 설명은 생략된다.
다양한 종류의 트랜지스터 중 어느 것을 터치 패널에 사용할 수 있다. 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하는 경우에서의 구조를 도 14의 (A) 및 도 14의 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 산화물 반도체 또는 비정질 실리콘 등을 함유하는 반도체층을 도 14의 (A)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 레이저 어닐링 등의 결정화 처리에 의하여 얻어진 다결정 실리콘을 함유하는 반도체층을 도 14의 (B)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
톱 게이트 트랜지스터를 사용하는 경우에서의 구조를 도 14의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘, 또는 단결정 실리콘 기판 등으로부터 이동된 단결정 실리콘막을 함유하는 반도체층을 도 14의 (C)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
<구조예 3>
도 15의 (A) 내지 도 15의 (C)는 터치 패널(505B)의 단면도이다. 본 실시형태에서 설명되는 터치 패널(505B)은 트랜지스터가 제공되는 측에 수신된 화상 데이터가 표시되고, 표시 부분의 기판(701) 측에 터치 센서가 제공되는 점에서 구조예 2에서의 입출력 장치(505)와 상이하다. 상이한 구조에 대하여 이하에서 상세히 설명하겠고, 다른 비슷한 구조는 상기 설명을 참조한다.
착색층(367R)은 발광 소자(350R)와 중첩되는 영역에 위치한다. 도 15의 (A)에 도시된 발광 소자(350R)는 트랜지스터(302t)가 제공되는 측에서 광을 사출한다. 따라서, 발광 소자(350R)로부터 발하는 광의 일부는 착색층(367R)을 통과하고, 도 15의 (A)에서의 화살표에 의하여 가리키도록 발광 모듈(380R)의 외측으로 사출된다.
터치 패널(505B)은 차광층(367BM)을 광 추출 측에 포함한다. 차광층(367BM)이 착색층(예를 들어, 착색층(367R))을 둘러싸도록 제공된다.
터치 센서(595)가 기판(711) 측이 아니라, 기판(701) 측에 제공된다(도 15의 (A) 참조).
터치 센서(595)가 표시 부분과 중첩되도록 접합층(597)은 기판(590)을 기판(701)에 부착시킨다. 접합층(597)은 투광성을 갖는다.
또한, 표시 부분(501)에서의 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하는 경우의 구조를 도 15의 (A) 및 도 15의 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 산화물 반도체 또는 비정질 실리콘 등을 함유하는 반도체층을 도 15의 (A)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 다결정 실리콘을 함유하는 반도체층을 도 15의 (B)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
톱 게이트 트랜지스터를 사용하는 경우에서의 구조를 도 15의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘, 또는 이동된 단결정 실리콘막 등을 함유하는 반도체층을 도 15의 (C)에 도시된 트랜지스터(302t) 및 트랜지스터(303t)에 사용할 수 있다.
<구조예 4>
도 16에 도시된 바와 같이, 터치 패널(500TP)은 서로 중첩되는 표시 부분(500)과 입력 부분(600)을 포함한다. 도 17은 도 16에서의 일점 쇄선(Z1-Z2)을 따른 단면도이다.
터치 패널(500TP)의 구성 요소에 대하여 이하에서 설명한다. 또한, 이들 구성 부분을 명확히 구별할 수 없고, 하나의 구성 부분은 다른 구성 부분으로서도 기능하는 경우 또는 다른 구성 부분의 일부를 포함하는 경우가 있다. 또한, 입력 부분(600)이 표시 부분(500)과 중첩되는 터치 패널(500TP)은 터치 패널이라고도 말한다.
입력 부분(600)은 매트릭스로 배치되는 복수의 검지 유닛들(602)을 포함한다. 입력 부분(600)은 선택 신호선(G1), 제어선(RES), 및 신호선(DL) 등도 포함한다.
선택 신호선(G1) 및 제어선(RES)은 행 방향(도 16에서의 화살표(R)에 의하여 가리킴)으로 배치되는 복수의 검지 유닛들(602)과 전기적으로 접속된다. 신호선(DL)은 열 방향(도 16에서의 화살표(C)에 의하여 가리킴)으로 배치되는 복수의 검지 유닛들(602)과 전기적으로 접속된다.
검지 유닛(602)은 이들에 가까운 또는 이들과 접촉되는 물체를 검지하고, 검지 신호를 공급한다. 예를 들어, 검지 유닛(602)은, 예를 들어, 용량, 조도, 자기력, 전파, 또는 압력을 검지하고, 검지된 물리적인 양에 따른 데이터를 공급한다. 구체적으로, 용량 소자, 광전 변환 소자, 자기 검지 소자, 압전 소자, 또는 공명기 등을 검지 소자로서 사용할 수 있다.
검지 유닛(602)은, 예를 들어, 검지 유닛(602)과 이들에 가까운 물체 또는 이들과 접촉되는 물체 사이의 용량에서의 변화를 검지한다.
또한, 손가락 등의 공기의 유전율보다 높은 유전율을 갖는 물체를 공기에서 도전막에 가깝게 하면, 손가락과 도전막 사이의 용량이 변화된다. 검지 유닛(602)은 용량의 변화를 검지할 수 있고, 검지 데이터를 공급할 수 있다.
예를 들어, 전하의 분배가 정전기 용량의 변화로 인하여 도전막과 용량 소자 사이에서 발생되기 때문에, 용량 소자의 전압이 변화된다. 이 전압의 변화를 검지 신호로서 사용할 수 있다.
검지 회로가 검지 유닛(602)에 제공된다. 검지 회로는 선택 신호선(G1), 제어선(RES), 및 신호선(DL) 등과 전기적으로 접속된다.
검지 회로는 트랜지스터 및/또는 검지 소자 등을 포함한다. 예를 들어, 도전막 및 도전막과 전기적으로 접속되는 용량 소자를 검지 회로에 사용할 수 있다. 용량 소자 및 용량 소자와 전기적으로 접속되는 트랜지스터를 검지 회로에 사용할 수도 있다.
예를 들어, 절연층(653), 및 절연층(653)이 사이에 제공되는 제 1 전극(651) 및 제 2 전극(652)을 포함하는 용량 소자(650)를 검지 회로에 사용할 수 있다(도 17의 (A) 참조). 구체적으로, 용량 소자(650)의 하나의 전극과 전기적으로 접속된 도전막에 물체가 근접되면, 용량 소자(650)의 전극들 사이의 전압은 변화한다.
검지 유닛(602)은 제어 신호에 따라 온으로 또는 오프로 할 수 있는 스위치를 포함한다. 예를 들어, 트랜지스터(M12)를 스위치로서 사용할 수 있다.
검지 신호를 증폭하는 트랜지스터를 검지 유닛(602)에 사용할 수 있다.
동일한 공정을 통하여 제조되는 트랜지스터를 검지 신호를 증폭하는 트랜지스터 및 스위치로서 사용할 수 있다. 이로써, 간략화된 공정을 통하여 입력 부분(600)을 제공할 수 있다.
검지 유닛은 매트릭스로 배치된 복수의 창문 부분들(667)을 포함한다. 창문 부분(667)은 가시광을 투과시킨다. 차광층(BM)을 창문 부분들(667) 사이에 제공하여도 좋다.
착색층은 터치 패널(500TP)에서 창문 부분(667)과 중첩되는 위치에 제공된다. 착색층은 미리 결정된 색의 광을 투과시킨다. 또한, 착색층을 컬러 필터라고 말할 수 있다. 예를 들어, 청색의 광을 투과시키는 착색층(367B), 녹색의 광을 투과시키는 착색층(367G), 및 적색의 광을 투과시키는 착색층(367R)을 사용할 수 있다. 또는, 황색 또는 백색의 광을 투과시키는 착색층을 사용하여도 좋다.
표시 부분(500)은 매트릭스로 배치된 복수의 화소들(302)을 포함한다. 화소(302)는 입력 부분(600)의 창문 부분(667)과 중첩되도록 위치한다. 화소(302)를 검지 유닛(602)보다 높은 해상도로 배치하여도 좋다. 각 화소는 구조예 1과 동일한 구조를 갖는다; 따라서, 설명은 생략된다.
터치 패널(500TP)은 매트릭스로 배치된 복수의 검지 유닛들(602) 및 가시광을 투과시키는 창문 부분(667)을 포함하는 입력 부분(600), 창문 부분(667)과 중첩되는 복수의 화소들(302)을 포함하는 표시 부분(500), 및 창문 부분(667)과 화소(302) 사이의 착색층을 포함한다. 각각의 검지 유닛은 다른 검지 유닛에서의 간섭을 저감시킬 수 있는 스위치를 포함한다.
따라서, 각 센서 유닛에 의하여 얻어진 검지 데이터를 센서 유닛의 위치 정보와 함께 공급할 수 있다. 또한, 검지 데이터를 화상을 표시하기 위한 화소의 위치 데이터에 관련지어 공급할 수 있다. 또한, 검지 데이터를 공급하지 않는 센서 유닛을 신호선과 전기적으로 접속시키지 않음으로써, 검지 신호를 공급하는 센서 유닛과의 간섭을 저감시킬 수 있다. 결과적으로, 편리성이 높거나, 신뢰성이 높은 터치 패널(500TP)을 제공할 수 있다.
예를 들어, 터치 패널(500TP)의 입력 부분(600)은 검지 데이터를 검지할 수 있고, 위치 정보와 함께 검지 데이터를 공급할 수 있다. 구체적으로, 터치 패널(500TP)의 사용자는 입력 부분(600)에 손가락 등을 포인터로서 사용하여 다양한 제스처(예를 들어, 탭, 드래그, 스와이프, 및 핀치인 조작)를 할 수 있다.
입력 부분(600)은 입력 부분(600)에 가까워지는 또는 입력 부분(600)과 접촉되는 손가락 등을 검지할 수 있고, 검지된 위치 또는 경로 등을 포함하는 검지 데이터를 공급할 수 있다.
연산 유닛은 공급된 데이터가 미리 결정된 조건을 만족시키는지 여부를 프로그램 등에 따라 결정하고, 미리 결정된 제스처와 관련지은 명령을 실행한다.
따라서, 입력 부분(600)의 사용자는 손가락 등으로 미리 결정된 제스처를 할 수 있고, 연산 유닛에 미리 결정된 제스처와 관련지은 명령을 실행시킬 수 있다.
예를 들어, 우선, 터치 패널(500TP)의 입력 부분(600)은 하나의 신호선에 검지 데이터를 공급할 수 있는 복수의 검지 유닛들로부터 하나의 검지 유닛(X)을 선택한다. 그리고, 신호선과 검지 유닛(X) 이외의 검지 유닛 사이의 도통 상태는 확립되지 않는다. 이것은 검지 유닛(X)에서의 다른 검지 유닛의 간섭을 저감시킬 수 있다.
구체적으로, 검지 유닛(X)의 검지 소자에서의, 다른 검지 유닛의 검지 소자의 간섭을 저감시킬 수 있다.
예를 들어, 용량 소자 및 용량 소자의 하나의 전극이 전기적으로 접속된 도전막이 검지 소자에 사용되는 경우, 검지 유닛(X)의 도전막의 전위에서의, 다른 검지 유닛의 도전막의 전위의 간섭을 저감시킬 수 있다.
따라서, 터치 패널(500TP)은 검지 유닛을 구동할 수 있고, 그 사이즈에 의존하지 않고 검지 데이터를 공급할 수 있다. 터치 패널(500TP)은, 예를 들어, 핸드헬드 장치의 사이즈로부터 전자 칠판의 사이즈까지의 범위의 다양한 사이즈를 가질 수 있다.
터치 패널(500TP)은 접을 수 있고, 펼칠 수 있다. 검지 유닛(X)에서의 다른 검지 유닛의 간섭이 접힌 상태와 펼쳐진 상태 사이에서 상이한 경우에서도, 터치 패널(500TP)의 상태에 의존하지 않고, 검지 유닛을 구동할 수 있고, 검지 데이터를 공급할 수 있다.
터치 패널(500TP)의 표시 부분(500)에는 표시 데이터를 공급할 수 있다. 예를 들어, 연산 유닛은 표시 데이터를 공급할 수 있다.
상술한 구조에 더하여, 터치 패널(500TP)은 이하의 구조를 가질 수 있다.
터치 패널(500TP)은 구동 회로(603g) 또는 구동 회로(603d)를 포함하여도 좋다. 또한, 터치 패널(500TP)을 FPC(1)와 전기적으로 접속시켜도 좋다.
구동 회로(603g)는, 예를 들어, 미리 결정된 타이밍으로 선택 신호를 공급할 수 있다. 구체적으로, 구동 회로(603g)는 미리 결정된 순서로 선택 신호선에 행마다 선택 신호(G1)를 공급한다. 다양한 회로 중 어느 것을 구동 회로(603g)로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 시프트 레지스터, 플립플롭 회로, 또는 조합 회로 등을 사용할 수 있다.
구동 회로(603d)는 검지 유닛(602)으로부터 공급되는 검지 신호에 따라 검지 데이터를 공급할 수 있다. 다양한 회로 중 어느 것을 구동 회로(603d)로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 검지 유닛에서 검지 회로와 전기적으로 접속됨으로써 소스 폴로어 회로 또는 전류 미러 회로를 형성할 수 있는 회로를 구동 회로(603d)로서 사용할 수 있다. 또한, 검지 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그디지털 변환 회로를 구동 회로(603d)에 제공하여도 좋다.
FPC(1)는 타이밍 신호 또는 전원 전위 등을 공급하고, 검지 신호가 공급된다.
터치 패널(500TP)은 구동 회로(503g), 구동 회로(503s), 배선(311), 및 단자(319)를 포함하여도 좋다. 또한, 터치 패널(500TP)(또는 구동 회로)을 FPC(2)와 전기적으로 접속시켜도 좋다.
또한, 대미지를 방지하고, 터치 패널(500TP)을 보호하는 보호층(670)을 제공하여도 좋다. 예를 들어, 세라믹 도포층 또는 하드 코트층을 보호층(670)으로서 사용할 수 있다. 구체적으로, 산화 알루미늄을 함유하는 층 또는 UV 경화형 수지를 사용할 수 있다.
본 실시형태를 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 전자 장치 및 조명 장치에 대하여 도면을 참조하여 설명하겠다.
전자 장치의 예는, 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 말함), 컴퓨터 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화(휴대 전화 장치라고도 말함), 휴대 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 및 파친코기 등의 대형 게임기를 포함한다.
본 발명의 일 형태의 전자 장치 또는 조명 장치는 가요성을 갖기 때문에, 집 또는 빌딩의 만곡된 내벽/외벽의 표면 또는 자동차의 만곡된 내장/외장의 표면을 따라 내장할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 전자 장치는 이차 전지를 포함하여도 좋다. 이차 전지는 비접촉 전력 전송에 의하여 충전할 수 있는 것이 바람직하다.
이차 전지의 예는 겔 전해질을 사용하는 리튬 폴리머 전지(리튬 이온 폴리머 전지) 등의 리튬 이온 이차 전지, 니켈 수소 전지, 니켈 카드뮴 전지, 유기 라디칼 전지, 납 축전지, 공기 이차 전지, 니켈 아연 전지, 및 은 아연 전지를 포함한다.
본 발명의 일 형태의 전자 장치는 안테나를 포함하여도 좋다. 신호가 안테나에 의하여 수신되면, 전자 장치는 화상 또는 데이터 등을 표시 부분에 표시할 수 있다. 전자 장치가 이차 전지를 포함하면, 안테나를 비접촉 전력 전송에 사용하여도 좋다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 표시 패널의 수를 증가시킴으로써, 표시 영역의 면적을 제한 없이 증가시킬 수 있다. 따라서, 표시 장치를 디지털 사이니지 및 PID 등의 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 표시 패널의 배치를 변화시킴으로써, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 외형은 다양한 형상 중 어느 것을 가질 수 있다.
도 18의 (A)는 본 발명의 일 형태의 표시 장치(10)가 기둥(15) 및 벽(16)에 제공된 예를 나타낸 것이다. 플렉시블 표시 패널이 표시 장치(10)에 포함되는 표시 패널(100)로서 사용됨으로써, 표시 장치(10)를 곡면을 따라 배치할 수 있다.
여기서는, 특히, 본 발명의 일 형태의 표시 장치가 디지털 사이니지 및 PID에 사용되는 경우, 표시 패널에 터치 패널을 사용하면, 이러한 구조는 표시 영역에 정지 화상 또는 동영상을 표시할 뿐만 아니라 관찰자에 의하여 직관적으로 조작할 수 있기 때문에 바람직하다. 또는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치가 노선 정보 및 교통 정보 등의 정보를 제공하기 위하여 사용되는 경우, 직관적인 조작에 의하여 유용성을 높일 수 있다. 표시 장치를 빌딩 및 공공 시설 등의 벽에 제공하는 경우, 표시 패널에 터치 패널을 반드시 사용할 필요는 없다.
도 18의 (B) 내지 도 18의 (E)는 곡면을 갖는 표시 부분(7000)을 포함하는 전자 장치의 예를 도시한 것이다. 표시 부분(7000)의 표시면이 굴곡되고, 화상을 굴곡된 표시면에 표시할 수 있다. 표시 부분(7000)은 가요성을 가져도 좋다.
도 18의 (B) 내지 도 18의 (E)에 도시된 각각의 전자 장치의 표시 부분(7000)을 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용하여 형성할 수 있다.
도 18의 (B)는 휴대 전화의 예를 도시한 것이다. 휴대 전화(7100)는 하우징(7101), 표시 부분(7000), 조작 버튼(7103), 외부 접속 포트(7104), 스피커(7105), 및 마이크로폰(7106) 등을 포함한다.
도 18의 (B)에 도시된 휴대 전화(7100)는 표시 부분(7000)에 터치 센서를 포함한다. 또한, 손가락 또는 스타일러스 등으로 표시 부분(7000)을 터치함으로써 전화를 걸거나 문자를 입력하는 등의 조작을 수행할 수 있다.
조작 버튼(7103)으로, 전원의 ON 또는 OFF를 전환할 수 있다. 또한, 표시 부분(7000)에 표시되는 화상의 종류를 전환할 수 있다; 예를 들어, 메일 작성 화면으로부터 메인 메뉴 화면으로 전환한다.
도 18의 (C)는 텔레비전 장치의 예를 도시한 것이다. 텔레비전 장치(7200)에서는, 표시 부분(7000)이 하우징(7201) 내에 내장된다. 여기서는, 하우징(7201)이 스탠드(7203)에 의하여 지지된다.
도 18의 (C)에 도시된 텔레비전 장치(7200)를 하우징(7201)의 조작 스위치 또는 별체의 리모트 컨트롤러(7211)로 조작할 수 있다. 또한, 표시 부분(7000)은 터치 센서를 포함하여도 좋다. 손가락 등으로 표시 부분(7000)을 터치함으로써, 조작을 수행할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤러(7211)에 리모트 컨트롤러(7211)로부터 출력되는 데이터를 표시하기 위한 표시 부분을 제공하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7211)의 조작 키 또는 터치 패널로, 채널 및 음량을 제어할 수 있고, 표시 부분(7000)에 표시되는 화상을 제어할 수 있다.
또한, 텔레비전 장치(7200)에 수신기 및 모뎀 등이 제공된다. 일반적인 텔레비전 방송을 수신기로 수신할 수 있다. 또한, 모뎀을 통하여 유선 또는 무선의 통신 네트워크와 텔레비전 장치가 접속되면, 하나의 방향(송신자로부터 수신자) 또는 2개의 방향(송신자와 수신자 사이 또는 수신자들 사이)의 데이터 통신을 수행할 수 있다.
도 18의 (D)는 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7300)은 하우징(7301) 및 표시 부분(7000)을 포함한다. 각각의 휴대 정보 단말은 조작 버튼, 외부 접속 포트, 스피커, 마이크로폰, 안테나, 또는 전지 등도 포함하여도 좋다. 표시 부분(7000)에 터치 센서가 제공된다. 휴대 정보 단말(7300)의 조작은 손가락 또는 스타일러스 등으로 표시 부분(7000)을 터치함으로써 수행할 수 있다.
도 18의 (D)는 휴대 정보 단말(7300)의 사시도이다. 도 18의 (E)는 휴대 정보 단말(7300)의 상면도이다.
본 실시형태에서 도시된 각각의 휴대 정보 단말은 예를 들어, 전화기, 노트, 및 정보 열람 시스템 중 하나 이상으로서 기능한다. 구체적으로, 각각의 휴대 정보 단말을 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 본 실시형태에 도시된 각각의 휴대 정보 단말은 예를 들어, 휴대 전화의 통화, 이메일, 문서의 판독 및 편집, 음악 재생, 인터넷 통신, 및 컴퓨터 게임 등의 다양한 애플리케이션을 실행할 수 있다.
휴대 정보 단말(7300)은 그 복수의 표면에 문자 및 화상 정보를 표시할 수 있다. 예를 들어, 도 18의 (D)에 도시된 바와 같이, 3개의 조작 버튼(7302)을 하나의 표면에 표시할 수 있고, 직사각형에 의하여 가리키는 정보(7303)를 다른 표면에 표시할 수 있다. 도 18의 (D) 및 도 18의 (E)는 정보가 휴대 정보 단말의 위 측에 표시되는 예를 도시한 것이다. 또는, 정보를 휴대 정보 단말의 옆 측에 표시하여도 좋다. 정보를 휴대 정보 단말의 3개 이상의 표면에도 표시하여도 좋다.
정보의 예는, SNS(social networking service)로부터의 통지, 이메일의 수신 또는 전화의 착신을 가리키는 표시, 이메일 등의 타이틀, 이메일 등의 송신자, 날짜, 시각, 전지의 잔량, 및 안테나의 수신 강도를 포함한다. 또는, 정보 대신에, 조작 버튼 또는 아이콘 등을 표시하여도 좋다.
예를 들어, 휴대 정보 단말(7300)의 사용자는 자신의 옷의 가슴 포켓에 넣은 휴대 정보 단말(7300)로 표시(여기서는, 정보(7303))를 볼 수 있다.
구체적으로, 착신 전화의 발신자의 전화 번호 또는 이름 등이 휴대 정보 단말(7300) 위로부터 볼 수 있는 위치에 표시된다. 따라서, 사용자는 휴대 정보 단말(7300)을 포켓으로부터 꺼내지 않고, 표시를 볼 수 있고, 전화를 받을지 여부를 결정할 수 있다.
도 18의 (F)는 만곡된 발광 부분을 갖는 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 18의 (F)에 도시된 조명 장치에 포함되는 발광 부분을 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용하여 제조할 수 있다.
도 18의 (F)에 도시된 조명 장치(7400)는 좋은 디자인의 조명 장치인, 물결 형상의 발광면을 갖는 발광 부분(7402)을 포함한다.
조명 장치(7400)에 포함되는 발광 부분은 가요성을 가져도 좋다. 발광 부분의 발광면을 용도에 따라 자유로이 굴곡시킬 수 있도록, 플라스틱 부재 또는 가동(可動) 프레임 등에 발광 부분을 고정하여도 좋다.
조명 장치(7400)는 조작 스위치(7403)가 제공되는 스테이지(7401) 및 스테이지(7401)에 의하여 지지되는 발광 부분을 포함한다.
또한, 여기서 예로서 스테이지에 의하여 발광 부분이 지지된 조명 장치에 대하여 설명하였지만, 발광 부분이 제공된 하우징을 천장에 고정하거나 천장으로부터 매달 수 있다. 발광면을 만곡시킬 수 있기 때문에, 발광면이 오목 형상을 갖도록 만곡됨으로써, 특정한 영역을 밝게 비추거나, 또는 발광면이 볼록 형상을 갖도록 만곡됨으로써, 방 전체를 밝게 비출 수 있다.
도 19의 (A1), 도 19의 (A2), 도 19의 (B), 도 19의 (C), 도 19의 (D), 도 19의 (E), 도 19의 (F), 도 19의 (G), 도 19의 (H), 및 도 19의 (I)는 각각 가요성을 갖는 표시 부분(7001)을 포함하는 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다.
표시 부분(7001)은 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용하여 제조된다. 예를 들어, 0.01mm 이상 150mm 이하의 곡률 반경으로 굴곡시킬 수 있는 표시 장치를 사용할 수 있다. 표시 부분(7001)은 터치 센서를 포함하여도 좋기 때문에, 휴대 정보 단말을 손가락 등으로 표시 부분(7001)을 터치함으로써 조작할 수 있다.
도 19의 (A1) 및 도 19의 (A2)는 각각 휴대 정보 단말의 예를 도시한 사시도 및 측면도이다. 휴대 정보 단말(7500)은 하우징(7501), 표시 부분(7001), 표시 부분 손잡이(display portion pull)(7502), 및 조작 버튼(7503) 등을 포함한다.
휴대 정보 단말(7500)은 하우징(7501)에 말린 플렉시블 표시 부분(7001)을 포함한다.
휴대 정보 단말(7500)은 그 중에 내장된 제어 부분으로 비디오 신호를 수신할 수 있고, 수신된 비디오를 표시 부분(7001)에 표시할 수 있다. 휴대 정보 단말(7500)은 전지를 내장한다. 비디오 신호 또는 전력을 배선으로 외측으로부터 직접 공급할 수 있도록, 커넥터를 접속시키기 위한 단자 부분을 하우징(7501)에 포함하여도 좋다.
조작 버튼(7503)을 누름으로써, 전원의 ON/OFF 및 표시되는 비디오의 전환 등을 수행할 수 있다. 도 19의 (A1), 도 19의 (A2), 및 도 19의 (B)는 조작 버튼(7503)이 휴대 정보 단말(7500)의 측면에 위치하는 예를 도시한 것이지만, 본 발명의 일 형태는 이들에 한정되지 않는다. 조작 버튼(7503)을 휴대 정보 단말(7500)의 표시면(전면) 또는 배면에 배치하여도 좋다.
도 19의 (B)는 표시 부분(7001)이 인출된 상태에서의 휴대 정보 단말(7500)을 도시한 것이다. 비디오를 이 상태에서 표시 부분(7001)에 표시할 수 있다. 또한, 휴대 정보 단말(7500)은 도 19의 (A1)에 나타낸 바와 같이, 표시 부분(7001)의 일부가 말린 상태 및 도 19의 (B)에 나타낸 바와 같이, 표시 부분(7001)이 표시 부분 손잡이(7502)로 인출된 상태에서 상이한 표시를 수행하여도 좋다. 예를 들어, 도 19의 (A1)에 나타낸 상태에서, 표시 부분(7001)의 말린 부분을 비표시 상태로 한 결과, 휴대 정보 단말(7500)의 소비전력이 저감된다.
또한, 표시 부분(7001)이 인출될 때에 평탄한 표시면을 갖기 위하여, 강화 프레임을 표시 부분(7001)의 측부에 제공하여도 좋다.
또한, 이 구조에 더하여, 음성이 비디오 신호와 함께 수신된 음성 신호로 출력되기 위하여, 스피커를 하우징에 제공하여도 좋다.
도 19의 (C) 내지 도 19의 (E)는 폴더블 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다. 도 19의 (C)는 펼친 휴대 정보 단말(7600)을 도시한 것이다. 도 19의 (D)는 펼치고 있는 도중 또는 접고 있는 도중의 휴대 정보 단말(7600)을 도시한 것이다. 도 19의 (E)는 접은 휴대 정보 단말(7600)을 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7600)은 접을 때에 높은 휴대성을 갖고, 펼칠 때에 이음매가 없고 표시 면적이 크기 때문에 높은 일람성을 갖는다.
표시 부분(7001)이 힌지(7602)에 의하여 연결된 3개의 하우징(7601)에 의하여 지지된다. 힌지(7602)로 2개의 하우징들(7601) 사이의 접속 부분에서 휴대 정보 단말(7600)을 접으로써, 휴대 정보 단말(7600)을 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다.
도 19의 (F) 및 도 19의 (G)는 폴더블 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다. 도 19의 (F)는 표시 부분(7001)이 내측이 되도록 접은 휴대 정보 단말(7650)을 도시한 것이다. 도 19의 (G)는 표시 부분(7001)이 외측이 되도록 접은 휴대 정보 단말(7650)을 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7650)은 표시 부분(7001) 및 비표시 부분(7651)을 포함한다. 휴대 정보 단말(7650)이 사용되지 않으면, 표시 부분(7001)이 내측이 되도록 휴대 정보 단말(7650)이 접힘으로써, 표시 부분(7001)이 더럽게 되거나 대미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
도 19의 (H)는 플렉시블 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7700)은 하우징(7701) 및 표시 부분(7001)을 포함한다. 또한, 휴대 정보 단말(7700)은 입력 수단으로서 기능하는 버튼(7703a) 및 버튼(7703b), 음성 출력 수단으로서 기능하는 스피커(7704a) 및 스피커(7704b), 외부 접속 포트(7705), 또는 마이크로폰(7706) 등을 포함하여도 좋다. 플렉시블 전지(7709)를 휴대 정보 단말(7700)에 탑재할 수 있다. 전지(7709)를 예를 들어, 표시 부분(7001)과 중첩되도록 배치하여도 좋다.
하우징(7701), 표시 부분(7001), 전지(7709)는 가요성을 갖는다. 따라서, 휴대 정보 단말(7700)을 원하는 형상으로 만곡시키거나 휴대 정보 단말(7700)을 꼬기 쉽다. 예를 들어, 표시 부분(7001)이 내측 또는 외측이 되도록 휴대 정보 단말(7700)을 만곡시킬 수 있다. 휴대 정보 단말(7700)을 말린 상태에서 사용할 수 있다. 하우징(7701) 및 표시 부분(7001)을 이 방법으로 자유로이 이동할 수 있기 때문에, 휴대 정보 단말(7700)을 떨어뜨리거나 외부 응력이 휴대 정보 단말(7700)에 인가되더라도 휴대 정보 단말(7700)이 깨지기 어렵다.
휴대 정보 단말(7700)은 경량이기 때문에, 휴대 정보 단말(7700)을 다양한 상황에서 효과적으로 사용할 수 있다. 예를 들어, 하우징(7701)의 상부가 클립 등에 의하여 매달린 상태 또는 하우징(7701)이 자석 등에 의하여 벽에 고정된 상태에서 휴대 정보 단말(7700)을 사용할 수 있다.
도 19의 (I)는 손목시계형 휴대 정보 단말의 예를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7800)은 밴드(7801), 표시 부분(7001), 입출력 단자(7802), 또는 조작 버튼(7803) 등을 포함한다. 밴드(7801)는 하우징의 기능을 갖는다. 플렉시블 전지(7805)를 휴대 정보 단말(7800)에 탑재할 수 있다. 전지(7805)를 예를 들어, 표시 부분(7001) 및 밴드(7801)와 중첩시켜도 좋다.
밴드(7801), 표시 부분(7001), 및 전지(7805)는 가요성을 갖는다. 따라서, 휴대 정보 단말(7800)을 원하는 형상을 갖도록 용이하게 만곡시킬 수 있다.
조작 버튼(7803)으로, 시각 설정, 전원의 ON/OFF, 무선 통신의 ON/OFF, 매너 모드의 설정 및 해제, 및 절전 모드의 설정 및 해제 등의 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말(7800)에 내장된 운영 체계에 의하여 조작 버튼(7803)의 기능을 자유로이 설정할 수 있다.
손가락 등으로 표시 부분(7001)에 표시된 아이콘(7804)을 터치함으로써, 애플리케이션을 시작할 수 있다.
휴대 정보 단말(7800)은 기존의 통신 규격에 따른 통신 방법인 근거리 무선 통신을 사용할 수 있다. 그 경우, 예를 들어, 휴대 정보 단말(7800)과 무선 통신할 수 있는 헤드 세트 사이의 상호 통신을 수행할 수 있기 때문에, 핸즈 프리로 통화할 수 있다.
휴대 정보 단말(7800)은 입출력 단자(7802)를 포함하여도 좋다. 입출력 단자(7802)가 포함되는 경우, 커넥터를 통하여 다른 정보 단말에 데이터를 직접 송신하거나 다른 정보 단말로부터 데이터를 수신할 수 있다. 입출력 단자(7802)를 통하여 충전할 수도 있다. 또한, 본 실시형태에서의 예로서 설명되는 휴대 정보 단말의 충전을 입출력 단자를 사용하지 않고, 비접촉 전력 전송에 의하여 수행할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 제조한 결과에 대하여 설명한다. 본 실시예에서 사용된 표시 장치를 제조하기 위한 방법은 타일(일본어로 가와라)을 갖는 일본의 전통적인 지붕을 제조하기 위한 방법과 비슷하다. 따라서, 본 실시예에서 제조되는 표시 장치와 같이 복수의 표시 패널들을 중첩시킴으로써 제조된 멀티디스플레이를 "가와라형 멀티디스플레이"라고 말하는 경우가 있다.
도 21의 (A) 및 도 21의 (B)는 본 실시예에서 제조된 표시 장치를 도시한 것이다. 도 21의 (A)는 표시 장치의 표시면과 반대 측의 사진이다. 도 21의 (B)는 화상을 표시하는 표시 장치의 표시면 측의 사진이다.
도 21의 (A) 및 도 21의 (B)에 도시된 표시 장치는 2개의 행 및 2개의 열의 매트릭스로 배치된 4개의 표시 패널을 포함한다. 구체적으로, 표시 장치는 표시 패널(100a), 표시 패널(100b), 표시 패널(100c), 및 표시 패널(100d)을 포함한다.
도 22의 (A)는 표시 패널의 모식도이다. 표시 패널에서의 발광 부분(250)은 3.4인치의 대각선, 960×540×RGB의 유효 화소, 326ppi의 해상도, 및 44.4%의 개구율을 갖는다. 표시 패널은 소스 드라이버로서 기능하는 디멀티플렉서(DeMUX)(253)를 포함한다. 또한, 표시 패널은 스캔 드라이버(255)도 포함한다. 표시 패널은 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이이고, 화소 회로는 3개의 트랜지스터 및 용량 소자를 포함한다. 발광 부분(250)의 2개의 변은 가시광을 투과시키는 영역(251)과 접촉된다. 리드 배선(257)은 다른 2개의 변을 따라 제공된다.
도 21의 (C)는 표시 장치에서의 서로 부착된 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)의 단면 모식도이다.
도 21의 (A) 내지 도 21의 (C)에 도시된 표시 장치는 접합층(157)이 포함되는 점 및 투광층이 표시 패널의 표시면 측에 제공되는 점에서, 도 4의 (F)에 도시된 표시 장치와 상이하다.
각각의 표시 패널은 표시면과 표시면과 반대의 면 양쪽에 투광층을 갖는다. 예를 들어, 도 21의 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a)은 표시면 측에 투광층(103a1)을 갖고, 표시면과 반대의 면에 투광층(103a2)을 갖는다. 표시 패널(100b)은 표시면 측에 투광층(103b1)을 갖고, 표시면과 반대의 면에 투광층(103b2)을 갖는다. 본 실시예에서는, 부착층과 기재의 적층을 갖는 부착 필름을 각각의 투광층으로서 사용하였다.
각각의 표시 패널을 기판과 소자층을 접합층으로 부착시킴으로써 형성하였다. 예를 들어, 도 21의 (C)에 도시된 바와 같이, 기판(151a)과 소자층(153a), 기판(152a)과 소자층(153a), 기판(151b)과 소자층(153b), 및 기판(152b)과 소자층(153b)이 각각 접합층(157)으로 부착된다.
표시 영역들 사이의 비표시 영역이 작아지도록 본 실시예에서의 표시 장치가 4개의 표시 패널을 중첩시킴으로써 형성된다. 구체적으로, 하나의 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역은 투광층을 개재하여 다른 표시 패널의 표시 영역과 중첩시킨다. 따라서, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 얻을 수 있다(도 21의 (B) 참조).
표시 패널이 표시면과 표시면과 반대의 면 양쪽에 부착층을 갖기 때문에, 표시 장치의 양면을 평탄한 면에 부착시키거나 평탄한 면에 고정시킬 수 있다. 예를 들어, 표시 장치의 표시면과 반대의 면을 벽에 부착시킬 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시면을 유리 기판 등의 투명한 판에 부착시킬 수 있다. 부착층은 표시 장치의 표시면이 대미지를 받는 것을 방지하거나 표시 장치가 굴곡되는 것을 방지할 수 있고, 이로써, 표시의 가시성을 향상시킬 수 있다.
4개의 표시 패널은 가요성을 갖는다. 따라서, 도 21의 (A) 및 도 21의 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a)의 FPC(112a)에 가까운 영역을 굴곡시킬 수 있기 때문에, 표시 패널(100a)의 일부 및 FPC(112a)의 일부를 FPC(112a)와 인접되는 표시 패널(100b)의 표시 영역 아래에 배치할 수 있다. 결과적으로, FPC(112a)를 표시 패널(100b)의 배면과 물리적인 간섭 없이 배치할 수 있다.
부착층과 기재의 적층을 갖는 부착 필름이 사용되기 때문에, 각각의 표시 패널을 표시 장치에 포함되는 다른 표시 패널과 착탈 가능하게 접촉시킬 수 있다.
도 21의 (A)에 도시된 표시 패널(100a) 내지 표시 패널(100d)의 구조는 이하의 점을 제외한 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)에 도시된 발광 패널의 구조에 상당한다. 우선, 각각의 표시 패널(100a) 내지 표시 패널(100d)은 절연층(817b) 및 도전층(856)을 포함하지 않고, 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 발광 소자(830)의 하부 전극(831)은 서로 직접 접속된다. 다음에, 각각의 표시 패널(100a) 내지 표시 패널(100d)은 차광층(847)을 포함하지 않는다. 각각의 표시 패널(100a) 내지 표시 패널(100d)의 발광 소자(830)의 구조에는, 도 10의 (B)를 참조할 수 있다.
본 실시예에서는, 발광 소자로서, 백색의 광을 발하는 탠덤(적층) 유기 EL 소자가 사용된다. 발광 소자는 톱 이미션 구조를 갖는다. 발광 소자로부터의 광은 컬러 필터를 통하여 외측에 추출된다.
트랜지스터로서는, c축 배향된 결정성 산화물 반도체(CAAC-OS)를 포함하는 트랜지스터를 사용하였다. 비정질 반도체와 달리, CAAC-OS는 결함 상태가 적기 때문에, 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, CAAC-OS는 그레인 바운더리를 갖지 않기 때문에, 안정되고 균일한 막을 큰 면적 위에 형성할 수 있고, 플렉시블 표시 패널 또는 표시 장치를 굴곡시킴으로써 발생되는 응력은 CAAC-OS막에 금을 용이하게 발생시키지 않는다.
CAAC-OS는 막의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 결정의 c축 배향을 갖는 결정성 산화물 반도체이다. 산화물 반도체는 단결정 구조 이외의 다양한 결정 구조를 갖는 것이 발견되고 있다. 이러한 구조의 예는 나노 스케일의 미결정의 집합체인 나노 결정(nc) 구조이다. CAAC-OS 구조의 결정성은 단결정 구조의 결정성보다 낮고, nc 구조의 결정성보다 높다.
본 실시예에서는, In-Ga-Zn계 산화물을 포함하는 채널 에치 트랜지스터를 사용하였다. 이 트랜지스터를 500℃ 미만의 공정 온도로 유리 기판 위에 제작하였다.
여기서는, 도 22의 (B)는 본 실시예에 사용된 표시 패널에서의 가시광을 투과시키는 영역(110)의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 22의 (B)에 도시된 바와 같이, 가시광을 투과시키는 영역(110)에서, 기판(701), 접합층(703), 절연층(705), 게이트 절연층(813), 절연층(815), 접합층(822), 절연층(715), 접합층(713), 및 기판(711)은 이 순서대로 적층된다. 가시광을 투과시키는 영역(110)의 가시광의 투과율이 높을수록, 표시 장치의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 광에 대한 투과율을 향상시키기 위하여 광학 시뮬레이션의 수단에 의하여 적층 구조에서의 무기 절연막의 종류 및 두께를 최적화하였다.
광학 시뮬레이션에서, 트랜지스터의 양호한 특성(또는 신뢰성)을 확보하기 위하여, 게이트 절연층(813) 및 트랜지스터의 보호막으로서 기능하는 절연층(815)의 종류 및 두께는 변경하지 않았다. 이들 막의 가시광을 투과시키는 영역(110)만을 열 수 있기 때문에, 게이트 절연층(813) 또는 절연층(815)에 포함되는 일부의 층만을 형성할 수 있었다.
구체적으로, 절연층(815)은 발광 부분 등에 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막의 적층 구조를 갖지만, 계산 결과에 따라 가시광을 투과시키는 영역(110)에 질화 실리콘막을 제공하지 않았다.
분리층을 개재하여 형성 기판 위에 피분리층을 형성하고, 형성 기판으로부터 분리시키고, 그리고, 다른 기판으로 이동시키는 방법으로 본 실시예에서의 표시 패널을 형성하였다.
그러므로, 분리성을 확보하기 위하여, 절연층(705)에 포함되는 분리층과 접촉되는 층(표시 패널에서의 접합층(703)과 접촉되는 절연층(705)에 포함되는 층) 및 절연층(715)에 포함되는 분리층과 접촉되는 층(표시 패널에서의 접합층(713)과 접촉되는 절연층(715)에 포함되는 층)의 종류 및 두께는 광학 시뮬레이션에서 변경하지 않았다.
구체적으로, 절연층(705) 및 절연층(715)에 포함되는 분리층과 접촉되는 각각의 층은 600nm의 두께의 산화질화 실리콘막이었다.
표시 패널의 가요성을 확보하기 위하여, 응력이 특정한 막에 집중하지 않는 구조를 계산 결과에 따라 사용하였다.
역위상의 간섭을 가시 영역에서 더 많이 발생시키기 위하여, 약 1.5의 굴절률을 갖는 층(산화질화 실리콘막에 상당함)과 약 1.9의 굴절률을 갖는 층(질화 실리콘막에 상당함)을 교대로 적층함으로써, 가시광을 투과시키는 영역(110)은 가시광에 대한 더 높은 투과율을 가질 수 있다.
도 23은 실제로 제조된 표시 패널에서의 가시광을 투과시키는 영역(110)의 광에 대한 투과율의 측정 결과를 나타낸 것이다. 광에 대한 투과율을 분광 광도계로 측정하였다.
도 23에 나타낸 바와 같이, 제조한 표시 패널에서의 가시광을 투과시키는 영역(110)의 광에 대한 투과율은 유기 EL 소자의 발광 스펙트럼의 피크 범위인, 450nm 내지 650nm의 범위에서 약 70% 내지 80%인, 높은 값을 갖는다. 또한, 측정 결과는 기판(701)과 공기 사이 및 기판(711)과 공기 사이의 총 반사율에서 약 8%의 반사율을 포함한다. 기판(701)의 흡수율 및 기판(711)의 흡수율은 각각 약 4% 내지 8%이다. 그러므로, 광학적으로 최적화한 무기 절연막의 투광률을 약 95%까지 증가시킬 수 있었다는 결론을 도출할 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 투광층을 개재하여 다른 표시 패널의 표시 영역과 중첩되는 구조를 사용하고, 가시광을 투과시키는 영역에 포함되는 무기 절연막을 광학적으로 최적화함으로써, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 제조할 수 있었다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 제조한 결과에 대하여 설명한다. 본 실시예에서 제조된 표시 장치는 가와라형 멀티디스플레이이다.
도 24의 (A)는 본 실시예에서 제조된 화상을 표시하는 표시 장치의 사진이다. 도 24의 (A)에 도시된 표시 장치는 2개의 행 및 2개의 열의 매트릭스로 배치된 4개의 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역의 폭은 약 2mm이다. 가시광을 투과시키는 영역이 투광층을 개재하여 다른 표시 패널의 표시 영역과 중첩되도록 제공된 바와 같은 방법으로 표시 장치를 제조하였다. 도 4의 (A)는 서로 부착된 표시 장치에 포함되는 2개의 표시 패널을 도시한 단면 모식도이다.
도 24의 (A)에 도시된 표시 장치에서는, 발광 부분은 27인치의 사이즈의 대각선(하나의 표시 패널의 발광 부분의 사이즈는 13.5인치의 대각선임), 2560×1440의 유효 화소, 234μm×234μm의 화소 사이즈, 108ppi의 해상도, 및 61.0%의 개구율을 갖는다. COF(chip on film)에 의하여 부착된, 내장된 스캔 드라이버 및 외부 소스 드라이버를 사용하였다.
도 24의 (B)는 화상을 표시하는 하나의 표시 패널의 사진이다. 리드 배선 또는 드라이버 등의 가시광을 차단하는 구조가 표시 패널의 2개의 변을 따라 발광 부분의 단부로부터 표시 패널의 단부까지 완전히 제공되지 않고, 2개의 변을 따른 영역은 가시광을 투과시키는 영역으로서 기능한다. 도 24의 (B)의 확대도에 도시된 바와 같이, 가시광을 투과시키는 영역의 폭은 약 2mm이다. 가시광을 투과시키는 영역은 100μm 미만의 매우 작은 두께를 갖는다. 그러므로, 본 실시예에서의 표시 장치는 최대 4개의 표시 패널이 서로 중첩되는 영역을 갖지만, 표시면 측에 형성되는 단차는 매우 작다; 따라서, 이음매가 눈에 띄기 어렵다. 또한, 표시 패널이 가요성을 갖기 때문에, FPC가 접속되는 영역 부근을 굴곡시킴으로써, 인접되는 표시 패널의 발광 부분 아래에 FPC의 일부를 배치할 수 있다. 이 방법으로, 다른 표시 패널이 표시 패널의 4개의 변에 제공됨으로써, 큰 표시 패널이 용이하게 실현된다.
도 24의 (B)에 도시된 표시 패널은, 발광 부분의 사이즈가 대각선 13.5인치이고, 1280×720×RGBY의 유효 화소, 108ppi의 해상도, 및 61.0%의 개구율을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이이다.
본 실시예에서의 표시 장치는 복수의 표시 패널들 사이의 휘도에서의 편차가 작을수록 바람직하다. 리드 배선 등이 본 실시예에서의 표시 패널과 같이 2개의 변을 따라 제공되지 않는 경우, 배선으로부터 먼 영역의 휘도가 낮은 경우가 있다. 따라서, 본 실시예에서의 표시 패널은 내부 보정을 수행하기 위하여 화소 회로에 6개의 트랜지스터 및 2개의 용량 소자를 갖는다. 또한, 높은 전류 효율을 갖는 황색(Y)의 서브 화소를 포함하는 4개의 서브 화소(RGBY)가 2개의 행 및 2개의 열의 매트릭스로 배치된 화소 배치를 사용함으로써, 표시 패널을 흐르는 전류량이 저감되어, 전압 강하를 억제하였다.
본 실시예에서는, 발광 소자로서, 청색 발광 유닛(205) 및 황색 발광 유닛(209)을 포함하는, 백색의 광을 발하는 탠덤(적층) 유기 EL 소자를 사용하였다(도 25 참조). 중간층(207)을 2개의 발광 유닛들 사이에 제공하였다. 발광 소자를 적층(201) 위에 제공하였다. 적층(201)은 기판 및 트랜지스터를 포함한다. 발광 소자는 톱 이미션 구조를 갖는다. 발광 소자로부터의 광이 컬러 필터(황색의 컬러 필터(CFY), 청색의 컬러 필터(CFB), 녹색의 컬러 필터(CFG), 및 적색의 컬러 필터(CFR))를 통하여 외측에 추출된다. 반사 전극을 발광 소자의 양극(203)으로서 사용하고, 반투과 전극을 음극(211)으로서 사용하고, 마이크로캐비티 구조를 사용하였다. 그러므로, RGBY의 화소 배치에서의 시야각에 따른 색도의 변화를 백색(W)의 서브 화소를 포함하는 RGBW의 화소 배치에서의 시야각에 따른 색도의 변화보다 작게 할 수 있다.
도 26은 본 실시예에서의 표시 패널의 표면 전체에 백색의 광(300cd/m2의 휘도)이 표시될 때의 휘도의 측정 결과를 도시한 것이다. 도 26은 패널에서의 2개소의 휘도의 측정 결과를 도시한 것이다. 한쪽의 개소는 도 24의 (B)의 왼쪽 위 측에 상당하는 리드 배선에 가까운 영역이고, 다른 쪽의 개소는 도 24의 (B)의 오른쪽 아래 측에 상당하는 가시광을 투과시키는 영역에 가까운 영역이다. 4개의 표시 패널을 측정함으로써 얻어진 결과는 각각의 패널에서의 2개소의 휘도들 사이의 큰 편차가 없는 것을 나타낸다. 휘도는 리드 배선으로부터 멀고 가시광을 투과시키는 영역에 가까운 영역에서도 저하하지 않는다. 상술한 결과는 휘도에서의 편차가 본 실시예에서의 표시 장치의 복수의 표시 패널들 사이에서 발생되기 어려운 것을 가리킨다.
또한, 본 실시예에서 사용된 트랜지스터의 구조는 실시예 1에서 사용된 트랜지스터의 구조와 비슷하고, 상세한 설명은 생략된다.
또한, 본 실시예에서, 도 24의 (B)에 도시된 36개의 표시 패널을 함께 접속함으로써, 도 27에 도시된 81인치의 표시 장치를 제조하였다. 7680×4320의 유효 화소를 갖는 8k4k의 높은 해상도를 갖는 표시 장치를 제조하였다.
본 실시예에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 얻을 수 있었다.
(실시예 3)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 제조한 결과에 대하여 설명한다. 본 실시예에서 제조된 표시 장치는 가와라형 멀티디스플레이이다.
우선, 본 실시예에서의 표시 장치에 사용된 표시 패널에 대하여 설명한다.
도 28의 (A)는 본 실시예에서의 표시 패널의 모식도이다. 도 28의 (A)에 도시된 표시 패널은 발광 부분(250)의 사이즈가 대각선 13.5인치이고, 1280×720의 유효 화소, 108ppi의 해상도, 및 61.0%의 개구율을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이이다. 표시 패널은 소스 드라이버로서 기능하는 디멀티플렉서(DeMUX)(253)를 포함한다. 또한, 표시 패널은 스캔 드라이버(255)도 포함한다. 발광 부분(250)의 2개의 변은 가시광을 투과시키는 영역(251)과 접촉된다. 리드 배선(257)은 다른 2개의 변을 따라 제공된다.
CAAC-OS를 포함하는 채널 에치 트랜지스터가 트랜지스터로서 사용된다. 또한, In-Ga-Zn계 산화물이 산화물 반도체에 사용된다.
발광 소자로서는, 백색의 광을 발하는 탠덤(적층) 유기 EL 소자가 사용된다. 발광 소자는 톱 이미션 구조를 갖고, 발광 소자로부터의 광은 컬러 필터를 통하여 외측에 추출된다.
도 28의 (B)는 2개의 행 및 2개의 열의 매트릭스로 4개의 표시 패널을 중첩시키는 모식도이다. 도 28의 (C)는 도 28의 (B)에서의 일점 쇄선(X-Y)을 따른 단면 모식도를 나타낸다.
본 실시예에서의 표시 장치는 표시 영역들 사이의 비표시 영역이 작아지도록 복수의 표시 패널들을 중첩시킴으로써 형성된다. 구체적으로, 투광층(103)이 상부 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역(251)과 하부 표시 패널의 발광 부분(250) 사이에 제공된다.
리드 배선 또는 드라이버 등의 가시광을 차단하는 구조가 표시 패널의 2개의 변을 따라 발광 부분(250)의 단부로부터 표시 패널의 단부까지 완전히 제공되지 않고, 2개의 변을 따른 영역은 가시광을 투과시키는 영역(251)으로서 기능한다. 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역(251)의 폭은 2mm이다. 가시광을 투과시키는 영역(251)의 두께(하나의 표시 패널의 두께라고도 말함)는 100μm 미만으로, 매우 작다. 그러므로, 본 실시예에서의 표시 장치는 최대 4개의 표시 패널이 서로 중첩되는 영역을 갖지만, 표시면 측에 형성되는 단차는 매우 작다; 따라서, 이음매가 눈에 띄기 어렵다.
4개의 표시 패널은 가요성을 갖는다. 따라서, 도 28의 (C)에 도시된 바와 같이, 하부 표시 패널의 일부 및 FPC(112a)의 일부를 FPC(112a)와 인접되는 상부의 표시 패널의 발광 부분(250) 아래에 배치할 수 있기 위하여, 하부 표시 패널의 FPC(112a)에 가까운 영역을 굴곡시킬 수 있다. 결과적으로, 상부 표시 패널의 배면과 물리적인 간섭 없이 FPC(112a)를 배치할 수 있다. 이 방법으로, 다른 표시 패널을 표시 패널의 4개의 변에 제공할 수 있고, 이로써, 큰 표시 패널이 용이하게 실현된다.
본 실시예에서는, 기재의 양면에 부착층을 포함하는 흡수막을 투광층(103)으로서 사용하였다. 부착 필름을 사용함으로써, 표시 장치에 포함되는 2개의 표시 패널을 서로 착탈 가능하게 접촉시킬 수 있다. 투광층(103)의 한쪽의 표면에서의 부착층을 기판(152a)에 부착시킬 수 있고, 투광층(103)의 다른 쪽의 표면에서의 부착층을 기판(151b)에 부착시킬 수 있다.
도 28의 (B)에서는, 투광층(103)은 가시광을 투과시키는 영역(251)과 중첩되는 부분뿐만 아니라, 발광 부분(250)과 중첩되는 부분도 포함한다. 도 28의 (C)에서는, 투광층(103)은 기판(151b)의 단부로부터 가시광을 투과시키는 영역(251) 전체와 중첩하고, 표시 소자를 함유하는 영역(155b)의 일부와도 중첩한다. 또한, 투광층(103)은 도 28의 (C)에 도시된 FPC가 접속되는 영역에 가까운 표시 패널의 만곡되는 영역에 제공되지 않는다. 그러나, 투광층(103)을 투광층(103)의 두께 또는 가요성에 따라 표시 패널의 만곡되는 영역에 제공하여도 좋다.
각각의 표시 패널을 접합층으로 기판과 소자층을 부착시킴으로써 형성하였다. 예를 들어, 도 28의 (C)에 도시된 바와 같이, 기판(151a)과 소자층(153a), 기판(152a)과 소자층(153a), 기판(151b)과 소자층(153b), 및 기판(152b)과 소자층(153b)이 각각 접합층(157)으로 부착된다. 각각의 소자층은 표시 소자를 함유하는 영역(155) 및 표시 소자와 전기적으로 접속되는 배선을 포함하는 영역(156)을 포함한다.
또한, 제조된 표시 패널에 굴곡 시험을 수행하였다. 도 29의 (A) 내지 도 29의 (C)는 굴곡 시험을 어떻게 수행하였는지를 나타낸 것이다. 굴곡 부분은 발광 부분(250)과 FPC 접속 부분 사이의 영역인, 도 28의 (A)에서의 점선에 의하여 나타내어지는 부분이고, 전원 전위가 공급되는 리드 배선을 포함한다. 도 29의 (A)에서의 상태로부터 도 29의 (B)에서의 상태로 표시 패널을 변형하고, 도 29의 (A)에서의 상태로 회복하는 것을 1 굴곡으로서 카운트하고, 굴곡을 10만번 반복하였다. 표시 패널을 굴곡하기 위한 곡률 반경은 5mm이었다. 굴곡 시험에서는, 1 굴곡을 약 2초로 수행하였다. 도 29의 (C)는 도 29의 (B)에서의 화살표에 의하여 표시되는 방향으로부터 본 표시 패널의 사진이다.
도 29의 (D)는 시험 전의 표시 패널에 표시된 화상의 사진이다. 도 29의 (E)는 시험 후의 표시 패널에 표시된 화상의 사진이다. 표시 결함은 시험 후의 표시 패널에서 관찰되지 않았다.
또한, 발광 부분(250)의 휘도는 가시광을 투과시키는 영역(251)을 통하여 보이는 부분과 가시광을 투과시키는 영역(251)을 통하지 않고 보이는 부분 사이에서 상이하게 지각될 수 있다. 그러므로, 도 30의 (A)에 도시된 바와 같이, 발광 부분(250) 전체의 휘도를 균일하게 할 수 있기 때문에, 다른 부분과 비교하여 가시광을 투과시키는 영역(251)과 중첩되는 일부에서 더 높은 휘도로 화상이 표시되는 것(예를 들어, 가시광을 투과시키는 영역(251)과 중첩되는 일부의 데이터 전압이 다른 부분의 데이터 전압보다 높게 설정됨)이 바람직하다.
본 실시예에서는, 도 28의 (A)에 도시된 36개의 표시 패널을 6개의 행 및 6개의 열의 매트릭스로 배치함으로써, 도 31에 도시된 81인치의 표시 장치를 제조하였다.
본 실시예에서는, 표시 패널을 각각의 구동 회로에 의하여 구동하였다. 도 30의 (B)에 도시된 바와 같이, 8k 레코더로부터 출력되는 신호를 36분할하고, 각각의 구동 회로에 입력하였다. 각 표시 패널의 제 1 단계에서의 스캔의 타이밍을 동일한 시간으로 설정하였다.
본 실시예에서는, 7680×4320의 유효 화소를 갖는, 8k4k의 높은 해상도를 갖는, 도 31에 도시된 표시 장치를 제조하였다. 또한, FPC를 포함하는 하나의 표시 패널의 무게는 약 26g이고, 36개의 표시 패널의 무게는 1kg 이하이다(여기서는, 표시 패널 및 FPC의 무게에 대하여 언급하고, 표시 패널을 고정하기 위한 프레임 등의 무게는 포함하지 않음).
도 32는 표시 패널들 사이의 이음매의 관찰 결과를 나타낸 것이다. 또한, 도 31에 표시되는 화상은 도 32에 표시되는 화상과 상이하다. 도 32는 표시 패널이 서로 중첩되는 부분(2mm의 폭)을 나타낸 것이다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태를 사용함으로써, 표시 패널들 사이의 이음매가 가까운 거리에서 관찰될 수 있더라도, 표시 패널과 사용자 사이의 거리에서는 인식되기 어렵고, 또는 신경 쓰이지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서, 표시 패널들 사이의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 큰 표시 장치를 얻을 수 있었다.
10: 표시 장치, 11: 표시 영역, 15: 기둥, 16: 벽, 100: 표시 패널, 100a: 표시 패널, 100b: 표시 패널, 100c: 표시 패널, 100d: 표시 패널, 101: 표시 영역, 101a: 표시 영역, 101b: 표시 영역, 101c: 표시 영역, 101d: 표시 영역, 102: 영역, 102a: 영역, 102b: 영역, 103: 투광층, 103a: 투광층, 103a1: 투광층, 103a2: 투광층, 103b: 투광층, 103b1: 투광층, 103b2: 투광층, 110: 가시광을 투과시키는 영역, 110a: 가시광을 투과시키는 영역, 110b: 가시광을 투과시키는 영역, 110c: 가시광을 투과시키는 영역, 110d: 가시광을 투과시키는 영역, 112a: FPC, 112b: FPC, 120: 가시광을 차단하는 영역, 120a: 가시광을 차단하는 영역, 120b: 가시광을 차단하는 영역,120c: 가시광을 차단하는 영역, 123: FPC, 131: 수지층, 132: 보호 기판, 133: 수지층, 134: 보호 기판, 141: 화소, 141a: 화소, 141b: 화소, 142a: 배선, 142b: 배선, 143a: 회로, 143b: 회로, 145: 배선, 151: 기판, 151a: 기판, 151b: 기판, 152: 기판, 152a: 기판, 152b: 기판, 153a: 소자층, 153b: 소자층, 154: 접합층, 155: 영역, 155a: 영역, 155b: 영역, 156: 영역, 156a: 영역, 156b: 영역, 157: 접합층, 201: 적층, 203: 양극, 205: 청색 발광 유닛, 207: 중간층, 209: 황색 발광 유닛, 211: 음극, 250: 발광 부분, 251: 가시광을 투과시키는 영역, 253: 디멀티플렉서, 255: 스캔 드라이버, 257: 리드 배선, 301: 표시 부분, 302: 화소, 302B: 서브 화소, 302G: 서브 화소, 302R: 서브 화소, 302t: 트랜지스터, 303c: 용량 소자, 303g(1): 주사선 구동 회로, 303g(2): 촬상 화소 구동 회로, 303s(1): 화상 신호선 구동 회로, 303s(2): 촬상 신호선 구동 회로, 303t: 트랜지스터, 304: 게이트, 308: 촬상 화소, 308p: 광전 변환 소자, 308t: 트랜지스터, 309: FPC, 311: 배선, 319: 단자, 321: 절연층, 328: 격벽, 329: 스페이서, 350R: 발광 소자, 351R: 하부 전극, 352: 상부 전극, 353: EL층, 353a: EL층, 353b: EL층, 354: 중간층, 360: 접합층, 367B: 착색층, 367BM: 차광층, 367G: 착색층, 367p: 반사 방지층, 367R: 착색층, 380B: 발광 모듈, 380G: 발광 모듈, 380R: 발광 모듈, 390: 터치 패널, 500: 표시 부분, 500TP: 터치 패널, 501: 표시 부분, 503g: 구동 회로, 503s: 구동 회로, 505: 터치 패널, 505B: 터치 패널, 509: FPC, 590: 기판, 591: 전극, 592: 전극, 593: 절연층, 594: 배선, 595: 터치 센서, 597: 접합층, 598: 배선, 599: 접속층, 600: 입력 부분, 602: 센서 유닛, 603d: 구동 회로, 603g: 구동 회로, 650: 용량 소자, 651: 전극, 652: 전극, 653: 절연층, 667: 창문 부분, 670: 보호층, 701: 기판, 703: 접합층, 705: 절연층, 711: 기판, 713: 접합층, 715: 절연층, 804: 발광 부분, 806: 구동 회로 부분, 808: FPC, 813: 게이트 절연층, 814: 도전층, 815: 절연층, 817: 절연층, 817a: 절연층, 817b: 절연층, 820: 트랜지스터, 821: 절연층, 822: 접합층, 823: 스페이서, 824: 트랜지스터, 825: 커넥터, 830: 발광 소자, 831: 하부 전극, 832: 광학 조정층, 833: EL층, 835: 상부 전극, 845: 착색층, 847: 차광층, 849: 오버코트, 856: 도전층, 857: 도전층, 857a: 도전층, 857b: 도전층, 7000: 표시 부분, 7001: 표시 부분, 7100: 휴대 전화, 7101: 하우징, 7103: 조작 버튼, 7104: 외부 접속 포트, 7105: 스피커, 7106: 마이크로폰, 7200: 텔레비전 장치, 7201: 하우징, 7203: 스탠드, 7211: 리모트 컨트롤러, 7300: 휴대 정보 단말, 7301: 하우징, 7302: 조작 버튼, 7303: 정보, 7400: 조명 장치, 7401: 스테이지, 7402: 발광 부분, 7403: 조작 스위치, 7500: 휴대 정보 단말, 7501: 하우징, 7502: 부재, 7503: 조작 버튼, 7600: 휴대 정보 단말, 7601: 하우징, 7602: 힌지, 7650: 휴대 정보 단말, 7651: 비표시 부분, 7700: 휴대 정보 단말, 7701: 하우징, 7703a: 버튼, 7703b: 버튼, 7704a: 스피커, 7704b: 스피커, 7705: 외부 접속 포트, 7706: 마이크로폰, 7709: 전지, 7800: 휴대 정보 단말, 7801: 밴드, 7802: 입출력 단자, 7803: 조작 버튼, 7804: 아이콘, 및 7805: 전지.
본 출원은 2014년 7월 31일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-156168의 일본 특허 출원, 2014년 10월 28일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-219131의 일본 특허 출원, 2014년 12월 1일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-243195의 일본 특허 출원, 2015년 5월 29일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2015-109642의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
본 출원은 2014년 7월 31일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-156168의 일본 특허 출원, 2014년 10월 28일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-219131의 일본 특허 출원, 2014년 12월 1일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2014-243195의 일본 특허 출원, 2015년 5월 29일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2015-109642의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
Claims (2)
- 표시 장치에 있어서,
가요성을 갖는 제 1 표시 패널과, 가요성을 갖는 제 2 표시 패널과, 투광층을 포함하고,
상기 제 1 표시 패널은, 상기 제 2 표시 패널과 고정되고,
상기 제 1 표시 패널은, 제 1 표시 영역과, 제 1 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은, 제 2 표시 영역과, 제 2 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역 및 상기 제 2 표시 영역은 각각, 발광 소자를 포함하고,
상기 투광층은, 상기 제 1 표시 패널의 표시면과 대향하는 면 측의 기판 전체에 중첩되도록 제공되고,
상기 제 1 영역은, 상기 투광층을 개재하여, 상기 제 2 표시 영역과 중첩되는 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역은, 상기 투광층을 개재하여, 상기 제 2 영역과 중첩되는 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은, 상기 제 2 영역의 외측에 만곡(彎曲) 영역을 포함하는, 표시 장치. - 표시 장치에 있어서,
가요성을 갖는 제 1 표시 패널과, 가요성을 갖는 제 2 표시 패널과, 투광층을 포함하고,
상기 제 1 표시 패널은, 상기 제 2 표시 패널과 고정되고,
상기 제 1 표시 패널은, 제 1 표시 영역과, 제 1 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은, 제 2 표시 영역과, 제 2 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역 및 상기 제 2 표시 영역은 각각, 발광 소자를 포함하고,
상기 투광층은, 상기 제 1 표시 패널의 표시면과 대향하는 면 측의 기판 전체에 중첩되도록 제공되고,
상기 투광층은, 상기 제 2 표시 패널의 표시면 측의 기판과 접하도록 제공되고,
상기 제 1 영역은, 상기 투광층을 개재하여, 상기 제 2 표시 영역과 중첩되는 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역은, 상기 투광층을 개재하여, 상기 제 2 영역과 중첩되는 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은, 상기 제 2 영역의 외측에 만곡 영역을 포함하는, 표시 장치.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112015001208T5 (de) * | 2014-03-13 | 2016-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Elektronisches Gerät |
| CN112349211B (zh) * | 2014-07-31 | 2023-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
| KR102445185B1 (ko) | 2014-10-08 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US9942979B2 (en) * | 2014-11-03 | 2018-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible printed circuit board |
| JP2016095502A (ja) | 2014-11-11 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム、表示装置 |
| KR102356841B1 (ko) * | 2014-11-21 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JPWO2016116833A1 (ja) | 2015-01-22 | 2017-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| KR20230169489A (ko) | 2015-09-08 | 2023-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US10069100B2 (en) * | 2015-09-24 | 2018-09-04 | Apple Inc. | Flexible device with decoupled display layers |
| US10516118B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices |
| KR102617041B1 (ko) | 2015-12-28 | 2023-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기 |
| JP6367848B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2018-08-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN106297576B (zh) * | 2016-10-08 | 2023-04-11 | 杭州美卡乐光电有限公司 | Led箱体、led显示屏及其组装方法 |
| KR20180054965A (ko) * | 2016-11-14 | 2018-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 및 이를 포함하는 표시장치 |
| WO2018100458A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US20190329526A1 (en) * | 2016-12-20 | 2019-10-31 | Spiber Inc. | Fiber-reinforced resin material and laminate |
| TWI748035B (zh) | 2017-01-20 | 2021-12-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 顯示系統及電子裝置 |
| JP7079239B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2022-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 車両 |
| CN110494906B (zh) | 2017-03-31 | 2022-03-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
| US10984757B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Machine learning method, machine learning system, and display system |
| CN107332958A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-11-07 | 捷开通讯(深圳)有限公司 | 移动终端及其多功能后盖 |
| US11037525B2 (en) * | 2017-06-27 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and data processing method |
| US11296176B2 (en) | 2017-07-27 | 2022-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, and data processing device |
| CN110998703A (zh) | 2017-08-24 | 2020-04-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 图像处理方法 |
| WO2019038619A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル及び表示装置 |
| TW202326261A (zh) * | 2017-10-16 | 2023-07-01 | 美商康寧公司 | 具有邊緣包覆之導體的無框顯示圖塊及製造方法 |
| TWI840337B (zh) | 2017-11-30 | 2024-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法 |
| CN107742499B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-02-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种异形显示面板及显示装置 |
| CN112106444B (zh) * | 2018-05-23 | 2024-06-28 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| JP7054808B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2022-04-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 突板を用いた表示装置 |
| KR102465746B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 다중 패널 표시 장치 |
| CN108920010B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-09-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种触摸屏及oled显示面板 |
| CN110827762B (zh) * | 2018-08-14 | 2021-07-09 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏及其控制方法以及显示终端 |
| WO2020039291A1 (ja) | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| KR102677937B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2024-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102618812B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2023-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
| US11164934B2 (en) * | 2019-03-12 | 2021-11-02 | X Display Company Technology Limited | Tiled displays with black-matrix support screens |
| CN111831240B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-02-22 | 北京小米移动软件有限公司 | 终端屏幕的显示控制方法、装置及存储介质 |
| KR102628165B1 (ko) * | 2019-04-23 | 2024-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11342386B2 (en) * | 2019-05-27 | 2022-05-24 | Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. | Array substrate and display device each having a data line connecting sub-pixels of different colors |
| CN110444123B (zh) * | 2019-08-19 | 2022-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接显示装置及电子设备 |
| CN110752311B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-03-11 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| JP7396856B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2023-12-12 | ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 | 表示装置 |
| CN114550606A (zh) * | 2019-12-02 | 2022-05-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| KR20210076299A (ko) | 2019-12-13 | 2021-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 입력 센서 |
| TWI835978B (zh) * | 2020-01-22 | 2024-03-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| RU199341U1 (ru) * | 2020-03-24 | 2020-08-28 | Акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (АО "ЭЛАРА") | Световое табло |
| CN111640377B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-06-03 | 上海天马微电子有限公司 | 显示模组以及显示装置 |
| TWI737520B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN113284416B (zh) * | 2020-08-14 | 2023-03-10 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| TWI768725B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-06-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 分離式顯示系統 |
| CN112103320B (zh) * | 2020-09-22 | 2024-07-26 | 维信诺科技股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| KR20220049643A (ko) * | 2020-10-14 | 2022-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 타일형 표시 장치 |
| CN116325154A (zh) | 2020-12-23 | 2023-06-23 | 三星电子株式会社 | 具有显示模块的显示装置和制造该显示装置的方法 |
| KR20220091278A (ko) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| CN112736145B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-09-13 | 正泰新能科技有限公司 | 一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池 |
| KR20220135626A (ko) * | 2021-03-31 | 2022-10-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| CN113160711A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-23 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2023287069A1 (ko) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
| EP4325473A4 (en) | 2021-07-14 | 2024-10-02 | Samsung Electronics Co Ltd | DISPLAY DEVICE |
| US11747858B2 (en) * | 2021-09-21 | 2023-09-05 | International Business Machines Corporation | Wearable device with expandable display strips |
| WO2023062472A1 (ja) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および当該表示装置を有する電子機器 |
| KR20230069535A (ko) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대면적 표시장치 및 대면적 표시장치 구동 시스템 |
| TW202332072A (zh) * | 2022-01-19 | 2023-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 感測裝置 |
| KR20230119529A (ko) | 2022-02-07 | 2023-08-16 | 실리콘 디스플레이 (주) | 표시 장치 |
| CN114778339B (zh) * | 2022-04-11 | 2022-11-25 | 江苏鼎盛检测中心有限公司 | 一种基于大数据的可降低误差的高低温耐久测试分析方法 |
| JP2023180535A (ja) * | 2022-06-09 | 2023-12-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、導光板、および表示装置の製造方法 |
| TWI817830B (zh) * | 2022-11-16 | 2023-10-01 | 宏碁股份有限公司 | 顯示裝置與其顯示方法 |
| WO2024116786A1 (ja) * | 2022-11-29 | 2024-06-06 | パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社 | パネル体、表示装置、およびパネル体の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324673A (ja) | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| JP2003174153A (ja) | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
| JP2004038145A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及びこれを備えた電子機器 |
| US20050285811A1 (en) * | 2004-06-23 | 2005-12-29 | Sony Corporation | Display apparatus |
| JP2012028226A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP2013156452A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Fujitsu Ltd | マルチディスプレイ素子、マルチディスプレイ装置およびマルチディスプレイ素子の駆動方法 |
Family Cites Families (154)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5971083A (ja) | 1982-10-18 | 1984-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
| JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
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| JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
| WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
| JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5801797A (en) | 1996-03-18 | 1998-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display apparatus includes an opposite board sandwiched by array boards with end portions of the array boards being offset |
| JPH09311344A (ja) | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Toshiba Corp | 画像表示装置 |
| JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
| JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
| TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
| JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
| KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
| JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
| JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
| JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| US7362046B2 (en) * | 2001-11-10 | 2008-04-22 | Image Portal Limited | Partial overlapping display tiles of organic light emitting device |
| GB0127090D0 (en) | 2001-11-10 | 2002-01-02 | Image Portal Ltd | Display |
| JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法 |
| CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
| JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
| JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
| JP3937945B2 (ja) | 2002-07-04 | 2007-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びこれを備えた電子機器 |
| US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP2004251981A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Seiko Epson Corp | 複合型表示装置 |
| JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
| US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| JP4620046B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-01-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
| US7692378B2 (en) | 2004-04-28 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an insulating layer with an opening |
| US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| KR101030537B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그를 이용한 휘도 편차 보상방법 |
| JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
| US20060091794A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Eastman Kodak Company | Passive matrix OLED display having increased size |
| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
| US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
| US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
| AU2005302963B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-07-02 | Cannon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| WO2006051995A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006220789A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Nikon Corp | 微小光学素子作成方法 |
| JP2006220786A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
| US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
| JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| US20070001927A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-04 | Eastman Kodak Company | Tiled display for electronic signage |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
| JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
| JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
| KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
| TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法 |
| US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
| US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
| KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ ＴＦＴ |
| US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
| JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| US8223087B2 (en) * | 2006-09-25 | 2012-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-display apparatus and method of manufacturing the same |
| JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
| KR101217558B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2013-01-02 | 삼성전자주식회사 | 멀티 디스플레이 장치 |
| US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
| US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
| JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
| US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
| US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
| KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
| KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
| WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
| US20080284934A1 (en) | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP5194592B2 (ja) | 2007-07-10 | 2013-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| US7719745B2 (en) | 2007-07-10 | 2010-05-18 | Seiko Epson Corporation | Display device and electronic apparatus |
| WO2009066436A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| JP2009139463A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
| JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| KR101551882B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2015-09-10 | 삼성전자주식회사 | 멀티 디스플레이 장치 |
| KR101457563B1 (ko) | 2008-11-11 | 2014-11-04 | 삼성전자주식회사 | 멀티 디스플레이 장치 |
| US8576209B2 (en) * | 2009-07-07 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| CN101996535A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置和电子设备 |
| US8305294B2 (en) | 2009-09-08 | 2012-11-06 | Global Oled Technology Llc | Tiled display with overlapping flexible substrates |
| JP5356532B2 (ja) | 2009-10-08 | 2013-12-04 | シャープ株式会社 | 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置 |
| US9024936B2 (en) * | 2009-12-03 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display device, panel and panel manufacturing method |
| JP5370944B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-12-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネルおよびその製造方法 |
| JP5471728B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-04-16 | 凸版印刷株式会社 | 表示パネル、この表示パネルを利用した大型表示パネル |
| JP5541984B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-07-09 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101680765B1 (ko) | 2010-11-17 | 2016-11-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 접이식 디스플레이 장치 |
| JP5757083B2 (ja) | 2010-12-01 | 2015-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置 |
| JP5858367B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-02-10 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示ユニット、有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ表示ユニットの製造方法 |
| US20120274542A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP5927476B2 (ja) | 2011-10-03 | 2016-06-01 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および電子機器 |
| US9721998B2 (en) * | 2011-11-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US9469080B2 (en) * | 2012-01-06 | 2016-10-18 | Prysm, Inc. | Portable display |
| JP5501393B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置 |
| JP5979218B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-08-24 | コニカミノルタ株式会社 | 発光パネルおよびその製造方法 |
| JP6302186B2 (ja) | 2012-08-01 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
| GB2511549B (en) * | 2013-03-07 | 2020-04-22 | Plastic Logic Ltd | Tiled Displays |
| WO2015038684A1 (en) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | Polyera Corporation | Attachable article with signaling, split display and messaging features |
| JP2016029464A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN112349211B (zh) * | 2014-07-31 | 2023-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
| JP6602585B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2019-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| KR102445185B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP6823927B2 (ja) * | 2015-01-21 | 2021-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
| KR102272470B1 (ko) * | 2015-03-18 | 2021-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102383737B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2022-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20230169489A (ko) * | 2015-09-08 | 2023-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US10424632B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| WO2018100458A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
-
2015
- 2015-07-21 CN CN202010836809.3A patent/CN112349211B/zh active Active
- 2015-07-21 KR KR1020227010096A patent/KR102533396B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-21 KR KR1020177002208A patent/KR102380645B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-21 CN CN201580041378.9A patent/CN106537486B/zh active Active
- 2015-07-21 WO PCT/IB2015/055505 patent/WO2016016765A1/en active Application Filing
- 2015-07-23 US US14/806,950 patent/US10159135B2/en active Active
- 2015-07-24 TW TW104124130A patent/TWI681234B/zh active
- 2015-07-24 TW TW108143784A patent/TWI730518B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-24 TW TW110117338A patent/TWI785611B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-27 JP JP2015147526A patent/JP6517617B2/ja active Active
-
2018
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|---|---|---|---|---|
| JP2002324673A (ja) | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| JP2003174153A (ja) | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
| JP2004038145A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及びこれを備えた電子機器 |
| US20050285811A1 (en) * | 2004-06-23 | 2005-12-29 | Sony Corporation | Display apparatus |
| JP2012028226A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP2013156452A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Fujitsu Ltd | マルチディスプレイ素子、マルチディスプレイ装置およびマルチディスプレイ素子の駆動方法 |
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