TWI730518B - 顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

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TWI730518B
TWI730518B TW108143784A TW108143784A TWI730518B TW I730518 B TWI730518 B TW I730518B TW 108143784 A TW108143784 A TW 108143784A TW 108143784 A TW108143784 A TW 108143784A TW I730518 B TWI730518 B TW I730518B
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池田壽雄
杉澤希
柳澤悠一
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

一種能沿著彎曲表面顯示影像的顯示裝置。在顯示裝置中,第一顯示面板及第二顯示面板以提供於其之間的光穿透層相互重疊。光穿透層係位於第一顯示面板之顯示表面之一側,以及第二顯示面板相對於顯示表面之一側。光穿透層對應光波長範圍450nm~700nm具有平均透射率80%或更多,並且其折射率大於空氣。第一顯示面板之顯示區域與第二面板可見光穿透區域之區域係以其之間的光穿透層而重疊。較佳的是,第一顯示面板的顯示區域與第二顯示面板阻擋可見光之區域不重疊。

Description

顯示裝置及電子裝置
本發明之一實施例係關於一種顯示裝置、電子裝置或其製造方法。本發明特別是有關一種利用電致發光(在下文中也稱作EL)的顯示裝置或電子裝置,或利用其之製造方法。
需說明的是,本發明之實施例並非限制於上述的技術領域。具體來說,揭示於本說明書之本發明之實施例之技術領域之示例,包含半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、電力儲存裝置、儲存裝置、電子裝置、照明裝置、輸入裝置(例如觸控感測器)、輸入輸出裝置(例如觸控面板)、使用其之驅動方法,以及使用其之製造方法。
近年來,更大型的顯示裝置已經成為必需的。使用大型顯示裝置的例子包含家用電視裝置(也稱作TV或電使廣播接收器)、數位招牌以及公共資訊顯示器(PID)。顯示裝置較大的顯示區域能在同一時間提供較多的資訊量。此外,舉例來說,較大的顯示區域能吸引更多的注意,以致於廣告的效力被預期增加。
再者,對於在行動裝置上的應用來說,較大的顯示裝置已經成為必需。近年來,瀏覽功能已經藉由增加顯示裝置的顯示區域來增加在同一時間內被顯示的資訊量而改善。
發光元件利用EL(也稱作EL元件)具有便於薄型化及輕量 化、對輸入信號高速響應,以及以直流低電壓源驅動等特性;因此,已有提議將發光元件應用於顯示裝置。舉例來說,專利文件1揭示包含有機EL元件的顯示裝置。
此外,專利文件2揭示了可撓性的主動式矩陣發光裝置,於其中之有機EL元件以及當作開關元件的電晶體被提供於薄膜基板。
[專利文件]
[專利文件1]日本公開第2002-324673號專利案
[專利文件2]日本公開第2003-174153號專利案
本發明之一實施例之一目的在於增加顯示裝置的尺寸。本發明之一實施例之另一目的在於抑制顯示裝置的顯示不均勻或亮度不均勻。本發明之一實施例之另一目的在於減低顯示裝置的厚度及重量。本發明之一實施例之另一目的在於提供一種能沿著彎曲表面顯示影像的顯示裝置。本發明之一實施例之另一目的在於提供一種可高度瀏覽的顯示裝置。
本發明之一實施例之另一目的在於提供一種新穎的顯示裝置、電子裝置或類似。
需注意的是,這些目的的敘述並不會干擾其他目的的存在。本發明的其中之一實施例,無須達到所有的目的。其他目的能夠從規格說明、圖式以及申請專利範圍而衍生。
本發明之一實施例係為一種至少部分可撓的顯示裝置。顯示裝置包含第一顯示面板、第二顯示面板及光穿透層。第一顯示面板包含第 一區域。第一區域具有執行顯示的功能。第二顯示面板包含第二區域及第三區域。第二區域具有執行顯示的功能。第三區域相鄰於第二區域且具有使可見光穿透的功能。在光穿透層中,對應光波長範圍450nm至700nm的平均透射率為80%或更多。光穿透層的折射率高於空氣的折射率。光穿透層係介於該第一顯示面板與該第二顯示面板之間。光穿透層係設置於第一顯示面板之一顯示表面側且設置於與該第二顯示面板之一顯示表面側對立之一側。第三區域包含一區域,該區域與第一區域且於其之間之光穿透層重疊。
需注意的是,在本發明之一實施例中,在至少部分光穿透層中,對應光波長範圍450nm至700nm的平均透射率可能是80%或更多,較佳為90%或更多。相似地,至少部分光穿透層的折射率可高於空氣,且較佳為大於等於1.3或小於或等於1.8。
在上述的每個結構中,第一區域及第二區域均可包含發光元件。
在上述的每個結構中,第三區域可包含接合層。在此,接合層可以沿著第二區域外側邊緣的部分設置。
在上述的每個結構中,第二顯示面板可包含第四區域。第四區域相鄰於第二區域且具有阻擋可見光的功能。第四區域較佳不包含與第一區域重疊的部分。第四區域可包含線路。在此,線路可電連接至第二區域的發光元件。線路可沿第二區域外側邊緣的另一部分設置。
在上述的每個結構中,光穿透層較佳係可分離地與第一顯示面板及第二顯示面板至少其中之一連接。
在上述的每個結構中,光穿透層較佳包含惰性材料。
在上述的每個結構中,光穿透層較佳包含非揮發性材料。
在上述的每個結構中,光穿透層可包含一黏性大於等於1mPa.s且小於等於1000Pa.s之材料。此材料之黏性較佳為1Pa.s或更多,再佳為10Pa.s或更多,更佳為100Pa.s或更多。
在上述的每個結構中,軟性電路板(flexible printed circuit,FPC)可被包含。在此,軟性電路板可電連接於第一顯示面板。軟性電路板較佳包含與第二區域重疊之一部分。
本發明之一實施例也包含具有上述任何結構顯示裝置的電子裝置或照明裝置。例如,本發明之一實施例係為包含具有任何上述結構顯示裝置的電子裝置,以及天線、電池、殼體、喇叭、麥克風、操作開關、或操作按鈕。
根據本發明之一實施例,顯示裝置的尺寸可以加大。根據本發明之一實施例,顯示裝置的顯示不均勻或亮度不均勻能被抑制。根據本發明之一實施例,顯示裝置能夠薄型化或輕量化。根據本發明之一實施例,顯示裝置能夠沿彎曲表面顯示影像。根據本發明之一實施例,顯示裝置具有高度瀏覽性。
根據本發明之一實施例,一種新穎的顯示裝置、電子裝置或類似的裝置可被提供。
需說明的是,這些功效的說明並不干擾其他功效的存在。本發明的其中之一實施例並非一定能達到上述所有的功效。其他功效能藉由規格說明、圖式及申請專利範圍而衍生。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧顯示區域
15‧‧‧圓柱
16‧‧‧牆
100‧‧‧顯示面板
100a‧‧‧顯示面板
100b‧‧‧顯示面板
100c‧‧‧顯示面板
100d‧‧‧顯示面板
101‧‧‧顯示區域
101a‧‧‧顯示區域
101b‧‧‧顯示區域
101c‧‧‧顯示區域
101d‧‧‧顯示區域
102‧‧‧區域
102a‧‧‧區域
102b‧‧‧區域
103‧‧‧光穿透層
103a‧‧‧光穿透層
103a1‧‧‧光穿透層
103a2‧‧‧光穿透層
103b‧‧‧光穿透層
103b1‧‧‧光穿透層
103b2‧‧‧光穿透層
110‧‧‧可見光穿透區域
110a‧‧‧可見光穿透區域
110b‧‧‧可見光穿透區域
110c‧‧‧可見光穿透區域
110d‧‧‧可見光穿透區域
112a‧‧‧軟性電路板
112b‧‧‧軟性電路板
120‧‧‧阻擋可見光區域
120a‧‧‧阻擋可見光區域
120b‧‧‧阻擋可見光區域
120c‧‧‧阻擋可見光區域
123‧‧‧軟性電路板
131‧‧‧樹脂層
132‧‧‧保護基板
133‧‧‧樹脂層
134‧‧‧保護基板
141‧‧‧像素
141a‧‧‧像素
141b‧‧‧像素
142a‧‧‧線路
142b‧‧‧線路
143a‧‧‧電路
143b‧‧‧電路
145‧‧‧線路
151‧‧‧基板
151a‧‧‧基板
151b‧‧‧基板
152‧‧‧基板
152a‧‧‧基板
152b‧‧‧基板
153a‧‧‧元件層
153b‧‧‧元件層
154‧‧‧接合層
155‧‧‧區域
155a‧‧‧區域
155b‧‧‧區域
156‧‧‧區域
156a‧‧‧區域
156b‧‧‧區域
157‧‧‧接合層
201‧‧‧堆疊
203‧‧‧正極
205‧‧‧藍色發光單元
207‧‧‧中間
209‧‧‧黃色發光單元
211‧‧‧負極
250‧‧‧發光部分
251‧‧‧可見光穿透區域
253‧‧‧解多工器
255‧‧‧掃描驅動器
257‧‧‧導線
301‧‧‧顯示部分
302‧‧‧像素
302B‧‧‧子像素
302G‧‧‧子像素
302R‧‧‧子像素
302t‧‧‧電晶體
303c‧‧‧電容
303g(1)‧‧‧掃描線驅動電路
303g(2)‧‧‧影像像素電路
303s(1)‧‧‧影像訊號線驅動電路
303s(2)‧‧‧影像訊號線驅動電路
303t‧‧‧電晶體
304‧‧‧閘極
308‧‧‧影像像素
308p‧‧‧光電轉換元件
308t‧‧‧電晶體
309‧‧‧軟性電路板
311‧‧‧線路
319‧‧‧接頭
321‧‧‧絕緣層
328‧‧‧分隔
329‧‧‧間隔物
350R‧‧‧發光元件
351R‧‧‧下方電極
352‧‧‧上方電極
353‧‧‧EL層
353a‧‧‧EL層
353b‧‧‧EL層
354‧‧‧中間層
360‧‧‧接合層
367B‧‧‧彩色層
367BM‧‧‧光阻擋層
367G‧‧‧彩色層
367p‧‧‧抗反射層
367R‧‧‧彩色層
380B‧‧‧發光模組
380G‧‧‧發光模組
380R‧‧‧發光模組
390‧‧‧觸控面板
500‧‧‧顯示部分
500TP‧‧‧觸控面板
501‧‧‧顯示部分
503g‧‧‧驅動電路
503s‧‧‧驅動電路
505‧‧‧觸控面板
505B‧‧‧觸控面板
509‧‧‧軟性電路板
590‧‧‧基板
591‧‧‧電極
592‧‧‧電極
593‧‧‧絕緣層
594‧‧‧線路
595‧‧‧觸控感測器
597‧‧‧接合層
598‧‧‧線路
599‧‧‧連接層
600‧‧‧輸入部分
602‧‧‧感測單元
603d‧‧‧驅動電路
603g‧‧‧驅動電路
650‧‧‧電容器
651‧‧‧電極
652‧‧‧電極
653‧‧‧絕緣層
667‧‧‧窗格部分
670‧‧‧保護層
701‧‧‧基板
703‧‧‧接合層
705‧‧‧絕緣層
711‧‧‧基板
713‧‧‧接合層
715‧‧‧絕緣層
804‧‧‧發光部分
806‧‧‧驅動電路部分
808‧‧‧軟性電路板
813‧‧‧閘極絕緣層
814‧‧‧保護層
815‧‧‧絕緣層
817‧‧‧絕緣層
817a‧‧‧絕緣層
817b‧‧‧絕緣層
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧絕緣層
822‧‧‧接合層
823‧‧‧間隔物
824‧‧‧電晶體
825‧‧‧連接器
830‧‧‧發光單元
831‧‧‧下方電極
832‧‧‧調光層
833‧‧‧EL層
835‧‧‧上方電極
845‧‧‧彩色層
847‧‧‧光阻擋層
849‧‧‧平坦層
856‧‧‧傳導層
857‧‧‧傳導層
857a‧‧‧傳導層
857b‧‧‧傳導層
7000‧‧‧顯示部分
7001‧‧‧顯示部分
7100‧‧‧行動電話
7101‧‧‧殼體
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧外部連接埠
7105‧‧‧喇叭
7106‧‧‧麥克風
7200‧‧‧電視設定
7201‧‧‧殼體
7203‧‧‧支架
7211‧‧‧遙控器
7300‧‧‧可攜式資訊終端
7301‧‧‧殼體
7302‧‧‧操作按鈕
7303‧‧‧資訊
7400‧‧‧照明裝置
7401‧‧‧平台
7402‧‧‧發光部分
7403‧‧‧操作按鈕
7500‧‧‧可攜式資訊終端
7805‧‧‧電池
7501‧‧‧殼體
7502‧‧‧顯示部分拉出件
7503‧‧‧操作按鈕
7600‧‧‧可攜式資訊終端
7601‧‧‧殼體
7602‧‧‧閂
7650‧‧‧可攜式資訊終端
7651‧‧‧非顯示部分
7700‧‧‧可攜式資訊終端
7701‧‧‧殼體
7703a‧‧‧按鈕
7703b‧‧‧按鈕
7704a‧‧‧喇叭
7704b‧‧‧喇叭
7705‧‧‧外部連接埠
7706‧‧‧麥克風
7709‧‧‧電池
7800‧‧‧可攜式資訊終端
7801‧‧‧錶帶
7802‧‧‧輸入輸出接頭
7803‧‧‧操作按鈕
7804‧‧‧圖示
圖1A~圖1C係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖2A~圖2D係為顯示面板之實施例示意圖。
圖3A~圖3C係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖4A~圖4F係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖5A~圖5F係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖6A~圖6C係為顯示面板之實施例示意圖。
圖7A~圖7C係為顯示面板之實施例示意圖。
圖8A~圖8C係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖9A~圖9C係為發光面板之實施例示意圖。
圖10A~圖10C係為發光面板之實施例示意圖。
圖11A~圖11B係為發光面板之實施例示意圖。
圖12A~圖12C係為觸控面板之實施例示意圖。
圖13A~圖13B係為觸控面板之實施例示意圖。
圖14A~圖14C係為觸控面板之實施例示意圖。
圖15A~圖15C係為觸控面板之實施例示意圖。
圖16係為觸控面板之實施例示意圖。
圖17係為觸控面板之實施例示意圖。
圖18A~圖18F係為電子裝置及照明裝置之實施例示意圖。
圖19A1、19A2、19B、19C、19D、19E、19F、19G、19H及19I係為電子裝置之實施例示意圖。
圖20係為顯示裝置之實施例示意圖。
圖21A及圖21B係為實施例1之顯示裝置之圖示,圖21C係為實施例1之顯示裝置示意圖。
圖22A係為實施例1之顯示面板示意圖,圖22B係為實施例1之可見光穿透區域堆疊層之結構示意圖。
圖23係為可見光穿透區域之透射率量測結果。
圖24A係為實施例2之顯示裝置之圖式,圖24B係為實施例2之顯示面板之圖式。
圖25係為實施例2之發光元件。
圖26係為實施例2中顯示面板之亮度量測結果。
圖27係為實施例2中藉由顯示裝置顯示的圖式。
圖28A係為實施例3之顯示面板,圖28B及圖28C係為顯示面板重疊之方式。
圖29A~圖29C係為實施例3之彎曲測試之圖式,圖29D及圖29E係為實施例3中顯示在顯示面板上之圖像。
圖30A係為實施例3中藉由顯示面板顯示之圖式,圖30B係為實施例3驅動顯示裝置的方法。
圖31係為實施例3中藉由顯示裝置顯示的圖式。
圖32係為實施例3中藉由顯示裝置顯示的圖式。
實施例將會參照圖式詳細描述。需注意的是,本發明並不受限於下面的敘述,而且容易被那些對於本技術領域有通常知識者瞭解,在不背離本發明之精神與範圍的前提下,能做一些改變與調整。據此,本發明不應被解釋為僅限定於下面實施例的內容。
需注意的是,本發明描述於下的結構,相同或具有相似功能的部分在不同的圖式中係以相同的號碼表示,且這些部份不重覆描述。再者,相同的鑲嵌模式係用於具有相似功能的部分,並且該部分在一些情況中不特別標註號碼。
此外,圖式中每個結構的位置、尺寸、範圍或類似,為了便於理解,係以非精確地方式表示。因此,本發明所揭示的並非限至於圖中的位置、尺寸、範圍或類似的。
需注意的是,薄膜(film)以及層(layer)可以根據實施例或情況彼此交換。例如,傳導層(conductive layer)可以換成傳導薄膜(conductive film)。又,絕緣薄膜(insulating film)可以替換成絕緣層(insulating layer)。
需注意的是,在說明書中,示例中X與Y的電連接係包括以A和B之間不需要其他元件的方式而直接連接,亦包括以一或多個元件在X及Y之間(例如開關、電晶體、電容、電感、電阻、二極體、顯示元件、發光元件或負載)而使其電連接的方式連接。開關係被控制為開或關。亦即,開關傳導或不傳導(打開或關閉)以決定電流通過與否。也可以說,開關具有選擇或改變電流路徑的功能。
(實施例1)
於此實施例中,本發明之顯示面板之實施例將參考圖1A~圖1C、圖2A~圖2D、圖3A~圖3C、圖4A~圖4F、圖5A~圖5F、圖6A至圖6C、圖7A~圖7C,以及圖8A~圖8C描述。
複數個顯示面板排列成一或多個方向(例如一欄或一矩 陣),藉此以製造大顯示區域的顯示裝置。
在使用複數個顯示面板來製造大顯示裝置的情況下,每一個顯示面板並不需要很大。因此,製造顯示面板的裝置不需要增加尺寸,以致於能節省空間。此外,因為製造小尺寸及中型尺寸顯示面板的裝置能夠被使用,因此不需要為了增加顯示裝置的尺寸而使用新的製造裝置,製造成本也可因此降低。進而,因為增加顯示面板尺寸而導致的收益減少得以被抑制。
當顯示面板為小尺寸時,具有複數個顯示面板的顯示裝置較具有單一顯示面板的顯示裝置有較大的顯示區域。
然而,每個顯示面板具有圍繞著顯示區域的非顯示區域。因此,舉例而言,在使用多個顯示面板輸出以顯示一個圖像的情況下,該圖像對於顯示裝置的用戶會顯示出被分割的現象。
雖然縮小顯示面板的非顯示區域(使用較窄邊框的顯示面板)可以防止顯示面板的圖像出現被分割的現象,但難以完全除去非顯示區域。
此外,較小的非顯示區域導致顯示面板邊緣與顯示面板元件之間的距離減少,以至於在某些情況下,元件容易因由顯示面板外部進入的雜質而劣化。
因此,在本發明之一實施例之顯示裝置中,複數個顯示面板被排列成部分相互重疊。在兩個顯示面板相互重疊下,至少有一個位於顯示表面側(上側)的顯示面板包含相鄰於顯示區域的可見光穿透區域。在本發明之一實施例之顯示裝置中,位於下側的顯示面板的顯示區域與位於上側 的顯示面板之可見光穿透區域相互重疊。因此,兩顯示面板的顯示區域之間的非顯示區域互相重疊可以減少甚至被移除。據此,我們可以得到一大型顯示裝置,而其顯示面板間的接縫幾乎不會被使用者發現。
在本發明之一實施例中,位於上側的顯示面板的非顯示區域有至少一部分係為可見光穿透區域,並且能重疊於位於下側的顯示面板的顯示區域。在本發明之一實施例中,位於下側的顯示面板的非顯示區域有至少一部分能與位於上側的顯示面板的顯示區域或其阻擋可見光之區域重疊。這些區域的面積不需要減少,因為減少顯示裝置邊框區域的面積(減少顯示區域之外的區域)不會受這些區域的影響。
此外,較大的非顯示區域會導致顯示面板中顯示面板邊緣與顯示元件之間的距離增加,以抑制因由顯示面板外部進入的雜質而造成元件劣化的現象。舉例來說,在有機EL元件被用作顯示元件的情況下,當顯示面板中顯示面板邊緣與有機EL元件之間的距離增加時,雜質例如溼氣或氧氣較不會從顯示面板外側進入(或接觸)到有機EL元件。由於本實施例中顯示裝置的非顯示區域有足夠的面積是安全的,因此即使當顯示面板包含有機EL元件或類似時,高度可靠性的大型顯示裝置還是可以被實現。
當空氣存在於設置於上側的顯示面板的可見光穿透區域及設置於下側的顯示面板的顯示區域之間時,由顯示區域被提取的光的一部分會被反射到顯示區域與空氣之間的界面以及空氣與可見光穿透區域之間的界面,而可能導致顯示的亮度降低。因此,該複數個顯示面板相互交疊區域的光提取效率會減少。此外,下側顯示面板的顯示區域與上側顯示面板透射可見光區域重疊的部分與該區域不與上側顯示面板透射可見光區域 重疊的部分之間存在著亮度差,從而使顯示板之間的接縫容易在某些情況下被用戶辨識。
在本發明之一實施例之顯示裝置中,有一具有高於空氣折射率並可使可見光穿透的光穿透層,被提供於顯示區域與可見光穿透區域之間。因此,可以防止空氣進入顯示區域與可見光穿透區域之間,如此一來,因為折射率差異而在界面形成的反射得以被抑制。此外,顯示裝置的顯示不均勻或亮度不均勻也能被抑制。
具體來說,本發明之一實施例係為一種顯示裝置,包含第一顯示面板、第二顯示面板以及光穿透層。第一顯示面板包含第一區域。第一區域具有執行顯示的功能。第二顯示面板包含第二區域及第三區域。第二區域具有執行顯示的功能。第三區域相鄰於第二區域且具有使可見光穿透的功能。在光穿透層中,對應光波長範圍450nm至700nm的平均透射率為80%或更多。光穿透層的折射率高於空氣的折射率。光穿透層係介於該第一顯示面板與該第二顯示面板之間。光穿透層係設置於第一顯示面板之一顯示表面側且設置於與該第二顯示面板之一顯示表面側對立之一側。第三區域包含一區域,該區域與第一區域且於其之間之光穿透層重疊。
至少部分顯示裝置可具有可撓性。至少部分顯示面板可具有可撓性。本發明之一實施例之顯示裝置較佳包含可撓性顯示面板。在此情況下,大型的彎曲顯示裝置或可撓性顯示裝置可以被提供,應用亦被延伸。在此,有機EL元件可適合用作顯示元件。
需注意的是,在光穿透層中對應可見光波長的透射率較佳為較高的,因為顯示裝置的光提取效率可被增加。例如,對應光波長範圍450nm 至700nm的平均透射率可能是80%或更多,較佳為90%或更多。
光穿透層與接觸光穿透層層面之間的折射率差異,較佳為較小的,如此,光反射可被抑制。舉例而言,光穿透層的折射率可高於空氣,且較佳為大於或等於1.3或小於或等於1.8。光穿透層與接觸光穿透層的層面(例如顯示面板的基板)之間的折射率差異,較佳小於或等於0.30,再佳係小於或等於0.20,更佳係小於或等於0.15。
較佳而言,光穿透層係可分離地與第一顯示面板及第二顯示面板至少其中之一連接。於此實施例中,顯示裝置中的每一個顯示面板係為可分離的,當故障發生於其中一個顯示面板時,舉例來說,就可以很容易地僅以新的顯示面板替換有缺陷的顯示面板。藉由繼續地使用其他的顯示面板,顯示裝置能被使用地更久且成本更低廉。
當不需要接上或拆下顯示面板時,顯示面板以具有黏著特性(黏著劑或類似)的材料於光穿透層彼此固定。
任何一種無機材料和有機材料均可用於光穿透層。液態物質、凝膠狀物質或固體物質均可被使用於光穿透層。
關於光穿透層,液態物質例如水、溶劑、氟底的惰性液體、折射液體、矽油,或類似均能被使用。
在顯示裝置傾斜於水平面(垂直於重力方向之面)或垂直於水平面的情況下,液態物質的黏性較佳為1mPa.s或更多,更佳為1Pa.s或更多,再佳為10Pa.s或更多,而再更佳為100Pa.s或更多。在顯示裝置被放置成與水平面平行或類似的情況下,液態物質的黏性並不以此為限。
光穿透層較佳為惰性的,因為可以防止顯示裝置中的另一層 被損壞或類似。
包含於光穿透層中的材料較佳為非揮發性的。如此,可防止因為光穿透層的材料揮發而使空氣進入到界面中。
關於光穿透層,高分子材料可被使用。這種高分子材料可包含樹脂,例如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽樹脂、酚樹脂、聚烯亞胺樹脂、(酰)亞胺樹脂、聚氯乙烯(PVC)樹脂、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)樹脂,以及乙烯醋酸乙烯酯(EVA)樹脂。然而,兩種成分混合型的樹脂也可以被使用。某些固化黏著劑,例如易反應的固化黏著劑、熱固黏著劑、厭氧膠粘劑,以及光固化黏著劑例如紫外光固化膠,若其中包含這些樹脂中至少一種,亦可被使用。在顯示面板不用彼此固定或類似的情況下,黏著劑並非一定是固化的。
光穿透層較佳對物體具有高度自黏性。此外,光穿透層較佳對物體具有高度分離性。在貼附於顯示面板的光穿透層與顯示面板分離後,光穿透層較佳能夠再次被貼附於顯示面板。
此外,光穿透層較佳具有非黏著性或低黏著性。因此,光穿透層於物體的貼附及光穿透層與物體的分離可以重覆且不損壞或汙染物體的表面。
光穿透層,舉例來說,可以使用具有貼附性的薄膜或具有黏著性的薄膜。在使用具有貼附層或黏著層的堆疊層結構的貼附薄膜及基材的情況下,貼附層或黏著層可有如同本發明之一實施例之顯示裝置的光穿透層之作用,且基材可有如同顯示面板中的基材之作用。貼附薄膜也可以包含介於貼附層或黏著層與基材之間的錨固層。錨固層具有增強貼附層或 黏著層與基材之間的黏性的功用。此外,錨固層具有平滑基材貼附層或黏著層之塗佈表面的功能。以此方式,氣泡幾乎不會在物體與光穿透層之間產生。
舉例而言,一個矽樹脂層與聚酯薄膜係為堆疊的薄膜較佳可以被使用於本發明之一實施例之顯示裝置。在此,矽樹脂層具有貼附性且有光穿透層之功能。聚酯薄膜被用來作為顯示面板中的基材。需注意的是,顯示面板中的基材除了聚酯薄膜外更可進一步設置。
於薄膜中的貼附層、基材、以及黏著層或接合層係堆疊使用的情況下,貼附層的作用為本發明之一實施例之顯示裝置的光穿透層;基材之作用如同顯示面板之基板;而黏著層或接合層則用作貼附元件層及顯示面板之基板。
光穿透層的厚度並沒有特定限制。舉例而言,其厚度可以大於等於1um且小於等於50um。光穿透層的厚度可以大於50um;然而,顯示裝置的厚度較佳被設定致使在可撓性顯示裝置被製造的情況下,顯示裝置的可撓性不會降低。例如,光穿透層的厚度較佳大於或等於10um且小於或等於30um。此外,光穿透層的厚度也可以小於1um。
在下文中,本發明之一實施例之顯示裝置之特定示例係參照圖式說明。
在下文中,為了區分個別的顯示面板、顯示面板中彼此相同的元件、或與顯示面板有關連的相同元件,我們將字母添加至編號中。除非另有規定,”a”被添加至最低側(對立於顯示表面側之一側)的顯示面板及元件的編號中,而對於後來在其上放置的一或多個的顯示面板及元件,則 增添”b”、”c”,及以此類推的字母至編號中,由下側依照字母順序排列添加。再者,除另有說明,在結構的描述中,若其中包含複數個顯示面板,而顯示面板或元件的共同部分被描述時,字母則不會被添加。
本發明之一實施例之顯示裝置包含複數個顯示面板在一或多個方向上。
圖1A係為顯示裝置10的上視圖。繪示於圖1A的顯示裝置10包含排列於單一方向(橫向方向)的三個繪示於圖2B之顯示面板100。
圖1B及圖1C係為不同於圖1A的顯示裝置10之透視圖。圖1B及圖1C中的顯示裝置10包含四個繪示於圖2C中的顯示面板100,排列成兩列及兩欄的矩陣(兩個顯示面板在垂直方向及橫向方向上)。圖1B係為顯示裝置10在顯示表面側上的透視圖。圖1C係為顯示裝置10在顯示表面側之對側上之透視圖。
圖1A至圖1C繪示每個顯示面板電連接至軟性電路板之實施例示意圖。
顯示面板可被用作顯示裝置10,係描述於圖2A至圖2D。圖2A至圖2D係為顯示面板100之上視圖。
顯示面板100包含顯示區域101及區域102。在此,區域102係指顯示面板100之上視圖中除了顯示區域101之部分。區域102也可以被稱為非顯示區域。
舉例來說,顯示面板100可能包含環繞於顯示區域101的框架式區域102,如圖2A所示。
圖2B至圖2D特別繪示區域102之結構。區域102包含可見光 穿透區域110以及阻擋可見光之區域120。可見光穿透區域110以及阻擋可見光之區域120各相鄰於顯示區域101。可見光穿透區域110以及阻擋可見光之區域120可沿著顯示區域101外側邊緣而設置。
圖2B之顯示面板100,可見光穿透區域110係沿顯示區域101之一側設置。圖2C之顯示面板100,可見光穿透區域110係沿顯示區域101兩側設置。可見光穿透區域110可以沿顯示區域101之三側或更多側而設置。可見光穿透區域110較佳與顯示區域101連接且被設置用以延伸顯示面板末端部分,如圖2B至圖2D等所示。
圖2B至圖2D之顯示面板100,阻擋可見光之區域120係沿顯示區域101兩側設置。阻擋可見光之區域120可能被延伸至接近顯示面板之末端部分。
需注意的是,圖2B及圖2C所示的顯示區域102中,除了可見光穿透區域110之及阻擋可見光之區域120之區域之外的其他部分,並非一定具有可見光穿透之特性。舉例來說,可見光穿透區域110可能被設置於顯示面板的整個周圍,如圖2D所示。光穿透區域110中至少有一部分可能相鄰於顯示區域101。阻擋可見光之區域120可能部分設置於可見光穿透區域110與顯示區域101之間。
顯示區域101包含排列於矩陣中的複數個像素且能夠顯示影像。一或多個顯示元件被提供於每個像素。發光元件例如有機EL元件、電泳元件、利用微機電系統(micro electro mechanical system,MEMS)的顯示元件、液晶元件或類似能被使用為顯示元件。
傳遞可見光的材料係用於可見光穿透區域110。舉例來說, 可見光穿透區域110可以包含顯示面板100中的基板、接合層或類似的裝置。對應於可見光穿透區域110之可見光的透射率較佳為較高,因為在可見光穿透區域110下顯示面板的光提取效率會增加。舉例來說,可見光穿透區域110,對應光波長範圍450nm至700nm的平均透射率為70%或更多,較佳是80%或更多,再較佳為90%或更多。
在阻擋可見光之區域120中,提供了例如電連接至顯示區域101中的像素(或顯示元件)的線路。除了線路外,用以驅動像素的驅動電路(例如掃描線驅動電路及訊號線驅動電路)可能被提供。此外,阻擋可見光之區域120也可包含電連接至軟性電路板等(也稱為連接點)的接頭、電連接至接頭的線路及類似。
在此,可見光穿透區域110的寬度W較佳為大於或等於0.5mm且小於或等於150mm,再較佳為大於或等於1mm且小於或等於100mm,更佳為大於或等於2mm且小於或等於50mm。可見光穿透區域110作為密封區域,且隨著可見光穿透區域110的寬度W愈大,顯示面板100的邊緣與顯示區域101之間的距離變得愈長,致使從外側進入顯示區域101的雜質例如水能被抑制。需注意的是,在某些情況下,可見光穿透區域110的寬度W對應到顯示區域101與顯示面板100邊緣之間的最短距離。
舉例來說,於有機EL元件被用作顯示元件的情況下,可見光穿透區域110的寬度W被設定為大於或等於1mm,藉此,有機EL元件的劣化能有效地被抑制,因而促使可靠性的改善。需注意的是,在可見光穿透區域110之外的部分,顯示區域101邊緣與顯示面板100邊緣之間的距離較佳為上述的範圍。
圖1A之顯示裝置10包含顯示面板100a、顯示面板100b,以及顯示面板100c。
顯示面板100b係以顯示面板100b的部分重疊至顯示面板100a的上側(顯示表面側)的方式放置。具體而言,顯示面板100b的可見光穿透區域110b被疊放至顯示面板100a的顯示區域101a。顯示面板100b的阻擋可見光之區域120b以不重疊至顯示面板100a的顯示區域101a的方式設置。顯示面板100b的顯示區域101b被疊放至顯示面板100a的區域102a以及其阻擋可見光之區域120a。
類似地,顯示面板100c以部分顯示面板100c重疊至顯示面板100b之上側(顯示表面側)的方式放置。具體而言,顯示面板100c的可見光穿透區域110c被疊放至顯示面板100b的顯示區域101b。顯示面板100c的阻擋可見光之區域120c以不重疊至顯示面板100b的顯示區域101b的方式設置。顯示面板100c的顯示區域101c被疊放至顯示面板100b的區域102b以及顯示面板100b的阻擋可見光之區域120b。
可見光穿透區域110b被疊放至顯示區域101a;因此,顯示裝置10的使用者可以視覺辨識顯示區域101a的整個影像,即使當顯示面板100b重疊於顯示面板100a的顯示表面。相似地,可見光穿透區域110c被疊放至顯示區域101b;因此,顯示裝置10的使用者可以視覺辨識顯示區域101b的整個影像,即使當顯示面板100c重疊至顯示面板100b的顯示表面。
顯示面板100b的顯示區域101b被疊放至區域102a及阻擋可見光之區域120a的上側,藉此,非顯示區域不會被提供至顯示區域101a及顯示區域101b之間。類似地,顯示面板100c的顯示區域101c與區域102b及阻擋 可見光之區域120b的上側重疊,藉此,非顯示區域不會存在於顯示區域101b及顯示區域101c之間。因此,一個以顯示區域101a、顯示區域101b以及顯示區域101c無縫銜接的區域可作為顯示裝置10的顯示區域11。
圖1B及圖1C之顯示裝置10包含顯示面板100a、顯示面板100b、顯示面板100c以及顯示面板100d。
圖1B及圖1C中,顯示面板100a及100b之短邊側互相重疊,以至於部分顯示區域101a以及部分可見光穿透區域110b相互重疊。顯示面板100a及100c之長邊側相互重疊,致使部分顯示區域101a以及部分可見光穿透區域110c相互重疊。
圖1B及圖1C中,部分顯示區域101b與部分可見光穿透區域110c及部分可見光穿透區域110d重疊。此外,部分顯示區域101c與部分可見光穿透區域110d重疊。
因此,如圖1B所示,一個以顯示區域101a至101d無縫銜接的區域可作為顯示裝置10的顯示區域11。
在此,顯示面板100較佳具有可撓性。舉例來說,顯示面板100中包含的一對基板較佳具有可撓性。
因此,如圖1B及圖1C所示,接近顯示面板100a之軟性電路板112a的區域可以被彎曲致使部分顯示面板100a及部分軟性電路板112a可以配置在顯示面板100b的顯示區域101b之下,相鄰於軟性電路板112a。因此,軟性電路板112a可以沒有干擾地被配置在顯示面板100b的後表面。更進一步地說,當顯示面板100a與顯示面板100b相互重疊並固定時,並不需要考慮軟性電路板112a的厚度;因此,可見光穿透區域110b之上表面與顯示 面板100a之上表面之間的高度差能夠被降低。這可以使顯示面板100b覆蓋在顯示區域101a的末端部分較不明顯。
此外,每個顯示面板100具有可撓性,藉此顯示面板100b可以被輕微地彎曲,致使顯示面板100b之顯示區域101b之上表面與顯示面板100a之顯示區域101a之上表面的高度會彼此相等。因此,除了顯示面板100a及顯示面板100b互相重疊區域附近以外,顯示區域的高度能夠彼此相同。如此一來,顯示裝置10的顯示區域11的畫面顯示品質可以被改善。
雖然顯示面板100a及顯示面板100b之間的關係係作為上述描述之示例,該關係同樣可以應用到任何其它兩個相鄰的顯示面板之間。
更進一步來說,為了減少兩個相鄰顯示面板100之間的段差,顯示面板100的厚度較佳為小的。例如,顯示面板100的厚度較佳小於或等於1mm,再佳為小於或等於300um,更佳為小於等於100um。顯示面板較佳為薄型,因為如此整個顯示裝置的厚度及重量也可以被降低。
圖3A係為圖1B及圖1C的顯示裝置10從顯示表面側觀察的上視圖。
在此,當顯示面板100之可見光穿透區域110對應於可見光(例如光波長大於或等於450nm且小於或等於700nm)之透射率不夠高時,顯示的影像亮度可能會根據顯示面板100重疊於顯示區域101之數量而降低。
舉例來說,圖3A之區域A,一顯示面板100c重疊於顯示面板100a的顯示區域101a。在區域B,兩個顯示面板100(顯示面板100c及100d)重疊於顯示面板100b的顯示區域101b。在區域C,三個顯示面板100(顯示面板100b、100c及100d)重疊於顯示面板100a的顯示區域101a。
在此情況下,顯示影像的數據較佳被修正致使像素的灰階根據顯示面板100重疊於顯示區域101的數量而局部地增加。於此方式,顯示於顯示裝置10的顯示區域11上的影像品質降低能夠被抑制。
然而,顯示面板100放置於上側的末端部分的位置可以從其他顯示面板100的末端部分位移,藉此,顯示面板100重疊於下方顯示面板100之顯示區域101之數量可以減少。
在圖3B中,放置於顯示面板100a上的顯示面板100c及100d以一個方向位移。具體來說,顯示面板100c及100d在X方向上從顯示面板100a及100b以可見光穿透區域110的寬度W的距離相對位移。此時,有兩種區域:顯示面板100重疊於顯示區域101中的區域D,以及兩個顯示面板100重疊於顯示區域101中的區域E。
顯示面板可以垂直於X方向的方向(Y方向)位移。在圖3C中,顯示面板100b及100d係在Y方向上從顯示面板100a及100c以可見光穿透區域110的寬度W的距離相對位移。
在放置於上側的顯示面板100從放置於下側的顯示面板100位移的情況下,顯示面板100的顯示區域101組合後之輪廓形狀係不同於矩形。因此,於顯示裝置10的顯示區域11的形狀係設定為如圖3B或圖3C所示的矩形的情況下,顯示裝置10可被驅動為沒有影像被顯示於放置在顯示區域11之外的顯示面板100之顯示區域101上。在此,考慮未顯示影像區域之像素數量,提供於顯示面板100的顯示區域101中之像素數量可高於所有矩形顯示區域11中像素數量除以顯示面板100數量的商數。
雖然上述實施例中的每個顯示面板100的相對位移距離被設 定成可見光穿透區域110的寬度W的整數倍,但是並非以此限定,而是也可將顯示面板100的形狀以及顯示裝置10的顯示區域11的形狀納入考慮而做適當的設定,其中顯示裝置10係由顯示面板100組合而成或類似。
圖4A至圖4F及圖5A至圖5F係為兩個顯示面板相互貼附之剖視圖。
在圖4A至圖4D中,下方的顯示面板包含顯示區域101a、可見光穿透區域110a,以及可見光穿透區域120a。下方顯示面板電連接至軟性電路板112a。上側(在顯示表面側)的顯示面板包含顯示區域101b、可見光穿透區域110b,以及阻擋可見光穿透區域120b。上側的顯示面板電連接於軟性電路板112b。
在圖4A中,軟性電路板112a及軟性電路板112b分別連接至下方顯示面板之顯示表面側(前表面)以及上方顯示面板之顯示表面側。
顯示區域101a以光穿透層103重疊於可見光穿透區域110b,該光穿透層103係位於其之間。因此,空氣會被阻止進入顯示區域101a以及可見光穿透區域110b之間,致使因折射率差異而導致的界面反射被抑制。
據此,發生在重疊於可見光穿透區域110b的部分顯示區域101a與未重疊於可見光穿透區域110b的部分顯示區域101a之間的亮度差異能夠被抑制,如此一來,顯示裝置的顯示面板間的接縫幾乎不會被顯示裝置的使用者發現。此外,顯示裝置的顯示不均及亮度不均能夠被抑制。
阻擋可見光穿透區域120a以及軟性電路板112a與顯示區域101b重疊。因此,非顯示區域可有一足夠大的面積並且無縫顯示區域的尺寸可以增加,致使高度可靠的大型顯示裝置可以被實現。
在圖4B中,軟性電路板112a及軟性電路板112b分別連接至下方顯示面板的顯示表面之對向表面(後表面)側以及上方顯示面板的顯示表面側之對向表面(後表面)側。
如圖4B所示,光穿透層103可以被提供至顯示區域101a及可見光穿透區域110b之間,以及可見光穿透區域120a與顯示區域101b之間。
當軟性電路板連接至顯示面板之後表面側時,下方顯示面板的末端部分可以貼附至上方顯示面板之後表面側;因此,貼附的面積能夠增加且被貼附的部分的機械強度可以增加。
如圖4C所示,光穿透層103可以重疊至顯示區域101a沒有與上方顯示面板重疊之區域。進一步,可見光穿透區域110a及光穿透層103可以相互重疊。
如圖4D所示,上方顯示面板未與顯示區域101a及光穿透層103重疊之區域可以相互重疊。
例如,如圖4E所示,下方顯示面板可包含基板151a、基板152a以及元件層153a,且上方顯示面板可包含基板151b、基板152b以及元件層153b。
元件層153a包含一包含顯示元件的區域155a,以及包含電連接至顯示元件的線路的區域156a。區域156a所包含之線路係電連接至軟性電路板112a。
包含於上方顯示面板的元件層153b亦包含一包含顯示元件的區域155b,以及包含電連接至顯示元件的線路的區域156b。區域156b所包含之線路係電連接至軟性電路板112b。
光穿透層103a被設置於基板152a之上。舉例來說,堆疊的基板152a與光穿透層103a可以用上述有貼附層堆疊的薄膜與基材來形成。基板152b及光穿透層103b可以具有與堆疊基板152a及光穿透層103a的相似結構。
在此,在某些情況下,細塵例如空氣中的灰塵係根據光穿透層的材料而貼附。在此情況中,較佳為顯示區域101a未與上方顯示面板重疊,以及光穿透層103不相互重疊。這能防止由於細塵等貼附至光穿透層103而導致顯示裝置的顯示不清楚的現象。
如圖4F所示,光穿透層103a可能與基板151a接觸。例如,堆疊基板151a與光穿透層103a可以用上述有貼附層堆疊的薄膜與基材來形成。基板151b和光穿透層103b可與堆疊基板151a及光穿透層103a具有類似的結構。
如圖4F中之結構,光穿透層不被提供於顯示裝置的顯示表面的最外表面;因此,由於細塵等貼附至光穿透層103而導致顯示裝置的顯示不清楚的情況可以被防止。此外,當具有貼附性的光穿透層被設置於顯示裝置的後表面時,顯示裝置可以以可分離的方式,藉由未連接至顯示面板之光穿透層表面,貼附至想要的部分。
或者,如圖5A及圖5B所示,一覆蓋至顯示面板100a及顯示面板100b之前表面的樹脂層131可被設置。具體而言,樹脂層131較佳被設置以覆蓋顯示面板100a及100b的顯示區域,以及顯示面板100a及顯示面板100b重疊的區域。
通過設置樹脂層131在多個顯示面板100,顯示裝置10的機械強度可被增加。另外,樹脂層131被形成為具有平坦的表面,由此,顯示在 顯示區域11的圖像的顯示質量可以提高。例如,再使用一個塗佈裝置如狹縫塗佈機,簾式塗佈機,凹版塗佈機,輥塗機,或旋塗機的情況下,可以形成一個具有高的平整度的樹脂層131。
樹脂層131的折射率較佳為顯示面板100的顯示表面側上基板的折射率的0.8~1.2倍,更佳為顯示面板100的顯示表面側上基板的折射率的0.9~1.1倍,再佳為顯示面板100的顯示表面側上基板的折射率的0.95~1.15倍。由於顯示面板100和樹脂層131之間的折射率差較小,光可以被更有效地提取。另外,具有該折射率的樹脂層131被設置以覆蓋顯示面板100a和顯示面板100b中的段差,以致於段差部分不容易被發現,且顯示在顯示區域11的圖像質量可以增加。
樹脂層131係為傳導可見光的層。舉例來說,有機樹脂例如環氧樹脂、芳族聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、或聚酰胺-酰亞胺樹脂可以被使用於樹脂層131。
另外,如圖5C及圖5D所示,保護基板132較佳設置於顯示裝置10之上,其間設置樹脂層131。在此,樹脂層131可以作為用以接合保護基板132及顯示裝置10的接合層。使用保護基板132,顯示裝置10的表面可以被保護,此外,顯示裝置10的機械強度可被增加。具有透光性的材料被使用在位於至少有與顯示區域11重疊的區域的保護基板132。此外,在位於與顯示區域11重疊的區域以外的保護基板132可能具有不被視覺識別的遮光性。
保護基板132可以具有觸控面板的功能。在顯示面板100是可撓的且可彎曲的情況下,保護基板132較佳也是可撓的。
更進一步,保護基板132與顯示面板100的顯示面側基板或樹脂層131之間的折射率差較佳為小於或等於20%,更佳為小於或等於10%,再佳為小於或等於5%。
保護基板132可以使用形成薄膜的塑料基板。舉例來說,塑料基板包括聚酯樹脂,例如聚對苯二甲酸乙酯(PET)和聚萘二甲酸(PEN),聚丙烯腈樹脂,聚酰亞胺樹脂,聚甲基丙烯酸甲酯樹脂,聚碳酸酯(PC)樹脂,聚醚砜(PES)樹脂,聚酰胺樹脂(例如,尼龍,芳族聚酰胺),聚環烯烴樹脂,聚苯乙烯樹脂,聚酰胺酰亞胺樹脂,聚氯乙烯樹脂,聚醚醚酮(PEEK)樹脂,聚砜(PSF)樹脂,聚醚酰亞胺(PEI)樹脂,聚芳酯(PAR)樹脂,聚丁烯對苯二甲酸酯(PBT)樹脂,聚四氟乙烯(PTFE)樹脂,以及矽氧烷樹脂。基板中纖維體中浸滲有樹脂(也被稱為預浸料坯)或通過混合有機樹脂與無機填料而將基板的線性膨脹係數降低也可使用。此外,保護基板132並不限於樹脂膜,並通過處理紙漿形成為連續的片材,片材包括一個人工蜘蛛絲纖維含蛋白質稱為纖蛋白,一個複雜的透明非織造織物,其中所述透明非織造織物或片材和樹脂混合時,堆疊的樹脂薄膜和含有纖維素纖維,其纖維寬度為4nm以上且100nm以下,或層疊的樹脂薄膜和片材,包括一個人工蜘蛛的無紡織物螺紋纖維也可以使用。注意,本發明的一實施例的顯示裝置或顯示面板可以被附著於丙烯酸板,玻璃板,木製板,金屬板或類似物。顯示裝置的顯示表面,顯示面板的顯示表面或相反的顯示表面可連接到這些板表面(在顯示面附著到任何這些板的情況下,將會使用可傳遞可見光的板)。較佳的是,顯示裝置或顯示板可拆卸地連接到上述各板中任一者。
偏振板、圓偏振板、相位差板、光學膜等之中至少其一可以被使用作為保護基板132。
如圖5E所示,樹脂層133和保護基板134可以設置在顯示面板100a和顯示面板100b的顯示表面的相對表面上。當基板支撐顯示面板被提供至顯示面板之後表面上時,非故意翹曲或顯示面板的彎曲可被抑制,從而使顯示表面保持光滑。因此,圖像的顯示質量顯示在顯示區域11可以提高。
需注意的是,設置在相對顯示表面一側的樹脂層133和保護基板134不一定具有透光屬性,並且可以使用吸收或反射可見光的材料。
如圖3F所示,樹脂層131和保護基板132可以設置在顯示面板的前表面上,且樹脂層133和保護基板134也可以被提供至其後表面。以這種方式,顯示面板100a和100b在兩個保護基板之間,由此可進一步提高顯示裝置10的機械強度。
較佳的是,樹脂層131和保護基板132的總厚度是大致相同於樹脂層133和保護基板134的。例如,較佳而言,樹脂層131和133的厚度基本上彼此相等,而對於保護基板132和134,可以使用具有相同厚度的材料。在這種情況下,多個顯示面板100的可被集中於疊層的在厚度方向的中心。例如,當包括顯示面板100的堆疊是彎曲的,通過定位在顯示面板100的中心的厚度方向,可以緩和在橫向方向上通過彎曲施加到顯示面板100的應力,從而防止顯示面板100被損壞。
在樹脂層和保護基板的厚度在端部和所述顯示裝置的中心之間不同的情況下,樹脂層131和保護基板132的總厚度以及樹脂層133和保 護基板134的總厚度可以在相同條件下進行比較;上述條件係由例如平均厚度,最大厚度,最小厚度或類似的條件中被適當地選擇。
在圖5F中,較佳使用相同的材料來作為樹脂層131和133,因為製造成本可以降低。類似的,較佳使用相同的材料來作為保護基板132和134,因為製造成本可以降低。
如圖5E及圖5F所示,較佳於樹脂層133和保護基板134提供一開口來提取軟性電路板112a,其位於顯示面板100a和100b的後表面側。具體而言,如圖5F所示,通過設置樹脂層133覆蓋在軟性電路板112a的一部分,在顯示面板100a和軟性電路板112a的之間的連接部分的機械強度可以增大,並且可抑制如軟性電路板112a分離之類的缺陷。同樣地,樹脂層133較佳亦設置覆蓋在軟性電路板112b的一部分。
接著,在顯示面板100的結構例進行說明。圖6A是圖2A中區域P的放大上視圖,且圖6B是圖2C中區域Q的放大上視圖。
如圖6A所示,在顯示區域101中,複數個像素141排列成矩陣。於形成能夠全色顯示三種顏色紅,藍,綠的顯示面板100的狀況下,每一像素141對應能夠顯示三種顏色中任一的一個子像素。可替代地,亦可提供能夠在這三種顏色之外顯示白色或黃色的子像素。包括像素141的區域對應於顯示區域101。
線路142a和線路142b電性連接到一個像素141。多個線路142a中每一個均與線路142b相交,並且電連接到一個電路143a。多個線路142b電連接到一個電路143b。電路143a和143b中之一可用作掃描線驅動電路,且其他可以作為信號線驅動電路的作用。沒有電路143a和143b其中之 一或兩者均無的結構亦可以被使用。
在圖6A中,多個線路145電連接到電路143a或電路143b。線路145被電連接到軟性電路板123未示出的區域,並且具有從外部向電路143a和143b供給信號的功能。
在圖6A中,區域包含電路143a、電路143b、多個線路145等對應於阻擋可見光的區域120。
在圖6B中,最接近末端之像素141外的區域對應於可見光穿透區域110。可見光穿透區域110不包括阻擋可見光的構件,如像素141,線路142a,線路142b。注意,當部分像素141,線路142a、或線路142b可傳遞可見光時,所述部分像素141,線路142a或線路142b可被提供延伸到可見光穿透區域110。
當可見光穿透區域110的寬度W根據顯示面板而改變或寬度根據相同顯示面板上的位置改變時,最短長度可以稱為寬度W。在圖6B中,像素141與基板末端部分之間的距離(即,可見光穿透區域110的寬度W)在垂直方向係與在水平方向相同,但不以此為限。
圖6C係為圖6B中沿A1-A2線的剖視圖。顯示面板100包括一對基板(基板151和基板152)傳遞可見光。基板151和基板152彼此以接合層154接合。這裡,形成有像素141,線路142b等的基板稱為基板151。
如圖6B和6C所示,在像素141位置最靠近的顯示區域101的端部的情況下,可見光穿透區域110的寬度W是在基板151或基板152的端部和像素141端部間的距離。
注意,像素141的端部指的是在像素141中位於最靠近端和阻 擋可見光的構件的端部。或者,當以包含在一對電極間設有發光有機化合物層(也被稱為有機EL元件)的發光元件被用作為像素141時,像素141的端部可以是下方電極的端部、端部含有發光有機化合物的層的端部以及上方電極的端部中任一者。
圖7A係為區域Q的放大上視圖,且線路142a的位置與圖6B不同。圖7B係為圖7A中沿B1-B2的剖視圖,且圖7C係為圖7A中沿C1-C2的剖視圖。
如圖7A~圖7C所示,當線路142a的位置最靠近顯示區域101的端部時,可見光穿透區域110的寬度W是在基板151或基板152的端部和線路142a的端部之間的距離。在線路142a可傳遞可見光的情況下,可見光穿透區域110可以包括其中線路142a提供的區域。
這裡,在顯示面板的100的顯示區域101的像素的密度是高的情況下,當兩個顯示板100被結合時有可能會發生對不準的情形。
圖8A到8C示出從顯示面側觀察的設置於下側的顯示面板100a的顯示區域101a和設置在上側的顯示面板100b的顯示區域101b之間的位置關係。圖8A到8C示出了顯示區域101a和101b的轉角部的附近。顯示區域101a的一部分被可見光穿透區域110覆蓋。
圖8A示出了在相鄰的像素141a和141b在一個方向(Y方向)相對偏離的情況。圖中的箭頭表示,其中的顯示面板100a被從顯示面板100b中偏離的方向。
圖8B示出了相鄰的像素141a和141b在垂直方向和水平方向(X方向和Y方向)上相對偏離的一個例子。
在圖8A和8B的例子中,在垂直方向和水平方向上的偏離距離分別小於一個像素的長度。在這種情況下,顯示於顯示區域101a和101b中任一的圖像的圖像數據係根據該偏差的距離修正,從而使顯示質量可以維持。具體地,當偏差使得像素之間的距離變小時,則數據進行修正以使像素的灰度等級(亮度)為低;而當偏差使得像素之間的距離較大時,則數據被校正使得的像素的灰度級(亮度)是高的。或者,當兩個像素重疊時,則數據被校正以使得所述定位在下側的像素不被驅動,而圖像數據將被錯開一行。
圖8C繪示相鄰的像素141a和141b,在一個方向(Y方向)上以一個以上的像素的距離相對錯開。當多於一個像素的偏差時,像素被驅動使得投影像素(畫剖面線的像素)不顯示。注意,這同樣適用於其中的偏離方向是X方向的情況下。
當多個顯示面板100的接合時,為了抑制偏差,每個顯示面板100的較佳設置有對準標記或類似物。或者,突起和凹陷可以形成在顯示面板100的表面上,突起和凹槽可在兩個顯示面板100重疊的區域中彼此產生連接。
再者,考慮對準精度,較佳是將所使用的像素以上的像素事先被放置在顯示面板100的顯示區域101中。例如,以沿著掃描線或信號線中之一者或兩者的會使用到的像素列而言,較佳提供一個或多個,較佳三個或以上,甚至五個或以上額外的像素列。
如上所述,本發明一個實施例的顯示裝置中,位於顯示面板下側的顯示區域和位於顯示面板上側的可見光穿透區域重疊。因此,兩個 重疊的顯示面板的顯示區域之間的非顯示區域可以減小。此外,光穿透層具有高於空氣的折射率,且可見光穿透於顯示區域及可見光穿透區域之間。在這種情況下,可以防止空氣從顯示區域和所述用於發送可見光的區域進入,所以由於界面處折射率的不同而造成的反射可以減小。因此,可以產生大型的顯示裝置,其顯示面板之間的接縫不易被辨識出,且顯示不均勻或亮度不均勻的狀況均可被抑制。
本實施例可以與任何其他實施方式適當地組合。
(實施例2)
於本實施例中,發光面板可用於一個本發明的實施方式的顯示裝置,參照附圖描述。
雖然發光面板包括有機EL元件,主要說明在本實施例中作為一個例子,面板可用於本發明一個實施例的顯示裝置並不限定於這個例子。
<具體實施例1>
圖9A是發光面板的平面視圖。圖9C是圖9A沿A1-A2點劃線剖切的剖視圖。圖9C示出了可見光穿透區域110的剖視圖的一個例子。在具體實施例1中所述的發光面板是使用彩色濾光方法的頂部發射發光面板。在本實施例中,發光面板可採用三種顏色紅(R),綠(G),和藍色(B)的子像素來表達一種顏色的結構、四種顏色R,G,B和白色的顏色(W)的子像素來表達一種顏色的結構、四種顏色R,G,B和黃色(Y)的子像素來 表達一種顏色的結構,或其他類似的結構。顏色單元和顏色沒有特別的限制,且除了R,G,B,W,Y也可以被使用。例如,青色,品紅色,或類似的都可以使用。
圖9A示出的發光面板包括可見光穿透區域110,發光部分804,驅動電路部分806,和軟性電路板808。可見光穿透區域110是鄰近於發光部分804,並且沿著兩側發光部分804被設置。
圖9C示出的發光面板包括基板701,接合層703,絕緣層705,多個電晶體,傳導層857,絕緣層815,絕緣層817,多個發光元件,絕緣層821,接合層822,彩色層845,光阻擋層847,絕緣層715,接合層713,以及基板711。接合層822,絕緣層715,接合層713和基板711傳送可見光。發光元件及電晶體包含於發光部分804和驅動電路部分806係以基板701、基板711及接合層822密封。
發射部分804包括電晶體820和在基板701上方的發光單元830,其中該接合層703和絕緣層705設置在基板701及發光單元830之間。發光單元830包括在絕緣層817上的下方電極831,在下方電極831上的EL層833,以及在EL層833上的上方電極835。下方電極831電連接到源極電極或電晶體820的汲極電極。下方電極831的端部被覆蓋有絕緣層821。下方電極831較佳反射可見光。上方電極835透射可見光。
發光部分804還包括與發光單元830重疊的彩色層845,以及與絕緣層821重疊的光阻擋層847。位於發光單元830和彩色層845之間的空間填充有接合層822。
絕緣層815具有抑制雜質擴散到包括在電晶體中的半導體的 效果。為減少表面凹凸,絕緣層817較佳選定由於電晶體具有平坦化功能的絕緣層。
驅動電路部分806包括多個電晶體在基板701上,電晶體與基板701間具有該接合層703和絕緣層705。圖9C所示為一個包含在驅動電路部分806中的電晶體。
絕緣層705及基板701以接合層703相互貼附。絕緣層715及基板711以接合層713相互貼附。絕緣層705及絕緣層715較佳為高度防水,例如水能夠被防止進入到發光單元830或電晶體820,致使成為更高可靠性的發光面板。
傳導層857電連接到一個外部輸入接頭,藉此來自外部的訊號(例如,視頻信號,時鐘信號,啟動信號和復位信號)或電位可被發送到驅動電路。在這裡的一個例子中,係以軟性電路板808被提供作為外部輸入接頭。為了防止增加製造步驟的數量,較佳係使用電極、發光部的佈線、或所述驅動電路部相同的材料和步驟形成傳導層857。這裡,係以使用與電晶體820內電極相同的材料和步驟來形成傳導層857的例子進行說明。
在圖9C中所示的發光面板中,係將軟性電路板808定位在基板711上。連接器825是通過在基板711上的開口,接合層713,絕緣層715,接合層822,絕緣層817,和絕緣層815連接到傳導層857。連接器825也被連接到軟性電路板808。在軟性電路板808和傳導層857經由連接器825電連接到彼此。在傳導層857與基板711重疊的狀況下,傳導層857,連接器825,和軟性電路板808可以通過形成在基板711中的開口(或使用的基板具有一開口重疊一部分)電連接到彼此。
圖20為包括在圖9B中所示兩個發光面板重疊形成的顯示裝置的橫截面視圖。圖20示出下方發光面板101a的顯示區域101a上(對應於圖9B中所示的發光部分804),下方發光面板101a的阻擋可見光之區域120a(對應於驅動電路部分806或類似圖9B),上方發光面板的顯示區域101b(對應於圖9B中示出的發光部分804),以及上方發光面板的可見光穿透區域110b(對應於發送在圖9B示出可見光的區域110)。
如圖20所示的顯示裝置,定位在顯示表面側(上側)的發光面板,包括相鄰於顯示區域101b的可見光穿透區域110b。下方發光面板101a的顯示區域101a和上方發光面板的110b的可見光穿透區域110b彼此重疊。因此,在兩個相互重疊的發光面板顯示區域之間的非顯示區域可以減少或甚至移除。因此,在發光面板之間的接縫幾乎不會被用戶識別的大型顯示裝置可以實現。
圖20中所示的顯示裝置包括具有折射率比空氣高的光穿透層103,並在顯示區域101a和可見光穿透區域110b之間傳輸可見光。在這種情況下,空氣可以被防止從顯示區域101a和可見光穿透區域110b之間進入,因此,由於界面處折射率差異而造成的反射可以減少。此外,顯示不均或顯示裝置的亮度不均能夠抑制。
光穿透層103可以與下方發光面板的基板711的整個表面或上方發光面板的基板711的整個表面重疊,或者只與顯示區域101a和可見光穿透區域110b重疊。此外,在基板711和光穿透層103可以被包括在可見光阻擋區域120。
舉例來說,上方發光面板的基板701堆疊和光穿透層103可以 具有疊層的貼附層和基材的貼附薄膜而形成。
<具體實施例2>
圖9B係為發光面板之平面視圖,圖10A係為圖9B中沿A3-A4虛線點狀線之剖視圖。具體實施例2中的發光面板係為使用彩色濾波方法的頂部發射發光面板,其不同於具體實施例1中所描述的。不同於具體實施例1中的那些部分將會在此詳細描述並且在具體實施例1共同的那些部分的描述將被省略。
圖9B示出可見光穿透區域110沿著發光面板的三側設置的一個例子。可見光穿透區域110沿三側中的兩側面相鄰近於發光部分804。
在圖10A中所示的發光面板是在如下方面不同於圖9C。
在圖10A中所示的發光面板包括絕緣層817a和817b和在絕緣層817a上的傳導層856。電晶體820的源極電極或汲極電極和發光單元830的下方電極係透過傳導層856彼此電連接。
在圖10A中所示的發光面板包括一個間隔物823在絕緣層821。間隔物823可以調整基板701和基板711之間的距離。
圖10A之發光面板包括一平坦層849覆蓋彩色層845和光阻擋層847。發光單元830和平坦層849之間的空間填充有接合層822。
此外,在圖10A中之發光面板,基板701的尺寸不同於基材711。軟性電路板808位於在絕緣層715上並且不與基板711重疊。連接器825通過設置於絕緣層715、接合層822、絕緣層817及絕緣層815上的開口連接到傳導層857。因為不需要提供開口於基板711,因此基板711的材料並沒有 限制。
注意,如圖10B所示,發光單元830可以包括下方電極831與EL層833之間的調光層832。透光導電材料較佳用於調光層832。由於彩色濾光片(彩色層)和微腔結構(調光層)的組合,本發明的實施方式的顯示裝置可以提取具有高顏色純度的光。調光層的厚度可以根據子像素的發光顏色而改變。
<具體實施例3>
圖9B是發光面板的平面視圖,圖10C是沿圖9B中A3-A4點劃線的剖視圖的一個例子。在具體實施例3中所述的發光面板是使用單獨的著色方法頂部發射的發光面板。
發光面板在圖10C中包括基板701、接合層703、絕緣層705、多個電晶體、傳導層857、絕緣層815、絕緣層817,多個發光元件、絕緣層821,間隔物823、接合層822,和基板711。接合層822和基底711傳送可見光。
在圖10C中所示的發光面板,連接器825被定位在絕緣層815。連接器825透過在絕緣層815中的開口連接到傳導層857。連接器825也被連接到軟性電路板808。軟性電路板808和傳導層857經由連接器825電連接到彼此。
<具體實施例4>
圖9B是發光面板的平面視圖,圖11A是沿圖9B中A3-A4點劃 線的剖視圖。在具體的實施例4中所述的發光面板是使用彩色濾光方法的底部發射的發光面板。
發光面板在圖11A中包括基板701、接合層703、絕緣層705、多個電晶體、傳導層857、絕緣層815、彩色層845、絕緣層817a、絕緣層817b、傳導層856、多個發光元件、絕緣層821、接合層822,和基板711。基板701、接合層703、絕緣層705、絕緣層815、絕緣層817a和絕緣層817b傳送可見光。
發光部分804包括電晶體820、電晶體824,以及利用具有接合層703和絕緣層705設置在其間的基板701的發光元件830。發光元件830包括在絕緣層817b的下方電極831,下方電極831的EL層833,以及在EL層833的上方電極835。下方電極831電連接到電晶體820的源極電極或汲極電極。下方電極831的端部被覆蓋有絕緣層821。上方電極835較佳為反射可見光。下方電極831透射可見光。重疊於發光元件830的彩色層845可以被提供至任一處;舉例來說,彩色層845可以設置於絕緣層817a和817b之間,或是絕緣層815和817a之間。
驅動電路部分806包括在基板701上的多個電晶體,而接合層703和絕緣層705則設置於其間。在圖11A中,包括兩個電晶體的驅動電路部分806被示出。
絕緣層705和基板701藉由接合層703彼此附著。絕緣層705較佳為高度抗水,在這種情況下,可以防止雜質例如水可以進入到發光元件830、電晶體820,或在電晶體824,致使發光面板的可靠性更高。
傳導層857電連接到外部輸入接頭,信號或來自外部的電位能經此被傳輸到驅動電路部分806。這裡的例子描述了其中的軟性電路板 808被提供為外部輸入接頭。這裡,一個例子被描述,其中,傳導層857是用與上述傳導層856相同的材料和(多個)相同步驟形成。
<具體實施例5>
圖11B示出的發光面板的是不同於具體實施例1~4的例子。
一種發光面板在圖11B中包括基板701、接合層703、絕緣層705、傳導層814、傳導層857a、傳導層857b、發光元件830、絕緣層821、接合層822和基底711。
傳導層857a和傳導層857b,係為發光面板的外部連接電極,每個可電連接到軟性電路板或類似的。
發光元件830包括下方電極831、EL層833、和上方電極835。下方電極831的末端部被覆蓋有絕緣層821。發光元件830是底部發射、頂部發射,或雙發射的發光元件。電極、基板、絕緣層和類似物上的光提取側傳送可見光。傳導層814電連接到下方電極831。
光被提取通過的基板可以具有半球形透鏡,微透鏡陣列、不平坦表面結構的薄膜、光漫射膜或類似者以作為光提取結構。例如,可以通過用與上述透鏡或薄膜具有實質相同折射率的粘合劑或類似物來結合透鏡或薄膜於樹脂基板,以形成具有光提取結構的基板。
儘管不是必須,傳導層814較佳地被提供以防止下方電極831阻抗而造成的電壓降。此外,對於類似的目的,連接到上方電極835的傳導層電可提供至絕緣層821、EL層833、上方電極835或類似的。
傳導層814可以是單層或使用從銅,鈦,鉭,鎢,鉬,鉻, 釹,鈧,鎳,鋁選擇的材料形成的堆疊層;包含任何這些材料的合金材料作為其主要成分;或類似物。傳導層814的厚度可以是,例如,大於或等於0.1um且小於或等於3um,較佳是大於或等於0.1um且小於或等於0.5um。
<材料實施例>
接下來,就可用於發光面板的材料等進行說明。注意,在本說明書中已描述的組件在某些情況下省略。
對於每個基板,可以使用例如玻璃,石英,有機樹脂,金屬,或合金的材料。在從發光元件提取的光之側的基板使用發送的光的材料而形成。
特別較佳為使用可撓性基板。例如,有機樹脂;足夠薄以具有彈性的玻璃材料、金屬或合金;或類似物都可以使用。
比重比玻璃更小有機樹脂較佳可用於可撓性基板,在這種情況下,與在使用玻璃的情況相比,發光面板可更輕巧。
基板較佳使用具有高韌性材料而形成。在這種情況下,發光面板具有高的耐衝擊性,亦即不太可能被打破。例如,當有機樹脂基板、薄金屬基板或薄合金基板被使用時,發光面板可以更輕,比使用玻璃基板更堅固。
具有高的熱傳導性金屬材料和合金材料是較佳的,因為它們可以很容易地熱傳導到整個基板,並相應地,可以防止發光面板局部溫度上升。使用的金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳大於或等於10um且小於或等於200um,進一步較佳為大於或等於20um且小於或等於50um。
對所用的金屬基板或合金基板的材料沒有特別的限制,但較佳使用,例如,鋁,銅,鎳,金屬合金如鋁合金或不銹鋼製成。
此外,當具有高熱輻射率的材料用於基板,可防止所述發光面板的表面溫度上升,預防破損或在發光面板的可靠性下降。例如,基板可以具有金屬基板及一高熱輻射層(例如,可以使用金屬氧化物或陶瓷材料所形成的層)形成的堆疊層結構。
具有可撓性和透光性材料的例子包括於實施例1中描述的保護基板132的材料。
可撓性基板可具有一堆疊層結構,其中包含可避免發光裝置的表面受損傷的硬塗層(例如氮化矽層)、能夠分散壓力的層(如芳族聚酰胺樹脂層)、或類似物堆疊於任何上述提及的材料的層。
可撓性基板可以通過堆疊多個層而形成。當使用玻璃層,對水和氧的阻隔性得到改善,因此可以提供一個可靠的發光面板。
可撓性基板之玻璃層、結合層,和有機樹脂層較佳係從接近發光元件側堆疊使用。玻璃層的厚度為大於或等於20um且小於或等於200um,較佳為大於或等於25um且小於或等於100um。以這樣的厚度,玻璃層可以同時具有對水和氧的高阻擋性和高的靈活性。有機樹脂層的厚度是大於或等於10um且小於或等於200um,較佳大於或等於20um且小於或等於50um。玻璃層外設置這樣的有機樹脂層,可以抑制玻璃層的裂紋或破碎發生,且機械強度可以得到改善。以包括玻璃材料和有機樹脂的這種複合材料的基板,一個高度可靠和可撓性的發光面板可以被提供。
任何各種固化膠粘劑,例如,光可固化的粘合劑,例如UV 可固化粘合劑,反應性可固化粘合劑,熱固化型粘合劑,和厭氧粘合劑可以用於黏著層。這些粘合劑的例子包括環氧樹脂,丙烯酸樹脂,有機矽樹脂,酚醛樹脂,聚酰亞胺樹脂,酰亞胺樹脂,聚氯乙烯(PVC)樹脂,聚乙烯醇縮丁醛(PVB)樹脂,乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)樹脂。特別是,具有低透濕性的材料是較佳的,例如環氧樹脂。可替代地,可以使用雙組分混合物型樹脂。進一步可選地,黏著片或類似物都可以使用。
此外,樹脂可包括乾燥劑。例如,吸附水分通過化學吸附,如氧化物的鹼土金屬的物質(例如,氧化鈣或氧化鋇),都可以使用。或者,通過物理吸附,如沸石或矽膠吸附水分的物質,也可以使用。乾燥劑較佳包括在內,因為它可以防止雜質諸如水分進入功能元件,由此提高發光面板的可靠性。
此外,較佳係將具有高折射率或光散射部件的填料混合到樹脂中,在這種情況下,從發光元件的光提取效率可以提高。例如,氧化鈦,氧化鋇,沸石,鋯,或類似物都可以使用。
具有高抗水性的絕緣薄膜,較佳使用於絕緣層705和絕緣層715。可替代地,絕緣層705和絕緣層715較佳具有防止雜質擴散到發光元件的功能。
作為具有優良的防濕性的絕緣薄膜,含有氮和矽的膜(例如,氮化矽膜,氮氧化矽膜,或類似物),含有氮和鋁(薄膜如氮化鋁膜等),或類似物都可以使用。可替代地,氧化矽膜,氮氧化矽膜,氧化鋁膜,或類似物都可以使用。
例如,高度抗水分絕緣薄膜的濕氣透射率係為小於等於1× 10-5[g/(m2.day)],較佳為小於等於1×10-6[g/(m2.day)],進一步較佳小於等於1×10-7[g/(m2.day)],再進一步較佳小於等於1×10-8[g/(m2.day)]。
在發光面板中,必要的是至少有一個絕緣層705和715傳送來自發光元件發射的光。絕緣層705和715其中之一,其透射從發光元件發出的光,較佳對於具有波長大於或等於400nm且小於或等於800nm的光具有相較於其他更高的平均透射率。
絕緣層705和715中每一較佳地包括氧,氮和矽。絕緣層705和715各自較佳包括,例如,氮氧化矽。此外,絕緣層705和715各自較佳包括氮化矽或氮氧化矽。較佳的是,絕緣層705和715是各自使用氮氧化矽膜和氮化矽膜,這是在彼此接觸而形成的。氮氧化矽膜和氮化矽膜交替堆疊,使得更頻繁地發生在可見光區域反相干擾,由此,疊層在可見光區域可具有更高的光的透射率。
有關於在發光面板的電晶體的結構沒有特別限制。例如,正向交錯電晶體或反交錯電晶體都可以使用。此外,頂柵電晶體或底柵電晶體都可以使用。用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制,例如,矽,鍺,或有機半導體可以使用。可替代地,也可以使用含有至少一個銦,鎵和鋅的,諸如在-鎵-鋅系金屬氧化物的氧化物半導體。
於電晶體的半導體材料的結晶性沒有特別的限制,並且非晶性半導體或結晶性半導體(微晶半導體,多晶半導體,單晶半導體,或半導體部分包括晶體區域)可以使用。較佳的是,可以使用具有結晶性的半導體,以抑制電晶體特性的惡化。
為了電晶體的穩定性,基底薄膜較佳被提供。基底薄膜可以 形成為具有使用無機絕緣膜的單層結構或堆疊層結構,例如一個氧化矽膜,氮化矽膜,氧氮化矽膜,或氮氧化矽膜。基底薄膜可以通過濺射法,化學氣相沉積(CVD)方法來形成(例如,等離子體CVD法,熱CVD法,或金屬有機CVD(MOCVD)法),原子層沉積(ALD)法,塗佈法,印刷法,或類似的。需要注意的是,基底薄膜不一定要設置。在上述各結構例子中,絕緣層705可以用作電晶體的基底薄膜。
自發光元件可以被使用作為發光元件,且元件其亮度由電流或電壓控制的元件均被包括在發光元件的範疇。例如,發光二極管(LED),有機EL元件,無機EL元件,或類似物都可以使用。
發光元件可具有任何頂部發射結構,底部發射結構,和雙發射結構的。透過可見光的導電膜被用作電極以使光通過而被提取出。反射可見光的導電膜較佳被用作為使光無法通過而被提取的電極。
傳送可見光的導電膜,可以使用例如,氧化銦,氧化銦錫(ITO),氧化銦鋅,氧化鋅(ZnO),或氧化鋅而形成,其中加入鎵。可替代地,金屬材料,例如金,銀,鉑,鎂,鎳,鎢,鉻,鉬,鐵,鈷,銅,鈀,或鈦的膜;含有任何這些金屬材料的合金;任意這些金屬材料的氮化物(例如,氮化鈦);或類似物可以薄型化,以便具有一個透光性。可替代地,任何上述材料的疊層膜可被用作傳導層。例如,較佳可使用ITO的疊層膜,以及銀和鎂的一種合金,在這種情況下導電率可以增加。進一步備選地,石墨烯或類似物都可以使用。
對於反射可見光,例如,金屬材料,如鋁,金,鉑,銀,鎳,鎢,鉻,鉬,鐵,鈷,銅,或鈀或它們的合金,包括任何這些金屬的導電 膜可使用的材料。鑭,釹,鍺,或類似物可添加到金屬材料或合金。此外,含有鋁(鋁合金)等的鋁和鈦的合金,鋁和鎳的合金,鋁和釹,或鋁的合金,鎳合金,和鑭(鋁鎳的La的合金),或者含銀的合金如銀和銅合金,鈀和銅的合金的合金(銀-鈀-銅,也稱為APC),或銀和鎂的合金,可用於導電膜。銀和銅的合金是由於其高的耐熱性較佳。此外,金屬膜或金屬氧化物膜堆疊在鋁合金膜,由此鋁合金膜的氧化被抑制。為金屬膜或金屬氧化物膜的材料的實例為鈦和氧化鈦。可替代地,具有透射可見光和含有上述任何金屬材料的膜的性質的導電膜可以被堆疊。例如,可以使用銀和ITO或銀和鎂和ITO的合金的疊層膜的疊層膜。
電極可以分別通過蒸鍍法或濺射法來形成。或者,可使用如噴墨法之排放方法、如絲網印刷法印刷法或電鍍法。
當比發光元件的閾值電壓更高的電壓施加於下方電極831和上方電極835之間時,電洞從陽極側注入到EL層833和電子被從注入到EL層833陰極側。注入的電子和電洞重新結合於EL層833以及EL層833中發光的發光物質。
EL層833至少包括發光層。除了發光層,EL層833可以進一步包括一或多層,其含有下列任一者:具有高電洞注入特性的物質,具有高電洞傳輸性的物質,電洞阻擋材料,具有高電子傳輸性質的物質,具有高電子注入性能的物質,具有雙極特性(具有高電子-和電洞傳輸性的物質)等的物質。
對於EL層833,可以是低分子化合物或高分子化合物,無機化合物也可使用。每個包括在EL層833的各層可通過以下任何方法來形成: 蒸鍍法(包括真空蒸鍍法),轉印法,印刷法,噴墨法,塗佈法等。
發光元件830可以包含兩種或多種發光物質。因此,例如,發射白光的發光元件是可以實現的。例如,白色光的發射可以通過選擇發光物質,使得兩種或更多種發光物質發射的光的互補色而獲得。例如,可以使用一種發光物質發出的紅色光(R),綠色(G)光,藍色(B)光,黃色(Y)的光,或橙色(O)光或一種發光物質發出光之頻譜分量中包含兩個或更多的R光,G光以及B光。例如,一種發射藍光的發光物質和一個發射黃光的發光物質可以被使用。此時,發射黃光的發光物質的發光光譜較佳含有G光和R光的光譜分量。發光元件830的發光光譜較佳在可見光區域(例如,大於或等於350nm且小於或等於750nm或大於或等於400nm的且小於或等於800nm)具有在波長範圍內的兩個或多個波峰。
EL層833可以包括多個發光層。在EL層833中,多個發光層可以被彼此接觸地堆疊或在其間設置分離層來堆疊。分離層可以被設置於螢光層和磷光層之間。
分離層可以被提供,例如,為了防止由德克斯特機制(Dexter mechanism)(特別是三線態能量傳遞)從磷光材料或類似物在激態下的能量轉移,上述激態係產生在在磷光層至螢光層中的螢光材料或類似物。分離層的厚度可為幾奈米。具體地說,分離層的厚度可以大於或等於0.1nm,小於或等於20nm,大於或等於1nm且小於或等於10nm,或者大於或等於1nm和小於或等於5nm。分離層含有單一材料(較佳地為雙極性物質)或多種材料(較佳,電洞傳輸材料和電子傳輸材料)。
可使用包含在發光層與所述分離層接觸的材料來形成分離 層。這有利於在發光元件的製造中降低驅動電壓。例如,在磷光層包括主體材料、輔助材料和磷光材料(客體材料)的情況下,可以使用主體材料和輔助材料形成分離層。換言之,分離層包括不含有磷光發光材料,而磷光層的區域包括含有在上述結構的磷光材料的區域。因此,取決於磷光材料是否被使用或不使用,分離層和磷光層可以分別被蒸發。根據這樣的結構,可以形成在同一腔室中的分離層和磷光層。因此,製造成本可以降低。
此外,發光元件830可以包含一個EL層或一個串聯元件,其中具有堆疊的EL層及其間的電荷產生層。
發光元件較佳設置在具有優異防濕性的一對絕緣薄膜之間。在這種情況下,雜質如水分進入發光元件可以被抑制,進而抑制了發光裝置的可靠性下降。具體而言,使用具有抗水分的絕緣層705和絕緣層715允許發光元件位於具有優異防濕性的一對絕緣薄膜之間,藉此能防止發光裝置可靠性降低。
絕緣層815,例如,可以使用無機絕緣膜如氧化矽膜,氮氧化矽膜,或氧化鋁膜。例如,有機材料如聚酰亞胺,丙烯酸,聚酰胺,聚酰亞胺酰胺,或苯並環丁烯類樹脂都可以使用作為絕緣層817,絕緣層817a和絕緣層817b。可替代地,低介電常數材料(low-k材料),或類似物都可以使用。另外,各絕緣層可以通過層疊多個絕緣膜來形成。
使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成絕緣層821。作為樹脂,例如,聚酰亞胺樹脂,聚酰胺樹脂,丙烯酸樹脂,矽氧烷樹脂,環氧樹脂,或酚醛樹脂可以被使用。特別較佳的是,絕緣層821可使用感光性樹脂材料在所述下方電極831上被形成為具有一個開口和一個傾斜的側壁的 曲率。
對於形成絕緣層821的方法沒有特別的限制;光刻法、濺射法、蒸發法、微滴排放法(例如,噴墨法)、印刷法(如絲網印刷法或膠版印刷法),或類似物可以使用。
間隔物823可以使用無機絕緣材料,有機絕緣材料,金屬材料,或類似物形成。作為無機絕緣材料和有機絕緣材料,例如,可以使用各種材料,可用於絕緣層。作為金屬材料,鈦,鋁,或類似的都可以使用。當含有導電材料的間隔件823電連接到上電極835,電勢降可因上部電極835的電阻而被抑制。間隔物823可以具有錐形形狀或倒錐形形狀。
例如,發光裝置中用作為電極或晶體管的佈線及發光元件輔助電極的導電層,可以以下列任何金屬材料形成為具有單層結構或疊層結構,例如鉬,鈦,鉻,鉭,鎢,鋁,銅,釹,鈧,並含有這些元素的合金材料。替代地,可以使用導電性金屬氧化物形成的導電層。作為導電性金屬氧化物,銦氧化物(例如,氧化銦),錫氧化物(例如,SnO 2)的,氧化鋅,ITO,氧化銦鋅(例如,氧化銦-氧化鋅),或任何這些包含氧化矽的金屬氧化物材料可以被使用。
彩色層是在特定波長範圍內的光透過的被上色層。例如,可用於在紅色,綠色,藍色,黃色或波長範圍的光透過的濾色器。各彩色層可通過印刷法,噴墨法,使用光刻法蝕刻法,或類似者形成任何各種材料上於所需位置。在一個白色子像素中,一個樹脂(例如透明樹脂)可以被提供以與發光元件重疊。
相鄰的彩色層之間設置有光阻擋層。光阻擋層阻擋從相鄰的 發光元件發射來的光用以抑制相鄰的發光元件之間的顏色混合。這裡,彩色層被設置成使其端部與所述光阻擋層重疊,由此漏光能夠減少。作為光阻擋層,可從發光元件阻擋光的材料均可使用;例如,黑色矩陣使用含有金屬材料,顏料,或染料的樹脂材料形成。注意,光阻擋層較佳被提供在除了發光部分的區域,例如驅動電路部分,在這種情況下,被引導的光或類似者的未預期的洩漏可被抑制。
此外,覆蓋所述彩色層和光阻擋層的平坦層可被提供。平坦層可防止雜質等從彩色層中擴散到發光元件中。平坦層形成有透射從發光元件發出的材料;例如,可以使用無機絕緣膜,如氮化矽膜或氧化矽膜,有機絕緣膜諸如丙烯酸膜或聚酰亞胺膜,並進一步,有機絕緣膜的堆疊層結構和的無機絕緣膜也可以採用。
另外,在彩色層和光阻擋層的上表面塗覆有粘合層的材料,用作平坦層的材料較佳相對於所述接合層的材料具有高潤濕的特性。例如,平坦層較佳可使用如ITO膜或作為Ag膜是薄到足以透射光的金屬膜這樣的氧化物導電膜。
作為連接器,任何各種各向異性導電膜(ACF),各向異性導電膏(ACP)等可以使用。
如上所述,各種面板諸如發光面板、顯示面板、和觸控面板可以在本發明實施例的顯示裝置中使用。
需要注意的是本發明一個實施例的發光面板可以用作顯示裝置或作為照明面板。例如,它可被用作一個光源諸如背光或前光,即,顯示面板的照明裝置。
如上所述,包含可見光穿透區域的發光面板,大型的顯示裝置,其中位於發光面板之間的接縫係難以被識別,並且顯示不均勻可被抑制。
本實施例可以與任何其他實施方式適當地組合。
(實施例3)
在本實施例中,參照附圖進行說明可用於本發明一個實施例中顯示裝置的可撓性顯示面板。需要注意的是上面的描述可參照用於觸控面板的部件,其類似於實施例2中所述的那些發光面板。雖然包括一個發光元件的觸控面板在本實施例中被例示性的描述,但是本發明的實施例並不局限於這個示例。
<結構實施例1>
圖12A是在觸控面板的上視圖。圖12B是沿圖12A中點劃線A-B和點劃線C-D的剖面圖。圖12C是沿圖12A中點劃線E-F的剖視圖。
圖12A中的觸控面板390包括顯示部分301(也用作輸入部分),掃描線驅動電路303g(1),影像像素驅動電路303g(2),影像訊號線驅動電路303s(1),以及影像訊號線驅動電路303s(2)。
顯示部分301包括多個像素302和多個影像像素308。
像素302包括多個子像素。每個子像素包括發光元件和像素電路。
像素電路可以提供電力,用於驅動所述發光元件。像素電路 電連接至提供選擇信號通過的線路。像素電路還電連接至影像信號通過的線路。
掃描線驅動電路303g(1)可以提供選擇信號給像素302。
影像訊號線驅動電路303s(1)可以提供影像信號到像素302。
觸控感測器可以使用影像像素308形成。具體來說,影像像素308可以感測顯示部分301上的手指觸摸或類似的。
影像像素308包括光電轉換元件和影像像素電路。
所述影像像素電路可以驅動光電轉換元件。所述影像像素電路被電連接到提供控制信號通過的線路。所述影像像素電路也電連接至電源電位通過的線路。
控制信號的示例包括用於選擇影像像素電路從其中記錄影像信號被讀取的信號,用於初始化影像像素電路的信號,以及用於確定所述用於影像像素電路感光時間的信號。
影像像素驅動電路303g(2)可以提供控制信號到影像像素308。
影像訊號線驅動電路303g(2)可以讀出影像信號。
如圖12B和12C所示,觸控面板390包括基板701、接合層703、絕緣層705、基板711、接合層713和絕緣層715。在基板701和711係以接合層360相互接合。
基板701和絕緣層705以接合層703彼此貼附。基板711和絕緣層715係以接合層713彼此貼附。
實施例2可被視為用於基板、接合層以及絕緣層的材料的參 考。
每個像素302包括子像素302R、子像素302G,以及子像素302B(圖12C)。子像素302R包括發光模組380R,子像素302G包括發光模組380G,且子像素302B包括發光模組380B。
例如,子像素302R包括發光元件350R和像素電路。像素電路包括電晶體302t,可以提供電力至發光元件350R。此外,發光模組380R包括發光元件350R和光學元件(例如,傳輸紅光的彩色層367R)。
發光元件350R包括下方電極351R,EL層353,和上方電極352,它們以此順序層疊(參照圖12C)
EL層353包括第一EL層353a、中間層354,和第二EL層353B,它們以此順序堆疊。
需要注意的是微腔結構可以提供為發光模組380R以使具有特定波長的光能夠有效地提取。具體地說,EL層可以被設置於一反射可見光的薄膜及一部分反射部分透過可見光的膜之間,藉此以使得相對於特定波長的光能夠有效地提取。
例如,發光模組380R包括與發光元件350R和彩色層367R接觸的接合層360。
彩色層367R被定位成與所述發光元件350R重疊的區域。因此,如同圖12C中的箭頭所指示,一部分從發光元件350R射出的光通過接合層360和通過彩色層367R以發射到發光模組380R的外側。
觸控面板390包括光阻擋層367BM。光阻擋層367BM被提供以圍繞上述彩色層(例如,彩色層367R)。
觸控面板390包括位於與顯示部分301重疊的區域上的抗反射層367p。例如,圓偏振板可以被使用作為防反射層367p。
觸控面板390包括絕緣層321。絕緣層321覆蓋電晶體302t等。需要注意的是,絕緣層321可以用作平坦化由於像素電路和影像像素電路導致不均勻的一層。能抑制雜質擴散到電晶體302t等的絕緣層可以用作絕緣層321。
觸控面板390包括分隔328,與下方電極351R的末端部分重疊。間隙壁329係設置於分隔328上,以控制基板701和基板711之間的距離。
影像訊號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t和電容303c。注意,驅動電路可以如同那些像素電路在同一工序形成在同一基板上。如圖12B所示,電晶體303t可包括在絕緣層321上的第二閘極304。第二閘極304可被電連接到電晶體303t的閘極,或不同的電位可提供給這些閘極。可替代地,如果需要的話,第二閘極304可提供用於一個電晶體308t,電晶體302 t,或類似物。
每個影像像素308包括光電轉換元件308P和影像像素電路。影像像素電路可以感測藉由光電轉換元件308p接收到的光。影像像素電路包含電晶體308t。
例如,PIN感光二極體可被用作光電轉換元件308p。
觸控面板390包括提供信號通過的線路311,線路311上設置有接頭319。用於通過及提供如影像信號或同步信號等信號的軟性電路板309電連接到接頭319。印刷線路板(PWB)可貼附到軟性電路板309。
注意,電晶體如電晶體302t,303t,和308t可以形成在相同 的過程。可替代地,電晶體可被形成在不同的過程。
<結構實施例2>
圖13A和13B是觸控面板505的透視圖。圖13A和13B為簡單起見僅示出主要組件。圖14A至14C係沿圖13A點劃線X1-X2的剖視圖。
如圖13A和13B所示,觸控面板505包括顯示部分501,掃描線驅動電路303g(1),觸控感測器595等等。此外,觸控面板505包括基板701,基板711和基板590。
觸控面板505包括多個像素和多個線路311。多個線路311可提供信號給所述像素。多個線路311被佈置於基板701的周邊部分,和所述多條線路311的一部分形成接頭319。接頭319電連接到軟性電路板509(1)。
觸控面板505包括觸控感測器595和多個線路598。多個線路598電連接到觸控感測器595。多個線路598被佈置到基板590的周邊部分,且部分的多個線路598形式為接頭。接頭電連接到軟性電路板509(2)。注意,在圖13B中,觸控感測器595的電極、線路等係設置在基板590(該面朝向基板701)的背面側,為了清楚以實線表示。
例如,電容性觸控感測器可以被使用作為觸控感測器595。電容性觸控感測器的實例包括表面電容觸控感測器和投射電容式觸控感測器。使用投射電容式觸控感測器的一個例子說明如下。
投射電容式觸控感測器的實例可以為自電容觸控感測器和一個相互電容性觸控感測器,兩者主要不同之處在於驅動方法。使用相互電容型的是較佳的,因為多個點可以同時被感測。
需要注意的是,可以感測對象物,如一個手指,的接近程度或接觸的變化型可以用作觸控感測器595。
投射電容式觸控感測器595包括電極591和電極592。電極591電連接到任何多個線路598,且電極592電連接到任何其他的線路598。
每一個電極592都具有多個排列在一個方向上,以一個四邊形之一角連接到四邊形的另一個角的形狀,如圖13A及13B所示。
每一個電極591都具有四邊形形狀且佈置的方向以與電極592延伸方向相交。注意,多個電極591不必佈置在沿垂直於一個電極592且可被佈置為與一個電極592相交小於90度的角度。
線路594與電極592相交。線路594電連接至位於兩個電極591之間的電極592。電極592和線路594的交叉面積較佳盡可能小。這樣的結構允許減少不設置電極區域的面積,從而降低不均勻性透射率。其結果是,來自觸控感測器595亮度不均勻的光可減少。
注意,電極591和電極592的形狀並不限定於上述的形狀,可以是任意的各種形狀。例如,多個電極591可被設置致使在電極591之間的空間盡可能減少,並且多個電極592可以被提供,且電極591和電極592間可以夾設絕緣層以使彼此間隔開,以形成一個不與電極591重疊的區域。在這種情況下,兩個相鄰的電極592之間最好是提供一與這些電極電性絕緣的虛設電極,由此具有不同透射率的區域的面積可以減小。
如圖14A所示,觸控面板505包括基板701,接合層703,絕緣層705,基板711,接合層713,和絕緣層715。基板701和711係以接合層360相互結合。
接合層597貼附在基板590至基板711,使得觸控感測器595與顯示部分501重疊。接合層597具有透光性。
電極591和電極592使用具有透光性的導電材料形成。作為透光性的導電材料,其中鎵加入可以用於導電性氧化物,例如氧化銦,氧化銦錫,氧化銦鋅,氧化鋅,或氧化鋅。薄膜包括石墨烯也可以使用。薄膜包括石墨烯可以形成,例如,通過降低膜包括石墨烯氧化物。作為還原方法,加熱等可以採用。
用於導電薄膜,例如在電極591,電極592,線路594,意即觸控面板的線路和電極的電阻,的材料阻抗最好是低的。該材料的例子包括ITO,氧化銦鋅,氧化鋅,銀,銅,鋁,奈米碳管,以及石墨烯。可替代地,可以使用包括許多具有非常小的寬度(例如,直徑為幾奈米)的導體的金屬奈米線。這樣的金屬奈米線的實例包括的金Ag奈米線,銅奈米線,和鋁Al奈米線。在使用金Ag奈米線的情況下,89%以上的光透射率和40歐姆/平方或以上至100歐姆/平方或以下的薄層電阻可以被實現。注意,金屬奈米線,奈米碳管,石墨烯,或類似物可因其高透過率被用於顯示元件電極,例如,像素電極或共用電極可因其之高透射率而被使用。
電極591和電極5592可通過濺射法在基板590上沉積透光性的導電材料,然後通過各種圖案化技術的去除不必要的部分,例如光刻法來形成。
電極591和電極592都覆蓋有絕緣層593。此外,延伸到電極591的開口成形於絕緣層593,且線路594電連接至相鄰的電極591。因為可使在觸控面板的開口率能夠增加,透光導電材料可以優選地被使用作為線 路594。而且,因可以減少電阻,導電性比電極591和592的電導率高的材料可以優選地被使用作為線路594。
需要注意的是,覆蓋絕緣層593和線路594的絕緣層可以被用來保護觸控感測器595。
此外,連接層599電連接線路598到軟性電路板509(2)。
顯示部分501包括多個排列成矩陣的像素。每個像素具有相同於結構實施例1的結構;因此,省略說明。
任何各種電晶體都能用於觸控面板。使用閘極電晶體的結構繪示於圖14A和圖14B。
例如,圖14A中所示的電晶體302t和電晶體303t可以使用含有氧化物半導體、非晶矽或其他類似者的半導體層。
例如,通過如激光退火等結晶製程以產生含有多晶矽的半導體層可以用於電晶體302t和電晶體303t,如圖14B所示。
使用頂部閘極電晶體的結構示於圖14C。
例如,含半導體層的多晶矽、從一個單晶矽基板轉移的單晶矽薄膜、或類似物可以在繪示於圖14C中的電晶體302t以及電晶體303t被使用。
<結構實施例3>
圖15A至15C是觸控面板505B的剖視圖。在本實施例中所描述的觸控面板505B與結構實施例2中的輸入輸出裝置505的不同之處在於:接收到的影像數據顯示於設置有電晶體之側,且觸控感測器係設置於顯示 部分之基板701側。將在下面詳細描述不同結構,而其他類似結構可參考上述說明。
彩色層367R被定位在與發光元件350R重疊的區域。圖15A中所示的發光元件350R發射光線至設置有電晶體302t之側。因此,從發光元件350R射出的部分光線通過彩色層367R並發射到發光模組380R的外側,如圖15A中的箭頭所示。
觸控面板505B包括在光取出側的光阻擋層367BM。光阻擋層367BM係設置成包圍彩色層(例如彩色層367R)。
觸控感測器595並非設置在基板711側,而是設置在基板701側(參照圖15A)。
接合層597貼附基板590至基板701,使得觸控感測器595與顯示部分重疊。接合層597具有透光特性。
需注意的是,圖15A及圖15B繪示在顯示部分501使用底部閘極電晶體之結構。
例如,含有的氧化物半導體、非晶矽或類似者的半導體層可用於圖15A中所示的電晶體302t和電晶體303t。
例如,含有多晶矽的半導體層可用於如圖15B所示的電晶體302t和電晶體303t。
圖15C繪示使用頂部閘極電晶體的結構。
例如,含有多晶矽、轉移的單晶矽薄膜或類似者的半導體層可以用於圖15C所示的電晶體302t和電晶體303t。
<結構實施例4>
如圖16所示,觸控面板500TP包括彼此重疊的顯示部分500和輸入部分600。圖17是沿圖16中點劃線Z1-Z2的剖視圖。
觸控面板500TP的元件描述如下。請注意,在某些情況下,這些單元不能清楚地區分,且一個單元也作為另一單元或包括部分另一單元。請注意,輸入部分600與顯示部分500重疊的觸控面板500TP也被稱為觸控面板。
輸入部分600包括排列成矩陣的複數個感測單元602。輸入部分600亦包括選擇信號線G1、控制線RES、信號線DL和類似者。
選擇信號線G1和控制線RES電連接到佈置在列方向的複數個感測單元602(如圖16中箭頭R所示)。信號線DL電連接到佈置在行方向的複數個感測單元602(如圖16中箭頭C所示)。
感測單元602感測與其接近或者接觸的物件,並提供感測信號。例如,感測單元602感測例如電容、照度、磁力、電波或壓力,並且基於感測物理量提供數據。具體地講,電容、光電轉換元件、磁感元件、壓電元件、諧振器或類似者可被用作感測單元。
感測單元602感測例如感測單元602和與其接近或接觸的物件之間的電容變化。
需要注意的是,當介電常數比空氣高的物件(如手指)接近空氣中的導電膜時,手指和導電膜之間的電容變化。感測單元602可感測電容變化,並提供感測數據。
例如,由於在靜電電容的變化,導電膜和電容器之間發生電 荷分佈,使得電容器兩端的電壓被改變。該電壓變化可以用作感測信號。
感測單元602設置有感測器電路。感測器電路電連接到選擇信號線G1、控制線RES、信號線DL或類似物。
感測器電路包括電晶體、感測器元件及/或類似物。例如,導電薄膜和電連接到導電膜的電容器,可用於感測器電路。電容器和電連接至電容器的電晶體也可用於感測器電路。
例如,電容器650包括絕緣層653以及第一電極651和第二電極652,且絕緣層653在第一電極651和第二電極652之間,電容器650可用於感測器電路(見圖17A)。具體地,當物體靠近電連接到電容器650的一個電極的導電膜時,電容器650的電極之間的電壓改變。
感測單元602包括可以根據控制信號被打開或關閉的開關。例如,電晶體M12可以作為開關。
放大感測訊號的電晶體可以使用於感測單元602。
通過相同的方法製造的電晶體可被用作放大感測信號的電晶體和開關。如此允許通過簡化的製程來提供輸入部分600。
感測單元包括排列成矩陣的複數個窗格部分667。窗格部分667傳送可見光。光阻擋層BM可設置於窗格部分667之間。
觸控面板500TP是設置於與觸控面板500TP中窗格部分667重疊的位置。彩色層傳送預定顏色的光。注意,彩色層可以稱為濾色器。例如,彩色層367B傳輸藍色光,彩色層367G傳輸綠光和彩色層367R傳輸紅色光,都可以使用。選替地,可以使用彩色層傳輸黃光或白光。
顯示部分500包括佈置成矩陣的複數個像素302。像素302被 定位成與輸入部600的窗格部分667重疊。像素302可排列成解析度高於感測單元602。每個像素具有與結構實施例1的相同結構;因此,省略說明。
觸控面板500TP包括含有排列成矩陣的複數個感測單元602和傳輸可見光的窗格部分667的輸入部分600、包括與窗格部分667重疊之複數個像素302的顯示部分500、以及窗格部分667和像素302之間的彩色層。每個感測單元包括開關,其可減少另一個感測單元中的干擾。
因此,藉由各感測器單元獲得的感測數據,可與感測器單元的位置資訊一起提供。此外,感測數據可相關於像素的位置數據提供用於顯示圖像。此外,不提供感測信號的感測器單元沒有電連接到信號線,藉此,可降低對提供感測訊號的感測器單元的干擾。因此,可提供高度便利或高度可靠的輸入輸出裝置500TP。
例如,觸控面板500TP的輸入部分600可以感測感測數據且提供位置數據與感測數據。具體而言,觸控面板500TP的用戶可以使用如同指標器、手指或類似者在輸入部分600做出各種使用手勢(例如,點擊、拖曳、輕掃以及指夾的操作)。
輸入部分600可感測接近或接觸輸入部分600的手指或類似者,並提供包含感測位置、路徑或類似的感測數據。
計算單元基於程式或類似者判斷所提供的數據是否滿足預定條件,並執行與預定手勢相關聯的指令。
因此,輸入部600的用戶可以手指或類似者做出預定手勢,並使計算單元執行與預定手勢相關聯的指令。
例如,首先,輸入輸出裝置500TP的輸入部分600從複數個 感測單元中選擇一個感測單元X,其可提供感測數據至一個信號線。然後,並未建立信號線和非感測單元X之感測單元之間的電連續性。如此可以減少其他感測單元對感測單元X的干擾。
具體而言,可減少其他感測單元的感測元件對感測單元X的感測元件的干擾。
例如,電容器和電連接電容器的一個電極的導電薄膜係用於感測元件之實例中,可降低其它感測單元的導電膜的電位對感測單元X的導電薄膜的電位的干擾。
因此,觸控面板500TP可以驅動感測單元且提供與其尺寸無關的感測數據。觸控面板500TP可具有各種尺寸,例如,從大小為手持裝置的尺寸到電子黑板的尺寸。
觸控面板500TP可以折疊和展開。即使在其他感測單元對感測單元X的干擾在折疊狀態和展開狀態為不同的情況下,感測單元可被驅動且感測數據可被提供而無需依賴觸控面板500TP的狀態。
觸控面板500TP的顯示部分500可提供有顯示數據。例如,計算單元可供應顯示數據。
除了上述結構,觸控面板500TP可以具有以下結構。
觸控面板500TP可包括驅動器電路603g或驅動電路603d。此外,觸控面板500TP可電連接到軟性電路板1。
舉例來說,驅動電路603g可以在預定時序供給選擇信號。具體而言,驅動電路603g以預定的順序逐列供給選擇信號至選擇信號線G1。任何的各種電路可用作驅動電路603g。例如,移位寄存器、觸發器電路、 組合電路或類似物都可以使用。
驅動電路603d基於感測單元602提供的感測信號提供感測數據。任何的各種電路可被用作驅動電路603d。例如,可以形成源極隨耦器電路或通過電連接到感測單元中的感測電路的電流鏡像電路的電路可以作為驅動電路603d。此外,將感測信號轉換為數位信號的類比-數位轉換器電路亦可提供於驅動電路603d。
軟性電路板1供應時序信號、電源供應電位或類似的,並且供應有感測信號。
觸控面板500TP可以包括驅動電路503g、驅動電路503s、線路311以及接頭319。此外,觸控面板500TP(或驅動電路)可電連接到軟性電路板2。
此外,可提供保護層670,其防止損害並保護輸入輸出裝置500TP。例如,陶瓷塗層或硬塗層可以用作保護層670。具體地說,含氧化鋁層或紫外線固化樹脂的膜層都可以使用。
本實施例可以與任何其他實施方式適當地組合。
(實施例4)
在本實施例中,電子裝置和本發明之一實施例的照明裝置將參照附圖進行說明。
電子裝置的例子包括電視機(也稱為電視或電視接收機)、計算機或類似者的監視器、數位相機、數位攝像機、數位相框、行動電話(也稱為到作為行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再 現裝置、大型遊戲機諸如彈球機、以及類似物。
本發明之一實施例的電子裝置或照明裝置具有可撓性,因此可沿著房子或建築物的彎曲內/外牆表面或汽車的彎曲內部/外部表面整合。
此外,本發明之一實施例的電子裝置可以包括二次電池。較佳的是,二次電池能夠透過非接觸電力傳輸方式充電。
二次電池的實例包括鋰離子二次電池如使用凝膠電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛酸電池、空氣二次電池、鎳鋅電池及銀鋅電池。
本發明之一實施例的電子裝置可以包括天線。當信號由天線接收時,電子裝置可以在顯示部分顯示影像、數據或類似物。當電子裝置包括二次電池時,天線可以用於非接觸電力傳輸。
在本發明之一實施例的顯示裝置中,通過增加顯示面板的數量,顯示區域的面積可以無限制地增加。因此,顯示裝置可有效地用於應用如數位招牌和PID。此外,通過改變顯示板的排列,本發明之一實施例的顯示裝置的輪廓可以具有任何各種形狀。
圖18A示出了本發明一實施例之顯示裝置10提供至圓柱15和牆16之例子。可撓性顯示面板被用作顯示裝置10中的顯示面板100,從而使顯示裝置10可以沿著彎曲表面放置。
在此,特別的是,在本發明之一實施例的顯示裝置用於數位標牌和PID的實例中,較佳於顯示面板中使用觸控面板,因為具有這種結構的裝置可由觀眾直觀地操作並且顯示靜止或動態影像在顯示區域上。或者,在本發明之一實施方式的顯示裝置可用於提供信息(例如路由信息和交 通信息)的實例中,可藉由直觀的操作增強使用性。提供顯示裝置在建築物和公共設施的牆上等的情況下,觸控面板不一定用在顯示面板。
圖18B至圖18E示出了一種電子裝置,包括具有彎曲表面的顯示部分7000。顯示部分7000的顯示表面是彎曲的,且影像可顯示於彎曲的顯示表面上。顯示部分7000可以是可撓性的。
圖18B至圖18E中每一電子裝置的顯示部分7000可以使用本發明之一實施例的顯示裝置形成。
圖18B示出了行動電話的例子。行動電話7100包括殼體7101、顯示部分7000、操作按鈕7103、外部連接埠7104、喇叭7105、麥克風7106等。
圖18B所示之行動電話7100包括在顯示部分7000的觸控感測器。此外,例如打電話及輸入字母的操作可以透過手指、觸控筆等在顯示部分7000上執行。
使用操作按鈕7103,電源ON或OFF可以進行切換。此外,顯示在顯示部分7000上的影像類型可以被切換;例如,從郵件創建螢幕切換影像至主目錄螢幕。
圖18C示出了電視機的例子。在電視機7200中,顯示部分7000整合至殼體7201。於此,殼體7201由支架7203支撐。
圖18C所示的電視機7200可以利用殼體7201的操作開關或單獨的遙控器7211進行操作。此外,顯示部分7000可以包括觸控感測器。顯示部分7000可以通過用手指等觸摸顯示部分來執行。此外,遙控器7211可以設置有用於顯示來自遙控器7211之數據輸出的顯示部分。使用遙控器 7211的觸控面板或操作鍵,可以控制頻道和音量以及顯示部7000上顯示的影像。
注意,電視機7200設置有接收器及數據機等。一般的電視廣播可以使用接收器來接收。此外,當電視機通過數據機以有線或無線方式連接到通信網絡時,可執行單向(從發射器到接收器)或雙向(發射器和接收器之間或多個接收機之間)的數據通信。
圖18D示出了可攜式資訊終端的例子。可攜式資訊終端7300包括殼體7301和顯示部分7000。每個可攜式資訊終端也可以包括操作按鈕、外部連接埠、喇叭、麥克風、天線、電池或類似物。顯示部分7000上設置有觸控感測器。可攜式資訊終端7300的操作可以通過用手指、觸控筆等觸摸顯示部分7000來執行。
圖18D是可攜式資訊終端7300的透視圖。圖18E是可攜式資訊終端7300的上視圖。
此實施例中所示的可攜式資訊終端用作為,例如,一或多個電話機、筆電以及資訊瀏覽系統。具體地,每個可攜式資訊終端可以用作智慧型手機。此實施例中示出的可攜式資訊終端能夠執行各種應用,例如行動電話、電子郵件、閱讀和編輯文本、音樂再現、網路通訊和計算機遊戲。
可攜式資訊終端7300可以在其多個表面顯示文字和影像資訊。例如,如圖18D所示,三個操作按鈕7302可以顯示在一個表面上,且矩形所示的資訊7303可顯示在另一表面。圖18D和圖18E示出了在資訊顯示在可攜式資訊終端的頂部的例子。選替地,資訊可以顯示在可攜式資訊終端 的側邊。資訊也可以顯示在可攜式資訊終端的三個或更多個表面。
資訊的例子包括從社交網絡服務(SNS)的通知、指示e-mail接收或來電的顯示、電子郵件或類似的標題、電子郵件或類似的發送者、日期、時間、剩餘電量和天線的接收強度。可替代地,操作按鈕、圖標或類似物可以取代資訊顯示。
例如,可攜式資訊終端7300的使用者可以看到放於衣服胸前口袋的可攜式資訊終端7300的顯示(在此為資訊7303)。
具體地講,來電之發話者的電話號碼、姓名或類似被顯示在可從可攜式資訊終端7300看見的位置。因此,用戶能夠不從口袋取出可攜式資訊終端7300而看到顯示,並決定是否應答來電。
圖18F示出了具有彎曲的發光部分的照明裝置的例子。
包含在圖18F所示之照明裝置的發光部分可以使用本發明之一實施例的顯示裝置來製造。
在圖18F所示的照明裝置7400包括具有波浪形發光表面的發光部分7402,其為良好設計的照明裝置。
包含在發光裝置7400中的發光部分可以是可撓性的。發光部分可以固定在塑料構件、可移動框架或類似的,致使發光部分的發射表面可以根據預期的用途而自由地彎曲。
照明裝置7400包含具有操作開關7403的平台7401,以及由平台7401支撐的發光部分。
注意,雖然於此實例說明照明裝置中的發光部分係由平台支撐,但是具有發光部分的殼體可被固定在天花板或從天花板懸吊。由於發 光表面可以是彎曲的,因此發光射表面彎曲為具有凹陷的形狀,從而特定的區域可以被照亮,或者發光表面是彎曲的,以具有突出的形狀,藉此整個房間可以被照亮。
圖19A1、圖19A2、圖19B、圖19C、圖19D、圖19E、圖19F、圖19G、圖19H及圖19I的每個示出的可攜式資訊終端包括具有可撓性的顯示部分7001。
顯示部分7001是使用了本發明實施例的顯示裝置製造。例如,可以使用彎曲而具有大於或等於0.01毫米且小於或等於150毫米的曲率半徑的顯示裝置。顯示部分7001可包括觸控感測器,使得可攜式資訊終端可通過用手指等觸控顯示部分7001來操作。
圖19A1和圖19A2是透視圖和剖視圖,分別示出了可攜式資訊終端的例子。可攜式資訊終端7500包括殼體7501、顯示部分7001、顯示部分拉出件7502、操作按鈕7503等。
可攜式資訊終端7500包含在殼體7501的捲動可撓式顯示部分7001。
可攜式資訊終端7500透過併入其中的控制部分接收視頻訊號,並且可以在顯示部分7001顯示所接收的視頻。可攜式資訊終端7500包括電池。用於連接連接器的接頭部分可以被包含在殼體7501,使得視頻信號或功率可直接地透過線路由外部供應。
通過按下操作按鈕7503,電源ON/OFF、顯示的視頻切換等可以被執行。雖然圖19A1、圖19A2和圖19B示出了操作按鈕7503被定位在可攜式資訊終端7500的側表面的例子,但本發明的實施例不限於此。操作 按鈕7503可放置在顯示表面(前表面)或可攜式資訊終端7500的後表面。
圖19B示出在顯示部分7001被拉出的狀態的可攜式資訊終端7500。在該狀態下,視頻可以顯示在顯示部分7001。此外,可攜式資訊終端7500可以進行不同的顯示,其中如圖19A1所示部分的顯示部分7001被捲起的狀態,以及如圖19B所示顯示部分7001以顯示部分拉出件7502拉出的狀態。例如,在圖19A1所示的狀態下,顯示部分7001的翻捲部分係處於非顯示狀態,降低了可攜式資訊終端7500的電力消耗。
需要注意的是,加強框架可提供於顯示部分7001的側部分,致使當顯示部分7001被拉出時具有平坦的顯示表面。
注意,除了該結構,喇叭可以提供於殼體,使得聲音輸出與音頻信號與視頻信號一起接收。
圖19C至圖19E示出了折疊式可攜式資訊終端的例子。圖19C示出了打開的可攜式資訊終端7600。圖19D示出了正在打開或折疊的可攜式資訊終端7600。圖19E示出了摺疊的可攜式資訊終端7600。折疊時,可攜式資訊終端7600是高度可攜的,且打開時則因為無縫的大顯示面積是高度可瀏覽的。
顯示部分7001是藉由閂7602將三個殼體7601結合在一起而支持。通過以閂7602處於兩個殼體7601之間的連接部分來折疊可攜式資訊終端7600,可攜式資訊終端7600可以從開啟到折疊可逆地改變形狀。
圖19F和圖19G示出了折疊式可攜式資訊終端的例子。圖19F示出了可攜式資訊終端7650被折疊使得顯示部分7001在內側。圖19G示出了可攜式資訊終端7650被折疊使得顯示部分7001在外側。可攜式資訊終端 7650包括顯示部分7001和非顯示部分7651。可攜式資訊終端7650不使用時,可攜式資訊終端7650被折疊使得顯示部分7001是在內側,由此,可以防止顯示部分7001污染或損壞。
圖19H示出了可撓的可攜式資訊終端的例子。可攜式資訊終端7700包括殼體7701和顯示部分7001。此外,可攜式資訊終端7700可以包括按鈕7703a和7703b其用作輸入裝置、喇叭7704a和7704b其用作聲音輸出裝置、外部連接埠7705、麥克風7706等。可撓性電池7709可被安裝在可攜式資訊終端7700。電池7709可以被佈置為重疊例如顯示部分7001。
殼體7701、顯示部分7001、電池7709是可撓的。因此,將可攜式資訊終端7700彎曲成所需的形狀或扭曲攜式資訊終端7700是容易的。例如,可攜式資訊終端7700可以是彎曲的,以便使顯示部分7001是在內側或在外側。可攜式資訊終端7700可以在捲動狀態使用。由於殼體7701和顯示部分7001可以這樣的方式自由地變換,因此可攜式資訊終端7700是不太可能被折斷,即使是當可攜式資訊終端7700掉落或外部應力施加到可攜式資訊終端7700。
可攜式資訊終端7700可以在各種情況下被有效地被使用,因為可攜式資訊終端7700是輕巧的。例如,可攜式資訊終端7700可以在殼體7701的上部藉夾子或類似物懸掛使用,或藉由磁鐵或類似物將殼體7701固定於牆上使用。
圖19I示出了手錶型的可攜式資訊終端的例子。可攜式資訊終端7800包括錶帶7801、顯示部分7001、輸入輸出接頭7802、操作按鈕7803或類似物。錶帶7801具有外殼的功能。可撓性電池7805可被安裝在可攜式 資訊終端7800。電池7805可以與例如顯示部分7001和錶帶7801重疊。
錶帶7801、顯示部分7001以及電池7805具可撓性。因此,可攜式資訊終端7800可容易地彎曲成想要的形狀。
使用操作按鈕7803,可以執行各種功能,例如時間設定、電源的開/關、無線通訊的開/關、設置和取消方法模式、以及設置和取消省電模式等。例如,操作按鈕7803的功能可以藉由併入可攜式資訊終端7800的操作系統自由地設定。
藉由手指或類似者觸碰顯示於顯示部分7001上的圖示7804,可以啟動應用程式。
可攜式資訊終端7800可以使用基於現有通信標準的近場通信方法。於此情況下,舉例來說,可攜式資訊終端7800和能夠進行無線通信的耳機之間的相互通信是可執行的,因此免持通話是可能的。
可攜式資訊終端7800可以包括輸入輸出接頭7802。在包括輸入輸出接頭7802的情況下,數據可直接地從另一個可攜式資訊終端透過連接器傳送與接收。透過輸入輸出接頭7802充電也是可能的。注意,在本實施例中所描述可攜式資訊終端的充電,可以透過非接觸電力傳輸來執行且不需使用輸入輸出接頭。
本實施例可以與任何其他實施方式適當地組合。
[實施例1]
在本實施例中,描述本發明一實施方式的顯示裝置的製造的結果。本實施例中使用的顯示裝置的製造方法類似於用於製造磚瓦式的日本傳統屋頂(日語為kawara)。因此,通過重疊多個顯示面板,作為在本實 施例製造的顯示裝置中製造的多顯示器被稱為“Kawara型多顯示器”。
圖21A和圖21B示出了在本實施例製造的顯示裝置。圖21A是顯示裝置的顯示表面之相反一側的照片。圖21B是顯示裝置顯示影像的顯示表面側的照片。
在圖21A和圖21B所示的顯示裝置包括以兩行和兩列之矩陣排列的四個顯示面板。具體來說,顯示裝置包含顯示面板100a、100b、100c以及100d。
圖22A是顯示面板的示意圖。在顯示面板的發光部分250具有的尺寸為3.4英寸的對角線、960×540×RGB的有效像素、326ppi的解析度,以及44.4%的孔徑比。顯示面板包括解多工器(DeMUX)253用作源極驅動器。此外,顯示面板還包括掃描驅動器255。顯示面板是主動式矩陣有機EL顯示器,且像素電路包含三個電晶體和電容器。發光部分250的兩側接觸可見光穿透區域251。線路257係沿其它兩側設置。
圖21C係為顯示裝置中顯示面板100a及100b彼此貼附的剖面示意圖。
在圖21A到圖21C的顯示裝置與圖4的不同處在於:包含接合層157,且光穿透層係提供於顯示面板的顯示表面側。
每個顯示面板在顯示表面和與顯示表面相反的表面上皆具有光穿透層。例如,如圖21C所示,顯示面板100a具有光穿透層103a1在顯示表面側,以及光穿透層103a2在顯示面表面的相反側。顯示面板100b具有光穿透層103b1在顯示表面側,以及光穿透層103b2在顯示面表面的相反側。在本實施例中,具有貼附層和基材堆疊的貼附薄膜係作為各光穿透層。
每個顯示面板藉由接合層將基板和元件層貼附而形成。如圖21C所示,基板151a、基板152a、基板151b及基板152b係透過接合層157分別貼附於元件層153a、元件層153a、元件層153b和元件層153b。
在本實施例的顯示裝置通過重疊四種顯示面板,使得顯示區域之間的非顯示區域變小。具體地說,一個顯示面板的可見光穿透區域與另一顯示面板的顯示區域重疊,而可見光穿透區域在兩者之間。因此,大型顯示裝置中顯示面板之間的接縫幾乎不會被使用者辨識出(參照圖21B)。
因為顯示面板在顯示表面和顯示表面的相反表面上都具有貼附層,所以顯示裝置的兩側可以附加到或固定到平坦的表面。例如,顯示裝置的顯示面表面的相反側可貼到牆上。此外,顯示裝置的顯示表面可以貼附至透明板,例如玻璃基板。貼附層可以防止顯示裝置的顯示表面損壞且防止顯示裝置彎曲,由此顯示的可視性可以提高。
四個顯示面板具有可撓性。因此,如圖21A和圖21C所示,鄰近顯示面板100a的軟性電路板112a的區域可以被彎曲,從而部分顯示面板100a和部分軟性電路板112a可以放置在鄰近軟性電路板112a之顯示面板100b的顯示區域下。因此,軟性電路板112a與顯示面板100b的背面可以不會干擾地放置。
由於使用了具有貼附層和基材堆疊的貼附薄膜,每個顯示面板可以可分離地連接到包含在顯示裝置中的另一個顯示面板。
圖21A所示的顯示面板100a~100d的結構除了下列幾點對應於圖10A和圖10B所示的發光面板。首先,每個顯示面板100a至100d不包含絕緣層817b和傳導層856,且電晶體820的源極電極或汲極電極和發光元件 830的下方電極831係直接彼此連接。其次,每個顯示面板100a至100d不包括光阻擋層847。關於每個顯示面板100a至100d中的發光元件830的結構,可參考圖10B。
在本實例中,發射白光的串聯(堆疊)有機EL元件使用作為發光元件。發光元件具有頂部發射結構。從發光元件發出的光係通過濾色器抽出。
使用包含c軸配向晶體的氧化物半導體(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor,CAAC-OS)的電晶體作為電晶體。不同於非晶半導體,所述CAAC-OS具有幾個缺陷狀態,從而使電晶體的可靠性能夠得到改善。此外,由於CAAC-OS不具有晶界,穩定、均勻的薄膜可以形成在大面積,且藉由彎曲可撓性顯示面板或顯示裝置產生的應力不容易使CAAC-OS薄膜產生裂紋。
CAAC-OS是晶體c軸配向實質垂直於膜表面的方向結晶氧化物半導體。業已發現,氧化物半導體具有除了單結晶結構之外的各種晶體結構等。這種結構的例子是奈米晶體(nc)結構,這是奈米級微晶的聚集體。所述CAAC-OS結構的結晶度比單晶結構的低且比nc結構的高。
在本實施例中,使用包含銦-鎵-鋅系氧化物的通道蝕刻電晶體。該電晶體製作在處理溫度低於500℃的玻璃基板。
於此,圖22B示出了顯示面板中可見光穿透區域110的堆疊層結構的例子。
如圖22B所示,在可見光穿透區域110中,基板701、接合層703、絕緣層705、閘極絕緣層813、絕緣層815、接合層822、絕緣層715、 結合層713和基板711以此順序層疊。可見光穿透區域110的可見光透射率較高時,顯示裝置的光抽取效率可以提高。在這個例子中,在堆疊層結構中,無機絕緣薄膜的種類及厚度係透過光學模擬的方法進行優化,以提高對於光的透射率。
在光學模擬下,為了確保電晶體良好的特性(或可靠性),閘極絕緣層813的種類和厚度以及作為電晶體保護膜的絕緣層815沒有被改變。因為只有這些薄膜的可見光穿透區域110可以被打開,僅部分包含於閘極絕緣層813或絕緣層815的層的形成被允許。
具體而言,雖然在發光部分或類似者中,絕緣層815具有的氧氮化矽膜和氮化矽膜的疊層結構,但是基於計算結果,氮化矽膜未提供於可見光穿透區域110中。
於此實例之顯示裝置的形成方式為:要被分離的層被形成在形成基板上且分離層設置於兩者之間,從形成基板分離,然後轉移到另一個基板。
因此,為了確保可分離性,接觸到絕緣層705的分離層的層(顯示面板之絕緣層705中接觸到接合層703的層)以及接觸到絕緣層715的分離層的層(顯示面板之絕緣層715中接觸到接合層713的層)之種類及厚度在光學模擬中不會改變。
具體來說,接觸到絕緣層705和絕緣層715所含之分離層的每一層係為600nm厚的氮氧化矽薄膜。
為了獲得顯示面板的可撓性,基於計算結果使用應力不集中在特定薄膜的結構。
通過交替堆疊具有約1.5的折射率的層(對應於氮氧化矽膜)及具有約1.9折射率的層(對應於氮化矽膜),致使可見光區域更常發生反相干擾,可見光穿透區域110相對於可見光可以具有更高的透射率。
圖23示實際製造之顯示面板中可見光穿透區域110的光的透射率測量結果。光的透射率使用分光光度計來測定。
如圖23所示,顯示面板中可見光穿透區域110相對於光的透射率係被製造為高的數值。在450nm至650nm的範圍大約是70%至80%,其為有機EL元件的發射光譜的峰值範圍。注意,測量結果包含約8%的總的反射率,包括基板701和空氣之間以及基板711和空氣之間的反射率。在基板711和基板701的吸收率分別為大約4%至8%。因此,可以得出光學優化了無機絕緣膜的透光率能夠被提高到大約95%。
如上所述,使用顯示面板的可見光穿透區域與另一顯示面板的顯示區域重疊且光穿透層至於其間的結構,且光學優化包括在可見光穿透區域的無機絕緣膜,由此在大型顯示裝置的顯示面板之間的接縫幾乎不會被用戶識別,且能夠被製造。
[實施例2]
在本實施例中,說明本發明之一實施方式的顯示裝置的製造結果。在本實施例製造的顯示裝置是kawara型多顯示器。
圖24A是本實施例製造之顯示裝置顯示影像的照片。在圖24A所示的顯示裝置包括佈置在兩行和兩列的矩陣的四個顯示面板。可見光穿透區域的寬度大約為2毫米。顯示裝置之製造方式為:可見光穿透區域與另一顯示面板之顯示區域重疊且光穿透層置於其間。圖4A是示出包含顯示 裝置中兩個顯示面板彼此貼附的剖視示意圖。
在圖24A中所示的顯示裝置中,發光部具有27英寸對角線的尺寸(一個顯示面板的發光部的尺寸為13.5英寸對角線),2560×1440的有效像素,像素大小為234微米×234微米,解析度為108ppi,以及61.0%的開口率。使用內置的掃描驅動器和外部源驅動器藉由薄膜上晶片(chip on film,COF)貼附。
圖24B是一個顯示面板顯示影像的照片。沿顯示面板兩側之所有從發光部分的端部到顯示面板的端部不設置阻止可見光的結構(例如線路或驅動器),以及沿兩側的區域作為可見光穿透區域。如圖24B之放大圖所示,可見光穿透區域的寬度大約為2毫米。可見光穿透區域具有小於100微米的微小厚度。因此,儘管在本實施例的顯示裝置具有至多四個顯示板彼此重疊的區域,形成在顯示面側的段差是非常小;因此,接縫幾乎不顯著。此外,由於顯示面板具有可撓性,通過彎曲到與軟性電路板連接的區域的附近,部分軟性電路板可以放置在相鄰的顯示面板的發光部下方。以這種方式,另一顯示板可以提供至顯示面板的四個側邊,藉此,大尺寸的顯示面板容易被實現。
在圖24B所示的顯示面板是主動式矩陣有機EL顯示器,其發光部分之尺寸為13.5英寸對角線,1280×720×RGBY有效像素,108ppi的解析度,和61.0%的孔徑比部分。
較佳的是,本實施例之顯示裝置在多個顯示面板中的亮度變化較小。在導線或類似者不像在本實例顯示面板沿兩側設置之情況中,遠離線路的區域的亮度是低的。因此,本實施例之顯示面板在像素電路中具 有六個電晶體和兩個電容器來執行內部校正。此外,採用包括具有高電流效率的黃色(Y)子像素的四個子像素(RGBY)被佈置成兩行兩列的矩陣的像素排列,藉此減少流過所述顯示面板的電流量,且抑制電壓下降。
在本例中,作為發光元件,使用發射白光的串聯(堆疊)有機EL元件,其包括藍色發光單元205和黃色發光單元209(參照圖25)。兩個發光單元之間有中間層207。發光元件設置在堆疊201上方。堆疊201包括基板和電晶體。發光元件具有頂部發射結構。從發光元件來的光通過濾色器(黃色濾色器CFY、藍色濾色器CFB、綠色濾色器CFG和紅色濾色片CFR)抽取出。反射電極作為發光元件的正極203,半穿反電極作為負極211,並使用微腔結構。因此,根據在RGBY像素配置中的視角的色度變化可以比在包括白(W)子像素的RGBW像素佈置更小。
圖26示出了當白色(300cd/m2的亮度)被顯示在本實施例之顯示面板的整個表面的亮度測量結果。圖26示出了在面板兩個位置的亮度測量結果。一個位置是接近對應於圖24B上左側的線路的區域,而另一個位置是靠近對應於圖24B下右側的可見光穿透區域的區域。通過測量四個顯示面板所獲得的結果表明,在各面板上的這兩個位置的亮度之間不存在大的變化。即使在遠離線路及靠近可見光穿透區域的區域,亮度不減少。上述結果表明在本實施例之顯示裝置中複數個顯示面板間不太可能造成亮度變化。
需注意的是,此實施例所用的電晶體結構是相似於實施例1,並且詳細敘述省略。
此外,在本實施例中,將36個圖24B所示的顯示面板連接在 一起,從而製造圖27所示的81英寸的顯示裝置。製造具有7680×4320有效像素之8k4k高解析度的顯示裝置。
如本實施例所述,本發明之一實施例中,大尺寸顯示裝置能夠被製造,且顯示面板間的接縫幾乎不會被用戶識別。
[實施例3]
於此實施例,敘述本發明之一實施例之顯示裝置的製造結果。本實施例製造之顯示裝置係為kawara型顯示器。
首先,說明本實施例之顯示裝置所用的顯示面板。
圖28A係為本實施例之顯示面板的示意圖。圖28A所示的顯示面板是主動式矩陣有機EL顯示器,其發光部分250具有尺寸為13.5英寸對角線,1280x720有效像素,108ppi的解析度,和61.0%的孔徑比。顯示面板包括解多工器(DeMUX)253用作源極驅動器。此外,顯示面板還包括掃描驅動器255。發光部分250的兩邊接觸可見光穿透區域251。線路257沿其它兩側設置。
使用包括CAAC-OS的通道蝕刻電晶體作為電晶體。注意,銦-鎵-鋅系氧化物用於氧化物半導體。
發射白光的串聯(堆疊)有機EL元件使用作為發光元件。發光元件具有頂部發射結構,並且從發光元件來的光通過濾色器抽出。
圖28B是在兩行和兩列的矩陣重疊的四個顯示面板的示意圖。圖28C示出沿圖28B中點劃線的剖面示意圖。
在本實施例的顯示裝置通過重疊多個顯示面板形成,使得顯示區域之間的非顯示區域變小。具體而言,光穿透層103提供於上顯示面板 的可見光穿透區域251和下顯示面板的發光部分250之間。
沿顯示面板兩側之所有從發光部分250的端部到顯示面板的端部不設置阻止可見光的結構諸(例如線路或驅動器),以及沿兩側的區域作為可見光穿透區域251。可見光穿透區域251的寬度大約為2毫米。可見光穿透區域251具有小於100微米的微小厚度(亦稱為一個顯示面板的厚度)。因此,儘管在本實施例的顯示裝置具有至多四個顯示板具有彼此重疊的區域,形成在顯示面側的段差是非常小;因此,接縫幾乎不顯著。
四個顯示面板具有可撓性。因此,如圖28C所示,靠近下顯示面板的軟性電路板112a的區域可以被彎曲,以使部分下顯示面板和部分軟性電路板112a可以放置在相鄰於軟性電路板112a的上顯示面板的發光部分250之下。因此,可放置軟性電路板112a而與上顯示面板的後表面沒有物理干擾。以此方式,另一顯示板可以設置在顯示面板的四側,從而大尺寸顯示板容易被實現。
在此實施例中,吸收薄膜包含在基材兩表面上的貼附層,被用作為光穿透層103。使用貼附薄膜,包含於顯示裝置中的兩個顯示面板係可拆卸地貼附於彼此。在光穿透層103其中之一表面上的貼附層可以貼附於基板152a,而在光穿透層103之另一表面上的貼附層可以貼附於基板151b。
在圖28B中,光穿透層103不但包含重疊於可見光穿透區域251的部分,也包含與發光部分250重疊之部分。在圖28C中,光穿透層103自基板151b末端部分重疊整個可見光穿透區域251,並且與包含顯示元件的部分區域155b重疊。需注意的是,光穿透層103不會提供於靠近連接軟性電路板之顯示面板的彎曲區域,如圖28C所示。然而,光穿透層103也可以根 據光穿透層103的厚度或可撓性被提供至顯示面板的彎曲區域。
每個顯示面板藉由以接合層貼附基板和元件層形成。如圖28C所示,基板151a、基板152a、基板151b以及基板152b係分別以接合層157貼附於元件層153a、元件層153a、元件層153b和元件層153b。每個元件層包括含有顯示元件的區域155和包含電連接到顯示元件的線路的區域156。
另外,所製造的顯示面板進行彎曲測試。圖29A至圖29C展示彎曲測試如何進行。彎曲部分如圖28A之虛線所示,其為發光部分250與軟性電路板連接部分之間的區域,且包含用於電源的導線。顯示面板的形狀從圖29A之狀態改變至圖29B之狀態,再回到圖29A之狀態,這樣算是彎曲一次,並且重覆彎曲100000次。顯示面板彎曲的曲率半徑係為5mm。在彎曲測試中,大約兩秒執行彎曲一次。圖29C係為圖29B中由箭頭標示方向看顯示面板之照片。
圖29D係為在彎曲測試前顯示於顯示面板之影像之照片。圖29E係為在彎曲測試後顯示於顯示面板之影像之照片。於測試後,顯示面板並未觀察到顯示缺陷。
需注意的是,在透過可見光穿透區域251看到的部分以及不透過可見光穿透區域251看到的部分之間的發光部分250的亮度差異可能被查覺。因此,如圖30A所示,因為整個發光部分250的亮度可以是均勻的,所以相較於其他部分,在與可見光穿透區域251重疊部分較佳以更高的亮度顯示影像,(例如,重疊可見光穿透區域251的部分的資料電壓係設定為高於其他部分)。
於此實施例中,36個如圖28A所示的顯示面板排列為六列六 行的矩陣,藉此,可以製造如圖31所示的81吋顯示裝置。
於此實施例中,顯示面板係由各自的驅動電路驅動。如圖30B所示,從8k紀錄器輸出的信號被分成36個部分並輸入至各自的驅動電路。每一顯示面板的第一級的掃描時序係被設定為同一個時間。
於此實施例中,製造如圖31所示之顯示裝置,其具有680x4320有效像素之8k4k的高解析度。需注意的是,包含軟性電路板的一個顯示面板的重量約為26克,且36個顯示面板的重量係小於或等於1公斤(在此,顯示面板與軟性電路板的重量被提及,而固定顯示面板之框架的重量或類似的不包含在內)。
圖32顯示顯示面板之間接縫的觀察結果。需注意的是,圖31顯示的影像係不同於圖32。圖32顯示顯示面板彼此重疊之部分(寬度為2mm)。如上所述,使用本發明之一實施例,顯示面板之間的接縫幾乎不會被查覺,或是即使可以在近距離被查覺,以顯示面板與使用者之間的距離來說是可以忽略的。
如上所述,在本發明之一實施例中顯示面板之間的接縫幾乎不會被使用者查覺的大尺寸顯示裝置是能夠被製造的。
11‧‧‧顯示區域
103‧‧‧光穿透層
101a‧‧‧顯示區域
101b‧‧‧顯示區域
110a‧‧‧區域
110b‧‧‧區域
112a‧‧‧軟性電路板
112b‧‧‧軟性電路板
120a‧‧‧區域
120b‧‧‧區域

Claims (4)

  1. 一種顯示裝置,包含:包含一第一區域及相鄰於該第一區域的一第四區域的一第一顯示面板;包含一第二區域及相鄰於該第二區域的一第三區域的一第二顯示面板;介於該第一顯示面板與該第二顯示面板之間的一光穿透層;以及電連接至該第一顯示面板並接觸該第四區域的一軟性電路板,其中該第一區域與該第二區域各具有一執行顯示功能,其中該第三區域具有一可見光穿透功能,其中該第四區域具有一阻擋可見光功能,其中該光穿透層包含具有對應光波長範圍450nm至700nm為80%或更多的平均透射率以及折射率高於空氣之一光穿透材料,其中該光穿透層係設置於該第一顯示面板之一顯示表面側,其中該光穿透層係設置於與該第二顯示面板之一顯示表面側對立之一側,其中該第三區域與該第一區域重疊一部分,以及其中當從該第二顯示面板的該顯示表面側看時,該第四區域及該軟性電路板被該第二區域覆蓋。
  2. 一種顯示裝置,包含:包含一第一區域及相鄰於該第一區域的一第四區域的一第一顯示面板;包含一第二區域及相鄰於該第二區域的一第三區域的一第二顯示面板;介於該第一顯示面板與該第二顯示面板之間的一光穿透層;以及電連接至該第一顯示面板並接觸該第四區域的一軟性電路板, 其中該第一區域與該第二區域各具有一執行顯示功能,其中該第三區域具有一可見光穿透功能,其中該第四區域具有一阻擋可見光功能,其中該光穿透層係設置於該第一顯示面板之一顯示表面側,其中該光穿透層係設置於與該第二顯示面板之一顯示表面側對立之一側,以及其中當從該第二顯示面板的該顯示表面側看時,該第四區域及該軟性電路板被該第二區域覆蓋。
  3. 如請求項1或2所述之顯示裝置,其中該第一區域與該第二區域各包含一發光元件,以及其中該第三區域包含一結合層。
  4. 一種電子裝置,包含:如請求項1或2所述之顯示裝置。
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US (3) US10159135B2 (zh)
JP (5) JP6517617B2 (zh)
KR (2) KR102533396B1 (zh)
CN (2) CN112349211B (zh)
TW (3) TWI681234B (zh)
WO (1) WO2016016765A1 (zh)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112015001208T5 (de) * 2014-03-13 2016-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Elektronisches Gerät
CN112349211B (zh) * 2014-07-31 2023-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
KR102445185B1 (ko) 2014-10-08 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9942979B2 (en) * 2014-11-03 2018-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible printed circuit board
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
KR102356841B1 (ko) * 2014-11-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JPWO2016116833A1 (ja) 2015-01-22 2017-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR20230169489A (ko) 2015-09-08 2023-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10069100B2 (en) * 2015-09-24 2018-09-04 Apple Inc. Flexible device with decoupled display layers
US10516118B2 (en) 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
JP6367848B2 (ja) * 2016-02-10 2018-08-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN106297576B (zh) * 2016-10-08 2023-04-11 杭州美卡乐光电有限公司 Led箱体、led显示屏及其组装方法
KR20180054965A (ko) * 2016-11-14 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈 및 이를 포함하는 표시장치
WO2018100458A1 (en) * 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US20190329526A1 (en) * 2016-12-20 2019-10-31 Spiber Inc. Fiber-reinforced resin material and laminate
TWI748035B (zh) 2017-01-20 2021-12-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 顯示系統及電子裝置
JP7079239B2 (ja) * 2017-03-03 2022-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 車両
CN110494906B (zh) 2017-03-31 2022-03-04 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
US10984757B2 (en) 2017-05-19 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Machine learning method, machine learning system, and display system
CN107332958A (zh) * 2017-06-15 2017-11-07 捷开通讯(深圳)有限公司 移动终端及其多功能后盖
US11037525B2 (en) * 2017-06-27 2021-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display system and data processing method
US11296176B2 (en) 2017-07-27 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
CN110998703A (zh) 2017-08-24 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 图像处理方法
WO2019038619A1 (ja) * 2017-08-25 2019-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル及び表示装置
TW202326261A (zh) * 2017-10-16 2023-07-01 美商康寧公司 具有邊緣包覆之導體的無框顯示圖塊及製造方法
TWI840337B (zh) 2017-11-30 2024-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法
CN107742499B (zh) * 2017-11-30 2021-02-19 武汉天马微电子有限公司 一种异形显示面板及显示装置
CN112106444B (zh) * 2018-05-23 2024-06-28 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
JP7054808B2 (ja) * 2018-06-26 2022-04-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 突板を用いた表示装置
KR102465746B1 (ko) * 2018-07-03 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 다중 패널 표시 장치
CN108920010B (zh) * 2018-07-27 2021-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触摸屏及oled显示面板
CN110827762B (zh) * 2018-08-14 2021-07-09 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示屏及其控制方法以及显示终端
WO2020039291A1 (ja) 2018-08-21 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR102677937B1 (ko) * 2018-10-11 2024-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102618812B1 (ko) * 2018-10-31 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
US11164934B2 (en) * 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
CN111831240B (zh) * 2019-04-17 2022-02-22 北京小米移动软件有限公司 终端屏幕的显示控制方法、装置及存储介质
KR102628165B1 (ko) * 2019-04-23 2024-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11342386B2 (en) * 2019-05-27 2022-05-24 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and display device each having a data line connecting sub-pixels of different colors
CN110444123B (zh) * 2019-08-19 2022-10-14 京东方科技集团股份有限公司 拼接显示装置及电子设备
CN110752311B (zh) * 2019-10-29 2022-03-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP7396856B2 (ja) * 2019-10-31 2023-12-12 JDI Design and Development 合同会社 表示装置
CN114550606A (zh) * 2019-12-02 2022-05-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210076299A (ko) 2019-12-13 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 입력 센서
TWI835978B (zh) * 2020-01-22 2024-03-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
RU199341U1 (ru) * 2020-03-24 2020-08-28 Акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (АО "ЭЛАРА") Световое табло
CN111640377B (zh) * 2020-06-30 2022-06-03 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
TWI737520B (zh) * 2020-08-14 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN113284416B (zh) * 2020-08-14 2023-03-10 友达光电股份有限公司 显示面板
TWI768725B (zh) * 2020-09-16 2022-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 分離式顯示系統
CN112103320B (zh) * 2020-09-22 2024-07-26 维信诺科技股份有限公司 显示面板和显示装置
KR20220049643A (ko) * 2020-10-14 2022-04-22 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
CN116325154A (zh) 2020-12-23 2023-06-23 三星电子株式会社 具有显示模块的显示装置和制造该显示装置的方法
KR20220091278A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN112736145B (zh) * 2020-12-29 2022-09-13 正泰新能科技有限公司 一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池
KR20220135626A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
CN113160711A (zh) * 2021-04-29 2021-07-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
WO2023287069A1 (ko) * 2021-07-14 2023-01-19 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
EP4325473A4 (en) 2021-07-14 2024-10-02 Samsung Electronics Co Ltd DISPLAY DEVICE
US11747858B2 (en) * 2021-09-21 2023-09-05 International Business Machines Corporation Wearable device with expandable display strips
WO2023062472A1 (ja) * 2021-10-15 2023-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および当該表示装置を有する電子機器
KR20230069535A (ko) * 2021-11-12 2023-05-19 엘지디스플레이 주식회사 대면적 표시장치 및 대면적 표시장치 구동 시스템
TW202332072A (zh) * 2022-01-19 2023-08-01 友達光電股份有限公司 感測裝置
KR20230119529A (ko) 2022-02-07 2023-08-16 실리콘 디스플레이 (주) 표시 장치
CN114778339B (zh) * 2022-04-11 2022-11-25 江苏鼎盛检测中心有限公司 一种基于大数据的可降低误差的高低温耐久测试分析方法
JP2023180535A (ja) * 2022-06-09 2023-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、導光板、および表示装置の製造方法
TWI817830B (zh) * 2022-11-16 2023-10-01 宏碁股份有限公司 顯示裝置與其顯示方法
WO2024116786A1 (ja) * 2022-11-29 2024-06-06 パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社 パネル体、表示装置、およびパネル体の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200609859A (en) * 2004-06-23 2006-03-16 Sony Corp Display apparatus
CN101283307A (zh) * 2005-07-01 2008-10-08 财团法人工业技术研究院 用于电子招牌的拼接显示器
CN102193678A (zh) * 2010-03-17 2011-09-21 索尼公司 触摸面板及其制造方法

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5971083A (ja) 1982-10-18 1984-04-21 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5801797A (en) 1996-03-18 1998-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display apparatus includes an opposite board sandwiched by array boards with end portions of the array boards being offset
JPH09311344A (ja) 1996-03-18 1997-12-02 Toshiba Corp 画像表示装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7362046B2 (en) * 2001-11-10 2008-04-22 Image Portal Limited Partial overlapping display tiles of organic light emitting device
GB0127090D0 (en) 2001-11-10 2002-01-02 Image Portal Ltd Display
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP3937945B2 (ja) 2002-07-04 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びこれを備えた電子機器
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004251981A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Seiko Epson Corp 複合型表示装置
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004038145A (ja) 2003-03-06 2004-02-05 Seiko Epson Corp 表示装置及びこれを備えた電子機器
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7692378B2 (en) 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
KR101030537B1 (ko) * 2004-06-30 2011-04-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그를 이용한 휘도 편차 보상방법
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US20060091794A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Eastman Kodak Company Passive matrix OLED display having increased size
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
AU2005302963B2 (en) 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
WO2006051995A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006220789A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Nikon Corp 微小光学素子作成方法
JP2006220786A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Sharp Corp アクティブマトリクス型表示装置
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
US8223087B2 (en) * 2006-09-25 2012-07-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-display apparatus and method of manufacturing the same
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
KR101217558B1 (ko) * 2006-09-29 2013-01-02 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
US20080284934A1 (en) 2007-05-18 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5194592B2 (ja) 2007-07-10 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器
US7719745B2 (en) 2007-07-10 2010-05-18 Seiko Epson Corporation Display device and electronic apparatus
WO2009066436A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
JP2009139463A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Rohm Co Ltd 有機el発光装置
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
KR101551882B1 (ko) * 2008-11-07 2015-09-10 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
KR101457563B1 (ko) 2008-11-11 2014-11-04 삼성전자주식회사 멀티 디스플레이 장치
US8576209B2 (en) * 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
US8305294B2 (en) 2009-09-08 2012-11-06 Global Oled Technology Llc Tiled display with overlapping flexible substrates
JP5356532B2 (ja) 2009-10-08 2013-12-04 シャープ株式会社 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置
US9024936B2 (en) * 2009-12-03 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device, panel and panel manufacturing method
JP5471728B2 (ja) * 2010-03-31 2014-04-16 凸版印刷株式会社 表示パネル、この表示パネルを利用した大型表示パネル
JP5541984B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-09 双葉電子工業株式会社 有機el表示装置
JP2012028226A (ja) 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101680765B1 (ko) 2010-11-17 2016-11-30 삼성전자주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 접이식 디스플레이 장치
JP5757083B2 (ja) 2010-12-01 2015-07-29 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
JP5858367B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-10 シャープ株式会社 有機el表示ユニット、有機el表示装置、及び有機el表示ユニットの製造方法
US20120274542A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5927476B2 (ja) 2011-10-03 2016-06-01 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US9721998B2 (en) * 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9469080B2 (en) * 2012-01-06 2016-10-18 Prysm, Inc. Portable display
JP2013156452A (ja) 2012-01-30 2013-08-15 Fujitsu Ltd マルチディスプレイ素子、マルチディスプレイ装置およびマルチディスプレイ素子の駆動方法
JP5501393B2 (ja) * 2012-02-13 2014-05-21 キヤノン株式会社 画像処理装置
JP5979218B2 (ja) * 2012-02-29 2016-08-24 コニカミノルタ株式会社 発光パネルおよびその製造方法
JP6302186B2 (ja) 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
GB2511549B (en) * 2013-03-07 2020-04-22 Plastic Logic Ltd Tiled Displays
WO2015038684A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Polyera Corporation Attachable article with signaling, split display and messaging features
JP2016029464A (ja) * 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN112349211B (zh) * 2014-07-31 2023-04-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
JP6602585B2 (ja) * 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
KR102445185B1 (ko) * 2014-10-08 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6823927B2 (ja) * 2015-01-21 2021-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102272470B1 (ko) * 2015-03-18 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102383737B1 (ko) * 2015-04-01 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230169489A (ko) * 2015-09-08 2023-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10424632B2 (en) * 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2018100458A1 (en) * 2016-11-30 2018-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200609859A (en) * 2004-06-23 2006-03-16 Sony Corp Display apparatus
CN101283307A (zh) * 2005-07-01 2008-10-08 财团法人工业技术研究院 用于电子招牌的拼接显示器
CN102193678A (zh) * 2010-03-17 2011-09-21 索尼公司 触摸面板及其制造方法

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