CN103299714B - 有机el显示单元、有机el显示装置和有机el显示单元的制造方法 - Google Patents
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- CN103299714B CN103299714B CN201180063670.2A CN201180063670A CN103299714B CN 103299714 B CN103299714 B CN 103299714B CN 201180063670 A CN201180063670 A CN 201180063670A CN 103299714 B CN103299714 B CN 103299714B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 238
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 167
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 122
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 38
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical class [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 28
- -1 aromatic series dimethylene compound Chemical class 0.000 description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002585 base Substances 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 5
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UYLGPDIVUOHYHU-UHFFFAOYSA-M [O-]C(C1=CC=CC=N1)=O.[Ir+3] Chemical compound [O-]C(C1=CC=CC=N1)=O.[Ir+3] UYLGPDIVUOHYHU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- XKHYPFFZHSGMBE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene-1,1,2,3,4,4-hexacarbonitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C(C#N)=C(C#N)C#N XKHYPFFZHSGMBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical compound N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWHDQPLUIFIFFT-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrabromocyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound BrC1=C(Br)C(=O)C(Br)=C(Br)C1=O LWHDQPLUIFIFFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKLYZOGJWVAIQS-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound FC1=C(F)C(=O)C(F)=C(F)C1=O JKLYZOGJWVAIQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWWQNDLIYXEFQL-UHFFFAOYSA-N 2,3-dinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=CC([N+](=O)[O-])=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 JWWQNDLIYXEFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKYQRJXGGLVQML-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ZKYQRJXGGLVQML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDULMXJUOWIPGE-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC2=CC=CC=C12 VDULMXJUOWIPGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSHNITRMYYLLCV-UHFFFAOYSA-N 4-methylumbelliferone Chemical compound C1=C(O)C=CC2=C1OC(=O)C=C2C HSHNITRMYYLLCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015802 BaSr Inorganic materials 0.000 description 1
- YLIAWYPQYFNYRS-UHFFFAOYSA-N C#C.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 Chemical group C#C.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 YLIAWYPQYFNYRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001875 Ebonite Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N Hexazinone Chemical compound O=C1N(C)C(N(C)C)=NC(=O)N1C1CCCCC1 CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 1
- 229940035422 diphenylamine Drugs 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 229960001396 hymecromone Drugs 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;n-methyl-n-[(1,3,3-trimethylindol-1-ium-2-yl)methylideneamino]aniline Chemical compound COS([O-])(=O)=O.C[N+]=1C2=CC=CC=C2C(C)(C)C=1/C=N/N(C)C1=CC=CC=C1 LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Substances OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000327 poly(triphenylamine) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- MUSLHCJRTRQOSP-UHFFFAOYSA-N rhodamine 101 Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 MUSLHCJRTRQOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYIOYATURDILJN-UHFFFAOYSA-N rhodamine 110 Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(N)=CC2=[O+]C2=CC(N)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O MYIOYATURDILJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005694 sulfonylation reaction Methods 0.000 description 1
- COIVODZMVVUETJ-UHFFFAOYSA-N sulforhodamine 101 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC=C1C1=C(C=C2C3=C4CCCN3CCC2)C4=[O+]C2=C1C=C1CCCN3CCCC2=C13 COIVODZMVVUETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
有机EL显示单元包括:第一基板;有机EL元件,该有机EL元件位于第一基板上,具有第一电极、至少包含有机发光层的有机层和第二电极,构成为发出激发光;第二基板;和光学转换层,该光学转换层位于第二基板上,构成为将对上述激发光的色调进行转换后的光从显示面向外部出射,上述显示面平坦且呈长方形,上述第二基板沿上述显示面的长边方向被分割为多个。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL显示单元和使用该有机EL显示单元的有机EL显示装置、以及有机EL显示单元的制造方法。
本申请基于2010年12月28日在日本申请的特愿2010-293302号主张优先权,在此援用其内容。
背景技术
近年来,伴随高度信息化,平板显示器的需求高涨。作为平板显示器,已知有例如非自发光型的液晶显示器(LCD)、自发光型的等离子体显示器(PDP)、无机电致发光(无机EL)显示器、有机电致发光(以下称为“有机EL”)显示器等。特别是,在这些平板显示器中,有机EL显示器的进步特别显著。
在有机EL显示器中,已知有通过单纯矩阵驱动进行动态图象显示的技术、或使用薄膜晶体管(TFT)通过有机EL元件的有源矩阵驱动进行动态图象显示的技术。
另外,在以往的显示器中,通过将发红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光的像素作为1个单位,将它们并列配置,产生以白色为代表的各种色调的光,由此进行全彩色显示。
为了实现这样的全彩色显示,在有机EL的情况下,一般采用如下方法:一般利用使用阴影掩模(shadowmask)的掩模蒸镀法对有机发光层进行分别涂敷,由此形成红色、绿色和蓝色的像素。但是,在这样的方法中,难以进行掩模的加工精度的提高、掩模的对准精度的提高和掩模的大型化。特别是,在以薄型电视机为代表的大型显示器的领域中,基板尺寸从G6到G8、G10越来越大型化。因此,在以往的制造方法中,需要与基板尺寸同等以上的掩模,因此,需要与大型基板对应的掩模的制作、加工。
这样的掩模,需要非常薄的金属(例如厚度为50nm~100nm),因此,与大型基板对应的掩模的制作和加工困难。掩模的加工精度和掩模的对准精度的降低,有可能产生由发光层的混合引起的发光的混色。为了防止这样的现象,通常需要将在像素间设置的绝缘层的宽度取得较大。在像素的面积已确定的情况下,非发光部的面积变少。即,会导致像素的开口率降低、亮度降低、消耗电力上升、寿命降低。
另外,在以往的制造方法中,蒸镀源配置在基板的下侧,通过从下向上蒸镀有机材料来形成有机层。因此,伴随基板的大型化(掩模的大型化),在中央部会产生掩模的弯曲。该掩模的弯曲也成为上述的发光的混色的原因。在极端的例子中,会产生没有形成有机层的部分,引起上下的电极间的漏电。另外,在以往的制造方法中,掩模当使用特定的次数时,会因掩模劣化而不能使用。因此,由于掩模的大型化,会导致显示器的制造成本增大。
为了应对这样的大型的有机EL显示器的各种现象,提出了排列多个有机EL显示器(有机EL显示单元),整体形成为大型显示器的方法。但是,在将多个有机EL显示单元组合的情况下,在相邻配置的有机EL显示单元彼此之间产生的接缝醒目,使作为显示器的显示品质降低。
作为解决在将多个有机EL显示单元组合、整体实现大型的有机EL显示器时产生的间隙的手段,例如,提出了以下方法:牺牲开口率,将4块有机EL面板进一步从其背面密封,由此消除接缝(例如,参照专利文献1)。
另外,还提出了以下方法:将2块有机EL面板以密封部重叠的方式重合,在构成一侧的面板的基板上,贴合调整了折射率的透过板,由此消除接缝(例如,参照非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-111059号公报
非专利文献
非专利文献1:InternationalDisplayWorkshops08173-176
发明内容
发明要解决的技术问题
在专利文献1所示的显示器中,需要从组合后的显示单元的4边中的至少正交的2边取出用于驱动各个显示单元的端子。
通常,将FPC(Flexibleprintedcircuit:挠性印制电路)与该正交的2边压接以与驱动电路侧进行连接,因此,使该正交的2边密合而形成没有接缝的显示器是不可能的。因此,在专利文献1的发明中,最大限度地利用不与FPC连接的边将4块面板组合,由此形成1块显示器。
另一方面,在非专利文献1中,将2块面板组合形成1块显示器。
但是,在这些专利文献1和非专利文献1所示的显示器中,没有给出在将5块以上的显示单元组合的情况下向位于正中的显示单元输入驱动信号的方法,最大只能应用于4块显示单元的组合。因此,在实现更大型的显示器的情况下,组合的显示单元必然大型化。
本发明的一个方式是鉴于上述技术问题而做出的,其目的是提供即使在排列多个显示单元而构成大型的显示器的情况下,也能够使相邻的显示单元彼此的间隙不醒目,从而实现高品质的显示特性的有机EL显示单元和使用该有机EL显示单元的有机EL显示装置。
另外,本发明的目的是提供在排列多个显示单元时能够使相邻的显示单元彼此的间隙不醒目的有机EL显示单元的制造方法。
用于解决技术问题的手段
为了解决上述技术问题,本发明的几个方式提供了如下的有机EL显示单元、有机EL显示装置和有机EL显示单元的制造方法。
即,本发明的一个方式的有机EL显示单元包括:第一基板;有机EL元件,该有机EL元件位于第一基板上,具有第一电极、至少包含有机发光层的有机层和第二电极,构成为发出激发光;第二基板;和光学转换层,该光学转换层位于第二基板上,构成为将对上述激发光的色调进行转换后的光从显示面向外部出射,其中,上述显示面平坦且呈长方形,上述第二基板沿上述显示面的长边方向被分割为多个。
可以上述第一基板具有第一端部,该第一端部沿上述显示面的长边方向延伸、且向靠近与上述显示面相反的面的方向弯曲,在作为上述第一端部的与上述显示面相反的面上,还具有输入上述有机EL显示单元的控制信号的第一连接端子部。
上述光学转换层可以为对上述激发光进行荧光转换的荧光体层。
另外,可以上述有机发光层发出白色光,上述光学转换层为对上述白色光的色调进行转换的彩色滤光片。
上述第一连接端子部可以形成在与上述第二基板不重叠的区域。
另外,上述第一基板和上述第二基板可以包含:金属;或包含树脂的材料。
可以配置有与上述有机EL元件对应的有源矩阵驱动元件。
另外,可以还形成有沿上述显示面的短边方向延伸的第二连接端子部。
可以在上述第二基板上形成有多个上述荧光体层,上述多个荧光体层包括红色荧光体层、绿色荧光体层和蓝色荧光体层,上述红色荧光体层、上述绿色荧光体层和上述蓝色荧光体层各自与上述显示面的长边方向平行地排列。
另外,可以在上述第二基板上形成有多个上述彩色滤光片,上述多个彩色滤光片包括红色滤光片层、绿色滤光片层和蓝色滤光片层,上述红色滤光片层、上述绿色滤光片层和上述蓝色滤光片层各自与上述显示面的长边方向平行地排列。
上述第一基板可以包含线膨胀系数为1×10-5/℃以下的铁-镍类合金。
本发明的一个方式的有机EL显示装置,通过将多个上述各项记载的有机EL显示单元沿上述显示面的短边方向排列而构成。
可以上述多个有机EL显示单元中的第一有机EL显示单元的沿上述显示面的长边方向的一个端部,与和第一有机EL显示单元相邻的第二有机EL显示单元的显示面侧接触,上述显示面的另一个端部,与和第一有机EL显示单元相邻的第三有机EL显示单元的上述背面侧接触。
本发明的一个方式的有机EL显示单元的制造方法,该有机EL显示单元包括:第一基板;有机EL元件,该有机EL元件位于第一基板上,具有第一电极、至少包含有机发光层的有机层和第二电极,构成为发出激发光;第二基板;和光学转换层,该光学转换层位于第二基板上,构成为将对上述激发光的色调进行转换后的光从显示面向外部出射,上述显示面平坦且呈长方形,上述第一基板具有第一端部,该第一端部沿上述显示面的长边方向延伸、且向靠近与上述显示面相反的面的方向弯曲,在作为上述第一端部的与上述显示面相反的面上,形成有输入上述有机EL显示单元的控制信号的第一连接端子部,上述第二基板沿上述显示面的长边方向被分割为多个,上述有机EL显示单元的制造方法具有:使用以沿上述显示面的短边方向延伸的方式配置的线状蒸镀头,在沿上述显示面的长边方向搬送上述第一基板的同时形成上述有机层的步骤。
可以还具有利用卷对卷法在上述第二基板上形成上述光学转换层的步骤。
发明效果
根据本发明的方式,能够提供在排列多个显示单元时能够使相邻的显示单元彼此的间隙不醒目的有机EL显示单元、有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的有机EL显示单元的截面图。
图2是表示本发明的有机EL显示单元的外观立体图。
图3是表示本发明的有机EL显示单元的制造方法的说明图。
图4是表示本发明的有机EL显示装置的外观立体图。
图5是表示本发明的有机EL显示装置的另一个实施方式的外观立体图。
图6是表示本发明的有机EL显示装置的又一个实施方式的外观立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的一个方式的有机EL显示单元和使用该有机EL显示单元的有机EL显示装置的一个实施方式进行说明。此外,以下所示的实施方式是为了使发明的一个方式的主旨更好理解而具体说明的,只要没有特别指定,就不是对本发明的方式进行限定。另外,在以下的说明中使用的附图,有为了使本发明的一个方式的特征容易理解,为方便起见而将主要部分放大表示的情况,各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图1是表示本发明的实施方式的有机EL显示单元的一个例子的外观立体图。另外,图2是该有机EL显示单元的沿短边方向的局部放大截面图。
有机EL显示单元10包括第一基板11、第一电极12、第二电极13和有机层(有机EL层)14。第一电极12叠层在第一基板11的一面11a上。有机层(有机EL层)14配置在第一电极12与第二电极13之间。另外,与第二电极13重叠地形成有包括光学转换层15的第二基板(密封基板)16。
有机层(有机EL层)14包括从与第一电极12接触的一侧起依次重叠的空穴注入层21、空穴输送层22、有机发光层23、空穴防止层24、电子输送层25和电子注入层26。
另外,优选在第一基板11的一面11a上形成有有源驱动元件18。这样的有源驱动元件18是使有机发光层23驱动的元件,例如可以为TFT。
光学转换层15例如可以由荧光体层构成,该荧光体层由从有机层(有机EL层)14发出的激发光激发而发出RGB各自的波段的荧光(图像光)。例如在用于进行全彩色显示的有机EL单元的情况下,可以由蓝色荧光体层、绿色荧光体层和红色荧光体层的三原色的荧光体层构成。
或者,光学转换层15例如可以为彩色滤光片,该彩色滤光片将从有机层(有机EL层)14发出的白色光(激发光)色转换为RGB各自的波段的光(图像光)。
向这样的光学转换层15发出激发光的有机层(有机EL层)14,通过向第一电极12与第二电极13之间施加规定的电压而发出激发光。有机层(有机EL层)14,例如在光学转换层15为荧光体层的情况下,射出使荧光体激发的波段的光。另外,在光学转换层15为彩色滤光片的情况下,有机层(有机EL层)14射出白色光。
由这样的光学转换层15进行光转换后的图像光(出射光)G,从第二基板(密封基板)16的一面、即显示面16a出射。有机EL显示单元10的显示面16a,形成为平坦面,并且形成为由短边16S和长边16L划分的长方形。
第二基板(密封基板)16由宽度细的槽部19沿与显示面16a的长边16L平行的方向(以下称为长边方向L)分割为多个。即,第二基板(密封基板)16相对于1块第一基板11由槽部19分割为2个以上。例如在该实施方式中,第二基板(密封基板)16被分割为6个。
构成光学转换层15的荧光体层或彩色滤光片可以具有以下的结构。例如,关于沿长边方向L被分割为多个的第二基板(密封基板)16的各个,构成荧光体层或彩色滤光片的RGB各色可以沿长边方向L平行地排列。例如,荧光体层可以包括红色荧光体层、绿色荧光体层和蓝色荧光体层,上述红色荧光体层、上述绿色荧光体层和上述蓝色荧光体层各自可以与上述显示面的长边方向平行地排列。另外,彩色滤光片可以包括红色滤光片层、绿色滤光片层和蓝色滤光片层,上述红色滤光片层、上述绿色滤光片层和上述蓝色滤光片层各自可以与上述显示面的长边方向平行地排列。
第一基板11以沿长边方向L的一端11A靠近作为与显示面16a相反的面的背面11b的方式弯曲。即,一端11A形成为向靠近该背面11b的方向突出。该第一基板11的一端11A只要形成有相对于背面11b弯曲至例如45°左右的那样的弯曲面R即可。
在该第一基板11的弯曲的一端11A、即弯曲面R上,以沿长边方向L延伸的方式形成有输入有机EL显示单元10的控制信号的第一连接端子部(H扫描)31。输入在显示面16a上显示的图像的输入信号的连接器,与这样的第一连接端子部31连接。此外,也可以是不特别使第一基板11的一端11A弯曲而从第一基板11的背面11b输入控制信号的结构。
另一方面,在第一基板11上,在沿与显示面16a的短边16S平行的方向(以下称为短边方向S)延伸的两侧边(短边16S与第一基板11的边缘之间的区域)中的一个侧边上,还形成有第二连接端子部(V扫描)32。输入在显示面16a上显示的图像的输入信号的连接器,也与这样的第二连接端子部32连接。
以下,对构成上述的发明的一个方式的有机EL显示单元10的各构成部件及其形成方法更详细地进行说明,但是本发明的方式并不限定于这些构成部件和形成方法。
作为第一基板11,例如可以列举:包含玻璃、石英等的无机材料基板,包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚咔唑、聚酰亚胺等的塑料基板,包含氧化铝等的陶瓷基板等绝缘性基板;或者包含铝(Al)、铁(Fe)等的金属基板;或者在上述基板上在表面涂敷包含氧化硅(SiO2)、有机绝缘材料等的绝缘物而得到的基板,将包含Al等的金属基板的表面用阳极氧化等方法实施绝缘化处理而得到的基板等,但是本实施方式并不限定于这些基板。
特别是,为了将第一基板11的一端11A无应力地弯曲而在背面11b侧形成弯曲面R,第一基板11优选使用塑料基板或金属基板。另外,更优选在塑料基板上涂敷无机材料而得到的基板、在金属基板上涂敷无机绝缘材料而得到的基板。
由此,能够消除在使用塑料基板作为有机EL显示单元10的第一基板11的情况下可能产生的水分的透过引起的有机层(有机EL层)14的劣化(已知有机EL层对特别低量的水分也会发生劣化)。
另外,在使用金属基板作为第一基板11的情况下,有机层14的膜厚为100nm~200nm左右,非常薄,因此,能够消除由金属基板表面的突起引起的像素部分的电流泄漏(短路)。
另外,当在第一基板11的一面11a上形成有源驱动元件(TFT)18的情况下,优选使用例如在500℃以下的温度不熔解、也不产生变形的基板。另外,通常金属基板与玻璃基板热膨胀率不同,因此,使用以往的生产装置难以在金属基板上形成TFT。
因此,通过使用包含线膨胀系数为1×10-5/℃以下的铁-镍类合金的金属基板作为第一基板11,能够使线膨胀系数与玻璃匹配,能够使用以往的生产装置廉价地在金属基板上形成TFT。
另外,在使用塑料基板作为第一基板11的情况下,耐热温度低。因此,能够通过在玻璃基板上形成TFT之后、将TFT转印到塑料基板上,在塑料基板上转印形成TFT。
在使来自有机层14的发光从与第一基板11相对的第二基板(密封基板)16出射到外部的结构中,对第一基板11的光透过性没有限制。另一方面,在使来自有机层14的发光从第一基板11的背面11b侧出射的情况下,作为第一基板11需要使用透明或半透明的基板。
第二基板(密封基板)16需要使有机层14的发光或来自光学转换层15的光透过,因此需要由能够使各个波长范围的光透过的材料构成。在作为光学转换层15形成荧光体层或彩色滤光片的情况下,作为第二基板(密封基板)16的制造方法,优选通过卷对卷(rolltoroll)制造。在该情况下,作为第二基板(密封基板)16优选具有挠性的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚咔唑、聚酰亚胺等的塑料基板,但是本实施方式并不限定于这些材料。
在第一基板11的一面11a上形成的有源驱动元件(TFT)18,在形成有机层14之前,预先在第一基板11上形成。有源驱动元件(TFT)18作为开关用和驱动用发挥作用。作为在本实施方式中使用的TFT,可以列举公知的TFT。另外,也能够使用金属-绝缘体-金属(MIM)二极管代替TFT。
在作为有机EL单元10的一个例子的有源驱动型有机EL显示单元、和将多个该有机EL显示单元组合而得到的有机EL显示装置中优选使用的TFT,能够使用公知的材料、结构和形成方法来形成。
作为TFT的活性层的材料,可以列举例如:非晶硅、多晶硅、微晶硅、硒化镉等无机半导体材料;氧化锌、氧化铟-氧化镓-氧化锌等氧化物半导体材料;或者聚噻吩衍生物、噻吩低聚物、聚对苯乙炔衍生物、并四苯、并五苯等有机半导体材料等。另外,作为TFT的结构,例如可以列举栅极电极上置型、栅极电极下置型、顶栅型、共面型。
作为构成TFT的活性层的形成方法,可以列举:(1)在通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法成膜的非晶硅中离子掺杂杂质的方法;(2)通过使用硅烷(SiH4)气体的减压化学气相沉积(LPCVD)法形成非晶硅,通过固相沉积法使非晶硅结晶化得到多晶硅之后,通过离子注入法进行离子掺杂的方法;(3)通过使用Si2H6气体的LPCVD法或使用SiH4气体的PECVD法形成非晶硅,利用准分子激光等激光进行退火,使非晶硅结晶化得到多晶硅之后,进行离子掺杂的方法(低温工艺);(4)通过LPCVD法或PECVD法形成多晶硅层,通过在1000℃以上进行热氧化形成栅极绝缘膜,在其上形成n+多晶硅的栅极电极,然后进行离子掺杂的方法(高温工艺);(5)通过喷墨法等形成有机半导体材料的方法;(6)得到有机半导体材料的单晶膜的方法等。
TFT的栅极绝缘膜,能够使用公知的材料形成。可以列举例如通过PECVD法、LPCVD法等形成的SiO2或对多晶硅膜进行热氧化而得到的SiO2等。另外,TFT的信号电极线、扫描电极线、共用电极线、第一驱动电极和第二驱动电极,能够使用公知的材料形成,可以列举例如钽(Ta)、铝(Al)、铜(Cu)等。
此外,本实施方式的有源驱动元件(TFT)18能够以上述那样的结构的形成,但是并不限定于这些材料、结构和形成方法。
优选在有源驱动元件(TFT)18与有机层14之间,还形成有层间绝缘膜。这样的层间绝缘膜,能够使用公知的材料形成。例如,作为层间绝缘膜的材料,可以列举:氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN或Si2N4)、氧化钽(TaO或Ta2O5)等无机材料;或者丙烯酸树脂、抗蚀剂材料等有机材料等。
作为层间绝缘膜的形成方法,可以列举例如:化学气相沉积(CVD)法、真空蒸镀法等干式法;旋涂法等湿式法。另外,也能够根据需要通过光刻法等进行图案化。
在从与第一基板11相对的第二基板(密封基板)16侧取出来自有机层14的光的情况下,作为层间绝缘膜优选使用兼具遮光性的遮光性绝缘膜。通过使用遮光性绝缘膜,能够防止因外部光入射到在第一基板11上形成的TFT而使TFT特性发生变化。
另外,作为层间绝缘膜,也能够将上述的绝缘膜和遮光性绝缘膜组合使用。
作为这样的遮光性层间绝缘膜,可以列举例如在聚酰亚胺等高分子树脂中分散酞菁、喹吖啶酮等颜料或染料而得到的材料、彩色抗蚀剂、黑矩阵材料、NixZnyFe2O4等无机绝缘材料等。但是,本实施方式并不限定于这些材料和形成方法。
当在第一基板11的一面11a上形成有有源驱动元件(TFT)18的情况下,在其表面产生凹凸,由于该凹凸,在其上重叠形成的有机层有可能产生缺陷(例如,像素电极的缺损、有机EL层的缺损、相对电极的断线、像素电极与相对电极的短路、耐压的降低等)。为了防止由这样的凹凸引起的缺陷,可以与层间绝缘膜重叠地进一步设置平坦化膜。
作为这样的平坦化膜,能够使用公知的材料形成,可以列举例如:氧化硅、氮化硅、氧化钽等无机材料;聚酰亚胺、丙烯酸树脂、抗蚀剂材料等有机材料等。作为平坦化膜的形成方法,可以列举:CVD法、真空蒸镀法等干式法;旋涂法等湿式法,但是本发明并不限定于这些材料和形成方法。另外,平坦化膜可以是单层结构也可以是多层结构。
有机层(有机EL层)14包括在第一电极12与第二电极13之间形成的空穴注入层21、空穴输送层22、有机发光层23、空穴防止层24、电子输送层25和电子注入层26等。
构成这样的有机层14的各层,例如可以通过蒸镀形成(成膜)。具体而言,例如如图3所示,使用相对于第一基板11以沿短边方向S延伸的方式配置的线状蒸镀头41。可以在沿长边方向L搬送第一基板11的同时从线状蒸镀头41隔着阴影掩模42使蒸镀物向该第一基板11蒸镀,形成构成有机层14的各层。
有机层14,在利用作为光学转换层15的进行荧光转换的荧光体层(色转换层)将来自有机层14的发光(激发光)进行彩色显示的方式的情况下,构成为至少包含发出蓝色光或紫外光的有机发光层23的有机层14。另外,在使用彩色滤光片作为光学转换层15进行彩色化的方式的情况下,构成为包含发出白色光的有机发光层23的有机层14。这样的有机层14可以是有机发光层23的单层结构,也可以是有机发光层23与电荷输送层的多层结构,作为一个例子可以列举下述结构,但是本实施方式并不限定于这些。
(1)有机发光层
(2)空穴输送层/有机发光层
(3)有机发光层/电子输送层
(4)空穴输送层/有机发光层/电子输送层
(5)空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层
(6)空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电子注入层
(7)空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层
(8)空穴注入层/空穴输送层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层/电子注入层
(9)空穴注入层/空穴输送层/电子防止层/有机发光层/空穴防止层/电子输送层/电子注入层
这些有机发光层、空穴注入层、空穴输送层、空穴防止层、电子防止层、电子输送层和电子注入层的各层,可以是单层结构也可以是多层结构。
有机发光层23可以仅由以下例示的有机发光材料构成。另外,有机发光层23可以由发光性的掺杂剂与主体材料的组合构成,也可以任意地包含空穴输送材料、电子输送材料、添加剂(供体、受体等)等。另外,有机发光层23也可以为在高分子材料(粘结用树脂)或无机材料中分散有以下例示的材料的结构。从发光效率和寿命的观点出发,优选在主体材料中分散有发光性的掺杂剂的材料。
作为有机发光材料,能够使用有机EL用的公知的发光材料。这样的有机发光材料可分类为低分子发光材料、高分子发光材料等,在以下例示它们的具体化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。另外,上述发光材料也可以分类为荧光材料、磷光材料等,从低消耗电力化的观点出发,优选使用发光效率高的磷光材料。
在此,作为构成有机发光层23的发光材料的具体例子,在以下列举化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。
作为低分子有机发光材料,可以列举例如4,4’-双(2,2’-二苯基乙烯基)-联苯(DPVBi)等芳香族二亚甲基化合物、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑等噁二唑化合物、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)等三唑衍生物、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、硫基二氧化吡嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物等荧光性有机材料、和偶氮甲碱锌配位化合物、(8-羟基喹啉)铝配位化合物(Alq3)等荧光发光有机金属配位化合物等。
作为高分子发光材料,可以列举例如聚(2-癸氧基-1,4-亚苯基)(DO-PPP)、聚[2,5-双-[2-(N,N,N-三乙基铵)乙氧基]-1,4-苯基-alt-1,4-亚苯基]二溴化物(PPP-NEt3+)、聚[2-(2’-乙基己氧基)-5-甲氧基-1,4-亚苯基乙炔](MEH-PPV)、聚[5-甲氧基-(2-磺酰化丙氧基)-1,4-亚苯基乙炔](MPS-PPV)、聚[2,5-双-(己氧基)-1,4-亚苯基-(1-氰基乙炔)](CN-PPV)等聚亚苯基乙炔衍生物、聚(9,9-二辛基芴)(PDAF)等聚螺衍生物。
作为有机发光层中任意包含的发光性的掺杂剂,能够使用有机EL用的公知的掺杂剂材料。作为这样的掺杂剂材料,可以列举例如:苯乙烯基衍生物、苝、铱配位化合物、香豆素衍生物、LumogenFRed、二氰基亚甲基吡喃、吩噁嗪酮、卟啉衍生物等荧光发光材料;双[(4,6-二氟苯基)-吡啶-N,C2’]吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)(Ir(piq)3)等磷光发光有机金属配位化合物等。
另外,作为使用掺杂剂时的主体材料,能够使用有机EL用的公知的主体材料。作为这样的主体材料,可以列举上述的低分子发光材料、高分子发光材料、4,4’-双(咔唑)联苯、9,9-二(4-二咔唑-苄基)芴(CPF)等咔唑衍生物等。
电荷注入输送层,是出于更高效率地进行电荷(空穴、电子)的从电极的注入和向发光层的输送(注入)的目的,可分类为电荷注入层(空穴注入层21、电子注入层26)和电荷输送层(空穴输送层22、电子输送层25)。作为这样的电荷注入输送层,可以仅由以下例示的电荷注入输送材料构成。电荷注入输送层可以任意地包含添加剂(供体、受体等)等。电荷注入输送层也可以为在高分子材料(粘结用树脂)或无机材料中分散有以下例示的电荷注入输送材料的结构。
作为电荷注入输送材料,能够使用有机EL用、有机光导电体用的公知的电荷输送材料。这样的电荷注入输送材料可分类为空穴注入输送材料和电子注入输送材料,在以下例示它们的具体化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。
作为空穴注入和空穴输送材料,可以列举例如:氧化钒(V2O5)、氧化钼(MoO2)等氧化物;无机p型半导体材料;卟啉化合物;N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺(TPD)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPD)等芳香族叔胺化合物;腙化合物、喹吖啶酮化合物、苯乙烯基胺化合物等低分子材料;聚苯胺(PANI)、聚苯胺-樟脑磺酸(PANI-CSA)、3,4-聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、聚(三苯胺)衍生物(Poly-TPD)、聚乙烯咔唑(PVCz)、聚(对苯乙炔)(PPV)、聚(对萘乙炔)(PNV)等高分子材料等。
另外,为了更高效率地进行来自阳极的空穴的注入和输送,作为空穴注入层21使用的材料,优选使用与空穴输送层22使用的空穴注入输送材料相比最高占有分子轨道(HOMO)的能级低的材料。作为空穴输送层22,优选使用与空穴注入层21使用的空穴注入输送材料相比空穴的迁移率高的材料。
另外,为了使空穴的注入和输送性进一步提高,优选在上述空穴注入和输送材料中掺杂受体。作为受体,能够使用有机EL用的公知的受体材料。在以下例示它们的具体化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。
作为受体材料,可以列举:Au、Pt、W、Ir、POCl3、AsF6、Cl、Br、I、氧化钒(V2O5)、氧化钼(MoO2)等无机材料;TCNQ(7,7,8,8,-四氰基醌二甲烷)、TCNQF4(四氟四氰基醌二甲烷)、TCNE(四氰基乙烯)、HCNB(六氰基丁二烯)、DDQ(二氯二氰基苯醌)等具有氰基的化合物;TNF(三硝基芴酮)、DNF(二硝基芴酮)等具有硝基的化合物;四氟对苯醌、四氯对苯醌、四溴对苯醌等有机材料。
其中,TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等具有氰基的化合物能够使载流子浓度更有效地增加,因此更优选。
作为电子注入和电子输送材料,可以列举例如:作为n型半导体的无机材料、噁二唑衍生物、三唑衍生物、硫基二氧化吡嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、苯并二呋喃衍生物等低分子材料;聚(噁二唑)(Poly-OXZ)、聚苯乙烯衍生物(PSS)等高分子材料。特别是,作为电子注入材料,特别可以列举:氟化锂(LiF)、氟化钡(BaF2)等氟化物;氧化锂(Li2O)等氧化物等。
另外,为了更高效率地进行来自阴极的电子的注入和输送,作为电子注入层26使用的材料,优选使用与电子输送层25使用的电子注入输送材料相比最低空分子轨道(LUMO)的能级高的材料。作为电子输送层25使用的材料,优选使用与电子注入层26使用的电子注入输送材料相比电子的迁移率高的材料。
另外,为了使电子的注入和输送性进一步提高,优选在上述电子注入和输送材料中掺杂供体。作为供体,能够使用有机EL用的公知的供体材料。在以下例示它们的具体化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。
作为供体材料,有:碱金属、碱土金属、稀土元素、Al、Ag、Cu、In等无机材料;苯胺类、苯二胺类、联苯胺类(N,N,N’,N’-四苯基联苯胺、N,N’-双-(3-甲基苯基)-N,N’-双-(苯基)-联苯胺、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺等)、三苯胺类(三苯胺、4,4’4”-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯胺、4,4’4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺、4,4’4”-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯胺等);三苯基二胺类(N,N’-二-(4-甲基-苯基)-N,N’-二苯基-1,4-苯二胺)等骨架中具有芳香族叔胺的化合物;菲、芘、苝、蒽、并四苯、并五苯等缩合多环化合物(其中,缩合多环化合物可以具有取代基)、TTF(四硫富瓦烯)类、二苯并呋喃、吩噻嗪、咔唑等有机材料。其中,骨架中具有芳香族叔胺的化合物、缩合多环化合物、碱金属能够使载流子浓度更有效地增加,因此更优选。
有机发光层23、空穴输送层22、电子输送层25、空穴注入层21和电子注入层26等有机层14,能够使用使上述的材料溶解、分散在溶剂中得到的有机层形成用涂液,利用旋涂法、浸渍法、刮刀法、吐出涂敷法、喷涂法等涂敷法、喷墨法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、微凹版涂敷法等印刷法等公知的湿式法形成,或者使用上述的材料利用电阻加热蒸镀法、电子束(EB)蒸镀法、分子束外延(MBE)法、溅射法、有机气相蒸镀(OVPD)法等公知的干式法形成,或者利用激光转印法等形成。此外,在利用湿式法形成有机EL层的情况下,有机EL层形成用涂液,可以包含流平剂、粘度调整剂等用于调整涂液的物性的添加剂。
有机层14的膜厚通常为1nm~1000nm左右,优选为10nm~200nm。当膜厚小于10nm时,得不到本来需要的物性(电荷的注入特性、输送特性、关闭特性)。另外,有可能产生由废物等异物引起的像素缺陷。另外,当膜厚超过200nm时,由于有机层14的电阻成分,会使驱动电压上升,导致消耗电力上升。
第一电极12和第二电极13,作为有机层14的阳极或阴极成对发挥作用。即,在将第一电极12作为阳极的情况下,第二电极13成为阴极,在将第一电极12作为阴极的情况下,第二电极13成为阳极。在以下例示具体的化合物和形成方法,但是本实施方式并不限定于这些材料和形成方法。
作为形成第一电极12和第二电极13的材料,能够使用公知的电极材料。在为阳极的情况下,从更高效率地进行空穴向有机层14的注入的观点出发,可以列举功函数为4.5eV以上的金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)等金属、以及包含铟(In)和锡(Sn)的氧化物(ITO)、锡(Sn)的氧化物(SnO2)、包含铟(In)和锌(Zn)的氧化物(IZO)等作为透明电极材料。
另外,作为形成阴极的电极材料,从更高效率地进行电子向有机层14的注入的观点出发,可以列举功函数为4.5eV以下的锂(Li)、钙(Ca)、铈(Ce)、钡(Ba)、铝(Al)等金属、或含有这些金属的Mg:Ag合金、Li:Al合金等合金。
第一电极12和第二电极13能够使用上述的材料利用EB蒸镀法、溅射法、离子镀法、电阻加热蒸镀法等公知的方法形成,但是本实施方式并不限定于这些形成方法。另外,根据需要,也能够利用光刻法、激光剥离法对形成的电极进行图案化,也能够通过与阴影掩模组合而直接形成图案化的电极。其膜厚优选为50nm以上。在膜厚小于50nm的情况下,配线电阻变高,因此,有可能导致驱动电压上升。
在从第一电极侧(第二电极)取出来自有机层14的发光的情况下,优选使用透明电极作为第一电极(第二电极)。作为此时使用的透明电极材料,特别优选ITO、IZO。透明电极的膜厚优选为50nm~500nm,更优选为100nm~300nm。在膜厚小于50nm的情况下,配线电阻变高,因此,有可能导致驱动电压上升。
另外,在膜厚超过500nm的情况下,光的透过率降低,因此,亮度有可能降低。另外,在出于提高色纯度、提高发光效率等目的而利用微腔(干涉)效果的情况下,在从第一电极侧(第二电极)取出来自有机EL层的发光的情况下,优选使用半透明电极作为第一电极(第二电极)。
作为在此使用的材料,能够使用金属的半透明电极单体、或金属的半透明电极与透明电极材料的组合,作为半透明电极材料,从反射率和透过率的观点出发,优选银。半透明电极的膜厚优选为5nm~30nm。在膜厚小于5nm的情况下,光的反射不能充分进行,不能充分地得到干涉的效果。另外,在膜厚超过30nm的情况下,光的透过率急剧地降低,因此,亮度、效率有可能降低。
在此,在从第一电极(第二电极)取出来自有机层14的发光的情况下,优选使用不使光透过的电极作为第二电极(第一电极)。作为此时使用的电极材料,可以列举例如:钽、碳等黑色电极;铝、银、金、铝-锂合金、铝-钕合金、铝-硅合金等反射性金属电极;将透明电极与上述反射性金属电极(反射电极)组合而成的电极等。
有机EL显示单元和将多个该有机EL显示单元排列而成的有机EL显示装置,可以在第一电极12与第二电极13之间形成边缘罩。通过设置边缘罩,能够防止在第一电极12的边缘部分在第一电极12与第二电极13之间发生漏电。在此,边缘罩能够使用绝缘材料利用EB蒸镀法、溅射法、离子镀法、电阻加热蒸镀法等公知的方法形成,能够利用公知的干式法和湿式法的光刻法进行图案化,但是本实施方式并不限定于这些形成方法。
另外,构成绝缘层的材料,能够使用公知的材料,在本实施方式中没有特别限定。构成绝缘层的材料,需要使光透过,可以列举例如SiO、SiON、SiN、SiOC、SiC、HfSiON、ZrO、HfO、LaO等。另外,作为膜厚,优选为100nm~2000nm。当膜厚为100nm以下时,绝缘性不充分,会在第一电极12与第二电极13之间产生漏电,成为消耗电力上升、不发光的原因。另外,当膜厚为2000nm以上时,成膜处理花费时间,生产率恶化,成为边缘罩的第二电极13的断线的原因。
第二基板(密封基板)16能够利用公知的密封材料和密封方法形成。具体而言,可以列举将氮气、氩气等不活泼气体用玻璃、金属等密封的方法。另外,在封入的不活泼气体中混入氧化钡等吸湿剂等能够更有效地降低由水分引起的有机层14的劣化,因此优选。
另外,也能够通过使用旋涂法、ODF、层压法在第二电极13上涂敷或贴合树脂而将第二基板(密封基板)16形成为密封膜。另外,也能够通过利用等离子体CVD法、离子镀法、离子束法、溅射法等在第二电极13上形成SiO、SiON、SiN等无机膜之后,进一步使用旋涂法、ODF、层压法涂敷或贴合树脂而形成为密封膜。利用该密封膜,能够防止氧气和水分从外部混入到元件内,有机层14的寿命提高。另外,本实施方式并不限定于这些部件和形成方法。另外,在从第二基板(密封基板)16取出发光的结构中,密封膜、密封基板都需要使用光透过性的材料。
光学转换层15包括吸收来自有机层14的紫外或蓝色的激发光、发出蓝色、绿色或红色的光的蓝色转换层、红色转换层或绿色转换层等。另外,根据需要,色转换层也可以为发出青色或黄色的光的色转换层。
在此,在与各颜色对应的多个发光元件作为像素设置在显示装置中的情况下,优选发出青色或黄色的光的像素各自的色纯度,与由色度图上的发出红色、绿色或蓝色的光的像素的色纯度的点连结而成的三角形相比更靠外侧。根据这样的显示装置,与使用分别发出红色、绿色和蓝色三原色的光的像素的显示装置相比,能够进一步扩大色再现范围。
光学转换层15可以仅由以下例示的荧光体材料构成。光学转换层15也可以构成为包含以下例示的荧光体材料和任意的添加剂等。光学转换层15也可以为在高分子材料(粘结用树脂)或无机材料中分散有以下例示的材料的结构。
作为上述色转换材料,能够使用公知的色转换材料。这样的色转换材料可分类为有机类荧光体材料和无机类荧光体材料。在以下例示有机类荧光体材料和无机类荧光体材料的具体化合物,但是本实施方式并不限定于这些材料。
作为有机类荧光体材料,作为将紫外的激发光转换为蓝色发光的荧光色素,可以列举苯乙烯基苯类色素:1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯和反式-4,4’-二苯基苯乙烯基苯、以及香豆素类色素:7-羟基-4-甲基香豆素等。
作为将紫外或蓝色的激发光转换为绿色发光的荧光色素,可以列举香豆素类色素:2,3,5,6-1H,4H-四氢-8-三氟甲基喹嗪(9,9a,1-gh)香豆素(香豆素153)、3-(2’-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(香豆素6)和3-(2’-苯并咪唑基)-7-N,N-二乙基氨基香豆素(香豆素7)、以及萘二甲酰亚胺类色素:碱性黄51、溶剂黄11和溶剂黄116等。
作为将紫外或蓝色的激发光转换为红色发光的荧光色素,可以列举酞菁类色素:4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、吡啶类色素:1-乙基-2-[4-(对二甲基氨基苯基)-1,3-丁二烯基]-吡啶鎓-高氯酸酯、以及若丹明类色素:若丹明B、若丹明6G、若丹明3B、若丹明101、若丹明110、碱性紫11和磺基若丹明101等。
另外,作为无机类荧光体材料,作为将紫外的激发光转换为蓝色发光的荧光体,可以列举Sr2P2O7:Sn4+、Sr4Al14O25:Eu2+、BaMgAl10O1 7:Eu2+、SrGa2S4:Ce3+、CaGa2S4:Ce3+、(Ba,Sr)(Mg,Mn)Al10O17:Eu2+、(Sr,Ca,Ba2,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+、BaAl2SiO8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、(Sr,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+、BaMg2Al1 6O27:Eu2+、(Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、和Sr3MgSi2O8:Eu2+等。
作为将紫外或蓝色的激发光转换为绿色发光的荧光体,可以列举(BaMg)Al16O27:Eu2+,Mn2+、Sr4Al14O25:Eu2+、(SrBa)Al12Si2O8:Eu2+、(BaMg)2SiO4:Eu2+、Y2SiO5:Ce3+,Tb3+、Sr2P2O7-Sr2B2O5:Eu2+、(BaCaMg)5(PO4)3Cl:Eu3+、Sr2Si3O8-2SrCl2:Eu2+、Zr2SiO4、MgAl11O19:Ce3+,Tb3+、Ba2SiO4:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+、和(BaSr)SiO4:Eu2+等。
作为将紫外或蓝色的激发光转换为红色发光的荧光体,可以列举Y2O2S:Eu3+、YAlO3:Eu3+、Ca2Y2(SiO4)6:Eu3+、LiY9(SiO4)6O2:Eu3+、YVO4:Eu3+、CaS:Eu3+、Gd2O3:Eu3+、Gd2O2S:Eu3+、Y(P,V)O4:Eu3+、Mg4GeO5.5F:Mn4+、Mg4GeO6:Mn4+、K5Eu2.5(WO4)6.25、Na5Eu2.5(WO4)6.25、K5Eu2.5(MoO4)6.25、和Na5Eu2.5(MoO4)6.25等。
另外,上述无机类荧光体可以根据需要实施表面改性处理。作为表面改性处理的方法,可以列举通过硅烷偶联剂等的化学处理进行的方法、通过添加亚微米级的微颗粒等的物理处理进行的方法、以及将这些方法并用的方法等。
此外,考虑由激发光引起的劣化、由发光引起的劣化等的稳定性,与有机类荧光体材料相比,优选使用无机类荧光体。
对于这样的光学转换层15的形成方法,没有特别限制,能够使用各种方法。
例如,通过在使有机荧光物质分散在聚合物粘合剂中之后进行成膜,可得到色转换层。此外,作为成膜方法,能够使用:铸造法、旋涂法、凸版印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、微凹版涂敷法等印刷法;棒涂法、挤出成形法、辊成形法、压制法、喷涂法或者辊涂法等湿式法;电阻加热蒸镀法、电子束(EB)蒸镀法、分子束外延(MBE)法、溅射法、或有机气相蒸镀(OVPD)法等公知的干式法;或者激光转印法等。
另外,在这些成膜方法中使用有机溶剂的情况下,作为该有机溶剂,能够使用例如二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、三氯甲烷、丙酮、环己酮、甲苯、苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、1,2-二甲氧基乙烷或二甘醇二甲醚等。这些溶剂可以分别单独使用,也可以两种以上混合使用。
另外,在光学转换层15成膜时,通过使用感光性树脂作为上述高分子材料,能够利用光刻法进行图案化。在此,作为上述感光性树脂,能够使用丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚乙烯醇肉桂酸酯类树脂、或硬橡胶类树脂等具有反应性乙烯基的感光性树脂(光固化型抗蚀剂材料)的一种或多种的混合物。
此外,关于光学转换层15的图案化,也能够通过喷墨法、凸版印刷法、凹版印刷法或丝网印刷法等湿式法,使用阴影掩模的电阻加热蒸镀法、电子束(EB)蒸镀法、分子束外延(MBE)法、溅射法或有机气相蒸镀(OVPD)法等公知的干式法,或者激光转印法等,直接对荧光体材料进行图案化。
在使用彩色滤光片作为光学转换层15的情况下,也能够使用公知的材料形成。彩色滤光片的图案,在使用感光性的树脂的情况下可以对彩色滤光片本身进行曝光、显影来形成。另外,在形成微细的图案时,优选通过干式蚀刻形成图案。
对将以上详细说明的有机EL显示单元排列多个而形成的本实施方式的有机EL显示装置进行说明。
图4是表示本发明的有机EL显示装置的一个实施方式的外观立体图。
有机EL显示装置40构成为将多个图1、2所示的有机EL显示单元10、在本实施方式中将3个有机EL显示单元10沿短边方向S排列。
更具体地说,配置在正中的有机EL显示单元10配置成:形成有弯曲面R的一端11A,与相邻的有机EL显示单元10的另一端11B接触。在有机EL显示单元10彼此接触的一端11A,以向从相邻的有机EL显示单元10的背面11b远离的方向弯曲的方式形成有弯曲面R。因此,能够使相互相邻的显示面16a彼此不产生大的间隙而接触配置。
通过在弯曲面R上形成第一连接端子部31,即使使显示面16a彼此密合,也能够容易地实现用于输入图像信号的结构。即使使多个、例如5个以上的有机EL显示单元10的显示面16a密合,也能够容易地输入图像信号。
在本实施方式中,各个有机EL显示单元10的第二基板(密封基板)16,由宽度细的槽部19沿长边方向L分割为多个。由此,在相邻的显示面16a彼此接触的部分形成的细线(槽),由于第二基板16的槽部19的存在,在表观上变得不醒目。因此,作为排列有多个有机EL显示单元10的有机EL显示装置4,在将多个显示面16a作为大的一个画面观察时,能够抑制显示面16a彼此的接缝被看到,能够实现高品质的大画面显示装置。
图5是表示本实施方式的有机EL显示装置的另一个实施方式的平面图。
该实施方式的有机EL显示装置60配置成:沿长边方向L的一个端部11A与相邻的有机EL显示单元66的显示面16a侧接触,另一个端部11B与相邻的有机EL显示单元66的背面11b侧接触。
在各个有机EL显示单元66形成有位置对准标记61。该位置对准标记61只要形成在比显示面16a更靠外侧的第一基板11上即可。在使有机EL显示单元66彼此排列时,通过根据该位置对准标记61进行配置,能够抑制显示面16a彼此的间隙而使其密合,使画面上的接缝不醒目。
图6是表示本实施方式的有机EL显示装置的又一个实施方式的平面图。
该实施方式的有机EL显示装置70配置成:沿长边方向L的一个端部11A与相邻的有机EL显示单元76的显示面16a侧接触,另一个端部11B与相邻的有机EL显示单元76的背面11b侧接触。
各个有机EL显示单元76由沿短边方向S配置的支承框体71支承在规定位置。利用这样的支承框体71,能够抑制相互相邻的有机EL显示单元76的显示面16a彼此的间隙而使其密合,使画面上的接缝不醒目。
实施例
以下,例示本发明的一个方式的有机EL显示装置的更具体的几个实施例,但是本发明的方式不受这些例子的任何限定。
(实施例1)
使用涂敷有200nm的氧化硅的500mm×220mm的塑料基板,将铟锡氧化物(ITO)利用溅射法形成透明电极(阳极)作为第一电极。透明电极(阳极)形成为:面电阻为10Ω/□,膜厚为200nm。
接着,仅在上述492mm×220mm的部分利用以往的光刻法在250mm的宽度方向将ITO图案化为1mm宽的条纹。在此各ITO的形状为250mm×1mm。
接着,将第一电极的SiO2利用溅射法叠层200nm,利用以往的光刻法,以覆盖第一电极的边缘部的方式进行图案化。在此,形成为从第一电极的端部起用SiO2以10μm的量覆盖4边的结构。将其水洗后,进行纯水超声波清洗10分钟、丙酮超声波清洗10分钟、异丙醇蒸气清洗5分钟,在100℃干燥1小时。此外在此,在500mm×220mm的基板上形成的显示部为492mm×200mm,在短边侧,在密封区域之外分别设置2mm的端子取出部。在进行弯曲的长边侧设置2mm端子取出部。
接着,将该基板固定在串联型电阻加热蒸镀装置内的基板保持件上,减压至1×10-4Pa以下的真空。然后,使用阴影掩模在期望的区域,使用1,1-双-二-4-甲苯基氨基-苯基-环己烷(TAPC)作为空穴注入材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚100nm的空穴注入层。
接着,使用N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)作为空穴输送材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚40nm的空穴输送层。
接着,使用阴影掩模在期望的区域在空穴输送层上形成蓝色有机发光层(厚度:30nm)。该绿色有机发光层通过将1,4-双-三苯基甲硅烷基-苯(UGH-2)(主体材料)和双[(4,6-二氟苯基)-吡啶-N,C2’]吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)(蓝色磷光发光掺杂剂)分别以 的蒸镀速度进行共蒸镀来制作。
接着,在发光层上使用2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)形成空穴防止层(厚度:10nm)。
接着,在空穴防止层上使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成电子输送层(厚度:30nm)。
接着,在电子输送层上使用氟化锂(LiF)形成电子注入层(厚度:1nm)。
然后,形成第二电极。首先,将上述基板固定在金属蒸镀用腔室中。
接着,将第二电极形成用的阴影掩模(开有开口部使得能够在与上述第一电极的条纹相对的方向以1mm宽的条状形成第二电极的掩模)与上述基板对准,利用真空蒸镀法在电子注入层的表面以期望的图案形成铝(厚度:200nm)。由此,形成第二电极。
利用溅射法,使用阴影掩模从显示部的端部至上下左右2mm的密封区域进行1μm的包含SiO2的无机保护层的图案形成。在其上利用蒸镀聚合法形成2μm的聚对二甲苯膜。将该SiO2和聚对二甲苯的形成重复5次,形成包括5层的叠层膜,作为密封膜。
接着,利用常规方法在496mm×3mm的聚酰亚胺膜上分别形成包括宽0.1mm、间距0.125mm且膜厚5μm的多个条纹的蓝色转换层、绿色转换层、红色转换层。将该聚酰亚胺膜在有机EL显示单元的背面并列排列64条,使用粘接用的热固化树脂用热板在80℃加热1小时来进行粘接。
接着,将如以上那样制作的有机EL显示单元,使用在短边侧的显示部之外形成的位置对准标记进行位置对准,在长边方向进行3块贴合。此外,事前在长边侧设置的端子部已弯曲。
最后,将在短边侧形成的端子和在长边侧形成的端子与外部电源连接,由此,完成具有492mm×600mm的显示部的有机EL显示装置。
在此,通过利用外部电源向期望的条状电极施加期望的电流,能够得到期望的良好的图像。
(实施例2)
使用涂敷有200nm的氧化硅的500mm×220mm的塑料基板,将铟锡氧化物(ITO)利用溅射法形成透明电极(阳极)作为第一电极。透明电极(阳极)形成为:面电阻为10Ω/□,膜厚为200nm。
接着,仅在上述492nm×220mm的部分利用以往的光刻法在250mm的宽度方向将ITO图案化为1mm宽的条纹。在此各ITO的形状为250mm×1mm。
接着,将第一电极的SiO2利用溅射法叠层200nm,利用以往的光刻法,以覆盖第一电极的边缘部的方式进行图案化。在此,形成为从第一电极的端部起用SiO2以10μm的量覆盖4边的结构。将其水洗后,进行纯水超声波清洗10分钟、丙酮超声波清洗10分钟、异丙醇蒸气清洗5分钟,在100℃干燥1小时。此外在此,在500mm×220mm的基板上形成的显示部为492mm×200mm,在短边侧,在密封区域之外分别设置2mm的端子取出部。在进行弯曲的长边侧设置2mm端子取出部。
接着,将该基板固定在串联型电阻加热蒸镀装置内的基板保持件上,减压至1×10-4Pa以下的真空。
然后,在期望的区域,使用1,1-双-二-4-甲苯基氨基-苯基-环己烷(TAPC)作为空穴注入材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚100nm的空穴注入层。
接着,使用N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)作为空穴输送材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚40nm的空穴输送层。
接着,在空穴输送层上形成红色有机发光层(厚度:20nm)。该红色有机发光层通过将3-苯基-4(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)(主体材料)和双(2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)铱(btp2Ir(acac))(红色磷光发光掺杂剂)分别以 的蒸镀速度进行共蒸镀来制作。
接着,在红色发光层上形成绿色有机发光层(厚度:20nm)。该绿色有机发光层通过将TAZ(主体材料)和三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)(绿色磷光发光掺杂剂)分别以的蒸镀速度进行共蒸镀来制作。
接着,在绿色发光层上形成蓝色有机发光层(厚度:20nm)。该蓝色有机发光层通过将1,4-双-三苯基甲硅烷基-苯(UGH-2)(主体材料)和双[(4,6-二氟苯基)-吡啶-N,C2’]吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)(蓝色磷光发光掺杂剂)分别以的蒸镀速度进行共蒸镀来制作。
接着,在发光层上使用2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)形成空穴防止层(厚度:10nm)。
接着,在空穴防止层上使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成电子输送层(厚度:30nm)。
接着,在电子输送层上使用氟化锂(LiF)形成电子注入层(厚度:1nm)。
然后,形成第二电极。首先,将上述基板固定在金属蒸镀用腔室中。
接着,将第二电极形成用的阴影掩模(开有开口部使得能够以大2mm地覆盖上述第一电极整体的方式形成第二电极)与上述基板对准,利用真空蒸镀法在电子注入层的表面以期望的图案形成铝(厚度:200nm)。由此,形成第二电极。
利用溅射法,使用阴影掩模从显示部的端部至上下左右2mm的密封区域进行1μm的包含SiO2的无机保护层的图案形成。在其上利用蒸镀聚合法形成2μm的聚对二甲苯膜。将该SiO2和聚对二甲苯的形成重复5次,形成包括5层的叠层膜,作为密封膜。通过以上工序,能够制作本实施例的长方形有机EL。
接着,利用常规方法在496mm×3mm的聚酰亚胺膜上分别形成包括宽0.1mm、间距0.125mm且膜厚5μm的多个条纹的蓝色滤光片层、绿色滤光片层、红色滤光片层。将该聚酰亚胺膜在长方形有机EL的背面并列排列64条,使用粘接用的热固化树脂用热板在80℃加热1小时来进行粘接。
接着,将如以上那样制作的有机EL显示单元,使用在短边侧的显示部之外形成的位置对准标记进行位置对准,在长边方向进行3块贴合。此外,事前在长边侧设置的端子部已弯曲。
最后,将在短边侧形成的端子和在长边侧形成的端子与外部电源连接,由此,完成具有492mm×600mm的显示部的有机EL显示装置。
在此,通过利用外部电源向期望的条状电极施加期望的电流,能够得到期望的良好的图像。
(实施例3)
使用涂敷有10μm的氧化硅的750mm×220mm的殷钢材料基板,在玻璃基板上,使用PECVD法形成非晶硅半导体膜。接着,通过实施结晶化处理形成多晶硅半导体膜。接着,使用光刻法将多晶硅半导体膜图案化为多个岛状。接着,在图案化后的多晶硅半导体层上依次形成栅极绝缘膜和栅极电极层,使用光刻法进行图案化。
然后,通过在图案化后的多晶硅半导体膜中掺杂磷等杂质元素,形成源极和漏极区域,制作出TFT元件。然后,形成平坦化膜。作为平坦化膜,依次叠层利用PECVD法形成的氮化硅膜、利用旋涂法形成的丙烯酸类树脂层而形成。首先,在形成氮化硅膜之后,通过对氮化硅膜和栅极绝缘膜一并进行蚀刻,形成与源极或漏极区域连通的接触孔,接着,形成源极配线。然后,形成丙烯酸类树脂层,在与在栅极绝缘膜和氮化硅膜穿孔的漏极区域的接触孔相同的位置,形成与漏极区域连通的接触孔。通过以上的工序等,有源矩阵基板完成。
作为平坦化膜的功能,由丙烯酸类树脂层实现。此外,用于使TFT的栅极电位为恒定电位的电容器,通过在开关用TFT的漏极与驱动用TFT的源极之间插入层间绝缘膜等绝缘膜来形成。在有源矩阵基板上,设置贯通平坦化层将驱动用TFT与有机EL元件的第一电极电连接的接触孔。
接着,利用溅射法形成各像素的第一电极(阳极),使得各像素的第一电极与用于驱动各像素的TFT经由贯通平坦化层设置的接触孔电连接。第一电极通过将膜厚150nm的Al(铝)和膜厚20nm的IZO(氧化铟-氧化锌)叠层而形成。接着,利用以往的光刻法将第一电极图案化为与RGB用像素各自对应的形状。
在此,第一电极的面积为300μm×100μm。另外,在750mm×220mm的基板上形成的显示部为742mm×200mm。在显示部的上下左右设置有2mm宽的密封区域,在短边侧,还在密封区域之外分别设置2mm的端子取出部。在进行弯曲的长边侧设置2mm端子取出部。
接着,将第一电极的SiO2利用溅射法叠层200nm,利用以往的光刻法,以覆盖第一电极的边缘部的方式进行图案化。在此,形成为从第一电极的端部起用SiO2以10μm的量覆盖4边的结构作为边缘罩。
接着,对上述有源基板进行清洗。作为有源基板的清洗,例如使用丙酮、IPA进行10分钟超声波清洗,接着,进行30分钟UV-臭氧清洗。
接着,将该基板固定在串联型电阻加热蒸镀装置内的基板保持件上,减压至1×10-4Pa以下的真空。
然后,在期望的区域,使用阴影掩模,使用1,1-双-二-4-甲苯基氨基-苯基-环己烷(TAPC)作为空穴注入材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚100nm的空穴注入层。
接着,使用N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)作为空穴输送材料,利用电阻加热蒸镀法形成膜厚40nm的空穴输送层。
接着,在空穴输送层上形成蓝色有机发光层(厚度:30nm)。该绿色有机发光层通过将1,4-双-三苯基甲硅烷基-苯(UGH-2)(主体材料)和双[(4,6-二氟苯基)-吡啶-N,C2’]吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)(蓝色磷光发光掺杂剂)分别以的蒸镀速度进行共蒸镀来制作。
接着,在发光层上使用2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)形成空穴防止层(厚度:10nm)。
接着,在空穴防止层上使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成电子输送层(厚度:30nm)。
然后,形成第二电极。首先,将上述基板固定在金属蒸镀用腔室中。
接着,将第二电极形成用的阴影掩模与上述基板对准,在电子输送层的表面利用真空蒸镀法以膜厚19nm形成镁-银合金(比率1∶9)。阴影掩模开有开口部,使得能够在整个发光区域和基板上预先形成的阴极接触区域的上下左右1mm大的区域形成第二电极。由此,形成半透明的第二电极。
接着,在半透明第二电极上,利用离子镀,使用阴影掩模进行100nm的包含SiON的保护层的图案形成。在此,成膜条件如下所述。等离子体束功率为4.0kW。束截面积S1为12.56cm2。束能量密度为310W/cm2。N2的流量为20sccm。O2的流量为10sccm。源极材质为SiON烧结体,密度为相对密度99%以上。
接着,利用常规方法在746mm×3mm的聚酰亚胺膜上分别形成包括宽0.1mm、间距0.125mm且膜厚5μm的多个条纹的蓝色转换层、绿色转换层、红色转换层。将该聚酰亚胺膜在作为密封基板使用的746mm×200mm的聚酰亚胺膜上并列排列64条,使用粘接用的热固化树脂用热板在80℃加热1小时来进行粘接。
接着,在粘接有该色转换层的密封基板的形成有色转换层的相反侧的面涂敷粘接用的热固化树脂,与形成有上述有机EL的有源基板贴合,通过用热板在80℃加热1小时,使树脂固化。此外,上述贴合工序,出于防止有机EL由水分引起的劣化的目的,在干燥空气环境下(水分量:-80℃)进行。至此,有源驱动型有机EL显示单元完成。
接着,将如以上那样制作的有源驱动型有机EL显示单元,使用位置对准用的框,在长边方向进行3块贴合。此外,事前在长边侧设置的端子部已弯曲。
最后,将在短边侧形成的端子经由源极驱动器与电源电路连接。另外,将在长边侧形成的端子经由栅极驱动器与外部电源连接。通过以上工序,具有742mm×600mm的显示部的有源驱动型的有机EL显示装置完成。
在此,通过利用外部电源向各像素施加期望的电流,能够得到期望的良好的图像。产业上的可利用性
即使在排列多个显示单元构成大型的显示器的情况下,也使相邻的显示单元彼此的间隙不醒目,实现高品质的显示特性。
符号说明
10……有机EL显示单元
11……第一基板
12……第一电极
14……有机层(有机EL层)
15……第二电极(相对电极)
16……第二基板(密封基板)
19……槽部
40……有机EL显示装置
Claims (16)
1.一种有机EL显示单元,其包括:
第一基板;
有机EL元件,该有机EL元件位于第一基板上,具有第一电极、至少包含有机发光层的有机层和第二电极,构成为发出激发光;
第二基板;和
光学转换层,该光学转换层位于第二基板上,构成为将对所述激发光的色调进行转换后的光从显示面向外部出射,
所述有机EL显示单元的特征在于:
所述显示面平坦且呈长方形,
所述第二基板沿所述显示面的长边方向被分割为多个,
所述第二基板在所述第一基板的上方以与所述有机EL显示单元和相邻的有机EL显示单元的接缝平行的方式被分割为多个。
2.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述第一基板具有第一端部,该第一端部沿所述显示面的长边方向延伸、且向靠近与所述显示面相反的面的方向弯曲,
在作为所述第一端部的与所述显示面相反的面上,还具有输入所述有机EL显示单元的控制信号的第一连接端子部。
3.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述光学转换层为对所述激发光进行荧光转换的荧光体层。
4.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述有机发光层发出白色光,所述光学转换层为对所述白色光的色调进行转换的彩色滤光片。
5.如权利要求2所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述第一连接端子部形成在与所述第二基板不重叠的区域。
6.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述第一基板和所述第二基板包含:金属;或包含树脂的材料。
7.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
还具有与所述有机EL元件对应的有源矩阵驱动元件。
8.如权利要求1所述的有机EL显示单元,其特征在于:
还具有沿所述显示面的短边方向延伸的第二连接端子部。
9.如权利要求3所述的有机EL显示单元,其特征在于:
在所述第二基板上形成有多个所述荧光体层,
所述多个荧光体层包括红色荧光体层、绿色荧光体层和蓝色荧光体层,
所述红色荧光体层、所述绿色荧光体层和所述蓝色荧光体层各自与所述显示面的长边方向平行地排列。
10.如权利要求4所述的有机EL显示单元,其特征在于:
在所述第二基板上形成有多个所述彩色滤光片,
所述多个彩色滤光片包括红色滤光片层、绿色滤光片层和蓝色滤光片层,
所述红色滤光片层、所述绿色滤光片层和所述蓝色滤光片层各自与所述显示面的长边方向平行地排列。
11.如权利要求9所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述第一基板包含线膨胀系数为1×10-5/℃以下的铁-镍类合金。
12.如权利要求10所述的有机EL显示单元,其特征在于:
所述第一基板包含线膨胀系数为1×10-5/℃以下的铁-镍类合金。
13.一种有机EL显示装置,其特征在于:
由多个权利要求1所述的有机EL显示单元沿所述显示面的短边方向排列而构成。
14.如权利要求13所述的有机EL显示装置,其特征在于:
所述多个有机EL显示单元中的第一有机EL显示单元的沿所述显示面的长边方向的一个端部,与和第一有机EL显示单元相邻的第二有机EL显示单元的显示面侧接触,所述第一有机EL显示单元的沿所述显示面的长边方向的另一个端部,与和第一有机EL显示单元相邻的第三有机EL显示单元的显示面的相反侧的面接触。
15.一种有机EL显示单元的制造方法,该有机EL显示单元包括:第一基板;有机EL元件,该有机EL元件位于第一基板上,具有第一电极、至少包含有机发光层的有机层和第二电极,构成为发出激发光;第二基板;和光学转换层,该光学转换层位于第二基板上,构成为将对所述激发光的色调进行转换后的光从显示面向外部出射,
所述显示面平坦且呈长方形,所述第一基板具有第一端部,该第一端部沿所述显示面的长边方向延伸、且向靠近与所述显示面相反的面的方向弯曲,在作为所述第一端部的与所述显示面相反的面上,形成有输入所述有机EL显示单元的控制信号的第一连接端子部,所述第二基板沿所述显示面的长边方向被分割为多个,
所述有机EL显示单元的制造方法的特征在于,具有:
使用以沿所述显示面的短边方向延伸的方式配置的线状蒸镀头,在沿所述显示面的长边方向搬送所述第一基板的同时形成所述有机层的步骤。
16.如权利要求15所述的有机EL显示单元的制造方法,其特征在于:
还具有利用卷对卷法在所述第二基板上形成所述光学转换层的步骤。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293302 | 2010-12-28 | ||
JP2010-293302 | 2010-12-28 | ||
PCT/JP2011/080225 WO2012091018A1 (ja) | 2010-12-28 | 2011-12-27 | 有機el表示ユニット、有機el表示装置、及び有機el表示ユニットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103299714A CN103299714A (zh) | 2013-09-11 |
CN103299714B true CN103299714B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=46383109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180063670.2A Expired - Fee Related CN103299714B (zh) | 2010-12-28 | 2011-12-27 | 有机el显示单元、有机el显示装置和有机el显示单元的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9082730B2 (zh) |
JP (1) | JP5858367B2 (zh) |
CN (1) | CN103299714B (zh) |
WO (1) | WO2012091018A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101422037B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2014-07-23 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
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DE102013113533A1 (de) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Osram Oled Gmbh | Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements |
CN112349211B (zh) | 2014-07-31 | 2023-04-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
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JP2016076441A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
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KR102617041B1 (ko) | 2015-12-28 | 2023-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기 |
CN205645818U (zh) * | 2016-05-18 | 2016-10-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板 |
KR101857868B1 (ko) | 2016-08-26 | 2018-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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- 2011-12-27 JP JP2012550985A patent/JP5858367B2/ja active Active
- 2011-12-27 US US13/976,014 patent/US9082730B2/en active Active
- 2011-12-27 CN CN201180063670.2A patent/CN103299714B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-27 WO PCT/JP2011/080225 patent/WO2012091018A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103299714A (zh) | 2013-09-11 |
WO2012091018A1 (ja) | 2012-07-05 |
US20130299804A1 (en) | 2013-11-14 |
JPWO2012091018A1 (ja) | 2014-06-05 |
US9082730B2 (en) | 2015-07-14 |
JP5858367B2 (ja) | 2016-02-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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