JP2016075884A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】可搬性および一覧性に優れた電子機器を提供する。
【解決手段】支持体１０２ａと支持体１０２ｂとヒンジ１０３と可撓性を有する表示パネル１０１と、を有する電子機器１００である。ヒンジ１０３は回転軸１１１を有し、且つ支持体１０２ａと支持体１０２ｂとを接続し、支持体１０２ａと支持体１０２ｂは回転軸１１１を中心に相対的に回転可能である。表示パネル１０１は支持体１０２ａに支持される部分１０１ａと、支持体１０２ｂに支持される部分１０１ｂと、部分１０１ａと部分１０１ｂの間に支持されない部分１０１ｃとを有し、部分１０１ａと重なる表示面を含む第１の平面１１０ａと回転軸１１１とが平行であり、第２の部分１０１ｂと重なる表示面を含む第２の平面１１０ｂと回転軸１１１とが平行であり、第１の平面１１０ａと回転軸との距離、及び第２の平面１１０ｂと回転軸１１１との距離がそれぞれ０より大きい。
【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、湾曲させることのできる表示装置に関する。また、本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。

なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例えば、携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は薄型であること、軽量であること、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められている。

また、特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

特開２００３−１７４１５３号公報

近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する情報量を増やし、表示の一覧性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途では、表示装置を大型化させると可搬性（ポータビリティともいう）が低下してしまう。そのため表示の高い一覧性と高い可搬性を両立することは困難であった。

本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または電子機器を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の支持体と、第２の支持体と、第１のヒンジと、表示パネルと、を有する電子機器であって、表示パネルは、可撓性を有し、表示パネルは、第１の表示面と、第２の表示面と、を有し、第１のヒンジは、第１の回転軸を中心にして回転することができる機能を有し、第１のヒンジは、第１の支持体と第２の支持体とを接続することができる機能を有し、第１の支持体と第２の支持体は、第１の回転軸を中心に相対的に回転することができる機能を有し、表示パネルは、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分と、を有し、第１の部分は、第１の支持体に支持される部分を有し、第２の部分は、第２の支持体に支持される部分を有し、第３の部分は、第１の支持体および第２の支持体に固定されない部分を有し、第１の表示面は、第１の表示面と、第１の部分とが、互いに重なる領域を有し、第２の表示面は、第２の表示面と、第２の部分とが、互いに重なる領域を有し、第１の平面は、第１の回転軸と平行である領域を有し、第１の平面は、第１の表示面と同一平面に位置し、第１の平面は、第１の表示面と平行な方向に、第１の表示面を引き伸ばした平面であり、第１の平面は、第１の平面と第１の回転軸とが、互いに重なる領域を有し、第２の平面は、第１の回転軸と平行である領域を有し、第２の平面は、第２の表示面と同一平面に位置し、第２の平面は、第２の表示面と平行な方向に、第２の表示面を引き伸ばした平面であり、第２の平面は、第２の平面と第１の回転軸とが、互いに重なる領域を有し、第１の平面と第１の回転軸との距離が０より大きく、第２の平面と第１の回転軸との距離が０より大きいことを特徴とする。

また、本発明の一態様は、第１の支持体と、第２の支持体と、第１のヒンジと、表示パネルと、を有する電子機器である。表示パネルは、第１の支持体に支持される第１の部分と、第２の支持体に支持される第２の部分と、第１の部分と第２の部分の間に位置し、可撓性を有する第３の部分と、を有する。表示パネルは、第１の部分、第２の部分、及び第３の部分と重なる表示面を有する。第１のヒンジは、第１の回転軸を有し、且つ第１の支持体と第２の支持体とを接続する機能を有する。第１の支持体と第２の支持体とは、第１の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有する。第１の部分と重なる表示面を含む第１の平面と、第１の回転軸とが平行であり、第２の部分と重なる表示面を含む第２の平面と、第１の回転軸とが平行であり、第１の平面と、第１の回転軸との距離が、０より大きく、第２の平面と、第１の回転軸との距離が、０より大きいことを特徴とする。

上記において、第１の平面と第１の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、第２の平面と第１の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。

また上記において、第１の平面と第１の回転軸との距離と、第２の平面と第１の回転軸との距離とが概略等しいことが好ましい。

また上記において、第１の支持体と第２の支持体とは、第１の回転軸を中心に１８０度よりも大きい角度で相対的に回転可能であることが好ましい。

また上記において、第１の平面及び第２の平面が一致するとき、第１の回転軸が第１の表示面の法線ベクトルの向き側に位置し、第３の部分と互いに重なる第３の表示面が凹面になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。または、第１の平面及び第２の平面が一致するとき、第１の回転軸が第１の表示面の法線ベクトルの向きとは反対側に位置し、第３の部分と互いに重なる第３の表示面が凸面になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。

また、上記において、第３の支持体と、第２のヒンジと、をさらに有し、第２のヒンジは、第２の回転軸を中心にして回転することができる機能を有し、第２のヒンジは、第２の支持体と第３の支持体とを接続することができる機能を有し、第２の支持体と第３の支持体は、第２の回転軸を中心に相対的に回転することができる機能を有し、表示パネルは、第４の部分と、第５の部分と、を有し、表示パネルは、第４の表示面を有し、第４の部分は、第３の支持体に支持される部分を有し、第５の部分は、第２の支持体および第３の支持体に固定されない部分を有し、第４の表示面は、第４の表示面と、第４の部分とが互いに重なる領域を有し、第２の平面は、第２の回転軸と平行である領域を有し、第３の平面は、第２の回転軸と平行である領域を有し、第３の平面は、第４の表示面と同一平面に位置し、第３の平面は、第４の表示面と平行な方向に、第４の表示面を引き伸ばした平面であり、第３の平面は、第３の平面と第２の回転軸とが、互いに重なる領域を有し、第２の平面と第２の回転軸との距離が０より大きく、第３の平面と第２の回転軸との距離が０より大きいことが好ましい。

または、第３の支持体と、第２のヒンジと、をさらに有する構成とし、第２のヒンジは、第２の回転軸を有し、且つ第２の支持体と第３の支持体とを接続する機能を有し、第２の支持体と第３の支持体とは、第２の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有し、表示パネルは、第３の支持体に支持される第４の部分と、第２の部分と第４の部分との間に位置し、可撓性を有する第５の部分と、を有し、表示面は、第４の部分、及び第５の部分と重なる部分を有し、第４の部分と重なる表示面を含む第３の平面と、第２の回転軸とが平行であり、第２の平面と、第２の回転軸とが平行であり、第２の平面と、第２の回転軸との距離が０より大きく、第３の平面と、第２の回転軸との距離が０より大きいことが好ましい。

また上記において、第２の平面と第２の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、第３の平面と第２の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。

また上記において、第２の平面と第２の回転軸との距離と、第３の平面と第２の回転軸との距離とが概略等しいことが好ましい。

また上記において、第２の支持体と第３の支持体とは、第２の回転軸を中心に１８０度よりも大きい角度で相対的に回転可能であることが好ましい。

また上記において、第２の平面及び第３の平面が一致するとき、第２の平面及び第３の平面が一致するとき、第２の回転軸が第２の表示面の法線ベクトルの向き側に位置し、第５の部分と互いに重なる第５の表示面が凹面になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。または、第２の平面及び第３の平面が一致するとき、第２の回転軸が第２の表示面の法線ベクトルの向きとは反対側に位置し、第５の部分と互いに重なる第５の表示面が凸面になるように、表示パネルを折り曲げ可能なことが好ましい。

可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子機器を提供できる。または、信頼性の高い電子機器を提供できる。または、新規な表示装置、または電子機器を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 実施の形態に係る、タッチセンサの回路図。 実施の形態に係る、表示装置のブロック図及びタイミングチャート図。 実施の形態に係る、表示装置およびタッチセンサの動作を説明する図。 実施の形態に係る、表示装置およびタッチセンサの動作を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルのブロック図。 実施の形態に係る、画素の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の動作を説明するタイミングチャート図。 実施例に係る、電子機器の写真。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

なお、本明細書等において、Ａ面がＢ面に平行とはＡ面の法線とＢ面の法線がなす角度が−２０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｃ面がＢ面と垂直とは、Ｃ面の法線とＢ面の法線がなす角度が７０°以上１１０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｄ線がＢ面に垂直とはＤ線とＢ面の法線がなす角度が−２０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｅ線がＢ面に平行とはＥ線とＢ面の法線がなす角度が７０°以上１１０°以下の状態を指すものとする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図１（Ａ）は、本構成例で示す電子機器１００の斜視図である。電子機器１００は、表示パネル１０１、支持体１０２ａ、支持体１０２ｂ、及びヒンジ１０３を備える。

支持体１０２ａと支持体１０２ｂは、ヒンジ１０３により接続されている。支持体１０２ａと支持体１０２ｂとは、ヒンジ１０３の回転軸１１１を中心に、相対的に回転させることが可能である。図１（Ａ）に示す構成例では、支持体１０２ａと支持体１０２ｂを水平にした状態から、回転軸１１１を中心に１８０°以上の角度で支持体１０２ａと支持体１０２ｂとを相対的に回転させることができる。

ここで、ヒンジ１０３の回転軸１１１とは、ヒンジ１０３が有する回転機構の回転軸と一致する直線とする。例えば、ヒンジ１０３が有体物である心棒などの軸を中心に回転する機構を有する場合には、軸の延長方向と一致する直線を回転軸１１１とする。

表示パネル１０１は、使用者が視認する画像等が表示される表示面を有する。なお本明細書等において、表示面とは表示パネルの表面のうち、画像等が表示される側の面をいう。

表示パネル１０１は、少なくともその一部が可撓性を有する。したがって、表示面が平面である状態から、曲面を有する状態に可逆的に表示パネル１０１を変形することが可能である。表示パネル１０１は、２つの支持体の相対位置の変化に伴って変形する部分が少なくとも可撓性を有していればよく、他の部分は可撓性を有していなくてもよい。

また表示パネル１０１は、その一部が支持体１０２ａに支持され、他の一部が支持体１０２ｂに支持されている。

本発明の一態様の電子機器１００は、可撓性を有する表示パネル１０１が、２つの支持体によって支持された構成を有する。表示パネル１０１は曲げるなどの変形を加えることが可能である。例えば表示パネル１０１を表示面が内側になるように曲げる（内曲げ）ことができる。また、表示パネル１０１を曲げることで折り畳むことができる。本発明の一態様の電子機器１００は、表示パネル１０１を折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、一覧性に優れる。

図１（Ｂ）は、表示パネル１０１の各領域（部分ともいう）を示す概略図である。表示パネル１０１は、支持体１０２ａと重なる部分において、支持体１０２ａに支持されている部分１０１ａを有する。また表示パネル１０１は支持体１０２ｂと重なる部分において、支持体１０２ｂに支持されている部分１０１ｂを有する。また、表示パネル１０１は部分１０１ａと部分１０１ｂとの間に、いずれの支持体にも固定されていない部分１０１ｃを有する。

部分１０１ａにおいて、表示パネル１０１の表示面が平面になるように、表示パネル１０１が支持体１０２ａに支持されていることが好ましい。また同様に部分１０１ｂにおいて、表示パネル１０１の表示面が水平になるように、表示パネル１０１が支持体１０２ｂに支持されていることが好ましい。

また、表示パネル１０１は曲がる方向と平行な方向にスライドするように、各支持体に支持されていることが好ましい。例えば、表示パネル１０１は厚さ方向の位置が固定されるように、各支持体に支持されていることが好ましい。このとき、表示パネル１０１は表示面に平行な方向のうち曲がる方向にはスライドし、これとは垂直な方向の位置が固定されていることが好ましい。このような支持方法を用いることで、例えば表示パネル１０１を平面にした状態から１８０°曲げた状態に各支持体を相対的に回転させる際に、２つの状態の間で生じる表示パネル１０１の長さのわずかなずれをスライド動作により補い、表示パネル１０１が破損してしまうことを抑制できる。また、複数の支持体のうちの１つと表示パネル１０１とは、表示パネル１０１がスライドしないように固定されていてもよい。また、表示パネル１０１はその一部に伸縮性を有していてもよい。表示パネル１０１の一部が伸縮することで、上記長さのずれを補うことができる。また表示パネル１０１を展開した状態において表示パネル１０１の部分１０１ｃがたわむように、表示パネル１０１を各支持体に固定していてもよい。表示パネル１０１にたわみを持たせることで上記長さのずれを補うことができる。

表示パネル１０１を各支持体により支持する方法は特に限定されない。例えば表示パネル１０１が収まる溝部が形成されるように加工された２つの部材で表示パネル１０１を挟持する方法などを用いると、表示パネル１０１がスライドするように支持することができる。また表示パネル１０１と各支持体とを固定する場合には、例えば接着する方法、ねじ等で固定する方法、部材により表示パネル１０１を挟んで機械的に固定する方法等が挙げられる。

また、部分１０１ａ及び部分１０１ｂの面積は特に限定されず、少なくとも表示パネル１０１は各々の支持体に支持されている２つの領域と、これらの間にいずれの支持体にも支持（固定）されていない１以上の領域を有していればよい。例えば各々の支持体の縁と重なる領域で表示パネル１０１が支持され、視認できる領域全てが支持体に支持されていない部分１０１ｃであってもよい。

図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中の切断線Ａ１−Ａ２における断面概略図である。また図１（Ｃ）には各構成とヒンジ１０３との位置関係を示すため、ヒンジ１０３を破線で示している。

図１の各図には、表示パネル１０１の表示面が全体に亘って平面になるように、支持体１０２ａと支持体１０２ｂとが位置している場合を示している。言い換えると、表示パネル１０１の部分１０１ａにおける表示面を含む第１の平面１１０ａと、表示パネル１０１の部分１０１ｂにおける表示面を含む第２の平面１１０ｂとが平行である場合を示している。

このときヒンジ１０３の回転軸１１１は、表示パネル１０１の部分１０１ｃと重なるように（すなわち、部分１０１ｃ上に位置するように）設けられている。さらに図１（Ｃ）に示すように、ヒンジ１０３の回転軸１１１と、表示パネル１０１の表示面とが一致しないように（すなわち、表示面を含む平面内に回転軸１１１が位置しないように）、回転軸１１１と表示面との距離が距離ｒ_０だけ離れて設けられていることが好ましい。すなわち、上記第１の平面１１０ａと回転軸１１１との距離、及び上記第２の平面１１０ｂと回転軸１１１との距離のそれぞれが、いずれも０よりも大きい値となるように、ヒンジ１０３が設けられていることが好ましい。また、第１の平面１１０ａ及び第２の平面１１０ｂが一致する（すなわち、同一平面上に位置する）とき、回転軸１１１が表示パネル１０１の表示面側（具体的には表示面の法線ベクトルの向き側）に、表示面とは離れて位置するように設けられている。

また、図１（Ｃ）に示すように、表示パネル１０１の表示面と、回転軸１１１とが平行であることが好ましい。すなわち、上記第１の平面１１０ａと回転軸１１１とが平行であり、且つ、上記第２の平面１１０ｂと回転軸１１１とが平行であることが好ましい。

なお、表示パネル１０１の表示面を平面にしたときに、表示面を含む平面（ここでは第１の平面１１０ａ及び第２の平面１１０ｂを含む平面）と、回転軸１１１とが厳密に平行ではない場合があってもよい。このとき、少なくとも表示パネル１０１の表示面と重なる領域において、第１の平面１１０ａまたは第２の平面１１０ｂと、回転軸１１１とが交差しなければよい。なお、表示面を含む平面と回転軸１１１とが厳密に平行ではない場合（すなわち表示面の法線方向と回転軸１１１との角度が厳密に９０°ではない場合）、回転軸１１１と表示面（または第１の平面１１０ａ、第２の平面１１０ｂ）の距離ｒ_０は、回転軸１１１を含む直線のうち表示パネル１０１の表示面と重なる線分と、表示面（または第１の平面１１０ａ、第２の平面１１０ｂ）との距離のうち、最も小さい値を距離ｒ_０とすることができる。

図２（Ａ）は、支持体１０２ａに対して支持体１０２ｂを、回転軸１１１を中心に１８０°回転させた状態における、電子機器１００の斜視概略図である。また、図２（Ｂ）は図２（Ａ）中の切断線Ｂ１−Ｂ２における断面概略図である。また図２（Ｃ）は図２（Ｂ）に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。

図２（Ｂ）（Ｃ）に示すように、表示パネル１０１は部分１０１ｃにおける表示面が凹状になるように１８０°湾曲した部分を有する。また表示パネル１０１の部分１０１ａにおける表示面の一部を含む第１の平面１１０ａと、部分１０１ｂにおける表示面の一部を含む平面１１０ｂとは平行である。

このとき、第１の平面１１０ａと回転軸１１１との距離と、第２の平面１１０ｂと回転軸１１１との距離とが同じ距離（ｒ_０）となるように設定することが好ましい。これらの距離を等しくすると、図１に示したように２つの支持体を開いた状態のときに、支持体と支持体の間に位置する表示パネル１０１の表面に段差（高低差）が生じず、表示パネル１０１の表示面の全体を平坦（平面）にすることが可能となる。その結果、視認性に優れた電子機器１００を実現できる。

表示パネル１０１の部分１０１ｃの一部は、２つの支持体の成す角に応じて湾曲する。さらに２つの支持体は、各々がヒンジ１０３に支持された状態で回転軸１１１を中心に回転する。そのため、２つの支持体の角度を変化させたときに表示パネル１０１の部分１０１ｃが受ける力の向きは、支持体の回転方向に平行な向き、言い換えると各々の支持体と表示パネル１０１とが接している面に垂直な向きとなる。つまり、表示パネル１０１の部分１０１ｃにかかる力の成分のほとんどが、表示パネル１０１の厚さ方向に平行な方向、すなわち表示パネル１０１を湾曲させる方向となる。したがって、表示パネル１０１に無理な力がかかることがないため、表示パネル１０１の湾曲部が破損してしまうことを効果的に抑制することができる。

また、図２（Ｃ）に示すように、第１の平面１１０ａと第２の平面１１０ｂとが平行であるとき、表示パネル１０１の湾曲部における曲率半径ｒ_１は、距離ｒ_０と概略等しくなる。

図３（Ａ）は、支持体１０２ａに対して支持体１０２ｂを、回転軸１１１を中心に１８０°よりも大きな角度で回転させた状態における、電子機器１００の斜視概略図である。また図３（Ｂ）は図３（Ａ）中の切断線Ｃ１−Ｃ２における断面概略図である。また図３（Ｃ）は図３（Ｂ）に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。

図３の各図では、支持体１０２ａと支持体１０２ｂのヒンジ１０３とは反対側の各々の端部が接するように、２つの支持体を回転させた状態を示している。

図３（Ｃ）に示すように、表示パネル１０１を平坦にした状態から１８０°よりも大きな角度で２つの支持体を回転させたとき、表示パネル１０１の部分１０１ｃにおける曲率半径ｒ_１は、ヒンジ１１０の回転軸１１１と第１の平面１１０ａ（または第２の平面１１０ｂ）との距離ｒ_０よりも小さくなる。

ここで、表示パネル１０１の湾曲部における曲率半径ｒ_１は、湾曲した表示面が有する曲率半径のうち、最も小さい値をいう。

表示パネル１０１を平坦にした状態からの回転角が大きいほど、距離ｒ_０に対する曲率半径ｒ_１の大きさが小さくなる。例えば、回転角が１８５°の時に曲率半径ｒ_１は距離ｒ_０の約０．９３倍となり、回転角が１９０°の時に曲率半径ｒ_１は距離ｒ_０の約０．８７倍となり、回転角が１９５°の時に曲率半径ｒ_１は距離ｒ_０の約０．８２倍となる。

表示パネル１０１を平坦にした状態からの回転角が１８０°よりも大きいと、２つの支持体を折り畳んだ状態における電子機器１００の厚さを部分的に薄くすることが可能であるため、携帯性に優れた電子機器を実現できる。例えば、当該回転角の最大値を１８０°よりも大きく２００°以下、好ましくは１８０°よりも大きく１９５°以下、より好ましくは１８０°よりも大きく１９０°以下の範囲に設定すればよい。

ヒンジ１１０の回転軸１１１と第１の平面１１０ａ（または第２の平面１１０ｂ）との距離ｒ_０を、上記回転角の最大の大きさと、表示パネル１０１が許容できる最小の曲率半径とを考慮して設定することで、表示パネル１０１が湾曲部で破損してしまうことを抑制できる。

例えば、第１の平面１１０ａと回転軸１１１との距離と、第２の平面１１０ｂと回転軸１１１との距離が等しくｒ_０であるとき、ｒ_０の値が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定することが好ましく、代表的には４ｍｍに設定することが好ましい。ｒ_０が小さいほど、支持体同士を折り畳んだ状態における電子機器１００の厚さを低減することができるため、携帯性に優れた電子機器１００を実現できる。

また、表示パネル１０１の厚さは５μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１０００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下とすることが好ましい。表示パネル１０１の厚さが薄いほど、許容できる最小の曲率半径を小さくすることができ、電子機器１００の厚さを薄くすることが可能となる。

また、表示パネル１０１の厚さが薄すぎて機械的な強度が不足する場合には、表示パネル１０１の少なくとも湾曲する部分に可撓性を有するシート等を貼り付け、強度を補ってもよい。例えば、硬質ゴムなどの弾性体のほか、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金などの合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。当該シートには、表示パネル１０１よりも可撓性の低い材料を用いることが好ましい。また、当該シートが透光性を有さない場合には、表示パネル１０１の裏面側または表示面の表示領域よりも外側の領域に配置すればよい。表示面と重なる部分に開口を有するシートを表示面側に配置し、２枚のシートで表示パネルを挟持する構成としてもよい。

２つの支持体を折り畳んだ状態、すなわち表示パネル１０１の湾曲部が最も小さい曲率半径で湾曲している状態における、曲率半径ｒ_１は、０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定することが好ましく、代表的には４ｍｍ以下に設定することが好ましい。

ここで、タッチセンサを備えるモジュールが表示パネル１０１の表示面側に重ねて設けられていることが好ましい。このとき、タッチセンサを備えるモジュールは少なくとも一部が可撓性を有し、表示パネル１０１に沿って湾曲可能であることが好ましい。このとき、タッチセンサを備えるモジュールと表示パネル１０１とは接着剤等で接着されていてもよいし、これらの間に偏光板や緩衝材（セパレータ）を設けてもよい。また、タッチセンサを備えるモジュールの厚さは、表示パネル１０１の厚さ以下とすることが好ましい。

または、表示パネル１０１がタッチパネルとして機能してもよい。例えば、表示パネル１０１として、オンセル型のタッチパネル、またはインセル型のタッチパネルの構成を適用としてもよい。オンセル型またはインセル型のタッチパネルの構成を用いることで、表示パネル１０１にタッチパネルの機能を付加しても、厚さを低減することができる。

また、ヒンジ１０３の構成は図１等に示す構成に限られず、様々な形態のものを用いることができる。また、支持体１０２ａや支持体１０２ｂの一部がヒンジ１０３として機能する形態を有していてもよい。また、図１等ではヒンジ１０３を一対設ける構成としたが、１個でもよいし、３以上のヒンジを設けてもよい。

なお、支持体１０２ａと支持体１０２ｂのいずれか一方、または両方に、バッテリ、演算装置や駆動回路などの各種ＩＣが実装されたプリント配線基板、無線受信器、無線送信機、無線受電器、加速度センサなどを含む各種センサなどの電子部品を適宜組み込むことにより、電子機器１００を携帯端末、携帯型の画像再生装置、携帯型の照明装置などとして機能させることができる。また支持体１０２ａと支持体１０２ｂのいずれか一方、または両方には、カメラ、スピーカ、電源供給端子や信号供給端子等を含む各種入出力端子、光学センサなどを含む各種センサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。

以上が構成例１についての説明である。

［構成例２］
以下では、上記構成例１とは一部の構成が異なる電子機器１２０の構成例について説明する。なお、構成例１と重複する部分については、説明を省略する場合がある。

図４（Ａ）は、電子機器１２０の表示面側の斜視図であり、図４（Ｂ）は裏面側の斜視図である。また、図４（Ｃ）は図４（Ａ）中の切断線Ｄ１−Ｄ２における断面概略図である。

電子機器１２０は主に、ヒンジ１０３の位置が異なる点、ならびに支持体１０２ａ及び支持体１０２ｂの形状が異なる点で、上記構成例１で例示した電子機器１００と相違している。

本発明の一態様の電子機器１２０は、可撓性を有する表示パネル１０１が、２つの支持体によって支持された構成を有する。表示パネル１０１は曲げるなどの変形を加えることが可能である。例えば表示パネル１０１を表示面が外側になるように曲げる（外曲げ）ことができる。また、表示パネル１０１を曲げることで折り畳むことができる。本発明の一態様の電子機器１２０は、表示パネル１０１を折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れる。

ヒンジ１０３は、その回転軸１１１が表示パネル１０１の表示面とは反対側に位置するように設けられている。図４に示す構成では、ヒンジ１０３が支持体１０２ａ及び支持体１０２ｂの表示パネル１０１が設けられる面とは反対側の面に設けられている。また、表示パネル１０１の部分１０１ａにおける表示面を含む第１の平面１１０ａと、表示パネル１０１の部分１０１ｂにおける表示面を含む第２の平面１１０ｂが一致するとき、回転軸１１１が表示パネル１０１の表示面とは反対側に（具体的には表示面の法線ベクトルの向きとは反対側に）、表示面とは離れて位置するように設けられている。

また、支持体１０２ａと支持体１０２ｂは、少なくとも表示パネル１０１の部分１０１ｃと重なる領域に切欠き部を有している。図４（Ｃ）では表示パネル１０１の支持体１０２ａと重なる部分を部分１０１ａ、支持体１０２ｂと重なる部分を部分１０１ｂ、切欠き部と重なる部分を部分１０１ｃとしている。なお、表示パネル１０１は、支持体１０２ａ（または支持体１０２ｂ）と重なる部分の全部が支持体１０２ａ（または支持体１０２ｂ）に支持されている必要はなく、構成例１と同様に一部が支持されていればよい。

支持体１０２ａと支持体１０２ｂとは、表示パネル１０１の部分１０１ｃにおける表示面が凸状になるように、回転軸１１１を中心に相対的に１８０°以上の角度で回転させることができる。

図５（Ａ）は、支持体１０２ａに対して支持体１０２ｂを、回転軸１１１を中心に１８０°回転させた状態における、電子機器１２０の斜視概略図である。また図５（Ｂ）は図５（Ａ）中の切断線Ｅ１−Ｅ２における断面概略図である。また図５（Ｃ）は図５（Ｂ）に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。

図５の各図に示すように、表示パネル１０１は部分１０１ｃにおける表示面の一部が凸状に変形するように、湾曲している。このとき、支持体１０２ａ及び支持体１０２ｂに設けられた切欠き部により、表示パネル１０１と各支持体とが物理的に干渉することなく、表示パネル１０１を湾曲させることができる。

なお、図６に示すように表示パネル１０１を１８０°曲げたときに、支持体１０２ａと支持体１０２ｂの各々の裏面側が接する構成としてもよい。

図７（Ａ）は、支持体１０２ａに対して支持体１０２ｂを、回転軸１１１を中心に１８０°よりも大きな角度で回転させた状態における、電子機器１２０の斜視概略図である。また図７（Ｂ）は図７（Ａ）中の切断線Ｆ１−Ｆ２における断面概略図である。また図７（Ｃ）は図７（Ｂ）に破線で囲った領域を拡大した断面概略図である。

このように、表示パネル１０１を平坦にした状態から１８０°よりも大きな角度で２つの支持体を回転させることで、２つの支持体を折り畳んだ状態における電子機器１２０の厚さを部分的に薄くすることが可能であるため、携帯性に優れた電子機器を実現できる。

図７（Ｃ）に示すように、表示パネル１０１を平坦にした状態から１８０°よりも大きな角度で２つの支持体を回転させたとき、表示パネル１０１の部分１０１ｃにおける曲率半径ｒ_１は、ヒンジ１１０の回転軸１１１と第１の平面１１０ａ（または第２の平面１１０ｂ）との距離ｒ_０よりも小さくなる。

以上が構成例２についての説明である。

［構成例３］
以下では、上記構成例とは一部の構成が異なる電子機器１３０の構成例について説明する。なお、上記構成例と重複する部分については、説明を省略する場合がある。

図８（Ａ）は、電子機器１３０の表示面側の斜視図であり、図８（Ｂ）は裏面側の斜視図である。

電子機器１３０は、構成例２で例示した電子機器１２０に加えて、支持体１０２ｃを有する点で主に相違している。

支持体１０２ａと支持体１０２ｂとは、ヒンジ１０３ａにより接続されている。また支持体１０２ｂと支持体１０２ｃとは、ヒンジ１０３ｂにより接続されている。表示パネル１０１は、支持体１０２ａ、支持体１０２ｂ及び支持体１０２ｃのそれぞれに支持されている領域を有する。また表示パネル１０１は、支持体１０２ａに支持される領域と支持体１０２ｂに支持される領域との間、及び支持体１０２ｂに支持される領域と支持体１０２ｃに支持される領域との間のそれぞれに、支持体に支持されない領域を有する。

本発明の一態様の電子機器１３０は、可撓性を有する表示パネル１０１の一部が、３つの支持体によって支持された構成を有する。電子機器１３０は表示パネル１０１を表示面が内側になるように曲げる（内曲げ）ことができる領域と、表示面が外側になるように曲げる（外曲げ）ことができる領域を有する。また表示パネル１０１を曲げることで折り畳むことができる。本発明の一態様の電子機器１３０は、表示パネル１０１を折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れる。

図８（Ａ）に示すように表示パネル１０１の表示面を平面としたとき、ヒンジ１０３ａの回転軸１１１ａは構成例２と同様に表示面とは反対側に位置するように設けられている。またこのとき、ヒンジ１０３ｂの回転軸１１１ｂは、構成例１と同様に表示面側に位置するように設けられている。

支持体１０２ａと支持体１０２ｂとは、構成例２と同様に、表示パネル１０１の表示面が凸状になるように、ヒンジ１０３ａの回転軸１１１ａを中心に相対的に１８０°以上の角度で回転させることができる。

支持体１０２ｂと支持体１０２ｃとは、構成例１と同様に、表示パネル１０１の表示面が凹状になるように、ヒンジ１０３ｂの回転軸１１１ｂを中心に相対的に１８０°以上の角度で回転させることができる。

回転軸１１１ａ及び回転軸１１１ｂを中心に、各支持体を相対的に回転することで、電子機器１３０は、図８（Ｃ）に示すような形態を経て、図８（Ｄ）に示すように折り畳んだ状態に変形することができる。

図８（Ｄ）に示すように、支持体１０２ａと支持体１０２ｂの対向する面のなす角、及び支持体１０２ｂと支持体１０２ｃの対向する面のなす角が、共に等しくなるように電子機器１３０を折り畳むことで、支持体１０２ａと支持体１０２ｃとを平行にすることができる。こうすることで電子機器１３０を折り畳んだ状態の厚さが均一となるため好ましい。

また図８（Ｄ）に示すように、上記２つの角が共に鋭角になるように電子機器１３０を折り畳むことで、３つの支持体を平行にした場合に比べて電子機器１３０の厚さを低減することが可能となる。

本発明の一態様の電子機器１３０を使用する際、図８（Ａ）に示すように表示パネル１０１を展開した状態とすることで継ぎ目のない広い表示面全体を用いてもよいし、図８（Ｄ）に示すように折り畳んだ状態で表示面の一部を用いてもよい。表示パネル１０１を内側に折り畳むことで使用者に見えない表示面の一部を非表示（非動作）とすることで、表示パネル１０１の消費電力を抑制できる。

また、支持体１０２ａのみを裏側に回転させ、支持体１０２ｂ及び支持体１０２ｃと重なる表示面の一部を用いてもよい。このとき、表示面の支持体１０２ａと重なる部分は、画像等を表示してもよいし、非表示（非動作）としてもよい。また、この部分をタッチパッドとして使用することもできる。

また、凸状に湾曲した表示面の一部には、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などを表示できる。または、操作ボタンや、アイコン、スライダーなどの機能を有する画像を表示してもよい。

また、表示パネル１０１の表示面は、これを展開した状態（例えば図８（Ａ）に示す状態）で所定の縦横比となるように設定することが好ましい。例えば、縦横比が９：１６などとなるように設定する。また、表示パネル１０１を折り畳んだ状態（例えば図８（Ｄ）に示す状態）のとき、展開した状態における縦横比と近い値になるように設定することが好ましい。こうすることで、展開した状態と折り畳んだ状態とで、表示される画像の縦横比を概略等しくすることが可能となる。その結果、展開した状態と折り畳んだ状態とで視認される表示面全体に同じ画像を拡大または縮小して表示する場合、いずれかの状態で不自然な余白部分が生じてしまうことを抑制することができる。

以上が構成例３についての説明である。

［構成例４］
以下では、より具体的な構成例について説明する。なお、上記構成例と重複する部分については、説明を省略する場合がある。

図９（Ａ）は表示パネル１０１を展開した状態の電子機器１４０の斜視概略図であり、図９（Ｂ）は表示パネル１０１を折り畳んだ状態の斜視概略図である。

電子機器１４０は表示パネル１０１、筐体１４１、支持体１４２ａ、支持体１４２ｂ、支持体１４２ｃ、ヒンジ１４３ａ、ヒンジ１４３ｂを有する。

電子機器１４０は、ヒンジ１４３ａの回転軸１５１ａ、及びヒンジ１４３ｂの回転軸１５１ｂのそれぞれを中心に、各支持体を相対的に回転することで、図９（Ａ）の状態から図９（Ｂ）の状態に可逆的に変形することができる。

また、電子機器１４０は操作ボタン１４５等を有していてもよい。例えば操作ボタン１４５は、表示パネル１０１の表示面に表示する画像を切り替える機能、電源のオン、オフを制御する機能、表示パネル１０１を折り畳んだ状態から展開した状態に変形させる機能などを有していてもよい。

図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示す切断線Ｇ１−Ｇ２における断面概略図である。図９（Ｃ）に示すように、筐体１４１の内部には、プリント基板１４４、バッテリ１４９等を有している。

また表示パネル１０１に電気的に接続された複数のＦＰＣ１４７が、プリント基板１４４が有する複数の端子接続部１４８に接続される。またプリント基板１４４にはバッテリ１４９から電力が供給される。

バッテリ１４９は、例えばリチウムイオン電池等の２次電池を用いることが好ましい。また、バッテリ１４９はアンテナ及び充放電を制御する回路を有し、無線により充電可能な構成を有していることが好ましい。

プリント基板１４４には、バッテリ、演算装置や駆動回路などの各種ＩＣが実装されている。また図示しないが、筐体１４１内に無線受信器、無線送信機、無線受電器、加速度センサなどを含む各種センサなどの電子部品を適宜組み込むことにより、電子機器１４０を携帯端末、携帯型の画像再生装置、携帯型の照明装置などとして機能させることができる。筐体１４１には、カメラ、スピーカ、電源供給端子や信号供給端子等を含む各種入出力端子、光学センサなどを含む各種センサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。

ここで、図９（Ａ）に示すように、表示パネル１０１を展開した状態で筐体１４１と重ならない支持体１４２ｂ及び支持体１４２ｃは、その厚さが薄いことが好ましい。例えば、図９（Ｃ）に示すように、支持体１４２ｂ及び支持体１４２ｃの厚さｔが等しく、また筐体１４１の厚さよりも薄いことが好ましい。例えば支持体１４２ｂ及び支持体１４２ｃの厚さｔは０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることが好ましく、代表的には１ｍｍに設定することが好ましい。支持体１４２ｂ及び支持体１４２ｃの厚さを低減することで、電子機器１４０の重量を低減することができ、携帯性をより向上させることができる。また支持体１４２ｂ及び支持体１４２ｃの厚さを筐体１４１よりも薄くすると、展開した状態と折り畳んだ状態での重心位置の変化が小さくなるため、いずれの状態でも筐体１４１のみを片手で支持したまま使用することが容易となり、利便性が向上する。

以上が構成例４についての説明である。

〔変形例〕
図１０（Ａ）に、電子機器１６０の斜視概略図を示す。電子機器１６０は、図９で例示した電子機器１４０における筐体１４１、及び支持体１４２ｂの構成が主に相違している。

電子機器１６０が有する筐体１６１は、上記筐体１４１よりも薄型化している。したがって電子機器１６０を片手で把持することが容易な構成となっている。

また、電子機器１６０が有する支持体１４２ｂは、支持体１４２ａと支持体１４２ｃの距離を変化させることができるように、その両端の長さが変化する機構（スライド機構ともいう）を有する。

図１０（Ｂ）に、支持体１４２ｂおよびその近傍の断面概略図を示す。支持体１４２ｂは、板状の部材１６２ａと、板状の部材１６２ｂと、板状の部材１６２ｃと、ネジ１６３と、を有する。

部材１６２ａは、ヒンジ１４３ａと接続されている。部材１６２ｃは、ヒンジ１４３ｂと接続されている。また部材１６２ｃは、開口部１６４を有している。部材１６２ｃの開口部１６４を挟持するように、部材１６２ａと部材１６２ｂが、部材１６２ｃの一部と重ねて設けられている。また、部材１６２ａと部材１６２ｂとは、ネジ１６３によって固定されている。また部材１６２ａと部材１６２ｃ、及び部材１６２ｂと部材１６２ｃとは、固定されていない。

このような構成とすることで、部材１６２ｃは部材１６２ａ及び部材１６２ｂに対して、図中に示す矢印の方向にスライドさせることができる。したがって、ヒンジ１４３ａとヒンジ１４３ｂとの距離を可変にできる。また支持体１４２ａと支持体１４２ｃとの距離を変化させる、とも言える。

このとき、表示パネル１０１は、支持体１４２ａ及び支持体１４２ｃのそれぞれに固定され、且つ支持体１４２ｂには固定されないように設けることが好ましい。

このような構成とすることで、表示パネル１０１を曲げたときに表示パネル１０１に生じる長さのわずかなずれを、支持体１４２ｂのスライド動作によって補うことができる。

図１０（Ｂ）に示す構成では、部材１６２ｃが変位することのできる長さは、ネジ１６３の位置と開口部１６４の大きさによって決定される。部材１６２ｃをスライドさせる際、開口部１６４の端部がネジ１６３と接触するとスライドが止まる。

なお、図１０（Ａ）（Ｂ）に示す構成は一例であり、支持体１４２ｂの両端の長さを変化させることのできる機構であれば、この構成に限定されない。ヒンジ１４３ａとヒンジ１４３ｂとの距離を変化させることのできる機構を電子機器１６０に設ければよい。または、支持体１４２ａと支持体１４２ｃの間の距離を変化させることのできる機構を、電子機器１６０に設ければよい。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パネルの構成例及び作製方法例について説明する。

＜具体例１＞
図１１（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の一例を図１１（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図１１（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層８２３によって封止されている。

図１１（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されている。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図１１（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図１１（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけることが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述する。

＜具体例２＞
図１１（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１１（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図の一例を図１１（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図１１（Ｄ）に示す発光パネルは、図１１（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる。

図１１（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図１１（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。接続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料が制限されない。

＜具体例３＞
図１２（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１２（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６間の断面図の一例を図１２（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。

図１２（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図１２（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び基板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好ましい。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出される。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図１２（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図１２（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

＜具体例４＞
図１２（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１２（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８間の断面図の一例を図１２（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。

図１２（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３を有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければよい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタを複数有する。図１２（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

＜具体例５＞
図１２（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光パネルの例を示す。

図１２（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、高温をかけて、十分に透水性の低い絶縁層８１３等を形成し、基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用することもできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることができる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることができる。

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁層８２１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。

＜作製方法例＞
次に、発光パネルの作製方法を図１３及び図１４を用いて例示する。ここでは、具体例１（図１１（Ｃ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する（図１３（Ａ））。

また、作製基板２０５上に剥離層２０７を形成し、剥離層２０７上に絶縁層８４３を形成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７、着色層８４５、及びオーバーコート８４９を形成する（図１３（Ｂ））。

作製基板２０１及び作製基板２０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３及び剥離層２０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板２０５の着色層８４５等が設けられた面又は作製基板２０１の発光素子２３０等が設けられた面に封止層８２３となる材料を塗布し、封止層８２３を介して該面同士が対向するように、作製基板２０１及び作製基板２０５を貼り合わせる（図１３（Ｃ））。

そして、作製基板２０１を剥離し、露出した絶縁層８１３と基板８０１を、接着層８１１を用いて貼り合わせる。また、作製基板２０５を剥離し、露出した絶縁層８４３と基板８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる。図１４（Ａ）では、基板８０３が導電層８５７と重ならない構成としたが、導電層８５７と基板８０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

最後に、絶縁層８４３及び封止層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる（図１４（Ｂ））。なお、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５７を露出させるために、基板８０３及び接着層８４１も開口する（図１４（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

以上により、発光パネルを作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１５〜図１８を用いて説明する。なお、各層の材料については実施の形態２を参照することができる。

＜構成例１＞
図１５（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１５（Ｃ）は図１５（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図１５（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。

図１５（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向する基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を接着層に用いることができる。

封止層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止層５６０側に光を取り出す場合は、封止層５６０は封止層５６０を挟む２つの部材（ここでは基板５７０と基板５１０）を光学的に接合する層（以下、光学接合層ともいう）としても機能する。画素回路及び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１５（Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１５（Ｂ））。また、発光モジュール３８０Ｒは発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１５（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する封止層３６０を有する。

着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層３６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する。

タッチパネル３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１５（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有していてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成については、実施の形態２を参照できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２＞
図１６（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図１７は、図１６（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図である。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１６（Ｂ））。また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給することができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図１６（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１６（Ｂ）を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３ならびに隣り合う電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒ及び発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、発光素子５５０Ｒと着色層５６７Ｒに接する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。

表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１７（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図１７（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１７（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

＜構成例３＞
図１８は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１８（Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１８（Ａ））。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１８（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１８（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１８（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１８（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１８（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。

［センサの検知方法の例］
図１９（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１９（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお図１９（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそれぞれ、Ｘ１−Ｘ６、Ｙ１−Ｙ６のそれぞれ６本の配線として示している。また図１９（Ａ）は、電極１２１および電極１２２が重畳することで形成される容量６０３を図示している。なお、電極１２１と電極１２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。

パルス電圧出力回路６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形成する電極１２１と電極１２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。

電流検出回路６０２は、容量６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。

次いで図１９（Ｂ）には、図１９（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図１９（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図１９（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。

Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。

このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。

また、図１９（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量６０３のみを設けるパッシブマトリクス方式のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス方式のタッチセンサとしてもよい。図２０にアクティブマトリクス方式のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。

センサ回路は容量６０３と、トランジスタ６１１と、トランジスタ６１２と、トランジスタ６１３とを有する。トランジスタ６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソース又はドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量６０３の一方の電極およびトランジスタ６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ６１１はソース又はドレインの一方がトランジスタ６１２のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ６１２はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソース又はドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与えられる。

続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ６１１のゲートが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次いで信号Ｇ２としてトランジスタ６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。

続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量６０３の相互容量が変化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。

読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ６１２をオン状態とする電位を与える。ノードｎの電位に応じてトランジスタ６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。

トランジスタ６１１、トランジスタ６１２、トランジスタ６１３としては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特にトランジスタ６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。

［表示装置の駆動方法例］
図２１（Ａ）は、一例として表示装置の構成を示すブロック図である。図２１（Ａ）ではゲート駆動回路ＧＤ、ソース駆動回路ＳＤ、画素ｐｉｘを示している。なお図２１（Ａ）では、ゲート駆動回路ＧＤに電気的に接続されるゲート線ｘ＿１〜ｘ＿ｍ（ｍは自然数）、ソース駆動回路ＳＤに電気的に接続されるソース線ｙ＿１〜ｙ＿ｎ（ｎは自然数）に対応して、画素ｐｉｘではそれぞれに（１，１）〜（ｎ，ｍ）の符号を付している。

次いで図２１（Ｂ）には、図２１（Ａ）で示す表示装置におけるゲート線およびソース線に与える信号のタイミングチャート図である。図２１（Ｂ）では、１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換える場合と、データ信号を書き換えない場合と、に分けて示している。なお図２１（Ｂ）では、帰線期間等の期間を考慮していない。

１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換える場合、ｘ＿１〜ｘ＿ｍのゲート線には、順に走査信号が与えられる。走査信号がＨレベルの期間である水平走査期間１Ｈでは、各列のソース線ｙ＿１〜ｙ＿ｎにデータ信号Ｄが与えられる。

１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない場合、ゲート線ｘ＿１〜ｘ＿ｍに与える走査信号を停止する。また水平走査期間１Ｈでは、各列のソース線ｙ＿１〜ｙ＿ｎに与えるデータ信号を停止する。

１フレーム期間ごとにデータ信号を書き換えない駆動方法は、画素が有するトランジスタとしてチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用する場合に特に有効である。酸化物半導体が適用されたトランジスタはシリコン等の半導体が適用されたトランジスタに比べて極めてオフ電流を小さくすることが可能である。そのため、１フレーム期間ごとにデータ信号の書き換えを行わずに前の期間に書き込んだデータを保持させることができ、例えば１秒以上、好ましくは５秒以上に亘って画素の階調を保持することもできる。

［表示装置とタッチセンサの駆動方法の例］
図２２（Ａ）〜（Ｄ）は、一例として図１９（Ａ）、（Ｂ）で説明したタッチセンサと、図２１（Ａ）、（Ｂ）で説明した表示装置とを１ｓｅｃ．（１秒間）駆動する場合に、連続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図２２（Ａ）では、表示装置の１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）、タッチセンサの１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とした場合について示している。

本実施の形態におけるタッチパネルは、表示装置とタッチセンサの動作は互いに独立しており、表示期間と平行してタッチ検知期間とすることができる。そのため図２２（Ａ）に示すように、表示装置およびタッチセンサの１フレーム期間を共に１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）と設定することができる。タッチセンサと表示装置のフレーム周波数を異ならせてもよい。例えば図２２（Ｂ）に示すように、表示装置の１フレーム期間を８．３ｍｓ（フレーム周波数：１２０Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。また、図示しないが、表示装置のフレーム周波数を３３．３ｍｓ（フレーム周波数：３０Ｈｚ）としてもよい。

また表示装置のフレーム周波数を切り替え可能な構成とし、動画像の表示の際にはフレーム周波数を大きく（例えば６０Ｈｚ以上または１２０Ｈｚ以上）し、静止画像の表示の際にはフレーム周波数を小さく（例えば６０Ｈｚ以下、３０Ｈｚ以下、または１Ｈｚ以下）することで、表示装置の消費電力を抑えることができる。またタッチセンサのフレーム周波数を切り替え可能な構成とし、待機時と、タッチを感知した時とでフレーム周波数を異ならせてもよい。

また本実施の形態におけるタッチパネルは、表示装置におけるデータ信号の書き換えを行わずに、前の期間に書き換えたデータを保持することで、表示装置の１フレーム期間を１６．７ｍｓよりも長い期間とすることができる。そのため、図２２（Ｃ）に示すように、表示装置の１フレーム期間を１ｓｅｃ．（フレーム周波数：１Ｈｚ）と設定し、タッチセンサの１フレーム期間を１６．７ｍｓ（フレーム周波数：６０Ｈｚ）とすることもできる。

また、本実施の形態におけるタッチパネルは、図２２（Ｃ）に示す駆動を行う場合、継続してタッチセンサの駆動を行うことができる。そのため、図２２（Ｄ）に示すようにタッチセンサにおける被検知体の近接または接触を検知したタイミングで、表示装置のデータ信号を書き換えることもできる。

ここで、タッチセンサのセンシング期間に表示装置のデータ信号の書き換え動作を行うと、表示装置を駆動させるときのノイズがタッチセンサに伝わることで、タッチセンサの感度を低下させてしまう恐れがある。したがって特に、表示装置のデータ信号の書き換え期間と、タッチセンサのセンシング期間とをずらすように駆動することが好ましい。

図２３（Ａ）では、表示装置のデータ信号の書き換えと、タッチセンサのセンシングとを交互に行う例を示している。また、図２３（Ｂ）では、表示装置のデータ信号の書き換え動作を２回行うごとに、タッチセンサのセンシングを１回行う例を示している。なお、これに限られず３回以上の書き換え動作を行うごとにタッチセンサのセンシングを１回行う構成としてもよい。

また、表示装置の画素に適用されるトランジスタが、チャネルが形成される半導体に酸化物半導体を用いる場合、オフ電流を極めて低減することが可能なため、データ信号の書き換えの頻度を十分に低減することができる。具体的には、データ信号の書き換えを行った後、次にデータ信号を書き換えるまでの間に、十分に長い休止期間を設けることが可能となる。休止期間は、例えば０．５秒以上、１秒以上、または５秒以上とすることができる。休止期間の上限は、トランジスタに接続される容量や表示素子等のリーク電流によって制限されるが、例えば１分以下、１０分以下、１時間以下、または１日以下程度とすることができる。

図２３（Ｃ）では、５秒間に１度の頻度で表示装置のデータ信号の書き換えを行う例を示している。図２３（Ｃ）では表示装置はデータ信号を書き換えたのち、次のデータ信号の書き換え動作までの期間は動作を停止する休止期間が設けられている。休止期間では、タッチセンサがフレーム周波数ｉＨｚ（ｉは表示装置のフレーム周波数以上、ここでは０．２Ｈｚ以上）で駆動することができる。また図２３（Ｃ）に示すように、タッチセンサのセンシングを休止期間に行い、表示装置のデータ信号の書き換え期間には行わないようにすると、タッチセンサの感度を向上させることができ好ましい。また、図２３（Ｄ）に示すように、表示装置のデータ信号の書き換えとタッチセンサのセンシングを同時に行うと、駆動のための信号を簡略化することができる。

また、表示装置のデータ信号の書き換え動作を行わない休止期間では、駆動回路への信号のみの供給を停止してもよいし、これに加えて電源電位の供給も停止することで、より消費電力を低減することができる。

本発明の一態様のタッチパネルは、例えば可撓性を有する２つの基板に表示装置とタッチセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることができる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッチセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチパネルの構成と、駆動方法の一例について、図面を参照して説明する。

［タッチパネルの構成］
図２４は、以下で例示するタッチパネルの構成例を示すブロック図である。図２４に示すように、タッチパネル９０は表示装置９００、制御回路９１０、カウンタ回路９２０、タッチセンサ９５０を有する。

タッチパネル９０には、デジタルデータである画像信号（Ｖｉｄｅｏ）、および表示装置９００の画面の書き換えを制御するための同期信号（ＳＹＮＣ）が入力される。同期信号としては、例えば水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、および基準クロック信号（ＣＬＫ）等がある。

表示装置９００は、表示部９０１、ゲートドライバ９０２、およびソースドライバ９０３を有する。表示部９０１は、複数の画素ＰＩＸを有する。同じ行の画素ＰＩＸは、共通のゲート線Ｌ＿Ｘによりゲートドライバ９０２に接続され、同じ列の画素ＰＩＸは共通のソース線Ｌ＿Ｙによりソースドライバ９０３に接続されている。

表示装置９００には、ハイレベル電圧（ＶＨ）、ローレベル電圧（ＶＬ）、ならびに電源電圧として高電源電圧（ＶＤＤ）および低電源電圧（ＶＳＳ）が供給される。ハイレベル電圧（ＶＨ）は、配線Ｌ＿Ｈを介して、表示部９０１の各画素ＰＩＸに供給される。また、ローレベル電圧（ＶＬ）は、配線Ｌ＿Ｌを介して、表示部９０１の各画素ＰＩＸに供給される。

ソースドライバ９０３は、入力された画像信号を処理し、データ信号を生成し、ソース線Ｌ＿Ｙにデータ信号を出力する。ゲートドライバ９０２は、データ信号が書き込まれる画素ＰＩＸを選択する走査信号をゲート線Ｌ＿Ｘに出力する。

画素ＰＩＸは、走査信号により、ソース線Ｌ＿Ｙとの電気的接続が制御されるスイッチング素子を有する。スイッチング素子がオンとなると、ソース線Ｌ＿Ｙから画素ＰＩＸにデータ信号が書き込まれる。

制御回路９１０は、タッチパネル９０全体を制御する回路であり、タッチパネル９０を構成する回路の制御信号を生成する回路を備える。

制御回路９１０は、同期信号（ＳＹＮＣ）から、ゲートドライバ９０２およびソースドライバ９０３の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。ゲートドライバ９０２の制御信号として、スタートパルス（ＧＳＰ）、クロック信号（ＧＣＬＫ）等があり、ソースドライバ９０３の制御信号として、スタートパルス（ＳＳＰ）、クロック信号（ＳＣＬＫ）等がある。例えば、制御回路９１０は、クロック信号（ＧＣＬＫ、ＳＣＬＫ）として、周期が同じで位相がシフトされた複数のクロック信号を生成する。

また、制御回路９１０は、タッチパネル９０外部から入力される画像信号（Ｖｉｄｅｏ）のソースドライバ９０３への出力を制御する。

また、制御回路９１０は、タッチセンサ９５０から入力されるセンサ信号（Ｓ＿ｔｏｕｃｈ）が入力され、該センサ信号に応じた画像信号への補正を行う。画像信号の補正は、センサ信号に応じて異なるが、タッチに応じた画像処理を施すことになる。

ソースドライバ９０３は、デジタル／アナログ変換回路９０４（以下、Ｄ−Ａ変換回路９０４と呼ぶ。）を有する。Ｄ−Ａ変換回路９０４は、画像信号をアナログ変換し、データ信号を生成する。

なお、タッチパネル９０に入力される画像信号がアナログ信号である場合は、制御回路９１０でデジタル信号に変換し、表示装置９００へ出力する。

画像信号は、フレーム毎の画像データでなる。制御回路９１０は、画像データを画像処理し、その処理で得られた情報を元に、ソースドライバ９０３への画像信号の出力を制御する機能を有する。そのため、制御回路９１０は、画像データを画像処理して、フレーム毎の画像データから動きを検出する動き検出部９１１を備える。またセンサ信号が入力される場合は、センサ信号に従って画像データを元にした画像信号の補正を行うことになる。

動き検出部９１１において、動きがあると判定されると、制御回路９１０はソースドライバ９０３への画像信号の出力を継続する。逆に、動きが無いと判定されると、制御回路９１０はソースドライバ９０３への画像信号の出力を停止する。また再度、動きが有ると判定すると画像信号の出力を再開する。

制御回路９１０は、動き検出部９１１の判定によって、動きのある画像の表示（動画表示）を行うための第１のモードと、動きのない画像の表示（静止画表示）を行うための第２のモードを切り替えて、表示部９０１の表示を制御することができる。第１のモードは、例えば垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が６０Ｈｚとすると、フレーム周波数を６０Ｈｚ以上とするモードである。また第２のモードは、例えば垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が６０Ｈｚとすると、フレーム周波数を６０Ｈｚ未満とするモードである。

第２のモードにおいて、設定するフレーム周波数は、画素の電圧保持特性に応じて予め設定することが好ましい。例えば、動き検出部９１１において一定期間動きが無いと判定され、ソースドライバ９０３への画像信号の出力を停止する場合、画素ＰＩＸに書き込んだ画像信号の階調に対応する電圧が低下することになる。そのため、同一画像の画像信号の階調に対応する電圧を、フレーム周波数の周期毎に書き込む（リフレッシュするともいう）ことが望ましい。このリフレッシュするタイミング（リフレッシュレートともいう）は、例えばカウンタ回路９２０において垂直同期信号（ＶｓｙｎｃのＨレベルをカウントして得られる信号）をもとに、一定期間毎に行う構成とすればよい。

カウンタ回路９２０でリフレッシュレートを１秒間に１回の頻度とする場合、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）の周波数が６０Ｈｚであるとすると、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）のＨレベルを６０回カウントして得られるカウント信号（Ｃｏｕｎｔ）をもとに、リフレッシュを行えばよい。リフレッシュレートを５秒間に１回の頻度とする場合、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）の周波数が６０Ｈｚであるとすると、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）のＨレベルを３００回カウントして得られるカウント信号（Ｃｏｕｎｔ）をもとに、リフレッシュを行えばよい。またカウンタ回路９２０は、タッチセンサ９５０から入力されるセンサ信号が入力される場合、該センサ信号に応じて強制的に第２のモードから第１のモードに切り換える構成としてもよい。

なお、動き検出部９１１で行う動き検出のための画像処理としては、特段の制約は無い。例えば、動き検出方法としては、例えば、連続する２つフレーム間の画像データから差分データを得る方法がある。得られた差分データから動きの有無を判断することができる。また、動きベクトルを検出する方法等もある。

タッチセンサ９５０は、上記実施の形態で説明した動作及び構造を適用することができる。

本実施の形態における表示装置の動作と、タッチセンサ９５０の動作は互いに独立して行うことができるため、表示期間と平行してタッチ感知期間と設けることができる。そのため、制御回路９１０で第１のモード又は第２のモードを切り換える構成であっても、タッチセンサの動作を独立して制御可能である。また、表示装置９００とタッチセンサ９５０の動作を同期させ、表示装置９００のデータ信号の書き換え動作とタッチセンサ９５０のセンシング動作を異なる期間に行うことでセンシングの感度を高めることができる。

［画素の構成例］
図２５（Ａ）は、画素ＰＩＸの構成例を示す回路図である。画素ＰＩＸはトランジスタＴＲ１、トランジスタＴＲ２、発光素子ＥＬ、容量素子ＣＡＰを有する。

トランジスタＴＲ１はソース線Ｌ＿ＹとトランジスタＴＲ１のゲートとの電気的な接続を制御するスイッチング素子として機能し、そのゲートに入力される走査信号によりオン、オフが制御される。トランジスタＴＲ２は、発光素子ＥＬに流す電流を制御するためのスイッチング素子として機能する。

なお、トランジスタＴＲ１、トランジスタＴＲ２には、チャネルが形成される半導体に酸化物半導体を適用することが好ましい。

発光素子ＥＬは、２つの電極間に発光性の有機化合物を含むＥＬ層を挟持する。これら２つの電極間に流れる電流により、発光素子から発する発光の輝度が変化する。発光素子の一方の電極は配線Ｌ＿Ｌからローレベル電位が与えられ、他方の電極にはトランジスタＴＲ２を介して配線Ｌ＿Ｈからハイレベル電位が与えられる。

容量素子Ｃａｐは、トランジスタＴＲ２のゲートの電位を保持する機能を有する。

図２５（Ｂ）は、液晶素子を備える画素ＰＩＸの例である。画素ＰＩＸは、トランジスタＴＲ、液晶素子ＬＣ、容量素子ＣＡＰを有する。

トランジスタＴＲは、液晶素子ＬＣの一方の電極とソース線Ｌ＿Ｙとの電気的接続を制御するスイッチング素子であり、そのゲートに入力される走査信号によりオン、オフが制御される。

なお、トランジスタＴＲには、チャネルが形成される半導体に酸化物半導体を適用することが好ましい。

液晶素子ＬＣは、２つの電極と液晶を有する。液晶は、これら２つの電極間の電界の作用により配向が変化する。液晶素子ＬＣの２つの電極のうち、トランジスタＴＲを介してソース線Ｌ＿Ｙに接続されている一方の電極が画素電極に相当し、Ｖｃｏｍが印加されるコモン線Ｌ＿ｃｏｍに接続されている他方の電極がコモン電極に相当する。

容量素子Ｃａｐは、液晶素子ＬＣと並列に接続される。この場合、容量素子の一方の電極はトランジスタＴＲのソース又はドレインと接続され、容量素子の他方の電極は容量線電圧が印加される容量線Ｌ＿ｃａｐと接続されている。

なお、ここでは、表示素子として、液晶素子ＬＣや、発光素子ＥＬを用いた場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、干渉変調（ＩＭＯＤ）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

例えば、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。

パッシブマトリクス型は、能動素子を用いないため、製造工程が少く、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

［タッチパネルの駆動方法例］
以下、図２６に示すタイミングチャートを用いて、動画表示を行う第１のモードと、静止画表示を行う第２のモードによる表示を行うタッチパネル９０の動作を説明する。図２６には、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、およびソースドライバ９０３からソース線Ｌ＿Ｙに出力されるデータ信号（Ｖｄａｔａ）の信号波形を示す。

図２６には一例として、動画表示、次いで静止画表示、そして再度動画表示を行う場合のタッチパネル９０のタイミングチャートである。ここでは、始めの１フレーム目からｋフレーム目までの画像データには動きがあるとする。次いで（ｋ＋１）フレーム目から（ｋ＋３）フレーム目まで画像データには動きが無いとする。次いで（ｋ＋４）フレーム目以降の画像データには動きがあるとする。なお、ｋは２以上の整数である。

最初の動画表示期間では、動き検出部９１１において、各フレームの画像データに動きがあると判定される。従ってタッチパネル９０は、第１のモードで動作する。制御回路９１０では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数ｆ_１として、画像信号（Ｖｉｄｅｏ）をソースドライバ９０３に出力する。そしてソースドライバ９０３は、データ信号（Ｖｄａｔａ）のソース線Ｌ＿Ｙへの出力を連続的に行うものとする。なお動画表示期間での１フレーム期間の長さは、１／ｆ_１（秒）で表される。

次いで静止画表示期間では、動き検出部９１１において、動き検出のための画像処理を行い、第ｋ＋１フレーム目の画像データに動きが無いと判定する。従ってタッチパネル９０は、第２のモードで動作する。制御回路９１０では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数未満、ここではフレーム周波数ｆ_２として、ソースドライバ９０３に出力する。そしてソースドライバ９０３は、データ信号（Ｖｄａｔａ）のソース線Ｌ＿Ｙへの出力を間欠的に行うものとする。なお静止画表示期間での１フレーム期間の長さは、１／ｆ_２（秒）で表される。

ソースドライバ９０３がデータ信号（Ｖｄａｔａ）の出力を間欠的に行うことができるため、ゲートドライバ９０２およびソースドライバ９０３への制御信号（スタートパルス信号、クロック信号等）の供給も併せて間欠的に行えばよく、定期的にゲートドライバ９０２およびソースドライバ９０３を停止することができる。

第２のモードにおける間欠的なソース線Ｌ＿Ｙへのデータ信号（Ｖｄａｔａ）の出力について、具体的に説明する。一例としては、図２６に示すように、第（ｋ＋１）フレーム目になると、制御回路９１０は、ゲートドライバ９０２およびソースドライバ９０３へ制御信号を出力し、フレーム周波数をｆ_２としてソースドライバ９０３へ画像信号Ｖｉｄｅｏを出力する。ソースドライバ９０３は、前の期間に書き込んだデータ信号（Ｖｄａｔａ）、すなわち第ｋフレーム目においてソース線Ｌ＿Ｙに出力されたデータ信号（Ｖｄａｔａ）をソース線Ｌ＿Ｙに出力する。このようにして静止画表示期間では、前の期間に書き込んだデータ信号（Ｖｄａｔａ）が、期間１／ｆ_２（秒）毎に、ソース線Ｌ＿Ｙに繰り返し書き込まれる。そのため、同一画像の画像信号の階調に対応する電圧をリフレッシュすることができる。定期的にリフレッシュをすることで、電圧が低下して起こる階調のずれに起因するちらつき（フリッカー）を低減でき、表示品位の向上したタッチパネルとすることができる。

そして制御回路９１０では、動き検出部９１１で、画像データに動きがあるとの判定結果、又はセンサ信号の入力が得られるまで、第２のモードで動作する。

そして、動き検出部９１１において、第（ｋ＋４）フレーム目以降の画像データに動きがあると判定すると、タッチパネル９０は再び第１のモードで動作する。制御回路９１０では、フレーム周波数を垂直同期信号の周波数以上、ここではフレーム周波数ｆ_１として、画像信号（Ｖｉｄｅｏ）をソースドライバ９０３に出力する。そしてソースドライバ９０３は、データ信号（Ｖｄａｔａ）のソース線Ｌ＿Ｙへの出力を連続的に行うものとする。

本発明の一態様のタッチパネルは、例えば可撓性を有する２つの基板に表示装置とタッチセンサが挟持された構成とし、表示装置とタッチセンサの距離を極めて近づけることができる。このとき、表示装置の駆動時のノイズがタッチセンサに伝搬しやすくなり、タッチセンサの感度が低下してしまう恐れがあるが、本実施の形態で例示した駆動方法を適用することで、薄型化と高い検出感度を両立したタッチパネルを実現できる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、本発明の一態様の電子機器を作製した。

本実施例で作製した電子機器が有する表示パネルは、作製基板（ガラス基板）上に、剥離層（タングステン膜）を形成し、剥離層上にトランジスタ、発光素子などを含む被剥離層を形成した後、作製基板と被剥離層を分離し、接着剤を用いて可撓性基板を当該被剥離層に貼り付けることで作製した。

トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した。ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する発光装置を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高い。

本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。

プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。

発光素子には、白色の光を呈するタンデム（積層）型の有機ＥＬ素子を用いた。発光素子はトップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを通して表示パネルの外部に取り出される。

作製した表示パネルは、表示部のサイズが対角５．９インチ、画素数が７２０×１２８０、画素サイズが１０２μｍ×１０２μｍ、解像度が２４９ｐｐｉ、開口率が４５．２％である。またフレーム周波数は６０Ｈｚであり、スキャンドライバを内蔵し、ソースドライバはＣＯＦ方式により実装した。作製した表示パネルの厚さは１００μｍ以下であり、重量は約３ｇであった。

図２７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に、作製した電子機器の写真を示す。図２７（Ａ）は表示パネルの表示面が平面である状態であり、図２７（Ｂ）は表示パネルを折り畳む途中の状態であり、図２７（Ｃ）は、表示パネルを折り畳んだ状態を示している。なお、明瞭化のため図２７（Ｂ）（Ｃ）には符号等を省略している。

図２７（Ａ）等に示す電子機器は、表示パネル１０１、支持体１４２ａ、支持体１４２ｂ、支持体１４２ｃ、ヒンジ１４３ａ、ヒンジ１４３ｂを有する。また支持体１４２ｂは、その両端の長さが変化する機構（スライド機構１６５）を有している。

このように、本発明の一態様の電子機器は、表示パネル１０１の表示面が平面である状態から、折り畳んだ状態へと表示パネル１０１が破損してしまうことなく容易に変形させることができる。

以上が実施例についての説明である。

本実施例は、少なくともその一部を本明細書中に記載する実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１００ 電子機器
１０１ 表示パネル
１０１ａ 部分
１０１ｂ 部分
１０１ｃ 部分
１０２ａ 支持体
１０２ｂ 支持体
１０２ｃ 支持体
１０３ ヒンジ
１０３ａ ヒンジ
１０３ｂ ヒンジ
１１０ ヒンジ
１１０ａ 平面
１１０ｂ 平面
１１１ 回転軸
１１１ａ 回転軸
１１１ｂ 回転軸
１２０ 電子機器
１２１ 電極
１２２ 電極
１３０ 電子機器
１４０ 電子機器
１４１ 筐体
１４２ａ 支持体
１４２ｂ 支持体
１４２ｃ 支持体
１４３ａ ヒンジ
１４３ｂ ヒンジ
１４４ プリント基板
１４５ 操作ボタン
１４７ ＦＰＣ
１４８ 端子接続部
１４９ バッテリ
１５１ａ 回転軸
１５１ｂ 回転軸
１６０ 電子機器
１６１ 筐体
１６２ａ 部材
１６２ｂ 部材
１６２ｃ 部材
１６３ ネジ
１６４ 開口部
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０５ 作製基板
２０７ 剥離層
２３０ 発光素子
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６０ 封止層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ トランジスタ
６２１ 電極
６２２ 電極
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
９０ タッチパネル
９００ 表示装置
９０１ 表示部
９０２ ゲートドライバ
９０３ ソースドライバ
９０４ Ｄ−Ａ変換回路
９１０ 制御回路
９１１ 検出部
９２０ カウンタ回路
９５０ タッチセンサ

Claims (12)

1. 第１の支持体と、第２の支持体と、第１のヒンジと、表示パネルと、を有する電子機器であって、
   前記表示パネルは、前記第１の支持体に支持される第１の部分と、前記第２の支持体に支持される第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分の間に位置し、可撓性を有する第３の部分と、を有し、
   前記表示パネルは、前記第１の部分、前記第２の部分、及び前記第３の部分と重なる表示面を有し、
   前記第１のヒンジは、第１の回転軸を有し、且つ前記第１の支持体と前記第２の支持体とを接続する機能を有し、
   前記第１の支持体と前記第２の支持体とは、前記第１の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有し、
   前記第１の部分と重なる前記表示面を含む第１の平面と、前記第１の回転軸とが平行であり、
   前記第２の部分と重なる前記表示面を含む第２の平面と、前記第１の回転軸とが平行であり、
   前記第１の平面と、前記第１の回転軸との距離が、０より大きく、
   前記第２の平面と、前記第１の回転軸との距離が、０より大きい、
   電子機器。
2. 請求項１において、
   前記第１の平面と前記第１の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、
   前記第２の平面と前記第１の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である、
   電子機器。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の平面と前記第１の回転軸との距離と、前記第２の平面と前記第１の回転軸との距離とが概略等しい、
   電子機器。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の支持体と前記第２の支持体とは、前記第１の支持体と前記第２の支持体を水平にした状態から、前記第１の回転軸を中心に１８０度よりも大きい角度で相対的に回転可能な、
   電子機器。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の平面及び前記第２の平面が一致するとき、前記第１の回転軸が前記表示面側に位置し、
   前記第３の部分と互いに重なる前記表示面が凹面になるように、前記表示パネルを折り曲げ可能な、
   電子機器。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の平面及び前記第２の平面が一致するとき、前記第１の回転軸が前記表示面とは反対側に位置し、
   前記第３の部分と互いに重なる前記表示面が凸面になるように、前記表示パネルを折り曲げ可能な、
   電子機器。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   第３の支持体と、第２のヒンジと、をさらに有し、
   前記第２のヒンジは、第２の回転軸を有し、且つ前記第２の支持体と前記第３の支持体とを接続する機能を有し、
   前記第２の支持体と前記第３の支持体とは、前記第２の回転軸を中心に相対的に回転する機能を有し、
   前記表示パネルは、前記第３の支持体に支持される第４の部分と、前記第２の部分と前記第４の部分との間に位置し、可撓性を有する第５の部分と、を有し、
   前記表示面は、前記第４の部分、及び前記第５の部分と重なる部分を有し、
   前記第４の部分と重なる前記表示面を含む第３の平面と、前記第２の回転軸とが平行であり、
   前記第２の平面と、前記第２の回転軸とが平行であり、
   前記第２の平面と、前記第２の回転軸との距離が０より大きく、
   前記第３の平面と、前記第２の回転軸との距離が０より大きい、
   電子機器。
8. 請求項７において、
   前記第２の平面と前記第２の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、
   前記第３の平面と前記第２の回転軸との距離が０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である、
   電子機器。
9. 請求項７または請求項８において、
   前記第２の平面と前記第２の回転軸との距離と、前記第３の平面と前記第２の回転軸との距離とが概略等しい、
   電子機器。
10. 請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
    前記第２の支持体と前記第３の支持体とは、前記第２の支持体と前記第３の支持体を水平にした状態から、前記第２の回転軸を中心に１８０度よりも大きい角度で相対的に回転可能な、
    電子機器。
11. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記第２の平面及び前記第３の平面が一致するとき、前記第２の回転軸が前記表示面側に位置し、
    前記第５の部分と互いに重なる前記表示面が凹面になるように、前記表示パネルを折り曲げ可能な、
    電子機器。
12. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記第２の平面及び前記第３の平面が一致するとき、前記第２の回転軸が前記表示面とは反対側に位置し、
    前記第５の部分と互いに重なる前記表示面が凸面になるように、前記表示パネルを折り曲げ可能な、
    電子機器。