JP7198220B2

JP7198220B2 - 表示パネル

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Publication number: JP7198220B2
Application number: JP2019556426A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 広樹安達; 晋吾江口
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2017-11-30
Filing date: 2018-11-19
Publication date: 2022-12-28
Anticipated expiration: 2038-11-19
Also published as: KR102660793B1; CN111357041B; WO2019106480A1; US20240074227A1; KR102882759B1; KR20200088336A; JP2024045429A; CN111357041A; JP7612072B2; US20220310973A1; US20250378801A1; JP2023030051A; CN116798316A; KR20240060692A; JPWO2019106480A1; JP7433406B2; US11309523B2; JP2025036517A; US20200365827A1; US12412547B2

Description

本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

第１の面と、第１の面に対向する第２の面と、第１の面と第２の面の間に中立面と、を備える機能パネルであって、第１の面から中立面までの領域に、機能層の厚さの半分以上の厚さを備える機能層の一部が配置される構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１６－０８１０５１号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、第１の領域７００Ａと、第２の領域７００Ｂと、表示領域２３１と、を有する表示パネルである。

第１の領域７００Ａは、表示領域２３１の一部を含む。

第２の領域７００Ｂは表示領域２３１の他の一部を含み、第２の領域７００Ｂは第１の部材７９１を備え、第２の領域７００Ｂは第１の部材７９１を外側に向けて湾曲することができる。

第１の部材７９１は、第１の弾性体７９１Ａおよび第２の弾性体７９１Ｃを備える。

第２の弾性体７９１Ｃは第１の弾性体７９１Ａに一部または全部が覆われる端部を備え、第２の弾性体７９１Ｃは第１の弾性体７９１Ａより大きい弾性率を備える。

これにより、第２の領域７００Ｂの湾曲のし易さを調整することができる。または、所定の大きさより大きい曲率半径で湾曲することができる。または、曲率半径が所定の大きさより小さくならないように湾曲することができる。または、曲率半径が異なる複数の湾曲部を第２の領域７００Ｂに形成することができる。または、Ｕ字型に湾曲することができる。または、繰り返し湾曲することができる。または、不可逆な折り目の形成を抑制することができる。または、第２の領域７００Ｂと重なる表示領域を保護することができる。または、第２の領域７００Ｂの強度を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（２）また、本発明の一態様は、上記の表示領域２３１が、第１の部材７９１が配設されていない方向に向けて表示をする機能を備える表示パネルである。

これにより、第１の部材７９１に遮られることなく表示をすることができる。または、第２の領域７００Ｂにおいてしわの形成を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、上記の第２の領域７００Ｂが、２ｍｍより大きい曲率半径で湾曲することができる表示パネルである。

これにより、不具合を生じることなく表示パネルを繰り返し湾曲することができる。または、湾曲した状態の厚さを薄くできる。例えば、曲率半径が５ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは２ｍｍより大きい曲率半径で湾曲することができる。具体的には、５万回以上繰り返して湾曲することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（４）また、本発明の一態様は、上記の第２の領域７００Ｂが、前記第１の部材７９１の厚さに１００μｍを加えた厚さより薄く、好ましくは８０μｍを加えた厚さより薄く、より好ましくは５０μｍを加えた厚さより薄い、表示パネルである。

これにより、表示パネルの厚さを薄くすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（５）また、本発明の一態様は、上記の第１の部材７９１が、断面において、端部に向かって薄くなる形状を備える表示パネルである。

これにより、第１の部材７９１の剛性を端部に向かって緩やかに小さくすることができる。または、曲率半径が端部に向かって緩やかに小さくなるように、第２の領域７００Ｂを湾曲することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、上記の第１の部材７９１が、表示領域２３１を横切る帯状の形状を備える表示パネルである。

これにより、第１の部材７９１に沿って表示領域を二つに畳むことができる。または、表示領域２３１の一部を他の一部と向い合せることができる。または、表示パネルの外形を小さくすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、封止材７０５、第１の基材５１０と、第２の基材７７０と、第３の領域７００Ｃと、を有する表示パネルである。

封止材７０５は、第１の基材５１０および第２の基材７７０の間に挟まれる。

第２の基材７７０は、第１の基材５１０と重なる領域を備える。

第１の領域７００Ａは上記の重なる領域の一部を含み、第２の領域７００Ｂは上記の重なる領域の他の一部を含む。

第３の領域７００Ｃは上記の重なる領域、第１の基材５１０の端部、第２の基材７７０および第２の部材７９２を含む。

第２の部材７９２は第１の基材５１０の端部を覆い、第２の部材７９２は封止材７０５より低い透湿性を備える表示パネルである。

これにより、外部から第１の基材５１０および第２の基材７７０の間の機能層５２０または表示素子５５０（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。または、第１の基材５１０および第２の基材７７０の端部を保護することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（８）また、本発明の一態様は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する表示パネルである。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。

機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備え、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、電子データを表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の表示領域２３１が、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および信号線Ｓ２（ｊ）を備える表示パネルである。

一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向に配設される。

他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向に配設される。

走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ２（ｊ）は、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、上記の表示パネル７００と、制御部２３８と、を有する表示装置である。

制御部２３８は画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給され、制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御部２３８は制御情報ＣＩにもとづいて制御信号ＳＰを生成し、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。

表示パネル７００は情報Ｖ１１または制御信号ＳＰを供給され、画素は情報に基づいて表示する。

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（１１）また、本発明の一態様は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する入出力装置である。

表示部２３０は、上記の表示パネル７００を備える。

入力部２４０は検知領域２４１を備え、入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する。検知領域２４１は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（１２）また、本発明の一態様は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する情報処理装置である。

演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給され、演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。

入出力装置２２０は入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給し、入出力装置２２０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給され、入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。

表示部２３０は上記の表示パネル７００を備え、表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて画像情報Ｖ１を表示する。

入力部２４０は入力情報ＩＩを生成し、検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。

（１３）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図および回路図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャート。実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図。実施の形態に係る情報処理装置の人工知能部を説明する図。実施例に係るトランジスタの特性を説明する図。

本発明の一態様は、第１の領域と、第２の領域と、表示領域と、を有する表示パネルであって、第２の領域は表示領域の一部を含み、第２の領域は第１の部材を備え、第２の領域は第１の部材を外側に向けて湾曲することができ、第１の部材は第１の弾性体および第２の弾性体を備え、第２の弾性体は第１の弾性体に一部または全部が覆われる端部を備え、第２の弾性体は第１の弾性体より大きい弾性率を備える。

これにより、所定の大きさより大きい曲率半径で湾曲することができる。または、曲率半径が所定の大きさより小さくならないように湾曲することができる。または、繰り返し湾曲することができる。または、不可逆な折り目の形成を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図４を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の側面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の上面図である。

図２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ａ１－Ａ２における断面図であり、図２（Ｃ）は湾曲した状態を説明する断面図である。

図３（Ａ）は図２（Ｂ）の一部を説明する断面図であり、図３（Ｂ）は図２（Ｂ）の一部を湾曲した状態の断面図である。

図４は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図４（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線Ａ１－Ａ２における断面図であり、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）の一部を説明する図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、領域７００Ａと、領域７００Ｂと、表示領域２３１と、を有する（図１（Ａ）および図１（Ｃ）参照）。

《表示領域２３１の構成例１．》
表示領域２３１は画像を表示する機能を備える。

《領域７００Ａ》
領域７００Ａは、表示領域２３１の一部を含む。

《領域７００Ｂの構成例１．》
領域７００Ｂは、表示領域２３１の他の一部を含む。

領域７００Ｂは、部材７９１を備え、領域７００Ｂは、部材７９１を外側に向けて湾曲することができる。

《部材７９１の構成例１．》
部材７９１は、弾性体７９１Ａおよび弾性体７９１Ｃを備える（図１（Ｂ）参照）。

弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ａに一部または全部が覆われる端部を備え、弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ａより大きい弾性率を備える。または、弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ａより小さい破断伸び率を備える。なお、引っ張り試験において、試料が破断したときの長さの、元の長さに対する比を破断伸び率という。

《弾性体７９１Ａ、弾性体７９１Ｃの構成例》
例えば、樹脂、ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴムなどを弾性体７９１Ａおよび弾性体７９１Ｃに用いることができる。

具体的には、弾性率が０．１ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の材料を弾性体７９１Ａに用いることができる。また、弾性率が０．８ＭＰａ以上１．２ＭＰａ以下の材料を弾性体７９１Ｃに用いることができる。または、破断伸び率３５０％の材料を弾徃体７９１Ａに用いることができる。また、破断伸び率２００％の材料を弾性体７９１Ｃに用いることができる。

弾性体７９１Ｃは、弾性体７９１Ａに比べて湾曲しにくい。これにより、領域７００Ｂを湾曲する場合、弾性体７９１Ｃと重なる部分Ｐ３の曲率半径Ｒ３は、弾性体７９１Ａと重なる部分Ｐ１の曲率半径Ｒ１より大きい（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。また、弾性体７９１Ｃおよび弾性体７９１Ａの境界Ｐ２と重なる部分の曲率半径Ｒ２は、曲率半径Ｒ１より大きく、曲率半径Ｒ３より小さい。

これにより、領域７００Ｂの湾曲のし易さを調整することができる。または、所定の大きさより大きい曲率半径で湾曲することができる。または、曲率半径が所定の大きさより小さくならないように湾曲することができる。または、曲率半径が異なる複数の湾曲部を領域７００Ｂに形成することができる。または、Ｕ字型に湾曲することができる。

または、領域７００Ｂにおいて、繰り返し湾曲することができる。または、不可逆な折り目の形成を抑制することができる。または、領域７００Ｂと重なる表示領域２３１を保護することができる。または、領域７００Ｂの強度を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《表示領域２３１の構成例２．》
表示領域２３１は、部材７９１が配設されていない方向に向けて表示をする機能を備える（図１（Ａ）参照）。

これにより、部材７９１に遮られることなく表示をすることができる。または、第２の領域７００Ｂにおいてしわの形成を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《領域７００Ｂの構成例２．》
領域７００Ｂは、２ｍｍより大きい曲率半径で湾曲することができる（図１（Ｂ）参照）。

《領域７００Ｂの構成例３．》
領域７００Ｂは、部材７９１の厚さＴ２２に１００μｍを加えた厚さＴ２１より薄い（図３（Ａ）参照）。なお、領域７００Ｂは、部材７９１の厚さＴ２２に８０μｍを加えた厚さより薄いと好ましく、厚さＴ２２に５０μｍを加えた厚さより薄いとより好ましい。

《部材７９１の構成例２．》
部材７９１は、断面において、端部に向かって薄くなる形状を備える（（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

これにより、部材７９１の剛性を端部に向かって緩やかに小さくすることができる。または、曲率半径が端部に向かって緩やかに小さくなるように領域７００Ｂを湾曲することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《部材７９１の構成例３．》
部材７９１は、表示領域２３１を横切る帯状の形状を備える（図２（Ａ）および図２（Ｂ）参照）。

これにより、第１の部材に沿って表示領域を二つに畳むことができる（図２（Ｃ）参照）。または、表示領域の一部を他の一部と向い合せることができる。または、表示パネルの外形を小さくすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネルの構成例２．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、封止材７０５、基材５１０と、基材７７０と、領域７００Ｃと、を有する（図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照）。また、部材７９１は弾性体７９１Ａ、弾性体７９１Ｂおよび弾性体７９１Ｃを備える。なお、弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ｂに一部が覆われる端部を備え、弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ｂより大きい弾性率を備える。または、弾性体７９１Ｃは弾性体７９１Ｂより小さい破断伸び率を備える。例えば、弾性体７９１Ａに用いることができる材料を、弾性体７９１Ｂに用いることができる。

《封止材７０５の構成例》
封止材７０５は、第１の基材５１０および第２の基材７７０の間に挟まれる。

《基材５１０および基材７７０の構成例》
基材７７０は、基材５１０と重なる領域を備える。

領域７００Ａは上記の重なる領域の一部を含み、領域７００Ｂは上記の重なる領域の他の一部を含む。

基材５１０および基材７７０は、可撓性を備える。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下による破損等の発生頻度を低減することができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの樹脂を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。または、作製工程中に加わる熱に耐性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を、例えば、基材５１０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《領域７００Ｃ》
領域７００Ｃは、上記の重なる領域、基材５１０の端部、基材７７０および部材７９２を含む（図４（Ｃ）参照）。

《部材７９２》
部材７９２は基材５１０の端部を覆い、部材７９２は封止材７０５より低い透湿性を備える。

例えば、部材７９１の一部を部材７９２に用いることができる。具体的には、弾性体７９１Ａまたは弾性体７９１Ｂを部材７９２に用いることができる。

または、膜または積層膜を部材７９２に用いることができる。具体的には、透湿性が１０^－５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^－６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の材料を部材７９２に用いることができる。例えば、無機膜または有機膜を含む材料を部材７９２に用いることができる。具体的には、金属膜、金属および酸素を含む膜、金属および窒素を含む膜、架橋高分子を含む膜などを部材７９２に用いることができる。

または、弾性体７９１Ａ以上の弾性率を備える材料を部材７９２に用いることができる。または、弾性体７９１Ｂ以上の弾性率を備える材料を部材７９２に用いることができる。弾性体７９１Ａ以下の破断伸び率を備える材料を部材７９２に用いることができる。または、弾性体７９１Ｂ以下の破断伸び率を備える材料を部材７９２に用いることができる。または、部材７９１以上の剛性を備える材料を、部材７９２に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図５乃至図７を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図５（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は図５（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。

図６（Ａ）は図５（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ９－Ｘ１０における断面図である。また、図６（Ｂ）は表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。

図７（Ａ）は、本発明の一態様の表示パネルの画素の構成を説明する図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す画素の一部を説明する断面図である。

＜表示パネルの構成例３．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図５（Ａ）参照）。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図６（Ａ）参照）。

《機能層５２０の構成例１．》
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図７（Ａ）参照）。

例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。

例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる（図６（Ｂ）、図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を備える（図７（Ａ）参照）。

例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（ＱｕａｔｕｍＤｏｔＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例１．》
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

具体的には、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）、発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋１）および発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋２）に、色相が互いに異なる光を発する材料を用いることができる。これにより、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の色相を、列ごとに異ならせることができる。

例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料および赤色の光を発する材料を、色相が互いに異なる光を発する材料に用いることができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例２．》
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

具体的には、色相が互いに異なる光を発する材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。または、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、発光ユニットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は、電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。

例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。また、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。

例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

《電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２》
電極５５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａ（ｉ，ｊ）において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図７（Ａ）参照）。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。

例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。これにより、例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整することができる。または、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。

例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。

《スイッチＳＷ２の構成例１．》
スイッチＳＷ２に用いるトランジスタは半導体を含む（図７（Ｂ）参照）。

トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図７（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

《トランジスタＭの構成例１．》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜をスイッチＳＷ２に用いるトランジスタおよびトランジスタＭに用いることができる。また、同一の構成をスイッチＳＷ２に用いるトランジスタおよびトランジスタＭに用いることができる。

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。導電膜５２４を、例えば、導電膜５０４と電気的に接続することができる。

なお、例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、駆動回路のトランジスタに用いることができる。

《半導体膜５０８の構成例１．》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。

［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

《半導体膜５０８の構成例２．》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜５０８にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜５０８に用いたトランジスタを用いることができる。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《半導体膜５０８の構成例３．》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。

例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例２．》
表示領域２３１は、複数の画素を備える。例えば、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える画素を表示領域２３１に用いることができる。または、当該複数の画素を用いて、各々の画素では表示できない色相の色を、加法混色または減法混色により表示することができる。

なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図５（Ｃ）参照）。

また、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）および画素７０２（ｉ＋１，ｊ＋１）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図５（Ｅ）参照）。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

《機能層５２０の構成例２．》
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５１６を備える。例えば、下面および下面に対向する上面を備える絶縁膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。

具体的には、半導体膜５０８に接する下面および半導体膜５０８（２）に接する上面を備える絶縁膜を、絶縁膜５１６に用いることができる（図８（Ｂ）および図８（Ｃ）参照）。

例えば、積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、半導体膜５０８上に絶縁膜５１６の一部を形成し、当該一部の上に絶縁膜５１６の他の部分を形成し、当該他の部分の上に半導体膜５０８（２）を形成することができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例３．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。

例えば、トランジスタＭに用いる半導体膜を形成する工程とは別の工程で形成された半導体膜を備えるトランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる（図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）参照）。または、トランジスタＭに用いる半導体膜の組成とは別の組成の半導体膜を備えるトランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。

具体的には、半導体膜５０８を備えるトランジスタをスイッチＳＷ２に用い、半導体膜５０８（２）を備えるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる。

これにより、例えば、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタより、トランジスタＭの電流駆動能力を高くすることができる。または、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極を、トランジスタＭのゲート電極に用いることができる。または、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの半導体膜５０８とトランジスタＭの半導体膜５０８（２）の距離を近づけることができる。または、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタおよびトランジスタＭが占有する面積を小さくすることができる。または、画素の開口率を高めることができる。または、画素を微細にすることができる。または、高精細な表示パネルを提供することができる。または、画素回路のレイアウトの自由度を高めることができる。または、微細な画素に配置するトランジスタの数を多くすることができる。

なお、図示しないが、他の構成としては、例えば、半導体膜５０８（２）を備えるトランジスタをスイッチＳＷ２に用い、半導体膜５０８を備えるトランジスタをトランジスタＭに用いてもよい。

＜表示パネルの構成例４．＞
また、表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図５（Ａ）参照）。

表示領域２３１は、走査線Ｇ２（ｉ）および信号線Ｓ２（ｊ）を備える。

《表示領域２３１の構成例３．》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図５（Ｃ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色の光を射出する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色の光を射出する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満である色の光を射出する。

また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。

＜表示パネルの構成例５．＞
また、表示パネル７００は、基材５１０、基材７７０および絶縁膜５０１Ｃを備える（図７（Ａ）参照）。

絶縁膜５０１Ｃは、基材５１０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０は、絶縁膜５０１Ｃおよび基材７７０の間に挟まれる領域を備える。

《機能層５２０の構成例３．》
機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁膜５０１Ｃ等を備える。

［絶縁膜５２１］
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図７（Ａ）参照）。

例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。

例えば、透光性を有する材料を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜５２１に用いることができる。

［絶縁膜５１８］
絶縁膜５１８は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。なお、積層膜を絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。

［絶縁膜５１６］
絶縁膜５１６は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５１８の間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。なお、積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを積層した絶縁膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

［絶縁膜５０６、絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４Ｅの間に挟まれる領域を備える（図７（Ｂ）参照）。また、絶縁膜５０１Ｄは、半導体膜５０８および導電膜５２４の間に挟まれる領域を備える。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６または絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

［絶縁膜５０１Ｃ］
絶縁膜５０１Ｃは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基材５１０の間に挟まれる領域を備える（図７（Ａ）参照）。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

［絶縁膜５２８］
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図７（Ａ）参照）。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、酸化シリコン膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。

《機能層７２０》
機能層７２０は、着色膜ＣＦ１、絶縁膜７７１および遮光膜ＢＭを備える。

着色膜ＣＦ１は、基材７７０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体膜に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。

酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。

また、非単結晶酸化物半導体の１つとして、半結晶性酸化物半導体（Ｓｅｍｉ－ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼称される酸化物半導体が挙げられる。半結晶性酸化物半導体とは、単結晶酸化物半導体と非晶質酸化物半導体との中間構造を有する。半結晶性酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と比較して構造が安定である。例えば、半結晶性酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ構造を有し、かつＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－ＡｌｉｇｎｅｄＣｏｍｐｏｓｉｔｅ）構成である酸化物半導体がある。ＣＡＣの詳細については、以下で説明を行う。

また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜には、ＣＡＣ－ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ－ＡｌｉｇｎｅｄＣｏｍｐｏｓｉｔｅｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。

なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体膜は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ－ＯＳまたはＣＡＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。

なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体膜として、ＣＡＣ－ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ－ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。

以下では、ＣＡＣ－ＯＳの詳細について説明する。

ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１－ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折測定から、測定領域のａ－ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ－ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、表示パネルをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図５および図９を参照しながら説明する。

図９は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。

＜表示パネルの構成例６．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図９参照）。

《表示領域２３１の構成例５．》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する（図９参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

また、図示しないが、表示領域２３１は、導電膜ＶＣＯＭ２と、導電膜ＡＮＯとを有する。

一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

表示領域２３１は、１インチあたり６００個以上の画素を備える。

これにより、画素の精細度を保ちつつ、開口率を大きくすることができる。または、開口率を保ちつつ、画素の精細度を高めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《表示領域２３１の構成例６．》
表示領域２３１は７６００個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。例えば、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。

＜表示パネルの構成例７．＞
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図５（Ｃ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の色を表示する。

＜表示パネルの構成例８．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の駆動回路を備えることができる。例えば、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図９参照）。

《駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ》
駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。

または、プログレッシブ方式を用いて、１２０Ｈｚのフレーム周波数で表示をすることができる。または、国際規格であるＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎＩＴＵ－ＲＢＴ．２０２０－２を満たす、極めて高解像度な表示をすることができる。または、極めて高解像度な表示をすることができる。

《駆動回路ＳＤ（１）》
駆動回路ＳＤ（１）は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図９参照）。

駆動回路ＳＤ（１）は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤ（１）に用いることができる。

例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤ（１）に用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏｎｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（ＣｈｉｐｏｎＦｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１０を参照しながら説明する。

図１０は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００とを有する（図１０参照）。

《制御部２３８の構成例》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩにもとづいて制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。

具体的には、制御部２３８は、制御回路２３３、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を備える。

《制御回路２３３》
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。

制御回路２３３は制御信号ＳＰを供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ（１）または駆動回路ＳＤＡ（１）等の動作を開始するスタートパルスを制御信号ＳＰに用いることができる。これにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。

例えば、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。

なお、制御回路２３３を表示パネルに含めることもできる。例えば、リジッド基板に実装された制御回路２３３を表示パネルに用いることができる。また、リジッド基板に実装された制御回路２３３を、フレキシブルプリント基板を用いて駆動回路に電気的に接続することができる。

具体的には、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＢ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）および駆動回路ＧＤＢ（２）と電気的に接続することができる。また、駆動回路ＳＤＡ（１）、駆動回路ＳＤＢ（１）、駆動回路ＳＤＣ（１）、駆動回路ＳＤＡ（２）、駆動回路ＳＤＢ（２）および駆動回路ＳＤＣ（２）と電気的に接続することができる。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。

《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。

画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。

《表示パネルの構成例》
表示パネル７００は情報Ｖ１１または制御信号ＳＰを供給される。駆動回路は制御信号ＳＰに基づいて動作し、画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。

例えば、実施の形態１乃至実施の形態４において説明する表示パネルを用いることができる。

例えば、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＢ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）および駆動回路ＧＤＢ（２）は、制御信号ＳＰに基づいて選択信号を供給する機能を備える。

例えば、駆動回路ＳＤＡ（１）、駆動回路ＳＤＢ（１）、駆動回路ＳＤＣ（１）、駆動回路ＳＤＡ（２）、駆動回路ＳＤＢ（２）および駆動回路ＳＤＣ（２）は制御信号ＳＰを供給され、情報Ｖ１１を供給する。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１１参照）。

《表示部２３０》
例えば、実施の形態１または実施の形態２に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。

《入力部２４０の構成例１．》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。

検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

《入力部２４０の構成例２．》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図１１参照）。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。

また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。

これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。

具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１２乃至図１５を参照しながら説明する。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１２（Ｂ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。

図１３は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１３（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１３（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１４は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１４（Ｂ）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１４（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。

図１５は本発明の一態様の人工知能部を説明する図である。図１５（Ａ）は本発明の一態様の人工知能部を説明するブロック図である。図１５（Ｂ）は本発明の一態様のニューラルネットワークを説明するブロック図である。図１５（Ｃ）は本発明の一態様のニューロン回路を説明するブロック図である。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図１２（Ａ）参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１２（Ｂ）参照）。

《演算装置２１０の構成例１．》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。

演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算部２１１は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給される（図１２（Ａ）参照）。

例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を変化させる信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態６において説明する入出力装置を用いることができる。

表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。

入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。

検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。

《表示部２３０》
表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて画像を表示する機能を備える。

表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤＡ（１）と、駆動回路ＳＤＡ（１）と、表示パネル７００と、を有する（図１０参照）。例えば、実施の形態５において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

《入力部２４０》
入力部２４０は、位置情報を供給する機能を備える。さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１２（Ａ）参照）。

例えば、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

《検知部２５０》
検知部２５０は検知情報ＤＳを供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。

例えば、光検出器、照度センサ、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（ＧｌｏｂａｌｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《演算装置２１０の構成例２．》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図１２（Ａ）参照）。

《人工知能部２１３の構成例１．》
人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成する（図１５（Ａ）参照）。

人工知能部２１３は半導体装置９０を備える。

［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、入力情報ＩＩが撮影された環境が屋内であるかまたは屋外であるか、入力情報ＩＩが撮影された環境が昼であるかまたは夜であるか、等を推論し、それを特徴とすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるようにするための制御情報ＣＩを生成することができる。

具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。

なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

《半導体装置９０》
半導体装置９０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを供給する。

半導体装置９０は情報ＩＮを供給され、推論ＲＩを供給する（図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）参照）。例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いることができる。または、例えば、推論ＲＩを制御情報ＣＩに用いることができる。

例えば、半導体装置９０は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳから、特徴を抽出することができる。半導体装置９０は、抽出した特徴に基づいて制御情報ＣＩを生成することができる。

例えば、半導体装置９０は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳから、一部を抽出することができる。半導体装置９０は、抽出した一部を他の一部とは異なるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

《半導体装置９０の構成例２．》
半導体装置９０はニューラルネットワーク８０を備える（図１５（Ａ）参照）。

《ニューラルネットワーク８０》
ニューラルネットワーク８０は、入力層８１、中間層８２および出力層８３を備える（図１５（Ｂ）参照）。例えば、畳み込みニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。または、再帰型ニューラルネットワークをニューラルネットワーク８０に用いることができる。

入力層８１は第１の一群のニューロン回路を備える。

中間層８２は第２の一群のニューロン回路を備える。

出力層８３は第３の一群のニューロン回路を備える。

第２の一群のニューロン回路は、第１のニューロン回路７１および第２のニューロン回路７２を含む。

第１のニューロン回路７１は、第１の一群のニューロン回路と電気的に接続される。

第２のニューロン回路７２は、第３の一群のニューロン回路と電気的に接続される。

第１の一群のニューロン回路は情報ＩＮを供給される。例えば、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを情報ＩＮに用いることができる。

第３の一群のニューロン回路は、推論ＲＩを供給する。例えば、推論ＲＩを制御情報ＣＩに用いることができる。

《ニューロン回路７１》
ニューロン回路７１は積和演算器１０および変換器３０を備える（図１５（Ｃ）参照）。

《積和演算器１０》
積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］を供給される。積和演算器１０は一群の重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］を供給される。また、積和演算器１０はバイアス信号Ｂを供給される。

積和演算器１０は一群の入力信号Ｘ［１］乃至入力信号Ｘ［Ｎ］および重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］の積和値およびバイアス信号Ｂに基づいて積和信号ｕを生成し、供給する。例えば、酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を、重み情報Ｗ［１］乃至重み情報Ｗ［Ｎ］を記憶するメモリに用いることができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を含むトランジスタをメモリに用いることができる。また、例えば、アナログ演算回路を積和演算器１０に用いることができる。これにより、デジタル演算回路と比較して、回路規模を小さくすることができる。または、消費電力を低減することができる。

《変換器３０》
変換器３０は積和演算器１０と電気的に接続される。変換器３０は積和信号ｕに基づいて出力信号ｆ（ｕ）を生成し供給する。

＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）を参照しながら説明する。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１３（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１３（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１３（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１３（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１３（Ａ）（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１３（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１３（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１３（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１３（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１３（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例３．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１４を参照しながら説明する。

図１４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１４（Ａ）は、図１３（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１３（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１４（Ａ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１４（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１４（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１４（Ｂ）参照）。

例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。

なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。

これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１４（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図１２（Ｂ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタを作製した結果を、図８および図１６を参照しながら説明する。

図１６は、作製したトランジスタの特性を説明する図である。なお、作製したトランジスタは、図８に示すトランジスタと同様の構成を備える。

＜作製方法＞
はじめに、絶縁膜５０１Ｃを形成し、絶縁膜５０１Ｃ上に導電膜５０４を形成した。次いで、導電膜５０４上に絶縁膜５０６を形成し、絶縁膜５０６上に半導体膜５０８を形成し、絶縁膜５０６に開口部を形成した。次いで、半導体膜５０８に接する導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを形成し、絶縁膜５１６を形成した。また、導電膜５１２Ａを形成する工程で導電膜５１２Ｃを形成した。これにより、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタを形成した。なお、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタのチャネル幅Ｗを３μｍ、チャネル長を３μｍとした。

次いで、絶縁膜５１６上に半導体膜５０８（２）を形成し、絶縁膜５１６に開口部を形成した。次いで、半導体膜５０８（２）に接する導電膜５１２Ｄおよび導電膜５１２Ｅを形成し、絶縁膜５１６（２）を形成した。これにより、トランジスタＭを形成した。トランジスタＭのチャネル幅Ｗを５０μｍ、チャネル長を３μｍとした。

なお、酸化物半導体膜を半導体膜５０８および半導体膜５０８（２）に用いた。

＜評価＞
作製したトランジスタＭの特性を示す。具体的には、ソースとドレインの間の電圧（Ｖｄｓ）を０．１Ｖにした場合と２０Ｖにした場合について、ドレイン電流－ゲート電圧（ＩＤ－ＶＧ）特性を示す（図１６（ａ）参照）。

作製したスイッチＳＷ２に用いるトランジスタの特性を示す。具体的には、ソースとドレインの間の電圧（Ｖｄｓ）を０．１Ｖにした場合と２０Ｖにした場合について、ドレイン電流－ゲート電圧（ＩＤ－ＶＧ）特性を示す（図１６（ｂ）参照）。

いずれも、良好なトランジスタ特性を有していた。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＮＯ：導電膜、Ｂ：バイアス信号、Ｃ２１：容量素子、ＣＩ：制御情報、ＤＳ：検知情報、Ｇ２：走査線、ＧＤＡ：駆動回路、ＧＤＢ：駆動回路、ＧＤＣ：駆動回路、ＧＣＬＫ：信号、ＩＩ：入力情報、ＩＮ：情報、Ｐ１：部分、Ｐ２：境界、Ｐ３：部分、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、Ｒ１：曲率半径、Ｒ２：曲率半径、Ｒ３：曲率半径、Ｓ２：信号線、ＳＤ：駆動回路、ＳＤＡ：駆動回路、ＳＤＢ：駆動回路、ＳＤＣ：駆動回路、ＳＰ：制御信号、ＳＷ２：スイッチ、Ｕ：積和信号、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、ＶＣＯＭ２：導電膜、Ｗ：情報、１０：積和演算器、３０：変換器、７１：ニューロン回路、７２：ニューロン回路、８０：ニューラルネットワーク、８１：入力層、８２：中間層、８３：出力層、９０：半導体装置、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、２４８：制御部、２５０：検知部、２９０：通信部、４００：分子量、５０１Ｃ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１２Ｃ：導電膜、５１２Ｄ：導電膜、５１２Ｅ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１６Ａ：絶縁膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５２８：絶縁膜、５３０：画素回路、５５０：表示素子、５５１：電極、５５２：電極、５５３：層、５９１Ａ：開口部、７００：表示パネル、７００Ａ：領域、７００Ｂ：領域、７００Ｃ：領域、７００ＴＰ：入出力パネル、７０２：画素、７０３：画素、７２０：機能層、７７０：基材、７７０Ｐ：機能膜、７７１：絶縁膜、７７５：検知素子、７９１：部材、７９１Ａ：弾性体、７９１Ｂ：弾性体、７９１Ｃ：弾性体、７９２：部材

Claims

第１の基材と、第２の基材と、前記第１の基材と前記第２の基材との間の表示素子及び封止材と、第１の部材と、を有する表示パネルであって、
前記第１の基材は、第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、を有し、
前記第１の基材の前記第１の面は、前記第２の基材と対向し、
前記第１の部材は、前記第１の基材の前記第２の面に接して設けられ、
前記第１の部材は、第１の弾性体および第２の弾性体を備え、
前記第２の弾性体は、前記第１の弾性体より大きい弾性率を備え、
前記第２の弾性体は、前記第１の基材の前記第２の面に接して設けられ、
前記第１の弾性体は、前記第２の弾性体の上面に接する領域と、前記第２の弾性体の側面に接する領域と、前記第１の基材の前記第２の面に接する領域と、を有し、
前記表示パネルは、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の基材と、前記第２の基材と、前記表示素子と、前記封止材と、を含み、
前記第２の領域は、前記第１の基材と、前記第２の基材と、前記表示素子と、前記封止材と、前記第１の部材と、を含み、
前記第２の領域は、前記第１の部材を外側に向けて湾曲することができ、
前記第２の弾性体の側面は、前記第２の領域が曲げられたときと前記第２の領域が曲げられていないときの両方で前記第１の弾性体と接触し、
前記第１の領域及び前記第２の領域にわたって表示領域が設けられた、表示パネル。
前記表示領域は、前記第１の部材が配設されていない方向に向けて表示をする機能を備える、請求項１に記載の表示パネル。
前記第２の領域は、２ｍｍより大きい曲率半径で湾曲することができる、請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
前記第２の領域は、前記第１の部材の厚さに１００μｍを加えた厚さより薄い、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示パネル。
前記第１の部材は、断面において、端部に向かって薄くなる形状を備える、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示パネル。
前記第１の部材は、前記表示領域を横切る帯状の形状を備える、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示パネル。