KR102660793B1 - 표시 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공한다. 제 1 영역과, 제 2 영역과, 표시 영역을 가지는 표시 패널이며, 제 2 영역은 표시 영역의 일부를 포함하고, 제 2 영역은 제 1 부재를 구비하고, 제 2 영역은 제 1 부재가 외측을 향하도록 만곡될 수 있고, 제 1 부재는 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체를 구비하고, 제 2 탄성체는 제 1 탄성체로 일부 또는 전부가 덮인 단부를 구비하고, 제 2 탄성체는 제 1 탄성체보다 큰 탄성률을 구비한다.
Description
본 발명의 일 형태는 표시 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치 또는 반도체 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시(開示)하는 발명의 일 형태의 기술분야는, 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 그러므로, 더 구체적으로 본 명세서에서 개시하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는, 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다.
제 1 면과, 제 1 면과 대향하는 제 2 면과, 제 1 면과 제 2 면 사이에 중립면을 구비하는 기능 패널이며, 제 1 면으로부터 중립면까지의 영역에 두께가 기능층의 두께의 절반 이상인 기능층의 일부가 배치되는 구성이 알려져 있다(특허문헌 1).
본 발명의 일 형태는 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 기능 패널을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 입출력 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 신규 표시 패널, 신규 표시 장치, 신규 입출력 장치, 신규 정보 처리 장치, 또는 신규 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는, 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.
(1) 본 발명의 일 형태는 제 1 영역(700A)과, 제 2 영역(700B)과, 표시 영역(231)을 가지는 표시 패널이다.
제 1 영역(700A)은 표시 영역(231)의 일부를 포함한다.
제 2 영역(700B)은 표시 영역(231)의 다른 일부를 포함하고, 제 2 영역(700B)은 제 1 부재(791)를 구비하고, 제 2 영역(700B)은 제 1 부재(791)가 외측을 향하도록 만곡될 수 있다.
제 1 부재(791)는 제 1 탄성체(791A) 및 제 2 탄성체(791C)를 구비한다.
제 2 탄성체(791C)는 제 1 탄성체(791A)로 일부 또는 전부가 덮인 단부를 구비하고, 제 2 탄성체(791C)는 제 1 탄성체(791A)보다 탄성률이 크다.
이에 의하여, 제 2 영역(700B)의 만곡의 용이성을 조정할 수 있다. 또는 소정의 크기보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다. 또는, 곡률 반경이 소정의 크기보다 작아지지 않도록 만곡시킬 수 있다. 또는, 곡률 반경이 상이한 복수의 만곡부를 제 2 영역(700B)에 형성할 수 있다. 또는, U자형으로 만곡시킬 수 있다. 또는 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 또는 비가역적인 접은 금의 형성을 억제할 수 있다. 또는 제 2 영역(700B)과 중첩되는 표시 영역을 보호할 수 있다. 또는, 제 2 영역(700B)의 강도를 높일 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(2) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 표시 영역(231)이, 제 1 부재(791)가 배치되지 않는 방향을 향하도록 표시를 수행하는 기능을 가지는 표시 패널이다.
이에 의하여, 제 1 부재(791)에 차폐되지 않고 표시를 수행할 수 있다. 또는 제 2 영역(700B)에서 주름의 형성을 억제할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(3) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 제 2 영역(700B)이 2mm보다 큰 곡률 반경으로 만곡될 수 있는 표시 패널이다.
이에 의하여, 문제가 생기지 않고 표시 패널을 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 또는 만곡된 상태의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들어 5mm 이상, 바람직하게는 2mm 이상, 더 바람직하게는 2mm보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다. 구체적으로는 5만회 이상 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(4) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 제 2 영역(700B)이 상기 제 1 부재(791)의 두께에 100μm를 더한 두께보다 얇고, 바람직하게는 80μm를 더한 두께보다 얇고, 더 바람직하게는 50μm를 더한 두께보다 얇은, 표시 패널이다.
이에 의하여, 표시 패널의 두께를 얇게 할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(5) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 제 1 부재(791)가 단면에서 단부로 갈수록 얇아지는 형상을 가지는 표시 패널이다.
이에 의하여 제 1 부재(791)의 강성을 단부로 갈수록 완만하게 작게 할 수 있다. 또는, 곡률 반경이 단부로 갈수록 완만하게 작아지도록, 제 2 영역(700B)을 만곡시킬 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(6) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 제 1 부재(791)가 표시 영역(231)을 가로지르는 띠 모양의 형상을 가지는 표시 패널이다.
이에 의하여 제 1 부재(791)를 따라 표시 영역을 둘로 접을 수 있다. 또는 표시 영역(231)의 일부를 다른 일부와 대향하게 할 수 있다. 또는 표시 패널의 외형을 작게 할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(7) 또한 본 발명의 일 형태는 밀봉재(705)와, 제 1 기재(510)와, 제 2 기재(770)와, 제 3 영역(700C)을 가지는 표시 패널이다.
밀봉재(705)는 제 1 기재(510)와 제 2 기재(770) 사이에 끼워진다.
제 2 기재(770)는 제 1 기재(510)와 중첩되는 영역을 구비한다.
제 1 영역(700A)은 상기 중첩되는 영역의 일부를 포함하고, 제 2 영역(700B)은 상기 중첩되는 영역의 다른 일부를 포함한다.
제 3 영역(700C)은 상기 중첩되는 영역, 제 1 기재(510)의 단부, 제 2 기재(770), 및 제 2 부재(792)를 포함한다.
제 2 부재(792)는 제 1 기재(510)의 단부를 덮고, 제 2 부재(792)는 밀봉재(705)보다 투습성이 낮은 표시 패널이다.
이에 의하여 외부로부터 제 1 기재(510)와 제 2 기재(770) 사이의 기능층(520) 또는 표시 소자(550(i, j))로의 불순물의 확산을 억제할 수 있다. 또는 제 1 기재(510) 및 제 2 기재(770)의 단부를 보호할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(8) 또한 본 발명의 일 형태는 화소(702(i, j))를 가지는 표시 패널이다.
화소(702(i, j))는 기능층(520) 및 표시 소자(550(i, j))를 구비한다.
기능층(520)은 화소 회로(530(i, j))를 구비하고, 화소 회로(530(i, j))는 표시 소자(550(i, j))와 전기적으로 접속된다.
이에 의하여 전자 데이터를 표시할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(9) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 표시 영역(231)이 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n)), 다른 화소군(702(1,j) 내지 702(m,j)), 주사선(G2(i)), 및 신호선(S2(j))을 구비하는 표시 패널이다.
화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))는 화소(702(i, j))를 포함하고, 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))는 행 방향으로 배치된다.
다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))는 화소(702(i, j))를 포함하고, 다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))는 행 방향과 교차되는 열 방향으로 배치된다.
주사선(G2(i))은 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))와 전기적으로 접속된다.
신호선(S2(j))은 다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))와 전기적으로 접속된다.
이에 의하여 복수의 화소에 화상 정보를 공급할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
(10) 또한 본 발명의 일 형태는 상기 표시 패널(700)과, 제어부(238)를 가지는 표시 장치이다.
제어부(238)는 화상 정보(V1) 및 제어 정보(CI)를 공급받고, 제어부(238)는 화상 정보(V1)에 기초하여 정보(V11)를 생성하고, 제어부(238)는 제어 정보(CI)에 기초하여 제어 신호(SP)를 생성하고, 제어부(238)는 정보(V11) 및 제어 신호(SP)를 공급한다.
표시 패널(700)은 정보(V11) 또는 제어 신호(SP)를 공급받고, 화소는 정보에 기초하여 표시한다.
이에 의하여, 표시 소자를 사용하여 화상 정보를 표시할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 장치를 제공할 수 있다.
(11) 또한 본 발명의 일 형태는 입력부(240)와, 표시부(230)를 가지는 입출력 장치이다.
표시부(230)는 표시 패널(700)을 구비한다.
입력부(240)는 검지 영역(241)을 구비하고, 입력부(240)는 검지 영역(241)에 근접한 것을 검지한다. 검지 영역(241)은 화소(702(i, j))와 중첩되는 영역을 구비한다.
이에 의하여, 표시부를 사용하여 화상 정보를 표시하면서, 표시부와 중첩되는 영역에 근접한 것을 검지할 수 있다. 또는, 표시부에 근접시키는 손가락 등을 포인터로 사용하여 위치 정보를 입력할 수 있다. 또는, 위치 정보를 표시부에 표시하는 화상 정보와 관련지을 수 있다. 결과적으로, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 입출력 장치를 제공할 수 있다.
(12) 또한 본 발명의 일 형태는 연산 장치(210)와 입출력 장치(220)를 가지는 정보 처리 장치이다.
연산 장치(210)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)를 공급받고, 연산 장치(210)는 제어 정보(CI) 및 화상 정보(V1)를 공급한다.
입출력 장치(220)는 입력 정보(II) 및 검지 정보(DS)를 공급하고, 입출력 장치(220)는 제어 정보(CI) 및 화상 정보(V1)를 공급받고, 입출력 장치(220)는 표시부(230), 입력부(240), 및 검지부(250)를 구비한다.
표시부(230)는 상기 표시 패널(700)을 구비하고, 표시부(230)는 제어 정보(CI)에 기초하여 화상 정보(V1)를 표시한다.
입력부(240)는 입력 정보(II)를 생성하고, 검지부(250)는 검지 정보(DS)를 생성한다.
(13) 또한 본 발명의 일 형태는 키보드, 하드웨어 버튼, 포인팅 디바이스, 터치 센서, 조도 센서, 촬상 장치, 음성 입력 장치, 시선 입력 장치, 자세 검출 장치 중 하나 이상과, 상기 표시 패널을 포함하는 정보 처리 장치이다.
이에 의하여, 다양한 입력 장치를 사용하여 공급되는 정보에 기초하여, 화상 정보 또는 제어 정보를 연산 장치에 의하여 생성할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서에 첨부한 도면에서는 구성 요소를 기능별로 분류하고 각각 독립된 블록으로서 블록도를 도시하였지만, 실제의 구성 요소는 기능별로 완전히 분리되기 어렵고, 한 구성 요소가 복수의 기능과 관련될 수도 있다.
본 명세서 등에서 트랜지스터가 가지는 소스와 드레인은 트랜지스터의 극성 및 각 단자에 공급되는 전위 레벨에 따라 그 호칭이 서로 바뀐다. 일반적으로 n채널 트랜지스터에서는 낮은 전위가 공급되는 단자가 소스라고 불리고, 높은 전위가 공급되는 단자가 드레인이라고 불린다. 또한 p채널 트랜지스터에서는 낮은 전위가 공급되는 단자가 드레인이라고 불리고, 높은 전위가 공급되는 단자가 소스라고 불린다. 본 명세서에서는 편의상 소스와 드레인이 고정되어 있는 것으로 가정하여 트랜지스터의 접속 관계를 설명하는 경우가 있지만, 실제로는 상기 전위의 관계에 따라 소스와 드레인의 호칭이 서로 바뀐다.
본 명세서에서, 트랜지스터의 소스란 활성층으로서 기능하는 반도체막의 일부인 소스 영역, 또는 상기 반도체막에 접속된 소스 전극을 의미한다. 마찬가지로, 트랜지스터의 드레인이란 이 반도체막의 일부인 드레인 영역, 또는 이 반도체막에 접속된 드레인 전극을 뜻한다. 또한 게이트는 게이트 전극을 뜻한다.
본 명세서에서 트랜지스터가 직렬로 접속되어 있는 상태란 예를 들어 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽만이 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽에만 접속되어 있는 상태를 의미한다. 또한 트랜지스터가 병렬로 접속되어 있는 상태란 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽이 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽에 접속되고, 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에 접속되어 있는 상태를 의미한다.
본 명세서에서 접속이란 전기적인 접속을 의미하며, 전류, 전압, 또는 전위를 공급할 수 있는 상태 또는 전송(傳送)할 수 있는 상태에 상당한다. 따라서, 접속되어 있는 상태란 반드시 직접 접속되어 있는 상태를 의미하는 것은 아니며, 전류, 전압, 또는 전위를 공급할 수 있도록 또는 전송할 수 있도록 배선, 저항, 다이오드, 트랜지스터 등의 회로 소자를 통하여 간접적으로 접속되어 있는 상태도 그 범주에 포함한다.
본 명세서에서 회로도상 독립되어 있는 구성 요소들이 서로 접속되어 있는 경우라도 실제로는 예를 들어 배선의 일부가 전극으로서 기능하는 경우 등, 하나의 도전막이 복수의 구성 요소의 기능을 겸비하는 경우도 있다. 본 명세서에서 접속이란 이러한 하나의 도전막이 복수의 구성 요소의 기능을 겸비하는 경우도 그 범주에 포함한다.
또한 본 명세서 중에서 트랜지스터의 제 1 전극 및 제 2 전극 중 한쪽이 소스 전극을 가리키고, 다른 쪽이 드레인 전극을 가리킨다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다. 또는, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 입출력 장치를 제공할 수 있다.또는, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다. 또는, 신규 표시 패널, 신규 표시 장치, 신규 입출력 장치, 신규 정보 처리 장치, 또는 신규 반도체 장치를 제공할 수 있다.
또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 효과 모두를 반드시 가질 필요는 없다. 또한 이들 이외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해질 것이고, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 효과를 추출할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 2는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 4는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 5는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 상면도.
도 6은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도 및 회로도.
도 7은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 8은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 9는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 블록도.
도 10은 실시형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 11은 실시형태에 따른 입출력 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도.
도 12는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도 및 투영도.
도 13은 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 14는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면.
도 15는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 인공 지능부를 설명하기 위한 도면.
도 16은 실시예에 따른 트랜지스터의 특성을 설명하기 위한 도면.
도 2는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 4는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 5는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 상면도.
도 6은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도 및 회로도.
도 7은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 8은 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 9는 실시형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 블록도.
도 10은 실시형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 11은 실시형태에 따른 입출력 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도.
도 12는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도 및 투영도.
도 13은 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 14는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면.
도 15는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 인공 지능부를 설명하기 위한 도면.
도 16은 실시예에 따른 트랜지스터의 특성을 설명하기 위한 도면.
본 발명의 일 형태는 제 1 영역과, 제 2 영역과, 표시 영역을 가지는 표시 패널이며, 제 2 영역은 표시 영역의 일부를 포함하고, 제 2 영역은 제 1 부재를 구비하고, 제 2 영역은 제 1 부재가 외측을 향하도록 만곡될 수 있고, 제 1 부재는 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체를 구비하고, 제 2 탄성체는 제 1 탄성체로 일부 또는 전부가 덮인 단부를 구비하고, 제 2 탄성체는 제 1 탄성체보다 탄성률이 크다.
이에 의하여 소정의 크기보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다. 또는 곡률 반경이 소정의 크기보다 작아지지 않도록 만곡시킬 수 있다. 또는, 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 또는 비가역적인 접은 금의 형성을 억제할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정되어 해석되는 것은 아니다. 또한 이하에서 설명하는 발명의 구성에서, 동일한 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 사이에서 공통적으로 사용하고, 이의 반복적인 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하며 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 사시도이고, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 측면도이고, 도 1의 (C)는 도 1의 (A)의 상면도이다.
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 2의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 상면도이고, 도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 절단선 A1-A2를 따라 자른 단면도이고, 도 2의 (C)는 만곡된 상태를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3의 (A)는 도 2의 (B)의 일부를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3의 (B)는 도 2의 (B)의 일부를 만곡시킨 상태의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 4의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 상면도이고, 도 4의 (B)는 도 4의 (A)의 절단선 A1-A2를 따라 자른 단면도이고, 도 4의 (C)는 도 4의 (B)의 일부를 설명하기 위한 도면이다.
또한 본 명세서에서 값이 1 이상의 정수(整數)인 변수를 부호에 사용하는 경우가 있다. 예를 들어 값이 1 이상의 정수인 변수 p를 포함하는 (p)를 최대 p개의 구성 요소 중 어느 것을 특정하는 부호의 일부에 사용하는 경우가 있다. 또한 예를 들어 값이 1 이상의 정수인 변수 m 및 변수 n을 포함하는 (m, n)을 최대 m×n개의 구성 요소 중 어느 것을 특정하는 부호의 일부에 사용하는 경우가 있다.
<표시 패널의 구성예 1.>
또한 본 실시형태에서 설명하는 표시 패널(700)은 영역(700A)과, 영역(700B)과, 표시 영역(231)을 가진다(도 1의 (A) 및 (C) 참조).
<<표시 영역(231)의 구성예 1.>>
표시 영역(231)은 화상을 표시하는 기능을 가진다.
<<영역(700A)>>
영역(700A)은 표시 영역(231)의 일부를 포함한다.
<<영역(700B)의 구성예 1.>>
영역(700B)은 표시 영역(231)의 다른 일부를 포함한다.
영역(700B)은 부재(791)를 구비하고, 영역(700B)은 부재(791)가 외측을 향하도록 만곡될 수 있다.
<<부재(791)의 구성예 1.>>
부재(791)는, 탄성체(791A) 및 탄성체(791C)를 구비한다(도 1의 (B) 참조).
탄성체(791C)는 탄성체(791A)로 일부 또는 전부가 덮인 단부를 구비하고, 탄성체(791C)는 탄성체(791A)보다 탄성률이 크다. 또는 탄성체(791C)는 탄성체(791A)보다 파단 신장률이 작다. 또한 인장 시험에서는 시료의 원래의 길이에 대한, 시료가 파단되었을 때의 길이의 비율을 파단 신장률이라고 한다.
<<탄성체(791A), 탄성체(791C)의 구성예>>
예를 들어 수지, 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무 등을 탄성체(791A) 및 탄성체(791C)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 탄성률 0.1MPa 이상 0.8MPa 이하의 재료를 탄성체(791A)에 사용할 수 있다. 또한 탄성률 0.8MPa 이상 1.2MPa 이하의 재료를 탄성체(791C)에 사용할 수 있다. 또는 파단 신장률 350%의 재료를 탄성체(791A)에 사용할 수 있다. 또한 파단 신장률 200%의 재료를 탄성체(791C)에 사용할 수 있다.
탄성체(791C)는 탄성체(791A)에 비하여 만곡되기 어렵다. 이에 의하여 영역(700B)을 만곡시킬 경우, 탄성체(791C)와 중첩되는 부분(P3)의 곡률 반경(R3)은 탄성체(791A)와 중첩되는 부분(P1)의 곡률 반경(R1)보다 크다(도 3의 (A) 및 (B) 참조). 또한 탄성체(791C)와 탄성체(791A)의 경계(P2)와 중첩되는 부분의 곡률 반경(R2)은 곡률 반경(R1)보다 크고, 곡률 반경(R3)보다 작다.
이에 의하여 영역(700B)의 만곡의 용이성을 조정할 수 있다. 또는 소정의 크기보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다. 또는, 곡률 반경이 소정의 크기보다 작아지지 않도록 만곡시킬 수 있다. 또는, 곡률 반경이 상이한 복수의 만곡부를 영역(700B)에 형성할 수 있다. 또는 U자형으로 만곡시킬 수 있다.
또는 영역(700B)에서 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 또는 비가역적인 접은 금의 형성을 억제할 수 있다. 또는, 영역(700B)과 중첩되는 표시 영역(231)을 보호할 수 있다. 또는 영역(700B)의 강도를 높일 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<표시 영역(231)의 구성예 2.>>
표시 영역(231)은 부재(791)가 배치되지 않는 방향을 향하여 표시를 수행하는 기능을 가진다(도 1의 (A) 참조).
이에 의하여 부재(791)에 차폐되지 않고 표시를 수행할 수 있다. 또는 제 2 영역(700B)에서 주름의 형성을 억제할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<영역(700B)의 구성예 2.>>
영역(700B)은 2mm보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다(도 1의 (B) 참조).
이에 의하여, 문제없이 표시 패널을 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 또는 만곡된 상태의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들어 5mm 이상, 바람직하게는 2mm 이상, 더 바람직하게는 2mm보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있다. 구체적으로는 5만회 이상 반복적으로 만곡시킬 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<영역(700B)의 구성예 3.>>
영역(700B)은 부재(791)의 두께(T22)에 100μm를 더한 두께(T21)보다 얇다(도 3의 (A) 참조). 또한 영역(700B)은 부재(791)의 두께(T22)에 80μm를 더한 두께보다 얇은 것이 바람직하고, 두께(T22)에 50μm를 더한 두께보다 얇은 것이 더 바람직하다.
이에 의하여 표시 패널의 두께를 얇게 할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<부재(791)의 구성예 2.>>
부재(791)는 단면에서, 단부로 갈수록 얇아지는 형상을 가진다(도 3의 (A) 및 (B) 참조).
이에 의하여 부재(791)의 강성을, 단부로 갈수록 완만하게 작게 할 수 있다. 또는 곡률 반경이 단부로 갈수록 완만하게 작아지도록 영역(700B)을 만곡시킬 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<부재(791)의 구성예 3.>>
부재(791)는 표시 영역(231)을 가로지르는 띠 모양의 형상을 가진다(도 2의 (A) 및 (B) 참조).
이에 의하여 제 1 부재를 따라 표시 영역을 둘로 접을 수 있다(도 2의 (C) 참조). 또는 표시 영역의 일부를 다른 일부와 대향하게 할 수 있다. 또는 표시 패널의 외형을 작게 할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<표시 패널의 구성예 2.>
또한 본 실시형태에서 설명하는 표시 패널(700)은 밀봉재(705)와, 기재(510)와, 기재(770)와, 영역(700C)을 가진다(도 4의 (A) 및 (B) 참조). 또한 부재(791)는 탄성체(791A), 탄성체(791B), 및 탄성체(791C)를 구비한다. 또한 탄성체(791C)는 탄성체(791B)로 일부가 덮인 단부를 구비하고, 탄성체(791C)는 탄성체(791B)보다 탄성률이 크다. 또는 탄성체(791C)는 탄성체(791B)보다 파단 신장률이 작다. 예를 들어 탄성체(791A)에 사용할 수 있는 재료를 탄성체(791B)에 사용할 수 있다.
<<밀봉재(705)의 구성예>>
밀봉재(705)는 제 1 기재(510)와 제 2 기재(770) 사이에 끼워진다.
<<기재(510) 및 기재(770)의 구성예>>
기재(770)는 기재(510)와 중첩되는 영역을 구비한다.
영역(700A)은 상기 중첩되는 영역의 일부를 포함하고, 영역(700B)은 상기 중첩되는 영역의 다른 일부를 포함한다.
기재(510) 및 기재(770)는 가요성을 가진다.
예를 들어 수지, 수지 필름, 또는 플라스틱 등의 유기 재료를 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 아크릴 수지 등의 수지 필름 또는 수지판을 사용할 수 있다. 이로써, 중량을 줄일 수 있다. 또는 예를 들어 낙하로 인한 파손 등의 발생 빈도를 저감할 수 있다.
예를 들어 금속판, 박판 형상의 유리판, 또는 무기 재료 등의 막을 수지 필름 등에 접합한 복합 재료를 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다. 예를 들어 섬유 형상 또는 입자상의 금속, 유리 또는 무기 재료 등을 수지 필름으로 분산시킨 복합 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어 섬유 형상 또는 입자상의 수지, 혹은 유기 재료 등을 무기 재료로 분산시킨 복합 재료를 사용할 수 있다.
또한 단층의 재료 또는 복수의 층이 적층된 재료를 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다. 예를 들어 기재와 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연막 등이 적층된 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는 유리와, 유리에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘층, 질화 실리콘층, 또는 산화질화 실리콘층 등 중에서 선택된 하나 또는 복수의 막이 적층된 재료를 사용할 수 있다. 또는 수지와, 수지를 투과하는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산화질화 실리콘막 등이 적층된 재료를 사용할 수 있다.
구체적으로는 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(나일론, 아라미드 등), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 실리콘(silicone) 등의 실록산 결합을 가지는 수지를 포함하는 재료를 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다. 예를 들어 이들의 수지를 포함하는 수지 필름, 수지판 또는 적층 재료 등을 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에터설폰(PES), 사이클로올레핀폴리머(COP) 또는 사이클로올레핀공중합체(COC) 등을 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다.
또한 종이 또는 목재 등을 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다.
예를 들어 가요성을 가지는 재료를 기재(510) 또는 기재(770)에 사용할 수 있다.
또한 트랜지스터 또는 용량 소자 등을 기판에 직접 형성하는 방법을 사용할 수 있다. 또한 예를 들어 제작 공정 중에 가해지는 열에 내성을 가지는 공정용의 기판에 트랜지스터 또는 용량 소자 등을 형성하고, 형성된 트랜지스터 또는 용량 소자 등을 기재(510) 또는 기재(770) 등으로 전치하는 방법을 사용할 수 있다. 이에 의하여 예를 들어 가요성을 가지는 기판에 트랜지스터 또는 용량 소자 등을 형성할 수 있다.
<<영역(700C)>>
영역(700C)은 상기 중첩되는 영역, 기재(510)의 단부, 기재(770), 및 부재(792)를 포함한다(도 4의 (C) 참조).
<<부재(792)>>
부재(792)는 기재(510)의 단부를 덮고, 부재(792)는 밀봉재(705)보다 투습성이 낮다.
예를 들어 부재(791)의 일부를 부재(792)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 탄성체(791A) 또는 탄성체(791B)를 부재(792)에 사용할 수 있다.
혹은, 막 또는 적층막을 부재(792)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 투습성이 10-5g/(m2·day) 이하, 바람직하게는 10-6g/(m2·day) 이하의 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 예를 들어 무기막 또는 유기막을 포함하는 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 금속막, 금속 및 산소를 포함하는 막, 금속 및 질소를 포함하는 막, 가교 고분자를 포함하는 막 등을 부재(792)에 사용할 수 있다.
또는 탄성률이 탄성체(791A) 이상의 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 또는 탄성률이 탄성체(791B) 이상의 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 파단 신장률이 탄성체(791A) 이하의 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 또는 파단 신장률이 탄성체(791B) 이하의 재료를 부재(792)에 사용할 수 있다. 또는 부재(791) 이상의 강성을 가지는 재료를, 부재(792)에 사용할 수 있다.
이에 의하여 외부로부터 제 1 기재(510)와 제 2 기재(770) 사이의 기능층(520) 또는 표시 소자(550(i, j))로의 불순물의 확산을 억제할 수 있다. 또는 제 1 기재(510) 및 제 2 기재(770)의 단부를 보호할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성에 대하여, 도 5 내지 도 7을 참조하며 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (A)는 표시 패널의 상면도이고, 도 5의 (B) 및 (C)는 도 5의 (A)에 도시된 표시 패널의 화소의 일부를 설명하기 위한 상면도이다.
도 6의 (A)는 도 5의 (A)의 절단선 X1-X2, 절단선 X3-X4, 절단선 X9-X10을 따라 자른 단면도이다. 또한 도 6의 (B)는 표시 패널이 구비하는 화소 회로의 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 화소의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 (B)는 도 7의 (A)에 도시된 화소의 일부를 설명하기 위한 단면도이다.
<표시 패널의 구성예 3.>
본 실시형태에서 설명하는 표시 패널(700)은 화소(702(i, j))를 가진다(도 5의 (A) 참조).
<<화소(702(i, j))의 구성예 1.>>
화소(702(i, j))는 기능층(520) 및 표시 소자(550(i, j))를 구비한다(도 6의 (A) 참조).
<<기능층(520)의 구성예 1.>>
기능층(520)은 화소 회로(530(i, j))를 구비한다.
<<화소 회로(530(i, j))의 구성예 1.>>
화소 회로(530(i, j))는 표시 소자(550(i, j))와 전기적으로 접속된다(도 6의 (A) 및 (B) 참조).
예를 들어 화소 회로(530(i, j))는 개구부(591A)에서 표시 소자(550(i, j))와 전기적으로 접속된다(도 7의 (A) 참조).
예를 들어 스위치, 트랜지스터, 다이오드, 저항 소자, 인덕터, 또는 용량 소자 등을 화소 회로(530(i, j))에 사용할 수 있다.
화소 회로(530(i, j))는 스위치(SW2), 트랜지스터(M), 및 용량 소자(C21)를 포함한다.
예를 들어 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용할 수 있다(도 6의 (B), 도 7의 (A) 및 (B) 참조).
<<표시 소자(550(i, j))의 구성예 1.>>
표시 소자(550(i, j))는 빛을 사출하는 기능을 가진다.
표시 소자(550(i, j))는 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))을 구비한다(도 7의 (A) 참조).
예를 들어 빛을 사출하는 기능을 가지는 표시 소자를 표시 소자(550(i, j))에 사용할 수 있다. 구체적으로는 유기 일렉트로루미네선스 소자, 무기 일렉트로루미네선스 소자, 발광 다이오드, 또는 QDLED(Quantum Dot LED) 등을 표시 소자(550(i, j))에 사용할 수 있다.
<<발광성 재료를 포함하는 층(553(j))의 구성예 1.>>
예를 들어 신호선(S2(j))을 따라 열 방향으로 긴 띠 모양의 적층 재료를 발광성 재료를 포함한 층(553(j))에 사용할 수 있다.
구체적으로는 발광성 재료를 포함하는 층(553(j)), 발광성 재료를 포함하는 층(553(j+1)) 및 발광성 재료를 포함하는 층(553(j+2))에, 색상이 서로 상이한 빛을 발하는 재료를 사용할 수 있다. 이에 의하여 예를 들어 표시 소자(550(i, j))가 사출하는 빛의 색상을, 열마다 상이하게 할 수 있다.
예를 들어 청색의 빛을 발하는 재료, 녹색의 빛을 발하는 재료, 및 적색의 빛을 발하는 재료를 색상이 서로 상이한 빛을 발하는 재료에 사용할 수 있다.
<<발광성 재료를 포함하는 층(553)(j)의 구성예 2.>>
예를 들어 백색의 빛을 사출하도록 적층된 적층 재료를, 발광성 재료를 포함한 층(553(j))에 사용할 수 있다.
구체적으로는 색상이 서로 상이한 빛을 발하는 재료를, 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))에 사용할 수 있다.
예를 들어 청색의 빛을 사출하는 형광 재료를 포함하는 층과, 녹색 및 적색의 빛을 사출하는 형광 재료 이외의 재료를 포함하는 층을 적층한 적층 재료를, 발광성 재료를 포함한 층(553(j))에 사용할 수 있다. 또는 청색의 빛을 사출하는 형광 재료를 포함하는 층과, 황색의 빛을 사출하는 형광 재료 이외의 재료를 포함하는 층을 적층한 적층 재료를 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))에 사용할 수 있다.
예를 들어 발광 유닛을, 발광성 재료를 포함한 층(553(j))에 사용할 수 있다. 발광 유닛은 한쪽으로부터 주입된 전자가 다른 쪽으로부터 주입된 정공과 재결합하는 영역을 하나 구비한다. 또한 발광 유닛은 발광성 재료를 포함하고, 발광성 재료는 전자와 정공의 재결합에 의하여 생기는 에너지를 빛으로서 방출한다.
예를 들어 복수의 발광 유닛 및 중간층을, 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))에 사용할 수 있다. 중간층은 2개의 발광 유닛 사이에 끼워지는 영역을 구비한다. 중간층은 전하 발생 영역을 구비하고, 중간층은 음극 측에 배치된 발광 유닛에 정공을 공급하고, 양극 측에 배치된 발광 유닛에 전자를 공급하는 기능을 가진다. 또한 복수의 발광 유닛 및 중간층을 구비하는 구성을 탠덤형의 발광 소자라고 하는 경우가 있다.
예를 들어 하나의 색상의 빛을 발하는 재료를 포함하는 발광 유닛과, 다른 색상의 빛을 발하는 재료를 포함하는 발광 유닛을, 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))에 사용할 수 있다.
예를 들어 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등), 중분자 화합물(저분자와 고분자의 중간 영역의 화합물: 분자량 400 이상 4000 이하) 등을 발광성 재료를 포함하는 층(553(j))에 사용할 수 있다.
<<전극(551(i, j)), 전극(552)>>
전극(551(i, j))은 개구부(591A(i, j))에서 화소 회로(530(i, j))와 전기적으로 접속된다(도 7의 (A) 참조).
예를 들어 배선 등에 사용할 수 있는 재료를 전극(551(i, j)) 또는 전극(552)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 가시광에 대하여 투광성을 가지는 재료를 전극(551(i, j)) 또는 전극(552)에 사용할 수 있다.
예를 들어 도전성 산화물 또는 인듐을 포함하는 도전성 산화물, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 첨가한 산화 아연 등을 사용할 수 있다. 또는, 빛이 투과할 정도로 얇은 금속막을 사용할 수 있다. 또는 가시광에 대한 투광성을 가지는 재료를 사용할 수 있다.
예를 들어 빛의 일부를 투과시키고 빛의 다른 일부를 반사하는 금속막을 전극(551(i, j)) 또는 전극(552)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 예를 들어 전극(551(i, j))과 전극(552) 사이의 거리를 조정할 수 있다. 또는 미소 공진기 구조를 표시 소자(550(i, j))에 제공할 수 있다. 또는 소정의 파장의 빛을 다른 빛보다 효율적으로 추출할 수 있다. 또는 스펙트럼의 반치폭이 좁은 빛을 추출할 수 있다. 또는 선명한 색의 빛을 추출할 수 있다.
예를 들어 효율적으로 빛을 반사하는 막을 전극(551(i, j)) 또는 전극(552)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 은 및 팔라듐 등을 포함하는 재료, 또는 은 및 구리 등을 포함하는 재료를 금속막에 사용할 수 있다.
<<화소 회로(530(i, j))의 구성예 2.>>
화소 회로(530(i, j))는 스위치(SW2), 트랜지스터(M), 및 용량 소자(C21)를 포함한다. 예를 들어, 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용할 수 있다.
<<스위치(SW2)의 구성예 1.>>
스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터는 반도체를 포함한다(도 7의 (B) 참조).
트랜지스터는 반도체막(508), 도전막(504), 도전막(512A), 및 도전막(512B)을 구비한다(도 7의 (B) 참조).
반도체막(508)은 도전막(512A)과 전기적으로 접속되는 영역(508A), 도전막(512B)과 전기적으로 접속되는 영역(508B)을 가진다. 반도체막(508)은 영역(508A)과 영역(508B) 사이에 영역(508C)을 가진다.
도전막(504)은 영역(508C)과 중첩되는 영역을 구비하고, 도전막(504)은 게이트 전극의 기능을 가진다.
절연막(506)은 반도체막(508)과 도전막(504) 사이에 개재(介在)되는 영역을 가진다. 절연막(506)은 게이트 절연막의 기능을 가진다.
도전막(512A)은 소스 전극의 기능 및 드레인 전극의 기능 중 한쪽을 가지고, 도전막(512B)은 소스 전극의 기능 및 드레인 전극의 기능 중 다른 쪽을 가진다.
<<트랜지스터(M)의 구성예 1>>
예를 들어, 동일 공정으로 형성할 수 있는 반도체막을, 스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터 및 트랜지스터(M)에 사용할 수 있다. 또한 동일 구성을 스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터 및 트랜지스터(M)에 사용할 수 있다.
또한 도전막(524)을 트랜지스터에 사용할 수 있다. 도전막(524)은 도전막(504)과의 사이에 반도체막(508)을 개재하는 영역을 가진다. 도전막(524)은 제 2 게이트 전극의 기능을 가진다. 예를 들어 도전막(524)과 도전막(504)을 전기적으로 접속할 수 있다.
또한 예를 들어 동일한 공정에서 형성할 수 있는 반도체막을 구동 회로 및 화소 회로의 트랜지스터에 사용할 수 있다.
예를 들어 보텀 게이트형의 트랜지스터 또는 톱 게이트형의 트랜지스터 등을 화소 회로(530(i, j))에 사용할 수 있다. 또는, 구동 회로의 트랜지스터에 사용할 수 있다.
<<반도체막(508)의 구성예 1.>>
예를 들어 14족 원소를 포함하는 반도체를 반도체막(508)에 사용할 수 있다.구체적으로는, 실리콘을 포함하는 반도체를 반도체막(508)에 사용할 수 있다.
[수소화 비정질 실리콘]
예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용할 수 있다. 또는 미결정 실리콘 등을 반도체막(508)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 예를 들어 폴리실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 표시 패널보다 표시 불균일이 적은 표시 패널을 제공할 수 있다. 또는 표시 패널의 대형화가 용이하다.
[폴리실리콘]
예를 들어 폴리실리콘을 반도체막(508)에 사용할 수 있다. 이에 의하여, 예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 트랜지스터보다 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 높게 할 수 있다. 또는 예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 트랜지스터보다 구동 능력을 높일 수 있다. 또는 예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 트랜지스터보다 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또는 예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 트랜지스터보다 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.
또는 트랜지스터의 제작에 필요한 온도를, 예를 들어 단결정 실리콘을 사용하는 트랜지스터의 제작에 필요한 온도보다 낮게 할 수 있다.
또는 구동 회로의 트랜지스터에 사용하는 반도체막을, 화소 회로의 트랜지스터에 사용하는 반도체막과 동일 공정으로 형성할 수 있다. 또는 화소 회로를 형성하는 기판과 동일 기판 위에 구동 회로를 형성할 수 있다. 또는 전자 기기를 구성하는 부품 개수를 저감할 수 있다.
[단결정 실리콘]
예를 들어 단결정 실리콘을 반도체막(508)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 예를 들어 수소화 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 표시 패널보다 정밀도를 높일 수 있다. 또는 예를 들어 폴리실리콘을 반도체막(508)에 사용하는 표시 패널보다 표시 불균일이 적은 표시 패널을 제공할 수 있다. 또는 예를 들어 스마트 글라스 또는 헤드 마운트 디스플레이를 제공할 수 있다.
<<반도체막(508)의 구성예 2.>>
예를 들어 금속 산화물을 반도체막(508)에 사용할 수 있다. 이에 의하여, 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용한 트랜지스터를 이용하는 화소 회로와 비교하여, 화소 회로가 화상 신호를 유지할 수 있는 시간을 길게 할 수 있다. 구체적으로는 플리커(flicker)의 발생을 억제하면서, 선택 신호를 30Hz 미만, 바람직하게는 1Hz 미만, 더 바람직하게는 1분마다 1회 미만의 빈도로 공급할 수 있다. 그 결과, 정보 처리 장치의 사용자에게 축적되는 피로를 저감할 수 있다. 또한 구동에 따른 소비전력을 저감할 수 있다.
예를 들어 산화물 반도체를 사용하는 트랜지스터를 이용할 수 있다. 구체적으로는 인듐을 포함하는 산화물 반도체 또는 인듐과 갈륨과 아연을 포함하는 산화물 반도체를 반도체막(508)에 사용할 수 있다.
일례를 들면, 비정질 실리콘을 반도체막(508)에 사용한 트랜지스터와 비교하여, 오프 상태에서의 누설 전류가 더 작은 트랜지스터를 사용할 수 있다. 구체적으로는 반도체막(508)에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터를 사용할 수 있다.
예를 들어 인듐, 갈륨, 및 아연을 포함하는, 두께 25nm의 막을 반도체막(508)에 사용할 수 있다.
탄탈럼 및 질소를 포함하는, 두께 10nm의 막과, 구리를 포함하는, 두께 300nm의 막을 적층한 도전막을 도전막(504)에 사용할 수 있다. 또한 구리를 포함하는 막은 절연막(506)과의 사이에, 탄탈럼 및 질소를 포함하는 막을 개재하는 영역을 구비한다.
예를 들어 실리콘 및 질소를 포함하는, 두께 400nm의 막과, 실리콘, 산소, 및 질소를 포함하는, 두께 200nm의 막을 적층한 적층막을 절연막(506)에 사용할 수 있다. 또한 실리콘 및 질소를 포함하는 막은 반도체막(508)과의 사이에 실리콘, 산소, 및 질소를 포함하는 막을 개재하는 영역을 가진다.
예를 들어 텅스텐을 포함하는, 두께 50nm의 막과, 알루미늄을 포함하는, 두께 400nm의 막과, 타이타늄을 포함하는, 두께 100nm의 막을 이 순서대로 적층한 도전막을 도전막(512A) 또는 도전막(512B)에 사용할 수 있다. 또한 텅스텐을 포함하는 막은 반도체막(508)과 접하는 영역을 구비한다.
그런데 예를 들어 비정질 실리콘을 반도체에 사용하는 보텀 게이트형 트랜지스터의 제조 라인은 산화물 반도체를 반도체에 사용하는 보텀 게이트형 트랜지스터의 제조 라인으로 용이하게 개조할 수 있다. 또한 예를 들어 폴리실리콘을 반도체에 사용하는 톱 게이트형 트랜지스터의 제조 라인은 산화물 반도체를 반도체에 사용하는 톱 게이트형 트랜지스터의 제조 라인으로 용이하게 개조할 수 있다. 어느 개조에서도 기존의 제조 라인을 유효하게 활용할 수 있다.
이에 의하여 깜박거림을 억제할 수 있다. 또는 소비전력을 저감시킬 수 있다. 또는 움직임이 빠른 동영상을 부드럽게 표시할 수 있다. 또는, 풍부한 계조로 사진 등을 표시할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<반도체막(508)의 구성예 3.>>
예를 들어 화합물 반도체를 트랜지스터의 반도체에 사용할 수 있다. 구체적으로는 갈륨 비소를 포함하는 반도체를 사용할 수 있다.
예를 들어 유기 반도체를 트랜지스터의 반도체에 사용할 수 있다.구체적으로는 폴리아센류 또는 그래핀을 포함하는 유기 반도체를 반도체막에 사용할 수 있다.
<<화소(702(i, j))의 구성예 2.>>
표시 영역(231)은 복수의 화소를 구비한다. 예를 들어 색상이 서로 상이한 색을 표시하는 기능을 가지는 화소를 표시 영역(231)에 사용할 수 있다. 또는 상기 복수의 화소를 사용하여, 각각 화소에서는 표시할 수 없는 색상의 색을, 가법 혼색 또는 감법 혼색에 의하여 표시할 수 있다.
또한 색상이 상이한 색을 표시할 수 있는 복수의 화소를 혼색에 사용하는 경우에 있어서, 각각의 화소를 부화소라고 바꿔 말할 수 있다. 또한 복수의 부화소를 한 쌍으로 하여, 화소라고 바꿔 말할 수 있다.
예를 들어 화소(702(i, j))를 부화소라고 바꿔 말할 수 있고, 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 및 화소(702(i, j+2))를 한 쌍으로 하여, 화소(703(i, k))라고 바꿔 말할 수 있다(도 5의 (C) 참조).
또한 화소(702(i, j))를 부화소라고 바꿔 말할 수 있고, 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 화소(702(i+1,j)) 및 화소(702(i+1,j+1))를 한 쌍으로 하여, 화소(703(i, k))라고 바꿔 말할 수 있다(도 5의 (E) 참조).
구체적으로는 청색을 표시하는 부화소, 녹색을 표시하는 부화소 및 적색을 표시하는 부화소를 한 쌍으로 하여, 화소(703(i, k))에 사용할 수 있다. 또한 시안을 표시하는 부화소, 마젠타를 표시하는 부화소, 및 옐로우를 표시하는 부화소를 한 쌍으로 하여, 화소(703(i, k))에 사용할 수 있다.
또한 예를 들어 백색 등을 표시하는 부화소를 상술한 한 쌍에 더하여 화소에 사용할 수 있다.
<<기능층(520)의 구성예 2.>>
기능층(520)은 화소 회로(530(i, j)) 및 절연막(516)을 구비한다. 예를 들어 하면 및 하면과 대향하는 상면을 구비하는 절연막을 절연막(516)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 반도체막(508)에 접하는 하면 및 반도체막(508(2))에 접하는 상면을 구비하는 절연막을, 절연막(516)에 사용할 수 있다(도 8의 (B) 및 (C) 참조).
예를 들어 적층막을 절연막(516)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 반도체막(508) 위에 절연막(516)의 일부를 형성하고, 상기 일부 위에 절연막(516)의 다른 부분을 형성하고, 상기 다른 부분 위에 반도체막(508(2))을 형성할 수 있다.
<<화소 회로(530(i, j))의 구성예 3.>>
화소 회로(530(i, j))는 스위치(SW2), 트랜지스터(M), 및 용량 소자(C21)를 포함한다.
예를 들어 트랜지스터(M)에 사용하는 반도체막을 형성하는 공정과는 다른 공정으로 형성된 반도체막을 구비하는 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용할 수 있다(도 8의 (A), (B), 및 (C) 참조). 또는 트랜지스터(M)에 사용하는 반도체막의 조성과는 다른 조성의 반도체막을 구비하는 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 반도체막(508)을 구비하는 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용하고, 반도체막(508(2))을 구비하는 트랜지스터를 트랜지스터(M)에 사용할 수 있다.
이에 의하여 예를 들어 스위치(SW2)에 사용되는 트랜지스터보다, 트랜지스터(M)의 전류 구동 능력을 높게 할 수 있다. 또는 스위치(SW2)에 사용되는 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극을 트랜지스터(M)의 게이트 전극에 사용할 수 있다. 또는 스위치(SW2)에 사용되는 트랜지스터의 반도체막(508)과 트랜지스터(M)의 반도체막(508(2))의 거리를 가깝게 할 수 있다. 또는 스위치(SW2)에 사용되는 트랜지스터 및 트랜지스터(M)가 점유하는 면적을 작게 할 수 있다. 또는 화소의 개구율을 높일 수 있다. 또는 미세한 화소로 할 수 있다. 또는 고정세(高精細)의 표시 패널을 제공할 수 있다. 또는 화소 회로의 레이아웃의 자유도를 높일 수 있다. 또는, 미세한 화소에 많은 트랜지스터를 배치할 수 있다.
또한 도시하지 않았지만, 다른 구성으로서는 예를 들어 반도체막(508(2))을 구비하는 트랜지스터를 스위치(SW2)에 사용하고, 반도체막(508)을 구비하는 트랜지스터를 트랜지스터(M)에 사용하여도 좋다.
<표시 패널의 구성예 4.>
또한 표시 패널(700)은 표시 영역(231)을 가진다(도 5의 (A) 참조).
표시 영역(231)은 주사선(G2(i)) 및 신호선(S2(j))을 구비한다.
<<표시 영역(231)의 구성예 3.>>
표시 영역(231)은 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 및 화소(702(i, j+2))를 구비한다(도 5의 (C) 참조).
화소(702(i, j))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.680보다 크고 0.720 이하, 색도 y가 0.260 이상 0.320 이하의 색의 빛을 사출한다.
화소(702(i, j+1))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.130 이상 0.250 이하, 색도 y가 0.710보다 크고 0.810 이하의 색의 빛을 사출한다.
화소(702(i, j+2))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.120 이상 0.170 이하, 색도 y가 0.020 이상 0.060 미만의 색의 빛을 사출한다.
또한 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 및 화소(702(i, j+2))를 CIE 색도도(x,y)에서의 BT.2020의 색역에 대한 면적비가 80% 이상, 또는, 상기 색역에 대한 커버율이 75% 이상이 되도록 구비한다. 바람직하게는, 면적비가 90% 이상, 또는 커버율이 85% 이상이 되도록 구비한다.
<표시 패널의 구성예 5.>
또한 표시 패널(700)은 기재(510), 기재(770), 및 절연막(501C)을 구비한다(도 7의 (A) 참조).
절연막(501C)은 기재(510)와 기재(770) 사이에 개재되는 영역을 구비하고, 기능층(520)은 절연막(501C)과 기재(770) 사이에 개재되는 영역을 구비한다.
<<기능층(520)의 구성예 3.>>
기능층(520)은 절연막(521), 절연막(518), 절연막(516), 절연막(506) 및 절연막(501C) 등을 구비한다.
[절연막(521)]
절연막(521)은 화소 회로(530(i, j))와 표시 소자(550(i, j)) 사이에 개재되는 영역을 구비한다(도 7의 (A) 참조).
예를 들어 절연성 무기 재료, 절연성 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료를 포함하는 절연성 복합 재료를 절연막(521)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등, 혹은 이들 중에서 선택된 복수의 막을 적층한 적층 재료를 절연막(521)에 사용할 수 있다.
예를 들어 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 알루미늄막 등, 또는 이들 중에서 선택된 복수의 막을 적층한 적층 재료를 포함하는 막을 절연막(521)에 사용할 수 있다. 또한 질화 실리콘막은 치밀한 막이고, 불순물의 확산을 억제하는 기능이 우수하다.
예를 들어 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리실록산, 또는 아크릴 수지 등, 또는 이들 중에서 선택된 복수의 수지의 적층 재료 또는 복합 재료 등을 절연막(521)에 사용할 수 있다. 또한 감광성을 가지는 재료를 사용하여 형성하여도 좋다. 이에 의하여 예를 들어 절연막(521)은, 이와 중첩되는 다양한 구조에 기인한 단차를 평탄화할 수 있다.
또한 폴리이미드는 열적 안정성, 절연성, 인성(靭性), 저유전율, 저열 팽창률, 내약품성 등의 특성에 있어서 다른 유기 재료에 비하여 우수한 특성을 가진다. 이에 의하여 특히 폴리이미드를 절연막(521) 등에 적합하게 사용할 수 있다.
예를 들어 감광성을 가지는 재료를 사용하여 형성된 막을 절연막(521)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 감광성 폴리이미드 또는 감광성의 아크릴 수지 등을 사용하여 형성된 막을 절연막(521)에 사용할 수 있다.
예를 들어 투광성을 가지는 재료를 절연막(521)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 질화 실리콘을 절연막(521)에 사용할 수 있다.
[절연막(518)]
절연막(518)은 화소 회로(530(i, j))와 절연막(521) 사이에 끼워지는 영역을 구비한다(도 7의 (B) 참조). 또한 적층막을 절연막(518)에 사용할 수 있다.
예를 들어 절연막(521)에 사용할 수 있는 재료를 절연막(518)에 사용할 수 있다.
예를 들어 산소, 수소, 물, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 등의 확산을 억제하는 기능을 가지는 재료를 절연막(518)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 질화물 절연막을 절연막(518)에 사용할 수 있다. 예를 들어 질화 실리콘, 질화 산화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 산화 알루미늄 등을 절연막(518)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 트랜지스터의 반도체막에 대한 불순물의 확산을 억제할 수 있다.
[절연막(516)]
절연막(516)은 화소 회로(530(i, j))와 절연막(518) 사이에 끼워지는 영역을 구비한다(도 7의 (B) 참조). 또한 적층막을 절연막(516)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 절연막(516A) 및 절연막(516B)을 적층한 절연막을 절연막(516)에 사용할 수 있다.
예를 들어 절연막(521)에 사용할 수 있는 재료를 절연막(516)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 절연막(518)과는 제작 방법이 상이한 막을 절연막(516)에 사용할 수 있다.
[절연막(506), 절연막(501D)]
절연막(506)은 반도체막(508)과 도전막(504E) 사이에 끼워지는 영역을 구비한다(도 7의 (B) 참조). 또한 절연막(501D)은 반도체막(508) 및 도전막(524) 사이에 끼워지는 영역을 구비한다.
예를 들어 절연막(521)에 사용할 수 있는 재료를 절연막(506) 또는 절연막(501D)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화 하프늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 갈륨막, 산화 탄탈럼막, 산화 마그네슘막, 산화 란타넘막, 산화 세륨막, 또는 산화 네오디뮴막을 포함하는 막을 절연막(506)에 사용할 수 있다.
[절연막(501C)]
절연막(501C)은 화소 회로(530(i, j))와 기재(510) 사이에 끼워지는 영역을 구비한다(도 7의 (A) 참조).
예를 들어 절연막(521)에 사용할 수 있는 재료를 절연막(501C)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 실리콘 및 산소를 포함하는 재료를 절연막(501C)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 화소 회로 또는 표시 소자 등으로 불순물이 확산되는 것을 억제할 수 있다.
[절연막(528)]
절연막(528)은 절연막(521)과 기재(770) 사이에 끼워지는 영역을 구비하고, 표시 소자(550(i, j))와 중첩되는 영역에 개구부를 구비한다(도 7의 (A) 참조). 전극(551(i, j))의 주연을 따라 형성되는 절연막(528)은 전극(551(i, j))과 전극(552) 사이의 단락(短絡)을 방지한다.
예를 들어 절연막(521)에 사용할 수 있는 재료를 절연막(528)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 산화 실리콘막, 아크릴 수지를 포함하는 막 또는 폴리이미드를 포함하는 막을 절연막(528)에 사용할 수 있다.
<<밀봉재(705)>>
밀봉재(705)는 기능층(520)과 기재(770) 사이에 개재되는 영역을 구비하고, 기능층(520)과 기재(770)를 접합시키는 기능을 가진다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합 재료 등을 밀봉재(705)에 사용할 수 있다.
예를 들어 열 용융성 수지 또는 경화성 수지 등의 유기 재료를 밀봉재(705)에 사용할 수 있다.
예를 들어 반응 경화형 접착제, 광 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 또는/및 혐기형(嫌氣型) 접착제 등의 유기 재료를 밀봉재(705)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, 및 EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 포함한 접착제를 밀봉재(705)에 사용할 수 있다.
<<기능층(720)>>
기능층(720)은 착색막(CF1), 절연막(771), 및 차광막(BM)을 구비한다.
착색막(CF1)은 기재(770)와 표시 소자(550(i, j)) 사이에 개재되는 영역을 구비한다.
차광막(BM)은 화소(702(i, j))와 중첩되는 영역에 개구부를 구비한다.
<<기능막(770P) 등>>
기능막(770P)은 표시 소자(550(i, j))와 중첩되는 영역을 구비한다.
예를 들어 반사 방지 필름, 편광 필름, 위상차 필름, 광 확산 필름, 또는 집광 필름 등을 기능막(770P)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 원 편광 필름을 기능막(770P)에 사용할 수 있다.
또한 먼지의 부착을 억제하는 대전 방지막, 오염이 부착되기 어렵게 하는 발수성(撥水性)의 막, 반사 방지막(안티 리프렉션막), 비광택 처리막(안티 그레어막), 사용에 따른 손상의 발생을 억제하는 하드코트막 등을 기능막(770P)에 사용할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 개시되는 트랜지스터의 반도체막에 사용될 수 있는 금속 산화물에 대하여 설명한다. 또한 트랜지스터의 반도체막에 금속 산화물을 사용하는 경우, 상기 금속 산화물을 산화물 반도체로 바꿔 읽어도 좋다.
산화물 반도체는 단결정 산화물 반도체와 비단결정 산화물 반도체로 나누어진다. 비단결정 산화물 반도체로서는 CAAC-OS(c-axis-aligned crystalline oxide semiconductor), 다결정 산화물 반도체, nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor), a-like os(amorphous like oxide semiconductor), 및 비정질 산화물 반도체 등이 있다.
또한 비단결정 산화물 반도체의 하나로서, 반결정성 산화물 반도체(Semi-crystalline oxide semiconductor)라고 불리는 산화물 반도체를 들 수 있다. 반결정성 산화물 반도체란, 단결정 산화물 반도체와 비정질 산화물 반도체의 중간의 구조를 가진다. 반결정성 산화물 반도체는 비정질 산화물 반도체에 비하여 구조가 안정된다. 예를 들어 반결정성 산화물 반도체로서는, CAAC 구조를 가지며, CAC(Cloud-Aligned Composite) 구성인 산화물 반도체가 있다. CAC의 자세한 사항에 대해서는 다음으로 설명을 수행한다
또한 본 발명의 일 형태에 개시되는 트랜지스터의 반도체막에는 CAC-OS(Cloud-Aligned Composite oxide semiconductor)를 사용하여도 좋다.
또한 본 발명의 일 형태에 개시되는 트랜지스터의 반도체막에는 상술한 비단결정 산화물 반도체 또는 CAC-OS를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한 비단결정 산화물 반도체로서는 nc-OS 또는 CAAC-OS를 바람직하게 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태에서는 트랜지스터의 반도체막으로서 CAC-OS를 사용하는 것이 바람직하다. CAC-OS를 사용함으로써 트랜지스터에 높은 전기 특성 또는 높은 신뢰성을 부여할 수 있다.
이하에서는 CAC-OS의 상세한 사항에 대하여 설명한다.
CAC-OS 또는 CAC-metal oxide는 재료의 일부에서는 도전성의 기능을 가지고, 재료의 일부에서는 절연성의 기능을 가지고, 재료 전체에서는 반도체로서의 기능을 가진다. 또한 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide를 트랜지스터의 채널 형성 영역에 사용하는 경우, 도전성의 기능은 캐리어가 되는 전자(또는 정공)를 흘리는 기능이고, 절연성의 기능은 캐리어가 되는 전자를 흘리지 않는 기능이다. 도전성의 기능과 절연성의 기능을 각각 상보적으로 작용시킴으로써, 스위칭시키는 기능(On/Off시키는 기능)을 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide에 부여할 수 있다. CAC-OS 또는 CAC-metal oxide에서 각각의 기능을 분리시킴으로써, 양쪽의 기능을 최대한 높일 수 있다.
또한 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide는 도전성 영역 및 절연성 영역을 가진다. 도전성 영역은 상술한 도전성의 기능을 가지고, 절연성 영역은 상술한 절연성의 기능을 가진다. 또한 재료 내에서 도전성 영역과 절연성 영역은 나노 입자 레벨로 분리되어 있는 경우가 있다. 또한 도전성 영역과 절연성 영역은 각각 재료 내에 편재하는 경우가 있다. 또한 도전성 영역은 주변이 흐릿해져 클라우드상으로 연결되어 관찰되는 경우가 있다.
또한 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide에서 도전성 영역과 절연성 영역은 각각 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 0.5nm 이상 3nm 이하의 크기로 재료 내에 분산되어 있는 경우가 있다.
또한 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide는 상이한 밴드 갭을 가지는 성분으로 구성된다. 예를 들어 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide는 절연성 영역에 기인하는 와이드 갭을 가지는 성분과 도전성 영역에 기인하는 내로 갭을 가지는 성분으로 구성된다. 상기 구성의 경우, 캐리어를 흘릴 때 내로 갭을 가지는 성분에서 주로 캐리어가 흐른다. 또한 내로 갭을 가지는 성분이 와이드 갭을 가지는 성분에 상보적으로 작용하고, 내로 갭을 가지는 성분에 연동하여 와이드 갭을 가지는 성분에도 캐리어가 흐른다. 따라서 상기 CAC-OS 또는 CAC-metal oxide를 트랜지스터의 채널 형성 영역에 사용하는 경우, 트랜지스터의 온 상태에서 높은 전류 구동력, 즉 큰 온 전류 및 높은 전계 효과 이동도를 얻을 수 있다.
즉, CAC-OS 또는 CAC-metal oxide는 매트릭스 복합재(matrix composite) 또는 금속 매트릭스 복합재(metal matrix composite)라고 부를 수도 있다.
CAC-OS는 예를 들어 금속 산화물을 구성하는 원소가 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 2nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 편재한 재료의 하나의 구성이다. 또한 이하에서는 금속 산화물에서 하나 또는 그 이상의 금속 원소가 편재하고, 상기 금속 원소를 가지는 영역이 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 2nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 혼합한 상태를 모자이크 패턴 또는 패치 패턴이라고도 한다.
또한 금속 산화물은 적어도 인듐을 포함하는 것이 바람직하다. 특히 인듐 및 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 또한 이들에 더하여 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 보론, 실리콘, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 등으로부터 선택된 1종류 또는 복수 종류가 포함되어도 좋다.
예를 들어 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS(CAC-OS 중에서도 In-Ga-Zn 산화물을 특히 CAC-IGZO라고 불러도 좋음)란, 인듐 산화물(이하, InOX1(X1은 0보다 큰 실수)로 함) 또는 인듐 아연 산화물(이하, InX2ZnY2OZ2(X2, Y2, 및 Z2는 0보다 큰 실수)로 함)과, 갈륨 산화물(이하, GaOX3(X3은 0보다 큰 실수)으로 함) 또는 갈륨 아연 산화물(이하, GaX4ZnY4OZ4(X4, Y4, 및 Z4는 0보다 큰 실수)로 함) 등으로 재료가 분리됨으로써 모자이크 패턴이 되고, 모자이크 패턴의 InOX1 또는 InX2ZnY2OZ2가 막 내에 균일하게 분포된 구성(이하, 클라우드상이라고도 함)이다.
즉 CAC-OS는 GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 혼합된 구성을 가지는 복합 금속 산화물이다. 또한 본 명세서에서 예를 들어 제 1 영역의 원소 M에 대한 In의 원자수비가 제 2 영역의 원소 M에 대한 In의 원자수비보다 큰 것을, 제 1 영역은 제 2 영역과 비교하여 In의 농도가 높은 것으로 한다.
또한 IGZO는 통칭이며, In, Ga, Zn, 및 O로 이루어지는 하나의 화합물을 말하는 경우가 있다. 대표적인 예로서, InGaO3(ZnO)m1(m1은 자연수) 또는 In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1, m0은 임의의 수임)으로 나타내어지는 결정성 화합물을 들 수 있다.
상기 결정성 화합물은 단결정 구조, 다결정 구조, 또는 CAAC(c-axis aligned crystal) 구조를 가진다. 또한 CAAC 구조는, 복수의 IGZO의 나노 결정이 c축 배향을 가지고 또한 a-b면에서는 배향하지 않고 연결된 결정 구조이다.
한편으로, CAC-OS는 금속 산화물의 재료 구성에 관한 것이다. CAC-OS란, In, Ga, Zn, 및 O를 포함하는 재료 구성에서, 일부에 Ga를 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역과, 일부에 In을 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역이, 각각 모자이크 패턴으로 무작위로 분산되어 있는 구성을 말한다. 따라서 CAC-OS에서 결정 구조는 부차적인 요소이다.
또한 CAC-OS는 조성이 상이한 2종류 이상의 막의 적층 구조를 포함하지 않는 것으로 한다. 예를 들어 In을 주성분으로 하는 막과, Ga를 주성분으로 하는 막의 2층으로 이루어지는 구조는 포함하지 않는다.
또한 GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역에서는, 명확한 경계를 관찰할 수 없는 경우가 있다.
또한 갈륨 대신에 알루미늄, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 보론, 실리콘, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 등에서 선택된 1종류 또는 복수 종류가 포함되어 있는 경우, CAC-OS는 일부에 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역과, 일부에 In을 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역이 각각 모자이크상으로 무작위로 분산되는 구성을 말한다.
CAC-OS는 예를 들어 기판을 의도적으로 가열하지 않는 조건하에서 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 또한 CAC-OS를 스퍼터링법에 의하여 형성하는 경우, 성막 가스로서 불활성 가스(대표적으로는 아르곤), 산소 가스, 및 질소 가스 중에서 선택된 어느 하나 또는 복수를 사용하면 좋다. 또한 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비는 낮을수록 바람직하고, 예를 들어 산소 가스의 유량비를 0% 이상 30% 미만, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하로 하는 것이 바람직하다.
CAC-OS는 X선 회절(XRD: X-ray diffraction) 측정법의 하나인 Out-of-plane법에 의한 θ/2θ 스캔을 사용하여 측정하였을 때 명확한 피크가 관찰되지 않는다는 특징을 가진다. 즉 X선 회절 측정으로부터 측정 영역의 a-b면 방향 및 c축 방향의 배향은 보이지 않는 것을 알 수 있다.
또한 CAC-OS는 프로브 직경이 1nm인 전자선(나노 빔 전자선이라고도 함)을 조사함으로써 얻어지는 전자선 회절 패턴에서, 링 형상으로 휘도가 높은 영역이 관측되고, 상기 링 영역에 복수의 휘점이 관측된다. 따라서, 전자선 회절 패턴으로부터, CAC-OS의 결정 구조가 평면 방향 및 단면 방향에서 배향성을 가지지 않는 nc(nano-crystal) 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
또한 예를 들어 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서는, 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray spectroscopy)을 사용하여 취득한 EDX 매핑으로부터, GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 편재하고 혼합되어 있는 구조를 가진다는 것을 확인할 수 있다.
CAC-OS는 금속 원소가 균일하게 분포된 IGZO 화합물과는 상이한 구조이고, IGZO 화합물과 상이한 성질을 가진다. 즉, CAC-OS는 GaOX3 등이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역으로 서로 상분리(相分離)되어, 각 원소를 주성분으로 하는 영역이 모자이크상인 구조를 가진다.
여기서, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역은 GaOX3 등이 주성분인 영역과 비교하여 도전성이 높은 영역이다. 즉, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역을 캐리어가 흐름으로써, 산화물 반도체로서의 도전성이 발현된다. 따라서 InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 산화물 반도체 내에 클라우드상으로 분포됨으로써, 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
한편으로, GaOX3 등이 주성분인 영역은 InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역과 비교하여 절연성이 높은 영역이다. 즉, GaOX3 등이 주성분인 영역이 산화물 반도체 내에 분포됨으로써 누설 전류가 억제되어 양호한 스위칭 동작을 실현할 수 있다.
따라서, CAC-OS를 반도체 소자에 사용한 경우, GaOX3 등에 기인하는 절연성과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1에 기인하는 도전성이 상보적으로 작용함으로써, 높은 온 전류(Ion) 및 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
또한 CAC-OS를 사용한 반도체 소자는 신뢰성이 높다. 따라서, CAC-OS는 표시 패널을 비롯한 다양한 반도체 장치에 최적이다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성에 대하여, 도 5 및 도 9를 참조하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
<표시 패널의 구성예 6.>
본 실시형태에서 설명하는 표시 패널(700)은 표시 영역(231)을 가진다(도 9 참조).
<<표시 영역(231)의 구성예 5.>>
표시 영역(231)은 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))와, 다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))와, 주사선(G2(i))과, 신호선(S2(j))을 가진다(도 9 참조). 또한 i는 1 이상 m 이하의 정수이고, j는 1 이상 n 이하의 정수이고, m 및 n은 1 이상의 정수이다.
또한 도시하지 않았지만, 표시 영역(231)은 도전막(VCOM2)과 도전막(ANO)을 가진다.
화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))는 화소(702(i, j))를 포함하고, 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))는 행 방향(도면에서 화살표(R1)로 나타내는 방향)으로 배치된다.
다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))는 화소(702(i, j))를 포함하고, 다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))는 행 방향과 교차되는 열 방향(도면에서 화살표(C1)로 나타내는 방향)으로 배치된다.
주사선(G2(i))은 행 방향으로 배치된 화소군(702(i, 1) 내지 702(i, n))와 전기적으로 접속된다.
신호선(S2(j))은 열 방향으로 배치되는 다른 화소군(702(1, j) 내지 702(m, j))와 전기적으로 접속된다.
이에 의하여 복수의 화소에 화상 정보를 공급할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
표시 영역(231)은 1인치당 600개 이상의 화소를 구비한다.
이에 의하여 화소의 정밀도를 유지하며, 개구율을 크게 할 수 있다. 또는 개구율을 유지하며, 화소의 정밀도를 높일 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 패널을 제공할 수 있다.
<<표시 영역(231)의 구성예 6.>>
표시 영역(231)은 행 방향으로 배치된 7600개 이상의 화소를 구비하고, 표시 영역(231)은 열 방향으로 배치된 4300개 이상의 화소를 구비한다. 예를 들어 행 방향으로 배치된 7680개의 화소를 구비하고, 열 방향으로 배치된 4320개의 화소를 구비한다.
<표시 패널의 구성예 7.>
표시 영역(231)은 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 및 화소(702(i, j+2))를 구비한다(도 5의 (C) 참조).
화소(702(i, j))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.680보다 크고 0.720 이하, 색도 y가 0.260 이상 0.320 이하의 색을 표시한다.
화소(702(i, j+1))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.130 이상 0.250 이하, 색도 y가 0.710보다 크고 0.810 이하의 색을 표시한다.
화소(702(i, j+2))는 CIE 1931 색도 좌표에서의 색도 x가 0.120 이상 0.170 이하, 색도 y가 0.020 이상 0.060 미만인 색을 표시한다.
또한 화소(702(i, j)), 화소(702(i, j+1)), 및 화소(702(i, j+2))를 CIE 색도도(x,y)에서의 BT.2020의 색역에 대한 면적비가 80% 이상, 또는 상기 색역에 대한 커버율이 75% 이상이 되도록 구비한다. 바람직하게는, 면적비가 90% 이상, 또는 커버율이 85% 이상이 되도록 구비한다.
<표시 패널의 구성예 8.>
또한 본 실시형태에서 설명하는 표시 패널(700)은 복수의 구동 회로를 구비할 수 있다. 예를 들어 구동 회로(GDA), 구동 회로(GDB), 또는 구동 회로(SD)를 구비할 수 있다(도 9 참조).
<<구동 회로(GDA), 구동 회로(GDB)>>
구동 회로(GDA) 및 구동 회로(GDB)는 제어 정보에 기초하여 선택 신호를 공급하는 기능을 가진다.
일례를 들면, 제어 정보에 기초하여 30Hz 이상, 바람직하게는 60Hz 이상의 빈도로 1개의 주사선에 선택 신호를 공급하는 기능을 가진다. 이에 의하여 동영상을 부드럽게 표시할 수 있다.
예를 들어 제어 정보에 기초하여 30Hz 미만, 바람직하게는 1Hz 미만, 더 바람직하게는 1분마다 1회 미만의 빈도로 하나의 주사선에 선택 신호를 공급하는 기능을 가진다. 이로써 플리커가 억제된 상태에서 정지 화상을 표시할 수 있다.
예를 들어 복수의 구동 회로를 구비하는 경우, 구동 회로(GDA)가 선택 신호를 공급하는 빈도와, 구동 회로(GDB)가 선택 신호를 공급하는 빈도를 다르게 할 수 있다. 구체적으로는 정지 화상을 표시하는 하나의 영역에 선택 신호를 공급하는 빈도보다 높은 빈도로, 동영상을 표시하는 다른 영역에 선택 신호를 공급할 수 있다. 이에 의하여, 하나의 영역에 플리커가 억제된 상태로 정지 화상을 표시하고, 다른 영역에 동영상을 부드럽게 표시할 수 있다.
또는 프로그레시브 방식을 사용하여 120Hz의 프레임 주파수로 표시를 행할 수 있다. 또는, 국제 규격인 Recommendation ITU-R BT.2020-2를 만족시키는, 매우 고해상도의 표시를 행할 수 있다. 또는, 매우 고해상도의 표시를 행할 수 있다.
<<구동 회로(SD(1))>>
구동 회로(SD(1))는, 정보(V11)에 기초하여 화상 신호를 공급하는 기능을 가진다(도 9 참조).
구동 회로(SD(1))는 화상 신호를 생성하는 기능과 상기 화상 신호를 하나의 표시 소자와 전기적으로 접속되는 화소 회로에 공급하는 기능을 가진다.
예를 들어 시프트 레지스터 등의 다양한 순서 회로 등을 구동 회로(SD(1))에 사용할 수 있다.
예를 들어 실리콘 기판 위에 형성된 집적 회로를 구동 회로(SD(1))에 사용할 수 있다.
예를 들어 COG(Chip on glass)법 또는 COF(Chip on Film)법을 사용하여 집적 회로를 단자에 실장할 수 있다. 구체적으로는 이방성 도전막을 사용하여 집적 회로를 단자에 실장할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 구성에 대하여, 도 10을 참조하며 설명한다.
도 10은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
<표시 장치의 구성예>
본 실시형태에서 설명하는 표시 장치는 제어부(238)와, 표시 패널(700)을 가진다(도 10 참조).
<<제어부(238)의 구성예>>
제어부(238)는 화상 정보(V1) 및 제어 정보(CI)를 공급받는다. 예를 들어, 클록 신호 또는 타이밍 신호 등을 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
제어부(238)는 화상 정보(V1)에 기초하여 정보(V11)를 생성하고, 제어 정보(CI)에 기초하여 제어 신호(SP)를 생성한다.또한 제어부(238)는 정보(V11) 및 제어 신호(SP)를 공급한다. 예를 들어 정보(V11)는 8bit 이상, 바람직하게는 12bit 이상의 계조를 포함한다.
구체적으로는 제어부(238)는 제어 회로(233), 신장 회로(234), 및 화상 처리 회로(235)를 구비한다.
<<제어 회로(233)>>
제어 회로(233)는 제어 신호(SP)를 생성하고, 공급하는 기능을 가진다.
제어 회로(233)는 제어 신호(SP)를 공급하는 기능을 가진다. 예를 들어 클록 신호 또는 타이밍 신호 등을 제어 신호(SP)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 구동 회로(GDA(1)) 또는 구동 회로(SDA(1)) 등의 동작을 시작하는 스타트 펄스를 제어 신호(SP)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 복수의 구동 회로의 동작을 동기시킬 수 있다.
예를 들어 타이밍 컨트롤러를 제어 회로(233)에 사용할 수 있다.
또한 제어 회로(233)를 표시 패널에 포함시킬 수도 있다. 예를 들어 리지드 기판에 실장된 제어 회로(233)를, 표시 패널에 사용할 수 있다. 또한 리지드 기판에 실장된 제어 회로(233)를, 플렉시블 인쇄 기판을 사용하여 구동 회로에 전기적으로 접속할 수 있다.
구체적으로는 구동 회로(GDA(1)), 구동 회로(GDB(1)), 구동 회로(GDA(2)), 및 구동 회로(GDB(2))와 전기적으로 접속할 수 있다. 또한 구동 회로(SDA(1)), 구동 회로(SDB(1)), 구동 회로(SDC(1)), 구동 회로(SDA(2)), 구동 회로(SDB(2)), 및 구동 회로(SDC(2))와 전기적으로 접속할 수 있다.
<<신장 회로(234)>>
신장 회로(234)는 압축된 상태로 공급되는 화상 정보(V1)를 신장하는 기능을 가진다. 신장 회로(234)는 기억부를 구비한다. 기억부는 예를 들어 신장된 화상 정보를 기억하는 기능을 가진다.
<<화상 처리 회로(235)>>
화상 처리 회로(235)는 예를 들어 기억 영역을 구비한다. 기억 영역은 예를 들어 화상 정보(V1)에 포함되는 정보를 기억하는 기능을 가진다.
화상 처리 회로(235)는 예를 들어 소정의 특성 곡선에 기초하여 화상 정보(V1)를 보정하여 정보(V11)를 생성하는 기능과, 정보(V11)를 공급하는 기능을 가진다.
<<표시 패널의 구성예>>
표시 패널(700)은 정보(V11) 또는 제어 신호(SP)를 공급받는다. 구동 회로는 제어 신호(SP)에 기초하여 동작하고, 화소(702(i, j))는 정보(V11)에 기초하여 표시한다.
예를 들어 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 설명하는 표시 패널을 사용할 수 있다.
예를 들어 구동 회로(GDA(1)), 구동 회로(GDB(1)), 구동 회로(GDA(2)) 및 구동 회로(GDB(2))는 제어 신호(SP)에 기초하여 선택 신호를 공급하는 기능을 가진다.
예를 들어 구동 회로(SDA(1)), 구동 회로(SDB(1)), 구동 회로(SDC(1)), 구동 회로(SDA(2)), 구동 회로(SDB(2)), 및 구동 회로(SDC(2))는 제어 신호(SP)를 공급받고, 정보(V11)를 공급한다.
이에 의하여, 표시 소자를 사용하여 화상 정보를 표시할 수 있다. 그 결과, 편의성 또는 신뢰성이 우수한 신규 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 입출력 장치의 구성에 대하여, 도 11을 참조하며 설명한다.
도 11은 본 발명의 일 형태에 따른 입출력 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
<입출력 장치의 구성예>
본 실시형태에서 설명하는 입출력 장치는 입력부(240)와 표시부(230)를 가진다(도 11 참조).
<<표시부(230)>>
예를 들어 실시형태 1 또는 실시형태 2에 기재된 표시 패널(700)을 표시부(230)에 사용할 수 있다. 또한 입력부(240) 및 표시부(230)를 가지는 구성을 입출력 패널(700TP)이라고 할 수 있다.
<<입력부(240)의 구성예 1.>>
입력부(240)는 검지 영역(241)을 구비한다. 입력부(240)는 검지 영역(241)에 근접한 것을 검지하는 기능을 가진다.
검지 영역(241)은 화소(702(i, j))와 중첩되는 영역을 구비한다.
이에 의하여, 표시부를 사용하여 화상 정보를 표시하면서, 표시부와 중첩되는 영역에 근접한 것을 검지할 수 있다. 또는, 표시부에 근접시키는 손가락 등을 포인터로 사용하여 위치 정보를 입력할 수 있다. 또는, 위치 정보를 표시부에 표시하는 화상 정보와 관련지을 수 있다. 결과적으로, 편리성 또는 신뢰성이 뛰어난 신규 입출력 장치를 제공할 수 있다.
<<입력부(240)의 구성예 2.>>
입력부(240)는 발진 회로(OSC) 및 검지 회로(DC)를 구비할 수 있다(도 11 참조).
<<검지 영역(241)>>
검지 영역(241)은 예를 들어 단수 또는 복수의 검지 소자를 구비한다.
검지 영역(241)은 검지 소자군(775(g,1) 내지 775(g,q))와, 다른 검지 소자군(775(1,h) 내지 775(p,h))를 가진다. 또한 g는 1 이상 p 이하인 정수이고, h는 1 이상 q 이하인 정수이고, p 및 q는 1 이상인 정수이다.
검지 소자군(775(g, 1) 내지 775(g, q))는 검지 소자(775(g, h))를 포함하고, 행 방향(도면에서 화살표(R2)로 나타낸 방향)으로 배치된다. 또한 화살표(R2)로 나타내는 방향은 화살표(R1)로 나타내는 방향과 동일한 방향이어도 좋고, 상이한 방향이어도 좋다.
또한 다른 검지 소자군(775(1, h) 내지 775(p, h))는 검지 소자(775(g, h))를 포함하고, 행 방향과 교차되는 열 방향(도면에서 화살표(C2)로 나타낸 방향)으로 배치된다.
<<검지 소자>>
검지 소자는 근접한 포인터를 검지하는 기능을 가진다. 예를 들어 손가락이나 스타일러스 펜 등을 포인터로서 사용할 수 있다. 예를 들어 금속편이나 코일 등을 스타일러스 펜에 사용할 수 있다.
구체적으로 정전 용량 방식의 근접 센서, 전자 유도 방식의 근접 센서, 광학 방식의 근접 센서, 저항막 방식의 근접 센서 등을 검지 소자에 사용할 수 있다.
또한 복수의 방식의 검지 소자를 병용할 수 있다. 예를 들어 손가락을 검지하는 검지 소자와 스타일러스 펜을 검지하는 검지 소자를 병용할 수 있다.
이에 의하여, 포인터의 종류를 판별할 수 있다. 또는, 판별한 포인터의 종류에 기초하여 상이한 명령을 검지 정보와 관련지을 수 있다. 구체적으로는 손가락을 포인터로 사용하였다고 판별된 경우에는 검지 정보를 제스처와 관련지을 수 있다. 또는, 포인터로 스타일러스 펜을 사용하였다고 판별된 경우에는 검지 정보를 묘화 처리와 관련지을 수 있다.
구체적으로는 정전 용량 방식 또는 광학 방식의 근접 센서를 사용하여 손가락을 검지할 수 있다. 또는, 전자 유도 방식 또는 광학 방식의 근접 센서를 사용하여 스타일러스 펜을 검지할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는 본 발명의 일양태의 정보 처리 장치의 구성에 대하여 도 12 내지 도 15를 참조하며 설명한다.
도 12의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 12의 (B)는 정보 처리 장치의 외관의 일례를 설명하기 위한 투영도이다.
도 13은 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 13의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램의 주된 처리를 설명하기 위한 흐름도이고, 도 13의 (B)는 인터럽트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 14는 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램을 설명하기 위한 도면이다. 도 14의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램의 인터럽트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다. 또한 도 14의 (B)는 정보 처리 장치의 조작을 설명하기 위한 모식도이고, 도 14의 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 15는 본 발명의 일 형태에 따른 인공 지능부를 설명하기 위한 도면이다. 도 15의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 인공 지능부를 설명하기 위한 블록도이다. 도 15의 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 뉴럴 네트워크를 설명하기 위한 블록도이다. 도 15의 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 뉴런 회로를 설명하기 위한 블록도이다.
<정보 처리 장치의 구성예 1.>
본 실시형태에서 설명하는 정보 처리 장치(200)는 연산 장치(210)와 입출력 장치(220)를 가진다(도 12의 (A) 참조). 또한 입출력 장치(220)는 연산 장치(210)와 전기적으로 접속된다. 또한 정보 처리 장치(200)는 하우징을 구비할 수 있다(도 12의 (B) 참조).
<<연산 장치(210)의 구성예 1.>>
연산 장치(210)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)를 공급받는다. 연산 장치(210)는 제어 정보(CI) 및 화상 정보(V1)를 공급한다.
연산 장치(210)는 연산부(211) 및 기억부(212)를 구비한다. 또한 연산부(211)는 전송로(214) 및 입출력 인터페이스(215)를 구비한다.
전송로(214)는 연산부(211), 기억부(212), 및 입출력 인터페이스(215)와 전기적으로 접속된다.
<<연산부(211)>>
연산부(211)는 예를 들어 프로그램을 실행하는 기능을 가진다.
<<기억부(212)>>
기억부(212)는 예를 들어 연산부(211)가 실행하는 프로그램, 초기 정보, 설정 정보, 또는 화상 등을 기억하는 기능을 가진다.
구체적으로는 하드 디스크, 플래시 메모리, 또는 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 사용한 메모리 등을 사용할 수 있다.
<<입출력 인터페이스(215), 전송로(214)>>
입출력 인터페이스(215)는 단자 또는 배선을 구비하고, 정보를 공급하고, 정보를 공급받는 기능을 가진다. 예를 들어 전송로(214)와 전기적으로 접속할 수 있다. 또한 입출력 장치(220)와 전기적으로 접속할 수 있다.
전송로(214)는 배선을 구비하고, 정보를 공급하고, 정보를 공급받는 기능을 가진다. 예를 들어 입출력 인터페이스(215)와 전기적으로 접속할 수 있다. 또한 연산부(211), 기억부(212), 또는 입출력 인터페이스(215)와 전기적으로 접속할 수 있다.
<<입출력 장치(220)의 구성예>>
입출력 장치(220)는 입력 정보(II) 및 검지 정보(DS)를 공급한다. 입출력 장치(220)는 제어 정보(CI) 및 화상 정보(V1)를 공급받는다(도 12의 (A) 참조).
예를 들어 키보드의 스캔 코드, 위치 정보, 버튼의 조작 정보, 음성 정보, 또는 화상 정보 등을 입력 정보(II)에 사용할 수 있다. 또는 예를 들어 정보 처리 장치(200)가 사용되는 환경 등의 조도 정보, 자세 정보, 가속도 정보, 방위 정보, 압력 정보, 온도 정보, 또는 습도 정보 등을 검지 정보(DS)에 사용할 수 있다.
예를 들어 화상 정보(V1)를 표시하는 휘도를 제어하는 신호, 채도를 제어하는 신호, 색상을 제어하는 신호를, 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다. 또는 화상 정보(V1)의 일부의 표시를 변화시키는 신호를, 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
입출력 장치(220)는 표시부(230), 입력부(240), 및 검지부(250)를 구비한다. 예를 들어 실시형태 6에서 설명하는 입출력 장치를 사용할 수 있다.
표시부(230)는 제어 정보(CI)에 기초하여 화상 정보(V1)를 표시한다.
입력부(240)는 입력 정보(II)를 생성한다.
검지부(250)는 검지 정보(DS)를 생성한다.
<<표시부(230)>>
표시부(230)는 화상 정보(V1)에 기초하여 화상을 표시하는 기능을 가진다. 표시부(230)는 제어 정보(CI)에 기초하여 화상을 표시하는 기능을 가진다.
표시부(230)는 제어부(238)와, 구동 회로(GDA(1))와, 구동 회로(SDA(1))와, 표시 패널(700)을 가진다(도 10 참조). 예를 들어 실시형태 5에서 설명하는 표시 장치를 표시부(230)에 사용할 수 있다.
<<입력부(240)>>
입력부(240)는 위치 정보를 공급하는 기능을 가진다. 다양한 휴먼 인터페이스 등을 입력부(240)에 사용할 수 있다(도 12의 (A) 참조).
예를 들어 키보드, 하드웨어 버튼, 포인팅 디바이스, 터치 센서, 촬상 장치, 음성 입력 장치, 시선 입력 장치, 자세 검출 장치, 마이크로폰, 또는 카메라 등을 입력부(240)에 사용할 수 있다. 또한 표시부(230)와 중첩되는 영역을 구비하는 터치 센서를 사용할 수 있다. 표시부(230) 및 표시부(230)와 중첩되는 영역을 구비하는 터치 센서를 가지는 입출력 장치를 터치 패널 또는 터치 스크린이라고 할 수 있다.
예를 들어 사용자는 터치 패널에 접촉된 손가락을 포인터로 사용하여 다양한 제스처(탭, 드래그, 스와이프, 또는 핀치인 등)를 할 수 있다.
예를 들어 연산 장치(210)는 터치 패널에 접촉되는 손가락의 위치 또는 궤적 등의 정보를 해석하고, 해석 결과가 소정의 조건을 만족시킬 때, 특정한 제스처가 공급된 것으로 할 수 있다. 이에 의하여, 사용자는 소정의 제스처와 미리 관련지은 소정의 조작 명령을, 상기 제스처를 사용하여 공급할 수 있다.
일례를 들면, 사용자는 화상 정보의 표시 위치를 변경하는 "스크롤 명령"을, 터치 패널을 따라 터치 패널에 접촉하는 손가락을 이동하는 제스처를 사용하여 공급할 수 있다.
<<검지부(250)>>
검지부(250)는 검지 정보(DS)를 공급하는 기능을 가진다. 검지부(250)는 예를 들어 정보 처리 장치(200)가 사용되는 환경의 조도를 검출하는 기능을 가지고, 조도 정보를 공급하는 기능을 가진다.
검지부(250)는 주위의 상태를 검지하여 검지 정보를 공급하는 기능을 가진다. 구체적으로는 조도 정보, 자세 정보, 가속도 정보, 방위 정보, 압력 정보, 온도 정보 또는 습도 정보 등을 공급할 수 있다.
예를 들어 광 검출기, 조도 센서, 자세 검출기, 가속도 센서, 방위 센서, GPS(Global Positioning System) 신호 수신 회로, 압력 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 카메라 등을 검지부(250)에 사용할 수 있다.
<<통신부(290)>>
통신부(290)는 네트워크에 정보를 공급하고, 네트워크로부터 정보를 취득하는 기능을 가진다.
<<하우징>>
또한 하우징은 입출력 장치(220) 또는 연산 장치(210)를 수납하는 기능을 가진다. 또는, 하우징은 표시부(230) 또는 연산 장치(210)를 지지하는 기능을 가진다.
이에 의하여, 정보 처리 장치는 정보 처리 장치가 사용되는 환경에서, 정보 처리 장치의 하우징이 받는 빛의 강도를 파악하여 동작할 수 있다. 또는 정보 처리 장치의 사용자는 표시 방법을 선택할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한 이들의 구성은 명확하게 분리되지 않고, 하나의 구성이 다른 구성을 겸하는 경우나 다른 구성의 일부를 포함하는 경우가 있다. 예를 들어 터치 센서가 표시 패널과 중첩된 터치 패널은 표시부임과 동시에 입력부이기도 하다.
<<연산 장치(210)의 구성예 2.>>
연산 장치(210)는 인공 지능부(213)를 구비한다(도 12의 (A) 참조).
<<인공 지능부(213)의 구성예 1.>>
인공 지능부(213)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)에 기초하여 제어 정보(CI)를 생성한다(도 15의 (A) 참조).
인공 지능부(213)는 반도체 장치(90)를 구비한다.
[입력 정보(II)에 대한 자연 언어 처리]
구체적으로는 인공지능부(213)는 입력정보(II)를 자연언어 처리하여 입력정보(II) 전체에서 하나의 특징을 추출할 수 있다. 예를들어, 인공지능부(213)는 입력정보(II)에 담긴 감정등을 추론하고, 특징으로 할 수 있다. 또한 경험을 바탕으로 상기 특징에 적합하다고 느껴지는 색채, 모양, 또는 서체 등을 추론할 수 있다. 또한 인공 지능부(213)는 글씨의 색, 모양 또는 서체를 지정하는 정보, 배경의 색 또는 모양을 지정하는 정보를 생성하고, 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 인공 지능부(213)는 입력 정보(II)를 자연 언어 처리하여 입력 정보(II)에 포함되는 일부의 언어를 추출할 수 있다. 예를 들어 인공 지능부(213)는 문법적인 오류, 사실 오인 또는 감정을 포함하는 표현 등을 추출할 수 있다. 또한 인공 지능부(213)는 추출한 일부를 다른 일부와는 상이한 색채, 모양 또는 서체 등으로 표시하는 제어 정보(CI)를 생성하고, 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
[입력 정보(II)에 대한 화상 처리]
구체적으로는 인공 지능부(213)는 입력 정보(II)를 화상 처리하여 입력 정보(II)에서 하나의 특징을 추출할 수 있다. 예를 들어 인공 지능부(213)는 입력 정보(II)가 촬영된 연대, 입력 정보(II)가 촬영된 환경이 옥내인지 또는 옥외인지, 입력 정보(II)가 촬영된 환경이 낮인지 또는 밤인지 등을 추론하고, 그것을 특징으로 할 수 있다. 또한 경험을 바탕으로 상기 특징에 적합하다고 느껴지는 색조를 추론하고, 상기 색조를 표시에 사용하기 위한 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다. 구체적으로는 짙음과 옅음의 표현에 사용하는 색(예를 들어, 풀 컬러, 흑백, 또는 다갈색 등)을 지정하는 정보를 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 인공 지능부(213)는 입력 정보(II)를 화상 처리하여 입력 정보(II)에 포함되는 일부의 화상을 추출할 수 있다. 예를 들어 추출한 화상의 일부와 다른 일부 사이에 경계를 표시하는 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다. 구체적으로는 추출한 화상의 일부를 둘러싸는 직사각형을 표시하는 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다.
[검지 정보(DS)를 사용하는 추론]
구체적으로는 인공 지능부(213)는 검지 정보(DS)를 정보(IN)에 사용하여 추론(RI)을 생성할 수 있다. 또는 추론(RI)에 기초하여 정보 처리 장치(200)의 사용자가 쾌적하다고 느껴지기 위한 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다.
구체적으로는 환경의 조도 등에 기초하여 인공 지능부(213)는 표시의 밝기가 쾌적하다고 느껴지도록 표시의 밝기를 조정하는 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다. 또는 인공 지능부(213)는 환경 소음 등에 기초하여 소리의 크기가 쾌적하다고 느껴지도록 음량을 조정하는 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다.
또한 표시부(230)가 구비하는 제어부(238)에 공급하는 클록 신호 또는 타이밍 신호 등을 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다. 또는 입력부(240)가 구비하는 제어부에 공급하는 클록 신호 또는 타이밍 신호 등을 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
<<반도체 장치(90)>>
반도체 장치(90)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)에 기초하여 제어 정보(CI)를 공급한다.
반도체 장치(90)는 정보(IN)를 공급받고, 추론(RI)을 공급한다(도 15의 (A) 및 (B) 참조). 예를 들어 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)를 정보(IN)에 사용할 수 있다. 또는 예를 들어 추론(RI)을 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
예를 들어 반도체 장치(90)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)에서 특징을 추출할 수 있다. 반도체 장치(90)는 추출한 특징에 기초하여 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다.
예를 들어 반도체 장치(90)는 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)에서 일부를 추출할 수 있다. 반도체 장치(90)는 추출한 일부를 다른 일부와 상이하게 되도록 표시하는 제어 정보(CI)를 생성할 수 있다.
이에 의하여 적합하다고 느껴지도록 표시하는 제어 정보를 생성할 수 있다. 또는 적합하다고 느껴지도록 표시할 수 있다. 또는 쾌적하다고 느껴지도록 표시하는 제어 정보를 생성할 수 있다. 또는 쾌적하다고 느껴지도록 표시할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다.
<<반도체 장치(90)의 구성예 2.>>
반도체 장치(90)는 뉴럴 네트워크(80)를 구비한다(도 15의 (A) 참조).
<<뉴럴 네트워크(80)>>
뉴럴 네트워크(80)는 입력층(81), 중간층(82), 및 출력층(83)을 구비한다(도 15의 (B) 참조). 예를 들어 합성곱신경망(Convolutional Neural Network)을 뉴럴 네트워크(80)에 사용할 수 있다. 또는, 순환 신경망(Recurrent Neural Network)을 뉴럴 네트워크(80)에 사용할 수 있다.
입력층(81)은 제 1 뉴런 회로군을 구비한다.
중간층(82)은 제 2 뉴런 회로군을 구비한다.
출력층(83)은 제 3 뉴런 회로군을 구비한다.
제 2 뉴런 회로군은 제 1 뉴런 회로(71) 및 제 2 뉴런 회로(72)를 포함한다.
제 1 뉴런 회로(71)는 제 1 뉴런 회로군과 전기적으로 접속된다.
제 2 뉴런 회로(72)는 제 3 뉴런 회로군과 전기적으로 접속된다.
제 1 뉴런 회로군은 정보(IN)를 공급받는다. 예를 들어 입력 정보(II) 또는 검지 정보(DS)를 정보(IN)에 사용할 수 있다.
제 3 뉴런 회로군은 추론(RI)을 공급한다. 예를 들어 추론(RI)을 제어 정보(CI)에 사용할 수 있다.
<<뉴런 회로(71)>>
뉴런 회로(71)는 적화 연산기(10) 및 변환기(30)를 구비한다(도 15의 (C) 참조).
<<적화 연산기(10)>>
적화 연산기(10)는 입력 신호군(X[1] 내지 X[N])를 공급받는다. 적화 연산기(10)는 가중치 정보군(W[1] 내지 W[N])를 공급받는다. 또한 적화 연산기(10)는 바이어스 신호(B)를 공급받는다.
적화 연산기(10)는 입력 신호군(X[1] 내지 X[N]) 및 가중치 정보(W[1]) 내지 가중치 정보(W[N])의 적화값 및 바이어스 신호(B)에 기초하여 적화 신호(u)를 생성하고 공급한다. 예를 들어 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 사용한 메모리 등을 가중치 정보(W[1]) 내지 가중치 정보(W[N])를 기억하는 메모리에 사용할 수 있다. 구체적으로는 인듐을 포함하는 산화물 반도체 또는 인듐과 갈륨과 아연을 포함하는 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터를 메모리에 사용할 수 있다. 또한 예를 들어 아날로그 연산 회로를 적화 연산기(10)에 사용할 수 있다. 이에 의하여 디지털 연산 회로와 비교하여 회로 규모를 작게 할 수 있다. 또는 소비전력을 저감시킬 수 있다.
<<변환기(30)>>
변환기(30)는 적화 연산기(10)와 전기적으로 접속된다. 변환기(30)는 적화 신호(u)에 기초하여 출력 신호(f(u))를 생성하고 공급한다.
<정보 처리 장치의 구성예 3.>
본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 다른 구성에 대하여 도 13의 (A) 및 (B)를 참조하며 설명한다.
<<프로그램>>
본 발명의 일 형태에 따른 프로그램은 하기의 단계를 가진다(도 13의 (A) 참조).
[제 1 단계]
제 1 단계에서 설정을 초기화한다(도 13의 (A) 중 (S1) 참조).
예를 들어 기동할 때에 표시되는 소정의 화상 정보와, 상기 화상 정보를 표시하는 소정의 모드와, 상기 화상 정보를 표시하는 소정의 표시 방법을 특정하는 정보를 기억부(212)로부터 취득한다. 구체적으로는, 하나의 정지 화상 정보 또는 다른 동영상 정보를 소정의 화상 정보에 사용할 수 있다. 또한 제 1 모드 또는 제 2 모드를 소정의 모드에 사용할 수 있다.
[제 2 단계]
제 2 단계에서, 인터럽트 처리를 허가한다(도 13의 (A) 중 (S2) 참조). 또한 인터럽트 처리가 허가된 연산 장치는, 주된 처리와 병행하여 인터럽트 처리를 수행할 수 있다. 인터럽트 처리로부터 주된 처리로 복귀한 연산 장치는, 인터럽트 처리로 얻은 결과를 주된 처리에 반영할 수 있다.
또한 카운터의 값이 초깃값일 때, 연산 장치에 인터럽트 처리를 시키고, 인터럽트 처리로부터 복귀할 때에 카운터를 초깃값 이외의 값으로 하여도 좋다. 이에 의하여, 프로그램을 기동한 후에, 항상 인터럽트 처리를 수행시킬 수 있다.
[제 3 단계]
제 3 단계에서, 제 1 단계 또는 인터럽트 처리에서 선택된, 소정의 모드 또는 소정의 표시 방법을 사용하여 화상 정보를 표시한다(도 13의 (A) 중 (S3) 참조). 또한 소정의 모드는 정보를 표시하는 모드를 특정하고, 소정의 표시 방법은 화상 정보를 표시하는 방법을 특정한다. 또한 예를 들어 화상 정보(V1)를 표시하는 정보에 사용할 수 있다.
예를 들어 화상 정보(V1)를 표시하는 하나의 방법을 제 1 모드와 관련지을 수 있다. 또는, 화상 정보(V1)를 표시하는 다른 방법을 제 2 모드와 관련지을 수 있다. 이에 의하여, 선택된 모드에 따라 표시 방법을 선택할 수 있다.
<<제 1 모드>>
구체적으로는 30Hz 이상, 바람직하게는 60Hz 이상의 빈도로 하나의 주사선에 선택 신호를 공급하고, 선택 신호에 따라 표시를 수행하는 방법을 제 1 모드와 관련지을 수 있다.
예를 들어 30Hz 이상, 바람직하게는 60Hz 이상의 빈도로 선택 신호를 공급하면, 동영상의 움직임을 부드럽게 표시할 수 있다.
예를 들어 30Hz 이상, 바람직하게는 60Hz 이상의 빈도로 화상을 갱신하면, 사용자의 조작에 부드럽게 추종하도록 변화하는 화상을, 사용자가 조작 중의 정보 처리 장치(200)에 표시할 수 있다.
<<제 2 모드>>
구체적으로는 30Hz 미만, 바람직하게는 1Hz 미만, 더 바람직하게는 1분마다 1회 미만의 빈도로 하나의 주사선에 선택 신호를 공급하고, 선택 신호에 따라 표시하는 방법을 제 2 모드와 관련지을 수 있다.
30Hz 미만, 바람직하게는 1Hz 미만, 더 바람직하게는 1분마다 1회 미만의 빈도로 선택 신호를 공급하면, 플리커 또는 깜박거림이 억제된 화상을 표시할 수 있다. 또한 소비전력을 저감시킬 수 있다.
예를 들어 정보 처리 장치(200)를 시계에 사용하는 경우, 1초마다 1회의 빈도 또는 1분마다 1회의 빈도 등으로 표시를 갱신할 수 있다.
그런데, 예를 들어 발광 소자를 표시 소자에 사용하는 경우, 발광 소자를 펄스 형상으로 발광시켜 화상 정보를 표시할 수 있다. 구체적으로는, 펄스 형상으로 유기 EL 소자를 발광시켜 그 잔광을 표시에 사용할 수 있다. 유기 EL 소자는 우수한 주파수 특성을 가지기 때문에, 발광 소자를 구동하는 시간을 단축하고, 소비전력을 저감시킬 수 있는 경우가 있다. 또는, 발열이 억제되기 때문에, 발광 소자의 열화를 경감할 수 있는 경우가 있다.
[제 4 단계]
제 4 단계에서, 종료 명령이 공급된 경우에는 제 5 단계로 진행하고, 종료 명령이 공급되지 않은 경우에는 제 3 단계로 진행하도록 선택한다(도 13의 (A) 중 (S4) 참조).
예를 들어 인터럽트 처리에서 공급된 종료 명령을, 판단하는 데 사용하여도 좋다.
[제 5 단계]
제 5 단계에서 종료한다(도 13의 (A) 중 (S5) 참조).
<<인터럽트 처리>>
인터럽트 처리는 다음의 제 6 단계 내지 제 8 단계를 구비한다(도 13의 (B) 참조).
[제 6 단계]
제 6 단계에서, 예를 들어 검지부(250)를 사용하여 정보 처리 장치(200)가 사용되는 환경의 조도를 검출한다(도 13의 (B) 중 (S6) 참조). 또한 환경의 조도 대신에 환경 광의 색 온도나 색도를 검출하여도 좋다.
[제 7 단계]
제 7 단계에서, 검출된 조도 정보에 기초하여 표시 방법을 결정한다(도 13의 (B) 중 (S7) 참조). 예를 들어 표시의 밝기를, 지나치게 어둡게 되지 않도록, 또는 지나치게 밝게 되지 않도록 결정한다.
또한 제 6 단계에서 환경 광의 색 온도나 환경 광의 색도를 검출한 경우에는 표시의 색조를 조절하여도 좋다.
[제 8 단계]
제 8 단계에서, 인터럽트 처리를 종료한다(도 13의 (B) 중 (S8) 참조).
<정보 처리 장치의 구성예 3.>
본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 다른 구성에 대하여, 도 14를 참조하며 설명한다.
도 14의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 14의 (A)는 도 13의 (B)에 나타낸 인터럽트 처리와는 상이한 인터럽트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
또한 정보 처리 장치의 구성예 3은 공급된 소정의 이벤트에 따라 모드를 변경하는 단계를 인터럽트 처리에 가지는 점에서, 도 13의 (B)를 참조하며 설명된 인터럽트 처리와는 상이하다. 여기서는 상이한 부분에 대하여 자세히 설명하고, 같은 구성을 사용할 수 있는 부분에 대하여 상술한 설명을 원용한다.
<<인터럽트 처리>>
인터럽트 처리는 다음의 제 6 단계 내지 제 8 단계를 구비한다(도 14의 (A) 참조).
[제 6 단계]
제 6 단계에서, 소정의 이벤트가 공급된 경우에는 제 7 단계로 진행하고, 소정의 이벤트가 공급되지 않은 경우에는 제 8 단계로 진행한다(도 14의 (A) 중 (U6) 참조). 예를 들어 소정의 기간에 소정의 이벤트를 공급받았는지 여부를, 조건에 사용할 수 있다. 구체적으로는 5초 이하, 바람직하게는 1초 이하, 또는 0.5초 이하, 바람직하게는 0.1초 이하이며, 0초보다 긴 기간을 소정의 기간으로 할 수 있다.
[제 7 단계]
제 7 단계에서, 모드를 변경한다(도 14의 (A) 중 (U7) 참조). 구체적으로는 제 1 모드를 선택하던 경우에는, 제 2 모드를 선택하고, 제 2 모드를 선택하던 경우에는, 제 1 모드를 선택한다.
예를 들어 표시부(230)의 일부 영역에 대하여 표시 모드를 변경할 수 있다. 구체적으로는 구동 회로(GDA), 구동 회로(GDB) 및 구동 회로(GDC)를 구비하는 표시부(230)의 하나의 구동 회로가 선택 신호를 공급하는 영역에 대하여 표시 모드를 변경할 수 있다(도 14의 (B) 참조).
예를 들어 구동 회로(GDB)가 선택 신호를 공급하는 영역과 중첩되는 영역에 있는 입력부(240)에 소정의 이벤트가 공급된 경우에 구동 회로(GDB)가 선택 신호를 공급하는 영역의 표시 모드를 변경할 수 있다(도 14의 (B) 및 (C) 참조). 구체적으로는 손가락 등을 사용하여 터치 패널에 공급하는 "탭" 이벤트에 따라 구동 회로(GDB)가 공급하는 선택 신호의 빈도를 변경할 수 있다.
또한 신호(GCLK)는 구동 회로(GDB)의 동작을 제어하는 클록 신호이고, 신호(PWC1) 및 신호(PWC2)는 구동 회로(GDB)의 동작을 제어하는 펄스 폭 제어 신호이다. 구동 회로(GDB)는 신호(GCLK), 신호(PWC1) 및 신호(PWC2) 등에 기초하여 선택 신호를 주사선(G2(m+1)) 내지 주사선(G2(2m))에 공급한다.
이에 의하여, 예를 들어 구동 회로(GDA) 및 구동 회로(GDC)가 선택 신호를 공급하지 않고, 구동 회로(GDB)가 선택 신호를 공급할 수 있다. 또는, 구동 회로(GDA) 및 구동 회로(GDC)가 선택 신호를 공급하는 영역의 표시를 변화시키지 않고, 구동 회로(GDB)가 선택 신호를 공급하는 영역의 표시를 갱신할 수 있다. 또는, 구동 회로가 소비하는 전력을 억제할 수 있다.
[제 8 단계]
제 8 단계에서, 인터럽트 처리를 종료한다(도 14의 (A) 중 (U8) 참조). 또한 주된 처리를 실행하는 기간에 인터럽트 처리를 반복적으로 실행하여도 좋다.
<<소정의 이벤트>>
예를 들어 마우스 등의 포인팅 장치를 사용하여 공급하는, "클릭"이나 "드래그" 등의 이벤트, 손가락 등을 포인터로 사용하여 터치 패널에 공급하는, "탭", "드래그", 또는 "스와이프" 등의 이벤트를 사용할 수 있다.
또한 예를 들어 포인터로 가리키는 슬라이드 바의 위치, 스와이프의 속도, 드래그의 속도 등을 사용하여, 소정의 이벤트와 관련지은 명령의 인수를 부여할 수 있다.
예를 들어 검지부(250)가 검지한 정보를 미리 설정된 문턱값과 비교하여, 비교 결과를 이벤트에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 하우징에 압입할 수 있도록 배치된 버튼 등과 접촉되는 감압 검지기 등을 검지부(250)에 사용할 수 있다.
<<소정의 이벤트에 관련짓는 명령>>
예를 들어 종료 명령을 특정한 이벤트와 관련지을 수 있다.
예를 들어 표시되어 있는 하나의 화상 정보로부터 다른 화상 정보로 표시를 전환하는 "페이지 넘김 명령"을 소정의 이벤트와 관련지을 수 있다. 또한 "페이지 넘김 명령"을 실행할 때에 사용되는 페이지를 넘기는 속도 등을 결정하는 인수를, 소정의 이벤트를 사용하여 부여할 수 있다.
예를 들어 하나의 화상 정보가 표시되어 있는 부분의 표시 위치를 이동시켜, 그 부분에 연속되는 다른 부분을 표시시키는 "스크롤 명령" 등을 소정의 이벤트와 관련지을 수 있다. 또한 "스크롤 명령"을 실행할 때에 사용되는 표시를 이동시키는 속도 등을 결정하는 인수를, 소정의 이벤트를 사용하여 부여할 수 있다.
예를 들어 표시 방법을 설정하는 명령 또는 화상 정보를 생성하는 명령 등을 소정의 이벤트와 관련지을 수 있다. 또한 생성하는 화상의 밝기를 결정하는 인수를 소정의 이벤트와 관련지을 수 있다. 또한 생성하는 화상의 밝기를 결정하는 인수를, 검지부(250)가 검지하는 환경의 밝기에 기초하여 결정하여도 좋다.
예를 들어 푸시형 서비스를 사용하여 배신되는 정보를 통신부(290)를 사용하여 취득하는 명령 등을 소정의 이벤트와 관련지을 수 있다.
또한 정보를 취득하는 자격의 유무를 검지부(250)가 검지하는 위치 정보를 사용하여 판단하여도 좋다. 구체적으로는, 소정의 교실, 학교, 회의실, 기업, 및 건물 등의 내부 또는 영역에 있는 경우에, 정보를 취득하는 자격을 가진다고 판단하여도 좋다. 이에 의하여, 예를 들어 학교 또는 대학 등의 교실에서 배신되는 교재를 수신하여 정보 처리 장치(200)를 교과서 등에 사용할 수 있다(도 12의 (B) 참조). 또는, 기업 등의 회의실에서 배신되는 자료를 수신하여 회의 자료에 사용할 수 있다.
또한 본 실시형태는 본 명세서에서 나타낸 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시예)
본 실시예에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널에 사용할 수 있는 트랜지스터를 제작한 결과를 도 8 및 도 16을 참조하며 설명한다.
도 16은 제작한 트랜지스터의 특성을 설명하기 위한 도면이다. 또한 제작한 트랜지스터는 도 8에 도시된 트랜지스터와 같은 구성을 가진다.
<제작 방법>
우선 절연막(501C)을 형성하고, 절연막(501C) 위에 도전막(504)을 형성하였다. 이어서 도전막(504) 위에 절연막(506)을 형성하고, 절연막(506) 위에 반도체막(508)을 형성하고, 절연막(506)에 개구부를 형성하였다. 이어서, 반도체막(508)에 접하는 도전막(512A) 및 도전막(512B)을 형성하고, 절연막(516)을 형성하였다. 또한 도전막(512A)을 형성하는 공정에서 도전막(512C)을 형성하였다. 이에 의하여 스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터를 형성하였다. 또한 스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터의 채널 폭(W)을 3μm, 채널 길이를 3μm로 하였다.
이어서 절연막(516) 위에 반도체막(508(2))을 형성하고, 절연막(516)에 개구부를 형성하였다. 이어서 반도체막(508(2))에 접하는 도전막(512D) 및 도전막(512E)을 형성하고 절연막(516(2))을 형성하였다. 이에 의하여, 트랜지스터(M)를 형성하였다. 트랜지스터(M)의 채널 폭(W)을 50μm, 채널 길이를 3μm로 하였다.
또한 산화물 반도체막을 반도체막(508) 및 반도체막(508(2))에 사용하였다.
<평가>
제작한 트랜지스터(M)의 특성을 나타낸다. 구체적으로는 소스와 드레인 사이의 전압(Vds)을 0.1V로 한 경우와, 20V로 한 경우에 대하여 드레인 전류-게이트 전압(ID-VG) 특성을 나타내었다(도 16의 (a) 참조).
제작한 스위치(SW2)에 사용하는 트랜지스터의 특성을 나타낸다. 구체적으로는 소스와 드레인 사이의 전압(Vds)을 0.1V로 한 경우와, 20V로 한 경우에 대하여 드레인 전류-게이트 전압(ID-VG) 특성을 나타내었다(도 16의 (b) 참조).
양쪽 모두 양호한 트랜지스터 특성을 가지고 있다.
예를 들어 본 명세서 등에서, X와 Y가 접속되어 있다고 명시적으로 기재되어 있는 경우에는, X와 Y가 전기적으로 접속되어 있는 경우와, X와 Y가 기능적으로 접속되어 있는 경우와, X와 Y가 직접 접속되어 있는 경우가, 본 명세서 등에 개시되어 있는 것으로 한다. 따라서 소정의 접속 관계, 예를 들어 도면 또는 문장에 나타낸 접속 관계에 한정되지 않고, 도면 또는 문장에 나타낸 접속 관계 이외의 것도 도면 또는 문장에 기재되어 있는 것으로 한다.
여기서, X, Y는 대상물(예를 들어 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 도전막, 층 등)인 것으로 한다.
X와 Y가 직접적으로 접속되어 있는 경우의 일례로서는, X와 Y의 전기적인 접속을 가능하게 하는 소자(예를 들어 스위치, 트랜지스터, 용량 소자, 인덕터, 저항 소자, 다이오드, 표시 소자, 발광 소자, 부하 등)가 X와 Y 사이에 접속되어 있지 않은 경우이고, X와 Y의 전기적인 접속을 가능하게 하는 소자(예를 들어 스위치, 트랜지스터, 용량 소자, 인덕터, 저항 소자, 다이오드, 표시 소자, 발광 소자, 부하 등)를 통하지 않고 X와 Y가 접속되어 있는 경우이다.
X와 Y가 전기적으로 접속되는 경우의 일례로서는, X와 Y의 전기적인 접속을 가능하게 하는 소자(예를 들어 스위치, 트랜지스터, 용량 소자, 인덕터, 저항 소자, 다이오드, 표시 소자, 발광 소자, 부하 등)가 X와 Y 사이에 하나 이상 접속될 수 있다. 또한 스위치는 온/오프가 제어되는 기능을 가진다. 즉, 스위치는 도통 상태(온 상태) 또는 비도통 상태(오프 상태)가 되고, 전류를 흘릴지 여부를 제어하는 기능을 가진다. 또는, 스위치는 전류를 흘리는 경로를 선택하여 전환하는 기능을 가진다. 또한 X와 Y가 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, X와 Y가 직접적으로 접속되어 있는 경우를 포함하는 것으로 한다.
X와 Y가 기능적으로 접속되어 있는 경우의 일례로서는, X와 Y의 기능적인 접속을 가능하게 하는 회로(예를 들어 논리 회로(인버터, NAND 회로, NOR 회로 등), 신호 변환 회로(DA 변환 회로, AD 변환 회로, 감마 보정 회로 등), 전위 레벨 변환 회로(전원 회로(승압 회로, 강압 회로 등), 신호의 전위 레벨을 변환시키는 레벨 시프트 회로 등), 전압원, 전류원, 전환 회로, 증폭 회로(신호 진폭 또는 전류량 등을 크게 할 수 있는 회로, 연산 증폭기, 차동 증폭 회로, 소스 폴로어 회로, 버퍼 회로 등), 신호 생성 회로, 기억 회로, 제어 회로 등)가 X와 Y 사이에 하나 이상 접속될 수 있다. 또한 일례로서 X와 Y 사이에 다른 회로를 끼워도 X로부터 출력된 신호가 Y로 전달되는 경우에는 X와 Y는 기능적으로 접속되는 것으로 한다. 또한 X와 Y가 기능적으로 접속되어 있는 경우에는, X와 Y가 직접적으로 접속되어 있는 경우와 X와 Y가 전기적으로 접속되어 있는 경우를 포함하는 것으로 한다.
또한 X와 Y가 전기적으로 접속된다고 명시적으로 기재되어 있는 경우에는, X와 Y가 전기적으로 접속되는 경우(즉 X와 Y가 사이에 다른 소자 또는 다른 회로를 개재하여 접속되는 경우)와, X와 Y가 기능적으로 접속되는 경우(즉 X와 Y가 사이에 다른 회로를 개재하여 기능적으로 접속되는 경우)와, X와 Y가 직접 접속되는 경우(즉 X와 Y가 사이에 다른 소자 또는 다른 회로를 개재하지 않고 접속되는 경우)가 본 명세서 등에 개시되어 있는 것으로 한다. 즉, 전기적으로 접속된다고 명시적으로 기재되어 있는 경우, 단순히 접속된다고만 명시적으로 기재되어 있는 경우와 같은 내용이 본 명세서 등에 개시되어 있는 것으로 한다.
또한 예를 들어 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)가 Z1을 통하여(또는 통하지 않고) X에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)이 Z2를 통하여(또는 통하지 않고) Y에 전기적으로 접속되는 경우나, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)가 Z1의 일부와 직접 접속되고, Z1의 다른 일부가 X와 직접 접속되고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)이 Z2의 일부와 직접 접속되고, Z2의 다른 일부가 Y와 직접 접속되는 경우에는 이하와 같이 표현할 수 있다.
예를 들어 "X, Y, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등), 및 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)은 서로 전기적으로 접속되어 있고, X, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등), 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등), 및 Y의 순서로 전기적으로 접속되어 있다"라고 표현할 수 있다. 또는, "트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)는, X와 전기적으로 접속되고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)은 Y와 전기적으로 접속되고, X, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등), 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등), Y는, 이 순서대로 전기적으로 접속되어 있다"라고 표현할 수 있다. 또는, "X는, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)와 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)을 통하여, Y와 전기적으로 접속되고, X, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등), 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등), Y는, 이 접속 순서로 제공되어 있다"라고 표현할 수 있다. 이들 예와 같은 표현 방법을 사용하여 회로 구성에서의 접속 순서에 대하여 규정함으로써 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)와 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)을 구별하여 기술적 범위를 결정할 수 있다.
또는 다른 표현 방법으로서, 예를 들어 "트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)는 적어도 제 1 접속 경로를 통하여 X와 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 접속 경로는 제 2 접속 경로를 가지지 않고, 상기 제 2 접속 경로는 트랜지스터를 통한, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)와 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등) 사이의 경로이고, 상기 제 1 접속 경로는 Z1을 통한 경로이고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)은 적어도 제 3 접속 경로를 통하여 Y와 전기적으로 접속되고, 상기 제 3 접속 경로는 상기 제 2 접속 경로를 가지지 않고, 상기 제 3 접속 경로는 Z2를 통한 경로이다"라고 표현할 수 있다. 또는, "트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)는 적어도 제 1 접속 경로로 Z1을 통하여 X와 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 접속 경로는 제 2 접속 경로를 가지지 않고, 상기 제 2 접속 경로는 트랜지스터를 경유하는 접속 경로를 가지고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)은 적어도 제 3 접속 경로로 Z2를 통하여 Y와 전기적으로 접속되고, 상기 제 3 접속 경로는 상기 제 2 접속 경로를 가지지 않는다"라고 표현할 수 있다. 또는, "트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)는 적어도 제 1 전기적 경로에 의하여, Z1을 통하여 X와 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 전기적 경로는 제 2 전기적 경로를 가지지 않고, 상기 제 2 전기적 경로는 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)로부터 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)으로의 전기적 경로이고, 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)은 적어도 제 3 전기적 경로에 의하여, Z2를 통하여 Y와 전기적으로 접속되고, 상기 제 3 전기적 경로는 제 4 전기적 경로를 가지지 않고, 상기 제 4 전기적 경로는 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)으로부터 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)로의 전기적 경로이다"라고 표현할 수 있다. 상술한 예와 같은 표현 방법을 사용하여 회로 구성에서의 접속 경로에 대하여 규정함으로써, 트랜지스터의 소스(또는 제 1 단자 등)와 트랜지스터의 드레인(또는 제 2 단자 등)을 구별하여 기술적 범위를 결정할 수 있다.
또한 이들 표현 방법은 일례이고, 이들 표현 방법에 한정되지 않는다. 여기서, X, Y, Z1, Z2는 대상물(예를 들어 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 도전막, 층 등)인 것으로 한다.
또한 회로도상에서는 독립되어 있는 구성 요소끼리가 전기적으로 접속되는 것처럼 도시된 경우라도, 하나의 구성 요소가 복수의 구성 요소의 기능을 겸비하는 경우도 있다. 예를 들어 배선의 일부가 전극으로서도 기능하는 경우에는, 하나의 도전막이 배선의 기능 및 전극의 기능 양쪽의 구성 요소의 기능을 겸비한다. 따라서 본 명세서에서의 전기적으로 접속이란 이와 같은 하나의 도전막이 복수의 구성 요소의 기능을 겸비하는 경우도 그 범주에 포함한다.
ANO: 도전막, B: 바이어스 신호, C21: 용량 소자, CI: 제어 정보, DS: 검지 정보, G2: 주사선, GDA: 구동 회로, GDB: 구동 회로, GDC: 구동 회로, GCLK: 신호, II: 입력 정보, IN: 정보, P1: 부분, P2: 경계, P3: 부분, PWC1: 신호, PWC2: 신호, R1: 곡률 반경, R2: 곡률 반경, R3: 곡률 반경, S2: 신호선, SD: 구동 회로, SDA: 구동 회로, SDB: 구동 회로, SDC: 구동 회로, SP: 제어 신호, SW2: 스위치, U: 적화 신호, V1: 화상 정보, V11: 정보, VCOM2: 도전막, W: 정보, 10: 적화 연산기, 30: 변환기, 71: 뉴런 회로, 72: 뉴런 회로, 80: 뉴럴 네트워크, 81: 입력층, 82: 중간층, 83: 출력층, 90: 반도체 장치, 200: 정보 처리 장치, 210: 연산 장치, 211: 연산부, 212: 기억부, 213: 인공 지능부, 214: 전송로, 215: 입출력 인터페이스, 220: 입출력 장치, 230: 표시부, 231: 표시 영역, 233: 제어 회로, 234: 신장 회로, 235: 화상 처리 회로, 238: 제어부, 240: 입력부, 241: 검지 영역, 248: 제어부, 250: 검지부, 290: 통신부, 400: 분자량, 501C: 절연막, 504: 도전막, 506: 절연막, 508: 반도체막, 508A: 영역, 508B: 영역, 508C: 영역, 510: 기재, 512A: 도전막, 512B: 도전막, 512C: 도전막, 512D: 도전막, 512E: 도전막, 516: 절연막, 516A: 절연막, 516B: 절연막, 518: 절연막, 520: 기능층, 521: 절연막, 524: 도전막, 528: 절연막, 530: 화소 회로, 550: 표시 소자, 551: 전극, 552: 전극, 553:층, 591A: 개구부, 700: 표시 패널, 700A: 영역, 700B: 영역, 700C: 영역, 700TP: 입출력 패널, 702: 화소, 703: 화소, 720: 기능층, 770: 기재, 770P: 기능막, 771: 절연막, 775: 검지 소자, 791: 부재, 791A: 탄성체, 791B: 탄성체, 791C: 탄성체, 792: 부재
Claims (13)
- 표시 패널로서,
제 1 영역과, 제 2 영역과, 표시 영역을 포함하고,
상기 제 1 영역은 상기 표시 영역의 일부를 포함하고,
상기 제 2 영역은 상기 표시 영역의 다른 일부를 포함하고,
상기 제 2 영역은 제 1 부재를 구비하고,
상기 제 2 영역은 상기 제 1 부재가 외측을 향하도록 만곡될 수 있고,
상기 제 1 부재는 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체를 구비하고,
상기 제 2 탄성체는 상기 제 1 탄성체로 일부 또는 전부가 덮인 단부를 구비하고,
상기 제 2 탄성체는 상기 제 1 탄성체보다 탄성률이 큰, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 표시 영역은 상기 제 1 부재가 배치되지 않는 방향을 향하도록 표시를 수행하는 기능을 가지는, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 영역은 2mm보다 큰 곡률 반경으로 만곡시킬 수 있는, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 영역은 상기 제 1 부재의 두께에 100μm를 더한 두께보다 얇은, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부재는 단면에서 단부로 갈수록 얇아지는 형상을 가지는, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 부재는 상기 표시 영역을 가로지르는 띠 모양의 형상을 가지는, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
밀봉재와, 제 1 기재와, 제 2 기재와, 제 3 영역을 더 포함하고,
상기 밀봉재는 상기 제 1 기재와 상기 제 2 기재 사이에 끼워지고,
상기 제 2 기재는 상기 제 1 기재와 중첩되는 영역을 구비하고,
상기 제 1 영역은 상기 중첩되는 영역의 제 1 부분을 포함하고,
상기 제 2 영역은 상기 중첩되는 영역의 제 2 부분을 포함하고,
상기 제 3 영역은 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분의 외측의 상기 중첩되는 영역의 제 3 부분, 상기 제 1 기재의 단부, 상기 제 2 기재의 단부, 및 제 2 부재를 포함하고,
상기 제 2 부재는 상기 제 1 기재의 단부를 덮고,
상기 제 2 부재는 상기 밀봉재보다 투습성이 낮은, 표시 패널.
- 제 1 항에 있어서,
화소를 더 포함하고,
상기 화소는 기능층 및 표시 소자를 구비하고,
상기 기능층은 화소 회로를 구비하고,
상기 화소 회로는 상기 표시 소자와 전기적으로 접속되는, 표시 패널.
- 제 8 항에 있어서,
상기 표시 영역은 화소군, 다른 화소군, 주사선, 및 신호선을 구비하고,
상기 화소군은 상기 화소를 포함하고,
상기 화소군은 행 방향으로 배치되고,
상기 다른 화소군은 상기 화소를 포함하고,
상기 다른 화소군은 행 방향과 교차하는 열 방향으로 배치되고,
상기 주사선은 상기 화소군과 전기적으로 접속되고,
상기 신호선은 상기 다른 화소군과 전기적으로 접속되는, 표시 패널.
- 표시 장치로서,
제 8 항에 기재된 표시 패널과, 제어부를 포함하고,
상기 제어부는 화상 정보 및 제어 정보를 공급받고,
상기 제어부는 상기 화상 정보에 기초하여 정보를 생성하고,
상기 제어부는 상기 제어 정보에 기초하여 제어 신호를 생성하고,
상기 제어부는 상기 정보 및 상기 제어 신호를 공급하고,
상기 표시 패널은 상기 정보 또는 상기 제어 신호를 공급받고,
상기 화소는 상기 정보에 기초하여 표시하는, 표시 장치.
- 입출력 장치로서,
입력부와, 표시부를 포함하고,
상기 표시부는 제 8 항에 기재된 표시 패널을 구비하고,
상기 입력부는 검지 영역을 구비하고,
상기 입력부는 상기 검지 영역에 근접한 것을 검지하고,
상기 검지 영역은 상기 화소와 중첩되는 영역을 구비하는, 입출력 장치.
- 정보 처리 장치로서,
연산 장치와, 입출력 장치를 포함하고,
상기 연산 장치는 입력 정보 또는 검지 정보를 공급받고,
상기 연산 장치는 제어 정보 및 화상 정보를 공급하고,
상기 입출력 장치는 상기 입력 정보 및 상기 검지 정보를 공급하고,
상기 입출력 장치는 상기 제어 정보 및 상기 화상 정보를 공급받고,
상기 입출력 장치는 표시부, 입력부 및 검지부를 구비하고,
상기 표시부는 제 1 항에 기재된 표시 패널을 구비하고,
상기 표시부는 상기 제어 정보에 기초하여 상기 화상 정보를 표시하고,
상기 입력부는 상기 입력 정보를 생성하고,
상기 검지부는 상기 검지 정보를 생성하는, 정보 처리 장치.
- 정보 처리 장치로서,
키보드, 하드웨어 버튼, 포인팅 디바이스, 터치 센서, 조도 센서, 촬상 장치, 음성 입력 장치, 시선 입력 장치, 및 자세 검출 장치 중 하나 이상과, 제 1 항에 기재된 표시 패널을 포함하는, 정보 처리 장치.
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