JP4742730B2 - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の表示装置の製造方法は、第1基板上に発光素子を配列形成する工程と、発光素子を覆う状態で第1基板上に保護膜を形成する工程と、第1基板における保護膜の成膜面側にスペーサを介して第2基板を貼り合わせる工程とを含むようにしたものである。ここで、保護膜を、窒素(N)/シリコン(Si)組成比が1.33未満であるシリコンリッチな下層側の第1の窒化シリコン(Si 3 N 4 )膜と、N/Si組成比が1.33以上である窒素リッチな上層側の第2の窒化シリコン膜とを含む2層以上の窒素シリコン膜が積層されてなる積層構造膜とすると共に、この保護膜の総膜厚を1μm以上かつ10μm以下とする。また、スペーサの支持部における保護膜を最表面とする第1基板の表面硬さが、インデンテーション法による測定においての圧子の荷重−侵入深さ曲線が不連続となる点で2GPa以上となるようにする。
図1は第1実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図である。また図2は、ここで作製する表示装置の主要構成部材を示した一部切り欠き平面図である。以下、図1に基づき図2を参照しつつ第1実施形態の表示装置の製造方法を説明する。
測定装置 ;Hysitron社製 TriboIndenter
圧子 ;Berkovich(三角錐形)
測定モード ;単一押し込み測定
圧子の侵入深さ;200nm/400nm/600nm/800nm/1000nm
測定装置 ;MTS社製、Nanoindenter XP
圧子 ;Berkovich(三角錐形)
測定モード ;単一押し込み測定
圧子の侵入深さ;最大押し込み深さ1μm
最大荷重 ;700mN
測定条件 ;連続剛性測定(MTS社システムズ社特許技術)
図7は第2実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図である。この図に示す第2実施形態が、上述した第1実施形態と異なるところは、第2基板21側にオーバーコート膜を設けず、ブラックマトリックス23上に直接、柱状スペーサ29を設けるところにあり、他の構成は同様である。
図8は第3実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図である。この図に示す第3実施形態が、上述した第1実施形態と異なるところは、第2基板側に設けた柱状スペーサの構成にあり、第1基板1側の構成は同様である。
図9は第4実施形態の表示装置の製造工程を示す断面工程図である。この図に示す第4実施形態が、上述した第3実施形態と異なるところは、全色のカラーフィルタ25R,25G,25Bを重ねた疑似ブラックマトリックス41の上部に、柱状スペーサ29を設けたところにあり、第1基板1側の構成は同様である。
Claims (10)
- 発光素子が配列形成されると共にこれを覆う状態で保護膜が設けられた第1基板と、
前記第1基板における前記保護膜側に対向配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に狭持されたスペーサと
を備え、
前記保護膜が、
窒素(N)/シリコン(Si)組成比が1.33未満である、シリコンリッチな下層側の第1の窒化シリコン(Si 3 N 4 )膜と、
N/Si組成比が1.33以上である、窒素リッチな上層側の第2の窒化シリコン膜と
を含む2層以上の窒素シリコン膜が積層されてなる積層構造膜であると共に、
前記保護膜の総膜厚が1μm以上かつ10μm以下であり、
前記スペーサの支持部における前記保護膜を最表面とする前記第1基板の表面硬さが、インデンテーション法による測定においての圧子の荷重−侵入深さ曲線が不連続となる点で2GPa以上となっている
表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記保護膜が、厚みが1μmである前記第1の窒化シリコン膜と、厚みが1μmである前記第2の窒化シリコン膜とが積層されてなる2層構造の窒化シリコン膜であると共に、
前記保護膜の総膜厚が2μmである
表示装置。 - 請求項1または請求項2に記載の表示装置において、
前記スペーサは、前記発光素子間、および当該発光素子が配列形成された表示領域の外側の少なくとも一方に配置されている
表示装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の表示装置において、
前記第1基板と第2基板との間には、接着剤層が充填されている
表示装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の表示装置において、
前記第1基板と前記第2基板との間には、前記発光素子が配列形成された表示領域の外側を囲んで封止樹脂層が設けられ、
前記スペーサは、前記封止樹脂層の外側における前記第1基板と前記第2基板との間に設けられている
表示装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の表示装置において、
前記第1基板と第2基板との間は、前記スペーサによって所定間隔に保たれている
表示装置。 - 第1基板上に発光素子を配列形成する工程と、
前記発光素子を覆う状態で前記第1基板上に保護膜を形成する工程と、
前記第1基板における前記保護膜の成膜面側にスペーサを介して第2基板を貼り合わせる工程と
を含み、
前記保護膜を、
窒素(N)/シリコン(Si)組成比が1.33未満である、シリコンリッチな下層側の第1の窒化シリコン(Si 3 N 4 )膜と、
N/Si組成比が1.33以上である、窒素リッチな上層側の第2の窒化シリコン膜と
を含む2層以上の窒素シリコン膜が積層されてなる積層構造膜とすると共に、
前記保護膜の総膜厚を1μm以上かつ10μm以下とし、
前記スペーサの支持部における前記保護膜を最表面とする前記第1基板の表面硬さが、インデンテーション法による測定においての圧子の荷重−侵入深さ曲線が不連続となる点で2GPa以上となるようにする
表示装置の製造方法。 - 請求項7記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜を、厚みが1μmである前記第1の窒化シリコン膜と、厚みが1μmである前記第2の窒化シリコン膜とが積層されてなる2層構造の窒化シリコン膜とすると共に、
前記保護膜の総膜厚を2μmとする
表示装置の製造方法。 - 請求項7または請求項8に記載の表示装置の製造方法において、
前記第1基板と第2基板とを貼り合わせる工程では、当該第1基板と第2基板とを互いに押し圧する
表示装置の製造方法。 - 請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法において、
前記第1基板と第2基板とを貼り合わせる工程の前に、前記第2基板上にスペーサを立設する工程を含む
表示装置の製造方法。
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