JP2004063319A - 封止膜を有する半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微小押し込み試験法により算出された硬度値が4GPa以上、14GPa以下の範囲にある封止膜を有する半導体素子を提供する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止膜を有する半導体素子に関するものである。詳しくは封止膜を設けた有機発光素子に関し、更に詳しくは表示ディスプレイに使用可能なカバレッジ性の優れた封止膜を有する発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子に用いられる封止膜は水分が素子内に侵入することを防ぐという目的のために設けられており、その有用性は広く認められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の超微細加工技術が発展する中で、封止膜の水分侵入防止能力に更なる改善が望まれていた。しかしながら、数々の研究開発がなされてはいるが、好ましい封止膜を得るには至っていないのが現状である。特に、一対の電極と、その間に有機化合物層を有する有機発光素子(有機エレクトロルミネッセンス素子、いわゆる有機EL素子)においては、その構成要素である有機化合物或いは有機化合物層と電極界面の電気的特性が水に極めて影響を受けてしまい、水の存在が素子の劣化につながってしまうという問題があった。
【0004】
このため、例えば特開平7−199161号公報、特開平8−236271号公報、特開平9−153395号公報、特開平9−204981号公報、特開平10−261487号公報、特開平11−26155号公報、特開平11−40344号公報、特開平11−121164号公報、特開平11−219786号公報、特開2000−91070号公報、特開2000−111721号公報、特開2000−133443号公報、特開2000−182780号公報、特開2000−353592号公報、特開2001−326069号公報、特開2001−345174号公報、特開2002−93576号公報等に記載されているように透湿性の低い無機膜や有機膜を設けた素子が提案されているが、未だ長時間駆動による発光面内でのダークスポットの発生等、耐久性に数多くの課題を残している。
【0005】
本発明はそのような封止膜を有する半導体素子において、水分浸透防止能力が極めて高い封止膜を有する半導体素子を提供とすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、封止膜を有する半導体素子であって、前記封止膜は微小押し込み試験法により算出された硬度値が4GPa以上、14GPa以下の範囲にあることを特徴とする封止膜を有する半導体素子を提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の封止膜を有する半導体素子の一例として、実施の形態に係る有機発光素子を説明する。
【0008】
図1は、本実施形態に係る有機発光素子を説明するための断面模式図である。
1は基板、2は第一電極、3は有機化合物層、4は第2電極、5は封止膜である。
【0009】
次に、この封止膜の水分透過能と硬度の関係について説明する。
【0010】
封止膜に求められる水分透過能を示すパラメータとしては、カップ法やプレッシャークッカ法などの透湿性試験が広く用いられているが、本発明者が鋭意研究した結果、水分透過と硬度の間に密接な関係がある事を見出し、本発明に至った。更に,硬度を求める際に微小押込み試験法を用いて測定することが有用であることにも着目した。即ち、水分透過性の低い封止膜とはその膜密度が高いため、膜内への水分子の侵入を遮断能が高い膜である。一方、膜密度が大きな膜とは緻密な故に高い硬度を有する。従って、防湿性の優れた封止膜を得るためには硬度を測定することが非常に有効な手段である。
【0011】
次に微小押込み試験法について説明する。
【0012】
微小押込み試験法(Nanoindentation Apparatus)とは、サブミクロンオーダーの表面層の機械特性を評価するためにごく最近用いられた方法であり、膜の水分透過を調べる方法としてはこれまでに一切用いられていない方法である。更に、同方法により求められる硬度から膜の水分透過能を調べることについてもこれまでにはもちろん何ら着目されていない。
【0013】
一般に有機発光素子に用いられる封止膜が覆う素子画素や素子分離膜の大きさはμmオーダーであることから、μmスケール若しくはそれ以下の領域の機械特性を知ることが必要である。しかしながら従来からあるブリネル硬さ試験法などの硬さ試験では、mmオーダー以下の微小領域を測定することが困難なことに加え、1回の試験で得られる情報は最大荷重に対応した圧痕の大きさ(面)に限定される。一方、本発明に係る微小押し込み試験法は、押込み荷重に対応する押込み深さを圧子(例えば針状の厚子)による押込み開始(負荷)から終了(除荷)までの全過程にわたり連続的に測定できるため、図2に示したように圧子の押込み及び引抜き過程における膜の変形挙動も局所的な点レベルで知ることができる。したがって従来の塑性硬さの測定を意味する硬さ試験に加え、ヤング率に代表される弾性的な挙動試験をも併せて行いそれぞれの知見を得ることができるため、特に発光素子の封止膜に要求されるカバレッジ性を評価することが可能となった。即ち、硬度(HB)は、最大押し込み荷重(Wmax)とその最大負荷における圧子/試料間の接触面積(A)との比(Wmax/A)から求まる。また、ヤング率は、弾性回復が支配的になる除荷曲線から求められ、接触剛性(荷重と変位の比例係数)の逆数と塑性深さの逆数のプロットの傾きから求められる。
【0014】
したがって、本実施形態の有機発光素子が有する封止膜の硬度が4GPa以上、14GPa以下の範囲であることで十分水分の透過を防ぐことができ、更に硬度が5GPa以上、10GPa以下の範囲であることが、適正な膜応力を得ることができるという点で好ましい。また、硬度が4GPaより小さいと膜の緻密性の点から防湿性を損ない、他方14GPaより大きいと膜応力が大きく、剥離を生じてしまう。
【0015】
また、本発明者は同法によって求められるヤング率にも着目した。即ち、前述の硬度4GPa以上、14GPa以下の範囲において、ヤング率が20GPa以上、80GPaの範囲にある封止膜で覆うことにより、発光画素はもとより、段差がある素子分離膜をも十分カバーすることが可能となった。更に好ましくは30GPa以上、70GPa以下であることが、発光素子画素サイズがμmスケールと小さい場合のカバレッジ性の点で好ましい。また、ヤング率が20GPaより小さいと下地との密着性の問題を生じ、他方80GPaより大きいと有機発光素子を構成する素子分離膜の段差や覆うべき膜表面に付着したごみ等の凹凸により割れが生じ、防湿性を著しく損ねてしまう。
【0016】
尚、これらの硬度或いはヤング率は、一つの素子中における複数の測定箇所で前述の数値範囲に入るものであっても良いし、或いはどの複数の測定箇所においてもほぼ一つの数値を示すものであっても良い。
【0017】
本発明に係る封止膜は、有機発光素子に限られず、半導体材料としての有機・無機材料を問わず他の半導体素子、例えばセンサ、発光素子、受光素子、論理回路等の半導体素子に用いることができる。
【0018】
特にディスプレイパネルには、例えば先の有機発光素子が一基板上に多数設けられる。即ち、このような半導体素子が同一基板上に複数設けられている装置の場合、それぞれの素子において前述した数値範囲でほぼ同一の硬度値或いはヤング率値を示していても良いし、前述の数値範囲内であればその数値に差異があっても構わない。
【0019】
又、特に有機発光素子からなるディスプレイパネルに本発明の封止膜を用いる場合、封止膜はパネル面全面に設けられることができるが、その中でも有効表示領域内において封止膜の硬度あるいは更にヤング率が前述の数値範囲内にあることが、外部からの水分等の有機発光素子の劣化を促す物質の侵入を防ぐことができるため、信頼性の高いディスプレイパネルが得られるという点で好ましい。
【0020】
更に、有機発光素子からなるトップエミッション構造(支持基板側とは反対側に光を取り出す)のディスプレイパネルに本発明に係る封止膜を用いる場合、封止膜を発光部より具体的には一対の対向しあう電極部のみならず、例えば非発光部分であるTFT回路等の駆動部分にも設けると、有機発光素子並びに駆動回路に用いられている半導体素子全体をカバーすることができるためパネル全体としてのガスバリア性を高めるという点で好ましい。
【0021】
本発明の発光素子に用いられる封止膜は、無機材料として例えば窒化シリコン膜、窒化酸素シリコン膜、酸化タンタル膜、窒化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素膜等や、有機樹脂材料として例えばシリコン樹脂膜やアクリル、エポキシ樹脂などのUV硬化樹脂など前記条件を満足するものであればいずれのものを使用しても構わない。
【0022】
また、前記封止膜の膜厚は0.1〜5μmであることが、カバレッジ性及び透光性の点から望ましい。
【0023】
本発明の半導体素子の一例である発光素子においては、対向する一対の電極間に配置される有機化合物層を構成する有機化合物として、電子写真感光体分野等で研究されているホール輸送性化合物やこれ迄知られているホール輸送性発光体化合物あるいは電子輸送性化合物やこれ迄知られている電子輸送性発光体化合物を必要に応じて2種類以上使用する事も出来る。
【0024】
本発明の発光素子において、有機化合物層は一般には真空蒸着あるいはスピンコートにより設けることができる。
【0025】
また、第一電極材料としては仕事関数が大きな材料が好ましく、例えば金、クロム、ニッケル、コバルト、ITOなどが用いられる。
【0026】
一方、第二電極材料としては、仕事関数が小さなリチウム、カルシウム、マグネシウム、銀、鉛、錫、マグネシウム、アルミニウム、マンガン、インジウム、クロムあるいはこれらの合金や例えばITO、SnO2,ZnO,MgIn2O4,Zn2In2O5,InGaZnO4などの透明導電性膜と上記金属半透明膜との積層構造で使用することができる。
【0027】
本発明の有機発光素子は、従来の白熱灯、蛍光灯あるいは発光ダイオードなどと異なり、大面積、高分解能、薄型、軽量、高速動作、完全な固体デバイスであり、高度な要求を満たす可能性のある表示パネルに使用することができる。
【0028】
【実施例】
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0029】
(実施例1、2および比較例1)
実施例1、2および比較例1は単素子の発光素子に係る実施例である。
【0030】
ガラス基板上にイオンプレーティング法により膜厚110nmのITO膜(直径2mm)を製膜したITO基板をuv−ozone処理装置(PL16−110,SEN LIGHTS CORP)にて40分間クリーニングを行った。
【0031】
その後直ちに、この基板上に下記の構造式(1)で示される化合物からなるホール輸送層(膜厚50nm)、そしてアルミキノリノール錯体(Alq3)からなる発光層(膜厚50nm)、さらにAlからなる陰極(膜厚150nm)を各次順次真空蒸着により形成した。その後真空をやぶらない状態で、封止膜作製装置内へ搬送し、下記に示した条件にてプラズマCVDを行い、陰極上に厚さ0.7μmのSiN封止膜を形成し、実施例1の発光素子を作製した。
【0032】
【外1】
【0033】
[実施例1の封止膜の製膜条件]
ガス流量比:SiH4/N2=50/1000
ガス圧:0.5Torr
RFパワー:450W
製膜時間:16分
なおRFの周波数は60MHzである。
【0034】
また、製膜時間を75分とした以外は実施例1と同様の方法で作製した発光パネルを実施例2の素子とした。
【0035】
一方、SiH4とN2ガスの比率を90/1000とした以外は実施例1と同様の方法で作製した発光パネルを比較例1の素子とした。
【0036】
このようにして作製したいずれの実施例および比較例の発光素子が有する封止膜の硬度並びにヤング率は、微小押し込み試験機(TriboScope,HYSITRON INC.)で評価した(Peak Force:1500μN、Segment Time:15秒)。またこれらの素子を5000時間高温高湿下(60℃、90%RH)に放置し、ダークスポットの変化を観察した。結果を表1に示す。
【0037】
【表1】
【0038】
表1の結果を見て明らかなように、実施例1,2の発光素子では封止膜の割れもなくダークスポットも殆ど増加していない。特に実施例2のように膜厚が3.6nmのように厚くても封止膜の割れもなくダークスポットも殆ど増加していない。対して、SiH4/N2の値が大きい比較例1の素子では素子製造直後は光ったものの5000時間経過後にはダークスポットが成長しすぎて全く発光しなかった。
【0039】
(実施例3〜5および比較例2)
実施例3〜5および比較例2は複数の発光素子を有するディスプレイに係る実施例である。
【0040】
発光画素サイズが60×80μmの発光部を有するディスプレイパネルにおいて、画素電極(クロム)上に銅フタロシアニン化合物層(膜厚10nm)、下記の構造式(2)で示される化合物からなるホール輪送層(膜厚50nm)、そしてAlq3からなる発光層(膜厚45nm)、セシウムドープしたAlq3からなる電子注入層(15nm)、さらにITOからなる陰極(膜厚100nm)を各次順次真空製膜した。
【0041】
【外2】
【0042】
その後真空をやぶらない状態で、封止膜作製装置内へ搬送し、下記に示した条件にてプラズマCVDを行い、有効表示領域内にディスプレイパネルスィッチング用TFT及び電流制御用TFTを有したパネル全面上に厚さ1.0μmのSiN封止膜を形成し、実施例3の発光パネルを作製した。
【0043】
[実施例3の封止膜の製膜条件]
ガス流量比:SiH4/N2=20/1000
ガス圧:0.6Torr
RFパワー:420W
製膜時間:26分
なおRFの周波数は60MHzである。
【0044】
また、製膜条件を下記のようにした以外は実施例3と同様の方法で作製した発光パネルを実施例4及び実施例5のパネルとした。
【0045】
[実施例4の封止膜の製膜条件]
ガス流量比:SiH4/N2=40/1000
ガス圧:0.4Torr
RFパワー:800W
製膜時間:22分
【0046】
[実施例5の封止膜の製膜条件]
ガス流量比:SiH4/N2=50/1000
ガス圧:0.5Torr
RFパワー:1700W
製膜時間:72分
一方、封止膜としてスパッタリング法により膜厚0.6μmのダイヤモンドライクカーボン膜を設けた以外は実施例3と同様の方法で作製した発光パネルを比較例2のパネルとした。
【0047】
このようにして作製したいずれの実施例および比較例の発光素子が有する封止膜の硬度並びにヤング率は、微小押し込み試験機(TriboScope,HYSITRON INC.)で評価した(Peak Force:1500μN、Segment Time:15秒)。またこれらのパネルを7000時間高温高湿下(50℃、85%RH)に放置し、ダークスポットの変化を観察した。結果を表2に示す。
【0048】
【表2】
【0049】
表2の結果を見て明らかなように、実施例3,4の発光パネルでは封止膜の割れもなくダークスポットも殆ど増加していない。また、実施例5の発光パネルでは微細な亀裂が生じ、亀裂近傍でダークスポットの発生が若干見られたがディスプレイパネルとして実用上問題ない。一方、比較例2のパネルでは製造直後は発光したものの全面で封止膜の割れが生じ、7000時間後にはダークスポットが成長してほとんどの画素が発光しなかった。
【0050】
これまでの実験結果より、ガス流量比(SiH4/N2)において、SiH4の割合が多くなると柔らかい膜が形成され、ガス圧が高いと製膜時間が短縮され、RFパワーが大きいと硬い膜が得られるということが考えられる。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の硬度を有した封止膜を用いた半導体素子は、非常に優れた耐湿性を有していることがわかる。更に前述の硬度に加え、本発明のヤング率を有し封止膜を用いた半導体素子は極めてカバレッジ性に優れ、特にディスプレイパネルに用いられる有機発光素子において有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る有機発光素子を説明する断面模式図である。
【図2】微小押込み試験法で得られる荷重と押込み深さ曲線の模式図である。
【符号の説明】
1 基板
2 第一電極
3 有機化合物層
4 第二電極
5 封止膜
Claims (3)
- 封止膜を有する半導体素子であって、前記封止膜は微小押し込み試験法により算出された硬度値が4GPa以上、14GPa以下の範囲にあることを特徴とする封止膜を有する半導体素子。
- 前記封止膜を有する半導体素子は、一対の対向する電極と、前記一対の電極の間に設けられた有機化合物層とを有する有機発光素子であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記封止膜は前記微小押し込み試験法により算出されたヤング率の値が20GPa以上、80GPa以下の範囲であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子。
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JP2002221212A JP2004063319A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 封止膜を有する半導体素子 |
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2002
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