JP2694126B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置及びその
製造方法に関し、特に反射型液晶ライトバルブを用いた
投射型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超高精細ディスプレイとしてＣＲ
Ｔに取って代わる可能性を秘めているものとして、投射
型の液晶表示装置が脚光を浴びてきている。既にＨＤＴ
ＶやＯＨＰディスプレイに投射型液晶表示装置が用いら
れるようになってきている。
【０００３】投射型液晶表示装置の投射光学系は、光
源、ライトバルブ、スクリーン、及び光学フィルタ、投
射レンズ等からなる。ライトバルブには液晶表示パネル
が用いられ、光源からの光を透過させてスクリーンに画
像を映し出す方式の透過型液晶ライトバルブと、光源か
らの光を反射させてスクリーンに画像を映し出す反射型
液晶ライトバルブとがある。
【０００４】投射型に限らず一般にアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置は、スイッチング素子及びスイッチ
ング素子に接続された表示電極が形成されたアレイ基板
と、アレイ基板と所定の間隔（セルギャップ）を隔てて
対向して設けられた対向電極が形成された対向基板とか
らなり、アレイ基板と対向基板との間の領域に液晶が封
入されている。
【０００５】液晶材料の所定の電気光学的特性を得るた
めには、所定のセルギャップをパネルの表示面全体にわ
たって均一に得る必要があり、そのため直径数ミクロン
のガラス球或はプラスチック球をスペーサとして多数散
布して均一のセルギャップを得るようにしているものが
ある。しかし、このスペーサを用いる方法は、球の直径
の均一性やスペーサ球をパネルに均一に分散させるのが
極めて困難であるというプロセス上の問題を有し、また
画素上に位置したスペーサにより光のロスが生じるとい
う問題を有している。
【０００６】そこで、上述のスペーサ球を分散させる方
法に代えて、セルギャップに絶縁膜等からなる柱を形成
してスペーサとして利用する方法が提案されている。こ
れは主として、半導体装置の製造工程で一般に用いられ
るフォトリソグラフィ工程を利用し、シリコン酸化膜の
柱をスペーサとしてセルギャップに形成するものであ
り、従来のスペーサ球を用いる場合と比較してスペーサ
の位置、数、高さを自由にコントロールできるという利
点を有している。
【０００７】図１０はシリコン酸化膜の柱をスペーサと
して用いた従来の反射型液晶ライトバルブの概略断面図
である。シリコン基板１００上に詳細な図示を省略した
トランジスタ１０４が形成されている。シリコン基板１
００及びトランジスタ１０４上に厚さ約２μｍのシリコ
ン酸化膜１０２が形成され、シリコン酸化膜１０２上に
は光吸収層１０６が形成されている。光吸収層１０６上
に厚さ５０００Åのシリコン窒化膜１０８が形成され、
その上にＡｌからなる厚さ１５００Åの光反射膜１１２
が形成されている。
【０００８】光反射膜１１２は、シリコン酸化膜１０
２、シリコン窒化膜１０８に形成されたスルーホールに
埋め込まれたタングステン（Ｗ）のスタッド１１０によ
りトランジスタ１０４のソース電極（図示せず）に接続
されて、液晶を駆動する表示電極としても機能するよう
になっている。一つの光反射膜１１２で一つの表示画素
のサブピクセルが構成される。隣り合う光反射膜１１２
間（距離約１．７μｍ）にはＡｌ層が形成されておら
ず、図示のように高さ約５μｍのシリコン酸化膜の柱状
スペーサ１１８が所定の光反射膜１１２間に形成されて
いる。図１０の断面図中、柱状スペーサ１１８は両側の
光反射膜１１２に約１μｍ程度乗り上げて形成されてい
る。スペーサ１１８を介して対向基板であるガラス保護
基板１１６が形成されている。ガラス保護基板１１６の
光反射膜側には全面に対向電極１１４が形成されてい
る。スペーサ１１８により生じた厚さ約５μｍのセルギ
ャップに液晶が封入され液晶層１２０が形成されてい
る。
【０００９】トランジスタ１０４は、ソース電極の他、
データ線に接続されたドレイン電極、及び走査線に接続
されたゲート電極（以上、図示を省略）が形成されたＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ）であり、ゲートのオン
状態でデータ線に印加された電圧を表示電極である光反
射膜１１２に印加するスイッチング素子として機能す
る。
【００１０】トランジスタ１０４のオン時に表示電極で
ある光反射膜１１２と対向電極１１４との間に印加され
る電圧に応じて液晶分子１２２の向きを変化させて光の
透過率を変化させることにより、ガラス保護基板１１６
側から入射した光を、光反射膜１１２まで透過させ反射
させてガラス保護基板１１６から再出射させたり、或は
透過させないようにして表示を行う。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】大画面に高精細表示を
行うこのような投射型液晶表示装置では、表示輝度を如
何に向上させるかが問題である。表示輝度を向上させる
には、例えばサブピクセルの開口率を大きくさせること
が考えられるが、図１０に示した反射型液晶ライトバル
ブにおいては柱状スペーサ１１８が両側の光反射膜１１
２上に乗り上げており、光反射膜１１２の光反射面積を
減少させているため、サブピクセルの開口率を下げる要
因となっている。
【００１２】従来のスペーサ１１８が光反射膜１１２上
に乗り上げて形成されてしまう理由を図１１を用いて説
明する。シリコン窒化膜１０８及びその上に形成された
光反射膜１１２の上に厚さ約５μｍのシリコン酸化膜を
堆積させる。全面にレジストを塗布してから露光してパ
ターニングし、光反射膜１１２の境界に形成すべきスペ
ーサの位置にマスクとしてのレジスト層１３２を形成す
る（図１１（ａ））。レジスト層１３２をマスクとして
シリコン酸化膜１３０をエッチングし、所望の柱状スペ
ーサ１１８を得る（図１１（ｂ））。
【００１３】このフォトレジスト工程において、レジス
ト層１３２のパターニングに使用される露光装置のアラ
インメント精度が十分でないのでパターニングの位置合
わせに余裕を持たせる必要があり、そのため大きめのパ
ターニング用マスクを使用してレジスト層１３２を露光
せざるを得ない。従って、パターニングされたレジスト
層の幅は光反射膜１１２間の距離約１．７μｍより広く
ならざるを得ず、例えば４μｍ程度の幅に形成されてし
まう。このパターニングされたレジスト層をマスクにス
ペーサ１１８を形成すると、スペーサ１１８は光反射膜
１１２間の距離より広い幅約４μｍに形成されて、両側
の光反射膜１１２上に約５．３μｍ２程度乗り上げてし
まうことになる。その結果、サブピクセルの開口率は約
５％程度低下せざるを得なかったのである。
【００１４】本発明の目的は、サブピクセルの開口率を
向上させて表示輝度を向上させた液晶表示装置及びその
製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、入射光を反
射させるとともに表示電極としても機能する複数の光反
射膜と、反射膜の光入射側に対向して設けられた対向電
極と、光反射膜と対向電極との間に封止された液晶層
と、所定のセルギャップを維持するよう液晶層中に形成
された柱状のスペーサと、少なくとも複数の光反射膜間
の下層に形成された光吸収層とを有する液晶表示装置に
おいて、スペーサが、光反射膜間上に形成され、光反射
膜上には形成されていないことによって達成される。
【００１６】また上記目的は、上述の液晶表示装置の光
吸収層が、ほぼ１００Åの厚さのＴｉ、ほぼ１０００Å
の厚さのＡｌ、ほぼ５００Åの厚さのＴｉＮがこの順に
積層されて形成されることによって達成される。
【００１７】さらに上記目的は、半導体基板上に光吸収
層を形成し、光吸収層上に第１の絶縁膜を介して複数の
光反射膜を形成し、全面に第２の絶縁膜を形成し、第２
の絶縁膜上全面にポジ型フォトレジストを塗布してレジ
スト層を形成し、レジスト層を上面から露光し現像する
ことにより、自己整合的（セルフアライン的）に複数の
光反射膜間の領域上部にのみレジスト層を残してマスク
を形成し、当該マスクを用いて第２の絶縁膜をエッチン
グして複数の光反射膜間上に柱状のスペーサを形成する
ことにより達成される。
【００１８】またさらに上記目的は、半導体基板上に複
数のスイッチング素子を形成し、全面に第１の絶縁膜を
形成し、第１の絶縁膜上に光吸収層を形成し、全面に第
２の絶縁膜を形成し、光吸収層と電気的に絶縁され、且
つ複数のスイッチング素子に電気的に夫々接続される導
電性の複数のスタッドを形成し、スタッドと電気的に夫
々接続され、複数のスイッチング素子と夫々対応する導
電性の複数の光反射膜を第２の絶縁膜上に形成し、全面
に第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上全面にポジ型
フォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、レジス
ト層を上面から露光し現像することにより、自己整合的
に複数の光反射膜間の領域上部にのみレジスト層を残し
てマスクを形成し、マスクを用いて第３の絶縁膜をエッ
チングして複数の光反射膜間上に柱状のスペーサを形成
し、当該スペーサで支持される対向電極が形成された対
向基板を貼り合わせ、当該スペーサにより形成されるセ
ルギャップ中に液晶を封止することにより達成される。
【００１９】さらに上記目的は、上述の液晶表示装置の
製造方法において、レジスト層を露光する際、スペーサ
を形成すべき位置をマスクして露光することにより達成
される。
【００２０】
【作用】本発明によれば、絶縁膜上全面にポジ型フォト
レジストを塗布してレジスト層を形成してレジスト層を
上面から露光し現像することにより、自己整合的（セル
フアライン的）に複数の光反射膜間の領域上部にのみマ
スクとしてのレジスト層を残すようにするので、当該マ
スクにより絶縁膜をエッチングして複数の光反射膜間上
のみに柱状スペーサを形成することができる。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例による液晶表示装置を図１
乃至図３を用いて説明する。図１は本実施例による液晶
表示装置の反射型液晶ライトバルブの部分断面図であ
る。例えばシリコン基板１である半導体基板上のフィー
ルド酸化膜１２で画定された複数の領域にＦＥＴ（電界
効果型トランジスタ）が夫々形成されている。ＦＥＴは
以下のような構造である。シリコン基板１上に例えばＳ
ｉＯ２からなる厚さ１５０〜５００Åのゲート絶縁膜２
が形成され、その上に例えばポリシリコンからなる厚さ
例えば０．４４μｍのゲート電極４が形成されている。
ゲート電極４の両側領域のシリコン基板１中にドレイン
領域６及びソース領域８が形成されている。ゲート電極
４下部のシリコン基板１にチャネル領域１０が形成され
ている。
【００２２】シリコン酸化膜１４を介してポリシリコン
の蓄積容量線１６が形成されている。層間絶縁膜である
シリコン酸化膜１４、１８上に例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）からなる厚さ０．７μｍのデータ線２０及びソース
電極２２が形成され、データ線２０はＦＥＴのドレイン
領域６に接続され、ソース電極２２はソース領域８に接
続されている。
【００２３】層間絶縁膜であるシリコン酸化膜２４を介
して光吸収層２６が形成されている。この光吸収層２６
は、好ましい例として、下層から順に厚さ１００Åのチ
タン（Ｔｉ）層、厚さ１０００ÅのＡｌ層、厚さ５００
Åのチタンナイトライド（ＴｉＮ）層からなる１６０ｎ
ｍの厚さの層である。これら材料をこの層厚に積層する
ことにより、光吸収層２６中に入射する光（波長３８０
〜７００Å）の反射を防止することができる（反射率２
５％程度）とともにＦＥＴ側への光の透過をも防止させ
る（透過率０％）ことができるようになる。この光吸収
層２６により、画像のコントラストの向上を図り、また
ＦＥＴでのリーク電流の発生を防止することができるよ
うになる。
【００２４】光吸収層２６上には例えば厚さ４００〜５
００ｎｍのシリコン窒化膜２８が形成され、その上に厚
さ例えば１５０ｎｍのＡｌの光反射膜３２が形成されて
いる。シリコン酸化膜２４及びシリコン窒化膜２８に形
成されたスルーホールにＣＶＤ法で形成された例えばタ
ングステン（Ｗ）のスタッド３０を介してＦＥＴのソー
ス電極２２と光反射膜３２とが接続されている。光吸収
層２６はタングステンスタッド３０の周囲で開口してお
り、タングステンスタッド３０と電気的に接続されない
ようになっている。
【００２５】光反射膜３２は複数のＦＥＴ毎に形成され
ており、一つの光反射膜３２で表示画素の一つのサブピ
クセルを構成している。各光反射膜３２間は所定の距離
例えば１．５〜１．７μｍ程度分離しており、図示する
ように、所望のセルギャップに応じて決められた厚さ２
〜５μｍ程度の例えばＳｉＯ２からなる柱状スペーサ３
４が形成されている。
【００２６】スペーサ３４は両側の光反射膜３２に乗り
上げることなく光反射膜３２間に位置し、スペーサ幅が
ほぼ光反射膜３２間の距離に等しく形成されている。従
って、柱状スペーサ３４によるサブピクセルの開口率の
低下を引き起こすことはない。スペーサ３４は所定の間
隔で基板全体に複数個設けられており、所定のセルギャ
ップを保持することができるようになっている。
【００２７】柱状スペーサ３４上には、ＩＴＯ（インジ
ウム・ティン・オキサイド）からなる透明電極である対
向電極３８が形成されたガラス保護基板４０が貼り合わ
されている。光反射膜３２と対向電極３８との間の領域
（セルギャップ）は液晶材料が封入された液晶層３６で
ある。液晶分子は配向膜（図示せず）により配向させら
れている。
【００２８】図２は本実施例による反射型液晶ライトバ
ルブの概観を示す斜視図である。柱状スペーサ３４は、
図示のごとく所定の間隔で光反射膜３２間の領域に形成
されている。サブピクセルを構成する光反射膜３２は、
本実施例においては一辺の長さ１７μｍの正方形形状に
形成されている。このサブピクセルが例えば１２８０行
１６００列のマトリクス状に配置されてライトバルブを
構成する。
【００２９】本実施例の反射型液晶ライトバルブにおい
て、光反射膜３２は、ガラス保護基板４０側から入射し
てきた光を反射させる機能とともに、液晶層３６に電圧
を印加する表示電極としての機能も有している。そし
て、ＦＥＴは、データ線２０に供給された信号電圧をゲ
ート４のオン時に表示電極である光反射膜３２に印加す
るスイッチング素子として機能する。ＦＥＴのオン時に
表示電極である光反射膜３２と対向電極３８との間に印
加される電圧に応じて液晶分子（図示せず）の向きを変
化させて光の透過率を変化させることにより、ガラス保
護基板４０側から入射した光を光反射膜３２まで透過、
反射させてガラス保護基板４０から再出射させたり、或
は透過させないようにして表示を行う。
【００３０】図３は本実施例による反射型液晶ライトバ
ルブを用いた投射型液晶表示装置の概略図である。光源
４２から出射した直線偏光した光は偏光ビームスプリッ
タ４４で反射されてカラーセパレーションプリズム４６
に入射し、ここで赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原
色に分離されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）用の反射
型液晶ライトバルブ４８、５０、５２に夫々入射する。
各反射型液晶ライトバルブで各サブピクセルに対する輝
度変調が行われた光は反射して再びカラーセパレーショ
ンプリズム４６に入射し、元の偏光とは９０度ずれた直
線偏光の光となって偏光ビームスプリッタ４４に入射す
る。反射型液晶ライトバルブ４８、５０、５２からの反
射光は偏光ビームスプリッタ４４を通過して投影レンズ
５４に入射し、拡大されてスクリーン５６に投影され
る。
【００３１】次に本発明の一実施例による液晶表示装置
の製造方法を図４乃至図８を用いて説明する。本実施例
による液晶表示装置の製造方法は、柱状スペーサ３４の
製造方法に特徴を有しているのでそれ以前の工程は概説
するに止める。まずシリコン基板１上にフィールド酸化
膜１２を形成して複数のＦＥＴの素子形成領域を画定す
る。素子形成領域内のシリコン基板１上にシリコン酸化
膜を形成し、その上にＣＶＤ法によりポリシリコン膜を
成長させる。パターニングしてゲート絶縁膜２及びゲー
ト電極４を形成する。
【００３２】イオン注入等により不純物を添加して拡散
させ、ドレイン領域６及びソース領域８を形成する。Ｃ
ＶＤ法により層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜１４を
形成し、その上に蓄積容量線１６を形成してからさらに
層間絶縁膜としてシリコン酸化膜１８を堆積する。コン
タクトホールを開口してからデータ線２０及びソース電
極２２を形成する。
【００３３】全面にシリコン酸化膜２４を堆積し、その
上に順次厚さほぼ１００Åのチタン（Ｔｉ）層、厚さほ
ぼ１０００ÅのＡｌ層、厚さほぼ５００Åのチタンナイ
トライド（ＴｉＮ）層を積層してほぼ１６０ｎｍの厚さ
の光吸収層２６を形成する。光吸収層２６の所定領域に
後に形成するスタッド３０が接触せずに貫通する大きさ
のスルーホールを形成する。次に全面に例えば厚さ４０
０〜５００ｎｍのシリコン窒化膜２８を形成する。
【００３４】光吸収層２６の開口領域のシリコン酸化膜
２４及びシリコン窒化膜２８にコンタクトホールを形成
しＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）のスタッド３０を
形成する。次に、全面に例えばＡｌを堆積してパターニ
ングし、各スタッド３０に夫々接続され、厚さ約１５０
ｎｍ、幅約１７μｍの正方形の光反射膜３２を例えば１
２８０行１６００列のマトリクス状に形成する。本実施
例においては、光反射膜３２間の距離は１．７μｍであ
る（図４）。
【００３５】次に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜６０を所望のセルギャップが得られるように厚さ２
〜５μｍ堆積する（図４）。次に、化学的機械的研摩法
（ＣＭＰ）によりシリコン酸化膜６０上面を例えば約
０．５μｍ程度研摩して平坦化させる（図５）。
【００３６】次に、再度シリコン酸化膜６２を厚さ例え
ば０．５μｍ堆積させた後、ポジ型フォトレジストを厚
さ約３．７μｍ塗布してフォトレジスト膜６４を形成す
る。その後、フォトレジスト膜６４を全面露光する（図
６）。
【００３７】この露光の際、ガラスマスク上のイメージ
とレジストイメージのサイズが同じになる露光量（１：
１露光量、ＥOP）の６０％程度のアンダー露光とし、露
光波長が３２０〜４５０Åであるとすると、下地のコン
トラストの差、即ち光反射膜３２（反射率８０〜９０
％）と光反射膜３２間の下部の光吸収層２６（反射率１
０〜２０％）との光反射量の差によりフォトレジスト膜
６４の光反射膜３２上部の露光量と光反射膜３２間上部
の露光量とに際立った差が生じることになる。この露光
量の差により、光反射膜３２上部のフォトレジスト膜６
４は感光され、光反射膜３２間のフォトレジスト膜６４
は最表面以外は感光されず、セルフアライン的な露光が
されることになる。
【００３８】次に、図９のＡに示すようなレジストパタ
ーニング用マスク６８を用いて、１：１露光量程度の露
光量でフォトレジスト膜６４を再露光する。ここで図９
は基板１を光反射膜３２側から観察した平面図である。
再露光後現像して光反射膜３２間上のフォトレジスト膜
６４を光反射膜３２間の長さ方向にパターニングして光
反射膜３２間の所定領域に所定長さのスペーサ３４形成
用のマスク６６を形成する。形成されたマスク６６の幅
はほぼ光反射膜３２間の距離１．７μｍに規定される
（図７）。
【００３９】このマスク６６を用いて反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）によりシリコン酸化膜６０、６２をエ
ッチングして柱状スペーサ３４が完成する（図８）。柱
状スペーサ３４は、光反射膜３２間に位置し、スペーサ
幅がほぼ光反射膜３２間の距離に等しく形成される。
【００４０】その後従来と同様の工程により対向電極３
８が形成されたガラス保護基板４０を貼り合わせ、セル
ギャップに液晶を封止して反射型液晶ライトバルブが完
成する。
【００４１】このように本実施例の製造方法によれば、
スペーサ形成のためのフォトリソグラフィ工程で下地の
コントラストの差を利用したセルフアラインプロセスを
用いるので、柱状スペーサ３４は、光反射膜３２間に位
置し、スペーサ幅がほぼ光反射膜３２間の距離に等しく
形成することができるようになる。
【００４２】上記実施例においては、光反射膜３２間に
所定の長さのスペーサ３４を形成したが、他の実施例と
して図９のＢ及びＣに示すようなマスク６８を用いるこ
とにより任意の領域に所望のスペーサ３４を形成するこ
とが可能である。
【００４３】図９のＢは、光反射膜３２間が行方向及び
列方向に交差した位置にマスク６６を形成する場合を示
している。基板１上の光反射膜３２間全域に残っている
フォトレジスト膜６４を図９のＢに示すような例えば正
方形形状のレジストパターニング用マスク６８を用いて
オーバー露光、オーバー現像し、光反射膜３２間上のフ
ォトレジスト膜６４をパターニングして、交差位置に正
方形形状のマスク６６を形成する。
【００４４】図９のＣは、図９のＡと同様の露光条件に
てＣに示すような正方形形状のレジストパターニング用
マスク６８を用いてパターニングし、低部が十字形状の
マスク６６を光反射膜３２間の行方向及び列方向に交差
した領域に形成したものである。
【００４５】図９のＢ及びＣを用いて形成したスペーサ
３４は面積が広く体積も大きいのでスペーサの耐加重性
能を向上させることができる。これらのマスク６６を用
いて形成したスペーサを図２に例示する。図２中スペー
サ７０は図９のＡのマスク６６により形成したものであ
り、スペーサ７２は図９のＢのマスク６６により、スペ
ーサ７４は図９のＣのマスク６６により形成されたもの
である。
【００４６】上記各実施例においては、フォトレジスト
膜６４のパターニングを自己整合的にパターニングする
工程と、レジストパターニング用マスクによるパターニ
ングとの２つの工程に分けて行ったが、フォトレジスト
膜６４の形成後、露光の際、光反射膜３２間の柱状スペ
ーサ３４を形成すべき位置に図９の夫々で示したような
レジストパターニング用マスク６８を同時に用いて露光
し、スペーサの底部が光反射膜３２に乗り上げないよう
になるまで通常の１：１露光量に対して１６０％程度の
オーバー露光及び露光されたレジストを低部までとりき
るのに必要な現像時間（ＴOP）に対して４００％程度の
オーバー現像を行うようにしてもよい。この場合にはフ
ォトリソグラフィ工程の工程数を減らすことができると
いう利点が生じる。
【００４７】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、複数の光
反射膜間上のみに柱状スペーサを形成することができる
ので、反射型液晶ライトバルブのサブピクセルの開口率
を向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置の構造を
示す図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶表示装置の構造を
示す図である。
【図３】本発明の一実施例による液晶表示装置の構造を
示す図である。
【図４】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方
法を示す図である。
【図５】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方
法を示す図である。
【図６】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方
法を示す図である。
【図７】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方
法を示す図である。
【図８】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方
法を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例による液晶表示装置の製造
方法を示す図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の構造を示す図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の製造方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ シリコン基板 ２ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ６ ドレイン領域 ８ ソース領域 １０ チャネル領域 １２ フィールド酸化膜 １４ シリコン酸化膜 １６ 蓄積容量線 １８ シリコン酸化膜 ２０ データ線 ２２ ソース電極 ２４ シリコン酸化膜 ２６ 光吸収層 ２８ シリコン窒化膜 ３０ スタッド ３２ 光反射膜 ３４ スペーサ ３６ 液晶層 ３８ 対向電極 ４０ ガラス保護基板 ４２ 光源 ４４ 偏光ビームスプリッタ ４６ カラーセパレーションプリズム ４８ 反射型液晶ライトバルブ ５０ 反射型液晶ライトバルブ ５２ 反射型液晶ライトバルブ ５４ 投影レンズ ５６ スクリーン ６０ シリコン酸化膜 ６２ シリコン酸化膜 ６４ フォトレジスト膜 ６６ マスク ６８ レジストパターニング用マスク ７０ スペーサ ７２ スペーサ ７４ スペーサ １００ シリコン基板 １０２ シリコン酸化膜 １０４ トランジスタ １０６ 光吸収層 １０８ シリコン窒化膜 １１０ スタッド １１２ 光反射膜 １１４ 対向電極 １１６ ガラス保護基板 １１８ スペーサ １２０ 液晶層 １３０ シリコン酸化膜 １３２ レジスト層
フロントページの続き (72)発明者 篠原 昌己 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (72)発明者 西田 衛 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (56)参考文献 特開 昭57−20778（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−222370（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−235814（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に光吸収層を形成し、 前記光吸収層上に第１の絶縁膜を介して複数の光反射膜
    を形成し、 全面に第２の絶縁膜を形成し、 前記第２の絶縁膜上全面にポジ型フォトレジストを塗布
    してレジスト層を形成し、 前記レジスト層を上面から露光し現像することにより、
    自己整合的に前記複数の光反射膜間の領域上部にのみ前
    記レジスト層を残してマスクを形成し、 前記マスクを用いて前記第２の絶縁膜をエッチングして
    前記複数の光反射膜間上に柱状のスペーサを形成するこ
    とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  2. 【請求項２】半導体基板上に複数のスイッチング素子を
    形成し、 全面に第１の絶縁膜を形成し、 前記第１の絶縁膜上に光吸収層を形成し、 全面に第２の絶縁膜を形成し、 前記光吸収層と電気的に絶縁され、且つ前記複数のスイ
    ッチング素子に電気的に夫々接続される導電性の複数の
    スタッドを形成し、 前記スタッドと電気的に夫々接続され、前記複数のスイ
    ッチング素子と夫々対応する導電性の複数の光反射膜を
    前記第２の絶縁膜上に形成し、 全面に第３の絶縁膜を形成し、 前記第３の絶縁膜上全面にポジ型フォトレジストを塗布
    してレジスト層を形成し、 前記レジスト層を上面から露光し現像することにより、
    自己整合的に前記複数の光反射膜間の領域上部にのみ前
    記レジスト層を残してマスクを形成し、 前記マスクを用いて前記第３の絶縁膜をエッチングして
    前記複数の光反射膜間上に柱状のスペーサを形成し、 前記スペーサで支持される対向電極が形成された対向基
    板を貼り合わせ、 前記スペーサで形成されるセルギャップ中に液晶を封止
    することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製
    造方法において、 前記光吸収層は、ほぼ１００Åの厚さのＴｉ、ほぼ１０
    ００Åの厚さのＡｌ、ほぼ５００Åの厚さのＴｉＮをこ
    の順に積層して形成することを特徴とする液晶表示装置
    の製造方法。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表
    示装置の製造方法において、 前記レジスト層を露光する際、前記スペーサを形成すべ
    き位置をマスクして露光することを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。
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