KR960032048A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

(목적)
이 발명은 반사형 액정 라이트 밸브를 사용한 투사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관하여 서브 픽셀의 개구율을 향상시키고 표시 휘도를 향상시킨 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(구성)
반도체 기판(1)상에 광 흡수층(26)을 형성하고 광 흡수층(26)상에 절연막(28)을 거쳐서 복수의 광 반사막(32)을 형성하고 전면에 절연막(36)을 형성하고 절연막(36)상 전면에 포지형 포토레지스트를 도포하고 레지스트층(64)을 형성하고 레지스트층(64)을 상면에서 노광해서 현상함으로써 자기 정합적으로 복수의 광 반사막(32)간의 영역 상부에만 레지스트층(64)을 남기고 마스크를 형성하고 해당 마스크를 써서 절연막(36)을 에칭하고 복수의 광반사막(32)간 상에 기둥상의 스페이서(34)를 형성하게 구성한다.
<선택도> 제7도

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 액정 표시 장치의 구조를 도시하는 도면,
제2도는 본 발명의 1실시예에 의한 액정 표시 장치의 구조를 도시하는 도면,
제3도는 본 발명의 1실시예에 의한 액정 표시 장치의 구조를 도시하는 도면.

Claims (6)

  1. 입사광을 반사시키는 동시에 표시 전극으로서도 기능하는 복수의 광 반사막과 상기 반사감의 광 입사측에 대향해서 설치된 대향전극과 상기 반사막과 상기 대향 전극 사이에 봉지된 액정층과 소정의 셀 갭을 유지하게 상기 액정층 중에 기둥상으로 형성된 스페이서와 적어도 상기 복수의 광 반사막 간의 하층에 형성된 광 흡수층을 갖는 액정 표시 장치에 있어서, 상기 스페이서는 상기 광 반사막간 상에 형성되고 상기 광 반사막상엔 형성되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 흡수층은 개략 100Å의 두께인 Ti, 개략 1000Å의 두께인 Al, 개략 500Å의 두께인 TiN이 이 차례로 적층되어서 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 반도체 기판상에 광 흡수층을 형성하고, 상기 광 흡수층상에 제1의 절연막을 거쳐서 복수의 광 반사막을 형성하고, 전면에 제2의 절연막을 형성하고, 상기 제2의 절연막상 전면에 포지형 포토레지스트를 도포해서 레지스트층을 형성하고, 상기 레지스트층을 상면에서 노광하여 현상함으로써 자기 정합적으로 상기 복수의 광 반사막간의 영역 상부에만 상기 레지스트층을 남기고 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 써서 상기 제2의 절연막을 에칭하고 상기 복수의 광 반사막간 상에 기둥상의 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  4. 반도체 기판상에 복수의 스위칭 소자를 형성하고, 전면에 제1의 절연막을 형성하고, 상기 제1의 절연막상에 광 흡수층을 형성하고, 전면에 제2의 절연막을 형성하고, 상기 광 흡수층과 전기적으로 절연되고 또한 상기 복수의 스위칭 소자에 전기적으로 각각 접속되는 도전성의 복수의 스터드를 형성하고, 상기 스터드와 전기적으로 각각 접속되고 상기 복수의 스위칭 소자와 각각 대응하는 도전성의 복수의 광 반사막을 상기 제2의 절연막상에 형성하고, 전면에 제3의 절연막을 형성하고, 상기 제3의 절연막 전면에 포지형 포토레지스트를 도포해서 레지스트층을 형성하고, 상기 레지스트층을 상면에서 노광하여 현상함으로써 자기 정합적으로 상기 복수의 광반사막간의 영역 상부에만 상기 레지스트층을 남기고 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 써서 상기 제3의 절연막을 에칭해서 상기 복수의 광 반사막간 상에 기둥상의 스페이서를 형성하고, 상기 스페이서로 지지되는 대향전극이 형성된 대향 기판을 맞붙이고, 상기 스페이서로 형성되는 셀 갭 중에 액정을 봉입하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 광 흡수층은 개략 100Å의 두께인 Ti, 개략 1000Å의 두께의 Al, 개략 500Å의 두께의 TiN을 이 차례로 적층해서 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 레지스트층을 노광할 때, 상기 스페이서를 형성해야 할 위치를 마스크하고 노광하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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TW (1) TW390968B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100381864B1 (ko) * 1998-09-24 2003-08-25 삼성전자주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
KR100566722B1 (ko) * 1999-06-14 2006-04-03 후지쯔 가부시끼가이샤 액정 표시 기판과 그 제조 방법 및 액정 표시 장치
KR100569034B1 (ko) * 1997-05-22 2006-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3349332B2 (ja) * 1995-04-28 2002-11-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 反射式空間光変調素子配列及びその形成方法
WO1996038755A1 (fr) * 1995-05-29 1996-12-05 International Business Machines Corporation Affichage a cristaux liquides et procede de production
US5978056A (en) * 1995-10-15 1999-11-02 Victor Company Of Japan, Ltd Reflection-type display apparatus having antireflection films
US6208404B1 (en) * 1996-05-16 2001-03-27 Tryonics Corporation Black matrix
US20010043175A1 (en) 1996-10-22 2001-11-22 Masahiro Yasukawa Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
CN1244837C (zh) * 1996-10-22 2006-03-08 精工爱普生株式会社 液晶面板用基板和液晶面板
US7872728B1 (en) 1996-10-22 2011-01-18 Seiko Epson Corporation Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same
JP4302194B2 (ja) * 1997-04-25 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
JP3390633B2 (ja) 1997-07-14 2003-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6023309A (en) * 1997-12-22 2000-02-08 Philips Electronics North America Corporation Reflective liquid crystal display having integral light shielding
JP2918875B1 (ja) 1998-03-02 1999-07-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射型液晶素子、製造方法およびプロジェクション表示装置
EP0990942A4 (en) 1998-03-19 2005-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display and method for the production thereof
US6452652B1 (en) * 1998-06-12 2002-09-17 National Semiconductor Corporation Light absorbing thin film stack in a light valve structure
GB9827900D0 (en) * 1998-12-19 1999-02-10 Secr Defence Spacers for cells having spaced opposed substrates
JP4362882B2 (ja) * 1999-01-13 2009-11-11 ソニー株式会社 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置
US6208392B1 (en) * 1999-02-26 2001-03-27 Intel Corporation Metallic standoff for an electro-optical device formed from a fourth or higher metal interconnection layer
SG93208A1 (en) * 1999-03-01 2002-12-17 Chartered Seminconductor Mfg L A novel spacer technology for making liquid- crystal-on-silicon displays with alignment posts
US6498635B1 (en) * 1999-03-05 2002-12-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of forming insulating material alignment posts associated with active device structures
JP4298131B2 (ja) 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4666723B2 (ja) 1999-07-06 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2001021902A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Toshiba Corp 液晶表示装置
US7226798B2 (en) * 1999-07-19 2007-06-05 United Microelectronics Corp. Fabrication method for a multi-layered thin film protective layer
TW525305B (en) * 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
US20020031909A1 (en) * 2000-05-11 2002-03-14 Cyril Cabral Self-aligned silicone process for low resistivity contacts to thin film silicon-on-insulator mosfets
US6503833B1 (en) * 2000-11-15 2003-01-07 International Business Machines Corporation Self-aligned silicide (salicide) process for strained silicon MOSFET ON SiGe and structure formed thereby
JP2002221717A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Kawasaki Microelectronics Kk 液晶表示装置
JP4896318B2 (ja) 2001-09-10 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4395612B2 (ja) * 2001-09-26 2010-01-13 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR100652063B1 (ko) * 2001-12-27 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4180342B2 (ja) * 2002-10-11 2008-11-12 富士通株式会社 液晶パネルの製造方法
JP4293591B2 (ja) * 2003-01-23 2009-07-08 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 表示装置の製造方法
US6917409B2 (en) * 2003-02-18 2005-07-12 Intel Corporation Integrated spacer technology for LCOS light modulators
US7061570B2 (en) 2003-03-26 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2004086487A1 (ja) 2003-03-26 2004-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 半導体装置およびその作製方法
US7202155B2 (en) * 2003-08-15 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device
TWI366701B (en) * 2004-01-26 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing display and television
TWI281064B (en) * 2005-09-29 2007-05-11 Au Optronics Corp Array substrate, display devices using the same and methods for assembling the same
US7576815B2 (en) * 2006-07-10 2009-08-18 Intel Corporation Method and apparatus of liquid-crystal-on-silicon assembly
US20090098680A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
EP2225776A4 (en) * 2007-12-14 2013-01-16 Du Pont REAR PANEL STRUCTURES FOR ELECTRONIC DEVICES
US9762868B2 (en) 2013-06-28 2017-09-12 Thomson Licensing Highlighting an object displayed by a pico projector
JP2015138905A (ja) 2014-01-23 2015-07-30 三菱電機株式会社 分布帰還型半導体レーザ素子、分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
CN104216161B (zh) * 2014-08-22 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN107505781A (zh) * 2017-09-28 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板以及具有该柔性基板的液晶面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5720778A (en) * 1980-07-11 1982-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Image display unit
EP0112417A1 (en) * 1982-12-22 1984-07-04 International Business Machines Corporation Semiconductor integrated display and method of making same
JPS61235814A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Canon Inc 液晶素子の製法
US4678542A (en) * 1986-07-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Self-alignment process for thin film diode array fabrication
NL8801164A (nl) * 1987-06-10 1989-01-02 Philips Nv Weergeefinrichting voor gebruik in reflectie.
JPH032833A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造法
JPH06222370A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Sony Corp 液晶パネルの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100569034B1 (ko) * 1997-05-22 2006-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR100381864B1 (ko) * 1998-09-24 2003-08-25 삼성전자주식회사 반사형액정표시장치및그제조방법
KR100566722B1 (ko) * 1999-06-14 2006-04-03 후지쯔 가부시끼가이샤 액정 표시 기판과 그 제조 방법 및 액정 표시 장치

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