KR100537875B1 - 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100537875B1 KR100537875B1 KR1019980027075A KR19980027075A KR100537875B1 KR 100537875 B1 KR100537875 B1 KR 100537875B1 KR 1019980027075 A KR1019980027075 A KR 1019980027075A KR 19980027075 A KR19980027075 A KR 19980027075A KR 100537875 B1 KR100537875 B1 KR 100537875B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- substrate
- reflective liquid
- gate electrode
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- -1 gate electrodes Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
게이트 전극, 상기 게이트 전극에 대응하는 부분의 반도체층, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 절연층, 상기 반도체층과 연결된 소스/드레인 전극이 형성되어 있는 절연 기판 위에 보호막을 적층한 후 사진 식각하여, 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막의 상부에 돌기용 물질을 적층하고, 사진 공정을 통하여 다수의 돌기를 형성한다. 따라서, 다수의 돌기의 높이는 돌기용 물질을 적층하는 두께에 의해 결정되므로 균일하게 형성할 수 있으며, 조절하기도 용이하다. 또한, 다수의 돌기는 적층하고 패터닝하는 공정만으로 형성하여 단순화할 수 있다. 여기서, 돌기는 습식 또는 건식 식각 방법을 통하여 등방성 식각으로 테이퍼 형태로 형성되며, 돌기의 측면 프로파일(profile)의 테이퍼 각도는 30~80 범위로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 돌기는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모, 사다리꼴 등의 다양한 모양으로 형성할 수 있으며, 이러한 돌기의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
Description
본 발명은 액정표시장치용 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면 반사형 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리 기판, 두 유리 기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 구성된다.
한편, 최근에는 백 나이트가 없는 반사형 액정표시장치가 개발되고 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 기술에 따른 반사형 액정표시장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이다.
도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 반사형 액정표시장치용 기판은, 절연 기판(1)의 위에 게이트 전극(2)이 형성되어 있고, 게이트 전극(2)을 덮는 게이트 절연막(3)이 하부 기판(1) 상부에 형성되어 있다. 이때, 게이트 전극(2)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 크롬 등으로 이루어진 이중막(21, 22)으로 형성되어 있다. 게이트 전극(2)에 대응하는 게이트 절연막(3)의 상부에는 각각 반도체층(4)이 형성되어 있으며, 반도체층(4)의 상부에는 게이트 전극(2)을 중심으로 마주하는 저항 접촉층(51, 52)이 형성되어 있다. 각각의 저항 접촉층(51, 52) 상부에는 소스/드레인 전극(61, 62)이 각각 형성되어 있으며, 소스/드레인 전극(61, 62) 및 노출된 게이트 절연막(3)의 상부에는 상부에 곡면을 가지며 감광성 수지로 이루어진 다수의 돌기(7)들이 형성되어 있다. 또한, 기판(1)의 상부에는 드레인 전극(6) 상부에 개구부를 가지며, 다수의 돌기(7) 및 소스/드레인 전극(61, 62)을 덮고 있는 보호막(8)이 형성되어 있고, 보호막(8)의 상부에는 개구부를 통하여 드레인 전극(62)과 연결되어 있는 반사막(9)이 형성되어 있다.
그러나, 이러한 종래의 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법에서는 다수의 돌기(7)를 형성하기 위하여 제조 공정 수가 증가한다는 문제점이 있다. 즉, 다수의 돌기를 형성하기 위해서는 감광성 수지를 증착하는 공정, 사진 공정을 통하여 감광성 수지를 패터닝하는 공정, 돌기(7)의 상부를 곡면으로 형성하는 공정이 요구된다. 또한, 돌기(7)를 형성한 다음, 보호막(8)을 형성하기 때문에 돌기(7) 모양을 따라 형성된 보호막(8)의 돌출부(81)의 높이 및 크기를 조절하기가 곤란하다.
본 발명의 과제는 이러한 단점을 해결하기 위한 것으로서, 반사형 액정표시장치용 기판의 제조 공정을 단순화하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 과제는 돌기의 크기 및 높이를 균일하게 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조 공정을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치에는 보호막의 상부에 균일한 높이를 가지는 다수의 돌기가 형성되어 있으며, 보호막의 상부에 다수의 돌기를 덮는 반사막이 형성되어 있다.
또한, 이러한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법에서는, 드레인 전극의 상부에 개구부를 가지는 보호막을 형성하고, 보호막의 상부에 돌기용 물질을 증착하고 패터닝하여 균일한 높이를 가지는 다수의 돌기를 형성한다.
다수의 돌기를 형성할 때, 식각 방법은 습식 및 건식 식각이 가능하며, 가장자리는 경사각을 가지도록 테이퍼 형태로 형성하기 위해 등방성 식각으로 진행하는 것이 바람직하다.
이때, 돌기는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모, 사다리꼴 등의 다양한 모양으로 형성하며, 돌기의 테이퍼 각도는 30~80 범위이며, 돌기의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 돌기용 물질은 산화규소, 질화규소 등 규소를 포함하는 규소 계열 또는 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등으로 형성하고, 반사막은 반사율을 가지는 은, 니켈, 크롬, 알루미늄 등의 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명의 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법에서는 돌기용 막을 증착하고 패터닝하여 돌기를 형성하게 된다. 또한, 돌기의 높이는 돌기용 물질의 증착 두께로 조절된다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판은, 절연 기판(100)의 상부에 게이트 전극(200)이 형성되어 있고, 게이트 전극(200)을 덮는 게이트 절연막(300)이 기판(100) 상부에 형성되어 있다. 이때, 게이트 전극(200)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 크롬 등의 이중막(210, 220)으로 형성되어 있다. 게이트 전극(200)에 대응하는 게이트 절연막(300)의 상부에는 비정질 규소로 이루어진 반도체층(400)이 형성되어 있으며, 반도체층(400)의 상부에는 게이트 전극(200)을 중심으로 서로 분리되어 있는 소스/드레인 전극(610, 620)이 각각 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극(610, 620)과 반도체층(400) 사이에는 각각 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(510, 520)이 형성되어 있으며, 기판(100)의 상부에는 게이트 전극(200), 소스/드레인 전극(610, 620) 및 반도체층(400)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)를 덮고 있으며 드레인 전극(620) 상부에 개구부를 가지는 보호막(800)이 형성되어 있다. 보호막(800)의 상부에는 균일한 높이를 가지는 다수의 돌기(700)가 형성되어 있으며, 보호막(800)의 상부에는 접촉 구멍(810)을 통하여 드레인 전극(620)과 연결되어 있는 반사막(900)이 다수의 돌기(700)를 덮고 있다.
이때, 돌기(700)는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모, 사다리꼴 등의 다양한 모양으로 형성되어 있으며, 돌기(700)의 가장자리는 경사각을 가지도록 테이퍼 형태로 형성되어 있다. 여기서, 돌기(700)가 가지는 측면 프로파일(profile)의 테이퍼 각도는 30~80 범위로 형성되어 있으며, 돌기(700)의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위로 형성되어 있다. 또한, 돌기(700)는 질화규소, 산화규소 또는 비정질 규소 등 규소를 포함하는 규소 계열의 물질로 형성할 수 있으며, 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등으로 형성할 수도 있다. 반사막(800)은 반사율을 가지는 은, 니켈, 크롬, 알루미늄 등의 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
그러면, 도 2의 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법을 도 3a 및 도 3b를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
도 3a에서 보는 바와 같이, 절연 기판(100) 위에 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 게이트 전극(200)을 형성한다. 여기서, 게이트 전극(200)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 크롬 등으로 이루어진 이중막(210, 220)으로 형성할 수 있으며, 이들의 단일막으로 형성할 수도 있다.
다음, 질화규소로 이루어진 게이트 절연층(300), 수소화된 비정질 규소층으로 이루어진 반도체층(400) 및 N형의 불순물로 고농도로 도핑된 수소화된 비정질 규소층을 차례로 적층한 후, 도핑된 비정질 규소층 및 반도체층(400)을 사진 식각한다.
이어, 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 소스 전극(610) 및 드레인 전극(620)을 형성한 다음, 소스 및 드레인 전극(610, 620)을 마스크로 삼아 노출된 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 도핑된 비정질 규소층으로 이루어진 저항 접촉층(510, 520)을 형성하고 반도체층(400)의 중앙부를 노출시킨다.
다음, 유기 절연막으로 이루어진 보호막(800)을 적층한 후 사진 식각하여, 드레인 전극(620)을 노출시키는 접촉 구멍(810)을 형성한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 게이트 전극, 게이트 절연층, 비정질 규소층의 반도체층, 도핑된 비정질 규소층의 저항 접촉층, 소스/드레인 전극, 보호막의 순서로 형성하는 하부 게이트형 박막 트랜지스터 구조를 채택하고 있지만, 이와는 달리 반도체층, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층, 소스/드레인 전극, 보호막 등의 순서로 형성하는 상부 게이트형 박막 트랜지스터 구조로 형성할 수도 있으며, 기타 다른 구조로 형성할 수도 있다.
이어, 도 3b에서 보는 바와 같이, 보호막(800)의 상부에 질화규소, 산화규소 또는 비정질 규소 등 규소를 포함하는 규소 계열 또는 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 돌기용 물질을 적층하고, 사진 공정을 통하여 다수의 돌기(700)를 형성한다.
다수의 돌기(700)를 형성할 때, 식각 방법은 습식 또는 건식 식각 방법을 사용할 수 있으며, 돌기(700)의 가장자리 부분은 경사각을 가지도록 등방성으로 식각하는 것이 바람직하다. 또한, 다수의 돌기(700)는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모, 사다리꼴 등의 다양한 모양으로 형성할 수 있으며, 돌기(700)가 가지는 측면 프로파일(profile)의 테이퍼 각도는 30~80 범위로 형성하며, 다양한 모양을 가지는 돌기(700)의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 다수의 돌기(700)의 높이는 규소 계열을 포함하는 돌기용 물질을 적층하는 두께이므로 균일하게 형성되며, 다수의 돌기(700)는 적층하고 패터닝하는 공정으로 형성된다.
다음, 도 2에서 보는 바와 같이, 은, 니켈, 크롬, 알루미늄 등 반사율을 가지는 불투명한 물질을 적층하여 반사막(900)을 형성한다.
따라서 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법에서 다수의 돌기는 적층하고 패터닝하는 단계만으로 형성되므로 돌기를 형성하는 공정이 단순하다. 또한, 돌기의 높이는 돌기용 물질을 적층하는 두께로 결정되므로 조절하기가 용이하며, 균일하게 형성할 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3a 및 3b는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
Claims (17)
- 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 대응하는 부분의 반도체층, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 절연층, 상기 반도체층과 연결된 소스 및 드레인 전극이 형성되어 있는 절연 기판 위에 보호막을 적층하는 단계,상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계,상기 보호막 위에 돌기용 물질을 적층하고 사진 식각하여 상기 보호막 상부에 다수의 돌기를 형성하는 단계, 그리고상기 보호막 위에 반사율을 가지는 불투명한 물질을 상기 돌기를 덮도록 적층하여 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 게이트 전극은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어진 이중막 또는 이들의 단일막으로 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 돌기용 물질은 질화규소, 산화규소 또는 비정질 규소 등 규소를 포함하는 규소 계열 또는 크롬, 알루미늄, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 사용하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 돌기를 형성하는 단계는 습식 또는 건식 식각 방법으로 행하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제4항에서,상기 습식 또는 건식 식각 방법은 상기 돌기의 가장자리 부분이 경사각을 가지도록 등방성 식각으로 행하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 돌기는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모 또는 사다리꼴의 모양으로 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제6항에서,상기 돌기의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위에서 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 돌기의 측면 프로파일의 테이퍼 각도는 30~80 범위로 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제1항에서,상기 반사막은 은, 니켈, 크롬 또는 알루미늄으로 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 대응하는 부분의 반도체층, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 절연층, 상기 반도체층과 연결된 소스 및 드레인 전극이 형성되어 있는 절연 기판,상기 절연 기판 위에 평평하게 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 접촉 구멍을 가지는 보호막,상기 평평한 보호막 위에 형성되어 있는 다수의 돌기, 그리고상기 돌기를 덮고 있으며, 상기 보호막 위에 형성되어 있는 반사막을 포함하는 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제10항에서,상기 게이트 전극은 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어진 이중막 또는 이들의 단일막으로 이루어진 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제10항에서,상기 돌기용 물질은 질화규소, 산화규소 또는 비정질 규소 등 규소를 포함하는 규소 계열 또는 크롬, 알루미늄, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제10항에서,상기 돌기는 테이퍼 형태로 형성되어 있는 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제13항에서,상기 돌기의 테이퍼 각도는 30~80 범위인 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제10항에서,상기 돌기는 원형, 직사각형, 정사각형, 마름모 또는 사다리꼴의 모양인 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제15항에서,상기 돌기의 지름 또는 변의 길이는 10~200㎛ 정도의 범위인 반사형 액정표시장치용 기판.
- 제10항에서,상기 반사막은 은, 니켈, 크롬 또는 알루미늄으로 형성하는 반사형 액정표시장치용 기판.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980027075A KR100537875B1 (ko) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980027075A KR100537875B1 (ko) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000007636A KR20000007636A (ko) | 2000-02-07 |
| KR100537875B1 true KR100537875B1 (ko) | 2006-03-22 |
Family
ID=19543189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980027075A KR100537875B1 (ko) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100537875B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462376B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-12-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06273800A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH0716923U (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-20 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1998
- 1998-07-06 KR KR1019980027075A patent/KR100537875B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06273800A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JPH0716923U (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-20 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000007636A (ko) | 2000-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7751022B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US7531372B2 (en) | Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device | |
| US7507616B2 (en) | Method of manufacturing a flexible thin film transistor array panel including plastic substrate | |
| US7504342B2 (en) | Photolithography method for fabricating thin film | |
| US7450197B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| TW583468B (en) | Liquid crystal display apparatus serving both as transmission type and reflection type and method of manufacturing the same | |
| KR100853633B1 (ko) | 반사형 액정 디스플레이 장치 | |
| KR970053623A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100654159B1 (ko) | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2004046087A (ja) | ブラックマトリックスを備えた平板表示装置及びその製造方法 | |
| KR100934710B1 (ko) | 반사형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| JP2002350897A (ja) | 液晶用マトリクス基板の製造方法 | |
| KR100537875B1 (ko) | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH0225038A (ja) | シリコン薄膜トランジスタおよびシリコン薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100521267B1 (ko) | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20030050273A (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20060088616A (ko) | 액정 표시 패널의 제조방법 | |
| JP2003005211A (ja) | 半透過型アクティブ素子アレイ基板およびその製造方法 | |
| KR100560639B1 (ko) | 반사형 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR19980066784A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100929205B1 (ko) | 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR100767376B1 (ko) | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| KR20070069585A (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2003091012A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| KR20070081900A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 그에 의해 제조된박막 트랜지스터 표시판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111115 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |