KR100929205B1 - 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반사형 액정표시장치에 관한 것으로, 역스테거드형 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 반사형 액정표시장치용 어레이기판에 구성되는 스위칭 소자로 역스테거드형 다결정 박막트랜지스터(inverted staggered type poly-TFT)를 구성하는 것을 특징으로 한다.
상기 역스테거드형 다결정 박막트랜지스터는 종래의 코플라나형 다결정 박막트랜지스터(coplanar type poly TFT)에 비해 공정을 단순화 할 수 있는 장점이 있다.

Description

반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{A substrate for Reflective liquid crystal display device and fabrication method of the same}
도 1은 일반적인 반사형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 분해 사시도이고,
도 2는 종래에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함한 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단하여, 종래에 따른 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함한 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,
도 5a 내지 도 5e는 도 4의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 >
100 : 기판 102 : 게이트 전극
110 : 액티브 패턴 112 : 보호막
122 : 소스 전극 124 : 드레인 전극
126 : 데이터 배선 128 : 반사 전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 역스테거드형 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 광원의 이용방법에 따라 백라이트를 이용하는 투과형 액정표시장치와 외부의 광원을 이용하는 반사형 액정표시 장치로 분류할 수 있다.
투과형 액정표시장치는 백라이트를 광원으로 사용하여 전체 전력의 2/3 이상을 소비하는 반면에 반사형 액정표시장치는 백라이트가 필요 없기 때문에 전력 및 배터리 소모를 줄일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치의 구성을 설명한다.
도 1은 일반적인 반사형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 액정패널은 제 1 기판(하부기판)(6)과 제 2 기판( 상부기판)(23)이 소정 간격 이격하여 합착되고, 상기 제 2 기판(23)과 마주보는 제 1 기판(6)의 일면에는 서로 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(17)과 게이트 배선(5)이 구성되고, 상기 두 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소영역(P)에는 박막트랜지스터(T)와 접촉하는 반사전극(화소전극)(18)이 구성된다.
이때, 반사전극(18)을 형성하는 물질로는 도전성과 반사율이 뛰어난 알루미늄(Al)과 이를 포함한 합금형태의 도전성 물질을 주로 사용한다.
한편, 상기 제 1 기판(6)과 마주보는 제 2 기판(23)의 일면에는 격자형상의 블랙매트릭스(21)와, 격자내부의 오픈부 즉, 상기 화소영역(P)에 대응하는 영역에 컬러필터층(22a,22b,22c)이 구성되고, 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 제 2 기판(23)의 전면에는 투명한 공통전극(24)이 구성된다.
상기 제 1 및 제 2 기판(6,23)의 이격된 공간에는 액정층(20)이 구성된다.
전술한 바와 같이 구성된 반사형 액정표시장치는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터를 사용하여 특히, 다결정 박막트랜지스터를 사용하게 되면 동작특성이 개선되는 장점이 있다.
이하, 도 2를 참조하여 종래에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 설명한다.
도 2는 종래에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(30)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(39)과, 게이트 배선(39)과 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(45)이 구성된다.
상기 게이트 배선(39)과 데이터 배선(45)의 교차지점에는, 다결정 액티브층(34)과, 다결정 액티브층(34)의 상부에 게이트 전극(38)과, 게이트 전극(38)의 양측에 위치하여 상기 다결정 액티브층(34)과 접촉하는 소스 전극(46)과 드레인 전극(48)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(48)과 접촉하는 반사 전극(54)이 구성된다.
전술한 바와 같이 구성되는 반사형 액정표시장치는 일반적으로 6마스크 공정을 통해 제작될 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 3f를 참조하여, 종래에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단하여, 종래의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 3a는 제 1 마스크 공정을 도시한 것으로, 기판(30)상에 실리콘 절연물질(SiO2,SiNX)을 증착하여 버퍼층(32)을 형성하고, 상기 버퍼층(32)의 상부에 제 1 마스크 공정으로 패턴하여, 섬형상의 다결정 실리콘층인 액티브 패턴(34)을 형성한다.
상기 다결정 실리콘층은 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 선행막을 형성하고, 필요에 따라 탈수소화 공정을 진행한 후, 고온 또는 저온으로 결정화하여 형성된다.
편의상, 상기 액티브 패턴(34)을 제 1 액티브 영역(V1)과, 제 1 액티브 영역(V1)의 양측 영역을 각각 제 2 액티브 영역(V2)으로 정의한다.
도 3b는 게이트 전극을 형성하는 제 2 마스크 공정을 도시한 도면으로, 상기 액티브 패턴(34)이 형성된 기판(30)이 전면에 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(36)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(36)상에 상기 액티브 패턴(34)의 제 1 액티브 영역(V1)에 대응하여 저 저항 금속을 증착한 후 제 2 마스크 공정으로 패턴하여, 게이트 전극(38)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 전극(38)을 도핑방지막으로 하여, 상기 제 2 액티브 영역(V2)에 n+ 또는 p+의 불순물을 도핑함으로서, 상기 제 2 액티브 영역(V2)을 오믹 콘택영역(ohmic contact layer)으로 형성한다.
다음으로, 상기 오믹 콘택영역(V2)을 소정의 온도에서 활성화하여, 이온 도핑시 발생한 표면 결함을 제거하는 공정을 진행한다.
도 3c는 제 3 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 게이트 전극(38)이 형성된 기판(30)의 전면에 질화 실리콘(SiNX) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 층간 절연막(40)을 형성한다.
연속하여, 상기 층간 절연막(40)과 그 하부의 게이트 절연막(36)을 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 제 2 액티브 영역(V2)을 노출하는 제 1 콘택홀(42)과 제 2 콘택홀(44)을 형성한다.
도 3d는 제 4 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 층간 절연막(40)이 형성된 기판의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 제 4 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 노출된 제 2 액티브 영역(오믹 콘택영역)(V2)과 접촉하고 서로 이격하여 구성된 소스 전극(46)과 드레인 전극(48)을 형성한다.
도 3e는 제 5 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 소스 및 드레인 전극(46,48)이 형성된 기판(30)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포 또는 코팅하여 보호막(50)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(50)을 제 5 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 드레인 전극(48)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(52)을 형성한다.
도 3f는 제 6 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 보호막(50)이 형성된 기판(30)의 전면에 알루미늄(Al)과 같이 반사율이 뛰어난 저저항 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(48)과 접촉하는 반사 전극(54)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정으로 종래에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
그런데, 전술한 공정에서 상기 다결정 박막트랜지스터가 탑게이트형으로 구성되었기 때문에 이를 포함한 어레이기판을 제작하는데 6 마스크 공정이 소요된다.
따라서, 공정이 매우 복잡할 뿐 아니라 복잡한 공정에 따른 공정 오차가 발생할 가능성이 매우 높다.
또한, 공정 시간이 많이 소요되기 때문에 공정 수율을 저하하는 단점이 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명은 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 때, 스위칭 소자로 인버티드 스테거드형(inveryed staggered typr TFT) 다결정 박막트랜지스터를 도입하고 이를 포함한 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 4마스크 공정으로 제작함으로써, 공정 단순화를 통한 공정 수율을 개선하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치는 다수의 화소 영역이 정의된 기판과; 상기 화소 영역마다 구성되고, 게이트 전극과 게이트 전극의 상부에 구성된 섬형상의 다결정 실리콘패턴인 액티브 패턴과, 액티브 패턴의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 다결정 박막트랜지스터와; 상기 게이트 전극과 연결되고, 상기 화소영역의 일 측을 따라 연장된 게이트 배선과; 상기 소스 전극에서 연장되고 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 구성된 데이터 배선과; 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 화소 영역에 위치한 반사 전극을 포함한다.
상기 반사 전극과 드레인 전극은 일체화되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 반사형 액정표시장치의 제조방법은 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 화소 영역의 일측을 따라 연장된 게이트 배선과, 게이트 배선와 연결된 게이트 전극을 형성하는 제 1 마스크 공정 단계와; 상기 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 위치한 섬형상의 다결정 실리콘층인 액티브 패턴을 형성하는 제 2 마스크 공정 단계와; 상기 게이트 전극과 대응하지 않는 액티브 패턴의 표면에 불순물을 도핑하는 단계와; 상기 액티브 패턴이 형성된 기판의 전면에, 상기 불순물이 도핑된 액티브 패턴을 노출하는 콘택홀이 구성된 보호막을 형성하는 제 3 마스크 공정 단계와; 상기 보호막의 상부에, 상기 노출된 액티브 패턴과 접촉하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에서 연장된 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 연장된 반사판을 형성하는 제 4 마스크 공정 단계를 포함한다.
상기 액티브 패턴이 형성된 기판의 전면에 포토레지스트를 도포하고, 배면노광한 후 현상하여, 상기 게이트 전극과 상기 보조 배선과 상기 게이트 배선의 상부에 이와 동일한 형태로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 포토레지스트 패턴을 도핑방지막으로 하여, n+ 또는 p+불순물을 도핑하는 단계를 포함한다.
상기 반사 전극은 알루 미늄(Al)으로 형성된다.
상기 보호막을 형성하는 제 3 마스크 공정에서, 상기 화소 영역에 대응하는 보호막의 표면을 요철로 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 화소 영역마다, 게이트 전극과 게이트 전극의 상부에 구성된 섬형상의 다결정 실리콘패턴인 액티브 패턴과 액티브 패턴의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 다결정 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극과 연결되고, 상기 화소영역의 일 측을 따라 연장된 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 소스 전극에서 연장되고 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 구성된 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 화소 영역에 위치한 반사 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 스위칭 소자로 인버티드 스테거드형 다결정 박막트랜지스터를 형성함과 동시에, 이를 포함한 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 4 마스크로 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 화소 영역(P)을 정의하고 화소 영역(P)의 일측에는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(102)과 게이트 전극(102)의 상부에 구성된 다결정 액티브층(110)과, 다결정 액티브층(110)의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극(122,124)을 포함한다.
상기 화소 영역(P)의 일 측 방향으로 상기 게이트 전극(104)과 연결되면서 연장된 게이트 배선(102)이 구성되고, 상기 게이트 배선(102)과 평행하지 않은 화소 영역(P)의 타측에는 상기 소스 전극(122)에서 연장된 데이터 배선(126)이 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(124)에서 연장된 반사 전극(128)을 형성한다.
전술한 구성은 스위칭 소자로 인버티드 스테거드형 다결정 박막트랜지스터를 사용하는 동시에 상기 소스 및 드레인 전극을 형성할 때 반사판을 형성하는 공정과 동시에 형성함으로써, 4 마스크 공정으로 제작할 수 있다.
이하, 도 5a 내지 도 5e를 참조하여, 본 발명에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 5a는 제 1 마스크 공정을 도시한 도면으로, 기판(100)상에 알루미늄(Al)과 같은 저 저항 금속을 증착하고 제 1 마스크로 패턴하여, 일 방향으로 연장되고 서로 소정간격 평행하게 이격된 게이트 배선(도 4의 102)과 게이트 배선에서 수직하게 돌출된 게이트 전극(104)을 형성한다.
도 5b는 제 2 마스크 공정을 도시한 도면으로, 상기 게이트 배선(도 1의 102)및 게이트 전극(104)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(108)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(108)이 형성된 기판(100)의 전면에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 선행막(미도시)을 형성한 후 결정화 하여 이를 제 2 마스크로 패턴하여, 섬형상의 액티브 패턴(110)을 형성한다.
편의상, 상기 액티브 패턴(110)중 게이트 전극(104)에 대응하는 부분을 제 1 액티브 영역(V1)이라 정의하고, 제 1 액티브 영역(V1)의 양측 영역을 제 2 액티브 영역(V2)이라 정의한다.
도 5c는 상기 액티브 패턴 중 제 2 액티브 영역(V2)에 대응하여 n+ 또는 p+의 불순물 이온을 도핑하는 공정을 나타낸다.
이를 위해, 상기 액티브 패턴(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 포토레지스트를 도포한 후 배면노광을 실시한다.
이와 같이 하면, 빛으로부터 차폐된 상기 제 1 액티브 영역(V1)과 상기 게이트 배선에 대응하여 도핑방지막으로서 PR패턴(112)을 형성할 수 있다.
연속하여, 상기 PR패턴(112)을 도핑방지막으로 하여 액티브 패턴(110)의 제 2 액티브 영역(V2)에 n+ 또는 p+ 불순물을 도핑하는 공정을 진행한다.
이로써, 상기 제 2 액티브 영역(V2)은 오믹 콘택영역(ohmic contact area)으로서 기능을 하게 된다.
도 5d는 제 3 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 제 2 액티브 영역(V2)에 불순물이 도핑된 액티브 패턴(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포 또는 코팅하여 보호막(112)을 형성한 후 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 양측이 제 2 액티브 영역(V2)을 각각 노출하는 제 1 콘택홀(116)과 제 2 콘택홀(118)을 형성한다.
도 5e는 제 4 마스크 공정 단계를 도시한 도면으로, 상기 보호막(112)이 형성된 기판(100)의 전면에 알루미늄(Al)과 같은 반사율이 뛰어난 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 제 2 액티브 영역(V2)과 접촉하는 소스 전극(122)과 드레인 전극(124)을 형성하고 동시에, 상기 소스 전극(122)에서 연장되고 상기 게이트 배선(도 1의 102)과 수직한 방향으로 교차하는 데이터 배선(도 1의 126)을 형성한다.
동시에, 상기 드레인 전극(124)에서 연장된 반사 전극(128)을 형성한다.
전술한 공정에서, 상기 보호막의 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 이용하여, 상기 반사 전극(128)의 하부에 위치한 보호막(112)의 표면을 요철로 형성할 수 있다.
이와 같이 하면, 상기 반사 전극(128) 또는 상기 보호막(112)에 의해 요철 형상이 되어 휘도를 개선할 수 있다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 본 발명에 따른 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
전술한 바와 같은 방법으로 다결정 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작하게 되면, 공정횟수를 획기적으로 줄일 수 있으므로 제조비용을 줄이고 공정 시간을 단축할 수 있어 공정 수율이 개선되는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과;
    상기 화소 영역마다 구성되고, 게이트 전극과 게이트 전극의 상부에 구성된 섬형상의 다결정 실리콘패턴인 액티브 패턴과, 액티브 패턴의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 다결정 박막트랜지스터와;
    상기 게이트 전극과 연결되고, 상기 화소영역의 일 측을 따라 연장된 게이트 배선과;
    상기 소스 전극에서 연장되고 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 구성된 데이터 배선과;
    상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 화소 영역에 위치한 반사 전극
    을 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 전극과 드레인 전극은 일체화되어 구성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 화소 영역의 일측을 따라 연장된 게이트 배선과, 게이트 배선와 연결된 게이트 전극을 형성하는 제 1 마스크 공정 단계와;
    상기 게이트 전극과 게이트 절연막을 사이에 두고 위치한 섬형상의 다결정 실리콘층인 액티브 패턴을 형성하는 제 2 마스크 공정 단계와;
    상기 게이트 전극과 대응하지 않는 액티브 패턴의 표면에 불순물을 도핑하는 단계와;
    상기 액티브 패턴이 형성된 기판의 전면에, 상기 불순물이 도핑된 액티브 패턴을 노출하는 콘택홀이 구성된 보호막을 형성하는 제 3 마스크 공정 단계와;
    상기 보호막의 상부에, 상기 노출된 액티브 패턴과 접촉하는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에서 연장된 데이터 배선과, 상기 드레인 전극에서 연장된 반사판을 형성하는 제 4 마스크 공정 단계
    를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 액티브 패턴이 형성된 기판의 전면에 포토레지스트를 도포하고, 배면노광한 후 현상하여, 상기 게이트 전극과 상기 보조 배선과 상기 게이트 배선의 상부에 이와 동일한 형태로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴을 도핑방지막으로 하여, n+ 또는 p+불순물을 도핑하는 단계를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 알루 미늄으로 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 제 3 마스크 공정에서, 상기 화소 영역에 대응하는 보호막의 표면을 요철로 형성하는 단계를 더욱 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 게이트 절연막은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무 기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 보호막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기 절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성된 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 기판 상에 다수의 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 화소 영역마다, 게이트 전극과 게이트 전극의 상부에 구성된 섬형상의 다결정 실리콘패턴인 액티브 패턴과 액티브 패턴의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 다결정 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극과 연결되고, 상기 화소영역의 일 측을 따라 연장된 게이트 배선을 형성하는 단계와;
    상기 소스 전극에서 연장되고 상기 게이트 배선과는 수직한 방향으로 구성된 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극에서 연장되어 상기 화소 영역에 위치한 반사 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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