JP2023526152A - バッテリセル用シールアセンブリ - Google Patents

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Abstract

バッテリセル用のシールアセンブリは、内面を有する開口部を有するグロメットを含む。ネイルは、ネイルヘッドと、ステムから延在するステムとを有する。ステムは、より大きい直径を有する第1の部分と、より小さい直径を有する第2の部分とを含み、ステムはグロメットの開口部を通って延在する。ステムおよびグロメットは、開口部の遠位端部で第1の締まり嵌めを形成している。開口部の遠位端部とネイルヘッドとの間にトラップ隙間が形成されている。トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する。シーラントがステム上に配置されており、トラップ内に少なくとも部分的に位置する。

Description

本開示は、バッテリセル用のシールアセンブリに関し、より具体的には、バッテリセルの内側からの電解質の漏れを低減するように構成されたシールアセンブリに関する。
民生用電子機器には特定の電力要件がある。一般に、民生用電子機器は、単一のバッテリセル(機器自体に収容された)、または1つ以上のバッテリセルを含み得るポータブルバッテリパックから電力を受け取る。あるいは、1つ以上の単回使用または充電可能な民生用バッテリセルを使用し、必要に応じて機器において交換できる。交換可能で充電可能な民生用バッテリセルは、カソードの還元およびアノードの酸化によって電気を生成する。アノードからカソードへのイオンの移動を促進するために、多くの場合アルカリ電解質が使用される。
アルカリバッテリセル(充電可能なアルカリバッテリセルを含む)は、バッテリシールからアルカリ電解質が漏れやすいことが知られている。例えば、Hull et al.、“Why Alkaline Cells Leak”J.Electrochem.Soc.,124(3):332-339(1977)およびDavis et al.、“Aspects of Alkaline Cell Leakage”J.Electrochem.Soc.,125(12):1918-123(1978)を参照のこと。白い粉がバッテリセルのシールの周りに堆積するため、アルカリ電解質の漏れの証拠を視覚的に検出できる。アルカリ電解質の漏れは、負に分極した電極に沿ったアルカリ電解質のクリープに起因し得る。アルカリ電解質の漏れは、バッテリセルのシールの引っかき傷または他の物理的な変形/欠陥などの物理的要因によって悪化し得る。粉末状のアルカリ電解質は一般に人体に接触しても安全であるが、呼吸器、目、および皮膚の炎症が生じることがあるため、接触を最小限に抑える必要がある。さらに、電解質が失われると、バッテリセルの性能が低下する可能性がある。
一実施形態によれば、バッテリセル用のシールアセンブリは、内面を備えた開口部を有するグロメットを含み、開口部は近位端部および遠位端部を有する。ネイルが、ネイルヘッドと、ネイルヘッドから延在するステムとを有する。ステムは、より大きい第1のステム直径を有する第1の部分と、より小さい第2のステム直径を有する第2の部分とを含み、ステムはグロメットの開口部を通って延在する。ステムおよびグロメットは、開口部の遠位端部で第1の締まり嵌めを形成している。開口部の遠位端部と開口部の近位端部との間にトラップ隙間が形成されている。トラップ隙間は、ネイルの第2の部分と内面との間に半径方向および長手方向に位置し、トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する。シーラントがステム上に配置されており、トラップ内に少なくとも部分的に位置する。
別の実施形態によれば、バッテリセルはハウジングを含む。ハウジングは、第1のハウジング端部に第1のカバーを有し、第2のハウジング端部に第2のカバーを有する。アノードおよびカソードが、ハウジング内に配置されている。シールアセンブリが、第1のカバーに近接して位置する。シールアセンブリは、開口部および内面を有するグロメットを含む。ネイルが、ネイルヘッドと、ネイルヘッドから延在するステムとを有する。ステムは、より大きい第1の直径を有する第1の部分と、より小さい第2の直径を有する第2の部分とを含み、ステムはグロメットの開口部を通って延在する。ステムおよびグロメットは、開口部の遠位端部で第1の締まり嵌めを形成している。開口部の遠位端部とネイルヘッドとの間にトラップ隙間が形成されている。トラップ隙間は、ネイルの第2の部分と内面との間に半径方向および長手方向に位置し、トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する。シーラントがステム上に配置されており、シーラントはトラップ内に少なくとも部分的に位置する。
別の実施形態によれば、バッテリセル用のシールアセンブリは、遠位端部と、近位端部と、遠位端部と近位端部との間の内面を有するボアとを含む開口部を有するグロメットを含む。内部環状リングが遠位端部に近接して位置決めされており、内部環状リングはリング直径を有する。ボアはボア直径を有する。ヘッドスペースが近位端部に位置し、ヘッドスペースはヘッドスペース直径を有する。リング直径はボア直径およびヘッドスペース直径よりも小さく、ボア直径はヘッドスペース直径よりも小さい。ネイルが、ネイルヘッドと、ネイルヘッドから延在するステムとを有する。ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含む。第1のステム直径は、第2のステム直径よりも大きい。ステムはグロメットの開口部を通って延在する。ステムおよびグロメットは、ステムの第2の部分とリング直径との間に第1の締まり嵌めを形成している。ステムおよびグロメットは、ステムの第2の部分とボア直径との間にトラップ隙間を形成しており、トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する。シーラントがステム上に配置されており、トラップ内に少なくとも部分的に位置する。
別の実施形態によれば、バッテリセルは、第1のハウジング端部に第1のカバーを有し、第2のハウジング端部に第2のカバーを有するハウジングと、ハウジング内に配置されたアノードおよびカソードとを含む。シールアセンブリが、第1のカバーに近接して位置する。シールアセンブリは、遠位端部と、近位端部と、遠位端部と近位端部との間の内面を有するボアとを含む開口部を有するグロメットを含む。内部環状リングが遠位端部に近接して位置決めされており、内部環状リングはリング直径を有する。ボアはボア直径を有する。ヘッドスペースが近位端部に位置し、ヘッドスペースはヘッドスペース直径を有する。リング直径はボア直径およびヘッドスペース直径よりも小さく、ボア直径はヘッドスペース直径よりも小さい。ネイルが、ネイルヘッドと、ネイルヘッドから延在するステムとを有する。ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含む。第1のステム直径は、第2のステム直径よりも大きい。ステムはグロメットの開口部を通って延在する。ステムおよびグロメットは、ステムの第2の部分とリング直径との間に第1の締まり嵌めを形成している。ステムおよびグロメットは、ステムの第2の部分とボア直径との間にトラップ隙間を形成しており、トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する。シーラントがステム上に配置されており、トラップ内に少なくとも部分的に位置する。
シールアセンブリまたはバッテリセルの前述の実施形態は、以下の任意選択の特徴、構造、および/または形態のうちのいずれか1つ以上をさらに含み得る。
いくつかの任意選択の形態では、第2の部分は、ヘッドに対して第1の部分の遠位にある。
他の任意選択の形態では、第1の部分および第2の部分は面取り部によって接合されている。
他の任意選択の形態では、開口部の内面はボア直径を有するボアを含み、ボア直径は第2のステム直径よりも大きく、第1のステム直径よりも小さく、第2のステム直径の少なくとも一部はボア直径内に位置し、それによって、ネイルがグロメットに組み立てられたときに、第2のステム直径とボア直径との間に締まり嵌めが存在しない。
他の任意選択の形態では、トラップは、組み立てられたバッテリセルにおいて、ボアとステムの第2の部分との間に形成されており、ボア直径は第2のステム直径よりも大きい。
他の任意選択の形態では、ボア直径は、第2のステム直径よりも0.03mm~0.05mm大きい。
他の任意選択の形態では、グロメット開口部は内部環状リングを含む。
他の任意選択の形態では、内部環状リングはボアよりも小さいリング直径を有し、内部環状リングはステムの第2の部分と第1の締まり嵌めを形成している。
他の任意選択の形態では、トラップは、ステムの長さに沿って、内部環状リングの上に位置する。
他の任意選択の形態では、トラップは0.35mm~1.5mmの容積を有する。
他の任意選択の形態では、ステムは環状凹部を含む。
他の任意選択の形態では、トラップ隙間は環状凹部によって形成されている。
他の任意選択の形態では、ステムは複数の環状凹部を含む。
他の任意選択の形態では、グロメットは、ポリプロピレンまたはナイロンなどのポリマーを含む。
他の任意選択の形態では、ネイルは真鍮または青銅などの金属を含む。
他の任意選択の形態では、シーラントは、ポリアミドなどのポリマー、またはアスファルトベースの材料などの石油ベースの材料を含む。
他の任意選択の形態では、ネイルヘッドとグロメットとの間にヘッド隙間が形成されており、シーラントはヘッド隙間にも配置されている。
本明細書は、本発明を形成するものとみなされる主題を特に指摘し、明確に主張する特許請求の範囲で締めくくられるが、本発明は、添付の図面と併せて以下の説明からよりに理解される。
従来技術のバッテリセルの断面図。 本開示によるシーラントが閉じ込められたシールアセンブリを含むバッテリセルの断面図。 図2のシーラントが閉じ込められたシールアセンブリの組み立て前の分解断面図。 図3のシールアセンブリの組み立てた状態の断面図。 シーラントが閉じ込められたシールアセンブリの代替的な実施形態の断面図。 第1のシーラントを含む本開示によるシールアセンブリの漏れ試験データのグラフ表示。 第2のシーラントを含む本開示によるシールアセンブリの漏れデータのグラフ表示。
電気化学セルまたはバッテリは、一次または二次であり得る。一次バッテリは、例えば消耗するまで一度だけ放電してから廃棄されることが意図される。一次バッテリ(すなわち使い捨てバッテリ)は、例えば、David LindenのHandbook of Batteries(第4版、2011)(参照により本明細書に援用される)に記載されている。二次バッテリ(すなわち充電式バッテリ)は、充電して繰り返し使用されることが意図される。二次バッテリは、放電し、例えば、50回超、100回超、またはそれよりも多く、何回も充電できる。二次バッテリは、例えば、David LindenのHandbook of Batteries(第4版、2011)(これも参照により本明細書に援用される)に記載されている。したがって、バッテリは、様々な電気化学的連動および電解質の組み合わせを含むことができる。本明細書で提供される説明および実施例は、水系、非水系、イオン液体、および固体系の一次バッテリおよび二次バッテリの両方に適用される。民生用の単回使用一次アルカリバッテリセルが添付の説明の主な焦点であるが、以下の説明は、充電式アルカリマンガン(RAM)バッテリセルなどの充電式アルカリバッテリセルを含むがこれに限定されない任意のバッテリセル、および電解質溶液を含む任意の他のタイプのバッテリセルに等しく適用され得る。
本開示によるシールアセンブリは、任意のタイプの電気化学バッテリセルに含めることができる。例えば、本開示によるシールアセンブリは、AAAAセル、AAAセル、AAセル、Bセル、Cセル、Dセル、9Vセル等を含むがこれらに限定されない任意のサイズおよび/または形状の民生用アルカリ電気化学セル(例えば、円筒形、矩形、または正方形の形状または断面形状を有するバッテリを含む)において使用できる。
ここで図1を参照すると、従来のアルカリバッテリセル10の一例が示されている。バッテリセル10は、第1のカバー12および第2のカバー14を含み、これらはそれぞれ、負極および正極のバッテリ端子に対応し、ハウジング16が概ねそれらの間に配置されている。アノード18をカソード20から分離するために、バッテリセル10はセパレータ22を含む。バッテリセル10の構成要素がハウジング16内に配置された後で端部24を閉じるために、第1のカバー12は、ハウジング16の遠位端部15に近接して配置されたグロメットまたはシール28の溝26内に受け入れられ、ハウジング16の側壁29がシール28の周縁に圧着される。いくつかの例では、シール28は、カソード20が拡張できるように、カソード20から離間している。いくつかの例では、シール28は、アノード18が拡張できるように、アノード18から同様に離間している。
アノード集電体30と、組み立てられたバッテリセル10に負極端子を提供する第1のカバー12とを結合するために、この例では、シール28は、ヘッド隙間またはスペース36を画定するより広い部分34を有する第1の開口部32を含み、ここに、アノード集電体30の端部またはヘッド38(「ネイル」と呼ばれることもある)が位置決めされ、第1のカバー12に電気的に結合される。このスペース36は、ヘッド38を収容するために、面取りされた、または角度のついた構成を有してもよい。この例では、アノード集電体30の本体40が、第1の開口部32を通ってアノード18内に延在する。電解質溶液は、ハウジング16内に収容される。
図1のシール28は、第1の開口部32を取り囲む円筒形部分またはボス33を含む。ボス33は、ボス33から横方向外側に延在する平面的なシール部分または棚部35から下方に延在する。図1のボス33は、本明細書ではショートボスと呼ばれる。ショートボスは、棚部35の下または棚部35の上に延在するが、両方には延在しない。
上述のように、バッテリセルは、例えばアノード集電体30の本体に沿う電解質のクリープに起因して、電解質が漏れやすく、それによって、電解質がシール28の第1の開口部32から逃げることができる。漏れを防止するための以前の試みは、開口部32内のネイルの周りにシーラントを提供することによってなされており、その結果、シーラントは、組み立て中に(シール28との締まり嵌めによって)「押し出される」かまたは拭き取られ、したがって、最終的にはヘッド38の周りのスペース36に配置される。しかしながら、シーラントは、ヘッドの周りに均一に提供されない可能性があり、したがって、均一なシールを提供しない可能性があり、および/または電解質のクリープによってスペース36から変位する可能性がある。さらに、この既存の構成は、製造中に導入される可能性のある欠陥に起因してより漏れが発生しやすい。
例えば、アノード集電体30の遠位端部(例えば、図1の下端部)はバリまたはフラッシュを有することがあり、これは、これらの構成要素間に提供される締まり嵌めのために、組み立て中に第1の開口部32の内面を傷つける可能性がある。より具体的には、組み立て中にアノード集電体30が第1の開口部32を通って下方に押されると、アノード集電体30からの何らかの突出面がシール28の第1の開口部32の側面に擦れることがある。その結果、欠陥が第1の開口部32の内面に形成され得る。これらの欠陥は、上述のように、第1の開口部32を通って上方に電解質が移動し、したがってクリープするのを容易にできる。
開示されるシール28は、様々な製造技術、成形プロセスによって形成できる。特に、ピンを使用して空隙を作る射出成形およびブロー成形が特に有利である。射出成形およびブロー成形で使用されるピンもバリおよびフラッシュなどの欠陥を有する可能性があるため、アノード集電体に関して上述したものと同様の欠陥が、シール28の射出成形またはブロー成形中に形成される可能性がある。通常、シール28は射出成形によって形成され、成形プロセス中にピンが使用されて、シール28の第1の開口部32を形成する空隙が作られる。そのような射出成形ピンの遠位端部は研磨されるため、結果としてバリまたはフラッシュがしばしば生じ、これも、製造中に傷が形成される原因になり得る。例えば、成形プロセスが完了した後にピンが第1の開口部32から引き抜かれるときに、ピンにある何らかの欠陥が、ピンが引き抜かれるにつれてシール28の内面を傷つける可能性があり、これは、シールアセンブリへのネイルの挿入に関して上述したように、アノード集電体32が内面を傷つけるのと同様である。
シーラントが図1のアノード集電体30に塗布されると、組み立て中に、シーラントは、アノード集電体30が第1の開口部32に挿入されるときに、アノード集電体30と第1の開口部32との間の締まり嵌めによって、アノード集電体30の軸に沿って拭き取られ、それによって、シーラントは、ヘッド38付近のアノード集電体30の上部に集まる。ハウジング16の内側からの電解質は、集電体30の本体40に沿って、特に上述のような製造プロセス中にシール28に導入される何らかの欠陥の経路に沿って、ヘッド38に向かって上に移動できる。ヘッド38近くのアノード集電体30の上部に堆積された任意のシーラントは、アノード集電体に沿う電解質のクリープによって克服され得る。その結果、電解質漏れが発生する可能性がある。
ここで図2を参照すると、シーラントが閉じ込められたシールアセンブリを有するバッテリセル110の一例が示されている。図1の例と同様に、バッテリセル110は、第1のカバー112および第2のカバー114を含み、これらはそれぞれ、負極および正極のバッテリ端子に対応し、ハウジング116が概ねそれらの間に配置されている。アノード118をカソード120から分離するために、バッテリセル110はセパレータ122を含む。
カソード120は、酸化マンガン、二酸化マンガン、電解二酸化マンガン(EMD)、化学二酸化マンガン(CMD)、高性能電解二酸化マンガン(HP EMD)、ラムダ二酸化マンガン、ガンマ二酸化マンガン、ベータ二酸化マンガン、およびそれらの混合物を含むがこれらに限定されない、任意の既知の電気化学的に活性なカソード材料を含むことができる。他の電気化学的に活性なカソード材料は、酸化銀;酸化ニッケル;オキシ水酸化ニッケル;酸化銅;ヨウ素酸銅などの銅塩;酸化ビスマス;高原子価ニッケル化合物;高原子価鉄化合物;およびそれらの混合物を含むが、これらに限定されない。酸化ニッケルは、水酸化ニッケル、オキシ水酸化ニッケル、オキシ水酸化コバルト被覆オキシ水酸化ニッケル、部分的に脱リチウム化された層状酸化ニッケル、およびそれらの混合物を含むことができる。電気化学的に活性なカソード材料として使用するのに適した部分的に脱リチウム化された層状酸化ニッケルは、参照により本明細書に援用される米国特許第10,910,647B2号に記載されている。水酸化ニッケルまたはオキシ水酸化ニッケルは、β-オキシ水酸化ニッケル、γ-オキシ水酸化ニッケル、ならびに/またはβ-オキシ水酸化ニッケルおよび/もしくはγ-オキシ水酸化ニッケルのインターグロースを含むことができる。オキシ水酸化コバルト被覆オキシ水酸化ニッケルは、オキシ水酸化コバルト被覆β-オキシ水酸化ニッケル、オキシ水酸化コバルト被覆γ-オキシ水酸化ニッケル、ならびに/またはβ-オキシ水酸化ニッケルおよびγ-オキシ水酸化ニッケルのオキシ水酸化コバルト被覆インターグロースを含むことができる。高原子価ニッケル化合物は、例えば、四価ニッケルを含むことができる。高原子価鉄化合物は、例えば、六価鉄を含むことができる。電気化学的に活性なカソード材料は、前述の例示的な電気化学的に活性なカソード材料の1つ以上の組み合わせを含むことができる。
カソード120は、炭素粒子などの導電性添加剤およびバインダを含むことができる。炭素粒子は、カソード120を通る電子の流れを促進するためにカソード120に含まれる。炭素粒子は、膨張黒鉛および天然黒鉛などの黒鉛;グラフェン、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ、炭素繊維;カーボンナノファイバ;およびそれらの混合物であり得る。カソード中の炭素粒子の量は比較的少ないことが好ましく、例えば、約10%未満、約7.0%未満、約4.25%未満、約3.75%未満、約3.5%未満、またはさらには約3.25%未満、例えば約2.0%~約3.25%である。より低い炭素レベルは、カソード120の体積を増加させることなく、または完成したバッテリ10の空隙容積を減少させることなく(これは、セル内でガスが発生するため、内圧が高くなりすぎるのを防ぐために特定のレベル以上に維持しなければならない)、カソード120内により多くの電気化学的に活性なカソード材料の充填を含めることを可能にする。適切な膨張黒鉛は、例えば、TIMCAL Carbon&Graphite(Bodio、Switzerland)から入手可能なBNB-90黒鉛であり得る。
カソード120に使用できるバインダの例には、ポリエチレン、ポリアクリル酸、またはPVDFもしくはPTFEなどのフルオロカーボン樹脂が含まれる。ポリエチレンバインダの例は、COATHYLENE HA-1681(HoechstまたはDuPontから入手可能)という商標で販売されている。他のカソード添加剤の例は、例えば、米国特許第5,698,315号、同第5,919,598号、同第5,997,775号および同第7,351,499号に記載されている。
アノード118は、少なくとも1つの電気化学的に活性なアノード材料を含み、通常、ゲル化剤、およびガス発生抑制剤などの少量の添加剤をさらに含む。電気化学的に活性なアノード材料は、亜鉛;カドミウム;鉄;AB、AB、およびA金属水素化物合金を含むがこれらに限定されない金属水素化物;ならびにそれらの混合物を含むことができる。アノード118は通常、ゲル化亜鉛アノードとして提供される。
バッテリセル110の構成要素がハウジング116内に配置された後で端部124を閉じるために、第1のカバー112は、ハウジング116の遠位端部115に近接して配置されるグロメットまたはシール128の溝126内に受け入れられ、ハウジング116の側壁129は、シール128の周縁に圧着される。いくつかの例では、シール128は、カソード120が拡張できるように、カソード120から離間している。いくつかの例では、シール128は、アノード118が拡張できるように、アノード118から同様に離間している。カバー112は、シール128の上に配置されてスペースまたは空隙Xを作成する。空隙Xは、ハウジング116内で圧力が上昇したときにガス抜きするためのスペースを可能にする。
アノード集電体130と、組み立てられたバッテリセル110に負極端子を提供する第1のカバー112とを結合するために、この例では、シール128は、ヘッド隙間またはスペース136を画定するより広い部分134を有する第1の開口部132を含み、ここに、アノード集電体130の端部またはヘッド138(「ネイル」と呼ばれることもある)が位置決めされ、第1のカバー112に電気的に結合される。このスペース136は、ヘッド138を収容するために、面取りされた、または角度のついた構成を有してもよい。この例では、アノード集電体130の本体140が、第1の開口部132を通ってアノード118内に延在する。電解質溶液は、ハウジング116内に収容される。
シール128は、第1の開口部132を取り囲む円筒形部分またはボス133を含む。ボス133は、ボス133から横方向外側に延在する平面的なシール部分または棚部135から上方および下方の両方に延在する。ボス133は、本明細書ではロングボスと呼ばれる。本明細書で使用される場合、「ロングボス」は、棚部135の上および下の両方に提供される円筒セグメントを有するボスである。
ここで図3および4を参照すると、バッテリセル110のシールアセンブリ100がより詳細に示されている。図3および4に示されるシールアセンブリは、図1の従来のシール28およびアノード集電体30の代わりに、図2および3に示されている開示に従ったグロメット128およびネイル130を用いることによって、図1に示されるバッテリセル10において実装できる。シールアセンブリ100は、ヘッドスペース直径を有するヘッドスペース136と、ボア直径を有する内面またはボア150を含む開口部132とを備えるグロメットまたはシール128を含む。開口部132は、シール128の上部153付近に近位端部151を有し、シール128の底部155付近に遠位端部154を有する。組み立てられると、シール128の近位端部151または上部153は、バッテリセル110の負極端子を提供するカバー112に隣接し、シール128の底部155は、バッテリセル110のアノード、カソード、および電解質のより近くに配置される。ネイル130は、ネイルヘッド138と、ネイルヘッド138から延在する本体またはステム140とを備える。
組み立てられると、ステム140は、シール128の開口部132を通って、近位端部151から遠位端部154を通って延在し、ネイルヘッド138は、近位端部151付近のヘッドスペース136に着座する。ヘッドスペース136は面取りされてもよい。組み立てられると、ステム140およびシール128は、開口部132の遠位端部154に隣接する第1の締まり嵌め152と、ステム140とシール128の近位端部151に隣接するシール128との間に第2の締まり嵌め157(図4)とを形成する。組み立てられると、ステム140とボア150との間、および開口部の遠位端部154とネイルヘッド138との間、またはより具体的には、第1の締まり嵌め152と第2の締まり嵌め157との間に、トラップ隙間160が半径方向および長手方向に形成される。トラップ隙間160は、シーラント170用のトラップ164を画定する。シーラント170は、ステム140上に配置されており、トラップ164内に少なくとも部分的に位置する。したがって、シール128の開口部132は、第1の隙間(トラップ隙間160)および第2の隙間(ヘッドスペース136)を含む。
図3に最もよく示されているように、ネイル130のステム140は、第1のステム直径Dを有する第1の部分172と、第2のステム直径Bを有する第2の部分174とを含む。第2のステム直径Bは、第1のステム直径Dよりも小さい。第1の部分172は、開口部132の長さFよりも短い長さEも含み、一端がワイパー180によって境界付けられ、他端がシール128の上部153によって境界付けられる。第2の部分174は、ネイルヘッド138に対して第1の部分172の遠位にある。図示のように、ステム140の第1の部分172および第2の部分174は、面取り部176によって接合されているが、第2の部分174が前述のように第1の部分172よりも小さい直径を有するのであれば、第1の部分172と第2の部分174との間のより「急激な」段状の遷移部も使用できる。
ボア150は、ボア直径Cを含む。ボア直径Cは、第2のステム直径Bよりも大きく、第1のステム直径Dよりも小さい。
トラップ164は、ボア150とステム140の第2の部分174との間に形成されている。トラップ164は、第2の部分174の外面によって内側が半径方向に境界付けられ、ボア150の内面によって外側が半径方向に境界付けられる。図示の例のトラップ164は、環状形のスペースを形成している。
図示の例では、シール開口部132は、シール128の遠位端部154に近接するボア150の内面から突出する、リング直径Aを有する内部環状リング180を含む。リング直径Aはボア直径Cよりも小さい。上述のように、ステム140およびシール128は、第2のステム直径Bとリング直径Aとの間で、開口部132の遠位端部154に隣接する第1の締まり嵌め152を形成している。換言すれば、内部環状リング180は、図3に示すように、ステム140がシール128に完全に挿入されると、ステム140の第2の部分174と第1の締まり嵌め152を形成しており、これは、第2のステム直径Bがリング直径Aよりも大きいためである。任意選択的に、バッテリセルの内部構成要素に開口する、内部環状リング180よりも広い直径を有する下側ボア181を含めることができる。
トラップ164は、ステム140に沿って、内部環状リング180の上に長手方向に位置する。図3に示す例では、トラップ164は、図示の実施形態では、ステム140がシール128に完全に挿入されると、内部環状リング180および面取り部176によって長手方向に境界付けられる。これは、第1の部分172の長さEがボア150の長さFよりも短いためであり、長さEは、ネイルヘッド138の底部からステム140の内径の遷移部または変化部(面取り部として示される)まで測定され、長さFは、開口部132の近位端部から内部環状リング180まで測定される。ボア150内のステム140の構造的配置は、トラップ164である空隙を提供するように意図的に配置される。
図示の例では、ボア直径Cは、第2のステム直径Bよりも0.03mm~0.05mm大きい。他の例では、以下の寸法比が、本明細書に記載の効率的なシーラントトラップ隙間を有利に生み出すことができる。
ステムの第1の部分172の長さE:ステム140の第1の部分172の直径Dは、約1.1~約3.0、例えば約1.1~約1.2である。
ステム140の第1の部分172の直径D:ステム140の第2の部分174の直径Bは、約1.1~約3.0、例えば約1.1~約2.0である。
内部環状リング180の内部リング直径A:ステム140の第2の部分174の直径Bは、1.0未満である。
ボア150の長さF:ステム140の第1の部分172の長さEは、約1.1~約2.0、例えば約1.1~約1.5である。
図示の例では、トラップ164は、約0.35mm~約1.5mmの容積を有する。他の例では、トラップ164は、例えば、シーラント170の粘度および/またはバッテリセルのサイズに応じて、他の容積を有するように構成され得る。
本開示によるシール128は、2つの干渉の間の隙間にシーラントを閉じ込めて配置し、それによって、シーラントを、電解質のクリープに対するバリアをより効果的に提供できる場所に位置決めすることにより、バッテリセルの内側からの電解質の漏れを有利に低減または排除するが、これは、シーラントのシール効果が、ネイル130の軸にさらに沿ってシール128の近位端部151に向かって、ネイル130とシール128との間の締まり嵌めによってさらに強化されるためである。さらに、本開示によるシール128は、製造上の欠陥を低減または補償することによって、電解質の漏れをさらに低減する。より具体的には、上述のように、ネイル130は、例えば遠位端部(第2のステム直径Bを有するステム140の第2の部分174に位置する)に欠陥を有し得る。組み立て中に、これらの欠陥は、開口部132の第1の内面部分178から分離され、これは、第2のステム直径Bがボア直径Cよりも小さいためである。その結果、組み立て中にネイル130からの開口部132の第1の内面部分178への損傷は生じない。組み立て中にネイル130によってシール128に生じ得るいかなる損傷も、締まり嵌めが存在する環状リング180に限定される。しかしながら、シーラントは、ステム140の第2の部分174上に配置されており、組み立て中に環状リング180によって拭き取られる結果として、トラップ164内の環状リング180の上に意図的かつ有利に位置決めされ、それによって、特に、ステム140の第1の部分172とボア150との間の締まり嵌めにより、意図的に位置決めされたシーラント170によって提供されるシールの補強のために、いかなる電解質のクリープ(ネイル130の挿入の結果としての環状リング180の任意の損傷領域に沿うものを含む)も防止または低減できる。
さらに、図4に最もよく示されているように、図示の実施形態は、シール開口部132の側縁を越えて延在するシーラント170を、製造および組み立て中にネイル130の第1の部分172に沿って上方に有利に押し、それによって、ネイル130の第1の部分172と開口部132の内面150との間にシーラント170の薄い層を堆積させる。組み立て前に、シーラントのビードが第1の部分172の下に塗布されるため、ネイル130上に存在するいくらかのシーラント170が開口部132の第1の内面部分178によって拭き取られ、その後、残りのシーラント170は、ステム140の第1の部分172によって下方に押され、これは、ネイル130の第1の部分172と開口部132の第1の内面部分178との間の締まり嵌めにより、シーラント170が上方に逃げるのを防止する。第1の部分172の面取り部176から加えられる力により、トラップ164内に下方に押し込まれるシーラント170が比較的均一な方法でトラップ164内に流れ込み、結果としてシーラントがトラップ164において均質に分散する。その結果、ネイル130の挿入時に、トラップ164内のシーラント170は、2つの締まり嵌め(環状リング180と第2の部分174との間の第1の締まり嵌め、および第1の部分172と第1の内面部分178との間の第2の締まり嵌め)の間に有利に閉じ込められ、追加のシール面を形成し、それらのすべてが協働して、電解質がバッテリセルから逃げるのを低減または防止する強化されたシールを形成する。さらに、ステムの第1の部分172は、トラップ164内のシーラント170を圧縮し、シーラント170の有効性を高める。面取り部176は、圧縮力の速度および方向を制御する。さらに、ステムの第1の部分172と開口部132の第1の内面部分178との間の締まり嵌めは、シーラント170によって最終的に形成されるシールが損なわれることを防止するのに役立ち、それによって、シールアセンブリ内のシーラント170の有効性を維持するのに役立つ。最後に、ネイル130の第1の部分172によって拭き取られたシーラント170は、ネイルヘッド138のすぐ下のネイル130の上部に蓄積し、ヘッド隙間136に閉じ込められ、それによって、(第1の部分172と第1の内面部分178との間の)第2の締まり嵌めの上にシーラント170の第2のビードを形成し、これは、電解質のクリープに対するまたさらなるバリアとして機能する。
代替的な実施形態では、複数のシーラントトラップ164a、164bが、例えば図5に示されるように形成されてもよい。図5の実施形態の符号が付されていない構造要素は、図2~4の実施形態の同じ構造要素に関連し、それに応じて機能する。例えば、ネイルヘッド(図2~4の138)は、図5では符号が付されず言及もされないが、図5の実施形態のネイルヘッドは、図2~4のネイルヘッド138と同じように機能する。シーラント(図2~4の170)は、分かりやすくするために図5から省略されているが、この実施形態のシーラントは、図2~4の実施形態のシーラントと同じ位置(例えば、シーラントトラップ164a、164b内およびヘッド隙間136内)に配置されている。
複数のシーラントトラップ164a、164bは、シーリングを強化し、電解質クリープの防止を高める段状シールを形成する。ネイル130は、第1の直径Hを有する第1の部分172、第2の直径Iを有する第2の部分174、および第3の直径Jを有する第3の部分173を含む。第1の直径Hは、第2の直径Iおよび第3の直径Jの両方よりも大きく、第2の直径Iは第3の直径Jよりも大きい。
図示のように、第1のシーラントトラップ164aは、第1の面取り部176aと第1の環状リング180aとの間に長手方向に形成されており、ネイル130の第2の部分174と第1の内面部分178aとの間に横方向に形成されている。第2のシーラントトラップ164bは、第2の面取り部176bと第2の環状リング180bとの間に長手方向に形成されており、ネイル130の第3の部分173と第2の内面部分178bとの間に横方向に形成されている。
他の実施形態では、追加の環状リング180および異なる直径を有するネイル130の段階的部分を追加することによって、3つ以上のシーラントトラップを形成することができる。
ここで図6を参照すると、本開示によるシールアセンブリ200の代替的な実施形態の断面図が示されている。図6に示されるシールアセンブリ200は、図1のシール28およびアノード集電体30の代わりに、図5に示される開示に従ったシール228およびネイル230を用いることによって、図2に記載されるバッテリセル110において実装できる。シールアセンブリ200は、ボア直径を有するボア250を含む開口部232を備えるシール228を含む。ネイル230は、ネイルヘッド238と、ネイルヘッド238から延在する本体またはステム240とを有する。ステム240は、シール228の開口部232を通って延在する。ステム240およびシール228は、開口部232の遠位端部254で第1の締まり嵌め252を形成している。開口部の遠位端部254とネイルヘッド238との間にトラップ隙間260が形成される。トラップ隙間260は、シーラント270用のトラップ264を画定する。シーラント270は、ステム240上に配置されており、トラップ264内に少なくとも部分的に位置する。
ステム240は、第1のステム直径を有する第1の部分272と、第2のステム直径を有する第2の部分274とを含む。第2のステム直径は、第1のステム直径よりも小さい。第2の部分274は、ネイルヘッド238に対して第1の部分272の遠位にある。第1の部分272および第2の部分274は、面取り部276によって接合されているが、第2の部分274が前述のように第1の部分272よりも小さい直径を有するのであれば、第1の部分272と第2の部分274との間のより「急激な」段状の遷移部も使用できる。
ボア250の直径は、第2のステム直径よりも大きく、第1のステム直径よりも小さい。
トラップ264は、ボア250とステム240の第2の部分274との間に形成されている。トラップ264は、ステム240の第2の部分274の外面によって内側が半径方向に境界付けられ、ボア250の内面278によって外側が半径方向に境界付けられる。図示の例におけるトラップ264は、ネイル230に形成された環状形の凹部290によって部分的に提供される。図示の例では、ボア直径は、第2のステム直径よりも0.03mm~0.05mm大きい。
図6に示される実施形態は、図6の実施形態が、開口部232の遠位端部254に環状リング180を含まないという点で、図3~5に示される実施形態とは異なる。むしろ、図6の実施形態は、ステム240の第2の部分274とボア250との間に形成された環状凹部290を含む。シーラントトラップ264は、環状凹部290によって提供される。
代替的な実施形態では、ステム240は、複数の環状凹部290を含んでもよい。
試験データ
図2~4に関して上述したシーラントが閉じ込められたシールアセンブリを有するバッテリセルを、漏れ試験に供し、同じ条件下で試験された対照セルと比較した。試験した対照セルの1セットには、市販のAA COPPERTOP(登録商標)セルと同じ構成要素(アノード、カソード、セパレータ、シールアセンブリ、集電体)および濃度を含むものとし、したがって、これらの対照セルは、本明細書ではAA COPPERTOP(登録商標)セルと称する。データには、市販のセルではない「対照の拭き取られたポリアミドロングボス」および「対照の拭き取られたアスファルトロングボス」と表記される別の対照セルのセットも含まれる。「対照の拭き取られたロングボス」対照セルの両方は、ロングボスおよび拭き取られたシーラントを含む。「対照の拭き取られたロングボス」対照セルは、本発明によるシーラントが閉じ込められた構成に関して記載されているネイルの段状の外径、またはボス開口部の段状の内径を含まない。「対照の拭き取られたロングボス」対照セルは、本発明によるシーラントが閉じ込められた設計の効果を具体的に特定する比較例を提供する。より具体的には、「閉じ込められたロングボス」と「対照の拭き取られたロングボス」との間の改善は、本発明によるシーラントが閉じ込められた構成のみに起因する。
バッテリセルに対して行った漏れ試験には、シールまたはグロメットと上部カバーとの間のスペース(図2の空隙Xとして表記されている)を脱イオン水で洗い流すことと、セルを50℃および60%超の相対湿度で環境チャンバに配置して3、6または9週間の加速老化を促進することと、チャンバからセルを取り出し、脱イオン水で再度洗い流すことによって空隙X内のいずれの化学物質も抽出することと、脱イオン水を捕捉し、カリウムの存在について脱イオン水を分析することとを含むものとした。脱イオン水に含まれる任意のカリウムは、ネイルとシールまたはグロメットとの間の電解質のクリープによって生成されたと推定され、これは、シールまたはグロメットが、定量可能な量のカリウムがポリマー材料を直接通過することを許可しないポリマー材料を含むためである。
2つの異なるボスの長さおよび2つの異なるシーラントが試験セルに含まれるものとした。2つのボスの長さはロングボスおよびショートボスとし、2つの異なるシーラントはポリアミドおよびアスファルトとした。AA COPPERTOP(登録商標)対照セルは、シーラントがネイル上に配置され、ネイル挿入後にシーラントがネイルヘッドに近接して配置されるように、ネイルがシール内に挿入されるとシーラントがネイルによって「拭き取られる」、上述したような拭き取り構成の選択されたシーラントを有するショートボスを含むものとした。第2の対照セル群は、この場合も同様にネイル挿入後にシーラントがネイルヘッドに近接して配置される、拭き取り構成の選択されたシーラントを有するロングボスを含むものとした。本発明によるシーラントが閉じ込められたセルは、図2~4に関して上述したシーラントトラップをロングボス内に有するシールアセンブリを含むものとした。シーラントが閉じ込められたセルは、COPPERTOP(登録商標)対照セルおよび拭き取られたロングボス対照セルの両方よりも、驚くべきことに有意に少ない漏れを示した。
試験の結果を以下の表1および2に要約する。
Figure 2023526152000002

Figure 2023526152000003
上記の表形式の結果は、図7および8にグラフ形式で示されている。試験データから2つの一般的な結論が導き出された。第1に、ポリアミドは概してアスファルトよりも優れた性能を発揮するように思われ、これは、シリコーンシーラント、エポキシシーラントなどの他の比較的非極性のシーラントもこのアセンブリで同様に機能できることを示唆している。しかしながら、第2の、そして最も重要な結論は、シーラントが閉じ込められたシールアセンブリ(本明細書に記載)が、市販のCOPPERTOP(登録商標)および対照の拭き取られたロングボス構成の両方よりも驚くべきかつ有意に優れた性能を発揮したということである。要約すると、シーラントが閉じ込められたポリアミド構成は、COPPERTOP(登録商標)セルよりも66%少ない漏れを示し、シーラントが閉じ込められたアスファルト構成は、COPPERTOP(登録商標)セルよりも38%少ない漏れを示した。シーラントが閉じ込められたポリアミド構成はまた、対照の拭き取られたロングボスポリアミド構成よりも49%少ない漏れを示し、シーラントが閉じ込められたアスファルト構成は、対照の拭き取られたロングボスアスファルト構成よりも8.5%少ない漏れを示した。
シーラントが閉じ込められた構成によって、対照セルよりもいくらかの改善が期待されたが、達成された改善の大きさは、特に閉じ込められたポリアミドのロングボスの設計では、予想外で驚くべきものであった。
閉じ込められたショートボス構成は、閉じ込められたシーラントを実際に実装するのに十分なスペースを提供しないため、試験しなかった。換言すれば、ショートボスシールは、閉じ込められたシーラントを効果的にするのに十分な容積を有するシールトラップを組み込むのに十分なスペースを内部ボア内に有していない。
前述の実施形態のいずれにおいても、シールまたはグロメットは、ポリマー、特にポリプロピレンまたはナイロンなどの1つ以上の熱可塑性ポリマーを含むことができる。ナイロン66およびナイロン612は、単独または組み合わせて使用できる2つの具体的な代表的な材料である。
任意の実施形態において、ネイルは、導電性金属、例えば真鍮または青銅(ケイ素青銅を含む)を含み得る。約50重量%を超える、例えば60重量%または70重量%の銅含有量、および20重量%を超える、例えば30重量%または40重量%の亜鉛含有量を有する真鍮合金を使用できる。
シーラントは、グロメットをネイルに接着できる任意の既知のシーラントであり得る。したがって、図示の実施形態では、シーラントは、ポリアミドシーラント、樹脂、ポリ酢酸ビニルシーラント、アスファルトシーラントなどの石油系材料、ポリブテンシーラント、ポリイソブチレンシーラント、ポリエチレンワックスシーラント、エポキシシーラント、シリコーンシーラント、アクリルシーラント、ポリスルフィドシーラント、ポリウレタンシーラント、およびそれらの混合物を含むことができる。図示の実施形態では、グロメットはポリマーを含み、ネイルは金属を含む。1つの改良では、水膨潤性ポリマーを含む比較的親水性のシーラントを使用して、シーラント、例えば、SikaSwell(登録商標)シーラント(Sika AG、Switzerland)などの超吸収剤の粒子を含む水膨潤性アクリレートポリマーを提供できる。ネイルに適用するシーラントを調合するために有利に使用できる溶剤には、キシレン、イソプロパノール、トルエン、およびそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。他の実施形態では、調合されたシーラントは、約165cps~約1600cpsの粘度を含み、約40%~約80%の固形分を含むことができる。さらに、他の実施形態では、シーラントトラップがトラップの上下の締まり嵌めの間に形成されるようにシールアセンブリが完全に組み立てられると、シーラントの酸素への曝露が効果的に排除されるため、シーラントは、有利には嫌気性シーラントを含むことができる。ネイルがグロメットに挿入された後、シーラントが最初は未硬化の状態であることができるため、シーラントは、トラップを完全に満たすとともに、硬化前にシールおよびネイルにさえも存在する上記の製造上の欠陥を含むいかなる欠陥も満たすのに十分な液相での時間を有することができる。
開示されたシールアセンブリは、シーラントトラップ内にシーラントを有利に閉じ込め、それによって、組み立てられたバッテリセルの酸素への曝露を最小限に抑え、電解質がネイルの上部に移動してシールアセンブリから逃げるのを防止する。さらに、シール開口部の遠位端部におけるネイルステムとシールとの間の締まり嵌め、および開口部の第2のより狭い内側部分(例えば、内部環状リングによって提供される)に対する、開口部の第1の内側部分の比較的大きい内径のために、シーラントは、シーラントトラップ内に効果的に配置される。内部環状リング(複数可)は、ステムがシールに挿入されるときに、残りのシーラントをステムから拭き取り、シーラントトラップ内にシーラントを正確に位置決めする。シーラントは、シールの組み立て前には液体の形でネイルステムに堆積するため、シーラントは、内部環状リングの拭き取りにより、シーラントトラップに均一に流れ込み、ネイルとグロメットとの間に、実質的に均一な360度のシールを一貫した制御された再現可能な方法で提供する。シーラントトラップ内のシーラントは、シーラントトラップの上下の締まり嵌めと組み合わされて、電解質漏れを防止するかまたはその量を大幅に低減する3つの別個のシール面を有するシールアセンブリを効果的に形成する。シーラントがヘッド隙間にも配置される場合、4つの別個のシール面が形成される(第4のシール面は、ヘッド隙間内のシーラントによって形成される)。2つ以上のシーラントトラップを有する実施形態(例えば、図5に示される実施形態)では、5つ以上の別個のシール面が形成され得る。さらに、シーラントトラップ内(すなわち、2つの締まり嵌めの間)のシーラントの位置は、下側の締まり嵌め(第1の実施形態では、環状リングおよびネイルステムの第2の部分によって生成される)を通って成功裏に移動するいずれかの電解質に対する追加のバリアを作る。開示されたシールアセンブリはまた、上述のように、シールの成形中にネイルをシールに挿入し、ピンを引き抜くことによって引き起こされるフラッシュまたはバリなどのシールの製造上の不具合を有利に軽減する。
本明細書に開示された寸法および値は、列挙される正確な数値に厳密に限定されるものと理解されるべきではない。代わりに、特に指定のない限り、そのような各寸法は、列挙される値およびその値の周辺の機能的に同等の範囲の両方を意味することが意図される。例えば、「40mm」と開示されている寸法は、「約40mm」を意味することが意図される。さらに、一実施形態で開示された任意の寸法は、他の実施形態にも同様に適用可能である。「締まり」嵌めが上記で記載されている場合、代替的な実施形態は、より粘度のあるシーラントが使用される場合に、非常に小さな隙間を有することができる。例えば、シーラントの粘度が上昇するにつれて、環状リング180の直径Aとネイル130の第2の部分174の直径Bとの比は、1.0より大きい値を超えることがある。そのような例では、直径Aが直径Bよりも大きいことは、ネイル130がシール128に挿入されるときに、直径Aと直径Bとの間の非常に小さなギャップを通ってガスが逃げることを可能にすることによって、組み立て中に開口部132内のガスの排出を容易にすることができ、一方で、粘度のあるシーラントはこの場合、シーラントが環状リング180に接触すると、そのギャップをシールする。
いずれの相互参照または関連特許もしくは出願、および本出願がその優先権または利益を主張するいずれの特許出願または特許も含む、本明細書で引用されるすべての文献は、明示的に除外または別途限定されない限り、その全体が参照により本明細書に援用される。いかなる文献の引用も、本明細書において開示もしくは特許請求される任意の発明に関する先行技術であること、またはそれ単独で、もしくは何らかの他の参考文献(複数可)との任意の組み合わせで、そのような任意の発明を教示、示唆、もしくは開示することを認めるものではない。さらに、本明細書中の用語のいずれかの意味または定義が、参照により援用される文献中の同じ用語のいずれかの意味または定義と矛盾する限りでは、本明細書中でその用語に割り当てられた意味または定義が適用されるものとする。
本発明の特定の実施形態を例示し、説明してきたが、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な他の変更および修正を行うことができることは、当業者には明らかであろう。したがって、添付の特許請求の範囲において、本発明の範囲内にあるそのようなすべての変更および修正を包含することが意図される。

Claims (47)

  1. バッテリセル用のシールアセンブリであって、
    内面を含む開口部を有するグロメットと、
    ネイルであって、ネイルヘッドと、前記ネイルヘッドから延在するステムとを有し、前記ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含み、前記第1のステム直径は、前記第2のステム直径よりも大きく、前記ステムは前記グロメットの前記開口部を通って延在し、前記ステムおよび前記グロメットは、前記開口部の遠位端部で第1の締まり嵌めを形成し、前記開口部の前記遠位端部と前記ネイルヘッドとの間にトラップ隙間を形成し、前記トラップ隙間は、前記ネイルの前記第2の部分と前記内面との間に位置し、前記トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する、ネイルと、
    前記ステム上に配置されたシーラントであって、前記トラップ内に少なくとも部分的に位置する、シーラントと、を備える、アセンブリ。
  2. 前記第2の部分は、前記ヘッドに対して前記第1の部分の遠位にある、請求項1に記載のアセンブリ。
  3. 前記第1の部分および前記第2の部分は面取り部によって接合されている、請求項1または2に記載のアセンブリ。
  4. 前記開口部の前記内面はボア直径を含み、前記ボア直径は前記第2のステム直径よりも大きく、前記第1のステム直径よりも小さい、請求項1~3のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  5. 前記トラップは、前記内面と前記ステムの前記第2の部分との間に形成されている、請求項1~4のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  6. 前記ボア直径は、前記第2のステム直径よりも0.03mm~0.05mm大きい、請求項5に記載のアセンブリ。
  7. 前記グロメットの開口部は内部環状リングを含む、請求項1~6のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  8. 前記内部環状リングは前記ボア直径よりも小さいリング直径を有し、前記内部環状リングは前記ステムの前記第2の部分と前記第1の締まり嵌めを形成している、請求項7に記載のアセンブリ。
  9. 前記トラップは、前記ステムの長さに沿って、前記内部環状リングの上に位置する、請求項7または8に記載のアセンブリ。
  10. 前記トラップは0.35mm~1.5mmの容積を有する、請求項1~9のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  11. 前記ステムは環状凹部を含む、請求項1に記載のアセンブリ。
  12. 前記トラップ隙間は前記環状凹部によって形成されている、請求項11に記載のアセンブリ。
  13. 前記ステムは複数の環状凹部を含む、請求項11または12に記載のアセンブリ。
  14. 前記グロメットは、ポリプロピレンまたはナイロンなどのポリマーを含む、請求項1~13のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  15. 前記ネイルは真鍮またはケイ素青銅を含む、請求項1~14のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  16. 前記シーラントはポリアミドまたはアスファルトベースの材料を含む、請求項1~15のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  17. 前記ネイルヘッドと前記グロメットとの間にヘッド隙間が形成されており、シーラントは前記ヘッド隙間にも配置されている、請求項1~16のいずれか一項に記載のアセンブリ。
  18. バッテリセルであって、
    ハウジングであって、
    第1のハウジング端部にある第1のカバーと、第2のハウジング端部にある第2のカバーと、前記ハウジング内に配置されたアノードおよびカソードと、を含む、ハウジングと、
    前記第1のカバーに近接するシールアセンブリであって、
    内面を含む開口部を有するグロメットと、
    ネイルであって、ネイルヘッドと、前記ネイルヘッドから延在するステムとを有し、前記ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含み、前記第1のステム直径は、前記第2のステム直径よりも大きく、前記ステムは前記グロメットの前記開口部を通って延在し、前記ステムおよび前記グロメットは、前記開口部の遠位端部で第1の締まり嵌めを形成し、前記開口部の前記遠位端部と前記ネイルヘッドとの間にトラップ隙間を形成し、前記トラップ隙間は、前記ネイルの前記第2の部分と前記内面との間に位置し、前記トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する、ネイルと、
    前記ステム上に配置されたシーラントであって、前記トラップ内に少なくとも部分的に位置する、シーラントと、を含む、シールアセンブリと、を備える、バッテリセル。
  19. 前記第2の部分は、前記ヘッドに対して前記第1の部分の遠位にある、請求項18に記載のバッテリセル。
  20. 前記第1の部分および前記第2の部分は面取り部によって接合されている、請求項18または19に記載のバッテリセル。
  21. 前記開口部の前記内面はボア直径を含み、前記ボア直径は前記第2のステム直径よりも大きく、前記第1のステム直径よりも小さい、請求項18~20のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  22. 前記トラップは、前記内面と前記ステムの前記第2の部分との間に形成されている、請求項18~21のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  23. 前記ボア直径は、前記第2の直径よりも0.03mm~0.05mm大きい、請求項21または22に記載のバッテリセル。
  24. 前記グロメットの開口部は内部環状リングを含む、請求項18~23のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  25. 前記内部環状リングは前記ボア直径よりも小さいリング直径を有し、前記内部環状リングは前記ステムの前記第2の部分と前記第1の締まり嵌めを形成している、請求項24に記載のバッテリ。
  26. 前記トラップは、前記ステムの長さに沿って、前記内部環状リングの上に位置する、請求項24または25に記載のバッテリセル。
  27. 前記トラップは0.35mm~1.5mmの容積を有する、請求項18~26のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  28. 前記ステムは環状凹部を含む、請求項18~27のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  29. 前記トラップ隙間は前記環状凹部によって形成されている、請求項18~28のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  30. 前記ステムは複数の環状凹部を含む、請求項18~29のいずれか一項に記載のバッテリセル。
  31. バッテリセル用のシールアセンブリであって、
    グロメットであって、遠位端部と、近位端部と、前記遠位端部と前記近位端部との間の内面を有するボアとを含む開口部と、前記遠位端部に近接して位置決めされた内部環状リングであって、リング直径を有し、前記ボアはボア直径を有する、内部環状リングと、前記近位端部に位置するヘッドスペースであって、ヘッドスペース直径を有し、前記リング直径は、前記ボア直径および前記ヘッドスペース直径よりも小さく、前記ボア直径は前記ヘッドスペース直径よりも小さい、ヘッドスペースと、を有するグロメットと、
    ネイルであって、ネイルヘッドと、前記ネイルヘッドから延在するステムとを有し、前記ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含み、前記第1のステム直径は、前記第2のステム直径よりも大きく、前記ステムは前記グロメットの前記開口部を通って延在し、前記ステムおよび前記グロメットは、前記ステムの前記第2の部分と前記リング直径との間に第1の締まり嵌めを形成し、前記ステムおよび前記グロメットは前記ステムの前記第2の部分と前記ボア直径との間にトラップ隙間を形成し、前記トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する、ネイルと、
    前記ステム上に配置されたシーラントであって、前記トラップ内に少なくとも部分的に位置する、シーラントと、を備える、シールアセンブリ。
  32. バッテリセルであって、
    ハウジングであって、
    第1のハウジング端部にある第1のカバーと、第2のハウジング端部にある第2のカバーと、前記ハウジング内に配置されたアノードおよびカソードと、を含む、ハウジングと、
    前記第1のカバーに近接するシールアセンブリであって、
    グロメットであって、遠位端部と、近位端部と、前記遠位端部と前記近位端部との間の内面を有するボアとを含む開口部と、前記遠位端部に近接して位置決めされた内部環状リングであって、リング直径を有し、前記ボアはボア直径を有する、内部環状リングと、前記近位端部に位置するヘッドスペースであって、ヘッドスペース直径を有し、前記リング直径は、前記ボア直径および前記ヘッドスペース直径よりも小さく、前記ボア直径は、前記ヘッドスペース直径よりも小さい、ヘッドスペースと、を有するグロメットと、
    ネイルであって、ネイルヘッドと、前記ネイルヘッドから延在するステムとを有し、前記ステムは、第1のステム直径を有する第1の部分と、第2のステム直径を有する第2の部分とを含み、前記第1のステム直径は、前記第2のステム直径よりも大きく、前記ステムは前記グロメットの前記開口部を通って延在し、前記ステムおよび前記グロメットは、前記ステムの前記第2の部分と前記リング直径との間に第1の締まり嵌めを形成し、前記ステムおよび前記グロメットは前記ステムの前記第2の部分と前記ボア直径との間にトラップ隙間を形成し、前記トラップ隙間は、シーラント用のトラップを画定する、ネイルと、
    前記ステム上に配置されたシーラントであって、前記トラップ内に少なくとも部分的に位置する、シーラントと、を含むシールアセンブリと、を備える、バッテリセル。
  33. 前記第2の部分は、前記ヘッドに対して前記第1の部分の遠位にある、請求項31または32に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  34. 前記第1の部分および前記第2の部分は面取り部によって接合されている、請求項31~33のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  35. 前記開口部の前記内面はボア直径を含み、前記ボア直径は前記第2のステム直径よりも大きく、前記第1のステム直径よりも小さい、請求項31~34のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  36. 前記トラップは、前記内面と前記ステムの前記第2の部分との間に形成されている、請求項31~35のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  37. 前記ボア直径は、前記第2のステム直径よりも0.03mm~0.05mm大きい、請求項36に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  38. 前記グロメットの開口部は内部環状リングを含む、請求項31~37のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  39. 前記内部環状リングは前記ボア直径よりも小さいリング直径を有し、前記内部環状リングは前記ステムの前記第2の部分と前記第1の締まり嵌めを形成している、請求項38に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  40. 前記トラップは、前記ステムの長さに沿って、前記内部環状リングの上に位置する、請求項38または39に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  41. 前記トラップは0.35mm~1.5mmの容積を有する、請求項31~40のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  42. 前記ステムは環状凹部を含む、請求項31または32に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  43. 前記トラップ隙間は前記環状凹部によって形成されている、請求項42に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  44. 前記ステムは複数の環状凹部を含む、請求項42または43に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  45. 前記グロメットは、ポリプロピレンまたはナイロンなどのポリマーを含む、請求項31~44のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  46. 前記ネイルは真鍮またはケイ素青銅を含む、請求項31~45のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
  47. 前記シーラントはポリアミドまたはアスファルトベースの材料を含む、請求項31~46のいずれか一項に記載のアセンブリまたはバッテリセル。
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