|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH01278768A
(ja)
|
1988-04-27 |
1989-11-09 |
General Electric Co <Ge> |
ソースおよびドレイン深さ延長部を有する半導体装置とその製造方法
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP3298974B2
(ja)
|
1993-03-23 |
2002-07-08 |
電子科学株式会社 |
昇温脱離ガス分析装置
|
|
TW297142B
(enExample)
|
1993-09-20 |
1997-02-01 |
Handotai Energy Kenkyusho Kk |
|
|
US5719065A
(en)
|
1993-10-01 |
1998-02-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers
|
|
JP3621151B2
(ja)
*
|
1994-06-02 |
2005-02-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JPH08250737A
(ja)
|
1995-03-09 |
1996-09-27 |
Sharp Corp |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
EP0820644B1
(en)
|
1995-08-03 |
2005-08-24 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
|
US5817548A
(en)
|
1995-11-10 |
1998-10-06 |
Sony Corporation |
Method for fabricating thin film transistor device
|
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JPH10247725A
(ja)
*
|
1997-03-05 |
1998-09-14 |
Mitsubishi Electric Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP4318768B2
(ja)
|
1997-07-23 |
2009-08-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JPH11233789A
(ja)
|
1998-02-12 |
1999-08-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
JP2000026119A
(ja)
|
1998-07-09 |
2000-01-25 |
Hoya Corp |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
TW565939B
(en)
*
|
2000-04-07 |
2003-12-11 |
Koninkl Philips Electronics Nv |
Electronic device manufacture
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
KR20020038482A
(ko)
*
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP2003050405A
(ja)
*
|
2000-11-15 |
2003-02-21 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
WO2003040441A1
(fr)
|
2001-11-05 |
2003-05-15 |
Japan Science And Technology Agency |
Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP3913756B2
(ja)
|
2002-05-22 |
2007-05-09 |
雅司 川崎 |
半導体装置およびそれを用いる表示装置
|
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
CA2517024C
(en)
*
|
2003-02-24 |
2009-12-01 |
Waseda University |
.beta.-ga2o3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, ga2o3 light-emitting device, and its manufacturing method
|
|
EP1599701A1
(en)
*
|
2003-02-24 |
2005-11-30 |
Johnson Controls Technology Company |
System and method for compensating for motor magnetic disturbance of a compass measurement
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
JP4389527B2
(ja)
*
|
2003-09-04 |
2009-12-24 |
株式会社豊田中央研究所 |
熱電変換材料及びその製造方法
|
|
JP2005235961A
(ja)
*
|
2004-02-18 |
2005-09-02 |
Univ Waseda |
Ｇａ２Ｏ３系単結晶の導電率制御方法
|
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
CN1998087B
(zh)
|
2004-03-12 |
2014-12-31 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
非晶形氧化物和薄膜晶体管
|
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
JP2005268724A
(ja)
*
|
2004-03-22 |
2005-09-29 |
Sony Corp |
電子素子およびその製造方法
|
|
US7335556B2
(en)
*
|
2004-06-14 |
2008-02-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device
|
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
CA2585190A1
(en)
*
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
KR20070085879A
(ko)
|
2004-11-10 |
2007-08-27 |
캐논 가부시끼가이샤 |
발광 장치
|
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
US7868326B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-11 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor
|
|
JP5126730B2
(ja)
*
|
2004-11-10 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI472037B
(zh)
|
2005-01-28 |
2015-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI569441B
(zh)
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
TWI254457B
(en)
*
|
2005-03-09 |
2006-05-01 |
Au Optronics Corp |
Method for fabricating metal oxide semiconductor with lightly doped drain
|
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP5116225B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
JP4560502B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2010-10-13 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
KR100786498B1
(ko)
*
|
2005-09-27 |
2007-12-17 |
삼성에스디아이 주식회사 |
투명박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
DE102006023685A1
(de)
*
|
2005-09-29 |
2007-04-05 |
Osram Opto Semiconductors Gmbh |
Optoelektronischer Halbleiterchip
|
|
EP1998373A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
WO2007058329A1
(en)
|
2005-11-15 |
2007-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
JP5015470B2
(ja)
|
2006-02-15 |
2012-08-29 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタ及びその製法
|
|
JP2007220818A
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2007-08-30 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
薄膜トランジスタ及びその製法
|
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
JP5469799B2
(ja)
*
|
2006-03-15 |
2014-04-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
無線通信によりデータの交信を行う半導体装置
|
|
JP5110803B2
(ja)
|
2006-03-17 |
2012-12-26 |
キヤノン株式会社 |
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
EP2025004A1
(en)
|
2006-06-02 |
2009-02-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4404881B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2010-01-27 |
日本電気株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
US7511343B2
(en)
*
|
2006-10-12 |
2009-03-31 |
Xerox Corporation |
Thin film transistor
|
|
JP5216204B2
(ja)
*
|
2006-10-31 |
2013-06-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置及びその作製方法
|
|
JP2008112909A
(ja)
*
|
2006-10-31 |
2008-05-15 |
Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center |
薄膜半導体装置及びその製造方法
|
|
KR101416876B1
(ko)
|
2006-11-17 |
2014-07-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
|
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
JP5305630B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
|
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
KR100877153B1
(ko)
|
2007-01-09 |
2009-01-09 |
한국전자통신연구원 |
전자소자용 ＺｎＯ 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터
|
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
JP4662075B2
(ja)
|
2007-02-02 |
2011-03-30 |
株式会社ブリヂストン |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
KR101312259B1
(ko)
*
|
2007-02-09 |
2013-09-25 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
TWI478347B
(zh)
|
2007-02-09 |
2015-03-21 |
Idemitsu Kosan Co |
A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
|
|
WO2008099863A1
(ja)
*
|
2007-02-16 |
2008-08-21 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置
|
|
US8129714B2
(en)
|
2007-02-16 |
2012-03-06 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device
|
|
US7994000B2
(en)
*
|
2007-02-27 |
2011-08-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method of manufacturing the same
|
|
KR100858088B1
(ko)
*
|
2007-02-28 |
2008-09-10 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
JP5465825B2
(ja)
|
2007-03-26 |
2014-04-09 |
出光興産株式会社 |
半導体装置、半導体装置の製造方法及び表示装置
|
|
JP5286826B2
(ja)
|
2007-03-28 |
2013-09-11 |
凸版印刷株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ
|
|
JP2008276212A
(ja)
*
|
2007-04-05 |
2008-11-13 |
Fujifilm Corp |
有機電界発光表示装置
|
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
CN101663762B
(zh)
|
2007-04-25 |
2011-09-21 |
佳能株式会社 |
氧氮化物半导体
|
|
JP5043499B2
(ja)
|
2007-05-02 |
2012-10-10 |
財団法人高知県産業振興センター |
電子素子及び電子素子の製造方法
|
|
KR100873081B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2008-12-09 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
KR101092483B1
(ko)
|
2007-05-31 |
2011-12-13 |
캐논 가부시끼가이샤 |
산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터의 제조 방법
|
|
US20090001881A1
(en)
*
|
2007-06-28 |
2009-01-01 |
Masaya Nakayama |
Organic el display and manufacturing method thereof
|
|
JP2009016469A
(ja)
*
|
2007-07-03 |
2009-01-22 |
Mitsubishi Electric Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
US8334537B2
(en)
|
2007-07-06 |
2012-12-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light-emitting device
|
|
US8319214B2
(en)
|
2007-11-15 |
2012-11-27 |
Fujifilm Corporation |
Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same
|
|
JP2009123957A
(ja)
*
|
2007-11-15 |
2009-06-04 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ
|
|
US8384077B2
(en)
|
2007-12-13 |
2013-02-26 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd |
Field effect transistor using oxide semicondutor and method for manufacturing the same
|
|
JP5215158B2
(ja)
*
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
|
JP2009147192A
(ja)
*
|
2007-12-17 |
2009-07-02 |
Fujifilm Corp |
結晶性無機膜とその製造方法、半導体装置
|
|
WO2009093625A1
(ja)
|
2008-01-23 |
2009-07-30 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
|
|
JP5264197B2
(ja)
|
2008-01-23 |
2013-08-14 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ
|
|
JP4626659B2
(ja)
*
|
2008-03-13 |
2011-02-09 |
ソニー株式会社 |
表示装置
|
|
JP4555358B2
(ja)
*
|
2008-03-24 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
|
|
JP2009267399A
(ja)
|
2008-04-04 |
2009-11-12 |
Fujifilm Corp |
半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
|
|
JP5704790B2
(ja)
|
2008-05-07 |
2015-04-22 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ、および、表示装置
|
|
KR101496148B1
(ko)
|
2008-05-15 |
2015-02-27 |
삼성전자주식회사 |
반도체소자 및 그 제조방법
|
|
TWI532862B
(zh)
*
|
2008-05-22 |
2016-05-11 |
Idemitsu Kosan Co |
A sputtering target, a method for forming an amorphous oxide film using the same, and a method for manufacturing a thin film transistor
|
|
JP5415713B2
(ja)
|
2008-05-23 |
2014-02-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5584960B2
(ja)
|
2008-07-03 |
2014-09-10 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
JP5480554B2
(ja)
*
|
2008-08-08 |
2014-04-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
TWI642113B
(zh)
*
|
2008-08-08 |
2018-11-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
JP5608347B2
(ja)
*
|
2008-08-08 |
2014-10-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5345456B2
(ja)
*
|
2008-08-14 |
2013-11-20 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
JP5537787B2
(ja)
|
2008-09-01 |
2014-07-02 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP5627071B2
(ja)
*
|
2008-09-01 |
2014-11-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5430113B2
(ja)
|
2008-10-08 |
2014-02-26 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
US8106400B2
(en)
|
2008-10-24 |
2012-01-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
KR101631454B1
(ko)
*
|
2008-10-31 |
2016-06-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
논리회로
|
|
EP2184783B1
(en)
|
2008-11-07 |
2012-10-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
TWI536577B
(zh)
*
|
2008-11-13 |
2016-06-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及其製造方法
|
|
JP5145513B2
(ja)
*
|
2008-12-12 |
2013-02-20 |
出光興産株式会社 |
複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
|
|
KR101343570B1
(ko)
*
|
2008-12-18 |
2013-12-20 |
한국전자통신연구원 |
보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
|
|
CN103456794B
(zh)
|
2008-12-19 |
2016-08-10 |
株式会社半导体能源研究所 |
晶体管的制造方法
|
|
JP4844627B2
(ja)
*
|
2008-12-24 |
2011-12-28 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
|
|
KR101034686B1
(ko)
*
|
2009-01-12 |
2011-05-16 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
|
|
CN101840936B
(zh)
*
|
2009-02-13 |
2014-10-08 |
株式会社半导体能源研究所 |
包括晶体管的半导体装置及其制造方法
|
|
JP5328414B2
(ja)
|
2009-02-25 |
2013-10-30 |
富士フイルム株式会社 |
トップゲート型の電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置
|
|
JP2010205987A
(ja)
|
2009-03-04 |
2010-09-16 |
Sony Corp |
薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置
|
|
JP5760298B2
(ja)
|
2009-05-21 |
2015-08-05 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
|
|
KR100963743B1
(ko)
*
|
2009-06-23 |
2010-06-14 |
한국광기술원 |
파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
|
|
KR101638978B1
(ko)
*
|
2009-07-24 |
2016-07-13 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
JP5500907B2
(ja)
|
2009-08-21 |
2014-05-21 |
株式会社日立製作所 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
KR101056229B1
(ko)
*
|
2009-10-12 |
2011-08-11 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치
|
|
KR102089200B1
(ko)
*
|
2009-11-28 |
2020-03-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
WO2011065210A1
(en)
*
|
2009-11-28 |
2011-06-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
|
|
KR102333270B1
(ko)
*
|
2009-12-04 |
2021-12-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011070900A1
(en)
*
|
2009-12-08 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP5497417B2
(ja)
*
|
2009-12-10 |
2014-05-21 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
|
|
WO2011070929A1
(en)
*
|
2009-12-11 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
|
KR101813460B1
(ko)
*
|
2009-12-18 |
2017-12-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011074407A1
(en)
*
|
2009-12-18 |
2011-06-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
KR101074813B1
(ko)
*
|
2010-01-07 |
2011-10-19 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
|
|
KR101675113B1
(ko)
|
2010-01-08 |
2016-11-11 |
삼성전자주식회사 |
트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
CN102714209B
(zh)
|
2010-01-22 |
2015-09-16 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体存储器件及其驱动方法
|
|
KR20180031075A
(ko)
|
2010-02-19 |
2018-03-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제조 방법
|
|
JP2011187506A
(ja)
*
|
2010-03-04 |
2011-09-22 |
Sony Corp |
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
|
|
JP2011222167A
(ja)
*
|
2010-04-06 |
2011-11-04 |
Sony Corp |
透明導電膜および光電変換素子
|
|
KR101403409B1
(ko)
*
|
2010-04-28 |
2014-06-03 |
한국전자통신연구원 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
JP5705559B2
(ja)
|
2010-06-22 |
2015-04-22 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
|
|
JP2012015436A
(ja)
|
2010-07-05 |
2012-01-19 |
Sony Corp |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
US8513720B2
(en)
*
|
2010-07-14 |
2013-08-20 |
Sharp Laboratories Of America, Inc. |
Metal oxide semiconductor thin film transistors
|
|
JP2012033836A
(ja)
|
2010-08-03 |
2012-02-16 |
Canon Inc |
トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置
|
|
US8530273B2
(en)
|
2010-09-29 |
2013-09-10 |
Guardian Industries Corp. |
Method of making oxide thin film transistor array
|
|
US8513102B2
(en)
*
|
2010-11-08 |
2013-08-20 |
Leonard Forbes |
Reduction of random telegraph signal (RTS) and 1/f noise in silicon MOS devices, circuits, and sensors
|
|
CN102130009B
(zh)
|
2010-12-01 |
2012-12-05 |
北京大学深圳研究生院 |
一种晶体管的制造方法
|
|
US9443984B2
(en)
|
2010-12-28 |
2016-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JP5731369B2
(ja)
|
2010-12-28 |
2015-06-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
US8941112B2
(en)
|
2010-12-28 |
2015-01-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
WO2012090799A1
(en)
|
2010-12-28 |
2012-07-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
US8883556B2
(en)
|
2010-12-28 |
2014-11-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US8797303B2
(en)
|
2011-03-21 |
2014-08-05 |
Qualcomm Mems Technologies, Inc. |
Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
|
|
US20130037793A1
(en)
|
2011-08-11 |
2013-02-14 |
Qualcomm Mems Technologies, Inc. |
Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
|
|
US9379254B2
(en)
|
2011-11-18 |
2016-06-28 |
Qualcomm Mems Technologies, Inc. |
Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
|