EP4403293A3 - Procédé assisté par laser pour séparer un matériau cristallin - Google Patents

Procédé assisté par laser pour séparer un matériau cristallin

Info

Publication number
EP4403293A3
EP4403293A3 EP24177160.9A EP24177160A EP4403293A3 EP 4403293 A3 EP4403293 A3 EP 4403293A3 EP 24177160 A EP24177160 A EP 24177160A EP 4403293 A3 EP4403293 A3 EP 4403293A3
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
laser
substrate
crystalline material
processing station
parting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP24177160.9A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP4403293A2 (fr
Inventor
Matthew Donofrio
John Edmond
Harshad Golakia
Eric Mayer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Wolfspeed Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US16/274,064 external-priority patent/US10576585B1/en
Application filed by Wolfspeed Inc filed Critical Wolfspeed Inc
Publication of EP4403293A2 publication Critical patent/EP4403293A2/fr
Publication of EP4403293A3 publication Critical patent/EP4403293A3/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626—Energy control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02035—Shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
EP24177160.9A 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser pour séparer un matériau cristallin Pending EP4403293A3 (fr)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862786333P 2018-12-29 2018-12-29
US201962803340P 2019-02-08 2019-02-08
US16/274,064 US10576585B1 (en) 2018-12-29 2019-02-12 Laser-assisted method for parting crystalline material
US16/410,487 US10562130B1 (en) 2018-12-29 2019-05-13 Laser-assisted method for parting crystalline material
PCT/IB2019/061412 WO2020136624A2 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin
EP19842415.2A EP3902653B1 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin

Related Parent Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19842415.2A Division-Into EP3902653B1 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin
EP19842415.2A Division EP3902653B1 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP4403293A2 EP4403293A2 (fr) 2024-07-24
EP4403293A3 true EP4403293A3 (fr) 2025-09-03

Family

ID=69528156

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP24177160.9A Pending EP4403293A3 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser pour séparer un matériau cristallin
EP19842415.2A Active EP3902653B1 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19842415.2A Active EP3902653B1 (fr) 2018-12-29 2019-12-27 Procédé assisté par laser de séparation de matériau cristallin

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10562130B1 (fr)
EP (2) EP4403293A3 (fr)
JP (3) JP7315677B2 (fr)
KR (3) KR20250150682A (fr)
CN (1) CN113508002A (fr)
WO (1) WO2020136624A2 (fr)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017007586A1 (de) * 2017-08-11 2019-02-14 Siltectra Gmbh Fertigungsanlage zum Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten
JP6974133B2 (ja) * 2017-11-22 2021-12-01 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの成型方法
JP2020043266A (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体ウェハの欠陥観察システム及び欠陥観察方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11701739B2 (en) * 2019-04-12 2023-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
SE1950611A1 (en) * 2019-05-23 2020-09-29 Ascatron Ab Crystal efficient SiC device wafer production
JP7598200B2 (ja) * 2020-04-06 2024-12-11 浜松ホトニクス株式会社 検査装置及び検査方法
EP3922388A1 (fr) * 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Procédé de séparation d'une pluralité de tranches, au moyen d'une scie à fil, de pièces lors d'une séquence de processus de séparation
EP3922387A1 (fr) * 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Procédé de séparation d'une pluralité de tranches, au moyen d'une scie à fil, de pièces lors d'une séquence de processus de séparation
DE102020209092A1 (de) 2020-07-21 2022-01-27 Sicrystal Gmbh Kristallstrukturorientierung in Halbleiter-Halbzeugen und Halbleitersubstraten zum Verringern von Sprüngen und Verfahren zum Einstellen von dieser
CN113972160A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种固体材料的激光分片方法
JP7547105B2 (ja) * 2020-07-29 2024-09-09 株式会社ディスコ Ｓｉ基板生成方法
CN111822876B (zh) * 2020-09-15 2020-12-08 中电化合物半导体有限公司 基于溶液射流辅助激光图形化碳化硅籽晶的方法
JP7391810B2 (ja) 2020-09-29 2023-12-05 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置及びそれを用いる試料観察方法
US11848197B2 (en) 2020-11-30 2023-12-19 Thinsic Inc. Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing
JP7663428B2 (ja) * 2021-06-29 2025-04-16 株式会社ディスコ マーキング装置およびウエーハ生成装置
CN117813178A (zh) * 2021-09-01 2024-04-02 华为技术有限公司 晶圆分离方法和晶圆分离装置
JP7677081B2 (ja) 2021-09-03 2025-05-15 株式会社デンソー 半導体ウェハ製造方法
JP7726760B2 (ja) * 2021-12-03 2025-08-20 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法および研削装置
WO2023106018A1 (fr) * 2021-12-08 2023-06-15 株式会社デンソー Procédé de fabrication de tranche
WO2023106017A1 (fr) * 2021-12-08 2023-06-15 株式会社デンソー Procédé de fabrication de tranche
EP4447091A4 (fr) * 2021-12-08 2025-03-12 Denso Corporation Procédé de fabrication de tranche
EP4289582A1 (fr) * 2022-06-10 2023-12-13 Scientific Visual SA Système et procédé de découpe en tranches de cristal
CN114972609A (zh) * 2022-06-10 2022-08-30 中国银行股份有限公司 冰裂纹风格图像的生成方法及装置
US12400914B2 (en) 2022-07-03 2025-08-26 Thinsic Inc. Semiconductor exfoliation method
US12322657B2 (en) 2022-07-03 2025-06-03 Thinsic Inc. Wide band gap semiconductor process, device, and method
CN115172229B (zh) * 2022-09-07 2022-11-18 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种从激光改质后的晶体上剥离晶片的全自动装置
CN115178884A (zh) * 2022-09-13 2022-10-14 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种晶片热分离方法
CN115971642B (zh) * 2022-12-30 2024-11-15 山东天岳先进科技股份有限公司 一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法
US20250194190A1 (en) 2023-12-12 2025-06-12 Wolfspeed, Inc. Substrates for Power Semiconductor Devices
US20250194191A1 (en) 2023-12-12 2025-06-12 Wolfspeed, Inc. Power Semiconductor Devices
EP4576085A1 (fr) * 2023-12-22 2025-06-25 ASML Netherlands B.V. Système et procédé de libération de contrainte dans une liaison de puce
KR20250103415A (ko) * 2023-12-28 2025-07-07 가부시끼가이샤 레조낙 SiC 잉곳 및 SiC 기판의 제조 방법
US12362237B1 (en) * 2024-04-05 2025-07-15 Wolfspeed, Inc. Fill-in planarization system and method
US12438001B1 (en) * 2024-04-05 2025-10-07 Wolfspeed, Inc. Off axis laser-based surface processing operations for semiconductor wafers
US12434330B1 (en) 2024-04-05 2025-10-07 Wolfspeed, Inc. Laser-based surface processing for semiconductor workpiece
US12269123B1 (en) 2024-04-05 2025-04-08 Wolfspeed, Inc. Laser edge shaping for semiconductor wafers
JP7679948B1 (ja) 2024-04-09 2025-05-20 有限会社ドライケミカルズ 半導体結晶ウェハの製造方法
US12315729B1 (en) 2024-05-13 2025-05-27 Wolfspeed, Inc. Laser-based processing for semiconductor wafers
US12454768B1 (en) 2024-11-08 2025-10-28 Wolfspeed, Inc. Hybrid seed structure for crystal growth system
CN119283210B (zh) * 2024-12-10 2025-04-29 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种SiC晶锭激光剥离生成晶片的方法和设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130029444A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method
US9035216B2 (en) * 2009-04-07 2015-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width
US20170291255A1 (en) * 2016-04-11 2017-10-12 Disco Corporation Wafer producing method and processing feed direction detecting method
US20180254223A1 (en) * 2017-03-01 2018-09-06 Disco Corporation Semiconductor ingot inspecting method and apparatus, and laser processing apparatus
WO2018192691A1 (fr) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Procédé d'amincissement de couches de solides pourvues de composants
EP3395489A1 (fr) * 2014-11-27 2018-10-31 Siltectra GmbH Division de corps solide au moyen d'une conversion de substances

Family Cites Families (311)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3105623A (en) 1959-05-12 1963-10-01 Philips Corp Method of separating into pieces plates of brittle material
NL299821A (fr) 1962-10-31 1900-01-01
US3970819A (en) 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS59152581A (ja) 1983-02-18 1984-08-31 Fujitsu Ltd バブル装置の製造法
JPH02179708A (ja) 1989-01-05 1990-07-12 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの破折分離方法
JPH04116848A (ja) 1990-09-06 1992-04-17 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5597767A (en) 1995-01-06 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Separation of wafer into die with wafer-level processing
US5786560A (en) 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
WO1997029509A1 (fr) 1996-02-09 1997-08-14 Philips Electronics N.V. Separation laser d'elements semiconducteurs formes sur une plaquette d'un materiau semiconducteur
US5761111A (en) 1996-03-15 1998-06-02 President And Fellows Of Harvard College Method and apparatus providing 2-D/3-D optical information storage and retrieval in transparent materials
US6087617A (en) 1996-05-07 2000-07-11 Troitski; Igor Nikolaevich Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material
IL127388A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Material processing applications of lasers using optical breakdown
IL127387A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Laser image formation in multiple transparent samples
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
US6555447B2 (en) 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3867109B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3867102B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867107B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867103B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP4663952B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4095092B2 (ja) 2000-09-13 2008-06-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップ
JP5025876B2 (ja) 2000-09-13 2012-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4128204B2 (ja) 2000-09-13 2008-07-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867108B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867110B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4664140B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4142694B2 (ja) 2000-09-13 2008-09-03 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3867003B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935187B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935188B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3867101B2 (ja) 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体材料基板の切断方法
JP3876628B2 (ja) 2001-02-07 2007-02-07 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
JP4659301B2 (ja) 2001-09-12 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4146863B2 (ja) 2002-03-12 2008-09-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509719B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4463796B2 (ja) 2002-03-12 2010-05-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4527098B2 (ja) 2002-03-12 2010-08-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3624909B2 (ja) 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4409840B2 (ja) 2002-03-12 2010-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
AU2003211575A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JP3761566B2 (ja) 2002-03-12 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 半導体チップの製造方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3935189B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3990711B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4851060B2 (ja) 2002-03-12 2012-01-11 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP3867105B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
EP2272618B1 (fr) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de découpe d'objet à traiter
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2285634T3 (es) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Metodo para dividir un siustrato.
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4050534B2 (ja) 2002-03-12 2008-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3822626B2 (ja) 2002-03-12 2006-09-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3867104B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3867100B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3869850B2 (ja) 2002-03-12 2007-01-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3990710B2 (ja) 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7601441B2 (en) 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
JP4167094B2 (ja) 2003-03-10 2008-10-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (fr) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Methode d'usinage par faisceau laser
CN1758986B (zh) 2003-03-12 2012-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法
EP2324950B1 (fr) 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Substrat semiconducteur devant être coupé comprenant des zones traitées et avec des micro-cavités, et méthode de découpe d'un tel substrat
JP4703983B2 (ja) 2003-07-18 2011-06-15 浜松ホトニクス株式会社 切断方法
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4440582B2 (ja) 2003-09-10 2010-03-24 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4584607B2 (ja) 2004-03-16 2010-11-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
CN100527360C (zh) 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
WO2005098915A1 (fr) 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de traitement au laser et puce semiconducteur
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101190454B1 (ko) 2004-08-06 2012-10-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP4732063B2 (ja) 2004-08-06 2011-07-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
TW200707799A (en) 2005-04-21 2007-02-16 Aonex Technologies Inc Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR100766727B1 (ko) 2005-08-19 2007-10-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN101263581B (zh) 2005-09-16 2010-09-29 克里公司 其上有碳化硅功率器件的半导体晶圆的处理方法
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4322881B2 (ja) 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US7547897B2 (en) 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
EP1875983B1 (fr) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de traitement laser et puce obtenue
JP5269356B2 (ja) 2006-07-03 2013-08-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8980445B2 (en) 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
EP1901345A1 (fr) 2006-08-30 2008-03-19 Siltronic AG Galette semiconductrice multicouches et procédé de fabrication correspondant.
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
JP5322418B2 (ja) 2006-09-19 2013-10-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5037082B2 (ja) 2006-10-02 2012-09-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5117806B2 (ja) 2006-10-04 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN101522362B (zh) 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5177992B2 (ja) 2006-10-27 2013-04-10 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5122161B2 (ja) 2007-03-07 2013-01-16 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
KR101506355B1 (ko) 2007-05-25 2015-03-26 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단용 가공방법
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5312761B2 (ja) 2007-08-09 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 切断用加工方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101546112B1 (ko) 2007-11-02 2015-08-20 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 폴리머를 갖는 기판의 열처리에 의한 자립 고체상태 층의 제조
JP5094337B2 (ja) 2007-11-05 2012-12-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
US20120000415A1 (en) 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US8728914B2 (en) 2009-02-09 2014-05-20 Hamamatsu Photonics K.K. Workpiece cutting method
JP5446325B2 (ja) * 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
US8288220B2 (en) 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
US8764026B2 (en) 2009-04-16 2014-07-01 Suss Microtec Lithography, Gmbh Device for centering wafers
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5451238B2 (ja) 2009-08-03 2014-03-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5775265B2 (ja) 2009-08-03 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
EP2465634B1 (fr) 2009-08-11 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositif d'usinage laser et procédé d'usinage laser
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP5889634B2 (ja) 2009-09-09 2016-03-22 三菱レイヨン株式会社 炭素繊維束の製造方法
JP5148575B2 (ja) 2009-09-15 2013-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5410250B2 (ja) 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5479925B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工システム
JP5479924B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5552373B2 (ja) 2010-06-02 2014-07-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102010030358B4 (de) 2010-06-22 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe
JP5597051B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5597052B2 (ja) 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5771391B2 (ja) 2010-12-22 2015-08-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2012146876A (ja) 2011-01-13 2012-08-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5670764B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5775312B2 (ja) 2011-01-13 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5670765B2 (ja) 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013042119A (ja) 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
JP5844089B2 (ja) 2011-08-24 2016-01-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2013039162A1 (fr) 2011-09-16 2013-03-21 浜松ホトニクス株式会社 Procédé d'usinage laser et dispositif d'usinage laser
JP2013063454A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5894754B2 (ja) 2011-09-16 2016-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013063455A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
JP5930811B2 (ja) 2011-11-18 2016-06-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5255109B2 (ja) 2011-12-05 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP2013124206A (ja) 2011-12-15 2013-06-24 Panasonic Corp ウエハ切断方法および装置
JP6076601B2 (ja) 2012-01-30 2017-02-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイスの製造方法及びレーザ加工装置
JP5969214B2 (ja) 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5905274B2 (ja) 2012-01-30 2016-04-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6012185B2 (ja) 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6012186B2 (ja) 2012-01-31 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6050002B2 (ja) 2012-01-31 2016-12-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2015516672A (ja) 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
JP2014041926A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041927A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041924A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
FR2995447B1 (fr) 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
US8946731B2 (en) 2012-09-24 2015-02-03 International Business Machines Corporation OLED display with spalled semiconductor driving circuitry and other integrated functions
WO2014113503A1 (fr) 2013-01-16 2014-07-24 QMAT, Inc. Techniques pour former des dispositifs optoélectroniques
JP5923799B2 (ja) 2013-02-14 2016-05-25 新日鐵住金株式会社 光伝播機能を備えた建造物骨組み要素からなる建造物
JP6030470B2 (ja) 2013-02-14 2016-11-24 株式会社熊谷組 トンネル施工方法
JP2014156689A (ja) 2013-02-14 2014-08-28 Kumagai Gumi Co Ltd 管
US9902016B2 (en) 2013-03-27 2018-02-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
KR102128416B1 (ko) 2013-03-27 2020-06-30 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
US9914183B2 (en) 2013-03-27 2018-03-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
CN105324207B (zh) 2013-03-27 2018-01-16 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
JP6059059B2 (ja) 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102013007672A1 (de) 2013-05-03 2014-11-06 Siltectra Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
JP6163035B2 (ja) 2013-07-18 2017-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
US9768259B2 (en) 2013-07-26 2017-09-19 Cree, Inc. Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling
JP5620553B2 (ja) 2013-08-01 2014-11-05 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置
JP6232230B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN110578172B (zh) 2013-09-06 2022-10-28 Gtat公司 使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具
WO2015032408A1 (fr) 2013-09-06 2015-03-12 Danmarks Tekniske Universitet Démultiplexeur tout-optique pour signal de multiplexage par répartition orthogonale de la fréquence (ofdm)
DE102013016669A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper
US20150158117A1 (en) 2013-12-05 2015-06-11 David Callejo Muñoz System and method for obtaining laminae made of a material having known optical transparency characteristics
US9219049B2 (en) 2013-12-13 2015-12-22 Infineon Technologies Ag Compound structure and method for forming a compound structure
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
JP6353683B2 (ja) 2014-04-04 2018-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6258787B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272145B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5931124B2 (ja) 2014-06-01 2016-06-08 株式会社シーエンジ 立体網状構造体、立体網状構造体製造方法及び立体網状構造体製造装置
JP5863891B2 (ja) 2014-07-01 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工装置の制御方法、レーザ装置の制御方法、及び、レーザ装置の調整方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
JP6327519B2 (ja) 2014-07-30 2018-05-23 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板
JP6483974B2 (ja) 2014-07-31 2019-03-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6390898B2 (ja) 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6506520B2 (ja) 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6328534B2 (ja) 2014-09-30 2018-05-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2016059449A1 (fr) 2014-10-13 2016-04-21 Evana Technologies, Uab Procede de traitement laser pour le clivage ou le decoupage en des par la formation de structures d'endommagement en forme de pointe
US10930560B2 (en) 2014-11-27 2021-02-23 Siltectra Gmbh Laser-based separation method
JP6358941B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366486B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399914B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6418927B2 (ja) 2014-12-04 2018-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6366485B2 (ja) 2014-12-04 2018-08-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US20160189954A1 (en) 2014-12-31 2016-06-30 Cree, Inc. Methods of performing semiconductor growth using reusable carrier substrates and related carrier substrates
JP6391471B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395613B2 (ja) 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6444207B2 (ja) 2015-02-17 2018-12-26 株式会社ディスコ 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015006971A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
JP6456228B2 (ja) 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6444249B2 (ja) 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6552898B2 (ja) 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494457B2 (ja) 2015-07-16 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
DE102015112649B4 (de) 2015-07-31 2021-02-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
JP6486239B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6633326B2 (ja) 2015-09-15 2020-01-22 株式会社ディスコ 窒化ガリウム基板の生成方法
JP6562819B2 (ja) 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
CN105436710B (zh) 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
JP6654435B2 (ja) 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6602207B2 (ja) 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6604891B2 (ja) 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6669594B2 (ja) 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6678522B2 (ja) 2016-06-10 2020-04-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び剥離装置
JP6698468B2 (ja) 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6723877B2 (ja) 2016-08-29 2020-07-15 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773506B2 (ja) 2016-09-29 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP2018093046A (ja) 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773539B2 (ja) 2016-12-06 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10577720B2 (en) 2017-01-04 2020-03-03 Cree, Inc. Stabilized, high-doped silicon carbide
JP6831253B2 (ja) 2017-01-27 2021-02-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6781639B2 (ja) 2017-01-31 2020-11-04 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858586B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6935224B2 (ja) 2017-04-25 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6923877B2 (ja) * 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
CN107170668B (zh) 2017-06-01 2020-06-05 镓特半导体科技（上海）有限公司 一种自支撑氮化镓制备方法
JP6904793B2 (ja) 2017-06-08 2021-07-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6994852B2 (ja) 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP6976745B2 (ja) 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6946153B2 (ja) 2017-11-16 2021-10-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
JP6974133B2 (ja) 2017-11-22 2021-12-01 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの成型方法
JP6976828B2 (ja) 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7034683B2 (ja) 2017-11-29 2022-03-14 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6959120B2 (ja) 2017-12-05 2021-11-02 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7009194B2 (ja) 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP7009224B2 (ja) 2018-01-16 2022-01-25 株式会社ディスコ 平坦化方法
JP7123583B2 (ja) 2018-03-14 2022-08-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7073172B2 (ja) 2018-04-03 2022-05-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
JP7137992B2 (ja) 2018-08-02 2022-09-15 株式会社ディスコ 加工装置及び剥離装置
JP7235456B2 (ja) 2018-08-14 2023-03-08 株式会社ディスコ 半導体基板の加工方法
JP7106217B2 (ja) 2018-08-22 2022-07-26 株式会社ディスコ ファセット領域の検出方法及び検出装置
JP7187215B2 (ja) 2018-08-28 2022-12-12 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7201367B2 (ja) 2018-08-29 2023-01-10 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP7128067B2 (ja) 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7164396B2 (ja) 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP7229729B2 (ja) 2018-11-08 2023-02-28 株式会社ディスコ Ｆａｃｅｔ領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP7166893B2 (ja) 2018-11-21 2022-11-08 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP7285636B2 (ja) 2018-12-06 2023-06-02 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) * 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10867797B2 (en) 2019-02-07 2020-12-15 Cree, Inc. Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation
JP7308652B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-14 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7321022B2 (ja) 2019-07-29 2023-08-04 株式会社ディスコ レーザー加工装置およびレーザー加工方法
US11219986B1 (en) * 2019-07-30 2022-01-11 Horacio Davila Modified basin wrench

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9035216B2 (en) * 2009-04-07 2015-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width
US20130029444A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method
EP3395489A1 (fr) * 2014-11-27 2018-10-31 Siltectra GmbH Division de corps solide au moyen d'une conversion de substances
US20170291255A1 (en) * 2016-04-11 2017-10-12 Disco Corporation Wafer producing method and processing feed direction detecting method
US20180254223A1 (en) * 2017-03-01 2018-09-06 Disco Corporation Semiconductor ingot inspecting method and apparatus, and laser processing apparatus
WO2018192691A1 (fr) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Procédé d'amincissement de couches de solides pourvues de composants

Also Published As

Publication number Publication date
EP3902653A2 (fr) 2021-11-03
US20240189940A1 (en) 2024-06-13
KR102868235B1 (ko) 2025-10-14
WO2020136624A3 (fr) 2020-09-10
US11219966B1 (en) 2022-01-11
KR102611962B1 (ko) 2023-12-11
JP7315677B2 (ja) 2023-07-26
WO2020136624A2 (fr) 2020-07-02
KR20250150682A (ko) 2025-10-20
CN113508002A (zh) 2021-10-15
US20220126395A1 (en) 2022-04-28
JP7605917B2 (ja) 2024-12-24
JP2025038050A (ja) 2025-03-18
JP2022518126A (ja) 2022-03-14
US11911842B2 (en) 2024-02-27
JP2023159060A (ja) 2023-10-31
KR20230169476A (ko) 2023-12-15
KR20210107843A (ko) 2021-09-01
US10562130B1 (en) 2020-02-18
EP3902653B1 (fr) 2024-07-03
EP4403293A2 (fr) 2024-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP4403293A3 (fr) Procédé assisté par laser pour séparer un matériau cristallin
WO2019207588A3 (fr) Dispositif de mesure de propriétés
EP4354162A3 (fr) Appareil, procédé et produit-programme informatique pour défaut détection dans les pièces à travail
EP3764087A3 (fr) Dispositif de génération d'image, appareil d'inspection et dispositif d'apprentissage
EP3010226A3 (fr) Procédé et appareil d'obtention de photographie
EP4481680A3 (fr) Système et procédé d'inspection de pénétration fluorescente
EP1227316A3 (fr) Méthode et appareil pour l'inspection radiographique numérique localisée
EP3139213A3 (fr) Procédé d'inspection de défaut, procédé de triage et procédé de production d'ébauche pour photomasque
EP4006776A4 (fr) Procédé et appareil de classification d'images
MY146877A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
WO2017222671A3 (fr) Appareil et procédé de fourniture d'image en profondeur
EP1855103A3 (fr) Dispositif d'inspection d'images et procédé d'inspection d'images utilisant le dispositif d'inspection d'images
EP2669739A3 (fr) Procédé de mesure et procédé et appareil d'exposition
EP3023942A3 (fr) Appareil et procede de traitement d'images
EP1245949A3 (fr) Méthode et Dispositif d' inspection radiographique de fuselages d' avions
MX2017008040A (es) Metodo y aparato para detectar defectos en neumaticos en un proceso de produccion de neumaticos.
EP4513376A3 (fr) Dispositif d'inspection, appareil d'impression à jet d'encre et procédé d'inspection
MY192764A (en) Laser processing method, apparatus for sapphire and storage medium
EP3021073A3 (fr) Appareil et procédé d'inspection de surface, et méthode de fabrication pour écrans oled
ATE517315T1 (de) System und verfahren zur inspektion
EP4546797A4 (fr) Procédé de traitement d'image miroir et appareil associé
EP3869398A3 (fr) Procédé et appareil de traitement d'images, dispositif et support d'enregistrement
TW200519372A (en) Glass substrate inspection apparatus and method
WO2022098553A8 (fr) Appareil et procédé d'obtention d'une image d'un échantillon en mouvement
EP3174011A3 (fr) Appareil de traitement, système de traitement, appareil de capture d'image, procédé de traitement et programme de traitement

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN PUBLISHED

AC Divisional application: reference to earlier application

Ref document number: 3902653

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: P

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R079

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: B23K0026030000

Ipc: B23K0101400000

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

RIC1 Information provided on ipc code assigned before grant

Ipc: B23K 101/40 20060101AFI20250725BHEP