KR20170117608A - 양극산화 공정 - Google Patents

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KR20170117608A
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브아이언 피. 키플
데이비드 에이. 파쿨라
탕 와이. 탄
피터 엔. 러셀-클라크
루씨 이. 브라우닝
줄리에 한차크-코너스
3세 존 엠. 손턴
토마스 요하네센
마사시게 다떼베
리차드 호워스
페기 젠센
존 폴리
폴 초이니에레
마이클 콜맨
마이클 케이. 필리오드
납타닐 와이. 탄
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Abstract

금속 표면들을 보호하고 미관적으로 개선하는 양극산화 층들을 형성하기 위한 방법들 및 구조체들이 기재된다. 일부 실시예들에서, 방법들은 하단의 금속 표면이 관찰가능하도록 하단의 금속 상에 양극산화 층을 형성하는 것을 수반한다. 일부 실시예들에서, 방법들은 각진 표면 상에 제1 양극산화 층 및 인접한 제2 양극산화 층을 형성하는 것을 수반하며, 이들 두 개 양극산화 층들 사이의 계면은 규칙적이로 균일하다. 금속 표면들 상의 양극산화 및 텍스처화된 패턴들 상에 샤프하게 정의된 모서리들을 제공하기 위한 포토마스킹 기법들 및 도구들이 기재된다. 또한 전자 디바이스의 제조에 있어서 양극산화 저항 컴포넌트들을 제공하기 위한 기법들 및 도구들이 기재된다.

Description

양극산화 공정{ANODIZING PROCESSES}
기재된 실시예들은 일반적으로 양극산화(anodizing) 공정에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실시예들은 금속 표면들의 외관을 보호 및 개선할 수 있는 양극산화(anodization) 층들을 제조하기 위한 방법들을 기재한다. 전자 디바이스를 위한 인클로저(enclosure) 상에서 수행되는 양극산화 공정을 수용하기 위한 도구들 및 방법들이 기재된다.
개인용 컴퓨터 및 전자 디바이스와 같은 소비자 제품에는 종종 금속 표면들이 있다. 소비자 제품의 제조 동안, 금속 부품이 기능하도록 함은 물론 미관적으로도 돋보이도록 이들 금속 표면들은 전형적으로 다수의 동작을 거치게 된다. 예를 들어, 소비자 제품의 금속 하우징은 금속 내 특징부들을 형성하기 위한 기계 가공 동작 및 금속 표면 상에 패턴 및 로고를 형성하기 위한 설계 동작을 거칠 수 있다.
부가적으로, 금속 표면은 보통 내마모성 및 내부식성이 향상되도록 처리된다. 예를 들어, 알루미늄 부분을 알루미늄 산화물로 변환하기 위해 알루미늄 표면이 전형적으로 양극산화된다. 알루미늄 산화물 필름은 알루미늄보다 강성이 높기 때문에, 보다 연성인 알루미늄 상에 보호층을 제공한다. 전자 디바이스와 같은 소비자 제품들은 샤프한 모서리와 에지(edge)를 가지고 있기 때문에, 상부에 일정하면서도 미관적으로 돋보이는 양극산화 필름을 형성하기가 어렵다.
본 명세서는 양극산화 필름을 제조하기 위한 방법들 및 도구들에 관한 다양한 실시예들을 기재한다. 기재되는 방법들은 전자 디바이스의 금속 표면, 예컨대 모바일 전화기 등을 위한 인클로저 상에 보호 양극산화 필름을 제공하기에 유용하다. 양극산화 필름은 전자 디바이스의 금속 표면을 보호하는 것은 물론이며, 금속 표면의 룩-앤-필(look and feel)을 미관적으로 개선시킬 수도 있다. 일부 실시예에서, 방법들은 금속 표면 상에 적어도 두 개의 인접한 양극산화 필름을 제공하는 단계를 포함한다. 인접한 필름 사이의 계면은 규칙적이고 균일하기 때문에, 금속 표면 상의 전반적인 보호 필름이 미관적으로 돋보이면서 매끄러운 결과를 준다. 일부 실시예에서, 인접한 필름들은 금속 표면의 각진 영역들 상에 있다. 전자 디바이스에서, 이와 같이 각진 영역들은 예를 들어, 디바이스의 챔퍼된 에지를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 방법들은 하단의(underlying) 금속 표면이 관찰가능(viewable)하도록 하단의 금속 상에 투명한 양극산화 필름을 형성하는 단계를 수반한다. 하단의 금속은 고반사 표면, 텍스처화(texture)된 표면 또는 아트워크(artwork)와 같은 표면 특징부를 가질 수 있으며, 이들은 투명한 양극산화 필름을 통해 보일 수 있다.
본 명세서의 개시 내용은 전자 디바이스의 제조에 있어서 양극산화 공정을 수용하기 위한 방법 및 도구에 관한 것이다. 방법 및 도구는 포토리소그래피 포토마스크 및 이를 사용하기 위한 기법을 포함한다. 포토마스크는 포토마스크 패턴의 모서리 영역 내의 사전-변형된 특징부를 가지며, 이는 이후의 포토리소그래피, 텍스처화 및 양극산화 공정 중에 발생할 수 있는 모서리 곡선화 효과(corner rounding effect)를 보상한다. 결과적으로 패턴화되고 텍스처화된 양극산화 금속 표면은 샤프하게 정의되고 미관적으로 돋보이는 모서리들을 가질 수 있게 된다.
또한 개시 내용은 전자 디바이스의 제조에 있어서 양극산화 저항 컴포넌트들을 제공하기 위한 기법 및 도구에 관한 것이다. 일부 실시예에서, 컴포넌트는 전자 디바이스의 두 개 이상의 섹션을 함께 결합하는 연결부재이다. 컴포넌트는 플라스틱 재료의 두 개 부분을 이용한 사출 성형 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 제1 부분은 고강도 구조재로 만들어질 수 있고, 제2 부분은 매끄러우면서 미관적으로 돋보이는 재료로 만들어질 수 있다. 제1 및/또는 제2 부분은 이후의 양극산화 공정은 물론 그 외의 제조 공정들의 물리적, 화학적 조건들에 저항성을 가질 수 있다.
<도 1>
도 1은 기재된 실시예에 의한 일반적인 이중 양극산화(double anodizing) 공정을 도시하는 흐름도이다.
<도 2>
도 2는 기재된 실시예에 따라 구성된 휴대용 전자 디바이스의 개략적 등각투상도이다.
<도 3>
도 3은 도 2의 전자 디바이스의 부분 조립체의 적어도 일부분의 개략적 등각투상도이다.
<도 4>
도 4는 도 5a 내지 도 5e에 그래픽적으로 제시된 이중 양극산화 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다.
<도 5a 내지 도 5e>
도 5a 내지 도 5e는 기재된 실시예에 의한 이중 양극산화 공정을 거치는 부품의 선택된 모습을 그래픽적으로 도시한다.
<도 6a 및 도 6b>
도 6a 및 도 6b는 두 개의 상이한 양극산화 공정에 의해 제조된 두 개의 상이한 양극산화 층의 선택된 프로파일의 미세구조를 그래픽적으로 도시한다.
<도 7a 및 도 7b>
도 7a 및 도 7b는 두 개의 상이한 양극산화 공정을 거치고 난 두 개의 개별적 부품들의 선택된 프로파일을 그래픽적으로 도시한다.
<도 8>
도 8은 기재된 실시예에 의한 저속 램프-업(ramp up) 양극산화 공정에서 시간에 대한 함수로서의 전류 밀도 또는 전압 변화를 도시하는 그래프이다.
<도 9a 내지 도 9c>
도 9a 내지 도 9c는 기재된 실시예에 의한 저속 램프-업 양극산화 공정을 거치고 있는 금속 표면의 일부분의 상면 개략도이다.
<도 9d>
도 9d는 기재된 실시예에 의한 기판 상에 배리어 층 및 투명한 양극산화 층을 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다.
<도 10a>
도 10a는 단일의 양극산화 공정을 거치고 있는 각진 표면을 구비한 부품의 선택된 프로파일을 그래픽적으로 도시한다.
<도 10b 내지 도 10e>
도 10b 내지 도 10e는 기재된 실시예에 의한 이중 양극산화 공정을 거치고 있는 각진 표면을 구비한 부품의 선택된 프로파일을 그래픽적으로 도시한다.
<도 11>
도 11은 도 12a 내지 도 12f에 그래픽적으로 제시된 양극산화 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다.
<도 12a 내지 도 12f>
도 12a 내지 도 12f는 기재된 실시예에 의한 하이라이팅 기법을 포함하는 양극산화 공정을 거치고 있는 부품의 선택된 프로파일을 그래픽적으로 도시한다.
<도 13a 및 도 13b>
도 13a 및 도 13b는 기재된 실시예에 따라, 음각 유형과 양각 유형 포토레지스트를 각각 현상하기 위한 포토마스크의 선택된 부분들의 확대도를 그래픽적으로 도시한다.
<도 14a 내지 도 14d>
도 14a 내지 도 14d는 기재된 실시예에 의한 포토마스크, 포토레지스트 및 포토마스크를 이용한 기판의 선택된 부분을 그래픽적으로 도시한다.
<도 14e>
도 14e는 기재된 실시예에 의한 사전-변형된 특징부를 구비한 포토마스크를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다.
<도 15a 및 도 15b>
도 15a 및 도 15b는 기재된 실시예에 의한 양극산화 저항 플라스틱 결합 부재를 구비한 전자 디바이스용 인클로저의 모습을 도시한다.
<도 16>
도 16은 기재된 실시예에 의한 도 15b의 일부분의 확대도를 도시한다.
<도 17>
도 17은 기재된 실시예에 의한 인클로저의 양극산화 저항 플라스틱 부재를 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다.
이하의 개시 내용은 예를 들어 모바일 전화기를 포함하는 휴대용 전자 디바이스와 같은 전자 디바이스의 다양한 실시예를 기재한다. 본 기재의 다양한 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해 이하 설명 및 도면을 통해 일부 상세 사항을 기재한다. 또한, 본 기재의 다양한 특성, 구조 및/또는 특징은 다른 적절한 구조 및 환경과 조합될 수 있다. 다른 경우들에서, 공지된 구조, 재료, 동작 및/또는 시스템은 이하의 설명에서 상세히 도시 및 설명되지 않는데, 이는 기재의 다양한 실시예의 설명을 불필요하게 모호하게 만드는 것을 방지하기 위함이다. 그러나, 당업자라면 본 명세서에 기재된 하나 이상의 상세 사항 없이도, 또는 다른 구조, 방법 및 컴포넌트와 함께 본 기재의 수행이 가능함을 인식할 것이다.
본 출원에 따른 방법들 및 장치들의 대표적인 응용들이 본 섹션에 기재되어 있다. 이 예들은 단지 기재된 실시예들의 이해를 돕고 맥락을 더하기 위하여 제공되고 있다. 따라서, 본 발명이 속하는 기재분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 기재된 실시예들이 이러한 특정 상세들 중 일부 또는 전부 없이도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 예들에서는, 기재된 실시예들을 불필요하게 불명확하게 하지 않기 위해 잘 알려진 공정 단계들은 상세히 기재되지 않았다. 이후의 예들은 제한적으로 취해지지 않도록, 기타 응용들이 가능하다.
하기의 상세한 설명에서, 첨부 도면에 대한 참조가 이루어지고, 이는 명세서의 일부를 형성하고, 예시를 통해, 기재된 실시예들에 따른 특정 실시예들이 도시된다. 본 실시예들이 당업자가 기재된 실시예들을 실시할 수 있을 정도로 충분히 상세히 기재되어 있지만, 이러한 예들은 한정의 것이 아니고, 따라서 다른 실시예들이 사용될 수 있으며, 기재된 실시예들의 사상 및 범주를 벗어남이 없이 변경들이 행해질 수 있다는 것을 잘 알 것이다.
상세한 설명에서, 금속 또는 금속 부품을 참조한다. 일부 바람직한 실시예들에서, 금속은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이다. 그러나, 당업자라면 본 발명의 맥락에서, 금속이라는 용어는 순수한 원소 금속은 물론 금속 합금 또는 금속 혼합물을 포함하는 양극산화 공정을 거칠 수 있는 재료를 함유하는 임의의 적합한 금속을 칭하는 것임을 인식할 것이다.
본 명세서에 기재된 실시예는 금속 부분 상에 보호 양극산화 층을 제공하기 위한 방법과 구조물에 관한 것이다. 방법은 이중 양극산화 공정을 포함하며, 이에 의해 부품은 금속 표면의 일부분 상에 제1(또는 1차) 양극산화 층을 생성하기 위한 제1 양극산화 공정 및 금속 표면의 상이한 부분 상에 제1 양극산화 층과 인접하게 접촉한 제2 (또는 2차) 양극산화 층을 생성하기 위한 제2 양극산화 공정을 거친다. 기재된 실시예는 각진 금속 표면 상에 제1 및 제2 양극산화 층들을 형성하기 위한 방법을 포함하며, 양극산화 층들은 금속 부분의 에지에서 계면을 이루고, 양극산화 층들의 계면은 균일하고 미관적으로 돋보인다. 일부 실시예에서, 제1 양극산화 층은 제1 마감부를 가진 제1 금속 표면에 덮어씌울(overlay) 수 있으며, 제2 양극산화 층은 제2 마감부를 가진 제2 금속 표면에 덮어씌울 수 있다. 예를 들어, 제1 마감부는 거칠거나 무광이고, 제2 마감부는 고반사형이고/이거나 로고 또는 회사 마크와 같은 디자인을 가지고 있을 수 있다.
일부 실시예에서, 제2 양극산화 층은 하단의 금속 표면의 특징부들을 드러내도록 실질적으로 투명하다. 하단의 금속 표면은 투명한 제2 양극산화 층을 통해 관찰가능한 반사형 광택(shine) 또는 장식 특징부를 가질 수 있다. 제2 양극산화 층이 투명한 경우들에서, 양극산화 필름은 마모를 견디기에 충분한 두께를 갖는다. 제2 양극산화 층의 두께는 제1 또는 제2 양극산화 층 어디에서도 실질적으로 오프셋이 없는 매끄러운 표면을 제공할 수 있도록 제1 양극산화 층의 두께에 밀접하게 근사치이다. 이러한 오프셋은 또한 내구성을 개선하도록 제어될 수 있다(예를 들어, 한 개 층이 다른 층에 대해 보조 평면(sub-flush)으로 제조될 수 있으며, 이는 스크래치될 가능성을 잠재적으로 더 낮출 수 있다).
도 1은 기재된 실시예에 의한 일반적인 이중 양극산화 공정을 도시하는 흐름도이다. 단계 102에서, 하단의 표면의 일부분 상의 제1 양극산화 층이 제1 양극산화 공정을 이용하여 형성된다. 하단의 표면은 제1 마감부를 구비한 금속 표면일 수 있고, 제1 마감부는 임의의 적합한 특징 및 품질을 가진다. 예를 들어, 제1 마감부는 폴리싱되고 매끄럽거나, 기계 가공 또는 분쇄, 또는 텍스처화되고 거칠게 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 양극산화 층은 제1 양극산화 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 양극산화 공정은 일반적으로 표준 공정 파라미터들, 예컨대, 전형적 양극산화 전류 밀도, 수조 온도 및 양극산화 지속 시간을 이용한다. 예를 들어, 제1 양극산화 공정은 섭씨 약 15 내지 25도 범위의 수조 온도, 약 1.5 Amp/dm2 내지 약 2.0 Amp/dm2의 전류 밀도, 및 약 10 내지 40분의 양극산화 지속 시간을 특징으로 할 수 있다. 이러한 파라미터를 이용한 양극산화 층은 실질적으로 불투명한 것을 특징으로 할 수 있어서, 하단의 특징부들이 가려지지 않고 관찰되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 제1 양극산화 층이 형성되면, 인접한 제2 양극산화 층이 금속 표면(104)의 연접(contiguous)한 부분에 형성될 수 있다. 제2 양극산화 공정은 일반적으로 제1 양극산화 공정에 비해 보다 낮은 전류, 보다 높은 수조 온도 및 보다 긴 양극산화 지속 시간을 사용한다. 예를 들어, 제2 양극산화 공정은 약 0.4 Amp/dm2 내지 약 1.0 Amp/dm2 범위의 전류 밀도, 섭씨 약 20 내지 30도의 수조 온도, 및 약 15분을 초과하는 지속 시간을 특징으로 할 수 있다. 이러한 양극산화 파라미터들은 제1 양극산화 층의 것과는 상이한 애노딕(anodic) 산화 기공 구조를 가진 제2 양극산화 층을 가져오면서, 실질적으로 투명한 것을 특징으로 할 수 있는 제2 양극산화 층을 생성한다. 제2 양극산화 층은 실질적으로 투명하기 때문에, 하단의 표면 특징부들의 관찰이 훨씬 덜 가려지도록 허용하며, 이는 제1 양극산화 공정을 이용하여서는 달리 가능하지 않았을 것이다. 일부 경우에 따라, 제1 양극산화 층의 상대적 투명도는 제1 양극산화 층의 전반적 두께를 감소시킴으로써 증가될 수 있음을 주지해야 한다. 그러나, 이와 같이 제1 양극산화 층을 얇게 하는 것은 일반적으로 제1 양극산화 층의 보호 특성을 감소시킨다. 상반적으로, 제2 양극산화 층에 의해 제공되는 내재적으로 높은 수준의 투명도는 탁월한 시인성(viewability)을 제공하면서도, 얇게 처리되지 않은 제2 양극산화 층의 우수한 보호 특성을 유지한다.
제1 및 제2 양극산화 층들에 의해 제공되는 상이한 특징들로 인해, 제1 및 제2 양극산화 층들 사이의 계면은 자연스럽게 명확히 정의(well define)될 수 있다. 제1 양극산화 층과 제2 양극산화 층의 계면이 규칙적이므로, 제1 및 제2 양극산화 층들 사이에는 일정하면서 미관적으로 돋보이는 선이 제공될 수 있다. 제1 및 제2 양극산화 층 사이의 규칙적이고 일정하면서 미관적으로 돋보이는 계면의 상세 사항에 대하여 다음에 기재한다.
전술된 바와 같이, 실시예의 방법은 개인용 컴퓨터와 휴대용 전자 디바이스를 포함하는 전자 디바이스의 제조에 적용될 수 있다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 셀룰러 전화기와 같은 휴대용 전자 디바이스(10)(이하, "전자 디바이스(10)")의 개략적 등각투사도이다. 예시된 실시예에서, 전자 디바이스(10)는 사용자가 전자 디바이스(10)와 상호 작용하거나 전자 디바이스(10)를 제어하도록 허용하는 디스플레이(12)를 지지하는 본체(11)를 포함한다. 예를 들어, 디스플레이(12)는 프레임, 하우징, 또는 인클로저(16)에 작동가능하게 결합된 커버 또는 커버 글래스(14)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 디스플레이(12) 및/또는 커버(14)는 사용자로부터의 입력 명령을 수신하는 터치 감응 특징부들을 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 커버는 전자 디바이스(10)의 일 측 상에 위치될 수 있거나, 커버는 전자 디바이스(10)의 대향 측들 상에 위치될 수 있다. 아래 상세히 기재되는 바와 같이, 인클로저(16)와 커버(14)는 전자 디바이스(10)의 여러 내부 특징부들을 적어도 부분적으로 하우징하거나 인클로징(enclose)한다.
도 2에 도시된 실시예에서, 인클로저(16)는 또한 전자 디바이스(10)의 여러 개의 추가적 특징부들을 적어도 부분적으로 정의한다. 더 상세하게는, 인클로저(16)는 오디오 스피커 출력부(18), 커넥터 개구부(20), 오디오 잭 개구부(22), 카드 개구부(24)(예를 들어, 심(SIM)카드 개구부), 전방 카메라(26), 후방 카메라(도 1에 미도시), 전원 버튼(도 1에 미도시), 및 하나 이상의 볼륨 버튼(도 1에 미도시)를 포함할 수 있다. 도 1은 여러 개의 이들 특징부들을 개략적으로 도시하고 있으나, 당업자라면 이들 특징부들의 상대적 크기와 위치는 변경될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에서, 인클로저(16)는 금속 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 인클로저(16)는 알루미늄, 예를 들어, 6063 알루미늄으로 제조될 수 있다. 그러나 다른 실시예들에서, 인클로저(16)는 다른 적합한 금속 및/또는 합금으로 제조될 수 있다. 도 2에 도시된 부가적 특징부들에 의하면, 인클로저(16)는 (개별적으로 제1 에지 부분(30a) 및 제2 에지 부분(30b)으로서 식별되는) 대향 에지 부분들(30)을 포함하며, 이들은 몸체(11)의 주변을 둘러 연장된다. 일부 실시예들에서, 에지 부분들(30) 중 하나 또는 두 개 모두가 챔퍼(chamfer) 또는 베벨(bevel)된 프로파일을 가질 수 있다. 이하 상세히 기재된 바와 같이, 챔퍼된 에지 부분들(30)은 미관적으로 돋보이는 외관을 제공하기 위해 인클로저(16)에 대해 처리될 수 있다. 예를 들어, 인클로저(16)의 외부 표면이 처리될 수 있고, 에지 부분들(30)이 뒤이어 처리될 수 있다. 예를 들어 일 실시예에서, 제1 양극산화 공정이 인클로저(16)에 적용되고, 후속의 제2 양극산화 공정이 에지 부분들(30)에 적용될 수 있다. 중간 표면 처리를 포함하여 부가적으로 적합한 표면 처리들이 인클로저(16) 및/또는 에지 부분들(30)에 적용될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 에지 부분들(30)은 다른 적합한 프로파일 또는 형태를 가질 수 있으며 및/또는 표면 처리를 포함하는.
도 3은 도 2의 전자 디바이스의 부분 조립체(40)의 적어도 일부분의 개략적 등각투상도이다. 도 3에 도시된 실시예에서, 부분 조립체(40)는 도 2에 도시된 커버(14)와 같은 커버에 결합된 인클로저(16)를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 인클로저(16)는 제2 인클로저 부분(44)에 결합된 제1 인클로저 부분(42)을 포함하며, 이는 뒤이어 제3 인클로저 부분(46)으로 결합된다. 보다 상세하게는, 인클로저(16)는 제1 인클로저 부분(42)을 제2 인클로저 부분(44)으로 결합하는 제1 커넥터 부분(48)을 포함한다. 인클로저는 또한 제2 인클로저 부분(44)을 제3 인클로저 부분(46)으로 결합하는 제2 커넥터 부분(50)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1, 제2 및 제3 인클로저 부분들(42, 44, 46)은 금속성일 수 있으며, 제1 및 제3 커넥터 부분들(48, 50)은 하나 이상의 플라스틱 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 커넥터 부분들(48, 50) 각자는 대응하는 인클로저 부분들을 연결(enjoin)하는 제1 구조적 플라스틱 부분 및 적어도 부분적으로 제1 플라스틱 부분들을 덮는 제2 미관적 플라스틱 부분을 포함하는 이중-샷(two-shot) 플라스틱 공정으로부터 형성될 수 있다. 이들 플라스틱 부분들은 양극산화 공정에 사용되는 화학물질, UV 광 노출, 블라스팅 공정에서의 연마재, CNC 단계에서 사용되는 냉각재 및 마스킹 재료를 스트립(strip)하기 위해 사용되는 화학물질들을 포함하여, 인클로저의 형성 및 처리에 사용될 수 있는 가혹한 제조 공정과 화학물질들을 견딜 수 있도록 구성될 수 있다. 이들 화학물질들은 고온 또는 저온에서 적용되며 연장된 기간 동안 유지될 수 있는 강산 또는 염산을 포함할 수 있다. 적절한 이중-샷 플라스틱 기법과 관련하여 아래에서 상세히 설명한다. 추가적 실시예들에서, 인클로저 부분들(42, 44, 46) 및/또는 커넥터 부분들(48, 50)은 금속, 플라스틱 및 다른 적합한 재료를 포함하는 다른 적합한 재료들로 제조될 수 있다.
도 3에 도시된 실시예의 부가적 특징부들에 따르면, 인클로저(16)는 접지 목적을 위해 하나 이상의 저저항 전도체 부분들(52)(개략적으로 도시됨)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도체 부분들(52)은 RF파를 차폐할 수 있는 알루미늄을 포함할 수 있다. 전도체 부분(52)은 안테나 전송 또는 통신을 위해 인클로저(16)를 통해 보다 낮은 저항을 제공하기 위해 인클로저(16)의 하나 이상의 층 또는 부분들을 제거함에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 전도체 부분(52)은 레이저 에칭 또는 달리 인클로저(16)의 양극산화된 부분을 제거 또는 에칭함에 의해 형성될 수 있다. 그런 다음, 전도체 부분(52)의 노출된 표면들은 화학적으로 처리되어 그 전기 전도성을 유지하도록 할 수 있다. 적합한 화학적 처리의 예들에는 전도체 부분(52)을 패시베이트(passivate)하기 위한 크로메이트(chromate) 및 비-크로메이트 컨버젼 코팅들이 포함된다. 이들 코팅들은 페인트 브러시를 이용한 분사 및 브러싱을 포함한 기법들을 이용하여 적용될 수 있다. 노출된 부분(52)은 물론 인클로저(16)의 상이한 부분을 통한 전도성에 대해 적절한 기법들을 이용하여 테스트할 수 있으며, 예컨대 노출된 부분(52)과 인클로저(16)의 상이한 지점들에서 프로브를 이용한 저항을 이용하여 하우징(16)을 통해 접지가 확립될 수 있음을 확인하는 등이 있다.
도시된 부분 조립체(40)는 인클로저(16)에 대해 증가된 구조적 연결강도를 제공하는 여러 개의 인서트(insert)(54)를 또한 포함한다. 예를 들어 인클로저(16)가 알루미늄으로 형성되는 실시예에서, 인서트(54)는 증가된 강도와 내구력을 제공할 수 있다. 일부 실시예에서, 인서트(54)는 전기적 접지 특징부들로서 기능할 수 있도록 전도성을 띤다. 일부 실시예에서, 인서트(54)는 대응 파스너(fastener)에 나사결합가능하게(threadably) 맞물리도록 구성된 나사식 인서트 또는 너트를 포함할 수 있다. 일부 경우들에서, 인서트(54)는 부품이 후속 양극산화 공정들을 거치기 전에 인클로저(16)에 추가될 수 있다. 이런 경우들에서, 인서트(54)는 예컨대 티타늄과 같이 화학적으로 가혹한 양극산화 공정을 견딜 수 있는 재료로 제조되는 것이 유리하다. 예를 들어, 인서트가 강재(steel) 또는 황동으로 제조되는 경우, 이들은 부품을 파괴하고 또한 양극산화 수조도 오염시킬 수 있는 양극산화 화학물질들에 의해 부식될 수 있다. 티타늄도 양극산화할 수 있으나, 양극산화 알루미늄에 대해 사용되는 조건하에서는 양극산화 정도가 최소이고 필름 성장은 적다. 따라서, 티타늄 인서트는 전도성을 유지할 것이고 따라서 알루미늄 양극산화 공정을 거친 후에라도 전기적 접지에 적합할 것이다. 부가적으로, 양극산화은 티타늄 상에서는 최소로 발생될 것이므로 인서트의 임의의 나사식 영역의 지오메트리(geometry)는 실질적으로 동일하게 유지될 것이다. 티타늄에 부가적으로, 예컨대, 7075 알루미늄 합금과 같은 경질 알루미늄 합금을 포함하여 다른 적합한 경질 금속 재료들이 인서트에 사용될 수 있음을 주지해야 한다. 보다 연성의 알루미늄 합금으로 제조된 인서트가 사용될 수 있다. 그러나, 보다 연성인 알루미늄 인서트는 알루미늄 양극산화 수조에서 양극산화할 수 있다. 따라서, 알루미늄 인서트의 전기 전도성을 유지하고 임의의 나사식 지오메트리를 유지하려면, 양극산화 수조에 노출하기 전에 예를 들어 고분자 플러그를 이용하여 알루미늄 인서트를 마스킹하는 것이 필요할 수 있다. 이러한 마스킹 공정은 공정에 제조 과정과 수동의 노동을 추가한다.
도 3에 도시된 부분 조립체(40)의 또 다른 부가적 특징에 따르면, 커버(14)가 인클로저(16)에 견고하게 결합되고/되거나 (요구되는 경우) 인클로저(16)에 대해 오프셋될 수 있다. 보다 상세하게는, 커버(14)는 인클로저(16)에 대해 기준 평면 또는 데이텀(datum)과 정렬될 수 있으며, 인클로저(16) (및 보다 상세하게는, 제1 인클로저 부분(42), 제2 인클로저 부분(44) 및/또는 제3 인클로저 부분(46))는 결합된 부분들 간에 비교적 타이트(tight)한 공차를 유지하면서 견고한 부착(예를 들어, 접착제 부착)을 위해 커버(14)를 인클로저(16)에 대해 가압 또는 바이어싱하기 위한 하나 이상의 접근 개구부(56)를 포함할 수 있다.
본 발명의 부가적 실시예들에 의하면, 커버(14)는 유리, 세라믹 및/또는 유리-세라믹 재료로부터 제조될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 커버(14)는 세라믹 특성을 가진 유리의 특정 부분 또는 분량을 포함하는 유리로 제조될 수 있다. 그러나, 다른 실시예들에서, 커버(14)는 알루미나 실리카 기반의 안료 유리(pigmented glass)로 형성될 수 있다.
전술된 바와 같이, 본 명세서에 기재된 실시예들은 예를 들어 도 2 및 도 3에 도시된 휴대용 전자 디바이스와 같은 전자 디바이스의 노출된 금속 표면 상에 보호 양극산화 층 또는 층들을 형성하기 위한 방법을 제공한다. 도 4 및 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예들에 의한 양극산화 공정과 연관된 단계들을 도시한다. 도 4는 처리 단계들을 도시하는 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5e는 도 4에 기재된 공정을 거치는 부품의 일부분을 그래픽적으로 제시하는 도면들이다. 이후 설명에서, 도 5a 내지 도 5e의 그래픽적 제시들과 함께 도 4의 흐름도를 참조한다.
단계 402(도 5a에 대응함)에서 공정(400)이 시작하며, 여기서 제1 표면(502) 및 제2 표면(504)을 구비한 금속 부품(500) 상에 마스킹 동작이 수행된다. 도 5a 내지 도 5e에서, 제1 표면(502) 및 제2 표면(504)은 금속 부품(500)의 표면의 연접한 부분들이다. 마스크(506)는 제2 표면(504) 상에 형성되어 제2 표면(504)을 후속 공정들로부터 보호하도록 구성된다. 금속 부품(500)은 알루미늄, 스테인리스 강 또는 티타늄과 같은 임의의 적절한 금속으로 제작될 수 있다. 부가적으로, 금속 부품(500)은 세라믹 및 세라믹 함유 재료와 같은 다른 재료들을 포함할 수 있다. 특정 실시예들에서, 금속 부품(500)은 6000 시리즈(예를 들어, 6063 및 6061), 5000 시리즈(예를 들어, 5054 및 5052) 및 7000 시리즈 내의 것들을 포함하는 임의의 다양한 등급의 알루미늄 합금으로 제조될 수 있다. 상이한 유형과 등급의 금속을 사용하려면 금속의 재료 특성과 강도에 따라 상이한 파라미터를 얻기 위한 양극산화, 텍스처화 및 폴리싱 공정과 같은 후속 공정들을 필요로 한다.
마스킹이 있기 전에, 부품은 후속 양극산화 공정에 결함을 유발하거나 그게 아니면 악영향을 미칠 수 있는 바람직하지 못한 표면 결함, 때, 먼지 등을 제거하기 위한 세척 동작을 선택적으로 거칠 수 있다. 예를 들어, 표면 세척 동작들은 습식 폴리싱과 같은 주지의 공정들을 포함할 수 있다. 습식 폴리싱 용으로 알루미늄 산화물 슬러리와 같은 슬러리를 사용할 수 있으며, 이는 기계적 폴리셔(polisher)와 함께 사용되어 기계 자국을 제거하고 블라스팅 또는 다른 텍스처화 공정을 위해 평탄한 표면을 형성할 수 있도록 할 수 있다. 부가적으로, 습식 폴리싱은 임의의 후속 텍스처화 과정의 광택(gloss)을 증가시키는데 사용될 수 있다. 일부 경우들에서, 금속 표면 상에 미러 마감(mirror finish)을 제공할 수 있는 산성 또는 알칼리성 슬러리(예를 들어, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 산화물)를 이용한 기계 화학적 래핑(lapping)이 수행될 수 있다. 선택적 폴리싱 이후에, 예를 들어 포토리소그래피 공정을 이용하여 아트워크(예를 들어, 회사 로고 및/또는 텍스트)가 미러 마감된 금속 표면 상에 선택적으로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 마스킹과 아트워크 과정들은 함께 수행된다. 마스크는 예를 들어 분사 코팅 동작을 이용하여 부품 상에 적용될 수 있는 포토레지스트이다. 일부 실시예들에서, 그 다음 아트워크의 패턴에 대응되는 선택된 부분들이 UV 경화되며, 비경화된 부분들이 제거됨으로써 아트워크 패턴에 대응되는 커버된 미러 마감 표면들이 남게 된다. 일부 경우들에서, UV 경화는 UV 레이저의 사용을 포함할 수 있다. 다른 적합한 마스킹 기법들은 스크린 인쇄와 패드 인쇄(pad printing) 공정들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 아트워크를 커버하기 위해 사용되는 포토레지스트는 포토마스크 소정 영역들에 사전-변형된 특징부들을 가진 포토마스크로부터 형성됨으로서, 부품 상의 결과적 아트워크 내에 샤프하게 정의된 모서리들을 제공할 수 있도록 한다. 사전-변형된 포토마스크를 이용한 실시예들에 대해 도 13a, 도 13b 및 도 14a 내지 도 14d를 참조하여 이하 상세히 설명한다.
금속 부품의 제2 표면(504)이 마스킹되고 난 후, 제1 표면(502)에 텍스처를 부가하기 위해 부품은 선택적 과정을 거칠 수 있다. 예를 들어, 블라스팅 동작을 수행함에 의해 부품이 블라스팅 매체에 노출될 수 있다. 일 실시예에서, 블라스팅 매체는 약 1 바아(bar)의 압력하에서 적용되는 지르코니아의 형태를 취한다. 대안적으로, 화학적 에칭 공정이 사용되어 블라스팅된 표면과는 상이한 품질을 가진 텍스처화된 표면을 부여할 수 있다 제2 표면(504)은 마스크(506)에 의해 보호되기 때문에, 이는 텍스처화나 블라스팅을 거치지 않으며, 아트워크 및/또는 미러 폴리시와 같은 이전에 제공된 표면 특징부들을 보유할 것이다.
단계 404(도 5b에 대응함)에서, 부품은 제1 양극산화 공정을 거치며, 여기서 제1 표면(502)은 양극산화되면서 제2 표면(504)에 인접하면서 그와 접촉하는 1차 양극산화 층(508)을 형성하고, 여기서 제2 표면(504)은 마스크(506)에 의한 보호로 인해 영향을 받지 않는다. 양극산화는 금속 표면의 일부가 산화물 층으로 변화하는 것을 수반하므로, 점선(514)은 제1 양극산화 공정 이전에 제1 표면(502)이 존재하던 위치를 나타낸다. 1차 양극산화 층(508)의 에지(512)는 금속 표면의 제2 부분(504)에 인접하고, 마스크(506)의 에지에 의해 정의된다. 양극산화 이전에, 부품은 후속 양극산화 공정에 결함을 유발하거나 그게 아니면 악영향을 미칠 수 있는 이전 공정들에 의해 유발된 바람직하지 못한 표면 입자들을 제거하기 위한 세척 동작을 선택적으로 거칠 수 있다. 표면 동작들은 예를 들어 기계 공작으로부터의 그리스(grease) 또는 취급 과정에서의 기름과 같은 표면 불순물을 제거하기 위해, 예를 들어 Na3PO4 용액을 이용한 탈지 동작; 미관적 이유로 표면 텍스처를 변경하기 위해 예를 들어 H3PO4 용액 수조를 이용하는 화학적 폴리싱; 및 합금처리된 알루미늄의 표면에서 금속간 입자와 같은 이전 공정에서의 잔류물을 제거하고, 양극산화에 준비되도록 알루미늄 산화물 패시베이션 층을 에칭으로 제거하기 위해 예를 들어 HNO3을 이용한 디스멋(desmut) 동작과 같은 공지의 공정들을 포함할 수 있다. 단계 404에서의 제1 양극산화 공정은 섭씨 약 15 내지 25도의 온도에서 H2SO4 수조 용액의 사용을 전형적으로 수반한다. 일부 실시예들에서, 양극산화 층의 품질은 일정한 전류 밀도를 이용하여 제어될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전류 밀도는 약 1.5 내지 2.0 A/dm2로 설정된다. 일정한 전압을 설정함에 의해 양극산화의 품질을 제어하는 것 또한 가능하다. 목표 전압은 부분의 크기에 따라 변경될 수 있음을 주지해야 할 것이다. 일반적으로, 양극산화의 지속 시간은 1차 양극산화 층(508)의 두께를 결정짓게 되는데, 이는 바람직하게는 50 미크론(micron) 두께 미만, 보다 바람직하게는 약 25 미크론 두께 미만이다. 미관적 적용을 고려할 때, 1차 양극산화 층(508)은 바람직하게는 약 15 미크론 두께 미만이다. 일부 실시예들에서, 양극산화는 대략 10 내지 40분간 수행됨으로서, 그 결과 1차 양극산화 층(508)의 두께는 약 8 내지 12 미크론이 된다. 양극산화가 완료되면, 부품은 예를 들어 니켈 아세테이트 용액을 이용하여 실링(sealing) 동작을 선택적으로 거친다.
단계 406(도 5c에 대응함)에서, 금속 표면의 일부가 노출되며, 이는 제2 표면(504)의 적어도 일부를 포함한다. 도 5c에 도시된 부품에서, 제2 표면이 제거 마스크(506)에 의해 노출된다. 마스크(506)가 제거되고 난 후, 1차 양극산화 층(508)은 에지(512)를 제2 표면(504)에 인접하게 유지시킨다. 제2 표면(504)은 이전에 제공된 아트워크, 텍스처화 또는 폴리싱을 유지시킨다. 부가적으로, 일부 실시예들에서, 1차 양극산화 층(508)의 섹션이 제거되어 하단의 금속의 일부를 노출시킨다. 금속 노출은 예를 들어 절삭 과정 또는 레이저 또는 화학적 에칭 과정을 이용하여 수행될 수 있다. 일부 실시예에 의한 절삭된 부품에 관련하여 도 10b 내지 도 10e를 참조하여 이하 상세히 기재한다.
단계 408(도 5d에 대응함)에서, 부품이 제2 양극산화 공정을 거침으로써 2차 양극산화 층(510)이 형성된다. 2차 양극산화 층(510)은 1차 양극산화 층(508)에 인접 및 접촉되어 있다. 제2 양극산화 공정은 제2 표면(504)과 같은 노출된 금속 표면들에서만 실질적으로 발생한다. 제1 양극산화 공정(404)에 의해 이미 양극산화된 금속 표면들은 중성 마스크로 기능하는 1차 양극산화 층(508)에 의해 제2 양극산화 공정(408)으로부터 보호받는다. 이러한 이유는 1차 양극산화 층(508)이 포함하는 AlO2이 비전도성이기 때문에 전자화학적 양극산화 공정에서 구동력으로써 요구되는 전류를 전도시킬 수 없기 때문이다. 도 5d에서의 결과적 부품은 에지(512)에 의해 정의된 계면에서 접촉하는 두 양극산화 층들(518 및 510)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 제2 양극산화 공정(408)은 제1 양극산화 공정(404)과는 상이한 공정을 사용하며, 그 결과 2차 양극산화 층(510)은 1차 양극산화 층(508)과 상이한 필름 특성을 갖게 된다. 일부 실시예들에서, 제2 양극산화 공정(408)은 실질적으로 투명한 양극산화 층을 제공할 수 있는 공정 파라미터를 사용한다. 투명한 양극산화 층을 생성하기 위한 공정 파라미터들에 대해 도 6a 및 도 6b를 참조하여 다음과 같이 상세히 설명한다.
일부 실시예들에서, 제2 양극산화 공정(408)이 완료되고 난 후, 부품은 1차 양극산화 층(508)의 선택된 부분들을 제거하기 위해 레이저 에칭을 선택적으로 거칠 수 있다. 예를 들어, 1차 양극산화 층의 선택된 부분들이 제거되어 전기적 접지에 적합한 전도성 알루미늄 영역이 노출될 수 있다. 레이저 에칭된 영역들에서 양극산화 층이 제거된 영역은 예를 들어, 크로메이트 또는 비-크로메이트 코팅 처리를 이용하여 전도성을 확실히 유지하도록 하기 위해 컨버젼 코팅으로 처리될 수 있다.
도 5e는 이중 양극산화 공정(400)을 거치고 난 후의 부품(500)의 다른 도면을 도시한다. 도 5e는 부품(500)의 보다 큰 부분의 상면도를 도시하는 것으로, 도 5d는 단면도(516)에 대응한다. 도 5e에 도시된 바와 같이, 2차 양극산화 층(510)은 1차 양극산화 층(508)에 인접하게 배치된다. 도 5d 및 도 5e에 의해 도시된 바와 같이, 제1 양극산화 층(508)과 제2 양극산화 층(510) 사이의 계면은 1차 양극산화 층(508)의 에지(512)에 의해 정의된다. 도 5d에서 결과적인 부품(500)은 두 개의 양극산화 층들(508 및 510)을 가지며, 이들은 상이한 필름 품질을 가질 수 있고 전자 디바이스의 사용자와 같이 관찰자의 시각에 따라 각자 상이하게 나타날 수 있다. 예를 들어, 1차 양극산화 층(508)이 불투명하고 2차 양극산화 층(510)이 투명한 경우, 사용자는 2차 양극산화 층(510) 하단의 금속 표면의 부분만을 볼 수 있다.
도 5a 내지 도 5e를 참조해 전술한 바와 같이, 2차 양극산화 층(510)은 실질적으로 투명할 수 있다. 투명한 양극산화 필름을 형성하기 위한 공정 파라미터들은 일반적으로 불투명한 양극산화 필름을 형성하기 위한 공정 파라미터들과 상이하다. 예를 들어, 투명한 양극산화 공정은 전형적으로 약 0.4 내지 1.0 A/dm2의 전기 전류 밀도를 사용하는데, 이는 전술된 제1 양극산화 공정(404)과 같은 다른 양극산화 공정들 및 종래의 양극산화 공정들에 비해 실질적으로 낮다. 일정한 전류 밀도 대신에, 일정한 전압이 투명한 양극산화 층을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 종래의 양극산화 공정들에 비해 보다 낮은 전압이 사용될 수 있다. 보다 낮은 전류 밀도 또는 전압이 결과적인 양극산화 층에서 보다 작은 평균 기공 크기 및 보다 미세한 기공 구조라는 결과를 낸다고 믿어진다. 기공들은 양극산화 공정 중에 양극산화 필름의 미세구조 내에 자연스럽게 형성되는 수직 공극(void)들이다. 부가적으로, 섭씨 약 20도 내지 30도의 수조 온도가 투명한 양극산화 층을 형성하는 데 전형적으로 사용되며, 이는 예를 들어 전술된 제1 양극산화 공정(404)의 수조 온도에 비해 실질적으로 높다. 보다 높은 수조 온도는 증가된 기공 밀도라는 결과를 가져오는 것으로 믿어진다. 보다 미세한 기공 구조와 증가된 기공 밀도의 조합은 보다 투명한 양극산화 층에서 또한 명확히 드러나며, 종래의 양극산화 층들에 비교해 양극산화 층 상에 보다 광택나는 표면을 제공하게 된다. 기재된 실시예들에 의한 투명한 양극산화 층의 물리적 특징들과 미세구조에 관해 도 6a 및 도 6b를 참조하여 다음에서 상세히 설명한다.
투명한 양극산화 층을 형성하기 위한 양극산화 지속 시간은 다른 공정 파라미터 및 결과적 양극산화 층의 요구되는 두께에 따라 변경될 수 있다. 부가적으로, 전류 밀도, 전압 및 수조 온도와 같은 소정의 공정 파라미터들을 고려하여 필름 성장 최대치에 이를 수 있다. 도 4 및 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 위에 설명된 부품과 같은 응용에서, 양극산화은 전형적으로 약 15분 이상 동안 수행되며, 그 결과 두께가 약 7 내지 9 미크론인 투명한 양극산화 층이 형성된다.
전술된 바와 같이, 전술된 실시예들에 따른 투명한 양극산화 층의 미세구조는 불투명한 양극산화 층들에 비해 상이한 기공 크기와 밀도 특성들을 갖는다. 이를 예시하기 위해, 도 6a 및 도 6b는 도 5a 내지 도 5e의 제1 양극산화 층(508)과 같은 투명한 양극산화 층과 실질적으로 불투명한 양극산화 층의 필름 특징상의 차이점들을 그래픽적으로 도시한다. 도 6a 및 도 6b는 알루미늄(Al-6063) 기판 상에 두 개의 상이한 양극산화 공정을 이용하여 형성된 양극산화 층들의 선택된 프로파일들의 확대도를 도시한다. 위에 언급한 바와 같이, 애노딕 필름은 금속 산화물 재료 내에 형성된 기공을 가진 다공성 미세구조를 가질 수 있다. 도 6a는 배리어 층(614) 상에 형성되고, 차례로 알루미늄 기판(612) 상에 형성된 양극산화 층(600)의 다공성 미세구조를 도시한다. 배리어 층(614)은 양극산화 공정 중에 금속 기판(612) 상에 성장한 산화물의 초기 층인 균일한 두께의 박막 밀도층(thin dense layer)이다. 기재된 실시예들에 따른 배리어 층의 형성과 관련하여 도 8 및 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 아래에 상세히 설명한다. 알루미늄 기판은 예를 들어 블라스팅 과정 또는 에칭 과정으로부터 텍스처화된 표면과 같은 임의의 적합한 표면 특징부들을 가질 수 있다. 양극산화 층(600)은 약 1.5 내지 2.0 A/dm2 사이의 전류 밀도와, 약 10 내지 40 분간, 섭씨 약 15도 내지 25도 사이의 전해액(수조) 온도를 사용하여 형성된다(제1 양극산화 공정(404)). 결과적 양극산화 층(600)(또는 금속 산화물 층)은 평균 벽면 두께가 약 5 내지 6 nm인 셀 벽면(604)을 가진 금속 산화물 내에 형성된 약 11 내지 13 nm의 평균 입경(pore diaemter)을 가지는 기공들(602)을 갖는다. 도 6b는 배리어 층(618)과 알루미늄 기판(616) 상에 형성된 양극산화 층(606)(또는 금속 산화물 층)의 다공성 미세구조를 도시한다. 알루미늄 기판(616)은 고반사 광택과 같은 임의의 적합한 표면 특징부들을 가질 수 있다. 양극산화 층(606)은 약 0.4 내지 1.0 Amps/dm2 사이의 전류 밀도와, 약 15 분 초과의 지속 시간 동안 섭씨 약 20도 내지 30도 사이의 전해액 온도를 사용하여 형성된다(제2 양극산화 공정(408)). 결과적 양극산화 층(606)은 평균 벽면 두께가 약 4 내지 5 nm인 셀 벽면(610)을 가지는 금속 산화물 내에 형성된 약 6 내지 9 nm의 평균 입경을 가지는 기공들(608)을 갖는다. 따라서, 양극산화 층(606)은 양극산화 층(600)에 비해 대략 2 내지 3배 더 높은 기공 밀도를 갖는다. 부가적으로, 양극산화 층(606)의 평균 입경은 양극산화 층(600)의 평균 입경에 비해 보다 작다. 양극산화 층(606)(또는 금속 산화물 층)의 조밀하게 쌓인(densely packed) 기공들은 양극산화 층(606)(또는 금속 산화물 층)의 상부 표면과 배리어 층(618) 사이에 광 전달 경로를 제공함으로써, 양극산화 층(606)이 실질적으로 투명하게 되도록 한다. 배리어 층(618)은 매우 얇고 일반적으로 빛의 전달을 방해하지 않는다. 따라서, 입사광이 양극산화 층들(600 및 606)에 지향(direct)된 경우, 양극산화 층(606)은 예를 들어, 빛이 외부 환경으로부터 하단의 알루미늄 기판(616)의 표면을 통과하고, 알루미늄 기판(616)에서 반사되어 나가 다시 양극산화 층(606)을 통과하여 외부 환경으로 전달되도록 허용할 가능성이 보다 높아진다. 이러한 방식으로, 양극산화 층(606)은 관찰자에 의한 하단의 알루미늄 기판(616)의 관찰에 실질적으로 방해가 없도록 허용할 수 있다. 하단의 알루미늄 기판(616)은 표면 특징부들, 예를 들어 광택의 반사 표면, 표면 텍스처, 예를 들어 블라스팅된 표면, 또는 관찰자 시점에서 관찰이 가능한 아트워크를 포함할 수 있다. 이와는 상반적으로, 양극산화 층(600)은 실질적으로 불투명하고 일반적으로 하단의 알루미늄 기판(612)의 관찰에 방해가 없도록 하는 것을 허용하지 않는다.
투명한 품질의 유지를 위해, 투명한 양극산화 층을 형성하기 위한 종래의 발명들은 양극산화 층이 얇아야 하는 것, 예를 들면, 2 내지 3 미크론이어야 하는 것을 요구함을 주지해야 한다. 그러나, 이와 같은 얇은 양극산화 층은 스크래칭과 같은 손상에 보다 취약하다. 본 명세서에 제시된 실시예들의 장점은 투명한 양극산화 층이 일반적으로 보다 더 얇은 양극산화 필름들에 연관된 투명한 품질을 제공하면서도, 인접의 불투명한 양극산화 층의 두께와 스크래칭 저항성에 근사하도록 형성될 수 있다는 점이다. 부가적으로, 본 명세서에 기재된 투명한 양극산화 층은 종래의 양극산화 공정을 이용하여 2 내지 3 미크론의 양극산화된 필름보다 실질적으로 더 강성일 수 있다. 이들 특징부들이 도 7a 및 도 7b에 도시되어 있으며, 여기서 상이한 양극산화 공정들을 거친 두 개 부품들(700 및 720)에서 선택된 프로파일 측면도가 도시된다. 도 7a는 표준 공정 변수를 이용한 종래의 양극산화 공정을 거치고 난 부품(700)을 도시하고 있으며, 약 8 내지 12 미크론의 두께(706)를 가지는 불투명한 양극산화 층(704)이 형성되어 있다. 부품(700) 역시 다른 종래의 양극산화 공정을 거쳐 약 2 내지 3 미크론의 두께(710)를 가지는 인접한 양극산화 층(708)을 형성한다. 양극산화 층(708)은 실질적으로 투명하며, 하단의 금속(702)을 드러낸다. 그러나, 양극산화 층(708)의 상대적으로 낮은 두께는 양극산화 층(708)이 예를 들어, 전자 디바이스의 일반적인 사용 중에 발생할 수 있는 스크래칭 및 손상에 보다 취약하게 만든다. 부가적으로, 인접한 양극산화 층들(704 및 708)의 두께는 약 5 내지 10 미크론씩 상이하며, 이는 전자 디바이스의 일반적인 사용 중에 때, 기름 및 다른 입자들과 같은 파편(debris)이 보다 얇은 양극산화 층(708)과 보다 두꺼운 제1 양극산화 층(704)의 계면(728)에 형성되도록 허용할 수 있다.
도 7b는 도 7a의 부품(700)과는 상이한 양극산화 공정을 거친 부품(720)을 도시한다. 부품(720)은 표준 공정 파라미터를 이용한 종래의 양극산화 공정을 거치며, 약 8 내지 12 미크론의 두께(706)를 가지는 불투명한 양극산화 층(724)이 형성된다. 부품(720)은 기재된 실시예들에 따른 공정 파라미터를 이용하여 양극산화 공정을 부가적으로 거침으로써, 인접한 투명한 양극산화 층(726)을 형성한다. 층(726)이 투명하기 때문에, 금속(722)의 하단의 표면 특징부들은 투명 층(726)의 상부 표면에서 관찰이 가능하다. 투명한 양극산화 층은 약 7 내지 9 미크론의 두께(728)를 가지며, 이는 전자 디바이스의 일반적 사용 동안 일반적 마모를 견딜 수 있는 상대적으로 큰 두께이다. 부가적으로, 인접한 양극산화 층들(724 및 726)의 두께는 약 0 내지 5 미크론씩 상이하며, 따라서 전자 디바이스의 일반적 사용 동안 두 개의 양극산화 층들 간의 계면(730)에 파편이 형성될 가능성이 감소된다. 부가적으로, 투명한 양극산화 층(726)의 두께는 인접한 양극산화 층(724)의 두께에 근사하기 때문에, 양극산화 층들의 전반적인 상부 표면이 보다 균일하고, 매끄러우며, 미관적으로도 돋보인다.
일부 실시예들에서, 투명한 양극산화 층을 형성하기 위한 양극산화 공정은 저속 램프-업 과정을 포함하는데, 이 과정에서 양극산화 전류 밀도 또는 전압이 벌크 필름 성장에 사용되는 목표 양극산화 전류 밀도 또는 전압까지 저속으로 램프-업 된다. 도 8은 기재된 실시예에 의한 저속 전류 램프-업 과정에서 시간에 대한 함수로서의 전류 변화를 도시하는 그래프이다. 도 8은 보다 종래의 전류 밀도 또는 전압 램프-업(802)에서, 시간이 흐름에 따라 전류 밀도 또는 전압이 목표 양극산화 전류 밀도 또는 전압(804)까지 빨리 증가되고 있음을 도시한다. 이런 경우, 전류 밀도 또는 전압 램프-업(802)은 0.5분이라는 시간 동안 목표 전류 밀도 또는 전압으로 증가했다. 예를 들어, 목표 양극산화 전류 밀도(804)가 1.5 Amps/dm2인 경우, 표준 램프-업 과정에서 전류 밀도는 0.5분의 시간 동안 0 Amp/dm2 내지 1.5 Amps/dm2 까지 랩프-업 될 것이다. 저속 램프-업(806)에서, 일부 실시예들에 따르면, 전류 밀도 또는 전압은 훨씬 느린 속도(pace), 예를 들어, 적어도 약 5분의 시간 동안 목표 전류 밀도 또는 전압(804)까지 증가된다. 예를 들어, 목표 양극산화 전류 밀도(804)가 1.5 Amps/dm2인 경우, 저속 램프-업 과정에서, 전류 밀도는 적어도 5분의 시간 동안 0 Amp/dm2 내지 1.5 Amps/dm2 까지 램프-업 될 것이다. 저속의 전류 밀도 또는 전압 램프-업이 더욱 균일한 배리어 층의 형성이라는 결과를 가져오며, 이는 상부에 보다 균일한 벌크 양극산화 층이 성장하도록 촉진하고, 따라서 상부에 투명한 벌크 양극산화 층을 형성하도록 보다 촉진시킬 수 있다고 믿어진다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8을 참조하여 전술한 저속 램프-업 과정을 수반하는 양극산화 공정을 거친 금속 표면의 일부를 가지는 부품(900)의 상면도를 도시한다. 도 9a에서, 저속 램프-업 과정의 시작 시간에서(t0), 양극산화 재료는 금속 표면(902) 상의 핵생성 자리(nucleation sites)(904)에 형성되기 시작한다. 도 9b에서, 시간(t1) 동안 저속 램프-업이 진행되고, 양극산화 재료(906)는 핵생성 자리(904)로부터 서서히 외부로 성장한다. 도 9c에서, 저속 램프-업이 보다 오랜 시간(t2) 동안 진행되고, 양극산화 재료는 양극산화 재료가 금속 표면(902)을 완전히 덮도록 양극산화 재료가 소정 시점까지 핵생성 자리(904)로부터 외부로 성장함으로써, 배리어 층(908)이 형성된다. 전류 밀도 또는 전압이 예를 들어 약 5분의 시간 동안 저속으로 램프-업 되도록 허용되기 때문에, 양극산화 필름이 핵생성 자리(904) 주변에 보다 저속으로 그리고 균일하게 성장하며, 따라서 보다 균일한 배리어 층(908)이 형성된다. 램프-업 시간 주기는 바람직하게는 적어도 약 5분이다. 배리어 층(908)이 형성되고 나면, 그 뒤로 전류 밀도 또는 전압은 벌크 양극산화 필름 성장을 지속하기 위해 목표 전류 밀도 또는 전압에 유지될 수 있다. 균일한 배리어 층의 형성은 상부에 보다 균일한 벌크 양극산화 필름 성장을 촉진함으로써, 전반적으로 균일하면서 보다 투명한 최종 양극산화 층이라는 결과를 가져온다고 믿어진다. 저속 램프-업 과정은 목표 전류 밀도 또는 전압까지 전류 밀도 또는 전압의 저속 램프-업을 수반할 수 있음을 주지한다.
도 9d는 기재된 실시예에 의한 배리어 층 및 투명한 양극산화 층을 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다. 단계 910에서, 배리어 층이 전술된 저속 램프-업 과정을 이용하여 알루미늄 기판 상에 형성된다. 전술된 바와 같이, 일부 실시예들은 전류 밀도의 저속 램프-업을 수반할 수 있으며, 다른 실시예들은 전압의 저속 램프-업을 수반할 수 있다. 결과적인 배리어 층은 균일하고 상부에 균일한 양극산화 필름 성장을 촉진할 수 있다. 배리어 층은 하단의 알루미늄 기판에 대해 방해받지 않는 관찰을 제공할 정도로 충분히 얇다. 단계 920에서, 투명한 양극산화 필름이 전술된 공정 파라미터들을 이용하여 배리어 층 상에 직접적으로 배치된다(도 6b, 양극산화 층(606)) 결과적인 투명한 양극산화 층이 가진 기공들은 양극산화 층의 상부 표면으로부터 배리어 층의 상부 표면까지 투명한 양극산화 층을 통해 빛의 전달을 제공하도록 충분히 작은 직경을 가지며 충분히 조밀하게 쌓여 있다. 배리어 층이 빛의 전달을 실질적으로 방해하지 않으므로, 관찰자는 알루미늄 기판 상의 표면 특징부에 대해 실질적으로 방해 없이 관찰하도록 허용될 수 있다. 전술된 바와 같이, 비록 투명한 양극산화 층이 하단의 기판의 실질적으로 방해받지 않는 관찰을 제공할 수 있으나, 이는 스크래칭과 같은 마모에 대한 높은 저항성을 유지하기 위해 소정 두께로 형성될 수 있다.
전술된 바와 같이, 본 명세서에 기재된 실시예들은 미관적으로 돋보이면서 보호성인 양극산화 층을 각진 금속 표면들, 예를 들어, 도 2에 도시된 챔퍼된 표면들(30a 및 30b) 상에 제공하는데 적합하다. 종래 방법들에서, 단일의 양극산화 층은 전형적으로 금속 표면 상에 형성되며, 이는 각도와 모서리를 가진 금속 표면의 부분들을 포함한다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 이중 양극산화 공정을 제공함으로써, 적어도 두 개의 개별적 양극산화 층들이 각진 금속 표면의 상이한 부분들 상에 형성됨으로써, 각진 에지와 모서리들에서 보다 균일하면서도 돋보이는 외관을 형성하도록 한다. 예시를 위해, 도 10a는 단일의 양극산화 공정을 거침으로써 금속 표면(1016) 상에 양극산화 층(1002)를 형성하는 에지들(1018)을 가지는 부품(1000)의 선택된 프로파일을 도시한다. 명료함을 위해, 도 10a는 양극산화 이전의 배리어 층이라던가 금속 표면의 위치(예를 들어 도 5a 내지 도 5d의 점선으로 표시된 것들)를 도시하지 않고 있음을 주지해야 한다. 삽도에 도시된 바와 같이, 양극산화 층(1002)은 에지들(1018)의 측부 표면과 상부 표면 사이에 사행하는 불규칙한 균열(1004)을 가진다. 고레벨 관점에서 관찰할 때, 사행의 균열(1004)은 빛을 반사하며, 각진 영역의 측부 표면 상에 있는지 또는 상부 표면에 있는지에 따라 균열이 상이한 각도로 관찰되고 있다. 그 결과로 미관적으로 바람직하지 않은 울퉁불퉁한 에지 하이라이트(edge highlight)들로 나타나는 부품(1000) 상의 블러(blur)된 특징부들이 나타난다.
본 명세서에 기재된 실시예들에서, 미관적으로 돋보이는 보호 층을 제공하기 위해 각진 표면들 상에서 두 개의 양극산화 과정을 수반하는 공정이 수행된다. 적합한 표면들로는 도 2 및 도 3의 휴대용 전자 디바이스와 같은 소비자 전자 제품의 하우징이 포함된다. 일부 실시예들에서, 소비자 전자 제품은 측벽을 구비한 상부 및 하부 부분들을 가지는 단일 조각 금속 하우징을 갖는다. 소비자 전자 제품은 상부 부분에 의해 둘러싸이고 정의되는 전방 개구부를 가질 수 있다. 하부 부분과 측벽은 상부 부분과 협력하고 전방 개구와 협력하여 캐비티를 형성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 챔퍼된 부분은 상부 부분과 측벽 사이에 배치된다. 기재된 실시예들은 소비자 전자 제품의 상부 및 하부 부분들, 측벽과 챔퍼된 부분 상에 보호성 양극산화 층을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
예시를 위해, 도 10b 내지 도 10e는 전자 디바이스 하우징의 에지와 같은 금속 표면의 선택된 프로파일들이 이중 양극산화 공정을 거치고 있는 것을 도시한다. 도 10b에서, 금속 부품(1020)은 제1 표면(1022) - 제1 표면(1022)에 직교된 제1 표면 배향 벡터(1026)를 가짐 - 및 제2 표면(1024) - 제2 표면(1024)에 직교된 제2 표면 배향 벡터(1028)를 가짐 - 을 갖는다. 제1 표면 배향 벡터(1026)과 제2 표면 배향 벡터(1028)는 각각 표면들(1026 및 1024)에 대해 기준 벡터들이며, 이후의 산화물 성장의 전반적 방향을 도시하도록 의도된 것이 아님을 주지한다. 도 10c에서, 1차 양극산화 층(1030)이 제1 표면(1022)과 제2 표면(1024)을 포함하는 금속 부품(1020)의 선택된 부분 상에 성장된다. 명료함을 위해, 도 10c 내지 도 10e는 양극산화 이전의 배리어 층이라던가 금속 표면의 위치(예를 들어 도 5a 내지 도 5d의 점선으로 표시된 것들)를 도시하지 않음을 주지해야 할 것이다. 도 10d에서, 1차 양극산화 층(1030)의 연접한 부분과 하단의 금속 하우징의 대응하는 사전에 결정된 양(amount)이 제거됨으로써, 챔퍼된 조립체(1032)를 형성한다. 일부 실시예들에서, 제거는 절단기(cutter)를 이용한 금속 부품(1020)의 절단을 수반한다. 일부 실시예들에서, 절단은 미러 반사형 표면을 제공한다. 일부 실시예들에서, 제거는 레이저 및/또는 에칭 과정을 수반할 수 있다. 챔퍼된 조립체(1032)는 제3 표면(1034) - 제3 표면(1034)에 직교된 제3 표면 배향 벡터(1036)를 가짐 - 을 포함한다. 제3 표면(1034)은 제1 표면(1022)과 제2 표면(1024)의 남은 부분들(1038 및 1040)에 연접하면서 또한 그들 사이에 배치된다.
도 10e에서, 2차 양극산화 층(1042)이 제3 표면 배향 벡터(1036)에 따라 제3 표면(1034) 상에 성장한다. 제3 표면 배향 벡터(1036)는 표면(1034)에 대한 기준 벡터로서, 이후의 산화물 성장의 전반적인 방향을 도시하도록 의도된 것이 아님을 주지한다. 일부 실시예들에서, 2차 양극산화 층과 1차 양극산화 층들은 상이한 성질들, 예를 들어, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 전술된 바와 같은 기공 밀도 및 평균 기공 크기 등을 가질 수 있다. 양극산화 공정의 본질로 인해, 2차 양극산화 층(1042)은 제3 금속 표면(1034)에 대해 실질적으로 직교된 방향으로 성장한다. 2차 양극산화 층(1042)은 예를 들어 제3 표면(1034)과 같은 노출된 금속 표면 상에만 실질적으로 성장한다. 양극산화는 일반적으로 금속 부품(1020)의 일부가 산화물로 변환되는 변환 과정이므로, 2차 양극산화 층(1042)은 제3 표면(1036)의 상방으로 연장되는 2차 양극산화 층(1042)의 부분에 대해 내향 성장하는 것으로 도시된다. 2차 양극산화 층(1042)은 남은 부분(1038)에 인접한 제1 에지(1044)와 남은 부분(1040)에 인접한 제2 에지(1046)를 포함한다. 제1 에지(1044)와 제2 에지(1046)는 제3 배향 벡터(1036)와 정렬되므로, 제1 표면의 제1 에지(1044)와 남은 부분(1038) 사이의 제1 각도(1048)는 제2 표면의 제2 에지(1046)와 남은 부분(1040) 사이의 제2 각도와 대략 동일하다. 따라서, 2차 양극산화 층(1042)과 1차 양극산화 층(1030) 사이의 계면들은 규칙적이고 명확히 정의되어 있어서, 고레벨 관점에서 관찰할 때 미관적으로 돋보이는 깔끔한 라인들로 보인다. 2차 양극산화 층(1042)의 두께는 1차 양극산화 층(1030)의 두께에 가까운 근사치일 수 있으므로, 부품(1020)의 각진 금속 영역에 전반적으로 매끈한 품질을 제공할 수 있음을 주지해야 할 것이다. 일부 실시예들에서, 1차 양극산화 층(1030)과 2차 양극산화 층(1042) 사이의 두께 차이는 약 5 미크론 이하이다. 따라서, 기재된 실시예들은 에지화된 표면들 상에 매끈하면서도 미관적으로 보기 좋은 양극산화 층들을 형성하는데 사용될 수 있다.
에지화된 금속 표면에 규칙적이고 명확히 정의된 라인들을 형성하는 것에 부가적으로, 일부 실시예들은 1차 양극산화 층과 2차 양극산화 층 사이의 계면에 개선된 하이라이트 효과를 제공할 수 있다. 도 11 및 도 12a 내지 도 12f는 하이라이팅 공정에 수반되는 단계들을 도시한 것으로, 기재된 실시예들에 따라 두 개의 양극산화 층들 사이에 하이라이팅된 경계가 형성되어 있다. 도 11은 처리 단계들을 도시하는 흐름도이다. 도 12a 내지 도 12f는 도 11에 기재된 공정을 거치는 부품의 일부분을 그래픽적으로 제시한 측면도들이다. 이후 설명에서, 도 12a 내지 도 12f의 측면도 제시들과 함께 도 11의 흐름도 둘 다를 참조한다.
단계 1102(도 12a에 대응함)에서 공정(1100)이 시작하며, 여기서 마스킹 동작이 제1 표면(1202)과 제2 표면(1204)을 가지는 금속 조각(1200) 상에 수행됨으로서, 제2 표면(1204) 상에 마스크(1206)가 형성된다. 마스크는 후속 블라스팅 및 양극산화 공정을 견딜 수 있는 임의의 적합한 마스크일 수 있다. 일부 실시예들에서, 포토레지스트 마스크가 사용되며, 포토레지스트는 패턴을 갖는다. 제1 표면(1202)과 제2 표면(1204)은 각자에 대해 인접 및 연접해 있다. 단계 1104(도 12b에 대응함)에서, 텍스처(1208)가 제1 금속 표면(1202) 상에 생성된다. 텍스처(1208)는 예를 들어, 블라스팅 동작으로부터 생성된 거친(rough) 또는 "블라스팅된" 표면일 수 있다. 블라스팅 동작은 예를 들어, 금속 조각을 압력(예를 들어, 1 바아) 하에 적용된 지르코니아와 같은 블라스팅 매체에 대해 노출시키는 것을 포함할 수 있다. 단계 1106(도 12c에 대응함)에서, 마스크(1206)의 에지들(1210)의 접착을 감소시키도록 마스크(1206)가 처리되면서, 블라스팅된 금속 표면(1208)에 인접한 제2 표면(1204)의 비-텍스처화된 부분(1212)이 노출된다. 이러한 방식으로, 텍스처화된(1208) 제1 금속 표면(1202)에 인접한 마스크(1206)의 에지들(1210)이 하단의 제2 금속 표면(1204)으로부터 들어올려진다. 마스크의 처리에는 예를 들어 희석 산 용액을 이용한 화학적 세척을 포함할 수 있다. 대안적으로, 마스크 재료의 에지를 제거하도록 레이저 어블레이션(laser ablation) 과정이 사용될 수 있다. 일부 경우에서, 마스크의 에지들은 양극산화 공정에 노출되는 중에 금속 표면에 대한 접착성이 자연적으로 덜해질 수 있다.
단계 1108(도 12d에 대응함)에서, 제1 양극산화 공정이 수행되면서 블라스팅된 금속 표면(1208)과 노출된 비-텍스처화된 금속 부분(1212) 상에 1차 양극산화 층(1214)이 생성된다. 1차 양극산화 층(1214)은 흐릿하며(hazy) 하단의 금속(1200)의 표면을 뚜렷이 드러내지 않는다. 단계 1110(도 12e에 대응함)에서, 마스크(1206)가 제거되면서, 남은 비-양극산화된 제2 표면(1204)이 노출된다. 제2 표면(2104)은 아트워크 또는 반사부(reflectiveness)와 같은 임의의 이전에 제공된 표면 특징부들을 유지한다. 단계 1112(도 12f에 대응함)에서, 제2 양극산화 공정이 수행되면서, 제2 표면(1204) 상에 2차 양극산화 층(1216)이 생성된다. 1차 양극산화 층(1214)과 2차 양극산화 층(1216)은 상이한 물리적이며 미세구조적 성질들을 가질 수 있다. 예를 들어, 2차 양극산화 층(1216)은 실질적으로 투명하여 하단의 금속(1200)의 아트워크라던가 반사부와 같은 임의의 특징부들을 드러내는 반면, 1차 양극산화 층(1214)은 실질적으로 불투명할 수 있다. 이러한 경우, 마감처리된 부품(1218)은 불투명한 1차 양극산화 층(1214), 인접의 불투명한 비-텍스처화된 부분(1220), 및 비-텍스처화된 표면(1222)을 가지는 실질적으로 투명한 2차 양극산화 층(1216)을 구비한 텍스처화된 표면(1208)을 갖는다. 따라서, 시각적으로, 비-텍스처화된 표면(1220)은 하단의 금속(1200)을 드러내는 투명한 2차 양극산화 층(1216)을 에워싸면서 이를 정의하는 하이라이트 영역 또는 하이라이트된 경계로 작용할 수 있다. 비록 도 12a 내지 도 12f가 평탄한 금속 조각(1200)을 도시하고 있으나, 본 명세서에 기재된 하이라이팅 방법들은 도 10b 내지 도 10e에 도시된 금속 부품과 같이 각진 특징부들을 가지는 기판들 상에 사용될 수 있음을 주지해야 할 것이다. 이러한 경우들에서, 본 명세서에 제공된 방법들은 부품의 에지들을 따라 일관적인 하이라이트를 제공할 수 있다.
사전-변형된 특징부들을 가지는 포토마스크의 사용
전술된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 아트워크를 커버하는 포토레지스트를 형성하기 위해 사용되는 포토마스크는 결과적인 아트워크에 샤프하게 정의된 모서리들을 제공하도록 사전-변형된 특징부들을 포함할 수 있다. 일반적으로, 포토마스크는 구멍 또는 투명부를 가진 불투명한 판으로, 빛이 이를 통하여 정의된 패턴으로 비출 수 있도록 허용한다. 빛의 정의된 패턴이 기판을 커버하고 있는 포토레지스트 층 상에 비추면, 포토레지스트는 정의된 패턴을 취할 것이다. 포지티브(positive)형의 포토레지스트가 사용될 경우, 빛에 노출된 포토레지스트의 부분은 포토레지스트 현상액에 가용성이 된다. 포토레지스트의 비-노출된 부분은 포토레지스트 현상액에 불용성으로 유지되며, 기판의 표면 상에 남는다. 네가티브(negative)형의 포토레지스트가 사용될 경우, 빛에 노출된 포토레지스트의 부분은 포토레지스트 현상액에 불용성이 된다. 포토레지스트의 비-노출된 부분은 포토레지스트 현상액에 의해 용해된다.
하단의 포토레지스트의 모서리 영역들은 모서리가 외부 모서리인지 또는 내부 모서리인지에 따라 빛에 대해 노출 과다 또는 노출 부족의 경향을 갖는다. 노출 부족 또는 노출 과다된 포토레지스트의 모서리 영역들은 순차적으로 이들 모서리 영역들이 포토레지스트 현상액 내에서 노출 부족 또는 노출 과다되는 결과를 가져온다. 패턴이 기판 상으로 전사되면, 모서리들이 곡선화되어 나타나 더 이상 샤프하지 않게 된다. 본 명세서에 기재된 실시예들에서, 포토레지스트는 포토리소그래피 공정은 물론 블라스팅 공정 및/또는 양극산화 공정에도 노출될 수 있다. 기재된 실시예들에 따른 사전-변형된 특징부들은 포토리소그래피 공정은 물론 후속적 블라스팅 및/또는 양극산화 공정에 의해 유발될 수 있는 모서리의 곡선화 양을 감소시킬 수 있다.
블라스팅 공정에서 블라스팅 매체는 압력 하에 적용되는 연마재 입자를 가지므로, 일반적으로 비교적 연성 재료로 제조된 포토레지스트는 물리적으로 가혹한 환경에 노출될 수 있다. 포토레지스트 상의 패턴의 모서리 영역들은 블라스팅 매체로부터의 침식에 특히 취약하므로, 금속 상의 패턴에 곡선화된 모서리들의 결과를 가져온다. 블라스팅 공정의 물리적으로 가혹한 환경을 견디기 위해 포토레지스트가 바람직하게 비교적 두꺼움을 주지해야 할 것이다. 포토레지스트가 두꺼운 경우 모서리의 곡선화가 더욱 악화될 수 있는데, 그 이유는 빛이 포토레지스트 재료의 전체 두께를 관통하기 어렵기 때문이다. 부가적으로, 포토레지스트 재료는 보다 두껍게 적용될수록 일반적으로 보다 연성이 되므로, 블라스팅과 같은 후속 과정으로부터의 손상에 더욱 취약하게 된다. 포토레지스트가 제거되고 난 후, 금속 표면은 다음으로 양극산화 공정에 노출되어 금속 표면 상에 보호성 양극산화 층을 형성한다. 양극산화 과정이 사용되는 경우, 양극산화 공정은 에지와 모서리 특징부들의 외관을 더욱 곡선화할 수 있다. 이러한 이유는 양극산화 공정이 금속 표면 상에 부가적 층을 추가하고, 이는 하단의 금속 표면 내의 패턴의 에지와 모서리의 외관을 변형시키고 에지와 모서리의 샤프함을 침식할 수 있기 때문이다.
위에 언급한 모서리 곡선화 효과를 보상하기 위해, 본 명세서에 기재된 실시예들은 기판 상에 샤프하게 정의된 모서리를 가진 바람직한 결과적 패턴을 제공하기 위해 포토리소그래피 패턴의 모서리 영역들에서 사전-변형된 특징부들을 가지는 포토마스크를 제공하기 위한 방법을 포함한다. 포토마스크 패턴 상의 사전-변형된 영역들은 패턴의 외부 모서리들에서 연장되어 나오며, 패턴의 내부 모서리 내부로 인입되는 테이퍼 부분들로 나타난다.
도 13a 및 도 13b와 도 14a 내지 도 14d는 기재된 실시예들에 의하여 사전-변형된 특징부들을 가지는 포토마스크를 사용하여 기판 상에 포토마스크 패턴과 결과적인 대응의 포토레지스트 패턴의 확대 상면도를 도시한다. 도 13a에서, 포토마스크(1300)는 네가티브형 포토레지스트를 현상하도록 구성된다. 불투명한 부분(1304)과 투명한 부분(1302)을 가지는 패턴이 포토마스크(1300) 상에 배치된다. 포토리소그래피 공정 동안 빛은 투명한 부분(1302)을 통과하여 기판 상에 배치된 네가티브형 포토레지스트의 층 상으로 비춘다. 투명한 부분(1302)에 대응하는 네가티브 포토레지스트의 노출된 부분들은 기판 상에 남는 반면, 불투명한 부분(1304)에 대응하는 네가티브 포토레지스트의 비-노출된 부분들은 포토레지스트 현상액에 의해 용해되어 제거된다. 도시된 바와 같이, 투명한 부분(1302)은 외부 모서리(1306)에 위치된 연장형(extending)의 사전-변형된 특징부(1310)와 내부 모서리(1308)에 인입형(receding)의 사전-변형된 특징부(1312)를 갖는다. 연장형의 사전-변형된 특징부(1310)는 포토리소그래피 공정 동안에 외부 모서리(1306)에 대응하는 하단의 포토레지스트가 빛에 노출 부족이 되는 경향과 후속 블라스팅 및/또는 양극산화 공정 중의 열화를 보상한다. 따라서, 연장형의 사전-변형된 특징부(1310)는 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정들에 의해 유발될 수 있는 모서리 침식량을 감소시킨다. 인입형의 사전-변형된 특징부(1312)는 포토리소그래피 공정 동안에 내부 모서리(1308)에 대응하는 하단의 포토레지스트가 빛에 노출 과다 되는 경향과 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정 중의 열화를 보상한다. 따라서, 인입형의 사전-변형된 특징부(1312)는 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정들에 의해 유발될 수 있는 모서리 침식량을 감소시킨다.
도 13b에서, 포토마스크(1318)는 포지티브형 포토레지스트를 현상하도록 구성된다. 불투명한 부분(1322)과 투명한 부분(1324)을 가지는 패턴이 포토마스크(1318) 상에 배치된다. 포토리소그래피 공정 동안 빛은 투명한 부분(1324)을 통과하여 기판 상에 배치된 포토레지스트의 층 상으로 비춘다. 투명한 부분(1324)에 대응하는 포지티브 포토레지스트의 노출된 부분들은 포토레지스트 현상액에 의해 용해되어 제거되는 반면, 불투명한 부분(1322)에 대응하는 포지티브 포토레지스트의 비-노출된 부분들은 기판 상에 남는다. 도시된 바와 같이, 투명한 패턴(1324)은 외부 모서리(1328)에 위치된 연장형의 사전-변형된 특징부(1330)와 내부 모서리(1326)에 인입형의 사전-변형된 특징부(1320)를 갖는다. 연장형의 사전-변형된 특징부(1330)는 포토리소그래피 공정 동안에 외부 모서리(1328)에 대응하는 하단의 포토레지스트가 빛에 노출 부족이 되는 경향과 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정 중의 열화를 보상한다. 따라서, 연장형의 사전-변형된 특징부(1330)는 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정들에 의해 유발될 수 있는 모서리 침식량을 감소시킨다. 인입형의 사전-변형된 특징부(1320)는 포토리소그래피 공정 동안에 내부 모서리(1326)에 대응하는 하단의 포토레지스트가 빛에 노출 과다가 되는 경향과 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정 중의 열화를 보상한다. 따라서, 인입형의 사전-변형된 특징부(1320)는 후속의 블라스팅 및/또는 양극산화 공정들에 의해 유발될 수 있는 모서리 침식량을 감소시킨다.
도 14a 내지 도 14d는 기재된 실시예들에 따른 상이한 공정 단계에서의 포토마스크, 포토레지스트 및 기판을 도시한다. 도 14a 내지 도 14d에 도시된 실시예들에서, 네가티브형 포토레지스트가 사용된다. 네가티브형 포토레지스트에 대해 본 명세서에 기재된 방법은 또한 포지티브형 포토레지스트에 대해서도 사용될 수 있음을 주지해야 한다. 도 14a에서, 포토마스크(1400)는 내부에 투명한 패턴(1404)을 가지는 불투명한 부분(1402)을 갖는다. 투명한 패턴(1404)은 외부 모서리에 연장형의 사전-변형된 특징부(1406)와 내부 모서리에 인입형의 사전-변형된 특징부(1408)를 갖는다. 도 14b는 포토마스크(1400)를 사용하여 포토리소그래피 공정이 수행되고 난 후의 기판(1410)을 도시한다. 포토리소그래피 공정에서, UV 광이 투명한 패턴(1404)을 통과하여 비춤으로써 하단의 기판 상으로 회전(spin)된 포토레지스트 상에 대응 패턴을 형성한다. 포토레지스트가 후속의 블라스팅 공정을 거칠 것이므로, 포토레지스트 재료는 바람직하게는 비교적 두꺼운 층 상으로 적용됨을 주지해야 할 것이다. 일부 실시예들에서, 포토레지스트는 약 40 내지 50 미크론 두께 사이이다. 다음으로 포토레지스트가 현상되어 포토레지스트의 비-노출된 부분들이 제거됨에 따라, 패턴화된 포토레지스트(1414)와 노출된 기판 부분(1412)이 남는다. 삽도에 도시된 바와 같이, 패턴이 포토레지스트(1414)로 전사될 때쯤 포토마스크(1400)의 전사된 패턴으로부터의 연장형의 사전-변형된 특징부(1406)와 인입형의 사전-변형된 특징부(1408)의 부분들이 곡선화 되어있다. 이러한 모서리 곡선화는 전술된 바와 같이 포토리소그래피 공정 동안에 포토마스크 패턴 내의 모서리 영역들이 노출 부족 및 노출 과다되는 경향을 갖는 포토리소그래피 공정의 광학 효과로 인해 유발된다. 결과적으로, 패턴화된 포토레지스트(1414)는 외부 모서리들에 제1 포토레지스트 특징부(1416)를, 그리고 내부 모서리들에 제2 포토레지스트 특징부(1418)를 갖는다. 포토레지스트의 제1 포토레지스트 특징부(1416)와 제2 포토레지스트 특징부(1418)는 포토마스크(1400)의 연장형의 사전-변형된 특징부(1406) 및 인입형의 사전-변형된 특징부(1408)로들로 곡선화되고 돌출(pronounce)이 덜하다.
도 14c는 블라스팅 공정을 거치고 난 후의 기판(1410)을 도시한다. 전술된 바와 같이, 블라스팅 공정은 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 기판의 부분들 상의 텍스처화된 표면을 이루기 위해 소정 압력으로 기판 상에 충돌되는 연마 재료의 사용을 수반한다. 일 실시예에서, 블라스팅 매체는 압력하에서 적용되는 지르코니아의 형태를 취한다. 포토레지스트 재료는 일반적으로 비교적 연성이기 때문에, 블라스팅 공정 동안 포토레지스트 재료의 일부가 특히 포토레지스트 층의 외부 모서리들에서의 충돌 입자들에 의해 자리이동(displace) 및 제거됨으로써, 곡선화된 돌출 모서리들을 가져올 수 있다. 포토레지스트 층의 내부 모서리들에서, 포토레지스트의 블랍(blob)은 포토레지스트 재료의 자리이동 및 이탈(dislodgment)로 인해 형성될 수 있으며, 따라서 곡선화된 내부 모서리들의 결과를 가져온다. 포토레지스트 재료가 지나치게 얇을 경우, 블라스팅으로 인해 포토레지스트 재료 내에 구멍들이 형성될 수 있으며 이는 기판의 하단 부분들에 손상을 가져다줄 수 있다. 그러나, 포토레지스트가 지나치게 두꺼운 경우, 포토레지스트의 전체 두께가 포토리소그래피 공정 동안 UV 광에 충분히 노출되지 못할 수 있고, 따라서 전술된 곡선화 효과가 더욱 악화된다. 포토레지스트의 최적화된 두께는 사용된 포토레지스트 재료의 유형과 사용된 UV 파장 및 강도와 같은 다수의 인자들에 따를 수 있다. 포토리소그래피 공정, 블라스팅 공정 및/또는 양극산화 공정을 견딜 수 있는 임의의 적합한 포토레지스트 재료가 사용될 수 있음을 주지한다. 포토레지스트는 분사 코팅 또는 스핀 온(spin on) 동작과 같은 임의의 적합한 기법을 사용하여 기판 상에 적용될 수 있다.
도 14c를 다시 참조하면, 기판(1410)이 블라스팅 공정에 노출되고 난 후, 결과적 기판(1420)은 기판 하단 부분을 보호하는 텍스처화된 부분(1422)과 패턴화된 포토레지스트(1424)를 갖는다. 삽도에 도시된 바와 같이, 블라스팅 이전의 제1 포토레지스트 특징부(1416)와 제2 포토레지스트 특징부(1418)의 부분들은 블라스팅 매체에 의해 침식된다. 그 결과, 패턴화된 포토레지스트(1424)는 외부 모서리에서의 제1 포토레지스트 특징부(1426)와 내부 모서리에서의 제2 포토레지스트 특징부(1428)를 각각 가지며, 이들은 블라스팅 공정이 있기 전의 제1 포토레지스트 특징부(1416)와 제2 포토레지스트 특징부(1418)에 비해 곡선화되며 돌출이 보다 덜하다.
도 14d는 포토레지스트(1424)가 제거되고 금속 표면이 양극산화 공정을 거치고 난 후의 기판(1420)을 도시한다. 전술된 바와 같이, 양극산화 층은 기판 상에 재료의 층을 부가하기 때문에, 양극산화 공정으로 인해 모서리들의 샤프함은 더욱 곡선화되거나 변형될 수 있다. 도 14d에서, 기판(1420)이 양극산화 공정에 노출되고 난 후, 결과적 기판(1430)은 텍스처화된 양극산화 부분(1432)과 비-텍스처화된 양극산화 부분(1434)을 갖는다. 삽도에 도시된 바와 같이, 비-텍스처화된 양극산화 부분(1434)은 샤프하게 정의된 외부 모서리(1436)와 샤프하게 정의된 내부 모서리(1438)를 갖는다. 포토마스크(1400)의 돌출되고 굴곡진 모서리들이 연장형의 사전-변형된 특징부(1406) 및 인입형의 사전-변형된 특징부(1408)를 갖지 않으면, 포토리소그래피, 블라스팅 및 양극산화 공정 이후의 결과적 포토레지스트(1434)는 곡선화되어 미관적인 효과가 덜하다. 따라서, 포토마스크(1400) 내의 연장형의 사전-변형된 특징부(1406) 및 인입형의 사전-변형된 특징부(1408)는 포토레지스트(1424)에 의해 경험되는 후속의 블라스팅 공정에 의해 발생하는 모서리 침식을 보상하며, 더 나아가 후속의 양극산화 공정에 의해 유발되는 모서리 곡선화를 보상한다.
도 14e는 기재된 실시예에 의한 사전-변형된 특징부를 구비한 포토마스크를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 도시하는 흐름도이다. 단계 1450에서, 기판 상에 배치된 포토레지스트 상에 패턴이 형성되며, 이 패턴은 제1 사전-변형된 특징부 및/또는 제2 사전-변형된 특징부를 각각 외부 및/또는 내부 모서리들에 구비한 패턴을 가지는 포토마스크에 의해 형성된다. 전술된 바와 같이, 제1 사전-변형된 특징부는 외부 모서리로부터 연장되고, 제2 사전-변형된 특징부는 내부 모서리 내로 인입된다. 단계 1452에서, 기판이 포토리소그래피 공정에 노출되어 기판 상에 포토마스크의 대응 패턴을 가지는 포토레지스트가 형성된다. 단계 1454에서, 기판이 블라스팅 공정을 거치면서 포토레지스트에 의해 보호되지 않는 기판의 부분들 상에 텍스처화된 표면이 형성된다. 다음으로 단계 1456에서, 포토레지스트가 제거되면서 텍스처화된 부분과 비-텍스처화된 부분을 가지는 기판 상에 패턴이 형성된다. 단계 1458에서, 기판이 양극산화 공정을 거치면서 텍스처화된 패턴과 비-텍스처화된 패턴 상에 양극산화 층이 형성된다. 결과적인 양극산화되고 블라스팅된 표면은 샤프하게 정의되고 미관적으로 돋보이는 모서리를 갖게 될 것이다.
양극산화 저항 컴포넌트들을 위한 몰딩 기법들
앞서 논한 바와 같이, 전자 디바이스의 소정 구조적 부분들이 기재된 실시예들에 따라 플라스틱 또는 수지 재료로부터 형성될 수 있다. 플라스틱 부분들은 양극산화 공정에 겪게 되는 바와 같은 열악한 제조 공정과 화학물질에 대한 노출을 견디도록 구성될 수 있다. 이하 기재되는 바와 같이, 플라스틱의 구조적 부분들은 이중 사출 공정을 사용하여 전자 디바이스의 하우징 내로 일체화될 수 있다. 도 15a 및 도 15b와 도 16은 일부 실시예에 따라 플라스틱 부분들을 포함하는 전자 디바이스의 몇가지 예시적인 도면을 도시한다. 도 15a 및 도 15b는 예를 들어 섹션들(110, 120, 130)과 같은 여러개 섹션들을 함께 연결함에 의해 구성될 수 있는 외주연 컴포넌트(100)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 외주연 컴포넌트(100)는 계면(112)에서 섹션(110)과 섹션(120)을 함께 연결하고, 계면(122)에서 섹션(120)과 섹션(130)을 함께 연결함으로써 구성될 수 있다. 개별적인 섹션들을 함께 기계적으로 결합하기 위해, 커플링 부재들(114, 124)이 계면들(112, 122)에 각각 존재할 수 있다. 커플링 부재들(114, 124)은 플라스틱이 제1 액상 상태에서 시작하여 제2 고체 상태로 순차적으로 변화하는 사출 성형 공정으로부터 구성될 수 있다. 플라스틱 재료는 고체 상태로 변화하면서 섹션들(110과 120, 120과 130)을 각각 함께 결합함으로써 단일의 새로운 컴포넌트(예를 들어, 외주연 컴포넌트(100))를 형성할 수 있다. 커플링 부재들(114, 124)은 섹션들(110과 120, 120과 130) 각각을 물리적으로만 함께 결합할 수 있는 것이 아니다. 이들은 섹션(120)으로부터 섹션(110)을 전기적으로 절연하고, 섹션(130)으로부터 섹션(120)을 전기적으로 절연할 수도 있다.
커플링 부재들(114, 124)은 섹션들(110, 120, 130)의 부품들에 접착되거나, 그와 함께 일체적으로 형성된 일체적으로 형성된 잠금 구조들과 함께 존재할 수 있다. 차단 디바이스(도시되지 않음)가 각각의 계면에 위치되어 커플링 부재가 제2 상태(예를 들어, 고체 상태)로 변화하는 동안 커플링 부재를 형상화(shape)할 수 있다. 커플링 부재들(114, 124)은 도시된 바와 같이 외주연 부재(100)의 폭을 걸쳐 구성된다. 커플링 부재들(114)의 일부는 섹션들(110, 120, 130)의 측벽 상에 존재하는 잠금 부재들(114 내지 155)과 계면을 이룰 수 있으며, 부재들(114, 124)의 다른 부분들은 섹션들의 에지 상에 존재하는 부가적 잠금 부재들과 계면을 이룰 수 있다. 액체 상태로 적용되는 경우, 커플링 부재(114)는 잠금 부재들(114 내지 155) 안으로 흐르고/흐르거나 잠금 부재들(141 내지 155)을 둘러 흐르며, 고체로 변화하면서, 섹션들(110, 120)을 결합하는 물리적 상호 연결부를 형성한다. 커플링 부재(114)는 나사 또는 다른 파스너들이 섹션(110)을 부재(114)로 고정하는데 사용될 수 있도록 섹션(110) 내의 구멍들과 일렬 배치된 나사 인서트들을 포함할 수 있다.
커플링 부재들(114 및 124)은 예를 들어 제1 샷으로 적용되고 난 후, 구멍, 인입부, 보유 특징부, 또는 임의의 다른 요구되는 특징부들을 가지도록 기계가공될 수 있다. 일부 기계가공된 특징부들이 구성요소들(161-167)로서 예시되어 있다. 예를 들어, 구성요소(161-163)는 구멍들이고, 구성요소(165-167)는 직사각형 절개부들이다. 이들 기계가공 특징부들은 커플링 부재의 일측으로부터 타측으로 케이블의 통과를 가능케 하거나, 예를 들어, 버튼, 카메라, 마이크로폰, 스피커, 오디오잭, 리시버, 결합 조립체 등의 다양한 컴포넌트들의 위치의 고정을 가능케 할 수 있다. 커플링 부재들(114 및 124)은 제1 샷 컴포넌트 및 제2 샷 컴포넌트를 포함하도록 구성될 수 있다. 제1 및 제2 샷 컴포넌트들은 상이한 재료들로 구성될 수 있으며, 제1 샷은 제2 샷 재료에 비해 상대적으로 높은 강도의 구조재로 구성된다. 제1 샷 컴포넌트는 섹션들(예를 들어, 섹션(110) 내지 섹션(120))의 물리적 커플링에 대해 책임이 있을 수 있고, 제2 샷을 수용하도록 보유 영역들을 포함하도록 기계가공될 수 있다.
제1 샷은 플라스틱이 제1 액체 상태에서 시작하여 제2 고체 상태로 순차적으로 변화하는 사출 성형 공정에 의해 형성될 수 있다. 액체 상태에 있는 동안, 플라스틱은 계면들(112 및 122)의 내부 및 잠금 부재들(141-155) 내로 유동하도록 허용될 수 있다. 계면들 및 잠금 부재들 내부로 유동한 후, 플라스틱 재료는 경화되도록 순차적으로 허용될 수 있다(예를 들어, 플라스틱 재료는 제2 고체 상태로 변화하도록 허용된다). 제2 샷 컴포넌트는 제1 샷의 보유 영역 내부의 자가 고정(self-anchor)된 코스메틱(cosmetic) 컴포넌트로서 역할할 수 있다. 제2 샷은 제1 샷 컴포넌트의 표면의 적어도 일부 상으로 플라스틱을 사출성형함에 의해 형성될 수 있다. 제2 샷은 제1 및 제2 샷들을 함께 물리적으로 결합하는 기계적 인터록(mechanical interlock)으로서 역할하는 제1 샷의 캐비티들 내에 형성될 수 있다. 제1 샷의 부분들 내로 유동한 후, 플라스틱 재료는 경화되도록 순차적으로 허용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 샷은 제1 샷의 표면의 부분들 상에만 형성되며, 그렇지 않다면 전자 디바이스의 외부에서 관찰이 가능하게 될 것이다. 이들 경우들에서, 제2 샷은 디바이스가 완전히 조립되었을 때 사용자에게 관찰이 가능한 유일한 부품일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 샷은 디바이스 내에 가능한 한 적은 공간을 차지하도록 형성되나, 미관적 용도를 위해 적절한 커버리지를 제공하도록 형성된다. 일부 실시예들에서, 제2 샷은 제1 샷을 완전히 둘러싸고 보호한다. 일부 경우들에서, 제2 샷은 제1 샷의 표면을 부분적으로 또는 완전히 둘러쌀 수 있는 베니어판(veneer)과 같이 얇을 수 있다.
사출 성형 공정 동안 액체 상태에 있는 제2 샷이 제1 샷 컴포넌트 내에 형성된 잠금 구조체 내부 및/또는 둘레로 유동하도록 허용된다. 제2 샷은 임의의 적합한 색을 가질 수 있다. 도 15a 및 도 15b에 도시된 바와 같이, 커플링 부재들(114 및 124)은 제1 샷 컴포넌트(430) 및 제2 샷 컴포넌트(440)를 포함하는 것으로 예시된다. 제1 샷 컴포넌트(430)는 섹션들(120 및 130)의 잠금 메커니즘과의 계면을 위한 계면 특징부들을 포함한다. 제1 샷 컴포넌트(430)는 또한 제2 샷 컴포넌트(440)들을 수용하기 위한 제2 샷 보유 영역들을 포함할 수 있다. 도 16은 섹션들(110 및 120)과 그들 사이에 배치된 제2 샷 컴포넌트(440)의 확대도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 제2 샷 컴포넌트(440)는 컴포넌트(100)의 외부에서 관찰이 가능하고, 제1 샷 컴포넌트(430)는 관찰이 불가능하다.
커플링 부재들(114 및 124)은 제조 공정 동안 다양한 물리적 및 화학적으로 가혹한 환경에 노출될 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스의 측벽들과 백 플레이트는 폴리싱이 미세 폴리싱 과정인지 또는 거친 폴리싱 과정인지 여부에 따라 강산성(예를 들어, 대략 pH 2) 및/또는 강알칼리성(예를 들어, 대략 pH 8-9) 슬러리의 사용을 수반할 수 있는 폴리싱 또는 래핑(lapping) 동작을 거칠 수 있다. 부가적으로, 포토리소그래피 동안, 디바이스는 UV 경화 단계 및 현상 단계 동안 UV광에 노출될 수 있음은 물론, 경화되지 않은 포토레지스트 재료를 세척 제거하기 위해 소듐 하이드록사이드와 같은 강한 염기에도 노출될 수 있다. 또한, 양극산화 공정 동안 디바이스는 승온에서 증가된 시간 동안 다양한 산성 및 알칼리성 용액들로 처리될 수 있으며, 이는 양극산화 기법과 관련하여 위에 설명한 바와 같다. 블라스팅 과정이 사용되는 경우, 플리스틱 재료는 가압 블라스팅 매체에 노출될 수 있다. 일 실시예에서, 블라스팅 매체는 약 1 바아의 압력하에 적용되는 지르코니아의 형태를 취한다. 부가적으로, (포토레지스트 재료를 제거하기 위해 사용되는) 디마스킹(de-masking) 동안 디바이스는 승온에서 산성의 또는 알칼리성의 세정 용액들에 노출될 수 있다. 더 나아가, CNC 동안 디바이스는 절삭유제(cutting fluid)에 노출될 수 있다. 제1 샷 및 제2 샷 재료들은 위에 기재된 하나 이상의 공정들에 의해 영향을 받지 않을 수 있으므로, 구조적 짜임새를 유지하고 실질적으로 비-손상되어 나타날 수 있다. 일부 실시예들에서, 위에 기재한 일부 공정들 동안 플라스틱 부분들의 열화를 방지하기 위해 마스크가 사용될 수 있음을 주지해야 한다. 예를 들어, 포토리소그래피 동안의 보다 높은 강도의 UV 노출 동안 플라스틱을 보호하고, 소정의 CNC 단계들 동안 스크래칭으로부터 플라스틱 표면을 보호하기 위해 마스크가 사용될 수 있다.플라스틱을 보호하기 위한 임의의 적합한 마스크가 사용될 수 있다. 일 실시예에서, UV 경화성 고분자 마스크가 사용된다.
본 명세서에 기재된 실시예들에서, 예를 들어 커플링 부재들(114 및 124)과 같이 부분들을 제조하기 위해 사용되는 플라스틱 재료들은 하나 이상의 전술된 공정들의 물리적 및 화학적 조건들을 견디도록 구성될 수 있다. 제1 및 제2 샷은 상이한 목적에 사용되기 위해 상이한 재료들로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 샷은 전자 디바이스의 구조적 지지부를 제공하도록 보다 강성의 재료로 제조될 수 있으며, 제2 샷은 미관적 목적을 위해 보다 연성이지만 보다 미관적으로 돋보이는 재료로 제조될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 샷 및 제2 샷 재료들 둘 모두 하나 이상의 전술된 공정의 물리적 및 화학적 조건들을 견디도록 구성된다. 제2 샷이 제1 샷을 완전히 둘러싸는 실시예들에서, 제2 샷은 전술된 하나 이상의 공정들을 견딜 수 있는 반면, 제1 샷은 전술된 하나 이상의 공정들에 꼭 저항성일 필요는 없다. 즉, 제2 샷은 후속 공정들로부터 제1 샷의 표면을 보호할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 샷 재료는 예를 들어 유리 충전 폴리아릴에테르케톤(PAEK) 재료와 같은 높은 기계적 강도의 열가소성 고분자 수지로 제조된다. 다른 실시예들에서, 유리 충전 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 재료가 사용된다. 바람직한 실시예들에서, 제2 샷은 매끄럽고 균일하게 나타남으로써, 제1 샷에 비해 보다 미관적으로 돋보이는 외관을 제공한다. 일부 경우들에서, 제2 샷은 하나 이상의 색을 취할 수 있다.
도 17은 기재된 실시예들에 따라, 양극산화 공정에 저항성인 인클로저를 위해 이중-샷 플라스틱 부재를 형성하기 위한 공정의 상세 사항을 예시한 흐름도이다. 단계 1710에서, 인클로저의 플라스틱 부재의 제1 샷 컴포넌트가 형성되며, 제1 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 저항성인 고강도 구조재로 제조된 것이다. 단계 1720에서, 인클로저의 플라스틱 부재의 제2 샷 컴포넌트가 형성되며, 제2 샷 컴포넌트는 제1 샷 컴포넌트의 표면의 적어도 일부를 덮도록 형성된 것이다. 제2 샷 컴포넌트 재료는 제1 샷 컴포넌트에 비해 상이한 재료로 제조되고 후속 양극산화 공정에 저항성이다. 전술한 바와 같이, 일부 실시예들에서, 제1 샷 및 제2 샷 재료는 폴리싱, UV 포토리소그래피, 블라스팅, 디마스킹 또는 CNC 공정과 같은 후속 공정에 저항성일 수 있다. 제1 및 제2 샷 컴포넌트들은 전술한 바와 같이 사출 성형에 의해 형성될 수 있으며, 이들은 각자 제1 액체 상태에 있고 제2 고체 상태로 경화된다.
일 실시예에 따르면, 금속 하우징 상에 보호층을 형성하기 위한 방법이 기재된다. 금속 하우징은 제1 표면 배향 벡터를 가지는 제1 표면 및 제2 표면 배향 벡터를 가지는 제2 표면을 구비한 외부 표면을 갖는다. 제1 및 제2 표면들은 각자에 대해 연접하고, 제1 및 제2 표면 벡터들은 비-평행(non-parallel)이다. 방법은 제1 양극산화 공정을 이용하여 제1 및 제2 표면들 둘 모두를 포함하는 하우징의 외부 표면의 선택된 부분 상에 1차 양극산화 층을 성장시키는 것을 수반한다. 방법은 또한 1차 양극산화 층의 연접한 부분 및 대응하는 사전-결정된 양의 하단의 금속 하우징을 제거함으로써 챔퍼된 조립체를 형성하는 것을 수반한다. 챔퍼된 조립체는 제3 표면 배향 벡터를 가지며 제1 및 제2 표면들의 남은 부분들에 연접하면서 그들 사이에 배치된 제3 표면을 포함한다. 방법은 또한 제2 양극산화 공정을 이용하여 제3 표면 배향 벡터에 따라 제3 표면 상에 제2 양극산화 층을 성장시키는 것을 수반한다. 제2 양극산화 층은 제1 표면의 남은 부분에 인접한 제1 에지 및 제2 표면의 남은 부분에 인접한 제2 에지를 포함한다. 제1 및 제2 에지들은 제3 표면 배향 벡터와 정렬됨으로써, 제1 에지와 제1 표면의 남은 부분 사이의 제1 각도와 제2 에지와 제2 표면의 남은 부분 사이의 제2 각도가 대략 동일하도록 한다.
다른 실시예에 따르면, 금속 표면의 제1 부분을 덮어씌운 1차 양극산화 층과 금속 표면의 제2 부분을 덮어씌운 2차 양극산화 층 사이에 하이라이팅된 경계를 형성하는 방법이 기재된다. 제1 및 제2 부분들은 각자에 대해 연접한다. 방법은 포토레지스트의 패턴화된 층을 이용하여 금속 표면의 제2 부분을 마스킹하는 것을 수반한다. 방법은 또한 금속 표면의 노출된 제1 부분을 텍스처화하는 것을 수반한다. 방법은 금속 표면의 텍스처화된 제1 부분에 인접한 포토레지스트의 패턴화된 층의 에지가 금속 표면의 하단의 제2 부분으로부터 들어올려지게 함으로써 금속 표면의 노출된 제2 부분이 드러나도록 하는 것을 부가적으로 수반한다. 방법은 제1 양극산화 공정을 이용하여 금속의 상기 제1 부분 상에 1차 양극산화 층을, 그리고 금속 표면의 노출된 제2 부분에 경계 양극산화 층을 형성하는 것을 추가로 수반한다. 방법은 또한 포토레지스트의 패턴화된 층을 제거하는 것을 수반한다. 방법은 제2 양극산화 공정을 이용하여 금속 표면의 노출된 제2 부분 상에 2차 양극산화 층을 형성하는 단계를 부가적으로 수반하며, 여기서 경계 양극산화 층은 2차 양극산화 층을 정의 및 하이라이팅 한다.
부가적 실시예에 따르면, 소비자 전자 제품이 기재된다. 소비자 전자 제품은 상부 부분에 의해 둘러싸이고 정의된 전방 개구부를 가지는 단일 조각 금속 하우징을 포함한다. 단일 조각 하우징은 상부 부분과 협력하고 전방 개구부와 협력하여 캐비티를 형성하기 위한 하부 부분 및 측벽을 추가로 포함한다. 챔퍼된 부분은 상부 부분과 측벽 사이에 배치된다. 단일 조각 하우징은 또한 단일 조각 하우징의 표면 상에 보호 양극산화 층을 포함한다. 보호 양극산화 층은 1차 양극산화 층을 갖는다. 1차 양극산화 층은 단일 조각 하우징의 하부 부분, 측벽 및 상부 부분 상에 배치된다. 단일 조각 하우징은 또한 단일 조각 하우징의 챔퍼된 부분 상에 배치된 2차 양극산화 층을 포함한다. 2차 양극산화 층은 1차 양극산화 층에 비해 상이한 속성을 갖는다. 1차 양극산화 층과 2차 양극산화 층은 명확히 정의된 경계에 의해 분리된다.
일 실시예에 따르면, 알루미늄 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기에 적합한 포토마스크가 기재된다. 포토레지스트 패턴은 알루미늄 기판을 양극산화 하는 중에 생성된 표면 특징부와 연관된다. 포토마스크는 제1 사전-변형된 특징부를 포함하는 적어도 하나의 외부 모서리를 포함한다. 제1 사전-변형된 특징부는 포토레지스트 패턴의 대응하는 외부 모서리에서 후속 블라스팅 동작에 의해 유발되는 모서리 침식량을 감소시키도록 구성된다. 제1 사전-변형된 특징부는 포토레지스트의 외부 모서리에서 블라스팅 매체의 실질적 부분을 차단함으로써 하단의 포토레지스트를 보호한다. 포토레지스트는 또한 제2 사전-변형된 특징부를 포함하는 적어도 하나의 내부 모서리를 포함한다. 제2 사전-변형된 특징부는 포토레지스트 패턴의 대응하는 내부 모서리에서 후속 블라스팅 동작에 의해 유발되는 모서리 침식량을 감소시키도록 구성된다. 제2 사전-변형된 특징부는 포토레지스트의 내부 모서리에서 블라스팅 매체의 실질적 부분을 차단함으로써 하단의 포토레지스트를 보호한다.
다른 실시예에 따르면, 알루미늄 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 방법. 방법은 포토레지스트 패턴에 대응하는 포토마스크 패턴을 이용하여 알루미늄 기판 상에 배치된 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 것을 수반한다. 포토마스크 패턴은 제1 사전-변형된 특징부를 가지는 적어도 하나의 외부 모서리 및 제2 사전-변형된 특징부를 가지는 적어도 하나의 내부 모서리를 포함한다. 제1 사전-변형된 특징부 및 제2 사전-변형된 특징부는 각각 후속 블라스팅 공정으로부터의 포토레지스트의 대응 패턴의 모서리 침식 및 후속 양극산화 공정으로부터의 양극산화 층의 대응 패턴의 모서리 변형을 보상한다. 방법은 또한 알루미늄 기판을 포토리소그래피 공정에 노출시킴으로써 알루미늄 기판 상에 포토레지스트의 대응 패턴을 형성하는 것을 수반한다. 방법은 또한 알루미늄 기판을 블라스팅 함으로써 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 기판의 부분들 상에 블라스팅된 표면을 형성하는 것을 수반한다. 방법은 또한 알루미늄 기판으로부터 포토레지스트를 제거함으로써, 알루미늄 기판 상에 블라스팅된 부분 및 블라스팅되지 않은 부분을 남기는 것을 수반한다. 방법은 알루미늄 기판을 양극산화 함으로써 알루미늄 기판 상에 양극산화 층을 형성하는 것을 추가로 수반한다.
부가적인 실시예에 따르면, 알루미늄 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 다른 방법이 기재된다. 방법은 포토레지스트 패턴에 대응하는 포토마스크 패턴을 이용하여 알루미늄 기판 상에 배치된 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 것을 수반한다. 포토마스크 패턴은 제1 사전-변형된 특징부를 가지는 적어도 하나의 외부 모서리 및 제2 사전-변형된 특징부를 가지는 적어도 하나의 내부 모서리를 포함한다. 제1 사전-변형된 특징부 및 제2 사전-변형된 특징부는 각자 후속 블라스팅 공정으로부터 포토레지스트의 대응 패턴의 외부 및 내부 모서리들을 각각 보호한다. 방법은 또한 알루미늄 기판을 블라스팅 함으로써 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 알루미늄 기판의 부분들 상에 텍스처화된 표면을 형성하는 것을 수반한다. 방법은 알루미늄 기판으로부터 포토레지스트를 제거함으로써, 알루미늄 기판 상에 텍스처화 및 패턴화된 표면을 남기는 것을 추가로 수반한다.
일 실시예에 따르면, 전자 디바이스를 위한 금속 인클로저를 형성하기 위한 방법이 기재된다. 방법은 인클로저의 제1 섹션 및 제2 섹션을 결합하는 것을 수반하며, 이는 인클로저의 제1 섹션 및 제2 섹션 내에 위치된 잠금 부재의 내부 및 둘레로 커플링 부재의 제1 샷 컴포넌트를 사출 성형함에 의한 것이다. 제1 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 저항성인 고강도 구조재로 제조된다. 방법은 적어도 부분적으로 제1 샷 컴포넌트를 덮는 제2 샷 컴포넌트를 형성하는 것을 또한 수반한다. 제2 샷은 제1 샷 컴포넌트에 비해 상이한 재료로 제조된다. 제2 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 저항성이다. 방법은 인클로저를 양극산화하는 것을 또한 수반한다. 인클로저의 금속 부분들은 양극산화되며, 제1 및 제2 샷 컴포넌트들은 구조적 짜임새를 유지하며 양극산화 공정에 의해 실질적으로 비-손상되어 나타난다.
다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스를 위한 금속 인클로저를 형성하기 위한 다른 방법이 기재된다. 방법은 인클로저의 두 개 섹션들을 물리적으로 결합하도록 구성된 제1 샷 컴포넌트를 형성하는 것을 수반한다. 제1 샷은 고강도 구조재로 제조된다. 방법은 제1 샷 컴포넌트의 표면을 완전히 둘러싸는 제2 샷 컴포넌트를 형성하는 것을 수반한다. 제2 샷은 제1 샷 컴포넌트에 비해 상이한 재료로 제조된다. 제2 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 저항성이다. 방법은 인클로저를 양극산화하는 것을 부가적으로 수반한다. 인클로저의 금속 부분들은 양극산화되며, 제1 및 제2 샷 컴포넌트들은 구조적 짜임새를 유지하며 양극산화 공정에 의해 실질적으로 비-손상되어 나타난다.
부가적 실시예에 따르면, 인클로저 내에 플라스틱 커플링 부재를 형성하기 위한 방법이 기재된다. 방법은 사출 성형에 의해 제1 샷 컴포넌트를 인클로저의 계면들 내부로 형성하는 것을 수반한다. 제1 샷 컴포넌트는 인클로저의 두 개 섹션들을 물리적으로 결합하도록 구성된다. 제1 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 영향을 받지 않는 고강도 구조재로 제조된다. 방법은 제2 샷 컴포넌트를 형성하는 것을 또한 수반하며, 제2 샷 컴포넌트의 일부는 인클로저의 외부 표면을 형성한다. 제2 샷 컴포넌트는 제1 샷 컴포넌트에 비해 상이한 재료로 제조되며, 제2 샷 컴포넌트를 제1 샷 컴포넌트의 표면의 적어도 일부 상으로 사출성형 함으로써 형성된다. 제2 샷 컴포넌트는 인클로저의 제1 샷 컴포넌트 및 외부 표면을 미관적으로 개선하도록 구성된다. 제2 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정 및 블라스팅 공정에 저항성이다.
일 실시예에 따르면, 전자 디바이스가 기재된다. 전자 디바이스는 다수의 가동(operational) 컴포넌트를 인클로즈(enclose) 및 지지하도록 구성된 금속 하우징을 포함한다. 전자 디바이스는 하우징의 외부 표면 상에 형성된 보호층을 또한 포함한다. 보호층은 하우징의 외부 표면 상에 직접적으로 형성된 배리어 층을 포함한다. 보호층은 배리어 층 상에 형성된 금속 산화물 층을 또한 포함한다. 금속 산화물 층은 금속 산화물 층의 상부 표면과 배리어 층 사이에 광 전달 경로를 제공하는 광 전달 구조체를 갖는다. 배리어 층은 광 전달을 실질적으로 방해하지 않는 구조를 가짐으로써, 보호층을 통한 하우징의 외부 표면에 대한 실질적으로 방해받지 않는 관찰을 허용한다.
다른 실시예에 따르면, 알루미늄 기판 상에 보호층을 형성하기 위한 방법이 기재된다. 방법은 램프 업 시간 주기에 걸쳐 목표 전류 밀도로 전류 밀도를 램프 업함으로써 알루미늄 기판의 표면 상에 배리어 층을 직접적으로 형성하는 것을 수반한다. 알루미늄 기판 상의 핵 생성 자리 둘레에 균일한 양극산화 필름이 성장함으로써 상부에 균일한 양극산화 필름 성장이 촉진된다. 방법은 양극산화 시간 주기 동안 목표 전류 밀도를 유지함으로써 배리어 층의 표면 상에 양극산화 필름을 직접적으로 형성하는 것을 수반한다. 결과적인 양극산화 필름은 다수의 조밀하게 쌓인 기공들을 갖는다. 조밀하게 쌓인 기공들은 양극산화 필름의 상부 표면과 배리어 층 사이에 광 전달 경로를 제공한다. 배리어 층은 광 전달을 실질적으로 방해하지 않음으로써, 보호층을 통한 알루미늄 기판의 표면에 대한 실질적으로 방해받지 않는 관찰을 허용한다.
추가 실시예에 따르면, 알루미늄 기판 상에 보호층을 형성하기 위한 다른 방법이 기재된다. 방법은 램프 업 시간 주기에 걸쳐 목표 전압으로 전압을 램프 업 함으로써 알루미늄 기판의 표면 상에 배리어 층을 직접적으로 형성하는 것을 수반한다. 알루미늄 기판 상의 핵 생성 자리 둘레에 균일한 양극산화 필름이 성장함으로써 알루미늄 기판 상에 균일한 양극산화 필름 성장이 촉진된다. 방법은 양극산화 시간 주기 동안 목표 전압을 유지함으로써 배리어 층의 표면 상에 양극산화 필름을 직접적으로 형성하는 것을 또한 포함한다. 결과적인 양극산화 필름은 다수의 조밀하게 쌓인 기공들을 갖는다. 조밀하게 쌓인 기공들은 양극산화 필름의 상부 표면과 배리어 층 사이에 광 전달 경로를 제공한다. 배리어 층은 광 전달을 실질적으로 방해하지 않음으로써, 보호층을 통한 알루미늄 기판의 표면에 대한 실질적으로 방해받지 않는 관찰을 허용한다.
상기 설명은, 설명의 목적들을 위해, 설명된 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 특정 명명법을 사용하였다. 그러나, 설명된 실시예들을 실시하기 위해 특정 상세 사항들이 요구되지 않는다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 특정 실시예들의 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적을 위해 제공된다. 이는 기재된 실시예들을 정확한 개시 형태들로 완전하게 하거나 제한하도록 의도되지 않는다. 많은 수정들 및 변형들이 상기 교시들에 비추어 가능하다는 것이 당업자에게 명백해질 것이다.

Claims (20)

  1. 알루미늄 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기에 적합한 포토마스크로서 - 상기 포토레지스트 패턴은 상기 알루미늄 기판을 양극산화하는 중에 생성된 표면 특징부와 연관됨 -,
    제1 사전-변형된 특징부를 포함하는 적어도 하나의 외부 모서리 - 상기 제1 사전-변형된 특징부는 상기 포토레지스트 패턴의 외부 모서리에서 후속 블라스팅 동작에 의해 유발되는 모서리 침식량을 감소시키도록 구성되고, 상기 제1 사전-변형된 특징부는 하단의 포토레지스트의 외부 모서리에서 블라스팅 매체의 실질적 부분을 차단함으로써 상기 하단의 포토레지스트를 보호함 -; 및
    제2 사전-변형된 특징부를 포함하는 적어도 하나의 내부 모서리 - 상기 제2 사전-변형된 특징부는 상기 포토레지스트 패턴의 내부 모서리에서 상기 후속 블라스팅 동작에 의해 유발되는 모서리 침식량을 감소시키도록 구성되고, 상기 제2 사전-변형된 특징부는 상기 하단의 포토레지스트의 내부 모서리에서 블라스팅 매체의 실질적 부분을 차단함으로써 상기 하단의 포토레지스트를 보호함 -;
    을 포함하는, 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 사전-변형된 특징부 및 제2 사전-변형된 특징부는 후속 양극산화 공정에 의해 유발된 모서리 곡선화를 더 보상하는, 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 사전-변형된 특징부는 상기 외부 모서리로부터 연장되고, 상기 제2 사전-변형된 특징부는 상기 내부 모서리 내로 인입(recess)되는, 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    포토리소그래피 공정에 후속하여, 상기 하단의 포토레지스트 상의 제1 포토레지스트 특징부 및 제2 포토레지스트 특징부는 상기 포토마스크의 대응되는 제1 사전-변형된 특징부 및 제2 사전-변형된 특징부에 비해 곡선화되는, 포토마스크.
  5. 제4항에 있어서,
    후속 블라스팅 공정 동안 상기 제1 포토레지스트 특징부 및 제2 포토레지스트 특징부의 부분이 제거되어 상기 제1 포토레지스트 특징부 및 상기 제2 포토레지스트 특징부를 더 곡선화하는, 포토마스크.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 알루미늄 기판으로부터 상기 하단의 포토레지스트의 제거 및 양극산화 공정의 이용에 후속하여, 양극산화 층 상의 제1 모서리 및 제2 모서리가 상기 제1 포토레지스트 특징부 및 상기 제2 포토레지스트 특징부에 비해 곡선화되는, 포토마스크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하단의 포토레지스트는 네가티브(negative) 포토레지스트인, 포토마스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하단의 포토레지스트는 포지티브(positive) 포토레지스트인, 포토마스크.
  9. 알루미늄 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 방법으로서, 상기 방법은:
    포토마스크 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용하여 상기 알루미늄 기판 상에 배치된 포토레지스트 상에 상기 패턴을 형성하는 단계 - 상기 포토마스크 패턴은 제1 사전-변형된 특징부를 가지는 외부 모서리 및 제2 사전-변형된 특징부를 가지는 내부 모서리를 포함하고, 상기 제1 사전-변형된 특징부 및 상기 제2 사전-변형된 특징부는 각각 후속 블라스팅 공정으로부터의 상기 포토레지스트의 대응 패턴의 모서리 침식 및 후속 양극산화 공정으로부터의 양극산화 층의 대응 패턴의 모서리 변형을 보상함 -;
    상기 알루미늄 기판 상에 상기 포토레지스트의 상기 대응 패턴을 형성하기 위해 상기 알루미늄 기판을 포토리소그래피 공정에 노출시키는 단계;
    상기 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 기판의 부분들 상에 블라스팅된 표면을 형성하기 위해 상기 알루미늄 기판을 블라스팅하는 단계;
    상기 알루미늄 기판으로부터 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 알루미늄 기판 상에 블라스팅된 부분 및 블라스팅되지 않은 부분을 남기는 단계; 및
    상기 알루미늄 기판 상에 상기 양극산화 층을 형성하기 위해 상기 알루미늄 기판을 양극산화하는 단계;
    를 포함하는, 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 사전-변형된 특징부는 상기 외부 모서리로부터 연장되고, 상기 제2 사전-변형된 특징부는 상기 내부 모서리 내로 인입(recess)되는, 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    포토리소그래피 공정에 후속하여, 상기 포토레지스트 상의 제1 포토레지스트 특징부 및 제2 포토레지스트 특징부는 상기 포토마스크의 대응되는 제1 사전-변형된 특징부 및 제2 사전-변형된 특징부에 비해 곡선화되는, 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 후속 블라스팅 공정 동안 상기 제1 포토레지스트 특징부의 부분 및 제2 포토레지스트 특징부의 부분이 제거되어 상기 제1 포토레지스트 특징부 및 상기 제2 포토레지스트 특징부를 더 곡선화하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 알루미늄 기판으로부터 상기 포토레지스트의 제거 및 양극산화 공정의 이용에 후속하여, 상기 양극산화 층 상의 제1 모서리 및 제2 모서리가 상기 제1 포토레지스트 특징부 및 상기 제2 포토레지스트 특징부에 비해 곡선화되는, 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 포토레지스트 상에 상기 패턴을 형성하는 단계는 네가티브 포토레지스트를 사용하는 것을 포함하는, 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 포토레지스트 상에 상기 패턴을 형성하는 단계는 포지티브 포토레지스트를 사용하는 것을 포함하는, 방법.
  16. 인클로저 내에 플라스틱 커플링 부재를 형성하기 위한 방법으로서, 상기 방법은:
    제1 샷 컴포넌트를 상기 인클로저의 계면들 내부로 사출 성형함으로써 상기 제1 샷 컴포넌트를 형성하는 단계 - 상기 제1 샷 컴포넌트는 상기 인클로저의 2개의 섹션들을 물리적으로 결합하도록 구성되고, 상기 제1 샷 컴포넌트는 후속 양극산화 공정에 영향을 받지 않는 고강도 구조재로 구성됨 -; 및
    제2 샷 컴포넌트를 형성하는 단계 - 상기 제2 샷 컴포넌트의 부분은 상기 인클로저의 외부 표면을 형성하고, 상기 제2 샷 컴포넌트는 상기 제1 샷 컴포넌트와 상이한 재료로 구성되며 상기 제2 샷 컴포넌트를 상기 제1 샷 컴포넌트의 표면의 적어도 일부분 상으로 사출 성형함으로써 형성되고, 상기 제2 샷 컴포넌트는 상기 인클로저의 외부 표면 및 상기 제1 샷 컴포넌트를 미관적으로 개선하도록 구성되고, 상기 제2 샷 컴포넌트는 상기 후속 양극산화 공정 및 블라스팅 공정에 저항성임 -;
    를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 샷 컴포넌트를 형성하는 단계는 상기 제1 샷 컴포넌트의 제1 액체 상태를 상기 인클로저의 상기 계면들 내로 사출 성형하는 단계를 포함하고, 상기 제1 샷 컴포넌트의 상기 제1 액체 상태는 상기 제1 샷 컴포넌트의 제2 고체 상태로 경화되는 것이 허용되는, 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 샷 컴포넌트를 형성하는 단계는 상기 제2 샷 컴포넌트의 제1 액체 상태를 상기 제1 샷 컴포넌트의 상기 표면의 상기 일부분 상에 사출 성형하는 단계를 포함하고, 상기 제2 샷 컴포넌트의 상기 제1 액체 상태는 상기 제2 샷 컴포넌트의 제2 고체 상태로 경화되는 것이 허용되는, 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1 샷 컴포넌트는 높은 기계적 강도의 열가소성 고분자 수지로 구성되는, 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 샷 컴포넌트는 매끄럽고 평탄한 외관을 가지는 수지로 구성되는, 방법.
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Families Citing this family (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8913395B2 (en) * 2010-02-02 2014-12-16 Apple Inc. High tolerance connection between elements
CN109865764B (zh) 2012-02-16 2021-05-14 苹果公司 由刚性材料形成的联锁柔性片段
US9545024B2 (en) 2012-05-29 2017-01-10 Apple Inc. Diamond cutting tools
AU346125S (en) * 2012-05-29 2013-01-04 Apple Inc Electronic device
USD684571S1 (en) 2012-09-07 2013-06-18 Apple Inc. Electronic device
USD732539S1 (en) * 2012-05-29 2015-06-23 Apple Inc. Enclosure for communications device
US9718249B2 (en) * 2012-11-16 2017-08-01 Apple Inc. Laminated aluminum oxide cover component
WO2014088944A1 (en) * 2012-12-03 2014-06-12 The Regents Of The University Of California Devices, systems and methods for coating surfaces
DE102013004558B4 (de) 2013-03-18 2018-04-05 Apple Inc. Verfahren zur Herstellung einer oberflächenverspannten Saphirscheibe, oberflächenverspannte Saphirscheibe und elektrisches Gerät mit einer transparenten Abdeckung
US9655261B2 (en) * 2013-03-21 2017-05-16 Htc Corporation Casing of electronic device and method of manufacturing the same
WO2014186293A1 (en) 2013-05-16 2014-11-20 Us Synthetic Corporation Shear cutter pick milling system
US9434091B2 (en) 2013-05-16 2016-09-06 Us Synthetic Corporation Road-removal system employing polycrystalline diamond compacts
US9753436B2 (en) 2013-06-11 2017-09-05 Apple Inc. Rotary input mechanism for an electronic device
KR101843940B1 (ko) 2013-08-09 2018-05-14 애플 인크. 전자 디바이스용 촉각 스위치
US10276957B2 (en) * 2013-08-27 2019-04-30 Continental Automotive Systems, Inc. Grounding method for baseplate sealed enclosures
US10048802B2 (en) 2014-02-12 2018-08-14 Apple Inc. Rejection of false turns of rotary inputs for electronic devices
CN104953246B (zh) * 2014-03-26 2017-12-26 川益科技股份有限公司 通讯装置的天线
US9852723B2 (en) 2014-03-27 2017-12-26 Apple Inc. Acoustic modules
US20150303550A1 (en) * 2014-04-16 2015-10-22 King Slide Technology Co.,Ltd. Communication device antenna
US9356661B2 (en) 2014-04-23 2016-05-31 Apple Inc. Electronic device with near-field antenna operating through display
US10414069B2 (en) 2014-04-30 2019-09-17 Us Synthetic Corporation Cutting tool assemblies including superhard working surfaces, material-removing machines including cutting tool assemblies, and methods of use
US10381875B2 (en) 2014-07-07 2019-08-13 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer through a metal object
US10190891B1 (en) 2014-07-16 2019-01-29 Apple Inc. Optical encoder for detecting rotational and axial movement
CN105269255B (zh) * 2014-07-25 2018-04-24 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体，该壳体的制作方法及应用该壳体的电子装置
US10408057B1 (en) 2014-07-29 2019-09-10 Apergy Bmcs Acquisition Corporation Material-removal systems, cutting tools therefor, and related methods
KR101695709B1 (ko) 2014-08-12 2017-01-12 삼성전자주식회사 하우징, 하우징 제조 방법 및 그것을 포함하는 전자 장치
CN104190903B (zh) * 2014-08-14 2016-02-10 东莞颠覆产品设计有限公司 非金属构件与金属构件的一体成型方法
CN104227130B (zh) * 2014-08-22 2016-09-14 张家港市创基机械设备制造有限公司 多功能线锯机
CN104209585A (zh) * 2014-08-22 2014-12-17 张家港市创基机械设备制造有限公司 线锯机中锯条的快夹装置
CN104339136A (zh) * 2014-08-29 2015-02-11 昆山威赛机电科技有限公司 音圈电机连接片折断机
CN208087763U (zh) 2014-08-29 2018-11-13 苹果公司 包括阳极氧化物涂层以及促进粘附的阳极氧化物层的部件
KR102414569B1 (ko) 2014-09-02 2022-06-29 애플 인크. 웨어러블 전자 디바이스
US10335979B2 (en) 2014-09-30 2019-07-02 Apple Inc. Machining features in a ceramic component for use in an electronic device
US10071539B2 (en) 2014-09-30 2018-09-11 Apple Inc. Co-sintered ceramic for electronic devices
CN105592647A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 富泰华精密电子（郑州）有限公司 电子装置
CN104540341A (zh) * 2014-10-23 2015-04-22 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体、应用该壳体的电子装置及其制作方法
JP6348822B2 (ja) * 2014-10-29 2018-06-27 京セラ株式会社 電子機器
CN105720365A (zh) * 2014-12-03 2016-06-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 无线通信设备
CN104602476B (zh) * 2014-12-23 2017-06-13 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体、应用该壳体的电子装置及其制作方法
CN104540364A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 天津三星通信技术研究有限公司 电子设备壳体组件及其制造方法
US9359686B1 (en) 2015-01-09 2016-06-07 Apple Inc. Processes to reduce interfacial enrichment of alloying elements under anodic oxide films and improve anodized appearance of heat treatable alloys
KR101596316B1 (ko) * 2015-02-03 2016-02-22 몰렉스 엘엘씨 전자기기용 카드 트레이 및 이를 이용한 트레이 캐리어 조립체
US10051096B2 (en) 2015-02-06 2018-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Battery pack mounting structure and electronic device having the same
US10056204B2 (en) 2015-02-06 2018-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Key button assembly and electronic device having the same
US9578149B2 (en) 2015-02-06 2017-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including display with bent area
EP3890286B1 (en) 2015-02-06 2023-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Portable electronic device
JP6515185B2 (ja) 2015-03-05 2019-05-15 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 方向依存光学特性を有する光学エンコーダを有する時計、手首装着型電子デバイス及びウェラブル電子デバイス
US10207387B2 (en) 2015-03-06 2019-02-19 Apple Inc. Co-finishing surfaces
JP6479997B2 (ja) 2015-03-08 2019-03-06 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 回転可能かつ並進可能な入力機構のための圧縮可能な封止
US20160289858A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Apple Inc. Process to mitigate grain texture differential growth rates in mirror-finish anodized aluminum
US9869623B2 (en) 2015-04-03 2018-01-16 Apple Inc. Process for evaluation of delamination-resistance of hard coatings on metal substrates
US9985345B2 (en) * 2015-04-10 2018-05-29 Apple Inc. Methods for electrically isolating areas of a metal body
EP3286801B1 (en) * 2015-04-20 2022-12-28 InterDigital Madison Patent Holdings, SAS Strain relief antenna wiring connector in an electronic device
US10016921B2 (en) 2015-05-01 2018-07-10 Apple Inc. Apparatus and method of forming a compound structure
US9698851B2 (en) 2015-05-27 2017-07-04 Heartware, Inc. Electronic device holder
CN104981126B (zh) * 2015-06-24 2017-11-17 东莞劲胜精密组件股份有限公司 一种壳体框架结构及其制备方法
US10330832B2 (en) * 2015-06-25 2019-06-25 Apple Inc. High-luminance surface
US10760176B2 (en) 2015-07-09 2020-09-01 Apple Inc. Process for reducing nickel leach rates for nickel acetate sealed anodic oxide coatings
US10384368B2 (en) * 2015-07-27 2019-08-20 Saber Diamond Tools Inc. Contour rake face cutting tool
CN105024136A (zh) * 2015-07-31 2015-11-04 瑞声声学科技(苏州)有限公司 移动终端
CN105098352A (zh) * 2015-07-31 2015-11-25 瑞声精密制造科技(常州)有限公司 移动终端
CN105002544A (zh) * 2015-07-31 2015-10-28 广东欧珀移动通信有限公司 一种铝合金阳极氧化后实现高光logo的方法及铝合金制品
US10216233B2 (en) 2015-09-02 2019-02-26 Apple Inc. Forming features in a ceramic component for an electronic device
US10116150B2 (en) 2015-09-11 2018-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Conductive plate and electronic device having the same
US10711363B2 (en) * 2015-09-24 2020-07-14 Apple Inc. Anodic oxide based composite coatings of augmented thermal expansivity to eliminate thermally induced crazing
US9970080B2 (en) 2015-09-24 2018-05-15 Apple Inc. Micro-alloying to mitigate the slight discoloration resulting from entrained metal in anodized aluminum surface finishes
USD798350S1 (en) * 2015-09-25 2017-09-26 Us Synthetic Corporation Cutting tool assembly
USD798920S1 (en) * 2015-09-25 2017-10-03 Us Synthetic Corporation Cutting tool assembly
US10648330B1 (en) 2015-09-25 2020-05-12 Us Synthetic Corporation Cutting tool assemblies including superhard working surfaces, cutting tool mounting assemblies, material-removing machines including the same, and methods of use
CN105228399A (zh) * 2015-10-15 2016-01-06 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种移动终端的机壳及移动终端
KR102358304B1 (ko) * 2015-11-13 2022-02-04 삼성전자 주식회사 유니 바디 하우징을 갖는 전자 장치 및 그 제조방법
WO2017113228A1 (zh) * 2015-12-30 2017-07-06 深圳市大富科技股份有限公司 手机、手机框架及其制造方法
CN107615739A (zh) * 2015-12-30 2018-01-19 深圳市大富科技股份有限公司 手机、手机框架及其制造方法
CN107615737A (zh) * 2015-12-30 2018-01-19 深圳市大富科技股份有限公司 一种手机、手机中框及其制造方法
KR102484740B1 (ko) 2016-01-21 2023-01-05 삼성전자 주식회사 안테나 장치 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102147366B1 (ko) * 2016-01-26 2020-08-24 구글 엘엘씨 전자 장치용 유리 인클로저
JP2017147292A (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 筐体用部材の製造方法
US9891651B2 (en) 2016-02-27 2018-02-13 Apple Inc. Rotatable input mechanism having adjustable output
US10302184B2 (en) * 2016-04-01 2019-05-28 Shimano Inc. Bicycle component, bicycle sprocket, and bicycle composite sprocket
US10174436B2 (en) 2016-04-06 2019-01-08 Apple Inc. Process for enhanced corrosion protection of anodized aluminum
CN107263939A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 优尔材料工业（深圳）有限公司 复合体及其制备方法
CN105904157A (zh) * 2016-04-11 2016-08-31 乐视控股（北京）有限公司 一种壳体及其制备方法和应用
CN105872154A (zh) * 2016-04-11 2016-08-17 乐视控股（北京）有限公司 一种壳体及其制备方法和应用
CN105834680A (zh) * 2016-04-11 2016-08-10 乐视控股（北京）有限公司 一种壳体及其制备方法和应用
CN105904171A (zh) * 2016-04-11 2016-08-31 乐视控股（北京）有限公司 一种壳体及其制备方法和应用
CN105880955A (zh) * 2016-04-11 2016-08-24 乐视控股（北京）有限公司 一种壳体及其制备方法和应用
CN105665806B (zh) * 2016-04-26 2018-02-16 深圳市力博刀具技术有限公司 一种pcd铣刀及其加工方法
CN105970270B (zh) * 2016-05-13 2018-05-01 兴科电子(东莞)有限公司 一种在铝质金属手机壳上加工两种铝阳极氧化颜色的工艺
US10551798B1 (en) 2016-05-17 2020-02-04 Apple Inc. Rotatable crown for an electronic device
KR102464007B1 (ko) * 2016-05-27 2022-11-07 삼성전자주식회사 하우징, 하우징의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
US10348353B2 (en) * 2016-06-22 2019-07-09 Steve Weaver Electronic device protection system
KR101759950B1 (ko) * 2016-06-24 2017-07-20 엘지전자 주식회사 이동 단말기
US10061399B2 (en) 2016-07-15 2018-08-28 Apple Inc. Capacitive gap sensor ring for an input device
US10044097B2 (en) * 2016-07-21 2018-08-07 Chiun Mai Communication Systems, Inc. Antenna structure and wireless communication device using same
US9905913B2 (en) * 2016-07-21 2018-02-27 Chiun Mai Communication Systems, Inc. Antenna structure and wireless communication device using same
US10038234B2 (en) * 2016-07-21 2018-07-31 Chiun Mai Communication Systems, Inc. Antenna structure and wireless communication device using same
US10019097B2 (en) 2016-07-25 2018-07-10 Apple Inc. Force-detecting input structure
US11352708B2 (en) 2016-08-10 2022-06-07 Apple Inc. Colored multilayer oxide coatings
CN108349296B (zh) * 2016-09-06 2019-11-05 苹果公司 阳极化表面的激光漂白标记
US10321590B2 (en) * 2016-09-06 2019-06-11 Apple Inc. Interlock features of a portable electronic device
USD838706S1 (en) * 2016-09-20 2019-01-22 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Mobile phone
KR101877625B1 (ko) * 2016-09-22 2018-08-09 (주)아이넷테크 Gis 연계 위치 정보 확인 시스템 및 방법
CN106400083B (zh) * 2016-09-26 2018-09-04 兴科电子科技有限公司 一种铝合金手机外壳高光边的表面处理方法
CN106808628B (zh) * 2016-10-25 2019-05-28 瑞声科技(新加坡)有限公司 壳体半成品及壳体的加工工艺
US10512974B1 (en) 2016-12-07 2019-12-24 Quantum Valley Investment Fund LP Diamond machining tool
CN206259983U (zh) * 2016-12-15 2017-06-16 广东欧珀移动通信有限公司 终端外壳及移动终端
CN108476251B (zh) * 2016-12-26 2021-01-29 华为技术有限公司 壳体组件、移动终端及壳体组件的组装方法
US11678445B2 (en) 2017-01-25 2023-06-13 Apple Inc. Spatial composites
US11242614B2 (en) 2017-02-17 2022-02-08 Apple Inc. Oxide coatings for providing corrosion resistance on parts with edges and convex features
US10782741B2 (en) * 2017-03-09 2020-09-22 Apple Inc. Abrasion-resistant surface finishes on metal enclosures
KR102269525B1 (ko) 2017-03-13 2021-06-28 삼성전자주식회사 박형 하우징을 포함하는 전자 장치 및 이의 제조 방법
US20180270963A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Motorola Mobility Llc Electronic Device Housing with Insert Molded Features and Methods of Constructing the Same
CN106956109B (zh) * 2017-03-24 2018-11-30 维沃移动通信有限公司 一种电子设备外壳的加工方法及电子设备
CN115686135A (zh) 2017-03-29 2023-02-03 苹果公司 具有集成接口系统的设备
KR102276886B1 (ko) * 2017-04-28 2021-07-14 삼성전자주식회사 전자 장치 및 그의 하우징 제조 방법
US10664074B2 (en) 2017-06-19 2020-05-26 Apple Inc. Contact-sensitive crown for an electronic watch
US10962935B1 (en) 2017-07-18 2021-03-30 Apple Inc. Tri-axis force sensor
EP3431637A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-23 IMEC vzw Porous solid materials and methods for fabrication
CN107404818B (zh) * 2017-07-24 2019-08-09 广东长盈精密技术有限公司 一种壳体、一种壳体制作方法及一种移动终端
US10292286B2 (en) 2017-07-31 2019-05-14 Apple Inc. Patterned glass layers in electronic devices
US10542628B2 (en) 2017-08-02 2020-01-21 Apple Inc. Enclosure for an electronic device having a shell and internal chassis
USD825556S1 (en) * 2017-08-10 2018-08-14 Apple Inc. Electronic device
USD831025S1 (en) 2017-08-10 2018-10-16 Apple Inc. Housing module for an electronic device
EP3447170A1 (de) * 2017-08-22 2019-02-27 DURA Operating, LLC Leistenbauteil
US20190062885A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 Facebook, Inc. Aluminum alloy having visible grains and aluminum alloy colored by double anodization
JP6941732B2 (ja) 2017-09-29 2021-09-29 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． マルチパートデバイスエンクロージャ
CN107858732A (zh) * 2017-10-11 2018-03-30 广东欧珀移动通信有限公司 处理金属板材的方法、壳体以及移动终端
CN107914035A (zh) * 2017-11-20 2018-04-17 中山市园丰精密刃具有限公司 一种手机双面加工铣刀
CN108177475A (zh) * 2017-12-12 2018-06-19 广东欧珀移动通信有限公司 金属板材及其制备方法、壳体和移动终端
CN108177293B (zh) * 2017-12-25 2019-10-18 维沃移动通信有限公司 一种电子设备的后盖表面上色工艺
US11116099B2 (en) * 2018-01-17 2021-09-07 Guangdong Everwin Precision Technology Co., Ltd. Riveted metal middle frame and electronic device
USD903665S1 (en) 2018-02-01 2020-12-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Computer
CN110257876A (zh) * 2018-03-12 2019-09-20 深圳市裕展精密科技有限公司 阳极氧化膜的制作方法
USD940127S1 (en) 2018-04-23 2022-01-04 Apple Inc. Electronic device
USD924868S1 (en) * 2018-04-23 2021-07-13 Apple Inc. Electronic device
CN108539378B (zh) * 2018-05-03 2021-02-26 Oppo广东移动通信有限公司 天线组件、壳体组件及电子设备
EP3790917B1 (de) * 2018-05-07 2023-08-02 BASF Polyurethanes GmbH Epoxidharz basierte kathodische tauchlackierung (ktl) von metallbauteilen als haftvermittler zu pu systemen
CN108551735B (zh) * 2018-05-25 2020-09-18 Oppo广东移动通信有限公司 壳体和电子装置
CN111356979B (zh) 2018-05-25 2023-12-29 苹果公司 具有动态显示界面的便携式计算机
US11360440B2 (en) 2018-06-25 2022-06-14 Apple Inc. Crown for an electronic watch
KR102536262B1 (ko) * 2018-07-27 2023-05-25 삼성전자주식회사 금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치
US11561515B2 (en) 2018-08-02 2023-01-24 Apple Inc. Crown for an electronic watch
CN108808241A (zh) * 2018-08-03 2018-11-13 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 一种雷达天线罩
US11175769B2 (en) 2018-08-16 2021-11-16 Apple Inc. Electronic device with glass enclosure
USD963652S1 (en) 2018-08-23 2022-09-13 Apple Inc. Housing module for an electronic device
USD933072S1 (en) 2018-08-23 2021-10-12 Apple Inc. Housing module for an electronic device
CN209560398U (zh) 2018-08-24 2019-10-29 苹果公司 电子表
US11181863B2 (en) 2018-08-24 2021-11-23 Apple Inc. Conductive cap for watch crown
US11189909B2 (en) * 2018-08-30 2021-11-30 Apple Inc. Housing and antenna architecture for mobile device
US11133572B2 (en) 2018-08-30 2021-09-28 Apple Inc. Electronic device with segmented housing having molded splits
US10705570B2 (en) 2018-08-30 2020-07-07 Apple Inc. Electronic device housing with integrated antenna
US11194298B2 (en) 2018-08-30 2021-12-07 Apple Inc. Crown assembly for an electronic watch
CN209625187U (zh) 2018-08-30 2019-11-12 苹果公司 电子手表和电子设备
US11258163B2 (en) 2018-08-30 2022-02-22 Apple Inc. Housing and antenna architecture for mobile device
US11549191B2 (en) 2018-09-10 2023-01-10 Apple Inc. Corrosion resistance for anodized parts having convex surface features
KR102606427B1 (ko) 2018-09-21 2023-11-29 삼성전자주식회사 유연성이 있는 안테나를 배치한 전자 장치
US11312107B2 (en) * 2018-09-27 2022-04-26 Apple Inc. Plugging anodic oxides for increased corrosion resistance
US10947634B2 (en) * 2018-10-24 2021-03-16 National Cheng Kung University Method for preparing invisible anodic aluminum oxide pattern
EP3670137B1 (en) * 2018-12-21 2022-07-13 Nokia Solutions and Networks Oy An enclosure for an antenna arrangement, and a method of manufacturing an enclosure for an antenna arrangement
US11172110B2 (en) 2019-01-08 2021-11-09 Apple Inc. Portable electronic device
US11616896B2 (en) 2019-01-08 2023-03-28 Apple Inc. Portable electronic device
USD945978S1 (en) 2019-01-08 2022-03-15 Apple Inc. Electronic device
USD976895S1 (en) 2019-03-15 2023-01-31 Apple Inc. Electronic device
USD945977S1 (en) 2019-01-08 2022-03-15 Apple Inc. Electronic device
US11194299B1 (en) 2019-02-12 2021-12-07 Apple Inc. Variable frictional feedback device for a digital crown of an electronic watch
USD970460S1 (en) 2019-03-15 2022-11-22 Apple Inc. Electronic device
USD895626S1 (en) 2019-04-02 2020-09-08 Apple Inc. Housing module for an electronic device
CN109996409B (zh) * 2019-04-04 2020-08-28 Oppo广东移动通信有限公司 电子装置的壳体、电子装置及壳体的制造方法
CN114399012B (zh) 2019-04-17 2024-08-06 苹果公司 无线可定位标签
WO2020219061A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic device housings with chamfered edges
KR20200131103A (ko) * 2019-05-13 2020-11-23 삼성전자주식회사 센서 모듈을 포함하는 전자 장치
USD896232S1 (en) 2019-05-15 2020-09-15 Apple Inc. Housing module for an electronic device
US10761356B1 (en) * 2019-05-31 2020-09-01 Apple Inc. Electronic device including a display assembly
EP3748374B8 (en) 2019-06-06 2023-02-15 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG System and method for calibrating radio frequency test chambers
CN112078081A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 北京小米移动软件有限公司 电子设备壳体及其加工方法及电子设备
CN110193704A (zh) * 2019-06-21 2019-09-03 江西洪都航空工业集团有限责任公司 一种15-5ph固溶钢闭角型腔类零件的铣削加工工艺
US20220147118A1 (en) * 2019-07-25 2022-05-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Covers for electronic devices
US11448801B2 (en) 2019-07-30 2022-09-20 Apple Inc. Textured glass layers in electronic devices
US20220162766A1 (en) * 2019-08-14 2022-05-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Coated Metal Alloy Substrate with at least one Chamfered Edge and Process for Production Thereof
USD971170S1 (en) 2019-09-09 2022-11-29 Apple Inc. Electronic device
USD971171S1 (en) 2019-09-09 2022-11-29 Apple Inc. Electronic device
US11269374B2 (en) 2019-09-11 2022-03-08 Apple Inc. Electronic device with a cover assembly having an adhesion layer
WO2021050057A1 (en) * 2019-09-11 2021-03-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Casings for electronic devices
CN110528046B (zh) * 2019-09-24 2021-02-09 RealMe重庆移动通信有限公司 金属表面纹理的形成方法、金属壳体和电子装置
US11375629B2 (en) * 2019-09-26 2022-06-28 Apple Inc. Rotating frame lock for front crystal retention and sealing
USD974352S1 (en) 2019-11-22 2023-01-03 Apple Inc. Electronic device
USD947849S1 (en) 2019-11-22 2022-04-05 Apple Inc. Housing module for an electronic device
USD947850S1 (en) 2019-11-22 2022-04-05 Apple Inc. Housing module for an electronic device
USD947851S1 (en) 2019-11-22 2022-04-05 Apple Inc. Housing module for an electronic device
USD957402S1 (en) 2019-11-22 2022-07-12 Apple Inc. Housing module for an electronic device
USD974353S1 (en) 2019-11-22 2023-01-03 Apple Inc. Electronic device
US12009576B2 (en) 2019-12-03 2024-06-11 Apple Inc. Handheld electronic device
CN114829101A (zh) * 2020-01-08 2022-07-29 惠普发展公司，有限责任合伙企业 具有疏水性涂层的电子设备外罩
WO2021151232A1 (en) * 2020-01-30 2021-08-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic device housings with chamfered edges
WO2021154274A1 (en) * 2020-01-31 2021-08-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic device covers and/or enclosures
CN210896389U (zh) * 2020-03-10 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN115261951A (zh) * 2020-04-07 2022-11-01 巨腾国际控股有限公司 镁合金物件的高光制造方法及结构
JP7489697B2 (ja) 2020-04-14 2024-05-24 株式会社フラスコ アルマイト処理方法
US11175700B1 (en) * 2020-05-14 2021-11-16 Apple Inc. Electronic devices with adjustable-appearance housing structures
US11550268B2 (en) 2020-06-02 2023-01-10 Apple Inc. Switch module for electronic crown assembly
CN111534845A (zh) * 2020-06-10 2020-08-14 上海宝敦金属表面处理厂(普通合伙) 一种阀体用局部阳极氧化设备
CN111690970A (zh) * 2020-06-10 2020-09-22 上海宝敦金属表面处理厂(普通合伙) 一种阀体局部阳极氧化方法
CN114257260B (zh) * 2020-09-21 2023-08-04 Oppo（重庆）智能科技有限公司 后壳、可穿戴设备及可穿戴设备的后壳的制造方法
US12068137B2 (en) 2020-09-25 2024-08-20 Applied Materials, Inc. Thread profiles for semiconductor process chamber components
FR3117130B1 (fr) * 2020-12-03 2024-04-05 Safran Electronics & Defense Procede de protection d’une piece en alliage a base d’aluminium contenant du cuivre
KR20220083150A (ko) * 2020-12-11 2022-06-20 동우 화인켐 주식회사 안테나 패키지 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
EP4207961A4 (en) 2021-03-17 2024-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. ELECTRONIC DEVICE WITH HOUSING AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
KR20220129848A (ko) * 2021-03-17 2022-09-26 삼성전자주식회사 하우징을 포함하는 전자 장치 및 그의 제조 방법
KR20220132281A (ko) * 2021-03-23 2022-09-30 삼성전자주식회사 금속 하우징을 포함하는 전자 장치
CN117083990A (zh) * 2021-03-23 2023-11-17 三星电子株式会社 包括金属壳体的电子装置
USD982005S1 (en) 2021-04-09 2023-03-28 Apple Inc. Electronic device
USD982006S1 (en) 2021-04-09 2023-03-28 Apple Inc. Electronic device
US11866838B2 (en) * 2021-05-20 2024-01-09 National Cheng Kung University Method for creating colorful pattern on metal surface
US11506956B1 (en) * 2021-05-28 2022-11-22 Dell Products L.P. Cylindrical camera with integrated tilt stand
EP4329442A4 (en) * 2021-06-03 2024-10-09 Samsung Electronics Co Ltd ELECTRONIC DEVICE COMPRISING A HOUSING, AND METHOD FOR MANUFACTURING A HOUSING
KR20220165965A (ko) * 2021-06-09 2022-12-16 삼성전자주식회사 이종 금속 접합 전자 장치 하우징 및 이의 제조방법
US12092996B2 (en) 2021-07-16 2024-09-17 Apple Inc. Laser-based rotation sensor for a crown of an electronic watch
KR20230017537A (ko) * 2021-07-28 2023-02-06 삼성전자주식회사 아노다이징이 가능한 알루미늄 외장재 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
EP4386114A1 (en) * 2021-10-12 2024-06-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Exterior panel for home appliance, home appliance comprising same, and exterior panel manufacturing method
WO2023101514A1 (ko) * 2021-12-03 2023-06-08 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치
KR102594881B1 (ko) * 2021-12-03 2023-10-30 주식회사 케이엠더블유 안테나 장치

Family Cites Families (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1817310A (en) 1930-09-30 1931-08-04 Wendell M Hauch Vanity box or case
US2691627A (en) 1952-02-07 1954-10-12 Scovill Manufacturing Co Method of producing decorated aluminum articles
US3367852A (en) 1964-10-29 1968-02-06 United Aircraft Corp Selected area hardcoating of aluminum
US3450606A (en) 1966-03-17 1969-06-17 Reynolds Metals Co Multi-colored aluminum anodizing process
US3496619A (en) * 1967-11-14 1970-02-24 Verson Allsteel Press Co Method and apparatus for making inner and outer races for a roller bearing
US3765994A (en) 1971-12-07 1973-10-16 Horizons Inc Indicia bearing, anodized laminated articles
US3877064A (en) 1974-02-22 1975-04-08 Amp Inc Device for connecting leadless integrated circuit packages to a printed-circuit board
US4410759A (en) * 1978-12-20 1983-10-18 Kessler Bayard F Electronics package
JPS5830960B2 (ja) 1980-02-27 1983-07-02 シチズン時計株式会社 着色アルミニウム多面体
US4411564A (en) 1981-10-19 1983-10-25 The Ingersoll Milling Machine Company Indexable cutting insert having radiused cutting edges
JPS58123899A (ja) 1982-01-14 1983-07-23 Seiko Epson Corp 着色アルミニウム時計側
JPS58157196A (ja) 1982-03-13 1983-09-19 河西工業株式会社 オ−デイオキヤビネツトにおける装飾パネルの製造方法
JPS59117675U (ja) 1983-01-24 1984-08-08 旭可鍛鉄株式会社 アルミニウム又はその合金における陽極酸化皮膜の構造
JPS61102215A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Fuji Eng:Kk 化粧合板の成形方法
JPS61136702A (ja) 1984-12-07 1986-06-24 Hitachi Ltd 切削工具
US5022797A (en) * 1985-09-09 1991-06-11 Hitachi, Ltd. Diamond tool
US4631631A (en) 1985-10-03 1986-12-23 Emhart Industries, Inc. Capacitor cover and terminal connection
US4648125A (en) 1986-01-03 1987-03-03 Motorola, Inc. Portable radio transceiver
DE3718731A1 (de) 1987-05-21 1988-12-15 Heinrich Heule Schneidmesser zum entgraten von bohrungen
US4902580A (en) 1988-04-01 1990-02-20 Ppg Industries, Inc. Neutral reflecting coated articles with sputtered multilayer films of metal oxides
US4939316A (en) 1988-10-05 1990-07-03 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US4896638A (en) * 1988-12-07 1990-01-30 Ford Motor Company Fabricating internal combustion engine cylinder heads with close tolerance internal surfaces
DE3842209A1 (de) 1988-12-15 1990-06-21 Walter Gmbh Montanwerke Bohrwerkzeug fuer metallische werkstoffe, kunststoffe und dergl.
US4963627A (en) * 1988-12-30 1990-10-16 Amoco Corporation Injection moldable blends of poly(etherketones) and polyamide-imides
US4972508A (en) 1989-08-28 1990-11-20 Motorola, Inc. Housing for a battery powered device
US5063980A (en) 1989-10-19 1991-11-12 Schultz David A Cutter head assembly
US4993891A (en) 1990-02-20 1991-02-19 General Motors Corporation Milling cutter with grinding inserts
US5185956A (en) 1990-05-18 1993-02-16 Silicon Technology Corporation Wafer slicing and grinding system
EP0532229A1 (en) 1991-09-12 1993-03-17 AT&T Corp. Method of polishing silicon-based optical waveguides
JPH05277823A (ja) * 1992-03-31 1993-10-26 Nisshin Koki Kk エンドミル
US5506046A (en) * 1992-08-11 1996-04-09 E. Khashoggi Industries Articles of manufacture fashioned from sheets having a highly inorganically filled organic polymer matrix
US5665439A (en) * 1992-08-11 1997-09-09 E. Khashoggi Industries Articles of manufacture fashioned from hydraulically settable sheets
JP3496157B2 (ja) 1992-12-25 2004-02-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 ポリゴンミラーの製造方法
SE508388C2 (sv) * 1993-09-06 1998-10-05 Sandvik Ab Fräskropp innefattande skär med vinkelinställning
JPH07250138A (ja) 1994-03-09 1995-09-26 Fujitsu Ltd 携帯無線端末装置
DE4411475A1 (de) * 1994-04-01 1995-10-05 Walter Ag Schneidplatte, insbesondere Wendeschneidplatte
US5492263A (en) * 1994-05-26 1996-02-20 Delco Electronics Corp. Method for wire bonding an aluminum wire to a lead of an electronics package
DE4445125A1 (de) 1994-12-17 1996-06-20 Wabco Gmbh Gehäuse für ein elektrisches Bauteil
US6635354B2 (en) * 1995-01-20 2003-10-21 Parker-Hannifin Corporation Form-in place EMI gaskets
US5672031A (en) 1995-05-12 1997-09-30 Kennametal Inc. Milling cutter
CH690080A5 (de) * 1995-09-12 2000-04-14 Alusuisse Lonza Services Ag Aluminium-Reflektor mit reflexionserhöhendem Schichtverbund.
IL115338A (en) * 1995-09-18 1999-07-14 Iscar Ltd Exchangeable cutting insert and a tool assembly for use therewith
US5605420A (en) * 1995-12-22 1997-02-25 Kennametal Inc. High speed rotating tool having a band of high tenacity material about the perimeter
DE19626608B4 (de) * 1996-07-02 2004-11-11 Boehringer Werkzeugmaschinen Gmbh Verfahren zur spanenden Bearbeitung
US6217262B1 (en) 1996-12-21 2001-04-17 Galen Ross Wright Edge milling cutter with cutter inserts
JPH10219371A (ja) * 1997-02-07 1998-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd ＡｌＮ分散型粉末アルミニウム合金とその製造方法
US6294738B1 (en) * 1997-03-31 2001-09-25 American Superconductor Corporation Silver and silver alloy articles
US5986364A (en) 1997-04-14 1999-11-16 Donnelly Corporation Housing with integral weather seals and noise dampeners for a rearview mirror actuator assembly
US5980723A (en) 1997-08-27 1999-11-09 Jude Runge-Marchese Electrochemical deposition of a composite polymer metal oxide
US6275683B1 (en) 1998-01-12 2001-08-14 Ericsson Inc. Interchangeable shield for a radio communication device
US6305908B1 (en) 1998-06-19 2001-10-23 Abbott Laboratories Infusion pump extruded metal housing with elastomeric end caps
US6251550B1 (en) 1998-07-10 2001-06-26 Ball Semiconductor, Inc. Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data
FR2784984B1 (fr) 1998-10-22 2001-10-26 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'un empilement de couches minces
FR2791214B1 (fr) 1999-03-17 2001-06-01 Mitsubishi Electric France Accouplement liberable d'un teton de suspension sur une paroi d'un telephone mobile
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US6440334B2 (en) 1999-06-11 2002-08-27 3M Innovative Properties Company Method of making a retroreflective article
US6155093A (en) * 1999-06-18 2000-12-05 Coining Technologies, Inc. Method of fabricating metal electronic enclosures
US6342145B1 (en) 1999-07-14 2002-01-29 Nielsen & Bainbridge Llc Process for manufacturing multi-colored picture frames
EP1230830A4 (en) 1999-10-12 2006-04-26 Wavezero Inc APPARATUS FOR CONFINING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE
US6821051B2 (en) 1999-10-16 2004-11-23 Adil H. Attar One-piece structural body for reflective pavement marker
SG90181A1 (en) 1999-10-21 2002-07-23 Naito Mfg Co Ltd Process for producing substrate for photosensitive drum and substrate for photosensitive drum
JP3378575B2 (ja) 2000-10-27 2003-02-17 住友電気工業株式会社 フライスカッタ
DE10055382A1 (de) 2000-11-08 2002-05-23 Kmm Oberflaechenbearbeitung Gm Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Gegenständen
DE10057635A1 (de) 2000-11-21 2002-05-23 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Bearbeiten von Substraten
MXPA03005423A (es) * 2000-12-18 2005-07-01 Cardemon Inc Metodo y aparato de ajuste para una herramienta de perforacion.
JP2002217224A (ja) 2001-01-17 2002-08-02 Sanyo Electric Co Ltd バンプ電極構造の形成方法
US6771870B2 (en) * 2001-03-20 2004-08-03 Eele Laboratories Components and methods for manufacturing hollow integrators and angle converters
US20030033463A1 (en) 2001-08-10 2003-02-13 Garnett Paul J. Computer system storage
US20060168710A1 (en) 2001-08-27 2006-08-03 Sting Free Company Vibration dampening material and method of making same
JP2003160898A (ja) 2001-09-17 2003-06-06 Fujitsu Ltd マグネシウム材の着色方法およびこれにより着色されたマグネシウム材製筐体
EP1306922A3 (en) * 2001-10-24 2006-08-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna structure, methof of using antenna structure and communication device
TWI230747B (en) 2001-11-15 2005-04-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Anodized method for metal substrate
ATE306638T1 (de) 2001-11-23 2005-10-15 Regent Beleuchtungskoerper Ag Lichtverteiler, leuchteinrichtung mit mindestens einem lichtverteiler und verfahren zur herstellung eines lichtverteilers
AT5969U1 (de) 2001-12-21 2003-02-25 Plansee Tizit Ag Fräswerkzeug
EP1459882B1 (en) * 2001-12-28 2010-02-17 Taisei Plas Co., Ltd. Production method for composite material of aluminum alloy and resin
ITMI20020294A1 (it) * 2002-02-14 2003-08-14 Livio Mina Inserto quadrilatero per frese con angolo radiale dei taglienti negatico per la fresatura tridimensionale dal pieno
US7140812B2 (en) * 2002-05-29 2006-11-28 3M Innovative Properties Company Diamond tool with a multi-tipped diamond
FI117593B (fi) * 2002-06-28 2006-12-15 Mandrel Oy Järjestely lastuavaan työstöön
US7001389B1 (en) 2002-07-05 2006-02-21 Navarro Richard R Fixed and variable locking fixation assembly
US7125205B2 (en) 2002-09-04 2006-10-24 Kennametal Inc. Cutting tool for rough and finish milling
US6896787B2 (en) 2002-09-13 2005-05-24 Jas. D. Easton, Inc. Metal articles with smooth surface having durable visible marking and method of manufacture
US7347924B1 (en) 2002-12-24 2008-03-25 Ij Research, Inc. Anodizing of optically transmissive substrate
JP4073331B2 (ja) 2003-02-18 2008-04-09 豊田合成株式会社 スライド構造及びスライド式携帯電話
SE526234C2 (sv) * 2003-03-12 2005-08-02 Sandvik Intellectual Property Roterbart skärverktyg samt skär med snedställd planfasegg
KR20040096045A (ko) 2003-05-07 2004-11-16 삼성탈레스 주식회사 알루미늄 소재의 도금 처리방법
KR100575299B1 (ko) 2003-07-01 2006-04-28 광성전자(주) 광택사면을 갖는 아노다이징처리 외장제품 제조방법 및이에 의해 제조된 외장제품
US6997321B2 (en) * 2003-07-02 2006-02-14 Jean Young Multiple-color combination lipstick and cosmetic case
US7166205B2 (en) 2003-08-06 2007-01-23 General Motors Corporation Method for producing hard surface, colored, anodized aluminum parts
EP1705662A3 (en) 2003-09-08 2006-11-29 Glud & Marstrand A/S A metal packaging
WO2005023483A1 (en) 2003-09-09 2005-03-17 H & S Tool, Inc. Tube milling head
US6953891B2 (en) * 2003-09-16 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Moisture-resistant electronic device package and methods of assembly
US6905899B2 (en) 2003-09-23 2005-06-14 Macronix International Co., Ltd. Methods for forming a photoresist pattern using an anti-optical proximity effect
US7134811B2 (en) 2003-10-24 2006-11-14 Kennametal Inc. Helical end mill type cutter configured to compensate for radial runout
CN2647479Y (zh) 2003-10-29 2004-10-13 哈尔滨理工大学 聚晶金刚石粗精铣刀
JP4689997B2 (ja) * 2003-11-26 2011-06-01 住友電工ハードメタル株式会社 防振切削工具
US20050126246A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 Dragos Ungurean Solid shapes extrusion
DE10361888B3 (de) * 2003-12-23 2005-09-22 Airbus Deutschland Gmbh Anodisierverfahren für Aluminiumwerkstoffe
WO2005080624A1 (en) * 2004-02-13 2005-09-01 Nv Bekaert Sa Steel wire with metal layer and roughnesses
US7044697B2 (en) 2004-03-10 2006-05-16 Mipox International Corporation Cutting tool for simultaneous facing and grooving of CMP pad
US7658421B2 (en) * 2004-04-27 2010-02-09 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Axial member with flange, connection member and production methods thereof
CN1961394B (zh) 2004-05-28 2011-04-20 三箭有限公司 具有壳体的按键单元
DE502004007485D1 (de) 2004-05-28 2008-08-14 Huber+Suhner Ag Gruppenantenne mit einem Antennengehäuse
US7515431B1 (en) 2004-07-02 2009-04-07 Apple Inc. Handheld computing device
US7724532B2 (en) 2004-07-02 2010-05-25 Apple Inc. Handheld computing device
JP2006083451A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Fuji Photo Film Co Ltd 微細構造体およびその製造方法
US20060067797A1 (en) * 2004-09-28 2006-03-30 Calamia Guy A End mill
WO2006057098A1 (ja) * 2004-11-26 2006-06-01 Jfe Steel Corporation 電磁特性に優れた鋼管およびその製造方法
JP4616638B2 (ja) * 2004-12-24 2011-01-19 古河スカイ株式会社 小型電子筐体及びその製造方法
US20110083895A1 (en) 2005-01-10 2011-04-14 Paul Douglas Cochrane Three-Dimensional Shapes with multiple Parametric geometries and Surfaces Formed in Electronics Enclosures for Providing Electromagnetic Interference (EMI) Shielding
KR101056041B1 (ko) * 2005-02-14 2011-08-10 엘지전자 주식회사 이동통신단말기의 케이스 제조방법
KR100630738B1 (ko) 2005-02-18 2006-10-02 삼성전자주식회사 반사 포토마스크의 제조 방법
JP4530218B2 (ja) 2005-03-07 2010-08-25 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 携帯端末装置
US20080297711A1 (en) 2005-03-28 2008-12-04 Au Optronics Corporation Liquid crystal display device and its manufacturing method
JP4660760B2 (ja) 2005-06-02 2011-03-30 国立大学法人広島大学 アルミニウム又は／及びアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の形成方法およびその方法により形成される陽極酸化皮膜
US7319499B2 (en) * 2005-06-03 2008-01-15 Ching-Lung Peng Composite structure of aluminum extrusion external framework of LCD monitor
US7898623B2 (en) 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
US20070026205A1 (en) 2005-08-01 2007-02-01 Vapor Technologies Inc. Article having patterned decorative coating
JP2007044782A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Sumitomo Electric Hardmetal Corp スローアウェイチップ及びそれを用いたミーリングカッタ
CA2517541C (en) 2005-08-29 2011-04-12 Wireless Resident Nurse Alert Technology Inc. Pocket pager protector
CA2567077C (en) 2005-10-06 2013-04-09 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Cutting tool for high-quality high-efficiency machining and cutting method using the same
US7585085B1 (en) 2005-10-24 2009-09-08 Jeffrey Tedd Holman Solar light sign post
DE102005054434B4 (de) 2005-11-15 2009-09-24 Kennametal Inc. Wendeschneidplatte mit zwei Teilkörpern
US20070145873A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-28 Clark Brent L Drawer construction
TWI281884B (en) * 2006-05-01 2007-06-01 Taiwan Creen Point Entpr Co Lt Methods and manufacturing of a double-injection product without having any openings between two materials
US20070280792A1 (en) 2006-06-01 2007-12-06 Onsrud Cutter Lp Polycrystalline diamond tool for cutting
SE530090C2 (sv) * 2006-06-27 2008-02-26 Sandvik Intellectual Property Planfrässkär med flera bågformiga deleggar och konvexa släppningsytor
US7733659B2 (en) * 2006-08-18 2010-06-08 Delphi Technologies, Inc. Lightweight audio system for automotive applications and method
US7889507B2 (en) * 2006-08-30 2011-02-15 Nec Corporation Portable apparatus
US20080122993A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Television image receiver
US8026903B2 (en) 2007-01-03 2011-09-27 Apple Inc. Double-sided touch sensitive panel and flex circuit bonding
US7688574B2 (en) * 2007-01-05 2010-03-30 Apple Inc. Cold worked metal housing for a portable electronic device
US7798831B2 (en) 2007-01-06 2010-09-21 Apple Inc. Connector assemblies
US7431541B2 (en) 2007-01-29 2008-10-07 Hsin-Tien Chang Disposable cutting insert for boring cutter
KR100759086B1 (ko) 2007-02-23 2007-09-19 실리콘 디스플레이 (주) 국부 산화를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 및 투명박막 트랜지스터
CN201018542Y (zh) * 2007-03-06 2008-02-06 英华达（南京）科技有限公司 手机外壳结构
US20080241709A1 (en) 2007-04-02 2008-10-02 Kent Nakagawa System And Method For analyzing photomask Geometries
EP2131694A1 (en) * 2007-04-04 2009-12-16 Nokia Corporation Casing assembly
US20080254299A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 General Electric Company Scratch-resistant Layered Composite and Articles
US20080259551A1 (en) 2007-04-20 2008-10-23 Gotive A.S. Modular computing device
US20080268724A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Singatron Enterprise Co., Ltd. Elastic terminal structure
US20080274375A1 (en) 2007-05-04 2008-11-06 Duracouche International Limited Anodizing Aluminum and Alloys Thereof
US7911771B2 (en) 2007-05-23 2011-03-22 Apple Inc. Electronic device with a metal-ceramic composite component
US8081381B2 (en) 2007-07-25 2011-12-20 Lockhead Martin Corporation Laser beam combining by polarization interlacing
US8776358B2 (en) * 2007-08-06 2014-07-15 Apple Inc. Housing components for electronic devices
DE202007011816U1 (de) 2007-08-24 2007-12-20 Jakob Lach Gmbh & Co. Kg Monoblock-Planfräser
JP2009075477A (ja) 2007-09-21 2009-04-09 Fujifilm Corp 電子機器用筐体及び電子機器用筐体の製造方法
KR101451425B1 (ko) 2007-10-08 2014-10-21 고려대학교 산학협력단 알루미늄 소재의 자가세정능 부여를 위한 표면 개질 방법
US9079260B2 (en) 2007-11-01 2015-07-14 GM Global Technology Operations LLC Polycrystalline diamond cutting tool with coated body
US7876273B2 (en) 2007-12-21 2011-01-25 Nokia Corporation Apparatus and method
US8004835B2 (en) 2007-12-27 2011-08-23 Hand Held Products, Inc. Portable data terminal internal support structure
US8264412B2 (en) 2008-01-04 2012-09-11 Apple Inc. Antennas and antenna carrier structures for electronic devices
JP2009205146A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Hoya Corp フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法
US7733639B2 (en) * 2008-01-31 2010-06-08 Imation Corp. Tamper evident portable memory housing and device
US20090205983A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-20 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Metal cover for portable electronic device
CN201181938Y (zh) * 2008-02-21 2009-01-14 宝德科技股份有限公司 无线讯号接收器
US20090234490A1 (en) 2008-03-17 2009-09-17 Suprock Christopher A Smart Machining System and Smart Tool Holder Therefor
US8537543B2 (en) 2008-04-11 2013-09-17 Apple Inc. Portable electronic device housing structures
CN101573009A (zh) 2008-04-28 2009-11-04 富准精密工业(深圳)有限公司 电子装置壳体及其制造方法
US8159399B2 (en) 2008-06-03 2012-04-17 Apple Inc. Antenna diversity systems for portable electronic devices
KR101244027B1 (ko) 2008-07-08 2013-03-14 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플렉서블 태양전지 제조방법
JPWO2010007661A1 (ja) 2008-07-14 2012-01-05 オーエスジー株式会社 硬質被膜、および硬質被膜被覆工具
US20100018092A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Peckham Geoffrey M Photoluminescent exit signs and methods for forming same
US7625161B1 (en) 2008-08-08 2009-12-01 Kennametal Inc. Rotary cutting tool assembly and cutting insert and tool shank therefor
US20100045538A1 (en) 2008-08-19 2010-02-25 Motorola, Inc. Rf transparent housing having a metallic appearance
US20100056231A1 (en) * 2008-08-30 2010-03-04 Motorola Inc Housing for Hand-Held Device with Extruded Element having Area of Bulk Material and Corresponding Method
US8430256B2 (en) * 2008-09-03 2013-04-30 Motorola Mobility Llc Extruded housing for hand-held device with a cap for covering two or more adjacent sides
US8023261B2 (en) 2008-09-05 2011-09-20 Apple Inc. Electronic device assembly
US7869206B2 (en) * 2008-09-05 2011-01-11 Apple Inc. Handheld computing device
WO2010039132A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display for notebook computer and method of making a display for a notebook computer
US8179673B2 (en) * 2008-10-13 2012-05-15 Apple Inc. Portable computer hard drive structures
KR101576205B1 (ko) 2008-12-11 2015-12-10 삼성전자주식회사 극자외선 포토마스크, 이를 제조하기 위한 방법 및 장치
KR100914858B1 (ko) 2009-03-24 2009-09-04 주식회사 모아기술 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법
US8325094B2 (en) * 2009-06-17 2012-12-04 Apple Inc. Dielectric window antennas for electronic devices
US8269675B2 (en) 2009-06-23 2012-09-18 Apple Inc. Antennas for electronic devices with conductive housing
US8483751B2 (en) * 2009-07-17 2013-07-09 Motorola Mobility Llc Split band diversity antenna arrangement
US8466839B2 (en) * 2009-07-17 2013-06-18 Apple Inc. Electronic devices with parasitic antenna resonating elements that reduce near field radiation
US8398841B2 (en) 2009-07-24 2013-03-19 Apple Inc. Dual anodization surface treatment
CA2674860A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-07 Dimitrios Marinakis Illuminated point of sale signage system
KR20120085249A (ko) * 2009-08-12 2012-07-31 언커먼 엘엘씨 투-피스 보호 캐링 케이스
US8385060B2 (en) 2009-08-31 2013-02-26 Apple Inc. Handheld computing device
US10392718B2 (en) 2009-09-04 2019-08-27 Apple Inc. Anodization and polish surface treatment
US8506327B2 (en) * 2009-09-30 2013-08-13 Eric Jol Portable electronic devices with sealed connectors
JP5310672B2 (ja) * 2009-10-15 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US20110089039A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Michael Nashner Sub-Surface Marking of Product Housings
WO2011053740A1 (en) * 2009-10-28 2011-05-05 Belkin International, Inc. Portable multi-media communication device protective carrier and method of manufacture therefor
KR20110049633A (ko) 2009-11-04 2011-05-12 김시환 휴대용 표시장치
CN102088130A (zh) 2009-12-03 2011-06-08 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置壳体及其制作方法
US8681485B2 (en) * 2009-12-22 2014-03-25 Flextronics Ap, Llc Enclosure of anodized multi-layer metallic shell with molded plastic scaffolding and method of manufacture
US8432678B2 (en) 2010-01-06 2013-04-30 Apple Inc. Component assembly
US8213168B2 (en) 2010-01-06 2012-07-03 Apple Inc. Assembly of a display module
US8345410B2 (en) 2010-01-06 2013-01-01 Apple Inc. Handheld computing device
FR2955037A1 (fr) 2010-01-08 2011-07-15 Rd Nephrologie Appareil de filtration et procede de controle d'un tel appareil.
CN102076189B (zh) 2010-02-02 2015-09-09 苹果公司 电子设备部件、电子设备和相关方法
US8913395B2 (en) 2010-02-02 2014-12-16 Apple Inc. High tolerance connection between elements
US9232670B2 (en) * 2010-02-02 2016-01-05 Apple Inc. Protection and assembly of outer glass surfaces of an electronic device housing
DE102010000640A1 (de) * 2010-03-04 2011-09-08 Gühring Ohg Stirnfräser
US8858854B2 (en) 2010-04-01 2014-10-14 Flextronics Ap, Llc System and method for plastic overmolding on a metal surface
US8264837B2 (en) 2010-04-19 2012-09-11 Apple Inc. Systems and methods for cover assembly retention of a portable electronic device
US20110278759A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Motorola, Inc. Anti-Delamination Feature For Double Injection Mold Parts
CA2799907C (en) * 2010-05-19 2017-07-11 Daniel Huang Modular mobile accessory for mobile device
US8655422B2 (en) * 2010-06-04 2014-02-18 Apple Inc. Ring-shaped cover for portable electronic device
US8451598B2 (en) * 2010-06-15 2013-05-28 Apple Inc. Small form factor desk top computer
US8888940B2 (en) * 2010-08-24 2014-11-18 Apple Inc. Methods for forming composite housing frames
US8824140B2 (en) * 2010-09-17 2014-09-02 Apple Inc. Glass enclosure
US9109093B2 (en) 2010-09-27 2015-08-18 Apple Inc. Formation of structural components using ceramic fibers
CN101934398B (zh) 2010-09-30 2012-05-23 中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所 一种用于铝合金平面加工的组合式铣刀
US20120088558A1 (en) 2010-10-08 2012-04-12 Tan Qing Song Phone case
US20120103844A1 (en) * 2010-10-26 2012-05-03 Marware, Inc. Mobile telephone or portable digital media player case having interchangeable panels
CN102480872B (zh) 2010-11-22 2014-12-10 富泰华工业（深圳）有限公司 壳体组件及其制造方法以及应用该壳体组件的电子装置
US8947303B2 (en) 2010-12-20 2015-02-03 Apple Inc. Peripheral electronic device housing members with gaps and dielectric coatings
USD674394S1 (en) * 2010-12-27 2013-01-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Mobile terminal cover
US8772650B2 (en) 2011-01-10 2014-07-08 Apple Inc. Systems and methods for coupling sections of an electronic device
US8791864B2 (en) 2011-01-11 2014-07-29 Apple Inc. Antenna structures with electrical connections to device housing members
KR101838238B1 (ko) 2011-01-27 2018-03-13 대구텍 유한회사 접선방향 절삭 인서트
US8648752B2 (en) * 2011-02-11 2014-02-11 Pulse Finland Oy Chassis-excited antenna apparatus and methods
US9725359B2 (en) 2011-03-16 2017-08-08 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
JP2012197498A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属部材及びその製造方法
CN102752982A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 深圳富泰宏精密工业有限公司 装饰性外壳及其制作方法
US8742997B2 (en) 2011-05-19 2014-06-03 Apple Inc. Testing system with electrically coupled and wirelessly coupled probes
CA2838333C (en) * 2011-06-13 2021-07-20 Treefrog Developments, Inc. Housing for encasing a tablet computer
CN102852943B (zh) * 2011-06-28 2016-08-17 富泰华工业（深圳）有限公司 锁固结构及具有该锁固结构的电子设备
US8622269B2 (en) 2011-07-17 2014-01-07 Mark W Hogue Handgun holster for concealed carry
CN102917560A (zh) * 2011-08-01 2013-02-06 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置壳体及其制造方法
US8557158B2 (en) * 2011-08-23 2013-10-15 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Molded article having enhanced aesthetic effect and method and system for making the molded article
US9098237B2 (en) 2011-08-31 2015-08-04 Apple Inc. Systems and methods for coupling electrically isolated sections of an electronic device
US9007748B2 (en) * 2011-08-31 2015-04-14 Apple Inc. Two-shot knuckles for coupling electrically isolated sections of an electronic device and methods for making the same
US20130079067A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Photo U.S.A. Corporation Sublimation coated case for cell phone
USD728547S1 (en) 2011-11-30 2015-05-05 Case-Mate, Inc. Electronic device case with an asymmetric housing cut-out
US9683305B2 (en) 2011-12-20 2017-06-20 Apple Inc. Metal surface and process for treating a metal surface
US8640868B2 (en) * 2012-01-13 2014-02-04 John O'Dowd Case assembly and method for covering and protecting a portable device
US8836587B2 (en) 2012-03-30 2014-09-16 Apple Inc. Antenna having flexible feed structure with components
US9545024B2 (en) 2012-05-29 2017-01-10 Apple Inc. Diamond cutting tools
US9302334B2 (en) 2012-05-29 2016-04-05 Apple Inc. Cutting tools for cutting curved and complex features
US9600028B2 (en) * 2013-08-19 2017-03-21 Mildef, Inc. Enclosures for protecting devices and methods of manufacturing enclosures for protecting devices

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Publication number Publication date
US20130322976A1 (en) 2013-12-05
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JP2015525291A (ja) 2015-09-03
US20150351273A1 (en) 2015-12-03
US20130321237A1 (en) 2013-12-05
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US9545024B2 (en) 2017-01-10
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AU2020200881A1 (en) 2020-02-27
US20130319865A1 (en) 2013-12-05
US8933347B2 (en) 2015-01-13
US20180242470A1 (en) 2018-08-23
US10034402B2 (en) 2018-07-24
US9061358B2 (en) 2015-06-23

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