KR100914858B1 - 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법 - Google Patents

금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법

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KR100914858B1
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Abstract

본 발명은 마그네슘합금의 표면처리에 관한 것으로서, 크게 양극 산화처리를 통한 표면처리를 수행하고, 이후 항균 피막을 형성함으로써 항균성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
특히, 마그네슘합금의 표면처리를 위한 양극 산화처리는 2종 이상의 알칼리금속을 포함하는 인산염화합물을 주성분으로 하고 산화물과 산화 피막의 치밀한 성장을 위한 알루미늄 이온을 포함하는 산화물, 저전압의 불꽃방전을 제어하는 히도록시기를 포함하는 유기용제를 첨가제로 하는 전해액을 이용하고, 마그네슘합금재를 양극으로 하여 음극은 스테인레스 판재를 사용하여 인가전압을 DC 30∼60V 범위에서 온도는 25∼50℃에서 수행하며, 상기 항균 피막을 형성하는 과정은 질산은과 황산알루미늄함유 전해액을 pH 4∼5로 조정하여 교류전원(AC)을 10∼20V 범위에서 상온조건에서 10분간 통전하여 생성한다.

Description

금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법{A method for treating a surface of Magnesium alloy with antibacterial activity kepping metallic tone of bare Magnesium alloy}
본 발명은 금속표면의 가공분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마그네슘 및 마그네슘 합금을 양극 산화처리를 통한 표면처리를 수행하고, 이후 항균 피막을 생성하여 항균성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
마그네슘합금은 실용금속 중에서 가장 경량금속이며 강도가 우수하여 제품의 경량화와 박형화가 가능한 소재로 널리 사용이 확대되고 있다.
하지만, 금속 자체의 활성화 에너지가 높아 대기 중에서 쉽게 산화되어 내식성이 충분한 소재로는 사용이 곤란하며, 산화 막에 의한 도장이 어렵고, 도장밀착성이 저하되는 단점이 있다.
따라서, 마그네슘합금소재의 실용을 위해서는 표면에 표면처리를 행함으로써 그 단점을 보완하여야 한다.
종래 마그네슘합금재의 표면처리방법은 화성처리법이 일반적으로 이뤄지고 있으며, 이 방법은 마그네슘소재를 화학약품에 침지 반응시켜서 표면에 화학 피막을 형성시키는 방법으로 피막의 두께는 수㎚ 수준으로 얇아 충분한 내식성을 향상시키는 것이 부족하며 환경유해화합물을 사용함으로써 환경적 제약을 받는 문제점을 안고 있다.
마그네슘합금의 내식성을 확보를 위하여 보다 두꺼운 피막을 형성시킬 수 있는 기술로는 전해액에 직류 혹은 교류전류를 통전함으로써 표면에 부동태 산화 피막을 형성시키는 양극 산화처리가 알려져 있다.
종래의 마그네슘합금재는 양극 산화처리시, 일반적으로 두꺼운 산화 피막으로 흑색 또는 갈색의 산화 막을 형성하게 되는 것으로 현재 부각중인 스파크(spark) 아노다이징(양극산화법) 기술의 경우 회백색의 산화 피막을 형성시킴으로써 마그네슘합금재 자체의 고유 질감을 잃어버리게 된다.
이에 본 발명은 마그네슘 양극산화법의 결점인 고전류/저전압의 생산원가상승의 문제와 마그네슘합금재 자체의 금속광택 및 색상을 유지하는 투명한 산화 피막을 갖는 양극 산화 처리방법으로 기존 양극 산화와 동등한 내식성을 나타내는 처리방법을 제공하고, 투명한 금속질감을 나타내는 표면층에 얼룩이나 칙칙함이 없이 염료를 이용하여 착색할 수 있는 표면처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의해 표면처리된 마그네슘합금소재는 산화 피막의 제어를 통한 얼룩 및 칙칙함이 없는 금속질감을 유지하여, 또한 다양한 착색이 가능하며, 200V 이상의 고전압을 통한 기존 처리방식에서 70V 이하의 저전압 처리방식을 통한 생산성 향상을 가져올 수 있으며, 내식성 및 도장하지 용에 따른 선택적 표면처리방식으로 다양한 마그네슘 합금표면처리를 구현할 수 있으며, 외관을 중시하는 가전 IT제품 적용시 특히, 기존의 유백색에서 투명한 소재의 우수한 다자인성을 인정받음으로써 시장확대효과도 발생할 것으로 기대된다.
도 1은 본 발명의 마그네슘합금의 표면처리 하는 공정을 나타낸 공정도.
도 2는 양극 산화처리 장치 모식도.
도 3은 본 발명의 항균 피막을 형성하는 공정을 위한 장치 구성도.
도 4는 양극 산화처리에 의한 시편의 표면비교사진.
도 5는 항균 피막처리된 시편의 표면사진.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
11. 전해조 12. 전해액
13. 마그네슘합금재 14. 음극판
15. 순환펌프장치 16. 냉동기
17. 전원공급장치 18. 교반장치
21. 전해조 22. 전해액
23. 마그네슘합금재 24. 양극판
25. 순환펌프장치 26. 히터
27. 전원공급장치
본 발명은 마그네슘합금의 표면처리에 관한 것으로서, 크게 양극 산화처리를 통한 표면처리를 수행하고, 이후 항균 피막을 형성함으로써 항균성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
상술한 목적을 수행하도록 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법을 첨부한 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 마그네슘합금의 표면처리 하는 공정을 나타낸 공정도이다,
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 마그네슘합금의 표면처리는 표면세정 및 활성화를 위한 전처리단계와 무색투명의 양극 산화 피막을 형성하는 양극 산화처리단계와 항균성 피막을 형성하는 항균 피막처리단계와 다양한 색상을 형성시키는 염료착색단계와 건조단계의 5단계의 과정을 거치게 된다.
상기 과정에서 1단계의 전처리 공정은 일반적인 알칼리 세정공정과 불소 이온을 포함한 산성용액에서 표면활성화 단계로 여러 가지 마그네슘함금재의 전처리 방법 중 하나를 택일하여 사용할 수 있다.
보다 상세하게는 상기 전처리 공정은 다시 탈지공정과 활성화공정으로 나눌 수 있으며, 탈지공정은 표면의 지용성 유기물 제거를 위한 아세톤 및 트리클로로 에틸렌 등의 유기용제를 사용한 예비탈지 공정으로 필요시에 선택적으로 행할 수 있다.
예비 탈지 공정은 유지분을 알칼리(가성소다, 탄산소다, 인산소다, 규산소다, 청화소다 등)로 수용성의 비누를 만드는 산화작용에 의해 오물을 제거하는 방법이며, 온도는 80℃ 정도로 유지하여 높은 온도에서 반응속도를 크게 하고, 유화작용을 도모하기 위해 소량의 계면활성제를 첨가한다.
계면활성제로는 폴리옥시에틸렌 올레 에테르(Brij97), 디헬실 슐포수시네이트(AMA), 디페닐 옥사이드 디슐포네이트(DowFax) 등을 사용할 수 있다.
그리고 활성화 공정은 표면 산화반응을 촉진하고 표면의 에칭을 통하여 피막형성시 균일한 피막형성을 위한 공정으로 불소화합물 1종 내지 2종 혼합액을 사용하여 온도범위는 30∼40℃로 유지하면서 5분간 침지 처리 후 이온교환수로 수세를 행한다.
여기서 사용하는 불소화합물은 불산(HF), 산성불화 암모늄을 사용하며, 일반적인 상용제품을 사용하여도 무방하다.
2단계 양극 산화공정은 마그네슘합금소재 자체의 고유 금속광택을 유지하기 위해 마그네슘 합금소재의 표면에 투명한 산화 피막을 형성시키는 공정으로 2종 이상의 알칼리금속을 포함하는 인산염화합물을 주성분으로 하고 과산화물과 산화 피막의 치밀한 성장을 위한 알루미늄 이온을 포함하는 산화물, 저전압의 불꽃방전을 제어하는 히드록시기를 포함하는 유기용제를 첨가제로 하는 전해액을 이용하고, 마그네슘합금재를 양극으로 하여 음극은 스테인레스 판재를 사용하되, 인가전압을 DC 30∼60V 범위에서 온도는 25∼50℃에서 행함으로써 내식성이 우수하고 무색투명한 양극 산화 피막을 형성시킬 있다.
상기 알칼리금속을 포함하는 인산염화합물은 인산칼륨, 인산나트륨, 헥사메타인인산나트륨, 제2인산나트륨, 제2인산칼륨, 1인산칼륨, 1인산나트륨의 화합물을 2종 이상의 화합물을 택일하되, 인산염의 몰 농도가 0.005∼0.2M로 유지하는 것이 바람직하다.
인산염의 농도가 0.005M 이하일 경우는 산화 피막의 형성이 어렵고 0.2M 이상일 때는 산화 피막의 형성이 불균일해지기 때문이다.
과산화물은 수소와 산소의 화합물로서 친환경적인 요소로 산화 피막형성을 돕기 위한 것으로 상기 과산화물은 과산화수소, 과산화나트륨, 과산화칼륨 중 택일하여 사용할 수 있으며, 몰 농도는 0.05∼0.2M이 유지되게 한다.
주의할 점은 과량의 과산화물은 표면반응에서 수산화마그네슘 형성을 촉진시켜 충분한 밀착성 및 내식성을 나타내지 않게 하는 원인이 된다.
그리고 알루미늄 이온을 포함하는 산화물은 원활한 산화반응을 위한 산소운반 역할을 하며, 알민산나트륨, 알민산칼륨에서 택일하여 사용할 수 있으며, 몰농도는 0.3∼0.5M로 유지하는 것이 바람직하다.
상기 산화 피막형성을 위한 첨가제는 히드록시기를 포함하는 화합물인 메탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린 중 1종을 택일하여 0.05∼5M 범위로 첨가하고, 동시에 금속 알콕시화물 중 실리케이트화합물인 트리메톡시실란, 메틸디메톡시실란, 테트라에틸 실리케이트 중 1종을 택일하여 0.01∼0.1M 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 히드록시기 화합물과 금속 알콕시화물은 각각 독립으로 내지는 서로 2종 이상 혼합하여 사용해도 좋다.
3단계 항균 피막공정은 마그네슘합금 소재의 표면의 기공에 항균 물질을 전착 혹은 흡착시킴으로써 생활가전 및 IT분야의 적용시 세균증식 및 번식을 막는 기능성을 부가하는데 목적이 있으며, 항균 피막공정은 2단계 양극 산화공정 후 형성된 피막에 이온교환수로 30초간 수세하고 항균성을 부여하기 위하여 행하는 공정이다.
상기 항균 피막을 형성하는 공정은 양극 산화를 통해 생성된 부동태 피막에 항균피막을 형성시키는 공정으로 항균성을 부여하기 위한 항균금속소스 0.01∼0.1M과 안정제가 0.05∼0.5M이 함유된 전해액을 pH 4∼5로 유지하여 교류전원을 10∼20V범위에서 상온조건에서 10분간 통전하여 항균성 피막을 형성하는 것이 특징이다.
그리고 항균 금속소스는 질산은, 구리, 니켈, 아연 등의 금속산화물 중 택일하여 사용할 수 있으며, 안정제는 황산알루미늄, 황산마그네슘, 황산칼륨, 황산나트륨, 질산마그네슘, 질산칼륨, 질산나트륨, 중 택일하여 사용할 수 있다.
상기 화합물은 각각의 화합물을 단독으로 사용하여도 되나 2종 이상 사용할 수 있다.
4단계 착색공정은 3단계 항균 피막공정에서 항균 피막된 마그네슘합금재를 이온교환수로 30초간 세척하고 금속질감을 유지하는 투명한 전착피막이나 다양한 색상의 염료를 포함하는 염색조에 침지하여 염색을 행한다.
착색공정은 일반 시중에 시판되는 아조염료, 안트라키논염료, 유화염료, 피라졸론염료 등을 사용할 수 있으며, 일반적으로 알루미늄착색염료를 그대로 이용할 수 있다.
일반적으로 알루미늄착색염료를 그대로 이용할 수도 있다.
또한, 금속질감을 그대로 유지하기 위한 무색투명인 전착도장 피막을 형성하는 방법은 음이온 전착도장법 또는 양이온 전착도장법에 따라 행할 수 있으며, 기존 전착 도장기술을 그대로 이용할 수 있다.
끝으로 5단계 건조공정은 4단계 착색공정에서 착색 및 전착도장이 된 마그네슘합금재를 이온교환수에 30초간 수세하고 마지막 건조공정을 행한다.
건조방법으로는 열풍건조법 및 오븐건조방법을 사용할 수 있으며, 온도는 120∼150℃ 분위기에서 20∼60분간 건조과정 중 주의 오염원으로부터의 오염되는 것과 탈색 및 변색이 되는 것을 주의하며 건조시킨다.
도 2는 양극 산화처리 장치 모식도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 마그네슘합금재(13)를 전해액(12)이 들어 있는 전해조(11)에 침지하고 전원공급장치(17)에 음극판(14)을 (-)극에 연결하고, 여기서 음극판(14)은 불용성 소재로 스테인레스 다공판, 카본판을 사용한다.
상기 전해조(11)에는 물론 전해액(12)의 순환을 위한 순환펌프(15)가 구비되어 있다.
마그네슘합금재(13)는 (+)전극에 전선이나 부스바로 연결하고 인가전압은 30∼60V 범위로 하여, 전류밀도는 3∼10A/dm2로 통전하게 한다.
인가전압은 직류전압 및 교류전압 어느 쪽도 채택할 수 있으나, 본 발명의 항균 피막을 위한 다음 공정을 고려하여 교류 전원을 사용하는 것이 바람직하다.
전해액(12)의 온도는 25∼50℃로 행한다.
전해액(12)의 온도를 한정하는 이유는 25℃ 이하에서는 피막성장속도가 저하되고 50℃ 이상에서는 거치피막을 형성하는 경향이 있기 때문이다.
산화반응시 상승하는 전해액(12)의 온도유지가 아주 중요하므로 양극 산화공정 중에 온도유지를 위하여 냉동기(16)를 사용하여 온도를 유지한다.
또한, 원활한 전해액(12)의 교반 및 표면 산화를 촉진하기 위하여 공기교반장치(18)를 사용하여 전해액(12)을 교반한다.
상술한 바와 같은 조건에 전해시간을 1분에서 10분 정도로 합금소재의 종류에 따라 정하며, 피막두께는 0.5∼10㎛의 무색투명한 양극 산화 피막을 형성하게 되어 고유광택을 유지하며 금속질감을 유지하게 되는 표면처리가 된다.
도 3은 항균 피막을 형성하는 장치 모식도이다.
양극 산화 표면처리된 마그네슘합금재(23)를 전해액(22)이 들어 있는 전해조(21)에 침지하고 AC전원공급장치(27)에 양극판을 (+)극에 연결하고 여기서 양극판은 불용성 양극으로 납판, 철판, 스테인레스 다공판, 카본판을 사용하며, 양극 산화 표면처리된 마그네슘합금재(23)를 (-)전극에 전선이나 부스바로 연결하고 인가전압은 10∼20V로 범위로 하되, 전류밀도는 1∼10A/dm2로 통전하게 한다.
이때 인가전압의 종류는 AC 교류 사인파를, 전해액의 온도는 20∼40℃의 범위에서 5∼10분 정도 행한다.
20℃ 이하에서는 항균금속 전착속도가 저하되고 40℃ 이상에서는 항균 피막의 입자가 커지는 경향을 나타냄으로써 외관이 불균일한 얼룩이 생길 수 있기 때문이다.
온도유지를 위해서는 히터(26)를 사용하며, 원활한 전해액(22)의 교반 및 표면 전착을 촉진하기 위하여 순환펌프장치(25)를 사용하여 전해액(22)을 교반한다.
도 2 및 도 3의 장치는 일반적인 구성이므로 자세한 설명은 생략한다.
그리고 도 2 및 도 3에서의 마그네슘합금재는 본원 발명에서 도 2의 마그네슘합금재는 전처리한 마그네슘합금재를 가리키고 도 3의 마그네슘합금재는 양극 산화 피막된 마그네슘합금재를 가리키기 때문에 도면부호를 각각 13과 23으로 달리 표현하였다.
<실시에>
경면 가공된 마그네슘 압연판재(AZ31, 70mm×20mm×1.5mm)를 아세톤으로 초음파 탈지 후 NaOH 50g/ℓ, Na3PO4 10g/ℓ, 계면활성제(DowFox) 1g/ℓ로 조제한 알칼리 탈지액 80℃로 5분간 침지처리 후, 이온교환수로 30초간 수세하고, HF 1M, NH4HF2 0.05M 활성화액을 40℃에서 5분간 침지처리 후 이온교환수로 30초간 수세를 통해 전처리하였다.
양극 산화 전해액은 표 1과 같은 조성과 조건으로 양극 산화를 실시하였다.
<표 1>
실시예 처리조건 평가결과
인산염종류 알루미늄산 과산화물 첨가제종류 인가전압종류(v) 처리시간(초) 색상 내식성(RN)
농도(M) 농도(M) 농도(M) 농도(M)
1 Na3PO4 NaAlO2 H2O2 1 DC/60 30 투명 10
0.05 0.3 0.05 3
2 Na3PO4 NaAlO2 Na2O2 1+4 DC/50 30 투명 10
0.1 0.5 0.05 2+0.05
3 Na3PO4 KAlO2 K2O2 2 AC/60 30 투명 10
0.15 0.3 0.05 3
4 Na2HPO4 NaAlO2 H2O2 2 AC/60 30 투명 10
0.06 0.3 0.1 3
5 Na2HPO4 NaAlO2 Na2O2 2+6 DC/60 30 투명 10
0.10 0.5 0.1 2+0.1
6 Na2HPO4 KAlO2 K2O2 1 DC/50 30 투명 10
0.15 0.3 0.1 5
7 (NaHPO3)6 NaAlO2 H2O2 3 AC/60 30 투명 10
0.05 0.3 0.15 3
8 (NaHPO3)6 NaAlO2 Na2O2 3+4 DC/60 30 투명 10
0.1 0.5 0.15 2+0.05
9 (NaHPO3)6 KAlO2 K2O2 3+6 DC/60 30 투명 10
0.15 0.3 0.15 2+0.1
비교예1 NaOH NaAlO2 H2O2 KF DC/200 30 회백색 10
2.9 0.4 0.5 0.5
첨가제 종류: 1-메탄올. 2-에틸렌글리콜, 3-글리세린, 4-트리메툭시실린, 6-테트라에틸 실리케이트
상기와 같이 양극 산화 처리를 하고, 건조한 각각의 시험편에 내식성에 관한 평가는 KS D 9502에 따라서 24시간 중성염수분무시험 실시하고, 레이팅넘버법에 따라 평가하였다.
도 4는 양극 산화처리에 의한 시편의 표면비교사진으로서, (a)는 종래 마그네슘합금소재의 양극 산화법으로 알려져 있는 조성으로 동일한 전처리를 실시 예처럼 실시하고 표 1과 같은 조건으로 양극 산화를 실시하여 피막의 색상과 외관을 관찰한 것이다.
도 4에 의해 나타나듯이 외관이 (a)는 회백색의 산화 피막을 형성하였고 (b)는 투명한 피막이 형성되어 마그네슘합금재의 금속질감이 그대로 나타나는 것을 알 수 있다.
<표 2>
실시예 처리조건 평가결과
AgNO3(M) Al2(SO4)3(M) 온도(℃) 인가전압(V) 처리시간(min) 항균성
1 0.02 0.1 25 20 15
2 0.02 0.1 25 20 15
3 0.02 0.1 25 20 15
4 0.05 0.2 25 30 15
5 0.05 0.2 25 30 15
6 0.05 0.2 25 30 15
7 0.1 0.5 25 40 15
8 0.1 0.5 25 40 15
9 0.1 0.5 25 40 15
비교예2 - - - - - ×
* 곰팡이균 번식없음: ◎
* 곰팡이균 일부번식: ○
* 전표면에 곰팡이균 번식: ×
상기 표 2와 같이 항균 피막처리 후 건조한 시편을 곰팡이균 배양 후 시편을 투입하여 곰팡이균이 소재표면에 증식하는 항균시험을 통하여 평가하였다.
사용된 곰팡이균은 바칠루스(고초균). 뮤코르속(털곰팡이), 아스퍼질러스속, 페니실린속(푸른 곰팡이)을 사용하였다.
도 5는 항균 피막처리된 시편의 표면사진이다.
표 1에서 실시 예 1∼9의 시편을 항균 피막처리를 하지 않고 항균성 시험을 실시하여 곰팡이균 번식을 평가하여 본 결과 항균 피막처리가 이뤄지지 않은 시편의 경우 모두 곰팡이균이 전체적으로 번식함을 나타내어 항균성은 없는 것으로 확인 되었다.
따라서, 도 5에서와 같이 본 발명에 의한 항균 피막처리 후 마그네슘합금재의 표면에는 곰팡이균이 번식되지 않는 것으로 나타나 기존의 표면처리기술보다 월등함을 알 수 있다.

Claims (10)

  1. 마그네슘합금을 표면처리 하는 방법에 있어서,
    상기 마그네슘합금의 표면처리는 표면세정 및 활성화를 위한 전처리공정, 무색투명의 양극 산화 피막을 형성하는 양극 산화공정, 항균성 피막을 형성하는 항균 피막생성공정, 다양한 색상을 형성시키는 염료착색공정, 건조공정;
    의 순으로 이루어지되,
    상기 양극 산화공정은 마그네슘합금소재 자체의 고유 금속광택을 유지하기 위해 마그네슘 합금소재의 표면에 투명한 산화 피막을 형성시키는 공정으로 2종 이상의 알칼리금속을 포함하는 인산염화합물에 과산화물과 산화 피막의 치밀한 성장을 위한 알루미늄 이온을 포함하는 산화물, 저전압의 불꽃방전을 제어하는 히드록시기를 포함하는 유기용제를 첨가제로 하는 전해액을 이용하고, 마그네슘합금재를 양극으로 하여 음극은 스테인레스 판재를 사용하되, 인가전압을 DC 30∼60V 범위에서 온도는 25∼50℃에서 행함으로써 내식성이 우수하고 무색투명한 양극 산화 피막을 형성;
    시킬 수 있도록 하고,
    상기 항균 피막을 형성하는 공정은 양극 산화를 통해 생성된 부동태 피막에 항균 피막을 형성시키는 공정으로 항균성을 부여하기 위한 항균금속소스 0.01∼0.1M과 안정제가 0.05∼0.5M이 함유된 전해액을 pH 4∼5로 유지하여 교류 전원을 10∼20V 범위에서 상온조건에서 10분간 통전하여 항균성 피막을 형성;
    하는 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 알칼리금속을 포함하는 인산염화합물은 인산칼륨, 인산나트륨, 헥사메타인인산나트륨, 제2인산나트륨, 제2인산칼륨, 1인산칼륨, 1인산나트륨의 화합물을 2종 이상의 화합물을 택일하되, 인산염의 몰 농도가 0.005∼0.2M인 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법..
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 과산화물은 과산화수소, 과산화나트륨, 과산화칼륨 중 택일하여 사용할 수 있으며, 몰 농도는 0.05∼0.2M인 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 알루미늄 이온을 포함하는 산화물은 알민산나트륨, 알민산칼륨에서 택일하여 사용할 수 있으며, 몰 농도는 0.3∼0.5M인 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 산화 피막형성을 위한 첨가제는 히드록시기를 포함하는 화합물인 메탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린 중 1종을 택일하여 0.05∼5M 범위로 첨가하고, 동시에 금속 알콕시화물 중 실리케이트화합물인 트리메톡시실란, 메틸디메톡시실란, 테트라에틸 실리케이트 중 1종을 택일하여 0.01∼0.1M 범위로 첨가한 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 히드록시기 화합물과 금속 알콕시화물은 각각 독립으로 내지는 서로 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있는 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 항균성을 부여하기 위한 항균금속소스로서는 질산은, 구리, 니켈, 아연 중에서 1종 내지 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있는 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 안정제로서는 황산알루미늄, 황산마그네슘, 황산칼륨, 황산나트륨, 질산마그네슘, 질산칼륨, 질산나트륨 중에서 1종 내지 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있는 것이 특징인 금속질감을 유지하는 항균성을 가지는 마그네슘합금재의 표면처리방법.
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