KR20220165965A - 이종 금속 접합 전자 장치 하우징 및 이의 제조방법 - Google Patents
이종 금속 접합 전자 장치 하우징 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
이종 금속 접합 전자 장치 하우징 및 이의 제조방법이 개시된다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징은, 표면에 산화피막층이 형성되는 둘 이상의 금속부 및 산화피막층의 적어도 일 부분을 덮도록 형성되는 비도전부를 포함할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.
Description
아래의 개시의 다양한 실시예들은 이종 금속 접합 전자 장치 하우징 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크탑/랩탑 컴퓨터, 차량용 내비게이션 등, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리나 전자 지갑 등의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다.
전자 장치는 다양한 재질로 마련된 하우징을 포함하고, 전자 장치 하우징은 외부 충격으로부터 전자 장치 내부의 부품들을 보호할 수 있다. 전자 장치 하우징은 사용자가 휴대하기 용이하고, 사용 시 사용자에게 미려감을 제공하도록 제조될 수 있다.
전자 장치의 외장 고급화와 경량화를 위해서 외부는 휘도 및 강도가 우수한 금속을 이용하고 내부는 가벼운 금속을 이용하여 접합한 금속 접합체가 연구되고 있으나, 비도전부와 접합 시 충분한 접합력이 확보되지 않을 수 있다. 또는, 전기전도도의 차이가 큰 둘 이상의 금속을 접합하였을 경우 산화피막층 형성이 제한적이고, 비도전부가 쉽게 박리될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징으로서 둘 이상의 금속이 접합되고 비도전부가 결합된 하우징을 제공한다.
다양한 실시 예에 따르면, 둘 이상의 금속부는 표면에 산화피막층이 형성되고, 산화피막층은 복수 개의 포어를 포함하며 산화피막층의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 비도전부가 형성된 전자 장치 하우징을 제공한다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징은, 제1 금속을 포함하는 제1 금속부, 제2 금속을 포함하는 제2 금속부 및 비도전부를 포함하고, 상기 제1 금속부는, 표면에 제1 산화피막층이 형성되는 것이고, 상기 제1 산화피막층은, 제1 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고, 상기 제2 금속부는, 상기 제1 금속부와 접하도록 형성되는 것이고, 상기 제2 금속부는, 표면에 제2 산화피막층이 형성되는 것이고, 상기 제2 산화피막층은, 제2 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고, 상기 비도전부는, 상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 제조방법은, 제1 금속 및 제2 금속을 접합하여 금속 접합체를 형성하는 공정, 상기 금속 접합체를 제1 용액에 침지하여 아노다이징(anodizing)하는 공정 및 상기 금속 접합체 상에 레진을 사출하는 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징으로서 둘 이상의 금속이 접합되고 비도전부가 결합된 하우징을 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 둘 이상의 금속부는 표면에 산화피막층이 형성되고, 산화피막층은 복수 개의 포어를 포함하며 산화피막층의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 비도전부가 형성된 전자 장치 하우징을 제공할 수 있다.
도 1은, 일 실시예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 6은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 접합력을 측정하기 위한 인장시험기의 개략도이다.
도 9는 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 EDS 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 10은 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 SEM 이미지이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 6은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 접합력을 측정하기 위한 인장시험기의 개략도이다.
도 9는 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 EDS 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 10은 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 SEM 이미지이다.
이하, 실시 예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1 및 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(100)는, 제1 면(또는 전면)(110A), 제2 면(또는 후면)(110B), 및 제1 면(110A) 및 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 “측면 부재”)(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제1 영역(110D)들(또는 상기 제2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)을 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제2 영역(110E)들에 배치될 수 있다.
오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 제3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(116) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제1면(110A)(예: 디스플레이(101) 뿐만 아니라 제2면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 카메라 장치(105), 및 제2 면(110B)에 배치된 제2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.
발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(300)는, 측면 베젤 구조(310), 제1 지지부재(311)(예: 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지부재(311), 또는 제2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
제1 지지부재(311)는, 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(310)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(310)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(311)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(311)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(300)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(310) 및/또는 상기 제1 지지부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
이하, 전자 장치(100)의 외형을 형성하는 전자 장치 하우징(110)을 다양한 실시 예를 통해 상술하도록 한다.
도 4는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징(400)은, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 하우징의 일부(예: 측면 베젤의 일부)의 단면으로서, 금속부 및 비도전부를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 금속부의 적어도 일부는 안테나 방사체로 이용될 수 있고, 비도전부의 적어도 일부는 금속부 중간에 형성되어 금속부의 적어도 일부를 전기적으로 단절시켜 금속부가 안테나 방사체로 이용될 수 있다. 도 4에 도시된 부분은 금속부 및 비도전부를 모두 포함하는 전자 장치 하우징(400)의 일부분의 단면이며, 전자 장치 하우징(400)의 다른 적어도 일부분(예컨대, 안테나 방사체로 이용되는 부분)은 비도전부를 포함하지 않을 수도 있다. 설명의 편의를 위해 도 4의 +X 방향을 전자 장치(100)의 외부 방향, -X 방향을 전자 장치(100)의 내부 방향인 것을 가정하나 금속부 및 비도전부의 배치 방향은 제한이 없다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은 제1 금속부(410), 제2 금속부(420) 및 비도전부(430)를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410)는 제1 금속을 포함하는 것이고, 표면 중 적어도 일 부분에 제1 산화피막층(411)이 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제2 금속부(420)는 제2 금속을 포함하는 것이고, 표면 중 적어도 일 부분에 제2 산화피막층(421)이 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411)은 복수의 제1 포어(pore)(412)들을 포함하고, 제2 산화피막층(421)은 복수의 제 2 포어(422)들을 포함할 수 있다. 제1 포어(412) 및 제2 포어(422)는 직경 및/또는 깊이 중 적어도 하나가 동일하거나 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 포어(412)는 제1 범위의 직경을 갖고, 제2 포어(422)는 제2 범위의 직경을 가질 수 있다. 복수의 제1 포어(412)들 각각은 직경, 높이 및/또는 형상 중 적어도 하나가 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 복수의 제2 포어(422)들 각각은 직경, 높이 및/또는 형상 중 적어도 하나가 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 접합부(440)의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)가 접합된 상태에서 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420) 각각의 표면에 산화피막이 형성될 수 있고, 이렇게 형성된 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421) 역시 접하게 되어 접합부(440)를 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)는 서로 접하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속부(410)의 +X 방향의 면 및 제2 금속부(420)의 -X방향의 면을 용접하거나, 접착 물질을 이용하거나, 캐스팅을 통해 접착시킬 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)의 각각의 표면에 형성되는 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421) 역시 서로 접하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)가 접착된 상태에서 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420) 상에 접착되어 형성될 수 있다. 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은 접합부(440)를 형성하고, 비도전부(430)는 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 접합부(440)의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속부(410)의 +X 방향의 면 및 제2 금속부(420)의 -X 방향의 면이 접하도록 형성되는 경우, 제1 산화피막층(411)의 +X 방향의 면 및 제2 산화피막층(421)의 -X 방향의 면이 적어도 일부 접하여 접합부(440)가 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 외부로 개방된 복수 개의 포어들이 형성된 것으로서, 비도전부(430)는 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)에 포함된 각각의 포어들을 채우도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421) 각각에 형성되는 제1 포어(412) 및 제2 포어(422)는, 각각, +Y 방향으로 개방되도록 형성된 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 제1 금속부(410), 제2 금속부(420)의 표면에 형성되어 비도전부와 접합하기에 충분한 접합력을 부여할 수 있다. 금속부에 산화피막층이 형성되지 않는 경우 접합력이 부족하여 금속부와 비도전부 사이의 충분한 접합력이 발생하지 않을 수 있다. 예를 들어, 산화피막층에 형성된 포어들의 내벽에 의해 접착 면적이 커져 산화피막층과 비도전부 사이의 접착력이 증가될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 복수 개의 포어들이 형성될 수 있고, 포어들에 의해 비도전부(430) 형성 공정에서 사출된 레진이 잘 접착될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 외부 방향(예: +X 방향)에 포함된 제2 금속은 휘도 및/또는 강도중 적어도 하나가 제1 금속의 휘도 및/또는 강도 중 적어도 하나보다 큰 금속일 수 있다. 예컨대, 외부 방향의 제2 금속은 내부를 보호하기 위한 강도가 높거나 유려한 미관을 제공하기 위한 휘도가 높은 금속이 사용될 수 있다. 다른 예를 들어, 내부 방향(예: -X 방향)에 포함된 제1 금속은 동일 크기 당 무게가 외부 방향의 제2 금속의 무게보다 작을 수 있다. 예컨대, 내부 방향의 제1 금속은 전자 장치 하우징(400)의 무게를 줄이기 위한 금속이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 금속은 Ti 또는 SUS(stainless use steel)을 포함할 수 있다. 또는, 제2 금속은 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 금속은 순도 80% 이상의 Ti 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속은 Al를 포함할 수 있다. 또는, 제1 금속은 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속은 순도 70% 이상의 합금을 포함할 수 있다. 제1 금속 및 제2 금속의 종류는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, STS-Al, STS-Mg, Al-Mg, Ti-Mg 와 같은 이종 재질 접합으로 이루어진 재질이 사용될 수도 있음을 당업자는 용이하게 이해할 것이다. 이 밖에, 제1 금속 및 제2 금속이 외부 또는 내부에 위치함에 따라 비교되는 속성은 상술한 바에 제한되는 것은 아니며 외부 또는 내부에 각각 사용되기 적합한 제1 금속 및 제2 금속이라면 본 발명의 다양한 실시예에 준용될 수 있다. 예를 들어, 외부 방향의 제2 금속은 내부 방향의 제1 금속에 비해 경도가 높은 금속일 수 있다. 내부 방향의 제1 금속은 외부 방향의 제2 금속에 비해 연성이 높을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 각각, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및/또는 액체금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 제한은 없다. 일 실시 예에 따르면, 제1 금속 및 제2 금속은, 각각, 둘 이상의 금속이 적층된 클래드 메탈을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 범위는, 상기 제2 범위에 비해 작은 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 범위는, 20 ㎚ 내지 40 ㎚이고, 제2 범위는, 50 ㎚ 내지 100 ㎚일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속부(예: 제1 금속부(410), 제2 금속부(420))를 구성하는 금속(예: 제1 금속, 제 2 금속)과 산화피막(예: 제1 산화피막층(411), 제2 산화피막층(421)) 형성용 전해질과의 반응성의 차이에 의해 포어의 직경 및 깊이가 결정될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속부를 구성하는 금속과 산화피막 형성용 전해질과의 반응성이 좋으면 산화피막 형성 속도가 포어의 형성 속도보다 빨라 포어의 직경이 작게 형성될 수 있다. 금속부를 구성하는 금속과 산화피막 형성용 전해질의 반응성이 낮을 경우 산화피막 형성 속도보다 포어의 형성 속도가 빨라 포어의 직경이 크게 형성될 수 있다. 반면, 금속부를 구성하는 금속과 산화피막 형성용 전해질과의 반응성이 좋으면 산화피막층이 두껍게 형성될 수 있고, 금속부를 구성하는 금속과 산화피막 형성용 전해질의 반응성이 낮을 경우 산화피막층이 얇게 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화피막층(411)은, 제1 두께를 가지는 것이고, 상기 제2 산화피막층(421)은, 제2 두께를 가지는 것이고, 상기 제1 두께 및 상기 제2 두께는, 각각, 100 ㎚ 이상인 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 산화피막층에 포어가 형성될 수 있고, 포어가 형성되지 않는 배리어층이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411)은, 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 표면에서부터 -Y 방향으로 포어가 형성될 수 있고, 포어가 형성된 제1 포어층(413) 및 제1 배리어층(414)을 포함할 수 있다. 제1 산화피막층(411)의 제1 두께는, 제1 포어층(413)의 두께 및 제1 배리어층(414)의 두께를 더한 값일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 산화피막층(421)은, 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 표면에서부터 -Y 방향으로 포어가 형성될 수 있고, 포어가 형성된 제2 포어층(423) 및 제2 배리어층(424)을 포함할 수 있다. 제2 산화피막층(421)의 제2 두께는, 제2 포어층(423)의 두께 및 제2 배리어층(424)의 두께를 더한 값일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께 및 제2 두께는, 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께 및 제2 두께는, 각각, 제1 금속부(410)와 산화피막 형성용 전해질과의 반응성 및 제2 금속부(420)와 산화피막 형성용 전해질과의 반응성에 의해 결정될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)는, 아노다이징 공정이 수행됨에 따라, 각각 표면에서부터 -Y 방향으로 포어의 형성이 일어날 수 있고, 각 금속부와 전해질의 반응성에 따라 포어의 깊이 및 배리어층의 두께가 결정될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께 및 제2 두께는, 각각, 100 ㎚ 이상일 수 있다. 제1 두께 또는 제2 두께가, 각각, 100 ㎚ 미만일 경우, 제1 금속부, 제2 금속부 및 제1 산화피막층(411)과 제2 산화피막층(421)의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 형성되는 비도전부가 충분히 접합되지 못하고 박리될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께 또는 제2 두께는, 1 ㎛ 이상일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께는, 1 ㎛ 이상일 수 있고, 제2 두께는, 1 ㎛ 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 두께가 제2 두께보다 크거나 작을 수 있으며, 제1 두께는 1.4 ㎛ 이상일 수 있고, 제2 두께는, 300 ㎚ 이상일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화피막층(411) 및 상기 제2 산화피막층(421)은, 각각, 산소 원자 1 at% 이상 및 불소 원자 0.01 at% 이상을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 산화피막 형성용 전해질에 의해 산화피막층이 형성되는 것일 수 있다. 산화피막 형성용 전해질에 침지되어 아노다이징 공정을 통해 금속부에 산소 및 불소 성분을 포함하는 산화피막층이 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 불소 원자를 1 at% 이상 포함할 수 있고, 바람직하게는, 불소 원자를 2 at% 이상 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 1 at% 이상, 2 at% 이상, 3 at% 이상, 4 at% 이상, 5 at% 이상, 6 at% 이상, 7 at% 이상, 8 at% 이상, 9 at% 이상 또는 10 at% 이상의 산소 원자 함량을 가질 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(430)는, 상기 제1 산화피막층(411)의 포어, 상기 제2 산화피막층(421)의 포어 또는 이 둘을 채우도록 형성되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 접합부(440)의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있고, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 표면의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 표면은 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 표면 중 포어가 형성되지 않은 부분 및 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)에 형성된 포어들(예: 제1 포어(412)들, 제2 포어(422)들)이 내벽을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)에 접합되어 제1 금속부(410) 및/또는 제2 금속부(420) 중 적어도 일부를 전기적으로 단절시킴으로써 제1 금속부(410) 및/또는 제2 금속부(420) 중 적어도 일부가 전자 장치의 안테나로서 사용되도록 할 수 있다. 비도전부(430)는 충분한 접합을 통해 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)와 박리되지 않을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 산화피막층(411)의 포어, 제2 산화피막층(421)의 포어 또는 이 둘을 채우도록 형성됨으로써, 제1 산화피막층(411), 제2 산화피막층(421) 또는 이 둘과 보다 큰 표면적으로 접할 수 있어 큰 접합력을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(430)는, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT, polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌(ABS, acrylonitrile butadiene styrene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리옥시메틸렌(POM, polyoxymethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, polyether ether ketone), 폴리아릴에테르케톤(PAEK, polyaryletherketone) 및 폴리페닐렌 옥사이드(PPO, polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 엔지니어링 플라스틱을 포함할 수 있다. 엔지니어링 플라스틱은, 100℃ 이상의 내열성을 가지고, 강도가 큰 플라스틱으로서, 내충격성, 내마모성, 내한성, 내약품성 및 전기절연성 등이 뛰어난 것이다. 다만, 비도전부에 포함될 수 있는 플라스틱의 종류는 한정되는 것은 아니다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(430)는, 유리 섬유, 탄소 섬유(carbon fiber), 탈크 및 울라스토나이트(wollatstonite) 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 첨가제를 더 포함할 수 있고, 비도전부의 내열성, 강도, 내충격성 및/또는 내마모성 중 적어도 하나를 향상시킬 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속부(410) 및 상기 제2 금속부(420)는, 10 MPa 내지 100 MPa의 접합력을 가질 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)는 접합되는 것으로서, 바람직하게는, 20 MPa 내지 100 MPa의 접합력으로 접합될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속부(410) 및 상기 제2 금속부(420)는, 각각, 상기 비도전부(430)와 25 MPa 이상의 접합력을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 금속부(410)의 표면에 형성되는 제1 산화피막층(411) 및 제2 금속부(420)의 표면에 형성되는 제2 산화피막층(421)의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430)는, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)의 적어도 일 부분 상에 형성될 수 있고, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 비도전부(430)와 25 MPa 이상의 접합력을 형성할 수 있다. 비도전부(430)와의 접합력이 25 MPa 미만인 경우, 비도전부(430)의 일부 또는 전부가 박리될 수 있어 전자 장치 하우징으로서 사용이 불가능할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치 하우징(400)은, ASTM E499에 따른 헬륨 리크 테스트에 따른 진공도가 1.0 × 10-9 Pa m3/s 이하일 수 있다. 헬륨 리크 테스트를 통해 헬륨 가스가 통과하는지 여부를 확인하고 접합의 기밀도를 확인할 수 있다. 헬륨 리크 테스트에 따른 진공도가 클수록 많은 헬륨 가스가 통과하는 것이므로 전자 장치 하우징의 접합이 약함을 확인할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치 하우징(400)은, 국제전기표준회의(IEC, International Electrotechnical Commision)의 표준 규격인 IEC60529에 따른 등급이 IPX6 이상일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은 국제전기표준회의의 표준 규격인 IEC60529에 따라 그 성능이 측정되는 것일 수 있다. IEC60529에 따르면 3 미터 거리에서 모든 방향으로 100 L/min으로 100 kPa의 물을 3분 동안 쏘았을 때 방수 가능할 경우 6등급을 받을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은 방수 등급 6등급 이상인 것으로서, 상기 방수 성능은 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420) 간에 형성된 결합막에 기인할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은, 제1 금속부(410), 제2 금속부(420) 또는 둘 다는, 표면 중 적어도 일 부분에 코팅층(미도시)이 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410), 제2 금속부(420) 또는 둘 다는, 표면 중 적어도 일 부분에 제1 산화피막층(411), 제2 산화피막층(421)이 형성될 수 있고, 코팅층은, 제1 산화피막층(411), 제2 산화피막층(421)이 형성되지 않은 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)의 표면 중 적어도 일 부분에 형성되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 코팅층은, 전자 장치 하우징에 기능성을 부여하는 것으로서, 구체적으로, 대전방지, 지문방지, 방오, 스크래치 방지, 저굴절, 반사방지 및/또는 충격 흡수 중 적어도 하나의 효과를 부여할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 비도전부(430) 상에는 코팅층이 형성되지 않을 수 있다. 또한, 비도전부(430) 상에 코팅층이 형성되더라도 별도의 코팅층 제거 공정(예: 레이저 절단 공정)을 통해 코팅층이 형성되지 않을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 코팅층은, Be2SiO4, Zn2SiO4, ZrSiO4, (M1 2+)3(M2 3+)2(SiO4)3(M1은 Ca, Mg 및 Fe 중 적어도 하나, M2는 Al, Cr 및 Fe 중 적어도 하나), (메타)아크릴기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 폴리머, 6 내지 15개의 (메타)아크릴기를 가지는 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머, 2 내지 6개의 (메타)아크릴기를 가지는 다관능성 (메타)아크릴레이트 단량체 및 불소화 (메타)아크릴레이트 단량체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은, 전자 장치를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)으로 둘러싸인 전자 장치로서, 상기 전자 장치 하우징(400)은, 제1 금속을 포함하는 제1 금속부(410), 제2 금속을 포함하는 제2 금속부(420) 및 비도전부(430)를 포함하고, 상기 제1 금속부(410)는, 표면에 제1 산화피막층(411)이 형성되는 것이고, 상기 제1 산화피막층(411)은, 제1 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고, 상기 제2 금속부(420)는, 상기 제1 금속부(410)와 접하도록 형성되는 것이고, 상기 제2 금속부(420)는, 표면에 제2 산화피막층이 형성되는 것이고, 상기 제2 산화피막층(421)은, 제2 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고, 상기 비도전부(430)는, 상기 제1 산화피막층(411) 및 상기 제2 산화피막층(421)의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 형성되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치는, 휴대용 전자기기, 웨어러블 전자기기, 랩탑을 포함할 수 있으나 그 종류에 제한은 없다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징(400)은, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 하우징의 일부의 단면으로서, 금속부 및 비도전부를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은, 제1 금속부(410), 제2 금속부(420) 및 비도전부(430)를 포함할 수 있다. 바람직한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410)는, 제1 금속을 포함할 수 있고, 예컨대, 알루미늄(Al) 금속을 포함할 수 있다. 또한, 제2 금속부(420)는, 제2 금속을 포함할 수 있고, 예컨대, 티타늄(Ti) 금속을 포함할 수 있다. 이 때, 알루미늄 금속을 포함하는 제1 금속부(410)가 전자 장치 하우징(400)의 내부 방향, 티타늄 금속을 포함하는 제2 금속부(420)가 전자 장치 하우징(400)의 외부 방향에 위치하는 것으로서, 알루미늄 금속은 가볍고, 티타늄 금속은 휘도 및/또는 강도 중 적어도 하나가 높은 것일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치 하우징(400)의 내부 방향 및 외부 방향은, 각각, 전자 장치(100)를 기준으로 내부 방향 및 외부 방향을 가리키는 것일 수 있다. 알루미늄을 포함하는 제1 금속부(410) 및 티타늄을 포함하는 제2 금속부(420)는, 각각의 표면 중 적어도 일 부분에 산화피막층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속부(410)의 표면 중 적어도 일 부분 상에 제1 산화피막층(411)이 형성될 수 있고, 제2 금속부(420)의 표면 중 적어도 일 부분 상에 제2 산화피막층(421)이 형성될 수 있다. 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 접합되어 있는 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)를 제1 용액(예컨대, 전해액)에 침지하여 수행되는 것일 수 있고, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)에는 포어가 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411)에 형성되는 제1 포어(412)는 제1 범위의 직경을 가지고, 제2 산화피막층(421)에 형성되는 제2 포어(422)는 제2 범위의 직경을 가지는 것일 수 있다. 복수의 제1 포어(412)들 각각은 직경, 높이 및/또는 형상 중 적어도 하나가 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 복수의 제2 포어(422)들 각각은 직경, 높이 및/또는 형상 중 적어도 하나가 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 용액은 산성불화암모늄, 불산, 불화나트륨, 불화칼륨 및 불화암모늄 중 적어도 하나의 불화물을 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함할 수 있고, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은 불소 성분이 검출될 수 있다. 바람직하게는, 제1 산화피막층(411) 및 제2 산화피막층(421)은, 각각, 불소를 0.01 at% 이상 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 산화피막층(411)의 포어 및/또는 제2 산화피막층(421)의 포어 중 적어도 하나를 채우도록 비도전부(430)가 형성될 수 있다. 비도전부(430)는, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT, polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌(ABS, acrylonitrile butadiene styrene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리옥시메틸렌(POM, polyoxymethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, polyether ether ketone), 폴리아릴에테르케톤(PAEK, polyaryletherketone) 및 폴리페닐렌 옥사이드(PPO, polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420) 중 적어도 일부는 안테나 방사체로 이용될 수 있고, 비도전부(430)의 적어도 일부는, 금속부(예: 제1 금속부(410), 제2 금속부(420))의 적어도 일부가 안테나 방사체로 이용되도록 전기적 단절을 제공할 수 있다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 단면도이다.
도 5에 따른 전자 장치 하우징(500)은, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 하우징(예: 도 1의 하우징(110))으로서 가능한 각 구성요소 간 위치관계를 나타내는 것으로서, 각 구성요소가 이러한 구조 및 위치에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참조하면, 전자 장치 하우징(500)(예: 도 4의 전자 장치 하우징(400))은 제1 금속부(510)(예: 도 4의 제1 금속부(410)), 제2 금속부(520)(예: 도 4의 제2 금속부(420)) 및 비전도부(530)(예: 도 4의 비전도부(430))를 포함할 수 있으며, 제1 금속부(510) 및 제2 금속부(520)는, 각각, 아노다이징 공정이 수행됨에 따라 산화피막층이 표면에 형성될 수 있음은 물론이다. 전자 장치 하우징(500)은, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 하우징의 일부로서, 일 예시로서, 측면 베젤에 포함되는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 금속부(510)는 내부 방향(-X 방향), 제2 금속부(520)는 외부 방향(+X 방향)에 위치할 수 있고, 제1 금속부(510)에 포함되는 제1 금속은 전자 장치 하우징(500)의 무게를 줄이기 위한 금속으로서, 제2 금속부(520)에 포함되는 제2 금속보다 가벼운 금속이 사용될 수 있다. 제2 금속부(520)는 제2 금속을 포함하는 것으로서, 제2 금속은 내부를 보호하기 위해 강도가 높은 금속을 사용하거나, 유려한 미관을 제공하기 위해 휘도가 높은 금속이 사용될 수 있으며, 제2 금속은 제1 금속에 비해 휘도 및/또는 강도 중 적어도 하나가 큰 금속일 수 있다. 비전도부(530)는 제1 금속부(510) 및 제2 금속부(520)의 접합부(미도시)(도 4의 접합부(440))의 적어도 일 부분을 덮도록 형성될 수 있고, 제1 금속부(510) 및 제2 금속부(520)의 표면과 접합되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 상이할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 각각, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및 액체금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 직경은, 상기 제2 직경에 비해 작을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화피막층(예: 도 4의 제1 산화피막층(411))은, 제1 두께를 가지는 것이고, 상기 제2 산화피막층(예: 도 4의 제2 산화피막층(421))은, 제2 두께를 가지는 것이고, 상기 제1 두께 및 상기 제2 두께는, 각각, 100 ㎚ 이상일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 산화피막층(예: 도 4의 제1 산화피막층(411)) 및 상기 제2 산화피막층(예: 도 4의 제2 산화피막층(421))은, 각각, 산소 원자 1 at% 이상 및 불소 원자 0.01 at% 이상을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(예: 도 4의 비도전부(430))는, 상기 제1 산화피막층(예: 도 4의 제1 산화피막층(411))의 포어, 상기 제2 산화피막층(예: 도 4의 제2 산화피막층(421))의 포어 또는 이 둘을 채우도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(예: 도 4의 비도전부(430))는, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT, polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌(ABS, acrylonitrile butadiene styrene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리옥시메틸렌(POM, polyoxymethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, polyether ether ketone), 폴리아릴에테르케톤(PAEK, polyaryletherketone) 및 폴리페닐렌 옥사이드(PPO, polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 비도전부(예: 도 4의 비도전부(430))는, 유리 섬유, 탄소 섬유, 탈크 및 울라스토나이트(wollatstonite) 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속부(예: 도 4의 제1 금속부(410)) 및 상기 제2 금속부(예: 도 4의 제2 금속부(420))는, 10 MPa 내지 100 MPa의 접합력을 가질 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속부(예: 도 4의 제1 금속부(410)) 및 상기 제2 금속부(예: 도 4의 제2 금속부(420))는, 각각, 상기 비도전부(예: 도 4의 비도전부(430))와 25 MPa 이상의 접합력을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치 하우징(예: 도 4의 전자 장치 하우징(400))은, ASTM E499에 따른 헬륨 리크 테스트에 따른 진공도가 1.0 × 10-9 Pa m3/s 이하일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치 하우징(예: 도 4의 전자 장치 하우징(400))은, 국제전기표준회의(IEC, International Electrotechnical Commision)의 표준 규격인 IEC60529에 따른 등급이 IPX6 이상일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 전자 장치는, 휴대용 전자기기, 웨어러블 전자기기 및 랩탑 중 적어도 하나일 수 있다.
도 6은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 제1 금속 및 제2 금속을 접합하여 금속 접합체를 형성하는 공정(610), 상기 금속 접합체를 제1 용액에 침지하여 아노다이징(anodizing)하는 공정(620) 및 상기 금속 접합체 상에 레진을 사출하는 공정(630)을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체를 형성하는 공정(610)은, 제1 금속 및 제2 금속을 접합하여 형성하는 것으로서, 제1 금속 및 제2 금속을 용접하거나, 접착 물질을 이용하거나, 캐스팅 또는 코킹을 통해 접합이 수행될 수 있다. 예를 들어, 금속 접합체는 도 4에 도시된 제1 금속부(410) 및 제2 금속부(420)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속 및 제2 금속은, 각각, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및/또는 액체금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 금속 및 제2 금속은, 각각, 둘 이상의 금속이 적층되어 형성되는 클래드 메탈을 포함할 수 있다. 예컨대, 금속 접합체를 형성하는 공정(610)은, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및/또는 액체금속 중 적어도 하나를 각각 선택하여 결정되는 제1 금속 및 제2 금속을 용접하거나, 접착 물질을 이용하거나, 캐스팅 또는 코킹을 통해 접합이 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체는 형성된 이후 블라스팅 또는 레이저 해칭 공정 등이 수행될 수 있다. 블라스팅 공정을 통해 금속 접합체의 스케일, 녹, 도막 등이 세척될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 용액은, 산성불화암모늄, 불산, 불화나트륨, 불화칼륨 및 불화암모늄 중 적어도 하나의 불화물을 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 용액은, 불화물을 포함할 수 있다. 불화물은, 특히, 티타늄(Ti) 금속에 있어서 산화피막을 용이하게 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 용액은, 트리아진티올(triazine thiol)을 더 포함할 수 있다. 트리아진티올은, 하기 화학식 1과 같이 표현될 수 있다.
[화학식 1]
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 용액은, 황산을 더 포함하고, 상기 제1 용액은, 염산, 인산, 질산, 옥살산, 크롬산, 설파민산, 마론산, 유기산, 수산화나트륨 및 황산나트륨 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 아노다이징하는 공정(620)은, 온도 20 ℃ 내지 80 ℃ 및 전압 10 V 내지 30 V에서 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 레진을 사출하는 공정(630)은, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT, polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌(ABS, acrylonitrile butadiene styrene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리옥시메틸렌(POM, polyoxymethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, polyether ether ketone), 폴리아릴에테르케톤(PAEK, polyaryletherketone) 및 폴리페닐렌 옥사이드(PPO, polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 레진을 금속 접합체 상에 사출하여 수행될 수 있다. 레진의 사출은, 아노다이징 하는 공정이 수행됨에 따라 형성되는 금속 접합체 상의 산화피막을 덮도록 사출되는 것일 수 있다. 예컨대, 금속 접합체의 표면 중 산화피막이 형성되지 않은 영역에 대해서는 레진을 사출하지 않을 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 레진을 사출하는 공정(630)에 따라 도전성이 낮은 비도전부가 형성될 수 있다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 제1 금속 및 제2 금속을 접합하여 금속 접합체를 형성하는 공정(710)(도 6의 금속 접합체를 형성하는 공정(610)), 상기 금속 접합체를 제1 용액에 침지하여 아노다이징(anodizing)하는 공정(720)(도 6의 아노다이징하는 공정(620)) 및 상기 금속 접합체 상에 레진을 사출하는 공정(730)(도 6의 레진을 사출하는 공정(630))을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 아노다이징하는 공정(720)(도 6의 아노다이징하는 공정(620))을 수행하기 전에, 상기 금속 접합체를 세척하는 공정(740), 상기 금속 접합체의 산화피막을 제거하는 공정(750) 및 상기 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(760)을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체를 세척하는 공정(740)은, 20 ℃ 내지 60 ℃에서 수행될 수 있고, 초음파를 이용하여 수행될 수 있다. 금속접합체를 세척하는 공정(740)은, 계면활성제를 포함하는 제2 용액을 이용하여 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체의 산화피막을 제거하는 공정(750)은, 가성소다와 같이 강알칼리성의 제3 용액을 사용하여 수행될 수 있고, 제2 용액이 강알칼리성이기 때문에 금속 접합체의 표면에 스머트(smut)가 발생할 수 있다. 스머트를 제거하기 위해 질산, 황산 및 불화물 중 적어도 하나를 포함하는 제4 용액에 금속 접합체를 침적하는 공정(미도시)이 추가적으로 수행될 수 있다. 제4 용액에 금속 접합체를 침적하는 공정은, 10 초 내지 600 초 동안 수행될 수 있고, 20 ℃ 내지 70 ℃, 바람직하게는 20 ℃ 내지 50 ℃에서 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(760)은, 표면을 중성화하고 산화피막 형성에 방해가 되는 오염 물질을 제거하기 위해 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(760)은, 황산, 질산 및 불화물 중 적어도 하나를 포함하는 제5 용액에 침적하여 수행될 수 있다. 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(760)은, 20 ℃ 내지 70 ℃에서 수행될 수 있고, 30 초 내지 600 초 동안 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 레진을 사출하는 공정(730) 이후에, 금속 접합체 상에 PVD, CVD, 습식도금, 전착, 도장, PEO(plasma electrolytic oxidation), 아노다이징 및 프린팅 방식 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 코팅층을 형성하는 공정(미도시)을 더 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징은, 대전방지, 지문방지, 방오, 스크래치 방지, 저굴절, 반사방지 및/또는 충격 흡수 중 적어도 하나의 효과를 나타내는 코팅층이 형성될 수 있다. 예컨대, 코팅층이 형성됨으로써 전자 장치에 우수한 터치감을 부여할 수 있고, 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 용액은, 산성불화암모늄, 불산, 불화나트륨, 불화칼륨 및 불화암모늄 중 적어도 하나의 불화물을 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 제1 용액은, 황산을 더 포함하고, 상기 제1 용액은, 염산, 인산, 질산, 옥살산, 크롬산, 설파민산, 마론산, 유기산, 수산화나트륨 및 황산나트륨 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 아노다이징하는 공정(예: 도 6의 아노다이징하는 공정(620))은, 온도 20 ℃ 내지 80 ℃, 전압 10 V 내지 30 V에서 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 상기 아노다이징하는 공정(예: 도 6의 아노다이징하는 공정(620), 도 7의 아노다이징하는 공정(720))을 수행하기 전에, 상기 금속 접합체를 세척하는 공정(예: 도 7의 금속 접합체를 세척하는 공정(740)) 상기 금속 접합체의 산화피막을 제거하는 공정(예: 도 7의 금속 접합체의 산화피막을 제거하는 공정(750)) 및 상기 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(예: 도 7의 금속 접합체의 표면을 중성화하는 공정(760))을 더 포함할 수 있다.
이하, 실시 예 및 비교 예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
단, 하기 실시 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시 예에 한정되는 것은 아니다.
실시 예
알루미늄 합금 및 티타늄 합금을 준비할 수 있다. 이 때, 알루미늄 합금의 순도는 70% 내지 100%이고, 티타늄 합금의 순도는 80% 내지 100%에 속할 수 있다. 상기 알루미늄 합금 및 상기 티타늄 합금을 캐스팅 공정을 통해 접합한 금속 접합체를 계면활성제를 포함하는 용액에 침지하여 세척할 수 있다. 수산화나트륨을 포함하는 알칼리성 용액에 금속 접합체를 침적하여 표면에 존재하는 산화피막을 제거할 수 있다. 이후, 알칼리 용액에 침적하여 발생한 스머트를 산 용액에 침지하여 제거한 뒤 중성화하기 위해 황산 수용액에 60초 동안 침적할 수 있다.
전처리를 마친 금속 접합체를 불화물 및 트리아진티올을 포함하는 황산 수용액에 침적하여 아노다이징 공정을 수행할 수 있다. 이 때, 황산 수용액은, 산성불화암모늄 및 불산 1 중량% 내지 3 중량%, 황산 1 중량% 내지 3 중량% 및 잔부는 물을 포함하는 것일 수 있다. 아노다이징 공정은 20 ℃ 내지 80 ℃의 온도에서 10 V 내지 30 V의 전압을 인가하여 수행하고, 금속 접합체의 일 표면 상에 산화피막층을 형성할 수 있다. 금속 접합체를 건조시킨 뒤 폴리카보네이트, 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 및 폴리아릴에테르케톤 중 적어도 하나의 엔지니어링 플라스틱을 포함하는 레진을 산화피막층 상에 사출하여 전자 장치 하우징을 제조할 수 있다.
실험 예 1
전자 장치 하우징의 접합력을 측정할 수 있다. 도 8은 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 접합력을 측정하기 위한 인장시험기의 개략도이다.
인장시험기(850)에 실시 예에 따른 전자 장치 하우징(800)을 장치한 뒤, 화살표 방향으로 인장시험기(850)를 당겨 레진과 금속부가 완전히 분리되는 시점의 인장력을 측정할 수 있다.
알루미늄 금속부 및 티타늄 금속부가 각각, 레진과 형성하는 접합력을 측정하여 하기 표 1와 같이 나타낼 수 있다.
| 알루미늄 금속부 | 티타늄 금속부 | |
| 레진과의 접합력 [MPa] | 32.5 | 27.8 |
실험 예 2
각 금속부의 표면에 형성되는 산화피막층의 성분을 분석할 수 있다. 각 금속부의 표면에 형성되는 산화피막층을 EDS(에너지분산형 분광분석법, Energy dispersive X-ray Spectroscopy)를 통해 성분을 분석할 수 있다. 각 산화피막층의 성분을 도9 및 하기 표 2와 같이 나타낼 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 EDS 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
| 성분 [at%] | Ti | O | C | F | Al | Si |
| 티타늄 금속부 | 54.01 | 35.79 | 7.61 | 2.58 | - | - |
| 알루미늄 금속부 | - | 25.34 | 16.15 | 4.75 | 53.75 | 0.02 |
도 9a를 참조하면, 알루미늄 금속부의 EDS 분석 결과를 확인할 수 있고, 도 9b를 참조하면, 티타늄 금속부의 EDS 분석 결과를 확인할 수 있다. 도 9를 참조하면, 알루미늄 금속부 및 티타늄 금속부는, 각각, 불소 성분을 2 at% 이상 포함하고 있는 것을 확인할 수 있다.
실험 예 3
각 금속부의 표면에 형성되는 산화피막층의 두께를 측정할 수 있다. 산화피막층의 두께를 SEM 이미지로 촬영하여 도 10과 같이 나타낼 수 있다.
도 10은 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제1 산화피막층 및 제2 산화피막층의 SEM 이미지이다.
도 10a를 참조하면, 알루미늄 금속부의 SEM 이미지를 확인할 수 있고, 도 10b를 참조하면, 티타늄 금속부의 SEM 이미지를 확인할 수 있다. 도 10을 참조하면, 알루미늄 금속부의 산화피막층에 형성된 포어가, 티타늄 금속부의 산화피막층에 형성된 포어에 비해 직경이 작은 것을 확인할 수 있고, 알루미늄 금속부에 형성된 산화피막층의 두께는 1.5 ㎛이나, 티타늄 금속부에 형성된 산화피막층의 두께는 367 ㎚인 것을 확인할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
400, 500, 800: 전자 장치 하우징
410, 510: 제1 금속부
411: 제1 산화피막층
412: 제1 포어
413: 제1 포어층
414: 제1 배리어층
420, 520: 제2 금속부
421: 제2 산화피막층
422: 제2 포어층
423: 제2 포어층
424: 제2 배리어층
430, 530: 비도전부
440: 접합부
410, 510: 제1 금속부
411: 제1 산화피막층
412: 제1 포어
413: 제1 포어층
414: 제1 배리어층
420, 520: 제2 금속부
421: 제2 산화피막층
422: 제2 포어층
423: 제2 포어층
424: 제2 배리어층
430, 530: 비도전부
440: 접합부
Claims (20)
- 제1 금속을 포함하는 제1 금속부;
제2 금속을 포함하는 제2 금속부; 및
비도전부;를 포함하고,
상기 제1 금속부의 표면 중 적어도 일 부분에 제1 산화피막층이 형성되는 것이고,
상기 제1 산화피막층은, 제1 범위의 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고,
상기 제2 금속부는, 상기 제1 금속부와 접하도록 형성되는 것이고,
상기 제2 금속부의 표면 중 적어도 일 부분에 제2 산화피막층이 형성되는 것이고,
상기 제2 산화피막층은, 제2 범위의 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고,
상기 비도전부는, 상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 형성되는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 상이한 것인,
전자 장치 하우징.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 금속 및 상기 제2 금속은, 각각, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및 액체금속 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 범위는, 상기 제2 범위에 비해 작은 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 산화피막층은, 제1 두께를 가지는 것이고,
상기 제2 산화피막층은, 제2 두께를 가지는 것이고,
상기 제1 두께 및 상기 제2 두께는, 각각, 100 ㎚ 이상인 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층은, 각각, 산소 원자 1 at% 이상 및 불소 원자 0.01 at% 이상을 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 비도전부는, 상기 제1 산화피막층의 포어, 상기 제2 산화피막층의 포어 또는 이 둘을 채우도록 형성되는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 비도전부는, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT, polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 아크릴로나이트릴 부타디엔 스타이렌(ABS, acrylonitrile butadiene styrene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리옥시메틸렌(POM, polyoxymethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, polyether ether ketone), 폴리아릴에테르케톤(PAEK, polyaryletherketone) 및 폴리페닐렌 옥사이드(PPO, polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제8항에 있어서,
상기 비도전부는, 유리 섬유, 탄소 섬유, 탈크 및 울라스토나이트(wollatstonite) 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 금속부 및 상기 제2 금속부는, 10 MPa 내지 100 MPa의 접합력을 가지는 것이고,
상기 제1 금속부 및 상기 제2 금속부는, 각각, 상기 비도전부와 25 MPa 이상의 접합력을 형성하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층은, 각각, 불소 원자를 1 at% 이상 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 금속부, 상기 제2 금속부 또는 둘 다는, 표면 중 적어도 일 부분에 코팅층에 형성되는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 비도전부는, 표면에 코팅층이 형성되지 않는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제12항에 있어서,
상기 코팅층은, Be2SiO4, Zn2SiO4, ZrSiO4, (M1 2+)3(M2 3+)2(SiO4)3(M1은 Ca, Mg 및 Fe 중 적어도 하나, M2는 Al, Cr 및 Fe 중 적어도 하나), (메타)아크릴기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 폴리머, 6 내지 15개의 (메타)아크릴기를 가지는 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머, 2 내지 6개의 (메타)아크릴기를 가지는 다관능성 (메타)아크릴레이트 단량체 및 불소화 (메타)아크릴레이트 단량체 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 전자 장치 하우징으로 둘러싸인, 전자 장치로서,
상기 전자 장치 하우징은,
제1 금속을 포함하는 제1 금속부;
제2 금속을 포함하는 제2 금속부; 및
비도전부;를 포함하고,
상기 제1 금속부는, 표면 중 적어도 일 부분에 제1 산화피막층이 형성되는 것이고,
상기 제1 산화피막층은, 제1 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고,
상기 제2 금속부는, 상기 제1 금속부와 접하도록 형성되는 것이고,
상기 제2 금속부는, 표면 중 적어도 일 부분에 제2 산화피막층이 형성되는 것이고,
상기 제2 산화피막층은, 제2 직경을 가지는 복수 개의 포어를 포함하는 것이고,
상기 비도전부는, 상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층의 접합부의 적어도 일 부분을 덮도록 형성되는 것인,
전자 장치.
- 제15항에 있어서,
상기 제1 금속부 및 제2 금속부는, 각각, Ti, Al, Mg, Zn, SUS, Cu 및 액체금속 중 적어도 하나를 포함하는 것이고,
상기 제1 산화피막층 및 상기 제2 산화피막층은, 각각, 산소 원자 1 at% 이상 및 불소 원자 0.01 at% 이상을 포함하는 것인,
전자 장치.
- 제15항에 있어서,
상기 전자 장치는, 휴대용 전자기기, 웨어러블 전자기기 및 랩탑 중 적어도 하나인 것인,
전자 장치.
- 제1 금속 및 제2 금속을 접합하여 금속 접합체를 형성하는 공정;
상기 금속 접합체를 제1 용액에 침지하여 아노다이징(anodizing)하는 공정; 및
상기 금속 접합체 상에 레진을 사출하는 공정;을 포함하는,
전자 장치 하우징의 제조방법.
- 제18항에 있어서,
상기 제1 용액은, 산성불화암모늄, 불산, 불화나트륨, 불화칼륨 및 불화암모늄 중 적어도 하나의 불화물을 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함하는 것인,
전자 장치 하우징의 제조방법.
- 제19항에 있어서,
상기 제1 용액은, 황산을 더 포함하는 것이고,
상기 제1 용액은, 염산, 인산, 질산, 옥살산, 크롬산, 설파민산, 마론산, 유기산, 수산화나트륨 및 황산나트륨 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 것인,
전자 장치 하우징의 제조방법.
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