CN117426147A - 结合有不同的金属的电子设备壳体、及其制造方法 - Google Patents

结合有不同的金属的电子设备壳体、及其制造方法 Download PDF

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申俊澈
白承昌
赵晟祜
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Abstract

电子设备的壳体可包括：两个或更多个金属部分，各自具有形成在其表面上的氧化物膜层；以及形成为覆盖所述氧化物膜层的至少一部分的非导电部分。

Description

结合有不同的金属的电子设备壳体、及其制造方法
技术领域
本公开内容涉及具有不同的结合金属的电子设备(电子器件)的壳体以及制造该壳体的方法。
背景技术
电子设备是指根据加载的程序执行特定功能的设备，例如家用电器、电子记事本、便携式多媒体播放器、移动通信终端、平板个人电脑(PC)、视频/音频设备、台式/膝上型计算机、车辆导航系统等。例如，这样的电子设备可将存储的信息作为声音或图像输出。随着电子设备的集成水平的提高和超高速、大容量无线通信的日益普及，最近已在单个电子设备诸如移动通信终端中加载多种功能。例如，娱乐功能诸如游戏、多媒体功能诸如音乐/视频播放、用于手机银行(移动银行)的通信和安全功能、调度(日程安排)功能、和电子钱包功能以及通信功能已经集成在单个电子设备中。
电子设备包括由各种材料形成的壳体，并且电子设备的壳体可保护电子设备的内部部件免受外部冲击。壳体可被制造成使得该设备易于被使用者携带并且在使用时为使用者提供良好的外观。
发明内容
对于电子设备的外部品质和轻量化，已经对如下的金属结合体进行了研究：该金属结合体的外部部分使用具有优异的亮度和强度的金属形成，且内部部分使用轻金属形成。然而，可无法确保用于结合到非导电部分的足够的结合强度。此外，当导电性大不相同的两种或更多种金属结合时，氧化物膜层的形成可被限制，并且非导电部分可容易地分离。
根据各实例实施方式，提供电子设备的壳体，其中结合两种或多种金属并且连接非导电部分。
根据各实例实施方式，提供电子设备的壳体，其中氧化物膜层形成在两个(种)或更多个(种)金属部分的各自的表面上并且包括多个孔，并且其中非导电部分形成为覆盖在氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
根据本公开内容的一个方面，电子设备的壳体包括：包括第一金属的第一金属部分；包括第二金属的第二金属部分；和非导电部分，其中第一氧化物膜层形成在第一金属部分的表面的至少一部分上，其中第一氧化物膜层包括多个第一孔，多个第一孔各自具有在第一范围内的相应第一直径，其中第二金属部分接触第一金属部分，其中第二氧化物膜层形成在第二金属部分的表面的至少一部分上，其中第二氧化物膜层包括多个第二孔，多个第二孔各自具有在第二范围内的相应第二直径，并且其中非导电部分覆盖在第一氧化物膜层和第二氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
第一金属和第二金属可彼此不同。
第一金属和第二金属可各自包括选自以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、不锈钢、Cu、液态金属及其混合物。
所述第一范围可小于所述第二范围。
第一氧化物膜层可具有第一厚度，第二氧化物膜层可具有第二厚度，并且第一厚度和第二厚度各自可大于或等于100纳米(nm)。
第一氧化物膜层和第二氧化物膜层各自可包括1原子百分比(原子％)或更大的量的氧原子和0.01原子％或更大的量的氟原子。
非导电部分可填充多个第一孔和多个第二孔之一或两者。
非导电部分可包括选自以下的至少一种：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT，polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrile butadienestyrene)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚甲醛(POM，polyoxymethylene)、聚醚醚酮(PEEK，polyether ether ketone)、聚芳醚酮(PAEK，polyaryletherketone)、聚苯醚(PPO，polyphenylene oxide)及其混合物。
非导电部分可进一步包括选自以下的至少一种添加剂：玻璃纤维、碳纤维、滑石、硅灰石(wollastonite)及其混合物。
在第一金属部分和第二金属部分之间的结合强度可为10兆帕(MPa)至100MPa，并且第一金属部分和第二金属部分各自与非导电部分的结合强度可为25MPa或更大。
第一氧化物膜层和第二氧化物膜层各自可包括1原子％或更大的量的氟原子。
涂覆层可形成在第一金属部分和第二金属部分之一或两者的表面的至少第二部分上。
涂覆层可不形成在非导电部分的表面上。
涂覆层可包括选自以下的至少一种：Be2SiO4、Zn2SiO4、ZrSiO4、(M1 2+)3(M2 3+)2(SiO4)3(M1为Ca、Mg和Fe的至少一种，且M2为Al、Cr和Fe的至少一种)、具有(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有6至15个(甲基)丙烯酰基基团的多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、具有2至6个(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体、氟化的(甲基)丙烯酸酯单体及其混合物。
根据本公开内容的一个方面，电子设备包括壳体，其中壳体包括：包括第一金属的第一金属部分；包括第二金属的第二金属部分；和非导电部分，其中第一氧化物膜层形成在第一金属部分的表面的至少一部分上，其中第一氧化物膜层包括具有第一直径的多个第一孔，其中第二金属部分接触第一金属部分，其中第二氧化物膜层形成在第二金属部分的表面的至少一部分上，其中第二氧化物膜层包括具有第二直径的多个第二孔，并且其中非导电部分覆盖在第一氧化物膜层和第二氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
第一金属和第二金属可各自包括选自以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、不锈钢、Cu、液态金属及其混合物，并且第一氧化物膜层和第二氧化物膜层各自可包括1原子百分比(原子％)或更大的量的氧原子和0.01原子％或更大的量的氟原子。
电子设备可包括以下的至少一种：便携式电子设备、可穿戴电子设备和膝上型计算机。
根据本公开内容的一个方面，制造电子设备的壳体的方法包括：通过将第一金属结合至第二金属来形成金属结合体；通过浸在第一溶液中将金属结合体阳极氧化(anodizing)；和将树脂注入到金属结合体上。
第一溶液可包括0.1重量百分比(重量％)至5重量％的量的选自以下的至少一种：氟化氢铵、氢氟酸、氟化钠、氟化钾、氟化铵及其混合物。
第一溶液可进一步包括硫酸，并且第一溶液可进一步包括选自以下的至少一种添加剂：盐酸、磷酸、硝酸、草酸、铬酸、氨基磺酸、丙二酸、有机酸、氢氧化钠、硫酸钠及其混合物。
根据本公开内容的一个方面，电子设备的壳体包括：第一金属部分，其包括在第一金属部分的表面上的多个第一突起，所述多个第一突起形成第一天线辐射器；和在第一金属部分的表面上并且填充在所述多个第一突起的相邻第一突起之间的空间的非导电部分。
壳体可进一步包括结合到第一金属部分的第二金属部分，所述第二金属部分包括在第二金属部分的表面上的多个第二突起，所述多个第二突起形成第二天线辐射器。
非导电部分可形成在第二金属部分的表面上并且填充在所述多个第二突起的相邻第二突起之间的空间。
发明的有益效果
根据各实例实施方式，可提供电子设备的壳体，其中结合两种或多种金属并且连接非导电部分。
根据各实例实施方式，可提供电子设备的壳体，其中氧化物膜层形成在两个(种)或更多个(种)金属部分的各自的表面上并且包括多个孔，并且其中非导电部分形成为覆盖在氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
附图说明
图1是示出根据实施方式的移动电子设备的前表面的透视图；
图2是图1的电子设备的后表面的透视图；
图3是图1的电子设备的分解透视图；
图4是根据实施方式的电子设备的壳体的横截面图；
图5是根据实施方式的电子设备的壳体的横截面图；
图6是根据实施方式的电子设备的壳体的横截面图；
图7是示出根据实施方式的制造电子设备的壳体的方法的流程图；
图8是示出根据实施方式的制造电子设备的壳体的方法的流程图；
图9是示意性地示出用于测量根据实施方式的电子设备的壳体的结合强度的拉伸测试仪的图；
图10a和10b是示出根据实施方式的电子设备的壳体的第一氧化物膜层和第二氧化物膜层的能量色散X射线光谱法(EDS)分析的结果的图；和
图11a和11b是根据实施方式的电子设备的壳体的第一氧化物膜层和第二氧化物膜层的扫描电子显微镜(SEM)图像。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细描述实例实施方式。当参考附图描述实例实施方式时，相同的附图标记指代相同的元件，并且将省略与之相关的重复描述。
参考图1和2，根据实例实施方式的电子设备100可包括壳体110，壳体110包括第一面(或前面)110A、第二面(或后面)110B和围绕第一面110A和第二面110B之间的空间的侧面110C。在实例实施方式中，壳体还可指的是形成图1的第一面110A、第二面110B和侧面110C的一部分的结构。根据实例实施方式，第一表面110A可由至少部分透明的前板102(例如，包括多种涂覆层的聚合物板或玻璃板)形成。第二表面110B可由基本上不透明的后板111形成。例如，后板111可由以下形成：经涂覆的或彩色的玻璃、陶瓷、聚合物、金属材料(例如铝、不锈钢(SS)或镁)或上述材料的至少两种的组合。侧表面110C可连接到前板102和后板111，并且可由包括金属和/或聚合物的侧外圈(边框)结构(或侧构件)118形成。在一些实例实施方式中，后板111和侧外圈结构118可一体地形成并且可包括相同的材料(例如，金属材料诸如铝)。
在所示的实例实施方式中，前板102可包括通过在前板102的长边缘的两端处(例如，在前板的两个长边缘处)从第一面110A朝向后板111弯曲而无缝延伸的两个第一区域110D。在所示的实例实施方式中(参见图2)，后板111可包括通过在长边缘的两端处从第二面110B朝向前板102弯曲而无缝延伸的两个第二区域110E。在一些实例实施方式中，前板102(或后板111)可包括第一区域110D(或第二区域110E)之一。在实例实施方式中，可不包括第一区域110D或第二区域110E的一些。在上述实例实施方式中，在电子设备100的侧视图中，侧外圈结构118可在其中不包括第一区域110D或第二区域110E的侧处具有第一厚度(或宽度)，并且可在其中包括第一区域110D或第二区域110E的侧处具有小于第一厚度的第二厚度。
根据实例实施方式，电子设备100可包括以下的至少一种：显示器101，音频模块103、107和114，传感器模块104、116和119，相机模块105、112和113，键输入设备117，发光元件106以及连接器孔108和109。在一些实例实施方式中，电子设备100可不包括部件的至少一个(例如，键输入设备117或发光元件106)或者另外包括其他部件。
显示器101可通过例如前板102的一些部分暴露。在一些实例实施方式中，显示器101的至少一部分可通过构成侧面110C的第一区域110D的前板102和第一面110A暴露。在一些实例实施方式中，显示器101的边缘可形成为和与其相邻的前板102的外围(周边)的形状基本上相同。在实例实施方式中，显示器101的外围和前板102的外围之间的距离可为基本上恒定的，以扩大显示器101的暴露区域。
在实例实施方式中，凹陷或开口可形成在显示器101的屏幕显示区域的一部分中，并且可包括与所述凹陷或开口对准的音频模块114、传感器模块104和相机模块105和发光元件106的至少一个。在实例实施方式中，显示器101的屏幕显示区域的后面可包括音频模块114、传感器模块104、相机模块105、传感器模块116(例如指纹传感器)和发光元件106的至少一个。在另外的实例实施方式中，显示器101可连接到以下或被布置为与以下相邻：触摸传感电路、用于测量触摸的强度(压力)的压力传感器、和/或用于检测磁性型触控笔的数字转换器。在一些实例实施方式中，传感器模块104和119的至少一部分和/或键输入设备117的至少一部分可设置在第一区域110D和/或第二区域110E中。
音频模块103、107和114可包括麦克风孔(例如音频模块103)和扬声器孔(例如音频模块107和114)。用于获取外部声音的麦克风可设置在麦克风孔、例如音频模块103中。在一些实例实施方式中，可设置多个麦克风来检测声音的方向。扬声器孔(例如音频模块107和114)可包括用于呼叫的外部扬声器孔(例如音频模块107a)和接收器孔(例如音频模块114)。在一些实例实施方式中，扬声器孔(例如音频模块107和114)和麦克风孔(例如音频模块103)可作为一个孔实施，或者可在没有扬声器孔(例如音频模块107和14)的情况下包括扬声器(例如压电扬声器)。
传感器模块104、116和119可产生与电子设备100的内部操作状态或外部环境状态相对应的电信号或数据值。传感器模块104、116和119可包括，例如，设置在壳体110的第一面110A上的第一传感器模块104(例如接近传感器(近距离传感器))和/或第二传感器模块(例如指纹传感器)，和/或设置在壳体110的第二面110B上的第三传感器模块119(例如心率监测(HRM)传感器)和/或第四传感器模块116(例如指纹传感器)。指纹传感器可设置在壳体110的第一面110A(例如显示器101)和第二面110B两者上。电子设备100可进一步包括以下的至少一个：传感器模块，例如手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物识别(生物特征)传感器、温度传感器、湿度传感器和照度传感器。
相机模块105、112和113可包括设置在电子设备100的第一面110A上的第一相机模块105、设置在第二面110B上的第二相机模块112、和/或闪光灯113。相机模块105和112可各自包括一个或更多个镜头、图像传感器和/或图像信号处理器。闪光灯113可包括，例如，发光二极管(LED)或氙气灯。在一些实例实施方式中，两个或更多个镜头(IR相机，广角和长焦镜头)和图像传感器可设置在电子设备100的至少一个面上。
键输入设备117可设置在壳体110的侧表面110C上。在实例实施方式中，电子设备100可不包括上述键输入设备117的一些或全部。未包括的键输入设备117可以另外的形式诸如显示器101上的软键来实施。在一些实例实施方式中，键输入设备可包括设置在壳体110的第二面110B上的传感器模块116。
发光元件106可设置在例如壳体110的第一面110A上。发光元件106可提供，例如，光的形式的电子设备100的状态信息。在实例实施方式中，发光元件106可提供，例如，链接到相机模块105的操作的光源。发光元件106可包括，例如，LED、IR LED和氙气灯。
连接器孔108和109可包括用于容纳用于向外部电子设备发送功率和/或数据和从外部电子设备接收功率和/或者数据的连接器(例如通用串行总线(USB)连接器)的第一连接器孔108，和/或用于容纳用于向外部电子设备发送音频信号和从外部电子设备接收音频信号的连接器的第二连接器孔(例如耳机插孔)109。
参考图3，电子设备300可包括侧外圈结构310、第一支撑构件311(例如支架)、前板320、显示器330、印刷电路板(PCB)340、电池350、第二支撑构件360(例如后壳)、天线370和后板380。在一些实例实施方式中，电子设备300可省略所述部件的至少一个(例如第一支撑构件311或第二支撑构件360)，或者可另外包括其他部件。电子设备300的部件的至少一个可与图1或2的电子设备100的部件的至少一个相同或相似，并且这里将省略对其的重复描述。
第一支撑构件311可设置在电子设备300内部并连接到侧外圈结构310，或者与侧外圈结构310一体地形成。第一支撑构件311可由例如金属材料和/或非金属材料(例如聚合物)形成。显示器330可连接到第一支撑构件311的一个表面，并且PCB 340可连接到第一支撑构件311的另一表面。处理器、存储器和/或接口可安装在PCB 340上。处理器可包括例如以下的一种或多种：中央处理单元、应用处理器、图形处理单元、图像信号处理器、传感器集线器处理器和通信处理器。
存储器可包括，例如，易失性存储器或非易失性存储器。
接口可包括，例如，高清晰度多媒体接口(HDMI)、USB(通用串行总线)接口、安全数字(SD)卡接口或音频接口。例如，接口可将电子设备300电连接或物理连接到外部电子设备，并且可包括USB连接器、SD卡/多媒体卡(MMC)连接器、或音频连接器。
电池350可为用于向电子设备300的至少一个部件供电的设备，并且可包括例如不可再充电的一次电池、可再充电的二次电池或燃料电池。例如，电池350的至少一部分可设置在与PCB 340基本上相同的平面上。电池350可一体地设置在电子设备300内部，或者可与电子设备300可拆卸地设置。
天线370可设置在后板380和电池350之间。天线370可包括，例如，近场通信(NFC)天线、无线充电天线和/或磁安全传输(MST)天线。天线370可执行与外部设备的短程通信，或者可向外部设备无线地发送充电所需的电力以及从外部设备无线地接收充电所需的电力。在实例实施方式中，天线结构可通过侧外圈结构310和/或第一支撑构件311的一部分或其组合形成。
下文中，将通过各实例实施方式进一步描述形成电子设备100的外观的壳体110。
图4是根据各实例实施方式的电子设备的壳体的截面图。
参考图4，示出电子设备(例如图1的电子设备100)的壳体的一部分(例如侧外圈的一部分)的横截面，并且根据各实例实施方式的电子设备的壳体400可包括金属部分和非导电部分。根据实例实施方式，金属部分的至少一部分可用作天线辐射器，并且非导电部分的至少一部分可形成在金属部分的中间，以使金属部分的至少一部分电断开，使得金属部分可用作天线辐射器。在图4中示出包括金属部分和非导电部分两者的壳体400的一部分的横截面，并且壳体400的至少另一部分(例如，用作天线辐射器的一部分)可不包括非导电部分。为了便于描述，图4的+X方向和-X方向分别被假定为电子设备100的向外方向(例如朝向边缘的方向)和向内方向(例如朝向中心的方向)，然而，设置金属部分和非导电部分的方向不被限制。
根据各实例实施方式，壳体400可包括第一金属部分410、第二金属部分420和非导电部分430。
根据各实例实施方式，第一金属部分410可包括第一金属，并且第一氧化物膜层411可形成在第一金属部分41的表面的至少一部分上。
根据各实例实施方式，第二金属部分420可包括第二金属，并且第二氧化物膜层421可形成在第二金属部420的表面的至少一部分上。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411可包括多个第一孔412，使得多个第一突起形成在相邻的第一孔412之间，并且第二氧化物膜层421可包括多个第二孔422，使得多个第二突起形成在相邻的第二孔422之间。第一孔412和第二孔422的直径和/或深度的至少一个可相同或不同。
根据各实例实施方式，第一孔412可具有在第一范围内的直径，并且第二孔422可具有在第二范围内的直径。多个第一孔412可在直径、高度和/或形状的至少一个方面彼此相同或不同。多个第二孔422可在直径、高度和/或形状的至少一个方面彼此相同或不同。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为覆盖在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421之间的结合部分440的至少一部分。根据实例实施方式，可在其中第一金属部分410和第二金属部分420结合的状态下进行阳极氧化工艺，且因此，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421可分别形成在第一金属部分410的表面和第二金属部分420的表面上。形成的第一氧化物膜层411和形成的第二氧化物膜层421也可结合以形成结合部分440。
根据各实例实施方式，第一金属部分410和第二金属部分420可形成为彼此接触。例如，第一金属部分410的+X方向表面和第二金属部分420的-X方向表面可通过焊接、铸造或使用粘合材料结合。
根据各实例实施方式，分别形成在第一金属部分410的表面和第二金属部分420的表面上的第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421也可形成为彼此接触。例如，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421可在其中第一金属部分410和第二金属部分420结合的状态下通过阳极氧化工艺分别结合到第一金属部分和第二金属部分420。第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421可形成结合部分440，并且非导电部分430可形成为覆盖在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421之间的结合部分440的至少一部分。例如，当第一金属部分410的+X方向表面和第二金属部分420的-X方向表面形成为彼此接触时，第一氧化物膜层411的+X方向表面和第二氧化物膜层421的-X方向表面可至少部分地彼此接触以形成结合部分440。
根据各实例实施方式，可在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自中形成向外部开放的多个孔，并且非导电部分430可形成为填充包括在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421中的各孔。例如，第一孔412和第二孔422可分别形成在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421中以在+Y方向上开放。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421可分别形成在第一金属部分410的表面和第二金属部分420的表面上，以赋予足够的结合强度用于结合到非导电部分。如果氧化物膜层未形成在金属部分上，则可由于不足的结合强度而无法产生在金属部分和非导电部分之间的足够的结合强度。例如，可通过在氧化物膜层中形成的孔的内壁来增加结合面积，且因此，可增加在氧化物膜层和非导电部分之间的粘附。
根据各实例实施方式，多个孔可形成在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自中，并且在形成非导电部分430的过程中注入的树脂可由于所述孔而适当地粘附。
根据各实例实施方式，第一金属和第二金属可不同。例如，包括在向外方向(例如+X方向)上的第二金属可为具有比第一金属的亮度和/或强度的至少一个大的亮度和/或强度的至少一个的金属。例如，作为在向外方向上的第二金属，可使用具有用于保护内部的高强度或具有用于提供美景(精美外观)的高亮度的金属。在另外的实例中，对于相同的尺寸，包括在向内方向(例如-X方向)上的第一金属的重量可小于在向外方向上的第二金属的重量。换言之，第一金属的密度可小于第二金属的密度。在向内方向上的第一金属可包括例如用于减轻壳体400的重量的金属。第二金属可包括例如Ti或不锈钢(SS)。此外，第二金属可包括例如合金。第二金属可包括例如具有80％或更高的纯度的Ti合金。第一金属可包括例如Al。此外，第一金属可包括例如合金。第一金属可包括例如具有70％或更高的纯度的Al合金。然而，第一金属和第二金属的类型不限于此。例如，本领域普通技术人员可容易地理解，也可使用通过结合不同的材料形成的材料，例如STS-Al、STS-Mg、Al-Mg和Ti-Mg。此外，当第一金属和第二金属设置在电子设备100的内部或外部时待比较的属性不限于上述那些，并且适合于在壳体400的内部或外部使用的所有第一金属和第一金属可应用于本公开内容的各实例实施方式。在向外方向上的第二金属可为例如具有比在向内方向上的第一金属的硬度大的硬度的金属。在向内方向上的第一金属可具有比在向外方向上的第二金属的延展性大的延展性。
根据种实例实施方式，第一金属和第二金属各自可包括以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、SS、Cu和/或液态金属，但不限于此。根据实例实施方式，第一金属和第二金属各自可包括其中堆叠两种或更多种金属的包层金属(复合金属)。
根据各实例实施方式，第一孔的直径的第一范围可小于第二孔的直径的第二范围。
根据各实例实施方式，第一范围可在20纳米(nm)到40纳米的范围内，并且第二范围可在50nm到100nm的范围内。
根据各实例实施方式，孔的直径和深度可由形成金属部分(例如，第一金属部分410和第二金属部分420)的金属(例如，第一金属和第二金属)与用于形成氧化物膜(例如第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421)的电解质之间的反应性的差异决定。
根据各实例实施方式，如果形成金属部分的金属与用于形成氧化物膜的电解质之间的反应性良好，则氧化物膜可比孔更快地形成，且因此孔可具有小的直径。如果形成金属部分的金属和用于形成氧化物膜的电解质之间的反应性低，则孔可比氧化物膜更快地形成，且因此孔可具有大的直径。另一方面，如果形成金属部分的金属和用于形成氧化物膜的电解质之间的反应性良好，则可形成厚的氧化物膜层，和如果形成金属部分的金属与用于形成氧化物层的电解质之间反应性低，则可形成薄的氧化物膜层。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411可具有第一厚度，第二氧化物膜层421可具有第二厚度，并且第一厚度和第二厚度可各自大于或等于100nm。根据各实例实施方式，可在氧化物膜层中形成孔，并且可形成其中不形成孔的障壁(阻挡)层。根据实例实施方式，响应于进行的阳极氧化工艺，可从第一氧化物膜层411的表面在-Y方向上形成孔，并且第一氧化物膜层411可包括孔形成于其中的第一孔层413和第一障壁层414，如图4中所示。第一氧化物膜层411的第一厚度可通过将第一孔层413的厚度和第一障壁层414的厚度相加而获得。根据实例实施方式，响应于进行的阳极氧化工艺，可从第二氧化物膜层421的表面在-Y方向上形成孔，并且第二氧化物膜层421可包括孔形成在其中的第二孔层423和第二障壁层424。第二氧化物膜层421的第二厚度可通过将第二孔层423的厚度和第二障壁层424的厚度相加而获得。
根据各实例实施方式，第一厚度和第二厚度可不同。
根据各实例实施方式，第一厚度和第二厚度可分别由第一金属部分410和用于形成氧化物膜的电解质之间的反应性以及第二金属部分420和用于形成氧化物膜的电解质之间反应性决定。根据实例实施方式，当进行阳极氧化工艺时，可从第一金属部分410的表面和第二金属部分420的表面各自在-Y方向上形成孔，并且孔的深度和障壁层的厚度可基于第一金属部分410和第二金属部分420各自与电解质之间的反应性决定。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层的第一厚度和第二氧化物膜层的第二厚度各自可大于或等于100nm。如果第一厚度或第二厚度小于100nm，则第一金属部分、第二金属部分、以及形成为覆盖在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421之间的结合部分的至少一部分的非导电部分可未充分地结合并且可分离。
根据各实例实施方式，第一厚度或第二厚度可大于或等于1微米(μm)。根据各实例实施方式，第一厚度可大于或等于1μm，且第二厚度可小于或等于1μm。
根据各实例实施方式，第一厚度可大于或小于第二厚度，第一厚度可大于或等于1.4μm，且第二厚度可大于或等于300nm。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可包含1原子百分比(原子％)或更大的量的氧原子和0.01原子％或更大的量的氟原子。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可通过用于形成氧化物膜的电解质形成。含氧和氟的氧化物膜层可通过浸在用于形成氧化物膜的电解质中经由阳极氧化工艺形成在金属部分上。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可包含1原子％或更大、和期望地2原子％或者更大的量的氟原子。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可包含1原子％或更大、2原子％或更大、3原子％或更大、4原子％或更大、5原子％或更大、6原子％或更大、7原子％或更大、8原子％或更大、9原子％或更大、或10原子％或更大的量的氧原子。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为填充第一氧化物膜层411的第一孔和第二氧化物膜层421的第二孔之一或两者。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为覆盖在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421之间的结合部分440的至少一部分，并且可形成为覆盖第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自的表面的至少一部分。根据实例实施方式，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自的表面可包括其中未形成孔的部分、以及形成在第一氧化物膜层411和第二氧化者膜层421各自中的孔(例如，第一孔412和第二孔422)的内壁两者。
根据各实例实施方式，非导电部分430可结合到第一金属部分410和第二金属部分420以使第一金属部分420和/或第二金属部分420的至少一部分电断开，且因此第一金属部分410和/或第二金属部分420的至少一部分可用作电子设备的天线。非导电部分430可通过充分的结合而不与第一金属部分410和第二金属部分420分离。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为填充第一氧化物膜层411的第一孔和第二氧化物膜层421的第二孔之一或两者，从而以较大的表面积，与第一氧化物膜层411和第二氧化者膜层421之一或两者接触，由此具有高的结合强度。
根据各种实例实施方式，非导电部分430可包括聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT，polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrile butadienestyrene)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚甲醛(POM，polyoxymethylene)、聚醚醚酮(PEEK，polyether ether ketone)、聚芳醚酮(PAEK，polyaryletherketone)和聚苯醚(PPO，polyphenylene oxide)的任一种或任意组合。
根据各实例实施方式，非导电部分430可包括工程塑料。工程塑料可为具有高的强度和高的对100℃或更高的耐受性的塑料，并且在抗冲击性、耐磨性、抗冷性、耐化学性、电绝缘等方面可为优异的。然而，可包括在非导电部分中的塑料的类型不被限制。
根据各实例实施方式，非导电部分430可进一步包括以下中的至少一种添加剂：玻璃纤维、碳纤维(carbon fiber)、滑石和硅灰石(wollastonite)。
根据各实例实施方式，非导电部分430可进一步包括添加剂，以增强非导电部分的耐热性、强度、抗冲击性和/或耐磨性的至少一种。
根据各实例实施方式，第一金属部分410和第二金属部分420可具有10兆帕(MPa)至100MPa的结合强度。
根据各实例实施方式，第一金属部分410和第二金属部分420可结合，并且期望地,可以20MPa至100MPa的结合强度结合。
根据各实例实施方式，第一金属部分410与非导电部分430之间的结合强度以及第二金属部分420与非导电部430之间的结合强度可各自为25MPa或更大。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为覆盖形成在第一金属部分410的表面上的第一氧化物膜层411和形成在第二金属部分420的表面上第二氧化物膜层421各自的至少一部分。
根据各实例实施方式，非导电部分430可形成在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421的至少一部分上，并且第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可具有与非导电部分430的25MPa或更大的结合强度。如果与非导电部分430的结合强度小于25MPa，则非导电部分430的一部分或全部可分离，且因此，可难以将壳体400用作电子设备的壳体。
根据各实例实施方式，根据基于ASTM E499的氦气泄漏测试，壳体400可具有1.0×10-9Pa m3/s或更小的真空水平。通过氦气泄漏测试，可确定氦气是否通过、以及结合部分的气密性。如果根据氦气泄漏测试的真空水平增加，通过的氦气的量可增加，这可表明电子设备的壳体是弱结合的。
根据各实例实施方式，根据作为国际电工委员会(IEC，InternationalElectrotechnical Commission)标准的IEC 60529，壳体400可具有IPX6或更高的异物防护等级(ingress protection rating)。
根据各实例实施方式，可根据IEC 60529来测量壳体400的性能。根据IEC 60529，当100千帕(kPa)的水以100L/分钟的速度在3米范围内在所有方向上喷射3分钟时，当壳体400防水时，可设定6的等级。
根据各实例实施方式，壳体400可具有6或更高的防水等级，并且防水性能可归因于形成在第一金属部分410和第二金属部分420之间的结合膜。
图5是根据各实例实施方式的电子设备的壳体的横截面图。
根据各实例实施方式，涂覆层550可形成在壳体500(例如，图4的壳体400)中的第一金属部分510(例如，图4的第一金属部分410)和第二金属部分520(例如，图4的第二金属部420)之一或两者的表面的至少一部分(例如第二部分551)上。根据各实例实施方式，第一氧化物膜层511(例如，图4的第一氧化物膜层411)和第二氧化物膜层521(例如，图4的第二氧化物膜421)可形成在第一金属部分510和第二金属部分520之一或两者的表面的至少一部分上，并且涂覆层550可形成在其上未形成第一氧化物膜层511和第二氧化物膜层521的第一金属部分510和第二金属部分520各自的表面的至少一部分上。根据各实例实施方式，涂覆层550可向电子设备的壳体赋予功能，并且可赋予例如抗静电效果、防指纹效果、防污效果、防刮擦效果、低折射、防反射效果和/或减震效果的至少一种。
根据各实例实施方式，涂覆层550可不形成在非导电部分530(例如，图4的非导电部分430)上。此外，即使涂覆层形成在非导电部分530上，也可通过单独的涂覆层去除工艺(例如，激光切割工艺)不形成涂覆层。
根据各实例实施方式，涂覆层550可包括，但不限于，Be2SiO4、Zn2SiO4、ZrSiO4、(M1 2 +)3(M2 3+)2(SiO4)3(M1是Ca、Mg和Fe的至少一种，且M2是Al、Cr和Fe的至少一种)、具有(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有6至15个(甲基)丙烯酰基基团的多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、具有2至6个(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体、和氟化的(甲基)丙烯酸酯单体的任一种或任意组合。
根据各实例实施方式，壳体400可形成为包围电子设备。
根据各实例实施方式，可提供由电子设备的壳体400包围的电子设备。壳体400可包括：包括第一金属的第一金属部分410、包括第二金属的第二金属部分420、和非导电部分430。第一氧化物膜层411可形成在第一金属部分410的表面上，并且第一氧化物膜层412可包括具有第一直径的多个孔。第二金属部分420可形成为与第一金属部分410接触，第二氧化物膜层421可形成在第二金属部420的表面上，并且第二氧化物膜层421可包括具有第二直径的多个孔。非导电部分430可形成为覆盖在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421之间的结合部分的至少一部分。
根据各实例实施方式，电子设备可包括，但不限于，便携式电子设备、可穿戴电子设备和膝上型电脑。
根据各实例实施方式的壳体400可为电子设备(例如，图1的电子设备100)的壳体的一部分，并且可包括金属部分和非导电部分。根据实例实施方式，壳体400可包括第一金属部分410、第二金属部分420和非导电部分430。根据实例实施方式，第一金属部分410可包括第一金属，例如铝(Al)。此外，第二金属部分420可包括第二金属，例如钛(Ti)。这里，包括Al的第一金属部分410可设置在壳体400的向内方向上，并且包括Ti的第二金属部分420可设置在壳体400的向外方向上。Al可为轻的，并且Ti的亮度和/或强度的至少一种可为高的。例如，壳体400的向内方向和向外方向可分别指示相对于电子设备100的向内方向和向外方向。氧化物膜层可形成在包括Al的第一金属部分410和包括Ti的第二金属部分420各自的表面的至少一部分上。例如，第一氧化物膜层411可形成在第一金属部分410的表面的至少一部分上，并且第二氧化物膜层421可形成在第二金属部分420的表面的最少一部分上。第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421可通过在进行阳极氧化工艺时将结合的第一金属部分410和第二金属部分420浸在第一溶液(例如，电解质)中而形成，并且可在第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421中形成孔。根据各实例实施方式，形成在第一氧化物膜层411中的第一孔412可具有在第一范围内的直径，并且形成在第二氧化物膜层421中的第二孔422可具有在第二范围内的直径。多个第一孔412可在直径、高度和/或形状的至少一种中彼此相同或不同，并且多个第二孔422可在直径、高度和/或形状的至少一种中彼此相同或不同。根据各实例实施方式，第一金属部分410和第二金属部分420浸在其中的第一溶液可包含0.1重量％(重量％)至5重量％的量的以下中的至少一种氟化物：氟化氢铵、氢氟酸、氟化钠、氟化钾和氟化铵，并且可从第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421检测氟成分。期望地，第一氧化物膜层411和第二氧化物膜层421各自可包含0.01原子％或更大的量的氟。根据各实例实施方式，非导电部分430可形成为填充第一氧化物膜层411的孔和/或第二氧化物膜层421的孔的至少一个。非导电部分430可包括聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT，polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrile butadienestyrene)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚甲醛(POM，polyoxymethylene)、聚醚醚酮(PEEK，polyether ether ketone)、聚芳醚酮(PAEK，polyaryletherketone)和聚苯醚(PPO，polyphenylene oxide)的任一种或任意组合。根据各实例实施方式，第一金属部分410和第二金属部分420的至少一部分可用作天线辐射器(例如，分别地第一天线辐射器和第二天线辐射器)，并且非导电部分430的至少一部分可提供电断开，使得金属部分(例如，第一金属部410和第二金属部分420)的至少一部分可用作天线辐射器。
图6是根据各实例实施方式的电子设备的壳体的横截面图。
图6示出作为电子设备(例如，图1的电子设备100)的壳体(例如，图1的壳体110)的电子设备的壳体600的部件之间的位置关系，然而，所述部件各自的结构和位置不被限制。
参照图6，壳体600(例如，图4的壳体400)可包括第一金属部分610(例如，图4的第一金属部分410)、第二金属部分620(例如，图4的第二金属部420)和非导电部分630(例如，图4的非导电部分430)，并且可通过阳极氧化工艺在第一金属部分610和第二金属部件620各自的表面上形成氧化物膜层。壳体600可为电子设备(例如，图1的电子设备100)的壳体的一部分，并且例如可被包括在侧外圈中。例如，第一金属部分610可安置在向内方向(例如-X方向)上，并且第二金属部分620可安置在向外方向(例如+X方向)上。包括在第一金属部分610中的第一金属可为用于减轻壳体600的重量的金属，并且可包括，例如，比包括在第二金属部分620中的第二金属轻的金属。第二金属部分620可包括第二金属，并且具有用于保护内部的高强度的金属或者具有用于提供美景(精美外观)的高亮度的金属可用作第二金属。第二金属可为具有比第一金属大的亮度和/或强度的至少一种的金属。非导电部分630可形成为覆盖在第一金属部分610和第二金属部分620之间的结合部分(例如，图4的结合部分440)的至少一部分，并且可结合到第一金属部分610和第二金属部分620各自的表面。
根据各实例实施方式，第一金属和第二金属可彼此不同。
根据各实例实施方式，第一金属和第二金属各自可包括以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、SS、Cu和液态金属。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层的第一孔的第一直径可小于第二氧化物膜层的第二孔的第二直径。
根据各实例实施方式，第一氧化物膜层(例如，图4的第一氧化物膜层411)可具有第一厚度，并且第二氧化物膜层(例如，图4的第二氧化物膜层421)可具有第二厚度，并且第一厚度和第二厚度各自可大于或等于100nm。
根据各实例实施方案，第一氧化物膜层(例如，图4的第一氧化物膜层411)和第二氧化物膜层(例如，图4的第二氧化物膜层421)各自可包含1原子％或更大的量的氧原子和0.01原子％或更大的量的氟原子。
根据各实例实施方式，非导电部分(例如，图4的非导电部分430)可形成为填充第一氧化物膜层(例如，图4的第一氧化物膜层411)的第一孔和第二氧化物膜层(例如，图4的第二氧化物膜层421)的第二孔之一或两者。
根据各实例实施方式，非导电部分(例如，图4的非导电部分430)可包括聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT，polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrilebutadiene styrene)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚甲醛(POM，polyoxymethylene)、聚醚醚酮(PEEK，polyether ether ketone)、聚芳醚酮(PAEK，polyaryletherketone)和聚苯醚(PPO，polyphenylene oxide)的任一种或任意组合。
根据各实例实施方式，非导电部分(例如，图4的非导电部分430)可进一步包括以下中的至少一种添加剂：玻璃纤维、碳纤维、滑石和硅灰石。
根据各实例实施方式，第一金属部分(例如，图4的第一金属部分410)和第二金属部分(例如，图4的第二金属部分420)之间的结合强度可为10MPa至100MPa。
根据各实例实施方式，第一金属部分(例如，图4的第一金属部分410)和第二金属部分(例如，图4的第二金属部分420)各自可具有与非导电部分(例如，图4的非导电部分430)的25MPa或更大的结合强度。
根据各实例实施方式，根据基于ASTM E499的氦气泄漏测试，电子设备的壳体(例如，图4的壳体400)可具有1.0×10-9Pa m3/s或更小的真空度。
根据各实例实施方式，根据作为IEC标准的IEC 60529，电子设备的壳体(例如，图4的壳体400)可具有IPX6或更高的等级。
根据各实例实施方式，电子设备可为以下的至少一种：便携式电子设备、可穿戴电子设备和膝上型计算机。
图7是示出根据各实例实施方式的制造电子设备的壳体的方法的流程图。
根据各实例实施方式，图7的方法可包括：通过将第一金属和第二金属结合来形成金属结合体的操作710、通过浸在第一溶液中将金属结合体阳极氧化的操作720、和将树脂注射到金属结合体上的操作730。
根据各实例实施方式，在操作710中，金属结合体可通过将第一金属和第二金属结合来形成。为了将第一金属和第二金属结合，可将第一金属与第二金属焊接，可使用粘合材料，或者可进行铸造或填缝(压紧)。例如，金属结合体可包括图4中所示的第一金属部分410和第二金属部分420。根据各实例实施方式，第一金属和第二金属各自可包括以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、SS、Cu和/或液态金属，但不限于此。根据各实例实施方式，第一金属和第二金属各自可包括其中堆叠两种或更多种金属的包层金属。例如，在操作710中，可通过如下进行结合：将通过选择Ti、Al、Mg、Zn、SS、Cu和/或液态金属的至少一种确定的第一金属和第二金属焊接，使用粘合材料，或者进行铸造或填缝(压紧)。
根据各实例实施方式，当形成金属结合体时，可进行喷砂工艺或激光画线工艺。通过喷砂工艺，可清洗金属结合体的垢、锈、涂层等。
根据各实例实施方式，第一溶液可包含0.1重量％至10重量％的量的以下中的至少一种氟化物：氟化氢铵、氢氟酸、氟化钠、氟化钾和氟化铵。
根据各实例实施方式，第一溶液可包括氟化物。特别地，氟化物可用于容易地在钛(Ti)上形成氧化物膜。
根据各实例实施方式，第一溶液可进一步包括三嗪硫醇。三嗪硫醇可如下面的式1所示地表示。
[式1]
根据各实例实施方式，第一溶液可进一步包括硫酸。第一溶液可进一步包括以下中的至少一种添加剂：盐酸、磷酸、硝酸、草酸、铬酸、氨基磺酸、丙二酸、有机酸、氢氧化钠和硫酸钠。
根据各实例实施方式，操作720可通过在20℃至80℃的温度和10V至30V的电压下施加电流来进行。
根据各实例实施方式，在操作730中，包括以下的任一种或任意组合的树脂可注射到金属结合体上：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT，polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrile butadiene styrene)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚甲醛(POM，polyoxymethylene)、聚醚醚酮(PEEK，polyether ether ketone)、聚芳醚酮(PAEK，polyaryletherketone)和聚苯醚(PPO，polyphenylene oxide)。可注射树脂以覆盖通过阳极氧化工艺形成的金属结合体上的氧化物膜。例如，可不将树脂注射到金属结合体的表面的其中未形成氧化物膜的区域上。根据各实例实施方式，可根据操作730形成具有低的导电性的非导电部分。
图8是示出根据各实例实施方式的制造电子设备的壳体的方法的流程图。
根据各实例实施方式，图8的方法可包括：通过将第一金属和第二金属结合来形成金属结合体的操作810(例如，图7的操作710)、通过浸在第一溶液中将金属结合体阳极氧化的操作820(例如，图7的操作720)、和将树脂注射到金属结合体上的操作830(例如，图7的操作730)。
根据各实例实施方式，所述方法可选择性地进一步包括，在操作820(例如，图7的操作720)之前，清洗金属结合体的操作840、除去金属结合体的氧化物膜的操作850、以及中和金属结合体的表面的操作860。
根据各实例实施方式，清洗金属结合体的操作840可在20℃至60℃的温度下进行，并且可使用超声波进行。清洗金属结合体的操作840可使用含有表面活性剂的第二溶液进行。
根据各实例实施方式，除去金属结合体的氧化物膜的操作850可使用强碱性的第三溶液如苛性钠进行。由于第三溶液是强碱性的，因此可在金属结合体的表面上产生污迹(smut)。为了除去污迹，可另外进行将金属结合体在含有硝酸、硫酸和氟化物的至少一种的第四溶液中的操作。将金属结合体放置在第四溶液中的操作可进行10秒至600秒，并且可在20℃至70℃、期望地20℃至50℃的温度下进行。
根据各实例实施方式，可进行中和金属结合体的表面的操作860以中和所述表面并除去干扰氧化物膜的形成的污染物。
根据各实例实施方式，中和金属结合体的表面的操作860可通过将金属结合体放置在含有硫酸、硝酸和氟化物的至少一种的第五溶液中来进行。中和金属结合体的表面的操作860可在20℃至70℃的温度下进行，并且可进行30秒至600秒。
根据各实例实施方式，所述方法可进一步包括，在操作830之后，使用以下中的至少一种方法在金属结合体上形成涂覆层的操作：PVD、CVD、湿镀、电沉积、涂漆、等离子体电解氧化(PEO)、阳极氧化和印刷。根据各实例实施方式，电子设备的壳体可包括涂覆层(例如，图5的涂覆层550)，其表现出抗静电效果、防指纹效果、防污效果、防刮擦效果、低折射、防反射效果和/或减震效果的至少一种。例如，通过形成涂覆层(例如，图5的涂覆层550)，可向电子设备提供优异的触感并防止污染发生。
根据各实例实施方式，第一溶液可包含0.1重量％至5重量％的量的以下中的至少一种氟化物：氟化氢铵、氢氟酸、氟化钠、氟化钾和氟化铵。
根据各实例实施方式，第一溶液可进一步包括硫酸。第一溶液可进一步包括以下中的至少一种添加剂：盐酸、磷酸、硝酸、草酸、铬酸、氨基磺酸、丙二酸、有机酸、氢氧化钠和硫酸钠。
根据各实例实施方式，阳极氧化工艺(例如，图7的操作720)可通过在20℃至80℃的温度和10V至30V的电压下施加电流来进行。
根据各实例实施方式，在进行阳极氧化工艺(例如，图7的操作720和图8的操作820)之前，可进一步进行清洗金属结合体的工艺(例如，图8的操作840)、除去金属结合体的氧化物膜的工艺(例如，图8的操作850)、和中和金属结合体的表面的工艺(例如，图8的操作860)。
下文中，将参考实施例和对比例更详细地描述本公开内容。
然而，以下实施例仅用于说明的目的且不意图限制本公开内容的范围。
实施例
可准备铝合金和钛合金。这里，铝合金可具有70％至100％的纯度，且钛合金可具有80％至100％的纯度。通过经由铸造工艺将铝合金和钛合金结合而形成的金属结合体可浸在含有表面活性剂的溶液中并且可被清洗。金属结合体可放置在含有氢氧化钠的碱性溶液中以从金属结合体的表面除去氧化物膜。在碱性溶液中的放置过程中可产生污迹。随后，可将金属结合体浸在酸溶液中以除去污迹，然后可将金属接合体放置在硫酸水溶液中60秒以中和金属结合体的表面。
可将如上所述预处理的金属结合体放置在含有氟化物和三嗪硫醇的硫酸水溶液中。这里，硫酸水溶液可包括1重量％至3重量％的氟化氢铵、1重量％至3重量％的氢氟酸、1重量％至3重量％的硫酸和作为剩余量的水。阳极氧化工艺可通过在20℃至80℃的温度下施加10V至30V的电压来进行，并且可在金属结合体的一个表面上形成氧化物膜层。在干燥金属结合体之后，可将含有聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯和聚芳醚酮的至少一种工程塑料的树脂注射到氧化物膜层上以制造电子设备的壳体。
实验实施例1
可测量电子设备的壳体的结合强度。图9是示意性地示出用于测量根据实例实施方式的电子设备的壳体的结合强度的拉伸测试仪的图。
当根据实例实施方式的电子设备的壳体900可安装在拉伸测试仪950上时，可在树脂和金属部分通过以箭头所示的方向拉动拉伸测试仪950而完全分离的时间点测量拉伸力。
测量由铝部分和钛部分各自与树脂形成的结合强度，并如下表1所示地表示。
[表1]
Al部分 Ti部分
与树脂的结合强度[MPa] 32.5 27.8
实验实施例2
可分析在各金属部分的表面上形成的氧化物膜层的成分。可通过能量色散X射线光谱法(EDS)来分析在各金属部分的表面上形成的氧化物膜层的成分。各氧化物膜层的成分如图10a和10b以及下表2所示地表示。
图10a和10b是示出根据实例实施方式的电子设备的壳体的第一氧化物膜层和第二氧化物膜层的EDS分析结果的图。
[表2]
成分[原子％] Ti O C F Al Si
Ti部分 54.01 35.79 7.61 2.58 - -
Al部分 - 25.34 16.15 4.75 53.75 0.02
参照图10a，可确认铝部分的EDS分析结果。参照图10b，可确认钛部分的EDS分析结果。参照图10a和10b，可确认，铝部分和钛部分各自含有2原子％或更大的量的氟。
实验实施例3
可测量在各金属部分的表面上形成的氧化物膜层的厚度。氧化物膜层的厚度可通过捕获扫描电子显微镜(SEM)图像如图11a和11b中所示地表示。
图11a和11b是根据实例实施方式的电子设备的壳体的第一氧化物膜层和第二氧化物膜层的SEM图像。
参照图11a，可确认铝部分的SEM图像。参照图11b，可确认钛部分的SEM图像。参照图11a和11b，可确认，形成在铝部分的氧化物膜层中的孔具有比形成在钛部分的氧化物膜层中的孔的直径小的直径，并且形成在铝部分中的氧化物膜层具有1.5μm的厚度，但形成在钛部分中的氧化物膜层具有367nm的厚度。
根据各实例实施方式的电子设备可为多种类型的电子设备的一种。电子设备可包括，例如，便携式通信设备(例如，智能手机)、计算机设备、便携式多媒体设备、便携式医疗设备、相机、可穿戴设备或家用电器设备。根据本公开内容的实例实施方式，电子设备不限于上面描述的那些。
应理解，本公开内容的各实例实施方式和其中使用的术语不意图在将本文中阐述的技术特征限于具体的实例实施方式，而是对于相应的实例实施方式包括多种改变、等同物或替换。关于附图的描述，相似的附图标记可用于相似或相关的部件。应理解，与条目对应的名词的单数形式可包括一种或多种事物，除非相关上下文另有明确指示。如本文中使用的，“A或B”、“A和B的至少一个(种)”、“A或B的至少一个(种)”、“A、B或C”、“A、B和C的至少一个(种)”和“A、B、或C”各自可包括在短语的对应者中一起列出的条目的任一个、或其所有可能的组合。术语诸如“第一”、“第二”、或者“第一”或“第二”可简单地用于将讨论的一个部件与其他部件区分开，并且可指代部件在其他方面(例如，重要性或顺序)中不被限制。应理解，如果在有或者没有术语“操作地”或“通信地”的情况下，一个元件(例如，第一元件)被称为“与”另外的元件(例如，第二元件)“连接”、“连接到”另外的元件(例如，第二元件)、“与”另外的元件(例如，第二元件)“相连”或“连接至”另外的元件(例如，第二元件)，这意味着该元件可与另外的元件直接地(例如有线地)、无线地或经由第三元件连接。

Claims (15)

1.电子设备的壳体，所述壳体包括：
包括第一金属的第一金属部分；
包括第二金属的第二金属部分；和
非导电部分，
其中第一氧化物膜层形成在所述第一金属部分的表面的至少一部分上，
其中所述第一氧化物膜层包括多个第一孔，所述多个第一孔各自具有在第一范围内的相应第一直径，
其中所述第二金属部分接触所述第一金属部分，
其中第二氧化物膜层形成在所述第二金属部分的表面的至少一部分上，
其中所述第二氧化物膜层包括多个第二孔，所述多个第二孔各自具有在第二范围内的相应第二直径，并且
其中所述非导电部分覆盖在所述第一氧化物膜层和所述第二氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
2.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一金属和所述第二金属彼此不同。
3.如权利要求2所述的壳体，其中所述第一金属和所述第二金属各自包括选自以下的至少一种：Ti、Al、Mg、Zn、不锈钢、Cu、液态金属及其混合物。
4.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一范围小于所述第二范围。
5.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一氧化物膜层具有第一厚度，
其中所述第二氧化物膜层具有第二厚度，并且
其中所述第一厚度和所述第二厚度各自大于或等于100纳米(nm)。
6.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一氧化物膜层和所述第二氧化物膜层各自包括1原子％或更大的量的氧原子和0.01原子％或更大的量的氟原子。
7.如权利要求1所述的壳体，其中所述非导电部分填充所述多个第一孔和所述多个第二孔之一或两者。
8.如权利要求1所述的壳体，其中所述非导电部分包括选自以下的至少一种：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚碳酸酯(PC)、聚苯硫醚(PPS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰亚胺(PI)、聚甲醛(POM)、聚醚醚酮(PEEK)、聚芳醚酮(PAEK)、聚苯醚(PPO)及其混合物。
9.如权利要求8所述的壳体，其中所述非导电部分进一步包括选自以下的至少一种添加剂：玻璃纤维、碳纤维、滑石、硅灰石及其混合物。
10.如权利要求1所述的壳体，其中在所述第一金属部分和所述第二金属部分之间的结合强度为10MPa至100MPa，和
其中所述第一金属部分和所述第二金属部分各自与所述非导电部分的结合强度为25MPa或更大。
11.如权利要求1所述的壳体，其中所述第一氧化物膜层和所述第二氧化物膜层各自包括1原子％或更大的量的氟原子。
12.如权利要求1所述的壳体，其中涂覆层形成在所述第一金属部分和所述第二金属部分之一或两者的表面的至少第二部分上。
13.如权利要求12所述的壳体，其中所述涂覆层包括选自以下的至少一种：Be2SiO4、Zn2SiO4、ZrSiO4、(M1 2+)3(M2 3+)2(SiO4)3(M1为Ca、Mg和Fe的至少一种，且M2为Al、Cr和Fe的至少一种)、具有(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有6至15个(甲基)丙烯酰基基团的多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、具有2至6个(甲基)丙烯酰基基团的多官能(甲基)丙烯酸酯单体、氟化的(甲基)丙烯酸酯单体及其混合物。
14.电子设备，包括壳体，其中所述壳体包括：
包括第一金属的第一金属部分；
包括第二金属的第二金属部分；和
非导电部分，
其中第一氧化物膜层形成在所述第一金属部分的表面的至少一部分上，
其中所述第一氧化物膜层包括具有第一直径的多个第一孔，
其中所述第二金属部分接触所述第一金属部分，
其中第二氧化物膜层形成在所述第二金属部分的表面的至少一部分上，
其中所述第二氧化物膜层包括具有第二直径的多个第二孔，以及
其中所述非导电部分覆盖在所述第一氧化物膜层和所述第二氧化物膜层之间的结合部分的至少一部分。
15.电子设备的壳体，所述壳体包括：
第一金属部分，其包括在所述第一金属部分的表面上的多个第一突起，所述多个第一突起形成第一天线辐射器；和
在所述第一金属部分的表面上并且填充所述多个第一突起的相邻第一突起之间的空间的非导电部分。
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