KR20230017537A - 아노다이징이 가능한 알루미늄 외장재 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

아노다이징이 가능한 알루미늄 외장재 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치 Download PDF

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Abstract

본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 디스플레이; 및 상기 디스플레이를 포함하는 하우징으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금; 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층; 및 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층을 포함하는 상기 하우징을 포함하고, 상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성될 수 있다.

Description

아노다이징이 가능한 알루미늄 외장재 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치{METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINIUM ALLOY SHEET AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SAME }
본 개시의 다양한 실시 예는, 아노다이징이 가능한 알루미늄 외장재를 제조하는 방법 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
정보통신 기술과 반도체 기술 등의 눈부신 발전에 힘입어 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 특히 최근의 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크톱/랩톱 컴퓨터, 또는 차량용 내비게이션과 같이, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹과 같은 통신 및 보안 기능, 및/또는 일정 관리나 전자 지갑과 같은 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있는 것이다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다.
최근 상기 휴대용 전자 장치의 고품질화를 위해서 외장재로 알루미늄 금속이 많이 사용되고 있다. 일반적으로 알루미늄 금속은 인류가 지금까지 가장 많이 사용하고, 많은 분야에 적용되어 있는 경량성 금속 소재이다. 특히, 알루미늄 합금 소재는 알루미늄을 주요 구성 성분으로 하고 주요 합금 원소로 구리, 마그네슘, 망간, 규소, 주석, 또는 아연이 있다.
외장재로 상기 알루미늄 합금 소재를 사용하기 위해서 다양한 방식의 표면처리 공법이 존재하며, 이 중 아노다이징(Anodizing) 공법은 금속을 양극으로 통전하여 양극에서 발생하는 산소에 의하여 금속면이 산화되어 산화 알루미늄 피막이 생기는 특성을 이용한 표면처리 방법이다. 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 처리를 하면 수 나노미터 사이즈의 직경을 가지는 산화피막(Al2O3)이 균일하게 수십 마이크로 미터까지 성장하게 되며, 생성된 산화 피막의 경도가 높아 알루미늄의 내마모성을 향상시킬 수 있다. 아노다이징 처리된 금속의 표면은 금속 고유의 질감이 살아있어 심미성이 높고, 부식 방지가 가능하여 내부식성에 우수한 특성을 갖는다.
최근 휴대용 전자기기 알루미늄 합금 외장재는 강도, 내마모성, 내식성, 또는 전기절연성과 함께 외관 디자인의 다양한 질감, 및 컬러 구현에 대한 수요가 증가되고 있다.
기존 아노다이징의 공법의 경우 금속 특유의 광택으로 인해 저채도와 같은 다양한 컬러 구현 또는 질감 구현에 제약이 있으며, 질감 구현을 위해 샌딩(Sanding), 또는 에칭(Etching)과 같은 추가공정이 필요하게 되며 비용 증가가 발생하고 품질관리에 어려움이 있다.
다양한 질감 컬러 구현의 방법으로 물리적인 방법으로는 샌딩(Sanding)이 있으며, 필요에 따라 다양한 Media, 공정조건(예: 압력, 속도, 거리)을 이용하여 질감 및 외관 구현이 가능하며, 화학적인 방법인 에칭(Etching)을 이용하여 약품의 상태(예: 온도, 농도, 활성도)에 따라 광택, 또는 질감을 제어할 수 있다. 하지만 추가 가공 및 공정으로 인해 비용 상승과 얼룩 발생, 및 제품간의 품질 차이가 발생할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 처리를 통한 알루미늄 외장재 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치는, 알루미늄 합금 소재의 표면에 산화피막 생성시 1차 및 2차 가변 정전압을 이용하여 아노다이징 처리를 함으로써 물리적, 화학적 공정의 추가 없이 헤이즈 효과 및 파스텔 컬러를 구현하고자 한다.
다만, 본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 디스플레이; 및 상기 디스플레이를 포함하는 하우징으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금; 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층; 및 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층을 포함하는 상기 하우징을 포함하고, 상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법은, 알루미늄 합금을 지정된 형상으로 가공하는 공정; 및 상기 가공된 알루미늄 합금에 아노다이징 처리하는 공정을 포함하고, 상기 아노다이징 처리하는 공정은, 상기 가공된 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 처리를 수행하여 상기 가공된 알루미늄 합금 상에 제1 피막층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정 후, 상기 가공된 알루미늄합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 처리를 수행하여 제2 피막층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 피막층과 상기 가공된 알루미늄 합금 사이에 위치할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치의 하우징은, 상기 하우징의 적어도 일부가 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금; 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층; 및 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층을 포함하고, 상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치 및 알루미늄 외장재의 가공 방법은 헤이즈(Haze) 및 저채도(파스텔) 컬러 구현을 위해 산화피막 생성시 1차, 2차 가변 정전압(전압 1회 변경)을 이용하는 공법으로 물리적, 화학적 공정의 추가가 없어 비용 발생이 없으며, 기존 아노다이징의 장점을 그대로 유지하면서도 안정적인 품질 관리가 가능할 수 있다.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금을 이용한 판재 제조 방법에 관한 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 공정을 수행하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 시 1차 전압 및 2차 전압의 관계를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에 생성된 복수의 층을 포함하는 산화피막을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에서 헤이즈 효과가 나타는 것을 설명한 도면이다.
도 10은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 헤이즈 효과가 구현되는 것을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면의 광택도가 변화하는 것을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하기 전후의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면을 확대한 도면이다.
도 14는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 헤이즈 효과가 발현되는 시간을 나타낸 도면이다.
도 15는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, `1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 결정립계의 두께의 변화를 나타낸 도면이다.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치(101)의 전면 사시도이다. 도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치(101)의 후면 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 전면(310A), 후면(310B), 및 전면(310A) 및 후면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에 따르면, 상기 하우징(310)은, 도 2의 전면(310A), 도 3의 후면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 전면(310A)의 적어도 일부분은 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 후면(310B)은 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 유리, 알루미늄과 같은 금속 물질 또는 세라믹)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 전면(310A) 및/또는 상기 전면 플레이트(302)는 디스플레이(301)의 일부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(305, 306)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 키 입력 장치(317)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 및 커넥터 홀(308, 309)(예: 도 1의 연결 단자(178)) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 커넥터 홀(309))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 시각적으로 노출될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하우징(310)의 표면(또는 전면 플레이트(302))은 디스플레이(301)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 일례로, 화면 표시 영역은 전면(310A)을 포함할 수 있다.
다른 실시예(미도시)에 따르면, 전자 장치(101)는 디스플레이(301)의 화면 표시 영역(예: 전면(310A))의 일부에 형성된 리세스 또는 개구부(opening)를 포함하고, 상기 리세스 또는 개구부와 정렬된 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 발광 소자(미도시), 및 카메라 모듈(305) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에 따르면, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(305), 지문 센서(미도시), 및 발광 소자(미도시) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 실시예(미도시)에 따르면, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 측면 베젤 구조(318)에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 예를 들면, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
일 실시예에 따르면, 센서 모듈(미도시)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치된 제1 센서 모듈(미도시)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은 상기 하우징(310)의 후면(310B)에 배치된 제3 센서 모듈(미도시)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에(미도시) 따르면, 상기 지문 센서는 하우징(310)의 전면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 후면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 306)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 전면(310A)에 배치된 전면 카메라 모듈(305), 및 후면(310B)에 배치된 후면 카메라 모듈(306), 및/또는 플래시(304)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 306)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(304)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전면 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커넥터 홀(308, 309)은, 예를 들면, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터) 또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, 이어폰 잭)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(308), 및/또는 저장 장치(예: 심(subscriber identification module, SIM) 카드)를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(309)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 커넥터 홀(308) 및/또는 제2 커넥터 홀(309)은 생략될 수 있다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(101))는, 전면 플레이트(320)(예: 도 2의 전면 플레이트(302)), 디스플레이(330)(예: 도 2의 디스플레이(301)), 제1 지지 부재(332)(예: 브라켓), 인쇄회로기판(340), 배터리(350), 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370) 및 후면 플레이트(380)(예: 도 3의 후면 플레이트(311)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(332), 또는 제2 지지 부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 2 또는 도 3의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
일 실시예에 따르면, 제1 지지 부재(332)는, 전자 장치(101) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(331)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(331)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(332)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(332)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄회로기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄회로기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(350)(예: 도 1의 배터리(189))는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소(예: 카메라 모듈(312))에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄회로기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스)는, 인쇄회로기판(340)과 안테나(370) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 지지 부재(360)는, 인쇄회로기판(340) 또는 배터리(350) 중 적어도 하나가 결합된 일면, 및 안테나(370)가 결합된 타면을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 예를 들어, 안테나(370)는 무선 충전을 위한 코일을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(331) 및/또는 상기 제1 지지 부재(332)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)는 하우징(예: 도 2의 하우징(310)) 내에 배치된 카메라 모듈(예: 도 3의 카메라 모듈(306))을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(306)은 제1 지지 부재(332) 상에 배치되고, 전자 장치(101)의 후방(예: +Z 방향)에 위치한 피사체의 이미지를 획득할 수 있는 후면 카메라 모듈(예: 도 3의 카메라 모듈(312))일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(312)의 적어도 일부는 후면 플레이트(380)에 형성된 개구(382)를 통하여 전자 장치(101)의 외부로 노출될 수 있다.
도 2 내지 도 4에서 개시되는 전자 장치(101)는 바형(bar type) 또는 평판형(plate type)의 외관을 가지고 있지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시된 전자 장치는 롤러블 전자 장치나 폴더블 전자 장치일 수 있다. "롤러블 전자 장치(rollable electronic device)"라 함은, 디스플레이(예: 도 3의 디스플레이(330))의 굽힘 변형이 가능해, 적어도 일부분이 말아지거나(wound or rolled) 하우징(예: 도 2의 하우징(310))의 내부로 수납될 수 있는 전자 장치를 의미할 수 있다. 사용자의 필요에 따라, 롤러블 전자 장치는 디스플레이를 펼침으로써 또는 디스플레이의 더 넓은 면적을 외부로 노출시킴으로써 화면 표시 영역을 확장하여 사용할 수 있다. "폴더블 전자 장치(foldable electronic device)"는 디스플레이의 서로 다른 두 영역을 마주보게 또는 서로 반대 방향을 향하는(opposite to) 방향으로 접힐 수 있는 전자 장치를 의미할 수 있다. 일반적으로 휴대 상태에서 폴더블 전자 장치에서 디스플레이는 서로 다른 두 영역이 마주보는 상태로 또는 대향하는 방향으로 접히고, 실제 사용 상태에서 사용자는 디스플레이를 펼쳐 서로 다른 두 영역이 실질적으로 평판 형태를 이루게 할 수 있다. 어떤 실시예에서, 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 스마트 폰과 같은 휴대용 전자 장치뿐만 아니라, 노트북 컴퓨터나 카메라와 같은 다른 다양한 전자 장치를 포함할 수 있다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금을 이용한 판재 제조 방법에 관한 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))의 하우징(예: 도 2 내지 3의 하우징(310))의 적어도 일부로서 외장재 또는 내장재로 이용하는 알루미늄 판재는, 형상 가공 후 알루미늄 합금 소재를 연마하거나 표면 굴곡을 형성하는 공정(510), 상기 연마 또는 표면 굴곡이 형성된 알루미늄 합금 소재를 아노다이징 처리하여 알루미늄 판재를 형성하는 공정(공정 520), 및 상기 아노다이징 처리된 알루미늄 판재를 표면 처리하는 공정(공정 530)에 따라 제조될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 510 공정은 형상 가공 후의 알루미늄 합금 소재에 수행되는 연마 공정 및/또는 표면 굴곡 형성 고정을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 연마 공정은 상기 전자 장치에 적용될 알루미늄 판재 표면에 고광택을 구현하기 위해 진행되며, 연마 방식은 물리적 연마 공정 및/또는 전해 연마 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 연마 공정은 물리적 연마 공정을 진행한 후에 전해 연마 공정을 진행할 수 있다. 또 다른 예로, 전해 연마 공정을 진행한 후에 물리적 연마 공정을 진행할 수 있다. 또 다른 예로, 물리적 연마 공정 및 전해 연마 공정 중 택일하여 진행할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 물리적 연마(polishing) 공정은 상기 알루미늄 합금 소재 표면에 회전하는 연마 장비를 접촉시켜 진행할 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 장비는 수평 및/또는 수직 방향으로 이동 가능한 지그에 연마천, 종이, 가죽, 및/또는 폴리머와 같이 물리적 마찰을 일으킬 수 있는 부재를 장착하여 구성할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 연마 장비의 지그에 안착된 상기 알루미늄 합금 소재 표면에는 상기 연마 장비의 연마포가 일정한 압력으로 가압하면서 회전을 진행하여 연마가 진행될 수 있다. 상기 알루미늄 합금 소재를 가압하는 연마 장비의 회전 속도 및 압력은 사용자의 설정에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 상기 물리적 연마 공정은 상기 알루미늄 합금 소재의 표면이 습한 상태에서 연마를 진행하는 습식 연마 또는 상기 알루미늄 합금 소재의 표면이 마른 상태에서 연마를 진행하는 건식 연마 방식 중 선택적으로 사용할 수 있다. 또 다른 예로, 상기 습식 연마 및 건식 연마를 병행하여 진행할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 연마 공정 간 이동시, 연마 공정 전 및/또는 복수 회의 연마 공정 사이 시간에는 세척 공정을 포함할 수 있다. 상기 세척 공정을 통해 상기 알루미늄 합금 소재의 표면 광택을 더 효율적으로 구현할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 알루미늄 합금 소재에 연마 공정(예를 들어, 물리적 연마 및/또는 전해 연마 공정)을 진행한 후에 표면 굴곡 형성 공정을 진행할 수 있다. 상기 표면 굴곡 형성 공정은 물리적 연마 공정이 진행된 후 진행되거나, 전해 연마 공정이 진행된 후 진행될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 표면 굴곡 형성 공정은 물리적 연마 공정 및 전해 공정이 순차적으로 진행된 후에 수행될 수 있으며, 상기 연마 공정을 수행하지 않은 상태에서 진행될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 표면 굴곡 형성 공정은 상기 전자 장치에 적용될 알루미늄 판재 표면에 고광택을 구현하기 위하여 진행되며, 물리적으로 힘을 가하는 방식 및/또는 화학적으로 힘을 가하는 방식을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 520 공정에 따라 상기 연마 또는 굴곡이 형성된 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 공정을 수행할 수 있다. 상기 아노다이징 공정은 연마 공정이 진행된 후 진행하거나, 표면 굴곡 형성 공정이 진행된 후 진행될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 아노다이징 공정은 연마 공정 및 표면 굴곡 형성 공정이 순차적으로 진행된 후에 수행될 수 있으며, 상기 연마 공정 또는 표면 굴곡 형성 공정을 수행하지 않은 상태에서 진행될 수도 있다.
다양한 실시예에 따른, 상기 아노다이징 공정은 전처리(cleaning), 디스머트(desmut), 양극 산화(anodizing), 착색(dyeing), 봉공(sealing), 및/또는 용출(elution) 공정을 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 아노다이징 공정은 상기 알루미늄 합금 소재(110)의 금속색(metallic color) 자체를 활용하여 수행하는 처리(cleaning), 양극 산화(anodizing), 봉공(sealing), 및/또는 용출(elution) 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전처리 공정은 상기 전자 장치에 적용될 알루미늄 합금 소재의 표면에 남아있는 유분(예: 절삭유, 광약 잔유물 등), 불순물을 제거하기 위해 진행되며, 세척방식으로 탈지 공정 및/또는 세정 공정을 포함할 수 있다. 다양한 실시예에 따른, 탈지 공정은 산탈지(예: pH 7.0 이하), 알칼리 탈지(pH 7.0 이상), 또는 중성 계열을 포함하며 상기 알루미늄 합금 소재의 특성 및 사양에 적합하게 침전시간 및/또는 온도 조건을 응용하여 적용할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 디스머트 공정은 상기 전자 장치에 적용될 알루미늄 합금 소재의 표면에 남아있는 금속 불순물 제거 및 표면의 조정을 위해 진행되며, 상기 전처리 공정이 진행된 후에 진행될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 디스머트 공정에서 사용되는 용액은 산성 용액으로, 예를 들어, 황산, 또는 질산이 이용되며 농도는 대략 5g/L에서 800g/L 사이를 만족하고, 온도는 상온 또는 그 이상을 만족하고, 침적시간은 대략 5초부터 30분까지 상기 알루미늄 합금 소재의 특성 및 사양에 맞게 처리할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른, 상기 양극 산화 공정(또는 아노다이징 공정)은 상기 알루미늄 합금 소재의 표면에 산화피막을 생성하기 위해 진행되며, 황산(sulfuric acid), 옥살산(oxalic acid), 인산(phosphoric acid), 또는 크롬산(chromic acid) 중 적어도 하나 또는 모두를 포함하는 전해액을 수용하는 장비를 마련하고, 상기 전해액 내에 알루미늄 합금 소재를 넣고 소정의 전압 및 온도를 제공하여 진행할 수 있다.
다양한 실시예에 따른, 상기 아노다이징 공정에서, 착색 공정은 완성된 알루미늄 판재에 다양한 색을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 착색 공정은 1차 및 2차 산화 피막 생성 후 유기 염료를 물에 용해하여 소재를 침적시키는 수성법으로 염료 착색을 수행할 수 있다. 착색조의 온도는 대략 30 내지 60℃에서 필요에 따라 염료 농도는 대략 0.1g/L 내지 10g/L 범위까지 첨가하여 진하기를 조절할 수 있다.
이하에서는, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 상기 아노다이징 공정에 따라 산화피막 형성시 가변 전압을 이용하여 복수의 층을 포함하는 산화피막 구조를 생성하여 헤이즈(Haze) 효과를 부여하는 구체적인 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 공정을 수행하는 방법을 나타낸 도면이다. 도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 시 1차 전압 및 2차 전압의 관계를 나타낸 도면이다. 도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에 생성된 복수의 층을 포함하는 산화피막을 나타낸 도면이다. 도 9는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에서 헤이즈 효과가 나타는 것을 설명한 도면이다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 아노다이징 공정(600)은, 전해액 용기(601)에 전해액(602)을 채운 후 제1 전극(604) 및 제2 전극(605)을 전지(603)의 음극(-극)과 각각 연결하여 적어도 일부가 전해액(602)에 잠기도록 하고 제1 전극(604) 및 제2 전극(605) 사이에 전지(603)의 양극(+극)과 연결된 알루미늄 합금 소재(606)가 전해액(602)에 전부 잠기도록 하여 전지(603)를 통해 1차 정전압 및 2차 정전압을 순차적으로 가하여 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에는 상기 1차 정전압에 의해 제1 산화피막(610)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 산화피막(610)은 복수의 피막 기공들(611)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 1차 정전압을 가한 후 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에는 상기 2차 정전압에 의해 제2 산화피막(612)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 산회피막(612)은 알루미늄 합금 소재(606)의 표면 바로 위에 형성되어 제1 산회피막(610)과 알루미늄 합금 소재(606)의 표면 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(600) 후 제1 산화피막(610)에 포함된 복수의 피막 기공들(611)의 하부에서 제2 산화피막(612)에 의해 반사되는 제1 빛(701)과 제1 산회피막(610)의 표면에서 난반사되는 제2 빛(702)으로 인해 헤이즈 효과가 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 산화피막(610)에 포함된 복수의 피막 기공들(611) 내에 착색에 의하여 파스텔 컬러가 구현될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(600)에 사용되는 전해액(602)은 황산, 옥살산, 인산, 또는 크롬산 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전해액(602)으로 농도가 대략 150g/L 내지 300g/L의 황산 용액이 사용될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(600)은 대략 25도 이하의 온도에서 진행될 수 있다. 예를 들어, 아노다이징 공정(600)은 대략 0 내지 25도의 범위 온도에서 진행될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 1차 정전압은 희망하는(desired) 제1 산화피막(610)의 두께에 따라 소정의 조건을 만족하는 범위 내에서 가해질 수 있다. 예를 들어, 상기 1차 정전압은 대략 10V 내지 30V의 범위에서 희망하는 제1 산회피막(610)의 두께가 대략 5 내지 20μm을 기준으로 대략 5 내지 40분 범위 내에서 가해질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 1차 정전압이 가해진 후, 상기 2차 정전압은 상기 1차 정전압 보다 낮은 전압으로 가해질 수 있다. 예를 들어, 상기 2차 정전압은 대략 1V 내지 10V의 범위 내에서 가해질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 2차 정전압은 가해지는 시간이 증가함에 따라 제2 산화피막(612)을 형성하여 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 헤이즈 효과를 구현할 수 있다.
도 10은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 헤이즈 효과가 구현되는 것을 나타낸 도면이다. 도 11은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면의 광택도가 변화하는 것을 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 1차 정전압이 대략 13V이고 2차 정전압이 대략 7V인 경우를 나타낸다. 도 10 및 도 11에 기재된 번호들은 상기 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 상태를 의미하며, 번호가 클수록 상기 2차 정전압이 가해진 시간이 큰 것을 의미한다. 예를 들어, 번호 1은 상기 2차 정전압이 대략 10분동안 가해진 상태(이하 1번 상태)를 의미하고, 번호 2는 상기 2차 정전압이 대략 20분동안 가해진 상태(이하 2번 상태)를 의미하고, 번호 10은 상기 2차 정전압이 대략 100분동안 가해진 상태(이하 10번 상태)를 의미한다.
도 10을 참조하면, 2차 정전압을 가한 결과 초기 상태에 대응되는 1번 상태부터 3번 상태에서는 알루미늄 합금 소재의 표면에서 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생되고, 4번 상태 이후부터는 헤이즈 효과가 구현됨을 확인할 수 있다. 헤이즈 효과가 구현되는 4번 상태 이후에서는 상기 2차 정전압을 가한 시간이 증가할수록, 즉 번호가 증가할수록 헤이즈 효과가 발현되는 현상이 더욱 명확해짐을 확인할 수 있다.
도 11을 참조하면, 2차 정전압을 가한 결과 초기 상태에 대응되는 1번 상태의 초기 광택도는 100GU이고, 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생된 2번 상태 및 3번 상태에서는 광택도가 초기 광택도의 대략 50% 정도로 감소하였고, 4번 상태 이후에서는 초기 광택도의 대략 60% 내지 80% 정도로 2번 상태 및 3번 상태 보다 증가되면서 안정적인 외관이 구현됨을 확인할 수 있다.
도 12는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하기 전후의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타낸 도면이다. 도 12의 (a)는 2차 정전압을 가하기 전 초기 상태의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타내고, 도 12의 (b)는 2차 정전압을 가하여 헤이즈 효과가 구현된 상태의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타낸다.
도 13은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면을 확대한 도면이다. 도 13은 1차 정전압이 대략 13V이고 2차 정전압이 대략 7V인 경우를 나타낸다. 도 13에 기재된 번호들은 상기 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 상태를 의미하며, 번호가 클수록 상기 2차 정전압이 가해진 시간이 큰 것을 의미한다. 예를 들어, 번호 1은 상기 2차 정전압이 대략 10분동안 가해진 상태(이하 1번 상태)를 의미하고, 번호 2는 상기 2차 정전압이 대략 20분동안 가해진 상태(이하 2번 상태)를 의미하고, 번호 10은 상기 2차 정전압이 대략 100분동안 가해진 상태(이하 10번 상태)를 의미한다.
도 12를 참조하면, 알루미늄 합금 소재의 표면은, 2차 정전압을 가하기 전의 초기 상태에서는 결정립(grain)(801) 간의 구분이 명확하지 않고, 결정립(grain)간의 경계인 결정립계(grain boundary)(802)가 존재하지 않은 반면, 2차 정전압을 가하여 헤이즈 효과가 구현된 상태에서는 결정립(801)간의 구분이 명확하고 결정립계(802)가 존재함을 확인할 수 있다.
도 13을 참조하면, 2차 정전압을 가하는 동안 초기 상태에 대응되는 1번 상태에서는 결정립 간의 구분이 명확하지 않고, 결정립간의 경계인 결정립계가 존재하지 않음을 확인할 수 있다. 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생된 2번부터 3번 상태에서는 결정립 간의 구분이 가능해지고 결정립계가 존재하다가 시간이 지날수록 다시 결정립 간의 구분이 어렵고 결정립계가 사라진 것을 확인할 수 있다. 헤이즈 효과가 구현되기 시작하는 4번 상태 이후부터는 부분적으로 결정립 간의 구분이 가능해지고 결정립계가 존재하다가 7번 상태 이후에서는 결정립 간의 구분과 결정립계가 더욱 명확해지면서 알루미늄 표면의 빛의 난반사에 의해 헤이즈 효과가 구현되는 것을 확인할 수 있다.
도 14 및 [표 1]은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 헤이즈 효과가 발현되는 시간을 나타낸다.
도 14에서 (a)는 [표 1]에서 1차 정전압의 크기가 대략 13V이고, 2차 정전압의 크기가 대략 7V인 경우이고, (b)는 [표 1]에서 1차 정전압의 크기가 대략 18V이고, 2차 정전압의 크기가 대략 7V인 경우를 나타낸다.
[표 1]
Figure pat00001
[표 1]을 참조하면, 2차 정전압이 대략 7V일 때, 1차 정전압이 대략 13V 및 14V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 대략 30분까지이고, 40분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있고, 1차 정전압이 대략 15V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 대략 40분까지이고, 50분 이후부터는 헤이즈 효가가 발생됨을 확인할 수 있고, 1차 정전압이 대략 17V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 대략 50분까지이고, 60분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있고, 1차 정전압이 대략 18V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 대략 60분까지이고, 70분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있어 1차 정전압이 증가할수록 헤이즈 효과를 구현하기 위해 2차 정전압을 가하는 시간이 증가함을 확인할 수 있다.
도 14를 참조하면, 헤이즈 효과가 구현된 후 (a)와 (b)에서 동일한 번호에서의 헤이즈 효과를 비교하면 1차 정전압이 큰 (b)에서 (a) 보다 헤이즈 효과가 더 진하게 나타남을 확인할 수 있다. 여기서, 헤이즈 효과가 더 진하게 나타난다는 의미는 광택도가 더 낮음을 의미하며 이에 따라 1차 정전압의 크기를 통해 광택도를 제어할 수 있음을 확인할 수 있다.
도 15 및 [표 2]는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, `1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 결정립계의 두께의 변화를 나타낸다.
도 15에서 (a)는 [표 2]에서 1차 전압만을 가한 경우이고, (b)는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 대략 13V이고, 2차 정전압의 크기가 대략 7V인 경우이고, (c)는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 대략 15V이고, 2차 정전압의 크기가 대략 7V인 경우이고, (d)는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 대략 17V이고, 2차 정전압의 크기가 대략 7V인 경우를 나타낸다.
[표 2]
Figure pat00002
도 15 및 [표 2]를 참조하면, 1차 정전압만을 가한 경우 결정립 간의 구분이 명확하지 않고 결정립계가 존재하지 않음을 확인할 수 있고, 1차 정전압이 대략 13V인 경우, 결정립계의 두께가 대략 0.57μm이고, 1차 정전압이 대략 15V인 경우, 결정립계의 두께가 대략 0.71μm이고, 1차 정전압이 대략 17V인 경우, 결정립계의 두께가 대략 0.97μm임을 확인할 수 있다. 1차 정전압이 증가함에 따라 결정립계의 두께가 증가함을 확인할 수 있고 이에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면에서 난반사가 더 발생되어 헤이즈 효과가 더 전하게 나타날 수 있다.
[표 3]은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압 및 2차 정전압을 가하는 크기 및 시간에 따른 효과를 나타낸다.
[표 3]
Figure pat00003
[표 3]을 참조하면, 1차 정전압의 전압의 크기는 헤이즈 효과의 진하기를 결정하여 광택도를 제어할 수 있고, 1차 정전압을 가하는 시간은 1차 산화피막의 두께를 결정하여 내식성, 및/또는 내광성을 충족할 수 있다. 2차 정전압의 전압의 크기는 헤이즈 효과를 발현하기 위해 특정 전압 범위를 만족해야하고, 2차 정전압을 가하는 시간은 헤이즈 효과를 발현하기 위해 소정 값 이상의 인가 시간을 충족할 필요가 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 디스플레이(도 2 및 3의 301, 도 4의 330); 및 상기 디스플레이를 포함하는 하우징(도 2 및 도 3의 310)으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금(예: 도 6 내지 9의 606); 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층(예: 도 8 및 9의 610); 및 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층(예: 도 8 및 9의 612)을 포함하는 상기 하우징을 포함하고, 상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제1 피막층이 복수의 피막 기공들(예: 도 8 및 9의 611)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제1 전압의 범위가 10V 내지 30V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제2 전압의 범위가 1V 내지 10V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제1 피막층의 두께가 5μm 내지 20μm 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 5 내지 40분 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)는, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 30분 내지 120분 범위를 만족할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 알루미늄 합금을 지정된 형상으로 가공하는 공정; 및 상기 가공된 알루미늄 합금에 아노다이징 처리하는 공정(예: 도 5의 520)을 포함하고, 상기 아노다이징 처리하는 공정은, 상기 가공된 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 처리를 수행하여 상기 가공된 알루미늄 합금 상에 제1 피막층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 아노다이징 처리를 수행한 후, 상기 가공된 알루미늄합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 처리를 수행하여 제2 피막층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 피막층과 상기 가공된 알루미늄 합금 사이에 위치할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 가공된 알루미늄 합금을 연마하거나 표면 굴곡을 형성하는 공정(예: 도 5의 510)을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 아노다이징 처리한 알루미늄 합금을 표면 처리하는 공정(예: 도 5의 530)을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 아노다이징 처리하는 공정은, 전처리 공정, 착색 공정, 봉공 공정 및 용출 공정을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제1 피막층이 복수의 피막 기공들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제1 전압의 범위가 10V 내지 30V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제2 전압의 범위가 1V 내지 10V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제1 피막층의 두께가 5μm 내지 20μm 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 5 내지 40분 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 알루미늄 외장재의 가공 방법(예: 도 5의 500)은, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 30분 내지 120분 범위를 만족할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)으로서, 상기 하우징의 적어도 일부가 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금(예: 도 6 내지 9의 606); 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층(예: 도 8 및 9의 610); 및 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층(예: 도 8 및 9의 612)을 포함하하고, 상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제1 피막층이 복수의 피막 기공들(예: 도 8 및 9의 611)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제1 전압의 범위가 10V 내지 30V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제2 전압의 범위가 1V 내지 10V를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제1 피막층의 두께가 5μm 내지 20μm 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제1 전압이 인가되는 시간이 5 내지 40분 범위를 만족할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 101)의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 310)은, 상기 제2 전압이 인가되는 시간이 30분 내지 120분 범위를 만족할 수 있다.
이상에서 설명한 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 전술한 실시 예 및 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 기술적 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (30)

  1. 전자 장치에 있어서,
    디스플레이; 및
    상기 디스플레이를 포함하는 하우징으로서,
    상기 하우징의 적어도 일부는 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금;
    상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층; 및
    상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층을 포함하는 상기 하우징을 포함하고,
    상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고,
    상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성되는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 피막층은 복수의 피막 기공들을 포함하는 전자 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전압의 범위는 10V 내지 30V를 만족하는 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전압의 범위는 1V 내지 10V를 만족하는 전자 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정되는 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 피막층의 두께는 5μm 내지 20μm 범위를 만족하는 전자 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 5 내지 40분 범위를 만족하는 전자 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정되는 전자 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 30분 내지 120분 범위를 만족하는 전자 장치.
  10. 알루미늄 외장재의 가공 방법에 있어서,
    알루미늄 합금을 지정된 형상으로 가공하는 공정; 및
    상기 가공된 알루미늄 합금에 아노다이징 처리하는 공정을 포함하고,
    상기 아노다이징 처리하는 공정은, 상기 가공된 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 처리를 수행하여 상기 가공된 알루미늄 합금 상에 제1 피막층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 아노다이징 처리를 수행한 후, 상기 가공된 알루미늄합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 처리를 수행하여 제2 피막층을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 제2 피막층은 상기 제1 피막층과 상기 가공된 알루미늄 합금 사이에 위치하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가공된 알루미늄 합금을 연마하거나 표면 굴곡을 형성하는 공정을 더 포함하는 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 아노다이징 처리한 알루미늄 합금을 표면 처리하는 공정을 더 포함하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 아노다이징 처리하는 공정은, 전처리 공정, 착색 공정, 봉공 공정 및 용출 공정을 더 포함하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 피막층은 복수의 피막 기공들을 포함하는 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 전압의 범위는 10V 내지 30V를 만족하는 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전압의 범위는 1V 내지 10V를 만족하는 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정되는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 피막층의 두께는 5μm 내지 20μm 범위를 만족하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 5 내지 40분 범위를 만족하는 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정되는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 30분 내지 120분 범위를 만족하는 방법.
  22. 전자 장치의 하우징에 있어서,
    상기 하우징의 적어도 일부가 지정된 형상으로 가공된 알루미늄 합금;
    상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 피막층; 및
    상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 피막층 사이에 형성된 제2 피막층을 포함하고,
    상기 제1 피막층은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압을 사용한 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고,
    상기 제2 피막층은 상기 제1 아노다이징 공정 후, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압을 사용한 제2 아노다이징 공정에 의해 형성되는 전자 장치의 하우징.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 피막층은 복수의 피막 기공들을 포함하는 전자 장치의 하우징.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제1 전압의 범위는 10V 내지 30V를 만족하는 전자 장치의 하우징.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 제2 전압의 범위는 1V 내지 10V를 만족하는 전자 장치의 하우징.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 상기 제1 피막층의 두께에 따라 결정되는 전자 장치의 하우징.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1 피막층의 두께는 5μm 내지 20μm 범위를 만족하는 전자 장치의 하우징.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제1 전압이 인가되는 시간은 5 내지 40분 범위를 만족하는 전자 장치의 하우징.
  29. 제25항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 헤이즈 효과가 발생되도록 상기 제1 전압의 크기에 따라 결정되는 전자 장치의 하우징.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 전압이 인가되는 시간은 30분 내지 120분 범위를 만족하는 전자 장치의 하우징.
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