KR20230174129A - 진한 컬러의 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 금속 기판; 및 상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함하고, 상기 양극 산화층은, 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함할 수 있다.
Description
본 문서에 개시된 일 실시예는 진한 컬러의 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
정보통신 기술과 반도체 기술의 발전으로 인하여 각종 모바일 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있으며, 최근의 모바일 장치들은 일반적인 사용자들에게도 휴대하고 다니면서 통신할 수 있는 환경을 제공하고 있다. 또한, 모바일 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 모바일 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 모바일 장치에 다양한 기능이 탑재되고 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리 및/또는 전자 지갑의 기능이 하나의 모바일 장치에 집약되고 있다. 이러한 모바일 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다. 스마트 폰과 같이 소형화, 또는 박형화된 모바일 장치의 휴대와 사용이 일상화되면서, 모바일 장치의 외관 디자인에 대한 사용자 요구가 고급화, 및 다양화될 수 있다.
모바일 장치의 외관 디자인에 대한 사용자의 요구가 고급화, 및 다양화됨에 따라, 다양한 색상, 또는 형상을 구현하기 위한 방안들이 제시되고 있다. 일반적으로 실버, 골드와 같은 메탈릭 컬러를 선호하였으나, 최근에는 디자인적으로 진한 블랙과 같은 선명한 컬러에 대한 선호도가 높은 추세이다.
알루미늄 소재의 표면 처리 방법으로는 아노다이징(양극산화, anodizing), 화성피막처리(chemical conversion coating), 전기 도금(electro-plating), 및/또는 진공 코팅(vacuum coating)이 있다. 양극 산화공법은 염료를 이용하여 다양한 컬러를 구현할 수 있고, 여러 가지 염료를 배합하거나 착색 조건에 따라 다양한 컬러를 얻을 수 있다는 이점이 있어 알루미늄 합금 소재의 표면처리 방법으로 주로 사용되고 있다. 다만, 진한 컬러를 구현하기 위해서는 후술하는 일정한 제약이 있다. 예를 들어, 염료의 농도를 높여서 착색하는 경우, 염료의 농도가 10g/L이상일 경우, 염료의 용해가 어렵고, 용해가 안된 염료 입자가 착색을 방해하여 품질을 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 착색 시간을 증가시키는 경우, 착색 시간 증가에 따른 공정 시간이 증가하여 비용이 상승할 수 있다. 이러한 제약들로 인해 일반적인 모바일 장치는 명도(L*) 24이하의 진한 컬러를 구현하기가 어려울 수 있다.
상술한 정보는 본 개시에 대한 이해를 돕기 위한 목적으로 하는 배경 기술로 제공될 수 있다. 상술한 내용 중 어느 것도 본 개시와 관련하여 종래 기술(prior art)로서 적용될 수 있는지에 관해서는 어떠한 주장이나 결정이 제기되지 않는다.
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 금속 기판; 및 상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함할 수 있다. 양극 산화층은, 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법은, 상기 하우징의 금속 기판을 폴리싱하기 위한 유광 처리 동작; 복수 개의 기공들을 포함하는 산화 피막을 형성하는 양극 산화 동작; 및 상기 복수 개의 기공들 내에 유기 염료를 흡착시켜 발색시키는 착색 동작;을 포함할 수 있다. 상기 착색 동작은 상기 유기 염료와 함께 전도도 향상제를 적용하여 착색할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 금속 기판; 및 상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함할 수 있다. 상기 양극 산화층은, 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 PH 6 이상 PH 8이하의 전도도 향상제를 포함하고, 상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가질 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 전처리 공정 및 양극 산화 공정에 관한 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 하우징의 단면을 나타낸 도면이다.
도 7은 일반적인 전자 장치에 따를 때, 착색 시간과 명도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 전도도 향상제 적용에 따른 전위 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 9a는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치의 블랙 염료의 명도를 비교한 그래프이다.
도 9b는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치의 RGB(Red, Green, Blue) 값을 비교한 그래프이다.
도 10a는 일반적인 전자 장치에서, 착색 염료 입자에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전위의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10b는 착색 염료 입자에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전도도 향상제 첨가량에 따른 전위의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10c는 본 개시의 일 실시예에 따른 착색 동작을 통해 착색된 하우징의 명도, 제거되지 않은 산이 더 혼합된 하우징의 명도, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도도 향상제를 더 혼합한 하우징의 명도를 비교한 도면이다.
도 11a는 일반적인 전자 장치에 따른 염료 입자를 사용하여 착색한 하우징을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 착색 염료 입자를 사용하여 착색한 하우징을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다.
도 11c는 도 11a에 따른 착색 염료 입자와 도 11b에 따른 착색 염료 입자를 비교한 그래프이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 전처리 공정 및 양극 산화 공정에 관한 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 하우징의 단면을 나타낸 도면이다.
도 7은 일반적인 전자 장치에 따를 때, 착색 시간과 명도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 전도도 향상제 적용에 따른 전위 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 9a는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치의 블랙 염료의 명도를 비교한 그래프이다.
도 9b는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치의 RGB(Red, Green, Blue) 값을 비교한 그래프이다.
도 10a는 일반적인 전자 장치에서, 착색 염료 입자에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전위의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10b는 착색 염료 입자에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전도도 향상제 첨가량에 따른 전위의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10c는 본 개시의 일 실시예에 따른 착색 동작을 통해 착색된 하우징의 명도, 제거되지 않은 산이 더 혼합된 하우징의 명도, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도도 향상제를 더 혼합한 하우징의 명도를 비교한 도면이다.
도 11a는 일반적인 전자 장치에 따른 염료 입자를 사용하여 착색한 하우징을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 착색 염료 입자를 사용하여 착색한 하우징을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다.
도 11c는 도 11a에 따른 착색 염료 입자와 도 11b에 따른 착색 염료 입자를 비교한 그래프이다.
도 1은, 일 실시예에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU; neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼) 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC; mobile edge computing) 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 일 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나","A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 일 실시예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 일 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리 또는 외장 메모리)에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램)로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치)의 프로세서(예: 프로세서)는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 전면 사시도이다. 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 후면 사시도이다.
도 2 및 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 제 1 면(또는 전면)(310A), 제 2 면(또는 후면)(310B), 및 제 1 면(310A) 및 제 2 면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징(310)은, 도 2의 제 1 면(310A), 제 2 면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 면(310A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제 2 면(310B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)는, 상기 제 1 면(310A)으로부터 상기 후면 플레이트(311) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제 1 영역(310D)들을, 상기 전면 플레이트(302)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 3 참조)에서, 상기 후면 플레이트(311)는, 상기 제 2 면(310B)으로부터 상기 전면 플레이트(302) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제 2 영역(310E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)(또는 상기 후면 플레이트(311))가 상기 제 1 영역(310D)들(또는 상기 제 2 영역(310E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(101)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(318)는, 상기와 같은 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제 1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314), 센서 모듈(304, 316, 319), 카메라 모듈(305, 312, 313), 키 입력 장치(317), 발광 소자(306), 및 커넥터 홀(308, 309) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(317), 또는 발광 소자(306))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제 1 면(310A), 및 상기 측면(310C)의 제 1 영역(310D)들을 형성하는 전면 플레이트(302)를 통하여 상기 디스플레이(301)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(301)의 모서리를 상기 전면 플레이트(302)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(301)의 외곽과 전면 플레이트(302)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)를 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(314), 센서 모듈(304), 카메라 모듈(305), 및 발광 소자(306) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(304), 카메라 모듈(305), 지문 센서(316), 및 발광 소자(306) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(304, 319)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 제 1 영역(310D)들, 및/또는 상기 제 2 영역(310E)들에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
일 실시예에 따르면, 센서 모듈(304, 316, 319)은, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(304, 316, 319)은, 예를 들어, 하우징(310)의 제 1 면(310A)에 배치된 제 1 센서 모듈(304)(예: 근접 센서) 및/또는 제 2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(310)의 제 2 면(310B)에 배치된 제 3 센서 모듈(319)(예: HRM 센서) 및/또는 제 4 센서 모듈(316) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(310)의 제 1면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 제 2면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(304) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 312, 313)은, 전자 장치(101)의 제 1 면(310A)에 배치된 제 1 카메라 장치(305), 및 제 2 면(310B)에 배치된 제 2 카메라 장치(312), 및/또는 플래시(313)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 312)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(313)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치(317)는 하우징(310)의 제 2면(310B)에 배치된 센서 모듈(316)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자(306)는, 예를 들어, 하우징(310)의 제 1 면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(306)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(306)는, 예를 들어, 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(306)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(308, 309)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제 1 커넥터 홀(308), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제 2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(309)을 포함할 수 있다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 분해 사시도이다.
도 4를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))는, 측면 베젤 구조(331), 제 1 지지부재(332)(예: 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제 2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제 1 지지부재(332), 또는 제 2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 4, 또는 도 5의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
일 실시예에 따르면, 제 1 지지부재(332)는, 전자 장치(101) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(331)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(331)와 일체로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(332)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(332)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 배터리(350)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(331) 및/또는 상기 제 1 지지부재(332)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 복수 개의 안테나 모듈(390)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 일부는 MIMO 구현을 위해 서로 다른 특성을 가진 전파(A, B 주파수 대역의 전파로 가칭함)를 송수신하기 위해 구현될 수 있다. 다른 예로, 상기 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 일부는 다이버시티(diversity) 구현을 위해 서로 동일한 특성을 가진 전파(A 주파수 대역에서 A1, A2 주파수의 전파로 가칭함)를 예를 들어, 동시에 송수신하도록 설정될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 다른 일부는 다이버시티 구현을 위해 서로 동일한 특성을 가진 전파(B 주파수 대역에서 B1, B2 주파수의 전파로 가칭함)를 예를 들어, 동시에 송수신하도록 설정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 두 개의 안테나 모듈을 포함할 수도 있으나, 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 전자 장치(101)는 4 개의 안테나 모듈을 포함하여, MIMO 및 다이버시티를 동시에 구현할 수 있다. 또 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 안테나 모듈(390)을 하나만 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전파의 송수신 특성을 고려하여, 상기 인쇄 회로 기판(340)의 제 1 위치에 하나의 안테나 모듈이 배치될 경우에, 다른 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판(340)의 상기 제 1 위치로부터 떨어진(separated) 제 2 위치에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 하나의 안테나 모듈 및 다른 안테나 모듈은 다이버시티 특성에 따른 상호간 이격 거리를 고려하여 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 안테나 모듈(390)은 초고주파 대역(예: 6GHz 이상, 300GHz 이하)에서 송수신되는 전파(radio wave)를 처리하는 무선 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 안테나 모듈(390)의 도전성 플레이트는, 예를 들어, 패치 타입의 방사 도체 또는 일방향으로 연장된 다이폴 구조의 도전성 플레이트로 이루어질 수 있으며, 복수의 상기 도전성 플레이트가 어레이되어 안테나 어레이를 형성할 수 있다. 상기 무선 통신 회로의 일부가 구현된 칩(예: 집적회로 칩) 등은 상기 도전성 플레이트가 배치된 영역의 일측 또는 상기 도전성 플레이트가 배치된 면의 반대 방향을 향하는 면에 배치될 수 있으며, 인쇄 회로 패턴으로 이루어진 배선을 통해 상기 도전성 플레이트와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)의 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380) 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)의 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380) 중 적어도 일부는 이하 후술할 도 5의 전처리 공정 및 양극 산화 공정(10)에 의해 제작될 수 있다. 도시된 실시예에서, 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331) 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380)는 적어도 부분적으로 전자 장치(101)의 외부에서 시각적으로 노출될 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 전처리 공정 및 양극 산화 공정(10)에 관한 흐름도이다. 도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 하우징(400)의 단면을 나타낸 도면이다.
일 실시예에 따르면, 도 6의 하우징(400)은 도 2 내지 도 4의 전자 장치(101)의 하우징(310), 제 1 지지부재(332)(예: 브라켓), 제 2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380) 중 적어도 하나로서 제공될 수 있다. 하우징(400)은 측면 구조나 후면 플레이트와 같은 외장 부품으로서 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도 6을 참조할 때, 하우징(400)은 금속 기판(410), 및 상기 금속 기판(410)과 중첩되어 형성되는 양극 산화층(420)을 포함할 수 있다. 양극 산화층(420)은, 복수 개의 기공들(420b)을 포함하는 기공 벽(420a); 및 복수 개의 기공들(420b)에 주입된 유기 염료(431)와 전도도 향상제(432)를 포함하는 착색 입자(430)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 유광일 수 있다. 일반적으로 표면광택측정법에 따라 하우징(400) 표면의 광택도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 하우징(400)의 광택은 측정 각도 60도의 조건에서 40GU(gloss unit) 이상일 수 있다. 다만, 하우징(400)의 광택은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양하게 설계 변경될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하우징(400)의 금속 기판(410)은 아노다이징이 가능한 모든 금속 외장재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 기판(410)의 금속은 양극 산화가 가능하여 기공 내 염료를 흡착하여 발색하는 구조를 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속은 알루미늄(aluminium), 알루미늄 합금(aluminium alloy)일 수 있다. 다만, 금속의 종류는 상기 실시예에 한정되지 않으며, 자유롭게 설계 변경될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도 5를 참조하면, 전처리 공정 및 양극 산화 공정(10)은, 금속 기판(410) 프레임의 형상을 가공하는 동작(11), 유광처리 동작(12), 탈지 동작(13), 양극 산화 동작(14), 착색 동작(15), 및/또는 실링 동작(16)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 금속 기판(410) 프레임의 형상을 가공하는 동작(11)은 금속 소재(예: 알루미늄, 마그네슘 및/또는 티타늄)의 프레임을 설계된 부품 형상으로 제작하는 동작으로서, 예를 들면, 압출, 프레스(press), 다이캐스팅(die casting) 및/또는 절삭(예: 컴퓨터 수치 제어(CNC, computer numerical control) 가공)과 같은 공정을 통해 금속 소재를 설계된 형상의 금속 기판(410)으로 가공 또는 제작할 수 있다. 금속 기판(410)은 실질적으로 평판 형상일 수 있으며, 실제 제작될 제품(예: 도 2 내지 도 4의 전자 장치(101))에서 요구되는 사양과 형상에 따라 적어도 부분적으로 곡면을 포함하거나, 홀(hole), 홈(recess) 및/또는 격막(rib or partition)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 유광처리 동작(12)은, 제작된 금속 기판(410)의 표면의 광택을 높이는 공정으로서, 유광 처리를 위한 폴리싱(polishing)을 진행하여 광택이 있는 외관을 형성할 수 있다. 예를 들어, 물리적 또는 화학적 연마를 통해 금속 기판(410)의 표면 거칠기를 낮출 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연마하는 동작은 생략되거나, 표면 거칠기를 높여 광택을 낮추는 공정(예: 샌드 블라스팅(sand blasting))으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 금속 기판(410)의 표면에서 광택 또는 표면 거칠기를 조절하기 위한 공정으로서의 연마하는 동작이나 샌드 블라스팅 공정은 실제 제작될 제품에서 요구되는 사양에 따라 선택적으로 수행될 수 있다. 한 실시예에서, 연마하는 동작이나 샌드 블라스팅 공정을 통해 조절된 표면 거칠기는 사용자의 촉각으로 인지될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 탈지 동작(13)은 가공 동작(11) 및/또는 유광 처리 동작(12)에서 제거되지 않은 먼지 및/또는 이물질을 제거하는 동작일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 양극 산화 동작(14)은 금속 기판(410) 또는 외장 부품의 신뢰성을 높이는 공정으로서, 금속 기판(410)의 표면에 양극 산화층(420)을 형성할 수 있다. 양극 산화층(420)은, 예를 들어, 금속 기판(410) 표면에서 강도(예: 경도(hardness))를 높이거나 외부 환경에 의한 금속 기판(410)의 부식을 방지함으로써, 금속 기판(410)의 내구성이나 신뢰성을 높일 수 있다. 양극 산화 동작(14)은, 다공성의 산화 피막을 형성하는 공정으로 예를 들어, 황산, 수산, 옥살산 및/또는 크롬산 중 적어도 하나를 포함하는 전해질 용액(또는, 전해액)에 금속 기판(410)을 침적한 상태로 전압을 인가함으로써, 금속 기판(410)의 표면에서 양극 산화층(420)을 성장시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 피막의 용도에 따라 인가 전압과 온도, 및/또는 침적 시간을 조절할 수 있다. 예를 들어, 인가 전압은 대략 5V 이상 40V이하일 수 있다. 예를 들어, 침적 시간은 대략 10분 이상 3시간 이하일 수 있다. 예를 들어, 전해액의 온도는 대략 5도 이상 30도 이하의 범위 내에서 적용할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도 6을 참조하면, 양극 산화 동작(14) 후, 하우징(400)은 금속 기판(410)의 표면에 형성된 양극 산화층(420)을 더 포함할 수 있다. 양극 산화층(420)은, 예를 들면, 복수 개의 기공들(air pore)(420b)을 포함하는 기공 벽(420a)을 포함할 수 있으며, 착색이 용이할 수 있다. 여기서, '착색이 용이하다'라 함은, 양극 산화층(420)이 형성되지 않은 소재 또는 금속 기판(410)의 표면을 착색하는 것보다 양극 산화층(420)을 착색하는 것이 용이한 것으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 다공성 산화 피막을 포함하는 양극 산화층(420)을 형성한 이후에는 복수 개의 기공들(air pore)(420b) 내에 착색 염료 입자(430)를 흡착시켜 발색시키는 착색 동작(15)을 수행할 수 있다. 착색 동작(15)은 금속 기판(410)의 표면, 예를 들어, 양극 산화층(420)을 지정된 색상으로 염색 또는 착색하는 공정일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 착색 동작(15)은 침지법 및/또는 전해착색법을 포함할 수 있다. 침지법은, 착색 염료 입자(430)가 첨가 및/또는 용해된 용액에 금속 기판(410)을 침적하여 양극 산화층(420)에 착색 염료 입자(430)를 확산 또는 흡착시킴으로써 색상을 구현하는 방법일 수 있다. 전해착색법은 전류를 인가함으로써 금속 염 전해액에서 발색시키는 방법일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 착색 동작(15)은 침지법을 사용하여 착색할 수 있다. 다만, 착색 방법은 상기 실시예에 제한되지 않으며, 다양하게 설계 변경될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 착색 염료 입자(430)는 다양한 컬러를 구현할 수 있는 유기 염료(431)를 사용할 수 있다. 이는 유기 염료(431)를 물에 용해시킨 다음 제품을 침적 시켜 착색시키는 방법으로, 원하는 컬러를 구현하기 위해서 여러 컬러의 염료를 혼합하여 사용하기도 하며, 단독의 염료만을 사용할 수도 있다. 컬러의 명도는 염료의 농도와 침적 시간에 의해 조절할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 착색 동작(15)에서 유기 염료(431)에 전도도 향상제(432)를 같이 용해시켜 착색을 진행할 수 있다. 전도도 향상제(432)를 추가하는 경우 염료의 농도를 높이거나, 착색 시간을 증가시키는 착색 동작보다 더 진하고 선명한 컬러의 외관을 구현할 수 있다. 전도도 향상제(432) 추가에 따른 구체적인 설명은 이하에서 후술한다.
일 실시예에 따르면, 착색 동작(15)에 의해 양극 산화층(420)이 착색될 수 있다. 예를 들어, 유기 염료(431)가 양극 산화층(420) 내부로 확산 또는 흡착되거나 복수 개의 기공들(air pore)(420b)의 내부로 수용됨으로써, 금속 기판(410)의 표면에서 지정된 색상이 구현될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 활성화된 양극 산화층(420)의 복수 개의 기공들(air pore)(420b)을 봉공하는 실링 동작(16)이 수행될 수 있다. 봉공하는 동작은 착색 염료 입자(430)의 이탈을 방지하는 공정으로서, 예를 들어, 복수 개의 기공들(air pore)(420b)을 밀봉시켜 착색 염료 입자(430)를 실질적으로 양극 산화층(420) 내에 유지할 수 있다. 실링 동작(16)은 금속염을 사용하여 봉공을 진행하는 금속염 처리법과 유기물로 봉공 처리를 하는 비금속염 처리법이 있으며, 물과 수증기를 이용한 수화 봉공 처리도 있다. 실링 동작(16)을 수행함으로써, 금속 기판(410)의 변색을 억제 또는 방지할 수 있다.
이하에서는 착색 동작(15)에 대해 구체적으로 서술한다.
일 실시예에 따르면, 착색 동작(15)에서 침지법으로 컬러 착색 시, 복수 개의 기공들(420b) 내에 짧은 시간 동안 많은 착색 염료 입자(430)들이 확산 및 흡수할 수 있도록 착색을 촉진시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))에 원하는 컬러를 구현하고자 한다면 가공된 금속 기판(410)을 양극 산화 처리한 후 착색 염료 입자(430)가 용해된 착색 조에 침지할 수 있다. 양극 산화 처리한 소재는 전기적으로 양(+)극을 띄며 유기 염료(431)는 음(-) 전하를 띨 수 있다. 이러한 전기적인 성질에 의해서 (-)이온인 유기 염료(431)가 (+)극의 피막 내 복수 개의 기공들(420b)로 확산 및 흡착되고 이후 실링 동작(16)에 의해 복수 개의 기공들(420b)내의 착색 염료 입자(430)가 안정화되어 원하는 컬러 피막을 얻을 수 있다. 유기 염료(431)의 흡착량은 염료의 농도, 및/또는 제품 침적 시간에 따라 달라질 수 있다.
일반적인 전자 장치의 실시예에 따르면, 진하고 선명한 컬러의 하우징(400)을 구현하기 위해 착색 염료 입자(430)의 농도를 높여서 착색 동작(15)을 진행할 수 있다. 일반적인 전자 장치의 경우, 착색 동작(15) 시 착색 염료 입자(430)의 농도는 예를 들어, 대략 20g/L이하의 범위 내에서 사용 가능할 수 있다. 일반적인 전자 장치의 경우, 착색 동작(15) 시 침적 시간은 예를 들어, 대략 5초 이상 20분 이하의 범위 내에서 적용이 가능할 수 있다. 진하고 선명한 컬러의 하우징(400)을 구현하기 위해 착색 염료 입자(430)의 농도를 최대치 이상으로 적용할 경우, 착색 염료 입자(430)의 용해가 어렵고 용해되지 않은 착색 염료 입자(430)가 침전되거나 수중에 부유한 상태가 되어 오히려 착색을 방해하거나 품질을 저하시키는 요인이 될 수 있다.
도 7은 일반적인 전자 장치에 따를 때, 착색 시간과 명도의 관계를 나타낸 그래프이다.
일 실시예에 따르면, 진하고 선명한 컬러의 하우징(400)을 구현하기 위해 착색 시간을 증가시킬 수 있다. 도 7을 참조할 때, 착색 염료 입자(430)의 흡착량은 착색 시간이 증가함에 따라 명도가 감소하지만 8분 이상의 조건에서는 명도의 감소 변화가 둔화됨을 확인할 수 있다. 이는 일정 시간 이상의 조건에서는 착색 염료 입자(430)의 흡착량이 둔화된다는 것을 의미할 수 있다. 착색 염료 입자(430)의 농도를 높이고, 착색 시간을 증가시키더라도 진한 색의 구현에는 한계가 있음을 의미할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 착색 시간을 증가시키는 방법은 공정 시간의 증가로 인해 비용 상승의 원인이 될 수 있다. 여기서 명도는 CIE 색상표 L* 값으로 표기할 수 있다. L* 값은 100에 가까울 수록 밝은색(흰색)일 수 있다. L* 값이 0에 가까울 수록 진하고 어두운 색(검정색)을 나타낼 수 있다.
일반적인 전자 장치의 실시예에 따르면, 진하고 선명한 컬러의 하우징(400)을 구현하기 위해, 양극 산화피막 형성 시 양극 산화 전해액의 온도를 높일 수 있다. 전해액의 온도를 높이는 경우 복수 개의 기공들(420b)의 크기를 확장시킬 수는 있으나, 높은 온도의 양극 산화층(420)은 내구성이 취약하여 신뢰성 확보가 어려울 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 소재에 미세 굴곡을 만들거나 양극 산화층(420)에 미세 굴곡을 형성함으로써 빛 반사율이 낮은 표면의 형상을 설계하는 방법과 같이 양극 산화층(420) 표면을 개질하는 경우, 알루미늄 소재 및/또는 양극 산화층(420) 표면에 식각 처리를 적용해야 하기 때문에 무광에만 한정되고, 유광의 하우징에서는 구현이 불가능할 수 있다. 양극 산화층(420)에 식각 처리를 할 경우 피막 내구성이 떨어져 신뢰성을 확보하기가 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상술한 한계를 극복하고 진한 색을 구현하기 위하여 착색 공정에서 유기 염료(431)와 함께 전도도 향상제(432)를 포함한 착색 염료 입자(430)를 적용하였다. 전도도 향상제(432)는 착색 염료 입자(430)의 에너지를 높여서 양극 산화 피막 내 기공으로 쉽게 확산시키고, 기공 내에 안정적으로 흡착될 수 있게 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전도도 향상제(432)는 착색 염료 입자(430)의 전도도 향상에 영향을 미칠 수 있는 물질을 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 알칼리염을 포함할 수 있다. 예를 들어, pH 6이상 pH 8이하의 약 알칼리염을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도도 향상제(432)는 글루콘산염을 포함할 수 있다.
도 8은 전도도 향상제(432) 적용에 따른 전위 값의 변화를 나타낸 그래프이다. 전위란 전기적으로 단위 전하에 대한 전기적 위치 에너지로, 기준점에서 다른 곳으로 전하를 옮기는데 필요한 일 에너지를 말한다. 일 실시예에 따르면, 유기 염료(431)를 포함하는 착색 염료 입자(430)에 전도도 향상제(432)를 추가하는 경우, 전위(electric potential)값이 달라질 수 있다.
도 8을 참조하면, 전도도 향상제(432)를 적용하지 않았을 때(예, 전도도 향상제 첨가량이 0.00g/L인 경우), 전위 값이 가장 높음을 확인할 수 있다. 전위 값이 높다는 것은 (-)인 착색 염료 입자(430)가 (+)를 띄고 있는 양극 산화층(420)의 복수 개의 기공들(420b) 안으로 확산하기 위해서는 많은 에너지가 필요하다는 의미일 수 있다. 도 8을 참조할 때, 전도도 향상제(432)를 첨가할수록 전위 값이 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 이는 전도도 향상제(432)가 첨가된 (-)인 착색 염료 입자(430)는 작은 에너지만으로도 양극 산화층(420)의 복수 개의 기공들(420b) 안으로 쉽게 확산이 가능하다는 것을 의미할 수 있다. 일반적인 전자 장치에서 전도도 향상제(432)를 첨가하지 않는 경우, 양극 산화층(420) 안으로 모든 착색 염료 입자(430)가 확산되기 어려울 수 있다. 일 실시예에 따른 전도도 향상제(432)를 추가할 경우 적은 에너지로 쉽게 착색 염료 입자(430)를 확산시킬 수 있다. 전도도 향상제(432)를 추가함에 따라 확산이 어려운 착색 염료 입자(430)를 쉽게 확산시킬 수 있으며, 이로 인하여 착색 속도가 증가하고 많은 착색 염료 입자(430)를 복수 개의 기공들(420b) 내에 흡수시킬 수 있기 때문에 선명하고 진한 컬러의 구현이 가능할 수 있다.
도 9a는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제(432)를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치(101)의 블랙 염료의 명도를 비교한 그래프이다. 도 9b는 일반적인 전자 장치와 전도도 향상제(432)를 추가한 본 발명에 따른 전자 장치(101)의 RGB(Red, Green, Blue) 값을 비교한 그래프이다.
일 실시예에 따를 때, 도 9a를 참조하면, 하우징(400) 컬러의 진하기와 선명도를 명도(L*) 값으로 나타내었다. 각각 다른 업체에서 생산되는 동일한 계열의 블랙 염료(예: 도 9의 블랙 염료A, 블랙 염료B, 블랙 염료C)를 준비한 후 착색 염료 입자(430)의 용해가 가능한 범위 내에서 최대 농도(20g/L)로 용해시켰으며, 착색 시간도 대량 생산 시 적합한 범위 내에서 최대 시간(20분)을 적용하였다. 전자 장치의 하우징(400)은 유광의 광택이 있는 표면으로 전도도 향상제(432) 적용 유무를 제외한 기타 조건은 모두 동일하게 적용하였다. 실험 결과, 각각의 착색 염료 입자(430)는 동일한 조건에서도 진하기인 명도(L*)값이 다르게 나타났고 전도도 향상제(432)를 적용할 경우 모든 조건에서 기존의 유기 염료(431)만을 적용한 컬러보다 낮은 명도 값을 나타내었다. 이것은 전도도 향상제(432)의 효과에 의해 제품 외관의 진하기를 향상시킬 수 있다는 것이다. 본 발명의 일 실시예들은 유광의 고광택 하우징(400)의 진하기를 명도(L*)=22.0 이하의 값을 가질 수 있는 것을 큰 특징으로 한다.
일 실시예에 따를 때, 도 9b를 참조하면, CIE 색상표의 L*, a*, b*의 값은 빛의 삼원색인 빨간색, 초록색, 및 파란색을 표시하는 RGB(Red, Green, Blue) 값으로 환산하여 흰색과 검정색의 정도를 비교할 수 있다. 예를 들어 RGB(255,255,255)은 Red, Green, 및 Blue 모두 가장 밝은 상태로 흰색을 의미할 수 있다. 예를 들어, RGB(0,0,0)은 빛이 아예 존재하지 않는 상태인 검은 색을 의미할 수 있다. R, G, B 각각의 값이'0'에 가까울수록 Pure Black에 가깝다는 의미일 수 있다. 도 9b를 참조할 때, 왼쪽에 도시한 그래프는 유기 염료를 포함하는 일반적인 전자 장치(A)의 RGB 값을 각각 나타낸 그래프이고, 오른쪽에 도시한 그래프는 유기 염료(431) 및 전도도 향상제(432)를 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 유광의 광택이 있는 하우징(400)의 RGB 값을 각각 나타낸 그래프이다. 일 실시예에 따를 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유광의 광택이 있는 하우징(400)의 RGB 값은 일반적인 전자 장치(A)의 RGB 값보다 낮음을 확인할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 유광의 광택이 있는 하우징(400)의 RGB 값은 0.20 이상 0.24 이하일 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 유광의 광택이 있는 하우징(400)의 RGB 값은 RGB(0.22,0.22,0.22)이하일 수 있다. 예를 들어, 일반적인 전자 장치(A)의 RGB 값은 0.23 이상 0.26 이하일 수 있다. 예를 들어, 일반적인 전자 장치(A)의 RGB 값은 RGB(0.24,0.24,0.24)이상일 수 있다. 이는 전도도 향상제(432)를 적용한 조건이 일반적인 조건보다 더 퓨어 블랙(pure black)에 가깝다는 것을 의미할 수 있다.
도 10a는 일반적인 전자 장치에서, 착색 염료 입자(430)에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전위의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 10b는 착색 염료 입자(430)에 제거되지 않은 산이 혼합될 경우, 전도도 향상제 첨가량에 따른 전위의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 10c는 본 개시의 일 실시예에 따른 착색 동작(15)을 통해 착색된 하우징(400)의 명도, 제거되지 않은 산이 더 혼합된 하우징의 명도, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도도 향상제(432)를 더 혼합한 하우징(400)의 명도를 비교한 도면이다.
일 실시예에 따를 때, 착색 동작(15)은 황산, 수산, 및/또는 크롬산과 같은 산(acid) 용액(전해질 용액)에 제품을 침지시켜 미세 기공을 형성한 다음 기공 속에 염료를 흡착하여 컬러를 구현하는 방법으로 양극 산화 공정 이후에 수행될 수 있다. 양극 산화 동작(14) 이후 산 용액이 완전히 제거되지 않고 제품에 잔존한 상태로 착색 염료 입자(430)에 혼입될 수 있다. 일반적으로 양극 산화 공정 이후 2~3단계의 수세 처리로 제품에 잔존하는 산을 제거하는 공정이 있지만, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 복잡한 전자 장치(101) 형상의 경우 잔류한 산을 제거하기가 어려울 수 있다. 제품에 잔류해 있는 산을 제거하기 위해 수세 처리 공정을 추가하거나 수세 처리 시간을 증가시키는 경우도 있지만, 이러한 경우에는 양극 산화층(420)의 활성도가 떨어져 원하는 컬러의 품질을 얻기 어려울 수 있다. 전자 장치(101)에 잔류한 산이 제거되지 않고 착색 염료 입자(430)에 혼입 될 경우에는, 전위가 증가할 수 있다. 도 10a를 참조할 때, 혼합된 산(예, 황산)의 농도가 증가할수록 착색 염료 입자(430)의 전위는 증가할 수 있다. 혼입된 산에 의해 H+ 이온이 증가함에 따라 착색 염료 입자(430)인 (-)이온의 복수 개의 기공들(420b) 내 확산이 방해될 수 있다. 전자 장치(101)에 잔류한 산이 제거되지 않고 착색 염료 입자(430)에 혼입 될 경우 착색력이 떨어지거나, 착색이 불균일하고 진하고 선명한 컬러를 구현하기 어려울 수 있다.
도 10b를 참조할 때, 착색 염료 입자(430) 내에 산의 혼입으로 인해 높았던 전위가 전도도 향상제(432)의 첨가량이 증가할수록 낮아짐을 확인할 수 있다. 전도도 향상제(432)는 산이 혼입된 착색 염료 입자(430) 내의 H+ 이온을 상쇄시킬 수 있다. 이로 인해 착색 염료 입자(430)의 관리가 용이할 수 있다.
도 10c를 참조할 때, 혼입된 산에 의해 전위 값이 높은 상태(예, 식별 부호 (2))에서 전도도 향상제(432)를 첨가하여 원래의 전위 값으로 회복된 염료 조에서 착색할 경우(예, 식별 부호 (3)), 기존(예, 식별 부호 (1))과 동일하게 착색이 됨을 확인할 수 있다.
도 11a는 일반적인 전자 장치에 따른 염료 입자를 사용하여 착색한 하우징을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다. 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 착색 염료 입자(430)를 사용하여 착색한 하우징(400)을 GDOES 방법으로 분석한 그래프이다. 도 11c는 도 11a에 따른 착색 염료 입자와 도 11b에 따른 착색 염료 입자(430)를 비교한 그래프이다.
일 실시예에 따를 때, GDOES(Glow-Discharge Optical Emission Spectroscopy) 분석법은 글로우 방전을 이용한 정량 분석법으로 깊이 방향을 따라 표면에서부터 단면까지의 조성 변화를 분석할 수 있는 분광 분석법이다. 양극 산화층(420)이 형성된 부분(X축, Sputter Time:0~500sec 구간)에서 염료(예, Black 염료) 신호를 이용하여 일반적인 전자 장치에서와 본 발명의 일 실시예에서의 염료 흡착량 및 염료 흡착 깊이를 비교할 수 있다. 일반적인 전자 장치에 따른 염료 입자를 사용한 경우, 양극 산화층(420)의 입구에서 착색 염료 입자(430)의 신호가 높다가 하단부로 갈수록 신호가 낮아짐을 확인할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 착색 염료 입자(430)를 사용한 경우, 양극 산화층(420)의 상, 하단부 전체적으로 염료 신호가 높은 것을 확인할 수 있다. 양극 산화층(420)의 입구에서부터 약 60% 이상의 깊이까지 염료가 흡착됨을 확인할 수 있다. 도 11c를 참조할 때, 전도도 향상제(432)를 적용하지 않은 조건 대비 전도도 향상제(432)를 적용한 제품에서 착색 염료 입자(430)가 더 깊게 착색되는 것을 확인할 수 있다. 따라서 전도도 향상제(432)를 적용할 경우 더 많은 염료 입자를 기공 내에 확산 및/또는 흡수시켜 일반적인 착색 동작과 비교할 때 진하고 선명한 컬러의 외관을 구현할 수 있다.
알루미늄 소재의 표면 처리 방법으로, 아노다이징(양극산화, anodizing)은 염료를 이용하여 다양한 컬러를 구현할 수 있고, 여러 가지 염료를 배합하거나 착색 조건에 따라 다양한 컬러를 얻을 수 있다는 이점이 있으나 명도(L*) 24이하의 진한 컬러를 구현하기 위해서는 일정한 제약이 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 알루미늄 프레임의 양극 산화공정의 착색 단계에서 유기 염료와 함께 전도도 향상제를 적용하여 진하고 선명한 컬러의 알루미늄 프레임 외관을 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 블랙 계열의 컬러를 적용시 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 갖는 유광의 알루미늄 프레임 외관을 포함하고, 알루미늄 프레임에 진하고 선명한 컬러를 구현할 수 있어 깊이감 있고 고급스러운 컬러의 휴대용 전자기기의 외장재를 제공할 수 있다.
본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 알루미늄 프레임의 양극 산화공정의 착색 단계에서 유기 염료와 함께 전도도 향상제를 적용하여 동일한 양극 산화 조건(인가 전압, 착색 농도/온도/시간)에서 더 진하고 선명한 컬러의 알루미늄 프레임 외관을 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 유광의 광택을 가지는 외관에 진하고 선명한 컬러를 구현하기 위해 전도도 향상제를 적용하였다. 이를 통해 착색 시 염료의 확산 및 흡착을 향상시켜, 종래의 기술로 구현 가능한 외관보다 더 진하고 선명한 컬러를 구현 할 수 있다.
본 개시에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치는, 상기 하우징은, 금속 기판; 및 상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함하고, 상기 양극 산화층은, 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 착색 염료 입자는 상기 양극 산화층의 60% 이상의 깊이까지 염료가 흡착될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제는 PH 6이상 PH 8이하의 약 알칼리염일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 RGB(0.22,0.22,0.22)이하의 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 40GU 이상의 광택을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자가 상기 복수 개의 기공 안으로 확산되는 속도가 빨라질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자 내에 혼입되어 있던 H+ 이온의 수가 감소될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징의 제조방법은, 상기 하우징의 금속 기판을 폴리싱하기 위한 유광 처리 동작; 복수 개의 기공들을 포함하는 산화 피막을 형성하는 양극 산화 동작; 및 상기 복수 개의 기공들 내에 유기 염료를 흡착시켜 발색시키는 착색 동작;을 포함하고, 상기 착색 동작은 상기 유기 염료와 함께 전도도 향상제를 적용하여 착색할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 양극 산화 동작 이후, 상기 하우징은 상기 금속 기판, 및 상기 금속 기판의 표면에 형성된 양극 산화층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 양극 산화층은, 상기 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 상기 유기 염료와 상기 전도도 향상제를 포함하는 상기 착색 염료 입자;를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 착색 염료 입자는 상기 양극 산화층의 60% 이상의 깊이까지 염료가 흡착될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제는 PH 6이상 PH 8이하의 약 알칼리염일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 RGB(0.22,0.22,0.22)이하의 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 40GU 이상의 광택을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자가 상기 복수 개의 기공 안으로 확산되는 속도가 빨라질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자 내에 혼입되어 있던 H+ 이온의 수가 감소될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 금속 기판은 양극 산화가 가능하여 상기 복수 개의 기공들 내에 상기 착색 염료 입자를 흡착할 수 있는 구조를 가지는 금속 중 적어도 하나일 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치는, 상기 하우징은, 금속 기판; 및 상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함하고, 상기 양극 산화층은, 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및 상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 PH 6 이상 PH 8이하의 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함하고, 상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가질 수 있다.
이상에서 설명한 본 개시의 일 실시예의 진한 컬러의 하우징(400) 및 이를 포함하는 전자 장치(101) 는 전술한 실시 예 및 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 기술적 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
400 : 하우징
410 : 금속 기판
420 : 양극 산화층
420a : 기공 벽
420b : 복수 개의 기공들
430 : 착색 염료 입자
431 : 유기 염료
432 : 전도도향상제
410 : 금속 기판
420 : 양극 산화층
420a : 기공 벽
420b : 복수 개의 기공들
430 : 착색 염료 입자
431 : 유기 염료
432 : 전도도향상제
Claims (20)
- 유광의 하우징(도 6의 400)을 포함하는 전자 장치(도 1의 101)에 있어서,
상기 하우징은,
금속 기판(도 6의 410); 및
상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층(도 6의 420)을 포함하고,
상기 양극 산화층(도 6의 420)은,
복수 개의 기공들(도 6의 420b)을 포함하는 기공 벽(도 6의 420a); 및
상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료(도 6의 431)와 전도도 향상제(도 6의 432)를 포함하는 착색 염료 입자(도 6의 430);를 포함하는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 착색 염료 입자는 상기 양극 산화층의 60% 이상의 깊이까지 염료가 흡착되는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 전도도 향상제는 PH 6이상 PH 8이하의 약 알칼리염인 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가지는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 하우징은 RGB(0.22,0.22,0.22)이하의 값을 가지는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 하우징은 40GU 이상의 광택을 가지는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자가 상기 복수 개의 기공들 안으로 확산되는 속도가 빨라지는 전자 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자 내에 혼입되어 있던 H+ 이온의 수가 감소되는 전자 장치.
- 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법(도 5의 10)에 있어서,
상기 하우징의 금속 기판을 폴리싱하기 위한 유광 처리 동작(도 5의 12);
복수 개의 기공들을 포함하는 산화 피막을 형성하는 양극 산화 동작(도 5의 14); 및
상기 복수 개의 기공들 내에 유기 염료를 흡착시켜 발색시키는 착색 동작(도 5의 15);을 포함하고,
상기 착색 동작은 상기 유기 염료와 함께 전도도 향상제를 적용하여 착색하는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 양극 산화 동작 이후, 상기 하우징은 상기 금속 기판, 및 상기 금속 기판의 표면에 형성된 양극 산화층을 포함하는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,
상기 양극 산화층은,
상기 복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및
상기 복수 개의 기공들에 주입된 상기 유기 염료와 상기 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함하는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 착색 염료 입자는 상기 양극 산화층의 60% 이상의 깊이까지 염료가 흡착되는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 전도도 향상제는 PH 6이상 PH 8이하의 약 알칼리염인 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가지는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 하우징은 RGB(0.22,0.22,0.22)이하의 값을 가지는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제9 항에 있어서,
상기 하우징은 40GU 이상의 광택을 가지는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자가 상기 복수 개의 기공들 안으로 확산되는 속도가 빨라지는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 전도도 향상제를 추가함에 따라 상기 착색 염료 입자 내에 혼입되어 있던 H+ 이온의 수가 감소되는 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,
상기 금속 기판은 양극 산화가 가능하여 상기 복수 개의 기공들 내에 상기 착색 염료 입자를 흡착할 수 있는 구조를 가지는 금속 중 적어도 하나인 전자 장치의 유광의 하우징 제조 방법.
- 유광의 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서,
상기 하우징은,
금속 기판; 및
상기 금속 기판과 중첩되어 형성되는 양극 산화층을 포함하고,
상기 양극 산화층은,
복수 개의 기공들을 포함하는 기공 벽; 및
상기 복수 개의 기공들에 주입된 유기 염료와 PH 6 이상 PH 8이하의 전도도 향상제를 포함하는 착색 염료 입자;를 포함하고,
상기 하우징은 CIE L*a*b* 색상 공간으로 L* 22 이하의 값을 가지는 전자 장치.
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