JP2024502694A

JP2024502694A - コイルアンテナを含む電子装置

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Publication number: JP2024502694A
Application number: JP2023524947A
Authority: JP
Inventors: チャンヒ・オ; スンス・キム; ヨンユン・キム; セユン・ベ; スンブム・チェ; ヒュンジュ・ホン
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2020-12-21
Filing date: 2021-12-20
Publication date: 2024-01-23
Also published as: EP4239797A4; US20230318173A1; WO2022139376A1; CN116724461A; KR20220089360A; EP4239797A1; AU2021409674A1

Abstract

本開示の様々な実施形態による電子装置は、ハウジング、上記ハウジングに配置された第１回路基板、上記第１回路基板を電気的に接続するフレキシブル回路基板、上記ハウジングの内部に配置され、磁場を発生させるように形成された導電性パターンが形成された複数のアンテナを含むコイルアンテナ、上記複数のアンテナのうちの第１アンテナの下部に配置される遮蔽層、及び上記コイルアンテナの側面に配置され、上記コイルアンテナによって磁場のうちの第１方向の磁場を遮蔽するメタルシールドを含むことができる。

Description

本開示の様々な実施形態は、コイルアンテナを含む電子装置に関する。

電子装置（例：携帯端末）は小型化及び多機能化されており、そのために、様々な電子部品（例：プロセッサ、メモリ、カメラ、放送受信モジュール及び／又は通信モジュール）が配置されたプリント回路基板（例：ＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）、ＰＢＡ（ｐｒｉｎｔｅｄｂｏａｒｄａｓｓｅｍｂｌｙ）及び／又はＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ））が電子装置に適用され得る。プリント回路基板は配置された電子部品を接続する回路配線を含むことができる。

電子装置の使用時間を増やすためにはバッテリの容量が増加される必要がある。電子装置にプリント回路基板が別途形成された場合、バッテリの容量を拡張させるための空間の確保が困難な場合がある。電子装置のバッテリ容量を増加させるためには、プリント回路基板の厚さを縮小し、バッテリ拡張空間を確保する必要がある。

電子装置にはＮＦＣ（ｎｅａｒｆｉｅｌｄｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、ＷＰＣ（ｗｉｒｅｌｅｓｓｐｏｗｅｒｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）及び／又はＭＳＴ（ｍａｇｎｅｔｉｃｓｅｃｕｒｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）などのコイルアンテナが適用され得る。コイルアンテナで発生する磁場を遮蔽するための遮蔽層（例：シールディングシート（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇｓｈｅｅｔ））がアンテナコイル領域及びフレキシブル回路基板（例：ＦＰＣＢ）領域に適用される必要があるため、厚さが増加してバッテリを配置できる空間（例：バッテリ空間）が減少するようになる。本開示の実施形態による電子装置はアンテナコイル（例：ＮＦＣ、ＷＰＣ及び／又はＭＳＴ）を適用した場合、－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、厚さを減らしてバッテリ空間を確保できる。また、本開示の実施形態による電子装置は、遮蔽層の面積を減らしながらも－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、ＷＰＣの面積を広げて無線充電の認識領域及び充電効率を向上させることができる。

本開示で達成しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に限定されず、言及していない他の技術的課題は以下の記載から本開示の属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

本開示の様々な実施形態による電子装置は、第１ハウジング、第２ハウジング、上記第１ハウジング及び上記第２ハウジングが折りたたまれるか又は展開されるように上記第１ハウジングと上記第２ハウジングの間に配置されるヒンジ構造体、上記第１ハウジングに配置される第１プリント回路基板、上記第２ハウジングに配置される第２プリント回路基板、上記第１プリント回路基板と上記第２プリント回路基板を電気的に接続するフレキシブル回路基板、上記第２ハウジングの内部に配置され、磁場を発生させるように形成された導電性パターンが形成された複数のアンテナを含むコイルアンテナ、上記複数のアンテナのうちの第１アンテナの下部に配置される遮蔽層、及び上記コイルアンテナの側面に配置され、上記コイルアンテナによって磁場のうちの第１方向の磁場を遮蔽するメタルシールドを含むことができる。その他、本文書によって直接的又は間接的に把握される様々な効果が提供され得る。

本開示の実施形態による電子装置は、アンテナコイル（例：ＮＦＣ、ＷＰＣ及び／又はＭＳＴ）で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、厚さを減らしてバッテリ空間を確保できる。本開示の実施形態による電子装置は、遮蔽層の面積を減らしながらもアンテナコイル（例：ＮＦＣ、ＷＰＣ及び／又はＭＳＴ）で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、ＷＰＣの面積を広げて無線充電の認識領域及び充電効率を向上させることができる。

様々な実施形態によるネットワーク環境内の電子装置のブロック図である。本開示の様々な実施形態による電子装置の前面の斜視図である。本開示の様々な実施形態による電子装置の後面の斜視図である。一実施形態による折りたたまれた状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の斜視図である。一実施形態による折りたたまれた状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の正面図である。一実施形態による折りたたまれた状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の後面図である。一実施形態による１８０度展開された状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の斜視図である。一実施形態による１８０度展開された状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の正面図である。一実施形態による１８０度展開された状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、フォルダブル電子装置の後面図である。本開示の様々な実施形態による電子装置のハウジングに配置されるコイルアンテナ及びフレキシブル回路基板を示す図である。ＮＦＣ駆動回路、ＷＰＣ駆動回路及びＭＳＴ駆動回路がＰＣＢに配置されることを示す図である。図５Ａに示したＩ－Ｉ’線による断面図である。一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。本開示の一実施形態によるメタルシールド（例：フロントメタル）が遮蔽領域を囲むように配置されることを示す図である。メタルシールド（例：フロントメタル）と遮蔽領域の間の間隔の一例を示す図である。常磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。反磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。強磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。

図面の説明に関して、同一又は類似する構成要素に対しては同一又は類似の符号が用いられ得る。

以下、添付された図面を参照して本開示の様々な実施形態が説明される。説明の便宜のために図面に示した構成要素はその大きさが誇張されるか又は縮小される場合があり、本開示が必ずしも図によって限定されるものではない。

図１は、様々な実施形態によるネットワーク環境１００内の電子装置１０１のブロック図である。

図１を参照すると、ネットワーク環境１００で、電子装置１０１は第１ネットワーク１９８（例：近距離無線通信ネットワーク）を通して電子装置１０２と通信するか、又は第２ネットワーク１９９（例：遠距離無線通信ネットワーク）を通して電子装置１０４若しくはサーバ１０８と通信できる。一実施形態によれば、電子装置１０１はサーバ１０８を通して電子装置１０４と通信できる。一実施形態によれば、電子装置１０１はプロセッサ１２０、メモリ１３０、入力モジュール１５０、音響出力モジュール１５５、ディスプレイモジュール１６０、オーディオモジュール１７０、センサモジュール１７６、インタフェース１７７、接続端子１７８、ハプティクスモジュール１７９、カメラモジュール１８０、電力管理モジュール１８８、バッテリ１８９、通信モジュール１９０、加入者識別モジュール１９６、又はアンテナモジュール１９７を含むことができる。ある実施形態では、電子装置１０１には、これらの構成要素のうちの少なくとも１つ（例：接続端子１７８）が省略されるか、又は１つ以上の他の構成要素が追加され得る。ある実施形態では、これらの構成要素のうちの一部（例：センサモジュール１７６、カメラモジュール１８０、又はアンテナモジュール１９７）は１つの構成要素（例：ディスプレイモジュール１６０）に統合され得る。

プロセッサ１２０は、例えば、ソフトウェア（例：プログラム１４０）を実行してプロセッサ１２０に接続された電子装置１０１の少なくとも１つの他の構成要素（例：ハードウェア又はソフトウェア構成要素）を制御することができ、様々なデータ処理又は演算を行うことができる。一実施形態によれば、データ処理又は演算の少なくとも一部として、プロセッサ１２０は他の構成要素（例：センサモジュール１７６又は通信モジュール１９０）から受信された命令又はデータを揮発性メモリ１３２に記憶し、揮発性メモリ１３２に記憶された命令又はデータを処理し、結果データを不揮発性メモリ１３４に記憶できる。一実施形態によれば、プロセッサ１２０はメインプロセッサ１２１（例：中央処理装置又はアプリケーションプロセッサ）又はそれとは独立して又は共に運用可能な補助プロセッサ１２３（例：グラフィック処理装置、ニューラルプロセッシングユニット（ＮＰＵ：ｎｅｕｒａｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｕｎｉｔ）、イメージシグナルプロセッサ、センサーハブプロセッサ、又はコミュニケーションプロセッサ（ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｏｒ、ＣＰ）を含むことができる。例えば、電子装置１０１がメインプロセッサ１２１及び補助プロセッサ１２３を含む場合、補助プロセッサ１２３はメインプロセッサ１２１より低電力を使用するか、又は所定の機能に特化するように設定され得る。補助プロセッサ１２３はメインプロセッサ１２１とは別個として、又はその一部として実装され得る。

補助プロセッサ１２３は、例えば、メインプロセッサ１２１がインアクティブ（例：スリープ）状態にある間はメインプロセッサ１２１に代わって、又はメインプロセッサ１２１がアクティブ（例：アプリケーション実行）状態にある間はメインプロセッサ１２１とともに、電子装置１０１の構成要素のうち少なくとも１つの構成要素（例：ディスプレイモジュール１６０、センサモジュール１７６、又は通信モジュール１９０）と関連付けられた機能又は状態の少なくとも一部を制御できる。一実施形態によれば、補助プロセッサ１２３（例：イメージシグナルプロセッサ又はＣＰ）は機能的に関連のある他の構成要素（例：カメラモジュール１８０又は通信モジュール１９０）の一部として実装され得る。

一実施形態によれば、補助プロセッサ１２３（例：ニューラルプロセッシングユニット）は人工知能モデルの処理に特化したハードウェア構造を含むことができる。人工知能モデルは機械学習によって生成できる。このような学習は、例えば、人工知能が行われる電子装置１０１自体で行われてもよいし、別途のサーバ（例：サーバ１０８）によって行われてもよい。学習アルゴリズムは、例えば、教師あり学習（ｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄｌｅａｒｎｉｎｇ）、教師なし学習（ｕｎｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄｌｅａｒｎｉｎｇ）、半教師あり学習（ｓｅｍｉ－ｓｕｐｅｒｖｉｓｅｄｌｅａｒｎｉｎｇ）又は強化学習（ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｍｅｎｔｌｅａｒｎｉｎｇ）を含むことができるが、前述した例に限定されない。人工知能モデルは、複数の人工神経網レイヤを含むことができる。人工神経網はディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ：ｄｅｅｐｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋ）、ＣＮＮ（ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋ）、ＲＮＮ（ｒｅｃｕｒｒｅｎｔｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋ）、ＲＢＭ（ｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄＢｏｌｔｚｍａｎｎｍａｃｈｉｎｅ）、ＤＢＮ（ｄｅｅｐｂｅｌｉｅｆｎｅｔｗｏｒｋ）、ＢＲＤＮＮ（ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌｒｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｅｐｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋ）、ディープＱ－ネットワーク（ｄｅｅｐＱ－ｎｅｔｗｏｒｋｓ）又は上記のうち２つ以上の組み合わせのうちの１つであり得るが、前述した例に限定されない。人工知能モデルはハードウェア構造の他にも、追加的に又は代替的に、ソフトウェア構造を含むことができる。

メモリ１３０は、電子装置１０１の少なくとも１つの構成要素（例：プロセッサ１２０又はセンサモジュール１７６）によって使用される様々なデータを記憶できる。データは、例えば、ソフトウェア（例：プログラム１４０）及びそれと関連付けられた命令に対する入力データ又は出力データを含むことができる。メモリ１３０は、揮発性メモリ１３２又は不揮発性メモリ１３４を含むことができる。

プログラム１４０は、メモリ１３０にソフトウェアとして記憶されることができ、例えば、オペレーティングシステム１４２、ミドルウェア１４４又はアプリケーション１４６を含むことができる。

入力モジュール１５０は、電子装置１０１の構成要素（例：プロセッサ１２０）に使用される命令又はデータを電子装置１０１の外部（例：ユーザ）から受信できる。入力モジュール１５０は、例えば、マイク、マウス、キーボード又はデジタルペン（例：スタイラスペン）を含むことができる。

音響出力モジュール１５５は、音響信号を電子装置１０１の外部に出力できる。音響出力モジュール１５５は、例えば、スピーカ又はレシーバを含むことができる。スピーカはマルチメディア再生又は録音再生などの一般的な用途で用いられることができ、レシーバは着信電話を受信するために用いられ得る。一実施形態によれば、レシーバはスピーカとは別として、又はその一部として実装され得る。

ディスプレイモジュール１６０は、電子装置１０１の外部（例：ユーザ）に情報を視覚的に提供できる。ディスプレイモジュール１６０は、例えば、ディスプレイ、ホログラム装置、又はプロジェクタ、及び該当装置を制御するための制御回路を含むことができる。一実施形態によれば、ディスプレイモジュール１６０は、タッチを感知するように設定されたタッチ又はタッチによって発生する力の強度を測定するように設定された圧力センサを含むことができる。

オーディオモジュール１７０は、音を電気信号に変換させるか、逆に電気信号を音に変換させることができる。一実施形態によれば、オーディオモジュール１７０は、入力モジュール１５０を介して音を獲得するか、音響出力装置１５５、又は電子装置１０１と直接若しくは無線で接続された外部電子装置（例：電子装置１０２）（例：スピーカ又はヘッドホン）を介して音を出力できる。

センサモジュール１７６は、電子装置１０１の作動状態（例：電力又は温度）、又は外部の環境状態（例：ユーザ状態）を感知し、感知された状態に対応する電気信号又はデータ値を生成できる。一実施形態によれば、センサモジュール１７６は、例えば、ジェスチャセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサ、マグネチックセンサ、加速度センサ、グリップセンサ、近接センサ、カラーセンサ、ＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）センサ、生体センサ、温度センサ、湿度センサ、又は照度センサを含むことができる。

インタフェース１７７は、電子装置１０１が外部電子装置（例：電子装置１０２）と直接又は無線で接続されるために使用され得る少なくとも１つの所定のプロトコルをサポートできる。一実施形態によれば、インタフェース１７７は、例えば、ＨＤＭＩ（ｈｉｇｈｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎｍｕｌｔｉｍｅｄｉａｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＵＳＢ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌｓｅｒｉａｌｂｕｓ）インタフェース、ＳＤカードインタフェース、又はオーディオインタフェースを含むことができる。

接続端子１７８は、それを介して電子装置１０１が外部電子装置（例：電子装置１０２）と物理的に接続され得るコネクタを含むことができる。一実施形態によれば、接続端子１７８は、例えば、ＨＤＭＩコネクタ、ＵＳＢコネクタ、ＳＤカードコネクタ、又はオーディオコネクタ（例：ヘッドホンコネクタ）を含むことができる。

ハプティクスモジュール１７９は、電気的信号をユーザが触覚又は運動感覚によって認知できる機械的刺激（例：振動又は動き）又は電気的刺激に変換できる。一実施形態によれば、ハプティクスモジュール１７９は、例えば、モータ、圧電素子、又は電気刺激装置を含むことができる。

カメラモジュール１８０は、静止画像及び動画を撮影できる。一実施形態によれば、カメラモジュール１８０は少なくとも１つののレンズ、イメージセンサ、イメージシグナルプロセッサ、又はフラッシュを含むことができる。

電力管理モジュール１８８は、電子装置１０１に供給される電力を管理できる。一実施形態によれば、電力管理モジュール１８８は、例えば、ＰＭＩＣ（ｐｏｗｅｒｍａｎａｇｅｍｅｎｔｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）の少なくとも一部として実装され得る。

バッテリ１８９は、電子装置１０１の少なくとも１つの構成要素に電力を供給できる。一実施形態によれば、バッテリ１８９は、例えば、再充電できない一次電池、再充電可能な二次電池、又は燃料電池を含むことができる。

通信モジュール１９０は、電子装置１０１と外部電子装置（例：電子装置１０２、電子装置１０４、又はサーバ１０８）の間の直接（例：有線）通信チャネル又は無線通信チャネルの確立、及び確立された通信チャネルによる通信をサポートできる。通信モジュール１９０は、プロセッサ１２０（例：アプリケーションプロセッサ）と独立して運営され、直接（例：有線）通信又は無線通信をサポートする少なくとも１つのＣＰを含むことができる。一実施形態によれば、通信モジュール１９０は、無線通信モジュール１９２（例：セルラー通信モジュール、近距離無線通信モジュール、又はＧＮＳＳ（ｇｌｏｂａｌｎａｖｉｇａｔｉｏｎｓａｔｅｌｌｉｔｅｓｙｓｔｅｍ）通信モジュール）又は有線通信モジュール１９４（例：ＬＡＮ（ｌｏｃａｌａｒｅａｎｅｔｗｏｒｋ）通信モジュール、又は電力線通信モジュール）を含むことができる。これらの通信モジュールのうち該当する通信モジュールは第１ネットワーク１９８（例：ブルートゥース、ＷｉＦｉ（ｗｉｒｅｌｅｓｓｆｉｄｅｌｉｔｙ）ｄｉｒｅｃｔ又はＩｒＤＡ（ｉｎｆｒａｒｅｄｄａｔａａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）などの近距離通信ネットワーク）又は第２ネットワーク１９９（例：レガシーセルラーネットワーク、５Ｇネットワーク、次世代通信ネットワーク、インターネット、又はコンピュータネットワーク（例：ＬＡＮ又はＷＡＮ）などの遠距離通信ネットワーク）を介して外部電子装置１０４と通信できる。これらの様々な種類の通信モジュールは１つの構成要素（例：単一チップ）に統合されるか、又は互いに異なる複数の構成要素（例：複数のチップ）で実装され得る。無線通信モジュール１９２は加入者識別モジュール１９６に記憶された加入者情報（例：国際移動体加入者識別番号（ＩＭＳＩ））を用いて第１ネットワーク１９８又は第２ネットワーク１９９のような通信ネットワーク内で電子装置１０１を確認又は認証できる。

無線通信モジュール１９２は、４Ｇネットワーク以後の５Ｇネットワーク及び次世代通信技術、例えば、ＮＲ接続技術（ｎｅｗｒａｄｉｏａｃｃｅｓｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）をサポートできる。ＮＲ接続技術は高容量データの高速伝送（ｅＭＢＢ（ｅｎｈａｎｃｅｄｍｏｂｉｌｅｂｒｏａｄｂａｎｄ））、端末電力最小化と大量端末接続（ｍＭＴＣ（ｍａｓｓｉｖｅｍａｃｈｉｎｅｔｙｐｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ））、又は超高信頼低遅延（ＵＲＬＬＣ（ｕｌｔｒａ－ｒｅｌｉａｂｌｅａｎｄｌｏｗ－ｌａｔｅｎｃｙｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ））をサポートできる。無線通信モジュール１９２は、例えば、高いデータ伝送率の達成のために、高周波帯域（例：ｍｍＷａｖｅ帯域）をサポートできる。無線通信モジュール１９２は、高周波帯域での性能確保のための様々な技術、例えば、ビームフォーミング（ｂｅａｍｆｏｒｍｉｎｇ）、大規模ＭＩＭＯ（ｍａｓｓｉｖｅＭＩＭＯ（ｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｉｎｐｕｔａｎｄｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｏｕｔｐｕｔ））、全次元ＭＩＭＯ（ＦＤ－ＭＩＭＯ：ｆｕｌｌｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＭＩＭＯ）、アレイアンテナ（ａｒｒａｙａｎｔｅｎｎａ）、アナログビームフォーミング（ａｎａｌｏｇｂｅａｍ－ｆｏｒｍｉｎｇ）、又は大規模アンテナ（ｌａｒｇｅｓｃａｌｅａｎｔｅｎｎａ）などの技術をサポートできる。無線通信モジュール１９２は、電子装置１０１、外部電子装置（例：電子装置１０４）又はネットワークシステム（例：第２ネットワーク１９９）に規定される様々な要求事項をサポートできる。一実施形態によれば、無線通信モジュール１９２は、ｅＭＢＢ実現のためのＰｅａｋｄａｔａｒａｔｅ（例：２０Ｇｂｐｓ以上）、ｍＭＴＣ実現のための損失Ｃｏｖｅｒａｇｅ（例：１６４ｄＢ以下）、又はＵＲＬＬＣ実現のためのＵ－ｐｌａｎｅｌａｔｅｎｃｙ（例：ダウンリンク（ＤＬ）及びアップリンク（ＵＬ）がそれぞれ０．５ｍｓ以下、又はラウンドトリップ１ｍｓ以下）をサポートできる。

アンテナモジュール１９７は、信号若しくは電力を外部（例：外部電子装置）に送信するか又は外部から受信できる。一実施形態によれば、アンテナモジュールは、サブストレート（例：ＰＣＢ）上に形成された導電体又は導電性パターンからなる放射体を含むアンテナを含むことができる。一実施形態によれば、アンテナモジュール１９７は複数のアンテナ（例：アレイアンテナ）を含むことができる。この場合、第１ネットワーク１９８又は第２ネットワーク１９９のような通信ネットワークで用いられる通信方式に適した少なくとも１つのアンテナが、例えば、通信モジュール１９０によって上記複数のアンテナの中から選択され得る。信号又は電力は上記選択された少なくとも１つのアンテナを介して通信モジュール１９０と外部電子装置の間で送信又は受信され得る。ある実施形態によれば、放射体以外に他の部品（例：ＲＦＩＣ（ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ））が追加的にアンテナモジュール１９７の一部として形成され得る。

様々な実施形態によれば、アンテナモジュール１９７はミリ波（ｍｍＷａｖｅ）アンテナモジュールを形成できる。一実施形態によれば、ミリ波（ｍｍＷａｖｅ）アンテナモジュールはプリント回路基板、上記プリント回路基板の第１面（例：下面）に若しくはそれに隣接して配置され所定の高周波帯域（例：ｍｍＷａｖｅ帯域）をサポートできるＲＦＩＣ、及び上記プリント回路基板の第２面（例：上面又は側面）に若しくはそれに隣接して配置され上記所定の高周波帯域の信号を送信又は受信できる複数のアンテナ（例：アレイアンテナ）を含むことができる。

上記構成要素のうち少なくとも一部は周辺機器間の通信方式（例：バス、ＧＰＩＯ（ｇｅｎｅｒａｌｐｕｒｐｏｓｅｉｎｐｕｔａｎｄｏｕｔｐｕｔ）、ＳＰＩ（ｓｅｒｉａｌｐｅｒｉｐｈｅｒａｌｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、又はＭＩＰＩ（ｍｏｂｉｌｅｉｎｄｕｓｔｒｙｐｒｏｃｅｓｓｏｒｉｎｔｅｒｆａｃｅ））によって互いに接続されて信号（例：命令又はデータ）を互いに交換できる。

一実施形態によれば、命令又はデータは第２ネットワーク１９９に接続されたサーバ１０８を介して電子装置１０１と外部の電子装置１０４の間で送信又は受信され得る。電子装置１０２又は１０４は電子装置１０１と同一又は異なる種類の装置であり得る。一実施形態によれば、電子装置１０１で実行される動作の全部若しくは一部は外部電子装置１０２、１０４、又は１０８のうち１つ以上の外部電子装置で実行され得る。例えば、電子装置１０１がある機能若しくはサービスを自動的に、又はユーザ若しくは他の装置からの要求に反応して行う必要がある場合、電子装置１０１は機能若しくはサービスを自主的に実行させる代わりに又は追加的に、１つ以上の外部電子装置にその機能若しくはそのサービスの少なくとも一部を行うように要求できる。上記要求を受信した少なくとも１つ以上の外部電子装置は、要求された機能若しくはサービスの少なくとも一部、又は要求と関連付けられた追加機能若しくはサービスを実行し、その実行の結果を電子装置１０１に伝達できる。電子装置１０１は上記結果を、そのまま又は追加的に処理して、要求に対する応答の少なくとも一部として提供できる。そのために、例えば、クラウドコンピューティング、分散コンピューティング、モバイルエッジコンピューティング（ＭＥＣ：ｍｏｂｉｌｅｅｄｇｅｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）又はクライアント－サーバコンピューティング技術が用いられ得る。電子装置１０１は、例えば、分散コンピューティング又はモバイルエッジコンピューティングを用いて超低遅延サービスを提供できる。他の実施形態において、外部の電子装置１０４はＩｏＴ（ｉｎｔｅｒｎｅｔｏｆｔｈｉｎｇｓ）機器を含むことができる。サーバ１０８は、機械学習及び／又は神経網を用いた知能型サーバであり得る。一実施形態によれば、外部の電子装置１０４又はサーバ１０８は第２ネットワーク１９９内に含まれ得る。電子装置１０１は５Ｇ通信技術及びＩｏＴ関連技術に基づいて知能型サービス（例：スマートホーム、スマートシティ、スマートカー、又はヘルスケア）に適用され得る。

図２Ａは、本開示の様々な実施形態による電子装置の前面の斜視図である。図２Ｂは、本開示の様々な実施形態による電子装置の後面の斜視図である。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、一実施形態による電子装置２００（例：図１の電子装置１０１）は、第１面（又は前面）２１０Ａ、第２面（又は後面）２１０Ｂ、及び第１面２１０Ａと第２面２１０Ｂとの間の空間を囲む側面２１０Ｃを含むハウジング２１０を含むことができる。他の実施形態（図示せず）で、ハウジングは、第１面２１０Ａ、第２面２１０Ｂ及び側面２１０Ｃのうちの一部を形成する構造を示す場合もある。

一実施形態によれば、第１面２１０Ａは少なくとも一部が実質的に透明な前面プレート２０２（例：様々なコーティングレイヤを含むグラスプレート、又はポリマープレート）によって形成され得る。第２面２１０Ｂは実質的に不透明な後面プレート２１１によって形成され得る。上記後面プレート２１１は、例えば、コーティング又は着色されたガラス、セラミック、ポリマー、金属（例：アルミニウム、ステンレススチール（ＳＴＳ）、又はマグネシウム）、又は上記物質のうちの少なくとも２つの組み合わせによって形成され得る。上記側面２１０Ｃは、前面プレート２０２及び後面プレート２１１と結合し、金属及び／又はポリマーを含む側面ベゼル構造２１８（又は“側面部材”）によって形成され得る。ある実施形態では、後面プレート２１１及び側面ベゼル構造２１８は一体に形成され同じ物質（例：アルミニウムなどの金属物質）を含むことができる。

図示の実施形態で、上記前面プレート２０２は、上記第１面２１０Ａから上記後面プレート２１１側に曲がってシームレスに（ｓｅａｍｌｅｓｓ）延長された２つの第１領域２１０Ｄを、上記前面プレート２０２の長いエッジ（ｌｏｎｇｅｄｇｅ）の両端に含むことができる。図示の実施形態（図３参照）で、上記後面プレート２１１は、上記第２面２１０Ｂから上記前面プレート２０２側に曲がってシームレスに延長された２つの第２領域２１０Ｅを長いエッジの両端に含むことができる。ある実施形態では、上記前面プレート２０２（又は上記後面プレート２１１）が上記第１領域２１０Ｄ（又は上記第２領域２１０Ｅ）のうちの１つのみを含むことができる。ある実施形態では、上記第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅのうちの一部が含まれない場合もある。上記実施形態で、上記電子装置２００の側面から見て、側面ベゼル構造２１８は、上記のような第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅが含まれない側面側では第１厚さ（又は幅）を有し、上記第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅを含む側面側では上記第１厚さより薄い第２厚さを有することができる。

一実施形態によれば、電子装置２００は、ディスプレイ２０１（例：図１のディスプレイモジュール１６０）、入力装置２０３（例：図１の入力モジュール１５０）、音響出力装置２０７、２１４（例：図１の音響出力モジュール１５５））、センサモジュール２０４、２１９（例：図１のセンサモジュール１７６）、カメラモジュール２０５、２１２、２１３（例：図１のカメラモジュール１８０）、キー入力装置２１７、インジケーター（図示せず）、及びコネクタ２０８、２０９のうちの少なくとも１つ以上を含むことができる。ある実施形態では、上記電子装置２００は、構成要素のうちの少なくとも１つ（例：キー入力装置２１７、又はインジケータ）を省略するか、又は他の構成要素を追加的に含むことができる。

ディスプレイ２０１（例：図１のディスプレイモジュール１６０）は、例えば、前面プレート２０２の上端部分を通して見える場合がある。ある実施形態では、上記第１面２１０Ａ、及び上記側面２１０Ｃの第１領域２１０Ｄを形成する前面プレート２０２を通して上記ディスプレイ２０１の少なくとも一部が見える場合がある。ディスプレイ２０１は、タッチ感知回路、タッチの強さ（圧力）を測定できる圧力センサ、及び／又は電磁式のスタイラスペンを検出するデジタイザと結合されるか、又は隣接して配置され得る。ある実施形態では、上記センサモジュール２０４、２１９の少なくとも一部、及び／又はキー入力装置２１７の少なくとも一部が、上記第１領域２１０Ｄ、及び／又は上記第２領域２１０Ｅに配置され得る。

ある実施形態（図示せず）では、ディスプレイ２０１の画面表示領域の背面に、オーディオモジュール２１４、センサモジュール２０４、カメラモジュール２０５（例：イメージセンサ）、及び指紋センサのうちの少なくとも１つ以上を含むことができる。ある実施形態（図示せず）では、ディスプレイ２０１は、タッチ感知回路、タッチの強さ（圧力）を測定できる圧力センサ、及び／又は電磁式のスタイラスペンを検出するデジタイザと結合されるか、又は隣接して配置され得る。ある実施形態では、上記センサモジュール２０４、２１９の少なくとも一部、及び／又はキー入力装置２１７の少なくとも一部が、上記第１領域２１０Ｄら、及び／又は上記第２領域２１０Ｅらに配置され得る。

入力装置２０３は、マイクを含むことができる。ある実施形態では、入力装置２０３は音の方向を感知できるように配置される複数個のマイクを含むことができる。音響出力装置２０７、２１４はスピーカ２０７、２１４を意味する場合がある。スピーカ２０７、２１４は、外部スピーカ２０７及び通話用レシーバ（例：オーディオモジュール２１４）を含むことができる。ある実施形態では、入力装置２０３（例：マイク）、スピーカ２０７、２１４及びコネクタ２０８、２０９は電子装置２００の上記空間に配置され、ハウジング２１０に形成された少なくとも１つの孔を通して外部環境に露出され得る。ある実施形態では、ハウジング２１０に形成された孔は入力装置２０３（例：マイク）及びスピーカ２０７、２１４のために共用で使用され得る。ある実施形態では、スピーカ２０７、２１４はハウジング２１０に形成された孔が排除されたまま、動作されるスピーカ（例：ピエゾスピーカ）を含むことができる。

センサモジュール２０４、２１９（例：図１のセンサモジュール１７６）は、電子装置２００の内部の作動状態、又は外部の環境状態に対応する電気信号又はデータ値を生成できる。センサモジュール２０４、２１９は、例えば、ハウジング２１０の第１面２１０Ａに配置された第１センサモジュール２０４（例：近接センサ）及び／又は第２センサモジュール（図示せず）（例：指紋センサ）、及び／又は上記ハウジング２１０の第２面２１０Ｂに配置された第３センサモジュール２１９（例：ＨＲＭセンサ）を含むことができる。上記指紋センサはハウジング２１０の第１面２１０Ａ（例：ディスプレイ２０１）及び／又は第２面２１０Ｂに配置される場合もある。電子装置２００は、図示していないセンサモジュール、例えば、ジェスチャセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサ、マグネチックセンサ、加速度センサ、グリップセンサ、カラーセンサ、ＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）センサ、生体センサ、温度センサ、湿度センサ、又は照度センサのうちの少なくとも１つをさらに含むことができる。

カメラモジュール２０５、２１２は、電子装置２００の第１面２１０Ａに配置された第１カメラモジュール２０５、及び第２面２１０Ｂに配置された第２カメラモジュール２１２、及び／又はフラッシュ２１３を含むことができる。上記カメラモジュール２０５、２１２は、１つ又は複数のレンズ、イメージセンサ、及び／又はイメージシグナルプロセッサを含むことができる。フラッシュ２１３は、例えば、発光ダイオード又はキセノンランプ（ｘｅｎｏｎｌａｍｐ）を含むことができる。第１カメラモジュール２０５は、アンダーディスプレイカメラ（ＵＤＣ：ＵｎｄｅｒｄｉｓｐｌａｙＣａｍｅｒａ）方式でディスプレイパネルの下部に配置され得る。ある実施形態では、２つ以上のレンズ（広角及び望遠レンズ）及びイメージセンサが上記電子装置２００の一面に配置され得る。ある実施形態では、電子装置２００の第１面（例えば、画面が表示される面）に複数の第１カメラモジュール２０５がアンダーディスプレイカメラ（ＵＤＣ）方式で配置され得る。

キー入力装置２１７は、ハウジング２１０の側面２１０Ｃに配置され得る。他の実施形態で、電子装置２００は上記言及されたキー入力装置２１７のうちの一部又は全部を含まなくてもよく、含まれないキー入力装置２１７はディスプレイ２０１上にソフトキー、又はタッチキーの形態で実装され得る。ある実施形態で、キー入力装置２１７はディスプレイ２０１に含まれた圧力センサを用いて実装され得る。

インジケータは、例えば、ハウジング２１０の第１面２１０Ａに配置され得る。インジケータは、例えば、電子装置２００の状態情報を光の形態で提供できる。他の実施形態で、インジケータは、例えば、カメラモジュール２０５の動作と連動する光源を提供できる。インジケータは、例えば、ＬＥＤ、ＩＲＬＥＤ及びキセノンランプを含むことができる。

コネクタ２０８、２０９は、外部電子装置と電力及び／又はデータを送受信するためのコネクタ（例えば、ＵＳＢコネクタ）を収容できる第１コネクタ孔２０８、及び／又は外部電子装置とオーディオ信号を送受信するためのコネクタを収容できる第２コネクタ孔２０９（又はイヤホンジャック）を含むことができる。

カメラモジュール２０５、２１２のうちの一部のカメラモジュール２０５、センサモジュール２０４、２１９のうちの一部のセンサモジュール２０４又はインジケータは、ディスプレイ２０１を通して見えるように配置され得る。カメラモジュール２０５はディスプレイ領域と重なって配置されることができ、カメラモジュール２０５と対応するディスプレイ領域でも画面を表示できる。一部のセンサモジュール２０４は電子装置の内部空間で前面プレート２０２を通して視覚的に露出されることなくその機能を遂行するように配置されてもよい。

図３Ａ乃至図３Ｃは、一実施形態による折りたたまれた状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、図３Ａは斜視図で、図３Ｂは正面図で、図３Ｃは後面図である。図４Ａ乃至図４Ｃは、一実施形態による１８０度展開された状態のフォルダブル電子装置を示す図であって、図４Ａは斜視図で、図４Ｂは正面図で、図４Ｃは後面図である。

図３Ａ乃至図４Ｃを参照すると、一実施形態による電子装置１０１（例：図１の電子装置１０１）は、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２を含むフォルダブルハウジング３１０（又は“ハウジング”）、フレキシブルディスプレイ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｄｉｓｐｌａｙ）３２０、ヒンジ組立体（ｈｉｎｇｅａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、カバー３３０（又は“後面カバー”）を含むことができる。一実施形態によれば、カバー３３０は第１ハウジング３１１に含まれる第１カバー３０１と、第２ハウジング３１２に含まれる第２カバー３０２を含むことができる。

一実施形態によれば、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、電子装置１０１の電子部品（例：プリント回路基板、バッテリ、及び／又はプロセッサ）が配置され得る空間を形成し、電子装置１０１の側面を形成できる。一例として、電子装置１０１の様々な機能を行うための様々な種類の部品が第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２内部に配置され得る。例えば、前面カメラ、レシーバ、及び／又はセンサ（例：近接センサ）の電子部品が第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２内部に配置され得る。

一例として、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、電子装置１０１が展開状態（ｕｎｆｏｌｄｅｄｓｔａｔｅ）のときは互いに並んで配置され得る。他の例として、電子装置１０１が折りたたまれた状態（ｆｏｌｄｅｄｓｔａｔｅ）のとき、第１ハウジング３１１は第２ハウジング３１２を基準として回動（又は回転）して、第１ハウジング３１１の一面と第２ハウジング３１２の一面が対向するように配置され得る。

一実施形態によれば、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、フレキシブルディスプレイ３２０を収容するリセス（ｒｅｃｅｓｓ）を形成でき、フレキシブルディスプレイ３２０はリセスに装着されて第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２によって支持され得る。第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、フレキシブルディスプレイ３２０を支持するために所定の剛性を有する金属材質及び／又は非金属材質で形成され得る。

一実施形態によれば、フレキシブルディスプレイ３２０は、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２上に配置され、電子装置１０１が展開状態のとき、電子装置１０１の前面を形成できる。すなわち、フレキシブルディスプレイ３２０は、第１ハウジング３１１の一領域からヒンジ組立体３００を横切り第２ハウジング３１２の少なくとも一領域まで延長されて配置され得る。一実施形態によれば、フレキシブルディスプレイ３２０は、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２によって形成されたリセスに装着されて、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２上に配置され得る。

一例として、フレキシブルディスプレイ３２０は、第１ハウジング３１１の少なくとも一領域と対応する第１領域３２０ａ、第２ハウジング３１２の少なくとも一領域と対応する第２領域３２０ｂ、第１領域３２０ａと第２領域３２０ｂの間に位置し、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）な特性を持つフォールディング領域３２０ｃを含むことができる。ただし、上述した実施形態に限定されず、実施形態によってはフレキシブルディスプレイ３２０の第１領域３２０ａ、第２領域３２０ｂ、フォールディング領域３２０ｃはいずれもフレキシブルな特性を持つように形成されてもよい。

一実施形態で、第１領域３２０ａ、フォールディング領域３２０ｃ、第２領域３２０ｂは電子装置１０１が展開状態のとき、同じ方向に向かって並んで配置され得る。

これと異なり、電子装置１０１が折りたたまれた状態のときは、フォールディング領域３２０ｃが曲がり第１領域３２０ａと第２領域３２０ｂが互いに対向するように配置され得る。

一実施形態によれば、フレキシブルディスプレイ３２０の少なくとも一領域（例：第１領域３２０ａ、第２領域３２０ｂ）が第１ハウジング３１１の一面と第２ハウジング３１２の一面に付着され得る。

他の実施形態によれば、フレキシブルディスプレイ３２０は第１ハウジング３１１の一面及び第２ハウジング３１２の一面に付着される場合もある。

一実施形態によれば、ヒンジ組立体３００は第１ハウジング３１１と第２ハウジング３１２を連結し、第１ハウジング３１１を基準として第２ハウジング３１２を所定の回動範囲内で回転させるか、逆に、第２ハウジング３１２を基準として第１ハウジング３１１を所定の回動範囲内で回転させることができる。

一例として、第１ハウジング３１１と第２ハウジング３１２が連結される領域にはリセス（ｒｅｃｅｓｓ）が形成され、ヒンジ組立体３００が第１ハウジング３１１と第２ハウジング３１２の間に配置され得る。上述したリセスは一例として所定の曲率を有する溝形状に形成され得るが、これに限定されるものではない。

一実施形態によれば、第１ハウジング３１１と第２ハウジング３１２の間にヒンジハウジング３００ｃが配置され、ヒンジハウジング３００ｃにヒンジ組立体３００が組み立てられ得る。一実施形態で、ヒンジハウジング３００ｃはヒンジカバー（ｈｉｎｇｅｃｏｖｅｒ）として参照され得る。

一実施形態によれば、ヒンジハウジング３００ｃは、電子装置１０１の状態によって電子装置１０１の外部から見えるか、又はフォルダブルハウジング３１０によって隠され得る。一例（例：図４Ｃ参照）として、ヒンジハウジング３００ｃは電子装置１０１が展開状態のときはフォルダブルハウジング３１０によって隠されて電子装置１０１の外部から見えない場合がある。他の例（例：図３Ｃ乃至図３Ｃ参照）として、ヒンジハウジング３００ｃは電子装置１０１が折りたたまれた状態のときは第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２の回動によって電子装置１０１の外部から見える場合がある。

図５Ａは、本開示の様々な実施形態による電子装置のハウジングに配置されるコイルアンテナ及びフレキシブル回路基板を示す図である。図５Ｂは、ＮＦＣ駆動回路、ＷＰＣ駆動回路及びＭＳＴ駆動回路がＰＣＢに配置されることを示す図である。図６は、図５Ａに示したＩ－Ｉ’線による断面図である。

図５Ａ乃至図６を参照すると、本開示の様々な実施形態による電子装置５００、６００（例：図１の電子装置１０１）は、第１ハウジング３１１（例：図３Ａの第１ハウジング３１１）及び第２ハウジング３１２（例：図３Ａの第２ハウジング３１２）を含むフォルダブルハウジング３１０、フレキシブルディスプレイ３２０、ヒンジ組立体３００及びカバー（例：図４Ｃのカバー３３０）を含むことができる。ヒンジ組立体３００は第１ハウジング３１１と第２ハウジング３１２を連結し、ヒンジ組立体３００によって第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２が折りたたまれるか又は展開されることができる。

一実施形態によれば、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、電子装置１０１の電子部品（例：プリント回路基板、バッテリ、及び／又はプロセッサ）が配置され得る空間を形成できる。また、第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２は、電子装置５００（例：図１の電子装置１０１、図３Ａの電子装置１０１）の側面の少なくとも一部を形成できる。

一例として、電子装置５００の複数の電子部品（例：プリント回路基板、プロセッサ、メモリ、カメラ、放送受信モジュール及び／又は通信モジュール）が第１ハウジング３１１及び第２ハウジング３１２の内部に設けられた空間に配置され得る。プリント回路基板はＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）、ＰＢＡ（ｐｒｉｎｔｅｄｂｏａｒｄａｓｓｅｍｂｌｙ）及び／又はＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）を含むことができる。

一例として、第１ハウジング３１１（例：図３Ａの第１ハウジング３１１）及び第２ハウジング３１２（例：図３Ａの第２ハウジング３１２）にはフレキシブルディスプレイ（例：図４Ａのフレキシブルディスプレイ３２０）が配置され得る。第１ハウジング３１１にはプロセッサ、メモリ、カメラ及び／又は通信モジュールが配置され得る。一例として、第２ハウジング３１２にはコイルアンテナ５１０、５２０、５３０、ＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）５４０（又はＰＢＡ（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄａｓｓｅｍｂｌｙ））、複数のフレキシブル回路基板５５０、５６０、コネクタ５７０、及びメタルシールド（ｍｅｔａｌｓｈｉｅｌｄ）６７０が配置され得る。

コイルアンテナ５１０、５２０、５３０は、ＷＰＣ（ｗｉｒｅｌｅｓｓｐｏｗｅｒｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）５１０、ＮＦＣ（ｎｅａｒｆｉｅｌｄｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）５２０及び／又はＭＳＴ（ｍａｇｎｅｔｉｃｓｅｃｕｒｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）５３０を含むことができる。一例として、電子装置５００内にＮＦＣ５２０のみが配置されてもよいし、ＮＦＣ５２０とともにＷＰＣ５１０又はＭＳＴ５３０が配置されてもよい。一例として、電子装置５００内にＷＰＣ５１０及びＭＳＴ５３０が配置されてもよい。一例として、電子装置５００内にＮＦＣ５２０、ＷＰＣ５１０及びＭＳＴ５３０がすべて配置されてもよい。

ＰＣＢ５４０は、ＮＦＣ５２０を駆動するためのＮＦＣ駆動回路５４２、ＷＰＣ５１０を駆動するためのＷＰＣ駆動回路５４４、ＭＳＴ５３０を駆動するためのＭＳＴ駆動回路５４６を含むことができる。ＮＦＣ５２０、ＷＰＣ５１０及びＭＳＴ５３０はコネクタ５７０を介してＰＣＢ５４０と電気的に接続され得る。

一例として、複数のＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）６５０、６６０のうちの第１ＦＰＣＢ６５０は、第１ハウジング３１１に配置されたＰＣＢ５８０（又はＰＢＡ）と第２ハウジング３１２に配置されたＰＣＢ５４０（又はＰＢＡ）の間で制御信号の伝達のためのＣ２Ｃ（ｃｏｎｎｅｃｔｏｒｔｏｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）ＦＰＣＢを含むことができる。

一例として、複数のＦＰＣＢ６５０、６６０のうちの第２ＦＰＣＢ６６０は、第１ハウジング３１１に配置されたＰＣＢ５８０（又はＰＢＡ）と第２ハウジング３１２に配置されたＰＣＢ５４０（又はＰＢＡ）の間でＲＦ信号の伝達のためのＦＲＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｃａｂｌｅ）ＦＰＣＢを含むことができる。

一例として、第２ハウジング３１２内でＺ軸方向を基準としてバッテリ１８９の上側にＷＰＣ５１０、６１０及びＮＦＣ５２０、６２０が配置され得る。

一例として、第２ハウジング３１２内でＸ軸を基準として中央部にＷＰＣ５１０、６１０が配置され、ＷＰＣ５１０の両側にＮＦＣ５２０、６２０が配置され得る。第２ハウジング３１２内でＺ軸を基準としてＷＰＣ５１０、６１０の下側にＭＳＴ５３０が配置され得る。

一例として、遮蔽層（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇｌａｙｅｒ又はｓｈｉｅｌｄｉｎｇｓｈｅｅｔ）６４０は、磁場を遮断できる物質で形成されたレイヤ又はシートで形成され得る。遮蔽層６４０は、透磁率の高い物質（例：フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）又はナノクリスタル（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ））で単層又は多層構造で形成され得る。

一例として、遮蔽層６４０は、ＷＰＣ５１０、６１０の下側に配置され得る。ＷＰＣ５１０、６１０とバッテリ１８９の間には遮蔽層６４０が配置され得る。

一例として、遮蔽層６４０は、ＦＰＣＢ６５０、６６０と少なくとも一部が同じ層（ｌａｙｅｒ）に配置され得る。例えば、Ｘ軸方向を基準として第１ＦＰＣＢ６５０と第２ＦＰＣＢ６６０の間に遮蔽層６４０が配置され得る。これに限定されず、遮蔽層６４０の位置と厚さは変更されてもよい。

一例として、第２ハウジング３１２内でＺ軸方向を基準としてバッテリ１８９の上側にＮＦＣ５２０、６２０が配置され得る。ＮＦＣ５２０、６２０とバッテリ１８９の間には複数のＦＰＣＢ６５０、６６０が配置され得る。

一例として、Ｚ軸方向から見て、複数のＦＰＣＢ６５０、６６０のうちの第１ＦＰＣＢ６５０は、ＷＰＣ５１０、６１０の第１側に配置されたＮＦＣ５２０、６２０と少なくとも一部が重なるように配置され得る。複数のＦＰＣＢ６５０、６６０のうちの第２ＦＰＣＢ６６０は、ＷＰＣ５１０、６１０の第２側に配置されたＮＦＣ５２０、６２０と少なくとも一部が重なるように配置され得る。ＮＦＣ６２０と複数のＦＰＣＢ６５０、６６０の側面を囲むようにメタルシールド６７０が配置され得る。

一例として、メタルシールド６７０は、コイルアンテナ６１０、６２０で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽するために金属材質（例：アルミニウム）で形成され得る。メタルシールド６７０は、常磁性体、反磁性体、及び／又は強磁性体で形成され得る。

一例として、メタルシールド６７０は、複数の金属部材で形成され得る。例えば、メタルシールド６７０は、２つ、３つ、４つ、又は５つの金属部材で形成され得る。例えば、各々の金属部材は常磁性体、反磁性体、及び／又は強磁性体で形成され得る。例えば、メタルシールド６７０を構成する複数の金属部材のすべてが常磁性体、反磁性体又は強磁性体で形成されてもよい。例えば、メタルシールド６７０を構成する複数の金属部材のうちの少なくとも１つは常磁性体、又は少なくとも１つは反磁性体、又は残りの一部は強磁性体で形成されてもよい。

一例として、メタルシールド６７０は、アルミニウム、ステンレススチール（ｓｔａｉｎｌｅｓｓｓｔｅｅｌ）、マグネシウム、金、銀、銅、鉄又は上記物質のうちの少なくとも２つの組み合わせによって形成され得る。

一例として、メタルシールド６７０は、ハウジング（例：図５Ａの第２ハウジング３１２）と一体に形成され得る。例えば、メタルシールド６７０の少なくとも一部がハウジング（例：図５Ａの第２ハウジング３１２）に含まれて形成され得る。

一例として、ＮＦＣ６２０が配置された領域の厚さを減らすために、ＮＦＣ６２０には遮蔽層６４０が配置されなくてもよい。ここで、ＮＦＣ６２０の下に遮蔽層６４０がない場合はＮＦＣ６２０で発生した磁場が所望の方向に放射されず、不必要な－Ｚ軸方向に磁場が放射されて干渉が生じる可能性がある。本開示の電子装置５００、６００は、コイルアンテナ（例えば、ＮＦＣ５２０、６２０）の外側に配置されたメタルシールド６７０によって－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、コイルアンテナ（例えば、ＮＦＣ５２０、６２０）で発生する磁場が所望の方向（例：Ｚ軸方向）に放射されるようにすることができる。

図７Ａは、一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。

図７Ａを参照すると、電子装置７０は、コイルアンテナ７１、７２、複数の遮蔽層７４、７７、複数のＦＰＣＢ７５、７６、及びバッテリ１８９を含むことができる。ＷＰＣ７１の両側にはＮＦＣ７２が配置されることができ、ＷＰＣ７１及びＮＦＣ７２の下部には第１遮蔽層７４が配置され得る。ＮＦＣ７２と遮蔽層７４の側面にはＦＰＣＢ７５、７６が配置されることができ、ＦＰＣＢ７５、７６の上側には第２遮蔽層７７が配置され得る。このように、コイルアンテナ７１、７２、遮蔽層７４、７７、及びＦＰＣＢ７５、７６の構造を適用すると、ＷＰＣ７１が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）を有し得る。

バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ７１、７２の上端までの高さは第１高さＢ１を有し得る。このような構造を適用すると、電子装置７０は厚さを減らしてバッテリ１８９の配置空間を確保できる。しかし、第１遮蔽層７４の遮蔽領域内にＷＰＣ７１とＮＦＣ７２がすべて位置しなければならないため、ＷＰＣ７１の面積が減少し得る。

図７Ｂは、一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。

図７Ｂを参照すると、電子装置８０は、コイルアンテナ８１、８２、複数のＦＰＣＢ８５、８６、及びバッテリ１８９を含むことができる。ＷＰＣ８１の面積を確保できるように、第１ＦＰＣＢ８５及び第２ＦＰＣＢ８６の上側にはＮＦＣ８２が配置され得る。ＷＰＣ８１とＮＦＣ８２の磁場遮蔽のために、ＷＰＣ７１とＮＦＣ７２の下部には遮蔽層８４が配置され得る。このように、コイルアンテナ８１、８２、遮蔽層８４、及びＦＰＣＢ８５、８６の構造を適用すると、ＷＰＣ８１が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有することができ、バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ８１、８２の上端までの高さは第１高さＢ１より厚い第２高さＢ２を有し得る。このような構造を適用すると、電子装置８０はＦＰＣＢ８５、８６と重なる位置にＮＦＣ８２を配置してＷＰＣ８１の面積を増加させ得る。しかし、バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ８１、８２の上端までの厚さＢ２（又は、高さＢ２）が増加し得る。電子装置８０の厚さを増加させない場合、バッテリ１８９の厚さを減らさなければならないため、バッテリ１８９の総量が減少するようになる。

この場合、電子装置８０はＮＦＣ８２とＦＰＣＢ８５、８６の間の遮蔽層８４を除去して、バッテリ１８９の厚さを増加させることができる。しかし、ＮＦＣ８２の下部に遮蔽層８４が存在しないことにより－Ｚ軸方向に磁場が放射されてＮＦＣ８２性能が低下し、干渉が生じ得る。

図７Ｃは、一実施形態によるコイルアンテナ、フレキシブル回路基板、遮蔽層の配置構造を比較して示す図である。

図７Ｃを参照すると、コイルアンテナ６１０、６２０のうちのＷＰＣ６１０の下部には遮蔽層８４０が配置されることができ、ＮＦＣ６２０の下部には遮蔽層８４０が配置されないこともできる。ＮＦＣ６２０はＦＰＣＢ６５０、６６０と重なるように配置されることができ、ＷＰＣ６１０が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有し得る。バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ６１０、６２０の上端までの高さは第１高さＢ１を有し得る。コイルアンテナ６１０、６２０と複数のＦＰＣＢ６５０、６６０の側面を囲むようにメタルシールド６７０が配置され得る。メタルシールド６７０によって電子装置６００はコイルアンテナ６１０、６２０で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、コイルアンテナ６１０、６２０で発生する磁場が所望の方向に放射されるようにすることができる。

図８は、本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。

図６及び図８を参照すると、電子装置８００のコイルアンテナ８１０（例：ＮＦＣ）の全体をカバーするように、コイルアンテナ８１０（例：ＮＦＣ）の下部に遮蔽層８２０が形成された場合、コイルアンテナ８１０から放射される磁場８３０のシミュレーション結果が示される。ここで、コイルアンテナ８１０はＮＦＣを基準として単純化して表現されており、ＮＦＣは１ターン又は複数のターンに形成され得る。ＮＦＣコイルの透磁率が１５０ｍｕ遮蔽材に設定され、ＮＦＣに３５０ｍＡの電流を印加したときの磁場８３０の分布が示される。コイルアンテナ８１０（例：ＮＦＣ）の外径より広い範囲に遮蔽層８２０を形成したとき、－Ｚ軸方向の磁場８３０は遮蔽され、Ｚ軸方向の磁場８３０が放射されることが確認できる。

図９は、本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。

図９を参照すると、電子装置９００のコイルアンテナ９１０（例：ＮＦＣ）の一部領域をカバーするように、コイルアンテナ９１０（例：ＮＦＣ）の下部に遮蔽層９２０が形成された場合、コイルアンテナ９１０から放射される磁場９３０のシミュレーション結果が示される。コイルアンテナ９１０はＮＦＣを基準として単純化して表現されており、ＮＦＣは１ターン又は複数のターンに形成され得る。ＮＦＣコイルの透磁率が１５０ｍｕ遮蔽材に設定され、ＮＦＣに３５０ｍＡの電流を印加したときの磁場９３０の分布が示される。コイルアンテナ９１０（例：ＮＦＣ）の一部領域をカバーするように遮蔽層９２０が形成されたとき、－Ｚ軸方向の磁場９３０の一部が遮蔽され、Ｚ軸方向の磁場９３０が放射されることが確認できる。遮蔽層９２０が配置されていない部分では－Ｚ軸方向に一部の磁場９３０が放射されることが確認できる。

図１０は、本開示の一実施形態による遮蔽層の配置によるコイルアンテナで発生する磁場の形態を示す図である。

図１０を参照すると、電子装置１０００のコイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）より小さい領域をカバーするように、コイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）の下部に遮蔽層１０２０が形成された場合、コイルアンテナ１０１０から放射される磁場１０３０のシミュレーション結果が示される。ここで、コイルアンテナ１０１０はＮＦＣを基準として単純化して表現しており、ＮＦＣは１ターン又は複数のターンに形成され得る。ＮＦＣコイルの透磁率が１５０ｍｕ遮蔽材に設定され、ＮＦＣに３５０ｍＡの電流を印加したときの磁場１０３０の分布が示される。コイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）領域より小さく遮蔽層１０２０が形成されたとき、－Ｚ軸方向の磁場１０３０が遮蔽されずに放射されることが確認できる。遮蔽層９２０が配置されていない部分から－Ｚ軸方向へ磁場９３０が放射されてＮＦＣの性能が劣化し、磁場による干渉が生じ得る。

図１１は、本開示の一実施形態によるメタルシールド（例：フロントメタル）が遮蔽領域を囲むように配置されることを示す図である。

図６及び図１１を参照すると、本開示の様々な実施形態による電子装置６００、１１００（例：図１の電子装置１０１）は、コイルアンテナがＮＦＣ６２０、１１００及びＷＰＣ６１０を含むことができる。これに限定されず、コイルアンテナはＮＦＣ６２０、１１００、ＷＰＣ６１０及びＭＳＴ（例：図５のＭＳＴ５３０）を含むことができる。

ＮＦＣ６２０、１１１０及びＷＰＣ６１０は、Ｚ軸方向を基準として同じ高さに配置され得る。ＮＦＣ６２０、１１１０はＦＰＣＢ６５０、６６０の上側に配置され得る。ＮＦＣ６２０、１１１０より小さい面積をカバーするように遮蔽層６４０、１１２０が配置され得る。遮蔽層１１２０は、図６に示したように、ＷＰＣ６１０をカバーするように、Ｚ軸方向を基準としてＷＰＣ６１０の下部に配置され得る。ＷＰＣ５１０、６１０とバッテリ１８９の間には遮蔽層６４０が配置され得る。

メタルシールド６７０、１１３０は、ＮＦＣ６２０、１１１０の側面を囲むように配置され得る。一例として、メタルシールド６７０、１１３０は、ＮＦＣ６２０、１１１０で発生する磁場のうちの－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽できる。メタルシールド６７０、１１３０は常磁性体、反磁性体、又は強磁性体で形成され得る。

メタルシールド６７０、１１３０は、Ｘ軸方向にＮＦＣ６２０、１１１０から第１幅ｗ１だけ離隔して配置され得る。一例として、メタルシールド６７０、１１３０は、Ｘ軸方向にＮＦＣ６２０、１１１０から２ｍｍ～１００ｍ離隔して配置され得る。

メタルシールド６７０、１１３０は、Ｙ軸方向にＮＦＣ６２０、１１１０から第２幅ｗ２だけ離隔して配置され得る。一例として、メタルシールド６７０、１１３０は、Ｙ軸方向にＮＦＣ６２０、１１１０から０．１ｍｍ～５．０ｍ離隔して配置され得る。

ＮＦＣ６２０、１１１０とＸ軸及びＹ軸方向に所定の間隔をおいて、ＮＦＣ６２０、１１１０の側面を囲むようにメタルシールド６７０、１１３０が配置されることによって、電子装置はＮＦＣ６２０、１１１０で発生した－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽できる。このように、電子装置は、メタルシールド６７０、１１３０によって－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、ＮＦＣ６２０、１１１０で発生する磁場が所望の方向（例：Ｚ軸方向）に放射されるようにすることができる。

図１２は、メタルシールド（例：フロントメタル）と遮蔽領域の間の間隔の一例を示す図である。

図６及び図１２を参照すると、本開示の一実施形態による電子装置１２００は、バッテリ１８９、ＮＦＣ１２１０、及びＦＰＣＢ１２２０を配置するためのフロントメタル１２３０を含むことができる。

本開示では、フロントメタル１２３０を常磁性体、反磁性体又は強磁性体のメタルで形成し、フロントメタル１２３０が図６のメタルシールド６７０を代替できる。すなわち、電子装置は－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽するために別途のメタルシールドを形成することなく、フロントメタル１２３０でメタルシールド６７０を実装できる。

ここで、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）は、Ｘ軸方向にＮＦＣ１２１０から第１幅ｗ１だけ離隔して配置され得る。一例として、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）は、Ｘ軸方向にＮＦＣ１２１０から２ｍｍ～５ｍｍ離隔して配置され得る。また、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）は、Ｚ軸方向にＮＦＣ１２１０の下端から第１高さｈ１だけ離隔して配置され得る。一例として、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）はＺ、軸方向にＮＦＣ１２１０の下端から０．２ｍｍ～２．０ｍｍ離隔して配置され得る。

コイルアンテナ６１０、６２０と複数のＦＰＣＢ６５０、６６０の側面方向にフロントメタル１２３０（例：メタルシールド）が配置され、電子装置は、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）によってＮＦＣ６２０で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、コイルアンテナ６１０、６２０で発生する磁場が所望の方向に放射されるようにすることができる。すなわち、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド）がＺ軸方向にＮＦＣ１２１０より下側に配置され、ＮＦＣ１２１０から所定の距離だけ離隔してもＮＦＣ１２１０で発生する磁場のうちの－Ｚ軸方向の磁場が遮蔽され得る。

図７Ｃと結び付けて説明すると、コイルアンテナ６１０、６２０のうちのＷＰＣ６１０の下部に遮蔽層８４０が配置され、ＮＦＣ６２０の下部には遮蔽層８４０が配置されなくてもよい。ＮＦＣ６２０はＦＰＣＢ６５０、６６０と重なるように配置され、ＷＰＣ６１０が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有し得る。ＷＰＣ６１０が配置される領域が広くなることによりＷＰＣ６１０を広く形成できる。一例として、図７の（ａ）のような構造ではＷＰＣ６１０の直径を最大３３ｍｍに形成できた。一方、図７の（ｃ）及び図１２のような構造ではＷＰＣ６１０の直径を約４２ｍｍに形成できる。これにより、無線充電の認識領域及び充電効率が向上できる。

図１３は、常磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。

図１３を参照すると、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）は常磁性体のメタル材質で形成できる。ここで、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）はアルミニウムで形成され得る。しかし、これに限定されず、常磁性体の透磁率（Ｍｕ）を満足するメタルでフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）が形成され得る。常磁性体で形成されるフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）の透磁率は約１（Ｍｕ＝１）であり得る。

図１４は、反磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。

図１４を参照すると、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）は反磁性体のメタル材質で形成できる。ここで、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）はアルミニウムで形成され得る。しかし、これに限定されず、反磁性体の透磁率（Ｍｕ）を満足するメタルでフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）が形成されてもよい。反磁性体で形成されるフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）の透磁率は約０．５（Ｍｕ＝０．５）であり得る。

図１５は、強磁性体でメタルシールド（例：フロントメタル）を形成した場合の磁場の形態を示す図である。

図１５を参照すると、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）は強磁性体のメタル材質で形成できる。ここで、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）はアルミニウムで形成され得る。しかし、これに限定されず、強磁性体の透磁率（Ｍｕ）を満足するメタルでフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）が形成されてもよい。強磁性体で形成されるフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）の透磁率は約１５０（Ｍｕ＝１５０）であり得る。

図１３乃至図１５を参照すると、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）がＮＦＣ（例：図６のＮＦＣ６２０、図１２のＮＦＣ１２１０）からＸ軸方向に１００ｍｍだけ離隔するように配置され、Ｙ軸方向に５ｍｍだけ離隔するように配置されることを仮定してシミュレーションを行って磁場の分布を示した。

フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を常磁性体、反磁性体又は強磁性体で形成すると－Ｚ軸方向の磁場が遮蔽されることが確認できる。

一例として、図１３の（ａ）のように、電子装置６００にフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用しない場合、Ｚ軸方向の磁場１３１０、Ｘ軸方向の磁場１３２０及び－Ｚ軸方向の磁場１３３０が放射されることが確認できる。

一例として、図１３の（ｂ）のように、電子装置６００に常磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、－Ｚ軸方向の磁場１３３０が遮蔽されることが確認できる。

一例として、図１４の（ａ）のように、電子装置６００にフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用しない場合、Ｚ軸方向の磁場１４１０、Ｘ軸方向の磁場１４２０及び－Ｚ軸方向の磁場１４３０が放射されることが確認できる。

一例として、図１４の（ｂ）のように、電子装置６００に常磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、－Ｚ軸方向の磁場１４３０が遮蔽されることが確認できる。

一例として、図１５の（ａ）のように、電子装置６００にフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用しない場合、Ｚ軸方向の磁場１５１０、Ｘ軸方向の磁場１５２０及び－Ｚ軸方向の磁場１５３０が放射されることが確認できる。

一例として、図１５の（ｂ）のように、電子装置６００に常磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、－Ｚ軸方向の磁場１５３０が遮蔽されることが確認できる。

フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）が常磁性体、反磁性体又は強磁性体で形成されると、－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽する効果が得られるが、電子装置は磁性体の分布を分析することで常磁性体、反磁性体又は強磁性体の中から最も適した材料を確認できる。

図１３のように、電子装置６００に常磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、金属表面に磁場が発生する生じる分布が現れる。図１４のように、電子装置６００に反磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、磁場が金属を貫通する分布が現れる。

図１５のように、電子装置６００に強磁性体のフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用すると、金属の表面を覆うように磁場が形成される分布が現れる。常磁性体、反磁性体及び強磁性体はいずれも磁場を遮蔽する効果が得られるが、メタル材質の適用が容易で－Ｚ軸方向の磁場の抑制程度を判断した場合、常磁性体でフロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）が適用されることが効果的である。

本開示の他の例として、電子装置は、フロントメタル１２３０（例：メタルシールド６７０）を適用せず、ＮＦＣの周辺に厚さが約１ｍｍのメタルワイヤを配置しても磁場を遮蔽する効果を得ることができる。ここで、－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽するためにはＺ軸方向でＮＦＣより低い位置にメタルワイヤが配置される必要がある。Ｚ軸方向でＮＦＣより高い位置にメタルワイヤを配置すると、Ｚ軸方向の磁場が遮蔽され得る。ここで、ＮＦＣとメタルワイヤの間の距離は磁場の遮蔽性能に大きく影響を与えないが、ＮＦＣと隣接（例：１０ｍｍ以内）するようにメタルワイヤを配置して、－Ｚ軸方向の磁場が遮蔽され得る。

一実施形態による電子装置は、ハウジング、上記ハウジングに配置された第１回路基板、上記第１回路基板を電気的に接続するフレキシブル回路基板、上記ハウジングの内部に配置され、磁場を発生させるように形成された導電性パターンが形成された複数のアンテナを含むコイルアンテナ、上記複数のアンテナのうちの第１アンテナの下部に配置される遮蔽層、及び上記コイルアンテナの側面に配置され、上記コイルアンテナによって磁場のうちの第１方向の磁場を遮蔽するメタルシールドを含むことができる。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナから第１方向に第１距離だけ離隔し、第２方向に第２距離だけ離隔して配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナから第１方向に２ｍｍ～１００ｍｍ離隔して配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナから第２方向に０．１ｍｍ～５．０ｍｍ離隔して配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナの下端から第３方向に０．２ｍｍ～２．０ｍｍ離隔して配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナの下端より低い位置に配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは－ｚ軸方向の磁場を遮蔽できる。

一実施形態によれば、上記フレキシブル回路基板は、上記複数のアンテナのうちの第２アンテナと重なり、上記遮蔽層は、上記第２アンテナと重ならないように配置され得る。

一実施形態によれば、上記コイルアンテナは、ＷＰＣ（ｗｉｒｅｌｅｓｓｐｏｗｅｒｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）、ＮＦＣ（ｎｅａｒｆｉｅｌｄｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）及びＭＳＴ（ｍａｇｎｅｔｉｃｓｅｃｕｒｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を含むことができる。

一実施形態によれば、上記第１アンテナは、上記ＷＰＣを含み、上記第２アンテナは上記ｎｆｃを含むことができる。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、常磁性体、反磁性体、強磁性体のうちの１つを含むことができる。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、透磁率（Ｍｕ）が約１である上記常磁性体で形成され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、透磁率（Ｍｕ）が約０．５である上記反磁性体で形成され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは透磁率（Ｍｕ）が約１５０である上記強磁性体で形成され得る。

一実施形態による、電子装置は、第１ハウジング、第２ハウジング、上記第１ハウジング及び上記第２ハウジングが折りたたまれるか又は展開されるように上記第１ハウジングと上記第２ハウジングの間に配置されるヒンジ構造体、上記第１ハウジングに配置される第１プリント回路基板、上記第２ハウジングに配置される第２プリント回路基板、上記第１プリント回路基板と上記第２プリント回路基板を電気的に接続するフレキシブル回路基板、上記第２ハウジングの内部に配置され、磁場を発生させるように形成された導電性パターンが形成された複数のアンテナを含むコイルアンテナ、上記複数のアンテナのうちの第１アンテナの下部に配置される遮蔽層、及び上記コイルアンテナの側面に配置され、上記コイルアンテナによって磁場のうちの第１方向の磁場を遮蔽するメタルシールドを含むことができる。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナから第１方向に２ｍｍ～１００ｍｍ離隔して配置され、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナから第２方向に０．１ｍｍ～５．０ｍｍ離隔して配置され、上記メタルシールドは、上記コイルアンテナの下端から第３方向に０．２ｍｍ～２．０ｍｍ離隔して配置され得る。

一実施形態によれば、上記メタルシールドは、常磁性体、反磁性体、強磁性体のうちの１つを含み、上記メタルシールドは、透磁率（Ｍｕ）が約１である上記常磁性体、透磁率（Ｍｕ）が約０．５である上記反磁性体、又は透磁率（Ｍｕ）が約１５０である上記強磁性体で形成され得る。

本文書に開示された様々な実施形態による電子装置は様々な形態の装置であり得る。電子装置は、例えば、携帯用通信装置（例：スマートフォン）、コンピュータ装置、携帯用マルチメディア装置、携帯用医療機器、カメラ、ウェアラブル装置、又は家電装置を含むことができる。本文書の実施形態による電子装置は前述の機器らに限定されない。

本文書の様々な実施形態及びそれらに用いられた用語は、本文書に記載された技術的特徴を特定の実施形態に限定するものではなく、該当実施形態の様々な変更、均等物、又は代替物を含むものと理解されるべきである。図面の説明に関して、類似又は関連する構成要素に対しては類似の符号が用いられ得る。アイテムに対応する名詞の単数形は関連する文脈上明らかに異なることを示さない限り、上記アイテムの１つ又は複数個を含むことができる。本文書で、“Ａ又はＢ”、“Ａ及びＢのうち少なくとも１つ”、“Ａ又はＢのうち少なくとも１つ”、“Ａ、Ｂ又はＣ”、“Ａ、Ｂ及びＣのうち少なくとも１つ”、及び“Ａ、Ｂ、又はＣのうち少なくとも１つ”のような句の各々はその句のうちの該当する句とともに並べられた項目のうちのいずれか１つ、又はそれらの可能なすべての組み合わせを含むことができる。“第１”、“第２”、又は“１番目”又は“２番目”などの用語は単に該当構成要素を他の構成要素と区別するために用いられることができ、該当構成要素を他の側面（例：重要性又は順序）で限定するものではない。ある（例：第１）構成要素が他の（例：第２）構成要素に、“機能的に”若しくは“通信的に”という用語とともに又はそのような用語なしで、“カップルド”又は”コネクテッド”と言及された場合、それは上記のある構成要素が上記の他の構成要素に直接的に（例：有線で）、無線で、又は第３構成要素を介して接続され得ることを意味する。

本文書の様々な実施形態で用いられた用語“モジュール”は、ハードウェア、ソフトウェア又はファームウェアで実装されたユニットを含むことができ、例えば、ロジック、論理ブロック、部品、又は回路などの用語と相互互換的に用いられ得る。モジュールは、一体として構成された部品、又は１つ若しくはそれ以上の機能を行う、上記部品の最小単位若しくはその一部であり得る。例えば、一実施形態によれば、モジュールはＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で実装され得る。

本文書の様々な実施形態は、機械（ｍａｃｈｉｎｅ）（例：電子装置）判読可能な記憶媒体（ｓｔｏｒａｇｅｍｅｄｉｕｍ）（例：内蔵メモリ又は外付けメモリ）に記憶された１つ以上の命令を含むソフトウェア（例：プログラム）として実装され得る。例えば、機器（例：電子装置）のプロセッサ（例：プロセッサ）は、記憶媒体から記憶された１つ以上の命令のうち少なくとも１つの命令を呼び出し、それを実行できる。これは機械が上記呼び出された少なくとも１つの命令に従って少なくとも１つの機能を遂行するように運営されることを可能にする。上記１つ以上の命令はコンパイラによって生成されたコード又はインタプリタによって実行され得るコードを含むことができる。機械判読可能な記憶媒体は、非一時的な（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）記憶媒体の形態で提供され得る。ここで、「非一時的」は記憶媒体が実在する（ｔａｎｇｉｂｌｅ）装置で、信号（ｓｉｇｎａｌ）（例：電磁波）を含まないことを意味するのみであって、この用語はデータが記憶媒体に半永久的に記憶される場合と一時的に記憶される場合を区分するものではない。

一実施形態によれば、本文書に開示された様々な実施形態による方法は、コンピュータプログラム製品（ｃｏｍｐｕｔｅｒｐｒｏｇｒａｍｐｒｏｄｕｃｔ）に含まれて提供され得る。コンピュータプログラム製品は、商品として販売者及び購買者の間で取引されることができる。コンピュータプログラム製品は、機械判読可能な記憶媒体（例：ｃｏｍｐａｃｔｄｉｓｃｒｅａｄｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ（ＣＤ－ＲＯＭ））の形態で配布されるか、又はアプリケーションストア（例：プレイストア^ＴＭ）を介して若しくは２つのユーザデバイス（例：スマートフォン）の間で直接、オンラインで配信（例：ダウンロード又はアップロード）され得る。オンライン配信の場合、コンピュータプログラム製品の少なくとも一部は製造会社のサーバ、アプリケーションストアのサーバ、又は中継サーバのメモリなどの機械判読可能な記憶媒体に少なくとも一時的に記憶されるか、一時的に生成され得る。

様々な実施形態によれば、上述した構成要素の各々の構成要素（例：モジュール又はプログラム）は単数又は複数の個体を含むことができ、複数の個体のうちの一部は他の構成要素に分離配置されることもできる。様々な実施形態によれば、前述の該当構成要素のうち１つ以上の構成要素若しくは動作が省略されるか、又は１つ以上の他の構成要素若しくは動作が追加され得る。代替的又は追加的に、複数の構成要素（例：モジュール又はプログラム）は１つの構成要素に統合され得る。この場合、統合された構成要素は上記複数の構成要素の各々の構成要素の１つ以上の機能を上記統合以前に上記複数の構成要素のうち該当構成要素によって行われていたものと同一又は類似するように行うことができる。様々な実施形態によれば、モジュール、プログラム又は他の構成要素によって行われる動作は順次に、並列的に、反復的に、又はヒューリスティックに実行されるか、上記動作のうち１つ以上が他の順序で実行されるか、省略されるか、又は１つ以上の他の動作が追加され得る。

図示の実施形態で、上記前面プレート２０２は、上記第１面２１０Ａから上記後面プレート２１１側に曲がってシームレスに（ｓｅａｍｌｅｓｓ）延長された２つの第１領域２１０Ｄを、上記前面プレート２０２の長いエッジ（ｌｏｎｇｅｄｇｅ）の両端に含むことができる。図示の実施形態（図２Ｂ参照）で、上記後面プレート２１１は、上記第２面２１０Ｂから上記前面プレート２０２側に曲がってシームレスに延長された２つの第２領域２１０Ｅを長いエッジの両端に含むことができる。ある実施形態では、上記前面プレート２０２（又は上記後面プレート２１１）が上記第１領域２１０Ｄ（又は上記第２領域２１０Ｅ）のうちの１つのみを含むことができる。ある実施形態では、上記第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅのうちの一部が含まれない場合もある。上記実施形態で、上記電子装置２００の側面から見て、側面ベゼル構造２１８は、上記のような第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅが含まれない側面側では第１厚さ（又は幅）を有し、上記第１領域２１０Ｄ又は第２領域２１０Ｅを含む側面側では上記第１厚さより薄い第２厚さを有することができる。

図７Ｂを参照すると、電子装置８０は、コイルアンテナ８１、８２、複数のＦＰＣＢ８５、８６、及びバッテリ１８９を含むことができる。ＷＰＣ８１の面積を確保できるように、第１ＦＰＣＢ８５及び第２ＦＰＣＢ８６の上側にはＮＦＣ８２が配置され得る。ＷＰＣ８１とＮＦＣ８２の磁場遮蔽のために、ＷＰＣ８１とＮＦＣ８２の下部には遮蔽層８４が配置され得る。このように、コイルアンテナ８１、８２、遮蔽層８４、及びＦＰＣＢ８５、８６の構造を適用すると、ＷＰＣ８１が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有することができ、バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ８１、８２の上端までの高さは第１高さＢ１より厚い第２高さＢ２を有し得る。このような構造を適用すると、電子装置８０はＦＰＣＢ８５、８６と重なる位置にＮＦＣ８２を配置してＷＰＣ８１の面積を増加させ得る。しかし、バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ８１、８２の上端までの厚さＢ２（又は、高さＢ２）が増加し得る。電子装置８０の厚さを増加させない場合、バッテリ１８９の厚さを減らさなければならないため、バッテリ１８９の総量が減少するようになる。

図７Ｃを参照すると、コイルアンテナ６１０、６２０のうちのＷＰＣ６１０の下部には遮蔽層８４０が配置されることができ、ＮＦＣ６２０の下部には遮蔽層６４０が配置されないこともできる。ＮＦＣ６２０はＦＰＣＢ６５０、６６０と重なるように配置されることができ、ＷＰＣ６１０が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有し得る。バッテリ１８９の下端からコイルアンテナ６１０、６２０の上端までの高さは第１高さＢ１を有し得る。コイルアンテナ６１０、６２０と複数のＦＰＣＢ６５０、６６０の側面を囲むようにメタルシールド６７０が配置され得る。メタルシールド６７０によって電子装置６００はコイルアンテナ６１０、６２０で発生する－Ｚ軸方向の磁場を遮蔽し、コイルアンテナ６１０、６２０で発生する磁場が所望の方向に放射されるようにすることができる。

図１０を参照すると、電子装置１０００のコイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）より小さい領域をカバーするように、コイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）の下部に遮蔽層１０２０が形成された場合、コイルアンテナ１０１０から放射される磁場１０３０のシミュレーション結果が示される。ここで、コイルアンテナ１０１０はＮＦＣを基準として単純化して表現しており、ＮＦＣは１ターン又は複数のターンに形成され得る。ＮＦＣコイルの透磁率が１５０ｍｕ遮蔽材に設定され、ＮＦＣに３５０ｍＡの電流を印加したときの磁場１０３０の分布が示される。コイルアンテナ１０１０（例：ＮＦＣ）領域より小さく遮蔽層１０２０が形成されたとき、－Ｚ軸方向の磁場１０３０が遮蔽されずに放射されることが確認できる。遮蔽層１０２０が配置されていない部分から－Ｚ軸方向へ磁場１０３０が放射されてＮＦＣの性能が劣化し、磁場による干渉が生じ得る。

図７Ｃと結び付けて説明すると、コイルアンテナ６１０、６２０のうちのＷＰＣ６１０の下部に遮蔽層６４０が配置され、ＮＦＣ６２０の下部には遮蔽層８４０が配置されなくてもよい。ＮＦＣ６２０はＦＰＣＢ６５０、６６０と重なるように配置され、ＷＰＣ６１０が配置される領域は第１幅Ａ１（又は第１距離）より広い第２幅Ａ２（又は第２距離）を有し得る。ＷＰＣ６１０が配置される領域が広くなることによりＷＰＣ６１０を広く形成できる。一例として、図７Ａのような構造ではＷＰＣ６１０の直径を最大３３ｍｍに形成できた。一方、図７Ｃ及び図１２のような構造ではＷＰＣ６１０の直径を約４２ｍｍに形成できる。これにより、無線充電の認識領域及び充電効率が向上できる。

１００ネットワーク環境
１０１、１０２、１０４電子装置
１０８サーバ
１２０プロセッサ
１２１メインプロセッサ
１２３補助プロセッサ
１３０メモリ
１３２揮発性メモリ
１３４不揮発性メモリ
１４０プログラム
１４２オペレーティングシステム
１４４ミドルウェア
１４６アプリケーション
１５０入力モジュール
１５５音響出力モジュール
１６０ディスプレイモジュール
１７０オーディオモジュール
１７６センサモジュール
１７７インタフェース
１７８接続端子
１７９ハプティクスモジュール
１８０カメラモジュール
１８８電力管理モジュール
１８９バッテリ
１９０通信モジュール
１９２無線通信モジュール
１９４有線通信モジュール
１９６加入者識別モジュール
１９７アンテナモジュール
１９８第１ネットワーク
１９９第２ネットワーク
２００電子装置
２０２前面プレート
２０１ディスプレイ
２０３入力装置
２０４、２１９センサモジュール
２０５、２１２、２１３カメラモジュール
２０７、２１４音響出力装置
２０８、２０９コネクタ
２１０ハウジング
２１０Ａ第１面
２１０Ｂ第２面
２１０Ｃ側面
２１０Ｄ第１領域
２１０Ｅ第２領域
２１１後面プレート
２１７キー入力装置
２１８側面ベゼル構造
３００ヒンジ組立体
３００ｃヒンジハウジング
３１０ハウジング
３１１第１ハウジング
３１２第２ハウジング
３２０フレキシブルディスプレイ
３２０ａ第１領域
３２０ｂ第２領域
３２０ｃフォールディング領域
３３０カバー
５００電子装置
５１０、５２０、５３０コイルアンテナ
５４０、５８０ＰＣＢ
５４４ＷＰＣ駆動回路
５４６ＭＳＴ駆動回路
５５０、５６０フレキシブル回路基板
５７０コネクタ
６１０ＷＰＣ
６２０ＮＦＣ
６４０遮蔽層
６５０、６６０ＦＰＣＢ
６７０メタルシールド
７０電子装置
７１、７２コイルアンテナ
７４、７７遮蔽層
７５、７６ＦＰＣＢ
８０電子装置
８１、８２コイルアンテナ
８４遮蔽層
８５、８６ＦＰＣＢ
８００電子装置
８１０コイルアンテナ
８２０遮蔽層
８３０磁場
８４０遮蔽層
９００電子装置
９１０コイルアンテナ
９２０遮蔽層
９３０磁場
１０００電子装置
１０１０コイルアンテナ
１０２０遮蔽層
１０３０磁場
１１００電子装置
１１００ＮＦＣ
１１３０メタルシールド
１２１０ＮＦＣ
１２３０フロントメタル
１３３０磁場
１４１０Ｚ軸方向の磁場
１４２０Ｘ軸方向の磁場
１４３０－Ｚ軸方向の磁場
１５１０Ｚ軸方向の磁場
１５２０Ｘ軸方向の磁場
１５３０－Ｚ軸方向の磁場

Claims

電子装置であって、
ハウジング；
前記ハウジングに配置された第１回路基板；
前記第１回路基板を電気的に接続するフレキシブル回路基板；
前記ハウジングの内部に配置され、磁場を発生させるように形成された導電性パターンが形成された複数のアンテナを含むコイルアンテナ；
前記複数のアンテナのうちの第１アンテナの下部に配置される遮蔽層；及び
前記コイルアンテナの側面に配置され、前記コイルアンテナによって磁場のうちの第１方向の磁場を遮蔽するメタルシールド；を含む、電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナから第１方向に第１距離だけ離隔し、第２方向に第２距離だけ離隔して配置される請求項１に記載の電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナから前記第１方向に２ｍｍ～１００ｍｍ離隔して配置される請求項２に記載の電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナから前記第２方向に０．１ｍｍ～５．０ｍｍ離隔して配置される請求項３に記載の電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナの下端から第３方向に０．２ｍｍ～２．０ｍｍ離隔して配置される請求項２に記載の電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナから第１方向に２ｍｍ～１００ｍｍ離隔して配置され、
前記メタルシールドは前記コイルアンテナから第２方向に０．１ｍｍ～５．０ｍｍ離隔して配置され、
前記メタルシールドは前記コイルアンテナの下端から第３方向に０．２ｍｍ～２．０ｍｍ離隔して配置される請求項１に記載の電子装置。
前記メタルシールドは前記コイルアンテナの下端より低い位置に配置される請求項６に記載の電子装置。
前記メタルシールドは－ｚ軸方向の磁場を遮蔽する請求項７に記載の電子装置。
前記フレキシブル回路基板は前記複数のアンテナのうちの第２アンテナと重なり、
前記遮蔽層は前記第２アンテナと重ならないように配置される請求項１に記載の電子装置。
前記コイルアンテナはＷＰＣ（ｗｉｒｅｌｅｓｓｐｏｗｅｒｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）、ＮＦＣ（ｎｅａｒｆｉｅｌｄｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）及びＭＳＴ（ｍａｇｎｅｔｉｃｓｅｃｕｒｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を含む請求項９に記載の電子装置。
前記第１アンテナは前記ＷＰＣを含み、
前記第２アンテナは前記ＮＦＣを含む請求項１０に記載の電子装置。
前記メタルシールドは常磁性体、反磁性体、強磁性体のうちの１つを含む請求項１に記載の電子装置。
前記メタルシールドは透磁率（Ｍｕ）が約１である前記常磁性体で形成される請求項１２に記載の電子装置。
前記メタルシールドは透磁率（Ｍｕ）が約０．５である前記反磁性体で形成される請求項１２に記載の電子装置。
前記メタルシールドは透磁率（Ｍｕ）が約１５０である前記強磁性体で形成される請求項１２に記載の電子装置。