KR102536262B1 - 금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 Download PDF

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Abstract

전자 장치가 개시된다. 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제1 플레이트, 제1 플레이트와 반대 방향으로 향하는 제2 플레이트, 제2 플레이트와 결합하거나 일체로 형성되며, 제1 플레이트 및 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재와 측면 부재와 결합하거나 일체로 형성되고, 공간 내에 연장된 중간 플레이트 (mid-plate)를 포함하며, 측면 부재는, 전자 장치의 외부 표면의 일부를 형성하는 제1 면 및 공간 내부로 노출된 제2 면 사이에 알루미늄 기재층, 제1 면 및 알루미늄 기재층 사이에 형성되며 제1 면에 실질적으로 수직 방향으로 연장된 복수의 미세공들을 포함하는 알루미늄 산화층, 제1 면 및 알루미늄 산화층 사이에 포어들 및 알루미늄 산화층의 표면을 따라 컨포말(conformally)하게 형성되고 티타늄을 포함하는 제1 층, 및 제1 면을 형성하도록, 제1 층 상에 형성되며, 티타늄을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.

Description

금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치{AN HOUSING INCLUDING MTAL MEMBER AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
개시된 다양한 실시예는 금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치의 발달은 우리 생활에 밀착되는 다양한 분야에 적용되기에 이르렀다. 이러한 전자 장치들은 그 기능 및 사용자의 선호도에 따라 다양한 크기로 출시되는 바, 장치의 기능 및 슬림화뿐만 아니라 외적 미려함에도 고려하고 있으며, 전자 장치는 대체적으로 동일한 기능을 보유하고 있다고 하더라도 보다 우수하고 미려한 디자인을 가진 차별화된 장치가 좀더 사용자에게 선호되고 있는 실정이다.
금속 소재로 형성된 하우징의 외관은 사용자에게 다양한 질감, 색상을 제공하기 위하여, 증착층을 형성하고 있다. 증착층의 색상은 다양하게 형성할 수 있고, 금속 질감을 제공할 수 있어, 하우징의 외관을 형성하는데 다양하게 사용될 수 있다.
최근에는 각 제조사마다 기능적 격차가 현저히 줄어듦에 따라 디자인적 측면을 강화시키기 위하여 노력하고 있는 추세이다. 이러한 추세에 따라 전자 장치의 다양한 구조물(예: 하우징)을 금속 소재로 구현하여 전자 장치의 고급화를 추구하고 있다.
전자 장치의 하우징은 상대적으로 가볍고 우수한 강성을 가지는 금속 재질로 형성될 수 있다. 또한, 하우징은 내식성, 내마모성, 미려함 등을 위하여 증착된 하나 이상의 층들(이하, 증착층들)을 포함할 수 있고, 금속 부재 및 증착층들을 견고하게 접합하는 기술이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명의 다양한 실시 예들은, 하우징에 포함된 금속 부재 및 증착층 간의 결합력(또는, 접합력 또는 접합 강도)을 높이기 위한, 금속 물질을 포함하는 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트와 반대 방향으로 향하는 제2 플레이트와, 상기 제2 플레이트와 결합하거나 일체로 형성되며, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재 및 상기 측면 부재와 결합하거나 일체로 형성되고, 상기 공간 내에 연장된 중간 플레이트 (mid-plate)를 포함하며, 상기 측면 부재는, 상기 전자 장치의 외부 표면의 일부를 형성하는 제1 면 및 상기 공간 내부로 노출된 제2 면 사이에 알루미늄 기재층(substrate layer), 상기 제1 면 및 상기 알루미늄 기재층 사이에 형성되며 상기 제1 면에 실질적으로 수직 방향으로 연장된 복수의 미세공들(pores)을 포함하는 알루미늄 산화층 (aluminum oxide layer), 상기 제1 면 및 상기 알루미늄 산화층 사이에 상기 포어들 및 상기 알루미늄 산화층의 표면을 따라 컨포말(conformally)하게 형성되고 티타늄을 포함하는 제1 층, 및 상기 제1 면을 형성하도록, 상기 제1 층 상에 형성되며, 티타늄을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 하우징은, 하우징의 일면을 형성하는 플레이트와 상기 플레이트의 둘레를 따라 배치되어 상기 하우징의 측면을 형성하고, 상기 측면으로부터 내부공간으로 연장된 중간 플레이트를 포함하는 측면 부재를 포함하고, 상기 측면 부재는 상기 측면 부재의 일부를 형성하는 비전도성 부재, 상기 측면부재의 나머지 일부를 형성하고, 아노다이징 가능한(anodisable) 금속으로 형성된 기재층, 상기 기재층의 일부 표면이 산화되어 불규칙한 복수의 미세공들(pores)을 형성하는 양극 산화 피막층(anodizing coating layer), 상기 양극 산화 피막층의 불규칙한 미세공의 형상을 유지하도록 코팅되는 접착층(bonding layer)과 상기 미세공을 채우고, 상기 접착층 상에 적층되는 증착층(deposition layer)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 금속 물질을 포함하는 하우징 또는 전자 장치는 증착층과 양극 산화 피막 간의 접착력을 높일 수 있고, 탈막 현상을 줄일 수 있어 제품의 외관을 오랫동안 유지할 수 있다.
도 1은, 일 실시예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는, 일 실시예에 따른 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 일 실시예에 따른 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4a는 일 실시 예에 따른 측면 부재를 여러 방향에서 바라본 모습들을 도시한 도면이다.
도 4b는 일 실시 예에 따른 측면 부재의 사시도이다.
도 4c는 도 4b에서 A 부분에 대한 측면 부재의 단면도이다.
도 5 및 도 6은, 일 실시예에 따른 측면 부재의 단면도이다.
도 7은, 일 실시예에 따른 측면 부재에 산화피막이 형성된 하우징의 단면도이다.
도 8은, 일 실시예에 따른 산화피막이 형성된 측면 부재에 증착층이 도포되는 과정을 도시한 도면이다.
도 9a는, 일 실시예에 따른 증착층이 도포된 측면 부재를 도시한 사시도이다.
도 9b는, 일 실시예에 따른 도 9a의 A-A'를 기준으로 절단된 하우징의 단면도이다.
도 10a는, 일 실시 예에 따른, 안테나 패턴부를 형성하는 흐름을 도시한 도면이다.
도 10b는, 일 실시예에 따른 도 10a의 안테나 패턴부를 절단한 단면도이다.
도 11은, 다양한 실시예에 따른 하우징에서 증착층이 도시된 단자부를 표시한 도면이다.
도 12는, 다른 실시예에 따른 하우징의 사시도이다.
도 13, 14, 15 및 16은, 다양한 실시예에 따른 하우징의 제조 흐름도이다.
도 1은 일 실시예에 따른 금속 물질을 포함하는 하우징을 가지는 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(100)는, 제 1 면(또는 전면)(110A), 제 2 면(또는 후면)(110B), 및 제 1 면(110A) 및 제 2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제 1 면(110A), 제 2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제 2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제 1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제 1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제 2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제 2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제 1 영역(110D)들(또는 상기 제 2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제 1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제 1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제 1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)을 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제 1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제 2 영역(110E)들에 배치될 수 있다.
오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제 2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제 2 면(110B)에 배치된 제 3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제 4 센서 모듈(116) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제 1면(110A)(예: 디스플레이(101) 뿐만 아니라 제 2면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 카메라 장치(105), 및 제 2 면(110B)에 배치된 제 2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제 2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.
발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제 1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제 2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(300)는, 측면 베젤 구조(310), 제 1 지지부재(311)(예 : 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제 2 지지부재(360)(예 : 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제 1 지지부재(311), 또는 제 2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
제 1 지지부재(311)는, 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(310)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(310)와 일체로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(300)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(310) 및/또는 상기 제 1 지지부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나,""A, B 또는 C," "A, B 및 C 중 적어도 하나,"및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
도 4a는 일 실시 예에 따른 측면 부재를 여러 방향에서 바라본 모습들을 도시한 도면이다. 도 4b는 일 실시 예에 따른 측면 부재의 사시도이다. 도 4c는 도 4b에서 A 부분에 대한 측면 부재의 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 도 4a의 4A는 측면 부재(400)의 정면도(front view)이다. 도 4의 4B는 측면 부재(400)의 좌측면도(left view)이다. 도 4의 4C는 측면 부재(400)의 우측면도(right view)이다. 도 4의 4D는 측면 부재(400)의 평면도(top view)이다. 도 4의 4E는 측면 부재(400)의 저면도(bottom view)이다. 도 4의 4F는 측면 부재(400)의 배면도(back view)이다. 일 실시 예에서, 측면 부재(400)는 측면 베젤(410)(예: 도 3의 측면 베젤 구조(310)) 및 중간 플레이트(460)(예: 도 3의 제1 지지부재(311))를 포함할 수 있다. 측면 베젤(410)은 전면 플레이트(예: 도 1의 전면 플레이트(102))와 후면 플레이트(111)를 이격시켜 형성된 내부 공간을 에워싸며, 전자 장치(100)의 측면(예: 도 1의 측면(110c))을 형성할 수 있다. 중간 플레이트(460)는 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111) 사이의 공간에 배치될 수 있다. 측면 부재(400) 는 가벼우면서, 내식성과 내마모성이 좋은 재질로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 베젤(410)에 의해 형성되는 측면은, 제1 측면(401), 제1 측면(401)과는 반대로 향하는 제2 측면(402), 제1 측면(401)의 일단부 및 제2 측면(402)의 일단부를 연결하는(interconnecting) 제3 측면(403), 제1 측면(401)의 타단부 및 제2 측면(402)의 타단부를 연결하는 제4 측면(404)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 측면 베젤(410)은 제1 측면(401)의 적어도 일부를 형성하는 제1 베젤부(410a), 제2 측면(402)의 적어도 일부를 형성하는 제2 베젤부(410b), 제1 측면(401)의 적어도 다른 일부 및 제3 측면(403)의 적어도 일부를 형성하는 제3 베젤부(410c), 및 제2 측면(402)의 적어도 다른 일부 및 제4 측면(404)의 적어도 일부를 형성하는 제4 베젤부(410d)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)는 제1 베젤부(410a) 및 제3 베젤부(410c) 사이에 배치되는 제1 분절부(또는 갭(gap))(411a), 제1 베젤부(410a) 및 제4 베젤부(410d) 사이에 배치되는 제2 분절부(411b), 제2 베젤부(410b) 및 제3 베젤부(410c) 사이에 배치되는 제3 분절부(411c), 및 제2 베젤부(410b) 및 제4 베젤부(410d) 사이에 배치되는 제4 분절부(411d)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 면(403)에서 제4 면(404)으로 향하는 방향으로 제1 분절부(411a)가 제3 면(403)으로부터 이격된 거리와, 제4 면(403)에서 제3 면(403)으로 향하는 방향으로 제2 분절부(411b)가 제4 면(404)으로부터 이격된 거리는 실질적으로 같을 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제3 면(403)에서 제4 면(404)으로 향하는 방향으로 제3 분절부(411c)가 제3 면(403)으로부터 이격된 거리와, 제4 면(403)에서 제3 면(403)으로 향하는 방향으로 제4 분절부(411d)가 제4 면(404)으로부터 이격된 거리는 실질적으로 같을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제3 면(403)에서 제4 면(404)으로 향하는 방향으로, 제1 분절부(411a)가 제3 면(403)으로부터 이격된 거리 및 제3 분절부(411c)가 제3 면(403)으로부터 이격된 거리는 실질적으로 같을 수 있다. 제4 면(404)에서 제3 면(403)으로 향하는 방향으로, 제2 분절부(412a)가 제4 면(404)으로부터 이격된 거리 및 제4 분절부(411d)가 제4 면(404)으로부터 이격된 거리는 실질적으로 같을 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제1 분절부(411a), 제2 분절부(411b), 제3 분절부(411c) 또는 제4 분절부(411d)는 도 4a에 도시된 위치에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 도시하지 않았으나, 제1 분절부(411a)는 제3 측면(403)에 배치되거나, 제2 분절부(411b)는 제4 측면(404)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도시하지 않았으나, 제3 분절부(411c)는 제3 측면(403)에 배치되거나, 제4 분절부(411d)는 제4 측면(404)에 배치될 수 있다. 측면 베젤(410)에서 분절부들(411a, 411b, 411c, 411d)의 위치에 따라, 베젤부들(410a, 410b, 410c, 410d)의 길이 또는 형태를 달라질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)는 측면 베젤(410)에 결합되는 폴리머 물질의 내부 구조물(412a, 412b)을 포함할 수 있다. 내부 구조물(412a, 412b)은, 측면 부재(400)의 일부분(예: 제1 베젤부(411a), 제2 베젤부(411b))이 측면 부재(400)의 나머지 부분에 대하여 물리적으로 또는 전기적으로 분리된 상태로 유지되도록 할 수 있다. 내부 구조물(412a, 412b)의 일부는 제1 분절부(411a), 제2 분절부(411b), 제3 분절부(411c) 및 제4 분절부(411d)에 배치되고 외부로 노출되어 측면(예: 도 1의 110C) 일부를 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 베젤부(411a) 또는 제2 베젤부(411b)는 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 340)과 전기적으로 연결되어 안테나 구성 요소로 활용될 수 있다. 예를 들어, 제1 베젤부(411a) 또는 제2 베젤부(411b)는 안테나 방사체 또는 안테나 그라운드로 이용될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 제1 베젤부(411a) 및/또는 제2 베젤부(411b)는 전기적으로 플로팅(floating) 상태에 있게 할 수도 있다.
인쇄 회로 기판(240)에 전기적으로 연결되어 안테나 구성 요소로 이용될 수 있다. 예를 들어, 측면 베젤 구조(210)의 일부분(212, 213)은 안테나 방사체 또는 안테나 그라운드로 이용될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 측면 베젤 구조(210)의 일부분(212, 213)은 전기적으로 플로팅(floating) 상태에 있게 설계될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 중간 플레이트(460)는 측면 베젤(410)(예: 제3 베젤부(410c), 제4 베젤부(410d))과 연결될 수 있거나 측면 베젤(410)과 일체로 형성되는 제1 영역(460a)을 포함할 수 있다. 내부 구조물(412a,412b)은 금속 플레이트(460a) 및 측면 베젤(410)에 결합되고, 중간 플레이트(460)는 내부 구조물(412a, 412b)에 의해 형성된 제2 영역들(460b, 460c)을 포함할 수 있다.
도 4b 및 4c를 참조하면, 일 실시 예에서, 측면 부재(400)는 전자 장치(100)의 외부 표면의 일부를 형성하는 제1 면(415a)과, 전자 장치(100)의 내부 공간으로 노출된 제2 면들(415b, 415c, 415d)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 면(415a)은 측면 베젤(410)에 의해 적어도 일부 형성된 도 4a의 제1 측면(401), 제2 측면(402), 제3 측면(403) 또는 제4 측면(404) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 면들(415b, 415c, 415d)은 중간 플레이트(460)(예: 제 1 영역(460a))에 의해 적어도 일부 형성된 면(415b, 415d)과, 측면 베젤(410)에 의해 적어도 일부 형성되는 면(415c)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)(예: 측면 베젤(410), 중간 플레이트(460)의 제1 영역(460a))는 양극 산화층을 형성할 수 있는 금속재질일 수 있다. 측면 베젤(410)은 금속 기재(substrate) 표면에 양극 산화층을 형성하고, 양극 산화층 표면에 금속 재질로 코팅(예: 증착)할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 금속 기재에 형성된 양극 산화층은 포어들(pores)을 포함하고 있고, 이러한 포어들은 양극 산화층 및 코팅층(또는, 증착층) 간의 결합력을 높일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)는, 제1 면(415a) 및 제2 면들(415b, 415c, 415d) 사이에 배치된 알루미늄 기재층(substrate layer)(510)을 포함할 수 있다. 측면 부재(400)는 제1 면(415a) 및 알루미늄 기재층(510) 사이에 형성된 알루미늄 산화층(aluminum oxide layer)(520)을 포함할 수 있고, 알루미늄 산화층(520)은 제1 면(415a)에 실질적으로 수직 방향으로 연장된 복수의 미세공들(pores)(521)을 가지는 요철 면을 포함할 수 있다. 측면 부재(400)는 제1 면(415a) 및 알루미늄 산화층(520) 사이에 상기 포어들(521) 및 상기 알루미늄 산화층(520)의 표면을 따라 컨포말(conformally)하게 형성된 제1 층(530)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 층(530)은 Cr, Ti, Au, 또는 Si 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다. 측면 부재(400)는 제1 층(530) 상에 형성되어 제1 면(415a)을 형성하는 제2 층(540)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 층(540)은 AuCu, CrN, CrCN, TiN, TiCN, ZrN, ZrCN, CrC, CrCN, TiC, TiCN, ZrC, DLC, Cr, Ti, STS, 또는 Si, 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 면들(415b, 415c, 415d) 중 일부(415d)는 알루미늄 기재층에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 마스킹, CNC 가공, 레이저 에칭 등을 이용하여 알루미늄 산화층의 일부를 제거하여, 알루미늄 기재층에 의해 형성된 제2 면(415d)이 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 알루미늄 기재층의 일부 영역은 전해 에칭이 가해지지 않도록 할 수 있고, 제2 면(415d)을 형성할 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)는 알루미늄 기재층(510)에 의해 형성된 제2 면(415d) 상에 배치된 제1 도전성 패턴(461)을 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 패턴(462)은 전자 장치(예: 도 3의 300)의 안테나 장치와 같은 요소와 전기적으로 연결되는 컨택부로 활용될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 340)이 측면 부재(400)와 결합되면, 인쇄 회로 기판에 형성된 가요성 도전 부재(예: C-Clip, 도전성 포론)는 제1 도전성 패턴(462)과 탄력적으로 접촉될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 도전성 패턴(462)은 안테나 그라운드로 활용될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 제1 도전성 패턴(462)은 요소들 간의 전기적 경로(예: 전력 배선)로 활용될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 면들(415b, 415c, 415d) 중 일부(415b, 415c)는 알루미늄 산화층(520)에 의해 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)는 알루미늄 산화층(520)에 의해 형성된 제2 면(415b 또는 415c) 상에 배치된 제2 도전성 패턴(463)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 패턴(463)은 제2 면(415b 또는 415c)에 도전성 물질을 포함하는 층을 형성한 후 상기 층의 일부를 마스킹, CNC 가공, 레이저 에칭 등을 이용하여 제거하는 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 패턴(463)은 전자 장치(예: 도 3의 300)의 안테나 요소(예: 안테나 방사체 또는 안테나 그라운드)로 활용될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 340)이 측면 부재(400)와 결합되면, 인쇄 회로 기판에 형성된 가요성 도전 부재(예: C-Clip, 도전성 포론)는 제2 도전성 패턴(463)과 탄력적으로 접촉될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 제2 도전성 패턴(463)은 요소들 간의 전기적 경로(예: 전력 배선)로 활용될 수도 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 베젤부(410b) 또는 제4 베젤부(410d)에는 키 버튼들(예: 도 1의 117, 도 2의 117)을 위한 관통 홀들(457a, 457b, 457c) 을 위한 관통 홀들(457a, 457b, 457c)이 배치될 수 있다. 제1 베젤부(410a)에는 메모리 카드에 관한 슬롯(451)이 배치될 수 있다. 제3 베젤부(410c)에는 커넥터 홀(452, 455)(예: 도 1의 108, 109), 마이크 홀(456)(예: 도 1의 103) 또는 스피커 홀(453)(예: 도 1의 1070) 중 적어도 하나가 배치될 수. 측면 베젤(410)에 위치한 상술한 각종 부품들의 배치 위치는 제1 베젤부(410a), 제2 베젤부(410b), 제3 베젤부(410c), 또는 제4 베젤부(410d) 상에서 다양한 위치로 변경될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1 또는 도 2의 100)에 포함된 안테나는 중간 플레이트(460)의 제 2 영역들(460b, 460c) 중 적어도 일부와 정렬될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 중간 플레이트(460)는 각종 부품의 배치에 따라 개구부(461)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 배터리(예: 도 3의 350)는 개구부(461)에 정렬되게 배치되고, 개구부(461)는 배터리의 배부름 현상에 대한 공간을 제공할 수 있다
도 5 및 도 6은, 다양한 실시예에 따른 하우징의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 일 실시 예에서, 측면 부재(400)는 기재층(510), 양극 산화층(520), 접착층(530), 및 증착층(540)을 포함할 수 있다. 양극 산화층(520)은 아노다이징(또는, 전해 에칭)을 통해 기재층(510) 상에 형성될 수 있다. 접착층(530)은 양극 산화층(520) 및 증착층(540) 사이에 배치되고, 양극 산화층(520) 및 증착층(540) 간의 접합력을 높일 수 있다.
기재층(510)은 아노다이징을 통해 양극 산화층(520)을 형성할 수 있는 금속 물질로서, 예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 티타늄 등을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 양극 산화층(520)은 기재층(510)을 외부로부터 보호할 수 있고, 이로 인해 측면 부재(400)는 내식성과 내마모성을 가질 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 아노다이징 공정에서의 작업 조건(예: 온도, 시간, 전해질 조성 또는 농도 등)을 달리하여, 양극 산화층(520)의 두께는 다양하게 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 양극 산화 피막층(520)의 형성을 위해, 측면 부재(400)는 전해질 용액에 잠기게 담글 수 있다. 전해질 용액은, 예를 들어, 황산(H2SO4)과 같은 강산성 물질을 포함하는 수용액으로 이루어 질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 황산 수용액이 담긴 배스(bath)에 금속 모재(예: 알루미늄 부재)를 넣은 후 아노다이징(전해 에칭)을 하면, 기재층(510)(예: 알루미늄 기재층) 및 양극 산화층(520)(예: 알루미늄 산화층)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 전원의 양극이 금속 모재에 연결되고 전원의 음극이 전해질 용액에 연결되면, 전해질 용액으로부터의 음이온(산소 이온)이 금속 모재로 전달되고 금속 모재의 금속 이온과 결합하여 양극 산화층이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 양극 산화층(520)은 포어들(또는, 미세공들)(pores)을 포함하는 요철 면을 가질 수 있다. 포어들을 포함하는 요철 면은 양극 산화층(520) 및 증착층(540) 간의 결합력을 높이기 위한 것으로서, 아노다이징의 작업 조건(예: 온도, 시간, 전해질의 조성 또는 농도 등)에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 배스의 온도는 실온으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 황산 수용액의 온도는 섭씨 약 10~20도일 수 있고, 황산 수용액의 농도는 약 180~250g/l일 수 있다. 예를 들어, 아노다이징에 활용되는 전압은 약 13~17V 일 수 있다. 예를 들어, 아노다이징의 작업 시간은 약 5~20분일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 접착층(530)은 양극 산화층(520)의 포어들을 포함하는 요철 면을 따라 도포될 수 있고, 접착층(530) 및 증착층(540) 간의 계면 또한 실질적으로 이러한 요철 면을 따르는 형태일 수 있다. 이러한 접착층(530)은, 상기 요철 면과 함께 양극 산화층(520) 및 증착층(530) 간의 결합력을 높일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 접착층(530) 및 증착층(540) 간의 계면이 상기 요철 면을 따르는 형태를 가지게 하기 위하여, 접착층(530)을 설계된 두께 이하로 도포하는 것이 필요할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 접착층(530)은 양극 산화층(520) 또는 증착층(540)과의 접합력을 높이기 위한 접착력 또는 점착력을 가지는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 접착층(530)은 양극 산화층(520)에 포함된 물질 또는 증착층(540)에 포함된 물질과 결합 친화력을 가지는 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 접착층(530)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 및 CVD(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 기재층(510)과 증착층(540)의 부착력 확보를 위해, 순수 금속으로 이루어진 Ti, Cr, Au등으로 이루어진 금속 입자들이 양극 산화층(520)을 따라 접착될 수 있다. 기재층(510)으로 형성된 측면 부재(400)를 진공 챔버에 배치하고, 증착시키고자 하는 금속으로 이루어진 타겟을 향하여 아르곤 이온을 입사시킬 수 있다. 아르곤 이온과 타겟이 충돌하여, 타겟 내부로부터 방출된 금속 원자들이 기재층에 연속적으로 전달되어 접착층(530) 또는 증착층(54)은 포어를 포함하는 양극 산화층(520)의 표면을 따라 형성될 수 있다. 접착층(530)은, 증착층(540)의 금속 원자에 대응하는 금속을 타겟 금속으로 PVD 또는 CVD 공정을 진행하여 형성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 상술한 스프터링 공정(sputtering) 뿐만 아니라, 열증발법(thermal evaporation) 또는 전자빔 증발법(Electron-beam evaporation)을 이용하여, 증착시키고자하는 금속을 가열하여 증착 물질을 증발시켜 기재층(510)에 접착층(530) 및 증착층(540)을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 증착층(540)은 접착층(530)의 표면을 따라 증착될 수 있다. 하우징(110)의 외부로 노출되는 색상에 따라, 증착층(540)의 재질이 결정될 수 있다. 증착층(540)은 접착층(530)의 표면을 따라 PVD 증착을 진행하여 형성될 수 있다. 증착층(540)의 재질은 접착층(530)의 금속 재질의 원자를 포함하는 화합물일 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 증착층(540)의 화합물 중 금속 원자는 접착층(530)의 금속 재질에 대응될 수 있다. 증착층(540)과 접착층(530)은 동일한 금속 원자를 가져 증착층(540)과 접착층(530)의 부착력이 높아지게 된다. 다양한 실시예에 따르면, 증착층(540)과 양극 산화층(520)간의 접착력을 높이기 위해, 단일 금속으로 이루어진 접착층(530)을 양극 산화층(520)에 증착시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 측면 부재(400)의 기재층(510)과 증착층(540)의 부착력을 높이기 위해, 단일금속 티타늄, 크롬으로 이루어진 타겟 등을 이용해 접착층(530)을 만들 수 있다. 측면 부재(400)의 외부로 노출될 색상과 물성, 두께를 확보하기 위해 티타늄, 크롬, 스테인리스 스틸, 등 타겟 재질을 선정하고 아르곤, 질소, 산소, 아세틸렌 등 가스의 양과 비율을 조절하고 투입한다. 일반적으로 질소 가스를 주입하는 경우, TiN 또는 CrN층을 형성하여 황색 계열의 색상을 가지는 증착층이 형성될 수 있으며, 아세틸렌 가스를 주입하는 경우, TiC, TiCN, CrC, 또는 CrCN층을 형성하여 흑색 계열의 색상을 가지는 증착층이 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 측면 부재(400)와 타겟 금속은 진공 챔버 내에 위치할 수 있다. 접착층(530) 및 증착층(540)을 형성하기 위하여, 티타늄, 크롬, 알루미늄 등의 타겟과 측면 부재(400)에 전압이 인가된다. 타겟에 인가되는 전압은 대략 300 내지 500V이고, 측면 부재(400)에 인가되는 전압은 대략 80 내지 120V일 수 있다. 타겟과 측면 부재(400)에 인가되는 전압의 전위차에 의해서, 타겟에서 방출된 금속 입자(예: 금속 이온)가 측면 부재(400)로 증착될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 측면 부재(400)에 접착층(530)을 형성할 때, 진공 챔버 내의 진공도는 1X10^-5 Torr이하로 유지될 수 있다. 접착층(530)은 측면 부재(400)의 양극 산화 피막층(520)에 증착층(540)의 접착력을 높이기 위하여 형성되므로, 증착층(540)을 구성하는 금속 원소를 포함하는 적어도 하나 이상의 원소로 이루어진 얇은 층으로 형성될 수 있다. 타겟의 재질은 증착층(540)의 주요 금속 재질로 선택될 수 있다.
접착층(530)이 형성된 이후, 외관의 컬러 계열에 따라 주입되는 가스를 선택할 수 있다. 진공 챔버에 아르곤 가스를 주입하는 경우, 증착층(540)은 크롬, 티타늄 또는 스테인리스 스틸로 형성될 수 있으며, 증착층(540)은 실버계열의 색상으로 형성될 수 있다.
진공 챔버에 질소 가스를 주입하는 경우, 증착층(540)은 CrN, TiN 또는 ZrN 으로 형성될 수 있고, 증착층(540)은 골드 계열의 색상으로 형성될 수 있다.
진공 챔버에 아세틸렌(C2H2)을 주입하는 경우, 증착층(540)은 CrC, TiC, ZrC, 또는 DLC 으로 형성될 수 있다. 추가로, 질소를 주입하는 경우, 증착층(540)은 CrCN, TiCN, 또는 ZrCN 의 재질로 형성될 수 있다. 아세틸렌(C2H2) 가스를 주입하는 경우, 증착층(540)은 블랙 계열의 색상으로 형성될 수 있다. 질소와 아세틸렌 가스가 함께 주입되는 경우, 가스의 양을 조절하여, 증착층(540)의 외관색상은 조절될 수 있다.
도 6을 참조하면, 일 실시 예에서, 컬러층(550)을 더 포함할 수 있다. 컬러층은 양극 산화 피막층(520)의 표면에 도포 될 수 있으며, 접착층(530)이 형성된 후 표면에 도포될 수 있다. 컬러층(550)은 제품에서 코팅층이 제거되거나 스크래치가 형성되는 경우에 노출되는 색상으로 결정될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 컬러층(550)은 외부로 노출되는 증착층(540)의 색상과 동일계열의 색상으로 이루어 질 수 있다.
도 7은, 일 실시예에 따른 기재층에 산화피막이 형성된 측면 부재의 단면도이고, 도 8은, 일 실시예에 따른 산화피막이 형성된 측면부재에 증착층이 도포되는 과정을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따라, 측면 부재(400)의 기재층(410)은 아노다이징 가능한 금속(예를 들어, 알루미늄, 마그네슘 또는 스테인리스 스틸(STS) 등)으로 이루어 질 수 있다. 기재층(410)을 포함하는 측면 부재(400)를 전해질 용액에 담그고, 측면부재(400)에 전원 또는 정류기의 양극을 연결시켜 전압을 인가시킬 수 있다. 전해질 용액의 산소가 기재층(510)의 표면에서 화학반응이 일어나고, 양극 산화 피막층(520)은 기재층(510)의 표면에 형성된다. 기재층(510)의 표면에 형성된 양극 산화 피막층(520)은 요철 형상 또는 복수의 미세공(525)을 포함할 수 있다. 양극 산화 피막층(520)에 형성된 미세공을 메우는 봉공(sealing)작업은 생략할 수 있다. 봉공작업을 진행하지 않으면, 양극 산화 피막층(520)의 표면은 요철이나 미세공(525)을 포함할 수 있고, 미세공(525)이나, 요철에 의해서, 양극 산화 피막층(520)의 표면적은 늘어나게 된다.
일 실시예에 따르면, 양극 산화층(520)이 형성된 측면 부재(400)는 내식성이 좋아지고, 절연성을 가질 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 양극 산화 층(520)의 표면적은 넓어지게 되어, 앵커링(anchoring) 효과로 인하여, 본딩층(530) 또는 증착층(540)간의 접착력이 우수해질 수 있다.
도 8을 참조하면, 일 실시예에 따르면, 양극 산화층(520)의 미세공(525)을 포함하는 표면을 따라, 접착층(530)을 형성할 수 있다. 접착층(530)은 단일 원소로 이루어 질 수 있으며, 증착작업을 통하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 증착작업을 통하여, 양극 산화층(520) 상에 미세한 금속 입자를 미세공(525)들 사이에 부착시킬 수 있다. 미세한 금속 입자들이 양극 산화 층(520)에 부착되어, 양극 산화층(520)의 표면에 접착층(530)이 형성될 수 있다. 양극 산화층(520)의 표면을 따라 등간격으로(conformally)으로 접착층(530)이 형성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 접착층(530)은 양극 산화층(520)의 미세공(525) 또는 요철의 형상을 유지하도록 양극 산화층(520)의 표면에 얇게 코팅될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 접착층(530)이 증착된 이후, 하우징 또는 측면 부재(400)의 외관을 형성하는 증착층(540)을 형성할 수 있다. 측면 부재(400) 및 하우징의 외관에 따라 타겟의 재질 및 주입 가스를 선택하여 증착층을 형성할 수 있다. 접착층(530)은 증착층(540)이 양극 산화층(520)의 미세공(525)에 용이하게 부착되도록, 접착층(530)은 증착층(540)의 재질에 대응되는 금속으로 형성될 수 있고, 금속 입자는 접착층(530)에 부착되어 증착층(540)이 형성될 수 있다. 타겟에서 방출되는 금속 입자와 진공 챔버내 주입 가스의 결합을 통하여 증착층(540)의 재질은 결정될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 접착층(530)의 미세공(525)을 금속 입자들이 메우고, 두께를 가지는 증착층(540)이 형성될 수 있다. 양극 산화 피막층(520)의 표면의 미세한 요철 또는 미세공(525) 내부에 금속 입자가 부착되어 막이 성장되어, 양극 산화 피막층(520), 접착층(530) 및 증착층(540)이 서로 물고 있는 구조를 가져 부착력이 증가될 수 있다.
도 9a는, 일 실시예에 따른 증착층이 도포된 측면 부재를 도시한 사시도이고, 도 9b는, 일 실시예에 따른 도 9a의 A-A'를 기준으로 절단된 하우징의 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 일 실시예에 따라, 측면 부재(400)는 측면 베젤(910)과 중간 플레이트(960)을 포함한다. 측면 베젤(910)은 제1 베젤부(910a), 제2 베젤부(910b), 제3 베젤부(910c) 및 제4 베젤부(미도시)를 포함하고, 비금속 부재로 이루어진 안테나 분절부(911a, 911b)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나 분절부(911a, 911b)는 비금속으로 형성되어, 양극 산화 피막층 및 증착층을 포함하는 코팅층이 형성되지 않을 수 있다. 제1 내지 제4 금속부재(910a)는 양극 산화 피막층 및 증착층을 포함하는 코팅층(915)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 베젤부(910a)에 형성된 코팅층(915)은 증착층의 색상이 외부로 인식될 수 있으며, 이를 통하여 금속 질감을 가지는 하우징을 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 중간 플레이트(960)도 금속 재질로 형성된 부분은 코팅층(915)이 형성될 수 있으며, 비금속 재질로 형성된 부분은 코팅층이 형성되지 않고, 비금속 재질이 외부로 노출될 수 있다. 중간 플레이트(960)의 각 부분은 기능에 따라, 증착층 및 양극 산화 피막을 포함하는 코팅층을 제거할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 필요에 따라, 선택적으로 증착층만 제거할 수 있고, 코팅층(915) 전체를 제거할 수 있다. 중간 플레이트(960)는 안테나 패턴부, 단자부 또는 도전성 인쇄회로 기능부를 포함할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 측면 베젤(910)의 일 모서리는 제1 금속부재(920a), 제2 금속부재(920b), 제3 금속부재(920c) 및 안테나 분절부(911a, 911b)로 형성될 수 있다. 제1 금속부재(920a), 제2 금속부재(920b) 및 제3 금속부재(920c)는 제1 베젤부(910a), 제2 베젤부(910b), 및 제3 베젤부(910c)의 기재 금속일 수 있다. 안테나 분절부(911a, 911b)는 비금속 재질로 형성되어, 양극 산화층(930)이 형성되지 않고, 제1 베젤부(910a), 제2 베젤부(910b), 제3 베젤부(910c)의 금속 부재(920a, 920b, 920c)에만 양극 산화층(930)이 형성된다. 접착층(940) 및 증착층(950)은 양극 산화층(930)이 형성되지 않은 안테나 분절부(911a, 911b)에도 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 접착층(940) 및 증착층(950)은 금속 재질로 이루어져 안테나 성능이 열화(deterioration)될 수 있다. 안테나 분절부(911a, 911b)와 중첩되는 영역(S1, S2)에 형성된 접착층(940) 및 증착층(950)은 레이저 해칭이나 절삭공정을 통하여, 제거될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 양극 산화층의 형성 전이나 후에 안테나 분절부(911a, 911b)와 중첩되는 영역(S1, S2)은 마스킹되어, 접착층(940) 및 증착층(950)이 형성되지 않도록 할 수 있다.
도 10a는, 일 실시예에 따른 안테나 패턴부 형성과정을 도시한 도면이고, 도 10b는, 일 실시예에 따른 도 10a의 안테나 패턴부를 절단한 단면도이다.
도 10a를 참조하면, 일 실시예에 따라, 안테나 패턴부(1050)는 안테나 패턴(1075)를 포함할 수 있다. 안테나 패턴부(1050)는 중간 플레이트(960)의 일부에 형성될 수 있다. 안테나 패턴부(1050)가 형성될 중간 플레이트(960)는 아노다이징 가능한 금속으로 이루어진 기재층(1055)를 가질 수 있다. 안태나 패턴부(1050)에 안테나 패턴(1075)이 형성될 영역에 양극 산화 피막층(1060) 및 증착층(1070)이 순차적으로 적층될 수 있다.
도 10b를 참조하면, 일 실시예에 따라, 안테나 패턴부(1050)는 기재층(1055), 양극 산화 피막층(1060), 증착층(1075), 코팅층의 제거 영역(1073)을 포함할 수 있다. 안테나 패턴부(1050)는 양극 산화 피막층(1060) 및 증착층(1070)이 불필요한 영역에는 마스킹을 형성할 수 있고, 코팅층이 완성된 이후, 마스킹을 제거하여 패턴을 형성할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 양극 산화 피막층(1060) 및 증착층(1070)이 형성된 안테나 패턴부(1050)에서 레이저 해칭을 통하여, 안테나 패턴(1075)을 형성할 수 있다. 안테나 패턴(1075)은 증착층이 금속 재질로 이루어질 수 있으므로, 도전성을 가질 수 있다.
일 실시예에 따라, 안테나 패턴(1075)은 도전성을 가지므로, 인쇄회로기판의 기능을 하는 도전 라인으로 활용할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 비도전 영역 및 도전 영역을 구분하여 도전라인을 포함하는 인쇄회로기판을 중간 플레이트(960)에 직접 형성할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 측면 부재(900)의 코팅공정에서 안테나 패턴(1075) 및 인쇄회로기판의 도전 라인을 간단히 형성할 수 있다.
도 11은, 다양한 실시예에 따른 하우징에서 증착층이 도시된 단자부를 표시한 도면이다.
도 11을 참조하면, 일 실시예에 따라, 중간 플레이트(1180)는 단자부(1085)를 포함할 수 있다. 단자부(1085)가 형성되는 중간 플레이트(1180)는 금속재질로 형성될 수 있다. 양극 산화 피막층은 측면 부재(900) 전체에 형성될 수 있으므로, 양극 산화 피막층을 제거할 필요가 있다. 양극 산화 피막층은 측면 부재(900)의 코팅층이 형성된 후, CNC 가공이나 레이저 가공을 통하여 제거할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 측면 부재(900)에서 단자부(1185)가 형성될 영역에 마스킹을 형성하고, 양극 산화 피막층이 형성된 이후에 마스킹을 제거하여, 단자부(1185)에 증착층을 적층할 수 있다.
도 11의 A-A'를 절단한 도면을 살펴보면, 단자부(1185)는 중간 플레이트(1180)의 표면에 직접 형성될 수 있다. 단자부(1185)가 형성되는 중간 플레이트(1180)는 금속 부재로 형성될 수 있다. 단자부(1185)는 안테나 구조체(미도시)와 전기적으로 연결되어야 하므로, 비전도성을 가지는 양극 산화 피막을 제거할 필요가 있다. 양극 산화 피막이 제거된 단자부(1185)에 증착작업을 통하여 금속입자로 이루어진 증착층을 적층하는 경우, 단자부(1185)는 안테나 구조체와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 12는, 다른 실시예에 따른 하우징의 사시도이다.
도 12를 참조하면, 측면 부재(1200)는 측면 베젤(1210)과 중간 플레이트(1260)을 포함할 수 있다. 측면 부재(1200)는 금속 재질로 형성된 영역은 양극 산화 피막층이 형성될 수 있다. 이하, 비금속 재질로 형성된 영역은 제외하고, 금속 재질로 형성된 측면 부재에 코팅층을 형성하는 과정을 설명한다.
다양한 실시예에 따르면, 측면 베젤(1210)의 외부로 노출되는 측면(1215)은 증착층이 노출되고, 중간 플레이트(1260)의 대부분 영역은 양극 산화 피막층이 노출될 수 있다. 측면 부재(1200)은 전체적으로 양극 산화 피막층이 형성될 수 있다. 측면 부재(1200)를 전해질 용액에 담그고, 측면 부재(1200)의 표면은 양극 산화 피막층이 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 중간 플레이트(1260)는 일부 영역에서 증착층이 형성될 수 있다. 중간 플레이트(1260) 중 단자부(1285) 및 안테나 패턴부(1250)은 증착층이 외부로 노출될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 패턴부(1250)는 양극 산화 피막층 상에 증착층이 도포된 코팅층을 포함할 수 있다. 코팅층은 레이저 각인(laser engraving)으로, 안테나 패턴(1275)영역은 코팅층을 남기고, 안테나 패턴부(1250)중 나머지 영역(1273)의 코팅층은 제거할 수 있다. 안테나 패턴(1275)영역을 형성하는 방법으로, 도전 라인이 필요한 영역에는 인쇄회로기판의 기능을 하는 영역을 생성할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 양극 산화 피막층의 생성 이전에, 안테나 패턴부(1250)중 나머지 영역(1273)에 마스킹을 형성할 수 있으며, 코팅층이 형성된 이후, 마스킹을 제거하여 안테나 패턴부(1250)는 안테나 패턴(1275)를 형성할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 단자부(1285)는 중간 플레이트(1260)의 기재층 상에 직접 증착층이 형성될 수 있다. 중간 플레이트(1260)에 전자 부품은 실장될 수 있으며, 단자부(1285)는 금속으로 이루어진 기재층에 증착층이 형성되어, 단자부(1285)에 접촉되는 전자 부품과 통전될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 단자부(1285)는 양극 산화 피막층의 형성이후 제거되거나, 양극 산화 피막층의 형성 이전에 마스킹을 통하여 양극 산화 피막층이 형성되지 않을 수 있다. 이후 PVD 공정을 통하여 금속 소재에 직접 증착층을 형성할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 측면 부재(1200)는 각 영역의 기능에 따라 증착층, 산화 피막층을 선택적으로 노출시킬 수 있고, 산화 피막층이 없이 직접 기재층 상에 증착층을 형성시켜 공정을 단순화할 수 있다.
도 13, 14, 15 및 16은, 다양한 실시예에 따른 하우징의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 13을 참조하면, 1301 동작에서, 소재를 준비할 수 있다. 1301 동작은 측면 부재(1200)을 절삭가공이나 레이저 가공등을 통하여 최종 형상을 완성하고, 가공면을 다듬어서 측면 부재를 준비할 수 있다.
1303 동작에서, 준비된 소재(예: 측면부재(1200))를 습식 세척할 수 있다. 1303 동작은, 가공 면에 부착된 이물질들을 제거하고, 양극 산화층을 형성하기 위해서 습식세척을 할 수 있다.
1305 동작에서, 습식 세척을 한 금속 소재는 양극 산화 피막 코팅할 수 있다. 1305 단계는 측면 부재(1200)를 황산수용액과 같은 희석된 전해질 용액에 담그고, 측면 부재(1200)에 정류기나 전원의 양극을 인가하여, 측면 부재에 양극 산화 피막층을 형성할 수 있다. 측면 부재(1200)에 형성된 양극 산화 피막층은 요철 형상이나 다양한 미세공들을 포함할 수 있다. 양극 산화 피막층에 형성된 불규칙한 미세공들은 노출되는 표면적을 넓게 하고, 양극 산화 피막층이 증착층을 잡아주는 기능을 수행하여 증착층과 접착력을 높일 수 있다.
1307 동작에서, 측면 부재(1200)는 양극 산화 피막 코팅 처리 후, 양극 산화층의 표면에 접착층을 생성하는 단계(S1307)를 진행할 수 있다. 접착층은 양극 산화 피막 층과 증착층 사이의 접착력을 높이기 위하여 형성되는 층일 수 있다. 접착층은 양극 산화 피막층의 표면에 형성된 미세공들 사이에 금속 입자를 접착시켜 미세공들의 형상에 따라 도포된 등간격의 접착층을 형성할 수 있다.
1309 동작에서, 접착층이 형성된 양극 산화 피막층의 표면에 증착층을 생성할 수 있다. 1309 동작을 진행하여, 최종적으로 측면 부재(1200)에 코팅을 완성할 수 있다.
도 14를 참조하면, 하우징에 코팅층을 형성하는 방법은 중간 플레이트(1260)에 단자부(1285)를 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 단자부(1285)를 형성하는 과정은, 습식 세척이후, 마스킹을 형성하고, 양극산화 피막 형성이후, 마스킹을 제거할 수 있다. 이후 동작은 도 13의 동작과 유사하게 진행될 수 있다.
1401 동작에서, 습식 세척된 측면 부재(1200)의 표면에 마스킹을 형성할 수 있다. 마스킹이 형성되는 영역은 양극 산화 피막층이 불필요한 영역일 수 있다. 양극 산화 피막층은 비전도성을 가지고 있어, 전자 부품의 단자부로 활용되는 영역에서 양극 산화 피막층은 전기적 연결을 방해할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 단자부(1285)로 기능을 하는 부분에서는 양극 산화 피막층이 형성되지 않도록 하여 전자 부품을 전기적으로 연결될 수 있도록 할 수 있다. 전자 부품의 단자부로 활용되는 부분은 금속 부재가 외부로 노출되도록 할 수 있으며, 내식성과 내마모성을 높이기 위하여 증착층을 형성할 수 있다.
1403 동작에서, 마스킹이 형성된 측면 부재(1200)의 전체 표면은 양극 산화 피막 코팅을 할 수 있다. 측면 부재(1200)의 전체에 양극 산화 피막 코팅을 하는 경우에도, 비금속 부재로 형성된 영역 및 마스킹이 형성된 영역은 양극 산화 피막층이 형성되지 않을 수 있다.
1405 동작에서, 양극 산화층 형성이후에 마스킹을 제거할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면 마스킹을 제거하여, 양극 산화 피막층 대신, 금속 소재층을 직접 노출시키고, 금속 소재층의 표면에 접착층, 증착층을 생성할 수 있다(1407, 1409).
도 15를 참조하면, 단자부(1285)를 형성하기 위하여, 형성된 양극 산화 피막을 제거하여, 금속 소재 상에 직접 증착층을 생성할 수 있다.
1501동작에서, CNC공정이나, 레이저 해칭등으로 통하여 단자부(1285)에 해당하는 영역의 양극 산화 피막층은 제거될 수 있다(1501). 이후, 접착층과 증착층의 생성 동작은 도 13에서 언급한 단계와 유사하게 진행될 수 있다.
도 16을 참조하면, 안테나 패턴이나, 도전 라인을 형성하는 과정을 나타낸다.
1601 동작에서, 최종적으로 형성된 중간 플레이트(1260)의 증착층에서 일부영역은(예: 도 12의 중간 플레이트(1260)의 안테나 패턴부(1250), 또는 도 9b의 제1 분절부(911a), 제2 분절부(911b)) 레이져 각인을 통하여 패턴을 형성할 수 있다(1601). 증착층은 금속 입자로 형성되어 도전성을 가지므로, 안테나 패턴(1275)이나, 도전라인을 형성하여 인쇄회로기판과 같은 기능을 할 수 있는 패턴이 중간 플레이트(1260)에 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 분절부와 같은 안테나 영역에 형성된 비도전성 부재에도 증착층이 형성될 수 있다. 증착층은 금속 재질로 형성되므로, 안테나 방사 성능을 확보하기 위하여, 레이저를 이용하여 비도전성 부재로 형성된 영역(예 : 안테나 분절부(도 4의 분절부(411a, 411b))에 형성된 금속 재질로 이루어진 증착층을 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 금속 소재에 양극 산화 피막층을 형성하고, 최종 외관을 구성하는 증착층을 형성할 수 있다. 측면 부재나 하우징에 형성된 코팅층은 레이저 에칭등을 이용하여, 양극 산화 피막층, 기재층 또는 코팅층을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 마스킹을 이용하여, 접합제, 필름, 테이프, 인쇄, 도장 등 다양한 공법으로 처리하여, 도포, 접합 부위에는 아노다이징 피막, 증착층이 형되는 것을 방지하여, 기능에 따라 노출면을 선택할 수 있다.
상술한 바와 같은, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는, 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트와 반대 방향으로 향하는 제2 플레이트와, 상기 제2 플레이트와 결합하거나 일체로 형성되며, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재와 상기 측면 부재와 결합하거나 일체로 형성되고, 상기 공간 내에 연장된 중간 플레이트 (mid-plate)를 포함하며, 상기 측면 부재는, 상기 전자 장치의 외부 표면의 일부를 형성하는 제1 면 및 상기 공간 내부로 노출된 제2 면 사이에 알루미늄 기재층(substrate layer), 상기 제1 면 및 상기 알루미늄 기재층 사이에 형성되며 상기 제1 면에 실질적으로 수직 방향으로 연장된 복수의 미세공들(pores)을 포함하는 알루미늄 산화층 (aluminum oxide layer), 상기 제1 면 및 상기 알루미늄 산화층 사이에 상기 포어들 및 상기 알루미늄 산화층의 표면을 따라 컨포말(conformally)하게 형성되고 티타늄을 포함하는 제1 층 및 상기 제1 면을 형성하도록, 상기 제1 층 상에 형성되며, 티타늄을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 제2 면은 상기 기재층 상에 알루미늄 산화층으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 중간 플레이트의 일부분은, 알루미늄 기재층을 포함하고, 상기 알루미늄 기재층은 전도성 부재가 전기적으로 접촉할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 제1층은 Cr, Ti, Au, 또는Si 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 제2층은 AuCu, CrN, CrCN, TiN, TiCN, ZrN, ZrCN, CrC, CrCN, TiC, TiCN, ZrC, DLC, Cr, Ti, STS, 또는 Si, 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따른 하우징은, 하우징의 일면을 형성하는 플레이트와 상기 플레이트의 둘레를 따라 배치되어 상기 하우징의 측면을 형성하고, 상기 측면으로부터 내부공간으로 연장된 중간 플레이트를 포함하는 측면 부재를 포함하고, 상기 측면 부재는 상기 측면 부재의 일부를 형성하는 비전도성 부재, 상기 측면부재의 나머지 일부를 형성하고, 아노다이징 가능한(anodisable) 금속으로 형성된 기재층, 상기 기재층의 일부 표면이 산화되어 불규칙한 복수의 미세공들(pores)을 형성하는 양극 산화 피막층(anodizing coating layer), 상기 양극 산화 피막층의 불규칙한 미세공의 형상을 유지하도록 코팅되는 접착층(bonding layer)과, 상기 미세공을 채우고, 상기 접착층 상에 적층되는 증착층(deposition layer)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 기재층은 알루미늄 또는 마그네슘 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 중간 플레이트는, 적어도 일 영역에서 일부 증착층 및 접착층을 탈막(delaminating)하여 패턴을 형성할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 패턴은 레이저 각인(laser engraving) 또는 CNC(Computer Numerical Control) 공정으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 패턴은 안테나 패턴 또는 도전성 인쇄회로 중 적어도 하나일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 중간 플레이트의 나머지 영역의 표면은 기재층 또는 양극 산화층 중 적어도 하나가 노출될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 중간 플레이트의 나머지 영역은 상기 양극 산화 피막층의 형성 전 또는 증착층의 형성 전에 마스킹을 형성할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 중간 플레이트의 나머지 영역의 일부 표면은 기재층이 노출되고, 상기 노출된 기재층 상에 증착층이 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 노출된 기재층 상에 형성된 증착층은 전자 부품과 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 양극 산화 피막층은, 상기 제2 플레이트 및 상기 중간 플레이트를 전해질 용액에 투입하고, 상기 제2 플레이트 및 상기 중간 플레이트를 양극으로 전압을 인가하여 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 접착층은, Cr, Ti, Au, 또는Si 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 증착층은 AuCu, CrN, CrCN, TiN, TiCN, ZrN, ZrCN, CrC, CrCN, TiC, TiCN, ZrC, DLC, Cr, Ti, STS, 또는 Si, 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 하우징 제조방법은, 하우징의 일면, 측면 및 상기 측면의 내부에 형성되는 미드 플레이트를 포함하는 기재(substrate)를 준비하는 단계, 상기 기재를 전원의 양극에 연결하고 전해질 용액에 침지하여(immersing) 양극 산화 피막(anodizing coating)을 형성하는 단계, 상기 양극 산화 피막에 형성된 복수의 미세공들(pores)을 유지하도록 상기 양극 산화 피막의 표면을 따라 접착층을 형성하는 단계, 및 상기 미세공들을 메우고, 상기 접착층 상에 증착층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 하우징 제조방법은 상기 미드 플레이트의 적어도 일부 영역에서 레이저 각인을 통하여 도전 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 상기 하우징 제조방법은 상기 접착층을 생성하는 단계 전, 상기 미드 플레이트의 적어도 일부 영역에서 양극 산화 피막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 본 개시의 구체적인 실시예들에서, 개시에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다. 그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 본 개시가 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.
한편 본 개시의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 개시의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 개시의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    제1 플레이트;
    상기 제1 플레이트와 반대 방향으로 향하는 제2 플레이트; 및
    상기 제2 플레이트와 결합하거나 일체로 형성되며, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재; 및
    상기 측면 부재와 결합하거나 일체로 형성되고, 상기 공간 내에 연장된 중간 플레이트 (mid-plate)를 포함하며,
    상기 측면 부재는,
    상기 전자 장치의 외부 표면의 일부를 형성하는 제1 면 및 상기 공간 내부로 노출된 제2 면 사이에 알루미늄 기재층(substrate layer),
    상기 제1 면 및 상기 알루미늄 기재층 사이에 형성되며 상기 제1 면에 수직 방향으로 연장된 복수의 포어들(pores)을 포함하는 알루미늄 산화층 (aluminum oxide layer),
    상기 제1 면 및 상기 알루미늄 산화층 사이에 상기 포어들 및 상기 알루미늄 산화층의 표면을 따라 컨포말(conformally)하게 형성되고 금속 원자를 포함하는 제1 층, 및
    상기 제1 면을 형성하도록, 상기 제1 층 상에 형성되며, 금속 원자를 포함하는 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층 및 상기 제2 층은 동일한 금속 원자를 포함함으로써, 상기 제1 층 및 상기 제2 층이 동일한 금속 원자를 포함하지 않는 경우보다 상기 제1 층 및 상기 제2 층 사이의 접착력이 증가하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 면은 상기 기재층 상에 알루미늄 산화층으로 형성된 전자 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중간 플레이트의 일부분은, 알루미늄 기재층을 포함하고, 상기 알루미늄 기재층은 전도성 부재가 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 층은 Cr, Ti, Au, 또는Si 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 층은 AuCu, CrN, CrCN, TiN, TiCN, ZrN, ZrCN, CrC, CrCN, TiC, TiCN, ZrC, DLC, Cr, Ti, STS, 또는 Si, 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 하우징에 있어서,
    하우징의 일면을 형성하는 플레이트; 및
    상기 플레이트의 둘레를 따라 배치되어 상기 하우징의 측면을 형성하고, 상기 측면으로부터 내부공간으로 연장된 중간 플레이트를 포함하는 측면 부재;를 포함하고,
    상기 측면 부재는
    상기 측면 부재의 일부를 형성하는 비전도성 부재;
    상기 측면 부재의 나머지 일부를 형성하고, 아노다이징 가능한(anodisable) 금속으로 형성된 기재층;
    상기 기재층의 일부 표면이 산화되어 불규칙한 복수의 포어들(pores)을 형성하는 양극 산화 피막층(anodizing coating layer);
    상기 양극 산화 피막층의 불규칙한 포어를 포함하는 표면을 따라 형성되고, 금속 원자를 포함하는 접착층(bonding layer);및
    상기 포어를 채우고, 상기 접착층 상에 적층되며, 금속 원자를 포함하는 증착층(deposition layer)을 포함하고,
    상기 접착층 및 상기 증착층은 동일한 금속 원자를 포함함으로써, 상기 접착층 및 상기 증착층이 동일한 금속 원자를 포함하지 않는 경우보다 상기 접착층 및 상기 증착층 사이의 접착력이 증가하는 하우징.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제6항에 있어서,
    상기 기재층은, 알루미늄 또는 마그네슘 중 적어도 하나로 형성된 하우징.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 중간 플레이트는, 적어도 일 영역에서 일부 증착층 및 접착층을 탈막(delaminating)하여 패턴을 형성하는 하우징.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제8항에 있어서,
    상기 패턴은, 레이저 각인(laser engraving) 또는 CNC(Computer Numerical Control) 공정으로 형성되는 하우징.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제8항에 있어서,
    상기 패턴은, 안테나 패턴 또는 도전성 인쇄회로 중 적어도 하나인 하우징.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 중간 플레이트의 상기 적어도 일 영역 외의 나머지 영역의 표면은 기재층 또는 양극 산화층 중 적어도 하나가 노출되는 하우징.
  12. 삭제
  13. 제8항에 있어서,
    상기 중간 플레이트의 상기 적어도 일 영역 외의 나머지 영역의 일부 표면은 기재층이 노출되고, 상기 노출된 기재층 상에 증착층이 형성되는 하우징.
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제13항에 있어서,
    상기 노출된 기재층 상에 형성된 증착층은 전자 부품과 전기적으로 연결되는 하우징.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제6항에 있어서,
    상기 플레이트는 제1 플레이트, 및 상기 제1 플레이트와 반대 방향으로 향하는 제2 플레이트를 더 포함하고,
    상기 양극 산화 피막층은, 상기 제2 플레이트 및 상기 중간 플레이트를 전해질 용액에 투입하고, 상기 제2 플레이트 및 상기 중간 플레이트를 양극으로 전압을 인가하여 형성되는 하우징.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제6항에 있어서,
    상기 접착층은, Cr, Ti, Au, 또는Si 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성된 하우징.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제6항에 있어서,
    상기 증착층은, AuCu, CrN, CrCN, TiN, TiCN, ZrN, ZrCN, CrC, CrCN, TiC, TiCN, ZrC, DLC, Cr, Ti, STS, 또는 Si, 중 적어도 하나를 포함하는 재질로 형성된 하우징.
  18. 하우징 제조방법에 있어서,
    하우징의 일면, 측면 및 상기 측면으로부터 상기 하우징의 내부를 향하여 연장된 중간 플레이트를 포함하는 기재(substrate)를 준비하는 과정;
    상기 기재를 전원의 양극에 연결하고 전해질 용액에 침지하여(immersing) 양극 산화 피막(anodizing coating)을 형성하는 과정;
    복수의 포어들(pores)을 포함하는 상기 양극 산화 피막 표면을 따라 금속 원자를 포함하는 접착층을 형성하는 과정; 및
    상기 포어들을 메우기 위하여 상기 접착층 상에 금속 원자를 포함하는 증착층을 형성하는 과정;을 포함하고,
    상기 접착층 및 상기 증착층은 동일한 금속 원자를 포함함으로써, 상기 접착층 및 상기 증착층이 동일한 금속 원자를 포함하지 않는 경우보다 상기 접착층 및 상기 증착층 사이의 접착력이 증가하는 하우징 제조 방법.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제18항에 있어서,
    상기 중간 플레이트의 적어도 일부 영역에서 레이저 각인을 통하여 도전 패턴을 형성하는 과정;을 더 포함하는 하우징 제조 방법.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제18항에 있어서,
    상기 접착층을 생성하는 단계 전, 상기 중간 플레이트의 적어도 일부 영역에서 양극 산화 피막을 제거하는 과정;을 더 포함하는 하우징 제조방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200094950A (ko) * 2019-01-31 2020-08-10 삼성전자주식회사 금속 물질을 포함하는 하우징을 포함하는 전자 장치
WO2023149637A1 (ko) * 2022-02-04 2023-08-10 삼성전자주식회사 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103009705A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制造方法
CN107587108A (zh) * 2017-08-09 2018-01-16 广东欧珀移动通信有限公司 终端、终端的壳体及壳体的加工方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1165510A (en) * 1968-12-13 1969-10-01 Standard Telephones Cables Ltd Solid Electrolytic Capacitors
US5286306A (en) * 1992-02-07 1994-02-15 Shalini Menezes Thin film photovoltaic cells from I-III-VI-VII compounds
US20080063218A1 (en) * 2006-09-11 2008-03-13 Weber Douglas J Machined window undercut
US20080138248A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Institut Curie Method for improving the bonding properties of microstructured substrates, and devices prepared with this method
US8315043B2 (en) * 2008-01-24 2012-11-20 Apple Inc. Methods and systems for forming housings from multi-layer materials
US7778015B2 (en) * 2008-07-11 2010-08-17 Apple Inc. Microperforated and backlit displays having alternative display capabilities
US8663806B2 (en) 2009-08-25 2014-03-04 Apple Inc. Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material
KR20100025502A (ko) 2009-11-18 2010-03-09 이환철 절연 금속 부품 및 그 제조 방법
US10231352B2 (en) * 2012-05-29 2019-03-12 Apple Inc. Anodizing resistant components and methods of use thereof
US9655261B2 (en) * 2013-03-21 2017-05-16 Htc Corporation Casing of electronic device and method of manufacturing the same
US20160251749A1 (en) 2013-11-21 2016-09-01 Hewlett Packard Development Company, L.P. Oxidized Layer and Light Metal Layer on Substrate
US9702051B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Apple Inc. Non-capacitive or radio frequency-transparent materials with anodized metal appearance
US9882275B2 (en) * 2015-10-30 2018-01-30 Essential Products, Inc. Antennas for handheld devices
US9896777B2 (en) * 2015-10-30 2018-02-20 Essential Products, Inc. Methods of manufacturing structures having concealed components
US10158164B2 (en) * 2015-10-30 2018-12-18 Essential Products, Inc. Handheld mobile device with hidden antenna formed of metal injection molded substrate
KR102383702B1 (ko) 2015-12-14 2022-04-07 삼성전자주식회사 전자 장치 및 그의 하우징 제작 방법
US10447834B2 (en) 2016-09-21 2019-10-15 Apple Inc. Electronic device having a composite structure
CN206993173U (zh) 2017-07-28 2018-02-09 赫比（上海）金属工业有限公司 一种手机外框与中板的结合结构

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103009705A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制造方法
CN107587108A (zh) * 2017-08-09 2018-01-16 广东欧珀移动通信有限公司 终端、终端的壳体及壳体的加工方法

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