KR20220109615A - 하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징의 제조 방법 - Google Patents

하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징의 제조 방법 Download PDF

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KR20220109615A
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이윤희
황한규
임정현
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 다양한 실시예들은, 하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징을 제조하는 방법으로서, 상기 전자 장치의 외관을 구성하는 하우징이되, 상기 하우징은, 적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부를 포함하는 비도전성 사출물, 상기 비도전성 분절부의 상부를 제외하고, 상기 비도전성 사출물의 상부 표면에 배치된 도전성 증착층, 및 상기 도전성 증착층의 상부에 형성된 장식층을 포함하도록 구성됨으로써, 경량이면서 안테나 방사체의 기능을 수행할 수 있다. 다른 다양한 실시예가 가능하다.

Description

하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징의 제조 방법{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING HOUSING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE HOUSING}
본 발명의 다양한 실시예들은, 하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징을 제조하는 방법에 관한 것이다.
스마트 폰, 노트북 또는 태블릿 PC와 같은 휴대용 전자 장치의 사용이 증가하고 있고, 다양한 기능들이 전자 장치에 제공되고 있다.
상기 휴대용 전자 장치는 외측의 테두리를 따라 형성된 금속 하우징을 포함할 수 있다.
상기 금속 하우징은 휴대용 전자 장치의 내부에 배치된 인쇄 회로 기판, 카메라 모듈 및/또는 센서 회로와 같은 구성 요소들을 보호할 수 있다.
상기 금속 하우징은 적어도 하나의 슬릿(slit)을 통해 분리되어 복수의 안테나 방사체로 이용될 수 있다.
휴대용 전자 장치의 일종인 스마트 폰은 바 타입, 폴더블 타입, 롤러블 타입 또는 웨어러블 타입을 포함할 수 있다.
상기 휴대용 전자 장치는 내부에 배치된 구성 요소들을 보호하기 위해 금속 하우징을 사용하여 외곽을 구성할 수 있다. 휴대용 전자 장치의 외곽이 금속 하우징으로 구성된 경우, 휴대용 전자 장치가 무거워져서 휴대가 불편하고 제조 비용이 증가될 수 있다.
상기 금속 하우징의 적어도 일부가 슬릿(slit)을 통해 분리되어 안테나 방사체로 이용되는 경우, 절삭 과정을 통해 슬릿을 형성하여야 하고, 슬릿을 형성하는 과정에서 슬릿 주변에 평평하지 않은 단차면이 형성될 수 있다.
상기 휴대용 전자 장치는 휴대의 간편성을 고려하여 가볍게 제조되어야 하고, 슬릿 주변에 단차면이 없이 평평하게 제조되어야 할 필요가 있을 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들은, 경량이면서 비도전성 분절부가 일체로 형성된 하우징을 포함하는 전자 장치 및 상기 하우징을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 상기 전자 장치의 외관을 구성하는 하우징이되, 상기 하우징은, 적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부를 포함하는 비도전성 사출물, 상기 비도전성 분절부의 상부를 제외하고, 상기 비도전성 사출물의 상부 표면에 배치된 도전성 증착층, 및 상기 도전성 증착층의 상부에 형성된 장식층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법은, 적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부를 포함하는 비도전성 사출물을 제조하는 과정, 증착을 이용하여, 상기 비도전성 사출물의 상부 및 상기 비도전성 분절부의 상부에 도전성 증착층을 형성하는 과정, 상기 비도전성 분절부의 상면 및 상기 도전성 증착층의 높이가 실질적으로 동일하도록, 상기 비도전성 분절부의 상부의 일부를 커팅하는 과정, 및 상기 비도전성 사출물의 상부 표면에 형성된 상기 도전성 증착층에 장식층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 비도전성 분절부가 일체로 형성된 비도전성 사출물의 표면에 도전성 증착층을 형성함으로써, 경량이면서 안테나 방사체의 기능을 수행할 수 있는 하우징을 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
이 외에, 본 발명의 다양한 실시예들을 통해 직접 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 하우징을 포함하는 전자 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법을 나타내는 공정도이다.
도 6은 본 발명에 다양한 실시예에 따른 금형 및 비도전성 사출물을 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 분절부가 일체로 형성된 비도전성 사출물을 설명하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 상에 도전성 증착층을 형성하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 및 도전성 증착층이 가공된 후를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 도전성 증착층의 표면에 장식층(예: 산화 피막층)이 형성된 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 및 장식층(예: 산화 피막층)을 포함하는 하우징의 일부를 나타내는 도면이다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 상술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 전면의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(100)는, 제 1 면(또는 전면)(110A), 제 2 면(또는 후면)(110B), 및 제 1 면(110A) 및 제 2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제 1 면(110A), 제 2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제 2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(또는 "측면 부재")(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제 1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제 1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제 2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제 2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제 1 영역(110D)들(또는 상기 제 2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제 1 두께(또는 폭)를 가지고, 상기 제 1 영역(110D)들 또는 제 2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제 1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제 1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)를 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제 1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제 2 영역(110E)들에 배치될 수 있다.
오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제 2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제 2 면(110B)에 배치된 제 3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제 4 센서 모듈(116)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제 1 면(110A)(예: 디스플레이(101)뿐만 아니라 제 2면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제 1 면(110A)에 배치된 제 1 카메라 장치(105), 및 제 2 면(110B)에 배치된 제 2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제 2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.
발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제 1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제 1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제 2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 3을 참조하면, 전자 장치(300)는, 측면 베젤 구조(310)(예: 하우징), 제 1 지지부재(311)(예: 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제 2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제 1 지지부재(311), 또는 제 2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
제 1 지지부재(311)는, 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(310)(예: 하우징)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(310)와 일체로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(311)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(300)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(310) 및/또는 상기 제 1 지지부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 전자 장치(100, 300)의 하우징(110)(또는 측면 베젤 구조(310))은 적어도 하나의 비도전성 분절부(415)를 이용하여 분리됨으로써, 복수의 안테나 방사체로 이용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 하우징을 포함하는 전자 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 1의 a-a' 부분을 개략적으로 나타내는 단면도일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 이하에 개시된 전자 장치(400)의 일부는 도 1 내지 도 3에 개시된 전자 장치(100, 300)의 일부를 포함할 수 있다. 도 4의 전자 장치(400)의 실시예들은 도 1 내지 도 3에 개시된 실시예들을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(400)는 하우징(401), 비도전성 사출물(410), 도전성 증착층(420) 및/또는 장식층(430)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징(401)은 전자 장치(400)의 외관을 구성할 수 있다. 하우징(401)은 비도전성 사출물(410), 도전성 증착층(420) 및/또는 장식층(decoration layer)(430)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 하우징(401)은 도 1의 하우징(110) 또는 도 3의 측면 베젤 구조(310)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 비도전성 사출물(410)은 적어도 일부 영역(예: 중앙부)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 비도전성 사출물(410) 및 비도전성 분절부(415)는 유전체(예: 절연체)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 비도전성 사출물(410) 및 비도전성 분절부(415)는 폴리머 재질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)은 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)의 상부를 제외하고, 비도전성 사출물(410)의 표면에 배치될 수 있다. 도전성 증착층(420)은 비도전성 분절부(415)의 제 1 측(예: x축 방향)의 상부 및 제 2 측(예: -x축 방향)의 상부에 배치될 수 있다. 비도전성 분절부(415)를 기준으로 비도전성 사출물(410)의 제 1 측 및 제 2 측에 배치된 도전성 증착층(420) 은 전자 장치(400)의 안테나 방사체로 사용될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)은 도전성 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도전성 증착층(420)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 도전성 증착층(420)은 아노다이징(anodizing)이 가능하도록 고순도 알루미늄(Al)으로 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, 도전성 증착층(420)은 알루미늄(Al), 스테인레스 스틸(STS), 티타늄(Ti) 및/또는 메탈 혼합물을 포함할 수도 있다. 도전성 증착층(420)은 상술한 재질 이외에 다른 다양한 도전성 재질이 사용될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)이 비도전성 사출물(410)의 표면에 배치된 후, 도전성 증착층(420)은 블라스팅, 버핑, 에칭 또는 폴리싱 중 적어도 하나를 이용하여 표면 처리될 수 있다. 도전성 증착층(420)의 표면은, 물리적인 방법(예: 블라스팅) 및/또는 화학적인 방법(예: 에칭)을 이용하여 조도가 조절될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도전성 증착층(420)은 물리적인 방법 및/또는 화학적인 방법을 이용하여, 예를 들어, 약 Ra 0.1 ~ 10㎛ 범위의 표면 거칠기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 산화 피막층을 포함할 수 있다. 산화 피막층은 아노다이징(anodizing)을 이용하여, 도전성 증착층(420)의 상부 방향(예: z축 방향)에 형성될 수 있다. 산화 피막층은 전착층으로 대체될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 전착층을 포함할 수 있다. 전착층은 전착을 이용하여, 도전성 증착층(420)의 상부 방향(예: z축 방향)에 형성될 수 있다. 전착층은 산화 피막층을 대체할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 산화 피막층 또는 전착층인 경우, 비도전성 사출물(410)의 일부 영역(예: 중앙부)에서 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)의 상부(또는 상면)와. 산화 피막층 또는 전착층의 상부(또는 상면)에는 내지문(AF) 코팅이 형성될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 도장층을 포함할 수 있다. 도장층은 도장을 이용하여, 비도전성 사출물(410)의 일부 영역(예: 중앙부)에서 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)의 상부 및 상기 도전성 증착층(420)의 상부에 형성될 수 있다. 도장층은 산화 피막층을 대체할 수 있다. 도장층은 비도전성 재질(예: 절연체)로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 도장층인 경우, 상기 도장층의 상부에는 내지문(AF) 코팅이 형성될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 은 아노다이징을 이용하여 형성된 산화 피막층을 통해 메탈과 같은 질감을 구현할 수 있다. 다른 실시예에서, 장식층(430)은 전착을 이용한 전착층 또는 도장을 이용한 도장층 중 적어도 하나로 대체되어 메탈과 같은 질감을 구현할 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)(예: 산화 피막층 또는 전착층)이 도전성 증착층(420)의 상부 표면에 형성되면, 상기 장식층(430)은 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)와 실질적으로 동일한 높이를 갖도록 구성될 수 있다. 장식층(430)은 비도전성 분절부(415)와 실질적으로 동일한 수평면을 갖도록 구성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 비도전성 사출물(410)의 일부 영역(예: 중앙)에서 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)의 상부 및 상기 도전성 증착층(420)의 상부에 장식층(430)(예: 도장층)이 배치되는 경우, 비도전성 분절부(415) 및 도전성 증착층(420)은 실질적으로 동일한 높이를 갖도록 구성될 수 있다. 장식층(430)(예: 도장층)은 실질적으로 동일한 수평면을 갖도록 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법을 나타내는 공정도이다. 도 6은 본 발명에 다양한 실시예에 따른 금형 및 비도전성 사출물을 설명하는 도면이다. 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 분절부가 일체로 형성된 비도전성 사출물을 설명하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 상에 증착층을 형성하는 과정을 설명하는 도면이다. 도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 및 도전성 증착층이 가공된 후를 나타내는 도면이다. 도 10은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 도전성 증착층의 표면에 장식층(예: 산화 피막층)이 형성된 일 실시예를 나타내는 도면이다. 도 11은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비도전성 사출물 및 장식층(예: 산화 피막층)을 포함하는 하우징의 일부를 나타내는 도면이다.
상술한 도 5 내지 도 11의 설명에 있어서, 상술한 도 1 내지 도 4에 개시된 실시예와 동일한 구성 및 기능에 대해서는 중복 설명을 생략할 수 있다. 도 5 내지 도 11에 개시된 실시예는 상술한 도 1 내지 도 4에 개시된 실시예에 적용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 과정 510에서, 금형(610)을 이용하여, 적어도 일부 영역(예: 중앙부)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)를 포함하는 비도전성 사출물(410)을 성형 또는 제조할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415)는 비도전성 사출물(410)을 절삭 가공하여 제조될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)는 도전성 증착층(420)을 형성하기 위한 증착 후, 일부 커팅 및/또는 제거되는 것을 고려하여, 도전성 증착층(420)의 표면보다 더 높게 구성될 수 있다. 예를 들면, 비도전성 분절부(415)의 상부 표면은 증착층(420)의 표면보다 약 0.1 ~ 1.0mm 높게 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 사출물(410)은 도전성 증착층(420)을 형성하기 위한 증착 온도(예: 약 150℃ ~ 180℃)보다 열 변형 온도가 높은 재질을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 도전성 증착층(420)이 알루미늄(Al)인 경우, 알루미늄(Al)의 증착을 위한 공정 온도가 약 150℃ ~ 180℃이므로, 이에 대한 열 변형에 견디기 위해, 상기 비도전성 사출물(410)은 피크(paek)와 같은 폴리머 재질이 사용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 비도전성 분절부(415)는 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출되고, 비도전성 사출물(410)과 일체로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 비도전성 분절부(415)가 일체로 결합된 비도전성 사출물(410)은 금형(610)을 이용하여 사출 성형될 수 있다. 금형(610)은 비도전성 분절부(415)가 돌출되어 형성된 비도전성 사출물(410)의 형상과 대응하는 형상을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)는 제 1 지점(p1)에서 제 2 지점(p2)까지, 예를 들어, y축 방향으로 기울어진 경사면(412)을 포함할 수 있다. 경사면(412)은 비도전성 분절부(415)의 제 1 측면 및 제 2 측면에 적어도 부분적으로 형성될 수 있다. 금형(610)은 상기 비도전성 분절부(415)에 형성된 경사면(412)에 대응하는 경사면(612)을 포함할 수 있다. 비도전성 분절부(415)의 경사면(412) 또는 금형(610)의 경사면(612)은 사선 형태를 포함할 수 있다. 비도전성 분절부(415)의 경사면(412) 및 금형(610)의 경사면(612)은 빼기 구배 구조를 형성할 수 있다. 상기 빼기 구배 구조를 위해, 비도전성 분절부(415)의 경사면의 내측 각도는 예각을 가질 수 있다. 예를 들어, 비도전성 분절부(415)의 경사면의 내측 각도는, 수평 방향인 x축을 기준으로 90° 미만(예: 약 80°~ 약 89°)의 각도를 가질 수 있다. 예를 들면, 비도전성 분절부(415)의 상부 돌출 방향의 시작점인 제 1 지점(p1) 부근에서 x 축 방향 및 y 축 방향 사이의 각도(θ)는 약 80°~ 약 89°의 각도를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 빼기 구배 구조를 형성할 수 있기만 하면, 비도전성 분절부(415)의 경사면의 각도는 둔각을 가질 수 있다, 예를 들어, 비도전성 분절부(415)의 경사면의 각도는, 수평 방향인 x축을 기준으로 90°를 초과하는 각도(예: 약 91°~ 약 100°)를 가질 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 과정 520에서, 증착을 이용하여, 상기 비도전성 사출물(410)의 상부 및 비도전성 분절부(415)의 상부에 도전성 증착층(420)을 형성할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)을 형성한 후, 도전성 증착층(420)의 표면에는 내오염성을 높이기 위해 투명한 박막층(예: 코팅층)을 더 형성할 수도 있다.
도 8을 참조하면, 상기 비도전성 사출물(410)에서 상부 방향(예: z축 방향)으로 돌출된 비도전성 분절부(415)는 도전성 증착층(420)을 형성하기 위한 증착 후, 일부 커팅 및/또는 제거되는 것을 고려하여, 도전성 증착층(420)의 표면보다 약 0.1 ~ 1.0mm 높게 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 과정 525에서, 상기 비도전성 분절부(415)의 상면 및 도전성 증착층(420)의 높이가 실질적으로 동일하도록, 비도전성 분절부(415)의 상부의 일부는 커팅될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 비도전성 분절부(415)의 상부의 일부는, 커팅면(c)을 기준으로 커팅 및/또는 제거되고, 비도전성 분절부(415)의 상면 및 도전성 증착층(420)의 높이가 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 이 경우, 도전성 증착층(420)의 상면의 일부는 비도전성 분절부(415)의 상면과 실질적으로 동일한 높이를 갖도록 적어도 일부가 커팅될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 커팅을 이용한 가공 후, 도전성 증착층(420)의 표면은, 물리적인 방법(예: 블라스팅) 및/또는 화학적인 방법(예: 에칭)을 이용하여 조도가 조절될 수 있다. 예를 들면, 도전성 증착층(420)은 물리적인 방법 및/또는 화학적인 방법을 이용하여, 약 Ra 0.1 ~ 10㎛ 범위의 표면 거칠기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 과정 530에서, 비도전성 사출물(410)의 상부 표면에 배치된 도전성 증착층(420)에 장식층(430)을 형성할 수 있다. 장식층(430)은 산화 피막층, 전착층 또는 도장층 중의 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 산화 피막층인 경우, 산화 피막층은 아노다이징을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 장식층(430)이 전착층인 경우, 전착층은 전착을 이용하여 형성될 수 있다. 전착층은 산화 피막층을 대체할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 장식층(430)이 도장층인 경우, 도장층은 도장을 이용하여 형성될 수 있다. 도장층은 산화 피막층을 대체할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 산화 피막층 또는 전착층인 경우, 비도전성 사출물(410)의 일부 영역(예: 중앙부)에서 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)의 상부와. 산화 피막층 또는 전착층의 상부에는 내지문(AF) 코팅이 형성될 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 도장층인 경우, 도장층은 비도전성 사출물(410)의 일부 영역(예: 중앙)에서 돌출 형성된 비도전성 분절부(415)의 상부 및 상기 도전성 증착층(420)의 상부 표면에 배치될 수 있다. 상기 도장층의 상부에는 내지문(AF) 코팅이 형성될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 상기 장식층(430)(예: 산화 피막층)은 도전성 증착층(420)의 표면에 아노다이징 처리를 수행하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 장식층(430)(예: 산화 피막층)은 도전성 증착층(420)이 알루미늄(Al)인 경우, 아노다이징을 이용하여 메탈과 같은 질감을 구현할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 금속간 화합물(예: FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu) 및/또는 CrAll7)이 존재하지 않는 알루미늄(Al)을 도전성 증착층(420)으로 활용함에 따라, 아노다이징 진행 시, 도전성 증착층(420) 내에는 포어(pore)(예: 미세 홀) 형상이 일직선으로 배열될 수 있다.
비교 실시예에 따르면, 도전성 증착층(420)이, 예를 들어, FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu) 및/또는 CrAll7와 같은 금속간 화합물을 함유하는 경우, 아노다이징 공정 시, 포어 층이 형성되는 속도 및/또는 방향을 변화시킬 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 도전성 증착층(420)(예: 고순도 알루미늄)은 금속간 화합물(예: FeAl3, CrAl3, Fe3SiAl12, Cr3SiAl12, Mg2Si, Mg(Zn2AlCu) 및/또는 CrAll7)을 포함하지 않으므로, 아노다이징 진행 시, 포어 층이 직진도를 갖고, 비교 실시예에 비해 직선 방향으로 성장될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 아노다이징을 이용하여 도전성 증착증(420)의 표면에 형성된 장식층(430)(예: 산화 피막층)은, 예를 들어, 약 1㎛~5㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 도전성 증착증(420)이 약 45㎛의 두께를 갖는 경우, 아노다이징 진행 시, 도전성 증착증(420)의 표면에는 약 1㎛~5㎛의 두께를 갖는 장식층(430)(예: 산화 피막층)이 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 장식층(430)의 표면에는 약 1㎛~5㎛의 두께를 갖는 추가의 장식층(예: 산화 피막층)을 더 포함할 수도 있다.
도 4 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따라 제조된 하우징(401)은 비도전성 사출물(410)의 표면에 도전성 증착층(420) 및 장식층(430)을 배치한 구성이므로 경량이면서 메탈과 실질적으로 동일한 질감을 갖는 외관을 구현할 수 있다. 하우징(401)은 비도전성 분절부(415)가 비도전성 사출물(410)에 일체로 돌출되어 형성되므로, 간편한 방식을 통해 복수의 안테나 방사체를 구현할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(400)는 외관을 구성하는 하우징(401)을 포함하고, 상기 하우징(401)은 적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부(415)를 포함하는 비도전성 사출물(410), 상기 비도전성 분절부(415)의 상부를 제외하고, 상기 비도전성 사출물(410)의 상부 표면에 배치된 도전성 증착층(420), 및 상기 도전성 증착층(420)의 상부에 형성된 장식층(430)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 산화 피막층, 전착층 또는 도장층 중의 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)의 상부에는 내지문 코팅이 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층이 도장층인 경우, 상기 도장층은 상기 비도전성 분절부의 상부 및 상기 도전성 증착층의 상부에 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전자 장치(400)의 하우징(401)은 상기 비도전성 분절부(415)의 상면 및 상기 장식층(430)은 실질적으로 동일한 높이를 갖도록 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415) 및 상기 비도전성 사출물(410)은 폴리머 재질을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)은 알루미늄(Al), 스테인레스 스틸(STS), 티타늄(Ti) 및/또는 메탈 혼합물을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)은 블라스팅, 버핑, 에칭 또는 폴리싱 중 적어도 하나를 이용하여 표면 처리될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 증착층(420)은 물리적인 방법 및/또는 화학적인 방법을 이용하여 표면 조도가 조절될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도장층은 비도전성 재질로 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415)는 적어도 부분적으로 경사면을 갖도록 형성되되, 상기 경사면의 내측 각도는 예각 또는 둔각을 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415)를 기준으로 상기 비도전성 사출물(410)의 제 1 측 및 제 2 측에 배치된 도전성 증착층(420) 은 안테나 방사체로 이용될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(400)의 하우징(401)을 제조하는 방법은, 적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부(415)를 포함하는 비도전성 사출물(410)을 제조하는 과정; 증착을 이용하여, 상기 비도전성 사출물(410)의 상부 및 상기 비도전성 분절부(415)의 상부에 도전성 증착층(420)을 형성하는 과정; 상기 비도전성 분절부(415)의 상면 및 상기 도전성 증착층(420)의 높이가 실질적으로 동일하도록, 상기 비도전성 분절부(415)의 상부의 일부를 커팅하는 과정; 및 상기 비도전성 사출물(410)의 상부 표면에 형성된 상기 도전성 증착층(420)에 장식층(430)을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제조하는 과정에서, 상기 비도전성 사출물(410)에서 돌출된 상기 비도전성 분절부(415)는 상기 도전성 증착층(420)의 표면 보다 더 높게 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 사출물(410)은 상기 도전성 증착층(420)을 형성하기 위한 증착 온도보다 열 변형 온도가 높은 재질을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415)는 적어도 부분적으로 경사면을 갖도록 형성되되, 상기 경사면의 내측 각도는 예각 또는 둔각을 갖도록 구성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 비도전성 분절부(415)의 상부의 일부를 커팅하는 과정 후, 블라스팅, 버핑, 에칭 또는 폴리싱 중 적어도 하나를 이용하여 상기 도전성 증착층(420)의 표면을 처리하는 과정을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)은 산화 피막층, 전착층 또는 도장층 중의 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)의 상부에는 내지문 코팅이 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 장식층(430)이 도장층인 경우, 상기 도장층은 비도전성 재질로 구성되고, 상기 비도전성 분절부(415)의 상부 및 상기 도전성 증착층(420)의 상부에 배치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 다양한 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.
400: 전자 장치 401: 하우징
410: 비도전성 사출물 412: 비도전성 분절부의 경사면
415: 비도전성 분절부 420: 도전성 증착층
430: 장식층 610: 금형
612: 금형의 경사면

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치의 외관을 구성하는 하우징이되,
    상기 하우징은,
    적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부를 포함하는 비도전성 사출물;
    상기 비도전성 분절부의 상부를 제외하고, 상기 비도전성 사출물의 상부 표면에 배치된 도전성 증착층; 및
    상기 도전성 증착층의 상부에 형성된 장식층을 포함하는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 장식층은 산화 피막층, 전착층 또는 도장층 중의 하나를 포함하는 전자 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 장식층의 상부에 내지문 코팅이 형성된 전자 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 장식층이 도장층인 경우, 상기 도장층은 상기 비도전성 분절부의 상부 및 상기 도전성 증착층의 상부에 배치된 전자 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부의 상면 및 상기 장식층은 실질적으로 동일한 높이를 갖도록 구성된 전자 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부 및 상기 비도전성 사출물은 폴리머 재질을 포함하는 전자 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 증착층은 알루미늄(Al), 스테인레스 스틸(STS), 티타늄(Ti) 및/또는 메탈 혼합물을 포함하는 전자 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 증착층은 블라스팅, 버핑, 에칭 또는 폴리싱 중 적어도 하나를 이용하여 표면 처리된 전자 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 증착층은 물리적인 방법 및/또는 화학적인 방법을 이용하여 표면 조도가 조절된 전자 장치.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 도장층은 비도전성 재질로 구성된 전자 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부는 적어도 부분적으로 경사면을 갖도록 형성되되,
    상기 경사면의 내측 각도는 예각 또는 둔각을 갖는 전자 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부를 기준으로 상기 비도전성 사출물의 제 1 측 및 제 2 측에 배치된 도전성 증착층은 안테나 방사체로 이용되는 전자 장치.
  13. 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법에 있어서,
    적어도 일부 영역에서 돌출된 비도전성 분절부를 포함하는 비도전성 사출물을 제조하는 과정;
    증착을 이용하여, 상기 비도전성 사출물의 상부 및 상기 비도전성 분절부의 상부에 도전성 증착층을 형성하는 과정;
    상기 비도전성 분절부의 상면 및 상기 도전성 증착층의 높이가 실질적으로 동일하도록, 상기 비도전성 분절부의 상부의 일부를 커팅하는 과정; 및
    상기 비도전성 사출물의 상부 표면에 형성된 상기 도전성 증착층에 장식층을 형성하는 과정을 포함하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 비도전성 사출물을 제조하는 과정에서, 상기 비도전성 사출물에서 돌출된 상기 비도전성 분절부는 상기 도전성 증착층의 표면 보다 더 높게 구성된 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 비도전성 사출물은 상기 도전성 증착층을 형성하기 위한 증착 온도보다 열 변형 온도가 높은 재질을 포함하는 방법.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부는 적어도 부분적으로 경사면을 갖도록 형성되되,
    상기 경사면의 내측 각도는 예각 또는 둔각을 갖는 방법.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 비도전성 분절부의 상부의 일부를 커팅하는 과정 후, 블라스팅, 버핑, 에칭 또는 폴리싱 중 적어도 하나를 이용하여 상기 도전성 증착층의 표면을 처리하는 과정을 더 포함하는 방법.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 장식층은 산화 피막층, 전착층 또는 도장층 중의 하나를 포함하는 방법.
  19. 제 13항에 있어서,
    상기 장식층의 상부에 내지문 코팅이 형성된 방법.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 장식층이 도장층인 경우, 상기 도장층은 비도전성 재질로 구성되고, 상기 비도전성 분절부의 상부 및 상기 도전성 증착층의 상부에 배치된 방법.
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