KR20130066636A - 실리콘 막들에 대한 선택적인 식각 - Google Patents

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Abstract

패터닝된 이종 실리콘-함유 구조체들을 식각하는 방법이 설명되고, 기존의 원격 플라즈마 식각들에 비하여 반대의 선택성을 갖는 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 방법들은 거의 없는 실리콘 산화물을 제거하는 동안, 폴리실리콘을 형상추종적으로 트리밍하기 위해 사용될 수 있다. 보다 일반적으로, 적은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들은 많은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들보다 빠르게 제거된다. 다른 예시적인 애플리케이션들은 실리콘 산탄화물을 필수적으로 유지하면서 실리콘 탄질화물 막들의 트리밍을 포함한다. 이들과 같은 애플리케이션들은 여기에서 소개된 방법들에 의해 가능하게 되고, 새로운 공정 흐름들이 가능하게 된다. 이들 공정 흐름들은 다양한 더 미세한 선 폭 구조체들에 대해 바람직하게 되도록 기대된다. 여기에 포함된 방법들은 또한 실리콘-함유 막들을 더 큰 농도의 질소를 갖는 질소-및-실리콘-함유 막들보다 빠르게 식각하기 위해 사용될 수 있다.

Description

실리콘 막들을 위한 선택적인 식각{SELECTIVE ETCH FOR SILICON FILMS}
본 출원은 Jingchun Zhang 등에 의해 "SELECTIVE ETCH FOR SILICON FILMS"이라는 명칭으로 2011년 4월 18일 출원된 미국 특허 출원번호 제13/088,930호의 PCT 출원이고, Jingchun Zhang 등에 의해 "OXIDE DESELECTIVE ETCH"라는 명칭으로 2010년 5월 27일 출원된 미국 가출원번호 제61/348,920호에 관한 것이며, 이의 이익을 주장하고, 이들의 전체 개시물들은 모든 목적들을 위해 여기서는 참조로서 통합된다.
집적 회로들은 기판 표면들 상에 복잡하게 패터닝된 물질 층들을 생성하는 공정들에 의해 가능하게 된다. 기판 상에 패터닝된 물질의 생성은 노출된 물질의 제거를 위한 제어된 방법들을 요구한다. 화학적 식각은 포터레지스트에서의 패턴을 하부층들 안으로의 이송, 층들의 박막화(thinning) 또는 표면 상에 이미 존재하는 피쳐들의 수평 치수들의 박막화를 포함하는 다양한 목적들을 위해 사용된다. 종종 다른 도움, 예를 들면, 패턴 전사 공정이 진행되는 것보다 빠르게 하나의 물질을 식각하는 식각 공정을 갖는 것은 바람직하다. 이러한 식각 공정은 제 1 물질에 대해 선택적이라고 한다. 물질들, 회로들 및 공정들의 다양성의 결과, 식각 공정들은 다양한 물질들에 대하여 선택성으로 발전되어 왔다.
SiconiTM 식각은 H2, NF3 및 NH3 플라즈마 부산물들에 대한 기판의 동시 노출을 수반하는 원격 플라즈마 보조 건식 식각 공정이다. 수소 및 불소 종들의 원격 플라즈마 여기는 플라즈마 손상이 없는(plasma-damage-free) 기판 처리를 가능하게 한다. SiconiTM 식각은 실리콘 산화물 층들에 대하여 대체로 형상추종적 및 선택적이지만, 실리콘이 비정질, 결정질 또는 다결정질인지의 여부에 관계없이 실리콘을 용이하게 식각하지 못한다. 선택성은 얕은 트렌치 격리(shallow trench isolation; STI) 및 중간-층 유전체(inter-layer dielectric; ILD) 리세스 형성과 같은 애플리케이션들에 대해 장점을 제공한다. SiConiTM 공정은 기판 물질이 제거됨에 따라 기판의 표면상에서 성장하는 고체 부산물들을 생성한다. 고체 부산물들은 기판의 온도가 상승될 때 승화를 통하여 후속 제거된다.
현재까지, 원격 플라즈마 식각들(SiconiTM와 같은)은 실리콘 산화물에 대한 선택성에 제한되어 왔다. 원격 플라즈마 식각 공정들에 대한 가능한 선택성들의 범위를 확장하기 위한 방법들이 요구된다.
패터닝된 이종 실리콘-함유 구조체들을 식각하는 방법이 설명되고, 기존의 원격 플라즈마 식각들에 비하여 반대의 선택성(inverted selectivity)을 갖는 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 방법들은 거의 없는 실리콘 산화물을 제거하는 동안, 폴리실리콘을 형상추종적으로 트리밍하기(trim) 위해 사용될 수 있다. 보다 일반적으로, 적은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들은 많은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들보다 빠르게 제거된다. 다른 예시적인 애플리케이션들은 실리콘 산탄화물(oxycarbide)을 필수적으로 유지하면서 실리콘 탄질화물(carbon nitride) 막들의 트리밍을 포함한다. 이들과 같은 애플리케이션들은 여기에서 소개된 방법들에 의해 가능하게 되고, 새로운 공정 흐름들이 가능하게 된다. 이들 공정 흐름들은 다양한 더 미세한 선 폭 구조체들에 대해 바람직하게 되도록 기대된다. 여기에 포함된 방법들은 또한 실리콘-함유 막들을 더 큰 농도의 질소를 갖는 질소-및-실리콘-함유 막들보다 빠르게 식각하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법들을 포함한다. 패터닝된 기판은 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역 및 상기 산소-및-실리콘-함유 영역보다 적은 산소를 포함하는 노출된 실리콘-함유 영역을 갖는다. 상기 방법은 플라즈마 유출물들(effluents)을 생성하기 위해 상기 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 형성하는 동안, 상기 기판 처리 영역에 유동적으로 결합된 원격 플라즈마 영역 안으로 불소-함유 전구체를 유동시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 플라즈마 유출물들을 상기 기판 처리 영역 안으로 유동시킴으로써 상기 실리콘-함유 영역을 상기 산소-및-실리콘-함유 영역보다 빠르게 식각하는 단계를 더 포함한다.
추가적인 실시예들 및 특징들이 후술하는 상세한 설명에서 일부가 개시되고, 일부는 명세서의 검토를 통하여 당업자에게 명확해질 것이거나, 개시된 실시예들의 실시에 의해 알게 될 수 있다. 개시된 실시예들의 특징들 및 장점들은 본 명세서에 기술된 수단들, 조합들, 및 방법들에 의해 실현되고 획득될 수 있다.
개시된 실시예들의 본질 및 장점들의 추가적인 이해는 명세서의 나머지 부분들과 도면들을 참조하여 실현될 수 있다.
도 1은 개시된 실시예들에 따른 실리콘 선택적 식각 공정의 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 개시된 실시예들에 따른 실리콘 선택적 식각 공정 이전 및 이후의 개략도들이다.
도 3은 개시된 실시예들에 따른 실리콘 선택적 식각 동안 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 폴리실리콘의 식각률들을 표시한 그래프이다.
도 4는 개시된 실시예들에 따른 선택적 식각 공정의 흐름도이다.
도 5a 및 도 5b는 개시된 실시예들에 따른 선택적 식각 공정 이전 및 이후의 개략도들이다.
도 6은 개시된 실시예들에 따른 선택적 식각 동안 실리콘 산탄화물 및 실리콘 탄질화물의 식각률들을 표시한 그래프이다.
도 7은 개시된 실시예들에 따른 식각 공정들을 수행하기 위한 처리 챔버의 단면도이다.
도 8은 개시된 실시예들에 따른 식각을 수행하기 위한 처리 시스템이다.
첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 특징들은 동일한 참조 부호를 가질 수 있다. 또한, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은 유사한 컴포넌트들을 구별하는 이하의 대시(dash) 및 제 2 부호에 의한 참조 부호에 의해 구별될 수 있다. 설명은, 단지 제 1 참조 부호만이 본 명세서에서 사용되는 경우, 제 2 참조 부호와는 무관하게 동일한 제 1 참조 부호를 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 하나에 대해 적용될 수 있다.
패터닝된 이종 실리콘-함유 구조체들을 식각하는 방법이 설명되고, 기존의 원격 플라즈마 식각들에 비하여 반대의 선택성을 갖는 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 방법들은 거의 없는 실리콘 산화물을 제거하는 동안, 폴리실리콘을 형상추종적으로 트리밍하기 위해 사용될 수 있다. 보다 일반적으로, 적은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들은 많은 산소를 함유하는 실리콘-함유 막들보다 빠르게 제거된다. 다른 예시적인 애플리케이션들은 실리콘 산탄화물을 필수적으로 유지하면서 실리콘 탄질화물 막들의 트리밍을 포함한다. 이들과 같은 애플리케이션들은 여기에서 소개된 방법들에 의해 가능하게 되고, 새로운 공정 흐름들이 가능하게 된다. 이들 공정 흐름들은 다양한 더 미세한 선 폭 구조체들에 대해 바람직하게 되도록 기대된다. 여기에 포함된 방법들은 또한 실리콘-함유 막들을 더 큰 농도의 질소를 갖는 질소-및-실리콘-함유 막들보다 빠르게 식각하기 위해 사용될 수 있다.
SiconiTM 식각 공정은 원격 플라즈마 시스템(RPS)을 통하여 반응 영역 안으로 함께 유동하는 암모니아(NH3)의 수소 소스 및 질소 삼불화물(NF3)의 불소 소스를 이용하였다. 암모니아 및 질소 삼불화물의 유량들은 2개의 공정 가스들의 성분들을 효율적으로 이용하기 위해 수소의 원자 유량이 불소의 것에 대략 2배가 되도록 전형적으로 선택된다. 수소 및 불소의 존재는 상대적으로 낮은 기판 온도들에서 (NH4)2SiF6의 고체 부산물의 형성을 가능하게 한다. 고체 부산물들은 기판의 온도를 승화 온도 위로 상승시킴으로써 제거된다. SiconiTM 식각 공정들은 산화물 막들을 산소가 없는 막들보다 빠르게 제거한다. 본 발명자들은 선택성이 질소 삼불화물의 유동을 유지하면서 산소의 공급을 감소(또는 제거)함으로써 반전될 수 있음을 발견하였다.
본 발명을 더 잘 이해하고 인식하기 위해, 개시된 실시예들에 따른 산화물 비선택적인(deselective) 식각 공정의 흐름도 및 얕은 트렌치 격리(STI) 구조체인 도 1 및 도 2를 이제 참조한다. 제 1 동작 이전에, 갭이 폴리실리콘 흡착층(adlaver))(220-1) 및 하부 실리콘 기판(210)에 형성된다. 갭은 장치들(미도시)을 전기적으로 절연시키기 위해 실리콘 산화물(230)로 충진된다. 실리콘 산화물은 표면이 폴리실리콘의 상부와 대략 동일한 평면이고, 도 2에 도시된 구조를 달성하기 위해 실리콘 산화물이 폴리실리콘 아래로 다시 트리밍되도록 연마된다. 도 1의 공정은 기판이 처리 챔버 안으로 이송되는 경우 시작된다(동작 110). 실리콘 산화물(230) 및 폴리실리콘(220)의 영역들은 기판의 표면 상에 노출됨을 유의하라.
질소 삼불화물의 유동이 처리 영역에서 분리된 플라즈마 영역 안으로 개시된다(동작 120). 불소의 다른 소스들은 질소 삼불화물을 증가시키거나 대체하기 위해 사용될 수 있다. 실시예들에서, 불소-함유 전구체는 질소 삼불화물, 2원자 불소, 1원자 불소 및 불소-치환 탄화 수소들로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 전구체를 포함한다. 분리된 플라즈마 영역은 여기에서 원격 플라즈마 영역으로 지칭될 수 있고, 처리 챔버와 별개의 모듈 내에 있거나 처리 챔버 내의 격실일 수 있다. 암모니아의 유동은 이러한 동작 동안 원격 플라즈마 영역 안에 존재하거나 존재하지 않을 수 있다. 수소-함유 전구체가 포함된 경우, 수소-함유 전구체는 원자 수소, 1원자 수소, 암모니아, 탄화 수소 및 불완전한 할로겐-치환 탄화 수소로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 전구체를 포함한다. 질소 삼불화물 및 선택적인 암모니아는 불소-대-수소 원자 유동비가 2:1, 5:1 또는 10:1 중 하나보다 크게 되도록 선택될 수 있다. 원격 플라즈마(플라즈마 유출물들)로부터의 생성물들은 처리 영역 안으로 유동되고, 패터닝된 기판 표면과 상호작용하게 된다(동작 125). 패터닝된 층은 개시된 실시예들에서 실리콘 산화물 갭필(230)이 보다 느리게 식각되면서, 폴리실리콘 흡착층이 형상추종적으로 트리밍되도록 선택적으로 식각된다(동작 130). 폴리실리콘의 식각률은 수소의 유동에 대한 불소의 유동의 비율에 따라 실리콘 산화물 갭필의 식각률의 5배 또는 10배보다 크다. 가스들의 유동들은 그 다음 정지되고(동작 135), 기판은 처리 영역으로부터 제거된다(동작 145). 폴리실리콘은 개시된 실시예들에서 1㎚ 내지 15㎚로 트리밍될 수 있다. 실리콘이 산화되어 실리콘에 대한 바람직한 식각 선택성을 방해하기 때문에, 원격 플라즈마 영역 안으로의 산소의 상당한 유동(및 그 결과 플라즈마 유출물 유동에서)의 포함은 권장되지 않는다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 플라즈마 영역 및 기판 처리 영역은 식각 공정 동안 산소가 없거나 산소가 필수적으로 없다.
도 3은 도 2의 폴리실리콘 흡착층(220)을 트리밍하기 위해 사용되는 것과 같은 트리밍된 식각 후에 식각량들의 그래프이다. SiconiTM 식각 공정은 불소와 비교하여 약 2배의 수소의 원자 농도를 가지며, 폴리실리콘보다 상당히 큰 속도로 실리콘 산화물 제거를 초래함을 유의하라. 불소에 대한 수소의 비율이 감소됨에 따라 선택성은 반전된다. 폴리실리콘 및 실리콘 산화물은, 동일한 비율의 수소 및 불소가 원격 플라즈마 영역으로 전달되는 경우, 대략 동일한 속도로 제거된다. 수소:불소 1:1의 비율 미만에서, 폴리실리콘의 식각률은 실리콘 산화물의 것을 초과한다. 실시예들에서, 원격 플라즈마 영역으로 유동되는 수소는 필수적으로 없고, 이는 10:1 폴리실리콘:실리콘 산화물보다 큰 식각 선택성을 초래한다. 실시예들에서, 기법들은 또한 폴리실리콘 흡착층 없이 실리콘 기판에서의 갭에 적용될 수 있고, 산화물 비선택적인 식각은 실리콘 산화물 갭필보다 큰 속도로 실리콘을 제거할 것이다.
도 1 내지 도 3에 나타낸 선택적인 식각은 얕은 트렌치 격리 애플리케이션과 관련하여 설명되었다. 다양한 다른 애플리케이션들은 이러한 실리콘 선택적인 식각으로 이익을 얻을 것이다. 예를 들면, 이러한 선택적인 식각은 실리콘 산화물과 같은 노출된 산소-함유 물질의 해로운 양을 제거하지 않고 핀FET 구조체의 핀을 트리밍하기 위해 사용될 수 있다. 핀FET는 그의 두께가 장치 성능에 큰 영향을 주는 단일 결정질 실리콘의 수직 돌출부를 포함한다. 단일 결정질 실리콘은, 여기에서 설명된 원격 플라즈마 선택적인 식각으로 처리되는 경우, 폴리실리콘과 유사한 속도로 식각한다. 여기에서 설명된 장치 구조들에 대한 매우 다양한 대안적인 기하형상들이 나타나도록 기대되며, 산화물 비선택적인 식각으로 이익을 얻을 것이다.
여기에서 설명된 원격 플라즈마 식각의 유용성은 패터닝된 실리콘 및 실리콘 산화물을 포함하는 시스템들에 제한되지 않는다. 도 4는 실리콘 탄질화물(SiCN)을 실리콘 산탄화물(SiOC)보다 빠르게 제거하는 선택적인 식각의 흐름도이다. 실시예들에서, SiCN은 실리콘, 탄소 및 질소로 필수적으로 구성된다. 유사하게, SiOC는 실리콘, 탄소 및 산소로 필수적으로 구성된다. 도 5a 및 도 5b는 선택적인 식각 이전 및 이후의 예시적인 애플리케이션의 개략도들이다. 예시적인 애플리케이션은 금속간 유전체 층의 형성을 수반한다. 하부 구리 층(550)은 상부 저-K 막(570)으로부터의 오염물질들의 확산을 방지하기 위해 그것 위에 형성되는 실리콘 탄질화물(SiCN)(560-1)을 갖는다. 적합한 SiCN 막(560-1)은 BlokTM이고, 적합한 저-K 막(570)은 Black Diamond 이며, 이들 각각은 캘리포니아의 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 구입가능하다. 저-K 막(570)은 SiCN(560-1)의 층 위에 형성되고, 도 5a에 도시된 트렌치를 형성하기 위해 산화물 선택적인 식각으로 패터닝된다. 트렌치는 나중에 상이한 금속 층들 사이의 도전성 링크를 형성하기 위한 물질로 충진될 것이다. 그러나, 저항 접촉(ohmic contact)이 이루어질 수 있기 전에, 유전체 SiCN이 먼저 제거되어야 한다.
도 4의 공정은 패터닝된 기판이 처리 챔버 안으로 이송되는 경우 시작된다(동작 410). 질소 삼불화물의 유동이 원격 플라즈마 영역 안으로 개시된다(동작 420). 원격 플라즈마 영역은, 도 1 및 도 2를 참조하여 이전에 설명된 바와 같이, 수소가 필수적으로 없을 수 있거나, 더 적은 유동들의 수소를 가질 수 있다. 수소는 진공 시스템으로부터 완전하게 제거되는 것이 블가능하고, 수소가 "필수적으로 없는" 것은 합리적인 허용값을 수용하기 위해 사용된다. 플라즈마 유출물들은 처리 영역 안으로 유동되고, 패터닝된 기판 표면과 상호작용하도록 허용된다(동작 425). 패터닝된 기판은 실리콘 탄질화물 층이 실리콘 산탄화물에 대하여 우선적으로 제거되도록 선택적으로 식각된다(동작 430). 선택적인 식각은 금속의 후속 층이 새로이 노출된 탄소 표면을 접촉하게 하도록 SiCN의 일부가 트렌치의 바닥으로부터 제거될 때까지 계속된다. 전구체의 유동들은 정지되고(동작 435), 기판은 처리 영역으로부터 제거된다(동작 445). 선택적인 식각 다음의 SiCN 막(560-2)은 도 5b에 도시된다.
도 6은 개시된 실시예들에 따른 산화물 비선택적인 식각 동안 실리콘 산탄화물 및 실리콘 탄질화물의 식각률들을 표시하는 그래프이다. 곡선들은 기판 처리 영역에서 질소 삼불화물의 분압에 대한 식각률의 의존성을 도시한다. 앞서 나타낸 바와 같은 수소:불소 원자 유량에 의존에 더하여, 선택성은 패터닝된 기판의 부근에서의 질소 삼불화물의 농도에 더 의존한다. 더 낮은 분압들은 예시적인 애플리케이션에서 선호되는 SiOC에 비하여 SiCN의 선택성에서의 증가를 가능하게 한다. 질소 삼불화물 약 50 mTorr 분압 미만에서, SiCN 및 SiOC 양자의 식각률은 분압이 감소됨에 따라 감소된다. 감소의 속도는 SiCN을 식각하는 것에 대한 선택성이 감소되게 하는 SiOC에 대해 더 빠르다. 질소 삼불화물의 분압은 상이한 실시예들에서 50 mTorr, 30 mTorr 또는 20 mTorr 미만이다.
여기에서 설명된 산화물 비선택적인 식각은 산소가 필수적으로 없는 물질들을 산소-및-실리콘-함유 막들보다 빠르게 식각한다. 작은 양의 산소는 심지어 산소의 포함이 의도되지 않은 경우에도 종종 SiCN 및 폴리실리콘에 존재함은 주목할 만하다. 게다가, 기본 조성물을 결정하기 위해 사용되는 공통 측정 기법들은 샘플 준비 및 측정 동안 대기 오염에 기인한 산소의 존재를 많이 보고할(over-report) 수 있다. "산소가 필수적으로 없는" 또는 "산소가 없는"으로서 물질의 설명은 허용할 수 있는 허용값으로서 이들을 수용한다. 훨씬 더 일반적으로, 더 적은 산소를 갖는 실리콘-함유 막은 더 많은 산소를 갖는 실리콘-함유 막보다 빠르게 식각될 것이다. 실시예들에서, 실리콘-함유 막은 비정질, 결정질 또는 다결정질 중 하나의 형태의 실리콘으로 필수적으로 구성될 수 있다. 유사하게, 산소-및-실리콘-함유 막은 SiO2로 필수적으로 구성된다. 산화물 비선택적인 식각은 각각이 상이한 속도로 식각할 것이기 때문에, 이 둘 막들이 표면을 노출하는 한 여전히 유용성을 가질 수 있다. 노출된 실리콘-함유 영역의 식각률은 본 발명의 실시예들에서 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역의 식각률보다 5보다 큰 승인자(multiplicative factor)만큼 클 수 있다.
산화물 비선택적인 식각들이 이제까지 설명되어 왔다. 여기에서 설명된 방법들은 도 3에 도시된 실리콘 질화물보다 빠르게 실리콘을 선택적으로 식각하기 위해 사용될 수 있다. 선택성은 실리콘 산화물 위에 실리콘 식각 선택성에 대한 경우와 같이 표명되지 않는다. 차이는 다양한 공정 유동들에서 여전히 유용할 수 있다. 이러한 식각 공정들은 여기에서 산화물 비선택적인 식각들로 지칭될 수 있고, 산화물 비선택적인 식각들을 참조하여 설명된 실시예들과 동일한 공정 파라미터를 가질 수 있다. 유사하게, 본 발명의 실시예들에 따르면, 원격 플라즈마 영역 및 기판 처리 영역은 이러한 식각 공정들 동안, 각각 질소가 없을 수 있거나 필수적으로 없을 수 있다. 일반적으로 말하면, 실리콘-함유 물질들은 실리콘-함유 물질들보다 큰 질소 농도를 갖는 질소-및-실리콘-함유 물질에 비하여 선택적으로 식각될 수 있다. 노출된 실리콘-함유 영역의 식각률은 노출된 질소-및-실리콘-함유 물질의 식각률보다 본 발명의 실시예들에서 1.5보다 큰 승인자만큼 클 수 있다. 실리콘과 같은 실리콘-함유 막들은 또한 질소-산소-및-실리콘-함유 막들보다 빠르게 식각될 수 있다.
추가적인 산화물 비선택적 식각 공정 파라미터들은 예시적인 처리 시스템을 설명하는 중에서 개시된다.
예시적인 처리 시스템
도 7은 본 발명의 실시예들에서 수행될 수 있는 예시적인 처리 챔버(700)를 도시하는 부분 단면도이다. 일반적으로, 수소-함유 전구체 및 불소-함유 전구체는 하나 또는 둘 이상의 개구들(751)을 통하여 원격 플라즈마 영역(들)(761-763) 안으로 도입될 수 있고, 플라즈마 전원(746)에 의해 여기될 수 있다.
일 실시예에서, 처리 챔버(700)는 챔버 몸체(712), 리드 조립체(702), 및 지지 조립체(710)를 포함한다. 리드 조립체(702)는 챔버 몸체(712)의 상단에 배치되고, 지지 조립체(710)는 챔버 몸체(712) 내에 적어도 부분적으로 배치된다. 처리 챔버(700) 및 관련된 하드웨어는 바람직하게는 하나 또는 둘 이상의 공정-호환되는 물질들(예를 들면, 알루미늄, 스테인리스 강, 등)로부터 형성된다.
챔버 몸체(712)는 처리 챔버(700)의 내부로의 접근을 제공하기 위해 그것의 측벽에 형성되는 슬릿 밸브 개구(760)를 포함한다. 슬릿 밸브 개구(760)는 웨이퍼 핸들링 로봇(미도시)에 의한 챔버 몸체(712)의 내부로의 접근을 가능하게 하기 위해 선택적으로 개방되고 폐쇄된다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 근처의 이송 챔버 및/또는 로드락 챔보, 또는 클러스터 툴 내에 있는 다른 챔버에 대하여 슬롯 밸브 개구(760)를 통하여 처리 챔버(700) 안으로 및 밖으로 이송될 수 있다. 처리 챔버(700)를 포함할 수 있는 예시적인 클러스터 툴은 도 8에 도시된다.
하나 또는 둘 이상의 실시예에서, 챔버 몸체(712)는 챔버 몸체(712)를 통하여 열 이송 유체를 유동하기 위한 챔버 몸체 채널(713)을 포함한다. 열 이송 유체는 가열 유체 또는 냉각제일 수 있고, 처리 및 기판 이송 동안 챔버 몸체(712)의 온도를 제어하기 위해 사용된다. 챔버 몸체(712)의 가열은 챔버 벽들 상에 가스 또는 부산물들의 원하지 않는 응결을 방지하도록 도울 수 있다. 예시적인 열 이송 유체들은 물, 에틸렌 글리콜(glycol), 또는 이것의 혼합물을 포함한다. 예시적인 열 이송 유체는 또한 질소 가스를 포함할 수 있다. 지지 조립체(710)는 지지 조립체(710)를 통한 열 이송 유체를 유동하고 그에 의해 기판 온도에 영향을 미치기 위한 지지 조립체 채널(704)을 가질 수 있다.
챔버 몸체(712)는 지지 조립체(710)를 둘러싸는 라이너(733)를 더 포함할 수 있다. 바람직하게, 라이너(733)는 정비(servicing) 및 세정을 위하여 제거 가능하다. 라이너(733)는 알루미늄과 같은 금속 또는 세라믹 물질로 제조될 수 있다. 그러나, 라이너(733)는 임의의 공정-호환되는 물질일 수 있다. 라이너(733)는 그 위에 증착된 임의의 물질의 점착력을 증가시키기 위해 비드 블라스팅(bead blasted)될 수 있으며, 이에 의해 처리 챔버(700)의 오염을 초래하는 물질의 박리(flaking)를 방지할 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 실시예들에서, 라이너(733)는 하나 또는 둘 이상의 개구들(735) 및 그 안에 형성되며 진공 시스템과 유체 소통되는 펌핑 채널(729)을 포함한다. 개구(735)들은 펌핑 채널(729) 안으로 가스들에 대한 유동 통로를 제공하며, 이는 처리 챔버(700) 내의 가스들을 위한 배출구를 제공한다.
진공 시스템은 처리 챔버(700)를 통한 가스들의 유동을 조절하기 위해 진공 펌프(725) 및 드로틀 밸브(throttle valve)(727)를 포함할 수 있다. 진공 펌프(725)는 챔버 몸체(712) 상에 배치된 진공 포트(731)에 연결되고, 그에 따라 라이너(733) 내에 형성된 펌핑 채널(729)과 유체 소통된다. 용어 "가스" 및 "가스들"은 다른 언급이 없으면 교환가능하게 사용되고, 하나 또는 둘 이상의 반응물들, 촉매들, 캐리어, 퍼지, 세정, 이들의 조합들뿐만 아니라, 챔버 몸체(712) 안으로 도입되는 임의의 다른 유체를 지칭한다. 용어 "전구체"는 표면으로부터 물질을 제거하거나 증착하기 위해 반응에 참여하는 임의의 공정 가스를 지칭하는데 사용된다.
개구들(735)은 펌핑 채널(729)이 챔버 몸체(712) 내의 처리 영역(740)과 유체 소통되게 한다. 처리 영역(740)은 리드 조립체(702)의 하면 및 지지 조립체(710)의 상면에 의해 형성되며, 라이너(733)에 의해 둘러싸인다. 개구들(735)은 균일한 크기를 가질 수 있고, 라이너(733) 주위에 균등하게 이격될 수 있다. 그러나, 임의의 수, 위치, 크기 또는 형상의 개구들이 사용될 수 있고, 각각의 그러한 설계 파라미터들은 아래에서 더 상세하게 논의되는 바와 같이, 기판 수용면에 걸쳐 가스의 소정의 유동 패턴에 따라 변할 수 있다. 게다가, 개구들(735)의 크기, 수 및 위치는 처리 챔버(700)를 나가는 가스들의 균일한 유동을 달성하도록 구성된다. 또한, 개구 크기 및 위치는 챔버(700)로부터의 가스의 빠른 배기를 용이하게 하기 위해 빠른 또는 고 용량 펌핑을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 진공 포트(731)에 가까이 근접한 개구들(735)의 수 및 크기는 진공 포트(731)로부터 더 멀리 떨어져 위치된 개구들(735)의 크기보다 작을 수 있다.
가스 공급 패널(미도시)은 통상적으로 하나 또는 둘 이상의 개구들(751)을 통하여 처리 챔버(700)로 공정 가스(들)를 공급하기 위해 사용된다. 사용되는 특정 가스 또는 가스들은 챔버(700) 내에서 수행될 공정 또는 공정들에 의존한다. 예시적인 가스들은 하나 또는 둘 이상의 전구체들, 환원제들, 촉매들, 캐리어들, 퍼지, 세정, 또는 이들의 임의의 혼합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다. 통상적으로, 처리 챔버(700)로 도입되는 하나 또는 둘 이상의 가스들은 상측 플레이트(750)에서의 개구(들)(751)를 통하여 플라즈마 용적(761) 안으로 유동한다. 대안적으로 또는 결합하여, 처리 가스들은 더 직접적으로 개구(들)(752)를 통하여 처리 영역(740) 안으로 도입될 수 있다. 개구(들)(752)는 원격 플라즈마 여기를 건너뛰고, 플라즈마 여기를 요구하지 않는 가스들을 수반하는 공정들, 또는 가스들의 추가적인 여기로부터 이득을 얻지 않는 공정들에 대해 유용하다. 전자적으로 작동되는 밸브들 및/또는 유동 제어 메커니즘들(미도시)은 처리 챔버(700) 안으로의 가스 공급부로부터의 가스의 유동을 제어하기 위해 사용될 수 있다. 공정에 따라, 임의의 수의 가스들은 처리 챔버(700)로 전달될 수 있으며, 처리 챔버(700)에서, 또는 가스들이 처리 챔버(700)로 전달되기 이전에, 혼합될 수 있다.
리드 조립체(702)는 리드 조립체(702) 내에서 반응성 종의 플라즈마를 생성하기 위하여 전극(745)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전극(745)은 상부 플레이트(750)에 의해 지지되고, 알루미늄 산화물 또는 임의의 다른 절연 및 공정-호환되는 물질로 이루어진 전기적 절연 링(들)(747)을 삽입함으로써, 그것으로부터 전기적으로 절연된다. 하나 또는 둘 이상의 실시예들에서, 전극(745)은 전원(746)에 결합되는 한편, 리드 조립체(702)의 나머지는 그라운드에 결합된다. 따라서, 하나 또는 둘 이상의 공정 가스들의 플라즈마는 전극(745)과 환형 장착 플랜지(722) 사이의 용적(761, 762 및/또는 763)들로 구성된 원격 플라즈마 영역에서 생성될 수 있다. 실시예들에서, 환형 장착 플랜지는 가스 전달 플레이트(720)를 포함하거나 이를 지지한다. 예를 들면, 플라즈마는 전극(745)과 차단 조립체(730)의 하나 또는 양쪽 차단 플레이트들 사이에서 생성되어 유지될 수 있다. 대안적으로, 차단 조립체(730)가 없는 경우, 플라즈마는 전극(745)과 가스 전달 플레이트(720) 사이에서 충돌되어 수용될 수 있다. 어느 하나의 실시예에서, 플라즈마는 리드 조립체(702) 내에서 잘 한정되거나 수용될 수 있다. 따라서, 챔버 몸체(712) 내에 배치된 기판에 직접 접촉하는 반응성 플라즈마가 없기 때문에, 플라즈마는 "원격 플라즈마"이다. 결과적으로, 플라즈마가 기판 표면으로부터 분리되기 때문에, 기판에 대한 플라즈마 손상은 방지될 수 있다.
매우 다양한 전원들(746)이 질소-함유 전구체(질소 삼불화물)를 활성화시킬 수 있다. 예를 들면, 무선 주파수(RF), 직류(DC), 또는 마이크로파(MW) 기반 전력 방전 기법들이 사용될 수 있다. 활성화는 또한 열 기반 기법, 가스 분해(breakdown) 기법, 고강도 광원(예를 들면, UV 에너지), 또는 엑스선(x-ray) 소스에 대한 노출에 의해 발생될 수 있다. 대안적으로, 원격 플라즈마 생성기와 같은 원격 활성화 소스는 그 다음 챔버(700) 안으로 전달되는 반응성 종의 플라즈마를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 예시적인 원격 플라즈마 생성기들은 MKS Instruments, Inc. 및 Advanced Energy Industries, Inc.와 같은 판매사로부터 구입가능하다. 예시적인 처리 시스템에서, RF 전원은 전극(745)에 결합된다. 전원(746)을 이용하여 반응성 산소가 또한 생성될 경우, 고-전력 마이크로파 전원(746)이 유용하다.
공정 챔버 몸체(712) 및 기판의 온도들은 각각 챔버 몸체 채널(713) 및 지지 조립체 채널(704) 통하여 열 전달 매체를 각각으로 유동시킴으로써 제어될 수 있다. 지지 조립체 채널(704)은 열 에너지의 전달을 용이하게 하기 위해 지지 조립체(710) 내에 형성될 수 있다. 챔버 몸체(712) 및 지지 조립체(710)는 독립적으로 냉각되거나 가열될 수 있다. 예를 들면, 가열 유체는 하나를 통하여 유동될 수 있는 한편, 냉각 유체는 다른 하나를 통하여 유동된다.
다른 방법들이 기판 온도를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 기판은 저항성 히터에 의해 지지 조립체(710)(또는 페디스털과 같은, 지지 조립체(710)의 일부)를 가열함으로써, 또는 어떤 다른 수단에 의해 가열될 수 있다. 다른 구성에서, 가스 전달 플레이트(720)는 기판보다 더 높은 온도로 유지될 수 있으며, 기판은 기판 온도를 상승시키기 위하여 들어 올려질 수 있다. 이러한 경우, 기판은 복사적으로 또는 가스 전달 플레이트(720)로부터 기판으로 열을 전도시키기 위해 가스를 이용함으로써 가열된다. 기판은 지지 조립체(710)를 상승시킴으로써, 또는 리프트 핀들을 이용함으로써, 들어 올려질 수 있다.
여기에서 설명된 식각 공정들 동안, 챔버 몸체(712)는, 상이한 실시예들에서, 대략 50℃ 내지 80℃, 55℃ 내지 75℃, 또는 60℃ 내지 70℃의 온도 범위 내에서 유지될 수 있다. 플라즈마 유출물들 및/또는 산화제들에 대한 노출 동안, 기판은, 상이한 실시예들에서, 약 100℃ 미만, 약 65℃ 미만, 약 15℃ 내지 약 50℃, 또는 약 22℃ 내지 약 40℃로 유지될 수 있다. 기판들은 또한, 산화물 비선택적 식각이 적어도 승화 단계이면 크게 의존하지 않기 때문에, 식각 동안 높은 온도에서 유지될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 기판은 70℃ 초과, 100℃ 초과 또는 130℃ 초과로 유지될 수 있다.
플라즈마 유출물들은 다양한 분자들, 분자 조각들 및 이온화된 종들을 포함한다. 산화물 비선택적 식각 동안, 플라즈마 유출물들은 산소가 부족하거나 작은 양의 산소를 갖는 노출된 실리콘-함유 물질과 쉽게 반응하는 불소기들(fluorine radicals)을 포함한다. 플라즈마 유출물들은 처리 영역(740)으로부터 진공 펌프(725)에 의해 제거되는 SiF 및 H2O 증기 생성물들을 형성하기 위해 무산소(oxygen-free) 실리콘-함유 층과 반응할 수 있다.
실시예들에서, 원격 플라즈마 영역 안으로 도입되는 수소는 거의 없다. 이러한 조건들 하에서, 기판 표면 상에 생성되는 고체 잔류물들은 거의 없고 승화 단계는 생략될 수 있다. 수소의 소스가 포함되는 경우, 기판이 플라즈마 유출물들에 노출될 때 형성되는 고체 잔류물 식각 부산물들을 승화시키기 위해 기판은 가열될 수 있다. 실시예들에서, 가스 전달 플레이트(720)는 가스 전달 플레이트(720) 내에 또는 부근에 가열 부재(770)를 통합함으로써 가열 가능하다. 기판은 기판과 가열된 가스 전달 플레이트 사이의 거리를 감소시킴으로써 가열될 수 있다. 가스 전달 플레이트(720)는 상이한 실시예들에서 약 100℃ 내지 150℃, 약 110℃ 내지 140℃ 또는 약 120℃ 내지 130℃로 가열될 수 있다. 기판과 가열된 가스 전달 플레이트 사이의 간격을 감소시킴으로써, 기판은 상이한 실시예들에서 약 75℃ 초과, 약 90℃ 초과, 약 100℃ 초과, 또는 약 115℃ 내지 약 150℃로 가열될 수 있다. 수소 소스가 불소 소스를 따라 유동되는 경우, 가스 전달 플레이트(720)로부터 기판으로 복사된 열은 기판의 산화물 부분들로부터의 고체 (NH4)2SiF6를 처리 영역(740)으로부터 멀리 펌핑될 수 있는 휘발성의 SiF4, NH3　및 HF 생성물들로 해리시키거나 승화시키기에 충분하게 되어야 한다.
질소 삼불화물(또는 다른 불소-함유 전구체)은 상이한 실시예들에서 약 25sccm 내지 약 200sccm, 약 50sccm 내지 약 150sccm, 또는 약 75sccm 내지 약 125sccm의 속도들로 원격 플라즈마 용적(761) 안으로 유동될 수 있다. 암모니아(또는 일반적으로 수소-함유 전구체들)는 상이한 실시예들에서 약 20sccm 또는 그 미만, 약 15sccm 또는 그 미만, 약 10sccm 또는 그 미만, 약 5sccm 또는 그 미만, 또는 약 2sccm 또는 그 미만의 속도들로 원격 플라즈마 용적(761) 안으로 유동될 수 있다.
원격 플라즈마 영역 안으로의 수소-함유 및 불소-함유 전구체들의 조합된 유량들은 전체적인 가스 혼합물의 부피로 0.05 % 내지 약 20 %를 차지할 수 있으며; 나머지는 캐리어 가스이다. 일 실시예에서, 퍼지 또는 캐리어 가스는 원격 플라즈마 영역 내의 압력을 안정화시키기 위해 반응성 가스들의 개시 전에, 원격 플라즈마 영역 안으로 먼저 개시된다.
플라즈마 유출물들의 생성은 리드 조립체(702)의 나머지에 대한 전극(745)에 플라즈마 전력을 인가함으로써, 용적들(761, 762 및/또는 763) 내에서 발생한다. 플라즈마 전력은 다양한 주파수들이거나 복수의 주파수들의 조합일 수 있다. 예시적인 처리 시스템에서, 플라즈마는 전극(745)으로 전달된 RF 전력에 의해 제공된다. RF 전력은 상이한 실시예들에서 약 1W 내지 약 1000W, 약 5W 내지 약 600W, 약 10W 내지 약 300W 또는 약 20W 내지 약 100W일 수 있다. 예시적인 처리 시스템에 인가된 RF 주파수는 상이한 실시예들에서 약 200㎑보다 작거나, 약 150㎑보다 작거나, 약 120㎑보다 작거나 또는 약 50㎑ 내지 약 90㎑일 수 있다.
처리 영역(740)은, 처리 영역(740) 안으로의 플라즈마 유출물들의 유동 동안, 다양한 압력들로 유지될 수 있다. 압력은 상이한 실시예들에서 약 500mTorr 내지 약 30Torr, 약 1Torr 내지 약 10Torr 또는 약 3Torr 내지 약 6Torr로 유지될 수 있다. 더 낮은 압력이 또한 처리 영역(740) 내에서 사용될 수 있다. 압력은 상이한 실시예들에서 약 500mTorr 또는 그 미만, 약 250mTorr 또는 그 미만, 약 100mTorr 또는 그 미만, 약 50mTorr 또는 그 미만 또는 약 20mTorr 또는 그 미만으로 유지될 수 있다.
식각 공정의 선택성은 플라즈마 유출물들을 기판 처리 영역 안으로 유동하기 전에 용적들(761-763)에서 생성된 대전된 종들을 중성화함으로써 향상될 수 있다. 중성 반응기들(reactive radicals)(분자 조각들)은 여전히 기판 처리 영역 안으로 통과되고, 선택성 식각 공정을 수행하기 위해 기판과 반응한다. 이 때문에, 샤워헤드에서의 홀들은 유출물들이 기판 처리 영역을 향하여 이동함에 따라 중성화 충돌들을 증가시키기 위해 좁혀질 수 있다. 독립 샤워헤드는 또한 기판 처리 영역 안으로의 이온들의 유동을 억제하기 위해 플라즈마 유출물들의 경로에 포함될 수 있다. 독립 샤워헤드는 이온 억제기(미도시)로서 지칭될 수 있다. 이러한 중성 (대전되지 않은) 종들은 여전히 홀들을 통하여 더 적은 반응성 캐리어 가스에 의해 이송되는 고 반응성 종들을 포함할 수 있다. 기판 처리 영역 안으로의 이온화된 유출물들의 유동은 분자 조각 단위로 중성 종들의 유동 아래로 감소될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 유동은 또한 중성 종들의 10% 미만일 수 있거나 필수적으로 제거될 수 있다. 기판 처리 영역 안으로 통과하는 이온 종들의 양의 제어는 하부 웨이퍼 기판에 접촉되는 가스 혼합물에 대한 감소된 제어를 제공하고, 식각 공정의 선택성의 제어를 증가시킨다.
이온 억제기 및/또는 샤워헤드에서의 복수의 홀들은 기판 처리 영역 안으로의 활성화된 가스(즉, 이온, 기(radical), 및/또는 중성 종들)의 통로를 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 홀들의 종횡비(즉, 홀 길이에 대한 직경) 및/또는 홀들의 기하형상은 기판 처리 영역 안으로 통과하는 활성화된 가스에서의 이온-대전된 종들의 유동이 감소되도록 제어될 수 있다. 홀들은 원격 플라즈마 영역(용적들(761, 762 및/또는 763)을 향하는 테이퍼링된(tapered) 부분을 포함한다. 테이퍼는 홀들 안으로의 상당한 수의 유출물들이 기판 처리 영역으로 들어가기 이전에 중성화 충돌들을 겪게 하지만, 유출물들의 많은 비율이 강제로 기판 처리 영역으로 들어가기 이전에 중성화 충돌들을 겪게 하도록 기능할 수 있다. 조정 가능한 전기적 바이어스는 또한 억제기들을 통하여 이온 종들을 제어하기 위한 부가 수단으로서 이온 억제기 및/또는 샤워헤드로 인가될 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 실시예들에서, 처리 챔버(700)는, 캘리포니아의 산타 클라라에 위치한 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 구입할 수 있는 ProducerTM GT, CenturaTM AP 및 EnduraTM 플랫폼들을 포함하는 다양한 멀티-처리 플랫폼들로 통합될 수 있다. 이러한 처리 플랫폼은 진공을 약화시키지 않고도 몇몇 처리 동작들을 수행할 수 있다.
도 8은 예시적인 멀티-챔버 처리 시스템(800)의 개략적인 평면도이다. 시스템(800)은 시스템(800) 안으로 및 밖으로 기판들을 이송하기 위한 하나 또는 둘 이상의 로드락 챔버들(802, 804)을 포함할 수 있다. 통상적으로 시스템(800)이 진공 하이기 때문에, 로드락 챔버들(802, 804)은 시스템(800) 안으로 도입된 기판들을 "펌핑 다운(pump down)"할 수 있다. 제 1 로봇(810)은 로드락 챔버들(802, 804)과 제 1 세트의 하나 또는 둘 이상의 기판 처리 챔버들(812, 814, 816, 818)(4개가 도시됨) 사이에서 기판들을 이송할 수 있다. 각각의 처리 챔버(812, 814, 816, 818)는 주기적 층 증착(CLD), 원자층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 식각, 예비-세정, 탈가스, 배향 및 다른 기판 공정들에 더하여, 여기에서 설명된 건식 식각 공정들을 포함하는 다수의 기판 처리 동작들을 수행하기 위해 구비될 수 있다.
제 1 로봇(810)은 또한 하나 또는 둘 이상의 이송 챔버들(822, 824)로/로부터 기판들을 이송할 수 있다. 이송 챔버들(822, 824)은 기판들이 시스템(800) 안으로 이송되게 하면서 초고진공 상태들을 유지하기 위해 사용될 수 있다. 제 2 로봇(830)은 이송 챔버들(822, 824)과 제 2 세트의 하나 또는 둘 이상의 처리 챔버들(832, 834, 836, 838) 사이에서 기판들을 이송할 수 있다. 처리 챔버들(812, 814, 816, 818)들과 유사하게, 처리 챔버(832, 834, 836, 838)들은, 예를 들면, 주기적 층 증착(CLD), 원자층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 식각, 예비-세정, 탈가스 및 배향에 더하여, 여기에서 설명된 건식 식각 공정들을 포함하는 다양한 기판 처리 동작들을 수행하기 위해 구비될 수 있다. 임의의 기판 처리 챔버(812, 814, 816, 818, 832, 834, 836, 838)들은, 시스템(800)에 의해 수행될 특정한 공정이 필요하지 않은 경우, 시스템(800)으로부터 제거될 수 있다.
시스템 제어기(857)는 모터들, 밸브들, 유동 제어기들, 전력 공급부들 및 여기에서 설명된 공정 처리법들을 수행하기 위해 필요한 다른 기능들을 제어하기 위해 사용된다. 시스템 제어기(857)는 이동 가능한 기계적 조립체들의 위치를 결정 및 조정하기 위해 광학 센서들로부터의 피드백을 필요로 할 수 있다. 기계적 조립체들은 시스템 제어기(857)의 제어 하에서 모터들에 의해 이동되는 로봇, 드로틀 밸브들 및 서셉터들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 시스템 제어기(857)는 하드 디스크 드라이브(메모리), USB 포트들, 플로피 디스크 드라이브 및 프로세서를 포함한다. 시스템 제어기(857)는 아날로그 및 디지털 입력/출력 보드들, 인터페이스 보드들 및 스텝퍼 모터 제어기 보드들을 포함한다. 처리 챔버(800)를 포함하는 멀티-챔버 처리 시스템(800)의 많은 부분들은 시스템 제어기(857)에 의해 제어된다. 시스템 제어기는 하드 디스크, 플로피 디스크 또는 플래시 메모리 썸 드라이브(flash memory thumb drive)와 같은 컴퓨터-판독가능한 매체 상에 저장되는 컴퓨터 프로그램의 형태로 시스템 제어 소프트웨어를 실행한다. 다른 유형의 메모리가 또한 사용될 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 타이밍, 가스들의 혼합, 챔버 압력, 챔버 온도, RF 전력 레벨, 서셉터 위치, 및 특정 공정의 다른 파라미터들을 지시하는 일련의 명령들을 포함한다.
기판상의 필름을 식각, 증착 또는 다른 방법으로 처리하기 위한 공정 또는 챔버를 세정하기 위한 공정은 제어기에 의해 실행되는 컴퓨터 프로그램 물건을 이용하여 실행될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 코드는 임의의 종래의 컴퓨터 판독가능한 프로그래밍 언어로 작성될 수 있다: 예를 들면, 68000 어셈블리 언어, C, C++, 파스칼, 포트란 또는 그 밖의 것. 적합한 프로그램 코드는 종래의 문서 편집기를 이용하여 단일 파일, 또는 복수의 파일들에 입력되고, 컴퓨터의 메모리 시스템과 같은 컴퓨터 이용가능 매체에서 저장되거나 실시된다. 입력된 코드 텍스트가 고급 언어인 경우, 코드는 컴파일되며, 그에 따른 컴파일러 코드는 그 다음 프리컴파일된 Microsoft Windows® 라이브러리 루틴들의 목적 코드(object code)와 링크된다. 링크되고 컴파일된 목적 코드를 실행하기 위해, 시스템 사용자는 목적 코드를 작동시키고, 컴퓨터 시스템이 메모리 내의 코드를 로딩하게 한다. CPU는 그 다음 프로그램내에서 식별된 태스크를 수행하기 위해 코드를 판독하고 실행한다.
사용자 및 제어기 사이의 인터페이스는 터치-감지 모니터를 통할 수 있고, 마우스 및 키보드를 또한 포함할 수 있다. 일 실시예에서 두 개의 모니터들이 사용되는데, 하나는 운전자들을 위해 청정실 벽에 장착되고, 다른 하나는 서비스 기술자들을 위해 벽 뒤에 장착된다. 두 개의 모니터들은 동일한 정보를 동시에 표시하는데, 이 경우, 단지 하나의 모니터만이 한 번에 입력을 수용하도록 구성된다. 특정한 스크린 또는 기능을 선택하기 위해, 운전자는 디스플레이 화면상의 지정된 영역을 손가락이나 마우스로 터치한다. 터치된 영역은 그것의 하이라이트 된 색을 변경하거나, 새로운 메뉴 또는 스크린이 표시되어, 운전자의 선택을 확인한다.
여기에서 사용된 바와 같이, "기판"은 그 위에 형성된 층들을 갖거나 갖지 않는 지지 기판일 수 있다. 지지 기판은 다양한 도핑 농도들 및 프로파일들의 절연체 또는 반도체일 수 있고, 예를 들면, 집적 회로들의 제조에 사용되는 유형의 반도체 기판일 수 있다. "여기 상태"인 가스는 가스 분자들의 적어도 일부가 진동-여기, 해리 및/또는 이온화된 상태들인 가스를 설명한다. 가스는 둘 또는 그 초과의 가스들의 조합일 수 있다. "실리콘 산화물"은 대부분 SiO2이지만, 질소, 수소, 탄소 등과 같은 다른 기본 성분들의 농도들을 포함할 수 있다. 용어 "갭" 및 "트렌치"는 식각된 기하형상이 큰 수평 종횡비를 가짐을 암시하지 않고 전체에 걸쳐서 사용된다. 표면 위에서 보면, 이들 구조들은 원형, 타원형, 다각형, 직사각형, 또는 다양한 다른 형상들로 보일 수 있다. 여기에서 사용된 바와 같이, 형상추종 식각 공정은 일반적으로 표면과 동일한 형상으로 표면 상의 물질의 균일한 제거를 지칭하며, 즉, 식각된 층의 표면 및 예비-식각 표면은 일반적으로 평행하다. 당업자는 식각된 인터페이스가 100% 형상추종일 수 없을 것 같고, 그에 의해 용어 "일반적인"은 허용할 수 있는 허용값들을 고려함을 인식할 것이다.
몇몇 실시예들을 개시하였지만, 다양한 변형들, 대안적 구성들, 및 등가물들이 개시된 실시예의 사상을 벗어나지 않고 이용될 수 있음은 당업자들에 의해 인식될 것이다. 부가적으로, 많은 주지의 공정들 및 부재들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 함을 방지하기 위해 설명하지 않았다. 따라서, 상기 설명은 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다.
값들의 범위가 제공되는 경우, 이들 범위의 상한 및 하한 사이의 각각의 중간 값은, 문맥이 명확하게 달리 지시하지 않는 한, 하한 단위의 1/10까지 또한 구체적으로 개시됨이 이해된다. 명시된 범위의 임의의 명시된 값 또는 중간 값과 그 명시된 범위의 임의의 다른 명시된 또는 중간 값 사이의 각각의 더 작은 범위가 포함된다. 명시된 범위내의 임의의 구체적으로 배제된 임의의 한계들에 대해, 이들 더 작은 범위들의 상한 및 하한은 상기 범위에 독립적으로 포함되거나 배제될 수 있으며, 상한 및 하한 중 어느 하나가 더 작은 범위들 내에 포함되거나, 상한 및 하한 중 어느 하나도 더 작은 범위들 내에 포함되지 않거나, 또는 상한 및 하한 양자 모두가 더 작은 범위들 내에 포함되는 각각의 범위는 또한 본 발명 내에 포함된다. 명시된 범위가 상한 및 하한 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는 경우에, 이들 포함된 상한 및 하한 중 어느 하나 또는 양자 모두를 배제하는 범위들이 또한 포함된다.
여기서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태들 "a", "an", 및 "the"는, 문맥이 명확히 다르게 지시하지 않는 한, 복수의 지시 대상들을 포함한다. 따라서, 예를 들면, "공정(a process)"에 대한 언급은 복수의 이러한 공정들을 포함하고, "유전체 물질(the dielectric material)"에 대한 언급은 하나 또는 둘 이상의 유전체 물질들 및 당업자에게 알려져 있는 유전체 물질의 등가들 등을 포함한다.
또한, 단어들 "포함하다(comprise)", "포함하는(comprising)", "구비하다(include)", "구비하는(includes)" 및 "구비하는(includes)"는, 본 명세서 및 다음의 청구항들에서 사용되는 경우에, 명시된 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 또는 단계들의 존재를 특정하도록 의도되지만, 이들이 하나 또는 둘 이상의 다른 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 단계들, 동작들, 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.

Claims (20)

  1. 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법으로서,
    상기 패터닝된 기판은 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역 및 상기 산소-및-실리콘-함유 영역보다 적은 산소를 함유하는 노출된 실리콘-함유 영역을 갖고,
    플라즈마 유출물들(effluents)을 생성하기 위해 상기 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 형성하는 동안, 상기 기판 처리 영역에 유체 결합된(fluidly coupled) 원격 플라즈마 영역 안으로 불소-함유 전구체를 유동시키는 단계; 및
    상기 플라즈마 유출물들을 상기 기판 처리 영역 안으로 유동시킴으로써 상기 실리콘-함유 영역을 상기 산소-및-실리콘-함유 영역보다 빠르게 식각하는 단계를 포함하는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역의 식각률은 상기 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역의 식각률보다 5보다 큰 승인자(multiplicative factor)만큼 큰, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 근본적으로 산소가 없는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 근본적으로 실리콘으로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역은 근본적으로 SiO2로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 폴리실리콘이고, 상기 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역은 SiO2이며, 상기 폴리실리콘은 1㎚ 내지 15㎚로 트리밍되는(trimmed), 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 근본적으로 실리콘, 탄소 및 질소로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역은 근본적으로 실리콘, 탄소 및 산소로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 SiCN이고, 상기 노출된 산소-및-실리콘-함유 영역은 SiOC이며, 상기 SiCN은 SiOC에 형성된 트렌치의 바닥으로부터 제거되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 불소-함유 전구체는 질소 삼불화물, 2원자 불소, 1원자 불소 및 불소-치환 탄화 수소들로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 전구체를 포함하는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 유출물들은 5:1보다 큰 불소-대-수소의 원자비를 갖는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘-함유 영역의 식각 선택성을 증가시키기 위해 상기 기판 처리 영역 내의 상기 플라즈마 유출물들에서 존재하는 이온화된 종들이 근본적으로 없는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  13. 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법으로서,
    상기 패터닝된 기판은 노출된 질소-및-실리콘-함유 영역 및 상기 질소-및-실리콘-함유 영역보다 적은 질소를 함유하는 노출된 실리콘-함유 영역을 갖고,
    플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 상기 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 형성하는 동안, 상기 기판 처리 영역에 유체 결합된 원격 플라즈마 영역 안으로 불소-함유 전구체를 유동시키는 단계; 및
    상기 플라즈마 유출물들을 상기 기판 처리 영역 안으로 유동시킴으로써 상기 실리콘-함유 영역을 상기 질소-및-실리콘-함유 영역보다 빠르게 식각하는 단계를 포함하는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역의 식각률은 상기 노출된 질소-및-실리콘-함유 영역의 식각률보다 1.5보다 큰 승인자만큼 큰, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 근본적으로 질소가 없는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 노출된 실리콘-함유 영역은 근본적으로 실리콘으로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 노출된 질소-및-실리콘-함유 영역은 근본적으로 실리콘 질화물로 구성되는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 불소-함유 전구체는 질소 삼불화물, 2원자 불소, 1원자 불소 및 불소-치환 탄화 수소들로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 전구체를 포함하는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 불소-함유 전구체 및 상기 플라즈마 유출물들은 근본적으로 수소가 없는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라즈마 유출물들은 5:1보다 큰 불소-대-수소의 원자비를 갖는, 기판 처리 챔버의 기판 처리 영역에서 패터닝된 기판을 식각하는 방법.
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KR1020127033885A KR101884262B1 (ko) 2010-05-27 2011-05-06 실리콘 막들에 대한 선택적인 식각

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9324576B2 (ko)
JP (1) JP2013529391A (ko)
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CN (1) CN102918635A (ko)
SG (1) SG185514A1 (ko)
TW (1) TWI555079B (ko)
WO (1) WO2011149638A2 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140884A (ko) * 2014-03-31 2016-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 무-할로겐 기상 실리콘 에칭
KR20190040371A (ko) * 2016-09-12 2019-04-17 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 작업물 프로세싱 장치
WO2019107729A1 (ko) * 2017-11-30 2019-06-06 무진전자 주식회사 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하는 건식 세정 장치 및 방법
WO2019107728A1 (ko) * 2017-11-30 2019-06-06 무진전자 주식회사 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법
WO2020264170A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-30 Lam Research Corporation Deposition of self assembled monolayer for enabling selective deposition and etch

Families Citing this family (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
KR20120040761A (ko) * 2010-08-26 2012-04-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
US8741778B2 (en) 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) * 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) * 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
WO2013183437A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 東京エレクトロン株式会社 ガス処理方法
US9034773B2 (en) * 2012-07-02 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Removal of native oxide with high selectivity
US10283615B2 (en) 2012-07-02 2019-05-07 Novellus Systems, Inc. Ultrahigh selective polysilicon etch with high throughput
US8916477B2 (en) * 2012-07-02 2014-12-23 Novellus Systems, Inc. Polysilicon etch with high selectivity
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) * 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) * 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140273451A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Tungsten deposition sequence
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9368370B2 (en) * 2014-03-14 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Temperature ramping using gas distribution plate heat
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
CN105225955A (zh) * 2014-06-20 2016-01-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 鳍部和sti结构的制作方法、半导体器件及其制作方法
JP6235981B2 (ja) * 2014-07-01 2017-11-22 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9558928B2 (en) 2014-08-29 2017-01-31 Lam Research Corporation Contact clean in high-aspect ratio structures
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9449843B1 (en) 2015-06-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Selectively etching metals and metal nitrides conformally
US9922840B2 (en) * 2015-07-07 2018-03-20 Applied Materials, Inc. Adjustable remote dissociation
US9659791B2 (en) 2015-07-16 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Metal removal with reduced surface roughness
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
TWI727992B (zh) * 2015-11-11 2021-05-21 美商諾發系統有限公司 具有高產能之超高選擇性多晶矽蝕刻
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9679780B1 (en) 2016-09-28 2017-06-13 International Business Machines Corporation Polysilicon residue removal in nanosheet MOSFETs
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
CN110178201B (zh) * 2017-01-13 2023-06-16 应用材料公司 用于低温氮化硅膜的方法及设备
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10896816B2 (en) 2017-09-26 2021-01-19 International Business Machines Corporation Silicon residue removal in nanosheet transistors
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US11149350B2 (en) * 2018-01-10 2021-10-19 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for supplying carrier and dry gas
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
JP7418401B2 (ja) * 2018-07-27 2024-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良されたイオンブロッカを備えた遠隔容量結合プラズマ源
US10804368B2 (en) 2018-07-30 2020-10-13 International Business Machines Corporation Semiconductor device having two-part spacer
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) * 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR20220056249A (ko) 2018-10-19 2022-05-04 램 리써치 코포레이션 갭 충진 (gapfill) 을 위한 도핑되거나 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 증착 및 원격 수소 플라즈마 노출
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7000568B2 (ja) * 2019-06-21 2022-01-19 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法
US11037851B2 (en) 2019-08-30 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050007143A (ko) * 2003-07-10 2005-01-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속함유 게이트전극을 갖는 전계효과 트랜지스터의게이트 구조체를 제조하는 방법
JP2005050908A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Hitachi High-Technologies Corp Ｌｓｉデバイスのエッチング方法および装置
US20090104782A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Applied Materials, Inc. Selective etching of silicon nitride

Family Cites Families (1347)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2369620A (en) 1941-03-07 1945-02-13 Battelle Development Corp Method of coating cupreous metal with tin
US3451840A (en) 1965-10-06 1969-06-24 Us Air Force Wire coated with boron nitride and boron
US3537474A (en) 1968-02-19 1970-11-03 Varian Associates Push button vacuum control valve and vacuum system using same
US3756511A (en) 1971-02-02 1973-09-04 Kogyo Kaihatsu Kenyusho Nozzle and torch for plasma jet
US3969077A (en) 1971-12-16 1976-07-13 Varian Associates Alkali metal leak detection method and apparatus
US4632857A (en) 1974-05-24 1986-12-30 Richardson Chemical Company Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer
US4232060A (en) 1979-01-22 1980-11-04 Richardson Chemical Company Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby
US4397812A (en) 1974-05-24 1983-08-09 Richardson Chemical Company Electroless nickel polyalloys
US3937857A (en) 1974-07-22 1976-02-10 Amp Incorporated Catalyst for electroless deposition of metals
US4006047A (en) 1974-07-22 1977-02-01 Amp Incorporated Catalysts for electroless deposition of metals on comparatively low-temperature polyolefin and polyester substrates
US4341592A (en) 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
US4265943A (en) 1978-11-27 1981-05-05 Macdermid Incorporated Method and composition for continuous electroless copper deposition using a hypophosphite reducing agent in the presence of cobalt or nickel ions
US4234628A (en) 1978-11-28 1980-11-18 The Harshaw Chemical Company Two-step preplate system for polymeric surfaces
US4214946A (en) * 1979-02-21 1980-07-29 International Business Machines Corporation Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant
US4361441A (en) 1979-04-17 1982-11-30 Plasma Holdings N.V. Treatment of matter in low temperature plasmas
US4209357A (en) 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS56100422A (en) 1980-01-17 1981-08-12 Toshiba Corp Plasma etching method
IT1130955B (it) 1980-03-11 1986-06-18 Oronzio De Nora Impianti Procedimento per la formazione di elettroci sulle superficie di membrane semipermeabili e sistemi elettrodo-membrana cosi' prodotti
US4361418A (en) 1980-05-06 1982-11-30 Risdon Corporation High vacuum processing system having improved recycle draw-down capability under high humidity ambient atmospheric conditions
NL8004005A (nl) 1980-07-11 1982-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4381441A (en) 1980-10-30 1983-04-26 Western Electric Company, Inc. Methods of and apparatus for trimming film resistors
US4368223A (en) 1981-06-01 1983-01-11 Asahi Glass Company, Ltd. Process for preparing nickel layer
DE3205345A1 (de) 1982-02-15 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"
US4585920A (en) 1982-05-21 1986-04-29 Tegal Corporation Plasma reactor removable insert
JPS591671A (ja) 1982-05-28 1984-01-07 Fujitsu Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPS59126778A (ja) 1983-01-11 1984-07-21 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki プラズマエツチング方法及びその装置
JPS6060060A (ja) 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US4579618A (en) 1984-01-06 1986-04-01 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
US4656052A (en) 1984-02-13 1987-04-07 Kyocera Corporation Process for production of high-hardness boron nitride film
US4571819A (en) 1984-11-01 1986-02-25 Ncr Corporation Method for forming trench isolation structures
US4656076A (en) 1985-04-26 1987-04-07 Triquint Semiconductors, Inc. Self-aligned recessed gate process
JPS61276977A (ja) 1985-05-30 1986-12-06 Canon Inc 堆積膜形成法
US4807016A (en) 1985-07-15 1989-02-21 Texas Instruments Incorporated Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide
US4714520A (en) 1985-07-25 1987-12-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method for filling a trench in an integrated circuit structure without producing voids
US4610775A (en) 1985-07-26 1986-09-09 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for clearing short-circuited, high-voltage cathodes in a sputtering chamber
US4749440A (en) 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4668335A (en) 1985-08-30 1987-05-26 Advanced Micro Devices, Inc. Anti-corrosion treatment for patterning of metallic layers
US4690746A (en) 1986-02-24 1987-09-01 Genus, Inc. Interlayer dielectric process
US4715937A (en) 1986-05-05 1987-12-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Low-temperature direct nitridation of silicon in nitrogen plasma generated by microwave discharge
US4960488A (en) 1986-12-19 1990-10-02 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
US5228501A (en) 1986-12-19 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler
US4872947A (en) 1986-12-19 1989-10-10 Applied Materials, Inc. CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process
US4892753A (en) 1986-12-19 1990-01-09 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4951601A (en) 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
JPS63204726A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
US4868071A (en) 1987-02-24 1989-09-19 Polyonics Corporation Thermally stable dual metal coated laminate products made from textured polyimide film
US5322976A (en) 1987-02-24 1994-06-21 Polyonics Corporation Process for forming polyimide-metal laminates
EP0283311B1 (en) 1987-03-18 2001-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film forming method
US4793897A (en) 1987-03-20 1988-12-27 Applied Materials, Inc. Selective thin film etch process
US4786360A (en) 1987-03-30 1988-11-22 International Business Machines Corporation Anisotropic etch process for tungsten metallurgy
US5198034A (en) 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
DE3884653T2 (de) 1987-04-03 1994-02-03 Fujitsu Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant.
US4913929A (en) 1987-04-21 1990-04-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use
US4753898A (en) 1987-07-09 1988-06-28 Motorola, Inc. LDD CMOS process
US4857140A (en) 1987-07-16 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Method for etching silicon nitride
US4886570A (en) 1987-07-16 1989-12-12 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4820377A (en) 1987-07-16 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for cleanup processing chamber and vacuum process module
US4904621A (en) 1987-07-16 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Remote plasma generation process using a two-stage showerhead
US4828649A (en) 1987-07-16 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method for etching an aluminum film doped with silicon
US4878994A (en) 1987-07-16 1989-11-07 Texas Instruments Incorporated Method for etching titanium nitride local interconnects
JPS6432627A (en) 1987-07-29 1989-02-02 Hitachi Ltd Low-temperature dry etching method
US4810520A (en) 1987-09-23 1989-03-07 Magnetic Peripherals Inc. Method for controlling electroless magnetic plating
US5180435A (en) 1987-09-24 1993-01-19 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method and apparatus for growing an epitaxial semiconductor layer
KR930003136B1 (ko) 1987-10-14 1993-04-22 후루가와덴기 고오교오 가부시기가이샤 프라즈마 cvd에 의한 박막 형성장치
US4981551A (en) 1987-11-03 1991-01-01 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4865685A (en) 1987-11-03 1989-09-12 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4851370A (en) 1987-12-28 1989-07-25 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Fabricating a semiconductor device with low defect density oxide
JP2804037B2 (ja) 1988-02-05 1998-09-24 株式会社東芝 ドライエッチング方法
JPH01297141A (ja) 1988-05-25 1989-11-30 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
US4900856A (en) 1988-05-26 1990-02-13 Ethyl Corporation Preparation of metal halide-amine complexes
JPH029115A (ja) 1988-06-28 1990-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US4904341A (en) 1988-08-22 1990-02-27 Westinghouse Electric Corp. Selective silicon dioxide etchant for superconductor integrated circuits
JPH02114525A (ja) 1988-10-24 1990-04-26 Toshiba Corp 有機化合物膜の除去方法及び除去装置
US4894352A (en) 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
JPH02121330A (ja) 1988-10-31 1990-05-09 Hitachi Ltd プラズマ処理方法及び装置
KR930004115B1 (ko) 1988-10-31 1993-05-20 후지쓰 가부시끼가이샤 애싱(ashing)처리방법 및 장치
EP0376252B1 (en) 1988-12-27 1997-10-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of removing an oxide film on a substrate
JP2981243B2 (ja) 1988-12-27 1999-11-22 株式会社東芝 表面処理方法
US4985372A (en) 1989-02-17 1991-01-15 Tokyo Electron Limited Method of forming conductive layer including removal of native oxide
JP2823276B2 (ja) 1989-03-18 1998-11-11 株式会社東芝 Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置
US4946903A (en) 1989-03-27 1990-08-07 The Research Foundation Of State University Of Ny Oxyfluoropolymers having chemically reactive surface functionality and increased surface energies
US5186718A (en) 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US5061838A (en) 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
US5270125A (en) 1989-07-11 1993-12-14 Redwood Microsystems, Inc. Boron nutride membrane in wafer structure
US5013691A (en) 1989-07-31 1991-05-07 At&T Bell Laboratories Anisotropic deposition of silicon dioxide
US5028565A (en) 1989-08-25 1991-07-02 Applied Materials, Inc. Process for CVD deposition of tungsten layer on semiconductor wafer
US4994404A (en) 1989-08-28 1991-02-19 Motorola, Inc. Method for forming a lightly-doped drain (LDD) structure in a semiconductor device
US4980018A (en) 1989-11-14 1990-12-25 Intel Corporation Plasma etching process for refractory metal vias
EP0447155B1 (en) 1990-03-12 1995-07-26 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters
JP2960466B2 (ja) 1990-03-19 1999-10-06 株式会社日立製作所 半導体デバイスの配線絶縁膜の形成方法及びその装置
US5089441A (en) 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
US5328810A (en) 1990-05-07 1994-07-12 Micron Technology, Inc. Method for reducing, by a factor or 2-N, the minimum masking pitch of a photolithographic process
US5147692A (en) 1990-05-08 1992-09-15 Macdermid, Incorporated Electroless plating of nickel onto surfaces such as copper or fused tungston
US5238499A (en) 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5083030A (en) 1990-07-18 1992-01-21 Applied Photonics Research Double-sided radiation-assisted processing apparatus
JPH04228572A (ja) 1990-08-10 1992-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質窒化ホウ素合成法
US5235139A (en) 1990-09-12 1993-08-10 Macdermid, Incorprated Method for fabricating printed circuits
US5089442A (en) 1990-09-20 1992-02-18 At&T Bell Laboratories Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd
KR930011413B1 (ko) 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
EP0478233B1 (en) 1990-09-27 1996-01-03 AT&T Corp. Process for fabricating integrated circuits
JPH04142738A (ja) 1990-10-04 1992-05-15 Sony Corp ドライエッチング方法
US5549780A (en) 1990-10-23 1996-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for plasma processing and apparatus for plasma processing
JP2640174B2 (ja) 1990-10-30 1997-08-13 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3206916B2 (ja) 1990-11-28 2001-09-10 住友電気工業株式会社 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス
US5578130A (en) 1990-12-12 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for depositing a film
DE69130947T2 (de) 1991-01-08 1999-07-08 Fujitsu Ltd Verfahren zur bildung eines siliciumoxid-filmes
JPH04239723A (ja) 1991-01-23 1992-08-27 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2697315B2 (ja) 1991-01-23 1998-01-14 日本電気株式会社 フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法
JP2787142B2 (ja) 1991-03-01 1998-08-13 上村工業 株式会社 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法
DE4107006A1 (de) 1991-03-05 1992-09-10 Siemens Ag Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen
US5897751A (en) 1991-03-11 1999-04-27 Regents Of The University Of California Method of fabricating boron containing coatings
JPH05508266A (ja) 1991-04-03 1993-11-18 イーストマン・コダック・カンパニー ＧａＡｓをドライエッチングするための高耐久性マスク
EP0511448A1 (en) 1991-04-30 1992-11-04 International Business Machines Corporation Method and apparatus for in-situ and on-line monitoring of a trench formation process
JPH04341568A (ja) 1991-05-16 1992-11-27 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP3670277B2 (ja) 1991-05-17 2005-07-13 ラム リサーチ コーポレーション 低い固有応力および／または低い水素含有率をもつＳｉＯ▲Ｘ▼フィルムの堆積法
JP2699695B2 (ja) 1991-06-07 1998-01-19 日本電気株式会社 化学気相成長法
US5203911A (en) 1991-06-24 1993-04-20 Shipley Company Inc. Controlled electroless plating
US6074512A (en) 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US5279865A (en) 1991-06-28 1994-01-18 Digital Equipment Corporation High throughput interlevel dielectric gap filling process
JPH0562936A (ja) 1991-09-03 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法
US5240497A (en) 1991-10-08 1993-08-31 Cornell Research Foundation, Inc. Alkaline free electroless deposition
JPH05226480A (ja) 1991-12-04 1993-09-03 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5290382A (en) 1991-12-13 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films
US5279669A (en) 1991-12-13 1994-01-18 International Business Machines Corporation Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions
US5352636A (en) 1992-01-16 1994-10-04 Applied Materials, Inc. In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber
US5300463A (en) 1992-03-06 1994-04-05 Micron Technology, Inc. Method of selectively etching silicon dioxide dielectric layers on semiconductor wafers
JP3084497B2 (ja) 1992-03-25 2000-09-04 東京エレクトロン株式会社 ＳｉＯ２膜のエッチング方法
JP2773530B2 (ja) 1992-04-15 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2792335B2 (ja) 1992-05-27 1998-09-03 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
EP0647163B1 (en) 1992-06-22 1998-09-09 Lam Research Corporation A plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber
US5286297A (en) 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
US5252178A (en) 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
JP3688726B2 (ja) 1992-07-17 2005-08-31 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5380560A (en) 1992-07-28 1995-01-10 International Business Machines Corporation Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition
US5248371A (en) 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
US5292370A (en) 1992-08-14 1994-03-08 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing
US5271972A (en) 1992-08-17 1993-12-21 Applied Materials, Inc. Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity
US5326427A (en) 1992-09-11 1994-07-05 Lsi Logic Corporation Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation
US5306530A (en) 1992-11-23 1994-04-26 Associated Universities, Inc. Method for producing high quality thin layer films on substrates
JP2809018B2 (ja) 1992-11-26 1998-10-08 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100238629B1 (ko) 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
US5500249A (en) 1992-12-22 1996-03-19 Applied Materials, Inc. Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition
US5756402A (en) 1992-12-28 1998-05-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of etching silicon nitride film
US5624582A (en) 1993-01-21 1997-04-29 Vlsi Technology, Inc. Optimization of dry etching through the control of helium backside pressure
US5345999A (en) 1993-03-17 1994-09-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling semiconductor wafers
US5302233A (en) 1993-03-19 1994-04-12 Micron Semiconductor, Inc. Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)
JP3236111B2 (ja) 1993-03-31 2001-12-10 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
US5800686A (en) 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
KR0142150B1 (ko) 1993-04-09 1998-07-15 윌리엄 티. 엘리스 붕소 질화물을 에칭하기 위한 방법
US5416048A (en) 1993-04-16 1995-05-16 Micron Semiconductor, Inc. Method to slope conductor profile prior to dielectric deposition to improve dielectric step-coverage
DE69432383D1 (de) 1993-05-27 2003-05-08 Applied Materials Inc Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase
US5591269A (en) 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US5292682A (en) 1993-07-06 1994-03-08 Eastman Kodak Company Method of making two-phase charge coupled device
US5413670A (en) 1993-07-08 1995-05-09 Air Products And Chemicals, Inc. Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3
US5560779A (en) 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
WO1995002900A1 (en) 1993-07-15 1995-01-26 Astarix, Inc. Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating
DE69421465T2 (de) 1993-07-30 2000-02-10 Applied Materials Inc Verfahren zur Ablagerung von Silzium-Nitrid auf Siliziumoberflächen
US5483920A (en) 1993-08-05 1996-01-16 Board Of Governors Of Wayne State University Method of forming cubic boron nitride films
US5685946A (en) 1993-08-11 1997-11-11 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of producing buried porous silicon-geramanium layers in monocrystalline silicon lattices
US5468597A (en) 1993-08-25 1995-11-21 Shipley Company, L.L.C. Selective metallization process
US5865896A (en) 1993-08-27 1999-02-02 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling
US5614055A (en) 1993-08-27 1997-03-25 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD and etching reactor
US5384284A (en) 1993-10-01 1995-01-24 Micron Semiconductor, Inc. Method to form a low resistant bond pad interconnect
SE501888C2 (sv) 1993-10-18 1995-06-12 Ladislav Bardos En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden
JPH07130713A (ja) 1993-11-04 1995-05-19 Fujitsu Ltd ダウンフローエッチング装置
JPH07161703A (ja) 1993-12-03 1995-06-23 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5505816A (en) 1993-12-16 1996-04-09 International Business Machines Corporation Etching of silicon dioxide selectively to silicon nitride and polysilicon
JPH07193214A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Electric Corp バイアホール及びその形成方法
US5415890A (en) 1994-01-03 1995-05-16 Eaton Corporation Modular apparatus and method for surface treatment of parts with liquid baths
US5403434A (en) 1994-01-06 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer
JP3188363B2 (ja) 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法
US5399237A (en) 1994-01-27 1995-03-21 Applied Materials, Inc. Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas
US5451259A (en) 1994-02-17 1995-09-19 Krogh; Ole D. ECR plasma source for remote processing
US5439553A (en) 1994-03-30 1995-08-08 Penn State Research Foundation Controlled etching of oxides via gas phase reactions
DE69531880T2 (de) 1994-04-28 2004-09-09 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung
US5468342A (en) 1994-04-28 1995-11-21 Cypress Semiconductor Corp. Method of etching an oxide layer
US6110838A (en) 1994-04-29 2000-08-29 Texas Instruments Incorporated Isotropic polysilicon plus nitride stripping
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5628829A (en) 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5580421A (en) 1994-06-14 1996-12-03 Fsi International Apparatus for surface conditioning
US5767373A (en) 1994-06-16 1998-06-16 Novartis Finance Corporation Manipulation of protoporphyrinogen oxidase enzyme activity in eukaryotic organisms
JP3501524B2 (ja) 1994-07-01 2004-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置の真空排気システム
JP3411678B2 (ja) 1994-07-08 2003-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置
EP0697467A1 (en) 1994-07-21 1996-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a deposition chamber
US5563105A (en) 1994-09-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element
JPH08148470A (ja) 1994-11-21 1996-06-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
TW344897B (en) 1994-11-30 1998-11-11 At&T Tcorporation A process for forming gate oxides possessing different thicknesses on a semiconductor substrate
US5558717A (en) 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5772770A (en) 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
JPH08279495A (ja) 1995-02-07 1996-10-22 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置及びその方法
US5571576A (en) 1995-02-10 1996-11-05 Watkins-Johnson Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition
US6039851A (en) 1995-03-22 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Reactive sputter faceting of silicon dioxide to enhance gap fill of spaces between metal lines
JPH08264510A (ja) 1995-03-27 1996-10-11 Toshiba Corp シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置
US5571577A (en) 1995-04-07 1996-11-05 Board Of Trustees Operating Michigan State University Method and apparatus for plasma treatment of a surface
JP3386287B2 (ja) 1995-05-08 2003-03-17 堀池 靖浩 プラズマエッチング装置
US20010028922A1 (en) 1995-06-07 2001-10-11 Sandhu Gurtej S. High throughput ILD fill process for high aspect ratio gap fill
JP3599204B2 (ja) 1995-06-08 2004-12-08 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JP2814370B2 (ja) 1995-06-18 1998-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5997962A (en) 1995-06-30 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Plasma process utilizing an electrostatic chuck
US6197364B1 (en) 1995-08-22 2001-03-06 International Business Machines Corporation Production of electroless Co(P) with designed coercivity
US5755859A (en) 1995-08-24 1998-05-26 International Business Machines Corporation Cobalt-tin alloys and their applications for devices, chip interconnections and packaging
US6053982A (en) 1995-09-01 2000-04-25 Asm America, Inc. Wafer support system
US6228751B1 (en) 1995-09-08 2001-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US5719085A (en) 1995-09-29 1998-02-17 Intel Corporation Shallow trench isolation technique
US5716506A (en) 1995-10-06 1998-02-10 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electrochemical sensors for gas detection
US5635086A (en) 1995-10-10 1997-06-03 The Esab Group, Inc. Laser-plasma arc metal cutting apparatus
JPH09106899A (ja) 1995-10-11 1997-04-22 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
US5814238A (en) 1995-10-12 1998-09-29 Sandia Corporation Method for dry etching of transition metals
US5910340A (en) 1995-10-23 1999-06-08 C. Uyemura & Co., Ltd. Electroless nickel plating solution and method
US6015724A (en) 1995-11-02 2000-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co. Manufacturing method of a semiconductor device
US5599740A (en) 1995-11-16 1997-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deposit-etch-deposit ozone/teos insulator layer method
US5648125A (en) 1995-11-16 1997-07-15 Cane; Frank N. Electroless plating process for the manufacture of printed circuit boards
JP4420986B2 (ja) 1995-11-21 2010-02-24 株式会社東芝 シャロウ・トレンチ分離半導体基板及びその製造方法
JPH09153481A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
US5846598A (en) 1995-11-30 1998-12-08 International Business Machines Corporation Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating
US5756400A (en) 1995-12-08 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces
US5733816A (en) 1995-12-13 1998-03-31 Micron Technology, Inc. Method for depositing a tungsten layer on silicon
US6261637B1 (en) 1995-12-15 2001-07-17 Enthone-Omi, Inc. Use of palladium immersion deposition to selectively initiate electroless plating on Ti and W alloys for wafer fabrication
US6065424A (en) 1995-12-19 2000-05-23 Cornell Research Foundation, Inc. Electroless deposition of metal films with spray processor
US5883012A (en) 1995-12-21 1999-03-16 Motorola, Inc. Method of etching a trench into a semiconductor substrate
WO1997024761A1 (en) 1995-12-27 1997-07-10 Lam Research Corporation Methods and apparatus for filling trenches in a semiconductor wafer
US5679606A (en) 1995-12-27 1997-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. method of forming inter-metal-dielectric structure
DE69636880T2 (de) 1995-12-28 2007-11-15 Taiyo Nippon Sanso Corporation Verfahren und Anordnung zum Transport von Substratscheiben
US6191026B1 (en) 1996-01-09 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Method for submicron gap filling on a semiconductor substrate
US5824599A (en) 1996-01-16 1998-10-20 Cornell Research Foundation, Inc. Protected encapsulation of catalytic layer for electroless copper interconnect
US5674787A (en) 1996-01-16 1997-10-07 Sematech, Inc. Selective electroless copper deposited interconnect plugs for ULSI applications
US5891513A (en) 1996-01-16 1999-04-06 Cornell Research Foundation Electroless CU deposition on a barrier layer by CU contact displacement for ULSI applications
US5872052A (en) 1996-02-12 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Planarization using plasma oxidized amorphous silicon
US5648175A (en) 1996-02-14 1997-07-15 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit
US6004884A (en) 1996-02-15 1999-12-21 Lam Research Corporation Methods and apparatus for etching semiconductor wafers
US5656093A (en) 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
EP0891684B1 (en) 1996-03-25 2008-11-12 S. George Lesinski Attaching of an implantable hearing aid microactuator
US5858876A (en) 1996-04-01 1999-01-12 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer
US5712185A (en) 1996-04-23 1998-01-27 United Microelectronics Method for forming shallow trench isolation
US5843847A (en) 1996-04-29 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading
US6176667B1 (en) 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
KR100230981B1 (ko) 1996-05-08 1999-11-15 김광호 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법
US5660957A (en) 1996-05-16 1997-08-26 Fujitsu Limited Electron-beam treatment procedure for patterned mask layers
US6313035B1 (en) 1996-05-31 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition using organometallic precursors
US6048798A (en) 1996-06-05 2000-04-11 Lam Research Corporation Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer
US5820723A (en) 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
JPH1068094A (ja) 1996-06-13 1998-03-10 Samsung Electron Co Ltd 遷移金属薄膜用蝕刻ガス混合物およびこれを用いた遷移金属薄膜の蝕刻方法
US5846373A (en) 1996-06-28 1998-12-08 Lam Research Corporation Method for monitoring process endpoints in a plasma chamber and a process monitoring arrangement in a plasma chamber
US5846883A (en) 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
US5993916A (en) 1996-07-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Method for substrate processing with improved throughput and yield
US5846332A (en) 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5781693A (en) 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US20010012700A1 (en) 1998-12-15 2001-08-09 Klaus F. Schuegraf Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate
US5661093A (en) 1996-09-12 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers
US5888906A (en) 1996-09-16 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds
US5747373A (en) 1996-09-24 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Nitride-oxide sidewall spacer for salicide formation
US5846375A (en) 1996-09-26 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment
US5835334A (en) 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US5904827A (en) 1996-10-15 1999-05-18 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell with rotary wiper and megasonic transducer
US5951776A (en) 1996-10-25 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Self aligning lift mechanism
KR100237825B1 (ko) 1996-11-05 2000-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비의 페디스탈
US5804259A (en) 1996-11-07 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film
US5935334A (en) 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system
US5812403A (en) 1996-11-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system
US5939831A (en) 1996-11-13 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications
US5882786A (en) 1996-11-15 1999-03-16 C3, Inc. Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US5844195A (en) 1996-11-18 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Remote plasma source
US5830805A (en) 1996-11-18 1998-11-03 Cornell Research Foundation Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition
US5695810A (en) 1996-11-20 1997-12-09 Cornell Research Foundation, Inc. Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization
FR2756663B1 (fr) 1996-12-04 1999-02-26 Berenguer Marc Procede de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une etape de traitement de surface
US5951896A (en) 1996-12-04 1999-09-14 Micro C Technologies, Inc. Rapid thermal processing heater technology and method of use
US6312554B1 (en) 1996-12-05 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling the ratio of reactive to non-reactive ions in a semiconductor wafer processing chamber
JPH10172792A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5843538A (en) 1996-12-09 1998-12-01 John L. Raymond Method for electroless nickel plating of metal substrates
US5948702A (en) 1996-12-19 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Selective removal of TixNy
US5953635A (en) 1996-12-19 1999-09-14 Intel Corporation Interlayer dielectric with a composite dielectric stack
US6120640A (en) 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
US5913140A (en) 1996-12-23 1999-06-15 Lam Research Corporation Method for reduction of plasma charging damage during chemical vapor deposition
KR100234539B1 (ko) 1996-12-24 1999-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 식각 장치
US5788825A (en) 1996-12-30 1998-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Vacuum pumping system for a sputtering device
US5955037A (en) 1996-12-31 1999-09-21 Atmi Ecosys Corporation Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
DE19700231C2 (de) 1997-01-07 2001-10-04 Geesthacht Gkss Forschung Vorrichtung zum Filtern und Trennen von Strömungsmedien
US5882424A (en) 1997-01-21 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using a low or mixed frequency excitation field
US5913147A (en) 1997-01-21 1999-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating copper-aluminum metallization
JPH10223608A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US5800621A (en) 1997-02-10 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Plasma source for HDP-CVD chamber
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6013584A (en) 1997-02-19 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications
US6479373B2 (en) 1997-02-20 2002-11-12 Infineon Technologies Ag Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases
US6190233B1 (en) 1997-02-20 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks
US5990000A (en) 1997-02-20 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks
US6059643A (en) 1997-02-21 2000-05-09 Aplex, Inc. Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad
US6328803B2 (en) 1997-02-21 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber
KR100295518B1 (ko) 1997-02-25 2001-11-30 아끼구사 나오유끼 질화실리콘층의에칭방법및반도체장치의제조방법
US5789300A (en) 1997-02-25 1998-08-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making IGFETs in densely and sparsely populated areas of a substrate
TW418461B (en) 1997-03-07 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Plasma etching device
US5850105A (en) 1997-03-21 1998-12-15 Advanced Micro Devices, Inc. Substantially planar semiconductor topography using dielectrics and chemical mechanical polish
TW376547B (en) 1997-03-27 1999-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for plasma processing
US6017414A (en) 1997-03-31 2000-01-25 Lam Research Corporation Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers
US6030666A (en) 1997-03-31 2000-02-29 Lam Research Corporation Method for microwave plasma substrate heating
US5786276A (en) 1997-03-31 1998-07-28 Applied Materials, Inc. Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2
US5968610A (en) 1997-04-02 1999-10-19 United Microelectronics Corp. Multi-step high density plasma chemical vapor deposition process
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
US5866483A (en) 1997-04-04 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2
US6174450B1 (en) 1997-04-16 2001-01-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system
US6204200B1 (en) 1997-05-05 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated Process scheme to form controlled airgaps between interconnect lines to reduce capacitance
US6149828A (en) 1997-05-05 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Supercritical etching compositions and method of using same
US5969422A (en) 1997-05-15 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Plated copper interconnect structure
US6083344A (en) 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6189483B1 (en) 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
US5838055A (en) 1997-05-29 1998-11-17 International Business Machines Corporation Trench sidewall patterned by vapor phase etching
US6136685A (en) 1997-06-03 2000-10-24 Applied Materials, Inc. High deposition rate recipe for low dielectric constant films
US5937323A (en) 1997-06-03 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing
US6706334B1 (en) 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
US5872058A (en) 1997-06-17 1999-02-16 Novellus Systems, Inc. High aspect ratio gapfill process by using HDP
US5885749A (en) 1997-06-20 1999-03-23 Clear Logic, Inc. Method of customizing integrated circuits by selective secondary deposition of layer interconnect material
US5933757A (en) 1997-06-23 1999-08-03 Lsi Logic Corporation Etch process selective to cobalt silicide for formation of integrated circuit structures
US6150628A (en) 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6518155B1 (en) 1997-06-30 2003-02-11 Intel Corporation Device structure and method for reducing silicide encroachment
US6184121B1 (en) 1997-07-10 2001-02-06 International Business Machines Corporation Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same
US5944049A (en) 1997-07-15 1999-08-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for regulating a pressure in a chamber
JPH1136076A (ja) 1997-07-16 1999-02-09 Tokyo Electron Ltd Ｃｖｄ成膜装置およびｃｖｄ成膜方法
US5814365A (en) 1997-08-15 1998-09-29 Micro C Technologies, Inc. Reactor and method of processing a semiconductor substate
US6090212A (en) 1997-08-15 2000-07-18 Micro C Technologies, Inc. Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate
US6007635A (en) 1997-11-26 1999-12-28 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US5926737A (en) 1997-08-19 1999-07-20 Tokyo Electron Limited Use of TiCl4 etchback process during integrated CVD-Ti/TiN wafer processing
US6258170B1 (en) 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US6063688A (en) 1997-09-29 2000-05-16 Intel Corporation Fabrication of deep submicron structures and quantum wire transistors using hard-mask transistor width definition
US6364957B1 (en) 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6688375B1 (en) 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
JP3874911B2 (ja) 1997-10-15 2007-01-31 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル 微小プラスチック球へのめっき方法
GB9722028D0 (en) 1997-10-17 1997-12-17 Shipley Company Ll C Plating of polymers
US6379575B1 (en) 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6136693A (en) 1997-10-27 2000-10-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for planarized interconnect vias using electroless plating and CMP
US6013191A (en) 1997-10-27 2000-01-11 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method of polishing CVD diamond films by oxygen plasma
US6379576B2 (en) 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US6063712A (en) 1997-11-25 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Oxide etch and method of etching
US5849639A (en) 1997-11-26 1998-12-15 Lucent Technologies Inc. Method for removing etching residues and contaminants
US6077780A (en) 1997-12-03 2000-06-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure
US5976327A (en) 1997-12-12 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
US6143476A (en) 1997-12-12 2000-11-07 Applied Materials Inc Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack
US6083844A (en) 1997-12-22 2000-07-04 Lam Research Corporation Techniques for etching an oxide layer
US6406759B1 (en) 1998-01-08 2002-06-18 The University Of Tennessee Research Corporation Remote exposure of workpieces using a recirculated plasma
JPH11204442A (ja) 1998-01-12 1999-07-30 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置
US6140234A (en) 1998-01-20 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method to selectively fill recesses with conductive metal
US5932077A (en) 1998-02-09 1999-08-03 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell with horizontal product load mechanism
US6635578B1 (en) 1998-02-09 2003-10-21 Applied Materials, Inc Method of operating a dual chamber reactor with neutral density decoupled from ion density
US6186091B1 (en) 1998-02-11 2001-02-13 Silicon Genesis Corporation Shielded platen design for plasma immersion ion implantation
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6627532B1 (en) 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6197688B1 (en) 1998-02-12 2001-03-06 Motorola Inc. Interconnect structure in a semiconductor device and method of formation
US6171661B1 (en) 1998-02-25 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Deposition of copper with increased adhesion
US6892669B2 (en) 1998-02-26 2005-05-17 Anelva Corporation CVD apparatus
JP4151862B2 (ja) 1998-02-26 2008-09-17 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US6177222B1 (en) 1998-03-12 2001-01-23 Xerox Corporation Coated photographic papers
US6551939B2 (en) 1998-03-17 2003-04-22 Anneal Corporation Plasma surface treatment method and resulting device
US5920792A (en) 1998-03-19 1999-07-06 Winbond Electronics Corp High density plasma enhanced chemical vapor deposition process in combination with chemical mechanical polishing process for preparation and planarization of intemetal dielectric layers
US6197181B1 (en) 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
US6194038B1 (en) 1998-03-20 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method for deposition of a conformal layer on a substrate
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
US6602434B1 (en) 1998-03-27 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related fluorocarbons and manifesting a wide process window
US6395150B1 (en) 1998-04-01 2002-05-28 Novellus Systems, Inc. Very high aspect ratio gapfill using HDP
WO1999052135A1 (en) 1998-04-02 1999-10-14 Applied Materials, Inc. Method for etching low k dielectrics
US6117245A (en) 1998-04-08 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
US6113771A (en) 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
US6179924B1 (en) 1998-04-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
US6093594A (en) 1998-04-29 2000-07-25 Advanced Micro Devices, Inc. CMOS optimization method utilizing sacrificial sidewall spacer
US6081414A (en) 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US6030881A (en) 1998-05-05 2000-02-29 Novellus Systems, Inc. High throughput chemical vapor deposition process capable of filling high aspect ratio structures
US6218288B1 (en) 1998-05-11 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Multiple step methods for forming conformal layers
US6007785A (en) 1998-05-20 1999-12-28 Academia Sinica Apparatus for efficient ozone generation
DE69835276T2 (de) 1998-05-22 2007-07-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zur Herstellung einer selbst-planarisierten dielektrischen Schicht für eine seichte Grabenisolation
US6086677A (en) 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
KR100296137B1 (ko) 1998-06-16 2001-08-07 박종섭 보호막으로서고밀도플라즈마화학기상증착에의한절연막을갖는반도체소자제조방법
JP2000012514A (ja) 1998-06-19 2000-01-14 Hitachi Ltd 後処理方法
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
ATE316426T1 (de) 1998-06-30 2006-02-15 Semitool Inc Metallisierungsstrukturen für mikroelektronische anwendungen und verfahren zur herstellung dieser strukturen
US6562128B1 (en) 2001-11-28 2003-05-13 Seh America, Inc. In-situ post epitaxial treatment process
US6037018A (en) 1998-07-01 2000-03-14 Taiwan Semiconductor Maufacturing Company Shallow trench isolation filled by high density plasma chemical vapor deposition
US6248429B1 (en) 1998-07-06 2001-06-19 Micron Technology, Inc. Metallized recess in a substrate
JP2000026975A (ja) 1998-07-09 2000-01-25 Komatsu Ltd 表面処理装置
KR100265866B1 (ko) 1998-07-11 2000-12-01 황철주 반도체 제조장치
US6063683A (en) 1998-07-27 2000-05-16 Acer Semiconductor Manufacturing, Inc. Method of fabricating a self-aligned crown-shaped capacitor for high density DRAM cells
US6436816B1 (en) 1998-07-31 2002-08-20 Industrial Technology Research Institute Method of electroless plating copper on nitride barrier
US6074954A (en) 1998-08-31 2000-06-13 Applied Materials, Inc Process for control of the shape of the etch front in the etching of polysilicon
US6383951B1 (en) 1998-09-03 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication
US6440863B1 (en) 1998-09-04 2002-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Plasma etch method for forming patterned oxygen containing plasma etchable layer
US6165912A (en) 1998-09-17 2000-12-26 Cfmt, Inc. Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel
US6037266A (en) 1998-09-28 2000-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for patterning a polysilicon gate with a thin gate oxide in a polysilicon etcher
JP3725708B2 (ja) 1998-09-29 2005-12-14 株式会社東芝 半導体装置
US6277733B1 (en) 1998-10-05 2001-08-21 Texas Instruments Incorporated Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal
JP3764594B2 (ja) 1998-10-12 2006-04-12 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
US6180523B1 (en) 1998-10-13 2001-01-30 Industrial Technology Research Institute Copper metallization of USLI by electroless process
US6228758B1 (en) 1998-10-14 2001-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making dual damascene conductive interconnections and integrated circuit device comprising same
US6251802B1 (en) 1998-10-19 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods of forming carbon-containing layers
US6107199A (en) 1998-10-24 2000-08-22 International Business Machines Corporation Method for improving the morphology of refractory metal thin films
JP3064268B2 (ja) 1998-10-29 2000-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成膜方法及び装置
US6176198B1 (en) 1998-11-02 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing low K dielectric materials
US6462371B1 (en) 1998-11-24 2002-10-08 Micron Technology Inc. Films doped with carbon for use in integrated circuit technology
US6203863B1 (en) 1998-11-27 2001-03-20 United Microelectronics Corp. Method of gap filling
US6228233B1 (en) 1998-11-30 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Inflatable compliant bladder assembly
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6251236B1 (en) 1998-11-30 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Cathode contact ring for electrochemical deposition
US6015747A (en) 1998-12-07 2000-01-18 Advanced Micro Device Method of metal/polysilicon gate formation in a field effect transistor
US6242349B1 (en) 1998-12-09 2001-06-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration
US6364954B2 (en) 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
EP1014434B1 (de) 1998-12-24 2008-03-26 ATMEL Germany GmbH Verfahren zum anisotropen plasmachemischen Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mittels eines Fluor-enthaltenden Gasgemisches
KR20000044928A (ko) 1998-12-30 2000-07-15 김영환 반도체 소자의 트랜치 형성 방법
DE19901210A1 (de) 1999-01-14 2000-07-27 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6499425B1 (en) 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
TW428256B (en) 1999-01-25 2001-04-01 United Microelectronics Corp Structure of conducting-wire layer and its fabricating method
JP3330554B2 (ja) 1999-01-27 2002-09-30 松下電器産業株式会社 エッチング方法
US6245669B1 (en) 1999-02-05 2001-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer
US6010962A (en) 1999-02-12 2000-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Copper chemical-mechanical-polishing (CMP) dishing
US6245670B1 (en) 1999-02-19 2001-06-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method for filling a dual damascene opening having high aspect ratio to minimize electromigration failure
US6291282B1 (en) 1999-02-26 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Method of forming dual metal gate structures or CMOS devices
US6136163A (en) 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US6312995B1 (en) 1999-03-08 2001-11-06 Advanced Micro Devices, Inc. MOS transistor with assisted-gates and ultra-shallow “Psuedo” source and drain extensions for ultra-large-scale integration
US6197705B1 (en) 1999-03-18 2001-03-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of silicon oxide and silicon glass films deposition
US6797189B2 (en) 1999-03-25 2004-09-28 Hoiman (Raymond) Hung Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon
US6144099A (en) 1999-03-30 2000-11-07 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor metalization barrier
US6238582B1 (en) 1999-03-30 2001-05-29 Veeco Instruments, Inc. Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method
JP2000290777A (ja) 1999-04-07 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法
US6263830B1 (en) 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
US6099697A (en) 1999-04-13 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system
US6110836A (en) 1999-04-22 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings
US6110832A (en) 1999-04-28 2000-08-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for slurry polishing
US6541671B1 (en) 2002-02-13 2003-04-01 The Regents Of The University Of California Synthesis of 2H- and 13C-substituted dithanes
JP3099066B1 (ja) 1999-05-07 2000-10-16 東京工業大学長 薄膜構造体の製造方法
JP3482904B2 (ja) 1999-05-10 2004-01-06 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法及び装置
US20020129902A1 (en) 1999-05-14 2002-09-19 Babayan Steven E. Low-temperature compatible wide-pressure-range plasma flow device
US7091605B2 (en) 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6129829A (en) 1999-05-14 2000-10-10 Thompson; Donald E. Electrostatic filter for dielectric fluid
JP2000331993A (ja) 1999-05-19 2000-11-30 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
US6323128B1 (en) 1999-05-26 2001-11-27 International Business Machines Corporation Method for forming Co-W-P-Au films
JP3320685B2 (ja) 1999-06-02 2002-09-03 株式会社半導体先端テクノロジーズ 微細パターン形成方法
US20020033233A1 (en) 1999-06-08 2002-03-21 Stephen E. Savas Icp reactor having a conically-shaped plasma-generating section
US6174812B1 (en) 1999-06-08 2001-01-16 United Microelectronics Corp. Copper damascene technology for ultra large scale integration circuits
US6367413B1 (en) 1999-06-15 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6161576A (en) 1999-06-23 2000-12-19 Mks Instruments, Inc. Integrated turbo pump and control valve system
US6110530A (en) 1999-06-25 2000-08-29 Applied Materials, Inc. CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend
US6277752B1 (en) 1999-06-28 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple etch method for forming residue free patterned hard mask layer
FR2795555B1 (fr) 1999-06-28 2002-12-13 France Telecom Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un empilement forme alternativement de couches de silicium et de couches de materiau dielectrique
US6245192B1 (en) 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6415736B1 (en) 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6352081B1 (en) 1999-07-09 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process
US6258223B1 (en) 1999-07-09 2001-07-10 Applied Materials, Inc. In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system
US6351013B1 (en) 1999-07-13 2002-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Low-K sub spacer pocket formation for gate capacitance reduction
US6342733B1 (en) 1999-07-27 2002-01-29 International Business Machines Corporation Reduced electromigration and stressed induced migration of Cu wires by surface coating
US6281135B1 (en) 1999-08-05 2001-08-28 Axcelis Technologies, Inc. Oxygen free plasma stripping process
US6237527B1 (en) 1999-08-06 2001-05-29 Axcelis Technologies, Inc. System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate
US6235643B1 (en) 1999-08-10 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Method for etching a trench having rounded top and bottom corners in a silicon substrate
ATE420454T1 (de) 1999-08-17 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
JP4220075B2 (ja) 1999-08-20 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
US6322716B1 (en) 1999-08-30 2001-11-27 Cypress Semiconductor Corp. Method for conditioning a plasma etch chamber
US6375748B1 (en) 1999-09-01 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for preventing edge deposition
US6441492B1 (en) 1999-09-10 2002-08-27 James A. Cunningham Diffusion barriers for copper interconnect systems
US6548414B2 (en) 1999-09-14 2003-04-15 Infineon Technologies Ag Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials
JP3514186B2 (ja) 1999-09-16 2004-03-31 日新電機株式会社 薄膜形成方法及び装置
US6503843B1 (en) 1999-09-21 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Multistep chamber cleaning and film deposition process using a remote plasma that also enhances film gap fill
US6432819B1 (en) 1999-09-27 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of forming a sputtered doped seed layer
US6153935A (en) 1999-09-30 2000-11-28 International Business Machines Corporation Dual etch stop/diffusion barrier for damascene interconnects
US6287643B1 (en) 1999-09-30 2001-09-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor
US6321587B1 (en) 1999-10-15 2001-11-27 Radian International Llc Solid state fluorine sensor system and method
US6423284B1 (en) 1999-10-18 2002-07-23 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
US6364949B1 (en) 1999-10-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
KR100338768B1 (ko) 1999-10-25 2002-05-30 윤종용 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치
US20010041444A1 (en) 1999-10-29 2001-11-15 Jeffrey A. Shields Tin contact barc for tungsten polished contacts
DE29919142U1 (de) 1999-10-30 2001-03-08 Agrodyn Hochspannungstechnik G Plasmadüse
US6551924B1 (en) 1999-11-02 2003-04-22 International Business Machines Corporation Post metalization chem-mech polishing dielectric etch
EP1099776A1 (en) 1999-11-09 2001-05-16 Applied Materials, Inc. Plasma cleaning step in a salicide process
JP3366301B2 (ja) 1999-11-10 2003-01-14 日本電気株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US6162302A (en) 1999-11-16 2000-12-19 Agilent Technologies Method of cleaning quartz substrates using conductive solutions
US8114245B2 (en) 1999-11-26 2012-02-14 Tadahiro Ohmi Plasma etching device
US6599842B2 (en) 1999-11-29 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Method for rounding corners and removing damaged outer surfaces of a trench
TW484170B (en) 1999-11-30 2002-04-21 Applied Materials Inc Integrated modular processing platform
US6572937B2 (en) 1999-11-30 2003-06-03 The Regents Of The University Of California Method for producing fluorinated diamond-like carbon films
US6342453B1 (en) 1999-12-03 2002-01-29 Applied Materials, Inc. Method for CVD process control for enhancing device performance
DE10060002B4 (de) 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
KR20010062209A (ko) 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
JP4695238B2 (ja) 1999-12-14 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 圧力制御方法
US6277763B1 (en) 1999-12-16 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Plasma processing of tungsten using a gas mixture comprising a fluorinated gas and oxygen
US6350697B1 (en) 1999-12-22 2002-02-26 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber
AU2577001A (en) * 1999-12-22 2001-07-03 Tokyo Electron Limited Method and system for reducing damage to substrates during plasma processing with a resonator source
US6534809B2 (en) 1999-12-22 2003-03-18 Agilent Technologies, Inc. Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks
US6238513B1 (en) 1999-12-28 2001-05-29 International Business Machines Corporation Wafer lift assembly
KR20010058774A (ko) 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 반도체 소자의 제조 방법
KR100767762B1 (ko) 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
US6772827B2 (en) 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6477980B1 (en) 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6656831B1 (en) 2000-01-26 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer
US6494959B1 (en) 2000-01-28 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for cleaning a silicon surface
JP3723712B2 (ja) 2000-02-10 2005-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
US6743473B1 (en) 2000-02-16 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6350320B1 (en) 2000-02-22 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Heater for processing chamber
US6319766B1 (en) 2000-02-22 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification
US6391788B1 (en) 2000-02-25 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Two etchant etch method
US6958098B2 (en) 2000-02-28 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
JP2001319885A (ja) 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
JP3979791B2 (ja) 2000-03-08 2007-09-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
KR100350056B1 (ko) 2000-03-09 2002-08-24 삼성전자 주식회사 다마신 게이트 공정에서 자기정렬콘택패드 형성 방법
US6537707B1 (en) 2000-03-15 2003-03-25 Agilent Technologies, Inc. Two-stage roughing and controlled deposition rates for fabricating laser ablation masks
US6900596B2 (en) 2002-07-09 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma
US6527968B1 (en) 2000-03-27 2003-03-04 Applied Materials Inc. Two-stage self-cleaning silicon etch process
JP3433721B2 (ja) 2000-03-28 2003-08-04 ティーディーケイ株式会社 ドライエッチング方法及び微細加工方法
WO2001075188A2 (en) 2000-03-30 2001-10-11 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for gas injection
JP4056195B2 (ja) 2000-03-30 2008-03-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
DE10016340C1 (de) 2000-03-31 2001-12-06 Promos Technologies Inc Verfahren zur Herstellung von flaschenförmigen Tiefgräben zur Verwendung in Halbleitervorrichtungen
US6558564B1 (en) 2000-04-05 2003-05-06 Applied Materials Inc. Plasma energy control by inducing plasma instability
JP2001355074A (ja) 2000-04-10 2001-12-25 Sony Corp 無電解メッキ処理方法およびその装置
US7892974B2 (en) 2000-04-11 2011-02-22 Cree, Inc. Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits
US6762129B2 (en) 2000-04-19 2004-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus
JP2001308023A (ja) 2000-04-21 2001-11-02 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び方法
US6458718B1 (en) 2000-04-28 2002-10-01 Asm Japan K.K. Fluorine-containing materials and processes
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
KR100367662B1 (ko) 2000-05-02 2003-01-10 주식회사 셈테크놀러지 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치
JP3662472B2 (ja) 2000-05-09 2005-06-22 エム・エフエスアイ株式会社 基板表面の処理方法
EP1211725A4 (en) 2000-05-10 2003-02-26 Ibiden Co Ltd ELECTROSTATIC CHUCK
US6679981B1 (en) 2000-05-11 2004-01-20 Applied Materials, Inc. Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering
KR100638917B1 (ko) 2000-05-17 2006-10-25 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 부품의 조립 기구 및 그 조립 방법
US6418874B1 (en) 2000-05-25 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Toroidal plasma source for plasma processing
US6335261B1 (en) 2000-05-31 2002-01-01 International Business Machines Corporation Directional CVD process with optimized etchback
JP2002194547A (ja) 2000-06-08 2002-07-10 Applied Materials Inc アモルファスカーボン層の堆積方法
US6729081B2 (en) 2000-06-09 2004-05-04 United Solar Systems Corporation Self-adhesive photovoltaic module
US6603269B1 (en) 2000-06-13 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Resonant chamber applicator for remote plasma source
US6509623B2 (en) 2000-06-15 2003-01-21 Newport Fab, Llc Microelectronic air-gap structures and methods of forming the same
US6391753B1 (en) 2000-06-20 2002-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Process for forming gate conductors
US6645550B1 (en) 2000-06-22 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of treating a substrate
KR100767294B1 (ko) 2000-06-23 2007-10-16 캐논 아네르바 가부시키가이샤 Ｃｖｄ장치
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
JP4371543B2 (ja) 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6303418B1 (en) 2000-06-30 2001-10-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of fabricating CMOS devices featuring dual gate structures and a high dielectric constant gate insulator layer
DE10032607B4 (de) 2000-07-07 2004-08-12 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät
US6440870B1 (en) 2000-07-12 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Method of etching tungsten or tungsten nitride electrode gates in semiconductor structures
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
KR100366623B1 (ko) 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
US6764958B1 (en) 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6939434B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US6677242B1 (en) 2000-08-12 2004-01-13 Applied Materials Inc. Integrated shallow trench isolation approach
US6800830B2 (en) 2000-08-18 2004-10-05 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Chemistry for boron diffusion barrier layer and method of application in semiconductor device fabrication
US6446572B1 (en) 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement
US6335288B1 (en) 2000-08-24 2002-01-01 Applied Materials, Inc. Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD
US6459066B1 (en) 2000-08-25 2002-10-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance
US6372657B1 (en) 2000-08-31 2002-04-16 Micron Technology, Inc. Method for selective etching of oxides
US6465366B1 (en) 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
JP2002100578A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Crystage Co Ltd 薄膜形成装置
JP4717295B2 (ja) 2000-10-04 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライエッチング装置及びエッチング方法
US6461974B1 (en) 2000-10-06 2002-10-08 Lam Research Corporation High temperature tungsten etching process
DK200001497A (da) 2000-10-08 2002-04-09 Scanavo As Opbevaringsindretning for en databærer
KR100375102B1 (ko) 2000-10-18 2003-03-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
US6403491B1 (en) 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
US6610362B1 (en) 2000-11-20 2003-08-26 Intel Corporation Method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate
KR100382725B1 (ko) 2000-11-24 2003-05-09 삼성전자주식회사 클러스터화된 플라즈마 장치에서의 반도체소자의 제조방법
US6291348B1 (en) 2000-11-30 2001-09-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming Cu-Ca-O thin films on Cu surfaces in a chemical solution and semiconductor device thereby formed
AUPR179500A0 (en) 2000-11-30 2000-12-21 Saintech Pty Limited Ion source
US6544340B2 (en) 2000-12-08 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Heater with detachable ceramic top plate
US6448537B1 (en) 2000-12-11 2002-09-10 Eric Anton Nering Single-wafer process chamber thermal convection processes
US6533910B2 (en) 2000-12-29 2003-03-18 Lam Research Corporation Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US20020124867A1 (en) 2001-01-08 2002-09-12 Apl Co., Ltd. Apparatus and method for surface cleaning using plasma
US6500772B2 (en) 2001-01-08 2002-12-31 International Business Machines Corporation Methods and materials for depositing films on semiconductor substrates
FR2819341B1 (fr) 2001-01-11 2003-06-27 St Microelectronics Sa Procede d'integration d'une cellule dram
US6879981B2 (en) 2001-01-16 2005-04-12 Corigin Ltd. Sharing live data with a non cooperative DBMS
US6849854B2 (en) 2001-01-18 2005-02-01 Saintech Pty Ltd. Ion source
JP4644943B2 (ja) 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6743732B1 (en) 2001-01-26 2004-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Organic low K dielectric etch with NH3 chemistry
JP2002222934A (ja) 2001-01-29 2002-08-09 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
US6893969B2 (en) 2001-02-12 2005-05-17 Lam Research Corporation Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics
US6537733B2 (en) 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
JP2002256235A (ja) 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6348407B1 (en) 2001-03-15 2002-02-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Method to improve adhesion of organic dielectrics in dual damascene interconnects
JP3924483B2 (ja) 2001-03-19 2007-06-06 アイピーエス リミテッド 化学気相蒸着装置
JP5013353B2 (ja) 2001-03-28 2012-08-29 隆 杉野 成膜方法及び成膜装置
US6670278B2 (en) 2001-03-30 2003-12-30 Lam Research Corporation Method of plasma etching of silicon carbide
US20020177321A1 (en) 2001-03-30 2002-11-28 Li Si Yi Plasma etching of silicon carbide
US7084070B1 (en) 2001-03-30 2006-08-01 Lam Research Corporation Treatment for corrosion in substrate processing
FR2823032B1 (fr) 2001-04-03 2003-07-11 St Microelectronics Sa Resonateur electromecanique a poutre vibrante
US20020144657A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. ALD reactor employing electrostatic chuck
JP3707394B2 (ja) 2001-04-06 2005-10-19 ソニー株式会社 無電解メッキ方法
US20030019428A1 (en) 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US6914009B2 (en) 2001-05-07 2005-07-05 Applied Materials Inc Method of making small transistor lengths
US6740601B2 (en) 2001-05-11 2004-05-25 Applied Materials Inc. HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps
DE10222083B4 (de) 2001-05-18 2010-09-23 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Isolationsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
JP4720019B2 (ja) 2001-05-18 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 冷却機構及び処理装置
US6717189B2 (en) 2001-06-01 2004-04-06 Ebara Corporation Electroless plating liquid and semiconductor device
US6573606B2 (en) 2001-06-14 2003-06-03 International Business Machines Corporation Chip to wiring interface with single metal alloy layer applied to surface of copper interconnect
US6506291B2 (en) 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US20030010645A1 (en) 2001-06-14 2003-01-16 Mattson Technology, Inc. Barrier enhancement process for copper interconnects
US20060191637A1 (en) 2001-06-21 2006-08-31 John Zajac Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control
US6685803B2 (en) 2001-06-22 2004-02-03 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of processing gases
US6770166B1 (en) 2001-06-29 2004-08-03 Lam Research Corp. Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor
JP2003019433A (ja) 2001-07-06 2003-01-21 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
KR100403630B1 (ko) 2001-07-07 2003-10-30 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법
US6531377B2 (en) 2001-07-13 2003-03-11 Infineon Technologies Ag Method for high aspect ratio gap fill using sequential HDP-CVD
US6596599B1 (en) 2001-07-16 2003-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Gate stack for high performance sub-micron CMOS devices
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6846745B1 (en) 2001-08-03 2005-01-25 Novellus Systems, Inc. High-density plasma process for filling high aspect ratio structures
US6596654B1 (en) 2001-08-24 2003-07-22 Novellus Systems, Inc. Gap fill for high aspect ratio structures
JP3914452B2 (ja) 2001-08-07 2007-05-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US6984288B2 (en) 2001-08-08 2006-01-10 Lam Research Corporation Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber
TW554069B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
WO2003017359A1 (en) 2001-08-13 2003-02-27 Ebara Corporation Semiconductor device and production method therefor, and plating solution
US20030038305A1 (en) 2001-08-21 2003-02-27 Wasshuber Christoph A. Method for manufacturing and structure of transistor with low-k spacer
JP2003059914A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
US6762127B2 (en) 2001-08-23 2004-07-13 Yves Pierre Boiteux Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials
US6753506B2 (en) 2001-08-23 2004-06-22 Axcelis Technologies System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
WO2003018867A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source
US6796314B1 (en) 2001-09-07 2004-09-28 Novellus Systems, Inc. Using hydrogen gas in a post-etch radio frequency-plasma contact cleaning process
KR100441297B1 (ko) 2001-09-14 2004-07-23 주성엔지니어링(주) 리모트 플라즈마를 이용하는 ｃｃｐ형 ｐｅｃｖｄ장치
US20030054608A1 (en) 2001-09-17 2003-03-20 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for forming shallow trench isolation in semiconductor device
US6555467B2 (en) 2001-09-28 2003-04-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making air gaps copper interconnect
US6656837B2 (en) 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
EP1302988A3 (de) 2001-10-12 2007-01-24 Bayer MaterialScience AG Photovoltaik-Module mit einer thermoplastischen Schmelzklebeschicht sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung
US6855906B2 (en) 2001-10-16 2005-02-15 Adam Alexander Brailove Induction plasma reactor
US20030072639A1 (en) 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
KR100433091B1 (ko) 2001-10-23 2004-05-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 도전배선 형성방법
JP3759895B2 (ja) 2001-10-24 2006-03-29 松下電器産業株式会社 エッチング方法
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
JP2003158080A (ja) 2001-11-22 2003-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法
KR100443121B1 (ko) 2001-11-29 2004-08-04 삼성전자주식회사 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치
US6794290B1 (en) 2001-12-03 2004-09-21 Novellus Systems, Inc. Method of chemical modification of structure topography
EP1453083A4 (en) 2001-12-07 2007-01-10 Tokyo Electron Ltd INSULATING FILM NITRIDING PROCESS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SURFACE TREATING DEVICE AND METHOD
JP4392852B2 (ja) 2001-12-07 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置に用いられる排気リング機構及びプラズマ処理装置
US6905968B2 (en) 2001-12-12 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Process for selectively etching dielectric layers
AU2002353145A1 (en) 2001-12-13 2003-06-30 Applied Materials, Inc. Self-aligned contact etch with high sensitivity to nitride shoulder
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US6605874B2 (en) 2001-12-19 2003-08-12 Intel Corporation Method of making semiconductor device using an interconnect
WO2003054912A1 (en) 2001-12-20 2003-07-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece
US20030116087A1 (en) 2001-12-21 2003-06-26 Nguyen Anh N. Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition
US20030116439A1 (en) 2001-12-21 2003-06-26 International Business Machines Corporation Method for forming encapsulated metal interconnect structures in semiconductor integrated circuit devices
KR100484258B1 (ko) 2001-12-27 2005-04-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조 방법
US20030124842A1 (en) 2001-12-27 2003-07-03 Applied Materials, Inc. Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes
US6677247B2 (en) 2002-01-07 2004-01-13 Applied Materials Inc. Method of increasing the etch selectivity of a contact sidewall to a preclean etchant
US6828241B2 (en) 2002-01-07 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source
US6827815B2 (en) 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
JP2003217898A (ja) 2002-01-16 2003-07-31 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
US6869880B2 (en) 2002-01-24 2005-03-22 Applied Materials, Inc. In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6866746B2 (en) 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US7138014B2 (en) 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
TWI239794B (en) 2002-01-30 2005-09-11 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus and method
US7226504B2 (en) 2002-01-31 2007-06-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to form thick relaxed SiGe layer with trench structure
US6632325B2 (en) 2002-02-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same
US6821348B2 (en) 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US6656848B1 (en) 2002-02-22 2003-12-02 Scientific Systems Research Limited Plasma chamber conditioning
JP3921234B2 (ja) 2002-02-28 2007-05-30 キヤノンアネルバ株式会社 表面処理装置及びその製造方法
US6646233B2 (en) 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
US20060252265A1 (en) 2002-03-06 2006-11-09 Guangxiang Jin Etching high-kappa dielectric materials with good high-kappa foot control and silicon recess control
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7252011B2 (en) 2002-03-11 2007-08-07 Mks Instruments, Inc. Surface area deposition trap
US7256370B2 (en) 2002-03-15 2007-08-14 Steed Technology, Inc. Vacuum thermal annealer
JP3813562B2 (ja) 2002-03-15 2006-08-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6913651B2 (en) 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
US6541397B1 (en) 2002-03-29 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Removable amorphous carbon CMP stop
US6843858B2 (en) 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor processing chamber
US20030190426A1 (en) 2002-04-03 2003-10-09 Deenesh Padhi Electroless deposition method
US6921556B2 (en) 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
US6897532B1 (en) 2002-04-15 2005-05-24 Cypress Semiconductor Corp. Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same
US6616967B1 (en) 2002-04-15 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Method to achieve continuous hydrogen saturation in sparingly used electroless nickel plating process
US7013834B2 (en) 2002-04-19 2006-03-21 Nordson Corporation Plasma treatment system
KR100448714B1 (ko) 2002-04-24 2004-09-13 삼성전자주식회사 다층 나노라미네이트 구조를 갖는 반도체 장치의 절연막및 그의 형성방법
US6528409B1 (en) 2002-04-29 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect structure formed in porous dielectric material with minimized degradation and electromigration
US6908862B2 (en) 2002-05-03 2005-06-21 Applied Materials, Inc. HDP-CVD dep/etch/dep process for improved deposition into high aspect ratio features
TW538497B (en) 2002-05-16 2003-06-21 Nanya Technology Corp Method to form a bottle-shaped trench
US6825051B2 (en) 2002-05-17 2004-11-30 Asm America, Inc. Plasma etch resistant coating and process
JP2003347278A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
US6500728B1 (en) 2002-05-24 2002-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Shallow trench isolation (STI) module to improve contact etch process window
US20030224217A1 (en) 2002-05-31 2003-12-04 Applied Materials, Inc. Metal nitride formation
WO2003107409A1 (ja) 2002-06-01 2003-12-24 積水化学工業株式会社 酸化膜形成方法及び酸化膜形成装置
KR100434110B1 (ko) 2002-06-04 2004-06-04 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법
US6924191B2 (en) 2002-06-20 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate structure of a field effect transistor
DE10229037A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Chlortrifluorid und Anlage zur Ätzung von Halbleitersubstraten mit dieser Vorrichtung
US20040072446A1 (en) 2002-07-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor
US6767844B2 (en) 2002-07-03 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US7357138B2 (en) 2002-07-18 2008-04-15 Air Products And Chemicals, Inc. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
US7988398B2 (en) 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
JP2006509999A (ja) 2002-08-02 2006-03-23 イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッド 顕微鏡の試料調製方法及び装置
US20060046412A1 (en) 2002-08-06 2006-03-02 Tegal Corporation Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber
US6921555B2 (en) 2002-08-06 2005-07-26 Tegal Corporation Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber
US20040058293A1 (en) 2002-08-06 2004-03-25 Tue Nguyen Assembly line processing system
US20060040055A1 (en) 2002-08-06 2006-02-23 Tegal Corporation Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber
JP3861036B2 (ja) 2002-08-09 2006-12-20 三菱重工業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US7541270B2 (en) 2002-08-13 2009-06-02 Micron Technology, Inc. Methods for forming openings in doped silicon dioxide
US20040033677A1 (en) 2002-08-14 2004-02-19 Reza Arghavani Method and apparatus to prevent lateral oxidation in a transistor utilizing an ultra thin oxygen-diffusion barrier
US6781173B2 (en) 2002-08-29 2004-08-24 Micron Technology, Inc. MRAM sense layer area control
US7223701B2 (en) 2002-09-06 2007-05-29 Intel Corporation In-situ sequential high density plasma deposition and etch processing for gap fill
US6946033B2 (en) 2002-09-16 2005-09-20 Applied Materials Inc. Heated gas distribution plate for a processing chamber
JP3991315B2 (ja) 2002-09-17 2007-10-17 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置及び方法
US7335609B2 (en) 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
KR100500852B1 (ko) 2002-10-10 2005-07-12 최대규 원격 플라즈마 발생기
US6991959B2 (en) 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
JP4606713B2 (ja) 2002-10-17 2011-01-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6699380B1 (en) 2002-10-18 2004-03-02 Applied Materials Inc. Modular electrochemical processing system
US7628897B2 (en) 2002-10-23 2009-12-08 Applied Materials, Inc. Reactive ion etching for semiconductor device feature topography modification
US6802944B2 (en) 2002-10-23 2004-10-12 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD process for gapfill into high aspect ratio features
US6853043B2 (en) 2002-11-04 2005-02-08 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning
JP2004165317A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100862658B1 (ko) 2002-11-15 2008-10-10 삼성전자주식회사 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
US6861332B2 (en) 2002-11-21 2005-03-01 Intel Corporation Air gap interconnect method
US6713873B1 (en) 2002-11-27 2004-03-30 Intel Corporation Adhesion between dielectric materials
KR100898580B1 (ko) 2002-12-07 2009-05-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
US6858532B2 (en) 2002-12-10 2005-02-22 International Business Machines Corporation Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling
JP3838969B2 (ja) 2002-12-17 2006-10-25 沖電気工業株式会社 ドライエッチング方法
US20040118344A1 (en) 2002-12-20 2004-06-24 Lam Research Corporation System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit
DE10260352A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Kondensatoranordnung und Kondensatoranordnung
US6806949B2 (en) 2002-12-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Monitoring material buildup on system components by optical emission
US6720213B1 (en) 2003-01-15 2004-04-13 International Business Machines Corporation Low-K gate spacers by fluorine implantation
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7500445B2 (en) 2003-01-27 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a CVD chamber
US7316761B2 (en) 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
US7205248B2 (en) 2003-02-04 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill
US7078351B2 (en) 2003-02-10 2006-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist intensive patterning and processing
US7604708B2 (en) 2003-02-14 2009-10-20 Applied Materials, Inc. Cleaning of native oxide with hydrogen-containing radicals
US6982175B2 (en) 2003-02-14 2006-01-03 Unaxis Usa Inc. End point detection in time division multiplexed etch processes
DE10308870B4 (de) 2003-02-28 2006-07-27 Austriamicrosystems Ag Bipolartransistor mit verbessertem Basis-Emitter-Übergang und Verfahren zur Herstellung
US6913992B2 (en) 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
CN100388434C (zh) 2003-03-12 2008-05-14 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置
US6951821B2 (en) 2003-03-17 2005-10-04 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemically treating a substrate
US20040182315A1 (en) 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system
WO2004093178A1 (ja) 2003-04-11 2004-10-28 Hoya Corporation クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法
US7037376B2 (en) 2003-04-11 2006-05-02 Applied Materials Inc. Backflush chamber clean
US7126225B2 (en) 2003-04-15 2006-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer with reduced delamination and peeling
US6872909B2 (en) 2003-04-16 2005-03-29 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US20040211357A1 (en) 2003-04-24 2004-10-28 Gadgil Pradad N. Method of manufacturing a gap-filled structure of a semiconductor device
US6830624B2 (en) 2003-05-02 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Blocker plate by-pass for remote plasma clean
US6903511B2 (en) 2003-05-06 2005-06-07 Zond, Inc. Generation of uniformly-distributed plasma
DE10320472A1 (de) 2003-05-08 2004-12-02 Kolektor D.O.O. Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel
KR20040096365A (ko) 2003-05-09 2004-11-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 제조방법
US7045020B2 (en) 2003-05-22 2006-05-16 Applied Materials, Inc. Cleaning a component of a process chamber
US6713835B1 (en) 2003-05-22 2004-03-30 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a multi-level interconnect structure
US7081414B2 (en) 2003-05-23 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill
US7205240B2 (en) 2003-06-04 2007-04-17 Applied Materials, Inc. HDP-CVD multistep gapfill process
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7067432B2 (en) 2003-06-26 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Methodology for in-situ and real-time chamber condition monitoring and process recovery during plasma processing
US7151277B2 (en) 2003-07-03 2006-12-19 The Regents Of The University Of California Selective etching of silicon carbide films
JP2005033023A (ja) 2003-07-07 2005-02-03 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4245996B2 (ja) 2003-07-07 2009-04-02 株式会社荏原製作所 無電解めっきによるキャップ膜の形成方法およびこれに用いる装置
US6995073B2 (en) 2003-07-16 2006-02-07 Intel Corporation Air gap integration
US7256134B2 (en) 2003-08-01 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics
JP4239750B2 (ja) 2003-08-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ及びマイクロレンズの製造方法、光学装置、光伝送装置、レーザプリンタ用ヘッド、並びにレーザプリンタ
US20050035455A1 (en) 2003-08-14 2005-02-17 Chenming Hu Device with low-k dielectric in close proximity thereto and its method of fabrication
US7361865B2 (en) 2003-08-27 2008-04-22 Kyocera Corporation Heater for heating a wafer and method for fabricating the same
US7521000B2 (en) 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US7078312B1 (en) 2003-09-02 2006-07-18 Novellus Systems, Inc. Method for controlling etch process repeatability
US6903031B2 (en) 2003-09-03 2005-06-07 Applied Materials, Inc. In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen
US7282244B2 (en) 2003-09-05 2007-10-16 General Electric Company Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method
US7030034B2 (en) 2003-09-18 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Methods of etching silicon nitride substantially selectively relative to an oxide of aluminum
JP2005101141A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6967405B1 (en) 2003-09-24 2005-11-22 Yongsik Yu Film for copper diffusion barrier
US7371688B2 (en) 2003-09-30 2008-05-13 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate
US7071532B2 (en) 2003-09-30 2006-07-04 International Business Machines Corporation Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring
EP1676295A2 (en) 2003-10-06 2006-07-05 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
JP4399227B2 (ja) 2003-10-06 2010-01-13 株式会社フジキン チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7125792B2 (en) 2003-10-14 2006-10-24 Infineon Technologies Ag Dual damascene structure and method
US7465358B2 (en) 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
US20070111519A1 (en) 2003-10-15 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
JP2005129666A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Canon Inc 処理方法及び装置
JP2005129688A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US7053994B2 (en) 2003-10-28 2006-05-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for etch endpoint detection
KR100561848B1 (ko) 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
US7709392B2 (en) 2003-11-05 2010-05-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Low K dielectric surface damage control
KR100558925B1 (ko) 2003-11-24 2006-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치
US20050109276A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US20050112876A1 (en) 2003-11-26 2005-05-26 Chih-Ta Wu Method to form a robust TiCI4 based CVD TiN film
US7202172B2 (en) 2003-12-05 2007-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Microelectronic device having disposable spacer
US7081407B2 (en) 2003-12-16 2006-07-25 Lam Research Corporation Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping
US6958286B2 (en) 2004-01-02 2005-10-25 International Business Machines Corporation Method of preventing surface roughening during hydrogen prebake of SiGe substrates
US6893967B1 (en) 2004-01-13 2005-05-17 Advanced Micro Devices, Inc. L-shaped spacer incorporating or patterned using amorphous carbon or CVD organic materials
WO2005072211A2 (en) 2004-01-20 2005-08-11 Mattson Technology, Inc. System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present
US20060033678A1 (en) 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US7012027B2 (en) 2004-01-27 2006-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Zirconium oxide and hafnium oxide etching using halogen containing chemicals
US7064078B2 (en) 2004-01-30 2006-06-20 Applied Materials Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme
US7291550B2 (en) 2004-02-13 2007-11-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form a contact hole
JP4707959B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4698251B2 (ja) 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US20070123051A1 (en) 2004-02-26 2007-05-31 Reza Arghavani Oxide etch with nh4-nf3 chemistry
US20060051966A1 (en) 2004-02-26 2006-03-09 Applied Materials, Inc. In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
US7780793B2 (en) 2004-02-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth
US7407893B2 (en) 2004-03-05 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Liquid precursors for the CVD deposition of amorphous carbon films
US8037896B2 (en) 2004-03-09 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Pressure regulation in remote zones
US7196342B2 (en) 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
US7682985B2 (en) 2004-03-17 2010-03-23 Lam Research Corporation Dual doped polysilicon and silicon germanium etch
US7109521B2 (en) 2004-03-18 2006-09-19 Cree, Inc. Silicon carbide semiconductor structures including multiple epitaxial layers having sidewalls
US7582555B1 (en) 2005-12-29 2009-09-01 Novellus Systems, Inc. CVD flowable gap fill
US7244474B2 (en) 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US7291360B2 (en) 2004-03-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US7358192B2 (en) 2004-04-08 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ film stack processing
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7785672B2 (en) 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US7018941B2 (en) 2004-04-21 2006-03-28 Applied Materials, Inc. Post treatment of low k dielectric films
TWI249774B (en) 2004-04-23 2006-02-21 Nanya Technology Corp Forming method of self-aligned contact for semiconductor device
US7115974B2 (en) 2004-04-27 2006-10-03 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. Silicon oxycarbide and silicon carbonitride based materials for MOS devices
US7708859B2 (en) 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
KR20070009729A (ko) 2004-05-11 2007-01-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 불화탄소 에칭 화학반응에서 Ｈ2 첨가를 이용한탄소-도핑-Ｓｉ 산화물 에칭
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
CN100594619C (zh) 2004-05-21 2010-03-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US7049200B2 (en) 2004-05-25 2006-05-23 Applied Materials Inc. Method for forming a low thermal budget spacer
KR100624566B1 (ko) 2004-05-31 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 커패시터 상부에 유동성 절연막을 갖는 반도체소자 및 그제조 방법
US7651583B2 (en) 2004-06-04 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate
US20050274324A1 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and mounting unit thereof
US7226852B1 (en) 2004-06-10 2007-06-05 Lam Research Corporation Preventing damage to low-k materials during resist stripping
US7253107B2 (en) 2004-06-17 2007-08-07 Asm International N.V. Pressure control system
US7122949B2 (en) 2004-06-21 2006-10-17 Neocera, Inc. Cylindrical electron beam generating/triggering device and method for generation of electrons
US20060005856A1 (en) 2004-06-29 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Reduction of reactive gas attack on substrate heater
US20060000802A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US8349128B2 (en) 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
US7097779B2 (en) 2004-07-06 2006-08-29 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemically treating a TERA layer
JP2006049817A (ja) 2004-07-07 2006-02-16 Showa Denko Kk プラズマ処理方法およびプラズマエッチング方法
US7845309B2 (en) 2004-07-13 2010-12-07 Nordson Corporation Ultra high speed uniform plasma processing system
KR100614648B1 (ko) 2004-07-15 2006-08-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
KR100584485B1 (ko) 2004-07-20 2006-05-29 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 금속 부식 방지 방법
US20060016783A1 (en) 2004-07-22 2006-01-26 Dingjun Wu Process for titanium nitride removal
US7217626B2 (en) 2004-07-26 2007-05-15 Texas Instruments Incorporated Transistor fabrication methods using dual sidewall spacers
US7192863B2 (en) 2004-07-30 2007-03-20 Texas Instruments Incorporated Method of eliminating etch ridges in a dual damascene process
US7806077B2 (en) 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
JP5519105B2 (ja) 2004-08-02 2014-06-11 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
US20060024954A1 (en) 2004-08-02 2006-02-02 Zhen-Cheng Wu Copper damascene barrier and capping layer
US7247570B2 (en) 2004-08-19 2007-07-24 Micron Technology, Inc. Silicon pillars for vertical transistors
US20060043066A1 (en) 2004-08-26 2006-03-02 Kamp Thomas A Processes for pre-tapering silicon or silicon-germanium prior to etching shallow trenches
US20060042752A1 (en) 2004-08-30 2006-03-02 Rueger Neal R Plasma processing apparatuses and methods
CN101053063B (zh) 2004-09-01 2012-10-03 艾克塞利斯技术公司 用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法
US7115525B2 (en) 2004-09-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication
US7390710B2 (en) 2004-09-02 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Protection of tunnel dielectric using epitaxial silicon
US7329576B2 (en) 2004-09-02 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Double-sided container capacitors using a sacrificial layer
US20060292846A1 (en) 2004-09-17 2006-12-28 Pinto Gustavo A Material management in substrate processing
US7148155B1 (en) 2004-10-26 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7053003B2 (en) 2004-10-27 2006-05-30 Lam Research Corporation Photoresist conditioning with hydrogen ramping
US20060093756A1 (en) 2004-11-03 2006-05-04 Nagarajan Rajagopalan High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films
US20060097397A1 (en) 2004-11-10 2006-05-11 Russell Stephen W Method for forming a dual layer, low resistance metallization during the formation of a semiconductor device
US7618515B2 (en) 2004-11-15 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method
US7052553B1 (en) 2004-12-01 2006-05-30 Lam Research Corporation Wet cleaning of electrostatic chucks
US7256121B2 (en) 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
FR2878913B1 (fr) 2004-12-03 2007-01-19 Cit Alcatel Controle des pressions partielles de gaz pour optimisation de procede
US20060130971A1 (en) 2004-12-21 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for generating plasma by RF power
WO2006069085A2 (en) 2004-12-21 2006-06-29 Applied Materials, Inc. An in-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
JP2006179693A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd ヒータ付き静電チャック
US7365016B2 (en) 2004-12-27 2008-04-29 Dalsa Semiconductor Inc. Anhydrous HF release of process for MEMS devices
US20060148243A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Jeng-Ho Wang Method for fabricating a dual damascene and polymer removal
US7465953B1 (en) 2005-01-07 2008-12-16 Board Of Regents, The University Of Texas System Positioning of nanoparticles and fabrication of single election devices
US7253123B2 (en) 2005-01-10 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method for producing gate stack sidewall spacers
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
US7829243B2 (en) 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
GB0502149D0 (en) 2005-02-02 2005-03-09 Boc Group Inc Method of operating a pumping system
US7341943B2 (en) 2005-02-08 2008-03-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Post etch copper cleaning using dry plasma
JP4475136B2 (ja) 2005-02-18 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム、前処理装置及び記憶媒体
US7344912B1 (en) 2005-03-01 2008-03-18 Spansion Llc Method for patterning electrically conducting poly(phenyl acetylene) and poly(diphenyl acetylene)
JP4506677B2 (ja) 2005-03-11 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP2006261217A (ja) 2005-03-15 2006-09-28 Canon Anelva Corp 薄膜形成方法
US7253118B2 (en) 2005-03-15 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Pitch reduced patterns relative to photolithography features
US7514353B2 (en) 2005-03-18 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer
TW200734482A (en) 2005-03-18 2007-09-16 Applied Materials Inc Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide
US20060210723A1 (en) 2005-03-21 2006-09-21 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
KR100610465B1 (ko) 2005-03-25 2006-08-08 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US7442274B2 (en) 2005-03-28 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and apparatus therefor
US7611944B2 (en) 2005-03-28 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Integrated circuit fabrication
KR100689826B1 (ko) 2005-03-29 2007-03-08 삼성전자주식회사 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들
US7789962B2 (en) 2005-03-31 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same
US20060228889A1 (en) 2005-03-31 2006-10-12 Edelberg Erik A Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers
US7288482B2 (en) 2005-05-04 2007-10-30 International Business Machines Corporation Silicon nitride etching methods
KR100745067B1 (ko) 2005-05-18 2007-08-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 및 그 형성방법
US7431856B2 (en) 2005-05-18 2008-10-07 National Research Council Of Canada Nano-tip fabrication by spatially controlled etching
US20060266288A1 (en) 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
JP4853857B2 (ja) 2005-06-15 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置
JP4554461B2 (ja) 2005-07-26 2010-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体装置の製造方法
DE102006038885B4 (de) 2005-08-24 2013-10-10 Wonik Ips Co., Ltd. Verfahren zum Abscheiden einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht
US20070056925A1 (en) 2005-09-09 2007-03-15 Lam Research Corporation Selective etch of films with high dielectric constant with H2 addition
WO2007035880A2 (en) 2005-09-21 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system
DE102005047081B4 (de) 2005-09-30 2019-01-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum plasmalosen Ätzen von Silizium mit dem Ätzgas ClF3 oder XeF2
US8102123B2 (en) 2005-10-04 2012-01-24 Topanga Technologies, Inc. External resonator electrode-less plasma lamp and method of exciting with radio-frequency energy
KR100703014B1 (ko) 2005-10-26 2007-04-06 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US20070099806A1 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
US7884032B2 (en) 2005-10-28 2011-02-08 Applied Materials, Inc. Thin film deposition
EP1780779A3 (en) 2005-10-28 2008-06-11 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) A plasma for patterning advanced gate stacks
US7696101B2 (en) 2005-11-01 2010-04-13 Micron Technology, Inc. Process for increasing feature density during the manufacture of a semiconductor device
TWI332532B (en) 2005-11-04 2010-11-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US20070107750A1 (en) 2005-11-14 2007-05-17 Sawin Herbert H Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers
JP4918778B2 (ja) 2005-11-16 2012-04-18 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置の製造方法
US20070117396A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Dingjun Wu Selective etching of titanium nitride with xenon difluoride
US7405160B2 (en) 2005-12-13 2008-07-29 Tokyo Electron Limited Method of making semiconductor device
US7662723B2 (en) 2005-12-13 2010-02-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in-situ substrate processing
JP2007173383A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Sharp Corp トレンチ素子分離領域の形成方法、窒化シリコン膜ライナーの形成方法、半導体装置の製造方法
US7449538B2 (en) 2005-12-30 2008-11-11 Hynix Semiconductor Inc. Hard mask composition and method for manufacturing semiconductor device
JP2007191792A (ja) 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
KR100712727B1 (ko) 2006-01-26 2007-05-04 주식회사 아토 절연체를 이용한 샤워헤드
US7494545B2 (en) 2006-02-03 2009-02-24 Applied Materials, Inc. Epitaxial deposition process and apparatus
KR100785164B1 (ko) 2006-02-04 2007-12-11 위순임 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템
KR100752622B1 (ko) 2006-02-17 2007-08-30 한양대학교 산학협력단 원거리 플라즈마 발생장치
US20070207275A1 (en) 2006-02-21 2007-09-06 Applied Materials, Inc. Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films
JP2009530288A (ja) 2006-03-16 2009-08-27 ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト 特に黒色腫の処置のためのヘテロ環式有機化合物
US8343280B2 (en) 2006-03-28 2013-01-01 Tokyo Electron Limited Multi-zone substrate temperature control system and method of operating
WO2007112454A2 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Stratusys Inc. Apparatus and method for processing substrates using one or more vacuum transfer chamber units
US7906032B2 (en) 2006-03-31 2011-03-15 Tokyo Electron Limited Method for conditioning a process chamber
US7780865B2 (en) 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
JP5042517B2 (ja) 2006-04-10 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN100539080C (zh) 2006-04-12 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
US20070243714A1 (en) 2006-04-18 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Method of controlling silicon-containing polymer build up during etching by using a periodic cleaning step
US7488685B2 (en) 2006-04-25 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US20070254169A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Kamins Theodore I Structures including organic self-assembled monolayers and methods of making the structures
US7297564B1 (en) 2006-05-02 2007-11-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fabrication of vertical sidewalls on (110) silicon substrates for use in Si/SiGe photodetectors
US7601607B2 (en) 2006-05-15 2009-10-13 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Protruded contact and insertion of inter-layer-dielectric material to match damascene hardmask to improve undercut for low-k interconnects
JP5578389B2 (ja) 2006-05-16 2014-08-27 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 積層膜パターン形成方法及びゲート電極形成方法
JP2007311540A (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20070266946A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Byung-Chul Choi Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same
US20070281106A1 (en) 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US20070277734A1 (en) 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
US7790634B2 (en) 2006-05-30 2010-09-07 Applied Materials, Inc Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications
US7932181B2 (en) 2006-06-20 2011-04-26 Lam Research Corporation Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement
US20070296967A1 (en) 2006-06-27 2007-12-27 Bhupendra Kumra Gupta Analysis of component for presence, composition and/or thickness of coating
US7416989B1 (en) 2006-06-30 2008-08-26 Novellus Systems, Inc. Adsorption based material removal process
US7618889B2 (en) 2006-07-18 2009-11-17 Applied Materials, Inc. Dual damascene fabrication with low k materials
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US20080124937A1 (en) 2006-08-16 2008-05-29 Songlin Xu Selective etching method and apparatus
KR100818708B1 (ko) 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
US8110787B1 (en) 2006-08-23 2012-02-07 ON Semiconductor Trading, Ltd Image sensor with a reflective waveguide
US7575007B2 (en) 2006-08-23 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Chamber recovery after opening barrier over copper
US20080063810A1 (en) 2006-08-23 2008-03-13 Applied Materials, Inc. In-situ process state monitoring of chamber
US7611980B2 (en) 2006-08-30 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures
US7452766B2 (en) 2006-08-31 2008-11-18 Micron Technology, Inc. Finned memory cells and the fabrication thereof
US20080075668A1 (en) 2006-09-27 2008-03-27 Goldstein Alan H Security Device Using Reversibly Self-Assembling Systems
CN101153396B (zh) 2006-09-30 2010-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 等离子刻蚀方法
JP2008103645A (ja) 2006-10-20 2008-05-01 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080099147A1 (en) 2006-10-26 2008-05-01 Nyi Oo Myo Temperature controlled multi-gas distribution assembly
JP2008109043A (ja) 2006-10-27 2008-05-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20080102640A1 (en) 2006-10-30 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Etching oxide with high selectivity to titanium nitride
US7943005B2 (en) 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7880232B2 (en) 2006-11-01 2011-02-01 Micron Technology, Inc. Processes and apparatus having a semiconductor fin
US7725974B2 (en) * 2006-11-02 2010-06-01 Hughes Randall L Shoe and foot cleaning and disinfecting system
US7700479B2 (en) 2006-11-06 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning processes in the formation of integrated circuit interconnect structures
US20080142483A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills
US7939422B2 (en) 2006-12-07 2011-05-10 Applied Materials, Inc. Methods of thin film process
KR20090094368A (ko) 2006-12-11 2009-09-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 건식 포토레지스트 스트립핑 프로세스 및 장치
TWM318795U (en) 2006-12-18 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
US20100059889A1 (en) 2006-12-20 2010-03-11 Nxp, B.V. Adhesion of diffusion barrier on copper-containing interconnect element
JP5229711B2 (ja) 2006-12-25 2013-07-03 国立大学法人名古屋大学 パターン形成方法、および半導体装置の製造方法
US7808053B2 (en) 2006-12-29 2010-10-05 Intel Corporation Method, apparatus, and system for flash memory
US20080157225A1 (en) 2006-12-29 2008-07-03 Suman Datta SRAM and logic transistors with variable height multi-gate transistor architecture
KR20080063988A (ko) 2007-01-03 2008-07-08 삼성전자주식회사 중성빔을 이용한 식각장치
JP4421618B2 (ja) 2007-01-17 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 フィン型電界効果トランジスタの製造方法
US7728364B2 (en) 2007-01-19 2010-06-01 International Business Machines Corporation Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation
JP4299863B2 (ja) 2007-01-22 2009-07-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
KR100878015B1 (ko) 2007-01-31 2009-01-13 삼성전자주식회사 산화물 제거 방법 및 이를 이용한 트렌치 매립 방법
US20080202892A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Stacked process chambers for substrate vacuum processing tool
KR101526615B1 (ko) 2007-03-12 2015-06-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 균일성 제어 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기판 국소 변형 방법
KR100853485B1 (ko) 2007-03-19 2008-08-21 주식회사 하이닉스반도체 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법
US20080233709A1 (en) 2007-03-22 2008-09-25 Infineon Technologies North America Corp. Method for removing material from a semiconductor
US7815814B2 (en) 2007-03-23 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Method and system for dry etching a metal nitride
JP4988402B2 (ja) 2007-03-30 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8235001B2 (en) 2007-04-02 2012-08-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
CN101657565A (zh) 2007-04-17 2010-02-24 株式会社爱发科 成膜装置
JP5135879B2 (ja) 2007-05-21 2013-02-06 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
KR100777043B1 (ko) 2007-05-22 2007-11-16 주식회사 테스 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
US8084105B2 (en) 2007-05-23 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Method of depositing boron nitride and boron nitride-derived materials
JP4586841B2 (ja) 2007-05-30 2010-11-24 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7807578B2 (en) 2007-06-01 2010-10-05 Applied Materials, Inc. Frequency doubling using spacer mask
US7585716B2 (en) 2007-06-27 2009-09-08 International Business Machines Corporation High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance
KR100877107B1 (ko) 2007-06-28 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 층간절연막 형성방법
JP4438008B2 (ja) 2007-06-29 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101050454B1 (ko) 2007-07-02 2011-07-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자 분리막 및 그 형성방법
US8021514B2 (en) 2007-07-11 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for pre-treatment of substrates prior to deposition
US8197636B2 (en) 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
JP5660753B2 (ja) 2007-07-13 2015-01-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマエッチング用高温カソード
DE102007033685A1 (de) 2007-07-19 2009-01-22 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Ätzen einer Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat
JP5583011B2 (ja) 2007-07-19 2014-09-03 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 照明装置データを送信するための方法、システム及び装置
US8008166B2 (en) 2007-07-26 2011-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a substrate surface
EP2042516A1 (en) 2007-09-27 2009-04-01 Protaffin Biotechnologie AG Glycosaminoglycan-antagonising MCP-1 mutants and methods of using same
KR101190074B1 (ko) 2007-08-31 2012-10-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP5347294B2 (ja) 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US7781332B2 (en) 2007-09-19 2010-08-24 International Business Machines Corporation Methods to mitigate plasma damage in organosilicate dielectrics using a protective sidewall spacer
WO2009042137A2 (en) 2007-09-25 2009-04-02 Lam Research Corporation Temperature control modules for showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US8298931B2 (en) 2007-09-28 2012-10-30 Sandisk 3D Llc Dual damascene with amorphous carbon for 3D deep via/trench application
JP2009088522A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Hynix Semiconductor Inc 半導体装置のリセスゲート製造方法
US20090084317A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber and components
CN101802254B (zh) 2007-10-11 2013-11-27 瓦伦斯处理设备公司 化学气相沉积反应器
US7838390B2 (en) 2007-10-12 2010-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein
US7976631B2 (en) 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
US7871926B2 (en) 2007-10-22 2011-01-18 Applied Materials, Inc. Methods and systems for forming at least one dielectric layer
JP5567486B2 (ja) 2007-10-31 2014-08-06 ラム リサーチ コーポレーション 窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
US7964040B2 (en) 2007-11-08 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Multi-port pumping system for substrate processing chambers
US8592318B2 (en) 2007-11-08 2013-11-26 Lam Research Corporation Pitch reduction using oxide spacer
US7704849B2 (en) 2007-12-03 2010-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of forming trench isolation in silicon of a semiconductor substrate by plasma
AU2008333222A1 (en) 2007-12-04 2009-06-11 Parabel Ag Multilayer solar element
US8187486B1 (en) 2007-12-13 2012-05-29 Novellus Systems, Inc. Modulating etch selectivity and etch rate of silicon nitride thin films
JP2009170890A (ja) 2007-12-18 2009-07-30 Takashima & Co Ltd 可撓性膜状太陽電池複層体
US8512509B2 (en) 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
US7989329B2 (en) 2007-12-21 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Removal of surface dopants from a substrate
US20090170331A1 (en) 2007-12-27 2009-07-02 International Business Machines Corporation Method of forming a bottle-shaped trench by ion implantation
WO2009084194A1 (en) 2007-12-28 2009-07-09 Tokyo Electron Limited Etching method for metal film and metal oxide film, and manufacturing method for semiconductor device
US7910477B2 (en) 2007-12-28 2011-03-22 Texas Instruments Incorporated Etch residue reduction by ash methodology
US8018023B2 (en) 2008-01-14 2011-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Trench sidewall protection by a carbon-rich layer in a semiconductor device
TW200933812A (en) 2008-01-30 2009-08-01 Promos Technologies Inc Process for forming trench isolation structure and semiconductor device produced thereby
US20090194810A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Masahiro Kiyotoshi Semiconductor device using element isolation region of trench isolation structure and manufacturing method thereof
JP5108933B2 (ja) 2008-02-26 2012-12-26 京セラ株式会社 静電チャック
DE102008016425B4 (de) 2008-03-31 2015-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zur Strukturierung einer Metallisierungsschicht durch Verringerung der durch Lackentfernung hervorgerufenen Schäden des dielektrischen Materials
US20090258162A1 (en) 2008-04-12 2009-10-15 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus and method
JP2009266952A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法及び製造装置
US7977246B2 (en) 2008-04-25 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Thermal annealing method for preventing defects in doped silicon oxide surfaces during exposure to atmosphere
US8252194B2 (en) 2008-05-02 2012-08-28 Micron Technology, Inc. Methods of removing silicon oxide
US20090274590A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed
US20090275206A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
US8357435B2 (en) 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US20090277874A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing polymer from a substrate
US20090277587A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US8277670B2 (en) 2008-05-13 2012-10-02 Lam Research Corporation Plasma process with photoresist mask pretreatment
KR100998011B1 (ko) 2008-05-22 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 화학기상 증착장치
DE102008026134A1 (de) 2008-05-30 2009-12-17 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Mikrostrukturbauelement mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten zwischen dichtliegenden Metallleitungen
KR20090128913A (ko) 2008-06-11 2009-12-16 성균관대학교산학협력단 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치 및 그 방법
JP2010003826A (ja) 2008-06-19 2010-01-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5222040B2 (ja) 2008-06-25 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP5211332B2 (ja) 2008-07-01 2013-06-12 株式会社ユーテック プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
JP4473344B2 (ja) 2008-07-15 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US8336188B2 (en) 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP2011253832A (ja) 2008-07-24 2011-12-15 Canon Anelva Corp レジストトリミング方法及びトリミング装置
KR20100013980A (ko) 2008-08-01 2010-02-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법
WO2010019430A2 (en) 2008-08-12 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
CN102204414B (zh) 2008-08-20 2014-10-22 视觉动力控股有限公司 产生用于对衬底表面进行构图的等离子体放电的设备
US8268729B2 (en) 2008-08-21 2012-09-18 International Business Machines Corporation Smooth and vertical semiconductor fin structure
KR100997502B1 (ko) 2008-08-26 2010-11-30 금호석유화학 주식회사 개환된 프탈릭 언하이드라이드를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물과 이의 제조방법
KR101025741B1 (ko) 2008-09-02 2011-04-04 주식회사 하이닉스반도체 수직 채널 트랜지스터의 활성필라 제조방법
US8871645B2 (en) 2008-09-11 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof
US7709396B2 (en) 2008-09-19 2010-05-04 Applied Materials, Inc. Integral patterning of large features along with array using spacer mask patterning process flow
US20100081285A1 (en) 2008-09-30 2010-04-01 Tokyo Electron Limited Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties
US7968441B2 (en) 2008-10-08 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Dopant activation anneal to achieve less dopant diffusion (better USJ profile) and higher activation percentage
US7928003B2 (en) 2008-10-10 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Air gap interconnects using carbon-based films
US8563090B2 (en) 2008-10-16 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Boron film interface engineering
US7910491B2 (en) 2008-10-16 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Gapfill improvement with low etch rate dielectric liners
US20100099263A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Nf3/h2 remote plasma process with high etch selectivity of psg/bpsg over thermal oxide and low density surface defects
US8207470B2 (en) 2008-10-20 2012-06-26 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Apparatus for generating remote plasma
US8173547B2 (en) 2008-10-23 2012-05-08 Lam Research Corporation Silicon etch with passivation using plasma enhanced oxidation
US20100101727A1 (en) 2008-10-27 2010-04-29 Helin Ji Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range
JP5396065B2 (ja) 2008-10-28 2014-01-22 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US20100116788A1 (en) 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
US20100144140A1 (en) 2008-12-10 2010-06-10 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing tungsten films having low resistivity for gapfill applications
US20100147219A1 (en) 2008-12-12 2010-06-17 Jui Hai Hsieh High temperature and high voltage electrode assembly design
US8540844B2 (en) 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
US8058179B1 (en) 2008-12-23 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. Atomic layer removal process with higher etch amount
KR20100074508A (ko) 2008-12-24 2010-07-02 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 제조 방법
JP2010154699A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Ltd 磁束可変型回転電機
US20100183825A1 (en) 2008-12-31 2010-07-22 Cambridge Nanotech Inc. Plasma atomic layer deposition system and method
KR101587601B1 (ko) 2009-01-14 2016-01-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
US20100187694A1 (en) 2009-01-28 2010-07-29 Chen-Hua Yu Through-Silicon Via Sidewall Isolation Structure
US7964517B2 (en) 2009-01-29 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Use of a biased precoat for reduced first wafer defects in high-density plasma process
KR20100087915A (ko) 2009-01-29 2010-08-06 삼성전자주식회사 실린더형 스토리지 노드를 포함하는 반도체 메모리 소자 및그 제조 방법
KR101527195B1 (ko) 2009-02-02 2015-06-10 삼성전자주식회사 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
JP5210191B2 (ja) 2009-02-03 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 窒化珪素膜のドライエッチング方法
JP2010180458A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Kit:Kk アルミニウム表面の酸化層形成方法及び半導体装置の製造方法
CN102365906B (zh) 2009-02-13 2016-02-03 应用材料公司 用于等离子体腔室电极的rf总线与rf回流总线
US8148749B2 (en) 2009-02-19 2012-04-03 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-shielded semiconductor device
WO2010102125A2 (en) 2009-03-05 2010-09-10 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor having rf phase control and methods of use thereof
JP2012521075A (ja) 2009-03-17 2012-09-10 ロート ウント ラウ アーゲー 基板処理装置および基板処理方法
KR101539699B1 (ko) 2009-03-19 2015-07-27 삼성전자주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US8312839B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Mixing frequency at multiple feeding points
KR101534357B1 (ko) 2009-03-31 2015-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법
US8026179B2 (en) 2009-04-09 2011-09-27 Macronix International Co., Ltd. Patterning method and integrated circuit structure
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
US8193075B2 (en) 2009-04-20 2012-06-05 Applied Materials, Inc. Remote hydrogen plasma with ion filter for terminating silicon dangling bonds
JP5822823B2 (ja) 2009-04-21 2015-11-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 膜厚不均一性および粒子性能を改善するｃｖｄ装置
US8623141B2 (en) 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
US8492292B2 (en) 2009-06-29 2013-07-23 Applied Materials, Inc. Methods of forming oxide layers on substrates
US8894767B2 (en) 2009-07-15 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Flow control features of CVD chambers
US8124531B2 (en) 2009-08-04 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Depositing tungsten into high aspect ratio features
US7935643B2 (en) 2009-08-06 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Stress management for tensile films
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
WO2011028597A1 (en) 2009-08-26 2011-03-10 Veeco Instruments, Inc. System for fabricating a pattern on magnetic recording media
US8211808B2 (en) 2009-08-31 2012-07-03 Applied Materials, Inc. Silicon-selective dry etch for carbon-containing films
US8623148B2 (en) 2009-09-10 2014-01-07 Matheson Tri-Gas, Inc. NF3 chamber clean additive
US20110061810A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110061812A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110065276A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP5648349B2 (ja) 2009-09-17 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8329587B2 (en) 2009-10-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Post-planarization densification
EP2315028A1 (en) 2009-10-26 2011-04-27 Atlas Antibodies AB PODXL protein in colorectal cancer
JP5257328B2 (ja) 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US8455364B2 (en) 2009-11-06 2013-06-04 International Business Machines Corporation Sidewall image transfer using the lithographic stack as the mandrel
US8771538B2 (en) 2009-11-18 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Plasma source design
US8742665B2 (en) 2009-11-18 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Plasma source design
TW201133482A (en) 2009-11-30 2011-10-01 Applied Materials Inc Chamber for processing hard disk drive substrates
TWI579916B (zh) 2009-12-09 2017-04-21 諾菲勒斯系統公司 整合可流動氧化物及頂蓋氧化物之新穎間隙填充
US8202803B2 (en) 2009-12-11 2012-06-19 Tokyo Electron Limited Method to remove capping layer of insulation dielectric in interconnect structures
US20110140229A1 (en) 2009-12-16 2011-06-16 Willy Rachmady Techniques for forming shallow trench isolation
US20110151677A1 (en) 2009-12-21 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process
US8501629B2 (en) 2009-12-23 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Smooth SiConi etch for silicon-containing films
JP4927158B2 (ja) 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
US8329262B2 (en) 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
JP5710209B2 (ja) 2010-01-18 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
JP5166458B2 (ja) 2010-01-22 2013-03-21 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP5608384B2 (ja) 2010-02-05 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置
US8361338B2 (en) 2010-02-11 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hard mask removal method
EP2536772B1 (en) 2010-02-15 2016-02-10 Daikin Industries, Ltd. Water and oil resistant agent for paper and paper treatment process
US8456009B2 (en) 2010-02-18 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure having an air-gap region and a method of manufacturing the same
KR101853802B1 (ko) 2010-03-05 2018-05-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 라디칼­성분 ｃｖｄ에 의한 컨포멀 층들
JP5450187B2 (ja) 2010-03-16 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2011115926A1 (en) 2010-03-16 2011-09-22 Sandisk 3D, Llc Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers
US8435902B2 (en) 2010-03-17 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Invertable pattern loading with dry etch
US20130012030A1 (en) 2010-03-17 2013-01-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for remote plasma source assisted silicon-containing film deposition
US8288268B2 (en) 2010-04-29 2012-10-16 International Business Machines Corporation Microelectronic structure including air gap
US8475674B2 (en) 2010-04-30 2013-07-02 Applied Materials, Inc. High-temperature selective dry etch having reduced post-etch solid residue
US8361906B2 (en) 2010-05-20 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Ultra high selectivity ashable hard mask film
US20140154668A1 (en) 2010-05-21 2014-06-05 The Trustees Of Princeton University Structures for Enhancement of Local Electric Field, Light Absorption, Light Radiation, Material Detection and Methods for Making and Using of the Same.
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8373239B2 (en) 2010-06-08 2013-02-12 International Business Machines Corporation Structure and method for replacement gate MOSFET with self-aligned contact using sacrificial mandrel dielectric
JP5463224B2 (ja) 2010-07-09 2014-04-09 日本発條株式会社 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート
US20120009796A1 (en) 2010-07-09 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Post-ash sidewall healing
US8278203B2 (en) 2010-07-28 2012-10-02 Sandisk Technologies Inc. Metal control gate formation in non-volatile storage
US8869742B2 (en) 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
KR20120029291A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8633423B2 (en) 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
US8183134B2 (en) 2010-10-19 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method with improved epitaxial quality of III-V compound on silicon surfaces
JP5544343B2 (ja) 2010-10-29 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2012058377A2 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Methods for etching oxide layers using process gas pulsing
US9111994B2 (en) 2010-11-01 2015-08-18 Magnachip Semiconductor, Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US8133349B1 (en) 2010-11-03 2012-03-13 Lam Research Corporation Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process
US8389416B2 (en) 2010-11-22 2013-03-05 Tokyo Electron Limited Process for etching silicon with selectivity to silicon-germanium
KR20120058962A (ko) 2010-11-30 2012-06-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US8475103B2 (en) 2010-12-09 2013-07-02 Hamilton Sundstand Corporation Sealing washer assembly for large diameter holes on flat surfaces
US8470713B2 (en) 2010-12-13 2013-06-25 International Business Machines Corporation Nitride etch for improved spacer uniformity
US8741778B2 (en) 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
US9719169B2 (en) 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
JP5728221B2 (ja) 2010-12-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び記憶媒体
US20120177846A1 (en) 2011-01-07 2012-07-12 Applied Materials, Inc. Radical steam cvd
KR101529578B1 (ko) 2011-01-14 2015-06-19 성균관대학교산학협력단 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US20120180954A1 (en) 2011-01-18 2012-07-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8363476B2 (en) 2011-01-19 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Memory device, manufacturing method and operating method of the same
US9018692B2 (en) 2011-01-19 2015-04-28 Macronix International Co., Ltd. Low cost scalable 3D memory
KR101732936B1 (ko) 2011-02-14 2017-05-08 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
WO2012118847A2 (en) 2011-02-28 2012-09-07 Inpria Corportion Solution processible hardmarks for high resolusion lithography
WO2012118897A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
TW201246362A (en) 2011-03-01 2012-11-16 Univ King Abdullah Sci & Tech Silicon germanium mask for deep silicon etching
EP2681088B1 (en) 2011-03-02 2016-11-23 Game Changers, Llc Air cushion transport
FR2972563B1 (fr) 2011-03-07 2013-03-01 Altis Semiconductor Snc Procédé de traitement d'une couche de nitrure de métal oxydée
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
CN103430285B (zh) 2011-03-22 2016-06-01 应用材料公司 用于化学气相沉积腔室的衬里组件
WO2012128348A1 (ja) 2011-03-23 2012-09-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US8980418B2 (en) 2011-03-24 2015-03-17 Uchicago Argonne, Llc Sequential infiltration synthesis for advanced lithography
JP5815967B2 (ja) 2011-03-31 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び真空処理システム
JP6003011B2 (ja) 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US8460569B2 (en) 2011-04-07 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and system for post-etch treatment of patterned substrate features
US8415250B2 (en) 2011-04-29 2013-04-09 International Business Machines Corporation Method of forming silicide contacts of different shapes selectively on regions of a semiconductor device
US8298954B1 (en) 2011-05-06 2012-10-30 International Business Machines Corporation Sidewall image transfer process employing a cap material layer for a metal nitride layer
US20120285621A1 (en) 2011-05-10 2012-11-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
US9012283B2 (en) 2011-05-16 2015-04-21 International Business Machines Corporation Integrated circuit (IC) chip having both metal and silicon gate field effect transistors (FETs) and method of manufacture
US8562785B2 (en) 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
US9589772B2 (en) 2011-06-09 2017-03-07 Korea Basic Science Institute Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this
US8637372B2 (en) 2011-06-29 2014-01-28 GlobalFoundries, Inc. Methods for fabricating a FINFET integrated circuit on a bulk silicon substrate
US8883637B2 (en) 2011-06-30 2014-11-11 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials
US9117867B2 (en) 2011-07-01 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US9054048B2 (en) 2011-07-05 2015-06-09 Applied Materials, Inc. NH3 containing plasma nitridation of a layer on a substrate
KR20110086540A (ko) 2011-07-12 2011-07-28 조인숙 불소화합물을 이용한 필름의 선택적인 식각 방법
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US20130034666A1 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Applied Materials, Inc. Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning
KR101271247B1 (ko) 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
CN102915902B (zh) 2011-08-02 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法
US20130045605A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films
US8735291B2 (en) 2011-08-25 2014-05-27 Tokyo Electron Limited Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US20130217243A1 (en) 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Doping of dielectric layers
US8808562B2 (en) 2011-09-12 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Dry metal etching method
US20130260564A1 (en) 2011-09-26 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Insensitive dry removal process for semiconductor integration
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8664012B2 (en) 2011-09-30 2014-03-04 Tokyo Electron Limited Combined silicon oxide etch and contamination removal process
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
JP5740281B2 (ja) 2011-10-20 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 金属膜のドライエッチング方法
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5779482B2 (ja) 2011-11-15 2015-09-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8652298B2 (en) 2011-11-21 2014-02-18 Lam Research Corporation Triode reactor design with multiple radiofrequency powers
US8900364B2 (en) 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
US8440523B1 (en) 2011-12-07 2013-05-14 International Business Machines Corporation Micromechanical device and methods to fabricate same using hard mask resistant to structure release etch
KR20130072911A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101878311B1 (ko) 2011-12-30 2018-07-17 삼성전자주식회사 ｈｉｇｈ-Ｋ막을 스페이서 에치 스톱으로 이용하는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자
US8603891B2 (en) 2012-01-20 2013-12-10 Micron Technology, Inc. Methods for forming vertical memory devices and apparatuses
US8747686B2 (en) 2012-01-27 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods of end point detection for substrate fabrication processes
US20130175654A1 (en) 2012-02-10 2013-07-11 Sylvain Muckenhirn Bulk nanohole structures for thermoelectric devices and methods for making the same
CN104272441A (zh) 2012-03-27 2015-01-07 诺发系统公司 钨特征填充
US8937800B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
US9161428B2 (en) 2012-04-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor
US20130284369A1 (en) 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop
US9948214B2 (en) 2012-04-26 2018-04-17 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
KR20170109690A (ko) 2012-04-26 2017-09-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｅｓｃ 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치
US9394615B2 (en) 2012-04-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Plasma resistant ceramic coated conductive article
US9976215B2 (en) 2012-05-01 2018-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor film formation apparatus and process
JP2013235912A (ja) 2012-05-08 2013-11-21 Tokyo Electron Ltd 被処理基体をエッチングする方法、及びプラズマエッチング装置
US20130298942A1 (en) 2012-05-14 2013-11-14 Applied Materials, Inc. Etch remnant removal
FR2991320B1 (fr) 2012-06-05 2014-06-27 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'amines methylees
US8974164B2 (en) 2012-06-26 2015-03-10 Newfrey Llc Plastic high heat fastener
US8916477B2 (en) 2012-07-02 2014-12-23 Novellus Systems, Inc. Polysilicon etch with high selectivity
US9034773B2 (en) 2012-07-02 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Removal of native oxide with high selectivity
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9184030B2 (en) 2012-07-19 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring
US9631273B2 (en) 2012-07-25 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for dielectric deposition process
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US8772888B2 (en) 2012-08-10 2014-07-08 Avalanche Technology Inc. MTJ MRAM with stud patterning
US8747680B1 (en) 2012-08-14 2014-06-10 Everspin Technologies, Inc. Method of manufacturing a magnetoresistive-based device
WO2014035933A1 (en) 2012-08-28 2014-03-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming tantalum silicate layers on germanium or iii-v semiconductor devices
US20140062285A1 (en) 2012-08-29 2014-03-06 Mks Instruments, Inc. Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source
JP6027374B2 (ja) 2012-09-12 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフィルタユニット
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US20140099794A1 (en) 2012-09-21 2014-04-10 Applied Materials, Inc. Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9018022B2 (en) 2012-09-24 2015-04-28 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus
JP6035117B2 (ja) 2012-11-09 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9777564B2 (en) 2012-12-03 2017-10-03 Pyrophase, Inc. Stimulating production from oil wells using an RF dipole antenna
WO2014092856A1 (en) 2012-12-14 2014-06-19 The Penn State Research Foundation Ultra-high speed anisotropic reactive ion etching
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
JP6328931B2 (ja) 2012-12-31 2018-05-23 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジストパターントリミング方法
US9165823B2 (en) 2013-01-08 2015-10-20 Macronix International Co., Ltd. 3D stacking semiconductor device and manufacturing method thereof
US9093389B2 (en) 2013-01-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Method of patterning a silicon nitride dielectric film
JP6080571B2 (ja) 2013-01-31 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
JP2014154421A (ja) 2013-02-12 2014-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器
US20140234466A1 (en) 2013-02-21 2014-08-21 HGST Netherlands B.V. Imprint mold and method for making using sidewall spacer line doubling
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
TWI487004B (zh) 2013-03-01 2015-06-01 Winbond Electronics Corp 圖案化的方法及記憶體元件的形成方法
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US8859433B2 (en) 2013-03-11 2014-10-14 International Business Machines Corporation DSA grapho-epitaxy process with etch stop material
US8946023B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Sandisk Technologies Inc. Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks
US20140262031A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Sergey G. BELOSTOTSKIY Multi-mode etch chamber source assembly
TWI591211B (zh) 2013-03-13 2017-07-11 應用材料股份有限公司 蝕刻包含過渡金屬的膜之方法
US20140273451A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Tungsten deposition sequence
US9006106B2 (en) 2013-03-14 2015-04-14 Applied Materials, Inc. Method of removing a metal hardmask
US9556507B2 (en) 2013-03-14 2017-01-31 Applied Materials, Inc. Yttria-based material coated chemical vapor deposition chamber heater
WO2014159427A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing
US9276011B2 (en) 2013-03-15 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Cell pillar structures and integrated flows
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US20140288528A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Dr. Py Institute, Llc Single-use needle assembly and method
US8946076B2 (en) 2013-03-15 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells
JP5386046B1 (ja) 2013-03-27 2014-01-15 エピクルー株式会社 サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置
US9230819B2 (en) 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9245761B2 (en) 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US20140308758A1 (en) 2013-04-10 2014-10-16 Applied Materials, Inc. Patterning magnetic memory
US20140311581A1 (en) 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US20140342569A1 (en) 2013-05-16 2014-11-20 Applied Materials, Inc. Near surface etch selectivity enhancement
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9082826B2 (en) 2013-05-24 2015-07-14 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features
US20140357083A1 (en) 2013-05-31 2014-12-04 Applied Materials, Inc. Directed block copolymer self-assembly patterns for advanced photolithography applications
US10808317B2 (en) 2013-07-03 2020-10-20 Lam Research Corporation Deposition apparatus including an isothermal processing zone
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US8871651B1 (en) 2013-07-12 2014-10-28 Globalfoundries Inc. Mask formation processing
KR102154112B1 (ko) 2013-08-01 2020-09-09 삼성전자주식회사 금속 배선들을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
JP5837012B2 (ja) 2013-09-12 2015-12-24 ラピスセミコンダクタ株式会社 モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム
US9230980B2 (en) 2013-09-15 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9051655B2 (en) 2013-09-16 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Boron ionization for aluminum oxide etch enhancement
US8980758B1 (en) 2013-09-17 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Methods for etching an etching stop layer utilizing a cyclical etching process
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
SG11201600440VA (en) 2013-11-06 2016-02-26 Mattson Tech Inc Novel mask removal process strategy for vertical nand device
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9330937B2 (en) 2013-11-13 2016-05-03 Intermolecular, Inc. Etching of semiconductor structures that include titanium-based layers
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US20150170926A1 (en) 2013-12-16 2015-06-18 David J. Michalak Dielectric layers having ordered elongate pores
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US20150170943A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US20150170879A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US20150171008A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 GLOBAL FOUNDRIES Singapore Ptd. Ltd. Integrated circuits with dummy contacts and methods for producing such integrated circuits
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9111907B2 (en) 2014-01-02 2015-08-18 Globalfoundries Inc. Silicide protection during contact metallization and resulting semiconductor structures
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US20150214066A1 (en) 2014-01-27 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Method for material removal in dry etch reactor
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
KR102175763B1 (ko) 2014-04-09 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법
US9881788B2 (en) 2014-05-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Back side deposition apparatus and applications
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US20150345029A1 (en) 2014-05-28 2015-12-03 Applied Materials, Inc. Metal removal
US9773683B2 (en) 2014-06-09 2017-09-26 American Air Liquide, Inc. Atomic layer or cyclic plasma etching chemistries and processes
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US20150371865A1 (en) 2014-06-19 2015-12-24 Applied Materials, Inc. High selectivity gas phase silicon nitride removal
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US20150371861A1 (en) 2014-06-23 2015-12-24 Applied Materials, Inc. Protective silicon oxide patterning
KR102248205B1 (ko) 2014-06-25 2021-05-04 삼성전자주식회사 수직 채널 및 에어 갭을 갖는 반도체 소자
US20160005833A1 (en) 2014-07-03 2016-01-07 Applied Materials, Inc. Feol low-k spacers
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US20160042968A1 (en) 2014-08-05 2016-02-11 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and si etch for 3d cell channel mobility improvements
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160237570A1 (en) 2015-02-13 2016-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for process equipment
US9275834B1 (en) 2015-02-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etch
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050007143A (ko) * 2003-07-10 2005-01-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속함유 게이트전극을 갖는 전계효과 트랜지스터의게이트 구조체를 제조하는 방법
JP2005050908A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Hitachi High-Technologies Corp Ｌｓｉデバイスのエッチング方法および装置
US20090104782A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Applied Materials, Inc. Selective etching of silicon nitride

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140884A (ko) * 2014-03-31 2016-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 무-할로겐 기상 실리콘 에칭
KR20190040371A (ko) * 2016-09-12 2019-04-17 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 작업물 프로세싱 장치
WO2019107729A1 (ko) * 2017-11-30 2019-06-06 무진전자 주식회사 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하는 건식 세정 장치 및 방법
WO2019107728A1 (ko) * 2017-11-30 2019-06-06 무진전자 주식회사 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법
KR20190063941A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 무진전자 주식회사 폴리 실리콘을 선택적으로 제거하는 건식 세정 장치 및 방법
KR20190063940A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 무진전자 주식회사 고 선택적 실리콘 산화물 제거를 위한 건식 세정 장치 및 방법
WO2020264170A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-30 Lam Research Corporation Deposition of self assembled monolayer for enabling selective deposition and etch
US11450532B2 (en) 2019-06-27 2022-09-20 Lam Research Corporation Deposition of self assembled monolayer for enabling selective deposition and etch

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