KR20020079953A - 발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법 Download PDF

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사카이가즈히코
오카다유지
우메즈도시히코
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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

발광 특성이 뛰어난 색변환형 발광 다이오드를 제공하기 위해, 본 발명에 관한 제1 발광 다이오드는, 발광층이 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 LED 칩과, 상기 LED 칩으로부터 발광하는 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 발광하는 형광 물질이 함유된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드이며, 형광 물질은 소입경 형광 물질과 대입경 형광 물질을 포함하고, 대입경 형광 물질은 투광성 수지에 있어서 LED 칩의 근방에 분포되어 색변환층을 형성하고, 소입경 형광 물질은 투광성 수지에 있어서 색변환층의 외측에 분포되어 있다.

Description

발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한 에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법 {LIGHT EMITTING DIODE, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND EPOXY RESIN COMPOSITON SUITABLE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHODS THEREFOR}
오늘날, 청색광이 고휘도로 발광 가능한 반도체 발광 소자인 질화물 반도체(InxGayAl-x-yN, 0≤x≤1, 0≤y≤1)를 이용한 발광다이오드(LED) 칩이 개발되었다. 질화물 반도체를 이용한 발광 소자는, 다른 GaAs, AlInGaP 등의 재료를 이용한 적색에서 황녹색을 발광하는 발광 소자와 비교하여 출력이 높고, 온도에 의한 색 시프트가 적다는 등의 특징이 있지만, 현재까지 녹색 이상의 파장을 갖는 장파장역에서 고출력을 얻기 어려운 경향이 있다. 한편, 상기 LED 칩상에 LED 칩에서 방출된 청색광의 일부를 흡수하여, 황색발광 가능한 형광 물질인 YAG : Ce 형광체등을배치시킴으로써 백색계가 발광 가능한 발광 다이오드를 본 출원인이 개발하여 출원(국제 공개 번호 WO98/5078호)했다.
상기 발광 다이오드는, 예를 들어 1칩 2단자 구조의 비교적 간단한 구성에도 불구하고, 리드 전극에 전기적으로 접속시킨 LED 칩으로부터의 광과, LED 칩을 피복하는 투광성 수지중에 함유된 YAG : Ce 등 형광 물질로부터의 광과 혼색광인 백색광을 볼록 렌즈를 통해 출력하는 것이다.
또한, 상기 발광 다이오드는 형광 물질의 사용량을 조절함으로써, 발광 다이오드에서 방출되는 혼색광을, 청색을 띠는 백색에서 황색을 띠는 백색등의 임의의 색으로 조정할 수 있다. 더욱이, 안료를 첨가하여 예를 들어 황색광이나 적색광을 얻는 것도 생각할 수 있다.
그러나, 발광 다이오드의 이용 분야의 확대와 함께 고휘도로 발광 가능한 발광 다이오드에 대한 요구가 더욱 높아지고 있다.
또한, 근래에는, 스위치내 조명, 풀컬러 디스플레이, 액정 백라이트등의 광원으로서 칩형의 발광 다이오드가 널리 이용되고 있다. 칩형의 발광 다이오드는 발광 소자칩을 수납하는 오목부를 갖는 패키지를 이용하고, 상기 패키지의 오목부에 발광 소자칩을 전기적으로 접속하여, 발광 소자칩을 덮도록 투광성 수지를 형성하여 시일링함으로써 구성된다.
한편, 오늘날의 광반도체 기술의 비약적인 진보에 따라, 광반도체 소자의 고출력화 및 단파장화가 뚜렷해지고, 예를 들어, 질화물 반도체를 이용한 발광 다이오드에서는, 발광층의 조성을 구성하는 원소에 따라 주발광 피크가 약 365nm 에서650nm의 임의 발광 피크로 발광 가능하고, 550nm 이하의 가시광(구체적으로는 근자외역광으로부터 청녹색광 등)으로도 질화물 반도체의 발광층에 다중 양자 우물 구조를 이용함으로써 5mW 이상이나 되는 고출력의 발광이 가능하게 되었다. 상기 고출력에 의해 새로운 문제가 생긴다. 즉, 이러한 높은 에너지광을 발광 또는 수광 가능한 광반도체 소자에서는, 광에 의한 몰드 수지가 열화되는 문제점의 해결과, 열에 의해 몰드 수지와 광반도체 칩 간에 발생하는 응력의 완화가 특히 중요한 과제가 된다.
일본 특개 2000-196151호 공보에는, 일반적인 비스페놀형(bisphenol) 에폭시 수지를 대신해, 지환(指環)형 에폭시 수지를 주체로 하는 몰드 수지가 개시되어 있다. 지환형 에폭시 수지를 주체로 하여 산무수물로 경화시킨 에폭시 수지 조성물은, 광열화의 원인이 되는 탄소-탄소간의 2중 결합이 주골격에 거의 포함되지 않기 때문에, 장시간의 광조사후에도 몰드 수지의 열화가 적고, 또한, 비교적 가요성이 뛰어나기 때문에 열응력에 의한 반도체칩의 손상도 잘 일어나지 않는다.
그러나, 반도체 칩을 기판 표면에 직접 실장하는 표면 실장형 소자(=SMD형, SMD; Surface Mounted Device)에서는, 몰드 수지를 박막으로 형성할 필요가 있기 때문에, 산무수물 경화계의 에폭시 수지를 사용할 수 없다. 즉, 표면 실장형 소자의 몰드 수지는, 일반적으로 약 1 mm 이하의 박막에 형성할 필요가 있기 때문에, 도포된 에폭시 수지 혼합액과 외기의 접촉 면적이 넓어진다. 그런데, 산무수물 경화제는 휘발성·흡습성이 높고, 더구나 산무수물 경화제에 의해 경화하려면 5∼20시간의 비교적 장시간이 필요하기 때문에, 경화중에 산무수물 경화제가 흡습이나휘발을 일으켜, 에폭시 수지의 경화가 정상적으로 일어나지 않는다. 경화 불량을 일으킨 에폭시 수지는 수지 본래의 성능을 발휘할 수 없고, 내광성이나 내열성이 대폭 저하된다.
이 때문에, 표면 실장형 소자와 같은 박막 도포를 필요로 하는 용도로는, 산무수물 경화제가 아니라, 방향족 술포늄염(sulfonium salt) 등의 양이온 경화제가 일반적으로 쓰이고 있다. 양이온 경화제는 휘발성이 낮기 때문에, 에폭시 수지와의 혼합액을 박막에 도포한 경우에도 양호하게 경화될 수 있다.
그러나, 양이온 경화제는 원래 청색 이하의 단파장광을 흡수하기 쉬우므로, 양이온 경화제에 의해 경화된 에폭시 수지는 단파장광의 조사에 의한 황색화를 일으키기 쉽다. 따라서, 양이온 경화제에 의해 경화된 에폭시 수지 조성물을, 청색 이하의 단파장광을 발광 또는 수광하는 광반도체 소자에 사용되기에는 문제가 있었다. 또한, 양이온 경화제에 의한 경화반응은 거의 에폭시기 끼리의 개환 반응에 의해서만 진행되기 때문에, 얻어진 에폭시 수지 조성물은, 에테르 결합이 비교적 규칙적으로 배열된 3차원 그물코 모양 구조를 갖고 있으며 가요성이 낮다. 이 때문에, 양이온 경화제에 의해 경화된 에폭시 수지를 광반도체 소자의 몰드 수지로서 사용한 경우, 광반도체 소자의 가열·냉각시에 광반도체 칩과 몰드 수지의 사이에 큰 응력이 생겨, 광반도체 칩의 크랙 발생이나 단선등을 일으키기 쉬운 문제가 있었다.
양이온 경화제를 사용하여 경화한 에폭시 수지 조성물의 가요성을 개선하기 위해, 경화하는 에폭시 수지에 모노글리시딜에테르, 폴리글리콜기글리시딜에테르,3급 카르복실산 모노글리시딜에테르등의 저분자량의 반응성 희석제를 혼합할 수도 있다. 그러나, 이들 반응성 희석제의 혼합은 에폭시 수지의 경화를 방해하기 때문에, 양이온 경화제의 사용량을 증가시킬 필요가 생겨, 에폭시 수지 조성물의 황색화 문제를 더욱 악화시킨다.
본 발명은 액정의 백라이트, 풀컬러 디스플레이, 스위치내 조명, 조명용 광원, 각종 표시등이나 교통 신호등 등에 이용 가능한, 주로 표면 실장형 발광 다이오드등의 광반도체 소자와 그 제조방법, 및 그 발광 다이오드에 적합한 내광성 및 가요성이 뛰어난 투명성 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 관한 실시형태 1의 SMD형 발광 다이오드의 도식적 단면도이다.
도 2A는 실시형태 1의 형광 물질의 부피 기준 분포 곡선(입경에 대한 누적치)을 나타낸 그래프이다.
도 2B는 실시형태 1의 형광 물질의 부피 기준 분포 곡선(입경에 대한 빈도치)을 나타낸 그래프이다.
도 3A는 실시형태 1에 관한 제조 방법에 있어서, 공판 인쇄에 사용하는 마스크의 도식적 평면도이다.
도 3B는 도 3A의 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 도식적 평면도이다.
도 4A∼도 4D는 실시형태 1에 관한 제조 방법에 있어서의 공판 인쇄의 공정도이다.
도 5는 실시형태 1에 관한 제조방법에 있어서, 공판 인쇄하여 투광성 수지를 경화시킨 후의 패키지 어셈블리의 일부 단면도이다.
도 6은 본 발명에 관한 실시형태 SMD형 발광 다이오드의 도식적 단면도이다.
도 7A, 도 7B는 실시예 5의 발광 다이오드의 투광성 수지의 형성 공정을 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명에 관한 실시예 1의 SMD형 발광 다이오드의 도식적 단면도이다.
도 9A는 비교예 1의 형광 물질의 부피 기준 분포 곡선(입경에 대한 누적치)을 나타낸 그래프이다.
도 9B는 비교예 1의 형광 물질의 부피 기준 분포 곡선(입경에 대한 빈도치)을 나타낸 그래프이다.
도 10A는 본 발명에 관한 실시예 9의 램프형 발광 다이오드의 도식적 단면도이다.
도 10B는 도 10A의 점선원 부분의 확대도이다.
도 11A는 에폭시 수지 조성물에 관해 내광성 시험전의 전광선 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 11B는 에폭시 수지 조성물에 관해 내광성 시험후의 전광선 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 12A는 에폭시 수지 조성물에 관해 내광성 시험전의 전광선 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 12B는 에폭시 수지 조성물에 관해 내광성 시험후의 전광선 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 13은 에폭시 수지 조성물을 몰드 수지에 이용한 발광 다이오드의 상온 수명 시험시의 출력 강도의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 14는 에폭시 수지 조성물을 몰드 수지에 이용한 발광 다이오드의 고온 고습 수명 시험시의 출력 강도의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 15는 에폭시 수지 조성물의 점도의 시간에 따른 변화를 나타낸 그래프이다.
본 발명은, 상술한 질화물 반도체계의 발광 다이오드에 대한 여러가지 요구를 만족하기 위해 이루어진 것으로 그 목적은 다음과 같다.
첫째로, 본 발명은 보다 발광 특성이 뛰어난 색변환형 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
둘째로, 본 발명은 양산성이 뛰어난 발광 다이오드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
셋째로, 본 발명은 양이온 경화제에 의한 경화를 행하면서, 황색화가 잘 일어나지 않고 또한 가요성이 뛰어난 에폭시 수지 조성물을 제공하며, 이러한 에폭시 수지 조성물을 몰드 수지에 이용함으로써, 내광성 및 내열성이 뛰어난 발광 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 제1 발광 다이오드는, 발광층이 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 LED 칩과, 상기 LED칩에서의 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 빛을 발광하는 형광 물질이 함유된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,
상기 형광 물질은, 입자지름이 작은(이하, 소입경) 형광 물질과 입자지름이큰(이하,대입경) 형광 물질을 포함하여 이루어지고, 상기 대입경 형광 물질은 상기 투광성 수지에 있어서 상기 LED 칩의 근방에 분포하여 색변환층을 형성하고, 상기 소입경 형광 물질은 상기 투광성 수지에 있어서 상기 색변환층의 외측에 분포하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성된 제1 발광 다이오드에 있어서는, 대입경 형광 물질에 의해 구성되는 색변환층에 의해 효율적으로 색변환시킬 수 있고, 또한 그 외측에 분포된 소입경 형광 물질에 의해 색얼룩을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 제1 발광 다이오드에 있어서, 상기 대입경 형광 물질은 그 입경이 10㎛∼60㎛의 범위로 조정되는 것이 바람직하고, 이에 따라, 상기 대입경 형광 물질을 상기 투과성 수지중의 상기 LED 칩의 근방에 비교적 성기게 분포시킬 수 있고, 효율적으로 파장 변환 기능을 발휘시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 제1 발광 다이오드에 있어서, 상기 소입경 형광물질은 그 입경이 0.2㎛∼1.5㎛의 범위로 조정되는 것이 바람직하며, 이로 인해, 소입경 형광 물질의 응집을 방지할 수 있고 빛의 산란 기능을 효과적으로 발휘시킬 수 있기 때문에, 보다 효과적으로 색상의 얼룩을 억제할 수 있다.
더욱이, 상기 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 상기 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치의 20배∼90배의 범위로 설정되는 것이 바람직하고, 이로 인해, 발광 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 제2 발광 다이오드는, 발광층이 반도체로 이루어진 발광 소자와, 상기 발광 소자로부터의 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 발광시키는 형광 물질이 함유된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서, 상기 형광 물질은, 부피 기준 입자밀도 분포 곡선에 있어서, 누계치 0.01 vo1%∼10 vol% 사이에 경사가 제로인 플랫 영역을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 고휘도의 출력이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 발광 다이오드에 있어서, 형광 물질은 상기 플랫 영역을 경계로 하는 소입경 형광 물질 및 대입경 형광 물질로 이루어지고, 상기 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 상기 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치의 20배∼90배인 것이 바람직하고, 이와 같이 하면 광 발췌 효율이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 제1과 제2 발광 다이오드에 있어서, 형광 물질의 중심 입경은 15㎛∼50㎛의 범위인 것이 바람직하고, 이에 따라 발광 효율이 향상되어, 휘도가 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다. 또한, 광학 특성에 영향을 끼치는 밀집되게 응집한 응집체가 형성되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1과 제2 발광 다이오드에 있어서, 중심 입경의 빈도치가 20%∼50%의 범위이면, 입경의 편차를 줄일 수 있고, 이로 인해 색상의 얼룩이 억제되어 양호한 색대조를 갖는 발광을 얻을 수 있다.
더욱이, 본 발명의 제1과 제2 발광 다이오드에 있어서, 상기 투광성 수지에 상기 형광 물질과 함께 확산제를 함유시키면, 색상의 얼룩이 더욱 억제되어 균일한 발광을 얻을 수 있어 바람직하다.
또한, 본 발명의 제1과 제2 발광다이오드에 있어서, 상기 투광성 수지로 이루어진 발광면은 곡면을 이루는 것이 바람직하다. 이로 인해 발광 소자의 광이 상기 투광성 수지에서 외부로 발광될 때, 상기 투광성 수지와 외부의 공기층과의 경계면에서 광이 확산되어, 대입경 형광 물질을 사용함으로써 생기기 쉬운 색상의 얼룩을 억제할 수 있다. 또한 발광면에서의 광의 발광 효율이 향상되고, 더욱 고출력으로 발광시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 관한 제3 발광 다이오드는, 음양의 전극을 구성하는 1쌍의 금속 박판이 절연 수지에 의해 전기적으로 분리되도록 접합하여 이루어진 금속 베이스와 수납부를 형성하기 위해 상기 금속 베이스의 한쪽 면의 주위에 접합된 측벽부로 이루어지는 패키지와, 상기 수납부에 설치된 LED 칩과, 상기 LED 칩을 시일링하도록 상기 수납부에 충전된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,
상기 투광성 수지는 상기 수납부로부터 그 주위의 측벽부의 표면에 연속되게 형성되어 있는데, 그 투광성 수지의 표면은 평탄하고 상기 금속 베이스와 거의 평행하며, 상기 투광성 수지의 외주 측면은 상기 패키지의 외주 측면과 거의 동일면상에 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성된 제3 발광 다이오드에 의해, 신뢰성 및 대량생산성이 뛰어난 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 상기 투광성 수지가 상기 수납부에서 그 주위의 측벽부의 표면에 연속되게 형성되어 있기 때문에, 발광면이 넓어져 발광 다이오드의 표면 전체가 발광면이 됨으로써 양호한 지향 특성을 실현할 수 있다.
또한, 상기 투광성 수지에 필러를 함유시켜도 되고, 그 일종으로서 발광 소자에서의 광의 일부를 흡수하여 다른 파장을 발광하는 것이 가능한 형광 물질을함유시켜도 된다.
형광 물질을 함유시킨 경우 색상의 얼룩이 생기기 쉽지만, 본 발명의 구성으로 하면 양호한 발광면을 얻을 수 있어 색상의 얼룩을 억제할 수 있다. 한편, 형광 물질의 중심 입경은 15㎛∼50㎛인 것이 바람직하고, 20㎛∼50㎛가 더욱 바람직하다. 이러한 입경 범위의 형광 물질을 이용하면, 형광 물질의 파장 변환 기능을 효과적으로 발휘시킬 수 있고, 또한 다이싱 공정이 양호해져 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 관한 발광 다이오드의 제조 방법은, 상기 제3 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법에 있어서,
상기 수납부에 각각 대응하는 복수의 관통홀이 그룹으로 나뉘어 형성된 절연 기판과, 상기 각 관통홀에 대응하여 상기 절연 수지에 의해 분리된 부분을 갖는 금속 베이스판을 접합함으로써 복수의 패키지의 집합체로 이루어진 패키지 어셈블리를 제작하는 제1 공정과,
상기 관통홀에 의해 형성된 각 패키지의 수납부에 LED 칩을 실장하는 제2 공정과,
상기 각 그룹에 대응하여 하나의 개구부가 형성된 마스크를 이용하여 공판 인쇄에 의해 상기 절연성 기판의 표면과 상기 관통홀내에 상기 투광성 수지를 도포하여 경화시키는 제3 공정과,
상기 투광성 수지가 형성된 패키지 어셈블리를 각 패키지마다 분할하는 제4 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이로 인해, 두께가 일정하고 평활한 발광면 및 단면을 갖는 발광 다이오드를 양산성 좋게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 제조 방법에 있어서는, 상기 공판 인쇄는 감압 및 가압을 반복하는 것이 바람직하다. 이로 인해 매우 용이하게 기포등을 탈포시킬 수 있으며, 특성의 불규칙성이 보다 적고 발광 불균일이나 색상의 얼룩이 적은 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
특히, 무기물인 필러가 투광성 수지에 함유되어 있는 경우, 혼합중에 기포가 들어가기 쉬운 경향이 있다. 또한 빛의 행로 길이가 길어지고, 각종 필러 사이, 및 그것들과 투광성 수지와의 비중의 차이에 의해서도 색상의 얼룩이 생기기 쉬운데, 본 발명의 제조 방법에 의해 색상의 얼룩을 억제할 수 있다. 또한 제조된 개개의 발광 다이오드간의 색상의 얼룩이 적고 신뢰성이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
본 발명에 관한 에폭시 수지 조성물은, 65 중량% 이상이 지환형 에폭시 수지로 이루어진 에폭시 수지와, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해 0.005∼1.5의 일반식(1)로 나타낸 산무수물 또는 일반식(2)로 나타낸 디카르복실산과,
(식 중, R1은 탄소수 0∼12의 환식 혹은 지방족 알킬 또는 아릴, R2는 탄소수 0∼12의 알킬 또는 아릴)
상기 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해 0.0001∼0.01 몰의 양이온 경화제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 지환형 에폭시 수지와 산무수물 또는 디카르복실산(이하, 산무수물 등)이 반응하여 어느 정도의 중합도를 갖는 가교 올리고머를 형성하기 때문에, 종래의 1/10에서 1/100 배의 양이온 경화제만으로도 경화시킬 수 있다. 따라서, 양이온 경화제가 원인으로 일어나는 단파장의 광흡수를 억제하여, 얻어진 에폭시 수지 조성물의 황색화를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 에폭시기의 개환 반응에 의한 에테르 결합 뿐만 아니라, 지환형 에폭시 수지와 산무수물등과의 가교 결합 반응에 의한 에스테르 결합도 갖고 있고, 에폭시 수지끼리 불규칙하게 연결된 3차원 그물코 구조를 갖고 있다. 따라서, 반응성 희석제를 사용하지 않아도 높은 가요성을 갖고, 광반도체 소자의 몰드 수지에 이용한 경우에, 광반도체 칩과 몰드 수지 사이의 열응력을 완화하여, 크랙이나 단선등의 문제를 방지할 수 있다.
에폭시 수지 조성물의 가요성은 에폭시 수지와 산무수물 등과의 반응으로 얻어지는 가교 올리고머의 분자량에 비례하는 경향이 있다. 즉, 가교 올리고머중의 산무수물 등이 갖는 카르복실기 중, 에폭시 수지 또는 후술하는 조촉매(助觸媒)와 반응하여 에스테르화하는 것의 비율이 높을수록, 얻어지는 에폭시 수지 조성물의 가요성이 양호해진다. 이는 에스테르화가 진행될 때 경화시에 박막부분에서의 산무수물 등의 휘발이 일어나기 어렵기 때문이라 생각된다. 가교 올리고머중의 산무수물 등이 갖는 카르복실기의 에스테르 전환율은 l0% 이상, 바람직하게는 70% 이상인 것이 좋다. 에스테르화율은 반응 온도와 시간에 의해 조절 가능하다.
또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 이점은, 지환형 에폭시 수지와 산무수물 또는 디카르복실산을 반응시켜 가교 올리고머를 얻은 후에, 상기 가교 올리고머와 상기 양이온 경화제의 혼합물을 경화시키는 것이 가능해지는 점에도 있다. 즉, 지환형 에폭시 수지와 산무수물 등을 미리 적당한 반응 용기속에서 반응시켜 가교 올리고머를 형성해 두고, 그 가교 올리고머와 양이온 경화제의 혼합액을 광반도체 소자의 기판상에 몰드시키면, 박막 형상으로 몰드되는 경우라하더라도 경화 반응중에 산무수물이 휘발하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가교 올리고머와 양이온 경화제의 혼합액의 점도는, 산무수물 등의 첨가량이나 에스테르 전환율에 따라 자유롭게 조절할 수 있기 때문에, 취급에 적합한 점도를 용이하게 설정할 수 있다. 또한, 가교 올리고머와 양이온 경화제의 혼합액은, 이미 어느 정도 중합이 진행되어 있기 때문에, 시간에 따른 점도의 변화가 적고, 가사 시간(pot life)도 길다.
더욱이, 본 발명에 관한 에폭시 수지 조성물을 광반도체 소자의 몰드 수지에 사용하는 경우, 필러, 형광제 입자, 확산제 입자, 착색제 입자등의 기능 입자를 적시 혼합하는 것도 생각할 수 있지만, 가교 올리고머와 양이온 경화제의 혼합액은 비교적 고점도이기 때문에, 이들 기능 입자의 분산성이 좋다. 이 때문에, 적은 입자 함유량으로 원하는 기능 발현이 가능하고, 기능 입자의 광산란·차폐등에 의한 광반도체 소자의 발광 또는 수광 손실을 저감할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용하는 지환형 에폭시 수지에는, 시클로헥센에폭시화물 유도체, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 헥사히드로프탈산디글리시딜에스테르등을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 지환형 에폭시 수지를 사용함으로써 광 열화가 잘 일어나지 않고, 또한, 가요성이 뛰어난 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용하는 양이온 경화제로는, 방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄염, 방향족 요오드늄염, 방향족 셀레늄염등을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 양이온 경화제는 경화속도가 빠르고, 소량으로 충분한 경화를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 더욱이 산무수물 또는 디카르복실산에 대해 0.1∼5.0 당량의 다가(多價) 알콜 또는 그 축중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 다가 알콜로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, l,4-부탄디올, l,6-헥산디올등을 사용할수 있다. 이들 다가 알콜 또는 그 축중합체를 첨가함으로써, 얻어지는 에폭시 수지 조성물의 가요성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 광반도체 소자는, 적어도 한 쌍의 리드 전극과, 상기 리드 전극에 전기적으로 접속된 광반도체 칩과, 상기 광반도체칩을 시일링하는 몰드 수지를 구비한 광반도체 소자로서, 몰드 수지가 본 발명에 관한 에폭시 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이로 인해, 몰드 수지의 황색화에 의한 발광 또는 수광 효율의 저하가 적고, 또한, 열 사이클에 의한 칩 손상이나 와이어 끊김이 잘 발생하지 않는 광반도체 소자를 얻을 수 있다.
특히, 본 발명에 관한 광반도체 소자는, 리드 전극을 형성한 기판 표면에 상기 광반도체 칩을 접합하여 이루어지는 표면 실장형인 경우, 또한, 광반도체 칩이 적어도 In과 Ga를 함유하는 질화물 반도체로 이루어지는 발광층을 갖고, 주발광 피크가 550nm 이하인 발광 다이오드칩인 경우에, 내광성 및 내열성의 개선이 현저하다.
또한, 본 발명에 관한 형광 물질의 제1 제조 방법은, 원료와 플럭스를 혼합하여 소성함으로써 형광 물질을 제조하는 방법으로서,
상기 소성 공정은, 제1 환원 분위기중에서 소성하는 제1 소성 공정과 제2 환원 분위기중에서 소성하는 제2 소성 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제l 환원 분위기는 상기 제2 환원 분위기보다 약한 환원성 분위기인것을 특징으로 한다.
본 발명의 방법에 의해 형광 물질을 제조함으로써, 여기광에 대한 흡수 효율이 높은 형광 물질을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 형광 물질의 제1 제조 방법에 있어서, 상기 플럭스로서 불화 알루미늄을 사용할 수 있다.
더욱이, 본 발명에 관한 형광 물질의 제1 제조방법에 있어서, 상기 플럭스로서 불화 바륨과 붕산을 포함하는 것을 사용할 수 있고, 그 경우에는 액체를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 플럭스로서 불화 바륨과 붕산을 포함하는 것을 사용하여 액체를 더 포함시킴으로써, 발광색의 색도 변화를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 형광 물질의 제2 제조 방법은, 원료와 플럭스를 혼합하여 소성함으로써 형광 물질을 제조하는 방법으로서,
상기 플럭스는 불화 바륨과 붕산과 액체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 방법에 의해 제조된 형광 물질은 발광색의 색도 변화를 억제할 수 있다.
상기 제조 방법에 있어서, 상기 액체로서 물을 사용할 수 있다.
상기 제조 방법에 있어서, 상기 원료로서 Y2O3, GdO3, Al2O3및 CeO2를 사용할 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 관한 실시형태에 관해 설명한다.
실시형태 1
본 실시형태 1의 발광 다이오드는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 패키지중에 발광 다이오드 칩(LED 칩)(5)이 투광성 수지(8)에 의해 시일링되어 이루어진 표면 실장형(SMD형)의 발광 다이오드이다. 본 실시형태1의 발광 다이오드에 있어서, 패키지는 금속 베이스(2)와 측벽부(1)로 이루어지고, 측벽부(1)는 수납부(1a)를 구성하기 위해 금속 베이스(2)의 한쪽 면의 주위에 접합되어 있다. LED 칩(5)은 패키지의 수납부(1a)에 다이본딩되어 와이어 본딩에 의해 소정의 배선이 된 후, 투광성 수지(8)(예를 들어, LED 칩상의 두께 약 1mm)에 의해 시일링된다.
여기서, 본 실시형태 l의 발광 다이오드에서는 시일링 수지(8)로서 본원 특유의 에폭시 수지가 사용되고, 시일링 수지(8)에는 발광 다이오드(LED)칩에 의해 발광된 광을 파장이 다른 광으로 변환하여 출력하는 형광 물질(형광체 입자)이 분산되어 있고, 이하와 같은 특징을 갖는다.
첫째로, 투광성의 시일링 수지(8)로서, 지환형 에폭시 수지와 산무수물 또는 디카르복실산이 반응하여 가교 올리고머를 형성하고, 소량의 양이온 경화제로 경화 가능한 에폭시 수지 조성물을 사용함으로써, 내광성 및 내열성을 향상시킨다.
둘째로, 투광성 수지에 분산시키는 형광 물질(색변환 부재)의 입도 를 본원에 특유하게 분포함으로써 발광 출력 및 발광 휘도를 크게 개선하고 있다.
이하, 본 실시형태 1의 발광 다이오드의 구성에 관해 상세히 설명한다.
<패키지>
본 실시형태에 있어서, 패키지의 금속 베이스(2)는 양극의 단자를 구성하는 금속 박판(2a)과 음극의 단자를 구성하는 금속 박판(2b)이 절연성 수지(4)에 의해 접합되어 이루어지고, 각각 LED 칩(5)의 정전극(5a)과 부전극(5b)에 와이어(7)에 의해 접속된다.
여기서, 본 실시형태 1에서는, LED 칩(5)은 한쪽의 금속 박판(2b)상에 다이본딩 수지(6)에 의해 다이본딩되어 있다. 그러나, 본 발명에서는, LED 칩(5)은 다른쪽 금속 박판(2a)상에 다이본딩되어 있어도 되고, 금속 박판(2a)과 금속 박판(2b)에 걸쳐 다이본딩되어 있어도 된다.
<LED 칩(5)>
본 실시형태 1의 발광 다이오드는, LED 칩(5)에서의 광의 일부 또는 전부를 형광 물질에 의해 파장 변환하도록 구성하고 있기 때문에, LED 칩(5)으로서는, 그 형광 물질을 여기 가능한 발광 파장의 광을 발광하는 것을 사용한다. 본 발명에서는, 이러한 LED 칩(5)으로서 ZnSe계나 GaN계 등 여러가지 반도체를 사용하여 구성한 것을 사용할 수 있지만, 본 발명에 있어서는 형광 물질을 효율적으로 여기할 수 있는 단파장의 광이 발광 가능한 질화물 반도체(InXAlYGa1-X-YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)를 이용한 LED 칩(5)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 LED 칩(5)은 InXGal-XN (0<x<1)을 발광층으로서 갖고 있고, 그 혼합결정조성에 의해 발광 파장을 약 365nm에서 650nm까지 임의로 바꿀 수 있다. LED 칩(5)의 구조로서는 MIS 접합, PIN 접합이나 pn 접합등을 갖는 호모 구조, 헤테로 구조 혹은 더블 헤테로 구성의 것을 들 수 있고, 본 발명에서는 어느 것이나 사용할 수 있으나, 보다 고휘도의 것을 얻을 수 있는 더블 헤테로 구조를 채용하는 것이 바람직하다. 또한, 발광층(활성층)을 구성하는 반도체의 조성이나 그 혼정도에 따라 발광 파장을 여러가지 선택할 수 있다. 또한, 활성층을 양자 효과가 생기는 박막을 포함하여 구성한 단일 양자 우물구조나 다중 양자 우물구조로 할 수도 있다.
질화물 반도체를 사용한 LED 칩(5)의 경우, 기판에는 사파이어, 스핀넬, SiC, Si, ZnO 등의 재료를 사용할 수 있으나, 결정성이 좋은 질화물 반도체를 양산성 좋게 형성시키기 위해서는 사파이어 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 사파이어 기판상에는 MOCVD 법 등을 이용하여 질화물 반도체를 형성시킬 수 있다. 이 때, 사파이어 기판상에 GaN, AlN, GaAlN 등의 버퍼층을 형성하여 그 위에 pn 접합을 갖는 질화물 반도체층을 성장시키는 것이 바람직하다.
질화물 반도체를 사용한 pn 접합을 갖는 LED 칩의 예로서, 사파이어 기판상에 버퍼층을 형성하고, 그 버퍼층상에, n형 질화 갈륨으로 형성한 제1 콘택트층, n형 질화 알루미늄·갈륨으로 형성시킨 제1 클래드층, 질화 인듐·갈륨으로 형성한 활성층, p형 질화 알루미늄·갈륨으로 형성한 제2 클래드층, p형 질화 갈륨으로 형성한 제2 콘택트층을 순차로 적층시킨 더블 헤테르 구조의 LED 칩을 들 수 있다.
질화물 반도체는 불순물을 도프하지 않는 상태에서 n형 도전성을 나타내지만, 원하는 n형 질화물 반도체를 형성하기 위해서는, n형 도펀트로서 Si, Ge, Se, Te, C 등을 적절하게 도입하는 것이 바람직하고, p형 질화물 반도체를 형성하기 위해서는, p형 도펀트인 Zn, Mg, Be, Ca, Sr, Ba 등을 도프시킨다. 또한, 질화물 반도체는 p형 도펀트를 도프한 것만으로는 p형화되기 어렵기 때문에 p형 도펀트 도입 후에, 로에 의한 가열이나 플라즈마 조사등에 의해 저저항화 시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 소정의 질화물 반도체층을 순차로 형성한 후, 소정의 위치에 전극을 형성한 웨이퍼를 칩 모양으로 절단함으로써 질화물 반도체를 이용한 LED 칩(5)을제작할 수 있다.
본 실시형태1의 발광 다이오드에 있어서, 백색계의 광을 발광시키는 경우는, 형광 물질로부터의 발광 파장과의 보색 관계나 투광성 수지의 열화 방지 등을 고려하여 LED 칩(5)의 발광 파장은 400nm 이상 530nm 이하로 설정하는 것이 바람직하고, 420nm 이상 490nm 이하로 설정하는 것이 보다 바람직하다. LED 칩 그 자체의 발광 효율을 높이는 한편 형광 물질의 여기에 의한 발광 효율을 향상시키기 위해서는, LED 칩(5)의 발광 파장을 450nm 이상 475nm 이하로 설정하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 본 발명에서는 형광체의 종류를 선택함으로써, 400nm 보다 짧은 자외역의 파장의 빛을 발광하는 LED 칩을 적용할 수도 있다.
사파이어나 스핀넬 등의 절연성 기판을 이용한 질화물 반도체 LED 칩은, 반도체 표면측에 p형 및 n형 전극을 형성하기 위해, p형 반도체를 식각하여 n형 반도체를 노출시켜, p형 반도체층 및 n형 반도체층의 각각에 스퍼터링법이나 진공 증착법 등을 이용하여 원하는 형상의 각 전극을 형성한다. 반도체측에서 광을 발췌하는 경우, p형 반도체층의 거의 전면에 형성하는 전극은 금속 박막으로 이루어진 투광성 전극으로 한다.
<형광 물질>
형광 물질의 비중은 경화전의 액상 수지의 수 배에 달한다. 또한 열경화성 수지는 가열 경화시 점도가 크게 저하한다. 이 때문에, LED 칩을 형광 물질을 함유한 액상 수지로 덮어 열경화하면, 수지중의 형광 물질의 대부분은 LED 칩의 주변에 빽빽이 집결하여 침강되는 경향이 있다.
이와 같이 빽빽이 집결하여 침강된 형광 물질은, 서로 겹쳐져 LED 칩(5)의 주변에 침강되기 때문에, LED 칩으로부터의 광을 효율적으로 흡수할 수 있는 것은 LED 칩의 표면의 근방에 위치하는 형광 물질에만 한정된다. 따라서, 대부분의 형광 물질은 파장의 변환 기능을 충분히 발휘하지 못하고, 오히려 다른 형광 물질이 파장 변환된 광을 차단하여 단순히 빛에너지를 감쇠시키는데만 작용한다. 그 결과, 발광 다이오드의 발광 출력의 저하를 야기하게 된다.
따라서 본 발명에서는, 모든 형광 물질에 파장 변환 기능을 발휘시켜 최대한으로 활용할 수 있는, 특정한 입도 분포를 갖는 형광 물질을 이용하여, 발광 다이오드의 출력 향상을 꾀하는 것이다.
구체적으로는, 본 실시형태 1의 발광 다이오드에 이용한 형광 물질은, 대입경 형광 물질(81)의 집합체(제1 분포)와 소입경 형광 물질(82)의 집합체(제2 분포)로 이루어지고, 제1 분포와 제2 분포의 사이에는 거의 형광물질이 존재하지 않는 영역이 존재한다. 본 발명에서는, 이와 같이 분포되는 형광 물질을 사용함으로써, 광학 특성에 악영향을 끼치는 경향이 있는 응집체의 형성을 방지하고, 또한 발광색의 색상의 얼룩을 방지한다. 도 2A, 도 2B에, 본 실시형태 1에서 사용한 형광 물질의 부피 기준 입도 분포 곡선을 나타낸다. 도 2A는 각 입경에 있어서의 적산 분포를 나타내고, 도 2B는 각 입경에 있어서의 빈도 분포를 나타낸다.
도 2A에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 이용되는 형광 물질은, 부피 기준 분포 곡선에 있어서, 누적치 0.01 vo1%∼10 vo1%의 사이에 경사가 제로인 플랫 영역을 갖는다. 상기 플랫 영역은 상술한 제1 분포와 제2 분포의 사이에 위치하고, 거의 형광 물질이 분포하지 않는 입경의 범위(영역)이다.
여기서, 본 실시형태 1에 있어서, 소입경 형광 물질(82)의 함유량은 형광 물질 전체의 0.01 vo1%∼10 vo1% 이며, 대입경 형광 물질(81)의 함유량은 형광 물질 전체의 90 vo1% 이상이다. 본 발명에 있어서, 보다 바람직한 소입경 형광 물질의 함유량은 0.01 vo1%∼5 vo1% 이다. 이와 같이 소입경 형광 물질을 소량으로 함으로써, 색상의 얼룩을 방지하면서 LED 칩 및 대입경 형광 물질로부터의 광을 차단하지 않도록 수지 중에 배치시킬 수 있다.
또한, 대입경 형광 물질(81)의 빈도 피크 입경치는 소입경 형광물질(82)의 빈도 피크치의 20배∼90배로 설정하는 것이 바람직하다. 이와 같이 입경차를 크게 함으로써, 발광 다이오드에 있어서, 각각의 형광 물질이 각각의 작용(소입경 형광 물질(82)은 주로 산란 기능, 대입경 형광 물질(81)은 주로 파장 변환 기능)을 최대한으로 활용할 수 있도록 배치시킬 수 있다.
즉, 소입경 형광 물질(82)은, 광변환 효율은 낮지만 광을 반사 확산시킬 수 있고, 이로 인해 발광색의 색상의 얼룩을 방지한다. 따라서, 소입경 형광 물질은 투광성 수지중에 있어서 LED 칩 주변에 침강시키는 것이 아니라 분산시키는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 소입경 형광 물질은, 극히 소량인 한편 대입경 형광 물질의 입경과 크게 차이 나는 작은 입경으로 조정되며, 이로 인해 투광성 수지중에서 소입경 형광 물질이 양호하게 분산된 발광 다이오드를 얻을 수 있다. 소입경 형광 물질(82)의 입경은 0.2㎛∼1.5㎛의 범위의 것이 바람직하다. 이로 인해, 각소입경 형광 물질이 응집하는 것을 억제할 수 있고 또한 광의 산란 기능을 효과적으로 발휘시킬 수 있다. 또한, 상기 범위의 입경을 갖는 소입경 형광 물질(82)은 미경화된 투광성 수지중에서 거의 침강하지 않기 때문에, 대입경 형광물질(81)과 분리시켜 배치하는 것이 가능하다. 즉, 대입경 형광 물질(81)과 소입경 형광 물질(82)로 이루어진 본 발명에 관한 형광 물질은, LED 칩(5)을 덮는 투광성 수지중에 있어서, 대입경 형광 물질(81)이 LED 칩(5)의 가까운 부분에 존재하고, 그 외측에 소입경 형광 물질(82)이 거의 균일하게 분산되어 존재한다. 이와 같이 분산된 형광 물질에 있어서, 대입경 형광 물질(81)은 LED 칩(5)으로부터의 광을 파장 변환하도록 작용하고, 그 외측의 소입경 형광 물질(82)은 그 반사 기능에 의해 발광색의 색상의 얼룩을 방지하도록 작용한다.
또한, 상기 소입경 형광 물질(82)과 상기 대입경 형광물질(81)의 사이에 빈도 피크를 갖는 중입경 형광 물질을 함유시켜도 좋다. 파장 변환되어야 할 광 모두를 대입경 형광 물질에 흡수시켜 변환하는 것은 곤란하다. 대입경 형광 물질(81)은 표면적이 큰 만큼, 입경이 큰 형광 물질에 의해 반사되는 광이 존재한다. 따라서, 대입경 형광 물질(81)과 함께 대입경 형광 물질(81)보다 입경이 작고 또한 소입경 형광 물질(82)보다 큰 중입경 형광 물질을 공존시켜, 대입경 형광 물질(81)에 의해 완전히 흡수될 수 없던 광은, 상기 중입경 형광 물질에 흡수시켜 색변환시킨다. 이와 같이, 대입경 형광 물질의 표면에서 반사되어 버린 LED 칩으로부터의 광을 효율적으로 광변환시킴으로써, 최소한의 형광 물질 함유량으로 원하는 색조를 얻을 수 있어 휘도를 높일 수 있다. 상기 중입경 형광 물질은 상기 대입경 형광 물질(81)의0.3배∼0.9배, 보다 바람직하게는 0.5배∼0.8배의 중심 입경을 갖는 것이 바람직하고, 이로 인해 상기 대입경 형광 물질의 표면에서 반사된 광을 효율적으로 흡수하여 색변환할 수 있다.
일반적으로, 형광 물질은 입경이 클수록 광변환 효율이 높아진다. 본 발명의 발광 다이오드에서는, 더욱이 대입경 형광 물질(81)의 입도 분포를 후술하는 바와 같이 설정함으로써, 대입경 형광 물질(81)을 LED 칩(5)의 주변에서 서로 겹치지 않도록 배치하고, LED 칩(5)으로부터의 광을 모든 대입경 형광 물질(81)에 효율적으로 흡수시켜 광을 변환시키도록 구성한다.
즉, 본원 발명에 관한 형광 물질 중 큰 입경을 갖는 대입경 형광물질(81)은, 도 4A, 도 4B에 나타낸 바와 같이 분포시키고 있기 때문에, 수지중에 있어서 서로 겹칠수록 빽빽이 응집되는 일은 거의 없고, 바람직한 간격으로 침강된다. 따라서, LED 칩(5)에서 발광하는 광은, LED 칩(5)에 근접한 대입경 형광 물질(81)뿐만 아니라 모든 대입경 형광 물질(81)로 광을 이끌 수 있다. 이로 인해, 보다 많은 형광 물질을 변환에 기여시킬 수 있어, 각 형광 물질의 광흡수율 및 변환효율이 향상된다.
즉, 입경을 적절히 관리하고 있지 않는 종래의 형광 물질을 사용하여 원하는 광을 얻기 위해서는 대량의 형광 물질을 수지중에 함유시킬 필요가 있어, 형광 물질층이 두꺼워지며 서로 겹쳐지기 때문에, 광의 변환에 기여하지 않는 형광 물질의 비율이 증가하고, 그 광을 변환하지 않는 형광 물질에 의해 광이 은폐되는 경향이 있다. 이 때문에 종래의 것으로는 광 발췌 효율이 나빠져 높은 휘도를 얻을 수 없었다. 그러나 본 발명과 같이, 그 평균 입경과 입도 분포가 관리된 대입경 형광 물질(81)을 사용하면, 상기 대입경 형광 물질(81)이 빽빽이 겹쳐 침강될 확률이 낮고, 종래보다 성기게 대입경 형광 물질(81)을 분산시킬 수 있어, 각 형광 물질로부터 발광면까지의 거리도 비교적 짧게 할 수 있기 때문에, 변환 후의 광은 수지에 흡수되는 일 없이 고휘도를 유지한 채로 효율적으로 외부로 방출된다.
이상이 본 발명에 있어서의 대입경 형광 물질(81)의 분포를 설정하는 기본적인 사고 방식이다.
이와 같이, 본 발명에서는, 대입경 형광 물질(81)과 소입경 형광 물질(82)로 이루어지는 형광 물질을 이용하고, 더욱이 외부로의 광발췌 효율, 광흡수 효율, 광변환 효율을 향상시키기 위해 대입경 형광 물질(81)을 양호한 간격으로 LED 칩(5)의 주변에 배치시켜 색변환층으로 함으로써, 고광도 및 고출력이 가능한 발광 다이오드를 얻는다.
본 발명에서 사용되는 대입경 형광 물질(81)의 입경은, 외부로의 광발췌 효율, 광흡수 효율, 광변환 효율을 향상시키기 위해 10㎛∼60㎛의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 10㎛∼50㎛의 범위로 설정하는 것이 보다 바람직하고, 보다 더 바람직하게는 15㎛∼30㎛로 설정한다.
10㎛보다 작고 상기 소입경 형광 물질(82)보다 큰 입경을 갖는 형광 물질은 응집체를 형성하기 쉽고, 액상 수지중에 있어서 빽빽이 침강되기 때문에, 광의 투과 효율을 감소시킨다.
15㎛보다 작고 상기 소입경 형광 물질(82)보다 큰 입경을 갖는 형광 물질은,15㎛ 이상의 것에 비해 응집체를 형성하기 쉽고, 제조 공정상의 관리가 불충분하면 액상 수지중에 있어 빽빽이 침강되기 때문에, 광의 투과 효율을 감소시킬 우려가 있다.
또한, 대입경 형광 물질의 입도는 균일한 편이 바람직하고, 이로 인해 대입경 형광 물질이 빽빽이 침강되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 대입경 형광 물질의 입도 분포의 표준 편차는 특별히 분급(分級)하지 않고, 바람직한 범위인 0.3 이하로 설정할 수 있고, 더 분급하여 0.15 이하로 하는 것도 가능하다(본 발명자들은, 분급에 의해 표준 편차 0.135의 대입경 형광 물질을 제작할 수 있는 것을 확인했다).
본 발명에서는, 이러한 대입경의 형광 물질을 사용함으로써 형광 물질에 의한 광의 차폐를 억제하여 발광 다이오드의 출력을 향상시킨다. 또한, 본 발명에서 쓰이는 대입경 형광 물질의 재료로서는, 광의 흡수율 및 변환 효율이 높고 또한 여기 파장의 폭이 넓은 것이 바람직하다.
이와 같이, 광학적으로 뛰어난 특징(광의 흡수율 및 변환 효율이 높고 여기 파장의 폭이 넓다고 하는 특징)을 갖는 대입경 형광 물질(81)을, 전형광 물질 중 90 vo1% 이상 함유시킴으로써, LED 칩의 주파장 주변의 광을 양호하게 변환하여 파장이 다른 광을 발광할 수 있어, 발광 다이오드의 양산성도 향상된다.
이와 같이 본 발명에 관한 발광 다이오드는, 상술한 형광 물질을 사용함으로써, 수지중의 LED 칩(5)에서 떨어진 부분으로 분산된 소입경 형광 물질(82)로 이루어진 광확산 기능을 갖는 층과, LED 칩(5)의 주변에 양호한 간격을 갖고 침강된 대입경 형광 물질(81)로 이루어진 색변환층으로 분리하여 배치할 수 있다. 이로 인해, 본 발명에 의하면, 고출력의 고광도의 광을 색상의 얼룩 없이 균일하게 발광시키는 것이 가능한 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
여기서 본 발명에 있어서, 형광 물질의 입경은, 부피 기준 입도 분포 곡선에 의해 얻어지는 값으로 나타낸다. 또한, 부피 기준 입도 분포 곡선은, 레이저 회절·산란법에 의해 형광 물질의 입도 분포를 측정하여 얻어진다. 특히, 기온 25℃, 습도 70%의 환경하에 있어서, 농도가 0.05 % 인 헥사메타인산 나트륨 수용액에 형광 물질을 분산시키고, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(SALD-2000A)에 의해, 입경 범위 0.03㎛∼700㎛에서 측정하여 얻어진 것이다.
본 발명에 있어서, 형광 물질의 중심 입경이란, 상기 부피 기준 입도 분포 곡선에 있어서 누적치가 50 vo1% 일때의 입경치이며, l5㎛∼50㎛의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 이 중심 입경치를 갖는 형광 물질이 빈도 높게 함유되어 있는 것이 바람직하고, 빈도치는 20%∼50%가 바람직하다. 이와 같이 입경의 불규칙성이 작은 형광 물질을 사용함으로써, 색상의 얼룩이 억제되어 양호한 색대조를 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
즉, 대입경 형광 물질(81)은 그것보다 입경이 작은 형광 물질에 비해 발광 다이오드의 색상의 얼룩이 생기기 쉬운 경향이 있지만, 대입경 형광 물질(81)에 있어서 입경의 불규칙성을 작게 하면, 불규칙성이 큰 것에 비교해 색상의 얼룩은 개선된다.
본 발명의 발광 다이오드에 있어서는, 형광 물질로서 질화물계 반도체를 발광층으로 하는 반도체 LED 칩에서 발광된 광을 여기시켜 발광할 수 있는 세륨으로 활성화된 이트륨·알루미늄 산화물계 형광 물질을 베이스로 한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
구체적인 이트륨 ·알루미늄 산화물계 형광 물질로서는, YAlO3:Ce, Y3A15O12:Ce (YAG:Ce)나 Y4A12O9:Ce, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이트륨·알루미늄 산화물계 형광 물질에 Ba, Sr, Mg, Ca, Zn 중 적어도 일종이 함유되어 있어도 좋다. 또한, Si를 함유시킴으로써 결정 성장의 반응을 억제하여 형광 물질의 입자를 갖출 수 있다.
본 명세서에 있어서, Ce로 활성화된 이트륨·알루미늄 산화물계 형광물질은 특히 넓은 의미로 해석하는 것이며, 이하의 형광 물질을 포함하는 것이다.
(1) 이트륨·알루미늄 산화물계 형광 물질에 있어서, 이트륨의 일부 혹은 전체가 Lu, Sc, La, Gd 및 Sm으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소로 치환된 형광 물질.
(2) 이트륨·알루미늄 산화물계 형광 물질에 있어서, 알루미늄의 일부 혹은 전체가 Ba, Tl, Ga및 In으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소로 치환된 형광 물질.
(3) 이트륨·알루미늄 산화물계 형광 물질에 있어서, 이트륨의 일부 혹은 전체가 Lu, Sc, La, Gd 및 Sm 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소로 치환되고, 알루미늄의 일부 혹은 전체는 Ba, Tl, Ga및 In 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소로 치환된 형광 물질.
더욱 자세하게는, 일반식(YzGdl-z)3A15Ol2:Ce (단, O<z≤1)로 나타낸 포토루미네센스 형광체나 일반식(Rel-aSma)3Re′5O12:Ce (단, O≤a<l, O≤b≤1, Re는 Y, Gd, La및 Sc에서 선택되는 적어도 일종, Re′는 A1, Ga, In에서 선택되는 적어도 일종이다.)로 나타낸 포토루미네센스 형광체이다.
상기 형광 물질은 가닛 구조이기 때문에, 열, 광 및 수분에 강하고, 여기 스펙트럼의 피크를 450 nm 부근으로 할 수 있으며, 발광 피크도 580 nm 부근에 있고 700 nm까지의 범위에 걸쳐서 폭넓은 발광 스펙트럼을 갖는다.
또한 포토루미네센스 형광체는, 결정중에 Gd(가돌리늄)를 함유함으로써, 460 nm 이상의 장파장역의 여기 발광 효율을 높일 수 있다. Gd의 함유량의 증가에 따라, 발광 피크 파장이 장파장으로 이동하여 전체의 발광 파장도 장파장측에 시프트된다. 즉, 붉은기가 강한 발광색이 필요한 경우, Gd의 치환량을 많이 함으로써 달성할 수 있다. 한편, Gd가 증가함과 동시에, 청색광에 의한 포토루미네센스의 발광 휘도는 저하하는 경향이 있다. 더욱이, 원하는 바에 따라 Ce에 더하여 Tb, Cu, Ag, Au, Fe, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti또는 Eu 등을 함유시킬 수 있다.
더구나, 가닛 구조를 가진 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체의 조성 중, Al의 일부를 Ga로 치환함으로써 발광 파장이 단파장측에 시프트된다. 또한, 조성의 Y의 일부를 Gd로 치환함으로써, 발광 파장이 장파장측에 시프트된다.
Y의 일부를 Gd로 치환하는 경우, Gd로의 치환을 1할 미만으로 하고, 또한 Ce의 함유(치환)를 0.03에서 1.0으로 하는 것이 바람직하다. Gd로의 치환이 2할 미만에서는 녹색 성분이 크고 적색 성분이 적어지지만, Ce의 함유량을 늘림으로써 적색 성분을 보충하고, 휘도를 저하시킴 없이 원하는 색조를 얻을 수 있다. 이와 같은 조성으로 하면 온도 특성이 양호해지고, 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 적색 성분을 많이 갖도록 조정된 포토루미네센스 형광체를 사용하면, 핑크 등의 중간색을 발광하는 것이 가능한 발광 다이오드를 제작할 수 있다.
이러한 포토루미네센스 형광체는 이하와 같이 하여 제작할 수 있다. 우선, Y, Gd, A1, 및 Ce의 원료로서 산화물, 또는 고온에서 용이하게 산화물이 되는 화합물을 사용하고, 그것들을 화학량론비로 충분히 혼합하여 원료를 얻는다. 또는, Y, Gd, Ce의 희토류 원소를 화학량론비로 산에 용해한 용해액을 수산으로 공침(共沈)한 것을 소성하여 얻어지는 공침 산화물과 산화 알루미늄을 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이에 플럭스로서 불화 바륨이나 불화 암모늄 등의 불화물을 적량 혼합하여 도가니에 채워, 공기중 l350∼1450°C의 온도 범위로 2∼5시간 소성하여 소성품을 얻고, 이어서 소성품을 수중에서 볼밀하여 세정, 분리, 건조, 마지막에 체를 통과시킴으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드에 있어서, 이러한 포토루미네센스 형광체는, 2종류 이상의 세륨으로 활성화된 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체나 다른 형광체를 혼합시켜도 좋다.
Y에서 Gd로의 치환량이 다른 2종류의 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체를 혼합함으로써, 원하는 색조의 광을 용이하게 실현할 수 있다. 특히, 상기 치환량이많은 형광 물질을 상기 대입경 형광 물질로 하고, 상기 치환량이 적거나 제로인 형광 물질을 상기 중입경 형광 물질로 하면, 연색성 및 휘도의 향상을 동시에 실현할 수 있다.
<투광성 수지>
투광성 수지(8)는, 65 중량% 이상이 지환형 에폭시 수지로 이루어진 에폭시 수지에, 에폭시 당량에 대해 0.005∼1.5몰의 산무수물 또는 디카르복실산을 반응시켜 가교 올리고머로 하고, 이 가교 올리고머에 소량의 양이온 경화제 (에폭시 당량에 관해 0.00005∼0.003몰, 바람직하게는 0.0001∼0.01몰)를 혼합한 용액을, 질화물 반도체 LED 칩(5)을 수납한 수납부(1a)의 내부에 도포한 후, 가열 경화함으로써 형성된다.
이렇게 하여 형성된 투광성 수지(8)는 청색광을 흡수하는 양이온 경화제의 함유량이 종래의 1/10에서 1/100의 양이기 때문에, 수지의 황색화는 거의 문제가 되지 않는다. 따라서, 청색 발광 가능한 질화물 반도체 LED 칩(5)의 발광 및 형광 물질에 의해 파장 변환된 광을 고효율로 외부에 출력할 수 있다. 또한, 투광성 수지(8)는 비교적 높은 가요성을 갖기 때문에, 투광성 수지(8)와 LED 칩(5)의 열팽창 계수의 차이에 따라 생기는 응력을 완화하여, 질화물 반도체 LED 칩(5)에의 크랙 발생이나 와이어(7)의 절단 등의 불량을 방지할 수 있다.
이하, 투광성 수지(8)에 이용한 에폭시 수지 조성물의 조성에 관해 상세히 설명한다.
투광성 수지(8)를 구성하는 에폭시 수지 조성물은, 지환형 에폭시 수지를 주성분으로 하는 에폭시 수지와, 산무수물 또는 디카르복실산과, 양이온 경화제를 필수 성분으로 하고, 더욱이, 필요에 따라 다가 알콜 또는 그 축중합체로 이루어진 조촉매 등을 포함하고 있어도 좋다.
각 성분의 상세한 설명은 다음과 같다.
(에폭시 수지)
투광성 수지(8)는 높은 투광성을 유지할 필요가 있기 때문에, 본 발명에 사용하는 에폭시 수지는, 지환형 에폭시 수지가 전 에폭시 수지 성분(=경화제등을 제외한 에폭시 수지만의 전량)중의 65 중량% 이상, 바람직하게는 90 중량% 이상을 차지하도록 하고, 착색 성분의 방향족 성분, 특히 페놀 유도체의 함유량을 극히 줄인다. 지환형 에폭시 수지는 시클로헥센에폭시화물 유도체, 수소화비스페놀A디글리시딜에테르, 헥사히드로프탈산디글리시딜에스테르 등을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 3, 4 에폭시시클로헥실메틸-3′, 4′에폭시시클로헥실카르복실레이트로 대표되는 시클로헥센에폭시화물 유도체를 주체로, 헥사히드로프탈산디글리시딜에스테르나, 수소화비스페놀A디글리시딜에테르등의 시클로헥산 유도체와 에피크롤히드린으로 이루어진 에폭시 수지를 필요에 따라 혼합하는 것이 바람직하다. 또한, 비스페놀A디글리시딜에테르로 이루어진 액상 또는 고형의 에폭시 수지 등도 필요에 따라 혼합할 수 있다.
(산무수물 또는 디카르복실산)
산무수물 또는 디카르복실산으로는, 이하의 일반식(l)로 나타낸 산무수물 또는 일반식(2)로 나타낸 디카르복실산을 이용할 수 있다.
식 중, R1은 탄소수 0∼12의 환식 혹은 지방족 알킬 또는 아릴을 나타내고, R2는 탄소수 0∼12의 알킬 또는 아릴을 나타낸다. 산무수물로서, 예를 들어, 프로피온산 무수물, 무수호박산, 1,2-시클로헥산디카르복실산무수물, 3-메틸-l,2 시클로헥산디카르복실산무수물, 4-메틸-1,2시클로헥산디카르복실산무수물, 무수프탈산, 4,4′-비무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 트리알킬테트라히드로무수프탈산, 수소화메틸나딕산무수물등을 사용할 수 있다. 또한, 디카르복실산으로서 예를 들어, 4,4′-비페닐디카르복실산, 2,2′-비페닐디카르복실산, 슈산, 호박산, 아디핀산, 1,6-헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, o-프탈산, m-프탈산, p-프탈산등을 사용할 수 있다.
에폭시 수지에 산무수물 또는 디카르복실산을 혼합하여 가교 올리고머를 형성한 후에, 가교 올리고머에 양이온 경화제를 혼합하여 경화시키는 경우, 에폭시 당량에 대해 산무수물 또는 디카르복실산을 0.005∼0.5몰의 비율로, 바람직하게는0.01∼0.2몰의 비율로 혼합하는 것이 바람직하다. 한 편, 에폭시 수지에 산무수물 또는 디카르복실산과 양이온 경화제를 동시에 혼합하여 경화시키는 경우, 에폭시 당량에 대해 산무수물 또는 디카르복실산을 0.005∼1.5몰의 비율로, 바람직하게는 0.1∼0.8몰의 비율로 혼합하는 것이 바람직하다.
(양이온 경화제)
양이온 경화제로는, 방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄, 방향족 요드늄염, 방향족 셀레늄등을 사용할 수 있다. 방향족 술포늄염은 열 및/또는 360nm 이하의 자외광에 의해 분해하여 양이온을 발생한다. 예를 들어, 트리페닐술포늄 6불화 안티몬염, 트리페닐술포늄 6불화 인산염 등이다. 특히 트리페닐술포늄 6불화 안티몬염은 경화 속도가 빠르고 소량 배합으로도 충분히 경화된다. 양이온 경화제는, 에폭시 당량에 대해 0.00005∼0.003몰, 바람직하게는 0.0001∼0.01몰, 보다 바람직하게는 0.0002∼0.005몰 사용하는 것이 바람직하다.
(조촉매)
조촉매로서 사용하는 다가 알콜로서, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 다가 알콜 중 의 1종 또는 2종 이상을 축합 중합한 축중합체를 사용할 수도 있다. 다가 알콜 또는 이들 축중합체는, 산무수물 또는 디카르복실산에 대해 0.1∼5.0 당량, 바람직하게는 0.2∼3.0 당량 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 투광성 수지(8)에 사용하는 에폭시 수지 조성물은, 상기 각 조성 이외의 성분을 함유하더라도 상관 없다. 예를 들어, 투광성 수지(8)에 필러(10)를 함유시켜도 좋다. 또한, 필러 외에, 확산제, 착색제등 여러가지 기능 입자를 함유시킬 수도 있다.
이어서, 투광성 수지(8)의 형성 방법에 대해 상세히 설명한다.
투광성 수지(8)의 형성에는, (i) 에폭시 수지에 산무수물등과 양이온 경화제를 동시에 혼합한 용액을 도포·경화하는 방법과, (ii) 에폭시 수지에 산무수물 등을 반응시켜 가교 올리고머로 한 후, 그 가교 올리고머에 양이온 경화제를 혼합한 용액을 도포·경화하는 방법이 있다.
예를 들어, 투광성 수지(8)를 500㎛ 이하로 형성하는 경우는 (ii)의 방법이 바람직하다. (ii)의 방법을 채용함으로써, 투광성 수지(8)를 박막 형상으로 도포하여 경화할 때의 산무수물 등의 휘발을 방지할 수 있고, 또한, 도포하는 용액의 점도 조정이 용이하고 가사 시간도 길어지기 때문에 작업성이 양호해진다.
이하, (ii)의 방법에 관해 상세히 설명한다.
우선, 적당한 반응 용기속에서, 65 중량% 이상이 지환형 에폭시 수지로 이루어진 에폭시 수지에, 에폭시 당량에 대해 0.005∼0.5몰, 바람직하게는 0.0l∼0.20몰의 산무수물 또는 디카르복실산을 반응시켜 가교 올리고머로 한다. 조촉매로서 다가 알콜 또는 그 축중합체를 사용하는 경우는, 산무수물 또는 디카르복실산과 동시에 에폭시 수지에 혼합한다. 에폭시 수지와 산무수물 또는 디카르복실산과의 반응은, 산화등의 부반응(副反應)이 잘 일어나지 않는 실온에서 행하는 것이 바람직하다. 산무수물의 경우의 반응 시간은 약 1∼360 시간, 디카르복실산의 경우의 반응 시간은 약 1∼180 시간이다. 산무수물의 개환 반응을 촉진하여 반응 시간을 단축하기 위해, 50∼150℃(바람직하게는 60∼120℃)로 가열해도 좋다.
이어서, 얻어진 가교 올리고머에 에폭시 당량에 대해 0.00005∼0.03몰, 바람직하게는 0.0001∼0.01 몰의 양이온 경화제를 혼합한 용액을 조정한다. 그리고 혼합 용액을, 질화물 반도체 LED 칩(5)을 수납한 수납부(1a)의 내부에 충전한 후, 가열에 의해 경화하여 투광성 수지(8)가 형성된다. 혼합 용액은 80∼100℃에서 2∼4시간 가열하여 1차 경화시키고, 140∼150℃에서 2∼4시간 가열하여 2차 경화시키는 것이 바람직하다.
한편, 보다 구체적인 제조 방법을 후술한다.
이상과 같이 하여 최종적으로 얻어지는 에폭시 수지 조성물의 가요성은, 중간에서 얻어진 가교 올리고머의 분자량에 비례한다. 즉, 산무수물 또는 디카르복실산의 카르복실기 중, 에폭시 수지 또는 조촉매와 반응하여 에스테르로 전화하는 것의 비율이 높을수록, 얻어지는 에폭시 수지 조성물의 가요성이 양호해진다. 또한, 가교 올리고머와 양이온 경화제의 혼합액의 점도는 가교 올리고머의 분자량에 의존하기 때문에, 산무수물등의 첨가량이나 에스테르 전환율을 조절함으로써 자유롭게 점도를 조절할 수가 있다.
<실시형태 1의 제조방법>
이어서, 본 실시형태 l의 발광 다이오드의 제조 방법에 관해 설명한다.
본 제조 방법은, 실시형태 1의 표면 실장형의 발광 다이오드를 안정된 품질로 양산성 좋게 제조하는 방법이다.
본 제조 방법에 있어서, 투광성 수지로 LED 칩(5)을 덮는 공정까지는, 복수의 패키지를 일괄하여 처리하기 때문에, 복수의 패키지가 집합하여 이루어진 패키지 어셈블리가 이용된다. 상기 패키지 어셈블리는, 각 패키지의 수납부(1a)에 대응하는 복수 관통홀(10la)이 형성된 절연성 기판(101)과 금속 베이스판(102)이 접합되어 제작된다.
여기서, 절연성 기판(101)은, 예를 들어 두께가 0.06 mm∼2.0 mm인 수지 적층품 등으로 이루어지며, 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통홀(10la)이 형성된다. 관통홀(101a)의 횡단면 형상은 타원이어도 좋고, 원형 또는 사각형이어도 좋다.
즉, 본 발명은 관통홀(10la)의 횡단면 형상에 의해 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형상 중에서 임의로 선정할 수 있다. 또한, 관통홀(l01a) 에서는, 관통홀(10la)의 개구경이 절연 기판의 한쪽면(금속 기판과 접합되는 면)에서 다른쪽 면을 향해 커지도록 관통홀의 측면을 경사시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 관통홀(10la)의 측면을 경사시키면, LED 칩에서 관통홀의 측면을 향해 출사된 광을 측면에서 반사시켜 상방으로 출력할 수 있기 때문에, LED 칩(5)에서 출사된 광을 효율적으로 발광 다이오드로부터 발췌할 수 있다.
또한, 금속 베이스판(102)은 각각의 패키지마다 절단되었을 때에, 각 패키지에 있어서 금속 박판(2a)과 금속 박판(2b)이 절연성 수지(4)에 의해 전기적으로 분리되도록, 각 관통홀에 각각 대응하여 분리홈이 형성되어 그 분리홈 속에 절연성 수지(4)가 충전된다.
각 패키지 부분에 있어서, 관통홀(10la) 내에서 금속 박판(2a)의 일부, 절연성 수지(4), 및 금속 박판(2b)의 일부가 노출되어 있다.
더욱이, 패키지 어셈블리에 있어서는 더욱이, 후술하는 마스크(l12)의 하나의 개구부(113)에 대해 복수의 패키지가 그룹화되어 배치된다.
<LED 칩의 실장>
상술한 바와 같이 구성된 패키지 어셈블리의 각 관통홀(수납부)의 소정의 위치에 다이본드 수지를 이용하여 LED 칩(5)을 다이본딩하여, 와이어 본딩에 의해 소정의 배선을 한다(도 5).
각 관통홀의 내측에는 금속 박판(2a)와 금속 박판(2b)가 노출되고, LED 칩(5)은 부전극인 금속 박판(2b)상에 접착되어, 그 LED 칩(5)의 p측 전극(5a) 및 n측 전극(5b)은 각각, 와이어(7)에 의해 금속 박판(2a) 및 금속 박판(2b)에 접속된다.
<제1 공정: 공판 인쇄>
이어서, 시일링 부재인 투광성 수지(본 발명의 에폭시 수지 조성물)(8)는, 챔버내에서 공판 인쇄에 의해 도포된다. 도 3A는 본 실시형태 1에 관한 제조 방법의 공판 인쇄에 이용되는 마스크(112)의 평면도이다. 마스크(112)에는, 도 3A에 나타낸 바와 같이, 복수의 개구부(1l3)가 형성되어 있고, 각 개구부(113)의 위치 및 크기는, 하나의 개구부(113)에 대해 하나의 그룹으로 정리된 복수의 패키지가 해당하도록 설정된다(도 3B). 이와 같이 본 발명에서 이용되는 마스크는, 각 관통홀내에만 투광성 수지를 설치하는 것이 아니라, 주위의 절연성 기판(101)상에도 수지층이 형성되도록 설계되어 있다. 본 실시형태의 제조 방법에서는, 이러한 마스크(112)를 이용하여 공판을 인쇄함으로써, 절연 기판의 관통홀(10la)내 및 절연성 기판(101)상에 경화후에도 표면이 평활면이 되도록 투광성 수지를 형성할 수 있다.
즉, 본 제조방법으로는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 개구부(ll3)의 주변 부분의 투광성 수지를 평탄하게 형성하는 것이 어려운 부분을 제외하고, 그룹핑된 복수의 패키지를 배치하여, 복수의 패키지가 배치된 부분에 투광성 수지를 일정한 두께로 표면이 평탄해지도록 형성함으로써, 패키지간에 서의 투광성 수지층의 두께의 편차를 억제하고 각 패키지의 투광성 수지 표면의 평탄화를 꾀하고 있다.
이와 같이, 복수의 발광 다이오드에 대해 일단 투광성 수지를 형성한 후, 도 5에 나타내는 점선의 부분에서 절단 분리하여 각각의 발광 다이오드로 한다. 이로 인해, 균일한 막두께를 갖는 발광 다이오드를 발광다이오드 사이에 사이즈나 색상의 얼룩이 생기지 않도록 제품 수율이 좋게 형성할 수 있다. 또한, 마스크의 판 두께를 조정함으로써 상기 절연성 기판상에 형성하는 투광성 수지의 막두께를 임의로 변경할 수 있다.
이어서, 각 개구부(1l3)에 있어서, 복수의 패키지가 배치된 부분에 투광성 수지를 일정한 두께로 표면이 평탄해지도록 형성하는 방법의 일례를 구체적으로 설명한다.
(스텝 1)
우선, 관통홀(l0la)을 마스크(112)측을 향한 패키지 어셈블리(10)를 승강 스테이지(117)상에 흡인하여(도 4A), 스테이지(l17)를 상승시켜 패키지 어셈블리(100)와 마스크(112)의 위치를 맞추어, 마스크(112)의 하면에 접촉시킨다(도 4B). 이로 인해 패키지 어셈블리의 휘어짐을 교정한 상태로 패키지 어셈블리(100)를 마스크(1l2)에 접촉시킬 수 있다. 이와 같이, 패키지 어셈블리(100)의 휘어짐을 교정함으로써, 패키지 어셈블리(100)상의 일면에 균일한 막두께의 투광성 수지를 형성하는 것이 가능해진다. 즉, 패키지 기판에 휘어진 채로 시일링 부재를 형성하면, 형성된 개개의 발광 다이오드 사이에 두께의 불균형이 생겨 제품 비율이 악화된다.
형광 물질을 함유시킨 투광성 수지는, 도 4A에 나타낸 바와 같이, 대기압하에서 마스크(112)의 개구부 밖의 단에 배치시킨다. 이 상태에서 감압하여 거품을 제거한다. 감압은 100Pa∼400Pa의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 이 범위에서는 수지 내부에 포함되는 기포를 효과적으로 발췌할 수 있다. 상술한 패키지 어셈블리(100)와 마스크(112)를 이용한 본 실시형태에서는, 투광성 수지로서 비교적 높은 점도의 것을 사용할 수 있다.
본 실시형태 1과 같이, 형광 물질을 투광성 수지에 함유시켜 사용하는 경우, 특히 큰 입경을 갖는 형광 물질은 액상의 수지중에서의 침강 속도가 빠르기 때문에, 분산 균일성을 유지하는 데다 어느 정도의 점도를 갖는 수지를 이용하는 것이 바람직하다.
그러나, 점도가 높은 수지일수록 거품 제거가 곤란해져 제조 제품 수율이 저하할 우려가 있다. 따라서 본 발명에서는, 우선 공판 인쇄를 하기 전공정으로서 일단 감압을 하여 거품을 제거하고, 그 후 가압 및 감압을 반복하면서 공판 인쇄를 행하는 방법을 채용함으로써, 제조 제품 수율을 저하시킴 없이 높은 점도의 투광성 수지의 사용이 가능하도록 하고 있다. 이로 인해, 큰 입경의 형광 물질을 이용한 경우에 생기기 쉬운 색상의 얼룩을 개선하는 것을 목적으로 하여, 높은 점도의 수지의 사용이 가능해진다. 또한, 높은 점도의 수지를 사용한 경우에도, 제품 수율 좋게 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
투광성 수지중에 기포가 혼합된 채로 시일링되면, 기포가 LED 칩으로부터의 광이나 형광 물질의 발광을 반사 굴절시키기 때문에, 색상의 얼룩이나 휘도 얼룩이 현저히 관측된다. 그 때문에 형광 물질을 함유한 투광성 수지를 형성할 때, 본 실시형태와 같이 감압 및 가압을 반복하는 것은 매우 효과적이며, 색상의 얼룩이나 휘도 얼룩을 억제하는 현저한 효과가 있다. 또한, 투광성 수지중에 기포가 포함되면, 그것이 원인이 되어 투광성 수지의 박리나 와이어의 접착 부분의 박리, 와이어 절단 등이 생기는 경우가 있어, 신뢰성이 저하된다. 따라서, 본 방법에 의해 기포를 방지하는 것은 신뢰성을 향상시키는데도 매우 유효하다.
<스텝 2>
이어서 감압하에 있어서, 제 1 주기의 전진압착탈포 공정이 행해진다(도 4C). 이 때 이용되는 전진압착 탈포용 주걱(114)은, 도 4C에 나타낸 바와 같이, 마스크(l12)의 수직 라인에 대해 동작 방향으로 기울어져 있고, 공기압에 의해 주걱(114)을 마스크(112)에 밀어서 동작시켜 수지(8)를 마스크(112)의 개구부(113)에 흘러 들어가게 한다. 전진압착 탈포공정은 감압하에서 일어나기 때문에 승강 스테이지(117)의 흡인 작용은 의미가 없지만, 물리적으로 승강 스테이지(117)를 마스크(l12)에 누르고 있기 때문에 패키지 어셈블리(100)와 마스크(112)의 어긋남이 생기지 않는다.
<스텝 3>
이어서 대기압까지 가압하고, 가압 완료 후, 제 1 주기의 후진 압착탈포가 전진압착 탈포와 역방향으로 행해진다(도 4D). 후진 압착 탈포용 주걱(115)은, 마스크(112)의 수직 라인에 대해 동작 방향으로 전진 압착 탈포용 주걱(114)보다도 크게 기울이고 전진 압착 탈포공정시보다도 강한 공기압에 의해 작동시킨다. 이와 같이, 강한 압력에 의해 후진 압착 탈포용 주걱(115)과 마스크(112)와의 접촉 면적을 크게 하여 다시 투광성 수지를 충전시킴으로써, 개구부(113)내에 충전된 수지의 표면에 나타난 기포를 효율적으로 제거할 수 있어 시일링 부재의 표면을 평탄하게 마무리할 수 있다.
<스텝 4>
스텝 2 및 스텝 3과 마찬가지로, 감압 및 가압을 반복적으로 거품 제거시키면서 왕복 스키지를 수회 반복하여, 개구부(113)내에 균일한 막두께로 수지를 충전시킨다.
<스텝 5>
이 상태(마스크(112)를 패키지 어셈블리(100)에 접촉시킨 상태)에서 투광성 수지를 경화하여, 경화한 후에 마스크를 제거함으로써 LED 칩이 배치된 관통홀 내 및 절연성 기판 상면에 일체 성형된 투광성 수지의 상면을 패키지 저면과 거의 평행하고 평활한 면으로 할 수 있다.
이러한 공판(孔版) 인쇄에 의한 시일링 수지 형성 방법을 이용함으로써, 경화 전이라도 비교적 높은 점도의 투광성 수지를 사용하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 점도가 낮은 수지를 이용한 경우와 같이, 수지속을 형광 물질이 자유롭게 침강 혹은 부유하는 일은 없다. 따라서, 형광 물질의 혼합 상태를 비교적 양호하게 유지할 수가 있다. 또한, 성형시에 있어서, 투광성 수지가 용융하여 액체로서 존재하는 시간은 수 분에서 수십 초로서, 폿팅 방법에 의해 관통홀내에 흘러 들어가 열경화 형성되는 수 시간과 비교하여 매우 짧게 할 수 있다. 더욱이, 경화 시간도 매우 짧게 할 수 있기 때문에, LED칩상에 형광 물질이 서로 겹쳐 침강하는 상태를 피할 수 있다.
즉, 본 실시형태 1의 제조 방법에 의하면, 점도가 높은 투광성 수지를 사용할 수 있으므로, 투광성 수지에 형광 물질을 함유시키고 나서, 기판상에 충전시키기까지의 사이에 있어서의 수지와 형광 물질과의 분리를 방지할 수 있다. 이로 인해, 발광 다이오드 사이에서의 형광 물질의 함유량의 불균일을 억제할 수 있어, 동일 제조 로트 내 및 제조 로트 간의 색상의 얼룩이 적은 발광 다이오드의 제조가 가능해진다. 또한, 제조 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 각 관통홀에 충전되고 나서 경화시키기까지의 사이에, 대입경 형광 물질이 LED 칩의 표면 근방에 기밀하게 침강하는 것도 피할 수 있고, 각 대입경 형광 물질의 광변환 기능을 효과적으로 발휘시킬 수 있게 된다. 또한, 소입경 형광 물질을 대입경 형광 물질 입자 외측의 투광성 수지중에 균일하게 배치할 수 있고, 이로인해 발광 다이오드의 색상의 얼룩을 방지할 수 있다.
특히 YAG : Ce 형광체를 형광 물질로서 함유한 백색 발광이 가능한 발광 다이오드로 한 경우, 투광성 수지에 비해 형광 물질의 비중이 크고, 기밀하게 침강하는 경향이 있는데, 그 경우라도 대입경 형광 물질(81)이 LED 칩(5)의 표면 근방에 기밀하게 침강하는 것 등을 피할 수 있고, 색 온도가 균일한 발광 다이오드를 안정되게 제조할 수 있다.
이어서, 다이싱 공정에 관해 상세히 설명한다. 상술한 바와 같이 하여 투광성 수지를 형성(경화)한 후, 이하와 같이 다이싱하여 개개의 발광 다이오드로 분할된다.
<제2 공정: 다이싱 공정>
(다이싱 스텝 1)
우선, 수지를 경화시킨 후, 패키지 어셈블리(l00)의 투광성 수지측을 다이싱 시트에 접착한다. 상술한 바와 같이, 패키지 어셈블리(100)의 다이싱 시트와의 접착면은 실질적으로 동일 재료로 이루어지고 평활한 평면이기 때문에 접착 강도를 강하게 할 수 있다. 이로 인해, 다이싱시에 있어서 칩이 튀어오르거나 다이싱의 어긋남이 생기는 것을 방지할 수 있고, 제품 수율이 좋게 개개의 발광다이오드로 절단할 수 있다.
이에 대해, 패키지 어셈블리의 개개의 관통홀에 대응한 개구부를 갖는 마스크를 이용하여 수지를 충전 및 경화한 경우, 충전된 수지는 열수축하여 관통홀 부분에서 함몰되어 관통홀 위를 제외한 절연성 기판 상면만 다이싱 시트와 접하게 되어 밀착성이 저하한다. 또한, 개개의 관통홀에 대응한 개구부를 갖는 마스크를 이용하여 수지량을 좀 많이 충전하여 경화시키면, 다이싱되는 부분인 절연성 기판 상면보다도 수지의 상면이 높아져, 수지 상면만 다이싱 시트와 접착하게 되는데, 이 경우도 패키지 어셈블리와 다이싱 시트와의 접착 강도가 극단적으로 약해져 다이싱의 어긋남이 생긴다. 이와 같이 패키지 어셈블리와 다이싱 시트의 고정이 불안정한 채로 다이싱공정을 행하면, 칩이 튀어오르거나 다이싱의 어긋남이 생긴다. 또한, 얻어진 발광 다이오드의 절단구에는 끝말림(burr)이 생기는 등의 문제도 있다. 끝말림은 후공정의 실장 과정등에서 쪼개질 우려가 있고, 상기 끝말림 부분이 깊게 쪼개지게 되면, 외부에서 시일링 부재안으로 습기가 혼입되어, 발광 다이오드의 신뢰성이 저하하거나 내부의 금속 부분이 산화되어 변색되어 버리는 등의 불량의 원인이 된다.
<스텝 2>
스텝 1에서 밀착성 좋게 다이싱 시트에 고정된 패키지 어셈블리를, 패키지 어셈블리 저면측에서 다이싱 블레이드에 의해 개개로 절단한다(도 5의 파선을 따라 절단한다). 다이싱 블레이드란, 본드를 중심으로 하여 주위에 입경이 작은 다이아몬드의 입체(粒體)를 집결시켜 이루어지는 것이다. 이러한 구성의 다이아몬드 블레이드는, 패키지 어셈블리를 다이싱할 때에 다이아 몬드 입체 사이에 발광 다이오드의 잘린 부스러기의 일부인 금속 파편이 막히기 쉽다. 따라서 제1 공정에 있어서, 시일링 부재인 투광성 수지중에 견고한 필러를 함유시키면, 막힌 금속파편이 상기 필러에 의해 밀려나와서 다이싱 공정을 용이하게 수행할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히 입경이 큰 필러를 이용하면, 상술한 작용 효과가 커진다. 본 실시형태 l에서는, 입경이 큰 대입경 형광 물질을 필러로 이용하고, 또한 그 대입경 형광 물질은 높은 경도를 갖기 때문에, 상술한 작용 효과가 커진다.
이상과 같은 제조 방법으로 제작된 발광 다이오드에서는, 투광성 수지가 절연 기판의 상면과 절연 기판의 관통홀내에 일체로 성형되어 있고, 투광성 수지의 상면이 패키지 저면과 거의 평행하며, 또한 투광성 수지의 외주 측면은 상기 패키지의 외주 측면과 거의 동일면상에 있다. 이와 같이 발광 다이오드의 상면을 모두 투광성 수지를 형성함으로써 발광면을 넓게할 수 있어 출력을 향상시킬 수 있다. 또한, 절연 기판상의 투광성 수지에 의해, LED칩으로부터의 광이 외부에 의해 확산되어 양호한 지향 특성을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있다. 또한, 상기 절연 기판상의 투광성 수지에 필러가 함유되어 있는 경우, 그 필러에 의해 더욱 그 작용이 증대되어 바람직한 발광 특성을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 실시형태의 발광 다이오드는, 각각의 입경 분포 영역이 멀리 떨어진 소입경 형광 물질 및 대입경 형광 물질을 갖도록 분급된 형광 물질을 이용하고, 그것들의 작용을 최대한으로 활용할 수 있도록 배치시킴으로써, 광도 및 발광 출력을 향상시킬 수 있다. 소입경 형광 물질은, 전 형광 물질의 0.01 vo1%∼10 vo1%의 범위에서 투광성 수지중에 분산된 상태로 경화됨으로써, 양호하게 광을 산란할 수 있어 균일한 발광을 얻을 수 있다. 또한 대입경 형광 물질은, 높은 발광 효율을 충분히 발휘할 수 있는 상태에서 LED 칩의 주변에 배치시킬 수 있는 입경 범위로 조정됨으로써, 본래의 작용인 파장 변환작용을 충분히 발휘할 수가 있다. 또한, 본 실시예의 형태로 이용된 대입경 형광 물질은 넓은 여기 파장을 갖기 때문에, 전류에 의한 LED 칩의 파장 시프트나 패키지 소형화에 의한 색도의 저하 등에도 대응할 수 있어, 신뢰성 및 대량생산성이 뛰어난 발광 다이오드를 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 발광 다이오드의 제조 방법에 의해, 발광 특성이 안정된 발광 다이오드를 대량생산성 좋게 제조할 수 있다. 또한, 대량 생산 공정이 장시간에 미치는 경우에도, 처음에 제조된 발광 다이오드와 나중에 제조된 발광 다이오드 사이의 발광 격차를 매우 작게 할 수 있다. 더욱이, 발광 다이오드내에서의 발광 불균일을 저감시킬 수 있기 때문에 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태 1에서 설명한 본 발명에 관한 투광성 수지는, 에폭시 수지와 산무수물 또는 디카르복실산과의 가교 올리고머를 양이온 경화제로 경화시켰기 때문에, 황색화가 적고, 또한 가요성이 뛰어난 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 얻어진 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지에 대한 산무수물 또는 디카르복실산의 첨가량 또는 그것들의 에스테르 전환율을 조정함으로써 자유롭게 점도를 조절할 수 있고, 포트 라이프도 길기 때문에 작업성도 뛰어나다.
실시형태 2
도 6은 본 발명에 관한 실시형태 2의 SMD형 발광 다이오드의 도식적 단면도이다. 본 실시형태 2의 발광 다이오드는, 사파이어 기판상에 GadA11-dN(0≤d≤1)으로 이루어진 버퍼층을 통해 질화물 반도체(AlxGayInzN, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1,x+y+z=1)로 이루어진 pn 접합이 형성되어 있는 LED 칩(5)을 한 쌍의 리드 전극(12a, 12b)을 갖는 글래스 에폭시 기판(12)상에 배치시킨 것이다. LED 칩(5)은 적어도 질화물 반도체층으로 이루어진 발광층을 갖고 있다. 상기 LED 칩(5)의 한쪽 면측에 설치된 정부의 각 전극은, 한쌍의 리드 전극(12a, 12b)과 각각 도전성 와이어(7)로 전기적으로 접속되어 있다.
그리고, 실시형태 2의 발광 다이오드에서는 투광성 수지(18)중에 실시형태 1과 동일한 형광 물질을 분산시키고 있다.
즉, 투광성 수지(l8)중에 분산된 형광 물질은, 대입경 형광 물질(8l)과 소입경 형광 물질(82)로 이루어져, 발광 다이오드에 있어서 모든 대입경 형광 물질(81)에 파장 변환 작용을 최대한으로 발휘시켜, 발광 다이오드의 출력 향상을 꾀함과 동시에, 소입경 형광 물질(82)에 의해 색상의 얼룩을 방지한 것이다.
본 실시형태의 발광 다이오드에 있어서, 투광성 수지(l8)는 실시형태 1에서 설명한 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
그렇지만, 실시형태 2에서는 패키지 속에 수지를 충전하는 것이 아니라, 기판상에 수지를 몰드하는 것이기 때문에, 그 제조 방법에 적합한 다른 에폭시 수지나 글래스, 실리콘 수지, 아크릴 수지 등을 사용할 수도 있다.
실시형태 3.
본 발명에 관한 실시형태 3의 발광 다이오드는, 예를 들어 도 1 또는 도 6의 구조에 있어서, 400 nm 부근의 단파장역을 주발광 피크로 하는 자외선이 발광 가능한 LED 칩을 사용하여 구성한 발광 다이오드이다. 자외선이 발광 가능한 LED 칩은,질화물 반도체계의 반도체층을 사파이어 기판상에 성장시킴으로써 용이하게 구성할 수 있다.
상기 본 실시형태 3의 발광 다이오드에서는, 투광성 수지로서 비교적 자외선에 강한 수지나 글래스등을 사용하고, 형광 물질은 실시형태 1에서 설명한 입도 분포를 갖는 형광 물질을 사용한다.
형광 물질의 재료로서는, 자외역의 단파장의 광에 의해 여기되어 적색광을 발광하는 Y2O2S : Eu 형광체, 자외역의 단파장의 광에 의해 여기되어 청색광을 발광하는 Sr5(PO4)3C1:Eu, 자외역의 단파장의 광에 의해 여기되어 녹색광을 발광하는 (SrEu)O·Al2O3를 사용할 수 있다.
또한, 적색 형광체, 청색 형광체 및 녹색 형광체를 혼합하여 LED 소자의 표면에 색변환층으로서 분포시킴으로써, 백색광을 출력하는 백색 발광다이오드를 제작할 수 있다.
상기 형광 물질 외에, 적색 형광체로서 3.5 MgO·0.5 MgF2·GeO2:Mn, Mg6As2O11:Mn, Gd2O2:Eu, LaO2S:Eu, 청색 형광체로서 Re5(PO4)3C1:Eu(단 Re는 Sr, Ca, Ba, Mg에서 선택되는 적어도 일종), BaMg2Al16O27:Eu 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 형광 물질을 사용함으로써 고휘도로 발광 가능한 백색 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
본 실시형태 3의 발광 다이오드에 있어서, 형광 물질은 실시형태 1과 동일한대입경 형광 물질(8l)과 소입경 형광 물질(82)로 이루어지기 때문에, 자외광을 효율적으로 변환할 수 있는 색 변환층이 형성되고, 고휘도의 발광 다이오드가 얻어진다. 특히, 복수의 종류의 형광체를 이용하여 혼색 발광시키는 경우는, 소입경 형광 물질의 산란 작용에 의해 색상의 얼룩을 효과적으로 억제할 수 있어 바람직하다.
이들 다른 종의 형광 물질을 혼합하여 1층의 색 변환 박막층을 형성하는 경우, 각 형광 물질의 중심 입경 및 형상은 유사한 것이 바람직하다. 이로 인해 각종 형광 물질에서 발광되는 광이 양호하게 혼색되어 색상의 얼룩을 억제할 수 있다.
본 실시형태 3에서는, 각 형광 물질을 각각의 다른 색 변환층으로서 형성해도 좋다. 각 형광 물질의 색 변환층을 다중층으로서 배치시키는 경우, 각각의 형광 물질의 자외광 투과율을 고려하여, LED칩상에 적색 형광 물질층, 녹색 형광 물질층, 및 청색 형광 물질층으로 순차로 적층시키면, 모든 층에 자외광을 효율적으로 흡수시킬 수 있어 바람직하다. 더욱이, 색변환 다중층에 있어서 하층에서 상층에 걸쳐 각층 중의 형광 물질의 입경이 작아지도록, 각 형광 물질의 중심 입경을 청색 형광 물질> 녹색 형광 물질> 적색 형광 물질로 하면, 최상층까지 양호하게 자외광을 투과시킬 수 있음과 동시에 색변환 다중층에 있어서 자외광이 새지 않게 흡수할 수 있어 바람직하다.
그 밖에, 스트라이프 모양, 격자 모양, 또는 트라이앵글 모양이 되도록 각 색 변환층을 LED 칩상에 배치시킬 수도 있다. 이 때 다른 형광체를 포함하는 다른 층 사이에 간격을 두고 배치해도 좋은데, 이와 같이 하면 혼색성이 양호해 진다. 한편, LED 칩의 주위를 모두 덮도록 색 변환층을 배치하면, 자외광이 시일링 수지등의 외부로 흡수되는 것을 억제할 수 있어 바람직하다.
실시형태 4.
본 발명에 관한 실시형태 4는 발광 다이오드에 적합한 형광 물질의 제조 방법에 관한 것이며, 발광색의 색도 어긋남을 방지할 수 있고, 붉은색 성분의 감소를 방지할 수 있는 형광 물질의 합성법이다.
형광 물질의 합성법으로서, 형광 물질의 각 원료를 화학량론적으로 혼합하고 혼합 원료에 플럭스로서 붕산을 첨가하여 소성하는 방법이 일본 특개소 48-4985호 공보에 개시되어 있다. 또한, 특개소 61-36038호 공보에는 각 원료를 화학량론적으로 혼합한 혼합 원료에 플럭스로서 불화 바륨을 첨가하여 입자를 성장시키는 것이 개시되어 있다.
그러나, 입자 성장을 촉진하기 위해, 붕산에 불화 바륨을 첨가한 것을 플럭스로서 사용하여 형광 물질을 형성하면, 여기광을 조사하여 얻어지는 발광색의 색도가 변하여 붉은색 성분이 감소한다.
따라서 본 실시형태 4에서는, 혼합 원료와 불화 바륨을 포함하는 플럭스로 이루어진 혼합물을 소성할 때, 상기 혼합물에 액체를 첨가하여 소성함으로써, 형광 물질의 색도 변화를 억제한 것이다. 이 작용은, 소성시에 액체를 첨가함으로써 혼합 원료끼리 빽빽해져 반응성이 향상되어, 재질이 균일하고 입자 형상이 갖춰진 형광 물질이 얻어지는 것에 의한 것이라 생각된다. 또한, 소성시에 가압함으로써 더욱 효과를 높일 수 있다.
또한, 첨가하는 액체량이 증가할수록 입자 형상이 잘 구비되고, 색도의 변동을 억제할 수가 있다. 액체량은 혼합 원료에 대해, 5wt%∼200wt%가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 10wt%∼70wt%, 더욱 바람직하게는 50wt%∼70wt% 이다. 또한, 형광 물질의 원료로서, 조촉매로서 작용하는 Ce에 더하여 Fe를 함유시키면 상기 효과가 높아진다.
또한, 본 실시형태 4의 형광 물질의 제조 방법에서는, 형광 물질의 원료를 혼합한 혼합 원료와 플럭스로 이루어진 혼합물을, 대기중 또는 약환원 분위기중에서 행하는 제1 소성 공정과, 환원 분위기중에서 행하는 제2 소성공정으로 이루어진, 2단계로 소성하는 것이 바람직하다.
여기서, 본 발명에 있어서, 약환원 분위기란, 혼합 원료로 원하는 형광 물질을 형성하는 반응 과정에서 필요한 산소량은 적어도 포함하도록 설정된 약한 환원 분위기의 것을 말하며, 상기 약환원 분위기중에 있어서 원하는 형광 물질의 구조 형성이 완료될 때까지 제1 소성 공정을 행함으로써, 형광 물질의 흑변을 방지하고 광의 흡수 효율의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 제2 소성 공정에서의 환원 분위기는 약환원 분위기보다 강한 환원 분위기를 말한다.
이와 같이 2단계로 소성하면, 여기 파장의 흡수 효율이 높은 형광 물질이 얻어진다. 이로 인해, 예를 들어, 발광 다이오드에 적용한 경우에, 원하는 색조를 얻기 위해 필요한 형광 물질량을 줄일 수 있고, 발광 효율이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
변형예 l.
(투광성 수지)
실시형태 1에서는 바람직한 예로서 특정한 에폭시 수지를 사용했지만, 본 발명에서는, 다른 수지 또는 글래스와 실시형태 1에서 설명한 형광 물질을 혼합하여 사용하여 발광 다이오드를 구성할 수도 있다. 그 때, 투광성 수지로서 적합한 구체적인 재료로서는, 다른 종류의 에폭시 수지(함유질소 에폭시 수지 등), 아크릴 수지, 실리콘등의 내후성이 뛰어난 투명 수지나 글래스등을 들 수 있다. 이들 수지 등에 대입경 형광 물질 및 소입경 형광 물질로 이루어진 형광 물질을 함유시켜도 고출력의 발광 다이오드를 구성할 수 있다. 또한, 상기 형광 물질과 함께 안료를 투광성 수지에 함유시켜도 좋다.
또한, 투광성 수지의 내후성을 높이기 위해 투광성 수지에 자외선 흡수제를 첨가해도 좋고, 더욱이, 투광성 수지에 산화 방지제나 유기 카르복실산 아연, 산무수물, 아연 킬레이트 화합물 등을 첨가해도 좋다.
변형예 2.
(확산제)
더욱이, 본 발명에 있어서, 투광성 수지중에 형광 물질에 더하여 확산제를 함유시켜도 좋다.
구체적인 확산제로서는, 티탄산 바륨, 산화 티탄, 산화 알루미늄, 산화 규소, 탄산 칼슘 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 멜라민 수지, CTU 구아나민 수지, 벤조 구아나민 수지 등의 유기 확산제를 사용할 수도 있다.
이와 같이 하면 양호한 지향 특성을 갖는 발광 다이오드를 구성할 수 있다.
여기서 본 명세서에 있어서 확산제란, 중심 입경이 1㎛ 이상 5㎛ 미만의 것을 말한다. 1nm 이상 5㎛ 미만의 확산제는, LED 칩 및 형광 물질로부터의 광을 양호하게 난반사시켜, 큰 입경의 형광 물질을 사용함으로써 생기기 쉬운 색상의 얼룩을 억제할 수 있어 바람직하다. 또한, 확산제의 사용에 의해 발광 스펙트럼의 반치폭을 좁힐 수 있어, 색순도가 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
한편, 1nm 이상 1㎛ 미만의 확산제는, LED 칩으로부터의 광에 대한 간섭 효과가 낮은 반면, 광도를 저하시킴 없이 수지 점도를 높일 수 있다. 이것을 이용하면, 폿팅등에 의해 패키지의 오목부내에 수지를 충전하는 경우, 실린지내에서 수지중의 형광 물질을 거의 균일하게 분산시켜 그 상태를 유지하는 것이 가능해져, 비교적 취급이 곤란한 입경이 큰 형광 물질을 사용한 경우라도 제품 수율 좋은 생산이 가능해진다. 이와 같이 본 발명에 있어서의 확산제는 입경 범위에 따라 작용이 다르고, 사용 방법에 맞추어 선택 혹은 조합하여 사용할 수 있다.
변형예 3.
(필러)
더욱이, 본 발명에 있어서, 투광성 수지중에 형광 물질에 더하여 필러를 함유시켜도 좋다. 구체적인 재료는 확산제와 마찬가지이지만, 확산제와 중심 입경이 다르고, 본 명세서에 있어서 필러란 중심 입경이 5㎛ 이상 100㎛ 이하의 것을 말한다. 이러한 입경의 필러를 투광성 수지중에 함유시키면, 광산란 작용에 의해 발광 다이오드의 색도 얼룩이 개선되는 것 외에, 투광성 수지의 내열 충격성을 높일 수 있다. 이로 인해 고온하에서의 사용에 있어서도, LED 칩과 패키지등의 전극을 전기적으로 접속하고 있는 와이어의 단선이나 상기 LED 칩의 저면과 패키지의 오목부저면과 박리등을 방지할 수 있다. 이로 인해, 신뢰성이 높은 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 더욱이 수지의 유동성을 장시간 일정하게 조정하는 것이 가능해져 원하는 곳에 소정량의 투광성 수지를 도포할 수 있고 제품 수율 좋게 양산하는 것이 가능해진다.
또한, 필러는 형광 물질과 유사한 입경 및/또는 형상을 갖는 것이 바람직하다. 여기서 본 명세서에서는, 유사한 입경이란 각 입자의 각각의 중심 입경의 차가 20% 미만인 경우를 말하며, 유사한 형상이란, 각 입경의 진원과의 근사 정도를 나타내는 원형도(원형도 = 입자의 투영 면적과 동등한 동그란원의 주위 길이/입자의 투영의 주위 길이)의 값의 차가 20% 미만인 경우를 말한다. 이러한 필러를 사용함으로써, 형광 물질과 필러가 서로 작용하여, 수지중에서 형광 물질을 양호하게 분산시킬 수 있어 색상의 얼룩이 억제된다. 더욱이, 형광 물질 및 필러는, 모두 중심 입경이 15㎛∼50㎛, 보다 바람직하게는 20㎛∼50㎛이면 바람직하고, 이와 같이 입경을 조정함으로써, 각 입자 사이에 바람직한 간격을 두고 배치시킬 수 있다. 이로 인해 광의 발췌 경로가 확보되어, 필러 혼입에 의한 광도 저하를 억제하면서 지향 특성을 개선시킬 수 있다. 또한, 이러한 입경 범위의 형광 물질 및 필러를 투광성 수지에 함유시켜 공판 인쇄법으로 투광성 수지를 형성하면, 투광성 수지를 경화한 후의 다이싱 공정에 있어서 장착되어 사용된 다이싱 블레이드를 복원시키면 드레서 효과를 가져올 수 있어 양산성이 향상된다.
다이싱 공정에 있어서, 양호한 드레서 효과를 얻기 위해서는, 필러로서 큰 입경의 것이 포함되어 있는 것이 바람직하고, 중심 입경이 15㎛∼50㎛, 바람직하게는 20㎛∼50㎛의 필러를 투광성 수지중에 함유시키면 효과적으로 장착되어 사용된 다이싱 블레이드를 복원시킬 수 있어 뛰어난 드레서 효과를 얻을 수 있다.
변형예 4.
(발광면)
본 발명에 있어서, 발광 다이오드의 발광면에 해당하는 투광성 수지의 표면은 곡면이어도 좋다. 특히, 실시형태 2에서 나타낸, 기판상에 수지를 몰드하는 타입의 발광 다이오드에서는, 패키지의 측벽에 의해 윗쪽에 광을 반사시킬 수 없기 때문에, 투광성 수지의 표면을 곡면으로 하여 원하는 지향 특성을 실현하도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 곡면인 발광면은, 필요로 하는 물질이 분산된 투광성 수지를, 개개의 발광 다이오드에 대응하여 각각 개구부가 형성된 마스크(39)(도 7 A)를 이용하여 공판 인쇄법에 의해 형성함으로써 실현할 수 있다. 도 7A, 도 7B에 그 모양을 도식적으로 나타낸다. 이와 같이 형성된 투광성 수지의 표면은, 통상 수지가 열경화된 후 곡면이 되지만, 마스크(39)의 재질 및 구조, 수지의 충전량에 대응시켜 소정의 형상으로 하는 것이 가능하다. 또한 이 방법에 의해, 발광 다이오드를 양산성 좋게 제조시킬 수 있다. 또한, 입경차가 있는 대입경 형광 물질과 소입경 형광 물질을 함유시킨 본 발명의 발광 다이오드를 장시간에 걸쳐 양산한 경우에도, 그 공정의 처음에 제작된 발광 다이오드와 나중에 제작된 발광 다이오드 사이에서의 발광 편차를 매우 작게 할 수 있어 제품 비율을 향상시킬 수 있다.
더욱이, 마스크(39)의 재료로서 실리콘을 사용함으로써 코스트를 저감시킬수 있는 데다, 실리콘과 투광성 수지와의 열팽창 차이 등에 의해, 원하는 곡면을 갖는 발광면을 형성할 수가 있다.
변형예 5.
본 실시형태 1 등에 있어서는 LED 칩과 패키지는 와이어에 의해 접속했으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, LED 칩을 패키지의 수납부(1a)에 도전성 부재를 이용하여 플립칩 본딩하도록 하고, LED 칩의 기판측에서 출력되는 광을 발췌하도록 해도 좋다.
즉, 패키지는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 절연 분리부(4)가 수납부(1a)(관통홀)내에 위치하고 그 양측에 금속 박판(2a, 2b)이 노출되어 있기 때문에, 절연 분리부(4)에 걸쳐 LED 칩을 얹고, LED 칩의 정부의 전극을 각각 직접 금속 박판(2a, 2b)에 접속하면 된다.
변형예 6.
또한, 상술한 실시형태 및 변형예의 발광 다이오드에서는 SMD형 발광 다이오드로 했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 실시형태 1에서 설명한 형광 물질 및/또는 에폭시 수지는 표시 디스플레이, 8 세그먼트형이나 포탄형 등 여러가지 형태의 발광 다이오드에 이용할 수 있다.
즉, 실시형태 1에서 설명한 형광 물질을 이용하면, 고출력의 발광 다이오드가 얻어지고, 실시형태 1에서 설명한 에폭시 수지를 이용하면 신뢰성이 높은 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
본 실시형태 1에 있어서 설명한 투광성 수지는, 발광 다이오드등의 발광 소자 뿐만 아니라, 포토 다이오드등의 수광 소자에도 적용할 수가 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예에 관해 설명한다. 또한, 본 발명은 이하에 나타낸 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1.
본 발명의 발광 다이오드로서, 도 8의 단면도에 나타낸 SMD형의 발광 다이오드를 제작한다. LED 칩(5)으로서, InGaN으로 이루어진 발광층을 갖고 주발광 피크가 470 nm인 LED 칩을 사용한다. 본 실시예 1의 발광 다이오드에 있어서, 패키지는 베이스 부분과 측벽 부분이 일체로 성형된 수지 성형체(24)로 이루어지고, 전극 리드(22a, 22b)가 수지(24)의 베이스 부분에 인서트 성형된다. LED 칩은 MOCVD 법을 이용하여 형성한다. 구체적으로는, 반응실내에 세정된 사파이어 기판을 셋트하고, 반응 가스로서, TMG(트리메틸)가스, TMI(트리메틸인듐)가스, TMA(트리메틸알루미늄)가스, 암모니아 가스 및 캐리어 가스로서 수소 가스, 더욱이 불순물 가스로서 실란 가스 및 시클로펜타디아마그네슘을 사용하여 성막한다.
LED 칩의 층구성으로서, 사파이어 기판상에, 저온 버퍼층인 AlGaN층, 결정성을 향상시키기 위한 논도프 GaN층(두께 약 15000Å), 전극이 형성되는 n형 콘택트층인 Si 도프된 GaN층(두께 약 21650Å),결정성을 향상시키기 위한 도프되지 않은 GaN층(두께 약 3000Å), 도프되지 않은 GaN (두께 약 50Å)과 Si를 도프한 GaN(두께 약 300Å)의 초격자로 이루어진 다층막(n형 클래드층), 발광층의 결정성을 향상시키기 위한 도프되지 않은 GaN(두께 약 40Å)과 도프되지 않은 InGaN(두께 약 20Å)의 초격자로 이루어진 다층막, 도프되지 않은 GaN(두께 약 250Å)과 InGaN(두께 약 30Å)으로 이루어진 다중 양자 우물 구조의 발광층, Mg이 도프된 InGaN(두께 약 25Å)과 Mg이 도프된 GaAlN(두께 약 40Å)의 초격자로 이루어진 다층막 및 p형 콘택트층인 Mg가 도프된 GaN층(두께 약 1200Å)을 순차로 성막한다.
이렇게 하여 복수의 질화물 반도체층이 성막된 반도체 웨이퍼를 부분적으로 에칭하여 n형 콘택트층의 일부를 노출시킨다. 그리고, 노출된 p형 및 n형 콘택트층상에 각각, 스퍼터링법을 이용하여 n형 및 p형의 전극을 형성한 후에, 개개의 LED 칩으로 분할하여 청색이 발광 가능한 LED 칩을 제작한다.
이상과 같이 하여 제작된 LED 칩을, 리드 전극(22a, 22b)이 수지(24)에 일체 성형되어 이루어진 성형체 패키지 오목부에 다이 본드 수지(6)에 의해 다이본드하고 LED 칩의 각 전극과 각 리드 전극(22a, 22b)을 각각 35㎛의 금선 와이어(7)를 사용하여 와이어 본딩하여 전기적으로 접속한다.
본 실시예 1에서는, 형광 물질로서 Y가 Gd로 약 2할 치환된, 중심 입경이 21.429㎛인 (Y0.8Gd0.2)2.965Al5O12:Ce0.035를 만들어 사용한다. 상기 형광 물질은 대입경 형광 물질과 소입경 형광 물질로 이루어져, 도 2A, 도 2B에 나타낸 부피 기준 입도 분포를 갖는다. 부피 기준 분포 곡선에 있어서, 기울기가 제로인 플랫 영역은, 누적치 4.6 vo1%, 입경 범위 1.371㎛∼8.379㎛이다. 즉, 전 형광 물질중의 4.6 vo1%는 1.371㎛보다 작은 입경을 갖는 소입경 형광 물질로 이루어지고, 나머지 95.6vol%는 8.379㎛보다 큰 입경을 갖는 대입경 형광 물질로 이루어진다. 이러한 분포를 갖도록, 침강법에 의해 분급된 형광 물질의 중심 입경은 21.4㎛이며, 상기 중심 입경에서의 빈도치는 29.12% 이다. 또한, 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 0.613㎛이며, 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 22.908㎛이다. 또한, 본 실시예 1에 있어서, 대입경 형광 물질의 입도 분포에 있어서의 표준 편차는 0.295이다.
CIE의 색도표에서 x, y=(0.33, 0.33)이 되는 광을 얻을 수 있도록, 조정된 형광 물질과 투광성 수지인 에폭시 수지를 중량비가 16:100가 되도록 혼합한다. 이렇게 해서 얻어진 형광 물질 함유 에폭시 수지를, LED 칩이 금선으로 한 쌍의 리드 전극에 접속된 패키지의 오목부내에 폿팅에 의해 충전하고 경화시켜 발광 다이오드를 형성시킨다.
이렇게 하여 형성함으로써, 고휘도 및 고출력을 갖고 백색이 발광 가능한 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
비교예 1.
비교상의 편의를 위해, 부피 기준 분포 곡선이 도 9A, 도 9B와 같은, 입도 분포 범위가 넓은 형광 물질이며, 중심 입경이 6.315㎛인 (Y0.8Gd0.2)2.965Al5O12:Ce0.035형광체를 사용하는 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 동일한 색점도의 발광 다이오드를 제작한다. 상기 비교예의 발광 다이오드의 광도 및 출력을 측정하면, 실시예 1의 발광 다이오드에 비해 광도는 약 35% 저하하고, 출력은 약 25% 저하한다. 이로 인해, 본 발명의 발광 다이오드가 백색계 등 색순도가 낮은 장파장측에서도 고휘도로 발광하는 것이 가능한 것을 알 수 있다.
한편, 본 비교예에 사용한 형광 물질의 입도 분포에 있어서의 표준 편차는 0.365이다.
실시예 2.
실시예 2로서, 형광 물질의 조성비를(Y0.995Gd0.005)2.750A15O12:Ce0.250으로 하고, 누적치가 0.077vol%이고 l.371㎛∼8.379㎛의 입경 범위에 걸쳐 플랫 영역을 갖고, 상기 형광 물질의 중심 입경은 25.626㎛, 상기 중심 입경에 있어서의 빈도치는 24.812%, 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 0.613㎛, 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 28.012㎛가 되도록 분급된 형광 물질을 사용하는 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 동일한 색점도의 발광 다이오드를 제작한다. 실시예 2의 발광 다이오드의 광도 및 출력을 측정하면, 실시예 1의 발광 다이오드에 비해, 광도는 약 18% 향상, 출력은 약 10% 향상된다. 실시예 2의 발광 다이오드에 의해, 실시예 l보다도 고휘도의 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
본 실시예 2에 있어서, 대입경 형광 물질의 입도 분포에 있어서의 표준 편차는 0.259이다.
실시예 3.
에폭시 수지와, 확산제로서 중심 입경이 2.5㎛인 SiO2를 중량비가 100:50이 되도록 혼합한 후에, 그 확산제 함유의 에폭시 수지중에 실시예 1의 형광 물질과같은 형광 물질을 혼합시키고, 그 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 1과 동일한 색점도의 발광 다이오드를 제작한다. 상기 실시예 3의 발광 다이오드는, 실시예 1과 동일한 휘도 및 출력을 얻을 수 있고, 또한 실시예 1에 비해 색상의 얼룩이 억제되어 양호한 색조를 얻을 수 있다.
실시예 4.
도 6에 나타낸 바와 같이, 기판상에 전기적으로 접속된 LED칩상에, 금형을 사용하여 형광 물질 함유의 투광성 수지를 배치시키는 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 동일한 색점도의 발광 다이오드를 제작한다. 평활한 발광면을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있고, 실시예 1과 동일한 특성을 얻을 수 있다.
실시예 5.
도 7A, 도 7B에 나타낸 바와 같이, LED 칩(5)이 전기적으로 접속된 기판(32)상에, 실리콘으로 이루어진 마스크(39)를 이용한 공판 인쇄법에 의해 형광 물질 함유의 투광성 수지를 형성하여 경화시키는 것 외에는 실시예1과 마찬가지로 하여, 동일한 색도점의 발광 다이오드를 제작한다. 상기 발광면이 곡면을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있고, 실시예 1보다 균일한 발광을 얻을 수 있다.
한편, 기판(32)에는 각 LED 칩에 대응하여 각각 정전극(32a, 32b)이 설치되어 있다.
실시예 6.
에폭시 수지와, 확산제로서 중심 입경이 2.5㎛인 SiO2를 중량비 100:50이 되도록 혼합한 후에, 실시예 2와 동일한 형광 물질을 혼합시키고, 더욱이 필러로서 중심 입경이 6㎛인 SiO2를 상기 에폭시 수지량에 대해 70 wt% 함유시킨 것을 투광성 수지로서 사용한다. 상기 투광성 수지를 LED 칩이 금선으로 한 쌍의 리드 전극에 접속된 벽면을 갖는 바구니 형태의 오목부내에 실시예 5와 마찬가지로 하여 공판 인쇄법에 의해 충전하고, 85℃×3시간, 더욱이 140℃×4시간 경화시켜, 실시예 1과 동일한 색도점의 발광 다이오드를 제작한다. 상기 실시예 6의 발광 다이오드는 수명이 더욱 향상되어, 균일한 발광을 갖는 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
실시예 7.
실시예 2와 동일한 형광 물질을 이용하여, 필러로서 상기 형광 물질과 동일한 입경을 갖는 중심 입경이 약 25㎛인 SiO2를 사용하는 것 외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여 발광 다이오드를 형성한다. 이로 인해 실시예 3보다 광도가 10% 향상된다.
실시예 8.
실시예 2와 동일한 형광 물질을 사용하여, 필러로서 상기 형광 물질과 원형도의 차가 10%이고 중심 입경이 약 25㎛인 SiO2를 사용하는 것 외에는 실시예 6과 마찬가지로 하여 발광 다이오드를 형성한다. 이로 인해 실시예 6 보다 광도가 l0% 향상된다.
실시예 9.
도 l0A 및 그 부분 확대도인 도 l0B에 나타낸 바와 같이, LED 칩(5)(실시예1과 동일한 것)을 광택 도금한 구리제의 마운트·리드(42a)의 캡부에 에폭시 수지(42)로 다이본드한 후, LED 칩(5)의 각 전극과 마운트·리드(42a) 및 세컨드·리드(42b)를 각각 직경이 30㎛인 와이어(7)를 사용하여 와이어 본딩한다. 이어서, CIE의 색도표에서 x, y=(0.33, 0.33)인 광을 얻을 수 있도록 실시예 2와 동일한 형광 물질과 투광성 수지인 에폭시 수지가 중량비가 5:100이 되도록 혼합된 것을 상기 마운트·리드의 캡내에 주입한 후, 150℃의 온도로 1시간 경화시켜 형광 물질 함유의 코팅부(48)를 형성한다. 더욱이 발광 관측면에서 보아 원형이 되도록, 투광성 에폭시 수지로 포탄형 렌즈(49)를 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 램프형 발광 다이오드는 실시예 l과 동일한 효과를 갖는다.
실시예 10.
실시예 2와 동일한 형광 물질과, 투광성 수지인 에폭시 수지와, 필러로서 상기 형광 물질과 원형도의 차가 10%이고 중심 입경이 약 25㎛인 SiO2와의 중량비가 100:10:35가 되도록 혼합된 것을 마운트·리드의 캡내에 주입하는 것 외에는 실시예 9와 마찬가지로 하여 램프형 발광 다이오드를 형성하면, 실시예 9보다 더욱 고휘도로 균일한 발광을 얻을 수 있다.
실시예 11.
리드 전극이 인서트 성형된 수지 패키지의 오목부내에 실시예 1과 동일한 LED 칩을 배치하고, 투광성 수지인 실리콘 수지와, 실시예 1과 동일한형광 물질과, 중심 입경이 약 13㎛인 Y2.965Al5O12:Ce0.035로 이루어진 형광 물질과, 중심 입경이 약0.5㎛인 SiO2를 중량비가 100:0.69:0.5:10이 되도록 혼합한 혼합 용액을 상기 오목부내에 충전시켜 발광 다이오드를 제작하면, 실시예 1과 동일한 효과를 갖고, 더욱이 연색성이 뛰어나 휘도가 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
실시예 12.
투광성 수지인 실리콘 수지와, 중심 입경이 약 30㎛인(Y0.9Gd0.1)2.965Al5O12:Ce0.035와, 실시예 2와 동일한 형광 물질과, 중심 입경이 약 0.5㎛인 SiO2를 중량비가 l00:0.69:0.5:10이 되도록 혼합한 혼합 용액을 상기 오목부내에 충전시키는 것 외에는 실시예 11과 마찬가지로 하여 발광 다이오드를 형성하면, 실시예 2와 동일한 효과를 갖고, 더욱이 연색성이 뛰어나고 휘도가 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
실시예 13.
본 실시예 13은 실시예 1의 제조 방법에 관한 실시예이다.
본 실시예 13에서는, 도 1에 나타낸 바와 같은 표면 실장형의 발광 다이오드를 제조한다. 본 실시예 l3에 있어서, LED 칩(5)은 발광층으로서 단색성 발광 피크가 가시광인 475 nm의 In0.2Ga0.8N 반도체를 발광층으로서 갖는 질화물 반도체 LED 칩을 사용한다. 보다 특히 LED 칩(5)은, 세정한 사파이어 기판상에 TMG(트리메틸갈륨)가스, TMI(트리메틸인듐)가스, 질소 가스 및 도펀트 가스를 캐리어 가스와 함께 흐르게 하고, MOCVD법으로 질화물 반도체를 성막함으로써 제작한다. 이 때, 도펀트가스로서 SiH4와 Cp2Mg를 절환함으로써 n형 질화물 반도체나 p형 질화물 반도체가 되는 층을 형성한다.
LED 칩(5)의 소자 구조로서는, 사파이어 기판상에,
저온에서 성장한 GaN으로 이루어진 버퍼층,
언도프된 질화물 반도체인 n형 GaN층,
n형 전극이 형성되는 Si 도프된 GaN층(n형 콘택트층),
언도프된 질화물 반도체인 n형 GaN층,
배리어층인 GaN층, 우물층을 구성하는 InGaN층, 배리어층인 GaN층을 1세트로 하고 GaN 층에 삽입된 InGaN 층을 5층 적층시킨 다중 양자 우물구조의 발광층,
Mg이 도프된 AlGaN층(p형 클래드층),
Mg이 도프된 GaN층(p형 콘택트층)을 순차 적층시킨다.
한편, p형 반도체는 성막 후 400 ℃ 이상에서 어닐한다.
적층 후, 에칭에 의해 사파이어 기판상의 질화물 반도체측의 동일면측에, p형 n형의 각 콘택트층 표면을 노출시킨다. 각 콘택트층상에, 스퍼터링법을 이용하여 정부 전극을 각각 형성한다. 한편, p형 질화물 반도체상의 전면에는 금속 박막을 투광성 전극으로서 형성시킨 후에, 투광성 전극의 일부에 베이스 전극을 형성한다. 완성된 반도체 웨이퍼를 스크라이브 라인을 뺀 후, 외력에 의해 분할한다. 이로 인해 발광 소자인 LED 칩을 제작한다.
이상과 같이 하여 제작한 LED 칩을, 실시예 1에서 설명한 패키지 어셈블리의각 관통홀내에 에폭시 수지에 의해 다이본딩하고, LED 칩의 각 전극과 금속 박막(2a, 2b)을 각각 금선으로 와이어 본딩하여 전기적으로 도통한다.
또한, 형광 물질은 이하와 같이 하여 제작한다.
우선, Y, Gd, Ce의 희토류 원소를 화학량론비로 산에 용해한 용해액을 수산(蓚酸)에서 공침시킨다. 이를 소성하여 얻어지는 공침 산화물과 산화 알루미늄을 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이에 플랙스로서 불화 바륨을 혼합하여 도가니에 채우고, 공기중 1400°C의 온도로 3시간 소성하여 소성품을 얻는다. 그 소성품을 수중에서 볼 밀에 의해 분쇄하여, 세정, 분리, 건조 후, 마지막으로 체를 통과시켜 중심 입경이 22㎛인 (Y0.995Gd0.005)2.750A15O12:Ce0.250형광 물질을 형성한다.
중심 입경이 0.3㎛인 SiO2를 20wt% 함유한 에폭시 수지에 대해, 상기 형광 물질을 17wt%, 중심 입경이 10㎛인 SiO2를 70wt% 더욱이 혼합 분산시킨 지환형 에폭시 수지 조성물(점도 8000 mPa·s)을, 시일링 부재의 재료로서 이용한다.
본 실시예 13에서는, 스테인레스로 이루어져 막 두께가 100㎛인 마스크(l12)를 사용한다. 마스크 설계는 실시예에서 설명한 도 3과 마찬가지이다. 이러한 마스크(112)에, LED 칩이 배치된 패키지 어셈블리를 관통홀의 개구측이 마스크(112)측을 향하도록 기판 승강 스테이지에 놓고 흡인하고, 마스크(112)에 접촉시킨다.
마스크(112)의 단에 상기 투광성 수지를 인쇄에 필요한 소정량 도포하고, 330 Pa까지 감압한다. 감압 완료후, 마스크(112)의 수직 라인에 대해 동작 방향으로 30도 기울인 헤라(14)에 0.10 Mpa의 인가 압력으로 에어압을 걸어 1 왕복째의왕 스키지를 행한다. 이어서, 챔버 내를 20000 Pa까지 가압한다. 가압 완료 후, 마스크(112)의 수직 라인에 대해 왕 스키지와 역방향인 동작 방향으로 35도 기울인 헤라(15)에 0.12 Mpa의 인가 압력으로 에어압을 걸어 1 왕복째의 복 스키지를 행한다. 상기 왕복 스키지를 2 왕복한다.
이어서, 기판 승강 스테이지를 강하시켜, 패키지 어셈블리를 마스크(112)에서 떼어 놓는다. 그 후, 투광성 수지를 85℃ 3시간으로 일시 경화시키고, 이어서 140℃ 4시간으로 2차 경화시킨다. 이렇게 하여 상기 관통홀상과 그 양단의 절연 기판 상면에 걸쳐 표면이 평활한 투광성 수지를 형성할 수 있다.
이어서, 필름 막 두께가 150㎛이고 그 점착층이 20㎛인 자외선 경화형 다이싱 점착 시트에, 패키지 어셈블리의 투광성 수지측을 점착층에 대향시켜 접착한다. 패키지 어셈블리의 저면측에서 다이싱 블레이드를 이용하여 개개의 발광 다이오드에 분할하기 위해 상기 패키지 어셈블리 및 다이싱 점착 시트의 100㎛의 깊이까지 절단눈을 넣는다. 마지막으로 자외선을 필름측에서 조사하여 점착층을 경화시켜 각 발광 다이오드로 분할한다. 이렇게 하여 얻어진 표면 실장형(SMD형)의 발광 다이오드를 500개 제작하여 불규칙성을 측정한 바, 다른 발광 다이오드간의 색도의 얼룩이 적고, 또한 각 발광 다이오드에 있어서 외관상의 발광 얼룩이 생기지 않는 것이 확인되었다.
비교예.
패키지 어셈블리의 하나의 관통홀에 대해 하나의 개구부가 대응하도록 형성한 마스크를 사용하는 것 외에는 실시예 13과 마찬가지로 하여 발광 다이오드를 제작했다. 얻어진 발광 다이오드의 상면은 충전시킨 투광성 수지가 양단의 기판 상면으로 샌다. 상기 발광 다이오드는, 다이싱용 점착 시트에 점착시켜 다이싱할 때에 각 발광 다이오드가 따로 따로가 된다.
또한 얻어진 발광 다이오드 500개를 관측하면, 실시예 1과 비교하여 상면측에는 끝말림이 생긴다. 또한 얻어진 발광 다이오드 500개를 실장하여 색온도의 제조 편차를 조사했다. 그 결과, 비교예의 발광 다이오드의 색도 도상의 면적과 비교하여 실시예 13의 발광 다이오드는 색온도의 제조 편차가 약 2할 정도 작아졌다.
실시예 14.
실시예 14로서, 무첨가된 가교 올리고머 함유 액경화성 에폭시 수지에, 상기 형광 물질을 15wt%, 중심 입경이 10㎛인 SiO2를 40wt% 혼합 분산된 지환형 에폭시 수지 조성물(점도 15000mPa·s)을, 시일링 부재의 재료로서 이용하는 것 외에는 실시예 13과 마찬가지로 하여 표면 실장형의 발광 다이오드를 제작한다. 본 실시예 l4의 발광 다이오드는, 실시예 13에 비교해 광도 및 출력이 함께 향상되며, 더욱이 신뢰성을 대폭 개선시킬 수 있다.
실시예 15.
실시예 15에서는, 형광 물질로서 Y가 Gd로 약 2할 치환된, 중심 입경이 21. 429㎛인 (Y0.8Gd0.2)2.965A15O12: Ce0.035를 실시예 13과 같은 방법으로 제작한다. 그 형광 물질은 대입경 형광 물질과 소입경 형광 물질로 이루어지고, 부피 기준 분포 곡선에 있어서, 기울기가 제로인 플랫 영역은 누적치 4.6 vo1%, 입경 범위1.37l㎛∼8.379㎛이다. 즉, 전 형광 물질중의 4.6 vo1%는 1.371㎛ 보다 작은 입경을 갖는 소입경 형광 물질로 이루어지고, 나머지 95.6 vol%는 8.379㎛ 보다 큰 입경을 갖는 대입경 형광 물질로 이루어진다. 이러한 분포를 갖도록 침강법에 의해 분급된 형광 물질의 중심 입경은 21.4㎛이며, 상기 중심 입경에 있어서의 빈도치는 29.12% 이다. 또한, 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 0.613㎛이며, 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 22.908㎛이다. 이러한 입도 분포를 갖는 형광 물질을 사용하면, 광도 및 발광 출력을 향상시킬 수 있다.
본 실시예 15에서는 상기 형광 물질을 15 wt% 수지 조성물에 함유시키는 것 외에는 실시예 14와 마찬가지로 하여 표면 실장형의 발광 다이오드를 제작한다. 실시예 15의 발광 다이오드는, 실시예 14와 마찬가지 효과를 얻을 수 있음과 동시에, 실시예 14 보다 고휘도의 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
실시예 16.
실시예 16에서는, 본 발명에 관한 에폭시 수지인 4종류의 수지 C,D,E,F와, 비교예의 수지 A, B를 제작하여 각각의 특성을 평가했다.
1.에폭시 수지 조성물의 제작
에폭시 수지 조성물 A 내지 F를 이하의 조건으로 제작했다. 산무수물을 첨가한 경우는 카르복실기의 에스테르 전환율도 평가했다. 에스테르 전환율은, 산무수물이 갖는 카르복실기 중 에스테르 결합으로 변화된 비율을 mol %로 나타낸 것이며, KOH 수용액에 의한 중화 반응에 의해 평가했다. 특히, 에폭시 수지 1.00g을 에탄올 50 mL로 용해시키고, 0.l NKOH 수용액을 첨가하여, BTB 지시약이 황색에서 청색(pH 7.6)으로 변색되는 점을 중화점으로 하여, 중화에 필요한 KOH 수용액량에서 에스테르화되지 않은 카르복실기량을 구했다.
(수지 A:비교예)
300mL의 4개의 □플라스크에, 지환형 에폭시 수지로서 시클로헥산에폭시화물 유도체인 3,4-에폭시시클로헥산카르복실산 3′4′-에폭시시클로헥실메틸을 256g(1.95e.eq)과, 양이온 경화제로서 방향족 술포늄염(어니온종은 6불화 안티몬)인 벤질술포늄염계 촉매인 6불화 안티몬산 벤질메틸 P-히드록시페닐술포늄 0. 6g을 가하여, 0. 5시간 교반한 후, 85℃에서 3시간 가열하고, 140℃에서 4시간 더 가열하여 경화시켰다.
(수지 B:비교예)
수지 A의 성분에, 더욱이 반응성 희석제로서 프로필렌글리콜모노글리시딜에테르를 7.68g(에폭시 수지에 대해 3 wt%)가하여, 0.5시간 교반한 후, 85℃에서 3시간 가열하고, 140℃에서 4시간 더 가열하여 경화시켰다.
(수지 C:본 발명)
300 mL의 4개의 □플라스크에, 지환형 에폭시 수지로서 3,4-에폭시시클로헥산카르복실산 3′4′-에폭시시클로헥실메틸 256g(1.95 e.eq)과, 산무수물로서 4-메틸헥사히드로무수프탈산/헥사히드로무수프탈산=70/30의 혼합물 104.29g (6.09×10-1몰)과, 조촉매로서 에틸렌글리콜 2.56 g(4.12× 1O-2몰)과, 양이온 경화제로서 벤질술포늄염계 촉매인 6불화 안티몬산벤질메틸 P-히드록시페닐술포늄 0.6 g을 가하여,0.5시간 교반한 후, 카르복실기의 에스테르 전환율을 측정하니 0% 였다. 측정 후, 85℃에서 3시간 가열하고, 140℃에서 4시간 더 가열하여 경화시켰다.
(수지 D:본 발명)
300mL의 4개의 □플라스크에, 지환형 에폭시 수지로서 3,4-에폭시시클로헥산카르복실산 3′4′-에폭시시클로헥실메틸 256g(1.95 e.eq)과, 산무수물로서 4-메틸헥사히드로무수프탈산/헥사히드로무수프탈산=70/30의 혼합물 9.57g(5.69×10-2몰)과, 조촉매로서 에틸렌글리콜 1.77g(2. 85×10-2몰)을 가하여, 맨틀 히터로 서서히 온도를 높여, 90∼100℃에서 16시간 가열했다. 실온까지 서서히 냉각한 후, 양이온 경화제로서 벤질술포늄염계 촉매인 6불화 안티몬산 벤질메틸 P-히드록시페닐술포늄 0.6g을 가하여, 0. 5 시간 교반한 후, 카르복실기의 에스테르화율을 측정하니 90.6% 였다. 측정 후, 85℃에서 3시간 가열하고, 140℃에서 4시간 더 가열하여 경화시켰다.
(수지 E:본 발명)
지환형 에폭시 수지인 3,4-에폭시시클로헥산카르복실산 3′4′-에폭시시클로헥실메틸을 256g(1.95 e. eq), 산무수물인 4-메틸헥사히드로무수프탈산/헥사히드로무수프탈산= 70/30의 혼합물을 15.95 g (9.48×10-2몰), 조촉매인 에틸렌 글리콜을 2.95g(4.75×10-2몰), 양이온 경화제인 벤질술포늄염계 촉매인 6불화 안티몬산 벤질메틸 P-히드록시페닐술포늄을 0.6 g으로 하는 것 외에는, 수지 D와 마찬가지로하여 에폭시 수지 조성물을 제작했다. 카르복실기의 에스테르화율은 94.2% 였다.
(수지 F:본 발명)
지환형 에폭시 수지인 3,4-에폭시시클로헥산카르복실산 3′4′-에폭시시클로헥실메틸을 256g (1.95 e.eq), 산무수물인 4-메틸헥사히드로무수프탈산/헥사히드로무수프탈산= 70/30의 혼합물을 25.52g (1.52×10-1몰), 조촉매인 에틸렌글리콜을 4.72g (7.60×l0-2몰), 양이온 경화제인 벤질술포늄염계 촉매인 6불화 안티몬산 벤질메틸 P-히드록시페닐술포늄을 0.6g으로 하는 것 외에는, 수지 D와 마찬가지로 하여 에폭시 수지 조성물을 제작했다. 카르복실기의 에스테르화율은 92.4% 였다.
2. 가요성 평가
에폭시 수지 조성물 A 내지 F를 사용하여 도 1에 나타낸 구조의 발광 다이오드를 제작하여, 액상 충격 시험을 함으로써 수지의 가요성을 평가했다.
한편, 이 평가에 이용한 발광 다이오드는, 에폭시 수지 조성물에 형광 물질은 혼합하지 않는다.
액상 충격 시험은, -40℃의 액상에 1분간 담금, 및 100℃의 액상에 1분간 담금을 l사이클로 하고, 500∼2500 사이클 행한 후에, LED 칩에의 크랙 발생 또는 와이어 오픈에 의한 동작 불량의 발생율을 조사했다(시험 개수는 100개).
평가 결과를 표 1에 나타낸다. 지환형 에폭시 수지를 양이온 경화제로만 경화한 수지 A에서는, 시험 초기보다 크랙에 의한 동작 불량이 발생하고, 1000 사이클 후에는 동작 불량율이 100%가 되었다. 반응성 희석제를 가하여 가요성을 개선한수지 B에서는, 2500 사이클 후에 7%의 동작 불량이 발생했다. 한편, 본 발명에 관한 수지 C, D, E, F는 모두가 2500 사이클후의 동작 불량이 4% 이하이며, 특히, 에스테르화가 진행된 수지 D, E, F에서는 동작 불량이 0% 였다. 본 발명에 관한 에폭시 수지 조성물은, 종래의 반응성 희석제에 의해 가요성을 개선한 에폭시 수지보다도 가요성이 뛰어난 것을 확인할 수 있었다.
동작불량 발생률 동작불량원인
500 1000 1500 2000 2500
cycle cycle cycle cycle cycle
수지A:비교예 39% 100% 100% 100% 100% 크랙
수지B:비교예 0% 0% 1% 4% 7% 크랙
수지C:실시예 1% 1% 3% 3% 4% 크랙
수지D:실시예 0% 0% 0% 0% 0% -
수지E:실시예 0% 0% 0% 0% 0% -
수지A:실시예 0% 0% 0% 0% 0% -
3. 내광성(황색화)평가
에폭시 수지 조성물 B, F를 사용하여 내광성 시험을 했다. 30×30×3 mm의 테스트 피이스를 제작하고, 120℃의 온도 조건하에서 크세논 램프를 100시간 조사하여, 램프 조사 전후의 전광선 투과율의 변화를 조사했다. 투과율 측정은 분광측 색계(무라카미 색채 연구소 제조)를 이용했다. 측정 결과를 도 11A 및 도 1lB에 나타낸다. 도 11A는 조사전의 전광선 투과율, 도 1lB는 조사후의 전광선 투과율을 나타낸다. 종래의 에폭시 수지 조성물인 반응성 희석제를 첨가한 수지 B는, 초기부터 단파장역의 투과율이 내려가 황색이 되고, 내광성 시험에 의해 단파장역의 투과율이 더욱 저하하여 황색화가 현저히 진행되었다.
한편, 본 발명의 에폭시 수지 조성물인 수지 F는, 초기에도 내광성 시험후에도 전혀 착색은 보이지 않았다.
4. 내열성 평가
에폭시 수지 조성물 A, B, F를 사용하여 내광성 시험을 했다. 30×30×3mm의 테스트 피이스를 제작하고, 120℃의 오븐속에서 500시간 가열하여, 가열 전후의 전광선 투과율의 변화를 조사했다. 투과율 측정은, 분광 측색계(무라카미 색채 연구소 제조)를 이용했다. 측정 결과를 도 12A 및 도 12B에 나타낸다. 도 12A는 조사전의 전광선 투과율, 도 12B는 조사후의 전광선 투과율을 나타낸다.
종래의 에폭시 수지 조성물인, 양이온 경화제를 첨가한 수지 A는, 초기는 본 발명의 에폭시 수지 조성물인 수지 F와 동등한 투과율을 갖고 있었지만, 내열성 시험에 의해 단파장역의 투과율이 저하하여 황색화가 진행되었다.
또한, 반응성 희석제를 첨가한 수지 B는, 초기부터 단파장역의 투과율이 내려가 황색이 되고, 내열성 시험에 의해 단파장역의 투과율이 더욱 저하하여 황색화가 현저히 진행되었다.
한편, 본 발명의 에폭시 수지 조성물인 수지 F는, 초기에 착색은 없고, 내열성 시험에 의해 황색화가 진행되긴 하지만 수지 B보다도 양호한 내열성을 나타냈다.
5. LED 통전 라이프 평가
에폭시 수지 조성물 B 및 F를 사용하여 도 1에 나타낸 구조의 발광 다이오드를 제작하고, 실온(25℃)과 고온 고습(85℃, 85%)에서의 통전 라이프 시험(전류치 10mA)을 행했다. 도 l3 및 도 l4는 각각 실온 및 고온고습의 통전 라이프중에서의LED의 상대 출력치 P0%(초기를 100%로 한 출력의 상대치)의 변화를 조사한 그래프이다. 도 13 및 도 14에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물 F는, 종래의 에폭시 수지 조성물 B에 비해 라이프중의 LED 출력의 저하가 적었다.
6.가사 시간(pot life)평가
에폭시 수지 조성물 B 및 F를 사용하여, 50℃하에서의 점도의 경시 변화를 조사했다. 평가 결과를 도 15에 나타낸다. 종래의 에폭시 수지 조성물 B의 가사 시간이 약 25시간인 데 대해, 본 발명의 에폭시 수지 조성물 F의 가사 시간은 약 40시간이었다.
실시예 17.
실시예 17로서, 도 1에 나타낸 표면 실장형의 발광 다이오드를 제작했다. 이 실시예 17의 발광 다이오드에서는 투광성 수지에 형광 물질을 혼합했다. LED 칩(5)은 발광층으로서 단색성 발광 피크가 가시광인 475 nm의 In0.2Ga0.8N 반도체를 갖는 질화물 반도체 소자를 사용한다. 즉, 본 실시예17에 있어서, LED 칩은 실시예 13과 같은 것을 사용했다.
또한, 패키지도 실시예 13과 같은 것을 사용했다. 또한, 형광 물질도 실시예 13과 같은 것을 사용했다.
그리고, 상기 수지 F에 대해, 상기 형광 물질을 15wt%, 중심 입경이 10㎛인 SiO2를 40wt% 혼합 분산된 지환형 에폭시 수지 조성물(점도 15000mPa·s)을 투광성 수지로서 제작했다.
이하, 실시예 13과 마찬가지로, 발광 다이오드를 500개 제작했다.
이렇게 하여 얻어진 발광 다이오드 500개의 편차를 측정했더니, 발광 다이오드간의 색도의 편차가 적고, 또한 각 발광 다이오드에 있어서 외관상의 발광 얼룩도 생기지 않는 것이 확인되었다. 또한, 수지 A를 사용하는 경우와 비교하여 대폭으로 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
비교예
수지 A를 사용하고, 또한 절연성 기판의 하나의 관통홀에 대해 하나의 개구부를 형성한 마스크를 이용하여 제작한 것 외에는 실시예 17과 마찬가지로 발광 다이오드를 제작하면, 발광의 얼룩이 나타나 균일한 발광을 얻을 수 없다. 또한, 실시예 17과 비교하여 신뢰성이 저하한다.
실시예 18
형광 물질로서 실시예 15와 같은 것을 사용하고, 그 형광 물질을 15 wt% 수지 F에 함유시키는 것 외에는 실시예 17과 마찬가지로 발광 다이오드를 제작했다.
상기 실시예 18의 발광 다이오드는 실시예 1과 동일 효과를 얻을 수 있음과 동시에, 실시예 17보다 고휘도의 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
이하의 실시예는 형광 물질의 합성에 관한 실시예이다.
실시예 19(환원 분위기중에서 2단계 소성에 의해 형광 물질을 합성)
이하의 실시예는 발광 다이오드에 알맞은 형광 물질의 제조 방법에 관한 것이다.
실시예 19의 방법에서는, 우선, 원하는 형광 물질의 조성이 되도록 조정된혼합 재료에 플럭스를 혼합하여 도가니에 채우고, 약환원 분위기중 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하여, 얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다.
이와 같이, 형광 물질을 형성하는 데 있어서, 혼합 원료와 플럭스로 이루어진 혼합물을 약환원 분위기중에서 행하는 제1 소성 공정과, 환원 분위기중에서 행하는 제2 소성 공정으로 이루어진 2단계로 소성함으로써, 여기 파장의 흡수 효율이 높은 형광 물질을 얻을 수 있다. 이로 인해, 예를 들어, 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에, 원하는 색조를 얻기 위해서 필요한 형광 물질량을 줄일 수 있어, 광발췌 효율이 높은 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
실시예 20(각 원료의 산화물을 화학량론비로 혼합하여 형성. 플럭스: 불화 알루미늄)
본 실시예 20의 방법에서는 우선, Y2O3, GaO3, A12O3, 및 CeO2를 화학량론비에 의해 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이 혼합 원료에 대해, 불화 알루미늄을 플럭스로서 첨가하고, 볼밀 혼합기로 2시간 혼합한다. 이어서, 볼을 제거한 후, 약환원 분위기중 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하여, 얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다. 이렇게 해서 얻어진 형광 물질에 청색 영역의 여기광을 조사하면, 형광 물질은 색좌표(JISZ8110)에 있어서, (x, y)=(0.457, 0.527)의빛을 발하고, 예를 들어, 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에, 실시예 19와 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
실시예 21 (실시예 20에 있어서 플럭스를 불화 바륨 + 붕산으로 했다)
본 실시예 21의 방법에서는 우선, Y2O3, GaO3, A12O3, 및 CeO2를 화학량론비에 의해 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이 혼합 원료에 대해, 불화 바륨 및 붕산을 플럭스로서 첨가하여, 볼밀 혼합기로 2시간 혼합한다. 이어서, 볼을 제거한 후, 약환원 분위기중 l400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱이 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하여, 얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 형광 물질에 청색 영역의 여기광을 조사하면, 형광 물질은 색좌표(JISZ8110)에 있어서, (x, y)=(0.454, 0.531)의 광을 발한다.
이와 같이, 불화 바륨을 플럭스로서 사용하여 형성된 형광 물질은 다른 물질을 플럭스로서 사용한 경우와 비교하여 색도의 y치가 길어져 붉은 성분이 감소한다.
본 실시예 21의 방법에 의해 제작된 형광 물질은, 예를 들어, 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에 실시예 19와 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
실시예 22 (실시예 21에 있어서 소성시에 액체를 10 wt% 첨가)
본 실시예 22의 방법에서는 우선, Y2O3, GaO3, A12O3, 및 CeO2를 화학량론비에 의해 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이 혼합 원료에 대해, 불화 바륨 및 붕산을 플럭스로서 첨가하고, 볼밀 혼합기로 2시간 혼합한다.
이어서, 볼을 제거한 후, 상기 혼합 분체에 대해 10 wt%의 액체, 예를 들어 순수를 가하여 혼합하고, 약환원 분위기중 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성한다. 얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 형광 물질에 청색 영역의 여기광을 조사하면, 형광 물질은 색좌표(JlSZ8110)에 있어서, (x, y)=(0.455, 0.530)의 광을 발한다.
본 실시예 22의 방법에 의해 제작된 형광 물질은, 예를 들어, 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에, 실시예 19와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
실시예 23 (실시예 21에 있어서 소성시에 액체를 37. 5 wt% 첨가)
본 실시예 23의 방법에서는 우선, Y2O3, GaO3, A12O3, 및 CeO2를 화학량론비에 의해 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이 혼합 원료에 대해, 불화 바륨 및 붕산을 플럭스로서 첨가하고, 볼밀 혼합기로 2시간 혼합한다. 이어서, 볼을 제거한 후, 상기 혼합 분체에 대해 37. 5 wt%의 액체, 예를 들어 순수를 가하여 혼합하고, 약환원 분위기중 l400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱이 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성한다.
얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 형광 물질에 청색 영역의 여기광을 조사하면, 형광 물질은 색좌표(JISZ8110)에 있어서, (x, y)=(0.458, 0.528)의 광을 발한다.
본 실시예 23의 방법에 의해 제작된 형광 물질은, 예를 들어 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에, 실시예 19와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
실시예 24 (실시예 21에 있어서 소성시에 액체를 62 wt% 첨가)
본 실시예 23의 방법에서는 우선, Y2O3, GaO3, A12O3, 및 CeO2를 화학량론비에 의해 혼합하여 혼합 원료를 얻는다. 이 혼합 원료에 대해, 불화 바륨 및 붕산을 플럭스로서 첨가하고, 볼밀 혼합기로 2시간 혼합한다.
이어서, 볼을 제거한 후, 상기 혼합 분체에 대해 62 wt%의 액체, 예를 들어 순수를 가하여 혼합하고, 약환원 분위기중 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성하고, 더욱 환원 분위기중에서 1400℃∼1600℃에서 6∼8시간 소성한다. 얻어진 소성품을 분쇄하여 200 메쉬의 체에 통과시켜 형광 물질을 형성한다. 이렇게 해서 얻어진 형광 물질에 청색 영역의 여기광을 조사하면, 형광 물질은 색좌표(JISZ8110)에 있어서, (x, y)=(0.461, 0.526)의 광을 발한다.
본 실시예 24의 방법에 의해 제작된 형광 물질은, 예를 들어 도 1에 나타낸 발광 다이오드에 적용한 경우에, 실시예 19와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 발광 얼룩이 적고 신뢰성 및 양산성이 뛰어난 발광 다이오드를 제공할 수 있고, 산업상의 이용 가치가 매우 높다.

Claims (33)

  1. 발광층이 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 LED 칩과, 상기 LED 칩으로부터 발광하는 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 발광하는 형광 물질이 함유된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,
    상기 형광 물질은, 소입경 형광 물질과 대입경 형광 물질을 포함하여 이루어지고, 상기 대입경 형광 물질은 상기 투광성 수지에 있어서 상기 LED 칩의 근방에 분포되어 색변환층을 형성하고, 상기 소입경 형광 물질은 상기 투광성 수지에 있어서 상기 색변환층의 외측에 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대입경 형광 물질은 그 입경이 10㎛∼60㎛의 범위로 조정되는 발광 다이오드.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 소입경 형광 물질은 그 입경이 0.2㎛∼1.5㎛의 범위로 조정되는 발광 다이오드.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 상기 소입경 형광 물질의 빈도피크 입경치의 20배∼90배의 범위로 설정된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 발광층이 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 LED 칩과, 상기 LED 칩으로부터 발광하는 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 발광하는 형광 물질이 함유된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,
    상기 형광 물질은, 부피 기준 입자밀도 분포 곡선에 있어서, 누적치 0.01 vo1%∼10 vo1%의 사이에서 기울기가 제로인 플랫 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 형광 물질은 상기 플랫 영역을 경계로 하는 소입경 형광 물질 및 대입경 형광 물질로 이루어지고, 상기 대입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치는 상기 소입경 형광 물질의 빈도 피크 입경치의 20배∼90배인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형광 물질의 중심 입경은 15㎛∼50㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 중심 입경의 빈도치는 20%∼50%의 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투광성 수지는 상기 형광 물질과 함께 확산제를 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투광성 수지의 발광면이 곡선으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  11. 음양의 전극을 구성하는 한쌍의 금속 박판이 절연 수지에 의해 전기적으로 분리되도록 접합되어 이루어진 금속 베이스와 수납부를 형성하기 위해 상기 금속 베이스의 한쪽 면의 주위에 접합된 측벽부로 이루어진 패키지와,
    상기 수납부에 설치된 LED 칩과,
    상기 LED 칩을 시일링하도록 상기 수납부에 충전된 투광성 수지를 구비한 발광 다이오드에 있어서,
    상기 투광성 수지는 상기 수납부로부터 그 주위의 측벽부의 상면에 연속하여 형성되어 있고, 그 투광성 수지의 상면은 평탄하고 상기 금속 베이스와 거의 평행하며, 또한 상기 투광성 수지의 외주 측면은 상기 패키지의 외주 측면과 거의 동일면상에 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 투광성 수지는 필러를 포함하는 발광 다이오드.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 필러는, 상기 LED 칩으로부터 발광하는 광의 일부를 흡수하여 다른 파장을 발광하는 것이 가능한 형광 물질을 포함하는 발광 다이오드.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 형광 물질은 중심 입경이 15㎛∼50㎛의 범위에 설정된 발광 다이오드.
  15. 수납부에 각각 대응하는 복수의 관통홀이 그룹으로 나뉘어져 형성된 절연 기판과, 상기 각 관통홀에 대응하여 상기 절연 수지에 의해 분리된 부분을 갖는 금속 베이스판을 접합함으로써 복수의 패키지의 집합체로 이루어진 패키지 어셈블리를 제작하는 제1 공정과,
    상기 관통홀에 의해 형성된 각 패키지의 수납부에 LED 칩을 실장하는 제2 공정과,
    상기 각 그룹에 대응하여 하나의 개구부가 형성된 마스크를 이용하여 공판 인쇄에 의해 상기 절연성 기판의 상면과 상기 관통홀내에 상기 투광성 수지를 도포하여 경화시키는 제3 공정과,
    상기 투광성 수지가 형성된 패키지 어셈블리를 각 패키지마다 분할하는 제4 공정을 포함하는 제 1 항에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 공판 인쇄는 감압 및 가압을 반복적으로 행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제조하는 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 투광성 수지는 필러를 포함하는 발광 다이오드를 제조하는 방법.
  18. 65 중량% 이상이 지환형 에폭시 수지로 이루어진 에폭시 수지와, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해 0.005 ∼1.5몰의 일반식(1)로 나타낸 산무수물 또는 일반식(2)로 나타낸 디카르복실산과,
    (식 중, R1은 탄소수 0∼12의 환식 또는 지방족 알킬 또는 아릴, R2는 탄소수 0∼12의 알킬 또는 아릴)
    상기 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해 0.0001∼0.01 몰의 양이온 경화제를 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 지환형 에폭시 수지가, 시클로헥센에폭시화물유도체, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 헥사히드로프탈산디글리시딜에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 에폭시 수지 조성물.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 양이온 경화제가, 방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄염, 방향족 요드늄염 및 방향족 셀레늄염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 에폭시 수지 조성물.
  21. 제 18 항에 있어서,
    산무수물 또는 디카르복실산에 대해 0.1∼5.0 당량의 다가 알콜 또는 그 축중합체를 더욱 포함하는 에폭시 수지 조성물.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 다가 알콜이, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올 및 1,6-헥산디올로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 에폭시 수지 조성물.
  23. 제 18 항에 따른 에폭시 수지와 제 18항에 따른 산무수물 또는 디카르복실산을 반응시켜 가교 올리고머를 얻은 후에, 상기 가교 올리고머에 상기 양이온 경화제를 혼합하는 것을 포함하는 제 18 항에 따른 에폭시 수지 조성물의 제조 방법.
  24. 적어도 한 쌍의 리드 전극과, 상기 리드 전극에 전기적으로 접속된 광반도체 칩과, 상기 광반도체 칩을 시일링하는 몰드 수지를 포함하는 광반도체 소자로서,
    상기 몰드 수지가, 제 18 항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 광반도체 소자.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 광반도체 소자가, 상기 리드 전극을 형성한 기판 표면에 상기 광반도체 칩을 접합한 표면 실장형인 것을 특징으로 광반도체 소자.
  26. 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 광반도체 칩이, 적어도 In과 Ga를 함유하는 질화물 반도체로 이루어진발광층을 갖고, 주발광 피크가 550 nm 이하의 발광 다이오드인 광반도체 소자.
  27. 원료와 플럭스를 혼합하여 소성함으로써 형광 물질을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 소성 공정은, 제1 환원 분위기중에서 소성하는 제1 소성 공정과 제2 환원 분위기중에서 소성하는 제2 소성 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 환원 분위기는 상기 제2 환원 분위기보다 약한 환원성 분위기인 것을 특징으로 하는 형광 물질의 제조 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 플럭스는 불화 알루미늄으로 이루어진 형광 물질의 제조 방법.
  29. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 플럭스는 불화 바륨과 붕산을 포함하는 형광 물질의 제조 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 플럭스는 액체를 포함하는 형광 물질의 제조 방법.
  31. 원료와 플럭스를 혼합하여 소성함으로써 형광 물질을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 플럭스는 불화 바륨과 붕산과 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광 물질의 제조 방법.
  32. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 액체가 물인 형광 물질의 제조 방법.
  33. 제 27 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원료는 Y2O3, GdO3, Al2O3및 CeO2을 포함하는 형광 물질의 제조 방법.
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KR1020077025074A KR100839140B1 (ko) 2001-01-24 2002-01-24 발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법
KR1020077025075A KR100839577B1 (ko) 2001-01-24 2002-01-24 발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법
KR1020077025072A KR100849125B1 (ko) 2001-01-24 2002-01-24 발광 다이오드, 광반도체 소자 및 광반도체 소자에 적합한에폭시 수지 조성물 및 그들의 제조방법

Country Status (9)

Country Link
US (3) US6960878B2 (ko)
EP (3) EP2061096B1 (ko)
JP (1) JP3428597B2 (ko)
KR (4) KR100839140B1 (ko)
CN (3) CN1305960C (ko)
HK (3) HK1080606A1 (ko)
MY (2) MY145695A (ko)
SG (2) SG145544A1 (ko)
WO (1) WO2002059982A1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040044701A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR100665180B1 (ko) * 2005-05-31 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US7728438B2 (en) 2003-06-05 2010-06-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100973956B1 (ko) * 2007-03-13 2010-08-05 샤프 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 반도체 발광 장치용 다연 리드프레임
WO2011129518A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and method for fabricating the same
KR101309765B1 (ko) * 2007-03-29 2013-09-23 서울반도체 주식회사 색 편차를 줄인 발광 다이오드 패키지

Families Citing this family (351)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6924596B2 (en) * 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20030236388A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-25 General Electric Company Epoxy polymer precursors and epoxy polymers resistant to damage by high-energy radiation
TWI329367B (en) * 2002-06-13 2010-08-21 Cree Inc Saturated phosphor solid state emitter
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6879040B2 (en) * 2002-09-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Surface mountable electronic device
ATE543221T1 (de) 2002-09-19 2012-02-15 Cree Inc Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür
JP4292794B2 (ja) * 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
TW200412682A (en) * 2003-01-13 2004-07-16 Solidlite Corp Pink LED
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US20090185392A1 (en) * 2003-03-26 2009-07-23 Optim, Inc. Detachable illumination system
KR100609830B1 (ko) * 2003-04-25 2006-08-09 럭스피아 주식회사 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
AT501081B8 (de) * 2003-07-11 2007-02-15 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led sowie led-lichtquelle
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
EP1659335A4 (en) 2003-08-28 2010-05-05 Mitsubishi Chem Corp LIGHT DISPENSER AND PHOSPHORUS
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
JP2005093712A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7307286B2 (en) * 2003-10-16 2007-12-11 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
TWI291770B (en) * 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP2005158795A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード及び半導体発光装置
CN100377370C (zh) * 2003-11-22 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管和面光源装置
KR100537560B1 (ko) * 2003-11-25 2005-12-19 주식회사 메디아나전자 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법
JP4562118B2 (ja) * 2003-12-19 2010-10-13 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US8174036B2 (en) * 2003-12-30 2012-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device
JP4653662B2 (ja) * 2004-01-26 2011-03-16 京セラ株式会社 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
TWI250664B (en) * 2004-01-30 2006-03-01 South Epitaxy Corp White light LED
JP2005268581A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
TWI286393B (en) * 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
WO2005117071A2 (de) * 2004-05-31 2005-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
DE102004040468B4 (de) * 2004-05-31 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement
US20050280354A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Shin-Lung Liu Light emitting diode
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004064150B4 (de) * 2004-06-29 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz
KR20060000977A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
WO2006006582A1 (ja) * 2004-07-13 2006-01-19 Fujikura Ltd. 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ
US20060011926A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Chia Chee W Light-emitting diode device with resecurable connection
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7265488B2 (en) * 2004-09-30 2007-09-04 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd Light source with wavelength converting material
DE102004060358A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7866853B2 (en) * 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
WO2006064930A1 (ja) * 2004-12-17 2006-06-22 Ube Industries, Ltd. 光変換構造体およびそれを利用した発光装置
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
TWI239670B (en) * 2004-12-29 2005-09-11 Ind Tech Res Inst Package structure of light emitting diode and its manufacture method
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
KR100678285B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-02 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 양자점 형광체 및 그의 제조방법
JP4923408B2 (ja) * 2005-01-26 2012-04-25 パナソニック株式会社 発光装置の製造方法
DE102005004931B4 (de) * 2005-02-03 2008-02-21 Albis Plastic Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US7710016B2 (en) 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
JP2006245020A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US20090008663A1 (en) * 2005-02-28 2009-01-08 Mitshubishi Chemcial Phosphor and method for production thereof, and application thereof
JP4788944B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-05 株式会社フジクラ 粉末状蛍光体とその製造方法、発光デバイス及び照明装置
CN100377376C (zh) * 2005-03-21 2008-03-26 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管反射盖制造方法
JP2006310771A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置
US20060226772A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Tan Kheng L Increased light output light emitting device using multiple phosphors
DE102005019376A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
JP4991173B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-01 京セラ株式会社 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置
US7868302B2 (en) * 2005-05-05 2011-01-11 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Nano-particle/quantum dot based optical diode
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
CN101851432B (zh) * 2005-06-14 2012-10-17 电气化学工业株式会社 含有荧光体的树脂组合物及片材，以及使用其的发光元件
US7980743B2 (en) * 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
WO2007002244A2 (en) * 2005-06-22 2007-01-04 Solid State Devices, Inc. High temperature packaging for electronic components, modules and assemblies
EP1899435A4 (en) * 2005-07-01 2010-06-02 Lamina Lighting Inc LIGHTING DEVICE WITH WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND DIODE ARRANGEMENTS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THEM
US8575632B2 (en) 2005-08-04 2013-11-05 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member
DE102005040558A1 (de) * 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070153495A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Wang Michael Dongxue Illumination mechanism for mobile digital imaging
KR101019765B1 (ko) * 2006-01-04 2011-03-04 로무 가부시키가이샤 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR100673765B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2009524247A (ja) 2006-01-20 2009-06-25 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド ルミファー膜を空間的に分離することにより固体光発光素子におけるスペクトル内容をシフトすること
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR100635514B1 (ko) 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4456092B2 (ja) * 2006-01-24 2010-04-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100671641B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
US8164257B2 (en) * 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100685853B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100688796B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100671647B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR100732808B1 (ko) * 2006-01-26 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조방법
JP4633674B2 (ja) 2006-01-26 2011-02-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100671639B1 (ko) * 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100688790B1 (ko) * 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2007207921A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型光半導体デバイスの製造方法
JP4954569B2 (ja) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
JP5049336B2 (ja) * 2006-03-21 2012-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ エレクトロルミネセントデバイス
KR100732817B1 (ko) 2006-03-29 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8469760B2 (en) 2006-03-31 2013-06-25 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light emitting device and method for producing same
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
JP4473284B2 (ja) * 2006-03-31 2010-06-02 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置およびその製造方法
CN102800786B (zh) * 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US8033692B2 (en) * 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
US20070281396A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Hung-Tsung Hsu Method of Dissipating heat, Packaging and Shaping for Light Emitting Diodes
CN102983248B (zh) 2006-06-02 2017-11-14 日立化成株式会社 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置
CN100414701C (zh) * 2006-06-08 2008-08-27 弘元科技有限公司 发光系统、发光装置及其形成方法
US20090128781A1 (en) * 2006-06-13 2009-05-21 Kenneth Li LED multiplexer and recycler and micro-projector incorporating the Same
US7795632B2 (en) * 2006-06-26 2010-09-14 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode with direct view optic
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
JP4907253B2 (ja) * 2006-08-03 2012-03-28 シャープ株式会社 注入装置、製造装置、および半導体発光装置の製造方法
US8076185B1 (en) 2006-08-23 2011-12-13 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit protection and ruggedization coatings and methods
US8617913B2 (en) 2006-08-23 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
US8166645B2 (en) 2006-08-23 2012-05-01 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated, thermally protected integrated circuit assemblies
US7915527B1 (en) 2006-08-23 2011-03-29 Rockwell Collins, Inc. Hermetic seal and hermetic connector reinforcement and repair with low temperature glass coatings
US8084855B2 (en) 2006-08-23 2011-12-27 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit tampering protection and reverse engineering prevention coatings and methods
US8637980B1 (en) 2007-12-18 2014-01-28 Rockwell Collins, Inc. Adhesive applications using alkali silicate glass for electronics
US8581108B1 (en) 2006-08-23 2013-11-12 Rockwell Collins, Inc. Method for providing near-hermetically coated integrated circuit assemblies
US8174830B2 (en) * 2008-05-06 2012-05-08 Rockwell Collins, Inc. System and method for a substrate with internal pumped liquid metal for thermal spreading and cooling
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US20090001611A1 (en) * 2006-09-08 2009-01-01 Takeshi Matsumura Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method
CN101553928B (zh) 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
TW200820463A (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light-improving SMD diode holder and package thereof
JP2008144127A (ja) * 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
KR101308173B1 (ko) 2006-11-15 2013-09-12 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
JP2008147563A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Sharp Corp ばらつきのあるｌｅｄによる均一バックライトの製造方法
JP4901453B2 (ja) * 2006-12-20 2012-03-21 東芝ディスクリートテクノロジー株式会社 半導体発光素子
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
JP5470680B2 (ja) * 2007-02-06 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに成形体
KR20090115803A (ko) * 2007-02-13 2009-11-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 렌즈를 갖는 ｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법
WO2008114657A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Omron Corporation 光伝送路パッケージ、光伝送モジュール、電子機器、および、光伝送モジュールの製造方法
TWI330296B (en) * 2007-05-25 2010-09-11 Young Optics Inc Light source module
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8877101B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8809126B2 (en) * 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8384630B2 (en) 2007-05-31 2013-02-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8846457B2 (en) * 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8288936B2 (en) * 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
EP2166395A1 (en) * 2007-07-03 2010-03-24 Konica Minolta Opto, Inc. Imaging device manufacturing method, imaging device and optical element
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
WO2009028861A2 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
DE102007046337A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP5663874B2 (ja) * 2007-09-27 2015-02-04 三菱瓦斯化学株式会社 エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び発光ダイオード
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP5692952B2 (ja) * 2007-12-11 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8363189B2 (en) * 2007-12-18 2013-01-29 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass for displays
US20090162956A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Ult Technology Co., Ltd. Led fabrication method employing a water washing process
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
CN101939849A (zh) 2008-02-08 2011-01-05 伊鲁米特克有限公司 用于发射器层成形的系统和方法
DE102008014927A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement
KR100973238B1 (ko) * 2008-03-26 2010-07-30 서울반도체 주식회사 형광체 코팅방법 및 장치 그리고 형광체 코팅층을 포함하는ｌｅｄ
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US8205337B2 (en) * 2008-09-12 2012-06-26 Rockwell Collins, Inc. Fabrication process for a flexible, thin thermal spreader
US8017872B2 (en) * 2008-05-06 2011-09-13 Rockwell Collins, Inc. System and method for proportional cooling with liquid metal
US8221089B2 (en) * 2008-09-12 2012-07-17 Rockwell Collins, Inc. Thin, solid-state mechanism for pumping electrically conductive liquids in a flexible thermal spreader
US8616266B2 (en) * 2008-09-12 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Mechanically compliant thermal spreader with an embedded cooling loop for containing and circulating electrically-conductive liquid
US8650886B2 (en) * 2008-09-12 2014-02-18 Rockwell Collins, Inc. Thermal spreader assembly with flexible liquid cooling loop having rigid tubing sections and flexible tubing sections
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
CN101587923B (zh) * 2008-05-19 2011-01-26 玉晶光电股份有限公司 用于发光二极管封装成型的网板的使用方法
WO2009148543A2 (en) 2008-05-29 2009-12-10 Cree, Inc. Light source with near field mixing
JP2009295834A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5245614B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
TWI456784B (zh) * 2008-07-29 2014-10-11 Nichia Corp 發光裝置
US8119040B2 (en) 2008-09-29 2012-02-21 Rockwell Collins, Inc. Glass thick film embedded passive material
JP5416946B2 (ja) 2008-11-05 2014-02-12 株式会社東芝 蛍光体溶液
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP5340763B2 (ja) * 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
JP5365279B2 (ja) * 2009-03-17 2013-12-11 ソニー株式会社 発光材料、発光材料複合体及びその製造方法、蛍光標識試薬及びその製造方法、並びに、発光素子
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
KR101217417B1 (ko) * 2009-04-17 2013-01-02 파나소닉 주식회사 형광체, 발광 장치 및 플라즈마 디스플레이 패널
EP2448023B1 (en) 2009-06-22 2016-08-31 Nichia Corporation Light-emitting device
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8679865B2 (en) 2009-08-28 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package
CN102011952A (zh) * 2009-09-04 2011-04-13 佛山市国星光电股份有限公司 Led光源模块的制造方法及该方法的产品
JP5391946B2 (ja) * 2009-09-07 2014-01-15 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
JP5532769B2 (ja) * 2009-09-07 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
JP5379615B2 (ja) * 2009-09-09 2013-12-25 パナソニック株式会社 照明装置
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8318549B2 (en) * 2009-10-29 2012-11-27 Freescale Semiconductor, Inc. Molded semiconductor package having a filler material
EP2323186B1 (en) * 2009-11-13 2017-07-26 Tridonic Jennersdorf GmbH Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8545721B2 (en) * 2010-02-24 2013-10-01 Hyun-seop Shim UV coating composition for LED color conversion
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
JP2011204897A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール
US8993358B2 (en) * 2011-12-28 2015-03-31 Ledengin, Inc. Deposition of phosphor on die top by stencil printing
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
CN102237475A (zh) * 2010-05-04 2011-11-09 李长会 基于有机胶体的led晶片级荧光粉涂层技术
JP5337106B2 (ja) 2010-06-04 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5426484B2 (ja) 2010-06-07 2014-02-26 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
US8310771B2 (en) * 2010-06-28 2012-11-13 Shim Hyun-Seop LED light converting resin composition and LED member using the same
CN102315354B (zh) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
TW201201419A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN102347433A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
CN102376855B (zh) * 2010-08-09 2015-08-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
JP5861636B2 (ja) * 2010-08-31 2016-02-16 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
TWI566302B (zh) * 2010-09-01 2017-01-11 無限科技全球公司 用在可印組成物的二極體
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102447035B (zh) 2010-10-06 2015-03-25 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光二极管、制造该发光二极管的模具及方法
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
JP2012089750A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止充てん用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
CN102456806A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
MY170920A (en) * 2010-11-02 2019-09-17 Carsem M Sdn Bhd Leadframe package with recessed cavity for led
US8847481B2 (en) * 2010-11-08 2014-09-30 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device comprising photoluminescent plate
KR20120050282A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN104672433B (zh) * 2010-11-17 2018-02-09 日本化药株式会社 透明片材用环氧树脂组合物及其固化物和光学片材
CN102064165B (zh) * 2010-11-25 2012-08-01 深圳市贝晶光电科技有限公司 一种新型led器件
DE102010053362B4 (de) 2010-12-03 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
WO2012086463A1 (ja) * 2010-12-20 2012-06-28 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物及びこれを使用した光半導体装置
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
CN102097575A (zh) * 2010-12-30 2011-06-15 东莞市品元光电科技有限公司 一种白光二极管封装结构
KR20120081459A (ko) * 2011-01-11 2012-07-19 삼성전자주식회사 리드 프레임을 갖는 반도체 패키지
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
RU2451365C1 (ru) * 2011-02-22 2012-05-20 Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед" Светоизлучающий диод
US8742654B2 (en) * 2011-02-25 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including nonhomogeneous luminophoric particle size layers
US20120235188A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and Apparatus for a Flat Top Light Source
JP5562888B2 (ja) * 2011-03-24 2014-07-30 株式会社東芝 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN103403892A (zh) * 2011-03-31 2013-11-20 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
US8957438B2 (en) 2011-04-07 2015-02-17 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers
WO2013002588A2 (ko) * 2011-06-28 2013-01-03 Lee Hyeong Gon 엘이디용 회로기판원판, 회로기판, 엘이디유닛, 조명기구 및 제조방법
JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
CN102916089B (zh) * 2011-08-01 2015-03-25 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法
CN103733362B (zh) * 2011-08-16 2017-03-29 三星电子株式会社 具有改善的发光效力的led器件
TWI505515B (zh) * 2011-08-19 2015-10-21 Epistar Corp 發光裝置及其製造方法
US8492746B2 (en) * 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
MY156107A (en) 2011-11-01 2016-01-15 Carsem M Sdn Bhd Large panel leadframe
US8912024B2 (en) * 2011-11-18 2014-12-16 Invensas Corporation Front facing piggyback wafer assembly
US8900974B2 (en) 2011-11-18 2014-12-02 Invensas Corporation High yield substrate assembly
CN102437276A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
KR101293181B1 (ko) * 2011-11-29 2013-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조 방법 및 발광 다이오드 패키지용 리드 프레임
US8900892B2 (en) * 2011-12-28 2014-12-02 Ledengin, Inc. Printing phosphor on LED wafer using dry film lithography
CN103187489A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装制程及其封装结构
CN103247746A (zh) * 2012-02-01 2013-08-14 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 用于光源的方法和设备
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
CN103426977B (zh) * 2012-05-16 2016-05-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
US20140027673A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Qd Vision, Inc. Method of making components including quantum dots, methods, and products
DE102012107290A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
JP6231104B2 (ja) * 2012-08-23 2017-11-15 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 波長変換装置
US9435915B1 (en) 2012-09-28 2016-09-06 Rockwell Collins, Inc. Antiglare treatment for glass
CN102965108A (zh) * 2012-10-31 2013-03-13 彩虹集团公司 一种掺杂铝酸盐荧光粉及其制备方法
TWI549256B (zh) * 2012-12-24 2016-09-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體模組之製造方法
JP2014165225A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
DE102013103416A1 (de) * 2013-04-05 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe
KR20140124110A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
CN103489996B (zh) * 2013-09-09 2016-11-23 成都天星永光照明电器有限公司 白光led封装工艺
DE102013220960A1 (de) * 2013-10-16 2015-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6237174B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102014102848A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Konversionselement, Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, optoelektronisches Bauelement umfassend ein Konversionselement
DE102014101557A1 (de) * 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014102258B4 (de) * 2014-02-21 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
JP6432416B2 (ja) * 2014-04-14 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 半導体装置
CN105097999B (zh) * 2014-05-06 2018-09-18 四川新力光源股份有限公司 一种led发光器件及其制备方法
US9660151B2 (en) * 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
CN104103745A (zh) * 2014-06-06 2014-10-15 郑州森源新能源科技有限公司 一种高性能的led封装结构
WO2016017127A1 (ja) * 2014-07-29 2016-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体装置
FR3024983B1 (fr) * 2014-08-19 2017-12-29 Aledia Materiau photoluminescent et son procede de fabrication
CN104392969A (zh) * 2014-10-13 2015-03-04 华东光电集成器件研究所 一种多芯片集成电路抗冲击封装结构
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
JP6506037B2 (ja) * 2015-02-02 2019-04-24 富士フイルム株式会社 蛍光体分散組成物及びそれを用いて得られた蛍光成形体、波長変換膜、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
JP6354626B2 (ja) * 2015-03-09 2018-07-11 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP6149886B2 (ja) * 2015-03-25 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置
TW201639201A (zh) * 2015-04-20 2016-11-01 億光電子工業股份有限公司 發光模組
CN106206912B (zh) * 2015-05-29 2020-08-07 日亚化学工业株式会社 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法
DE102015108700A1 (de) 2015-06-02 2016-12-08 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiter-Leistungs-Package und Verfahren zu ihrer Herstellung
US10160905B2 (en) * 2015-07-07 2018-12-25 Dyden Corporation Blue-green light-emitting phosphor, light-emitting element, light-emitting device, and white-light-emitting device
JP6472728B2 (ja) * 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
DE102015116710A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2017077739A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 シャープ株式会社 発光体、発光装置、照明装置、および発光体の製造方法
JP6387954B2 (ja) * 2015-12-24 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
CN205385041U (zh) * 2016-02-01 2016-07-13 浙江双宇电子科技有限公司 一种全角度发光的led光源
CN109075234B (zh) * 2016-02-02 2021-04-27 西铁城电子株式会社 发光装置及其制造方法
US10193031B2 (en) * 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
JP6740654B2 (ja) * 2016-03-18 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 光源装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
JP6650951B2 (ja) 2016-04-25 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 波長変換部材、その製造方法および発光装置
KR102040225B1 (ko) * 2016-11-11 2019-11-06 주식회사 엘지화학 절연층 제조방법 및 다층인쇄회로기판 제조방법
DE102016124270A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
JP6943483B2 (ja) 2017-05-19 2021-09-29 エルジー・ケム・リミテッド 樹脂組成物、その信頼性評価方法、及びそれを含む色変換フィルム
JP7248379B2 (ja) * 2017-07-24 2023-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102017117488A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP7092474B2 (ja) * 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2019046989A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR102034551B1 (ko) * 2017-09-18 2019-10-21 주식회사 이에스티 발광 부재를 이용한 대상체 정렬 정전척
JP2019134150A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10804442B2 (en) 2018-01-29 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
JP6912728B2 (ja) * 2018-03-06 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び光源装置
CN108389931A (zh) * 2018-04-13 2018-08-10 中山大学 集光电极和微电极一体的生物神经芯片及其制备方法
KR20210010463A (ko) * 2018-06-13 2021-01-27 로렌스 리버모어 내쇼날 시큐리티, 엘엘시 광전자 장치의 변형 제어
DE102018120584A1 (de) * 2018-08-23 2020-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
US10825949B2 (en) * 2018-08-27 2020-11-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP6809518B2 (ja) * 2018-08-28 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP7161100B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6760350B2 (ja) * 2018-10-25 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109473533A (zh) * 2018-11-30 2019-03-15 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种led支架结构及led封装工艺
FR3090004B1 (fr) * 2018-12-14 2021-07-30 Olikrom Procede de fabrication d'une composition photoluminescente et composition photoluminescente obtenue
JP2020150229A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US11205731B2 (en) 2019-05-07 2021-12-21 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source package structure
CN111917003B (zh) * 2019-05-07 2021-11-30 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
JP7277760B2 (ja) * 2019-08-19 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN110549624A (zh) * 2019-09-19 2019-12-10 东莞市神说科技有限公司 一种光固化3d打印模型的后固化去黄方法
JP7288203B2 (ja) * 2020-03-31 2023-06-07 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及びその製造方法
CN113471350A (zh) * 2020-03-31 2021-10-01 日亚化学工业株式会社 波长转换构件及其制造方法
JP2022014750A (ja) 2020-07-07 2022-01-20 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20220285584A1 (en) * 2021-03-08 2022-09-08 Applied Materials, Inc. Indium-gallium-nitride light emitting diodes with light reflecting mirrors

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1443181A (en) * 1923-01-23 Z sheets-sheet
NL129105C (ko) * 1965-11-22
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
NL160869C (nl) * 1972-11-03 Philips Nv Luminescerend scherm, alsmede ontladingslamp en katho- de straalbuis, voorzien van een dergelijk scherm.
US4200679A (en) * 1973-03-16 1980-04-29 Max Klein Micro-bits of expanded flexible polyurethanes
DE2338731C2 (de) * 1973-07-31 1982-07-15 Azo-Maschinenfabrik Adolf Zimmermann Gmbh, 6960 Osterburken Vorrichtung zum Aufbereiten von Kunstharz-Pulver, z.B. Epoxy- oder Polyesterharz
DE2338909A1 (de) * 1973-08-01 1975-04-17 Zimmermann Azo Maschf Siebmaschine
US3960334A (en) * 1975-02-24 1976-06-01 Cumberland Engineering Company, Inc. Size reduction apparatus
US4304873A (en) * 1977-09-15 1981-12-08 Max Klein Preparation of expanded flexible polyurethane foam micro-bits
JPS5653129A (en) * 1979-10-05 1981-05-12 Mitsubishi Electric Corp Curable resin composition
US4518557A (en) * 1981-05-18 1985-05-21 James River-Norwalk, Inc. Process for skin foam
US4451583A (en) * 1982-01-26 1984-05-29 Olin Corporation Recycling of flexible polyurethane foam scrap
US4451503A (en) * 1982-06-30 1984-05-29 International Business Machines Corporation Photo deposition of metals with far UV radiation
JPS5954277A (ja) 1982-09-21 1984-03-29 Toshiba Chem Corp 発光ダイオ−ド
US4473673A (en) * 1983-05-09 1984-09-25 Wildon Industries, Inc. Cast polyester resin process and product
JPS6136038A (ja) 1984-07-27 1986-02-20 Hideki Kishi 車のバツクミラ−
EP0257138B1 (en) * 1986-08-29 1990-12-27 Agfa-Gevaert N.V. A process for the conversion of x-rays
NL8700808A (nl) 1987-04-07 1988-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het bereiden van een luminescerend met eu2 geactiveerd strontium-aluminaat, op dergelijke wijze verkregen aluminaat en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk aluminaat.
US4871806A (en) * 1987-11-16 1989-10-03 The Sherwin-Williams Company Reactive coatings comprising an acid-functional compound, an anhydride-functional compound, an epoxy-functional compound and a hydroxy-functional compound
JPH07120819B2 (ja) 1988-04-21 1995-12-20 松下電器産業株式会社 発光ダイオード
JPH072503Y2 (ja) * 1988-06-17 1995-01-25 住友電気工業株式会社 粉体供給装置
JPH062803B2 (ja) 1989-11-25 1994-01-12 四国化成工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
DE4020602C1 (ko) * 1990-06-28 1992-03-19 Stankiewicz Gmbh, 3101 Adelheisdorf, De
US5198479A (en) * 1990-08-24 1993-03-30 Shin-Etsu Chemical Company Limited Light transmissive epoxy resin compositions and optical semiconductor devices encapsulated therewith
US5411213A (en) * 1990-09-12 1995-05-02 Just; Arden L. Method for treatment of solid materials
KR950014541B1 (ko) * 1991-05-24 1995-12-05 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤 광선택흡수층 또는 뉴트럴 필터층을 갖는 컬러음극선관
US5641128A (en) * 1991-12-02 1997-06-24 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for recovering foaming gas of the foamed material
JPH05226700A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Hitachi Chem Co Ltd 発光ダイオード封止用エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された発光ダイオード
DE4306447C2 (de) * 1992-03-30 1996-11-28 Hecker & Krosch Gmbh & Co Kg Recycling-Verfahren für Polyurethan-Hartschaum
DE4216638C1 (ko) * 1992-05-20 1993-09-16 Daimler-Benz Aktiengesellschaft, 70567 Stuttgart, De
GB2271117A (en) * 1992-10-02 1994-04-06 Mass Technology Low pressure mercury vapour lamp and luminescent materials therefor
US5253813A (en) * 1992-10-19 1993-10-19 Davidson Textron Inc. Method for recovering PVC and urethane foam from commingled trim waste using elutriators
DE69304888T2 (de) * 1993-03-09 1997-04-03 Agfa Gevaert Nv Herstellung von Metallhalogenidephosphorpartikeln mit definierter Korngrössenverteilung mit verbesserter Pulverfliessfähigkeit
DE4316190C1 (de) * 1993-05-14 1994-12-08 Hennecke Gmbh Maschf Verfahren und Vorrichtung zum Aufbereiten von Polyurethanschaumstoff-Abfällen, insbesondere Weichschaumstoff-Abfällen, zur Wiederverwertung als Zuschlagstoffe bei der Polyurethanherstellung
EP0711221B1 (de) * 1993-07-30 1997-02-26 Bayer Ag Verfahren zum pulverisieren von polyurethan-, polyharnstoff- und/oder polyurethan-polyharnstoff-werkstoffen auf einer walzenanlage
JPH07106638A (ja) 1993-09-30 1995-04-21 Rohm Co Ltd チップ型発光ダイオードの製造方法
US5629089A (en) * 1993-11-05 1997-05-13 Owens-Corning Fiberglas Technology, Inc. Glass fiber insulation product
EP0657266B2 (de) * 1993-11-29 2005-09-07 C.A. Greiner & Söhne Gesellschaft M.B.H. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Formteils aus Kunststoffschaum
US5836527A (en) * 1994-06-06 1998-11-17 Irwin Research & Development Apparatus for comminuting solid waste materials
US5492947A (en) * 1994-06-23 1996-02-20 Aspen Research Corporation Barrier material comprising a thermoplastic and a compatible cyclodextrin derivative
EP0692353B1 (de) * 1994-07-06 1999-09-08 Hennecke GmbH Verfahren zum kontinuierlichen Dispergieren von feinteiligen Feststoffen in einer Flüssigkeit
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
DE19510638A1 (de) * 1995-03-23 1996-09-26 Basf Schwarzheide Gmbh Verfahren zur Verwertung von Kunststoffabfällen, in denen Polyurethane im Gemisch mit anderen Kunststoffen vorliegen
JPH09255950A (ja) 1996-01-17 1997-09-30 Citizen Watch Co Ltd 蓄光性蛍光顔料の製造方法
JPH09259950A (ja) 1996-03-22 1997-10-03 Yazaki Corp 端子及び回路体への端子の取付構造
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
KR100629544B1 (ko) * 1996-06-26 2006-09-27 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5882432A (en) * 1996-07-30 1999-03-16 The University Of Chicago Efficient continuous dryer for flexible polyurethane foam and cleaning apparatus
JP3714568B2 (ja) 1996-08-06 2005-11-09 住友ベークライト株式会社 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
DE19633891A1 (de) * 1996-08-22 1998-02-26 Basf Ag Verfahren zur Wiederverwendung von Polyurethanen
JP3703591B2 (ja) 1997-01-31 2005-10-05 松下電器産業株式会社 光電子装置
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
JPH10293310A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置の製造方法
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6218458B1 (en) 1997-05-27 2001-04-17 Mardela International, Inc. S.A. Method and apparatus for producing gas occlusion-free and void-free compounds and composites
JPH1174410A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Citizen Electron Co Ltd 表面実装型チップ部品及びその製造方法
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US5906999A (en) * 1997-12-30 1999-05-25 Basf Corporation Integral skin foams employing pentafluoropropane blowing agents
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US6168730B1 (en) * 1998-04-20 2001-01-02 Konica Corporation Stimulable phosphor, preparation method thereof and radiation image conversion panel
JP3851441B2 (ja) * 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP3775773B2 (ja) 1998-06-17 2006-05-17 株式会社東芝 硬化触媒、樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、およびコーティング材
JP3486345B2 (ja) 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
JP3618238B2 (ja) * 1998-12-25 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4279388B2 (ja) * 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP3367096B2 (ja) * 1999-02-02 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP2001015815A (ja) * 1999-04-28 2001-01-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP3967495B2 (ja) 1999-07-06 2007-08-29 ジャパンエポキシレジン株式会社 エポキシ樹脂組成物
EP1378556A3 (de) * 1999-07-23 2004-01-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff insbesondere für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
JP2001196642A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2001318604A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Nemoto & Co Ltd 表示部材、その製造方法および時計
JP2001342240A (ja) 2000-06-05 2001-12-11 Japan Epoxy Resin Kk エポキシ樹脂組成物
JP4759793B2 (ja) 2000-08-31 2011-08-31 三菱化学株式会社 エポキシ樹脂組成物及び光半導体用封止剤
JP2002097251A (ja) 2000-09-21 2002-04-02 New Japan Chem Co Ltd グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物
JP2002100813A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料と半導体発光装置、及びその製造方法
JP2002241586A (ja) 2001-02-19 2002-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040044701A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US7728438B2 (en) 2003-06-05 2010-06-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100665180B1 (ko) * 2005-05-31 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 제조방법
KR100973956B1 (ko) * 2007-03-13 2010-08-05 샤프 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 반도체 발광 장치용 다연 리드프레임
US8415681B2 (en) 2007-03-13 2013-04-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device
US9224930B2 (en) 2007-03-13 2015-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device
US9666776B2 (en) 2007-03-13 2017-05-30 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device
KR101309765B1 (ko) * 2007-03-29 2013-09-23 서울반도체 주식회사 색 편차를 줄인 발광 다이오드 패키지
WO2011129518A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and method for fabricating the same

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