CN102916089B - 发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤：提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；在每个基板单元上形成金属电极层；在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；沿基板的通孔切割形成多个基座。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。

Description

发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其基座的形成方法。
背景技术
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源，因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中，为实现多波段或者高演色性的照明要求，通常会使用多芯片型发光二极管封装构造，其具体结构是将多个性能指标不同的发光二极管芯片集成封装，为了减少各个发光二极管芯片所发出的光线的相互干扰以及为了控制发光二极管封装结构整体出光效果，发光二极管封装结构中的基座上通常会设置有挡墙结构，用于隔开各个发光二极管芯片。现有技术在制作发光二极管封装结构的基座时，需要后期制作挡墙，然后再将该挡墙设置在基座上，因而会费时费力，制作麻烦，不易量产。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种制作简单的发光二极管封装结构及其基座的形成方法。
一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤：
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；
步骤五，沿基板的通孔切割形成多个基座。
一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；
步骤五，将多个第一发光二极管和第二发光二极管分别设置在每个基板单元的挡墙的两侧；
步骤六，在每个基板单元的容置杯中填充封装材料；
步骤七，沿基板的通孔切割形成多个发光二极管封装结构。
上述的发光二极管封装结构及其基座的形成方法采用蚀刻方法形成挡墙，由于挡墙与基座是一体成型，无需后期再制作挡墙，制作简单，容易量产。
附图说明
图1为本发明的发光二极管封装结构的剖示图。
图2为基板结构示意图。
图3为在图2所示的基板上开设通孔后的结构示意图。
图4为在图3所示的基板上蚀刻形成挡墙和凸起结构后的结构示意图。
图5为在图4所示的基板上形成金属电极层后的结构示意图。
图6为在图5所示的基板上设置反射壁后的结构示意图。
图7为在图6所示的基板上封装发光二极管的结构示意图。
图8为切割图7所示的基板的示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 100
基座 10
第一发光二极管 20
第二发光二极管 30
封装材料 40
基板 50
反射壁 60
容置杯 11
挡墙 12
第一电极 13
第二电极 14
凸起结构 15
通孔 51
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明的发光二极管封装结构的形成方法用于形成一发光二极管封装结构100，该发光二极管封装结构100包括基座10以及设置在该基座10中的第一发光二极管20和第二发光二极管30。
所述基座10从其顶面沿底面方向形成一容置杯11。该容置杯11的底面上形成有一挡墙12，该挡墙12将容置杯11分成两个区域。基座10还包括有第一电极13以及第二电极14，该第一电极13和第二电极14分别位于挡墙12的两侧，彼此分离形成在容置杯11的底面上。其中该第一电极13和第二电极14的一端分别伸至挡墙12，另一端分别从基座10的端面延伸到基座10的底面上，用于与外部电路连接。
第一发光二极管20和第二发光二极管30位于容置杯11的底面，并且由挡墙12相互隔开，其中第一发光二极管20设置在第一电极13上，第二发光二极管30设置在第二电极14上。第一发光二极管20和第二发光二极管30分别通过导线与第一电极13和第二电极14连接。在基座10的容置杯11中还填充有封装材料40。
请参阅图2至图8，本发明提供的一种发光二极管封装结构的形成方法包括以下几个步骤：
步骤一，请参阅图2和图3，提供一基板50，在基板50上平均开设多个通孔51，该通孔51将基板50平均分为多个基板单元。该基板50可以为硅基板或者陶瓷基板。所述通孔51的形成方法可以采用蚀刻或者机械方式形成。
步骤二，请参阅图4，对基板50的上表面进行蚀刻，使每个基板单元上表面上形成挡墙12，对基板50的下表面进行蚀刻，使每个基板单元上下表面上形成一凸起结构15。
步骤三，请参阅图5，在基板50上形成金属电极层，其中每个基板单元上形成有第一电极13和第二电极14，该第一电极13和第二电极14分别位于挡墙12的两侧，其中该第一电极13和第二电极14的一端分别伸至挡墙12，另一端分别从基板50的通孔51延伸至凸起结构15。
步骤四，请参阅图6，在每个基板单元上表面上设置反射壁60，每个反射壁60与每个基板单元构成一容置杯11，挡墙12位于容置杯11中，从而形成多个基座10。所述反射壁60与基板50的结合方式可以采用粘结或者共烧。
步骤五，请参阅图7，将多个第一发光二极管20和第二发光二极管30分别设置在每个基板单元的挡墙12的两侧。其中，将第一发光二极管20设置在第一电极13上，将第二发光二极管30设置在第二电极14上，再分别通过导线将第一发光二极管20和第二发光二极管30与第一电极13和第二电极14连接。
步骤六，在每个基板单元的容置杯11中填充封装材料40，形成多个发光二极管封装结构100。所述封装材料40中含有荧光粉。
步骤七，请参阅图8，沿基板50的通孔51切割形成多个发光二极管封装结构100。
相较于现有技术，本发明的发光二极管封装结构及其基座的形成方法采用蚀刻方法形成挡墙，由于挡墙与基座是一体成型，无需后期再制作挡墙，制作简单，容易量产。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤：
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，相邻的两个反射壁之间形成空隙，所述空隙与所述通孔正对设置，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；及
步骤五，沿基板的通孔以及与所述通孔正对的反射壁之间的空隙切割形成多个基座。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于：所述通孔的形成方法采用蚀刻或者机械方式形成。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于：所述挡墙形成在每个基板单元上表面上，在步骤二中还包括对基板的下表面进行蚀刻，使每个基板单元上下表面上形成一凸起结构。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于：每个基板单元上形成有第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别位于挡墙的两侧，其中该第一电极和第二电极的一端分别伸至挡墙，另一端分别从基板的通孔延伸至凸起结构。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于：所述反射壁与基板的结合方式采用粘结或者共烧。
6.一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，相邻的两个反射壁之间形成空隙，所述反射壁之间的空隙与所述通孔正对设置，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；
步骤五，将多个第一发光二极管和第二发光二极管分别设置在每个基板单元的挡墙的两侧；
步骤六，在每个基板单元的容置杯中填充封装材料；
步骤七，沿基板的通孔以及与所述通孔正对的反射壁之间的空隙切割形成多个发光二极管封装结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述挡墙形成在每个基板单元上表面上，在步骤二中还包括对基板的下表面进行蚀刻，使每个基板单元上下表面上形成一凸起结构。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：每个基板单元上形成有第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别位于挡墙的两侧，其中该第一电极和第二电极的一端分别伸至挡墙，另一端分别从基板的通孔延伸至凸起结构。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述步骤五还包括第一发光二极管设置在第一电极上，将第二发光二极管设置在第二电极上，再分别通过导线将第一发光二极管和第二发光二极管与第一电极和第二电极连接。
10.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述反射壁与基板的结合方式采用粘结或者共烧。
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