TWI443872B - 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Description
本發明涉及一種發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
發光二極體是一種節能、環保、長壽命之固體光源,因此近十幾年來對發光二極體技術之研究一直非常活躍,發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源之趨勢。在先前技術中,為實現多波段或者高演色性之照明要求,通常會使用多晶片型發光二極體封裝構造,其具體結構是將多個性能指標不同之發光二極體晶片集成封裝,為了減少各個發光二極體晶片所發出之光線之相互干擾以及為了控制發光二極體封裝結構整體出光效果,發光二極體封裝結構中之基座上通常會設置有擋牆結構,用於隔開各個發光二極體晶片。先前技術在製作發光二極體封裝結構之基座時,需要後期製作擋牆,然後再將該擋牆設置在基座上,因而會費時費力,製作麻煩,不易量產。
有鑒於此,有必要提供一種製作簡單之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
一種發光二極體封裝結構基座之形成方法,其包括以下幾個步驟:
步驟一,提供一基板,在基板上開設多個通孔,該多個通孔將基板平均分為多個基板單元;步驟二,對基板表面進行蝕刻,使每個基板單元表面上形成擋牆;步驟三,在每個基板單元上形成金屬電極層;步驟四,在每個基板單元上設置反射壁,每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯,擋牆位於容置杯中;步驟五,沿基板之通孔切割形成多個基座。
一種發光二極體封裝結構之形成方法,其包括以下幾個步驟:步驟一,提供一基板,在基板上開設多個通孔,該多個通孔將基板平均分為多個基板單元;步驟二,對基板表面進行蝕刻,使每個基板單元表面上形成擋牆;步驟三,在每個基板單元上形成金屬電極層;步驟四,在每個基板單元上設置反射壁,每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯,擋牆位於容置杯中;步驟五,將多個第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在每個基板單元之擋牆之兩側;步驟六,在每個基板單元之容置杯中填充封裝材料;步驟七,沿基板之通孔切割形成多個發光二極體封裝結構。
上述之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法採用蝕刻方法形
成擋牆,由於擋牆與基座是一體成型,無需後期再製作擋牆,製作簡單,容易量產。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧基座
20‧‧‧第一發光二極體
30‧‧‧第二發光二極體
40‧‧‧封裝材料
50‧‧‧基板
60‧‧‧反射壁
11‧‧‧容置杯
12‧‧‧擋牆
13‧‧‧第一電極
14‧‧‧第二電極
15‧‧‧凸起結構
51‧‧‧通孔
圖1為本發明之發光二極體封裝結構之剖示圖。
圖2為基板結構示意圖。
圖3為在圖2所示之基板上開設通孔後之結構示意圖。
圖4為在圖3所示之基板上蝕刻形成擋牆和凸起結構後之結構示意圖。
圖5為在圖4所示之基板上形成金屬電極層後之結構示意圖。
圖6為在圖5所示之基板上設置反射壁後之結構示意圖。
圖7為在圖6所示之基板上封裝發光二極體之結構示意圖。
圖8為切割圖7所示之基板之示意圖。
以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。
請參閱圖1,本發明之發光二極體封裝結構之形成方法用於形成一發光二極體封裝結構100,該發光二極體封裝結構100包括基座10以及設置在該基座10中之第一發光二極體20和第二發光二極體30。
所述基座10從其頂面沿底面方向形成一容置杯11。該容置杯11之底面上形成有一擋牆12,該擋牆12將容置杯11分成兩個區域。基座10還包括有第一電極13以及第二電極14,該第一電極13和第二電極14分別位於擋牆12之兩側,彼此分離形成在容置杯11之底面
上。其中該第一電極13和第二電極14之一端分別伸至擋牆12,另一端分別從基座10之端面延伸到基座10之底面上,用於與外部電路連接。
第一發光二極體20和第二發光二極體30位於容置杯11之底面,並且由擋牆12相互隔開,其中第一發光二極體20設置在第一電極13上,第二發光二極體30設置在第二電極14上。第一發光二極體20和第二發光二極體30分別藉由導線與第一電極13和第二電極14連接。在基座10之容置杯11中還填充有封裝材料40。
請參閱圖2至圖8,本發明提供之一種發光二極體封裝結構之形成方法包括以下幾個步驟:
步驟一,請參閱圖2和圖3,提供一基板50,在基板50上平均開設多個通孔51,該通孔51將基板50平均分為多個基板單元。該基板50可以為矽基板或者陶瓷基板。所述通孔51之形成方法可以採用蝕刻或者機械方式形成。
步驟二,請參閱圖4,對基板50之上表面進行蝕刻,使每個基板單元上表面上形成擋牆12,對基板50之下表面進行蝕刻,使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構15。
步驟三,請參閱圖5,在基板50上形成金屬電極層,其中每個基板單元上形成有第一電極13和第二電極14,該第一電極13和第二電極14分別位於擋牆12之兩側,其中該第一電極13和第二電極14之一端分別伸至擋牆12,另一端分別從基板50之通孔51延伸至凸起結構15。
步驟四,請參閱圖6,在每個基板單元上表面上設置反射壁60,
每個反射壁60與每個基板單元構成一容置杯11,擋牆12位於容置杯11中,從而形成多個基座10。所述反射壁60與基板50之結合方式可以採用黏結或者共燒。
步驟五,請參閱圖7,將多個第一發光二極體20和第二發光二極體30分別設置在每個基板單元之擋牆12之兩側。其中,將第一發光二極體20設置在第一電極13上,將第二發光二極體30設置在第二電極14上,再分別藉由導線將第一發光二極體20和第二發光二極體30與第一電極13和第二電極14連接。
步驟六,在每個基板單元之容置杯11中填充封裝材料40,形成多個發光二極體封裝結構100。所述封裝材料40中含有螢光粉。
步驟七,請參閱圖8,沿基板50之通孔51切割形成多個發光二極體封裝結構100。
相較於先前技術,本發明之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法採用蝕刻方法形成擋牆,由於擋牆與基座是一體成型,無需後期再製作擋牆,製作簡單,容易量產。
另外,本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化,當然,這些依據本發明精神所做之變化,都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧基座
20‧‧‧第一發光二極體
30‧‧‧第二發光二極體
40‧‧‧封裝材料
11‧‧‧容置杯
12‧‧‧擋牆
13‧‧‧第一電極
14‧‧‧第二電極
Claims (6)
- 一種發光二極體封裝結構基座之形成方法,其包括以下幾個步驟:步驟一,提供一基板,在基板上開設多個通孔,該多個通孔將基板平均分為多個基板單元;步驟二,對基板上表面進行蝕刻,使每個基板單元上表面上形成擋牆,對基板下表面進行蝕刻,使每個基板單元下表面上形成一凸起結構;步驟三,在每個基板單元上形成第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極分別位於擋牆之兩側,其中該第一電極和第二電極之一端分別伸至擋牆,另一端分別從基板之通孔延伸至凸起結構;步驟四,在每個基板單元上設置反射壁,每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯,擋牆位於容置杯中;及步驟五,沿基板之通孔切割形成多個基座。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法,其中:所述通孔之形成方法採用蝕刻或者機械方式形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法,其中:所述反射壁與基板之結合方式採用黏結或者共燒。
- 一種發光二極體封裝結構之形成方法,其包括以下幾個步驟:步驟一,提供一基板,在基板上開設多個通孔,該多個通孔將基板平均分為多個基板單元;步驟二,對基板上表面進行蝕刻,使每個基板單元上表面上形成擋牆,對基板下表面進行蝕刻,使每個基板單元下表面上形成一凸起結構;步驟三,在每個基板單元上形成第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極分別位於擋牆之兩側,其中該第一電極和第二電極之一端分別伸 至擋牆,另一端分別從基板之通孔延伸至凸起結構;步驟四,在每個基板單元上設置反射壁,每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯,擋牆位於容置杯中;步驟五,將多個第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在每個基板單元之擋牆之兩側;步驟六,在每個基板單元之容置杯中填充封裝材料;步驟七,沿基板之通孔切割形成多個發光二極體封裝結構。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構之形成方法,其中:所述步驟五還包括第一發光二極體設置在第一電極上,將第二發光二極體設置在第二電極上,再分別藉由導線將第一發光二極體和第二發光二極體與第一電極和第二電極連接。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構之形成方法,其中:所述反射壁與基板之結合方式採用黏結或者共燒。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110217779.9A CN102916089B (zh) | 2011-08-01 | 2011-08-01 | 发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201308681A TW201308681A (zh) | 2013-02-16 |
TWI443872B true TWI443872B (zh) | 2014-07-01 |
Family
ID=47614392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100127834A TWI443872B (zh) | 2011-08-01 | 2011-08-05 | 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8597964B2 (zh) |
CN (1) | CN102916089B (zh) |
TW (1) | TWI443872B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116661047A (zh) | 2022-02-17 | 2023-08-29 | 群创光电股份有限公司 | 背光模组 |
CN116666537A (zh) | 2022-02-21 | 2023-08-29 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY145695A (en) * | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
TW546799B (en) * | 2002-06-26 | 2003-08-11 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaged formation method of LED and product structure |
JP2008053290A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
TWI336962B (en) * | 2007-02-08 | 2011-02-01 | Touch Micro System Tech | White light emitting diode package structure having silicon substrate and method of making the same |
TWI378573B (en) | 2007-10-31 | 2012-12-01 | Young Lighting Technology Corp | Light emitting diode package |
KR20090044306A (ko) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP4989614B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-01 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. | 高出力ledパッケージの製造方法 |
CN102751272B (zh) * | 2008-03-26 | 2016-04-20 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法 |
KR101438826B1 (ko) * | 2008-06-23 | 2014-09-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광장치 |
US20100252852A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-07 | Chih-Hung Wei | Cooling block assembly and led including the cooling block |
CN102024710B (zh) * | 2009-09-18 | 2012-08-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光电元件的制造方法、封装结构及其封装装置 |
US8174044B2 (en) | 2010-01-14 | 2012-05-08 | Shang-Yi Wu | Light emitting diode package and method for forming the same |
CN102237470B (zh) * | 2010-04-29 | 2013-11-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法 |
-
2011
- 2011-08-01 CN CN201110217779.9A patent/CN102916089B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-05 TW TW100127834A patent/TWI443872B/zh active
-
2012
- 2012-04-11 US US13/443,888 patent/US8597964B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130034920A1 (en) | 2013-02-07 |
CN102916089B (zh) | 2015-03-25 |
US8597964B2 (en) | 2013-12-03 |
TW201308681A (zh) | 2013-02-16 |
CN102916089A (zh) | 2013-02-06 |
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