CN106206912B - 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法 - Google Patents
发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206912B CN106206912B CN201610366365.5A CN201610366365A CN106206912B CN 106206912 B CN106206912 B CN 106206912B CN 201610366365 A CN201610366365 A CN 201610366365A CN 106206912 B CN106206912 B CN 106206912B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- reflecting member
- emitting device
- resin
- transmitting resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 253
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 253
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 129
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 81
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 27
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 6
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 15
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020440 K2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGWFDTKFTGTOAF-UHFFFAOYSA-N P.Cl.Cl.Cl Chemical compound P.Cl.Cl.Cl DGWFDTKFTGTOAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004160 TaO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N dioxotantalum Chemical compound O=[Ta]=O NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910001679 gibbsite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N phosphane;phosphoric acid Chemical compound P.OP(O)(O)=O IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够薄型化的发光装置及其制造方法以及覆盖部件的制造方法。包括:准备具有贯通孔的第一光反射部件的工序;在贯通孔内配置含有波长变换物质的透光性树脂的工序;使波长变换物质在透光性树脂内偏向贯通孔的一开口侧的工序;使波长变换物质偏置后,将透光性树脂的一部分从贯通孔的另一开口侧除去的工序。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法。
背景技术
近年的发光二极管随着其品质的提高,在普通照明领域、车载照明领域等中以各种方式被利用。例如,已知有通过在发光元件上配置具有外框的板状光学部件而被薄型化的发光装置。(专利文献1)
专利文献1:(日本)特开2012-134355号公报
发明内容
要求比以往的发光装置更薄型化的发光装置。本发明的实施方式的目的在于提供能够薄型化的发光装置及其制造方法以及覆盖部件的制造方法。
(1)本发明一方面的覆盖部件的制造方法,包括如下的工序:
准备具有贯通孔的第一光反射部件;
在所述贯通孔内配置含有波长变换物质的透光性树脂;
使所述波长变换物质在所述透光性树脂内向所述贯通孔的一开口侧偏置;
使所述波长变换物质偏置后,将所述透光性树脂的一部分从所述贯通孔的另一开口侧除去。
(2)本发明另一方面的覆盖部件的制造方法,包括如下的工序:
准备具有凹部的第一光反射部件;
在所述凹部内配置含有波长变换物质的透光性树脂;
使所述波长变换物质在所述透光性树脂内向所述凹部的底面侧偏置;
使所述波长变换物质偏置后,将所述透光性树脂的一部分从所述凹部的开口侧除去;
使所述波长变换物质偏置后,将所述第一光反射部件的一部分从形成有所述凹部的面的相反侧的面除去,在所述相反侧的面使所述透光性树脂露出。
(3)本发明的发光装置,具有:
覆盖部件,其具有第一光反射部件和透光性树脂,该第一光反射部件具有贯通孔,该透光性树脂配置在所述贯通孔内;
发光元件,其以与所述透光性树脂相对的方式设置;
第二光反射部件,其覆盖所述发光元件的侧面,并与所述发光元件周围的第一光反射部件相对而设置;
所述透光性树脂包含向与所述发光元件相对的下面侧或从所述发光元件分离的上面侧偏置的波长变换物质。
根据本发明的一方面,能够提供可薄型化的发光装置。
附图说明
图1A是在实施方式1的发光装置的制造方法中,对覆盖部件的制造方法进行表示的剖面图;
图1B是沿图1A的B-B线的剖面图;
图2A是在实施方式1的覆盖部件的制造方法中,对冲孔时保持第一光反射部件的状态进行表示的剖面图;
图2B是在实施方式1的覆盖部件的制造方法中,对冲孔时打入上模具时的状态进行表示的剖面图;
图2C是图2B的虚线部的放大图;
图3A是在实施方式1的覆盖部件的制造方法中,在第一光反射部件的贯通孔内配置含有波长变换物质的透光性树脂时的剖面图;
图3B是在实施方式1的覆盖部件的制造方法中,在第一光反射部件的贯通孔内使波长变换物质偏置时的剖面图;
图3C是在实施方式1的覆盖部件的制造方法中,将透光性树脂和第一光反射部件的一部分除去时的剖面图;
图4A是在实施方式1的发光装置的制造方法中,将发光元件固定时的剖面图;
图4B是在实施方式1的发光装置的制造方法中,形成第二光反射部件时的剖面图;
图4C是在实施方式1的发光装置的制造方法中,在包含接合部件的情况下形成第二光反射部件时的剖面图;
图4D是在实施方式1的发光装置的制造方法中,以埋设发光元件的电极的方式形成第二光反射部件时的剖面图;
图5A是在实施方式1的发光装置的制造方法中,表示对每个发光装置进行分割时的切断线的平面图;
图5B是沿图5A的C-C线的剖面图;
图6A是在实施方式1的发光装置的制造方法中,对被单片化后的发光装置进行表示的平面图;
图6B是沿图6A的D-D线的剖面图;
图6C是在实施方式1的发光装置的制造方法中,对单片化时的变形例进行表示的剖面图;
图7A是在实施方式2的覆盖部件的制造方法中,在支承部件上形成有具有凹部的第一光反射部件时的剖面图;
图7B是在实施方式2的覆盖部件的制造方法中,将含有波长变换物质的透光性树脂配置在凹部内时的剖面图;
图7C是在实施方式2的覆盖部件的制造方法中,在凹部内的透光性树脂中使波长变换物质偏置时的剖面图;
图7D是在实施方式2的覆盖部件的制造方法中,将第一光反射部件的支承部件剥离而将支承部件贴附在第一光反射部件的相反侧的面上时的剖面图;
图7E是在实施方式2的覆盖部件的制造方法中,以贯通凹部的方式将第一光反射部件除去时的剖面图;
图8A是实施方式4的发光装置的平面图;
图8B是沿图8A的A-A线的剖面图;
图9是实施方式5的发光装置的剖面图;
图10是实施方式6的发光装置的剖面图;
图11是实施方式7的发光装置的剖面图;
图12是实施方式8的发光装置的剖面图;
图13A是实施方式8的变形例1的发光装置的剖面图;
图13B是实施方式8的变形例2的发光装置的剖面图;
图13C是实施方式8的变形例3的发光装置的剖面图;
图14A是实施方式9的发光装置的剖面图;
图14B是实施方式9的变形例的发光装置的剖面图;
图15A是实施方式10的发光装置的剖面图;
图15B是实施方式10的变形例的发光装置的剖面图。
标记说明
1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000:发光装置
10:第一光反射部件
20:波长变换物质
30:透光性树脂
31:第一光扩散材料
32:第二光扩散材料
40:发光元件
41:透光性基板
42:半导体层积体
43、44:电极
50:第二光反射部件
60:接合部件
70:覆盖部件
80:支承部件
90:上模具
91:压板
92:下模具
101:第一面
102:第二面
103:凸部
106:贯通孔
107:凹部
108:切断部
401:光取出面
402:电极形成面
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式进行详细地说明。另外,在以下的说明中,根据需要使用表示特定的方向及位置的用语(例如“上”、“下”、及包含这些用语的其它用语)。使用这些用语是为了容易参照附图理解本发明,并不通过这些用语的意思来限定本发明的技术范围。另外,多个附图中所示的同一附图标记表示同一部分或部件。
实施方式1.
接着参照图1A~图6C对实施方式1的发光装置的制造方法进行说明。
实施方式1的发光装置的制造方法,包括:
(1)覆盖部件的制造工序,该覆盖部件具有:具有多个贯通孔的第一光反射部件、在贯通孔内以与第一光反射部件实质上为相同厚度的方式设置的透光性树脂、以向贯通孔的一开口侧偏置的方式在透光性树脂中所含有的波长变换物质;
(2)将各个发光元件固定在设于贯通孔的透光性树脂上的工序;
(3)在设于透光性树脂上的发光元件之间形成第二光反射部件的工序;
(4)在发光元件之间,通过切断第一光反射部件及第二光反射部件而分割成各个发光装置的工序。
根据上述构成的实施方式的发光装置的制造方法,使用包含以波长变换物质向贯通孔的一开口侧偏置的方式含有的透光性树脂来制造发光装置,故而能够制造薄型的发光装置。
以下,对本实施方式的发光装置的制造方法进行具体的说明。
<覆盖部件的制作>
参照图1A~图3C对本实施方式的覆盖部件70的制造工序进行说明。另外,用该制造工序制作的覆盖部件70具备:第一光反射部件10、含有波长变换物质20的透光性树脂30。
工序1-1.准备具有贯通孔的第一光反射部件
准备具有贯通孔106的第一光反射部件10。贯通孔106将第一光反射部件10的第一面101和第一面的背面即第二面102贯通(图1A、图1B)。另外,贯通孔106既可以在第一光反射部件10上仅形成一个,也可以形成多个。
在第一光反射部件10上,在形成贯通孔106时也可以利用该领域中任一公知的方法。例如,可列举出激光的照射或描绘、冲孔、蚀刻、喷砂等。优选在贯通孔106的侧壁形成有凸部,通过该凸部,如后述地能够提高透光性树脂30和第一光反射部件10的粘接力。另外,作为第一光反射部件10,在使用树脂或金属的情况下,通过用冲孔形成贯通孔106能够在贯通孔106的侧壁容易地形成凸部103。即,在冲孔时,如图2A所示,第一光反射部件10 通过由压板91和下模具92上下夹着而被保持。在这样保持的状态下,将上模具90向下打入,在第一光反射部件10形成贯通孔106。此时,通过控制上模具90和下模具92的间隙d的距离,能够在规定的位置形成凸部103。上模具90和下模具92的间隙d表示在图2A中x方向(水平方向)上的上模具 90和下模具92的距离。例如,通过在从上方向下方形成贯通孔106时调整间隙d,能够形成向下方突出的(倾斜的)突出部即凸部103(图2B、图2C)。换言之,凸部103也可以向下侧倾斜。这是因为从上模具90向第一光反射部件10施加的力和从下模具92向第一光反射部件10施加的力分开了上模具90 和下模具92的间隙d。另外,通过调整间隙d的距离能够形成在侧壁内具有多个凸部103的贯通孔。上模具90和下模具92的间隙d的距离没有特别的限定,但为了形成倾斜的凸部而优选为1~30μm,为了形成多个凸部而优选为0~30μm(不包括0)。另外,为了形成倾斜的凸部,上模具90和下模具 92的间隙d的距离相对于第一光反射部件10的厚度优选为1~30%,为了于形成多个凸部,优选为0~30%(不包括0)。
另外,也可以用使用模具的压缩成型或传递成型、射出成型形成具有贯通孔106的第一光反射部件10。通过这样地形成,能够防止具有贯通孔106 的第一光反射部件10的形状的偏差。
在准备了具有贯通孔106的第一光反射部件10之后,将具有贯通孔106 的第一光反射部件10载置在由耐热性片材等构成的支承部件80上。
工序1-2.配置包含波长变换物质20的透光性树脂30
接着,在各贯通孔106内配置含有波长变换物质20的透光性树脂30(图 3A)。在配置含有波长变换物质20的透光性树脂30时,可以利用该领域中任一公知的方法。可列举印刷、灌封等。另外,透光性树脂30只要是波长变换物质20能够在透光性树脂30中移动的状态即可。即,透光性树脂30既可以是固化前的液状状态,也可以是半固化的状态。但是,由于波长变换物质20 易于移动,故而优选透光性树脂30为液状状态。另外,也可以在透光性树脂30中含有光扩散材料。
工序1-3.使波长变换物质20偏置
通过自然沉淀或强制沉淀,使透光性树脂30中的波长变换物质20向第一面101侧偏置(图3B)。在强制沉淀中存在例如通过由旋转产生的离心力而使波长变换物质20沉淀的离心沉淀。使波长变换物质20沉淀后,通过加热灯使透光性树脂30固化。由此,可得到波长变换物质20向第一面101侧偏置的透光性树脂30。另外,在透光性树脂30中含有光扩散材料的情况下,光扩散材料也可以与波长变换物质20同样地偏置,但优选在透光性树脂30 中不偏置而分散配置。
工序1-4.除去第一光反射部件及透光性树脂
将图3B的Ct-Ct线(虚线)的上侧除去。即,将“第二面侧的第一反光部件10”和“波长变换物质20偏置侧的相反侧的透光性树脂30”除去(图 3C)。在除去第一光反射部件10和透光性树脂30时,能够利用该领域中任一公知的方法。例如,可列举出蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等。由此,能够不使波长变换物质20的含有量实质上发生变化而将透光性树脂30减薄。即,能够得到被薄型化的覆盖部件70。另外,在通过蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等将第一光反射部件及透光性树脂除去时,可以使“第二面侧的第一光反射部件10”和“波长变换物质20偏置侧的相反侧的透光性树脂30”成为粗糙面。通过成为粗糙面,粘性(粘着性)下降,例如在安装时变得易于处理。
此处,在本说明书中,无论透光性树脂30等的除去的前后,在第一光反射部件10中将波长变换物质20偏置侧的面称为第一面,将其相反侧的面称为第二面。
经过以上的工序,能够得到被保持在支承部件80上的覆盖部件70。
<发光装置的制作>
工序A-1.发光元件40的固定
将发光元件固定在用上述的方法制造的覆盖部件70的透光性树脂30上 (图4A)。例如,将透光性树脂30和发光元件40的光取出面401经由接合部件60而粘接(图4C)。通过使用接合部件60,即使透光性树脂30不具有粘接性也能够与发光元件40粘接。另外,由于接合部件60形成至发光元件40 的侧面,发光元件40和透光性树脂30的粘接力提高,故而优选。另外,既可以将透光性树脂30的波长变换物质20偏置侧的面和发光元件40的光取出面401粘接,也可以将透光性树脂30的波长变换物质20偏置侧的面的相反侧的面和发光元件的光取出面401粘接。
工序A-2.第二光反射部件的形成
形成将发光元件40的侧面的一部分和第一光反射部件10覆盖的第二光反射部件50(图4B)。第二光反射部件50在发光元件40的周围与第一光反射部件10接合。另外,在使用接合部件60将发光元件40和透光性树脂30 粘接的情况下,第二光反射部件也可以覆盖接合部件60(图4C)。另外,发光元件40的电极形成面402中的不被电极43、44覆盖的部分也可以由第二光反射部件50所覆盖。此时,可以调节第二光反射部件50的厚度(z方向的尺寸),以使电极43、44的一部分从第二光反射部件50露出。即,在以第一光反射部件10的第一面101为基准时,到第二光反射部件50的与第一光反射部件10相对的面的相反侧的面52的高度可以在电极43、44的露出面431、 441的高度以下。
另外,也可以形成埋设电极43、44的厚度的第二光反射部件50(图4D)。之后,将图4D的Ct-Ct线(虚线)的上侧除去。即,也可以将第二光反射部件50除去,使电极43、44露出。在除去第二光反射部件50时,也可以利用该领域中任一公知的方法。例如,可列举出蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等。由于通过蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等将第二光反射部件50除去,第二光反射部件50的与第一光反射部件10相对面的相反侧的面52能够为扁平的状态,因此优选。
工序A-3.发光装置的单片化
在发光元件之间,通过将第一光反射部件及第二光反射部件切断而分割成各个发光装置。具体地,沿在邻接的发光元件40中间通过的虚线X1、虚线 X2、虚线X3及虚线X4(图5A、图5B),例如利用切割机等将第一光反射部件10、第二光反射部件50、支承部件80切断并单片化。最后,通过除去(剥离)支承部件80而得到发光装置(图6A、图6B)。另外,在将第一光反射部件10、第二光反射部件50、支承部件80切断时,优选不完全切断支承部件80。即,优选如图6C 所示地,通过切断部108将第一光反射部件10 和第二光反射部件50切离,而不将支承部件80切离。通过这样使支承部件 80不被分割成多个,故而能够一次除去(剥离)支承部件80。另外,也可以在切断前将支承部件80除去,之后,将第一光反射部件10和第二光反射部件50切断。由此,能够同时制造多个包含一个发光元件40的发光装置。另外,也可以在包含多个发光元件40的位置进行切断。
在以上的实施方式1中,使用经过工序1-4将第一光反射部件及/或透光性树脂30除去而被薄型化的覆盖部件70,实施工序A-1~A-3。
然而,在实施方式1的发光装置的制造方法中,也可以在接着工序1-3 实施工序A-1~A-2之后,将第一光反射部件及/或透光性树脂30除去而将覆盖部件70减薄。进而,在实施方式1的发光装置的制造方法中,也可以接着工序1-3实施工序A-1~A-3之后,在各发光装置中将各个第一光反射部件及/或透光性树脂30除去而将覆盖部件70减薄。
实施方式2.
以下,对实施方式2的发光装置的制造方法进行说明。
实施方式2的发光装置的制造方法除了用与实施方式1的覆盖部件的制作方法不同的方法制作覆盖部件以外,与实施方式1的发光装置的制造方法相同。
以下,对实施方式的覆盖部件的制作方法进行说明。
<覆盖部件的制作>
工序2-1.准备第一光反射部件
在由耐热性片材等构成的支承部件80上形成具有凹部107的第一光反射部件10。当将第一光反射部件10的与支承部件80相对的面作为第一面101,将第一面的相反侧的面作为第二面201时,凹部107在第二面102侧开口而形成(图7A)。
工序2-2.配置含有波长变换物质20的透光性树脂30
接着,将含有波长变换物质20的透光性树脂配置在各凹部107内(图 7A)。在配置含有波长变换物质20的透光性树脂30时,可以利用该领域中任一公知的方法。例如,可列举出印刷、灌封等。另外,透光性树脂30只要是波长变换物质20能够在透光性树脂30中移动的状态即可。即,透光性树脂 30既可以是固化前的液状状态,也可以是半固化的状态。但是,由于波长变换物质20易于移动,故而优选透光性树脂30为液状的状态。
工序2-3.使波长变换物质20偏置
通过自然沉淀或强制沉淀使透光性树脂30中的波长变换物质20向第一面101侧(凹部的地面侧)偏置(图7C)。之后,通过加热等使透光性树脂 30固化。由此,得到使波长变换物质20向第一面101侧偏置的透光性树脂。
工序2-4.第一光反射部件及透光性树脂的除去
将图7C的Ct1-Ct1线(虚线)的上侧除去。即,将“第二面侧的第一反光部件”和“与波长变换物质20偏置侧的相反侧的透光性树脂30”除去。在除去第一光反射部件10和透光性树脂30时,可以利用该领域中任一公知的方法。例如,可列举出蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等。由此,能够具有波长变换物质20偏置侧的透光性树脂30并使其较薄。另外,在通过蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等将第一光反射部件及透光性树脂除去时,可以使“第二面侧的第一光反射部件10”和“与波长变换物质20偏置侧的相反侧的透光性树脂30”形成为粗糙面。通过形成为粗糙面粘性(粘着性)下降,变得易于处理。
工序2-5.第一光反射部件的除去
从第一光反射部件10的第一面将支承部件80剥离而将支承部件80粘附在第一光反射部件10的第二面(第一面的相反侧的面)上(图7D)。此时,可以在第一光反射部件10的第二面上粘附其他的支承部件80之后将支承部件80从第一面剥离。接着,将在图7D的Ct2-Ct2线(虚线)上侧的“第一面侧的第一光反射部件”除去(图7E)。在除去第一光反射部件10时,可以利用该领域中任一公知的方法。可列举蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等。由此含有波长变换物质20的透光性树脂30也从第一面101侧露出。即,能够得到被薄型化的覆盖部件70。另外,工序2-4和工序2-5的除去工序无论在先实施哪一种均可。
实施方式3.
实施方式3的发光装置的制造方法在以下方面与实施方式1的制造方法不同。
(1)在实施方式1中,在工序1-3中使透光性树脂30固化,而在实施方式3的发光装置的制造方法中,在工序1-3中使透光性树脂30为半固化状态,并直到将发光元件40固定的阶段,透光性树脂30保持粘接性。
(2)在实施方式1中,在工序A-1中通过粘接部件将发光元件40和透光性树脂30粘接,而在实施方式3的发光装置的制造方法中,在工序A-1 中利用半固化状态的透光性树脂30的粘接性将发光元件40和透光性树脂30 固定。
实施方式3的发光装置的制造方法除了上述(1)、(2)以外与实施方式1 的制造方法同样地构成。
另外,用实施方式3的发光装置的制造方法,在实施方式1的制造方法中利用半固化状态的透光性树脂30中的粘接性将发光元件40和透光性树脂 30固定。
然而,在实施方式2的制造方法中,也可以利用半固化状态的透光性树脂30中的粘接性将发光元件40和透光性树脂30固定。
另外,在以上的实施方式3的发光装置的制造方法中,优选在接着工序1 -3实施工序A-1~A-2后,将第一光反射部件及/或透光性树脂30除去而将覆盖部件70减薄。
根据以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法,由于通过磨削、研磨等能够将覆盖部件70减薄,故而能够容易地制造薄型的发光装置。
另外,在以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法中,在使波长变换物质20向透光性树脂30的一面侧偏置之后,将透光性树脂30中的波长变换物质20不偏置的区域而将覆盖部件70薄型化。由此,能够形成波长变换物质20的含有量偏差小的薄型的覆盖部件70,能够减小发光装置的色调偏差。
即,若使波长变换物质20偏置,不除去波长变换物质20不偏置的区域而制作包含波长变换物质的薄型的覆盖部件,则将少量的透光性树脂涂敷在薄的第一光反射部件的贯通孔或开口部上而进行制造。
然而,若在树脂的涂敷中涂敷量少,则存在涂敷量偏差变大的倾向,其结果是,透光性树脂中所含有的波长变换物质的含有量的偏差也变大。使波长变换物质20向透光性树脂30的一面侧偏置之后,若除去透光性树脂30中的波长变换物质20不偏置的区域而使覆盖部件70为薄型,则能够使透光性树脂向第一光反射部件的贯通孔或开口部的涂敷量较多,其结果,能够形成波长变换物质20的含有量偏差小的薄型的覆盖部件70。
另外,在以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法中,使波长变换物质20向透光性树脂30的一面侧偏置之后,除去透光性树脂30中的波长变换物质20不偏置的区域而将覆盖部件70薄型化。由此,能够形成加工精度良好的薄型的覆盖部件70。
即,若使用具有贯通孔或开口部的薄的第一光反射部件,在该贯通孔或开口部填充透光性树脂30来制作薄的覆盖部件,则在制造过程中,例如,由于在贯通孔或开口部未填充透光性树脂30的状态的薄的第一光反射部件的变形、在贯通孔或开口部填充透光性树脂30并使其固化时的薄的第一光反射部件的变形等,难以用高加工精度来制作覆盖部件。
然而,在以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法中,使用在制造过程中易于处理的较厚第一光反射部件,通过研磨或磨削等将在贯通孔或开口部上填充透光性树脂30并固化后的强度高的覆盖部件减薄,故而能够制造加工精度良好且薄的覆盖部件来制造发光装置。
因此,根据实施方式1~3的发光装置的制造方法,能够制造加工精度良好的发光装置。
另外,在以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法中,如上所述,制造加工精度良好且薄的覆盖部件来制造发光装置。由此,能够制造配光特性偏差少的发光装置。
即,若使用具有贯通孔或开口部的薄的第一光反射部件在该贯通孔或开口部填充透光性树脂,不通过研磨或磨削等进行薄型化来制作薄的覆盖部件,则担心固化后的透光性树脂的形状偏差容易变大,且配管特性偏差容易变大。
例如,若通过灌封等将透光性树脂涂敷在第一光反射部件的贯通孔或开口部并固化,则产生所谓的收缩这一现象,存在表面变为凹形的情况。如此若表面变为凹形,则发光装置中的光取出效率变差。若表面形状(例如,凹形中的凹陷量)由于收缩量的偏差而产生偏差,则在配光特性上产生偏差。
然而,在以上的实施方式1~3的发光装置的制造方法中,由于将透光性树脂30中的波长变换物质20不偏置的区域除去而将覆盖部件70薄型化,故而能够将由收缩所形成的表面的凹陷形状部分除去而成为平坦,且能够减小表面形状的偏差。
从而,能够制造光取出效率高且在配光特性上偏差小的发光装置。
<实施方式4>
实施方式4的发光装置1000是由实施方式1~3的发光装置的制造方法所制作的发光装置的一例。实施方式4的发光装置1000具有:覆盖部件,其具有贯通孔的第一光反射部件10、包含配置在第一光反射部件10的贯通孔内的波长变换物质20的透光性树脂30;发光元件40,其与透光性树脂30相对而配置;第二光反射部件50,其覆盖发光元件40的侧面且与发光元件40周围的第一光反射部件相对而设置。而且,在透光性树脂30中,波长变换物质20向与发光元件40相对的面侧偏置。即,透光性树脂30的波长变换物质20 偏置侧的面和发光元件40的光取出面401相对。发光元件40的光取出面401 在将发光元件40安装到基体上的情况下,表示在发光元件40中与基体相对的面的相反侧的面。换言之,在将发光元件面朝下安装的情况下,表示具有发光元件40的电极的面的相反侧的面。另外,在将发光元件40面朝上安装的情况下,表示具有发光元件40的电极的面。另外,将具有电极的面作为电极形成面。
图8B是沿图8A的A-A线的剖面图。如图8B所示,发光元件40包含透光性基板41和形成于透光性基板41的下面侧的半导体层积体42。发光元件40具有透光性基板41侧的光取出面401(上表面)和光取出面的相反侧的面即电极形成面402(下表面),在电极形成面(下表面)具有一对电极43、 44。构成一对电极的两个电极43、44各自能够为任意的形状。另外,在本说明书中,发光元件40的“电极形成面”指不包含电极43、44的状态下的发光元件40的面。在本实施方式中,电极形成面402与半导体层积体42的下表面一致。
另外,形成于第一光反射部件10的贯通孔的形状可以是圆、椭圆、半圆、半椭圆等包含曲线的形状或、三角形、四边形等多边形、T以及L等不规则形状等的任意形状。另外,配置在贯通孔内的透光性树脂的大小在提高从发光元件40的光取出效率的情况下,优选为比发光元件40的外边缘大。这是因为,通过使透光性树脂30比发光元件40的外边缘大,能够减少被第一光反射部件10反射并返回发光元件40的光。另外,在欲提高发光装置的可见性的情况下,优选透光性树脂30比发光元件40的外边缘小。这是因为,通过使透光性树脂30比发光元件40的外边缘小,取出光的面积变小。
第二光反射部件50覆盖发光元件40的侧面和第一光反射部件10。另外,第二光反射部件50也可以以电极43、44的一部分露出的方式覆盖发光元件 40的电极形成面402。
在发光装置1000中,在透光性树脂30中,波长变换物质20向第一面101 侧偏置。因此,即使将第一光反射部件10及透光性树脂30的波长变换物质 20不偏置侧(第二面的102侧)除去,也能够抑制透光性树脂30中所包含的波长变换物质20的含有量的减少。即,透光性树脂30中所包含的波长变换物质20的量不变大,将发光装置薄型化。另外,假设,即使透光性树脂30 的厚度多少产生偏差,透光性树脂30中所包含的波长变换物质20的量也不变大。另外,优选波长变换物质20不偏置侧(第二面102侧)的透光性树脂 30的表面(上表面)与第一光反射部件10的上表面即第二面102实质上位于同一平面上(共面),在两个平面中没有台阶且平坦。这样,能够进一步将发光装置薄型化。另外,在此的共面及没有台阶指的是不被故意加工成任一个从另一个突出的方式,即使有50μm左右,优先的是30μm左右的凹凸也称为共面或没有台阶。
在发光装置1000中,透光性树脂30的波长转换物质20偏置侧的面和发光元件40的光取出面401相对(相对面)。即,构成发光装置1000的上表面的一部分的、透光性树脂30的暴露于外界环境中的表面是透光性树脂30的波长变换物质20不偏置侧的面。因此,在透光性树脂30的暴露于外界环境中的表面的附近,实质上不存在波长变换物质20。由此,例如即使作为波长变换物质20而使用不耐水的物质,由于透光性树脂30起到作为保护层的功能,故而能够抑制波长变换物质20劣化,并保持良好的色度。例如,作为不耐水的波长变换物质20,具有氟化物类荧光体、硫化物类荧光体、氯化物类荧光体、硅酸盐类荧光体、磷酸盐类荧光体等。特别是,作为红色荧光体,氟化物类荧光体即K2SiF6:Mn是合适的荧光体,但由于耐水性差,故而适用范围有限。但是,实施方式4的发光装置即使包含氟化物类荧光体即K2SiF6: Mn也能够抑制由使用引起的色度的变化。另外,从发光元件40射出的光照射到波长变换物质20时折射并散射。由于发光装置1000的上表面由透光性树脂30的波长变换物质20不偏置的面所形成,故而与在透光性树脂30中将波长变换物质20分散配置的发光装置相比,散射产生的部位主要为发光装置的下侧。因此,若发光装置的上表面由透光性树脂30的波长变换物质20不偏置的面形成,则可见性变得良好。
<实施方式5>
如图9所示,实施方式5的发光装置2000与实施方式4的发光装置1000 相比,在透光性树脂30的波长变换物质20不偏置侧的面的相反侧的面与发光元件40的光取出面401相对配置的方面存在差异。其他方面与实施方式1 相同。
另外,优选形成波长变换物质20不偏置侧(第二面102侧)的第一光反射部件10及透光性树脂30共面、即在两个面中没有台阶且平坦。这样,能够进一步将发光装置薄型化。另外,在此的共面及没有台阶指与实施方式1 同样地,是指不被故意加工成任一个从另一个突出的方式,也可以包含50μm 左右,优选的是30μm左右的凹凸。
在实施方式5中,在波长转换物质20偏置侧和发光元件40之间配置有波长变换物质20不偏置的透光性树脂30。这样,与在透光性树脂30中将波长变换物质20分散配置的情况相比,能够增大发光元件40和波长变换物质 20的距离。由此,例如即使使用不耐热的波长变换物质20或、温度的激励效率的变化大的波长变换物质20,也能够抑制发光元件40产生的热向波长变换物质20传递,故而能够保持良好的色度。作为不耐热的波长变换物质20或由温度的激励效率的变化大的波长变换物质20,可列举出量子点荧光体、氯硅酸盐荧光体、β硅铝氧氮陶瓷荧光体等。
<实施方式6>
图10所示的实施方式6的发光装置3000与实施方式4的发光装置1000 相比,在发光装置3000的上表面成为比发光装置3000的下表面粗糙的粗糙面方面存在差异。换言之,发光装置3000的下表面比发光装置3000的上表面平坦。其他方面与实施方式4相同。
发光装置3000的上表面包含第一光反射部件10的第二面、和透光性树脂30的波长变换物质偏置侧的面的相反侧的面。发光装置3000的下表面包含第二光反射部件50的与第一光反射部件10相对的面的相反侧的面52、和从第二光反射部件露出的发光元件的电极的一面即露出面431、441。优选构成发光装置3000的上表面的第一光反射部件10的第二面102比露出面431、 441粗糙面化。另外,优选形成发光装置3000的上表面的透光性树脂30的波长变换物质偏置侧的面的相反侧的面比露出面431、441粗糙面化。
通过将发光装置3000的上表面粗糙面化而使粘性下降,例如,在安装发光装置3000时易于处理。另外,优选形成发光装置3000的下表面的、从第二光反射部件露出的发光元件的电极的一面即露出面431、441平坦。另外,优选露出面431、441的镜面反射率比第二光反射部件的下表面(露出面431、 441周围的面)高。由此,与第二光反射部件50的对比度差值变高。由于露出面431、441和露出面431、441周围的面的对比度差值变大,故而容易识别电极43、44。另外,第二面102和透光性树脂30的波长变换物质偏置侧的面的相反侧的面的算术平均粗糙度Ra没有特别限定,但为了易于处理,第二面的算术平均粗糙度Ra优选为0.05~10μm,进一步优选为0.07~5μm。在透光性树脂30中使波长变换物质20偏置侧的相反侧的面的算术平均粗糙度Ra 没有特别限定,但为了易于处理,优选为0.05~10μm,进一步优选为0.07~ 5μm。另外,露出面431、441的算术平均粗糙度Ra没有特别限定,但为了易于识别,算术平均粗糙度Ra优选为0.1μm以下,进一步优选为0.05μm以下,更进一步优选为0.025μm以下。
Ra能够以JIS0601-1976表面粗糙度的测定方法为基准进行测定。具体地,Ra在从粗糙度曲线在其中心线的方向上抽取测定长度L的部分,以该抽取部分的中心线为X轴,纵倍率的方向为Y轴,粗糙度曲线为y=f(x)时由下式表示。
式1
Ra的值是用微米表示的数值。该Ra能够使用接触式表面粗糙度测量仪或激光显微镜来测定。另外,在本说明书中,算术平均粗糙度:Ra的值是使用东京精密制造的SURFCOM480A-12测定的值。
另外,即使在发光装置2000中,优选上表面即第一光反射部件10的第一面101和透光性树脂30的波长变换物质20偏置侧的面比形成发光装置 2000的下表面的露出面431、441形成为粗糙面。这样,与发光装置3000同样易于处理。
<实施方式7>
图11所示的实施方式7的发光装置4000与实施方式4的发光装置1000 相比,在发光元件40和透光性树脂30经由接合部件60接合的方面存在差异。其他方面与实施方式4相同。
优选通过将透光性的接合部件60配置在发光元件40与透光性树脂30之间,能够容易将发光元件40和透光性树脂30接合。另外,通过夹着接合部件60,在接合部件60和透光性树脂30的界面产生折射或反射。由此,能够抑制颜色不均或亮度不均。由于用比透光性树脂30的折射率接近发光元件40 的光取出面401的折射率的数值形成接合部件60的折射率,能够提高自发光元件40的光取出效率,因此优选。
另外,若接合部件60形成至发光元件40的侧面,能够将从发光元件40 的侧面射出的光通过接合部件60从发光装置4000取出,故而能够提高取出效率。
在透光性树脂30比发光元件40的外边缘大的情况下,优选接合部件60 以比发光元件40的光取出面401的面积大的面积与透光性树脂30接合。由此,从发光元件40射出的光以比光取出面401大的面积即接合部件60和透光性树脂30接合的面积被导入,故而能够抑制颜色不均或亮度不均。另外,优选接合部件60完全覆盖透光性树脂30的与发光元件40相对的面。这样,能够在透光性树脂30的与发光元件40相对的整个面导入从发光元件40射出的光,故而能够进一步抑制颜色不均或亮度不均。
另外,即使如实施方式5的发光装置2000,透光性树脂30的波长变换物质20偏置侧的面的相反侧的面与发光元件40的光取出面401相对配置,也能够得到上述效果。
<实施方式8>
图12、图13A、图13B、图13C所示的实施方式8的发光装置5000与实施方式4的发光装置1000相比,在第一光反射部件10的贯通孔的侧壁具有凸部103的方面存在差异。其他方面与实施方式4相同。
由于在贯通孔的侧壁具有凸部103,从发光元件40射出的光由凸部103 反射,更多的光照射在波长变换物质20上,故而颜色不均被改善,因此优选。另外,凸部103的位置没有特别限定,但如图12所示的发光装置5000,在发光装置的上表面由第一光反射部件10的第二面102形成的情况下,优选凸部 103形成在比第一光反射部件10的第一面101靠近第二面102的位置。这样,由凸部103反射的光更容易照射到波长变换物质20,故而颜色不均被改善。另外,优选凸部103形成在比发光元件的光取出面靠近发光装置的上表面的位置。这样,发光装置的可见性变好。当由凸部103提高可见性时,与减小贯通孔的情况相比,能够增加透光性树脂30的量,故而能够抑制颜色不均。另外,在本说明书中,将凸部103的位置作为凸部103的前端的位置。
由于在贯通孔的侧壁具有凸部103,第一光反射部件10与含有波长变换物质20的透光性树脂30的粘接面积变大,粘接力也变高,因此优选。另外,如图13A所示,凸部103也可以向第一面101侧倾倒而突出。换言之,凸部103也可以向第一面101侧倾斜。通过使凸部103倾斜,粘接面积变大,能够提高粘接力。另外,如图13B所示,凸部103也可以向第二面102侧倾斜而突出。换言之,凸部103也可以向第二面102侧倾斜。即使这样,第一光反射部件10与透光性树脂30的粘接面积变大,也能够提高粘接力。进一步地,因为从发光元件40射出的光被凸部103反射而容易朝向发光装置的上表面,故而光的取出变好。另外,如图13C所示,发光元件40和透光性树脂30也可以经由接合部件60接合。这样,在接合部60和透光性树脂30的界面产生折射或反射,由凸部103也产生反射,故而颜色不均进一步被改善。
<实施方式9>
图14所示的实施方式的发光装置6000与实施方式4的发光装置1000相比,在透光性树脂30中含有光扩散材料的方面存在差异。图14A中,在透光性树脂30中含有第一光扩散材料31,图14B中,在透光性树脂30中含有第一光扩散材料31及第二光扩散材料32。其他方面与实施方式4相同。
如图14A所示,由于在透光性树脂30中含有第一光扩散材料31,能够调整透光性树脂30的折射率,因此优选。另外,优选25℃(常温)中的第一光扩散材料的折射率比25℃(常温)中的透光性树脂的折射率高。由此,透光性树脂30和第一光扩散材料31的折射率之差与常温(25℃)时相比,在高温(100℃)时变大。这是因为当由于驱动等温度上升时,由于热膨胀而使透光性树脂30的折射率降低。一般地,即使温度上升,第一光扩散材料31 的折射率与透光性树脂30相比也不降低。另外,当温度上升时,波长变换物质20的波长变换效率降低。在高温(100℃)时,透光性树脂30和第一光扩散材料31的折射率之差变大,故而从发光元件40被射出的光由第一光扩散材料31的反射率变高,能够增长通过透光性树脂30的从发光元件40射出的光的光路长。由此,由于照射到波长变换物质20的光增加,即使波长变换物质20的荧光发光效率降低也能够抑制颜色不均。
另外,优选第一光扩散材料31在透光性树脂30中均匀地分散。通过使第一光扩散材料31分散,能够抑制在透光性树脂30中的颜色不均。优选具有在透光性树脂30中分散的第一光扩散材料31,且在第一光扩散材料31与发光元件40的光取出面401之间使波长变换物质20偏置。即,优选在透光性树脂中,在除了波长变换物质偏置的区域以外的区域包含有第一光扩散材料。通过这样地配置,从发光元件40射出的光在第一光扩散材料31反射而容易照射到波长变换物质20,故而能够进一步抑制透光性树脂30中的颜色不均。因此,优选的是,虽然波长变换物质20偏置,但第一光扩散材料31在未固化或半固化的状态的透光性树脂30中,选择与波长变换物质30相比难以沉淀,且能够维持均匀地分散的状态的材料。具体地,作为波长变换物质 20,在选择平均粒径在5μm~20μm的范围的荧光体粒子的情况下,作为第一光扩散材料31,例如能够使用平均粒径在0.1μm~3μm的范围的粉末材料,优选的是平均粒径在0.2μm~1μm的范围的粉末材料。另外,由于含有第一光扩散材料31,故而能够调整透光性树脂30的粘度。由此,透光性树脂30 的成形变得容易,故而优选。
另外,如图14B所示,在透光性树脂30中也可以含有第一光扩散材料 31及第二光扩散材料32。此时,优选地,25℃(常温)中的第一光扩散材料的折射率比25℃(常温)中的透光性树脂30的折射率高,100℃(高温)中的第二光扩散材料的折射率比100℃(高温)中的透光性树脂30的折射率低。这样,与常温(25℃)时相比,在高温(100℃)时,透光性树脂30和第一光扩散材料31的折射率之差变大,透光性树脂30和第二光扩散材料32的折射率之差变小。这样,透光性树脂30和第一光扩散材料31的折射率之差、透光性树脂30和第二光扩散材料32的折射率之差各自成为互补关系,故而能够进一步抑制由温度变化引起的颜色不均。另外,优选地,第一光扩散材料31及第二光扩散材料32在透光性树脂30中被分散。由于第一光扩散材料 31及第二光扩散材料32被分散,故而能够抑制透光性树脂30中的颜色不均。另外,在透光性树脂30中也可以含有两种以上的光扩散材料。
另外,在本说明书中,只要没有特别限定,折射率为发光元件的峰值波长中的数值。另外,只要没有特别限定,折射率的差值是绝对值。另外,折射率能够用例如阿贝折射仪进行测定。在由于部件的大小等用阿贝折射仪不能测定的情况下,能够通过特定部件,并通过与该特定部件类似的部件的测定结果求出折射率。
<实施方式10>
图15所示的实施方式10的发光装置7000与实施方式4的发光装置1000 相比,在发光装置7000的上表面与发光装置7000的下表面相比成为粗糙面的方面、发光元件40和透光性树脂30经由接合部件60接合的方面、第一光反射部件10的贯通孔的侧壁具有凸部103的方面、在透光性树脂30中含有光扩散材料的方面存在差异。其他方面与实施方式4相同。
形成发光装置7000的上表面的透光性树脂30的上表面被粗糙面化。从发光元件40射出的光容易被透光性树脂30的上表面反射。由此能够抑制透光性树脂30中的颜色不均。另外,发光元件40和透光性树脂30经由接合部件60接合。由于夹着接合部件60,在接合部件60和透光性树脂30的界面从发光元件40射出的光的一部分折射或反射,故而能够抑制颜色不均。在第一光反射部件10的贯通孔的侧壁具有凸部103。由此,从发光元件40射出的光的一部分被凸部103反射,故而能够抑制颜色不均。在透光性树脂30中含有光扩散材料(第一光扩散材料31、第二光扩散材料32)。由此,从发光元件 40射出的光的一部分被光扩散材料折射或反射,故而能够抑制颜色不均。通过形成这样的构成,能够增长在透光性树脂30中的从发光元件40射出的光的光路长,故而能够进一步抑制颜色不均。
图15B所示的实施方式的发光装置7000是图15A的变形例,在透光性树脂30的波长变换物质20偏置侧的面的相反侧的面与发光元件40的光取出面401相对配置的方面存在差异。其他方面与图15A相同。即使是这样的构成,也能够增长在透光性树脂30中的从发光元件40射出的光的光路长,故而能够抑制颜色不均。
以下,对适于实施方式4~10的发光装置的各构成部件的材料等进行说明。
(发光元件40)
作为发光元件40,能够使用例如发光二极管等半导体发光元件。半导体发光元件可以包含透光性基板41、在其上形成的半导体层积体42。
(透光性基板41)
在发光元件40的透光性基板41上,可使用例如蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgAl2O4)这样的透光性绝缘性材料或、使来自半导体层积体42的发光透过的半导体材料(例如,氮化物类半导体材料)。
(半导体层积体42)
半导体层积体42包含多个半导体层。作为半导体层积体42的一例,可以包含第一导电型半导体层(例如n型半导体层)、发光层(活性层)以及第二导电型半导体层(例如p型半导体层)这三个半导体层。半导体层可由例如III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体等半导体材料形成。具体地,可使用InXAlYGa1-X-YN(0≤X、0≤Y、X+Y≤1)等的氮化物类的半导体材料(例如InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)。
(电极43,44)
作为发光元件40的电极43、44,可使用电的良导体,优选例如为Cu等金属。
(第一光反射部件10)
第一光反射部件可以是相对于来自发光元件的光的反射率为60%以上,优选为70%以上的部件。这样,通过将到达第一光反射部件的光反射且光朝向透光性树脂的外侧,能够提高发光装置的光取出效率。
作为第一光反射部件的材料,可列举金属、光反射性物质(例如,氧化钛、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡、各种稀土类氧化物(例如氧化钇、氧化钆))等。另外,也可以在树脂、无机材料、玻璃等或其复合物上含有反光性物质。在树脂、无机材料、玻璃等或其复合物上含有的反光性物质的量没有特别限定,但优选的是,相对于第一光反射部件的重量,使反光性物质含有大约10~95 重量%,优选为30~80重量%,进一步优选为40~70重量%。另外,由于在树脂中使反光性物质分散而形成第一光反射部件,蚀刻、切削、磨削、研磨、喷砂等的加工变得容易,因此优选。
作为能够在第一光反射部件上使用的树脂材料,可使用硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固化性树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基戊烯树脂、降冰片烯树脂等热可塑性树脂。特别地,优选耐光性、耐热性良好的硅树脂。
作为能够在第一光反射部件使用的无机材料,可列举包含氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛、氧化锌或这些材料的混合物等陶瓷或低温烧结陶瓷等的单层膜或层积膜。
(第二光反射部件50)
第二光反射部件的材料可使用与第一光反射部件相同的材料来形成。第二光反射部件的材料可以与第一光反射部件的材料相同,也可以根据特性进行改变。例如,也可以改变在第一光反射部件和第二光反射部件中所含有的反光性物质的含有量。第二光反射部件因为覆盖发光元件的侧面,故而与第一光反射部件相比更期望强度。因此,在由含有反光性物质的树脂形成第一光反射部件和第二光反射部件的情况下,与在第一光反射部件中含有的反光性物质的量相比,也可以减少在第二光反射部件中含有的反光性物质的量并提高强度。这样,能够提高期望更高反射性的第一光反射部件的反射率。另外,第一光反射部件具有将其一部分除去的工序,故而期望强度。在该情况下,与在第二光反射部件中含有的反光性物质的量相比,也可以减少第一光反射部件中含有的反光性物质的量。这样,与第二光反射部件的强度相比,能够提高第一光反射部件的强度。另外,也可以由金属或反光性物质形成第一光反射部件,由含有反光性物质的树脂形成这样的异种材料形成第二光反射部件。
(透光性树脂30)
透光性树脂为了从外部环境保护发光元件,并且对从发光元件输出的光进行光学上的控制,故而是配置在发光元件的光取出面侧的部件。作为透光性树脂的材料,可使用硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固化性树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基戊烯树脂、降冰片烯树脂等热可塑性树脂。特别地,优选耐光性、耐热性良好的硅树脂。另外,透光性树脂优选为光的透过率高。因此,通常优选不在透光性树脂中添加将光反射、吸收或散射的添加物。但是,为了赋予希望的特性,也存在优选在透光性树脂中添加添加物的情况。
(波长变换物质20)
作为波长变换物质,可使用例如能够由来自发光元件的发光激励的荧光体粒子。例如,作为能够由蓝色发光元件或紫外线发光元件激励的荧光体,可列举由铈活化的钇·铝·石榴石类荧光体(Ce:YAG)、由铈活化的镥·铝·石榴石类荧光体(Ce:LAG)、由铕及/或铬活化的含氮铝硅酸钙类荧光体(CaO -Al2O3-SiO2)、由铕活化的硅盐酸类荧光体((Sr,Ba)2SiO4)、β硅铝氧氮陶瓷荧光体、CANS类荧光体、SCASN系荧光体等氮化物荧光体;KSF类荧光体等氟化物类荧光体、硫化物类荧光体、氯化物类荧光体、硅酸盐类荧光体、磷酸盐类荧光体、量子点荧光体等。另外,KSF类荧光体的一般式可以由A2[M1-aMn4+ aF6]…(I)表示。(式中,A表示从由K+、Li+、Na+、Rb+、 Cs+及NH4+组成的组中选择的至少一种阳离子,M表示从由第4族元素及第 14族元素组成的组中选择的至少一种元素,a满足0.01<a<0.20)。另外,也可以是一般式(I)中的A包含K+,M包含Si的氟化物类荧光体。通过将这些荧光体与蓝色发光元件或紫外线发光元件组合,能够制造各种颜色的发光装置(例如白色类的发光装置)。
(接合部件60)
接合部件能够由具有透光性的树脂形成。作为接合部件的材料,特别地,优选为硅树脂、硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固化性的透光性树脂。由于接合部件与发光元件的侧面接触,故而在点亮时容易受到在发光元件产生的热的影响。热固化性树脂由于耐热性优良,故而适于接合部件。另外,接合部件优选光透过率高。因此,通常优选不在接合部件中添加将光反射、吸收或散射的添加物。但是,为了赋予希望的特性,也存在优选在接合部件中添加添加物的情况。例如,为了调整接合部件的折射率,或者为了调整固化前的接合部件的粘度,也可以添加各种填料。
(第一光扩散材料31、第二光扩散材料32)
作为第一光扩散材料31及第二光扩散材料32,具体地可列举SiO2、Al2O3、 Al(OH)3、MgCO3、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb2O5、MgO、Mg(OH)2、SrO、 In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3、CaO、Na2O、B2O3、SnO、ZrSiO4等氧化物、 SiN、AlN、AlON等氮化物、MgF2、CaF2、NaF、LiF、Na3AlF6这样的氟化物等。这些物质既可以单独使用,也可以使各种物质熔融混合而作为玻璃等使用。或者,也可以分成多层而使其层积。
特别是,通过形成为玻璃,能够任意地控制折射率。作为光扩散材料的粒径,可以在0.01~100μm任意地选择。另外,光扩散材料的含有量需要分别调整,不根据覆盖树脂的体积或光扩散材料的粒径唯一地决定。
以上,对本发明的数个实施方式进行了示例,但本发明不限于上述的实施方式,显然只要不脱离本发明的宗旨,可形成为任意的构成。
Claims (26)
1.一种覆盖部件的制造方法,包括如下的工序:
准备具有贯通孔的第一光反射部件;
在所述贯通孔内配置含有波长变换物质的透光性树脂;
使所述波长变换物质在所述透光性树脂内向所述贯通孔的一开口侧偏置;
使所述波长变换物质偏置后,将所述透光性树脂的一部分从所述贯通孔的另一开口侧除去,
在将所述透光性树脂的一部分除去的工序中,将所述第一光反射部件的一部分与所述透光性树脂一同除去,形成没有台阶且平坦的面,
在除去所述透光性树脂的一部分的工序之后,在所述透光性树脂内向所述贯通孔的所述一开口侧偏置有所述波长变换物质。
2.一种覆盖部件的制造方法,包括如下的工序:
准备具有凹部的第一光反射部件;
在所述凹部内配置含有波长变换物质的透光性树脂;
使所述波长变换物质在所述透光性树脂内向所述凹部的底面侧偏置;
使所述波长变换物质偏置后,将所述透光性树脂的一部分从所述凹部的开口侧除去;
使所述波长变换物质偏置后,将所述第一光反射部件的一部分与所述透光性树脂一同从形成有所述凹部的面的相反侧的面除去,形成没有台阶且平坦的面,在所述相反侧的面使所述透光性树脂露出,
在从所述凹部的开口侧除去所述透光性树脂的一部分的工序及从形成有所述凹部的面的相反侧的面除去所述第一光反射部件的一部分的工序之后,在所述透光性树脂内向要与发光元件相对的下表面侧或要从所述发光元件离开的上表面侧偏置有所述波长变换物质。
3.如权利要求1所述的覆盖部件的制造方法,其中,
在准备所述第一光反射部件的工序中,通过冲孔形成所述贯通孔。
4.如权利要求1或2所述的覆盖部件的制造方法,其中,
通过沉淀使所述波长变换物质偏置。
5.如权利要求1或2所述的覆盖部件的制造方法,其中,
在准备所述第一光反射部件的工序中,形成多个所述贯通孔或凹部。
6.一种发光装置的制造方法,包括如下的工序:
将用权利要求1~4中任一项所述的方法制造的覆盖部件的所述透光性树脂和发光元件的光取出面粘接;
形成覆盖所述发光元件的侧面,并在所述发光元件的周围与所述第一光反射部件接合的第二光反射部件。
7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法,其中,
所述覆盖部件和所述发光元件经由接合部件而粘接。
8.如权利要求6或7所述的发光装置的制造方法,其中,
在形成所述第二光反射部件的工序之后,具有将所述第二光反射部件的一部分除去,使所述发光元件的电极露出的工序。
9.一种发光装置的制造方法,包括如下的工序:
将各个发光元件的光取出面与用权利要求5所述的方法制造的覆盖部件的所述透光性树脂粘接;
形成覆盖所述各发光元件的侧面,并在所述各发光元件的周围分别与所述第一光反射部件接合的第二光反射部件;
在形成所述第二光反射部件的工序之后,对每个所述发光元件,将所述第一光反射部件及所述第二光反射部件切断。
10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法,其中,
所述透光性树脂和所述发光元件分别经由接合部件而粘接。
11.如权利要求9或10所述的发光装置的制造方法,其中,
在形成所述第二光反射部件的工序之后,具有将所述第二光反射部件的一部分除去,使所述发光元件的电极分别露出的工序。
12.一种发光装置,具有:
覆盖部件,其具有第一光反射部件和透光性树脂,该第一光反射部件具有贯通孔,该透光性树脂配置在所述贯通孔内;
发光元件,其以与所述透光性树脂相对的方式设置;
第二光反射部件,其覆盖所述发光元件的侧面,并与所述发光元件周围的第一光反射部件相对而设置,
所述透光性树脂包含向与所述发光元件相对的下面侧或从所述发光元件离开的上面侧偏置的波长变换物质,
所述发光元件与所述透光性树脂经由透光性的接合部件接合,
所述接合部件形成至所述发光元件的侧面。
13.如权利要求12所述的发光装置,其中,
所述波长变换物质向所述透光性树脂的下面侧偏置。
14.如权利要求13所述的发光装置,其中,
所述波长变换物质向所述透光性树脂的上面侧偏置。
15.如权利要求12或13所述的发光装置,其中,
所述第一光反射部件的上表面和所述透光性树脂的上表面实质上位于同一平面上。
16.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
所述透光性树脂的上表面为粗糙面。
17.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
所述发光元件具有电极,该电极从所述第二光反射部件露出,所述电极的从所述第二光反射部件露出的表面的镜面反射率比所述第二光反射部件的下表面高。
18.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
在所述贯通孔的侧壁具有凸部。
19.如权利要求18所述的发光装置,其中,
所述凸部是向所述透光性树脂的上表面倾斜的突出部,或向所述透光性树脂的下表面倾斜的突出部。
20.如权利要求19所述的发光装置,其中,
所述透光性树脂的上表面与所述凸部的前端的距离比所述透光性树脂的下表面与所述凸部的前端的距离短。
21.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
所述第一光反射部件及所述第二光反射部件包含树脂。
22.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
所述波长变换物质为氟化物类荧光体。
23.如权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其中,
在所述透光性树脂中具有第一光扩散材料。
24.如权利要求23所述的发光装置,其中,
25℃中的所述第一光扩散材料的折射率比25℃中的所述透光性树脂的折射率高。
25.如权利要求24所述的发光装置,其中,
在所述透光性树脂中具有第二光扩散材料,100℃中的所述第二光扩散材料的折射率比100℃中的所述透光性树脂的折射率低。
26.如权利要求24所述的发光装置,其中,
在所述透光性树脂中,在除了所述波长变换物质偏置的区域以外的区域包含有所述第一光扩散材料的一部分。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010673281.2A CN111864034A (zh) | 2015-05-29 | 2016-05-27 | 发光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-109807 | 2015-05-29 | ||
JP2015109807 | 2015-05-29 | ||
JP2016-031940 | 2016-02-23 | ||
JP2016031940A JP6183486B2 (ja) | 2015-05-29 | 2016-02-23 | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010673281.2A Division CN111864034A (zh) | 2015-05-29 | 2016-05-27 | 发光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106206912A CN106206912A (zh) | 2016-12-07 |
CN106206912B true CN106206912B (zh) | 2020-08-07 |
Family
ID=56087164
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610366365.5A Active CN106206912B (zh) | 2015-05-29 | 2016-05-27 | 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法 |
CN202010673281.2A Pending CN111864034A (zh) | 2015-05-29 | 2016-05-27 | 发光装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010673281.2A Pending CN111864034A (zh) | 2015-05-29 | 2016-05-27 | 发光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10374134B2 (zh) |
EP (2) | EP3709374B1 (zh) |
CN (2) | CN106206912B (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015138495A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Osram Sylvania Inc. | Light converter assemblies with enhanced heat dissipation |
JP6711021B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TWI610470B (zh) * | 2016-06-13 | 2018-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法 |
JP6724634B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-07-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6686780B2 (ja) | 2016-08-05 | 2020-04-22 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法 |
JP6455495B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7011143B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10164159B2 (en) | 2016-12-20 | 2018-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same |
FR3061358B1 (fr) * | 2016-12-27 | 2021-06-11 | Aledia | Procede de fabrication d’un dispositif optoelectronique comportant des plots photoluminescents de photoresine |
JP7132502B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-09-07 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6978690B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 |
US11177422B2 (en) * | 2018-08-16 | 2021-11-16 | Savant Technologies Llc | LED filament with colored off state masking |
DE102018121988A1 (de) * | 2018-09-10 | 2020-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
US11056615B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting module with concave surface light guide plate |
CN109301084B (zh) * | 2018-09-28 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、电子装置及封装方法 |
JP6798535B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-12-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102018126494A1 (de) | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und beleuchtungsvorrichtung |
US20210231302A1 (en) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | Nichia Corporation | Light source device |
CN114188497A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-03-15 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置 |
CN115267959B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-06-11 | 芯视界(北京)科技有限公司 | 光调整部件及其制造方法、光谱仪 |
CN114447200B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-12-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
DE102022101910A1 (de) * | 2022-01-27 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauteil, konversionselement und herstellungsverfahren |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102598322A (zh) * | 2009-10-29 | 2012-07-18 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
EP2479812A2 (en) * | 2011-01-24 | 2012-07-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method |
WO2015014874A1 (de) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines abdeckelements und eines optoelektronischen bauelements, abdeckelement und optoelektronisches bauelement |
CN104471730A (zh) * | 2012-07-20 | 2015-03-25 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有陶瓷绿色磷光体和受保护的红色磷光体层的led |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3228321B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2001-11-12 | 日亜化学工業株式会社 | チップタイプled |
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP4292794B2 (ja) | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法 |
EP2365539B1 (en) | 2003-05-26 | 2018-05-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2005158957A (ja) | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
TWI245436B (en) * | 2003-10-30 | 2005-12-11 | Kyocera Corp | Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus |
CN101147270B (zh) | 2005-03-24 | 2010-05-26 | 京瓷株式会社 | 发光装置 |
JP2007214249A (ja) | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
JP2007227791A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2007305785A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP5278023B2 (ja) | 2009-02-18 | 2013-09-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP5326705B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5326837B2 (ja) | 2009-06-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JPWO2011021402A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP5572013B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-08-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
DE102010054280A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht |
JP5553741B2 (ja) | 2010-12-22 | 2014-07-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5700544B2 (ja) | 2011-04-14 | 2015-04-15 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
CN103650179A (zh) * | 2011-07-19 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置及该发光装置的制造方法 |
JP2013038115A (ja) | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Koito Mfg Co Ltd | 光波長変換ユニット |
JP2013077679A (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP5889646B2 (ja) | 2012-01-26 | 2016-03-22 | シャープ株式会社 | 蛍光体板、蛍光体板を用いた発光装置及び蛍光体板の製造方法 |
US20130193837A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor plate, light emitting device and method for manufacturing phosphor plate |
JP2013197309A (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 発光装置 |
TWI528599B (zh) * | 2012-06-29 | 2016-04-01 | 榮創能源科技股份有限公司 | 發光二極體封裝方法 |
US20140001949A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Nitto Denko Corporation | Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device |
US8907502B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-12-09 | Nitto Denko Corporation | Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device |
US20140001948A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Nitto Denko Corporation | Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof |
DE102012107290A1 (de) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens |
DE102013214896B4 (de) | 2013-07-30 | 2021-09-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement |
JP6236999B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI528601B (zh) * | 2014-04-30 | 2016-04-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 封裝方法及封裝結構 |
US10522728B2 (en) * | 2017-01-26 | 2019-12-31 | Maven Optronics Co., Ltd. | Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same |
-
2016
- 2016-05-27 CN CN201610366365.5A patent/CN106206912B/zh active Active
- 2016-05-27 CN CN202010673281.2A patent/CN111864034A/zh active Pending
- 2016-05-27 US US15/167,570 patent/US10374134B2/en active Active
- 2016-05-27 EP EP20167639.2A patent/EP3709374B1/en active Active
- 2016-05-27 EP EP16171738.4A patent/EP3098861B1/en active Active
-
2019
- 2019-06-20 US US16/447,935 patent/US10825967B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-28 US US17/034,899 patent/US11894497B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102598322A (zh) * | 2009-10-29 | 2012-07-18 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
EP2479812A2 (en) * | 2011-01-24 | 2012-07-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method |
CN104471730A (zh) * | 2012-07-20 | 2015-03-25 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有陶瓷绿色磷光体和受保护的红色磷光体层的led |
WO2015014874A1 (de) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines abdeckelements und eines optoelektronischen bauelements, abdeckelement und optoelektronisches bauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190312183A1 (en) | 2019-10-10 |
US20160351760A1 (en) | 2016-12-01 |
EP3709374B1 (en) | 2022-08-03 |
US11894497B2 (en) | 2024-02-06 |
EP3098861A1 (en) | 2016-11-30 |
EP3098861B1 (en) | 2020-05-06 |
US10825967B2 (en) | 2020-11-03 |
EP3709374A1 (en) | 2020-09-16 |
CN111864034A (zh) | 2020-10-30 |
US20210013385A1 (en) | 2021-01-14 |
CN106206912A (zh) | 2016-12-07 |
US10374134B2 (en) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106206912B (zh) | 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法 | |
JP6702280B2 (ja) | 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法 | |
JP6444299B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6733646B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
US8525218B2 (en) | Light emitting device | |
JP6484982B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
EP2457267B1 (en) | Light emitting diode with reflectors and method of manufacturing the same | |
CN110323213B (zh) | 发光装置的制造方法 | |
US9722156B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2010272847A5 (zh) | ||
JP2010157637A (ja) | 波長変換焼結体及びこれを用いた発光装置、並びに波長変換焼結体の製造方法 | |
JP7189451B2 (ja) | 発光モジュール、液晶表示装置 | |
US11585495B2 (en) | Light-emitting device including light-transmissive member, light -reflective member, and light-shielding frame | |
US10991859B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP6444754B2 (ja) | 発光装置 | |
CN117673232A (zh) | 发光装置 | |
JP2016143847A (ja) | 発光装置 | |
US11367818B2 (en) | Method of manufacturing light-emitting device | |
JP6989807B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP6402809B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6327382B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2021057397A (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |