DE102018121988A1

DE102018121988A1 - Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils

Info

Publication number: DE102018121988A1
Application number: DE102018121988.1A
Authority: DE
Inventors: Ivar Tångring; Susanne Brunner
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2018-09-10
Filing date: 2018-09-10
Publication date: 2020-03-12
Also published as: US20210320232A1; WO2020052973A1

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit:
- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet,
- einem Konversionselement (3), das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, wobei das Konversionselement (3) einen Rahmen (5) aufweist, der Seitenflächen eines Konversionssegments (4) bedeckt und reflektierend ausgebildet ist, und
- einen Haftvermittler (6), mit dem das Konversionselement (3) auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei
- der Haftvermittler (6) eine Außenfläche des Rahmens (5a) stellenweise bedeckt.
Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

Description

Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil anzugeben, das eine besonders gute Lichtauskopplung aufweist. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauteils angegeben werden.
Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauteil mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 15 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen des optoelektronischen Bauteils und des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet. Die Strahlungsaustrittsfläche ist bevorzugt parallel zu einer Deckfläche des Halbleiterchips angeordnet. Bevorzugt bildet die Deckfläche des Halbleiterchips die Strahlungsaustrittsfläche. Alternativ ist es möglich, dass ein Randbereich der Deckfläche des Halbleiterchips nicht Teil der Strahlungsaustrittsfläche ist. Die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Primärstrahlung kann beispielsweise nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung sein.
Das optoelektronische Bauteil weist bevorzugt eine Haupterstreckungsebene auf. Die vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und die laterale Richtung erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip ist beispielsweise ein Oberflächenemitter, bei dem die emittierte Primärstrahlung zum Großteil, zum Beispiel über 80 % einer Strahlungsleistung, über die Strahlungsaustrittsfläche austritt, die von einer ersten Hauptfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst ist.
Bei dem Oberflächenemitter kann es sich beispielsweise um einen Dünnfilmchip handeln. Dünnfilmchips weisen in der Regel eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven, Primärstrahlung erzeugenden Zone auf, die auf ein anderes Trägerelement aufgebracht ist, als das Wachstumssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge. Besonders bevorzugt ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Trägerelement eine Spiegelschicht angeordnet, die Primärstrahlung der aktiven Zone zur ersten Hauptfläche lenkt. Dünnfilmchips senden die elektromagnetische Primärstrahlung, die im Betrieb in der aktiven Zone erzeugt wird, in der Regel nicht über die Seitenflächen des Trägerelements aus, sondern haben eine im Wesentliche Lambertsche Abstrahlcharakteristik. Beispielsweise weist der Dünnfilmchip einen elektrischen Kontakt an der ersten Hauptfläche auf.
Weiterhin kann es sich bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip um einen substratlosen Halbleiterchip handeln, der frei ist von einem Trägerelement und einem Wachstumssubstrat. Beispielswese weist der substratlose Halbleiterchip eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometern und einschließlich 50 Mikrometern auf.
Ferner kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip ein volumenemittierender Halbleiterchip sein, der die emittierte Primärstrahlung nicht nur über die erste Hauptfläche aussendet, sondern auch über zumindest eine Seitenfläche. Zum Beispiel treten bei einem volumenemittierenden Halbleiterchip wenigstens 30 % Strahlenleistung der emittierten Primärstrahlung durch die zumindest eine Seitenfläche aus.
Ein volumenemittierender Halbleiterchip weist bevorzugt ein Substrat auf, auf dessen erster Hauptfläche eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone, die die elektromagnetische Primärstrahlung im Betrieb erzeugt, in der Regel epitaktisch gewachsen ist. Das Substrat kann beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Saphir, Siliziumcarbid. Handelt es sich bei dem Substrat um ein Saphirsubstrat, so sind zwei elektrische Kontakte des volumenemittierender Halbleiterchip bevorzugt auf der ersten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet. Der volumenemittierende Halbleiterchip kann beispielsweise mittels Drahtverbindungen über die beiden elektrischen Kontakte elektrisch kontaktiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil ein Konversionselement, das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Das Konversionselement umfasst ein Konversionssegment, das beispielsweise ein erstes Matrixmaterial, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind, umfasst. Das erste Matrixmaterial ist beispielsweise ein Sol-Gel Glas. Bei dem ersten Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz wie etwa um ein Epoxid oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Bevorzugt verleihen die Leuchtstoffpartikel dabei dem Konversionselement die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.
Für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone, Quantumpunktleuchtstoffe.
Die Leuchtstoffpartikel können auch ohne das erste Matrixmaterial Verwendung finden. In diesem Fall sind die Leuchtstoffpartikel bevorzugt direkt auf einen transparenten Träger aufgebracht. Weiterhin kann das erste Matrixmaterial, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind, auf den transparenten Träger aufgebracht werden. Das erste Matrixmaterial mit den Leuchtstoffpartikeln ist hierbei bevorzugt als dünne Schicht ausgebildet. Die dünne Schicht weist bevorzugt eine Dicke auf, die höchstens 50 Mikrometer beträgt. Besonders bevorzugt ist die Dicke der dünnen Schicht höchstens 30 Mikrometer.
Der transparente Träger ist dabei in der Regel die mechanisch tragende Komponente des Konversionssegments. Der transparente Träger ist bevorzugt transparent für elektromagnetische Primär- und Sekundärstrahlung ausgebildet und umfasst bevorzugt ein Glas oder besteht daraus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Konversionselement einen Rahmen auf, der Seitenflächen eines Konversionssegments bedeckt. Bevorzugt bedeckt der Rahmen die Seitenflächen des Konversionssegments vollständig. Die Seitenflächen des Konversionssegments verbinden eine Deckfläche und eine Bodenfläche des Konversionssegments. Bevorzugt schließt die Bodenfläche des Konversionssegments plan mit einer Bodenfläche des Rahmens ab. Weiterhin schließt die Deckfläche des Konversionssegments bevorzugt plan mit einer Deckfläche des Rahmens ab. Eine Deckfläche und eine Bodenfläche des Konversionselements sind damit bevorzugt im Wesentlichen eben ausgebildet. Im Wesentlichen eben heißt, dass die Deckfläche und/oder die Bodenfläche des Konversionselements durch Herstellungstoleranzen Unebenheiten aufweisen können. Die Unebenheiten in Form von Erhebungen und Senken können eine maximale Ausdehnung in vertikaler Richtung von höchstens 10 Mikrometer aufweisen. Bevorzugt ist die maximale Ausdehnung der Unebenheiten in vertikaler Richtung höchstens 5 Mikrometer.
Bevorzugt ist der Rahmen reflektierend ausgebildet, besonders bevorzugt diffus reflektierend. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Rahmen diffus reflektierend für vom Halbleiterchip ausgesendete Primärstrahlung ausgebildet. Der Rahmen weist bevorzugt für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Primärstrahlung und die vom Konversionssegment konvertierte elektromagnetische Sekundärstrahlung eine Reflektivität von wenigstens 90 % auf.
Der Rahmen umfasst beispielsweise ein zweites Matrixmaterial, in das reflektierende Partikel eingebracht sind. Das zweite Matrixmaterial ist beispielsweise ein Sol-Gel Glas. Bei dem zweiten Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz wie etwa um ein Epoxid, um ein Silikon, um eine Keramik, um ein Glas oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Weiterhin weist das zweite Matrixmaterial bevorzugt einen vergleichsweise geringen Brechungsindex auf. Die reflektierenden Partikel sind bevorzugt durch TiO₂-Partikel gebildet. Beispielsweise weisen die reflektierenden Partikel eines der folgenden Materialien auf oder sind durch eines der folgenden Materialien gebildet: TiO₂, SiO₂, MfO₂.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen Haftvermittler, mit dem das Konversionselement auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips befestigt ist. Der Haftvermittler ist bevorzugt zwischen dem Konversionselement und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip angeordnet. Der Haftvermittler vermittelt eine Verbindung zwischen dem Konversionselement und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Diese Verbindung befestigt das Konversionselement bevorzugt mechanisch stabil auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Außerdem ist diese Verbindung bevorzugt thermisch leitend.
Der Haftvermittler umfasst bevorzugt ein strahlungsdurchlässiges Material oder besteht daraus. Besonders bevorzugt ist das Material des Haftvermittlers dazu ausgebildet, elektromagnetische Primärstrahlung zu transmittieren.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Haftvermittler ein drittes Matrixmaterial oder besteht aus einem solchen. Bei dem Matrixmaterial kann es sich um ein Harz, wie etwa um ein Epoxid oder um ein Silikon, handeln. Bevorzugt ist der Haftvermittler durch ein Klarsilikon gebildet.
Das dritte Matrixmaterial weist bevorzugt für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Primärstrahlung eine Transmissivität von wenigstens 90 % auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Haftvermittler eine Außenfläche des Rahmens stellenweise. Die Außenfläche des Rahmens, die dem Konversionssegment abgewandt ist, ist damit bevorzugt nur teilweise vom Haftvermittler bedeckt.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet und ein Konversionselement, das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, wobei das Konversionselement einen Rahmen aufweist, der Seitenflächen eines Konversionssegments bedeckt und reflektierend ausgebildet ist. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauteil bei dieser Ausführungsform einen Haftvermittler, mit dem das Konversionselement auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips befestigt ist, wobei der Haftvermittler eine Außenfläche des Rahmens stellenweise bedeckt.
Eine Idee des hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils ist unter anderem ein Konversionselement zu verwenden, das einen Rahmen und ein Konversionssegment aufweist, wobei der Rahmen reflektierend ausgebildet ist und Seitenflächen des Konversionssegments umgibt. Mittels des Rahmens wird die elektromagnetische Primär- und Sekundärstrahlung, die beispielsweise aus den Seitenflächen des Konversionssegments austritt, wieder reflektiert und tritt nochmals in das Konversionssegment ein. Dort wird die verbleibende Primärstrahlung nochmals konvertiert. Ferner werden die Primär- und Sekundärstrahlung mittels des Rahmens bevorzugt in Richtung Deckfläche des Konversionssegments gelenkt. Dies erhöht vorteilhafterweise die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauteils.
Weiterhin ist das Konversionselement bevorzugt mittels eines Haftvermittlers auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip befestigt. Überschüssiges Material des Haftvermittlers ist bevorzugt an den Außenflächen des Rahmens angeordnet und bedeckt die Außenflächen zumindest teilweise. In der Regel ist ein Haftvermittler ein guter Lichtleiter für die ausgesandte Primär- und Sekundärstrahlung. Da ein direkter optischer Weg der Primär- und Sekundärstrahlung vom Konversionssegment mit Vorteil durch den Rahmen unterbrochen ist, ist eine Lichtleitung des überschüssigen Materials des Haftvermittlers an den Außenflächen des Rahmens jedoch unterdrückt. Damit kann die Lichtauskopplung und die Effizienz des optoelektronischen Bauteils weiter verbessert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip seitlich von einer Umhüllungsschicht mit einer Deckfläche umgeben. Die Umhüllungsschicht umfasst beispielsweise ein viertes Matrixmaterial, in das reflektierende Partikel eingebracht sind. Bei dem vierten Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz wie etwa um ein Epoxid oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Bei den reflektierenden Partikeln handelt es sich beispielsweise um TiO2-Partikel. Bevorzugt ist die Umhüllungsschicht diffus reflektierend ausgebildet.
Die Deckfläche der Umhüllungsschicht schließt bevorzugt bündig mit der Strahlungsaustrittsfläche ab. Die Deckfläche der Umhüllungsschicht liegt damit bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene mit der Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Alternativ kann die Deckfläche der Umhüllungsschicht in vertikaler Richtung nicht in der gemeinsamen Ebene angeordnet sein. In diesem Fall kann die Strahlungsaustrittsfläche die Deckfläche der Umhüllungsschicht in vertikaler Richtung überragen. Alternativ kann die die Deckfläche der Umhüllungsschicht die Strahlungsaustrittsfläche in vertikaler Richtung überragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Haftvermittler eine Seitenfläche des Rahmens und eine Deckfläche der Umhüllungsschicht stellenweise. Die dem Konversionssegment abgewandte Seitenfläche des Rahmens ist bevorzugt in vertikaler Richtung bis zu einer Höhe durch den Haftvermittler bedeckt. Die Höhe bis zu der der Haftvermittler die Seitenfläche des Rahmens bedeckt, ist bevorzugt kleiner als eine Höhe des Rahmens. Die Höhe des Rahmens ist dabei die maximale Ausdehnung in vertikaler Richtung.
Die Seitenfläche des Rahmens kann vollständig mit dem Haftvermittler bedeckt sein. Alternativ ist es möglich, dass die Seitenfläche des Rahmens höchstens zu 80 % mit dem Haftvermittler bedeckt ist. Bevorzugt ist die Seitenfläche des Rahmens höchstens zu 60 % mit dem Haftvermittler bedeckt.
Weiterhin kann die Deckfläche der Umhüllungsschicht im Bereich um den Rahmen herum mit dem Haftvermittler bedeckt sein. Ist eine Relation von einem Flächeninhalt der Deckfläche der Umhüllungsschicht zu einem Flächeninhalt der Deckfläche des Halbleiterchips vergleichsweise groß, so ist ein Großteil der Deckfläche der Umhüllungsschicht bevorzugt frei von dem Haftvermittler. Der Haftvermittler bedeckt die Deckfläche der Umhüllungsschicht in diesem Fall bevorzugt höchstens zu 5 %. Alternativ ist es möglich, dass eine Relation von dem Flächeninhalt der Deckfläche der Umhüllungsschicht zu dem Flächeninhalt der Deckfläche des Halbleiterchips vergleichsweise klein ist. In diesem Fall ist es möglich, dass die Deckfläche der Umhüllungsschicht vollständig von dem Haftvermittler überdeckt ist.
Der Haftvermittler steht bevorzugt in direktem Kontakt mit der Seitenfläche des Rahmens und der Deckfläche der Umhüllungsschicht. Durch den direkten Kontakt des Haftvermittlers zu der Seitenfläche des Rahmens und der Deckfläche der Umhüllungsschicht wird die Haftung zwischen dem Konversionselement und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip verbessert. Der Verbund von strahlungsemittierendem Halbleiterchip und Konversionselement ist damit besonders mechanisch stabil.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Haftvermittler eine Bodenfläche des Rahmens und eine Seitenfläche des Halbleiterchips stellenweise. Bevorzugt bedeckt der Haftvermittler die Bodenfläche des Rahmens vollständig. Weiterhin ist es möglich, dass der Haftvermittler die Bodenfläche des Rahmens zu höchstens 80 % bedeckt.
Die Seitenfläche des Halbleiterchips ist bevorzugt nur teilweise vom Haftvermittler bedeckt. Ein Bereich der Seitenfläche des Halbleiterchips ist ausgehend von einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüber liegenden Hauptfläche des Halbleiterchips bevorzugt frei von dem Haftvermittler. Die Seitenfläche des Halbleiterchips ist bevorzugt höchstens zu 80 % mit dem Haftvermittler bedeckt. Besonders bevorzugt ist die Seitenfläche des Halbleiterchips höchstens zu 60 % mit dem Haftvermittler bedeckt.
Weiterhin steht der Haftvermittler bevorzugt in direktem Kontakt mit der Seitenfläche des Halbleiterchips. Durch den direkten Kontakt des Haftvermittlers zu der Seitenfläche des Halbleiterchips wird die Haftung zwischen dem Konversionselement und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip weiter verbessert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt eine Kontaktstelle des Halbleiterchips das Konversionselement in einem Randbereich des Halbleiterchips in der lateralen Richtung. Mittels der Kontaktstelle ist der Halbleiterchip bevorzugt kontaktierbar und bestrombar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Rahmen den Halbleiterchip in einem gegenüberliegenden Randbereich lateral. In dem gegenüberliegenden Randbereich bedeckt der Haftvermittler bevorzugt die Bodenfläche des Rahmens und die Seitenfläche des Halbleiterchips stellenweise. Weiterhin überragt die Strahlungsaustrittfläche in dem gegenüberliegenden Randbereich die Bodenfläche des Konversionssegments bevorzugt. Durch diese Anordnung ist ein optischer Weg vom Konversionssegment zu dem Haftvermittler an der Bodenfläche des Rahmens und an der Seitenfläche des Halbleiterchips vorteilhafterweise zu großen Teilen unterbrochen.
Im Fall, dass der Randbereich der Deckfläche des Halbleiterchips nicht Teil der Strahlungsaustrittsfläche ist, ist es möglich, dass der Halbleiterchip den Rahmen überragt. Alternativ ist es möglich, dass die Seitenfläche des Halbleiterchips und die Seitenfläche des Rahmens bündig abschließen. Bevorzugt überdeckt der Rahmen den Randbereich der Deckfläche des Halbleiterchips, der nicht Teil der Strahlungsaustrittsfläche ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Haftvermittler eine Seitenfläche des Rahmens und die Kontaktstelle des Halbleiterchips stellenweise. Die Seitenfläche des Rahmens im Bereich der Kontaktstelle ist bevorzugt höchstens zu 80 % mit dem Haftvermittler bedeckt. Besonders bevorzugt ist die Seitenfläche im Bereich der Kontaktstelle des Rahmens höchstens zu 60 % mit dem Haftvermittler bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bettet ein Verguss den Halbleiterchip und/oder das Konversionselement ein. Weist das optoelektronische Bauteil die Umhüllungsschicht auf, so umgibt die Umhüllungsschicht bevorzugt nur den Halbleiterchip und der Verguss bettet lediglich das Konversionselement ein. Weist das optoelektronische Bauteil keine Umhüllungsschicht auf, bettet der Verguss bevorzugt den Halbleiterchip und das Konversionselement ein.
Beispielsweise weist der Verguss ein fünftes Matrixmaterial auf. Bei dem fünften Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz wie etwa um ein Epoxid oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln.
Bevorzugt sind in das fünfte Matrixmaterial reflektierende Partikel eingebracht. Die reflektierenden Partikel sind bevorzugt durch TiO₂ Partikel gebildet. Damit weist der Verguss für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Primärstrahlung und die vom Konversionssegment konvertierte elektromagnetische Sekundärstrahlung bevorzugt eine Reflektivität von wenigstens 60 % auf. Besonders bevorzugt weist der Verguss für die elektromagnetische Primärstrahlung und die elektromagnetische Sekundärstrahlung eine Reflektivität von wenigstens 80 % auf. In diesem Fall weist der Verguss bevorzugt eine Dicke auf, die zwischen einschließlich 50 Mikrometern und einschließlich 100 Mikrometern liegt.
Weiterhin ist der Verguss bevorzugt vergleichsweise hart ausgebildet und kann damit besonders mechanisch stabil sein. Dadurch kann der Verguss den Halbleiterchip und das Konversionselement vor äußeren Einflüssen besonders gut schützen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Umhüllungsschicht diffus reflektierend für vom Halbleiterchip ausgesendete Primärstrahlung ausgebildet. Primär- und Sekundärstrahlung, die an dem diffus reflektierenden Rahmen und an der diffus reflektierenden Umhüllungsschicht reflektiert werden, weisen bevorzugt eine im Wesentlichen Lambertsche Strahlcharakteristik auf. Die diffus reflektierte Primär- und Sekundärstrahlung, erscheint vorteilhafterweise für einen äußeren Betrachter unabhängig von einer Betrachtungsrichtung als gleich hell.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine Außenfläche des Haftvermittlers eine konvexe oder konkave Form auf. Die Außenfläche des Haftvermittlers ist die dem Rahmen und der Umhüllungsschicht abgewandte Außenfläche des Haftvermittlers. Weiterhin kann die Außenfläche des Haftvermittlers die dem Rahmen und der Seitenfläche des Halbleiterchips abgewandte Außenfläche sein. Die Außenfläche des Haftvermittlers weist bevorzugt eine konvexe Form auf. Alternativ weist die Außenfläche des Haftvermittlers eine konkave oder eine freie Form auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Haftvermittler zwischen dem Konversionselement und dem Halbleiterchip eine Dicke von höchstens 3 Mikrometer auf. Insbesondere bevorzugt weist der Haftvermittler zwischen dem Konversionselement und dem Halbleiterchip die Dicke von höchstens 1 Mikrometer auf. Die Dicke des Konversionselements ist beispielsweise nicht konstant ausgebildet. Die Bodenfläche des Konversionselements kann herstellungsbedingt Erhebungen und Senken aufweisen. Insbesondere ist es möglich, dass die Bodenfläche des Konversionselements im Bereich der Erhebungen im direkten Kontakt zu der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips steht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Rahmen eine Breite von mindestens 20 Mikrometer und höchstens 50 Mikrometer auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf einem Anschlussträger angeordnet. Der Anschlussträger ist beispielsweise aus einem metallischen und/oder keramischen Material gebildet oder besteht daraus. Der Anschlussträger ist oder umfasst beispielsweise eine Leiterplatte (englisch: „circuit board“) oder einen Leiterrahmen (englisch: „lead frame“) .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kontaktstelle mittels einer Drahtverbindung kontaktiert. Die Kontaktstelle ist bevorzugt als Bondpad ausgebildet, das bevorzugt mit der Drahtverbindung elektrisch leitend verbunden ist. Das Bondpad weist bevorzugt ein Metall auf oder besteht daraus. Bevorzugt verbindet die Drahtverbindung die Kontaktstelle mit dem Anschlussträger elektrisch leitend. Mittels der Drahtverbindung und der Kontaktstelle ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip in der Regel bestrombar.
Weiterhin kann der Haftvermittler die Kontaktstelle teilweise bedecken. Auch die auf der Kontaktstelle angeordnete Drahtverbindung kann teilweise vom Haftvermittler bedeckt sein. Die Kontaktstelle und die Drahtverbindung können jeweils direkt mit dem Haftvermittler in Kontakt stehen.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zu Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben, mit dem ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil hergestellt werden kann. Sämtliche in Verbindung mit dem optoelektronischen Bauteil offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem Verfahren anwendbar und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip bereitgestellt, der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Konversionselement bereitgestellt, das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, wobei das Konversionselement einen Rahmen aufweist, der Seitenflächen eines Konversionssegments bedeckt. Ein Material des Konversionssegments liegt zunächst bevorzugt in einer fließfähigen Form vor. Beispielsweise weist das Material des Konversionssegments ein zunächst flüssiges Harz wie Silikon als Matrixmaterial auf, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Liegt das Material des Konversionssegments in einer fließfähigen oder flüssigen Form vor, so wird es in der Regel nach dem Aufbringen zu dem Konversionssegment ausgehärtet.
Weiterhin kann das Konversionssegment auf einem transparenten Träger angeordnet sein. Das Konversionssegment kann so auf dem transparenten Träger als vergleichsweise dünne Schicht angeordnet sein, wobei der transparente Träger die mechanisch tragende Komponente des Verbunds von Konversionssegment und transparentem Träger ist. Das Konversionselement ist in diesem Fall durch das Konversionssegment, den transparenten Träger und den Rahmen gebildet. Der Rahmen bedeckt dabei die Seitenflächen des Konversionssegments und des transparenten Trägers vollständig.
Weiterhin liegt ein Material des Rahmens beim Aufbringen bevorzugt in einer fließfähigen Form vor. Beispielsweise weist das Material des Rahmens ein zunächst flüssiges Harz oder Silikon auf, in das reflektierende Partikel eingebracht sind. Liegt das Material des Rahmens beim Aufbringen in einer fließfähigen oder flüssigen Form vor, so wird es in der Regel nach dem Aufbringen zu dem Rahmen ausgehärtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Haftvermittler auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgebracht. Bevorzugt liegt der Haftvermittler beim Aufbringen in einer fließfähigen Form vor. Der Haftvermittler wird beispielsweise in Form eines Tropfens auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Konversionselement auf den Haftvermittler aufgebracht, wobei der Haftvermittler teilweise durch das Konversionselement verdrängt wird und eine Außenfläche des Rahmens stellenweise bedeckt. Das Konversionselement wird beispielsweise mit einer Bodenseite voran zentral in das Material des Haftvermittlers getaucht und bevorzugt mit einem konstanten Druck gegen den strahlungsemittierenden Halbleiterchip gepresst. Der Haftvermittler wird dabei von der Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips teilweise verdrängt. Mit anderen Worten wird bevorzugt so viel Material des Haftvermittlers aufgebracht, dass beim Aufdrücken des Konversionselements auf die Strahlungsaustrittsfläche das Material des Haftvermittlers vom Volumen des Konversionselements zu der dem Konversionssegment abgewandten Außenfläche des Rahmens geschoben wird.
Eine Idee des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils ist unter anderem, dass durch die Trennung des verdrängten Haftvermittlers und des Konversionssegments durch den Rahmen eine genaue Einstellung der auf die Strahlungsaustrittsfläche aufzubringende Menge des Haftvermittlers nicht zwingend nötig ist. Weiterhin kann vorteilhafterweise vergleichsweise viel Material des Haftvermittlers auf die Strahlungsaustrittsfläche aufgebracht werden, um Hohlräume zwischen dem Konversionselement und dem Halbeiterchip zu vermeiden. Auf diese Art und Weise wird mit Vorteil ein stabiler Prozess ermöglicht.
Ein genaues Platzieren des Konversionselements auf das Material des Haftvermittlers auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips ist zum Beispiel durch ein Platzierungsverfahren (englisch: „pick and place process“) ermöglicht.
In einem nachfolgenden Schritt wird das Material des Haftvermittlers zu dem Haftvermittler ausgehärtet. Beispielsweise kann das Material des Haftvermittlers ein UVhärtendes Material sein. Der Vorteil der Verwendung von UVhärtendem Material gegenüber einem thermisch härtenden Material besteht darin, dass es zu keiner Verringerung der Viskosität des Materials des Haftvermittlers aufgrund von Temperatureinwirkungen beim Aushärten des Materials des Haftvermittlers kommt. UV-härtende Materialien polymerisieren in der Regel bei Raumtemperatur oder geringfügig erhöhten Temperaturen ganz oder teilweise.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Verguss mittels folienunterstütztem Spritzgießen über dem Halbleiterchip und/oder dem Konversionselement aufgebracht.
Beim folienunterstützten Spritzgießen (englisch: „foil assisted molding“) wird in der Regel ein Werkzeug eingesetzt, dass zwei Werkzeughälften aufweist oder aus zwei Werkzeughälften besteht. Zumindest eine Werkzeughälfte ist bevorzugt mit einer Folie ausgekleidet. Die Folie hat die Aufgabe, ein Anhaften des Vergusses am Werkzeug zu vermeiden und das Entformen des Werkstücks zu erleichtern. Das zu umspritzende Werkstück, also beispielsweise der Halbleiterchip mit dem Konversionselement, wird in eine Kavität des Werkzeugs eingelegt. Das Material, das um das Werkstück gespritzt werden soll, liegt in der Regel zunächst in fester Form vor, beispielsweise als Tablette. Das Material, dass gespritzt werden soll, wird bevorzugt durch Heizen in flüssige Form gebracht und in die Kavität eingespritzt. Dann wird das Material ausgehärtet und das Werkstück entformt.
Durch die Verwendung des hochreflektierenden Rahmens kann so vorteilhafterweise ein folienunterstütztes Spritzgießen zum Aufbringen des Vergusses verwendet werden. Damit kann der Verguss vergleichsweise weniger reflektierend ausgebildet sein und vereinfacht aufgebracht werden. Vorteilhafterweise ist so ein Kontrastverhältnis des optoelektronischen Bauteils verbessert.
Alternativ zu dem folienunterstützten Spritzgießen kann der Verguss mittels eines Formgussverfahrens aufgebracht werden.
Im Folgenden werden das optoelektronische Bauteil sowie das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert.
Es zeigen:

1 und 2 schematische Schnittdarstellungen eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel,
3 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
4 bis 6 jeweils eine schematische Schnittdarstellung von Verfahrensstadien des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Das optoelektronische Bauteil gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und 2 umfasst einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 und ein darauf angeordnetes Konversionselement 3 (1). Das Konversionselement 3 umfasst einen Rahmen 5 und ein Konversionssegment 4. Der Rahmen 5 bedeckt dabei Seitenflächen des Konversionssegments 4 vollständig. Bevorzugt ist der Rahmen vollständig umlaufend um das Konversionssegments 4 ausgebildet.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst der Rahmen ein Sol-Gel Glas oder ein Glas, in das TiO₂-Partikel eingebracht sind.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 2 ist vorliegend seitlich von einer Umhüllungsschicht 7 umgeben. Weiterhin weist die Umhüllungsschicht 7 eine Deckfläche auf, die bündig mit einer Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2 abschließt. Die Deckfläche der Umhüllungsschicht 7 liegt in einer gemeinsamen Ebene mit der Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2.
Die Umhüllungsschicht 7 umfasst beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, in das reflektierende Partikel eingebracht sind. Bei den reflektierenden Partikeln handelt es sich beispielsweise um TiO₂-Partikel. Bevorzugt ist die Umhüllungsschicht 7 diffus reflektierend ausgebildet, sodass die Umhüllungsschicht 7 weiß erscheint.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 2 und die Umhüllungsschicht 7 sind auf einem Anschlussträger 9 angeordnet. Der Anschlussträger umfasst in diesem Ausführungsbeispiel stellenweise eine metallische Beschichtung, die auf seiner Außenfläche angeordnet ist. Die eine metallische Beschichtung umfasst beispielsweise eines der folgenden Materialien oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Cu, Au. Weiterhin überragt eine Kontaktstelle 11 des Halbleiterchips 2 das Konversionselement 3 in einem Randbereich des Halbleiterchips 2 in einer lateralen Richtung. Mittels der Kontaktstelle 11 ist der Halbleiterchip 2 über eine Drahtverbindung 10 mit dem Träger 9 beziehungsweise mit der metallischen Beschichtung elektrisch leitend verbunden.
Auf der Umhüllungsschicht 7 ist ein Verguss 8 angeordnet, der das Konversionselement 3 einbettet und die Seitenfläche des Rahmens 5a und eine Außenfläche des Haftvermittlers 6a vollständig bedeckt. Weiterhin sind die Drahtverbindung 10 und die Kontaktstelle 11 durch den Verguss 8 eingebettet und vollständig überdeckt. Lediglich eine Deckfläche des Konversionselements 3 ist frei von dem Verguss 8.
Der Verguss 8 ist beispielsweise aus ein Epoxid oder ein Silikon, in das reflektierende Partikel eingebracht sind, gebildet. Bei den reflektierenden Partikeln handelt es sich beispielsweise um TiO₂-Partikel. Bevorzugt ist der Verguss 8 diffus reflektierend ausgebildet, sodass der Verguss 8 weiß erscheint.
Das Konversionselement 3 ist mittels eines Haftvermittlers 6 auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 angeordnet. Der Haftvermittler 6 bedeckt dabei eine Seitenfläche des Rahmens 5a und die Deckfläche der Umhüllungsschicht 7a jeweils stellenweise. Weiterhin sind die Kontaktstelle 11 und die Drahtverbindung 10 teilweise mit dem Haftvermittler 6 bedeckt.
Das Konversionselement 3 ist dazu ausgebildet, Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Weiterhin ist der Rahmen 5 reflektierend für Primär- und Sekundärstrahlung ausgebildet.
In der Regel ist ein Haftvermittler 6 ein guter Lichtleiter für die ausgesandte Primär- und Sekundärstrahlung. Ein direkter optischer Weg der Primär- und Sekundärstrahlung vom Konversionssegment 4 zu dem überschüssigen Material des Haftvermittlers 6 an der Seitenfläche des Rahmens 5a ist mit Vorteil durch den Rahmen 5 unterbrochen. Damit ist eine Lichtleitung vom Konversionssegment 4 zu dem überschüssigen Material des Haftvermittlers 6 an der Seitenfläche des Rahmens 5a unterdrückt und die Lichtauskopplung und die Effizienz des optoelektronischen Bauteils 1 ist verbessert.
Eine Vergrößerung im Bereich des Haftvermittlers 6 an der Seitenfläche des Rahmens 5a ist in 2 gezeigt. Der Haftvermittler 6 ist zwischen dem Konversionselement 3 und dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 angeordnet und vermittelt eine mechanisch stabile Verbindung. Diese Verbindung befestigt das Konversionselement 3 mechanisch stabil auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2.
Der Haftvermittler 6 bedeckt die Seitenfläche des Rahmens 5a stellenweise. Die dem Konversionssegment abgewandte Seitenfläche des Rahmens 5a ist in vertikaler Richtung bis zu einer Höhe durch den Haftvermittler 6 bedeckt. Die Höhe bis zu der der Haftvermittler 6 die Seitenfläche des Rahmens bedeckt, ist kleiner als eine Höhe des Rahmens 5.
Weiterhin bedeckt der Haftvermittler 6 die Deckfläche der Umhüllungsschicht 7a stellenweise. Die Deckfläche der Umhüllungsschicht 7a ist im Bereich um den Rahmen 5 herum mit dem Haftvermittler 6 bedeckt, sodass ein Großteil der Deckfläche der Umhüllungsschicht 7a frei von dem Haftvermittler 6 ist.
Der Haftvermittler 6 steht in direktem Kontakt mit der Seitenfläche des Rahmens 5a und der Deckfläche der Umhüllungsschicht 7a. Weiterhin weist die Außenfläche des Haftvermittlers 6a eine konkave Form auf.
Das optoelektronische Bauteil 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 weist im Unterschied zu dem optoelektronischen Bauteil 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2 keine Umhüllungsschicht 7 auf. Das Konversionselement 3 und der strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 sind von dem Verguss eingebettet. Lediglich die Deckfläche des Konversionselements 3 ist frei von dem Verguss 8.
Der Rahmen 5 überragt den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 in lateralen Richtungen. Der Haftvermittler 6 ist an einer Bodenfläche des Rahmens 5b und einer Seitenfläche des Halbleiterchips 2a stellenweise angeordnet. Die Bodenfläche des Rahmens 5b ist vollständig von dem Haftvermittler bedeckt.
Die Seitenfläche des Halbleiterchips 2a ist nur teilweise vom Haftvermittler bedeckt. Ein Bereich der Seitenfläche des Halbleiterchips 2a ist ausgehend von einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüber liegenden Hauptfläche des Halbleiterchips 2 frei von dem Haftvermittler 6. Weiterhin steht der Haftvermittler 6 in direktem Kontakt zu der Seitenfläche des Halbleiterchips 2a.
In Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 4 bis 6 sind Verfahrensstadien bei der Herstellung eines optoelektronischen Bauteils 1 dargestellt.
Wie in 4 gezeigt, werden das Konversionselement 3 und der strahlungsemittierende Halbleiterchip 2 getrennt voneinander bereitgestellt. Der Haftvermittler 6 wird auf die Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2 in Form eines Tropfens aufgebracht.
In einem nächsten Verfahrensschritt wird das Konversionselement 3 auf den Haftvermittler 6, aufgebracht (5). Das Konversionselement 3 wird dabei mit einer Bodenseite voran zentral in das Material des Haftvermittlers 6 getaucht und bevorzugt mit einem konstanten Druck gegen den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 gepresst.
Der Haftvermittler 6 wird so teilweise durch das Konversionselement 3 verdrängt und lagert sich in einem Randbereich des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2 im Bereich auf der Kontaktstelle 11 stellenweise ab. Zudem wird der verdrängte Haftvermittler 6 an der Seitenfläche des Rahmens 5a abgelagert.
In einem gegenüberliegenden Randbereich des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2 lagert sich der verdrängte Haftvermittler 6 an der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2a stellenweise ab. Weiterhin bedeckt der verdrängte Haftvermittler 6 die Bodenfläche des Rahmens 5b.
Gemäß 6 ist ein weiterer Verfahrensschritt gezeigt, bei dem ein Verguss 8 über dem Halbleiterchip 2 und dem Konversionselement 3 aufgebracht wird. Der Verguss 8 wird vorliegend mittels folienunterstütztem Spritzgießen über dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und dem Konversionselement 3 aufgebracht. In diesem Ausführungsbeispiel umgibt den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 keine Umhüllungsschicht 7.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronisches Bauelement
2: strahlungsemittierender Halbleiterchip
2a: Seitenfläche strahlungsemittierender Halbleiterchip
3: Konversionselement
4: Konversionssegment
5: Rahmen
5a: Seitenfläche Rahmen
5b: Bodenfläche Rahmen
6: Haftvermittler
6a: Außenfläche Haftvermittler
7: Umhüllungsschicht
7a: Deckfläche Umhüllungsschicht
8: Verguss
9: Träger
10: Drahtverbindung
11: Kontaktstelle

Claims

Optoelektronisches Bauteil (1) mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet, - einem Konversionselement (3), das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, wobei das Konversionselement (3) einen Rahmen (5) aufweist, der Seitenflächen eines Konversionssegments (4) bedeckt und reflektierend ausgebildet ist, und - einem Haftvermittler (6), mit dem das Konversionselement (3) auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei - der Haftvermittler (6) eine Außenfläche des Rahmens (5a, 5b) stellenweise bedeckt.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Halbleiterchip (2) seitlich von einer Umhüllungsschicht (7) mit einer Deckfläche (7a) umgeben ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch 2, bei dem der Haftvermittler (6) eine Seitenfläche des Rahmens und eine Deckfläche der Umhüllungsschicht (7a) stellenweise bedeckt.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch 1, bei dem der Haftvermittler (6) eine Bodenfläche des Rahmens (5b) und eine Seitenfläche des Halbleiterchips (2a) stellenweise bedeckt.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem - eine Kontaktstelle (11) des Halbleiterchips das Konversionselement (3) in einem Randbereich des Halbleiterchips (2) in lateralen Richtungen überragt, und - der Rahmen (5) den Halbleiterchip (2) in einem gegenüberliegenden Randbereich in lateralen Richtungen überragt.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Haftvermittler (6) eine Seitenfläche des Rahmens (5a) und die Kontaktstelle (11) des Halbleiterchips (2) stellenweise bedeckt.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Verguss (8) den Halbleiterchip (2) und/oder das Konversionselement (3) einbettet.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Rahmen (5) diffus reflektierend für vom Halbleiterchip (2) ausgesendete Primärstrahlung ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 8, bei dem die Umhüllungsschicht (7) diffus reflektierend für vom Halbleiterchip (2) ausgesendete Primärstrahlung ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Außenfläche des Haftvermittlers (6a) eine konvexe oder konkave Form aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Haftvermittler (6) zwischen dem Konversionselement (3) und dem Halbleiterchip (2) eine Dicke von höchstens 3 Mikrometer aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Rahmen (5) eine Breite von mindestens 20 Mikrometern und höchstens 50 Mikrometern aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (2) auf einem Anschlussträger (9) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstelle (11) mittels einer Drahtverbindung (10) kontaktiert ist.
Verfahren zu Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) mit den Schritten: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet, - Bereitstellen eines Konversionselement (3), das Primärstrahlung in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, wobei das Konversionselement (3) einen Rahmen (5) aufweist, der Seitenflächen eines Konversionssegments (4) bedeckt, - Aufbringen eines Haftvermittlers (6) auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (2), - Aufbringen des Konversionselements (3) auf den Haftvermittler (6), wobei der Haftvermittler (6) teilweise durch das Konversionselement (3) verdrängt wird und eine Außenfläche des Rahmens (5a) stellenweise bedeckt.
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei ein Verguss (8) mittels folienunterstütztem Spritzgießen über dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Konversionselement (3) aufgebracht wird.