CN102598322A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄型且光取出效率高的发光装置。该发光装置具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；突起部，其设于凹部内；发光元件，其载置于凹部内，并与导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖发光元件的方式设于凹部内。基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成。凹部在侧壁的内表面具有曲面。突起部被设置为与曲面接近。由此，可成为光取出效率及可靠性优异的薄型和小型的发光装置。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及可应用于能够在显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光光源等中加以利用的发光装置的树脂封装及其制造方法、和使用它的发光装置，尤其涉及薄型/小型类、且可靠性高的树脂封装及使用它的发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，伴随电子设备的小型化、轻量化，也开发了各种小型化的搭载在该电子设备上的发光装置(发光二极管)。这些发光装置使用例如在绝缘基板的两面，分别形成有一对金属导体图案的两面通孔印刷电路基板。所具有的结构是：在两面通孔印刷电路基板上载置有发光元件，使用导线等而使金属导体图案与光半导体元件电导通。
但是，这样的发光装置以使用两面通孔印刷电路基板为必要条件。该两面通孔印刷电路基板至少具有0.1mm左右以上的厚度，因而成为阻碍表面安装型发光装置的彻底薄型化的主要原因。而且这样的基板与树脂封装相比，加工精度较差，因而并不适合于小型化。为此，人们开发出不使用这样的印刷电路基板这种结构的发光装置(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-79329号公报
发明内容
发明所要解决的课题
专利文献1所公开的发光装置通过采用蒸镀等在基板上形成薄金属膜作为电极，并与发光元件一同以透光性树脂加以密封，从而与以往的表面安装型发光装置相比，使薄型化成为可能。
但是，该发光装置仅使用透光性树脂，因而光会从发光元件向下表面方向穿透，从而易使光取出效率下降。另外，虽然也公开了设置研钵状的金属膜而使光线反射的结构，但要设置这样的金属膜，则需要在基板上设置凹凸。这样一来，为了使发光装置小型化，该凹凸也变得极其微细，这不但使加工变得困难，而且在凹凸结构的作用下，在基板的剥离时易于破损，从而易于产生产率下降等问题。另外，在使用于显示器等的情况下，仅使用透光性树脂时，易于产生对比度变差的问题。为此，虽然通过在金属膜上贴附框体等也可以使光线难以穿透，但相应地使得厚度增加。本发明就是为解决这样的问题而完成的，其主要目的在于提供在薄型下，光取出效率优异的树脂封装和使用它的发光装置及其制造方法。
用于解决课题的手段
为解决以上的课题，本发明的发光装置具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；突起部，其设于凹部内；发光元件，其载置于凹部内，并与导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖发光元件的方式设于凹部内。基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成。凹部在侧壁的内表面具有曲面。突起部被设置为与曲面接近。由此，可成为光取出效率及可靠性优异的薄型和小型的发光装置。
突起部可设于凹部的侧面。另外，凹部在侧壁的内表面具有倾斜程度发生变化的部分，也可将突起部设于内表面的倾斜程度发生变化的部分。该突起部优选设于内表面的曲面上。进而突起部在侧壁部的内表面，也可以设于比上表面更靠近底面的一侧。或者突起部也可以在凹部中，于高度方向或水平方向设置多个。
另一方面，凹部侧壁的内表面具有平面部及曲面部，也可将突起部设于该曲面部。再者，导电构件形成为金属镀覆层。另外，基体形成为热固性树脂。
除此以外，发光装置的基体的底面部也可以具有凹陷，构成凹部的基体也可以在其底面部的上表面设置凹陷。即，凹部不是使其底面侧成为平面，而是部分成为凹陷的形状。由此，不使底面成为平面状而设置为起伏，可使密封构件与底面的接合力更为增加。
另外，其它的发光装置具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；发光元件，其载置于凹部内，并与所述导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖所述发光元件的方式设于所述凹部内；所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，所述凹部可于其底面形成凹陷。由此，不使底面成为平面状而设置有起伏，可使密封构件与底面的接合力更为增加。
另外，其它的发光装置具有：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；发光元件，其载置于凹部内，并与所述导电构件电连接；以及密封构件，其以覆盖发光元件的方式设于凹部内。基体的特征在于：由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，侧壁部的内表面在比上表面更靠近底面的一侧具有突起部。由此，可成为光取出效率及可靠性优异的薄型、小型的发光装置。另外，凹部的侧壁的内表面具有平面部及曲面部，突起部设于该曲面部。突起部优选在凹部中，于高度方向或水平方向设置多个。再者，导电构件形成为金属镀覆层。此外，基体由热固性树脂构成。
本发明的树脂封装具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；以及突起部，其设于凹部内。基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，凹部于所述侧壁的内表面具有曲面。另外，突起部接近所述曲面而设置。由此，可强化与可配设于凹部内的构件的固定力。
另外，其它的树脂封装具备：基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；导电构件，其上表面在凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；以及密封构件，其设于凹部内。该基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，凹部于其底面形成有凹陷。
再者，发光装置的制造方法包含以下工序：准备导电构件的工序；于具有上模和下模的模具的内表面，将脱模薄片沿该模具的凸部拉伸而配置，同时将导电构件设定为挟持于该模具的上模和下模之间的工序；于模具内注入树脂，借助于该树脂的流动阻抗使该拉伸的脱模薄片超过拉伸率的极限，从而在与成型后的基体的凹部的内表面相当的模具的凸部的侧面产生开口部，同时于凹部的内表面形成突起部的工序；将发光元件接合于基体的凹部的底面的工序；以及在凹部内填充密封构件的工序。
另外，其它的发光装置的制造方法可以在支持基板的表面，通过镀覆导电构件而形成。
再者，树脂封装的制造方法包含以下工序：准备导电构件的工序；于具有上模和下模的模具的内表面，将脱模薄片沿该模具的凸部拉伸而配置，同时将导电构件设定为挟持于模具的上模和下模之间的工序；于模具内注入树脂，借助于该树脂的流动阻抗使该拉伸的脱模薄片超过拉伸率的极限，从而在与成型后的基体的凹部的内表面相当的模具的凸部的侧面产生开口部，同时于凹部的内表面形成突起部的工序。
另外，其它的树脂的封装的制造方法也可以于支持基板的表面，通过镀覆导电构件而形成。
发明的效果
根据本发明的发光装置，能够以良好的成品率获得防止来自发光元件的光线从下表面侧漏出、从而提升上表面方向的光取出效率的发光装置。
附图说明
图1A是表示本发明的实施例1的发光装置的立体图。
图1B是图1A的发光装置的IB-IB’剖面的剖面图。
图2A是表示本发明的实施例2的发光装置的立体图。
图2B是图2A的发光装置的IIB-IIB’剖面的剖面图。
图2C是图2A的发光装置的IIC-IIC’剖面的剖面图。
图2D是表示凹陷的变形例的局部放大图。
图3是表示突起部的变形例的局部放大图。
具体实施方式
以下参照附图就用于实施本发明的方式加以说明。但是，以下所示的方式是例示本发明的发光装置及其制造方法的，并非将本发明限定于以下的方式。另外，本说明书决非将示于权利要求书中的构件限定于实施方式的构件。特别地，记载于实施方式中的构成部件的尺寸、材质、形状及其相对配置等只要没有限定的记载，本发明的范围就并非限定于此，而只不过是单纯的说明例。此外，各附图所示的构件的大小或位置关系等有时为了明确说明而加以夸大。再者，在以下的说明中，对于同一名称、符号则表示同一或同性质的构件，适当省略其详细说明。
实施例1
实施例1的发光装置100如图1A、图1B所示。图1A是发光装置100的立体图，图1B表示图1A所示的发光装置100的IB-IB’剖面的剖面图。
在实施例1中，发光装置100如图1A、图1B所示，其具备：基体101，其设置有包括底面及侧壁的凹部S；以及一对导电构件102，其上表面在凹部S的底面露出。导电构件102使其下表面形成为发光装置100的外表面而设置，并与基体101一起构成发光装置100的下表面的一部分。在凹部S内，使用接合构件(未图示)而载置着通过导电构件102与导电性导线105等进行电连接的发光元件102。再者，在凹部S内以覆盖该发光元件103等的方式，设置着透光性的密封构件104。
另外，基体101由使底面部101b与侧壁部101a一体成型的树脂构成，该侧壁部101a的内表面在比上表面更靠近底面的一侧具有突起部101c。
(基体)
基体101是通过添加具有遮光性的各种填充材等而能够遮挡来自发光元件103的光线的树脂，被设置为保持着作为一对正负电极发挥作用的导电构件102。
在基体101中，设置着用于使导电构件间绝缘的基体的底面部101b，由此可抑制从发光装置100的下表面侧的光线的泄漏，并可提升向上表面方向的光取出效率。再者，通过在基体101中设置侧壁部101a而形成凹部S，由此，可抑制向发光装置100的侧面侧的光线的放出，从而可以向上表面方向高效地放出光线。这样的基体的底面部101b与侧壁部101a由同一树脂一体成型而成，由于不具有接合部等，因而可抑制光的泄漏，可以用一个工序高效地进行成形。
在该凹部S中，从底面至上表面的高度(深度)优选设定为0.5mm以下，更优选设定为0.4mm以下，进一步优选设定为0.35mm以下。在这样的深度较浅的凹部的情况下，与填充于凹部内的密封构件的接触面积较少，因而附着力易于下降。为此，如本发明那样通过在侧壁部的内表面具有突起部，可提升基体与密封构件的附着力。
另外，在导电构件的表面为Ag的情况下，由于在含硫气体的作用下容易劣化(硫化)，因而作为密封构件优选使用硬的材料。但是，这样的材料在回流焊安装时所施加的热应力的作用下，在与侧壁部的内表面的界面易于发生剥离，但通过设置如本发明的突起部，可使它们变得难以剥离。特别地，在凹部深度较浅的情况下，由于从密封构件的表面至导电构件的距离缩短，因而通过使用如本发明的突起部，即便是较硬质的密封构件，也可以降低剥离。
基体的外形除了如图1A所示的俯视看来为长方形者以外，可以设定为正方形或多边形、圆形或将它们组合而成的形状等任意形状。再者，对于凹部的开口部的形状，也可以设定为正方形、长方形、圆形、椭圆形、跑道形、多边形或将它们组合而成的形状等任意形状。优选的是跑道形状，这样就为在俯视看来为长方形的基体的长边方向的大致中央部具有直线部，在短边方向具有曲线部的形状。
凹部的侧壁的内表面优选设定为垂直于底面、或者如图1B所示，设定为上表面侧比底面侧更宽广的倾斜的面。另外，在使用脱模薄片而于模具中成形基体的情况下，凹部的底面与内表面的角部也可以通过具有弹性的脱模薄片而设定为带圆角的形状。此时，可以形成从内表面开始在导电构件上连续、且朝向凹部底面的中央部而使厚度渐渐变薄的侧壁。通过使角部具有圆角，可使填充于凹部内的密封构件难以含有空气，又可分散固化时所施加的应力，从而难以从基体上剥离。
于侧壁部101a的内表面形成有突起部101c，该突起部101c也与底面部101b及侧壁部101a一同进行一体成型。突起部101c如图1A、图1B所示，在侧壁部的内表面中，形成于比上表面更靠近下表面的一侧。优选设定为从内表面的高度方向的中央附近向下表面侧延伸，可达到凹部的底面，或者如图示所示，也可以设定为从凹部的底面离开。
另外，突起部在凹部的内周中，可以设置于任何位置，但如图1A所示，在为开口部的俯视看来的形状是具有直线部及曲线部的跑道形状，从而内表面随之具有平面部与曲面部的凹部的情况下，优选设置于内表面的曲面部。而且优选设置于内表面的倾斜程度发生变化的部分，例如曲率半径与其它不同的曲面，或角部，或其附近等。这样，通过使突起部接近曲面而与凹部一体地加以设置，可增加基体的机械强度。特别在曲面附近，通过设置多个凸状的突起部，可以谋求在应力集中的曲面的强度提升，从而提高可靠性。例如在图1A中，突起部101c在内表面中的一方的曲面部设有4个。该位置是通过密封构件104固化时所产生的收缩而容易受到应力的部分。因此，在固化收缩、回流等的热应力的作用下而易于剥离。一旦密封构件104与基体101发生剥离，则易于对连接在导电构件102上的导电性导线105施加应力。为此，虽导电性导线有时产生断线等的问题，但由于设置有突起部101c，可缓和剥离所造成的影响，从而可降低断线。这样，凹部由于在侧壁的内表面具有倾斜程度发生变化的部分，因而通过在这样的内表面的倾斜程度发生变化的部分设置突起部，可缓和该部分的剥离所造成的影响。另外，如图1B所示，通过在构成凹部S的基体101的内表面设置突起部101c，填充于凹部S的密封构件104与基体101的界面的咬合变得良好，从而可以提高粘结力。特别地，通过使凸状的突起部向凹部的中心侧突起，也可以得到锚固效果。再者，于设置有发光元件的凹部内表面设置突起部，使来自发光元件的光线漫反射，可期待向外部的光取出效率的提升。
此外，在图1A中，突起部虽于单方的曲面部设有4个，但本发明不限于此，可设1个或多个。多个突起部可在凹部中，不仅于高度方向或水平方向的一个方向设置多个，而且可以2维地设置多个。另外，在2个曲面部，不设置分别为同一形状、同一数量的突起部也可，设置分别为不同形状或数量的突起部也可。再者，也可以设置于平面部。
另外，在此虽设置多个相互隔离的椭圆状的突起部101c，但对于形状而言，可为圆形、四边形、多边形或将它们组合而成的形状，更可为不定形，而且也可以是一部分连结而成的形状。特别地，具有接近于底面一侧的宽度比接近于凹部的上表面一侧的宽度为宽的部分这一形状的突起部，或设于从凹部底面离开的位置的突起部是只有使用具有弹性的脱模薄片才能形成的形状，从而是优选的。
基体101只要能够遮挡来自发光元件103的光线，就可以是任何构件。但是，优选的是与支持基板的线膨胀系数之差较小的构件。再者，优选使用绝缘性构件。作为优选的材料，可使用热固性树脂、热塑性树脂等树脂。特别地，导电构件的膜厚在为25μm～500μm左右的厚度时，尤其在为25μm～200μm左右的极薄的厚度时，优选的是热固性树脂，由此，可得极薄的基体。再者，具体地说，可列举出(a)环氧树脂组合物、(b)有机硅树脂组合物、(c)聚硅氧烷改性环氧树脂等改性环氧树脂组合物、(d)环氧改性有机硅树脂等改性有机硅树脂组合物、(e)聚酰亚胺树脂组合物、以及(f)改性聚酰亚胺树脂组合物等。
特别优选的是热固性树脂，优选日本特开2006-156704号公报中记载的树脂。例如在热固性树脂中，优选环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅树脂、改性有机硅树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂等。具体地说，优选使用含有无色透明混合物的固形状环氧树脂组合物，该化合物是使(i)由异氰尿酸三缩水甘油酯、氢化双酚A二缩水甘油醚构成环氧树脂、和(ii)由六氢化邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢化邻苯二甲酸酐、4-甲基六氢化邻苯二甲酸酐构成的酸酐等当量地溶解混合而成的。进一步优选的是相对于这些混合物100重量份，添加作为固化促进剂的DBU(1，8-二氮杂-双环-(5，4，0)-十一烯-7)0.5重量份、作为助催化剂的乙二醇1重量份、氧化钛颜料10重量份以及玻璃纤维50重量份，通过加热而使其部分地发生固化反应，从而实现乙阶(B-stage)化的固形状环氧树脂组合物。
另外，优选的还有国际公开WO2007/015426号中记载的以包含三嗪衍生物环氧树脂的环氧树脂为必须成分的热固性环氧树脂组合物。例如优选包含1，3，5-三嗪主碳链衍生物环氧树脂。特别地，具有异氰脲酸酯环的环氧树脂具有优异的耐光性或电绝缘性。对于一个异氰脲酸酯环，优选具有2价、优选为3价的环氧基。具体地说，可使用三(2，3-环氧丙基)异氰脲酸酯、三(α-甲基缩水甘油基)异氰脲酸酯等。三嗪衍生物环氧树脂的软化点优选为90～125℃。另外，在这些三嗪衍生物环氧树脂中，也可以并用加氢环氧树脂或其它的环氧树脂。再者，在有机硅树脂组合物的情况下，优选的是包含甲基硅树脂的有机硅树脂。
特别地，对于使用三嗪衍生物环氧树脂的情况具体加以说明。在三嗪衍生物环氧树脂中，优选使用作为固化剂发生作用的酸酐。特别地，通过使用非芳香族、且不具有碳碳双键的酸酐，可提升耐光性。具体地说，可列举出六氢化邻苯二甲酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、三烷基四氢化邻苯二甲酸酐、氢化甲基降冰片烯二酸酐等。特别优选的是甲基六氢化邻苯二甲酸酐。另外，优选使用抗氧化剂，可使用例如酚系、硫系的抗氧化剂。另外，作为固化催化剂，可使用作为环氧树脂组合物的固化催化剂公知的固化催化剂。
再者，在这些树脂中，可以混入用于赋予遮光性的填充剂、或根据需要添加的各种添加剂。在本说明书中，称之为包含这些添加剂而构成基体106的遮光性树脂。例如，作为填充材(填料)，通过混入TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等的微粒等可调整光的透过率。优选使其遮挡来自发光元件的光线的约60％以上，更优选为遮挡约90％。此外，通过基体106使光线反射，或加以吸收均可。在将发光装置用于照明等的用途时，更优选通过反射来遮光。此时，对于来自发光元件的光线的反射率优选为60％以上，更优选为90％以上。
上述的各种填充材可仅使用1种，或者也可以组合使用2种以上。例如，可以并用为调整反射率的填充材和后述的为调整线膨胀系数的填充材等。
例如，在使用TiO2作为白色的填充剂时，优选配合10～30wt％，更优选配合15～25wt％。TiO2可使用金红石形、锐钛矿形中的任一种。从遮光性和耐光性的角度考虑，优选的是金红石形。再者，在欲提升分散性、耐光性的情况下，也可使用通过表面处理改性的填充材。由TiO2构成的填充材的表面处理可使用氧化铝、硅石、氧化锌等的水合氧化物、氧化物等。另外，除此以外，作为填充剂，优选使SiO2在60～80wt％的范围使用，更优选在65～75wt％使用。另外，作为SiO2，优选的是线膨胀系数比结晶性硅石为小的非晶质硅石。另外，优选的是粒径为100μm以下的填充材，更优选的是60μm以下的填充材。再者，形状优选为球形的填充材，由此可提升基体成型时的填充性。另外，在使用于显示器等的情况下，当欲提升对比度时，优选的是来自发光元件的光线的吸收率为60％以上，更优选的是90％以上吸收的填充材。此时，作为填充材，可依目的不同而利用(a)乙炔黑、活性碳、石墨等碳类，(b)氧化铁、二氧化锰、氧化钴、氧化钼等过渡金属氧化物，或者(c)有色有机颜料等。
另外，基体的线膨胀系数优选调整至5～35×10-6/K，更优选调整至7～20×10-6/K。由此，在基体成型后，可易于抑制冷却时所产生的翘曲，从而能够以良好的成品率进行制造。此外，在本说明书中，基体的线膨胀系数是指用各种填充剂等所调整的热固性树脂组合物的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数。
另外，从其它的角度考虑，基体的线膨胀系数优选控制成与导电构件的线膨胀系数之差为小。相对于导电构件，差值优选为50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为20％以下。由此，在单片化后的树脂封装及发光装置中，可抑制导电构件与基体的剥离，从而可以设定为可靠性优异的光半导体装置。此外，在本说明书中，树脂封装不但是指引线框切断后的状态，当然也包含切断前的状态。
另外，作为导电构件，在使用镀覆(电铸)的情况下，导电构件的线膨胀系数优选控制成与单片化前除去(剥离)的支持基板的线膨胀系数之差较小。其差值优选为30％以下，更优选为10％以下。在使用SUS板作为支持基板的情况下，线膨胀系数之差优选为20ppm以下，更优选为10ppm以下。此时，填充材优选配合70wt％以上，更优选配合85wt％以上。由此，可控制(缓和)支持基板与基体的残余应力，可减少单片化前的光半导体的集合体的翘曲。通过使翘曲减少，可降低导电性导线的切断等的内部损伤，而且可抑制单片化时的位置偏移，从而能够以良好的成品率进行制造。例如，优选将基体的线膨胀系数调整至5～25×10-6/K，更优选调整至7～15×10-6/K。由此，在基体成型后，可易于抑制冷却时所产生的翘曲，从而能够以良好的成品率进行制造。此外，在本说明书中，基体的线膨胀系数是指由用各种填充剂等所调整的遮光性树脂构成的基体的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数。该温度范围的基体的线膨胀系数优选与支持基板的线膨胀系数相近。
另外，从其它的角度考虑，作为导电构件，在使用镀覆(电铸)的情况下，基体的线膨胀系数优选控制成与导电构件的线膨胀系数之差较小。其差值优选为50％以下，更优选为40％以下，进一步优选为20％以下。由此，在单片化后的发光装置中，可抑制导电构件与基体的剥离，从而可以设计为可靠性优异的发光装置。
(导电构件)
导电构件作为用于向发光元件通电的一对电极而发挥作用。在本方式中，导电构件使用导电性导线或凸起电极等与发光元件进行电连接，作为用于从外部供给电力的一对正负电极发挥作用。发光元件可以直接地或者经由副支架等其它构件间接地载置于导电构件上。另外，也可以具有不是作为电极发挥作用、只是载置发光元件而无助于通电的导电构件。
在本方式中，导电构件被设置为在发光装置下表面形成外表面，即不用密封构件等覆盖而在外部(下表面)露出，对于形状或大小等，可与发光装置的大小或载置的发光元件等的数量或大小对应而任意地加以选择。
导电构件的上表面优选为平坦的平面，但也可以具有微细的凹凸、或沟、孔等。同样，导电构件的下表面也优选设定为平坦的面，但形成有微细的凹凸等也无妨。
另外，导电构件的侧面也可以是平坦的面。但是，考虑到与基体的附着力等，导电构件的侧面优选具有向如图1B所示的基体101中延伸出来的突起。该突起优选设于远离导电构件102的下表面的位置，由此，难以产生导电构件从基体101上脱落等问题。另外，也可以代替突起，以导电构件的下表面比上表面为窄的方式使导电构件的侧面倾斜，由此，可抑制导电构件的脱落。
这样的突起在导电构件的周围中，只要是与发光装置100的外表面不同的位置，就可设于任意的位置。例如可以进行局部设置，可仅设于俯视看来为四边形的导电构件的对置的2个侧面等。另外，为更确实防止脱落，除了形成外表面的面以外，优选遍及导电构件的整个周围来形成。
另外，关于导电构件的厚度，优选为25μm～500μm，更优选为25μm～200μm，进一步优选为50μm～100μm。在导电构件的厚度大于100μm的情况下，可使用轧制的金属板或金属镀覆。再者，可将导电构件的厚度侧作为载置面加以利用，此时，可成为能够向与载置面正交的方向射出光线的侧光型发光装置。另外，具有100μm以下极薄的厚度的导电构件优选为通过金属镀覆方法而形成的金属镀覆(金属镀覆层)，特别优选的是层叠的金属镀覆(层)。
各导电构件优选使用相同的材料，由此可使工序减少。但是，即使使用不同的材料也无妨。作为具体的材料，可列举出铜、铝、金、银、钨、钼、铁、镍、钴等金属或它们的合金(铁-镍合金等)、磷青铜、含铁铜、Au-Sn等共晶焊锡、SnAgCu、SnAgCuIn等焊锡、ITO等。在焊锡材料中，优选调整成如下的组成：当焊锡粒子暂时熔融而凝固时，通过焊锡接合的金属与焊锡合金化而使融点上升，从而在回流安装时等追加的热处理时不会发生再熔解。
这些能够以单质或合金的形态使用。进而也可以通过层叠(金属镀覆)等而设置多层。例如，在使用发光元件作为半导体元件的情况下，于导电构件的最表面，优选使用可反射来自发光元件的光线的材料。具体地说，优选金、银、铜、Pt、Pd、Al、W、Mo、Ru、Rh等。再者，最表面的导电构件优选具有高反射率、高光泽。具体地说，可视区域的反射率优选为70％以上，此时，可适当使用Ag、Ru、Rh、Pt、Pd等。另外，导电构件的表面光泽优选较高者。光泽度优选为0.3以上，更优选为0.5以上，进一步优选为1.0以上。这里所示的光泽度是使用日本电色工业制微小表面色差计VSR 300A，在照射角度为45度、测定范围为φ0.2mm、且垂直受光的条件下所得到的数字。另外，导电构件的支持基板侧优选使用有利于电路基板等的安装的Au、Sn、Sn合金、AuSn等共晶焊锡金属镀覆等的材料。
另外，在导电构件的最表面(最上层)与支持基板侧最下层)之间，也可以形成中间层。为提升导电构件或发光装置的机械强度，优选将耐蚀性高的金属例如镍用作中间层。另外，为提升散热性，优选将热传导率高的铜用作中间层。这样，优选根据目的或用途的不同，将适当的构件用作中间层。对于该中间层，除上述金属以外，可使用Pt、Pd、Al、W、Ru、Pd等。作为中间层，也可以层叠与最上层或最下层的金属附着力良好的金属。对于中间层的膜厚，优选比最上层或最下层更厚地形成。特别地，优选以导电构件的整个膜厚的80％～99％的范围的比率形成，更优选设定为90％～99％的范围。
特别地，在为金属构成的金属镀覆层的情况下，由于线膨胀系数由其组成规定，因而最下层或中间层优选比较接近支持基板的线膨胀系数。例如，作为支持基板，在使用线膨胀系数为10.4×10-6/K的SUS430的情况下，其上的导电构件可以设定为包含以下列举的金属(作为主成份)的层叠结构。优选为如下的层叠结构：从最下层侧开始，依次是线膨胀系数为14.2×10-6/K的Au(0.04～0.1μm)，作为第1中间层的线膨胀系数为12.8×10-6/K的Ni(或线膨胀系数为16.8×10-6/K的Cu)(25～100μm)，作为第2中间层的Au(0.01～0.07μm)，作为最上层的线膨胀系数为119.7×10-6/K的Ag(2～6μm)等。最上层的Ag虽线膨胀系数与其它层的金属大为不同，但由于以来自发光元件的光线的反射率为优先，因而使用了Ag。最上层的Ag成为极薄的厚度，对于翘曲的影响极为微弱，处在实用上没有问题的程度。
(密封构件)
密封构件是保护发光元件、受光元件、保护元件、导电性导线等的电子部件免受尘埃或水分、外力等损害的构件，设于基体的凹部内。由于在该凹部的侧壁的内表面设置有突起部，因而密封构件难以从基体上剥离。特别地，在导电构件的表面(于凹部底面露出的面)设置有反射率高的银的情况下，在密封构件与基体之间剥离而使气体(尤其是含硫黄成份的气体)侵入时，则会有变色(着色)而使反射率下降，从而使得光取出效率下降，但由于设置突起部，可降低密封构件与基体的剥离，从而可抑制银的变色。
作为密封构件的材料，优选具有可透过来自发光元件的光线的透光性，且具有难以因光而劣化的耐光性的材料。再者，优选难以透过水蒸气、含硫黄成份的气体等，例如水蒸气透过率为50(g/mm2·Day)以下这种程度(密封构件的厚度为0.8mm时)。另外，关于固化后的硬度，肖氏D硬度为30以上，优选的是硬度更高者，但考虑与基体的附着力，更优选为35～50。这种硬度的密封构件在固化时的收缩或实际使用时的热变化时所施加的应力的作用下，与基体易于剥离，但通过于凹部的内表面设置突起部，可使它们难以被剥离。
作为密封构件的具体材料，可列举出有机硅树脂组合物、改性有机硅树脂组合物、环氧树脂组合物、改性环氧树脂组合物、丙烯酸树脂组合物等具有可透过来自发光元件的光线的透光性的绝缘树脂组合物。另外，也可以使用有机硅树脂、环氧树脂、脲醛树脂、氟树脂及含有至少一种以上这些树脂的复合树脂等。再者，不限于这些有机物，也可以使用玻璃、二氧化硅溶胶等无机物。除了这样的材料以外，根据希望也可以含有着色剂、光扩散剂、光反射材料、各种填料、波长变换构件(荧光构件)等。密封构件的填充量可以为覆盖上述电子部件的量。
密封构件的外表面的形状根据配光特性等可以进行各种选择。例如，通过将上表面设定为凸透镜形状、凹透镜形状、菲涅耳透镜形状等，可调整指向特性。另外，在密封构件上也可以进一步设置由其它构件构成的透镜等。再者，在使用包含荧光体的成形体(例如包含荧光体的板状成形体、包含荧光体的圆顶状成形体等)的情况下，作为密封构件，优选的是选择对包含荧光体的成形体的附着力优异的材料。作为包含荧光体的成形体，除了树脂组合物以外，还可使用玻璃等无机物。
(接合构件)
接合构件(未图示)是在导电构件或基体的底面部之上载置发光元件、受光元件、保护元件等并将其连接的构件。根据载置的元件的基板的不同，可选择导电性接合构件或绝缘性接合构件中的任一种。例如，在将氮化物半导体层层叠于作为绝缘性基板的蓝宝石上的半导体发光元件的情况下，接合构件可为绝缘性，也可为导电性。在使用SiC基板等导电性基板的情况下，通过使用导电性的接合构件，可谋求导通。作为绝缘性的接合构件，可使用环氧树脂组合物、有机硅树脂组合物、聚酰亚胺树脂组合物、它们的改性树脂、复合树脂等。在使用这些树脂的情况下，考虑来自半导体发光元件的光或热所造成的劣化，可于发光元件背面设置Al或Ag膜等反射率高的金属层或电介质反射膜。此时，可使用蒸镀、溅射、接合薄膜等方法。另外，作为导电性的接合构件，可以使用银、金、钯等的导电糊，或Au-Sn共晶等的焊锡、低融点金属等的焊料等。再者，这些接合构件中，在尤其使用透光性接合构件的情况下，也可以在其中含有吸收来自半导体发光元件的光线而发出不同波长的光的荧光构件。
(导电性导线)
作为电连接发光元件的电极和导电构件的导电性导线，可以使用金、铜、白金、铝等金属及其合金。特别地，优选使用热阻抗等优异的金。
(波长变换构件)
在上述密封构件中，也可以含有作为波长变换构件吸收来自半导体发光元件的光线的至少一部分而发出具有不同波长的光线的荧光构件。
作为荧光构件，将来自半导体发光元件的光线变换成波长较其长者是效率较高的。只是不局限于此，可使用各种荧光构件，如将来自半导体发光元件的光线变换成短波长者，或将由其它荧光构件变换而成的光线再加以变换者等。这样的荧光构件能够以单层的形式形成1种荧光物质等，也可以形成混合有2种以上的荧光物质等的单层，可以层叠2层以上的含有1种荧光物质等的单层，还可以层叠2层以上的分别混合有2种以上的荧光物质等的单层。
在使用将氮化物系半导体设定为发光层的半导体发光元件作为发光元件的情况下，可使用吸收来自该发光元件的光线而波长变换成不同波长的光的荧光构件。例如可使用主要以Eu、Ce等镧系元素激活的氮化物系荧光体或氮氧化物系荧光体。更具体地说，优选的是选自(a)Eu激活的α或β的SiAlON型荧光体、各种碱土类金属氮化物硅酸盐、各种碱土类金属氮化铝硅(例如CaSiAlN3:Eu、SrAlSi4N7:Eu等)，(b)Eu等镧系元素、主要通过Mn等过渡金属系的元素激活的碱土类金属卤化磷灰石、碱土类金属的卤硅酸盐、碱土类金属硅酸盐、碱土类金属硼酸卤化物、碱土类金属铝酸盐、碱土类金属硫化物、碱土类金属硫代镓酸盐、碱土类金属氮化硅、锗酸盐，或(c)主要通过Ce等镧系的元素激活的稀土类铝酸盐、稀土类硅酸盐、碱土类金属稀土类硅酸盐，(d)主要通过Eu等镧系的元素激活的有机物及有机络合物等中的至少任一种以上。优选为主要以Ce等镧系元素激活的稀土类铝酸盐荧光体即YAG系荧光体。YAG系荧光体以Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12等组成式加以表示。另外，也有将Y的一部分或全部用Tb、Lu等加以置换而成的Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等。再者，上述荧光体以外的荧光体中，可使用具有同样性能、作用、效果的荧光体。
另外，可使用将荧光体涂布于玻璃、树脂组合物等其它成形体上所得到的材料。再者，可使用包含荧光体的成形体。具体地说，可使用包含荧光体的玻璃、YAG烧结体、YAG与Al2O3、SiO2、B2O3等的烧结体，在无机熔液中析出YAG的结晶化无机块体等。也可使用将荧光体在环氧、聚硅氧烷、复合树脂等中一体成形所得到的材料。
(发光元件)
发光元件(半导体发光元件)可使用在同一面侧形成有正负电极的结构，或在不同的面形成有正负电极的结构，贴合有与成长基板不同的基板的结构等各种结构的半导体元件。
半导体发光元件可选择任意的波长。例如在蓝色、绿色的发光元件中，可使用ZnSe或氮化物系半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP。另外，作为红色的发光元件，可使用GaAlAs、AlInGaP等。再者，也可使用由除此以外的材料构成的半导体发光元件。使用的发光元件的组成或发光色、大小或个数等可根据目的的不同而加以适当的选择。
在设定为具有荧光物质的发光装置的情况下，优选的是可发出能够高效地激发该荧光物质的短波长的氮化物半导体(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)。根据半导体层的材料或其混晶度的不同，可选择各种发光波长。
另外，不仅是可见光范围的光，而且可使用输出紫外线或红外线的发光元件。再者，可与发光元件一起或者单独地搭载受光元件等。
(支持基板)
支持基板(于图1A、图1B中未图示)是为了通过金属镀覆而形成导电构件所使用的金属、或具有金属的板状或薄片状构件，由于在最后切断发光装置的集合体而作为发光装置单片化之前加以除去，因而是发光装置所不具备的构件。作为支持基板，除了SUS板等具有导电性的金属板以外，可使用于聚酰亚胺等绝缘性板或薄片上通过溅射法或蒸镀法而形成有导电膜的材料。或者，可使用能够贴附金属薄膜等的绝缘性板状构件。支持基板需要在工序的最终阶段加以除去，即从导电构件或基体上加以剥离。为此，作为支持基板，需使用可弯折的构件，虽会根据材料的不同而有所不同，但优选使用膜厚为10μm～300μm左右的板状构件。作为支持基板，除了上述SUS板以外，优选的是铁、铜、银、钴、镍等的金属板或可贴附金属薄膜等的由聚酰亚胺构成的树脂薄片等。尤其优选使用马氏体系、铁素体系、奥氏体系等的各种不锈钢。特别优选的是铁素体系不锈钢。尤其优选的是400系、300系不锈钢。更具体地说，优选使用SUS430(10.4×10-6/K)、SUS444(10.6×10-6/K)、SUS303(18.7×10-6/K)、SUS304(17.3×10-6/K)等。400系不锈钢当作为金属镀覆的前处理而进行酸处理时，与300系相比较，表面易于粗糙化。因此，于进行了酸处理的400系不锈钢上形成金属镀覆层时，该金属镀覆层的表面也易于粗糙化。由此，可使与构成密封构件或基体的树脂的附着力变得良好。另外，300系难以在酸处理中使表面粗糙。为此，使用300系不锈钢时，易于提升金属镀覆层表面的光泽度，由此，可提升来自发光元件的反射率，从而可设定为光取出效率高的发光装置。
另外，在提升导电构件的表面光泽时，使用镀覆或蒸镀、溅射等方法加以形成。为更加提升光泽度，支持基板的表面优选为平滑的表面。例如，在使用SUS作为支持基板的情况下，通过使用晶界较小的300系列SUS，可得到表面光泽高的导电构件的最表面。
另外，为缓和树脂成形后的翘曲，可于支持基板上施以狭缝、沟、波形状的加工。
(脱模薄片)
脱膜薄片(薄膜)为使成型后的成形体易于从模具取下(易于脱模)而设于注入成型树脂的部分的薄片，例如在用上下模夹持支持体而进行成型的情况下，配置于上模的下表面或下方的上表面。
为成型具有凹部的基体，需要在模具上形成凸部，使用较模具具有高弹性的脱模薄片，使用能够配合该凸部的形状而进行伸缩的脱模薄片。脱模薄片从设于模具的吸引口吸引空气，变形为模具的凹凸面的形状而加以使用。使用具有这样高的弹性的脱模薄片，进而在相当于凹部内表面的位置的脱模薄片上设置开口部，由此可于基体的凹部的内表面设置突起部。这利用了脱模薄片的高弹性，由此，可将仅为硬模具时难以成形的形状的突起部形成于凹部的内表面。
设于脱模薄片上的开口部可设定为圆形、四边形、长方形、多边形或将它们组合而成的形状或不定形的形状。另外，可以在吸附于模具上之前设置开口部，或者也可以在吸附于模具上之后进行设置。
脱膜薄片的材料优选的是与模具的剥离性好，进而与成型的基体的剥离性也好的材料。另外，优选在成型时的温度(130℃～190℃)下具有耐热性。例如，优选使用热塑性氟树脂(例如PTFE、ETFE)、或聚烯烃聚合物(TPX)、尼龙等，再者，作为基体，优选使用上述热固性树脂。
脱膜薄片的厚度优选设定为10μm～100μm，更优选设定为20μm～75μm，进一步优选设定为30μm～50μm。另外，为了与设于模具上的凹凸形状相配合而进行伸缩，伸缩率优选为500～1000％，更优选为600～900％。突起部根据沿成型时使用的模具伸展的脱膜薄片的厚度而决定距离内表面的高度，而且对于该形状而言，则由伸展的脱膜薄片的形状来决定。
脱膜薄片构成为单层或多层。由单层构成的脱膜薄片可以获得柔软性优异，能够沿模具的形状而薄薄地加以覆盖的优点。由多层构成的脱膜薄片可提高强度，而且可以维持设于脱膜薄片的开口部的大小。在采用多层的脱膜薄片的情况下，各层可适当选择同一或不同的材质，例如也可以由伸缩率不同的薄片构成。另外，脱膜薄片可考虑薄片伸缩的方向性，模压加工的方向等而加以选择。
(制造方法)
以下，对于实施例1的发光装置的制造方法加以说明。
1、第1工序
首先，准备由金属板等构成的支持基板。在该支持基板的表面涂布抗蚀剂作为保护膜。可通过该抗蚀剂的厚度调整以后形成的导电构件的厚度。抗蚀剂不仅在支持基板的上表面，而且也可以在下表面(相反侧的面)形成。此时，通过在相反侧的面的几乎整面上设置抗蚀剂，可防止由后述的金属镀覆在下表面形成导电构件。
此外，使用的保护膜(抗蚀剂)为通过光刻法形成的抗蚀剂的情况下，也可以使用正型、负型中的任一种。在此，对使用正型抗蚀剂的方法加以说明，但也可组合正型、负型加以使用。另外，也可以使用由丝网印刷所形成的抗蚀剂，或贴附薄片状的抗蚀剂等方法。
使涂布的抗蚀剂干燥后，于其上部直接或间接地配置具有开口部的掩模，从掩模上照射紫外线加以曝光。在此使用的紫外线可根据抗蚀剂的灵敏度等选择适当的波长。然后，用蚀刻剂进行处理，从而形成具有开口部的抗蚀剂。在此，也可以根据需要进行酸活性处理等。
接着，通过使用金属进行金属镀覆，从而于抗蚀剂的开口部内形成导电构件。此时，通过调整金属镀覆条件，可进行比抗蚀剂的膜厚更厚的金属镀覆。由此，将导电构件形成至抗蚀剂(保护膜)的上表面，从而可形成突出于如图1A所示的横向的部分。作为金属镀覆方法，可根据使用的金属，或者根据目标的膜厚或平坦度，采用该领域公知的方法加以适当的选择。例如，可使用金属电镀、金属化学镀等。特别地，优选使用金属电镀，由此易于除去抗蚀剂(保护膜)，易于使导电构件以均匀的形状形成。另外，为提升与最表面(例如Ag)的附着力，优选采用冲击镀于其下层形成中间层(例如Au、Ag)。金属镀覆后，通过洗净除去保护膜，便形成隔离的多个导电构件。
2、第2工序
接着，于导电构件间形成可反射来自发光元件的光线的基体。基体的底面部及侧面部、进而于侧面部的内表面形成的突起部的所有部分是在该工序中一体成型的。
作为成型方法，可通过注射成型、传递成型、压缩成型等方法来形成。例如在通过传递成型形成基体的情况下，将形成有多个导电构件的支持基板挟于具有上模和下模的模具内加以设定。此时，在将形成有凹部的一侧成为上模的情况下，在该上模的下表面形成有凸部，使脱膜薄片事先吸附于含有凸部的整个下表面。另外，在压缩成型的情况下，也同样采用脱膜薄片。
脱膜薄片也可以预先具有开口部，而且也可以在装设于模具中后进行设置。此时，例如将脱膜薄片按压于形成有凸部的上模的下表面侧，进而通过吸附等，沿模具的凸部加以伸展。之后，通过一边施加压力一边注入树脂，藉由树脂的流动阻抗而拉伸的脱膜薄片超过拉伸率的极限，从而在与成型后的基体的凹部的内表面相当的模具凸部的侧面，容易产生开口部。
在模具内插入基体原料即树脂锭片，加热支持基板与树脂锭片。树脂锭片熔融之后，加压而填充于模具内及脱膜薄片的开口部内。加热温度或加热时间以及压力等可根据使用树脂的组成等加以适当的调整。固化后，从模具及脱膜薄片取出，便可以获得成型品。
3、第3工序
接着，使用接合构件将发光元件接合于基体凹部的底面，使用导电性导线可与导电构件电连接。
4、第4工序
之后，于凹部内填充含有透光性树脂的密封构件。由此，将发光元件用密封构件加以覆盖。密封构件优选设定为与凹部的侧壁大致为同一高度，但本发明不限于此，也可以比侧壁更低或更高地加以形成。另外，上表面可为平坦的面，或者也可以形成为中央凹陷、或突出的曲面状。另外，密封树脂可以是一层结构，或者也可以设定为组成或特性不同的2层以上的多层结构。
通过固化密封构件，可得到发光装置的集合体，从该集合体上剥离除去支持基板。
5、第5工序
最后，切断凹部与凹部间的侧壁而使其单片化，从而可以得到如图1A所示的具有1个凹部的发光装置。作为单片化的方法，可使用刀片的划线、使用激光的划线等各种方法。
实施例2
在以上的实施例1中，说明了将突起部设于侧壁内表面的短边侧的例子。然而，也可以代替短边侧、或者除此以外，将突起部设置于长边侧。将这样的例子作为实施例2，示于图2A～图2C中。在这些图中，图2A是表示实施例2的发光装置200的立体图，图2B是表示图2A的IIB-IIB’剖面的剖面图，而且图2C是表示图2A的IIC-IIC’剖面的剖面图。图2A～图2C的发光装置200与图1的发光装置100在对各自的构件标注的符号中，最后的两个数字相同的构件彼此相互对应，适当省略了图2的发光装置200的各构件的详细说明。
实施例2的基体201与实施例1的基体101相同，除了设于侧壁内表面的短边侧曲面部的突起部201c以外，进而于长边侧也设置有突起部201c’。在此例子中，突起部201c’在基体的侧壁部201a的内表面，在从底面部201b向侧壁部201a的立起部位的附近，与基体一体地加以设置。此突起部201c’也与突起部201c相同，形成为向凹部S的内侧突出的姿势。这样，可使填充于凹部S的密封构件204与基体201的接合界面的接触面积变得更大，进而借助于突起部201c、201c’所产生的锚固效果，可将密封构件204确实地固定于凹部S。特别地，在图2A的例子中，在对置的曲面部分别设置有突起部201c，而且在其中间部分的平面部也设置有突起部201c’，从而增加了与密封构件204的固定处所，可更加提升可靠性。
另外，该发光装置200具有在基体201的底面侧将构成凹部S的一对侧壁部201a彼此之间连结成一体的底面部201b，在该底面部201b的两端侧的上方设置有突起部201c’。具体地说，在对置的导电构件202、和配置于其间的基体的底面部201b的边界附近，且在导电构件202与侧壁部201a于大致垂直的方向上平面接触的角部附近，配置有突起部201c’。这样，基体201在导电构件202的角部附近一体设置有从凹部S的侧壁部201a向内侧突出的突起部201c’，该基体201可有效地抑制导电构件202与底面部201b因热膨涨率之差所造成的剥离。
这是因为突起部201c’通过增加与填充于凹部S的密封构件204接触的表面积，可与密封构件204牢固地加以连结。即，通过该突起部201c’，可以抑制起因于温度上升等的密封构件204的剥离或浮起。结果，成为密封构件204从上方以大面积摁住导电构件202和底面部201b的方式，从而在抑制双方剥离的同时，可维持附着力。特别地，凹部S的底面由材质不同的导电构件201与基体的底面部201b构成，因此，在接近它们的边界区域的范围、即侧壁部201a的下方域设置的突起部201c′可有效获得上述的效果，因而是优选的。
此外，实施例2的突起部201c、201c′可将其形状或排列构成设定为与实施例1的突起部101c相同。另外，突起部101c、201c、201c’在凹部S内优选设于侧壁的两侧，但也可以仅设于任一方的侧壁。
(底面卡止用凹陷201f)
除此以外，不仅在凹部的侧壁，而且在底面、即基体的底面部也可以设置用于强化与密封构件的粘结力的卡止结构。该卡止结构不限于突起部，也可以设定为凹陷。特别是在底面部，从容易形成的角度考虑，优选的是凹陷。例如在模具成形时，通过使剥离薄片部分地向底面部201b侧突出，便可容易形成凹陷。
图2A所示的发光装置200在基体的底面部201b的一部分上，形成有底面卡止用凹陷201f。底面卡止用凹陷201f如图2C的剖面图所示，成为从基体的底面部201b的上侧表面向下方凹陷的区域。底面卡止用凹陷201f被设置成使底面部201b的厚度部分减薄，而不贯通基体201。另外，底面卡止用凹陷201f的开口部的内径以愈向开口侧愈宽的方式来形成。通过设置这样的凹陷，填充于凹部S的密封构件204除了其周围之外，即使在底面，也将与基体201的连接界面设计为非平坦面，可提升树脂的嵌入，从而可以改善粘结强度。另外，在未设侧壁的突起部的方式中，利用基体的底面部的凹陷也可以谋求密封构件的固定力的强化。
此外，图2A～图2C的底面卡止用凹陷201f从上表面侧的俯视看来，将开口形状设定为椭圆状，但该形状并没有特别的限定，也可设定为矩形状、圆状。另外，底面卡止用凹陷201f也可以在深度方向使开口形状变化，例如也可以在上侧设定为椭圆状，在下方侧设定成圆状。另外，基体的底面卡止用凹陷201f也可以形成为单个或多个凹陷。
再者，凹陷也可以在其内部进一步设置凹陷。图2D的放大剖面图表示了这样的变形例。该图所示的底面卡止用凹陷201f使凹陷在深度方向发生变化，成为双重的凹部。图2D的底面卡止用凹陷201f使底面卡止用凹陷201f的开口径阶段性地减少，使剖面形状成为大致对称的阶梯状。具体地说，底面卡止用凹陷201f分2阶段减少开口径。详细而言，使设于基体的底面部101b的上侧表面且具有第1开口径的第1底面凹陷206、和具有比该第1开口径为小的第2开口径的第2底面凹陷207在深度方向一体构成。通过在基体的底面部201b设置分多个阶段减少开口径的底面卡止用凹陷201f，可使凹部内的形状复杂化。结果，由于可以增大底面卡止用凹陷201f的内部的表面积，因而可以进一步提高与填充于该凹部内的密封构件204的附着力。
此外，在实施例2中，将第1底面凹陷206及第2底面凹陷207的内表面设定为曲面，即构成将角落部设定为R状的弯曲凹部。弯曲状的底面卡止用凹陷201f因为容易制造，因而是优选的。也可以将底面卡止用凹陷201f的内部设定为矩形状。另外，底面卡止用凹陷201f也可以分3个以上的阶段减少开口径，进而也可以是连续减少开口径的方式。
再者，除了实施例1及实施例2的突起部101c、201c、201c’以外，设置有基体的底面卡止用凹陷201f的发光装置200可以从基体201的多个方向提高与密封构件204的附着力。也就是说，在图1、图2的情况下，于凹部S的短边侧与长边侧的侧壁面及底面侧的3维方向，采用突起部或凹陷将基体的内壁面构成为凹凸，使密封构件204沿靠着该凹凸部，从而可进一步提升锚固效果。
(突起部的变形例)
再者，在实施例1及实施例2的例子中，说明了将突出于凹部内表面的突起部设定为圆锥台状的例子，但如上所述，突起部的形状并不局限于此，可为各种的形状。特别地，从提升与密封构件的锚固效果的观点来看，优选的形状是在突起部的前端使外径变大。这样的变形例如图3所示。图3的发光装置是实施例1及实施例2的突起部101c、201c、201c’的变形例，对于除了突起部以外的其它构件，与图1及图2相同，因此对于对应的构件，使各构件标注的最后的两个数字相同而适当省略其说明。图3的突起部301c设定为使其剖面形状呈大致T字状的蘑菇状，具有从侧壁部301a向大致垂直方向突出的柱状部301d、和在该柱状部301d的前端向与该柱状部301d的轴向大致正交的方向扩展的扁平部301e。将剖面形状设定为T字状的突起部301c通过该凹凸形状而更加强化与密封构件304的接合力。另外，进一步增加与密封构件304的接触面积，可进一步提升与密封构件304的附着力，因而是优选的。
(制造方法)
实施例2的发光装置200的制造方法与实施例1的发光装置100的制造方法大致相同，对于同一制造工序省略详细的说明。具体地说，在实施例2的制造方法中，在实施例1的制造方法所记载的第2工序中，将设于脱膜薄片的开口部的位置特定如下。即在安装模具时，通过在对应的导电构件的角部上方设置脱膜薄片的开口部，便可以得到上述的突起部201c’。
另外，一并对于将突起部形成为剖面T字状时的制造方法进行如下的说明。该脱膜薄片的开口部的形成位置在第2工序的模具内，对应于之后构成基体的底面部201b的一对导电构件202间的间隙、和之后构成基体的侧壁部201a的上模和下模的模具内的空间区域的边界区域，在该边界区域中，因各自的填充范围的容量差而使填充树脂的压力有所不同。特别是在模具内，在导电构件202间的狭窄间隙、和侧壁部用宽广空间区域的边界区域中，由于树脂所造成的压力或流速差而易于施加应力，因此，在设于此边界区域的脱膜薄片的开口部内，易于使树脂行进。行进的树脂通过脱膜薄片的开口部，进而行进于脱膜薄片与模具的间隙而扩散。通过该扩散而构成突起部301c的扁平部301e，而且填充于开口部的树脂分别构成柱状部301d。
因此，调整树脂的行进状态，例如故意使树脂的应力加大，促使其向脱膜薄片的开口部行进，进而通过开口部，提高脱膜薄片与模具的间隙的扩散率，从而可使突起部301c的扁平部301e的直径变大。或者相反也是可以的，通过调节树脂的流入压力和流入速度，可调节突起部的直径或厚度。
另外，在树脂固化后，使该突起部301c通过脱膜薄片的开口部，同时将基体从模具及脱膜薄片取出。特别地，在直径比柱状部301d大的扁平部301e中，优选一边展开脱膜薄片而使开口部扩展，一边使扁平部301e通过。
进而对于底面卡止用凹陷201f的形成方法说明如下。在上述第2工序设置模具的情况下，装设有脱膜薄片的上模的凸部的下表面在脱膜薄片的一部分区域可维持伸展的状态。具体地说，通过借助于真空等从上模的间隙吸引脱膜薄片，从而在模具内的间隙一边调整脱膜薄片的引力一边设定模具，以维持导电构件202的配置区域的伸展状态。之后，以用上下模加以挟持的方式设定导电构件，从而向上模的脱膜薄片施加应力。此时，在导电构件202的配设区域维持脱膜薄片的伸展状态，使其与支持基板牢牢密合。另一方面，在基体的底面部201b的形成区域即模具和一对导电构件202间构成的间隙中，通过加压而变形(延伸)的脱膜薄片向该间隙靠近。即，比一对导电构件间的间隙宽度宽广的脱膜薄片集中于间隙内，因而形成挠曲。
结果，在导电构件202的配置区域中，可回避脱膜薄片的挠曲的产生，因而可以提高导电构件202与脱膜薄片的附着力，从而可以抑制树脂进入导电构件202上。同时，在与基体的底面部201b的形成区域相当的模具的间隙内，该上表面可以由向下方挠曲的脱膜薄片构成，因而可沿该空间形状成形树脂。即，可以得到与该树脂薄片的凹陷的形状对应的基体的底面卡止用凹陷201f。
另外，通过使脱膜薄片成为多层，可形成具有上述多个底面凹陷的底面卡止用凹陷201f。这很好地利用了具有伸缩性的多层薄片的性质，通过模具的设定所产生的应力，可使脱膜薄片的多层彼此相互剥离。各薄片相互之间的伸缩率不同，因而在模具的间隙内可使向下方挠曲的程度有所不同，结果，可将多层薄片的最下表面形成为凹凸。即，与基体的底面部201b的形成区域相当的模具的间隙的形状中，可形成将该上表面侧用多层的脱膜薄片构成为凹凸的复杂的形状，从而可以得到与该形状对应的底面卡止用凹陷。
产业上的可利用性
根据本发明的发光装置及其制造方法，可容易得到小型轻量，且光取出效率和可靠性优异的发光装置。这些发光装置可利用于各种显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光光源，以及数字摄像机、传真机、复印机、扫描仪等图像读取装置，以及投影仪装置等。
符号说明：
100：发光装置
101：基体
101a：基体的侧壁部
101b：基体的底面部
101c：突起部
102：导电构件
103：发光元件
104：密封构件
105：导电性导线
200：发光装置
201：基体
201a：基体的侧壁部
201b：基体的底面部
201c：突起部
201c’：突起部
201f：底面卡止用凹陷
202：导电构件
203：发光元件
204：密封构件
205：导电性导线
206：第1底面凹陷
207：第2底面凹陷
301a：侧壁部
301c：突起部
301d：柱状部
301e：扁平部
302：导电构件
303：发光元件
304：密封构件
305：导电性导线
S：凹部

Claims (18)

1.一种发光装置，其具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；
突起部，其设于所述凹部内；
发光元件，其载置于所述凹部内，并与所述导电构件电连接；以及
密封构件，其以覆盖所述发光元件的方式设于所述凹部内；
所述发光装置的特征在于：
所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，
所述凹部在所述侧壁的内表面具有曲面，
所述突起部被设置为与所述曲面接近。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述突起部设于所述凹部的侧面。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述凹部在所述侧壁的内表面，具有倾斜程度发生变化的部分，
所述突起部设于所述内表面的倾斜程度发生变化的部分。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于：所述突起部设于所述内表面的曲面上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其特征在于：所述突起部设于所述基体的底面部附近的侧壁的内表面。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光装置，其特征在于：在所述基体的底面部具有凹陷。
7.一种发光装置，其具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；
发光元件，其载置于所述凹部内，并与所述导电构件电连接；以及
密封构件，其以覆盖所述发光元件的方式设于所述凹部内；
所述发光装置的特征在于：
所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，
所述凹部在其底面形成有凹陷。
8.一种发光装置，其具有：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；
发光元件，其载置于所述凹部内，并与所述导电构件电连接；以及
密封构件，其以覆盖所述发光元件的方式设于所述凹部内；
所述发光装置的特征在于：
所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，
所述侧壁部的内表面在比上表面更靠近底面的一侧具有突起部。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于：
所述凹部在其侧壁的内表面具有平面部及曲面部；
所述突起部设于所述曲面部。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其特征在于：所述导电构件为金属镀覆层。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的发光装置，其特征在于：所述基体由热固性树脂构成。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其特征在于：所述突起部在所述凹部中，于高度方向或水平方向设置有多个。
13.一种树脂封装，其具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；以及
突起部，其设于所述凹部内；
所述树脂封装的特征在于：
所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，
所述凹部于所述侧壁的内表面具有曲面，
所述突起部被设置为与所述曲面接近。
14.一种树脂封装，其具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；以及
密封构件，其设于所述凹部内；
所述树脂封装的特征在于：
所述基体由将底面部和侧壁部一体成型的树脂构成，
所述凹部在其底面形成有凹陷。
15.一种发光装置的制造方法，该发光装置具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；
发光元件，其载置于所述凹部内，并与所述导电构件电连接；
密封构件，其以覆盖所述发光元件的方式设于所述凹部内；以及
突起部，其设于所述凹部内；
所述制造方法的特征在于，其包含以下工序：
准备所述导电构件的工序；
于具有上模和下模的模具的内表面，将脱模薄片沿该模具的凸部拉伸而配置，同时将所述导电构件设定为挟持于该模具的上模和下模之间的工序；
于所述模具内注入树脂，借助于该树脂的流动阻抗使该拉伸的脱模薄片超过拉伸率的极限，从而在与成型后的基体的凹部的内表面相当的模具的凸部的侧面产生开口部，同时于所述凹部的内表面形成所述突起部的工序；
将所述发光元件接合于所述基体的凹部的底面的工序；以及
在所述凹部内填充所述密封构件的工序。
16.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其中，所述导电构件通过镀覆而形成在支持基板的表面。
17.一种树脂封装的制造方法，该树脂封装具备：
基体，设置有包括底面及侧壁的凹部；
导电构件，其上表面在所述凹部的底面露出，而且下表面形成为外表面；以及
突起部，其设于所述凹部内；
所述制造方法的特征在于，其包含以下工序：
准备所述导电构件的工序；
于具有上模和下模的模具的内表面，将脱模薄片沿该模具的凸部拉伸而配置，同时将所述导电构件设定为挟持于模具的上模和下模之间的工序；
于所述模具内注入树脂，借助于该树脂的流动阻抗使该拉伸的脱模薄片超过拉伸率的极限，从而在与成型后的基体的凹部的内表面相当的模具的凸部的侧面产生开口部，同时于所述凹部的内表面形成所述突起部的工序。
18.根据权利要求17所述的树脂封装的制造方法，其中，所述导电构件通过镀覆而形成在支持基板的表面。
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