TWI532216B - A light emitting device and a manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI532216B
TWI532216B TW099137246A TW99137246A TWI532216B TW I532216 B TWI532216 B TW I532216B TW 099137246 A TW099137246 A TW 099137246A TW 99137246 A TW99137246 A TW 99137246A TW I532216 B TWI532216 B TW I532216B
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Shinji Nishijima
Tomohide Miki
Hiroto Tamaki
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Nichia Corp
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Description

發光裝置及其製造方法
本發明係有關可利用於顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源等之發光裝置之樹脂封裝及其製造方法、和使用其之發光裝置，尤其是有關於是為薄型/小型型式，可靠性高之樹脂封裝及使用其之發光裝置及其製造方法者。
近年以來，伴隨電子機器之小型化、輕量化，對於搭載此等之發光裝置(發光二極體)，亦開發出種種之小型化者。此等之發光裝置係使用例如在絕緣基板之兩面，各別形成一對之金屬導體圖案之兩面通孔印刷基板。於兩面通孔印刷基板，載置發光元件，具有使用導線等電性導通金屬導體圖案與光半導體元件之構造。
但是，如此發光裝置則使用兩面通孔印刷基板為必需之條件。此兩面通孔印刷基板至少有0.1mm程度以上之厚度之故，會成為阻礙表面安裝型之發光裝置之徹底薄型化之要因。而且，如此基板相較於樹脂封裝加工精度不佳之故，對於小型化而言並不適用。為此，開發出不使用如此印刷基板之構造的發光裝置(例如專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-79329號公報
揭示於專利文獻1之發光裝置係在基板經由蒸鍍等，形成薄金屬膜做為電極，與發光元件一同以透光性樹脂加以封閉，可較以往之表面安裝型之發光裝置更為薄型化。
但是，此發光裝置僅使用透光性樹脂之故，光會從發光元件向下面方向穿透，易使光取出效率下降。又，雖有揭示設置研鉢狀之金屬膜，使光線反射之構造，但要設置如此金屬膜，則需於基板設置凹凸才行。結果，由於使發光裝置小型化，此凹凸亦變得極為細微，不但是加工上的困難，由於凹凸構造在基板之剝離時易於破損之故，易於產生產率下降等之問題。又，使用於顯示器等之時，僅使用透光性樹脂時，易於產生對比不佳之問題。為此，雖可於金屬膜貼黏框體等而使得光線難以穿透，但是如此結果反而會使得厚度增加。本發明係為解決如此問題點而成者，該主要目的係提供在薄型下，光取出效率優異之樹脂封裝與使用其之發光裝置及其製造方法者。
為解決以上之課題，本發明之發光裝置係具備設置具有底面及側壁之凹部的基體、和在凹部之底面，伴隨上面之露出，下面形成外表面之導電構件、和設於凹部內之突起部、和載置於凹部內，與導電構件電性連接之發光元件、和被覆發光元件而設於凹部內之封閉構件。基體係一體成型底面部與側壁部所成之樹脂所成。凹部係在側壁之內面，具有曲面者。突起部係接近曲面而設置者。由此，可成為光取出效率及可靠性優異之薄型‧小型之發光裝置。
突起部係可設於凹部之側面。又，凹部係於側壁之內面，具有傾斜程度變化之部分，可將突起部，設於內面之傾斜程度變化之部分。此突起部係設於內面之曲面者為佳。更且，突起部乃在側壁部之內面，設於相較於上面，接近底面之側亦可。或突起部係可於凹部中，複數設置於高度方向或水平方向。
另一方面，凹部係側壁之內面具有平面部及曲面部，可將突起部設於此曲面部。更且，又，導電構件可成為鍍金層。又，基體係可為熱硬化性樹脂。
更且，發光裝置係可於基體之底面部，具有凹陷亦可，構成凹部之基體係於該底面部之上面，設置凹陷亦可。即，凹部係不使該底面側成為平面，部分成為凹陷之形狀。由此，不使底面成為平面狀，設置起伏，可使封閉構件與底面之接合力更為增加。
又，其他之發光裝置係具備設置具有底面及側壁之凹部的基體、和在前述凹部之底面，伴隨上面之露出，下面形成外表面之導電構件、和載置於前述凹部內，與前述導電構件電性連接之發光元件、和被覆前述發光元件而設於前述凹部內之封閉構件，前述基體係由底面部與側壁部一體成型所成之樹脂所成，前述凹部係可於該底面形成凹陷者。由此，不使底面成為平面狀，設置起伏，可使封閉構件與底面之接合力更為增加。
又，其他之發光裝置係具有：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和在凹部之底面，伴隨上面之露出，下面形成外表面之導電構件、和載置於凹部內，與導電構件電性連接之發光元件、和被覆發光元件而設於凹部內之封閉構件。基體係由使底面部與側壁部一體成型所成之樹脂所成，側壁部之內面係具有相較於上面接近底面側之突起部為特徵。由此，可成為光取出效率及可靠性優異之薄型‧小型之發光裝置。又，凹部係側壁之內面具有平面部及曲面部，突起部則設於此曲面部。突起部係於凹部中，複數設置於高度方向或水平方向者為佳。更且，導電構件可成為鍍金層。更且，基體係由熱硬化性樹脂所成。
本發明之樹脂封裝係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和在凹部之底面，伴隨上面之露出，下面形成外表面之導電構件、和設於凹部內之突起部。基體係由使底面部與側壁部一體成型所成之樹脂所成，凹部係於前述側壁之內面，具有曲面者。又，突起部係接近前述曲面而設置者。由此，可強化與可配設於凹部內之構件的固定力。
又，其他之樹脂封裝係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和在凹部之底面，伴隨上面之露出，下面形成外表面之導電構件、和設於凹部內之封閉構件。此基體係由使底面部與側壁部一體成型所成之樹脂所成，凹部係於該底面，形成凹陷。
更且，發光裝置之製造方法係包含準備導電構件之工程、和於具有上模具具及下模具之模具之內面，將脫模薄片，沿該模具之凸部拉伸而配置之同時，將導電構件，挾持於該模具之上模具具及下模具之間加以設定的工程、和於模具內注入樹脂，經由該樹脂之流動阻抗，使該拉伸之脫模薄片超越拉伸率之臨界，在相當於成型後之基體之凹部之內面的模具之凸部之側面，產生開口部的同時，於凹部之內面形成突起部的工程、和於基體之凹部之底面，接合發光元件之工程、和於凹部內，填充封閉構件之工程。
又，其他之發光裝置之製造方法乃於支持基板之表面，經由鍍覆導電構件而形成者。
更且，樹脂封裝之製造方法係包含準備導電構件之工程、和於具有上模具具及下模具之模具之內面，將脫模薄片，沿該模具之凸部拉伸而配置之同時，將導電構件，挾持於模具之上模具具及下模具之間加以設定的工程、和於模具內注入樹脂，使經由樹脂之流動阻抗所拉伸之脫模薄片超越拉伸率之臨界，在相當於成型後之基體之凹部之內面的模具之凸部之側面，產生開口部的同時，於凹部之內面形成突起部的工程。
又，其他之樹脂之封裝之製造方法係於支持基板之表面，經由鍍覆導電構件而形成亦可。
根據本發明之發光裝置時，可產率佳地獲得防止來自發光元件之光線從下面側漏出，提升上面方向之光取出效率的發光裝置。
將為實施本發明之形態，參照以下圖面加以說明。惟，以下所示之形態係例示本發明之發光裝置及該製造方法者，並非將本發明限定於以下之形態者。又，本說明書非將示於專利請求之範圍之構件，限定於實施形態之構件者。尤其，記載於實施之形態之構成零件之尺寸、材質、形狀、該相對之配置等在沒有限定之記載之下，本發明之範圍並非限定於此，而僅是單純之說明例而已。然而，各圖面所示構件之大小或位置關係等，會由於為了明確說明有加以誇大之情形。更且，於以下之說明中，對於同一名稱，符號則顯示同一或同性質之構件，適切省略詳細說明。
[實施例1]
將實施例1之發光裝置100示於圖1A、圖1B。圖1A係發光裝置100之斜視圖，圖1B係顯示圖1A所示之發光裝置100之IB-IB’之剖面之剖面圖。
於實施例1中，發光裝置100係如圖1A、圖1B所示，具有設置具有底面及側壁之凹部S之基體101、和於凹部S之底面，露出上面的一對之導電構件102。導電構件102係使該下面形成發光裝置100之外表面而設置，伴隨基體101、構成發光裝置100之下面之一部分。於凹部S內，經由導電構件102與導電性導線105等電性連接之發光元件102，則使用接合構件(未圖示)加以載置。更且，使被覆此發光元件103等，於凹部S內，設置透光性之封閉構件104。
又，基體101係由使底面部101b與側壁部101a一體成型所成之樹脂所成，此側壁部101a之內面係具有相較於上面接近底面側之突起部101c。
(基體)
基體101係可經由添加具有遮光性之各種填充材等，遮光來自發光元件103之光線的樹脂，保持做為正負一對之電極之機能的導電構件102而設置者。
於基體101中，設置為使導電構件間絕緣之基體之底面部101b，由此可抑制從發光裝置100之下面側之光線之洩漏，而可提升向上面方向之光取出效率。更且，經由於基體101中設置側壁部101a而形成凹部S，由此，可抑制向發光裝置100之側面側之光線的放出，可向上面方向有效率地放出光線。如此基體之底面部101b與側壁部101a係經由同一之樹脂一體成型，由於不具有接合部等，可抑制光之洩漏，可以一個工程有效率地加以成形。
此凹部S中，從底面至上面之高度(深度)係以0.5mm以下為佳，0.4mm以下則更佳，更甚者為0.35mm以下。如此，在深度較淺之凹部之時，與填充於凹部內之封閉構件的接觸面積為少之故，緊密性易於下降。為此，如本發明藉由在於側壁部之內面具有突起部，可提升與基體及封閉構件的緊密性。
又，導電構件之表面為Ag之時，易於經由含硫黃之氣體而劣化(硫化)之故，做為封閉構件使用硬材料者為佳。但是，如此之材料係會由於回焊安裝時之熱性疲勞，在與側壁部之內面之界面會變得易於剝離，但經由設置如本發明之突起部，可使此等變得不易剝離。尤其，在凹部深度為淺之時，從封閉構件之表面至導電構件之距離變短之故，經由使用如本發明之突起部，即使較硬質之封閉構件下，仍可減低剝離之情形。
基體之外形係如圖1A所示上面視之為長方形之外，可為正方形或多角形、圓形或組合此等之形狀等之任意形狀。更且，對於凹部之開口部之形狀，亦可為正方形、長方形、圓形、橢圓形、貨車形、多角形或此等組合之形狀等之任意形狀。較佳者為貨車形狀，於上面視之為長方形之基體之長度方向之略中央部，具有直線部，於短方向具有曲線部之形狀者為佳。
凹部之側壁之內面乃對於底面為垂直，或如圖1B所示，成為上面側較底面側為寬廣之傾斜面者為佳。又，使用脫模薄片在模具成形基體之時，凹部之底面與內面之角部，則經由具有彈性之脫模薄片，成為圓滑帶狀之形狀亦可。此時，於導電構件上，形成從內面連續地，朝向凹部底面之中央部，漸漸使厚度變薄之側壁。經由使角部具有圓滑性，可使填充於凹部內之封閉構件難以含有空氣，又可分散硬化時所施加之應力，使難以從基體剝離。
於側壁部101a之內面，形成突起部101c，此突起部101c亦與底面部101b及側壁部101a一同加以一體成型。突起部101c係如圖1A、圖1B所示，側壁部之內面中，形成於相較於上面，接近底面之側。較佳者係從內面之高度方向之中央附近向下面側延伸地加以設置，可達到凹部之底面，或如圖示所示，從凹部之底面遠離地加以設置亦可。
又，突起部係雖可設於凹部之內周中之任何位置，，但在如圖1A所示，開口部之上面視之形狀具有直線部及曲線部之貨車形狀中，伴隨於此，內面具有平面部與曲面部之凹部之時，設置於內面之曲面部者為佳。又，設於內面之傾斜程度變化之部分，例如曲率半徑與其他不同之曲面，或角部，或該附近等者為佳。如此，經由將突起部接近曲面，與凹部一體加以設置，可增加基體之機械性強度。尤其，在曲面附近，藉由設置複數凸狀之突起部，達到在應力集中之曲面的強度提升，而提高可靠性。例如圖1A中，突起部101c乃在內面中之一方之曲面部，設有4個。此位置乃經由封閉構件104之硬化時所產生之收縮，而易於受到應力之部分。因此，會經由硬化收縮、回流等之熱疲勞而易於剝離。封閉構件104與基體101被剝離之時，易於對於連接在導電構件102之導電性導線105施予應力。為此，雖導電性導線會產生斷線等之問題，但由於設置突起部101c，可緩和剝離所造成之影響，可減低斷線之情事。如此，凹部係於側壁之內面，具有傾斜程度變化之部分之故，經由在於如此內面之傾斜程度變化之部分，設置突起部，可緩和此部分之剝離所造成之影響。又，如圖1B所示，在構成凹部S之基體101之內面，經由設置突起部101c，填充於凹部S之封閉構件104與基體101之界面的咬合為佳，可提高黏著力。尤其，將凸狀之突起部，突起於凹部之中心側時，可得安定效果。更且，於設置發光元件之凹部內面，設置突起部，使來自發光元件之光線亂反射，而可期待向外部之光取出效率的提升。
然而，圖1A中，突起部雖於單方之曲面部，設有4個，但不限於此，可設1個或複數個。複數之突起部係可於凹部中，不僅於高度方向或水平方向之一方向，2次元地設置複數個。又，於2個曲面部，不設置各別為同一形狀、同一數量之突起部亦可，設置各別為不同形狀或數量之突起部亦可。更且，可設置於平面部。
又，在此雖複數設置相互隔離之橢圓狀之突起部101c，但對於形狀而言，可為圓形、四角形、多角形或此等組合之形狀，更可為不定形，或一部分被連結之形狀亦可。尤其，具有較接近於凹部之上面側，接近於底面側之寬度為寬廣之部分的形狀之突起部，或設於遠離至凹部底面之位置之突起部，乃由於使用彈性之脫模薄片才能形成之形狀之故，為佳。
基體101乃可遮光來自發光元件103之光線者，任何之構件皆可。唯，與支持基板之線膨漲係數之差為小之構件者為佳。尤其，使用絕緣性構件為佳。做為較佳之材料，可使用熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等之樹脂。尤其，導電構件之膜厚為25 μm～500 μm程度之厚度時，尤其在25 μm～200 μm程度極薄之厚度之時，熱硬化性樹脂為佳，由此，可得極薄之基體。更且，具體而言，可列舉(a)環氧樹脂組成物、(b)聚矽氧樹脂組成物、(c)聚矽氧改性環氧樹脂等之改性環氧樹脂組成物、(d)環氧改性聚矽氧樹脂等之改性聚矽氧樹脂組成物、(e)聚醯亞胺樹脂組成物、(f)改性聚醯亞胺樹脂組成物等。
尤其，熱硬化性樹脂為佳，以記載於日本特開2006-156704號公報之樹脂為佳。例如，熱硬化性樹脂中，以環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂等為佳。具體而言，使用含有使(i)異氰尿酸三縮水甘油酯、氫化丙二酚A二環氧甘油醚所成環氧樹脂、和(ii)六氫苯酐、3-甲基六氫苯酐、4-甲基六氫苯酐所成酸無水物，成為當量地而溶解混合之無色透明混合物的固形狀環氧樹脂組成物為佳。更且，對於此等混合物100重量份而言，做為硬化促進劑添加0.5重量份DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7)，做為助觸媒添加1重量份乙二醇、10重量份氧化鈦顏料，50重量份玻璃纖維，經由加熱，進行部分硬化反應，成為b-stage化之固形狀環氧樹脂組成物為佳。
又，以記載於國際公開WO2007/015426號之包含三嗪衍生物環氧樹脂的環氧樹脂為必須成分之熱硬化性環氧樹脂組成物為佳。例如，包含1,3,5三嗪核衍生物環氧樹脂為佳。尤其，具有異氰脲酸環之環氧樹脂，在於耐光性或電性絕緣性上為優異者。對於一個異氰脲酸環而言，具有2價，更佳為具有3價之環氧基者為佳。具體而言，可使用三(2、3-環氧丙基)異氰脲酸、三(α-甲基縮水甘油基)異氰脲酸等。三嗪衍生物環氧樹脂之軟化點係90～125℃為佳。又，於此等三嗪衍生物環氧樹脂，併用氫添加環氧樹脂，或其他之環氧樹脂亦可。更且，聚矽氧樹脂組成物之時，以包含甲基聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂為佳。
尤其，對於使用三嗪衍生物環氧樹脂之時，具體加以說明。於三嗪衍生物環氧樹脂，使用做為硬化劑作用之酸無水物者為佳。尤其，經由使用非芳香族，且不具有碳碳2重結合之酸無水物，可提升耐光性。具體而言，可列舉六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、氫化甲基酸酐無水物等。尤其，甲基六氫鄰苯二甲酸酐為佳。又，使用氧化防止劑者為佳，可使用例如酚系、硫磺系之氧化防止劑。又，做為硬化觸媒，可使用做為環氧樹脂組成物之硬化觸媒之公知者。
更且，於此等樹脂中，混入附予遮光性之填充劑，或依需要之各種添加劑。本說明書中，包含此等，稱之為構成基體106之遮光性樹脂。例如，做為填充材(填料)，經由混入TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等之微粒子等，可調整光之透過率。以遮光來自發光元件之光線之約60%以上為佳，更佳為遮光約90%者。然而，經由基體106使光線反射，或加以吸收皆可。將發光裝置使用於照明等之用途時，經由更為反射加以遮光者為佳。此時，對於來自發光元件之光線之反射率為60%以上為佳，更佳為90%以上者。
如上述之各種填充材，可僅組合1種，或組合2種以上加以使用。例如，可併用為調整反射率之填充材，和如後述之為調整線膨脹係數之填充材等之使用方式。
例如，做為白色之填充劑，使用TiO2時，較佳為配合10~30wt%，更佳為配合15~25wt%。TiO2可使用金紅石形，銳鈦礦形之任一者。由遮光性或耐光性之部分視之，金紅石形為佳。更且，欲提升分散性、耐光性之時，可使用經由表面處理改性之填充材。TiO2所成填充材之表面處理，可使用氧化鋁、矽石、氧化鋅等之水合氧化物，氧化物等。又，除了此等，做為填充劑，可使SiO2在60~80wt%之範圍使用者為佳，更佳為在65~75wt%使用。又，做為SiO2，以較結晶性矽石線膨漲係數為小之非晶質矽石者為佳。又，粒徑為100μm以下之填充材為佳，更佳為60μm以下之填充材。更且，形狀乃球形之填充材為佳，由此可提升基體成型時之填充性。又，使用於顯示器等之時，欲提升對比之時，來自發光元件之光線之吸收率為60%以上為佳，更佳為90%以上吸收之填充材。此時，做為填充材，可依目的利用(a)乙炔黑、活性碳、石墨等之碳，或(b)氧化鐵、二氧化錳、氧化鈷、氧化鉬等之過渡金屬氧化物，或(c)有色有機顏料等。
又，基體之線膨漲係數乃調整至5~35×10-6/K為佳，更佳為調整至7~20×10-6/K。由此，可易於抑制基體成型後，冷卻時所產生之彎曲，可產率佳地被加以製造。然而，於本說明書中，基體之線膨漲係數乃指各種填充劑等所調整之熱硬化性樹脂組成物之玻璃轉移溫度以下之線膨漲係數。
又，由其他之觀點視之，基體之線膨漲係數乃控制成與導電構件之線膨漲係數之差為小者為佳。較佳為對於導電構件而言為50%以下之差，更佳為40%以下之差，更甚者為20%以下之差。由此，於單片化後之樹脂封裝及發光裝置中，可抑制導電構件與基體之剝離，成為可靠性優異之光半導體裝置。然而，於本說明書中，樹脂封裝不但是指導線框切斷後之狀態，當然亦包含切斷前之狀態。
又，做為導電構件，使用電鍍(電鑄)之時，導電構件之線膨漲係數乃控制成與單片化前除去(剝離)之支持基板之線膨漲係數之差為小者為佳。30%以下之差為佳，更佳為10%以下之差。做為支持基板，使用SUS板之時，線膨漲係數之差為20ppm以下為佳，更佳為10ppm以下。此時，填充材配合70wt%以上為佳，較佳為配合85wt%以上。由此，可控制(緩和)支持基板與基體之殘留應力之故，可減少單片化前之光半導體之集合體之彎曲。經由使彎曲變少，可減低導電性導線之切斷等之內部損傷，或可抑制單片化時之位置偏移，可被產率佳地加以製造。例如，將基體之線膨漲係數調整至5~25×10-6/K為佳，更佳為調整至7~15×10-6/K。由此，可易於抑制基體成型後，冷卻時所產生之彎曲，可產率佳地被加以製造。然而，於本說明書中，基體之線膨漲係數乃指各種填充劑等所調整之遮光性樹脂所成基體之玻璃轉移溫度以下之線膨漲係數。以此溫度範圍之基體之線膨漲係數與支持基板之線膨漲係數相近者為佳。
又，由其他之觀點視之，做為導電構件使用電鍍(電鑄)之時，基體之線膨漲係數乃控制成與導電構件之線膨漲係數之差為小者為佳。較佳為50%以下之差，更佳為40%以下之差，更甚者為20%以下之差。由此，於單片化後之發光裝置中，可抑制導電構件與基體之剝離，成為可靠性優異之發光裝置。
(導電構件)
導電構件乃做為對於發光元件通電之一對電極加以工作者。本形態中，導電構件乃使用發光元件和導電性導線或突起電極等加以電性連接者，做為從外部供給電力之正負一對之電極加以工作。發光元件乃於導電構件上，直接或介著副支架等之其他構件，間接地加以載置。又，具有非做為電極工作，僅載置發光元件之非賦予通電之導電構件亦可。
於本形態中，導電構件乃在發光裝置下面，使形成外表面，即露出於未以封閉構件等被覆之外部(下面)地加以設置，對於形狀或大小等，則可對應發光裝置之大小或載置之發光元件等之數或大小，加以任意選擇。
導電構件之上面為平坦之平面為佳，具有微細之凹凸，或溝、孔等亦可。同樣，導電構件之下面雖以平坦之面為佳，形成有微細之凹凸等亦無妨。
又，導電構件之側面為平坦之面亦可。唯，考量與基體之緊密性等，導電構件之側面係具有向如圖1B所示之基體101中延伸出之突起者為佳。此突起係設於自導電構件102之下面遠離之位置者為佳，由此，難以產生導電構件從基體101脫落等之問題。又，替代突起，使導電構件之上面較下面為窄，令導電構件之側面傾斜亦可，由此，可抑制導電構件之脫落。
如此之突起係導電構件之周圍中，只要是與發光裝置100之外表面不同之位置，可設於任意之位置。例如，可僅設於上面視之四角形之導電構件對向之2個側面等，設置於部分者。又，為更確實防止脫落，除了形成外表面之面之外，於導電構件之周圍整體加以形成者為佳。
又，對於導電構件之厚度，較佳為25μm以上500μm以下、更佳為25μm以上200μm以下、更甚者為50μm以上100μm以下。導電構件之厚度為大於100μm之時，可使用滾輾之金屬板或鍍金。更且，可使導電構件之厚度側做為載置面被加以利用，此時，可成為向與載置面正交之方向，射出光線之側光型之發光裝置。又，具有100μm以下極薄之厚度的導電構件係經由鍍金方法加以形成鍍金(鍍金層)者為佳，尤其以層積之鍍金(層)者為佳。
各導電構件乃使用相同之材料為佳，由此可使工程減少。但是，即使使用不同之材料亦無妨。做為具體之材料，可列舉銅、鋁、金、銀、鎢、鉬、鐵、鎳、鈷等之金屬或此等之合金(鐵-鎳合金等)、磷青銅、含鐵銅、Au-Sn等共晶焊錫、SnAgCu、SnAgCuIn等之焊錫、ITO等焊錫材料中，以調整成焊錫粒子暫時熔融而凝固時，與經由焊錫接合之金屬合金化，使得融點上昇，於回流安裝時等追加之熱處理時，不再熔解之組成者為佳。
此等係可使用單體或合金。更且對等於層積(鍍金)，設置複數層亦可。例如，做為半導體元件使用發光元件之時，於導電構件之最表面，使用可反射來自發光元件之光線之材料者為佳。具體而言，以金、銀、銅、Pt、Pd、Al、W、Mo、Ru、Rh等為佳。更且，最表面之導電構件為高反射率、高光澤者為佳。具體而言，可視域之反射率為70%以上為佳，此時，可適切使用Ag、Ru、Rh、Pt、Pd等。又，導電構件之表面光澤以較高者為佳。較佳光澤度為0.3以上，更佳為0.5以上，更甚者為1.0以上。在此所示光澤度乃使用日本電色工業製微小面色差計VSR 300A，照射45度，測定範圍Φ 0.2mm，在垂直受光所得之數字。又，於導電構件之支持基板側，可使用有利於電路基板等之安裝之Au、Sn、Sn合金、AuSn等之共晶焊錫鍍金等之材料為佳。
又，於導電構件之最表面(最上層)與支持基板側最下層)之間，形成中間層亦可。為提升導電構件或發光裝置之機械強度，將耐蝕性高之金屬，例如鎳，使用於中間層者為佳。又，為提升散熱性，將熱傳導率高之銅，使用於中間層者為佳。如此，對應目的或用途，可將適切之構件使用於中間層者為佳。對於此中間層，除上述金屬之外，可使用Pt、Pd、Al、W、Ru、Pd等。做為中間層，可層積與最上層或最下層之金屬緊密性佳之金屬。對於中間層之膜厚，以較最上層或最下層為厚地加以形成者為佳。尤其，以導電構件之整體之膜厚之80%～99%之範圍之比率加以形成者為佳，更佳為90%~99%之範圍。
尤其，為金屬所成鍍金層之時，經由該組成規定線膨漲係數之故，最下層或中間層係比較上與支持基板之線膨漲係數接近者為佳。例如，做為支持基板，使用線膨漲係數為10.4×10-6/K之SUS430之時，其上之導電構件係可為包含以下列舉之金屬(主成份)之層積構造。以從最下層側為線膨漲係數14.2×10-6/K之Au(0.04~0.1μm)、做為第1之中間層之線膨漲係數12.8×10-6/K之Ni(或線膨漲係數16.8×10-6/K之Cu)(25~100μm)、做為第2之中間層之Au(0.01~0.07μm)、做為最上層線膨漲係數119.7×10-6/K之Ag(2~6μm)等之層積構造為佳。最上層之Ag係雖線膨漲係數與其他層之金屬大為不同，由於以來自發光元件之光線之反射率為優先之故，使用了Ag。最上層之Ag成為極薄之厚度之故，對於彎曲之影響極為微弱，程度上無實用性之問題。
(封閉構件)
封閉構件係使發光元件、受光元件、保護元件、導電性導線等之電子零件，從塵埃或水分、外力等加以保護之構件，而設於基體之凹部內。於凹部之側壁之內面，設置突起部之故，封閉構件乃難以從基體剝離。尤其，導電構件之表面(露出於凹部底面之面)設置反射率高之銀時，在封閉構件與基體之間剝離，侵入氣體(尤其含硫磺成份之氣體)時，雖會有變色(著色)，使反射率下降，而使得光取出效率下降，但由於設置突起部，可減低封閉構件與基體之剝離，而可抑制銀之變色。
做為封閉構件之材料，具有可透過來自發光元件之光線之透光性，且具有經由此等而難以劣化之耐光性者為佳。更且，以難以透過水蒸氣氣體、含硫磺成份之氣體等，例如水蒸氣氣體為50(g/mm2‧Day)以下程度(封閉構件之厚度為0.8mm時)者為佳。又，硬化後之硬度雖為肖氏D硬度較30以上，硬度更高者為佳，但考量與基體之緊密性，更佳為35以上50以下者。如此硬度之封閉構件係經由硬化時之收縮或實際使用時之熱變化時所施加之應力，使得與基體易於剝離，但經由於凹部之內面設置突起部，可使此等難以被剝離。
做為封閉構件之具體材料，可列舉聚矽氧樹脂組成物、改性聚矽氧樹脂組成物、環氧樹脂組成物、改性環氧樹脂組成物、丙烯酸樹脂組成物等之具有可透過來自發光元件之光線之透光性之絕緣樹脂組成物。又，可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂、氟樹脂及至少含有一種以上此等樹脂之混合樹脂等。更且，不限於此等之有機物，可使用玻璃、矽石溶膠等之無機物。除了如此之材料之外，可含有對應期望之著色劑、光擴散劑、光反射材、各種填料、波長變換構件(螢光構件)等。封閉構件之填充量係被覆上述電子零件之量即可。
封閉構件之外表面之形狀係對應於配光特性等做種種之選擇。例如，可使上面成為凸狀透鏡形狀，凹狀透鏡形狀，菲涅透鏡形狀等，調整指向特性。又，於封閉構件上，更設置其他構件所成之透鏡等亦可。更且，使用置入螢光體成形體(例如置入螢光體板狀成形體、置入螢光體圓頂狀成形體等)之時，做為封閉構件，選擇對於置入螢光體成形體緊密性優異之材料為佳。做為置入螢光體成形體，可使用樹脂組成物之外、可使用玻璃等之無機物。
(接合構件)
接合構件(未圖示)係於導電構件或基體之底面部之上，載置發光元件、受光元件、保護元件等加以連接之構件。經由載置之元件之基板，可選擇導電性接合構件或絕緣性接合構件之任一者。例如，於絕緣性基板之藍寶石上，層積氮化物半導體層之半導體發光元件之時，接合構件可為絕緣性，可為導電性。使用SiC基板等之導電性基板之時，經由使用導電性之接合構件，可達成導通。做為絕緣性之接合構件，可使用環氧樹脂組成物、聚矽氧樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂組成物、此等之改性樹脂、混合樹脂等。使用此等之樹脂之時，考量來自半導體發光元件之光或熱所造成之劣化，可於發光元件背面，設置Al或Ag膜等之反射率高之金屬層或介電質反射膜。此時，可使用蒸鍍、濺鍍、接合薄膜等之方法。又，做為導電性之接合構件，使用銀、金、鈀等之導電糊，或Au-Sn共晶等之焊錫、低融點金屬等之蠟材等。更且，此等接合構件中，尤其使用透光性之接合構件之時，於其中，可含有吸收來自半導體發光元件之光線，發光不同波長之光的螢光構件。
(導電性導線)
做為電性連接發光元件之電極、和導電構件之導電性導線，使用金、銅、白金、鋁等之金屬及此等之合金。尤其，使用熱阻抗等之金為佳。
(波長變換構件)
於上述封閉構件中，可含有做為波長變換構件吸收來自半導體發光元件之光線之至少一部分，發出具有不同波長之光線之螢光構件。
做為螢光構件，將來自半導體發光元件之光線，變換成較其長波長者時效率較好。只是，不限於此，可使用將來自半導體發光元件之光線，變換成短波長者，或將其他螢光構件變換之光線再加以變換者等之各種螢光構件。如此螢光構件乃可將1種螢光物質等以單層加以形成，或形成混合2種以上之螢光物質等之單層亦可，或將含有1種螢光物質等之單層，層積2層以上亦可，或各別混合2種以上之螢光物質等之單層，層積2層以上亦可。
做為發光元件，使用將氮化物系半導體成為發光層之半導體發光元件之時，可使用吸收來自該發光元件之光線，波長變換成不同波長之光的螢光構件。例如可使用主要以Eu、Ce等之鑭系元件賦活之氮化物系螢光體或氧化氮系螢光體。更具體而言，選自(a)Eu賦活之α或β之SiAlON型螢光體、各種鹼土類金屬氮化矽酸鹽、各種鹼土類金屬氮化鋁矽(例如CaSiAlN3：Eu、SrAlSi4N7：Eu等)、(b)Eu等之鑭系元件，主要經由Mn等之過渡金屬系之元素賦活之鹼土類金屬鹵化磷灰石、鹼土類金屬之鹵矽酸鹽、鹼土類金屬矽酸鹽、鹼土類金屬硼酸鹵化物、鹼土類金屬鋁酸鹽、鹼土類金屬硫化物、鹼土類金屬鎵硫化物、鹼土類金屬氮化矽、鍺酸鹽，或(c)主要經由Ce等之鑭系之元素賦活之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽、鹼土類金屬稀土類矽酸鹽(d)主要經由Eu等之鑭系之元素賦活之有機物及有機錯合物等之任一者以上者為佳。較佳為主要以Ce等之鑭系元件賦活之稀土類鋁酸鹽螢光體之YAG系螢光體。YAG系螢光體乃以Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12等之組成式加以表示。又，亦有將Y之一部分或全部，以Tb、Lu等加以置換之Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。更且，上述螢光體以外之螢光體中，可使用具有同樣性能、作用、效果之螢光體。
又，可使用將螢光體塗佈於玻璃、樹脂組成物等之其他成形體。更且，可使用螢光體置入成形體。具體而言，可使用螢光體置入玻璃、YAG燒結體、YAG與Al2O3、SiO2、B2O3等之燒結體，在無機融液中析出YAG之結晶化無機塊體等。亦可使用將螢光體在環氧、聚矽氧、混合樹脂等一體成形者。
(發光元件)
於發光元件(半導體發光元件)中，可使用於同一面側形成正負電極之構造，或於不同之面形成正負電極之構造，貼合與成長基板不同之基板之構造等之種種構造之半導體元件。
半導體發光元件係可選擇任意之波長者。例如於藍色、綠色之發光元件中，可使用ZnSe或氮化物系半導體(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP者。又，做為紅色之發光元件，可使用GaAlAs、AlInGaP等。更且，可使用除此以外之材料所成之半導體發光元件。使用之發光元件之組成或發光色、大小或個數等，可對應目的適切加以選擇。
成為具有螢光物質之發光裝置之時，以可發光將該螢光物質與有效率激發之短波長之氮化物半導體(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)為佳。經由半導體層之材料或該混晶度，可選擇種種發光波長。
又，不僅是可視光範圍之光，可使用輸出紫外線或紅外線之發光元件。更且，可伴隨發光元件，或單獨搭載受光元件等。
(支持基板)
支持基板(於圖1A、圖1B未圖示)係經由使導電構件鍍金而形成所使用之金屬，或具有金屬之板狀或薄片狀構件，最後為了於切斷發光裝置之集合體做為發光裝置單片化之前加以除去，於發光裝置不具備之構件。做為支持基板，除了具有SUS板等之導電性之金屬板之外，可使用於聚醯亞胺等絕緣性板或薄片，經由濺鍍法或蒸鍍法所形成導電膜。或，可使用可貼附金屬薄膜等之絕緣性之板狀構件。支持基板係需於工程最終階段，加以除去，即從導電構件或基體加以剝離。為此，做為支持基板，需使用可彎折之構件，雖會由於材料而有所不同，可使用膜厚10μm～300μm程度之板狀構件為佳。做為支持基板，除了上述SUS板之外，可貼附鐵、銅、銀、鈷、鎳等之金屬板或金屬薄膜等之聚醯亞胺所成樹脂薄片等為佳。尤其使用麻田散鐵系、鐵氧體系、沃斯田鐵系等之種種不鏽鋼為佳。尤其最佳為鐵氧體系之不鏽鋼。尤其最佳為400系、300系之不鏽鋼。更具體而言，可適切使用SUS430(10.4×10-6/K)、SUS444(10.6×10-6/K)、SUS303(18.7×10-6/K)、SUS304(17.3×10-6/K)等。400系之不鏽鋼係做為鍍金之前處理進行酸處理時，與300系比較，表面易於粗糙化。因此，於進行酸處理之400系不鏽鋼上，形成鍍金層時，該鍍金層之表面亦易於粗糙化。由此，可使與構成封閉構件或基體之樹脂之緊密性變佳。又，300系在酸處理中，難以使表面粗糙。為此，使用300系之不鏽鋼時，易於提升鍍金層表面之光澤度，由此，可提升來自發光元件之反射率，成為光取出效率高之發光裝置。
又，提升導電構件之表面光澤時，使用電鍍或蒸鍍、濺鍍等之手法加以形成。為更提升光澤度，支持基板之表面以平滑者為佳。例如，做為支持基板，使用SUS之時，經由使用結晶粒場較小之300號之SUS，可得表面光澤之高導電構件之最表面。
又，為緩和樹脂成形後之彎曲，可於支持基板施以狹縫、溝、波形狀之加工。
(脫模薄片)
脫膜薄片(薄膜)係為使成型後之成形體，易於自模具取下(易於脫模)，設於注入成型樹脂之部分者，例如於上下模具矜持支持體而成型之時，配置於上模具具之下面或下方之上面者。
為成型具有凹部之基體，於模具需形成凸部，使用較模具具有高彈性之脫模薄片，使用配合該凸部之形狀可加以伸縮者脫模薄片係自設於模具之吸引口吸引空氣，沿模具之凹凸面之形狀加以變形使用。使用具有如此高彈性之脫模薄片，更且經由在相當於凹部之內面之位置之脫模薄片，設置開口部，可於基體之凹部之內面，設置突起部。此係利用脫模薄片之高彈性者，由此，可將僅為硬模具時難以成形之形狀之突起部，形成於凹部之內面。
設於脫模薄片之開口部，可為圓形、四角形、長方形、多角形或此等組合之形狀或不定形之形狀。又，吸附於模具之前，設置開口部亦可，或吸附於模具之後，加以設置亦可。
脫膜薄片之材料，以與模具之剝離性為佳，更且與成型之基板之剝離性為佳者為優。又，成型時之溫度(130℃～190℃)中，具有耐熱性者為佳。例如，使用熱可塑性氟樹脂(例如PTFE、ETFE)或，聚烯烴聚合物(TPX)、耐綸等為佳，更且，做為基體，使用上述熱硬化性樹脂者為佳。
脫膜薄片之厚度以10μm~100μm為佳，更佳為20μm~75μm，更甚者為30μm~50μm。又，使配合設於模具之凹凸形狀加以伸縮者，伸縮率以500~1000%者為佳，更佳為600~900%者。突起部乃經由沿使用於成型時之模具伸展之脫膜薄片之厚度，決定自內面之高度，又對於該形狀而言，則經由伸展之脫膜薄片之形狀加以決定。
脫膜薄片係構成為單層或複數層。單層所成脫膜薄片係在柔軟性為優，有沿模具之形狀之下，可薄薄加以被覆之優點。複數層所成脫膜薄片係可保持強度之高度，維持設於脫膜薄片之開口部之大小。採用複數層之脫膜薄片之時，各層可適切選擇同一或不同之材質，例如以伸縮率不同之薄片加以構成亦可。又，脫膜薄片乃可考量薄片伸縮之方向性，浮雕加工之方向等加以選擇。
(製造方法)
以下，對於有關實施例1之發光裝置之製造方法，加以說明。
1、第1之工程
首先，準備金屬板等所成支持基板。於此支持基板之表面，做為保護膜，塗佈光阻劑。可調整經由此光阻劑之厚度之後形成之導電構件之厚度。光阻劑係不單是支持基板之上面，形成於下面(相反側之面)亦可。此時，經由在於相反側之面之幾乎整面，設置光阻劑，可經由後述之鍍金，防止於下面形成導電構件。
然而，使用之保護膜(光阻劑)乃經由微縮術加以形成光阻劑之時，使用正型、負型者皆可。在此，對於使用正型之光阻劑之方法加以說明，但亦可組合正型、負型者加以使用。又，可使用網版印刷所形成之光阻劑，或貼附薄片狀之光阻劑等之方法。
乾燥塗佈之光阻劑之後，於其上部直接或間接配置具有開口部之掩罩，從掩罩上照射紫外線加以曝光。在此使用之紫外線係可選擇光阻劑之感度等適切之波長。之後，以蝕刻劑處理，形成具有開口部之光阻劑。在此，依需要，進行氧活性處理等亦可。
接著，經由使用金屬鍍金，於光阻劑之開口部內，形成導電構件。此時，經由調整鍍金條件，可使較光阻劑之膜厚為厚地加以鍍金。由此，將導電構件形成至光阻劑(保護膜)之上面，可形成突出於如圖1A所示之橫方向之部分。做為鍍金方法，可經由使用金屬，或經由對應於目的之膜厚或平坦度，在該領域為公知之方法加以適切選擇。例如，可使用電解鍍金、無電解鍍金等。尤其，使用電解鍍金者為佳，由此易於除去光阻劑(保護膜)，易於使導電構件以均勻之形狀形成。又，為提升與最表面(例如Ag)之緊密性，於該下層，經由打底鍍金，形成中間層(例如Au、Ag)者為佳。鍍金後，經由洗淨除去保護膜，形成隔離之複數之導電構件。
2、第2之工程
接著，於導電構件間形成可反射自發光元件之光線的基體。基體乃在底面部及側面部，更且形成於側面部之內面之突起部之整體，在此工程中加以一體成型。
做為成型方法，可經由射出成形、轉注成型、壓縮成型等之方法加以形成。例如經由轉注成型形成基體之時，將複數形成導電構件之支持基板，挾於具有上模具具及下模具之模具內加以設定。此時，令形成凹部側成為上模具具之時，於此上模具具下面，形成有凸部，於含凸部之下面整體，吸附脫膜薄片。又，壓縮成型之時，亦同樣採用脫膜薄片。
脫膜薄片可為預先具有開口部者，或裝設於模具後以設置者亦可。此時，例如將脫膜薄片按壓於形成凸部之上模具具之下面側，更經由吸附等，沿模具之凸部加以伸展。之後，經由施加壓力注入樹脂，藉由樹脂之流動阻抗拉伸之脫膜薄片超越伸展率之臨界，於相當於成型後之基體之凹部之內面的模具凸部側面，容易產生開口部。
於模具內，插入基體原料之樹脂錠片，加熱支持基板與樹脂錠片。樹脂錠片熔融之後，加壓填充於模具內及脫膜薄片之開口部內。加熱溫度或加熱時間，或壓力等乃可對應使用樹脂之組成等適切加以調整。硬化後，從模具及脫膜薄片取出，獲得成型品。
3、第3之工程
接著，於基體之凹部之底面，使用接合構件接合發光元件，使用導電性導線，可與導電構件電性連接。
4、第4之工程
之後，於凹部內，填充含透光性樹脂之封閉構件。由此，將發光元件以封閉構件加以被覆。封閉構件乃使與凹部之側壁略為同高地加以設置者為佳，但不限於此，較側壁為低或為高地加以形成亦可。又，上面可為平坦之面，或形成呈中央凹陷，或突出之曲面狀亦可。又，封閉樹脂係可為一層構造，或組成或特性不同之2層以上之多層構造亦可。
經由硬化封閉構件，可得發光裝置之集合體，從此集合體剝離除去支持基板。
5、第5之工程
最後，切斷凹部與凹部間之側壁成為單片化，可得如圖1A所示之具有1個凹部之發光裝置。做為單片化之方法，可使用刀片之切割，雷射光之切割等之種種之方法。
[實施例2]
以上之實施例1中，說明了將突起部設於側壁內面之短邊側之例。只是，將突起部，代替短邊側，或除此之外，可設置於長邊側。將如此之例做為實施例2，示於圖2A～圖2C。於此等之圖中，圖2A係顯示有關實施例2之發光裝置200之斜視圖，圖2B係顯示圖2A之IIB-IIB’剖面之剖面圖，又圖2C係顯示圖2A之IIC-IIC’剖面之剖面圖。圖2A～圖2C之發光裝置200與圖1之發光裝置100係於附在各別之構件之符號中，對應於下二位之數字為同一之構件彼此，適切省略圖2之發光裝置200之各構件之詳細說明。
實施例2之基體201係與實施例1之基體101相同，除了設於側壁內面之短邊側曲面部之突起部201c之外，更於長邊側，設置突起部201c’。於此例中，突起部201c’、係在基體之側壁部201a之內面，於從底面部201b至側壁部201a之立起部位之附近，與基體一體地加以設置。此突起部201c’、亦與突起部201c相同，形成呈突出於凹部S之內側之姿態。經由如此，可使填充於凹部S之封閉構件204與基體201之接合界面之接觸面積變得更大，更且經由突起部201c，201c’之錨釘效果，可將封閉構件204確實固定於凹部S。尤其，圖2A之例中，於對向之曲面部，各別設置突起部201c之同時，於該中間部分之平面部亦設置突起部201c’，增加與封閉構件204之固定處所，更可提升可靠性。
又，此發光裝置200係使構成凹部S之一對之側壁部201a之彼此，具有在基體201之底面側連結成一體之底面部201b，於此底面部201b之兩端側之上方，設置突起部201c’。具體而言，在對向之導電構件202、和配置於其間之基體之底面部201b之邊界附近，且在導電構件202與側壁部201a在略垂直方向接觸面之角部附近，配置突起部201c’。於如此導電構件202之角部附近中，使從凹部S之側壁部201a向內側突出之突起部201c’一體加以設置之基體201，有效抑制導電構件202與底面部201b由於熱膨漲率之差所造成之剝離。
此係突起部201c’由於獲得與填充於凹部S之封閉構件204接觸之表面積，可與封閉構件204強固地加以連結之緣故。即，可使起因於溫度上昇等之封閉構件204之剝離或浮起，以該突起部201c’加以抑制。結果，成為封閉構件204在使導電構件202與底面部201b從上方之廣面積下加以按壓之形態，一邊抑制雙方之剝離下，一邊維持緊密性。尤其，凹部S之底面係以材質不同之導電構件201與基體之底面部201b所構成，因此，在接近此等邊界域之範圍，即設在側壁部201a之下方域之突起部201c'係可有效享受上述效果，因而為佳。
然而，實施例2之突起部201c、201c'係可將該形狀或排列構成，與實施例1之突起部101c相同。又，突起部101c、201c、201c’係於凹部S內，設於側壁之兩側者為佳，僅設於任一方之側壁亦可。
(底面卡止用凹陷201f)
除此之外，不僅是凹部之側壁，於底面，即於基體之底面部，設置為強化與封閉構件之黏著力之卡止構造亦可。此卡止構造係不限於突起部，亦可為凹陷。尤其，於底面部中，以形成之容易性來的，以凹陷者為佳。例如，於模具成形時，經由將剝離薄片，部分突出於底面部201b側，可容易形成凹陷。
圖2A所示發光裝置200係於基體之底面部201b，於該一部分，形成底面卡止用凹陷201f。底面卡止用凹陷201f係如圖2C之剖面圖所示，成為從基體之底面部201b之上側表面，向下方凹陷之範圍。底面卡止用凹陷201f係將底面部201b之厚度，設置成部分為薄，而不貫通基體201。又，底面卡止用凹陷201f之開口部之內徑係愈向開口側愈寬廣地加以形成。經由設置如此凹陷，填充於凹部S之封閉構件204係除了該周圍，於底面中，可使與基體201之連接界面成為非平坦面，可提升樹脂之嵌入，改善黏著強度。又，未設側壁之突起部之形態中，在基體之底面部之凹陷，可達成封閉構件之固定力的強化。
然而，圖2A～圖2C之底面卡止用凹陷201f係於從上面側所視平面來看，開口形狀雖成為橢圓狀，但該形狀未特別限定，亦可為矩形狀、圓狀。又，底面卡止用凹陷201f係於深度方向，變化開口形狀亦可，例如上側為橢圓狀，下方側設置成圓狀亦可。又，基體之底面卡止用凹陷201f係形成為單數或複數之凹陷亦可。
更且，凹陷係可於該內部，更設置凹陷。將如此變形例，示於圖2D之擴大剖面圖。示於此圖之底面卡止用凹陷201f係將凹陷於深度方向加以改變，成為雙重之凹部。圖2D之底面卡止用凹陷201f係階梯性減少底面卡止用凹陷201f之開口徑，使剖面形狀成為略對稱之階梯狀。具體而言，底面卡止用凹陷201f係2階段減少開口徑。詳細而言，設於基體之底面部101b之上側表面，且使具有第1之開口徑之第1底面凹陷206、和具有較此第1之開口徑為小之第2之開口徑之第2底面凹陷207，於深度方向一體加以構成。經由於基體之底面部201b，設置複數階段減少開口徑之底面卡止用凹陷201f，可使凹部內之形狀複雜化。結果，可獲取底面卡止用凹陷201f之內部之表面積之故，更可提高與填充於該凹部內之封閉構件204之緊密性。
然而，實施例2中，令第1底面凹陷206及第2底面凹陷207之內面為曲面，即令角落部構成成為R狀之彎曲凹部。彎曲狀之底面卡止用凹陷201f係容易製造之故，因而為佳。唯，可使底面卡止用凹陷201f之內部成為矩形狀。又，底面卡止用凹陷201f係可3階段以上減少開口徑，更且為連續減少開口徑之形態亦可。
更且，除了實施例1及實施例2之突起部101c、201c、201c’，設置基體之底面卡止用凹陷201f之發光裝置200，係提高自基體201之複數方向與封閉構件204之緊密性。即，圖1、圖2之時，於凹部S之短邊側與長邊側之側壁面及底面側之3次元方向，將基體之內壁面經由突起部或凹陷構成凹凸，經由於此凹凸部，沿靠著封閉構件204，更可提升錨釘效果。
(突起部之變形例)
更且，實施例1及實施例2之例中，說明了將突出於凹部內面之突起部成為圓錐台狀之例，但如上所述，突起部之形狀則不限於此，可為各種之形狀。尤其，從提升與封閉構件之錨釘效果之觀點來看，於突起部之前端，使外徑變大之形狀者為佳。將如此變形例，示於圖3。圖3之發光裝置係實施例1及實施例2之突起部101c、201c、201c’之變形例，對於除了突起部之其他之構件，與圖1及圖2相同，因此對應之構件係使附於各構件下二位之數字成為相同，適切省略說明。圖3之突起部301c係，成為使該剖面形狀呈略T字狀之蘑菇狀，具有從側壁部301a向略垂直方向突出之柱狀部301d、和於該柱狀部301d之前端，向與該柱狀部301d之軸方向略正交之方向擴展之扁平部301e。將剖面形狀成為T字狀之突起部301c係經由該凹凸形狀，更強化與封閉構件304之接合力。又，更為增加與封閉構件304之接觸面積之故，可更為提升與封閉構件304之緊密性之故，因而為佳。
(製造方法)
實施例2之發光裝置200之製造方法係幾乎與實施例1之發光裝置100之製造方法相同，對於同一之製造工程，省略詳細之說明。具體而言，實施例2之製造方法中，在記載於實施例1之製造方法之第2工程中，將設於脫膜薄片之開口部之位置，特定如下。即，經由在於對應在安裝模具時之導電構件之角部上方，設置脫膜薄片之開口部，可得上述之突起部201c’。
又，合併對於將突起部形成呈剖面T字狀之時之製造方法，說明如下。有關於此脫膜薄片之開口部之形成位置係於第2之工程之模具內，對應於之後構成基體之底面部201b之一對之導電構件202間之間隙、和之後構成基體之側壁部201a之上模具具及下模具之模具內之空間範圍的邊界域，該邊界域中，從各別之填充範圍之容量差，使得填充樹脂之壓力有所不同。尤其，於模具內，導電構件202間之狹間隙、和側壁部用之寬廣空間範圍之邊界域中，由於樹脂所造成之壓力或流速差，易於產生應力，因此，於設在此邊界域之脫膜薄片之開口部內，易於使樹脂行進。行進之樹脂係通過脫膜薄片之開口部，更且行進於脫膜薄片與模具之間隙而擴散。經由此擴散，構成突起部301c之扁平部301e，又填充於開口部之樹脂則各別構成柱狀部301d。
因此，調整樹脂之行進狀態，例如故意使樹脂之應力加大，促使向脫膜薄片之開口部之行進，更且經由通過開口部，提高脫膜薄片與模具之間隙之擴散率，可使突起部301c之扁平部301e之口徑變大。或者反之亦可，經由調節樹脂之流入壓力或流入速度，可調節突起部之口徑或厚度。
又，樹脂之硬化後，使該突起部301c通過脫膜薄片之開口部下，將基體從模具及脫膜薄片取出。尤其，與柱狀部301d比較，口徑為大之扁平部301e中，展開脫膜薄片，擴張開口部下，通過此等者為佳。
更且，對於底面卡止用凹陷201f之形成方法，說明如下。以上述第2之工程設置模具之時，裝設脫膜薄片之上模具具之凸部之下面，在脫膜薄片之一部分之範圍，可維持伸展之狀態。具體而言，經由從上模具具之間隙，將脫膜薄片藉由真空等加以牽引，於模具內之間隙，調整脫膜薄片之延展下設定模具，維持導電構件202之配置範圍之伸展狀態。之後，以上下模具加以挾持設定導電構件，於上模具具之脫膜薄片，施加應力。此時，於導電構件202之配設域，維持脫膜薄片之伸展狀態，將此於支持基板緊密接合。一方面，於基體之底面部201b之形成範圍，即構成於模具與一對之導電構件202間之間隙中，經由加壓變形(延伸)之脫膜薄片，則會靠到該間隙。即，較一對之導電構件之間之間隙之寬度寬廣之脫膜薄片，集合於間隙內之故，會形成撓曲。
結果，導電構件202之配置範圍中，可回避脫膜薄片之扭曲之產生之故，會提高導電構件202與脫膜薄片之緊密性，於導電構件202上，抑制樹脂的進入。同時，相當於基體之底面部201b之形成範圍之模具之間隙內，經由該上面撓曲於下方之脫膜薄片構成之故，可沿此空間形狀成形樹脂。即，可得對應於該樹脂薄片所成凹陷之形狀之基體之底面卡止用凹陷201f。
又，經由使脫膜薄片成為複數層，可形成具有上述複數之底面凹陷之底面卡止用凹陷201f。此乃善加利用具有伸縮性之複數層薄片之性質者，經由模具設定之應力，可使脫膜薄片之複數層彼此相互剝離。各薄片相互之伸縮率不同之故，可使在於模具之間隙內之撓曲於下方之程度有所不同，結果，可將複數層薄片之最下面，形成成為凹凸。即，相當於基體之底面部201b之形成範圍之模具之間隙之形狀中，可將該上面側以複數層之脫膜薄片構成凹凸之複雜的形狀，對應此形狀，可得底面卡止用凹陷。
[產業上之可利用性]
根據本發明之發光裝置及該製造方法時，可容易得小型輕量，且光取出效率或可靠性優異之發光裝置。此等之發光裝置乃可利用於各種顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源，以及數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃瞄器等之畫像讀取裝置、投影機裝置等。
100．．．發光裝置
101．．．基體
101a．．．基體之側壁部
101b．．．基體之底面部
101c．．．突起部
102．．．導電構件
103．．．發光元件
104．．．封閉構件
105．．．導電性導線
200．．．發光裝置
201．．．基體
201a．．．基體之側壁部
201b．．．基體之底面部
201c．．．突起部
201c’．．．突起部
201f．．．底面卡止用凹陷
202．．．導電構件
203．．．發光元件
204．．．封閉構件
205．．．導電性導線
206．．．第1底面凹陷
207．．．第2底面凹陷
301a．．．側壁部
301c．．．突起部
301d．．．柱狀部
301e．．．扁平部
302．．．導電構件
303．．．發光元件
304．．．封閉構件
305．．．導電性導線
S．．．凹部
[圖1A]顯示關於本發明之實施例1之發光裝置之斜視圖。
[圖1B]顯示圖1A之發光裝置之IB-IB’剖面之剖面圖。
[圖2A]顯示關於本發明之實施例2之發光裝置之斜視圖。
[圖2B]顯示圖2A之發光裝置之IIB-IIB’剖面之剖面圖。
[圖2C]顯示圖2A之發光裝置之IIC-IIC’剖面之剖面圖。
[圖2D]顯示凹陷之變形例之一部分擴大圖。
[圖3]顯示突起部之變形例之一部分擴大圖。
100．．．發光裝置
101．．．基體
101a．．．基體之側壁部
101b．．．基體之底面部
101c．．．突起部
102．．．導電構件
103．．．發光元件
104．．．封閉構件
105．．．導電性導線
S．．．凹部

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和於前述凹部之底面，露出上面之同時，下面形成外表面之導電構件、和設於前述凹部內之突起部、和載置於前述凹部內，與前述導電構件電性連接之發光元件、和使被覆前述發光元件，設於前述凹部內之封閉構件、的發光裝置，其特徵係前述基體係由底面部與側壁部一體成型而成之樹脂所成，前述凹部係在前述側壁之內面，具有曲面，前述突起部係接近前述曲面而設置，前述突起部(之突出領域)係從前述凹部之底部遠離者。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述突起部係設於前述凹部之側面。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，前述凹部係在前述側壁之內面，具有傾斜程度有所變化之部分，前述突起部係設於前述內面之傾斜程度有所變化之部 分。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，前述凹部係開口部之上面所視形狀為具有直線部及曲線部之形狀，伴隨於此，前述側壁之內部為具有平面部及曲面部，前述突起部係設於前述內面之曲面部。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，前述突起部係設於前述基體之底面部附近之側壁之內面。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，於前述基體之底面部，具有凹陷者。
  7. 一種發光裝置，係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和於前述凹部之底面，露出上面之同時，下面形成外表面之一對導電構件、和載置於前述凹部內，與前述導電構件電性連接之發光元件、和使被覆前述發光元件，設於前述凹部內之封閉構件、的發光裝置，其特徵係前述基體係由底面部與側壁部一體成型而成之樹脂所 成，前述基體之底面部係配置於一對之導電構件之間，而形成凹陷，該凹陷係使厚度部分加以變薄而設置者。
  8. 一種發光裝置，係具有：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和於前述凹部之底面，露出上面之同時，下面形成外表面之導電構件、和載置於前述凹部內，與前述導電構件電性連接之發光元件、和使被覆前述發光元件，設於前述凹部內之封閉構件，前述基體係由底面部與側壁部一體成型而成之樹脂所成，前述側壁部之內面係在於相較於上面，接近底面側，且從前述凹部之底面遠離之位置，具有突起部。
  9. 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中，前述凹部係側壁之內面，具有平面部及曲面部；前述突起部係設於前述曲面部。
  10. 如申請專利範圍第1、2、7、8、9項之任一項之發光裝置，其中，前述導電構件係鍍金層。
  11. 如申請專利範圍第1、2、7、8、9項之任一項之發光裝置，其中，前述基體係由熱硬化性樹脂所成。
  12. 如申請專利範圍第1、2、7、8、9項之任一項之發光裝置，其中，前述突起部係於前述凹部中，複數設置於高度方向或水平方向者。
  13. 一種樹脂封裝，係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和於前述凹部之底面，露出上面之同時，下面形成外表面之導電構件、和設於前述凹部內之突起部、的樹脂封裝，其特徵係前述基體係由底面部與側壁部一體成型而成之樹脂所成，前述凹部係在前述側壁之內面，具有曲面，前述突起部係接近前述曲面而設置，前述突起部(之突出領域)係從前述凹部之底部遠離者。
  14. 一種樹脂封裝，係具備：設置具有底面及側壁之凹部的基體、和於前述凹部之底面，露出上面之同時，下面形成外表面之一對之導電構件、的樹脂封裝，其特徵係前述基體係由底面部與側壁部一體成型而成之樹脂所成，前述基體之底面部係配置於一對之導電構件之間，而 形成凹陷，該凹陷係使厚度部分加以變薄而設置者。
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