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Es werden eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung angegeben. Die elektronische Vorrichtung weist insbesondere einen elektronischen Halbleiterchip in einem Gehäusekörper auf. Der Gehäusekörper kann zumindest einen Teil eines sogenannten Packages bilden.
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Übliche Packages weisen beispielsweise ein Kunststoffgehäuse mit einer Kavität auf, in der zumindest ein Halbleiterchip montiert und beispielsweise mit einem Vergussmaterial vergossen wird. Die Oberflächen der Kavität sind in der Regel plan und glatt, beispielsweise um eine möglichst hohe Reflektivität zu erzielen, und entsprechen beispielsweise den gefrästen oder geschliffenen Oberflächen des zur Herstellung des Gehäuses verwendeten Formwerkzeugs, so dass der Verguss plan auf plan auf diesen Oberfläche aufliegt.
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Aufgrund einer endlichen wechselseitigen Adhäsion der aneinandergrenzenden Materialien sowie ihrer unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE: „coefficient of thermal expansion“), durch die sich bei Temperaturänderungen (Grenzflächen-)Spannungen aufbauen können, die bestrebt sind zu relaxieren, besteht ein Risiko einer Delamination des Vergusses von der Kavitätswand und/oder von Materialrissen. Solche Delaminationen und Risse stellen ein Qualitätsproblem dar und können beispielsweise zu Feldausfällen führen und somit hohe Kosten nach sich ziehen.
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Um das Delaminationsrisiko zu senken, ist es beispielsweise bekannt, vor dem Einfüllen des Vergusses in die Kavität eine Plasmabehandlung durchzuführen, durch die die Adhäsion an den Grenzflächen zum Verguss erhöht werden kann. Derartige Plasmabehandlungen ziehen jedoch einen erhöhten Zeit- und Kostenaufwand nach sich.
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Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, eine elektronische Vorrichtung anzugeben. Zumindest eine weitere Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung anzugeben.
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Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und durch Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen von Gegenstand und Verfahren sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine elektronische Vorrichtung einen Gehäusekörper mit einer Kavität auf, in der ein elektronischer Halbleiterchip montiert ist.
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Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung ein Gehäusekörper gebildet und im Gehäusekörper ein elektronischer Halbleiterchip montiert.
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Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich gleichermaßen auf die elektronische Vorrichtung und das Verfahren zur Herstellung der elektronischen Vorrichtung.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der elektronische Halbleiterchip, der im Folgenden auch einfach als Halbleiterchip bezeichnet werden kann, ein optoelektronischer Halbleiterchip. Insbesondere kann der Halbleiterchip ein Licht emittierender Halbleiterchip wie etwa eine Leuchtdiode sein. Die elektronische Vorrichtung ist dann entsprechend eine Licht emittierende Vorrichtung. Alternativ oder zusätzlich kann die elektronische Vorrichtung auch einen Licht absorbierenden Halbleiterchip wie etwa einen Fotodiodenchip als elektronischen Halbleiterchip aufweisen. In diesem Fall kann die elektronische Vorrichtung eine Licht absorbierende Vorrichtung sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass der elektronische Halbleiterchip keine optoelektronischen Eigenschaften aufweist und als rein elektronischer Halbleiterchip ausgebildet ist. Auch wenn im Folgenden eine elektronische Vorrichtung mit genau einem elektronischen Halbleiterchip beschrieben ist, kann die elektronische Vorrichtung auch mehrere gleiche oder verschiedene Halbleiterchips aufweisen, die in der Kavität angeordnet und montiert sein können. Die nachfolgende Beschreibung gilt somit entsprechend auch für mehrere in der Kavität montierte Halbleiterchips.
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Der elektronische Halbleiterchip kann insbesondere auf einer Montagefläche des Gehäusekörpers montiert und elektrisch angeschlossen sein. Die Anordnungsrichtung des Halbleiterchips auf der Montagefläche, die ein Teil einer Bodenfläche des Gehäusekörpers sein kann, wird hier und im Folgenden als vertikale Richtung bezeichnet. Richtungen senkrecht zur vertikalen Richtung werden hier und im Folgenden als laterale Richtungen bezeichnet. Begriffe wie beispielsweise „oben“, „unten“, „Oberseite“ und „Unterseite“ beziehen sich, soweit nicht anders angegeben, auf die vertikale Richtung. Begriffe wie „neben“ beziehen sich, soweit nicht anders angegeben, auf eine laterale Richtung.
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Der Gehäusekörper kann insbesondere einen Teil eines sogenannten Packages bilden und besonders bevorzugt ein Kunststoffmaterial aufweisen, das die Kavität bildet. Beispielsweise kann es sich bei dem Gehäusekörper um einen Teil eines sogenannte QFN-Packages (QFN: „quad flat no leads“) oder eines sogenannten Premold-Packages handeln, bei denen Leiterrahmenteile zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper vorgesehen sind. Darüber hinaus sind auch andere Gehäusebauformen möglich.
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Besonders bevorzugt ist zumindest der Teil des Gehäusekörpers, der die Kavität bildet, mittels eines Formprozesses („molding“) herstellbar, beispielsweise mittels Spritzens, Gießens oder Drückens. Für den Formprozess wird ein Formwerkzeug verwendet. Das Formwerkzeug weist beispielsweise eine Formkammer auf, die, gegebenenfalls mit in die Formkammer eingelegten zu umformenden Elementen wie etwa Leiterrahmenteile, eine Negativform des zu formenden Gehäusekörpers bildet. Beispielsweise wird als Formprozess Spritzpressen („injection molding“) oder Transfer-Spritzpressen („transfer molding“) verwendet. Dabei wird das zu formende Material, im Falle des hier beschriebenen Gehäusekörpers ein Kunststoffmaterial, in eine Kammer eines Formwerkzeugs eingelegt. Von dieser wird das zu formende Material durch Einwirkung von Wärme und/oder Druck in die Formkammer gepresst. Weiterhin kann der Formprozess beispielsweise auch Formpressen („compression molding“) sein. Dabei wird das zu formende Material, im Falle des hier beschriebenen Gehäusekörpers ein Kunststoffmaterial, in die Formkammer eines Formwerkzeugs eingebracht. Durch Einwirkung von Wärme und/oder Druck wird das zu formende Material in die gewünschte Form gebracht. Der Formprozess wird besonders bevorzugt im Verbund durchgeführt. Das bedeutet, dass ein zusammenhängender Verbund einer Mehrzahl von Gehäusekörpern mittels des Formprozesses hergestellt wird, der in einem späteren Verfahrensschritt durch Zerteilen, beispielsweise Sägen, Trennschleifen oder Laserschneiden, vereinzelt werden kann.
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Das Kunststoffmaterial für den Gehäusekörper kann je nach Formprozess und Anwendung der elektronischen Vorrichtung beispielsweise ein Thermoplast oder ein Duroplast aufweisen oder daraus sein. Beispielsweise kann das Kunststoffmaterial Siloxane, Epoxide, Acrylate, Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Olefine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymeren oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise kann das Kunststoffmaterial ein Epoxidharz, Polyphthalamid (PPA), Polymethylmethacrylat (PMMA), Polystyrol, Polycarbonat (PC), Polyacrylat, Polyurethan oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus aufweisen oder sein.
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Die elektronische Vorrichtung kann weiterhin ein Abdeckelement aufweisen, das in die Kavität eingefüllt ist und das den Halbleiterchip bedeckt. Besonders bevorzugt kann der Halbleiterchip durch das Abdeckelement eingehüllt sein. Das kann insbesondere bedeuten, dass der Halbleiterchip durch das Abdeckelement umformt ist beziehungsweise dass das Abdeckelement an die vor dem Aufbringen des Abdeckelements freien Seiten des Halbleiterchips angeformt ist. Insbesondere kann es sich bei dem Abdeckelement um einen sogenannten Verguss handeln. Als Verguss wird hier und im Folgenden ein Material bezeichnet, das in einer viskosen, also insbesondere in einer flüssigen oder teilweise flüssigen Form, in die Kavität eingefüllt wird und das gleichzeitig oder anschließend ausgehärtet wird. Insbesondere kann also ein Abdeckmaterial zur Bildung des Abdeckelements in die Kavität eingefüllt werden. Nach dem Aushärten kann der Verguss, also das Abdeckelement, elastische oder duroplastische Eigenschaften aufweisen. Zum Einfüllen des Abdeckmaterials in die Kavität kann einer der vorab beschriebenen Formprozesse verwendet werden. Weiterhin kann das Abdeckmaterial beispielsweise auch in die Kavität gegossen werden. Beispielsweise kann das Abdeckmaterial ein Silikonharz oder ein anderes vorab in Verbindung mit dem Gehäusekörper genanntes Material sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Kavität eine Seitenwand auf, die dem Halbleiterchip zugewandt ist und die die Kavität und damit den Halbleiterchip in einer lateralen Richtung umgibt. Die Seitenwand kann parallel zur vertikalen Richtung verlaufen und somit eine senkrechte oder im Wesentlichen senkrechte Seitenwand sein. Besonders bevorzugt ist die Seitenwand zur vertikalen Richtung geneigt und somit eine schräge Seitenwand. Eine schräge Seitenwand kann beispielsweise als Reflektor ausgebildet sein, die im Fall einer Licht emittierenden Vorrichtung mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip Licht, das im Betrieb vom Halbleiterchip in eine laterale Richtung auf die Seitenwand emittiert wird, in Richtung der vertikalen Richtung und damit aus der Kavität heraus lenken kann.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform steht das Abdeckelement in zumindest einem Haftbereich in direktem mechanischem Kontakt zur Seitenwand. Im zumindest einen Haftbereich kann das Abdeckelement unmittelbar am Gehäusekörper und damit unmittelbar an der Seitenwand haften. Mit anderen Worten ist der zumindest eine Haftbereich ein Bereich, in dem an der Grenzfläche zwischen dem Gehäusekörper und dem Abdeckelement eine Adhäsionskraft zwischen diesen herrscht.
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Besonders bevorzugt weist der zumindest eine Haftbereich zumindest einen Teil der Seitenwand der Kavität oder auch die gesamte Seitenwand auf. Mit anderen Worten haftet das Abdeckelement in zumindest einem Haftbereich unmittelbar an einem Teil der Seitenwand der Kavität oder an der gesamten Seitenwand. Somit kann der zumindest eine Haftbereich den Halbleiterchip bevorzugt in lateraler Richtung vollständig umgeben.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Gehäusekörper zumindest eine Verankerungsstruktur auf, die dazu vorgesehen und eingerichtet ist, eine Delaminationsneigung des Abdeckelements vom Gehäusekörper im zumindest einen Haftbereich zu verringern. Mit anderen Worten kann die Neigung, dass sich das Abdeckelement zumindest von der Seitenwand im Haftbereich löst, durch die Verankerungsstruktur verringert sind im Vergleich zu einem vergleichbaren Gehäusekörper ohne die Verankerungsstruktur. Die Verankerungsstruktur kann, wie im Folgenden beschrieben ist, mikroskopische oder makroskopische Verankerungselemente aufweisen und insbesondere dazu vorgesehen und eingerichtet sein, eine Verbesserung der mechanischen Verankerung des Abdeckelements durch die Schaffung von Verankerungselementen zur Spannungsaufnahme und/oder eine Verbesserung der Adhäsion des Abdeckelements im zumindest einen Haftbereich am Gehäusekörper durch Vergrößerung der effektiven Grenzfläche zu bewirken. Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur einen Ersatz für andere zusätzliche und oftmals teure Prozesse wie beispielsweise eine Plasmabehandlung des Gehäusekörpers bilden.
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Die im Folgenden beschriebenen Merkmale und Ausführungsformen der Verankerungsstruktur können allein oder auch in Kombination vorhanden sein. Insbesondere kann die Verankerungsstruktur mehrere gleiche oder unterschiedliche Verankerungselemente gemäß der nachfolgenden Beschreibung aufweisen.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Verankerungsstruktur im zumindest einen Haftbereich ausgebildet. Insbesondere kann die Verankerungsstruktur in oder an der Seitenfläche der Kavität ausgebildet sein. Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur zumindest eine Vertiefung und/oder Erhebung in der Seitenwand der Kavität aufweisen.
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Beispielsweise kann die Verankerungsstruktur eine Aufrauhung aufweisen, die durch eine Vielzahl von regelmäßig oder unregelmäßig angeordneter Erhebungen und/oder Vertiefungen gebildet sein kann. Die Aufrauhung und damit die Erhebungen und/oder Vertiefungen können besonders bevorzugt Strukturgrößen von kleiner oder gleich 100 µm oder kleiner oder gleich 50 µm oder kleiner oder gleich 20 µm oder bevorzugt kleiner oder gleich 15 µm aufweisen. Weiterhin können die Aufrauhung und damit die Erhebungen und/oder Vertiefungen Strukturgrößen von größer oder gleich 1 µm oder größer oder gleich 2 µm oder größer oder gleich 5 µm aufweisen.
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Beispielsweise kann der Gehäusekörper, der wie vorab beschrieben einen Kunststoffkörper aufweisen oder daraus gebildet sein kann, die Aufrauhung zumindest auf allen Oberflächen des Kunststoffkörpers aufweisen, die in direktem mechanischen Kontakt mit dem Abdeckelement stehen. Mit anderen Worten kann der gesamte Haftbereich zwischen dem Gehäusekörper und dem Abdeckelement die Aufrauhung aufweisen. Zusätzlich können noch weitere Oberflächen des Gehäusekörpers eine Aufrauhung aufweisen. Beispielsweise kann eine solche, bevorzugt großflächig vorhandene Aufrauhung durch ein Ätzverfahren oder durch Laserstrukturierung hergestellt werden. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass zur Bildung des Gehäusekörpers ein Folien-unterstützter Formprozess (FAM: „foil-assisted molding“) verwendet wird und die Aufrauhung durch die Folie ausgebildet wird. Dies kann beispielsweise durch eine Folie erreicht werden, die eine der Aufrauhung entsprechende Oberflächenstruktur aufweist. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass das zur Bildung des Gehäusekörpers verwendete Formwerkzeug zumindest in Teilbereichen eine der Aufrauhung entsprechende Oberflächenstruktur und damit eine Negativform der Verankerungsstruktur aufweist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Verankerungsstruktur Verankerungselemente, besonders bevorzugt in Form einer Aufrauhung, auf, die in vertikaler Richtung an der Seitenwand der Kavität über dem Halbleiterchip angeordnet sind. Insbesondere kann die Seitenwand einen oberen Bereich aufweist, der den Halbleiterchip in vertikaler Richtung überragt, wobei die Verankerungsstruktur vom Halbleiterchip aus in vertikaler Richtung gesehen nur im oberen Bereich angeordnet ist. Wird also eine senkrecht zur vertikalen Richtung stehende Ebene gedacht, die an der in vertikaler Richtung den Halbleiterchip begrenzenden Oberseite des Halbleiterchips angeordnet ist, ist der obere Bereich und damit die Verankerungsstruktur in diesem Fall nur oberhalb dieser Ebene angeordnet. Die Verankerungsstruktur ist also, einfach ausgedrückt, höher als die Oberkante des Halbleiterchips angeordnet. Besonders bevorzugt ist die Verankerungsstruktur vom Halbleiterchip aus in vertikaler Richtung gesehen nur in einem oberen Teil des oberen Bereichs angeordnet, wobei der obere Teil von einer Oberkante der Seitenwand aus einen Anteil von kleiner oder gleich 80% oder kleiner oder gleich 66% oder kleiner oder gleich 50% des oberen Bereichs einnimmt. Im Fall einer Aufrauhung mit derartigen Eigenschaften kann die Verankerungsstruktur bevorzugt mittels des Formprozesses hergestellt werden, mit dem der Gehäusekörper gebildet wird. Insbesondere kann für die Aufrauhung eine Negativform der Verankerungsstruktur im Formwerkzeug vorgesehen sein.
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Während die vorab beschriebene Aufrauhung mikroskopische Verankerungselemente der Verankerungsstruktur bildet, kann die Verankerungsstruktur alternativ oder zusätzlich auch makroskopische Verankerungselemente wie die im Folgenden beschriebenen aufweisen. Die makroskopischen Verankerungselemente können bevorzugt zumindest in einige laterale Richtungen Hinterschnitte bilden, die eine verbesserte Verankerung des Abdeckelements in der Kavität erlauben.
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Beispielsweise kann die Verankerungsstruktur zumindest einen an der Seitenwand verlaufenden Steg aufweisen. Mit anderen Worten enthält die Seitenwand eine Erhebung, die stegförmig ausgebildet ist, also bevorzugt in eine Richtung eine größere Ausdehnung aufweist als in die zwei dazu senkrechten Richtungen. Der zumindest eine Steg kann bevorzugt in vertikaler Richtung verlaufen. Beispielsweise kann der Steg von einer Bodenfläche der Kavität bis zu einer oberen Kante der Kavität verlaufen. Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur eine Mehrzahl von in vertikaler Richtung verlaufenden Stegen aufweisen, die in lateraler Richtung um den Halbleiterchip herum im Wesentlichen gleichmäßig verteilt angeordnet sein können. Es kann auch möglich sein, dass die Kavität einen Querschnitt aufweist, der eine quadratische oder rechteckige Grundform, beispielsweise mit abgerundeten Ecken, aufweist und dass zumindest im Bereich der Ecken solche in vertikaler Richtung verlaufende Stege angeordnet sind.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Verankerungsstruktur zumindest ein Verankerungselement auf, das von der Seitenwand und insbesondere vom Haftbereich beabstandet angeordnet ist. Insbesondere kann die Verankerungsstruktur zumindest ein auf einer Bodenfläche der Kavität ausgebildetes Säulenelement aufweisen. Das Säulenelement kann besonders bevorzugt einen eckigen oder runden Querschnitt aufweisen und sich in vertikaler Richtung von der Bodenfläche der Kavität in vertikaler Richtung nach oben hin erstrecken. Beispielsweise kann ein solches Säulenelement eine Höhe aufweisen, die in vertikaler Richtung auf der gleichen Höhe oder niedriger als eine die Kavität an der Oberseite begrenzende Kante ist, so dass das Säulenelement nach dem Aufbringen des Abdeckelements nicht aus dem Abdeckelement herausragt und besonders bevorzugt von diesem bedeckt ist. Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur eine Mehrzahl von solchen Säulenelementen aufweisen, die in lateraler Richtung symmetrisch neben oder um den Halbleiterchip angeordnet sein können.
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Verankerungselemente wie die beschriebenen in vertikaler Richtung verlaufende Stege und die Säulenelemente können bevorzugt mittels des Formprozesses zur Bildung der Gehäusekörpers gleichzeitig mit der Bildung des Gehäusekörpers hergestellt werden. Hierzu kann das verwendete Formwerkzeug eine Negativform der Verankerungsstruktur aufweisen. Zur erleichterten Entformung können der oder die Stege beziehungsweise das oder die Säulenelemente der Verankerungsstruktur eine in vertikaler Richtung nach oben hin geringer werdende Breite, gemessen in lateraler Richtung, aufweisen. Mit anderen Worten können die vertikalen Steg beziehungsweise die Säulenelemente sich nach oben hin verjüngend ausgebildet sein und eine pyramidenstumpfartige oder kegelstumpfartige Form aufweisen.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Verankerungsstruktur zumindest einen an der Seitenwand in lateraler Richtung verlaufenden Steg auf. Insbesondere kann der Steg an der Seitenwand umlaufend um den Halbleiterchip ausgebildet sein und somit eine um den Halbleiterchip umlaufende Erhebung bilden. Weiterhin kann die Verankerungsstruktur zumindest eine in der Seitenwand in lateraler Richtung verlaufende Rinne aufweisen. Insbesondere kann die Rinne an der Seitenwand umlaufend um den Halbleiterchip ausgebildet sein und somit eine um den Halbleiterchip umlaufende Rinne bilden. Alternativ dazu können auch mehrere in lateraler Richtung voneinander getrennte Steg und/oder Rinnen, die in lateraler Richtung an der Seitenfläche der Kavität verlaufen, vorgesehen sein. Beispielsweise kann die Verankerungsstruktur eine Mehrzahl von in lateraler Richtung perlenkettenartig angeordneten inselförmigen Erhebungen und/oder sacklochartigen Vertiefungen aufweisen. Derartige Verankerungselemente können beispielsweise mittels eines wie oben beschriebenen geeigneten Formwerkzeugs oder durch Laserstrukturierung hergestellt werden oder alternativ auch als vorgefertigte Verankerungselemente bereitgestellt und auf dem Gehäusekörper aufgebracht werden. Beispielsweise können die Verankerungselemente in diesem Fall aufgeklebt werden.
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Bei den vorab beschriebenen Ausführungsformen und Merkmalen der Verankerungsstruktur weisen besonders bevorzugt das Abdeckmaterial eine Viskosität und die Verankerungsstruktur eine Strukturgröße auf, wobei die Strukturgröße und die Viskosität derart aneinander angepasst sind, dass die Verankerungsstruktur vollständig mit dem fertiggestellten Abdeckelement in direktem Kontakt steht. Mit anderen Worten sind die Verankerungsstruktur und das Abdeckmaterial bevorzugt so aneinander angepasst, dass das Abdeckmaterial und damit das Abdeckelement die Verankerungsstruktur vollständig umformt. Insbesondere können das Abdeckmaterial und die Strukturgrößen so aufeinander angepasst sein, dass keine Blasen oder Hohlräume entstehen.
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Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
- 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel,
- 2A bis 2C zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 3A und 3B zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Verfahrensschritts eines Verfahrens zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 5A bis 5C zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 6A bis 6C zeigen eine schematische Darstellung eines Verfahrensschritts eines Verfahrens zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel sowie Aufnahmen von Oberflächen mit Aufrauhungen,
- 7A und 7B zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 8A und 8B zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
- 9A und 9B zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel und
- 10A und 10B zeigen schematische Darstellungen einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
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In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
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In Verbindung mit den im Folgenden beschriebenen Figuren sind die elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser gemäß mehreren Ausführungsbeispielen erläutert, wobei in den Ausführungsbeispielen rein beispielhaft und ohne die Erfindung zu beschränken in einem Gehäusekörper genau ein elektronischer Halbleiterchip angeordnet ist, der beispielsweise als Licht emittierender Halbleiterchip wie etwa eine Leuchtdiode ausgebildet ist. Alternativ dazu ist es aber auch möglich, dass der elektronische Halbleiterchip als Licht absorbierender Halbleiterchip wie etwa eine Fotodiode oder als ein anderer optoelektronischer Halbleiterchip oder auch als rein elektronischer Halbleiterchip ohne optoelektronische Funktion ausgebildet ist. Weiterhin kann auch mehr als ein Halbleiterchip im Gehäusekörper vorhanden sein.
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In 1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gezeigt, bei dem in einem ersten Verfahrensschritt 101 ein Gehäusekörper mit einer Kavität gebildet wird. Insbesondere kann der Gehäusekörper mittels eines Formprozesses unter Verwendung eines geeigneten Formwerkzeugs gebildet werden. Weiterhin wird im Rahmen des Verfahrens eine Verankerungsstruktur im Gehäusekörper gebildet, wie in einem weiteren Verfahrensschritt 102 angedeutet ist. Wie im Folgenden erläutert ist, können die Verfahrensschritte 101 und 102 auch gleichzeitig im Rahmen eines gemeinsamen Verfahrensschritts 110 durchgeführt werden, wie in 1 angedeutet ist. In einem weiteren Verfahrensschritt 103 wird ein elektronischer Halbleiterchip in der Kavität des Gehäusekörpers montiert. Weiterhin kann der Halbleiterchip hierbei auch elektrisch angeschlossen werden. In einem weiteren Verfahrensschritt 104 wird ein Abdeckmaterial zur Bildung eines Abdeckelements in die Kavität eingefüllt. Weitere Merkmale des Verfahrens und der elektronischen Vorrichtung gehen aus den in Verbindung mit den in den weiteren Figuren gezeigten Ausführungsbeispielen hervor.
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In den 2A bis 2C ist in einer dreidimensionalen Draufsicht, einer Schnittdarstellung und eines Ausschnitts der Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel für eine elektronische Vorrichtung 100 mit einem elektronischen Halbleiterchip 1 gezeigt. Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich gleichermaßen auf die 2A bis 2C.
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Rein beispielhaft ist die elektronische Vorrichtung 100 als sogenanntes QFN-Package ausgebildet und weist einen Gehäusekörper 2 mit einer Kavität 20 auf, der ein Kunststoffmaterial aufweist, in dem zur elektrischen Kontaktierung des in der Kavität angeordneten elektronischen Halbleiterchips 1 beispielsweise durch einen Leiterrahmen gebildete elektrische und/oder thermische Anschlusselemente 21 enthalten sind, mittels derer die elektronische Vorrichtung 100 auch auf einen Träger wie beispielsweise eine Leiterplatte aufgelötet werden kann. Der elektronische Halbleiterchip 1 ist rein beispielhaft auf einem als Wärmesenke vorgesehenen Leiterrahmenstück, das eine Montagefläche des Gehäusekörpers 2 bildet, mittels eines Klebstoffs oder Lots montiert und mittels Bonddrähten an weitere Leiterrahmenstücke elektrisch angeschlossen. Anstelle eines QFN-Packages kann die elektronische Vorrichtung 100 auch in einer anderen Bauform ausgebildet sein.
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Die Anordnungsrichtung des Halbleiterchips 1 auf der Montagefläche wird hier und im Folgenden als vertikale Richtung bezeichnet. Richtungen senkrecht zur vertikalen Richtung werden als laterale Richtungen bezeichnet.
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Das Kunststoffmaterial für den Gehäusekörper 2 kann beispielsweise ein Duroplast wie etwa ein weißes oder schwarzes Epoxid, auch als EMC („epoxy mold compound“) bezeichnet, und/oder PPA und/oder PC aufweisen oder daraus sein. Alternativ sind aber auch andere Kunststoffmaterialien möglich. Der Gehäusekörper 2 kann mittels eines geeigneten Formprozesses, beispielsweise einem oben im allgemeinen Teil beschriebenen Verfahren, hergestellt werden. Insbesondere kann mit dem Formprozess eine Vielzahl von Gehäusekörpern 2 in Form eines Verbunds hergestellt werden, der dann in einem späteren Verfahrensschritt vereinzelt werden kann.
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In der Kavität 20 ist ein Abdeckelement 3 angeordnet, das in 2A weggelassen ist, um die in der Kavität angeordneten Elemente zeigen zu können. Das Abdeckelement 3 ist in die Kavität 20 eingefüllt und bedeckt den Halbleiterchip 1. Wie in 2B zu erkennen ist, kann der Halbleiterchip 1 durch das Abdeckelement 3 besonders bevorzugt eingehüllt sein. Insbesondere kann es sich bei dem Abdeckelement 3 um einen Verguss handeln und wird als Abdeckmaterial in einer flüssigen oder teilweise flüssigen Form in die Kavität 20 eingefüllt und gleichzeitig oder anschließend ausgehärtet. Beispielsweise kann das Abdeckelement 3 ein Silikonharz aufweisen oder sein. Alternativ sind auch andere Kunststoffmaterialien wie oben im allgemeinen Teil beschrieben möglich.
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Die Kavität 20 weist eine Seitenwand 22 auf, die dem Halbleiterchip 1 zugewandt ist und die die Kavität und damit den Halbleiterchip 1 in der lateralen Richtung umgibt. Die Seitenwand 22 kann eine senkrechte oder im Wesentlichen senkrechte Seitenwand oder, wie gezeigt, eine schräge Seitenwand sein. Eine schräge Seitenwand kann beispielsweise als Reflektor ausgebildet sein, die im Fall einer Licht emittierenden Vorrichtung mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip Licht, das im Betrieb vom Halbleiterchip 1 in eine laterale Richtung auf die Seitenwand 22 emittiert wird, in Richtung der vertikalen Richtung und damit aus der Kavität heraus lenken kann. In diesem Fall kann das Abdeckelement 3 transparent oder transluzent sein und beispielsweise auch einen Leuchtstoff enthalten, der zumindest einen Teil des vom Halbleiterchip 1 im Betrieb emittierten Lichts in Licht mit einer anderen Wellenlänge umwandelt.
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Wie in den 2B und 2C zu erkennen ist, steht das Abdeckelement 3 mit dem Gehäusekörper 2 an der Seitenwand 22 und der Bodenfläche 23 in direktem mechanischen Kontakt. Bereiche mit einem solchen direkten mechanischen Kontakt werden hier und im Folgenden als Haftbereiche bezeichnet, da das Abdeckelement 3 in einem Haftbereich unmittelbar am Gehäusekörper 2 anhaften kann. Der Haftbereich kann zumindest einen Teil der Seitenwand 22 der Kavität 20 und, wie gezeigt, besonders bevorzugt die gesamte oder zumindest im Wesentlichen die gesamte Seitenfläche 22 beinhalten.
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Weiterhin beinhaltet der Haftbereich im gezeigten Ausführungsbeispiel auch die Bodenfläche 23 des Gehäusekörpers 2, die im gezeigten Ausführungsbeispiel zumindest teilweise eine sogenannte Glue-Creep-Barrier (GCP: „Kleberkriechbarriere“) bildet, die verhindert, dass Klebstoff oder Lot, mit dem der Halbleiterchip 1 wie oben beschrieben befestigt ist, zu den Bereichen kriechen kann, in denen die Bonddrähte elektrisch angeschlossen sind. Somit umgibt der Haftbereich im gezeigten Ausführungsbeispiel den Halbleiterchip 1 in lateraler Richtung vollständig.
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Die elektronische Vorrichtung gemäß dem vorliegenden und den folgenden Ausführungsbeispielen weist weiterhin eine Verankerungsstruktur auf, die dazu vorgesehen und eingerichtet ist, eine Delaminationsneigung des Abdeckelements vom Gehäusekörper im Haftbereich zu verringern. Die Verankerungsstruktur kann, wie im Folgenden näher beschrieben ist, mikroskopische oder makroskopische Verankerungselemente 40 aufweisen und insbesondere dazu vorgesehen und eingerichtet sein, eine Verbesserung der mechanischen Verankerung des Abdeckelements 3 durch die Schaffung von Verankerungselementen zur Spannungsaufnahme und/oder eine Verbesserung der Adhäsion des Abdeckelements 3 im zumindest einen Haftbereich am Gehäusekörper 2 durch Vergrößerung der effektiven Grenzfläche zu bewirken.
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Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Verankerungsstruktur 4 als Aufrauhung 40 auf dem gesamten Haftbereich, also auf der gesamten Seitenfläche der Kavität und der Bodenfläche, ausgebildet, wie in 2C durch die hervorgehobene Struktur angedeutet ist. Die Verankerungsstruktur weist also als Verankerungselemente eine Vielzahl von regelmäßig oder unregelmäßig angeordnete Erhebungen und/oder Vertiefungen auf, die besonders bevorzugt Strukturgrößen von kleiner oder gleich 100 µm oder kleiner oder gleich 50 µm oder kleiner oder gleich 20 µm oder bevorzugt kleiner oder gleich 15 µm sowie von größer oder gleich 1 µm oder größer oder gleich 2 µm oder größer oder gleich 5 µm aufweisen können. Die Aufrauhung 40 kann zu einer effektiven Grenzflächenvergrößerung der Grenzfläche zwischen dem Abdeckelement 3 und dem Gehäusekörper 2 und somit zu einer verbesserten Adhäsion zwischen diesen führen.
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Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind auch eine Oberseite 24 des Gehäusekörpers 2 sowie ein Teil einer Außenfläche 25 des Gehäusekörpers 2 mit der Aufrauhung 40 versehen. Lediglich ein Teil der Außenfläche 25, an dem der Verbund von Gehäusekörpern 2, beispielsweise durch Sägen, vereinzelt wurde, sowie die Unterseite des Gehäusekörpers 2 sind frei von der Aufrauhung 40.
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In den 3A und 3B sind entsprechend der Ansichten in den 2A und 2C Ansichten eines weiteren Ausführungsbeispiels für die elektronische Vorrichtung 100 gezeigt, bei der die gesamten Außenflächen 25 aufgrund der Vereinzelung, beispielsweise durch Sägen, ohne Aufrauhung 40 ausgebildet sind.
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Beispielsweise kann die durch eine bevorzugt großflächig vorhandene Aufrauhung 40 gebildete Verankerungsstruktur 4 durch ein Ätzverfahren nach dem Formprozess zur Bildung des Gehäusekörpers 2 und insbesondere des Gehäusekörper-Verbunds hergestellt werden, um die vorab beschriebene Grenzflächenvergrößerung zu erreichen. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass, wie in einem Ausschnitt in 4 angedeutet ist, zur Bildung des Gehäusekörpers 2 ein Folien-unterstützter Formprozess (FAM: „foil-assisted molding“) verwendet wird und die Aufrauhung durch die Folie 8 ausgebildet wird. Hierzu wird in ein Formwerkzeug 9 zur Herstellung des Gehäusekörpers 2 im Rahmen des Formprozesses eine Folie 8 eingelegt, die eine der Aufrauhung 40 entsprechende Oberflächenstruktur aufweist. Eine solche sogenannte Mold-Folie weist eine dem Thermoplast- oder Duroplastmaterial des Gehäusekörpers 2 zugewandte Oberfläche mit großer Oberflächenrauhigkeit auf, die ein einfaches Entformen („demolding“) und eine einfache Entfernung der Folie 8 erlaubt. Zur besseren Übersichtlichkeit sind das Formwerkezug 9, die Folie 8 und der gebildete Gehäusekörper 2 in 4 zueinander beabstandet gezeigt. Weiterhin kann es auch möglich sein, dass das zur Bildung des Gehäusekörpers 2 verwendete Formwerkzeug 9 zumindest in Teilbereichen eine der Aufrauhung 40 entsprechende Oberflächenstruktur und damit eine Negativform der Verankerungsstruktur 4 aufweist. Diese kann beispielsweise durch selektive Ätzung oder Laserstrukturierung hergestellt werden.
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In den 5A und 5B ist in dreidimensionalen Draufsichten sowie in 5C in einem Ausschnitt einer Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel für die elektronische Vorrichtung 100 gezeigt. In 5A ist im Vergleich zur 5B das Abdeckelement 3 nicht dargestellt, um die in der Kavität 20 angeordneten Elemente zeigen zu können. Im Vergleich zu den beiden vorherigen Ausführungsbeispielen weist bei diesem Ausführungsbeispiel die Verankerungsstruktur 4 eine Aufrauhung 40 auf, die nicht auf der gesamten Seitenwand 22 der Kavität 20 des Gehäusekörpers 2 ausgebildet ist. Insbesondere ist im gezeigten Ausführungsbeispiel die Aufrauhung 40 nur in einem Teilbereich der Seitenwand 22 der Kavität 20 und sonst auf keiner Oberfläche des Gehäusekörpers 2 ausgebildet.
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Insbesondere weist die Seitenwand 22, wie in 5C gezeigt ist, einen oberen Bereich 26 auf, der den Halbleiterchip 1 in vertikaler Richtung überragt, wobei die Verankerungsstruktur 4 vom Halbleiterchip 1 aus in vertikaler Richtung gesehen nur im oberen Bereich 26 angeordnet ist. Wird also eine senkrecht zur vertikalen Richtung stehende Ebene 29 gedacht, die an der in vertikaler Richtung den Halbleiterchip 1 begrenzenden Oberseite des Halbleiterchips angeordnet ist und die somit in ihrer Position der Höhe des Halbleiterchips 1 entspricht, ist der obere Bereich 26 und damit die Verankerungsstruktur 4 in diesem Fall nur oberhalb dieser Ebene 29 angeordnet. Die Verankerungsstruktur 4 ist somit höher als die Oberkante des Halbleiterchips 1 angeordnet. Besonders bevorzugt ist die Verankerungsstruktur 4 vom Halbleiterchip 1 aus in vertikaler Richtung gesehen nur in einem oberen Teil 27 des oberen Bereichs 26 angeordnet, wobei der obere Teil 27 von einer Oberkante 28 der Seitenwand 22 aus einen Anteil von kleiner oder gleich 80% oder kleiner oder gleich 66% oder kleiner oder gleich 50% des oberen Bereichs 26 einnimmt.
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Die durch die Aufrauhung 40 gebildete Verankerungsstruktur 4 ist in Form eines Bandes lateral umlaufend um den Halbleiterchip 1 ausgebildet. Die Breite des Bandes kann beispielsweise größer oder gleich 10 µm und kleiner oder gleich 100 µm sein. Anstelle der gezeigten Ausführung mit einem Band können auch mehrere Bänder mit einer umlaufenden Aufrauhung 40 vorgesehen sein. Weiterhin ist auch eine Ausführung in Form eines periodisch unterbrochenen Bandes, also voneinander getrennten Bereichen mit der Aufrauhung 40, möglich.
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Die Verankerungsstruktur 4 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 5A bis 5C kann mittels des Formprozesses hergestellt werden, mit dem der Gehäusekörper 2 gebildet wird. Insbesondere kann für die Aufrauhung 40 eine Negativform 90 der Verankerungsstruktur 4 im Formwerkzeug 9 vorgesehen sein, wie in 6A gezeigt ist. Die Negativform 90 für die Verankerungsstruktur 4 kann beispielsweise mittels Laserstrukturierung in das Formwerkzeug 9 eingebracht werden. Ähnlich wie in den voran gegangenen Ausführungsbeispielen kann auch zumindest die gesamte Seitenwand 22 auf diese Weise mit der Aufrauhung 40 versehen werden.
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Wie schon in den vorherigen Ausführungsbeispielen kann die Aufrauhung 40 bevorzugt Strukturgrößen von kleiner oder gleich 100 µm oder kleiner oder gleich 50 µm oder kleiner oder gleich 20 µm oder bevorzugt kleiner oder gleich 15 µm sowie von größer oder gleich 1 µm oder größer oder gleich 2 µm oder größer oder gleich 5 µm aufweisen, wobei die Aufrauhung 40 durch entsprechend dimensionierte Erhebungen und/oder Vertiefungen gebildet wird.
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In 6B ist eine Mikroskopaufnahme eines Ausschnitts einer planaren Epoxid-Oberfläche, erzeugt durch ein solches Formwerkzeug, mit einer Aufrauhung 40 und einem nicht aufgerauten Bereich 49 gezeigt. Die Aufnahme zeigt einen Ausschnitt mit einer Seitenlänge von etwa 0,5 mm. In 6C sind weitere entsprechende Aufnahmen sowie zusätzlich Höhenprofile mit Aufrauhungen mit verschiedenen Strukturgrößen gezeigt.
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Zusätzlich oder alternativ zu einer Aufrauhung 40 kann die Verankerungsstruktur 4 auch größere Verankerungselemente aufweisen, die bevorzugt in geeigneten Richtungen Hinterschnitte bilden, um eine Verankerung des Abdeckelements 3 zu erreichen.
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In den 7A und 7B ist in einer dreidimensionalen Draufsicht und einem Ausschnitt hiervon ein Ausführungsbeispiel für die elektronische Vorrichtung 100 gezeigt, bei der die Verankerungsstruktur 4 zumindest einen an der Seitenwand 22 verlaufenden Steg 41 aufweist. Das Abdeckelement ist in den 7A und 7B wie auch zum Teil in den nachfolgenden Figuren nicht gezeigt.
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Insbesondere enthält die Seitenwand 22 Erhebungen, die stegförmig ausgebildet sind und die im gezeigten Ausführungsbeispiel in vertikaler Richtung verlaufen. Wie gezeigt kann ein Steg 41 von der Bodenfläche 23 der Kavität 20 bis zur Oberkante 28 der Kavität 20 verlaufen.
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Besonders bevorzugt weist die Verankerungsstruktur 4 eine Mehrzahl von in vertikaler Richtung verlaufenden Stegen 41 auf, die in lateraler Richtung um den Halbleiterchip 1 herum im Wesentlichen gleichmäßig verteilt angeordnet sein können. Insbesondere kann es vorteilhat sein, wenn die Kavität 20 wie gezeigt einen Querschnitt aufweist, der eine quadratische oder rechteckige Grundform, beispielsweise mit abgerundeten Ecken, aufweist und die in vertikaler Richtung verlaufenden Stege 41 im Bereich der Ecken angeordnet sind. Insbesondere können die Stege 41 dort platziert sein, wo hohe Spannungen, insbesondere laterale Spannungen, im Abdeckelement beziehungsweise an der Grenzfläche zwischen dem Abdeckelement und dem Gehäusekörper 2 auftreten können. Wie gezeigt kann ihre Position besonders bevorzugt so gewählt werden, zum Beispiel auf der GCB, dass sie keinen zusätzlichen Platz benötigen und somit die Bauteilgröße, der sogenannte Footprint, der elektronischen Vorrichtung 100 nicht vergrößert werden muss.
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Die Stege 41 der Verankerungsstruktur 4 werden bevorzugt einstückig mit dem restlichen Gehäusekörper 2 und damit mittels des Formprozesses zur Bildung des Gehäusekörpers 2 hergestellt. Das verwendete Formwerkzeug weist dazu eine Negativform der Verankerungsstruktur 4 auf. Zur erleichterten Entformung können die Stege 41 wie angedeutet eine in vertikaler Richtung nach oben hin geringer werdende Breite, gemessen in lateraler Richtung, aufweisen. Mit anderen Worten können die vertikalen Stege 41 nach oben hin konisch ausgebildet sein und eine pyramidenstumpfartige Form aufweisen und sich somit nach oben hin verjüngen.
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In den 8A und 8B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem die Verankerungsstruktur 4 Verankerungselemente aufweist, die von der Seitenwand 22 und insbesondere vom Haftbereich beabstandet angeordnet sind. Hierzu kann die Verankerungsstruktur 4 eines oder mehrere auf einer Bodenfläche 23 der Kavität 20 ausgebildete Säulenelemente 42 aufweisen. Das oder die Säulenelemente 42 können besonders bevorzugt einen eckigen oder runden Querschnitt aufweisen und sich in vertikaler Richtung von der Bodenfläche 23 der Kavität 20 in vertikaler Richtung nach oben hin erstrecken. Beispielsweise können die Säulenelemente 42 eine Höhe aufweisen, die in vertikaler Richtung auf der gleichen Höhe oder niedriger als die die Kavität 20 an der Oberseite begrenzende Oberkante 28 ist, so dass die Säulenelemente 42 nach dem Aufbringen des Abdeckelements nicht aus dem Abdeckelement herausragen und besonders bevorzugt von diesem bedeckt sind.
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Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur 4 wie gezeigt eine Mehrzahl von Säulenelementen 42 aufweisen, die in lateraler Richtung symmetrisch neben oder um den Halbleiterchip 1 angeordnet sind. Wie schon für die Stege 42 beschrieben können auch die Säulenelemente 42 eine sich nach oben hin verjüngende Form aufweisen. Derartige durch das Formwerkzeug definierte Säulenelemente 42 innerhalb der Kavität 20, beispielsweise auf der GCB, ermöglichen ein Ineinandergreifen von Abdeckelement und Gehäusekörper 2 und damit eine ideale Spannungsaufnahme, insbesondere von Spannungen in lateraler Richtung.
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In den 9A und 9B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem die Verankerungsstruktur 4 einen an der Seitenwand 22 in lateraler Richtung verlaufenden Steg 43 aufweist. Insbesondere kann der Steg 43 wie gezeigt an der Seitenwand 22 umlaufend um den Halbleiterchip 1 ausgebildet sein und somit eine um den Halbleiterchip 1 umlaufende Erhebung bilden. Wie in den 10A und 10B gezeigt ist, kann die Verankerungsstruktur 4 auch zumindest eine in der Seitenwand 22 in lateraler Richtung verlaufende Rinne 44 aufweisen. Insbesondere kann die Rinne 44 an der Seitenwand 22 umlaufend um den Halbleiterchip 1 ausgebildet sein und somit eine um den Halbleiterchip 1 umlaufende Rinne 44 bilden. Anstelle von einem umlaufenden Steg 43 und/oder einer umlaufenden Rinne 44 oder zusätzlich zu diesen kann die Verankerungsstruktur 4 eine Mehrzahl von in lateraler Richtung perlenkettenartig angeordneten inselförmigen Erhebungen, beispielsweise in Form von Noppen, und/oder sacklochartigen Vertiefungen 45 aufweisen. Derartige Vertiefungen 45 sind zusätzlich im Ausführungsbeispiel der 10A und 10B vorgesehen. Derartige Verankerungselemente können beispielsweise mittels eines wie oben beschriebenen geeigneten Formwerkzeugs oder durch Laserstrukturierung hergestellt werden oder alternativ auch als vorgefertigte Verankerungselemente bereitgestellt und auf dem Gehäusekörper 2 aufgebracht werden. Beispielsweise können die Verankerungselemente in diesem Fall aufgeklebt werden. Gut an der Seitenwand haftende, beispielsweise durch ein solches sogenanntes Additive Manufacturing angebrachte Noppen, Stege, Rinnen und/oder Sacklöcher können durch das Abdeckelement umschlossen werden beziehungsweise das Abdeckelement kann diese füllen, so dass dieses gut in der Kavität 20 verankert ist. Während ein umlaufender Steg 43 und eine umlaufende Rinne 44 eine gute Verankerung insbesondere in vertikaler Richtung ermöglichen können, können sacklochartige Vertiefungen und Noppen auch eine gute Verankerung in lateraler Richtung ermöglichen.
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Die in den in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.
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Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Halbleiterchip
- 2
- Gehäusekörper
- 3
- Abdeckelement
- 4
- Verankerungsstruktur
- 8
- Folie
- 9
- Formwerkzeug
- 20
- Kavität
- 21
- Anschlusselement
- 22
- Seitenwand
- 23
- Bodenfläche
- 24
- Oberseite
- 25
- Außenfläche
- 26
- oberer Bereich
- 27
- oberer Teil
- 28
- Oberkante
- 29
- Ebene
- 40
- Aufrauhung
- 41
- Steg
- 42
- Säulenelement
- 43
- Steg
- 44
- Rinne
- 45
- Vertiefung
- 90
- Negativform
- 100
- elektronische Vorrichtung
- 101, 102, 103, 104, 110
- Verfahrensschritt
