CN103733362B - 具有改善的发光效力的led器件 - Google Patents

具有改善的发光效力的led器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103733362B
CN103733362B CN201180072859.8A CN201180072859A CN103733362B CN 103733362 B CN103733362 B CN 103733362B CN 201180072859 A CN201180072859 A CN 201180072859A CN 103733362 B CN103733362 B CN 103733362B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
phosphor
light
transparent resin
color conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180072859.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103733362A (zh
Inventor
文敬美
蔡程惠
金亨根
安世焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN103733362A publication Critical patent/CN103733362A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103733362B publication Critical patent/CN103733362B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

根据本发明的一个方面，一种LED器件包括：LED芯片，发射在预定波长区域内的光；透明树脂层，形成为覆盖LED芯片的光发射表面；以及颜色转换层，形成为通过透明树脂层与LED芯片间隔开并且覆盖透明树脂层，并且具有将从LED芯片发射的光转换成另一波长区域的光的至少一种类型的磷光体，其中在5500K的温度下，包括在颜色转换层中的磷光体的颗粒的平均自由程为0.8mm或更大。

Description

具有改善的发光效力的LED器件
技术领域
实施例的方面涉及一种LED器件，更具体地，涉及一种包括LED芯片和磷光体的LED器件，该磷光体被从LED芯片发射的光激发以允许具有不同波长的光被发射。
背景技术
与根据现有技术的光源相比，发光二极管（LED）具有许多积极的特性诸如相对长的寿命、相对低的功耗、快速的响应速率、对环境友好特性等，并已经用作各种产品诸如照明装置、背光单元等中的重要光源。在利用这样的LED的发光器件中，利用磷光体以将由LED芯片发射的光转换为不同波长的光的技术已经被广泛地使用。具体地，对于如上所述的波长转换技术的需求已经在各种类型的照明装置中以及在用于显示装置的背光单元中需要的白光发射器件的领域中增加。
白色LED器件通过红色、绿色、蓝色（RGB）或黄色（Y）磷光体的结合来对从紫外（UV）LED芯片或蓝色LED芯片发射的光的一部分进行颜色转换，并通过混合从LED芯片发射的光和通过颜色转换获得的光或混合通过颜色转换获得的几个波长的光而实现白光。为了获得高效率的白光，已经积极地开展改善颜色转换材料诸如磷光体的转换效率以及改善LED芯片输出的研究。
图1是根据现有技术的白色LED器件的截面图。参照图1，LED器件10包括其中具有反射杯的封装体11、LED芯片15和磷光体层12。通常，磷光体层12可以由包含磷光体的树脂形成。透镜或密封树脂部分14形成在磷光体层12上。LED芯片15和磷光体层12设置在反射杯的内部中（利用杯填充方案）。由于磷光体层12接触LED芯片15的紧邻处，所以颜色转换最初通过磷光体层12的磷光体进行，然后通过透镜或密封树脂14引起光的发射。
然而，从LED芯片15发射的光的一部分没有被磷光体层12的磷光体进行颜色转换，而是被反射或散射而被LED芯片15再次吸收，从而导致相当数量的光损失。此外，由LED芯片15产生的热被直接传递到磷光体层12，从而会发生颜色转换效率的降低。另外，就磷光体层12的内部而言，由于由磷光体发射的光被不同的磷光体再次吸收，所以会发生光损失。
发明内容
【技术问题】
实施例的方面提供能够减少光损失同时提供高度的光效率和改善的亮度的LED器件。此外，实施例的方面提供能够减少光损失并提供高度的光效率和改善的亮度同时输出白光的LED器件。另外，实施例的方面提供能够减少光损失、提供高度的光效率和改善的亮度并适合于高输出的LED器件。
【技术方案】
实施例的方面提供一种LED器件，该LED器件包括：LED芯片，发射在特定波长区域内的光；透明树脂层，覆盖LED芯片的光发射表面；以及颜色转换层，形成为通过透明树脂层与LED芯片间隔开以覆盖透明树脂层，并且包括将从LED芯片发射的光转换成在不同波长区域内的光的至少一种类型的磷光体，其中在5500K的温度下，包括在颜色转换层中的磷光体颗粒的平均自由程为0.8mm或更大。
在5500K的温度下，平均自由程可以在0.8mm至1.05mm的范围内。颜色转换层的体积可以等于透明树脂层的体积的5倍或更多倍。颜色转换层的体积可以在透明树脂层的体积的5倍或更多倍至15倍或更少倍的范围内。
LED器件可以利用LED芯片和颜色转换层发射白光。
透明树脂层可以具有向上凸起的上表面，透明树脂层的上表面的曲率可以在其中心部分处为0.5mm-1或更大。透明树脂层可以具有向上凸起的上表面，透明树脂层的上表面的曲率可以在其中心部分处在0.5mm-1至2mm-1的范围内。
透明树脂层可以自LED芯片的上表面起具有等于LED芯片的厚度的三倍或更多倍的厚度。透明树脂层可以自LED芯片的上表面起具有为LED芯片的厚度的3至10倍的厚度。
透明树脂层可以具有1.4或更大的折射率。透明树脂层可以具有1.4至2.2的折射率。
LED器件还可以包括封装体，封装体包括设置在其中的反射杯，反射杯容纳安装在其中的LED芯片，透明树脂层和颜色转换层可以设置在反射杯中。反射杯的内表面可以包括形成在其中的台阶部分，透明树脂层和颜色转换层之间的界面可以在台阶部分处接触反射杯的内表面。
LED器件还可以包括基板，基板包括安装在其上的LED芯片，透明树脂层可以覆盖基板上的LED芯片，颜色转换层可以覆盖基板上的透明树脂层。
颜色转换层可以取决于发射的光的波长而包括两个或更多类型的磷光体并且可以具有其中多个磷光体层堆叠的结构，其中两个或更多类型的磷光体取决于发射的光的波长而被分散在其各个层中。
LED芯片可以是蓝色LED芯片，颜色转换层可以包括黄色磷光体。颜色转换层还可以包括绿色磷光体和红色磷光体。颜色转换层可以包括覆盖透明树脂层的红色磷光体层和覆盖红色磷光体层的包括绿色磷光体和黄色磷光体的混合磷光体层。
LED芯片可以是蓝色LED芯片，颜色转换层可以包括红色磷光体和绿色磷光体。颜色转换层可以包括覆盖透明树脂层的红色磷光体层和覆盖红色磷光体层的绿色磷光体。
LED芯片可以是紫外LED芯片，颜色转换层可以包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色荧光体。颜色转换层可以包括覆盖透明树脂层的红色磷光体层、覆盖红色磷光体层的绿色磷光体层以及覆盖绿色磷光体层的蓝色磷光体层。
【有益效果】
根据本发明构思的实施例，从LED芯片发射的光的提取可以增加，并且由于磷光体颗粒引起的光损失可以被有效地降低。此外，可以减少被磷光体反射然后被LED芯片吸收和损失的光的量，并且可以减少磷光体由于热引起的退化。因此，具有高效率的LED器件诸如白色LED也可以以相对高的输出实现。由于颜色转换层的体积相对大，所以当制造LED器件时，颜色转换层的形成可以提供相对高的曲率容限。此外，由于在高电流和高输出条件下也可以进行充分的颜色转换，所以颜色坐标上的变化不会发生或可以是相对轻微的。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，以上和其他的方面、特征以及其他的优点将被更清楚地理解，附图中：
图1是根据现有技术的白色LED器件的截面图；
图2是根据本发明构思的实施例的LED器件的截面图；
图3是示出根据实施例的LED器件的基于平均自由程（MFP）的光通量的曲线图；
图4是示出根据本发明构思的实施例和现有技术的示例的LED器件的取决于电流的光通量的曲线图；
图5是根据另一个实施例的LED器件的截面图；
图6是根据另一个实施例的LED器件的截面图；
图7是根据另一个实施例的LED器件的截面图；以及
图8是根据另一个实施例的LED器件的截面图。
具体实施方式
在下文，将参照附图详细地描述实施例。然而，各实施例可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将透彻和完整，并将本发明构思的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰，元件的形状和尺寸可以被夸大。
图2是根据本发明构思的实施例的LED器件的截面图。参照图2，LED器件100可以包括安装在封装体101中的蓝色LED芯片150、覆盖蓝色LED芯片150的光发射表面的透明树脂层110以及覆盖透明树脂层110的颜色转换层120。蓝色LED芯片150可以安装在封装体101的反射杯中，并且透明树脂层110和颜色转换层120可以设置为填充封装体101的内部。
尽管磷光体没有包括在透明树脂层110中，但是由从蓝色LED芯片150发射的蓝光激发以发射黄光的黄色磷光体121可以被包括在颜色转换层120中。从蓝色LED芯片150发射的光的一部分可以被黄色磷光体121转换成黄光，黄光和从蓝色LED芯片150发射的蓝光可以彼此混合，从而形成白光。
颜色转换层120可以由例如包含磷光体的树脂形成，其中黄色磷光体121的颗粒分散在透明树脂诸如硅树脂等中。通过将透明树脂层110插设在颜色转换层120和蓝色LED芯片150之间，颜色转换层120可以通过透明树脂层110与LED芯片150间隔开。因此，颜色转换层120和包括在其中的黄色磷光体121可以与LED芯片150间隔开而不接触LED芯片150。
与现有的包含磷光体的树脂层相比，颜色转换层120可以具有相对稀释的磷光体浓度，例如，被稀释大约5至9倍。如上所述，具有相对低的磷光体浓度的磷光体可以具有取决于封装的结构和尺寸的不同的值，但是磷光体（121）颗粒的平均自由程（MFP）可以在5500K的温度下为0.8mm或更大。例如，磷光体121颗粒的MFP可以在5500K的温度下为0.8至1.05mm。在现有的白色LED封装（见图1）的情形下，颜色转换层或磷光体层（见图1的附图标记12）中的磷光体颗粒的MFP为0.2毫米或更小，但是根据本实施例，可以使用比以上根据现有技术的值高得多的MFP值。因而，通过利用相对大的MFP值，包括分散在其中的磷光体121颗粒的颜色转换层120可以设置为与LED芯片150间隔开，从而可以减少由颜色转换层120中的磷光体颗粒引起的光的散射和反射并可以减少磷光体颗粒之间的光的再次吸收，从而可以减少光损失同时可以改善光效率和亮度。
为了获得充分的颜色转换，也就是，将从LED芯片发射的光转换为不同波长的光，同时保证如上所述的相对大的MFP值，颜色转换层120可以具有等于透明树脂层110的体积的5倍或更多倍的体积。例如，颜色转换层120的体积可以在透明树脂层110的体积的5倍或更多倍至15倍或更少倍的范围内。
参照图2，透明树脂层110的上表面可以为向上凸起的形状，从而适合于从蓝色LED芯片150发射的光的提取。单色光，例如，本实施例中的蓝光，可以首先被透明树脂层110提取，然后可以利用颜色转换层120进行波长转换，颜色转换层120具有相对稀释的磷光体浓度，例如，0.8mm或更大的MFP，从而减少光损失并促进改善的光通量。
考虑到在蓝色LED芯片150例如基于GaN的LED芯片中例如大约2.5的高折射率，为了利用透明树脂层110改善单色光的提取，透明树脂层110可以具有1.4或更大的高折射率。例如，透明树脂层110的折射率可以为1.5或更大，具体地，可以为1.8或更大。此外，例如，透明树脂层110可以具有1.4至2.2的折射率。另外，为了改善光提取，透明树脂层110可以自LED芯片150的上表面起具有等于蓝色LED芯片150的厚度的三倍或更多倍的厚度，更具体地，可以自LED芯片150的上表面起具有等于蓝色LED芯片150的厚度的5倍或更多倍的厚度。例如，透明树脂层110可以自蓝色LED芯片150的上表面起具有在蓝色LED芯片150的厚度的3倍至10倍的范围内的厚度。
此外，通过提供透明树脂层110而使得透明树脂层110的上表面的曲率的结构形状可以在其中心部分处为0.5mm-1或更大，更具体地，为1mm-1或更大，可以在透明树脂层110中确保自蓝色LED芯片150的上表面起足够的厚度，从而显著地增加光提取效率。具体地，透明树脂层110的上表面的曲率可以在0.5mm-1至2mm-1的范围内。上述透明树脂层110的形状可以通过利用压缩成型、注入成型等的各种附着成型方法来实现。除了附着成型方法之外，取决于涂覆的树脂材料的粘性和封装形状，通过向其施加现有的分配方法可以形成透明树脂层110的形状。当透明树脂层110利用分配方法来形成时，封装体101的反射杯的内表面可以具有形成在其中的台阶部分，以便促进透明树脂层110的凸起上表面的形成。如图2所示，透明树脂层110和颜色转换层120之间的界面可以在台阶部分处接触反射杯的内表面。
如上所述，单色光（本实施例中的蓝光）的提取效率通过透明树脂层110可以显著地增加，其中进行单色光波长转换的颜色转换层120可以具有相对稀释的磷光体浓度，例如0.8毫米或更大的MFP，从而显著地减少光损失。在现有的LED器件（见图1）的情形下，产生大约40%的光损失，但是在根据本实施例的LED器件的情形下，可以实现30%或更小的光损失，更具体地，可以实现大约10%的低度的光损失。因而，在LED器件中可以获得相对高的光通量。
图3是示出在根据实施例的LED器件（见图2）中取决于颜色转换层中的磷光体颗粒的平均自由程（MFP）的亮度（光通量）变化的曲线图，该曲线图是模拟曲线图。如图3所示，能够理解，当MFP在0.8mm或更大与1.05mm或更小之间时，提供最高的光通量。
如下面的公式所示，MFP与磷光体浓度成反比。LED器件的亮度基于MFP的变化趋势可以表示为如图3所示，
其中L=平均自由程，n=磷光体浓度（密度），σ=磷光体的横截面。
在根据实施例的实际实验结果中，与根据现有技术的利用杯填充方案的LED器件（见图1）相比，如图2所示的根据实施例的LED器件能够获得增加8%至18%或更多的光通量。如上所述的光通量的增加被显著地表示在高输出区域中，如图4的曲线图所示。图4是根据现有技术（见图1）和实施例（见图2）的取决于施加到LED器件的电流的从LED器件输出的光的光通量的曲线图。如图4所示，在以高速率输出高水平的电流时，实施例和现有技术之间的光通量的差异增大。在实际的实验中，在现有技术（见图1）中，使用包括重量比为1:3的磷光体和树脂的磷光体层，而在实施例（见图2）中，使用包括重量比为1:20的磷光体和树脂的颜色转换层。与现有技术相比，根据实施例的颜色转换层可以具有相对大的平均自由程。
图5是根据另一个实施例的LED器件200的截面图。图5的实施例可以与前述实施例（见图2）具有如下差异，图5的颜色转换层220还可以包括红色磷光体123和绿色磷光体125同时包括黄色磷光体121。由于除了使用黄色磷光体之外还使用红色和绿色磷光体，所以LED器件200可以发射具有相对高的显色指数或色彩再现特性的白光。关于其他的条件，例如器件结构、磷光体（121、123和125）颗粒的MFP、透明树脂层110的厚度、曲率、折射率、光损失的减少、亮度的改善等与前述实施例相同，因此将省略其描述。
图6示出根据另一个实施例的LED器件300。如图6所示，LED器件300可以包括安装在基板301上的蓝色LED芯片150、透明树脂层310和颜色转换层320。透明树脂层310可以覆盖基板301上的蓝色LED芯片150。颜色转换层320可以包括黄色磷光体，并且覆盖基板301上的透明树脂层310。当基板301是电路板时，蓝色LED芯片150、透明树脂层310和颜色转换层320可以直接安装和形成在电路板上，使得可以实现板上芯片（COB）LED器件方案。
图7所示的根据另一个实施例的LED器件400可以使用紫外LED芯片450。包括磷光体421、422和423的颜色转换层420可以形成在基板401上以覆盖透明树脂层410的上表面。颜色转换层420可以包括两个或更多类型的磷光体，磷光体可以取决于磷光体类型、也就是发射的光的波长而分散在各个层中，从而具有其中多个磷光体层421、422和423堆叠的结构。更详细地，颜色转换层420可以具有其中红色磷光体层421、绿色磷光体层422和蓝色荧光体层423顺序地堆叠的堆叠结构。从紫外LED芯片450发射的紫外（UV）光穿过透明树脂层410，并且可以通过颜色转换层420而转换成红光、绿光和蓝光。通过上述颜色转换获得的红光、绿光和蓝光可以相互混合，然后被发射为白光。此外，在图7的实施例中，COB型LED器件也可以利用电路板作为基板401而实现。
图8示出根据另一个实施例的LED器件。LED器件500可以包括安装在基板501上的蓝色LED芯片150、透明树脂层510和颜色转换层520。颜色转换层520可以包括覆盖透明树脂层510的红色磷光体层521和覆盖红色磷光体层521的绿色磷光体层522。从蓝色LED芯片150发射的蓝光的一部分可以穿过透明树脂层510，并且通过颜色转换层520而转换成红光和绿光。通过颜色转换获得的红光和绿光和从蓝色LED芯片150发射的蓝光的一部分可以相互混合，然后发射为白光。此外，在图8的实施例中，COB型LED器件也可以利用电路板作为基板501而实现。作为图8的LED器件500的变型示例，可以使用包括绿色磷光体和黄色磷光体的混合磷光体层来代替绿色磷光体层522。在此情形下，绿色和黄色磷光体的混合磷光体层可以覆盖红色磷光体层521，红色磷光体层521可以覆盖透明树脂层510。
此外，在图6、图7和图8的实施例中，由于以上参照图2描述了颜色转换层320、420和520中的磷光体颗粒的MFP、透明树脂层310、410和510的厚度、曲率、折射率、光损失的减少、亮度的改善等，所以将省略其详细描述。
虽然已经结合实施例示出和描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员将是显然的，可以进行修改和变化而不背离由权利要求书限定的本发明构思的精神和范围。

Claims (20)

1.一种发光二极管(LED)器件，包括：
发光二极管芯片，发射在特定波长区域内的光；
透明树脂层，覆盖所述发光二极管芯片的光发射表面；以及
颜色转换层，形成为通过所述透明树脂层与所述发光二极管芯片间隔开以覆盖所述透明树脂层，并且包括将从所述发光二极管芯片发射的光转换成在不同波长区域内的光的至少一种类型的磷光体，
其中在5500K的温度下，包括在所述颜色转换层中的磷光体颗粒的平均自由程为0.8mm或更大。
2.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中在5500K的温度下，所述平均自由程在0.8mm至1.05mm的范围内。
3.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层的体积为所述透明树脂层的体积的5倍或更多倍。
4.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层的体积在所述透明树脂层的体积的5倍与15倍的范围内。
5.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层具有向上凸起的上表面，所述透明树脂层的所述上表面的曲率在其中心部分处为0.5mm-1或更大。
6.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层具有向上凸起的上表面，所述透明树脂层的上表面的曲率在其中心部分处在0.5mm-1至2mm-1的范围内。
7.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层自所述发光二极管芯片的上表面起具有等于所述发光二极管芯片的厚度的三倍或更多倍的厚度。
8.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层自所述发光二极管芯片的上表面起具有在所述发光二极管芯片的厚度的3倍至10倍的范围内的厚度。
9.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层具有1.4或更大的折射率。
10.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述透明树脂层具有1.4至2.2的折射率。
11.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述发光二极管器件还包括封装体，所述封装体包括设置在其中的反射杯，所述反射杯容纳安装在其中的所述发光二极管芯片，所述透明树脂层和所述颜色转换层设置在所述反射杯中。
12.如权利要求11所述的发光二极管器件，其中所述反射杯的内表面包括形成在其中的台阶部分，所述透明树脂层和所述颜色转换层之间的界面在所述台阶部分处接触所述反射杯的内表面。
13.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述发光二极管器件还包括基板，所述基板包括安装在其上的所述发光二极管芯片，所述透明树脂层覆盖所述基板上的所述发光二极管芯片，所述颜色转换层覆盖所述基板上的所述透明树脂层。
14.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述发光二极管芯片是蓝色发光二极管芯片，所述颜色转换层包括黄色磷光体。
15.如权利要求14所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层还包括绿色磷光体和红色磷光体。
16.如权利要求15所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层包括覆盖所述透明树脂层的红色磷光体层和覆盖所述红色磷光体层的包括所述绿色磷光体和所述黄色磷光体的混合磷光体层。
17.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述发光二极管芯片是蓝色发光二极管芯片，所述颜色转换层包括红色磷光体和绿色磷光体。
18.如权利要求17所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层包括覆盖所述透明树脂层的所述红色磷光体层和覆盖所述红色磷光体层的绿色磷光体。
19.如权利要求1所述的发光二极管器件，其中所述发光二极管芯片是紫外发光二极管芯片，所述颜色转换层包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体。
20.如权利要求19所述的发光二极管器件，其中所述颜色转换层包括覆盖所述透明树脂层的所述红色磷光体层、覆盖所述红色磷光体层的所述绿色磷光体层以及覆盖所述绿色磷光体层的蓝色磷光体层。
CN201180072859.8A 2011-08-16 2011-08-16 具有改善的发光效力的led器件 Active CN103733362B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2011/005992 WO2013024911A1 (ko) 2011-08-16 2011-08-16 광효율이 개선된 ｌｅｄ 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103733362A CN103733362A (zh) 2014-04-16
CN103733362B true CN103733362B (zh) 2017-03-29

Family

ID=47715224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180072859.8A Active CN103733362B (zh) 2011-08-16 2011-08-16 具有改善的发光效力的led器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9166120B2 (zh)
CN (1) CN103733362B (zh)
WO (1) WO2013024911A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465949A (zh) * 2014-12-02 2015-03-25 苏州沃斯麦机电科技有限公司 一种led灯封装中的点胶方法
JP6658166B2 (ja) * 2016-03-18 2020-03-04 コニカミノルタ株式会社 読取装置、読取方法、および読取プログラム
CN106025046A (zh) * 2016-06-06 2016-10-12 苏州东善微光光电技术有限公司 光波长高转换结构和方法
KR20190118697A (ko) * 2018-04-10 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102646700B1 (ko) * 2018-08-16 2024-03-13 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR102664913B1 (ko) * 2018-09-11 2024-05-14 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 어셈블리
CN112582441B (zh) * 2019-09-30 2023-04-07 成都辰显光电有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511987B2 (ja) * 1999-09-09 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US7518160B2 (en) * 2005-10-31 2009-04-14 Kyocera Corporation Wavelength converter, lighting system, and lighting system assembly
CN102017206A (zh) * 2008-04-17 2011-04-13 株式会社东芝 白光发射设备、背光灯、液晶显示设备、以及照明设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
KR101139891B1 (ko) 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
EP2068377B8 (en) * 2006-09-27 2021-12-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, backlight comprising the semiconductor light emitting device, and display device
JP5121736B2 (ja) 2007-02-09 2013-01-16 株式会社東芝 白色発光ランプとそれを用いた照明装置
US8344407B2 (en) * 2008-05-30 2013-01-01 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source, backlight, liquid crystal display apparatus, and illuminating apparatus
US8076833B2 (en) * 2008-06-30 2011-12-13 Bridgelux, Inc. Methods and apparatuses for enhancing heat dissipation from a light emitting device
US8299489B2 (en) * 2010-08-03 2012-10-30 Silitek Electronics (Guangzhou) Co., Ltd. Illumination device
KR101625911B1 (ko) * 2010-03-10 2016-06-01 삼성전자주식회사 광효율이 개선된 ｌｅｄ 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511987B2 (ja) * 1999-09-09 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US7518160B2 (en) * 2005-10-31 2009-04-14 Kyocera Corporation Wavelength converter, lighting system, and lighting system assembly
CN102017206A (zh) * 2008-04-17 2011-04-13 株式会社东芝 白光发射设备、背光灯、液晶显示设备、以及照明设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A detailed study on the requirements for angular homogeneity of phosphor converted high power white LED light sources;Christian Sommer,et al;《Optical Materials》;20081202;第31卷;第837–848页 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20140197443A1 (en) 2014-07-17
WO2013024911A1 (ko) 2013-02-21
CN103733362A (zh) 2014-04-16
US9166120B2 (en) 2015-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103733362B (zh) 具有改善的发光效力的led器件
US10648642B2 (en) LED apparatus employing tunable color filtering using multiple neodymium and fluorine compounds
CN100533795C (zh) 发光装置
KR100930171B1 (ko) 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
CN103703311B (zh) 在维持色点和cri的同时提供增加的光通量的照明装置
US8653554B2 (en) Phosphor placement in white light emitting diode assemblies
CA2716188C (en) Led light engine kernel and method of making the kernel
US9537062B2 (en) Solid state light emitter package, a light emission device, a flexible LED strip and a luminaire
KR20080063709A (ko) 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈
US7834372B2 (en) High luminous flux warm white solid state lighting device
CN102074642B (zh) 发光器件封装、照明模块以及照明系统
TW201143160A (en) Light-emitting device
CN204516800U (zh) 发光模块及照明装置
CN106062977A (zh) 重磷光体加载led封装件
US20110227118A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure and Manufacturing Method Thereof
KR101625911B1 (ko) 광효율이 개선된 ｌｅｄ 장치
KR20180093989A (ko) 다중 네오디뮴 및 불소 화합물을 사용하여 색조정 필터링을 채택하는 led 장치
CN216389361U (zh) Led芯片封装结构及led显示装置
CN203787466U (zh) Led封装结构
US20140319562A1 (en) Light-emitting diode package structure
KR102401589B1 (ko) 인체에 유익한 스펙트럼을 가지는 고연색성 백색 광원
Thi et al. Quantum dot phosphors CaS: Ce3+ and CaS: Pb2+, Mn2+ for improvements of white light-emitting diodes optic characteristics
KR20130027653A (ko) Ｌｅｄ 백색 광원모듈
KR20090113354A (ko) 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US20120032194A1 (en) Lighting module with high color rending property

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant