JP2002097251A - グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物 - Google Patents

グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JP2002097251A
JP2002097251A JP2000287238A JP2000287238A JP2002097251A JP 2002097251 A JP2002097251 A JP 2002097251A JP 2000287238 A JP2000287238 A JP 2000287238A JP 2000287238 A JP2000287238 A JP 2000287238A JP 2002097251 A JP2002097251 A JP 2002097251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glycidyl group
group
ether
weight
alicyclic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000287238A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhisa Yoshida
安久 吉田
Tsuratake Fujitani
貫剛 藤谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Chemical Co Ltd
Original Assignee
New Japan Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Chemical Co Ltd filed Critical New Japan Chemical Co Ltd
Priority to JP2000287238A priority Critical patent/JP2002097251A/ja
Publication of JP2002097251A publication Critical patent/JP2002097251A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12Using specific substances
    • H05K2203/122Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
    • H05K2203/124Heterocyclic organic compounds, e.g. azole, furan

Landscapes

  • Epoxy Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、塩素含有量の少ないグリシジル基含
有脂環式化合物を反応性良く工業的に有利な条件下で製
造し得る方法及び当該グリシジル基含有脂環式化合物を
含有する電気絶縁性、耐候性に優れた低粘度のエポキシ
樹脂組成物を提供する。 【解決手段】グリシジル基含有芳香族化合物をロジウム
触媒及び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化してグ
リシジル基含有脂環式化合物を製造するに際し、核水素
化反応を一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
るエーテル基含有アルコールの存在下で核水素化を行
う。また、当該グリシジル基含有脂環式化合物を原料と
して電気絶縁性、耐光性に優れた低粘度のエポキシ樹脂
組成物を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、グリシジル基含有
脂環式化合物の製造方法及び当該グリシジル基含有脂環
式化合物を含有するエポキシ樹脂組成物に関する。本発
明により得られたエポキシ樹脂組成物は、半導体封止材
料、LED封止材、電気絶縁材料、衛生陶器などの強化
複合材料、耐候性コ−ティング材料等として有用であ
る。
【0002】
【従来の技術】エピクロルヒドリンと芳香族フェノール
とを反応させて得られるグリシジル基含有芳香族化合物
を原料として得られるエポキシ樹脂は、機械的、電気的
特性に優れ、接着性、耐溶剤性、耐水性、耐熱性等が良
好であることが知られており、電気・電子部品の絶縁材
料、接着剤、塗料、土木建築用に広く用いられている。
【0003】しかしながら、芳香族グリシジルエーテル
を硬化して得たエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂特有の優
れた物性を具備しているものの、芳香環を有する為に耐
候性において改善の余地がある。かかる欠点を解消する
目的で、紫外線吸収剤や光安定剤等の添加や水素化ビス
フェノールAジグリシジルエーテル、脂環式エポキシ樹
脂への代替が行なわれている。更に最近では、青色LE
Dや紫外線LEDの出現に至って、300〜380nm
程度の短波長の光に対して、「透明」であるエポキシ樹
脂が要求されるようになり、芳香環を含まないエポキシ
化合物が求められている。
【0004】従来、水素化ビスフェノールAジグリシジ
ルエーテルの製造方法としては、水素化ビスフェノール
Aとエピクロルヒドリンとを反応する方法が知られてい
る。しかし、この方法により得られた水素化ビスフェノ
ールAジグリシジルエーテルは、製法プロセス上、生成
物中に塩素不純物が残りやすい為、電気絶縁材料として
使用するに当たって大きな制限があった。特に、高塩素
含有量(全塩素含有量1〜10重量%)のものは、分子
蒸留などの精製方法によっても塩素が除去できず、全塩
素含有量1重量%未満の低塩素含有量の水素化ビスフェ
ノールAジグリシジルエーテルは得られない。
【0005】又、ビスフェノールAとエピクロロヒドリ
ンとを反応させ、ビスフェノールAジグリシジルエーテ
ルを得た後、得られたジグリシジルエーテルを核水素化
する方法も知られている。この方法では、得られた水素
化ビスフェノールAジグリシジルエーテルの全塩素含有
量は0.1〜1重量%と少ないが、核水素化反応の収
率、反応の選択率が低く、副反応としてエポキシ基も同
時に水素化分解される結果、ビスフェノールAジグリシ
ジルエーテルの核水素化反応の選択性の低さが問題とな
っていた。例えば、米国特許第3,336,241号
(1967)は、ロジウム触媒又はルテニウム触媒を使
用して核水素化して製造する方法を開示している。しか
し、この技術においては、反応選択性が低く、製造され
るグリシジル化合物のエポキシ基含有量が低い欠点があ
り、実用に至るものではなかった。
【0006】又、特開平11−217379号には、ロ
ジウム又はルテニウムを比表面積が5〜600m2/g
の範囲にある炭素質担体に担持した触媒が有効であると
主張されている。更に、特開平10−204002号に
は、ルテニウムと異種金属を担体上に共担持して、ルテ
ニウム原子のRu3d5/2軌道のスペクトルピークが
特殊な範囲にある触媒が有効であるとの記載がされてい
る。しかし、これらの触媒は市販されていない特殊な触
媒であり、更にエポキシ基の水素化分解の抑制に関して
未だ満足できるものではなかった。
【0007】また、核水素化反応に使用する溶媒につい
ては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリ
コールジメチルエーテル等のエーテル類及びそれらの溶
媒と水との混合溶媒、特にテトラヒドロフラン若しくは
テトラヒドロフランと水との混合溶媒が反応の選択性向
上及び反応時間の短縮が図れることから好適とされてい
る(米国特許第3336241号、特開平10−204
002号、特開平11−217379号)。しかし、こ
れらのエーテル系溶媒はいずれも低沸点であり、又、水
との混合溶媒として使われることから安全な作業環境の
確保や溶媒の完全回収等の困難な問題を有している。
【0008】一方、エポキシ樹脂組成物を塗料原料とし
て用いる場合、或いは電気絶縁材料、積層物含浸用途に
用いる場合等は、低粘度のエポキシ樹脂組成物が求めら
れている。従来は、希釈剤として各種溶剤又はエポキシ
型の反応性希釈剤を使用してエポキシ樹脂の低粘度化を
達成していたが、希釈剤として揮発性有機化合物が用い
られているため、近年では、環境問題の面で希釈剤を用
いなくともエポキシ樹脂自体が低粘度であることが要求
されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、塩素含有量
の少ないグリシジル基含有脂環式化合物を反応性良く工
業的に有利な条件下で製造し得る方法及び当該グリシジ
ル基含有脂環式化合物を含有する電気絶縁性、耐候性に
優れた低粘度のエポキシ樹脂組成物を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記の事実を
見いだし、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至
った。 (1)グリシジル基含有芳香族化合物をロジウム触媒及
び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化してグリシジ
ル基含有脂環式化合物を製造するに際し、特定のエーテ
ル基含有アルコールの存在下で接触水素化することによ
り、核水素化反応の選択性が著しく向上する。 (2)得られるグリシジル基含有脂環式化合物が低粘度
である。 (3)低塩素含有量且つ低粘度のグリシジル基含有脂環
式化合物が工業的に有利な条件で選択性良く、且つ容易
に得られる。 (4)この特定のスペックを有するグリシジル基含有脂
環式化合物をエポキシ樹脂組成物に適用した場合、電気
絶縁性に優れ、且つ低粘度となり得る。 (5)特定のエーテル基含有アルコールと水とを併用し
た場合、触媒の活性が向上する。
【0011】即ち、本発明は、次の発明を提供するもの
である。 項1 グリシジル基含有芳香族化合物をロジウム触媒及
び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化してグリシジ
ル基含有脂環式化合物を製造するに際し、核水素化反応
を一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
るエーテル基含有アルコールの存在下で行うことを特徴
とするグリシジル基含有脂環式化合物の製造方法。 項2 グリシジル基含有芳香族化合物をロジウム触媒及
び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化してグリシジ
ル基含有脂環式化合物を製造するに際し、核水素化反応
を一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
るエーテル基含有アルコール及び水の存在下で行うこと
を特徴とするグリシジル基含有脂環式化合物の製造方
法。 項3 グリシジル基含有芳香族化合物が、ビスフェノー
ルAジグリシジルエーテルであり、グリシジル基含有脂
環式化合物が水素化ビスフェノールAジグリシジルエー
テルである項1又は項2に記載の製造方法。 項4 グリシジル基含有芳香族化合物が全塩素含有量
0.3重量%以下のビスフェノールAジグリシジルエー
テルであり、グリシジル基含有脂環式化合物が全塩素含
有量0.3重量%未満の水素化ビスフェノールAジグリ
シジルエーテルである項1〜3に記載の製造方法。 項5 項1〜4に記載の製造方法により得られる、全塩
素含有量が0.3重量%未満であるグリシジル基含有脂
環式化合物。 項6 エポキシ当量が180〜280であり、全塩素含
有量0.3重量%未満であり、且つ25℃における粘度
が300〜1500cPである水素化ビスフェノールA
ジグリシジルエーテル。 項7 ビスフェノールAジグリシジルエーテルをロジウ
ム触媒及び/又はルテニウム触媒を用い、一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
るエーテル基含有アルコール又は当該エーテル基含有ア
ルコールと水との存在下で核水素化して得られる、エポ
キシ当量が180〜280であり、全塩素含有量0.3
重量%未満であり、且つ25℃における粘度が300〜
1500cPである水素化ビスフェノールAジグリシジ
ルエーテル。 項8 エポキシ樹脂として項5に記載のグリシジル基含
有脂環式化合物を含む全塩素含有量が0.3重量%未満
のエポキシ樹脂組成物。 項9 エポキシ樹脂として項6又は項7に記載の水素化
ビスフェノールAジグリシジルエーテルを含む全塩素含
有量0.3重量%未満のエポキシ樹脂組成物。
【0012】
【発明の実施の形態】グリシジル基含有芳香族化合物の
核水素化方法 本発明で用いるグリシジル基含有芳香族化合物として
は、例えば、一般式(2) [式中、R2,R3は同一又は異なって、水素原子又は炭
素数1〜4のアルキル基を表す。Xは、水素原子、炭素
数1〜4のアルキル基或いは下記の群から選択される基
を表す。] [式中、R,R、R、R7は、同一又は異なっ
て、水素原子或いは炭素数1〜4のアルキル基を示
す。]一般式(3)、 [式中、nは1〜40の整数を示す。]で表されるグリ
シジル基含有芳香族化合物又は一般式(4) [式中、R8は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基
を表す。mは0〜40の整数を表す。]で表されるグリ
シジル基含有芳香族化合物が例示される。
【0013】R2、R3としては、具体的には水素原子又
はメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基が例示
され、置換位置は特に限定されない。
【0014】R、R、R、Rとしては、具体的
には水素原子又はメチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、、イソブチル基、
t−ブチル基が例示され、R、Rの置換位置は特に
限定されない。
【0015】R8 としては、具体的には水素原子又はメ
チル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、
n−ブチル基、、イソブチル基、t−ブチル基が例示さ
れ、置換位置は特に限定されない。
【0016】より具体的な一般式(2)、(3)又は
(4)で表されるグリシジル基含有芳香族化合物として
は、フェノールグリシジルエーテル、クレゾールグリシ
ジルエーテル、ハイドロキノンジグリシジルエーテル、
レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノールAジ
グリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエ
ーテル、ビスフェノールCジグリシジルエーテル、ビフ
ェノールジグリシジルエーテル、ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラックグリシジルエーテ
ル、クレゾールノボラックグリシジルエーテル等が例示
できる。なかでも、ビスフェノールAジグリシジルエー
テルは、取り扱いが容易なため工業的原材料として好ま
しい。
【0017】本発明で用いる、特に一般式(2)、
(3)又は(4)で表されるグリシジル基含有芳香族化
合物は、市販されているものを使用できるほか、従来公
知の製造方法によっても製造可能である。例えば、ビス
フェノ−ルAのジグリシジルエ−テルは、EPICLO
N850(大日本インキ化学工業社製)、YD−128
(東都化成社製)として市販されている。
【0018】更に全塩素含有量0.3重量%以下の一般
式(2)、(3)又は(4)で表されるグリシジル基含
有芳香族化合物を使用することにより電気・電子部品分
野で強く切望されている全塩素含有量0.3重量%未満
のグリシジル基含有脂環式化合物を得ることができる。
全塩素含有量が0.3重量%を超えると十分な電気絶縁
性能が長期間得られにくく、装置等の誤作動の原因にな
ることから好ましくない。
【0019】本発明に係るグリシジル基含有芳香族化合
物の核水素化は、一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
ルキル基を表し、nは1〜3の整数である。]で表され
るエーテル基を含有している第2級アルコールの存在下
で行われる。
【0020】R1としては、具体的にはメチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、2
−ペンチル基、イソペンチル基等が例示される。
【0021】より具体的な一般式(1)で表されるエー
テル基含有アルコールとしては、例えば、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノn−プロ
ピルエーテル、プロピレングリコールモノiso−プロ
ピルエ−テル、プロピレングリコールモノn−ブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノ2−ブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノiso−ブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノt−ブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノn−ペンチルエーテル、プロピ
レングリコールモノ2−ペンチルエーテル、プロピレン
グリコールモノiso−ペンチルエーテル、プロピレン
グリコールモノネオペンチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノn−
プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノiso
−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノn−
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ2−ブチ
ルエ−テル、ジプロピレングリコールモノiso−ブチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノt−ブチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノn−ペンチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノ2−ペンチルエ−テ
ル、ジプロピレングリコールモノiso−ペンチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノネオペンチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ト
リプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノn−プロピルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノiso−プロピルエーテル、トリ
プロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、トリプ
ロピレングリコールモノ2−ブチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノiso−ブチルエーテル、トリプ
ロピレングリコールモノt−ブチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノn−ペンチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノ2−ペンチルエーテル、トリプロ
ピレングリコールモノiso−ペンチルエーテル、トリ
プロピレングリコールモノネオペンチルエーテル等が例
示され、なかでも、反応後のアルコールの除去が容易な
プロピレングリコールモノメチルエーテルが好適に用い
られる。
【0022】エーテル基含有アルコールの使用量として
は、グリシジル基含有芳香族化合物が溶解する量であれ
ば特に制限はないが、グリシジル基含有芳香族化合物1
00重量部に対して100〜1000重量部、好ましく
は100〜500重量部の範囲が推奨される。100重
量部より少ない場合は、溶解が困難となる傾向があり、
1000重量部を越えて使用した場合、核水素化の反応
速度が低下する傾向にあり、更に、核水素化反応後のア
ルコールの除去操作が煩雑になる。
【0023】本発明では、一般式(1)で表されるエー
テル基含有アルコールの代わりに、一般式(1)で表さ
れるエーテル基含有アルコールと水との混合溶液を用い
ても良い。一般式(1)で表されるエーテル基含有アル
コールと水との混合溶液を用いた場合、触媒の活性を高
める効果があり、反応速度が増大する。
【0024】又、エーテル基含有アルコールと水との混
合溶媒を使用する場合の使用量としては、グリシジル基
含有芳香族化合物が溶解する量であれば特に制限はない
が、グリシジル基含有芳香族化合物100重量部に対し
て混合溶媒を100〜1000重量部、好ましくは10
0〜500重量部の範囲が推奨される。
【0025】エーテル基含有アルコールと水との混合溶
液における水の使用量としては、一般式(1)で表され
るアルコール100重量部に対して水を1〜30重量
部、好ましくは5〜25重量部使用できる。1重量部よ
り少ない場合は、触媒活性が上がりにくく、30重量部
を越えて添加すると、反応速度は返って低下する傾向に
ある。
【0026】本発明では核水素化触媒としてロジウム触
媒及び/又はルテニウム触媒を用いる。
【0027】本発明で使用可能なロジウム触媒として
は、ロジウム担持触媒が例示される。担体としては、カ
ーボン、アルミナ、シリカ、チタニア等が例示され、特
にカーボンが好ましい。
【0028】本発明で使用可能なルテニウム触媒として
は、ルテニウム担持触媒が例示される。担体としては、
カーボン、アルミナ、シリカ、チタニア等が例示され、
特にカーボンが好ましい。
【0029】ロジウム又はルテニウムの担持量は、触媒
重量に対して0.1〜10重量%が実用的であり、特に
0.5〜5重量%が好ましい。0.1重量%未満では充
分な反応活性が得られにくく、10重量%を越えて使用
しても触媒コストの上昇に見合うだけの活性向上がな
く、不経済である。
【0030】触媒の形状は特に限定されず、粉末状のも
のであっても成型されたものであっても差し支えない。
粉末状の触媒は、通常、バッチ式の水素化反応に用いら
れ、成型触媒は、通常、連続式の水素化反応に使用され
る。
【0031】又、成型触媒の大きさは、使用する反応器
の内径などによって適宜選択されるが、通常は直径2〜
6mm、高さ2〜8mmの範囲が例示され、この成型触
媒は円柱状が好ましい。
【0032】一方、ロジウム又はルテニウム担持触媒の
比表面積としては特に限定されず、例えば5〜1100
/gが例示され、特に、900〜1100m/g
が推奨される。
【0033】これらのロジウム担持触媒又はルテニウム
担持触媒は、公知であり、市販されているもの、例え
ば、エヌ・イーケムキャット社製の5%Rh−C、5%
Rh−Al、5%Ru−C、5%Ru−Al
をそのまま用いることもでき、又、公知の方法に従っ
て製造したものであってもよい。更に、これらの触媒
は、使用する前に還元処理などの適当な活性化処理を常
法に従って行った後、使用することもできる。
【0034】ロジウム触媒又はルテニウム触媒の使用量
としては、グリシジル基含有芳香族化合物100重量部
に対して0.5〜10重量部が例示され、好ましくは
0.5〜3重量部が推奨される。
【0035】反応時の水素圧としては、特に制限される
ものではないが、低圧では反応に必要以上の長い時間を
要し、また高圧では水素使用量が多く不経済であり、通
常、1〜20MPa(10〜200kg/cm)の範
囲が好ましく、さらには2〜5MPa(20〜50kg
/cm)の範囲とすることが好ましい。
【0036】当該反応の反応温度は、水素化の対象とな
るグリシジル基含有芳香族化合物の種類、触媒量及び他
の反応条件に依存し、30〜100℃の範囲で適宣選定
すればよいが、水素化反応の選択性及び経済性の観点か
ら40〜60℃の範囲が好ましい。
【0037】当該反応の反応時間は、水素化の対象とな
るグリシジル基含有芳香族化合物の種類、触媒量及び他
の反応条件によって適宜選択することができるが、通
常、2〜15時間である。
【0038】本発明で得られるグリシジル基含有脂環式
化合物としては、例えば一般式(5)、(6)又は
(7)が例示される。 [式中、R2,R3は式(2)と同一である。Yは、水素
原子、炭素数1〜4のアルキル基或いは下記の群から選
択される基を表す。] [式中、R,R、R、R7は、式(2)と同一で
ある。] [式中、nは式(3)と同一である。] [式中、R8 、mは式(4)と同一である。]
【0039】より具体的な一般式(5)、(6)又は
(7)で表されるグリシジル基含有脂環式化合物として
は、シクロヘキシルグリシジルエーテル、クレゾールグ
リシジルエーテル、シクロヘキシルジグリシジルエーテ
ル、レゾルシンジグリシジルエーテル、水素化ビスフェ
ノールAジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノール
Fジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールCジグ
リシジルエーテル、ビシクロヘキシルジグリシジルエー
テル、水素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水素化
フェノールノボラックグリシジルエーテル、水素化クレ
ゾールノボラックグリシジルエーテル等が例示できる。
なかでも、工業的に汎用されている水素化ビスフェノー
ルFジグリシジルエーテル及び水素化ビスフェノールA
ジグリシジルエーテルが好ましく、特に、水素化ビスフ
ェノールAジグリシジルエーテルが、後述するように、
従来のものと比べて非常に低粘度のものが得られること
からより好ましい。
【0040】本発明によって得られる核水素化後のグリ
シジル基含有脂環式化合物は、触媒を濾過等で分別後、
単に溶媒を除去することにより、純度の高い目的物とす
ることができる。必要であれば、更に蒸留等の従来公知
の方法を用いて精製することもできる。
【0041】本願発明に係る核水素化方法を採用するこ
とにより、下記の効果が得られる。 (1)グリシジル基含有芳香族化合物の核水素化を、高
い選択性をもって、且つ経済的に行うことができる。 (2)核水素化反応時に、溶媒として特定のアルコール
及び水を併用した場合、触媒の活性が上昇し、反応速
度、選択性ともに向上する。 (3)本願発明の製造方法により得られたグリシジル基
含有脂環式化合物は、全塩素含有量が0.3重量%未満
である。 (4)本願発明の製造方法より得られたグリシジル基含
有脂環式化合物、特に水素化ビスフェノールAジグリシ
ジルエーテルは、エポキシ当量180〜280であり、
全塩素含有量が0.3重量%未満であり、25℃での粘
度が300〜1500cPであって、従来の水素化ビス
フェノールAジグリシジルエーテルと比べて非常に低粘
度である。
【0042】グリシジル基含有脂環式化合物 グリシジル基含有脂環式化合物のなかでも、特に、原料
としてビスフェノールAジグリシジルエーテルを用いて
本発明の方法により得られた水素化ビスフェノールAジ
グリシジルエーテルは、下記のスペックを有する。 (1)エポキシ当量が180〜280、特に190〜2
30である。 (2)全塩素含有量0.3重量%未満である。 (3)25℃での粘度が300〜1500cP、特に5
50〜1000cPである。
【0043】従来、ビスフェノールAジグリシジルエー
テルを核水素化することにより得られる水素化ビスフェ
ノールAジグリシジルエーテルは、エポキシ当量205
程度で、25℃における粘度は少なくとも1700cP
程度であった。それに対し、本願発明の方法を採用し、
一般式(1)で表されるエーテル基含有アルコールの存
在下で核水素化反応を行うことによりはじめてエポキシ
当量180〜280(好ましくは190〜230)を有
し(100%純度である場合の理論値176.2)、2
5℃での粘度が300〜1500cP(好ましくは55
0〜1000cP)であるものが得られる。
【0044】エポキシ樹脂組成物 本願発明に係るグリシジル基含有脂環式化合物及び硬化
剤を含むエポキシ樹脂組成物において、例えば、下記の
いずれかの硬化方法を採用することができる。 (1)硬化剤を用いて硬化する方法。 (2)カチオン重合触媒を用いて硬化する方法。 (3)光重合触媒を用いて光硬化する方法。
【0045】(1)硬化剤を用いて硬化する方法 本発明に係る硬化剤としては、ポリアミン系硬化剤叉は
酸無水物系硬化剤が例示される。
【0046】ポリアミン系硬化剤としては、具体的に
は、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキ
サメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、イミノビ
スプロピルアミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン、1,3,6-トリスアミ
ノメチルヘキサン、N−ベンジルエチレンジアミン、ト
リメチルヘキサメチレンジアミン、ジメチルアミノプロ
ピルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、アミノエ
チルエタノールアミン、ジエチレングリコール・ビスプ
ロピレンジアミン、メンセンジアミン、イソフォロンジ
アミン、N−アミノエチルピペラジン、ジアミノジシク
ロヘキシルメタン、ビス(4−アミノ−3−メチルシク
ロヘキシル)メタン、1,3−ビス(アミノメチル)シ
クロヘキサン、3,9−ビス(3−アミノピロピル)−
2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5,5]ウン
デカン及びそれらの混合物や、カルボン酸類、エポキシ
化合物、メタクリル酸メチル、フェノール・ホルムアル
デヒド、アクリロニトリル等による変性物が例示され
る。
【0047】ポリアミン系硬化剤の配合量は、所定の効
果が得られる限り特に限定されるものではないが、通
常、エポキシ基1モルに対する硬化剤中の活性水素の当
量比が0.5〜1.2、好ましくは0.7〜1.0程度
である。
【0048】酸無水物系硬化剤としては、具体的には、
ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル
酸、無水フタル酸、3−メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、3−メチル
テトラヒドロ無水フタル酸、4−メチルテトラヒドロ無
水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデセニル無水コ
ハク酸、ピロメリット酸二無水物、、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアン
ヒドロトリメリテート、α−テルピネンやアロオシメン
等のデカトリエンと無水マレイン酸とのディールス・ア
ルダー反応物及びそれらの水素添加物、構造異性体若し
くは幾何異性体をはじめ、それらの混合変性物が例示さ
れる。
【0049】酸無水物系硬化剤の配合量は、所定の効果
が得られる限り特に限定されるものではないが、通常、
エポキシ基1モルに対する酸無水物基の当量比が0.7
〜1.2、好ましくは0.8〜1.1程度である。
【0050】かかる硬化剤は、用途に応じて適宜選択さ
れ、例えば、屋外塗料用として、特に常温硬化反応性を
必要とする場合には脂肪族ポリアミン系硬化剤が好適で
あり、一方、発光ダイオードの封止等、加熱硬化が可能
で、より高度な耐熱性や機械的、電気的、光学的特性が
要求されるような場合には酸無水物系硬化剤が使用され
る。
【0051】本発明に係る硬化剤は、必要により硬化促
進剤を併用することができる。かかる硬化促進剤として
は、従来公知の化合物、例えばベンジルジメチルアミ
ン、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ジメ
チルシクロヘキシルアミン等の第三級アミン類;2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾー
ル、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類;1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウン
デセン−7等のジアザビシクロアルケン類及びそれらの
塩類、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫やアルミニウムア
セチルアセトン錯体等の有機金属化合物;第四級アンモ
ニウム化合物;トリフェニルホスフィン、亜リン酸トリ
フェニル等の有機リン系化合物;三フッ化ホウ素、トリ
フェニルボレート等のホウ素系化合物;塩化亜鉛、塩化
第二錫等の金属ハロゲン化物等が例示される。
【0052】硬化促進剤の配合量は、硬化剤の種類によ
って適宜選択することが可能であり、エポキシ樹脂10
0重量部に対し、通常、0.01〜10重量部程度用い
られる。
【0053】本発明では、酸無水物系硬化剤、アミン系
硬化剤以外にもこれまでに知られている硬化剤、例え
ば、ジシアンジアミド類、アジピン酸有機ヒドラジッド
及びフタル酸ヒドラジッド等の有機酸ヒドラジッド類が
適用される。
【0054】硬化方法としては、上記グリシジル基含有
脂環式化合物、硬化剤、必要に応じて硬化促進剤を混合
し、20〜200℃に加熱して硬化する方法が例示され
る。
【0055】当該硬化促進剤は、単独もしくは2種以上
併用して使用することもできる。
【0056】(2)カチオン重合触媒を用いて硬化する
方法 カチオン重合触媒としては、ルイス酸を用いることが可
能であり、例えば、BF、PF、AsF、SbF
等が例示され、好ましくはBFが推奨される。更に
は、これらのルイス酸とメチルアミン、エチルアミン、
n−ブチルアミン等の有機一級アミン類との錯体、好ま
しくはエチルアミンとのBF錯体、及びトリフェニル
ホスフィン等を使用することも可能である。
【0057】カチオン重合触媒の使用量としては、グリ
シジル基含有脂環式化合物100重量部に対し、0.1
〜20重量部、好ましくは、0.5〜10重量部が例示
される。
【0058】硬化の方法としては、グリシジル基含有脂
環式化合物とカチオン重合触媒とを混合し、50〜15
0℃に加熱して硬化する方法が例示される。。
【0059】(3)光重合触媒を用いて光硬化する方法 光硬化触媒とは、グリシジル基含有脂環式化合物に配合
したままでは安定であり、紫外線又は可視光線の照射に
より該触媒が分解して硬化剤として作用する触媒のこと
である。例えば、芳香族ジアゾニウム塩、ジアリールヨ
ードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリ
ールセレニウム塩等が挙げられる。具体的には、p−ク
ロロベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロフォスフェー
ト、p−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロ
フォスフェート等の芳香族ジアゾニウム塩、ジフェニル
ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、4,4−
ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロフ
ォスフェート等のジアリールヨードニウム塩、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート、ビス
−[4−(ジフェニルスルフォニオ)フェニル]スルフ
ィド−ビス−ヘキサフルオロフォスフェート等のトリア
リールスルホニウム塩、トリフェニルセレニウムヘキサ
フルオロフォスフェート等のトリアリールセレニウム塩
等が挙げられる。
【0060】光硬化触媒の使用量としては、グリシジル
基含有脂環式化合物100重量部に対し、0.01〜1
0重量部、好ましくは、0.1〜6重量部が例示され
る。
【0061】硬化の方法としては、グリシジル基含有脂
環式化合物と光硬化触媒とを混合し、紫外線もしくは光
を照射して硬化する。
【0062】上記方法で硬化したエポキシ樹脂硬化物に
は、使用目的やその用途に応じて適宜、従来公知の添加
剤を、硬化する際、本願発明の効果を損なわない範囲で
添加することができる。そのような添加剤としては、可
塑剤、染料、顔料、離型剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤、
光安定剤、難燃剤、充填剤、レベリング剤、消泡剤、た
れ止め剤、溶剤等の各種添加剤や基材が例示され、その
適用量は、特に限定されるものではないが、エポキシ樹
脂組成物100重量部に対し、1〜1000重量部が例
示される。
【0063】更に、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
本発明のグリシジル基含有脂環式化合物以外のエポキシ
化合物、例えば、3,4−エポキシシクロヘキシルメチ
ル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレ
ート等の脂環式エポキシ樹脂;ヘキサヒドロフタル酸ジ
グリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ
樹脂;ポリブタジエンのエポキシ化物等のポリオレフィ
ン型エポキシ樹脂;水素化ビスフェノールA、水素化ビ
スフェノールF、1,4−シクロヘキサンジメタノー
ル、及びビスフェノールAのアルキレンオキサイド付加
体等の二価アルコールとエピクロロヒドリンより得られ
るグリシジルエーテル型エポキシ樹脂;α−オレフィン
のエポキシ化物、アルキルグリシジルエーテル、ネオ酸
グリシジルエステル、ネオペンチルグリコールジグリシ
ジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジル
エーテル、グリセリンポリグリシジルエーテル等の反応
性希釈剤等のエポキシ化合物を本発明の所定の効果に悪
影響を及ぼさない範囲内で適宜配合することができる。
【0064】上記方法で得られたエポキシ樹脂硬化物
は、エポキシ樹脂硬化物中の全塩素濃度が0.3重量%
未満であり、当該エポキシ樹脂を適用した電気絶縁材料
は、電気伝導度が低く、絶縁性が求められる分野、具体
的には封止剤等の電子材料分野に好適である。
【0065】又、本発明に係る水素化ビスフェノールA
ジグリシジルエーテルを用いて得られたエポキシ樹脂組
成物は、エポキシ樹脂組成物中の全塩素濃度が0.3重
量%未満であり、又、エポキシ樹脂組成物の粘度も低
く、使用に際し反応性希釈剤を必要としないほか、多量
の充填剤を添加して使用できる等の利点がある。
【0066】かくして得られるエポキシ樹脂組成物は、
ポリアミン系硬化剤を使用する場合には、屋外で使用さ
れる貯蔵タンクやパイプ類の耐候性防蝕塗料として特に
有用であり、酸無水物系硬化剤を使用する場合には、自
動車搭載用や屋外表示用の発光ダイオード等、より具体
的には青色ダイオード、白色ダイオード、紫外線ダイオ
ード等の耐候性封止材料として特に有用である。
【0067】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を掲げて本発明を
さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
【0068】尚、以下の実施例、比較例において反応時
間及びグリシジル基含有脂環式化合物の物性は下記の方
法により測定した。
【0069】反応時間は、水素の圧力減少が認められな
くなるまでの時間とした。
【0070】核水素化率(%):紫外吸収スペクトル
(λ=278nm)分析法により算出した。
【0071】エポキシ損失率(%)は、次式より算出し
た。 エポキシ損失率(%)= (1−A/B)×100 核水素化反応が100%進行し、エポキシ損失が0のと
きのエポキシ当量をAとし、核水素化反応後のエポキシ
当量をBとして、エポキシ当量(g/eq)の測定結果より求
めた。エポキシ当量は過塩素酸法(JIS K7236)により算
出した。
【0072】全塩素含有量:金属ナトリウムとともにn
−ブタノールで還流して、無機化した塩素イオンを硝酸
銀法で滴定した。
【0073】粘度:サンプルを25℃の恒温室に24時
間保管し、サンプルを温度25℃の状態を維持してB型
粘度計で測定した。
【0074】実施例1 電磁攪拌機を備えた500mlのステンレス製オ−トクレ
−ブにビスフェノ−ルAジグリシジルエ−テル(商品名
「EPICLON850」、エポキシ当量188、全塩素含有量1
400ppm、大日本インキ化学工業社製)40g、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル120g(以下
「MFG」と略す)及び市販の5%Rh−C触媒(エヌ
・イーケムキャット社製)1.0gを仕込み、系内を水
素で置換した後、攪拌しながら50℃、水素圧4.9M
Pa(50kg/cm2)の条件下で5時間水素化を行った。
反応後、触媒を濾別し、150℃で266Pa(20mm
Hg)にて溶媒を留去した。核水素化率は99.5%であ
り、また、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテ
ルのエポキシ当量は204であり、エポキシ損失率は5
%であった。25℃での粘度は490cPであり、全塩
素含有量は1400ppmであった。
【0075】実施例2 MFG120gに代えてMFG120g及び水10gを
用い、反応時間3時間とした以外は、実施例1と同様の
条件で反応を行った。反応後、触媒を濾別し、150℃
で266Pa(20mmHg)にて溶媒を留去した。核水素
化率は99.9%であり、また、水素化ビスフェノール
Aジグリシジルエーテルのエポキシ当量は211であ
り、エポキシ損失率は8%であった。25℃での粘度は
724cP、全塩素含有量は1400ppmであった。
【0076】実施例3 市販の5%Rh−C触媒(エヌ・イーケムキャット社
製)1.0gに代えて市販の5%Ru−C(エヌ・イー
ケムキャット社製)を3g用い、反応時間12時間とし
た以外は、実施例2と同様の条件で反応を行った。反応
後、触媒を濾別し、150℃で266Pa(20mmHg)
にて溶媒を留去した。核水素化率は98.5%であり、
また、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテルの
エポキシ当量は231であり、エポキシ損失率は16%
であった。25℃での粘度は724cPであり、全塩素
含有量は1400ppmであった。
【0077】実施例4 ビスフェノ−ルFジグリシジルエ−テルであるEPICLON8
30(エポキシ当量180、全塩素含有量1900ppm、
大日本インキ化学工業社製)40g用い、反応時間2.
5時間とした以外は、実施例2と同様の条件で反応を行
った。反応後、触媒を濾別し、150℃で266Pa
(20mmHg)にて溶媒を留去した。核水素化率は99.
9%であり、また、水素化ビスフェノールFジグリシジ
ルエーテルのエポキシ当量は202であり、エポキシ損
失率は8%であつた。全塩素含有量は1900ppmであ
った。
【0078】実施例5 ビスフェノールAジグリシジルエーテルであるエポトー
トYD-8125(エポキシ当量172、全塩素含有量690p
pm、東都化成社製)40gを用いた以外は、実施例1と
同様の条件で反応を行った。核水素化率は99.9%で
あり、また、水素化ビスフェノールAジグリシジルエー
テルのエポキシ当量は190であり、エポキシ損失率は
5.6%であった。25℃での粘度は680cPであ
り、全塩素含有量は690ppmであった。
【0079】実施例6 触媒として市販の5%Rh−C(エヌ・イーケムキャッ
ト社製)を0.5g用い、反応時間11時間とした以外
は、実施例2と同様の条件で反応を行った。反応後、触
媒を濾別し、150℃で266Pa(20mmHg)にて溶
媒を留去した。核水素化率は99.8%であり、また、
水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテルのエポキ
シ当量は206であり、エポキシ損失率は6%であっ
た。
【0080】実施例7 MFG120gに代えてジプロピレングリコールモノメ
チルエーテル120gを用い、反応時間3.5時間とし
た以外は、実施例2と同様の条件で反応を行った。反応
後、触媒を濾別し、150℃、減圧度266Paにて溶
媒を留去した。核水素化率は、99.2%であり、ま
た、得られたもののエポキシ当量は204であり、エポ
キシ損失率は5%であった。25℃での粘度は505c
Pであり、全塩素含有量は1400ppmであった。
【0081】比較例1 MFG120gに代えてテトラヒドロフラン(以下「T
HF」と略す)120gとした以外は、実施例1と同様
の条件で反応を行った。反応後、触媒を濾別し、150
℃で266Pa(20mmHg)にて溶媒を留去した。核水
素化率は5%であった。
【0082】比較例2 MFG120gに代えてTHF120g及び水10gを
用い、反応時間3時間とした以外は、実施例1と同様の
条件で反応を行った。反応後、触媒を濾別し、150℃
で266Pa(20mmHg)にて溶媒を留去した。核水素
化率は5%であった。
【0083】比較例3 市販の5%Rh−C触媒(エヌ・イーケムキャット社
製)1.0gに代えて市販の5%Ru−Cを4g用い、
反応時間9時間とした以外は、比較例2と同様の条件で
反応を行った。反応後、触媒を濾別し、150℃で26
6Pa(20mmHg)にて溶媒を除去した。核水素化率は
12%であった。
【0084】比較例4 MFG120gに代えてエチレングリコ−ルモノメチル
エ−テル120g及び水10gを用い、反応時間9時間
とした以外は、実施例1と同様の条件で反応を行った。
反応後、触媒を濾別し、150℃で266Pa(20mm
Hg)にて溶媒を留去した。核水素化率は87%であり、
また、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテルの
エポキシ当量は256であり、エポキシ損失率は24%
であった。
【0085】エポキシ樹脂硬化物 各例において得られるエポキシ樹脂硬化物の特性は、次
の方法により測定し評価した。
【0086】煮沸吸水率 煮沸吸水率は電気絶縁性能保持の指標となるもので、一
般的に吸水率が高いと長期間の電気絶縁性能保持能力は
低下する。測定は、JIS K−6911に準じて測定
した。
【0087】促進耐候性試験 ウェザオメータ(東洋精機製作所社製)を使用し、キセ
ノンバーナ 0.39watt/cm、ブラックパネル温度
63℃、湿度 60%R.H.、18min散水/120min
の条件下に1000時間暴露した試験片について、以下
の評価を行った。
【0088】光線透過率 内面が鏡面仕上げの鉄製鋳型を用いて硬化した厚さ5m
mの板状試験片について、促進耐候性試験前後の光線
(波長400nm)透過率をJIS K−7105に準
じて測定した。
【0089】実施例8 エポキシ樹脂として実施例5で得た水素化ビスフェノー
ルAジグリシジルエーテルを100重量部、酸無水物系
硬化剤としてリカシッドMH(新日本理化社製、4−メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸)100重量部、硬化促
進剤としてUcat SA102(サンアプロ社製、
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
の2−エチルヘキサン酸塩)2重量部を混合した。この
ものを100℃で3時間加熱し、更に、120℃で1時
間加熱してエポキシ樹脂硬化物を得た。この硬化物の煮
沸吸水率、促進耐候性試験下の光線透過率を測定した。
得られた結果を第1表に示す。この硬化物の全塩素含有
量は0.08重量%であり、この硬化物を100℃で2
4時間熱水抽出した水中の無機塩素イオンをイオンクロ
マトグラフィーで分析したところ10ppmであった。
又、この硬化物の紫外線吸収曲線を測定したところ、3
80nmにほとんど吸収がみられず、この波長の光に対
して「透明」であった。
【0090】比較例5 エポキシ樹脂としてビスフェノールAジグリシジルエー
テル100部(エポキシ当量190)、酸無水物系硬化
剤としてリカシッドMH(新日本理化社製、4−メチル
ヘキサヒドロ無水フタル酸)100重量部とした以外
は、実施例8と同様の条件にして、エポキシ樹脂硬化物
を得た。この硬化物の煮沸吸水率、促進耐候性試験下の
光線透過率を測定した。得られた結果を第1表に示す。
【0091】
【0092】
【発明の効果】本発明によれば、特定の反応溶媒を用い
ることにより、効率よく、グリシジル基含有脂環式化合
物を選択的に製造できる。本発明に係るエポキシ樹脂組
成物は、硬化物の可撓性、付着性、密着性等の諸特性を
損なうことなく、電気絶縁性及び耐候性の著しい改良を
図ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 3/40 H01B 3/40 C H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Fターム(参考) 4C048 AA01 BB10 BC01 CC02 UU05 XX02 4H006 AA02 AC11 BA23 BA24 BE20 4J036 AA01 AB07 AC05 AD07 AD08 AF06 AF08 AF16 AJ08 AK19 BA07 CA01 CA30 CC04 CC05 DA01 DA05 DB15 DB18 DB21 DB22 DC02 DC05 DC06 DC09 DC10 DC12 DC14 DC31 DC35 DC38 DC41 DC46 DD07 GA02 GA06 GA11 GA12 GA19 GA20 GA22 GA23 GA24 GA25 HA02 JA01 JA07 4M109 AA01 BA01 EA03 EB02 EB04 EC07 EC15 5G305 AA13 AA14 AB01 AB17 AB28 AB34 BA09 BA26 CA16

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 グリシジル基含有芳香族化合物をロジウ
    ム触媒及び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化して
    グリシジル基含有脂環式化合物を製造するに際し、核水
    素化反応を一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
    ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
    るエーテル基含有アルコールの存在下で行うことを特徴
    とするグリシジル基含有脂環式化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】 グリシジル基含有芳香族化合物をロジウ
    ム触媒及び/又はルテニウム触媒を用いて核水素化して
    グリシジル基含有脂環式化合物を製造するに際し、核水
    素化反応を一般式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
    ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
    るエーテル基含有アルコール及び水の存在下で行うこと
    を特徴とするグリシジル基含有脂環式化合物の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 グリシジル基含有芳香族化合物がビスフ
    ェノールAジグリシジルエーテルであり、グリシジル基
    含有脂環式化合物が水素化ビスフェノールAジグリシジ
    ルエーテルである請求項1又は請求項2に記載の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 グリシジル基含有芳香族化合物が全塩素
    含有量0.3重量%以下のビスフェノールAジグリシジ
    ルエーテルであり、グリシジル基含有脂環式化合物が全
    塩素含有量0.3重量%未満の水素化ビスフェノールA
    ジグリシジルエーテルである請求項1〜3に記載の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4に記載の製造方法により得
    られる、全塩素含有量が0.3重量%未満であるグリシ
    ジル基含有脂環式化合物。
  6. 【請求項6】 エポキシ当量が180〜280であり、
    全塩素含有量が0.3重量%未満であり、且つ25℃に
    おける粘度が300〜1500cPである水素化ビスフ
    ェノールAジグリシジルエーテル。
  7. 【請求項7】 ビスフェノールAジグリシジルエーテル
    をロジウム触媒及び/又はルテニウム触媒を用い、一般
    式(1) [式中、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のア
    ルキル基を表す。nは1〜3の整数を示す。]で表され
    るエーテル基含有アルコール又は当該エーテル基含有ア
    ルコールと水との存在下で核水素化して得られる、エポ
    キシ当量が180〜280であり、全塩素含有量が0.
    3重量%未満であり、且つ25℃における粘度が300
    〜1500cPである水素化ビスフェノールAジグリシ
    ジルエーテル。
  8. 【請求項8】 エポキシ樹脂として請求項5に記載のグ
    リシジル基含有脂環式化合物を含む全塩素含有量が0.
    3重量%未満のエポキシ樹脂組成物。
  9. 【請求項9】 エポキシ樹脂として請求項6又は請求項
    7に記載の水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテ
    ルを含む全塩素含有量が0.3重量%未満のエポキシ樹
    脂組成物。
JP2000287238A 2000-09-21 2000-09-21 グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物 Pending JP2002097251A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000287238A JP2002097251A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000287238A JP2002097251A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002097251A true JP2002097251A (ja) 2002-04-02

Family

ID=18771017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000287238A Pending JP2002097251A (ja) 2000-09-21 2000-09-21 グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002097251A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194056A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Nippon Kayaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2003026766A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 New Japan Chem Co Ltd エポキシ系反応性希釈剤及び該希釈剤を含む液状エポキシ樹脂組成物
JP2003026763A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 New Japan Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2003171439A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Mitsubishi Chemicals Corp 脂環式エポキシ化合物および発光ダイオード用封止材
JP2004098199A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Chemiprokasei Kaisha Ltd 固体電解質、それを含む可撓性積層体およびそれよりなる全固体アクチュエータ
US6960878B2 (en) 2001-01-24 2005-11-01 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor
EP1754734A1 (en) * 2004-06-10 2007-02-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curing agent for epoxy resins and epoxy resin compositions
WO2009041389A1 (ja) 2007-09-27 2009-04-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び発光ダイオード
JP2009079230A (ja) * 2005-01-26 2009-04-16 Sekisui Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用封止剤、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8034962B2 (en) 2006-08-09 2011-10-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Acid anhydride ester and composition thereof, and heat-curable resin composition and cured product thereof
WO2021033584A1 (ja) 2019-08-22 2021-02-25 三菱ケミカル株式会社 エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電気・電子部品

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0853370A (ja) * 1994-04-22 1996-02-27 Basf Ag エポキシ基の存在下に芳香族基を選択的に水素化する方法
JPH10204002A (ja) * 1997-01-20 1998-08-04 Dainippon Ink & Chem Inc 置換芳香族化合物の核水素化方法
JPH11199645A (ja) * 1998-01-16 1999-07-27 Mitsubishi Chemical Corp エポキシ樹脂組成物
JP2000143939A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Yuka Shell Epoxy Kk 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP2000226380A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Maruzen Petrochem Co Ltd 芳香族エポキシ化合物の核水素化方法
JP2000313736A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Yuka Shell Epoxy Kk エポキシ樹脂組成物及び粉体塗料組成物
JP2001055429A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Nippon Kayaku Co Ltd 部分的に核水添された多官能性芳香族エポキシ樹脂、これを含有するエポキシ樹脂組成物
JP2002037856A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0853370A (ja) * 1994-04-22 1996-02-27 Basf Ag エポキシ基の存在下に芳香族基を選択的に水素化する方法
JPH10204002A (ja) * 1997-01-20 1998-08-04 Dainippon Ink & Chem Inc 置換芳香族化合物の核水素化方法
JPH11199645A (ja) * 1998-01-16 1999-07-27 Mitsubishi Chemical Corp エポキシ樹脂組成物
JP2000143939A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Yuka Shell Epoxy Kk 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP2000226380A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Maruzen Petrochem Co Ltd 芳香族エポキシ化合物の核水素化方法
JP2000313736A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Yuka Shell Epoxy Kk エポキシ樹脂組成物及び粉体塗料組成物
JP2001055429A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Nippon Kayaku Co Ltd 部分的に核水添された多官能性芳香族エポキシ樹脂、これを含有するエポキシ樹脂組成物
JP2002037856A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂組成物

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194056A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Nippon Kayaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
US6960878B2 (en) 2001-01-24 2005-11-01 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor element and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor
US7342357B2 (en) 2001-01-24 2008-03-11 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7550096B2 (en) 2001-01-24 2009-06-23 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition and phosphor suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2003026766A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 New Japan Chem Co Ltd エポキシ系反応性希釈剤及び該希釈剤を含む液状エポキシ樹脂組成物
JP2003026763A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 New Japan Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2003171439A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Mitsubishi Chemicals Corp 脂環式エポキシ化合物および発光ダイオード用封止材
JP4637446B2 (ja) * 2002-09-06 2011-02-23 ケミプロ化成株式会社 全固体アクチュエータ
JP2004098199A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Chemiprokasei Kaisha Ltd 固体電解質、それを含む可撓性積層体およびそれよりなる全固体アクチュエータ
EP1754734A1 (en) * 2004-06-10 2007-02-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curing agent for epoxy resins and epoxy resin compositions
EP1754734A4 (en) * 2004-06-10 2009-02-11 Mitsubishi Gas Chemical Co HARDENERS FOR EPOXY RESINS AND EPOXY RESIN COMPOSITIONS
US8703010B2 (en) 2004-06-10 2014-04-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curing agent for epoxy resins and epoxy resin compositions
JP2009079230A (ja) * 2005-01-26 2009-04-16 Sekisui Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用封止剤、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8034962B2 (en) 2006-08-09 2011-10-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Acid anhydride ester and composition thereof, and heat-curable resin composition and cured product thereof
WO2009041389A1 (ja) 2007-09-27 2009-04-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び発光ダイオード
US9102786B2 (en) 2007-09-27 2015-08-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Epoxy resin composition, cured object obtained therefrom, and light-emitting diode
WO2021033584A1 (ja) 2019-08-22 2021-02-25 三菱ケミカル株式会社 エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電気・電子部品
CN114222789A (zh) * 2019-08-22 2022-03-22 三菱化学株式会社 环氧树脂组合物、固化物和电气/电子部件
KR20220052900A (ko) 2019-08-22 2022-04-28 미쯔비시 케미컬 주식회사 에폭시 수지 조성물, 경화물 및 전기·전자 부품
EP4019566A4 (en) * 2019-08-22 2022-10-12 Mitsubishi Chemical Corporation EPOXY RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT AND ELECTRICAL OR ELECTRONIC COMPONENT

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0150850B1 (en) Polyether compounds and processes for production thereof
US3336241A (en) Process for preparing epoxy compounds and resulting products
EP1275673B1 (en) Epoxy resin composition, cured article thereof, novel epoxy resin, novel phenol compound, and process for preparing the same
KR101919308B1 (ko) 경화성 수지 시스템용 수계 아민 경화제
TWI331144B (en) Process for production high-purity alicyclic epoxy compound
JP2002097251A (ja) グリシジル基含有脂環式化合物、その製造方法並びにそれを用いたエポキシ樹脂組成物
JP4537209B2 (ja) Uv硬化可能なエポキシアクリレート
JP5028844B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ化合物及びこの製造方法
TWI520980B (zh) The epoxy resin composition and cured
JPH07316263A (ja) エポキシ樹脂組成物
US3790532A (en) Novel cured epoxy resin composition
JP5301997B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物
EP2817347B1 (en) Preparation and uses of epoxy resins of cyclododecane polyphenols
JPH11140161A (ja) 速硬化性エポキシ樹脂組成物
CN107548392B (zh) 环状碳酸酯
EP2726530B1 (en) Hybrid epoxy resin adducts
JPH08239454A (ja) ノボラック型樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP4581397B2 (ja) エポキシ樹脂組成物とその硬化物
JP4509715B2 (ja) ジグリシジルエーテル、硬化性組成物および硬化物
JP2879860B2 (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
JPH11209326A (ja) ビニル基含有脂環式アクリレート系化合物及びエポキシ基含有脂環式アクリレート系化合物の製造方法
JPH055020A (ja) エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
JPH06298904A (ja) エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂配合物およびその硬化物
JP2008075061A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP4158137B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びその硬化物。

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070918

A977 Report on retrieval

Effective date: 20100414

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20100518

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101116