CN102097575A - 一种白光二极管封装结构 - Google Patents

一种白光二极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN102097575A
CN102097575A CN2010106134567A CN201010613456A CN102097575A CN 102097575 A CN102097575 A CN 102097575A CN 2010106134567 A CN2010106134567 A CN 2010106134567A CN 201010613456 A CN201010613456 A CN 201010613456A CN 102097575 A CN102097575 A CN 102097575A
Authority
CN
China
Prior art keywords
particle diameter
line
light
white light
fluorescence glue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010106134567A
Other languages
English (en)
Inventor
黎锦洪
曾庆霖
张愍钧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DONGGUAN PINYUAN OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
DONGGUAN PINYUAN OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGGUAN PINYUAN OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical DONGGUAN PINYUAN OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2010106134567A priority Critical patent/CN102097575A/zh
Publication of CN102097575A publication Critical patent/CN102097575A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及发光二极管封装技术领域，尤其涉及一种白光二极管封装结构，包括导线架碗杯，导线架碗杯内设置有蓝光芯片，以蓝光芯片为中心，从内到外，依次设置有大粒径荧光胶层、小粒径荧光胶层、透明硅胶层，大粒径荧光胶层覆盖蓝光芯片外表面，大粒径荧光胶层的折射率大于小粒径荧光胶层的折射率。依据菲涅耳定律(Fresnel’sLaw),当蓝光芯片发出的蓝光先经过大粒径荧光胶层激发折射后，进入小粒径荧光胶层激发折射后，再经过透明硅胶层折射出去到空气中，蓝光激发荧光胶层产生白光,白光通过折射率递减的渐层结构，使得白光全反射减少，穿透率增加，因此出光效率增高，而更为节能。

Description

一种白光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及发光二极管封装技术领域，尤其涉及一种白光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管是一种能够将电能转化为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而采用电场发光。发光二极管具有寿命长、光效高、无辐射与低功耗的优点，被普遍应用于现在社会的照明及灯光装饰技术领域。发光二极管的光谱几乎全部集中于可见光频段，发光二极管的亮度是跟发光二极管的发光角度有必然关系的，发光二极管的角度越小它的亮度越小，如果是5MM的发光二极管180度角的白光的亮度只有几百MCD，如果是15度角的亮度就要去到一万多两万MCD的亮度了，亮度相差好几十倍了，如果是用于照明用的，在户外最好是用大功率的发光二极管了，亮度就更高了，单个功率有1W，3W，5W，还有的是用多个大功率组合成一个大功率的发光二极管，功率可以去到几百瓦。
用于照明领域的日光灯，主要是用白光二极管，白光的出光效率直接影响产品的功耗。
如图1、图2，所示现有技术中，白光二极管的封装结构，包括设置有白光二极管的导线架，以藍光芯片为中心，从内到外，填充一层小粒径荧光胶层这种结构的白光二极管，白光的全反射较多, 出光效率低。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供白光出光效率高、节能的白光发光二极管封装结构。
本发明的目的通过以下技术措施实现：
一种白光二极管封装结构，包括导线架碗杯，导线架碗杯内设置有蓝光芯片，以蓝光芯片为中心，从内到外，依次设置有大粒径荧光胶层、小粒径荧光胶层、透明硅胶层，大粒径荧光胶层覆盖蓝光芯片外表面，大粒径荧光胶层的折射率大于小粒径荧光胶层的折射率。
其中，大粒径荧光胶层为硅胶与大粒径荧光粉的混合层。
其中，大粒径荧光胶层中大粒径荧光粉的平均粒径为10~20μm。
其中，小粒径荧光胶层为硅胶与小粒径荧光粉的混合层。
其中，小粒径荧光胶层中小粒径荧光粉的平均粒径为1~10μm。
其中，小粒径荧光胶层的折射率大于透明硅胶层的折射率。
本发明有益效果在于：一种白光二极管封装结构，包括导线架碗杯，导线架碗杯内设置有蓝光芯片，以蓝光芯片为中心，从内到外，依次设置有大粒径荧光胶层、小粒径荧光胶层、透明硅胶层，大粒径荧光胶层覆盖蓝光芯片外表面，大粒径荧光胶层的折射率大于小粒径荧光胶层的折射率。依据菲涅耳定律(Fresnel’s Law),当蓝光芯片发出的蓝光先经过大粒径荧光胶层激发折射后，进入小粒径荧光胶层激发折射后，再经过透明硅胶层折射出去到空气中，蓝光激发荧光胶层产生白光, 白光通过折射率递减的渐层结构，使得白光全反射减少, 穿透率增加,因此出光效率增高，而更为节能。
附图说明
图1是现有技术的结构示意图；
图2是现有技术的白光二极管的出光折射示意图；
图3是本发明的结构示意图；
图4是本发明的白光二极管的出光折射示意图。
附图标记：
100——导线架碗杯
101——蓝光芯片
102——大粒径荧光胶层
103——小粒径荧光胶层
104——透明硅胶层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
实施例1
如图3、图4所示，本实施例提供一种白光二极管101封装结构，包括导线架碗杯100，导线架碗杯100内设置有蓝光芯片101，蓝光芯片101为中心，从内到外，依次设置有大粒径荧光胶层102、小粒径荧光胶层103、透明硅胶层104，大粒径荧光胶层102覆盖蓝光芯片101外表面，大粒径荧光胶层102的折射率大于小粒径荧光胶层103的折射率，依据菲涅耳定律(Fresnel’s Law),当蓝光芯片101发出的藍光先经过大粒径荧光胶层102激发折射后，进入小粒径荧光胶层103激发折射后，再经过透明硅胶层104折射出去到空气中，蓝光激发荧光胶层产生白光, 白光通过折射率递减的渐层结构,使得白光全反射减少, 穿透率增加,因此出光效率增高，而更为节能。
本实施例的大粒径荧光胶层102为硅胶与大粒径荧光粉的混合层。
本实施例的大粒径荧光胶层102中大粒径荧光粉的平均粒径为10~15μm。
本实施例的小粒径荧光胶层103为硅胶与小粒径荧光粉的混合层。
本实施例的小粒径荧光胶层103中小粒径荧光粉的平均粒径为1~5μm。
本实施例的小粒径荧光胶层103的折射率大于透明硅胶层104的折射率。
实施例2
与实施例1不同之处在于本实施例的大粒径荧光胶层102中大粒径荧光粉的平均粒径为15~20μm。
本实施例的小粒径荧光胶层103中小粒径荧光粉的平均粒径为5~10μm。
如表1所示，大粒径荧光层的折射率为Ni1， 小粒径荧光胶层103的折射率为Ni2，透明硅胶层104的折射率为Ni3，三层的折射关系为：1.8≧Ni1≧Ni2≧Ni3>1.0。Φ1為10~20μm, Φ2為1~10μm。
表1：
封装胶材 成分 折射率 平均粒径
大粒径荧光胶层102 硅胶+大粒径荧光粉 Ni1 Φ1
小粒径荧光胶层103 硅胶+小粒径荧光粉 Ni2 Φ2
透明硅胶层104 硅胶 Ni3
本发明的制作过程为：导线架碗杯100固定打线后，先使用大粒径荧光胶均匀的涂布在芯片上，然后注入小粒径荧光胶，最后用透明硅胶填满导线架碗杯100。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (6)

1.一种白光二极管封装结构，包括导线架碗杯，导线架碗杯内设置有蓝光芯片，其特征在于：以蓝光芯片为中心，从内到外，依次设置有大粒径荧光胶层、小粒径荧光胶层、透明硅胶层，大粒径荧光胶层覆盖蓝光芯片外表面，大粒径荧光胶层的折射率大于小粒径荧光胶层的折射率。
2.根据权利要求1所述的一种白光二极管封装结构，其特征在于：大粒径荧光胶层为硅胶与大粒径荧光粉的混合层。
3.根据权利要求2所述的一种白光二极管封装结构，其特征在于：大粒径荧光胶层中大粒径荧光粉的平均粒径为10~20μm。
4.根据权利要求3所述的一种白光二极管封装结构，其特征在于：小粒径荧光胶层为硅胶与小粒径荧光粉的混合层。
5.根据权利要求4所述的一种白光二极管封装结构，其特征在于：小粒径荧光胶层中小粒径荧光粉的平均粒径为1~10μm。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种白光二极管封装结构，其特征在于：小粒径荧光胶层的折射率大于透明硅胶层的折射率。
CN2010106134567A 2010-12-30 2010-12-30 一种白光二极管封装结构 Pending CN102097575A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010106134567A CN102097575A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 一种白光二极管封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010106134567A CN102097575A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 一种白光二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102097575A true CN102097575A (zh) 2011-06-15

Family

ID=44130531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010106134567A Pending CN102097575A (zh) 2010-12-30 2010-12-30 一种白光二极管封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102097575A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956800A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 晶元光电股份有限公司 波长转换结构及其制造方法以及发光装置
CN103022310A (zh) * 2012-12-30 2013-04-03 佛山市国星半导体技术有限公司 Led发光芯片的光提取层及led装置
CN103219452A (zh) * 2013-04-02 2013-07-24 佛山市金帮光电科技有限公司 利用三层有机硅材料实现led高出光率的封装方法
CN104979455A (zh) * 2014-04-02 2015-10-14 四川新力光源股份有限公司 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN109830592A (zh) * 2019-01-10 2019-05-31 旭宇光电（深圳）股份有限公司 半导体发光二极管装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1455960A (zh) * 2001-01-24 2003-11-12 日亚化学工业株式会社 发光二极管、光学半导体元件及适用的环氧树脂组合物及其制造方法
US20060099449A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting device
US20090152582A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode
US20090256166A1 (en) * 2005-08-05 2009-10-15 Susumu Koike Semiconductor light-emitting device
EP2113949A2 (en) * 2008-05-02 2009-11-04 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1455960A (zh) * 2001-01-24 2003-11-12 日亚化学工业株式会社 发光二极管、光学半导体元件及适用的环氧树脂组合物及其制造方法
US20060099449A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting device
US20090256166A1 (en) * 2005-08-05 2009-10-15 Susumu Koike Semiconductor light-emitting device
US20090152582A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode
EP2113949A2 (en) * 2008-05-02 2009-11-04 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102956800A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 晶元光电股份有限公司 波长转换结构及其制造方法以及发光装置
CN102956800B (zh) * 2011-08-31 2016-08-03 晶元光电股份有限公司 波长转换结构及其制造方法以及发光装置
CN103022310A (zh) * 2012-12-30 2013-04-03 佛山市国星半导体技术有限公司 Led发光芯片的光提取层及led装置
CN103219452A (zh) * 2013-04-02 2013-07-24 佛山市金帮光电科技有限公司 利用三层有机硅材料实现led高出光率的封装方法
CN103219452B (zh) * 2013-04-02 2015-11-11 佛山市金帮光电科技有限公司 利用三层有机硅材料实现led高出光率的封装方法
CN104979455A (zh) * 2014-04-02 2015-10-14 四川新力光源股份有限公司 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN104979455B (zh) * 2014-04-02 2018-02-09 四川新力光源股份有限公司 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN109830592A (zh) * 2019-01-10 2019-05-31 旭宇光电（深圳）股份有限公司 半导体发光二极管装置
CN109830592B (zh) * 2019-01-10 2019-11-12 旭宇光电（深圳）股份有限公司 半导体发光二极管装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201539737U (zh) 一种led灯具
CN101769455A (zh) 一种采用整体荧光转换技术的led灯泡
CN201651846U (zh) 一种白光led光源
CN102651444A (zh) 发光二极管封装结构
CN102097575A (zh) 一种白光二极管封装结构
JP2014232826A (ja) 発光デバイス
CN103050615A (zh) 一种高显色性白光led器件
CN101355132B (zh) 一种改善光斑的白光led的封装方法
CN108398800A (zh) 基于蓝色半导体激光光束整形的转光照明光学系统装置
CN201532968U (zh) 一种白光发光二极管芯片
CN201994333U (zh) 一种白光二极管封装结构
CN208253403U (zh) 一种太阳能led草坪灯
CN203686842U (zh) 节能路灯
CN203586033U (zh) 一种360度透光汽车用灯具
CN102095092A (zh) Led的晶圆级封装结构及其封装方法
CN102130115B (zh) 白光led平面光源装置
CN201621503U (zh) 一种oled灯体
CN100414701C (zh) 发光系统、发光装置及其形成方法
CN204497229U (zh) 可消除出光时空间色差的大功率白光led
CN201902870U (zh) 一种大功率led绿光灯
CN201448655U (zh) 一种发光二极管结构
CN204905283U (zh) 一种发光二极管
CN204829399U (zh) 一种新型led平面光源及面板灯
CN202167486U (zh) 一种大功率led发光模组
CN108006564B (zh) Led路灯

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110615