JPH11514493A - 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造 - Google Patents
柔軟性ワイヤからの電気的接触構造Info
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- JPH11514493A JPH11514493A JP8518844A JP51884496A JPH11514493A JP H11514493 A JPH11514493 A JP H11514493A JP 8518844 A JP8518844 A JP 8518844A JP 51884496 A JP51884496 A JP 51884496A JP H11514493 A JPH11514493 A JP H11514493A
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H—ELECTRICITY
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
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- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
- H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
- H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/02—Heating or cooling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/22—Electroplating combined with mechanical treatment during the deposition
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
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- H01L2224/13117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/13124—Aluminium [Al] as principal constituent
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13639—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13644—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13657—Cobalt [Co] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
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- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45111—Tin (Sn) as principal constituent
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
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- H01L2924/30107—Inductance
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-
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- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
-
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
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- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0397—Tab
-
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- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
-
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- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
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- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
- H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
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- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
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- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10719—Land grid array [LGA]
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- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
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- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10757—Bent leads
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10878—Means for retention of a lead in a hole
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.電気的接触構造を製造する方法において、 弾力のある形状を有するように、柔軟な伸長部材を構成するステップであっ て、該伸長要素はある長さを有する、ステップと、 保護膜材料を、その構造的特性に対して選択するステップと、 上記伸長部材上に保護膜材料を施すステップと、 を含む方法。 2.結果としての接触構造は、弾性と可塑性の両方を呈示する、請求項1に記載 の方法。 3.前記伸長部材は、結果としての復元性のある接触構造に対して、足場として 機能し、 前記保護膜材料は、結果としての復元性のある接触構造に対して、上部構造 として機能する、請求項1に記載の方法。 4.前記保護膜を施した後に、適所に前記伸長部材を残すステップを更に含む、 請求項1に記載の方法。 5.前記保護膜を施した後に、前記伸長部材を少なくとも部分的に除去するステ ップを更に含む、請求項1に記載の方法。 6.前記保護膜を施した後に、前記伸長部材を完全に除去するステップを更に含 む、請求項5に記載の方法。 7.前記伸長部材は、ある溶融温度を有する第1の材料から製作され、 前記保護膜材料を施す前に、上記第1の材料とは異なり、ま た上記第1の材料で合金を形成することが可能である、第2の材料で前記伸長部 材をコーティングするステップを更に含み、上記合金は、第1の材料の溶融温度 よりも低い溶融温度を有する、請求項1に記載の方法。 8.前記保護膜を施した後に、前記合金を形成するために、結果としての復元性 のある接触構造を加熱するステップを更に含む、請求項6に記載の方法。 9.前記伸長部材は金ワイヤであり、 前記保護膜材料を施す前に、上記金ワイヤにわたってスズの層を施すステッ プを更に含む、請求項7に記載の方法。 10.前記保護膜材料は、一組の構造的性質を有し、 前記結果としての復元性のある接触構造は、前記保護膜材料の構造的性質に より主に決定される復元性を有する、請求項1に記載の方法。 11.前記伸長部材は、一組の物理的性質を有し、 前記結果としての復元性のある接触構造は、前記保護膜の構造的性質、及び 前記伸長部材の物理的性質により決定される従順性を有する、請求項1に記載の 方法。 12.前記保護膜材料は、メッキにより前記伸長部材に施される、請求項1に記載 の方法。 13.前記伸長部材をメッキする間、前記伸長部材の長さに沿って、熱勾配を生成 するために、熱を加えるステップを更に含む、請求項12に記載の方法。 14.前記保護膜材料の厚さを、前記伸長部材の一方の端部において、前記伸長部 材の対向する端部においてよりも大きくならしめるステップを更に含む、請求項 12に記載の方法。 15.弾力のある形状を有するように、前記伸長部材を構成するステップの前に、 基板上の接触領域に、前記伸長部材の近位端をボンディングするステップを更に 含む、請求項1に記載の方法。 16.前記伸長部材の近位端は、ワイヤボンディング装置により、前記接触領域に ボンディングされる、請求項15に記載の方法。 17.前記伸長部材の長さに沿って、且つ前記接触領域にわたって、前記保護膜材 料を施すステップを更に含む、請求項15に記載の方法。 18.前記保護膜材料は、前記接触領域にわたって、且つ前記伸長部材の長さに沿 って連続的である、請求項17に記載の方法。 19.弾力のある形状を有するように、前記伸長部材を構成するステップの後に、 遠位端を有するように、前記伸長部材を切断するステップを更に含む、請求項1 5に記載の方法。 20.電極からの放電により、前記伸長要素を切断するステップを更に含む、請求 項19に記載の方法。 21.電極からの放電により、前記伸長要素を切断する間、紫外光により、前記伸 長部材の少なくとも1つ、及び前記電極を照射するステップを更に含む、請求項 20に記載の方法。 22.工具により、前記伸長部材を切断するステップを更に含む、請求項19に記 載の方法。 23.前記伸長部材を構成する間、超音波振動を前記伸長部材に加えるステップを 更に含む、請求項1に記載の方法。 24.前記保護膜材料は導電性である、請求項1に記載の方法。 25.前記保護膜材料は多層の材料からなり、前記保護膜のうちの少なくとも1つ が導電性である、請求項1に記載の方法。 26.前記保護膜は、 金属の電解又は無電解水溶液メッキと、化学的蒸着法(CVD)と、物理的 蒸着法(PVD)と、気体、液体、又は固体の先行物質の分解、又は反応を通じ て、材料の堆積を引き起こす任意の工程とを含む、湿式電気化学的技法からなる グループから選択された1つの技法により施される、請求項1に記載の方法。 27.前記伸長部材の自由端に、接触パッドを取り付けるステップを更に含む、請 求項1に記載の方法。 28.前記接触パッドは、前記保護膜材料を施す前に、前記伸長部材の一方の端部 に取り付けられる、請求項27に記載の方法。 29.前記接触パッドは、前記保護膜材料を施した後に、前記伸長部材の一方の端 部に取り付けられ、前記接触パッドを取り付けた後に、追加の保護膜材料を施す ステップを更に含む、請求項27に記載の方法。 30.前記接触パッドの表面上に、所望の微細構造を形成するステップを更に含む 、請求項27に記載の方法。 31.前記結果としての復元性のある接触構造の自由端に、所望の 微細構造を付与するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。 32.2つの電子コンポーネントを電気的に相互接続する方法において、 第1の電子コンポーネントの表面上の接触領域に、柔軟なワイヤの近位端を ボンディングするステップと、 弾力のある形状を有するように、上記ワイヤを構成するステップと、 遠位端を有するように、上記ワイヤを切断するステップと、 上記ワイヤ及び上記接触領域に、導電性で復元性のある材料で保護膜を施し 、それにより、近位端により上記第1の電子コンポーネントに実装され、また遠 位端を有する、自立型の復元性のある接触構造を形成するステップと、 第2の電子コンポーネント上の接触領域を、上記復元性のある接触構造の遠 位端と接触させるステップと、 を含む方法。 33.前記自立型の復元性のある接触構造は、可塑性と弾性の両方を呈示する、請 求項32に記載の方法。 34.半田と導電性エポキシからなるグループから選択された導電材料により、前 記第2の電子コンポーネントに、前記自立型の復元性のある接触構造の遠位端を 取り付けるステップを更に含む、請求項32に記載の方法。 35.前記第2のコンポーネント上の接触領域に接触させる前に、 前記柔軟なワイヤの遠位端に、接触パッドを実装するステップを更に含む、請求 項32に記載の方法。 36.介在体を製造する方法において、 それを介して延伸する穴を有する介在体基板を供給するステップと、 犠牲基板を供給するステップと、 該犠牲基板上に、復元性のある接触構造を製造するステップと、 該復元性のある接触構造を、上記穴を介して延伸せしめ、また上記穴内で懸 架せしめるステップと、 上記犠牲基板を除去するステップと、 を含む方法。 37.前記復元性のある接触構造を、弾性材料により、前記介在体基板の穴内で懸 架せしめるステップを更に含む、請求項26に記載の方法。 38.前記介在体基板の穴内で、前記復元性のある接触構造を半田付けするステッ プを更に含む、請求項36に記載の方法。 39.1つの電子コンポーネントに、複数の接触構造を実装する方法において、 犠牲基板上に、複数の電気的接触構造を製造するステップであって、該電気 的接触構造の各々は、上記犠牲基板から延伸する先端を有する、ステップと、 上記犠牲基板を、上記電気的接触構造の先端が、上記電子コ ンポーネントに接触するように、電子コンポーネントと近接させるステップと、 単一のステップで、上記電気的接触構造を、それらの先端により、上記電子 コンポーネントに実装するステップと、 上記電気的接触構造を上記電子コンポーネントに実装した後に、上記犠牲基 板を除去するステップと、 を含む方法。 40.前記犠牲基板を除去した後に、前記電気的接触構造をメッキするステップを 更に含む、請求項39に記載の方法。 41.半導体素子上での試験、及びエージングからなるグループから選択された試 験を行う方法において、 復元性のある接触構造を、半導体素子に直に実装するステップと、 半導体素子を試験ボードに対して押圧するステップであって、該試験ボード は、接触領域を有するため、上記復元性のある接触構造の先端が、試験ボード上 の上記接触領域に電気的に接続される、ステップと、 半導体素子上で試験を行うステップと、 後に続いて、半導体素子をシステムボードに実装するステップであって、該 システムボードは、接触領域を有するため、上記復元性のある接触構造の先端が 、システムボード上の上記接触領域に電気的に接続される、ステップと、 を含む方法。 42.前記半導体素子を前記システムボードに、永久的に接続するステップを更に 含む、請求項41に記載の方法。 43.前記半導体素子を半導体ウェーハから切り離す前に、前記復元性のある接触 構造を、前記半導体素子に実装するステップを更に含む、請求項41に記載の方 法。 44.前記半導体素子を半導体ウェーハから切り離した後に、前記復元性のある接 触構造を、前記半導体素子に実装するステップを更に含む、請求項41に記載の 方法。 45.半導体素子に永久的に接続する前に、半導体素子に一時的に接続する方法に おいて、 複数の電気的接触構造を、裸の半導体素子に実装するステップと、 半導体素子と第1の電子コンポーネントとの間に、一時的な接続をもたらす ために、第1の電子コンポーネントに対して、半導体素子を押圧するステップで あって、上記電気的接触構造は、半導体素子と上記第1の電子コンポーネントと の間の電気的相互接続子として機能する、ステップと、 半導体素子と第2の電子コンポーネントとの間に、永久的な接続をもたらす ために、半導体素子に実装された、同一の上記電気的接触構造を用いるステップ と、 を含む方法。 46.前記第2の電子コンポーネントに対して、半導体素子を機械的に偏倚させる ことにより、前記永久的な接続をもたらすステ ップを更に含む、請求項45に記載の方法。 47.前記第2の電子コンポーネントに、半導体素子を永久的に接続するステップ を更に含む、請求項45に記載の方法。 48.前記電気的接触構造は復元性がある、請求項45に記載の方法。 49.前記電気的接触構造は従順性がある、請求項45に記載の方法。 50.2つの電子コンポーネント間の電気的接続において、 少なくとも1つの導電層を有する金属性のコーティングから本質的になる導 電経路であって、該金属性のコーティングは、伸長部材上に配設され、上記コー ティングは、2つの電子コンポーネント間で延伸し、且つ2つの電子コンポーネ ントを相互接続する、導電経路からなる電気的接続。 51.前記コーティングは、少なくとも1つの層を有するメッキである、請求項5 0に記載の電気的接続。 52.前記伸長部材はワイヤである、請求項50に記載の電気的接続。 53.前記ワイヤは導電性である、請求項52に記載の電気的接続。 54.前記ワイヤは、金及びその合金からなるグループから選択される、請求項5 2に記載の電気的接続。 55.前記ワイヤは、アルミニウム、銅、プラチナ群の金属、鉛、スズ、インジウ ム、及びそれらの合金からなるグループから選択される、請求項52に記載の電 気的接続。 56.前記コーティングは、ある材料から選択され、前記伸長部材は、前記電気的 接続に復元性を付与するように構成される、請求項50に記載の電気的接続。 57.前記メッキは、ニッケル及びその合金からなるグループから選択された材料 である、請求項50に記載の電気的接続。 58.前記メッキは、銅、コバルト、鉄、及びそれらの合金と、Ni/Fe/Co 材料とからなるグループから選択された材料である、請求項50に記載の電気的 接続。 59.前記メッキは、金、銀、プラチナ群の元素、貴金属又は準貴金属、それらの 合金、タングステン、コバルト、亜鉛、スズ、半田、及び銅からなるグループか ら選択された材料である、請求項50に記載の電気的接続。 60.電子アセンブリにおいて、 エッジ間に、互いに近接して、印刷回路基板の少なくとも1つの側に実装さ れた、複数の半導体ダイであって、該半導体ダイの各々は、半導体ダイの各々に 実装された自立型の復元性のある接触構造によって、印刷回路基板に電気的に接 続される、複数の半導体ダイからなる、電子アセンブリ。 61.前記半導体ダイはメモリ素子である、請求項60に記載の電子アセンブリ。 62.前記電子アセンブリは、シングル・インライン・メモリ・モジュール(SI MM)である、請求項60に記載の電子アセンブリ。 63.前記復元性のある接触構造は従順性がある、請求項60に記載の電子アセン ブリ。 64.前記半導体ダイは、前記印刷回路基板の両側に実装される、請求項60に記 載の電子アセンブリ。 65.前記自立型の復元性のある接触構造は、 前記半導体ダイにワイヤを個々にボンディングし、 上記ワイヤに互いに同時に保護膜を施すことにより形成される、請求項60 に記載の電子アセンブリ。 66.前記自立型の復元性のある接触構造は、 犠牲基板にワイヤを個々にボンディングし、 上記ワイヤをメッキし、 単一のステップで、前記半導体ダイのうちの少なくとも1つに、メッキされ たワイヤを一括転移することにより形成される、請求項60に記載の電子アセン ブリ。 67.前記メッキされたワイヤを一括転移した後に、前記メッキされたワイヤを更 にメッキすることから更になる、請求項66に記載の電子アセンブリ。 68.前記復元性のある接触構造の少なくとも一部を封止する材料を硬化させるこ とから更になる、請求項60に記載の電子アセンブリ。 69.足場上に上部構造を生成する方法において、 電子コンポーネント上に、少なくとも1つの足場を実装するステップと、 上記少なくとも1つの足場上に上部構造を形成するために、メッキ槽内に基 板を配設するステップと、 を含む方法。 70.前記少なくとも1つの足場をメッキする前に、弾力のある形状を有するよう に、前記少なくとも1つの足場の各々を構成するステップを更に含む、請求項6 9に記載の方法。 71.前記少なくとも1つの足場をメッキする間、前記電子コンポーネントを加熱 するステップを更に含む、請求項69に記載の方法。 72.前記結果としてのメッキは、前記メッキの最も厚い部分から前記メッキの最 も薄い部分へと、少なくとも1.5:1の厚さ勾配を呈示する、請求項71に記 載の方法。 73.少なくとも2つの足場が、前記電子コンポーネントに実装され、 前記足場は、前記基板に実装された近位端と、遠位端を有する自立型であり 、 前記足場を、それらの近位端におけるよりも、それらの遠位端において大き な間隔を有するように構成するステップを更に含む、請求項69に記載の方法。 74.前記足場は、前記基板に実装された近位端と、遠位端を有する自立型であり 、 前記少なくとも1つの足場をメッキする前に、前記足場の遠位端に、マスキ ング材料を施すステップと、 前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップとを更 に含む、請求項69に記載の方法。 75.前記マスキング材料を除去した後に、前記足場を更にメッキするステップを 更に含む、請求項74に記載の方法。 76.前記足場上に前記上部構造を形成した後に、前記足場を露出させるために、 前記上部構造の一部を除去するステップを更に含む、請求項69に記載の方法。 77.前記足場をメッキする前に、前記足場と合金を形成するのに適しており、ま た、前記足場の溶融温度よりも低い溶融温度を呈示する材料を、前記足場上に施 すステップを更に含む、請求項69に記載の方法。 78.前記足場は、前記電子コンポーネントに実装された近位端を有し、また遠位 端を有する自立型であり、 前記少なくとも1つの足場をメッキする前に、前記足場の遠位端に、マスキ ング材料を施すステップと、 前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップと、 上記マスキング材料を除去した後に、メッキされた足場を加熱するステップ とを更に含む、請求項69に記載の方法。 79.前記足場は、前記電子コンポーネントに実装された近位端をと、遠位端と、 それらの間にある長さとを有する自立型であり、 前記少なくとも1つの足場をメッキする前に、前記足場の各々の一方の側に 、マスキング材料を施すステップと、 前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップと、 上記マスキング材料を除去した後に、メッキされた足場を加熱するステップ とを更に含む、請求項69に記載の方法。 80.メッキの厚さを合わせる方法において、 メッキ槽内にメッキすべき部材を配設するステップと、 該部材をメッキする間、該部材上に温度勾配を生成するステップと、 を含む方法。 81.抵抗性熱要素、熱結合デバイス、ペルチェ型式デバイス、白熱輻射熱源、及 び可干渉性光源からなるグループから選択された熱源により、前記温度勾配を生 成するステップを更に含む、請求項80に記載の方法。 82.2つ以上の自立型の復元性のある接触構造を製作する方法において、 2つの端部を有するループを形成するステップであって、該2つの端部のう ちの第1の端部が、第1の端子に取り付けられ、該2つの端部のうちの第2の端 部が、第2の端子に取り付けられ、上記ループの中間部が、上記ループに沿った ほぼ中間に配設され、第1の脚部が、上記第1の端部から上記中間部へと延伸し 、第2の脚部が、上記第2の端部から上記中間部へと延伸する、ループを形成す るステップと、 上記中間部を除去するステップと、 を含む方法。 83.前記中間部を除去する前に、前記ループに保護膜を施すステップを更に含む 、請求項82に記載の方法。 84.前記中間部を除去した後に、前記ループに保護膜を施すステップを更に含む 、請求項82に記載の方法。 85.前記中間部を除去する前に、前記ループを硬化材料で封止するステップを更 に含む、請求項82に記載の方法。 86.研磨により、前記中間部を除去するステップを更に含む、請求項85に記載 の方法。 87.前記中間部を除去した後に、前記封止材料を除去するステップを更に含む、 請求項86に記載の方法。 88.電子コンポーネントに突出した導電性接触子を実装するための方法において 、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記コンポーネントにボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記コンポーネントから突出するステム を形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部で ある、第1のステム端部を有する、ステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断する ステップと、 上記骨格、及び上記コンポーネントの隣接した表面を包み込 むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、 を順次的に含む方法。 89.前記切断ステップの前に、前記コンポーネントに前記第2のステム端部をボ ンディングするステップを更に含む、請求項88に記載の方法。 90.電子コンポーネントに突出した導電性接触子を実装するための方法において 、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記コンポーネントにボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記コンポーネントから突出するステム を形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部で ある、第1のステム端部を有する、ステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断する ステップと、 上記骨格、及び上記コンポーネントの隣接した表面に覆いを付けるために、 金属性の導電材料を堆積するステップと、 を順次的に含む方法。 91.前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前 記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に 続けるステップを更に含む、請求項88に記載の方法。 92.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記コン ポーネントにボンディングされることを更に含む、請求項91に記載の方法。 93.電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するた めの方法において、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成する ステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第1 のステム端部を有する、ステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断する ステップと、 上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材 料を堆積するステップと、 を順次的に含む方法。 94.前記切断ステップの前に、前記端子に前記第2のステム端部をボンディング するステップを更に含む、請求項93に記載の方法。 95.前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前 記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に 続けるステップを更に含む、請求項93に記載の方法。 96.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記端子 にボンディングされることを更に含む、請求項95に記載の方法。 97.電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するた めの方法において、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成する ステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第1 のステム端部を有する、ステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断する ステップと、 上記骨格、及び上記端子の隣接した表面に覆いを付けるために、金属性の導 電材料を堆積するステップと、 を順次的に含む方法。 98.前記切断ステップの前に、前記端子に前記第2のステム端部をボンディング するステップを更に含む、請求項97に記載の方法。 99.前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前 記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に 続けるステップを更に含む、請求項97に記載の方法。 100.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記端 子にボンディングされることを更に含む、請求項99に記載の方法。 101.電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装する ための方法において、 連続した送り端部と、ある長さを有するワイヤを供給するステップと、 第1のボンディングステップにおいて、上記送り端部を上記端子にボンデ ィングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成す るステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第 1のステム端部を有する、ステップと、 上記ワイヤの長さに沿った中間部を上記端子に順次的にボンディングし、 ボンディングの各対の間に突出したステム部分を形成するステップと、 最終のボンディングステップにおいて、骨格を規定するために、上記ワイ ヤを切断するステップと、 上記骨格、及び上記電子コンポーネントの隣接した表面を包み込むために 、金属性の導電材料を堆積するステップと、 を順次的に含む方法。 102.電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装する ための方法において、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出して第1のステム端 部を有する、ステムを形成するステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断す るステップと、 上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電 材料を堆積するステップと、 を順次的に含み、更に、 複数の端子に関して上記方法を実行するステップを含み、 上記形成ステップの結果として、複数の自立型の突出したステムとなり、 上記切断ステップは、共通の平面内でそれぞれのステム全てに関して行わ れることを含む方法。 103.前記端子は異なる平面にある、請求項102に記載の方法。 104.少なくとも1つの電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される 前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突 出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記切断ス テップは、共通の平面内で全てのステムに関して行われる、請求項93に記載の 方法。 105.前記ワイヤの断面は矩形である、請求項88に記載の方法。 106.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロ ジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウ ム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からな るグループから選択された金属から製作され、 前記導電材料の層のうちの少なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバ ルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム 、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及び それらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項88に記載の 方法。 107.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、、インジウム、ビスマス、アンチモ ン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選 択された半田である、請求項101に記載の方法。 108.前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成 するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステ ップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項90に記載の方法。 109.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記コ ンポーネントに密接にボンディングされることを更に含む、請求項108に記載 の方法。 110.前記切断ステップの前に、前記電子コンポーネントに前記第2のステム端 部をボンディングするステップを更に含む、請求項90に記載の方法。 111.前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、 前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的 に続けるステップを更に含む、請求項90に記載の方法。 112.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記コ ンポーネントにボンディングされることを更に含む、請求項90に記載の方法。 113.前記切断ステップの各々の前に、前記第2のステム端部の各々が、前記端 子にボンディングされることを更に含む、請求項94に記載の方法。 114.前記切断ステップは、前記第1のボンディングステップと実質的に同じ場 所で生じ、前記突出するステム部分は、ボンディングされた空間領域を規定する 、請求項101に記載の方法。 115.前記導電材料は半田である、請求項114に記載の方法。 116.前記半田は、前記骨格、及び前記ボンディングされた空間領域を覆う、請 求項115に記載の方法。 117.前記ボンディングされた空間領域の半田が、ヒートシンクと接触状態にな るように、上記ヒートシンク上に前記電子コンポーネントを配設するステップを 更に含む、請求項116に記載の方法。 118.前記ボンディングされた空間領域の半田が、基板と接触状態になるように 、上記基板上に前記電子コンポーネントを配設するステップを更に含む、請求項 116に記載の方法。 119.前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項88 に記載の方法。 120.前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項90 に記載の方法。 121.前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項93 に記載の方法。 122.前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項10 1に記載の方法。 123.前記電子コンポーネント上の複数の端子上の複数のワイヤに関して実行さ れる、請求項93に記載の方法。 124.前記第2の端部の前記切断ステップは、前記ワイヤを溶融することにより 行われる、請求項93に記載の方法。 125.前記第2の端部の前記切断ステップは、機械的セン断により行われる、請 求項93に記載の方法。 126.複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、 及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与す るために、集約して編成される、請求項88に記載の方法。 127.複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、 及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与す るために、集約して編成される、請求項89に記載の方法。 128.複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、 及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与す るために、集約して編成される、請求項90に記載の方法。 129.複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、 及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与す るために、集約して編成される、請求項91に記載の方法。 130.複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、 及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与す るために、集約して編成される、請求項93に記載の方法。 131.複数の端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び 前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するた めに、集約して編成される、請 求項95に記載の方法。 132.前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項88 に記載の方法。 133.前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項89 に記載の方法。 134.前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項90 に記載の方法。 135.前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項91 に記載の方法。 136.前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項93 に記載の方法。 137.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項88に記載の方法。 138.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項89に記載の方法。 139.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項90に記載の方法。 140.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項91に記載の方法。 141.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項93に記載の方法。 142.前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み 込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項95に記載の方法。 143.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項8 8に記載の方法。 144.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項8 9に記載の方法。 145.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含 む、請求項90に記載の方法。 146.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項9 1に記載の方法。 147.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項9 3に記載の方法。 148.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項9 5に記載の方法。 149.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に嵌合する際に 、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造 を有する、請求項88に記載の方法。 150.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に嵌合する際に 、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造 を有する、請求項89に記載の方法。 151.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に 嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎ ざの微細構造を有する、請求項90に記載の方法。 152.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に嵌合する際に 、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造 を有する、請求項91に記載の方法。 153.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に嵌合する際に 、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造 を有する、請求項93に記載の方法。 154.複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨 格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元 性を付与するために、集約して編成され、 前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、 導電層からなる前記層の少なくとも1つは、一致する端子に嵌合する際に 、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造 を有する、請求項95に記載の方法。 155.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項88に記載の方法。 156.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項89に記載の方法。 157.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項90に記載の方法。 158.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項91に記載の方法。 159.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項93に記載の方法。 160.前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、 請求項95に記載の方法。 161.前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求 項88に記載の方法。 162.前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項90に記載 の方法。 163.前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項93に記載 の方法。 164.前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項97に記載 の方法。 165.前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こす ステップを更に含む、請求項88に記載の方法。 166.前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こす ステップを更に含む、請求項90に記載の方法。 167.前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こす ステップを更に含む、請求項93に記載の方法。 168.前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こす ステップを更に含む、請求項97に記載の方法。 169.電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装する ための方法において、 連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、 該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、 ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出して第1のステム端 部を有する、ステムを形成するステップと、 骨格を規定するために、第2のステム端部において、上記ステムを切断す るステップと、 上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電 材料を堆積するステップと、 を順次的に含み、更に、 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、 前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的 に続けるステップを含み、更に、 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを含み、 上記形成ステップの結果として、複数の自立型の突出したステムとなり、 上記切断ステップは、共通の平面内でそれぞれのステム全てに関して行わ れることを含む方法。 170.前記端子は異なる平面にある、請求項169に記載の方法。 171.少なくとも1つの電子コンポーネント上の複数の前記端子に関して実行さ れる前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前 記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、切断ス テップは、共通の平面内の全ての前記ステムに関して行われることを含む、請求 項95に記載の方法。 172.前記ワイヤの断面は矩形である、請求項88に記載の方法。 173.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された 金属から製作され、 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項90に記載の方法。 174.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作され、 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項93に記載の方法。 175.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作され、 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項97に記載の方法。 176.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作される、請求項88に記載の方法。 177.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作される、請求項90に記載の方法。 178.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作される、請求項93に記載の方法。 179.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、ス ズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそ れらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項97に 記載の方法。 180.前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテ ニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモ ン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループか ら選択された金属から製作される、請求項101に記載の方法。 181.前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項88に記載の方法。 182.前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項90に記載の方法。 183.前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、 インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニ ウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項9 3に記載の方法。 184.前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少 なくとも1つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タン グステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀 、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから 選択された金属である、請求項97に記載の方法。 185.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項88に記載の方法。 186.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項89に記載の方法。 187.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項90に記載の方法。 188.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前 記方法を実行するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項91に記載の方法。 189.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウムと その合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田 である、請求項93に記載の方法。 190.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前 記方法を実行するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項95に記載の方法。 191.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項97に記載の方法。 192.電子コンポーネント上の少なくとも1つの端子に関して、前記方法を実行 するステップを更に含み、 前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、 及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、 前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン 、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第1 の層でコーティングされ、 前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン 、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択 された半田である、請求項101に記載の方法。 193.前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、 前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配 設される障壁層を更に含む、請求項88に記載の方法。 194.前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、 前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配 設される障壁層を更に含む、請求項93に記載の方法。 195.前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、 前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配 設される障壁層を更に含む、請求項95に記載の 方法。 196.前記電子コンポーネントの2つの表面の各々は、そこに実装された少なく とも1つの突出した接触子を有する、請求項88に記載の方法。 197.前記電子コンポーネントの2つの表面の各々は、そこに実装された少なく とも1つの突出した接触子を有する、請求項90に記載の方法。 198.前記電子コンポーネントの2つの表面の各々は、そこに実装された少なく とも1つの突出した接触子を有する、請求項93に記載の方法。 199.前記電子コンポーネントの2つの表面の各々は、そこに実装された少なく とも1つの突出した接触子を有する、請求項97に記載の方法。 200.前記電子コンポーネントの2つの表面の各々は、そこに実装された少なく とも1つの突出した接触子を有する、請求項101に記載の方法。 201.前記ワイヤはS字形状である、請求項88に記載の方法。 202.前記ワイヤはS字形状である、請求項90に記載の方法。 203.前記ワイヤはS字形状である、請求項93に記載の方法。 204.前記ワイヤはS字形状である、請求項97に記載の方法。 205.前記ワイヤはS字形状である、請求項101に記載の方法。 206.電子コンポーネントの表面から延伸する、復元性のある接触構造を形成す る方法において、 電子コンポーネントの表面から、初期には第1の方向に延伸するように、 上記電子コンポーネントの上記表面上の端子に、ワイヤの一つの端部をボンディ ングするステップと、 少なくとも2つの曲げ部を含む形状を有するように、上記ワイヤを構成す るステップと、 上記ワイヤを切断するステップであって、該切断ステップの結果、上記ワ イヤの切断された端部が、概ね上記第1の方向に延伸する、切断ステップと、 上記ワイヤ、及び上記ワイヤのボンディングされた端部を取り囲む領域に 、導電性の金属性材料で、保護膜を施すステップとを含み、 上記ワイヤの形状、及び上記金属性材料の機械的性質が、上記ワイヤ、及 び上記金属性材料からなる、結果としての復元性のある接触構造に、復元性を付 与するように協働する方法。 207.電子コンポーネント上に導電性接触子を製造するための方法において、 ワイヤの一つの端部を、電子コンポーネントの表面上の第1の領域にボン ディングするステップと、 上記電子コンポーネントの上記表面から、ワイヤステムとして延伸するよ うに、上記ワイヤを成形するステップと、 上記ワイヤステムが、自由端とある長さを有するように、上記ワイヤステ ムを切断するステップと、 上記ワイヤステム上に、少なくとも1つの層を有する導電性 コーティングを堆積するステップとを含み、 該導電性コーティングは、上記ワイヤステムの少なくとも一部分を覆い、 該ワイヤステムの部分は、上記ワイヤステムのボンディングされた端部に始まり 、その長さに沿って連続し、 上記導電性コーティングは、上記電子コンポーネントの上記表面上の第2 の領域を覆い、該第2の領域は、上記第1の領域よりも大きく、且つ上記第1の 領域を包囲する方法。 208.前記導電性コーティングは、前記ワイヤステムの全長を覆う、請求項20 7に記載の方法。 209.前記導電性コーティングのうちの少なくとも1つの層が、前記ワイヤステ ムの全長に沿って堆積される、請求項207に記載の方法。 210.前記導電性コーティングは、前記ワイヤステムの前記長さの一部分のみを 覆う、請求項207に記載の方法。 211.ワイヤのスプールから前記ワイヤを供給するステップを更に含む、請求項 207に記載の方法。 212.前記第1の領域は、前記電子コンポーネントの前記表面上に配設された導 電性端子である、請求項207に記載の方法。 213.前記第1の領域は、導電性端子の第1の部分であり、 前記第2の領域は、上記導電性端子の第2の部分である、請求項207に 記載の方法。 214.前記電子コンポーネント上の複数の前記第1及び第2の領域において、複 数のワイヤステムを形成するステップを更に含む、 請求項207に記載の方法。 215.前記ワイヤステムは、結果としての接触子の骨格を規定するように、2次 元で成形される、請求項207に記載の方法。 216.前記ワイヤステムは、結果としての接触子の骨格を規定するように、3次 元で成形される、請求項207に記載の方法。 217.前記ワイヤステムは、S字形状を有するように成形される、請求項207 に記載の方法。 218.前記ワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面に対して直角に 延伸するように成形される、請求項207に記載の方法。 219.前記ワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面に対してある角 度で延伸するように成形される、請求項207に記載の方法。 220.前記電子コンポーネントは、相互接続基板である、請求項207に記載の 方法。 221.前記電子コンポーネントは、半導体素子である、請求項207に記載の方 法。 222.前記半導体素子はシリコン素子である、請求項221に記載の方法。 223.前記半導体素子は、ガリウム−ヒ素化合物である、請求項221に記載の 方法。 224.前記電子コンポーネントは、相互接続ソケットである、請求項207に記 載の方法。 225.前記電子コンポーネントは、試験ソケットである、請求項207に記載の 方法。 226.前記電子コンポーネントは、半導体ウェーハである、請求項207に記載 の方法。 227.前記電子コンポーネントは、セラミック半導体パッケージである、請求項 207に記載の方法。 228.前記電子コンポーネントは、プラスチック半導体パッケージである、請求 項207に記載の方法。 229.前記ワイヤステムは、超音波ボンディング装置を用いて、前記電子コンポ ーネントの前記表面にボンディングされる、請求項207に記載の方法。 230.前記ワイヤステムは、熱音響ボンディング装置を用いて、前記電子コンポ ーネントの前記表面にボンディングされる、請求項207に記載の方法。 231.前記ワイヤステムは、熱圧縮ボンディング装置を用いて、前記電子コンポ ーネントの前記表面にボンディングされる、請求項207に記載の方法。 232.ワイヤボンディング装置が、前記ワイヤステムの前記端部を、前記電子コ ンポーネントの前記表面にボンディングするために用いられ、 成形ステップの間、上記ワイヤボンディング装置の電子制御システムへと 入力される、1組の特定のコマンドにより、前記ワイヤステムの幾何形状特性の 全てのアスペクト比を制御する ステップを更に含む、請求項207に記載の方法。 233.ソフトウェア・アルゴリズムにより制御可能な、自動化ワイヤボンディン グ装置が、前記ワイヤステムを成形して、その自由端の先端の座標を決定するた めに用いられる、請求項207に記載の方法。 234.1組の指定パラメータに従って、制御システムにより制御される自動化装 置で、前記ワイヤステムを成形するステップを更に含む、請求項207に記載の 方法。 235.前記ワイヤは、スパークを発生することにより切断される、請求項207 に記載の方法。 236.前記ワイヤは、火炎射出技法を用いて切断される、請求項207に記載の 方法。 237.前記ワイヤステムを切断するステップと同じステップで、前記ワイヤステ ムの前記自由端の先端に、ボールを形成するステップを更に含む、請求項207 に記載の方法。 238.前記導電性コーティングは、電気化学的工程により堆積される、請求項2 07に記載の方法。 239.前記導電性コーティングは、電解メッキ工程により堆積される、請求項2 07に記載の方法。 240.前記導電性コーティングは、無電解メッキ工程により堆積される、請求項 207に記載の方法。 241.前記導電性コーティングは、物理的蒸着、及び化学的蒸着からなるグルー プから選択された工程により堆積される、請求項 207に記載の方法。 242.前記導電性コーティングは、気体、液体、又は固体の先行物質の分解を伴 う工程により堆積される、請求項207に記載の方法。 243.前記導電性コーティングに、複数の局所突起を設けるステップを更に含む 、請求項207に記載の方法。 244.前記導電性接触子と、前記局所突起により嵌合される電子デバイスとの間 の接触抵抗を低減するステップを更に含む、請求項243に記載の方法。 245.前記局所突起は、電気メッキ堆積物の樹枝成長により設けられる、請求項 243に記載の方法。 246.前記局所突起は、前記ワイヤステムへの前記導電性コーティングの堆積時 に、前記導電性コーティングへの異質粒子の取り込みにより設けられる、請求項 243に記載の方法。 247.前記導電性コーティングの均一な第1の層が、前記ワイヤステム上に堆積 され、 前記導電性コーティングの続いて堆積された層において、前記局所突起を 形成するステップを更に含む、請求項243に記載の方法。 248.前記第1の層は、前記導電性接触子に復元特性を付与するのに適した材料 であるように選択され、 前記続いて堆積された層は、前記導電性接触子と、前記導電性接触子が嵌 合される電子デバイスとの間の接触抵抗を低減す る材料であるように選択される、請求項247に記載の方法。 249.前記ワイヤステム上に堆積された複数の層のうちの外層が、金、銀、プラ チナ群の元素、及びそれらの合金からなるグループから選択される導電材料を含 む、請求項207に記載の方法。 250.前記ワイヤステムは、金、アルミニウム、銅、ベリリウム、カドミウム、 シリコン、銀とプラチナ、及びそれらの合金から構成されるグループから選択さ れた材料からなる、請求項207に記載の方法。 251.前記ワイヤステムは、0.0005インチと0.005インチの間の直径 を有する、請求項207に記載の方法。 252.前記ワイヤステムは、0.0007インチと0.003インチの間の直径 を有する、請求項207に記載の方法。 253.前記導電性コーティングは、ニッケル、銅、コバルト、鉄、及びそれらの 合金から構成されるグループから選択された材料からなる、請求項207に記載 の方法。 254.前記コーティングは、80,000ポンド/平方インチ(5624.65 kg/cm2)を越えた引張り強度を有する、請求項207に記載の方法。 255.前記導電性コーティングの堆積の間、前記導電性コーティングに、圧縮性 の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項207に記載の方法。 256.前記ニッケルは、0.00005インチと0.007インチの間の厚さを 有する、請求項207に記載の方法。 257.前記ニッケルは、0.00010インチと0.003インチの間の厚さを 有する、請求項207に記載の方法。 258.前記導電性コーティングは、2つ以上の層として堆積され、該2つ以上の 層のうちの少なくとも外層が、導電材料である、請求項207に記載の方法。 259.ワイヤステム上に堆積される第1の層がニッケルであり、 該第1の層にわたって堆積される第2の層が、金、銀、プラチナ群の元素 、及びそれらの合金からなるグループから選択された材料である、請求項258 に記載の方法。 260.前記2つ以上の層は、前記突出した接触子の機械的特性を合わせるように 選択される、請求項258に記載の方法。 261.前記第1の領域は、金とアルミニウムからなるグループから選択された材 料の層を含む、請求項207に記載の方法。 262.前記第1の領域、及び前記第2の領域は、前記電子コンポーネントの前記 表面に、以前に施された導電層の部分である、請求項207に記載の方法。 263.ボンディングした後に、前記第1及び第2の領域を除く全ての領域におい て、選択的に、前記電子コンポーネントから前記導電層を除去するステップを更 に含む、請求項262に記載の方法。 264.前記ワイヤステムの形状と、厚さ、降伏強度、及び弾性係数からなるグル ープから選択された、前記導電性コーティングの特性とに基づいて、前記接触子 に対して所定の復元性を確立す るステップを更に含む、請求項207に記載の方法。 265.前記ワイヤステムは、第1の強度を有する材料からなり、 前記導電性コーティングは、上記第1の材料の強度よりも大きい第2の強 度を有する材料からなる、請求項207に記載の方法。 266.前記導電性接触子は、物理的性質、金属加工性、機械的性質、バルクと表 面からなるグループから選択された、被制御特性を有する、請求項207に記載 の方法。 267.前記突出した導電性接触子は、ピン状接触子として成形され、 前記電子コンポーネントは、ピン・グリッド・アレイ・パッケージである 、請求項207に記載の方法。 268.前記ピン・グリッド・アレイ・パッケージは、セラミックのピン・グリッ ド・アレイ・パッケージである、請求項267に記載の方法。 269.前記ピン・グリッド・アレイ・パッケージは、プラスチックのピン・グリ ッド・アレイ・パッケージである、請求項267に記載の方法。 270.複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に 含み、上記ワイヤステムの第1の部分が、前記電子コンポーネントの第1のレベ ルから始まり、上記ワイヤステムの第2の部分が、前記電子コンポーネントの第 2のレベルから始まり、該第1のレベルと該第2のレベルは、互いに共平面にあ り、 上記複数のワイヤステムの自由端が、互いに実質的に共平面にあるように 切断される、請求項207に記載の方法。 271.前記ワイヤステムの自由端は、前記電子コンポーネントの前記第1及び第 2のレベルのうちの少なくとも1つと平行な平面へと延伸するように切断される 、請求項270に記載の方法。 272.複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に 含み、上記ワイヤステムの第1の部分が、第1の電子コンポーネントから始まり 、上記ワイヤステムの第2の部分が、第2の電子コンポーネントから始まり、 上記複数のワイヤステムの自由端が、互いに実質的に共平面にあるように 切断される、請求項207に記載の方法。 273.前記ワイヤステムの自由端は、前記第1及び第2の電子コンポーネントの うちの少なくとも1つと平行な平面へと延伸するように切断される、請求項27 2に記載の方法。 274.前記電子コンポーネントから始まる、複数のワイヤステムをボンディング 、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第1の部分が、 第1の電子デバイス上に終端し、上記ワイヤステムの第2の部分が、第2の電子 デバイス上に終端する、請求項207に記載の方法。 275.複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に 含み、 上記ワイヤステムの第1の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の 上の第1のレベルで終端するように切断され、 上記ワイヤステムの第2の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の 上の第2のレベルで終端するように切断され、上記第1のレベルと上記第2のレ ベルは共平面にはない、請求項207に記載の方法。 276.少なくとも2つの電子コンポーネントから始まる、複数のワイヤステムを ボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの一 部分の各々は、上記少なくとも2つの電子コンポーネントのうちの対応する1つ から延伸する、請求項207に記載の方法。 277.前記第1及び第2の電子コンポーネントを相互接続するステップを更に含 む、請求項276に記載の方法。 278.前記第1及び第2の電子コンポーネントの1つが、コンデンサである、請 求項276に記載の方法。 279.前記第1及び第2の電子コンポーネントの1つが、抵抗である、請求項2 76に記載の方法。 280.複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に 含み、 上記ワイヤステムの第1の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の 上の第1のレベルで終端するように切断され、 上記ワイヤステムの第2の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の 上の第2のレベルで終端するように切断され、上記第1のレベルと上記第2のレ ベルは共平面にはなく、 上記ワイヤステムの上記第1の部分を、相互接続基板上に終 端させるステップと、 上記ワイヤステムの上記第2の部分を、上記相互接続基板と前記電子コン ポーネントの間に配設された、電子デバイス上に終端させるステップとを更に含 む、請求項207に記載の方法。 281.前記電子コンポーネントは、裸で、パッケージ未実装の半導体素子である 、請求項280に記載の方法。 282.前記電子デバイスは、コンデンサである、請求項280に記載の方法。 283.前記電子コンポーネントは、裸で、パッケージ未実装の半導体素子であり 、 前記電子デバイスは、コンデンサである、請求項280に記載の方法。 284.前記導電性コーティングは半田からなり、前記導電性接触子は、前記電子 コンポーネントの前記表面から延伸する、塔状の半田接触子である、請求項20 7に記載の方法。 285.前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積する前に、前記ワイ ヤステム上に障壁層を堆積するステップを更に含み、該障壁層は、前記導電性コ ーティングと前記ワイヤステムの間の反応を防止するように選択された材料であ る、請求項284に記載の方法。 286.前記ワイヤは金であり、 前記障壁層は、ニッケル、銅、コバルト、鉄、又はそれらの合金からなる グループから選択された材料である、請求項28 5に記載の方法。 287.前記導電性コーティングの材料組成の選択により、前記電子基板の半田付 け特性を確立するステップを更に含む、請求項207に記載の方法。 288.前記導電性コーティングの材料組成の選択により、半田と、前記突出した 導電性接触子との相互作用から、長期効果を確立するステップを更に含む、請求 項207に記載の方法。 289.前記ワイヤステムは、0.0005インチと0.005インチの間の直径 を有し、 半田を堆積する前に、0.00005インチと0.007インチの間の厚 さを有するニッケルで、前記ワイヤステムをコーティングするステップを更に含 む、請求項207に記載の方法。 290.前記ワイヤステムは、0.0007インチと0.003インチの間の直径 を有し、 前記ニッケルは、0.00010インチと0.003インチの間の厚さを 有する、請求項289に記載の方法。 291.前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ルー プは、前記電子コンポーネントの前記表面上の選択された第2の領域で始まり、 且つ第2の領域に終端する、請求項207に記載の方法。 292.前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ルー プは、前記電子コンポーネントの導電性端子上で始まり、該ループは、犠牲要素 上に終端する、請求項207に 記載の方法。 293.前記ワイヤステムの前記自由端を、犠牲導体にボンディングした後に、前 記犠牲要素を除去するステップを更に含む、請求項292に記載の方法。 294.前記犠牲要素は、前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積し た後に除去される、請求項293に記載の方法。 295.前記犠牲要素は、前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積す る前に除去される、請求項293に記載の方法。 296.前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ルー プは、前記犠牲要素上で始まり、該ループは、前記電子コンポーネントの導電性 端子上で終端する、請求項207に記載の方法。 297.前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ルー プは、前記電子コンポーネントの前記表面上の前記第2の領域で始まり、該ルー プは、前記第2の領域とは異なる第3の領域に終端する、請求項207に記載の 方法。 298.前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ルー プは、前記電子コンポーネントの前記表面上の第3の領域で始まり、該第3の領 域は、前記第2の領域とは異なり、上記ループは、前記第2の領域に終端する、 請求項207に記載の方法。 299.前記ワイヤステムの第1の長さを第1のループへと成形するステップであ って、該第1のループは、前記電子コンポーネン トの前記表面上に配設された、導電性端子上で始まり、且つ該導電端子上に終端 する、ステップと、 前記ワイヤステムの上記第1の長さを切断するステップと、 前記ワイヤステムの第2の長さを第2のループへと成形するステップであ って、該第2のループは、前記導電性端子上で始まり、且つ該導電端子上に終端 し、上記第1のループと平行である、ステップと、 前記ワイヤステムの上記第2の長さを切断するステップと、 前記電子コンポーネントの前記導電性端子上に配設され、アスペクト比が 制御された、半田の支柱を形成するために、半田の共通の導電性コーティングを 、上記第1及び第2のループ上、及び前記導電性端子上に堆積するステップと、 上記半田の共通の導電性コーティングを堆積する前に、上記2つのループ を障壁層でコーティングするステップとを更に含み、 前記ワイヤは金であり、 上記半田は、鉛とスズの合金であり、 上記障壁層は、前記導電性コーティングの上記半田と、前記ワイヤの上記 金との間の反応を防止するのに十分な厚さを、前記ワイヤ上に有する、ニッケル 合金である、請求項207に記載の方法。 300.前記ワイヤを切断する前に、前記ワイヤの中間部を前記電子コンポーネン トにボンディングし、それにより、前記電子コン ポーネントの前記表面上に骨格を形成するステップを更に含む、請求項207に 記載の方法。 301.前記中間部は、前記電子コンポーネントの前記第2の領域にボンディング される、請求項300に記載の方法。 302.前記ワイヤの前記中間部を前記電子コンポーネントにボンディングした後 に、前記骨格を半田塊でコーティングするステップを更に含む、請求項300に 記載の方法。 303.前記骨格を前記半田塊でコーティングする前に、前記骨格を障壁層でコー ティングするステップを更に含む、請求項302に記載の方法。 304.前記ワイヤの前記中間部を前記電子コンポーネントにボンディングした後 に、前記電子コンポーネントの前記表面上の後続の骨格としてボンディングする ための後続の端部を有するように、前記ワイヤを切断するステップを更に含む、 請求項300に記載の方法。 305.複数の骨格が、前記電子コンポーネントの共通の第2の領域上に形成され る、請求項300に記載の方法。 306.前記共通の第2の領域は端子である、請求項305に記載の方法。 307.前記複数の骨格には、共通の堆積ステップで、保護膜が施される、請求項 305に記載の方法。 308.前記ワイヤを切断することなく、前記ワイヤの前記中間部を前記電子コン ポーネントにボンディングした後に、前記電子コ ンポーネントの前記表面上に、骨格のシーケンスを形成するために、切断するこ となく、前記ワイヤの後続の中間部のボンディングを続けるステップを更に含む 、請求項300に記載の方法。 309.前記第1の領域に隣接した骨格のうちの最後の1つをボンディング及び切 断するステップを更に含む、請求項308に記載の方法。 310.前記骨格のシーケンスは、前記電子コンポーネントの前記表面上に囲まれ た領域を規定する、請求項308に記載の方法。 311.半田が前記囲まれた領域を充填するようにして、前記導電性コーティング として上記半田を堆積するステップを更に含む、請求項300に記載の方法。 312.前記囲まれた半田充填領域を、ヒートシンク、及び基板からなるグループ から選択された電子デバイスと接触へと至らしめるステップを更に含む、請求項 301に記載の方法。 313.複数のワイヤステムに対して、ボンディングステップ、成形ステップ、及 び切断ステップを繰り返すステップを更に含み、前記導電性コーティングは、上 記複数のワイヤステム上に、共通のコーティングとして堆積される、請求項20 7に記載の方法。 314.前記複数のワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面上に、ア レイパターンで配列される、請求項313に記載の方法。 315.ループを形成するために、前記ワイヤの前記第2の端部を、前記電子コン ポーネントの前記第1の領域にボンディングするステップと、 3次元で前記電子コンポーネントから延伸するように、上記ループを更に 成形するステップと、 を更に含む、請求項207に記載の方法。 316.電子コンポーネントの表面上に、電気的接触子を製造するための方法にお いて、突出した電気的接触子の各々に対して、 ワイヤの一方の端部を、上記電子コンポーネントの上記表面上の第1の領 域にボンディングするステップであって、上記電子コンポーネントの上記表面は 、「x」軸と、「x」軸に直交した「y」軸とにより規定される平面である、ボ ンディングステップと、 上記ワイヤの一方の端部が、上記電子コンポーネントの上記表面上の上記 領域にボンディングされると、上記ワイヤを、「x」及び「y」軸と相互に直交 した「z」軸方向に、また、「x」及び「y」軸のうちの少なくとも1つの方向 に延伸させるステップと、 上記ワイヤを延伸させた後に、ワイヤが、ある長さと、上記一方の端部と 対向した自由端とを有するように、上記ワイヤを切断するステップと、 上記ワイヤを延伸させる間、ワイヤが、その長さに沿って少なくとも1つ のU字形状の曲げ部を有するように、上記ワイヤ を成形するステップと、 上記ワイヤを延伸させ、また成形した後に、上記ワイヤの上記一方の端部 がボンディングされる上記第1の領域よりも大きく、且つ上記第1の領域を包含 する、上記基板の上記表面上の第2の領域を覆うために、また、上記ワイヤの長 さのうちの少なくとも一部分を覆うために、第1の導電性の金属性材料を堆積す るステップであって、上記ワイヤの上記一部分は、ワイヤの上記一方の端部から 、ワイヤの長さに沿って、ワイヤの上記自由端に向かって延伸する、堆積ステッ プと、 を含む方法。 317.前記ワイヤ上に少なくとも2つのコーティングを堆積するステップを更に 含む、請求項316に記載の方法。 318.第1の電子コンポーネントを第2の電子コンポーネントに接続する方法に おいて、 第1と第2の電子コンポーネントの間に、第3の電子コンポーネントを供 給するステップであって、該第3の電子コンポーネントは、第1の電子コンポー ネントの面上の対応する複数の接触箇所に接触するために、第3の電子コンポー ネントの第1の表面から延伸する、第1の複数の復元性のある接触構造を有し、 上記第3の電子コンポーネントは、第2の電子コンポーネントの面上の対応する 複数の接触箇所に接触するために、第3の電子コンポーネントの第2の表面から 延伸する、第2の複数の復元性のある接触構造を有する、供給ステップと、 上記第3の電子コンポーネント内で、第1の複数の復元性のある接触構造 と、第2の複数の復元性のある接触構造との間に、接続をなすステップと、 を含む方法。 319.前記第1の電子コンポーネントは、半導体パッケージである、請求項31 8に記載の方法。 320.前記第1の電子コンポーネントは、パッケージ未実装の半導体ダイである 、請求項318に記載の方法。 321.前記第2の電子コンポーネントは、印刷回路基板である、請求項318に 記載の方法。 322.前記第3の電子コンポーネントは、前記第1と第2の電子コンポーネント 間に、取り外し可能な相互接続を与える、請求項318に記載の方法。 323.第1の電子コンポーネントと第2の電子コンポーネントの間に一時的な接 続をなし、その後に続いて、第1の電子コンポーネントと第3の電子コンポーネ ントの間に永久的な接続をなす方法において、 第1の電子コンポーネントの表面に、複数の復元性のある接触構造を実装 するステップと、 第1の電子コンポーネントと第2の電子コンポーネントの間に一時的な接 続をもたらすために、第2の電子コンポーネントに対して、第1の電子コンポー ネントを押圧するステップと、 第2の電子コンポーネントを除去するステップと、 第3の電子コンポーネントに、第1の電子コンポーネントを実装するステ ップと、 を含む方法。 324.前記第1及び第2の電子コンポーネントが、一時的に接続される間、前記 第1の電子コンポーネントのエージング、及び試験からなるグループから選択さ れた、少なくとも1つの機能を実施するステップを更に含む、請求項323に記 載の方法。 325.介在体において、 第1の表面と、該第1の表面と対向した第2の表面と、第1の表面上の第 1の複数の導電領域と、第2の表面上の第2の複数の導電領域とを有する誘電体 基板であって、第1の複数の導電領域の各々は、第2の導電領域の対応する1つ に、電気的に接続される、誘電体基板と、 第1の導電領域から延伸する、第1の複数の復元性のある接触構造と、 第1の導電領域から延伸する、第2の複数の接触構造と、 からなる介在体。 326.前記第1の複数の復元性のある接触構造は、従順性のある接触構造である 、請求項325に記載の介在体。 327.前記第1の複数の復元性のある接触構造の偏向を制限するために、前記第 1の表面上に製造された、少なくとも1つのスタンドオフ要素から更になる、請 求項326に記載の介在体。 328.前記第1の複数の導電領域と、前記第2の複数の導電領域と の間の電気的接続部は、メッキされたスルーホールである、請求項325に記載 の介在体基板。 329.前記第2の複数の接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項32 5に記載の介在体。 330.前記第2の複数の接触構造は、復元性のない接触構造である、請求項32 5に記載の介在体。 331.前記第1の複数の復元性のある接触構造と、前記第2の複数の接触構造の いずれかの少なくとも1つは、少なくとも2つの接触構造からなる、請求項32 5に記載の介在体。 332.介在体において、 第1の表面、及び該第1の表面と対向した第2の表面を有し、また第1の 表面上に複数の導電領域を有する、誘電体基板と、 上記複数の導電領域に実装された、複数の復元性のある接触構造であって 、第1の電子コンポーネントに接続をなすために、上記誘電体基板の第1の表面 を越えて延伸する、第1の部分を有し、また、第2の電子コンポーネントに相互 接続をなすために、上記誘電体基板の第2の表面を越えて延伸し、上記第1の部 分に連続した、第2の部分を有する、複数の復元性のある接触構造と、 からなる介在体。 333.前記複数の復元性のある接触構造の第2の部分は、前記基板内の穴を介し て延伸する、請求項332に記載の介在体。 334.前記第2の複数の接触構造は、復元性のある接触構造であり、 前記誘電体基板の両方の表面上の導電トレースから更になる、請求項325に記 載の介在体。 335.前記基板の第1の側のスタンドオフ要素から更になる、請求項325に記 載の介在体。 336.前記基板の第1の側の複数の導電領域から更になり、 前記第1の複数の復元性のある接触構造は、上記導電領域から延伸する、 請求項325に記載の介在体。 337.前記基板を介して延伸する複数の穴から更になり、 前記第2の接触構造は、前記導電領域から上記複数の穴を介して、前記基 板の第2の側に延伸する、請求項336に記載の介在体。 338.前記第1の複数の復元性のある接触構造は、対で配列される、請求項32 5に記載の介在体。 339.前記基板の第1の側の複数の導電領域と、 前記基板を介して延伸する複数の穴と、 から更になり、 前記第1の複数の復元性のある接触構造は、前記基板の第1の側を越えて 上記複数の穴を介して、前記基板の第2の側を越えてと延伸し、 前記第1の複数の復元性のある接触構造は、上記導電領域に電気的に接続 される、請求項325に記載の介在体。 340.介在体において、 基板であって、該基板の第1の表面から該基板の第2の表面 へと延伸する複数の穴を有する、基板と、 各々の接触構造が対応する穴内に配設される、複数の接触構造と、 上記穴内で上記接触構造を支持するための手段と、 からなる介在体。 341.前記接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項340に記載の介 在体。 342.支持するための前記手段は、弾性材料である、請求項340に記載の介在 体。 343.前記弾性材料の少なくとも一部分が導電性である、請求項342に記載の 介在体。 344.各穴内の金属性表面から更になり、 支持するための前記手段は半田である、請求項340に記載の介在体。 345.前記基板は、金属性であり、絶縁材料で保護膜が施される、請求項340 に記載の介在体。 346.成形された接触構造を製造する方法において、 第1の機構により、複数の自立型ワイヤステムを基板に実装するステップ と、 上記第1の機構の外部にある第2の機構により、上記ワイヤステムを成形 するステップと、 を含む方法。 347.半導体パッケージにおいて、 第1の絶縁層と、 該第1の絶縁層の第1の表面上に配設されて、第1の複数の導電トレース を有するようにパターニングされた、第1の導電層と、 第2の絶縁層と、 該第2の絶縁層の第1の表面上に配設されて、第2の複数の導電トレース を有するようにパターニングされた、第2の導電層と、 第1の導電層は、第2の絶縁層と接触状態にあることと、 第2の導電層、及び第2の絶縁層は、第1の複数の導電トレースの外側部 分が露出するように、配列及び配設されることと、 第1の複数の導電トレースに実装された、第1の複数の電気的接触構造と 、 第2の複数の導電トレースに実装された、第2の複数の電気的接触構造と 、 からなる半導体パッケージ。 348.前記第1の電気的接触構造は、ある平面に延伸し、 前記第2の電気的接触構造は、上記平面に延伸する、請求項347に記載 の半導体パッケージ。 349.前記第1の電気的接触構造は、復元性のある接触構造であり、 前記第2の電気的接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項34 7に記載の半導体パッケージ。 350.半導体素子を受けるための手段から更になり、 前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層は、半導体素子に接続するため に、前記第1の複数の導電トレースの内側部分が露出するように配列及び配設さ れ、 前記第1の複数の導電トレースの露出した内側部分に、上記半導体素子を 接続するための手段と、 前記第2の複数の導電トレースに、上記半導体素子を接続するための手段 と、 前記第1の複数の導電トレースの外側部分に実装された、第1の複数の電 気的接触構造と、 第2の複数の導電トレースに実装された、第2の複数の電気的接触構造と から更になる、請求項347に記載の半導体パッケージ。 351.半導体素子において、 前部表面、及び背部表面を有する半導体ダイと、 該半導体ダイの前部表面に実装された、複数の自立型の相互接続構造と、 上記半導体ダイの背部表面に実装された、複数の自立型の熱放散構造と、 からなる半導体素子。 352.前記相互接続構造は、復元性のある接触構造である、請求項351に記載 の半導体素子。 353.前記相互接続構造は、従順性のある接触構造である、請求項351に記載 の半導体素子。 354.前記自立型の熱放散構造は、前記半導体ダイの背部表面に、ワイヤ実装さ れる、請求項351の半導体素子。 355.前記自立型の相互接続構造は、第1の材料からなり、 前記自立型の熱放散構造は、上記第1の材料とは異なる第2の材料からな る、請求項351に記載の半導体素子。 356.前記自立型の相互接続構造、及び前記自立型の熱放散構造には、共通の材 料で保護膜が施される、請求項355に記載の半導体素子。 357.前記自立型の熱放散構造と、前記半導体ダイの背部表面との間に配設され た、金属性材料の層から更になり、 前記相互接続構造は、復元性のある接触構造である、請求項351に記載 の半導体素子。 358.半導体素子において、 前部表面、及び背部表面を有する半導体ダイと、 該半導体ダイの前部表面に実装された、複数の自立型の復元性のある接触 構造と、 からなる半導体素子。 359.前記半導体ダイの前部表面上に配設された導電パッドから更になり、 1つの接触構造が、上記導電パッドの各々に実装される、請求項358に 記載の半導体素子。 360.前記復元性のある接触構造の各々は、 一端において、前記半導体ダイの前部表面にボンディングさ れ、弾力のある形状を有するように構成された、ワイヤステムと、 該ワイヤステムにわたって、また、前記半導体ダイの前部表面の一部分に わたって施された、保護膜材料と、 からなる、請求項358に記載の半導体素子。 361.前記復元性のある接触構造は従順性がある、請求項358に記載の半導体 素子。 362.電子アセンブリを組み立てる方法において、 第1の配線基板に、該第1の配線基板に実装される、第1の複数の半導体 素子を準備するステップと、 第2の配線基板に、該第2の配線基板に実装される、第2の複数の半導体 素子を準備するステップと、 上記第2の配線基板は、上記第1の配線基板上のパッドに接続するために 、第2の配線基板に実装された電気的接触構造を有することと、 上記第1及び第2の配線基板は、一方の頂部に他方をというように積み重 ねられ、上記電気的接触構造により、互いに相互接続されることと、 を含む方法。 363.前記第1の配線基板は2つの側を有し、 前記第2の配線基板は2つの側を有し、 前記第1の複数の半導体素子は、第1の配線基板の両側に実装され、 前記第2の複数の半導体素子は、第2の配線基板の両側に実装される、請 求項362に記載の方法。 364.前記第1の複数の半導体素子を、前記第1の配線基板に電気的に相互接続 する、第1の複数の復元性のある接触構造と、 前記第2の複数の半導体素子を、前記第2の配線基板に電気的に相互接続 する、第2の複数の復元性のある接触構造と、 を更に含む、請求項362に記載の方法。 365.電子コンポーネントに、自立型の接触構造を実装する方法において、 電子コンポーネント上の端子上に、導電材料の穴開け可能な塊を設けるス テップと、 上記導電材料内に、ワイヤの一端を挿入するステップと、 上記ワイヤを、自立型となるように切断するステップと、 上記ワイヤ、及び上記塊に、導電性の金属性材料で保護膜を施すステップ と、 を含む方法。 366.前記導電材料の塊は半田である、請求項365に記載の方法。 367.前記導電材料の塊は導電性エポキシである、請求項365に記載の方法。 368.前記保護膜は、メッキにより実施される、請求項365に記載の方法。 369.ワイヤボンディングを実行する方法において、 毛細管により、端子にボンディングワイヤをボンディングす るステップと、 上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出すステップと、 電極からの放電により、上記ボンディングワイヤを切断するステップと、 上記ボンディングワイヤを切断する間、紫外光により、上記電極と上記ボ ンディングワイヤのうちの少なくとも1つを照射するステップと、 を含む方法。 370.前記ボンディングワイヤを切断する前に、弾力のある形状を有するように 、前記ボンディングワイヤを構成するステップを更に含む、請求項369に記載 の方法。 371.ワイヤボンディング用ワイヤの一端に、ボールを形成する方法において、 電極とボンディングワイヤの間に、放電を引き起こすステップと、 上記放電を引き起こす間、紫外光により、上記電極と上記ボンディングワ イヤのうちの少なくとも1つを照射するステップと、 を含む方法。 372.ワイヤボンディングを実行する方法において、 毛細管により、端子にボンディングワイヤをボンディングするステップと 、 上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出すステップと、 上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出す間、上記毛細管内にガ ス流を供給するステップと、 を含む方法。 373.前記毛細管から前記ボンディングワイヤを繰り出す間、弾力のある形状を 有するように、前記ボンディングワイヤを構成するステップを更に含む、請求項 372に記載の方法。 374.基板の第1の側から延伸する第1の複数の接触構造と、該基板の第2の側 から延伸する第2の複数の接触構造とを有する介在体において、設計変更をなす 方法において、 上記基板の少なくとも1つの側に、複数の導電トレースを設けるステップ と、 第1の複数の接触構造のうちの選択された接触構造を、第2の複数の接触 構造のうちの選択された接触構造と相互接続するように、上記導電トレースを経 路指定するステップと、 を含む方法。
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