JP6407672B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、半導体装置の電気特性を検査する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

特開平１１−２６０５１３号公報（特許文献１）には、例えば、特許文献１の図５に示すように、先端部に互いに高さの異なる突起部を形成したコンタクトピンを使用して、半導体装置の電気特性の検査を実施する形態が記載されている。

特開平１０−７３６３４号公報（特許文献２）には、例えば、特許文献２の図３に示すように、鉛直方向に沿って並べて配置されたコンタクトピンを使用して、半導体装置の電気特性の検査を実施する形態が記載されている。

特開平１１−２９７４４２号公報（特許文献３）には、例えば、特許文献３の図６に示すように、鉛直方向に沿って並べて配置されたコンタクトピンを使用して、半導体装置の電気特性の検査を実施する形態が記載されている。

国際公開第２０１４／１６７６９３号（特許文献４）には、ソケット端子の先端部に複数の突起部を設けることにより、大電流を流すリードとソケット端子との接触を複数の突起部による多点接触とする形態が記載されている。

特開平１１−２６０５１３号公報 特開平１０−７３６３４号公報 特開平１１−２９７４４２号公報 国際公開第２０１４／１６７６９３号

パワー半導体装置のように、その検査工程において大きな電流を流す場合、例えば、特許文献４に示すように、被検査デバイス（被検査体）の外部端子（リード）と接触する部分に複数の接触部（突起部、凸部）を有するコンタクトピンを用いることが考えられる。これにより、１箇所（１点）でしか外部端子とコンタクトピンとが接触しない場合に比べて、電流を分散させることができる。言い換えると、１つの接触箇所に流れる電流の電流値を減らすことができる。この結果、例えば、特許文献４に記載されているように、電流分散効果によって、コンタクトピンにおけるスパークの発生を抑制することができ、これによって、コンタクトピンの寿命を確保することができる。

ところが、複数の接触部を、いわゆる板バネ構造のコンタクトピンに対して採用する場合、各接触部の高さを十分に調整する必要がある。具体的には、板バネ構造のコンタクトピンを用いた検査工程では、コンタクトピンが撓む。すなわち、コンタクトピンの先端部は、被検査デバイスの外部端子をコンタクトピンに接触させる際の荷重（垂直荷重）により、外部端子が接触する前の位置から移動する。この結果、コンタクトピンの先端部に複数の接触部を設ける形状を採用する場合、コンタクトピンが撓んだ状態であっても、複数の接触部が被検査デバイスの外部端子に確実に接触するようにコンタクトピンの各接触部の高さを調整しなければならない。つまり、コンタクトピンの先端部に複数の接触部を設ける構成の場合、電流分散によるコンタクトピンの寿命の向上を実効的に図るためには、高い加工精度が要求されることから、製造容易性の観点から改善の余地が存在する。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態における半導体装置の製造方法は、以下に示す構造のコンタクトピンを使用した半導体装置の検査工程を含む。すなわち、第１コンタクトピンの第１支持部および第２コンタクトピンの第２支持部が水平面内の第１方向に沿って並べて配置され、かつ、第２コンタクトピンの第２先端部が第１コンタクトピンの第１先端部から、第１方向と交差する水平面内の第２方向に沿ってずれている構成のコンタクトピンを採用して、半導体装置の検査工程を実施する。

一実施の形態によれば、コンタクトピンの製造容易性の向上を図りながら、外部端子へのコンタクトピンによる多点接触の確実性を向上することができる。

実施の形態における半導体装置の実装構成を示す図であり、半導体装置を上面から見た平面図である。 実施の形態における半導体装置を下面から見た平面図である。 図１のＡ−Ａ線で切断した断面図である。 ＱＦＰからなる半導体装置の実装構成を示す断面図である。 実施の形態における半導体装置の製造工程の流れを示すフローチャートである。 リードの外観不良や、コンタクトピンの短寿命化が引き起こされるメカニズムを説明するフローチャートである。 実施の形態における検査工程を説明する図である。 リードとコンタクトピンとの接続態様を拡大して示す図である。 被検査デバイスを押圧した状態を示す断面図である。 押圧時におけるリードとコンタクトピンとの接続態様を拡大して示す図である。 （ａ）は、コンタクトピンの構成を示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。 （ａ）は、実施の形態における検査工程を多数回実施することにより、コンタクトピンに半田材が付着した状態を示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。 図２の領域ＡＲを拡大して示す図である。 ２つのコンタクトピンを垂直方向（ｚ方向）に沿って並べて配置する関連技術の構成を示す模式図である。 （ａ）は、変形例１におけるコンタクトピンの構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。 （ａ）は、変形例１における検査工程を多数回実施することにより、コンタクトピンに半田材が付着した状態を示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。 変形例１におけるコンタクトピンをリードに接触させる結果、リードに形成される痕跡を模式的に示す平面図である。 関連技術において、コンタクトピンの一部がリードからはみ出すことを模式的に示す図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態）
＜半導体装置の実装構成＞
半導体装置（半導体パッケージ）は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）（本明細書では、ＭＯＳＦＥＴをＭＯＳトランジスタと呼ぶ場合もある）などの半導体素子を形成した半導体チップを含んでいる。半導体装置（半導体パッケージ）には、（１）半導体チップに形成されている半導体素子と外部回路とを電気的に接続するという機能や、（２）湿度や温度などの外部環境から半導体チップを保護し、振動や衝撃による破損や半導体チップの特性劣化を防止する機能がある。さらに、パッケージには、（３）半導体チップのハンドリングを容易にするといった機能や、（４）半導体チップの動作時における発熱を放散し、半導体素子の機能を最大限に発揮させる機能なども合わせ持っている。

半導体装置（半導体パッケージ）の構造（形態）には、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＱＦＰ（Quad Flat Package）やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）などのように様々な種類がある。このような多様なパッケージ形態のうち、例えば、本実施の形態では、ＱＦＮからなる半導体装置の実装構成について、図面を参照しながら説明する。

図１は、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１の実装構成を示す図であり、半導体装置ＰＫＧ１を上面（表面）から見た平面図である。図１に示すように、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１は、略矩形形状をした封止体（樹脂）ＭＲで覆われている。

次に、図２は、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１を下面（裏面）から見た平面図である。図２に示すように、半導体装置ＰＫＧ１の裏面も封止体ＭＲで覆われているが、この封止体ＭＲからチップ搭載部ＴＡＢが露出している。このようにチップ搭載部ＴＡＢが半導体装置ＰＫＧ１の裏面から露出していることにより、半導体装置ＰＫＧ１の放熱効率を向上させることができる。また、略矩形形状をした半導体装置ＰＫＧ１の外周領域（外周部）には、複数のリードＬＤのそれぞれの一部（下面、実装面）も露出している。ここで、本明細書では、リードＬＤを外部端子と呼ぶ場合がある。

続いて、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１の内部構造について説明する。図３は、図１のＡ−Ａ線で切断した断面図である。図３に示すように、チップ搭載部ＴＡＢ上には、接着材ＡＤＨ１を介して、半導体チップＣＨＰが搭載されている。また、チップ搭載部ＴＡＢから離間してリードＬＤが配置されており、半導体チップＣＨＰに形成されているパッドＰＤとリードＬＤとは、導電性部材からなるワイヤＷで電気的に接続されている。そして、半導体チップＣＨＰ、ワイヤＷ、チップ搭載部ＴＡＢの一部およびリードＬＤの一部は、封止体ＭＲで覆われている。このとき、チップ搭載部ＴＡＢの下面は、封止体ＭＲの下面（裏面、実装面）から露出しており、リードＬＤの下面も封止体ＭＲの下面（裏面、実装面）から露出している。そして、封止体ＭＲから露出しているチップ搭載部ＴＡＢの下面と、封止体ＭＲから露出しているリードＬＤの下面とには、半田膜ＳＦが形成されている。

ここで、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１では、封止体ＭＲから露出しているリードＬＤの下面が、請求項に記載されている「第１面」に対応する。本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１の場合、リードＬＤの下面（「第１面」）は、水平面と並行しているということができる。また、封止体ＭＲの下面についても、水平面とほぼ並行しているということができる。

以上のようにして、本実施の形態における半導体装置ＰＫＧ１が実装構成されていることになる。なお、本実施の形態では、ＱＦＮからなる半導体装置ＰＫＧ１の実装構成について説明しているが、本実施の形態における技術的思想は、ＱＦＮからなる半導体装置ＰＫＧ１に限らず適用できるため、以下では、本実施の形態の変形例として、ＱＦＰからなる半導体装置の実装構成についても説明する。

＜変形例＞
図４は、ＱＦＰからなる半導体装置ＰＫＧ２の実装構成を示す断面図である。図４に示すように、変形例における半導体装置ＰＫＧ２は、チップ搭載部ＴＡＢを有し、このチップ搭載部ＴＡＢ上に、接着材ＡＤＨ１を介して、半導体チップＣＨＰが搭載されている。そして、半導体チップＣＨＰに形成されているパッドＰＤは、リードＬＤとワイヤＷで電気的に接続されている。ここで、半導体チップＣＨＰ、ワイヤＷ、チップ搭載部ＴＡＢおよびリードＬＤの一部分（「インナー部」とも呼ぶ）は、封止体ＭＲで封止されている一方、リードＬＤの他部分（「アウター部」とも呼ぶ）は、封止体ＭＲの側面（上面と下面との間の面）から露出（突出）している。封止体ＭＲから露出しているリードＬＤの他部分は、ガルウィング状に曲げ加工されており、特に、折り曲げられたリードＬＤの先端部は、水平面に対して傾斜するように加工されている。このとき、図４に示すように、本変形例における半導体装置ＰＫＧ２では、折り曲げられたリードＬＤの先端部の下面が、請求項に記載されている「第１面」に対応する。したがって、本変形例における半導体装置ＰＫＧ２の場合、リードＬＤの「第１面」は、水平面に対して傾斜しているということができる。一方、封止体ＭＲの下面については、水平面とほぼ並行しているということができる。

＜半導体装置（被検査デバイス）の製造方法＞
次に、本実施の形態における半導体装置（被検査デバイス）の製造方法について説明する。図５は、本実施の形態における半導体装置の製造工程の流れを示すフローチャートである。

１．基材（リードフレーム）準備工程（Ｓ１０１）
まず、例えば、本工程で準備されるリードフレームは、枠部（枠体）の内側に行列状に配置された複数のデバイス領域（製品領域）を備えている。そして、複数のデバイス領域のそれぞれには、吊りリードで支持されたチップ搭載部と、複数のリードとが形成されている。このように構成されたリードフレームは、金属からなり、例えば、銅を主成分とする金属から形成されている。

ここで、本明細書でいう「主成分」とは、部材を構成する構成材料のうち、最も多く含まれている材料成分のことをいい、例えば、「銅を主成分とする材料」とは、部材の材料が銅を最も多く含んでいることを意味している。本明細書で「主成分」という言葉を使用する意図は、例えば、部材が基本的に銅から構成されているが、その他に不純物を含む場合を排除するものではないことを表現するために使用している。

２．ダイボンディング工程（Ｓ１０２）
次に、図５に示すダイボンディング工程では、チップ搭載部上に半導体チップを搭載する。具体的に、半導体チップは、複数のパッドが形成された表面と、表面の反対側に位置する裏面とを有しており、チップ搭載部側に半導体チップの裏面を対向させた状態で、接着材であるダイボンド材を介して、チップ搭載部上に半導体チップが搭載される。この結果、チップ搭載部上に搭載された半導体チップは、複数のパッドが形成された表面が上を向くようにして、チップ搭載部上に配置されることになる。

３．ワイヤボンディング工程（Ｓ１０３）
続いて、図５に示すワイヤボンディング工程では、半導体チップの表面に形成された複数のパッドと、半導体チップの周囲に配置された複数のリードとを、複数のワイヤ（導電性部材）を介して、それぞれ電気的に接続する。

ワイヤボンディング工程では、ワイヤボンディングツールを使用することにより、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料からなるワイヤの一端部を半導体チップのパッドと接合し、ワイヤの他端部をリード（インナーリード部）と接合する。この接合方式としては、例えば、接合部に超音波を印加して金属結合を形成する方式や、熱圧着を利用する方式や、超音波と熱圧着とを併用する方式などが存在する。

４．モールド工程（Ｓ１０４）
次に、図５に示すモールド工程では、半導体チップ、複数のワイヤ、および、複数のリードのそれぞれの一部を樹脂により封止して、封止体を形成する。具体的には、リードの下面が露出するように半導体チップを樹脂で封止して、封止体を形成する。すなわち、モールド工程においては、例えば、リードフレームに形成されている複数のデバイス領域のそれぞれに樹脂からなる封止体を形成し、半導体チップの全体、複数のワイヤの全体、および、複数のリードのそれぞれの一部分（インナーリード部）を樹脂により封止する。

５．リード切断工程（Ｓ１０５）
続いて、図５に示すリード切断工程では、複数のリードのそれぞれを切断する。複数のリードは、例えば、切断金型を使用して、プレス加工によって切断することができる。

６．メッキ工程（Ｓ１０６）
次に、図５に示すメッキ工程では、封止体を形成したリードフレームをメッキ液に投入する（浸す）。これにより、リードフレームのうち、封止体から露出する部分にメッキ膜（導体膜）が形成される。特に、リードの下面は、封止体から露出しているため、リードの下面にもメッキ膜が形成される。このように、本実施の形態では、封止体から露出するリードの下面にメッキ膜を形成することにより、後の実装工程（半田材を介して完成した半導体装置を実装基板上に搭載する工程）で使用する半田材の濡れ性を向上することができ、これによって、実装強度を確保することができる。なお、本実施の形態におけるメッキ工程で形成されるメッキ膜は、例えば、錫（Ｓｎ）を主成分とする半田材からなる。

７．個片化（吊りリード切断）工程（Ｓ１０７）
続いて、図５に示す個片化工程では、チップ搭載部を支持する吊りリードを切断して、被検査デバイスをリードフレームの枠部から切り離す。これにより、被検査デバイスを取得することができる。吊りリードの切断方法としては、例えば、上述したリード切断工程と同様に、切断金型を使用したプレス加工により実施することができる。

ここで、個片化工程によって取得される被検査デバイスは、図１〜図３に示す半導体装置ＰＫＧ１と同じ構造物である。ただし、個片化工程によって取得される被検査デバイスは、検査工程を実施する前の状態なので、検査前と検査後の半導体装置の状態を区別するため、本実施の形態では、検査前の半導体装置は、被検査デバイスとして説明する。一方、検査後の半導体装置は、半導体装置ＰＫＧ１として説明する。

８．検査工程（Ｓ１０８）
次に、図５に示す検査工程では、例えば、被検査デバイスの電気的特性検査を実施して、予め定められた評価基準に適合する良品を選別する。そして、良品、すなわち、図１〜図３に示す半導体装置ＰＫＧ１は出荷されて、実装基板に実装される。これに対し、評価基準に適合しなかった不適合品は、不適合の内容に応じて、修正処理や廃棄処理が実施される。

被検査デバイスの電気的特性検査を実施する検査工程においては、被検査デバイスを検査治具にセットした後、被検査デバイスのリードにコンタクトピンを接触させて、コンタクトピンから被検査デバイスのリードに大きな電流を流すことが行なわれる。このような検査工程について本発明者が検討したところ、コンタクトピンの寿命を向上する観点から改善の余地が存在することが明らかになった。そこで、以下では、まず、検査工程に存在する改善の余地について説明した後、この改善の余地に対する工夫を施した本実施の形態における技術的思想について説明することにする。

＜検査工程に存在する改善の余地＞
例えば、被検査デバイスの検査工程において、コンタクトピンは、リードの表面に形成された半田膜と直接接触することになる。この場合、大電流を流すリードの外観不良や、大電流を流すリードと接触するコンタクトピンの短寿命化が顕在化する。以下では、このメカニズムについて説明する。

図６は、リードの外観不良や、コンタクトピンの短寿命化が引き起こされるメカニズムを説明するフローチャートである。まず、図６に示すように、リードとコンタクトピンとの間に大電流を流すと、大電流を流すことによるジュール熱の発生によって、リードとコンタクトピンとの間の接触部の温度が上昇する（Ｓ２０１）。そして、接触部の温度が上昇すると、リードに形成された半田膜が軟化し（Ｓ２０２）、コンタクトピンへ半田材が付着する（Ｓ２０３）。その後、コンタクトピンに付着した半田材は酸化する（Ｓ２０４）。この結果、リードとコンタクトピンとの間の接触抵抗が増大する（Ｓ２０５）。このとき、複数のコンタクトピンにおいては、半田材の付着量が異なり、かつ、半田の酸化状態にもばらつきが存在する。このため、リードとコンタクトピンとの間の接触抵抗には、ばらつきが生じる。この結果、接触抵抗の低いコンタクトピンに優先的に電流が流れる。すなわち、１ピン当たりに流れる電流値が増大し（Ｓ２０６）、これによって、さらに、リードとコンタクトピンとの間の接触部の温度が上昇する（Ｓ２０７）。

このような過程が繰り返されることにより、リードに形成されている半田膜が溶融し、溶融した半田材が、リードと接触しているコンタクトピンによって排斥される。特に、板バネ構造のコンタクトピンを採用する場合には、リードとの接触面積が大きいことに加え、検査工程における押圧時の荷重によりコンタクトピンが撓んで、リードの表面（封止体からの露出面）上をリードの延在方向に沿って滑走するために、溶融した半田材の排斥量も多くなる。この結果、例えば、リードから半田材がはみ出し、いわゆる半田ひげが生じ、リードの外観不良が引き起こされることになる。さらに、半導体装置の小型化に伴って、例えば、隣り合うリード間の距離が小さくなると、半田ひげを介して、隣り合うリードが短絡する可能性も大きくなる。

一方、コンタクトピンにおいては、半田材が付着し、付着した半田材が酸化することにより、コンタクトピンの表面は絶縁膜で被覆される状態に近くなる。そして、この状態で、コンタクトピンに流れる電流が増加すると、絶縁膜が絶縁破壊を起こして、スパークが発生すると考えられる。このようなスパークの発生によって、コンタクトピンの先端部が消失すると推測され、コンタクトピンの寿命が短くなってしまうと考えられる。

以上のようなメカニズムによって、大電流を流す検査工程においては、被検査デバイスの外観不良や、ソケット端子の短寿命化が顕在化しやすくなることがわかる。このことから、大電流を流す検査工程においては、改善の余地が存在する。

ここで、上述したメカニズムを考慮して、大電流を流しても、ジュール熱の発生をなるべく抑制する観点から、例えば、被検査デバイスのリードと接触する部分に複数の突起部を有するコンタクトピンを用いることが考えられる。これにより、１箇所（１点）でしかリードとコンタクトピンとが接触しない場合に比べて、電流を分散させることができる。言い換えると、１つの接触箇所に流れる電流の電流値を減らすことができる。この結果、電流分散効果によって、コンタクトピンにおけるスパークの発生を抑制することができ、これによって、コンタクトピンの寿命を確保することができると考えられる。

ところが、複数の突起部を、いわゆる板バネ構造のコンタクトピンに対して採用する場合、各突起部の高さを十分に調整する必要がある。具体的には、板バネ構造のコンタクトピンを用いた検査工程では、コンタクトピンが撓む。すなわち、コンタクトピンの先端部は、被検査デバイスのリードをコンタクトピンに接触させる際の荷重（垂直荷重）により、リードが接触する前の位置から移動する。この結果、コンタクトピンの先端部に複数の突起部を設ける形状を採用する場合、コンタクトピンが撓んだ状態であっても、複数の突起部が被検査デバイスのリードに確実に接触するようにコンタクトピンの各突起部の高さを調整しなければならない。つまり、コンタクトピンの先端部に複数の突起部を設ける構成の場合、電流分散効果が期待されるものの、電流分散によるコンタクトピンの寿命の向上を実効的に図るためには、高い加工精度が要求されることから、製造容易性の観点から改善の余地が存在するのである。

そこで、本実施の形態では、上述した改善の余地に対する工夫を施している。以下に、この工夫を施した本実施の形態における技術的思想について説明することにする。

＜実施の形態における検査工程＞
図７は、本実施の形態における検査工程を説明する図である。図７に示すように、本実施の形態における検査工程では、ハンドラＨＤを使用することにより、被検査デバイスＴＤを位置決め治具ＪＧに配置する。具体的には、図７において、リードＬＤの下面が樹脂で構成された封止体ＭＲから露出しており、このリードＬＤの下面にコンタクトピンＰＩＮが接触するように、被検査デバイスＴＤが位置決め治具ＪＧに配置される。すなわち、本実施の形態における検査工程では、被検査デバイスＴＤを位置決め治具ＪＧにセットし、コンタクトピンＰＩＮをリードＬＤの下面（「第１面」）に接触させる。

このとき、図７に示すように、１つのリードＬＤに接触させるコンタクトピンＰＩＮは、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成されている。コンタクトピンＰＩＮ１は、湾曲部ＢＤＵ１と接続する支持部ＳＰＵ１と支持部ＳＰＵ１の先端に設けられた先端部ＰＴＵ１から構成されている。同様に、図７では、図示されないが、コンタクトピンＰＩＮ２も、湾曲部ＢＤＵ１と同様の構造から構成されている湾曲部（図７では、湾曲部ＢＤＵ１に重なって見えない）を有し、この湾曲部と接続される支持部（図７では、支持部ＳＰＵ１と重なって見えない）と、この支持部の先端に設けられた先端部ＰＴＵ２とから構成されている。

そして、被検査デバイスＴＤのリードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの接触は、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１との接触（第１接触）と、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２との接触（第２接触）により実現される。すなわち、本実施の形態において、被検査デバイスＴＤのリードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの接触は２点接触となっている。つまり、本実施の形態における検査工程においては、互いに独立した湾曲部と支持部と先端部とから構成される一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とからなるコンタクトピンＰＩＮを使用して、被検査デバイスＴＤのリードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの２点接触が実現される。

図８は、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの接続態様を拡大して示す図である。図８に示すように、封止体ＭＲから露出しているリードＬＤには、本実施の形態に特有のコンタクトピンＰＩＮが接触している。具体的には、コンタクトピンＰＩＮは、一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とを備えており、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とリードＬＤの下面に形成されている半田膜ＳＦとが、リードＬＤの第１部分で接触しているとともに、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とリードＬＤの下面に形成されている半田膜ＳＦとが、リードＬＤの第２部分で接触している。

すなわち、本実施の形態において、コンタクトピンＰＩＮは、リードＬＤの第１部分に接触する先端部ＰＴＵ１を備えるコンタクトピンＰＩＮ１と、リードＬＤの第２部分に接触する先端部ＰＴＵ２を備えるコンタクトピンＰＩＮ２とを含む。そして、コンタクトピンＰＩＮ１は、支持部ＳＰＵ１と、支持部ＳＰＵ１に繋がる先端部ＰＴＵ１とを有し、かつ、コンタクトピンＰＩＮ２は、支持部ＳＰＵ２と、支持部ＳＰＵ２に繋がる先端部ＰＴＵ２とを有する。このとき、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１およびコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２は、水平面内（ｘｙ平面内）のｘ方向（第１方向）に沿って並べて配置され、かつ、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２は、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１から、ｘ方向と直交する水平面内のｙ方向（第２方向）に沿ってずれている。このようにして、本実施の形態では、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとが接触するように、被検査デバイスＴＤが位置決め治具ＪＧ内に配置されることになる。なお、上記の「水平面」とは、リードＬＤの下面あるいは封止体ＭＲの下面とほぼ並行な面を指す。そのため、「水平面内のｘ方向」および「水平面内のｙ方向」とは、何れもリードＬＤの下面にほぼ並行な方向に延在している方向を指す。

続いて、図９は、被検査デバイスＴＤを押圧した状態を示す断面図である。図９に示すように、本実施の形態における検査工程では、例えば、被検査デバイスＴＤを位置決め治具ＪＧ内に配置した後、ハンドラＨＤを使用することにより、被検査デバイスＴＤに垂直荷重を加えて、押圧する。これにより、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２のそれぞれが撓み、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮ１が確実に接触することになるとともに、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮ２が確実に接触することになる。

このとき、本実施の形態では、図９に示すように、断面視において、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１のうちの先端部ＰＴＵ１が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる湾曲部ＢＤＵ１の曲率半径と、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部（図９では、支持部ＳＰＵ１と重なって見えない）のうちの先端部ＰＴＵ２が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる湾曲部（図９では、湾曲部ＢＤＵ１と重なって見えない）の曲率半径は、互いに等しくなっている。これにより、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ１の撓み状態とコンタクトピンＰＩＮ２の撓み状態をほぼ同様にすることができる。この結果、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ１をリードＬＤに接触させる調整（ストローク制御）と、コンタクトピンＰＩＮ２をリードＬＤに接触させる調整（ストローク制御）とがほぼ同様の調整方法で実現できるため、調整技術の簡素化を図ることができる。

なお、本実施の形態では、ハンドラＨＤを使用することにより、被検査デバイスＴＤの押圧を行なっているが、例えば、位置決め治具ＪＧが蓋を備えている場合には、この蓋を使用して、被検査デバイスＴＤの押圧をしてもよい。

図１０は、押圧時におけるリードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの接続態様を拡大して示す図である。図１０に示すように、封止体ＭＲから露出しているリードＬＤには、本実施の形態に特有のコンタクトピンＰＩＮが接触しており、特に、押圧時の垂直荷重により、コンタクトピンＰＩＮを構成する一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２のそれぞれが撓んで、リードＬＤの露出面（下面）上をリードＬＤの延在方向（ｙ方向）に沿って滑走する。つまり、コンタクトピンＰＩＮをリードＬＤの下面に接触させた後、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２の延在方向に沿って、先端部ＰＴＵ１および先端部ＰＴＵ２をリードＬＤの下面に擦りつける。この動作を本明細書では、ワイピングと呼ぶことにする。この結果、本実施の形態では、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとが確実に接触することになる。つまり、押圧後、コンタクトピンＰＩＮ１に形成されている先端部ＰＴＵ１およびコンタクトピンＰＩＮ２に形成されている先端部ＰＴＵ２のそれぞれがリードＬＤの下面に形成されている半田膜ＳＦと確実に接触することになる。すなわち、ワイピングにより、コンタクトピンＰＩＮ１に形成されている先端部ＰＴＵ１およびコンタクトピンＰＩＮ２に形成されている先端部ＰＴＵ２のそれぞれが、半田膜ＳＦの表面に形成されている酸化膜ではなく、その内部にある半田材に接触することになり、この接触部における抵抗成分をより低減することができる。このように実施の形態における検査工程では、被検査デバイスＴＤの押圧によって、ワイピングを実施することにより、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの確実な接触（低抵抗な接触）を実現することができる。

例えば、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１のワイピング量、および、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２のワイピング量は、ともに、約７０μｍ程度である。

その後、コンタクトピンＰＩＮを介してリードＬＤに電流を流すことにより、被検査デバイスの電気特性を検査する。このようにして、本実施の形態における検査工程が実施される。ここで、例えば、本実施の形態における検査工程において、被検査デバイスＴＤを押圧するために加える荷重値は、６５ｇ重／１ピンである。また、被検査デバイスＴＤがパワー半導体装置である場合、例えば、この被検査デバイスＴＤのソース端子に５０Ａの電流を流して、被検査デバイスＴＤの電気特性検査が実施される。このとき、例えば、被検査デバイスＴＤのソース端子が、３つのリードＬＤから構成されているとすると、１つのリードＬＤに流れる電流値は、約１７Ａとなる。さらに、本実施の形態における検査工程においては、１つのリードＬＤに２本のコンタクトピン（コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２）が接触するように構成されているため、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２のそれぞれに流れる電流値は、約８．５Ａとなる。このように、本実施の形態における検査工程によれば、コンタクトピンに流れる電流値を分散させることができることがわかる。

＜実施の形態における特徴＞
次に、本実施の形態における特徴点について説明する。図１１は、本実施の形態における検査工程で使用されるコンタクトピンＰＩＮの構成を示す模式図である。特に、図１１（ａ）は、コンタクトピンＰＩＮの構成を示す上面図であり、（ｂ）は、図１１（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。

まず、図１１（ａ）に示すように、本実施の形態におけるコンタクトピンＰＩＮは、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とを備える。そして、コンタクトピンＰＩＮ１は、ｙ方向に延在する支持部ＳＰＵ１と、この支持部ＳＰＵ１に繋がる先端部ＰＴＵ１とを有し、先端部ＰＴＵ１の一部に接触部ＣＮＴ１が形成されている。同様に、コンタクトピンＰＩＮ２は、ｙ方向に延在する支持部ＳＰＵ２と、この支持部ＳＰＵ２に繋がる先端部ＰＴＵ２とを有し、先端部ＰＴＵ２の一部に接触部ＣＮＴ２が形成されている。

ここで、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１およびコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２は、水平面内（ｘｙ平面内）のｘ方向に沿って並べて配置され、かつ、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２は、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１から、ｘ方向と交差（直交）する水平面内のｙ方向に沿ってずれている。つまり、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２が、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１からずれている方向は、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１およびコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の延在方向となっている。この場合、例えば、コンタクトピンＰＩＮ１およびコンタクトピンＰＩＮ２を接触させるリードの平面形状が長方形とすると、長方形の長辺方向に支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２の延在方向を合わせることにより、長方形の長辺方向に沿って、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とをずらすことができるため、ずらし量を確保しやすくなる利点を得ることができる。

また、本実施の形態におけるコンタクトピンＰＩＮ１およびコンタクトピンＰＩＮ２において、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１の延在方向（ｙ方向）の長さと、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の延在方向（ｙ方向）の長さとは異なっている。

例えば、互いに同じ形状（長さ、幅）のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とを使用しながら、コンタクトピンＰＩＮ１に対してコンタクトピンＰＩＮ２を平行移動させることにより、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２をコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１に対して、ずらすことができると考えられる。ただし、この場合、コンタクトピンＰＩＮ１に対してコンタクトピンＰＩＮ２を平行移動する分だけ、同一形状のコンタクトピンＰＩＮ１（ＰＩＮ２）の寸法以上の配置スペースを確保する必要があり、検査装置の小型化が図ることが難しくなる。

これに対し、本実施の形態では、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１の延在方向（ｙ方向）の長さと、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の延在方向（ｙ方向）の長さとを相違させることによって、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２をコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１に対して、ずらしている。この構成は、例えば、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１の延在方向（ｙ方向）の長さを、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の延在方向（ｙ方向）の長さよりも短くすることにより実現できる。この結果、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の延在方向（ｙ方向）の長さが収まる配置スペースを確保すればよく、これによって、検査装置の省スペースを図ることができる利点を得ることができる。

さらに、図１１（ａ）に示すように、本実施の形態におけるコンタクトピンＰＩＮを構成する一対のコンタクトピンＰＩＮ１およびコンタクトピンＰＩＮ２は、互いに独立した構成要素（支持部や先端部）から構成されており、ｘ方向において、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２とは、離間して配置されている。

続いて、図１１（ｂ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮ１において、支持部ＳＰＵ１と先端部ＰＴＵ１とは一体的に形成されており、先端部ＰＴＵ１のうち、ｚ方向の高さが高くなっている領域が接触部ＣＮＴ１となっている。同様に、コンタクトピンＰＩＮ２において、支持部ＳＰＵ２と先端部ＰＴＵ２とは一体的に形成されており、先端部ＰＴＵ２のうち、ｚ方向の高さが高くなっている領域が接触部ＣＮＴ２となっている。そして、図１１（ｂ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１の高さ（ｚ方向）は、コンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の高さと等しくなっている。すなわち、封止体の下面（ｘｙ平面）と交差（直交）するｚ方向におけるコンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１の位置は、封止体の下面（ｘｙ平面）と交差（直交）するｚ方向におけるコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２の位置と等しい。さらに、図１１（ｂ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１の形状と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２の形状とは等しく、かつ、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１の高さ（ｚ方向）と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２の高さ（ｚ方向）とは等しくなっている。すなわち、封止体の下面（ｘｙ平面）と交差（直交）するｚ方向におけるコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１の位置は、封止体の下面（ｘｙ平面）と交差（直交）するｚ方向におけるコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２の位置と等しい。

ここで、本実施の形態における特徴点は、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することを前提として、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２が、水平面内のｘ方向に沿って並べて配置され、かつ、先端部ＰＴＵ２が、先端部ＰＴＵ１から、水平面内のｙ方向に沿ってずれるように配置されている点にある。これにより、本実施の形態によれば、まず、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することにより、一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２のそれぞれに流れる電流を分散させることができる。これにより、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生を抑制することができる。なぜなら、図６に示すメカニズムからもわかるように、流す電流の電流値が大きくなればなるほど、接触部におけるジュール熱の発生が大きくなり、これによって、ジュール熱で軟化した半田材のコンタクトピンＰＩＮへの付着量が多くなる結果、半田材の酸化に起因する抵抗値の増大を招くことになり、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生が顕在化すると考えられるからである。言い換えれば、電流を分散させることができれば、ジュール熱の発生を抑制することができ、これによって、コンタクトピンＰＩＮへの半田材の付着量が減少する結果、半田材の酸化に起因する抵抗値の増大が起こりにくくなり、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生を抑制することができると考えられるのである。

そして、本実施の形態では、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２が、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１から、水平面内のｙ方向に沿ってずれるように配置されていることにより、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生をさらに抑制することができ、これによって、コンタクトピンＰＩＮの寿命を確保することができる。

以下に、この点について説明する。本実施の形態における検査工程では、図７〜図１０で説明したように、被検査デバイスＴＤのリードＬＤにコンタクトピンＰＩＮを接触させた後、コンタクトピンＰＩＮに対して、ワイピング動作が実施される。これにより、本実施の形態によれば、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの接触信頼性を向上することができる。このとき、ワイピング動作では、リードＬＤにコンタクトピンＰＩＮを接触させた後、半田膜ＳＦが形成されているリードＬＤに対して、コンタクトピンＰＩＮを擦りつけながら滑走させることになるため、コンタクトピンＰＩＮに半田材が付着する。

このとき、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することにより、一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２のそれぞれに流れる電流を分散させることができる。ただし、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とがずれて配置されていない場合には、以下に示す不都合が生じる。

すなわち、検査工程の実施回数が多くなればなるほど、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１に付着する半田材の量と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２に付着する半田材の量が多くなる。この結果、たとえ、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成しても、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とがずれて配置されていない場合には、先端部ＰＴＵ１に付着した半田材と先端部ＰＴＵ２に付着した半田材とが繋がってしまうことが考えられる。この場合、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成しても、半田材による半田ブリッジによって、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とによる電流分散効果が消失してしまう。言い換えれば、半田ブリッジに電流が集中して、大きなジュール熱が発生することになり、図６に示すメカニズムによって、半田ブリッジにスパークが発生しやすくなり、これによって、コンタクトピンＰＩＮの寿命が短くなってしまうのである。すなわち、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成しても、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とがずれて配置されていない場合には、半田ブリッジが生じやすく、スパークに起因するコンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図ることが困難になると考えられるのである。

これに対し、本実施の形態では、図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成し、かつ、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とが水平面内のｙ方向に沿ってずれるように配置している。これにより、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生を抑制することができ、これによって、コンタクトピンＰＩＮの寿命を確保することができる。

具体的に、図１２（ａ）は、本実施の形態における検査工程を多数回実施することにより、コンタクトピンＰＩＮに半田材ＳＤが付着した状態を示す上面図であり、（ｂ）は、図１２（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）において、コンタクトピンＰＩＮ１に形成された先端部ＰＴＵ１の接触部ＣＮＴ１周辺に半田材ＳＤが付着しているとともに、コンタクトピンＰＩＮ２に形成された先端部ＰＴＵ２の接触部ＣＮＴ２周辺に半田材ＳＤが付着していることがわかる。

このとき、本実施の形態では、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とが水平面内（ｘｙ平面内）のｙ方向に沿ってずれるように配置されている。このため、図１２（ａ）および図１２（ｂ）からわかるように、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１での半田材ＳＤの付着位置と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２での半田材ＳＤの付着位置とがずれることになる。このことは、コンタクトピンＰＩＮ１に付着した半田材ＳＤとコンタクトピンＰＩＮ２に付着した半田材ＳＤとが繋がりにくくなっていることを意味し、これによって、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２との間の半田ブリッジが生じにくくなることになる。つまり、本実施の形態では、検査工程を多数回実施しても、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２との半田ブリッジが抑制されることから、検査工程を多数回実施した後も、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することによる電流分散効果を維持することができるのである。このことから、本実施の形態によれば、検査工程を多数回実施しても、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生ポテンシャルを低減することができ、この結果、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図ることができる。

以上のように、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とが水平面内（ｘｙ平面内）のｙ方向に沿ってずれるように配置されていることから、検査工程を多数回実施しても、ずれて配置されていない場合よりも、半田ブリッジが生じにくくなる効果を得ることができる。このように、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とが水平面内（ｘｙ平面内）のｙ方向に沿ってずれるように配置されていれば、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化に寄与する一定の効果を得ることができる。ただし、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２との間の半田ブリッジを効果的に抑制して、さらなるコンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図る観点から、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とのｙ方向のずれ量は、ワイピング動作のワイピング量の２倍以上であることが望ましい。以下に、この理由について説明する。

図１３は、図２の領域ＡＲを拡大して示す図である。具体的に、図１３では、１つのリードＬＤの下面が拡大して示されている。図１３において、リードＬＤの下面には、図１１に示す本実施の形態に特有のコンタクトピンＰＩＮを接触させて検査工程が実施される結果、図１３に示すような痕跡が形成される。つまり、図１３において、リードＬＤの下面には、図１１に示すコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１に形成されている接触部ＣＮＴ１が接触する結果、コンタクトピンＰＩＮ１の接触部ＣＮＴ１が接触した痕跡（接触領域ＣＴＲ１）が形成される。そして、コンタクトピンＰＩＮ１がワイピングされることから、ワイピング量ＷＰＡに相当する領域にも痕跡が残る。同様に、リードＬＤの下面には、図１１に示すコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２に形成されている接触部ＣＮＴ２が接触する結果、コンタクトピンＰＩＮ２の接触部ＣＮＴ２が接触した痕跡（接触領域ＣＴＲ２）が形成される。そして、コンタクトピンＰＩＮ２がワイピングされることから、ワイピング量ＷＰＡに相当する領域にも痕跡が残る。

ここで、図１２に示すコンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１には、主に、接触部ＣＮＴ１からワイピング量の範囲内に半田材ＳＤが付着し、かつ、図１２に示すコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２にも、主に、接触部ＣＮＴ２からワイピング量の範囲内に半田材ＳＤが付着すると考えられる。したがって、図１３において、コンタクトピンＰＩＮ１の接触部ＣＮＴ１とコンタクトピンＰＩＮ２の接触部ＣＮＴ２との間の距離がワイピング量ＷＰＡの２倍以上離れている場合には、コンタクトピンＰＩＮ１に付着した半田材ＳＤとコンタクトピンＰＩＮ２に付着した半田材ＳＤとの間に半田ブリッジが生じにくくなると考えられる。すなわち、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とのｙ方向のずれ量が、ワイピング動作のワイピング量の２倍以上である場合には、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２との間の半田ブリッジを効果的に抑制することができると考えられるのである。この場合、図１３において、ワイピング量ＷＰＡが７０μｍ程度であるとすると、コンタクトピンＰＩＮ１の接触部ＣＮＴ１が接触した痕跡（接触領域ＣＴＲ１）とコンタクトピンＰＩＮ２の接触部ＣＮＴ２が接触した痕跡（接触領域ＣＴＲ２）との間のｙ方向の距離は、１５０μｍ程度となる。

なお、図１２において、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２との間の半田ブリッジを効果的に抑制して、さらなるコンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図る観点から、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とのｙ方向のずれ量を大きくすることが望ましい。ただし、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２の両方をリードＬＤと接触させるためには、平面視において、接触部ＣＮＴ１と接触部ＣＮＴ２のいずれもがリードＬＤに内包される必要がある。このため、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２とのｙ方向のずれ量の最大値は、この点から規定されることになる。

続いて、本実施の形態における特徴点のうち、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成する点に着目し、この構成による利点について説明する。

例えば、コンタクトピンにおける電流分散を図るため、１本のコンタクトピンの先端部に複数の突起部を設け、複数の突起部をリードに多点接触することが考えられる。ところが、この構成の場合、ワイピングによって、コンタクトピンが撓んだ状態でも、複数の突起部がリードと確実に接触させるためには、コンタクトピンの撓みを考慮して、複数の突起部のそれぞれの高さ調節を行なわなければならない。そして、たとえ、複数の突起部のそれぞれの高さ調整が良好に行なわれたとしても、製造ばらつきを考慮すると、複数の突起部を安定してリードに接触させることは困難であると考えられる。すなわち、１本のコンタクトピンの先端部に複数の突起部を設け、複数の突起部をリードに多点接触する構成において、電流分散効果を実効的に実現するためには、複数の突起部の高さ調整や製造ばらつきを考慮する必要があり、コンタクトピンの製造容易性の観点から課題がある。

これに対し、本実施の形態では、１本のコンタクトピンの先端部に複数の突起部を設ける構成ではなく、図１１に示すように、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成している。この場合、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２との間の高さ調整は容易となる。すなわち、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２とは独立した構成要素であることから、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２とが互いの配置位置に依存して精密な高さ調整する必要がなくなる。この結果、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することにより、コンタクトピンＰＩＮの製造容易性および調整容易性を向上しながら、確実な多点接触を実現できるという顕著な効果を得ることができる。

さらに、本実施の形態における特徴点のうち、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することを前提として、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２を水平面内のｘ方向に沿って並べて配置する点によって、以下に示す利点を得ることができる。

例えば、図１４は、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２を垂直方向（ｚ方向）に沿って並べて配置する関連技術の構成を示す模式図である。図１４に示すように、関連技術においては、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２が垂直方向（ｚ方向）に沿って並べて配置される結果、支持部ＳＰＵ１の撓み方と、支持部ＳＰＵ２の撓み方とが異なることになる。すなわち、関連技術では、支持部ＳＰＵ１の構成と支持部ＳＰＵ２の構成が異なることに起因して、支持部ＳＰＵ１のストロークと、支持部ＳＰＵ２のストロークとが相違することになるのである。これにより、関連技術では、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成しているものの、コンタクトピンＰＩＮ１とリードＬＤとの接触信頼性を向上するとともに、コンタクトピンＰＩＮ２とリードＬＤとの接触信頼性も同時に向上することが難しくなるのである。さらには、コンタクトピンＰＩＮ１をリードＬＤに接触させる調整方法（ストローク制御方法）と、コンタクトピンＰＩＮ２をリードＬＤに接触させる調整方法（ストローク制御方法）とが異なり、調整方法も複雑化することになる。

これに対し、本実施の形態では、例えば、図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とから構成することを前提として、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２を水平面内のｘ方向に沿って並べて配置している。この場合、関連技術と異なり、コンタクトピンＰＩＮ１の形状とコンタクトピンＰＩＮ２の形状をほぼ同様の形状とすることができる。具体的には、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１の形状と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２の形状は同様の形状となる。また、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２においても、長さは、ずれ量だけ異なるものの高さは同じであり、ほぼ同様の構成で実現される。このことから、本実施の形態によれば、関連技術に比べて、コンタクトピンＰＩＮ１とリードＬＤとの接触信頼性を向上し、かつ、コンタクトピンＰＩＮ２とリードＬＤとの接触信頼性も同時に向上することが容易となる利点が得られる。

さらには、本実施の形態によれば、コンタクトピンＰＩＮ１をリードＬＤに接触させる調整（ストローク制御）と、コンタクトピンＰＩＮ２をリードＬＤに接触させる調整（ストローク制御）とがほぼ同様の調整方法で実現できるため、調整技術の簡素化を図ることができる利点も得られる。

また、関連技術では、図１４に示すように、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２が垂直方向（ｚ方向）に沿って並べて配置される結果、コンタクトピンＰＩＮによるｚ方向の占有スペースが大きくなる。一方、本実施の形態では、図１１に示すように、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２が水平面内のｘ方向に沿って並べて配置されているため、コンタクトピンＰＩＮによるｚ方向の占有スペースを小さくできる利点を得ることができる。

以上のことから、本実施の形態における特徴点によれば、まず、検査工程を多数回実施しても、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生ポテンシャルを低減することができ、この結果、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図ることができる。そして、本実施の形態における特徴点によれば、コンタクトピンＰＩＮの製造容易性および調整容易性を向上させながら、コンタクトピンＰＩＮの省スペース化も実現できるという優れた効果を得ることができる。すなわち、本実施の形態における技術的思想は、コンタクトピンＰＩＮの製造容易性および調整容易性を実現し、かつ、確実な多点接触による電流分散効果を発揮しながら、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図り、かつ、コンタクトピンＰＩＮの小型化も図ることができるという点で、非常に有益な技術的思想であることがわかる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

＜変形例１＞
本変形例１では、コンタクトピンＰＩＮが３つのコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とコンタクトピンＰＩＮ３とから構成される例について説明する。図１５（ａ）は、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮの構成を示す平面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。図１５に示すように、コンタクトピンＰＩＮは、互いに独立したコンタクトピンＰＩＮ１〜ＰＩＮ３から構成されている。具体的には、前記実施の形態の構成に加えて、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮは、さらに、リードの第３部分に接触する先端部ＰＴＵ３を備えるコンタクトピンＰＩＮ３を含み、このコンタクトピンＰＩＮ３は、支持部ＳＰＵ３と、支持部ＳＰＵ３と繋がる先端部ＰＴＵ３とを有する。そして、この先端部ＰＴＵ３の一部に高さの高い接触部ＣＮＴ３が設けられている。

ここで、図１５（ａ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮ１の支持部ＳＰＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の支持部ＳＰＵ２とコンタクトピンＰＩＮ３の支持部ＳＰＵ３とは、水平面内（ｘｙ平面内）のｘ方向（第１方向）に沿って並べて配置されている。そして、コンタクトピンＰＩＮ３の先端部ＰＴＵ３は、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２から、ｘ方向と交差する水平面内のｙ方向に沿ってずれている。

ただし、図１５（ａ）に示すように、コンタクトピンＰＩＮ１の前先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ３の先端部ＰＴＵ３とは、ｙ方向の位置が等しくなっている。このことから、例えば、図１５（ｂ）において、コンタクトピンＰＩＮ３は、コンタクトピンＰＩＮ２に隠れて見えないことになる。以上のようにして、先端部ＰＴＵ１と先端部ＰＴＵ２と先端部ＰＴＵ３とは、千鳥配置で配置されていることになる。

これにより、本変形例１においても、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生を抑制することができ、この結果、コンタクトピンＰＩＮの寿命を確保することができる。

具体的に、図１６（ａ）は、本変形例１における検査工程を多数回実施することにより、コンタクトピンＰＩＮに半田材ＳＤが付着した状態を示す上面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の矢印の方向から見た側面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）において、コンタクトピンＰＩＮ１に形成された先端部ＰＴＵ１の接触部ＣＮＴ１周辺に半田材ＳＤが付着し、かつ、コンタクトピンＰＩＮ２に形成された先端部ＰＴＵ２の接触部ＣＮＴ２周辺に半田材ＳＤが付着し、かつ、コンタクトピンＰＩＮ３に形成された先端部ＰＴＵ３の接触部ＣＮＴ３周辺に半田材ＳＤが付着していることがわかる。

このとき、本変形例１では、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１とコンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２とコンタクトピンＰＩＮ３の先端部ＰＴＵ３が、水平面内（ｘｙ平面内）のｙ方向に沿ってずれるように千鳥配置されている。このため、図１６（ａ）および図１６（ｂ）からわかるように、コンタクトピンＰＩＮ１の先端部ＰＴＵ１での半田材ＳＤの付着位置と、コンタクトピンＰＩＮ２の先端部ＰＴＵ２での半田材ＳＤの付着位置と、コンタクトピンＰＩＮ３の先端部ＰＴＵ３での半田材ＳＤの付着位置とがずれることになる。このことは、コンタクトピンＰＩＮ１に付着した半田材ＳＤとコンタクトピンＰＩＮ２に付着した半田材ＳＤとコンタクトピンＰＩＮ３に付着した半田材ＳＤとが繋がりにくくなっていることを意味する。この結果、本変形例１によれば、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とコンタクトピンＰＩＮ３の間の半田ブリッジが生じにくくなることになる。つまり、本変形例１では、検査工程を多数回実施しても、コンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とコンタクトピンＰＩＮ３の半田ブリッジが抑制される。このことから、検査工程を多数回実施した後も、コンタクトピンＰＩＮを互いに独立した一対のコンタクトピンＰＩＮ１とコンタクトピンＰＩＮ２とコンタクトピンＰＩＮ３から構成することによる電流分散効果を維持することができるのである。したがって、本変形例１によれば、検査工程を多数回実施しても、コンタクトピンＰＩＮにおけるスパークの発生ポテンシャルを低減することができ、これによって、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図ることができる。

特に、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮは、３本のコンタクトピンＰＩＮ１〜ＰＩＮ３から構成されていることから、大きな電流分散効果を得ることができる。これにより、本変形例１によれば、大きな電流分散効果によって、スパークの発生ポテンシャルを低減することができ、この結果、コンタクトピンＰＩＮの長寿命化を図ることができる。

図１７は、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮをリードＬＤに接触させる結果、リードＬＤに形成される痕跡を模式的に示す平面図である。図１７に示すように、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮが千鳥配置された３本のコンタクトピンＰＩＮ１〜ＰＩＮ３から構成されていることを反映して、リードＬＤの表面には、千鳥状に３つの痕跡が形成される。具体的には、接触領域ＣＴＲ１からワイピング量ＷＰＡの範囲に１つの痕跡が形成され、かつ、接触領域ＣＴＲ２からワイピング量ＷＰＡの範囲にもう１つの痕跡が形成され、かつ、接触領域ＣＴＲ３からワイピング量ＷＰＡの範囲にさらにもう１つの痕跡が形成される。このとき、本変形例１におけるコンタクトピンＰＩＮを構成するコンタクトピンＰＩＮ１〜ＰＩＮ３が、水平面内（ｘｙ平面内）のｘ方向（第１方向）に沿って並べて千鳥配置されていることから、リードＬＤのサイズを大きくしなくても、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの３点接触を実現できる利点が得られる。

例えば、支持部ＳＰＵ１および支持部ＳＰＵ２を垂直方向（ｚ方向）に沿って並べて配置する図１４に示す関連技術の構成では、リードＬＤとコンタクトピンＰＩＮとの３点接触を実現しようとする場合、図１８に示すように、リードＬＤのサイズが小さいままであると、コンタクトピンＰＩＮの一部がリードＬＤからはみ出すことになり、３点接触を実現することができなくなる。つまり、関連技術の構成の場合、適切なワイピング量ＷＰＡを確保しながら、３点接触を実現しようとすると、リードＬＤのサイズを大きくしなければならないのである。

これに対し、本変形例１によれば、コンタクトピンＰＩＮを構成するコンタクトピンＰＩＮ１〜ＰＩＮ３が、水平面内（ｘｙ平面内）のｘ方向（第１方向）に沿って並べて千鳥配置されているという特徴構成が採用されている。この結果、リードＬＤのサイズを小さく維持しながらも、ワイピング量ＷＰＡの確保と３点接触をともに実現できるという、関連技術の構成では実現することができない顕著な効果を得ることができる。

＜変形例２＞
前記実施の形態では、半導体装置のパッケージ形態として、ＱＦＮとＱＦＰを取り上げて説明したが、前記実施の形態における技術的思想は、これに限らず、例えば、ＳＯＮやＳＯＰなどのパッケージ形態からなる半導体装置にも幅広く適用することができる。

＜変形例３＞
前記実施の形態では、半導体装置の封止構造として、個々の半導体装置に対して、個々の封止体を形成する、いわゆる個片モールド技術を使用する例について説明したが、前記実施の形態における技術的思想は、これに限らず、一括モールド技術（ＭＡＰ：Mold Array Package）を使用した封止体を有する半導体装置にも適用することができる。

＜変形例４＞
メッキ膜（半田材）は、実質的に鉛（Ｐｂ）を含まない、いわゆる鉛フリー半田を使用したメッキ膜に限らず、鉛（Ｐｂ）を含む半田材を使用してもよい。また、メッキ膜として、錫（Ｓｎ）にビスマス（Ｂｉ）を含有させた合金膜を使用してもよい。さらには、実装基板（マザーボード）に半導体装置を実装する実装工程における半田材の濡れ性を特に考慮する必要のない場合、必ずしも、リード（外部端子）の表面にメッキ膜を形成しなくてもよい。すなわち、本実施の形態における技術的思想は、リードの表面にメッキ膜が形成されている半導体装置だけに適用されるものではなく、リードの表面にメッキ膜が形成されていない半導体装置にも幅広く適用することができる。

例えば、図６に示すメカニズムによるスパークの発生は、コンタクトピンに半田材が付着することに起因する。ただし、これ以外にも、例えば、リードとコンタクトピンとの接触部に異物が挟まることも考えられる。この場合、接触部の接触抵抗が高くなり、スパークが発生しやすくなるが、前記実施の形態における技術的思想によれば、１つのリードに対して、複数の接触部が確保されることから、異物に起因する接触抵抗の増大を招きにくくなり、スパークの発生を抑制することができる。つまり、前記実施の形態における技術的思想は、半田材の酸化に起因するスパークの発生を抑制するだけでなく、異物に起因するスパークの発生の抑制にも効果があると考えられる。

さらには、前記実施の形態における技術的思想から必然的にもたらされる電流分散効果によれば、１つの接触部に流れる電流の減少による電圧降下量の減少を図ることができ、この点からも、スパークが発生しにくくなり、これによって、コンタクトピンの長寿命化を図ることができる。また、リードの表面にメッキ膜が存在していなくても、リードの表面酸化によって、スパークの発生ポテンシャルが存在するため、前記実施の形態による多点接触でもたらされる接触抵抗の安定および低抵抗化によって、スパークの発生は、より起こりにくくなると考えられる。さらには、たとえ、スパークが発生したとしても、電流分散効果によって、スパーク時に流れる電流量が少なくなることから、コンタクトピンへのスパークによるダメージを低減することができ、この観点からも、前記実施の形態によれば、コンタクトピンの長寿命化を図ることができる。

以上のことから、前記実施の形態における技術的思想は、リードの表面にメッキ膜が形成されている半導体装置に対して有用であるだけでなく、リードの表面にメッキ膜が形成されていない半導体装置にも有用であることがわかる。

＜変形例５＞
さらに、前記実施の形態で説明した技術的思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することもできる。

その他、前記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。

（付記１）
以下の工程を含む半導体装置の検査方法：
（ａ）露出した第１面を有する外部端子を含む半導体装置を治具にセットし、コンタクトピンを前記外部端子の前記第１面に接触させる工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記コンタクトピンを介して前記外部端子に電流を流すことにより、前記半導体装置の電気特性を検査する工程、
ここで、
前記コンタクトピンは、前記外部端子の第１部分に接触する第１先端部を備える第１コンタクトピンと、前記外部端子の第２部分に接触する第２先端部を備える第２コンタクトピンと、から成り、
前記第１コンタクトピンは、第１支持部と、前記第１支持部に繋がる前記第１先端部と、を有し、
前記第２コンタクトピンは、第２支持部と、前記第２支持部に繋がる前記第２先端部と、を有し、
前記第１コンタクトピンの前記第１支持部および前記第２コンタクトピンの前記第２支持部は、封止体の下面と並行な第１方向に沿って並べて配置され、
前記第２コンタクトピンの前記第２先端部は、前記第１コンタクトピンの前記第１先端部から、前記封止体の下面と並行で、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に沿ってずれている。

ＣＨＰ 半導体チップ
ＬＤ リード
ＭＲ 封止体
ＰＩＮ コンタクトピン
ＰＩＮ１ コンタクトピン
ＰＩＮ２ コンタクトピン
ＰＫＧ１ 半導体装置（被検査デバイス）
ＰＴＵ１ 先端部
ＰＴＵ２ 先端部
ＳＰＵ１ 支持部
ＳＰＵ２ 支持部

Claims (15)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）半導体チップと外部端子とを電気的に接続する工程；
   （ｂ）前記（ａ）工程の後、前記外部端子の第１面が露出するように前記半導体チップを樹脂で封止して、封止体を形成する工程；
   （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体装置を治具にセットし、コンタクトピンを前記外部端子の前記第１面に接触させる工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記コンタクトピンを介して前記外部端子に電流を流すことにより、前記半導体装置の電気特性を検査する工程、
   ここで、
   前記コンタクトピンは、前記外部端子の第１部分に接触する第１先端部を備える第１コンタクトピンと、前記外部端子の第２部分に接触する第２先端部を備える第２コンタクトピンと、から成り、
   前記第１コンタクトピンは、第１支持部と、前記第１支持部に繋がる前記第１先端部と、を有し、
   前記第２コンタクトピンは、第２支持部と、前記第２支持部に繋がる前記第２先端部と、を有し、
   前記第１コンタクトピンの前記第１支持部および前記第２コンタクトピンの前記第２支持部は、前記封止体の下面と並行な第１方向に沿って並べて配置され、
   前記第２コンタクトピンの前記第２先端部は、前記第１コンタクトピンの前記第１先端部から、前記封止体の下面と並行で、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に沿ってずれており、
   前記（ｃ）工程では、前記コンタクトピンを前記外部端子の前記第１面に接触させた後、前記第１支持部および前記第２支持部の延在方向に沿って、前記第１先端部および前記第２先端部を前記第１面上に擦りつけるワイピング動作を実施し、
   前記第１コンタクトピンの前記第１先端部と前記第２コンタクトピンの前記第２先端部との前記第２方向のずれ量は、前記ワイピング動作のワイピング量の２倍以上である。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記封止体の下面と交差する方向における前記第１コンタクトピンの前記第１支持部の位置は、前記封止体の下面と交差する方向における前記第２コンタクトピンの前記第２支持部の位置と互いに等しい、半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２方向は、前記第１コンタクトピンの前記第１支持部の延在方向であり、かつ、前記第２コンタクトピンの前記第２支持部の延在方向である、半導体装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１支持部の延在方向の長さと前記第２支持部の延在方向の長さとは、互いに異なる、半導体装置の製造方法。
5. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１方向において、前記第１コンタクトピンの前記第１支持部と前記第２コンタクトピンの前記第２支持部とは、互いに離間して配置される、半導体装置の製造方法。
6. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   断面視において、前記第１支持部のうちの前記第１先端部が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる第１湾曲部の曲率半径と、前記第２支持部のうちの前記第２先端部が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる第２湾曲部の曲率半径は、互いに等しい、半導体装置の製造方法。
7. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１先端部の形状と前記第２先端部の形状は、互いに等しい、半導体装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記封止体の下面と交差する方向における前記第１先端部の位置と前記封止体の下面と交差する方向における前記第２先端部の位置は、互いに等しい、半導体装置の製造方法。
9. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記コンタクトピンは、さらに、前記外部端子の第３部分に接触する第３先端部を備える第３コンタクトピンを含み、
   前記第３コンタクトピンは、第３支持部と、前記第３支持部と繋がる前記第３先端部と、を有し、
   前記第１コンタクトピンの前記第１支持部と前記第２コンタクトピンの前記第２支持部と前記第３コンタクトピンの前記第３支持部とは、前記第１方向に沿って並べて配置され、
   前記第３コンタクトピンの前記第３先端部は、前記第２コンタクトピンの前記第２先端部から、前記第２方向に沿ってずれている、半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１コンタクトピンの前記第１先端部と前記第３コンタクトピンの前記第３先端部とは、前記第２方向の位置が互いに等しい、半導体装置の製造方法。
11. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
    （ａ）半導体チップと外部端子とを電気的に接続する工程；
    （ｂ）前記（ａ）工程の後、前記外部端子の第１面が露出するように前記半導体チップを樹脂で封止して、封止体を形成する工程；
    （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記外部端子の前記第１面に導体膜を形成する工程；
    （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体装置を治具にセットし、コンタクトピンを前記導体膜に接触させる工程；
    （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記コンタクトピンを介して前記外部端子に電流を流すことにより、前記半導体装置の電気特性を検査する工程、
    ここで、
    前記コンタクトピンは、前記外部端子の第１部分に接触する第１先端部を備える第１コンタクトピンと、前記外部端子の第２部分に接触する第２先端部を備える第２コンタクトピンと、から成り、
    前記第１コンタクトピンは、第１支持部と、前記第１支持部に繋がる前記第１先端部と、を有し、
    前記第２コンタクトピンは、第２支持部と、前記第２支持部に繋がる前記第２先端部と、を有し、
    前記第１コンタクトピンの前記第１支持部および前記第２コンタクトピンの前記第２支持部は、前記封止体の下面と並行な第１方向に沿って並べて配置され、
    前記第２コンタクトピンの前記第２先端部は、前記第１コンタクトピンの前記第１先端部から、前記封止体の下面と並行で、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に沿ってずれており、
    前記（ｄ）工程では、前記コンタクトピンを前記外部端子の前記第１面に接触させた後、前記第１支持部および前記第２支持部の延在方向に沿って、前記第１先端部および前記第２先端部を前記第１面上に擦りつけるワイピング動作を実施し、
    前記第１コンタクトピンの前記第１先端部と前記第２コンタクトピンの前記第２先端部との前記第２方向のずれ量は、前記ワイピング動作のワイピング量の２倍以上である。
12. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記導体膜は、半田膜である、半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２方向は、前記第１コンタクトピンの前記第１支持部の延在方向であり、かつ、前記第２コンタクトピンの前記第２支持部の延在方向である、半導体装置の製造方法。
14. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１支持部の延在方向の長さと前記第２支持部の延在方向の長さとは、互いに異なる、半導体装置の製造方法。
15. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
    断面視において、前記第１支持部のうちの前記第１先端部が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる第１湾曲部の曲率半径と、前記第２支持部のうちの前記第２先端部が繋がる部分とは反対側の部分に繋がる第２湾曲部の曲率半径は、互いに等しい、半導体装置の製造方法。

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