JPH0758170A - 面実装型半導体装置の電気特性の検査方法及びその実施装置 - Google Patents
面実装型半導体装置の電気特性の検査方法及びその実施装置Info
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- JPH0758170A JPH0758170A JP5198500A JP19850093A JPH0758170A JP H0758170 A JPH0758170 A JP H0758170A JP 5198500 A JP5198500 A JP 5198500A JP 19850093 A JP19850093 A JP 19850093A JP H0758170 A JPH0758170 A JP H0758170A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 面実装型半導体装置の電気特性を検査する工
程において、被検査体である半導体装置の外部電極とＩ
Ｃソケットの接触電極との接触不良を低減させることが
可能な技術を提供する。 【構成】 規定接触領域４ａの各々は、その規定接触領
域が属する接触電極からその規定接触領域を除いた領域
よりも、隣接する接触電極４の側に広がった形状であ
り、かつ、同じ辺に沿って配列する規定接触領域は互い
に千鳥状に配列されている。
程において、被検査体である半導体装置の外部電極とＩ
Ｃソケットの接触電極との接触不良を低減させることが
可能な技術を提供する。 【構成】 規定接触領域４ａの各々は、その規定接触領
域が属する接触電極からその規定接触領域を除いた領域
よりも、隣接する接触電極４の側に広がった形状であ
り、かつ、同じ辺に沿って配列する規定接触領域は互い
に千鳥状に配列されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電気特性
を検査する方法に関し、特に面実装型半導体装置の電気
特性を検査する方法に適用して有効な技術に関するもの
である。
を検査する方法に関し、特に面実装型半導体装置の電気
特性を検査する方法に適用して有効な技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化、高機能化にとも
ない、外部電極数の増加、半導体装置の大型化が進行し
てきた。しかし、半導体装置の大型化は自ずと信号の伝
送経路の冗長化を招き、この冗長化により半導体装置の
動作特性（例えば、動作速度）が悪化するため、半導体
装置の大型化を抑制する要求が高まってきた。このよう
な事情を背景に、半導体装置の外部電極の細小短縮化及
び隣合う外部電極間の間隔の狭小化が進行するととも
に、この事態に対応して、半導体装置の電気特性検査工
程で用いられるＩＣソケットもまた、その接触電極の細
小化及び接触電極間の間隔の狭小化が進行してきた。
ない、外部電極数の増加、半導体装置の大型化が進行し
てきた。しかし、半導体装置の大型化は自ずと信号の伝
送経路の冗長化を招き、この冗長化により半導体装置の
動作特性（例えば、動作速度）が悪化するため、半導体
装置の大型化を抑制する要求が高まってきた。このよう
な事情を背景に、半導体装置の外部電極の細小短縮化及
び隣合う外部電極間の間隔の狭小化が進行するととも
に、この事態に対応して、半導体装置の電気特性検査工
程で用いられるＩＣソケットもまた、その接触電極の細
小化及び接触電極間の間隔の狭小化が進行してきた。
【０００３】ＩＣソケット、特にその接触電極の形状及
び配列は、被検査体である半導体装置のパッケージの形
状並びに外部電極の形状及び配列に応じて多種多様であ
る。例えば、面実装型半導体装置に対応するＩＣソケッ
ト（以下、面実装型用ＩＣソケットと称する）は、ＺＩ
Ｆ（無挿入力）方式とＬＩＦ（低挿入力）方式とに大別
され、ＺＩＦ方式はガルウイング型の外部電極を有する
ＱＦＰ（Quad Flat Package）及びＳＯＰ（Small Outli
ne Package）等の半導体装置に、ＬＩＦ方式はＰＬＣＣ
（Plastic Leaded Chip Carrier）及びＳＯＪ（Small O
utline Jlead）等の半導体装置に夫れ夫れ対応してい
る。ＺＩＦ方式とは、接触電極が配列されている電極配
列体と押圧固定体とからなり、この両者のいずれか一方
に被検査体である半導体装置を配置した後、押圧固定体
に設けられた押圧部と接触電極とで半導体装置の外部電
極を挟持することにより外部電極と接触電極との接触を
得る方式のことであり、押圧固定体の機構及び機能の違
いによりヒンジソケット、キャリアソケット、リッドレ
スソケットに分類される。一方、ＬＩＦ方式とは、ソケ
ットの接触電極に対向して押圧部が配設されており、接
触電極と押圧部との間隙に半導体装置の外部電極を挿入
することにより半導体装置の外部電極とソケットの接触
電極との接触を得る方式のことである。
び配列は、被検査体である半導体装置のパッケージの形
状並びに外部電極の形状及び配列に応じて多種多様であ
る。例えば、面実装型半導体装置に対応するＩＣソケッ
ト（以下、面実装型用ＩＣソケットと称する）は、ＺＩ
Ｆ（無挿入力）方式とＬＩＦ（低挿入力）方式とに大別
され、ＺＩＦ方式はガルウイング型の外部電極を有する
ＱＦＰ（Quad Flat Package）及びＳＯＰ（Small Outli
ne Package）等の半導体装置に、ＬＩＦ方式はＰＬＣＣ
（Plastic Leaded Chip Carrier）及びＳＯＪ（Small O
utline Jlead）等の半導体装置に夫れ夫れ対応してい
る。ＺＩＦ方式とは、接触電極が配列されている電極配
列体と押圧固定体とからなり、この両者のいずれか一方
に被検査体である半導体装置を配置した後、押圧固定体
に設けられた押圧部と接触電極とで半導体装置の外部電
極を挟持することにより外部電極と接触電極との接触を
得る方式のことであり、押圧固定体の機構及び機能の違
いによりヒンジソケット、キャリアソケット、リッドレ
スソケットに分類される。一方、ＬＩＦ方式とは、ソケ
ットの接触電極に対向して押圧部が配設されており、接
触電極と押圧部との間隙に半導体装置の外部電極を挿入
することにより半導体装置の外部電極とソケットの接触
電極との接触を得る方式のことである。
【０００４】従来の面実装型用ＩＣソケットにおいて、
接触電極は、被検査体である半導体装置のパッケージ外
形に対応して定められる４つの基準位置点を結んで得ら
れる平面方形の対向する２辺または４辺の各辺に対応し
て、前記平面方形の外側に向かって伸び、かつ各辺に沿
う方向に等間隔で配列されている。また、接触電極の各
々には、半導体装置の外部電極の各々が接触配置される
規定接触領域が備えられており、該規定接触領域は全
て、規定接触領域夫れ夫れの対応する辺から等しい距離
にあり、同じ辺に対応する規定接触領域はその対応辺に
平行な直線上に並んでいる。また、対応辺方向での接触
電極自身の厚さは一様で、隣合う接触電極間の間隔も場
所によらず一様である。
接触電極は、被検査体である半導体装置のパッケージ外
形に対応して定められる４つの基準位置点を結んで得ら
れる平面方形の対向する２辺または４辺の各辺に対応し
て、前記平面方形の外側に向かって伸び、かつ各辺に沿
う方向に等間隔で配列されている。また、接触電極の各
々には、半導体装置の外部電極の各々が接触配置される
規定接触領域が備えられており、該規定接触領域は全
て、規定接触領域夫れ夫れの対応する辺から等しい距離
にあり、同じ辺に対応する規定接触領域はその対応辺に
平行な直線上に並んでいる。また、対応辺方向での接触
電極自身の厚さは一様で、隣合う接触電極間の間隔も場
所によらず一様である。
【０００５】以下、従来の面実装型用ＩＣソケットを用
いて半導体装置の電気特性を検査する際の検査過程を簡
単に説明する。
いて半導体装置の電気特性を検査する際の検査過程を簡
単に説明する。
【０００６】まず、被検査体である半導体装置の外部電
極各々を各接触電極に設けられた規定接触領域に接触配
置する。次に、ＩＣソケットの所定の接触電極とテスタ
の入出力端子を電気的に接続して、テスタ内部の電源に
より半導体装置の異なる外部電極間に電圧を印加し直流
電流を入力する。こうして動作状態となった半導体装置
の入力及び出力をテスタ内部の電流計及び電圧計等によ
り検出し、この検出値により半導体装置の直流特性を評
価する。最後に、テスタ内部のパルス発生器により、外
部電極から半導体装置に実使用時と等価な条件のパルス
信号を入力し、動作状態となった半導体装置から出力さ
れる出力パルス信号を検出し、該検出値を半導体装置が
良品である場合に入力パルス信号から期待される期待値
データと比較することにより、半導体装置の論理機能の
特性を評価し、この半導体装置が良品であるか否かを判
定して、検査工程が完了する。なお、検査工程において
は、被検査体である半導体装置の実使用時における周辺
環境の温度範囲に合わせて、半導体装置を適当な温度範
囲（例えば、−５５℃〜＋１２５℃）に設定し、この温
度範囲の間で高温時、低温時の夫れ夫れの場合について
検査を行う。
極各々を各接触電極に設けられた規定接触領域に接触配
置する。次に、ＩＣソケットの所定の接触電極とテスタ
の入出力端子を電気的に接続して、テスタ内部の電源に
より半導体装置の異なる外部電極間に電圧を印加し直流
電流を入力する。こうして動作状態となった半導体装置
の入力及び出力をテスタ内部の電流計及び電圧計等によ
り検出し、この検出値により半導体装置の直流特性を評
価する。最後に、テスタ内部のパルス発生器により、外
部電極から半導体装置に実使用時と等価な条件のパルス
信号を入力し、動作状態となった半導体装置から出力さ
れる出力パルス信号を検出し、該検出値を半導体装置が
良品である場合に入力パルス信号から期待される期待値
データと比較することにより、半導体装置の論理機能の
特性を評価し、この半導体装置が良品であるか否かを判
定して、検査工程が完了する。なお、検査工程において
は、被検査体である半導体装置の実使用時における周辺
環境の温度範囲に合わせて、半導体装置を適当な温度範
囲（例えば、−５５℃〜＋１２５℃）に設定し、この温
度範囲の間で高温時、低温時の夫れ夫れの場合について
検査を行う。
【０００７】従来の面実装型用ＩＣソケットの一例とし
て、ＺＩＦ方式ＩＣソケットの要部を図４に示す。図４
(ａ)はＺＩＦ方式ＩＣソケットの電極配列体の一部を示
す平面図であり、Ａ，Ｂは前記した平面方形の４頂点の
内の２頂点、４１ａ，４１ｂは配置ガイド部、４１ｆは
電極挟持部、４４は接触電極、４４ａは接触電極４４内
に設けられた規定接触領域であり、図４(ｂ)は接触電極
４４の拡大斜視図である。線分ＡＢは、前記平面方形の
一辺を形成し、図４中の一列に並んだ接触電極４４群の
対応辺である。図４(ａ)からわかるように、辺ＡＢに沿
って同じ形状の複数の接触電極４４が等間隔で配列して
おり、対応辺ＡＢ方向の接触電極４４自身の厚さは一様
で、隣合う接触電極４４間の間隔も一様である。規定接
触領域４４ａは、接触電極４４の内、対応辺ＡＢ側に位
置する上向きの小突起部の平坦な上面に相当しており、
対応辺ＡＢから等距離の所に位置し、したがって、対応
辺ＡＢに平行な直線上にある。また、前記平面方形の対
応辺ＡＢと対向する辺に対しても、接触電極４４と同じ
接触電極が同様に配列している。頂点Ａ，Ｂ近傍に位置
する配置ガイド部４１ａ，４１ｂは上向きに伸びる突起
であり、平面方形の他の２頂点近傍にも同様の配置ガイ
ド部が配設されており、これら４本の配置ガイド部に沿
って被検査体である半導体装置が電極配列体に挿入配置
される。
て、ＺＩＦ方式ＩＣソケットの要部を図４に示す。図４
(ａ)はＺＩＦ方式ＩＣソケットの電極配列体の一部を示
す平面図であり、Ａ，Ｂは前記した平面方形の４頂点の
内の２頂点、４１ａ，４１ｂは配置ガイド部、４１ｆは
電極挟持部、４４は接触電極、４４ａは接触電極４４内
に設けられた規定接触領域であり、図４(ｂ)は接触電極
４４の拡大斜視図である。線分ＡＢは、前記平面方形の
一辺を形成し、図４中の一列に並んだ接触電極４４群の
対応辺である。図４(ａ)からわかるように、辺ＡＢに沿
って同じ形状の複数の接触電極４４が等間隔で配列して
おり、対応辺ＡＢ方向の接触電極４４自身の厚さは一様
で、隣合う接触電極４４間の間隔も一様である。規定接
触領域４４ａは、接触電極４４の内、対応辺ＡＢ側に位
置する上向きの小突起部の平坦な上面に相当しており、
対応辺ＡＢから等距離の所に位置し、したがって、対応
辺ＡＢに平行な直線上にある。また、前記平面方形の対
応辺ＡＢと対向する辺に対しても、接触電極４４と同じ
接触電極が同様に配列している。頂点Ａ，Ｂ近傍に位置
する配置ガイド部４１ａ，４１ｂは上向きに伸びる突起
であり、平面方形の他の２頂点近傍にも同様の配置ガイ
ド部が配設されており、これら４本の配置ガイド部に沿
って被検査体である半導体装置が電極配列体に挿入配置
される。
【０００８】なお、ＩＣソケットの詳細については、応
用技術出版株式会社、１９８８年１１月１６日発行「表
面実装形ＬＳＩパッケ−ジの実装技術とその信頼性向
上」の２２６ページ乃至２３６ページに記載がある。
用技術出版株式会社、１９８８年１１月１６日発行「表
面実装形ＬＳＩパッケ−ジの実装技術とその信頼性向
上」の２２６ページ乃至２３６ページに記載がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は前記従来技術を検討した結果、次の問題点があるこ
とを見出した。
者は前記従来技術を検討した結果、次の問題点があるこ
とを見出した。
【００１０】すなわち、前記した通り、半導体装置の外
部電極の細小短縮化及び隣合う外部電極間の間隙の狭小
化と、これらに伴うＩＣソケットの接触電極の細小化及
び接触電極間の間隙の狭小化が進行した結果、第一に半
導体装置の外部電極とＩＣソケットの接触電極との対応
辺方向の位置決め精度そのものが悪くなったこと、第二
に半導体装置の外部電極がリード状のものについてはリ
ード状外部電極に曲がりが生じ易くなったこと、第三に
使用度数にともなう接触電極の消耗による影響を受け易
くなったことにより、ＩＣソケットを用いて面実装型半
導体装置の電気特性を検査する際、外部電極と接触電極
との間に接触不良が生じ、面実装型半導体装置の電気特
性を正確に評価できないという問題があった。
部電極の細小短縮化及び隣合う外部電極間の間隙の狭小
化と、これらに伴うＩＣソケットの接触電極の細小化及
び接触電極間の間隙の狭小化が進行した結果、第一に半
導体装置の外部電極とＩＣソケットの接触電極との対応
辺方向の位置決め精度そのものが悪くなったこと、第二
に半導体装置の外部電極がリード状のものについてはリ
ード状外部電極に曲がりが生じ易くなったこと、第三に
使用度数にともなう接触電極の消耗による影響を受け易
くなったことにより、ＩＣソケットを用いて面実装型半
導体装置の電気特性を検査する際、外部電極と接触電極
との間に接触不良が生じ、面実装型半導体装置の電気特
性を正確に評価できないという問題があった。
【００１１】この問題点を解決するには規定接触領域の
対応辺方向の幅を拡張すれば良いが、同一の辺に沿って
配列する規定接触領域群はこの対応辺に平行な直線上に
あり、かつ、隣接する規定接触領域間の間隔は非常に狭
いので、この間隔をこれ以上狭くすると、外部電極に曲
がりが生じている場合に、この外部電極が隣接する規定
接触領域へ接触する等の誤接触を起こすため、実際には
規定接触領域の対応辺方向の幅を拡張することはできな
かった。
対応辺方向の幅を拡張すれば良いが、同一の辺に沿って
配列する規定接触領域群はこの対応辺に平行な直線上に
あり、かつ、隣接する規定接触領域間の間隔は非常に狭
いので、この間隔をこれ以上狭くすると、外部電極に曲
がりが生じている場合に、この外部電極が隣接する規定
接触領域へ接触する等の誤接触を起こすため、実際には
規定接触領域の対応辺方向の幅を拡張することはできな
かった。
【００１２】本発明は前記問題点を解決するために成さ
れたものであり、本発明の目的は、面実装型半導体装置
の電気特性を検査する方法及び装置において、被検査体
である半導体装置の外部電極とＩＣソケットの接触電極
との接触不良を低減させることが可能な技術を提供する
ことにある。
れたものであり、本発明の目的は、面実装型半導体装置
の電気特性を検査する方法及び装置において、被検査体
である半導体装置の外部電極とＩＣソケットの接触電極
との接触不良を低減させることが可能な技術を提供する
ことにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
規な特徴は本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００１５】面実装型半導体装置の外部電極の各々を、
平面方形の対向する２辺または４辺の各辺に沿って配列
された接触電極の各々に接触させ、この接触した状態で
前記接触電極を介して前記外部電極より前記面実装型半
導体装置に電圧を適宜印加し、該電圧印加により生じる
前記面実装型半導体装置の入力と出力を測定し、該測定
値により面実装型半導体装置の直流特性、交流特性及び
論理機能を評価し前記半導体装置が良品であるか否かを
判定する面実装型半導体装置の電気特性の検査方法にお
いて、前記接触電極の内で前記外部電極と実際に接触す
る規定接触領域の各々は、該規定接触領域の各々が属す
る前記接触電極の内、該規定接触領域を除いた領域より
も隣接する接触電極の側に広がった形状であり、かつ、
同じ前記辺に沿って配列した前記規定接触領域は互いに
千鳥状に配列されていることを特徴とする。
平面方形の対向する２辺または４辺の各辺に沿って配列
された接触電極の各々に接触させ、この接触した状態で
前記接触電極を介して前記外部電極より前記面実装型半
導体装置に電圧を適宜印加し、該電圧印加により生じる
前記面実装型半導体装置の入力と出力を測定し、該測定
値により面実装型半導体装置の直流特性、交流特性及び
論理機能を評価し前記半導体装置が良品であるか否かを
判定する面実装型半導体装置の電気特性の検査方法にお
いて、前記接触電極の内で前記外部電極と実際に接触す
る規定接触領域の各々は、該規定接触領域の各々が属す
る前記接触電極の内、該規定接触領域を除いた領域より
も隣接する接触電極の側に広がった形状であり、かつ、
同じ前記辺に沿って配列した前記規定接触領域は互いに
千鳥状に配列されていることを特徴とする。
【００１６】
【作用】前記した手段によれば、半導体装置の外部電極
が接触配置されるＩＣソケットの規定接触領域は、従来
のものよりも隣接する接触電極側に広いので、外部電極
と接触電極との対応辺方向の位置決め精度が向上し、外
部電極の隣接する接触電極への誤接触を起こすことな
く、外部電極と接触電極との接触不良を低減させること
ができる。これにより、半導体装置の電気特性検査工程
における歩留が向上する。
が接触配置されるＩＣソケットの規定接触領域は、従来
のものよりも隣接する接触電極側に広いので、外部電極
と接触電極との対応辺方向の位置決め精度が向上し、外
部電極の隣接する接触電極への誤接触を起こすことな
く、外部電極と接触電極との接触不良を低減させること
ができる。これにより、半導体装置の電気特性検査工程
における歩留が向上する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。なお、実施例を説明するための前図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付与し、その繰
り返しの説明は省略する。
説明する。なお、実施例を説明するための前図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付与し、その繰
り返しの説明は省略する。
【００１８】図２は本発明の一実施例であるＱＦＰ半導
体装置の電気特性検査方法において使用されるＺＩＦ方
式ヒンジソケットの構成を示す平面図であり、１は被検
査体であるＱＦＰ半導体装置を挿入配置する側の電極配
列体、２は電極配列体１に配置されたＱＦＰ半導体装置
を上方より押圧する押圧固定体、３は電極配列体１と押
圧固定体２とを接続するヒンジ、１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄは電極配列体１の配置ガイド部、４はコンタクトピン
（接触電極）、４ａは被検査体であるＱＦＰ半導体装置
のアウターリード（外部電極）が接触配置されるコンタ
クト領域（規定接触領域）、２ａは押圧固定体２のリー
ド押圧部、５は押圧スプリング、６はラッチ、１ｅはラ
ッチ止め部、１ｆは電極挟持部であリ、黒丸Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄは平面方形の４頂点を表している。
体装置の電気特性検査方法において使用されるＺＩＦ方
式ヒンジソケットの構成を示す平面図であり、１は被検
査体であるＱＦＰ半導体装置を挿入配置する側の電極配
列体、２は電極配列体１に配置されたＱＦＰ半導体装置
を上方より押圧する押圧固定体、３は電極配列体１と押
圧固定体２とを接続するヒンジ、１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄは電極配列体１の配置ガイド部、４はコンタクトピン
（接触電極）、４ａは被検査体であるＱＦＰ半導体装置
のアウターリード（外部電極）が接触配置されるコンタ
クト領域（規定接触領域）、２ａは押圧固定体２のリー
ド押圧部、５は押圧スプリング、６はラッチ、１ｅはラ
ッチ止め部、１ｆは電極挟持部であリ、黒丸Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄは平面方形の４頂点を表している。
【００１９】図１は図２に示したＺＩＦ方式ヒンジソケ
ットのコンタクトピン４の形状及びその配列を示す拡大
図であり、図１(ａ)は同じ対応辺ＡＢに沿って配列され
ているコンタクトピン４の配列を示す平面図、図１(ｂ)
はコンタクトピン４の斜視図である。
ットのコンタクトピン４の形状及びその配列を示す拡大
図であり、図１(ａ)は同じ対応辺ＡＢに沿って配列され
ているコンタクトピン４の配列を示す平面図、図１(ｂ)
はコンタクトピン４の斜視図である。
【００２０】図１に示す通り、コンタクトピン４にはコ
ンタクト領域４ａの位置の違いにより２種類のものがあ
り、この２種類のコンタクトピン４が交互に配列されて
いる。そして、コンタクトピン４の内でＱＦＰ半導体装
置のアウターリードとの接触を得るコンタクト領域４ａ
は、そのコンタクト領域４ａが属するコンタクトピン４
からそのコンタクト領域４ａを除いた領域よりも隣接す
るコンタクトピン４の側に広がった形状であり、かつ、
同じ辺に沿って配列するコンタクト領域４ａは千鳥状に
配列されている。
ンタクト領域４ａの位置の違いにより２種類のものがあ
り、この２種類のコンタクトピン４が交互に配列されて
いる。そして、コンタクトピン４の内でＱＦＰ半導体装
置のアウターリードとの接触を得るコンタクト領域４ａ
は、そのコンタクト領域４ａが属するコンタクトピン４
からそのコンタクト領域４ａを除いた領域よりも隣接す
るコンタクトピン４の側に広がった形状であり、かつ、
同じ辺に沿って配列するコンタクト領域４ａは千鳥状に
配列されている。
【００２１】以下、図２に示したＺＩＦ方式ヒンジソケ
ットを用いてＱＦＰ半導体装置の電気特性を検査する際
の検査過程を説明する。
ットを用いてＱＦＰ半導体装置の電気特性を検査する際
の検査過程を説明する。
【００２２】まず、平面方形の４頂点の位置に鉛直上向
きに配設された４本の突起状の配置ガイド部１ａ〜ｄに
沿って被検査体であるＱＦＰ半導体装置を電極配列体１
側に配置し、コンタクトピン４各々に備えられた上向き
の小突起部の上面に相当する平坦なコンタクト領域４ａ
にＱＦＰ半導体装置のアウターリードの各々を接触させ
る。次に、ヒンジ３を軸にして、図２中に示されている
電極配列体１及び押圧固定体２の両面が対面するように
押圧固定体２を回転させ、ラッチ６をラッチ止め部１ｅ
にひっかけソケットを閉じて、ＱＦＰ半導体装置をソケ
ット内部に収納する。
きに配設された４本の突起状の配置ガイド部１ａ〜ｄに
沿って被検査体であるＱＦＰ半導体装置を電極配列体１
側に配置し、コンタクトピン４各々に備えられた上向き
の小突起部の上面に相当する平坦なコンタクト領域４ａ
にＱＦＰ半導体装置のアウターリードの各々を接触させ
る。次に、ヒンジ３を軸にして、図２中に示されている
電極配列体１及び押圧固定体２の両面が対面するように
押圧固定体２を回転させ、ラッチ６をラッチ止め部１ｅ
にひっかけソケットを閉じて、ＱＦＰ半導体装置をソケ
ット内部に収納する。
【００２３】図３は、このようにしてＱＦＰ半導体装置
がソケット内部に収納された状態の、図２中の位置Ｘ−
Ｘにおける断面図であり、７はＱＦＰ半導体装置のパッ
ケージ、８はＱＦＰ半導体装置のアウターリードであ
る。パッケージ７は押圧スプリング５に押圧され、アウ
ターリード８はコンタクトピン４とリード押圧部２ａと
に挟まれており、アウターリード８とコンタクトピン４
との接触は固定される。
がソケット内部に収納された状態の、図２中の位置Ｘ−
Ｘにおける断面図であり、７はＱＦＰ半導体装置のパッ
ケージ、８はＱＦＰ半導体装置のアウターリードであ
る。パッケージ７は押圧スプリング５に押圧され、アウ
ターリード８はコンタクトピン４とリード押圧部２ａと
に挟まれており、アウターリード８とコンタクトピン４
との接触は固定される。
【００２４】次に、コンタクトピン４とテスタ（図示は
省略する）の入出力端子を電気的に接続して、テスタ内
部の電源により半導体装置の異なるアウターリード８間
に電圧を印加し直流電流を入力する。こうして動作状態
となったＱＦＰ半導体装置の電源電流、リーク電流、出
力電圧等をテスタ内部の電流計及び電圧計等により検出
し、この検出値により直流特性を評価する。最後に、テ
スタ内部のパルス発生器により、アウターリード８から
ＱＦＰ半導体装置に実使用時と等価な条件のパルス信号
（電圧、時間、論理データの３要素からなる）を入力
し、動作状態となったＱＦＰ半導体装置から出力される
出力パルス信号を電圧、時間、論理データの３要素につ
いて検出し、この検出値をＱＦＰ半導体装置が良品であ
る場合に入力パルス信号から期待される期待値データと
比較することにより、ＱＦＰ半導体装置の交流及び論理
機能の特性を評価し、このＱＦＰ半導体装置が良品であ
るか否かを判定する。
省略する）の入出力端子を電気的に接続して、テスタ内
部の電源により半導体装置の異なるアウターリード８間
に電圧を印加し直流電流を入力する。こうして動作状態
となったＱＦＰ半導体装置の電源電流、リーク電流、出
力電圧等をテスタ内部の電流計及び電圧計等により検出
し、この検出値により直流特性を評価する。最後に、テ
スタ内部のパルス発生器により、アウターリード８から
ＱＦＰ半導体装置に実使用時と等価な条件のパルス信号
（電圧、時間、論理データの３要素からなる）を入力
し、動作状態となったＱＦＰ半導体装置から出力される
出力パルス信号を電圧、時間、論理データの３要素につ
いて検出し、この検出値をＱＦＰ半導体装置が良品であ
る場合に入力パルス信号から期待される期待値データと
比較することにより、ＱＦＰ半導体装置の交流及び論理
機能の特性を評価し、このＱＦＰ半導体装置が良品であ
るか否かを判定する。
【００２５】以上の説明からわかるように、前記実施例
のＱＦＰ半導体装置の電気特性検査方法によれば、次の
ような効果を得ることができる。
のＱＦＰ半導体装置の電気特性検査方法によれば、次の
ような効果を得ることができる。
【００２６】すなわち、検査過程を通じて、コンタクト
領域４ａは、そのコンタクト領域４ａが属するコンタク
トピン４からそのコンタクト領域４ａを除いた領域より
も隣接するコンタクトピン４の側に広がった形状であ
り、かつ、同じ辺に沿って配列するコンタクト領域４ａ
は千鳥状に配列されているので、アウターリード８とコ
ンタクト領域４ａとの対応辺方向の位置決め精度が向上
し、アウターリード８の隣接するコンタクトピン４への
誤接触を起こすことなく、アウターリード８とコンタク
トピン４との接触不良を低減させることができる。これ
により、ＱＦＰ半導体装置の電気特性検査工程における
歩留が向上する。
領域４ａは、そのコンタクト領域４ａが属するコンタク
トピン４からそのコンタクト領域４ａを除いた領域より
も隣接するコンタクトピン４の側に広がった形状であ
り、かつ、同じ辺に沿って配列するコンタクト領域４ａ
は千鳥状に配列されているので、アウターリード８とコ
ンタクト領域４ａとの対応辺方向の位置決め精度が向上
し、アウターリード８の隣接するコンタクトピン４への
誤接触を起こすことなく、アウターリード８とコンタク
トピン４との接触不良を低減させることができる。これ
により、ＱＦＰ半導体装置の電気特性検査工程における
歩留が向上する。
【００２７】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能
であることは言うまでもない。
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能
であることは言うまでもない。
【００２８】例えば、前記実施例ではＱＦＰ半導体装置
に対応してＺＩＦ方式ヒンジソケットを用いたが、ＺＩ
Ｆ方式であればキャリアソケット、リッドレスソケット
を用いることも可能である。さらに、被検査体がその他
の面実装型半導体装置（ＳＯＪ，ＰＬＣＣ，ＴＣＰ(Tap
e Carrier Package)等）である場合には適宜対応するソ
ケットを用いればよい。
に対応してＺＩＦ方式ヒンジソケットを用いたが、ＺＩ
Ｆ方式であればキャリアソケット、リッドレスソケット
を用いることも可能である。さらに、被検査体がその他
の面実装型半導体装置（ＳＯＪ，ＰＬＣＣ，ＴＣＰ(Tap
e Carrier Package)等）である場合には適宜対応するソ
ケットを用いればよい。
【００２９】また、前記実施例では手動による検査方法
について説明したが、キャリアソケットを備えたハンド
ラ等の自動機を用いれば、検査工程とこの検査工程に続
く選別工程までを自動で行うことも可能である。
について説明したが、キャリアソケットを備えたハンド
ラ等の自動機を用いれば、検査工程とこの検査工程に続
く選別工程までを自動で行うことも可能である。
【００３０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００３１】すなわち、面実装型半導体装置の電気特性
の検査方法において、被検査体である面実装型半導体装
置の外部電極と規定接触領域との対応辺方向の位置決め
精度が向上し、外部電極の隣接する接触電極への誤接触
を起こすことなく、外部電極と接触電極との接触不良を
低減させることができる。これにより、面実装型半導体
装置の電気特性検査工程における歩留が向上する。
の検査方法において、被検査体である面実装型半導体装
置の外部電極と規定接触領域との対応辺方向の位置決め
精度が向上し、外部電極の隣接する接触電極への誤接触
を起こすことなく、外部電極と接触電極との接触不良を
低減させることができる。これにより、面実装型半導体
装置の電気特性検査工程における歩留が向上する。
【図１】 本発明による一実施例のＺＩＦ方式ヒンジソ
ケットのコンタクトピンの形状及びその配列を示す図。
ケットのコンタクトピンの形状及びその配列を示す図。
【図２】 本発明による一実施例の面実装型半導体装置
の電気特性検査方法において、使用されるＺＩＦ方式ヒ
ンジソケットの構成を示す斜視図。
の電気特性検査方法において、使用されるＺＩＦ方式ヒ
ンジソケットの構成を示す斜視図。
【図３】 図２のＺＩＦ方式ヒンジソケットに、被検査
体であるＱＦＰ半導体装置を収納した状態を示す断面
図。
体であるＱＦＰ半導体装置を収納した状態を示す断面
図。
【図４】 従来のＺＩＦ方式ソケットの接触電極の形状
を及びその配列を示す図。
を及びその配列を示す図。
１…電極配列体、１ａ〜ｄ…配置ガイド部、１ｅ…ラッ
チ止め部、１ｆ…電極挟持部、２…押圧固定体、２ａ…
リード押圧部、３…ヒンジ、４…コンタクトピン、４ａ
…コンタクト領域、５…押圧スプリング、６…ラッチ、
７…ＱＦＰ半導体装置のパッケージ、８…ＱＦＰ半導体
装置のアウターリード、４１ａ，４１ｂ…配置ガイド
部、４１ｆ…電極挟持部、４４…接触電極、４４ａ…規
定接触領域、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ…平面方形の頂点。
チ止め部、１ｆ…電極挟持部、２…押圧固定体、２ａ…
リード押圧部、３…ヒンジ、４…コンタクトピン、４ａ
…コンタクト領域、５…押圧スプリング、６…ラッチ、
７…ＱＦＰ半導体装置のパッケージ、８…ＱＦＰ半導体
装置のアウターリード、４１ａ，４１ｂ…配置ガイド
部、４１ｆ…電極挟持部、４４…接触電極、４４ａ…規
定接触領域、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ…平面方形の頂点。
Claims (2)
- 【請求項１】 面実装型半導体装置の外部電極の各々
を、平面方形の対向する２辺または４辺の各辺に沿って
配列された接触電極の各々に接触させ、この接触した状
態で前記接触電極を介して前記外部電極より前記面実装
型半導体装置に電圧を適宜印加し、該電圧印加により前
記面実装型半導体装置の電気特性を検出して、前記面実
装型半導体装置が良品であるか否かを判定する面実装型
半導体装置の電気特性の検査方法において、 前記接触電極の内で前記外部電極との接触を得る規定接
触領域の各々は、該規定接触領域の各々が属する前記接
触電極から該規定接触領域を除いた領域よりも隣接する
接触電極の側に広がった形状であり、かつ、同じ前記辺
に沿って配列する複数の前記規定接触領域は千鳥状に配
列されていることを特徴とする面実装型半導体装置の電
気特性の検査方法。 - 【請求項２】 面実装型半導体装置の外部電極の各々
を、ＩＣソケット部の平面方形の対向する２辺または４
辺の各辺に沿って配列された接触電極の各々に接触さ
せ、この接触した状態で前記接触電極を介して前記外部
電極より前記面実装型半導体装置に電圧を適宜印加し、
該電圧印加により生じる前記面実装型半導体装置の入力
と出力を検出し、該検出値により面実装型半導体装置の
直流特性、交流特性及び論理機能を評価し前記半導体装
置が良品であるか否かを判定する面実装型半導体装置の
電気特性の検査装置において、 前記接触電極の内で前記外部電極との接触を得る規定接
触領域の各々は、該規定接触領域の各々が属する前記接
触電極から該規定接触領域を除いた領域よりも隣接する
接触電極の側に広がった形状であり、かつ、同じ前記辺
に沿って配列する複数の前記規定接触領域は千鳥状に配
列されているＩＣソケット部を備えたことを特徴とする
面実装型半導体装置の電気特性の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198500A JPH0758170A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 面実装型半導体装置の電気特性の検査方法及びその実施装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198500A JPH0758170A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 面実装型半導体装置の電気特性の検査方法及びその実施装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758170A true JPH0758170A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16392170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5198500A Pending JPH0758170A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 面実装型半導体装置の電気特性の検査方法及びその実施装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100295305B1 (ko) * | 1998-02-16 | 2001-07-12 | 가네꼬 히사시 | 테스트용ｉｃ 소케트 |
| KR20030075541A (ko) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | 주식회사 파이컴 | 평판표시소자 검사장치의 프로브 |
| JP2016099136A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP5198500A patent/JPH0758170A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100295305B1 (ko) * | 1998-02-16 | 2001-07-12 | 가네꼬 히사시 | 테스트용ｉｃ 소케트 |
| KR20030075541A (ko) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | 주식회사 파이컴 | 평판표시소자 검사장치의 프로브 |
| JP2016099136A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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