JP2003179110A - プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法 - Google Patents
プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法Info
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
- H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
- H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/02—Heating or cooling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/22—Electroplating combined with mechanical treatment during the deposition
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
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- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
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- G—PHYSICS
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- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/13124—Aluminium [Al] as principal constituent
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- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13639—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13644—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
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- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13657—Cobalt [Co] as principal constituent
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/45111—Tin (Sn) as principal constituent
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
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-
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
-
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- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
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- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0397—Tab
-
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-
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- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
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-
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- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
- H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
-
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-
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- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10719—Land grid array [LGA]
-
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- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
-
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- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10757—Bent leads
-
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- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/1075—Shape details
- H05K2201/10878—Means for retention of a lead in a hole
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
の一を変更する事なく可能にする。 【解決手段】 ローブカード・アセンブリ(500)が、
プローブカード(502)と、間隔変換器(506)であり、
接触構造(プローブ要素)(524)を有する間隔変換器
(506)と、間隔変換器(506)とプローブカード(50
2)の間に配設される介在体(504)とを含む。間隔変換
器と介在体とを「積み重ね」,間隔変換器の配向を調整
して、どのぐらいの調整をすべきかを決定するための適
切な機構(532、536、538、546)が開示される。半導体
ウェーハ(508)上の多数の大・サイトに、開示の技法
を用いて容易にプローブが当てられ、プローブ要素(52
4)は、ウェーハ(508)全体のプローブ当てを最適化す
るように配列可能である。
Description
ト間で一時的な圧力接続をなすことに関し、更に詳細に
は、半導体素子の実装に先行して、好適には個々の半導
体素子が、半導体ウェーハから単一化される前に、半導
体素子に関する試験及びエージング手順を実施するため
の技法に関する。
された(状況:係属中)米国特許同時係属出願第08/45
2,255号(以後、「親事例」と呼ぶ)の一部継続出願で
あり、同米国特許出願は、同一出願人による1994年
11月15日に出願された(状況:係属中)米国特許同
時係属出願第08/340,144号、及び1994年11月16
日に出願されたその対応PCT特許出願番号PCT/US94/1
3373(WO 95/14314 として1995年5月26日に公
告)の一部継続出願であり、それらは両方とも、同一出
願による1993年11月16日に出願された(状況:
係属中/認可)米国特許同時係属出願第08/152,812号の
一部継続出願である。
月21日に出願された(状況:係属中)米国特許同時係
属出願第08/526,246号、及び同一出願人による1995
年10月18日に出願された(状況:係属中)米国特許
同時係属出願第08/533,584号の一部継続出願でもある。
は通常、ホトリソグラフィ、堆積、その他の既知の技法
を用いて、半導体ウェーハ上に幾つかの同一素子を作り
出すことにより製造される。一般に、これらの工程は、
半導体ウェーハから個々のダイを単一化(切断)する前
に、完全に機能する複数の集積回路素子を作り出すこと
を目的とするものである。しかし、実際には、ウェーハ
自体におけるある種の物理的欠陥、及びウェーハを処理
する際のある種の欠陥が、ダイのうちの幾つかは「良」
(完全に機能する)で、ダイのうちの幾つかは「不良」
(機能しない)である原因となることは避けられない。
ウェーハ上の複数のダイのうちどれが良であるかを、そ
れらの実装の前に、好適には、それらがウェーハから単
一化される前に識別できることが一般に望ましい。この
目的のために、ウェーハ「試験装置」又は「プローブ装
置」を有利に用いて、複数の離散的な圧力接続が、ダイ
上の同様に複数の離散的な接続パッド(接着パッド)に
対してなされる。このようにして、半導体ダイを、ウェ
ーハからダイを単一化する前に、試験及び動作させるこ
とが可能となる。ウェーハ試験装置の慣用的な構成要素
は、「プローブカード」であり、これに複数のプローブ
要素が接続され、プローブ要素の先端が、半導体ダイの
対応する接着パッドに対して圧力接続をもたらす。
を当てるいずれの技法にもつきものである。例えば、最
近の集積回路は、互いに近接して(例えば、中心間5ミ
ル)配設された何千もの接着パッドを含んでいる。更
に、接着パッドのレイアウトは、ダイの周辺エッジの近
くに配設される、接着パッドの単一列に限定される必要
はない(例えば、米国特許第5,453,583 号を参照)。
良い圧力接続をもたらすには、幾つかのパラメータを問
題にする必要があり、これらには、限定ではないが、位
置合わせ、プローブ力、オーバードライブ、接触力、均
衡した接触力、洗浄、接触抵抗、及び平坦化が含まれ
る。これらパラメータの一般的な議論は、「高密度プロ
ーブカード(HIGH DENSITY PROBE CARD) 」と題する米国
特許第4,837,622 号に見出すことができ、これを参照と
して本明細書に取り込むが、この特許には、プローブ要
素の荒成形されたエポキシリングを受けるよう適合した
中央開口を備えたユニット式印刷回路基板を含む、高密
度エポキシリング・プローブカードが開示されている。
ンブリには、プローブカードの一表面から片持ち梁とし
て延伸する、複数のタングステン針が含まれる。タング
ステン針は、上記のようなエポキシリングの仲介等によ
り、プローブカードに任意の適切な仕方で実装される。
一般に、いずれの場合でも、針は、プローブカードの端
子に針を接続する別個で特異なワイヤの仲介によって、
プローブカードの端子に配線される。
形成され、これらは、リングの内周から延伸する(、及
びプローブカードの端子に配線される)何百ものプロー
ブ要素(針)を備える。回路モジュール、及び好適には
等しい長さの導電トレース(線)が、プローブ要素の各
々と関連付けられる。このリング形状レイアウトによ
り、特に各半導体ダイの接着パッドが、半導体ダイの2
つの対向エッジに沿った2つの直線アレイ以外で配列さ
れる場合、ウェーハ上の単一化されていない複数の半導
体ダイ(多数サイト)にプローブを当てることが困難に
なり、ある場合には不可能になる。
接触バンプ領域を有するプローブ膜を用いることもで
き、これは、「超多ピン数を備えた試験下の半導体素子
用の大規模突出膜(LARGE SCALE PROTRUSION MEMBRANE F
OR SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST WITH VERY HIGH
PIN COUNTS)」と題する、米国特許第5,422,574 号に記
載されており、これを参照として本明細書に取り込む。
この特許には、「試験システムは通常、一連の試験プロ
グラムを実行及び制御するための試験コントローラと、
試験の準備としてウェーハを機械的に取り扱い、位置決
めするためのウェーハ分配システムと、被試験素子(D
UT)との正確な機械的接触を維持するためのプローブ
カードからなる。」(第1段落、41−46行)と記載
されている。
り込むが、これらには、半導体素子の試験における技術
状態が表わされ、米国特許第5,442,282 号(「TESTING
ANDEXERCISING INDIVIDUAL UNSINGULETED DIES ON A WA
FER」)、同第5,382,898 号(「HIGH DENSITY PROBE CA
RD FOR TESTING ELECTRICAL CIRCUITS 」)、同第5,37
8,982 号(「TEST PROBE FOR PANEL HAVING AN OVERLYI
NG PROTECTIVE MEMBERADJACENT CONTACTS」)、同第5,3
39,027 号(「RIGID-FLEX CIRCUITS WITH RAISED FEATU
RES AS IC TEST PROBE 」)、同第5,180,977 号(「MEM
BRANE PROBE CONTACT BUMP COMPLIANCY SYSTEM 」)、
同第4,757,256 号(「HIGH DENSITY PROBE CARD 」)、
同第4,161,692 号(「PROBE DEVICE FOR INTEGRATED CI
RCUIT WAFERS」)、及び同第3,990,689 号(「ADJUSTAB
LE HOLDER ASSEMBLY FOR POSITIONING A VACUM CHUC
K」)が含まれる。
は、「相対的に永久な」及び「即座に取り外し可能な」
相互接続という2つの広義のカテゴリーに分類できる。
田接合がある。一旦2つのコンポーネントが互いに半田
付けされると、それらコンポーネントを分離するのに、
半田除去工程を用いる必要がある。ワイヤ接着は、「相
対的に永久な」接続の他の例である。
て、1つの電子コンポーネントの堅固なピンがあり、他
の電子コンポーネントの弾力のあるソケット要素によっ
て受容される。ソケット要素は、ピンに対して、それら
の間の信頼のある電気接続を保証するのに十分な大きさ
の接触力(圧力)を及ぼす。
を目的とした相互接続要素は、本明細書において、「ス
プリング」又は「ばね要素」と呼ぶ。一般に、いくらか
の最小接触力が、電子コンポーネントに(例えば、電子
コンポーネント上の端子に)信頼性の良い圧力接触をも
たらすのに望まれる。例えば、約15グラム(接触当た
り少なくて2グラム以下、且つ多くて150グラム以上
を含む)の接触(荷重)力が、表面上に膜で汚染され、
また表面上に腐蝕、又は酸化生成物を有する、電子コン
ポーネントの端子に信頼性良く電気接続をなすことを保
証するのに望まれる。各スプリングに必要な最小接触力
には、スプリング材料の降伏強度、又はばね要素の寸法
のどちらかを増大させることが必要とされる。一般的な
提案として、材料の降伏強度が高くなるほど、加工(例
えば、打ち抜き、曲げ等)するのが益々困難になる。そ
して、スプリングを更に小さく製作したいという望みに
よって、それらの断面を更に大きく製作することが本質
的に不可能になる。
ね要素の1つの分類である。従来技術のプローブ要素は
一般に、比較的硬質な(高降伏強度)タングステンから
製造される。かかる比較的硬質な材料を電子コンポーネ
ントの端子に実装することが所望である場合、ろう接法
等の比較的「過酷な」(例えば、高温)工程が必要とさ
れる。かかる「過酷な」工程は一般に、半導体素子等の
いくつかの比較的「脆弱な」電子コンポーネントに関連
して、望ましいものではない(また、実現できないこと
が多い)。それとは対照的に、ワイヤボンディングは、
比較的「易しい」工程の一例であり、これは、ろう接法
よりも、脆弱な電子コンポーネントに損傷を与えること
が場合によってほとんどない。半田付けは、比較的「易
しい」工程の他の例である。しかし、半田及び金は共
に、比較的軟質な(低降伏強度)材料であり、これら
は、ばね要素として十分には機能しない。
した他の微妙な問題は、しばしば、電子コンポーネント
の端子が完全には共平面でない点にある。これらの「公
差」(総共平面性)を吸収するために、共に組み込まれ
るある機構に欠けている相互接続要素が、激しく押圧さ
れて、電子コンポーネントの端子と一貫した圧力接触を
なすことになる。
り込むが、これらには、電子コンポーネントに対して、
面対向接続、特に圧力接続をなすことを一般的な問題と
して言及している。それら米国特許は、米国特許第5,38
6,344 号(「FLEX CIRCUIT CARD ELASTOMERIC CABLE CO
NNECTOR ASSEMBLY」)、同第5,336,380 号(「SPRINGBI
ASED TAPERED CONTACT ELEMENTS FOR ELECTRICAL CONNE
CTORS AND INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES」)、同第5,3
17,479 号(「PLATED COMPLIANT LEAD 」)、同第5,08
6,337 号(「CONNECTING STRUCTURE OF ELECTRONIC PAR
T AND ELECTRONIC DEVICE USING THE STRUCTURE 」)、
同第5,067,007 号(「SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LE
ADS FOR MOUNTING TO A SURFACE OF A PRINTED CIRCUIT
BOARD」)、同第4,989,069 号(「SEMICONDUCTOR PACK
AGE HAVING LEADS THAT BREAK-AWAYFROM SUPPORTS
」)、同第4,893,172 号(「CONNECTING STRUCTUREFOR
ELECTRONIC PART AND METHOD OF MANUFACTURING THE S
AME」)、同第4,793,814 号(「ELECTRICAL CIRCUIT BO
ARD INTERCONNECT 」)、同第4,777,564 号(「LEADFRA
ME FOR USE WITH SURFACE MOUNTED COMPONENTS 」)、
同第4,764,848 号(「SURFACE MOUNTED ARRAY STRAIN R
ELIEF DEVICE」)、同第4,667,219 号(「SEMICONDUCTO
R CHIP INTERFACE」)、同第4,642,889 号(「COMPLIAN
T INTERCONNECTIONAND METHOD THEREFOR 」)、同第4,3
30,165 号(「PRESS-CONTACT TYPE INTERCONNECTOR
S」)、同第4,295,700 号(「INTERCONNECTORS 」)、
同第4,067,104 号(「MEHOD OF FABRICATING AN ARRAY
OF FLEXIBLE METALLIC INTERCONNECTS FORCOUPLING MIC
ROELECTRONICS COMPONENTS 」)、同第3,795,037 号
(「ELECTRICAL CONNECTOR DEVICE 」)、同第3,616,53
2 号(「MULTILAYER PRINTED CIRCUITELECTRICAL INTER
CONNECTION DEVICE」)、及び同第3,509,270 号(「INT
ERCONNECTION FOR PRINTED CIRCUITS AND METHOD OF MA
KING SAME」)である。
は、半導体素子を、特にそれらが半導体ウェーハ上にあ
る間に、プローブ検査するための技法を提供することで
ある。
の配向を、プローブカードの位置を変更することなく可
能にする、半導体素子にプローブを当てるための技法を
提供することである。
の端子に直接実装することが可能である、改良されたば
ね要素(復元性のある接触構造)を提供することであ
る。
に対して圧力接触をなすのに適した相互接続要素を提供
することである。
ブカード・アセンブリには、上部表面、下部表面、及び
その上部表面における複数の端子を有する、プローブカ
ード(電子コンポーネント)と、上部表面、下部表面、
その下部表面における端子から延伸する、第1の複数の
復元性のある接触構造、及びその上部表面における端子
から延伸する、第2の複数の復元性のある接触構造を有
する、介在体(電子コンポーネント)と、上部表面、下
部表面、その下部表面に配設される複数の接触パッド
(端子)、及びその上部表面における端子から延伸す
る、第3の復元性のある接触構造(プローブ要素)を有
する、間隔変換器とが含まれる。
隔変換器の下部表面の間に配設されて、間隔変換器の配
向(平坦性)が、プローブカードの配向を変更すること
なく調整されることを可能にする。この間隔変換器の配
向の調整をもたらすのに適した機構、及び間隔変換器の
正確な配向を決定するための技法が、本明細書に開示さ
れている。このようにして、プローブ要素の先端(遠位
端)を調整して、プローブ要素の先端と、プローブ検査
される半導体素子の対応する接着パッド(端子)との間
に、信頼性の良い圧力接触を保証することが可能とな
る。
が、介在体構成要素の代わりに、プローブカードの上部
表面の端子に直接(すなわち、介在体の仲介なく)接触
させるために、間隔変換器構成要素(すなわち、間隔変
換器の下部表面の端子上に製造される)の下部表面に設
けられる。
の上部表面から延伸する複数の復元性のある接触構造
が、比較的微細なピッチ(間隔)で電子コンポーネント
の端子(すなわち、半導体素子の接着パッド)と接触す
ると同時に、その下部表面における間隔変換器(すなわ
ち、接着パッド、又は代替として、復元性のある接触構
造)に、比較的粗いピッチで接続することが可能とな
る。
ード・アセンブリの間隔変換器、及び介在体構成要素
は、プローブカードと共に使用するのに適合した、「キ
ット」として設けられる。任意として、間隔変換器の配
向を調整するための機構を、キット内に含めることも可
能である。
構成要素の上部表面から延伸する復元性のある接触構造
(プローブ要素)は、「複合相互接続要素」(以下で規
定される)である。間隔変換器の下部表面から延伸する
復元性のある接触構造の代替の場合にも、これらは同様
に「複合相互接続要素」とすることができる。
要素の上部表面、及び下部表面から延伸する、復元性の
ある接触構造は、「複合相互接続要素」(以下で規定さ
れる)である。
素(間隔変換器構成要素の上部表面から延伸する、復元
性のある接触構造)は、プローブカード・アセンブリの
間隔変換器構成要素の端子上に直接製造される、「複合
相互接続要素」として好適に形成される。「複合」(多
層)相互接続要素が、電子コンポーネントに伸長要素
(「コア」)を実装し、スプリング形状を有するように
成形して、結果としての複合相互接続要素の物理的(例
えば、スプリング)特性を強化し、及び/又は結果とし
ての複合相互接続要素を電子コンポーネントに確実に締
結するために、コアに保護膜生成を施すことにより製造
される。介在体構成要素の復元性のある接触構造は又、
複合相互接続要素として形成することもできる。
記載した説明を通じて、用語(例えば、2つ以上の要素
から形成される)の’総称的な’意味に一致しており、
例えば、ガラス、カーボン、又は樹脂その他の基材に支
持される他の繊維等の材料に施されるような試みの他の
分野における「複合」という用語の如何なる利用とも混
同すべきではない。
いう用語は、先端に加えられる力に対して、伸長要素の
端部(先端)の弾性(復元)運動を呈示する、伸長要素
の事実上の任意の形状を言う。これには、1つ以上の湾
曲部を有するように成形された伸長要素だけでなく、実
質的に真っ直ぐな伸長要素も含まれる。
子」、「パッド」及び類似の用語は、相互接続要素が実
装、又は接触をなす任意の電子コンポーネント上の任意
の導電領域を言う。
に実装する前に成型される。
ではない犠牲基板の一部に実装されるか、又は犠牲基板
の一部である。犠牲基板は、成形後、且つ保護膜生成の
前か後のどちらかで除去される。本発明の1つの態様に
よれば、各種の構造的特徴を有する先端は、相互接続要
素の接触端に配設できる。(上述した親事例の図11A
−11Fも参照されたい。)本発明の1つの実施例の場
合、コアは、比較的低い降伏強度を有する「軟質」材料
であり、比較的高い降伏強度を有する「硬質」材料で保
護膜生成される。例えば、金ワイヤ等の軟質材料が、半
導体素子の接着パッドに、(例えば、ワイヤボンディン
グにより)取り付けられて、ニッケル及びその合金等の
硬質材料で、(例えば、電気化学メッキにより)保護膜
生成される。
膜、微細突出部を有する「粗い」保護膜(親事例の図5
C及び5Dも参照されたい)、及びコアの全長、又はコ
ア長の一部のみに延伸する保護膜が記載されている。後
者の場合、コアの先端は、電子コンポーネントに接触さ
せるために適切に露出される(親事例の図5Bも参照さ
れたい)。
て、「メッキ」という用語は、コアに保護膜を生成する
ための多数の技法の一例として用いられる。本発明の範
囲内にあるのは、限定ではないが、水溶液からの材料の
堆積を伴う各種工程と、電解メッキと、無電解メッキ
と、化学気相成長法(CVD)と、物理気相成長法(P
VD)と、液体又は固体先行物質の誘導壊変を通して、
材料の堆積を生じせしめる工程と、その他を含む任意の
適切な技法によって、コアに保護膜生成することがで
き、材料を堆積するためのこれら技法の全ては、一般に
周知のところである。
生成するために、電気化学的工程が好適であり、特に無
電解メッキが好ましい。
要素として機能するのに本質的に適した、「硬質」材料
の伸長要素であり、一端において、電子コンポーネント
の端子に実装される。コア、及び端子の少なくとも隣接
領域は、コアの端子への締結を強化する材料で保護膜生
成される。このようにして、コアが、保護膜生成に先立
って、必ずしも端子に十分実装される必要はなく、電子
コンポーネントに潜在的にほとんど損傷を与えない工程
を使用して、コアが、後続の保護膜生成に対して適所に
「仮留め」される。これら「易しい」工程には、端子の
軟質部分への硬質コアの端部の半田付け、貼り付け、及
び突き刺しが含まれる。
替として、コアは平坦なタブ(導電性金属リボン)であ
る。
示される。
(例えば、3.0ミル以下)である比較的軟質の(低降
伏強度)コアで開始することを伴う技法を説明する。半
導体素子に容易に付着する金等の軟質材料は、一般に、
スプリングとして機能するのに十分な復元性が無い。
(かかる軟質の金属性材料は、弾性変形ではなく、主に
可塑性変形を呈示する。)半導体素子に容易に付着し、
また適切な復元性を持つ他の軟質材料は、非導電性であ
ることが多く、これは、大部分の弾性材料の場合にそう
である。いずれの場合でも、所望の構造的、及び電気的
特性が、コアにわたって施される保護膜により、結果と
しての複合相互接続要素に付与できる。結果としての複
合相互接続要素は、非常に小さく製作でき、更に、適切
な接触力も呈示し得る。更に、複数のかかる複合相互接
続要素は、それらが、隣接する複合相互接続要素に対す
る距離(隣接する相互接続要素間の距離は、「ピッチ」
と呼ばれる)よりもかなり大きな長さ(例えば、100
ミル)を有するとしても、微細ピッチ(例えば、10ミ
ル)で配列できる。
要素を、例えば、25ミクロン(μm)以下の程度の断
面寸法を有する、コネクタ及びソケット用の「超小型ス
プリング」のような、超小型スケールで製造可能なこと
である。ミルではなくミクロンで測定される寸法を有す
る信頼性の良い相互接続を製造できるこの能力は、現存
の相互接続技法、及び将来のエリアアレイ技法という発
展する要求に真っ向から対処する。
的特性を呈示し、これには、導電率、半田付け可能性、
及び低い接触抵抗が含まれる。多くの場合、加えられる
接触力に応答した相互接続要素の偏向は、結果として
「拭い」接触となり、これは、信頼性の良い接触をなす
のを保証するのに役立つ。
要素となされる接続が、容易に取り外し可能である点に
ある。電子コンポーネントの端子に相互接続をもたらす
半田付けは、任意であるが、一般にシステムレベルでは
好ましくない。
インピーダンスを有する相互接続要素を製作するための
方法が記載される。これらの技法には、一般に、誘電体
材料(絶縁層)で導電コア、又は複合相互接続要素全体
を被覆し(例えば、電気泳動的に)、導電材料の外部層
で誘電体材料に保護膜生成することが伴う。外部の導電
材料層を接地することにより、結果としての相互接続要
素は効果的に遮蔽することができ、そのインピーダンス
は容易に制御可能となる。(親事例の図10Kも参照さ
れたい。) 本発明の1つの態様によれば、相互接続要素は、電子コ
ンポーネントへの後での取り付けのために、予め製造す
ることができる。この目的を達成するための各種の技法
が、本明細書に記載されている。本書類では特定的に保
護されていないが、複数の個々の相互接続要素の基板へ
の実装、又は代替として、エラストマーにおいて、又は
支持基板上で複数の個々の相互接続要素の懸架を扱う機
械を製造することも比較的簡単明瞭であると考えられ
る。
互接続要素は、その導電特性を強化する、又はその腐食
耐性を強化するために被覆されていた、従来技術の相互
接続要素とは劇的に異なるということである。
端子への相互接続要素の締結を実質的に強化する、及び
/又は結果としての複合相互接続要素に、所望の復元特
性を付与することを特定的に意図するものである。応力
(接触力)は、応力を吸収することを特定的に意図す
る、相互接続要素の部分に向けられる。
ング構造を製作するための本質的に新規な技法を提供す
るということである。一般に、結果としてのスプリング
の動作構造は、曲げ及び成形の生成物ではなく、メッキ
の生成物である。これによって、スプリング形状を確立
する広範な材料、及びコアの「足場」を電子コンポーネ
ントに取り付けるための各種の「易しい」工程の利用に
対して扉が開かれる。保護膜は、コアの「足場」にわた
った「上部構造」として機能し、その両方が、土木工学
の分野においてそれらの原点を有することを意味する。
ろう接、又は半田付け等の追加の材料を必要とせず、プ
ローブカード・アセンブリの間隔変換器の基質構成要素
の端子上に直接製造できる点にある。
る接触構造のいずれもが、少なくとも2つの複合相互接
続要素として形成される。
下の発明の詳細な説明に鑑みて明らかになるであろう。
対して詳細になされ、その例は、添付図面に示されてい
る。これらの好適な実施例に関連して本発明を説明する
が、理解されたいのは、本発明の精神、及び範囲をこれ
ら特定の実施例に限定することを意図しない、というこ
とである。
リ、その構成要素、及びそれらを用いる方法を目指すも
のである。以下の詳細な説明から明らかとなるが、電子
コンポーネントの端子に対して圧力接続をもたらすため
に、復元性のある接触構造を用いることが本質的であ
る。好適には、復元性のある接触構造は、「複合相互接
続要素」として実施され、これは例えば、1995年5
月26日に出願され、参照として本明細書に取り込む、
上述した米国特許出願第08/452,255号(「親事例」)の
開示に記載されている。本特許出願は、図1A−1E、
及び図2A−2Iの記載において、親出願に開示される
技法の幾つかを要約するものである。
の複合相互接続要素の機械的性質を確立し、(2)相互
接続要素が電子コンポーネントの1つの端子に実装され
る場合に、その端子に相互接続要素を確実に締結するた
めに、「複合」相互接続要素が、コア(電子コンポーネ
ントの端子に実装される)で開始し、次いで、適切な材
料でコアに保護膜を生成することにより形成できる点に
ある。このようにして、弾性変形可能な形状へと容易に
成形されて、電子コンポーネントの最も脆弱な部分にさ
えも容易に取り付けられる、軟質材料のコアで開始する
ことにより、復元性のある相互接続要素(ばね要素)が
製造できる。硬質材料からばね要素を形成し、容易には
明白でなく、論証可能に直感的でない従来技術を鑑みる
と、その軟質材料は、ばね要素の基底部を形成可能であ
る。かかる「複合」相互接続要素は、一般に、本発明の
実施例に用いるのに、好適な形態の復元性のある接触構
造である。
従った、複合相互接続要素用の各種の形状を一般的に示
す。
接続要素を説明する。しかし理解されたいのは、復元性
のない複合相互接続要素も本発明の範囲内に入るという
ことである。
より保護膜生成される、軟質(容易に成形されて、使い
勝手の良い工程により、電子コンポーネントに固定しや
すい)コアを有する、複合相互接続要素を説明する。し
かし、コアを硬質材料とし得ることも本発明の範囲内に
あり、保護膜は、主に、電子コンポーネントに相互接続
要素を確実に締結するように機能する。
10には、「軟質」材料(例えば、40,000psi
よりも少ない降伏強度を有する材料)のコア112と、
「硬質」材料(例えば、80,000psiよりも大き
な降伏強度を有する材料)のシェル(保護膜)114と
が含まれる。コア112は、概ね真っ直ぐな片持ち梁と
して成形(構成)される伸長要素であり、0.0005
から0.0030インチ(0.001インチ=1ミル≒
25ミクロン(μm))の直径を有するワイヤとするこ
とができる。シェル114は、既に成形されたコア11
2にわたって、適切なメッキ工程(例えば、電気化学メ
ッキ)等の任意の適切な工程により施される。
恐らく最も簡単な形状と思われるスプリング形状、すな
わち、その先端110bにおいて加えられる力「F」に
対して、ある角度で配向された真っ直ぐな片持ち梁を示
す。かかる力が、相互接続要素が圧力接触している電子
コンポーネントの端子により加えられる場合、先端の下
方への(図で見て)偏向により、明らかに結果として、
先端が端子を横切って移動する、すなわち「拭い」運動
となる。かかる拭い接触により、信頼性の良い接触が、
相互接続要素と電子コンポーネントの接触端子との間で
なされることが保証される。
(0.00025から0.00500インチ)を制御す
ることにより、シェル114は、相互接続要素110全
体に対して、所望の復元性を付与する。このようにし
て、電子コンポーネント(不図示)間の復元性のある相
互接続を、相互接続要素110の2つの端部110aと
110bの間にもたらすことができる。(図1Aにおい
て、参照番号110aは、相互接続要素110の一端を
示し、端部110Bに対向した実際の端部は示されてい
ない。)電子コンポーネントの端子に接触する際に、相
互接続要素110は、「F」で表記される矢印で示され
るような、接触力(圧力)を受けることになる。
られる接触力に応答して偏向することになるが、該偏向
(復元性)は、相互接続要素の全体形状によって部分的
に、(コアの降伏強度に対して)保護膜材料の優勢な
(より大きな)降伏強度により部分的に、また、保護膜
材料の厚さにより部分的に決定される。
ち梁」という用語は、伸長構造(例えば、保護膜付きコ
ア112)が、一端に実装(固定)されて、他端は、通
常、伸長要素の長手方向軸に対して概ね横方向に作用す
る力に応答して、自由に移動する。これらの用語の使用
により、伝達又は暗示を意図する他の特定的な、又は限
定的な意味は何もない。
20には、同様に、軟質コア122(112に匹敵)
と、硬質シェル124(114に匹敵)とが含まれる。
この例の場合、コア122は、2つの湾曲部を有するよ
うに成形され、従って、S字形状と見なされる。図1A
の例のように、このようにして、電子コンポーネント
(不図示)間の復元性のある相互接続を、相互接続要素
120の2つの端部120aと120bの間にもたらす
ことができる。(図1Bにおいて、参照番号120a
は、相互接続要素120の一端部を示し、端部120b
に対向した実際の端部は示されていない。)電子コンポ
ーネントの端子に接触する際に、相互接続要素120
は、「F」で表記される矢印で示されるような、接触力
(圧力)を受けることになる。
30には、同様に、軟質コア132(112に匹敵)
と、硬質シェル134(114に匹敵)とが含まれる。
この例の場合、コア132は、1つの湾曲部を有するよ
うに成形され、U字形状と見なすことができる。図1A
の例のように、このようにして、電子コンポーネント
(不図示)間の復元性のある相互接続を、相互接続要素
130の2つの端部130aと130bの間にもたらす
ことができる。(図1Cにおいて、参照番号130a
は、相互接続要素130の一端部を示し、端部130b
に対向した実際の端部は示されていない。)電子コンポ
ーネントの端子に接触する際に、相互接続要素130
は、「F」で表記される矢印で示されるような、接触力
(圧力)を受けられることになる。代替として、相互接
続要素130を使用して、「F’」で表記される矢印で
示されるように、その端部130b以外で接触をなすこ
ともできる。
44を有する、復元性のある相互接続要素140の他の
実施例を示す。この例の場合、相互接続要素140は、
本質的に簡単な片持ち式(図1Aに匹敵)であり、湾曲
した先端140bは、その長手方向軸に対して横方向に
作用する接触力「F」を受ける。
54を有する、復元性のある相互接続要素150の他の
実施例を示す。この例の場合、相互接続要素150は、
概ね「C字形状」であり、好適には僅かに湾曲した先端
を備え、「F」で表記される矢印で示されるように、圧
力接触をなすのに適している。
性変形可能な形状、換言すると、復元性のある相互接続
要素に、その先端に加えられる力に応答して弾性的に偏
向せしめる形状へと、容易に形成することができるとい
うことである。例えば、コアは、慣用的なコイル形状に
形成することもできる。しかし、コイル形状は、相互接
続要素の全長、及びそれに関連したインダクタンス(そ
の他)、また高周波(速度)で動作する回路へのインダ
クタンスの悪影響に起因して好ましくない。
る)の少なくとも1つの層の材料は、コアの材料よりも
大幅に高い降伏強度を有する。従って、シェルは、結果
としての相互接続構造の機械的特性(例えば、弾性)を
確立する際にコアの影を薄くする。シェル対コアの降伏
強度の比率は、少なくとも2:1が好適であり、少なく
とも3:1及び少なくとも5:1も含み、10:1程度
に高くすることもできる。また明らかなのは、シェル、
又は多層シェルの少なくとも外部層は、導電性にすべき
であり、シェルがコアの端部を覆う場合には顕著であ
る。(しかし、親事例には、コアの端部が露出される実
施例が記載されており、その場合には、コアは導電性で
なければならない。) 学術的な観点から、結果としての複合相互接続要素のば
ね作用(スプリング形状)部分に、硬質材料で保護膜生
成することが唯一必要である。この観点から、コアの2
つの端部の両方に保護膜生成することは一般に本質的で
ない。しかし、実際問題としては、コア全体に保護膜生
成することが好ましい。電子コンポーネントに締結(取
り付け)られるコアの一端に保護膜生成する特定の理
由、及びそれで生じる利点を、以下で更に詳細に論じ
る。
に適した材料には、限定でないが、金、アルミニウム、
銅、及びそれらの合金が含まれる。これらの材料は通
常、所望の物理的性質を得るために、少量の他の材料で
合金化されるが、それらは例えば、ベリリウム、カドミ
ウム、シリコン、マグネシウム、その他である。銀、パ
ラジウム、プラチナ、プラチナ群の元素の金属等の金属
又は合金を用いることも可能である。鉛、スズ、インジ
ウム、ビスマス、カドミウム、アンチモン、及びそれら
の合金から構成される半田が使用可能である。
ヤ)の一端の面対向取り付け(以下で更に詳細に論じ
る)は、一般に、(温度、圧力、及び/又は超音波エネ
ルギーを用いて、ボンディングをもたらす)ボンディン
グしやすい任意の材料(例えば、金)のワイヤであり、
これは、本発明を実施するのに適している。非金属材料
を含む、保護膜生成(例えば、メッキ)しやすい任意の
材料が、コアに使用できることも本発明の範囲内であ
る。シェル(114、124、134、144)に適し
た材料には、(多層シェルの個々の層に関して、以下で
論じるように)限定ではないが、ニッケル及びその合金
と、銅、コバルト、鉄及びそれらの合金と、両方とも卓
越した電流搬送能力、及び良好な接触抵抗特性を呈示す
る、金(特に硬質の金)及び銀と、プラチナ群の元素
と、貴金属と、半貴金属及びそれらの合金、特にプラチ
ナ群の元素及びそれらの合金と、タングステンと、モリ
ブデンが含まれる。半田状の仕上げが所望の場合には、
スズ、鉛、ビスマス、インジウム、及びそれらの合金を
用いることもできる。
のコア材料にわたって施すために選択される技法は、無
論のこと、用途に合わせて変化する。電解メッキ、及び
無電解メッキは一般に好適な技法である。しかし、一般
には、金のコアにわたってメッキを施すことは、直感的
ではない。本発明の1つの態様によれば、金のコアにわ
たってニッケルのシェルをメッキする(特に、無電解メ
ッキする)場合、メッキ開始を容易にするために、ま
ず、金のワイヤステムにわたって薄い銅の開始層を施す
ことが望ましい。
続要素は、約0.001インチのコア径と、0.001
インチのシェル厚を有し、従って、相互接続要素は、約
0.003インチの全体径(すなわち、コア径足す2倍
のシェル厚)を有する。一般に、シェルのこの厚さは、
コアの厚さ(例えば、直径)の0.2−5.0(1/5
から5)倍程度となる。
なパラメータは、以下のようになる。
ヤコアが、40ミルの全長、及び9ミル半径の略C字状
湾曲(図1Eに匹敵)を有するように成形され、0.7
5ミルのニッケルでメッキされ(全体径=1.5+2×
0.75=3ミル)て、任意として金の50マイクロイ
ンチの最終保護膜を受容する。結果としての複合相互接
続要素は、約3−5グラム/ミルのばね定数(k)を呈
示する。使用時に、3−5ミルの偏向は、結果として9
−25グラムの接触力となる。この例は、介挿物用のば
ね要素に関連して有用である。
ヤコアが、35ミルの全長を有するように成形され、
1.25ミルのニッケルでメッキされ(全体径=1.0
+2×1.25=3.5ミル)て、任意として金の50
マイクロインチの最終保護膜を受容する。結果としての
複合相互接続要素は、約3グラム/ミルのばね定数
(k)を呈示して、プローブ用のばね要素に関連して有
用である。
ヤコアが、20ミルの全長、及び約5ミルの半径の略S
字状湾曲を有するように成形され、0.75ミルのニッ
ケル又は銅でメッキされる(全体径=1.5+2×0.
75=3ミル)。結果としての複合相互接続要素は、約
2−3グラム/ミルのばね定数(k)を呈示して、半導
体素子上に実装するためのばね要素に関連して有用であ
る。
い断面を有する必要はなく、むしろシートから延伸する
平坦なタブ(矩形断面を有する)とすることもできる。
理解されたいのは、本明細書で用いる「タブ」という用
語は、「TAB」(テープ自動化ボンディング)と混同
すべきでない、ということである。
212に実装された、相互接続要素210の1つの実施
例200を示す。この例の場合、軟質(例えば、金)ワ
イヤコア216が、一端において端子214にボンディ
ングされ(取り付けられ)、端子から延伸してスプリン
グ形状を有するように構成され(図1Bに示す形状に匹
敵)て、自由端216bを有するように切断される。こ
のようにワイヤのボンディング、成形、及び切断は、ワ
イヤボンディング装置を用いて達成される。コアの端部
216aにおける接着剤は、端子214の露出表面の比
較的小さい部分しか覆わない。
わたって配設され、この例の場合、多層化として示さ
れ、内層218と外層220を有し、その両方の層はメ
ッキ工程により適切に施される。多層シェルの1つ以上
の層が、硬質材料(ニッケル及びその合金等の)から形
成されて、所望の復元性が、相互接続要素210に付与
される。例えば、外層220は、硬質材料とすることが
でき、内層は、コア材料216上に硬質材料220をメ
ッキする際に、緩衝又は障壁層として(あるいは、活性
層、接着材層として)機能する材料とすることができ
る。代替として、内層218を硬質材料とし、外層22
0を、導電率及び半田付け可能性を含めた優れた電気的
特性を呈示する材料(軟質の金等)とすることもでき
る。半田又はろう接型式の接触が所望の場合、相互接続
要素の外層は、それぞれ、鉛−スズ半田又は金−スズろ
う接材料とすることができる。
ち復元性のある相互接続要素が、電子コンポーネント上
の端子に確実に締結できることを示す。相互接続要素の
取付端210aは、相互接続要素の自由端210bに加
えられる圧縮力(矢印「F」)の結果として、大幅な機
械的応力を受ける。
20)は、コア216だけでなく、連続して(中断なし
に)コア216に隣接する端子214の残り(すなわ
ち、接着剤216a以外)の露出表面全体も覆う。これ
によって、相互接続要素210が、端子に確実且つ信頼
性良く締結され、保護膜材料が、端子への結果としての
相互接続要素の締結に対して、実質的に(例えば、50
%よりも大きく)寄与する。一般に、必要なのは、保護
膜材料が、コアに隣接する端子の少なくとも一部を覆う
ことだけである。しかし、保護膜材料は、端子の残りの
表面全体を覆うことが一般に好ましい。好適には、シェ
ルの各層は金属性である。
(接着)される比較的小さい領域は、結果としての複合
相互接続要素に課せられる接触力(「F」)から生じる
応力を吸収するのにあまり適さない。シェルが、端子の
露出表面全体(端子へのコア端216aの取付をなす比
較的小さい領域以外の)を覆うおかげで、相互接続構造
全体が、端子に確実に締結される。保護膜の接着強度、
及び接触力に反作用する能力は、コア端(216a)自
体のそれよりはるかに高い。
(例えば、212)という用語には、限定ではないが、
相互接続及び介挿基板と、シリコン(Si)又はヒ化ガ
リウム(GaAs)等の任意の適切な半導体材料製の半
導体ウェーハ及びダイと、生成相互接続ソケットと、試
験ソケットと、親事例に記載されているような犠牲部
材、要素及び基板と、セラミック及びプラスチックパッ
ケージ、及びチップキャリアを含む半導体パッケージ
と、コネクタとが含まれる。
のとして用いるのに十分適している。すなわち、 ・半導体パッケージを有する必要がなく、シリコンダイ
に直接実装される相互接続要素と、 ・電子コンポーネントを試験するために、基板(以下で
更に詳細に説明する)からプローブとして延伸する相互
接続要素と、 ・介挿物(以下で更に詳細に論じる)の相互接続要素で
ある。
料の付随の通常貧弱なボンディング特性によって制限さ
れることなく、硬質材料の機械的特性(例えば、高い降
伏強度)の恩恵を受ける点で類を見ない。これは、親事
例に詳しく述べられているように、シェル(保護膜)
が、コアの「足場」にわたって「上部構造」として機能
するという事実により大いに可能になる。ここで、それ
ら2つの用語は、土木工学の環境から借用したものであ
る。これは、メッキが保護(例えば、耐腐食)被覆とし
て用いられ、また、相互接続構造に対して所望の機械的
特性を付与するのが一般に不可能である、従来技術のメ
ッキ化相互接続要素とは非常に異なる。また、これは、
電気的な相互接続部に施されるベンゾトリアゾール(B
TA)等の、任意の非金属性の耐腐食被覆とはある種著
しく対照的である。
相互接続構造が、基板の上の共通の高さに対して、減結
合コンデンサを有するPCB等のその異なるレベルか
ら、基板上に容易に形成されるので、それらの自由端は
互いに共平面にあるという利点がある。更に、本発明に
従って形成される相互接続要素の電気的、及び機械的
(例えば、可塑及び弾性)特性が共に、特定の用途に対
して容易に合わせられる。例えば、所与の用途において
望ましいのは、相互接続要素が、可塑及び弾性変形を呈
示することである。(可塑変形が望ましいのは、相互接
続要素により相互接続されるコンポーネントにおいて、
総非平面性を吸収するためである。)弾性的な挙動が所
望である場合、相互接続要素が、最小閾値量の接触力を
発生して、信頼性の良い接触をもたらすことが必要であ
る。また利点は、接触表面上に汚染膜が偶発的に存在す
ることに起因して、相互接続要素の先端が、電子コンポ
ーネントの端子と拭い接触をなす点にもある。
「復元性のある」という用語は、加えられた荷重(接触
力)に応答して、主に弾性的な挙動を呈示する接触構造
(相互接続要素)を意味し、また、「従順な」という用
語は、加えられた荷重(接触力)に応答して、弾性的及
び可塑的な挙動の両方を呈示する接触構造(相互接続要
素)を意味する。本明細書で用いるような、「従順な」
接触構造は、「復元性のある」接触構造である。本発明
の複合相互接続要素は、従順な、又は復元性のある接触
構造のどちらかの特別な場合である。
おり、限定ではないが、犠牲基板上に相互接続要素を製
造するステップと、電子コンポーネントに複数の相互接
続要素を一括転写するステップと、好適には粗い表面仕
上げである接触先端を相互接続要素に設けるステップ
と、一時的、次いで永久的な接続を電子コンポーネント
になすために、電子コンポーネント上に相互接続要素を
使用するステップと、相互接続要素を、それらの対向端
での間隔とは異なる一端での間隔を有するように配列す
るステップと、相互接続要素を製造するステップと同一
工程のステップで、ばねクリップ、及び位置合わせピン
を製造するステップと、接続されたコンポーネント間で
の熱膨張による差異を吸収するように、相互接続要素を
使用するステップと、個別の半導体パッケージ(SIM
M等の)の必要性を廃除するステップと、任意として、
復元性のある相互接続要素(復元性のある接触構造)を
半田付けするステップとを含む。
す。相互接続要素220の最内部(内部の細長い導電要
素)222は、上記したように、未被覆コアか、又は既
に保護膜生成されているコアのいずれかである。最内部
222の先端222bは、適切なマスキング材料(不図
示)でマスクされる。誘電体層224が、電気泳動工程
等により最内部222にわたって施される。導電材料の
外層226が、誘電体層224にわたって施される。
ことにより、結果として、相互接続要素が、制御された
インピーダンスを有することになる。誘電体層224用
の例示的な材料は、高分子材料であり、任意の適切な仕
方で、且つ任意の適切な厚さ(例えば、0.1−3.0
ミル)に施される。
えば、最内部222が未被覆のコアである例では、相互
接続要素全体が復元性を呈示することが所望である場
合、外層226のうち少なくとも1つの層は、ばね材料
である。
要素251…256が、プローブカード挿入(慣用的な
仕方でプローブカードに実装される副アセンブリ)等の
電子コンポーネント260の表面上に実装される実施例
250を示す。プローブカード挿入の端子及び導電トレ
ースは、図示の明瞭化のために、この図面から省略され
ている。相互接続要素251…256の取付端は、0.
05−0.10インチといった第1のピッチ(間隔)で
始まる。相互接続要素251…256は、それらの自由
端(先端)が0.005−0.010インチといった第
2の微細なピッチとなるように、成形及び/又は配向さ
れる。あるピッチから別のピッチへと相互接続をなす相
互接続アセンブリは、通常、「間隔変換器」と呼ばれ
る。
b…256bは、2つの平行な列状に配列されるが、こ
れは例えば、接着パッド(接点)の2つの平行な列を有
する半導体素子に接触させる(試験及び/又はエージン
グ時に)ためである。相互接続要素は、他の先端パター
を有するように配列できるが、これは、アレイ等の他の
接点パターンを有する電子コンポーネントに接触させる
ためである。
じて、1つの相互接続要素しか示さないが、本発明は、
複数の相互接続要素を製造して、周辺パターン又は矩形
アレイパターンといった、互いに規定の空間関係で複数
の相互接続要素を配列することにも適用可能である。
実装を以上に説明した。総括的に言うと、本発明の相互
接続要素は、犠牲基板を含む任意の適切な基板の任意の
適切な表面に製造、又は実装可能である。
ば電子コンポーネントへの後続の実装のための別個、且
つ特異な構造として、複数の相互接続構造(例えば、復
元性のある接触構造)を製造する図11A−11Fに関
しての記載、及び犠牲基板(キャリア)に複数の相互接
続要素を実装し、次いで電子コンポーネントにひとまと
めで複数の相互接続要素を転写する図12A−12Cに
関しての記載がある。
構造を実施した複数の相互接続要素を製造するための技
法を示す。
示し、マスキング材料252のパターン化層が、犠牲基
板254の表面上に施される。犠牲基板254は、例と
して、薄い(1−10ミル)銅又はアルミニウム箔とす
ることができ、マスキング材料252は、共通のホトレ
ジストとなる。マスキング層252は、相互接続要素の
製造を所望する位置256a、256b、256cにお
いて、複数(図示では多くのうち3個)の開口を有する
ようにパターン化される。位置256a、256b、及
び256cは、この意味で、電子コンポーネントの端子
に匹敵する。位置256a、256b、及び256c
は、この段階で好適に処理されて、粗い又は特徴的な表
面模様を有する。図示のように、これは、位置256
a、256b、及び256cにおいて、箔254に窪み
を形成する型押し治具257で機械的に達成される。代
替として、3つの位置での箔の表面を、表面模様を有す
るように化学的にエッチングすることも可能である。こ
の一般的な目的をもたらすのに適した任意の技法は、本
発明の範囲内にあり、例えばサンドブラスティング、ピ
ーニングその他である。
導電性先端構造258が、図2Eに示すように、各位置
(例えば、256b)に形成される。これは、電解メッ
キ等の任意の適切な技法を用いて達成され、多層の材料
を有する先端構造を含む。例えば、先端構造258は、
犠牲基板上に施されるニッケルの薄い(例えば、10−
100マイクロインチ)障壁層、続いて軟質の金の薄い
(例えば、10マイクロインチ)、続いて硬質の金の薄
い(例えば、20マイクロインチ)層、続いてニッケル
の比較的厚い(例えば、200マイクロインチ)層、軟
質の金の最終の薄い(例えば、100マイクロインチ)
層を有する。一般に、ニッケルの第1の薄い障壁層は、
後続の金の層が、基板254の材料(例えば、アルミニ
ウム、銅)によって「腐敗」されるのを防止するために
設けられ、ニッケルの比較的厚い層は、先端構造に強度
を与えるためであり、軟質の金の最終の薄い層は、容易
に接着される表面を与える。本発明は、先端構造を犠牲
基板上に形成する方法の如何なる特定例にも限定されな
い。というのは、これらの特定例は、用途に応じて必然
的に変化するためである。
数(図示では多くのうち1つ)のコア260が、例え
ば、上記した電子コンポーネントの端子に軟質のワイヤ
コアをボンディングする技法のいずれかによって、先端
構造258上に形成される。コア260は次に、上記の
仕方で好適には硬質材料262で保護膜生成され、マス
キング材料252が次いで除去され、結果として、図2
Fに示すように、犠牲基板の表面に実装される複数(図
示では多くのうち3つ)の自立相互接続要素264とな
る。
4)の少なくとも隣接した領域を覆う保護膜材料と同様
にして、保護膜材料262は、それらの対応する先端構
造258にコア260を確実に締結し、所望の場合、結
果としての相互接続要素262に復元特性を付与する。
親事例で注記したように、犠牲基板に実装される複数の
相互接続要素は、電子コンポーネントの端子に一括転写
される。代替として、2つの広範に分岐した経路をとる
こともできる。
き、その上に先端構造が製造されること、及びそのよう
に製造された先端構造が、電子コンポーネントに既に実
装されている復元性のある接触構造に連結(例えば、半
田付け、ろう接)できることも、本発明の範囲内であ
る。
選択性化学エッチング等の任意の適切な工程により簡単
に除去される。ほとんどの選択性化学エッチングは、他
方の材料よりもかなり大きな比率で一方の材料をエッチ
ングし、また、他方の材料は、その工程で僅かしかエッ
チングされないので、この現象を有利に用いて、犠牲基
板の除去と同時に、先端構造におけるニッケルの薄い障
壁層が除去される。しかし、必要ならば、薄いニッケル
障壁層は、後続のエッチングステップでも除去可能であ
る。これによって、結果として、複数(図示では多くの
うち3つ)の個々に離散し特異な相互接続要素264と
なり、これは点線266で示され、電子コンポーネント
上の端子に(半田付け又はろう接等により)後で装着さ
れる。
基板及び/又は薄い障壁層を除去する工程で、僅かに薄
くされるという点である。しかし、これが生じないほう
が好ましい。
層、又は例えば、約20マイクロインチの硬質の金にわ
たって施される約10マイクロインチの軟質の金が、保
護膜材料262にわたって最終層として施されることが
好ましい。かかる金の外層は、主に、その優れた導電
率、接触抵抗、及び半田付け可能性を意図するものであ
り、障壁層及び犠牲基板の除去に用いることを意図し
た、ほとんどのエッチング溶液に対して、一般に不浸透
性が高い。
板254の除去に先行して、複数(図示では多くのうち
3つ)の相互接続要素264が、内部に複数の穴を有す
る薄いプレート等の任意の適切な支持構造266によっ
て、互いの所望の空間関係で「固定」され、それに基づ
き犠牲基板が除去される。支持構造266は、誘電体材
料、又は誘電体材料で保護膜生成される導電材料とする
ことができる。シリコンウェーハ又は印刷回路基板等の
電子コンポーネントに、複数の相互接続要素を装着する
ステップといった、更なる処理ステップが次に進行す
る。加えて、幾つかの用途において、相互接続要素26
4の先端(先端構造に対向した)が移動しないように安
定化することが望ましく、これは特に、そこに接触力が
加えられる場合である。この目的のために、また望まし
いのは、誘電体材料から形成されたメッシュといった、
複数の穴を有する適切なシート268で、相互接続要素
の先端の移動に制約を与えることである。
造(258)が、事実上任意の所望の材料から形成され
て、事実上任意の所望の模様を有する点にある。上述し
たように、金は、導電性、低い接触抵抗、半田付け可能
性、及び腐蝕耐性という卓越した電気的特性を呈示する
貴金属の一例である。金は又可鍛性であるので、本明細
書に記載の相互接続要素、特に本明細書に記載の復元性
のある相互接続要素のいずれかにわたって施される、最
終の保護膜とするのに極めて十分適している。他の貴金
属も同様に望ましい特性を呈示する。しかし、かかる卓
越した電気的特性を呈示する、ロジウム等の幾つかの材
料は、一般に、相互接続要素全体に保護膜生成するのに
適切でない。例えば、ロジウムは、著しく脆く、復元性
のある相互接続要素上の最終保護膜として十分には機能
しない。これに関して、技法250に代表される技法
は、この制限を容易に克服する。例えば、多層先端構造
(258を参照)の第1の層は、(上記のように金では
なく)ロジウムとすることができ、それにより、結果と
しての相互接続要素のいかなる機械的挙動にも何の影響
を与えることなく、電子コンポーネントに接触させるた
めに、その優れた電気的特性を引き出す。
代替実施例270を示す。この実施例の場合、マスキン
グ材料272が、犠牲基板274の表面に施されて、図
2Dに関して上記した技法と同様にして、複数(図示で
は多くのうち1つ)の開口276を有するようにパター
ン化される。開口276は、相互接続要素が、自立構造
として製造される領域を規定する。(本明細書に記載の
説明を通じて用いる、相互接続要素が「自立」であるの
は、その一端が、電子コンポーネントの端子、又は犠牲
基板のある領域にボンディングされ、また、その他端
が、電子コンポーネント、又は犠牲基板にボンディング
されない場合である。)開口内の領域は、犠牲基板27
4の表面内に延伸する単一の窪みで278示されるよう
に、1つ以上の窪みを有するように、任意の適切な仕方
で模様加工される。
6内の犠牲基板の表面にボンディングされて、任意の適
切な形状を有する。この図示の場合、例示の明瞭化のた
めに、1つの相互接続要素の一端しか示されていない。
他端(不図示)は、電子コンポーネントに取り付けられ
る。ここで容易に見られるのは、コア280が、先端構
造258ではなく、犠牲基板274に直接ボンディング
されるという点で、技法270が上述した技法250と
は異なるということである。例として、金ワイヤコア
(280)が、慣用的なワイヤボンディング技法を用い
て、アルミニウム基板(274)の表面に容易にボンデ
ィングされる。
層282が、コア280にわたって、また、窪み278
内を含む、開口276内の基板274の露出領域上に施
される(例えば、メッキにより)。この層282の主な
目的は、結果としての相互接続要素の端部に、接触表面
を形成することである(すなわち、犠牲基板が除去され
ると)。
284が、層282にわたって施される。上述したよう
に、この層284の1つの主な目的は、結果としての複
合相互接続要素に所望の機械的特性(例えば、復元性)
を付与することである。この実施例において、層284
の他の主な目的は、結果としての相互接続要素の低い方
の(図示のように)端部に製造される接触表面の耐久性
を強化することである。金の最終層(不図示)が、層2
84にわたって施されることになるが、これは、結果と
しての相互接続要素の電気的特性を強化するためであ
る。
72、及び犠牲基板274が除去され、結果として、複
数の特異な相互接続要素(図2Gに匹敵)か、又は互い
に所定の空間関係を有する複数の相互接続要素(図2H
に匹敵)のいずれかとなる。
に模様加工の接触先端を製造するための代表的な技法で
ある。この場合、「ニッケルの金上重ね」接触先端の卓
越した一例を説明した。しかし、本明細書に記載の技法
に従って、他の類似の接触先端が、相互接続要素の端部
に製造可能であることも本発明の範囲内である。この実
施例270の別の特徴は、接触先端が、以前の実施例2
50で意図したような犠牲基板(254)の表面内では
なく、犠牲基板(274)の頂部全体に構成される点に
ある。
な技法を一般的に説明するものであり、その物理的特性
は、所望の度合いの復元性を呈示するように容易に合わ
せられる。
在体として機能する基板に容易に実装(製造)され、介
在体は、2つの電子コンポーネントの間に配設され、そ
れらを相互接続し、2つの電子コンポーネントのうちの
1つは、介在体の各側に配設される。介在体における輻
輳相互接続要素の製造及び使用は、上述の本出願人によ
る米国特許同時係属出願第08/526,426号に詳細に記載さ
れている。
るための斬新な技法を一般的に説明するものであり、そ
の物理的特性は、所望の度合いの復元性を呈示するよう
に容易に合わせられ、また上記の技法は、かかる複合相
互接続要素を用いて、介在体を製造する能力を一般的に
説明するものである。
互接続要素の先端が、半導体素子の選択された領域(例
えば、接着パッド)と接触すべく配列されるようにし
て、基板に容易に実装(製造)される。
ための各種技法を開示している。
用いる趣旨は、上記で述べた。一般に、本明細書に用い
る「介在体」とは、基板のことであり、その2つの対向
した表面上に接触子を有し、2つの電子コンポーネント
の間に配設されて、その2つの電子コンポーネントを相
互接続する。時折、介在体が、2つの相互接続要素のう
ちの少なくとも1つの取り外し(例えば、交換、更新そ
の他のために)を可能にすることが望ましい。
つの実施例300を示す。一般に、PCB型式の基板等
の絶縁基板302には、複数(図示では多くのうち2
つ)の導電性スルーホール(例えば、メッキされたバイ
ア)306、308その他が設けられ、その各々は、絶
縁基板302の上部(上側)表面302a、及び下部
(下側)表面302bにおいて露出した導電部分を有す
る。
302の上部表面302aにおいて、スルーホール30
6の露出部分に取り付けられる。1対の軟質コア313
及び314が、基板302の下部表面において、スルー
ホール306の露出部分に取り付けられる。同様に、1
対の軟質コア315及び316が、基板302の上部表
面において、スルーホール308の露出部分に取り付け
られ、1対の軟質コア317及び318が、基板302
の下部表面において、スルーホール308の露出部分に
取り付けられる。次に、コア311−318は、硬質材
料302で保護膜生成されて、相互接続構造322及び
324が、基板302の上部表面302aに形成され、
また相互接続構造326及び328が、基板302の下
部表面302bに形成される。このようにして、個々の
コア311−318は、スルーホールの対応する露出部
分に確実に締結され、相互接続構造322は、相互接続
構造326に電気的に接続され、また、相互接続構造3
24は、相互接続構造328に電気的に接続される。こ
こで理解されたいのは、各相互接続構造(例えば、32
2)を1対の相互接続要素(例えば、311、312)
として設けることにより、外部コンポーネント(不図
示)への更に信頼性の良い接続がもたらされる(すなわ
ち、単一の相互接続要素を用いたよりも)、ということ
である。
2、315、及び316の上部グループは全て、同じ形
状で形成され、また相互接続要素の下部グループも全て
同じ形状を有する。理解されたいのは、相互接続要素の
下部グループには、相互接続要素の上部グループとは異
なる形状を設けることができ、それにより、基板の下部
表面から延伸する相互接続構造とは異なる機械的特性を
有する、絶縁基板の上部表面から延伸する相互接続構造
を作り出す機会が与えられる、ということである。
の実施例330を示す。この実施例の場合、複数(図示
では多くのうち1つ)の相互接続要素332が、犠牲基
板(不図示)上に所望のパターン(例えば、アレイ)で
製造される。支持基板334には、同様に複数の穴33
6が、対応するパターンで設けられる。支持基板334
は、相互接続要素332が、穴336を介して延伸する
ように、相互接続要素332にわたって配置される。相
互接続要素は、穴336を充填する適切な材料338
(エラストマー等)によって、支持基板内で緩く保持さ
れて、支持基板の上部及び下部表面の両方から延伸す
る。次に、犠牲基板は除去される。明らかではあるが、
支持基板334(266に匹敵)は、この介在体アセン
ブリを製造する工程において、犠牲基板(254)に実
装される複数の相互接続要素(264に匹敵)上に単純
に「落とす」ことができる。
の実施例360を示す。この実施例360は、以前に説
明した実施例330と類似であるが、相互接続構造36
2(332に匹敵)が、支持基板364(334に匹
敵)の穴366(336に匹敵)内で、支持基板のスル
ーホール366上のメッキ部368に、相互接続構造3
62の中間部を半田付けすることにより支持される点を
除く。やはり、支持基板364(266に匹敵)は、こ
の介在体アセンブリを製造する工程において、犠牲基板
(254)に実装される複数の相互接続要素(264に
匹敵)上に単純に「落とす」ことができる。
(332、362)を用いて、2つの電子コンポーネン
トの対応する端子の単一の接続をもたらすことができ
る、という事実の例示である。ここで、図3B及び3C
に示すような、本発明の相互接続要素の代わりに、任意
の導電要素を用いることもできる、ということを理解さ
れ、また、それは本発明の範囲内である。
Cの介在体実施例において、電子コンポーネント(不図
示)は、介在体が、その端子(不図示)間で電気的接続
をなすために、介在体(300、330、360)の両
側に配設される、ということである。
例である、成形及び保護膜生成されたワイヤコアから、
複合相互接続要素を形成する方法に概ね的を絞った。本
発明は又、金属シート、好適には軟質金属シートであ
り、成形され、好適には硬質材料で保護膜生成される平
坦な伸長要素(タブ)を形成するためにパターン化され
る(型打ち、又はエッチング等により)金属シートから
形成される、相互接続要素の形成法にも適用可能であ
る。この内容は、上述の米国特許出願第08/526,246号に
詳述されている。
(適切)である、介在体、及びそれらを製作するための
技法を記載している。主に、本発明の複合相互接続要素
を説明したが、明確に理解されたいのは、リン青銅及び
ベリリウム銅から本質的に弾性をもって製作されるモノ
リシック材料から製作されたばね構造を含めて、任意の
復元性のある相互接続要素(スプリング)が使用可能で
ある、ということである。
ばれる)は、本発明に適用可能な重要な概念である。簡
単に言えば、復元性のある接触構造の先端が、それらの
基底部への接続よりも、互いに近接して間隔を開けられ
る(比較的微細なピッチ)ことが重要である。上記で説
明した図2Cに示すように、これは、個々のバネ要素
(251−256)を成型及び配向して、互いに収束さ
せ、その結果、個々の復元性のある接触構造が、異なる
長さを有する傾向をもたせることにより達成できる。一
般に、プローブカード・アセンブリに関連して、プロー
ブ要素(復元性のある接触構造)の全てが、互いに同じ
長さを有して、必要とされる複数の信号経路において、
一定性が保証されることが非常に重要である。
0の代表的設計を示し、所望の間隔変換は、取り付けら
れる個々の復元性のある接触構造(不図示)の成型では
なく、間隔変換器の基板402によって達成される。
て)表面402a、及び下部(図で見て)表面402b
を有し、絶縁材料(例えば、セラミック)と導電材料の
交互層を有する多層構成要素として、好適に形成され
る。この例の場合、1つの配線層が、2つ(多数のう
ち)の導電トレース404a及び404bを含むように
図示されている。
06a及び406bが、比較的微細なピッチで(互いに
比較的近接して)間隔変換器基板402の上部表面40
2aに配設される。複数(図示では多くのうち2つ)の
端子408a及び408bが、比較的粗いピッチで(端
子406a及び406bに対して、更に互いから離れ
て)間隔変換器基板402の下部表面402bに配設さ
れる。例えば、下部端子408a及び408bは、50
−100ミルのピッチ(印刷回路基板の制約に匹敵)で
配設し、上部端子406a及び406bは、5−10ミ
ルのピッチ(半導体ダイの接着パッドの中心間間隔に匹
敵)で配設することができ、結果として10:1ピッチ
変換となる。上部端子406a及び406bは、それぞ
れ、導電トレース404a及び404bに端子を接続す
る、それぞれ、関連した導体410a/412a及び4
10b/412bによって、それぞれ、対応する下部端
子408a及び408bに接続される。これは全て、多
層ランド・グリッド・アレイ(LGA)支持基板、その
他に関連して、一般的に周知である。
施例を示し、これは、その主要機能構成要素として、プ
ローブカード502と、介在体504と、間隔変換器5
06とを含み、半導体ウェーハ508に対して一時的な
相互接続をなすのに適している。この分解組立の断面図
において、例示の明瞭化のために、幾つかの構成要素の
幾つかの要素を誇張して示している。しかし、各種の構
成要素の垂直方向(図示のように)の位置合わせは、図
面の点線で適切に示されている。留意されたいのは、相
互接続要素(514、516、524、これらは以下で
更に詳細に説明する)が部分的ではなく完全に示されて
いる点である。
な回路基板であり、その上部(図で見て)表面に配設さ
れた複数(図示では多くのうち2つ)の接触領域(端
子)510を有する。更なる構成要素(不図示)、例え
ば、能動及び受動電子コンポーネント、コネクタ、その
他をプローブカードに実装することもできる。回路基板
上の端子510は、通常、100ミルのピッチ(ピッチ
は上記で規定される)で配列される。プローブカード5
02は、適切に丸みを帯び、12インチ程度の直径を有
する。
2に匹敵)が含まれる。上記のようにして、複数(図示
では多くのうち2つ)の復元性のある相互接続要素51
4が、基板512の下部(図で見て)表面に実装され
(それらの近位端により)て、そこから下方(図で見
て)に延伸し、また対応する複数(図示では多くのうち
2つ)の復元性のある相互接続要素516が、基板51
2の上部(図で見て)表面に実装され(それらの近位端
により)て、そこから上方(図で見て)に延伸する。上
述のスプリング形状のいずれもが、好適には本発明の複
合相互接続要素である、復元性のある相互接続要素51
4及び516に適している。一般的な提案として、相互
接続要素514及び516のうち、下側複数514及び
上側複数516の両方の先端(遠位端)は、プローブカ
ード502の端子510のピッチに一致するピッチであ
り、例えば100ミルである。
明瞭化のために、誇張尺度で示されている。典型的に
は、相互接続要素514及び516は、介在体基板51
2の対応する下部及び上部表面から、20−100ミル
の全体長にまで延伸することになる。一般に、相互接続
要素の高さは、所望のコンプライアンスの大きさから決
まる。
た基板518(上記の402に匹敵)が含まれ、これは
例えば、多層セラミック基板であり、その下側(図で見
て)表面に配設された複数(図示では多くのうち2つ)
の端子(接触領域、パッド)520と、その上側(図で
見て)表面に配設された複数(図示では多くのうち2
つ)の端子(接触領域、パッド)522を有する。この
例の場合、下側の複数の接触パッド520は、相互接続
要素516の先端のピッチ(例えば、100ミル)で配
設され、上側の複数の接触パッド522は、より微細な
(近接した)ピッチ(例えば、50ミル)で配設され
る。これら復元性のある相互接続要素514及び516
は、好適であるが、必ずしも本発明の複合相互接続要素
(上記の210に匹敵)である必要はない。
のある相互接続要素524(「プローブ」、「プローブ
要素」)が、端子(接触パッド)522に直接(すなわ
ち、端子にプローブ要素を接続するワイヤ等の追加の材
料からなる仲介物なく、又は端子にプローブ要素をろう
接、半田付けすることなく)実装されて(それらの近位
端により)、間隔変換器基板518の上部(図で見て)
表面から上方(図で見て)に延伸する。図示のように、
これら復元性のある相互接続要素524は、それらの先
端(遠位端)が、それらの近位端よりも更に微細なピッ
チ(例えば、10ミル)で間隔を開けられ、それによ
り、間隔変換器506のピッチ低減が増強されるよう
に、適切に配列される。これら復元性のある接触構造
(相互接続要素)524は、好適であるが、必ずしも本
発明の複合相互接続要素(上記の210に匹敵)である
必要はない。
製造され(図2D−2Fに匹敵)、続いて間隔変換器構
成要素(506)の端子(522)に個々に実装される
(図2Gに匹敵)か、又はそれら端子に一括移転される
(図2Hに匹敵)ことが可能であることも、本発明の範
囲内である。
は、その前部(図で見て下側)表面に、ホトリソグラフ
ィ、堆積、拡散、その他により形成される、複数のダイ
・サイトが含まれる。典型的には、これらのダイ・サイ
トは、互いに同じに製造される。しかし、周知のよう
に、ウェーハ自体の欠陥、又はウェーハが、ダイ・サイ
トの形成に被る工程のいずれかにおける欠陥のどちらか
によって、結果として、幾つかのダイ・サイトが、十分
に確立した試験基準に従って、機能不全となる可能性が
ある。しばしば、半導体ウェーハから半導体ダイを単一
化する前に、ダイ・サイトにプローブを当てることに付
随の困難性に起因して、試験工程は、半導体ダイを単一
化、及び実装した後に実施される。欠陥が、半導体ダイ
の実装後に発見された場合、正味の損失は、半導体ダイ
の実装に付随する費用により悪化する。半導体ウェーハ
は通常、少なくとも6インチの直径を有するが、少なく
とも8インチも含む。
(例えば、接着パッド)を有し、これらは、ダイ・サイ
トの表面上の任意の場所に、及び任意のパターンで配設
できる。ダイ・サイトのうちの1つの2つ(多くのう
ち)の接着パッド526が図面に示されている。
化する前に、ダイ・サイトを試験するために、限定数の
技法が知られている。代表的な従来技術の技法には、セ
ラミック基板に埋め込まれて、そこから延伸する複数の
タングステン「針」を有する、プローブカード挿入の製
造が伴い、各針は、接着パッドのうちの所与のパッドに
対して、一時的な接続をなす。かかるプローブカード挿
入は、高価で、製造するのに幾分複雑であり、その結果
として、それらの費用が比較的高くなり、それらを得る
のに相当なリードタイムがかかることになる。半導体ダ
イにおいて可能性のある、各種各様の接着パッドが与え
られると、各独特の配列には、特異なプローブカード挿
入が必要となる。
所要時間で、製造するのに単純且つ安価であるプローブ
カードに対する緊急の要求を際立たせる。プローブカー
ド挿入として、間隔変換器(506)及び介在体(50
4)を用いることが、この抑止できない要求に真っ向か
ら対処する。使用時に、介在体504は、プローブカー
ド502の上部(図で見て)表面に配設され、間隔変換
器506は、相互接続要素514が、プローブカード5
02の接触端子510と信頼性の良い圧力接触をなし
て、相互接続要素516が、間隔変換器506の接触パ
ッド520と信頼性の良い圧力接触をなすように、介在
体504の頂部(図で見て)に積み重ねられる。これら
の構成要素を積み重ねて、かかる信頼性の良い圧力接触
を保証するのに、適切な任意の機構を使用することがで
き、その適切な機構を以下で説明する。
在体504と間隔変換器506をプローブカード502
上に積み重ねるために、以下の主要な構成要素を含む。
すなわち、ステンレス鋼等の堅固な材料製の背部実装プ
レート530と、ステンレス鋼等の堅固な材料製のアク
チュエータ実装プレート532と、ステンレス鋼等の堅
固な材料製の前部実装プレート534と、外部の差動ネ
ジ要素536、及び内部の差動ネジ要素538を含む、
複数(図示では多くのうち2つであるが、3つが好適で
ある)の差動ネジと、リン青銅等の弾力のある材料から
好適に製作されて、そこから延伸する弾力のあるタブ
(不図示)の1つのパターンを有する、実装リング54
0と、実装リング540を前部実装プレート534に、
それらの間に捕捉された間隔変換器506と共に保持す
るための複数(図示では多くのうち2つ)のネジ542
と、任意として、製造公差を吸収するために、実装リン
グ540と間隔変換器506の間に配設されるスペーサ
リング544と、差動ネジ(例えば、内部の差動ネジ要
素538の頂部)の頂部(図で見て)に配設される、複
数(図示では多くのうち2つ)の枢軸球546である。
ド502の下部(図示のように)表面に配設された、金
属プレート又はリング(リングとして図示)である。複
数(図示では多くのうち1つ)の穴548が、背部実装
プレートを介して延伸する。
部実装プレート530の下部(図示のように)表面に配
設された、金属プレート又はリング(リングとして図
示)である。複数(図示では多くのうち1つ)の穴55
0が、アクチュエータ実装プレートを介して延伸する。
使用時に、アクチュエータ実装プレート532は、ネジ
(例示の明瞭化のために図面からは省略されている)等
による任意の適切な仕方で、背部実装プレート530に
固定される。
には金属のリングである。使用時に、前部実装プレート
534は、プローブカード502を介した対応する穴
(例示の明瞭化のために図面からは省略されている)を
貫通するネジ(例示の明瞭化のために図面からは省略さ
れている)等による任意の適切な仕方で、背部実装プレ
ート530に固定され、それによって、プローブカード
502は、前部実装プレート534と背部実装プレート
530の間で確実に捕捉される。
ド502の上部(図で見て)表面に対して配設される、
平坦な下部(図で見て)表面を有する。前部実装プレー
ト534は、図示のように、それを介する大きな中央開
口を有し、これは、プローブカード502の複数の接触
端子510が、前部実装プレート534の中央開口内に
あるのを可能にすべく寸法決められる、内部エッジ55
2によって規定される。
は、平坦な下部(図で見て)表面を有するリング状構造
である。前部実装プレート534の上部(図で見て)表
面には、段差が付けられ、前部実装プレートは、その内
部領域よりも、その外部領域において厚く(図で見て、
垂直方向の大きさ)なっている。段差、又は肩部は、点
線(554で表記)の位置に配置されて、間隔変換器5
06が、前部実装プレートの外部領域を外して、前部実
装プレート534の内部領域上に載ることを可能にすべ
く寸法決められる(しかし、お分かりと思うが、間隔変
換器は、実際には枢軸球546上に載る)。
4が、前部実装プレート534を少なくとも部分的に介
して、その上部(図で見て)表面から、前部実装プレー
ト534の外部領域へと延伸し(これらの穴は、図面で
は、前部実装プレート534を部分的にしか介さずに延
伸するよう示されている)、これらはお分かりのよう
に、対応する複数のネジ542の端部を受ける。この目
的のために、穴554はねじ切り穴である。これによっ
て、間隔変換器506を、実装リング540で前部実装
プレートに固定し、ゆえにプローブカード502に対し
て押圧することが可能になる。
8が、前部実装プレート534の厚い内部領域を完全に
介して延伸し、プローブカード502を介して延伸する
対応した複数(図示では多くのうち1つ)の穴560と
位置合わせされ、順に、背部実装プレート内の穴54
8、及びアクチュエータ実装プレート538内の穴55
0と位置合わせされる。
8の上(図で見て)端において、整合した穴558及び
560内で緩く配設される。外部の差動ネジ要素536
は、アクチュエータ実装プレート532の(ねじ切り)
穴550内へと通され、内部の差動ネジ要素538は、
外部の差動ネジ要素536のねじ切りボア内へと通され
る。このようにして、非常に微細な調整を、個々の枢軸
球546の位置においてなすことができる。例えば、外
部の差動ネジ要素536は、72ネジ/インチの外部ネ
ジ山を有し、内部の差動ネジ要素538は、80ネジ/
インチの外部ネジ山を有する。アクチュエータ実装プレ
ート532内へと、1回転、外部の差動ネジ要素536
を進ませて、対応する内部の差動ネジ要素538を静止
状態(アクチュエータ実装プレート532に相対して)
に保つことにより、対応する枢軸球の正味の位置変化
は、「プラス」1/72(0.0139)インチ「マイ
ナス」1/80(0.0125)インチ、すなわち0.
0014インチとなる。これによって、プローブカード
502に面対向した間隔変換器506の平面性の手軽で
精密な調整が可能になる。ゆえに、プローブ(相互接続
要素)の先端(図で見て、上端)の位置変更が、プロー
ブカード502の配向を変えることなく可能となる。こ
の特徴と、プローブの先端の位置合わせを実施するため
の技法と、間隔変換器の平面性を調整するための代替機
構(手段)の重要性を、図7に関連して、以下で更に詳
細に説明する。明らかではあるが、介在体504は、介
在体の2つの表面に配設された復元性のある又は従順な
接触構造のおかげで、間隔変換器の調整範囲を通じて、
電気的接続が、間隔変換器506とプローブカード50
2の間で維持されることを保証する。
下のステップによって簡単に組み立てられる。すなわ
ち、相互接続要素514の先端が、プローブカード50
2の接触端子510と接触するように、前部実装プレー
ト534の開口552内に介在体504を配置するステ
ップと、相互接続要素516の先端が、間隔変換器50
6の接触パッド520と接触するように、介在体504
の上部に間隔変換器506を配置するステップと、任意
ステップであって、間隔変換器506の頂部に、スペー
サ544を配置するステップと、スペーサ544にわた
って実装リング540を配置するステップと、実装リン
グ540を介したネジ542を、スペーサ544を介し
て、前部実装プレート534の穴554内に挿入するス
テップを含む任意ステップと、背部実装プレート530
及びプローブカード502を介して、前部実装プレート
534の下部(図で見て)表面内のねじ切り穴(不図
示)内に、ネジ(1つは符号555として部分的に図示
される)を挿入することにより、「サブアセンブリ」を
プローブカード502に実装するステップである。
いで、背部実装プレート530に組み付けられ(例え
ば、そのうちの1つが、556として部分的に図示され
るネジで)、枢軸球560が、アクチュエータ実装プレ
ート532の穴550内に落とされて、差動ネジ要素5
36及び538が、アクチュエータ実装プレート532
の穴550内に挿入できる。
ブリがもたらされ、これは、今日の接着パッド間隔に見
合っている微細ピッチで、半導体ウェーハからのダイの
単一化に先行して、半導体ダイ上の複数の接着パッド
(接触領域)と接触させるために、アセンブリから延伸
する複数の復元性のある接触構造(524)を有する。
一般に、使用時には、アセンブリ500は、図示のとこ
ろから上側を下にして使用されることになり、半導体ウ
ェーハは、復元性のある接触構造(524)の先端へと
押し上げられる(図示しない外部機構により)。
ト(ベースプレート)534は、プローブカード502
と面対向の介在体504の位置を決定する。プローブカ
ード502と面対向した前部実装プレート534の正確
な位置決めを保証するために、複数の位置合わせ特徴
(図示の明瞭化のために図面から省略されている)、例
えば、前部実装プレートから延伸するピン、及びプロー
ブカード502内へと延伸する穴を設けることができ
る。
4、516、524)が、それぞれ介在体、又は間隔変
換器上の接触領域にろう接、又は半田付けされる、リン
青銅材料その他のタブ(リボン)を含む、介在体(50
4)及び/又は間隔変換器(506)上に用いること
も、本発明の範囲内である。
6)が、上述した本出願人による同時係属のPCT/US94/1
3373の図29の要素486として記載され、介在体基板
から延伸する、ばねクリップ等によって、互いに予備組
み付け可能であることも、本発明の範囲内である。
に、514に匹敵する複数の復元性のある接触構造を、
間隔変換器の下側表面の接触パッド(520)に直接実
装することも、本発明の範囲内である。しかし、プロー
ブカードと間隔変換器の間で共平面性を達成することは
困難であろう。介在体の主な機能は、かかる共平面性を
保証するコンプライアンスをもたらすことである。
ブリ500に適した間隔変換器基板518の斜視図であ
る。そこに示されるように、間隔変換器基板518は、
長さ「L」、幅「W」、及び厚さ「T」を有する矩形の
立体が適している。この図で、間隔変換器基板518の
上部表面518aは見えており、そこに、プローブ検査
の相互接続要素(524に匹敵)が実装される。図示の
ように、複数(数百等)の接触パッド522が、その所
定領域において、間隔変換器基板518の上部表面51
8aに配設される。この所定領域は、570で表記され
る点線で示され、明らかなように、接触パッド522
は、その所定領域570内において、任意の適切なパタ
ーンで配列することができる。
は、多層セラミック基板として適切に形成され、セラミ
ック材料とパターン化された導電材料の交互層を有す
る。
のところであり、例えばランド・グリッド・アレイ(L
GA)半導体パッケージの製造の際に用いられる。かか
る多層基板内でパターン化された導電材料を適切に経路
指定することにより、基板518の上部表面518aの
接触パッド522のピッチとは異なる(例えば、より大
きい)ピッチで、基板518の下部表面(この図では見
えない)に接触パッド(この図では見えないが、520
に匹敵)を配設すること、及び基板518内部で互い
に、接触パッド520を接触パッド522と接続するこ
とが簡単明瞭である。かかる基板上で、接触パッド52
0と接触パッド522の間の約10ミルのピッチを達成
することは、大いに実現可能である。
特徴を示す。上述したように、基板518は、上部表面
518a、下部表面(この図では視界から隠れてい
る)、及び4つの側部エッジ518b、518c、51
8d、518eを有する矩形立体である。図示のよう
に、ノッチ572b、572c、572d及び572e
が、対応する側部エッジ518b、518c、518d
及び518eと、基板518の上部表面518aとの交
差部に沿って、また対応する側部エッジ518a−51
8eのほぼ全体長(角部を除いた)に沿って設けられ
る。これらのノッチ572b−572eは、多層セラミ
ック構造としての間隔変換器の製造を概ね容易にし、図
5の例示にも見えている。ここで理解されたいのは、ノ
ッチは必ずしも必要ではないということである。明らか
ではあるが、基板518の4つの角部にはノッチがない
(これは、セラミックの多層基板を製作する工程により
基本的に示される)ので、実装プレート(図5の54
0)は、これらの角部の「特徴」に明確に適応する必要
がある。
8に匹敵し、図5のプローブカード・アセンブリ500
に同様に使用可能である、間隔変換器574の1つの実
施例を示す。この場合、複数(図示では多くのうち4
つ)の領域570a、570b、570c及び570d
が規定され、その各々内に、複数の接触パッド522
a、522b、522cを、任意の所望パターンで容易
に配設することができる。概ね意図するところは、領域
570a−570dの間隔が、半導体ウェーハ上のダイ
・サイトの間隔に対応するので、複数のダイ・サイト
を、プローブカードの単一「パス」で同時にプローブ検
査可能である点である。(これは、1つの半導体ウェー
ハ上にある多数のメモリチップにプローブを当てるのに
特に有用である。)典型的には、基板574の領域57
0a−570d内の対応する接触パッド522a−52
2dのパターンは、互いに同一とはならないが、これ
は、絶対的に必要というわけではない。
導体ウェーハ上の複数(例えば、図示では4つ)の隣接
したダイ・サイトにプローブを当てる(圧力接触をな
す)ために、プローブ要素を設けることが可能であるこ
とを明らかに実証している。これは、ウェーハ上のダイ
・サイトの全てにプローブを当てるのに必要なセットダ
ウン(ステップ)数の低減に有利である。例えば、1つ
のウェーハ上に100個のダイ・サイトと、間隔変換器
上に4組のプローブ要素が存在すると、ウェーハに必要
なのは、間隔変換器に対して25回の位置決めだけであ
る(この例の目的のために、ウェーハのエッジ(周辺)
での効率が、幾分減衰されることを無視したとして)。
プローブ・サイト(例えば、570a−570d)の配
列だけでなく、個々のプローブ要素(例えば、千鳥状
の)の配向も、ウェーハ全体にプローブを当てるのに必
要なタッチダウン数を最小化すべく最適化できること
は、本発明の範囲内である。交互のプローブ要素が、ウ
ェーハ上の2つ隣のダイ・サイトの異なるダイ・サイト
と接触するようにして、プローブ要素が、間隔変換器の
表面に配列可能であることも、本発明の範囲内である。
プローブ要素が全て、同じ全体長を有することが一般に
望ましいという前提の場合、明らかではあるが、プロー
ブ要素が、間隔変換器の2次元表面上のいかなる点にも
直接取り付け(実装)可能であるという、制約を受けな
い仕方は、プローブ要素のプローブカードへの取付け場
所に制約を与えるいずれの技法よりも優れている(例え
ば、上記のようなリング配列)。このようにして、1つ
のウェーハ上の複数の隣接しないダイ・サイトにプロー
ブを当てられることも、本発明の範囲内である。本発明
は、1つのウェーハ上の単一化されていないメモリ素子
にプローブを当てることに特に有利であり、また、任意
のアスペクト比を有するダイ・サイトにプローブを当て
るのに有用である。
面における接触パッド520の例示的なレイアウトを示
し、パッド520は、100ミルのピッチを有するパタ
ーンで配列され、パッドの各列は、パッドの隣接列から
千鳥状にされ、また各パッドは、約55ミルの直径を有
する。
12に匹敵)の上部表面、又は下部表面のいずれかの平
面図であり、相互接続要素(514、516)が実装さ
れる導電領域(図5には不図示、図3Aに匹敵)の例示
的なレイアウトを示す。図6Bは、同一の介在体基板5
80の一部の断面図である。図6Bに示すように、複数
のメッキされたスルーホール582が、基板580を介
して、その一方の表面580aから対向する表面580
bに延伸する。基板(板)自体は、メッキされたスルー
ホールを製造するための慣用的な技法を用いて、慣用的
な回路基板材料から形成される。この例の場合、「ベー
ス」基板584は、銅の層である、極めて薄い(例え
ば、100マイクロインチ)「ブランケット」層586
で初期に被覆される。ホトレジスト層588が、基板の
両面に施されて、スルーホール582のメッキ上がりを
可能にする開口を有するようにパターン化される。スル
ーホール582は、約1ミルの厚い銅層でメッキされ、
この層にわたって、ニッケルの層である、薄い(例え
ば、少なくとも100マイクロインチ)障壁層592が
堆積され、この層にわたって、軟質(純)金の薄い(例
えば、少なくとも50マイクロインチ)層594が堆積
される。次に、ホトレジスト層588が除去されて、初
期の極めて薄い銅層586の痕跡が、メッキされたスル
ーホール582の外側領域から除去される。図6Aに示
すように、メッキされたスルーホール582により形成
される各接触領域の平面図は、円形リングの平面図であ
り、そこから延伸する1つのタブを備える。このタブ
は、基板580の表面において露出した(相互接続要素
の実装のために)スルーホールの導電領域(パッド)の
配向を規定する。パッドは、100ミルのピッチの千鳥
列で配列され、それらの配向(それらのタブにより決定
される)は、基板表面の中央線において反転する。
リ500に関して、以下の寸法、及び材料が、所定用途
に対して代表的である。
チの長さ(L)、2.5インチの幅(W)、0.25イ
ンチの厚さ(T)、及びセラミックとパターン化された
導体からなる少なくとも3つの交互層を有する。
互接続要素524は、本発明の複合相互接続要素であ
り、1.0ミルの直径の金ワイヤコアを有し、これは、
1.5ミルのニッケルで保護膜生成され、4.0ミルの
全体径となる。相互接続要素524の全長は40ミルで
ある。
板材料から形成され、1.850インチの側寸法、及び
16ミルの厚さを有する。
続要素514及び516は、本発明の複合相互接続要素
であり、1.0ミルの直径の金ワイヤコアを有し、これ
は、1.5ミルのニッケルで保護膜生成され、4.0ミ
ルの全体径となる。相互接続要素514及び516の全
長は60ミルである。
相互接続要素として図5に示されるが、図示の各々の要
素は、図3Aに関連して上記で説明したようにして、2
つ以上の相互接続要素を有する1つの相互接続構造とし
て容易に実施されて、信頼性の良い圧力接触を、プロー
ブカード502の対応する接触端子510、及び間隔変
換器506の接触パッド520に対してなすのが保証さ
れることは、本発明の範囲内であり、また、一般に好適
である。
06、518、574)、及び介在体(504、58
0)が、末端ユーザに「キット」(又は「サブアセンブ
リ」)として供給可能であり、その場合に、末端ユーザ
は、プローブカード及び関連実装ハードウェア(例え
ば、530、532、534、536、538、54
0、544)を供給することになるということである。
細に例示及び説明してきたが、本発明は、文言における
限定としてではなく、例示として見なされるべきであ
る。すなわち、ここで理解されたいのは、好適な実施例
のみを図示及び説明したということ、及び本発明の趣旨
内に入る全ての変形及び修正も、望ましく保護されると
いうことである。疑うべくもなく、上記の「主題」に関
する多数の他の「変形例」も、本発明の最も近くに属す
る、当該技術で通常の知識を有する者が想到するであろ
うし、また本明細書に開示されるような変形例は、本発
明の範囲内にあることを意図するものである。これら変
形例の幾つかは、親事例に記載されている。
プローブカード・アセンブリを位置合わせする技法70
0を示す。この目的のために、この図において、図5の
プローブカード・アセンブリ500の要素の幾つかが同
じ符号(5xx)を持つ。図7は、主要構成要素が互い
に接触した、部分的組立図である。
しようとする半導体ウェーハに対して、プローブカード
(又は、プローブカード挿入)の接触先端を位置合わせ
するのが困難であることが多い、という点である。プロ
ーブの先端とウェーハの表面との共平面性に関する公差
を最小限に保って、各プローブ(すなわち、復元性のあ
る接触構造524)の各先端524a(図で見て、上
端)において、均一で信頼性の良い圧力接触を保証する
ことが本質的である。上記で説明したように、プローブ
カード・アセンブリには、間隔変換器506に基づいて
動作させることにより、プローブの先端524aの平面
性を調整するための機構(例えば、差動ネジ536及び
538)が設けられる。この図において、間隔変換器基
板506は、上記の図4に示すようにして、その上部端
子と下部端子の間で内部接続がなされて示されている。
半導体ウェーハに関する試験を実施する前に、プローブ
先端の整合性が測定され、必要であれば、プローブ先端
524aが、プローブカード・アセンブリに続いて提供
される(すなわち、プローブ先端に対して押圧される)
半導体ウェーハと共平面となることを保証するように調
整される。
装されるウェーハ試験装置は、半導体ウェーハをプロー
ブカード・アセンブリへと搬送して、プローブ先端52
4aに対して半導体ウェーハを押圧するための機構(不
図示)を有する。この目的のために、半導体ウェーハ
は、チャック機構(不図示)により保持される。この説
明の目的のために、仮定として、試験装置及びチャック
機構が、精密で反復可能な場所及び配向へと、ウェーハ
を次々に移動させることが可能であるとする。ここで、
ウェーハの精密な場所は、「基準面」として機能する。
れる配向と面対向して、換言すれば、基準面と面対向し
て先端524aを位置合わせするために、平坦な導電金
属プレート702が、半導体ウェーハの代わりに試験装
置内に実装される。平坦な金属プレート702は、プロ
ーブの先端524aを位置合わせするという目的のため
に、「代用」ウェーハ、又は「仮想」ウェーハとして機
能する。
2上の複数の端子(不図示)のうちの1つの端子と関連
付けられ、それらの間の導電経路は、プローブ524の
うちの選択された1つ、復元性のある接触構造516の
うちの関連する選択された1つ、復元性のある接触構造
514のうちの関連する選択された1つ、及びプローブ
カード502内の配線層(不図示)によって構成され
る。プローブカード端子は、表面端子、ソケットの端
子、その他の形式とすることができる。ケーブル704
が、プローブカード502と、表示モニタ708を有す
るコンピュータ(試験装置)との間を接続する。本発明
は、コンピュータ装置の使用にも、表示モニタの使用に
も限定されない。
圧力接触を、10×10の矩形アレイに配列される10
0個のプローブ先端524aと、1つのウェーハの10
0個の端子(例えば、接着パッド)との間にもたらすこ
とが求められるとする。しかし、本発明は、プローブ先
端の特定数、及び接着パッドの特定レイアウトには限定
されない。
(不図示)により担持されて、プローブ先端524aに
対して押圧される(表記「A」の矢印で示すように進め
られる)。これは比較的徐々に行われ、その結果、プロ
ーブ先端524aが全て、平坦な金属プレートに一斉に
(見込みはないが)接触するかどうか、又はプローブ先
端524aの幾つかが、プローブ先端524aの残りに
先行して、平坦な金属プレート702により接触される
かどうかが確認できる。図示において、モニタ708上
の領域710内の71個の塗りつぶし円(ドット)は、
プローブ先端524aのうちの71個が、プローブ先端
524aの残りの29個(空白の円として図示)が平坦
な金属プレート702に接触する前に、平坦な金属プレ
ート702に既に接触していることを示す。この視覚的
表現に基づいて、明らかであるが、間隔変換器506
(又は、恐らく、金属プレート702)は、左(図で見
て)下方へと(図で見て、頁から外に)偏って(傾い
て)おり、間隔変換器506の配向は、差動ネジ536
及び538の適切な調整によって、容易に調整可能であ
る。
となく、プローブ先端524aの全てが、平坦な金属プ
レート702と実質的に同時に接触するような、平坦な
金属プレート702との先端524aの全ての平面同時
接触の所望目標を達成するのに必要な調整は、オンライ
ン、又はオフラインのどちらかで容易に計算される。計
算された調整をなすことにより、プローブ524の先端
524aは、続いて、試験しようとする半導体ウェーハ
上の接着パッドと、実質的に同時に接触することにな
る。
(接触/非接触)型式は、本発明のプローブカード・ア
センブリにより容易となる、第1「番目」の位置合わせ
を示す。第2「番目」の位置合わせは、プローブ要素先
端が金属プレートに接触するシーケンス(順番)を記録
する(例えば、コンピュータ・メモリに)ことにより、
容易に実施される。金属プレートに接触する最初の先端
は、一般に、あまりにも「高い」、間隔変換器の角部を
表し、下げる必要がある(例えば、差動ネジを調整する
ことにより)。同様に、金属プレートに接触する最後の
先端は、あまりにも「低い」、間隔変換器の角部を表
し、上げる必要がある(例えば、差動ネジを調整するこ
とにより)。金属プレートに接触する先端のシーケンス
に基づいて、なすべき必要のある調整を決定するため
に、任意の適切なアルゴリズムを使用可能なことは、本
発明の範囲内である。各プローブ先端524aと平坦な
金属プレート702の間の抵抗(例えば、接地に対す
る)を測定して、単に、表示モニタ上の塗りつぶされて
いない円に対する塗りつぶされた円としてではなく、測
定された抵抗を表す、数値、記号、ドット色又はその他
として表示可能であるが、かかることは一般に好適では
ない。
すれば、プローブ524の先端524aを平坦化するた
めに、任意の適切な機構を使用可能なことは、本発明の
範囲内である。上記で説明した差動ネジ(536、53
8)の利用の代替例は、サーボ機構、圧電駆動装置又は
アクチュエータ、磁気歪み装置、それらの組合せ(例え
ば、粗調及び微調のために)、又はかかる平坦化を達成
するその他を利用することであろう。
の空間配向を調整するための自動化技法750を示す。
この例において、アクチュエータ機構552(「AC
T」で表記)が、差動ネジ(536、538)に対して
置き換えられて、コンピュータ706からの信号に応答
して作動する。3つのかかる機構552で、単純明瞭
に、3対の差動ネジ要素を置き換えることができる。図
7Aの類似の要素には、図7に見られる同一の符号が付
され、図7に見られる幾つかの要素は、図示の明瞭化の
ために、図7Aの視界から省かれている。
機構(特に、図7Aに示す自動化機構)が、本明細書に
記載の代表的な実施例に示す以外に配設可能なことも、
本発明の範囲内である。例えば、適切な機構が、プロー
ブカード(502)の上部(図で見て)表面と前部実装
プレート(534)との間に配置可能であり、又は前部
実装プレート(534)内に組み込むことも可能であ
る。これらの機構のいずれかを用いることの重要な特徴
は、プローブカード(502)の配向を変更する必要な
く、間隔変換器(506)の角度(配向)を変更できる
能力にある。
ーブ要素の処理、及びプローブ要素への先端構造の連結 上記で説明した図2D−2Fは、犠牲基板(254)上
に先端構造(258)を製造して、続く、電子コンポー
ネントの端子への実装のために、先端構造(258)上
に複合相互接続要素264を製造するための技法を開示
している。かかる技法は、間隔変換器(518)の上部
表面に、製造済みの先端構造を有する複合相互接続要素
を実装することに関連して、確かに使用可能である。
のある接触構造として特に有用な、製造済みの先端構造
を有する複合相互接続要素を製造するための代替技法8
00を示し、これを次に説明する。この例において、上
部(図で見て)表面を有するシリコン基板(ウェーハ)
802が、犠牲基板として用いられる。チタンの層80
4が、シリコン基板802の上部表面に堆積され(例え
ば、スパッタリングにより)、約250Å(1Å=0.
1nm=10−10 m)の厚さを有する。アルミニウ
ムの層806が、チタン層804の頂部に堆積され(例
えば、スパッタリングにより)、約10,000Åの厚
さを有する。チタン層804は、任意であり、アルミニ
ウム層806用の接着層として機能する。銅の層808
が、アルミニウム層806の頂部に堆積され(例えば、
スパッタリングにより)、約5,000Åの厚さを有す
る。マスキング材料(例えば、ホトレジスト)の層81
0が、銅層808の頂部に堆積され、約2ミルの厚さを
有する。マスキング層810は、任意の適切な仕方で処
理されて、ホトレジスト層810を介して、下にある銅
層808へと延伸する複数(図示では多くのうち3つ)
の穴812を有する。例えば、各穴812の直径は、6
ミルとすることができ、穴812は、10ミルのピッチ
(センター間)で配列できる。犠牲基板802は、この
ようにして、以下のような、穴812内に複数の多層接
触先端の製造に対して準備されている。
銅層808上に堆積され、約1.0−1.5ミルの厚さ
を有する。任意として、ロジウムといった貴金属の薄い
層(不図示)を、ニッケルの堆積の前に、銅層上に堆積
することも可能である。次に、金の層816が、メッキ
等により、ニッケル814上に堆積される。ニッケルと
アルミニウム(及び、任意として、ロジウム)の多層構
造は、製造済みの先端構造(820、図8Bに示す)と
して機能することになる。
810は、剥離除去され(任意の適切な溶剤を用い
て)、銅層808の頂部に載置する複数の製造済み先端
構造が残る。次に、銅層(808)は、急速エッチング
工程を被り、それによって、アルミニウム層806が露
出する。明らかなように、アルミニウムは、半田及びろ
う材料に対して実質的に非湿潤性であるので、後続のス
テップにおいて役立つ。
の穴でパターニングし、その穴内で、「代用」先端構造
822が、先端構造820の製造に用いられるのと同じ
工程ステップで製造されることが好ましい、ということ
である。これらの代用先端構造822は、周知且つ理解
される仕方で上記のメッキステップを均一化するよう機
能し、それにより、急勾配(非均一性)が、メッキしよ
うとする表面を横切って現れるのが低減される。かかる
構造(822)は、メッキの分野で「ラバー(robber
s)」として知られている。
結材料」)824が、先端構造820の上部(図で見
て)表面上に堆積される。(代用先端構造822の上部
にペーストを堆積する必要はない。)これは、ステンレ
ス鋼スクリーン、又はステンシル等により、任意の適切
な仕方で実施される。典型的なペースト(連結材料)8
24は、例えば、1ミルの球(ボール)を示す金−スズ
合金(フラックス基材に)を含有する。
接触構造、好適には、本発明の複合相互接続要素の端部
(先端)への実装(例えば、ろう接)の準備が整う。し
かし、複合相互接続要素がまず、先端構造820を受け
るべく特別に「準備」されるのが好ましい。
互接続要素832の端部に実装されるのを予想して、複
数(図示では多くのうち2つ)の複合相互接続要素83
2を備えた間隔変換器830(506に匹敵)を準備す
るための技法850を示す。複合相互接続要素(プロー
ブ要素)832は完全に示されている(断面ではな
く)。
は、多層(図2Aに匹敵)であり、金(ワイヤ)コアを
有し、これには、銅の層(不図示)で保護膜生成され、
更にニッケル(好適には、90:10のNi:Co比率
を有するニッケル−コバルト合金)の層で保護膜生成さ
れ、更に、銅の層(不図示)で保護膜生成される。明ら
かなように、ニッケル層が、その所望の最終厚さの大幅
な部分(例えば、80%)にのみ堆積され、ニッケル厚
の残りの少ない部分(例えば、20%)は、以下で説明
する、後続のステップで堆積されるのが好ましい。
その上部(図で見て)表面から延伸する複数(図示では
多くのうち2つ)の柱状構造834が設けられ、これら
は、明らかなように、研磨「ストップ」として機能する
ことになる。これらの研磨ストップを、必ずしも多数備
えることは必要でなく、それらは、基板(例えば、セラ
ミック)と同じ材料から容易に形成される。
換器基板の上部表面から延伸する複合接続要素832支
持するように機能する、熱可溶性、溶剤可溶性ポリマー
等の、適切な鋳造材料で「鋳造」される。上成型された
基板の上部(図で見て)表面は、次いで、研磨を受ける
が、これは例えば、鋳造材料の上部表面へと下方に(図
で見て)押圧される、研磨ホイール838等によりなさ
れる。上述の研磨ストップ834は、表記「P」の鎖線
で示される、研磨ホイールの最終位置を決定する。この
ようにして、複合相互接続要素832の先端(図で見
て、上端)が研磨されて、互いに実質的に完全に共平面
となる。
構造の先端が、試験しようとする半導体ウェーハと共平
面をなすこと、及び先端が、ウェーハと実質的に同時の
接触をなすように平坦化されることを保証するために、
間隔変換器を配向する機構(例えば、差動ネジ、又は自
動化機構)が、プローブカード・アセンブリ(500)
全体に設けられる。確かなことに、研磨により(又は、
他の任意の手段により)平坦化されている先端での開始
は、この重要な目的を達成するのに寄与することにな
る。更に、何とは言っても、プローブ要素(832)の
先端の共平面性を保証することによって、間隔変換器構
成要素から延伸するプローブ要素(832)の先端での
非共平面性を吸収する(コンプライアンスにより)ため
に、介在体構成要素(534)に課せられる制約が和ら
げられる(低減される)。
終了した後、鋳造材料836が、適切な溶剤で除去され
る。(研磨ストップ834は、この時点で除去されるこ
とになる。)鋳造材料は、それらの溶剤と同じく周知の
ところである。簡単に溶融除去できる、ワックス等の鋳
造材料も、研磨に対してプローブ要素(832)を支持
するために使用可能なことは、本発明の範囲内である。
間隔変換器は、このようにして、上述の先端構造(82
0)を受けるべく準備完了となる。
合相互接続要素832の金ワイヤステム(コア)に保護
膜生成する材料が、先端において除去され、金コアが露
出状態にされるという点にある。複合相互接続要素の先
端に先端構造(820)をろう接することが所望である
限りは、ろう接すべき金材料が露出しているのが望まし
い。
のメッキステップを実施して、すなわち、複合相互接続
要素832をニッケルメッキして、複合相互接続要素
を、それらの所望のニッケル全体厚のうちの残りの少な
い部分(例えば、20%)に設けることにより、先端構
造を受けるための間隔変換器を更に「準備」することで
ある。
準備された間隔変換器上に支持される。図8Dに示すよ
うに、先端構造820(図示の明瞭化のために、2つの
先端構造だけが示されている)は、標準的なフリップ・
チップ技法(例えば、分割プリズム)を用いて、複合相
互接続要素832の先端と位置合わせされ、アセンブリ
は、連結材料824をリフローするためにろう接炉を通
過し、それによって、予め製造された先端構造820
が、接触構造832の端部に連結(例えば、ろう接)さ
れる。
を、復元性のない接触構造、複合相互接続要素、その他
に連結(例えば、ろう接)可能であることは、本発明の
範囲内である。
たアルミニウム層(806)によって、半田(すなわ
ち、ろう)が、先端構造820の間で流れるのが防止さ
れる、すなわち、半田ブリッジが、隣接する先端構造間
に形成されるのが防止される。アルミニウム層のこの湿
潤防止機能に加えて、アルミニウム層は又、解放層とし
ても機能する。適切なエッチング剤を用いて、アルミニ
ウムは、選好的に(アセンブリの他の材料に対して)エ
ッチング除去されて、シリコン基板802は単純に「勢
い良く」下がり、結果として、図8Eに示すように、各
々が予備製造された先端構造を有する複合相互接続要素
(プローブ要素)を備えた間隔変換器となる。(ここで
留意されたいのは、連結材料824は、プローブ要素8
32の端部において「スミ肉」としてリフロー済みであ
る、ということである。)工程の最終ステップにおい
て、残留銅(808)がエッチング除去されて、先端構
造820のニッケル(又は、上記のロジウム)が、プロ
ーブを当てようとする電子コンポーネントの端子に接触
させるために、露出状態で残される。
に関連して説明した先端構造冶金法を利用して、図2D
−2Fに関連して説明した技法の「精神」で、自体の先
端構造上に先ず製造して、続いて、間隔変換器基板に実
装可能であることは、本発明の範囲内であるが、一般に
は好ましくない。
の代わりに、共晶材料(例えば、金−スズ)を復元性の
ある接触構造上にメッキした後に、それに接触先端(8
20)を実装することは、本発明の範囲内である。
細に例示及び説明してきたが、本発明は、文言における
限定としてではなく、例示として見なされるべきであ
る。すなわち、ここで理解されたいのは、好適な実施例
のみを図示及び説明したということ、及び本発明の趣旨
内に入る全ての変形及び修正も、望ましく保護されると
いうことである。疑うべくもなく、上記の「主題」に関
する多数の他の「変形例」も、本発明の最も近くに属す
る、当該技術で通常の知識を有する者が想到するであろ
うし、また本明細書に開示されるような変形例は、本発
明の範囲内にあることを意図するものである。これら変
形例の幾つかは、親事例に記載されている。
れる実施例のいずれかにおいて、マスキング材料(例え
ば、ホトレジスト)が、基板に施されて、マスクを通過
する光への露出、及びマスキング材料の部分の化学的除
去(すなわち、慣用的なホトリソグラフ技法)等によっ
てパターニングされる場合、代替技法を使用することも
でき、それには、除去しようとするマスキング材料(例
えば、ブランケット硬化ホトレジスト)の部分に、適切
に平行化された光ビーム(例えば、エキシマ・レーザか
らの)を向け、それによって、マスキング材料のこれら
部分を融除すること、又は適切に平行化された光ビーム
で、マスキング材料の部分を直接(マスクを使用せず
に)硬化し、次いで、未硬化のマスキング材料を化学的
に洗浄することが含まれる。
が、プローブカード・アセンブリの間隔変換器構成要素
の端子に直接実装可能である、適切な復元性のある接触
構造の1つの例であることは、本発明の範囲内である。
例えば、タングステンといった本質的に復元性のある
(比較的高い降伏強度)材料からなる針に、半田又は金
で被覆を施して、それらの半田付け性を良くし、任意と
して所望のパターンで支持し、また間隔変換器の端子に
半田付けすることが可能なことも、本発明の範囲内であ
る。
素の一端を含めた長手部分の断面図である。
の一端を含めた長手部分の断面図である。
の一端を含めた長手部分の断面図である。
の一端を含めた長手部分の断面図である。
の一端を含めた長手部分の断面図である。
に実装されて、多層化シェルを有する相互接続要素の断
面図である。
る、多層化シェルを有する相互接続要素の断面図であ
る。
ば、プローブカード挿入)に実装される、複数の相互接
続要素の斜視図である。
めの技法の例示的な第1ステップの断面図である。
めの図2Dの技法の例示的な更なるステップの断面図で
ある。
めの図2Eの技法の例示的な更なるステップの断面図で
ある。
て製造された複数の個々の相互接続要素の断面図であ
る。
て製造されて、互いに規定の空間関係で関連した、例示
的な複数の相互接続要素の断面図である。
めの代替実施例の断面図であり、1つの相互接続要素の
1つの端部を示す。
面図である。
図である。
図である。
実施例の断面図である。
的に断面を示す分解組立図である。
センブリにおいて用いるのに適した、1つの間隔変換器
構成要素の斜視図である。
センブリにおいて用いるのに適した、他の間隔変換器構
成要素の斜視図である。
センブリにおいて用いるのに適した、1つの間隔変換器
の下面図である。
センブリにおいて用いるための、代表的な介在体基板の
上部表面、又は下部表面のうちどちらかの下面図であ
る。
素の部分断面図である。
に用いるのに整合し、図5に示すプローブカード・アセ
ンブリに類似した、1つのプローブカード・アセンブリ
の部分断面、及び部分概略図である。
を自動的に調整するための技法の部分断面、及び部分概
略図である。
構造を製造するための技法の断面図である。
るステップの断面図である。
的に断面を、及び部分的に全体を示す側面図である。
れる図8Cの間隔変換器構成要素の部分的に断面を、及
び部分的に全体を示す側面図である。
れる図8Cの間隔変換器構成要素を連結する際の更なる
ステップの部分的に断面を、及び部分的に全体を示す側
面図である。
13)
法であって、 複数の電気接点を含むプローブカードを提供するステッ
プと、 前記プローブカードに移動可能に固定され、複数の細長
い弾性的なプローブ要素を含み、該プローブ要素の一つ
が前記電気接点の一つと電気的に連絡するプローブ基板
を提供するステップと、 前記プローブカードに対して前記プローブ基板の傾きを
調整することによって前記プローブ要素の先端を整列す
るステップと、 半導体素子を提供するステップと、 前記先端を前記半導体素子と接触させるステップと、 前記半導体素子を試験するステップと、を含む方法。
含む複数の半導体素子を有するウェーハを設けるステッ
プと、 複数の電気接点と、複数の細長く弾性的なプローブ要素
を有するプローブ基板と、該プローブ要素の対応する1
つと前記電気接点の1つを電気的に接続する従順な相互
接続要素と、を有するプローブカードを含むプローブカ
ード・アセンブリを設けるステップと、 前記ウェーハと前記プローブカード・アセンブリを、前
記半導体素子の前記電気的な接触パッドの1つが前記プ
ローブ要素の1つと電気的に接触するように接続するス
テップと、 前記半導体素子を試験するステップと、からなるプロセ
スによって製造される試験済み半導体素子。
ドを設けるステップと、 前記プローブカードに対して移動可能なように固定され
ているとともに複数の細長く弾性的なプローブ要素を有
するプローブ基板を設けるステップと、 該細長く弾性的なプローブ要素の1つを前記電気接点の
1つと電気的に連絡させるステップと、 前記プローブカードに対して前記プローブ基板の傾きを
調整することによって前記プローブ要素の先端を整列す
るステップと、 この調整するステップが、前記プローブカードに対して
前記プローブ基板の傾きに変化を与えるように配列され
ている移動可能要素を動かすステップと、を含み、 半導体素子を提供し、 前記先端を前記半導体素子と接触させ、 前記半導体素子を前記ステップによって試験するプロセ
スによって製造される試験済み半導体素子。
Claims (58)
- 【請求項1】 試験済み半導体素子を製造するための方
法であって、 プローブカード・アセンブリを提供するステップと、こ
のプローブカード・アセンブリが、複数の電気接点を有
するプローブカードと、複数の細長く弾性的なプローブ
要素と、このプローブ要素の一つと前記電気接点の一つ
を電気的に接続する従順な相互接続構造とを含み、 複数の半導体素子を提供するステップと、各半導体素子
が電気的な接触パッドを含み、 前記プローブ要素を前記半導体素子の前記電気的な接触
パッドと接触させるステップと、 前記半導体素子を試験するステップとを含む方法。 - 【請求項2】 前記従順な相互接続構造が前記プローブ
カードと前記プローブ基板の間に配置されている請求項
1記載の方法。 - 【請求項3】 前記複数の半導体素子がウェーハ形状に
ある請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 試験済み半導体素子を製造するための前
記方法が、さらに前記ウェーハをダイシングして前記半
導体素子を単一化するステップを含む請求項1記載の方
法。 - 【請求項5】 前記従順な相互接続構造が、前記相互接
続構造の両面から延伸する複数の細長い相互接続要素を
含む請求項2記載の方法。 - 【請求項6】 前記複数の細長い接続要素のそれぞれ
が、前記細長い相互接続要素が前記従順な相互接続構造
の開口を通過するように配置され、前記細長い相互接続
要素の両端が前記相互接続構造の両端から隔置されてい
る請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 前記複数の細長い相互接続要素が前記プ
ローブカード及び前記プローブ構造に対して力を及ぼす
請求項5記載の方法。 - 【請求項8】 前記力がバネ力である請求項7記載の方
法。 - 【請求項9】 前記細長い相互接続要素が弾性的である
請求項5記載の方法。 - 【請求項10】 前記細長い相互接続要素のそれぞれ
が、第1の材料からなるコアと、第2の材料からなる被
覆を含み、該第2の材料が前記第1の材料よりも弾性的
である請求項9記載の方法。 - 【請求項11】 前記細長い相互接続要素のそれぞれ
が、第1の材料からなる前駆体と、第2の材料からなる
被覆とを含む請求項5記載の方法。 - 【請求項12】 前記従順な相互接続要素が、前記相互
接続構造の一方の面から延伸する複数の第1の相互接続
要素と、前記相互接続構造の反対の面から延伸する複数
の第2の相互接続要素とを含む請求項1記載の方法。 - 【請求項13】 前記複数の第1の相互接続要素が、前
記複数の第2の相互接続要素とは異なる機械的性質を有
する請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 前記複数の第2の相互接続要素が剛直
である請求項13記載の方法 - 【請求項15】 前記従順な相互接続構造が取り外し可
能である請求項5記載の方法。 - 【請求項16】 前記プローブカードが複数の相互接続
要素構造を含み、該複数の相互接続要素構造の一つが、
前記複数の電気接点の一つから延伸し、前記複数の相互
接続要素構造が前記従順な相互接続構造と接触する請求
項2記載の方法。 - 【請求項17】 前記プローブ基板が複数の相互接続要
素構造を含み、前記複数の相互接続要素構造が前記相互
接続構造と接触する請求項2記載の方法。 - 【請求項18】 さらに、前記プローブカードに対して
前記プローブカードの傾きを調節することにより、前記
プローブ要素の先端を整列させるステップを含む請求項
1記載の方法。 - 【請求項19】 前記整列させるステップが、前記プロ
ーブカードに対して前記プローブ要素の傾きに変化を与
えるように配置されている移動可能要素を動かすステッ
プを含む請求項18記載の方法。 - 【請求項20】 前記移動可能要素がねじ山をつけられ
ている請求項19記載の方法。 - 【請求項21】 前記移動可能要素がねじを含む請求項
19記載の方法。 - 【請求項22】 前記ねじが作動ねじを含む請求項21
記載の方法。 - 【請求項23】 前記移動可能要素を第1の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードの方に動く請求項19記載の方法。 - 【請求項24】 前記移動可能要素を第2の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードから離れるように動く請求項23記
載の方法。 - 【請求項25】 さらに複数の前記移動可能要素を動か
すステップを含む請求項18記載の方法。 - 【請求項26】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されているサーボ機構を作動するステップを含
む請求項19記載の方法。 - 【請求項27】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されている圧電アクチュエータを作動するステ
ップを含む請求項19記載の方法。 - 【請求項28】 前記調節するステップが前記先端を調
節板とともに整列するステップを含む請求項19記載の
方法。 - 【請求項29】 前記プローブ基板が間隔変換器を含む
請求項1記載の方法。 - 【請求項30】 前記プローブ要素のそれぞれが、第1
の材料と第2の材料を含み、該第2の材料が該第1の材
料よりも弾性がある請求項1の方法。 - 【請求項31】 試験済み半導体素子を製造するための
方法であって、 複数の電気接点を含むプローブカードを提供するステッ
プと、 前記プローブカードに移動可能に固定され、複数の細長
い弾性的なプローブ要素を含むプローブ基板を提供する
ステップと、該細長い弾性的なプローブ要素の一つが前
記電気接点の一つと電気的に連絡し、 前記プローブカードに対して前記プローブ基板の傾きを
調節することによって前記プローブ要素の先端を整列す
るステップと、 半導体素子を提供するステップと、 前記先端を前記半導体素子と接触させるステップと、 前記半導体素子を試験するステップとを含む方法。 - 【請求項32】 前記整列するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の傾きに影響を与え
るように配置されている移動可能要素を動かすステップ
を含む請求項31記載の方法。 - 【請求項33】 前記移動可能要素がねじ山をつけられ
ている請求項32記載の方法。 - 【請求項34】 前記移動可能要素がねじを含む請求項
32記載の方法。 - 【請求項35】 前記ねじが作動ねじを含む請求項34
記載の方法。 - 【請求項36】 前記移動可能要素を第1の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードの方に動く請求項32記載の方法。 - 【請求項37】 前記移動可能要素を第2の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードから離れるように動く請求項36記
載の方法。 - 【請求項38】 さらに複数の前記移動可能要素を動か
すステップを含む請求項31記載の方法。 - 【請求項39】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されているサーボ機構を作動するステップを含
む請求項31記載の方法。 - 【請求項40】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されている圧電アクチュエータを作動するステ
ップを含む請求項31記載の方法。 - 【請求項41】 前記プローブ基板が間隔変換器を含む
請求項31記載の方法。 - 【請求項42】 前記プローブ要素が、第1の材料から
なるコアと、第2の材料からなる被覆を含み、該第2の
材料が前記第1の材料よりも弾性的である請求項31記
載の方法。 - 【請求項43】 前記整列させるステップが前記先端を
調節板とともに整列するステップを含む請求項31記載
の方法。 - 【請求項44】 それぞれが複数の電気的な接触パッド
を含む複数の半導体素子を有するウェーハを設け、複数
の電気接点と、複数の細長く弾性的なプローブ要素を有
するプローブ基板と、該プローブ要素の対応する1つと前
記電気接点の1つを電気的に接続する従順な相互接続要
素を有するプローブカードを含むプローブカード・アセ
ンブリを設け、前記ウェーハと前記プローブカード・アセ
ンブリを、前記半導体素子の前記電気的な接触パッドの
1つが前記プローブ要素の1つと電気的に接触するように
接続し、前記半導体素子を試験するプロセスによって製
造される試験済み半導体素子。 - 【請求項45】 前記プロセスが、前記プローブ要素の
先端を対応する前記電気的な接触パッドと整列するステ
ップをさらに含む請求項44記載の試験済み半導体素
子。 - 【請求項46】 前記プローブ要素の先端を整列するス
テップが、前記プローブカードに対して前記プローブ基
板の傾きを調節するステップを含む請求項45記載の試
験済み半導体素子。 - 【請求項47】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の傾きに変化を与え
るように配置されている移動可能要素を動かすステップ
を含む請求項46記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項48】 前記整列するステップが、さらに前記
先端を調節板とともに整列するステップを含む請求項4
5記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項49】 前記プロセスが、前記ウェーハをダイ
シングして前記半導体素子を単一化するステップを含む
請求項44記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項50】 前記プローブ基板が間隔変換器を含む
請求項44記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項51】 複数の電気接点をからなるプローブカ
ードを設け、前記プローブカードに対して移動可能なよ
うに固定されているとともに複数の細長く弾性的なプロ
ーブ要素を有するプローブ基板を設け、該細長く弾性的
なプローブ要素の1つが前記電気接点の1つと電気的に
連絡し、前記プローブカードに対して前記プローブ基板
の傾きを調節することによって前記プローブ要素の先端
を整列し、この調節するステップが、前記プローブカー
ドに対して前記プローブ基板の傾きに変化を与えるよう
に配置されている移動可能要素を動かすステップを含
み、 半導体素子を提供し、 前記先端を前記半導体素子と接触させ、 前記半導体素子を試験するプロセスによって製造される
試験済み半導体素子。 - 【請求項52】 前記移動可能な要素ががねじ山をつけ
られている請求項51記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項53】 前記移動可能要素がねじを含む請求項
51記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項54】 前記ねじが作動ねじを含む請求項53
記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項55】 前記移動可能要素を第1の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードの方に動く請求項51記載の試験済
み半導体素子。 - 【請求項56】 前記移動可能要素を第2の方向に動か
すことにより、少なくとも前記プローブ基板の一部分が
前記プローブカードから離れるように動く請求項55記
載の試験済み半導体素子。 - 【請求項57】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されているサーボ機構を作動するステップを含
む請求項51記載の試験済み半導体素子。 - 【請求項58】 前記調節するステップが、前記プロー
ブカードに対して前記プローブ基板の位置を調節するよ
うに配置されている圧電アクチュエータを作動するステ
ップを含む請求項51記載の試験済み半導体素子。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006126279A1 (ja) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | プローブ組立体、その製造方法および電気的接続装置 |
KR100828053B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2008-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 가드 |
KR100920790B1 (ko) | 2007-10-22 | 2009-10-08 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 프로브 조립체, 그 제조방법 및 전기적 접속장치 |
US8063652B2 (en) | 2005-11-11 | 2011-11-22 | Tokyo Electron Ltd. | Probing apparatus and method for adjusting probing apparatus |
KR102139584B1 (ko) * | 2019-03-07 | 2020-07-30 | (주)티에스이 | 반도체 소자 테스트용 소켓 장치 |
Families Citing this family (201)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6043563A (en) * | 1997-05-06 | 2000-03-28 | Formfactor, Inc. | Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals |
US5371654A (en) | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
US7368924B2 (en) | 1993-04-30 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
WO1998011445A1 (en) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips |
US6741085B1 (en) | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US20020004320A1 (en) | 1995-05-26 | 2002-01-10 | David V. Pedersen | Attaratus for socketably receiving interconnection elements of an electronic component |
EP1610375A3 (en) * | 1995-05-26 | 2008-11-05 | FormFactor, Inc. | Contact carriers for populating substrates with spring contacts |
US6033935A (en) | 1997-06-30 | 2000-03-07 | Formfactor, Inc. | Sockets for "springed" semiconductor devices |
US6685817B1 (en) | 1995-05-26 | 2004-02-03 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
US6483328B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
JP3759622B2 (ja) | 1996-05-17 | 2006-03-29 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
JP2940475B2 (ja) * | 1996-06-24 | 1999-08-25 | 日本電気株式会社 | Icのパッケージ、icのプローバ及びそれらの製造方法 |
WO1998001906A1 (en) * | 1996-07-05 | 1998-01-15 | Formfactor, Inc. | Floating lateral support for ends of elongate interconnection elements |
WO1998011446A1 (en) | 1996-09-13 | 1998-03-19 | International Business Machines Corporation | Integrated compliant probe for wafer level test and burn-in |
US7282945B1 (en) | 1996-09-13 | 2007-10-16 | International Business Machines Corporation | Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
US6690185B1 (en) | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
US5921786A (en) * | 1997-04-03 | 1999-07-13 | Kinetrix, Inc. | Flexible shielded laminated beam for electrical contacts and the like and method of contact operation |
KR20010024022A (ko) * | 1997-09-17 | 2001-03-26 | 이고르 와이. 칸드로스 | 금속 침전물의 적절한 열처리에 의해 개선된 재료 특성을갖는 구조물을 제조하기 위한 방법 |
US6724203B1 (en) | 1997-10-30 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Full wafer test configuration using memory metals |
US5973394A (en) * | 1998-01-23 | 1999-10-26 | Kinetrix, Inc. | Small contactor for test probes, chip packaging and the like |
US6497581B2 (en) | 1998-01-23 | 2002-12-24 | Teradyne, Inc. | Robust, small scale electrical contactor |
US6078500A (en) * | 1998-05-12 | 2000-06-20 | International Business Machines Inc. | Pluggable chip scale package |
US6705876B2 (en) | 1998-07-13 | 2004-03-16 | Formfactor, Inc. | Electrical interconnect assemblies and methods |
JP4490978B2 (ja) * | 1998-08-12 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタ |
US6448865B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-09-10 | Formfactor, Inc. | Integrated circuit interconnect system |
US6459343B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-10-01 | Formfactor, Inc. | Integrated circuit interconnect system forming a multi-pole filter |
US6208225B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-03-27 | Formfactor, Inc. | Filter structures for integrated circuit interfaces |
US6218910B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-04-17 | Formfactor, Inc. | High bandwidth passive integrated circuit tester probe card assembly |
US6799976B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nanonexus, Inc. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
US6812718B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
US7382142B2 (en) | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
KR20020028159A (ko) * | 1999-05-27 | 2002-04-16 | 나노넥서스, 인코포레이티드 | 전자 회로용 대량 병렬 인터페이스 |
WO2000074110A2 (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Nanonexus, Inc. | Integrated circuit wafer probe card assembly |
US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6780001B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6888362B2 (en) | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US6939474B2 (en) | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US6398558B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-06-04 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connector and contact therefor |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
AU6874300A (en) * | 1999-09-09 | 2001-04-10 | Nhk Spring Co. Ltd. | Conductive contact |
US6657455B2 (en) * | 2000-01-18 | 2003-12-02 | Formfactor, Inc. | Predictive, adaptive power supply for an integrated circuit under test |
US6509751B1 (en) | 2000-03-17 | 2003-01-21 | Formfactor, Inc. | Planarizer for a semiconductor contactor |
US7262611B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
DE60142030D1 (de) * | 2000-03-17 | 2010-06-17 | Formfactor Inc | Verfahren und vorrichtung zum einebnen von einem halbleitersubstrat in einer testkartenanordnung |
JP4088015B2 (ja) | 2000-03-24 | 2008-05-21 | 株式会社新川 | 湾曲状ワイヤの形成方法 |
US7952373B2 (en) | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
JP2002267687A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Advantest Corp | プローブカード及び試験装置 |
JP2002343478A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Tyco Electronics Amp Kk | 電気コンタクトおよびそれを用いた電気接続部材 |
US6747469B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Preconditioning integrated circuit for integrated circuit testing |
US6817052B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-11-16 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for cleaning test probes |
US20030115517A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Rutten Ivo Wilhelmus Johaooes Marie | Microprocessor-based probe for integrated circuit testing |
US6891385B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-05-10 | Formfactor, Inc. | Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
US7064953B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Electronic package with direct cooling of active electronic components |
AU2002361863A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Formfactor, Inc. | Cooling assembly with direct cooling of active electronic components |
US6840374B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-01-11 | Igor Y. Khandros | Apparatus and method for cleaning test probes |
DE10220194A1 (de) * | 2002-05-06 | 2003-11-27 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierung von Nanoröhren |
US20030211139A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-13 | Thierry Legon | Dispersions of lipid particles for use as therapeutic and cosmetic agents and intracellular delivery vehicles |
US6965244B2 (en) | 2002-05-08 | 2005-11-15 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
US6911835B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
EP1367643B1 (en) * | 2002-05-15 | 2006-04-05 | Tyco Electronics AMP GmbH | Electronic module |
DE60304390T2 (de) | 2002-05-15 | 2007-02-01 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Elektronikmodul |
US7122760B2 (en) | 2002-11-25 | 2006-10-17 | Formfactor, Inc. | Using electric discharge machining to manufacture probes |
US6920689B2 (en) | 2002-12-06 | 2005-07-26 | Formfactor, Inc. | Method for making a socket to perform testing on integrated circuits |
JP4003230B2 (ja) | 2003-01-23 | 2007-11-07 | 船井電機株式会社 | ボールグリッドアレイ型icの実装構造 |
JP2004259530A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 外部接触端子を有する半導体装置及びその使用方法 |
DE10317276A1 (de) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | E.G.O. Elektrogerätebau GmbH | Anordnung von Schalteinrichtungen |
US7066751B2 (en) * | 2003-04-23 | 2006-06-27 | Asustek Computer Inc. | Adjustable connector module |
US6958670B2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-10-25 | Raytheon Company | Offset connector with compressible conductor |
DE10345377B4 (de) * | 2003-09-30 | 2009-07-30 | Qimonda Ag | Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls |
JP2005127952A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | コンタクトプローブおよびその製造方法 |
DE10355921B4 (de) * | 2003-11-29 | 2005-12-22 | Festo Ag & Co. | Elektrische Schaltungsanordnung mit einem elektronischen Chip in einer Aufnahmevorrichtung des Schaltungsträgers |
JP2005201813A (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置及びコンタクトの製造方法 |
DE102004003275B4 (de) * | 2004-01-21 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Verbindungselementen auf Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben |
US7251884B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-08-07 | Formfactor, Inc. | Method to build robust mechanical structures on substrate surfaces |
JP4545742B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-09-15 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
CN1316508C (zh) * | 2004-05-11 | 2007-05-16 | 番禺得意精密电子工业有限公司 | 一种电连接器 |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
USRE43503E1 (en) | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
DE102004061853A1 (de) * | 2004-12-22 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Trägervorrichtung zum Aufnehmen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Trägervorrichtung |
WO2006095759A1 (ja) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Limited | 接続ピンの形成方法,プローブ,接続ピン,プローブカード及びプローブカードの製造方法 |
DE102005013323A1 (de) | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierungsvorrichtung zum Kontaktieren einer integrierten Schaltung, insbesondere eines Chips oder eines Wafers, mit einer Testervorrichtung, entsprechendes Testverfahren und entsprechendes Herstellungsverfahren |
US7371676B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating semiconductor components with through wire interconnects |
US7393770B2 (en) * | 2005-05-19 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Backside method for fabricating semiconductor components with conductive interconnects |
JP4472593B2 (ja) | 2005-07-12 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード |
US20070057685A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-15 | Touchdown Technologies, Inc. | Lateral interposer contact design and probe card assembly |
JP5289771B2 (ja) | 2005-12-05 | 2013-09-11 | 日本発條株式会社 | プローブカード |
JP4823667B2 (ja) | 2005-12-05 | 2011-11-24 | 日本発條株式会社 | プローブカード |
US7307348B2 (en) | 2005-12-07 | 2007-12-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor components having through wire interconnects (TWI) |
JP2007165383A (ja) | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Ibiden Co Ltd | 部品実装用ピンを形成したプリント基板 |
JP4654897B2 (ja) | 2005-12-09 | 2011-03-23 | イビデン株式会社 | 部品実装用ピンを有するプリント配線板の製造方法 |
JP2007165747A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Unitechno Inc | システムインパッケージ(SiP)用半導体チップ接触機構 |
JP2007183194A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Micronics Japan Co Ltd | プロービング装置 |
US7312617B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
WO2007114790A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Agency For Science, Technology And Research | Method of fabricating an interconnection for electrically connecting an electrical component to a substrate |
US7659612B2 (en) | 2006-04-24 | 2010-02-09 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor components having encapsulated through wire interconnects (TWI) |
WO2007142204A1 (ja) | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Nhk Spring Co., Ltd. | プローブカード |
KR100771476B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-10-30 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 전기적 접속장치 |
FR2905520A1 (fr) * | 2006-09-04 | 2008-03-07 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur a composants inverses et procede de fabrication d'un tel boitier |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
JP2008145208A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体検査装置 |
CN101641834A (zh) * | 2007-01-31 | 2010-02-03 | 技嘉斯特通讯股份有限公司 | 接触系统 |
US7764076B2 (en) | 2007-02-20 | 2010-07-27 | Centipede Systems, Inc. | Method and apparatus for aligning and/or leveling a test head |
US7955158B2 (en) * | 2007-03-26 | 2011-06-07 | Mattel, Inc. | Toy vehicle booster and track set |
US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
WO2009011365A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Nhk Spring Co., Ltd. | プローブカード |
KR100950446B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2010-04-02 | 윌테크놀러지(주) | Pcb를 구비하는 스페이스 트랜스포머 및 이를 포함하는프로브 카드 |
DE102007054709B4 (de) | 2007-11-16 | 2014-11-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung |
JPWO2009107747A1 (ja) | 2008-02-29 | 2011-07-07 | 日本発條株式会社 | 配線基板およびプローブカード |
KR100951344B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-04-08 | 주식회사 아이엠텍 | 프로브 카드, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및스페이스 트랜스포머 제조 방법 |
JP5511155B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | インターポーザ基板とその製造方法 |
DE102008034918B4 (de) * | 2008-07-26 | 2012-09-27 | Feinmetall Gmbh | Elektrische Prüfeinrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie elektrisches Prüfverfahren |
JPWO2010016608A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2012-01-26 | 日本発條株式会社 | ワーク部材、電気接点部材、コンタクトプローブおよび電気接点部材の製造方法 |
EP2159580B1 (en) * | 2008-08-26 | 2015-10-07 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Probe tip |
DE102008059314A1 (de) * | 2008-11-27 | 2010-06-02 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Gehäuse mit einem toleranzbehafteten elektronischen Bauteil |
KR101067497B1 (ko) * | 2008-12-20 | 2011-09-27 | 주식회사 바른전자 | 반도체 패키지 |
US8305101B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-11-06 | Advantest America, Inc | Microelectronic contactor assembly, structures thereof, and methods of constructing same |
US8047856B2 (en) * | 2010-02-24 | 2011-11-01 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Array connector for optical transceiver module |
JP5556316B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2014-07-23 | 株式会社デンソー | 表面実装型電子部品及び表面実装型電子部品の実装構造 |
US8414309B2 (en) * | 2010-05-03 | 2013-04-09 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd | Receptacle for an optical transceiver module for protecting the module from airborne particles |
JP5564328B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2014-07-30 | 新光電気工業株式会社 | ソケット |
JP2011258364A (ja) | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ソケット |
JP2012004464A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
KR101394083B1 (ko) | 2010-06-24 | 2014-05-13 | 존슨 컨트롤스 테크놀러지 컴퍼니 | 전자기계식 푸시 버튼 차량 시트 작동 기구 |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
JP5713598B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2015-05-07 | 新光電気工業株式会社 | ソケット及びその製造方法 |
JP5788166B2 (ja) | 2010-11-02 | 2015-09-30 | 新光電気工業株式会社 | 接続端子構造及びその製造方法、並びにソケット |
JP5582995B2 (ja) | 2010-12-14 | 2014-09-03 | 新光電気工業株式会社 | ソケット |
KR101118836B1 (ko) | 2011-02-11 | 2012-03-16 | 에프컴 코포레이션 | 전극패턴 검사장치 |
JP5777997B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-09-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査装置用配線基板およびその製造方法 |
JP5798435B2 (ja) | 2011-03-07 | 2015-10-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査装置用配線基板およびその製造方法 |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
KR101649521B1 (ko) * | 2011-05-13 | 2016-08-22 | 리노공업주식회사 | 프로브 및 그 제조방법 |
CN102305880A (zh) * | 2011-09-08 | 2012-01-04 | 高德(无锡)电子有限公司 | 防止印刷电路板电镀软金电性测试扎伤转接板 |
US8404520B1 (en) | 2011-10-17 | 2013-03-26 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US9229029B2 (en) * | 2011-11-29 | 2016-01-05 | Formfactor, Inc. | Hybrid electrical contactor |
US9391378B2 (en) | 2011-12-23 | 2016-07-12 | Intel Corporation | High bandwidth connector for internal and external IO interfaces |
US20130269173A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-10-17 | Todd P. Albertson | Apparatus and method for automated sort probe assembly and repair |
JPWO2013108759A1 (ja) | 2012-01-18 | 2015-05-11 | 日本発條株式会社 | スペーストランスフォーマおよびプローブカード |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US8796132B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for forming uniform rigid interconnect structures |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
CN103682725A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 电连接器及其导电端子 |
US9134343B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-09-15 | Intel Corporation | Sort probe gripper |
US9106027B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Methods, apparatuses and systems for mid-plane mounting parallel optical communications modules on circuit boards |
DE102013200308A1 (de) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | Infineon Technologies Ag | Bonddraht und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung |
JP6092729B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-03-08 | 新光電気工業株式会社 | プローブカード及びその製造方法 |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
TWI481876B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-04-21 | Mpi Corp | Probe module (3) |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
CN105588957B (zh) * | 2014-11-12 | 2019-03-22 | 致伸科技股份有限公司 | 测试座 |
JP6407672B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-10-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP3227692A2 (en) * | 2014-12-04 | 2017-10-11 | Technoprobe S.p.A | Testing head comprising vertical probes |
KR102542154B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2023-06-13 | 테크노프로브 에스.피.에이. | 테스트 헤드용 접촉 프로브 |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
WO2016195766A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | R&D Circuits, Inc. | Improved power supply transient performance (power integrity) for a probe card assembly in an integrated circuit test environment |
CN106449581A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | 三垦电气株式会社 | 半导体装置 |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
CN105682356B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-07-27 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 柔性电路板组件及电子设备 |
CN105912788B (zh) * | 2016-04-14 | 2019-03-12 | 中车长春轨道客车股份有限公司 | 端部接触式少片抛物线型主副簧的副簧刚度设计方法 |
US20170330677A1 (en) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Cascade Microtech, Inc. | Space transformers, planarization layers for space transformers, methods of fabricating space transformers, and methods of planarizing space transformers |
US10263352B2 (en) * | 2016-06-10 | 2019-04-16 | Te Connectivity Corporation | Electrical contact pad for electrically contacting a connector |
US10120020B2 (en) | 2016-06-16 | 2018-11-06 | Formfactor Beaverton, Inc. | Probe head assemblies and probe systems for testing integrated circuit devices |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
CN106271010A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 苏州倍声声学技术有限公司 | 微细线储能冲击焊接工艺 |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
US10782316B2 (en) | 2017-01-09 | 2020-09-22 | Delta Design, Inc. | Socket side thermal system |
DE102017211619A1 (de) * | 2017-02-08 | 2018-08-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur elektrischen Kontaktierung und Leistungsmodul |
US10109490B1 (en) | 2017-06-20 | 2018-10-23 | Globalfoundries Inc. | Cobalt interconnects formed by selective bottom-up fill |
KR101977473B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2019-05-10 | 주식회사 기가레인 | 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법 |
CN111913019A (zh) * | 2017-09-15 | 2020-11-10 | 中华精测科技股份有限公司 | 探针卡装置的圆形探针 |
CN107622978A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种陶瓷封装外壳 |
CN107978578B (zh) * | 2017-11-23 | 2020-02-21 | 中国科学院力学研究所 | 一种变线宽的柔性可拉伸导线及其制备方法 |
CN108188521B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-10-02 | 山东建筑大学 | 一种钼铼合金箔材的高频感应加热钎焊方法 |
WO2019176380A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN108666308B (zh) * | 2018-06-19 | 2019-06-18 | 清华大学 | 柔性集成封装系统 |
TWI668457B (zh) * | 2018-08-27 | 2019-08-11 | 創意電子股份有限公司 | 檢測裝置 |
TWI672764B (zh) * | 2018-11-07 | 2019-09-21 | 國立成功大學 | 晶片封裝裝置及其對位壓合方法 |
KR102168622B1 (ko) * | 2018-12-05 | 2020-10-21 | 경북대학교 산학협력단 | 국부 항복 전류를 이용한 선택적 열처리 방법 및 국부 항복 전류를 이용한 선택적 열처리용 프로브카드 |
KR102163321B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2020-10-21 | 화인인스트루먼트 (주) | 프로브 카드 및 그 제조 방법 |
JP7206140B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-01-17 | 株式会社ヨコオ | 検査装置 |
EP3719466A1 (de) * | 2019-04-01 | 2020-10-07 | Heraeus Nexensos GmbH | 3d-verbinderstruktur, verfahren zur herstellung einer 3d-verbinderstruktur und temperatursensor |
JP7370055B2 (ja) | 2020-02-12 | 2023-10-27 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置 |
KR102179457B1 (ko) | 2020-03-25 | 2020-11-16 | (주)티에스이 | 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치와, 테스트 소켓의 제조방법 |
JP6979737B1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-12-15 | 積水ポリマテック株式会社 | 導電部材 |
KR102410156B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2022-06-17 | (주)티에스이 | 반도체 패키지의 테스트 장치 |
KR20220003902A (ko) * | 2020-07-02 | 2022-01-11 | 주식회사 케이엠더블유 | 솔더 기판 조립체 |
TWI745197B (zh) * | 2020-12-18 | 2021-11-01 | 鴻勁精密股份有限公司 | 定位機構、作業機、測試機及測試設備 |
CN112757161B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-19 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种抛光载具的修整方法 |
CN117837278A (zh) | 2021-06-30 | 2024-04-05 | 三角设计公司 | 包含接触器组合件的温度控制系统 |
DE102021117095A1 (de) * | 2021-07-02 | 2023-01-05 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Bronzeschichten als Edelmetallersatz |
WO2023157900A1 (ja) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | プローブユニット、検査装置、検査システム、検査方法、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Family Cites Families (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3373481A (en) * | 1965-06-22 | 1968-03-19 | Sperry Rand Corp | Method of electrically interconnecting conductors |
US3460238A (en) * | 1967-04-20 | 1969-08-12 | Motorola Inc | Wire severing in wire bonding machines |
US3509270A (en) * | 1968-04-08 | 1970-04-28 | Ney Co J M | Interconnection for printed circuits and method of making same |
US3616532A (en) * | 1970-02-02 | 1971-11-02 | Sperry Rand Corp | Multilayer printed circuit electrical interconnection device |
DE2119567C2 (de) * | 1970-05-05 | 1983-07-14 | International Computers Ltd., London | Elektrische Verbindungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US3753665A (en) * | 1970-11-12 | 1973-08-21 | Gen Electric | Magnetic film plated wire |
US3844909A (en) * | 1970-11-12 | 1974-10-29 | Gen Electric | Magnetic film plated wire and substrates therefor |
US3832632A (en) * | 1971-11-22 | 1974-08-27 | F Ardezzone | Multi-point probe head assembly |
US3842189A (en) | 1973-01-08 | 1974-10-15 | Rca Corp | Contact array and method of making the same |
US3959874A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-01 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming an integrated circuit assembly |
US4074342A (en) * | 1974-12-20 | 1978-02-14 | International Business Machines Corporation | Electrical package for lsi devices and assembly process therefor |
US4067104A (en) * | 1977-02-24 | 1978-01-10 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating an array of flexible metallic interconnects for coupling microelectronics components |
JPS5555985U (ja) * | 1978-10-12 | 1980-04-16 | ||
JPS568081U (ja) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | ||
US4418857A (en) * | 1980-12-31 | 1983-12-06 | International Business Machines Corp. | High melting point process for Au:Sn:80:20 brazing alloy for chip carriers |
US4423376A (en) * | 1981-03-20 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Contact probe assembly having rotatable contacting probe elements |
US4532152A (en) * | 1982-03-05 | 1985-07-30 | Elarde Vito D | Fabrication of a printed circuit board with metal-filled channels |
US4488111A (en) * | 1982-06-01 | 1984-12-11 | At&T Technologies, Inc. | Coupling devices for operations such as testing |
US4705205A (en) * | 1983-06-30 | 1987-11-10 | Raychem Corporation | Chip carrier mounting device |
GB8330391D0 (en) * | 1983-11-15 | 1983-12-21 | Gen Electric Co Plc | Electrical interface arrangement |
US4751199A (en) * | 1983-12-06 | 1988-06-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Process of forming a compliant lead frame for array-type semiconductor packages |
US4667219A (en) * | 1984-04-27 | 1987-05-19 | Trilogy Computer Development Partners, Ltd. | Semiconductor chip interface |
US4548451A (en) * | 1984-04-27 | 1985-10-22 | International Business Machines Corporation | Pinless connector interposer and method for making the same |
EP0169574B1 (en) * | 1984-07-27 | 1990-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
JPS6149432A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE3536908A1 (de) * | 1984-10-18 | 1986-04-24 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi, Osaka | Induktivitaetselement und verfahren zur herstellung desselben |
JPS61164038A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Nissan Motor Co Ltd | タ−ボチヤ−ジヤのサ−ジ防止装置 |
US4659437A (en) * | 1985-01-19 | 1987-04-21 | Tokusen Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of thermal diffusion alloy plating for steel wire on continuous basis |
US4642889A (en) * | 1985-04-29 | 1987-02-17 | Amp Incorporated | Compliant interconnection and method therefor |
JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US4661192A (en) * | 1985-08-22 | 1987-04-28 | Motorola, Inc. | Low cost integrated circuit bonding process |
US4793814A (en) * | 1986-07-21 | 1988-12-27 | Rogers Corporation | Electrical circuit board interconnect |
US4777564A (en) * | 1986-10-16 | 1988-10-11 | Motorola, Inc. | Leadform for use with surface mounted components |
US4764848A (en) * | 1986-11-24 | 1988-08-16 | International Business Machines Corporation | Surface mounted array strain relief device |
US4955523A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
US5189507A (en) * | 1986-12-17 | 1993-02-23 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
US5086337A (en) * | 1987-01-19 | 1992-02-04 | Hitachi, Ltd. | Connecting structure of electronic part and electronic device using the structure |
JP2533511B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の接続構造とその製造方法 |
JPS63279477A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-16 | Pioneer Electronic Corp | ディスクプレ−ヤの情報読取装置 |
US4983907A (en) * | 1987-05-14 | 1991-01-08 | Intel Corporation | Driven guard probe card |
US5045975A (en) * | 1987-05-21 | 1991-09-03 | Cray Computer Corporation | Three dimensionally interconnected module assembly |
JPH0640106B2 (ja) * | 1987-11-09 | 1994-05-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体lsi検査装置用プローブヘッド及びその製造方法 |
JPH063820B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1994-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の実装方法 |
US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
JPH01152271A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Toshiba Corp | スパッタ装置 |
JPH01313969A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US5137461A (en) * | 1988-06-21 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | Separable electrical connection technology |
DE3838413A1 (de) * | 1988-11-12 | 1990-05-17 | Mania Gmbh | Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl. |
US5037023A (en) * | 1988-11-28 | 1991-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bonding |
JPH02226996A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Seiko Instr Inc | 圧電素子接着装置および圧電素子接着方法 |
JPH02237047A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
US4914814A (en) * | 1989-05-04 | 1990-04-10 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating a circuit package |
US5366380A (en) * | 1989-06-13 | 1994-11-22 | General Datacomm, Inc. | Spring biased tapered contact elements for electrical connectors and integrated circuit packages |
US5349495A (en) * | 1989-06-23 | 1994-09-20 | Vlsi Technology, Inc. | System for securing and electrically connecting a semiconductor chip to a substrate |
JP3087294B2 (ja) * | 1989-09-29 | 2000-09-11 | ジェイエスアール株式会社 | 異方導電性シートの製造方法 |
US4998885A (en) * | 1989-10-27 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Elastomeric area array interposer |
JPH03142847A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5095187A (en) * | 1989-12-20 | 1992-03-10 | Raychem Corporation | Weakening wire supplied through a wire bonder |
US4989069A (en) * | 1990-01-29 | 1991-01-29 | Motorola, Inc. | Semiconductor package having leads that break-away from supports |
US5471151A (en) * | 1990-02-14 | 1995-11-28 | Particle Interconnect, Inc. | Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces |
JP2781247B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1998-07-30 | 旭化成工業株式会社 | 微小突起電極付接続基板の製造方法 |
JPH03292406A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-24 | Shiyuukou:Kk | 基礎台調整用支持具 |
US5130779A (en) * | 1990-06-19 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Solder mass having conductive encapsulating arrangement |
US5187020A (en) * | 1990-07-31 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Compliant contact pad |
GB2247565B (en) * | 1990-08-22 | 1994-07-06 | Gen Electric Co Plc | A method of testing a semiconductor device |
US5148103A (en) * | 1990-10-31 | 1992-09-15 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for testing integrated circuits |
JPH04240570A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-27 | Shimadzu Corp | マイクロ・プローブ・ボード |
JPH04273458A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Ando Electric Co Ltd | 測定ヘッドとプローブカードの水平出し機構 |
JPH04297050A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体検査装置およびその平板状基板の製造方法 |
JP3092191B2 (ja) * | 1991-03-27 | 2000-09-25 | ジェイエスアール株式会社 | 回路基板検査装置 |
JP3135135B2 (ja) * | 1991-04-18 | 2001-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置,その製造方法,その試験方法及びその試験装置 |
US5076794A (en) * | 1991-04-29 | 1991-12-31 | Compaq Computer Corporation | Space-saving mounting interconnection between electrical components and a printed circuit board |
JPH0529406A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体検査装置 |
US5345038A (en) * | 1991-07-29 | 1994-09-06 | Kyocera America, Inc. | Multi-layer ceramic packages |
EP0678232B1 (en) * | 1991-09-30 | 1997-10-29 | Ceridian Corporation | Plated compliant lead |
US5309324A (en) * | 1991-11-26 | 1994-05-03 | Herandez Jorge M | Device for interconnecting integrated circuit packages to circuit boards |
US5225777A (en) * | 1992-02-04 | 1993-07-06 | International Business Machines Corporation | High density probe |
US5289631A (en) * | 1992-03-04 | 1994-03-01 | Mcnc | Method for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips |
US5299939A (en) * | 1992-03-05 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Spring array connector |
US5483421A (en) * | 1992-03-09 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | IC chip attachment |
JPH05283494A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Katsuyoshi Nakano | 集積回路素子ウエハー用測定電極 |
US5210939A (en) * | 1992-04-17 | 1993-05-18 | Intel Corporation | Lead grid array integrated circuit |
US5237743A (en) * | 1992-06-19 | 1993-08-24 | International Business Machines Corporation | Method of forming a conductive end portion on a flexible circuit member |
US5248262A (en) * | 1992-06-19 | 1993-09-28 | International Business Machines Corporation | High density connector |
JPH0650990A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Nec Corp | プローブカード |
DE4232745C2 (de) * | 1992-09-30 | 2002-07-18 | Univ Dresden Tech | Bonddraht zum Ultraschallbonden |
US5334804A (en) * | 1992-11-17 | 1994-08-02 | Fujitsu Limited | Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate |
JPH06213928A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Tokyo Electron Ltd | プローブヘッドの製造方法 |
US5386344A (en) * | 1993-01-26 | 1995-01-31 | International Business Machines Corporation | Flex circuit card elastomeric cable connector assembly |
CA2110472C (en) * | 1993-03-01 | 1999-08-10 | Anilkumar Chinuprasad Bhatt | Method and apparatus for in-situ testing of integrated circuit chips |
JPH06265577A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験用電気的接続治具 |
US5414298A (en) * | 1993-03-26 | 1995-05-09 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies and components with pressure contact |
JPH06294818A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Seiko Epson Corp | パフォーマンスボード |
-
1995
- 1995-11-13 EP EP03027450A patent/EP1408337A3/en not_active Withdrawn
- 1995-11-13 AU AU42839/96A patent/AU4283996A/en not_active Abandoned
- 1995-11-13 JP JP51695896A patent/JP2002509639A/ja active Pending
- 1995-11-13 EP EP01127397A patent/EP1198001A3/en not_active Withdrawn
- 1995-11-13 KR KR1019970703256A patent/KR100408948B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-13 EP EP03027449A patent/EP1408338A3/en not_active Withdrawn
- 1995-11-13 AU AU41598/96A patent/AU4159896A/en not_active Abandoned
- 1995-11-13 CN CNB031486444A patent/CN1251319C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-13 CN CN95197034A patent/CN1118099C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-13 DE DE69535629T patent/DE69535629T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-13 KR KR1020067014613A patent/KR20060087616A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-11-13 AU AU41600/96A patent/AU4160096A/en not_active Abandoned
- 1995-11-13 WO PCT/US1995/014909 patent/WO1996017378A1/en active IP Right Grant
- 1995-11-13 KR KR1019970700634A patent/KR100324059B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-13 KR KR10-2002-7006744A patent/KR100394205B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-13 AU AU41599/96A patent/AU4159996A/en not_active Abandoned
- 1995-11-13 KR KR1020007003258A patent/KR20030096425A/ko active Search and Examination
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Cited By (7)
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KR100828053B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2008-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 프로브 가드 |
WO2006126279A1 (ja) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | プローブ組立体、その製造方法および電気的接続装置 |
US7667472B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-02-23 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe assembly, method of producing it and electrical connecting apparatus |
JP4704426B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-06-15 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置、その製造方法および電気的接続装置 |
US8063652B2 (en) | 2005-11-11 | 2011-11-22 | Tokyo Electron Ltd. | Probing apparatus and method for adjusting probing apparatus |
KR100920790B1 (ko) | 2007-10-22 | 2009-10-08 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 프로브 조립체, 그 제조방법 및 전기적 접속장치 |
KR102139584B1 (ko) * | 2019-03-07 | 2020-07-30 | (주)티에스이 | 반도체 소자 테스트용 소켓 장치 |
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