JP2007329491A - 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造 - Google Patents

柔軟性ワイヤからの電気的接触構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2007329491A
JP2007329491A JP2007189655A JP2007189655A JP2007329491A JP 2007329491 A JP2007329491 A JP 2007329491A JP 2007189655 A JP2007189655 A JP 2007189655A JP 2007189655 A JP2007189655 A JP 2007189655A JP 2007329491 A JP2007329491 A JP 2007329491A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
conductive
electronic component
stem
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007189655A
Other languages
English (en)
Inventor
Igor Y Khandros
ハンドロス，イゴー，ワイ
Gaetan L Mathieu
マシュー，ゲータン，エル
Benjamin N Eldridge
エルドリッジ，ベンジャミン，エヌ
Gary W Grube
グルーブ，ゲーリー，ダヴリュー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FormFactor Inc
Original Assignee
FormFactor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32686436&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2007329491(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US08/340,144 external-priority patent/US5917707A/en
Priority claimed from US08/452,255 external-priority patent/US6336269B1/en
Priority claimed from US08/457,479 external-priority patent/US6049976A/en
Priority claimed from US08/533,584 external-priority patent/US5772451A/en
Priority claimed from US08/554,902 external-priority patent/US5974662A/en
Application filed by FormFactor Inc filed Critical FormFactor Inc
Publication of JP2007329491A publication Critical patent/JP2007329491A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
    • H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
    • H05K7/1061—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting
    • H05K7/1069—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting with spring contact pieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4885—Wire-like parts or pins
    • H01L21/4889—Connection or disconnection of other leads to or from wire-like parts, e.g. wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/02—Heating or cooling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/22—Electroplating combined with mechanical treatment during the deposition
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/13124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13639—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13657—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45111—Tin (Sn) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572—Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01037—Rubidium [Rb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01088—Radium [Ra]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0133—Ternary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0397—Tab
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
    • H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10719—Land grid array [LGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/1075—Shape details
    • H05K2201/10757—Bent leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/1075—Shape details
    • H05K2201/10878—Means for retention of a lead in a hole
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

【課題】エージング及び機能試験のために、半導体ダイ等の電子コンポーネントに対して一時的な接続をなすのに好適な復元性のある接触構造の提供。
【解決手段】各種の電子コンポーネントに対して復元性又は従順性を示す接触構造が、基板５０８にワイヤ５０２の自由端をボンディングし、弾力のある形状を有するワイヤステムへとワイヤを構成し、ワイヤステムを切断して、ワイヤステム５３０に、ある材料の少なくとも１つの層で保護膜を施すことにより形成される。１つの例示的な実施例の場合、ワイヤステムの自由端が基板上の接触領域にボンディングされ、ワイヤステムは弾力のある形状を有するように構成され、ワイヤステムは、自立型となるように、放電により切断されて、自立型ワイヤステムに、メッキにより保護膜が施される。ワイヤステム（足場として機能する）に対する、及び保護膜（足場にわたって上部構造として機能する）に対する各種の材料を開示する。
【選択図】図５

Description

本発明は、電子コンポーネント、特に超小型電子コンポーネントへの、からの、及びそれらの間で電気的接続をなすための接触構造に関し、更に詳細には、復元性及び／又は従順性を呈示する接触構造に関する。「関連出願に対する相互参照」本願は、同一出願人による１９９４年１１月１５日に出願された米国特許同時係属出願第08/340,144号（状況：係属中）、及び１９９４年１１月１６日に出願されたその対応ＰＣＴ特許出願番号PCT/US94/13373（状況：係属中）の一部継続出願であり（まとめて、米国特許及びＰＣＴ特許事例を、今後は「事例２」と呼ぶ）、その両方は、同一出願人による１９９３年１１月１６日に出願された米国特許同時係属出願第08/512,812号（状況：係属中、今後は「事例１」と呼ぶ）の一部継続出願である。
その優れた導電、及び非腐食特性に起因して、金は、電子コンポーネント間で電気的接続をなすための「選定材料」である。例えば、半導体ダイ上の導電性パッドと、リードフレーム・フィンガの内端との間で、複数のワイヤボンディング接続をなすことは周知のところである。これは、第１の「能動」電子コンポーネント（ダイ）と、第２の「受動」電子コンポーネント（リードフレーム）との間で、永久的な接続をなす１つの例として挙げられる。
本発明は、ワイヤボンディング装置を有利に使用するもので、一般に、ワイヤ（例えば、金ワイヤ）が、毛細管（「ボンディング・ヘッド」とも呼ばれる）を介してスプールから供給され、基板にボンディングされる。一般に、ボンディング・ヘッドの性質は、それによりなされるボンディングの性質によって決定される。ボンディング・ヘッドが、ボール・ボンディングをなすためのものである場合、それは一般に「毛細管」となる。ボンディング・ヘッドがくさびボンディングをなすためのものである場合、それは一般に「くさび」となり、これらの用語は、当該技術で認知された意味を有する。問題を簡単にするために、主に今後は、「毛細管」という用語を用いて、ボール・ボンディングか、又はくさびボンディングをなし、ボンディング時に、熱エネルギー及び／又は圧縮を適用するのに適したボンディング・ヘッドを示すことにする。
以下の米国特許（該当時期に、特許番号、第１発明者、発行の年／月、及びＵＳ分類／副分類により挙げられた）は、参照として本明細書に取り込むが、ワイヤボンディングの技術状態を表す。
（ａ）米国特許第5,110,032 号（Akiyama その他、９２年５月、ＵＳ分類228/102 ）、名称「METHOD AND APPRATUS FOR WIRE BONDING」には、毛細管（１０）を介してワイヤスプール（１２）から供給されるワイヤ（１３）が開示されている。（この特許の場合、ワイヤ１３は絶縁される。）ＣＰＵ（プロセッサ）とメモリユニット（ソフトウェアコマンド用の記憶）を含む、制御ユニット（２０）が示されている。制御ユニットは、毛細管の移動にわたる、及び放電電極（１７）と関連して用いられて、放電電圧でワイヤを切断する放電電力ユニット（１８）にわたる制御を実行する。
（ｂ）米国特許第3,460,238 号（Christy その他、６９年８月、ＵＳ分類227/111 ）、名称「WIRE SEVERING IN WIRE BONDING MACHINES」は、ワイヤボンディング装置におけるワイヤ切断動作が、ワイヤを摩擦係合するのに十分な、且つボンディング領域から離れてワイヤを変形するには不十分な圧力を保持することにより、ボンディング針（又は、本明細書で用いるような「毛細管」）を移動させることを含む技法を目指すものである。この特許は、ワイヤボンディングが数十年の間知られているという事実、また、毛細管を移動させる間、ワイヤを変形するのは一般に望ましくないという事実の代表例として挙げられる。
（ｃ）米国特許第5,095,187 号（Gliga 、９２年３月、ＵＳ分類219/68）、名称「WEAKENING WIRE SUPPLIED THROUGH A WIRE BONDER 」には、ワイヤが、熱、圧力、及び振動のうちの１つ、又はそれらの組合せを加えることにより、電子コンポーネント上の接触子にボンディングされる、ワイヤボンディング技法が開示されている。この特許は、熱を局所的に加えることにより、ワイヤを弱くする又は切断する旨、及び如何にして切断動作が、結果として、ワイヤの切断端部上の拡がり部を生じさせるかを論じている。切断熱は、電極の手段により、ワイヤに加えることができ、電極からの電界が、ワイヤに延伸するように作られるため、アークを、電極とワイヤの間に生み出すことができる。この特許には、アークの第１の部分が、ワイヤを弱くするための第１の極性にあり、アークの第２の部分が、ワイヤから放出される帯電粒子の分散を制御するための反転極性にある、切断技法が記載されている。
（ｄ）米国特許第4,860,433 号（Miura 、８９年／８月、ＵＳ分類29/605）、名称「MANUFACTURING AN INDUCTANCE ELEMENT 」には、基板上のスプール部材上に、微細な銅ワイヤのコイルを巻き付ける技法が開示されている。銅ワイヤは絶縁される。絶縁は、電子的火炎射出（ＥＦＯ）スパークが、例えば以前のボンディングをなした後にワイヤを切断する際に、ワイヤの端部から除去されることは周知のところである。ワイヤの端部が、基板上の導電経路にボンディングされる。次に、毛細管か、又は基板が回転されて、基板を支持するテーブルが、垂直方向に移動して、スプール部材上に微細な銅ワイヤのコイルを巻き付ける。最後に、ワイヤの対向端部が、基板上の別の導電経路にボンディングされる。
パッケージ実装は、他の環境（努力分野）であり、そこで、第１の電子コンポーネントと第２の電子コンポーネント間に、複数の電気的接続をもたらすことが重要である。例えば、セラミックパッケージの場合、半導体ダイが、セラミックパッケージ内の空洞に配設されて、（通常）空洞内へと延伸する導電トレースにワイヤボンディングされる。複数（例えば、アレイ状）のピンが、パッケージの外部表面に配設されて、それらのピンは、内部トレース（パターン化導電層）と、空洞内へと延伸する導電トレースへのバイヤにより接続される。パッケージは次に、各々の穴がパッケージピンのうちの対応するピンを受容する、対応する複数（例えば、アレイ状）の穴を有する印刷回路基板（ＰＣＢ）に実装される。ピンは通常、ＰＣＢ内のメッキされたスルーホールに半田付けされて、第１の電子コンポーネント（パッケージ実装済み半導体素子）と、第２の電子コンポーネント（ＰＣＢ）との間に、永久的な接続がもたらされる。代替として、パッケージは、各々の穴が、パッケージピンのうちの対応するピンを受容する、対応する複数（例えば、アレイ状）の穴を有するソケットにより受容されて、第１の電子コンポーネント（パッケージ実装済み半導体素子）と、第２の電子コンポーネント（ソケット）との間に、一時的な接続がもたらされる。
水分に対して半導体素子を保護することは、一般に周知のところである。この目的のために、各種のパッケージが、様々な度合いの気密封止性を呈示し、少し述べると、セラミックパッケージは、一般に、比較的高コストで、環境に対して優れた保護を与え、プラスチック（例えば、樹脂）及びＰＣＢ型式（封止）パッケージは、比較的低コストで、環境に対して比較的貧弱な保護を与える。「両方の世界で最良のもの」、すなわち低コストで良好な気密封止性を備えるために、ボンディングワイヤ、及びそれらを取り囲む接続部（例えば、ダイ及びリードフレームに対する）を被覆することが知られている。１つの例は、「RESIN PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PROTECTIVE LAYER MEAD OF A METAL-ORGANIC COMPOUND」と称する、米国特許第4,821,148 号（Kobayashi その他、８９年４月、ＵＳ分類361/392 ）に見出される。この特許の場合、リードフレーム（２）上の銀電極（４）が、シリコンチップ（１）上のアルミニウム電極（５）にボンディングされる。最終のアセンブリは、エチルアルコール内のベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）溶液に浸漬される。Ａｇ−ＢＴＡフィルムが、銀電極の表面に形成され、Ａｌ−ＢＴＡフィルムが、アルミニウム電極の表面に形成され、Ｃｕ−ＢＴＡフィルムが、銅ワイヤの表面に形成される。これら３つの金属−ＢＴＡフィルムは、（環境的な）湿気による損傷から、ワイヤと電極を保護する。とりわけ、この特許の場合、金属−ＢＴＡフィルムが導電性であり、（リードフレームへのダイの）相互接続が、ワイヤボンディング自体により（被覆に先立って）以前に達成されたか否かは、良くてもとるに足らない。好適には、かかる「気密封止性」被覆は、それが、素子（ダイ）を短絡させる傾向にあるので、導電性でないほうがよい。
ピン、すなわち伸長した堅固な導電要素は、周知のところであり、一般に、電子パッケージ（チップキャリヤを含む）上のパッドにろう接される。
米国特許第3,373,481 号（Linsその他、６８年／３月、ＵＳ分類29/471.3）、名称「MEHOD OF ELECTRICALLY INTERCONNECTING SONDUCTORS」には、金の球（１３、図２を参照）を熱圧縮して、その球を加熱真空保持装置（１４）で成形することにより、集積回路素子（１０）の端子部（１２）の頂部に、ピン状の金受け台構造（１３）を形成することが開示されている。真空保持装置の代わりに、超音波ボンディング装置を用いることも論じられている。この特許の図３に示されるように、ボンディングは、受け台構造（１３）と、端子（１２）の表面全体と思われる（側面図において）ものとの間に形成される。
米国特許第4,418,857 号（Ainslie その他、８３年１２月、ＵＳ分類228/124）、名称「HIGH MELTING POINT PROCESS FOR AU:SN:80:20 BRAZING ALLOY FOR CHIP CARRIERS」には、チップ搬送基板にピンをろう接するための代表的な技法が開示されている。
米国特許第4,914,814 号（Behun その他、９０年／４月、ＵＳ分類29/843）、名称「PROCESS OF FABRICATING A CIRCUIT PACKAGE」には、鉛／スズ半田でピン型枠内のピンホールのアレイを充填し、そのピンホールのアレイは、チップキャリヤの一方の側の導電パッドのアレイと実質的に位置が合った状態にあり、ピン型枠内の鉛／スズ半田を加熱し、その結果、半田が溶融して、チップキャリヤ上の導電パッドのアレイと融合し、それによって、チップキャリヤ上の導電パッドのアレイにボンディングされた、小型「ピン」のアレイを形成することが開示されている。これによって、高さが制御され、明らかに、アスペクト比が比較的高い、伸長した半田端子の形成が可能になる。
米国特許第4,955,523 号（Carlomagnoその他、９０年９月、ＵＳ分類228/179）、名称「INTERCONNECTION OF ELECTRONIC COMPONENTS」には、電子コンポーネントを相互接続するための技法が開示されており、そこで、相互接続ワイヤが、接触子及びワイヤ材料以外の材料を用いることなく、第１の電子コンポーネント（半導体ダイ（１）等）上の接触子にボンディングされる。ワイヤは次に、ワイヤ径の２から２０倍（２ｄから１０ｄ）の間の所望の長さに切断され、半田等の導電材料の手段により、第２のコンポーネント（２１）上の接触子にボンディングされる。ワイヤは、一旦第１のコンポーネントにボンディングされると、ボンディング・ヘッドの側壁内の開口（１３）を介して、所望の長さで（ワイヤボンディング装置のボンディング・ヘッド（９）により）切断される。この目的のために、電極（５１）が開口（１３）内に挿入される。この特許に示されるように、自立型ワイヤ（７）が、第２のコンポーネントの窪みにおいて、半田等の導電材料のプール（２７）内に挿入された端部を有する。やはり「「INTERCONNECTION OF ELECTRONIC COMPONENTS」と称する、米国特許第5,189,507 号（Carlomagnoその他、９３年２月、ＵＳ分類257/777 ）も参照されたい。
表面実装技法は、電子コンポーネント間に相互接続をなすことに関連したある種の問題を解決するが、それが一度そうあるべきと思い描いた万能薬として真価を示さない。一般に、フリップ・チップ技法を含む表面実装技法（ＳＭＴ）において、半田バンプが、第１の電子コンポーネントのある面に形成され、パッドが、第２の電子コンポーネントのある面に設けられ、それらコンポーネントが、互いに面対向にされ、その後熱が加えられて、半田バンプの半田がリフローされる。信頼性の良い表面実装をもたらす挑戦には、幾何形状を制御し、アスペクト比（幅に対する高さの比）を高くして、半田バンプを形成することが含まれ、これは時折、「半田支柱」と呼ばれる。
米国特許第5,130,779 号（Agarwalaその他、９２年／７月、ＵＳ分類357/67）、名称「SOLDER MASS HAVING CONDUCTIVE ENCAPSULATING ARRANGEMENT 」には、高いアスペクト比を有する「伸長した」半田支柱が記載されている。「電子キャリヤ」（基板）上にパッドが形成され、その上に、第１の半田塊が堆積されて、金属層で蓋が付けられる。追加の（第２の）半田塊が、第１の半田塊の頂部に形成される。追加の（第３の）半田塊が、第２の半田塊の頂部に形成される。半導体ダイ等の第１の電子コンポーネントと、試験カード等の第２の電子コンポーネントとの間になされる、複数の一時的な接続を使用する、エージング及び試験は別の努力分野である。以下で更に詳細に説明するが、これには通常、まず半導体ダイをパッケージ実装して、半導体パッケージ上のピンのパターンに対応するパターンで配列された、「釘のベッド」（弾性ピンのアレイ）といった特別な試験設備を用いて、パッケージ上のピンに接触させることが伴う。かかる試験設備の製造には、各アレイパターンに対して異なる試験設備が必要な特殊性があり、その結果、高価で且つ時間がかかることになる。
電子コンポーネント間に復元性のある相互接続をなすことは、望ましいことであると一般に知られており、長期にわたる努力目的であった。しばしば（例えば、通常）、半導体素子への外部接続子は、パッケージの外部表面に配設された比較的堅固なピンである。復元性のある相互接続を実施するために、ある努力が過去において成されてきた。ある例では、復元性のある相互接続要素は、金属要素でもたらされた。他の例では、復元性のある相互接続要素は、金属性要素と弾性材料の組合せでもたらされた。
復元性のある相互接続をなすことに向けられた最近の１つの努力は、「ELASTOMERIC CONNECTER FOR MCM AND TEST APPLICATIONS 」（ICEMM 議事録、１９９３年、第３４１頁−第３４６頁）と称する論文に記載されており、これには、「エラスチコン」（ｔｍ）コネクタが記載されている。エラスチコン・コネクタは、エラストマー材料（型枠空洞内に射出された液体エラストマー樹脂）に埋設された、導電要素に対して中実の金又は金合金ワイヤを用い、一般に、多チップモジュール（ＭＣＭ）及び単一チップモジュール用のランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）パッケージに対する相互接続要求に照準が合わせられる。エラストマー材料の性質と共に、ワイヤの寸法、形状、及び間隔は、特定の用途での要求に合わせることができ、それらには、ＭＣＭ及びＳＣＭパッケージ実装、ボード間及びケーブルとボード間相互接続だけでなく、高密度ＰＣＢ及びＩＣチップ試験用途も含まれる。中実の金ワイヤ、及びシリコーン・エラストマー材料は腐食を通さない。この論文の図１には、エラスチコン・コネクタの基本的な実施例が示され、そこで、複数のワイヤが、堅固な基板にボールボンディングされて、基板の表面からある角度（例えば、４５−８５度）で真っ直ぐに延伸する。基板へのワイヤの近位端の取付けは、圧縮力、毛細管先端を介して加えられる超音波エネルギー、及びワイヤボンディング装置上の加熱ステージを介して加えられる熱エネルギーを利用した、角度付きフライング・リードワイヤ・ボンディング工程によりなされる。毛細管及び基板は、せん断ブレード機構が、基板表面から所望の高さ及び角度で、ワイヤを切断するのを可能にするように位置決めされる。電子的火炎射出（ＥＦＯ）が用いられて、次のボールボンディング（基板にボンディングすべき次のワイヤの近位端の）を開始するために、毛細管先端から延伸するワイヤを溶融する。ワイヤの全てを基板に実装した後、ボール形状の接触子が、レーザ・ボール形成の工程により、各ワイヤの遠い方の（遠位）端部に形成され、複数のワイヤが、エラストマー材料内に埋設される。ボール形状の（拡大した）遠位端は、ワイヤが、緩く振動して接触子間に短絡を生じさせるのを防止するのに役立つ。この論文に注記されるように、導体の角度付き配向は、エラスチコン・コネクタが２つの平行表面間で圧縮される際に、ワイヤの可塑変形を最小化するのに必要である。角度付き配向は又、「拭い」接触表面を与え、これは、コネクタが圧縮される場合に、嵌合接触表面に対して、ワイヤを回転及び滑動させることになる。この論文には、ワイヤに対して金／パラジウム合金、及びプラチナを用いる旨の記載がある。論文の図３は、ワイヤの角グループ間のエラストマーに溝を形成すると共に、接触子当たり１つから４つのワイヤからなるグループに、ワイヤを集めることを記載している。この論文に記載されるエラスチコン・コネクタの各種実施例には、セラミック、金属、シリコン又はエポキシ−ガラス積層材料の基板が必要であり、介在体の実施例には、上部表面における金の薄い層と共に、銅等のエッチング可能な基板材料が必要である。この論文の図８は、一体化プローブ接触子を記載し、既知の良好なダイを試験する能力が、ＭＣＭパッケージ実装に対する障害物の１つであったとうまく注記している。そこに示されるように、プローブ基質が、１つのアレイにおいて２ミル（０．００２インチ）径の金を用いる。プローブは、試験モジュールに永久的に取り付けでき、又は介在体構造として製造できる。「FLEX CIRCUIT CARD ELASTOMERIC CABLE CONNECTORASSEMBLY」と称する、米国特許第5,386,344 号（Beamanその他、９５年／１月、ＵＳ分類361/785 ）には、関連した「エラスチパック」（ｔｍ）弾性ケーブル・コネクタが開示されている。復元性のある接続をなすことにおける他の例示的な努力は、「SPRING ARRAY CONNECTOR」と称する、米国特許第5,299,939 号（Walkerその他、９４年／４月、ＵＳ分類439/74）に見出すことができ、これには、大幅な水平方向の弾性により、独立に曲げ可能なばねが開示され、これらには、シート状及びワイヤ形状の正弦波、螺旋、片持ち梁、及び座屈梁形状が含まれる。それにより、形成されたコネクタは、製造公差、位置合わせ公差、及び熱機械的膨張を含む偏差に対して補償を与えるために、大幅なコンプライアンスをもたらす。ばねコネクタの製造は、一般に次のように進行する。３次元心棒が、ばね（１２）の内部表面形状を規定する。絶縁層（５０）が、ばね（１２）上に施される。導電層（１４）が、所定の位置において、絶縁層上に施される。複数のばね（１２）が、容易に堆積可能である、復元性のある材料のユニット式シート層として形成され、これは、ニッケル９６％−リン４％、及びニッケル９７％−コバルト３％等である。心棒は、ばね層（３８）の堆積後に除去される。代替として、心棒は、「ロストワックス鋳造」の技術分野で知られるような「犠牲」とすることもできる。ばね層として復元性のあるワイヤを用いること（例えば、シートを用いることの代替例として）が、論じられており、これには、ワイヤ（２０４）が含まれ、これが絶縁層（２１）で覆われ、次にこれが区画された導電層（２１２）で覆われ、次にこれが外側の絶縁層（２１４）で覆われる。最終のばねコネクタは、（取付に対して）接触をなすことを主に（唯一ではないとしても）目指すものである。この特許にうまく記載されているのは、以下のことである。
「２つの型式の電気的接続の間で識別をなす必要がある。すなわち、取付と接触である。取付は、比較的永久的な接続であり、通常、半田、微細ろう接、又は微細溶着接続といった、耐久性のある金属接続を伴う。接触は、比較的一時的な接続であり、耐久性のある金属接続は存在せず、通常圧縮力に依存して、嵌合導体間に区画された接続を含む。」復元性の接続をなすことにおける他の例示的な努力は、「METHOD OF FABRICATING AN ARRAY OF FLEXIBLE METAL INTERCONNECTS FOR COUPLING MICROELECTRONIC COMPONENTS」と称する、米国特許第4,067,104 号（Tracy 、７８年／１月、ＵＳ分類29/626）に見出すことができる。この特許には、半導体といった能動素子上に、インジウムの幾つかの層といった円筒形支柱のアレイを製造することが開示されており、支柱は、差分熱膨張を吸収するように撓むことができる。
米国特許第4,793,814 号（Zifcakその他、８８年／１２月、ＵＳ分類439/66）、名称「ELECTRICAL CIRCUIT BOARD INTERCONNECT 」には、対向した第１と第２の回路基板の対応する接触パッド間に電気的相互接続を与えるためのコネクタ配列が開示されており、復元性のある弾性材料を含む非導電性の支持部材が含まれる。導電性の相互接続要素が、支持部材の厚さを介して延伸し、対応する接触パッドを係合すべく配設された１対のパッド係合を有する。
米国特許第4,330,165 号（Sado、８２年／５月、ＵＳ分類339/59）、名称「PRESS-CONTACT TYPE INTERCONNECTIONS 」には、ゴム状エラストマー製の伸長したロッド部材（１）、ロッド部材（１）内に埋設された複数の直線導電本体（２）、及びロッド部材（１）の横表面にボンディングされた２つのシート部材（３、３）からなる相互コネクタが開示されている。直線本体（２）の端部は、相互コネクタが間に挟まれるように実装されることになる回路基板と接触する表面を形成する対向表面、すなわち上部表面と下部表面に見えている。直線導電本体（２）は各々、例えば金属のリボンである。
米国特許第4,295,700 号（Sado、８１年／１０月、ＵＳ分類339/61）、名称「INTERCONNECTORS 」には、弾性材料のシート又はフィルム製の矩形接続片を有する圧接式の相互コネクタが開示され、これは、交互の導電弾性材料と電気絶縁材料からなるアセンブリであるため、矩形片は全体として、複数の導電経路（すなわち、導電ストライプ）を有する。矩形接続片は、絶縁材料製の２つの保持部材間に挟まれる。
米国特許第3,795,037 号（Luttmer 、７４年／５月、ＵＳ分類29/628）、名称「ELECTRICAL CONNECTOR DEVICES」には、弾性絶縁材料のブロック内に埋設されその表面間で延伸する、複数の湾曲伸長柔軟導体が開示されている。代表的な柔軟導体は、例えば、リン青銅等の任意の適切な導電性で復元性のある材料から形成され、２５ミクロン（μｍ）程度の代表的な断面寸法を有し、２ｍｍ（ミリメートル）の自由長を有することができる。
米国特許第5,067,007 号（Kanji その他、９１年／１１月、ＵＳ分類357/54）、名称「SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LEADS FOR MOUNTING TO A SURFACE OF APRINTED CIRCUIT BOARD」には、パッケージを配線表面に実装する場合に、軸方向から荷重を受けるリードピンが、接合部での接合強度よりも小さい曲げ強度を呈示するように、表面実装型のパッケージの信頼性を改善する旨が開示されている。この目的を達成するために、リードピンは、繊維強化材料、変態疑似弾性材料、超高張力材料、又は耐熱超高張力材料といった、大きな復元性を有する材料から製作される。この特許は又、ピン・グリッド・アレイ（ＰＧＡ）パッケージの場合に、ピンの全てが、必ずしも同じ長さとはならず、その結果、ピンの幾つかはパッド（例えば、試験基板上の）に接触しない、という問題も指摘している。この特許の図７Ａ及び７Ｂは、特に関心があり、そこで、ピン（２０）は特定の形状を有し、特定の材料から形成される。ピン（２０）は、１５×１０１０Ｐａよりも小さいヤング率を有する材料から製作され、軸（直線）方向からの変位が、ピンの径の１／２よりも大きくなるように、円弧形状に湾曲した中央部を有する。ヤング率基準を満足する材料の例として、高純度銅（Ｃｕ）、高純度鉄（Ｆｅ）、高純度ニッケル（Ｎｉ）、銅合金、及び結合材料としての銅等の軟質材料で束ねられた、糸状の（原文では、stringly）復元性のある微細ワイヤからなる複合ワイヤがある。かかる形状、及びかかる材料から形成されると、ピンの変形強度（降伏強度）は、ろう接材料（１２、ピンをパッケージに対して保持する）、又は半田（１３、ピンをＰＣＢに接続する）のいずれかの接合強度よりも小さくなる。熱的又は機械的応力がピンに及ぼされると、それらは、応力を低減するように弾性変形を被る。図１Ｄに示され、またそれと関連して説明される代表的な実施例において、タングステン（Ｗ）モリブデン、炭素非晶質金属、及び大きな復元性を有する微細ワイヤが記載されている。微細ワイヤは、複合ワイヤ（１１Ａ）とすることができ、これは、結合材料としての銅等の軟質材料で、互いに束ねられる。複合ワイヤは、金（Ａｕ）又は金／ニッケルからなるメッキ（１１Ｂ）を有する。金は、上で説明したように、非常に軟質であり、本質的に復元性がない。この特許で特に述べられているように、「メッキの厚さは非常に小さいので、曲げ強度［複合ワイヤ１１Ａの］への影響は無視できる。メッキは、容易な半田付けの目的のために施され、具体的には（原文では、concretely）、ニッケルの場合１から４μｍ、金の場合０．１から１μｍの厚さを有する。」（第７−８欄にまたがる段落を参照）米国特許第5,366,380 号（Reymond 、９４年／１１月、ＵＳ分類439/66）、名称「SPRING BIASED TAPERED CONTACT ELEMENTS FOR ELECTRICAL CONNECTORS ANDINTEGRATED CIRCUIT PACKAGES」には、集積回路パッケージ（ＩＣＰ）の電気コネクタ用の接触要素が開示されており、これは、表面実装用途に特に有用である。接触要素は、基底部と、少なくとも部分的に螺旋状のばね要素を有するばね部と、偏倚方式で穴の導電リムと嵌合する傾斜付き接触部を有し、薄い壁付きけがき部品、又はモジュール部品の型抜き、圧延、及び／又は成形作業により、平坦なシートから製造可能である。接触要素は、押し下げ機構により圧縮状態に維持される。接触要素は、位置合わせ、圧縮制限、接触支持、及び取付治具等の機能を与える、絶縁ハウジング、及び／又はスペーサと関連づけることができる。
米国特許第4,764,848 号（Simpson 、８８年／８月、ＵＳ分類361/408 ）、名称「SURFACE MOUTED ARRAY STRAIN RELIEF DEVICE 」には、集積回路チップ、又は同様の電子コンポーネント、或いは素子（１８）が実装される基板内のピンホールを介して延伸する、比較的薄いピン状の電気導体（２２）からなる「根元」を実装する旨が開示されている。ピン（２２）は、銅等の導電材料から製造され、各ピンは、その根元とその先端の間に、ピンの先端が表面に接続される際に張力逃がしを行うために、少なくとも２つの曲げを有する。
米国特許第5,317,479 号（Pai その他、９４年／５月、ＵＳ分類361/773 ）、名称「PLATED COMPLIANT LEAD 」には、回路基板上の基板接触子と、回路チップと関連したチップ接触子との間で、機械的及び電気的な接続をもたらす、湾曲リードが開示されている。湾曲リードは、半田で実質的に全体にメッキされて、単片の導電材料から形成される。一般に、湾曲リードは、２つの平行な表面を有し、その一方は、チップ接触子と接続するためで、もう一方は、基板接触子と接続するためであり、それらの間に少なくとも１つの湾曲部がある。リードは、材料の薄いストリップから形成されるのが好ましく、例えば０．０１８インチの幅、０．０７０インチの全体（例えば、曲げに先立った）長とすることができ、０．００３−０．００５インチ厚の厚い銅ベリリウム・コバルト合金からも好適に形成される。リードは、過剰な半田がリードの所望のコンプライアンスに干渉しないように、注意深く制御される仕方で、半田で被覆される。
米国特許第4,989,069 号（Hawkins 、９１年／１月、ＵＳ分類357/74）、名称「SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING LEADS THAT BREAK-AWAY FROM SUPPORTS」には、半導体パッケージと、パッケージが実装される印刷回路その他との熱膨張係数の違いが原因である応力を低減する、柔軟な金属リード（２６）を有する応力緩衝フレーム（１６）が開示されている。リードは、本質的に平坦なリボン状リードであり、これらは、緩衝フレームから離れて延伸するように曲げられ、次に、緩衝フレームと平行な一部（３２）を有するようにやはり曲げられる。ニッケル／鉄合金が、フレーム（及び、そのリード）用の材料として記載されている。
電気的接続にある程度のコンプライアンスをもたせる１つの理由は、熱サイクルに起因して生じる応力を吸収するためである。一般に、半導体素子（ダイ）が動作する際に、それは熱を発生する。これによって、ダイが膨張せしめられるが、それは、多くの場合ダイが実装されるパッケージとは異なる割合であり、同様にパッケージとダイの間の電気的接続とは異なる割合である。（ダイにより発生された熱が、ダイの至る所でかなり一様であると仮定すると、ダイは、その重心又は対称の中心のまわりで膨張する傾向となる。）これは、表面実装ダイの場合も同様であり、ダイは、それが実装される基板（及び、ダイと基板の間の電気的接続）とは異なる割合で膨張する。ダイとそれを取り囲む要素（例えば、パッケージ、基板、電気的接続子）との間の熱膨張係数の差が、結果として機械的な応力となる。一般に、かかる熱誘起の機械的応力を考慮する、又は低減することが望ましい。例えば、米国特許第4,777,564 号（Derfiny その他、８８年／１０月、ＵＳ分類361/405 ）、名称「LEADFORM FOR USE WITH SURFACE MOUNTED COMPONENTS」には、電子コンポーネントから延伸して、熱サイクルに起因した応力関連の欠陥に対して高い耐性のある印刷基板に接続する。
米国特許第5,086,337 号（Noroその他、９２年／２月、ＵＳ分類357/79）、名称「CONNECTING STRUCTURE OF ELECTRONIC PART AND ELECTRONIC DEVICE USINGTHE STRUCTURE 」には、ＬＳＩチップ（大規模集積度の半導体ダイ）と配線基板の間の接合部において、特定の（ｚ）方向に変形性（自由度）及び「柔軟性」（ばね特性）を有することが望ましい旨の記載がある。（例えば、第４欄の５０−５５行を参照）この特許は、ＬＳＩ等の電子部品を、水平方向（例えば、チップの平面）の熱膨張と、垂直（ｚ軸）方向の可能な変位との差の吸収機能を有する、配線基板等の基板に電気的に接続するための接続構造を開示している。接続構造の代表的な実施例は、図２（ａ）、２（ｂ）及び２（ｃ）に示され、そこで、接続構造は、平坦な渦巻きばねの形態をとり、その平坦な渦巻きばねの一方の端部は、一方の電子コンポーネントに接続され、その平坦な渦巻きばねの他方の端部は、他方の電子コンポーネントに接続される。これによって、２つのコンポーネントがｚ軸方向に変位すると共に、それらの間の接続を維持することが可能になる。平坦な渦巻きばねコネクタは、一般に、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ「サンドイッチ」として形成され、これは、アニール処理されＡｕで被覆されて、その半田湿潤性が改善される（Ｃｒは、Ａｕと比較して、比較的非湿潤性である）。 米国特許第4,893,172 号（Matsumoto その他、９０年／１月、ＵＳ分類357/79）、名称「CONNECTING STRUCTURE FOR ELECTRONIC PART AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 」も参照されたい。（ここで留意されたいのは、本特許出願において、「柔軟性」という用語は、一般に可塑性と関連し、また「復元性」という用語は、一般に弾性と関連するということである。）一般的な提案として、半導体ダイ以外の電子コンポーネント上に、復元性のある接触構造を製造するほうがずっと簡単であり、これは半導体ダイの脆弱性（デリケートな性質）に起因する。これによって、「受動」電子コンポーネントの開発の要因となっており、それらは、内部に取り込まれた復元性のある接触構造を有し、使用時には、対応する接触パッドを有する２つの電子コンポーネント間に配設（すなわち、介挿）される。
米国特許第4,642,889 号（Grabbe、８７年／２月、ＵＳ分類29/840）、名称「COMPLIANT INTERCONNECTION AND METHOD THEREFOR 」には、回路基板上の導電ストリップと表面実装素子上に含まれるパッドとの間に配設された相互接続領域に表面実装される素子と、回路基板との間に、相互接続領域を有する介在体を配置する旨が開示されている。介在体の相互接続領域は、その内部に配設され、フラックス及び半田を有する複数の微細ワイヤを有する。熱膨張係数の不整合（「ポテトチップ化」）を補償するのに、相当なコンプライアンスが利用可能となるように、高い半田受け台を有することが望ましい旨の開示があり、それと共に、かかる高い半田受け台を介在体内に実施することが望ましい旨の開示もある。
米国特許第3,509,270 号（Dubeその他、７０年／４月、ＵＳ分類29/625）、名称「INTERCONNECTION FOR PRINTED CIRCUITS AND METHOD OF MAKING SAME」には、貫通する開口（４）を有し、その内部に圧縮ばね（６）が挿入された、絶縁本体（２）が開示されている。絶縁本体は、ばねがその開口内に挿入され、開口から外に延伸するが、その絶縁本体は、２つの導電回路部材（８、１０）間に挟まれ、これらの部材は、樹脂層（１２）により絶縁本体に接着される。ばねは、プラチナ、銀、銅及び亜鉛を含有する金合金から製作されるという開示があり、それらばねには、半田のコーティングを施すことができる。
米国特許第3,616,532 号（Beck、７１年／１１月、ＵＳ分類174/68.5）、名称「MULTILAYER PRINTED CIRCUIT ELECTRICAL INTERCONNECTION DEVICE」には、同様の（Dubeその他と）相互接続配列が開示されており、そこで、コイルばねが、溶融半田のポット内へと圧縮及び挿入され、それに続いてポットから引き出されて、半田が硬化し、それにより、圧縮ばねのコイルを、ばねの復元力に対抗して互いに緊密に保持することが可能になる。これらの圧縮されたばねは次に、２つの印刷回路基板（１０、１２）間に配設される介在体層２４の開口内へと挿入される。このアセンブリ（基板、予備圧縮されたばねを備える介在体、基板）は、ばねのコイルの半田保持が再び液化して、ばね張力が解放されるように加熱される。従って、ばねは、膨張して、隣接する印刷回路レベル（基板）間に接触を確立することが可能となる。
米国特許第4,667,219 号（Lee その他、８７年／５月、ＵＳ分類357/68）、名称「SEMICONDUCTOR CHIP INTERFACE」には、接触子（４４、４６、４８）のアレイを有する半導体チップ（１８）の直下に配設された複数の開口（８２）を有するコネクタプレート（８０）が開示されている。プレートの開口は、チップの接触子と位置合わせされる。複数の柔軟な導体（図８にＳ字形状銅ワイヤ８４として記載）が、コネクタプレートの対応する開口を介して延伸して、チップ接触子と、コネクタプレートの下に配設された端子（伝達要素６４、６７、７２）に接続される（例えば、半田付けされる）。このようにして、チップ上の各接触子は、端子のうちの対応する端子に、柔軟、且つ電気的に結合される。
米国特許第4,705,205 号（Allen その他、８７年／１１月、ＵＳ分類228/180）、名称「CHIP CARRIER MOUNTING DEVICE」には、「相互接続荒成形品配置装置」（「介在体」としても知られる）が記載されている。この特許の図１１Ａ−１１Ｃ、１２及び１３には、Ｓ字形状（図１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）、又はＣ字形状（図１２）、或いはコイル化ばね構成（図１３）を有する、各種の半田「荒成形品」が記載されている。荒成形品は、支持（「ホルダ」、「保持」）層（例えば、図１１Ａの５０及び５２）を介した開口（穴）内に配設される。Ｃ字形状の荒成形品は、支持層のエッジのまわりに配設される。荒成形品は、「充填半田配合材」（離散粒子又はフィラメントの充填剤を含有する半田）、又は「支持半田」（半田荒成形品形状の外側まわりに配設される支持ストランド又はテープにより支持された半田）であり、これは、半田溶融又はリフローに基づいて、その形状を保持する。例えば、充填半田配合材内の粒子は、半田の融点よりも高い融点を有すべきである。銅、ニッケル、鉄、及び金属被覆高温ポリマー又はガラスといった充填材料が開示され、述べられているように、各荒成形品内に単一ストランド又は多数ストランドを有する、離散粒子（例えば、粉体）又は連続長の形態をとることができる。
上述のように、電子コンポーネントは、印刷配線基板（ＰＷＢ）としても知られる印刷回路基板（ＰＣＢ）に接続されることが多い。印刷回路基板（ＰＣＢ）技法は、十分に開発されており、一般に、絶縁基板上に導電トレースを形成して、ＰＣＢに実装又は差し込まれる電子コンポーネント間に多くの場合複雑な相互接続をもたらすことを伴う。基板の両面に導電トレースを有するＰＣＢだけでなく、交互の絶縁層と導電層からなる多層配列も知られている。更に、ＰＣＢ内で層間接続をもたらすことも、一般に周知のところである。ＰＣＢ技法の更に広範な説明は、本明細書に参照として取り込むが、「宇宙技術における印刷回路（Printed Circuits in Space Technology）」（１９６２年、Linden著、Prentice-Hall Inc.刊）に見出すことができる。明確に理解されたいのは、ＰＣＢ基板を記載する以下で説明する実施例のいずれにおいても、これらの基板が、「伝統的な」印刷回路基板材料以外の材料から形成できる、ということである。例えば、「ＰＣＢ」基板は、ポリイミド等のプラスチック材料の１つ以上の層から形成でき、任意的に、それらの間に導電箔の層を備えることも知られている。「回路化」という用語も、以下で見られ、これは、ＰＣＢ基板上に存在する、導電パターンその他のことを言う。
米国特許第4,532,152 号（Elarde、８５年／７月、ＵＳ分類427/96）、名称「FABRICATION OF A PRINTED CIRCUIT BOARD WITH METAL-FILLED CHANNELS 」には、チャンネルのパターンを、その両側の少なくとも一方に設けて、所定の組の導電経路を規定するために、射出成型されるプラスチック基板が開示されている。フレーム噴霧、無電解メッキ、電解メッキ、気体メッキ、又は真空蒸着により、基板を金属化することが開示されている。基板（例えば、図１２の２０）には、メッキされたスルーホール（５８）が設けられ、これにより、電子コンポーネントを、印刷回路基板の一方の面に実装して、印刷回路基板の他方の面上の導電経路と電気的に相互接続することが可能になる。この特許は、単に、メッキされたスルーホールの例示として挙げる。
一般に、電子コンポーネント間に電気的接続をもたらすための上述した技法の各々は、それ自体の「方法体系」を必要とし、換言すると、その各々は、それ自体特異な型式（例えば、ボンディングワイヤ、ピン、等）の接続構造を必要とする。
更に、上述した技法の各々は、固有の制限を被る。例えば、第２の電子コンポーネントに対して永久的に接続される第１の電子コンポーネントを置き換えるには、通常、第２の電子コンポーネントから第１の電子コンポーネントの半田付けを注意深く除去し、次に、置き換えの第１の電子コンポーネントを、第２の電子コンポーネントに注意深く半田付けすることが必要である。ソケットは、この問題に対処するが、これにより、（しばしば受け入れ難い）コストがシステム全体に加わる。更に、ソケット化は、半田付け接続と対照的に、低質の接続信頼性を呈示する傾向がある。第１の電子コンポーネントに半田ボールを設け、第２の電子コンポーネントに導電パッドを設けるという上述の技法等の表面実装技法は、信頼性の良い結果を出すために注意深く制御された工程を必要とし、分解（電子コンポーネントの一方の置き換え）にはあまり向いていない。
電子コンポーネント間で接続をなすのに金を用いるという流行に目を向けると、金は卓越した導電性を示すが、幾つかの欠点を被り、そのことは本発明と関連性がある。例えば、金は非常に低い降伏強度を有し、その特徴によって、復元性のある接触構造に（又は、接触構造として）金ワイヤを使用することが、極端に直感的でなくなる。簡単に言えば、物理的に応力が加わると、金（例えば、金ワイヤ）は、変形して、その変形構成を保持する傾向となる。これは、「可塑的変形」と呼ばれる。
相互接続媒体として金ワイヤを用いることの他の欠点は、半田、すなわち一般的な鉛−スズ半田のスズ含有量と反応する、金の癖にある。この事実にもかかわらず、幾つかの「共晶」材料、例えば金−スズ材料が知られており、これらは、望ましい相互接続特性を示す傾向がある。共晶材料、及びそれらの特性を、以下で更に詳細に説明する。
本発明の一般的な目的は、電子コンポーネント、特に超小型電子コンポーネントを相互接続するための改善された技法を提供することである。
本発明の他の目的は、電子コンポーネント、特に半導体ダイに接触構造を実装するための改善された技法を提供することである。
本発明の他の目的は、復元性のある接触構造を製造するための改善された技法を提供することである。
本発明の他の目的は、電子アセンブリを製作するための改善された技法を提供することである。
本発明の他の目的は、ボンディングワイヤを切断する際の改善を含む、電子コンポーネントにワイヤボンディング接続をなすための改善された技法を提供することである。
本発明の他の目的は、対象物をメッキするための改善された技法を提供することである。
本発明によれば、柔軟な伸長要素（金ワイヤ等の）が、電子コンポーネント（半導体ダイ、印刷回路基板、又は半導体パッケージ等の）上の接触領域（端子、又はパッド等の）に実装されて、弾性のある形状（少なくとも１つの曲げを有する「ワイヤステム」等の）を有するように構成される。
伸長要素は、後続の「上部構造」（保護膜）に対する「足場」として機能し、上部構造は足場にわたって製造される。上部構造は、足場にわたって（又は、以前に施された上部構造層にわたって）メッキ等により施される少なくとも１つの層を含み、足場だけでなく、基板上の接触領域の残りの領域も覆う。上部構造（保護膜）は、接触領域及びワイヤステムを覆う連続構造である。
それによって、最終の復元性のある、及び／又は従順な（弾性のある）接触構造が形成され、これは、電子コンポーネントに確実に実装されて、他の電子コンポーネントに対して、その電子コンポーネントの一時的、及び／又は永久的な接続をもたらすために利用できるか、又は他の電子コンポーネントに対して、その電子コンポーネントの永久的な（例えば、半田付け）接続をもたらすために利用できる。
一般に、本明細書で用いるコンプライアンスとは、復元性（弾性的変形）、及び柔軟性（可塑的変形）の意味を含む。ある例の場合、可塑的変形と弾性的変形の両方が望まれる。他の例（プローブに対して用いられる接触構造等）の場合、弾性的変形のみが望まれるが、幾らかの可塑性も許容できる。他の例の場合、純粋な可塑変形を示す本当のばねは、望ましくない。というのは、それらは、それらが実装される基板に、あまりにも高い荷重を課すためである。他の例（介在体上の接触構造等）の場合、純粋な可塑性が、非平面性を吸収するために望まれる。本発明によって、接触構造の可塑変形と弾性変形を、それが意図する用途（例えば、荷重条件）に合わせることが可能になる。
本発明の１つの態様によれば、上部構造の製造が完了すると、ステムはあまり目的を果たさない。その点が納得がいくのは、本発明の幾つかの実施例において、最終の復元性のある接触構造の構造的、及び電気的特性を大幅に落とすことなく、上部構造の製造後に、ステムを部分的又は完全に除去可能である、という事実による。更に、以下で更に詳細に説明するが、ステムは導電性である必要はない。一般に、保護膜が施されると、ステムは（除去しないとしても）、復元性のある接触構造の機械的特性に、ほとんど又は何の構造的影響も与えないことになる。
本明細書に開示する本発明の実施例の大部分において、ステムは、弾性のある形状を有するため、「手始めの」復元性のある構造として機能できる。しかし、本明細書に開示する幾つかの実施例の場合、ステムは、単に真っ直ぐに形成され、すなわち、これら幾つかの実施例では、ステムを問題としない。
本発明の代表的な実施例の場合、足場（ワイヤステム）は、０．０００７−０．００２０インチ（０．７−２．０ミル）の範囲の直径を有する金ワイヤであり、上部構造（保護膜）は、０．０００１−０．０１００インチ（０．１−１０．０ミル）の範囲の厚さを有するニッケルメッキである。
本発明の１つの態様によれば、複数の復元性のある接触構造が、複数の接触領域を有する電子コンポーネントに実装される。例えば、最大で数百の復元性のある接触構造が、最大で数百の接着パッド、又はパッケージパッドを有する、それぞれ、半導体ダイ、又は半導体パッケージに実装可能である。
本発明の１つの態様によれば、複数の復元性のある接触構造が、１つ以上の電子コンポーネント上の異なる段階での接触パッドから開始可能であり、また、それら全てが共通の平面で終端するように製造可能であり、これは、平坦表面を有する他の電子コンポーネントに接続するためである。
本発明の１つの態様によれば、２つ以上の復元性のある接触構造が、電子コンポーネントの単一の接触領域上に製造可能である。
本発明の１つの態様によれば、復元性のある接触構造の第１のグループが、電子コンポーネント（介在体基板等の）の第１の面上に製造可能であり、復元性のある接触構造の第２のグループが、介在体基板の第２の対向した面上に製造可能であり、これは、介在体基板がそれらの間に配設される２つの電子コンポーネント間に、電気的相互接続をもたらすためである。
代替として、復元性のある接触構造の両方のグループが、介在体基板の同一面から開始可能であり、一方のグループは、介在体基板内の開口を介して延伸して、介在体基板の対向面から突出できる。
代替として、復元性のある接触構造が、支持部材を介して延伸するスルーホール内に形成可能であり、復元性のある接触構造は、支持部材の対向表面を越えて延伸して、支持部材の対向表面に対して配設された電子コンポーネントに接触する。
本発明の１つの態様によれば、ワイヤボンディングの際の幾つかの改善点が開示され、それには例えば、ワイヤボンディング装置の毛細管からワイヤを繰り出す間、超音波エネルギーを供給する点、また例えば、電子的火炎射出（ＥＦＯ）技法によりワイヤを切断する間、紫外光を供給する点などがある。
本発明の１つの態様によれば、「慣用的な」ワイヤボンディング（半導体ダイ上の接着パッドとリードフレームフィンガの間で延伸するボンディングワイヤ等）の堅牢性（安定性）が、ボンディングワイヤに上部構造で保護膜生成することにより、改善可能である。これは、例えば、パッケージ本体のトランスファー成形時に、隣接したワイヤの短絡を回避するうえで重要である。
本明細書で説明する多数の代替実施例にもかかわらず、概ね、ワイヤは、一端において、端子、パッド、その他にボンディングされ、弾力のある形状を有するように構成され、自立型のワイヤステムとなるように切断される。これは、ワイヤボンディング装置により適切に実行される。ワイヤ自体は、慣用的な金のボンディングワイヤとすることもできるが、ばねとして機能しない。その成形（例えば、Ｓ字形状に）し易さは、一般に、ばねとして機能するその能力とは反対である。
自立型のワイヤステムには、導電性金属材料で保護膜（例えば、メッキ）が施され、これは、以下の２つの主要目的を果たす。
（ａ）それは、最終の保護膜付きワイヤステム（接触構造）がばねとして挙動できるように、ニッケル等の弾性（復元性）のある材料であり、 （ｂ）それは、端子（又は、パッド、その他）を覆って、ワイヤステム（及び、復元性のある接触構造）を端子に確実に固定する。
本明細書に開示する実施例の大部分において、所望の電気的な相互接続をもたらすのは、保護膜材料である。しかし、幾つかの実施例の場合、ワイヤステムは、接触構造の先端（遠位端）において露出されて、電気的な相互接続をもたらす（又は、増強する）。
本発明の技法に従って製造される接触構造に対する各種の用途を説明するが、これらには、接触構造を半導体ダイ、パッケージ、ＰＣＢ、等に実装することが含まれる。復元性のある接触構造を、プローブとして利用することも説明する。犠牲要素（又は、部材、構造）にワイヤステムをボンディングすることも説明する。ワイヤステムにわたった多層コーティングも説明する。
本発明の多数の追加の特徴、及び実施例を以下に記載するが、理解されたいのは、幾つかの実施例に関連して説明する幾つかの特徴は、それら幾つかの実施例に必ずしも限定されない、ということである。本発明の利点には、限定ではないが、以下の点が含まれる。
（ａ）復元性のある、及び／又は従順な接触構造が、半導体ウェーハからダイを切り離す前か、又は半導体ウェーハからダイを切り離した後に、半導体ダイに直接実装可能である。
（ｂ）復元性のある接触構造が、電子コンポーネントのエージング及び試験といった手順のために、電子コンポーネントに対して一時的に接続するのに利用可能であり、同じ復元性のある接触構造が、電子コンポーネントに対して永久的に接続するのに利用可能である。
本発明の他の目的、特徴、及び利点は、本発明の以下の詳細な説明に鑑みて明らかになるであろう。
次に、本発明の好適な実施例を詳細に説明するが、当該実施例は、添付図面に示されている。これら好適な実施例に関連して、本発明を説明するが、理解されたいのは、これら特定の実施例に、本発明の精神及び範囲を限定することは意図しない、ということである。
本明細書に提示する側面図において、側面図の多くの部分は、例示の明瞭化のために断面で提示している。例えば、図面の多くの場合、ワイヤステムは太線で完全に示され、一方保護膜は、本当の断面（網掛けがない場合が多い）で示される。
本明細書に提示する図において、幾つかの要素の寸法は、例示の明瞭化のために、誇張（図の他の要素と同じ状況で、縮尺があっていないように）してある場合が多い。
本明細書に提示する図において、要素は、多くの場合「接頭辞」として図面番号が付され、「接尾辞」は多くの場合、同様の要素（例えば、図１の要素１０８は、図２の要素２０８と同じく、また図８Ａの要素８０８と同じく基板である）を参照するものである。
参照として本明細書に取り込む上述の事例１には、各種各様の電子コンポーネント上に、精密形状及び幾何配置の隆起した（突起した）復元性のある電気的な接触子を製造するための方法が開示されており、前記接触子は、物理的、冶金的及び機械的特性からなる制御された組を有して、電子的相互接続応用の各種の態様において、電気的、熱的又は幾何配置的要求を満足する。
一般に、多数ステップ工程が記載されており、そこで、（ａ）ワイヤステムが、１つの電子コンポーネントの端子上に作り出され、（ｂ）ワイヤステムは、３次元空間で成形されて、復元性のある接触構造の骨格が規定され、（ｃ）ワイヤステムは、骨格及び端子を包み込む、又はそれらに覆いを付ける（部分的に包み込む）コーティングにより、少なくとも１つの堆積工程で被覆が施される。共通のコーティングは、突出する接触構造を端子に「固定」するのに役立つだけでなく、（１）嵌合する電子コンポーネントとの係合接触の長期安定性に関する、突起接触子の特性を与え、（２）アセンブリの半田付け特性と共に、半田での接触による長期効果を決定し、（３）最終の突起接触構造の機械的特性をも決定する。
一般に、ワイヤは、最終の突起接触子（すなわち、「初期の」復元性のある接触子）の「骨格」として機能し、コーティングは、その「筋肉」として機能する。換言すると、ワイヤ（成形される）は、復元性のある接触子に対する形状を規定し、ワイヤにわたるコーティングは、求められる復元（及び、導電）特性を接触子に付与する。これに関して、コーティングは、接触子の主要な構造的要素であると見なされ、この目的のために、厚さ、降伏強度、及び弾性率の所定の組合せを有して、最終のばね接触子の所定の力対偏向特性を保証する。コーティングの重要な特徴は、それが連続であるという点にある。複数（２つ等）のワイヤステムを使用して、復元性のある接触子に対する骨格を作り出すことも記載されている。
事例１には、復元性のある接触構造を、各種の電子コンポーネントに実装する旨の開示があり、これらには、（ａ）セラミック、及びプラスチック半導体パッケージ、（ｂ）積層印刷回路基板（ＰＣＢ）、テフロン（登録商標）（ｔｍ）ベースの回路基板、多層セラミック基板、シリコンベースの基板、及び当業者には周知の電子システムの集積用の他の基板、（ｃ）シリコン、及びガリウム・ヒ素素子等の半導体素子、及び （ｄ）抵抗及びコンデンサ等の受動素子、が含まれる。すなわち、事例１は、以下のワイヤ材料及び寸法を開示している。
（ａ）ベリリウム、カドミウム又はマグネシウムで合金化（又は、ドーピング）された、金、アルミニウム又は銅、（ｂ）半田、特に鉛−スズ半田ワイヤ（ｃ）銀とプラチナの合金、（ｄ）０．０００５インチと０．００５０インチの間の範囲の寸法である。
事例１は、以下のワイヤボンディング装置、及び技法を使用することを開示している。すなわち、（ａ）ボール及びくさび、（ｂ）くさびとくさび、（ｃ）ボンディングを形成するために、圧力、温度、又は超音波エネルギー、或いはそれらの組合せを印加すること、（ｄ）ワイヤステムの形状を設定するために、毛細管の動きを制御すること、（ｅ）ワイヤを切断するための共通のくさびボンディングステップを除外するために、ワイヤボンディング装置の制御システムのソフトウェアをプログラムすることであって、その代わり、ボールボンディングの前のボール形成に用いられる同じ電子又は水素火炎射出を使用して、ワイヤを所定の高さに切断すること、（ｆ）毛細管を所定位置にまで上に移動した後、電子的火炎射出（ＥＦＯ）電極を高電位状態にして、その結果、ワイヤステムを溶融及び切断するスパークを発生し、次のステムのボンディングステップに対して、ワイヤ（供給スプールからの）の送り端を準備することである。
本発明によれば、ワイヤステムを切断するために、任意の適切な手段を使用することができ、それには、（ａ）電子的火炎射出（ＥＦＯ）、（ｂ）ナイフ等の機械的手段、（ｃ）レーザ、（ｄ）水素トーチ、が含まれる。
事例１は、金ワイヤステム上に、第１の層としてスズを堆積し、それに続いて、金−スズ共晶体の溶融温度よりも低い温度で、金とスズを反応させることを開示している。結果として、金−スズ合金となり、これは（純粋な）金よりも大幅に強い。
事例１は、以下のコーティング材料及び寸法を開示している。すなわち、（ａ）ニッケル、銅、コバルト、鉄、及びそれらの合金、（ｂ）金、銀、ロジウム、ルテニウム・銅、プラチナ群の元素、及びそれらの合金からなる群から選択された、貴又は半貴金属、（ｃ）ロジウム、ルテニウム、又はプラチナ群の他の元素、及びそれらと金、銀、及び銅との合金、（ｄ）タングステン、（ｅ）０．００００３インチと０．００７００インチ間の厚さである。
本発明によれば、パラジウムも適したコーティング材料である。
事例１は、以下のコーティング工程を開示している。
（ａ）湿式電気化学法、例えば骨格の、及び端子上の材料の電解又は無電解水溶液メッキ、（ｂ）ニッケル及びその合金からのニッケルの電気メッキ（平方インチ当たり８０，０００ポンドを越える引張り強度）、（ｃ）ウェーブ半田、又は電解堆積半田、（ｄ）物理気相成長法（ＰＶＤ）及び化学気相成長法（ＣＶＤ）、またガス状液体又は固体先行核の各種の分解による、導電性コーティングの堆積である。
事例１は、ワイヤステムにわたって、多層コーティングを施すことを開示している。例えば、（ａ）金、銀、プラチナ群の要素、及びそれらの合金等の貴又は半貴コーティング層を備えた、保護膜ニッケル（酸化する強い傾向がある）、（ｂ）所与の用途に対して、突起接触子の性質を合わせるように、コーティングの多層を選択することである。
事例１は、ワイヤステム（骨格）に、局所的な突起を有するばねコーティングで保護膜を施すことが可能である旨を開示している。かかるコーティングは、電気メッキ堆積物の樹枝成長により、又は異質粒子を導電堆積物内に取り込むことにより、生成可能である。代替として、規則正しい一様な第１の堆積層を施すことができ、それは復元特性を与え、それに続く上部堆積層が、局所的な突起又は粒子を取り込んで、導電性の保護膜が完成する。局所的な突起は、相互接続係合時に、嵌合端子上に復元性のある突起接触子により及ぼされる局所圧力を増大させ、また係合した端子の上にある、容易に不動態化する酸素物形成の材料に接触する際に、接触抵抗を低減する。
事例１には、復元性のある接触子の機械的強度における改善は、圧縮性の内部応力を有するコーティングが堆積される際に、達成可能であり、これは、最終の突起電気接触子を変形、又は破壊するのに必要な応力レベルを効果的に増大する旨の開示がある。コーティング内の圧縮性の内部応力によって、復元性のある接触子のばね特性が改善されると共に、その強度及び延性レベルにわたった制御が与えられる。
事例１は、共平面性を達成する旨の開示があり、それは以下のことに関連する。
（ａ）接触子の最上部点（遠位端）が、概ね等しい（電子コンポーネント上の接触子の全てに対して）垂直（電子コンポーネントの上の）座標へと延伸するように製作可能であり、（ｂ）接触子は、２つ以上の電子コンポーネントから開始可能であり、それらの遠位端は、他の平坦な電子コンポーネントに続いて接触させるために、共平面（全てが同じ垂直座標を有する）とすることが可能であり、（ｃ）接触子は、電子コンポーネントの異なる段階から開始可能であり、それらの遠位端は、共平面とすることが可能であり、（ｄ）接触子の先端（遠位端）の垂直座標は、ワイヤボンディング装置の制御システムにおいて実施されるソフトウェア・アルゴリズムにより、容易に制御される。
事例１には、ワイヤステムは、端子と犠牲層の間に渡すことが可能であり、該犠牲層は、ワイヤステムの電気メッキ等の工程のために、一時的に利用される旨の開示がある。
事例１には、制御された（例えば、高く）アスペクト比、及び形状を有する半田の支柱を形成可能である旨の開示がある。これに関連して、ワイヤステム（特に、金）と半田保護膜（特に、共晶に近い鉛−スズ等の鉛−スズ合金）の間に、１００−１０００マイクロインチ厚のニッケル合金の障壁層を施すことが、記載されている。かかる半田支柱は、突出しているが、復元性はない。半田支柱当たり多数（例えば、２つ）のワイヤステムを用いることが、湿潤のみ（１つのワイヤステムで）半田の橋渡しを生じさせるうえで利点があると記載されている。
事例１には、共通端子にワイヤステムの両端をボンディングするすることにより、「ループ」を形成可能であり、そのループを、半田支柱の骨格として使用可能である旨が開示されている。
事例１には、接触子の懸架（例えば、犠牲構成を用いることによる）が、結果として、試験、エージング、又はサービス時の取り外し可能な電子相互接続のために、コンポーネント又は基板上の嵌合端子との信頼性の良い係合を可能にする、制御された幾何配置のばね接触子の形成となる旨が開示されている。
事例１には、接触子が、プラスチック及びセラミックパッケージにピンを取り付けるための標準技法に対する「交換品」として使用可能である旨が開示されている。この有用性は、本発明の方法により製造されたピン形状の接触子は、パターン特定の工具又は型枠を必要としないという事実に起因する。
事例１には、骨格が、端子をフェンスボンディングし、次にボンディングされた領域内を半田で充填する際に、ループ形状のシーケンスとして形成可能である旨の開示がある。復元性はないが、これにより、ヒートシンク又は基板への熱相互接続のために、電子コンポーネント上に質量性の半田パッドが設けられる。
事例１に記載される発明は、保護膜生成されるボンディングワイヤの従来技術の技法から劇的に脱却したものであり、それは以下の点においてである。
（ａ）通常、従来技術の保護膜は、非導電性であり、及び／又は腐食からの保護を与えることに照準を当てたものであり、（ｂ）本発明の復元性のある接触子は、骨格（これは、本質的に復元性が無く、実際非導電性である）を成形し、次に、ばね（復元性のある）接触構造を得るために、骨格にばねコーティング（その外層は、導電性でなければならない）で保護膜を施すというステップを有利に組み合わせる。
事例１に開示される、復元性のある接触構造の利点の中には、（ａ）同じ接触構造が、電子コンポーネントの取り外し可能な、又は永久的な取付けのために利用可能である点、（ｂ）ばね（復元性のある）接触子が、基板と、端子の整合パターンを有するコンポーネントとの間の相互接続の標準手段として利用可能であり、また２つの（又は、それより多い）電子コンポーネントを相互接続するために、介在体構造として利用可能である点がある。
参照として本明細書に取り込む上述の事例２は、相互接続のための接触構造、介在体、半導体アセンブリ、それを製作する方法を開示している。一般に、この事例の開示は、復元性のある接触構造を製作する能力を問題にするかぎり、事例１の開示に「影響を及ぼさない」。
事例２には、復元性のある接触構造の多数の特定用途が開示され、こららには、各種の介在体実施例が含まれ、そこでは、（ａ）復元性のある接触構造が、メッキされたスルーホールにおいて、介在体基板の一方の側に実装され、復元性のある接触構造が、前記メッキされたスルーホールにおいて、介在体基板の他方の対向側に実装される。
（ｂ）復元性のある接触構造が、メッキされたスルーホールにおいて、介在体基板の一方の側に実装され、ループ化接触構造が、前記メッキされたスルーホールにおいて、介在体基板の他方の対向側に実装される。
（ｃ）復元性のある接触構造が、介在体基板の一方の側から上へと、メッキされたスルーホールを介して延伸する一方の部分を有し、また、介在体基板の直下へとスルーホールを介して延伸する他方の部分を有する。
（ｄ）成型されたプラスチック介在体基板には、基板の一方の側から基板内へと延伸する一方の組の穴と、基板の対向側から基板内へと延伸する他方の組の穴が設けられる。穴の各対は、互いから僅かにオフセットされる（偏心して）。穴は導電材料でメッキされる。オフセットのために、各穴は肩部（その下部に）を有し、そこから、従順な接触構造が形成できる。このようにして、第１の組の接触構造が、介在体基板の一方の側から外に延伸し、他の組の接触構造が、介在体基板の他方の側から外に延伸して、それら接触構造は、対応するスルーホールのメッキにより、互いに電気的に接続される。
事例２は、半田ポストを形成するために、単一の接触パッド上で間隔を開け、半田で保護膜生成された複数（３つ）の骨格構造からなる接触構造を形成することを開示している。
事例２は、複数（２又は３個）の復元性のある接触構造が、単一のパッド上に実装される、複合接触構造を製造することを開示しており、更に、複数の接触構造の端部を互いに半田で固定することを記載している。
事例２は、プローブとして機能可能である接触構造を形成することを開示しており、更に、遮蔽された接触子に制御されたインピーダンスを与えるために、金属層が上に配設される誘電体材料の層を含む、プローブ当て接触子を記載している。
事例２は、プローブ接触構造の自由端において、接触パッドを形成することを開示しており、そこで、接触パッドには、複数の鋭利な点が設けられ、またプローブ接触構造の自由端には、プローブ状先端が設けられる。
事例２には、半導体素子（電子コンポーネント）上に復元性のある接触構造を配設し、接触構造の先端が２列に位置合わせされ、各列における交互接触構造の最上部の先端が、他方の接触構造の最上部の先端からオフセットされて、３次元ファンアウトを可能にする千鳥配列を与える旨の開示がある。
事例２には、幾つかは大きい方の曲げを有し、他方は小さい方の曲げを有する異なる構成を有する接触構造を、電子コンポーネント上に配設する旨の開示がある。
事例２には更に、各「型式」の接触構造を対向方向で千鳥状にする旨の記載がある。エージング試験基板上の一致接触パッドを屈折可能に係合することにより、半導体素子のエージング、及び試験を実施するためのかかる構成の実用性が記載されている。位置合わせ又は整合ピンの利用も記載されている。接触構造が上に実装される半導体素子の接触パッド上に微細ピッチを有し、また接触構造の先端用の粗いピッチを有することの可能性が記載されている。
事例２は、多数の半導体パッケージアセンブリを開示しており、復元性のある接触構造が、２つの半導体素子の場合、印刷回路基板の両方の対向面に設けられる、１つ又は２つの半導体素子上に実装される。半導体素子を印刷回路基板に固定するために、ばねクリップとして、復元性のある接触構造を利用することが記載されている。メッキされたスルーホール内に、滑り嵌め（及び、取り外し可能に）挿入すべく、復元性のある接触構造を形成することが記載されている。整合ピンの利用も、半導体パッケージアセンブリに関連して記載されている。
事例２には、半導体パッケージアセンブリにおいて、印刷回路基板の大きなメッキ済みスルーホール内に、コンデンサといった追加のコンポーネントを組み込む旨の開示がある。
事例２には、半導体パッケージアセンブリにおいて、印刷回路基板に、コンデンサといった追加のコンポーネントを実装する旨の開示がある。
事例２には、復元性のある接触構造を使用する、多数の追加アセンブリの開示がある。
以下に続く説明には、本明細書で完全な開示を与えるという目的のために、事例１の開示と事例２の開示が幾分重なる（避けられず）ことになる。直ぐ次の項には、基板にワイヤをボンディングし、「弾力のある」（ばね材料で保護膜生成した場合に、ばねとして機能するのに適した）形状を有するように構成し、ワイヤステムとなるようにワイヤを切断し、基板に十分に固定される復元性のある接触構造を形成するために、ワイヤに保護膜を施すというステップの説明がある。
基板上の領域へのワイヤのボンディング 図１は、事例１の図１に類似しており、ワイヤボンディング装置（この図には示さず、完全なワイヤボンディング装置の例示は図２を参照されたい）の毛細管１０４（断面で示す）を介して送られるワイヤ１０２を示す。ワイヤ１０２は、スプール１０６から毛細管に送られる。毛細管１０４は、基板１０８の表面１０８ａに向けられるため、ワイヤ１０２の自由端１０２ａは、基板１０８の表面１０８ａに接触して、そこに、任意の適切な仕方でボンディングされる。基板の表面にワイヤの自由端をボンディングすることは、周知のところであり、更に詳細に述べる必要はない。
図１に示すように、ワイヤ１０２の自由端１０２ａは、任意に規定される「接触領域」１１０（点線で示す）内で、基板の表面１０８ａにボンディングされる。この接触領域１１０は、任意の形状（図示では矩形であるが、円形、又は他の任意の形状とすることができる）とすることができ、とりわけ、ワイヤ１０２の自由端１０２ａが、基板１０８の表面１０８ａにボンディングされる場所（比較的小さな領域）よりも大きく、その場所を包囲（包含）する。
以下で更に詳細に説明するが、ワイヤ１０２のボンディング端１０２ａは、以下の多くの実施例の場合、最終の「ワイヤステム」の「近位端」となる。
図１Ａは、ワイヤ１０２の自由端１０２ａが、基板１０８の表面１０８ａ上の導電端子１１２にボンディングされる様子を示す。基板の表面上への導電端子（又は「パッド」、或いは「接着パッド」）の形成、及びそこにワイヤをボンディングすることは、周知のところである。この場合、端子１１２は、接触領域１１０（図１を参照）を構成（規定）する。図１Ａにおいて、毛細管１０４は、点線で示され、また型式化されている。
図１Ｂは、ワイヤ１０２の自由端１０２ａが、ホトレジスト１１８の上塗り層内にエッチングされた開口１１６を介して、（通常、非導電性又は半導体性の）基板１０８上の金属（導電）層１１４にボンディングされる様子を示す。この場合、ホトレジスト内の開口１１６は、接触領域１１０（図１を参照）を構成する。図１Ｂにおいて、毛細管１０４は、点線で示され、また型式化されている。
図１Ｃ、１Ｄ及び１Ｅは、基板１０８の表面にワイヤ１０２の自由端１０２ａをボンディングするための技法を示し、これは、半導体基板（図２５、及び下記を参照）にワイヤ１０２をボンディングするのに好適な技法である。図１Ｃにおいて、毛細管１０４は、点線で示され、また型式化されている。図１Ｃにおいて、導電層１２０が、（図１Ｂのように）基板１０８の上部表面に配設される様子が示されている。この層１２０は、上部金属層とすることができ、これは通常、ダイへのボンディングを意図したものであり、パッシベーション層１２４（通常、窒化物）内の開口１２２により規定される。このようにして、接着パッドが規定され、これが、パッシベーション層１２４内の開口１２２の領域に対応する領域を有することになる。通常（すなわち、従来技術によれば）、ワイヤは接着パッドにボンディングされていた。
本発明によれば、金属材料（例えば、アルミニウム）のブランケット層１２６が、開口内への「浸漬」、及び層１２０への電気的接触を含む、層１２４の微細構成に一致して従うようにして、パッシベーション層１２４にわたって堆積される。ホトレジストのパターン化層１２８が、その開口１３２をパッシベーション層１２４内の開口１２２にわたって位置合わせして、層１２６にわたって施される。この技法の重要な特徴は、開口１３２が開口１２２よりも大きい点にある。明らかであるが、これによって結果として、半導体ダイ（１０８）上に存在する他のもの（開口１２２により規定されるような）よりも大きな接着領域（開口１３２により規定される）となる。ワイヤ１０２の自由端１０２ａは、開口１３２内で、導電層１２６の上部（図で見て）表面にボンディングされる。
ワイヤ１０２が、ある形状（図２、２Ａ−２Ｈに関連して以下で説明するような）を有するように構成され、「ワイヤステム」を作り出すために切断された（図４Ａ−４Ｄに関連して以下で説明するように）後、ワイヤステムに、保護膜が施される（図５、５Ａ−５Ｆに関連して以下で説明するように）。（この説明の目的のために、保護膜付きワイヤステムを、「復元性のある接触構造」１３０と呼ぶ。）これは、概ね例示的な仕方で、図１Ｄに示され、ワイヤステム（すなわち、太い実線として図１Ｄ及び１Ｅに示される成形済みワイヤ１０２）に保護膜生成する材料１３４は、ワイヤステムを完全に包み込み、また、ホトレジスト１２８内の開口１３２により規定された領域内で、導電層１２６も覆う。次に、ホトレジスト１２８が除去され（化学エッチング、又は洗浄等により）、基板は、選択性エッチング（例えば、化学エッチング）を受けて、導電層１２６から、ワイヤステムに保護膜生成する材料１３４により覆われる層１２６の部分を除いて、材料の全てが除去される。これは、結果として図１Ｅに示す構造となり、その重要な利点は、接触構造１３０が、別態様では（例えば、従来技術では）接着パッド（すなわち、パッシベーション層１２４内の開口１２２）の接触領域と見なされていた領域よりも、容易に大きくすることができる領域（これは、ホトレジスト内の開口１３２により規定された）に、確実に固定される（コーティング材料１３４により）という点にある。この場合、ホトレジスト１２８内の開口１３２により規定された領域が、接触領域（１１０）である。
図１Ｆは、ワイヤ１０２の自由端１０２ａが、以下で更に詳細に説明するが、犠牲基板（例えば、そこにワイヤをボンディングした後に、溶解除去される基板）とすることができる導電性（例えば、単線の網掛けで示すような、金属性）基板１０８にボンディングされる様子を示す。この場合、接触領域１１０は図示していないが、図１に示すようにして任意的に規定される。図１Ｆにおいて、毛細管１０４は、点線で示され、また型式化されている。
上記の場合の全てにおいて、限定ではなく例示を意図しているが、ワイヤ（１０２）の自由端（１０２ａ）が、基板上の規定領域（１１０）内でボンディングされる。しかし、図面から容易に明らかなように、ボンディング（ワイヤの近位端の）自体は、規定領域（１１０）内で、比較的小さな領域しか占有しない。例として、ボンディング自体の小さな領域は、接触領域１１０の全面積のたった５％から５０％とすることができるが、大なり小なり、接触領域内の中央に位置決めされる。
以下で説明するが、ワイヤステムには、それに復元性を付与して、それ自体を接触領域全体に固定する材料で、保護膜が施されることになる。
ワイヤの特性 ワイヤは、ある寸法及びある材料の伸長要素であり、以下で説明するような、ある形状（すなわち、「柔軟な」）へと容易に製造される。明らかになることであるが、ワイヤが、２つの電子コンポーネント間で電気を導通可能であることは、本発明にとって特に重要というわけではない。というのは、ワイヤは、（以下で説明する実施例のほとんどで）導電材料で全体に保護膜が施されることになるためである。しかし、ワイヤが、導電性である材料から製作されるのは、確かに本発明の範囲内である。
一般に、本発明によれば、ワイヤの「既存の」性質（すなわち、その成形及び保護膜生成能力）は、その構造的又は電気的性質を覆い隠す傾向となる。更に、ワイヤステムが、復元性のある導電材料で保護膜生成されると、ワイヤステムは、大いに余計なものとなる。
ワイヤ用の代表的な材料は、金であり、丸い（断面）ワイヤの形態の場合、約０．００１０インチ（１ミル）の直径（厚さ）を有する。これには、限定ではないが、０．７−２．０ミルの範囲の直径が含まれる。ワイヤは、０．０００５から０．００３０インチ（１／２−３ミル）の範囲であるのが好ましい。かかるワイヤは、非常に成形性が良いもの（所望の形状へと）となり、卓越した電気導体であり、非常に利用性が良く、また長期にわたって良好な腐食耐性を示す。
金ワイヤは、幾つかの供給業者から、各種の寸法及び組成のものを容易に入手可能である。例えば、・９９．９９％金のベリリウム添加品、・９９．９９％金の銅添加品、・１％シリコン／アルミニウム合金、・１％マグネシウム／アルミニウム合金がある。
銅ワイヤは、できる限り純粋なものが好ましいが、それは又容易に入手可能であり、本発明のワイヤステムとして用いるのに適している。
ワイヤに適した他の（金以外の）材料には、それに対して、同様の直径の範囲が適用可能であろうが、以下の材料が含まれる。すなわち、アルミニウムと、所望の物理的性質を得るための少量の他の材料、例えばベリリウム、カドミウム、シリコン、及びマグネシウム等で合金化された銅、鉛、スズ、インジウム、カドミウム、アンチモン、ビスマス、ベリリウム、及びマグネシウム等の材料で合金化された、金、銅、又はアルミニウムと、銀、パラジウム、プラチナと、プラチナ群からなる材料等の金属、又は合金と、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金である。
一般に、ボンディング（ボンディングをもたらすために、温度、圧力、及び／又は超音波エネルギーを用いて）しやすい任意の材料のワイヤも、本発明を実施するのに適している。
好適には、ワイヤの材料は、金、アルミニウム、銅、又はそれらの合金である。例えば、１．ベリリウム（例えば、１２ｐｐｍより少なく、好適には５−７ｐｐｍの）、又はカドミウムでドーピング（合金化）された金、２．シリコン又はマグネシウムで、代替として銀又は銅でドーピングされたアルミニウム、３．銅／銀と混合されたプラチナ／パラジウムがある。
以下で更に詳細に説明するが、本明細書に記載の実施例の多くにおいて、ワイヤは、遠位端及びある長さを有するように切断される。ワイヤは、任意の所望の長さを有することができるが、通常、小さな幾何形状の半導体素子及びパッケージと関連して、その使用に見合った長さを有することになり、その長さは、０．０１０インチから０．５００インチとなる。ワイヤは、円形の断面を有する必要はないが、そのほうが好適である。ワイヤは、矩形断面を有することも、更に他の形状の断面を有することもできる。
以下で更に詳細に説明するが（図５１Ａ及び５１Ｂを参照）、ワイヤステムは、プラスチック等の非金属性材料から形成可能であり、また結果として復元性のある接触構造となるように、保護膜を施すことができる。
伝統的なワイヤボンディング装置には、相互剥がれを回避するために、ワイヤボンディング・ループの両端に、頑強な接着をなすことが必要である。接着強度が最も重要であり、工程制約は比較的非常に厳格である。
本発明によれば、基板にワイヤをボンディングするための制約は、大いに緩和される（例えば、従来的なワイヤボンディングと同じ状況）。一般に、ワイヤステムが、成形及び保護膜生成時に適所に留まるかぎり、接着強度は「十分」である。これは又、上記の様々なワイヤ材料を考慮するものであり、材料は一般に、それにより成形されるボンディングの頑強性以外の性質に対して選定される。
ワイヤステムの形成及び成形 ワイヤ（１０２）の自由（近位）端（１０２ａ）の基板（１０８）へのボンディングが完了すると、毛細管（１０４）が、基板の表面から概ね上方に（ｚ軸方向に）移動されて、通常ｘ−ｙテーブル（不図示）に実装される基板が、ｘ方向及びｙ方向に移動される。これにより、毛細管と基板の間の相対運動が与えられ、これは、主に以降で、毛細管が、３軸（ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸）で移動するとして説明する。毛細管が移動するにつれて、ワイヤが、毛細管の端部から「繰り出される」。
本発明によれば、毛細管と基板の間の相対運動は、制御されて、所望の形状をワイヤに付与する。
典型的なワイヤボンディング装置の動作時、ワイヤの自由端がボンディングされ（例えば、半導体ダイ上の接着パッドに）、毛細管が上昇し（基板の表面から上の規定の高さにまで）、基板が横に移動し（通常、基板と毛細管の間で、ｘ−ｙ平面内の相対運動を与えるために移動するのは基板である）、毛細管が降下して戻る（例えば、リードフレーム、半導体パッケージ、その他の導電トレース上のボンディング位置へと）。ワイヤは、毛細管のこの相対移動時に、毛細管から繰り出される。毛細管（従来技術の）のこの（例えば、上方／横／下方の）移動は、略弓状の「形状」をワイヤ（真っ直ぐなワイヤでさえも、「形状」を有すると見なすことができる）に付与するが、本発明の「成形」とな全く異なるものである。
全く明らかであると思われるが、ワイヤステムは、メッキ等により保護膜生成されるワイヤステムからなる接触構造が、復元性のある接触構造として機能するように成形される。このことを意に留めると、本発明による、ワイヤの「成形」という概念が、従来技術の任意の偶発的な（すなわち、結果として復元性のある接触構造を確立することを意図しない）「成形」とは全く異なることは明白である。本明細書で用いる、ワイヤの「成形」という概念は、ワイヤが成形される仕方、すなわちワイヤの成形という根底の目的の点と、ワイヤ形状の最終の幾何形状の点において、従来技術の成形とは劇的に異なる。
以下で更に詳細に説明するが、ワイヤの近位端が基板にボンディングされると、それは、注意深く（偶発的に対して）「形成」され、「仕立て」られ、又は明確な所望の幾何形態を有するように構成され、その形態は、ワイヤの形状に一致して、コーティング済みワイヤの後続の接触構造に対して復元性を付与することになる、ワイヤにわたる後続のコーティングの物理的構成を確立するために、「骨格」と親事例で呼ばれていたものとして機能することになる。（成形済みワイヤステムに復元性を付与する以外のコーティングの他の利点は、以下で説明する。）従って、「構成」、「仕立て」、「形成」、「成形」その他の用語が、本明細書で用いられるが、それらは、復元性のある接触構造（コーティング済みワイヤ）に復元性（ばね性）を付与するコーティングに対して、最終の構成を確立するためのワイヤの能力を説明する、という意味を有するものと解釈されることを特に意図した用語である。
この特許出願を読むと、本発明が最も近く属する当該技術において通常の知識を有する者であれば理解されることになるが、一旦成形及び保護膜生成されると、ワイヤステム自体は本質的に余計なものである。すなわち、保護膜材料が、最終の復元性のある接触構造の必要不可欠な導電性、及び所望の機械的特性を与える。しかし、明らかであろうが、本発明の幾つかの実施例の場合、ワイヤステムが、導電性であることが必要とされる。というのは、電気的接触が、ワイヤステムになされることになるためである。
ある意味で、本発明のワイヤステムは、「足場」、すなわち石又は煉瓦のアーチの最終形状を確立するために、建築で使用される一時的な吊り台又は土台、と類似な仕方で機能する。この類似点の当然の帰結として、保護膜は、「上部構造」として機能すると見なすことができる。
別の意味で、ワイヤステムは、「心棒」、すなわち他の材料そのまわりに成形できるコア、と類似な仕方で機能する。
更に別の意味で、ワイヤステムは、「型板」、すなわち製作又は合成しようとする物品に対するパターン、又は模型、として機能する。
ここで理解されたいのは、足場、心棒、及び型板は通常、それらの意図した目的を果たした後に除去されるという点で、上記の類似性は完全ではない。本発明のワイヤステムの場合、保護膜生成したワイヤステムを除去する必要はないが、ワイヤステムを除去する実施例も開示している。
恐らくより的確な類似点は、ワイヤステムが、本を書く前に大筋を作成し得るといったような、「大筋」として機能するという点である。大筋は、その本がどう「あろうとしている」のかを説明し、その本に含めることもでき、又はその本が書かれた後に破棄することも可能である。いずれの場合でも、大筋は、本の最終形態を確立する。
親事例の場合、成形済みワイヤステムを、「骨格」、すなわち支持構造又は足場、と呼んだ。これも、骨格は通常適所に留まるという点で、用語の有用な選定である。上にある組織の形状を決定する人間の骨格（骨の枠組み）に似て、本発明のワイヤステムは、結果としての接触構造の形状を確立する。しかし、上にある組織が、その意図した機能を実行するために適所に留まらねばならない、また、人体の「機械的」特性に大いに関与する人間の骨格と異なり、本発明のワイヤステムは、上にあるコーティング材料が、その意図した機能を実行するために適所に留まる必要はなく、また、ワイヤステムは、最終の接触構造の機械的特性にあまり関与しない。
ワイヤステムに対して、容易に変形可能で、可鍛性で、従順な材料を用いるという重要な利点の１つは、ワイヤステムが、そこに施される保護膜に対する形状を、最終の復元性のある接触構造の物理的性質（例えば、引張り強度、復元性、等）を大幅に変更することなく確立するように、容易に構成されるという点にある。ワイヤステムが、最終の接触構造を製造する工程全体の重要な第１ステップとして機能する限り、ワイヤステムは、「手始めの」接触構造として特徴付けできる。
本発明は、半導体ダイ等の電子コンポーネントを相互接続するために、多くの場合裸眼でかろうじて見える、復元性のある接触構造を製造することを主に狙ったものであるので、ワイヤステムの貢献及び構成は、可鍛ワイヤ（１４ゲージ銅ワイヤ、又は匹敵するゲージの鉛−スズ半田ワイヤ等）をある長さ（例えば、６インチ長）にし、ワイヤの一方の端部を角材内の穴に実装し、本明細書で説明する弾力のある構成（例えば、図２Ａ、２Ｂ又は２Ｅのそれら）のいずれかを有する自立型のワイヤステムを手動で（手により）成形することによって、更に容易に視覚化することができる。角材に向かってワイヤステムの先端において加えられる圧縮力（例えば、ユーザの指先により加えられる数オンスの）が、結果として、ワイヤステム変形となるが、ワイヤステム自体には、「ばね性」は殆ど存在しない。本発明に従って形成された保護膜付きワイヤステムと類似性が更にあるのは、半田と同様にして成形されたスチールワイヤ（洋服掛けワイヤの６インチ長といった）であろう。その場合、スチールワイヤは、そこに圧縮力が加えられた場合、顕著なばね性（スプリング・バック）を示すことになる。（理解されたいのは、スチールワイヤは、変形可能なワイヤステムにわたる「保護膜」ではない、ということである。）容易に成形されたワイヤステム（例えば、金の）上の保護膜（例えば、ニッケルの）は、洋服掛けワイヤと類似の復元性を示すことになる。
換言すると、ある場所にワイヤの一端をボンディングし、別の場所へと移動し（上方に、及び横に、その後下方に）、その後ボンディング及び切断することを伴う、従来技術のワイヤボンディングが、最終のワイヤにある「形状」を付与すると見なしうるが、（概ね弓状の）最終形状は、比較的付随のものである。これとは反対に、本発明によれば、ワイヤは、その長さに沿った本質的に全てが、特定の機能的（初期のばね）形状を有するように、注意深く（付随ではなく）「仕立て」られ、又は「構成」される。ワイヤに復元性とすべき（保護膜生成時に）形状を付与することを説明するための他の有用な専門用語は、ワイヤを「回旋」形状（又は、「構成」）へと「回旋する」ことである。
従来技術のワイヤボンディング装置が、たとえ保護膜が施された（例えば、ニッケルで）としても、一般に、復元性のある接触構造として機能できないということは、上述の洋服掛けワイヤを角材の２つの穴内に挿入して、そこに（先端ではなく、曲線の上部において）同じ圧縮力を加えることにより、実証可能である。この「粗末な」モデルの場合でも、ばね性の損失は容易に観察できる。
以下で説明する実施例の多くにおいて、ワイヤが、少なくとも２つの湾曲部を有するように仕立てられ（構成され）、またそのことにより、本発明の形状の「仕立て」（構成、成形、形成）が、従来技術の通常１つの湾曲部を有する付随的な形状と区別される。別の意味で、本発明は、ワイヤにおいてばねとして機能することになる（保護膜生成されると）形状を、注意深く「発展させる」ことを意図するものである。
以下で説明する実施例の多くにおいて、ワイヤは、ある特定の方向で（通常、基板の表面から離れて）始まり、次いで別の方向に曲がり、その後それが始まったのと（すなわち、基板の表面から離れた）同じ特定の方向で終了する形状を有するように構成される。
図２は、図１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ−１Ｅ又は１Ｆに関連して説明した技法のいずれか（又は、以下で説明するが、他の技法）に従って、ワイヤ２０２（１０２に匹敵）の自由端２０２ａ（１０２ａに匹敵）が、基板２０８（１０８に匹敵）の表面２０８ａ（１０８ａに匹敵）上の規定の接触領域２１０（１１０に匹敵）内に、既にボンディングされているワイヤ２０２を示す。毛細管２０４（１０４に匹敵）の初期位置は、破線で示されている。毛細管２０４の最終位置は、実線で示されている。基板２０８の表面２０８ａは、ｘ−ｙ平面内にある（しかし、基板の表面全体が、平面である必要はない）。図２に実線で示される毛細管２０４の最終位置は、正のｚ方向で基板の表面から変位している。ワイヤ２０２は、供給スプール２０６（１０６に匹敵）から毛細管２０４を介して送られ、以下のようにして構成される（ある形状を有するように）。
ワイヤ２０２の自由（近位）端２０２ａは、初期（破線）位置における毛細管２０４を用いて、「ａ」で表記された箇所で、基板２０８の表面２０８ａにボンディングされる。毛細管２０４は、次に、図２に「ｂ」、「ｃ」及び「ｄ」で「総称的に」表記される箇所の軌道に沿って移動して、２次元又は３次元でワイヤを成形する。
以下の説明において、説明の明瞭化の目的のために、毛細管の移動を、基板と毛細管の間の相対運動を表すものとして説明する。多くの場合、ｘ及びｙ方向での移動は、基板を移動すること（例えば、基板が実装されるｘ−ｙテーブル）により達成され、ｚ方向での移動は、毛細管を移動することにより達成される。一般に、毛細管は通常、ｚ方向に配向される。しかし、自由度の多い毛細管を使用して、ワイヤステムの形状を構成できることは、本発明の範囲内である。
一般に、毛細管２０４の移動は、マイクロプロセッサに基づくコントローラ（ＣＯＮＴＲＯＬ）２２２の制御下で、位置決め機構（ＰＯＳＮ）２２０によりもたらされ、任意の適切な連結装置２２４により、毛細管２０４に連結される。以下で更に詳細に説明するが、これによって、その軌道を記述するために、毛細管の位置にわたる逐次制御が可能となる。
また、以下で更に詳細に説明するが、軌道の行程時に、毛細管２４に連結された２３０、又は毛細管に直接実装され、コントローラ２２２の制御下で動作する（例えば、オン／オフ）適切な変換器（ＵＬＴＲ）により、振動（例えば、超音波）エネルギーを毛細管２０４に供給することも可能である。
以下で更に詳細に説明するが、毛細管がその最終（実線）位置に達すると、ワイヤ２０２が切断される。これは、図２において、ワイヤ２０２（通常、毛細管２０４に対して固定位置における）に隣接して位置決めされる電極２３２で示され、電極２３２は、コントローラ２２２の制御下で動作する電子的火炎射出（ＥＦＯ）回路２３４から、電気的エネルギーを受け取る。
また、以下で更に詳細に説明するが、ワイヤを切断するという動作（例えば、電子的火炎射出により）は、適切な光源２３８から切断位置（図２で「ｄ」の位置）に向けて（例えば、レンズ２３６により）紫外光を与えることにより強化可能である。以下で更に詳細に説明するが、光（２３８）は、ワイヤ（２０２）上の切断位置（ｄ）に、又は電極（２３２）に、或いは電極とワイヤの間に向けられる。
以下の図において、ワイヤステムに対する多数の代表的な構成が記載されている。
図２Ａは、基板２０８の表面２０８ａ上の箇所「ａ」にボンディングされた自由（近位）端２０２ａを有するワイヤ２０２を示す。最終位置（図２の最終位置に匹敵）で示される毛細管２０４が、「ａ」から「ｂ」、「ｂ」から「ｃ」、「ｃ」から「ｄ」、「ｄ」から「ｅ」、及び「ｅ」から「ｆ」への箇所の軌道に沿って移動する。箇所「ａ」から箇所「ｂ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に移動する。箇所「ｂ」から箇所「ｃ」では、毛細管２０４は、ｙ軸方向に、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。箇所「ｃ」から「ｄ」では、毛細管２０４は、箇所「ｂ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位した（高い）箇所「ｄ」へと、垂直（ｚ軸）方向に移動する。箇所「ｄ」から箇所「ｅ」では、毛細管２０４は、箇所「ｂ」と箇所「ｃ」の間で毛細管２０４が移動した方向とは反対のｙ軸方向に（すなわち、マイナス又は負のｙ軸方向に）、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。これによって、毛細管２０４が、その開始箇所（「ａ」）の直上とすることができる（又は、そうでない）箇所（「ｅ」）へと「戻る」。箇所「ｅ」から「ｆ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に再度移動する。箇所「ｆ」は、箇所「ｄ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位している（高い）。以下で更に詳細に説明するが、ワイヤは、箇所「ｆ」で切断され、その結果、自立型のワイヤステムとなり、これは、基板にボンディングされた近位端と、基板の表面から変位した遠位端を有する。
この軌道ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｆに沿った、毛細管２０４の移動により、ワイヤ２０２にＵ字形状が付与される。もちろん、ワイヤ２０２は、毛細管の軌道に実質的に一致した形状（例えば、Ｕ字形状）を得るのに十分可鍛性がある（例えば、変形可能である）ことが前提である。このＵ字形状は、ワイヤの２次元形成の代表例と見なされる。
以下で更に詳細に説明するが、ワイヤに好適な材料は、少量であるが、見て分かる量のスプリング・バックを示すことになり、これは、所望の形状をワイヤに付与するために、毛細管２０４の軌道において考慮すべきである。以下で更に詳細に説明するが、毛細管２０４がその最終位置（「ｆ」）に達すると、ワイヤは、毛細管２０４の位置で（又は、毛細管に隣接して）切断される。
図２Ｂは、基板２０８の表面２０８ａ上の箇所「ａ」にボンディングされた自由（近位）端２０２ａを有するワイヤ２０２を示す。最終位置（図２の最終位置に匹敵）で示される毛細管２０４が、「ａ」から「ｂ」、「ｂ」から「ｃ」、「ｃ」から「ｄ」、「ｄ」から「ｅ」、「ｅ」から「ｆ」、「ｆ」から「ｇ」、及び「ｇ」から「ｈ」への箇所の軌道に沿って移動する。箇所「ａ」から箇所「ｂ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に移動する。箇所「ｂ」から箇所「ｃ」では、毛細管２０４は、ｙ軸方向に、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。箇所「ｃ」から「ｄ」では、毛細管２０４は、箇所「ｂ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位した（高い）箇所「ｄ」へと、垂直（ｚ軸）方向に移動する。箇所「ｄ」から箇所「ｅ」では、毛細管２０４は、箇所「ｂ」と箇所「ｃ」の間で毛細管２０４が移動した方向とは反対のｙ軸方向に（すなわち、マイナス又は負のｙ軸方向に）、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。これによって、毛細管２０４が、その開始箇所（「ａ」）の直上とすることができる（又は、そうでない）箇所（「ｅ」）へと「戻る」。箇所「ｅ」から「ｆ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に再度移動する。箇所「ｆ」は、箇所「ｄ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位している（高い）。箇所「ｆ」から箇所「ｇ」では、毛細管２０４は、箇所「ｄ」と箇所「ｅ」の間で毛細管２０４が移動した方向とは反対のｙ軸方向に（すなわち、正のｙ軸方向に）、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。箇所「ｇ」から「ｈ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に再度移動する。箇所「ｈ」は、箇所「ｆ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位している（高い）。以下で更に詳細に説明するが、ワイヤは、箇所「ｈ」で切断され、その結果、自立型のワイヤステムとなり、これは、基板にボンディングされた近位端と、基板の表面から変位した遠位端を有する。
この軌道ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｆ→ｇ→ｈに沿った、毛細管２０４の移動により、ワイヤ２０２にＳ字形状が付与される。やはり、ワイヤ２０２は、毛細管の軌道に実質的に一致した形状（例えば、Ｓ字形状）を得るのに十分可鍛性がある（例えば、変形可能である）ことが前提であり、また以下で更に詳細に説明するが、ワイヤに好適な材料は、少量であるが、見て分かる量のスプリング・バックを示すことになり、これは、所望の形状をワイヤに付与するために、毛細管２０４の軌道において考慮すべきである。また、以下で更に詳細に説明するが、毛細管２０４がその最終位置（「ｈ」）に達すると、ワイヤは、毛細管２０４の位置で（又は、毛細管に隣接して）切断される。
このワイヤ２０２のＳ字形状は、軌道に沿った毛細管の移動時にｘ軸変位が存在しない場合、ワイヤの２次元形成の代表例と見なされる。明らかに、毛細管は、箇所から箇所への上述の移動のいずれか（例えば、箇所「ｄ」から箇所「ｅ」への移動時）と関連して、ｘ軸に移動することも可能であり、その場合、ワイヤの形状は、単純なＳ字形状よりも複雑になり、またワイヤの３次元形成であると見なされるであろう。
図２Ｃは、基板２０８の表面２０８ａ上の箇所「ａ」にボンディングされた自由（近位）端２０２ａを有するワイヤ２０２を示す。最終位置（図２の最終位置に匹敵）で示される毛細管２０４が、「ａ」から「ｂ」、「ｂ」から「ｃ」、「ｃ」から「ｄ」、「ｄ」から「ｅ」、及び「ｅ」から「ｆ」への箇所の軌道に沿って移動する。箇所「ａ」から箇所「ｂ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に移動する。箇所「ｂ」から箇所「ｃ」では、毛細管２０４は、ｙ軸方向に、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。箇所「ｃ」から「ｄ」では、毛細管２０４は、箇所「ｃ」と同じｙ軸及びｚ軸座標にある箇所「ｄ」へとｘ軸方向に、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。箇所「ｄ」から箇所「ｅ」では、毛細管２０４は、箇所「ｂ」と箇所「ｃ」の間で毛細管２０４が移動した方向とは反対のｙ軸方向に（すなわち、マイナス又は負のｙ軸方向に）、基板２０８の表面２０８ａと平行に移動する。これによって、毛細管２０４が、箇所「ｂ」とほぼ同じｙ軸座標であるが、箇所「ｂ」とは別の（オフセットした）ｘ軸座標へと「戻る」。箇所「ｅ」から「ｆ」では、毛細管２０４は、垂直（ｚ軸）方向に再度移動する。箇所「ｆ」は、箇所「ｄ」よりも、基板２０８の表面２０８ａから更に垂直方向に変位しており（高く）、箇所「ｂ」とほぼ同じ垂直（ｚ軸）座標にあり、また箇所「ｂ」又は「ｃ」からｘ軸においてオフセットしている。以下で更に詳細に説明するが、ワイヤは、箇所「ｆ」で切断され、その結果、自立型のワイヤステムとなり、これは、基板にボンディングされた近位端と、基板の表面から変位した遠位端を有する。
この軌道ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｆに沿った、毛細管２０４の移動により、ワイヤ２０２に３次元形状が付与される。やはり、ワイヤ２０２は、毛細管の軌道に実質的に一致したかかる形状を得るのに十分可鍛性がある（例えば、変形可能である）ことが前提であり、以下で更に詳細に説明するが、ワイヤに好適な材料は、少量であるが、見て分かる量のスプリング・バックを示すことになり、これは、所望の形状をワイヤに付与するために、毛細管２０４の軌道において考慮（補償）すべきである。以下で更に詳細に説明するが、毛細管２０４がその最終位置（「ｆ」）に達すると、ワイヤは、毛細管２０４の位置で（又は、毛細管に隣接して）切断される。
図２Ｄは、概略的に、毛細管２０４の最終位置が、基板２０８の上にある必要はなく、エッジから外れることも、基板の表面２０８ａの下にあることも可能であることを示す。図２Ｄにおいて、ワイヤ２０２は、基板２０８の表面２０８ａ上の箇所「ａ」にボンディングされた自由端２０２ａを有する。最終位置（図２の最終位置に匹敵）で示される毛細管２０４が、「ａ」から「ｂ」、「ｂ」から「ｃ」、及び「ｃ」から「ｄ」への箇所の軌道に沿って移動する。以下で更に詳細に説明するが、ワイヤは、箇所「ｄ」で切断され、その結果、自立型のワイヤステムとなり、これは、基板にボンディングされた近位端と、基板の表面から変位した遠位端を有する。この場合、箇所「ｄ」は、基板の表面の下にある（図２Ａ、２Ｂ及び２Ｃの実施例のように上ではなく）。
箇所「ａ」から箇所「ｂ」では、毛細管２０４は、基板２０８の表面２０８ａから上方へと垂直方向に（正のｚ軸方向に）、また箇所「ａ」から離れて水平方向に（正のｙ軸方向に）、弓状の軌道で移動する。箇所「ｂ」は、基板２０８の表面２０８ａの上での（正のｚ軸方向の）、毛細管２０４の最大垂直（ｚ軸）変位を表す。箇所「ｂ」から箇所「ｃ」では、毛細管２０４は、基板２０８の表面２０８ａに向かって垂直方向に（負のｚ軸方向に）、また箇所「ａ」から離れて更に水平方向に（正のｙ軸方向に）、弓状の軌道で移動する。箇所「ｃ」は公称的に、箇所「ａ」と同じｚ軸位置にある。しかし、留意点として、箇所「ｃ」は、基板のエッジから外れている。箇所「ｃ」から箇所「ｄ」では、毛細管２０４は、基板２０８の表面２０８ａを越えて下方へと垂直方向に（負のｚ軸方向に）、また箇所「ａ」から離れて更に水平方向に（正のｙ軸方向に）、弓状の軌道で移動する。従って、箇所「ｄ」は、基板２０８の表面２０８ａよりも低い（ｚ軸）位置にあり、明らかに、基板のエッジから外れている。
この軌道ａ→ｂ→ｃ→ｄに沿った、毛細管２０４の移動により、ワイヤ２０２に２次元形状が付与される。しかし、軌道（例えば、箇所「ａ」と「ｂ」の間の）の行程時に、毛細管に幾らかのｘ軸移動を付与する等によって、３次元形状もワイヤ２０２に付与できることは、本発明の範囲内である。やはり、ワイヤ２０２は、毛細管の軌道に実質的に一致した形状（例えば、Ｓ字形状）を得るのに十分可鍛性がある（例えば、変形可能である）ことが前提であり、また以下で更に詳細に説明するが、ワイヤに好適な材料は、少量であるが、見て分かる量のスプリング・バックを示すことになり、これは、所望の形状をワイヤに付与するために、毛細管２０４の軌道において考慮すべきである。また、以下で更に詳細に説明するが、毛細管２０４がその最終位置（「ｄ」）に達すると、ワイヤは、毛細管２０４の位置で（又は、毛細管に隣接して）切断される。
図２Ｄに示すように、毛細管２０４は、位置「ａ」での垂直から位置「ｂ」でのほぼ水平へと、その配向を変化した。これは、通常固定の垂直配向に毛細管を維持して、毛細管をｚ軸方向にのみ移動させ、それと同時に、基板がｘ軸及びｙ軸方向に移動される、大部分のワイヤボンディング装置において、現在のところ利用可能である能力を越えるものである。以下で更に詳細に説明するが、毛細管の垂直配向を、軌道（例えば、図２Ａ、２Ｂ及び２Ｃに示す軌道）の行程を通じて維持することにより、ワイヤが、毛細管から繰り出される際に「引きずられる」ことになる。この微妙な違いは、以下で説明する本発明の特徴により対処される。
本明細書で説明した軌道のいずれかにおいて意図したのは、毛細管（２０４）は、ｚ軸方向にのみ移動すること、またｘ軸及びｙ軸移動は、基板が実装されるｘ−ｙテーブルにより付与されることである。これは、全く明白であるが、図２Ｄに関連して示すような構成動作時に、ワイヤが毛細管から繰り出される際に、ワイヤの引きずり（粘着性）を悪化させることになろう。
図２Ｅ、２Ｆ及び２Ｇは、ワイヤ２０２が構成される他の実行可能な形状を示し、そこで、ワイヤ２０２は、代表的な端子２１２にその近位端２０２ａがボンディングされ、ワイヤの遠位端２０２ｂは、ボールの形態の増大径の領域を有する。これらの図は、限定ではなく、容易に製造可能である多数の形状の例示を意図したものである。
例えば、図２Ｅの場合、ワイヤは既に、Ｓ字形状を有するように構成済みである。留意点として、図２Ａ、２Ｂ及び２Ｃの実施例の場合のように、最終のワイヤステムは、基板の表面から直接離れた第１の方向（すなわち、箇所「ａ」から箇所「ｂ」への）に始まり、概ね同じ方向（すなわち、箇所「ｃ」から「ｄ」の）で終了する。
図２Ｆの場合、単純なループ形状が構成され、そこで、ワイヤ２０２の近位端２０２ａと遠位端２０２ｂが共に、接着領域２１０内でボンディングされる。このようなループは、以下で詳細に説明するが、復元性のある接触構造としてではなく、バンプ接触として機能することを概ね意図したものである。
図２Ｇの場合、ループ型式の復元性のある接触構造が示され、そこでは、ワイヤが、箇所ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｆ→ｇ間で３次元的に構成され、ワイヤの近位端（箇所「ａ」）と遠位端（箇所「ｇ」）が共に、基板に実装される（図２Ｆの実施例と同様にして）。この場合、自立型の構造が仕立てられ、ワイヤステムの中間部（箇所「ｄ」と「ｅ」の間）は、他の電子コンポーネントに対して電気的接続をなすことを意図している。
図２Ｈは、基板２０８の表面２０８ａ上の箇所「ａ」にボンディングされた自由（近位）端２０２ａを有するワイヤ２０２を示す。最終位置（図２の最終位置に匹敵）で示される毛細管２０４が、「ａ」から「ｂ」への箇所の軌道に沿って移動する。箇所「ａ」から箇所「ｂ」では、毛細管２０４は、垂直（正のｚ軸）方向の箇所「ａ」から変位した位置（「ｂ」）へと直線で移動する。箇所「ｂ」は、箇所「ａ」と同じｙ軸座標を有するように示されているが、これは必ずしも必要ではない。更に、箇所「ａ」から箇所「ｂ」へのその行程時に、毛細管２０４は又、正又は負のｘ軸方向にも移動する。いずれの場合でも、箇所「ａ」から「ｂ」へと延伸するワイヤ（２０２）が、直線となり、基板２０８の表面２０８ａに対して、直角（すなわち、９０度）となる、又はある角度をなす（直角でない）こともできる。
この軌道ａ→ｂに沿った、毛細管２０４の移動により、ワイヤ２０２に２次元形状が付与される。ワイヤのスプリング・バックは、このワイヤの直線形成において重大な問題ではない。やはり、以下で更に詳細に説明するが、毛細管２０４がその最終位置（「ｂ」）に達すると、ワイヤは、毛細管２０４の位置で（又は、毛細管に隣接して）切断される。明白であるが、直線ワイヤを形成することは、成形の「些細な」場合であり、本発明によれば、ワイヤをある形状に仕立てる技法全体に含められるが、いずれにしても、上記の他のあまり「些細」でない実施例の限定を意図するものではない。明白であるが、図２Ｈに示すような直線ワイヤステムは、それ自体では、弾力のある形状を呈示しない。直線ワイヤステムに沿って軸方向に向けられた力が、単純に、直線ワイヤステムを座屈させることになる。復元性のある保護膜を備えると、最終の接触構造は、幾らかの復元力を示す。他方で、自立型の直線ワイヤステムは、直線ワイヤステムに軸はずれで向けられた力に応答して（ワイヤステム自体が傾斜しているか、又はその力自体が軸はずれであるかのいずれか）、「片持ち梁」として振る舞うことになる。
ここで理解されたいのは、毛細管２０４の代表的な軌道を、例示の明瞭化のために、人為的に少数の箇所（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、等）により例示及び説明したこと、また、実際には、軌道に沿った多数の箇所が、コントローラ２２２内にプログラムできる（すなわち、すべきである）。
また理解されたいのは、「ａ」から「ｂ」へのｚ軸移動、及び「ｂ」から「ｃ」へのｙ軸移動（図２Ａ、２Ｂ又は２Ｃのいずれかを参照）からの変化といった、毛細管２０４の方向の変化の度に、ワイヤの最終の曲げ部は、鋭利な直角の曲げ部ではない、ある半径を有すべきである。
図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｅ及び２Ｇで仕立てられた形状は全て、少なくとも２つの曲げ部を含む。一般に、対向した配向（互いから）の偶数のＬ字又はＵ字形状には、それが発せられたのと同じ正のｚ軸方向でワイヤを終端することが必要である（例えば、図２Ｅのワイヤ＃は、箇所「ａ」から「ｂ」へのその行程を、正のｚ軸方向で開始し、箇所「ｄ」から「ｅ」へのその行程を、同じ正のｚ軸方向で終了する）。このことは、各形状が、少なくとも２つの曲げ部を含み、またＳ字形状のワイヤステムを含む、復元性のある接触子の基礎として適した形状の「分類」を作り出すと解釈できる。
図２Ｅに示すようなＳ字形状は、単に例示に過ぎず、限定としては意図していない（又は、解釈すべきでない）。ワイヤステムに対する非常に多くの形状が、本発明によれば、復元性のある接触構造の基礎として機能することになる。しかし、重要なのは、Ｓ字形状（例えば、図２Ｅの）は、（例えば）上述の米国特許第5,317,479 号に示されるＳ字形状とは対照的に、横長であるという事実である。その特許の場合、メッキされた従順なリードが、その平行な「脚部」の表面により、電子コンポーネント上のパッドに接触する。本発明の場合、好適なのは、復元性のある接触構造が、その遠位先端により、電子コンポーネント上のパッドに接触することである。（同様にして、近位端が、復元性のある接触構造の類似の先端により、接触領域にボンディングされる。）一般に、本発明によれば、復元性のある接触構造の形状は、所与の応力、間隔、コンプライアンス、及び電気的性能基準に対して、各用途に応じて成型されることになる。
一般的な提案として、ワイヤステムに対する任意の所望の形状が、ワイヤボンディング装置を用いて仕立て可能である。以下で注記するが（図５１Ａ及び５１Ｂを参照）、非金属性ワイヤステムの場合、ワイヤボンディング装置以外の装置を適切に使用して、弾力のある形状を有するステムが形成される。
ワイヤボンディング装置の型式 本発明は、慣用的なワイヤボンディング機器（ワイヤボンディング装置）を用いて実施可能である。しかし、幾つかの「改善」が、これらの機器に対してなされ、それにより本発明の復元性のある接触構造の形成が容易になる。
本発明を実施するのに使用できる慣用的なワイヤボンディング装置には、超音波エネルギーと、熱エネルギーと、ボールボンディング、くさびボンディング、又はワイヤの自由端と基板の間の他の適切なボンディングを形成する圧縮力との任意の組合せを使用するワイヤボンディング装置が含まれ、それらには、限定ではないが、（ａ）超音波ワイヤボンディング装置、（ｂ）熱音波ワイヤボンディング装置、及び（ｃ）熱圧縮ワイヤボンディング装置が含まれる。
本発明の１つの態様によれば、慣用的なワイヤボンディング装置の機能性は、本発明の技法を実行するのに好適に増強（強化）される。そのように修正されたワイヤボンディング装置を、本明細書では「スプリンギング機器」と呼ぶ。一般に、ワイヤボンディング装置に対する所望の修正は、以下の２つの分類に入る。
ワイヤボンディング装置に対する強化の第１の分類には、ａ．超音波形成ハードウェア及びソフトウェアと、ｂ．ワイヤステムの形成を制御するソフトウェア（例えば、スプリングバック等を考慮して）と、が含まれる。
強化の第２の分類には、以下で更に詳細に説明するが、ａ．スパーク安定化ハードウェアと、ｂ．階層部アーキテクチャー・ソフトウェアと、ｃ．切断シーケンス周期を制御するソフトウェアと、が含まれる。
弾力のある形状へとワイヤを構成するために、慣用的なワイヤボンディング装置に強化した機能性を設けることが好ましいことの当然の帰結として、本明細書に開示の機能性に対する強化が、弾力のある形状を有するようにワイヤを構成する必要がない状況にも適用可能であることは、本発明の範囲内である。換言すると、本発明の幾つかの技法は、「慣用的な」ワイヤボンディング用途に対し、強化として適用可能である。
一般に、ワイヤボンディング装置は周知のところである。本明細書に開示の復元性のある接触構造実施例の大部分において、ワイヤボンディング装置は「付随的」なものであり、任意の適切なワイヤボンディング装置が使用可能である。
超音波形成 上記で説明した図２は、ワイヤ（１０２、２０２）の自由端（１０２ａ、２０２ａ）をボンディングして、図２Ａ−２Ｇに関連して説明した形状に代表される（限定ではないが）、各種の形状へとワイヤを形成するのに適したワイヤボンディング・システム（ワイヤボンディング装置）を示す。ワイヤボンディング装置に対する強化（ワイヤボンディング装置をスプリンギング機器にする）が、毛細管（２０４）を振動させるための変換器（２２６、図２を参照）の追加である。
本発明の１つの態様によれば、ワイヤの形成（軌道に沿って毛細管を移動させて、２次元又は３次元形状をワイヤステムに付与する）時に、超音波エネルギーが、毛細管を介して加えられる。一般に、これは、ワイヤの曲げを更に簡単にして、他の方法ではなすのが困難な３Ｄ（３次元）形状の形成を容易にする。更に、成形（形成）時に超音波エネルギーを利用することにより、慣用的なワイヤボンディングの際のループ形成の予測性が改善される。
本発明のこの態様は又、毛細管をｚ軸方向に移動すると共に、テーブル（相互接続すべき電子コンポーネントが実装される）が、ｘ軸及びｙ軸方向に移動する、「慣用的な」ワイヤボンディング工程（例えば、接着パッドからのワイヤをリードフレーム・フィンガに接続する）にも適用可能である。この移動時、ワイヤが、毛細管上で「ハングアップ」する（又は、引っかかる）傾向になることが見られ、これによって、望ましくない度合いの不確実性が工程に導入される。本発明によれば、毛細管（及び／又はテーブル）を移動させる間、超音波エネルギーを用いることにより、ワイヤは、毛細管からより自由に送られ、上記「引っかかり」が克服される。
一般に、以下で説明するが、ワイヤステムの生成には、ワイヤの自由端をボンディングし、毛細管を上方に（ｚ軸方向に）移動させ、テーブルをｘ軸又はｙ軸方向に移動させることが伴う。
一般に、慣用的なワイヤボンディング技法には、供給ワイヤの自由端を基板にボンディングするステップと、毛細管を上方に（ｚ軸方向に）移動させるステップと、基板をｘ軸及びｙ軸方向に移動させる（例えば、ｘ−ｙテーブル、又は他の適切な位置決め機構により）ステップと、毛細管を果報に移動させて戻すステップと、ワイヤをボンディング及び切断するステップとが伴い、その結果として、両端でボンディングされたアーチ状のワイヤとなる。
任意のワイヤボンディング動作において、特に本発明に従ってワイヤステムを成形する工程において、ワイヤが毛細管から繰り出される際に、ワイヤが呈示するどんな引っかかりも回避することが求められる（であろう）。
本発明によれば、ワイヤステム構成する工程時に、超音波エネルギーを印加することにより、ワイヤが毛細管から繰り出される際に、ワイヤが引っかかる傾向が減少する。更に、超音波エネルギーの印加により、ワイヤが「加工」される。すなわち、弾力のある形状を有するようにワイヤを仕立てる間、ワイヤ内の粒子境界が破壊される。
超音波ワイヤボンディング装置には、既に、ボンディングを実施するために超音波エネルギーを供給する変換器が装備されている。本発明によれば、同じ変換器が、ワイヤステムの構成時にオンにされて（又は、オンのまま）、所望の形状の構成が容易になる。超音波変換器のターンオン及びターンオフは、ソフトウェアで容易に実施される。
明白であるが、毛細管が、その軌道に沿った各種の位置において配向すべき状態にあり、その結果ワイヤが常に、毛細管から真っ直ぐに送られる（図２Ｄを参照）ならば、毛細管へのワイヤのひっかかりは、重要な問題ではないであろう。しかし、かかる手法は、既存のワイヤボンディング装置に対して、多数の、しかし実行可能である修正を要求することになろう。
ワイヤボンディング装置において超音波エネルギーを利用することは、例えば引っかかりを低減するために、周知のところである。しかし、成形及び残留スプリングバックを低減するために、ワイヤステムの構成時に超音波エネルギーを印加して、ワイヤを「軟化」させることが好ましい。より低い超音波周波数が一般に好ましい。
超音波エネルギーを利用して、ワイヤを更に加工し易くする（及び、ワイヤが毛細管から繰り出る際に引っかかりを低減する）ことの代替手法として、本発明によれば、ワイヤが毛細管から繰り出る際に、ワイヤボンディング装置内の電子的火炎射出（ＥＦＯ）特徴等により、熱をワイヤに加えて（例えば、毛細管を介して）、成形ステップ時にワイヤを軟化させる（例えば、アニール）ことができる。
超音波エネルギーを利用して、ワイヤが毛細管から繰り出る際の引っかかりを克服することの代替手法は、毛細管を介して不活性ガス又は化成ガスを供給することである。これは、単独の機能として、又は上記のような超音波エネルギーの印加と関連して実施可能であり、以下で更に詳細に説明する（図５２を参照）。
ワイヤのスプリングバックの補償 ワイヤボンディング装置をスプリンギング機器にする、ワイヤボンディング装置に対する他の強化は、毛細管（基板と対向して）の相対運動によりとられる軌道が、結果としてワイヤの所望の形状となるように、コントローラ（２２２、図２）をプログラムすることである。
上述のように、毛細管の軌道（相対運動）は、箇所から箇所に基づいて好適に制御されて、ワイヤにある形状を付与し、ワイヤのどんなスプリングバックも、結果として毛細管軌道から逸脱するワイヤの最終形状となる。図３Ａは、この「問題」を示し、そこで、点線３０２は、経路ａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｆに沿った、毛細管（例えば、図２Ａの２０４を参照）の軌道を表し、また、実線３０４は、経路ａ’→ｂ’→ｃ’→ｄ’→ｅ’→ｆ’に沿った、ワイヤ（例えば、図２Ａの２０３を参照）の結果としての形状を表す。明らかなことに、箇所「ａ’」は、箇所「ａ」から逸脱しない。というのは、この箇所は、ワイヤの近位端（２０２ａに匹敵）が固定される（基板にボンディングされる）箇所であるためである。
上記「問題」は、ワイヤが切断されると、ワイヤの長さに沿った特定部分において、毛細管の軌道を「進める」か、又は毛細管の軌道を「遅らす」形状を、ワイヤが呈することになるものと見なす（概念化する）ことができる。例えば、図３Ａに示すように、箇所ａ’からｂ’では、ワイヤは、毛細管の経路ａ→ｂを遅らし（図で見て、後ろあり又は左にあり）、箇所ｅ’からｆ’では、ワイヤは、毛細管の経路ｅ→ｆを進ませる（図で見て、前に又は右にある）。
図３Ｂは、図３Ａに示す問題に対する「解決策」を示し、それには一般に、ワイヤに対する所望の経路（結果としてのワイヤ形状を規定するワイヤ経路３１４からオフセットしている（進ませ、遅らす）「仮想」経路３１２に沿って、毛細管を移動させることが伴う。
図３Ｂに示すように、毛細管は、箇所ｒ→ｓ→ｔ→ｕ→ｖ→ｗの軌道（経路）３１２（点線で示す）に沿って移動（行き来）させられ、ワイヤステムが切断されると、ワイヤステムは、箇所ｒ’→ｓ’→ｔ’→ｕ’→ｖ’→ｗ’に沿った経路３１４（実線で示す）上にあることになる。ワイヤは、この軌道に自身を「置く」ことになり、この軌道は、ワイヤにおける復元性（固有のスプリングバック）に起因し、かかる復元性が如何に小さくできるかは問題ではなく、毛細管の軌道からオフセットしている。（一般に、本発明によれば、ワイヤ自体の復元性は、結果としての復元性のある接触構造にとって不十分である。）図３Ｂの例の場合、箇所ｒ→ｓ間の毛細管の軌道は、箇所ｒ’とｓ’間のワイヤの所望の経路を進ませる（図で見て、左に）ようにして確立され、箇所ｖ→ｗ間の毛細管の軌道は、箇所ｖ’とｗ’間のワイヤの所望の経路を遅らす（図で見て、右に）ようにして確立される。
この結果（所望のワイヤ経路から毛細管の軌道をオフセットする）は、コンピュータ上で既に実行している設計プログラムにおいて利用可能である、所望のワイヤ経路（３１４）を入力し（例えば、コンピュータ作業端末上で）、ワイヤの物理的特性（例えば、厚さ、降伏強度、等）を入力して、結果として、ワイヤが切断されると、所望のワイヤ経路（３１４）と一致する形状を有することになる、毛細管軌道（３１２）を計算することによって、好適に達成される。毛細管からの「前進抵抗」（毛細管から外にワイヤを送る際の引っかかり）等の因子、及びワイヤの「加工」（形成）への毛細管振動の影響（上記で説明したような）も、結果として所望のワイヤ形状となる、毛細管の軌道を決定する際に対処すべきである。
一般に、オフセットは、２つの因子に起因することになり、すなわち（ｉ）ワイヤが毛細管から外に繰り出される際のワイヤの前進抵抗、及び（ii）ワイヤ材料の固有のスプリングバックである。所与のワイヤの経路が、所与の軌道からどのようにオフセットするかを正確に突き止めるために、複雑なアルゴリズムを作り出すことが可能であるが、一般的に好ましいのは、所望のワイヤ形状（所与のワイヤ材料からの）の各々に対して経験的な手法を利用し、それにより、結果として所望のワイヤ形状となる毛細管軌道の見積もりがなされ、結果としてのワイヤ形状が解析されて、所望のワイヤ形状が達成されるまで毛細管軌道が修正されることである。
上述のように、ワイヤが毛細管から送り出される際に、ワイヤを加熱することによって、弾力のある形状を有するワイヤステムへと、ワイヤを形成するのが更に容易になる。ワイヤが毛細管から送り出される際に、ワイヤに熱を加えることの他の利点は、ワイヤの加熱（例えば、３００℃−４００℃でのワイヤのアニール）によって、ワイヤがスプリングバックする（例えば、ワイヤが切断される際に）傾向が低減される点にある。
ワイヤがスプリングバックする（例えば、切断時に）傾向を、切断工程時に有利に用いることができ、これは以下で更に詳細に説明する。一般に、ワイヤが切断される際にスプリングバックする「態勢にある」ワイヤステムの先端は、毛細管から離れて（及び、ＥＦＯ電極から離れて）移動することになり、そのことは、供給スプールの端部においてボールの形成を制御するのに役立つ。
複数の毛細管を同時に使用して、複数のワイヤステムを製造可能なことは、本発明に範囲内である。例えば、一度に動作する２つの毛細管（例えば、二連の）が、「単独」の毛細管よりも２倍多いワイヤステムをボンディング、及び仕立てることができる。１０個の毛細管は、１０分の１に製造時間を短縮する、等である。これは、直線又は矩形アレイに有用であり、そこでは、複数のワイヤステムに似たものが、電子コンポーネントの表面上に繰り返し可能なパターンで製造される必要がある。
従来技術において、スプリングバックの補償は、伝統的なワイヤボンディング・ループを成形する際に、ある行き過ぎ量が注意深く誘導されるという意味で、一般に知られている。
ワイヤの切断 上述のように、ワイヤ（２０２）の近位（自由）端（２０２ａ）が、基板（２０８）にボンディングされて、ワイヤ（２０２）が、所望の形状へと仕立てられると、ワイヤ（２０２）は切断されるが、これは、電子的火炎射出（ＥＦＯ）電極（２３２）により発生されたアーク等による。切断されると、ワイヤは第２の（遠位）端を有することになり、ある形状へと既に仕立てられ（構成され）ていると、「ワイヤステム」であると見なされる。
本発明の１つの態様によれば、ＥＦＯ電極（カソード）に光電子放出を行うことにより、アーク／プラズマ形成が安定化されて、信頼性の良い且つ予測可能なワイヤ切断挙動が生み出される。この技法は、負のＥＦＯ又は正のＥＦＯと関連して利用でき、「光電子支援式スパーク安定化法」（ＰＡＳＳ）と呼ばれる。
図２に示すように、光源２３８が、毛細管２０４の先端の直下といった、ワイヤ２０２を切断すべき位置に光を向ける。光は、ワイヤ２０２に合焦されるように示されているが、好適には、アノード又はカソードとすることができる電極２３２に合焦される。
好適には、光は１８４ｎｍ又は２５４ｎｍの波長の紫外（ＵＶ）光であるが、切断に対する改善は、異なる波長の光によっても達成可能である。
図４Ａ（例示の明瞭化のために、光源２３８は省略）に更に詳細に示すように、基板４０８（１０８に匹敵）上の端子４１２（１１２に匹敵）に既にボンディングされているワイヤ４０２（１０２に匹敵）が、毛細管４０４（２０４に匹敵）の直下に配置される電極４３２（２３２に匹敵）により切断される。この結果として、ワイヤ４０２が２つの部分へと切断される。すなわち、（ａ）基板にボンディングされる下側ワイヤステム部４３０、及び（ｂ）スプール（不図示、図２の２０６を参照）から毛細管４０４を介して延伸する、上側供給部４３１である。
図４Ｂに示すように、事例１の図７ｂと類似であるが、この結果として、ワイヤステム４３０の遠位先端において、ボール（増大径の領域）が形成され、また同様のボール４３６が、虚旧ワイヤ４３１の自由端に形成される。これらのボールは、以下の理由で重要である。すなわち、（ａ）任意として、ボール４１４は、ワイヤステム４３０の先端に「輪郭」を与え、このことは、ワイヤステムの遠位端により、電子コンポーネントに対して相互接続をなすのに有利であり、（ｂ）ボール４３６は、供給ワイヤ４３１の自由端と基板の間で後続のボンディングをなし、基板上に別の（後続の）ワイヤステムを形成するのに非常に適している。
毛細管から送られるワイヤの供給側へのボールの形成（直ぐ上の（ｂ）を参照）は、ワイヤの後続のボンディングにとって本質的ではなく、またスループットに対して重大な問題を表す。慣用的なワイヤボンディング装置の場合、工程は、高度に自動化された方式で実行することを意図している。後続のボンディングをなす前にボールの存在をチェック（検査）することが知られており、ボールを有さない欠陥が、工程を遮断することになり、これには手動の介入が必要である。
本発明によれば、電子的火炎射出ワイヤ切断と共に光電子放出を利用することによって、ボール形成、及びボール寸法分布が改善され、ボール欠落の発生頻度を低減することが分かっている。かかるワイヤの光電子支援式スパーク切断は、いずれの（汎用）ワイヤボンディング動作と関連しても利点があり、更に低いピーク電圧状態の下で工程を実行するといった、各種のＥＦＯ回路修正と関連して利用可能である。
一般に、技術的な観点から、本発明の光電子支援式スパーク安定化（ＰＡＳＳ）技法は、電界支援の光電子放出を利用して、降伏（ワイヤを切断するアーク）を更に安定化し、また切断の切断高さ（ｚ軸座標）を更に制御可能とする。ワイヤの切断高さを正確に制御できるという上記後者の特徴の利点は、以下で更に詳細に説明する。
上述のように、光（２３８、図４には示さない）は、ワイヤの切断を所望する、ワイヤ上のスポットに合焦される。これは、正のＥＦＯを用いるワイヤボンディング装置の場合に好適であり、そこでは、スパークがワイヤにおいて開始する。代替として、光は、電極を含む領域を投光照射することもできる。これは、負のＥＦＯを用いるワイヤボンディング装置の場合に好適であり、そこでは、スパークが電極において開始する。いずれの場合でも、紫外光を用いることは、周囲のガス状成分が雪崩降伏する際に役立ち、また電子が、電極からワイヤへと（又は、その逆）進むことを「更に容易に」する。一般に、投光照射（例えば、負のＥＦＯと関連した）は、自己選択性となり、また合焦照射（例えば、正のＥＦＯと関連した）よりも信頼性が良くなる傾向がある。投光照射の場合、電極の鋭利な先端が、切断を生じることになる、ワイヤ上の点を「選択」する。
慣用的な連続送りボールボンディングの場合、高電圧アーク（又は、ＥＦＯ）を用いて、各表面ボンディングの発生の中間で、ワイヤが切断される。連続ボールボンディングのワイヤ切断段階は通常、２次表面ボンディングを形成した後に、ワイヤをせん断することにより達成される。一般に、せん断されたワイヤの仕上げ高さは厳密でなく、従って切断されたワイヤにおいて均一な高さを生成する、ＥＦＯの能力は重要ではない。
この状況とは対照的に、ワイヤ高さの均一性は、本発明の連続送りの復元性のある接触子を形成する工程においては、非常に重要である。ＥＦＯの切断高さを直接制御可能である能力は、最終結果の品質に影響を及ぼす。というのは、接触子のアレイの均一性、及び平面性は、この能力の直接関数であるためである。
本発明によれば、紫外光を利用して、ワイヤの切断に高電圧アークを用いる場合、ワイヤ切断の均一性、及びスパーク降伏が安定化される。２つの電極間のガス内に高電圧アークを形成することは、雪崩工程であり、そこでは、絶えず増大する電子の滝によって、帯電プラズマが、放電のアノードとカソード間に形成されるまで、益々イオン化分子が生成される。通常、アークの開始には、カソード電極における電界放出が、降伏を開始するのに少数の電子を供給することが必要である。
本発明によれば、紫外（ＵＶ）ランプを利用して、ＥＦＯ放電のカソード要素において、光電子の生成を刺激するために、カソード電極が照射される。これによって、印加された高電界状態の下でカソードにおける自由電子の生成を刺激する、３−５ｅＶ（電子ボルト）ＵＶ（紫外）光子を用いることにより、放出に必要な閾値電界が低下される。カソードの役割は、切断電極（好適な、負のＥＦＯ構成）か、又は連続送りワイヤ（正のＥＦＯ代替実施例）により果たすことができる。投光ＵＶ照射か、又は合焦ＵＶ照射が利用できる。正のＥＦＯの場合のワイヤの合焦照射は、ワイヤ上の電子放出箇所を局所化することになり、切断プラズマが最初に形成される箇所を制御することにより、ワイヤ高さを制御するのに役立つ。投光照射もワイヤ高さの安定化装置として機能する。というのは、それが、カソードと電極間のアーク形成を安定化するためである。
電子的火炎射出時に紫外光を供給することに起因した、ボール形成の改善は次のことの結果である、と考えられる。慣用的なワイヤボンディング装置の場合、火炎射出電極（例えば、２３２）における電圧は、ある回路（例えば、２３４）により制御される。電極上の電圧は、増大して（例えば、ゼロから）、点火期間時に（スパークが大なり小なり短絡回路として機能する）著しく減少する。点火期間の持続時間は、制御回路（例えば、２２２）内の「ウォッチドッグ」型式のタイマーにより監視されて、それにより設定された所定の持続時間を越えた場合、ボールは形成されなかったと想定される。この工程は、本質的に幾分不確定なものであり、複数の「試行」が、あるピークと、そのピークからの統計的偏差を有する統計的（例えば、釣り鐘形状）曲線として、グラフ化され得る。一般的に考えられるのは、ＥＦＯ時に紫外光を供給することにより、グラフの傾きがピークの「右」（時間で）へと増大し、それによって、所定の時間期間を越える発生が低減されて、規定の時間期間内でのボール形成の公算が増大される、ということである。従って、電子的火炎射出時に紫外光を供給することによって、スパークのオン設定時間が短縮されるだけでなく、ボール生成の失敗を表すタイムアウトが大幅に低減される。
電子的火炎射出（ＥＦＯ）技法を用いて、毛細管の先端の直下でワイヤステムを切断することに関連して、本発明を説明したが、機械的手段等の他の装備を用いて、また毛細管内といった他の位置において、ワイヤを切断可能なことは、十分に本発明の範囲内である（例えば、ワイヤが、毛細管（ボンディング・ヘッド）内で切断される、上述の米国特許第4,955,523 号を参照）。しかし、ボール形状をワイヤステムの遠位端に付与することが所望の場合、追加のステップ（別個のボール形成）を実行することが必要であろう。
本発明の１つの態様によれば、ワイヤ溶融及びボール形成が、２つの別個の順次ステップ（１つのステップに組合せられるのではなく）で実行される。ワイヤステムが、まず溶融（切断）され、次にボールがそれらの端部（先端）に形成される。この結果として、更に緊密なワイヤ高さ分布となり、これは、複数のワイヤステムの先端の共平面性を保証するうえで重要であり、その本発明の特徴は、以下で更に詳細に説明する。
図４Ｃは、電極４３２からのアークにより既に切断されて、基板４０８の表面から延伸するステム部４３０と、送り部４３１を有するワイヤステムを示す。この場合、アークの強度は、大幅な寸法のボール（図４Ｂの４３４と４３６に匹敵）を形成せしめることなく、ワイヤの切断にだけ十分であるように制御（最小化）される。図４Ｂに示すボール４３４と４３６に匹敵するボールが、ボールを形成するのに適した任意の技法を用いて、後続のステップで形成可能である。ワイヤのステム部（例えば、４３０）の先端上にボールを形成することなく、ワイヤの供給部（例えば、４３１）の先端上にボールを形成することは、本発明の範囲内である。
図４Ｄは、ワイヤの供給部４３１の先端上へのボールの形成を制御する際に有利となるように、ワイヤがスプリングバックする（切断時に）傾向を使用することを示す。電極４３２においてスパークを発生させる前に、毛細管４０４が、ｘ又はｙ軸方向に約０．５ｍｍ（ミリメートル）移動する。（更に正確には、ｘ−ｙテーブルにより移動されるのは基板である。）ＥＦＯ電極４３２が、毛細管４０４と共に移動する。この図において、毛細管及びＥＦＯは、ワイヤのワイヤステム部４３０に相対して、左に移動するように示している。この毛細管／ＥＦＯの横方向変位は、ワイヤステム部４３０を、ワイヤの切断時に右に（図で見て）スナップさせる。これは、以下の点を含む、多くの重要な利点を有す。
（ａ）スパーク放電に先立って毛細管を移動させることにより、ワイヤは、予備負荷されて、最小の刺激（例えば、スパーク）で自身を切断する「態勢」となる。これは、ナイフで糸を切る前に糸をピンと延ばすことと同じである。
（ｂ）ワイヤステム部（４３０）が、通常は接地への最短経路を表すが、そのワイヤステム部を、ワイヤが切断されると直ちにＥＦＯ電極から離してスナップさせることにより、結果として、供給部（４３１）が接地への最短経路となる。一般に、ＥＦＯ電極により虚窮されるスパークは、接地への最短経路を「探し求める」ことになる。このようにして、ワイヤの供給部の先端でのボール形成が、更に容易に制御される。
上述のように、後続のボンディングのための、ワイヤの供給部の先端でのボール生成の失敗が、結果として工程の遮断となる。更に微妙な問題点は、不確定寸法のボール（例えば、４３６）は、ボンディングの開始には適合するが、結果として、ワイヤボンディング工程にわたって、不確定なｚ軸制御となる可能性がある。供給ワイヤの端部にボールがあると想定されるだけでなく、ある種の再現可能な寸法であることも予想される。本発明の技法（例えば、紫外光、ワイヤの予備負荷）は、ボール成形を保証するのに役立つだけでなく、ワイヤの切断時に形成されるボール寸法の均一性も保証する。
ワイヤステムのコーティング 本発明によれば、ワイヤが、基板にボンディングされ、ある形状を有するように仕立てられ、遠位端を有するワイヤステムとなるように切断されると、結果としてのワイヤステムは、コーティングされる。
一般に、ワイヤステムに施されるコーティングは、以下で更に詳細に説明するが、ニッケル、コバルト、銅、及びそれらの合金といった金属等の導電金属性材料である。
保護膜付きワイヤステムは、「復元性のある」及び／又は「従順な」接触構造であると見なされ、それにより一般に、その糸状（復元性のある）特性（例えば、可塑変形がないコンプライアンス）が、保護膜材料の機械的特性、及びワイヤステムの弾力のある形状から導かれる。復元性のある接触構造のばね性全体は、これらの集約して「組織化」（選択）された特徴である。
この説明を続ける前に、本明細書で用いる幾つかの用語を明瞭にしたほうが都合が良い。すなわち、・「柔軟な」とは、破壊することなく、容易に曲げ又はねじられる物の能力のことを言い、特に、本発明のワイヤステムに適用できる。
・「復元性のある」とは、圧縮又は偏向された後に、その元の形状又は位置を再開する物の能力のことを言い、特に、本発明の保護膜付き接触構造に適用できる。
・「弾性的な」とは、偏向（圧縮又は伸張）力に抵抗し、圧縮力が除去された後に、その元の形状を再開する物の能力のことを言う。一般的なばねは、弾性的な挙動を示す。「弾性的な」は、「復元性がある」と同じ意味である。
・「可塑的な」とは、破壊することなく、変形される物の能力のことを言い、「柔軟な」と同じである。
・「従順な」とは、本明細書で用いる限り、弾性及び可塑性の両方を示す物のことを言う。この意味で、「従順な」という用語は、「復元性のある」という用語よりも広義である。柔軟な（可塑的な）ワイヤステムと、復元性のある（弾性的な）保護膜を有する、本発明の接触構造は、従順であると見なすことができる。
例えば、本発明の技法に従って形成された従順な接触構造は、弾性変形（純粋な柔軟性）、及び可塑変形（純粋な柔軟性）を示し、例えば全体で１０ミルの偏向に対して、弾性は３ミルで、可塑性は７ミルである。一般に、この弾性に対する可塑性の比率は、保護膜（すなわち、所与のワイヤステムに対して）の材料組成により、容易に調整される。例えば、純粋な軟質ニッケルは、弾性に比較して、相対的に大きな量の可塑性を示す。コーティング材料の関連のある機械的特性には、厚さ、降伏強度、及び弾性率が含まれる。一般に、厚さが大きくなるほど、降伏強度は高くなり、保護膜材料の弾性率は低くなって、結果としての復元性のある接触構造の復元性は大きくなる。
一般に、ワイヤステム自体は、結果としての復元性のある接触構造の機械的挙動に悪影響を与えることなく、保護膜材料に対して、「形態維持」の形状を単純に確立することを意図したものである。上述のように、これは、「足場」の目的と類似であるが、ワイヤステムは、それに保護膜が施された後、適所に留まることができる。
図５は、事例２の図５と類似であるが、基板５０８（１０８、２０８に匹敵）上の端子５１２（１１２に匹敵）にボンディングされた近位端５０２ａ（２０２ａに匹敵）を既に有しており、ある形状（例示の目的だけであるが、図２Ｂに示す形状に類似した）を有するように既に仕立てられており、また、遠位端にボール５３４（４３４に匹敵）を有するように既に切断されている、ワイヤ５０２からなる代表的なワイヤステム５３０（２０２、３３０に匹敵）を示す。
図５に示す代表的なワイヤ形状は、復元性があり、ばねとして機能し、またワイヤステムに下方へと軸方向に（すなわち、概ねｚ軸方向に）向けられる力（「Ｆ」で表記）に反作用することが可能である。しかし、上述のように、ワイヤステムが復元的であるには、それ自体が、有意な含有量の復元性材料を有さねばならず、また金（半導体相互接続用途に応じた「選定材料」）には、復元性がない（それは、加えられた力に応答して、容易に可塑変形する）。更に上述のように、復元性のある接触構造を形成する能力は、広範な用途にとって望ましいことであろう（ことである）。明らかに、ワイヤに付与される特定の形状に依存して、ワイヤ自体に復元性がある（ばねとして機能可能）ならば、莫大な量の力が、ワイヤステムの近位端（ボンディング部５０２ａ）におけるボンディングに付与可能であり、その結果、電子コンポーネント間にワイヤステムによりもたらされる相互接続のボンディングの破断、及び全体的な欠陥となるであろう。本発明の鍵となる特徴は、この問題を回避することである。
本発明によれば、１つ以上の層が、ワイヤステム５３０上に、メッキ等によりコーティングされ、多層の場合、最外（上部）層が導電材料である。ワイヤステムをコーティングすることにより達成される主要な結果は、（ａ）特に、ワイヤステム自体が、本質的に復元性のない材料（例えば、金）からなる状況において、保護膜付きワイヤステムからなる接触構造に復元性を付与すること、及び（ｂ）基板へのワイヤステムの固定を改善することである。
図５は、ワイヤ５０２を包み込み（の全体を覆い）、すなわちワイヤ５０２を覆う第１の、内部コーティング層５２０と、第１の層５２０を覆う第２の、外部（上部）コーティング層５２２からなる多層（２層コーティング）を有するワイヤステム５３０を示す。第１の層５２０は、ワイヤ５０２の近位端５０２ａがボンディングされる端子５１２（１１２に匹敵、図１Ａ）を覆い、そこにワイヤを固定する（すなわち、ワイヤのボンディング固定を大いに増強する）。第２の層５２２は、端子５１２の領域において、第１の層５２０を覆い、端子へのワイヤ５０２の固定を増強する。ワイヤステムに保護膜生成する２つの層５２０と５２２は同じ状況にあり、一方（又は、両方）が、（別態様では復元性のある）ワイヤステムに復元性を付与し、外部層（又は、両方の層）が導電性である。
例えば、・ワイヤ（５０２）は、軟質金材料からなり、０．０００７−０．００２０インチの直径を有し、・内部コーティング（５２０）は、５−１０マイクロインチの厚さを有する、銅「ストライク」であり、・外部コーティング（５２２）は、ニッケルからなり、０．００２０インチの厚さを有する。
一般に、銅等のコーティングは、２つの理由で選定される。すなわち、（ｉ）下にあるワイヤステムのメッキ能力を強化するため（周知のように、幾つかの材料が、例えばニッケルでメッキするのに様々であるのは有名なところである）、及び／又は（ii）結果としての保護膜付きワイヤステムに対して、良好な導電特性を保証するため（銅が、電気の良導体として知られている）である。
一般に、ニッケル、又はその合金等のコーティングは、その機械的特性に対して選定され、それらの中には、印加力に弾性的に反作用可能である、その高い降伏強度、及び復元性のある接触構造を接触領域（例えば、端子）に確実に固定可能である、その能力がある。
幾つかの例では、上部（例えば、第３の）保護膜層が、半田付け性その他を与え、接触領域の材料と直流的に互換性があることが望ましいことであろう。かかる例の場合、例えば、約１００マイクロインチ（０．０００１ミル）の厚さを有する、薄い上部コーティング硬質金が適切であろう。
高周波用途の場合、電流が、コーティングされたワイヤステムの外部層に沿って分布する傾向がある。かかる場合には、金は、多層保護膜の外部層として良い選択である。
図５Ａは、ワイヤステムに保護膜生成し、それを包み込み（完全に覆い）、基板５０８上の端子５１２を包囲する、１つの層５４０（図５の多層保護膜５２０／５２２に対して）のみを有するワイヤステム５３０を示す。図５に示す例の場合のように、ワイヤ５０２の近位端５０２ａは、端子５１２にボンディングされて、ワイヤ５０２の遠位端には、ボール５３４が設けられる。この場合、コーティング層５４０は、復元性があり、且つ導電性である。
例えば、・ワイヤ（５０２）は、金材料からなり、０．０００７−０．００２０インチの直径を有し、・コーティング（５４０）は、ニッケル材料からなり、０．０００５−０．００３０インチの厚さを有する。
図５Ｂは、ワイヤステムに保護膜生成し、それに覆いを付け（部分的に覆い）、端子５１２を包囲する、１つの層５４４のみを有するワイヤステム５３０を示す。この場合（覆い付け）、保護膜層５４４は、ワイヤステムの近位端５０２ａから、ワイヤステムの遠位端５３４に部分的にのみ向かって延伸する。好適には、及び重要なのは、保護膜５４４が、図示のように、ワイヤステムの曲げ部を包み込むことである。一般に、ワイヤステムの垂直（図示のような）端部は、復元性のある接触構造の全体の復元性に寄与しない。この場合、重要なのは、ワイヤステム５３０自体が、導電性であることである。というのは、ワイヤステムが、コーティング（５４４）から突き出て、電子コンポーネント（不図示）上の接触パッド（不図示）に対して電気的接触をなすためである。
例えば、・ワイヤ（５０２）は、金材料からなり、０．０００７−０．００２０インチの直径を有し、・コーティング（５４４）は、ニッケル材料からなり、０．０００５−０．００３０インチの厚さを有する。
図５Ｃは、図５Ａ（５４０に匹敵）と同じようにして、単一の層５４８で保護膜生成されたワイヤステム５３０を示す。この場合、層５４８には、ワイヤステムの長さに沿って長手方向に間隔を開けた、外部表面上の超小型突起が設けられる。かかる「ギザギザの」コーティングは、「樹枝状」と言われることがある。これらの突起、又は表面不規則性は、多数の方法で、例えばメッキ槽（以下で説明する）内の処理条件を調整して、先鋭な根粒を層５４８内に形成せしめることにより生成できる。これは、超小型突起が設けられる多層コーティング（５２２に匹敵、図５）の外部導電層の代表例である。
例えば、・ワイヤ（５０２）は、金材料からなり、０．０００７−０．００２０インチの直径を有し、・コーティング（５４８）は、共堆積のための周知の技法を用いて、０．０００５−０．００３０インチの厚さにまで堆積されるニッケル材料でり、共堆積の「異質の」（ニッケルでない）粒子は、シリコンカーバイド、アルミナ、ダイアモンド又はその他（導電材料及び非導電材料が共に利用可能である）が適しており、約３μｍの直径を有する。かかる共堆積の結果として、コーティングの外部表面上のギザギザのピークとなり、そのピークは、約０．０００５インチの平均ピーク高さを有する。共堆積は又、溶液内の問題とする鉄と同じ材料の粒子（例えば、ニッケルメッキ槽内のニッケル粒子）で実施可能である。
「ギザギザの」コーティング（例えば、５０２）を形成するための別の技法（すなわち、上述の共堆積以外の）は、電気メッキに関連して、「異常に」高い電流、及びメッキ溶液無いの「異常に」低い濃度を利用することである。これは、周知のように、「超小型樹枝化」効果を生み出すことになり、そこで、根粒がメッキ内に形成される。
図５Ｄは、超小型突起（図５Ｃに関連して説明したような）が設けられる内部層５５２（５２０に匹敵、図５）からなる、多層コーティングで保護膜生成されたワイヤステム５３０を示す。内部層５５２の頂部に堆積された外部の「正常な」順応層５５６が、「正常な」仕方で（突起を備えさせることなく）堆積されて、内部層５５２の超小型突起の幾何形状に順応して、超小型突起を呈示することになる。（例えば、金のストライクを、超小型突起を有するニッケル層にわたって施すことができる。）これは明らかに、（ｉ）多層コーティングを所望して、（ii）それが、内部層において超小型突起を形成しやすいという意味において望ましい。
図５Ｅは、本発明の１つの実施例を示し、そこでは、ワイヤ５０２が、その近位端５０２ａにおいて、基板５０８上の端子５１２にボンディングされて、代表的な単一層導電コーティング５６２で保護膜生成される。この場合、端子５１２を包囲する領域を含む、ワイヤステム５３０の低い方の部分全体が、塊５６４内に埋設される。塊５６４は、銀粒子で充填されたシリコンゴム等の導電ポリマー塊が好ましく、ワイヤステムにより呈示されるどんな寄生インダクタンスをも低減するように機能する。塊５６４の適切な電気的特性は、１０-2から１０-6オーム・センチメートルの範囲内の導電率である。塊５６４の材料は、「漸動」しないように、すなわちワイヤステム５３０の移動（復元性、従順性）に重大な悪影響（制約）を与えないように選択される。
例えば、・ワイヤ（５０２）は、金材料からなり、０．０００７−０．００２０インチの直径を有し、・コーティング（５６２）は、ニッケル材料からなり、０．０００５−０．００３０インチの厚さを有し、ポリマー塊（５６４）は、１０と６０の間（３０と５０の間等の）のショアＡ硬度を有する。一般に、ポリマー塊は、それが、接触構造のコンプライアンスを重大に害さないように選定される。利用可能となるところの真性導電ポリマーが、ポリマー塊（５６４）に対して利用できることも、本発明の範囲内である。
エラストマー塊５６４の主要目的は、ワイヤステムの全長よりも短い導電経路を、ワイヤステムの遠位先端と近位端の間（又は、もっと正確には、ワイヤステムの遠位先端に最も近い、端子５１２上の箇所）に設けることである。２点間の最短経路は直線であり、ポリマー塊を、点線で示される領域内にのみに設けることは、本発明の範囲内である。
図５Ｆは、基板上の端子５１２（２１２に匹敵）から延伸する、代表的な、保護膜付き、自立型の、復元性のある接触構造５３０（図２Ｅの成形済みワイヤ２０２に匹敵）を示す。この例示において、接触構造５３０（そこに加えられる力はなく、実線で示される）の遠位端（先端）５３０ｂは、基板の表面の上の位置「Ａ」にある。復元性のある接触構造５３０の遠位端を介して軸方向に（基板５０８に向かって）加えられる、矢印「Ｆ」で示される力は、復元性のある接触構造５３０を、点線で示すように偏向させるため、接触構造の先端は（そこに加えられる力により）、基板の表面の上の位置「Ｂ」になる。偏向力「Ｆ」は、それ自体電子コンポーネントとできる基板５０８を、別の電子コンポーネントに対して押し当てることから得られ、２つの電子コンポーネント間に、復元性のある接触構造を介して相互接続がもたらされ、又はその逆となる。
位置「Ｂ」は、位置「Ａ」よりも基板５０８の表面に近い。これら２つの位置（ＡとＢ）間に、位置「Ｃ」が示されている。使用時に（例えば、２つの電子コンポーネント間の相互接続として）、力（Ｆ）が加わると、復元性のある接触構造は、まず、位置「Ａ」から位置「Ｃ」へと可塑的に変形して、更に力（「Ｆ」）が加わると、位置「Ｃ」から位置「Ｂ」へと弾性的に（復元的に）変形することになる。
この可塑的変形と弾性的変形の組合せは、「従順性」（「復元性」に対して）により意味されるものであり、必ずしも悪くはなく、複数の接触構造の先端が、表面が完全には平坦でない、印刷回路基板（ＰＣＢ）といった電子コンポーネントに、均一に接触しない場合に、接触子から接触子への均一な接触力を保証するうえで非常に好都合である。ＰＣＢの表面に最初に当たるそれらの接触構造は、ＰＣＢの表面に最後に接触するそれらの接触構造よりも、更に可塑的に変形することになるが、全ての接触構造が被る圧縮力は、かなり均一なものとなる。
代表的な復元性のある接触構造（例えば、図５Ｆの５３０）は、本発明によれば、０．０１００−０．１２００インチの全体高さ（すなわち、ｚ軸での、基板の表面から接触構造の遠位端までの距離）を有し、０．１と２０．０ｇ／ミル（１インチの１０００倍当たりのグラム）間、好適には０．５と５．０ｇ／ミル間のばね定数（「ｋ」）を恐らく（すなわち、大部分の考えられる限りの用途に対して）有することになる。
当該技術で通常の知識を有する者には明らかなように、「好適な」ばね定数を説明することは困難であり、接触構造の復元性、及び／又は従順性は、特定用途の要求事項により左右される。弾性と可塑性の実際上考えられる限りのどんな組合せも、上記の技法に従って、ワイヤステムの厚さ、形状及び材料と、保護膜の材料及び厚さを操作することにより達成可能である。しかしながら、この説明の目的のために、３．０ｇ／ミルのばね定数（「ｋ」）が、本発明の接触構造を用いて半導体ダイに接続する（ダイに直接実装されるか、又はプローブとして）といった電子技術用途にとって、概ね「好適」である。接触構造の全体コンプライアンスは、可塑変形（例えば、位置「Ａ」と「Ｂ」間の距離）の最大で１５ミル（０．０１５インチ）が適切で、弾性変形（例えば、位置「Ｃ」と「Ｂ」間の距離）の最大で３ミル（０．００３インチ）が適切である。弾性と可塑性の相対的寄与は、個々の用途に対して容易に合わせられる。例えば、介在体上の接触構造は、可塑変形の５ミルと弾性変形の５ミルとして割り当てられる、全体で１０ミルの変形を呈示するように製造できる。実質的に「純粋な」弾性を呈示する接触構造も、製造可能である。
コーティング技法、材料、及び厚さ メッキによりワイヤステムにコーティングを施すという可能性を上述した。本発明によれば、多数の異なる技法を用いて、結果としての復元性のある接触構造の機械的、及び化学的性質を確立するために、ワイヤに保護膜を施すことが可能である。
ワイヤステムに施されるコーティングの顕著な（例えば、重要な）特徴は、それが連続的である、換言すると、ワイヤステムの全長に沿った同質材料から形成される点にある。このように、コーティングの組成又は加工性における不連続性を注意深く回避することにより、恐らく、結果としての復元性のある接触構造を繰り返し屈曲させることから欠陥へと至る傾向がある局所応力点の発生が最小化される。
一般に、コーティングの材料は、ワイヤの材料よりも大幅に強く、結果としての接触構造に所望の「ばね性」を付与する。
コーティングは、多数の容易に利用可能な技法を用いて、施すことができ、それら技法には、限定ではないが、以下のものが含まれる。すなわち、（ａ）金属の電解又は無電解水溶液メッキを含む、湿式電気化学的技法と、（ｂ）ニッケル及びその合金からのニッケルの電気メッキ、又は標準的なニッケル硫酸塩溶液からのニッケルの電気メッキ等の電気メッキであって、この方法は、２００，０００ｐｓｉを越えるといった、平方インチ当たり８０，０００ポンド（８０，０００ｐｓｉ）を越える引張り強度を有するワイヤステム上に、制御された厚さのコーティングを堆積させることが可能である、電気メッキと、（ｃ）蒸発及びスパッタを伴う任意の工程を含む、化学的蒸着法（ＣＶＤ）、マイクロ波強化ＣＶＤ（ＭＥＣＶＤ）、物理的蒸着法（ＰＶＤ）、その他と、（ｄ）ガス状、液体、又は固体の先行物質の分解を介して、材料（例えば、導電材料）の堆積を引き起こす、多数の工程（ＣＶＤは、かかる工程のうちの１つである）のいずれかと、（ｅ）ワイヤステム上に半田を堆積させるための、ウェーブ半田付け、又は電解堆積の半田である。
上述の湿式電気化学的、及び電気メッキ工程は、一般に、「標準的な」手順に従って実施され、また溶融塩、イオン化溶液、その他を用いて実施可能である。
本特許出願の目的のために、上記の技法のいずれかに従ってコーティングを設ける工程は、集約して、「保護膜生成」（ワイヤステムの）と呼ぶことにする。
本発明の復元性のある接触構造を説明するうえでの有用な類似点は、事例１にて説明したが、ワイヤステムが「骨格」であると、またワイヤステム上のコーティングが「筋肉」であると構想化する点にある。というのは、結果としての接触構造の形状を規定するのが、ワイヤステムであり、またワイヤステムに顕著な機械的特性（例えば、復元性）を付与するのが、コーティングであるためである。上記で注目したように、更に有用な類似点は、成形済みワイヤが、「足場」又は「心棒」であると見なされる点にあり、これは主に、保護膜の結果としての形状を確立するように機能する。
一般に、工程にとっての保護膜生成（例えば、メッキ）の重要性は、強調不足であり得ないし、また認識不足であるべきでなく、保護膜は、結果としての接触構造において、主要な構造的要素として機能する。
過去において、メッキは一般に、下にある構造の特性を強化可能である１つの工程と見なされてきた。これには、下にある構造の腐食を回避し、下にある構造の外観を変更し、また下にある構造の表面に所望の特性（半田付け性といった）を付与するためのメッキが含まれるであろう。換言すると、メッキ自体は、一般に、それ自体及び単独で「終わり」と見なされなかった。すなわち、メッキされた構造は、下にある構造自体の性質に頼って、それらの意図した機能を実行するためである。例えば、自動車のバンパーは、メッキされなくても全く十分に機能する。すなわち、メッキは、腐食に対する保護と共に、美的外観を与えるためである。
上記等の慣用的な電子的相互接続において、例えば、上述の米国特許第5,317,479 号の場合、メッキは、下にあるリード構造の半田付け性を強化するために用いられる。リード構造が相互作用状態にないと、従順なリードの概念は崩壊する。
「心に刻まれた」慣用的なメッキとは対照的に、本発明は、所望の機能性を達成するメッキ（すなわち、保護膜材料）に頼るものであり、実際それが全てである。ワイヤステムが、実際上その完全性において、それに保護膜生成したのちに、どのようにして除去できるか、また結果が、依然として完全に機能する復元性のある接触構造となることを、以下で説明する。（しかしながら、セラミック、ワックス、プラスチックその他の心棒上へのメッキ工程は、レコードプレーヤー記録原盤制作、自動車用のラジエータ、等に使用されてきたことは認められる。）本発明による、復元性のある、及び／又は従順な電気的接触構造に関連したコーティング（例えば、メッキ）の説明に戻ると、コーティング（すなわち、ワイヤステムにわたった多層コーティング内のコーティング層のうちのいずれか１つに対する）に適した材料には、限定ではないが、以下のものが含まれる。すなわち、・ニッケル、銅（特に、金ワイヤステム等にわたった多層コーティングの中間層としての、又は導電層としての薄い「ストライク」内の）、コバルト、鉄、及びそれらの合金であって、それら合金には、コバール（ｔｍ）（例えば、２９％ニッケル、１７％コバルト、０．３％マンガン、残り％鉄）、「合金４２」（４２％ニッケル、０．１％炭素、残り％鉄）、又はＦｅ／Ｎｉ／Ｃｏ含有物（例えば、４２％ニッケル、４０．７％鉄、１７％コバルト及び０．３％マンガン）、又は低膨張合金が含まれる。
・金（特に硬質金）及び銀であって、その両方は、卓越した導電能力を呈示する。
・プラチナ群の元素、・貴又は半貴金属、・タングステン及びモリブデン（その両方は、ＣＶＤ工程により適切に堆積される）、・コバルト、・亜鉛（特に、アルミニウムのワイヤステムにわたった）、・スズ（特に、以下で説明するが、共晶体を形成するための）、・半田（主に、隆起した半田接触子を製造するための）、・プラチナ、ロジウム、ルテニウム、プラチナ群の他の元素、銅、及びそれらと金、銀、及び銅（特に、上部コーティング層のための）との合金からなるグループから選択される、半貴金属である。
上記の各種のワイヤステム材料にわたって、これらのコーティング材料を施すために選択された技法は、もちろん、用途に応じて変化することになる。例えば、金は、ワイヤステムに好適な材料のうちの１つである。しかし、その優れた電気的特性に起因して、金にわたってメッキすることは、幾分直感的に認識されない。更に、金は、メッキに対する良好な「開始体」である。従って、本発明の１つの態様によれば、金にわたってニッケルをメッキ（特に、無電解メッキ）する場合、望ましいのは、まず、金ワイヤステムにわたって、薄い銅「ストライク」を施すことである。
自立型の復元性のある接触構造の場合、ニッケルが、特に多層コーティングの内層（５２０に匹敵）として、適切な保護膜材料である。かかるニッケルの内層は、酸化する傾向があるが、金、銀、プラチナ群の元素、及びそれらの合金といった、貴又は半貴上部コーティング層（５２２に匹敵）で保護膜生成される。
接触構造が、隆起した半田接触子（以下で更に詳細に説明する）として機能するよう意図して用いられる場合、ニッケル、コバルト、及びそれらの合金が、保護膜材料に適しており、例えば、０．００００３から０．００５００インチ、好適には０．００００５から０．００３００インチの範囲の厚さを適切に有することが可能である。
通常鉛とスズ元素を含む半田が又、保護膜に適しており、慣用的なウェーブ半田付け装置により、ワイヤステムに施すことができる。半田保護膜を留要する本発明の実施例を、以下で更に詳細に説明する。ワイヤステムにわたって多層コーティングを形成することの重要な利点は、各個々のコーティング層の材料が、復元性のある接触子の物理的性質の組を、所与の用途に合わせることができる点にある。これらの物理的性質には、引張り強度、降伏強度、その他が含まれる。
ワイヤステムにわたって多層コーティングを形成することの他の利点は、ニッケルが、酸化する強い傾向を有し、従って通常、形成された酸化物を打ち破るために、大きな接触力を必要とする。（結果として、良好な電気的接続となる低い接触力が、概ね例外なく好適である。）この理由のために、ニッケルは、単一層コーティングに対する、又はワイヤステム上の多層コーティングの上部層に対する最良の選定とはならない傾向がある。
同様に、半田上部コーティングは、幾つかの用途に対して非常に望ましいが、典型的な半田にはスズが含まれ、金（すなわち、金ワイヤステム）には、スズと非常に反応性がある。かかる不要の反応を阻止するために、中間の「障壁」層を、ワイヤステムとコーティングの上部層の間に施すことができる。金ワイヤステム、及び半田（スズを有する）上部層の場合、ニッケル合金の障壁層が、金（ワイヤ）とスズ（半田保護膜）の間の反応を阻止することになる。例えば、１００から１０００マイクロインチの厚さを有する、ニッケル合金の第１のコーティング層を、金ワイヤと半田の上部コーティング層の間に施すことができる。
復元性のある接触構造が、「ばね」として機能することを意図する限り、内部の圧縮性応力が、ワイヤステムにコーティングを施す間に、コーティング（コーティングの少なくとも１つの層）内に誘起される場合、幾つかの利点が生じることになる（幾つかの用途において）。例えば、コーティングが、ワイヤステム上にメッキされる際に、コーティング内に内部応力を誘起させるために、幾つかの添加物をメッキ溶液に加えることができる。例えば、ニッケル硫酸塩溶液内に、以下の添加物（添加剤）をメッキ溶液に加えることができる。すなわち、サッカリン（ナトリウム塩）、チオウレア、ブチネジオール、メタベンゼン−ジスルホン酸（ナトリウム塩）、１、３、６−ナフタレン−トリスルホン酸（トリナトリウム塩）、その他である。ホウ酸を、ｐＨ制御のために、メッキ溶液（槽）に加えることもできる。メッキ内の内部応力は、メッキ槽の全体温度、メッキ速度、溶液のｐＨ、ニッケル（例えば）濃度、及び他のメッキパラメータにより制御可能である。一般に、上述の添加剤は、圧縮応力、引張り応力、及び「シータ」（θ）応力を含む、メッキ内の応力を制御することに主に寄与する。
ワイヤステム自体が、コーティングの復元性と同じ状況で、「調整」が求められる幾らかの固有の復元性を有する場合、ステムに保護膜生成（例えば、メッキ）する間、１つの成形済みワイヤステム（又は、複数の成形済みワイヤステム）を、応力下に置く（図５Ｆに示すように、力「Ｆ」で予備圧縮する）ことが可能である。このような、接触構造を予備圧縮する「機械的」手段は又、幾つかの用途において望ましい。
本発明によれば、保護膜付きワイヤステムが、ばねとして機能し、そのばね定数（「ｋ」）は、材料の既知の性質に基づいて、任意の所与の構成に対して容易に計算可能である。一般に、上記のように、保護膜は、ワイヤステムの長さに沿って、少なくとも、ワイヤステムの曲げ部に沿って、大なり小なり均一な厚さにまで施され、かかる計算が簡略化される。電気メッキ等の工程をもちいると、かっかとして、ワイヤの長さに沿った実質的に均一な厚さとなる傾向がある。
本発明の１つの態様によれば、コーティングは、ワイヤステムの長さに沿って、注意深く不均一な厚さを有するように施される。
図５Ｇは、基板に「局所化」熱（「Ｈ」で表記された矢印）を加えながら、保護膜５６８で既にメッキされたワイヤステム５３０を示す。これは、基板５０８を熱ストリップ（不図示）の頂部に配設することにより、容易に達成される。このようにして、基板及びワイヤステムは、周りのメッキ槽よりも熱くなる。
金ワイヤ（５０２）が、手頃に良好な熱伝導体であるという事実にもかかわらず、ワイヤステム５３０全体が、メッキ作業時にメッキ槽内に浸漬されるという事実により、結果として、ワイヤステムに沿って顕著な温度勾配が存在することになり、ワイヤステムの近位端５０２ａは、ワイヤステムの遠位端５０２ｂよりも熱くなる。この結果として、コーティングは、ワイヤステムの遠位端よりも、ワイヤステムの近位端で大きな厚さを有することになる。（この厚さの偏差は、例示の明瞭化のために、図５Ｇの例示において誇張されている。図５Ｂに匹敵）ワイヤステムの自立端よりも、ワイヤステムが基板に固定されるところで、ワイヤステムを注意深く厚くせしめることにより、以下の利点が生じる。
・基板へのワイヤステムの固定が、所与の「平均」コーティング厚さに対して大きくなる。
・結果としての復元性のある接触構造のコンプライアンスが、ワイヤステムの遠位の復元的に動作する部分において大きくなり、すなわち、所与の平均コーティング厚さに対して、より少ない厚さののコーティング材料が存在する。
・従って、復元力により課せられる応力が、ワイヤステムの近位端（５０２ａ）において、良好に反作用することになり、それによって、復元性のある接触構造が基板から剥がれる、どんな傾向も低減される。
例として、基板の温度を８０℃±１０℃にまで上昇させる（メッキ槽の全体温度は室温である）と、別態様では、ワイヤステムの長さに沿ってそれら自体を不均一に堆積することになったコーティングが、１．５：１から５：１（厚い部分：薄い部分）の厚さ勾配を実証するように誘起可能である。本発明のこの態様は、電気メッキと無電解メッキの両方に適用可能である。
反対に、例えば熱結合デバイスによる、基板の冷却（槽に相対して）を用いて、コーティングの厚さを合わせることができる。
任意の適切な技法を用いて、メッキされる部材に温度勾配を課すことにより、メッキされる部材の厚さを合わせることができることは、本発明の範囲内である。
本発明によれば、メッキ工程時に加えられる局所化熱（すなわち、メッキ槽の全体加熱に対して）を有利に用いて、多くの状況において、コーティングの厚さを「合わせる」ことができる。それを、上記のように用いて、注意深くコーティングを、熱源に近いほど厚くすることができる。それを用いて、別態様の均一な厚さのコーティングを不均一にすることもできる。例えば、熱を加えることなく、コーティング（例えば、ニッケル）が、ワイヤステムの遠位端で厚くなる傾向があるならば、コーティングに、ワイヤステムの長さに沿って均一な厚さを呈示させるように、又は上記のように、ワイヤステムの近位端でコーティングを厚くするように、コーティングの厚さを「太らせる」ことができる。更に、平坦な基板の表面を横切って、均一な厚さのコーティングを堆積することが所望である、幾つかの用途において、熱を使用して、メッキが不均一になる（すなわち、スポットでより厚い）幾つかの固有の傾向に「反作用」させ、それによって、基板（例えば、シリコンウェーハ）の表面を横切って、均一なコーティングの厚さを保証することができる。（薄いコーティングを有する傾向がある、基板の表面上のスポット又は領域は、これらの領域におけるコーティングを厚くするように、局所的に加熱することができる。）これも又、本発明の範囲内である。
図５Ｈは、図５Ｇに関連して示したのと同様であるが、直線のワイヤステム（例えば、ピン）５７０のコーティングに関連して、コーティング厚さを合わせる１つの例を示す。直線のワイヤステム５０２が、その近位端５０２ａにより、基板上の端子にボンディングされる。結果としての保護膜５７８は、ワイヤステムの近位端５０２ａよりも、ワイヤステム５０２の遠位先端５０２ｂに向かって厚くなる。
本明細書に記載した実施例の多くにおいて、ニッケルが、保護膜材料（例えば、保護膜層のうちの少なくとも１つの）に非常に適しており、メッキによりワイヤステム上に堆積される。かかる工程は、一般に、十分理解され、また本発明が最も近くに属する技術における通常の知識を有する者の視野内に十分あるが、ニッケルメッキの包括的な説明は、１９７０年、Robert Draper Ltd.（英国）刊、Roger Brugger 著の「ニッケルメッキ法」に見出すことができ、その関連のある教示を参照として本明細書に取り込む。
接触領域の特性 基板（例えば、電子コンポーネント）上の端子（例えば、図１Ａの１１２を参照）とすることができる、接触領域（例えば、図１の１００を参照）にワイヤの自由端をボンディングすることに関連して、本発明を説明した。接触領域（１１０）が、金属性であり、限定ではないが、以下のものを含む金属から形成されることが、一般に要求される。すなわち、（ａ）金及びその合金、（ｂ）アルミニウム及びその合金、（ｃ）銀及びその合金、（ｄ）銅及びその合金、（ｅ）プラチナ群の金属である。
本明細書に呈示する例の多くにおいて、接触領域は端子（１１２）である。しかし、理解されるであろうが、接触領域は、端子又は接着パッドに限定されず、また複数の接触領域を有するように、ホトレジスト及びエッチング（例えば、図１Ｂを参照）等により、後に続いてパターン化される単一の連続した層上に、複数の接触領域が存在できる。
接触領域（端子等の）には、多数の層が含まれ、その最上部層は、金又はアルミニウム等の材料である。一般に、基板の接触領域の材料は、かかる接触領域に対して１組の既知の材料内にある。
材料の性質 多数の材料が、ワイヤ、コーティング、及びワイヤがボンディングされる規定の領域に適しているとして、上記で説明した。本発明の一部を形成しないが、多数のこれら材料の顕著な特性の簡単な説明を、本発明におけるそれらの実用性（幾つかの場合、不明瞭、又は直感的でない）に関するコメントと共に以下で行う。これらの簡単な説明は、入念であることを意図したものであり、如何様な限定と解釈されることを意図していない。金属材料、及びそれらの関連ある性質の更に包括的な「購入品目リスト」は、１９９４年、マグローヒル社刊、Harper及びSampson 著による「電子材料及びプロセスハンドブック」の第５章（「金属」）の５．１−５．６９頁に見出すことができる。
アルミニウム−その良好な電気的、及び機械的性質のために、アルミニウムは重要な接触材料である。しかし、接触金属としては、アルミニウムは、容易に酸化するので、一般に貧弱なものである。アルミニウムが接触結合部に用いられる場合、銅、銀、又はスズでメッキ又は被覆すべきである。
ベリリウム−この材料は、密度に対する高い硬度及び強度比、高い熱伝導性、及び低い熱膨張を示す。
銅−銅は、その高い導電性と熱伝導性、低いコスト、及び製造のし易さのために、電気接触子に広く用いられる。銅接触子の主な欠点は、酸化及び腐食に対する耐性が低い点である。純銅は、比較的軟質で、低温でアニールし、また時折所望されるばね性質が欠如している。
エポキシ−エポキシは、一般に非導電性であり、室温又は温度が上昇すると硬化（堅くなる）する樹脂である。電気接続子（例えば、半田の代わりに）に用いる場合、銀又は金粒子で充填された導電性エポキシが使用される。これらの導電性エポキシは、通常、１ｍΩ／ｃｍ（ミリオーム／センチメートル）より小さい体積抵抗率を示すことになる。選定するのに過多のエポキシが存在し、最終的な選定は、エポキシが使用される用途に左右される。
共晶体−「共晶体」とは、構成金属のいずれよりも低い溶融温度を示す、金及びスズ等の金属の組合せのことである。例として、８０％金−２０％スズ（重量パーセント）、及び６３％スズ−３７％鉛が含まれる。溶融すると膨張するという共晶体の特性は、以下で説明する実施例の幾つかで活用される。
金−純金は、酸化及び硫化に対する抜群の耐性を有するが、低い融点、及び侵食の受け易さによって、その電気接触子での利用が、低電流用途に限定される。金は、パラジウム又はロジウムと接触すると、非常に低い接触抵抗を有する。
ニッケル−ニッケル及びその合金は、通常、良好な強度及び腐食耐性により特徴付けられる。ニッケル金属は、比較的良好な導電性を有する。
プラチナ群金属−プラチナ及びパラジウムは、プラチナ群の中で２つの最も重要な金属である。これらの金属は、変色耐性が高く、従って継電器、及び低い接触力を有する他の装置に対して、信頼性の良い接触投入をもたらす。
貴金属−以下の材料は概ね全て、良好な腐食耐性を示す（硫化物環境内の銀を除いて）。すなわち、金、イリジウム、オスミウム、パラジウム、プラチナ、ロジウム、ルテニウム、及び銀である。
銀−銀は、純粋な又は合金形態で、開閉接触子に対して広く利用される材料である。純銀の機械的性質及び硬度は、合金化により改善されるが、その熱伝導性及び導電性は悪影響を受ける。
半田−半田は、電子及び電気産業において広く利用される合金グループである。それらの組成は、主にはスズと鉛に基づき、少数として銀及びアンチモン等の合金元素がある。半田は、室温における低い強度の材料であり、電子機器が被る適度に上昇した温度でさえも、多少急速に強度が減少する。半田内のスズ：鉛の相対比は、広く範囲をとることができ、公称は５０：５０である。
タングステン及びモリブデン−大部分のタングステン及びモリブデン接触子は、複合形態で製作され、他の主要成分として銀又は銅がある。
自己平坦化特徴 電子コンポーネント（半導体パッケージから延伸するピン等の）の表面から延伸する接触構造を有する大部分の用途において、非常に望ましいのは、接触構造の遠位端（先端）が共平面をなすことである。平坦な表面から発する突出した接触構造（例えば、ピン）の場合、これは又、ピンが均一な高さにあることを意味する。多くの場合、電子コンポーネントの製造公差は、コンポーネントの平面性が、（例えば）熱アセンブリ又は工程ステップから生じる、反りその他に起因して、保証できないというようなものである。従って、反った基板に実装された、完全に均一な長さを有するピンの先端は、定義上、共平面とはならなくなる。
本発明によれば、ワイヤステムの先端の垂直（ｚ軸）位置が、切断作業（上記で説明した）時に容易に制御される。これは、コーティングを複数のワイヤステムに均一に施す（ワイヤステムからワイヤステムへと）ことが比較的容易であることに関連して、複数のワイヤステムの先端の予想可能な位置（完全に共平面な）を保証する。本発明のこの特徴が特に適用可能な例は、ワイヤステムが、１つの電子コンポーネント上の異なるレベルから始まり、別の電子コンポーネントの平坦な表面（２つ以上の電子コンポーネントの共平面にある表面を含む）上に終端する、又はその逆であることを意図する場合である。関連した例は、ワイヤステムが、電子コンポーネントから、また電子コンポーネントに実装された電子素子から始まり、別の電子コンポーネントの平坦な表面上に終端する、又はその逆であることを意図する場合である。切断作業において精度を保証することは、図４Ａ−４Ｄに関連して上記で説明した。
図６Ａは、本発明の応用例６００を示し、そこでは、第１及び第２の複数の突出した接触構造６０２及び６０４（図示では、各複数において、多くのうちの１つ）が、それぞれ、その上部（図で見て）表面上のそれぞれ２つの異なるレベル（異なるｚ軸座標）において、端子（例として、それのみ）を有する第１の電子コンポーネント６０６から延伸し（始まり）、第１の電子コンポーネント６０６の上部表面に実装される第２の電子コンポーネント６１８の上部（図で見て）から延伸する、第３の複数（図示では多くのうち２つ）の突出した接触構造を有する。この例の場合、突出した（復元性のある）接触構造は、Ｓ字形状（図５ＡのＳ字形状のワイヤステムと同様にして）として示され、保護膜は、例示の明瞭化のために省略している。
この図に示すように、第１、第２、及び第３のグループの突出した接触構造は、全て、異なるレベル（ｚ軸座標）から始まり、全て、第３の電子コンポーネント６２２の下部（図で見て）の例示的に平坦な表面上に終端（それらの先端において）する。（復元性のある接触構造の先端が接触することになる、接触パッド、端子、その他は、例示の明瞭化のために省略している。）接触構造６０２、６０４、及び６１４が横断せねばならない（異なるレベルで始まり、互いに共平面で終端する結果として）異なる距離に起因して、各突出した接触子の一部が、「延ばされる」必要がある。これは例えば、接触構造における曲げ部を修正することなく、要求通りに、接触子の遠位部を単純に長く（又は、短く）することにより達成される。このことは、例示され、各種の接触構造が同一の復元特性を備えるように好適化されている。
本発明のこの例示的な実施例６００の場合、コンポーネント６０６は、印刷回路基板とすることができ、コンポーネント６１８は、減結合コンデンサ、抵抗、その他（すなわち、受動電子コンポーネント）とすることができ、またコンポーネント６２２は、裸の、パッケージ未実装の半導体素子（ダイ）とすることができる。本発明は、どんな特定の電子コンポーネントにも限定されない。このようにして相互接続をなす利点の中で、コンポーネント間の寄生インダクタンスを最小化できるという特徴があり、これは、高周波数で動作する半導体素子（例えば、６２２）を扱う場合に、最も重要である。この例示（図６Ａ）は、事例１の図１２と類似しており、これは、パッド（９２）当たり２つの直線接触構造を示す。
図６Ｂは、図６Ａの当然の帰結（その反転状況）を示し、この応用例６２０において、接触構造６０２、６０４、及び６１４は、第３のコンポーネント６２２上に始まり、第１のコンポーネント６０６、及び第２のコンポーネント６１８上で終端する。
図６Ａ及び６Ｂは共に、本発明に従って達成可能である、接触構造の高さにわたる制御の度合いを示す。第１の場合（図６Ａ）、接触子は、異なるレベルから始まり、同じ（共平面）レベルで終端する。第２の場合（図６Ｂ）、接触子は、全て同じレベルから始まり、異なるレベルで終端する。例示したいずれの場合でも、復元性のある接触構造の先端の位置は、図４Ａ−４Ｄと関連して上記のように、切り離し（切断）作業時に精密に制御することができる。
図６Ａ及び６Ｂに示すような配列を用いて、一方のダイを他方のダイに実装及び接続できることは、本発明の範囲内である。更に、図６Ａに関連して、異なるレベルから始まり、先端が全て所与の平面内にある接触構造を生成するために、本発明の技法の能力をうまく利用して、コンポーネント６０６の表面に窪みを設けることは、必ずしも必要でない。
図６Ｃは、本発明の「自己平坦化」特徴から利点がある他の構成６５０を示す。この例の場合、第１の代表的な接触構造６５２が、第１の電子コンポーネント６５６の上部（図で見て）表面上の端子から始まり、第２の代表的な接触構造６５８が、第１の電子コンポーネント６５６の上部表面上の端子から始まる。接触構造６５２及び６５８（例示の明瞭化のために、１つの曲げ部のみを備えて示される）は、コンポーネント６５６のエッジから離れた、対応する先端（遠位端）６５２ｂ及び６５８ｂで終端し、他の電子コンポーネント６６４の表面に接触する。しかし、注目すべきは、先端６５２ｂと６５８ｂが共平面で、ｘ−ｚ平面（図２に匹敵）にあり、一方それらの近位端は、電子コンポーネント６５６の表面のｘ−ｙ平面にある。これは、接触構造の近位端と遠位端が平行な平面にあること、及び接触構造が、２つ（又は、それより多い）電子コンポーネントの相対的な配向にかかわらず、及びそれらにより制限されずに、任意の組の点（平面、もしあれば、第１の電子コンポーネントの表面の平面といった）から任意の他の組の点（平面、もしあれば、第２の電子コンポーネントの表面の平面）へと延伸するように、仕立て可能であることは、必ずしも必要ではない。換言すると、「自由」（阻止されない）経路が、相互接続を所望する２つ（又は、それより多い）の電子コンポーネント間に存在する限り、２つの電子コンポーネント間で延伸することになる接触構造を仕立てることができ、また該接触構造は、本明細書に開示の利点（例えば、復元性）のいずれか、及びその全てを示すように製作することができる。
第１のグループの復元性のある接触構造が全て、１つの平面（復元性のある接触構造が始まる基板と、共平面であってもなくなもよい）上で終端し、同一の基板の同一の表面から始まる他のグループの復元性のある接触構造が全て、基板と、又は第１のグループの復元性のある接触構造が終端する平面と共平面にない、異なる平面において終端することは、本発明の範囲内である。
基板の表面から始まる復元性のある接触構造の各々が、全て、その基板のその表面の上の異なる（特異な、個々の）高さで終端することも、本発明の範囲内である。
本発明の「自己平坦化」特徴（すなわち、異なるレベルから始まる復元性のある接触構造が、全て、共通の平面において終端するように製作可能である）が、従来技術の相互接続技法によっては存在しなかった多数の機会を与える。「共通の接触先端平面」をとることができると、復元性のある接触構造を有する電子コンポーネントの直下に（又は、基板接続部上の復元性のある接触構造に）、追加のコンポーネントを組み込むことが可能になり、該追加のコンポーネントには、抵抗及びコンデンサ（例えば、減結合コンデンサ）だけでなく、機能統合を強化するために、能動素子も含まれる。これによって、非常に低いインダクタンス／容量の相互接続の望ましい実現が可能になる。
明確に示さないが、理解されたいのは、本発明の復元性のある接触構造は、ある「レベル」の端子から始まる必要はないこと、及びその端子は斜めにすることができる（基板上の他の端子に対してある角度で）ことである。一般に、これは、ワイヤステムの近位端（すなわち、端子その他に最初にボンディングされるワイヤの端部）は本質的に点であり、ワイヤステムの構成は、端子の配向に一般に敏感でない、という事実に起因する。これは、その端子が互いに共平面でない、追加のコンポーネント（例えば、図６Ａに示す６１８）の組み込みに関連して重要であろう。これは又、他の端子に対して斜めにされる端子へのボンディングの例の場合に重要であろう。端子にワイヤをボンディングする工程は、ワイヤが、端子の表面に対して概ね垂直に（例えば、９０度±２０度から±３０度で）ボンディングされる場合に最良に実施されるが、幾らかのスキューは吸収可能であり、スキューの度合いは、端子（すなわち、接触領域）がそのように斜めにされると、毛細管の移動と干渉することになる場合に（すなわち、毛細管のエッジが端子に当たり、それにより、ボンディング作業と機械的に干渉する場合に）のみ制限される。
電子コンポーネント 「基板」にワイヤの自由端をボンディングし、弾力のある形状を有するように従順なワイヤステムを構成し、２つ（又は、それより多い）電子コンポーネント（その１つは、復元性のある接触子が形成される「基板」である）間に相互接続をなすための復元性のある接触構造を形成するために、ばね材料でワイヤに保護膜を施すことに関連して、本発明を説明した。適切な基板には、限定ではないが、以下のものが含まれ、その多くは、以下で更に詳細に説明する。
（ａ）相互接続及び介在体基板、（ｂ）シリコン（Ｓｉ）又はガリウム・ヒ素化合物（ＧａＡｓ）等の任意の適切な半導電材料から製作される、半導体ウェーハ及びダイ、（ｃ）製品相互接続ソケット、（ｄ）試験ソケット、（ｅ）本明細書で説明される、犠牲部材、要素、及び基板、（ｆ）本明細書で説明される、セラミックパッケージ、プラスチックパッケージ、及びチップキャリヤを含む、半導体パッケージ（「パッケージ」）、（ｇ）コネクタである。
半導体パッケージ 本発明は、復元性のある（従順な、変形可能な、及び柔軟なを含む）接触構造を、半導体パッケージの外部表面上に設けることに十分適している。
半導体パッケージは、（１）ある種のパッケージ本体内に半導体（ＩＣ）ダイを密閉し、（２）外部システムにパッケージ済みダイを接続するための外部接続子を与えるために利用される。通常、半導体パッケージにより与えられる外部接続子は、半導体ダイへの接続子よりも、互いから広く間隔を開けられる。この意味で、半導体パッケージは、「間隔変換器」として機能する。この節では、パッケージ済みのダイから外部システムのコンポーネントへと相互接続をなすことに関連して、本発明の接触構造の適用性を説明する。
半導体素子をパッケージ実装するための多数の技法が知られており、それらには、プラスチックモールド、セラミックパッケージ実装、及び基板型式のパッケージ実装が含まれる。
一般に、従来技術のセラミックパッケージ実装には、セラミック層間に間引かれた導電トレース（導電ライン）の１つ以上の層から製作されたパッケージ本体の空洞内に、ダイを実装することが伴う。ダイは、慣用的なワイヤボンディング技法等により、空洞内に延伸する導電トレースの内部端に接続される。トレースの外部端は、セラミック内で、セラミックパッケージ本体の外部表面上の外部ピン、リード、又はパッドに接続される。
一般に、従来技術のプラスチックモールド技法には、比較的堅固なリードフレームのパドルにダイを実装することが伴い、リードフレームは、導電リード（導電ライン）のパターン化層を有する。ダイは、慣用的なワイヤボンディング技法等により、導電リードフレームのリードの内端部に接続される。ダイと、リードフレームの内部とは、プラスチックモールド配合剤により封止される。導電リードの外端部は、外部コンポーネントに接続するために、モールドされたプラスチック本体の外側に延伸する。
一般に、ＰＣＢ型式のパッケージ実装技法には、導電トレースを有する印刷回路基板（ＰＣＢ）にダイを実装することが伴う。ダイは、慣用的なワイヤボンディング技法等により、ダイに隣接した領域へと延伸する導電トレースの内端に接続される。一旦、トレースの内端に接続されると、ダイと、トレースの内端とが、プラスチック又は樹脂で封止される。導電トレースの外端は、ＰＣＢ内で、セラミックパッケージ本体の外部表面上の外部ピン、リード、又はパッドに接続される。
図７Ａは、パッケージ本体７０２の外部（図で見て、下部）表面に実装された、複数の復元性のある接触構造７３０を有するセラミックパッケージ７００を示す。この例の場合の接触構造７３０は、Ｓ字形状（図２Ｅに示すような）を有する。パッケージ本体７０２には、その上部（図で見て）表面からパッケージ本体内へと延伸する、空洞７０４が設けられる。半導体ダイ７０６が、空洞内に配設されて、蓋７０８により閉じられる。半導体ダイは、ボンディングワイヤ７１０により、空洞７０４内へと延伸する導電トレース（不図示）の端部に接続される。これらのトレースは、導電バイア（不図示）、導電トレースの追加のパターン化層（不図示）、その他により、パッケージ本体７０４の下部表面上の導電パッド（不図示）に接続される。復元性のある接触構造７０２は、１つ１つ、導電パッドに実装される。かかる「上部空洞」パッケージの場合、パッケージ本体の下部表面全体には、行と列のアレイに配列された接触構造が「定置」可能である。（この図において、また本明細書に提示する幾つかの他の図において、復元性のある接触構造（例えば、７３０、７５０）は、厚い黒線で単純に示され、これらの接触構造に保護膜生成されることが理解されるであろう。）図７Ｂは、外部相互接続子として用いられる複数の復元性のある接触構造７３０ａ及び７３０ｂ（図示では多くのうち２つ）を有する、例示的なプラスチック半導体パッケージ７４０を示す。この例の場合の接触構造７３０ａ及び７３０ｂは、Ｓ字形状（図２Ｅに示すような）を有する。導電リードフレーム要素（フィンガ）７４４ａ及び７４４ｂが、パッケージ本体７４２内からパッケージ本体外へと延伸する様子が示されている。復元性のある接触構造７３０ａ及び７３０ｂは、パッケージ本体外に延伸する、対応するリードフレームフィンガ７４４ａ及び７４４ｂの外側部分に実装される。同様に、半導体ダイ７４６が、任意として、復元性のある接触構造により、リードフレームフィンガ７４４の内端に接続可能である（図示のように）。
図７Ｂに示すように、リードフレームフィンガ７４４ａ及び７４４ｂは、交互に、半導体パッケージ本体７４２から２つの異なる距離に延伸できる（例えば、短−長−短−長、等）。このようにして、復元性のある接触構造７３０ａ及び７３０ｂの遠位端の実効ピッチが増大可能となる。かかる「ピッチ拡張」の更なる説明は、図１５Ａの説明に見出すことができる。一般に、接触構造の近位端から遠位端（先端）への実効ピッチを増大する能力により、印刷回路基板への電子コンポーネントの更に手軽な接続が可能になる。ある意味で、これは、全ての半導体パッケージについて言えることであり、半導体ダイ上の接着パッドの間隔よりも広い、外部の相互接続ピッチがもたらされる。従来技術の場合、周辺のリードパッケージが、約２０ミルのリード間ピッチに制限されるが、これは、印刷回路基板へのリード付きコンポーネントの半田付けの制約に起因する。周辺リード（７４４ａ、７４４ｂ）を千鳥状にすることにより、図７Ｂに示すように、これらの制約を維持しながら、更に高い密度が達成できる。
図７Ｃは、印刷回路基板（ＰＣＢ）７８２の外部（図で見て、下部）表面に実装された、複数の復元性のある接触構造７３０を有するＰＣＢ型式のパッケージ７８０を示す。この例の場合の接触構造７３０は、Ｓ字形状（図２Ｅに示すように）を有する。半導体ダイ７４６が、ＰＣＢ７８２の上部（図で見て）表面に実装されて、ボンディングワイヤ７９０により、ＰＣＢ７８２の頂部の導電トレース（不図示）に接続される。接触構造７３０は、ＰＣＢ７８２の下部（図で見て）表面の導電パッド（不図示）に実装される。ＰＣＢ７８２の下部表面の導電パッドは、メッキされたスルーホール（不図示）、ＰＣＢ７８２内の追加の配線層（不図示）を介して、ＰＣＢ７８２の上部表面の導電トレースに接続される。ある量のエポキシ７９２が、ダイ７８６及びボンディングワイヤ７９０にわたって施されて、ダイ７８６が封止される。代替として、ＰＣＢ７８２に、プラスチックで上モールドすることもできる。
図７Ｄは、他のパッケージ７９０を示し、ここで、半導体ダイ７９１が、ボンディングワイヤ７９２による慣用的な仕方で、リードフレームフィンガ７９３の内端にボンディングされる。パッシベーション層７９４が、ダイの上にあり、ダイへのボンディングのための開口を備える。これはかなり慣用的である。本発明によれば、ボンディング（すなわち、ボンディングワイヤ）の完全性が、リードフレームにボンディング済みのダイを適切なメッキ槽に浸漬して、ボンディングワイヤ（及び、リードフレームの内端）をメッキすることにより強化可能である。ここで、メッキ（例えば、ニッケル）は、上記で説明したようにして、ボンディングワイヤを硬化して、ダイ上の接着パッドに（及び、任意として、リードフレームフィンガの内端に）、ボンディングワイヤを確実に固定するように機能する。かかるボンディングワイヤの硬化は、ワイヤ洗浄（移動）、及びその他、ダイ上に絶縁本体７９５をモールドする後続の工程ステップと関連した問題（例えば、ワイヤ間の短絡）を最小限に抑えるのに役立ち、また、熱膨張に関連した問題（ボンディングへの応力）を最小限に抑えるのに役立つことになる。ボンディングワイヤに保護膜を施すことも、図示のように、ダイの背部が開放している場合に、ダイを支持するにに役立つ。
この例に示すように、ダイ（リードフレーム）は、部分的に（完全でなく）上モールドして、ダイの背部表面を露出状態に残すことが可能である。これは、ダイの背部にヒートシンク（不図示）を実装する場合、又はダイの背部に既に製造されたヒートシンク構造（例えば、図２４Ｄ及び２４Ｅに関連して、以下で説明する）に適応させる場合に有利であろう。一般に、これは、ダイの背部の中央部と位置が合った開口を有する支持層７９７（例えば、ポリイミド膜）の頂部に、ダイとリードフレームを実装することにより最良に達成されるであろう（ダイのエッジ部は、支持層により支持される）この例示において、パッケージへの外部接続は、図面を乱さないように省略してある。本発明の復元性のある接触構造を含む、任意の適切な外部接続子が使用可能なことは、本発明の範囲内である。
犠牲要素 本発明の１つの態様によれば、復元性のある接触構造は、犠牲要素上に、又は電子コンポーネントから犠牲要素へと形成可能である。
復元性のある接触構造の形成に関連して、犠牲要素を利用することは、事例１の図６ａ−６ｃに記載されており、これらは、本明細書の図８Ａ−８Ｃと類似である。
図８Ａは、基板８０８上の第１の端子８１２にボンディングされた近位端８０２ａを有する、ワイヤ８０２を示し、これは、Ｕ字形状のループへと形成可能であり、ワイヤ８０２の遠位端８０２ｂは、切断されるのではなく、適切なくさびボンディング、その他を用いて、第２の端子８２０にボンディングされる。
結果としてのループ形状のワイヤステム８３０には、図８Ｂに示すように、ワイヤステム８３０全体、及び端子８１２、８２０を包む１層又は多層被覆８４０で保護膜生成される。第２の端子８２０は、犠牲層の頂部に適切に位置決めされ、この犠牲層は、電気メッキ工程（ワイヤステムに保護膜を施すのに、かかる工程が用いられる場合）用の電気接点として機能し、またワイヤステムの２つの端部８０２ａ及び８０２ｂに対して、異なる（より高い）ｚ軸座標を与えるように機能する。
図８Ｃに示すように、ワイヤステムに保護膜を施した後、犠牲層８２２を除去することができ（選択性エッチング等により）、間隙８２４が、端部８０２ｂと基板８０８の表面の間に残る。端部８０２ｂの「懸架」が特に重要なのは、電子コンポーネント（半導体ダイ等）のエージング又は試験（以下で更に詳細に説明する）のために、又は電子コンポーネントに対して、取り外し可能な電気的相互接続をもたらすために、コンポーネント又は基板上の一致結合端子と復元性をもって係合可能な、制御された幾何形状のばね接触子の形成にとってである。間隙８２４によって、力が加えられる場合に、最終の接触構造の先端８０２ｂのｚ軸偏向（移動）が可能となる。
図８Ｃに示すように、意図するのは、接触構造８３０が、その遠位端（８０２ｂ）ではなく、その長さに沿ったある点に接触する、ということである。これは、「Ｃ」で表記した下向き指示の矢印により示される。（同様の結果が、図１６Ｃに示す接触構造１６４０及び１６４２に関連することになろう。）図８Ｄが示すのは、直ぐ上で説明した手順を、犠牲層（図８Ａの８２２）が、ワイヤステムに保護膜を施す（例えば、図８Ｂを参照）前に除去可能であるように、再整理したものである。
本明細書で用いる、上記の要素８２２等の「犠牲要素」とは、一般に、復元性のある接触構造が実装される電子コンポーネント（８０８）上の要素（層等）である。
犠牲部材及びプローブ実施例 プローブ要素として有用な復元性のある接触構造の形成と関連して、犠牲部材を利用することは、事例２の図１４−１５に記載されており、これらは、本明細書の図９Ａ−９Ｂと類似である。
図９Ａは、プローブとしての用途に適した復元性のある接触構造９３０の形成に関連した、犠牲部材９０２（破線で示す）を用いる実施例９００を示す。この例の場合、犠牲部材は、アルミニウムから適切に形成される。
複数（図示では多くのうち１つ）の窪み部９０４が、エッチング、彫刻、型押し、その他等により、犠牲部材９０２の上部表面９０２ａに形成される。窪み部９０４の下部（図で見て）表面は、不規則な地形を有し、これは例えば、頂点で終端する反転ピラミッドのような形態をとる。金又はロジウム（代替として、半田端子等に接触させる場合には、スズ又は半田）等の導電材料からなる薄い層９０６が、任意の周知の仕方で、窪み内に堆積される。窪み部９０４は、次いで、ニッケル等の導電材料９０８により、任意の周知の仕方で、実質的に充填される。金等の導電材料の層９１０が、次に、任意の周知の仕方で、充填材料９０８にわたって堆積される。この金（９０６）、ニッケル（９０８）、及び金（９１０）というサンドイッチ構造は、プローブ要素に適切な先端構造（「接触パッド」）を形成する。
ワイヤ９１２が、その近位端９１２ａにおいて、層９１０の表面にボンディングされ、電子コンポーネント９２０のエッジにわたって延伸すべく構成され、そこで、ワイヤは切断されて、その遠位端９１２ｂが、電子コンポーネント９２０上の端子９２２にボンディングされる。ワイヤの構成済みの形状は、図２Ｄに示す形状と同様である（すなわち、ワイヤが、コンポーネント９２０のエッジから離れて突出する点で）。
次に、ワイヤには、ニッケル等の導電材料９１４で、又は図５に関連して説明した多層コーティングで保護膜が施され、これは又、上記のようにして、電子コンポーネント上の端子９２２にも保護膜を施す。保護膜が、犠牲部材上の所望の領域のみを覆うのを保証するために、窪み部（９０４）を除く、犠牲部材の表面全体が、ホトレジスト（不図示）等の適切なマスキング材料で被覆され得る。（このマスキングは、接触パッドを製造するために、窪み部を形成及び充填する工程から「外す」こともできる。）図示のように、犠牲部材９０２は、単純にホトレジスト材料とすることもできる適切なスタンドオフ要素９１６（破線で示す）により、電子コンポーネント９２０に対して所定の位置に維持される。
終了すると、スタンドオフ要素９１６、及び犠牲部材９０２は除去されて、電子コンポーネント９２０から延伸する復元性のある接触構造９３０が残されるが、その各々は、端部において、制御された幾何形状の接触パッドを有する。例えば、接触パッドの反転ピラミッドの頂点は、プローブ当てに関連して、プローブ当てを所望する（例えば、エージング、試験、その他のために）別の電子コンポーネント（不図示）の端子（パッド）に対して、信頼性の良い電気的接続をもたらすのに役立つ。比較的低い全体力が伴うと、点（頂点）は、プローブ当てを行っている電子コンポーネントの端子を部分的に貫通することになる。一般に、この場合、電子コンポーネント９２０は、恐らく試験カード（印刷回路基板）であり、これは、プローブ当てを行う電子コンポーネントが導入される領域へと延伸する、複数のプローブ構造（９３０）を有する。試験カードは、リングの形態とするのが適しており、プローブ９３０は、リングの内部エッジからリングの下へと延伸する。
上記で説明した事象のシーケンスが、以下のように再編成されることは、本発明の範囲内である。すなわち、（ａ）ワイヤ９１２が、電子コンポーネント９２０の端子９２２に先ずボンディングされる、及び／又は、（ｂ）犠牲部材９０２が除去された後、ワイヤ９１２に保護膜（９１４）が施されることである。
図９Ｂは、前の実施例９００のプローブ９３０と類似しているが、以下の差異を有する、完成プローブ９４２の実施例９４０を示す。この場合、プローブ９４２（９３０に匹敵）の端部は、複数の点ではなく、単一の突出瘤９４６を有する接触パッド９４４にくさびボンディングされ、プローブ９４２の端部９４８（９１２ｂに匹敵）は、電子コンポーネント９５０（９２０に匹敵）にボールボンディングされる。
図９Ｃに示すように、プローブに役立つ（例えば、好ましい）接触先端が、薄いアルミニウム（箔）犠牲部材９６０上の犠牲部材内に（又は、それ上に）、以下のようにして形成可能である。すなわち、・箔に対して、プラスチック・シート等の一時的な裏当て９６２を与えて、箔の構造的な完全性を増大させ、・箔の面を、ホトレジスト９６４、その他の薄い（約３ミル）層でパターニングして、接触先端の形成を所望する場所に開口を残し、・ホトレジストの開口内で、箔上に硬質の金の薄い（約１００μインチ）層９６６を堆積し（メッキ等により）、・その硬質の金の層上に、銅９６８の非常に薄い（約５−１０μインチ）層（「ストライク」）を堆積し（メッキ等により）、（ここで理解されたいのは、かかる銅ストライクは、幾分任意なものあり、前の金層９６６を後続してメッキする際に、主に手助けとなるように設けられる、ということである）・銅ストライク上にニッケルの厚い（約２ミル）層９７０を堆積して（メッキ等により）、・ニッケル上に軟質の金の薄い（約１００μインチ）層９７２を堆積する（メッキ等により）ものである。
これによって、４層の接触先端が形成され、これは、金ワイヤ（不図示）が容易にボンディングされ（軟質金の層に）、電子コンポーネントに接触するための硬質金の層（９６６）と、強度を与えるニッケル層（９７０）と、容易にボンディングされる軟質金の層（９７２）を有する。上記で説明したように、犠牲部材（９６０）にワイヤをボンディングした後、ワイヤはメッキされて（例えば、ニッケルで）、犠牲部材は除去される（又は、その逆）。
追加のプローブ実施例 基板上に犠牲部材を用いて（図８Ａのように）、又は基板から外れた犠牲部材を用いて（図９Ａのように）、復元性のある接触構造を形成する能力を、概ね上記で説明した。
上記のように、図９Ａ及び９Ｂに記載の復元性のある接触構造は、エージングのために電子コンポーネントに接触し、またプローブを当てたコンポーネントの機能性を試験及び実施する、プローブとして適切に使用される。
本発明によれば、復元性のある接触構造は、チッププローブ当てカード内に組み込むことが可能である。
図１０Ａ−１０Ｉは、犠牲部材を用いて、チッププローブ当てカードを作るための製造方法を示す。一般に、開口が、犠牲部材（例えば、アルミニウム又は銅）上のホトレジスト内に形成され、任意的な幾何形状が、レジスト開口内の犠牲部材に生成され（通常、追加のエッチングステップ、又は成形工具により）、次に少なくとも１つの導電層が、開口の内側にメッキ又は堆積され、その時点で、犠牲部材が、チッププローブ当てカードに（例えば、直下に）実装される（この実装は、実行される最初のステップとなる）。その後、ワイヤが、犠牲部材及びカードにボンディングされた、ばね材料（又は、他の任意の材料）で保護膜生成される。最後に、犠牲層が、接触子（プローブ）に影響を与えることなく除去される。
留意されたいのは、ワイヤの先端に形成され、試験（プローブ当て）しようとする素子に一時的に接続するのに好都合な幾何形状を通常有する接触パッド備えた、本明細書に記載のプローブ実施例において、成形済みワイヤをコーティングする材料は、それが求められる復元性を与える限り、導電性である必要はないということである。すなわち、多くの用途に対して、ワイヤ自体が、プローブカード（例えば）とプローブ当てを行う素子間に、必要な導電経路を与える。
犠牲部材の処理を伴う、工程流れの第１の「段階」（段階１）が、図１０Ａ−１０Ｃに示されている。
図１０Ａは、最初のステップを示し、ここで、内部に規定された開口１００４（図示では多くのうち１つ）を有する、ホトレジスト１００２のパターン化層が、アルミニウム又は銅シートといった、犠牲金属基板１００８にわたって施される。
図１０Ｂは、次のステップを示し、ここで、開口１００４内の別態様では一般に滑らかで平坦な基板材料が、微細加工又はリソグラフィ（例えば、エッチングを含む）等により、ある幾何形状を示すように「浮き出される」。これは、開口１００４内で、基板の表面を下方に押して、基板２００８の表面内に延伸する複数の窪み部１０１２を生成する、浮き出し工具１０１０により示される。
図１０Ｃは、工具（１０１０）が取り外された（又は、基板の表面が、別態様で、例えばエッチングにより浮き出された）後に、開口（１００４）内の基板の表面が、別の電子コンポーネントと接触させるのに適した、ロジウム等の材料の薄い層１０２０でメッキされる様子を示す。ニッケル等の材料の別の厚い層１０２２が、薄い層１０２０にわたって施される。この層１０２２は、浮き出しにより形成された窪み部１０１２を実質的に充填し、好適には、図示のように窪み部１０１２を過充填する。次に、接着可能な（例えば、軟質の）金の薄い層１０２４が、開口１００４内の厚い層１０２２にわたって施される。開口１００４における層状構造１０２６（図１０Ｄを参照）は、ワイヤがボンディングされることになる、接触パッドを規定する。
図１０Ａ−１０Ｃに示すステップの実行が完了すると、犠牲部材１００８が、接触実装に対して準備される。
犠牲部材（１００８）に接触子担持基板を実装し、復元性のあるプローブ接触構造を製造することを伴う、工程流れの第２の「段階」（段階２）は、図１０Ｄ−１０Ｃに示される。
図１０Ｄは、段階１のステップで準備された犠牲基板１００８が、その周辺領域において、その表面に実装されるスタンドオフ要素１０３０を有する様子を示す。スタンドオフ要素１０３０は、ホトレジスト（代替としてポリマー、代替として金属詰め）の厚い層として形成され、工程が完了すると、半導体ダイ（例えば）がプローブにより接触させるために導入されることになる（以下で説明する）領域に対応する、中央領域１０３２を備えたリング（例えば、正方形のリング）輪郭を有するように、パターニングされる。開放領域１０３２に対応し、且つそれと位置が合った中央開放領域を有する、リング形状の基板１０４０が、スタンドオフ要素１０３０の頂部に配設される。（基板１０４０は、例えば多層ＰＣＢである。）リング形状の基板１０４０の上部（図で見て）表面が、基板１０４０内の開口の近くに好適に規定される、複数の接触領域１０４２（１１０に匹敵、図１）を有する。基板１０４０は、絶縁材料と導電材料の交互層を有する多層回路基板（例えば、ＰＣＢ）であるように示され、また、そこに実装される離散的な電子コンポーネント（例えば、試験回路、その他）を有することができる。
基板１０４０が、特異で別個のプローブカード（不図示）に、単純に挿入実装可能であることは、本発明の範囲内である。
図１０Ｅは、ワイヤ１０５０が、その端部１０５０ａと１０５０ｂの両方において（上述のループ８０２と同様にして）、ＰＣＢ１０４０上の接触領域１０４２と、犠牲基板１００８上の開口内の材料（１０２２）との間にボンディングされて、それらの間に電気的接続をなす様子を示す。例えば、ワイヤ１０５０の一方の端部１０５０ａが、領域１０１２内の層１０２２にボールボンディングされ、他方の端部１０５０ｂが、接触領域１０４２にくさびボンディングされる。ワイヤ２０５０は、復元性のあるプローブ接触構造として機能するのに適している（以下で説明するが、保護膜生成されると）形状へと仕立てられる（上記のように）。ワイヤ１０５０の端部が最初にどこにボンディングされるか、またワイヤの端部が次にどこにボンディングされるかは、本質的に重要ではない。
図１０Ｆは、ワイヤ１０５０が、基板１００８と１０４０の間にボンディングされた（及び、第１のボンディングの後で、且つ第２のボンディングの前に、ある形状へと仕立てられた）後に、ワイヤ１０５０には、ワイヤ１０５０を完全に覆い、基板１０４０上の接触領域も覆い、また犠牲基板１００８における開口１０１２内の領域も完全に覆う、導電材料１０５２で保護膜生成される様子を示す。結果としての接触（プローブ）構造に復元特性を付与することになる材料で、ワイヤに保護膜生成する方法、及び仕方は、上記の技法のうちのいずれかである。
図１０Ｇは、ワイヤ１０５０に保護膜生成された後に、犠牲基板１００８が、化学的エッチング等により除去可能である様子を示す。図示のように、犠牲基板の除去は、層１００２の除去だけでなく、スタンドオフ要素１０３０の除去も含むことになる。この結果として、半導体素子１０６０上の対応する複数（図示では多くのうち２つ）の接触領域１０６２に復元性のある接触をなすために、複数（図示では多くのうち２つ）の接触領域１０４２からカード基板１０４０内の開口内、及びその下へと延伸する、複数（図示では多くのうち２つ）のプローブ接触構造１０５４（各々は、保護膜１０５２が施されるワイヤ１０５０からなる）を有するカード基板１０４０となる。これらの接触領域１０６２は通常、ダイ１０６０の周囲のまさに内側に配列される接着パッドである。
図１０Ｇに明確に示すように、復元性のある接触プローブ１０５４の各々は、層１０２２と１０２０により形成され、領域１０１２により与えられる浮き出しパターンの「鏡像」である、先端１０５２ｂを有する。
このようにして、一時的な接続が、試験カード（１０４０）と被試験素子（ＤＵＴ）の間になすことができ、これは、以下で更に詳細に説明するが、素子のパッケージ実装に先だって、半導体素子のエージング及び試験を行うために、又は完全に有効な素子を製造するために重要である。
図１０Ｈ及び１０Ｉは、段階２における代替として最終の、及び最終から２番目のステップを示し、ここで、犠牲基板１００８（及び、スタンドオフ要素１０３０）は、成形済みワイヤ１０５０に保護膜生成する（図１０Ｉ）前に除去される（図１０Ｈ）。
図１０Ｊ及び１０Ｋは、本発明による、プローブとして機能する、復元性のある接触構造の代替実施例を示す。図１０Ｊは、事例２の図１１に類似したプローブの実施例を示し、図１０Ｋは、事例２の図１２に類似した実施例を示す。
図１０Ｊは、プローブ状の接触構造の他の実施例１０７０を示す。以前の実施例の場合のように、ワイヤステム１０７２（柔軟な伸長要素）が、基板１０７６上の接触領域１０７４にボンディングされた一方の端部１０７２ａを有する。ワイヤステムの他方の端部１０７２ｂは、任意の適切な仕方で、犠牲部材１０８０上に予備形成された接触先端１０７８にボンディングされ（くさびボンディングとして図示）、結果としてのプローブに対して、所望の偏向特性を与えるように保護膜生成される（例えば、ニッケル材料１０７９で）。適切なスタンドオフ要素１０８３（１０３０に匹敵）が、適切に使用される。最終的に、スタンドオフ要素１０３０と犠牲部材１０８０の両方が除去される。
図１０Ｋは、プローブ状の接触構造の他の実施例１０８４を示す。以前の実施例の場合のように、ワイヤステム１０８６（柔軟な伸長要素）が、基板１０７６上の接触領域１０７４にボンディングされた一方の端部１０８６ａを有する。ワイヤステムの他方の端部１０８６ｂは、任意の適切な仕方で、犠牲部材１０９０上に予備形成された幾何形状の接触パッド１０８８にボンディングされる（くさびボンディングとして図示）。ワイヤステム１０８６には、以下のようにして、多層コーティングが設けられる。導電材料（ニッケル等）の層１０９２が、ワイヤステム１０８６にわたって堆積されて（例えば、メッキされて）、復元性がワイヤステムに付与され、またワイヤステムが、接触パッド１０９２に固定される。誘電体材料（二酸化シリコン等）の層１０９４が、ニッケル層１０９２にわたって施される。誘電体材料（１０９４）は、接触パッド１０８８を包囲して（不図示）、そこにワイヤステムを固定する際に手助けする。次に、ワイヤステムが、接触パッドが取り付けられる、ワイヤステムの先端を、ホトレジスト（不図示）等の適切なマスキング材料内に浸漬する等により、マスキングされる。最後に、導電材料（金等）の別の層１０９６が、ワイヤステムにわたって堆積される。これは、同軸（遮蔽）導体を形成し、その外層（１０９６）は、任意の適切な仕方で接地されて（接地記号「Ｇ」で示すように）、プローブ構造のインピーダンスが制御される。適切なスタンドオフ要素１０９３（１０３０に匹敵）が、適切に使用される。ワイヤステムに接触パッド（１０８８）を取り付ける（例えば、ろう接により）前に、（上記のように）ワイヤステムに保護膜生成できることは、本発明の範囲内である。この例の場合、接触パッド１０８８は、「幾何形状」（図１０Ｄの１０２６に匹敵）をなすように示され、その特徴は、プローブ当て、特に半田バンプにプローブを当てる（例えば、図１２Ｅを参照）のに特に有用である。
犠牲基板上への接触子の製造 主に上記においては、ワイヤの一端を電子コンポーネントにボンディングし、弾力のある形状を有するワイヤステムとなるようにワイヤを構成し、ワイヤに復元性のある材料で保護膜を施し、任意として、ワイヤの他端を、犠牲要素又は犠牲部材にボンディングすることにより、復元性のある接触構造を製造するための技法を説明した。このようにして、復元性のある接触構造が、電子コンポーネントに実装される。
本発明によれば、複数の復元性のある接触構造が、電子コンポーネントへの後続の（復元性のある接触構造を製造した後に）実装（ろう接等により）のために、復元性のある接触構造を電子コンポーネントに実装することなく、別個の及び特異な構造として製造される。換言すると、接触構造の供給体（例えば、「バケット」）が、電子コンポーネントへの後での取付（実装）のために、製造及び保管可能である。これは、複数のピンを製造し、その後、それらをパッケージ本体にろう接する従来技術の技法と同様である。
図１１Ａは、離散的な復元性のある接触構造製造する際の第１ステップを示し、ここで、ホトレジスト１１０２のパターン化層が、犠牲基板１１０４の表面（図で見て、上部）に施される。ホトレジスト１１０２には、複数（図示では多くのうち３つ）の開口１１０６ａ、１１０６ｂ、及び１１０６ｃが設けられる（例えば、慣用的な選別技法を用いて）。
図１１Ｂは、次のステップを示し、ここで、微細構造が（任意的に）、成形（浮き出し）工具１１１０を用いることにより、レジスト開口内の犠牲基板１１０４に生成される。（工具の利用は、犠牲基板の表面に微細構造をエッチングすることの代替例である。）この図に示すように、微細構造が、開口１１０６ａ内の犠牲基板１１０４に既に生成されており、開口１１０６ｂ内の犠牲基板１１０４に生成されているところであり、また更にこれから、開口１１０６ｃ内の犠牲基板１１０４に生成される。
図１１Ｃ−１１Ｅは、複数の接触構造のうちの１つを代表例（開口１１０６ａのうちの代表的な対応する１つ内の）として、複数の離散的な復元性のある接触構造を製造する、工程の後続ステップを示す。
図１１Ｃは、開口１１０６ａ内の犠牲基板１１０４上に、第１の導電層（例えば、硬質金の）１１２２をメッキし、第１の層１１２２の頂部に第２の導電層（例えば、ニッケルの）１１２４をメッキし、第２の層１１２４の頂部に第３の導電層１１２６（例えば、硬質金の）をメッキすることにより、開口１１０６ａ内への接触先端１１２０の形成を示す。（この図の組で示す３層接触先端は、例示に過ぎず、少なくとも１つの層が必要であることを理解されたい。）一般に、下部層１１２２は、電子コンポーネントと接触しやすい材料とすべきで、上部層１１２４は、ワイヤステムにボンディングしやすい材料とすべきである。上記のように、４層構造も形成可能であり、これは、硬質金薄い層（電子コンポーネントに接触するための）と、その後に続く銅の非常に薄い層と、その後に続くニッケルの層と、その後に続く軟質金の薄い層（金ワイヤステムをボンディングするための）とからなる。薄い銅層は任意であることを理解されたい。
図１１Ｄは、接触先端１１２０へのワイヤのボンディング、及び上記の任意の適切な仕方で、ワイヤステム１１３０にするワイヤの成形を示す（例えば、図２Ａに匹敵）。
図１１Ｅは、上記の任意の適切な仕方で、ワイヤステムにばね性のある（例えば、ニッケル）材料１１３２で保護膜を施す様子を示す（例えば、図５Ａに匹敵）。
図１１Ｆは、最終のステップを示し、ここで、犠牲基板１１０４及びホトレジスト１１０２が、ホトレジストの洗浄除去、及び犠牲基板の溶解等の任意の適切な工程により除去される。これによって、接触先端１１２０を有する復元性のある接触構造１１３０の製造が完了する。
このようにして、複数の個々に復元性のある接触構造が形成可能となる。例えば、図１１Ａ−１１Ｆに示す技法により形成された接触構造は、１つ１つ個々に、半導体パッケージの外部表面上のパッドに実装できる（例えば、ろう接、半田付け、エポキシ取付、その他により）。直ぐ以下で説明するが、多数の用途において、複数の接触構造が、半導体パッケージの外部表面に１度に転移（「一括」転移）されることが好ましい。
接触子の一括転移 上記のように、図１１Ａ−１１Ｆと関連して、複数の離散的な「未実装の」復元性のある接触構造が、電子コンポーネントへの後続の実装のために形成可能である。
本発明によれば、複数の復元性のある接触構造が、犠牲基板上に製造され（例えば、図１１Ａ−１１Ｆのようにして）、次に、電子コンポーネントに１度に実装（一括転移）することが可能である。（一般に、これは、犠牲基板から接触構造を取り外すステップを省略し、すなわち図１１Ｆに示すステップを省略することで達成できる。）本発明によれば、以前に形成され、犠牲キャリア（犠牲基板）に実装された複数の復元性のある接触構造が、完全アセンブル済みセラミックパッケージ等の電子コンポーネントに、単一のステップで転移（一括転移）可能である。（その外部表面に実装された複数の復元性のある接触構造は、上記で、図７Ａと関連して概ね説明した。） 図１２Ａは、半導体素子（ダイ）１２５６（７０６に匹敵）が実装される中央の空洞１２５４（７０４に匹敵）を有するパッケージ本体１２５２（７０２に匹敵）からなる、完全アセンブル済みセラミックパッケージ１２５０を示す。図示のように、ダイ１２５６は、その前部表面の周辺領域のまわりに配設された、複数（図示では多くのうち２つ）の接着パッドを有し、パッケージ本体は、空洞の周辺のまわりに配設された、対応する複数（図示では多くのうち２つ）の端子（導電トレースの内端）を有する。ダイ１２５６の接着パッドは、ボンディングワイヤ１２６０（７１０に匹敵）により、慣用的な仕方で、パッケージ本体の端子に１つ１つ接続され、空洞１２５４は、蓋１２５８（７０８に匹敵）で密封される。これは、従来技術の「上部空洞」パッケージ実装技法の代表例であり、ここで、パッケージ本体の下部表面全体に、導電パッド１２８０のアレイが「完全定置」することができ、そこに、ピン、ボールバンプ、その他が、半導体パッケージと外部素子又はシステムの間に接続をもたらすために実装される。「下部空洞」パッケージ実装の場合は、蓋が、パッケージ外部の中央領域を占有し、パッド（１２８０）は、蓋の中央領域の外側で、パッケージ本体の表面に「部分定置」することになる。本発明は、上部空洞か、又は下部空洞パッケージ実装技法、及び完全か、又は部分定置したアレイに適用可能である。
一般に、従来技術の場合、ピン等の接触構造は、自動化機器を用いて、セラミックパッケージ等の電子コンポーネントに、個々に転移される。一般に、特別な型枠、又は設備が必要であり、それらは、所与の個々のパッケージ（及び、ピン）構成のためにしか利用できない。これは、製品開発サイクルに時間遅れを投げかける設備据え付けステップ、及び短期ロット素子の償却が困難である設備据え付けコストを意味する。更に、工程にわたる管理が不完全であり、その結果として、１つ以上のピンを、通常は手作業で除去及び交換することが必要になる。これは、高価なチップ（例えば、１０００＄の半導体素子）を内蔵するパッケージの例により示されるが、コスト効果がない。欠陥のあるピンを交換するためにパッケージを手直しすると、結果としてチップに損傷を与える可能性がある。
図１２Ａは、犠牲基板（１１０４に匹敵）上に既に製造された、複数の復元性のある接触構造１２３０（１１３０に匹敵）を示す。これは、以前に説明した図１１Ｅに対応し、そこでは、ホトレジスト（１１０２）が犠牲基板（１１０４）から洗浄除去されたが、工程のこのステップでホトレジストを洗浄除去することは、絶対に必要というわけではない。この図に示すように、キャリア１２０４に実装された複数の接触構造１２３０が、パッケージ１２５２に実装すべき位置へともたらされ、接触構造の先端１２３０ｂが、パッケージ上のパッド１２８０と位置合わせされる。これは、自動化部品取扱い機器で容易に達成される。更にこの図に示すように、ある量の半田１２８２（代替として、ろう接材料、導電性エポキシ、その他）が、接触構造１２３０の導入前に、接触パッド１２８０の各々上に配設される。
図１２Ｂにおいて、接触子が、それらの先端を半田１２８２に漬けて、対応する接触パッド１２８０に一度に当てがわれた様子が示されている。これは、炉（半田をリフローするための）内でこのステップを実行することにより達成される（半田を用いる場合）。この図に示すように、接触構造の先端１２０３ｂが、接触パッド１２８０に物理的に接触することは本質的ではない。というのは、半田は、接触構造１２０３の先端部の周りにリフローし、接触構造と接触パッドの間に信頼性の良い電気的接続をもたらすためである。
図１２Ｃは、最終ステップを示し、ここで、犠牲基板１２０４が除去される（図１１Ｆに匹敵）。
上述のようにして、複数の復元性のある接触構造が、予備成形され、その後に続いて（後ほど）、電子コンポーネント（例えば、パッケージ本体）の表面に実装可能となる。接触構造の予備成形が、例えば、セラミック又は黒鉛モールドを用いるモールド技法により達成可能なことは、本発明の範囲内である。更に、接触構造が、以下で説明するアセンブリ実施例の相互接続基板、又はシリコンダイ、その他といった、任意の電子コンポーネントに実装可能なことも、本発明の範囲内である。
本発明の一括転移技法の利点は、設備据え付け（及び、それに関連したコスト）が最小限に抑えられ（即ち、実際上は削除され）、任意の所与のパッケージ構成のために、復元性のある接触構造の所与のパターン（例えば、アレイ）用の「型板」（上述のように、型板として機能する成形済みワイヤステムと混同すべきでない）が、僅かな時間の問題で特定できる点にある。（一般に、所望のピンレイアウトは、ＣＡＤソフトウェア上で既に入手可能であり、単純な「マクロ」が呼び出されて、キャリア上に接触領域を形成するために、アレイ箇所が、マスキングパターンに変換される。）電子コンポーネントに複数の復元性のある接触構造を一括転移する（例えば、図１２Ａ−１２Ｃを参照）に続いて、実装された（コンポーネントに）復元性のある接触構造をメッキ、又は更にメッキ可能なことは、本発明の範囲内である。換言すると、（ｉ）まだ保護膜生成されていない複数のワイヤステムを、電子コンポーネントに一括転移し、次いで保護膜生成することができ、又は（ii）１つ以上の保護膜層が施された複数のワイヤステムを、電子コンポーネントに一括転移し、次いで更なる材料層で保護膜生成することができる。
また、複数の復元性のある接触構造を電子コンポーネントに一括転移する技法が、パッケージピン等の復元性のない接触構造に適用可能なことも、本発明の範囲内である。かかる場合、複数のパッケージピンが、電子コンポーネントへの後続の一括転移（及び、通常はろう接）のために、犠牲基板上に製造され、又は犠牲基板に実装されることになろう。
複数の復元性のある接触構造を電子コンポーネントに一括転移する工程例は、図１２Ａ−１２Ｃに関連して記載されている。その工程が、パッケージピン等の「規則的な」接触構造だけでなく、本発明の復元性のある接触構造にも適用可能なことは、本発明の範囲内である。しかし、一括転移工程は、以下の理由のために、本発明に関連して特に有利である。
ワイヤを端子（例えば、パッケージ上の）にボンディングし、電子的火炎射出を使用する場合（パッケージパッド上に直接、本発明の復元性のある接触構造を構築しようとする場合であるような）、パッケージ済み半導体ダイに悪影響を与えるようなスパークを発生する可能性がある。多くの場合、半導体素子は、パッケージに外部相互接続子を実装する前に、それらのパッケージ（例えば、セラミックパッケージ）内に実装される。工程におけるこの「後」段階での半導体素子への損傷は、可能であるとしても、最良に回避されるであろうが割高な事態である。本発明の一括転移技法は、この問題を好都合に解決し、歩留りを向上させる。
複数の接触構造を犠牲基板上に製造し、次いで、その構造をパッケージへと（又は、任意の電子コンポーネントへと）一括転移することによる追加の利点は、接触端部間の間隔を制御できる点にある。接触構造は、第１の間隔（ピッチ）で犠牲基板上で「始める」ことができ、それらの対向端で第２の間隔を有するように仕立てることができる。接触構造が、粗いピッチで犠牲基板上に始まることが可能で、細かいピッチでパッケージに（又は、任意の電子コンポーネントに）接続可能なこと、又はその逆が可能なことは、本発明の範囲内である。
上記の技法による他の利点は、最終的には、パッケージ「ピン」の「先端」になるもの（すなわち、パッケージ本体に、又は任意の電子コンポーネントに一括転移される接触構造）が、それらの間隔（前の段落で説明したような）だけでなく、それらの形状及び微細構造（上記で更に詳細に説明した、プローブ接触パッドを製造するような）においても、十分に制御可能な点にある。
電子コンポーネント上の接触構造の先端の間隔、及び配設を信頼性良く制御することにより、電子コンポーネントが実装されることになる、導電トレース、パッド、その他を製造するための必要条件を幾分緩和することができる。本明細書に記載の一括転移技法は、切り離されても切り離されなくても、半導体ダイに複数の接触構造を実装するのに特に有利である。ウェーハ上の切り離されていない複数の半導体ダイに、複数の接触構造をどっと一括転移するのに十分な寸法である犠牲基板上に、接触構造を製造することができることは、本発明の範囲内である。代替として、単一の切り離されていない半導体ダイの寸法である犠牲基板上に、接触構造を製造すること、また、ウェーハ上の選択された「良好な」ダイにのみ、接触構造を一括転移することが可能である。いずれの場合でも、接触構造は、切断（切り離し）の前に、ウェーハ上のダイに実装可能である。
本発明の一括転移技法の代替実施例の場合、図１２Ｄに示すように、複数の復元性のある接触構造が、プラスチックパッケージ等のパッケージにおける穴内に挿入される。
図１２Ｄは、接触構造１２３０（図示では２つ、例示の明瞭化のために犠牲基板は省略）を、プラスチックパッケージ本体といった電子コンポーネント１２２２の表面における窪み部１２２０内に一括転移する様子を示す。窪み部１２２０は、例えば、リフローされる半田とすることができる導電材料１２２４、又は導電性エポキシ材料で充填される。
接触構造が、一括転移されるのではなく、１つ１つパッケージに個々に転移されるとしても、本発明の範囲内である。
上記の一括転移技法を用いて、プローブカード、その他上に複数のプローブ構造を形成可能なことは、本発明の範囲内である。
本発明の一括転移技法の一般的な利点は、半導体パッケージ上に接触構造を実装する幾つかの従来技術の技法とは対照的であることが明白になる。これらの従来技術の技法には、パッケージを手直しし、ピンを製造し、ピンの供給体（「バケット」）から１つずつピンを送り、それらを、再加熱処理によりパッケージ本体に実装することが伴う。本発明の技法によれば、これらと同様のステップが全て、一緒にまとめられる。
図１２Ｅは、プローブカード（ボード）１２５２を示し、これは、そこに好適には一括転移される複数の復元性のある接触構造１２５４（１２３０に匹敵）を既に有している。（犠牲的な一括転移基板（１２０４）は、例示の明瞭化のために省略している。）接触構造は、それらの形状及び保護膜材料により、過行程及び弾性の各種のレベルを可能にするように仕立て可能である。接触構造１２５４の先端は、電子コンポーネント１２５８上の半田バンプの制御された浸透を可能にするように微細構造をなし、半田バンプは、（例えば）「Ｃ−４」工程により既に形成されている。
図１２Ｆに示すように、複数の復元性のある接触構造（１２３０）を製造した後、接触構造は、図５Ｇに関連して説明したようにして、更に保護膜が施され、その結果、コーティングの傾斜した外層１２３２となり、ここで外層は、接触構造の固定を増強するために、接触構造の実装（近位）端においてより厚くなる。この増強された固定特徴は、接触構造が繰り返しの屈曲を被る、プローブ実施例に関連して好ましい、 一時的／永久的方法論 集積回路（チップ）製造の中の周知の手順は、チップのエージング、及び機能試験である。これらの技法は通常、チップをパッケージ実装した後で実施される。
最近の集積回路は、一般に、幾つかの通常同一の集積回路ダイ（通常、正方形又は矩形ダイサイトとして）を、（通常丸い）半導体ウェーハ上に生成し、次に、互いからダイ（チップ）を分離する（切り離す、切断する）ために、ウェーハをけがく又はスライスすることにより製造される。「けがき線」（切り口）領域の直交格子が、隣接するダイ間に延伸し、また時折、製造工程を評価するために、試験構造を含む。これらのけがき線領域、及びそれら内に含まれた如何なるものも、ダイが、ウェーハから切り離される際に破壊されることになる。切り離された（分離された）ダイは、最終的に個々にパッケージ実装されるが、これは例えば、ダイ上の接着パッドと、パッケージ本体内の導電トレースとの間に、ワイヤボンディング接続をなすことによる（例えば、上記の図７Ａ−７Ｃを参照）。
「エージング」とは、それによりチップが、単純に電源投入される（「静的な」エージング）、又は電源投入され、且つある程度チップの機能性を遂行する信号を有する（「動的な」エージング）、１つの工程である。両方の場合に、エージングは通常、上昇した温度で、且つチップに「一時的な」（又は、取り外し可能な）接続をなすことにより行われ、その目的は、チップをパッケージ実装する前に、欠陥のあるチップを識別することである。エージングは、通常、ダイがウェーハから切り離された（切断された）後に、ダイ毎に行われるが、ダイを切り離す前にエージングを行うことも知られている。典型的には、ダイへの一時的な接続は、「フライングワイヤ」の試験プローブによりなされる。
機能試験も又、ダイに一時的な接続をなすことにより達成できる。ある例では、ダイの各々には、内蔵型自己試験（自己起動、信号発生）回路が設けられ、これは、チップの機能性の幾つかを遂行する。多くの例において、試験ジグを各ダイ用に製造する必要があり、プローブピンが、試験する必要がある特定のダイ上のパッドと、精密に位置合わせされる。これらの試験ジグは、比較的高価であり、普通でない長さの製造時間を必要とする。
一般的な提案として、パッケージリードは、エージング（又は、機能試験）に対してではなく、アセンブリに対して最適化される。従来技術のボードは、コストがかかり、何千ものサイクルを被る場合が多い（すなわち、試験されるダイ当たり概ね１サイクル）。更に、異なるダイには、異なるエージングボードが必要である。エージングボードは高価であり、これは、製造コスト全体を増大させ、また、特定のダイの大量ロットにわたってしか償却できない。
もし、ダイをパッケージ実装する前に、ダイのある試験が完了しているならば、パッケージ済みダイを、外部システムコンポーネントに接続可能とするために、ダイはパッケージ実装される。上記のように、パッケージ実装には通常、ボンディングワイヤ等により、ダイにある種の「永久的な」接続をなすことが伴う。（多くの場合、かかる「永久的な」接続は、なされず、やり直されるが、これは一般的に望ましい。）明らかに、ダイのエージング及び／又はパッケージ実装前試験に必要な「一時的な」接続は、ダイをパッケージ実装するのに必要な「永久的な」接続とは異なる場合が多い。
本発明の目的は、同一の相互接続構造を用いて、半導体ダイ等の電子コンポーネントに対して、一時的、及び永久的な両方の接続をなすための技法を提供することにある。
本発明の更なる目的は、ウェーハからダイを切り離す前か、又はウェーハからダイを切り離した後に、ダイのエージング及び／又は試験を行うために、ダイに一時的な相互接続をなすための技法を提供することにある。
本発明の更なる目的は、ダイに永久的な接続をなすのに、同じ相互接続構造を用いようが用いまいが、ダイに対して、一時的な相互接続をなすための改善された技法を提供することにある。
本発明によれば、復元性のある接触構造が、半導体ダイ等の電子コンポーネントに対する一時的、及び永久的な両方の接続子として、「二重の役目」を果たすことができる。
本発明によれば、復元性のある接触構造が、半導体ダイに直接実装可能であり、その復元性のある接触構造は、多数の目的を果たすことができる。すなわち、（ａ）復元性のある接触構造は、試験ボードに対して、信頼性の良い一時的な接触をなすことができ、それは、普通の印刷回路基板と同程度に単純明快であり、（ｂ）同一の復元性のある接触構造は、ばねクリップ、その他により適所に保持される際に、回路基板に対して、信頼性の良い永久的な接触をなすことができ、（ｃ）同一の復元性のある接触構造は、半田付けにより、回路基板に対して、信頼性の良い永久的な接続をなすことができる。
図１３Ａは、パッケージの外部表面上に配設された複数の復元性のある接触構造１３３０を有する、パッケージ済み電子コンポーネントの「ソケット無し」試験及びエージングを行うための１つの技法を示す。かかるコンポーネントは、図１２Ａ−１２Ｃに関連して説明した工程に従って製造される。
電子コンポーネント１３０２の試験、エージング、その他を行うために、それは、試験カード（ボード）１３１０上に当てがわれて、これは、その上部（図で見て）表面上にパターニングされた複数のパッド１３１２を有する、単純明快な（例えば、容易且つ安価に製造される）印刷回路基板（ＰＣＢ）とすることができる。コンポーネント１３０２は、任意の適切な位置合わせ手段（例えば、図示しないが、位置決めピン等）を用いて、カード１３１０と位置合わせされ、その結果、復元性のある接触構造１３３０の各々が、対応するパッド１３１２に支承される。これにより、カード１３１０と電子コンポーネント１３０２の間に、復元性のある「一時的な」接続がもたらされる。カード１３１０には、エッジコネクタその他（不図示）、及び任意的に内蔵型試験回路（不図示）が設けられるため、コンポーネントの試験及びエージングが容易に行われる。本発明の多くの利点の中には、これらの作業を行うために、「特別な」ソケットを構成する必要がないという点がある。
図１３Ｂは、パッケージ済み電子コンポーネントのソケット無し試験及びエージングに用いられた（図１３Ａ）のと同一の復元性のある接触構造１３３０を、後で有利に使用して、電子コンポーネント１３０２と、相互接続基板（システムボード）１３２０その他との間に、「永久的な」接続がもたらされる様子を示す。基板１３２０には、パッケージ済みコンポーネント１３０２上の復元性のある接触構造１３３０の先端と、１つ１つ位置が合った、複数の接触パッド１３２２が設けられる。コンポーネント１３０２と基板１３２０間の永久的な接続の達成は、（ｉ）ばねクリップその他（不図示）を介して、コンポーネント１３０２に「永久的な」圧力を加えて、基板に対してコンポーネントを偏倚させることにより、又は（ii）基板１３２０にコンポーネント１３０２を半田付けすることによりなされる。
図示のように、復元性のある接触構造１３３０は、基板１３２０上のパッド１３２２に半田付けされる。これは、各パッドに対しある量の半田（例えば、半田ペースト）１３２４を準備し、基板に対してコンポーネントを押し当て、半田のリフロー（熱循環）のために、炉を介してアセンブリを流すことにより、容易に達成される。
電子コンポーネントに対して、一時的、及び永久的な両方の接続をなすために、同一の復元性のある接触構造（１３３０）を用いるという本発明の技法は、能動半導体素子（すなわち、裸のパッケージ未実装ダイ）に実装される復元性のある接触構造に関連して、特に有利である。（これらの場合、図１３Ａ及び１３Ｂに示すパッケージが、復元性のある接触構造（１３３０）が実装された、「裸の」半導体ダイで置き換えられることになる。） 図１２Ｆの接触先端１１２０等の先端構造が、復元性のある接触構造１３３０の先端上に使用可能なことは、本発明の範囲内である。
基板１３２０、及びカード１３１０を、別個のもの（図示及び説明したような）ではなく、１つの同じものとすることができるのは、本発明の範囲内である。
チップレベル実装工程 上述のように、半導体ダイに（上に）直接、本発明の復元性のある接触構造を実装することは、十分、本発明の範囲内である。これは、外部の相互接続構造（例えば、ピン、リード、その他）を必要とするある種のパッケージ内に配設されるダイに、ワイヤボンディングを行う従来技術の技法に対して見た場合に、特に有意なものである。一般に、半導体ダイは、パッケージにピンをろう接する際に一般に必要とされるような、大幅な熱を課すことは許容していない。というのは、大幅な量の熱は、ダイにおいて慎重にレイアウトされた拡散領域を、更に拡散させることになるためである。これは、素子の幾何形状が小型化する（例えば、サブミクロン形状に）につれて、益々問題となる。一般的な提案として、任意の製造工程（例えば、ＣＭＯＳ）に対し、熱「集積」が存在し、ダイが熱を被る（例えば、ガラスのリフロー）処理ステップ毎の衝撃を慎重に捉え、考慮せねばならない。
一般に、本発明は、ダイを大幅に加熱することなく、半導体ダイに直接接触構造を実装するための技法を提供する。一般に、ダイへのワイヤステムのボンディング、及び後続でのワイヤステムの保護膜生成（例えば、メッキ）は、数百セルシウス度（℃）程度の温度をダイに被らせる素子製造工程（例えば、プラズマエッチング、リフローガラス）と比較した場合、相対的に「取るに足らない」温度で実行される。例えば、金ワイヤのボンディングは、通常１４０−１７５℃で行われる。アルミニウムワイヤのボンディングは、室温といった低い温度でさえも行うことができる。メッキ温度は、工程によって決まるが、一般に、１００℃を越えた温度を伴わない。
図１４Ａ−１４Ｅは、復元性のある接触構造を、シリコンチップ上に、又はそれらが半導体ウェーハから切り離されてしまう前に、シリコンチップ（ダイ）上に置く工程を示す。この工程の重要な特徴は、短絡層を設けることであり、これは、電気メッキ（上記の）により、復元性のある接触構造の成形済みのワイヤステムに、保護膜を施すのに重要である。電気メッキが、電界の存在のもとで溶液から材料を堆積させることを伴い、電界が、敏感な半導体素子に損傷を与える可能性があるだけでなく、電気アーク（上記で説明したように、ワイヤを切断するための電子的火炎射出におけるといった）が、半導体素子に損傷を与える電位を確実に有するという事実がある限り、短絡層は、工程時に、かかる敏感な電子コンポーネントに対して、電気的な保護を与えることになる。任意として、短絡層はは接地することもできる。
図１４Ａは、複数（図示では多くのうち２つ）の接着パッド１４０４を有する半導体基板１４０２を示す。接着パッド１４０４は、パッシベーション層１４０６（通常、窒化シリコン）により覆われ、これは、接着パッド１４０４の各々にわたる開口を有する。通常、パッシベーション層１４０６内のこれらの開口によって、リードフレームその他に基板（例えば、ダイ）をワイヤボンディングするために、ボンディングワイヤを接着パッドにボンディングすることが可能になる。全ての意図及び目的のために、接着パッドの金属化が、パッシベーション層１４０６内の開口を越えて拡がる可能性がある（通常、拡がることになる）という事実にもかかわらず、パッシベーション層内の開口は、接着パッド１４０４の寸法（面積）を規定する。（通常、接着パッド自体は、単純に、金属化層における導体パターンにおけるある場所にある。）前述のことは、半導体製造の技術分野において周知のところであり、接着パッド（上部金属化層）と基板１４０２間の導電材料、絶縁材料、及び半導体材料の追加層は、例示の明瞭化のために省略している。通常は、必ずしも必要ではないが、接着パッドは全て、半導体基板（素子）上の同じレベルにあり（例えば、先行層が、平坦化されている場合）、本発明の目的にとって、接着パッドが共平面にあろうがなかろうか問題ではない。
図１４Ａは、接着パッド１４０４が、アルミニウム、Ｔｉ−Ｗ−Ｃｕ（チタン−タングステン−銅）、Ｃｒ−Ｃｕ（クロム−銅）、その他からなる導電層１４１０により互いに短絡され、この導電層は、接着パッド１４０４と電気的接触をなすように、慣用的な工程により、基板１４０２の表面全体に施される（パッシベーション層１４０６にわたって、及びパッシベーション層の開口内へと）。レジスト（ホトレジスト）１４１２のパターン化層が、短絡層１４１０にわたって施されて、接着パッド１４０４にわたって直に位置があった開口１４１４を有するようにパターニングされる。留意点として、レジスト層１４１２内の開口１４１４は、任意の寸法にすることができ、好適には、パッシベーション層１４０６内の開口よりも大きく、その結果、「見かけの」接着パッド（短絡層１４１０へとレジスト層１４１２を介する開口１４１４により規定される）は、「実際の」接着パッド１４０４よりも大きな面積を有する。本発明の１つの態様によれば、見かけの接着パッドの面積は、実際の接着パッド（パッシベーション層内の開口により規定される）よりも、例えば最大で１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、又は１００％有意に大きい。通常、接着パッド（及び、それらの開口）は、正方形（上から見て）である。しかし、接着パッドの特定の形状は、本発明にとって特に関係はなく、本発明は、矩形、丸形、又は卵形の形状、その他を有する接着パッドに適用可能である。
図１４Ｂは、基板１４０２に復元性のある接触構造を実装する工程における次のステップを示す。ワイヤ１４２０が、それらの遠位端１４２０ａにおいて、開口１４１４内の短絡層にボンディングされて、保護膜生成された際に、復元性のある接触構造として機能するのに適した形状を有するように仕立てられる。一般に、上述の技法のいずれかが、ワイヤステム形状を仕立てるために、このステップで使用できる。この例の場合、ワイヤ１４２０は、図２Ａに記載した形状と同様の形状を有するワイヤステムへと仕立てられる。
図１４Ｃは、基板１４０２に復元性のある接触構造を実装する工程における次のステップを示し、ここで、ワイヤステム（成形済みワイヤ１４２０）に、導電材料の１つの（又は、それより多い）層１４２２で保護膜が施される。（以前の例の場合のように、多層コーティングの最上部層しか、導電性である必要はない。）やはり、成形済みのワイヤステムに保護膜を施すために、上述の工程及び材料のいずれかが、このステップで使用できる。この例の場合、ワイヤ（１４２０）は、ニッケルで電気メッキ（保護膜生成）される。以前の例の場合のように、保護膜は、結果としての接触構造の復元性を決定し、また、基板への接触構造の固定を強化するものである。この例の場合、基板全体が、電気メッキ槽に浸漬されて、ニッケルが、ワイヤステム上、及びレジスト１４１２の開口１４１４内に、本質的に選択性メッキされる（ニッケルは、レジスト材料には電気メッキしない）。このようにして、復元性のある接触構造が与えられる。
図１４Ｄは、基板１４０２に復元性のある接触構造を実装する工程における次のステップを示し、ここで、ワイヤステム（１４２０）には既に保護膜（１４２２）が施されて、復元性のある接触構造１４３０が形成されている。レジスト層１４１２は、最後の３つのステップで明らかであるが、既に除去されている。工程のこの時点で、見かけの接着パッドは、単純に、連続した短絡層１４１０上の接触領域（１１０に匹敵）である。
図１４Ｅは、基板１４０２に復元性のある接触構造を実装する工程における次のステップを示す。このステップで、短絡層１４１０は、保護膜１４２２の下以外の全ての場所で除去される。容易に選択性エッチングされる（すなわち、保護膜材料１４２２、又はパッシベーション材料１４０６をエッチングすることなく）材料から形成された短絡層の場合、これは、選択性湿式エッチングにより（すなわち、適切なエッチング剤を選択することにより）達成可能である。選択性エッチングを実施するための唯一「基本的な」必要条件は、この例の場合、層１４１０の材料が、コーティング１４２２の材料と異なること、及び他方（１４２２）を溶解することなく、一方（１４１０）を溶解することになる反応剤が存在することである。これは、本発明が最も近くに属する技術分野の通常の知識を有する者の視野内に十分ある。
本発明の工程の特異な利点は、別態様では存在した（すなわち、パッシベーション層の開口内に）ものより、大きな「見かけの」接触領域が生成される点にある。保護膜１４２２は、ワイヤステムのベース接着を大いに増大させるこの見かけの接触領域に、ワイヤステム１４２０を確実に固定する。更に、ダイ基板が、正方形（又は、矩形、或いは丸形）の実際の接触パッドを有するが、本発明の工程は、見かけの接触パッド（任意の輪郭、例えば矩形、丸形、卵形、等のレジスト１４１２内の開口）の生成を可能にする。更に、唯一必要なのは、見かけの接触パッドが、実際の接触パッドに重なり合うことだけである。換言すると、見かけの接触パッドの中心は、実際の接触パッドの中心からオフセットすることができる。これによって、復元性のある接触子の先端（遠位端）を「千鳥状にする」ことが可能になり、この特徴により、別態様では（実際の接触パッドの直線アレイに直接ボンディングする場合）、２つの異なるワイヤ形状、又は配向を仕立てることが必要であったのが、そうではなくなる。
上述のように、基板に復元性のある接触構造（１４３０）を実装するこの工程は、既に切り離されたダイ上で、又はそれらが半導体ウェーハから切り離されてしまう前のダイ（ダイサイト）上で実行可能である。
上記で説明したステップは又、ウェーハからまだ切り離されていない半導体ダイ上で実行可能である。（ウェーハからダイを切り離す前に、ダイに接触構造を実装するという説明に関しては、図１５を参照されたい。）直ぐ上で説明した図１４Ｆ及び１４Ｇは、図１４Ａ−１４Ｅの工程と同様の工程を記載しているが、ここで、接触構造は、ウェーハからダイを切り離す前に、ダイに施される。
図１４Ｆは、後仕上げステップを示し、ここで、復元性のある接触構造１４３０が、半導体ウェーハ上の複数（図示では多くのうち２つ）のダイサイト１４０２ａ及び１４０２ｂに、既に実装されている。適切なけがき、又は切り目付け工具１４５０（鋸等の）が、隣接したダイ間で、ウェーハ上に当てがわれ、その結果として、各々のダイに復元性のある接触構造が実装された、複数の切り離されたダイとなる。
図１４Ｇは、他の任意的な後仕上げステップを示し、これは、図１４Ｆに示す後仕上げステップの前又は後に（すなわち、それとは独立に）実施可能である。このステップにおいて、適切な気密性（例えば、ポリマー）コーティング１４６０が、基板の表面に施され、それにより、表面全体だけでなく、復元性のある接触構造１４３０の近位端１４３０ａと共に、基板のエッジも（図示のように）覆われる。通常（すなわち、好適には）、かかるコーティングは、絶縁材料であり、また、復元性のある接触醸造１４３０の遠位端（先端）１４３０ｂを覆うことは、避けるべきである（図示のように）。避けられない場合、復元性のある接触構造の先端１４３０ｂを覆う絶縁材料（１４６０）は、除去されねばならない。更に、絶縁材料（１４６０）で、復元性のある接触構造の付随（非常に小さい）部分よりどんな多くも覆うことは、厳格に避けるべきである。というのは、絶縁材料は、保護膜１４２２により（大いに）付与された、接触構造１４３０の復元（ばね）特性を変化させるためである。このステップは、本発明の重要な特徴を表すが、それは、半導体ダイ、特にそのアルミニウム接着パッドが、環境（大気）から気密的に封止されるという点においてである。このようなダイの気密封止によって、気密性の少ない（また、通常あまり高価でない）パッケージの利用が可能になる。例えば、セラミックパッケージは、非常に気密性があり（耐水分）、また非常に高価である。パラスチックパッケージは、気密性があまりなく、またあまり高価でない。ＰＣＢ型式のパッケージは、更に気密性がなく、コストの点ではプラスチックパッケージに匹敵する傾向がある。
復元性のある接触構造のウェーハレベル実装 上記の説明は、半導体ダイを含む離散的な基板に、本発明の復元性のある接触構造を実装することを概ね強調したものであった。本発明は、更に広義の範囲にあり、ウェーハからダイを切り離す（切断する）前に、ダイに本発明の復元性のある接触構造を実装するのに特に有利である。これによって、本発明の復元性のある相互接続技法を用いて、ウェーハからダイを切断する前の切り離されていないダイの試験、及びエージングを行う機会が与えられる。切り離されていないダイへの接触構造の実装は、図１４Ｆ及び１４Ｇに関連して、上記で簡単に説明した。
一般に、従来技術の場合、ウェーハレベルにおいて切り離されていないダイを試験することは、ある種のダイ選択技法を必要とし、それらは、電気的（例えば、ウェーハ及び／又はダイ内へと内蔵されたダイ選択機構）か、又は機械的（例えば、プローブ、フライングワイヤ、その他）のどちらかであり、その両方が、複雑であり、また製造コストに大幅な増分を加える傾向がある。本発明によれば、切り離されていないダイ上に「最終的な」接触構造を構築し、また、試験と永久的なダイの接続の両方のために、これらの接触構造を利用する機会によって、これらの中間ステップが回避され、また試験後切断の方法論よりも更に経済的である傾向となる。
更に、ウェーハ上へのダイの製造時に、ウェーハにおける不完全性が、ウェーハ処理の前に識別されることになる場合が多い。かかる不完全なダイサイトで製造されたどんなダイも、これらのダイをわざわざ試験するまでもなく、直ちに破棄されるべきである（切断後に）。
図１５は、半導体ウェーハの一部１５０２を示し、これは、切り目（けがき）線１５０６の格子により画定された、複数のダイサイト１５０４ａ…１５０４ｏを示す。復元性のある接触構造１５３０が、ダイサイト１５０４ａ…１５０４ｄ、及び１５０４ｆ…１５０４ｏの各々上の接着パッド（不図示）に既に実装されている。復元性のある接触構造（１５３０）は、ダイサイト１５０４ｅ（復元性のある接触構造を実装する前に、欠陥があると既に判定された）には実装されない。この図に示すように、切り目線１５０６の直ぐ上の位置を占有する、復元性のある接触構造の部分がないように、ダイサイト上の復元性のある接触構造の全てが「配向」される。
ウェーハからダイを切り離した後に、それらに、適切な絶縁材料でコーティング（又は、封止）することができ、復元性のある接触構造の先端は、ボードへの又はカードへの後続の相互接続のために、露出状態で残される。
一般に、ウェーハからダイを切り離す前に、半導体ダイ上に直接復元性のある接触構造を製造する能力は、半導体素子を製造する工程全体において多大な利点を意味する。これは、以下のことにより例示できる。
従来技術の典型的な工程流れの場合、ダイは、ウェーハ上のままでプローブ当てされ、次にウェーハから切断され、次にリードフレーム上のダイ取付パッドに実装され、次にリードフレームのフィンガにワイヤボンディングされ、次にダイとリードフレームのアセンブリが、封止のために型枠内に挿入され、そして結果としてのパッケージ化ダイが、型枠から外され、トリミング（例えば、「フラッシュ」の）されて、形成される（例えば、パッケージ本体から延伸するリードフレームフィンガの部分が、適切なガルウィング構成、その他へと形成される。）。
本発明の典型的な工程流れの場合、ダイは、ウェーハ上のままでプローブ当てされ、復元性のある接触構造が、「良好な」（合格の）ダイに実装され、ダイがウェーハから切断され、次にダイがコーティング又は封止される。一般的な提案として、好ましいのは、上記のようにしてダイにプローブを当てることが、プローブ当てすべき接着パッドが１００個よりも少ない接着パッドを有する、メモリ素子といった、ダイに限定されることである。それにもかかわらず、特にエージングの目的のために、（切り離しの前に）ウェーハレベルでダイにプローブを当てることが、開示の工程により容易になる。
図１５において、復元性のある接触構造１５３０が、ダイの２つの側に任意に配設され、ダイのいずれか一方の側の復元性のある接触構造が、全て同じに成形され、また同じ方向に配向されるものとして示されている。これによって、「ピッチ」、すなわち復元性のある接触構造間の間隔が確立され、これは、明らかであるが、復元性のある接触構造が実装される接着パッドのピッチと同じになる。
これは、本発明の１つの利点を示し、それは、印刷回路基板又はその他に直に接続するのに適した復元性のある接触構造が、半導体（例えば、シリコン）素子に直に実装されて、「チップ寸法パッケージ」を形成することが可能になる点にある。このような、復元性のある接触構造が直に実装された素子は、試験及びエージングに対する準備が整い、また例えば、図１３Ａ及び１３Ｂに関連して上記で説明したように、カード又はボードへの相互接続に対する準備が整う。
この説明の目的のために、前提として、所与の半導体素子は、如何に近くに接着パッドが、特に接着パッドの単一の列が配設できるかに基づいて低い方の限界を有することになり、またこの低い方の限界によって、本明細書で素子の「ピンアウト」と呼ぶものに対するピッチが確立されるものとする。（ここで理解されたいのは、「ピンアウト」という用語は、通常、接着パッドの物理的間隔ではなく、接着パッドの信号割り当てを記述するために用いられる、ということである。）このピンアウト・ピッチは、印刷回路基板上で適切に達成可能なパッド間隔と比較して、相対的に微細（小型）になる傾向があり、これは特に、ピンアウト・ピッチを増幅（拡大）するために、ダイのパッケージ実装と関連して、ボンディングワイヤ、リードフレーム、その他の利用を概ね受け入れることを考慮したものである。
一般に、ボード設計上の厳密な制約は、ある場合に、導電トレースが接触パッド間を通過して、「複雑な」相互接続方式をもたらすことが可能なように、接触（半田）パッドを十分遠く離間しなければならない点にある。更に、一般的な提案として、半田パッドが大きくなるほど、更に多くの半田を「受け入れる」ことになるので、更に信頼性のある接続に良好に近づく。
本発明の１つの特徴によれば、各種の形状及び配向を有する復元性のある接触構造が、基板（例えば、半導体ダイ）に実装可能であり、これは、素子ピンアウトの実効ピッチを増大するうえで有用である。
更に、可能であるが、復元性のある接触構造を切り離されたダイに実装する場合、接触子が、ダイの周囲を越えて延伸するように、接触子を形成することは、比較的単純明快な問題である。一般に、復元性のある接触構造を電子コンポーネントに実装する場合、本発明によれば、ワイヤステム（保護膜生成されることになる）の形状及び大きさに、見かけ上制約がなく、それにより容易にファンアウトが可能になる（ダイ上といった比較的小さな間隔から、印刷回路基板上といった比較的大きな間隔へと増大される）。
しかしながら、ダイの周囲を越えて延伸する接触構造が、ウェーハ上の切り離されていないダイに実装可能なことは、本発明の範囲内である。これには、例えば、ウェーハを対向側から切ることが必要であろう。というのは、かかる接触構造は、切り目線の上に存在することになるためである。
本発明の他の利点は、ワイヤステムがメッキ（保護膜生成）される際に、相互接続をなすことを特定して意図しない、電子コンポーネントの領域において、保護膜の沈着を許可できる点にある。電子コンポーネントの面に実装されたワイヤステムをメッキする間に、電子コンポーネントのエッジをメッキすることができる。もしくは、ワイヤステムをメッキする間に、電子コンポーネントの対向側をメッキすることも可能である。一般に、マスクされていない電子コンポーネント上の任意の領域がメッキされる。（上記の実施例の多くにおいて、ワイヤステムが電子コンポーネントにボンディングされる接触領域（例えば、１１０）は、ホトレジストその他内の開口により規定される。）図１５Ａは、接触構造の配向が、それらの実効密度を増大するために千鳥状にされる、本発明の１つの実施例を示し、また事例２の図２４と類似している。この図は、半導体ダイ１５２０を示し、その頂部に、上記の技法に従って、複数の異なる接触構造が既に実装されている。接触構造の第１の部分１５２２が、比較的大きなオフセット（すなわち、遠位端から近位端への）を有するように構成（成形、曲げ）される。接触構造の第２の部分１５２４が、比較的小さなオフセット（すなわち、遠位端から近位端への）を有するように構成（成形、曲げ）される。このようにして、図示のように、隣接した接触構造（１５２２及び１５２４）の近位端の間の間隔は、「ｍ」であり、隣接した接触構造の遠位端の間の間隔は「ｎ」である。ここで、ｎ＞ｍである。例えば、「ｍ」は約５ミルで、「ｎ」は５−１０ミルである。この図に更に示すように、電子コンポーネント１５２０の表面と直角に延伸する直線接触構造１５２８が、電子コンポーネント上に形成可能である。これらの接触構造１５２８は、印刷回路基板（ＰＣＢ）等の別の電子コンポーネント上の対応する位置合わせ特徴（穴等）と嵌合することになる、位置合わせピンとして機能することを意図したものである。好適には、これらの位置合わせピン１５２８は、復元性がないが、それらは、復元性のある接触構造１５２２及び１５２４と同じ工程ステップで、確実に製造される。
任意として、封止剤を基板の表面上に堆積可能であり、これは、接触構造の低い方の（図で見て）部分を包囲し、基板の表面への復元性のある接触構造の取付けを機械的に補強する。
本発明に従って、接触構造の先端を千鳥状にすることにより、設計者は、電子コンポーネントが実装されることになるボードに対する「根本規則」（設計規則）を緩めることが可能になり、それによって、接触（半田）パッドを更に次から次へと配設し、及び／又は個々の半田パッドを更に大きくすることが可能になる。
使用時には、一時的な接続を、接触構造（１５２２、１５２４、１５２６）を介して、電子コンポーネント１５２０に対してなすことができ、その後に続く永久的な接続を、同一の接触構造（１５２２、１５２４、１５２６）を介して、電子コンポーネント１５２０に対してなすことができ、これは、図１３Ａ及び１３Ｂに関連して説明したようにしてなされる。これによって、所望であれば、ウェーハ状の切り離されていないダイのウェーハレベルでのエージングが容易になり、その特徴は、半導体素子（限定ではないが）に特に有利である。接触構造１５２２、１５２４、１５２６、及び１５２８が、上記のようにして、ウェーハ（又は、チップ）１５２０に一括転移されることは、本発明の範囲内である。一括転移技法によって、一般に、電子コンポーネント上に短絡層（１２６に匹敵）を形成する必要性が回避される。というのは、接触構造が、「オフライン」で（すなわち、犠牲基板上に）製造されるためである。
必要とされない短絡層 上記の実施例の多くにおいて、短絡層の利用を説明してきた（例えば、図１Ｃ−１Ｅの導電層１２６を参照）。短絡層は、電気メッキ工程によりワイヤステムに保護膜を施すことに、特に関係がある。ワイヤステムの全てが接続される導電性の犠牲構造を利用することは、複数のワイヤステムを同様に短絡する（共に電気的に接続する）ことにより、電気メッキを容易にする。
図１６Ａは、工程の最初のステップを示し、ここで、半導体ダイ１６１２に実装（ボンディング）された複数のワイヤステム１６３０及び１６３２を成形、及び保護膜生成することに関連して、犠牲構造１６０２が用いられる。
犠牲構造１６０２は、アルミニウム等の導電（及び、工程の最終ステップで、容易に除去される）材料から、かご状の構造として形成され、この犠牲構造には、ダイ１６１２が配設される領域を規定する外部リング１６０４と、リング１６０４（図示のような）の一方の側からリング１６０４の対向側（この断面斜視図では見えない）にまたがるクロスバー１６０６とが含まれる。この結果として、開口１６０８及び１６１０が、クロスバー１６０６に（及び互いに）平行に、リングの一方の側からリングの対向側にまたがることになる。
一般に、犠牲構造（かご）は、半導体ダイ１６１２にわたって位置決めされるため、開口１６０８及び１６１０は、ダイ１６１２にワイヤステム１６３０と１６３２を実装する前に、ダイ１６１２上の接着パッドの対応する列と位置が合わせられる。
図示のように、ダイのそれぞれの側に沿った、接着パッドの各列におけるワイヤステムは、交互に、外部リング１６０４と内部クロスバー１６０６に延伸して、例えば、それらの遠位端をくさびボンディングすることにより、犠牲構造にボンディングされる。このようにして、犠牲構造１６０２は、ワイヤステムの全てを互いに短絡し、ワイヤステムの後続のメッキに対して、容易に接続される（不図示）。
図１６Ｂは、工程における次のステップを示し、ここで、ワイヤステム１６３０、及び１６３２が、上記のようにしてメッキされて、それぞれ、復元性のある接触構造１６４０、及び１６４２として機能する。
次のステップで望ましいのは、犠牲構造を除去（削除）することであり、一般に、２つの可能性が存在する。すなわち、（ｉ）復元性のある接触構造の遠位端が、犠牲構造から切断（切る）可能であること、又は（ii）犠牲構造が、復元性のある接触構造の先端を切断することなく、溶解除去（例えば、エッチング）することが可能であることである。
図１６Ｃは、第１の可能性を示し、ここで、犠牲構造（１６０２）は既に溶解除去されて、復元性のある接触構造１６４０及び１６４２が実装されたダイ１６１２が残っている。以前の実施例の大部分の場合に、復元性のある接触構造の最遠位端が、別の電子コンポーネントと接触するのに対して、この実施例の場合、接触構造１６４０、及び１６４２の中間部１６４０ｃ、及び１６４２ｃが、それぞれ、別の電子コンポーネント（不図示）と接触する（「Ｃ」で表記した矢印で示される）ように、復元性のある接触構造１６４０及び１６４２が成形される。
一般に、接触構造１６４０（ダイ表面の内部の方向を指す）と１６４２（ダイの外部の方向を指す）の配向を変更することにより、接触構造の実効ピッチを、ダイのピンアウト・ピッチ（図１５Ａに匹敵）よりも大きくすることができる。内部を指す接触構造１６４０が同じ状況の場合、図８Ａ−８Ｃに関連して図示及び説明した実施例と同様に、それらの先端１６４０ｂとダイの表面の間に間隙が存在し、これによって、先端が半導体ダイの表面に接触することなく、復元性のある接触構造の偏向が可能になる。外部を指す接触構造１６４２が同じ状況の場合、それらの先端１６４２ｂは、ダイ１６１２のエッジから外れ、かかる問題（すなわち、接触構造の先端が、接触力に応じてダイの表面に触れる）は存在しない。
図１６Ａ−１６Ｃを通じて、ダイ１６１２は、上記と同様に、その上部（図で見て）表面にパッシベーション層１６１４を備えて示されている。
図１６Ｄは、事象の代替シーケンスを示し、犠牲構造１６０２は、ワイヤステム１６３０及び１６３２に保護膜を施す前に除去される。最初のステップは、図１６Ａに関連して説明したのと同じままであり、結果としての構造が、図１６Ｃに示すようになる。
図１６Ａ−１６Ｃに関連して上記で説明した技法は、ウェーハの頂部に単に載置する（図１６Ａ−１６Ｃに示すように、個々のダイの側部エッジの下に延伸するのではなく）更に薄い犠牲構造（１６０２）を単に設けることにより、ウェーハレベルで実施可能である。
電子コンポーネント（１６１２）が、接触構造（例えば、図１６Ｂの）又はワイヤステム（例えば、図１６Ｄの）を単純に切断することにより、犠牲構造（１６０２）から「自由に」される。犠牲構造（１６０２）を用いることの一般的な利点は、別態様では電子コンポーネント（１６１２）が、極端に高く、又損傷を与える可能性のある電圧（例えば、２０００ボルト）を被ることになっていた、電子的火炎射出を必要としない点にある。
接触構造（又は、ワイヤステム）が、硬質ワックス材料等で安定化されて、電子コンポーネントの平面に平行な平面で、研ぎ（研磨）を受け、その結果として、接触部分（例えば、１６４２ｃ）が、接触構造の自由端となる（例えば、接触構造又はワイヤステムを完全に通して研磨することにより）ことも、本発明の範囲内である。これは、例えば図５３Ｃ及び５３Ｄに関連して以下で説明する。
本明細書に記載の「機械的な」切断技法のいずれかを利用すると、スパーク切断の高電圧に関連した問題が回避されるだけでなく、結果としての接触構造の高さも、直接的、物理的、及び直感的な仕方で保証される。
図１６Ｅ及び１６Ｆは、頂部に次から次ぎにチップ（半導体ダイ）を積み重ねるのに適した仕方で、復元性のある接触構造を製造するための技法１６５０を示す。犠牲構造１６５２（１６０２に匹敵）が、第１の電子コンポーネント１６６２（１６１２に匹敵）の頂部に配設される。ワイヤ１６５８が、一方の端部１６５８ａにおいて、第１の電子コンポーネント１６６２上のパッド１６６４にボンディングされ、弾力のある形状を有するように構成され（図１６Ａと同様にして）、ワイヤ１６５８の中間部１６５８ｃが、（切断することなく）犠牲構造１６５２にボンディングされる。図示のように、犠牲構造１６５２には、ワイヤの中間部がボンディングされる接触先端（図１０Ｃの１０２６に匹敵）が設けられる。ワイヤは更に、弾力のある形状（例えば、図２ＥのＳ字形状に匹敵）で、犠牲構造１６５２から延伸するように成形されて、自由端１６５８ｂを有するように切断される。成形されたワイヤステムは、犠牲構造１６５２を除去する前（図１６Ｂに匹敵）か、又は後（図１６Ｄに匹敵）のいずれかでメッキされて、復元性のある接触構造となり、その自由端１６５８ｂに施された微細構造接触子（１０２６に匹敵）を有する。
犠牲構造１６５２が除去された後、第２の電子コンポーネント１６７２が、第１の電子コンポーネント１６６２と、復元性のある接触構造（ワイヤステムに保護膜生成された）の中間部１６５８ｃとの間に配設されて、第１の電子コンポーネント１６６２と、第２の電子コンポーネント１６７２の端子１６７４との間に、相互接続がもたらされる。この技法の利点は、相互接続が又、外部システム（他の電子コンポーネント）に対して接続をなすために、第２の電子コンポーネントから延伸する点にある。例として、第１の電子コンポーネント１６６２はマイクロプロセッサであり、第２の電子コンポーネント１６７２はメモリ素子である。
介在体 この応用例の図１７Ａ−１７Ｄは、それぞれ、事例２の図６、７、１３、及び２２と類似であり、介在体として用いるための、印刷回路基板（ＰＣＢ）に実装された接触構造を記載している。本明細書で用いる「介在体」とは、その両側に配設された接触構造を有する概ね平坦な基板のことであり、一方の側（面）の接触子は、介在体内において、他方の側（面）の接触子に電気的に接続される。かかる介在体は、相互接続を所望する２つの電子コンポーネント間に配設される。一般に、介在体は、相互接続しようとする電子コンポーネントに直に、接触構造を実装することが望ましくない場合に用いられる。
図１７Ａは、介在体の実施例１７００を示し、ここで、複数（図示では多くのうち１つ）の仕立て済みワイヤステム１７０２が、印刷回路基板１７０４の上側（図で見て）表面１７０４ａに配設され、複数（図示では多くのうち１つ）の仕立て済みワイヤステム１７０６が、印刷回路基板１７０４の下側（図で見て）表面１７０４ｂに配設される。更に具体的には、印刷回路基板１７０４には、既知の仕方で製造された、導電材料の１つ以上の層からなる、複数（図示では多くのうち１つ）のメッキされたスルーホール１７０８が設けられる。ワイヤステム１７０２は、印刷回路基板１７０４から上方に（図で見て）突出するように、メッキ１７１０に実装され（上記の任意の適切な仕方で、ボンディングされ）、ワイヤステム１７０６は、印刷回路基板１７０４から下方に（図で見て）突出するように、メッキ１７１０に実装される（上記の任意の適切な仕方で、ボンディングされる）。ワイヤステム１７０２及び１７０６は次に、ワイヤステムに復元性を付与することになる、導電材料の１つ以上（例示の明瞭化のために、図示では１つ）の層１７１２で、保護膜が施される（上記の任意の適切な仕方で）。コーティング１７１２は又、ワイヤステムをスルーホールメッキ１７１０に確実に固定して、図示のように、スルーホールメッキ１７１０の表面全体を覆う。電気経路が、接触構造１７０２から接触構造１７０６への保護膜１７１２により与えられる。このようにして、復元性のある接触構造が、介在体基板の両側に形成され、接触構造１７０２の上部「組」は、介在体の上に配設された第１の電子コンポーネント（不図示）上の端子、パッド、その他に接触し、接触構造１７０６の下部「組」は、介在体の下に配設された第２の電子コンポーネント（不図示）上の端子、パッド、その他に接触し、接触構造の両方の組は、従順な（復元性のある）仕方で、対応する電子コンポーネントに対して電気的接続をなす。
従って、図１７Ａにおいて、介在体には、「回路化」（金属化）された誘電体基板の両側に、弾力のある接触構造が設けられているのが見て取れる。容易に理解されるであろうが、この実施例（１７００）の場合、スルーホール（１７０８）を含んでも含まなくても良いが、下側のばね（１７０６）に上側のばね（１７０２）を接続する任意の適切な手段が、介在体の意図した目的を完全に満たすことになる。この実施例の接触構造（１７０２及び１７０６）は、復元性がある（純粋なばね）か、従順性がある（弾性と可塑性の組合せを示す）。
従順性（復元性）のある電気的接続が、介在体の一方の側にのみ必要とされる場合、図１７Ｂに示すような介在体実施例が、製造及び利用可能である。この実施例の場合、複数（図示では多くのうち１つ）の仕立て済みワイヤステム１７２２が、印刷回路基板１７２４の上側（図で見て）表面１７２４ａに配設される。復元性のある導電性コーティング１７３２で保護膜生成されると、これらのワイヤステム１７２２は、介在体の上に配設された第１の電子コンポーネント（不図示）上の端子、パッド、その他と接触するための復元性のある接触構造を形成することになる。
以前の実施例（１７００）の場合のように、印刷回路基板１７２４には、既知の仕方で製造された、導電材料１７３０の１つ以上の層からなる、複数（図示では多くのうち１つ）のメッキされたスルーホール１７２８が設けられる。ワイヤステム１７２２は、印刷回路基板１７２４から上方に（図で見て）突出するように、メッキ１７３０に実装される（上記の任意の適切な仕方で、ボンディングされる）。
この実施例１７２０の場合、復元性のない接触構造１７０６が、印刷回路基板１７２４の下側（図で見て）表面１７２４ｂに形成されるが、これは、スルーホールメッキ１７３０上の一方の位置に、ワイヤ１７２６の一方の端部１７２６ａをボンディングし、またスルーホールメッキ１７３０上の他方の、好適には径対向した位置に、ワイヤ１７２６の他方の端部１７２６ｂをボンディングすることによりなされ、これは、伝統的なワイヤボンディング・ループ（ワイヤが、２点間の２つの端部においてボンディングされて、その２点間にアーチ状構成を有する）を形成するのと同様にしてなされる。
ワイヤステム１７２２及び１７２６は次に、スルーホールメッキ１７３０にワイヤステム１７２２及び１７２６を確実に固定することになり、また図示のように、スルーホールメッキ１７３０の表面全体を覆う、導電材料の１つ以上（例示の明瞭化のために、図示では１つ）の層１７３２で、（上記の任意の適切な仕方で）保護膜が施される。保護膜１７３２は又、ワイヤステム１７２２に復元性を付与することになる。電気経路が、接触構造１７３２から接触構造１７３６への保護膜１７３２により与えられる。このようにして、復元性のある接触構造が、介在体基板の両側に形成され、接触構造１７２２の上部「組」は、介在体の上に配設された第１の電子コンポーネント（不図示）上の端子、パッド、その他に接触し、接触構造１７２６の下部「組」は、介在体の下に配設された第２の電子コンポーネント（不図示）上の端子、パッド、その他に接触する。この場合、接触構造１７２２の上部組のみが、（第１の電子コンポーネントに対して）復元性のある接触をなす。この実施例１７２０の場合、介在体と第２の電子コンポーネント間に、復元性のある接続は必要としないことが前提であるので、接触構造１７２６は、自立型のピン状接触構造（上記のような）として形成可能である。
明らかに、この実施例１７２０の場合、上側接触構造（１７２２）のみが復元性（従順性）があり、下側接触構造（１７２６）は、堅固であり、介在体１７２０の下に配設された別の電子コンポーネントに半田接続をもたらすのに十分適している。
図１７Ｃは、介在体の他の実施例１７４０を示す。以前に説明した実施例の場合のように、上部（図で見て）表面７１４４ａと下部（図で見て）表面１７４４ｂを有する印刷回路基板１７４４には、導電材料１７５０の１つ以上の層でメッキされる、複数（図示では多くのうち１つ）のスルーホール１７４８が設けられる。この実施例は、スルーホール１７４８を介して毛細管（不図示）を挿入し、犠牲部材１７４３にワイヤ１７４２の自由端１７４２ａをボンディングし、毛細管をスルーホール１７４８を介して上方に移動させ、印雑回路基板１７０４の頂部のスルーホールメッキ１７１０に、ワイヤ１７４２の中間部１７４２ｂをボンディングし、次に、印刷回路基板１７４４の上部表面１７４４ａから上方に突出する、復元性のあるワイヤステム１７４６を仕立てることにより、適切に製造される。（上記の任意の適切な仕方で）導電材料１７５２で保護膜生成されると、印刷回路基板１７４４の上部表面１７４４ａから上方に（図で見て）突出し、また、印刷回路基板の下部表面１７４４ｂから下方に（図で見て）突出する、復元性のある接触構造が形成される。明らかに、スルーホール１７４８の直径は、この技法を可能にするために、毛細管の直径よりも大きくすべきである。約０．００１インチの直径を有するワイヤを送る毛細管は、約０．００６インチ程度に小さい直径を有することが知られている。ゆえに、約０．０１０インチの直径を有するスルーホールは、毛細管がそこを横切るのに十分な公差を与えることになる。上記のように、介在体上への復元性のある接触構造の製造が完了すると、犠牲部材１７４３が除去される。（代替として、上記のように、ワイヤステムに保護膜を施す前に、犠牲部材を除去することも可能である。）明らかに、この実施例１７４０の場合、基板の両側に導電性を与える領域を有するメッキされたスルーホールが図示されているとしても、介在体基板（１７４４）の一方の側に、導電領域を有することが唯一必要である。更に、ワイヤステム部分（１７４２）が、スルーホールを介して延伸することは必ずしも必要ではない。同様の様式は、介在体基板（１７４４）のエッジ近くの導電パッドに、ステム部分１７４２及び１７４６をボンディングすることにより、容易にもたらすことが可能であろう。
上記の介在体実施例の場合、接触構造の「上部組」は、接触構造の「下部組」と異ならせることが可能なこと、また一方又は両方の組を復元性のある接触構造とすることが可能なことは明白である。一般に、所与の（すなわち、上部又は下部）組の接触構造の全てが、互いに同じであるのが好ましい。しかし、それらが互いに異なることは、本発明の範囲内である。
本発明に従って形成（仕立て、及び保護膜生成）された復元性のある接触構造はコンプライアンスがある。それらが意図して利用される用途に依存して、それらのコンプライアンスを制限することが望ましい場合もある。この目的のために、「ストップ」が容易に製造されて、復元性のある接触子のコンプライアンス（ばね偏向）が制限される。
図１７Ｄは、介在体の実施例１７６０を示し、これは、そこに組み込まれた「ストップ」を有する。この実施例は、破線で示すように、図１７Ａの介在体実施例１７００の基板を組み込む。この実施例１７６０の場合、ワイヤステム１７０２及び１７０６の仕立てに加えて、コンプライアンス制限ストップ（スタンドオフ）１７７９が、印刷回路基板１７６４のメッキされたスルーホール１７７８上に、単純なループ（図１７Ｂのループ１７２６に匹敵）として形成される。上述のように、かかるループ１７７９は、保護膜が施されると、復元性がなくなる。印刷回路基板１７６４の上部表面の復元性のある接触子１７０２のコンプライアンスを制限するために、復元性のある接触構造１７０２の垂直方向の長さ（「Ａ］で表記）の下、０．００３インチといった任意の所望の距離において確立される、「Ｂ」で表記した位置にループは延伸する。このようにして、復元性のある接触構造の偏向（介在体を下方に支承する電子コンポーネントにより課せられる力に起因した）が制御可能となる（すなわち、制限可能となる）。
図１７Ｄの実施例１７６０の顕著な特徴は、スタンドオフ要素１７７９が、復元性のある接触構造（１７０２、１７０６）と同じ工程で製造可能な点にある。
図１７Ｅは、介在体の他の実施例１７８０を示す。この場合、介在体基板１７８２は、その上部（図で見て）表面からその下部（図で見て）表面へと延伸する、複数（図示では多くのうち２つ）の段差付きで、メッキされたスルーホール１７８４を有する。もっと具体的には、基板１７８２は、好適には、モールドされた熱可塑性基板であり、図示のように、その内部にモールドされたオフセット穴を備える。オフセット穴により、結果として、「段差」（又は、「水平部」）が、基板の本体内に存在することになり、これらは、金属化されると接触構造の実装に適している。複数（図示では多くのうち２つ）の復元性のある接触構造１７８６が、スルーホール１７８４内に実装されて、基板１７８２のの上部（図で見て）表面を越えて延伸し、また、複数（図示では多くのうち２つ）の復元性のある接触構造１７８８が、スルーホール１７８４内に実装されて、基板１７８２の下部（図で見て）表面を越えて延伸する。このようにして、圧縮力に応答した、復元性のある接触構造の偏向が、それ自体「ストップ」（上述の図１７Ｄの偏向制限ストップ１７７９に匹敵）として機能する基板１７８２により、固有に制限される。このようにして完全に偏向された復元性のある接触構造（１７８６、１７８８）は、スルーホール内に完全に含まれることになる。スルーホールが、図５Ｅに関連して説明したように、同じ理由のために、任意的に、軟質で導電性の弾性質量体で充填されることは、本発明の範囲内である。
更なる介在体実施例 介在体に関係して本発明を利用することを、図１７Ａ−１７Ｅに関連して簡単に説明した。
以下のことは、本発明の範囲内である。すなわち、（ａ）同一の復元性のある接触構造が、介在体の両側に形成可能であること、（ｂ）異なる復元性のある接触構造が、介在体の各側に形成可能であること、（ｃ）隣接した復元性のある接触構造の間の間隔が、介在体上の側間と異ならせることが可能であること、（ｄ）１つより多い復元性のある接触構造が、介在体の所与の側の各「サイト」において形成可能であること、及び（ｅ）スタンドオフ要素、及び／又は位置合わせ要素、及び／又はばねクリップ要素が、復元性のある接触構造の形成と共に、形成可能であること（例えば、図１５Ａの要素１５２８、及び図１７Ｄの要素１７８０を参照）である。
図１８Ａは、半導体ダイ（１８４０）及び印刷回路基板（１８５０）といった、２つの電子コンポーネント（図１８Ｂに示す１８４０、及び１８５０）の離間した対向表面間に配設するのに適した、介在体１８００の実施例を示す。
介在体１８００は、積層印刷回路基板等の基板１８０２から製作され、それを介して延伸する複数（図示では多くのうち２つ）の穴１８０４及び１８０５を有する。基板１８０２は、その両方の表面を覆い、スルーホール１８０４及び１８０５を介して延伸する、銅等の導体１８０６で被覆される。これは周知である。
レジスト１８１２の層が、ＰＣＢ１８０２の上（図で見て）側に施され、スルーホール１８０４の近くに延伸する。レジスト１８１４の同様の層が、ＰＣＢ１８０２の下（図で見て）側に施され、スルーホール１８０４及び１８０５の近くに延伸する。スルーホール１８３０は、ニッケルの層１８０８でメッキされ、これには、金の層１８１０で保護膜が施される。これらの層１８０８及び１８１０は、スルーホール１８０４及び１８０５内で銅１８０６を覆い、スルーホール１８０４及び１８０５のエッジにわたって、レジスト１８１２、１８１４で覆われない、ＰＣＢ１８０２の表面の一部上へと延伸する。これは、本発明による復元性のある接触構造を実装するのに適した、メッキされたスルーホール（１８０４、１８０５）を与える。被覆（１８０６）、及び多層（例えば、ニッケル１８０８、金１８１０）コーティングされたスルーホール（１８０４、１８０５）を有する基板は、知られており、また市販品が入手可能である。
第１のワイヤステム１８２０が、スルーホール１８０４において、ＰＣＢ１８０２の上部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。第２のワイヤステム１８２１が、好適にはワイヤステム１８２０に近い、スルーホール１８０４の円周位置において、スルーホール１８０４におけるＰＣＢ１８０２の上部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。ワイヤステム１８２０及び１８２１は、介在体１８００の上に（図で見て）配設された第１の電子コンポーネント（不図示）の第１の端子に向かって、互いに同じ方向で、上方に（図で見て）延伸する。
第３のワイヤステム１８２２が、スルーホール１８０４において、ＰＣＢ１８０２の下部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。第４のワイヤステム１８２３が、好適にはワイヤステム１８２２に近い、スルーホール１８０４の円周位置において、スルーホール１８０４におけるＰＣＢ１８０２の下部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。ワイヤステム１８２２及び１８２３は、介在体１８００の上に（図で見て）配設された第２の電子コンポーネント（不図示）の第１の端子に向かって、互いに同じ方向で、下方に（図で見て）延伸する。
第５のワイヤステム１８２４が、スルーホール１８０５において、ＰＣＢ１８０２の上部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。第６のワイヤステム１８２５が、好適にはワイヤステム１８２４に近い、スルーホール１８０５の円周位置において、スルーホール１８０５におけるＰＣＢ１８０２の上部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。ワイヤステム１８２４及び１８２５は、介在体１８００の上に（図で見て）配設された第１の電子コンポーネント（不図示）の第２の端子に向かって、互いに同じ方向で、上方に（図で見て）延伸する。
第７のワイヤステム１８２６が、スルーホール１８０５において、ＰＣＢ１８０２の下部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。第８のワイヤステム１８２７が、好適にはワイヤステム１８２６に近い、スルーホール１８０５の円周位置において、スルーホール１８０５におけるＰＣＢ１８０２の下部（図で見て）表面にボンディングされて、上記のように、骨格（保護膜生成されると、ばねとして機能するのに適した形状）へと仕立てられる。ワイヤステム１８２６及び１８２７は、介在体１８００の上に（図で見て）配設された第２の電子コンポーネント（不図示）の第２の端子に向かって、互いに同じ方向で、下方に（図で見て）延伸する。
ワイヤステム（１８２０−１８２７）が、基板１８０２に実装され、復元性のある形状へと仕立てられると、ワイヤステムには、上記のように、ニッケル等のばね材料１８３０で保護膜が施される。保護膜１８３０は、スルーホール１８０４及び１８０５の露出した（レジスト１８１２又は１８１４により覆われていない）表面全体を覆って、ワイヤステムに対して確実な固定をもたらし、また保護膜は、ワイヤステムを包み込んで、そこに復元性を付与する。コーティング（１８３０）工程時に、銅層（１８０６）は、「短絡」層（スルーホールの全てを互いに、従ってワイヤステムの全てを互いに短絡する）として機能し、これにより電気メッキが容易になる。
ワイヤステム（１８２０−１８２７）に保護膜（１８３０）が施されると、レジスト（１８１２、１８１４）が除去され、スルーホール（１８０４、１８０５）間の銅被覆１８０６が、選択性エッチング（すなわち、ニッケル保護膜１８３０に対して、銅被覆１８０６にとって選択性である化学薬剤で）等により除去される。
この結果として、復元性のある接触構造の対が、第１の電子コンポーネント（１８４０）に接続するために上方に（図で見て）延伸し、復元性のある接触構造の対応する対が、第２の電子コンポーネント（１８５０）に接続するために下方に（図で見て）延伸することになり、２つの電子コンポーネント間の接続が１つ１つ（例えば、パッド毎に）なされる。
この実施例で明らかなように、ワイヤステムは対（例えば、１８２０と１８２１の対、１８２２と１８２３の対、１８２４と１８２５の対、及び１８２６と１８２７の対）をなして設けられる。一般に、ステムの各対（例えば、ステム１８２０と１８２１）のステムは、それらが実装される表面の上の同じ高さにまで延伸する（しかし、図示では僅かに斜めである）。ステムの各対は、対応する電子コンポーネント上の対応する端子（又はパッド、或いは導電領域）に対して接続をなす。接触構造の対１８２０／１８２１は、第１の電子コンポーネント１８４０（破線で示す）上の端子１８４２（破線で示す）に接続する。接触構造の対１８２２／１８２３は、第２の電子コンポーネント１８５０（破線で示す）上の端子１８５２（破線で示す）に接続し、介在体１８００のスルーホール１８０４により、対１８２０／１８２１に接続される。接触構造の対１８２４／１８２５は、第１の電子コンポーネント１８４０（破線で示す）上の端子１８４４（破線で示す）に接続する。接触構造の対１８２６／１８２７は、第２の電子コンポーネント１８５０（破線で示す）上の端子１８５４（破線で示す）に接続し、介在体１８００のスルーホール１８０５により、対１８２４／１８２５に接続される。
復元性のある接触構造の対（例えば、１８２０、１８２１）で接続をなすことの利点は、インダクタンスが低減される点にある（すなわち、接続当たり１つの復元性のある接触構造しか用いない場合に対して）。
復元性のある接触構造の対（例えば、１８２０、１８２１）で接続をなすことの他の利点は、２つの接触子の方が１つよりも良いという一般的前提の下で、冗長性が単純に与えられる点にある。
図１８Ａ及び１８Ｂの介在体実施例１８００は、各相互接続サイトで、また介在体の両側で同一の接触構造を備えて示されている。接触構造が、介在体の所与の側で同一である（例えば、ワイヤステム１８２４及び１８２５は全て、概ね同じ高さと形状で仕立てられる）ことは一般に望ましいが、介在体の他方の側の接触構造（例えば、ワイヤステム１８２２、１８２３、１８２６及び１８２７）は、介在体の対向側の接触構造とは、異なる形状及び異なる高さで仕立てることができる。
以下の介在体の説明において、メッキされたスルーホールは、例示の明瞭化のために、１つの層を有するものとして一般的に示すが、理解されたいのは、上記のような多層スルーホールの方が好ましいということである。また、例示の明瞭化のために、介在体上に形成された複数の接触構造のうちの１つだけを示す。
図１９Ａは、半導体ダイ（１８４０）及び印刷回路基板（１８５０）といった、２つの電子コンポーネント（図１９Ｂに示す１９４０及び１９５０）の離間した対向表面間に配設するのに適した、介在体１９００の実施例を示す。
介在体１９００は、繊維含有の印刷回路基板等の基板１９０２から製作され、それを介して延伸する複数（図示では多くのうち１つ）の穴１９０４を有する。基板１９０２は、導体１９０６で被覆され、これは、周知の仕方で既にパターニングされ、またスルーホール１８０４が穴を介してメッキされるように、周知の仕方で既にメッキされている。（パターニングをもたらすために、レジストを施すことを伴うステップは、例示の明瞭化のために省略している。）犠牲部材１９７０が、基板の下部表面１９０２ｂの直下に配設されて、そこに、一般的なホトレジスト等の適切で、除去可能で、一時的な接着剤１９７２で接着される。犠牲部材１９７０には、例えば図１０Ｄ及び１１Ｄに関連して上記で説明したようにして、ある幾何形状（微細構造）の接触先端を形成するための窪み１９７４が設けられる。第１のワイヤステム１９２０の自由端１９２０ａが、介在体１９０２の一方の面１９０２ａのスルーホール導体１９０６にボンディングされ、その面１９０２ａの上で上方に延伸するばね形状に仕立てられる。
第２のワイヤステム１９２２の自由端１９２２ａが、幾何形状先端１９７６にボンディングされる。これは、穴１９０４を介して毛細管を果報に移動させることにより達成される。通常、毛細管の直径は、０．００６インチ程度であり、穴の直径は、０．０１０インチ程度、又はそれより大きいため、毛細管が、穴内で移動することが可能になる。ワイヤステム１９２２は次に、スルーホール１９０４を介して上方に延伸し、ばね形状を有するように仕立てられて、その第２の端部１９２２ｂにおいて、介在体基板１９０２の一方の面１９０２ａのスルーホール導体１９０６に、好適には第１のワイヤステム１９２０の接着端１９２０ａに直ぐ隣接して、ボンディングされる。
ワイヤステム１９２０及び１９２２は次に、ニッケルの層１９３０等で保護膜が施されて、復元性を有する接触構造が形成される（また、ワイヤステムの接着端が固定される）。
最後に、図１９Ｂに示すように、犠牲部材１９７０が除去される（それ及び接着剤１９７２を適切な溶剤で溶解する等により）。このようにして、第１の電子コンポーネント１９４０（破線で示す）上の端子１９４２（やはり破線で示す）と、第２の電子コンポーネント１９５０（破線で示す）上の端子１９５２（やはり破線で示す）との間に、相互接続をなすことが可能になる。
一般に、犠牲部材を使用する以前に説明した実施例の場合のように、犠牲部材（１９７０）は短絡部材として機能して、ワイヤステム上へのコーティング（１９３０）の電気メッキを容易にする。やはり、以前の実施例の場合のように、犠牲部材（１９７０）は、後ではなく保護膜（１９３０）を施す前に除去される（図示のように）。
例として、介在体１９００は、パッケージ（電子コンポーネント１９４０）と印刷回路基板（電子コンポーネント１９５０）の間に配設され、その場合に有利なのは、接触先端１９７６が、スズ又は半田層で終端し（印刷回路基板上のパッドに接続するために）、ステム１９２０の先端が半田として終端する（パッケージ上のパッドに接続するために）ことである。
図１８Ａ及び１８Ｂの介在体１８００に関連して上述したように、図１９Ａ及び１９Ｂの介在体１９００の場合、介在体（１９００）の一方の側（１９０２ａ）の接触構造（１９２０）は、介在体（１９００）の他方の側（１９０２ｂ）の接触構造（１９２２）とは、異なる形状、及び異なる高さで仕立てられる。更に、一方の側（１９０２ａ）の接触子（１９２０）の先端微細構造は、他方の側（１９０２ｂ）の接触子（１９２２）の先端微細構造と異ならせることができる。更に、介在体（１９００）の一方の側（１９０２ａ）のワイヤステム（１９２０）の材料は、介在体（１９００）の他方の側（１９０２ｂ）のワイヤステム（１９２２）の材料と異ならせることができるが、同じ材料を用いる方が好ましい。一般に、保護膜（１９３０）は、介在体の両側の接触構造に対して同じ（材料及び工程）である。というのは、これにより、保護膜（１９３０）の不連続性が回避されるためであるが、保護膜が、介在体の各側のワイヤステムに対して異なることは、本発明の範囲内である。これらの「主題に基づく変形」は、一般に、本明細書に記載の介在体実施例の全てに適用可能である。
２つのコンポーネント１９４０と１９５０間の電気的接続が、スルーホールに依存しないという事実（すなわち、図１８Ａ及び１８Ｂの実施例の場合のように）に起因して、介在体基板１９０２に、図示のようなメッキされたスルーホール（１９０４）ではなく、上側（１９０２）のみのパッドが設けられるであろうことは、本発明の範囲内である。
更に、２つのワイヤステム１９２０と１９２２を１つのワイヤステムとして形成することは、本発明の範囲内であり、これは、犠牲部材１９７０にワイヤステム１９２２の端部１９２２ａをボンディングし、スルーホール１９０４を介して毛細管を上方に延伸させ、（図１９Ａの１９２２ｂと同じ位置で）端子にワイヤ１９２２の中間部をボンディングし、次に毛細管を移動させ続けて、ワイヤステム１９２２の「連続」として、ワイヤステム１９２０を仕立てることにより、容易に思い浮かべられる。このようにして、スルーホール材料（１９０６）の導電性に頼ることなく、第１の電子コンポーネント１９４０の端子１９４２と、第２の電子コンポーネント１９５０の端子１９５２との間に、直接的な１つのワイヤ接続がなされることになる。
ワイヤステム１９２０及び１９２２を、（図示のように）２つの特異なワイヤステムとして形成することが望ましく、明らかに好ましいのは、上側のワイヤステム１９２０を形成する前に、まず下側のワイヤステム１９２２（スルーホール１９０４を介して延伸する）を形成することである。さもなければ、下側のワイヤステム１９２２を仕立てる間、ワイヤステム１９２０が「優位」となる傾向がある。これは、一般に、本出願に記載の実施例の全てを通じて、事象のシーケンスを特定の用途に合うように再編成することが可能である、という事実の例示である。
図２０Ａは、介在体２０００の実施例を示し、これは、単一のワイヤで、２つの電子コンポーネント（図２０Ｂに示す２０４０及び２０５０）間に相互接続をなすことを特定的に目指す点を除いて、図１９Ａの実施例１９００と類似している。やはり、以前の実施例の場合のように、介在体１９００は、半導体ダイ（１８４０）及び印刷回路基板（１８５０）といった、２つの電子コンポーネント（１９４０及び１９５０）の離間した対向表面間に配設することを意図したものであるが、上記２つの電子コンポーネントに限定されない。
介在体２０００は、印刷回路基板等の基板２００２から製作され、それを介して延伸する複数（図示では多くのうち１つ）の穴２００４を有する。前の実施例（１９００）の説明において示唆したように、その上部（図で見て）表面２００２ａに配設された、複数（図示では多くのうち１つ）のパッド２００６（これは、ここでは単一層として示すが、銅、ニッケル、金と順に上に重なるといった、多層とすることもできる）を有することが、唯一必要である。
この実施例は、本明細書に記載の（すなわち、上記の、及び以下で説明する）他の介在体実施例へと組み込むことが可能である特徴を示す。すなわち、接地又は電源プレーン２０６０が、回路ボード型式の基板（２００２）内に組み込まれる。更に、基板２００２の上部（図で見て）表面には、接地又は電源プレーン２０６２（これは、プレーン２０６０が接地プレーンの場合、電源プレーンとなる）が設けられ、基板の下側（図で見て）表面には、信号プレーン２０６４が設けられ、又はその逆である。２００２等の基板に、抵抗、コンデンサ、容量性層、平面抵抗、その他が、基板の機能性を高めるために設けられ得ることは、本発明の範囲内である。
前に説明した実施例（１９００）と同様にして、犠牲部材２０７０が、基板の下部表面２００２ｂの直下に配設されて、そこに、一般的なホトレジスト等の適切で、除去可能で、一時的な接着剤２０７２で接着される。犠牲部材２０７０には、例えば図１０Ｄ及び１１Ｄに関連して上記で説明したようにして、ある幾何形状の先端２０７６を形成するための窪み２０７４が設けられる。
ワイヤ２０２０の自由端２０２０ａが、基板２００２の面２００２ａ上の導電パッド２００６にボンディングされ、スルーホール２００４を介して犠牲部材２０７０へと、下方に延伸するばね形状に仕立てられ、犠牲部材において、ワイヤの中間部２０２０ｃが、先端２０７６にボンディングされる。このように、パッド２００６から先端２０７６へと延伸するワイヤが、成形済みワイヤステムの第１の部分２０２２を構成し、また、上記のようにして保護膜生成された場合に、第１の導電接触を形成するのに適した形状を有する。
ワイヤ２０２０の中間部２０２０ｃを先端２０７６にボンディングした後、ワイヤ２０２０は、穴を介して毛細管を上方に移動させて戻すことにより更に仕立てられて、ワイヤステムの第２の部分２０２４を形成し、これは、基板２００２の上部表面２００２ａの上（図で見て）で終端し、また、上記のようにして保護膜生成された場合に、第２の導電接触を形成するのに適している。
ワイヤステム２０２０（すなわち、その両方の部分２０２２及び２０２４）は次に、ニッケルの層２０３０等で保護膜が施されて、基板２００２の上部表面２００２ａの上に（図で見て）延伸する一端と、基板２００２の下部表面２００２ｂの下に（図で見て）延伸する一端とを有する、復元性のある接触構造が形成される。
最後に、図２０Ｂに示すように、犠牲部材１９７０が除去される（例えば、それ及び接着剤（例えば、ホトレジスト）２０７２を、適切な溶剤で溶解することにより）。このようにして、第１の電子コンポーネント２０４０（破線で示す）上の端子２０４２（やはり破線で示す）と、第２の電子コンポーネント２０５０（破線で示す）上の端子２０５２（やはり破線で示す）との間に、相互接続をなすことが可能になる。
一般に、犠牲部材を使用する以前に説明した実施例の場合のように、犠牲部材（２０７０）は短絡部材として機能して、ワイヤステム部分２０２２及び２０２４上へのコーティング（２０３０）の電気メッキを容易にする。やはり、以前の実施例の場合のように、犠牲部材（２０７０）は、後ではなく保護膜（２０３０）を施す前に除去される（図示のように）。
図２０Ａ及び２０Ｂに示すように、この実施例２０００の場合、スペーサ２０８０が、基板の上部（図で見て）表面２００２ａに好適に設けられる。ワイヤステムの第１の部分２０２４は、スペーサ２０８０の上部（図で見て）表面の上に、例えば０．００５インチだけ延伸する。本明細書に記載の他の実施例の場合のように、ワイヤステムが、任意の他の構造（すなわち、スペーサ２０８０等）を越えて約０．００５インチ突出すること、及び「通常」荷重力に反作用する約０．００３インチのコンプライアンスを有するように設計されることは、通常十分である。例えば、この実施例のワイヤステムは、ワイヤステムの下側（図で見て）部分（すなわち、その幾何形状の先端）が、基板の下側表面２００２ｂを越えて０．００５インチ延伸するように仕立てられる。
この実施例の介在体２０００の１つの利点は、端子２０４２と端子２０５２間の全体のワイヤ長（電気経路）が通常、端子１９４２と端子１９５２（前の実施例１９００を参照）間の全体のワイヤ長よりも短いという点にある。この場合、全体のワイヤ長は、箇所「Ａ］と「Ｃ」間でワイヤによりとられる経路によって決定される。前の実施例（１９００）の場合、全体のワイヤ長は、箇所「Ａ」から「Ｂ」へとワイヤステム１９２０によりとられる経路に、箇所「Ｂ」から「Ｃ」へとワイヤステム１９２０によりとられる経路を加えた経路により決定される。（換言すると、ＡＣ＜ＡＢ＋ＢＣである。）このより短い電気経路の方が、インダクタンスの検討事項に起因して一般に好ましい。
この実施例２０００の場合、介在体基板２００２が主に、ワイヤに対する支持体として機能することは明白である。しかし、上述のように、介在体基板２００２には、接地、電源、及び信号プレーンを設けることができる。基板内に（基板の表面を含んで）接地と信号プレーンを備えることは、本明細書に記載の他のＰＣＢ型式基板の実施例のいずれかに適用可能であろうし、また寄生容量を低減するうえで有利である。
図２１は、介在体の実施例２１００を示し、これにより、「設計変更」をすること、換言すると、電子コンポーネントの特定のピン（すなわち、接触パッド）に進む信号を割り当てし直すことが可能である。多層ＰＣＢ型式基板２１０２には、複数（図示では多くのうち２つ）のメッキされたスルーホール２１０４及び２１０６が設けられる。基板２１０２の上部（図で見て）表面には、パターン化された導電層２１０８が設けられる。基板２１０２の下部（図で見て）表面には、パターン化された導電層２１１０が設けられる。復元性のある接触構造２１１２及び２１１４が、上部導電層２１０８から形成された接触パッドに実装される様子が示されている。復元性のある接触構造２１１６及び２１１８が、下部導電層２１１０から形成された接触パッドに実装される様子が示されている。
図示のように、導電層２１０８及び２１１０のパターンは、電気的な相互接続経路が、その（２１１６）直ぐ上の接触構造２１１２へではなく、復元性のある接触構造２１１６と復元性のある接触構造２１１４の間に形成されるようなものである。この例の基板は、接地プレーン２１２０及び電源プレーン２１２２を有するように示され、これらは、多層基板内の層として形成される。
設計変更（例えば、ピンアウトの再割当て）をする能力は、図２１に関連して説明したとうな介在体を備えると、多大な柔軟性を与える。というのは、介在体自体が設計変更をもたらすためである。もたらされる設計変更は単純（従って、経済的）なものであり、単に、介在体基板上の導電トレースを再経路指定することである。
図２２Ａは、寸法安定性を有する介在体基板に、復元性のある接触構造を形成する技法の実施例２２００を示す。この場合、銅等の金属性基板（補強体）２２０２が使用されて、それには、誘電材料２２０４のコーティングが設けられる。基板２２０２は、基板を介して延伸する複数（図示では多くのうち１つ）の開口２２０６が設けられ、それらの内部に、復元性のある接触構造が形成されることになる。導電性の犠牲基板２２１０（図１１Ａの１１０４に匹敵）が、基板の下に（図で見て）配設され、そこから任意の適切な犠牲スペーサ２２１２により間隔を開けられる。ワイヤステム２２２０が、犠牲基板２２１０にボンディングされ、次に上記のようにして、復元性がある保護膜が施されて、復元性のある接触構造２２３０となる。次に、スルーホール２２０６は、任意的に、導電性エラストマー材料２２０８（図５Ｅの５６４に匹敵）で充填される。次に、犠牲基板２２１０とスペーサ２２１２が、上記のようにして除去される（溶解等により）。このようにして、復元性のある接触構造２２３０の上部（図で見て）端は、第１の電子コンポーネントに接触するのに適しており、復元性のある接触構造の下部（図で見て）は、第２の電子コンポーネントに接触するのに適し（例えば、図１８Ｂに匹敵）、各相互接続は、介在体の両面から延伸する単一の復元性のある接触構造２２３０によりなされる。基板２２０２（及び、上記のように、それに類似したもの）が、プラスチック又は強化プラスチックから製作可能なことは、本発明の範囲内である。
図２２Ｂに示すように、復元性のある接触構造２２３０は、電子コンポーネント２２３４上のパッド２２３２に半田付け可能である。
例えば、図２２Ａ及び２２Ｂに示す基板は、それらの価値を（多大な程にまで）、相互接続構造が、エラストマーの「泡」で単純に、補強体（２２０２）内に緩く保持されるという事実から引き出している。
補強体（２２０２）が、２つのシート間にゲルを有する、２つの半堅固なシート（各シート内に穴のアレイを備えた）等の多層構造であることは、本発明の範囲内である。いずれの場合（補強体が、モノリシック又は多層のいずれかである）でも、接触構造は、補強体における開口内で緩く保持（懸架）される。これによって、接触構造が、それら自体を、互いに完全には共平面にない外部コンポーネント上の接触パッドに対して、自己整合することが可能になる。
また、圧縮状態において、エラストマー材料を「打ち抜いて」、外部コンポーネントに接触することになる接触構造を、エラストマー材料が覆うことが可能なことも、本発明の範囲内である。
エラストマー質量体は２つの目的を果たす。すなわち、（１）補強体において接触構造を緩く保持（懸架）すること、及び（２）任意として、接触構造を短絡して、その一端から他端への直接の電気経路を与えることである。
図２２Ｃは、電子コンポーネントに接触構造を実装した後、接触構造の周りに支持構造を形成する技法の実施例２２４０を示す。一般に、複数（図示では多くのうち１つ）の接触構造２２４２が、図１２Ａ−１２Ｃに関連して上記で説明した一括転移技法といった、任意の適切な仕方で、電子コンポーネント２２４６の接触パッド２２４４に実装される。次に、コンポーネントは反転されて、柔軟な誘電体モールド配合剤２２５０が、接触構造２２４２の周りに注がれて、接触構造の先端２２４８が露出して残される。
介在体が同じ状況にあると、上記に提示した説明から明らかなように、介在体の２つの側から延伸する接触構造の先端が、各種の技法に従って製造可能である。
図２２Ｄ−２２Ｆは、他の介在体実施例２２５０を示す。復元性のある接触構造２２５２が、好適には微細構造の先端２２５４を備えて、アルミニウム等の犠牲基板２２５６（図１１Ｅに匹敵）上に製造される。ホトレジスト２２５８その他のスペーサが、犠牲基板２２５６の上部（図で見て）表面に配設される。メッキされたスルーホール２２６２のアレイを備えた印刷回路基板２２６０が、犠牲基板２２５６にわたって位置合わせされ、その結果、復元性のある接触構造２２５２が、スルーホール２２６２と整列する。メッキされたスルーホールは、好適には、スズ−鉛（例えば、半田）の層２２３３で覆われた銅の層２２６４を有する。
図２２Ｅは、既に位置決めされた印刷回路基板２２６０を示し、これは、復元性のある接触構造２２５２が、各接触構造の中間部を、対応するスルーホールのスズ−鉛層と接触状態にして、また、接触構造の２つの端部２２５２ａと２２５２ｂを、スルーホール２２６２から外に延伸させて、スルーホール２２６２内に位置決めされるようにしてなされたものである。
次に、熱が加えられてスズ−鉛（半田）層２２６４をリフローし、その結果、復元性のある接触構造の中間部が、印刷回路基板２２６０に永久的に実装される。犠牲構造２２５６及びスペーサ２２５８が、次に除去されて（図２２Ｆに示すように）、スルーホール２２６２から外に延伸する、復元性のある接触構造の２つの端部２２５２ａと２２５２ｂが残り、各端部は、対応する他の電子コンポーネントに接触するのに適している。図２２Ｆにおいて、リフローされた半田（２２６６）は、黒の実線の塊で示される。
更なる半導体パッケージ実施例 「慣用的な」半導体パッケージの外部表面上に、復元性のある接触構造を用いるための多数の「単純明快な」形態を上記で説明してきた。かかる半導体パッケージは通常、層間に（すなわち、セラミックパッケージの層間に）、導電バイア等の多数の相互接続子を有する。これらの相互接続子は、パッケージの設計、レイアウト、及び実施の際にあるレベルの複雑性を示し、これは、必要とされる相互接続子に依存して、各パッケージを他とは独自のものにする傾向がある。これは、半導体パッケージにつき、追加の経費及び追加の製造時間へとつながり、それを回避することが、所望の目標となるであろう。
本発明の１つの特徴によれば、「バイア無し」パッケージが設けられ、これにより、層内相互接続に関連した問題、及びそれと更に係わる問題が回避される。
図２３Ａは、半導体パッケージの実施例２３００を示し、これは、ＰＣＢ基板等の多層基板２３１０に基づくものである。
多層基板２３１０は、２つの（２つより多くすることも可能）絶縁層２３１２及び２３１４を有するように示され、層２３１２は、層２３１４の頂部に（図で見て）配設される。層２３１２及び２３１４の下部表面には、それぞれ、既知の仕方で、パターン化導電トレース２３１６及び２３１８が設けられる。
上部（図で見て）絶縁層２３１２は、正方形リングとして形成され、中央開口２３２０を有し、また下部（図で見て）絶縁層２３１４も、正方形リングとして形成され、中央開口２３２３と位置が合った中央開口２３２２を有する。図示のように、上部層２３１２は、下部層２３１４の外部（図で見て、左又は右への）エッジを越えて延伸し、開口２３２０は、開口２３２２よりも小さい。このようにして、上部層２３１２の導電層（トレース）が露出する。
半導体素子等の電子コンポーネント２３３０が、ダイ取付材料２３２３（例えば、銀充填接着剤、又は銀−ガラス複合材料）により、プレート２３２４に実装される。プレートは、好適には金属プレートであり、開口２３２０よりも大きい。図示のように、プレート２３２４は、適切な接着剤（不図示）により、導電トレース２３１６に対向した層の側で、層２３１２に実装される。このようにして、半導体ダイ２３３０が、開口２３２０内に配設される。
ボンディングワイヤ２３２６（図示では多くのうち１つ）が、半導体ダイ２３３０の前（図で見て、下）面と、導電トレース２３１６の露出した内側部分との間に設けられる。同様に、ボンディングワイヤ２３２８（図示では多くのうち１つ）が、半導体ダイ２３３０の前面と、導電トレース２３１８の露出した内側部分との間に設けられる。これは、「標準的な」ワイヤボンディング装置で容易に達成される。
復元性のある接触構造２３０２及び２３０４が、導電トレース２３１６の露出した外側部分に実装される。同様に、復元性のある接触構造２３０６及び２３０８が、導電トレース２３１８の露出した外側部分に実装される。ここで理解されたいのは、各接触構造（２３０２、２３０４、２３０６、及び２３０８）は、複数の導電トレース（２３１６、２３１８）の個々の１つにボンディングされる、ということである。このようにして、導電トレースの各々が、ボンディングワイヤ（２３２６、２３２８）を介して、半導体ダイの面上の接着パッドの特定の１つに、電気的に相互接続される。
上記のようにして、接触構造２３０２、２３０４、２３０６、及び２３０８は、共通の高さにまで（図で見て、下方に）好適に延伸するが、ＰＣＢ２３１０の異なるレベルから始まる。更に、接触構造は、復元性があるように成形（及び、保護膜生成）可能である。
上記のようにして、半導体ダイ（２３３０）と、マザーボード（その他）に実装するのに適した外部接続子（２３０２、２３０４、２３０６、２３０８）との間に、比較的高価な処理ステップを要するバイアの複雑なパターン（層間導電経路）を有するパッケージを必要とすることなく、複雑な相互接続をもたらすことができる。
図２３Ｂは、パッケージアセンブリの他の実施例２３５０を示し、ここで、多層基板が、３つの例示的な絶縁層２３５１、２３５２、及び２３５３で形成され、各絶縁層は、それぞれ、それらの上部（図で見て）表面２３５４、２３５５、及び２３５６上に配設された導電トレースを有する。上部の２つの絶縁層２３５１及び２３５２の各々は、リング状構造であり中央開口を有する。層２３５１内の開口は、層２３５２内の開口よりも大きいため、導電トレース２３５５の内側部分が露出する。層２３５３はリング状である必要はない。導電層２３５３は、第２の絶縁層２３５２の開口内で露出することになる。
半導体ダイ等の電子コンポーネント２３６０が、開口の頂部に配設されて、復元性のある接触構造２３６１及び２３６２で、それぞれ、導電層２３５４及び２３５５に接続される。復元性のある接触構造２３６１及び２３６２は、好適には、導電層２３５４及び２３５５から始まり（それらに実装され）、上記のように、共通のプレーンで終端する。
減結合コンデンサ等の離散的な電子デバイス２３７０が、絶縁層２３５２の開口内で、導電層２３５６上の導電トレースに実装及び接続される。電子コンポーネント２３６０は、上記のようにして、復元性のある接触構造２３６３により、減結合コンデンサ２３７０に接続される。
パッケージへの外部接続は、前の実施例２３００と同様にして与えられる。しかし、この実施例２３５０の場合、復元性のある接触構造２３６４、２３６５、及び２３６６が、それぞれ、導電層２３５４、２３５５、及び２３５６を接続するスルーホールにおいて、パッケージの下部表面の異なるレベルに実装される。
明らかなように、この実施例２３５０は、層（例えば、２３５１、２３５２、２３５３）間の減少した相互接続子（バイア）を示す。これらの貫通層相互接続子（例えば、バイア）は、比較的単純明快であり、その数が、典型的な従来技術の形態と比較して、幾分低減可能である。
図２３Ｂに示す他の特徴は、接触構造（２３６１、２３６２、及び２３６３）が全て、異なるばね形状を有することができる点にある。このようにして、様々な用途に適合可能であり、この原理は、本明細書に記載の多数の他の実施例に及ぶものである。
図２３Ｃは、パッケージアセンブリの他の実施例２３８０を示す。この場合、離散的な電子デバイス（前の実施例２３５０の減結合コンデンサ２３７０に匹敵）は、例示の明瞭化のために省略している。
この実施例２３８０は、前の実施例２３５０と概ね類似しており、同様に、多層基板２３８４の自立型の積層化内部層の間の相互接続を回避する。
この実施例に示すように、半導体ダイ２３８２が、多層基板２３８４上の異なるレベルから始まる、複数の復元性のある接触構造（フリップチップ接触子）２３８６により、多層基板２３８４に接続される。更に、この実施例の場合、基板２３８４の下部（図で見て）表面には、復元性が無く、直線で、ピン状の複数の接触構造２３８８が設けられ、これらは、上記の技法により形成できる。図示のピン（２３８８）ではなく、復元性のある又は従順な接触構造、又は半田支柱（バンプ）を含む、基板２３８４への外部接続子（２３８８）を実施するのに適した任意の形態が使用可能なことは、本発明の範囲内である。
任意として、基板２３８４は、エポキシ等の適切な絶縁材料２３９０で封止されて、環境条件（例えば、湿度）からパッケージを保護することができる。
この実施例２３８０は、バイアのドリル加工を必要としない、フリップチップが「容易な」ＰＣＢベースの基板の例である。
図２３Ａ、２３Ｂ、及び２３Ｃに示す実施例の一般的な利点は、それらが、「自己平坦化」で、本質的に「バイアの無い」半導体パッケージ実装技法であるという点にある。
「ループ」実施例 上記で、如何にして、ワイヤの近位端が基板にボンディングされ、そのワイヤが、復元性のある接触構造となる保護膜生成に適した形状を有する自立型ワイヤステムとなるように、構成及び切断されて、結果として復元性（及び、基板への改善された固定）を有する自立型の接触構造となるように保護膜生成されるかを説明した。
ワイヤステムの遠位端が、基板上の接触領域内でボンディング可能であることも述べた（例えば、上記の図２Ｆの説明を参照）。かかる手だては、事例１及び事例２に記載されるように、制御された幾何形状及び高いアスペクト比を有する半田接触子を製作するために、結果としてのループに半田で保護膜を施すのに、特に十分適合される。本発明のこれらの半田保護膜付きループの実施例は、本明細書では手短かにしか説明しない。というのは、それらは一般に、「復元性のある接触構造」とは異なる範疇に入るためである。
多くの電子応用分野において、望ましいのは、パッドの一致パターンを有する印刷回路基板（ＰＣＢ）等の別の電子コンポーネントに、半田バンプ付きコンポーネントを後に続いて実装するために、電子コンポーネント上に、パターン、又はアレイといった、複数の隆起した半田接触子（「半田バンプ」とも呼ばれる）を形成することである。過去において、かかる半田バンプの実質的な高さ、又はアスペクト比（高さ：幅）を達成するために、多くの努力がなされてきた。これは、半田バンプが、溶融状態での表面張力（水の表面張力に匹敵）に起因して、その幅と同じ高さ（１：１のアスペクト比）にしかなろうとしない、本質的な傾向に由来する。一般的な提案として、高さがある方が良い。更に、半田接触子の高さ、及び形状を制御する能力は付属の問題である。
パッケージの外部表面に半田バンプを用いて接続をなすことにかけられてきた、多大な努力の代表例である製品は、Motorola's Overmolded Plastic Pad Array Carrier (OMPAC) に見出され、ここで、半導体ダイが、印刷回路基板（ＰＣＢ）の前部表面上の中央領域に実装され、ＰＣＢの前部表面には、ＰＣＢの周辺近くから中央領域に延伸する、多数の導電トレースが設けられる。ダイは、慣用的なボンディングワイヤにより、トレースの内側端部に接続される。ＰＣＢの周辺近くには、ＰＣＢの背部表面から延伸して、ＰＣＢの前部表面上の対応するトレースに接続する、メッキされた（導電性の）スルーホール（バイア）が存在する。ＰＣＢの背部表面には、導電トレースが設けられ、各々が、対応するバイアに接続された一端を有する。このようにして、ダイを行き来する信号（及び、電力）が、ボンディングワイヤを介し、前部表面トレースを介し、またバイアを介して、下部表面トレースに接続される。プラスチックモールドされた本体が、ダイにわたって形成され、ＰＣＢの前部表面を部分的に覆う。下部表面トレースの各々は、ＰＣＢの背部表面上の「サイト」（特定の場所）で終端する。これらのサイトは、均等に間隔を開けた行と列の矩形アレイに配列される。各サイトには、半田バンプ（ボールバンプ）が設けられ、これは、まとまって、パッケージ（アセンブリ）用の外部接続子を構成する。このようにして、アセンブリ全体が、対応する「マザーボード」に実装され、換言すると、電子システム内にアセンブリを統合するために、他の回路要素その他を含む回路基板に実装される。この型式のパッケージは、「ボールバンプ・グリッド・アレイ」（ＢＧＡ）型式パッケージと見なすことができ、これと対照的なのが、ピン・グリッド・アレイ（ＰＧＡ）として知られる他のパッケージ型式、又はリード付きパッケージである。
米国特許第5,014,111 号（Tsuda その他、９１年／５月、ＵＳ分類357/68）、名称「ELECTRICAL CONTACT BUMP AND A PACKAGE PROVIDED WITH SAME」には、基板に導電端子を設けること、及び他の基板に電極パッドを設けることが開示されている。２段の電気的接触バンプが、電極パッド上に形成され、その各々が、第１の隆起部と、第１の隆起部上に形成された第２の隆起部からなる。
本発明の１つの目的は、改良されたバンプ・グリッド・アレイ型式のパッケージを提供することである。
本発明は、パッケージにバンプ型式の接続をなすことに限定されず、またダイ間に「フリップチップ」型式の接続をなすことにも有用である。一般に、例えば上述の米国特許第4,067,104 号に述べられているように、フリップチップ・ボンディングの技法には、相互接続する回路を備えたチップ及び適切な基板の一方の側に、金属の薄いパッド、又はバンプを配設することが伴う。チップは次に、基板の上部にわたって「裏返し」にされて、チップ及び基板上の対応するパッドが互いにボンディングされる。
本発明の１つの目的は、電子コンポーネント間に、フリップチップ型式の接続をなすための改良された技法を提供することである。
本発明によれば、幾何形状が制御され、比較的高いアスペクト比を示す半田バンプが、電子コンポーネント上に形成可能である。高いアスペクト比を有する半田バンプは、「半田支柱」と呼ばれることが多い。
図２４Ａは、事例２の図１６と類似であり、基板２４０８の表面の端子２４１２上に形成された、隆起したバンプ型式の電気的接触子の実施例２４００を示す。バンプ型式の接触子は、ワイヤ２４０２の第１の端部２４０２ａを、端子２４１２上の第１の位置に（図示のボールボンディング等により）ボンディングし、ワイヤ２４０２をループへと成形し（図２Ｆのようにして）、第２の端部２４０２ｂを端子２４１２上の第２の位置に（くさびボンディング等により）ボンディングすることにより形成される。成形済み（例えば、Ｕ字形状の）ワイヤステムには、上記のようにして、ワイヤ２４０２の全長にわたって、また端子２４１２にわたって（端子のエッジにわたることを含み、ワイヤの両端におけるボンディングを覆って）堆積される導電材料２４２０で、保護膜が施される。このようにして、制御可能な幾何形状を有し、また比較的高いアスペクト比（高さ：幅）を有する端子の表面から突出する、比較的堅固な接触構造を設けることが可能である。保護膜材料２４２０は、半田が適しており、その結果として、接触構造が比較的柔軟になる。しかし、保護膜材料２４２０は、ニッケル等の弾力のある導電材料とすることができ、結果として、接触構造が幾らかの復元性を有する。保護膜（２４２０）は、図５のようにして、多層保護膜とすることもできる。
所望であれば、図２４Ａに関連して説明した型式の２つの（又は、それより多い）等しい接触構造が、同一の端子上に形成されて、端子（２４１２）上に、２つの（又は、それより多い）「冗長性のある」隆起したバンプ型式の電気的接触子を与えることができ、その各々は、包み込む保護膜（２４２０）を有する。
図２４Ｂは、事例２の図１７と類似であり、他の接触構造２４５０を示す。この例の場合、２つのワイヤステム２４３０及び２４３２が各々、接触構造２４００（図２４Ａ）の用にして形成される。この場合、ワイヤステムには、金ワイヤの場合に、半田のスズ含有物との金の反応を防止する材料で、保護膜が施される（以下で説明する）。
２つの接触構造２４３０及び２４３２は、基板２４５８（２４０８に匹敵）上の端子２４６２（２４１２に匹敵）上で間隔を開けられ、図示のように、互いに平行にすることができる。互いに相対して任意の配向で、任意の数の接触構造が、基板（２４５８）上の端子（２４６２）に実装可能なことは、本発明の範囲内である。
図２４Ｂの例示において、ワイヤステム２４３０及び２４３２には、半田２４５５で保護膜が施され、これは、２つの分離した接触構造２４３０と２４３２を「橋渡し」して（それらの間の間隔を充填して）、単一の「ユニット式」半田バンプを与えるように示されている。しかし、認識されたいのは、所望であれば、半田２４５５が２つの（又は、それより多い）接触構造間を橋渡しすることがないように、２つの接触構造２４３０及び２４３２を十分遠く離間させることができ、その結果として、端子当たり２つの（又は、それより多い）半田バンプ接触子となる、ということである。しかし、大抵の場合、望ましいのは、半田が、ワイヤと端子間の間隔を充填することである。
好適な実施例の場合、半田バンプ接触子は、体積比で、８０％半田よりも多いといった、７０％（７０パーセント）よりも多い半田を含有し、バンプ接触子の残りは、ワイヤ自体と、金ワイヤを覆う（実質上無視できる）障壁層（例えば、ニッケル合金の）である。
熱経路実施例 熱は、半導体素子の動作時に必ず発生され、減衰せずに残ると、素子の破壊となる可能性がある。従って、かかる素子に対して、ある種のヒートシンクを設けることは一般的に周知のところである。一般に、ヒートシンクは、２つの形態のうちの一方をとる。それらは、素子パッケージと一体化することもでき、又は素子パッケージに対して外付けとすることもできる。いずれの場合でも、半導体素子に対して密接な熱伝導関係の熱量を含み、その熱量の空気対流、又は強制空冷を伴う。ダイとそのヒートシンク間に効果的な熱経路を設けることが、長期にわたる努力の目的であった。
本発明の１つの目的は、熱発生ダイと熱量（ヒートシンク）間に、効果的な熱経路を設けるための改良された技法を提供することである。
本発明によれば、熱相互接続子が、基板の端子上に形成される。一般に、熱相互接続子は、半導体ダイとすることができる基板から、熱を遠くに伝導するように機能する。一般に、熱相互接続子が形成される端子が、半導体ダイの「能動な」電気的端子である必要はないが、そうすることが可能なことは、本発明の範囲内である。更に、熱相互接続端子は、他の「能動」端子（例えば、接着パッド）と同じ、ダイの側に製造可能であり、又は接着パッドとは対向した、ダイの側に形成することも可能である。
図２４Ｃは、基板２４８２上に熱相互接続子を形成するための技法の実施例２４７０を示す。「過大寸法」の端子２６８２（すなわち、電気接続端子に対して）が、基板２４７８の表面に形成される。ワイヤ２４７２が、その周辺の近くで、端子にボンディングされた自由端２４７２ａを有する。上記の技法を用いると、図示のように、ワイヤは、ループへと成形され、切断されずに、再び端子にボンディングされ、別のループへと形成され、再び端子にボンディングされ、ボンディング及び形成が繰り返されて、端子の周辺のまわりで延伸する複数のループのフェンス構造が生成される。最終ステップで、最終のループが、最初のループの原点（２４７２ａ）に対応する位置で切断される。フェンス構造を形成する複数のループは、好適には、端子の上の共通（同一）の高さに延伸する。
図２４Ｄは、図２４Ｃのフェンス構造が、半田２４７５で（ウェーブ半田付け等の任意の適切な手段を用いて）充填されて、自立型の半田接触子、又はバンプを与えることができ、これは、ヒートシンク又は埋め金として機能可能であり、基板２４７８からヒートシンク（不図示）へと熱を伝導する。半田２４７５は、好適には、図２４Ｂの半田（２４５５）のようにして、端子２４８２全体を包囲する。一般に、フェンスの外形は、端子の（通常は矩形の）外形と一致することになり、また半田質量体の外形は、フェンスの外形と一致することになる。
図２４Ｅは、半導体ダイの背部を介して熱放散をもたらすことを目指した、他の実施例２４５０を示す。この例の場合、半導体ダイ２４５２は、その前部表面に実装された、複数の復元性のある接触構造２４５４を有する。ダイの背部は、金等の導電材料の層２４５６で覆われる。複数の熱放散構造２４５８が、ダイの背部、即ち層２４５６にボンディングされる。これらの熱放散構造は、ダイと他の電子コンポーネントの間に相互接続をもたらすことは意図していない（だが、それらがまとまって、接地接続をもたらし得ることは、本発明の範囲内である）。むしろ、これらの熱放散構造２４５８は、ダイが動作する際にダイから熱を放散することを意図している。複数の熱放散構造によって、ダイの背部の実効表面積全体が増大されて（すなわち、熱放散構造の集合表面積に、ダイの背部の面積を加えた面積）、対流式冷却が高められる。ダイの背部が、熱降下可能な構造（例えば、ハウジング、その他）に対して押し当てられる場合、熱伝導経路も、熱放散構造によりもたらされる。好適には、熱放散構造２４５８は、銅ワイヤステム（銅は、卓越した熱伝導体である）から製造されて、復元性のある接触構造２４５４（これは、例えば金ワイヤステムを有することができる）に保護膜を施すのと同じ工程ステップで、保護膜を施すことができる。
電子コンポーネントのアセンブリ （ｉ）２つの（又は、それより多い）電子コンポーネントを、介在体構造に実装された復元性のある接触構造と接続し、また（ii）電子コンポーネントに、特にパッケージ済み電子コンポーネントに、複数の復元性のある接触構造を（例えば、個々に、又は一括転移により）実装することの趣旨を上記で説明した。以下の図においては、電子コンポーネントの例示的なアセンブリを説明する。
図２５は、事例２の図２５と類似であり、電子コンポーネントのアセンブリの実施例２５００を示し、ここで、第１の電子コンポーネント２５０２には、その表面２５０２ａ上に複数の復元性のある接触構造２５０４及び２５０６が設けられる。別の電子コンポーネント２５０８には、その表面２５０８ａ上に複数の復元性のある接触構造２５１０及び２５１２が設けられる。２つの電子コンポーネント２５０２及び２５０８の表面２５０２ａ及び２５０８ａは、図示のように、それぞれ離間されて、互いに面している。復元性のある接触構造２５０４、２５０６、２５１０、及び２５１２は、図１Ｃ−１Ｅに示す技法と同様にして、接着領域（１１０）にボンディングされて示されている。しかし、復元性のある接触構造を、上記の例示的な仕方のいずれかで、ボンディング（すなわち、そのワイヤステム）及び保護膜生成することができるのは、本発明の範囲内である。
両面化（「回路化」、すなわち、その２つの表面に導電トレース／パッドを有する）印刷回路基板（ＰＣＢ）２５２０が、図示のように、２つの電子コンポーネント２５０２と２５０８の、それぞれの表面２５０２ａと２５０８ａの間に配設される。ＰＣＢ２５２０の上部表面２５２０ａには、端子、パッド、その他とすることができる、複数（図示では多くのうち２つ）の接触領域２５２２及び２５２４が設けられ、介在体構造の下部表面２５２０ｂには、端子、パッド、その他とすることができる、複数（図示では多くのうち２つ）の接触領域２５２６及び２５２８が設けられる。追加の電子デバイス（不図示）は、印刷回路基板のいずれかの実装される。
図示のように、復元性のある接触構造２５０４の先端は、パッド２５２２に接触し、復元性のある接触構造２５０６の先端は、パッド２５２４に接触し、復元性のある接触構造２５１０の先端は、パッド２５２６に接触し、復元性のある接触構造２５１２の先端は、パッド２５２８に接触する。このようにして、両方の電子コンポーネント２５０２及び２５０８が、ＰＣＢ２５２０に電気的に接続される。
ＰＣＢは、その両側２５２０ａ及び２５２０ｂに、導電トレース（不図示）を有する。既知の仕方で、各トレースは、ＰＣＢ２５２０のエッジ上で、エッジコネクタ端子（エッジコネクタ・パッド）に終端する。これらの端子のうちの２つ（多くのうち）２５３２及び２５３４が示されている。端子２５３２は、ＰＣＢ２５２０の上（図で見て）側２５２０ａに示され、トレースを介して端子２５２２（例として）に接続され、端子２５３４は、ＰＣＢ２５２０の下（図で見て）側２５２０ｂに示され、トレースを介して端子２５２６（例として）に接続される。
電子コンポーネント２５０２及び２５０８は、それらの対応する復元性のある接触構造（２５０４、２５０６、２５１０、２５１２）が、ＰＣＢ２５２０上の対応するパッド（２５２２、２５３４、２５２６、２５２８）に接触するように、適切なクランプその他（不図示）により、介在体基板２５２０に当てがわれる。好適には、接触パッド２５２２、２５２４、２５２６、及び２５２８には、半田質量体２５４０が設けられ、これは、アセンブリをオーブン（炉）に通す等によりリフローされて、接触パッドにより担持された半田が、対応する復元性のある接触構造２５０４、２５０６、２５１０、及び２５１２の遠位端と共に、半田連結を形成せしめられる。この例示において、半田は、リフローが完了して示されている。一般に、本明細書に記載の電子アセンブリの実施例を通じて、導電性エポキシ質量体が、半田の代わりに使用可能である。
最終ステップで、圧縮されたアセンブリが、任意的に（図示のように）、適切な絶縁材料２５３０で内部に封止され、これは、熱伝導粒子等の適切な粒子で充填された接着材料、又は高分子材料とすることができ、それは、アセンブリ２５００の熱放散特性を高めるためである。更に、適切な粒子の充填剤が、高分子封止剤の熱膨張係数を低減するのに貢献できる。
圧縮力は、リフロー半田付けの後か、又は絶縁材料２５３０を施した後に除去可能である。
この構成は、例えば、複数の電子コンポーネント（裸のパッケージ未実装のメモリチップ等）を、印刷回路基板の各側に実装、及び電気的に接続するのに適している。例えば、メモリ（例えば、ＲＡＭ）モジュールが、この技法により形成可能であり、図３６Ａ−Ｃに示すように、ＰＣＢの片側又は両側で、エッジ間で実装された多数のメモリチップを有する。このようにして製作されたＳＩＭＭ（シングル・インライン・メモリ・モジュール）モジュール（ボード、カード）が、従って、同一チップを用いる「標準的な」ＳＩＭＭモジュールよりも、ずっと大きな記憶容量を有することができ、しかも、ＰＣＢに半田付けにより組み立てられたパッケージ済みチップを有する低容量ＳＩＭＭよりも、低いコスト（チップのコストは除外）で製造可能である。
一般に、本発明に従って、電子アセンブリを製造することにより、更に多くの半導体チップが、ＰＣＢ上の「実装面積」を更に有効に利用して、所与のＰＣＢ領域に実装可能となる。更に、ＰＣＢに実装されたダイは、パッケージ実装（例えば、プラスチックパッケージ実装）されないので、そこにダイが取り付けられる、ＰＣＢの全体の厚さが、パッケージ済みダイの慣用的なアセンブリを用いるよりも小さくなる。
図２５のアセンブリ、及び続いて説明する印刷回路基板への電子コンポーネント（例えば、半導体ダイ）のアセンブリは、パッケージ実装技法と考えられるが、半導体ダイは、「パッケージ実装」の慣用的な意味において、パッケージ本体内に完全には配設されない。
図２５に記載の手法に対する代替の手法は、復元性のある接触構造（２５０４、２５０６、２５１０、及び２５１２）が、基板２５２０から（図２５に示すように、電子コンポーネント２５０２及び２５０８からではなく）始まって、それ自体復元性のある接触構造を有する相互接続基板に対して、２つのシリコンダイ（２５０２、２５０８）の両面フリップチップ取付けをもたらす場合であろう。
実際には、復元性のある接触構造に、主に、復元性のある接触構造の先端にといったように、ある量の半田で保護膜が施される（予備湿潤化される）。部品を寄せ集めて加熱すると、半田はリフローして、「砂時計」結合部を形成するが、これは、半田の大部分は、復元性のある接触構造の近位端と遠位端に分布して、最小量の半田が、復元性のある接触構造の曲げ（ばねの）部分に残ることによる。これは、復元性のある接触構造が、基板（例えば、２５２０）に実装されるか、又は電子コンポーネント（例えば、２５０２、２５０８）自体に実装されるかに関係しない場合であろう。代替として、少量の半田ペーストをパッド（例えば、２５２２）に施して、そこに、（リフロー加熱により）接触構造の先端を固定することも可能である。
このアセンブリ、及び本明細書に記載の他の電子アセンブリの重要な態様は、従順な（純粋に復元性のあることも含む）接触構造（例えば、２５０４）が、素子に損傷を与えることなく、シリコン素子（例えば、２５０４）に直に実装可能な点にある。かかる接触子は、電子コンポーネントの最終的なパッケージ実装の前に、電子コンポーネントを有効にする（試験、エージング）のに極めて十分適している。更に、かかる従順な接触構造は、電子コンポーネント（例えば、２５０２）と、それが実装されるコンポーネント（例えば、２５２０）との間の熱膨張率の差を吸収し、それによって、製作される相互接続子の信頼性を増大することが可能になる（例えば、図４４の説明を参照）。
従来技術を検討すると、過去において、シリコン上に直に接触構造（半田バンプ型式の接触子ではなく）を配置するために、限られた努力がなされてきたことが分かるであろう。例えば、上述の米国特許第4,955,523 号（発明者「Raychem」）では、ワイヤ（７）が、集積回路チップ等の電子コンポーネント（１）上の接触子（３）にボンディングされる。ワイヤは、共にほぼ同じ長さとなるように切断される。絶縁材料（１７）が、ワイヤと接触子の間のボンディングを封止するために、１つの層としてコンポーネントの表面に施される。絶縁材料は、Raychem 特許には、部分的に結晶化しているような、比較的柔軟なポリマーであると記載されている。かかる層に必要なのは、思うに、接触子にワイヤを固定する際の手助けであり、恐らくボンディングの完全性を増強することであろう。それとは対照的に、以前に述べたように、本発明の技法によれば、保護膜は、ワイヤステムを端子に確実に固定し、結果としての接触構造に所望の復元性／コンプライアンスを付与し、また保護膜は（大部分の実施例において）、導電性の金属性材料である。保護膜の固定するという機能は、圧縮力に反作用する復元性のある（又は、従順な）接触構造に関係して、特に当を得ている。以下で述べるが、本明細書に記載の実施例の大部分において、ワイヤステム自体は、それに保護膜が施されてしまうと、本質的に不要になる。同じことは、Raichem 特許の技法が、本発明に対して呈示するようなどんな類似点にもかかわらず、Raichem 特許の技法では明確に言及できなかったはずである。
図２５その他に示すような実施例に対する微妙な利点は、「カード」（「カード」は、この状況では、基板（例えば、２５２０）に予めアセンブリされた電子コンポーネント（例えば、２５０２）からなる）の「目録」を予め製造（及び、予め試験）可能であり、後ほど更に複雑なアセンブリ（以下の図３７に示すような）に結合される点にある。
図２５−３２において、ばね（復元性のある、又は従順な）接触子が実装される電子コンポーネント（例えば、２５０２）のアセンブリが、相互接続基板（例えば、２５２０）に接続される様子が示されている。接触子が、相互接続基板から始まるために、「反転」可能なことは、本発明の範囲以内であり、その場合、相互接続基板は介在体（と呼べるもの）になるであろう。しかし、これは、好ましくなく（すなわち、相互接続基板を、接触子が実装された介在体として用いるには）、更に効果的な介在体の構成は上記で説明した（例えば、図１７Ａ−２２Ｆを参照）。図２５−３２に示す電子アセンブリの実施例において、一般的に好ましいのは、電子コンポーネント（例えば、２５２０）が、相互接続基板（例えば、２５２０）上の接触パッド（２５２２）に半田ペーストを施して、アセンブリが組み立てられる度に、半田ペーストをリフローすることにより、相互接続基板（例えば、２５２０）に半田付けされることであろう。
図２６は、事例２の図２６と類似であり、電子コンポーネント２６０２及び２６０８のアセンブリの他の実施例２６００を示し、これらの電子コンポーネントは、図２５のアセンブリ２５００と同様である例示的な仕方で、電子コンポーネントの表面２６０２ａ及び２６０８ａから延伸する、復元性のある接触構造２６０４、２６０６、２６１０、及び２６１２を有する。前の実施例２５００の場合、圧縮力（「Ｆ」）が、ＰＣＢ（２５２０）に対して、電子コンポーネント（２５０２及び２５０８）を屈曲可能に押し当てるために利用され、また、電子コンポーネント（２５０２及び２５０８）が、半田自体（２５４０）か、又は絶縁材料（２５３０）により、適所に保持されたのに対して、この実施例の場合、電子コンポーネント２６０２及び２６０８は、ＰＣＢ２６２０の表面２６２０ａ及び２６２０ｂ上に配設される（に実装される）、ばねクリップとして機能する（ばねを保持する）、特別形成のワイヤステム２６３０、２６３２、２６３４、及び２６３６の手段により、ＰＣＢ２６２０に対して適所に保持される。４つのかかるばねクリップ２６３０、２６３２、２６３４、及び２６３６が示されている。これら特別形成のワイヤステム（ばねクリップ）２６３０、２６３２、２６３４、及び２６３６は、復元性のある接触構造が、電気的接続をなすことを意図した仕方で適切に、復元性があるように保護膜生成されるが、導電性がある必要はない。
一般に、ばねクリップは、ＰＣＢ上の複数の場所に配設されるため、それらは互いに協働して、対応する電子コンポーネントをＰＣＢに固定することになる。例えば、矩形の電子コンポーネントをＰＣＢに固定するために、４つのばねクリップが使用されて、対にある電子コンポーネントの対向側エッジに係合する。例示の明瞭化のために、電子コンポーネント当たり２つのばねクリップしか示していない。
図示のように、ばねクリップの代表例２６３０が、電子コンポーネント２６０２の復元性のある接触構造を、介在体構造２６２０に対して圧縮（押圧）されたままにせしめるような形状に仕立てられる。もっと具体的には、ばねクリップ２６３０は、ＰＣＢ２６２０の上部（図で見て）表面２６２０ａから上方へと概ね直線に延伸し、内方へと（ばねクリップ２６３２に向かって）曲げられ、更に外方へと（ばねクリップ２６３２から離れて）曲げられると、電子コンポーネントを、ばねクリップ２６３０と２６３２の先端間に「挿入」することが可能になる。ばねクリップ２６３２は、ワイヤステム２６３０の「鏡像」である。このようにして、電子コンポーネント２６０２は、破線で示す電子コンポーネント２６０２の初期位置で表されるように、ばねクリップ２６３０と２６３２の先端間に挿入されて、介在体構造２６２０に向かって押圧され（不図示の手段により）、ばねクリップ２６３０と２６３２の先端を外方に（「ＯＵＴ」で表記する矢印で示すように、互いから離れて）偏向し、電子コンポーネント２６０３が最終位置（実線で示す）に達すると、ばねクリップ２６３０と２６３２の先端の曲げ部が、互いに向かって「スナップ」して戻り、電子コンポーネント２６０２の背部２６０２ｂに係合する。好適には、ワイヤステム２６０４と２６０６は、電子コンポーネント２６０２がばねクリップ２６３０と２６３２の先端を拡げ始めた後に、ＰＣＢ２６２０上の対応するパッドに接触し始める（従って、圧縮し始める）。明らかに、意図しているのは、電子コンポーネントが、適所（実線で示すような）に「差し込まれる」際に、ワイヤステム２６０４と３６０６は圧縮されることになることである。ばねクリップ２６３４及び２６３６は、ワイヤステム２６３０及び２６３２と同様にして動作するように仕立てられる。電子コンポーネント２６０８が、電子コンポーネント２６０２と等しく、それらの対応する復元性のある接触構造（２６０４、２６０６、２６１０、２６１２）ステムが等しい場合、ばねクリップ２６３４及び２６３６は、ばねクリップ２６３０及び２６３２と等しい方が好ましい。ばねクリップ２６３０、２６３２、２６３４、及び２６３６が主に意図しているのは、電子コンポーネント２６０２及び２６０８を、ＰＣＢ２６２０に対して適所に保持することであり、例えば、これらのばねクリップ（すなわち、その曲げ部）と、電子コンポーネント２６０２の背部表面２６０２ｂ及び２６０８ｂとの間にもたらされる任意の電気的接続は、幾分付属的なものであるが、電子コンポーネントの背部への接続は、電子コンポーネントの「本体」を接地（又は、他の任意の選択された）電位に確立する際に有用となり得る。
この実施例２６００において、エッジコネクタ（図２５の２５３２及び２５３４に匹敵）は、あったとしても、例示の明瞭化のために省略される。前の実施例２５００の場合のように、ＰＣＢ接触パッドは、ＰＣＢへの挿入の前に、半田２６４０で予め被覆可能であり、またアセンブリが炉を通過して、復元性のある接触構造の遠位端とＰＣＢ接触パッドの間に、半田接続をもたらすことが可能である。ここで理解されたいのは、ＰＣＢ接触パッド上に配設される半田の量は、復元性のある接触構造の遠位端を固定するのに十分であるように制御されることであり、半田が、復元性のある接触構造（これは、半田が、復元性のある接触構造の曲げ部上に流れる場合に恐らく生じる）の復元性を付与するであろうことには限らない。
図２６のアセンブリ２６００、又はばねクリップその他を伴う、本明細書に開示の他のアセンブリ実施例のいずれかと同じ状況で、電子コンポーネントがＰＣＢに半田付けされないことは、本発明の範囲内である。これによって、例えば交換及び更新のために、電子コンポーネントを取り外すことが容易になるであろうが、これは単純に、ばねクリップの端部を外方に（「ＯＵＴ」で表記した矢印を参照）手で押して、ＰＣＢとの係合から電子コンポーネントを解放することによりなされる。
また、復元性のある接触構造（２６０４、２６０６、２６１０、２６１２）が、基板（２６２０）上で始まることも、本発明の範囲内であり、その場合、表面上に互換性のある接触パッド（半田付け性の良い金属化）を有する半導体素子等の電子コンポーネント（２６０２、２６０８）が、単純に、適所に「差し込まれて」、それらの接触パッドが、復元性のある接触構造の先端に接触する。
明らかに、ばねクリップ（例えば、２６３０、２６３２、２６３４、２６３６）が使用される場合、半田（２６４０）その他（例えば、導電性エポキシ）は、本質的でなく、むしろ任意的である。これは、直ぐ下で説明する図２７の実施例の場合のように、「保持手段」が使用される他の実施例についても言えることである。
図２７は、事例２の図２７と類似であり、印刷回路基板２７２０の片側にのみ、電子コンポーネント２７０２（図示では多くのうち１つ）を実装、及び電気的に接続する実施例２７００を示し、基本的に、図２６の構成２６００の「半分」（すなわち、図で見て、上部）である。
前の実施例（２６００）の場合のように、この実施例２７００において、復元性のある接触構造２７０４及び２７０６が、任意の適切な仕方で（例えば、半田付け、ろう接）、電子コンポーネント２７０２の前部表面２７０２ａに実装される。やはり理解されたいのは、この配列が反転されて、その結果接触子が、基板２７０２に実装（基板から延伸）できる、ということである。
電子コンポーネント（例えば、２７０２）が、相互接続基板（例えば、２７２０）に対して圧縮状態に維持されるアセンブリのいずれかにおいて、半田付け（又はその他、エポキシを施すこと等）は一般に任意なことは、本発明の範囲内である。圧縮は、信頼性の良い電気的相互接続をもたらすのに十分であり、また電子コンポーネントの交換（例えば、更新又は修理のために）は、唯一圧縮に頼ることにより、確かに幾分簡略化されるであろう。（例えば、クリップ２７３０及び２７３２を拡げ、コンポーネント２７０２を取り外し、別の類似のコンポーネントで置き換えるといった具合になされる。）前の実施例（２６００）の場合のように、この実施例２７００において、電子コンポーネント２７０２は、ＰＣＢ２７２０の上部（図で見て）表面２７２０ａに実装されたばねクリップ２７３０及び２７３２の手段により、ＰＣＢ２７２０に機械的に実装される。
この図には、半田（２５４０、２６４０に匹敵）は示されない。これは、電子コンポーネント２７０２が、取り外し可能なように（ばねクリップを偏向することにより）、ＰＣＢ２７２０に注意深く実装されることを示す。
任意の外部ばね要素、クランプ、その他が、例として示したばねクリップ（２７３０、２７３２）の代わりに使用可能なことは、本発明の範囲内である。
図２５、２６、及び２７は全て「印刷回路基板」（２５２０、２６２０、及び２７２０）を参照するが、理解されたいのは、端子が形成可能であり、そこに、電子コンポーネントに実装された復元性のある接触構造が電気的に接続可能である、任意の適切な基板とすることができる、ということである。
図２６の実施例２６００がそうであったように、復元性のある接触構造（２７０４、２７０６）が、基板（２７２０）上で始まることは、本発明の範囲内であり、その場合、表面上に互換性のある接触パッドを有する電子コンポーネント（２７０２）が、単純に、適所に「差し込まれて」、電子コンポーネントの接触パッドが、基板の復元性のある接触構造の先端に接触する。
一般に、図２５−３０の実施例は全て、復元性のある接触構造を、代替例ではあるがＰＣＢにではなく、電子コンポーネントに実装することを意図する。
図２８は、事例２と類似であり、ＰＣＢ２８２０に電子コンポーネント２８０２（半導体ダイ等の）のアセンブリの実施例２８００を示し、これは、図２７の実施例２７００の場合のように、電子コンポーネント２８０２の取り外しを容易にすることを意図したものである。
電子コンポーネント２８０２は、前記の任意の適切な仕方で、その表面に実装され、またその表面から突出する、複数（図示では多くのうち２つ）の復元性のある接触構造２８０４及び２８０６を有する。序の場合、復元性のある接触構造２８０４及び２８０６は、復元性のある接触構造２８０４及び２８０６を、印刷回路基板２８２０の対応するメッキされたスルーホール内に滑り嵌め挿入するのが可能なる形状を有するように構成される。この構成の１つの利点は、電子コンポーネント２８０２が、印刷回路基板２８２０から容易に取り外され（切り離され）て、置き換えられる（例えば、欠陥のあるコンポーネントを交換する、又はコンポーネントを更新するために）。印刷回路基板２８２０の１つ以上の（すなわち、両方の）表面上の導電トレースは、例示の明瞭化のために省略している。
もっと具体的には、復元性のある接触構造２８０４及び２８０６の遠位端領域が、スルーホール２８２２及び２８２４の内径「Ｄ」よりも僅かに、例えば０．０００３から０．０００５インチ大きい距離「ｄ」だけ、横方向に（図で見て、頁を横切って）延伸する曲げ部を有するように成形される。これによって、復元性のある接触構造の両端が、メッキされたスルーホール内に滑り嵌め（復元的に、僅かな締り嵌めで）することになる。このアセンブリ２８００は、もちろん半田付けできるが、半田付けは、ＰＣＢ（２８２０）からの電子コンポーネント（２８０２）の取り外し易さを減じることになる。
上述のように、本発明によれば、半導体コンポーネントに復元性のある接触構造を実装するための好適な実施例が存在する。図２５−２９だけでなく、本明細書に記載のアセンブリの後続の実施例も、図１Ｃ−１Ｅに記載の技法を示し、ここで、復元性のある接触構造２８０４及び２８０６（１３０に匹敵）が、パッシベーション層２８０８（１２４に匹敵）を貫通する導電パッド２８１０（１３２に匹敵）に固定される。
図２８の実施例は、その「簡素性」ゆえに洗練されている。電気的接触構造（２８０４、２８０６）が、シリコン電子コンポーネント（２８０２）に容易に実装され、これが次いで、印刷回路基板（２８２０）の慣用的なメッキされたスルーホール内に「差し込み」可能である。このようにして、電子コンポーネント上の「ばね」（すなわち、接触構造）が、スルーホールの壁（メッキされたボア）に対してばね負荷される。電子コンポーネントは、任意として、適所に半田付け可能である（例えば、スルーホール内にある量（少量）の半田ペーストを施し、その半田ペーストをリフローするために、アセンブリを加熱することにより）。
図２９は、事例２の図２９と類似であり、図２６の実施例２６００と同様にして、印刷回路基板（ＰＣＢ）２９２０への２つの電子コンポーネント２９０２及び２９０８のアセンブリの他の実施例２９００を示す。この場合、ばねクリップ２９３０、２９３２、２９３４、及び２９３６は、ＰＣＢ２９２０にではなく、電子コンポーネント２９０２及び２９０８自体に実装され、同様に機能して、ＰＣＢ２９２０に対して、コンポーネント２９０２及び２９０８の機械的な結合をもたらす。２つのばねクリップ（「ラッチばね」）２９３０及び２９３２は、図示のように、電子コンポーネント２９０２の前部表面２９０２ａから延伸する。２つのばねクリップ（「ラッチばね」）２９３４及び２９３６は、図示のように、電子コンポーネント２９０８の前部表面２９０８ａから延伸する。
図示のように、ばねクリップの代表例２９３０が、電子コンポーネント２９０２の復元性のある接触構造を、介在体構造２９２０に対して圧縮（押圧）されたままにせしめるような形状に仕立てられる。もっと具体的には、ばねクリップ２９３０は、電子コンポーネント２９０２の前部表面２９０２ａから上方へと概ね直線に延伸し、外方へと（ばねクリップ２９３２から離れて）曲げられ、次に内方へと（ばねクリップ２９３２に向かって）曲げ戻される。ばねクリップ２９３０の遠位部分における曲げ部は、ＰＣＢ２９２０を介して延伸する、対応するスルーホール２９２２内に適合するように、寸法決め、成形、及び位置決めされる。ばねクリップ２９３２は、ばねクリップ２９３０のようにして、寸法決め、及び成形されて、ＰＣＢ２９２０を介して延伸する、対応するスルーホール２９２４内に適合するように位置決めされる。これらのスルーホール２９２２及び２９２４は、メッキされないとして示されている。しかし、それらが、メッキされたスルーホールであっても可能なことは、本発明の範囲内であり、メッキされると、電気的接続が、ばねクリップ２９３０及び２９３２により、電子コンポーネント２９０２とＰＣＢ２９２０との間にもたらされ得る（図２８の実施例２８００と同様にして）。電子コンポーネント２９０２が、矢印「Ｆ」で示すように、ＰＣＢ２９２０に対して押圧されると、ばねクリップ２９３０及び２９３２は、ホール２９２２及び２９２４に入り、偏向及びスプリングバックし、その結果、それらが、ＰＣＢ２９２０の対向側２９２０ｂを「捕捉」する。これによって、復元性のある接触構造２９０４及び２９０６が、ＰＣＢ２９２０の表面２９２０ａ上の対応するスルーホール２９２２及び２９２４に対して圧縮されて、電子コンポーネント２９０２が、ＰＣＢ２９０２に機械的に固定される。コンポーネント２９０２を取り外すには、ばねクリップ２９３０及び２９３２の遠位先端を、それらが、スルーホール２９２２及び２９２４を介して引き出されるように、操作する必要がある。ばねクリップ２９３４及び２９３６は、ばねクリップ２９３０及び２９３０と同様にして作動し、これは、ＰＣＢ２９２０内の対応するスルーホール２９２６及び２９２８に嵌合させて、ＰＣＢ２９２０に電子コンポーネント２９０８を固定することによる。
一般に、電子コンポーネントとＰＣＢの間に、取り外し可能な相互接続をもたらすために、復元性のある接触構造は、ＰＣＢに半田付けされない。しかし、復元性のある接触構造が、例えば図２５の実施例２５００に関連して説明したようにして、ＰＣＢに半田付け可能なことは、本発明の範囲内である。
半田が使用されず、また、コンポーネント（２９０２、２９０８）と基板（２９２０）間の電気的接続が、機械的な接触に唯一頼る場合、復元性のある接触構造には、超小型突起（上記のような）、幾何形状付き先端（プローブ実施例に関連して上記で説明したような）を有するように、保護膜を施すことが可能である。いずれの場合でも、電子コンポーネント（２９０２、２９０８）は、基板（２９２０）上の適所に「戻り止め」され、そこで、ラッチばね（２９３０、２９３２、２９３４、２９３６）により保持される。
図２６の実施例２６００の基本的に「半分」である、図２７の実施例２７００と同様にして、図２９の実施例２９００も、基板（２９２０）への１つの電子コンポーネント（例えば、２９０２）の実装を容易にして、例えば同様の「圧力接触」（半田を用いない場合）相互接続をもたらすために、「半分にする」ことがでる。
一般に、ＰＣＢに対して電子コンポーネントを圧縮するための手段（例えば、ばねクリップ）を有する、本明細書に開示の電子アセンブリの実施例において、復元性のある接触構造の遠位端を半田付けすることは任意であり、また、復元性を減じた接触構造（例えば、直線のピン状構造）を、半田が使用される場合に、利用することができよう。しかし、以下で更に詳細に説明するように（例えば、図４４を参照）、成形済み接触構造の方が好ましい。というのは、それらによって、熱膨張、その他の影響の吸収が容易になるためである。
図３０は、事例２の図３０と類似であり、印刷回路基板（ＰＣＢ）３０２０に、２つの電子コンポーネント３００２及び３００８を実装する他の実施例３０００を示す。上記で説明したようにして（例えば、図２５の実施例２５００に関連して）、復元性のある接触構造３００４及び３００６が、電子コンポーネント３００２の前部３００２ａから延伸して、ＰＣＢ３０２０の表面３０２０ａ上の対応するパッド３０２２及び３０２４に接触し、また、復元性のある接触構造３０１０及び３０１２が、電子コンポーネント３００８の前部３００８ａから延伸して、ＰＣＢ３０２０の表面３０２０ｂ上の対応するパッド３０２６及び３０２８に接触する。両方の電子コンポーネント３００２及び３００８は、「Ｆ」で表記した矢印で示すように、ＰＣＢ３０２０に対して押圧され、またこの図は、ＰＣＢ３０２０に電子コンポーネント３００２及び３００８を固定する、２つの技法を示す。
コンポーネント３００２には、位置合わせピン３０３０及び３０３２が設けられ、これらは、図２Ｅに関連して、上記で説明したようにして形成される。これらの位置合わせピン３０３０及び３０３２は、復元性がある必要はなく、また導電性である必要もないが、それらは、コンポーネント３００２に容易に実装され、成形（直線に）されて、コンポーネント３００２の前部表面３００２ａから延伸する、復元性のある接触構造３００４及び３００６を形成するのに使用されるのと、同一の工程ステップで保護膜が施される。ピン３０３０及び３０３２は、ＰＣＢ３０２０を介して延伸する、対応するスルーホール（２９２２及び２９２４に匹敵）に嵌合するように、寸法決め、及び位置決めされる。これらのピン３０３０及び３０３２は、ＰＣＢ３０２０に対してコンポーネント３００２の位置を単純に合わせて、ＰＣＢ３０２０の表面３０２０ａ上の対応するパッド３０２２及び３０２４に対する、復元性のある接触構造３００４及び３００６の遠位端の適切な位置合わせを保証する。コンポーネント３００２は、矢印「Ｆ」で示すように、ＰＣＢ３０２０に対して圧縮されて、そこに、適切な接着剤３０７０（部分断面で示し、図２５の２５３０に匹敵）で固定される。
コンポーネント３００８には、初期には直線の位置合わせピン３０３４及び３０３６が設けられ、これらは、図２Ｅに関連して、上記で説明したようにして形成される。これらの位置合わせピン３０３４及び３０３６は、復元性がある必要はなく、また導電性である必要もないが、それらは、コンポーネント３００８に容易に実装され、成形（直線に）されて、コンポーネント３００８の前部表面３００８ａから延伸する、復元性のある接触構造３０１０及び３０１２を形成するのに使用されるのと、同一の工程ステップで保護膜が施される。ピン３０３４及び３０３６は、ＰＣＢ３０２０を介して延伸する、対応するスルーホール（２９２６及び２９２８に匹敵）に嵌合するように、寸法決め、及び位置決めされる。これらのピン３０３４及び３０３６は、ＰＣＢ３０２０に対してコンポーネント３００８の位置を初期に合わせて、ＰＣＢ３０２０の表面３０２０ｂ上の対応するパッド３０２６及び３０２８に対する、復元性のある接触構造３０１０及び３０１２の遠位端の適切な位置合わせを保証する。コンポーネント３００８がＰＣＢ３０２０に対して圧縮されると、そこに固定されるが、これは、図示のように、ピン３０３４及び３０３６の遠位端を曲げて、ＰＣＢ３０２０の表面３０２０ａに支承することによりなされる。これは、基板３０２０に面対向して、コンポーネント３００８を適所に「ロック」する。
この実施例の場合に、留意されたいのは、ピン３０３０、３０３２、及びピン３０３４、３０３６が、（それらの近位端において）電子コンポーネント３００２及び３００８の表面３００２ａ及び３００８ａ上の、それぞれ、導電パッド３０５０、３０５２、３０５４、及び３０５６にボンディングされること、また、これらのパッド（すなわち、３０５０及び３０５２）が、パッシベーション層３０６０（図２８の２８０８に匹敵）の上にあることである。これらのパッド３０５０及び３０５２は、復元性のある接触構造３００４及び３００６のワイヤステムがボンディングされる接着パッドを形成するのと、同じ材料から及び同じステップで適切に形成される（図１Ｃ−１Ｅの金属性層１２６、及びホトレジスト１２８に匹敵）。
この例の場合、復元性のある接触構造３００４及び３００６が、例えば図２５の実施例２５００の仕方で、ＰＣＢ３０２０上の対応するパッド３０２２及び３０２４に、半田付けされる（半田３０４０で）ことが示されている。上述のように、導電性エポキシが、半田の代わりに利用可能である。また、復元性のある接触構造３０１０及び３０１２は、半田付けされずに、上部屈曲の位置合わせピン３０３４及び３０３６により、ＰＣＢ３０２０上の対応するパッド３０２６及び３０２８との密接触状態に保たれる。
２つのコンポーネント３００２及び３００８が、２つの異なる仕方で、ＰＣＢに固定されることを例示したが、これは単なる例示に過ぎない。両方のコンポーネントを、同じ仕方でＰＣＢに固定することも可能である（例えば、共に位置合わせピン及び接着剤により、共に半田付けして、等）。
実際には、下側の（図で見て）電子コンポーネント（３００８）が、まず適所に置かれ、次にそのピン（３０３４、３０３６）の上部が曲げられ、その後、上側の電子コンポーネント（３００２）が、基板上に実装されることになる。上記の実施例の場合のように、任意的なのは、半田を用いて、コンポーネント（注目すべきは、曲げ付き位置合わせピンを有するコンポーネント３００８）と基板（３０２０）の間に、電気的接続をもたらすことであり、ユーザは好んで、電気的接続（及び、電子コンポーネントの更に簡単な取り外し）のために、復元性のある接触構造の先端が、基板上のパッドに積極的に接触するのを当てにする。しかし、少量の半田ペースト（例示の明瞭化のために、また前記半田／エポキシは任意であることを示すために、この図から省略している）が、アセンブリ工程において、パッド３０２６及び３０２８に施されて、パッド３０２２及び３０２４上の少量の半田ペーストと共にリフローされることのほうが、一般的には好ましい。一般に、ピン３０３４及び３０３６の上部の曲げは、後続の工程ステップ（例えば、他のコンポーネント３００２の実装、及びアセンブリのリフロー）時に、コンポーネント３００８が、基板３００２から外れて落ちないように保持することを意図したものである。従来技術の場合、（下側のコンポーネント３００８を基板３００２に）糊付けする等の技法が使用されていた。
接着剤（例えば、２５３０、３０７０）を利用することは既に説明したが、これは、通常ロック構造（例えば、３０３４、３０３６）が存在しない場合に、基板（例えば、２５２０、３０２０）に電子コンポーネント（例えば、２５０２、３００２）を固定すべく機能することになる。好適には、接着剤は、硬化すると縮小することになる型式である。
２つのコンポーネント（例えば、３００２、３００８）には、位置合わせピンが設けられて、そのピンのいずれも曲げることなく、基板（３０２０）に固定されることは、本発明の範囲内である。かかる場合、コンポーネントの各々と基板の間の接着剤が好適であり、この構成は、図３０の上半分を鏡像化した（両側が同一の）ものの「ように見える」であろう。
電子デバイスを含むアセンブリ 図２５−３０は、如何にして、電子コンポーネント（例えば、２５０２）が、印刷回路基板型式の基板（例えば、２５２０）の一方の側（例えば、２５０２ａ）に固定できるのか、また如何にして、別の電子コンポーネント（例えば、２５０８）が、印刷回路基板型式の基板（例えば、２５２０）の他方の側（例えば、２５０２ｂ）に固定できるのか、を記載している。
図３１及び３２は、以下で説明するが、事例２の図３１及び３２と類似であり、如何にして、減結合コンデンサ（又は抵抗、或いは他の任意の型式の電子コンポーネント）等の電子デバイスが、回路基板への電子コンポーネントのアセンブリに組み込むことができるのかを示す。
電子コンポーネントのアセンブリにおいて、減結合コンデンサを利用することは、アセンブリにおける半導体素子の性能にとって有利となるとして、一般に周知のところである。一般的な提案として、減結合コンデンサが、半導体素子に近くなるほど、その効果は大きくなる。伝統的なパッケージ実装技法は、一般的に言うと、本質的にこの目標を達成しにくい。
図３１は、印刷回路基板３１２０の２つの側３１２０ａ及び３１２０ｂに実装された、それぞれ、２つの電子コンポーネント３１０２及び３１０８の実施例３１００を示す。
大きな開口（アパーチャ）３１５０が、好適には電子コンポーネント（３１０２、３１０８）の直下である位置に、ＰＣＢ３１２０を介して設けられる。アパーチャ３１５０は、深さ寸法を有し、ＰＣＢ３１２０の厚さ（図で見て、垂直寸法）で始まり、円形又は矩形（又は、他の任意の形状）とすることができる領域（図で見て、頁内への）を有する。この説明の目的のために、前提として、開口３１５０は円形であり、直径を有するものとする。
開口３１５０には、メッキされたスルーホールを製作するのと幾分同様にして、メッキ材料が設けられる。この例示の場合、第１のメッキ３１５２が、開口３１５０の左（図で見て）側に配設されて、ホール３１５０の円周まわりで部分的にのみ（１８０度より少ない）延伸する。第２のメッキ３１５４（これはもちろん、第１のメッキ３１５２と同じ工程ステップで製造される）が、ホール３１５０の右（図で見て）側に配設されて、ホール３１５０の円周まわりで部分的にのみ（１８０度より少ない）延伸する。メッキ３１５４は、ＰＣＢの上側３１２０ａのトレース３１５６に接続されるものとして示されている。
復元性のある接触構造３１０４及び３１０６が、電子コンポーネント３１０２の面（図で見て、下側表面）に実装され、復元性のある接触構造３１１０及び３１１２が、電子コンポーネント３１０８の面（図で見て、上側表面）に実装されるが、これは上記のようにしてなされる。
この実施例の電子アセンブリの１つの利点は、電子デバイス（３１６０）と電子コンポーネント（３１０２、３１０８）の間に実施可能である、極めて短い経路にある。例えば、復元性のある接触構造３１０６は、明らかに、電子コンポーネント３１０２の電源「ピンアウト」の１つ（すなわち、電源又は接地、或いはＶＳＳ又はＶＤＤ）と関連付けられる。
電子デバイス３１６０が、この場合コンデンサであるが、ホール３１５０内に配設され、そこから延伸する２つのリード（タブ又はプレートとすることもできる）３１６２及び３１６４を有する。図示のように、一方のリード３１６２がメッキ３１５２に接続され、他方のリード３１６４がメッキ３１５４に接続される。（メッキ３１５２及び３１５４は、互いに「短絡」されない。）この図に明確には示していないが、メッキ３１５２は、電子コンポーネント３１０２の復元性のある接触構造（不図示）が、そこに押圧されるパッドで終端するトレースと関連付けられる（接続される）であろう。
コンデンサ（３１６０のような）等のコンポーネントを、パッケージ済み半導体素子（３１０２がパッケージ実装されていないのを除いて、３１０２のような）等の他のコンポーネントの直下に、配置することは一般に知られており、これは例えば、コンポーネント（３１６０）を、回路基板（例えば、３１２０）のポケット（窪み）内に載置することによりなされる。記載の実施例３１００は主に、印刷回路基板（３１２０）上の価値ある実装面積を「浪費」することなく、コンポーネント（３１６０）を他のコンポーネント（３１０２）の近くに配置できる能力を備えた、復元性のある接触構造、及びそれらの組合せの利点に目を向けたものである。
図３２は、印刷回路基板３２２０の２つの側３２２０ａ及び３２２０ｂに実装された、それぞれ、２つの電子コンポーネント３２０２及び３２０８の他の実施例３２００を示す。
復元性のある接触構造３２０４及び３２０６が、電子コンポーネント３２０２の面（図で見て、下側表面）に実装され、復元性のある接触構造３２１０及び３２１２が、電子コンポーネント３２０８の面（図で見て、上側表面）に実装される。
この例の場合、ＰＣＢ３２２０の上側表面３２２０ａ、及び下側表面３２２０ｂには、導電パッド３２５２、３２５４、３２５６、及び３２５８が設けられ、これらは、トレースの配線等の任意の周知の仕方で、複数の導電パッド３２２２、３２２４、３２２６、及び３２２８のうちの選択された１つに接続される（不図示）。
２つのリード３２６２及び３２６４を有する、コンデンサ等の第１の電子デバイス３２６０が、ＰＣＢ３２２０の上部表面３２２０ａに実装されて、リード３２６２及び３２６４は、それぞれ、導電パッド３２５２及び３２５４に接続される。
２つのリード３２７２及び３２７４を有する、コンデンサ等の第２の電子デバイス３２７０が、ＰＣＢ３２２０の下部表面３２２０ｂに実装されて、リード３２７２及び３２７４は、それぞれ、導電パッド３２５６及び３２５８に接続される。
図３１の実施例３１００に関連して、上述のように、コンポーネントの直下にコンポーネントを配置するという概念は、全く新しいものではない。しかし、この実施例３２００に十分に示すように、印刷回路基板（３２２０）に窪みその他を設けることなく、コンポーネント（例えば、３２６０）を他のコンポーネント（例えば、３２０２）の直下に配置することを可能にする、半田バンプその他とは異なった、極めて高い（長い）接触構造を製造できる能力により、特異な利点が生じる。
復元性のある接触構造が、電子コンポーネントに実装されるアセンブリのいずれかにおいて、代替実施例が容易に思い浮かぶことは、本発明の範囲内であり、そこでは、復元性のある接触構造が、ＰＣＢに実装されて、電子コンポーネントであるが、半導体素子である電子コンポーネントに関連した電子コンポーネント上の選択された接触領域（例えば、接着パッド）に接触することになり、復元性のある接触構造が、半導体素子に直に実装されることが一般に好ましいであろう。更に、復元性のある接触構造が実装されたＰＣＢ（相互接続基板）は、一般に、介在体として（本明細書では）分類する。
一般に、半導体素子に復元性のある（又は、従順な）接触構造を実装することを、本明細書では、「ばね搭載シリコン」と呼ぶ場合がある。
キャリア・アセンブリ 図３３−３５は、事例２の図３３−３５に類似であり、電子コンポーネントのアセンブリの更なる実施例を示し、この説明の目的のために、「キャリア・アセンブリ」と名付ける。
図３３は、キャリア・アセンブリの実施例３３００を示す。多層基板３２２０が、電子コンポーネント３３０２に接続するために、その上（図で見て）側３３２０ａから延伸する複数の復元性のある接触構造と、マザーボード（不図示）等の電子コンポーネントに接続するために、その下（図で見て）側３３２０ｂから延伸する複数の復元性のある接触構造とを有する。
復元性のある接触構造の第１のグループ（組）３３２２が、ＰＣＢ３３２０の面３３２０ａ上の第１のレベルに実装されて、そこから、ＰＣＢの上の所与の「高さ」にまで延伸する。減結合コンデンサ等の電子デバイス３３７０も、ＰＣＢ３３２０の面３３２０ａに実装される。復元性のある接触構造の第２のグループ（組）３３２４が、電子デバイス３３７０のレベルに実装されて、そこから、復元性のある接触構造の第１のグループ３３２２と同じ高さにまで延伸する。このようにして、復元性のある接触構造の両方のグループ３３２２及び３３２４が、電子コンポーネント３３０２の平坦な平面３３０２ａに接続可能となる。これは、図６Ａに関連して上記で説明した状況と同様である。
ＰＣＢの下部表面３３２０ｂは、図示のように段差が付けられ、第１のレベルに配設される接触パッド（端子）３３２４、３３２６、及び３３２８と、第２のレベルに配設される接触パッド３３３０及び３３３２と、第３のレベルに配設される接触パッド３３３４（図示では１つ）を有する。第１のレベルは、第２のレベルより高く（前部表面３３２０ａから遠く）、第２のレベルは、第３のレベルより高い。導体（トレース）及びバイアが、既知の仕方で、多層ＰＣＢ３３２０内に設けられ、図示されている。セラミック（印刷回路基板材料ではなく）から製作される多層基板３３２０に対して、モリブデン、及びタングステン等の導電材料が知られている。基板３３２０の本体内でもたらされる相互接続の詳細は、例示の明瞭化のために省略する。
復元性のある接触構造の第１のグループ３３８０（図示では３つ）が、ＰＣＢの下部表面３３２０ｂ上の第１のレベルに実装され、破線「Ａ」で示される、同じ高さに全てがある（すなわち、それらは、ＰＣＢの下部表面から同じ距離だけ延伸する）。３つの復元性のある接触構造は、上記の任意の形状（例えば、図３Ｂに示す形状）に構成されて、上記の物理的特性の所望の任意の組（例えば、図５Ｆに関連して説明した可塑性、及び弾性）が持たされる。
復元性のある接触構造の第２のグループ３３８２（図示では２つ）が、ＰＣＢの下部表面３３２０ｂ上の第２のレベルに実装され、同じ高さに全てがある（すなわち、それらは、ＰＣＢの下部表面から同じ距離だけ延伸する）。復元性のある接触構造の第２のグループ３３８２は、復元性のある接触構造の第１のグループ３３８０よりも長く、破線「Ａ」で示される、ＰＣＢ３３２０からの距離にまで延伸する。このようにして、復元性のある接触構造３３８２の先端（遠位端）は、復元性のある接触構造３３８０の先端と共平面にある。（図６Ａ−６Ｃに関連して、上記の共平面性の説明に匹敵）同様にして、復元性のある接触構造の第３のグループ３３８４（図示では１つ）が、ＰＣＢの下部表面３３２０ｂ上の第３のレベルに実装され、同じ高さに全てがある（すなわち、それらは、ＰＣＢの下部表面から同じ距離だけ延伸する）。復元性のある接触構造の第３のグループ３３８４は、復元性のある接触構造の第２のグループ３３８２よりも長く、破線「Ａ」で示される、ＰＣＢ３３２０からの距離にまで延伸する。このようにして、復元性のある接触構造３３８４の先端（遠位端）は、復元性のある接触構造３３８０及び３３８２の先端と共平面にある。
好適には、復元性のある接触構造３３８０、３３８２、及び３３８４の全てが、それらの全長の中間部において、同じ「曲げ部」を有するため、互いに同じ復元性を示す。追加の長さ（例えば、接触構造３３８０と面対向した接触構造３３８２の）は、接触構造の復元特性を変えることなく容易に吸収でき、これは単純に、３つの復元性のある接触構造の端（「脚」）部を適切な距離だけ延ばして、曲げ部の構成を変えることなく、必要な長さを補うことによりなされる。
上述のように、アセンブリに１つの減結合コンデンサ（又は、複数の減結合コンデンサ）を含めることができる能力は、マイクロプロセッサ等のある種の電子コンポーネントの性能輪郭に影響を与える、非常に重要な考慮事項である場合が多い。一般に（すなわち、経験則として）、半導体素子から減結合コンデンサへの経路が短くなるほど、良好になる（例えば、そのインダクタンスが低くなる）。本明細書に示すアセンブリは、非常に短い経路、従って高速マイクロプロセッサ等の電子コンポーネント（３３０２）と印刷回路基板（３３２０）との間に、低いインダクタンス結合をもたらす。更に、電子コンポーネント３３０２が、裸のダイ（例えば、パッケージ未実装のマイクロプロセッサ）であることは、本発明の範囲内であり、これによって、更に短い電気経路（復元性のある接触構造３３２４）が可能になる。
任意として、電子コンポーネント３３０２は、電子コンポーネントを取り囲み、基板３３２０の上部表面３３２０ａに載置する蓋（カバー、部分的に示す）３３９０を設けることにより、「パッケージ実装」される。代替として、蓋を用いるのではなく、封止剤（例えば、エポキシ）を用いて、電子コンポーネント（３３０２）をパッケージ実装することが可能である。
図３３に示すような構成の利点は、平坦な又は段差付き（図示のような）下部表面を有し、また任意的に、減結合コンデンサ（３３７０）その他を含む、セラミック又はＰＣＢ基板（３３２０）には、その各側に複数の復元性のある接触構造を「準備」可能であり、半導体ダイ（３３０２）のフリップチップ型式の相互接続に即座に対応できる。
図３３（慣用的な半導体パッケージ実装技術と対向関係にある）に示すようなアセンブリの一般的な利点は、必要なバイヤの数が減少し、導体に利用可能なスペースが更に広くなり（例えば、複雑な相互接続方式をもたらすために、また基板上の導電トレースの経路指定を改善するために）、コストが削減されるという点にある。
複数の電子コンポーネント（３３０２）が、共通の（単一の）基板（３３２０）に実装可能なことは、本発明の範囲内である。また、基板に、その上部（図で見て）表面（又は、基板の高い方のレベルにより、選択された領域において、覆われていない、多層基板の低い方のレベル）から内部に延伸する窪み部を設けることが可能なことも、本発明の範囲内であり、その場合、これらの窪み部におけるパッドから始まる復元性のある接触構造が、残りの復元性のある接触構造よりも短い「脚部」を有することになり、これは、復元性のある接触構造３３２４を、復元性のある接触構造３３２２よりも短く製作するようにしてなされる。
復元性のある接触構造３３８０、３３８２、及び３３８４が、図２８の復元性のある接触構造２８０４及び２８０６のようにして形成され、その結果、基板３３２０が、別の基板（基板２８２０に匹敵）に「差し込み」可能となることは、本発明の範囲内である。
ばね（復元性のある、又は従順な）接触子を外部相互接続子（３３８０、３３８２、３３８４）として用いることにより、このようにしてパッケージ実装されたコンポーネント（３３０２）が、容易に試験、及び／又はエージングされ、また同一の外部相互接続子が後に続いて、「差し込み可能」又は表面実装式その他で、マザーボードその他に対して接続をなすのに利用可能である。同じことが、本明細書に開示の他の実施例についても一般的に言える。
図３４は、印刷回路基板３４２０に実装された、電子コンポーネント３４０２の複合アセンブリの実施例３４００を示し、それらの間に減結合コンデンサ３４７０が配設されるため、図３３に関連して説明したように、低いインダクタンス結合を示す短絡経路が与えられる。電子コンポーネント３４０２と、ＰＣＢ３４２０と、減結合コンデンサ３４７０とのアセンブリは、複合アセンブリ３４００の第１の部分アセンブリ３４２５を構成する。
この例において、ＰＣＢ３４２０の下部表面３４２０ｂは、例示の明瞭化のために、段差付き（図３３に匹敵）としてではなく、平坦として示している。電子コンポーネント３４０２と、ＰＣＢ３４２０と、減結合コンデンサ３４７０とのアセンブリ全体が、マザーボード、集積基板、その他とすることができる、別の印刷回路基板３４５０に実装される。上記のようにして、ＰＣＢ３４２０（３３２０に匹敵）の下部表面に、その下部表面３４２０ｂから延伸し、また共通の平面（図３３の「Ａ」に匹敵）へと延伸する、複数（図示では多くのうち６つ）の復元性のある接触構造３４２１−３４２６が設けられる。
マザーボード３４５０には、メッキされたスルーホールの都合の良い延長部（マザーボード３４５０上の上部表面３４５０ａの）である、複数（図示では多くのうち６つ）の接触構造３４５１−３４５６が設けられる。復元性のある接触構造３４２１−３４２６の各々の先端は、これらの接触領域３４５１−３４５６のうちの対応するものに接触して、そこに、半田３４４０で示すように半田付けされる。上述のように、接触領域３４５１−３４５６に、復元性のある接触構造３４２１−３４２６の先端を半田付けすることは、アセンブリ３４４０が、クランプ手段（不図示）によりマザーボード３４５０にクランプされるとすれば、必要ではない。
理解されたいのは、半田を使用して、復元性のある接触構造の先端と、導電パッド又は領域との間に接続をもたらす、本明細書に記載の実施例のいずれかにおいて、「アセンブリ」を完成させるために、導電性エポキシが、半田の代わりに使用可能である、ということである。
また、理解されたいのは、単一の電子コンポーネントが、印刷回路基板（その他）に組み立てられる、本明細書に記載の実施例のいずれかにおいて、複数の電子コンポーネントが、同様にして、印刷回路基板に組み立て可能である、ということである。
図３３の実施例３３００が、図３４に示すようにして（例えば、アセンブリ３４２５をアセンブリ３３００に置き換えることにより）、図３４の３４５０と類似のコンポーネントの頂部に実装可能なことは、本発明の範囲内である。
図３５は、印刷回路基板３５２０に実装された、電子コンポーネント３５０２の複合アセンブリの他の実施例３５００を示し、それらの間に減結合コンデンサ３５７０が配設されるため、図３３に関連して説明したように、低いインダクタンス結合を示す短絡経路が与えられる。電子コンポーネント３５０２と、ＰＣＢ３５２０と、減結合コンデンサ３５７０とのアセンブリは、複合アセンブリ３５００の第１の部分アセンブリ３５２５（３４２５に匹敵）を構成する。
この例において、ＰＣＢ３５２０の下部表面３５２０ｂは、例示の明瞭化のために、段差付き（図３３に匹敵）としてではなく、平坦として示し、また複数の復元性のある接触構造（図３４の３４２１−３４２６に匹敵）ではなく、複数（図示では多くのうち６つ）の接触パッド３５２１−３５２６が設けられる。
この例の場合、図１４Ｂの介在体１７２０と類似の介在体基板３５６０が、アセンブリ３５２５と、マザーボード、集積基板、その他とすることができる別の印刷回路基板３５５０との間に配設される。複数（図示では多くのうち６つ）の復元性のある接触構造３５６１−３５６６が、介在体基板３５６０の上部表面３５６０ａから上方に（図で見て）延伸して、それらの先端は、アセンブリ３５２５の下部表面（すなわち、ＰＣＢ３５２０の下部表面３５２０ｂ）の対応する接触パッド３５２１−３５２６に、この場合半田無しで接触する。（復元性のある接触構造３５６１−３５６６は、例示の明瞭化のために、ワイヤステムに保護膜が施されるという詳細なしに示している。）マザーボード３５５０には、図３４のマザーボード３４５０の場合のように、マザーボード３５５０内のメッキされたスルーホールと関連付けられる、複数（図示では多くのうち６つ）の接触領域３５５１−３５５６が設けられる。
複数（図示では多くのうち６つ）のバンプ状（概ね復元性がない）接触構造３５６８（６つのうちの１つのみを図に表記した）が、介在体３５６０の下側表面３５６０ｂから延伸して、ＰＣＢ３５５０状の接触領域３５５１−３５５６に接触するように位置決めされる。これらの接触構造３５６８は、接触領域３５５１−３５５６に半田付けされようと（図示のように）、されなくても（不図示）よい。
図示のように、ＰＣＢ３５２０、介在体３５６０、及びＰＣＢ３５５０には各々、互いに位置があった状態で、複数（図示では多くのうち２つ）の穴が設けられ、それらを介して、複数（図示では多くのうち２つ）のねじ切りスタッド３５３０及び３５３２が延伸している。スタッド３５３０及び３５３２の端部のナットによって、アセンブリ３５５０全体が圧縮可能となり、その結果、介在体３５６０の上部表面３５６０ａにおける復元性のある接触構造３５６１−３５６６が、ＰＣＢ３５２０の下部表面３５２０ｂにおける接触パッド３５２１−３５２６に密に接触可能となる。介在体３５６０の下部の接触構造３５６８が、まず（初期に）、ＰＣＢ３５５０上の接触領域３５５１−３５５６に半田付けされる場合には、介在体３５６０に穴を設ける必要はない。いずれにしても、これは、機械的な手段（例えば、上述のスタッド及びナット、代替としてナット及びボルト、カム、レバー、バンクリップ、その他）で、ＰＣＢ３５５０にアセンブリ３５２５を固定するための実行可能な技法を表す。この実施例の利点は、前の実施例３４００におけるＰＣＢ３４２０の下部表面３４２０ｂに示される、半田付け接続とは対照的に、ＰＣＢ３５２０の下部表面３５２０ｂ上のパッド（３５２１−３５２６）に接触するために、半田を用いない点にある。
ねじ切りスタッド（３５３０、３５３２）以外の手段が、クリップ、ラッチばね、その他等により、互いにアセンブリ（３５２０、３５６０、３５５０）を保持するために使用されることは、本発明の範囲内である。
ＰＣＢ３５５０（及び任意として、介在体３５６０）が、電子コンポーネント３５０２上で試験及びエージングを行い、その後、アセンブリ（３５２５）を、ノートブック・コンピュータ内のバザーボード等の別のＰＣＢ（３５５０）に実装する等のために、試験ジグを構成することは、本発明の範囲内である。
介在体の別の「スタイル」（すなわち、図１７Ｂのスタイル以外の）が、アセンブリ３５００内に使用可能なことは、本発明の範囲内である。例えば、図１７Ａに示すスタイル（型式）の介在体を用いることも可能である。
図３３の実施例３３００に関連して説明したように、電子コンポーネント（例えば、３５０２）が基板（例えば、３５０２）に実装される、本明細書に記載の実施例のいずれかにおいて、電子コンポーネントを「パッケージ実装」するために、蓋（３３９０を参照）を設けるか、又は接着剤を設けることができる。
図３６Ａは、事例２の図３６と類似であり、電子コンポーネントを組み立てる他の技法（実施例）３６００を示し、ここで、「裸の」（パッケージ未実装の）半導体素子といった、複数（図示では多くのうち２つ）の電子コンポーネント３６０２及び３６０３が、相互接続基板３６２０の一方の側３６２０ａに実装され、裸の（パッケージ未実装の）半導体素子といった、複数（図示では多くのうち２つ）の電子コンポーネント３６０８及び３６０９が、相互接続基板３６２０の他方の側３６２０ｂに実装されるが、これらは、概ね図２５に記載の仕方で行われる。（これは、カード／ボード上へのシリコンチップの「エッジ間実装」の例示である。）すなわち、例として、電子コンポーネント３６０２、３６０３、３６０８、及び３６０９は、任意として、適切な絶縁接着剤３６３０（２５３０に匹敵）により、相互接続基板３６３０に固定可能である。（代替として、上記のような、ばねクリップ、その他も、相互接続基板に対して電子コンポーネントを固定するのに利用可能である。）電子コンポーネント３６０２、３６０３、３６０８、及び３６０９には各々、その面から延伸する、複数の復元性のある接触構造３６１０が設けられ、相互接続基板３６２０には、復元性のある接触構造の遠位端を受けるために、対応する複数の接触パッドが設けられる。図示のように、各接触パッドには、対応する復元性のある接触構造３６１０の遠位端を受けるために、少量の導電性エポキシ３６１２が設けられる。
このようにして、非常に多くの電子コンポーネントが、相互接続基板（例えば、ＰＣＢ）に実装されるが、これには、別態様ではパッケージ実装済み（例えば、プラスチックパッケージ実装済み、リード付き）半導体素子により可能であったよりもずっと効率的に、相互接続基板上で実装可能なスペースが利用される。
図３６Ｂ及び３６Ｃは、それぞれ、図２５及び３６Ａに示した技法の例示的な応用例を示す。
図３６Ｂは、複数の裸の半導体素子３６５０ａ−３６５０ｒが、相互接続基板３６５２の表面に実装可能である様子を示し、半導体素子は、互いにエッジ同士が近接した状態で、互いにほぼ触れるように、効率的にレイアウトされる。複数のエッジコネクタ・パッド３６５４が、相互接続基板３６５２の１つのエッジに示されており、これらは、半導体素子３６５０ａ−３６５０ｒに実装された復元性のある接触構造の遠位端を受けるパッドへの導電トレース（不図示）に接続されることになる。
図３６Ｃは、複数の裸の半導体素子３６６０ａ−３６６０ｉが、相互接続基板３６６２の表面に実装可能である様子を示し、半導体素子は、互いにエッジ同士が近接した状態で、互いにほぼ触れるように、効率的にレイアウトされる。複数のエッジコネクタ・パッド３６６４が、相互接続基板３６６２の１つのエッジに示されており、これらは、半導体素子３６６０ａ−３６６０ｉに実装された復元性のある接触構造の遠位端を受けるパッドへの導電トレース（不図示）に接続されることになる。
図３６Ａに示すように、相互接続基板３６２０は、電子コンポーネントに対して、「傾いて」又は「斜めになって」いる（しかし一般的には、傾かないのがこのましい）。換言すると、それは、電子コンポーネント３６０２、３６０３、３６０８、及び３６０９と平行ではない。これは、復元性のある接触構造を使用する（例えば、電子コンポーネント上に）ことの多くの利点のうちの１つを示し、すなわち、復元性のある接触構造が、平面性の小さな偏差を「補償」可能な点である。上述のように、ある量の可塑的（復元的に対して）変形が、非平面性を吸収するために、復元性のある接触構造において望ましいことが多い。一般に、復元性と可塑性の両方を示す接触構造が、「従順な」接触構造と呼ばれる。
このアセンブリ、及び本明細書に記載の他のアセンブリにおいて、完成したアセンブリは、適切な絶縁材料（滴のせエポキシ等）内で完全に封止されて、電子コンポーネントを、機械的事象（アセンブリの取扱い等）、及び環境的事象（埃、及び湿度等）を含む、環境的損傷から保護することができる。これは、「完成した」、完全にパッケージ実装されたアセンブリに役立つことになる。適切なヒートシンク（例えば、熱質量体）が、かかる完成したアセンブリ内に、任意の適切な仕方で（例えば、電子コンポーネントに密接して、上にある滴のせエポキシ内に、ヒートシンクの一端を埋設する等により）、組み込むことが可能なのは、本発明の範囲内である。
図３７は、事例２の図３７と類似であり、電子アセンブリの他の実施例３７００を示し、ここで、各々が、図３６に記載の実施例３６００に匹敵する、２つのアセンブリ（両面「先行体」）３７１０及び３７１２が「積み重ね」可能である。
図示のように、アセンブリ３７１０の相互接続基板３７２０（３６２０に匹敵）には、その下側（図で見て）表面３７２０ｂ上に、複数（図示では多くのうち１つ）の接触パッド３７２２が設けられる。アセンブリ３７１２の相互接続基板３７４０（３６２０に匹敵）には、その上側（図で見て）表面３７４０ａから延伸する、複数（図示では多くのうち１つ）の復元性のある接触構造３７４２が設けられる。
適切な絶縁材料３７３０（２５３０に匹敵）で、アセンブリ３７１０及び３７１２を内部に封止する工程において、材料３７３０が、２つのアセンブリ３７１０と３７１２の間の間隙３７３２に充填せしめられる。かかる内部封止と関連して、アセンブリは、上記のようにして、互いに押圧されるため、復元性のある接触構造３７４２の先端が、接触パッド３７２２に接触する。
図２６、２７、２９、３０その他に関連して説明したような、ばねクリップその他、又は図３５に関連して説明したような、「機械的手段」が、アセンブリ３７１０及び３７１２を共に保持するために、接着剤３７３０の代わりに使用できることは、本発明の範囲内である。
この図において、相互接続基板は、例示の明瞭化のために、「傾け」ないで示している。（図３６の相互接続基板３６２０に匹敵する。）上記の大部分に関して、電子コンポーネント（例えば、ｘｘ０２）が、「フリップチップ」方式で、相互接続基板（ｘｘ２０）に組み立てられる、多数の電子アセンブリについて説明してきた。換言すると、電子コンポーネントは、相互接続基板と平行であることを意図している。（理解されたいのは、本明細書に記載の詳細な説明を通じて、「ｘｘ０２」その他の符号を用いる場合、任意の適切な番号、例えば「２５」が、文字（位置ホルダ）「ｘｘ」で置き換えできる。換言すると、「ｘｘ０２」は、「２５０２」、「２６０２」、「２７０２」、等と読むことができる。
本発明の１つの態様によれば、電子コンポーネントが、エッジ方向で、相互接続基板に実装（、及び接続）可能である。
上述のように（例えば、図２５に関連して）、多数のカード（３７１０、３７１２）を、後で、図３７に示すような更に複雑なアセンブリへと組み立てるために、予め製造し、任意として予め試験及び詳細に調べることができる。これらの「部分アセンブリ」（すなわち、カード３７１０及び３７１２）は、図示のように、単にカード上に接触子を設け、またカード間相互接続構造（例えば、３７４２）を設けることにより、容易に積み重ねられる。一般的な提案として、かかる技法は、シリコン（電子コンポーネント）の個々の部品の「３Ｄ」積み重ねよりも優れており、またメモリコンポーネントの多チップモジュール、又は他の任意のコンポーネントに適用可能である。
図３８は、事例２と類似であり、電子アセンブリの実施例３８００を示し、ここで、複数の電子コンポーネント３８０２、３８０３、３８０４、３８０５、及び３８０６が、エッジ方向で、相互接続基板３８２０に実装される。
電子コンポーネント３８０２−３８０６の各々には、複数（図示では多くのうち１つ）の復元性のある接触構造３８４２−３８４６が設けられ、そのうちの代表的な１つ（３８４２）を、図３８Ａに更に詳細に示す。相互接続基板３８２０の上部（図で見て）表面３８２０ａには、同様の複数（図示では多くのうち５個）の接触パッド３８２２−３８２６が設けられる。使用時には、復元性のある接触構造３８４２−３８４６の先端が、図３８に示すようにして、接触パッド３８２２−３８２６の対応するものに接触する。
電子コンポーネント３８０２−３８０６の数より一般に１つだけ多い、複数（図示では６個）のパッド３８６１−３８６６が、相互接続基板３８２０の上部表面３８２０ａ上で、電子コンポーネントの間、及びそれらの「ボード外」の位置に設けられる。複数（図示では多くのうち６個）のばねクリップ３８３１−３８３６が、それぞれ、パッド３８６１−３８６６に実装されて、以下のようにして成形される。
ばねクリップの１つの代表例３８３２が、相互接続基板３８２０の上部表面３８２０ａから上方に延伸して、左方向に（図で見て）延伸する曲げ部と、右方向に（図で見て）延伸する曲げ部を有するように構成される。ばねクリップの全てが、同じようにして好適に成形されて、対向する曲げ部を備える。ばねクリップ３８３２の左方向に延伸する曲げ部は、隣接した（図で見て、左に）ばねクリップ３８３１の右方向に延伸する曲げ部と協働して、間隙を規定し、これは、電子コンポーネント３８０２の厚さよりも幾分小さい。このようにして、電子コンポーネント３８０２は、そのいずれかの側のばねクリップ３８３１及び３８３２の間にぴったりと挿入されるため、相互接続基板３８２０の表面３８２０ａに対して、エッジ方向で適所に保持可能となる。電子コンポーネント３８０３は、同様に、ばねクリップ３８３２及び３８３３により、相互接続基板３８２０に対して、エッジ方向で適所に保持される。電子コンポーネント３８０４は、同様に、ばねクリップ３８３３及び３８３４により、相互接続基板３８２０に対して、エッジ方向で適所に保持される。電子コンポーネント３８０５は、同様に、ばねクリップ３８３４及び３８３５により、相互接続基板３８２０に対して、エッジ方向で適所に保持される。電子コンポーネント３８０６は、同様に、ばねクリップ３８３５及び３８３６により、相互接続基板３８２０に対して、エッジ方向で適所に保持される。
上記のばねクリップ（例えば、２６３０及び２６３２）を用いた場合のように、ばねクリップ（３８３１−３８３６）は、復元性のある接触構造と同じようにして製造可能であり、また、ばねクリップが、相互接続基板と、ばねクリップにより適所に保持された対応する電子コンポーネントとの間に、導電経路を形成することは、任意的であり本質的ではない。
例えば、図２６に関連して上述したように、パッド３８２２−３８２６は、半田で前処理可能であるため、電子コンポーネントが、適所へと押圧される（対応するばねクリップ間で）と、アセンブリ全体が炉に通されて、半田をリフローし、パッド３８２２−３８２６と、復元性のある接触構造３８４２−３８４６の対応する先端との間に、半田接続をもたらすことが可能になる。
図３８Ａに示すように、この実施例の復元性のある接触構造（３８４２）は、復元性のある接触構造（３８４２）が実装される電子コンポーネント（３８０２）の平面内（それと直角ではなく）である圧縮力（Ｆ）に反作用することを意図した形状に構成される。
復元性のある接触構造が、それらが実装される電子コンポーネントに相対して、実際上任意の角度に向けられる圧縮力に反作用するように構成される形状を有することが可能なのは、本発明の範囲内である。例えば、図９Ａ及び９Ｂにより例示される「プローブ」実施例の場合、圧縮力は、復元性のある接触構造が実装される基板の直下から加えられる。幾つかの例としての形状を本明細書で説明したが、本発明の範囲は、例示の形状のいずれにも限定されないことを特に意図している。
電子コンポーネント（３８０２、３８０３、等）が、基板３６２０に対して直角でないことは、本発明の範囲内である。
ＤＵＴ試験インターフェース構成 電子コンポーネント上で、エージング、及び機能試験を行うために、プローブカードにおいて復元性のある接触構造を利用することを、上記で、例えば図１０Ａ−１０Ｇに関連して説明した。
幾つかの用途において、複雑な集積回路素子における欠陥を正確に特定して解析することが重要である。例えば、部分的にパッケージ実装済みの被試験デバイス（ＤＵＴ）を、ソケットに差し込むことが可能であり、このソケットは、試験インターフェースボードからスペーサを介して延伸する「ポーゴ」ピン（コイルばねが関連した直線ピン）により接触される導電領域を有するＰＣＢ上にある。試験インターフェースボード、スペーサ、ＰＣＢ、ソケット、及びＤＵＴのアセンブリは、例えばＥビーム・プローブ装置の真空室における開口内へと挿入され、その結果ＤＵＴを、真空環境中でＥビームによりプローブ当てすることが可能である。これは、本発明のＤＵＴ試験インターフェース構成に対する用途の単なる例に過ぎない。
図３９は、本発明による、試験インターフェース構成３９００を示す。半導体ダイ３９０２が、アレイ状等でその下側（図で見て）表面に配設された、複数の半田バンプ３９０４を有する。「間隔変換」基板３９１０が、その上側（図で見て）表面に配設された、対応する複数の復元性のある接触構造３９１２を有する。これらの復元性のある接触構造３９１２の遠位端は、半田バンプ３９０４と同じピッチ（間隔）で配列される。間隔変換器３９１０は、多層ＰＣＢのようにして、絶縁材料とパターン化導電材料（例えば、箔）の交互層から形成された基板である。間隔変換器３９１０の下側（図で見て）表面には、複数の接触パッド３９１４が設けられ、これらは、復元性のある接触構造３９１２よりも大きな間隔（互いから遠く離れた）で配設される。間隔変換器３９１０は、上記のようにして（例えば、接触構造の一括転移に関連した図１２Ｂを参照）、半導体ダイ３９０２を復元性のある接触構造３９１２に押し当て、復元性のある接触構造３９１２の遠位端を、半導体ダイ３９０２に半田付け（又、ろう接）することにより、半導体ダイ３９０２に組み立て可能である。
介在体基板３９２０には、上記の介在体基板のいずれかのようにして、その上側（図で見て）表面に、複数の復元性のある接触構造３９２２が設けられ、またその下側（図で見て）表面に、複数の復元性のある接触構造３９２４が設けられる。
プローブカード基板３９３０には、その上側（図で見て）表面に、複数の接触パッド３９３２が設けられる。プローブカード３９３０を間隔変換器３９１０に、それらの間にクランプされる介在体と共に、固定するための手段が設けられ、例えばボルト３９４０が、プローブカード３９３０内の穴を介し、任意的に介在体３９２０を介して、間隔変換器３９１０内のねじ切り穴へと延伸する。このようにして、多数の半導体アセンブリ（３９０２、３９１０）が、プローブカード３９３０と関連した試験回路（不図示）により試験可能となる。
本発明の技法は、「既知の良好なダイ」試験を行う従来技術の技法よりも、簡単であり且つコスト効果がある。従来技術の典型的なプローブカードには、そこに実装された接触子が含まれ、このことは、独自の被試験デバイスの各々に対して、独自の（例えば、割高な）プローブカードが必要とされることを一般に意味する。本発明のプローブカード３９３０は、よりいっそう「代替可能」であり、容易に且つ安価に製造された間隔変換器３９１０を介して、独自のデバイスに容易に適応される。
各種の追加実施例 次に提示するのは、上記の技法に対する代替例であり、本発明の範囲内にある。
非導電ステム 上述のように、ワイヤ（例えば、１０２）は、主に、保護膜（上部構造）が製造（例えば、メッキ）可能である媒体（足場、心棒）として機能する。従って、多くの例で、心棒が基板に実装され、成形されて、保護膜生成可能である限り、心棒が導電性であるか否かは一般に問題ではない（メッキの最外層は、一般的な提案として、導電性であることが必要である）。
このことを心に留めると、ワイヤステム（伸長柔軟要素）が、プラスチック（例えば、ナイロン）、ポリマー、その他といった、絶縁材料から形成されることは、本発明の範囲内である。かかる心棒（ニッケル等）上に導電金属材料をメッキすることは、本発明が最も近く属する技術分野の通常の知識を有する者の十分に範囲内である。例えば、絶縁材料の表面が、まずイオン受容性となるように活性化され、次に導電材料の第１の層で無電解メッキされ、次に導電材料の第２の層で電解メッキされるであろう。
様々なプラスチック（例えば、ポリマー）材料が知られており、例えばこれらは、高温で液化し、また大気圧で皮膜を形成することになる。
図４０Ａは、高圧力の下のポリマー材料の供給体が、ノズル４００２を介して供給される技法を示す。ノズルは、電子コンポーネント４００８（１０８に匹敵）上の端子（例えば）４０１２（１１２に匹敵）と近接させられると、液化ポリマーが、ノズルから流れ出て端子に接触することが可能になる。ノズルは次に、ｚ軸方向、及びｘ軸とｙ軸方向のいずれかの方向に移動されて、ステム４００２（１０２に匹敵）が仕立てられる。このようにして、所望のステムが製造されると、圧力がオフにされ、ノズルが遠くに移動して、ステムに遠位端が残されることになる。このようにして、ワイヤステムを仕立てる際のノズル４００４の機能は、上記で説明した、ワイヤボンディング装置の毛細管（１０４、２０４）の機能に非常に似ている。ステムの硬化が完了すると、それには、上記のようにして、導電材料で保護膜が容易に施される。
上述のように、多数の毛細管を用いて、電子コンポーネント上に多数のワイヤステムを同時に形成することにより、幾つかの利点が生じることになる。同様にして、多数のノズル（４００４）を用いて、電子コンポーネント上に、同様に多数の非導電ステムを仕立てることも可能である。
図４０Ｂは、多数（図示では多くのうち２つ）のオリフィス４０２２を有するノズルヘッド４０２０を示し、それらのオリフィスを介して、非導電材料が、基板４０２８の表面に配送されて、同様に多数のステム４０２６が仕立てられる。（端子その他は、例示の明瞭化のために、この図から省略している。）明らかに、このようして形成されたステムの全てが、ノズルヘッドの経路により決定されるような同じ形状を有することになり、これは、矢印に終端する破線４０２４で示される。本質的には、ノズルヘッド４０２０は、穿孔付きプレートであり、矩形アレイ状といった、適切な仕方で配列された多数のオリフィス（４０２２）を有する。
図４０Ａ及び４０Ｂに関連して説明した技法が「好ましい」とは、現時点では発言しない。それらは主に、成形され続いて保護膜生成されることになるステムが、導電ワイヤである必要はないという点を示すために提示したものである。しかしながら、ステムに対して、任意の適切な誘電材料を使用可能なことは、本発明の範囲内である。
ボンディングなし固定ステム 上記で詳細に説明したように、ワイヤボンディング装置が、供給ワイヤの自由端を、基板状の接触領域に実装（ボンディング）するために使用され、供給ワイヤの自由端は、（基板にボンディングされると、）結果としてのワイヤステムの近位端になる。
保護膜が主に、結果としての接触構造を基板に固定する役割を果たすことを心に留めると、ワイヤが、それ自体、基板にボンディングされるのではなく、むしろボンディングを用いない仕方で、ワイヤが基板に実装されることは、本発明の範囲内である。一般に、供給ワイヤの自由端を基板に固定するどんな技法も十分であろう。
図４１Ａは、毛細管型式のヘッド４１０４（１０４に匹敵）を示し、これを介して、ワイヤ４１０２が供給されている。この例の場合、端子４１１２（１１２に匹敵）が、基板４１０８（１０８に匹敵）の頂部に配設されて、ワイヤの先端により穴開け可能な材料４１１４で保護膜生成される。超音波ボンディング等のボンディングは、結果としてのワイヤステムの近位端を、電子コンポーネントに固定するには必要とされない。むしろ、ワイヤ４１０２は十分堅固であり、また材料４１１４は十分に穴開け可能（例えば、可塑変形可能）であるので、結果としてのワイヤステム（図４１Ｂ参照）は、ワイヤステムに保護膜を施す工程時に、適所に残ることになる。この例の場合、ワイヤステムは、例示の明瞭化のために、直線ワイヤステムとして示すが、理解されたいのは、ワイヤステムは、上記（例えば、図２Ａ−２Ｅを参照）の弾力のある形状のいずれかに形成可能である、ということである。材料４１１４は、半田、導電性エポキシ、又は他の任意の「穴開け可能な」材料とすることができる。
ワイヤを、電子コンポーネント状の端子（又はパッド、その他）へと挿入する（すなわち、ワイヤを端子にボンディングするのではなく）という上述の技法は、半導体パッケージ等の電子コンポーネントに、ピン状構造を実装するために使用可能である。ワイヤ材料には、ベリリウム銅、コバール（ｔｍ）、ばね鋼、その他（比較的堅い材料）が含まれるであろう。任意として、ピンを端子に確実に固定するために、結果としてのピン状構造に保護膜を施すことも可能である（例えば、金メッキにより）。
ワイヤステム４０１２に、上記のようにして、図４１Ｃに示すような導電材料４１１６で保護膜を施すことも、本発明の範囲内である。
ワイヤ４１０２が、高弾性炭素繊等の塊４１１４（例えば、半田、又は導電性エポキシ）内に挿入するのに適した任意の材料であることも、本発明の範囲内である。
ワイヤステムの手動成形 上記のように、ワイヤステムが、基板（例えば、２０８）に面対向した毛細管（例えば、２０４）の相対運動を制御することにより、弾力のある形状を有するように仕立てられる。
ワイヤステムの成形が、増強される、又は毛細管の移動以外の外部手段により完全に実施されることは、本発明の範囲内である。
図４２は、毛細管４２０４（２０４に匹敵）の端部から延伸する、供給ワイヤ４２０２（２０２に匹敵）の自由端を示す。破線で示すように、毛細管４２０４は、基板４２０８（１０８に匹敵）状の端子４２１２（１１２に匹敵）に、ワイヤの先端をボンディングするために、少なくとも１つの穴が設けられたプレートといった、「工具」部材４２２０内の開口４２２２を介して進む。
供給ワイヤの自由端が端子にボンディングされると、毛細管及び工具部材の運動は、結果としてのワイヤステムに対して、所望の形状を確立するように制御される。これらの運動は、同一のｘ及びｙ方向だけでなく、反対のｘ及びｙ方向での毛細管、及びブロック移動の両方を含む。（工具部材は、毛細管がそうであるように、ｚ方向にも移動する。）工具部材が、適所に単純に保持される場合、ワイヤステムは、成形作業時に、その長さに沿った任意の位置に「手動で」保持可能となる。遠位端（先端）を有するように、ワイヤステムを切断した後、ブロックは、ワイヤステムから単純に持ち上げて外すことができる。
毛細管が、端子にワイヤをボンディングするのに、それを介して進まねばならない、対応する穴を各々が有する、２つ又はそれより多い工具部材を同じように使用して、成形工程を増強することができる。更に、工具ブロックにより、毛細管は、十分な長さのワイヤを単純に繰り出すことができ（供給ワイヤの自由端を端子にボンディングした後）、ステム成形工程全体が、２つのブロックの運動を制御することにより実行可能である。
明らかになるであろうが、ワイヤを構成するワイヤボンディング装置の外部の工具（例えば、４２２０）を利用することによって、厳密な曲げ部（ねじれ）を有する形状へと、ワイヤを構成することが可能になると共に、ボンディングワイヤの任意の成形と通常関連した、毛細管の行き過ぎ量を（大幅に）回避することが可能になる。
図４２Ａは、図４２の概念を更に１ステップ踏み込んだもので、ワイヤステムのアレイが存在する状況では特に有利であり、毛細管が、隣接したワイヤステムに衝突することなく進むことは困難である。図４２Ａに示すように、複数（図示では多くのうち２つ）のワイヤステム４２３２及び４２３４が、それぞれ、電子コンポーネント４２４０の表面上の端子４２３６及び４２３８にボンディングされる。ワイヤステムは、電子コンポーネントの表面から上に真っ直ぐ突出して形成されて、切断される（例えば、図４Ｂを参照）。各々が一般に、複数の穴を有する堅固な平面部材として形成される、３つの外部工具４２４２、４２４４、及び４２４６が、突出するワイヤステムにわたって導入される。工具は、図示のように、互いから離間したワイヤステムにわたって導入される。図４２Ｂに示すように、工具４２４２及び４２４６を静止状態に保つことにより、また工具４２４４を（図で見て、右に向かって）移動させることにより、ワイヤステムを「一括成形」することができる。ワイヤステムを成形した後、工具は取り外される。ある種のワイヤステム形状は、工具の取り外しと干渉することになることが認識される。この問題を避けるために、工具は、図４２Ｃに示すように、櫛状構造として形成することが好ましい。
図４２Ｃは、櫛状構造として形成された外部工具（図示では幾つかのうち１つ）を用いて、複数（図示では、４×４アレイ）の突出するワイヤステムを一括成形する代替実施例を示す。この例の場合、２つの櫛プレート４２５２及び４２５４が、アレイへと移動する（図の矢印を参照）と、櫛プレートの個々の歯の間の空間が、対応するワイヤステムを「捕捉」する（工具４２４２、４２４４、４２４６内の穴と同様にして）。垂直位置（ワイヤステムに沿った）当たり２つの櫛プレート（４２５２、４２５４）が示されているが、１つでも十分であり、例えば、櫛４２５２のみを用いると、ワイヤステムが右に向かって移動するのを安定化し（図示のように）、又はワイヤステムを右にねじることができる。最上部の櫛対を用いて、ワイヤステムが、それらの形状を構成した後に、全て共通の高さにセン断可能なことも、本発明の範囲内である。本明細書で説明する櫛プレートは、放電加工（ＥＤＭ）工程により適切に形成され、また、シリコン、イリジウム、セラミック、金属、タングステンカーバイド、その他から製作できる。櫛プレート間の小さな間隔は、１０ミル（又は、それより小さい）程度で、容易に達成される。
引っかかりの克服及びワイヤの予備清掃 上記のように、ワイヤステムの成形時に、毛細管に超音波エネルギーを加えることは、ワイヤが毛細管から繰り出される際の引っかかりを克服するうえで有用である。
超音波エネルギー以外の手段を使用して、ワイヤが毛細管から繰り出される際に、ワイヤの引っかかりを低減可能なこと、及びこれらの手段を、上述の超音波エネルギーの代わりに用いて強化可能なことは、本発明の範囲内である。
図４３Ａには、毛細管４３０４（２０４に匹敵）が示され、それを介して延伸する供給ワイヤ４３０２（２０２に匹敵）を有する。毛細管は、図示のように、その本体を介して軸方向に延伸するボアを有する。毛細管の後端部（図で見て、上部）は、ハウジング（カバー）４３２０により蓋が外され、ハウジングは、毛細管の後端部が滑り嵌めされる開口４３２２と、供給ワイヤがそれを介して延伸する開口４３２４と、ハウジングにより閉鎖される内部空洞４３２８と連通するオリフィス４３２６とを有する。不活性ガス、又は「形成」ガスが、圧力をかけて（すなわち、大気圧より上で）、供給容器４３３０により、オリフィス４３２６を経由して、空洞４３２８に供給される。このガスは、例えば、アルゴン、水素、二酸化炭素、又は一酸化炭素である。
ワイヤボンディング時に、ガスは、空洞４３２８へと流れ、そこから、矢印で示すように２つの方向に進む。ガスは、下方へと（図で見て）毛細管を介して流れて、ワイヤが毛細管から繰り出される際に、ワイヤの引っかかりを低減する。ガスは、上方へと（図で見て）流れて、ワイヤが毛細管に入る前に、いかなる異質の粒状物質（例えば、埃）も供給ワイヤから予備清掃する。
ガス送りオリフィス４３３６（４３２６に匹敵）が、毛細管自体に組み込まれ（例えば、ほぼ毛細管の中点で）、それにより別個且つ特異なハウジング（４３２０）の必要性を削除することは、本発明の範囲内である。しかし、毛細管の後端部における開口が通常過大である（例えば、毛細管の後端部への供給ワイヤの通しを容易にするために）限り、好適であるのは、小さな開口（ワイヤ４３０２の直径よりも僅かに大きい）を有するカバー４３４０（４３２０に匹敵）が、毛細管４３４４（４３０３に匹敵）の後端部にわたって配設されて、毛細管の後端部におけるガスの流出量を制御（すなわち、低減）することである。これは、図４３Ｂに示されている。
接触構造の配向 上述のように、複数の接触構造が、例えば矩形アレイ状で、電子コンポーネントに実装可能である。
上記で説明したように、半導体素子等の電子コンポーネントが動作する際に、典型的なのは、それが、通常半導体素子の中央近傍で、半導体素子の膨張を引き起こす熱を発生することである。多くの場合、半導体素子が相互接続されるパッケージ（又はＰＣＢ、その他）が、あまり熱を被らず（というのは、それが熱を発生していないため）、また半導体素子よりは膨張の度合いがずっと少ない。このような熱膨張における差によって、相互接続の一端が、相互接続の他端よりも遠くに配置される結果として、応力が相互接続子に課せられることになる。同じ現象は、熱を発生する半導体パッケージを、印刷回路基板（ＰＣＢ）に接続する際にも生じることになる。
本発明によれば、電子コンポーネントに実装された、複数の成形済み接触構造の配向が、電子コンポーネントと、該電子コンポーネントが相互接続される別の電子コンポーネントとの間の、熱膨張係数の差を吸収すべく構成される。
図４４は、その表面に実装された復元性のある接触構造のアレイを有する、例としての電子コンポーネント４４０２を示す。各接触構造は、この図でドット（塗りつぶし円）で示される。最も角の接触構造４４３０ａ、４４３０ｂ、４４３０ｃ、及び４４３０ｄを全体的に見て示してある。電子コンポーネント４４０２の膨張は、「Ｅ」で表記した矢印で示され、これらは全て、電子コンポーネント４４０２の中央から離れる方向を指す。
この例の場合、復元性のある接触構造の各々は、接触構造のワイヤステムがそこで曲げられる平面として、任意的に規定可能である配向を有する。この図から明らかなように、４つの最も角の接触構造４４３０ａ、４４３０ｂ、４４３０ｃ、及び４４３０ｄは、熱膨張（破線）が、概ね垂直な（例えば、９０度）角度で、接触構造の平面と交差するように配列される。
単純明快な手法は、電子コンポーネントの右上（図で見て）４分の１における接触構造の全てを、接触構造４４３０ａと平行に位置合わせし、電子コンポーネントの右下（図で見て）４分の１における接触構造の全てを、接触構造４４３０ｂと平行に位置合わせし、電子コンポーネントの左下（図で見て）４分の１における接触構造の全てを、接触構造４４３０ｃと平行に位置合わせし、更に電子コンポーネントの左上（図で見て）４分の１における接触構造の全てを、接触構造４４３０ｄと平行に位置合わせすることであろう。しかし、膨張が、電子コンポーネントの中央近傍から概ね半径方向に生じるとすると、各接触構造（そのうちの４つのみを図示）は、膨張ベクトルが、個々に合った適切な角度で、接触構造の平面を通るように配列されることは、本発明の範囲内である。図４４には、接触構造は、例示の明瞭化のために、「４５番目に」位置合わせされて示している。
接触構造の先端「脚部」が、熱膨張の方向で、接触構造のベース「脚部」からオフセットして、熱膨張を吸収するうえで手助けすることも、本発明の範囲内である。
撓み機構 例えば図５Ｆに関連して上記で説明したように、本発明の復元性のある接触構造は、通常、圧縮時に圧縮力に反作用する。ばね定数（ｋ）の範囲は既に説明した。
他の（すなわち、圧縮以外の）撓み機構を作用させて、接触構造の復元特性を強化することは、本発明の範囲内である。
図４５は、図２Ｃに示す接触構造と類似の復元性のある接触構造４５００を示す。接触構造の近位端は、箇所「ａ」において、基板４５０８（２５０８に匹敵）に実装され、また接触構造は、遠位先端を（「ｆ」で表記した箇所に）有する。接触構造の上「脚部」（すなわち、箇所「ｆ」と「ｅ」間の接触構造の垂直部）は、接触構造の下「脚部」（すなわち、箇所「ａ」と「ｂ」間の接触構造の垂直部）からオフセットされる（例えば、ｘ方向に）。圧縮力（「Ｆ」で表記した矢印）が接触構造に課せられると、圧縮力は、「Ｔ」で表記した矢印で示すように、少なくとも部分的に捻れて反作用されることになる。撓み機構としての捻れを、有利に使用して、接触構造の復元及び／又は従順特性を合わせることができる。 好適には、接触構造は、捻れが、接触構造の「腕部」（箇所「ｂ」と「ｃ」間の接触構造の水平部、及び箇所「ｄ」と「ｅ」間の接触構造の水平部）に対して対称的に生じるように成形される。
接触構造が、圧縮、捻れ、引張、曲げ、その他を含む、任意の数の撓み機構により、圧縮力に反作用するように設計（例えば、成形）可能なことは、本発明の範囲内である。更に、追加の力（すわわち、圧縮力に加えて）が、異なる撓み機構と適応可能である。例えば、前の実施例（図４４）の接触構造４４３０ａ−４４３０ｄは、主に捻れて熱膨張を吸収すると同時に、主に圧縮して圧縮力に反作用するように位置合わせ可能である。
インダクタンスの低減 例えば、図５Ｅに関連して上述したように、多くの例において、接触構造の比較的長い全長により課せられるインダクタンスを低減して、インダクタンスの影響を最小限に抑えることが関連する。図５Ｅの前に説明した実施例の場合、エラストマー塊を使用して、ワイヤステムの遠位端と、近位端（又は、もっと正確に言うと、ワイヤステムの遠位端に最も近い、端子上の箇所）との間に、ワイヤステムの全長よりも短い、導電経路を与えた。
２点間の最短経路は、ユークリッド幾何において、直線である。本発明によれば、成形済みのワイヤと関連して、別個且つ特異なワイヤが設けられて、接触構造の遠位端と、その接触構造が実装される端子（例えば）との間に、長さを最小にした導電経路が与えられる。
図４６Ａ−４６Ｆは、図５Ｅのエラストマー塊５６４に関連して説明した技法と同様にして、相互接続すべき２点間の導電経路、ゆえにインダクタンスを最小化する技法を示す。
図４６Ａは、一端において、基板４８０８（２０８に匹敵）上の端子４６１２（２１２に匹敵）にボンディングされた「ジャンパ」ワイヤ４６０２を示す。ジャンパワイヤ４６０２は、前に説明したワイヤステムのようにして、ボンディングされるが、復元性があるようにして機能することは意図していないことが、これから明らかになるであろう。ワイヤ４６０２は、基板４６０８の表面からほぼ真っ直ぐ（図で見て、下方に）延伸せしめられるが、僅かによじれることが好ましい。ワイヤ４６０２は、非常に柔軟なワイヤであるのが好ましく、例えば０．０００８インチの金ワイヤである。
図４６Ｂは、ワイヤ４６０２の遠位部に施された、ホトレジスト等のマスキング層４６０４を示す。これは単純に、液体マスキング材料の容器（不図示）内に、基板を「漬ける」ことにより達成可能である。
図４６Ｃは、工程の次のステップを示し、ここで、マスキング材料４６０４の微小部分が、ワイヤ４６０２の最上部から除去される。これによって、以下で説明するが、後続の保護膜生成（例えば、メッキ）のために、ワイヤ４６０２の材料が露出する。
図４６Ｄは、工程の次のステップを示し、ここで、別のワイヤ４６０６が端子４６１２にボンディングされる。このワイヤ４６０６は、保護膜（上部構造）を支持して復元性のある接触構造を形成するための足場（すなわち、弾力のある形状）となるように、上記のようにして（例えば、図２Ａ及び下記を参照）、成形される（例えば、曲げられる）。結果としての成形済みワイヤステムの遠位端（先端）は、注意深く、ワイヤ４６０２の遠位端に非常に近接、好適にはその直ぐ上に（この図で見た場合、下に）させられる。
図４６Ｅは、工程の次のステップを示し、ここで、ワイヤ４６０２及び４６０６には、上記のようにして（例えば、図５及び下記を参照）、ワイヤ上にニッケルをメッキする等により、保護膜が施される。保護膜４６０８は、ワイヤステム４６０６を完全に覆い（包み込み）、また端子４６１２を覆って、そこにワイヤステム４６０６を確実に固定することになる。保護膜４６０８は又、ワイヤ４６０２の遠位端とワイヤ４６０６の遠位端を、互いに接続することになる。このようにして、ほぼ直線の経路が、端子４６１２と、ワイヤステム４６０６の遠位端との間に生成される。結果としての復元性のある接触構造４６３０は、接触構造の復元性のある部分（すなわち、保護膜付きのワイヤステム４６０６）の全長にかかわらず、このほぼ直線の経路の結果として、低いインダクタンスを示すことになる。
ジャンパワイヤ（４６０２）をマスキングして、それがメッキされる（従って、その柔軟性を保持する）のを防ぐことを伴う、上記の技法に対する代替手法は、ジャンパワイヤとして絶縁ワイヤを利用することである。例えば、絶縁コーティングを有する金ワイヤが、ジャンパワイヤとして利用可能である。（導電コア４６５２と絶縁コーティング４６５４を有する絶縁されたワイヤ４６５０を示す、図４６Ｇを参照されたい。）かかる絶縁されたワイヤは、周知のところであり、その１つの例は、上述の米国特許第4,860,433 号に記載されている。かかる絶縁されたワイヤは、容易に入手可能であり、例えば、半導体ダイをリードフレームにボンディングして、プラスチックモールドの工程時に、ワイヤが互いに短絡するのを防止する際に用いられる。例えば、ポリマー（又は、ウレタン等のプラスチック材料）で覆われた、０．０００８インチの直径を有する金ワイヤが、ジャンパワイヤとして使用可能である。一般に、かかるワイヤ上の絶縁コーティングは、ワイヤの機械的性質にはあまり寄与しない。
使用時には、絶縁されたジャンパワイヤの両端における絶縁が、供給ワイヤを切断する工程時に（すなわち、ジャンパワイヤを端子にボンディングする前で、且つ所望の長さの供給ワイヤを繰り出した後に）融除されて、下にあるワイヤが露出して残される（ボンディング、及びメッキのために）。ジャンパワイヤ４６０２が、コンポーネント４６０８から別のコンポーネント（不図示）への主要な電気経路を与える限り、ワイヤステム４６０６が、導電性である必要はないことは、本発明の範囲内である。
勾配付きワイヤステム 図５Ｇ及び５Ｈに関連して上述したように、結果としての接触構造の特性を修正するために、保護膜の厚さを「合わせる」ことが可能である。
本発明によれば、結果としての接触構造の特性を修正するために、ワイヤステムの厚さを「合わせる」ことも可能である。
図４７は、その近位端により、基板（例えば、電子コンポーネント）４７０８上の端子４７１２に実装された、ワイヤステム４７０２を示す。ワイヤステムの材料に依存して（例えば、アルミニウム）、ワイヤステムの断面を、適切な溶剤（例えば、水酸化カリウム）で、選択的に低減することができる。この図で、ワイヤステムは、その遠位端における最小径の領域から、その近位端にあける最大径の領域へと滑らかな遷移を有するものとして示している。ワイヤステムの近位部分（例えば、図で見て、上部３分の２）のみを溶剤中に浸漬することにより、径に「段差を付ける」ことが可能なことは、本発明の範囲内である。この例のワイヤステムは、例示の明瞭化のために、直線として示している。ワイヤステムの部分を薄くする技法は、弾力のある形状を有するワイヤステムにも等しく適用可能である。
ワイヤステムの除去 上述のように、下にある足場（ワイヤステム）に保護膜が施されて、上にある上部構造（例えば、メッキされた保護膜）の形状が確立されてしまうと、下にあるワイヤステムは、結果としての接触構造の機械的（例えば、構造的）特性全体にはほとんど寄与しない。
本発明によれば、ワイヤステムは、それに保護膜が施された後に除去可能である。
図４８Ａは、その近位端により、基板（例えば、電子コンポーネント）上の端子４８１２に実装された、ワイヤステム４８０２を示す。ホトレジスト等のマスキング材料４８１０が、ワイヤステムの遠位端（先端）の微小部分にわたって施される。次に、図４８Ｂに示すように、ワイヤステムには、上記の技法に従って、ある材料の少なくとも１つの層４８２０で保護膜が施される。次に、図４８Ｃに示すように、マスキング材料４８１０が除去される（例えば、溶解、洗浄、その他により）。この結果として、ワイヤの遠位端が保護膜材料を介して露出した、保護膜付き接触構造となる。次に、図４８Ｄに示すように、ワイヤステムは、接触構造を溶剤（例えば、金ワイヤステムの場合、シアン化カリウム、アルミニウム・ワイヤステムの場合、水酸化カリウム）中に浸漬する等により、少なくとも部分的に除去される。この結果として、中空の上部構造（保護膜）４８２０となる。工程はこの時点で終了でき、結果としての接触構造は、別の電子コンポーネント（不図示）に相互接続するのに適したものとなる。別の電子コンポーネントに、接触構造の遠位端を半田付けする場合、毛細管作用により、除去されたワイヤステムが残した空隙部内へと引き込まれて、相互接続の導電性、及び構造的完全性が強化される。
任意として、追加の保護膜層４８２４が、例えば硬質金の薄い層をメッキする等により施され、この層４８２４は、図４８Ｅに示すように、保護膜４８２０内の中空の開口を充填しようとする。やはり、この例のワイヤステムは、例示の明瞭化のために、直線として示している。
共晶接触先端 一般に、上記の実施例を通じて、他の電子コンポーネントとの接触を確立するのは保護膜材料であり、ワイヤステムは、保護膜材料内に「埋設」される。ワイヤステムが、保護膜材料よりも良好な接触特性（例えば、導電性、腐食耐性、等）を有する場合、保護膜の内側にワイヤステムを「埋設」することは、やや真理に反することとであると思われる。
本発明によれば、ワイヤステムは、接触構造の遠位端において露出することが許可される。
図４９Ａは、以下のようにして製造された、接触構造４９００を示す。ワイヤステム４９０２が、その近位端により、基板４９０８上の端子４９１２に実装され、金ワイヤ等の材料から形成される。スズ等の材料の薄い層４９２０が、金ワイヤステムにわたって施される。ホトレジスト等の少量のマスキング材料４９２２が、スズの保護膜付きワイヤステムの遠位端に施される。（任意として、マスキング材料は、スズの保護膜４９２０を施す前に、ワイヤステム４９０２にわたって施される。）ニッケル等のばね材料の層４９２４が、スズの保護膜付きワイヤステムにわたって施される。次に、マスキング材料４９２２が除去される。この結果として、図４８Ｃに示す接触構造と類似した接触構造となる。
次に、接触構造全体は、金（４９０２）とスズ（４９２０）に、金−スズ共晶体を形成させるのに十分な熱を被る。共晶体を形成することが可能な、金及びスズ以外の材料、例えば鉛及びスズを使用可能なことは、本発明の範囲内である。
次に、接触構造は冷却可能となる。共晶材料の性質は、それが溶融すると膨張することである。例えば、金−スズ共晶体は、最大で４％（体積比）にまで膨張する。ばね材料（例えば、ニッケル）４９２４は、加熱及び冷却サイクルによって影響されない。従って、冷却されると、スズの保護膜付きワイヤステムは、膨張して、接触構造の遠位端から部分的に外れることが強制され、結果として、図４９Ｂに示すような構成となり、ここで、接触構造４９００の最端部は、別の電子コンポーネント上の接触パッドに実装するために、「ろう接が容易」な金−スズ共晶塊である。ろう接が容易な先端は、本質的に、開放終端の保護膜から「浸出」した、元のワイヤステム４９０２（及び、追加の層４９２０）の一部である。共晶ワイヤステムが冷却されると、後に空隙部が残ることになり、これは、図４９Ｃに示す２つの空隙部４９４０で表される。
金の追加の外層が、接触構造の加熱／冷却の前か後に、接触構造に（例えば、ニッケル層にわたって）施されることは、本発明の範囲内である。
ワイヤステムが、その近位端において、接触領域にボンディングされ、その遠位端が露出される（別の電子コンポーネントに接続するために）限り、保護膜が、絶縁（誘電）材料から形成されることは、本発明の範囲内である。（例えば、図４９Ｂ及び４９Ｃを参照されたい。） 微細構造の接触先端 例えば、図１０Ａ−１０Ｉ、及び図１１Ａ−１１Ｆに関連して上記で説明したように、本発明の接触構造は、接触先端と共に製造可能であり、これらは、プローブとして、本発明の復元性のある接触構造を用いることに関連して特に有用である。
図５０Ａは、それらの近位端により、その外部表面に実装された、複数の復元性のある接触構造５０３０を有する、例としての半導体パッケージ５００２を示す。この接触構造は、上記の技法のいずれかに従って形成される。例えば、接触構造は、金ワイヤステムとニッケル保護膜を有する。上記のように、接触構造の遠位端５０３０ａは、共平面となるように容易に製作される。しかし、一般に滑らかとなる（例えば、単純なニッケル保護膜が、ワイヤステムに施される場合）。この図に示すように、ワイヤステム５０３０の遠位端５０３０ａは、表面接地、ＥＤＭ焼き付け、その他のいずれかであって、接触構造の遠位端が、平坦であり、また任意として、微細構造の（粗い、鋸歯状）表面仕上げを有することが保証される。
図５０Ｂは、代替実施例を示し、ここで、半導体パッケージ５０５２が、それらの近位端により、その外部表面に実装された、複数の復元性のある接触構造５０８０を有する。この例の場合、予備製造された接触先端５０９０が、接触構造の遠位端に適用される。接触先端５０９０は、任意の所望の微細構造を有することができ、半田付け、ろう接、その他により、接触構造の端部に取り付けられる。
一般に、微細構造の接触先端を製作するために、各種の方法が存在し、それらには、（ａ）上記のように（例えば、図５Ｃ及び５Ｄを参照）、メッキ工程を制御する等により、先端を固有な微細構造にすること、（ｂ）以前に製造された先端構造（例えば、図１０Ｄの接触先端１０２６を参照）上に、接触構造を「構築」すること、又は（ｃ）接触先端を別個に構築して、それらを接触構造にろう接（又は、その他）すること、が含まれる。
部分コーティング 一般に、上記の実施例を通じて、保護膜（上部構造）は、円筒形輪郭（下にあるワイヤステムを包囲する、円形断面）を既に有している。これは、図４８Ａ−４８Ｅに関連して説明したように、ワイヤステムが除去される例であったとしてもそうである。
本発明によれば、ほぼ半円形輪郭（断面）を有する上部構造が生成可能であり、また任意として、下にある足場が除去可能である。
図５１Ａは、その近位端により、基板５１０８上の端子５１１２に実装された、ワイヤステム５１０２を示す。ホトレジスト等のマスキング材料５１１０の層が、ワイヤステム５１０２の全長にわたって施される。ホトレジストで覆われたワイヤステムは、次に、「Ｌ」で表記した矢印で示すような光（例えば、化学光線）により、側から（例えば、上からではなく）照射され、光に露出したホトレジストの一部が「現像」される。ホトレジストの残りの部分は、ワイヤステムの「影」にあり、現像されない。
次のステップで、図５１Ｂに示すように、部分保護膜付きワイヤステムが、ニッケル等のばね材料５１２０の層で上メッキされる。この結果として、ワイヤステムのまわりで部分的にのみ延伸する保護膜となる（残りは、残留ホトレジストにより、保護膜生成が防止される）。ホトレジストは、次に（任意として）除去されて、工程が終了する。
代替として、図５１Ｃに示すように、残留ホトレジストは除去されて、ワイヤステムは、それが端子５１１２上に塊を形成するように溶融される（接触構造に熱を加えることにより）。
金ワイヤ（５１０２）が、図４９Ａに関連して上記で説明したように、スズの薄い層で最初に被覆されるため、結果としての塊５０１４が共晶体となることは、本発明の範囲内である。
ワイヤステムの中央部への接触 上記図８Ｃの実施例に（例えば）関連して説明したように、幾つかの例において、本発明の接触構造は、接触構造の自由端ではなく、接触構造の中央部により、別の電子コンポーネントに接触する。
電気的接触が、保護膜材料により（例えば、図１８Ｂを参照）、又はワイヤステム材料により（例えば、図４９Ｂを参照）、別の電子コンポーネントに対してなされる例を既に説明した。
本発明によれば、第１の電子コンポーネントに実装される接触構造間の電気的接触を、保護膜材料によってではなく、既に保護膜が施されたワイヤステムの中央部により、なすことが可能である。
図５２Ａは、基板５２０８（２０８に匹敵）にボンディングされた一端５２０２ａと、基板５２０８にボンディングされた他端５２０２ｂとを有する、ワイヤステム５２０２を示す。端部５２０２ａ及び５２０２ｂは共に、基板（電子コンポーネント）５２０８上の同一の接触領域５２１０（１１０に匹敵）にボンディングされる。
ワイヤステムの両端のボンディング（一端のみがボンディングされ、他端は自由であるのとは対照的に）が完了すると、ワイヤステムは、図２Ｆのループ実施例、又は図２Ｇのループ実施例と類似であることが分かる。
図５２Ｂは、次のステップを示し、ここで、ワイヤステムの中間部が、ホトレジスト等でマスキングされるが、これは、図４０Ｃの実施例において、ワイヤステム４８０２の先端がマスキングされたのと同様にしてなされ、すなわちその目的は、ワイヤステムのマスキングされた部分に、後続の保護膜（例えば、メッキ）が施されるのを防止するためである。
図５２Ｃは、次のステップを示し、ここで、マスクされたワイヤステムに、ニッケル等の材料５２２０（４８２０に匹敵）で保護膜が施される。
図５２Ｄは、次のステップを示し、ここでマスク５２１２が除去される。これにより、ワイヤステムの中央部５２０２ｃが、別の電子コンポーネントに接触するために、露出して残される。これに関連して、金は、その優れた導電特性に起因して、ワイヤステムに対する良好な選定であり、保護膜材料５２２０が導電性であることは重要ではない（それが、結果としての接触構造のばね品質を確立することだけが重要である）。
多数の自立型ワイヤステム、単一の切断ステップ 上記で提示した実施例の多くにおいて、ワイヤ（例えば、金ワイヤ）を、電子コンポーネント上の接触領域にボンディングし、成形し（直線を含む）、自立型となるように切断することが可能であることを説明した。このようにして、結果としてのワイヤステムの一方の端部が、電子コンポーネントに取り付けられ、ワイヤステムの他方の（自由な）端部が、別の電子コンポーネントに接触するのに利用可能となる。一般に、これに必要なのは、各ワイヤステムに対して、ボンディング及び切断のステップを繰り返すことにより、各自立型ワイヤステムを個々に形成することである。
本発明によれば、複数の（多数の）自立型ワイヤステムが、複数のボンディングステップと、単一の切断ステップで形成される。
この実施例は、前に説明した図５２Ａ−５２Ｄを参照することで理解され得る。しかし、この場合、ワイヤステム５２０２の端部５２０２ａ及び５２０２ｂは、基板５２０８上の同じ接触領域（５２１０）に、又は２つの特異な接触領域（１１０、１１０、不図示）にボンディングされる。
この実施例の場合、金ワイヤステム（５２０２）には、最初に、スズの薄い層で保護膜が施され、これが最終的に、図４９Ａ及び４９Ｂに関連して上記で説明したようにして、金−スズ共晶体を形成することが一般に好ましい。
この実施例の場合、マスク（５２１２）を除去した後、接触構造が、十分な温度にまで加熱され、それにより、共晶ワイヤステムがリフローされて、接触構造の２つの「脚部」の間の「橋」（中間部）が「倒壊」せしめられ、その結果として、図５２Ｅに示すように、２つの自立型接触構造５２３０及び５２３２となり、その各々は共晶先端（図４９Ｂに匹敵）を有し、その先端（遠位端）は、別の電子コンポーネントに接触するのに適している。
この原理を、図２４Ｃに示すようなループのシーケンスに応用して、ワイヤステムの各々の自由端を切断する（例えば、上記のようなＥＦＯ）必要なく、多数の自立型接触構造を形成可能なことは、本発明の範囲内である。
１つ以上のループの橋を「倒壊」させて、２つ以上の（例えば、ループの数の２倍の）自立型接触構造（又は、保護膜生成前のワイヤステム）を形成するこの技法を、図２Ｆ、１５Ｃ、１６Ｃ、及び２４Ｃに示すようなループ構造に適用可能なことは、本発明の範囲内である。
本発明の１つの実施例によれば、複数の単一ボンディングワイヤを、２つの電子コンポーネント間でループにし、次に切断して、２倍複数の自立型ワイヤステム（又は、保護膜付きワイヤステム）を形成可能である。例えば、図５２Ｆに示すように、単一のワイヤステム５２４２が、第１の電子コンポーネント５２４４に実装された第１の端部５２４２ａと、第２の電子コンポーネントに実装された第２の端部５２４２ｂとを有する。２つの電子コンポーネント５２４４及び５２４６は、半導体ウェーハ上で切り離されていない隣接した半導体ダイとすることができる点を示すために、図１５に注目されたい。
上述のように、一般に好ましいのは、本発明によれば、切り離されていない半導体ダイに実装された接触構造が、ダイのエッジにわてって延伸しないことであり、すなわち２つの隣接したダイ間の領域は、切り目領域であり、そこで、鋸（又は、その他）が、ダイの切り離し（切断）作業を行うことになる。
図５２Ｆに示すように、ワイヤステム５２４２の「橋」部分が、切り鋸５２５０により、ダイを切り離すのと同じ作業で単純に鋸引きされる。図１４Ｆに匹敵する。
切断することなく、多数の自立型接触構造を製作するという概念は、一方の端子から他方の端子へと、又は一方のダイ上の端子から他方のダイ上の端子へと延伸する、単一のワイヤボンディング・ループ（図１５に匹敵）も対処することができる。更に、図２４Ｃに示すようなループのシーケンスも、このようにして扱うことができ、多数の自立型ワイヤステムが後に残され、その各々が、電子コンポーネント上の異なる端子に実装される。
また、例えば、図２６Ｂに示すワイヤステムは、任意の適切な仕方で除去される、それらの最上部を有することができ、それによって、フレームが（例えば）溶解されるのではなく、ダイから分離されることになる。
一般に、ループを形成して（通常、端子から端子へと）、それらの中間部が、任意の適切な仕方で除去され、その結果として、ループ当たり２つの自立型ワイヤステムとなることは、本発明の範囲内である。例えば、ループを、ワックス等の材料中に封止して、互いから脚部を分離するように研磨することが可能である。これは、保護膜生成の前でも後でもなすことが可能である。保護膜生成の後になされる場合、ワイヤステムは露出することになり、図４９Ａ−４９Ｃに関連して上記で説明した技法、及び利点が関係することになろう。
例えば、図５３Ａは、電子コンポーネント５３１４の表面上の端子５３０６、５３０８、５３１０、及び５３１２間に形成された、複数（図示では多くのうち２つ）のループ５３０２及び５３０４（図２Ｆのループ２０２に類似の）を示す。図５３Ｂは、硬質ワックス等の犠牲材料５３２０内に封止された（例えば、ポット詰めされた）ループ５３０２及び５３０４を示す。このようにしてポット詰めされた後、研磨（磨き上げ）工具５３２２が、ポット詰めループに下方へと当てがわれて、ループが切断されるまで、ポット詰め材料５３２０を介して、及びループ５３０２及び５３０４の中間部を研磨する。（これは、図中の「Ｐ」で表記した破線により示される。）次に、ポット詰め材料が除去される（溶融等により）。この結果として、各ループは、２つの自立型ワイヤステム（不図示）となる。ワイヤステム（ループ）に、ポット詰めの前か、研磨した（及び、ポット詰め材料を除去した）後のいずれかで、保護膜が施されることは、本発明の範囲内である。ワイヤステムに、ポット詰めの前に保護膜が施される場合、ワイヤステムは、図４９Ｃに関連して上記で説明したようにして、ろう接可能な先端を形成するために、露出されることになる。
ループ状ワイヤステム（例えば、５３０２）が、一方の電子コンポーネント上の端子から、他方の電子コンポーネント上の端子へと延伸する（２つの端子が、図示のように、同一の電子コンポーネント上にあるのではなく）ことは、本発明の範囲内である。
ループその他から多数のワイヤステムを製造することにより、ループ（及び、最終的には自立型接触構造）が実装される電子コンポーネント（例えば、半導体素子）は、電子的火炎射出技法（上記の）と関連した、損傷を与える可能性のある高電圧（例えば、放電時の数千ボルト）が加えられずに済む。
図５３Ｃ及び５３Ｄは、本発明に従って、電子的火炎射出なく、ループから自立型ワイヤステムを製作するための他の技法を示す。図示のように、電子コンポーネント５３５８上の端子５３６２から延伸するワイヤステム５３５２が、ループへと形成されて、その端子上に（又は、他の電子コンポーネント上の他の端子上に）戻ってボンディングされる。ループの「１つの分岐」（脚部）の実質的な部分が、ホトレジスト等のマスキング材料５３５４で覆われる。ループは次に、材料５３５８で保護膜が施され、ホトレジストが除去され、その時点で、ループの以前にマスキングされた分岐も除去でき、その結果として、図５３Ｄに示すような、自立型で保護膜付きワイヤステムとなる。
平坦なタブ先端、及び相互接続をなす方法 上記のように、接触構造の遠位端（先端）には、幾何形状の接触パッド、その他を設けることができる。例えば、接触構造の先端に、平坦なタブ（圧力プレート）を設けることが可能なことは、本発明の範囲内である。このようにして、外部コンポーネントへの相互接続が容易になされ（半田付け、その他なく）、特に、脆弱な外部コンポーネントへの相互接続が、内部に配設された導電（例えば、金）粒子を有する既知の材料であり、また圧縮すると導電性となる、「ｚ軸導通接着剤」と呼ばれるものの仲介によりなされる。
図５４は、保護膜付きワイヤステム５４０２を示し、その遠位端（先端）には、図１０Ｄ（要素１０２６を参照）に関連して上記で説明した技法と同様にして、平坦なタブ（パッド）が設けられる。電気的相互接続が、至る所に懸架された導電粒子５４１０を有するｚ軸導通接着剤５４０８の手段により、接触構造５４０２から外部の電子コンポーネント５４０６にもたらされる。接触構造５４０２への電子コンポーネント（この図では省略）が、外部コンポーネント５４０６に対して押圧される（矢印「Ｃ」を参照）と、接着剤５４０８は、圧縮されて導電性となる。
利点 上述のように、従来技術は、各種の相互接続形態で充実しているが、通常、各形態は、１つの環境にしか適用できない。
例えば、「慣用的な」ワイヤボンディングは、第１の電子コンポーネント（例えば、半導体ダイ）上の複数の箇所（例えば、接着パッド）と、第２の電子コンポーネント（半導体パッケージ要素）の対応する複数の箇所（例えば、端子）との間に、電気的な接続をなすのに効果的であり、一般に、ワイヤを第１の箇所にボンディングし、ワイヤを少し弛ませて第２の箇所に延ばし、その第２の箇所でワイヤをボンディングすることにより実施される。しかし、かかる形態は、半導体パッケージを印刷回路基板にボンディングするのに、特別価値のあるものではない。
例えば、半導体パッケージの外部表面に、パッケージと、そのパッケージが実装される印刷回路基板との間に電気的接続をなすために、ピン、リード、半田バンプ、その他のアレイを設けることが知られている。しかし、このようにして半導体ダイ等の電子コンポーネントをパッケージ実装するには、パッケージ実装を外部供給することが必要な場合が多く、それには、しばしば割高な多い半導体素子の輸送が伴う。更に、半導体素子を内部に実装すると、パッケージを回収することが困難であり、その結果、パッケージ済みの半導体素子が試験で落ちた場合、パッケージ済みの半導体素子全体が、捨てられることになる。
例えば、ソケットは、半導体パッケージと印刷回路基板の間に一時的な（取り外し可能な）接続をなす手段を与える。しかし、ソケットは一般に、裸の（パッケージ未実装の）半導体コンポーネントに接続することには全く適用できない。
例えば、制限された度合いの復元性を有する接触子が、電子コンポーネント間で接続をなすために知られている。通常、これらの接触子は、キャリアによりそこに配設（支持）され、これは、上述の米国特許第4,705,205 号に例示されている。更に、かかる接触子が、「ばね」としての機能につながる形状（例えば、Ｓ字形状）を有するとしても、これらの接触子が製作される材料は、復元性のある接触構造としてのそれらの機能にはつながらない。更に、キャリアに支持される（そこから延伸するのではなく）かかるどんな接触子も、定義上、自立型ではない。
やや直感的でない利点が生じるのは、ダイ（そこに復元性のある接触構造が実装された）から延伸する接触構造の先端（遠位端）を、印刷回路基板に半田付け（又は、エポキシ付け）する等により、復元性のない仕方で、例えば半導体ダイに実装された、成形済みの復元性のある接触構造を用いることによる（例えば、上記図３６Ａを参照）。本発明のかかるフリップチップ型式の用途において、ある程度の復元性を維持することができる（所望であれば）。更に、高いアスペクト比（高さ：幅）を有する接触構造の「突出した」特性に起因して、清掃性（例えば、半田フラックスの）及び検査性が、伝統的な半田バンプ型式のフリップチップ表面実装工程と比較して、増大される。
本発明の他の直感的でない特徴は、超小型電子用途に接触構造を製造するために、メッキ等の工程を利用することにある。従来技術を検分すると、メッキを通常用いて、本質的な電子コンポーネント（例えば、リードフレームのリード）にわたって、構造的ではなく、保護的なコーティングが設けられることが容易に分かるであろう。更に、金（例えば、金ワイヤステム）にわたって、何れか（例えば、ニッケル）メッキすることは、一般に真理に反することである。というのは、金は、多数の用途で相互接続をなすための選定材料として非常に広く受け入れられるためである。
各種各様の復元性のある接触構造、それらを製造する方法、及びそれらに対する応用例を上記で説明した。
電気メッキ工程が、ワイヤステムに保護膜を施すのに一般に好ましく、硬度、可鍛性、及び引張り強度等の幾つかのパラメータを最適化することが所望される。これらのパラメータを最適化する工程は、経験的となる傾向があり、それによって幾つかの汎用的な目安となり、そのことは例えば、William Safrenekによる「Properties of Electrodeposited Metals and Alloys」という学術文献に記載されている。
図面及び以上の説明において、本発明を詳細に例示及び説明してきたが、本発明は、文言における限定としてではなく、例示として見なされるべきである。すなわち、ここで理解されたいのは、好適な実施例のみを図示及び説明したということ、及び本発明の趣旨内に入る全ての変形及び修正も、望ましく保護されるということである。
例えば、復元性のある接触構造が、電子コンポーネントに適用するために、個々のユニットとして形成可能である。これは、図１２Ａに関連して上記で説明した一括転移実施例と類似しており、そこでは、複数の復元性のある接触構造が、電子コンポーネントへの後続の転移のために、犠牲基板上に形成される。しかし、復元性のある接触構造が、製造され、次に犠牲基板から除去されて、電子コンポーネントに対して個々に後ほど適用する（例えば、自動化設備により）ために、格納されることは、本発明の範囲内である。かかる個々の復元性のある接触構造は、２つの犠牲部材を用いて、復元性のある接触構造が製造された後に、両方の犠牲部材を除去することによっても形成可能であろう。
上記の説明に基づいて、本発明が最も近く属する技術分野の通常の知識を有する者は、如何にして本発明を実施するかを理解されるであろう。それでもやはり、電気接触子技法の基本的理解を与える有用な「手引き」となる参照は、１９７３年、Kenneth E. Pitney 著の「NEY Contact Manual」に見出すことができ、その関連部分を、参照として本明細書に取り込む。例えば、そこに記載されているように、「理想的な」接触子材料は、以下のことを備える。すなわち、（１）収縮抵抗及びバルク抵抗が低くなるような、高い導電率（低い抵抗率）、（２）ジュール熱(Ｉ2Ｒ）が、接触界面から素早く伝導して逃げるような、高い熱伝導率、（３）ａスポットが大きくなり、それにより低い収縮抵抗をもたらす軟性、（４）低い機械的磨耗のための高い硬度、（５）低い機械的磨耗を与えるために、接触子及び片持ち式梁として機能できる能力をもたらす高い強度、（６）延長した保存期間、電気雑音、及び卓越した信頼性のための貴金属性の高い接触子、（７）摩擦ポリマーが過剰でない、極端に薄い潤滑フィルムを形成する能力、（８）低コスト、である。本発明は、これらの基準の多数に合致するが、これらの特性の全てを同時に得ることは不可能である。「NEY Contact Manual」で更に注記されるように、片持ち式梁が、接触構造において重要な役割を果たす多くの場合がある。（単純な片持ち式梁は、その支持体の上に掛かり、またその上に掛かる領域に負荷される一様な断面（その長さを通じて）の梁である。）本発明によれば、上記のように保護膜が施され、実装される基板の表面に対してある角度で（直角でない）配設される、真っ直ぐな（直線）ワイヤステムが、本質的に片持ち梁として機能することになる。本発明の範囲内には、ボンディングワイヤが、電子コンポーネントにボンディングされて、主にその構造的特性のために選定された材料で、保護膜が施される（例えば、メッキされる）どんな場合も含まれる。上記の説明に基づいて、上記の選択した実施例の幾つかの特徴が、上記の他の実施例へと「移植」可能であることを意図する旨を明確に理解すべきであり、かかることは、本発明が最も近く属する技術分野の通常の知識を有する者であれば明白である。例えば、上記の実施例のいずれかにおいて、接触構造は、実質的に純粋な弾性的（例えば、復元的）とすることができ、又は可塑性と弾性の組合せ（例えば、従順性）を示すことが可能である。「復元性のある」という用語を用いるどんな例の場合にも、「従順な」という用語で置き換えでき、それゆえに、復元性の「特別な場合」である。更に、本明細書で用いるように、従順であるどんな接触構造も復元性がある。例えば、ワイヤステムに保護膜が施された後に、ワイヤステムが露出されるのを可能にするために、ワイヤステムの先端（遠位端）をマスキングする（例えば、図４８Ａ−Ｅ、又は図４９Ａ−Ｃを参照）のではなく、ワイヤステムに保護膜を施すことが可能であり（マスキングすることなく）、その結果、ワイヤステムの先端は、ワイヤステムを露出するように根出しされる（研磨又は磨き上げ工具で）。例えば、図４９Ａ−４９Ｃに示すように、ワイヤステムをリフローして膨張させる場合、モールド等の外部工具を、接触構造の遠位端（４９３０）に当てがって、膨張した先端に所望の形状を付与することが可能である。これには、先端がたがね（くさび）形状を有するようにせしめるモールド工具が含まれる。例えば、接触構造の遠位端が、他の電子コンポーネントに「永久的に」取り付けられるいずれの場合でも、これは任意の適切な導電性の塊、例えば半田、又は導電性エポキシで対処することができる。代替として、接触構造の遠位部は、図２８に（例えば）示すように、他の電子コンポーネントのメッキされたホール内で、それ自体を偏倚するように成形可能である。例えば、接触構造が、半導体素子に実装される大抵の場合、一般に好ましいのは、少なくとも近位部、及び基板（半導体素子）の表面上の近位部を囲む領域が、例えばポリマー等の硬化材料で封止されることである。多くの場合、半導体素子全体を、このようにして封止することができる。疑うべくもなく、上記の「主題」に関する多数の他の「変形例」も、本発明の最も近くに属する、当該技術で通常の知識を有する者が想到するであろうし、また本明細書に開示されるような変形例は、本発明の範囲内にあることを意図するものである。例えば、本明細書において記載又は示唆される実施例のいずれかにおいて、マスキング材料（例えば、ホトレジスト）が、基板に施されて、マスクを通過する光への露出、及びマスキング材料の部分の化学的除去（すなわち、慣用的なホトリソグラフ技法）等によってパターニングされる場合、代替技法を使用することもでき、それには、除去しようとするマスキング材料（例えば、ブランケット硬化ホトレジスト）の部分に、適切に平行化された光ビーム（例えば、エキシマ・レーザからの）を向け、それによって、マスキング材料のこれら部分を融除すること、又は適切に平行化された光ビームで、マスキング材料の部分を直接（マスクを使用せずに）硬化し、次いで、未硬化のマスキング材料を化学的に洗浄することが含まれる。例えば、主に上記では、ワイヤステム（コア、足場）が、ワイヤであるとして提示したが、コアが、導電性リボン又はタブ等の伸長平坦要素であり得ることは、本発明の範囲内である。かかるタブは、比較的軟質の金属からなる平坦なシートから容易に打ち抜かれ、次いで、上記のようにして、所望の復元性、及び／又は従順性を示すように保護膜を施すことができる。
明確に理解されたいのは、本発明の復元性のある接触構造が、犠牲基板上に製造され、次にそこから除去されて、後に続く、電子コンポーネントへの実装に適した、複数の離散的な個々の復元性のある接触構造を与えることが可能である、ということである。
更に、明確に理解されたいのは、上部構造である保護膜により保護膜生成されたコアである足場からなる、本明細書に開示した復元性のある接触構造が、「複合相互接続要素」と考えることができる、ということである。
主に上記において、接触力（Ｆ）が、復元性のある接触構造に長手方向で加えられると説明した。換言すると、接触力は一般に、復元性のある接触構造の実装されたベースの方向に、又は（別の見方で）復元性のある接触構造が実装される端子の方向に向けられることになる。例えば、図５Ｆを参照されたい。明確に理解されたいのは、接触力は、復元性のある接触構造をその力に反作用せしめる任意の方向（横方向を含む）に（から）、復元性のある接触構造に加えることができる、ということである。
上記で、如何にして、複数の復元性のある接触構造が、犠牲基板上に以前に製造された複数の接触先端に基づき製造できるかという例を説明した。例えば、図１０Ａ−１０Ｉを参照されたい。明確に理解されたいのは、図９Ｃに示すような複数の予備製造された先端構造が、電子コンポーネントの端子上に予備製造された、復元性のある接触構造の先端にろう接可能である、ということである。
従来技術による供給ワイヤの斜視図であり、その自由（近位）端は、ワイヤボンディング装置のボンディング・ヘッド（毛細管）により、基板にボンディングされる。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、基板上の端子にボンディングされる。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、ホトレジスト層内の開口を介して、基板にボンディングされる。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、ホトレジスト層内の開口を介して、基板に施された金属層にボンディングされる。 本発明による図１Ｃの基板の側面図であり、ワイヤに保護膜が施される。 本発明による図１Ｄの基板の側面図であり、ホトレジスト層が除去されて、金属層が部分的に除去される。 従来技術によるワイヤの側面図であり、その自由端は、犠牲基板とすることができる基板にボンディングされる。 本発明によるワイヤの斜視図であり、その自由端が、既に基板にボンディングされ、ある形状に構成されている。この図は又、本発明による好適なワイヤボンディング装置（スプリンギング装置）の幾つかの構成要素も示している。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成されている。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成されている。 本発明によるワイヤの斜視図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成されている。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成されている。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成されている。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由（近位）端は、既に基板にボンディングされ、その対向（遠位）端も基板にボンディングされている、本発明の「ループ」実施例の場合であり、ワイヤループには、半田で保護膜を施すことができる。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由（近位）端は、既に基板にボンディングされており、復元性のある保護膜を支持することになる形状に構成され、その対向（遠位）端も、基板にボンディングされる。 本発明によるワイヤの側面図であり、その自由端は、既に基板にボンディングされて、真っ直ぐでピン状の形状に構成されている。 本発明による、ワイヤを所望の形状へと構成することに関連した「問題」の概略図であり、ワイヤが、毛細管によりとられる軌道を「進める」又は「遅らす」傾向になることを示す。 本発明による、図３Ａに記載した「問題」に対する「解決策」の概略図であり、毛細管の軌道を注意深くオフセット（変更）して、ワイヤがその所望の形状へと製造されるのを保証できることを示す。 本発明の１つの態様による、基板の上に上昇したワイヤボンディング・ヘッド（毛細管）の側面図であり、ワイヤを切断する電子的火炎射出（ＥＦＯ）を実行するための電極を備える。 本発明の１つの態様による、ワイヤが、図４Ａの技法により既に切断された後の、基板の上に上昇したワイヤボンディング・ヘッド（毛細管）の側面図である。 本発明の１つの態様による、ワイヤが、代替（図４Ｂとは）の技法により既に切断された後の、基板の上に上昇したワイヤボンディング・ヘッド（毛細管）の側面図である。 本発明の１つの態様による、ワイヤが、代替（図４Ｂ及び４Ｃとは）の技法により既に切断された後の、基板の上に上昇したワイヤボンディング・ヘッド（毛細管）の側面図である。 本発明による、ある形状を有するように既に構成され、また、復元性のある接触構造を作り出す材料の多（少なくとも２つの）層で、既に保護膜が施されたワイヤの側面図である。 本発明による、「弾性のある」形状（構成を決定することになる形状）を有するように既に構成され、また、復元性のある接触構造を作り出す材料の単一層で、既に完全に保護膜が施された（「保護膜で包み込まれた」）ワイヤの側面図である。 本発明による、弾性のある形状を有するように既に構成され、また、復元性のある接触構造を作り出す材料の単一層で、既に部分的に保護膜が施された（「保護膜で覆いが付けられた」）ワイヤの側面図である。 本発明による、弾性のある形状を有するように既に構成され、また、その表面上に超小型突起を有する復元性のある接触構造を作り出す材料の単一層で、既に完全に保護膜が施された（「保護膜で包み込まれた」）ワイヤの側面図である。 本発明による、弾性のある形状を有するように既に構成され、また、その表面上に超小型突起を有する復元性のある接触構造を作り出す材料の多（少なくとも２つの）層で、既に完全に保護膜が施された（「保護膜で包み込まれた」）ワイヤの側面図である。 本発明による、弾性のある形状を有するように既に構成され、ある材料層で既に完全に保護膜が施され（「保護膜で包み込まれ」）、更に、従順な導電材料内に既に埋設されたワイヤの側面図である。 本発明による、弾性のある形状に構成され、保護膜が施された（保護膜は、この図から省略している）、代表的な復元性のある接触構造の概略図であり、加えられた偏向力（Ｆ）に応答して偏向する、接触構造の能力を示す。 本発明による、弾性のある形状を有するように既に構成され、少なくとも１つのコーティングで既に完全に保護膜が施され（「保護膜で包み込まれ」）、保護膜（例えば、メッキ）工程時に熱を加えることに関連したワイヤの側面図である。 本発明による、真っ直ぐなピン状の形状を有するように既に構成され、少なくとも１つのコーティングで既に完全に保護膜が施され（「保護膜で包み込まれ」）、保護膜（例えば、メッキ）工程時に熱を加えることに関連したワイヤの側面図である。 本発明による、２つのワイヤステムが、単一の端子に実装されて保護膜生成される１つの実施例の側面図である。 本発明の復元性のある接触構造に対する１つの応用の側面図であり、接触構造が、１つ以上の電子コンポーネント上の各種の段階から「開始」可能であり、また共通の共平面段階で「終了」可能であることを示す。 本発明の復元性のある接触構造に対する１つの応用の側面図であり、接触構造が、１つの電子コンポーネント上のある段階から「開始」可能であり、また１つ以上の電子コンポーネント上の各種の段階で「終了」可能であることを示す。 本発明の復元性のある接触構造に対する１つの応用の側面図であり、接触構造が、第１の電子コンポーネントの表面から「開始」可能であり、また第２の電子コンポーネントの表面で「終了」可能であることを示し、ここで、第２の電子コンポーネントの表面は、第１の電子コンポーネントの表面と平行ではない。 本発明による、パッケージの外部表面上のアレイに配設された復元性のある接触構造のアレイを有する、セラミック半導体パッケージの側面図である。 本発明による、パッケージの外部表面上のアレイに配設された復元性のある接触構造のアレイを有し、またパッケージ内に半導体ダイを相互接続する複数の復元性のある接触構造を有する、プラスチック半導体パッケージの側部断面図で、且つ部分斜視図である。 本発明による、パッケージの外部表面上のアレイに配設された復元性のある接触構造のアレイを有する、ＰＣＢベースの半導体パッケージの側面図である。 本発明による、上成型パッケージの側面図であり、そこで、ボンディングワイヤに保護膜を既に施して、それらの強度、特にそれらの安定性を上成型時に強化している。 本発明による、ループへと構成されたワイヤの側面図であり、ワイヤの遠位端が、犠牲要素にボンディングされている。 本発明による、保護膜生成後の図８Ａのループ化ワイヤの側面図である。 本発明による、犠牲要素の除去が完了した後の図８Ｂのループ化保護膜付きワイヤの側面図である。 本発明の代替実施例による、犠牲要素の除去が完了した後であるが、ワイヤへの保護膜生成が完了する前の図８Ａのループ化ワイヤの側面図である。 本発明による、復元性のあるプローブの１つの実施例において、ある形状に構成され保護膜が施されたワイヤの側面図である。 本発明による、復元性のあるプローブの代替実施例において、ある形状に構成され保護膜が施されたワイヤの側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造用の多層接触パッドの側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第１段階（段階１）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第１段階（段階１）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第１段階（段階１）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の代替実施例の側面図である。 本発明による、復元性のある接触子を有するチッププローブ当てカードを形成するための工程の第２段階（段階２）の代替実施例の側面図である。 本発明による、プローブとして機能するように、構成及び保護膜生成されたワイヤの１つの実施例の側面図である。 本発明による、プローブとして機能するように、構成及び保護膜生成されたワイヤの他の実施例の側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、犠牲基板に復元性のある接触構造を実装するための工程シーケンスを示す側面図である。 本発明による、半導体パッケージの外部表面に、復元性のある接触構造を実装するための「一括転移」技法の側面図である。 本発明による、半導体パッケージの外部表面に、復元性のある接触構造を実装するための「一括転移」技法の側面図である。 本発明による、半導体パッケージの外部表面に、復元性のある接触構造を実装するための「一括転移」技法の側面図である。 本発明による、半導体パッケージの表面における窪みに、復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、プローブカードを製作するための１つの技法の側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造上に、それが実装される基板上で更に安定にするように、外層を配設するための１つの技法の側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造を有し、例えば試験及びエージング用の試験ボードに対して、一時的な（例えば、復元性のある）接続をなす半導体パッケージの側面図である。 本発明による、印刷回路基板に永久的な（例えば、半田付け）接続をなす、図１３Ａの半導体パッケージの側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装するための１つの技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装した後に、それらのダイをウェーハから切り離すための、図１４Ａ−１４Ｅに関して記載した技法と類似した技法の側面図である。 本発明による、半導体ダイに復元性のある接触構造を実装した後に、それらのダイをウェーハから切り離すための、図１４Ａ−１４Ｅに関して記載した技法と類似した技法の側面図である。 本発明による、半導体ウェーハ上の多数のダイサイトに実装された、複数の復元性のある接触構造の部分斜視図である。 本発明による、半導体ダイに実装されて、「ピンアウト」（本明細書で用いる接着パッド間隔）の実効ピッチを増大する、複数の復元性のある接触構造の部分斜視図である。 本発明による、ダイ（ウェーハ上の、又はそこから切断された）上に復元性のある接触構造を形成するための工程の斜視図である。 本発明による、ダイ（ウェーハ上の、又はそこから切断された）上に復元性のある接触構造を形成するための工程の斜視図である。 本発明による、ダイ（ウェーハ上の、又はそこから切断された）上に復元性のある接触構造を形成するための工程の斜視図である。 本発明による、ダイ（ウェーハ上の、又はそこから切断された）上に復元性のある接触構造を形成するための代替（図１６Ａ−１６Ｃとは）工程の斜視図である。 本発明による、一方の頂部に他方をといったように、チップ（半導体ダイ）を積み重ねるのに適した仕方で、復元性のある接触構造を製造するための１つの技法の側面図である。 本発明による、一方の頂部に他方をといったように、チップ（半導体ダイ）を積み重ねるのに適した仕方で、復元性のある接触構造を製造するための１つの技法の側面図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の１つの実施例の斜視図である。 本発明による、２つの電子コンポーネント間に配設された、図１８Ａの介在体の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の斜視図である。 本発明による、２つの電子コンポーネント間に配設された、図１９Ａの介在体の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の斜視図である。 本発明による、２つの電子コンポーネント間に配設された、図２０Ａの介在体の側面図である。 本発明による、設計変更をするのに適した、介在体の他の実施例の斜視図である。 本発明による、介在体の更なる実施例の側面図である。 本発明による、介在体の更なる実施例の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の側面図である。 本発明による、介在体の他の実施例の側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造を取り込む、半導体パッケージの１つの実施例の側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造を取り込む、半導体パッケージの他の実施例の側面図である。 本発明による、外部接触子を有する、フリップチップ対応のバイア無しＰＣＢ基板の側面図である。 本発明による、基板の端子上に形成された、ループ形状の接触子の１つの実施例の部分斜視図である。 本発明による、基板の端子上に形成された、半田バンプ型式の接触子の１つの実施例の部分斜視図である。 本発明による、基板の端子上に形成された、熱相互接触子の実施例の部分斜視図である。 本発明による、基板の端子上に形成された、熱相互接触子の実施例の部分斜視図である。 本発明による、電子コンポーネントに熱拡散構造を設けるための他の実施例の斜視図である。 本発明による、両面印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、その両側に復元性のある接触構造と共に実装された、電子コンポーネントを有する。 本発明による、両面印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、その両側に復元性のある接触構造と共に実装された、電子コンポーネントを有する。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された、１つの電子コンポーネントを有する。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された、１つの電子コンポーネントを有する。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された、幾つかの電子コンポーネントを有する。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された、幾つかの電子コンポーネントを有する。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された幾つかの電子コンポーネントを有し、また他の電子デバイスを取り込んでいる。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された幾つかの電子コンポーネントを有し、また他の電子デバイスを取り込んでいる。 本発明による、電子コンポーネントに対するパッケージ実装方法の１つの実施例の側面図である。 本発明による、電子コンポーネントに対するパッケージ実装方法の１つの実施例の側面図である。 本発明による、電子コンポーネントに対する接続方法の１つの実施例の側面図である。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された、幾つかの電子コンポーネントを有する。 本発明による、電子アセンブリの平面図である。 本発明による、電子アセンブリの平面図である。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された幾つかの電子コンポーネントを有し、また他の電子デバイスを取り込んでいる。 本発明による、印刷回路基板のアセンブリの１つの実施例の側面図であり、そこに復元性のある接触構造と共に実装された幾つかの電子コンポーネントを有する。 本発明による、図３８の実施例の詳細な側面図である。 本発明による、試験インターフェース配列の側面図で、且つ部分分解組立図である。 本発明による、ワイヤステムを形成するために、絶縁（例えば、誘電体）材料を利用する、本発明の１つの実施例の側面図である。 本発明による、ワイヤステムを形成するために、絶縁（例えば、誘電体）材料を利用する、本発明の１つの実施例の側面図である。 本発明による、１つの電子コンポーネント上の接触領域（例えば、端子）にワイヤステムを実装するための代替技法の側面図である。 本発明による、１つの電子コンポーネント上の接触領域（例えば、端子）にワイヤステムを実装するための代替技法の側面図である。 本発明による、１つの電子コンポーネント上の接触領域（例えば、端子）にワイヤステムを実装するための代替技法の側面図である。 本発明による、外部工具を用いて、ワイヤステムを構成するための代替技法の側面図である。 本発明による、外部工具を用いて、２つ以上のワイヤステムを成形するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、外部工具を用いて、２つ以上のワイヤステムを成形するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、外部の櫛状工具を用いて、複数のワイヤステムを成形するための代替技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤボンディング装置の毛細管の側面図である。 本発明による、ワイヤボンディング装置の毛細管の代替実施例の側面図である。 本発明による、複数の復元性のある接触構造が実装される１つの電子コンポーネントの平面図であり、それらの配向は、その電子コンポーネントの熱膨張を吸収するように配列される。 本発明による、基板に実装されて、捻り（Ｔ）における圧縮力（Ｆ）を吸収する、復元性のある接触構造の斜視図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 本発明による、復元性のある接触構造の全体のインダクタンスを低減するための１つの技法を示す側面図である。 従来技術の絶縁されたワイヤの断面図であり、これは、本発明の幾つかの実施例で使用できる。 本発明による、修正された厚さ（例えば、丸いワイヤの場合、直径）を有する、ワイヤステムの側面図である。 本発明による、保護膜生成の後にワイヤステムを除去するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、保護膜生成の後にワイヤステムを除去するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、保護膜生成の後にワイヤステムを除去するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、保護膜生成の後にワイヤステムを除去するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、保護膜生成の後にワイヤステムを除去するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、接触構造上に共晶でろう接対応の先端を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、接触構造上に共晶でろう接対応の先端を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、接触構造上に共晶でろう接対応の先端を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、接触構造に微細構成（ラフ）先端を設けるための技法の斜視図である。 本発明による、接触構造に微細構成（ラフ）先端を設けるための技法の斜視図である。 本発明による、部分的保護膜を備えた接触構造を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、部分的保護膜を備えた接触構造を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、部分的保護膜を備えた接触構造を形成するための１つの技法の側面図で、且つ部分断面図である。 本発明による、ワイヤステムの露出した中間部に対して相互接続をなす復元性のある接触構造を製造するための技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤステムの露出した中間部に対して相互接続をなす復元性のある接触構造を製造するための技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤステムの露出した中間部に対して相互接続をなす復元性のある接触構造を製造するための技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤステムの露出した中間部に対して相互接続をなす復元性のある接触構造を製造するための技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤステムを切断することなく、多数の自立型の接触構造を製造するための１つの技法の斜視図である。 本発明による、ワイヤステムを切断することなく、多数の自立型の接触構造を製造するための代替技法の側面図である。 本発明による、ワイヤステムを切断することなく、多数の自立型の接触構造を製造するための代替技法の側面図である。 本発明による、ワイヤステムを切断することなく、多数の自立型の接触構造を製造するための代替技法の側面図である。 本発明による、電子的火炎射出することなく、この場合ループから、自立型のワイヤステムを製作するための技法を示す側面図である。 本発明による、電子的火炎射出することなく、この場合ループから、自立型のワイヤステムを製作するための技法を示す側面図である。 本発明による、外部コンポーネントに相互接続する接触構造の一部を示す側面図である。
符号の説明
５０２ ワイヤ５０８ 基板５３０ ワイヤステム５２２、５４０ コーティング層

Claims (363)

  1. 電気的接触構造を製造する方法において、弾力のある形状を有するように、柔軟な伸長部材を構成するステップであって、該伸長要素はある長さを有する、ステップと、保護膜材料を、その構造的特性に対して選択するステップと、上記伸長部材上に保護膜材料を施すステップと、を含む方法。
  2. 結果としての接触構造は、弾性と可塑性の両方を呈示する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記伸長部材は、結果としての復元性のある接触構造に対して、足場として機能し、前記保護膜材料は、結果としての復元性のある接触構造に対して、上部構造として機能する、請求項１に記載の方法。
  4. 前記保護膜を施した後に、適所に前記伸長部材を残すステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記保護膜を施した後に、前記伸長部材を少なくとも部分的に除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記保護膜を施した後に、前記伸長部材を完全に除去するステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
  7. 前記伸長部材は、ある溶融温度を有する第１の材料から製作され、前記保護膜材料を施す前に、上記第１の材料とは異なり、また上記第１の材料で合金を形成することが可能である、第２の材料で前記伸長部材をコーティングするステップを更に含み、上記合金は、第１の材料の溶融温度よりも低い溶融温度を有する、請求項１に記載の方法。
  8. 前記保護膜を施した後に、前記合金を形成するために、結果としての復元性のある接触構造を加熱するステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記伸長部材は金ワイヤであり、前記保護膜材料を施す前に、上記金ワイヤにわたってスズの層を施すステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
  10. 前記保護膜材料は、一組の構造的性質を有し、前記結果としての復元性のある接触構造は、前記保護膜材料の構造的性質により主に決定される復元性を有する、請求項１に記載の方法。
  11. 前記伸長部材は、一組の物理的性質を有し、前記結果としての復元性のある接触構造は、前記保護膜の構造的性質、及び前記伸長部材の物理的性質により決定される従順性を有する、請求項１に記載の方法。
  12. 前記保護膜材料は、メッキにより前記伸長部材に施される、請求項１に記載の方法。
  13. 前記伸長部材をメッキする間、前記伸長部材の長さに沿って、熱勾配を生成するために、熱を加えるステップを更に含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記保護膜材料の厚さを、前記伸長部材の一方の端部において、前記伸長部材の対向する端部においてよりも大きくならしめるステップを更に含む、請求項１２に記載の方法。
  15. 弾力のある形状を有するように、前記伸長部材を構成するステップの前に、基板上の接触領域に、前記伸長部材の近位端をボンディングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  16. 前記伸長部材の近位端は、ワイヤボンディング装置により、前記接触領域にボンディングされる、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記伸長部材の長さに沿って、且つ前記接触領域にわたって、前記保護膜材料を施すステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
  18. 前記保護膜材料は、前記接触領域にわたって、且つ前記伸長部材の長さに沿って連続的となるように施される、請求項１７に記載の方法。
  19. 弾力のある形状を有するように、前記伸長部材を構成するステップの後に、遠位端を有するように、前記伸長部材を切断するステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
  20. 電極からの放電により、前記伸長要素を切断するステップを更に含む、請求項１９に記載の方法。
  21. 電極からの放電により、前記伸長要素を切断する間、紫外光により、前記伸長部材の少なくとも１つ、及び前記電極を照射するステップを更に含む、請求項２０に記載の方法。
  22. 工具により、前記伸長部材を切断するステップを更に含む、請求項１９に記載の方法。
  23. 前記伸長部材を構成する間、超音波振動を前記伸長部材に加えるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  24. 前記保護膜材料は導電性である、請求項１に記載の方法。
  25. 前記保護膜材料は多層の材料からなり、前記保護膜のうちの少なくとも１つが導電性である、請求項１に記載の方法。
  26. 前記保護膜は、金属の電解又は無電解水溶液メッキと、化学的蒸着法（ＣＶＤ）と、物理的蒸着法（ＰＶＤ）と、気体、液体、又は固体の先行物質の分解、又は反応を通じて、材料の堆積を引き起こす任意の工程とを含む、湿式電気化学的技法からなるグループから選択された１つの技法により施される、請求項１に記載の方法。
  27. 前記伸長部材の自由端に、接触パッドを取り付けるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  28. 前記接触パッドは、前記保護膜材料を施す前に、前記伸長部材の一方の端部に取り付けられる、請求項２７に記載の方法。
  29. 前記接触パッドは、前記保護膜材料を施した後に、前記伸長部材の一方の端部に取り付けられ、前記接触パッドを取り付けた後に、追加の保護膜材料を施すステップを更に含む、請求項２７に記載の方法。
  30. 前記接触パッドの表面上に、所望の微細構造を形成するステップを更に含む、請求項２７に記載の方法。
  31. 前記結果としての復元性のある接触構造の自由端に、所望の微細構造を付与するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  32. ２つの電子コンポーネントを電気的に相互接続する方法において、第１の電子コンポーネントの表面上の接触領域に、柔軟なワイヤの近位端をボンディングするステップと、弾力のある形状を有するように、上記ワイヤを構成するステップと、遠位端を有するように、上記ワイヤを切断するステップと、上記ワイヤ及び上記接触領域に、導電性で復元性のある材料で保護膜を施し、それにより、近位端により上記第１の電子コンポーネントに実装され、また遠位端を有する、自立型の復元性のある接触構造を形成するステップと、第２の電子コンポーネント上の接触領域を、上記復元性のある接触構造の遠位端と接触させるステップと、を含む方法。
  33. 前記自立型の復元性のある接触構造は、可塑性と弾性の両方を呈示する、請求項３２に記載の方法。
  34. 半田と導電性エポキシからなるグループから選択された導電材料により、前記第２の電子コンポーネントに、前記自立型の復元性のある接触構造の遠位端を取り付けるステップを更に含む、請求項３２に記載の方法。
  35. 前記第２のコンポーネント上の接触領域に接触させる前に、前記柔軟なワイヤの遠位端に、接触パッドを実装するステップを更に含む、請求項３２に記載の方法。
  36. 介在体を製造する方法において、それを介して延伸する穴を有する介在体基板を供給するステップと、犠牲基板を供給するステップと、該犠牲基板上に、復元性のある接触構造を製造するステップと、該復元性のある接触構造を、上記穴を介して延伸せしめ、また上記穴内で懸架せしめるステップと、上記犠牲基板を除去するステップと、を含む方法。
  37. 前記復元性のある接触構造を、弾性材料により、前記介在体基板の穴内で懸架せしめるステップを更に含む、請求項２６に記載の方法。
  38. 前記介在体基板の穴内で、前記復元性のある接触構造を半田付けするステップを更に含む、請求項３６に記載の方法。
  39. １つの電子コンポーネントに、複数の接触構造を実装する方法において、犠牲基板上に、複数の電気的接触構造を製造するステップであって、該電気的接触構造の各々は、上記犠牲基板から延伸する先端を有する、ステップと、上記犠牲基板を、上記電気的接触構造の先端が、上記電子コンポーネントに接触するように、電子コンポーネントと近接させるステップと、単一のステップで、上記電気的接触構造を、それらの先端により、上記電子コンポーネントに実装するステップと、上記電気的接触構造を上記電子コンポーネントに実装した後に、上記犠牲基板を除去するステップと、を含む方法。
  40. 前記犠牲基板を除去した後に、前記電気的接触構造をメッキするステップを更に含む、請求項３９に記載の方法。
  41. ２つの電子コンポーネント間の電気的接続において、少なくとも１つの導電層を有する金属性のコーティングから本質的になる導電経路であって、該金属性のコーティングは、伸長部材上に配設され、上記コーティングは、２つの電子コンポーネント間で延伸し、且つ２つの電子コンポーネントを相互接続する、導電経路からなる電気的接続。
  42. 前記コーティングは、少なくとも１つの層を有するメッキである、請求項４１に記載の電気的接続。
  43. 前記伸長部材はワイヤである、請求項４１に記載の電気的接続。
  44. 前記ワイヤは導電性である、請求項４３に記載の電気的接続。
  45. 前記ワイヤは、金及びその合金からなるグループから選択される、請求項４３に記載の電気的接続。
  46. 前記ワイヤは、アルミニウム、銅、プラチナ群の金属、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択される、請求項４３に記載の電気的接続。
  47. 前記コーティングは、ある材料から選択され、前記伸長部材は、前記電気的接続に復元性を付与するように構成される、請求項４１に記載の電気的接続。
  48. 前記コーティングは、ニッケル及びその合金からなるグループから選択された材料である、請求項４１に記載の電気的接続。
  49. 前記コーティングは、銅、コバルト、鉄、及びそれらの合金と、Ｎｉ／Ｆｅ／Ｃｏ材料とからなるグループから選択された材料である、請求項４１に記載の電気的接続。
  50. 前記コーティングは、金、銀、プラチナ群の元素、貴金属又は準貴金属、それらの合金、タングステン、コバルト、亜鉛、スズ、半田、及び銅からなるグループから選択された材料である、請求項４１に記載の電気的接続。
  51. 電子アセンブリにおいて、エッジ間に、互いに近接して、印刷回路基板の少なくとも１つの側に実装された、複数の半導体ダイであって、該半導体ダイの各々は、半導体ダイの各々に実装された自立型の復元性のある接触構造によって、印刷回路基板に電気的に接続される、複数の半導体ダイからなる、電子アセンブリ。
  52. 前記半導体ダイはメモリ素子である、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  53. 前記電子アセンブリは、シングル・インライン・メモリ・モジュール（ＳＩＭＭ）である、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  54. 前記復元性のある接触構造は従順性がある、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  55. 前記半導体ダイは、前記印刷回路基板の両側に実装される、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  56. 前記自立型の復元性のある接触構造は、前記半導体ダイにワイヤを個々にボンディングし、上記ワイヤに互いに同時に保護膜を施すことにより形成される、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  57. 前記自立型の復元性のある接触構造は、犠牲基板にワイヤを個々にボンディングし、上記ワイヤをメッキし、単一のステップで、前記半導体ダイのうちの少なくとも１つに、メッキされたワイヤを一括転移することにより形成される、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  58. 前記メッキされたワイヤを一括転移した後に、前記メッキされたワイヤを更にメッキすることから更になる、請求項５７に記載の電子アセンブリ。
  59. 前記復元性のある接触構造の少なくとも一部を封止する材料を硬化させることから更になる、請求項５１に記載の電子アセンブリ。
  60. 足場上に上部構造を生成する方法において、電子コンポーネント上に、少なくとも１つの足場を実装するステップと、上記少なくとも１つの足場上に上部構造を形成するために、メッキ槽内に基板を配設するステップと、を含む方法。
  61. 前記少なくとも１つの足場をメッキする前に、弾力のある形状を有するように、前記少なくとも１つの足場の各々を構成するステップを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  62. 前記少なくとも１つの足場をメッキする間、前記電子コンポーネントを加熱するステップを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  63. 前記結果としてのメッキは、前記メッキの最も厚い部分から前記メッキの最も薄い部分へと、少なくとも１．５：１の厚さ勾配を呈示する、請求項６２に記載の方法。
  64. 少なくとも２つの足場が、前記電子コンポーネントに実装され、前記足場は、前記基板に実装された近位端と、遠位端を有する自立型であり、前記足場を、それらの近位端におけるよりも、それらの遠位端において大きな間隔を有するように構成するステップを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  65. 前記足場は、前記基板に実装された近位端と、遠位端を有する自立型であり、前記少なくとも１つの足場をメッキする前に、前記足場の遠位端に、マスキング材料を施すステップと、前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップとを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  66. 前記マスキング材料を除去した後に、前記足場を更にメッキするステップを更に含む、請求項６５に記載の方法。
  67. 前記足場上に前記上部構造を形成した後に、前記足場を露出させるために、前記上部構造の一部を除去するステップを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  68. 前記足場をメッキする前に、前記足場と合金を形成するのに適しており、また、前記足場の溶融温度よりも低い溶融温度を呈示する材料を、前記足場上に施すステップを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  69. 前記足場は、前記電子コンポーネントに実装された近位端を有し、また遠位端を有する自立型であり、前記少なくとも１つの足場をメッキする前に、前記足場の遠位端に、マスキング材料を施すステップと、前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップと、上記マスキング材料を除去した後に、メッキされた足場を加熱するステップとを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  70. 前記足場は、前記電子コンポーネントに実装された近位端をと、遠位端と、それらの間にある長さとを有する自立型であり、前記少なくとも１つの足場をメッキする前に、前記足場の各々の一方の側に、マスキング材料を施すステップと、前記足場をメッキした後に、上記マスキング材料を除去するステップと、上記マスキング材料を除去した後に、メッキされた足場を加熱するステップとを更に含む、請求項６０に記載の方法。
  71. 伸長部材上にメッキを設ける方法であって、該メッキは、伸長部材の他方の端部においてよりも、伸長部材の一方の端部において大きな厚さを有しており、該方法が、メッキ槽内にメッキすべき伸長部材を配設するステップと、伸長部材をメッキする間、伸長部材の一方の端部が、伸長部材の対向した端部とは異なる温度になるように、伸長部材に沿って温度勾配を生成するステップと、を含む方法。
  72. 抵抗性熱要素、熱結合デバイス、ペルチェ型式デバイス、白熱輻射熱源、及び可干渉性光源からなるグループから選択された熱源により、前記温度勾配を生成するステップを更に含む、請求項７１に記載の方法。
  73. ２つ以上の自立型の復元性のある接触構造を製作する方法において、２つの端部を有するループを形成するステップであって、該２つの端部のうちの第１の端部が、第１の端子に取り付けられ、該２つの端部のうちの第２の端部が、第２の端子に取り付けられ、上記ループの中間部が、上記ループに沿ったほぼ中間に配設され、第１の脚部が、上記第１の端部から上記中間部へと延伸し、第２の脚部が、上記第２の端部から上記中間部へと延伸する、ループを形成するステップと、上記中間部を除去するステップと、を含む方法。
  74. 前記中間部を除去する前に、前記ループに保護膜を施すステップを更に含む、請求項７３に記載の方法。
  75. 前記中間部を除去した後に、前記ループに保護膜を施すステップを更に含む、請求項７３に記載の方法。
  76. 前記中間部を除去する前に、前記ループを硬化材料で封止するステップを更に含む、請求項７３に記載の方法。
  77. 研磨により、前記中間部を除去するステップを更に含む、請求項７６に記載の方法。
  78. 前記中間部を除去した後に、前記封止材料を除去するステップを更に含む、請求項７７に記載の方法。
  79. 電子コンポーネントに突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記コンポーネントにボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記コンポーネントから突出するステムを形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第１のステム端部を有する、ステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記コンポーネントの隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含む方法。
  80. 前記切断ステップの前に、前記コンポーネントに前記第２のステム端部をボンディングするステップを更に含む、請求項７９に記載の方法。
  81. 電子コンポーネントに突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記コンポーネントにボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記コンポーネントから突出するステムを形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第１のステム端部を有する、ステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記コンポーネントの隣接した表面に覆いを付けるために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含む方法。
  82. 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項７９に記載の方法。
  83. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記コンポーネントにボンディングされることを更に含む、請求項８２に記載の方法。
  84. 電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第１のステム端部を有する、ステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含む方法。
  85. 前記切断ステップの前に、前記端子に前記第２のステム端部をボンディングするステップを更に含む、請求項９３に記載の方法。
  86. 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項８４に記載の方法。
  87. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記端子にボンディングされることを更に含む、請求項８６に記載の方法。
  88. 電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第１のステム端部を有する、ステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記端子の隣接した表面に覆いを付けるために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含む方法。
  89. 前記切断ステップの前に、前記端子に前記第２のステム端部をボンディングするステップを更に含む、請求項８８に記載の方法。
  90. 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項８８に記載の方法。
  91. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記端子にボンディングされることを更に含む、請求項９０に記載の方法。
  92. 電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部と、ある長さを有するワイヤを供給するステップと、第１のボンディングステップにおいて、上記送り端部を上記端子にボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出するステムを形成するステップであって、該ステムは、上記ボンディングされた送り端部である、第１のステム端部を有する、ステップと、上記ワイヤの長さに沿った中間部を上記端子に順次的にボンディングし、ボンディングの各対の間に突出したステム部分を形成するステップと、最終のボンディングステップにおいて、骨格を規定するために、上記ワイヤを切断するステップと、上記骨格、及び上記電子コンポーネントの隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含む方法。
  93. 電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出して第１のステム端部を有する、ステムを形成するステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含み、更に、複数の端子に関して上記方法を実行するステップを含み、上記形成ステップの結果として、複数の自立型の突出したステムとなり、上記切断ステップは、共通の平面内でそれぞれのステム全てに関して行われることを含む方法。
  94. 前記端子は異なる平面にある、請求項９３に記載の方法。
  95. 少なくとも１つの電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項９３に記載の方法。
  96. 前記ワイヤの断面は矩形である、請求項９３に記載の方法。
  97. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項９３に記載の方法。
  98. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項９３に記載の方法。
  99. 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項８１に記載の方法。
  100. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記コンポーネントに密接にボンディングされることを更に含む、請求項９９に記載の方法。
  101. 前記切断ステップの前に、前記電子コンポーネントに前記第２のステム端部をボンディングするステップを更に含む、請求項８１に記載の方法。
  102. 前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを更に含む、請求項８１に記載の方法。
  103. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記コンポーネントにボンディングされることを更に含む、請求項８１に記載の方法。
  104. 前記切断ステップの各々の前に、前記第２のステム端部の各々が、前記端子にボンディングされることを更に含む、請求項８５に記載の方法。
  105. 前記切断ステップは、前記第１のボンディングステップと実質的に同じ場所で生じ、前記突出するステム部分は、ボンディングされた空間領域を規定する、請求項９２に記載の方法。
  106. 前記導電材料は半田である、請求項１０５に記載の方法。
  107. 前記半田は、前記骨格、及び前記ボンディングされた空間領域を覆う、請求項１０６に記載の方法。
  108. 前記ボンディングされた空間領域の半田が、ヒートシンクと接触状態になるように、上記ヒートシンク上に前記電子コンポーネントを配設するステップを更に含む、請求項１０７に記載の方法。
  109. 前記ボンディングされた空間領域の半田が、基板と接触状態になるように、上記基板上に前記電子コンポーネントを配設するステップを更に含む、請求項１０７に記載の方法。
  110. 前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項７９に記載の方法。
  111. 前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項８１に記載の方法。
  112. 前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項８４に記載の方法。
  113. 前記電子コンポーネント上の複数の端子に関して実行される、請求項９２に記載の方法。
  114. 前記電子コンポーネント上の複数の端子上の複数のワイヤに関して実行される、請求項８４に記載の方法。
  115. 前記第２の端部の前記切断ステップは、前記ワイヤを溶融することにより行われる、請求項８４に記載の方法。
  116. 前記第２の端部の前記切断ステップは、機械的セン断により行われる、請求項８４に記載の方法。
  117. 複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項７９に記載の方法。
  118. 複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項８０に記載の方法。
  119. 複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項８１に記載の方法。
  120. 複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項８２に記載の方法。
  121. 複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項８４に記載の方法。
  122. 複数の端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成される、請求項８６に記載の方法。
  123. 前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項７９に記載の方法。
  124. 前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項８０に記載の方法。
  125. 前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項８１に記載の方法。
  126. 前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項８２に記載の方法。
  127. 前記導電材料には、その表面に多数の微小突起が設けられる、請求項８４に記載の方法。
  128. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項７９に記載の方法。
  129. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項８０に記載の方法。
  130. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項８１に記載の方法。
  131. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項８２に記載の方法。
  132. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項８４に記載の方法。
  133. 前記骨格、及び前記電子コンポーネントの少なくとも隣接した表面を包み込む前記導電材料は、複数の異なる層からなる、請求項８６に記載の方法。
  134. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項７９に記載の方法。
  135. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項８０に記載の方法。
  136. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項８１に記載の方法。
  137. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項８２に記載の方法。
  138. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項８４に記載の方法。
  139. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含む、請求項８６に記載の方法。
  140. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８０に記載の方法。
  141. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８０に記載の方法。
  142. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８１に記載の方法。
  143. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８２に記載の方法。
  144. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８４に記載の方法。
  145. 複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを更に含み、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、前記堆積ステップは、各々互いに異なる複数の層の配置を含み、導電層からなる前記層の少なくとも１つは、一致する端子に嵌合する際に、前記突出した導電性接触子の接触抵抗を低減するために、ぎざぎざの微細構造を有する、請求項８６に記載の方法。
  146. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項７９に記載の方法。
  147. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項８０に記載の方法。
  148. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項８１に記載の方法。
  149. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項８２に記載の方法。
  150. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項８４に記載の方法。
  151. 前記堆積は、イオン溶液中の電気化学的メッキの工程により実行される、請求項８６に記載の方法。
  152. 前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項７９に記載の方法。
  153. 前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項８１に記載の方法。
  154. 前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項８４に記載の方法。
  155. 前記導電材料は、無電解メッキ工程により堆積される、請求項８８に記載の方法。
  156. 前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項７９に記載の方法。
  157. 前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項８１に記載の方法。
  158. 前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項８４に記載の方法。
  159. 前記導電材料の堆積時に、前記導電材料に圧縮性の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項８８に記載の方法。
  160. 電子コンポーネント上の導電性端子に、突出した導電性接触子を実装するための方法において、連続した送り端部を有するワイヤを供給するステップと、該送り端部を上記端子にボンディングするステップと、ボンディングされた送り端部から、上記端子から突出して第１のステム端部を有する、ステムを形成するステップと、骨格を規定するために、第２のステム端部において、上記ステムを切断するステップと、上記骨格、及び上記端子の隣接した表面を包み込むために、金属性の導電材料を堆積するステップと、を順次的に含み、更に、前記切断ステップの後に、所定数のステムが前記骨格を構成するために、前記ボンディングステップ、前記形成ステップ、及び前記切断ステップを順次的に続けるステップを含み、更に、複数の前記端子に関して前記方法を実行するステップを含み、上記形成ステップの結果として、複数の自立型の突出したステムとなり、上記切断ステップは、共通の平面内でそれぞれのステム全てに関して行われることを含む方法。
  161. 前記端子は異なる平面にある、請求項１６０に記載の方法。
  162. 少なくとも１つの電子コンポーネント上の複数の前記端子に関して実行される前記方法であって、前記骨格の形状、及び前記導電材料の機械的性質は、前記突出した導電性接触子に復元性を付与するために、集約して編成され、切断ステップは、共通の平面内の全ての前記ステムに関して行われることを含む、請求項８６に記載の方法。
  163. 前記ワイヤの断面は矩形である、請求項７９に記載の方法。
  164. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８１に記載の方法。
  165. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８４に記載の方法。
  166. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８８に記載の方法。
  167. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項７９に記載の方法。
  168. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項８１に記載の方法。
  169. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項８４に記載の方法。
  170. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項８８に記載の方法。
  171. 前記ワイヤは、金、銀、ベリリウム、銅、アルミニウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、カドミウム、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、燐、硼素、ニッケル、マグネシウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作される、請求項９２に記載の方法。
  172. 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項７９に記載の方法。
  173. 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８１に記載の方法。
  174. 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８４に記載の方法。
  175. 前記導電材料は、複数の層として堆積され、前記導電材料の層のうちの少なくとも１つは、ニッケル、燐、硼素、コバルト、鉄、クロム、銅、亜鉛、タングステン、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、カドミウム、アンチモン、金、銀、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属である、請求項８８に記載の方法。
  176. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項７９に記載の方法。
  177. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８０に記載の方法。
  178. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８１に記載の方法。
  179. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８２に記載の方法。
  180. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウムとその合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８４に記載の方法。
  181. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８６に記載の方法。
  182. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項８８に記載の方法。
  183. 電子コンポーネント上の少なくとも１つの端子に関して、前記方法を実行するステップを更に含み、前記ワイヤは主に、金、銅、アルミニウム、銀、鉛、スズ、インジウム、及びそれらの合金からなるグループから選択された金属から製作され、前記骨格は、ニッケル、コバルト、硼素、燐、銅、タングステン、チタン、クロム、及びそれらの合金からなるグループから選択された、導電材料の第１の層でコーティングされ、前記導電材料の上部層は、鉛、スズ、インジウム、ビスマス、アンチモン、金、銀、カドミウムとその合金、及びそれらの合金からなるグループから選択された半田である、請求項９２に記載の方法。
  184. 前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配設される障壁層を更に含む、請求項７９に記載の方法。
  185. 前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配設される障壁層を更に含む、請求項８４に記載の方法。
  186. 前記導電材料は、前記ワイヤステムと反応し、前記ワイヤステムと反応せず、前記ワイヤステムと前記導電材料の間に配設される障壁層を更に含む、請求項８６に記載の方法。
  187. 前記電子コンポーネントの２つの表面の各々は、そこに実装された少なくとも１つの突出した接触子を有する、請求項７９に記載の方法。
  188. 前記電子コンポーネントの２つの表面の各々は、そこに実装された少なくとも１つの突出した接触子を有する、請求項８１に記載の方法。
  189. 前記電子コンポーネントの２つの表面の各々は、そこに実装された少なくとも１つの突出した接触子を有する、請求項８４に記載の方法。
  190. 前記電子コンポーネントの２つの表面の各々は、そこに実装された少なくとも１つの突出した接触子を有する、請求項８８に記載の方法。
  191. 前記電子コンポーネントの２つの表面の各々は、そこに実装された少なくとも１つの突出した接触子を有する、請求項９２に記載の方法。
  192. 前記ワイヤはＳ字形状である、請求項７９に記載の方法。
  193. 前記ワイヤはＳ字形状である、請求項８１に記載の方法。
  194. 前記ワイヤはＳ字形状である、請求項８４に記載の方法。
  195. 前記ワイヤはＳ字形状である、請求項８８に記載の方法。
  196. 前記ワイヤはＳ字形状である、請求項９２に記載の方法。
  197. 電子コンポーネントの表面から延伸する、復元性のある接触構造を形成する方法において、電子コンポーネントの表面から、初期には第１の方向に延伸するように、上記電子コンポーネントの上記表面上の端子に、ワイヤの一つの端部をボンディングするステップと、少なくとも２つの曲げ部を含む形状を有するように、上記ワイヤを構成するステップと、上記ワイヤを切断するステップであって、該切断ステップの結果、上記ワイヤの切断された端部が、概ね上記第１の方向に延伸する、切断ステップと、上記ワイヤ、及び上記ワイヤのボンディングされた端部を取り囲む領域に、導電性の金属性材料で、保護膜を施すステップとを含み、上記ワイヤの形状、及び上記金属性材料の機械的性質が、上記ワイヤ、及び上記金属性材料からなる、結果としての復元性のある接触構造に、復元性を付与するように協働する方法。
  198. 電子コンポーネント上に導電性接触子を製造するための方法において、ワイヤの一つの端部を、電子コンポーネントの表面上の第１の領域にボンディングするステップと、上記電子コンポーネントの上記表面から、ワイヤステムとして延伸するように、上記ワイヤを成形するステップと、上記ワイヤステムが、自由端とある長さを有するように、上記ワイヤステムを切断するステップと、上記ワイヤステム上に、少なくとも１つの層を有する導電性コーティングを堆積するステップとを含み、該導電性コーティングは、上記ワイヤステムの少なくとも一部分を覆い、該ワイヤステムの部分は、上記ワイヤステムのボンディングされた端部に始まり、その長さに沿って連続し、上記導電性コーティングは、上記電子コンポーネントの上記表面上の第２の領域を覆い、該第２の領域は、上記第１の領域よりも大きく、且つ上記第１の領域を包囲する方法。
  199. 前記導電性コーティングは、前記ワイヤステムの全長を覆う、請求項１９８に記載の方法。
  200. 前記導電性コーティングのうちの少なくとも１つの層が、前記ワイヤステムの全長に沿って堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  201. 前記導電性コーティングは、前記ワイヤステムの前記長さの一部分のみを覆う、請求項１９８に記載の方法。
  202. ワイヤのスプールから前記ワイヤを供給するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  203. 前記第１の領域は、前記電子コンポーネントの前記表面上に配設された導電性端子である、請求項１９８に記載の方法。
  204. 前記第１の領域は、導電性端子の第１の部分であり、前記第２の領域は、上記導電性端子の第２の部分である、請求項１９８に記載の方法。
  205. 前記電子コンポーネント上の複数の前記第１及び第２の領域において、複数のワイヤステムを形成するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  206. 前記ワイヤステムは、結果としての接触子の骨格を規定するように、２次元で成形される、請求項１９８に記載の方法。
  207. 前記ワイヤステムは、結果としての接触子の骨格を規定するように、３次元で成形される、請求項１９８に記載の方法。
  208. 前記ワイヤステムは、Ｓ字形状を有するように成形される、請求項１９８に記載の方法。
  209. 前記ワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面に対して直角に延伸するように成形される、請求項１９８に記載の方法。
  210. 前記ワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面に対してある角度で延伸するように成形される、請求項１９８に記載の方法。
  211. 前記電子コンポーネントは、相互接続基板である、請求項１９８に記載の方法。
  212. 前記電子コンポーネントは、半導体素子である、請求項１９８に記載の方法。
  213. 前記半導体素子はシリコン素子である、請求項２１２に記載の方法。
  214. 前記半導体素子は、ガリウム−ヒ素化合物である、請求項２１２に記載の方法。
  215. 前記電子コンポーネントは、相互接続ソケットである、請求項１９８に記載の方法。
  216. 前記電子コンポーネントは、試験ソケットである、請求項１９８に記載の方法。
  217. 前記電子コンポーネントは、半導体ウェーハである、請求項１９８に記載の方法。
  218. 前記電子コンポーネントは、セラミック半導体パッケージである、請求項１９８に記載の方法。
  219. 前記電子コンポーネントは、プラスチック半導体パッケージである、請求項１９８に記載の方法。
  220. 前記ワイヤステムは、超音波ボンディング装置を用いて、前記電子コンポーネントの前記表面にボンディングされる、請求項１９８に記載の方法。
  221. 前記ワイヤステムは、熱音響ボンディング装置を用いて、前記電子コンポーネントの前記表面にボンディングされる、請求項１９８に記載の方法。
  222. 前記ワイヤステムは、熱圧縮ボンディング装置を用いて、前記電子コンポーネントの前記表面にボンディングされる、請求項１９８に記載の方法。
  223. ワイヤボンディング装置が、前記ワイヤステムの前記端部を、前記電子コンポーネントの前記表面にボンディングするために用いられ、成形ステップの間、上記ワイヤボンディング装置の電子制御システムへと入力される、１組の特定のコマンドにより、前記ワイヤステムの幾何形状特性の全てのアスペクト比を制御するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  224. ソフトウェア・アルゴリズムにより制御可能な、自動化ワイヤボンディング装置が、前記ワイヤステムを成形して、その自由端の先端の座標を決定するために用いられる、請求項１９８に記載の方法。
  225. １組の指定パラメータに従って、制御システムにより制御される自動化装置で、前記ワイヤステムを成形するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  226. 前記ワイヤは、スパークを発生することにより切断される、請求項１９８に記載の方法。
  227. 前記ワイヤは、火炎射出技法を用いて切断される、請求項１９８に記載の方法。
  228. 前記ワイヤステムを切断するステップと同じステップで、前記ワイヤステムの前記自由端の先端に、ボールを形成するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  229. 前記導電性コーティングは、電気化学的工程により堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  230. 前記導電性コーティングは、電解メッキ工程により堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  231. 前記導電性コーティングは、無電解メッキ工程により堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  232. 前記導電性コーティングは、物理的蒸着、及び化学的蒸着からなるグループから選択された工程により堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  233. 前記導電性コーティングは、気体、液体、又は固体の先行物質の分解を伴う工程により堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  234. 前記導電性コーティングに、複数の局所突起を設けるステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  235. 前記導電性接触子と、前記局所突起により嵌合される電子デバイスとの間の接触抵抗を低減するステップを更に含む、請求項２３４に記載の方法。
  236. 前記局所突起は、電気メッキ堆積物の樹枝成長により設けられる、請求項２３４に記載の方法。
  237. 前記局所突起は、前記ワイヤステムへの前記導電性コーティングの堆積時に、前記導電性コーティングへの異質粒子の取り込みにより設けられる、請求項２３４に記載の方法。
  238. 前記導電性コーティングの均一な第１の層が、前記ワイヤステム上に堆積され、前記導電性コーティングの続いて堆積された層において、前記局所突起を形成するステップを更に含む、請求項２３４に記載の方法。
  239. 前記第１の層は、前記導電性接触子に復元特性を付与するのに適した材料であるように選択され、前記続いて堆積された層は、前記導電性接触子と、前記導電性接触子が嵌合される電子デバイスとの間の接触抵抗を低減する材料であるように選択される、請求項２３８に記載の方法。
  240. 前記ワイヤステム上に堆積された複数の層のうちの外層が、金、銀、プラチナ群の元素、及びそれらの合金からなるグループから選択される導電材料を含む、請求項１９８に記載の方法。
  241. 前記ワイヤステムは、金、アルミニウム、銅、ベリリウム、カドミウム、シリコン、銀とプラチナ、及びそれらの合金から構成されるグループから選択された材料からなる、請求項１９８に記載の方法。
  242. 前記ワイヤステムは、０．０００５インチと０．００５インチの間の直径を有する、請求項１９８に記載の方法。
  243. 前記ワイヤステムは、０．０００７インチと０．００３インチの間の直径を有する、請求項１９８に記載の方法。
  244. 前記導電性コーティングは、ニッケル、銅、コバルト、鉄、及びそれらの合金から構成されるグループから選択された材料からなる、請求項１９８に記載の方法。
  245. 前記コーティングは、８０，０００ポンド／平方インチ（５６２４．６５ｋｇ／ｃｍ2）を越えた引張り強度を有する、請求項１９８に記載の方法。
  246. 前記導電性コーティングの堆積の間、前記導電性コーティングに、圧縮性の内部応力を引き起こすステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  247. 前記ニッケルは、０．００００５インチと０．００７インチの間の厚さを有する、請求項１９８に記載の方法。
  248. 前記ニッケルは、０．０００１０インチと０．００３インチの間の厚さを有する、請求項１９８に記載の方法。
  249. 前記導電性コーティングは、２つ以上の層として堆積され、該２つ以上の層のうちの少なくとも外層が、導電材料である、請求項１９８に記載の方法。
  250. ワイヤステム上に堆積される第１の層がニッケルであり、該第１の層にわたって堆積される第２の層が、金、銀、プラチナ群の元素、及びそれらの合金からなるグループから選択された材料である、請求項２４９に記載の方法。
  251. 前記２つ以上の層は、前記突出した接触子の機械的特性を合わせるように選択される、請求項２４９に記載の方法。
  252. 前記第１の領域は、金とアルミニウムからなるグループから選択された材料の層を含む、請求項１９８に記載の方法。
  253. 前記第１の領域、及び前記第２の領域は、前記電子コンポーネントの前記表面に、以前に施された導電層の部分である、請求項１９８に記載の方法。
  254. ボンディングした後に、前記第１及び第２の領域を除く全ての領域において、選択的に、前記電子コンポーネントから前記導電層を除去するステップを更に含む、請求項２５３に記載の方法。
  255. 前記ワイヤステムの形状と、厚さ、降伏強度、及び弾性係数からなるグループから選択された、前記導電性コーティングの特性とに基づいて、前記接触子に対して所定の復元性を確立するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  256. 前記ワイヤステムは、第１の強度を有する材料からなり、前記導電性コーティングは、上記第１の材料の強度よりも大きい第２の強度を有する材料からなる、請求項１９８に記載の方法。
  257. 前記導電性接触子は、物理的性質、金属加工性、機械的性質、バルクと表面からなるグループから選択された、被制御特性を有する、請求項１９８に記載の方法。
  258. 前記突出した導電性接触子は、ピン状接触子として成形され、前記電子コンポーネントは、ピン・グリッド・アレイ・パッケージである、請求項１９８に記載の方法。
  259. 前記ピン・グリッド・アレイ・パッケージは、セラミックのピン・グリッド・アレイ・パッケージである、請求項２５８に記載の方法。
  260. 前記ピン・グリッド・アレイ・パッケージは、プラスチックのピン・グリッド・アレイ・パッケージである、請求項２５８に記載の方法。
  261. 複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第１の部分が、前記電子コンポーネントの第１のレベルから始まり、上記ワイヤステムの第２の部分が、前記電子コンポーネントの第２のレベルから始まり、該第１のレベルと該第２のレベルは、互いに共平面にあり、上記複数のワイヤステムの自由端が、互いに実質的に共平面にあるように切断される、請求項１９８に記載の方法。
  262. 前記ワイヤステムの自由端は、前記電子コンポーネントの前記第１及び第２のレベルのうちの少なくとも１つと平行な平面へと延伸するように切断される、請求項２６１に記載の方法。
  263. 複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第１の部分が、第１の電子コンポーネントから始まり、上記ワイヤステムの第２の部分が、第２の電子コンポーネントから始まり、上記複数のワイヤステムの自由端が、互いに実質的に共平面にあるように切断される、請求項１９８に記載の方法。
  264. 前記ワイヤステムの自由端は、前記第１及び第２の電子コンポーネントのうちの少なくとも１つと平行な平面へと延伸するように切断される、請求項２６３に記載の方法。
  265. 前記電子コンポーネントから始まる、複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第１の部分が、第１の電子デバイス上に終端し、上記ワイヤステムの第２の部分が、第２の電子デバイス上に終端する、請求項１９８に記載の方法。
  266. 複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第１の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の上の第１のレベルで終端するように切断され、上記ワイヤステムの第２の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の上の第２のレベルで終端するように切断され、上記第１のレベルと上記第２のレベルは共平面にはない、請求項１９８に記載の方法。
  267. 少なくとも２つの電子コンポーネントから始まる、複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの一部分の各々は、上記少なくとも２つの電子コンポーネントのうちの対応する１つから延伸する、請求項１９８に記載の方法。
  268. 前記第１及び第２の電子コンポーネントを相互接続するステップを更に含む、請求項２６７に記載の方法。
  269. 前記第１及び第２の電子コンポーネントの１つが、コンデンサである、請求項２６７に記載の方法。
  270. 前記第１及び第２の電子コンポーネントの１つが、抵抗である、請求項２６７に記載の方法。
  271. 複数のワイヤステムをボンディング、成形、及び切断するステップを更に含み、上記ワイヤステムの第１の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の上の第１のレベルで終端するように切断され、上記ワイヤステムの第２の部分が、前記電子コンポーネントの前記表面の上の第２のレベルで終端するように切断され、上記第１のレベルと上記第２のレベルは共平面にはなく、上記ワイヤステムの上記第１の部分を、相互接続基板上に終端させるステップと、上記ワイヤステムの上記第２の部分を、上記相互接続基板と前記電子コンポーネントの間に配設された、電子デバイス上に終端させるステップとを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  272. 前記電子コンポーネントは、裸で、パッケージ未実装の半導体素子である、請求項２７１に記載の方法。
  273. 前記電子デバイスは、コンデンサである、請求項２７１に記載の方法。
  274. 前記電子コンポーネントは、裸で、パッケージ未実装の半導体素子であり、前記電子デバイスは、コンデンサである、請求項２７１に記載の方法。
  275. 前記導電性コーティングは半田からなり、前記導電性接触子は、前記電子コンポーネントの前記表面から延伸する、塔状の半田接触子である、請求項１９８に記載の方法。
  276. 前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積する前に、前記ワイヤステム上に障壁層を堆積するステップを更に含み、該障壁層は、前記導電性コーティングと前記ワイヤステムの間の反応を防止するように選択された材料である、請求項２７５に記載の方法。
  277. 前記ワイヤは金であり、前記障壁層は、ニッケル、銅、コバルト、鉄、又はそれらの合金からなるグループから選択された材料である、請求項２７６に記載の方法。
  278. 前記導電性コーティングの材料組成の選択により、前記電子基板の半田付け特性を確立するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  279. 前記導電性コーティングの材料組成の選択により、半田と、前記突出した導電性接触子との相互作用から、長期効果を確立するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  280. 前記ワイヤステムは、０．０００５インチと０．００５インチの間の直径を有し、半田を堆積する前に、０．００００５インチと０．００７インチの間の厚さを有するニッケルで、前記ワイヤステムをコーティングするステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  281. 前記ワイヤステムは、０．０００７インチと０．００３インチの間の直径を有し、前記ニッケルは、０．０００１０インチと０．００３インチの間の厚さを有する、請求項２８０に記載の方法。
  282. 前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ループは、前記電子コンポーネントの前記表面上の選択された第２の領域で始まり、且つ第２の領域に終端する、請求項１９８に記載の方法。
  283. 前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ループは、前記電子コンポーネントの導電性端子上で始まり、該ループは、犠牲要素上に終端する、請求項１９８に記載の方法。
  284. 前記ワイヤステムの前記自由端を、犠牲導体にボンディングした後に、前記犠牲要素を除去するステップを更に含む、請求項２８３に記載の方法。
  285. 前記犠牲要素は、前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積した後に除去される、請求項２８４に記載の方法。
  286. 前記犠牲要素は、前記ワイヤステム上に前記導電性コーティングを堆積する前に除去される、請求項２８４に記載の方法。
  287. 前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ループは、前記犠牲要素上で始まり、該ループは、前記電子コンポーネントの導電性端子上で終端する、請求項１９８に記載の方法。
  288. 前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ループは、前記電子コンポーネントの前記表面上の前記第２の領域で始まり、該ループは、前記第２の領域とは異なる第３の領域に終端する、請求項１９８に記載の方法。
  289. 前記ワイヤステムをループの形態に成形するステップを更に含み、該ループは、前記電子コンポーネントの前記表面上の第３の領域で始まり、該第３の領域は、前記第２の領域とは異なり、上記ループは、前記第２の領域に終端する、請求項１９８に記載の方法。
  290. 前記ワイヤステムの第１の長さを第１のループへと成形するステップであって、該第１のループは、前記電子コンポーネントの前記表面上に配設された、導電性端子上で始まり、且つ該導電端子上に終端する、ステップと、前記ワイヤステムの上記第１の長さを切断するステップと、前記ワイヤステムの第２の長さを第２のループへと成形するステップであって、該第２のループは、前記導電性端子上で始まり、且つ該導電端子上に終端し、上記第１のループと平行である、ステップと、前記ワイヤステムの上記第２の長さを切断するステップと、前記電子コンポーネントの前記導電性端子上に配設され、アスペクト比が制御された、半田の支柱を形成するために、半田の共通の導電性コーティングを、上記第１及び第２のループ上、及び前記導電性端子上に堆積するステップと、上記半田の共通の導電性コーティングを堆積する前に、上記２つのループを障壁層でコーティングするステップとを更に含み、前記ワイヤは金であり、上記半田は、鉛とスズの合金であり、上記障壁層は、前記導電性コーティングの上記半田と、前記ワイヤの上記金との間の反応を防止するのに十分な厚さを、前記ワイヤ上に有する、ニッケル合金である、請求項１９８に記載の方法。
  291. 前記ワイヤを切断する前に、前記ワイヤの中間部を前記電子コンポーネントにボンディングし、それにより、前記電子コンポーネントの前記表面上に骨格を形成するステップを更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  292. 前記中間部は、前記電子コンポーネントの前記第２の領域にボンディングされる、請求項２９１に記載の方法。
  293. 前記ワイヤの前記中間部を前記電子コンポーネントにボンディングした後に、前記骨格を半田塊でコーティングするステップを更に含む、請求項２９１に記載の方法。
  294. 前記骨格を前記半田塊でコーティングする前に、前記骨格を障壁層でコーティングするステップを更に含む、請求項２９３に記載の方法。
  295. 前記ワイヤの前記中間部を前記電子コンポーネントにボンディングした後に、前記電子コンポーネントの前記表面上の後続の骨格としてボンディングするための後続の端部を有するように、前記ワイヤを切断するステップを更に含む、請求項２９１に記載の方法。
  296. 複数の骨格が、前記電子コンポーネントの共通の第２の領域上に形成される、請求項２９１に記載の方法。
  297. 前記共通の第２の領域は端子である、請求項２９６に記載の方法。
  298. 前記複数の骨格には、共通の堆積ステップで、保護膜が施される、請求項２９６に記載の方法。
  299. 前記ワイヤを切断することなく、前記ワイヤの前記中間部を前記電子コンポーネントにボンディングした後に、前記電子コンポーネントの前記表面上に、骨格のシーケンスを形成するために、切断することなく、前記ワイヤの後続の中間部のボンディングを続けるステップを更に含む、請求項２９１に記載の方法。
  300. 前記第１の領域に隣接した骨格のうちの最後の１つをボンディング及び切断するステップを更に含む、請求項２９９に記載の方法。
  301. 前記骨格のシーケンスは、前記電子コンポーネントの前記表面上に囲まれた領域を規定する、請求項２９９に記載の方法。
  302. 半田が前記囲まれた領域を充填するようにして、前記導電性コーティングとして上記半田を堆積するステップを更に含む、請求項２９１に記載の方法。
  303. 前記囲まれた半田充填領域を、ヒートシンク、及び基板からなるグループから選択された電子デバイスと接触へと至らしめるステップを更に含む、請求項２９２に記載の方法。
  304. 複数のワイヤステムに対して、ボンディングステップ、成形ステップ、及び切断ステップを繰り返すステップを更に含み、前記導電性コーティングは、上記複数のワイヤステム上に、共通のコーティングとして堆積される、請求項１９８に記載の方法。
  305. 前記複数のワイヤステムは、前記電子コンポーネントの前記表面上に、アレイパターンで配列される、請求項３０４に記載の方法。
  306. ループを形成するために、前記ワイヤの前記第２の端部を、前記電子コンポーネントの前記第１の領域にボンディングするステップと、３次元で前記電子コンポーネントから延伸するように、上記ループを更に成形するステップと、を更に含む、請求項１９８に記載の方法。
  307. 電子コンポーネントの表面上に、電気的接触子を製造するための方法において、突出した電気的接触子の各々に対して、ワイヤの一方の端部を、上記電子コンポーネントの上記表面上の第１の領域にボンディングするステップであって、上記電子コンポーネントの上記表面は、「ｘ」軸と、「ｘ」軸に直交した「ｙ」軸とにより規定される平面である、ボンディングステップと、上記ワイヤの一方の端部が、上記電子コンポーネントの上記表面上の上記領域にボンディングされると、上記ワイヤを、「ｘ」及び「ｙ」軸と相互に直交した「ｚ」軸方向に、また、「ｘ」及び「ｙ」軸のうちの少なくとも１つの方向に延伸させるステップと、上記ワイヤを延伸させた後に、ワイヤが、ある長さと、上記一方の端部と対向した自由端とを有するように、上記ワイヤを切断するステップと、上記ワイヤを延伸させる間、ワイヤが、その長さに沿って少なくとも１つのＵ字形状の曲げ部を有するように、上記ワイヤを成形するステップと、上記ワイヤを延伸させ、また成形した後に、上記ワイヤの上記一方の端部がボンディングされる上記第１の領域よりも大きく、且つ上記第１の領域を包含する、上記基板の上記表面上の第２の領域を覆うために、また、上記ワイヤの長さのうちの少なくとも一部分を覆うために、第１の導電性の金属性材料を堆積するステップであって、上記ワイヤの上記一部分は、ワイヤの上記一方の端部から、ワイヤの長さに沿って、ワイヤの上記自由端に向かって延伸する、堆積ステップと、を含む方法。
  308. 前記ワイヤ上に少なくとも２つのコーティングを堆積するステップを更に含む、請求項３０７に記載の方法。
  309. 第１の電子コンポーネントを第２の電子コンポーネントに接続する方法において、第１と第２の電子コンポーネントの間に、第３の電子コンポーネントを供給するステップであって、該第３の電子コンポーネントは、第１の電子コンポーネントの面上の対応する複数の接触箇所に接触するために、第３の電子コンポーネントの第１の表面から延伸する、第１の複数の復元性のある接触構造を有し、上記第３の電子コンポーネントは、第２の電子コンポーネントの面上の対応する複数の接触箇所に接触するために、第３の電子コンポーネントの第２の表面から延伸する、第２の複数の復元性のある接触構造を有する、供給ステップと、上記第３の電子コンポーネント内で、第１の複数の復元性のある接触構造と、第２の複数の復元性のある接触構造との間に、接続をなすステップと、を含む方法。
  310. 前記第１の電子コンポーネントは、半導体パッケージである、請求項３０９に記載の方法。
  311. 前記第１の電子コンポーネントは、パッケージ未実装の半導体ダイである、請求項３０９に記載の方法。
  312. 前記第２の電子コンポーネントは、印刷回路基板である、請求項３０９に記載の方法。
  313. 前記第３の電子コンポーネントは、前記第１と第２の電子コンポーネント間に、取り外し可能な相互接続を与える、請求項３０９に記載の方法。
  314. 介在体において、第１の表面と、該第１の表面と対向した第２の表面と、第１の表面上の第１の複数の導電領域と、第２の表面上の第２の複数の導電領域とを有する誘電体基板であって、第１の複数の導電領域の各々は、第２の導電領域の対応する１つに、電気的に接続される、誘電体基板と、第１の導電領域から延伸する、第１の複数の復元性のある接触構造と、第２の導電領域から延伸する、第２の複数の接触構造と、からなる介在体。
  315. 前記第１の複数の復元性のある接触構造は、従順性のある接触構造である、請求項３１４に記載の介在体。
  316. 前記第１の複数の復元性のある接触構造の偏向を制限するために、前記第１の表面上に製造された、少なくとも１つのスタンドオフ要素から更になる、請求項３１５に記載の介在体。
  317. 前記第１の複数の導電領域と、前記第２の複数の導電領域との間の電気的接続部は、メッキされたスルーホールである、請求項３１４に記載の介在体基板。
  318. 前記第２の複数の接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項３１４に記載の介在体。
  319. 前記第２の複数の接触構造は、復元性のない接触構造である、請求項３１４に記載の介在体。
  320. 前記第１の複数の復元性のある接触構造と、前記第２の複数の接触構造のいずれかの少なくとも１つは、少なくとも２つの接触構造からなる、請求項３１４に記載の介在体。
  321. 介在体において、第１の表面、及び該第１の表面と対向した第２の表面を有し、また第１の表面上に複数の導電領域を有する、誘電体基板と、上記複数の導電領域に実装された、複数の復元性のある接触構造であって、第１の電子コンポーネントに接続をなすために、上記誘電体基板の第１の表面を越えて延伸する、第１の部分を有し、また、第２の電子コンポーネントに相互接続をなすために、上記誘電体基板の第２の表面を越えて延伸し、上記第１の部分に連続した、第２の部分を有する、複数の復元性のある接触構造と、からなる介在体。
  322. 前記複数の復元性のある接触構造の第２の部分は、前記基板内の穴を介して延伸する、請求項３２１に記載の介在体。
  323. 前記第２の複数の接触構造は、復元性のある接触構造であり、前記誘電体基板の両方の表面上の導電トレースから更になる、請求項３１４に記載の介在体。
  324. 前記基板の第１の側のスタンドオフ要素から更になる、請求項３１４に記載の介在体。
  325. 前記基板の第１の側の複数の導電領域から更になり、前記第１の複数の復元性のある接触構造は、上記導電領域から延伸する、請求項３１４に記載の介在体。
  326. 前記基板を介して延伸する複数の穴から更になり、前記第２の接触構造は、前記導電領域から上記複数の穴を介して、前記基板の第２の側に延伸する、請求項３２５に記載の介在体。
  327. 前記第１の複数の復元性のある接触構造は、対で配列される、請求項３１４に記載の介在体。
  328. 前記基板の第１の側の複数の導電領域と、前記基板を介して延伸する複数の穴と、から更になり、前記第１の複数の復元性のある接触構造は、前記基板の第１の側を越えて上記複数の穴を介して、前記基板の第２の側を越えてと延伸し、前記第１の複数の復元性のある接触構造は、上記導電領域に電気的に接続される、請求項３１４に記載の介在体。
  329. 介在体において、基板であって、該基板の第１の表面から該基板の第２の表面へと延伸する複数の穴を有する、基板と、各々の接触構造が対応する穴内に配設される、複数の接触構造と、上記穴内で上記接触構造を支持するための手段と、からなる介在体。
  330. 前記接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項３２９に記載の介在体。
  331. 支持するための前記手段は、弾性材料である、請求項３２９に記載の介在体。
  332. 前記弾性材料の少なくとも一部分が導電性である、請求項３３１に記載の介在体。
  333. 各穴内の金属性表面から更になり、支持するための前記手段は半田である、請求項３２９に記載の介在体。
  334. 前記基板は、金属性であり、絶縁材料で保護膜が施される、請求項３２９に記載の介在体。
  335. 成形された接触構造を製造する方法において、第１の機構により、複数の自立型ワイヤステムを基板に実装するステップと、上記第１の機構の外部にある第２の機構により、上記ワイヤステムを成形するステップと、を含む方法。
  336. 半導体パッケージにおいて、第１の絶縁層と、該第１の絶縁層の第１の表面上に配設されて、第１の複数の導電トレースを有するようにパターニングされた、第１の導電層と、第２の絶縁層と、該第２の絶縁層の第１の表面上に配設されて、第２の複数の導電トレースを有するようにパターニングされた、第２の導電層と、第１の導電層は、第２の絶縁層と接触状態にあることと、第２の導電層、及び第２の絶縁層は、第１の複数の導電トレースの外側部分が露出するように、配列及び配設されることと、第１の複数の導電トレースに実装された、第１の複数の電気的接触構造と、第２の複数の導電トレースに実装された、第２の複数の電気的接触構造と、からなる半導体パッケージ。
  337. 前記第１の電気的接触構造は、ある平面に延伸し、前記第２の電気的接触構造は、上記平面に延伸する、請求項３３６に記載の半導体パッケージ。
  338. 前記第１の電気的接触構造は、復元性のある接触構造であり、前記第２の電気的接触構造は、復元性のある接触構造である、請求項３３６に記載の半導体パッケージ。
  339. 半導体素子を受けるための手段から更になり、前記第２の導電層、及び前記第２の絶縁層は、半導体素子に接続するために、前記第１の複数の導電トレースの内側部分が露出するように配列及び配設され、前記第１の複数の導電トレースの露出した内側部分に、上記半導体素子を接続するための手段と、前記第２の複数の導電トレースに、上記半導体素子を接続するための手段と、前記第１の複数の導電トレースの外側部分に実装された、第１の複数の電気的接触構造と、第２の複数の導電トレースに実装された、第２の複数の電気的接触構造とから更になる、請求項３３６に記載の半導体パッケージ。
  340. 半導体素子において、前部表面、及び背部表面を有する半導体ダイと、該半導体ダイの前部表面に実装された、複数の自立型の相互接続構造と、上記半導体ダイの背部表面に実装された、複数の自立型の熱放散構造と、からなる半導体素子。
  341. 前記相互接続構造は、復元性のある接触構造である、請求項３４０に記載の半導体素子。
  342. 前記相互接続構造は、従順性のある接触構造である、請求項３４０に記載の半導体素子。
  343. 前記自立型の熱放散構造は、前記半導体ダイの背部表面に、ワイヤ実装される、請求項３４０の半導体素子。
  344. 前記自立型の相互接続構造は、第１の材料からなり、前記自立型の熱放散構造は、上記第１の材料とは異なる第２の材料からなる、請求項３４０に記載の半導体素子。
  345. 前記自立型の相互接続構造、及び前記自立型の熱放散構造には、共通の材料で保護膜が施される、請求項３４４に記載の半導体素子。
  346. 前記自立型の熱放散構造と、前記半導体ダイの背部表面との間に配設された、金属性材料の層から更になり、前記相互接続構造は、復元性のある接触構造である、請求項３４０に記載の半導体素子。
  347. 半導体素子において、前部表面、及び背部表面を有する半導体ダイと、該半導体ダイの前部表面に実装された、複数の自立型の復元性のある接触構造と、からなる半導体素子。
  348. 前記半導体ダイの前部表面上に配設された導電パッドから更になり、１つの接触構造が、上記導電パッドの各々に実装される、請求項３４７に記載の半導体素子。
  349. 前記復元性のある接触構造の各々は、一端において、前記半導体ダイの前部表面にボンディングされ、弾力のある形状を有するように構成された、ワイヤステムと、該ワイヤステムにわたって、また、前記半導体ダイの前部表面の一部分にわたって施された、保護膜材料と、からなる、請求項３４７に記載の半導体素子。
  350. 前記復元性のある接触構造は従順性がある、請求項３４７に記載の半導体素子。
  351. 電子アセンブリを組み立てる方法において、第１の配線基板に、該第１の配線基板に実装される、第１の複数の半導体素子を準備するステップと、第２の配線基板に、該第２の配線基板に実装される、第２の複数の半導体素子を準備するステップと、上記第２の配線基板は、上記第１の配線基板上のパッドに接続するために、第２の配線基板に実装された電気的接触構造を有することと、上記第１及び第２の配線基板は、一方の頂部に他方をというように積み重ねられ、上記電気的接触構造により、互いに相互接続されることと、を含む方法。
  352. 前記第１の配線基板は２つの側を有し、前記第２の配線基板は２つの側を有し、前記第１の複数の半導体素子は、第１の配線基板の両側に実装され、前記第２の複数の半導体素子は、第２の配線基板の両側に実装される、請求項３５１に記載の方法。
  353. 前記第１の複数の半導体素子を、前記第１の配線基板に電気的に相互接続する、第１の複数の復元性のある接触構造と、前記第２の複数の半導体素子を、前記第２の配線基板に電気的に相互接続する、第２の複数の復元性のある接触構造と、を更に含む、請求項３５１に記載の方法。
  354. 電子コンポーネントに、自立型の接触構造を実装する方法において、電子コンポーネント上の端子上に、導電材料の穴開け可能な塊を設けるステップと、上記導電材料内に、ワイヤの一端を挿入するステップと、上記ワイヤを、自立型となるように切断するステップと、上記ワイヤ、及び上記塊に、導電性の金属性材料で保護膜を施すステップと、を含む方法。
  355. 前記導電材料の塊は半田である、請求項３５４に記載の方法。
  356. 前記導電材料の塊は導電性エポキシである、請求項３５４に記載の方法。
  357. 前記保護膜は、メッキにより実施される、請求項３５４に記載の方法。
  358. ワイヤボンディングを実行する方法において、毛細管により、端子にボンディングワイヤをボンディングするステップと、上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出すステップと、電極からの放電により、上記ボンディングワイヤを切断するステップと、上記ボンディングワイヤを切断する間、紫外光により、上記電極と上記ボンディングワイヤのうちの少なくとも１つを照射するステップと、を含む方法。
  359. 前記ボンディングワイヤを切断する前に、弾力のある形状を有するように、前記ボンディングワイヤを構成するステップを更に含む、請求項３５８に記載の方法。
  360. ワイヤボンディング用ワイヤの一端に、ボールを形成する方法において、電極とボンディングワイヤの間に、放電を引き起こすステップと、上記放電を引き起こす間、紫外光により、上記電極と上記ボンディングワイヤのうちの少なくとも１つを照射するステップと、を含む方法。
  361. ワイヤボンディングを実行する方法において、毛細管により、端子にボンディングワイヤをボンディングするステップと、上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出すステップと、上記毛細管から上記ボンディングワイヤを繰り出す間、上記毛細管内にガス流を供給するステップと、を含む方法。
  362. 前記毛細管から前記ボンディングワイヤを繰り出す間、弾力のある形状を有するように、前記ボンディングワイヤを構成するステップを更に含む、請求項３６１に記載の方法。
  363. 基板の第１の側から延伸する第１の複数の接触構造と、該基板の第２の側から延伸する第２の複数の接触構造とを有する介在体において、設計変更をなす方法において、上記基板の少なくとも１つの側に、複数の導電トレースを設けるステップと、第１の複数の接触構造のうちの選択された接触構造を、第２の複数の接触構造のうちの選択された接触構造と相互接続するように、上記導電トレースを経路指定するステップと、を含む方法。
JP2007189655A 1994-11-15 2007-07-20 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造 Pending JP2007329491A (ja)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/340,144 US5917707A (en) 1993-11-16 1994-11-15 Flexible contact structure with an electrically conductive shell
PCT/US1994/013373 WO1995014314A1 (en) 1993-11-16 1994-11-16 Contact structure for interconnections, interposer, semiconductor assembly and method
US08/452,255 US6336269B1 (en) 1993-11-16 1995-05-26 Method of fabricating an interconnection element
US08/457,479 US6049976A (en) 1993-11-16 1995-06-01 Method of mounting free-standing resilient electrical contact structures to electronic components
US52624695A 1995-09-21 1995-09-21
US08/533,584 US5772451A (en) 1993-11-16 1995-10-18 Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US08/554,902 US5974662A (en) 1993-11-16 1995-11-09 Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
PCT/US1995/014909 WO1996017378A1 (en) 1994-11-15 1995-11-13 Electrical contact structures from flexible wire

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000202978A Division JP2001077250A (ja) 1994-11-15 2000-07-04 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007329491A true JP2007329491A (ja) 2007-12-20

Family

ID=32686436

Family Applications (14)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51695896A Pending JP2002509639A (ja) 1994-11-15 1995-11-13 超小型電子素子の相互接続要素
JP51630896A Expired - Fee Related JP3386077B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP08518844A Expired - Fee Related JP3114999B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
JP8516307A Expired - Fee Related JP2892505B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 回路基板への電子コンポーネントの実装
JP23742498A Expired - Fee Related JP3157134B2 (ja) 1994-11-15 1998-08-24 回路基板への電子コンポーネントの実装
JP22986699A Expired - Fee Related JP4160693B2 (ja) 1994-11-15 1999-08-16 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2000202978A Withdrawn JP2001077250A (ja) 1994-11-15 2000-07-04 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
JP2002285164A Expired - Fee Related JP4163922B2 (ja) 1994-11-15 2002-09-30 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2002285165A Expired - Fee Related JP4160809B2 (ja) 1994-11-15 2002-09-30 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2005278874A Expired - Fee Related JP4540577B2 (ja) 1994-11-15 2005-09-26 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2007000149A Expired - Fee Related JP4588721B2 (ja) 1994-11-15 2007-01-04 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2007189655A Pending JP2007329491A (ja) 1994-11-15 2007-07-20 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
JP2007216518A Pending JP2008034861A (ja) 1994-11-15 2007-08-22 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2010235936A Pending JP2011069829A (ja) 1994-11-15 2010-10-20 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法

Family Applications Before (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51695896A Pending JP2002509639A (ja) 1994-11-15 1995-11-13 超小型電子素子の相互接続要素
JP51630896A Expired - Fee Related JP3386077B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP08518844A Expired - Fee Related JP3114999B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
JP8516307A Expired - Fee Related JP2892505B2 (ja) 1994-11-15 1995-11-13 回路基板への電子コンポーネントの実装
JP23742498A Expired - Fee Related JP3157134B2 (ja) 1994-11-15 1998-08-24 回路基板への電子コンポーネントの実装
JP22986699A Expired - Fee Related JP4160693B2 (ja) 1994-11-15 1999-08-16 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2000202978A Withdrawn JP2001077250A (ja) 1994-11-15 2000-07-04 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
JP2002285164A Expired - Fee Related JP4163922B2 (ja) 1994-11-15 2002-09-30 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2002285165A Expired - Fee Related JP4160809B2 (ja) 1994-11-15 2002-09-30 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2005278874A Expired - Fee Related JP4540577B2 (ja) 1994-11-15 2005-09-26 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2007000149A Expired - Fee Related JP4588721B2 (ja) 1994-11-15 2007-01-04 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007216518A Pending JP2008034861A (ja) 1994-11-15 2007-08-22 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法
JP2010235936A Pending JP2011069829A (ja) 1994-11-15 2010-10-20 プローブカード・アセンブリ及びキット、及びそれらを用いる方法

Country Status (7)

Country Link
EP (4) EP1408337A3 (ja)
JP (14) JP2002509639A (ja)
KR (7) KR100408948B1 (ja)
CN (2) CN1251319C (ja)
AU (4) AU4283996A (ja)
DE (4) DE69535629T2 (ja)
WO (4) WO1996017378A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015021851A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 新光電気工業株式会社 プローブカード及びその製造方法
JP7370055B2 (ja) 2020-02-12 2023-10-27 株式会社新川 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置

Families Citing this family (204)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043563A (en) * 1997-05-06 2000-03-28 Formfactor, Inc. Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals
US5371654A (en) 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US7368924B2 (en) 1993-04-30 2008-05-06 International Business Machines Corporation Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof
WO1998011445A1 (en) * 1996-09-13 1998-03-19 International Business Machines Corporation Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips
US6741085B1 (en) 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US20020004320A1 (en) 1995-05-26 2002-01-10 David V. Pedersen Attaratus for socketably receiving interconnection elements of an electronic component
EP1610375A3 (en) * 1995-05-26 2008-11-05 FormFactor, Inc. Contact carriers for populating substrates with spring contacts
US6033935A (en) 1997-06-30 2000-03-07 Formfactor, Inc. Sockets for "springed" semiconductor devices
US6685817B1 (en) 1995-05-26 2004-02-03 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US6483328B1 (en) 1995-11-09 2002-11-19 Formfactor, Inc. Probe card for probing wafers with raised contact elements
JP3759622B2 (ja) 1996-05-17 2006-03-29 フォームファクター，インコーポレイテッド 超小型電子接触構造及びその製造方法
JP2940475B2 (ja) * 1996-06-24 1999-08-25 日本電気株式会社 Ｉｃのパッケージ、ｉｃのプローバ及びそれらの製造方法
WO1998001906A1 (en) * 1996-07-05 1998-01-15 Formfactor, Inc. Floating lateral support for ends of elongate interconnection elements
WO1998011446A1 (en) 1996-09-13 1998-03-19 International Business Machines Corporation Integrated compliant probe for wafer level test and burn-in
US7282945B1 (en) 1996-09-13 2007-10-16 International Business Machines Corporation Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof
US6690185B1 (en) 1997-01-15 2004-02-10 Formfactor, Inc. Large contactor with multiple, aligned contactor units
US5921786A (en) * 1997-04-03 1999-07-13 Kinetrix, Inc. Flexible shielded laminated beam for electrical contacts and the like and method of contact operation
KR20010024022A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 이고르 와이. 칸드로스 금속 침전물의 적절한 열처리에 의해 개선된 재료 특성을갖는 구조물을 제조하기 위한 방법
US6724203B1 (en) 1997-10-30 2004-04-20 International Business Machines Corporation Full wafer test configuration using memory metals
US5973394A (en) * 1998-01-23 1999-10-26 Kinetrix, Inc. Small contactor for test probes, chip packaging and the like
US6497581B2 (en) 1998-01-23 2002-12-24 Teradyne, Inc. Robust, small scale electrical contactor
US6078500A (en) * 1998-05-12 2000-06-20 International Business Machines Inc. Pluggable chip scale package
US6705876B2 (en) 1998-07-13 2004-03-16 Formfactor, Inc. Electrical interconnect assemblies and methods
JP4490978B2 (ja) * 1998-08-12 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 コンタクタ
US6448865B1 (en) 1999-02-25 2002-09-10 Formfactor, Inc. Integrated circuit interconnect system
US6459343B1 (en) 1999-02-25 2002-10-01 Formfactor, Inc. Integrated circuit interconnect system forming a multi-pole filter
US6208225B1 (en) 1999-02-25 2001-03-27 Formfactor, Inc. Filter structures for integrated circuit interfaces
US6218910B1 (en) * 1999-02-25 2001-04-17 Formfactor, Inc. High bandwidth passive integrated circuit tester probe card assembly
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US6812718B1 (en) 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
KR20020028159A (ko) * 1999-05-27 2002-04-16 나노넥서스, 인코포레이티드 전자 회로용 대량 병렬 인터페이스
WO2000074110A2 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Nanonexus, Inc. Integrated circuit wafer probe card assembly
US7215131B1 (en) 1999-06-07 2007-05-08 Formfactor, Inc. Segmented contactor
US7189077B1 (en) 1999-07-30 2007-03-13 Formfactor, Inc. Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours
US6780001B2 (en) 1999-07-30 2004-08-24 Formfactor, Inc. Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold
US6888362B2 (en) 2000-11-09 2005-05-03 Formfactor, Inc. Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts
US6939474B2 (en) 1999-07-30 2005-09-06 Formfactor, Inc. Method for forming microelectronic spring structures on a substrate
US6398558B1 (en) * 1999-08-04 2002-06-04 Fci Americas Technology, Inc. Electrical connector and contact therefor
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
AU6874300A (en) * 1999-09-09 2001-04-10 Nhk Spring Co. Ltd. Conductive contact
US6657455B2 (en) * 2000-01-18 2003-12-02 Formfactor, Inc. Predictive, adaptive power supply for an integrated circuit under test
US6509751B1 (en) 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
DE60142030D1 (de) * 2000-03-17 2010-06-17 Formfactor Inc Verfahren und vorrichtung zum einebnen von einem halbleitersubstrat in einer testkartenanordnung
JP4088015B2 (ja) 2000-03-24 2008-05-21 株式会社新川 湾曲状ワイヤの形成方法
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
JP2002267687A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Advantest Corp プローブカード及び試験装置
JP2002343478A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Tyco Electronics Amp Kk 電気コンタクトおよびそれを用いた電気接続部材
US6747469B2 (en) 2001-11-08 2004-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Preconditioning integrated circuit for integrated circuit testing
US6817052B2 (en) 2001-11-09 2004-11-16 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for cleaning test probes
US20030115517A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Rutten Ivo Wilhelmus Johaooes Marie Microprocessor-based probe for integrated circuit testing
US6891385B2 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Formfactor, Inc. Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components
US7064953B2 (en) 2001-12-27 2006-06-20 Formfactor, Inc. Electronic package with direct cooling of active electronic components
AU2002361863A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-24 Formfactor, Inc. Cooling assembly with direct cooling of active electronic components
US6840374B2 (en) 2002-01-18 2005-01-11 Igor Y. Khandros Apparatus and method for cleaning test probes
DE10220194A1 (de) * 2002-05-06 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Kontaktierung von Nanoröhren
US20030211139A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Thierry Legon Dispersions of lipid particles for use as therapeutic and cosmetic agents and intracellular delivery vehicles
US6965244B2 (en) 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6911835B2 (en) * 2002-05-08 2005-06-28 Formfactor, Inc. High performance probe system
EP1367643B1 (en) * 2002-05-15 2006-04-05 Tyco Electronics AMP GmbH Electronic module
DE60304390T2 (de) 2002-05-15 2007-02-01 Tyco Electronics Amp Gmbh Elektronikmodul
US7122760B2 (en) 2002-11-25 2006-10-17 Formfactor, Inc. Using electric discharge machining to manufacture probes
US6920689B2 (en) 2002-12-06 2005-07-26 Formfactor, Inc. Method for making a socket to perform testing on integrated circuits
JP4003230B2 (ja) 2003-01-23 2007-11-07 船井電機株式会社 ボールグリッドアレイ型ｉｃの実装構造
JP2004259530A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 外部接触端子を有する半導体装置及びその使用方法
DE10317276A1 (de) * 2003-04-11 2004-10-21 E.G.O. Elektrogerätebau GmbH Anordnung von Schalteinrichtungen
US7066751B2 (en) * 2003-04-23 2006-06-27 Asustek Computer Inc. Adjustable connector module
US6958670B2 (en) * 2003-08-01 2005-10-25 Raytheon Company Offset connector with compressible conductor
DE10345377B4 (de) * 2003-09-30 2009-07-30 Qimonda Ag Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
JP2005127952A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Sumitomo Electric Ind Ltd コンタクトプローブおよびその製造方法
DE10355921B4 (de) * 2003-11-29 2005-12-22 Festo Ag & Co. Elektrische Schaltungsanordnung mit einem elektronischen Chip in einer Aufnahmevorrichtung des Schaltungsträgers
JP2005201813A (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置及びコンタクトの製造方法
TW200525675A (en) 2004-01-20 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Probe guard
DE102004003275B4 (de) * 2004-01-21 2007-04-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Verbindungselementen auf Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben
US7251884B2 (en) * 2004-04-26 2007-08-07 Formfactor, Inc. Method to build robust mechanical structures on substrate surfaces
JP4545742B2 (ja) * 2004-04-27 2010-09-15 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
CN1316508C (zh) * 2004-05-11 2007-05-16 番禺得意精密电子工业有限公司 一种电连接器
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US9097740B2 (en) 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
DE102004061853A1 (de) * 2004-12-22 2006-03-02 Infineon Technologies Ag Trägervorrichtung zum Aufnehmen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Trägervorrichtung
WO2006095759A1 (ja) 2005-03-08 2006-09-14 Tokyo Electron Limited 接続ピンの形成方法，プローブ，接続ピン，プローブカード及びプローブカードの製造方法
DE102005013323A1 (de) 2005-03-22 2006-10-05 Infineon Technologies Ag Kontaktierungsvorrichtung zum Kontaktieren einer integrierten Schaltung, insbesondere eines Chips oder eines Wafers, mit einer Testervorrichtung, entsprechendes Testverfahren und entsprechendes Herstellungsverfahren
US7371676B2 (en) 2005-04-08 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components with through wire interconnects
US7393770B2 (en) * 2005-05-19 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Backside method for fabricating semiconductor components with conductive interconnects
JP4704426B2 (ja) * 2005-05-23 2011-06-15 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置、その製造方法および電気的接続装置
JP4472593B2 (ja) 2005-07-12 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 プローブカード
US20070057685A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
JP4860242B2 (ja) 2005-11-11 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP5289771B2 (ja) 2005-12-05 2013-09-11 日本発條株式会社 プローブカード
JP4823667B2 (ja) 2005-12-05 2011-11-24 日本発條株式会社 プローブカード
US7307348B2 (en) 2005-12-07 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having through wire interconnects (TWI)
JP2007165383A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Ibiden Co Ltd 部品実装用ピンを形成したプリント基板
JP4654897B2 (ja) 2005-12-09 2011-03-23 イビデン株式会社 部品実装用ピンを有するプリント配線板の製造方法
JP2007165747A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Unitechno Inc システムインパッケージ（ＳｉＰ）用半導体チップ接触機構
JP2007183194A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
WO2007114790A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Agency For Science, Technology And Research Method of fabricating an interconnection for electrically connecting an electrical component to a substrate
US7659612B2 (en) 2006-04-24 2010-02-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having encapsulated through wire interconnects (TWI)
WO2007142204A1 (ja) 2006-06-08 2007-12-13 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
KR100771476B1 (ko) * 2006-06-16 2007-10-30 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속장치
FR2905520A1 (fr) * 2006-09-04 2008-03-07 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a composants inverses et procede de fabrication d'un tel boitier
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
JP2008145208A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Hitachi High-Technologies Corp 半導体検査装置
CN101641834A (zh) * 2007-01-31 2010-02-03 技嘉斯特通讯股份有限公司 接触系统
US7764076B2 (en) 2007-02-20 2010-07-27 Centipede Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and/or leveling a test head
US7955158B2 (en) * 2007-03-26 2011-06-07 Mattel, Inc. Toy vehicle booster and track set
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
WO2009011365A1 (ja) 2007-07-19 2009-01-22 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
KR100950446B1 (ko) * 2007-09-11 2010-04-02 윌테크놀러지(주) Ｐｃｂ를 구비하는 스페이스 트랜스포머 및 이를 포함하는프로브 카드
KR100920790B1 (ko) 2007-10-22 2009-10-08 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 조립체, 그 제조방법 및 전기적 접속장치
DE102007054709B4 (de) 2007-11-16 2014-11-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung
JPWO2009107747A1 (ja) 2008-02-29 2011-07-07 日本発條株式会社 配線基板およびプローブカード
KR100951344B1 (ko) * 2008-03-25 2010-04-08 주식회사 아이엠텍 프로브 카드, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및스페이스 트랜스포머 제조 방법
JP5511155B2 (ja) * 2008-06-25 2014-06-04 パナソニック株式会社 インターポーザ基板とその製造方法
DE102008034918B4 (de) * 2008-07-26 2012-09-27 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie elektrisches Prüfverfahren
JPWO2010016608A1 (ja) * 2008-08-08 2012-01-26 日本発條株式会社 ワーク部材、電気接点部材、コンタクトプローブおよび電気接点部材の製造方法
EP2159580B1 (en) * 2008-08-26 2015-10-07 Lake Shore Cryotronics, Inc. Probe tip
DE102008059314A1 (de) * 2008-11-27 2010-06-02 Conti Temic Microelectronic Gmbh Gehäuse mit einem toleranzbehafteten elektronischen Bauteil
KR101067497B1 (ko) * 2008-12-20 2011-09-27 주식회사 바른전자 반도체 패키지
US8305101B2 (en) 2009-02-19 2012-11-06 Advantest America, Inc Microelectronic contactor assembly, structures thereof, and methods of constructing same
US8047856B2 (en) * 2010-02-24 2011-11-01 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Array connector for optical transceiver module
JP5556316B2 (ja) * 2010-04-02 2014-07-23 株式会社デンソー 表面実装型電子部品及び表面実装型電子部品の実装構造
US8414309B2 (en) * 2010-05-03 2013-04-09 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Receptacle for an optical transceiver module for protecting the module from airborne particles
JP5564328B2 (ja) * 2010-05-19 2014-07-30 新光電気工業株式会社 ソケット
JP2011258364A (ja) 2010-06-08 2011-12-22 Shinko Electric Ind Co Ltd ソケット
JP2012004464A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR101394083B1 (ko) 2010-06-24 2014-05-13 존슨 컨트롤스 테크놀러지 컴퍼니 전자기계식 푸시 버튼 차량 시트 작동 기구
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
JP5713598B2 (ja) * 2010-07-20 2015-05-07 新光電気工業株式会社 ソケット及びその製造方法
JP5788166B2 (ja) 2010-11-02 2015-09-30 新光電気工業株式会社 接続端子構造及びその製造方法、並びにソケット
JP5582995B2 (ja) 2010-12-14 2014-09-03 新光電気工業株式会社 ソケット
KR101118836B1 (ko) 2011-02-11 2012-03-16 에프컴 코포레이션 전극패턴 검사장치
JP5777997B2 (ja) * 2011-03-07 2015-09-16 日本特殊陶業株式会社 電子部品検査装置用配線基板およびその製造方法
JP5798435B2 (ja) 2011-03-07 2015-10-21 日本特殊陶業株式会社 電子部品検査装置用配線基板およびその製造方法
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
KR101649521B1 (ko) * 2011-05-13 2016-08-22 리노공업주식회사 프로브 및 그 제조방법
CN102305880A (zh) * 2011-09-08 2012-01-04 高德（无锡）电子有限公司 防止印刷电路板电镀软金电性测试扎伤转接板
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US9229029B2 (en) * 2011-11-29 2016-01-05 Formfactor, Inc. Hybrid electrical contactor
US9391378B2 (en) 2011-12-23 2016-07-12 Intel Corporation High bandwidth connector for internal and external IO interfaces
US20130269173A1 (en) * 2011-12-30 2013-10-17 Todd P. Albertson Apparatus and method for automated sort probe assembly and repair
JPWO2013108759A1 (ja) 2012-01-18 2015-05-11 日本発條株式会社 スペーストランスフォーマおよびプローブカード
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US8796132B2 (en) * 2012-06-29 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for forming uniform rigid interconnect structures
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
CN103682725A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 电连接器及其导电端子
US9134343B2 (en) 2012-09-28 2015-09-15 Intel Corporation Sort probe gripper
US9106027B2 (en) 2012-12-21 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods, apparatuses and systems for mid-plane mounting parallel optical communications modules on circuit boards
DE102013200308A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Bonddraht und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
TWI481876B (zh) * 2013-12-13 2015-04-21 Mpi Corp Probe module (3)
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
CN105588957B (zh) * 2014-11-12 2019-03-22 致伸科技股份有限公司 测试座
JP6407672B2 (ja) * 2014-11-18 2018-10-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
EP3227692A2 (en) * 2014-12-04 2017-10-11 Technoprobe S.p.A Testing head comprising vertical probes
KR102542154B1 (ko) * 2014-12-30 2023-06-13 테크노프로브 에스.피.에이. 테스트 헤드용 접촉 프로브
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
WO2016195766A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-08 R&D Circuits, Inc. Improved power supply transient performance (power integrity) for a probe card assembly in an integrated circuit test environment
CN106449581A (zh) * 2015-08-04 2017-02-22 三垦电气株式会社 半导体装置
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
CN105682356B (zh) * 2016-03-11 2018-07-27 广东欧珀移动通信有限公司 柔性电路板组件及电子设备
CN105912788B (zh) * 2016-04-14 2019-03-12 中车长春轨道客车股份有限公司 端部接触式少片抛物线型主副簧的副簧刚度设计方法
US20170330677A1 (en) * 2016-05-11 2017-11-16 Cascade Microtech, Inc. Space transformers, planarization layers for space transformers, methods of fabricating space transformers, and methods of planarizing space transformers
US10263352B2 (en) * 2016-06-10 2019-04-16 Te Connectivity Corporation Electrical contact pad for electrically contacting a connector
US10120020B2 (en) 2016-06-16 2018-11-06 Formfactor Beaverton, Inc. Probe head assemblies and probe systems for testing integrated circuit devices
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
CN106271010A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 苏州倍声声学技术有限公司 微细线储能冲击焊接工艺
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US10782316B2 (en) 2017-01-09 2020-09-22 Delta Design, Inc. Socket side thermal system
DE102017211619A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrischen Kontaktierung und Leistungsmodul
US10109490B1 (en) 2017-06-20 2018-10-23 Globalfoundries Inc. Cobalt interconnects formed by selective bottom-up fill
KR101977473B1 (ko) * 2017-07-27 2019-05-10 주식회사 기가레인 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법
CN111913019A (zh) * 2017-09-15 2020-11-10 中华精测科技股份有限公司 探针卡装置的圆形探针
CN107622978A (zh) * 2017-10-13 2018-01-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种陶瓷封装外壳
CN107978578B (zh) * 2017-11-23 2020-02-21 中国科学院力学研究所 一种变线宽的柔性可拉伸导线及其制备方法
CN108188521B (zh) * 2018-01-25 2020-10-02 山东建筑大学 一种钼铼合金箔材的高频感应加热钎焊方法
WO2019176380A1 (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 富士電機株式会社 半導体装置
CN108666308B (zh) * 2018-06-19 2019-06-18 清华大学 柔性集成封装系统
TWI668457B (zh) * 2018-08-27 2019-08-11 創意電子股份有限公司 檢測裝置
TWI672764B (zh) * 2018-11-07 2019-09-21 國立成功大學 晶片封裝裝置及其對位壓合方法
KR102168622B1 (ko) * 2018-12-05 2020-10-21 경북대학교 산학협력단 국부 항복 전류를 이용한 선택적 열처리 방법 및 국부 항복 전류를 이용한 선택적 열처리용 프로브카드
KR102163321B1 (ko) * 2019-02-08 2020-10-21 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
KR102139584B1 (ko) * 2019-03-07 2020-07-30 (주)티에스이 반도체 소자 테스트용 소켓 장치
JP7206140B2 (ja) * 2019-03-22 2023-01-17 株式会社ヨコオ 検査装置
EP3719466A1 (de) * 2019-04-01 2020-10-07 Heraeus Nexensos GmbH 3d-verbinderstruktur, verfahren zur herstellung einer 3d-verbinderstruktur und temperatursensor
KR102179457B1 (ko) 2020-03-25 2020-11-16 (주)티에스이 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치와, 테스트 소켓의 제조방법
JP6979737B1 (ja) * 2020-03-31 2021-12-15 積水ポリマテック株式会社 導電部材
KR102410156B1 (ko) * 2020-06-02 2022-06-17 (주)티에스이 반도체 패키지의 테스트 장치
KR20220003902A (ko) * 2020-07-02 2022-01-11 주식회사 케이엠더블유 솔더 기판 조립체
TWI745197B (zh) * 2020-12-18 2021-11-01 鴻勁精密股份有限公司 定位機構、作業機、測試機及測試設備
CN112757161B (zh) * 2020-12-31 2022-04-19 上海超硅半导体股份有限公司 一种抛光载具的修整方法
CN117837278A (zh) 2021-06-30 2024-04-05 三角设计公司 包含接触器组合件的温度控制系统
DE102021117095A1 (de) * 2021-07-02 2023-01-05 Umicore Galvanotechnik Gmbh Bronzeschichten als Edelmetallersatz
WO2023157900A1 (ja) * 2022-02-18 2023-08-24 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 プローブユニット、検査装置、検査システム、検査方法、及び半導体レーザ装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6149432A (ja) * 1984-08-18 1986-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03250639A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Asahi Chem Ind Co Ltd 微小突起電極付接続基板の製造方法

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3373481A (en) * 1965-06-22 1968-03-19 Sperry Rand Corp Method of electrically interconnecting conductors
US3460238A (en) * 1967-04-20 1969-08-12 Motorola Inc Wire severing in wire bonding machines
US3509270A (en) * 1968-04-08 1970-04-28 Ney Co J M Interconnection for printed circuits and method of making same
US3616532A (en) * 1970-02-02 1971-11-02 Sperry Rand Corp Multilayer printed circuit electrical interconnection device
DE2119567C2 (de) * 1970-05-05 1983-07-14 International Computers Ltd., London Elektrische Verbindungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3753665A (en) * 1970-11-12 1973-08-21 Gen Electric Magnetic film plated wire
US3844909A (en) * 1970-11-12 1974-10-29 Gen Electric Magnetic film plated wire and substrates therefor
US3832632A (en) * 1971-11-22 1974-08-27 F Ardezzone Multi-point probe head assembly
US3842189A (en) 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
US3959874A (en) * 1974-12-20 1976-06-01 Western Electric Company, Inc. Method of forming an integrated circuit assembly
US4074342A (en) * 1974-12-20 1978-02-14 International Business Machines Corporation Electrical package for lsi devices and assembly process therefor
US4067104A (en) * 1977-02-24 1978-01-10 Rockwell International Corporation Method of fabricating an array of flexible metallic interconnects for coupling microelectronics components
JPS5555985U (ja) * 1978-10-12 1980-04-16
JPS568081U (ja) * 1979-06-29 1981-01-23
US4418857A (en) * 1980-12-31 1983-12-06 International Business Machines Corp. High melting point process for Au:Sn:80:20 brazing alloy for chip carriers
US4423376A (en) * 1981-03-20 1983-12-27 International Business Machines Corporation Contact probe assembly having rotatable contacting probe elements
US4532152A (en) * 1982-03-05 1985-07-30 Elarde Vito D Fabrication of a printed circuit board with metal-filled channels
US4488111A (en) * 1982-06-01 1984-12-11 At&T Technologies, Inc. Coupling devices for operations such as testing
US4705205A (en) * 1983-06-30 1987-11-10 Raychem Corporation Chip carrier mounting device
GB8330391D0 (en) * 1983-11-15 1983-12-21 Gen Electric Co Plc Electrical interface arrangement
US4751199A (en) * 1983-12-06 1988-06-14 Fairchild Semiconductor Corporation Process of forming a compliant lead frame for array-type semiconductor packages
US4667219A (en) * 1984-04-27 1987-05-19 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip interface
US4548451A (en) * 1984-04-27 1985-10-22 International Business Machines Corporation Pinless connector interposer and method for making the same
EP0169574B1 (en) * 1984-07-27 1990-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing semiconductor device
DE3536908A1 (de) * 1984-10-18 1986-04-24 Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi, Osaka Induktivitaetselement und verfahren zur herstellung desselben
JPS61164038A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Nissan Motor Co Ltd タ−ボチヤ−ジヤのサ−ジ防止装置
US4659437A (en) * 1985-01-19 1987-04-21 Tokusen Kogyo Kabushiki Kaisha Method of thermal diffusion alloy plating for steel wire on continuous basis
US4642889A (en) * 1985-04-29 1987-02-17 Amp Incorporated Compliant interconnection and method therefor
JPS61287155A (ja) * 1985-06-14 1986-12-17 Hitachi Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US4661192A (en) * 1985-08-22 1987-04-28 Motorola, Inc. Low cost integrated circuit bonding process
US4793814A (en) * 1986-07-21 1988-12-27 Rogers Corporation Electrical circuit board interconnect
US4777564A (en) * 1986-10-16 1988-10-11 Motorola, Inc. Leadform for use with surface mounted components
US4764848A (en) * 1986-11-24 1988-08-16 International Business Machines Corporation Surface mounted array strain relief device
US4955523A (en) * 1986-12-17 1990-09-11 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
US5189507A (en) * 1986-12-17 1993-02-23 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
US5086337A (en) * 1987-01-19 1992-02-04 Hitachi, Ltd. Connecting structure of electronic part and electronic device using the structure
JP2533511B2 (ja) * 1987-01-19 1996-09-11 株式会社日立製作所 電子部品の接続構造とその製造方法
JPS63279477A (ja) * 1987-05-09 1988-11-16 Pioneer Electronic Corp ディスクプレ−ヤの情報読取装置
US4983907A (en) * 1987-05-14 1991-01-08 Intel Corporation Driven guard probe card
US5045975A (en) * 1987-05-21 1991-09-03 Cray Computer Corporation Three dimensionally interconnected module assembly
JPH0640106B2 (ja) * 1987-11-09 1994-05-25 株式会社日立製作所 半導体ｌｓｉ検査装置用プローブヘッド及びその製造方法
JPH063820B2 (ja) * 1988-07-25 1994-01-12 松下電器産業株式会社 半導体装置の実装方法
US5014111A (en) * 1987-12-08 1991-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrical contact bump and a package provided with the same
JPH01152271A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Toshiba Corp スパッタ装置
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US5137461A (en) * 1988-06-21 1992-08-11 International Business Machines Corporation Separable electrical connection technology
DE3838413A1 (de) * 1988-11-12 1990-05-17 Mania Gmbh Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl.
US5037023A (en) * 1988-11-28 1991-08-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for wire bonding
JPH02226996A (ja) * 1989-02-28 1990-09-10 Seiko Instr Inc 圧電素子接着装置および圧電素子接着方法
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
US4914814A (en) * 1989-05-04 1990-04-10 International Business Machines Corporation Process of fabricating a circuit package
US5366380A (en) * 1989-06-13 1994-11-22 General Datacomm, Inc. Spring biased tapered contact elements for electrical connectors and integrated circuit packages
US5349495A (en) * 1989-06-23 1994-09-20 Vlsi Technology, Inc. System for securing and electrically connecting a semiconductor chip to a substrate
JP3087294B2 (ja) * 1989-09-29 2000-09-11 ジェイエスアール株式会社 異方導電性シートの製造方法
US4998885A (en) * 1989-10-27 1991-03-12 International Business Machines Corporation Elastomeric area array interposer
JPH03142847A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5095187A (en) * 1989-12-20 1992-03-10 Raychem Corporation Weakening wire supplied through a wire bonder
US4989069A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Motorola, Inc. Semiconductor package having leads that break-away from supports
US5471151A (en) * 1990-02-14 1995-11-28 Particle Interconnect, Inc. Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces
JPH03292406A (ja) * 1990-04-06 1991-12-24 Shiyuukou:Kk 基礎台調整用支持具
US5130779A (en) * 1990-06-19 1992-07-14 International Business Machines Corporation Solder mass having conductive encapsulating arrangement
US5187020A (en) * 1990-07-31 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Compliant contact pad
GB2247565B (en) * 1990-08-22 1994-07-06 Gen Electric Co Plc A method of testing a semiconductor device
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
JPH04240570A (ja) * 1991-01-24 1992-08-27 Shimadzu Corp マイクロ・プローブ・ボード
JPH04273458A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Ando Electric Co Ltd 測定ヘッドとプローブカードの水平出し機構
JPH04297050A (ja) * 1991-03-12 1992-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置およびその平板状基板の製造方法
JP3092191B2 (ja) * 1991-03-27 2000-09-25 ジェイエスアール株式会社 回路基板検査装置
JP3135135B2 (ja) * 1991-04-18 2001-02-13 三菱電機株式会社 半導体装置，その製造方法，その試験方法及びその試験装置
US5076794A (en) * 1991-04-29 1991-12-31 Compaq Computer Corporation Space-saving mounting interconnection between electrical components and a printed circuit board
JPH0529406A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体検査装置
US5345038A (en) * 1991-07-29 1994-09-06 Kyocera America, Inc. Multi-layer ceramic packages
EP0678232B1 (en) * 1991-09-30 1997-10-29 Ceridian Corporation Plated compliant lead
US5309324A (en) * 1991-11-26 1994-05-03 Herandez Jorge M Device for interconnecting integrated circuit packages to circuit boards
US5225777A (en) * 1992-02-04 1993-07-06 International Business Machines Corporation High density probe
US5289631A (en) * 1992-03-04 1994-03-01 Mcnc Method for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips
US5299939A (en) * 1992-03-05 1994-04-05 International Business Machines Corporation Spring array connector
US5483421A (en) * 1992-03-09 1996-01-09 International Business Machines Corporation IC chip attachment
JPH05283494A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Katsuyoshi Nakano 集積回路素子ウエハー用測定電極
US5210939A (en) * 1992-04-17 1993-05-18 Intel Corporation Lead grid array integrated circuit
US5237743A (en) * 1992-06-19 1993-08-24 International Business Machines Corporation Method of forming a conductive end portion on a flexible circuit member
US5248262A (en) * 1992-06-19 1993-09-28 International Business Machines Corporation High density connector
JPH0650990A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Nec Corp プローブカード
DE4232745C2 (de) * 1992-09-30 2002-07-18 Univ Dresden Tech Bonddraht zum Ultraschallbonden
US5334804A (en) * 1992-11-17 1994-08-02 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
JPH06213928A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Tokyo Electron Ltd プローブヘッドの製造方法
US5386344A (en) * 1993-01-26 1995-01-31 International Business Machines Corporation Flex circuit card elastomeric cable connector assembly
CA2110472C (en) * 1993-03-01 1999-08-10 Anilkumar Chinuprasad Bhatt Method and apparatus for in-situ testing of integrated circuit chips
JPH06265577A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験用電気的接続治具
US5414298A (en) * 1993-03-26 1995-05-09 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies and components with pressure contact
JPH06294818A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Seiko Epson Corp パフォーマンスボード

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6149432A (ja) * 1984-08-18 1986-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03250639A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Asahi Chem Ind Co Ltd 微小突起電極付接続基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015021851A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 新光電気工業株式会社 プローブカード及びその製造方法
JP7370055B2 (ja) 2020-02-12 2023-10-27 株式会社新川 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100408948B1 (ko) 2004-04-03
JPH09508241A (ja) 1997-08-19
EP1447846A3 (en) 2007-10-17
WO1996017378A1 (en) 1996-06-06
DE69530103T2 (de) 2003-12-11
AU4159896A (en) 1996-06-06
EP1198001A2 (en) 2002-04-17
KR20060087616A (ko) 2006-08-02
KR100278093B1 (ko) 2001-01-15
JP2001077250A (ja) 2001-03-23
WO1996015551A1 (en) 1996-05-23
JP2007132950A (ja) 2007-05-31
JP4163922B2 (ja) 2008-10-08
DE69533336D1 (de) 2004-09-09
EP1447846A2 (en) 2004-08-18
JP2008034861A (ja) 2008-02-14
DE69530103D1 (de) 2003-04-30
EP1408338A2 (en) 2004-04-14
DE69531996D1 (de) 2003-11-27
JP2006084475A (ja) 2006-03-30
JP4160693B2 (ja) 2008-10-01
AU4283996A (en) 1996-06-19
JP4588721B2 (ja) 2010-12-01
EP1408338A3 (en) 2007-09-26
JP2011069829A (ja) 2011-04-07
JP2003179110A (ja) 2003-06-27
CN1118099C (zh) 2003-08-13
CN1171167A (zh) 1998-01-21
JP3157134B2 (ja) 2001-04-16
JPH10506197A (ja) 1998-06-16
KR970705029A (ko) 1997-09-06
JP2892505B2 (ja) 1999-05-17
EP1408337A3 (en) 2007-09-19
JP2002509639A (ja) 2002-03-26
JP2003177144A (ja) 2003-06-27
WO1996016440A1 (en) 1996-05-30
CN1251319C (zh) 2006-04-12
DE69535629D1 (de) 2007-12-06
EP1198001A3 (en) 2008-07-23
JPH11514493A (ja) 1999-12-07
KR100399210B1 (ko) 2003-09-26
JP3114999B2 (ja) 2000-12-04
KR100324059B1 (ko) 2002-04-17
KR20030096425A (ko) 2003-12-31
JP4540577B2 (ja) 2010-09-08
DE69531996T2 (de) 2004-07-22
JP4160809B2 (ja) 2008-10-08
DE69535629T2 (de) 2008-07-31
AU4159996A (en) 1996-06-17
DE69533336T2 (de) 2005-01-13
JP2000067953A (ja) 2000-03-03
EP1408337A2 (en) 2004-04-14
AU4160096A (en) 1996-06-06
CN1495870A (zh) 2004-05-12
WO1996015458A1 (en) 1996-05-23
JP3386077B2 (ja) 2003-03-10
JPH11126800A (ja) 1999-05-11
KR100394205B1 (ko) 2003-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3114999B2 (ja) 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
US6336269B1 (en) Method of fabricating an interconnection element
US6778406B2 (en) Resilient contact structures for interconnecting electronic devices
US6727579B1 (en) Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US8485418B2 (en) Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out
US20070228110A1 (en) Method Of Wirebonding That Utilizes A Gas Flow Within A Capillary From Which A Wire Is Played Out
US6655023B1 (en) Method and apparatus for burning-in semiconductor devices in wafer form
US5994152A (en) Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US5495667A (en) Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects
JP3058919B2 (ja) 犠牲基板を用いた相互接続部及び先端の製造
US20020145032A1 (en) Method and apparatus for shaping spring elements
EP0792463A1 (en) Mounting spring elements on semiconductor devices, and wafer-level testing methodology
KR100623099B1 (ko) 두 개의 전자부품 사이의 전기적 연결부
KR100556638B1 (ko) 접점 조립체 형성 방법
EP0792517A1 (en) Electrical contact structures from flexible wire
KR100517256B1 (ko) 가요성와이어로부터전기접점구조물의제조
EP1610132B1 (en) Fabricating interconnects using sacrificial substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101012

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110704

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120120