DE10345377B4 - Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls - Google Patents

Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls Download PDF

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Abstract

Halbleitermodul mit:
zumindest einer Halbleitereinrichtung (10);
einer starren, wannenförmigen Abdeckeinrichtung (14), in welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) eingebracht ist, welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) schützt und entwärmt; und
einer Trägereinrichtung (17), welche einerseits eine Anschlußeinrichtung (19) aufweist und andererseits mit der Halbleitereinrichtung (10) und der Abdeckeinrichtung (14) verbunden ist,
wobei die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) elektrisch mittels einer flexiblen Kontakteinrichtung (11) über die Trägereinrichtung (17) an die Anschlußeinrichtung (19) angeschlossen ist und mechanisch an die Abdeckeinrichtung (14) unter Druck der flexiblen Kontakteinrichtung (11) anstößt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls, und insbesondere eine Flip-Chip-Anordnung in einem Package ohne einen sogenannten Underfill.
  • Der Einsatz höherer Taktfrequenzen und damit die Steigerung der Leistungsfähigkeit von Halbleitereinrichtungen, insbesondere Speicherbausteinen, erfordert eine Anpassung der Gehäuse-Technologie. Die Funktionsfähigkeit und Zuverlässigkeit eines Halbleiterbausteins kann durch parasitäre Effekte, welche auf das Gehäuse zurückgehen, eingeschränkt oder nicht mehr sichergestellt werden. Vor allem bei auftretenden hohen Frequenzen müssen die parasitären Größen, wie der ohmsche, kapazitive, und induktive Widerstand (R, 1/ωC, ωL), durch konstruktive Maßnahmen in einem Gehäuse- bzw. Package-Aufbau minimiert werden.
  • Bei bekannten Flip-Chip in Package-Anordnungen werden beispielsweise Bond-Drähte durch Flip-Chip-Verbindungen und Leadframes durch flexible bzw. starre Substrate ersetzt. Problematisch dabei ist, daß aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) einer Halbleitereinrichtung von z. B. etwa 3 ppm/K und eines Substrats von etwa 18 ppm/K mechanische Verspannungen bei Temperaturwechselzyklen auftreten. Diese können zum Bruch und damit zur Unterbrechung der elektrischen Verbindungen zwischen einer Halbleitereinrichtung, wie einem Chip, und einem Substrat führen.
  • Im allgemeinen werden deshalb solche Flip-Chip-Konfigurationen in einem Package gemäß 6 und 8 unterfüllt oder gemäß 7 in einem Spritzgußschritt vollständig vergossen bzw. übermolded. Dadurch wird der Chip A mit dem Substrat C, welche elektrisch über Lotkugeln B kontaktiert sind, so fest verbunden, daß sich Chip A und Substrat C bei einem Temperaturwechselzyklus gleichförmig ausdehnen bzw. zusammenziehen. Dies führt jedoch zu einer leichten Verbiegung des gesamten Packages. Die Ummantelung des Chips A mit der Mold-Masse D gemäß 7 dient gleichzeitig dem mechanischen Schutz. Für die Flip-Chip-Verbindungen werden neben den Lotkugeln B gemäß 6 und 7 auch andere Kontaktelemente eingesetzt, wie beispielsweise Gold Stud Bumps, Nickel Bumps, oder ähnliche. Die Kontaktelemente werden im Flip-Chip-Herstellungsprozeß mittels Lot B, Leitklebstoff, durch Kompression, oder ähnliche Verfahren mit dem Substrat C elektrisch leitend verbunden.
  • Die Kontaktelemente B besitzen eine nur sehr begrenzte Flexibilität bezüglich des Ausgleiches thermischer Verspannungen aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Chip A und Substrat C bei einer Temperaturänderung. Deshalb wird die Verbindung zwischen Chip A und Substrat C durch Einbringen eines Underfill-Materials D, D', D'' in einem Underfill-Prozeß versteift. Dabei erfolgt der Underfill-Prozeß entweder nachträglich (capillar flow underfill D gemäß 7, underfill molden D' gemäß 7) oder bereits während der Flip-Chip-Montage (z. B. no flow underfill, anisotropic conductive adhesive D'' gemäß 8). Ebenfalls bekannt ist die Verwendung von Deckeln zur besseren Wärmeableitung (heat spreader) bei unterfüllten Flip-Chip-Konfigurationen.
  • Von Nachteil bei den oben genannten bekannten Anordnungen ist, daß es aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Chip A, Substrat C und Mold-Masse D, D', D'' vor allem bei größeren Halbleiter-Chips zu einer Verwölbung bzw. einem Verziehen des gesamten Packages kommt. Dies kann sich nachteilig auf den Package-Test und die Package-Montage auswirken. Außerdem kann es aufgrund der Verwölbung des Packages zu einer Delamination der Mold-Masse D vom Substrat C bzw. vom Chip A kommen. Darüber hinaus können schlecht wärmeleitende Mold-Massen D, D' den Wärmeabfluß zum Substrat C bzw. die Wärmeabstrahlung an die Umgebung allgemein behindern.
  • Die US 5,311,059 A beschreibt eine Halbleitereinrichtung, welche über solder bumps an einem Substrat mit einer Masseplatte befestigt ist. Der Zwischenraum zwischen der Halbleitereinrichtung und dem Substrat ist mit einem underfill-Material gefüllt. Auf das underfill-Material ist ein elektrisch leitfähiges Material aufgebracht, um einen leitenden Kontakt zwischen der Masseplatte und einer dem Substrat entgegen gerichteten Seite der Halbleitereinrichtung zu bilden.
  • In der US 5,473,512 A ist eine halbkugelförmige starre Plastikabdeckung beschrieben, welche mindestens zwei Öffnungen zum Einfüllen eines flüssigen Gels aufweist. Die Plastikabdeckung kann beabstandet von einer auf einem Substrat fest angeordneten Halbleitereinrichtung an dem Substrat befestigt werden, so dass die Halbleitereinrichtung in dem flüssigen Gel thermische Ausdehnungen ausführen kann.
  • Weitere Möglichkeiten zum Befestigen einer Halbleitereinrichtung auf einer Trägereinrichtung sind in den Druckschriften US 6,555,759 B2 , WO 96/15551 A1 und US 2003/0085474 A1 beschrieben.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls bereitzustellen, durch welche robuste und zuverlässige Halbleitermodule unter Vermeidung eines Underfill- bzw. Mold-Prozesses zu erzeugen, und das Auftreten von thermischen Spannungen zwischen einer Halbleitereinrichtung und einem Trägersubstrat zu vermeiden, wobei eine elektrische Anbindung zwischen Halbleitereinrichtung und Trägersubstrat bereitgestellt wird.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das im Anspruch 1 angegebene Halbleitermodul und durch das Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls nach Anspruch 12 gelöst.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht im wesentlichen darin, daß eine Halbleitereinrichtung über flexible Kontakteinrichtungen mit einer Trägereinrichtung elektrisch kontaktiert wird, wobei durch eine Abdeckeinrichtung die Halbleitereinrichtung geschützt wird.
  • In der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem insbesondere dadurch gelöst, daß ein Halbleitermodul bereitgestellt wird mit: zumindest einer Halbleitereinrichtung; einer starren, wannenförmigen Abdeckeinrichtung, in welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung eingebracht ist, welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung schützt und entwärmt; und einer Trägereinrichtung, welche einerseits eine Anschlußeinrichtung aufweist und andererseits mit der Halbleitereinrichtung und der Abdeckeinrichtung verbunden ist, wobei die zumindest eine Halbleitereinrichtung elektrisch mittels einer flexiblen Kontakteinrichtung über die Trägereinrichtung an die Anschlußeinrichtung angeschlossen ist und mechanisch an die Abdeckeinrichtung unter Druck der flexiblen Kontakteinrichtung anstößt.
  • Von Vorteil bei einer solchen Konfiguration ist, daß die Halbleitereinrichtung und die Trägereinrichtung und/oder vorzugsweise die Halbleitereinrichtung und die Abdeckeinrichtung über ein flexibles Material miteinander verbunden sind. Dadurch können keine thermischen Verspannungen auftreten. Gleichzeitig wird jedoch die Robustheit des Halbleitermoduls, d. h. des Packages, durch die fest montierte Abdeckeinrichtung gewährleistet. Es können somit keine Verwölbungen des Halbleitermoduls auftreten. Insbesondere für große Halbleiterein richtungen bzw. -Chips mit großem Abstand von der Chip-Mitte ist die erfindungsgemäße Konfiguration geeignet. Die Abdeckeinrichtung besteht vorzugsweise aus einem thermisch gut leitfähigen Material, wie z. B. einem Metall, wodurch die Wärmeableitung verbessert wird.
  • Darüber hinaus kann ein solcher Metalldeckel gleichzeitig zur elektrischen Abschirmung elektromagnetischer Störfelder eingesetzt werden. Durch eine vollständige Verlötung bzw. Verklebung des Randes der Abdeckeinrichtung besteht die Möglichkeit, eine hermetische Abschirmung von der Umgebung, insbesondere gegen Umwelteinflüsse, wie z. B. Luftfeuchte, bereitzustellen. Zusätzlich vorteilhaft ist die Tatsache, daß Halbleitereinrichtungen mit flexiblen Kontaktelementen mit geringerem Aufwand auf Wafer-Niveau getestet werden können als Halbleitereinrichtungen mit starren Kontaktelementen (Wafer-Level-Test). Abgesehen davon bietet sich bei einer solchen Konfiguration ohne Underfill-Material die Möglichkeit eines "Rework", d. h. einer Zerlegung der Anordnung zu Reparaturzwecken im Fehlerfall.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Halbleitermoduls und des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitermoduls.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist die flexible Kontakteinrichtung elastisch deformierbare Kontakterhebungen, vorzugsweise aus einem Polymer, wie z. B. Silikon, auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die flexible Kontakteinrichtung metallische Federelemente auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die starre Abdeckeinrichtung den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Trägereinrichtung auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die Abdeckeinrichtung aus einem Metall.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die starre Abdeckeinrichtung, vorzugsweise unter hermetischer Abdichtung, auf die Trägereinrichtung aufgeklebt oder aufgelötet.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist eine Vielzahl von Halbleitereinrichtungen in dem Modul vorgesehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die zumindest eine Halbleitereinrichtung eine Speichereinrichtung auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Abdeckeinrichtung zumindest in einem vorbestimmten Abschnitt mit der Halbleitereinrichtung mittels eines Klebemittels verklebt, welches vorzugsweise ein niedriges Elastizitätsmodul aufweist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die elektrische Kontaktierung zwischen der flexiblen Kontakteinrichtung der zumindest einen Halbleitereinrichtung und der An schlußeinrichtung der Trägereinrichtung über Lot oder Leitkleber vorgesehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Abdeckeinrichtung zumindest an deren Außenseite Vorsprünge und/oder Vertiefungen zur Oberflächenvergrößerung auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die flexible Kontakteinrichtung durch Aufdrucken zumindest einer flexiblen Erhebung und vorzugsweise Aufbringen und Strukturieren einer Umverdrahtungseinrichtung auf der zumindest einen Halbleitereinrichtung und insbesondere auf der zumindest einen flexiblen Erhebung erzeugt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden als Anschlußeinrichtung Lotkugeln auf die Trägereinrichtung aufgebracht.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Querschnittsansicht einer Montagesequenz eines Halbleitermoduls zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls zur Erläuterung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls zur Erläuterung einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 eine schematische Querschnittsansicht eines Halbleitermoduls zur Erläuterung einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 6 bis 8 jeweils eine schematische Querschnittsansicht eines bekannten Halbleitermoduls.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
  • In 1 ist in einer Art Explosions-Querschnittsdarstellung eine Halbleitereinrichtung 10, vorzugsweise ein Halbleiterspeicher, bei der Montage zu einem Halbleitermodul dargestellt. Gemäß der bevorzugten Ausführungsform in 1 weist die Halbleitereinrichtung 10 eine flexible Kontakteinrichtung 11 in Form von elastisch deformierbaren Kontakterhebungen 12 vorzugsweise mit einer abschnittsweise auf den flexiblen Kontakterhebungen 12 verlaufenden Umverdrahtungseinrichtung 13. Die Umverdrahtungseinrichtung 13 ist mit der Halbleitereinrichtung 10 elektrisch leitend verbunden. Sie wird gemäß dem Ausführungsbeispiel nach dem Aufbringen der elastisch deformierbaren Kontakterhebungen 12 auf die Halbleitereinrichtung 10 und vorzugsweise auf die elastisch deformierbaren Kontakterhebungen 12 aufgebracht und strukturiert.
  • Die elastisch deformierbaren Kontakterhebungen 12 weisen beispielsweise ein Polymer, wie Silikon, auf und können sowohl leitfähig als auch nicht leitfähig ausgeführt werden. Werden die Kontakterhebungen 12 aus einem nicht leitfähigen Material gefertigt, so ist eine Umverdrahtungseinrichtung 13, welche sich auf die flexiblen Kontakterhebungen 12 erstrecken, erforderlich. Bei flexiblen Kontakterhebungen 12 aus einem leitfähigen Material, wie beispielsweise Leitkleber, ist lediglich eine elektrische Kontaktierung der leitfähigen Kontakterhebungen 12 mit der Halbleitereinrichtung 10, beispielsweise über eine Umverdrahtungseinrichtung 13, notwendig.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel in 1 wird die Halbleitereinrichtung 10 mit der von der Kontakteinrichtung 11 abgewandten Seite in eine Abdeckeinrichtung 14 eingebracht. Die Abdeckeinrichtung 14 weist im Querschnitt ein im wesentlichen U-förmiges bzw. wannenförmiges Profil auf und besteht zur besseren Entwärmung der Halbleitereinrichtung 10 im Betrieb vorzugsweise aus einem thermisch gut leitfähigen Material, wie z. B. einem Metall.
  • Vorzugsweise wird die Halbleitereinrichtung 10 in einem vorbestimmten Abschnitt z. B. mittig mittels eines elastischen Klebemittels 15 verklebt. Zur Abstandswahrung zwischen der Abdeckeinrichtung 14 und der Halbleitereinrichtung 10 sind an der Abdeckeinrichtung 14 vorzugsweise zwei Abstandshalter 16 in Form von ausgeformten Vorsprüngen vorgesehen. Ist die Halbleitereinrichtung 10 in die Abdeckeinrichtung 14 eingebracht und stößt an die Abstandshalter 16 der Abdeckeinrichtung 14, so erstreckt sich die Halbleitereinrichtung 10 inklusive der Kontakteinrichtung 11 in vertikaler Richtung in etwa so weit oder etwas weiter als der Rand 14' der Abdeckeinrichtung 14. Vorzugsweise ist in vorbestimmten Abschnitten um die flexiblen Kontakterhebungen 12 auf der Halbleitereinrichtung 10 eine Lötstoppschicht (nicht dargestellt) vorgesehen.
  • Eine Trägereinrichtung 17 bzw. ein Trägersubstrat wird daraufhin vorzugsweise über Lot-Pads oder Leitklebstoff 18 in einem Flip-Chip-Prozeß elektrisch mit der Kontakteinrichtung 11 der Halbleitereinrichtung 10 verbunden. Vorzugsweise gleichzeitig wird dabei der Rand 14' der Abdeckeinrichtung 14 abschnittsweise oder vollständig auf der Trägereinrichtung 17 verlötet oder verklebt. Das Material der Abdeckeinrichtung 14 weist vorzugsweise den gleichen oder einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) auf wie die Trägereinrichtung 17. Das Klebemittel 15 ist vorzugsweise so weich, d. h. weist ein niedriges Elastizitätsmodul auf, wie z. B. Silikon, daß thermische Spannungen zwischen der Halbleitereinrichtung 10 und der Trägereinrichtung 17 durch das Klebemittel 15 ausgeglichen werden können. Gleiches gilt für die flexible Kontakteinrichtung 11.
  • Daran schließt sich das Aufbringen einer Anschlußeinrichtung 19 auf die von der Halbleitereinrichtung 10 abgewandten Seite der Trägereinrichtung 17 an. Die Anschlußeinrichtung 19 weist vorzugsweise Lotkugeln auf, welche auf Kontakt-Pads 20 der Trägereinrichtung vorgesehen sind. Die Kontakt-Pads 20 der Trägereinrichtung 17 sind elektrisch mit der Kontakteinrichtung 11 der Halbleitereinrichtung 10 verbunden. Vorzugsweise weist die Trägereinrichtung 21 innere Lagen (Unverdrahtungslagen, Power- bzw. GND-Lagen) auf.
  • In 2 ist ein gemäß 1 zusammengesetztes Halbleitermodul im Querschnitt dargestellt. Obwohl gemäß 1 und 2 ein flexibles Klebemittel 15 zwischen der Abdeckeinrichtung 14 und der Halbleitereinrichtung 10 vorgesehen ist, besteht die Möglichkeit, dieses Klebemittel 15 auch auszulassen, d. h. die Abdeckeinrichtung 14 ist dann lediglich über die Abstandshalter 16 unter leichtem Druck mit der Halbleitereinrichtung 10 kontaktiert, um eine noch höhere Beweglichkeit beim Durchlaufen von Temperaturzyklen zwischen der Abdeckeinrichtung 14 und der Halbleitereinrichtung 10 zu gewährleisten.
  • In 3 ist ein Halbleitermodul schematisch im Querschnitt dargestellt, welches sich von dem mit Bezug auf 1 und 2 Erläuterten im wesentlichen darin unterscheidet, daß auf der Halbleitereinrichtung 10 keine einzelnen elastisch deformierbaren Kontakterhebungen gemäß 1 und 2 als Kontakteinrichtung 11 vorgesehen sind, sondern eine flexible Schicht 22, welche mit einer strukturierten Umverdrahtungseinrichtung 13 als elektrische Verbindung zwischen der Halbleitereinrichtung 10 und der Trägereinrichtung 17 vorgesehen ist. Die flexible Schicht 22 besteht vorzugsweise aus einem elastisch deformierbaren Polymer, wie beispielsweise Silikon.
  • 4 unterscheidet sich von der Ausführungsform gemäß 1 und 2 im wesentlichen durch den Einsatz von leitfähigen Federelementen 23 als Kontakteinrichtung 11 zur elektrischen Kontaktierung der Halbleitereinrichtung 10 mit der Anschlußeinrichtung 19.
  • Die in 5 dargestellte Anordnung unterscheidet sich von der Konfiguration gemäß 1 und 2 im wesentlichen in der Form der Abdeckeinrichtung 14, welche zur Vergrößerung der Oberfläche und damit zur Verbesserung der Entwärmung der Halbleitereinrichtung 10 mit Ausformungen 24 versehen ist.
  • Neben den dargestellten Varianten der Abdeckeinrichtung 14 sind weitere deckelähnliche Formen mit entsprechenden Oberflächenstrukturen, wie z. B. Kühlrippen oder ähnlichem, möglich. Auch die Dimensionierung sowie die Materialbeispiele der Abdeckeinrichtung sind erweiterbar. Das Klebemittel 15 zwischen Abdeckeinrichtung 14 und Halbleitereinrichtung 10, falls vorhanden, kann aus einem flexiblen, thermisch gut leitfähigen Material bestehen, um die Entwärmung der Halbleitereinrichtung 10 weiter zu optimieren.
  • Vor allem die flexible Kontakteinrichtung 11 ist auf vielfältige Art und Weise generierbar, wie beispielsweise durch Polymer Bumps, Polymer-Flächen, Federelemente, wie Microsprings oder Nanosprings oder auch beliebige Kombinationen davon. Die Kontakteinrichtung 11 ist auch nicht darauf be schränkt durch Lot oder Leitkleber mit der Trägereinrichtung 17 elektrisch leitend verbunden zu sein. Der elektrische Kontakt zwischen der Kontakteinrichtung 11 und der Trägereinrichtung 17 kann durch einfaches Andrücken der flexible Kontakteinrichtung 11 auf die Trägereinrichtung 17 erfolgen. Darüber hinaus ist die Anzahl der Halbleitereinrichtungen 10 unter einer Abdeckeinrichtung variabel, welche nebeneinander und/oder übereinander angeordnet und insbesondere verschiedene Chip-Größen aufweisen können. Die in den Figuren dargestellten Größenverhältnisse bzw. Materialstärken sind lediglich beispielhaft zu betrachten.
    • 10
    Halbleitereinrichtung, vorzugsweise Speicher
    11
    flexible Kontakteinrichtung
    12
    elastisch deformierbare Kontakterhebung
    13
    Umverdrahtungseinrichtung, z. B. auf Kontakterhebung
    14
    Abdeckeinrichtung, vorzugsweise Metalldeckel
    14'
    Rand der Abdeckeinrichtung
    15
    elastisches Klebemittel
    16
    Abstandshalter
    17
    Trägereinrichtung
    18
    Lot-/Leitkleber-Pad
    19
    Anschlußeinrichtung, vorzugsweise Lotkugeln
    20
    Kontakt-Pads der Trägereinrichtung
    21
    Abschirmeinrichtung
    22
    flexible Schicht mit Kontaktelementen
    23
    leitfähiges Federelement
    24
    Ausformung
    A
    Halbleiter-Chip
    B
    Lotkugel, insbesondere Interconnect Chip/Substrat
    C
    Substrat
    D
    capillar flow Underfill
    D'
    Molded Underfill
    D''
    Anisotroper Leitklebstoff
    E
    Lotkugel

Claims (18)

  1. Halbleitermodul mit: zumindest einer Halbleitereinrichtung (10); einer starren, wannenförmigen Abdeckeinrichtung (14), in welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) eingebracht ist, welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) schützt und entwärmt; und einer Trägereinrichtung (17), welche einerseits eine Anschlußeinrichtung (19) aufweist und andererseits mit der Halbleitereinrichtung (10) und der Abdeckeinrichtung (14) verbunden ist, wobei die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) elektrisch mittels einer flexiblen Kontakteinrichtung (11) über die Trägereinrichtung (17) an die Anschlußeinrichtung (19) angeschlossen ist und mechanisch an die Abdeckeinrichtung (14) unter Druck der flexiblen Kontakteinrichtung (11) anstößt.
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible Kontakteinrichtung (11) elastisch deformierbare Kontakterhebungen (12) aufweist.
  3. Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible Kontakteinrichtung (11) metallische Federelemente (23) aufweist.
  4. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die starre Abdeckeinrichtung (14) den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Trägereinrichtung (17) aufweist.
  5. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckeinrichtung (14) aus einem Metall besteht.
  6. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckeinrichtung (14) auf die Trägereinrichtung (17) aufgeklebt oder aufgelötet ist.
  7. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Halbleitereinrichtungen (10) in dem Modul vorgesehen ist.
  8. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) eine Speichereinrichtung aufweist.
  9. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckeinrichtung (14) zumindest in einem vorbestimmten Abschnitt mit der Halbleitereinrichtung (10) mittels eines Klebemittels (15) verklebt ist.
  10. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Kontaktierung zwischen der flexiblen Kontakteinrichtung (11) der zumindest einen Halbleitereinrichtung (10) und der Anschlußeinrichtung (19) der Trägereinrichtung (17) über Lot oder Leitkleber (18) oder durch einfaches Andrücken vorgesehen ist.
  11. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckeinrichtung (14) zumindest an deren Außenseite Vorsprünge (24) und/oder Vertiefungen zur Oberflächenvergrößerung aufweist.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit den Schritten: (a) Aufbringen einer flexiblen Kontakteinrichtung (11) auf zumindest eine Halbleitereinrichtung (10); (b) Einbringen der zumindest einen Halbleitereinrichtung (10) in eine starre, wannenförmige Abdeckeinrichtung (14), welche die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) schützt und entwärmt; (c) Aufbringen der zumindest einen Halbleitereinrichtung (10) auf eine Trägereinrichtung (17); (d) Anbringen der Abdeckeinrichtung (14) an der Trägereinrichtung (17) derart, dass die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) mechanisch an die Abdeckeinrichtung (14) unter Druck der flexiblen Kontakteinrichtung (11) anstößt; und (e) Anbringen einer Anschlußeinrichtung (19) an der Trägereinrichtung (17), wobei die zumindest eine Halbleitereinrichtung (10) elektrisch mittels der flexiblen Kontakteinrichtung (11) über die Trägereinrichtung (17) an die Anschlußeinrichtung (19) angeschlossen ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (c) und (d) gleichzeitig erfolgen und eine elektrische Kontaktierung der zumindest einen Halblei tereinrichtung (10) mit der Trägereinrichtung (17) erfolgt.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible Kontakteinrichtung (11) durch Aufdrucken zumindest einer flexiblen Erhebung (12) und vorzugsweise Aufbringen und Strukturieren einer Umverdrahtungseinrichtung (13) auf der zumindest einen Halbleitereinrichtung (10) und insbesondere auf der zumindest einen flexiblen Erhebung (12) erzeugt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckeinrichtung (12) mit der Halbleitereinrichtung (10) zumindest abschnittsweise verklebt wird.
  16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß als Anschlußeinrichtung (19) Lotkugeln auf Kontakt-Pads (20) der Trägereinrichtung (17) aufgebracht werden.
  17. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß an der Abdeckeinrichtung (14) Abstandshalter (16) in Form von ausgeformten Vorsprüngen angeordnet sind, welche an die Halbleitereinrichtung (10) anstoßen.
  18. Halbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible Kontakteinrichtung (11) elastisch deformierbare Kontakterhebungen (12) aus einem Leitkleber aufweist.
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